JP2024046368A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2024046368A
JP2024046368A JP2022151707A JP2022151707A JP2024046368A JP 2024046368 A JP2024046368 A JP 2024046368A JP 2022151707 A JP2022151707 A JP 2022151707A JP 2022151707 A JP2022151707 A JP 2022151707A JP 2024046368 A JP2024046368 A JP 2024046368A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrates
substrate
vertical
horizontal
holding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2022151707A
Other languages
English (en)
Inventor
一郎 光吉
Ichiro Mitsuyoshi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2022151707A priority Critical patent/JP2024046368A/ja
Priority to KR1020230076732A priority patent/KR20240041209A/ko
Priority to CN202311058540.0A priority patent/CN117747475A/zh
Priority to US18/469,707 priority patent/US20240105482A1/en
Publication of JP2024046368A publication Critical patent/JP2024046368A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68707—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a robot blade, or gripped by a gripper for conveyance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67718—Changing orientation of the substrate, e.g. from a horizontal position to a vertical position
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • H01L21/67781—Batch transfer of wafers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

【課題】姿勢変換部が自ら移動して受け取った基板の姿勢を変換すると共に、水平姿勢への変換後に、基板を鉛直姿勢で保持していた鉛直保持部側から水平基板搬送機構がアクセス可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】基板処理装置１の姿勢変換部６３は、基板Ｗが水平姿勢である場合に、複数枚の基板Ｗを載置する２個の水平保持部と、基板Ｗが鉛直姿勢である場合に、水平保持部の下方に設けられると共に基板Ｗを鉛直姿勢で保持する２個の鉛直保持部と、保持位置と通過位置との間で２個の鉛直保持部を移動させる開閉部と、２個の水平保持部と２個の鉛直保持部とを支持する支持部と、２個の鉛直保持部が水平基板搬送機構に向くように、支持部を水平軸周りに回転させる縦回転部と、支持部および縦回転部を移動させる移動部とを備える。基板Ｗが水平姿勢に変換されたとき、開閉部は、２個の鉛直保持部を通過位置に移動させる。【選択図】図１

Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。
従来の基板処理装置として、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式処理モジュール（バッチ処理部）と、バッチ式処理モジュールで処理された基板を一枚ずつ処理する枚葉式処理モジュール（枚葉処理部）とを備えたハイブリッド式の基板処理装置がある（例えば特許文献１，２参照）。
