JP2024082270A - 吸収剤組成物、吸湿膜、光学フィルター、撮像装置、および赤外線センサー - Google Patents

Abstract

【課題】吸収剤組成部およびその用途を提供する。【解決手段】化学式１で表される化合物および特定の化学式２で表される化合物を含み、特定の条件を満たす、吸収剤組成物。［化学式１］JPEG2024082270000026.jpg77120【選択図】図４

Description

本開示は、吸収剤組成物およびその用途に関する。

吸収剤、特に赤外線領域の光を吸収できる吸収剤は、多様な用途に適用することができる。例えば、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ－Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｄｅｖｉｃｅ）やＣＭＯＳ（ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ ｍｅｔａｌ－ｏｘｉｄｅ－ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサーなどを用いた撮像装置や赤外線センサーなどは、近赤外線領域に対して感度を有するシリコンフォトダイオードなどを含むので、上記吸収剤を用いることができる。

このような吸収剤を適用する方法は多様に存在するが、通常、溶剤に溶解した吸収剤と樹脂成分とを混合したコーティング液を用いる方法を適用する。したがって、吸収剤は、溶剤および樹脂成分に対して優れた溶解性や相溶性を示すことが必要である。

吸収剤の溶剤または樹脂成分に対する溶解性や相溶性が劣ると、吸収剤を適用した吸収膜に対して所望の分光特性を得ることができないか、または吸収膜内で吸収剤が析出する現象などによって光特性の低下が発生する。しかしながら、多様な種類の溶媒および樹脂成分に対して同時に優れた溶解性や相溶性を示す吸収剤を確保することは難しい。

また、例えば、吸収帯域幅が広い光特性、または単一の吸収剤により得られにくい光特性を必要とする場合には、２種以上の吸収剤を適用しなければならない。しかしながら、２種以上の吸収剤のすべてが様々な種類の溶媒および樹脂成分について同時に優れた溶解性や相溶性を示すことは難しい。

本開示は、吸収剤組成物およびその用途を提供することを目的とする。本開示では、２種以上の吸収剤を含む吸収剤組成物として多様な溶媒および樹脂成分に対して優れた相溶性や溶解性を示す吸収剤組成物を提供することを目的とする。

また、本開示は、上記吸収剤組成物を適用し、所望の光特性を確保することを目的とする。

また、本開示は、上記吸収剤組成物の用途を提供することを目的とし、例えば、上記吸収剤組成物を用いて形成した吸収膜、光学フィルター、固体撮像素子および／または赤外線センサーを提供することを目的とする。

本明細書において言及する物性のうち、測定温度が結果に影響を及ぼす物性は、特に明記しない限り、常温で測定した結果である。

用語「常温」は、加温および減温しない自然そのままの温度であり、例えば、１０℃～３０℃の範囲内のいずれか１つの温度、約２３℃または約２５℃程度の温度を意味する。また、本明細書において、温度の単位は、別段の定めがない限り、摂氏（℃）である。

本明細書において言及する物性のうち、測定圧力が結果に影響を及ぼす物性は、特に明記しない限り、常圧で測定した結果である。

用語「常圧」は、加圧および減圧しない、そのままの圧力であり、通常、大気圧レベルの約７４０ｍｍＨｇ～７８０ｍｍＨｇ程度を意味する。

本明細書において、測定湿度が結果に影響を及ぼす物性の場合、当該物性は、常温および／または常圧状態で特に調節しない自然そのままの湿度で測定した物性である。

本明細書において言及する光学特性（例えば、屈折率）が波長によって変わる場合、別段の定めがない限り、当該光学特性は、５２０ｎｍ波長の光に対する特性である。

本明細書において、用語「透過率」、「反射率」または「吸収率」は、別段の定めがない限り、特定波長または所定領域の波長範囲内で確認した実際の透過率（実測透過率）、実際の反射率（実測反射率）または実際の吸収率（実測吸収率）を意味する。

本明細書において用語「透過率」、「反射率」または「吸収率」は、別段の定めがない限り、入射角０度を基準とする透過率、反射率または吸収率である。

本明細書において、用語「平均透過率」は、別段の定めがない限り、所定波長領域内における最短波長から波長を１ｎｍずつ増加させながら、各波長の透過率を測定した後、測定された透過率の算術平均を求めた結果である。例えば、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の平均透過率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した透過率の算術平均である。

本明細書において、用語「最大透過率」は、所定波長領域内における最短波長から波長を１ｎｍずつ増加させながら、各波長の透過率を測定したときの最大透過率である。例えば、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の最大透過率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した透過率のうち最も高い透過率である。

本明細書において、用語「平均反射率」は、別段の定めがない限り、所定波長領域内における最短波長から波長を１ｎｍずつ増加させながら、各波長の反射率を測定した後、測定された反射率の算術平均を求めた結果である。例えば、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の平均反射率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した反射率の算術平均である。

本明細書において、用語「最大反射率」は、所定波長領域内における最短波長から波長を１ｎｍずつ増加させながら、各波長の反射率を測定したときの最大反射率である。例えば、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の最大反射率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した反射率のうち最も高い反射率である。

本明細書において、用語「平均吸収率」は、別段の定めがない限り、所定波長領域内における最短波長から波長を１ｎｍずつ増加させながら、各波長の吸収率を測定した後、測定された吸収率の算術平均を求めた結果である。例えば、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の平均吸収率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した吸収率の算術平均である。

本明細書において、用語「最大吸収率」は、所定波長領域内における最短波長から波長を１ｎｍずつ増加させながら、各波長の吸収率を測定したときの最大吸収率である。例えば、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の最大吸収率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した吸収率のうち最も高い吸収率である。

本明細書において、用語「入射角」は、評価対象表面の法線を基準とする角度である。例えば、光学フィルターの入射角０度における透過率は、光学フィルター表面の法線と実質的に平行な方向に入射した光に対する透過率を意味する。また、例えば、入射角４０度は、上記法線と時計または反時計回りの方向に実質的に４０度の角度を成す入射光に対する値である。このような入射角の定義は、透過率など他の特性にも同一に適用する。

本明細書において、用語「アルキル基」は、炭素数１～２０、炭素数１～１６、炭素数１～１２、炭素数１～８または炭素数１～４のアルキル基を意味する。アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよい。アルキル基は、任意に１つ以上の置換基により置換されていてもよい。

本明細書において、用語「アルコキシ基」は、炭素数１～２０、炭素数１～１６、炭素数１～１２、炭素数１～８または炭素数１～４のアルコキシ基を意味する。アルコキシ基は、直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよい。アルコキシ基は、任意に１つ以上の置換基により置換されていてもよい。

本明細書において、用語「ハロアルキル基」は、少なくとも１つ以上のハロゲン元素で置換されたアルキル基を意味し、用語「アルコキシアルキル基」は、少なくとも１つ以上のアルコキシ基で置換されたアルキル基を意味し、この際、アルキル基とアルコキシ基の具体的な種類は、それぞれ前述した通りである。また、ハロアルキル基に置換されることができるハロゲン原子の例としては、フッ素（Ｆ）、塩素（Ｃｌ）、臭素（Ｂｒ）および／またはヨウ素（Ｉ）などが挙げられる。

本開示は、吸収剤組成物に関する。

本明細書において、用語「吸収剤組成物」は、互いに化学構造が異なる２種の吸収剤を含む混合物を意味する。

吸収剤組成物は、１つの例示において下記化学式１の化合物と下記化学式２の化合物とを含んでもよい。化学式１および化学式２の化合物は、互いに異なる構造を有する。

［化学式１］

化学式１中、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２は、それぞれ独立して、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよく、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２は、それぞれ独立して、水素、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。

［化学式２］

化学式２中、Ｒ_７１およびＲ_７２は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ_６１～Ｒ_６４は、それぞれ独立して、水素、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ａ_１、Ｂ_１、Ａ_２およびＢ_２は、それぞれ独立して、ベンゼン構造であるか、存在しない。

本発明者らは、化学式１の骨格を有し、下記の条件１および条件２のうちいずれか１つを満たす化合物と、化学式２の骨格を有し、下記の条件３および条件４のうちいずれか１つを満たす化合物とを混合して構成した吸収剤組成物が多様な溶媒および樹脂成分に対して優れた溶解性や相溶性を示し、吸収膜に所望の光特性を付与できるという点を確認している。

すなわち、化学式１の化合物は、下記の条件１および条件２のうち少なくとも１つを満たす。
条件１：化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計が１６個以上。
条件２：化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計が１４個以上であり、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基。

なお、化学式２の化合物は、下記の条件３および条件４のうち少なくとも１つを満たす。
条件３：化学式２中、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計が１０個以上。
条件４：化学式２中、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計が４個以上であり、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基。

条件１と関連して、化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計は、１８個以上、２０個以上、２２個以上、２４個以上、２６個以上、２８個以上または３０個以上であってもよい。

