JP2024072584A

JP2024072584A - Method for manufacturing semiconductor device

Info

Publication number: JP2024072584A
Application number: JP2022183501A
Authority: JP
Inventors: 圭板垣; 奏美中村
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd; Showa Denko Materials Co Ltd; Resonac Corp
Current assignee: Resonac Corp
Priority date: 2022-11-16
Filing date: 2022-11-16
Publication date: 2024-05-28
Also published as: CN118053799A

Abstract

【課題】紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層と、接着剤層とを有する一体型フィルムを用いたときに、接着剤層片付き半導体チップをピックアップする際の不具合を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、基材層１、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層３及び接着剤層５を有する一体型フィルム９と、接着剤層上に設けられた複数の半導体チップＳＣと、を備える積層体１０を準備する工程と、粘着剤層に対して紫外線を照射し、粘着剤硬化物層１１を形成する工程と、複数の半導体チップ同士の間の間隙を通して、接着剤層に対してレーザーを照射し、接着剤層を個片化することによって接着剤層片付き半導体チップを作製する工程と、をこの順序で備える。【選択図】図１[Problem] To provide a method for manufacturing a semiconductor device that suppresses problems when picking up a semiconductor chip with an adhesive layer piece when using an integrated film having an adhesive layer and an adhesive layer containing an ultraviolet-curable adhesive. [Solution] The method for manufacturing a semiconductor device includes, in this order, the steps of preparing a laminate 10 including an integrated film 9 having a base layer 1, an adhesive layer 3 containing an ultraviolet-curable adhesive, and an adhesive layer 5, and a plurality of semiconductor chips SC provided on the adhesive layer, irradiating the adhesive layer with ultraviolet light to form an adhesive cured layer 11, and irradiating a laser through the gaps between the plurality of semiconductor chips to singulate the adhesive layer, thereby producing a semiconductor chip with an adhesive layer piece. [Selected Figure] Figure 1

Description

本開示は、半導体装置の製造方法に関する。 This disclosure relates to a method for manufacturing a semiconductor device.

半導体装置は、一般に以下の工程を経て製造される。まず、半導体ウェハをバックグラインド（裏面研削）工程を実施し、続いて、ダイシング用粘着フィルムを貼り付けた状態でダイシング工程を実施する。次いで、紫外線照射工程、ピックアップ工程、ダイボンディング工程等が実施される。 Semiconductor devices are generally manufactured through the following process. First, the semiconductor wafer is subjected to a backgrinding process, and then a dicing process is carried out with an adhesive film for dicing attached. Next, an ultraviolet irradiation process, a pick-up process, a die bonding process, etc. are carried out.

半導体装置の製造プロセスにおいて、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと称されるフィルムが使用されている。このフィルムは、基材層と粘着剤層と接着剤層とがこの順序で積層された構造を有し、例えば、次のように使用される。まず、半導体ウェハに対して接着剤層側の面を貼り付けるとともにダイシングリングで半導体ウェハを固定した状態で半導体ウェハをダイシングする（ダイシング工程）。これにより、半導体ウェハ及び接着剤層が同時に複数の半導体チップ及び複数の接着剤層片に個片化される。続いて、粘着剤層が紫外線硬化型粘着剤を含む場合は、粘着剤層に対して紫外線を照射することによって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を低下させ（紫外線照射工程）、接着剤層片とともに半導体チップを粘着剤層からピックアップする（ピックアップ工程）。その後、接着剤層片を介して半導体チップを基板等に圧着する工程（ダイボンディング工程）等を経て半導体装置が製造される。なお、ダイシング工程を経て得られる半導体チップと、これに付着した接着剤層片とからなる積層体は、接着剤層片付き半導体チップと称される。 In the manufacturing process of semiconductor devices, a film called a dicing/die bonding integrated film is used. This film has a structure in which a base layer, an adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order, and is used, for example, as follows. First, the adhesive layer side is attached to a semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is diced while being fixed with a dicing ring (dicing process). As a result, the semiconductor wafer and the adhesive layer are simultaneously singulated into a plurality of semiconductor chips and a plurality of adhesive layer pieces. Next, if the adhesive layer contains an ultraviolet-curing adhesive, the adhesive layer is irradiated with ultraviolet light to reduce the adhesive force of the adhesive layer to the adhesive layer (ultraviolet light irradiation process), and the semiconductor chip is picked up together with the adhesive layer piece from the adhesive layer (pickup process). After that, the semiconductor chip is pressure-bonded to a substrate or the like via the adhesive layer piece (die bonding process), and the semiconductor device is manufactured. The laminate consisting of the semiconductor chip obtained through the dicing process and the adhesive layer piece attached thereto is called a semiconductor chip with adhesive layer piece.

近年、半導体パッケージの小型／薄型化、高容量／多機能化等に伴い、半導体チップにも薄型化が進められている。半導体チップの薄型化においては、加工時の半導体ウェハの破損等の加工時の不具合が発生し易くなる傾向があることから、半導体装置の製造プロセスも従来のものから変化しつつある。半導体チップの薄型化における不具合を抑制するプロセスとしては、例えば、先ダイシング（ＤＢＧ（ＤｉｃｉｎｇＢｅｆｏｒｅＧｒｉｎｄｉｎｇ））プロセスが知られている。ＤＢＧプロセスは、バックグラインド工程を実施した後に、ダイシング工程を実施する従来のプロセスと異なり、ダイシング工程を実施した後に、バックグラインド工程を実施するプロセスである。より具体的には、半導体ウェハの回路形成面上に、ダイシングラインに沿ってハーフカットダイシングによる溝を形成し、続いて、半導体ウェハの回路形成面とは反対側の裏面を少なくとも溝に達する深さまで研削して（バックグラインドして）、半導体ウェハの薄化及び個片化を同時に行うプロセスである（例えば、特許文献１、２参照）。このようなプロセスによれば、加工時の不具合を抑制しつつ、薄型化の半導体チップを作製することが可能となる。 In recent years, semiconductor chips have been made thinner as semiconductor packages have become smaller and thinner, and have become more highly dense and multifunctional. In the case of thinning semiconductor chips, defects during processing, such as damage to semiconductor wafers during processing, tend to occur more easily, and the manufacturing process of semiconductor devices is also changing from the conventional one. As a process for suppressing defects during thinning of semiconductor chips, for example, the DBG (Dicing Before Grinding) process is known. The DBG process is a process in which a backgrinding process is performed after a dicing process, unlike the conventional process in which a backgrinding process is performed after a backgrinding process. More specifically, a groove is formed on the circuit formation surface of a semiconductor wafer along a dicing line by half-cut dicing, and then the back surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit formation surface is ground (backgrinded) to a depth at least reaching the groove, thereby simultaneously thinning and dividing the semiconductor wafer (see, for example, Patent Documents 1 and 2). According to such a process, it is possible to manufacture a thin semiconductor chip while suppressing defects during processing.

国際公開第２０１６／１８９９８６号International Publication No. 2016/189986 特開２０１１－１８１９５１号公報JP 2011-181951 A

ところで、本発明者らが、ＤＢＧプロセスによって得られた複数の半導体チップに、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層と、接着剤層とを有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを適用して半導体装置の製造を検討したところ、接着剤層片付き半導体チップのピックアップ性が低下する場合があることが見出された。 However, when the inventors of the present invention investigated the manufacture of semiconductor devices by applying an integrated dicing and die bonding film having an adhesive layer containing an ultraviolet-curable adhesive and an adhesive layer to multiple semiconductor chips obtained by the DBG process, they found that the pick-up ability of the semiconductor chips with the adhesive layer pieces may be reduced.

そこで、本開示は、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層を有する紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層と、接着剤層とを有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて、接着剤層片付き半導体チップを作製する工程を備える半導体装置の製造方法において、接着剤層片付き半導体チップをピックアップする際の不具合を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 The present disclosure provides a method for manufacturing a semiconductor device that includes a step of producing a semiconductor chip with an adhesive layer piece using a dicing/die bonding integrated film having an adhesive layer containing an ultraviolet-curable adhesive and an adhesive layer, and that can suppress problems when picking up the semiconductor chip with the adhesive layer piece.

上記のとおり、半導体装置の製造においては、通常、半導体ウェハ及び接着剤層を同時に複数の半導体チップ及び複数の接着剤層片に個片化し、接着剤層片付き半導体チップを作製する。続いて、粘着剤層に対して紫外線を照射することによって接着剤層に対する粘着剤層の粘着力を低下させ、接着剤層片付き半導体チップを粘着剤層からピックアップする。 As described above, in the manufacture of semiconductor devices, the semiconductor wafer and adhesive layer are typically singulated simultaneously into multiple semiconductor chips and multiple adhesive layer pieces to produce semiconductor chips with adhesive layer pieces. Next, the adhesive layer is irradiated with ultraviolet light to reduce the adhesive strength of the adhesive layer to the adhesive layer, and the semiconductor chips with the adhesive layer pieces are picked up from the adhesive layer.

一方、ＤＢＧプロセスによって得られた複数の半導体チップを用いて、半導体装置を製造する場合は、接着剤層を個片化するプロセスが別途必要となる。接着剤層の個片化においては、レーザーを用いて個片化を実施することが多い。しかし、本発明者らの検討によると、接着剤層を個片化する際にレーザーを用いることにより、粘着剤層にもレーザーが照射されてしまい、粘着剤層にレーザーカットラインに沿って切込みが深さ方向に発生し、粘着剤層の構成成分が飛散することが見出された。粘着剤層の構成成分が飛散すると、粘着剤層の構成成分が接着剤層の側面に付着し、粘着剤層に紫外線を照射しても、充分に粘着力が低下せず、接着剤層片付き半導体チップの接着剤層片と粘着剤層とのエッジ部における剥離強度（以下、「エッジ剥離強度」という場合がある。）が高いまま維持され、結果として、接着剤層片付き半導体チップのピックアップ性が不充分となる場合がある。本発明者らがこのような現象の発生を抑制すべくさらなる検討を進めたところ、レーザー照射によって接着剤層を個片化する際に、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層がすでに硬化状態にあると、粘着剤層の構成成分が飛散することを抑制することができることを見出し、本開示の発明を完成するに至った。 On the other hand, when manufacturing a semiconductor device using multiple semiconductor chips obtained by the DBG process, a separate process for singulating the adhesive layer is required. In singulating the adhesive layer, singulation is often performed using a laser. However, according to the study by the present inventors, it was found that by using a laser to singulate the adhesive layer, the adhesive layer is also irradiated with the laser, and cuts are generated in the adhesive layer along the laser cut line in the depth direction, and the constituent components of the adhesive layer are scattered. When the constituent components of the adhesive layer are scattered, the constituent components of the adhesive layer adhere to the side of the adhesive layer, and even if the adhesive layer is irradiated with ultraviolet light, the adhesive strength is not sufficiently reduced, and the peel strength at the edge portion between the adhesive layer piece and the adhesive layer of the semiconductor chip with the adhesive layer piece (hereinafter sometimes referred to as "edge peel strength") remains high, and as a result, the pick-up ability of the semiconductor chip with the adhesive layer piece may be insufficient. The inventors conducted further research to prevent this phenomenon and discovered that if the adhesive layer containing the ultraviolet-curable adhesive is already in a cured state when the adhesive layer is singulated by laser irradiation, scattering of the components of the adhesive layer can be prevented, leading to the completion of the disclosed invention.

本開示は、［１］～［４］の半導体装置の製造方法を提供する。
［１］基材層、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層、及び接着剤層をこの順序で有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと、前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層上に設けられた、半導体ウェハを個片化してなる複数の半導体チップとを備える積層体を準備する工程と、前記積層体の前記粘着剤層に対して紫外線を照射し、前記紫外線硬化型粘着剤の硬化物を含む粘着剤硬化物層を形成する工程と、前記複数の半導体チップ同士の間の間隙を通して、前記接着剤層に対してレーザーを照射し、前記接着剤層を個片化することによって接着剤層片付き半導体チップを作製する工程とをこの順序で備える、半導体装置の製造方法。
［２］前記積層体が、前記半導体ウェハの回路形成面上に、ダイシングラインに沿って溝を形成する工程と、前記溝が形成された前記半導体ウェハの前記回路形成面とは反対側の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで研削して、前記複数の半導体チップを作製する工程と、前記複数の半導体チップの裏面に、前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層を貼り付ける工程とを含む方法によって作製される積層体である、［１］に記載の半導体装置の製造方法。
［３］前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、温度２５±３℃、湿度５５±５％においてＴ字剥離で剥離速度３００ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記粘着剤層の粘着力が０．５０Ｎ／２５ｍｍ以上である、［１］又は［２］に記載の半導体装置の製造方法。
［４］前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、前記粘着剤層に対して照度８０ｍＷ／ｃｍ^２及び照射量１３０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、前記粘着剤層を硬化させた後に、温度２５±３℃、湿度５５±５％においてＴ字剥離で剥離速度３００ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記粘着剤硬化物層の粘着力が０．３０Ｎ／２５ｍｍ以下である、［３］に記載の半導体装置の製造方法。 The present disclosure provides a method for manufacturing a semiconductor device according to [1] to [4].
[1] A method for manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: preparing a laminate including a dicing/die bonding integrated film having, in this order, a base layer, an adhesive layer containing an ultraviolet-curable adhesive, and an adhesive layer; and a plurality of semiconductor chips formed by dicing a semiconductor wafer, the plurality of semiconductor chips being provided on the adhesive layer of the dicing/die bonding integrated film; irradiating the adhesive layer of the laminate with ultraviolet light to form an adhesive cured material layer containing a cured product of the ultraviolet-curable adhesive; and irradiating the adhesive layer with a laser through gaps between the plurality of semiconductor chips to produce semiconductor chips with adhesive layer pieces.
[2] The method for manufacturing a semiconductor device described in [1], wherein the laminate is a laminate produced by a method including the steps of: forming grooves along dicing lines on the circuit formation surface of the semiconductor wafer; grinding the back surface of the semiconductor wafer opposite the circuit formation surface on which the grooves are formed to a depth that reaches at least the grooves to produce the multiple semiconductor chips; and attaching the adhesive layer of the dicing/die bonding integrated film to the back surfaces of the multiple semiconductor chips.
[3] The method for manufacturing a semiconductor device according to [1] or [2], wherein in the dicing/die bonding integrated film, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer to the adhesive layer is 0.50 N/25 mm or more, as measured under conditions of a temperature of 25±3°C, a humidity of 55±5%, and a peeling speed of 300 mm/min using a T-peel method.
[4] The method for manufacturing a semiconductor device according to [3], wherein, in the dicing/die bonding integrated film, after the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet light having an illuminance of 80 mW/ ^cm2 and an exposure dose of 130 mJ/ ^cm2 to harden the pressure-sensitive adhesive layer, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive cured layer to the adhesive layer is 0.30 N/25 mm or less, as measured under conditions of a temperature of 25±3°C, a humidity of 55±5%, and a T-shaped peel speed of 300 mm/min.

本開示によれば、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層と、接着剤層とを有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムを用いて、接着剤層片付き半導体チップを作製する工程を備える半導体装置の製造方法において、接着剤層片付き半導体チップをピックアップする際の不具合を抑制することが可能な半導体装置の製造方法が提供される。 According to the present disclosure, in a method for manufacturing a semiconductor device that includes a step of producing a semiconductor chip with an adhesive layer piece using a dicing/die bonding integrated film having an adhesive layer and an adhesive layer that includes an ultraviolet-curable adhesive, a method for manufacturing a semiconductor device that can suppress problems when picking up the semiconductor chip with the adhesive layer piece is provided.

図１は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図１（ａ）、図１（ｂ）、及び図１（ｃ）は、各工程を示す図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device, and FIG. 1(a), FIG. 1(b), and FIG. 1(c) are diagrams showing each process. 図２は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図２（ａ）、図２（ｂ）、図２（ｃ）、及び図２（ｄ）は、各工程を示す図である。2A to 2D are schematic cross-sectional views for explaining one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device, and FIGS. 2A to 2D are views showing each process. 図３は、積層体の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図であり、図３（ａ）、図３（ｂ）、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｅ）、及び図３（ｆ）は、各工程を示す図である。FIG. 3 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for producing a laminate, and FIG. 3( a ), FIG. 3 ( b ), FIG. 3 ( c ), FIG. 3 ( d ), FIG. 3 ( e ), and FIG. 3 ( f ) are diagrams showing each step.

以下、図面を参照しながら本実施形態について詳細に説明する。ただし、本開示は以下の実施形態に限定されるものではない。以下の実施形態において、その構成要素（ステップ等も含む）は、特に明示した場合を除き、必須ではない。同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。各図における構成要素の大きさは概念的なものであり、構成要素間の大きさの相対的な関係は各図に示されたものに限定されない。 The present embodiment will be described in detail below with reference to the drawings. However, the present disclosure is not limited to the following embodiment. In the following embodiment, the components (including steps, etc.) are not essential unless otherwise specified. The same reference numerals are used for the same or equivalent parts, and duplicated explanations are omitted. Furthermore, unless otherwise specified, the positional relationships such as up, down, left, right, etc. are based on the positional relationships shown in the drawings. The sizes of the components in each figure are conceptual, and the relative relationships in size between the components are not limited to those shown in each figure.