バッチ式処理モジュールが処理する複数枚の基板は、鉛直姿勢である。これに対し、枚葉式モジュールが処理する基板は、水平姿勢である。そのため、回転機構（姿勢変換機構）は、各基板の姿勢を鉛直から水平に変換している。
なお、特許文献３の基板処理装置は、姿勢変換機構（姿勢変換部または回転機構）を備えている。
特表２０１６－５０２２７５号公報 特開２０２１－０６４６５２号公報 特開２０１８－０５６３４１号公報
特許文献１の装置は、槽、ロボットおよび回転機構を備える。ロボットは、２枚の基板を槽から取り出し、その２枚の基板を回転機構に載置する。そして、回転機構は、２枚の基板の姿勢を水平姿勢に変更する。すなわち、回転機構は、ロボットが搬送した基板の姿勢を変換している。この点、回転機構（姿勢変換部）は、自ら移動して受け取った基板の姿勢を変換したい場合がある。
また、例えば、姿勢変換部は、基板を鉛直姿勢で保持する鉛直保持部を備えていると共に、基板処理装置は、水平姿勢の基板を搬送する水平基板搬送機構を備えている場合がある。この場合、姿勢変換部は、基板を水平姿勢に変換後に、鉛直保持部、すなわち鉛直保持部の下面を水平基板搬送機構に向けたい場合がある。これは、水平基板搬送機構が鉛直保持部側から姿勢変換部にアクセスするためである。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、姿勢変換部が自ら移動して受け取った基板の姿勢を変換すると共に、水平姿勢への変換後に、基板を鉛直姿勢で保持していた鉛直保持部側から水平基板搬送機構がアクセス可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る基板処理装置は、複数枚の基板を一括して処理するバッチ処理と、基板を１枚ずつ処理する枚葉処理とを連続して行う基板処理装置であって、複数枚の基板を一括して処理するバッチ処理槽と、前記バッチ処理槽に対して鉛直姿勢の前記複数枚の基板を一括して搬送するバッチ基板搬送機構と、基板を１枚ずつ処理する枚葉処理チャンバと、前記枚葉処理チャンバに対して水平姿勢の基板を１枚ずつ搬送する水平基板搬送機構と、バッチ処理された前記複数枚の基板を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換機構と、を備え、前記姿勢変換機構は、前記バッチ基板搬送機構で搬送され、かつ所定間隔で配置された鉛直姿勢の前記複数枚の基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部から前記複数枚の基板を受け取ると共に、前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部と、を備え、前記姿勢変換部は、前記複数枚の基板に含まれる各基板の半径方向に対向する２個の側部を収容する２個の水平保持部であって、前記複数枚の基板が水平姿勢である場合に、前記複数枚の基板を所定間隔で載置する前記２個の水平保持部と、前記複数枚の基板に含まれる各基板の２個の側部を収容する２個の鉛直保持部であって、前記複数枚の基板が鉛直姿勢である場合に、前記水平保持部の下方に設けられると共に前記複数枚の基板を鉛直姿勢で保持する前記２個の鉛直保持部と、前記２個の鉛直保持部を用いて前記複数枚の基板を保持するために前記２個の鉛直保持部の間隔を狭くする保持位置と、前記２個の鉛直保持部の間に各基板を通過させるために前記２個の鉛直保持部の間隔を広くする通過位置との間で前記２個の鉛直保持部を移動させる開閉部と、前記２個の水平保持部と前記２個の鉛直保持部とを支持する支持部と、前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換させるために、前記２個の鉛直保持部が前記水平基板搬送機構に向くように、前記支持部を水平軸周りに回転させる縦回転部と、前記基板保持部が配置された基板待機領域と、前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換するための姿勢変換実行領域とに亘って、前記支持部および前記縦回転部を移動させる移動部と、を備え、前記移動部は、鉛直姿勢の前記複数枚の基板が前記基板保持部で保持されたときに、前記支持部および前記縦回転部を