条件１と関連して、化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計の上限は、特に限定されない。ただし、炭素数の合計が大き過ぎると、化合物の合成が容易でなく、合成された化合物の結晶性が低下し、精製が難しくなる。したがって、炭素数の合計は、例えば、５０個以下、４８個以下、４６個以下、４４個以下、４２個以下、４０個以下、３８個以下、３６個以下、３４個以下、３２個以下、３０個以下、２８個以下、２６個以下、２４個以下または２２個以下程度であってもよい。

条件１を満たす場合にも、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２のうち少なくとも１つは、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。このような場合において、特に限定されるものではないが、例えば、少なくともＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。

条件２と関連して、化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計は、１４個以上、１６個以上、１８個以上、２０個以上、２２個以上、２４個以上、２６個以上、２８個以上または３０個以上であってもよい。

条件２と関連して、化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計の上限は、特に限定されない。ただし、炭素数の合計が大き過ぎると、化合物の合成が容易でなく、合成された化合物の結晶性が低下し、精製が難しくなる。したがって、炭素数の合計は、例えば、５０個以下、４８個以下、４６個以下、４４個以下、４２個以下、４０個以下、３８個以下、３６個以下、３４個以下、３２個以下、３０個以下、２８個以下、２６個以下、２４個以下、２２個以下、２０個以下または１８個以下程度であってもよい。

条件２の場合、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計が２０個未満の場合に、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。このような場合において、特に限定されるものではないが、例えば、少なくともＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。

条件３と関連して、化学式２中、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計は、１０個以上、１２個以上、１４個以上または１６個以上であってもよい。

条件３と関連して、化学式２のＲ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計の上限は、特に限定されない。ただし、炭素数の合計が大き過ぎると、化合物の合成が容易でなく、合成された化合物の結晶性が低下し、精製が難しくなる。したがって、炭素数の合計は、例えば、４０個以下、３８個以下、３６個以下、３４個以下、３２個以下、３０個以下、２８個以下、２６個以下、２４個以下、２２個以下、２０個以下、１８個以下、１６個以下、１４個以下、１２個以下または１０個以下程度であってもよい。

条件３を満たす場合にも、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２のうち少なくとも１つは、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。このような場合において、特に限定されるものではないが、例えば、少なくともＲ_７１およびＲ_７２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。

条件４と関連して、化学式２中、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計が４個以上、６個以上、８個以上、１０個以上、１２個以上、１４個以上または１６個以上であってもよい。

条件４と関連して、化学式２のＲ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計の上限は、特に限定されない。ただし、炭素数の合計が大き過ぎると、化合物の合成が容易でなく、合成された化合物の結晶性が低下し、精製が難しくなる。したがって、炭素数の合計は、例えば、４０個以下、３８個以下、３６個以下、３４個以下、３２個以下、３０個以下、２８個以下、２６個以下、２４個以下、２２個以下、２０個以下、１８個以下、１６個以下、１４個以下、１２個以下、１０個以下、８個以下、６個以下または４個以下程度であってもよい。

条件４の場合、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計が１０個未満の場合に、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。このような場合において、特に限定されるものではないが、例えば、少なくともＲ_７１およびＲ_７２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。

化学式１中、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２は、それぞれ独立して、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２のアルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基に存在する炭素数の下限は、１個、２個、３個、４個、５個、６個、７個または８個であってもよく、上限は、２０個、１８個、１６個、１４個、１２個、１０個、８個、６個、４個または２個程度であってもよい。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２のアルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基に存在する炭素数は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

Ｒ_１１およびＲ_１２の炭素数の合計Ｃ１のＲ_５１およびＲ_５２の炭素数の合計Ｃ５に対する割合Ｃ１／Ｃ５は、０．１～１０の範囲内にあってもよい。

割合Ｃ１／Ｃ５は、他の例示において０．１以上、０．３以上、０．５以上、１以上、１．５以上、２以上、２．５以上または３以上程度であるか、９以下、８以下、７以下、６以下、５以下、４以下、３以下、２以下または１以下程度であってもよい。

１つの例示において化学式１中、Ｒ_１１の炭素数Ｃ１１のＲ_１２の炭素数Ｃ１２に対する割合Ｃ１１／Ｃ１２の下限は、０．１、０．３、０．５、０．７、０．９または１程度であってもよく、上限は、２、１．８、１．６、１．４、１．２または１程度であってもよい。割合Ｃ１１／Ｃ１２は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

１つの例示において化学式１中、Ｒ_５１に存在する炭素数Ｃ５１のＲ_５２に存在する炭素数Ｃ５２に対する割合Ｃ５１／Ｃ５２の下限は、０．１、０．３、０．５、０．７、０．９または１程度であってもよく、上限は、２、１．８、１．６、１．４、１．２または１程度であってもよい。割合Ｃ５１／Ｃ５２は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

化学式１の１つの例示においてＲ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５およびＲ_２６は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２は、水素であってもよい。このような場合に、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５およびＲ_２６のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基に含まれる炭素数は、１個～４個、１個～３個、１個～２個または１個程度であってもよい。

化学式１中、Ｒ_１１およびＲ_１２の炭素数の合計Ｃ１のＲ_２１～Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計Ｃ２に対する割合Ｃ１／Ｃ２の下限は、１、１．２、１．４、１．６、１．８または２程度であってもよく、上限は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２または１．５程度であってもよい。割合Ｃ１／Ｃ２は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

１つの例示において化学式１中、Ｒ_２１～Ｒ_２３に含まれる炭素数ＣＲ２のＲ_２４～Ｒ_２６に含まれる炭素数ＣＬ２に対する割合ＣＲ２／ＣＬ２の下限は、０．１、０．３、０．５、０．７、０．９または１程度であってもよく、上限は、２、１．８、１．６、１．４、１．２または１程度であってもよい。割合ＣＲ２／ＣＬ２は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

１つの例示において化学式１中、Ｒ_３１に含まれる炭素数ＣＲ３のＲ_３２に含まれる炭素数ＣＬ３に対する割合ＣＲ３／ＣＬ３の下限は、０．１、０．３、０．５、０．７、０．９または１程度であってもよく、上限は、２、１．８、１．６、１．４、１．２または１程度であってもよい。割合ＣＲ３／ＣＬ３は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

１つの例示において化学式１中、Ｒ_４１に含まれる炭素数ＣＲ４のＲ_４２に含まれる炭素数ＣＬ４に対する割合ＣＲ４／ＣＬ４の下限は、０．１、０．３、０．５、０．７、０．９または１程度であってもよく、上限は、２、１．８、１．６、１．４、１．２または１程度であってもよい。割合ＣＲ４／ＣＬ４は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

化学式１に存在するアルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよく、任意に１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

化学式２中、Ｒ_７１およびＲ_７２は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。Ｒ_７１およびＲ_７２のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基に含まれる炭素数の下限は、１個、２個、３個、４個、５個または６個であってもよく、上限は、２０個、１８個、１６個、１４個、１２個、１０個、８個、６個、４個または３個程度であってもよい。Ｒ_７１およびＲ_７２のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基に存在する炭素数は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

１つの例示において化学式２中、Ｒ_７１の炭素数Ｃ７１のＲ_７２の炭素数Ｃ７２に対する割合Ｃ７１／Ｃ７２の下限は、０．１、０．３、０．５、０．７、０．９または１程度であってもよく、上限は、２、１．８、１．６、１．４、１．２または１程度であってもよい。割合Ｃ７１／Ｃ７２は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

化学式１の１つの例示においてＲ_６１～Ｒ_６４は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であってもよい。このような場合に、Ｒ_６１～Ｒ_６４のアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基に含まれる炭素数は、１個～４個、１個～３個、１個～２個または１個程度であってもよい。

化学式２中、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計Ｃ７のＲ_６１～Ｒ_６４の炭素数の合計Ｃ６に対する割合Ｃ７／Ｃ６の下限は、０．１、０．５、１．５、２、２．５または３程度であってもよく、上限は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２または１．５程度であってもよい。割合Ｃ７／Ｃ６は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

１つの例示において化学式２中、Ｒ_６１およびＲ_６２に含まれる炭素数ＣＲ６のＲ_６３およびＲ_６４に含まれる炭素数ＣＬ６に対する割合ＣＲ６／ＣＬ６の下限は、０．１、０．３、０．５、０．７、０．９または１程度であってもよく、上限は、２、１．８、１．６、１．４、１．２または１程度であってもよい。割合ＣＲ６／ＣＬ６は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

化学式２に存在するアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基は、それぞれ直鎖状、分岐鎖状または環状であってもよく、任意に１つ以上の置換基で置換されていてもよい。

化学式２中、Ａ_１、Ａ_２、Ｂ_１およびＢ_２は、それぞれ独立して、ベンゼン構造であるか、存在しない。ここで、ベンゼン構造というのは、当該部位の点線が実線で表される場合であり、存在しないというのは、当該部位の点線が存在しないことを意味する。例えば、化学式１中、Ａ_１およびＡ_２がベンゼン構造であり、Ｂ_１およびＢ_２が存在しない構造は、下記化学式２１で表される。

