JP2024069007A - 配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】金属層の除去に伴う損傷を抑えること。【解決手段】配線基板は、金属層と、樹脂層と、配線構造体とを有する。樹脂層は、金属層上に積層される。配線構造体は、樹脂層上に積層された配線層及び絶縁層を備え、配線層が樹脂層と接して位置する。【選択図】図2
Description
本発明は、配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法に関する。
半導体チップが搭載され半導体装置となる配線基板は、半導体装置の薄型化に伴い、薄型化が促進されている。配線基板が薄型化されるほど、配線基板の剛性が低下する。
これに対し、剛性を確保する観点から、キャリア板(厚箔)上にキャリア板よりも厚みが薄い金属層(薄箔)が剥離可能に貼付されたキャリア付き金属箔における金属層上に配線構造体を積層した配線基板が提案されている(特許文献1参照)。
しかしながら、キャリア付き金属箔における金属層上に配線構造体を積層した配線基板においては、金属層の除去に伴う損傷を抑える点までは考慮されていない。
すなわち、キャリア付き金属箔における金属層上に配線構造体を積層した配線基板においては、半導体チップの搭載や封止樹脂の形成等の工程を経た後、キャリア板から金属層(薄箔)が剥離されることにより、配線構造体がキャリア板から分離される。配線構造体がキャリア板から分離されると、配線構造体の下面に金属層が残る。配線構造体の下面に残る金属層は、配線構造体の下面に位置する配線層を露出させるために、最終的にはエッチング液を用いるエッチングにより除去される。このとき、エッチング液が金属層とともに配線構造体の下面の配線層を溶解し、結果として、配線構造体が損傷する恐れがある。
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、金属層の除去に伴う損傷を抑えることができる配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本願の開示する配線基板は、一つの態様において、金属層と、樹脂層と、配線構造体とを有する。樹脂層は、金属層上に積層される。配線構造体は、樹脂層上に積層された配線層及び絶縁層を備え、配線層が樹脂層と接して位置する。
本願の開示する配線基板一つの態様によれば、金属層の除去に伴う損傷を抑えることができる、という効果を奏する。
以下に、本願の開示する配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により開示技術が限定されるものではない。
図1は、実施形態に係る配線基板100の構成を示す平面図である。図2は、実施形態に係る配線基板100の構成を示す部分断面図である。図2は、図1のII-II線における部分断面を示している。
図1に示すように、配線基板100は、破線Cによって囲まれた複数の領域を備えるシート状の配線基板である。配線基板100は、例えば、半導体チップを搭載する半導体パッケージ(半導体装置)の基板として利用することが可能である。すなわち、配線基板100は、半導体チップの搭載や封止樹脂等の工程を経た後、後述の金属層が除去され、最終的には、破線Cに沿って配線基板100が切断されることによって、個片化された複数の半導体装置が得られる。なお、破線Cによって囲まれた複数の領域の数は、図1に示す数に限定されない。
図2に示すように、配線基板100は、積層構造となっており、金属層110、樹脂層120及び配線構造体130を有する。以下においては、図2に示すように、配線構造体130の後述するソルダーレジスト層134が最上層であり、金属層110が最下層であるものとして説明するが、配線基板100は、例えば上下反転して用いられても良く、任意の姿勢で用いられて良い。
金属層110は、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。金属層110は、配線構造体130を支持するとともに配線基板100を補強する基層としての機能を有する。かかる金属層110は、配線構造体130の下面に位置する配線層を露出するために、最終的にはエッチング液を用いるエッチングにより除去される。金属層110の厚さは、例えば5~50μm程度とすることができる。
樹脂層120は、金属層110上に積層される。樹脂層120は、金属層110の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂を用いて形成される。かかる絶縁性樹脂としては、例えばエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂等の熱硬化により硬化する絶縁性樹脂が用いられる。樹脂層120は、ガラス織布等の補強材を含まない絶縁性樹脂を用いて形成される。樹脂層120は、配線構造体130の絶縁層(後述する絶縁層132)と同一の絶縁性樹脂を用いて形成されてもよい。樹脂層120は、金属層110よりも厚さが薄い。樹脂層120の厚さは、例えば3~30μm程度とすることができる。なお、樹脂層120は、後述する配線層131よりも厚さが薄くても良い。また、樹脂層120は、後述する絶縁層132やソルダーレジスト層134よりも厚さが薄くても良い。