前記基板待機領域に移動させ、前記２個の鉛直保持部は、前記開閉部で前記保持位置に移動されることにより、前記基板保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板を保持すると共に、前記２個の水平保持部は、前記２個の鉛直保持部で保持された前記複数枚の基板を収容し、前記移動部は、前記２個の鉛直保持部で前記複数枚の基板を保持した状態で、前記支持部および前記縦回転部を前記姿勢変換実行領域に移動させ、前記縦回転部は、前記支持部を前記水平軸周りに回転させることにより、前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、前記開閉部は、前記複数枚の基板が水平姿勢に変換されたとき、前記２個の鉛直保持部を前記通過位置に移動させ、前記水平基板搬送機構は、前記通過位置に移動された前記２個の鉛直保持部の間を通過させながら、水平姿勢の前記複数枚の基板から１枚ずつ基板を取り出し、取り出した基板を前記枚葉処理チャンバに搬送することを特徴とするものである。
本発明に係る基板処理装置によれば、姿勢変換機構は、基板保持部と姿勢変換部とを備える。姿勢変換部の移動部は、２個の水平保持部と２個の鉛直保持部とを支持する支持部を移動させることができる。また、姿勢変換部の縦回転部は、支持部を水平軸周りに回転させる。そのため、姿勢変換部は、自ら移動して受け取った基板の姿勢を変換することができる。また、縦回転部は、基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換させるために、２個の鉛直保持部が水平基板搬送機構に向くように、支持部を水平軸周りに回転させる。その後、開閉部は、２個の鉛直保持部を通過位置に移動させている。これにより、水平基板搬送機構は、鉛直保持部側から基板を搬送することができる。
また、上述の基板処理装置において、前記姿勢変換部は、前記複数枚の基板が整列する方向と直交し、かつ前記水平軸に直交する方向に延びる回転軸周りに前記支持部を回転させる横回転部を更に備え、前記移動部は、前記支持部、前記横回転部および前記縦回転部を移動させることが好ましい。姿勢変換部が基板保持部から基板を受け取った後の任意のタイミングで、基板の裏表の向きを変えることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記姿勢変換機構は、前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる第２横回転部を備えることが好ましい。基板保持部側で基板の表裏の向きを変えることができるので、姿勢変換部の構成をシンプルにすることができる。
また、上述の基板処理装置において、前記２個の鉛直保持部は、１枚の基板を各々保持する複数対の保持溝と、１枚の基板を各々通過させる複数対の通過溝とを備え、前記複数対の保持溝および前記複数対の通過溝は、１対ずつ交互に配置され、前記２個の鉛直保持部は、前記開閉部で前記保持位置に移動されることにより、前記基板保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板のうちの１枚置きに整列された第１の分割基板群を前記複数対の保持溝で保持すると共に、前記２個の水平保持部は、前記第１の分割基板群を収容することが好ましい。２個の鉛直保持部は、複数枚の基板のうちの１枚置きに整列された第１の分割基板群を保持するので、隣接する２枚の基板の間隔を広げることができる。そのため、水平基板搬送機構が姿勢変換部から基板を容易に取り出すことができる。
また、上述の基板処理装置において、前記姿勢変換機構は、前記基板保持部で保持された前記複数枚の基板を液体に浸漬させるために、前記液体を貯留する待機槽を更に備えることが好ましい。枚葉処理チャンバによる乾燥処理の前に、基板が乾燥すると、基板のパターン倒れが発生する。しかし、本発明により、基板保持部で保持された基板の乾燥を防止できる。
また、上述の基板処理装置において、前記姿勢変換機構は、前記姿勢変換部の前記２個の鉛直保持部で保持された前記複数枚の基板に対してシャワー状またはミスト状に液体を供給する姿勢変換部用ノズルを更に備えていることが好ましい。枚葉処理チャンバによる乾燥処理の前に、基板が乾燥すると、基板のパターン倒れが発生する。しかし、本発明により、姿勢変換部の２個の鉛直保持部で保持された基板の乾燥を防止できる。