［化学式２１］

１つの例示において化学式２中、Ａ_１およびＢ_１のうちいずれか１つは、ベンゼン構造であり、他の１つは、存在せず、Ａ_２およびＢ_２のうちいずれか１つは、ベンゼン構造であり、他の１つは、存在しなくてもよい。

より適切な効果を得るために、化学式１と化学式２との関係を調節することができる。

例えば、化学式１および化学式２のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１、Ｒ_４２、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２に存在する炭素数の合計の上限および／または下限をさらに調節することができる。例えば、炭素数の合計の下限は、２６個、２８個、３０個、３２個、３４個、３６個、３８個、４０個、４２個、４４個または４６個程度であってもよい。炭素数の合計の上限は、８０個、７５個、７０個、６５個、６０個、５５個、５０個、４８個、４６個、４４個、４２個、４０個、３８個、３６個、３４個または３２個、３０個、２８個程度であってもよい。炭素数の合計は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

化学式１のＲ_１１およびＲ_１２の炭素数の合計Ｃ１の化学式２のＲ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計Ｃ７に対する割合Ｃ１／Ｃ７の上限および／または下限をさらに調節することができる。例えば、炭素数の合計の下限は、０．１、０．３、０．５、１、１．５または２程度であってもよい。割合Ｃ１／Ｃ７の上限は、１０、９、８、７、６、５、４、３、２または１程度であってもよい。割合Ｃ１／Ｃ７は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計ＣＡのＲ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計ＣＢに対する割合ＣＡ／ＣＢの上限および／または下限をさらに調節することができる。例えば、炭素数の合計の下限は、０．５、０．７、０．９、１、１．１、１．５、２または２．５程度であってもよい。割合ＣＡ／ＣＢの上限は、５、４、３または２程度であってもよい。割合ＣＡ／ＣＢは、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

化学式１および化学式２の化合物を含むことによって、目的とする特性を示す吸収剤組成物を提供することができる。

吸収剤組成物内で化学式１および化学式２の化合物間の割合は、特に限定されない。すなわち、化合物間の割合は、目的とする光特性を考慮して調節することができる。１つの例示において化学式２の化合物は、化学式１の化合物１００重量部に対して１重量部～５００重量部の割合で吸収剤組成物に含まれてもよい。

化学式２の化合物の化学式１の化合物１００重量部に対する割合は、他の例示において５重量部以上、１０重量部以上、１５重量部以上、２０重量部以上、２５重量部以上、３０重量部以上、３５重量部以上、４０重量部以上、４５重量部以上、５０重量部以上、５５重量部以上、６０重量部以上、６５重量部以上または７０重量部以上程度であるか、４５０重量部以下、４００重量部以下、３５０重量部以下、３００重量部以下、２５０重量部以下、２００重量部以下、１５０重量部以下または１００重量部以下程度であってもよい。上記割合は、上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限以下であり、かつ上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上の範囲内にあってもよい。

目的とする効果を得るために、必要に応じて、吸収剤組成物に含まれるすべての吸収剤に対する化学式１および化学式２の化合物の割合の上限および／または下限を調節することができる。例えば、吸収剤組成物に含まれるすべての吸収剤の重量を基準とする化学式１および化学式２の化合物の合計重量の割合（重量比）の下限は、５０重量％、５５重量％、６０重量％、６５重量％、７０重量％、７５重量％、８０重量％、８５重量％、９０重量％または９５重量％程度であってもよい。重量比の上限は、１００重量％、９５重量％、９０重量％または８５重量％程度であってもよい。重量比は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限と上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限の範囲内にあってもよい。

吸収剤組成物は、化学式１および化学式２の化合物にさらに必要な他の成分を含むこともできる。

例えば、吸収剤組成物は、バインダーの役割をする樹脂成分をさらに含んでもよい。このような場合に適用する樹脂成分の種類は、特に限定されず、吸収膜、例えば、近赤外線吸収膜を形成するのに用いられる公知の樹脂成分を適用することができる。本開示の吸収剤は、公知の多様な樹脂成分に対して適切な相溶性や溶解性を示すことができる。

適用可能な樹脂成分の例としては、環状オレフィン（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ）系樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリパラフェニレン樹脂、ポリアリレンエーテルホスフィンオキシド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂またはシリコーン樹脂などやその他多様な有機樹脂または有機・無機ハイブリッド系の樹脂のうち１種以上が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

樹脂成分を適用する場合に、その割合も特に限定されない。例えば、樹脂成分１００重量部に対する化学式１および化学式２の化合物の合計重量が０．１～５０重量部の範囲となるように樹脂成分が存在してもよい。

樹脂成分１００重量部に対する化学式１および化学式２の化合物の合計重量は、他の例示において０．５重量部以上、１重量部以上、１．５重量部以上、２重量部以上、２．５重量部以上、３重量部以上、３．５重量部以上、４重量部以上、４．５重量部以上、５重量部以上、５．５重量部以上、６重量部以上、６．５重量部以上または７重量部以上程度であるか、４５重量部以下、４０重量部以下、３５重量部以下、３０重量部以下、２５重量部以下、２０重量部以下、１５重量部以下または１０重量部以下程度であってもよい。上記割合は、上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限以下であり、かつ上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上の範囲内にあってもよい。

樹脂成分を適用する場合に、樹脂成分１００重量部にして化学式１の化合物の重量比は、０．５～５０重量部の範囲内であってもよい。樹脂成分１００重量部に対する化学式１の化合物の重量比は、他の例示において１重量部以上、１．５重量部以上、２重量部以上、２．５重量部以上、３重量部以上、３．５重量部以上、４重量部以上、４．５重量部以上、５重量部以上、５．５重量部以上、６重量部以上、６．５重量部以上または７重量部以上程度であるか、４５重量部以下、４０重量部以下、３５重量部以下、３０重量部以下、２５重量部以下、２０重量部以下、１５重量部以下、１０重量部以下、９重量部以下、８重量部以下、７重量部以下、６重量部以下または５重量部以下程度であってもよい。上記割合は、上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限以下であり、かつ上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上の範囲内にあってもよい。

樹脂成分を適用する場合に、樹脂成分１００重量部に対して化学式２の化合物の重量比は、０．５～５０重量部の範囲内であってもよい。樹脂成分１００重量部に対する化学式２の化合物の重量比は、他の例示において１重量部以上、１．５重量部以上、２重量部以上、２．５重量部以上、３重量部以上、３．５重量部以上、４重量部以上、４．５重量部以上、５重量部以上、５．５重量部以上、６重量部以上、６．５重量部以上または７重量部以上程度であるか、４５重量部以下、４０重量部以下、３５重量部以下、３０重量部以下、２５重量部以下、２０重量部以下、１５重量部以下、１０重量部以下、９重量部以下、８重量部以下、７重量部以下、６重量部以下、５重量部以下、４重量部以下または３重量部以下程度であってもよい。上記割合は、上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限以下であり、かつ上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上の範囲内にあってもよい。

例えば、吸収剤組成物は、化学式１および化学式２の化合物を含む吸収剤および／または樹脂成分が分散している溶媒をさらに含むこともできる。このような場合に適用する溶媒の種類は、特に限定されず、吸収膜、例えば、近赤外線吸収膜を形成するのに用いられる公知の溶媒を適用することができる。本開示の吸収剤は、公知の多様な溶媒に対して適切な相溶性や溶解性を示すことができる。

適用可能な溶媒の例としては、シクロヘキサノン、トルエン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、クロロベンゼンまたはキシレンなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

溶媒を適用する場合に、その割合にも特別な制限はなく、化学式１および化学式２の化合物などの適切な分散が可能な範囲で割合を調節することができる。

吸収剤組成物は、上述した成分にさらに必要な他の成分を含むこともできる。

本開示は、また、吸収剤組成物の用途に関する。

例えば、本開示は、吸収剤組成物を適用した吸収膜に関する。

このような吸収膜は、少なくとも樹脂成分と、吸収剤組成物または化学式１の化合物と化学式２の化合物とを含んでもよい。

樹脂成分の具体的な種類および樹脂成分と化学式１および化学式２の化合物間の割合などは、前述した吸収剤組成物で説明した通りである。

吸収膜は、所定範囲の波長領域内の光を吸収できる膜であってもよい。１つの例示において吸収膜は、赤外線吸収膜または近赤外線吸収膜であってもよい。このような吸収膜は、例えば、約６００ｎｍ～９００ｎｍの範囲内の波長領域のうち少なくとも一部の波長領域で吸収特性を示すことができる。

１つの例示において吸収膜は、前述した吸収剤組成物または化学式１および化学式２の化合物の適用を通じて、上記６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内で相対的に広いバンド幅を有し、より長波長に対して吸収特性を有していてもよい。

このような特性によって、吸収膜は、多様な光学フィルターや赤外線センサーなどの機器に適用し、入射角によるシフト現象を防止することができる。また、光学フィルターや赤外線センサーなどに誘電体膜を適用する場合に、当該誘電体膜の反射特性を調節し、いわゆるペタルフレア（ｐｅｔａｌ ｆｌａｒｅ）などの欠陥を防止することができ、また、誘電体膜の層数を低減することができ、これによって、工程的なメリットをも確保することができる。

