JP2024067557A

JP2024067557A - Acoustic Wave Devices

Info

Publication number: JP2024067557A
Application number: JP2022177738A
Authority: JP
Inventors: 省司垣尾; 泰司山本
Original assignee: University of Yamanashi NUC
Current assignee: University of Yamanashi NUC
Priority date: 2022-11-05
Filing date: 2022-11-05
Publication date: 2024-05-17

Abstract

【課題】スプリアスを低減させた弾性波デバイスを提供する。【解決手段】２つの圧電薄板の層を有する接合基板と、前記層上に形成された電極と、を備え、前記２つの圧電薄板は、同じ材料で形成され、使用する振動モードに関係する前記２つの圧電薄板の圧電定数が同一であり、スプリアスとなる不要な振動モードに関係する前記２つの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように、前記２つの圧電薄板のオイラー角が選ばれている弾性波デバイス。【選択図】図１[Problem] To provide an acoustic wave device with reduced spurious emissions. [Solution] An acoustic wave device comprising a bonded substrate having layers of two piezoelectric thin plates and electrodes formed on the layers, the two piezoelectric thin plates being made of the same material, the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates related to the vibration mode being used being the same, and the Euler angles of the two piezoelectric thin plates being selected so that the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates related to the unwanted vibration mode that causes spurious emissions have the same absolute value but opposite signs. [Selected Figure] Figure 1

Description

特許法第３０条第２項適用申請有り（１）刊行物への発表による公開令和４年２月２１日に国立大学法人山梨大学発行，２０２１年度山梨大学工学部電気電子工学科卒業論文発表会予稿集，Ｔ１８ＥＥ０４１－１～Ｔ１８ＥＥ０４１－２にて掲載（２）集会での発表による公開令和４年２月２１日に国立大学法人山梨大学における２０２１年度山梨大学工学部電気電子工学科卒業論文発表会で発表Application for application of Article 30, Paragraph 2 of the Patent Act has been filed. (1) Disclosure by publication in a publication: Published on February 21, 2022, by Yamanashi University, National University Corporation, in the proceedings of the 2021 Yamanashi University Faculty of Engineering, Department of Electrical and Electronic Engineering Graduation Thesis Presentations, T18EE041-1 to T18EE041-2. (2) Disclosure by presentation at a meeting: Presented at the 2021 Yamanashi University Faculty of Engineering, Department of Electrical and Electronic Engineering Graduation Thesis Presentations, held at Yamanashi University, National University Corporation, on February 21, 2022.

本発明は、弾性表面波を利用した弾性波デバイスに関する。 The present invention relates to an acoustic wave device that uses surface acoustic waves.

近年の移動体通信の世界的な伸張と通信量の増加にともない、スマートフォン等の移動体通信機器の高速化、高性能化が求められてきている。通信機器の高性能化のためには、弾性波デバイスの高周波数化、広帯域化、高Ｑ値化等が重要となるが、更に、通信の高速化のため、複数のバンドを同時に利用するキャリアアグリゲーションなどの新技術が導入され、帯域外のスプリアスの低減についても求められてきている。 With the recent global expansion of mobile communications and the increase in communication volume, there is a demand for faster and more powerful mobile communication devices such as smartphones. To improve the performance of communication devices, it is important to increase the frequency, bandwidth, and Q value of acoustic wave devices. Furthermore, to increase communication speeds, new technologies such as carrier aggregation that uses multiple bands simultaneously have been introduced, and there is also a demand for reducing spurious out-of-band signals.

例えば、特許文献１には、圧電膜を有する弾性波装置であって、支持基板と、前記支持基板上に形成されており、前記圧電膜を伝搬する弾性波音速より伝搬するバルク波音速が高速である高音速膜と、前記高音速膜上に積層されており、前記圧電膜を伝搬するバルク波音速より伝搬するバルク波音速が低速である低音速膜と、前記低音速膜上に積層された前記圧電膜と、前記圧電膜の一方面に形成されているＩＤＴ電極とを備える、弾性波装置が開示されている。 For example, Patent Document 1 discloses an elastic wave device having a piezoelectric film, the elastic wave device comprising a support substrate, a high acoustic velocity film formed on the support substrate and having a bulk wave acoustic velocity faster than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric film, a low acoustic velocity film laminated on the high acoustic velocity film and having a bulk wave acoustic velocity slower than the bulk wave acoustic velocity propagating through the piezoelectric film, the piezoelectric film laminated on the low acoustic velocity film, and an IDT electrode formed on one side of the piezoelectric film.

これにより、支持基板と圧電膜との間に、高音速膜及び低音速膜が配置されているため、Ｑ値を高めることが可能となる。従って、高いＱ値を有する弾性波装置を提供することが可能となるとしている。 As a result, the high acoustic velocity film and the low acoustic velocity film are placed between the support substrate and the piezoelectric film, making it possible to increase the Q value. As a result, it is possible to provide an acoustic wave device with a high Q value.

特許第５７１３０２５号公報Patent No. 5713025

しかしながら、特許文献１に記載した弾性波デバイス等の従来の弾性波デバイスでは、スプリアスを低減するためは、主要な伝搬モード以外の結合係数が小さいカットの圧電薄板しか使えないという大きな制約があった。 However, in conventional acoustic wave devices such as the acoustic wave device described in Patent Document 1, there was a major restriction that only cut piezoelectric thin plates with small coupling coefficients other than the main propagation mode could be used to reduce spurious signals.

言い換えると、従来の弾性波デバイスでは、使いたい主要な伝搬モードの結合係数をある程度確保しつつ、不要な伝搬モードの結合係数が小さい条件を探索するしか無かった。そして、不要な伝搬モードの結合係数が小さい条件がもし無かったらその構造は諦めざるを得ないという大きな制約があった。 In other words, with conventional acoustic wave devices, the only thing that could be done was to search for conditions where the coupling coefficient of the main propagation mode desired was high enough while the coupling coefficient of the unnecessary propagation modes was small. And if there was no condition where the coupling coefficient of the unnecessary propagation modes was low, then there was a major constraint: the structure had to be abandoned.

本発明は、係る実情に鑑み、上記課題を解決し、積極的に不要な伝搬モードの結合係数を、圧電定数をキャンセルすることによって低減することにより、スプリアスが低減された弾性波デバイスを提供しようとするものである。 In view of the current situation, the present invention aims to solve the above problems and provide an acoustic wave device with reduced spurious emissions by actively reducing the coupling coefficient of unnecessary propagation modes by canceling the piezoelectric constant.

本発明の課題は、下記の各発明によって解決することができる。
即ち、本発明の弾性波デバイスは、２つの圧電薄板の層を有する接合基板と、前記接合基板上に形成された電極と、を備え、前記２つの圧電薄板は、同じ材料で形成され、使用する振動モードに関係する前記２つの圧電薄板の圧電定数が同一であり、スプリアスとなる不要な振動モードに関係する前記２つの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように、前記２つの圧電薄板のオイラー角が選ばれていることを主要な特徴としている。 The object of the present invention can be achieved by the following inventions.
In other words, the elastic wave device of the present invention comprises a bonded substrate having two layers of piezoelectric thin plates and electrodes formed on the bonded substrate, and the two piezoelectric thin plates are formed of the same material, the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates related to the vibration mode used are identical, and the Euler angles of the two piezoelectric thin plates related to unwanted vibration modes that cause spurious noise are selected so that the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates have the same absolute value but opposite signs.

また、本発明の弾性波デバイスは、前記２つの圧電薄板は、使用する振動モードがＬａｍｂ波であり、かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１１は、同じ値であり、かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６、ｅ３４は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角であることを主要な特徴としている。 The main feature of the elastic wave device of the present invention is that the vibration mode used by the two piezoelectric thin plates is a Lamb wave, the piezoelectric constant e11 of the two piezoelectric thin plates is the same value, and the piezoelectric constants e16 and e34 of the two piezoelectric thin plates are Euler angles with the same absolute value and opposite signs.

更に、本発明の弾性波デバイスは、前記２つの圧電薄板の厚さが同一であることを主要な特徴としている。 Furthermore, a key feature of the acoustic wave device of the present invention is that the thicknesses of the two piezoelectric thin plates are the same.

更にまた、前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板のうち一方の圧電薄板のオイラー角を(９０°,９０°,ψ)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(９０°,-９０°,-ψ)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or lithium tantalate, and the main feature is that when the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates are (90°, 90°, ψ), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (90°, -90°, -ψ) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.

また、本発明の弾性波デバイスは、使用する振動モードがＳＨ波であり、前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、かつ、前記２つの圧電薄板は、圧電定数ｅ１６が同じ値であり、かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するように前記２つの圧電薄板のオイラー角が選ばれていることを主要な特徴としている。 The main features of the elastic wave device of the present invention are that the vibration mode used is an SH wave, that both of the piezoelectric thin plates are lithium niobate or lithium tantalate, that the two piezoelectric thin plates have the same piezoelectric constant e16, and that the Euler angles of the two piezoelectric thin plates are selected so that the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the two piezoelectric thin plates are the same but have opposite signs.

更にまた、本発明の弾性波デバイスは、前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはいずれもタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板のうち一方のオイラー角を(０°,１００°,０°)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(０°,２８０°,１８０°)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the main feature of the elastic wave device of the present invention is that the two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or both lithium tantalate, and when the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates are (0°, 100°, 0°), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (0°, 280°, 180°) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.

また、本発明の弾性波デバイスは、前記２つの圧電薄板は、第１圧電薄板と第２圧電薄板であり、前記接合基板は、前記第１圧電薄板、前記第２圧電薄板とで構成され、前記接合基板を支持する支持基板を備え、前記第１圧電薄板、前記第２圧電薄板、前記支持基板の順に層を形成し、前記支持基板の音速は、前記第１圧電薄板、前記第２圧電薄板の音速よりも速いことを主要な特徴としている。 The acoustic wave device of the present invention is also characterized in that the two piezoelectric thin plates are a first piezoelectric thin plate and a second piezoelectric thin plate, the bonded substrate is composed of the first piezoelectric thin plate and the second piezoelectric thin plate, and includes a support substrate that supports the bonded substrate, the layers being the first piezoelectric thin plate, the second piezoelectric thin plate, and the support substrate in that order, and the sound velocity in the support substrate is faster than the sound velocity in the first piezoelectric thin plate and the second piezoelectric thin plate.

更に、本発明の弾性波デバイスは、前記支持基板は、Ｓｉ、水晶、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ダイヤモンド、あるいは水晶、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ダイヤモンドから選択されるいずれかが成膜されたＳｉ基板であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the main feature of the acoustic wave device of the present invention is that the support substrate is a Si substrate made of _Si , quartz crystal, sapphire, SiC, SiO2, diamond, or a substrate on which a film of any one selected from quartz crystal, sapphire, SiC, _SiO2 , and diamond has been formed.