また、上述の基板処理装置において、前記移動部は、前記２個の鉛直保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板よりも高い位置に設けられることが好ましい。濡れた基板から液滴が落下することにより、移動部を含む姿勢変換部の駆動部分が汚染させることを防止できる。例えば、駆動部分が汚染によって故障することを防止できる。
また、上述の基板処理装置において、前記水平軸は、前記２個の鉛直保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板よりも高い位置に設けられ、前記支持部は、前記２個の水平保持部を介して、前記２個の鉛直保持部の反対側から、前記２個の水平保持部と前記２個の鉛直保持部とを支持することが好ましい。これにより、縦回転部が支持部を水平軸周りに回転させた際に、２個の鉛直保持部等で保持された基板を水平基板搬送機構側に近づけることができる。
本発明に係る基板処理装置によれば、姿勢変換部が自ら移動して受け取った基板の姿勢を変換すると共に、水平姿勢に変換した後に、基板を鉛直姿勢で保持していた鉛直保持部側から水平基板搬送機構がアクセスできる。
実施例１に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。 基板ハンドリング機構を示す側面図である。 （ａ）～（ｆ）は、移載ブロックの第１姿勢変換機構（姿勢変更部とプッシャ機構）を説明するための側面図である。 （ａ）は、第２姿勢変換機構を示す平面図であり、（ｂ）は、第２姿勢変換機構を示す正面図である。 姿勢変換部の２個のチャック（水平保持部と鉛直保持部）を説明するための正面図である。 基板処理装置の動作を説明するためのフローチャートである。 第２姿勢変換機構の動作を説明するためのフローチャートである。 （ａ）～（ｃ）は、第２姿勢変換機構の前半の動作を説明するための正面図である。 （ａ）～（ｃ）は、第２姿勢変換機構の前半の動作を説明するための平面図である。 （ａ）～（ｃ）は、第２姿勢変換機構の後半の動作を説明するための正面図である。 （ａ）～（ｃ）は、第２姿勢変換機構の後半の動作を説明するための平面図である。 （ａ）は、実施例２に係る第２姿勢変換機構を示す平面図であり、（ｂ）は、実施例２に係る第２姿勢変換機構を示す正面図である。 （ａ）は、実施例３に係る第２姿勢変換機構のリフタを示す縦断面図であり、（ｂ）は、実施例３に係る第２姿勢変換機構の姿勢変換部を示す側面図である。 変形例に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図である。
以下、図面を参照して本発明の実施例１を説明する。図１は、実施例１に係る基板処理装置１の概略構成を示す平面図である。図２は、基板ハンドリング機構ＨＴＲを示す側面図である。
＜１．全体構成＞
図１を参照する。基板処理装置１は、ストッカーブロック３、移載ブロック５および処理ブロック７を備える。ストッカーブロック３、移載ブロック５および処理ブロック７は、この順番で水平方向に１列に配置される。
基板処理装置１は、基板Ｗに対して、例えば、薬液処理、洗浄処理、乾燥処理などを行う。基板処理装置１は、基板Ｗに対して、バッチ処理と枚葉処理とを連続して行う。すなわち、基板処理装置１は、バッチ処理を行った後に、基板Ｗに対して枚葉処理を行う。バッチ処理は、複数枚の基板Ｗを一括して処理する処理方式である。枚葉処理は、基板Ｗを一枚ずつ処理する処理方式である。
本明細書では、便宜上、ストッカーブロック３、移載ブロック５および処理ブロック７が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、移載ブロック５からストッカーブロック３に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平方向を「幅方向Ｙ」と呼ぶ。幅方向Ｙの一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方と反対の方向を「左方」と呼ぶ。水平方向に対して垂直な方向を「鉛直方向Ｚ」と呼ぶ。例えば図１では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。
＜２．ストッカーブロック＞