したがって、一例示において吸収膜は、６００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内でバンド幅が６０ｎｍ以上の吸収バンドを示すことができる。

吸収バンドは、吸収膜の透過率曲線で略７０％以下の透過率を示す領域を意味する。

また、バンド幅は、吸収膜の透過率曲線の６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域で２０％の透過率を示す最長波長と２０％の透過率を示す最短波長間の差を意味する。

このような吸収膜の６００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内でバンド幅は、他の例示において７０ｎｍ以上、８０ｎｍ以上、９０ｎｍ以上、１００ｎｍ以上または１２０ｎｍ以上程度であってもよい。バンド幅の上限は、特に制限されず、例えば、バンド幅は、６００ｎｍ以下、５５０ｎｍ以下、５００ｎｍ以下、４５０ｎｍ以下、４００ｎｍ以下、３５０ｎｍ以下、３００ｎｍ以下、２５０ｎｍ以下、２００ｎｍ以下、１９０ｎｍ以下、１８０ｎｍ以下、１６０ｎｍ以下、１５０ｎｍ以下、１４０ｎｍ以下または１３０ｎｍ以下程度であってもよい。バンド幅は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上であるか、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上であり、かつ上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限以下の範囲内にあってもよい。

また、吸収膜は、Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｎ波長が６００ｎｍ～８００ｎｍの範囲内にあってもよい。Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｎ波長の下限は、他の例示において６１０ｎｍ、６２０ｎｍまたは６３０ｎｍ程度であってもよく、その上限は、他の例示において７５０ｎｍ、７００ｎｍまたは６５０ｎｍ程度であってもよい。Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｎ波長は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上であり、かつ上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限以下の範囲内にあってもよい。

ここで、Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｎ波長は、吸収膜の透過率曲線の６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域で５０％の透過率を示す最短波長を意味する。

吸収膜は、Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｆｆ波長が７００ｎｍ～９００ｎｍの範囲内にあってもよい。Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｆｆ波長は、Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｎ波長に比べて長波長であってもよい。Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｆｆ波長の下限は、他の例示において７２０ｎｍ、７４０ｎｍ、７６０ｎｍ、７８０ｎｍまたは８００ｎｍ程度であってもよく、その上限は、他の例示において８８０ｎｍ、８６０ｎｍ、８４０ｎｍ、８２０ｎｍ、８１０ｎｍまたは８００ｎｍ程度であってもよい。Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｆｆ波長は、上述した下限のうち任意のいずれか１つの下限以上であり、かつ上述した上限のうち任意のいずれか１つの上限以下の範囲内にあってもよい。

ここで、Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｆｆ波長は、吸収膜の透過率曲線の６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域で５０％の透過率を示す最長波長を意味する。

吸収特性を通じて、吸収膜は、多様な光学フィルターや赤外線センサーなどの機器に適用し、目的とする特性を効率的に達成することができる。

本開示の吸収膜は、本開示の吸収剤組成物を適用する限り、公知の方法で形成することができる。

例えば、吸収剤組成物を適切な方法でコートし、必要に応じて硬化や乾燥工程を行い、吸収膜を形成することができる。

吸収膜の厚さには、特に限定されず、厚さは、目的とする特性を考慮して調節することができる。

一例示において吸収膜は、略０．１μｍ～２０μｍ程度の厚さを有していてもよい。

本開示は、また、光学フィルターに関する。光学フィルターは、基材層と、基材層の一面または両面に形成される前述した吸収膜と、を含んでもよい。

図１は、光学フィルターの１つの例示として、基材層１００の一面に吸収膜２００が形成された場合を示す図である。

このような本開示の光学フィルターは、前述した吸収膜を含むことによって優れた性能を示すことができ、例えば、光学フィルターは、不要な赤外線光を効率よくかつ正確に遮断しつつ、高い透過率の可視光透過バンドを実現することができる。

光学フィルターに適用する透明基板の種類は、特に限定されず、公知の光学フィルター用透明基板を用いることができる。

１つの例示において基材層は、いわゆる赤外線吸収基板であってもよい。赤外線吸収基板は、赤外線領域のうち少なくとも一部の領域で吸収特性を示す基板である。銅を含ませて上記特性を示すいわゆるブルーガラス（Ｂｌｕｅ Ｇｌａｓｓ）は、赤外線吸収基板の代表的な例である。このような赤外線吸収基板は、赤外線領域の光を遮断する光学フィルターを構成するに際して有用であるが、吸収特性によって可視光領域で高い透過率を確保する点から不利であり、また、耐久性の点からも不利である。本開示では、赤外線吸収基板を選択し、これを前述した吸収膜と組み合わせることによって、所望の光を効率的に遮断しつつ、可視光領域で高い透過率特性を示し、耐久性に優れた光学フィルターを提供することができる。

赤外線吸収基板としては、４２５ｎｍ～５６０ｎｍの範囲内で７５％以上の平均透過率を示す基板を用いることができる。平均透過率は、他の例示において７７％以上、７９％以上、８１％以上、８３％以上、８５％以上、８７％以上または８９％以上の範囲内および／または９８％以下、９６％以下、９４％以下、９２％以下または９０％以下の範囲内であってもよい。

赤外線吸収基板としては、４２５ｎｍ～５６０ｎｍの範囲内で８０％以上の最大透過率を示す基板を用いることができる。最大透過率は、他の例示において８２％以上、８４％以上、８６％以上、８８％以上または９０％以上の範囲内および／または１００％以下、９８％以下、９６％以下、９４％以下、９２％以下または９０％以下の範囲内であってもよい。

赤外線吸収基板としては、３５０ｎｍ～３９０ｎｍの範囲内で７５％以上の平均透過率を示す基板を用いることができる。平均透過率は、他の例示において７７％以上、７９％以上、８１％以上または８３％以上の範囲内および／または９８％以下、９６％以下、９４％以下、９２％以下、９０％以下、８８％以下、８６％以下または８４％以下の範囲内であってもよい。

赤外線吸収基板としては、３５０ｎｍ～３９０ｎｍの範囲内で８０％以上の最大透過率を示す基板を用いることができる。最大透過率は、他の例示において８２％以上、８４％以上、８６％以上または８７％以上の範囲内および／または１００％以下、９８％以下、９６％以下、９４％以下、９２％以下、９０％以下または８８％以下の範囲内であってもよい。

赤外線吸収基板としては、波長７００ｎｍにおける透過率が１０％～４５％の範囲内の基板を用いることができる。透過率は、他の例示において４３％以下、４１％以下、３９％以下、３７％以下、３５％以下、３３％以下、３１％以下または２９％以下程度であるか、１２％以上、１４％以上、１６％以上、１８％以上、２０％以上、２２％以上、２４％以上、２６％以上または２８％以上程度であってもよい。

赤外線吸収基板としては、７００ｎｍ～８００ｎｍの範囲内で５％～３０％の範囲内の平均透過率を示す基板を用いることができる。平均透過率は、他の例示において７％以上、９％以上、１１％以上、１３％以上、１５％以上、１５．５％以上、１６％以上または１６．５％以上の範囲内および／または２８％以下、２６％以下、２４％以下、２２％以下、２０％以下、１８％以下または１７％以下の範囲内であってもよい。

赤外線吸収基板としては、７００ｎｍ～８００ｎｍの範囲内で１０％～４５％の範囲内の最大透過率を示す基板を用いることができる。最大透過率は、他の例示において１２％以上、１４％以上、１６％以上、１８％以上、２０％以上、２２％以上、２４％以上、２６％以上または２８％以上の範囲内および／または４３％以下、４１％以下、３９％以下、３７％以下、３５％以下、３３％以下、３１％以下または２９％以下の範囲内であってもよい。

赤外線吸収基板としては、８００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内で３％～２０％の範囲の平均透過率を示す基板を用いることができる。平均透過率は、他の例示において５％以上、７％以上、９％以上または１１％以上の範囲内および／または１８％以下、１６％以下、１４％以下または１２％以下の範囲内でさらに調節することができる。

赤外線吸収基板としては、８００ｎｍ～１０００ｎｍの範囲内で５％～３０％の範囲の最大透過率を示す基板を用いることができる。最大透過率は、他の例示において７％以上、９％以上、１１％以上、１３％以上または１５％以上の範囲内および／または２８％以下、２６％以下、２４％以下、２２％以下、２０％以下、１８％以下または１６％以下の範囲内であってもよい。

赤外線吸収基板としては、１０００ｎｍ～１２００ｎｍの範囲内で１０％～５０％の範囲の平均透過率を示す基板を適用することができる。平均透過率は、他の例示において１２％以上、１４％以上、１６％以上、１８％以上、２０％以上、２２％以上、２４％以上または２５％以上の範囲内および／または４８％以下、４６％以下、４４％以下、４２％以下、４０％以下、３８％以下、３６％以下、３４％以下、３２％以下、３０％以下、２８％以下または２６％以下の範囲内でさらに調節することができる。