更にまた、本発明の弾性波デバイスは、使用するＳＡＷモードがＬＬ－ＳＡＷの場合において、前記２つの圧電薄板は、圧電定数ｅ１１が同じ値となり、圧電定数ｅ１６、ｅ３４が絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the main feature of the acoustic wave device of the present invention is that when the SAW mode used is LL-SAW, the two piezoelectric thin plates have Euler angles such that the piezoelectric constant e11 is the same value, and the piezoelectric constants e16 and e34 have the same absolute value but opposite signs.

また、本発明の弾性波デバイスは、前記２つの圧電薄板は、ニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板のうち一方の圧電薄板のオイラー角と、他方の圧電薄板のオイラー角の組み合わせが、下記（１）～（３）の何れか一つであるか、または、下記（１）～（３）のいずれか一つと結晶学的に等価なオイラー角であることを主要な特徴としている。
（１）一方の圧電薄板のオイラー角 (φ,９０°,ψ)
他方の圧電薄板のオイラー角 (φ,－９０°,－ψ)
（２）一方の圧電薄板のオイラー角 (９０°,θ,ψ)
他方の圧電薄板のオイラー角（９０°,－θ,－ψ)
（３）一方の圧電薄板のオイラー角（９０°，９０°，ψ）
他方の圧電薄板のオイラー角 (９０°,－９０°,－ψ) Moreover, the elastic wave device of the present invention is mainly characterized in that the two piezoelectric thin plates are lithium niobate or lithium tantalate, and the combination of the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates and the Euler angles of the other piezoelectric thin plate is any one of (1) to (3) below, or is an Euler angle that is crystallographically equivalent to any one of (1) to (3) below.
(1) Euler angle of one piezoelectric plate (φ, 90°, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (φ, -90°, -ψ)
(2) Euler angle of one piezoelectric plate (90°, θ, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (90°, -θ, -ψ)
(3) Euler angles of one piezoelectric plate (90°, 90°, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (90°, -90°, -ψ)

更に、本発明の弾性波デバイスは、前記第１圧電薄板の厚さｈ_１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、スプリアスとなる不要な振動モードを励振しない比率であることを主要な特徴としている。 Furthermore, a main feature of the elastic wave device of the present invention is that the ratio of the thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate to the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate is a ratio that does not excite unnecessary vibration modes that become spurious.

更にまた、本発明の弾性波デバイスは、前記第１圧電薄板の厚さｈ１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、ｈ_１：ｈ_２＝１：２であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the acoustic wave device of the present invention is mainly characterized in that the ratio of the thickness h1 of the first piezoelectric thin plate to the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate is _h1 : _h2 =1:2.

また、本発明の弾性波デバイスは、使用するＳＡＷモードがＬ－ＳＡＷの場合において、前記２つの圧電薄板は、いずれもニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６が同じ値であり、前記２つの圧電薄板のオイラー角は、それぞれの前記圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するように選ばれていることを主要な特徴としている。 The main features of the elastic wave device of the present invention are that, when the SAW mode used is L-SAW, the two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or lithium tantalate, the piezoelectric constant e16 of the two piezoelectric thin plates is the same value, and the Euler angles of the two piezoelectric thin plates are selected so that the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the respective piezoelectric thin plates are the same but have opposite signs.

更に、本発明の弾性波デバイスは、前記第1圧電薄板と前記第２圧電薄板のうち、一方の圧電薄板のオイラー角が(φ,θ,０°)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(φ,θ±１８０°,０°±１８０°)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the main feature of the elastic wave device of the present invention is that, when the Euler angles of one of the first and second piezoelectric thin plates are (φ, θ, 0°), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (φ, θ±180°, 0°±180°) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.

更にまた、本発明の弾性波デバイスは、前記第１圧電薄板の厚さｈ_１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、スプリアスとなる不要な振動モードを励振しない比率であることを主要な特徴としている。 Furthermore, a main feature of the elastic wave device of the present invention is that the ratio of the thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate to the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate is a ratio that does not excite unnecessary vibration modes that become spurious.

また、本発明の弾性波デバイスは、前記第１圧電薄板の厚さｈ_１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、ｈ_１：ｈ_２＝１：３であることを主要な特徴としている。 Moreover, the acoustic wave device of the present invention is mainly characterized in that the ratio of the thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate to the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate is _h1 : _h2 =1:3.

更に、本発明の弾性波デバイスは、前記第１圧電薄板と前記第２圧電薄板のうち、一方の圧電薄板のオイラー角と、他方の圧電薄板のオイラー角の組み合わせが、(９０°，θ，ψ)と(９０°，－θ，－ψ)の組み合わせであるか、または、(φ，９０°，ψ)と(φ，－９０°，-ψ)の組み合わせであるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the main feature of the acoustic wave device of the present invention is that the combination of the Euler angles of one of the first and second piezoelectric thin plates and the Euler angles of the other piezoelectric thin plate is a combination of (90°, θ, ψ) and (90°, -θ, -ψ), or a combination of (φ, 90°, ψ) and (φ, -90°, -ψ), or an Euler angle that is crystallographically equivalent to these.

更にまた、本発明の弾性波デバイスは、前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはいずれもタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板のうち一方のオイラー角を(φ,θ,０°)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(φ,θ±１８０°,０°±１８０°)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であることを主要な特徴としている。 Furthermore, the main feature of the elastic wave device of the present invention is that the two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or both lithium tantalate, and when the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates are (φ, θ, 0°), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (φ, θ±180°, 0°±180°) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.

スプリアスを低減した弾性波デバイスを提供することができる。 It is possible to provide an acoustic wave device with reduced spurious emissions.

図１（Ａ）は、本発明の電極が片面にあるタイプに係る弾性波デバイスの概略断面図である。図１（Ｂ）は、電極が両面になるタイプの本発明に係る弾性波デバイスの概略断面図である。1A and 1B are schematic cross-sectional views of an acoustic wave device according to the present invention having electrodes on one side and a double-sided electrode, respectively. 図２Ａは、第１実施形態の電極片面タイプの一例を示す概略断面図である。FIG. 2A is a schematic cross-sectional view showing an example of a single-sided electrode type according to the first embodiment. 図２Ｂは、図２Ａに示されるＬＮ（ＬｉＮｂＯ_３）圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。FIG. 2B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LN (LiNbO ₃ ) piezoelectric thin plate shown in FIG. 2A. 図３は、第１実施形態の片面タイプの共振特性のＦＥＭ解析結果を示すグラフである。FIG. 3 is a graph showing the results of an FEM analysis of the resonance characteristics of the single-sided type of the first embodiment. 図４は、第１実施形態の電極両面タイプの一例を示す概略断面図である。FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a double-sided electrode type according to the first embodiment. 図５は、第１実施形態の両面タイプの共振特性のＦＥＭ解析結果を示すグラフである。FIG. 5 is a graph showing the results of an FEM analysis of the resonance characteristics of the double-sided type of the first embodiment. 図６は、ダイヤフラム構造の弾性波デバイスの例である。FIG. 6 shows an example of an acoustic wave device having a diaphragm structure. 図７Ａは、第２実施形態の概略断面図である。FIG. 7A is a schematic cross-sectional view of the second embodiment. 図７Ｂは、図７Ａに示されるＬＴ（ＬｉＴａＯ_３）圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。FIG. 7B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LT (LiTaO ₃ ) piezoelectric thin plate shown in FIG. 7A. 図８は、実施例２と比較例２のＦＥＭ解析結果を示すグラフである。FIG. 8 is a graph showing the results of FEM analysis of Example 2 and Comparative Example 2. 図９Ａは、第３実施形態の概略断面図である。FIG. 9A is a schematic cross-sectional view of the third embodiment. 図９Ｂは、図９Ａに示される－０２圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。FIG. 9B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the −02 piezoelectric sheet shown in FIG. 9A. 図１０は、実施例３と比較例３のＦＥＭ解析結果を示すグラフである。FIG. 10 is a graph showing the results of FEM analysis of Example 3 and Comparative Example 3. 図１１は、第４実施形態の概略断面図である。FIG. 11 is a schematic cross-sectional view of the fourth embodiment. 図１２は、実施例４のＦＥＭ解析結果である。FIG. 12 shows the results of FEM analysis of the fourth embodiment. 図１３は、比較例４のＦＥＭ解析結果である。FIG. 13 shows the results of FEM analysis of Comparative Example 4. 図１４Ａは、第５実施形態の概略断面図である。FIG. 14A is a schematic cross-sectional view of the fifth embodiment. 図１４Ｂは、図１４Ａに示されるＬＮ（ＬｉＮｂＯ_３）圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。FIG. 14B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LN (LiNbO ₃ ) piezoelectric thin plate shown in FIG. 14A. 図１５は、実施例５のＦＥＭ解析結果である。FIG. 15 shows the results of FEM analysis of the fifth embodiment. 図１６は、比較例５のＦＥＭ解析結果である。FIG. 16 shows the results of FEM analysis of Comparative Example 5.

以下、添付図面を参照しながら、本発明を実施するための形態を詳細に説明する。ここで、図中、同一の記号で示される部分は、同様の機能を有する同様の要素である。
また、本発明において、オイラー角は、すべてＩＲＥ１９４９のスタンダードで示されている。 DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings, in which like reference numerals denote like elements having like functions.
In the present invention, all Euler angles are shown in accordance with the IRE1949 standard.

＜第１実施形態＞
本発明に係る弾性波デバイスの第１実施形態の電極片面タイプについて図１を参照して説明する。第１実施形態の電極両面タイプについては後述する。図１（Ａ）は、電極が片面にあるタイプの本発明に係る弾性波デバイスの概略断面図である。図１（Ｂ）は、電極が両面にあるタイプの本発明に係る弾性波デバイスの概略断面図である。
（１）電極片面タイプ
第１実施形態の電極片面タイプについて図１（Ａ）を参照して説明する。
図１（Ａ）に示すように、本発明に係る弾性波デバイスは、第１圧電薄板１０の層と、第２圧電薄板２０との層とで形成された接合基板３０と、ＩＤＴ電極４０と、を主に含んで構成されている。 First Embodiment
A single-sided electrode type of a first embodiment of an acoustic wave device according to the present invention will be described with reference to Fig. 1. The double-sided electrode type of the first embodiment will be described later. Fig. 1(A) is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to the present invention having an electrode on one side. Fig. 1(B) is a schematic cross-sectional view of an acoustic wave device according to the present invention having electrodes on both sides.
(1) Single-Sided Electrode Type A single-sided electrode type according to a first embodiment will be described with reference to FIG.
As shown in FIG. 1A, the acoustic wave device of the present invention is mainly composed of a bonding substrate 30 formed of a layer of a first piezoelectric thin plate 10 and a layer of a second piezoelectric thin plate 20, and an IDT electrode 40.