ストッカーブロック３は、少なくとも１つのキャリアＣを収容するものである。ストッカーブロック３には、１又は２以上（例えば２つ）のロードポート９が設けられる。ストッカーブロック３は、キャリア搬送機構（ロボット）１１と棚１３を備える。
キャリア搬送機構１１は、ロードポート９と棚１３との間でキャリアＣを搬送する。キャリア搬送機構１１は、キャリアＣの上面の突起部を把持する把持部、あるいは、キャリアＣの底面に接触しつつキャリアＣを支持するハンドを備える。棚１３は、基板Ｗを取り出し・収納するための棚１３Ａと、保管用の棚１３Ｂとに分類される。
棚１３Ａは、移載ブロック５に隣接して配置される。棚１３Ａは、キャリアＣの蓋部を着脱する機構が設けられていてもよい。棚１３Ａは、少なくとも１つ設けられる。棚１３Ａは、キャリアＣが載置される。キャリアＣは、複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを水平姿勢で所定間隔（例えば１０ｍｍ間隔）を空けて鉛直方向Ｚに収納する。なお、基板Ｗは、基板Ｗの厚み方向に整列される。キャリアＣとして、例えば、ＦＯＵＰ（Front Opening Unify Pod）が用いられる。ＦＯＵＰは、密閉型容器である。キャリアＣは、開放型容器でもよく、種類を問わない。
＜３．移載ブロック＞
移載ブロック５は、ストッカーブロック３の後方Ｘに隣接して配置される。移載ブロック５は、基板ハンドリング機構（ロボット）ＨＴＲと第１姿勢変換機構１５を備える。
基板ハンドリング機構ＨＴＲは、移載ブロック５内の右方Ｙ側に設けられる。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、棚１３Ａに載置されたキャリアＣ、第１姿勢変換機構１５およびバッファ部２７（後述する）の間で水平姿勢の複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを一括して搬送できる。
図２を参照する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、複数個（例えば２５個）のハンド１７を備える。図２において、図示の便宜上、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、３個のハンド１７を備えるものとする。各ハンド１７は、１枚の基板Ｗを保持する。
また、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、ハンド支持部１９、進退部２０および昇降回転部２１を備える。ハンド支持部１９は、複数個のハンド１７を支持する。これにより、複数個のハンド１７は、一体的に移動する。進退部２０は、ハンド支持部１９を介して、複数個のハンド１７を前進および後退させる。昇降回転部２１は、鉛直軸ＡＸ１周りに進退部２０を回転させることで、鉛直軸ＡＸ１周りに複数個のハンド１７等を回転させる。また、昇降回転部２１は、進退部２０を昇降させることで、複数個のハンド１７等を昇降させる。昇降回転部２１は、床面に固定されている。すなわち、昇降回転部２１は、水平方向に移動しない。なお、進退部２０および昇降回転部２１は各々、電動モータを備える。なお、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、ハンド１７およびハンド支持部１９とは別に、１枚の基板Ｗを搬送するためのハンド（図示しない）を備えてもよい。
図１を参照する。第１姿勢変換機構１５は、キャリアＣから取り出された複数枚の基板Ｗを水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。第１姿勢変換機構１５は、姿勢変換部２３とプッシャ機構２５を備える。図１において、基板ハンドリング機構ＨＴＲ、姿勢変換部２３およびプッシャ機構２５は、この順番で左方Ｙに配置される。図３（ａ）～図３（ｆ）は、移載ブロック５の第１姿勢変換機構１５（姿勢変換部２３とプッシャ機構２５）を説明するための側面図である。
図１、図３（ａ）に示すように、姿勢変換部２３は、支持台２３Ａ、１対の水平保持部２３Ｂ、１対の鉛直保持部２３Ｃ、および回転駆動部２３Ｄを備える。１対の水平保持部２３Ｂおよび１対の鉛直保持部２３Ｃは、支持台２３Ａに設けられる。水平保持部２３Ｂおよび鉛直保持部２３Ｃは、基板ハンドリング機構ＨＴＲよって搬送された複数枚の基板Ｗを受け取る。基板Ｗが水平姿勢であるとき、１対の水平保持部２３Ｂは、各基板Ｗの下面に接触しつつ、基板Ｗを下方から支持する。また、基板Ｗが鉛直姿勢であるとき、１対の鉛直保持部２３Ｃは、基板Ｗを保持する。