赤外線吸収基板は、１０００ｎｍ～１２００ｎｍの範囲内で１０％～７０％の範囲の最大透過率を示す基板を用いることができる。最大透過率は、他の例示において１２％以上、１４％以上、１６％以上、１８％以上、２０％以上、２２％以上、２４％以上、２６％以上、２８％以上、３０％以上、３２％以上、３４％以上またはまたは３６％以上の範囲内および／または６８％以下、６６％以下、６４％以下、６２％以下、６０％以下、５８％以下、５６％以下、５４％以下、５２％以下、５０％以下、４８％以下、４６％以下、４４％以下、４２％以下、４０％以下、３８％以下または３７％以下の範囲内であってもよい。

上記特性の赤外線吸収基板は、本開示の吸収膜と組合わせて目的とする光学フィルターを形成することができる。

このような基板としては、いわゆる赤外線吸収ガラスと知られている基板を用いることができる。このようなガラスは、フッ化リン酸塩系ガラスやリン酸塩系ガラスなどにＣｕＯなどを添加して製造した吸収型ガラスである。したがって、一例示において本開示では、赤外線吸収基板としては、ＣｕＯ含有フッ化リン酸塩ガラス基板またはＣｕＯ含有リン酸塩ガラス基板を用いてもよい。リン酸塩ガラスには、ガラスの骨格の一部がＳｉＯ_２で構成される硅酸リン酸塩ガラスも含まれる。このような吸収型ガラスは、公知となっており、例えば、韓国登録特許第１０－２０５６６１３号などに開示されたガラスやその他市販の吸収型ガラス（例えば、ホヤ、ショット、ＰＴＯＴ社などの市販製品）を用いることができる。

このような赤外線吸収基板は、銅を含む。本開示では、銅含有量が１重量％～７重量％の範囲内の基板を用いることができる。銅含有量は、他の例示において１．５重量％以上、２重量％以上、２．５重量％以上、２．６重量％以上、２．７重量％以上または２．８重量％以上程度であるか、６．５重量％以下、６重量％以下、５．５重量％以下、５重量％以下、４．５重量％以下、４重量％以下、３．５重量％以下、３重量％以下または２．９重量％以下程度であってもよい。このような銅含有量を有する基板は、前述した光学特性を示しやすく、吸収膜と組合わせて所望の特性の光学フィルターを形成することができる。

銅含有量は、Ｘ線蛍光分析（ＷＤ ＸＲＦ、Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ Ｘ－Ｒａｙ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ）装置を用いて確認することができる。Ｘ線蛍光分析装置を用いて試験片（基材層）にＸ線を照射すると、試験片の各元素から特徴的な二次Ｘ線が発生し、装置は、二次Ｘ線を各元素別の波長によって検出する。二次Ｘ線の強度は、元素含有量に比例し、したがって、元素別の波長によって測定された二次Ｘ線の強度を通じて定量分析を行うことができる。

赤外線吸収基板の厚さは、例えば、約０．０３ｍｍ～５ｍｍの範囲内で調節することができるが、これらに限定されるものではない。

本開示の光学フィルターは、基材層と吸収膜にさらに必要な公知の他の構成を含むこともできる。

例えば、前述した光学フィルターは、誘電体膜をさらに含んでもよい。光学フィルターは、例えば、基材層の一面または両面にいわゆる誘電体膜をさらに含んでもよい。

図２および図３は、誘電体膜３００が追加された光学フィルターの例示であり、基材層１００と吸収膜２００とを含む積層構造の一面または両面に誘電体膜３００が形成された場合を示す。

このような誘電体膜は、低屈折率の誘電体材料と高屈折率の誘電体材料を反復積層して構成された膜であり、いわゆるＩＲ反射層およびＡＲ（Ａｎｔｉ－ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）層を形成するために用い、本開示でも、このような公知のＩＲ反射層やＡＲ層の形成のための誘電体膜を適用することができる。

したがって、誘電体膜は、それぞれ互いに屈折率が異なる少なくとも２種のサブ層を含む多層構造であってもよく、２種のサブ層が繰り返して積層された多層構造を含んでもよい。

誘電体膜を形成する材料、すなわち各サブ層を形成する材料の種類は、特に限定されず、公知の材料を適用することができる。通常、低屈折サブ層の製造には、ＳｉＯ_２またはＮａ_５Ａｌ_３Ｆ１_４、Ｎａ_３ＡｌＦ_６またはＭｇＦ_２などのフッ化物を適用し、高屈折サブ層の製造には、非晶質シリコン、ＴｉＯ_２、Ｔａ_２Ｏ_５、Ｎｂ_２Ｏ_５、ＺｎＳまたはＺｎＳｅなどを適用することができるが、本開示において適用する材料は上記に限定されるものではない。

誘電体膜を形成する方法は、特に限定されず、例えば、公知の蒸着方法を適用して形成することができる。サブ層の蒸着厚さや層数などを勘案して誘電体膜の反射や透過特性を制御する方法が公知となっており、本開示では、このような公知の方法によって誘電体膜を形成することができる。

１つの例示において本開示の光学フィルターに含まれる誘電体膜は、６００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内で５０％の反射率を示す最短波長が７１０ｎｍ以上であるか、あるいは最短波長が存在しなくてもよい。最短波長が存在しない場合、６００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲で誘電体膜の最大反射率は５０％未満である。存在する場合に、５０％の反射率を示す最短波長は、他の例示において７１５ｎｍ以上、７２０ｎｍ以上、７２５ｎｍ以上、７３０ｎｍ以上、７３５ｎｍ以上、７４０ｎｍ以上、７４５ｎｍ以上、７５０ｎｍ以上または７５４ｎｍ以上であるか、９００ｎｍ以下、８５０ｎｍ以下、８００ｎｍ以下、７９０ｎｍ以下、７８０ｎｍ以下、７７０ｎｍ以下または７６０ｎｍ以下程度であってもよい。５０％の反射率を示す最短波長は、上述した下限のうちいずれかの１つの下限と上限の範囲内であってもよく、この際、上限は、９００ｎｍであってもよい。

誘電体膜の反射特性を制御することによって、いわゆるペタルフレア（ｐｅｔａｌ ｆｌａｒｅ）現象を防止することができる。ペタルフレア現象は、発光体などを撮影するとき、目視で観察されなかった赤色線などが写真に撮られる現象を意味し、発光体を基準として赤色線があたかも花びらのように形状を帯びる場合が多く、ペタルフレアと呼ばれる。撮像装置に含まれるセンサーの感度が増加し、より鮮明な写真を得るために光学フィルターなどの透過率を高めることで、上記ペタルフレアの発生頻度が増加している。

ペタルフレア現象の原因の１つは、光学フィルターが装着された撮像装置内で近赤外光の反射が繰り返されることが考慮される。通常、光学フィルターに形成される誘電体膜のうち、特にいわゆるＩＲ膜は、近赤外線領域の光を反射により遮断するために形成されるものであるから、誘電体膜が５０％の反射率を示す最短波長は、可視光近くに形成され、これは、通常７１０ｎｍ未満である。しかしながら、このような誘電体膜により撮像装置内で近赤外光の反射が加速化し、それによって、ペタルフレア現象が発生する。それでも、誘電体膜が５０％の反射率を示す最短波長を７１０ｎｍ以上に調節すると、光学フィルターの赤外光遮断効率が低下する。

しかしながら、本開示では、前述した吸収膜の適用を通じて、誘電体膜が５０％の反射率を示す最短波長を７１０ｎｍ以上に調節する場合にも、赤外光を効果的に遮断することができ、また、ペタルフレア現象も防止することができる。なお、誘電体膜の反射特性を調節する設計方法は公知となっている。

光学フィルターは、前述した吸収膜と区別される吸収膜として紫外線に対して吸収特性を示す吸収膜（以下、紫外線吸収膜）をさらに含んでもよい。ただし、このような紫外線吸収膜は、必須構成ではなく、例えば、後述する紫外線吸収剤を化学式１および化学式２の化合物などと共に１つの吸収膜に導入することもできる。