配線構造体130は、絶縁性の絶縁層と導電性の配線層とが積層された多層配線構造体である。すなわち、配線構造体130は、配線層131、絶縁層132、配線層133及びソルダーレジスト層134を有する。
配線層131は、樹脂層120上に形成され、パッド及び配線パターンを有する層である。配線層131は、配線構造体130の下面に位置しており、配線構造体130の最下層を形成する。配線層131は、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。配線層131は、例えばサブトラクティブ法により樹脂層120上に形成される。配線層131の厚さは、例えば5~50μm程度とすることができる。
絶縁層132は、樹脂層120上に配線層131を被覆するように形成される層である。絶縁層132は、例えばガラス織布等の補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させて形成される。補強材としては、ガラス織布の他にも、ガラス不織布、アラミド織布又はアラミド不織布等を用いることができる。また、絶縁性樹脂としては、エポキシ樹脂の他にも、ポリイミド樹脂等を用いることができる。配線層131上面から絶縁層132上面までの絶縁層132の厚さは、例えば10~30μm程度とすることができる。
配線層133は、絶縁層132上に形成され、パッド及び配線パターンを有する層である。配線層133の配線パターンは、必要に応じて、絶縁層132を貫通するビア141によって配線層131の配線パターンと電気的に接続される。ビア141が形成される位置において、配線層133は、金属箔層133aと、金属箔層133a上に無電解めっきによって形成されるシード層133bと、シード層133b上に電解めっきによって形成される電解めっき層133cとからなる。ビア141は、絶縁層132の開口部内においてシード層133b上に電解めっきが充填されることにより形成される。配線層133及びビア141は、例えばセミアディティブ法により形成される。配線層133は、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。配線層133の厚さは、例えば3~50μm程度とすることができる。
実施形態では、配線構造体130の最下層の配線層131が、金属層110上の樹脂層120と接して位置している。言い換えると、配線構造体130の下面に位置する配線層131と金属層110との間に樹脂層120が介在している。
このように、実施形態では、配線構造体130の最下層の配線層131が金属層110上の樹脂層120と接して位置することにより、配線層131の下面が樹脂層120によって保護される。配線層131の下面を保護する樹脂層120は、金属層110の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂を用いて形成される。これにより、金属層110が最終的にエッチング液を用いるエッチングにより除去される際に、配線層131の下面の樹脂層120がエッチング液に対する保護壁となる。したがって、実施形態によれば、エッチング液が配線層131を溶解することがなく、金属層110の除去に伴う配線構造体130の損傷を抑えることができる。
また、実施形態では、樹脂層120が補強材を含まない絶縁性樹脂を用いて形成されることにより、補強材を含む絶縁性樹脂を用いて形成される樹脂層と比べて、樹脂層120の厚みを薄くすることができる。したがって、実施形態によれば、配線基板100の薄型化を促進することができる。
また、実施形態では、樹脂層120が配線構造体130の絶縁層(つまり、絶縁層132及びソルダーレジスト層134)と同じ絶縁性樹脂を用いて形成されることにより、樹脂層120の形成を容易化することができる。したがって、実施形態によれば、配線基板100の製造コストを低減することができる。
また、実施形態では、樹脂層120が金属層110よりも厚さが薄いことにより、配線基板100の剛性を確保しつつ、配線基板100の薄型化をより促進することができる。
ソルダーレジスト層134は、配線構造体130の最上層の配線層133を被覆し、配線層133の配線パターンを保護する層である。ソルダーレジスト層134は、例えばアクリル樹脂及びポリイミド樹脂等の絶縁性の感光性樹脂からなる層であり、絶縁層の1つである。なお、ソルダーレジスト層134は、例えばエポキシ樹脂等の絶縁性の非感光性樹脂を用いて形成されてもよい。配線層133上面からソルダーレジスト層134上面までのソルダーレジスト層134の厚さは、例えば4~30μm程度とすることができる。
