JP2024055723A

JP2024055723A - Touch sensor and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP2024055723A
Application number: JP2022205998A
Authority: JP
Inventors: チアジュイリン; シャオジエリウ; ジアンジャン; シーチャンシュウ; ジュンフアファン; メイフェンバイ; ソンシンワン; ロンユンジャン; ボーファン
Original assignee: TPK Advanced Solutions Inc
Current assignee: TPK Advanced Solutions Inc
Priority date: 2022-10-08
Filing date: 2022-12-22
Publication date: 2024-04-18
Also published as: CN117891356A; KR20240049508A

Abstract

【課題】全体の光学効果に影響を与えず、柔軟性と狭ベゼル設計の要求を満たすタッチセンサ及びタッチセンサの製造方法を提供する。【解決手段】可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡを有するタッチセンサは、基板１１０、金属ナノワイヤ層１２０及び銀層１３０を含む。金属ナノワイヤ層は、基板の主表面上に配置され、可視領域に相当する複数の電極部Ｅと周辺領域ＰＡに相当する複数の配線部Ｔを画定する。電極部は間隔をあけて配置され、配線部は電極部Ｅにそれぞれ接続され、間隔をあけて配置される。２つの隣り合う電極部は、第１のスペーサ領域Ｓ１によって間隔をあけて配置される。２つの隣り合う配線部Ｔは、第２のスペーサ領域Ｓ２によって間隔をあけて配置される。銀層１３０は、配線部Ｔに配置され、配線部Ｔと接触している。第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する基板１１０の厚さＴ１は、第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する基板１１０の厚さＴ２よりも薄い。【選択図】図１ＢA touch sensor and a method for manufacturing the touch sensor are provided that do not affect the overall optical effect and meet the requirements of flexibility and narrow bezel design. A touch sensor having a visible area VA and a peripheral area PA includes a substrate 110, a metal nanowire layer 120, and a silver layer 130. The metal nanowire layer is disposed on a main surface of the substrate and defines a plurality of electrode portions E corresponding to the visible area and a plurality of wiring portions T corresponding to the peripheral area PA. The electrode portions are disposed at intervals, and the wiring portions are respectively connected to the electrode portions E and disposed at intervals. Two adjacent electrode portions are disposed at intervals by a first spacer region S1. Two adjacent wiring portions T are disposed at intervals by a second spacer region S2. The silver layer 130 is disposed in the wiring portion T and is in contact with the wiring portion T. A thickness T1 of the substrate 110 corresponding to the first spacer region S1 is thinner than a thickness T2 of the substrate 110 corresponding to the second spacer region S2. [Selected Figure] FIG. 1B

Description

本開示は、タッチセンサ及びタッチセンサの製造方法に関する。 This disclosure relates to a touch sensor and a method for manufacturing a touch sensor.

＜関連技術の説明＞
近年、携帯電話、ノートパソコン、衛星ナビゲーションシステム、デジタルオーディオビジュアルプレーヤーなどの携帯電子製品において、ユーザーと電子機器との間の情報伝達経路として、タッチセンサが広く使われている。 Description of Related Art
2. Description of the Related Art In recent years, touch sensors have been widely used in portable electronic products, such as mobile phones, notebook computers, satellite navigation systems, and digital audiovisual players, as a channel for transmitting information between users and the electronic devices.

ナローベゼルの電子製品の需要が徐々に高まる中、業界では電子製品の曲げやすさを向上させ、電子製品のベゼルを小さくすることで、ユーザーのニーズに応えていこうとしている。一般的に、タッチセンサには、可視領域に配置されたタッチ電極と、周辺領域に配置された周辺回路を含んでおり、タッチパネルの曲げ要求から、現在、周辺回路の材料として銀ペーストが好んで使用されている。銀ペースト材料は、印刷工程を行うことで銀ペースト材料から銀層を形成し、その銀層をパターニングすることで周辺領域に周辺回路を形成することが一般的である。また、周辺領域に設計された周辺回路は、ナローベゼル製品へのタッチパネルの適用に影響を与える。そのため、周辺回路の材料に銀ペーストを使用することをベースに、全体の光学効果に影響を与えず、柔軟性と狭ベゼル設計の要求を満たすタッチセンサをどのように提供するかは、現在、検討に値する。 As the demand for narrow-bezel electronic products gradually increases, the industry is trying to meet the needs of users by improving the bendability of electronic products and reducing the bezel of electronic products. Generally, a touch sensor includes a touch electrode arranged in a visible area and a peripheral circuit arranged in a peripheral area. Due to the bending requirements of touch panels, silver paste is currently preferred as the material for the peripheral circuit. The silver paste material is generally formed by forming a silver layer from the silver paste material through a printing process, and the silver layer is patterned to form a peripheral circuit in the peripheral area. In addition, the peripheral circuit designed in the peripheral area will affect the application of touch panels to narrow-bezel products. Therefore, based on using silver paste as the material for the peripheral circuit, how to provide a touch sensor that meets the requirements of flexibility and narrow bezel design without affecting the overall optical effect is currently worth considering.

＜概要＞
本開示のいくつかの実施形態によると、可視領域と、可視領域の少なくとも一方の側に隣り合う周辺領域を有するタッチセンサは、基板、金属ナノワイヤ層、及び銀層を含む。金属ナノワイヤ層は基板の主表面に配置される。金属ナノワイヤ層は、可視領域に相当する複数の電極部と、周辺領域に相当する複数の配線部を画定する。電極部は間隔をあけて配置され、配線部は電極部にそれぞれ接続され間隔をあけて配置される。電極部の２つの隣り合う電極部は第１のスペーサ領域によって間隔をあけて配置され、配線部の２つの隣り合う配線部は第２のスペーサ領域によって間隔をあけて配置される。銀層は配線部に配置され、配線部と接触している。第１のスペーサ領域に相当する基板の厚さは、第２のスペーサ領域に相当する基板の厚さよりも薄い。＜Overview＞
According to some embodiments of the present disclosure, a touch sensor having a visible region and a peripheral region adjacent to at least one side of the visible region includes a substrate, a metal nanowire layer, and a silver layer. The metal nanowire layer is disposed on a main surface of the substrate. The metal nanowire layer defines a plurality of electrode portions corresponding to the visible region and a plurality of wiring portions corresponding to the peripheral region. The electrode portions are disposed at intervals, and the wiring portions are respectively connected to the electrode portions and disposed at intervals. Two adjacent electrode portions of the electrode portion are disposed at intervals by a first spacer region, and two adjacent wiring portions of the wiring portion are disposed at intervals by a second spacer region. The silver layer is disposed on the wiring portion and is in contact with the wiring portion. A thickness of the substrate corresponding to the first spacer region is less than a thickness of the substrate corresponding to the second spacer region.

本開示のいくつかの実施形態において、基板は、第１のスペーサ領域に相当する第１の表面凹部と、第２のスペーサ領域に相当する第２の表面凹部を有し、第１の表面凹部の深さが３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。 In some embodiments of the present disclosure, the substrate has a first surface recess corresponding to the first spacer region and a second surface recess corresponding to the second spacer region, and the depth of the first surface recess is 30 nm or more and 200 nm or less.

本開示のいくつかの実施形態において、基板は第１のスペーサ領域に相当する第１の表面凹部を有し、第１の表面凹部の深さが３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、周辺領域に相当する基板の主表面は実質的に平坦である。 In some embodiments of the present disclosure, the substrate has a first surface recess corresponding to the first spacer region, the first surface recess has a depth of 30 nm or more and 200 nm or less, and the main surface of the substrate corresponding to the peripheral region is substantially flat.

本開示のいくつかの実施形態において、基板は、ベース層と、ベース層上に配置された機能的コーティング層とを含み、第１の表面凹部の底部境界を画定するための底面がベース層の表面である。 In some embodiments of the present disclosure, the substrate includes a base layer and a functional coating layer disposed on the base layer, the bottom surface being a surface of the base layer for defining a bottom boundary of the first surface recess.

本開示のいくつかの実施形態において、基板は、ベース層と、ベース層上に配置された機能的コーティング層とを含み、第１の表面凹部の底部境界を画定するための底面が機能的コーティング層の表面である。 In some embodiments of the present disclosure, the substrate includes a base layer and a functional coating layer disposed on the base layer, the bottom surface being a surface of the functional coating layer for defining a bottom boundary of the first surface recess.

本開示のいくつかの実施形態において、銀層は配線部の上面と接触して、タッチセンサの複数の周辺トレースを形成する。 In some embodiments of the present disclosure, the silver layer contacts the top surface of the wiring portion to form multiple peripheral traces of the touch sensor.

本開示のいくつかの実施形態において、周辺トレースの各線幅は６μｍ以上１０μｍ以下であり、周辺トレースの隣り合う２つの周辺トレースの線間隔は６μｍ以上１０μｍ以下である。 In some embodiments of the present disclosure, the line width of each peripheral trace is greater than or equal to 6 μm and less than or equal to 10 μm, and the line spacing between two adjacent peripheral traces is greater than or equal to 6 μm and less than or equal to 10 μm.

本開示のいくつかの実施形態において、金属ナノワイヤ層は、マトリックスと、マトリックス内に分布する複数の金属ナノワイヤとを含む。 In some embodiments of the present disclosure, the metal nanowire layer includes a matrix and a plurality of metal nanowires distributed within the matrix.

本開示の他のいくつかの実施形態によれば、可視領域と、可視領域の少なくとも一方の側に隣り合う周辺領域を有するタッチセンサの製造方法は、基板の主表面上に可視領域および周辺領域に相当する金属ナノワイヤ材料層を形成することと；金属ナノワイヤ材料層に周辺領域に相当する銀材料層をスクリーン印刷することと；金属ナノワイヤ材料層と銀材料層を覆うフォトレジスト層を形成することと；フォトレジスト層をパターン化するための露光工程および現像工程を行うことと、ここで、パターン化されたフォトレジスト層は可視領域に相当する電極パターンを画定し、周辺領域に相当する配線パターンを画定するものであり；配線パターンを介して銀材料層をパターン化するための第１のエッチング工程を行うことと；配線パターンを介して周辺領域に相当する残留樹脂を除去するアルゴンプラズマ処理工程を行うことと、ここで、残留樹脂は第１のエッチング工程を経た銀材料層によって残されたものであり、基板上に第１の表面凹部が形成されるように、金属ナノワイヤ材料層の少なくとも一部と、電極パターンを介して可視領域に相当する基板の一部を除去するアルゴンプラズマ処理工程を行うことと；配線パターン及び電極パターンを介して金属ナノワイヤ材料層をパターン化するための第２のエッチング工程を行うことと；フォトレジスト層を除去することと、を含む。 According to some other embodiments of the present disclosure, a method for manufacturing a touch sensor having a visible area and a peripheral area adjacent to at least one side of the visible area includes forming a metal nanowire material layer corresponding to the visible area and the peripheral area on a main surface of a substrate; screen printing a silver material layer corresponding to the peripheral area on the metal nanowire material layer; forming a photoresist layer covering the metal nanowire material layer and the silver material layer; performing an exposure step and a development step to pattern the photoresist layer, where the patterned photoresist layer defines an electrode pattern corresponding to the visible area and defines a wiring pattern corresponding to the peripheral area; performing a first etching step to pattern the silver material layer through the wiring pattern; performing an argon plasma treatment step to remove residual resin corresponding to the peripheral area through the wiring pattern, where the residual resin is left by the silver material layer that has undergone the first etching step, and performing an argon plasma treatment step to remove at least a portion of the metal nanowire material layer and a portion of the substrate corresponding to the visible area through the electrode pattern, so that a first surface recess is formed on the substrate; performing a second etching step to pattern the metal nanowire material layer through the wiring pattern and the electrode pattern; and removing the photoresist layer.

本開示のいくつかの実施形態において、タッチセンサの製造方法は、第１のエッチング工程の後、アルゴンプラズマ処理工程の前に化学洗浄工程を行い、化学洗浄工程は配線パターンを介して周辺領域に相当する残留樹脂の一部を除去し、第１のエッチング工程を経た銀材料層による残留樹脂は残すことをさらに含む。 In some embodiments of the present disclosure, the method of manufacturing a touch sensor further includes performing a chemical cleaning step after the first etching step and before the argon plasma treatment step, the chemical cleaning step removing a portion of the residual resin corresponding to the peripheral region through the wiring pattern and leaving the residual resin due to the silver material layer that has undergone the first etching step.