本開示における数値及びその範囲についても同様であり、本開示を制限するものではない。本明細書において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。本明細書中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。また、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。 The same applies to the numerical values and their ranges in this disclosure, and they do not limit this disclosure. In this specification, a numerical range indicated using "~" indicates a range that includes the numerical values before and after "~" as the minimum and maximum values, respectively. In the numerical ranges described in stages in this specification, the upper limit or lower limit value described in one numerical range may be replaced with the upper limit or lower limit value of another numerical range described in stages. In addition, in the numerical ranges described in this specification, the upper limit or lower limit value of the numerical range may be replaced with the value shown in the examples. In addition, the upper limit and lower limit values described individually can be combined in any way.

本明細書において「層」との語は、平面図として観察したときに、全面に形成されている形状の構造に加え、一部に形成されている形状の構造も包含される。本明細書において「工程」との語は、独立した工程だけではなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の所期の作用が達成されれば、本用語に含まれる。 In this specification, the term "layer" includes structures that are formed over the entire surface when viewed in a plan view, as well as structures that are formed on only a portion of the surface. In this specification, the term "process" includes not only independent processes, but also processes that cannot be clearly distinguished from other processes, as long as the intended effect of the process is achieved.

本明細書において、「（メタ）アクリレート」とは、アクリレート、及び、それに対応するメタクリレートの少なくとも一方を意味する。「（メタ）アクリロイル」、「（メタ）アクリル酸」等の他の類似の表現においても同様である。また、「（ポリ）」とは「ポリ」の接頭語がある場合とない場合の双方を意味する。 In this specification, "(meth)acrylate" means at least one of acrylate and the corresponding methacrylate. The same applies to other similar expressions such as "(meth)acryloyl" and "(meth)acrylic acid". In addition, "(poly)" means both the case with and without the "poly" prefix.

「Ａ又はＢ」とは、Ａ及びＢのどちらか一方を含んでいればよく、両方とも含んでいてもよい。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数の物質の合計量を意味する。 "A or B" means that either A or B is contained, or both are contained. In addition, unless otherwise specified, the materials exemplified below may be used alone or in combination of two or more. When multiple substances corresponding to each component are present in the composition, the content of each component in the composition means the total amount of the multiple substances present in the composition, unless otherwise specified.

［半導体装置の製造方法］
一実施形態の半導体装置の製造方法は、基材層、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層、及び接着剤層をこの順序で有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルム（以下、「一体型フィルム」という場合がある。）と、一体型フィルムの接着剤層上に設けられた、半導体ウェハを個片化してなる複数の半導体チップとを備える積層体を準備する工程（工程（Ａ））と、積層体の粘着剤層に対して紫外線を照射し、紫外線硬化型粘着剤の硬化物を含む粘着剤硬化物層を形成する工程（工程（Ｂ））と、複数の半導体チップ同士の間の間隙を通して、接着剤層に対してレーザーを照射し、接着剤層を個片化することによって接着剤層片付き半導体チップを作製する工程（工程（Ｃ））とをこの順序で備える。図１及び図２は、半導体装置の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。 [Method of Manufacturing Semiconductor Device]
The manufacturing method of the semiconductor device of one embodiment includes the steps of preparing a laminate (step (A)) including a dicing/die bonding integrated film (hereinafter sometimes referred to as an "integrated film") having a base layer, an adhesive layer containing an ultraviolet-curable adhesive, and an adhesive layer in this order, and a plurality of semiconductor chips formed by dividing a semiconductor wafer and provided on the adhesive layer of the integrated film; irradiating the adhesive layer of the laminate with ultraviolet light to form an adhesive cured layer containing a cured product of the ultraviolet-curable adhesive (step (B)); and irradiating the adhesive layer with a laser through the gaps between the plurality of semiconductor chips to divide the adhesive layer into individual pieces, thereby producing a semiconductor chip with an adhesive layer piece (step (C)). Figures 1 and 2 are schematic cross-sectional views for explaining one embodiment of the manufacturing method of the semiconductor device.

＜工程（Ａ）＞
本工程では、基材層１、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層３、及び接着剤層５をこの順序で有する一体型フィルム９と、一体型フィルム９の接着剤層５上に設けられた、半導体ウェハを個片化してなる複数の半導体チップＳＣとを備える積層体１０を準備する（図１（ａ）参照）。積層体１０においては、粘着剤層３の基材層１とは反対側の面上に、半導体チップＳＣを固定するためのダイシングリングＤＲが貼り付けられていてもよい。基材層と、基材層上に設けられた粘着剤層とを有する積層フィルムは、ダイシングフィルムと称される。 <Step (A)>
In this process, a laminate 10 is prepared, which includes an integrated film 9 having a base layer 1, an adhesive layer 3 containing an ultraviolet-curable adhesive, and an adhesive layer 5 in this order, and a plurality of semiconductor chips SC formed by dividing a semiconductor wafer and provided on the adhesive layer 5 of the integrated film 9 (see FIG. 1(a)). In the laminate 10, a dicing ring DR for fixing the semiconductor chips SC may be attached to the surface of the adhesive layer 3 opposite to the base layer 1. A laminate film having a base layer and an adhesive layer provided on the base layer is called a dicing film.

（基材層）
基材層１は、既知のポリマーシート又はフィルムを用いることができる。基材層１の具体例としては、結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン－酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン－（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン－ブテン共重合体、エチレン－ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂、又は、これらに可塑剤を混合した混合物、あるいは、電子線照射により架橋を施した硬化物が挙げられる。 (Base layer)
A known polymer sheet or film can be used for the substrate layer 1. Specific examples of the substrate layer 1 include polyolefins such as crystalline polypropylene, amorphous polypropylene, high density polyethylene, medium density polyethylene, low density polyethylene, very low density polyethylene, low density linear polyethylene, polybutene, and polymethylpentene, ethylene-vinyl acetate copolymers, ionomer resins, ethylene-(meth)acrylic acid copolymers, ethylene-(meth)acrylic acid ester (random, alternating) copolymers, ethylene-butene copolymers, ethylene-hexene copolymers, polyurethane, polyesters such as polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, polycarbonates, polyimides, polyether ether ketones, polyimides, polyetherimides, polyamides, wholly aromatic polyamides, polyphenylsulfide, aramids (paper), glass, glass cloths, fluororesins, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cellulose-based resins, silicone resins, mixtures of these with plasticizers, and cured products crosslinked by electron beam irradiation.

基材層１は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレン－ポリプロピレンランダム共重合体、及びポリエチレン－ポリプロピレンブロック共重合体からなる群より選ばれる少なくとも１種の樹脂を主成分とする表面を有し、この表面と粘着剤層３とが接しているものであってよい。これらの樹脂は、ヤング率、応力緩和性、融点等の特性、価格面、使用後の廃材リサイクルなどの観点からも良好な基材となり得る。基材層１は、単層であってよく、必要に応じて、異なる材質からなる層が積層された多層構造を有していてもよい。粘着剤層３との密着性を制御する観点から、基材層１は、その表面に対して、マット処理、コロナ処理等の表面粗化処理を施してもよい。 The substrate layer 1 may have a surface mainly composed of at least one resin selected from the group consisting of polyethylene, polypropylene, polyethylene-polypropylene random copolymer, and polyethylene-polypropylene block copolymer, and this surface may be in contact with the adhesive layer 3. These resins can be good substrates in terms of properties such as Young's modulus, stress relaxation, and melting point, as well as cost and waste material recycling after use. The substrate layer 1 may be a single layer, or may have a multilayer structure in which layers made of different materials are laminated, as necessary. In order to control the adhesion to the adhesive layer 3, the substrate layer 1 may have a surface roughening treatment such as matte treatment or corona treatment.

基材層１の厚さは、例えば、１０～２００μｍ又は２０～１７０μｍであってよい。 The thickness of the substrate layer 1 may be, for example, 10 to 200 μm or 20 to 170 μm.

（粘着剤層）
粘着剤層３は、紫外線硬化型粘着剤を含む。紫外線硬化型粘着剤は、一実施形態において、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂（以下、「（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）」という場合がある。）と、光重合開始剤とを含んでいてもよい。（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）は、その少なくとも一部が架橋剤により架橋されていてもよい。 (Adhesive Layer)
The adhesive layer 3 contains an ultraviolet-curable adhesive. In one embodiment, the ultraviolet-curable adhesive may contain a (meth)acrylic resin having a chain-polymerizable functional group (hereinafter, may be referred to as "(meth)acrylic resin (A)") and a photopolymerization initiator. At least a portion of the (meth)acrylic resin (A) may be crosslinked with a crosslinking agent.

（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）は、連鎖重合可能な官能基（以下、「官能基（Ａ）」という場合がある。）を有する。官能基（Ａ）は、アクリロイル基及びメタクリロイル基から選ばれる少なくとも１種であってよい。 The (meth)acrylic resin (A) has a chain-polymerizable functional group (hereinafter, sometimes referred to as "functional group (A)"). The functional group (A) may be at least one selected from an acryloyl group and a methacryloyl group.

（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）における官能基（Ａ）の含有量は、例えば、０．１～１．２ｍｍｏｌ／ｇであってよく、０．３～１．０ｍｍｏｌ／ｇ又は０．５～０．８ｍｍｏｌ／ｇであってもよい。 The content of the functional group (A) in the (meth)acrylic resin (A) may be, for example, 0.1 to 1.2 mmol/g, or 0.3 to 1.0 mmol/g, or 0.5 to 0.8 mmol/g.

（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）は、水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基（以下、「官能基（Ｂ）」という場合がある。）を有する（メタ）アクリル系樹脂（以下、「（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）」という場合がある。）と、後述の官能基（Ａ）を導入するための化合物（以下、「官能基導入化合物」という場合がある。）とを反応させることによって得ることができる。（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）は、（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）と官能基導入化合物との反応物ということもできる。 The (meth)acrylic resin (A) can be obtained by reacting a (meth)acrylic resin (hereinafter sometimes referred to as "(meth)acrylic resin (B)") having at least one functional group (hereinafter sometimes referred to as "functional group (B)") selected from a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxy group), an amino group, etc., with a compound for introducing the functional group (A) described below (hereinafter sometimes referred to as "functional group-introducing compound"). The (meth)acrylic resin (A) can also be said to be a reaction product of the (meth)acrylic resin (B) and the functional group-introducing compound.

（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）は、既知の方法で合成することで得ることができる。合成方法としては、例えば、溶液重合法、懸濁重合法、乳化重合法、塊状重合法、析出重合法、気相重合法、プラズマ重合法、超臨界重合法が挙げられる。また、重合反応の種類としては、ラジカル重合、カチオン重合、アニオン重合、リビングラジカル重合、リビングカチオン重合、リビングアニオン重合、配位重合、イモータル重合等の他、ＡＴＲＰ（原子移動ラジカル重合）及びＲＡＦＴ（可逆的付加開裂連鎖移動重合）といった手法も挙げられる。この中でも、溶液重合法を用いてラジカル重合により合成することは、経済性の良さ、反応率の高さ、重合制御の容易さなどの他、重合で得られた樹脂溶液をそのまま用いて配合できる等の利点を有する。 The (meth)acrylic resin (B) can be obtained by synthesis using a known method. Examples of synthesis methods include solution polymerization, suspension polymerization, emulsion polymerization, bulk polymerization, precipitation polymerization, gas phase polymerization, plasma polymerization, and supercritical polymerization. In addition to radical polymerization, cationic polymerization, anionic polymerization, living radical polymerization, living cationic polymerization, living anionic polymerization, coordination polymerization, and immortal polymerization, as well as ATRP (atom transfer radical polymerization) and RAFT (reversible addition-fragmentation chain transfer polymerization), are examples of types of polymerization reactions. Among these, synthesis by radical polymerization using a solution polymerization method has the advantages of being economical, having a high reaction rate, being easy to control polymerization, and being able to use the resin solution obtained by polymerization as it is for blending.

ここで、溶液重合法を用いてラジカル重合によって（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）を得る方法を例に、（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）の合成法について詳細に説明する。 Here, the synthesis method of (meth)acrylic resin (B) will be described in detail using as an example a method for obtaining (meth)acrylic resin (B) by radical polymerization using a solution polymerization method.

（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）を合成する際に用いられるモノマーとしては、一分子中に１個の（メタ）アクリロイル基を有するものであれば特に制限されない。その具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ－ブチル（メタ）アクリレート、ブトキシエチル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチルヘプチル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、トリデシル（メタ）アクリレート、テトラデシル（メタ）アクリレート、ペンタデシル（メタ）アクリレート、ヘキサデシル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、ベヘニル（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）スクシネート等の脂肪族（メタ）アクリレート；シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）テトラヒドロフタレート、モノ（２－（メタ）アクリロイロキシエチル）ヘキサヒドロフタレート等の脂環式（メタ）アクリレート；ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、ｏ－ビフェニル（メタ）アクリレート、１－ナフチル（メタ）アクリレート、２－ナフチル（メタ）アクリレート、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｐ－クミルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、ｏ－フェニルフェノキシエチル（メタ）アクリレート、１－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、２－ナフトキシエチル（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－フェノキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（ｏ－フェニルフェノキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（１－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシ－３－（２－ナフトキシ）プロピル（メタ）アクリレート等の芳香族（メタ）アクリレート；２－テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレート、Ｎ－（メタ）アクリロイロキシエチルヘキサヒドロフタルイミド、２－（メタ）アクリロイロキシエチル－Ｎ－カルバゾール等の複素環式（メタ）アクリレート、これらのカプロラクトン変性体、ω－カルボキシ－ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレート、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物；（２－エチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、（２－メチル－２－オキセタニル）メチル（メタ）アクリレート、２－（２－エチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、２－（２－メチル－２－オキセタニル）エチル（メタ）アクリレート、３－（２－エチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート、３－（２－メチル－２－オキセタニル）プロピル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とオキセタニル基とを有する化合物；２－（メタ）アクリロキシエチルイソシアネート等のエチレン性不飽和基とイソシアネート基とを有する化合物；２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物が挙げられる。これらを適宜組み合わせて目的とする（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）を合成することができる。 The monomer used in synthesizing the (meth)acrylic resin (B) is not particularly limited as long as it has one (meth)acryloyl group in one molecule. Specific examples include methyl (meth)acrylate, ethyl (meth)acrylate, butyl (meth)acrylate, isobutyl (meth)acrylate, tert-butyl (meth)acrylate, butoxyethyl (meth)acrylate, isoamyl (meth)acrylate, hexyl (meth)acrylate, 2-ethylhexyl (meth)acrylate, heptyl (meth)acrylate, octylheptyl (meth)acrylate, nonyl (meth)acrylate, decyl (meth)acrylate, undecyl (meth)acrylate, lauryl (meth)acrylate, tetramethyl ... Aliphatic (meth)acrylates such as tridecyl (meth)acrylate, tetradecyl (meth)acrylate, pentadecyl (meth)acrylate, hexadecyl (meth)acrylate, stearyl (meth)acrylate, behenyl (meth)acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, ethoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth)acrylate, ethoxypolypropylene glycol (meth)acrylate, and mono(2-(meth)acryloyloxyethyl)succinate; alicyclic (meth)acrylates such as butyl (meth)acrylate, cyclohexyl (meth)acrylate, cyclopentyl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate, dicyclopentenyl (meth)acrylate, isobornyl (meth)acrylate, mono(2-(meth)acryloyloxyethyl)tetrahydrophthalate, and mono(2-(meth)acryloyloxyethyl)hexahydrophthalate; benzyl (meth)acrylate, phenyl (meth)acrylate, o-biphenyl (meth)acrylate, 1-naphthyl (meth)acrylate, acrylate, 2-naphthyl (meth)acrylate, phenoxyethyl (meth)acrylate, p-cumylphenoxyethyl (meth)acrylate, o-phenylphenoxyethyl (meth)acrylate, 1-naphthoxyethyl (meth)acrylate, 2-naphthoxyethyl (meth)acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth)acrylate, phenoxypolypropylene glycol (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth)acrylate, 2-hydroxy aromatic (meth)acrylates such as 2-hydroxy-3-(o-phenylphenoxy)propyl (meth)acrylate, 2-hydroxy-3-(1-naphthoxy)propyl (meth)acrylate, and 2-hydroxy-3-(2-naphthoxy)propyl (meth)acrylate; heterocyclic (meth)acrylates such as 2-tetrahydrofurfuryl (meth)acrylate, N-(meth)acryloyloxyethylhexahydrophthalimide, and 2-(meth)acryloyloxyethyl-N-carbazole; caprolactone-modified versions of these; and ω-carboxy-polycaprolactone mono(meth)acrylate. ) acrylate, glycidyl (meth)acrylate, α-ethyl glycidyl (meth)acrylate, α-propyl glycidyl (meth)acrylate, α-butyl glycidyl (meth)acrylate, 2-methyl glycidyl (meth)acrylate, 2-ethyl glycidyl (meth)acrylate, 2-propyl glycidyl (meth)acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth)acrylate, 3,4-epoxyheptyl (meth)acrylate, α-ethyl-6,7-epoxyheptyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth)acrylate compounds having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group, such as (2-ethyl-2-oxetanyl)methyl (meth)acrylate, (2-methyl-2-oxetanyl)methyl (meth)acrylate, 2-(2-ethyl-2-oxetanyl)ethyl (meth)acrylate, 2-(2-methyl-2-oxetanyl)ethyl (meth)acrylate, 3-(2-ethyl-2-oxetanyl)propyl (meth)acrylate, 3-(2-methyl ... Examples of suitable compounds include compounds having an ethylenically unsaturated group and an oxetanyl group, such as 2-(meth)acryloxyethyl isocyanate, and compounds having an ethylenically unsaturated group and an isocyanate group, such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate. The desired (meth)acrylic resin (B) can be synthesized by appropriately combining these.