１つの例示において紫外線吸収膜は、約３００ｎｍ～３９０ｎｍの波長領域で吸収極大を示すように設計することができる。

紫外線吸収膜は、紫外線吸収剤のみを含むこともでき、必要に応じて、２種以上の紫外線吸収剤を含むこともできる。

例えば、紫外線吸収剤としては、約３００ｎｍ～３９０ｎｍの波長領域で吸収極大を示す公知の吸収剤を適用することができ、その例としては、Ｅｘｉｔｏｎ社のＡＢＳ ４０７；ＱＣＲ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ Ｃｏｒｐ社のＵＶ３８１Ａ、ＵＶ３８１Ｂ、ＵＶ３８２Ａ、ＵＶ３８６Ａ、ＶＩＳ４０４Ａ；Ｈ．Ｗ．Ｓａｎｄｓ社のＡＤＡ１２２５、ＡＤＡ３２０９、ＡＤＡ３２１６、ＡＤＡ３２１７、ＡＤＡ３２１８、ＡＤＡ３２３０、ＡＤＡ５２０５、ＡＤＡ３２１７、ＡＤＡ２０５５、ＡＤＡ６７９８、ＡＤＡ３１０２、ＡＤＡ３２０４、ＡＤＡ３２１０、ＡＤＡ２０４１、ＡＤＡ３２０１、ＡＤＡ３２０２、ＡＤＡ３２１５、ＡＤＡ３２１９、ＡＤＡ３２２５、ＡＤＡ３２３２、ＡＤＡ４１６０、ＡＤＡ５２７８、ＡＤＡ５７６２、ＡＤＡ６８２６、ＡＤＡ７２２６、ＡＤＡ４６３４、ＡＤＡ３２１３、ＡＤＡ３２２７、ＡＤＡ５９２２、ＡＤＡ５９５０、ＡＤＡ６７５２、ＡＤＡ７１３０、ＡＤＡ８２１２、ＡＤＡ２９８４、ＡＤＡ２９９９、ＡＤＡ３２２０、ＡＤＡ３２２８、ＡＤＡ３２３５、ＡＤＡ３２４０、ＡＤＡ３２１１、ＡＤＡ３２２１、ＡＤＡ５２２０、ＡＤＡ７１５８；ＣＲＹＳＴＡＬＹＮ社のＤＬＳ３８１Ｂ、ＤＬＳ３８１Ｃ、ＤＬＳ３８２Ａ、ＤＬＳ３８６Ａ、ＤＬＳ４０４Ａ、ＤＬＳ４０５Ａ、ＤＬＳ４０５Ｃ、ＤＬＳ４０３Ａなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。

このような紫外線吸収膜を構成する材料および構成方法は、特に限定されず、公知の材料および構成方法を適用することができる。

通常、紫外線吸収膜は、目的とする吸収極大を示すことができるよう紫外線吸収剤を透明な樹脂と配合した材料を用いて形成する。この際、透明樹脂としては、吸収剤組成物に適用する樹脂成分を適用することができる。

光学フィルターは、上述した層の他にも、必要な多様な層を目的とする効果を損なわない範囲で追加することができる。

本開示は、また、前述した光学フィルターを含む撮像装置に関する。この際、撮像装置の構成方法や光学フィルターの適用方法は、特に限定されず、公知の構成と適用方法を適用することができる。

また、本開示の光学フィルターの用途が撮像装置に限定されるものではなく、その他、近赤外線カットが必要な多様な用途（例えば、ＰＤＰなどのディスプレイ装置など）に適用することができる。。

本開示は、また、前述した吸収膜を含む赤外線センサーに関する。赤外線センサーの構成は、本開示の吸収膜が含まれる限り、特に限定されず、例えば、公知のモーションセンサー、近接センサーまたはジェスチャーセンサーに本開示の吸収膜を導入して構成することができる。

また、本開示の吸収剤組成物または吸収膜の用途が光学フィルター、赤外線センサーおよび／または撮像装置に限定されるものではなく、その他、赤外線カットが必要な多様な用途（例えば、ＰＤＰなどのディスプレイ装置など）に適用することができる。

本開示は、吸収剤組成物およびその用途を提供することができる。本開示では、２種以上の吸収剤を含む吸収剤組成物として多様な溶媒および樹脂成分に対して優れた相溶性や溶解性を示す吸収剤組成物を提供することができる。

本開示は、吸収剤組成物を適用し、所望の光特性を確保することができる。

本開示は、また、吸収剤組成物の用途を提供することを目的とし、例えば、吸収剤組成物を用いて形成した吸収膜、光学フィルター、固体撮像素子および／または赤外線センサーを提供することができる。

本開示の光学フィルターの例示的な構造を示す図である。 本開示の光学フィルターの例示的な構造を示す図である。 本開示の光学フィルターの例示的な構造を示す図である。 実施例または比較例で製造された吸収膜の透過率を評価した結果を示す図である。 実施例または比較例で製造された吸収膜の透過率を評価した結果を示す図である。 実施例または比較例で製造された吸収膜の透過率を評価した結果を示す図である。

以下、実施例に基づいて本開示の光学フィルターを具体的に説明するが、本開示の光学フィルターの範囲が下記実施例によって制限されるものではない。

＜１．透過率スペクトルの評価＞
透過率スペクトルは、測定対象（例えば、吸収膜）を横および縦がそれぞれ１０ｍｍおよび１０ｍｍとなるように裁断して得られた試験片に対して分光光度計（製造社：Ｐｅｒｋｉｎｅｌｍｅｒ社、製品名：Ｌａｍｂｄａ７５０分光光度計）を用いて測定した。透過率スペクトルは、波長別および入射角別に測定した。試験片を分光光度計の測定ビームとディテクターとの間の直線上に配置し、測定ビームの入射角を０度から４０度まで変更しながら、透過率スペクトルを測定した。特に明記しない限り、本実施例における透過率スペクトルの結果は、入射角が０度である場合の結果である。入射角０度は、試験片の表面法線方向と実質的に平行な方向である。

透過率スペクトルにおいて所定波長領域内における平均透過率は、波長領域における最短波長から波長を１ｎｍずつ増加させながら各波長の透過率を測定した後、測定された透過率の算術平均を求めた結果であり、最大透過率は、１ｎｍずつ波長を増加させながら測定した透過率のうち最大透過率である。例えば、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の平均透過率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した透過率の算術平均であり、３５０ｎｍ～３６０ｎｍの波長範囲内の最大透過率は、３５０ｎｍ、３５１ｎｍ、３５２ｎｍ、３５３ｎｍ、３５４ｎｍ、３５５ｎｍ、３５６ｎｍ、３５７ｎｍ、３５８ｎｍ、３５９ｎｍおよび３６０ｎｍの波長で測定した透過率のうち最も高い透過率である。

＜２．Ｍａｓｓ分析＞
合成された化合物に対するＭａｓｓ分析は、液体クロマトグラフ／質量分析機器（Ｔｈｅｒｍｏ Ｆｉｎｎｉｇａｎ社）を用いて行った。

（合成例１．化合物（Ａ１）の製造）
下記反応式１の過程を通じて化学式Ａ１の化合物を合成した。

［反応式１］

反応式１の化合物Ａ１４．１ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．２４ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）８．７ｇをｎ－ブタノール（ｎ－Ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解させ、９５℃で４時間程度反応させる。反応完了後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを入れ、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルターし、目的物（化学式Ａ１の化合物）（７．４ｇ、５１％）を得ることができた。

合成された目的化合物（化学式Ａ１の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ７３９．７［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例２．化合物（Ａ２）の製造）
下記反応式２の過程を通じて化学式Ａ２の化合物を合成した。

［反応式２］

反応式２の化合物Ｂ１４．１ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．２４ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）８．７ｇをｎ－ブタノール（ｎ－Ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解させ、９５℃で４時間程度反応させた。反応完了後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを入れ、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルターし、目的物（化学式Ａ２の化合物）（６．１ｇ、３９％）を得た。

合成された目的化合物（化学式Ａ２の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ７９５．７［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例３．化合物Ａ３の製造）
下記反応式３の過程を通じて化学式Ａ３の化合物を合成した。

［反応式３］

反応式３の化合物Ｃ１７．５ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．５ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）９．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－Ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解させ、９５℃で４時間程度反応させた。反応完了後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを入れ、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルターし、目的物（化学式Ａ３の化合物）（６．９ｇ、３６％）を得た。

合成された目的化合物（化学式Ａ３の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ８７６．１［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例４．化合物（Ａ４）の製造）
下記反応式４の過程を通じて化学式Ａ４の化合物を合成した。

［反応式４］

反応式４の化合物Ｄ１４ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．５ ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）９．３ｇをｎ－ブタノール（ｎ－Ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解させ、９５℃で４時間程度反応させた。反応完了後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを入れ、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルターし、目的物（化学式Ａ４の化合物）（６．８ｇ、４５％）を得た。

上記合成された目的化合物（化学式Ａ４の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ６８７．５［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例５．化合物（Ａ５）の製造）
下記反応式５の過程を通じて化学式Ａ５の化合物を合成した。

［反応式５］

反応式５の化合物Ｅ１５．３ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．５ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）９．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解させ、９５℃で４時間程度反応させる。反応完了後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを入れ、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルターし、目的物（化学式Ａ５化合物）（７．２ｇ、４４％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ａ５）の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ７４３．６［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例６．化合物（Ａ６）の製造）
下記反応式６の過程を通じて化学式Ａ６の化合物を合成した。

［反応式６］

反応式６化合物Ｆ１０．７ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．５ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）９．３ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解させ、９５℃で４時間程度反応させる。反応完了後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを入れ、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルターし、目的物（化学式Ａ６化合物）（５．７ｇ、４８％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ａ６の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ５４３．４［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例７．化合物（Ｂ１）の製造）
下記反応式７の過程を通じて化学式Ｂ１の化合物を合成した。