本開示のいくつかの実施形態において、金属ナノワイヤ材料層は、マトリックスと、マトリックス内に分布する複数の金属ナノワイヤとを含む。 In some embodiments of the present disclosure, the metal nanowire material layer includes a matrix and a plurality of metal nanowires distributed within the matrix.

本開示のいくつかの実施形態において、アルゴンプラズマ処理工程は、金属ナノワイヤ材料層のマトリックスを除去する。 In some embodiments of the present disclosure, the argon plasma treatment step removes the matrix of the metal nanowire material layer.

本開示のいくつかの実施形態において、アルゴンプラズマ処理工程は、配線パターンを介して周辺領域に相当する金属ナノワイヤ材料層のマトリックスの少なくとも一部を除去することをさらに含む。 In some embodiments of the present disclosure, the argon plasma treatment step further includes removing at least a portion of the matrix of the metal nanowire material layer that corresponds to the peripheral area through the wiring pattern.

本開示のいくつかの実施形態において、アルゴンプラズマ処理工程は、基板上に第２の表面凹部が形成されるように、配線パターンを介して周辺領域に相当する基板の一部を除去することをさらに含む。 In some embodiments of the present disclosure, the argon plasma treatment step further includes removing a portion of the substrate corresponding to the peripheral region through the wiring pattern so as to form a second surface recess on the substrate.

本開示の前述の実施形態によれば、本開示のタッチセンサの設計は、タッチセンサの光学的効果を低下させることなく、小さな線幅と線間隔で周辺トレースを形成するのに役立つ。また、電極部と配線部を一体的に形成して、タッチ電極と周辺トレースとの電気的接続を直接形成することで、タッチセンサ用の追加の重複構造を設計する必要がない。これにより、周辺領域に相当する重複構造が占める領域を節約でき、重複公差が発生しないため、タッチセンサの狭ベゼル設計を実現する上で有益である。さらに、本開示のタッチセンサの積層構造設計に基づき、タッチセンサの製造工程において、１回の露光・現像工程でタッチ電極と周辺トレースを一度に形成することができ（すなわち、単一のマスク（フォトレジスト）のみを使用）、エッチング工程後に銀材料層に残る残留樹脂を除去するアルゴンプラズマ処理工程を併用するため、製造工程のステップとコストを削減でき、エッチング精度も向上し、線幅と線間隔の小さい周辺トレースを形成することができる。 According to the above-mentioned embodiment of the present disclosure, the design of the touch sensor of the present disclosure helps to form peripheral traces with small line width and line spacing without reducing the optical effect of the touch sensor. In addition, by integrally forming the electrode part and the wiring part and directly forming the electrical connection between the touch electrode and the peripheral trace, there is no need to design an additional overlap structure for the touch sensor. This can save the area occupied by the overlap structure corresponding to the peripheral area, and there is no overlap tolerance, which is beneficial for realizing a narrow bezel design of the touch sensor. Furthermore, based on the stacked structure design of the touch sensor of the present disclosure, in the manufacturing process of the touch sensor, the touch electrode and the peripheral trace can be formed at once in one exposure and development process (i.e., only a single mask (photoresist) is used), and an argon plasma treatment process is used in combination to remove the residual resin remaining in the silver material layer after the etching process, so that the steps and costs of the manufacturing process can be reduced, and the etching accuracy can be improved, and peripheral traces with small line width and line spacing can be formed.

本開示は、以下の添付図面を参照して、以下の実施形態の詳細な説明を読むことによって、より完全に理解することができる。
本開示のいくつかの実施形態によるタッチセンサを示す模式部分平面図である。図１ＡのタッチセンサをＡ－Ａ′線に沿って切断した模式断面図である。本開示のいくつかの実施形態による可視領域に相当するタッチセンサの集束イオンビーム走査電子顕微鏡（ＦＩＢ－ＳＥＭ）画像である。本開示のいくつかの実施形態によるタッチセンサの製造方法を示すフローチャートである。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。図１Ｂのタッチセンサの製造方法を段階別に示す模式断面図である。いくつかの比較例の銀材料層をパターン化して形成された周辺トレース内の銀層の光学顕微鏡（ＯＭ）画像である。いくつかの比較例の銀材料層をパターン化して形成された周辺トレース内の銀層の光学顕微鏡（ＯＭ）画像である。本開示のいくつかの実施形態による銀材料層にアルゴンプラズマ処理工程を施した後のエッチング領域の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である。本開示の他のいくつかの実施形態によるタッチセンサの模式断面図であり、図７の断面位置は、図１に示すＡ－Ａ′線に沿って切断した位置に相当する。本開示のいくつかの実施形態による第１及び第２の表面凹部の深さの測定を示す模式図である。 The present disclosure can be more fully understood by reading the following detailed description of the embodiments, in conjunction with the accompanying drawings, in which:
FIG. 2 is a schematic partial plan view illustrating a touch sensor according to some embodiments of the present disclosure. 1B is a schematic cross-sectional view of the touch sensor of FIG. 1A taken along line AA'. 1 is a focused ion beam scanning electron microscope (FIB-SEM) image of a touch sensor corresponding to a visible region according to some embodiments of the present disclosure. 1 is a flowchart illustrating a method for manufacturing a touch sensor according to some embodiments of the present disclosure. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 2A to 2C are schematic cross-sectional views showing steps of a method for manufacturing the touch sensor of FIG. 1B. 1A-1C are optical microscope (OM) images of the silver layer within perimeter traces formed by patterning a layer of silver material of several comparative examples. 1A-1C are optical microscope (OM) images of the silver layer within perimeter traces formed by patterning a layer of silver material of several comparative examples. 1 is a scanning electron microscope (SEM) image of an etched area after an argon plasma treatment step on a silver material layer according to some embodiments of the present disclosure. 7 is a schematic cross-sectional view of a touch sensor according to some other embodiments of the present disclosure, and the cross-sectional position in FIG. 7 corresponds to the position cut along line AA' shown in FIG. FIG. 2 is a schematic diagram illustrating the measurement of the depth of first and second surface recesses according to some embodiments of the present disclosure.

ここで、本開示の実施形態について詳細に説明し、その例を添付の図面に示す。しかし、これらの詳細は、本開示を制限することを意図するものではないことを理解されたい。また、読み手の便宜を図るため、図面中の各要素の大きさは実際の縮尺に合わせて図示していない。本明細書では、図に示すように、ある要素と別の要素との関係を表すために、「下（lower）」や「底（bottom）」、「上（upper）」や「上（top）」などの相対的な用語を使用できることを理解されたい。相対的な用語は、図に示されているもの以外のデバイスの異なる方向を含むことを意図していることを理解する必要がある。 Now, embodiments of the present disclosure will be described in detail, examples of which are illustrated in the accompanying drawings. However, it should be understood that these details are not intended to limit the present disclosure. Also, for the convenience of the reader, the dimensions of each element in the drawings are not drawn to scale. It should be understood that relative terms such as "lower" and "bottom," "upper" and "top" may be used herein to describe the relationship of one element to another element as shown in the figures. It should be understood that the relative terms are intended to include different orientations of the device other than those shown in the figures.

図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、図１Ａは、本開示のいくつかの実施形態によるタッチセンサ１００を示す模式部分平面図であり、図１Ｂは、図１ＡのタッチセンサをＡ－Ａ′線に沿って切断して図示する模式断面図である。タッチセンサ１００は、基板１１０、金属ナノワイヤ層１２０及び銀層１３０を含む。いくつかの実施形態では、タッチセンサ１００は可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡを有し、周辺領域ＰＡは可視領域ＶＡの側面に配置される。例えば、周辺領域ＰＡは、可視領域ＶＡの周囲に配置された枠状の領域（すなわち、右側、左側、上側、下側を含む）であってもよい。基板１１０は、金属ナノワイヤ層１２０と銀層１３０を搭載するように構成された主表面１１１を有する。いくつかの実施形態では、基板１１０は、可撓性透明ベース層などの単一の基板（ベース層とも呼ばれる）であってもよく、基板１１０の材料は、アクリル、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、無色ポリイミド又はこれらの組み合わせ等の透明材料を含み得るが、これらに限定されるものではない。他のいくつかの実施形態では、基板１１０は、上述の単一基板（ベース層）と、ベース層上に配置された少なくとも１つの機能的コーティング層（例えば、ハードコート層）を含んでもよい。換言すると、基板１１０の主表面１１１は、ベース層の上面であっても、機能的コーティング層の上面であってもよい。 1A and 1B, FIG. 1A is a schematic partial plan view showing a touch sensor 100 according to some embodiments of the present disclosure, and FIG. 1B is a schematic cross-sectional view showing the touch sensor of FIG. 1A cut along line A-A'. The touch sensor 100 includes a substrate 110, a metal nanowire layer 120, and a silver layer 130. In some embodiments, the touch sensor 100 has a visible area VA and a peripheral area PA, and the peripheral area PA is disposed on a side of the visible area VA. For example, the peripheral area PA may be a frame-shaped area (i.e., including the right side, left side, upper side, and lower side) disposed around the visible area VA. The substrate 110 has a major surface 111 configured to carry the metal nanowire layer 120 and the silver layer 130. In some embodiments, the substrate 110 may be a single substrate (also referred to as a base layer), such as a flexible transparent base layer, and the material of the substrate 110 may include, but is not limited to, transparent materials such as acrylic, polyvinyl chloride, polystyrene, polycarbonate, cycloolefin polymer, cycloolefin copolymer, polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, colorless polyimide, or combinations thereof. In other embodiments, the substrate 110 may include the single substrate (base layer) described above and at least one functional coating layer (e.g., a hard coat layer) disposed on the base layer. In other words, the main surface 111 of the substrate 110 may be the top surface of the base layer or the top surface of the functional coating layer.

金属ナノワイヤ層１２０は、基板１１０の主表面１１１上に配置され、可視領域ＶＡ及び周辺領域ＰＡに相当する。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ層１２０は、マトリックスと、マトリックス内に分布する複数の金属ナノワイヤ（図示せず）を含み、マトリックスは、ポリ（メタクリル酸メチル）などのアクリル材料を含んでもよく、金属ナノワイヤは、銀ナノワイヤ、金ナノワイヤ、銅ナノワイヤ、ニッケルナノワイヤ、又はそれらの組み合わせを含んでもよい。金属ナノワイヤ層１２０は、可視領域ＶＡに相当する電極部Ｅを画定する。すなわち、電極部Ｅは、少なくともタッチセンサ１００のタッチ電極ＥＴを構成することができる。図１Ａに示す実施形態では、電極部Ｅは基板１１０の片面（側面）に配置された単層電極構造の一例であり、複数の電極部Ｅがノンインターレース状に配置されている。例えば、電極部Ｅは、第１の方向Ｄ１に沿って延在し、第２の方向Ｄ２に沿って間隔をあけて配置された帯状の電極であり、第１の方向Ｄ１は第２の方向Ｄ２に対して実質的に垂直である。いくつかの実施形態では、各電極部Ｅは、並列に配置され接続された複数の電極線Ｌを含んでもよい。例えば、図１Ａに示す実施形態では、各電極部Ｅは、並列に配置され接続された３本の電極線Ｌを含む。一方、隣り合う２つの電極部Ｅは第１のスペーサ領域Ｓ１によって間隔をあけて配置されており、隣り合う２つの電極線Ｌも第１のスペーサ領域Ｓ１によって間隔をあけて配置されている。 The metal nanowire layer 120 is disposed on the main surface 111 of the substrate 110 and corresponds to the visible area VA and the peripheral area PA. In some embodiments, the metal nanowire layer 120 includes a matrix and a plurality of metal nanowires (not shown) distributed in the matrix, where the matrix may include an acrylic material such as poly(methyl methacrylate), and the metal nanowires may include silver nanowires, gold nanowires, copper nanowires, nickel nanowires, or a combination thereof. The metal nanowire layer 120 defines an electrode portion E corresponding to the visible area VA. That is, the electrode portion E can constitute at least the touch electrode ET of the touch sensor 100. In the embodiment shown in FIG. 1A, the electrode portion E is an example of a single-layer electrode structure disposed on one surface (side surface) of the substrate 110, and a plurality of electrode portions E are arranged in a non-interlaced manner. For example, the electrode portion E is a strip-shaped electrode extending along a first direction D1 and spaced apart along a second direction D2, where the first direction D1 is substantially perpendicular to the second direction D2. In some embodiments, each electrode portion E may include multiple electrode lines L arranged in parallel and connected. For example, in the embodiment shown in FIG. 1A, each electrode portion E includes three electrode lines L arranged in parallel and connected. Meanwhile, two adjacent electrode portions E are spaced apart by a first spacer region S1, and two adjacent electrode lines L are also spaced apart by a first spacer region S1.