（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）は、後述の官能基導入化合物又は架橋剤との反応点として、水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基（Ｂ）を有している。 The (meth)acrylic resin (B) has at least one functional group (B) selected from a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxy group), an amino group, etc., as a reaction point with a functional group-introducing compound or a crosslinking agent described below.

水酸基を有する（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）を合成するためのモノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－クロロ－２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等のエチレン性不飽和基とヒドロキシル基とを有する化合物などが挙げられる。 Examples of monomers for synthesizing the (meth)acrylic resin (B) having a hydroxyl group include compounds having an ethylenically unsaturated group and a hydroxyl group, such as 2-hydroxyethyl (meth)acrylate, 2-hydroxypropyl (meth)acrylate, 4-hydroxybutyl (meth)acrylate, 3-chloro-2-hydroxypropyl (meth)acrylate, and 2-hydroxybutyl (meth)acrylate.

グリシジル基を有する（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）を合成するためのモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート、α－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、α－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、α－ブチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－メチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－エチルグリシジル（メタ）アクリレート、２－プロピルグリシジル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシブチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、α－エチル－６，７－エポキシヘプチル（メタ）アクリレート、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート、ｏ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｍ－ビニルベンジルグリシジルエーテル、ｐ－ビニルベンジルグリシジルエーテル等のエチレン性不飽和基とエポキシ基とを有する化合物が挙げられる。 Examples of monomers for synthesizing the (meth)acrylic resin (B) having a glycidyl group include compounds having an ethylenically unsaturated group and an epoxy group, such as glycidyl (meth)acrylate, α-ethyl glycidyl (meth)acrylate, α-propyl glycidyl (meth)acrylate, α-butyl glycidyl (meth)acrylate, 2-methyl glycidyl (meth)acrylate, 2-ethyl glycidyl (meth)acrylate, 2-propyl glycidyl (meth)acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth)acrylate, 3,4-epoxyheptyl (meth)acrylate, α-ethyl-6,7-epoxyheptyl (meth)acrylate, 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth)acrylate, o-vinylbenzyl glycidyl ether, m-vinylbenzyl glycidyl ether, and p-vinylbenzyl glycidyl ether.

（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）は、アクリロイル基、メタクリロイル基等の官能基（Ａ）を有する。官能基（Ａ）は、例えば、水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基（Ｂ）を有する（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）に、官能基導入化合物を反応させることにより、当該（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）中に導入することができる。官能基導入化合物の具体例としては、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、α，α－ジメチル－４－イソプロペニルベンジルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート又は４－ヒドロキシブチルエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物又はポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物等が挙げられる。これらの中でも、官能基導入化合物は、２－メタクリロキシエチルイソシアネートであってよい。 The (meth)acrylic resin (A) has a functional group (A) such as an acryloyl group or a methacryloyl group. The functional group (A) can be introduced into the (meth)acrylic resin (B) by reacting the (meth)acrylic resin (B) having at least one functional group (B) selected from, for example, a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxy group), an amino group, etc., with a functional group-introducing compound. Specific examples of functional group-introducing compounds include 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, α,α-dimethyl-4-isopropenylbenzyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1-(bisacryloxymethyl)ethyl isocyanate; acryloyl monoisocyanate compounds obtained by reacting a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth)acrylate or 4-hydroxybutylethyl (meth)acrylate; and acryloyl monoisocyanate compounds obtained by reacting a diisocyanate compound or a polyisocyanate compound with a polyol compound and hydroxyethyl (meth)acrylate. Among these, the functional group-introducing compound may be 2-methacryloxyethyl isocyanate.

（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）は、主に、（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）に由来する、水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基（Ｂ）を反応点として、その反応点の一部が架橋剤により架橋されていてもよい。すなわち、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）の少なくとも一部は、架橋剤により架橋されていてもよい。紫外線硬化型粘着剤は、架橋剤によって架橋されていてもよい（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）を含んでいてもよい。 The (meth)acrylic resin (A) may have at least one functional group (B) selected from a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxy group), an amino group, etc., derived from the (meth)acrylic resin (B) as a reactive point, and some of the reactive points may be crosslinked with a crosslinking agent. In other words, at least a portion of the (meth)acrylic resin (A) may be crosslinked with a crosslinking agent. The ultraviolet-curable adhesive may contain the (meth)acrylic resin (A) that may be crosslinked with a crosslinking agent.

架橋剤は、例えば、粘着剤層の貯蔵弾性率及び／又は粘着性の制御を目的に用いられる。架橋剤は、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）に残存し得る（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）に由来する、水酸基、グリシジル基（エポキシ基）、アミノ基等から選ばれる少なくとも１種の官能基（Ｂ）と反応し得る官能基（以下、「官能基（Ｃ）」という場合がある。）を一分子中に２個以上有する化合物であればよい。（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）と架橋剤との反応によって形成される結合としては、例えば、エステル結合、エーテル結合、アミド結合、イミド結合、ウレタン結合、ウレア結合等が挙げられる。 The crosslinking agent is used, for example, for the purpose of controlling the storage modulus and/or adhesion of the adhesive layer. The crosslinking agent may be any compound having, in one molecule, two or more functional groups (hereinafter sometimes referred to as "functional groups (C)") that can react with at least one functional group (B) selected from a hydroxyl group, a glycidyl group (epoxy group), an amino group, etc., derived from the (meth)acrylic resin (B) that may remain in the (meth)acrylic resin (A). Examples of bonds formed by the reaction of the (meth)acrylic resin (A) with the crosslinking agent include ester bonds, ether bonds, amide bonds, imide bonds, urethane bonds, and urea bonds.

架橋剤における官能基（Ｃ）は、イソシアネート基であってよい。すなわち、架橋剤は、例えば、一分子中に２個以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートであってよい。このような多官能イソシアネートを用いると、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）に残存し得る（メタ）アクリル系樹脂（Ｂ）に由来する官能基（Ｂ）と容易に反応し、強固な架橋構造を形成することができる。 The functional group (C) in the crosslinking agent may be an isocyanate group. That is, the crosslinking agent may be, for example, a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule. When such a polyfunctional isocyanate is used, it can easily react with the functional group (B) derived from the (meth)acrylic resin (B) that may remain in the (meth)acrylic resin (A), forming a strong crosslinked structure.

一分子中に２個以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートとしては、例えば、２，４－トリレンジイソシアネート、２，６－トリレンジイソシアネート、１，３－キシリレンジイソシアネート、１，４－キシレンジイソシアネート、ジフェニルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジフェニルメタン－２，４’－ジイソシアネート、３－メチルジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－４，４’－ジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタン－２，４’－ジイソシアネート、リジンイソシアネート等のイソシアネート化合物などが挙げられる。 Examples of polyfunctional isocyanates having two or more isocyanate groups in one molecule include isocyanate compounds such as 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diisocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane-4,4'-diisocyanate, diphenylmethane-2,4'-diisocyanate, 3-methyldiphenylmethane diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, isophorone diisocyanate, dicyclohexylmethane-4,4'-diisocyanate, dicyclohexylmethane-2,4'-diisocyanate, and lysine isocyanate.

架橋剤は、多官能イソシアネートと、一分子中に２個以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）であってもよい。一分子中に２個以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとしては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、ブチレングリコール、１，６－ヘキサンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、グリセリン、トリメチロールプロパン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトール、１，４－シクロヘキサンジオール、１，３－シクロヘキサンジオール等が挙げられる。 The crosslinking agent may be a reaction product (isocyanate group-containing oligomer) between a polyfunctional isocyanate and a polyhydric alcohol having two or more hydroxyl groups in one molecule. Examples of polyhydric alcohols having two or more hydroxyl groups in one molecule include ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, 1,6-hexanediol, 1,8-octanediol, 1,9-nonanediol, 1,10-decanediol, 1,11-undecanediol, 1,12-dodecanediol, glycerin, trimethylolpropane, pentaerythritol, dipentaerythritol, 1,4-cyclohexanediol, and 1,3-cyclohexanediol.

これらの中でも、架橋剤は、一分子中に２個以上のイソシアネート基を有する多官能イソシアネートと、一分子中に３個以上のヒドロキシ基を有する多価アルコールとの反応物（イソシアネート基含有オリゴマー）であってもよい。このようなイソシアネート基含有オリゴマーを架橋剤として用いることで、粘着剤層３が緻密な架橋構造を形成し、これにより、ピックアップ工程において接着剤層５に粘着剤が付着することを抑制することができる傾向がある。 Among these, the crosslinking agent may be a reaction product (isocyanate group-containing oligomer) of a polyfunctional isocyanate having two or more isocyanate groups in one molecule and a polyhydric alcohol having three or more hydroxyl groups in one molecule. By using such an isocyanate group-containing oligomer as a crosslinking agent, the adhesive layer 3 forms a dense crosslinked structure, which tends to suppress adhesion of the adhesive to the adhesive layer 5 during the pick-up process.

（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）を架橋剤と反応させる際の架橋剤の含有量は、粘着剤層３に対して求められる凝集力、破断伸び率、接着剤層との密着性等に応じて適宜設定することができる。架橋剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）の総量１００質量部に対して、例えば、０．１～１０質量部、０．２～７質量部、又は０．３～５質量部であってよい。 The content of the crosslinking agent when reacting the (meth)acrylic resin (A) with the crosslinking agent can be appropriately set according to the cohesive strength, breaking elongation, adhesion to the adhesive layer, etc. required for the adhesive layer 3. The content of the crosslinking agent may be, for example, 0.1 to 10 parts by mass, 0.2 to 7 parts by mass, or 0.3 to 5 parts by mass per 100 parts by mass of the total amount of the (meth)acrylic resin (A).

（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）は、紫外線硬化型粘着剤（又は粘着剤層３）の主成分であり得る。（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）の含有量は、紫外線硬化型粘着剤（又は粘着剤層３）の全量を基準として、８０質量％以上、８５質量％以上、９０質量％以上、９５質量％以上、又は９８質量％以上であってよい。 The (meth)acrylic resin (A) may be the main component of the ultraviolet-curable adhesive (or adhesive layer 3). The content of the (meth)acrylic resin (A) may be 80% by mass or more, 85% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass or more, or 98% by mass or more based on the total amount of the ultraviolet-curable adhesive (or adhesive layer 3).

光重合開始剤は、紫外線を照射することで連鎖重合可能な活性種を発生するものであれば、特に制限されない。光重合開始剤としては、例えば、光ラジカル重合開始剤等が挙げられる。ここで連鎖重合可能な活性種とは、連鎖重合可能な官能基と反応することで重合反応が開始されるものを意味する。 There are no particular limitations on the photopolymerization initiator, so long as it generates an active species capable of chain polymerization when irradiated with ultraviolet light. Examples of photopolymerization initiators include photoradical polymerization initiators. Here, the term "active species capable of chain polymerization" refers to a species that initiates a polymerization reaction by reacting with a functional group capable of chain polymerization.

光ラジカル重合開始剤としては、例えば、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のベンゾインケタール；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン等のα－ヒドロキシケトン；２－ベンジル－２－ジメチルアミノ－１－（４－モルフォリノフェニル）－ブタン－１－オン、１，２－メチル－１－［４－（メチルチオ）フェニル］－２－モルフォリノプロパン－１－オン等のα－アミノケトン；１－［４－（フェニルチオ）フェニル］－１，２－オクタジオン－２－（ベンゾイル）オキシム等のオキシムエステル；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルホスフィンオキシド、ビス（２，６－ジメトキシベンゾイル）－２，４，４－トリメチルペンチルホスフィンオキシド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルホスフィンオキシド等のホスフィンオキシド；２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－クロロフェニル）－４，５－ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２－（ｏ－フルオロフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｏ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体、２－（ｐ－メトキシフェニル）－４，５－ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５－トリアリールイミダゾール二量体；ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラエチル－４，４’－ジアミノベンゾフェノン、４－メトキシ－４’－ジメチルアミノベンゾフェノン等のベンゾフェノン化合物；２－エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２－ｔｅｒｔ－ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２－ベンズアントラキノン、２，３－ベンズアントラキノン、２－フェニルアントラキノン、２，３－ジフェニルアントラキノン、１－クロロアントラキノン、２－メチルアントラキノン、１，４－ナフトキノン、９，１０－フェナントラキノン、２－メチル－１，４－ナフトキノン、２，３－ジメチルアントラキノン等のキノン化合物；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル化合物；９－フェニルアクリジン、１，７－ビス（９、９’－アクリジニルヘプタン）等のアクリジン化合物；Ｎ－フェニルグリシン、クマリンなどが挙げられる。 Examples of photoradical polymerization initiators include benzoin ketals such as 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; α-hydroxyketones such as 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and 1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one; α-aminoketones such as 2-benzyl-2-dimethylamino-1-(4-morpholinophenyl)-butan-1-one and 1,2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropan-1-one; 1-[4-(phenylthio)phenyl] oxime esters such as bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phenylphosphine oxide, bis(2,6-dimethoxybenzoyl)-2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide, and 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; 2-(o-chlorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-chlorophenyl)-4,5-di(methoxyphenyl)imidazole dimer, 2-(o-fluorophenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer, 2-(o-methoxyphenyl)-4,5-diphenyl ... 2,4,5-triarylimidazole dimers such as 2-(p-methoxyphenyl)-4,5-diphenylimidazole dimer; benzophenone compounds such as benzophenone, N,N,N',N'-tetramethyl-4,4'-diaminobenzophenone, N,N,N',N'-tetraethyl-4,4'-diaminobenzophenone, and 4-methoxy-4'-dimethylaminobenzophenone; 2-ethylanthraquinone, phenanthrenequinone, 2-tert-butylanthraquinone, octamethylanthraquinone, 1,2-benzanthraquinone, 2,3-benzanthraquinone, 2-phenylanthraquinone, 2, These include quinone compounds such as 3-diphenylanthraquinone, 1-chloroanthraquinone, 2-methylanthraquinone, 1,4-naphthoquinone, 9,10-phenanthraquinone, 2-methyl-1,4-naphthoquinone, and 2,3-dimethylanthraquinone; benzoin ethers such as benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, and benzoin phenyl ether; benzoin compounds such as benzoin, methylbenzoin, and ethylbenzoin; benzyl compounds such as benzyl dimethyl ketal; acridine compounds such as 9-phenylacridine and 1,7-bis(9,9'-acridinylheptane); N-phenylglycine, coumarin, and the like.

紫外線硬化型粘着剤における光重合開始剤の含有量は、（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）の総量１００質量部に対して、例えば、０．１～３０質量部、０．３～１０質量部、又は０．５～５質量部であってよい。 The content of the photopolymerization initiator in the ultraviolet-curable adhesive may be, for example, 0.1 to 30 parts by mass, 0.3 to 10 parts by mass, or 0.5 to 5 parts by mass per 100 parts by mass of the total amount of the (meth)acrylic resin (A).

粘着剤層３は、その他の成分を含んでいてもよい。その他の成分としては、例えば、連鎖重合可能な官能基を有する（メタ）アクリル系樹脂以外の樹脂（アクリルモノマー又はオリゴマー、ウレタンモノマー又はオリゴマー等）、粘着性付与剤（タッキファイヤ等）、帯電防止性付与剤、充填剤（有機フィラー、無機フィラー等）などが挙げられる。 The adhesive layer 3 may contain other components. Examples of other components include resins other than (meth)acrylic resins having a chain-polymerizable functional group (acrylic monomers or oligomers, urethane monomers or oligomers, etc.), tackifiers (tackifiers, etc.), antistatic agents, fillers (organic fillers, inorganic fillers, etc.), etc.

粘着剤層３の厚さは、例えば、１μｍ以上、２μｍ以上、３μｍ以上、又は５μｍ以上であってよく、１００μｍ以下、５０μｍ以下、２０μｍ以下、又は１５μｍ以下であってよい。 The thickness of the adhesive layer 3 may be, for example, 1 μm or more, 2 μm or more, 3 μm or more, or 5 μm or more, and may be 100 μm or less, 50 μm or less, 20 μm or less, or 15 μm or less.

ダイシングフィルム７において、粘着剤層３は、基材層１上に形成されている。粘着剤層３の形成方法としては、既知の手法を採用できる。例えば、基材層１と粘着剤層３との積層体を二層押し出し法で形成してもよいし、紫外線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）を調製し、これを基材層１の表面に塗工する、あるいは、離型処理されたフィルム上に粘着剤層３を形成し、これを基材層１に転写してもよい。 In the dicing film 7, the adhesive layer 3 is formed on the base layer 1. A known method can be used to form the adhesive layer 3. For example, a laminate of the base layer 1 and the adhesive layer 3 can be formed by a two-layer extrusion method, or a varnish of an ultraviolet-curing adhesive (varnish for forming an adhesive layer) can be prepared and applied to the surface of the base layer 1, or the adhesive layer 3 can be formed on a release-treated film and then transferred to the base layer 1.