［反応式７］

反応式７の化合物Ｇ１０．１ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）７．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ１の化合物）（６．８ｇ、５８％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ｂ１の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ６６５．８［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例８．化合物（Ｂ２）の製造）
下記反応式８の過程を通じて化学式Ｂ２の化合物を合成した。

［反応式８］

反応式８の化合物Ｈ８．９ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）７．５ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ２の化合物）（５．９ｇ、５５％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ｂ２の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ６４１．５［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例９．化合物（Ｂ３）の製造）
下記反応式９の過程を通じて化学式Ｂ３の化合物を合成した。

［反応式９］

反応式９の化合物Ｉ８．８ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）７．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ３の化合物）（５．４ｇ、５１％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ｂ３の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ６０９．２［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例１０．化合物（Ｂ４）の製造）
下記反応式１０の過程を通じて化学式Ｂ４の化合物を合成した。

［反応式１０］

反応式１０の化合物Ｊ１０．３ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）８．５ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ４の化合物）（３．６ｇ、３１％）を得ることができる。

上記合成された目的化合物（化学式Ｂ４の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ６６５．４［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例１１．化合物（Ｂ５）の製造）
下記反応式１１の過程を通じて化学式Ｂ５の化合物を合成した。

［反応式１１］

反応式１１の化合物Ｋ９．３ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）７．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ５の化合物）（５．７ｇ、５３％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ｂ５の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ６３６．４［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例１２．化合物（Ｂ６）の製造）
下記反応式１２の過程を通じて化学式Ｂ６の化合物を合成した。
［反応式１２］

反応式１２の化合物Ｌ８．９ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）７．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ６の化合物）（５．６ｇ、５２％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ｂ６の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ６１２．３［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例１３．化合物（Ｂ７）の製造）
下記反応式１３の過程を通じて化学式Ｂ７の化合物を合成した。

［反応式１３］

反応式１３の化合物Ｍ７．８ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）７．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ７の化合物）（４．５ｇ、４９％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ｂ７の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ５２５．６［Ｍ＋Ｈ］^＋

（合成例１４．化合物（Ｂ８）の製造）
下記反応式１４の過程を通じて化学式Ｂ８の化合物を合成した。

［反応式１４］

反応式１４の化合物Ｎ７．８ｇ、スクアリン酸（Ｓｑｕａｒｉｃ ａｃｉｄ）２．０ｇおよびテトラエチルオルトホルメート（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ｏｒｔｈｏｆｏｒｍａｔｅ）７．８ｇをｎ－ブタノール（ｎ－ｂｕｔａｎｏｌ）１００ｍＬに溶解し、９５℃で４時間反応させる。反応後、常温（約２５℃）に冷却し、エタノール３００ｍＬを追加し、６時間以上撹拌した後、沈殿した固体をエタノールを通過させて減圧フィルタリングし、目的物（化学式Ｂ８の化合物）（３．９ｇ、４２％）を得ることができる。

合成された目的化合物（化学式Ｂ８の化合物）に対するＭａｓｓ分析結果は、下記の通りである。
＜Ｍａｓｓ分析結果＞
ＬＣ－ＭＳ ｍ／ｚ ５２５．５［Ｍ＋Ｈ］^＋

合成された各化合物の溶解性を評価した。溶解性は、常温（約２５℃）で各化合物の複数の溶媒（シクロヘキサノン、トルエン、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）またはメチルエチルケトン（ＭＥＫ））に対する溶解度を評価し、下記基準によって判断した。
＜溶解性の判断基準＞
Ａ：溶解度が１質量％以上である場合
Ｂ：溶解度が０．５質量％以上、１質量％未満である場合
Ｃ：溶解度が０．２質量％以上、０．５質量％未満である場合
Ｄ：溶解度が０．２質量％未満である場合

溶解性の評価結果を下記表１に整理して記載した。

（実施例１）
溶媒と樹脂成分を含む混合物に合成例１の化合物（化学式Ａ１）と合成例７の化合物（化学式Ｂ１）を約５５：４０の重量比（Ａ１：Ｂ１）で分散させて吸収剤組成物を製造した。上記過程で分散は、上記合成例１の化合物と合成例７の化合物の合計重量が樹脂成分１００重量部に対して約７程度の重量部となるようにした。

樹脂成分と溶媒の混合物としては、ＬＧ化学社のアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））がメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）に約１５重量％の濃度で分散した混合物（実施例１－１）、シリコーン樹脂（ダウ社）がシクロヘキサノンに約１５重量％の濃度で分散した混合物（実施例１－２）または環状オレフィン系樹脂（ＴＯＰＡＳ社）がシクロヘキサノンに約１５重量％の濃度で分散した混合物（実施例１－３）を適用した。

（実施例２）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例２の化合物（化学式Ａ２）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例２－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例２－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例２－３）を適用した。

（実施例３）
合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例８の化合物（化学式Ｂ２）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例３－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例３－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例３－３）を適用した。

（実施例４）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例２の化合物（化学式Ａ２）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例９の化合物（化学式Ｂ３）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例４－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例４－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例４－３）を適用した。

（実施例５）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例４の化合物（化学式Ａ４）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例１０の化合物（化学式Ｂ４）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例５－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例５－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例５－３）を適用した。

（実施例６）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例５の化合物（化学式Ａ５）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例１１の化合物（化学式Ｂ５）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例６－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例６－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例６－３）を適用した。

（実施例７）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例５の化合物（化学式Ａ５）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例８の化合物（化学式Ｂ２）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例７－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例７－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例７－３）を適用した。

（実施例８）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例５の化合物（化学式Ａ５）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例１２の化合物（化学式Ｂ６）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例８－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例８－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例８－３）を適用した。

（実施例９）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例５の化合物（化学式Ａ５）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例９の化合物（化学式Ｂ３）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（実施例９－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例９－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（実施例９－３）を適用した。

（比較例１）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例５の化合物（化学式Ａ５）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例１３の化合物（化学式Ｂ７）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（比較例１－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例１－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例１－３）を適用した。

（比較例２）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例６の化合物（化学式Ａ６）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（比較例２－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例２－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例２－３）を適用した。

（比較例３）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例６の化合物（化学式Ａ６）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例８の化合物（化学式Ｂ２）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（比較例３－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例３－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例３－３）を適用した。

（比較例４）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例６の化合物（化学式Ａ６）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例１３の化合物（化学式Ｂ７）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（比較例４－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例４－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例４－３）を適用した。

（比較例５）
合成例１の化合物（化学式Ａ１）の代わりに合成例６の化合物（化学式Ａ６）を用い、合成例７の化合物（化学式Ｂ１）の代わりに合成例１４の化合物（化学式Ｂ８）を用いたことを除いて、実施例１と同一に吸収剤組成物を製造した。樹脂成分と溶媒の混合物としては、実施例１と同じアクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物（比較例５－１）、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例５－２）または環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物（比較例５－３）を適用した。

実施例および比較例の各吸収剤組成物に対する溶解性を評価した。溶解性は、常温（約２５℃）でフィルターサイズが約１μｍ程度のシリンジフィルター（Ｓｙｒｉｎｇｅ ｆｉｌｔｅｒ）を用いて各吸収剤組成物を注射しつつ、下記基準によって評価した。
＜溶解性の判断基準＞
Ａ：シリンジフィルターによる注射時に、吸収剤組成物がフィルターに目詰まることなく、良好に通過する場合
Ｂ：シリンジフィルターによる注射時に、吸収剤組成物がフィルターを通過するが、目詰まり現象により通過速度が顕著に遅くなる場合
Ｃ：シリンジフィルターによる注射時に、吸収剤組成物がフィルターを通過しない場合

評価結果を下記表２に整理して記載した。表２において、条件１は、吸収剤組成物の樹脂成分と溶媒の混合物として、アクリル樹脂（ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ））とメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）の混合物を用いた場合であり、条件２は、シリコーン樹脂とシクロヘキサノンの混合物を用いた場合であり、条件３は、環状オレフィン系樹脂とシクロヘキサノンの混合物を適用した場合である。

（実施例１０）
環状オレフィン樹脂（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ ｐｏｌｙｍｅｒ）、合成例１の化合物（化学式Ａ１）、合成例７の化合物（Ｂ１）および溶媒（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）を１．５：０．０５５：０．０４：１０の重量比（ＣＯＰ：Ａ１：Ｂ１：ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）で混合し、１２時間以上撹拌し、吸収剤組成物を製造した。この組成物に対して前述した方法で同様に溶解性を評価した結果、評価結果は、Ａ（シリンジフィルターによる注射時に、吸収剤組成物がフィルターに目詰まることなく、良好に通過）であった。

吸収剤組成物を光の吸収および反射が実質的にない透明基板（ＳＣＨＯＴＴ社）上にスピンコートし、約１３０℃程度の温度で約２時間程度熱処理し、厚さが約３μｍ程度の吸収膜を形成した。