第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０とは、接合されており、第１圧電薄板の表面には、ＩＤＴ電極（櫛形電極）が形成されている。第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０とは、同じ圧電材料から形成され、その圧電材料としては、例えば、水晶、タンタル酸リチウム (LiTaO₃)，ニオフ゛酸リチウム(LiNbO₃)なと゛を用いることができる。 The first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are bonded together, and an IDT electrode (interdigital electrode) is formed on the surface of the first piezoelectric thin plate. The first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are made of the same piezoelectric material, which may be, for example, quartz, lithium tantalate ( _LiTaO3 ), or lithium niobate ( _LiNbO3 ).

ここで、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０は、以下の条件１、条件２すべてを満たすように形成される。
［条件１］
使用する振動モードに関係する第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数が同一である。 Here, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are formed so as to satisfy both of the following conditions 1 and 2.
[Condition 1]
The first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 related to the vibration mode to be used have the same piezoelectric constant.

［条件２］
スプリアスとなる不要な振動モードに関係する、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の２つの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように、前記２つの圧電薄板のオイラー角が選ばれている。 [Condition 2]
The Euler angles of the two piezoelectric thin plates, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20, which are related to unwanted vibration modes that cause spurious signals, are selected so that the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates have the same absolute value but opposite signs.

接合基板３０は、例えば、以下のようなステップで作製することができる。
（1） Si等の基板に第２圧電薄板２０を貼り付けて、第２圧電薄板２０を所定の厚さになるまで研磨する。
（2）所定の厚さになった第２圧電薄板２０に第１圧電薄板１０を貼り付ける。
（3）第１圧電薄板１０が所定の厚さになるまで研磨する。
（4）フォトリソグラフィにより第１圧電薄板１０表面にＩＤＴ電極（櫛形電極）４０を形成する。
（5）Ｓｉ基板を研磨、または溶解によって全部または一部を取り除く。（一部を取り除く場合は、ＩＤＴ電極４０の下部のＳｉ基板を取り除く［図６参照］） The bonded substrate 30 can be fabricated, for example, through the following steps.
(1) The second piezoelectric thin plate 20 is attached to a substrate such as Si, and the second piezoelectric thin plate 20 is polished to a predetermined thickness.
(2) The first piezoelectric thin plate 10 is attached to the second piezoelectric thin plate 20 which has reached a specified thickness.
(3) The first piezoelectric thin plate 10 is polished to a predetermined thickness.
(4) An IDT electrode (interdigital transducer) 40 is formed on the surface of the first piezoelectric thin plate 10 by photolithography.
(5) The Si substrate is polished or dissolved to remove all or part of it. (If only a portion of the Si substrate is to be removed, the Si substrate below the IDT electrode 40 is removed [see FIG. 6].)

上記（４）の電極４０の形成ステップは、例えば、アルミニウム、金、チタン等の薄膜を第１圧電薄板の表面にスパッタリング、蒸着、ＣＶＤ等で成膜し、フォトリソグラフィにより櫛形電極（ＩＤＴ）の形状に形成することができる。電極４０の形成に用いられる金属は、アルミニウム、金、チタンに限定されるものではなく、従来、弾性波デバイスの電極に用いられている金属ならば何を使用しても良い。 The above step (4) of forming the electrode 40 can be performed by, for example, forming a thin film of aluminum, gold, titanium, or the like on the surface of the first piezoelectric thin plate by sputtering, deposition, CVD, or the like, and forming it into the shape of an interdigital transducer (IDT) by photolithography. The metal used to form the electrode 40 is not limited to aluminum, gold, or titanium, and any metal that has been conventionally used for electrodes in acoustic wave devices may be used.

実施例１として、このように構成された弾性波デバイスについて、有限要素法（ＦＥＭ：Finite Element Method）を用いて共振特性のシミュレーション（ＦＥＭ解析）を行った。ＦＥＭ解析を行った弾性波デバイスについて図２Ａに示す。図２Ａは、第１実施形態の電極片面タイプの一例を示す概略断面図である。 As Example 1, a simulation (FEM analysis) of the resonance characteristics of the acoustic wave device configured in this manner was performed using the finite element method (FEM). The acoustic wave device that underwent FEM analysis is shown in Figure 2A. Figure 2A is a schematic cross-sectional view showing an example of a single-sided electrode type of the first embodiment.

図２Ａに示すように、オイラー角表示で（９０°，９０°，２０°）で表せるＸカット２０°Ｙ伝搬ＬＮ（ニオブ酸リチウム）で形成された第１圧電薄板１０と、オイラー角表示で（９０°，－９０°，－２０°）で表せるカット方位のＬＮで形成された第２圧電薄板２０と２層をなした構造の接合基板３０についてＦＥＭ解析を行った。 As shown in FIG. 2A, FEM analysis was performed on a bonded substrate 30 having a two-layer structure consisting of a first piezoelectric thin plate 10 made of X-cut 20° Y-propagation LN (lithium niobate) that can be expressed in Euler angles as (90°, 90°, 20°) and a second piezoelectric thin plate 20 made of LN with a cut orientation that can be expressed in Euler angles as (90°, -90°, -20°).

ＦＥＭ解析により、この構造で励振されうるすべて伝搬モードの応答が現れるが、Ｌａｍｂ波であるＳ_０モードに着目して検討した。Ｓ_０モードを伝搬させる場合に電極４０は、Ａｌ（アルミニウム）とした。また、周囲は空気としてＦＥＭ解析を行った。 FEM analysis shows responses of all propagation modes that can be excited by this structure, but the study focused on the _S0 mode, which is a Lamb wave. When propagating the _S0 mode, the electrode 40 was made of Al (aluminum). The FEM analysis was also performed with the surrounding air.

第１圧電薄板１０の厚みｈ_１及び第２圧電薄板２０の厚みｈ_２は、接合基板３０に伝搬させる弾性波の波長をλとしたとき、ｈ_１／λ＝０．０５、ｈ_２／λ＝０．０５として設定した。言い換えると、厚みｈ_１、ｈ_２は、どちらも波長λの５％と設定した。 The thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate 10 and the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate 20 were set to _h1 /λ=0.05 and _h2 /λ=0.05, respectively, where λ is the wavelength of the elastic wave propagated to the bonding substrate 30. In other words, the thicknesses _h1 and _h2 were both set to 5% of the wavelength λ.

また、電極４０の厚みｈ_Ａｌは、アルミニウムに弾性波を伝搬させたときの波長をλ_Ａｌをとしたとき、ｈ_Ａｌ／λ_Ａｌ＝０．０１となる値、即ち、弾性波が接合基板を伝搬したときの波長の１％の値とした。 Furthermore, the thickness _hAl of the electrode 40 was set to a value such that _hAl / _λAl =0.01, where _λAl is the wavelength when an elastic wave is propagated through aluminum, that is, 1% of the wavelength when the elastic wave propagates through the bonded substrate.

更に、使用する振動モードに関係する第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数を同一とし、スプリアスとなる不要な振動モードに関係する、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の２つの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０のオイラー角を選んだ。 Furthermore, the piezoelectric constants of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 related to the vibration mode to be used are set to be the same, and the Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 related to the unwanted vibration mode that becomes spurious are selected so that the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20, have the same absolute value but opposite signs.

このとき、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数ｅ１１は、同じ値であり、かつ、この２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６、ｅ３４は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角となっている。 At this time, the piezoelectric constant e11 of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 is the same value, and the piezoelectric constants e16 and e34 of these two piezoelectric thin plates are Euler angles with the same absolute value and opposite signs.

具体的には、第１圧電薄板１０は、オイラー角を(９０°，９０°，２０°)とし、第２圧電薄板２０は、オイラー角を(９０°，－９０°，－２０°)とした。 Specifically, the first piezoelectric thin plate 10 has Euler angles of (90°, 90°, 20°), and the second piezoelectric thin plate 20 has Euler angles of (90°, -90°, -20°).

ここで、第１圧電薄板１０のオイラー角と、第２圧電薄板２０のオイラー角の組み合わせは、φ、θ、ψを任意の角度とすると、(９０°，θ，ψ)と(９０°，－θ，－ψ)の組み合わせでも、(φ，９０°，ψ)と(φ，－９０°，-ψ)の組み合わせでも、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数ｅ１１は、同じ値であり、かつ、この２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６、ｅ３４は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角となる。 Here, when the Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are combined, assuming that φ, θ, and ψ are arbitrary angles, whether it is a combination of (90°, θ, ψ) and (90°, -θ, -ψ) or a combination of (φ, 90°, ψ) and (φ, -90°, -ψ), the piezoelectric constant e11 of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 is the same value, and the piezoelectric constants e16 and e34 of these two piezoelectric thin plates have Euler angles with the same absolute value but opposite signs.

図２Ｂに第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルを示す。図２Ｂは、図２Ａに示されるＬＮ（ＬｉＮｂＯ_３）圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。図２Ｂの上層で示される圧電定数テンソルは、第１圧電薄板１０の圧電定数テンソルであり、下層で示される圧電定数テンソルは第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルである。 Fig. 2B shows the piezoelectric constant tensors of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20. Fig. 2B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LN (LiNbO ₃ ) piezoelectric thin plate shown in Fig. 2A. The piezoelectric constant tensor shown in the upper layer of Fig. 2B is the piezoelectric constant tensor of the first piezoelectric thin plate 10, and the piezoelectric constant tensor shown in the lower layer is the piezoelectric constant tensor of the second piezoelectric thin plate 20.

図２Ｂに示すように、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数ｅ１１は、同じ値であり、かつ、この２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６、ｅ３４は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角となっている。 As shown in FIG. 2B, the piezoelectric constant e11 of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are the same value, and the piezoelectric constants e16 and e34 of these two piezoelectric thin plates have Euler angles with the same absolute value and opposite signs.

また、比較例１として、図２Ａにおいて接合基板３０が２つに分割されておらず、第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０の両方が第１圧電薄板と同じもの（圧電定数、オイラー角、寸法）言い換えると第１圧電薄板１０の厚みが２倍になったものについても共振特性のＦＥＭ解析を行った。 As a comparative example 1, an FEM analysis of the resonance characteristics was also performed on a specimen in which the bonding substrate 30 in FIG. 2A was not divided into two, and both the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 were the same as the first piezoelectric thin plate (piezoelectric constants, Euler angles, dimensions), in other words, the thickness of the first piezoelectric thin plate 10 was doubled.