紫外線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）は、紫外線硬化型粘着剤（（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）、光重合開始剤、架橋剤等）を溶解し得る有機溶剤であって加熱により揮発するものであってよい。有機溶剤の具体例としては、トルエン、キシレン、メシチレン、クメン、ｐ－シメン等の芳香族炭化水素；テトラヒドロフラン、１，４－ジオキサン等の環状エーテル；メタノール、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、エチレングリコール、プロピレングリコール等のアルコール；アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、４－ヒドロキシ－４－メチル－２－ペンタノン等のケトン；酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、γ－ブチロラクトン等のエステル；エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等の炭酸エステル；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル等の多価アルコールアルキルエーテル；エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等の多価アルコールアルキルエーテルアセテート；Ｎ，Ｎ－ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ－ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン等のアミドなどが挙げられる。 The varnish for the ultraviolet-curing adhesive (varnish for forming the adhesive layer) may be an organic solvent capable of dissolving the ultraviolet-curing adhesive ((meth)acrylic resin (A), photopolymerization initiator, crosslinking agent, etc.) and volatilizing by heating. Specific examples of organic solvents include aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, mesitylene, cumene, and p-cymene; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and 1,4-dioxane; alcohols such as methanol, ethanol, isopropanol, butanol, ethylene glycol, and propylene glycol; ketones such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, and 4-hydroxy-4-methyl-2-pentanone; esters such as methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, methyl lactate, ethyl lactate, and γ-butyrolactone; carbonates such as ethylene carbonate and propylene carbonate; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol diethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, Examples of the alkyl ethers include polyhydric alcohols such as propylene glycol dimethyl ether, propylene glycol diethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, and diethylene glycol diethyl ether; polyhydric alcohol alkyl ether acetates such as ethylene glycol monomethyl ether acetate, ethylene glycol monoethyl ether acetate, ethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monomethyl ether acetate, and diethylene glycol monoethyl ether acetate; and amides such as N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, and N-methyl-2-pyrrolidone.

これらの中で、有機溶剤は、溶解性及び沸点の観点から、例えば、トルエン、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、及びＮ，Ｎ－ジメチルアセトアミドからなる群より選ばれる少なくとも１種であってよい。ワニスの固形分濃度は、通常、１０～６０質量％である。 Among these, the organic solvent may be at least one selected from the group consisting of toluene, methanol, ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, methyl acetate, ethyl acetate, butyl acetate, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, ethylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and N,N-dimethylacetamide, from the viewpoints of solubility and boiling point. The solids concentration of the varnish is usually 10 to 60% by mass.

（接着剤層）
接着剤層５は、既知のダイボンディングフィルム（半導体チップと支持部材との接着又は半導体チップ同士の接着に使用されるフィルム）又はそれを構成する接着剤組成物を用いて形成することができる。接着剤層５を構成する接着剤組成物は、例えば、エポキシ樹脂と、エポキシ樹脂硬化剤と、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体とを含んでいてもよい。接着剤層５を構成する接着剤組成物は、カップリング剤、硬化促進剤、フィラー等をさらに含んでいてもよい。 (Adhesive Layer)
The adhesive layer 5 can be formed using a known die bonding film (a film used for bonding a semiconductor chip to a support member or for bonding semiconductor chips together) or an adhesive composition constituting the same. The adhesive composition constituting the adhesive layer 5 may contain, for example, an epoxy resin, an epoxy resin curing agent, and a reactive group-containing (meth)acrylic copolymer. The adhesive composition constituting the adhesive layer 5 may further contain a coupling agent, a curing accelerator, a filler, etc.

エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物等の二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂等が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂等の一般に知られているその他のエポキシ樹脂を適用してもよい。なお、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。 Epoxy resins include, for example, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, bisphenol S type epoxy resins, alicyclic epoxy resins, aliphatic chain epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, bisphenol A novolac type epoxy resins, diglycidyl ethers of biphenols, diglycidyl ethers of naphthalene diols, diglycidyl ethers of phenols, diglycidyl ethers of alcohols, and difunctional epoxy resins such as alkyl substituted, halogenated, and hydrogenated products thereof, novolac type epoxy resins, etc. In addition, other commonly known epoxy resins such as polyfunctional epoxy resins and heterocyclic epoxy resins may be applied. Note that components other than epoxy resins may be included as impurities within a range that does not impair the properties.

エポキシ樹脂硬化剤としては、例えば、フェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物とを、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるフェノール樹脂等が挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－ｎ－プロピルフェノール、ｍ－ｎ－プロピルフェノール、ｐ－ｎ－プロピルフェノール、ｏ－イソプロピルフェノール、ｍ－イソプロピルフェノール、ｐ－イソプロピルフェノール、ｏ－ｎ－ブチルフェノール、ｍ－ｎ－ブチルフェノール、ｐ－ｎ－ブチルフェノール、ｏ－イソブチルフェノール、ｍ－イソブチルフェノール、ｐ－イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４－キシレノール、２，６－キシレノール、３，５－キシレノール、２，４，６－トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４－メトキシフェノール、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｐ－シクロヘキシルフェノール、ｏ－アリルフェノール、ｐ－アリルフェノール、ｏ－ベンジルフェノール、ｐ－ベンジルフェノール、ｏ－クロロフェノール、ｐ－クロロフェノール、ｏ－ブロモフェノール、ｐ－ブロモフェノール、ｏ－ヨードフェノール、ｐ－ヨードフェノール、ｏ－フルオロフェノール、ｍ－フルオロフェノール、ｐ－フルオロフェノール等が挙げられる。フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体が用いることができる。すなわち、キシリレン化合物の具体例としては、α，α’－ジクロロ－ｐ－キシレン、α，α’－ジクロロ－ｍ－キシレン、α，α’－ジクロロ－ｏ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｐ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｍ－キシレン、α，α’－ジブロモ－ｏ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｐ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｍ－キシレン、α，α’－ジヨード－ｏ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジヒドロキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジメトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジエトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－プロポキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジイソプロポキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｎ－ブトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジイソブトキシ－ｏ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｐ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｍ－キシレン、α，α’－ジ－ｔｅｒｔ－ブトキシ－ｏ－キシレン等が挙げられる。 Epoxy resin curing agents include, for example, phenolic resins that can be obtained by reacting a phenolic compound with a xylylene compound, which is a divalent linking group, in the absence or presence of an acid catalyst. Phenol compounds used in the production of phenolic resins include, for example, phenol, o-cresol, m-cresol, p-cresol, o-ethylphenol, p-ethylphenol, o-n-propylphenol, m-n-propylphenol, p-n-propylphenol, o-isopropylphenol, m-isopropylphenol, p-isopropylphenol, o-n-butylphenol, m-n-butylphenol, p-n-butylphenol, o-isobutylphenol, m-isobutylphenol, p-isobutylphenol, octylphenol, nonylphenol, 2,4-xylenol, Examples of the xylylene compound include 2,6-xylenol, 3,5-xylenol, 2,4,6-trimethylphenol, resorcinol, catechol, hydroquinone, 4-methoxyphenol, o-phenylphenol, m-phenylphenol, p-phenylphenol, p-cyclohexylphenol, o-allylphenol, p-allylphenol, o-benzylphenol, p-benzylphenol, o-chlorophenol, p-chlorophenol, o-bromophenol, p-bromophenol, o-iodophenol, p-iodophenol, o-fluorophenol, m-fluorophenol, and p-fluorophenol. As the xylylene compound which is a divalent linking group used in the production of the phenolic resin, the following xylylene dihalides, xylylene diglycols, and derivatives thereof can be used. That is, specific examples of the xylylene compound include α,α'-dichloro-p-xylene, α,α'-dichloro-m-xylene, α,α'-dichloro-o-xylene, α,α'-dibromo-p-xylene, α,α'-dibromo-m-xylene, α,α'-dibromo-o-xylene, α,α'-diiodo-p-xylene, α,α'-diiodo-m-xylene, α,α'-diiodo- o-xylene, α,α'-dihydroxy-p-xylene, α,α'-dihydroxy-m-xylene, α,α'-dihydroxy-o-xylene, α,α'-dimethoxy-p-xylene, α,α'-dimethoxy-m-xylene, α,α'-dimethoxy-o-xylene, α,α'-diethoxy-p-xylene, α,α'-diethoxy-m-xylene, α,α'-diethoxy-o-xylene, xylene, α,α'-di-n-propoxy-p-xylene, α,α'-di-n-propoxy-m-xylene, α,α'-di-n-propoxy-o-xylene, α,α'-diisopropoxy-p-xylene, α,α'-diisopropoxy-m-xylene, α,α'-diisopropoxy-o-xylene, α,α'-di-n-butoxy-p-xylene, α,α'-di-n-butoxy- Examples include m-xylene, α,α'-di-n-butoxy-o-xylene, α,α'-diisobutoxy-p-xylene, α,α'-diisobutoxy-m-xylene, α,α'-diisobutoxy-o-xylene, α,α'-di-tert-butoxy-p-xylene, α,α'-di-tert-butoxy-m-xylene, and α,α'-di-tert-butoxy-o-xylene.

フェノール化合物とキシリレン化合物とを反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂等の超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、ＤｕＰｏｎｔ社製、「ナフィオン」は登録商標）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０～２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、かつ反応組成が一定になるまで反応させることによってフェノール樹脂をえることができる。反応時間は、原料及び反応温度によって適宜設定することができ、例えば、１～１５時間程度とすることでき、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定することができる。 When reacting a phenolic compound with a xylylene compound, a phenolic resin can be obtained by reacting the compounds at 50 to 250°C until the raw material xylylene compound is substantially eliminated and the reaction composition becomes constant, using acid catalysts such as mineral acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid, phosphoric acid, and polyphosphoric acid; organic carboxylic acids such as dimethyl sulfate, diethyl sulfate, p-toluenesulfonic acid, methanesulfonic acid, and ethanesulfonic acid; super strong acids such as trifluoromethanesulfonic acid; strong acid ion exchange resins such as alkane sulfonic acid type ion exchange resins; super strong acid ion exchange resins such as perfluoroalkane sulfonic acid type ion exchange resins (trade name: Nafion, manufactured by Du Pont, "Nafion" is a registered trademark); natural and synthetic zeolites; and activated clay (acid clay). The reaction time can be set appropriately depending on the raw material and reaction temperature, and can be, for example, about 1 to 15 hours, and can be determined by tracking the reaction composition using GPC (gel permeation chromatography) or the like.

反応性基含有（メタ）アクリル共重合体は、例えば、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体であってよい。エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体は、原料としてグリシジル（メタ）アクリレートを、得られる共重合体に対し０．５～６質量％となる量用いて得られる共重合体であってよい。グリシジル（メタ）アクリレートの含有量が０．５質量％以上であると、高い接着力を得易くなり、他方、６質量％以下であることでゲル化を抑制できる傾向がある。反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の残部を構成するモノマーは、例えば、メチル（メタ）アクリレート等の炭素数１～８のアルキル基を有するアルキル（メタ）アクリレート、スチレン、アクリロニトリル等であってよい。これらの中でも、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体の残部を構成するモノマーは、エチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートであってよい。混合比率は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体のＴｇを考慮して調整することができる。Ｔｇが－１０℃以上であるとＢステージ状態での接着剤層５のタック性が大きくなり過ぎることを抑制できる傾向にあり、取り扱い性に優れる傾向がある。なお、エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）は、例えば、３０℃以下であってよい。重合方法は、特に制限されないが、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられる。市販のエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製）が挙げられる。 The reactive group-containing (meth)acrylic copolymer may be, for example, an epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer. The epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer may be a copolymer obtained by using glycidyl (meth)acrylate as a raw material in an amount of 0.5 to 6% by mass relative to the obtained copolymer. If the content of glycidyl (meth)acrylate is 0.5% by mass or more, high adhesive strength is easily obtained, while if it is 6% by mass or less, gelation tends to be suppressed. The monomer constituting the remainder of the reactive group-containing (meth)acrylic copolymer may be, for example, an alkyl (meth)acrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, such as methyl (meth)acrylate, styrene, acrylonitrile, etc. Among these, the monomer constituting the remainder of the reactive group-containing (meth)acrylic copolymer may be ethyl (meth)acrylate and/or butyl (meth)acrylate. The mixing ratio can be adjusted taking into account the Tg of the reactive group-containing (meth)acrylic copolymer. If the Tg is -10°C or higher, the tackiness of the adhesive layer 5 in the B-stage state tends to be suppressed from becoming too large, and the handleability tends to be excellent. The glass transition point (Tg) of the epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer may be, for example, 30°C or lower. The polymerization method is not particularly limited, but examples thereof include pearl polymerization and solution polymerization. An example of a commercially available epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer is HTR-860P-3 (product name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation).

エポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体の重量平均分子量は、接着性及び耐熱性の観点から、１０万以上であってよく、３０万～３００万又は５０万～２００万であってもよい。重量平均分子量が３００万以下であると、チップと、これを支持する基板との間の充填性が低下することを抑制できる。重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。 From the viewpoint of adhesiveness and heat resistance, the weight average molecular weight of the epoxy group-containing (meth)acrylic copolymer may be 100,000 or more, or may be 300,000 to 3,000,000, or 500,000 to 2,000,000. If the weight average molecular weight is 3,000,000 or less, it is possible to suppress a decrease in the filling property between the chip and the substrate supporting it. The weight average molecular weight is a polystyrene-equivalent value obtained by using a calibration curve of standard polystyrene in gel permeation chromatography (GPC).

カップリング剤は、シランカップリング剤であってよい。シランカップリング剤の具体例としては、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－フェニルアミノプロピルトリメトキシシラン、３－（２－アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。 The coupling agent may be a silane coupling agent. Specific examples of silane coupling agents include γ-ureidopropyltriethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, 3-phenylaminopropyltrimethoxysilane, 3-(2-aminoethyl)aminopropyltrimethoxysilane, etc.

硬化促進剤としては、例えば、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類等が挙げられる。硬化促進剤の具体例としては、２－メチルイミダゾール、２－エチル－４－メチルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテートが挙げられる。 Examples of curing accelerators include tertiary amines, imidazoles, and quaternary ammonium salts. Specific examples of curing accelerators include 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, and 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate.

フィラーは、無機フィラーであってよい。無機フィラーの具体例としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ホウ酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶質シリカ、非晶質シリカが挙げられる。 The filler may be an inorganic filler. Specific examples of inorganic fillers include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, calcium carbonate, magnesium carbonate, calcium silicate, magnesium silicate, calcium oxide, magnesium oxide, aluminum oxide, aluminum nitride, aluminum borate whiskers, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica.

接着剤層５の厚さは、例えば、０．１μｍ以上、１μｍ以上、２μｍ以上、又は３μｍ以上であってよく、１００μｍ以下、５０μｍ以下、２０μｍ以下、又は１０μｍ以下であってよい。 The thickness of the adhesive layer 5 may be, for example, 0.1 μm or more, 1 μm or more, 2 μm or more, or 3 μm or more, and may be 100 μm or less, 50 μm or less, 20 μm or less, or 10 μm or less.

なお、接着剤層５は、エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂硬化剤を含まない態様であってもよい。例えば、接着剤層５が反応性基含有（メタ）アクリル共重合体を含む場合、接着剤層５は、反応性基含有（メタ）アクリル共重合体と、硬化促進剤と、フィラーとを含むものであってもよい。 The adhesive layer 5 may be an embodiment that does not include an epoxy resin or an epoxy resin curing agent. For example, when the adhesive layer 5 includes a reactive group-containing (meth)acrylic copolymer, the adhesive layer 5 may include the reactive group-containing (meth)acrylic copolymer, a curing accelerator, and a filler.

接着剤層５は、接着剤組成物のワニス（接着剤層形成用のワニス）を調製し、これを粘着剤層３の表面に塗工する、あるいは、離型処理されたフィルム上に接着剤層５を形成し、これを粘着剤層３に貼り付けてもよい。接着剤組成物のワニス（接着剤層形成用のワニス）は、フィラー以外の各成分を溶解し得る有機溶剤であって加熱により揮発するものであってよい。有機溶剤の具体例は、紫外線硬化型粘着剤のワニスにおける有機溶剤と同様のものを例示できる。 The adhesive layer 5 may be formed by preparing a varnish of the adhesive composition (varnish for forming the adhesive layer) and applying it to the surface of the adhesive layer 3, or by forming the adhesive layer 5 on a release-treated film and attaching it to the adhesive layer 3. The varnish of the adhesive composition (varnish for forming the adhesive layer) may be an organic solvent that can dissolve each component other than the filler and that volatilizes when heated. Specific examples of organic solvents include those similar to those in the varnish of the ultraviolet-curing adhesive.

（一体型フィルム）
一体型フィルム９は、例えば、基材層１と、基材層１上に設けられた、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層３とを有するダイシングフィルム７を準備する工程と、ダイシングフィルム７の粘着剤層３上に、接着剤層５を設ける工程とを含む方法によって製造することができる。 (Integrated film)
The integrated film 9 can be manufactured, for example, by a method including the steps of preparing a dicing film 7 having a base layer 1 and an adhesive layer 3 containing an ultraviolet-curable adhesive provided on the base layer 1, and providing an adhesive layer 5 on the adhesive layer 3 of the dicing film 7.