配線基板100のソルダーレジスト層134側は、例えば半導体チップなどの電子部品が搭載される面である。半導体チップが搭載される位置においては、ソルダーレジスト層134に開口部151が形成され、配線層133の上面が開口部151から露出する。ソルダーレジスト層134が感光性樹脂を用いて形成される場合には、露光・現像により開口部151を形成することが可能である。ソルダーレジスト層134が非感光性樹脂を用いて形成される場合には、レーザ加工により開口部151を形成することが可能である。開口部151から露出する配線層133には、半導体チップの電極を電気的に接続することができる。
次に、上記のように構成された配線基板100の製造方法について、具体的に例を挙げながら、図3を参照して説明する。図3は、実施形態に係る配線基板100の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。
まず、配線基板100を製造するベースとなる支持体300が準備される(ステップS101)。具体的には、例えば図4に示すように、板状の支持体300の上面及び下面に、支持体300側から順に、樹脂付き金属箔320及び金属箔131aがそれぞれ積層される。図4は、支持体準備工程の具体例を示す図である。
支持体300は、例えばガラス繊維やアラミド繊維等の織布や不織布等の補強材にエポキシ樹脂等の絶縁性樹脂を含侵させたプリプレグである。支持体300は、上面が平坦な板状に形成される。
樹脂付き金属箔320は、下地層(薄箔)115と、下地層115上に剥離層(不図示)を介して剥離可能に貼付された金属層110と、金属層110上に積層された樹脂層120とからなる金属箔である。下地層115は、例えば銅又は銅合金を用いて形成される厚さ3~18μm程度の層である。
金属箔131aは、例えば、銅又は銅合金を用いて形成される。
支持体300の上面及び下面にそれぞれ積層された樹脂付き金属箔320及び金属箔131aは、真空ラミネート及びプレスによる真空加熱加圧接合により、支持体300に密着する。また、樹脂付き金属箔320が真空加熱加圧接合される際に、加熱及び加圧によって支持体300及び樹脂層120が硬化する。これにより、上面及び下面それぞれに、樹脂付き金属箔320及び金属箔131aが順に積層された支持体300が得られる。
支持体300が準備されると、樹脂付き金属箔320における樹脂層120上に配線層及び絶縁層を積層して配線構造体130が形成される。以下のステップS102~S110は、配線構造体130の形成工程に相当する。まず、例えば図5に示すように、樹脂層120上に配線層131が形成される(ステップS102)。図5は、配線層形成工程の具体例を示す図である。配線層131は、樹脂層120上に積層された金属箔131aから、例えばサブトラクティブ法により形成される。この場合、金属箔131a上にエッチングレジスト層が積層され、配線パターン形成位置に応じた露光及び現像が行われることにより、配線パターン形成位置を除く部分に開口を有するエッチングレジスト層が形成される。次いで、エッチングレジスト層の開口から露出する金属箔131aをエッチングすることにより、配線層131を形成する。この後、エッチングレジスト層を除去することにより、所望の配線パターンを有する配線層131が形成される。
配線層131が形成されると、樹脂層120上に、配線層131を被覆する絶縁層132が形成されるとともに(ステップS103)、絶縁層132上に、金属箔層133aが積層される。すなわち、例えば図6に示すように、樹脂層120上に、配線層131を被覆するように未硬化状態の絶縁層132及び金属箔層133aがこの順に積層される。そして、積層された未硬化状態の絶縁層132を加圧しながら加熱して硬化させることにより、絶縁層132及び金属箔層133aが樹脂層120に密着する。図6は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。
絶縁層132及び金属箔層133aのビア141が形成される位置には、開口部が形成される(ステップS104)。すなわち、例えば図7に示すように、絶縁層132及び金属箔層133aを貫通し、底面に配線層131を露出させる開口部132aが形成される。図7は、開口部形成工程の具体例を示す図である。開口部132aは、例えばCO2レーザ又はUVレーザ等を用いたレーザ加工により形成される。
絶縁層132及び金属箔層133aに開口部132aが形成されると、樹脂残渣を除去するためにデスミア処理が行われる。すなわち、例えば過マンガン酸カリウム溶液を用いて、開口部132a内及び周辺に残留する樹脂残渣が除去される。