ＦＥＭの解析結果を図３に示す。図３は、第１実施形態の片面タイプの共振特性のＦＥＭ解析結果を示すグラフである。図３のＸ軸は、位相速度（波長×周波数）を表し、Ｙ軸は、電極間のアドミッタンスを表す。 The results of the FEM analysis are shown in Figure 3. Figure 3 is a graph showing the results of the FEM analysis of the resonance characteristics of the single-sided type of the first embodiment. The X-axis of Figure 3 represents the phase velocity (wavelength x frequency), and the Y-axis represents the admittance between the electrodes.

実線は、実施例１の共振特性を示し、点線は、比較例１の共振特性を示す。
図３に示すように、比較例では、３７００ｍ／ｓ近辺に不要な共振モードであるＳＨ_０モードがスプリアスとして現れているが、実施例では、きれいに消えている。また、実施例では、６０００ｍ／ｓ近辺にある必要な共振モードであるＳ_０モードは、減衰することなくそのまま存在している。 The solid line indicates the resonance characteristics of the first embodiment, and the dotted line indicates the resonance characteristics of the first comparative example.
3, in the comparative example, the unwanted resonance mode, SH ₀ mode, appears as a spurious response near 3700 m/s, but in the example, it completely disappears. Also, in the example, the wanted resonance mode, S ₀ mode, near 6000 m/s, remains unattenuated.

このように、圧電薄板を２層構造にして、使用する振動モードに関係する第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数を同一とし、スプリアスとなる不要な振動モードに関係する、それぞれの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように２つの圧電薄板のオイラー角を設定することにより、スプリアスを低減させることができるとともに、必要な共振モードはそのまま残すことができる。 In this way, by making the piezoelectric thin plate into a two-layer structure, making the piezoelectric constants of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 related to the vibration mode to be used the same, and setting the Euler angles of the two piezoelectric thin plates so that the piezoelectric constants of each piezoelectric thin plate related to the unnecessary vibration mode that causes spurious noise have the same absolute value but opposite signs, spurious noise can be reduced while the necessary resonance mode can be left intact.

ここで、ＦＥＭ解析は、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０は、ニオブ酸リチウムで行ったが、タンタル酸リチウムにおいても同様な結果となり、更に、これらと結晶学的に等価なオイラー角であっても同様の結果となる。 Here, the FEM analysis was performed using lithium niobate for the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20, but similar results were obtained with lithium tantalate, and furthermore, similar results were obtained with Euler angles that are crystallographically equivalent to these.

（２）電極両面タイプ
本発明に係る弾性波デバイスの第１実施形態の電極両面タイプについて図面を参照して説明する。図４は、第１実施形態の電極両面タイプの一例を示す概略断面図である。 (2) Double-sided Electrode Type A double-sided electrode type of an acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of the double-sided electrode type of the first embodiment.

この電極両面タイプは、電極片面タイプと電極以外は全く同じ構造なので、同じ部分の説明は省略し、異なる部分だけ説明する。
図１（Ｂ）及び図４を参照して、この電極両面タイプは、第１圧電薄板１０の表面に作成された電極４０の接合基板３０を挟んで真下の位置の第２圧電薄板２０の表面に下部電極５０が形成されている。即ち、上部電極４０と下部電極５０は接合基板３０に対して対称となっている。 This double-sided electrode type has exactly the same structure as the single-sided electrode type except for the electrodes, so we will omit a description of the same parts and only explain the differences.
1B and 4, in this double-sided electrode type, a lower electrode 50 is formed on the surface of the second piezoelectric thin plate 20 at a position directly below, across the bonding substrate 30, the electrode 40 formed on the surface of the first piezoelectric thin plate 10. In other words, the upper electrode 40 and the lower electrode 50 are symmetrical with respect to the bonding substrate 30.

また、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０のオイラー角は、使用する振動モードに関係する第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数を同一とし、スプリアスとなる不要な振動モードに関係する、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の２つの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０のオイラー角を選んだ。 The Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are selected so that the piezoelectric constants of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 related to the vibration mode to be used are the same, and the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20, related to the unwanted vibration mode that becomes spurious, have the same absolute value but opposite signs.

この図４に示される弾性波デバイスについて実施例２として、共振特性のＦＥＭ解析を行った。ＦＥＭ解析により、この構造で励振されうるすべて伝搬モードの応答が現れるが、Ｓ_０モードに着目して検討した。その結果を図５に示す。図５は、第１実施形態の両面タイプの共振特性のＦＥＭ解析結果を示すグラフである。また、比較のため、電極が片面のみでそれ以外は同一のもの、即ち実施例１のＦＥＭ解析結果も併せて図５に示す。 An FEM analysis of the resonance characteristics was performed on the acoustic wave device shown in Fig. 4 as Example 2. The FEM analysis revealed responses of all propagation modes that can be excited by this structure, but the study focused on the _S0 mode. The results are shown in Fig. 5. Fig. 5 is a graph showing the FEM analysis results of the resonance characteristics of the double-sided type of the first embodiment. For comparison, Fig. 5 also shows the FEM analysis results of an identical device except that it has electrodes on only one side, i.e., Example 1.

図５のＸ軸、Ｙ軸は、図３と同様であるので説明を省略する。また、実線は実施例２である両面電極タイプの共振特性を、点線は、実施例１の共振特性を示す。
図５に示すように、電極を接合基板の両面に対称に形成することにより、実施例１において発生していた７６００ｍ／ｓあたりのわずかなスプリアスも完全に消去することができることが判明した。 5 are the same as those in FIG 3, and therefore will not be described. The solid line indicates the resonance characteristics of the double-sided electrode type according to the second embodiment, and the dotted line indicates the resonance characteristics of the first embodiment.
As shown in FIG. 5, it was found that by forming electrodes symmetrically on both sides of the bonded substrate, even the slight spurious around 7600 m/s that occurred in Example 1 can be completely eliminated.

このように、本発明者の鋭意研究により、接合基板３０を挟んで対称に電極を配置することにより、更に、スプリアスを低減することができることを見いだした。 As such, through intensive research, the inventors have discovered that spurious emissions can be further reduced by arranging the electrodes symmetrically on either side of the bonding substrate 30.

ここで、第１実施形態において、電極片面タイプにおいても、電極両面タイプにおいても、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の表面は空気でＦＥＭ解析を行ったが、弾性波デバイスとしては周囲は、空気でも真空でも良い。特に数十ＭＨｚ（１００ＭＨｚ以下）の周波数の場合はエアーローディングの影響が効いてくるので、真空にする必要がある。 In the first embodiment, the surfaces of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 were air-surfaced for both the single-sided electrode type and the double-sided electrode type, but as an elastic wave device, the surroundings may be air or a vacuum. In particular, in the case of frequencies of several tens of MHz (100 MHz or less), the effects of air loading come into play, so a vacuum is required.

接合基板３０の両面を機械的開放端にすることにより、弾性波を完全反射させるためのダイヤフラム構造の弾性波デバイスの一例を図６に示す。図６は、ダイヤフラム構造の弾性波デバイスの例である。
の弾性波デバイスの構造の例である。図６は、電極片面タイプを示しているが、電極両面タイプでも同様にすることができる。 An example of an acoustic wave device having a diaphragm structure for completely reflecting acoustic waves by making both sides of the bonded substrate 30 mechanically open ends is shown in Fig. 6. Fig. 6 shows an example of an acoustic wave device having a diaphragm structure.
6 shows an example of the structure of an acoustic wave device having an electrode on one side, but an electrode on both sides can be used in the same way.

図６に示すように、電極４０の有る側の表面も、電極４０の有る側の反対面も、何もない開放端となっている。電極４０の有る側の反対面の電極４０から外れた接合基板の端部に支持基板６０が接合されている。 As shown in FIG. 6, both the surface on the side where the electrode 40 is located and the surface opposite the side where the electrode 40 is located are open ends. A support substrate 60 is bonded to the end of the bonded substrate that is separated from the electrode 40 on the surface opposite the side where the electrode 40 is located.

支持基板６０は、例えば、Ｓｉ基板を用いることができる。このような構造の形成方法の一例としては、支持基板６０であるＳｉ基板に接合基板３０を貼り合わせ、その後、電極４０の真下の部分のＳｉ基板をエッチング等で取り除くことによりこのようなダイヤフラム構造を形成することができる。
これにより、接合基板３０に強度を持たせることができる。 For example, a Si substrate can be used as the support substrate 60. As an example of a method for forming such a structure, the bonding substrate 30 is bonded to the Si substrate that is the support substrate 60, and then the Si substrate directly below the electrode 40 is removed by etching or the like, thereby forming such a diaphragm structure.
This allows the bonded substrate 30 to have strength.

＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態について図面を参照して説明する。図７Ａは、第２実施形態の概略断面図である。第２実施形態は、図２Ａで示される第１実施形態とほとんど同じであるので、同じ所の説明は一部省略し、異なる所を主に説明する。 Second Embodiment
A second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 7A is a schematic cross-sectional view of the second embodiment. The second embodiment is almost the same as the first embodiment shown in Fig. 2A, so a description of the same parts will be omitted and differences will be mainly described.

図７Ａを参照して、第２実施形態の弾性波デバイスは、ＸカットＹ伝搬ＬＴ（タンタル酸リチウム）で形成された、第１圧電薄板１０，第２圧電薄板２０を備えている。 Referring to FIG. 7A, the acoustic wave device of the second embodiment includes a first piezoelectric thin plate 10 and a second piezoelectric thin plate 20 formed of X-cut Y-propagation LT (lithium tantalate).

第１圧電薄板１０のオイラー角は、(９０°，９０°，３１°)であり、第２圧電薄板２０のオイラー角は、(９０°，－９０°，－３１°)である。 The Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 are (90°, 90°, 31°), and the Euler angles of the second piezoelectric thin plate 20 are (90°, -90°, -31°).

具体的には、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数ｅ１１は、同じ値であり、かつ、この２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６、ｅ３４は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角を選んだ。 Specifically, the piezoelectric constant e11 of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are the same value, and the Euler angles of the piezoelectric constants e16 and e34 of these two piezoelectric thin plates are selected so that they have the same absolute value but opposite signs.

図７Ｂに第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルを示す。図７Ｂは、図７Ａに示されるＬＴ圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。図７Ｂの上層で示される圧電定数テンソルは、第１圧電薄板１０の圧電定数テンソルであり、下層で示される圧電定数テンソルは第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルである。 Figure 7B shows the piezoelectric constant tensors of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20. Figure 7B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LT piezoelectric thin plate shown in Figure 7A. The piezoelectric constant tensor shown in the upper layer of Figure 7B is the piezoelectric constant tensor of the first piezoelectric thin plate 10, and the piezoelectric constant tensor shown in the lower layer is the piezoelectric constant tensor of the second piezoelectric thin plate 20.