一体型フィルム９において、接着剤層５に対する粘着剤層３の粘着力は、０．５０Ｎ／２５ｍｍ以上、１．００Ｎ／２５ｍｍ以上、又は１．５０Ｎ／２５ｍｍ以上あってよい。この粘着力は、温度２５±３℃、湿度５５±５％においてＴ字剥離で剥離速度３００ｍｍ／分の条件で測定されるＴ字ピール強度である。Ｔ字ピール強度は、粘着層側に支持テープを貼り合せ、幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍのサイズに切り出した状態で測定される。接着剤層５に対する粘着剤層３の粘着力（Ｔ字ピール強度）がこのような範囲にあると、粘着剤層３の硬化前に、接着剤層片付き半導体チップの端部と粘着剤層との間での剥離の発生を抑制することができる傾向がある。接着剤層５に対する粘着剤層３の粘着力は、例えば、５．００Ｎ／２５ｍｍ以下、３．００Ｎ／２５ｍｍ以下、又は２．００Ｎ／２５ｍｍ以下であってよい。 In the integrated film 9, the adhesive strength of the adhesive layer 3 to the adhesive layer 5 may be 0.50 N/25 mm or more, 1.00 N/25 mm or more, or 1.50 N/25 mm or more. This adhesive strength is the T-peel strength measured under conditions of a temperature of 25±3°C, humidity of 55±5%, and a peeling speed of 300 mm/min. The T-peel strength is measured in a state where a support tape is attached to the adhesive layer side and cut into a size of 25 mm wide and 100 mm long. When the adhesive strength (T-peel strength) of the adhesive layer 3 to the adhesive layer 5 is in such a range, peeling between the end of the semiconductor chip with the adhesive layer piece and the adhesive layer before the adhesive layer 3 hardens tends to be suppressed. The adhesive strength of the adhesive layer 3 to the adhesive layer 5 may be, for example, 5.00 N/25 mm or less, 3.00 N/25 mm or less, or 2.00 N/25 mm or less.

一体型フィルム９において、粘着剤層３に対して照度８０ｍＷ／ｃｍ^２及び照射量１３０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線（主波長：３６５ｎｍ）を照射して粘着剤層３を硬化させた後の接着剤層５に対する粘着剤硬化物層１１の粘着力は、０．３０Ｎ／２５ｍｍ以下、０．２０Ｎ／２５ｍｍ以下、又は０．１０Ｎ／２５ｍｍ以下であってよい。この粘着力は、温度２５±３℃、湿度５５±５％においてＴ字剥離で剥離速度３００ｍｍ／分の条件で測定されるＴ字ピール強度である。Ｔ字ピール強度は、粘着層側に支持テープを貼り合せ、幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍのサイズに切り出した状態で測定される。接着剤層５に対する粘着剤硬化物層１１の粘着力が０．３０Ｎ／２５ｍｍ以下であると、優れたピックアップ性を達成することが可能となる。接着剤層５に対する粘着剤硬化物層１１の粘着力は、０．０３Ｎ／２５ｍｍ以上又は０．０５Ｎ／２５ｍｍ以上であってよい。 In the integrated film 9, the adhesive layer 3 is irradiated with ultraviolet light (dominant wavelength: 365 nm) having an illuminance of 80 mW/cm ² and an exposure dose of 130 mJ/cm ² to cure the adhesive layer 3. The adhesive strength of the adhesive cured layer 11 to the adhesive layer 5 after this may be 0.30 N/25 mm or less, 0.20 N/25 mm or less, or 0.10 N/25 mm or less. This adhesive strength is a T-peel strength measured under conditions of a temperature of 25±3° C. and a humidity of 55±5% at a peeling speed of 300 mm/min by T-peel. The T-peel strength is measured in a state where a support tape is attached to the adhesive layer side and cut into a size of 25 mm wide and 100 mm long. When the adhesive strength of the adhesive cured layer 11 to the adhesive layer 5 is 0.30 N/25 mm or less, it is possible to achieve excellent pick-up properties. The adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive cured layer 11 to the adhesive layer 5 may be 0.03 N/25 mm or more, or 0.05 N/25 mm or more.

（半導体チップ）
半導体チップＳＣは、半導体ウェハを個片化してなるものであり、例えば、ＤＢＧプロセスによって得ることができる。平面視における半導体チップＳＣの形状は、例えば、正方形又は長方形であってよい。半導体チップＳＣの面積は、１０～２５０ｍｍ^２であってよく、２０～２００ｍｍ^２又は３０～１５０ｍｍ^２であってもよい。半導体チップＳＣ一辺の長さは、例えば、１ｍｍ以上であり、２～１８ｍｍ又３～１５ｍｍであってもよい。 (Semiconductor chip)
The semiconductor chip SC is formed by dividing a semiconductor wafer, and can be obtained by, for example, a DBG process. The shape of the semiconductor chip SC in a plan view may be, for example, a square or a rectangle. The area of the semiconductor chip SC may be 10 to 250 ^mm2 , 20 to 200 ^mm2 , or 30 to 150 ^mm2 . The length of one side of the semiconductor chip SC is, for example, 1 mm or more, and may be 2 to 18 mm or 3 to 15 mm.

半導体チップＳＣの厚さ（後述の厚さＤｓｃ）は、例えば、１０～２００μｍであってよく、２０～１００μｍであってもよい。なお、半導体チップＳＣの厚さは同じであっても、互いに異なっていてもよい。また、半導体チップＳＣの厚さは、例えば、５０μｍ以下、４０μｍ以下、３０μｍ以下、又は２０μｍ以下であってもよく、１０μｍ以上又は１５μｍ以上であってもよい。 The thickness of the semiconductor chip SC (thickness Dsc described below) may be, for example, 10 to 200 μm, or 20 to 100 μm. The thicknesses of the semiconductor chips SC may be the same or different from each other. The thickness of the semiconductor chip SC may be, for example, 50 μm or less, 40 μm or less, 30 μm or less, or 20 μm or less, or may be 10 μm or more, or 15 μm or more.

図３は、積層体の製造方法の一実施形態を説明するための模式断面図である。積層体１０は、例えば、半導体ウェハの回路形成面上に、ダイシングラインに沿って溝を形成する工程（工程（ａ））と、溝が形成された半導体ウェハの回路形成面とは反対側の裏面を、少なくとも溝に達する深さまで研削して、複数の半導体チップを作製する工程（工程（ｂ））と、複数の半導体チップの裏面に、一体型フィルムの接着剤層を貼り付ける工程（工程（ｃ））とを含む方法によって作製される積層体であってよい。 Figure 3 is a schematic cross-sectional view for explaining one embodiment of a method for manufacturing a laminate. The laminate 10 may be a laminate manufactured by a method including, for example, a step (step (a)) of forming grooves along dicing lines on the circuit formation surface of a semiconductor wafer, a step (step (b)) of grinding the back surface of the semiconductor wafer opposite the circuit formation surface on which the grooves are formed at least to a depth that reaches the grooves to manufacture multiple semiconductor chips, and a step (step (c)) of attaching an adhesive layer of an integrated film to the back surfaces of the multiple semiconductor chips.

工程（ａ）では、半導体ウェハＳＷの回路形成面ｓ１上に、ダイシングラインに沿って溝ｗ１を形成する（図３（ａ）、図３（ｂ）参照）。 In step (a), grooves w1 are formed along dicing lines on the circuit formation surface s1 of the semiconductor wafer SW (see Figures 3(a) and 3(b)).

半導体ウェハＳＷとしては、例えば、単結晶シリコン、多結晶シリコン、各種セラミック、ガリウムヒ素等の化合物半導体などが挙げられる。半導体ウェハＳＷは、通常、回路形成面ｓ１と、回路形成面ｓ１とは反対側の裏面ｓ２とを有している。 Examples of semiconductor wafers SW include single crystal silicon, polycrystalline silicon, various ceramics, and compound semiconductors such as gallium arsenide. Semiconductor wafers SW typically have a circuit formation surface s1 and a back surface s2 opposite the circuit formation surface s1.

半導体ウェハＳＷの厚さＤｓｗは、半導体チップＳＣの厚さＤｓｃよりも大きい。半導体ウェハＳＷの厚さＤｓｗは、例えば、５０～３０００μｍ、１００～２０００μｍ、又は２００～１５００μｍであってよい。 The thickness Dsw of the semiconductor wafer SW is greater than the thickness Dsc of the semiconductor chip SC. The thickness Dsw of the semiconductor wafer SW may be, for example, 50 to 3000 μm, 100 to 2000 μm, or 200 to 1500 μm.

溝ｗ１は、半導体ウェハＳＷのダイシングラインに沿って、ダイシングブレード２３を用いてハーフカットダイシングを実施することによって形成される（図３（ｂ）参照）。ハーフカットダイシングとは、半導体ウェハＳＷを完全に切断しないように、深さｄ１（深さｄ１は、半導体ウェハＳＷの厚さＤｓｗ未満であり得る。）まで切断することを意味する。ダイシングブレード２３によるハーフカットダイシングは、市販のダイシングソーを用いて行うことができる。溝ｗ１は、例えば、平面視において格子状をなすように、半導体ウェハＳＷの回路形成面ｓ１上に形成される。 The grooves w1 are formed by performing half-cut dicing using a dicing blade 23 along the dicing lines of the semiconductor wafer SW (see FIG. 3(b)). Half-cut dicing means cutting the semiconductor wafer SW to a depth d1 (depth d1 may be less than the thickness Dsw of the semiconductor wafer SW) so as not to cut the semiconductor wafer SW completely. Half-cut dicing using the dicing blade 23 can be performed using a commercially available dicing saw. The grooves w1 are formed on the circuit formation surface s1 of the semiconductor wafer SW, for example, so as to form a lattice shape in a plan view.

工程（ｂ）では、溝ｗ１が形成された半導体ウェハＳＷ（溝が形成された半導体ウェハＳＷａ）の回路形成面ｓ１とは反対側の裏面ｓ２を、少なくとも溝ｗ１に達する深さ（図３（ｄ）の深さｄ２）まで研削して、複数の半導体チップＳＣを作製する（図３（ｃ）、図３（ｄ）、図３（ｅ）参照）。半導体ウェハＳＷの深さｄ１と深さｄ２との和は、半導体ウェハＳＷの厚さＤｓｗであり得る。 In step (b), the back surface s2 of the semiconductor wafer SW (semiconductor wafer SWa) on which the grooves w1 are formed, opposite the circuit formation surface s1, is ground to a depth (depth d2 in FIG. 3(d)) that reaches at least the grooves w1, to produce multiple semiconductor chips SC (see FIGS. 3(c), 3(d), and 3(e)). The sum of the depths d1 and d2 of the semiconductor wafer SW may be the thickness Dsw of the semiconductor wafer SW.

工程（ｂ）においては、まず、溝ｗ１が形成された半導体ウェハＳＷの回路形成面ｓ１上に、バックグラインドテープ２５を貼り付ける。バックグラインドテープ２５は、当該分野で使用されるバックグラインドテープを使用でき、例えば、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層を備えるバックグラインドテープであってよい。 In step (b), first, a backgrind tape 25 is applied to the circuit formation surface s1 of the semiconductor wafer SW on which the groove w1 is formed. The backgrind tape 25 may be a backgrind tape used in the field, and may be, for example, a backgrind tape having an adhesive layer containing an ultraviolet-curing adhesive.

続いて、溝ｗ１が形成された半導体ウェハＳＷの裏面ｓ２を研削する。溝ｗ１が形成された半導体ウェハＳＷの裏面研削は、一般的なグラインダーを用いて行うことができる。このように裏面ｓ２を研削することによって、図３（ｅ）に示すとおり、厚さＤｓｃの複数の半導体チップＳＣを作製することができる。厚さＤｓｃは、深さｄ１以下であり得る。半導体チップＳＣは、通常、回路形成面ｓ１と、回路形成面ｓ１とは反対側の裏面ｓ３とを有している。 Then, the back surface s2 of the semiconductor wafer SW on which the groove w1 is formed is ground. Grinding the back surface of the semiconductor wafer SW on which the groove w1 is formed can be performed using a general grinder. By grinding the back surface s2 in this manner, multiple semiconductor chips SC having a thickness Dsc can be produced, as shown in FIG. 3(e). The thickness Dsc can be equal to or less than the depth d1. The semiconductor chip SC typically has a circuit formation surface s1 and a back surface s3 opposite the circuit formation surface s1.

工程（ｃ）では、上記で得られた複数の半導体チップＳＣの裏面ｓ３に、上記の一体型フィルム９の接着剤層５を貼り付ける（図３（ｆ）参照）。このようにして、基材層１と、粘着剤層３と、接着剤層５と、複数の半導体チップＳＣと、バックグラインドテープ２５とをこの順序で有する積層体５０を得ることができる。 In step (c), the adhesive layer 5 of the integrated film 9 is attached to the back surface s3 of the semiconductor chips SC obtained above (see FIG. 3(f)). In this manner, a laminate 50 can be obtained that has, in this order, the base layer 1, the pressure-sensitive adhesive layer 3, the adhesive layer 5, the semiconductor chips SC, and the backgrind tape 25.

続いて、バックグラインドテープ２５を積層体５０から剥離することによって、積層体１０を得ることができる。バックグラインドテープ２５が紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層を備える場合、バックグラインドテープ２５の粘着剤層に紫外線を照射し、粘着剤層を硬化させて粘着力を低下させることによって、バックグラインドテープ２５を積層体５０から効率よく剥離することができる。 Then, the backgrind tape 25 can be peeled off from the laminate 50 to obtain the laminate 10. If the backgrind tape 25 has an adhesive layer containing an ultraviolet-curing adhesive, the adhesive layer of the backgrind tape 25 can be irradiated with ultraviolet light to harden the adhesive layer and reduce its adhesive strength, thereby allowing the backgrind tape 25 to be efficiently peeled off from the laminate 50.

＜工程（Ｂ）＞
本工程では、積層体１０の粘着剤層３に対して紫外線を照射し、紫外線硬化型粘着剤の硬化物を含む粘着剤硬化物層１１を形成する（図１（ｂ）、図１（ｃ）参照）。 <Step (B)>
In this step, the adhesive layer 3 of the laminate 10 is irradiated with ultraviolet light to form an adhesive cured material layer 11 containing a cured product of the ultraviolet-curable adhesive (see Figs. 1(b) and 1(c)).

紫外線の照射は、例えば、図１（ｂ）に示すとおり、基材層１側から基材層１を介して実施される。紫外線の照射源は、特に制限されないが、例えば、メタルハライドランプ、高圧ナトリウムランプ、ＵＶ－ＬＥＤランプ等を使用することができる。粘着剤層３に対する紫外線の照度は、例えば、１～１０００ｍＷ／ｃｍ^２、１０～９００ｍＷ／ｃｍ^２、又は３０～８００ｍＷ／ｃｍ^２であってよい。粘着剤層３に対する紫外線の照射量は、例えば、１０～３０００ｍＪ／ｃｍ^２、５０～２５００ｍＪ／ｃｍ^２、又は１００～２０００ｍＪ／ｃｍ^２であってよい。 Irradiation with ultraviolet light is performed, for example, from the substrate layer 1 side through the substrate layer 1, as shown in Fig. 1 (b). The source of ultraviolet light irradiation is not particularly limited, and for example, a metal halide lamp, a high pressure sodium lamp, a UV-LED lamp, or the like can be used. The illuminance of the ultraviolet light on the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be, for example, 1 to 1000 mW/ ^cm2 , 10 to 900 mW/ ^cm2 , or 30 to 800 mW/ ^cm2 . The amount of irradiation of the ultraviolet light on the pressure-sensitive adhesive layer 3 may be, for example, 10 to 3000 mJ/ ^cm2 , 50 to 2500 mJ/ ^cm2 , or 100 to 2000 mJ/ ^cm2 .

このようにして、基材層１と、粘着剤硬化物層１１と、接着剤層５と、複数の半導体チップＳＣとをこの順序で有する積層体２０を得ることができる。 In this way, a laminate 20 can be obtained having, in this order, a base layer 1, a cured adhesive layer 11, an adhesive layer 5, and a plurality of semiconductor chips SC.

＜工程（Ｃ）＞
本工程では、複数の半導体チップＳＣ同士の間の間隙ｇ１を通して、接着剤層５に対してレーザー１５を照射し、接着剤層５を個片化することによって、半導体チップＳＣと接着剤層片５ａとを含む接着剤層片付き半導体チップ１３を作製する（図２（ａ）、図２（ｂ）参照）。 <Step (C)>
In this process, a laser 15 is irradiated onto the adhesive layer 5 through the gap g1 between multiple semiconductor chips SC, and the adhesive layer 5 is diced into individual pieces to produce a semiconductor chip 13 with an adhesive layer piece, which includes a semiconductor chip SC and an adhesive layer piece 5a (see Figures 2(a) and 2(b)).

半導体ウェハを個片化してなる複数の半導体チップＳＣは、通常、複数の半導体チップＳＣ同士の間に間隙ｇ１を有している。間隙ｇ１を通して、接着剤層５に対してレーザー１５を照射することによって、半導体チップＳＣの平面視の形状と同様の形状を有する接着剤層片５ａを得ることができる。 The semiconductor chips SC obtained by dicing a semiconductor wafer usually have a gap g1 between the semiconductor chips SC. By irradiating the adhesive layer 5 with a laser 15 through the gap g1, an adhesive layer piece 5a having a shape similar to the shape of the semiconductor chip SC in a plan view can be obtained.