そして、開口部132aが形成されると、金属箔層133a上にシード層133bが形成される(ステップS105)。具体的には、例えば図8に示すように、金属箔層133aの上面に無電解銅めっきが施されることにより、シード層133bが形成される。図8は、シード層形成工程の具体例を示す図である。シード層133bは、金属箔層133a上面と、開口部132a内壁面と、開口部132a底面に露出する配線層131上面とに連続的に形成される。
シード層133bが形成されると、シード層133b上に、電解めっきのマスクとなるレジスト層が形成される(ステップS106)。すなわち、シード層133b上にレジスト層が積層され、配線層133の位置に応じた露光及び現像が行われることにより、例えば図9に示すように、配線層133が形成される位置を除く部分のシード層133b上にレジスト層330が形成される。図9は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。
そして、シード層133bを給電層として利用する電解めっきが施されることによって、シード層133b上に電解めっき層133cが形成される(ステップS107)。具体的には、例えば硫酸銅めっき液を用いて電解銅めっきが施されることにより、レジスト層330が形成されていない部分に銅が析出し、例えば図10に示すように、シード層133b上に電解めっき層133cが形成される。この際、開口部132a内に電解めっきが充填されてビア141が形成される。図10は、電解めっき工程の具体例を示す図である。
電解めっき層133cが形成されると、レジスト層330が除去される(ステップS108)。レジスト層330の除去には、例えば苛性ソーダやアミン系のアルカリ剥離液が用いられる。レジスト層330の除去により、例えば図11に示すように、電解めっき層133cが絶縁層132及び金属箔層133aから突出し、シード層133bを介して配線層131に接続する状態となる。図11は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。図11に示す状態では、シード層133b及び金属箔層133aが電解めっき層133cと他の電解めっき層との間に残存しており、電解めっき層133cが他の電解めっき層と短絡しているため、電解めっき層133cと重ならない不要部分のシード層133b及び金属箔層133aを除去する必要がある。
そこで、電解めっき層133cをマスクとしてシード層133b及び金属箔層133aのエッチングが行われる(ステップS109)。具体的には、金属箔層133a上に形成されたシード層133bが例えば銅を選択的に溶解するエッチング液に浸漬され、例えば図12に示すように、電解めっき層133cと重ならない不要部分のシード層133b及び金属箔層133aが除去される。これにより、金属箔層133a、シード層133b及び電解めっき層133cからなる配線層133が絶縁層132上に形成される。図12は、エッチング工程の具体例を示す図である。
配線層133が形成されると、絶縁層132上に、配線層133を被覆するようにソルダーレジスト層134が形成されることにより(ステップS110)、配線構造体130が完成する。すなわち、例えば、絶縁層132上に形成された配線層133がソルダーレジスト層134によって被覆される。
そして、例えば図13に示すように、ソルダーレジスト層134には、配線層133の上面を露出させる開口部151が形成される。図13は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。開口部151から露出する配線層133には、半導体チップの電極を機械的且つ電気的に接続することができる。ソルダーレジスト層134として感光性樹脂が用いられる場合には、露光・現像によって開口部151を形成することが可能である。また、ソルダーレジスト層134として非感光性樹脂が用いられる場合には、レーザ加工によって開口部151を形成することが可能である。
ここまでの工程により、例えば図13に示すように、支持体300の上面及び下面に金属層110、樹脂層120及び配線構造体130が形成された中間構造体が形成される。金属層110、樹脂層120及び配線構造体130は、配線基板100を構成する。そこで、中間構造体から金属層110、樹脂層120及び配線構造体130がデパネルされることにより(ステップS111)、配線基板100が得られる。具体的には、例えば図14に示すように、中間構造体の下地層115から金属層110より上層が剥離されることにより、樹脂層120の配線構造体130が形成される面とは反対側の面(下面)に金属層110が残される。これにより、金属層110、樹脂層120及び配線構造体130を有する配線基板100が完成する。図14は、デパネルされた配線基板100の具体例を示す図である。デパネルされた配線基板100では、樹脂層120の下面に金属層110が残るため、配線基板100の剛性が確保される。これにより、配線基板100を用いた半導体装置の製造過程で配線基板100が変形することを抑制することができ、配線基板100のハンドリング性を改善することができる。