図７Ｂに示すように、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数ｅ１１は、同じ値であり、かつ、この２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６、ｅ３４は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角となっている。 As shown in FIG. 7B, the piezoelectric constant e11 of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are the same value, and the piezoelectric constants e16 and e34 of these two piezoelectric thin plates have Euler angles with the same absolute value and opposite signs.

この第２実施形態について、実施例２としてＦＥＭ解析を実施した。ＦＥＭ解析により、この構造で励振されうるすべて伝搬モードの応答が現れるが、Ｓ_０モードに着目して検討した。また、図７Ａにおいて接合基板３０が２つに分割されておらず、第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０の両方が第１圧電薄板と同じもの（圧電定数、オイラー角、寸法）、言い換えると第１圧電薄板１０の厚みが２倍になったものについても比較例２として共振特性のＦＥＭ解析を行った。 FEM analysis was performed on this second embodiment as Example 2. Although the FEM analysis revealed responses of all propagation modes that can be excited by this structure, the _S0 mode was the focus of the study. In addition, FEM analysis of the resonance characteristics was performed as Comparative Example 2 for a case in which the bonding substrate 30 in FIG. 7A is not divided into two, and both the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are the same as the first piezoelectric thin plate (piezoelectric constants, Euler angles, dimensions), in other words, the thickness of the first piezoelectric thin plate 10 is twice as thick.

このＦＥＭ解析結果を図８に示す。図８に示すように、比較例２においては、３３００ｍ／ｓ近辺にあるスプリアスが、実施例２では完全に消えている。また、実施例では、５８００ｍ／ｓ近辺にある必要な共振モードであるＳ_０モードは、ほぼそのまま存在している。 The results of this FEM analysis are shown in Fig. 8. As shown in Fig. 8, the spurious around 3300 m/s in Comparative Example 2 has completely disappeared in Example 2. Also, in the Example, the _S0 mode, which is a necessary resonant mode around 5800 m/s, remains almost unchanged.

このように圧電薄板を２層構造にして、スプリアスとなる不要な振動モードに関係するそれぞれの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように２つの圧電薄板のオイラー角を設定することにより、スプリアスを低減させることができるとともに、必要な共振モードはそのまま残すことができる。 In this way, by forming the piezoelectric thin plate into a two-layer structure and setting the Euler angles of the two piezoelectric thin plates so that the piezoelectric constants of each piezoelectric thin plate related to the unwanted vibration modes that cause spurious noise have the same absolute value but opposite signs, spurious noise can be reduced while the necessary resonant modes remain intact.

ここで、ＦＥＭ解析は、第１圧電薄板１０のオイラー角は、(９０°，９０°，３１°)、第２圧電薄板２０のオイラー角は、(９０°，－９０°，－３１°)で行ったが、圧電薄板のうち一方の圧電薄板のオイラー角が(９０°，９０°，ψ)（ψは任意の角度）であるとすると、他方の圧電薄板のオイラー角は、(９０°，－９０°，－ψ)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角の圧電薄板であっても、ＦＥＭ解析は同じ結果となる。 Here, the FEM analysis was performed with the Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 being (90°, 90°, 31°) and the Euler angles of the second piezoelectric thin plate 20 being (90°, -90°, -31°), but if the Euler angles of one of the piezoelectric thin plates are (90°, 90°, ψ) (ψ is an arbitrary angle), the FEM analysis will give the same results even if the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (90°, -90°, -ψ) or if the piezoelectric thin plate has Euler angles that are crystallographically equivalent to these.

＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態について図面を参照して説明する。図９Ａは、第３実施形態の概略断面図である。第３実施形態は、図２Ａで示される第１実施形態とほとんど同じであるので、同じ所の説明は省略し、異なる所だけ説明する。 Third Embodiment
A third embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 9A is a schematic cross-sectional view of the third embodiment. The third embodiment is almost the same as the first embodiment shown in Fig. 2A, so a description of the same parts will be omitted and only the differences will be described.

図９Ａを参照して、第３実施形態の弾性波デバイスは、オイラー角表示で（０°，１００°，０°）で表せる１０°回転ＹカットＸ伝搬ＬＮで形成された第１圧電薄板１０と、オイラー角表示で（０°，２８０°，１８０°）で表せるカット方位のＬＮで形成された第２圧電薄板２０とを備えている。 Referring to FIG. 9A, the acoustic wave device of the third embodiment includes a first piezoelectric thin plate 10 formed with a 10° rotation Y-cut X-propagation LN that can be expressed in Euler angle notation as (0°, 100°, 0°), and a second piezoelectric thin plate 20 formed with LN with a cut orientation that can be expressed in Euler angle notation as (0°, 280°, 180°).

第１圧電薄板１０の厚みｈ_１及び第２圧電薄板２０の厚みｈ_２は、接合基板３０に伝搬させる弾性波の波長をλとしたとき、ｈ_１／λ＝０．０２５、ｈ_２／λ＝０．０２５である。言い換えると、厚みｈ_１、ｈ_２は、どちらも波長λの２．５％と設定した。 The thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate 10 and the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate 20 are _h1 /λ=0.025 and _h2 /λ=0.025, respectively, where λ is the wavelength of the elastic wave propagated to the bonding substrate 30. In other words, the thicknesses _h1 and _h2 are both set to 2.5% of the wavelength λ.

具体的には、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０は、圧電定数ｅ１６が同じ値であり、かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するように前記２つの圧電薄板のオイラー角を選んだ。 Specifically, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 have the same piezoelectric constant e16, and the Euler angles of the two piezoelectric thin plates were selected so that the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the two piezoelectric thin plates are the same but have opposite signs.

このように圧電定数ｅ１６が同じ値であり、かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するオイラー角の組み合わせとしては、φ、θを任意の角度とすると、(φ,θ,０°)と、(φ,θ±１８０°,０°±１８０°)の組み合わせがある。よって、この組み合わせか、またはこの組み合わせと結晶学的に等価なオイラー角であれば、後述するＦＥＭ解析結果は同じものになる。 In this way, the combinations of Euler angles where the piezoelectric constant e16 is the same value and the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the two piezoelectric thin plates are the same but have inverted signs are (φ, θ, 0°) and (φ, θ ±180°, 0° ±180°), where φ and θ are arbitrary angles. Therefore, this combination, or any Euler angle that is crystallographically equivalent to this combination, will produce the same results in the FEM analysis described below.

図９Ｂに第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルを示す。図９Ｂは、図９Ａに示されるＬＮ圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。図９Ｂの上層で示される圧電定数テンソルは、第１圧電薄板１０の圧電定数テンソルであり、下層で示される圧電定数テンソルは第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルである。 Figure 9B shows the piezoelectric constant tensors of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20. Figure 9B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LN piezoelectric thin plate shown in Figure 9A. The piezoelectric constant tensor shown in the upper layer of Figure 9B is the piezoelectric constant tensor of the first piezoelectric thin plate 10, and the piezoelectric constant tensor shown in the lower layer is the piezoelectric constant tensor of the second piezoelectric thin plate 20.

図９Ｂに示すように、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数ｅ１６は、同じ値であり、かつ、この２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角となっている。 As shown in FIG. 9B, the piezoelectric constant e16 of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are the same value, and the piezoelectric constants e31 and e15 of these two piezoelectric thin plates have Euler angles with the same absolute value and opposite signs.

この第３実施形態について、実施例３としてＦＥＭ解析を実施した。ＦＥＭ解析により、この構造で励振されうるすべて伝搬モードの応答が現れるが、ＳＨ板波に着目して検討した。また、図９Ａにおいて接合基板３０が２つに分割されておらず、第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０の両方が第１圧電薄板と同じもの（圧電定数、オイラー角、寸法）、言い換えると第１圧電薄板１０の厚みが２倍になったものについても比較例３として共振特性のＦＥＭ解析を行った。 FEM analysis was performed on this third embodiment as Example 3. The FEM analysis revealed responses for all propagation modes that can be excited by this structure, but the study focused on SH plate waves. In addition, FEM analysis of the resonance characteristics was performed as Comparative Example 3 for a case in which the bonding substrate 30 in FIG. 9A is not divided into two, and both the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are the same as the first piezoelectric thin plate (piezoelectric constants, Euler angles, dimensions), in other words, the thickness of the first piezoelectric thin plate 10 is twice as thick.

このＦＥＭ解析結果を図１０に示す。図１０に示すように、比較例３において、５０００ｍ／ｓ及び６７００ｍ／ｓ近辺にあるスプリアスが、実施例３ではほぼ消えている。また、実施例３では、３４００ｍ／ｓ近辺にある必要な共振モードであるＳＨモードは、そのまま存在している。 The results of this FEM analysis are shown in Figure 10. As shown in Figure 10, the spurious noise near 5000 m/s and 6700 m/s in Comparative Example 3 has almost disappeared in Example 3. Also, in Example 3, the SH mode, which is a necessary resonant mode near 3400 m/s, remains as it is.

このように圧電薄板を２層構造にして、それぞれの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように２つの圧電薄板のオイラー角を設定することにより、スプリアスを低減させることができるとともに、必要な共振モードはそのまま残すことができる。 In this way, by forming a two-layer structure of piezoelectric thin plates and setting the Euler angles of the two piezoelectric thin plates so that the piezoelectric constants of each piezoelectric thin plate have the same absolute value but opposite signs, it is possible to reduce spurious signals while leaving the necessary resonant modes intact.

ここで、ＦＥＭ解析は、第１圧電薄板１０のオイラー角は、(０°，１００°，０°)、第２圧電薄板２０のオイラー角は、(０°，２８０°，１８０°)で行ったが、圧電定数ｅ１６が同じ値であり、かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するオイラー角の組み合わせでもＦＥＭ解析は同じ結果となる。 Here, the FEM analysis was performed with the Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 being (0°, 100°, 0°) and the Euler angles of the second piezoelectric thin plate 20 being (0°, 280°, 180°), but the FEM analysis also produced the same results when the piezoelectric constant e16 was the same value and the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the two piezoelectric thin plates were the same but the signs were reversed for the Euler angle combinations.

即ち、圧電薄板のうち一方の圧電薄板のオイラー角が(φ，θ，０°)（φ、θは任意の角度）であるとすると、他方の圧電薄板のオイラー角は、(φ，θ±１８０°，０°±１８０°)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角の圧電薄板であっても、ＦＥＭ解析は同じ結果となる。 In other words, if the Euler angles of one of the piezoelectric thin plates are (φ, θ, 0°) (φ and θ are arbitrary angles), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate will be (φ, θ ±180°, 0° ±180°), or the FEM analysis will produce the same results even if the other piezoelectric thin plate has Euler angles that are crystallographically equivalent to these.