回転駆動部２３Ｄは、水平軸ＡＸ２周りに支持台２３Ａを回転可能に支持する。また、回転駆動部２３Ｄは、水平軸ＡＸ２周りに支持台２３Ａを回転させることで、保持部２３Ｂ，２３Ｃに保持された複数枚の基板Ｗの姿勢を水平から鉛直に変換する。
図１、図３（ｆ）に示すように、プッシャ機構２５は、プッシャ２５Ａ、昇降回転部２５Ｂ、水平移動部２５Ｃおよびレール２５Ｄを備える。プッシャ２５Ａは、鉛直姿勢の複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗの各々の下部を支持する。なお、図３（ａ）～図３（ｆ）において、図示の便宜上、プッシャ２５Ａは、６枚の基板Ｗを支持できるように構成される。
昇降回転部２５Ｂは、プッシャ２５Ａの下面に連結される。昇降回転部２５Ｂは、伸縮することでプッシャ２５Ａを上下方向に昇降させる。また、昇降回転部２５Ｂは、鉛直軸ＡＸ３周りにプッシャ２５Ａを回転させる。水平移動部２５Ｃは、昇降回転部２５Ｂを支持する。水平移動部２５Ｃは、プッシャ２５Ａおよび昇降回転部２５Ｂをレール２５Ｄに沿って水平移動させる。レール２５Ｄは、幅方向Ｙに延びるように形成される。なお、回転駆動部２３Ｄ、昇降回転部２５Ｂおよび水平移動部２５Ｃは各々、電動モータを備える。
ここで、第１姿勢変換機構１５の動作を説明する。処理ブロック７の後述するバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は、２個分のキャリアＣの例えば５０枚の基板Ｗを一括して処理する。第１姿勢変換機構１５は、５０枚の基板Ｗを２５枚ずつ姿勢変換する。また、第１姿勢変換機構１５は、複数枚の基板Ｗをフェース・ツー・フェース（Face to Face）方式で所定の間隔（ハーフピッチ）で並べる。ハーフピッチは、例えば５ｍｍ間隔である。プッシャ機構２５は、この５０枚の基板Ｗを搬送機構ＷＴＲに搬送する。
なお、第１のキャリアＣ内の２５枚の基板Ｗは、第１基板群の基板Ｗ１として説明される。第２のキャリアＣの２５枚の基板Ｗは、第２基板群の基板Ｗ２として説明される。また、図３（ａ）～図３（ｆ）において、図示の都合上、第１基板群の基板Ｗ１の枚数が３枚であり、かつ第２基板群の基板Ｗ２が３枚であるとして説明する。また、基板Ｗ１と基板Ｗ２を特に区別しない場合、基板Ｗ１およびＷ２は「基板Ｗ」と記載される。
図３（ａ）を参照する。姿勢変換部２３は、基板ハンドリング機構ＨＴＲにより搬送された第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を保持部２３Ｂ，２３Ｃで受け取る。この際、２５枚の基板Ｗ１は、水平姿勢であり、デバイス面は上向きである。２５枚の基板Ｗ１は、所定の間隔（フルピッチ）で配置される。フルピッチは、例えば１０ｍｍ間隔である。フルピッチは、ノーマルピッチとも呼ばれる。
なお、ハーフピッチは、フルピッチの半分の間隔である。また、基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）のデバイス面とは、電子回路が形成される面であり、「表面」と呼ばれる。また、基板Ｗの裏面とは、電子回路が形成されない面をいう。デバイス面の反対側の面が裏面である。
図３（ｂ）を参照する。姿勢変換部２３は、保持部２３Ｂ，２３Ｃを水平軸ＡＸ２周りに９０度（degree）回転させて、２５枚の基板Ｗ１の姿勢を水平から鉛直に変換する。図３（ｃ）を参照する。プッシャ機構２５は、姿勢変換部２３の保持部２３Ｂ，２３Ｃよりも高い位置にプッシャ２５Ａを上昇させる。これにより、プッシャ２５Ａは、保持部２３Ｂ，２３Ｃから２５枚の基板Ｗを受け取る。プッシャ２５Ａに保持された２５枚の基板Ｗ１は、左方Ｙを向く。なお、図３（ａ）～図３（ｆ）中、基板Ｗに付された矢印ＡＲは、基板Ｗのデバイス面の向きを示す。
図３（ｄ）を参照する。プッシャ機構２５は、鉛直軸ＡＸ３周りに鉛直姿勢の２５枚の基板Ｗを１８０度回転させる。これにより、２５枚の基板Ｗ１は、反転されて右方Ｙを向く。更に、反転された２５枚の基板Ｗ１は、回転前の位置から左方Ｙにハーフピッチ分（例えば５ｍｍ）移動する。また、姿勢変換部２３の保持部２３Ｂ，２３Ｃを水平軸ＡＸ２周りに－９０度回転させて、次の基板Ｗ２を受け取ることができる状態にする。その後、姿勢変換部２３は、基板ハンドリング機構ＨＴＲにより搬送された第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を保持部２３Ｂ，２３Ｃで受け取る。この際、２５枚の基板Ｗ２は、水平姿勢であり、デバイス面は上向きである。なお、姿勢変換部２３とプッシャ機構２５は互いに干渉しないように動作される。