レーザー１５の照射は、例えば、図２（ａ）に示すとおり、半導体チップＳＣ側から複数の半導体チップＳＣ同士の間の間隙ｇ１を通して実施される。レーザー１５の照射は、市販のレーザーソーを用いて実施することができる。レーザー１５の周波数は、例えば、３０～２５０ｋＨｚ、５０～２００ｋＨｚ、又は８０～１２０ｋＨｚであってよい。レーザー１５の出力は、例えば、０．０５～２．０Ｗ、０．１～１．０Ｗ、又は０．２～０．５Ｗであってよい。レーザー１５の照射における送り速度は、例えば、２０～５００ｍｍ／ｓ、５０～４００ｍｍ／ｓ、又は１００～３００ｍｍ／ｓであってよい。 As shown in FIG. 2(a), the laser 15 is irradiated from the semiconductor chip SC side through the gap g1 between the multiple semiconductor chips SC. The laser 15 can be irradiated using a commercially available laser saw. The frequency of the laser 15 may be, for example, 30 to 250 kHz, 50 to 200 kHz, or 80 to 120 kHz. The output of the laser 15 may be, for example, 0.05 to 2.0 W, 0.1 to 1.0 W, or 0.2 to 0.5 W. The feed speed in the irradiation of the laser 15 may be, for example, 20 to 500 mm/s, 50 to 400 mm/s, or 100 to 300 mm/s.

このようにして、半導体チップＳＣと接着剤層片５ａとを含む接着剤層片付き半導体チップ１３を作製することができ、基材層１と、粘着剤硬化物層１１と、複数の接着剤層片付き半導体チップ１３とをこの順序で有する積層体３０を得ることができる。 In this manner, a semiconductor chip 13 with an adhesive layer piece can be produced, which includes a semiconductor chip SC and an adhesive layer piece 5a, and a laminate 30 can be obtained which has, in this order, a base layer 1, a cured adhesive layer 11, and a plurality of semiconductor chips 13 with adhesive layer pieces.

本実施形態の半導体装置の製造方法は、接着剤層片付き半導体チップ１３をピックアップする工程（工程（Ｄ））、ピックアップされた接着剤層片付き半導体チップ１３と支持部材２１とを接着剤層片５ａを介して熱圧着して接着する工程（工程（Ｅ））、接着剤層片５ａを熱硬化させる工程（工程（Ｆ））等をさらに備えていてもよい。 The manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment may further include a step of picking up the semiconductor chip 13 with the adhesive layer piece (step (D)), a step of bonding the picked-up semiconductor chip 13 with the adhesive layer piece and the support member 21 by thermocompression bonding via the adhesive layer piece 5a (step (E)), a step of thermally curing the adhesive layer piece 5a (step (F)), etc.

＜工程（Ｄ）＞
本工程では、必要に応じて、個片化された接着剤層片付き半導体チップ１３を互いに離間させつつ、基材層１側からニードル１７で突き上げられた接着剤層片付き半導体チップ１３を吸引コレット１９で吸引して粘着剤硬化物層１１からピックアップする。 <Step (D)>
In this process, if necessary, the individualized semiconductor chips 13 with adhesive layer pieces are separated from each other, and the semiconductor chips 13 with adhesive layer pieces pushed up by the needles 17 from the base layer 1 side are sucked up by the suction collet 19 and picked up from the adhesive cured layer 11.

＜工程（Ｅ）＞
本工程では、ピックアップされた接着剤層片付き半導体チップ１３と支持部材２１とを接着剤層片５ａを介して熱圧着して接着する。支持部材２１には、接着剤層片付き半導体チップ１３（半導体チップＳＣ）が１個接着されていてもよく、複数接着されていてもよい。 <Step (E)>
In this process, the picked-up semiconductor chip 13 with the adhesive layer piece is bonded to the support member 21 by thermocompression via the adhesive layer piece 5a. One or more semiconductor chips 13 with adhesive layer pieces (semiconductor chips SC) may be bonded to the support member 21.

接着剤層片付き半導体チップ１３の熱圧着条件は、接着剤層片５ａの構成成分によって適宜調整することができる。熱圧着における加熱温度は、例えば、８０～１６０℃であってよい。熱圧着における荷重は、例えば、５～１５Ｎであってよい。熱圧着における加熱時間は、例えば、０．５～２０秒であってよい。 The conditions for thermocompression bonding of the semiconductor chip 13 with the adhesive layer piece can be adjusted as appropriate depending on the constituent components of the adhesive layer piece 5a. The heating temperature in the thermocompression bonding may be, for example, 80 to 160°C. The load in the thermocompression bonding may be, for example, 5 to 15 N. The heating time in the thermocompression bonding may be, for example, 0.5 to 20 seconds.

＜工程（Ｆ）＞
本工程では、接着剤層片５ａを熱硬化させる。接着剤層片５ａの熱硬化条件は、接着剤層片５ａの構成成分によって適宜調整することができる。熱硬化における加熱温度は、例えば、６０～２００℃、９０～１９０℃、又は１２０～１８０℃であってよい。熱硬化における加熱時間は、３０分～５時間、１～３時間、又は２～３時間であってよい。なお、温度又は圧力は、段階的に変更しながら行ってもよい。 <Step (F)>
In this step, the adhesive layer piece 5a is thermally cured. The thermal curing conditions of the adhesive layer piece 5a can be appropriately adjusted depending on the constituent components of the adhesive layer piece 5a. The heating temperature in the thermal curing may be, for example, 60 to 200°C, 90 to 190°C, or 120 to 180°C. The heating time in the thermal curing may be 30 minutes to 5 hours, 1 to 3 hours, or 2 to 3 hours. The temperature or pressure may be changed stepwise.

このようにして、（複数の）半導体チップＳＣと、半導体チップＳＣを搭載する支持部材２１と、半導体チップＳＣ及び支持部材２１を接着する接着剤層片５ａの硬化物（接着剤層片の硬化物５ａｃ）とを備える半導体装置４０（図２（ｄ）参照）を製造することができる。 In this way, a semiconductor device 40 (see FIG. 2(d)) can be manufactured that includes (multiple) semiconductor chips SC, a support member 21 on which the semiconductor chips SC are mounted, and a cured product of the adhesive layer piece 5a (cured product of the adhesive layer piece 5ac) that bonds the semiconductor chips SC and the support member 21.

本実施形態の半導体装置の製造方法によれば、レーザー照射によって接着剤層を個片化する際に、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層がすでに硬化状態にあることから、粘着剤層の構成成分の飛び散りの発生を抑制することができ（さらにはエッジ剥離強度を充分に低減でき）、接着剤層片付き半導体チップをピックアップする際の不具合を抑制することが可能となる。 According to the manufacturing method of the semiconductor device of this embodiment, when the adhesive layer is singulated by laser irradiation, the adhesive layer containing the ultraviolet-curable adhesive is already in a cured state, so that scattering of the components of the adhesive layer can be suppressed (and the edge peel strength can be sufficiently reduced), and problems when picking up the semiconductor chip with the adhesive layer piece can be suppressed.

以下、本開示について、実施例に基づいてさらに具体的に説明するが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。なお、特に記述がない限り、薬品は全て試薬（市販品）を使用した。 The present disclosure will be explained in more detail below based on examples, but the present disclosure is not limited to these examples. Unless otherwise specified, all chemicals used were reagents (commercially available products).

［（メタ）アクリル系樹脂の合成］
（製造例１－１：（メタ）アクリル系樹脂１ａの合成）
スリーワンモーター、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬのフラスコに以下の成分を入れた。
・酢酸エチル（溶剤）：６３５質量部
・２－エチルヘキシルアクリレート：３９５質量部
・２－ヒドロキシエチルアクリレート：１００質量部
・メタクリル酸：５質量部
・アゾビスイソブチロニトリル：０．０８質量部 [Synthesis of (meth)acrylic resin]
(Production Example 1-1: Synthesis of (meth)acrylic resin 1a)
The following components were placed in a 2000 mL flask equipped with a three-one motor, a stirring blade, and a nitrogen inlet tube.
Ethyl acetate (solvent): 635 parts by weight 2-Ethylhexyl acrylate: 395 parts by weight 2-Hydroxyethyl acrylate: 100 parts by weight Methacrylic acid: 5 parts by weight Azobisisobutyronitrile: 0.08 parts by weight

充分に均一になるまで内容物を撹拌した後、流量５００ｍＬ／分にて６０分バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。１時間かけて７８℃まで昇温し、昇温後６時間重合させた。次に、スリーワンモーター、撹拌翼、及び窒素導入管が備え付けられた容量２０００ｍＬの加圧釜に反応溶液を移し、１２０℃、０．２８ＭＰａの条件にて４．５時間加温後、室温（２５±３℃、以下同様）に冷却した。 After stirring the contents until sufficiently homogenous, bubbling was performed for 60 minutes at a flow rate of 500 mL/min to degas the dissolved oxygen in the system. The temperature was raised to 78°C over 1 hour, and polymerization was allowed to continue for 6 hours after the temperature was raised. Next, the reaction solution was transferred to a 2000 mL pressure kettle equipped with a three-one motor, stirring blade, and nitrogen inlet tube, and heated at 120°C and 0.28 MPa for 4.5 hours, and then cooled to room temperature (25±3°C, the same below).

次に酢酸エチルを４９０質量部加えて撹拌し、内容物を希釈した。これに、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．１０質量部添加した後、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工株式会社製、カレンズＭＯＩ（商品名））を１０５．３質量部加え、７０℃で６時間反応させた後、室温に冷却した。次いで、酢酸エチルをさらに加え、（メタ）アクリル系樹脂溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整し、製造例１－１の（メタ）アクリル系樹脂１ａを含む溶液を得た。 Next, 490 parts by mass of ethyl acetate was added and stirred to dilute the contents. 0.10 parts by mass of dioctyltin dilaurate was added as a urethane catalyst, and then 105.3 parts by mass of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (Karenz MOI (product name) manufactured by Showa Denko K.K.) was added and reacted at 70°C for 6 hours, and then cooled to room temperature. Next, ethyl acetate was further added to adjust the non-volatile content of the (meth)acrylic resin solution to 35% by mass, and a solution containing (meth)acrylic resin 1a of Production Example 1-1 was obtained.

（製造例１－２：（メタ）アクリル系樹脂１ｂの合成）
表１の製造例１－１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例１－２に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１－１と同様の方法で製造例１－２の（メタ）アクリル系樹脂１ｂを含む溶液を得た。 (Production Example 1-2: Synthesis of (meth)acrylic resin 1b)
A solution containing (meth)acrylic resin 1b of Production Example 1-2 was obtained in the same manner as in Production Example 1-1, except that the raw material monomer composition shown in Production Example 1-1 in Table 1 was changed to the raw material monomer composition shown in Production Example 1-2 in Table 1.

（製造例１－３：（メタ）アクリル系樹脂１ｃの合成）
表１の製造例１－１に示す原料モノマー組成を、表１の製造例１－３に示す原料モノマー組成に変更した以外は、製造例１－１と同様の方法で製造例１－３の（メタ）アクリル系樹脂１ｃを含む溶液を得た。 (Production Example 1-3: Synthesis of (meth)acrylic resin 1c)
A solution containing (meth)acrylic resin 1c of Production Example 1-3 was obtained in the same manner as in Production Example 1-1, except that the raw material monomer composition shown in Production Example 1-1 in Table 1 was changed to the raw material monomer composition shown in Production Example 1-3 in Table 1.

（製造例２－１：ダイシングフィルム２ａの作製）
以下の成分を混合することで、紫外線硬化型粘着剤のワニス（粘着剤層形成用のワニス）を調製した（表２参照）。酢酸エチル（溶剤）の量は、ワニスの総固形分含有量が２５質量％となるように調整した。
・（メタ）アクリル系樹脂（Ａ）：製造例１－１の（メタ）アクリル系樹脂１ａを含む溶液：１００質量部（固形分）
・光重合開始剤：Ｏｍｎｉｒａｄ１８４（商品名（「Ｏｍｎｉｒａｄ」は登録商標）、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ＩＧＭＲＥＳＩＮＳＢ．Ｖ．社製）：１．０質量部
・光重合開始剤：Ｏｍｎｉｒａｄ８１９（商品名（「Ｏｍｎｉｒａｄ」は登録商標）、フェニルビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）ホスフィンオキシド、ＩＧＭＲＥＳＩＮＳＢ．Ｖ．社製）：０．２質量部
・架橋剤：コロネートＬ（商品名、多官能イソシアネート（トリレンジイソシアネートとトリメチロールプロパンとの反応物）、日本ポリウレタン工業株式会社製、固形分７５質量％）：２．０質量部（固形分）
・酢酸エチル（溶剤） (Production Example 2-1: Preparation of dicing film 2a)
The following components were mixed to prepare a UV-curable adhesive varnish (varnish for forming an adhesive layer) (see Table 2). The amount of ethyl acetate (solvent) was adjusted so that the total solid content of the varnish was 25% by mass.
(Meth)acrylic resin (A): Solution containing (meth)acrylic resin 1a of Production Example 1-1: 100 parts by mass (solid content)
Photopolymerization initiator: Omnirad 184 (trade name ("Omnirad" is a registered trademark), 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, manufactured by IGM RESINS B.V.): 1.0 part by mass Photopolymerization initiator: Omnirad 819 (trade name ("Omnirad" is a registered trademark), phenylbis(2,4,6-trimethylbenzoyl)phosphine oxide, manufactured by IGM RESINS B.V.): 0.2 parts by mass Crosslinking agent: Coronate L (trade name, multifunctional isocyanate (reaction product of tolylene diisocyanate and trimethylolpropane), manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., solid content 75% by mass): 2.0 parts by mass (solid content)
・Ethyl acetate (solvent)

一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ３８μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて紫外線硬化型粘着剤のワニスを塗布した後、８０℃で３分乾燥した。これによって、基材層としてのポリエチレンテレフタレートフィルムと、その上に形成された厚さ１０μｍの粘着剤層とを含むダイシングフィルム２ａを得た。 A polyethylene terephthalate film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 38 μm) with a release treatment applied to one side was prepared. A UV-curable adhesive varnish was applied to the release-treated side using an applicator, and then dried at 80°C for 3 minutes. This resulted in a dicing film 2a that included a polyethylene terephthalate film as a base layer and an adhesive layer with a thickness of 10 μm formed thereon.

一方の面にコロナ処理が施されたポリオレフィンフィルム（幅４５０ｍｍ、長さ５００ｍｍ、厚さ９０μｍ）を準備した。コロナ処理が施された面と、上記積層体の粘着剤層とを室温にて貼り合わせた。次いで、ゴムロールで押圧することで粘着剤層をポリオレフィンフィルム（カバーフィルム）に転写した。その後、室温で３日間放置することで、製造例２－１のカバーフィルム付きのダイシングフィルム２ａを得た。 A polyolefin film (width 450 mm, length 500 mm, thickness 90 μm) was prepared with one side subjected to corona treatment. The corona-treated side was attached to the adhesive layer of the laminate at room temperature. The adhesive layer was then transferred to the polyolefin film (cover film) by pressing with a rubber roll. This was then left at room temperature for 3 days to obtain dicing film 2a with cover film of Production Example 2-1.

（製造例２－２：ダイシングフィルム２ｂの作製）
製造例１－１の（メタ）アクリル系樹脂１ａを含む溶液１００質量部（固形分）を、製造例１－２の（メタ）アクリル系樹脂１ｂを含む溶液１００質量部（固形分）に変更し、さらに架橋剤２．０質量部（固形分）を７．０質量部（固形分）に変更した以外は、製造例２－１と同様の方法で製造例２－２のカバーフィルム付きのダイシングフィルム２ｂを得た。 (Production Example 2-2: Preparation of dicing film 2b)
A dicing film 2b with a cover film of Production Example 2-2 was obtained in the same manner as in Production Example 2-1, except that 100 parts by mass (solid content) of the solution containing the (meth)acrylic resin 1a of Production Example 1-1 was changed to 100 parts by mass (solid content) of the solution containing the (meth)acrylic resin 1b of Production Example 1-2, and further, 2.0 parts by mass (solid content) of the crosslinking agent was changed to 7.0 parts by mass (solid content).

（製造例２－３：ダイシングフィルム２ｃの作製）
製造例１－１の（メタ）アクリル系樹脂１ａを含む溶液１００質量部（固形分）を、製造例１－３の（メタ）アクリル系樹脂１ｃを含む溶液１００質量部（固形分）に変更した以外は、製造例２－１と同様の方法で製造例２－３のカバーフィルム付きのダイシングフィルム２ｃを得た。 (Manufacturing Example 2-3: Preparation of dicing film 2c)
A dicing film 2c with a cover film of Production Example 2-3 was obtained in the same manner as in Production Example 2-1, except that 100 parts by mass (solid content) of the solution containing the (meth)acrylic resin 1a of Production Example 1-1 was changed to 100 parts by mass (solid content) of the solution containing the (meth)acrylic resin 1c of Production Example 1-3.