また、ＦＥＭ解析は、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０は、ニオブ酸リチウムで行ったが、ニオブ酸リチウムとタンタル酸リチウムは、結晶対称性が同一なのでタンタル酸リチウムにおいても同様な結果となり、更に、これらと結晶学的に等価なオイラー角であっても同様の結果となる。 FEM analysis was performed using lithium niobate for the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20, but because lithium niobate and lithium tantalate have the same crystal symmetry, similar results were obtained for lithium tantalate, and furthermore, similar results were obtained for Euler angles that are crystallographically equivalent to these.

＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態について図面を参照して説明する。図１１は、第４実施形態の概略断面図である。第４実施形態は、図２Ａで示される第１実施形態と同じ所の説明は省略し、異なる所を説明する。 Fourth Embodiment
A fourth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 11 is a schematic cross-sectional view of the fourth embodiment. In the fourth embodiment, the description of the same points as in the first embodiment shown in Fig. 2A will be omitted, and only the differences will be described.

図１１を参照して、第４実施形態の弾性波デバイスは、伝搬ＬＮ（ニオブ酸リチウム）で形成された第１圧電薄板１０及び第２圧電薄板２０と、支持基板６０である水晶基板と、電極４０とを備えている。 Referring to FIG. 11, the acoustic wave device of the fourth embodiment includes a first piezoelectric thin plate 10 and a second piezoelectric thin plate 20 formed of propagation LN (lithium niobate), a quartz substrate serving as a support substrate 60, and an electrode 40.

接合基板３０は、第１圧電薄板１０と、第２圧電薄板２０とで形成され、第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０、水晶基板の順番に配置され、接合されている。 The bonding substrate 30 is formed of a first piezoelectric thin plate 10 and a second piezoelectric thin plate 20, which are arranged and bonded in the order of the first piezoelectric thin plate 10, the second piezoelectric thin plate 20, and the quartz substrate.

電極４０は、アルミニウムであり、第１圧電薄板１０上に形成され、その厚みｈ_Ａｌは、アルミニウムに弾性波を伝搬させたときの波長をλ_Ａｌとしたとき、ｈ_Ａｌ／λ_Ａｌ＝０．０３となる値、即ち、弾性波が接合基板を伝搬したときの波長の３％の値とした。 The electrode 40 is made of aluminum and is formed on the first piezoelectric thin plate 10. The thickness _hAl of the electrode 40 is set to a value such that _hAl / _λAl =0.03, where _λAl is the wavelength when an elastic wave is propagated through the aluminum, that is, 3% of the wavelength when the elastic wave propagates through the bonded substrate.

第１圧電薄板１０の厚みｈ_１及び第２圧電薄板２０の厚みｈ_２は、接合基板３０に伝搬させる弾性波の波長をλとしたとき、ｈ_１／λ＝０．０５、ｈ_２／λ＝０．１５である。また、水晶基板５０の厚みは、弾性波の波長をλとしたとき１０λとなる。 The thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate 10 and the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate 20 are _h1 /λ=0.05 and _h2 /λ=0.15, respectively, where λ is the wavelength of the elastic wave propagated to the bonding substrate 30. The thickness of the quartz substrate 50 is 10λ, where λ is the wavelength of the elastic wave.

第１圧電薄板１０のオイラー角は、(０°，１００°，０°)であり、第２圧電薄板２０のオイラー角は、(０°，２８０°，１８０°)である。また、水晶基板５０のオイラー角は、（０°，１２５°，９０°）である。 The Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 are (0°, 100°, 0°), and the Euler angles of the second piezoelectric thin plate 20 are (0°, 280°, 180°). The Euler angles of the quartz substrate 50 are (0°, 125°, 90°).

ここで、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０は、第３実施形態と同じ圧電定数のものを使用しており、圧電定数ｅ１６が同じ値であり、かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角となっている。 Here, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 have the same piezoelectric constant as in the third embodiment, the piezoelectric constant e16 is the same value, and the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the two piezoelectric thin plates are the same but have Euler angles with opposite signs.

図９Ｂは、第４実施形態の第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルの図でもある。即ち、図９Ｂは、図１１に示されるＬＮ圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図でもある。図９Ｂの上層で示される圧電定数テンソルは、第１圧電薄板１０の圧電定数テンソルであり、下層で示される圧電定数テンソルは第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルである。 Figure 9B is also a diagram of the piezoelectric constant tensors of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 of the fourth embodiment. That is, Figure 9B is also a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LN piezoelectric thin plate shown in Figure 11. The piezoelectric constant tensor shown in the upper layer of Figure 9B is the piezoelectric constant tensor of the first piezoelectric thin plate 10, and the piezoelectric constant tensor shown in the lower layer is the piezoelectric constant tensor of the second piezoelectric thin plate 20.

ここで、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０は、ニオブ酸リチウムであり、支持基板６０は水晶基板なので、支持基板６０の音速は、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の音速よりも速いことになる。 Here, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are lithium niobate, and the support substrate 60 is a quartz substrate, so the sound velocity in the support substrate 60 is faster than the sound velocity in the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20.

この第４実施形態について、実施例４としてＦＥＭ解析を実施した。ＦＥＭ解析により、この構造で励振されうるすべて伝搬モードの応答が現れるが、ＳＨ波型漏洩弾性表面波（Ｌ－ＳＡＷ）に着目して検討した。第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の弾性波の波長を１０μｍとした。 FEM analysis was performed on this fourth embodiment as Example 4. The FEM analysis revealed responses for all propagation modes that can be excited by this structure, but the analysis focused on SH-wave type leaky surface acoustic waves (L-SAW). The wavelength of the elastic waves of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 was set to 10 μm.

また、比較例４として、図１１において接合基板３０が２つに分割されておらず、第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０の両方が第１圧電薄板と同じもの（圧電定数、オイラー角、寸法）言い換えると第１圧電薄板１０の厚みがｈ_１／λ＝０．２０になり、第２圧電薄板２０の厚みが０になったものについても共振特性のＦＥＭ解析を行った。 As a comparative example 4, an FEM analysis of the resonance characteristics was also performed for a case in which the bonding substrate 30 in FIG. 11 was not divided into two, and both the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 were the same as the first piezoelectric thin plate (piezoelectric constants, Euler angles, dimensions), in other words, the thickness of the first piezoelectric thin plate 10 was _h1 /λ=0.20, and the thickness of the second piezoelectric thin plate 20 was 0.

このＦＥＭ解析結果を図１２、図１３に示す。図１２は、実施例４のＦＥＭ解析結果であり、図１３は、比較例４のＦＥＭ解析結果である。図１２に示すように、実施例４では、４０００ｍ／ｓ近辺にある必要な共振モードであるＬ－ＳＡＷのモードは存在しているが、スプリアスとなるそれ以外の共振モードは存在していない。 The results of this FEM analysis are shown in Figures 12 and 13. Figure 12 shows the results of the FEM analysis of Example 4, and Figure 13 shows the results of the FEM analysis of Comparative Example 4. As shown in Figure 12, in Example 4, the L-SAW mode, which is the necessary resonant mode near 4000 m/s, is present, but no other resonant modes that would cause spurious noise are present.

一方、図１３に示すように、比較例４の解析結果では、３４００ｍ／ｓ近辺、及び６２５０ｍ／ｓ近辺にスプリアスが見られる。
このように、実施例４では、接合基板３０の下面（電極４０の無い側の面）に支持基板６０が接合されているので、第１実施形態から第３実施形態とは異なり、接合基板３０の上面、下面の対称性が崩れ、支持基板の中にも振動が漏れる。 On the other hand, as shown in FIG. 13, in the analysis result of Comparative Example 4, spurious signals are observed near 3400 m/s and near 6250 m/s.
In this manner, in Example 4, the support substrate 60 is bonded to the lower surface (the surface without the electrode 40) of the bonding substrate 30. Therefore, unlike the first to third embodiments, the symmetry of the upper and lower surfaces of the bonding substrate 30 is lost, and vibrations leak into the support substrate.

そのため、接合基板３０を第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０とに分割する割合をそれに応じて変えることにより、スプリアスを低減させることができる。 Therefore, by changing the ratio at which the bonded substrate 30 is divided into the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 accordingly, spurious noise can be reduced.

即ち、スプリアスとなる不要な振動モードに関係するそれぞれの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように２つの圧電薄板のオイラー角を設定し、かつ、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の厚みの割合を調整することにより、支持基板６０を接合してもスプリアスを低減させることができる。 In other words, by setting the Euler angles of the two piezoelectric thin plates so that the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates related to the unwanted vibration modes that cause spurious noise have the same absolute value but opposite signs, and by adjusting the ratio of the thicknesses of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20, spurious noise can be reduced even when the support substrate 60 is joined.

ここで、音速の速い支持基板とは、例えば、Ｓｉ、水晶、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ダイヤモンド、あるいは水晶、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ダイヤモンドから選択されるいずれかが成膜されたＳｉ基板がある。 Here, the support substrate with a high sound velocity is, for example, Si, quartz crystal, sapphire, SiC, SiO ₂ , diamond, or a Si substrate on which any one selected from quartz crystal, sapphire, SiC, SiO ₂ , and diamond is formed.

＜第５実施形態＞
本発明の第５実施形態について図面を参照して説明する。図１４Ａは、第５実施形態の概略断面図である。第５実施形態は、図１１で示される第４実施形態と同じ所の説明は省略し、異なる所を説明する。 Fifth Embodiment
A fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. Fig. 14A is a schematic cross-sectional view of the fifth embodiment. In the fifth embodiment, the description of the same points as in the fourth embodiment shown in Fig. 11 will be omitted, and only the differences will be described.

図１４Ａを参照して、第５実施形態の弾性波デバイスは、ＸカットＹ伝搬ＬＮ（ニオブ酸リチウム）で形成された第１圧電薄板１０及び第２圧電薄板２０と、支持基板６０であるダイヤモンド基板と、電極４０とを備えている。ダイヤモンド基板は、アモルファスのダイヤモンドで形成されている。 Referring to FIG. 14A, the acoustic wave device of the fifth embodiment includes a first piezoelectric thin plate 10 and a second piezoelectric thin plate 20 formed of X-cut Y-propagation LN (lithium niobate), a diamond substrate serving as a support substrate 60, and an electrode 40. The diamond substrate is formed of amorphous diamond.

接合基板３０は、第１圧電薄板１０と、第２圧電薄板２０とで形成され、第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０、ダイヤモンドの順番に配置され、接合されている。 The bonding substrate 30 is formed of a first piezoelectric thin plate 10 and a second piezoelectric thin plate 20, and is bonded in the following order: first piezoelectric thin plate 10, second piezoelectric thin plate 20, diamond.