図４は、製造された吸収膜に対して透過率を評価した結果を示す図である。

（実施例１１）
シリコーン樹脂、合成例２の化合物（化学式Ａ２）、合成例９の化合物（Ｂ３）および溶媒（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）を１．５：０．０５５：０．０４：１０の重量比（ＣＯＰ：Ａ２：Ｂ３：ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）で混合し、１２時間以上撹拌し、吸収剤組成物を製造した。この組成物に対して前述した方法で同様に溶解性を評価した結果、評価結果は、Ａ（シリンジフィルターによる注射時に、吸収剤組成物がフィルターに目詰まることなく、良好に通過）であった。

製造された吸収剤組成物を用いて実施例１０と同様に吸収膜を形成した。

図５は、上記のような吸収膜に対して透過率を評価した結果を示す図である。

（比較例６）
シリコーン樹脂、合成例５の化合物（化学式Ａ５）、合成例１３の化合物（Ｂ７）および溶媒（ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）を１．５：０．０５５：０．０４：１０の重量比（ＣＯＰ：Ａ４：Ｂ７：ｃｙｃｌｏｈｅｘａｎｏｎｅ）で混合し、１２時間以上撹拌し、吸収剤組成物を製造した。この組成物に対して前述した方法で同様に溶解性を評価した結果、評価結果は、Ｂ（シリンジフィルターによる注射時に、吸収剤組成物がフィルターを通過するが、目詰まり現象により通過速度が顕著に遅くなる）であった。

製造された吸収剤組成物を用いて実施例１０と同様に吸収膜を形成した。

図６は、製造された吸収膜に対して透過率を評価した結果を示す図である。

実施例１０および実施例１１ならびに比較例６の吸収膜に対して６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内における吸収特性を評価し、その結果を下記表３に整理した。表３において、Ｔ５０％ｃｕｔ ｏｎは、透過率スペクトルで６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内で５０％の透過率を示す最短波長であり、Ｔ５０％ｃｕｔ ｏｆｆは、透過率スペクトルで６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内で５０％の透過率を示す最長波長である。表３において、Ｔ２０％ｃｕｔ ｏｎは、透過率スペクトルで６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内で２０％の透過率を示す最短波長であり、Ｔ２０％ｃｕｔ ｏｆｆは、透過率スペクトルで６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内で２０％の透過率を示す最長波長である。表３において、Ｔ_ＭＩＮは、６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内で確認される最小透過率であり、Ｔ_ＡＶＧは、６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内の平均透過率である。

１００：基材層
２００：吸収膜
３００：誘電体膜

Claims (26)

1. 化学式１で表される化合物および化学式２で表される化合物を含み、
   条件１および条件２のうちいずれか１つを満たし、
   条件３および条件４のうちいずれか１つを満たす、吸収剤組成物。
   ［化学式１］
   
   ［化学式２］
   
   （前記化学式１中、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２は、それぞれ独立して、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２は、それぞれ独立して、水素、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、
   前記化学式２中、Ｒ_７１およびＲ_７２は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ_６１～Ｒ_６４は、それぞれ独立して、水素、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ａ_１、Ｂ_１、Ａ_２およびＢ_２は、それぞれ独立して、ベンゼン構造であるか、存在しなり、
   前記条件１は、前記化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計が１６個以上であり、
   前記条件２は、前記化学式１のＲ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計が１４個以上であり、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、
   前記条件３は、前記化学式２中、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計が１０個以上であり、
   前記条件４は、前記化学式２中、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計が４個以上であり、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２のうち少なくとも１つがアルコキシ基またはアルコキシアルキル基である。）
2. 前記化学式１中、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５およびＲ_２６が、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２が、水素である、請求項１に記載の吸収剤組成物。
3. 前記化学式１中、Ｒ_１１およびＲ_１２の炭素数の合計Ｃ１のＲ_５１およびＲ_５２の炭素数の合計Ｃ５に対する割合Ｃ１／Ｃ５が０．１～１０の範囲内にある、請求項１に記載の吸収剤組成物。
4. 前記化学式１中、Ｒ_１１およびＲ_１２の炭素数の合計Ｃ１のＲ_２１～Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計Ｃ２に対する割合Ｃ１／Ｃ２が１～１０の範囲内にある、請求項１に記載の吸収剤組成物。
5. 前記化学式１中、Ｒ_１１の炭素数Ｃ１１のＲ_１２の炭素数Ｃ１２に対する割合が０．１～２の範囲内にある、請求項１に記載の吸収剤組成物。
6. 前記化学式１中、Ｒ_５１の炭素数Ｃ５１のＲ_５２の炭素数Ｃ５２に対する割合が０．１～２の範囲内にある、請求項１に記載の吸収剤組成物。
7. 前記化学式２中、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計Ｃ７のＲ_６１～Ｒ_６４の炭素数の合計Ｃ６に対する割合Ｃ７／Ｃ６が０．１～１０の範囲内にある、請求項１に記載の吸収剤組成物。
8. 前記化学式２中、Ｒ_７１の炭素数Ｃ７１のＲ_７２の炭素数Ｃ７２に対する割合Ｃ７１／Ｃ７２が０．１～２の範囲内にある、請求項１に記載の吸収剤組成物。
9. 前記化学式２中、Ａ_１およびＢ_１のうちいずれか１つは、ベンゼン構造であり、他の１つは、存在せず、Ａ_２およびＢ_２のうちいずれか１つは、ベンゼン構造であり、他の１つは、存在しない、請求項１に記載の吸収剤組成物。
10. 前記化学式１のＲ_１１およびＲ_１２の炭素数の合計Ｃ１の化学式２のＲ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計Ｃ７に対する割合Ｃ１／Ｃ７が０．１～１０の範囲内にある、請求項１に記載の吸収剤組成物。
11. Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１、Ｒ_４２、Ｒ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計が３０個以上である、請求項１に記載の吸収剤組成物。
12. Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１、Ｒ_５２、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２の炭素数の合計ＣＡのＲ_６１、Ｒ_６２、Ｒ_６３、Ｒ_６４、Ｒ_７１およびＲ_７２の炭素数の合計ＣＢに対する割合ＣＡ／ＣＢが０．５～５の範囲内である、請求項１に記載の吸収剤組成物。
13. 前記化学式１で表される化合物１００重量部に対して１～５００重量部の前記化学式２で表される化合物を含む、請求項１に記載の吸収剤組成物。
14. 樹脂成分をさらに含む、請求項１に記載の吸収剤組成物。
15. 溶媒をさらに含む、請求項１に記載の吸収剤組成物。
16. 樹脂成分と、
    化学式１で表される化合物および化学式２で表される化合物と、を含む、吸収膜。
    ［化学式１］
    
    ［化学式２］
    
    前記化学式１中、Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_５１およびＲ_５２は、それぞれ独立して、アルキル基、ハロアルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ_２１、Ｒ_２２、Ｒ_２３、Ｒ_２４、Ｒ_２５、Ｒ_２６、Ｒ_３１、Ｒ_３２、Ｒ_４１およびＲ_４２は、それぞれ独立して、水素、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、
    前記化学式２中、Ｒ_７１およびＲ_７２は、それぞれ独立して、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ｒ_６１～Ｒ_６４は、それぞれ独立して、水素、アルキル基、アルコキシ基またはアルコキシアルキル基であり、Ａ_１、Ｂ_１、Ａ_２およびＢ_２は、それぞれ独立して、ベンゼン構造であるか、存在しない。）
17. ６００ｎｍ～９００ｎｍの波長範囲内でバンド幅が６０ｎｍ以上の吸収バンドを示す、請求項１６に記載の吸収膜。
18. 樹脂成分が環状オレフィン（ＣＯＰ、Ｃｙｃｌｏｏｌｅｆｉｎ）系樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリパラフェニレン樹脂、ポリアリレンエーテルホスフィンオキシド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびシリコーン樹脂からなる群から選択された１つ以上を含む、請求項１６に記載の吸収膜。
19. Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｎ波長が６００ｎｍ～８００ｎｍの範囲内にある、請求項１６に記載の吸収膜。
20. Ｔ５０％Ｃｕｔ ｏｆｆ波長が７００ｎｍ～９００ｎｍの範囲内にある、請求項１６に記載の吸収膜。
21. 樹脂成分１００重量部に対して０．５～５０重量部の化学式１で表される化合物を含む、請求項１６に記載の吸収膜。
22. 樹脂成分１００重量部に対して０．５～５０重量部の化学式２で表される化合物を含む、請求項１６に記載の吸収膜。
23. 基材層と、
    前記基材層の一面または両面に形成された請求項１６に記載の吸収膜と、を含む、光学フィルター。
24. 誘電体膜をさらに含み、
    前記誘電体膜は、６００ｎｍ～９００ｎｍの波長領域内で５０％の反射率を示す最短波長が７１０ｎｍ以上であるか、存在しない、請求項２３に記載の光学フィルター。
25. 請求項２３に記載の光学フィルターを含む、撮像装置。
26. 請求項１６に記載の吸収膜を含む、赤外線センサー。

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