なお、図3に示す配線基板100の製造方法において、ステップS109とステップS110との間で、ステップS103からステップS109までの工程と同様の工程を繰り返し、複数層の絶縁層と配線層とを積層しても良い。
次に、上述した配線基板100を用いて構成される半導体装置の製造方法について、図15を参照しながら具体的に説明する。図15は、実施形態に係る半導体装置の製造方法の流れの一例を示すフローチャートである。
まず、配線基板100の配線構造体130上に半導体チップが搭載され(ステップS121)、ソルダーレジスト層134の開口部151から露出する配線層133と半導体チップの電極とが機械的且つ電気的に接続される。図16は、半導体チップ搭載工程の具体例を示す図である。具体的には、例えば図16に示すように、半導体チップ510がソルダーレジスト層134の上方に搭載され、半導体チップ510の電極511が例えばはんだ512によって配線層133に接合される。
そして、配線基板100に搭載された半導体チップ510を例えばエポキシ樹脂等の封止樹脂により封止するモールドが行われる(ステップS122)。具体的には、半導体チップ510を搭載した配線基板100が金型に収容され、流動化した封止樹脂が金型内に注入される。そして、封止樹脂が所定の温度に加熱されて硬化することにより、例えば図17に示すように、半導体チップ510の周囲の空間に封止樹脂520が充填され、配線基板100に搭載された半導体チップ510を封止する封止樹脂520が形成される。図17は、モールド工程の具体例を示す図である。
配線基板100に搭載された半導体チップ510が封止樹脂520によって封止されると、樹脂層120の下面に残る金属層110が除去される(ステップS123)。具体的には、エッチング液を用いるエッチングにより、例えば図18に示すように金属層110が除去され、樹脂層120の下面が露出する。図18は、金属層除去工程の具体例を示す図である。銅又は銅合金等からなる金属層110の除去には、例えば過酸化水素/硫酸系水溶液、過硫酸ナトリウム又は過硫酸アンモニウム水溶液等のエッチング液が用いられる。
金属層110を除去するエッチングにおいては、金属層110の溶解に伴って樹脂層120の下面が露出し、かかる露出した樹脂層120の下面にエッチング液が到達する。しかし、樹脂層120は、金属層110の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂を用いて形成されているため、樹脂層120より上層側へのエッチング液の進入が阻害される。すなわち、樹脂層120と接して位置している最下層の配線層131が樹脂層120によってエッチング液から保護されるため、エッチング液が配線層131を溶解することがない。この結果、エッチング液による配線層131の損傷を抑えることができることから、金属層110の除去に伴う配線構造体130の損傷を抑えることができる。
金属層110が除去されて樹脂層120が露出すると、樹脂層120に開口部が形成される(ステップS124)。配線基板100の樹脂層120側は、外部の部品や機器等に接続される面である。このため、外部の部品や機器と電気的に接続する外部接続端子が形成される位置においては、例えば図19に示すように、樹脂層120に開口部121が形成され、開口部121から配線構造体130の最下層の配線層131が露出する。図19は、開口部形成工程の具体例を示す図である。開口部121には、例えばはんだボール等の外部接続端子が形成されてもよい。樹脂層120が非感光性の熱硬化性樹脂を用いて形成される場合、レーザ加工により開口部121を形成することが可能である。
樹脂層120に開口部121が形成されると、図19に示す破線Cの位置において、封止樹脂520及び配線基板100が切断される。これにより、半導体装置が個片化され(ステップS125)、例えば図20に示すように、配線基板100を用いた半導体装置500が完成する。かかる半導体装置500においては、樹脂層120の開口部121から配線構造体130の最下層の配線層131が露出し、外部接続端子が形成されるパッドとなる。図20は、半導体装置500の構造を示す図である。
なお、図15に示す半導体装置の製造方法においては、金属層110が除去されて樹脂層120が露出した後、樹脂層120に開口部121が形成される場合(ステップS124)を例示したが、開示の技術はこれに限られない。例えば、ステップS124の樹脂層120への開口部121の形成に代えて、配線基板100から樹脂層120を除去してもよい。具体的には、例えばエキシマレーザを樹脂層120全体に照射することにより、例えば図21に示すように樹脂層120が除去され、配線構造体130の下面において、絶縁層132の下面と配線層131の下面とが露出する。図21は、樹脂層除去工程の具体例を示す図である。