電極４０は、アルミニウムであり、第１圧電薄板１０上に形成され、その厚みｈ_Ａｌは、アルミニウムに弾性波を伝搬させたときの波長をλ_Ａｌをとしたとき、ｈ_Ａｌ／λ_Ａｌ＝０．０３となる値、即ち、弾性波が接合基板を伝搬したときの波長の３％の値とした。 The electrode 40 is made of aluminum and is formed on the first piezoelectric thin plate 10. The thickness _hAl of the electrode 40 is set to a value such that _hAl / _λAl =0.03, where _λAl is the wavelength when an elastic wave is propagated through the aluminum, that is, 3% of the wavelength when the elastic wave propagates through the bonded substrate.

第１圧電薄板１０の厚みｈ_１及び第２圧電薄板２０の厚みｈ_２は、接合基板３０に伝搬させる弾性波の波長をλとしたとき、ｈ_１／λ＝０．１０、ｈ_２／λ＝０．２０である。また、ダイヤモンド基板の厚みは、弾性波の波長をλとしたとき１０λとなる。 The thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate 10 and the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate 20 are _h1 /λ=0.10 and _h2 /λ=0.20, respectively, where λ is the wavelength of the elastic wave propagated to the bonding substrate 30. The thickness of the diamond substrate is 10λ, where λ is the wavelength of the elastic wave.

図１４Ｂに第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルを示す。図１４Ｂは、図１４Ａに示されるＬＮ圧電薄板の圧電定数テンソルを示す図である。図１４Ｂの上層で示される圧電定数テンソルは、第１圧電薄板１０の圧電定数テンソルであり、下層で示される圧電定数テンソルは第２圧電薄板２０の圧電定数テンソルである。 Figure 14B shows the piezoelectric constant tensors of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20. Figure 14B is a diagram showing the piezoelectric constant tensor of the LN piezoelectric thin plate shown in Figure 14A. The piezoelectric constant tensor shown in the upper layer of Figure 14B is the piezoelectric constant tensor of the first piezoelectric thin plate 10, and the piezoelectric constant tensor shown in the lower layer is the piezoelectric constant tensor of the second piezoelectric thin plate 20.

図１４Ｂに示すように、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の圧電定数ｅ１６は、同じ値であり、かつ、この２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３４、ｅ１６は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角となっている。 As shown in FIG. 14B, the piezoelectric constant e16 of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are the same value, and the piezoelectric constants e34 and e16 of these two piezoelectric thin plates have Euler angles with the same absolute value and opposite signs.

具体的には、第１圧電薄板１０のオイラー角は、(９０°，９０°，３６°)であり、第２圧電薄板２０のオイラー角は、(９０°，－９０°，－３６°)である。 Specifically, the Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 are (90°, 90°, 36°), and the Euler angles of the second piezoelectric thin plate 20 are (90°, -90°, -36°).

ここで、上記オイラー角は、一方の圧電薄板のオイラー角が（９０°，９０°，ψ）（ψは任意の角度）であるとすると、他方の圧電薄板のオイラー角が（９０°，－９０°，－ψ）であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であれば、ＦＥＭ解析結果は同様のものとなる。 Here, if the Euler angles of one piezoelectric thin plate are (90°, 90°, ψ) (ψ is an arbitrary angle), and the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (90°, -90°, -ψ) or are crystallographically equivalent to these, the FEM analysis results will be similar.

ここで、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０は、ニオブ酸リチウムであり、支持基板６０はダイヤモンド基板なので、支持基板６０の音速は、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の音速よりも速いことになる。 Here, the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 are lithium niobate, and the support substrate 60 is a diamond substrate, so the sound velocity in the support substrate 60 is faster than the sound velocity in the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20.

この第５実施形態について、実施例５としてＦＥＭ解析を実施した。ＦＥＭ解析により、この構造で励振されうるすべて伝搬モードの応答が現れるが、縦波型漏洩弾性表面波［ＬＬ－ＳＡＷ（Ｌｏｎｇｉｔｕｄｉｎａｌ－ｔｙｐｅＬｅａｋｙＳＡＷ）］に着目して検討した。第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の弾性波の波長を１０μｍとした。 FEM analysis was performed on this fifth embodiment as Example 5. The FEM analysis revealed responses for all propagation modes that can be excited by this structure, but the focus of the study was on longitudinal-type leaky surface acoustic waves (LL-SAW). The wavelength of the elastic waves of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 was set to 10 μm.

また、比較例５として、図１４Ａにおいて接合基板３０が２つに分割されておらず、第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０の両方が第１圧電薄板と同じもの（圧電定数、オイラー角、寸法）言い換えると第１圧電薄板１０の厚みがｈ_１／λ＝０．３０になり、第２圧電薄板２０の厚みが０になったものについても共振特性のＦＥＭ解析を行った。 As comparative example 5, an FEM analysis of the resonance characteristics was also performed on a sample in which the bonding substrate 30 in FIG. 14A was not divided into two, and both the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 were the same as the first piezoelectric thin plate (piezoelectric constants, Euler angles, dimensions), in other words, the thickness of the first piezoelectric thin plate 10 was _h1 /λ=0.30, and the thickness of the second piezoelectric thin plate 20 was 0.

このＦＥＭ解析結果を図１５、図１６に示す。図１５は、実施例５のＦＥＭ解析結果であり、図１６は、比較例５のＦＥＭ解析結果である。図１６に示すように、比較例５の解析結果では、６５００ｍ／ｓ近辺以外の所に多くのスプリアスが見られる。 The results of this FEM analysis are shown in Figures 15 and 16. Figure 15 shows the results of the FEM analysis of Example 5, and Figure 16 shows the results of the FEM analysis of Comparative Example 5. As shown in Figure 16, in the analysis results of Comparative Example 5, many spurious signals are seen in areas other than the vicinity of 6500 m/s.

しかしながら、図１５に示すように、実施例５では、６５００ｍ／ｓ近辺にある必要な共振モードは減衰していないが、スプリアスとなるそれ以外の共振モードは消滅するか、大きく減衰している。 However, as shown in FIG. 15, in Example 5, the necessary resonant mode near 6500 m/s is not attenuated, but other resonant modes that are spurious either disappear or are greatly attenuated.

このように、実施例５では実施例４と同様に接合基板３０の下面（電極４０の無い側の面）に支持基板６０が接合されているので、第１実施形態から第３実施形態とは異なり、接合基板３０の上面、下面の対称性が崩れ、支持基板の中にも振動が漏れる。 In this way, in Example 5, as in Example 4, the support substrate 60 is bonded to the bottom surface (the surface without the electrode 40) of the bonded substrate 30, and therefore, unlike the first to third embodiments, the symmetry of the top and bottom surfaces of the bonded substrate 30 is lost, and vibrations leak into the support substrate.

即ち、スプリアスとなる不要な振動モードに関係するそれぞれの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように２つの圧電薄板のオイラー角を設定し、かつ、第１圧電薄板１０と第２圧電薄板２０の厚みの割合を調整することにより、支持基板６０を接合してもスプリアスを低減させることができる。 In other words, by setting the Euler angles of the two piezoelectric thin plates so that the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates related to the unwanted vibration modes that cause spurious noise have the same absolute value but opposite signs, and by adjusting the ratio of the thicknesses of the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20, spurious noise can be reduced even when the support substrate 60 is bonded.

ここで、音速の速い支持基板とは、例えば、Ｓｉ基板、水晶基板、サファイア基板、ＳｉＣ基板、ＳｉＯ_２基板、ダイヤモンド基板、あるいは水晶、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ダイヤモンドから選択されるいずれかが成膜されたＳｉ基板がある。 Here, the support substrate with a high sound velocity is, for example, a Si substrate, a quartz substrate, a sapphire substrate, a _SiC substrate, a SiO2 substrate, a diamond substrate, or a Si substrate on which any one selected from quartz, sapphire, SiC, _SiO2 , and diamond is formed.

ここで、ＦＥＭ解析は、第１圧電薄板１０のオイラー角は、(９０°，９０°，３６°)、第２圧電薄板２０のオイラー角は、(９０°，－９０°，－３６°)で行ったが、以下の（１）～（３）のオイラー角の組み合わせか、または、（１）～（３）のオイラー角の組み合わせと結晶学的に等価なオイラー角の組み合わせの圧電薄板であってもＦＥＭ解析は同じ結果となる。（φ、θ、ψは任意の角度）
（１）一方の圧電薄板のオイラー角 (φ,９０°,ψ)
他方の圧電薄板のオイラー角 (φ,－９０°,－ψ)
（２）一方の圧電薄板のオイラー角 (９０°,θ,ψ)
他方の圧電薄板のオイラー角（９０°,－θ,－ψ)
（３）一方の圧電薄板のオイラー角（９０°，９０°，ψ）
他方の圧電薄板のオイラー角 (９０°,－９０°,－ψ) Here, the FEM analysis was performed with the Euler angles of the first piezoelectric thin plate 10 being (90°, 90°, 36°) and the Euler angles of the second piezoelectric thin plate 20 being (90°, -90°, -36°), but the FEM analysis will produce the same results even if the piezoelectric thin plate has any of the Euler angle combinations (1) to (3) below, or any combination of Euler angles that are crystallographically equivalent to the Euler angle combinations (1) to (3). (φ, θ, ψ are arbitrary angles.)
(1) Euler angle of one piezoelectric plate (φ, 90°, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (φ, -90°, -ψ)
(2) Euler angle of one piezoelectric plate (90°, θ, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (90°, -θ, -ψ)
(3) Euler angles of one piezoelectric thin plate (90°, 90°, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (90°, -90°, -ψ)

また、実施例５では、第１圧電薄板の厚さｈ_１と第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率は、ｈ_１：ｈ_２＝１：２であるが、この厚さの比率を調整することにより、スプリアスとなる不要な振動モードを励振しないようにすることができる。 In addition, in Example 5, the ratio of the thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate to the thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate is _h1 : _h2 = 1:2, and by adjusting this thickness ratio, it is possible to prevent excitation of unnecessary vibration modes that become spurious.

なお、本発明の第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０は、薄板という表現を使用しているが、ＣＶＤやスパッタにより成膜した膜や、その他、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー、液相成長法等の結晶成長法を用いて成膜した膜を第１圧電薄板１０、第２圧電薄板２０として用いることもできることは言うまでも無い。 Although the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20 of the present invention are referred to as thin plates, it goes without saying that films formed by CVD or sputtering, or films formed using other crystal growth methods such as metal organic vapor phase epitaxy, molecular beam epitaxy, and liquid phase epitaxy, can also be used as the first piezoelectric thin plate 10 and the second piezoelectric thin plate 20.