（製造例３－１：ダイボンディングフィルム３ａの作製）
以下の成分を混合することで、接着剤層形成用のワニスを調製した。まず、以下の成分を含む混合物に対して、シクロヘキサノン（溶剤）を加えて撹拌混合した後、さらにビーズミルを用いて９０分混練した。
・エポキシ樹脂：Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ、軟化点：７５～８５℃）：１８質量部
・エポキシ樹脂：ＥＸＡ－８３０ＣＲＰ（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１６０、分子量：１８００、軟化点：８５℃）：１０質量部
・エポキシ樹脂硬化剤：ＭＥＨ－７８００Ｍ（商品名、明和化学株式会社製、フェニルアラルキル型フェノール樹脂、水酸基当量：１７４ｇ／ｅｑ、軟化点：８０℃）：２２質量部
・カップリング剤：ＮＵＣＡ－１８９（商品名、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、シランカップリング剤、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン）：０．１質量部
・カップリング剤：ＮＵＣＡ－１１６０（商品名、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社製、シランカップリング剤、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン）：０．２質量部
・フィラー：Ｒ９７２（商品名、日本アエロジル株式会社製、シリカフィラー、平均粒径０．０１６μｍ、最大粒径１．０μｍ以下：５質量部 (Production Example 3-1: Preparation of die bonding film 3a)
A varnish for forming an adhesive layer was prepared by mixing the following components. First, cyclohexanone (solvent) was added to a mixture containing the following components, and the mixture was stirred and mixed, and then further kneaded for 90 minutes using a bead mill.
Epoxy resin: N-500P-10 (trade name, manufactured by DIC Corporation, o-cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 204 g/eq, softening point: 75 to 85°C): 18 parts by mass Epoxy resin: EXA-830CRP (trade name, manufactured by DIC Corporation, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 160, molecular weight: 1800, softening point: 85°C): 10 parts by mass Epoxy resin curing agent: MEH-7800M (trade name, manufactured by Meiwa Chemical Industry Co., Ltd., phenylaralkyl type phenolic resin, hydroxyl group equivalent: 174 g/eq, softening point: 80°C): 22 parts by mass Coupling agent: NUC A-189 (trade name, manufactured by Momentive Performance Materials Japan LLC, silane coupling agent, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane): 0.1 parts by mass Coupling agent: NUC A-1160 (product name, manufactured by Momentive Performance Materials Japan, LLC, silane coupling agent, γ-ureidopropyltriethoxysilane): 0.2 parts by mass Filler: R972 (product name, manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd., silica filler, average particle size 0.016 μm, maximum particle size 1.0 μm or less): 5 parts by mass

上記のようにして得られた混合物に以下の成分をさらに加えた後、撹拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニスを得た。
・反応性基含有（メタ）アクリル共重合体：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、エポキシ基含有アクリル共重合体、重量平均分子量８０万）：４５質量部
・硬化促進剤：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名（「キュアゾール」は登録商標）、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）：０．１質量部 The following components were further added to the mixture obtained as described above, and the mixture was subjected to stirring and mixing and vacuum deaeration to obtain a varnish for forming an adhesive layer.
Reactive group-containing (meth)acrylic copolymer: HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, epoxy group-containing acrylic copolymer, weight average molecular weight 800,000): 45 parts by mass Curing accelerator: Curesol 2PZ-CN (trade name ("Curesol" is a registered trademark), manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole): 0.1 parts by mass

一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３５μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて接着剤層形成用のワニスを塗布した後、１４０℃で５分加熱乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）と、その上に形成された厚さ３μｍの接着剤層（Ｂステージ状態）とを含むダイボンディングフィルム３ａを得た。 A polyethylene terephthalate film (thickness 35 μm) with a release treatment applied to one side was prepared. A varnish for forming an adhesive layer was applied to the release-treated side using an applicator, and then heated and dried at 140°C for 5 minutes. This resulted in a die bonding film 3a including a polyethylene terephthalate film (carrier film) and a 3 μm-thick adhesive layer (B-stage state) formed thereon.

（製造例３－２：ダイボンディングフィルム３ｂの作製）
以下の成分を混合することで、接着剤層形成用のワニスを調製した。まず、以下の成分を含む混合物に対して、シクロヘキサノン（溶剤）を加えて撹拌混合した後、さらにビーズミルを用いて９０分混練した。
・エポキシ樹脂：Ｎ－５００Ｐ－１０（商品名、ＤＩＣ株式会社製、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ樹脂エポキシ当量：２０４ｇ／ｅｑ、軟化点：７５～８５℃）：１３質量部
・エポキシ樹脂：ＹＤＦ－８１７０Ｃ（商品名、日鉄ケミカル＆マテリアル株式会社、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量：１５９ｇ／ｅｑ、３０℃で液状）：０．５質量部
・エポキシ樹脂硬化剤：ＰＳＭ－４３２６（商品名、群栄化学工業株式会社製、フェノールノボラック型フェノール樹脂、水酸基当量：１０５ｇ／ｅｑ、軟化点：１２０℃）：７質量部
・フィラー：ＳＣ２０５０－ＨＬＧ（商品名、アドマテックス株式会社製、シリカフィラー分散液、平均粒径：０．５０μｍ）：３０質量部 (Production Example 3-2: Preparation of die bonding film 3b)
A varnish for forming an adhesive layer was prepared by mixing the following components. First, cyclohexanone (solvent) was added to a mixture containing the following components, and the mixture was stirred and mixed, and then further kneaded for 90 minutes using a bead mill.
Epoxy resin: N-500P-10 (trade name, manufactured by DIC Corporation, o-cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent: 204 g/eq, softening point: 75 to 85°C): 13 parts by mass Epoxy resin: YDF-8170C (trade name, manufactured by Nippon Steel Chemical & Material Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent: 159 g/eq, liquid at 30°C): 0.5 parts by mass Epoxy resin hardener: PSM-4326 (trade name, manufactured by Gun-ei Chemical Industry Co., Ltd., phenol novolac type phenolic resin, hydroxyl equivalent: 105 g/eq, softening point: 120°C): 7 parts by mass Filler: SC2050-HLG (trade name, manufactured by Admatechs Co., Ltd., silica filler dispersion, average particle size: 0.50 μm): 30 parts by mass

上記のようにして得られた混合物に以下の成分をさらに加えた後、撹拌混合及び真空脱気の工程を経て接着剤層形成用のワニスを得た。
・反応性基含有（メタ）アクリル共重合体：ＨＴＲ－８６０Ｐ－３（商品名、ナガセケムテックス株式会社製、エポキシ基含有アクリル共重合体、重量平均分子量８０万）：５０質量部
・硬化促進剤：キュアゾール２ＰＺ－ＣＮ（商品名（「キュアゾール」は登録商標）、四国化成工業株式会社製、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾール）：０．１質量部 The following components were further added to the mixture obtained as described above, and the mixture was subjected to stirring and mixing and vacuum deaeration to obtain a varnish for forming an adhesive layer.
Reactive group-containing (meth)acrylic copolymer: HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, epoxy group-containing acrylic copolymer, weight average molecular weight 800,000): 50 parts by mass Curing accelerator: Curesol 2PZ-CN (trade name ("Curesol" is a registered trademark), manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd., 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole): 0.1 parts by mass

一方の面に離型処理が施されたポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ３５μｍ）を準備した。離型処理が施された面に、アプリケータを用いて接着剤層形成用のワニスを塗布した後、１４０℃で５分間加熱乾燥した。これにより、ポリエチレンテレフタレートフィルム（キャリアフィルム）と、その上に形成された厚さ５μｍの接着剤層（Ｂステージ状態）とを含むダイボンディングフィルム３ｂを得た。 A polyethylene terephthalate film (thickness 35 μm) with a release treatment applied to one side was prepared. A varnish for forming an adhesive layer was applied to the release-treated side using an applicator, and then heated and dried at 140°C for 5 minutes. This resulted in a die bonding film 3b that included a polyethylene terephthalate film (carrier film) and a 5 μm-thick adhesive layer (B-stage state) formed thereon.

（製造例４－１：一体型フィルム４ａの作製）
ダイボンディングフィルム３ａを、キャリアフィルムごと直径３１２ｍｍの円形にカットした。カットしたダイボンディングフィルム３ａに、ポリエチレンテレフタレートフィルムを剥離したダイシングフィルム２ａを室温で貼り付けた後、室温で１日放置した。その後、直径３７０ｍｍの円形にダイシングフィルム２ａをカットした。このようにして、製造例４－１の一体型フィルム４ａを得た。 (Production Example 4-1: Preparation of integrated film 4a)
The die bonding film 3a was cut into a circle with a diameter of 312 mm together with the carrier film. The dicing film 2a from which the polyethylene terephthalate film had been peeled off was attached to the cut die bonding film 3a at room temperature, and then left at room temperature for one day. Then, the dicing film 2a was cut into a circle with a diameter of 370 mm. In this way, an integrated film 4a of Production Example 4-1 was obtained.

（製造例４－２：一体型フィルム４ｂの作製）
ダイボンディングフィルム３ａをダイボンディングフィルム３ｂに変更した以外は、製造例４－１と同様の方法で製造例４－２の一体型フィルム４ｂを得た。 (Production Example 4-2: Preparation of integrated film 4b)
An integral film 4b of Production Example 4-2 was obtained in the same manner as in Production Example 4-1, except that the die bonding film 3a was changed to a die bonding film 3b.

（製造例４－３：一体型フィルム４ｃの作製）
ダイシングフィルム２ａをダイシングフィルム２ｂに変更した以外は、製造例４－１と同様の方法で製造例４－３の一体型フィルム４ｃを得た。 (Production Example 4-3: Preparation of integrated film 4c)
An integrated film 4c of Production Example 4-3 was obtained in the same manner as in Production Example 4-1, except that the dicing film 2a was changed to the dicing film 2b.

（製造例４－４：一体型フィルム４ｄの作製）
ダイシングフィルム２ａをダイシングフィルム２ｃに変更した以外は、製造例４－１と同様の方法で製造例４－４の一体型フィルム４ｄを得た。 (Production Example 4-4: Production of integrated film 4d)
An integrated film 4d of Production Example 4-4 was obtained in the same manner as in Production Example 4-1, except that the dicing film 2a was changed to the dicing film 2c.

［一体型フィルムの粘着力に関する評価］
＜接着剤層に対する粘着剤層の粘着力（３０°ピール強度）の測定＞
接着剤層に対する、紫外線照射前の粘着剤層の粘着力及び紫外線照射後の粘着剤層の粘着力を、Ｔ字ピール強度を測定することによって評価した。Ｔ字ピール強度測定用のサンプルは、ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムのうち粘着層側に支持テープを貼り合せ、幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍのサイズに切り出すことによって得た。紫外線照射前のサンプルは、３０分以上室温で保管したものを使用した。紫外線照射後のサンプルは、紫外線照射前のサンプルを測定前に、紫外線照射装置（コンベアＵＶ照射装置ＣＳ６０、株式会社ジーエス・ユアサコーポレーション）を用いて、照度８０ｍＷ／ｃｍ^２及び照射量１３０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線（主波長：３６５ｎｍ）を照射することによって得た。Ｔ字ピール強度測定には、オートグラフ（株式会社島津製作所製）を用い、温度２５±３℃、湿度５５±５％の中で３００ｍｍ／分の速度で引っ張り、得られたチャートより安定した点の値の平均値を取り、その平均値をＴ字ピール強度とした。同様の測定を５回行い、その平均値を最終的なＴ字ピール強度の値とした。なお、Ｔ字剥離では粘着層側を固定し、接着層側を一定の剥離測定で剥離できるように固定した。結果を表２に示す。 [Evaluation of adhesive strength of integrated film]
<Measurement of Adhesive Strength (30° Peel Strength) of Pressure-Sensitive Adhesive Layer to Adhesive Layer>
The adhesive strength of the adhesive layer before and after ultraviolet irradiation with respect to the adhesive layer was evaluated by measuring the T-peel strength. The sample for measuring the T-peel strength was obtained by attaching a support tape to the adhesive layer side of the dicing-die bonding integrated film and cutting it into a size of 25 mm wide and 100 mm long. The sample before ultraviolet irradiation was stored at room temperature for 30 minutes or more. The sample after ultraviolet irradiation was obtained by irradiating the sample before ultraviolet irradiation with ultraviolet light (dominant wavelength: 365 nm) with an illuminance of 80 mW/cm ² and an irradiation amount of 130 mJ/cm ² using an ultraviolet irradiation device (conveyor UV irradiation device CS60, GS Yuasa Corporation) before measuring it. For the T-peel strength measurement, an autograph (manufactured by Shimadzu Corporation) was used, and the sample was pulled at a speed of 300 mm/min at a temperature of 25±3°C and a humidity of 55±5%, and the average value of the stable points was taken from the obtained chart, and the average value was taken as the T-peel strength. The same measurement was carried out five times, and the average value was taken as the final T-peel strength value. In the T-peel test, the adhesive layer side was fixed, and the adhesive layer side was fixed so that it could be peeled off at a certain peel measurement. The results are shown in Table 2.

（実施例１）
［接着剤層片付き半導体チップの作製］
＜積層体（１）の準備（工程（Ａ））＞
厚さ７７５μｍの半導体ウェハを準備し、フルオートダイサー（ＤＦＤ６３６１、株式会社ディスコ製）を用いて、半導体ウェハの回路形成面（表面）に対してハーフカットを行い、深さ６０μｍの溝を形成した。続いて、同様のフルオートダイサーを用いて、７７５μｍ厚さのウェハに対してハーフカットを行い、６０μｍの溝を形成した。ダイシングブレードは、株式会社ディスコ製のＺＨ０５－ＳＤ４０００－Ｎ１－７０－ＤＤを使用し、回転数、カット速度は、それぞれ４００００回転／分、３０ｍｍ／ｓとした。半導体チップのサイズは、４ｍｍ×１２ｍｍとした。 Example 1
[Preparation of semiconductor chip with adhesive layer piece]
<Preparation of laminate (1) (step (A))>
A semiconductor wafer with a thickness of 775 μm was prepared, and a full-automatic dicer (DFD6361, manufactured by Disco Corporation) was used to perform half-cutting on the circuit-forming surface (surface) of the semiconductor wafer, forming a groove with a depth of 60 μm. Next, a similar full-automatic dicer was used to perform half-cutting on a wafer with a thickness of 775 μm, forming a groove with a depth of 60 μm. The dicing blade used was ZH05-SD4000-N1-70-DD manufactured by Disco Corporation, and the rotation speed and cutting speed were 40,000 rpm and 30 mm/s, respectively. The size of the semiconductor chip was 4 mm x 12 mm.

次に、バックグラインド用テープラミネーター（ＲＡＤ－３５２０Ｆ／１２、リンテック株式会社製）を用いて、半導体ウェハの回路形成面（表面）にバックグラインドテープを貼り付け、その後、グラインダー（ＤＧＰ８７６１、株式会社ディスコ製）を用いて、半導体ウェハを裏面側から、最終的に得られる半導体チップの厚さが２５μｍとなるように、半導体ウェハを研削し、半導体ウェハを複数の半導体チップに個片化した。 Next, a backgrind tape laminator (RAD-3520F/12, manufactured by Lintec Corporation) was used to attach a backgrind tape to the circuit formation surface (front side) of the semiconductor wafer, and then a grinder (DGP8761, manufactured by Disco Corporation) was used to grind the semiconductor wafer from the back side so that the final semiconductor chip had a thickness of 25 μm, and the semiconductor wafer was diced into multiple semiconductor chips.

続いて、バックグラインドテープと半導体チップとの粘着力を低下させるために、ウェハマウンタ（ＤＦＭ２８００、株式会社ディスコ製）を用いて、バックグラインドテープに対して紫外線を照射した。その後、同じくウェハマウンタ（ＤＦＭ２８００、株式会社ディスコ製）を用いて、個片化された半導体ウェハの裏面（半導体チップの裏面）に、製造例４－１の一体型フィルム４ａを温度７０℃、テンションレベル５、及び貼り付け速度１０ｍｍ／秒の条件で貼り付けた。この際、ダイシングテープの外周領域にはリングフレームを貼付した。その後、バックグラインドテープを剥離することによって、基材層、粘着剤層、及び接着剤層をこの順序で有する一体型フィルムと、一体型フィルムの接着剤層上に設けられた、半導体ウェハを個片化してなる複数の半導体チップとを備える積層体（１）を得た。 Next, in order to reduce the adhesive strength between the backgrind tape and the semiconductor chip, the backgrind tape was irradiated with ultraviolet light using a wafer mounter (DFM2800, manufactured by Disco Corporation). Then, using the same wafer mounter (DFM2800, manufactured by Disco Corporation), the integrated film 4a of Manufacturing Example 4-1 was attached to the back surface of the diced semiconductor wafer (the back surface of the semiconductor chip) under conditions of a temperature of 70°C, tension level 5, and an attachment speed of 10 mm/sec. At this time, a ring frame was attached to the outer peripheral region of the dicing tape. Then, by peeling off the backgrind tape, a laminate (1) was obtained that includes an integrated film having a base layer, a pressure-sensitive adhesive layer, and an adhesive layer in this order, and a plurality of semiconductor chips formed by dicing the semiconductor wafer and provided on the adhesive layer of the integrated film.