図３（ｅ）を参照する。プッシャ機構２５は、第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を保持するプッシャ２５Ａを退避位置に下降させる。その後、姿勢変換部２３は、２５枚の基板Ｗ２の姿勢を水平から鉛直に変換する。姿勢変換後の２５枚の基板Ｗ２は、左方Ｙを向く。図３（ｆ）を参照する。その後、プッシャ機構２５は、第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を保持するプッシャ２５Ａを上昇させる。これにより、プッシャ機構２５は、姿勢変換部２３から２５枚の基板Ｗ２を更に受け取る。
これにより、プッシャ２５Ａは、第１基板群および第２基板群の５０枚の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）を保持する。５０枚の基板Ｗは、２５枚の基板Ｗ１と２５枚の基板Ｗ２とが１枚ずつ交互に配置される。５０枚の基板Ｗは、ハーフピッチ（例えば５ｍｍ間隔）で配置される。更に、２５枚の基板Ｗ１は、２５枚の基板Ｗ２と逆方向を向いている。そのため、５０枚の基板Ｗは、フェース・ツー・フェース方式で配置される。すなわち、隣接する２枚の基板Ｗ１，Ｗ２は、２つのデバイス面（または２つの裏面）が向き合っている。
その後、プッシャ機構２５は、５０枚の基板Ｗを保持するプッシャ２５Ａを搬送機構ＷＴＲの１対のチャック２９，３０の下方の基板受け渡し位置ＰＰにレール２５Ｄに沿って移動させる。
＜４．処理ブロック７＞
処理ブロック７は、移載ブロック５に隣接する。処理ブロック７は、移載ブロック５の後方Ｘに配置される。処理ブロック７は、バッチ処理領域Ｒ１、バッチ基板搬送領域Ｒ２、姿勢変換領域Ｒ３、枚葉基板搬送領域Ｒ４および枚葉処理領域Ｒ５を備える。また、基板処理装置１は、基板Ｗを載置するバッファ部２７を備える。
＜４－１．バッチ処理領域Ｒ１＞
バッチ処理領域Ｒ１は、バッチ基板搬送領域Ｒ２、姿勢変換領域Ｒ３および枚葉処理領域Ｒ５に隣接する。また、バッチ処理領域Ｒ１は、移載ブロック５から離れる方向（後方Ｘ）に延びる。
バッチ処理領域Ｒ１には、例えば６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６が設けられる。６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は、バッチ処理領域Ｒ１が延びる前後方向Ｘに一列で並ぶ。なお、バッチ処理槽の個数は、６個に限定されず、複数個であればよい。
６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は各々、鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを一括して浸漬処理する。例えば、６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は、４つの薬液処理槽ＢＴ１～ＢＴ４と、２つの水洗処理槽ＢＴ５，ＢＴ６とで構成される。具体的には、２個の薬液処理槽ＢＴ１，ＢＴ２と水洗処理槽ＢＴ５を１組とする。そして、２個の薬液処理槽ＢＴ３，ＢＴ４と水洗処理槽ＢＴ６を他の１組とする。
４つの薬液処理槽ＢＴ１～ＢＴ４は各々、薬液によるエッチング処理を行う。薬液として、例えば燐酸が用いられる。薬液処理槽ＢＴ１は、図示しない薬液噴出管から供給された薬液を貯留する。薬液噴出管は、薬液処理槽ＢＴ１の内壁に設けられる。３つの薬液処理槽ＢＴ２～ＢＴ４は各々、薬液処理槽ＢＴ１と同様に構成される。
２つの水洗処理槽ＢＴ５，ＢＴ６は各々、複数枚の基板Ｗに付着している薬液を純水で洗い流す純水洗浄処理を行う。純水として、例えば脱イオン水（ＤＩＷ：Deionized Water）が用いられる。２つの水洗処理槽ＢＴ５，ＢＴ６は各々、図示しない洗浄液噴出管から供給された純水を貯留する。洗浄液噴出管は、各水洗処理槽ＢＴ５，ＢＴ６の内壁に設けられる。