１０第１圧電薄板
２０第２圧電薄板
３０接合基板
４０電極
５０下部電極
６０支持基板 10 First piezoelectric thin plate 20 Second piezoelectric thin plate 30 Bonding substrate 40 Electrode 50 Lower electrode 60 Support substrate

Claims

２つの圧電薄板の層を有する接合基板と、
前記接合基板の上に形成された電極と、を備え、
前記２つの圧電薄板は、同じ材料で形成され、
使用する振動モードに関係する前記２つの圧電薄板の圧電定数が同一であり、
スプリアスとなる不要な振動モードに関係する前記２つの圧電薄板の圧電定数は、絶対値が同じで符号が反転するように、前記２つの圧電薄板のオイラー角が選ばれている弾性波デバイス。 a bonding substrate having two piezoelectric thin plate layers;
an electrode formed on the bonding substrate;
The two piezoelectric plates are made of the same material;
The piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates related to the vibration mode to be used are the same,
An elastic wave device in which the Euler angles of the two piezoelectric thin plates are selected so that the piezoelectric constants of the two piezoelectric thin plates related to unwanted vibration modes that become spurious have the same absolute value but opposite signs.

前記２つの圧電薄板は、使用する振動モードがＬａｍｂ波であり、
かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１１は、同じ値であり、
かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６、ｅ３４は、絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角である請求項１に記載の弾性波デバイス。 The two piezoelectric thin plates use a Lamb wave vibration mode,
Furthermore, the piezoelectric constants e11 of the two piezoelectric thin plates are the same value,
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the piezoelectric constants e16 and e34 of the two piezoelectric thin plates are Euler angles having the same absolute value but opposite signs.

前記２つの圧電薄板の厚さが同一である請求項２に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device of claim 2, wherein the thicknesses of the two piezoelectric thin plates are the same.

前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板のうち一方の圧電薄板のオイラー角を(９０°,９０°,ψ)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(９０°,-９０°,-ψ)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角である請求項２に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 2, wherein the two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or lithium tantalate, and when the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates are (90°, 90°, ψ), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (90°, -90°, -ψ) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.

使用する振動モードがＳＨ波であり、
前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、
かつ、前記２つの圧電薄板は、圧電定数ｅ１６が同じ値であり、
かつ、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するように前記２つの圧電薄板のオイラー角が選ばれている請求項１に記載の弾性波デバイス。 The vibration mode used is SH wave,
The two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or lithium tantalate,
Furthermore, the two piezoelectric thin plates have the same piezoelectric constant e16,
2. The acoustic wave device according to claim 1, wherein the Euler angles of the two piezoelectric thin plates are selected so that the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the two piezoelectric thin plates are the same but have opposite signs.

前記２つの圧電薄板の厚さが同一である請求項５に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device of claim 5, wherein the thicknesses of the two piezoelectric thin plates are the same.

前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはいずれもタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板のうち一方のオイラー角を(０°,１００°,０°)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(０°,２８０°,１８０°)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であることを特徴とする請求項３に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 3, characterized in that the two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or both lithium tantalate, and when the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates are (0°, 100°, 0°), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (0°, 280°, 180°) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.

前記２つの圧電薄板は、第１圧電薄板と第２圧電薄板であり、
前記接合基板は、前記第１圧電薄板、前記第２圧電薄板とで構成され、
前記接合基板を支持する支持基板を備え、
前記第１圧電薄板、前記第２圧電薄板、前記支持基板の順に層を形成し、
前記支持基板の音速は、前記第１圧電薄板、前記第２圧電薄板の音速よりも速いことを特徴とする請求項１に記載の弾性波デバイス。 The two piezoelectric thin plates are a first piezoelectric thin plate and a second piezoelectric thin plate,
the bonding substrate is composed of the first piezoelectric thin plate and the second piezoelectric thin plate,
a support substrate for supporting the bonded substrate;
forming layers in the order of the first piezoelectric thin plate, the second piezoelectric thin plate, and the support substrate;
2 . The acoustic wave device according to claim 1 , wherein the sound velocity in the support substrate is faster than the sound velocity in the first piezoelectric thin plate and the sound velocity in the second piezoelectric thin plate.

前記支持基板は、Ｓｉ、水晶、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ダイヤモンド、あるいは水晶、サファイア、ＳｉＣ、ＳｉＯ_２、ダイヤモンドから選択されるいずれかが成膜されたＳｉ基板である請求項８に記載の弾性波デバイス。 9. The acoustic wave device according to claim 8, wherein the support substrate is a Si substrate made of Si, quartz crystal, sapphire, SiC, _SiO2 , diamond, or a Si substrate on which a film of any one selected from quartz crystal, sapphire, SiC, _SiO2 , and diamond has been formed.

使用するＳＡＷモードがＬＬ－ＳＡＷの場合において、
前記２つの圧電薄板は、圧電定数ｅ１１が同じ値となり、圧電定数ｅ１６、ｅ３４が絶対値が同じで符号が反転するようなオイラー角である請求項８に記載の弾性波デバイス。 When the SAW mode used is LL-SAW,
9. The acoustic wave device according to claim 8, wherein the two piezoelectric thin plates have Euler angles such that the piezoelectric constant e11 is the same value, and the piezoelectric constants e16 and e34 have the same absolute value but opposite signs.

前記２つの圧電薄板は、ニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、
前記２つの圧電薄板のうち一方の圧電薄板のオイラー角と、他方の圧電薄板のオイラー角の組み合わせが、下記（１）～（３）の何れか一つであるか、または、下記（１）～（３）のいずれか一つと結晶学的に等価なオイラー角である請求項１０に記載の弾性波デバイス。
（１）一方の圧電薄板のオイラー角 (φ,９０°,ψ)
他方の圧電薄板のオイラー角 (φ,－９０°,－ψ)
（２）一方の圧電薄板のオイラー角 (９０°,θ,ψ)
他方の圧電薄板のオイラー角（９０°,－θ,－ψ)
（３）一方の圧電薄板のオイラー角（９０°，９０°，ψ）
他方の圧電薄板のオイラー角 (９０°,－９０°,－ψ) The two piezoelectric sheets are lithium niobate or lithium tantalate;
The elastic wave device of claim 10, wherein a combination of the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates and the Euler angles of the other piezoelectric thin plate is any one of (1) to (3) below, or is an Euler angle that is crystallographically equivalent to any one of (1) to (3) below.
(1) Euler angle of one piezoelectric plate (φ, 90°, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (φ, -90°, -ψ)
(2) Euler angle of one piezoelectric plate (90°, θ, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (90°, -θ, -ψ)
(3) Euler angles of one piezoelectric plate (90°, 90°, ψ)
Euler angles of the other piezoelectric plate (90°, -90°, -ψ)

前記第１圧電薄板の厚さｈ_１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、スプリアスとなる不要な振動モードを励振しない比率である請求項１１に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 11 , wherein a ratio of a thickness h ₁ of the first piezoelectric thin plate to a thickness h ₂ of the second piezoelectric thin plate is a ratio that does not excite unnecessary vibration modes that become spurious.

前記第１圧電薄板の厚さｈ_１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、ｈ_１：ｈ_２＝１：２である請求項１２に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 12 , wherein a ratio of a thickness h ₁ of the first piezoelectric thin plate to a thickness h ₂ of the second piezoelectric thin plate is h ₁ :h ₂ =1:2.

使用するＳＡＷモードがＬ－ＳＡＷの場合において、
前記２つの圧電薄板は、いずれもニオブ酸リチウムか、またはタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板の圧電定数ｅ１６が同じ値であり、
前記２つの圧電薄板のオイラー角は、それぞれの前記圧電薄板の圧電定数ｅ３１、ｅ１５の絶対値が同じで符号が反転するように選ばれている請求項８に記載の弾性波デバイス。 When the SAW mode used is L-SAW,
The two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or lithium tantalate, and the piezoelectric constant e16 of the two piezoelectric thin plates is the same value;
9. The acoustic wave device according to claim 8, wherein the Euler angles of the two piezoelectric thin plates are selected so that the absolute values of the piezoelectric constants e31 and e15 of the respective piezoelectric thin plates are the same but have opposite signs.

前記第１圧電薄板と前記第２圧電薄板のうち、一方の圧電薄板のオイラー角が(φ,θ,０°)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(φ,θ±１８０°,０°±１８０°)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角である請求項８に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 8, wherein, when the Euler angles of one of the first and second piezoelectric thin plates are (φ, θ, 0°), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (φ, θ±180°, 0°±180°) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.

前記第１圧電薄板の厚さｈ_１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、スプリアスとなる不要な振動モードを励振しない比率である請求項１４に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 14 , wherein a ratio of a thickness h ₁ of the first piezoelectric thin plate to a thickness h ₂ of the second piezoelectric thin plate is a ratio that does not excite unnecessary vibration modes that become spurious.

前記第１圧電薄板の厚さｈ_１と前記第２圧電薄板の厚さｈ_２の比率が、ｈ_１：ｈ_２＝１：３である請求項１６に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 16, wherein a ratio of a thickness _h1 of the first piezoelectric thin plate to a thickness _h2 of the second piezoelectric thin plate is _h1 : _h2 =1:3.

前記２つの圧電薄板のうち、一方の圧電薄板のオイラー角と、他方の圧電薄板のオイラー角の組み合わせが、(９０°，θ，ψ)と(９０°，－θ，－ψ)の組み合わせであるか、または、(φ，９０°，ψ)と(φ，－９０°，-ψ)の組み合わせであるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角である請求項２または１０に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 2 or 10, wherein the combination of the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates and the Euler angles of the other piezoelectric thin plate is a combination of (90°, θ, ψ) and (90°, -θ, -ψ), or a combination of (φ, 90°, ψ) and (φ, -90°, -ψ), or a combination of Euler angles crystallographically equivalent to these.

前記２つの圧電薄板がいずれもニオブ酸リチウムか、またはいずれもタンタル酸リチウムであり、前記２つの圧電薄板のうち一方の圧電薄板のオイラー角を(φ,θ,０°)とすると、他方の圧電薄板のオイラー角が(φ,θ±１８０°,０°±１８０°)であるか、または、これらと結晶学的に等価なオイラー角であることを特徴とする請求項５または１４に記載の弾性波デバイス。 The acoustic wave device according to claim 5 or 14, characterized in that the two piezoelectric thin plates are both lithium niobate or both lithium tantalate, and when the Euler angles of one of the two piezoelectric thin plates are (φ, θ, 0°), the Euler angles of the other piezoelectric thin plate are (φ, θ±180°, 0°±180°) or are crystallographically equivalent to these Euler angles.