＜粘着剤硬化物層の形成（工程（Ｂ））＞
次に、ダイセパレータ（ＤＤＳ２３００、株式会社ディスコ製）にて、積層体（１）の粘着剤層と接着剤層との間の粘着力を低下させるために基材層側から粘着剤層に対して、照度８０ｍＷ／ｃｍ^２及び照射量１３０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射し、粘着剤硬化物層を形成した。 <Formation of Cured Pressure-Sensitive Adhesive Layer (Step (B))>
Next, in order to reduce the adhesive strength between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer of the laminate (1), ultraviolet rays were irradiated from the base layer side to the pressure-sensitive adhesive layer with an illuminance of 80 mW/ ^cm2 and an exposure dose of 130 mJ/ ^cm2 using a die separator (DDS2300, manufactured by DISCO Corporation), forming a pressure-sensitive adhesive cured layer.

＜積層体（２）の作製（工程（Ｃ））＞
続いて、レーザーソー（ＤＦＬ７１６０、株式会社ディスコ製）を用いて、半導体チップ同士の間の間隙を通して、レーザーを照射し、接着剤層の切断を行った。レーザーの照射条件は、周波数１００ｋＨｚ、出力０．３Ｗ、及び送り速度２００ｍｍ／ｓとした。このようにして、基材層と、粘着剤硬化物層と、複数の接着剤層片付き半導体チップとをこの順序で有する積層体（２）を得た。 <Preparation of Laminate (2) (Step (C))>
Next, a laser was irradiated through the gap between the semiconductor chips using a laser saw (DFL7160, manufactured by Disco Corporation) to cut the adhesive layer. The laser irradiation conditions were a frequency of 100 kHz, an output of 0.3 W, and a feed rate of 200 mm/s. In this way, a laminate (2) having a base layer, a pressure-sensitive adhesive cured layer, and a plurality of semiconductor chips with adhesive layer pieces in this order was obtained.

［ピックアップ性に関する評価］
＜エッジ剥離強度の測定＞
得られた複数の接着剤層片付き半導体チップを有する積層体（２）に対して、接着剤層片付き半導体チップが１列おきになるように接着テープ等を用いて余分な半導体チップを除去した。残存する半導体チップの表面に両面テープを貼付け、その上から支持基板を貼り合わせた。その後、裏面側から支持基板サイズに沿って、ダイシングフィルムをカットし、支持基板を有する積層体をダイシングリングから切り離した。１列おきになっている半導体チップが存在しない箇所のダイシングフィルムを短冊状にカットして取り除き、支持基板、両面テープ、半導体チップ、接着剤層片、粘着剤硬化物層、及び基材層をこの順序で有するエッジ剥離強度測定用サンプルを作製した。 [Evaluation of pick-up ability]
<Measurement of edge peel strength>
From the obtained laminate (2) having a plurality of semiconductor chips with adhesive layer pieces, excess semiconductor chips were removed using adhesive tape or the like so that the semiconductor chips with adhesive layer pieces were arranged in alternate rows. Double-sided tape was attached to the surface of the remaining semiconductor chips, and a support substrate was attached thereon. The dicing film was then cut from the back side along the support substrate size, and the laminate with the support substrate was separated from the dicing ring. The dicing film in the areas where the alternate rows of semiconductor chips were not present was cut into strips and removed to prepare a sample for measuring edge peel strength having the support substrate, double-sided tape, semiconductor chip, adhesive layer piece, adhesive cured layer, and base layer in this order.

卓上ピール試験機（ＥＺ－Ｔｅｓｔ、株式会社島津製作所製）を用いて、エッジ剥離強度を測定した。粘着剤硬化物層と接着剤層片との剥離角度が９０°となるように短冊状になったダイシングフィルムのみを治具に挟み、試験機にセットした。送り速度は、６０ｍｍ／分とし、剥離させる際は、粘着剤硬化物層と接着剤層片との剥離角度が常に９０°となるよう支持基板を手動で送りながら剥離させた。得られた半導体チップのエッジ部に相当する剥離力を２０ｍｍ幅に換算し、エッジ剥離強度を算出した。４ｍｍ×１２ｍｍの接着剤層片付き半導体チップにおいて、４ｍｍの辺に対して垂直方向の剥離強度をＣｈ１、４ｍｍの辺に対して平行方向（１２ｍｍの辺に対して垂直方向）の剥離強度をＣｈ２とし、それぞれＮ＝５のピークからその平均を算出した。それをＣｈ１、Ｃｈ２それぞれ３本分測定し、Ｃｈ１の平均値及びＣｈ２の平均値を算出し、さらにＣｈ１の平均値及びＣｈ２の平均値の和を求め、その和を２で割ることにより、得られた数値を各サンプルのエッジ剥離強度の値とした。結果を表３に示す。 The edge peel strength was measured using a benchtop peel tester (EZ-Test, manufactured by Shimadzu Corporation). Only the dicing film in a strip shape was clamped between a jig so that the peel angle between the adhesive cured layer and the adhesive layer piece was 90°, and set in the tester. The feed speed was 60 mm/min, and the support substrate was manually fed during peeling so that the peel angle between the adhesive cured layer and the adhesive layer piece was always 90°. The peel force corresponding to the edge of the obtained semiconductor chip was converted to a 20 mm width to calculate the edge peel strength. In a semiconductor chip with an adhesive layer piece of 4 mm x 12 mm, the peel strength in the direction perpendicular to the 4 mm side was defined as Ch1, and the peel strength in the direction parallel to the 4 mm side (perpendicular to the 12 mm side) was defined as Ch2, and the average was calculated from the peaks of N=5 for each. Three pieces each of Ch1 and Ch2 were measured, the average value of Ch1 and the average value of Ch2 were calculated, and the sum of the average values of Ch1 and Ch2 was calculated and divided by 2 to obtain the edge peel strength value of each sample. The results are shown in Table 3.

＜粘着剤硬化物層の切込み深さの測定＞
３Ｄ測定レーザー顕微鏡（ＯＬＳ４１００、オリンパス株式会社製）を用いて、積層体（２）から接着剤層片付き半導体チップを接着テープ等で剥がし、基材層及び粘着剤硬化物層の状態で、レーザーカットラインにおける粘着剤硬化物層に生じた切込み深さを観察した。倍率は５０倍とし、得られた画像から深さを測定し、Ｎ＝５の平均を切込み深さとした。結果を表３に示す。 <Measurement of Cut Depth of Cured Pressure-Sensitive Adhesive Layer>
Using a 3D measuring laser microscope (OLS4100, manufactured by Olympus Corporation), the semiconductor chip with the adhesive layer piece was peeled off from the laminate (2) with adhesive tape or the like, and the incision depth generated in the adhesive cured layer at the laser cut line was observed in the state of the base material layer and the adhesive cured layer. The magnification was 50 times, and the depth was measured from the obtained image, and the average of N = 5 was taken as the incision depth. The results are shown in Table 3.

（実施例２）
製造例４－１の一体型フィルム４ａを製造例４－２の一体型フィルム４ｂに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例２の積層体（２）を作製した。続いて、実施例１と同様にして、実施例２の積層体（２）のピックアップ性に関する評価を行った。結果を表３に示す。 Example 2
Except for changing the integral film 4a of Production Example 4-1 to the integral film 4b of Production Example 4-2, the laminate (2) of Example 2 was produced in the same manner as in Example 1. Then, the pickup property of the laminate (2) of Example 2 was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

（実施例３）
製造例４－１の一体型フィルム４ａを製造例４－３の一体型フィルム４ｃに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例３の積層体（２）を作製した。続いて、実施例１と同様にして、実施例３の積層体（２）のピックアップ性に関する評価を行った。結果を表３に示す。 Example 3
Except for changing the integral film 4a of Production Example 4-1 to the integral film 4c of Production Example 4-3, the laminate (2) of Example 3 was produced in the same manner as in Example 1. Then, the pickup property of the laminate (2) of Example 3 was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

（実施例４）
製造例４－１の一体型フィルム４ａを製造例４－４の一体型フィルム４ｄに変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例４の積層体（２）を作製した。続いて、実施例１と同様にして、実施例４の積層体（２）のピックアップ性に関する評価を行った。結果を表３に示す。 Example 4
Except for changing the integral film 4a of Production Example 4-1 to the integral film 4d of Production Example 4-4, the laminate (2) of Example 4 was produced in the same manner as in Example 1. Then, the pickup property of the laminate (2) of Example 4 was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

（比較例１）
工程（Ａ）で積層体を得た後、工程（Ｂ）と工程（Ｃ）との順序を入れ替え、工程（Ｃ）と同様の条件でレーザーを照射して接着剤層を切断し、続いて、工程（Ｂ）と同様の条件で、粘着剤層に対して紫外線を照射し、粘着剤硬化物層を形成した以外は、実施例１と同様にして、比較例１の積層体（２）を作製した。続いて、実施例１と同様にして、比較例１の積層体（２）のピックアップ性に関する評価を行った。結果を表３に示す。 (Comparative Example 1)
After obtaining a laminate in step (A), the order of steps (B) and (C) was reversed, and the adhesive layer was cut by irradiating with a laser under the same conditions as in step (C), and then the adhesive layer was irradiated with ultraviolet light under the same conditions as in step (B) to form an adhesive cured layer. Except for this, the laminate (2) of Comparative Example 1 was produced in the same manner as in Example 1. Then, the pickup property of the laminate (2) of Comparative Example 1 was evaluated in the same manner as in Example 1. The results are shown in Table 3.

（比較例２）
製造例４－１の一体型フィルム４ａを製造例４－２の一体型フィルム４ｂに変更した以外は、比較例１と同様にして、比較例２の積層体（２）を作製した。続いて、比較例１と同様にして、比較例２の積層体（２）のピックアップ性に関する評価を行った。結果を表３に示す。 (Comparative Example 2)
Except for changing the integral film 4a of Production Example 4-1 to the integral film 4b of Production Example 4-2, a laminate (2) of Comparative Example 2 was produced in the same manner as in Comparative Example 1. Then, the pickup property of the laminate (2) of Comparative Example 2 was evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. The results are shown in Table 3.

（比較例３）
製造例４－１の一体型フィルム４ａを製造例４－３の一体型フィルム４ｃに変更した以外は、比較例１と同様にして、比較例３の積層体（２）を作製した。続いて、比較例１と同様にして、比較例３の積層体（２）のピックアップ性に関する評価を行った。結果を表３に示す。 (Comparative Example 3)
Except for changing the integral film 4a of Production Example 4-1 to the integral film 4c of Production Example 4-3, a laminate (2) of Comparative Example 3 was produced in the same manner as in Comparative Example 1. Then, the pickup property of the laminate (2) of Comparative Example 3 was evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. The results are shown in Table 3.

（比較例４）
製造例４－１の一体型フィルム４ａを製造例４－４の一体型フィルム４ｄに変更した以外は、比較例１と同様にして、比較例４の積層体（２）を作製した。続いて、比較例１と同様にして、比較例４の積層体（２）のピックアップ性に関する評価を行った。結果を表３に示す。 (Comparative Example 4)
Except for changing the integral film 4a of Production Example 4-1 to the integral film 4d of Production Example 4-4, a laminate (2) of Comparative Example 4 was produced in the same manner as in Comparative Example 1. Then, the pickup property of the laminate (2) of Comparative Example 4 was evaluated in the same manner as in Comparative Example 1. The results are shown in Table 3.

表３に示すとおり、実施例１～４の積層体（２）は、比較例１～４の積層体（２）に比べて、エッジ剥離強度が小さく、粘着剤硬化物層の切込み深さも小さかった。本開示の半導体装置の製造方法によれば、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層と、接着剤層とを有する一体型フィルムを用いたときに、接着剤層片付き半導体チップをピックアップする際の不具合を抑制することが可能であることが示唆された。 As shown in Table 3, the laminates (2) of Examples 1 to 4 had lower edge peel strength and smaller cutting depth of the adhesive cured layer than the laminates (2) of Comparative Examples 1 to 4. It was suggested that the manufacturing method of the semiconductor device disclosed herein can suppress problems when picking up a semiconductor chip with an adhesive layer piece when using an integrated film having an adhesive layer and an adhesive layer containing an ultraviolet-curable adhesive.

１…基材層、３…粘着剤層、５…接着剤層、５ａ…接着剤層片、５ａｃ…接着剤層片の硬化物、７…ダイシングフィルム、９…一体型フィルム、１０，２０，３０…積層体、１１…粘着剤硬化物層、１３…接着剤層片付き半導体チップ、１５…レーザー、１７…ニードル、１９…吸引コレット、２１…支持部材、２３…ダイシングブレード、２５…バックグラインドテープ、４０…半導体装置、ＳＣ…半導体チップ、ＳＷ…半導体ウェハ、ＳＷａ…溝が形成された半導体ウェハ、ＤＲ…ダイシングリング、ｇ１…間隙、ｓ１…回路形成面、ｓ２，ｓ３…裏面、ｄ１，ｄ２…深さ、Ｄｓｗ，Ｄｓｃ…厚さ。 1...base material layer, 3...adhesive layer, 5...adhesive layer, 5a...adhesive layer piece, 5ac...cured adhesive layer piece, 7...dicing film, 9...integrated film, 10, 20, 30...laminated body, 11...cured adhesive layer, 13...semiconductor chip with adhesive layer piece, 15...laser, 17...needle, 19...suction collet, 21...support member, 23...dicing blade, 25...backgrind tape, 40...semiconductor device, SC...semiconductor chip, SW...semiconductor wafer, SWa...semiconductor wafer with grooves, DR...dicing ring, g1...gap, s1...circuit formation surface, s2, s3...back surface, d1, d2...depth, Dsw, Dsc...thickness.

Claims

基材層、紫外線硬化型粘着剤を含む粘着剤層、及び接着剤層をこの順序で有するダイシング・ダイボンディング一体型フィルムと、前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層上に設けられた、半導体ウェハを個片化してなる複数の半導体チップとを備える積層体を準備する工程と、
前記積層体の前記粘着剤層に対して紫外線を照射し、前記紫外線硬化型粘着剤の硬化物を含む粘着剤硬化物層を形成する工程と、
前記複数の半導体チップ同士の間の間隙を通して、前記接着剤層に対してレーザーを照射し、前記接着剤層を個片化することによって接着剤層片付き半導体チップを作製する工程と、
をこの順序で備える、
半導体装置の製造方法。 A step of preparing a laminate including a dicing/die bonding integrated film having a base layer, a pressure-sensitive adhesive layer containing an ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive, and an adhesive layer in this order, and a plurality of semiconductor chips formed by dicing a semiconductor wafer and provided on the adhesive layer of the dicing/die bonding integrated film;
a step of irradiating the pressure-sensitive adhesive layer of the laminate with ultraviolet light to form a pressure-sensitive adhesive cured material layer containing a cured product of the ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive;
irradiating the adhesive layer with a laser through gaps between the plurality of semiconductor chips to separate the adhesive layer into individual pieces, thereby producing semiconductor chips with adhesive layer pieces;
In this order,
A method for manufacturing a semiconductor device.

前記積層体が、
前記半導体ウェハの回路形成面上に、ダイシングラインに沿って溝を形成する工程と、
前記溝が形成された前記半導体ウェハの前記回路形成面とは反対側の裏面を、少なくとも前記溝に達する深さまで研削して、前記複数の半導体チップを作製する工程と、
前記複数の半導体チップの裏面に、前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムの前記接着剤層を貼り付ける工程と、
を含む方法によって作製される積層体である、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。 The laminate comprises:
forming grooves along dicing lines on a circuit forming surface of the semiconductor wafer;
a step of grinding a back surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit forming surface on which the grooves are formed, to a depth that reaches at least the grooves, thereby producing the plurality of semiconductor chips;
attaching the adhesive layer of the dicing and die bonding integrated film to the rear surfaces of the semiconductor chips;
A laminate produced by a method comprising:
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1 .

前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、温度２５±３℃、湿度５５±５％においてＴ字剥離で剥離速度３００ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記粘着剤層の粘着力が０．５０Ｎ／２５ｍｍ以上である、
請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。 In the dicing/die bonding integrated film, the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer to the adhesive layer is 0.50 N/25 mm or more, as measured under conditions of a temperature of 25±3° C., a humidity of 55±5%, and a peeling speed of 300 mm/min using a T-peel method.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1 or 2.

前記ダイシング・ダイボンディング一体型フィルムにおいて、前記粘着剤層に対して照度８０ｍＷ／ｃｍ^２及び照射量１３０ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射して、前記粘着剤層を硬化させた後に、温度２５±３℃、湿度５５±５％においてＴ字剥離で剥離速度３００ｍｍ／分の条件で測定される、前記接着剤層に対する前記粘着剤硬化物層の粘着力が０．３０Ｎ／２５ｍｍ以下である、
請求項３に記載の半導体装置の製造方法。 In the dicing/die bonding integrated film, the pressure-sensitive adhesive layer is irradiated with ultraviolet light having an illuminance of 80 mW/ ^cm2 and an exposure dose of 130 mJ/ ^cm2 to cure the pressure-sensitive adhesive layer, and then the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive cured layer to the adhesive layer is 0.30 N/25 mm or less, as measured at a temperature of 25±3°C, a humidity of 55±5%, and a peeling speed of 300 mm/min using a T-peel method.
The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 3 .