金属ナノワイヤ層１２０は、周辺領域ＰＡに相当する複数の配線部Ｔを画定しており、配線部Ｔはそれぞれ対応する電極部Ｅを接続し、隣り合う２つの配線部Ｔは第２のスペーサ領域Ｓ２によって間隔をあけて配置されている。銀層１３０は、基板１１０の主表面１１１上に配置され、配線部Ｔに接して積層されている。いくつかの実施形態では、銀層１３０は、配線部Ｔの上面ＴＳ上に接触して積層され、タッチセンサ１００の複数の周辺トレースＰＴを形成している。換言すると、本開示の周辺トレースＰＴは、金属ナノワイヤ層１２０が基板１１０の比較的近くに配置され、銀層１３０が金属ナノワイヤ層１２０の基板１１０とは反対側の面に積層された二層構造を有する。いくつかの実施形態では、銀層１３０は配線部Ｔに完全に重なってもよい。すなわち、基板１１０上の銀層１３０の垂直投影が、基板１１０上の配線部Ｔの垂直投影と完全に重なってもよい。 The metal nanowire layer 120 defines a plurality of wiring portions T corresponding to the peripheral region PA, each of which connects a corresponding electrode portion E, and two adjacent wiring portions T are spaced apart by a second spacer region S2. The silver layer 130 is disposed on the main surface 111 of the substrate 110 and is laminated in contact with the wiring portions T. In some embodiments, the silver layer 130 is laminated in contact with the upper surface TS of the wiring portions T to form a plurality of peripheral traces PT of the touch sensor 100. In other words, the peripheral traces PT of the present disclosure have a two-layer structure in which the metal nanowire layer 120 is disposed relatively close to the substrate 110, and the silver layer 130 is laminated on the surface of the metal nanowire layer 120 opposite the substrate 110. In some embodiments, the silver layer 130 may completely overlap the wiring portions T. That is, the vertical projection of the silver layer 130 on the substrate 110 may completely overlap the vertical projection of the wiring portions T on the substrate 110.

上記の金属ナノワイヤ層１２０と銀層１３０の構成に基づき、電極部Ｅと配線部Ｔを一体的に形成することで、タッチ電極ＥＴと周辺トレースＰＴとの電気的接続を直接的に形成することができる。したがって、タッチ電極ＥＴと周辺トレースＰＴとの電気的接触を実現するための追加の重複構造の設計を必要とせず、周辺領域ＰＡに相当する重複構造が占める領域を節約でき、重複公差が発生しないため、タッチセンサ１００の狭ベゼル要件を満たすのに有益である。補足すると、周辺トレースＰＴは互いに絶縁され、間隔をあけて配置されるように設計されているため、本開示の銀層１３０は配線部Ｔの上面ＴＳにのみ配線部Ｔと重なるように配置され、これにより銀層１３０の側壁１３３と配線部Ｔの側壁１２５とが互いに一列に並ぶように設計されている。換言すると、配線部Ｔ上に銀層１３０を積層した場合、配線部Ｔの側壁１２５を銀層１３０が覆わないため、周辺トレースＰＴの線幅が大きくなることを防ぐことができる。他の視点（例えば上から又は横から）から見た場合、銀層１３０と配線部Ｔは実質的に同じパターンを有する。 Based on the above configuration of the metal nanowire layer 120 and the silver layer 130, the electrode portion E and the wiring portion T are integrally formed, so that the electrical connection between the touch electrode ET and the peripheral trace PT can be directly formed. Therefore, there is no need to design an additional overlap structure to realize the electrical contact between the touch electrode ET and the peripheral trace PT, the area occupied by the overlap structure corresponding to the peripheral area PA can be saved, and no overlap tolerance occurs, which is beneficial to meet the narrow bezel requirement of the touch sensor 100. In addition, since the peripheral traces PT are designed to be insulated from each other and spaced apart, the silver layer 130 of the present disclosure is arranged to overlap the wiring portion T only on the upper surface TS of the wiring portion T, so that the sidewall 133 of the silver layer 130 and the sidewall 125 of the wiring portion T are designed to be aligned with each other. In other words, when the silver layer 130 is laminated on the wiring portion T, the silver layer 130 does not cover the sidewall 125 of the wiring portion T, so that the line width of the peripheral trace PT can be prevented from becoming large. When viewed from another perspective (e.g., from above or from the side), the silver layer 130 and the wiring portion T have substantially the same pattern.

本開示のタッチセンサ１００の製造方法は、１回のマスクエッチング工程を含む。すなわち、周辺領域ＰＡと可視領域ＶＡは同じフォトレジスト層（マスク）を介して加工（パターン化）される。周辺領域ＰＡに相当する基板１１０の主表面１１１上の構造について、配線部Ｔは、金属ナノワイヤ層１２０上に銀層１３０が積層された二層構造であり、可視領域ＶＡに相当する基板１１０の主表面１１１の構造については、電極部Ｅは金属ナノワイヤ層１２０によって形成された単層構造である。したがって、エッチング工程を経た二層構造において、銀材料層（銀層１３０を準備するための材料）が残した残留樹脂を除去するためにアルゴンプラズマ処理工程を行う際に（詳細は後述する）、可視領域ＶＡに相当する金属ナノワイヤ層１２０が直接アルゴンプラズマ処理工程を受けるため、結果として、全工程の検討および制御後、本開示のタッチセンサ１００の基板１１０は構造的特徴を有することになる。具体的には、隣り合う２つの電極部Ｅ（または電極線Ｌ）は第１のスペーサ領域Ｓ１によって間隔をあけて配置され、隣り合う２つの配線部Ｔは第２のスペーサ領域Ｓ２によって間隔をあけて配置され、第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する基板１１０の厚さＴ１は、第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する基板１１０の厚さＴ２よりも薄い。換言すると、基板１１０は、第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する第１の表面凹部Ｒ１と、第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する第２の表面凹部（図１Ｂでは図示せず）とを有していてもよく、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は、第２の表面凹部の深さ（図１Ｂでは図示せず）よりも大きい。本実施形態では、第２の表面凹部の深さを０ｎｍに制御しているため、第２の表面凹部の外観は特に図には示されていない。 The manufacturing method of the touch sensor 100 of the present disclosure includes one mask etching step. That is, the peripheral area PA and the visible area VA are processed (patterned) through the same photoresist layer (mask). For the structure on the main surface 111 of the substrate 110 corresponding to the peripheral area PA, the wiring part T is a two-layer structure in which the silver layer 130 is laminated on the metal nanowire layer 120, and for the structure on the main surface 111 of the substrate 110 corresponding to the visible area VA, the electrode part E is a single-layer structure formed by the metal nanowire layer 120. Therefore, in the two-layer structure that has undergone the etching step, when an argon plasma treatment step is performed to remove the residual resin left by the silver material layer (material for preparing the silver layer 130) (details will be described later), the metal nanowire layer 120 corresponding to the visible area VA is directly subjected to the argon plasma treatment step, and as a result, after consideration and control of all steps, the substrate 110 of the touch sensor 100 of the present disclosure has structural characteristics. Specifically, two adjacent electrode parts E (or electrode lines L) are spaced apart by a first spacer region S1, and two adjacent wiring parts T are spaced apart by a second spacer region S2, and the thickness T1 of the substrate 110 corresponding to the first spacer region S1 is thinner than the thickness T2 of the substrate 110 corresponding to the second spacer region S2. In other words, the substrate 110 may have a first surface recess R1 corresponding to the first spacer region S1 and a second surface recess (not shown in FIG. 1B) corresponding to the second spacer region S2, and the depth d1 of the first surface recess R1 is greater than the depth of the second surface recess (not shown in FIG. 1B). In this embodiment, the depth of the second surface recess is controlled to 0 nm, so the appearance of the second surface recess is not particularly shown in the figure.

図１Ｂに示す第１の表面凹部Ｒ１は、規則的な形状と平坦な輪郭（例えば、平坦な側壁や底面）を有するように図示されているが、本開示で言及する「凹部」は、実際には、層の表面に対して凹んだ部分を有するという概念を指すことに注意されたい。したがって、凹部の側壁または底面は、実際には様々な考えられる形状や輪郭を有することができ、例えば凹凸や起伏を有することも可能である。本開示のいくつかの実施形態による可視領域ＶＡに相当するタッチセンサ１００の集束イオンビーム走査電子顕微鏡（ＦＩＢ－ＳＥＭ）画像である図２を参照する。図２に示された破線の枠から分かるように、基板１１０は可視領域ＶＡに相当する表面凹部（すなわち、第１の表面凹部Ｒ１）を有し、凹部の底面は凹凸があり起伏を有する非平坦面である。 Although the first surface recess R1 shown in FIG. 1B is illustrated as having a regular shape and a flat profile (e.g., flat sidewalls and bottom), it should be noted that the "recess" referred to in this disclosure actually refers to the concept of having a portion recessed relative to the surface of a layer. Thus, the sidewall or bottom of the recess can actually have a variety of possible shapes and profiles, including unevenness and undulations. See FIG. 2, which is a focused ion beam scanning electron microscope (FIB-SEM) image of a touch sensor 100 corresponding to the visible area VA according to some embodiments of the present disclosure. As can be seen from the dashed box shown in FIG. 2, the substrate 110 has a surface recess (i.e., the first surface recess R1) corresponding to the visible area VA, and the bottom of the recess is uneven and undulating, and is a non-flat surface.

本開示のタッチセンサ１００の基板１１０上の構造的特徴は、製造工程の説明を通して、以下にさらに説明される。 The structural features on the substrate 110 of the touch sensor 100 of the present disclosure are further described below through a description of the manufacturing process.

本開示のいくつかの実施形態によるタッチセンサ１００の製造方法を示すフローチャートを示す図３を参照する。以下の説明では、図４Ａ～図４Ｈに示すステップを例にタッチセンサ１００の製造方法を説明するが、図４Ａ～図４Ｈは図１Ｂのタッチセンサ１００の製造方法を異なるステップで図示した模式断面図である。タッチセンサ１００の製造方法は、ステップＳ１０からステップＳ１７までを含み、ステップＳ１０からステップＳ１７までを順次行ってもよい。 Please refer to FIG. 3, which shows a flow chart illustrating a method for manufacturing a touch sensor 100 according to some embodiments of the present disclosure. In the following description, the method for manufacturing the touch sensor 100 will be described using the steps shown in FIGS. 4A to 4H as an example, and FIGS. 4A to 4H are schematic cross-sectional views illustrating different steps of the method for manufacturing the touch sensor 100 of FIG. 1B. The method for manufacturing the touch sensor 100 includes steps S10 to S17, and steps S10 to S17 may be performed sequentially.