樹脂層120が除去されると、図21に示す破線Cの位置において、封止樹脂520及び配線基板100が切断される。これにより、半導体装置が個片化され、例えば図22に示すように、配線基板100を用いた半導体装置500Aが完成する。かかる半導体装置500Aの下面においては、配線構造体130の最下層の配線層131が露出し、外部接続端子として機能する。図22は、半導体装置500Aの構造を示す図である。
以上のように、実施形態に係る配線基板(例えば、配線基板100)は、金属層(例えば、金属層110)と、樹脂層(例えば、樹脂層120)と、配線構造体(例えば、配線構造体130)とを有する。樹脂層は、金属層上に積層され、金属層の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂からなる。配線構造体は、樹脂層上に積層された配線層(例えば、配線層131)及び絶縁層(例えば、絶縁層132)を備え、配線層が樹脂層と接して位置する。これにより、実施形態に係る配線基板によれば、金属層の除去に伴う損傷を抑えることができる。
100 配線基板
110 金属層
115 下地層
120 樹脂層
121 開口部
130 配線構造体
131 配線層
131a 金属箔
132 絶縁層
132a 開口部
133 配線層
133a 金属箔層
133b シード層
133c 電解めっき層
134 ソルダーレジスト層
141 ビア
151 開口部
300 支持体
320 樹脂付き金属箔
330 レジスト層
500、500A 半導体装置
510 半導体チップ
511 電極
520 封止樹脂
110 金属層
115 下地層
120 樹脂層
121 開口部
130 配線構造体
131 配線層
131a 金属箔
132 絶縁層
132a 開口部
133 配線層
133a 金属箔層
133b シード層
133c 電解めっき層
134 ソルダーレジスト層
141 ビア
151 開口部
300 支持体
320 樹脂付き金属箔
330 レジスト層
500、500A 半導体装置
510 半導体チップ
511 電極
520 封止樹脂
Claims (8)
- 金属層と、
前記金属層上に積層された樹脂層と、
前記樹脂層上に積層された配線層及び絶縁層を備え、前記配線層が前記樹脂層と接して位置する配線構造体と
を有することを特徴とする配線基板。 - 前記樹脂層は、
前記金属層の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記樹脂層は、
補強材を含まない絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記樹脂層は、
前記配線構造体の絶縁層と同じ絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 前記樹脂層は、
前記金属層よりも厚さが薄いことを特徴とする請求項1に記載の配線基板。 - 支持体上に、下地層と、前記下地層上に剥離可能に貼付された金属層と、前記金属層上に積層された樹脂層とを有する樹脂付き金属箔を積層する工程と、
前記支持体における前記樹脂層上に配線層及び絶縁層を積層して、前記配線層が前記樹脂層と接して位置する配線構造体を形成する工程と、
前記金属層を前記下地層から剥離して、前記樹脂層の前記配線構造体が形成される面とは反対側の面に前記金属層を残す工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。 - 前記樹脂層は、
前記金属層の除去に用いられるエッチング液に対してエッチング耐性を有する絶縁性樹脂からなることを特徴とする請求項6に記載の配線基板の製造方法。 - 請求項6に記載の配線基板の製造方法によって製造された配線基板の前記配線構造体上に半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップを封止樹脂によって封止する工程と、
前記金属層を、エッチングにより除去する工程と、
前記金属層の除去後の前記樹脂層に、前記配線構造体の下面に位置する配線層まで貫通する開口部を形成する工程と
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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JP2022179754A JP2024069007A (ja) | 2022-11-09 | 2022-11-09 | 配線基板、配線基板の製造方法及び半導体装置の製造方法 |
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2023
- 2023-11-06 US US18/502,605 patent/US20240155778A1/en active Pending
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