まず、図４Ａを参照する。ステップＳ１０では、基板１１０の主表面１１１上に金属ナノワイヤ材料層２２０を形成するが、この金属ナノワイヤ材料層２２０は、可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡに相当する。具体的には、スクリーン印刷、ノズルコーティング、ローラーコーティングなどの工程によって、少なくとも金属ナノワイヤとマトリックスを含む分散液またはスラリーを基板１１０の主表面１１１上に形成することができ、その後、分散液またはスラリーを硬化または乾燥させて、基板１１０の主表面１１１に配置された金属ナノワイヤ材料層２２０を形成する。いくつかの実施形態では、基板１１０の主表面１１１にコーティングされた分散液またはスラリーが連続的に供給されるように、ロールツーロールプロセスが行われてもよい。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ材料層２２０を形成する前に、基板１１０の主表面１１１上に前処理を行ってもよい。例えば、基板１１０の主表面１１１に表面改質工程（例えば、表面硬化改質工程）を行ったり、機能的コーティング層（例：ハードコート層、接着層、樹脂層）を追加コーティングしたりすることで、基板１１０と他の層との密着性を高める。いくつかの実施形態では、表面抵抗の要件が３０Ω／□のタッチセンサ１００の場合、金属ナノワイヤ材料層２２０の厚さＨ１は４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下に設計することができる。具体的には、金属ナノワイヤ材料層２２０の厚さＨ１が５０ｎｍよりも厚い場合、例えば６０ｎｍの厚さの場合、金属ナノワイヤ材料層２２０の光学特性（例えば、黄色度、Ｌａｂ色空間のｂ＊値も指す）が要件を満たすことが困難になる可能性があり、１００ｎｍの厚さを採用した場合、金属ナノワイヤ材料層２２０とその後にその上に配置される銀材料層２３０（図４Ｂを参照）との接触抵抗が高くなる可能性がより高くなる。金属ナノワイヤ材料層２２０の厚さＨ１が４０ｎｍ未満の場合、タッチセンサ１００の紫外線対策機能が不十分となるおそれがある。 First, refer to FIG. 4A. In step S10, a metal nanowire material layer 220 is formed on the main surface 111 of the substrate 110, and the metal nanowire material layer 220 corresponds to the visible area VA and the peripheral area PA. Specifically, a dispersion or slurry containing at least metal nanowires and a matrix can be formed on the main surface 111 of the substrate 110 by a process such as screen printing, nozzle coating, roller coating, etc., and then the dispersion or slurry is cured or dried to form the metal nanowire material layer 220 disposed on the main surface 111 of the substrate 110. In some embodiments, a roll-to-roll process may be performed so that the dispersion or slurry coated on the main surface 111 of the substrate 110 is continuously supplied. In some embodiments, a pretreatment may be performed on the main surface 111 of the substrate 110 before forming the metal nanowire material layer 220. For example, the main surface 111 of the substrate 110 may be subjected to a surface modification process (e.g., a surface hardening modification process) or additionally coated with a functional coating layer (e.g., a hard coat layer, an adhesive layer, a resin layer) to enhance the adhesion between the substrate 110 and other layers. In some embodiments, for the touch sensor 100 with a surface resistance requirement of 30 Ω/□, the thickness H1 of the metal nanowire material layer 220 may be designed to be 40 nm or more and 50 nm or less. Specifically, when the thickness H1 of the metal nanowire material layer 220 is thicker than 50 nm, for example, when it is 60 nm thick, it may be difficult for the optical properties (e.g., yellowness, also referred to as the b* value in the Lab color space) of the metal nanowire material layer 220 to meet the requirements, and when a thickness of 100 nm is adopted, it is more likely that the contact resistance between the metal nanowire material layer 220 and the silver material layer 230 (see FIG. 4B) disposed thereon will be high. If the thickness H1 of the metal nanowire material layer 220 is less than 40 nm, the UV protection function of the touch sensor 100 may be insufficient.

次に、図４Ｂを参照する。ステップＳ１１ではスクリーン印刷工程を行い、金属ナノワイヤ材料層２２０上に銀材料層２３０を形成する。この銀材料層２３０は周辺領域ＰＡに相当する。具体的には、周辺領域ＰＡに相当する銀材料層２３０が周辺領域ＰＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０を覆うようにスクリーン印刷工程によって基板１１０上に銀ペースト材料を形成し、その後、銀ペースト材料を硬化または乾燥させて銀材料層２３０を形成することができる。いくつかの実施形態では、銀材料層２３０の厚さＨ２を４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲で制御することができる。そのため、厚さＨ２が過度に薄くなることにより全工程後に銀材料層２３０が剥がれる可能性を低減できる。また、銀材料層２３０の厚さＨ２が過度に厚いため、その後のエッチング工程後に残留樹脂が多く保持され、残留樹脂の完全除去につながらないことを防止することができる。このため、銀材料層２３０の厚さＨ２が過度に厚い場合は、金属ナノワイヤ材料層２２０がその後エッチングされるとき、金属ナノワイヤ材料層２２０のエッチング精度が低くなり、周辺トレースＰＴの線幅Ｗ１および線間隔Ｄを小さくすることができず、タッチセンサ１００の狭ベゼル要件を実現することが困難となる。厚さＨ２が過度に薄いために銀材料層２３０が剥がれる問題については、図５Ａ及び図５Ｂを参照して具体的に説明する。図５Ａ及び図５Ｂは、いくつかの比較例の銀材料層２３０をパターン化して形成された周辺トレースＰＴ内の銀層１３０の光学顕微鏡（ＯＭ）画像である。図５Ａ及び図５Ｂの比較例は、厚さＨ２が約３００ｎｍの銀材料層２３０を形成しようとする例である。図５Ａ及び図５Ｂから分かるように、周辺トレースＰＴは、オーバーエッチング、剥離、又はエッチング不良等により、良好かつ均一に形成されておらず、隣り合う２つの周辺トレースＰＴ間で開回路または短絡が発生する可能性がある。 Next, refer to FIG. 4B. In step S11, a screen printing process is performed to form a silver material layer 230 on the metal nanowire material layer 220. This silver material layer 230 corresponds to the peripheral area PA. Specifically, a silver paste material is formed on the substrate 110 by a screen printing process so that the silver material layer 230 corresponding to the peripheral area PA covers the metal nanowire material layer 220 corresponding to the peripheral area PA, and then the silver paste material is hardened or dried to form the silver material layer 230. In some embodiments, the thickness H2 of the silver material layer 230 can be controlled in a range of 400 nm to 600 nm. Therefore, the possibility that the silver material layer 230 will peel off after all the processes due to the thickness H2 being excessively thin can be reduced. In addition, it is possible to prevent the thickness H2 of the silver material layer 230 from being excessively thick, which causes a large amount of residual resin to be retained after the subsequent etching process, and does not lead to complete removal of the residual resin. Therefore, if the thickness H2 of the silver material layer 230 is too thick, when the metal nanowire material layer 220 is subsequently etched, the etching precision of the metal nanowire material layer 220 will be low, and the line width W1 and line spacing D of the peripheral trace PT cannot be reduced, making it difficult to achieve the narrow bezel requirement of the touch sensor 100. The problem of the silver material layer 230 peeling off due to the thickness H2 being too thin will be specifically described with reference to Figures 5A and 5B. Figures 5A and 5B are optical microscope (OM) images of the silver layer 130 in the peripheral trace PT formed by patterning the silver material layer 230 of several comparative examples. The comparative examples of Figures 5A and 5B are examples in which a silver material layer 230 with a thickness H2 of about 300 nm is to be formed. As can be seen from Figures 5A and 5B, the peripheral trace PT is not well and uniformly formed due to overetching, peeling, or poor etching, etc., and an open circuit or short circuit may occur between two adjacent peripheral traces PT.

スクリーン印刷によって形成される銀材料層２３０の厚さＨ２に影響を与える要因には、例えば、スクリーンメッシュ数、スクリーンとスキージの間の距離、スクリーン印刷のスキージ圧、スクリーン印刷のスキージ速度、スクリーンと被印刷面との距離、銀ペースト材料のレベリング性（銀ペースト材料のレベリング性は銀ペースト材料の粘度によって影響を受ける可能性がある）等のパラメータを含み得ることを当業者は理解することができる。いくつかの実施形態では、スクリーンメッシュ数は６４０メッシュ、スクリーンとスキージの間の距離は３ｍｍ、スクリーン印刷のスキージ速度は５０ｍ／分、スクリーンと被印刷面との距離は２．５ｍｍ、銀ペースト材料の粘度は１０００ｃＰ以上５０００ｃＰ以下である。この点について、本開示のスクリーン印刷によって形成される銀材料層２３０の厚さＨ２は、４００ｎｍ以上６００ｎｍ以下の範囲内で制御することができる。 Those skilled in the art can understand that factors affecting the thickness H2 of the silver material layer 230 formed by screen printing may include parameters such as, for example, the number of screen meshes, the distance between the screen and the squeegee, the squeegee pressure of the screen printing, the squeegee speed of the screen printing, the distance between the screen and the surface to be printed, and the leveling property of the silver paste material (the leveling property of the silver paste material may be affected by the viscosity of the silver paste material). In some embodiments, the number of screen meshes is 640 meshes, the distance between the screen and the squeegee is 3 mm, the squeegee speed of the screen printing is 50 m/min, the distance between the screen and the surface to be printed is 2.5 mm, and the viscosity of the silver paste material is 1000 cP or more and 5000 cP or less. In this regard, the thickness H2 of the silver material layer 230 formed by the screen printing of the present disclosure can be controlled within a range of 400 nm or more and 600 nm or less.

次に、図４Ｃを参照する。ステップＳ１２では、基板１１０の主表面１１１上に金属ナノワイヤ材料層２２０と銀材料層２３０を完全に覆うフォトレジスト層２４０を形成する。続いて図４Ｄを参照する。ステップＳ１３では、フォトレジスト層２４０をパターン化するための露光工程および現像工程を行う。具体的には、金属ナノワイヤ材料層２２０及び銀材料層２３０上に形成する所望のパターンを、１回の露光工程および現像工程によって単一のフォトレジスト層２４０に一度に形成することで、製造工程のステップとコストを削減する。いくつかの実施形態では、フォトレジスト層２４０は、可視領域ＶＡに相当する電極パターンＥＰを画定し、周辺領域ＰＡに相当する配線パターンＴＰを画定する。パターン化されたフォトレジスト層２４０の電極パターンＥＰと配線パターンＴＰは、その後のエッチング工程で金属ナノワイヤ材料層２２０及び銀材料層２３０に転写されて、電極部Ｅ及び配線部Ｔを含む金属ナノワイヤ層１２０と、その後のフォトレジスト層２４０の除去後に配線部Ｔに積層されて接触する銀層１３０を形成することができる（具体的な構成については、図１Ｂを参照）。 Next, refer to FIG. 4C. In step S12, a photoresist layer 240 is formed on the main surface 111 of the substrate 110 to completely cover the metal nanowire material layer 220 and the silver material layer 230. Next, refer to FIG. 4D. In step S13, an exposure process and a development process are performed to pattern the photoresist layer 240. Specifically, the desired patterns to be formed on the metal nanowire material layer 220 and the silver material layer 230 are formed in a single photoresist layer 240 at once by a single exposure process and development process, thereby reducing the steps and costs of the manufacturing process. In some embodiments, the photoresist layer 240 defines an electrode pattern EP corresponding to the visible area VA and defines a wiring pattern TP corresponding to the peripheral area PA. The electrode pattern EP and wiring pattern TP of the patterned photoresist layer 240 can be transferred to the metal nanowire material layer 220 and the silver material layer 230 in a subsequent etching process to form the metal nanowire layer 120 including the electrode portion E and the wiring portion T, and the silver layer 130 that is laminated on and in contact with the wiring portion T after the photoresist layer 240 is subsequently removed (see FIG. 1B for a specific configuration).

次に、図４Ｅを参照する。ステップＳ１４では、周辺領域ＰＡに相当する銀材料層２３０に所望のパターンがパターン化されるように、第１のエッチング工程が行われる。具体的には、配線パターンＴＰを介して銀材料層２３０をパターン化し、配線パターンＴＰのパターンと合致するパターンを設けることができる。いくつかの実施形態では、銀材料層２３０をエッチングするためのエッチング液の主成分は、例えば硝酸第二鉄を含んでもよい。 Next, refer to FIG. 4E. In step S14, a first etching process is performed so that a desired pattern is patterned in the silver material layer 230 corresponding to the peripheral area PA. Specifically, the silver material layer 230 can be patterned via the wiring pattern TP to provide a pattern that matches the pattern of the wiring pattern TP. In some embodiments, the main component of the etching solution for etching the silver material layer 230 may include, for example, ferric nitrate.

図４Ｅに示すように、銀材料層２３０がエッチングされた後、エッチング領域Ｓには通常、樹脂などの残留物２５０が残っており、残留物２５０の厚さＨ３は銀材料層２３０の初期厚さＨ２と関係している（図４Ｂを参照）。通常、残留物２５０の厚さＨ３は銀材料層２３０の初期厚さＨ２の約２０％である。したがって、上述したように、銀材料層２３０の厚さＨ２が６００ｎｍ以下に制御されることにより、銀材料層２３０の過度に厚い厚さＨ２によって、その後のエッチング工程後に残留樹脂が多く残り、残留樹脂の完全除去につながらないことを防止する。したがって、金属ナノワイヤ材料層２２０のエッチング精度は影響を受けない。 As shown in FIG. 4E, after the silver material layer 230 is etched, a residue 250 such as resin usually remains in the etching area S, and the thickness H3 of the residue 250 is related to the initial thickness H2 of the silver material layer 230 (see FIG. 4B). Usually, the thickness H3 of the residue 250 is about 20% of the initial thickness H2 of the silver material layer 230. Therefore, as described above, by controlling the thickness H2 of the silver material layer 230 to 600 nm or less, it is possible to prevent an excessively thick thickness H2 of the silver material layer 230 from causing a large amount of residual resin to remain after the subsequent etching process, which leads to incomplete removal of the residual resin. Therefore, the etching accuracy of the metal nanowire material layer 220 is not affected.

次に、金属ナノワイヤ材料層２２０のエッチングに影響を与えないように残留物２５０を除去するために、いくつかの実施形態では、ステップＳ１５について図４Ｆを参照する。ステップＳ１５ではアルゴンプラズマ処理工程を行い、配線パターンＴＰを介してパターン化された銀材料層２３０をさらに加工する。具体的には、第１のエッチング工程を経た銀材料層２３０が残した残留物２５０を完全に除去するように、周辺領域ＰＡのエッチング領域Ｓの残留物２５０（図４Ｅ参照）に対して、アルゴンプラズマ処理工程を行う。アルゴンプラズマ処理工程は非選択的であるため、処理環境にさらされたすべての表面が物理的に除去される。これにより、残留物２５０を完全に除去することができる。いくつかの実施形態では、アルゴンプラズマ処理工程は銀材料層２３０に対して約４．５分間行われ、当該アルゴンプラズマ処理工程は、最小真空度が約２０ｍＴｏｒｒ、作業中の真空度が約２００ｍＴｏｒｒ、電力が約８ｋＷ、アルゴン流量が１０００ｓｃｃｍ（標準立方センチメートル毎分）、酸素流量が２０００ｓｃｃｍ、テトラフルオロメタン流量が９００ｓｃｃｍのプラズマによって行われる。 Next, in order to remove the residue 250 so as not to affect the etching of the metal nanowire material layer 220, in some embodiments, see FIG. 4F for step S15. In step S15, an argon plasma treatment step is performed to further process the patterned silver material layer 230 via the wiring pattern TP. Specifically, an argon plasma treatment step is performed on the residue 250 (see FIG. 4E) in the etching area S of the peripheral area PA so as to completely remove the residue 250 left by the silver material layer 230 after the first etching step. Since the argon plasma treatment step is non-selective, all surfaces exposed to the processing environment are physically removed. This allows the residue 250 to be completely removed. In some embodiments, the argon plasma treatment step is performed on the silver material layer 230 for about 4.5 minutes, and the argon plasma treatment step is performed with a plasma having a minimum vacuum of about 20 mTorr, an operating vacuum of about 200 mTorr, a power of about 8 kW, an argon flow rate of 1000 sccm (standard cubic centimeters per minute), an oxygen flow rate of 2000 sccm, and a tetrafluoromethane flow rate of 900 sccm.

ステップＳ１５では、アルゴンプラズマ処理工程を全面に行うため、周辺領域ＰＡに相当する残留物２５０の除去に加えて、電極パターンＥＰを介して可視領域ＶＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０の一部も除去し、第１のスペーサ領域Ｓ１によって間隔をあけて配置された電極部Ｅを金属ナノワイヤ材料層２２０から形成する。また、残留物２５０の厚さＨ３（例えば約８０ｎｍ～約１２０ｎｍ）は金属ナノワイヤ材料層２２０の厚さＨ１（例えば約４０ｎｍ～約５０ｎｍ程度）より厚いため、周辺領域ＰＡに相当する残留物２５０を完全に除去することを前提として、可視領域ＶＡに相当する基板１１０の一部をさらに除去し、第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する基板１１０の厚さＴ１を薄くする。すなわち、アルゴンプラズマ処理工程により、第１のスペーサ領域Ｓ１（すなわち、本開示の基板１１０上の構造的特徴）に相当する第１の表面凹部Ｒ１が形成される。例えば、残留物２５０の厚さＨ３が最も薄い厚さ（約８０ｎｍ）であり、金属ナノワイヤ材料層２２０の厚さＨ１が最も厚い厚さ（約５０ｎｍ）である場合、残留物２５０を完全に除去することを前提として、基板１１０上に深さｄ１が少なくとも３０ｎｍの第１の表面凹部Ｒ１が形成される。さらに、図４Ｆに示すように、いくつかの実施形態では、ステップＳ１５で銀材料層２３０によって残された残留物２５０を完全に除去するために、通常、アルゴンプラズマ処理工程を制御して過臨界処理を行い、その結果、周辺領域ＰＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０の一部のマトリックスが除去される。さらに、周辺領域ＰＡのエッチング領域Ｓに金属ナノワイヤ材料層２２０のマトリックスが残ることを抑制するために、過臨界処理によってさらにアルゴンプラズマ処理工程を制御して、周辺領域ＰＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０のマトリックスを完全に除去することができる（図４Ｇ及び図４Ｈがそのような態様の一例である）。しかしながら、本開示では、過度に深い凹部による可視性の問題を回避するために、過臨界処理を制御する際には、可視領域ＶＡに形成される第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１を考慮する必要がある。補足すると、アルゴンプラズマ処理工程によって除去されるのは、金属ナノワイヤ材料層２２０のマトリックスのみである。したがって、アルゴンプラズマ処理工程の後、金属ナノワイヤ材料層２２０中の金属ナノワイヤ２２２が可視領域ＶＡと周辺領域ＰＡに露出していることがわかる。 In step S15, in order to perform the argon plasma treatment process on the entire surface, in addition to removing the residue 250 corresponding to the peripheral region PA, a part of the metal nanowire material layer 220 corresponding to the visible region VA is also removed via the electrode pattern EP, and the electrode portion E arranged at intervals by the first spacer region S1 is formed from the metal nanowire material layer 220. Also, since the thickness H3 of the residue 250 (e.g., about 80 nm to about 120 nm) is thicker than the thickness H1 of the metal nanowire material layer 220 (e.g., about 40 nm to about 50 nm), on the premise that the residue 250 corresponding to the peripheral region PA is completely removed, a part of the substrate 110 corresponding to the visible region VA is further removed to reduce the thickness T1 of the substrate 110 corresponding to the first spacer region S1. That is, the argon plasma treatment process forms a first surface recess R1 corresponding to the first spacer region S1 (i.e., the structural feature on the substrate 110 of the present disclosure). For example, if the thickness H3 of the residue 250 is the thinnest (about 80 nm) and the thickness H1 of the metal nanowire material layer 220 is the thickest (about 50 nm), a first surface recess R1 with a depth d1 of at least 30 nm is formed on the substrate 110, provided that the residue 250 is completely removed. Furthermore, as shown in FIG. 4F, in some embodiments, in order to completely remove the residue 250 left by the silver material layer 230 in step S15, the argon plasma treatment process is usually controlled to perform a supercritical treatment, so that a part of the matrix of the metal nanowire material layer 220 corresponding to the peripheral region PA is removed. Furthermore, in order to prevent the matrix of the metal nanowire material layer 220 from remaining in the etching region S of the peripheral region PA, the argon plasma treatment process can be further controlled by the supercritical treatment to completely remove the matrix of the metal nanowire material layer 220 corresponding to the peripheral region PA (FIGS. 4G and 4H are examples of such an embodiment). However, in the present disclosure, in order to avoid visibility problems due to excessively deep recesses, the depth d1 of the first surface recess R1 formed in the visible area VA must be taken into consideration when controlling the hypercritical treatment. In addition, only the matrix of the metal nanowire material layer 220 is removed by the argon plasma treatment process. Therefore, it can be seen that after the argon plasma treatment process, the metal nanowires 222 in the metal nanowire material layer 220 are exposed to the visible area VA and the peripheral area PA.

より具体的には、本開示のいくつかの実施形態による銀材料層２３０にアルゴンプラズマ処理工程を施した後のエッチング領域Ｓの走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）画像である図６を参照する。図６から、アルゴンプラズマ処理工程後に、エッチング領域Ｓから金属ナノワイヤ２２２が露出していることがわかる。 More specifically, see FIG. 6, which is a scanning electron microscope (SEM) image of an etched region S after an argon plasma treatment process is performed on a silver material layer 230 according to some embodiments of the present disclosure. From FIG. 6, it can be seen that the metal nanowires 222 are exposed from the etched region S after the argon plasma treatment process.

補足すると、上記ステップＳ１５で述べたアルゴンプラズマ処理工程は、実際の製造工程におけるエッチング精度の要求に応じて選択的に調整することができる。例えば、１回のアルゴンプラズマ処理工程により、厚さＨ３が約１００ｎｍの残留物２５０を除去することができる。したがって、厚さＨ３が１００ｎｍを超える残留物２５０を完全に除去するためには、少なくとも２回のアルゴンプラズマ処理工程を必要とする場合がある。さらに、いくつかの実施形態では、残留物２５０の一部を予め除去するために、アルゴンプラズマ処理工程の前に化学洗浄工程を行うことができる。しかし、化学洗浄工程では化学反応によって残留物２５０を除去するため、化学平衡に達した後は残留物２５０を除去することはできない。そのため、化学洗浄工程の目的は、残留物２５０の厚さＨ３を約１００ｎｍまで薄くし、１回のアルゴンプラズマ処理工程を行うだけで残留物２５０を完全に除去できるようにすることである。いくつかの実施形態では、化学洗浄工程において、樹脂を除去できる化学洗浄剤を使用して、約０．２ＭＰａのシャワーヘッド圧力で約４５℃の周囲温度で約４０秒間、銀材料層２３０上に表面処理を行う。 In addition, the argon plasma treatment process described in step S15 above can be selectively adjusted according to the etching accuracy requirements in the actual manufacturing process. For example, one argon plasma treatment process can remove the residue 250 with a thickness H3 of about 100 nm. Therefore, at least two argon plasma treatment processes may be required to completely remove the residue 250 with a thickness H3 of more than 100 nm. Furthermore, in some embodiments, a chemical cleaning process can be performed before the argon plasma treatment process to pre-remove a portion of the residue 250. However, since the chemical cleaning process removes the residue 250 through a chemical reaction, the residue 250 cannot be removed after chemical equilibrium is reached. Therefore, the purpose of the chemical cleaning process is to thin the thickness H3 of the residue 250 to about 100 nm so that the residue 250 can be completely removed by performing only one argon plasma treatment process. In some embodiments, in the chemical cleaning process, a chemical cleaning agent capable of removing resin is used to perform a surface treatment on the silver material layer 230 at a showerhead pressure of about 0.2 MPa and an ambient temperature of about 45° C. for about 40 seconds.

次に、図４Ｇを参照する。ステップＳ１６では、周辺領域ＰＡと可視領域ＶＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０がパターン化されるように第２のエッチング工程が行われる。より具体的には、金属ナノワイヤ材料層２２０内の金属ナノワイヤ２２２が第２のエッチング工程によって除去され、第２のエッチング工程によって期待されるパターンが形成される。また、第２のエッチング工程で使用するフォトレジストと第１のエッチング工程で使用するフォトレジストは同一のフォトレジスト層２４０であるため、第２のエッチング工程によって周辺領域ＰＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０上に形成されるパターンは、周辺領域ＰＡに相当するパターン化された銀材料層２３０上のパターンと同一となり、その他の期待されるパターン（例えば、電極パターンＥＰ）は、第２のエッチング工程によって可視領域ＶＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０上に形成される。全体として、フォトレジスト層２４０の電極パターンＥＰ及び配線パターンＴＰは、第２のエッチング工程中に金属ナノワイヤ材料層２２０に転写されてもよく、金属ナノワイヤ材料層２２０には、可視領域ＶＡに相当する電極部Ｅ及び周辺領域ＰＡに相当する配線部Ｔが設けられるようにパターン化される。いくつかの実施形態では、金属ナノワイヤ材料層２２０をエッチングするためのエッチング液の主成分は、例えば硝酸第二鉄を含んでもよい。なお、金属ナノワイヤ材料層２２０（銀ナノワイヤ材料層）をエッチングするためのエッチング液の主成分と、前述の銀材料層２３０をエッチングするためのエッチング液の主成分は、いずれも硝酸第二鉄である。しかし、実際の工程に合わせて微量成分を調整することで、金属ナノワイヤ材料層２２０と銀材料層２３０のエッチング条件を差別化できるよう制御することができる。 Next, refer to FIG. 4G. In step S16, a second etching process is performed so that the metal nanowire material layer 220 corresponding to the peripheral area PA and the visible area VA is patterned. More specifically, the metal nanowires 222 in the metal nanowire material layer 220 are removed by the second etching process, and the expected pattern is formed by the second etching process. In addition, since the photoresist used in the second etching process and the photoresist used in the first etching process are the same photoresist layer 240, the pattern formed on the metal nanowire material layer 220 corresponding to the peripheral area PA by the second etching process is the same as the pattern on the patterned silver material layer 230 corresponding to the peripheral area PA, and other expected patterns (e.g., electrode pattern EP) are formed on the metal nanowire material layer 220 corresponding to the visible area VA by the second etching process. In general, the electrode pattern EP and the wiring pattern TP of the photoresist layer 240 may be transferred to the metal nanowire material layer 220 during the second etching step, and the metal nanowire material layer 220 is patterned to have an electrode portion E corresponding to the visible area VA and a wiring portion T corresponding to the peripheral area PA. In some embodiments, the main component of the etching solution for etching the metal nanowire material layer 220 may include, for example, ferric nitrate. Note that the main component of the etching solution for etching the metal nanowire material layer 220 (silver nanowire material layer) and the main component of the etching solution for etching the silver material layer 230 described above are both ferric nitrate. However, by adjusting the trace components according to the actual process, the etching conditions for the metal nanowire material layer 220 and the silver material layer 230 can be controlled so as to be differentiated.

図４Ｈを参照する。ステップＳ１７でフォトレジスト層２４０を除去する。可視領域ＶＡについては、フォトレジスト層２４０を除去した後、パターン化された金属ナノワイヤ材料層２２０（すなわち、金属ナノワイヤ層１２０）によって形成された複数の電極部Ｅのうち、隣り合う２つの電極部Ｅが、第１のスペーサ領域Ｓ１によって間隔をあけて配置されていることが分かる。周辺領域ＰＡについては、図４Ｈの実施形態において、フォトレジスト層２４０を除去した後、パターン化された金属ナノワイヤ材料層２２０（すなわち、金属ナノワイヤ層１２０）によって形成された複数の配線部Ｔと、パターン化された銀材料層２３０によって形成され、配線部Ｔの上に積層された銀層１３０が形成され、隣り合う２つの配線部Ｔが第２のスペーサ領域Ｓ２によって間隔をあけて配置されていることがわかる。上述の１回のマスクエッチング工程とアルゴンプラズマ処理工程を組み合わせて、周辺領域ＰＡに相当する銀材料層２３０が残した残留物２５０を除去することにより、第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する基板１１０の厚さＴ１は、第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する基板１１０の厚さＴ２よりも薄くなる。換言すると、基板１１０は、第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する第１の表面凹部Ｒ１と、第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する第２の表面凹部とを有していてもよく、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は第２の表面凹部の深さよりも大きい。ただし、本実施形態では第２の表面凹部の深さを０ｎｍに制御している。すなわち、周辺領域ＰＡに相当する基板１１０は、平坦で凹みのない主表面１１１を有しており、その結果、周辺領域ＰＡに相当する基板１１０はそのまま残っている。 Refer to FIG. 4H. In step S17, the photoresist layer 240 is removed. As for the visible area VA, after removing the photoresist layer 240, it can be seen that among the plurality of electrode portions E formed by the patterned metal nanowire material layer 220 (i.e., the metal nanowire layer 120), two adjacent electrode portions E are spaced apart by the first spacer region S1. As for the peripheral area PA, in the embodiment of FIG. 4H, after removing the photoresist layer 240, it can be seen that the plurality of wiring portions T formed by the patterned metal nanowire material layer 220 (i.e., the metal nanowire layer 120) and the silver layer 130 formed by the patterned silver material layer 230 and laminated on the wiring portions T are formed, and the two adjacent wiring portions T are spaced apart by the second spacer region S2. By combining the above-mentioned single mask etching step and the argon plasma treatment step to remove the residue 250 left by the silver material layer 230 corresponding to the peripheral region PA, the thickness T1 of the substrate 110 corresponding to the first spacer region S1 becomes thinner than the thickness T2 of the substrate 110 corresponding to the second spacer region S2. In other words, the substrate 110 may have a first surface recess R1 corresponding to the first spacer region S1 and a second surface recess corresponding to the second spacer region S2, and the depth d1 of the first surface recess R1 is greater than the depth of the second surface recess. However, in this embodiment, the depth of the second surface recess is controlled to 0 nm. That is, the substrate 110 corresponding to the peripheral region PA has a flat and non-recessed main surface 111, and as a result, the substrate 110 corresponding to the peripheral region PA remains as it is.

上記のステップＳ１３～Ｓ１７をまとめると、本開示では、２つのエッチング工程（第１のエッチング工程と第２のエッチング工程）の間にアルゴンプラズマ処理工程を行い、エッチング精度を向上させるとともに、化学洗浄工程を選択的に組み込むこともできる。全体の工程は、「現像（development）」、「（銀材料層２３０の）第１のエッチング（first etching）」、「化学洗浄（chemical cleaning）」、「プラズマ処理（plasma treatment）」、「（金属ナノワイヤ材料層２２０の）第２のエッチング（second etching）」、「剥離（stripping）」と呼ばれ、これはさらに「ＤＥＣＥＰＳ工程」と略される。 To summarize the above steps S13 to S17, in the present disclosure, an argon plasma treatment step is performed between the two etching steps (the first etching step and the second etching step) to improve the etching accuracy, and a chemical cleaning step can also be selectively incorporated. The overall steps are called "development", "first etching (of the silver material layer 230)", "chemical cleaning", "plasma treatment", "second etching (of the metal nanowire material layer 220)", and "stripping", which is further abbreviated as "DECEPS step".

図１Ａと図１Ｂに戻り説明する。いくつかの実施形態では、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。上述のように、本開示のタッチセンサ１００の製造方法は、タッチセンサ１００の狭ベゼル要件を満たすために、エッチング工程を経た銀材料層２３０が残した残留物２５０（例えば樹脂）を完全に除去し、その後のエッチング工程におけるエッチング精度を向上させるアルゴンプラズマ処理工程と組み合わせた１回のマスクエッチング工程を含むため、可視領域ＶＡの基板１１０上に、第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する第１の表面凹部Ｒ１が形成される。また、いくつかの実施形態では、周辺領域ＰＡに相当する銀材料層２３０が残した樹脂を完全に除去するために、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は少なくとも３０ｎｍである。また、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１を２００ｎｍ以下に制御することで、第１のスペーサ領域Ｓ１の深さが大きすぎることによる可視領域ＶＡの光学的均一性に影響を与える可能性を低減できる（例えば、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１を２００ｎｍ以下に制御することで、電極部Ｅの可視性を低下させることができる）。 1A and 1B. In some embodiments, the depth d1 of the first surface recess R1 may be 30 nm or more and 200 nm or less. As described above, the manufacturing method of the touch sensor 100 of the present disclosure includes a single mask etching step combined with an argon plasma treatment step to completely remove the residue 250 (e.g., resin) left by the silver material layer 230 after the etching step and improve the etching accuracy in the subsequent etching step in order to meet the narrow bezel requirement of the touch sensor 100, so that the first surface recess R1 corresponding to the first spacer region S1 is formed on the substrate 110 in the visible area VA. In addition, in some embodiments, the depth d1 of the first surface recess R1 is at least 30 nm in order to completely remove the resin left by the silver material layer 230 corresponding to the peripheral area PA. Furthermore, by controlling the depth d1 of the first surface recess R1 to 200 nm or less, the possibility of the optical uniformity of the visible area VA being affected due to the first spacer region S1 being too deep can be reduced (for example, by controlling the depth d1 of the first surface recess R1 to 200 nm or less, the visibility of the electrode portion E can be reduced).

第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１が可視領域ＶＡの光学的均一性に及ぼす影響を、各実施形態のタッチセンサ１００の半製品を参照して、以下により詳細に検証する。可視領域ＶＡに相当する基板１１０が深さｄ１の異なる第１の表面凹部Ｒ１有する場合のタッチセンサ１００の半製品の可視領域ＶＡの光学試験結果を表１に示す。表１において、各タッチセンサ１００の半製品の積層構造は、基板１１０（ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板とＰＥＴ基板上に配置されたハードコート層を含む）と、基板１１０上に配置された金属ナノワイヤ層１２０とを含み、金属ナノワイヤ層１２０は、間隔をあけて配置された複数の電極部Ｅを含み、金属ナノワイヤ層１２０の厚さＨは４０ｎｍである。また、表１に示す光学試験結果には、タッチセンサ１００の半製品の可視領域ＶＡのヘイズと、タッチセンサ１００の半製品の可視領域ＶＡにおける電極部Ｅの可視性が含まれており、電極部Ｅの可視性は特定の検出条件で、肉眼で観察され（すなわち、タッチセンサ１００の半製品に１０００ルクス～１２００ルクスの照度の光を照射、観察距離３０ｃｍ、観察時間１５秒とする）、規格品に基づいて採点されている。 The effect of the depth d1 of the first surface recess R1 on the optical uniformity of the visible region VA will be examined in more detail below with reference to the semi-finished touch sensor 100 of each embodiment. Table 1 shows the optical test results of the visible region VA of the semi-finished touch sensor 100 when the substrate 110 corresponding to the visible region VA has the first surface recess R1 with a different depth d1. In Table 1, the laminated structure of the semi-finished touch sensor 100 includes the substrate 110 (including a polyethylene terephthalate (PET) substrate and a hard coat layer disposed on the PET substrate) and the metal nanowire layer 120 disposed on the substrate 110, the metal nanowire layer 120 includes a plurality of electrode portions E disposed at intervals, and the thickness H of the metal nanowire layer 120 is 40 nm. In addition, the optical test results shown in Table 1 include the haze in the visible area VA of the semi-finished touch sensor 100 and the visibility of the electrode part E in the visible area VA of the semi-finished touch sensor 100, and the visibility of the electrode part E is observed with the naked eye under specific detection conditions (i.e., the semi-finished touch sensor 100 is irradiated with light of illuminance of 1000 lux to 1200 lux, the observation distance is 30 cm, and the observation time is 15 seconds) and graded based on the standard product.

注：０点→見える、１点→適度に見える、２点→中程度、３点→適度に目立たない、４点→わずかに見える程度、５点→かすかに見える（ほとんど見えない）。可視性試験の合格基準は３点である。

Note: 0 points = visible, 1 point = moderately visible, 2 points = moderate, 3 points = moderately inconspicuous, 4 points = slightly visible, 5 points = faintly visible (almost invisible). The pass mark for the visibility test is 3 points.

表１の光学試験結果からわかるように、基板１１０上の第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１が２００ｎｍ以下の場合、可視領域ＶＡにおける電極部Ｅの可視性にほとんど影響を与えない。すなわち、電極部Ｅは可視性の問題が少なく、可視領域ＶＡのヘイズは比較的小さい。 As can be seen from the optical test results in Table 1, when the depth d1 of the first surface recess R1 on the substrate 110 is 200 nm or less, there is almost no effect on the visibility of the electrode portion E in the visible region VA. In other words, the electrode portion E has few visibility problems, and the haze in the visible region VA is relatively small.

いくつかの実施形態では、可視領域ＶＡについて、第１のスペーサ領域Ｓ１の側面の境界を画定するための側壁は、金属ナノワイヤ層１２０の電極部Ｅ（電極線Ｌ）の側壁１２３であり、第１の表面凹部Ｒ１の側面の境界を画定するための側壁は、基板１１０の側壁１１３であって、側壁１２３と側壁１１３が連続的に延在し、好ましくは、一列に並んだ状態である。周辺領域ＰＡについては、第２のスペーサ領域Ｓ２の側面の境界を画定する側壁は、金属ナノワイヤ層１２０の配線部Ｔの側壁１２５であり、当該側壁１２５と、銀層１３０の側壁１３３とが一列に並んでいる。注目すべきは、本開示では、周辺領域ＰＡについて、まず、周辺領域ＰＡの全面に相当する金属ナノワイヤ層１２０を形成するための材料層を形成し、次に、周辺領域ＰＡの全面に相当する銀層１３０を形成するための材料層を形成した後、１回のマスクエッチング工程を行って、上記の材料層をパターン化し、さらに周辺トレースＰＴを形成する。したがって、周辺領域ＰＡに相当する銀層１３０と金属ナノワイヤ層１２０との重複構造のための重複公差を確保する必要がなく、各周辺トレースＰＴ内の銀層１３０と金属ナノワイヤ層１２０を正確に揃えることができ、タッチセンサ１００の狭ベゼル要件を満たすのに有益である。 In some embodiments, for the visible region VA, the sidewall defining the lateral boundary of the first spacer region S1 is the sidewall 123 of the electrode portion E (electrode line L) of the metal nanowire layer 120, and the sidewall defining the lateral boundary of the first surface recess R1 is the sidewall 113 of the substrate 110, with the sidewalls 123 and 113 extending continuously and preferably aligned in a line. For the peripheral region PA, the sidewall defining the lateral boundary of the second spacer region S2 is the sidewall 125 of the wiring portion T of the metal nanowire layer 120, and the sidewall 125 and the sidewall 133 of the silver layer 130 are aligned in a line. It is noteworthy that in the present disclosure, for the peripheral area PA, a material layer for forming the metal nanowire layer 120 corresponding to the entire surface of the peripheral area PA is first formed, and then a material layer for forming the silver layer 130 corresponding to the entire surface of the peripheral area PA is formed, and then a mask etching process is performed once to pattern the above-mentioned material layer and further form the peripheral traces PT. Therefore, there is no need to ensure the overlap tolerance for the overlapping structure of the silver layer 130 and the metal nanowire layer 120 corresponding to the peripheral area PA, and the silver layer 130 and the metal nanowire layer 120 in each peripheral trace PT can be accurately aligned, which is beneficial to meeting the narrow bezel requirement of the touch sensor 100.

一方、上述したように、本開示の基板１１０は、単一の基板（ベース層）と、ベース層上に配置された少なくとも１つの機能的コーティング層を含んでもよい。この点について、いくつかの実施形態では、基板１１０がベース層と、ベース層上に配置された機能的コーティング層を含む場合、第１の表面凹部Ｒ１の底部境界を画定するための底面は、ベース層の表面であってもよい。すなわち、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は比較的大きく、第１の表面凹部Ｒ１はベース層に凹んでいる。他のいくつかの実施形態では、第１の表面凹部Ｒ１の底部境界を画定するための底面は、機能的コーティング層の表面であってもよい。つまり、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は比較的小さく、第１の表面凹部Ｒ１は機能的コーティング層にのみ凹んでいる。 On the other hand, as described above, the substrate 110 of the present disclosure may include a single substrate (base layer) and at least one functional coating layer disposed on the base layer. In this regard, in some embodiments, when the substrate 110 includes a base layer and a functional coating layer disposed on the base layer, the bottom surface for defining the bottom boundary of the first surface recess R1 may be the surface of the base layer. That is, the depth d1 of the first surface recess R1 is relatively large, and the first surface recess R1 is recessed into the base layer. In other embodiments, the bottom surface for defining the bottom boundary of the first surface recess R1 may be the surface of the functional coating layer. That is, the depth d1 of the first surface recess R1 is relatively small, and the first surface recess R1 is recessed only into the functional coating layer.

また、アルゴンプラズマ処理工程と組み合わせた１回のマスクエッチング工程により、エッチング工程を経た銀材料層２３０が残した樹脂が完全に除去されるため、エッチング処理のエッチング精度を向上させることができ、周辺領域ＰＡに相当する、並列に配置された各周辺トレースＰＴの線幅Ｗ１を６μｍ以上１０μｍ以下に制御し、隣り合う２つの周辺トレースＰＴの線間隔Ｄを６μｍ以上１０μｍ以下に制御することができる。周辺トレースＰＴの線幅Ｗ１と線間隔Ｄは、タッチセンサ１００の周辺領域ＰＡのサイズ（例えば、周辺領域ＰＡの幅Ｗ）に一定の影響を与え、周辺領域ＰＡのサイズは、さらに端末製品のベゼルサイズに影響するため、本開示のタッチセンサ１００は、狭ベゼル製品の要求を満たすとともに、電気的仕様の要件を満たすことができる。 In addition, a single mask etching process combined with an argon plasma treatment process completely removes the resin remaining in the silver material layer 230 after the etching process, improving the etching accuracy of the etching process, and controlling the line width W1 of each peripheral trace PT arranged in parallel, which corresponds to the peripheral area PA, to 6 μm or more and 10 μm or less, and controlling the line spacing D of two adjacent peripheral traces PT to 6 μm or more and 10 μm or less. The line width W1 and line spacing D of the peripheral trace PT have a certain effect on the size of the peripheral area PA of the touch sensor 100 (e.g., the width W of the peripheral area PA), which in turn affects the bezel size of the terminal product, so that the touch sensor 100 of the present disclosure can meet the requirements of narrow bezel products and electrical specifications.

いくつかの実施形態では、タッチセンサ１００は、基板１１０の主表面１１１上に配置され、金属ナノワイヤ層１２０と銀層１３０を完全に覆う保護層１４０をさらに含んでもよい。保護層１４０は、絶縁性樹脂、有機材料、または無機材料を含んでもよい。例えば、保護層１４０は、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリカーボネート、ポリビニルブチラール、ポリスチレンスルホン酸、アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン共重合体、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）、セラミック、又はこれらの組み合わせなどの材料を含んでもよい。 In some embodiments, the touch sensor 100 may further include a protective layer 140 disposed on the major surface 111 of the substrate 110 and completely covering the metal nanowire layer 120 and the silver layer 130. The protective layer 140 may include an insulating resin, an organic material, or an inorganic material. For example, the protective layer 140 may include a material such as polyethylene, polypropylene, polycarbonate, polyvinyl butyral, polystyrene sulfonate, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer, poly(3,4-ethylenedioxythiophene), ceramic, or a combination thereof.

本開示の他のいくつかの実施形態によるタッチセンサ１００ａの模式断面図である図７を参照する。図７の断面位置は図１に示されたＡ－Ａ′線に沿って切断した位置に相当する。図７に示すタッチセンサ１００ａと図１Ｂに示すタッチセンサ１００の少なくとも１つの相違点は、図７のタッチセンサ１００ａにおいて、周辺領域ＰＡに相当する基板１１０は、第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する第２の表面凹部Ｒ２を有することである。第２の表面凹部Ｒ２の形成は、上述した図４Ｆの説明から理解することができる。いくつかの実施形態では、過臨界処理が周辺領域ＰＡに相当する金属ナノワイヤ材料層２２０のマトリックスを完全に除去するようにアルゴンプラズマ処理工程を制御する場合、１回のアルゴンプラズマ処理工程で処理される深さは一定であるため、周辺領域ＰＡの第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する基板１１０をさらに薄くして、その上に第２の表面凹部Ｒ２が形成してもよい。しかし、これは本開示の構造的特徴には影響を与えない。銀材料層２３０が残した残留物２５０が周辺領域ＰＡのエッチング領域Ｓで基板１１０を覆い、残留物２５０は可視領域ＶＡで基板１１０を覆わないため、同じ時間または回数のアルゴンプラズマ処理工程の下では、周辺領域ＰＡに相当するエッチング領域Ｓでの基板１１０の薄化は、可視領域ＶＡに相当するエッチング領域Ｓでの基板１１０の薄化よりも顕著ではない。換言すると、第２の表面凹部Ｒ２の薄肉化の程度は、第１の表面凹部Ｒ１の薄肉化の程度よりも小さい。すなわち、第２の表面凹部Ｒ２の深さｄ２は、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１よりも小さい。換言すると、第２のスペーサ領域Ｓ２に相当する基板１１０の厚さＴ２は、第１のスペーサ領域Ｓ１に相当する基板１１０の厚さＴ１よりも厚い。 7, which is a schematic cross-sectional view of a touch sensor 100a according to some other embodiments of the present disclosure. The cross-sectional position of FIG. 7 corresponds to the position cut along the line A-A' shown in FIG. 1. At least one difference between the touch sensor 100a shown in FIG. 7 and the touch sensor 100 shown in FIG. 1B is that in the touch sensor 100a of FIG. 7, the substrate 110 corresponding to the peripheral region PA has a second surface recess R2 corresponding to the second spacer region S2. The formation of the second surface recess R2 can be understood from the description of FIG. 4F above. In some embodiments, when the argon plasma treatment process is controlled so that the supercritical treatment completely removes the matrix of the metal nanowire material layer 220 corresponding to the peripheral region PA, the depth processed in one argon plasma treatment process is constant, so that the substrate 110 corresponding to the second spacer region S2 in the peripheral region PA may be further thinned to form the second surface recess R2 thereon. However, this does not affect the structural features of the present disclosure. Because the residue 250 left by the silver material layer 230 covers the substrate 110 in the etching area S of the peripheral area PA, and the residue 250 does not cover the substrate 110 in the visible area VA, the thinning of the substrate 110 in the etching area S corresponding to the peripheral area PA is less significant than the thinning of the substrate 110 in the etching area S corresponding to the visible area VA under the same time or number of argon plasma treatment steps. In other words, the degree of thinning of the second surface recess R2 is less than the degree of thinning of the first surface recess R1. That is, the depth d2 of the second surface recess R2 is less than the depth d1 of the first surface recess R1. In other words, the thickness T2 of the substrate 110 corresponding to the second spacer area S2 is thicker than the thickness T1 of the substrate 110 corresponding to the first spacer area S1.

基板１１０上の第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１の測定方法についてさらに補足する。図７及び図８を参照すると、図８は、本開示のいくつかの実施形態による第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１と、第２の表面凹部Ｒ２の深さｄ２の測定を示す模式図である。図８には、矩形のタッチセンサ１００が例として示されており、図８のタッチセンサ１００の電極部Ｅは、第１の方向Ｄ１に沿って延在し、第２の方向Ｄ２に沿って間隔をあけて配置された帯状の電極である。第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は、可視領域ＶＡに相当する基板１１０上で特定の測定を行うことで求めることができ、その測定方法には以下のようなステップを含んでもよい。
ステップＳ１：第２の方向Ｄ２に沿ったタッチセンサ１００ａの可視領域ＶＡに相当する基板１１０の延在長さＬ１を、４つの点Ｏ１～点Ｏ４で長さが等しい５つのセクションに分割する。
ステップＳ２：点Ｏ１をＦＩＢ－ＳＥＭの観察部の中心点（軸）として、表面凹部の底面１０７と基板１１０の主表面１１１との垂直距離Ｘ１を測定し（明確な理解のために、図７を参照）、観察部の表面凹部の深さを求める。
ステップＳ３：点Ｏ２～点Ｏ４を同じＦＩＢ－ＳＥＭの観察部の中心点（軸）とし、ステップＳ２を繰り返して観察部の表面凹部の深さをそれぞれ求める。
ステップＳ４：上述のステップで求めた観察部（合計４個）の表面凹部の深さの平均値を求め、その平均値を第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１とする。
ステップＳ１～Ｓ４を行うと、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１を求めることができる。図７では、表面凹部の底面１０７と基板１１０の主表面１１１との垂直距離Ｘ１を、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１として直接表記しているが、第１の表面凹部Ｒ１の深さｄ１は、実際には観察部で得られた表面凹部の深さの平均値であることを理解されたい。 Further supplementary information will be provided regarding a method for measuring the depth d1 of the first surface recess R1 on the substrate 110. Referring to Figs. 7 and 8, Fig. 8 is a schematic diagram showing the measurement of the depth d1 of the first surface recess R1 and the depth d2 of the second surface recess R2 according to some embodiments of the present disclosure. In Fig. 8, a rectangular touch sensor 100 is shown as an example, and the electrode portion E of the touch sensor 100 in Fig. 8 is a strip-shaped electrode extending along the first direction D1 and spaced apart along the second direction D2. The depth d1 of the first surface recess R1 can be determined by performing a specific measurement on the substrate 110 corresponding to the visible area VA, and the measurement method may include the following steps.
Step S1: The extension length L1 of the substrate 110 along the second direction D2, which corresponds to the visible area VA of the touch sensor 100a, is divided into five sections of equal length at four points O1 to O4.
Step S2: With point O1 as the center point (axis) of the observation area of the FIB-SEM, the vertical distance X1 between the bottom surface 107 of the surface recess and the main surface 111 of the substrate 110 is measured (see FIG. 7 for a clear understanding), and the depth of the surface recess in the observation area is determined.
Step S3: Points O2 to O4 are set as the center points (axes) of the observation portion of the same FIB-SEM, and step S2 is repeated to find the depths of the surface recesses of the observation portion.
Step S4: The average depth of the surface recesses of the observation portions (a total of four) obtained in the above steps is calculated, and this average depth is set as the depth d1 of the first surface recess R1.
By carrying out steps S1 to S4, the depth d1 of the first surface recess R1 can be obtained. In Fig. 7, the vertical distance X1 between the bottom surface 107 of the surface recess and the main surface 111 of the substrate 110 is directly expressed as the depth d1 of the first surface recess R1, but it should be understood that the depth d1 of the first surface recess R1 is actually the average value of the depths of the surface recesses obtained in the observation area.

一方、基板１１０上の第２の表面凹部Ｒ２の深さｄ２の測定方法については、タッチセンサ１００ａの一辺の周辺領域ＰＡの４点で、上記と同じ測定方法を適用してもよいし（すなわち、タッチセンサ１００ａの第２の方向Ｄ２に沿った片側の周辺領域ＰＡに相当する基板１１０の延在長さＬ２を、４点で長さが等しい５つのセクションに分割する）、又は、タッチセンサ１００ａの二辺の周辺領域ＰＡ（例えば、左側と右側）の４点（すなわち、図８に示す点Ｏ１′～点Ｏ２′として、左側２点と、右側２点）で、上記と同じ測定方法を適用してもよい。これにより、表面凹部の底面１０９と基板１１０の主表面１１１との垂直距離Ｘ２（明確な理解のために、図７を参照）を求めることができ、複数の垂直距離Ｘ２の平均値を算出することができる。 On the other hand, the depth d2 of the second surface recess R2 on the substrate 110 may be measured at four points in the peripheral area PA on one side of the touch sensor 100a (i.e., the extension length L2 of the substrate 110 corresponding to the peripheral area PA on one side along the second direction D2 of the touch sensor 100a is divided into five sections of equal length at four points), or at four points in the peripheral area PA on two sides of the touch sensor 100a (e.g., the left and right sides) (i.e., two points on the left and two points on the right as points O1' to O2' shown in FIG. 8). This allows the vertical distance X2 (see FIG. 7 for a clear understanding) between the bottom surface 109 of the surface recess and the main surface 111 of the substrate 110 to be determined, and the average value of the multiple vertical distances X2 can be calculated.

本開示は、その特定の実施形態を参照してかなり詳細に説明されているが、他の実施形態も可能である。したがって、添付の特許請求の範囲の精神および範囲は、ここに含まれる実施形態の説明に限定されるべきではない。 Although the present disclosure has been described in considerable detail with reference to specific embodiments thereof, other embodiments are possible. Accordingly, the spirit and scope of the appended claims should not be limited to the description of the embodiments contained herein.

本開示の範囲または精神から逸脱することなく、本開示の構造に様々な修正および変更を加えることができることは、当業者にとって明らかであろう。上記を考慮して、本開示は、以下の特許請求の範囲内であれば、本開示の修正及び変形を範囲として含むことが意図される。 It will be apparent to those skilled in the art that various modifications and variations can be made to the structure of the present disclosure without departing from the scope or spirit of the disclosure. In view of the above, it is intended that the present disclosure cover modifications and variations of the present disclosure that fall within the scope of the following claims.

Claims

可視領域と、前記可視領域の少なくとも一方の側に隣り合う周辺領域とを有するタッチセンサであって、
前記タッチセンサは、
基板と、
前記基板の主表面に配置された金属ナノワイヤ層であって、前記金属ナノワイヤ層は、前記可視領域に相当する複数の電極部を画定すると共に、前記周辺領域に相当する複数の配線部を画定し、前記電極部は間隔をあけて配置され、前記配線部は前記電極部にそれぞれ接続され、間隔を置いて配置され、前記電極部の２つの隣り合う電極部は、第１のスペーサ領域によって間隔をあけて配置され、前記配線部の２つの隣り合う配線部は、第２のスペーサ領域によって間隔をあけて配置されている、前記金属ナノワイヤ層と、
前記配線部上に配置され、前記配線部と接触している銀層と、を備え、
前記第１のスペーサ領域に相当する前記基板の厚さは、前記第２のスペーサ領域に相当する前記基板の厚さよりも薄い、
タッチセンサ。 1. A touch sensor having a viewable area and a peripheral area adjacent to at least one side of the viewable area,
The touch sensor includes:
A substrate;
a metal nanowire layer disposed on a main surface of the substrate, the metal nanowire layer defining a plurality of electrode portions corresponding to the visible region and a plurality of wiring portions corresponding to the peripheral region, the electrode portions being disposed at intervals, the wiring portions being connected to the electrode portions respectively and disposed at intervals, two adjacent electrode portions of the electrode portion being disposed at intervals by a first spacer region, and two adjacent wiring portions of the wiring portion being disposed at intervals by a second spacer region;
a silver layer disposed on and in contact with the wiring portion;
a thickness of the substrate corresponding to the first spacer region is smaller than a thickness of the substrate corresponding to the second spacer region;
Touch sensor.

前記基板は、前記第１のスペーサ領域に相当する第１の表面凹部と、前記第２のスペーサ領域に相当する第２の表面凹部を有し、前記第１の表面凹部の深さが３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１に記載のタッチセンサ。 The touch sensor according to claim 1, wherein the substrate has a first surface recess corresponding to the first spacer region and a second surface recess corresponding to the second spacer region, and the depth of the first surface recess is 30 nm or more and 200 nm or less.

前記基板は、前記第１のスペーサ領域に相当する第１の表面凹部を有し、前記第１の表面凹部の深さが３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下であり、前記周辺領域に相当する前記基板の前記主表面は実質的に平坦である、請求項１に記載のタッチセンサ。 The touch sensor of claim 1, wherein the substrate has a first surface recess corresponding to the first spacer region, the depth of the first surface recess is 30 nm or more and 200 nm or less, and the main surface of the substrate corresponding to the peripheral region is substantially flat.

前記基板は、ベース層と、前記ベース層上に配置された機能的コーティング層とを含み、前記第１の表面凹部の底部境界を画定するための底面が前記ベース層の表面である、請求項２又は３に記載のタッチセンサ。 The touch sensor of claim 2 or 3, wherein the substrate includes a base layer and a functional coating layer disposed on the base layer, and a bottom surface for defining a bottom boundary of the first surface recess is a surface of the base layer.

前記基板は、ベース層と、前記ベース層上に配置された機能的コーティング層とを含み、前記第１の表面凹部の底部境界を画定するための底面が前記機能的コーティング層の表面である、請求項２又は３に記載のタッチセンサ。 The touch sensor according to claim 2 or 3, wherein the substrate includes a base layer and a functional coating layer disposed on the base layer, and a bottom surface for defining a bottom boundary of the first surface recess is a surface of the functional coating layer.

前記銀層は前記配線部の上面と接触して、前記タッチセンサの複数の周辺トレースを形成する、請求項１～３のいずれか一項に記載のタッチセンサ。 The touch sensor of any one of claims 1 to 3, wherein the silver layer contacts a top surface of the wiring portion to form a plurality of peripheral traces of the touch sensor.

前記金属ナノワイヤ層は、マトリックスと、前記マトリックス内に分布する複数の金属ナノワイヤと、を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のタッチセンサ。 The touch sensor according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal nanowire layer includes a matrix and a plurality of metal nanowires distributed within the matrix.

可視領域と、前記可視領域の少なくとも一方の側に隣り合う周辺領域とを有するタッチセンサの製造方法であって、
基板の主表面上に前記可視領域および前記周辺領域に相当する金属ナノワイヤ材料層を形成することと、
前記金属ナノワイヤ材料層上に前記周辺領域に相当する銀材料層をスクリーン印刷することと、
前記金属ナノワイヤ材料層と前記銀材料層を覆うフォトレジスト層を形成することと、
前記フォトレジスト層をパターン化するための露光工程および現像工程を行うことと、
ここで、パターン化された前記フォトレジスト層は前記可視領域に相当する電極パターンを画定し、前記周辺領域に相当する配線パターンを画定するものであり、
前記配線パターンを介して前記銀材料層をパターン化するための第１のエッチング工程を行うことと、
前記配線パターンを介して前記周辺領域に相当する残留樹脂を除去するアルゴンプラズマ処理工程を行うことと、
ここで、前記残留樹脂は、前記第１のエッチング工程を経た前記銀材料層によって残されたものであり、
前記基板上に第１の表面凹部が形成されるように、前記金属ナノワイヤ材料層の少なくとも一部と、前記電極パターンを介して前記可視領域に相当する前記基板の一部とを除去するアルゴンプラズマ処理工程を行うことと、
前記配線パターン及び前記電極パターンを介して前記金属ナノワイヤ材料層をパターン化するための第２のエッチング工程を行うことと、
前記フォトレジスト層を除去することと、を含む、
タッチセンサの製造方法。 1. A method for manufacturing a touch sensor having a visible area and a peripheral area adjacent to at least one side of the visible area, comprising:
forming a metal nanowire material layer on a main surface of a substrate, the metal nanowire material layer corresponding to the visible region and the peripheral region;
screen printing a silver material layer corresponding to the peripheral region on the metal nanowire material layer;
forming a photoresist layer covering the metal nanowire material layer and the silver material layer;
performing an exposure step and a development step to pattern the photoresist layer;
wherein the patterned photoresist layer defines an electrode pattern corresponding to the visible region and defines a wiring pattern corresponding to the peripheral region;
carrying out a first etching step for patterning the silver material layer through the wiring pattern;
performing an argon plasma treatment process to remove residual resin corresponding to the peripheral region through the wiring pattern;
wherein the residual resin is left by the silver material layer after the first etching step;
performing an argon plasma treatment step of removing at least a portion of the metal nanowire material layer and a portion of the substrate corresponding to the visible area through the electrode pattern so as to form a first surface recess on the substrate;
performing a second etching process for patterning the metal nanowire material layer through the wiring pattern and the electrode pattern;
removing the photoresist layer.
A method for manufacturing a touch sensor.

前記第１のエッチング工程の後、アルゴンプラズマ処理工程の前に化学洗浄工程を行い、ここで、前記化学洗浄工程は、前記配線パターンを介して前記周辺領域に相当する前記残留樹脂の一部を除去し、前記第１のエッチング工程を経た前記銀材料層による前記残留樹脂は残すことをさらに含む、請求項８に記載のタッチセンサの製造方法。 The method for manufacturing a touch sensor according to claim 8, further comprising: performing a chemical cleaning process after the first etching process and before the argon plasma treatment process, in which the chemical cleaning process removes a portion of the residual resin corresponding to the peripheral region through the wiring pattern, and leaves the residual resin due to the silver material layer that has been subjected to the first etching process.

前記金属ナノワイヤ材料層は、マトリックスと、前記マトリックス内に分布する複数の金属ナノワイヤとを含む、請求項８又は９に記載のタッチセンサの製造方法。 The method for manufacturing a touch sensor according to claim 8 or 9, wherein the metal nanowire material layer includes a matrix and a plurality of metal nanowires distributed within the matrix.

前記アルゴンプラズマ処理工程は、前記金属ナノワイヤ材料層の前記マトリックスを除去する、請求項１０に記載のタッチセンサの製造方法。 The method for manufacturing a touch sensor according to claim 10, wherein the argon plasma treatment process removes the matrix of the metal nanowire material layer.

前記アルゴンプラズマ処理工程は、前記配線パターンを介して前記周辺領域に相当する前記金属ナノワイヤ材料層の前記マトリックスの少なくとも一部を除去することをさらに含む、請求項１０に記載のタッチセンサの製造方法。 The method for manufacturing a touch sensor according to claim 10, wherein the argon plasma treatment step further includes removing at least a portion of the matrix of the metal nanowire material layer corresponding to the peripheral region through the wiring pattern.

前記アルゴンプラズマ処理工程は、前記基板上に第２の表面凹部が形成されるように、前記配線パターンを介して前記周辺領域に相当する前記基板の一部を除去することをさらに含む、請求項１２に記載のタッチセンサの製造方法。 The method for manufacturing a touch sensor according to claim 12, wherein the argon plasma treatment step further includes removing a portion of the substrate corresponding to the peripheral region through the wiring pattern so as to form a second surface recess on the substrate.