６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６には、６個のリフタＬＦ１～ＬＦ６がそれぞれ設けられる。例えば、リフタＬＦ１は、所定間隔（ハーフピッチ）で配置された鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを保持する。また、リフタＬＦ１は、バッチ処理槽（薬液処理槽）ＢＴ１の内部の処理位置と、バッチ処理槽ＢＴ１の上方の受け渡し位置との間で、複数枚の基板Ｗを昇降させる。他の５個のリフタＬＦ２～ＬＦ６は、リフタＬＦ１と同様に構成される。
＜４－２．バッチ基板搬送領域Ｒ２＞
バッチ基板搬送領域Ｒ２は、移載ブロック５、バッチ処理領域Ｒ１および姿勢変換領域Ｒ３に隣接する。バッチ基板搬送領域Ｒ２は、バッチ処理領域Ｒ１に沿って設けられる。バッチ基板搬送領域Ｒ２の一端側が移載ブロック５まで延び、その他端側が移載ブロック５から離れる方向（後方Ｘ）に延びる。バッチ基板搬送領域Ｒ２は、バッチ処理領域Ｒ１に対して平行に延びる。
バッチ基板搬送領域Ｒ２は、搬送機構（ロボット）ＷＴＲを有する。すなわち、バッチ基板搬送領域Ｒ２には、搬送機構ＷＴＲが設けられる。搬送機構ＷＴＲは、移載ブロック５内に定められた基板受け渡し位置ＰＰと、例えば６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６と、第２姿勢変換機構３５（リフタＬＦ９）との間で鉛直姿勢の複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを一括して搬送する。なお、搬送機構ＷＴＲが第２姿勢変換機構３５を通過するとき、搬送機構ＷＴＲは、後述する姿勢変換部６３の水平移動部９５の上方を移動する。
搬送機構ＷＴＲは、１対のチャック２９，３０、およびガイドレール３３を備える。チャック２９，３０は各々、例えば、５０枚の基板Ｗを保持するために５０個の保持溝を備える。２つのチャック２９，３０は各々、平面視で、Ｙ方向（図１）に平行に延びる。搬送機構ＷＴＲは、２つのチャック２９，３０を開いたり閉じたりする。搬送機構ＷＴＲは、１対のチャック２９，３０をガイドレール３３に沿って移動させる。搬送機構ＷＴＲは、電動モータで駆動される。なお、搬送機構ＷＴＲは、本発明のバッチ基板搬送機構に相当する。
＜４－３．姿勢変換領域Ｒ３＞
姿勢変換領域Ｒ３は、移載ブロック５とバッチ処理領域Ｒ１との間に設けられる。また、姿勢変換領域Ｒ３は、バッチ基板搬送領域Ｒ２、枚葉基板搬送領域Ｒ４および枚葉処理領域Ｒ５の間に配置される。そのため、姿勢変換領域Ｒ３は、移載ブロック５、バッチ処理領域Ｒ１、バッチ基板搬送領域Ｒ２、枚葉基板搬送領域Ｒ４および枚葉処理領域Ｒ５に隣接する。
姿勢変換領域Ｒ３には、第２姿勢変換機構３５が設けられる。第２姿勢変換機構３５は、バッチ処理された複数枚の基板Ｗを鉛直姿勢から水平姿勢に変換する。第２姿勢変換機構３５の詳細は後述する。なお、第２姿勢変換機構３５は、本発明の姿勢変換機構に相当する。
＜４－４．枚葉基板搬送領域Ｒ４＞
枚葉基板搬送領域Ｒ４は、移載ブロック５、姿勢変換領域Ｒ３および枚葉処理領域Ｒ５に隣接する。また、枚葉基板搬送領域Ｒ４は、姿勢変換領域Ｒ３を介してバッチ基板搬送領域Ｒ２の反対側に設けられる。
枚葉基板搬送領域Ｒ４には、センターロボットＣＲが設けられる。センターロボットＣＲは、第２姿勢変換機構３５、枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２（後述する）およびバッファ部２７との間で水平姿勢の基板Ｗを１枚ずつ搬送することができる。また、センターロボットＣＲの周囲には、移載ブロック５、第２姿勢変換機構３５および枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２を配置することができる。これにより、センターロボットＣＲによる基板Ｗの搬送距離を短くできるので、基板Ｗを効率的に搬送することができる。なお、センターロボットＣＲは、本発明の水平基板搬送機構に相当する。
センターロボットＣＲは、２つのハンド３７Ａ，３７Ｂ、２つの多関節アーム３９Ａ，３９Ｂ、および昇降台４１を備える。２つのハンド３７Ａ，３７Ｂは各々、水平姿勢の１枚の基板Ｗを保持する。２つのハンド３７Ａ，３７Ｂは各々、水平移動が可能である。２つの多関節アーム３９Ａ，３９Ｂは各々、例えばスカラ型で構成される。多関節アーム３９Ａの先端部はハンド３７Ａを支持し、多関節アーム３９Ｂの先端部はハンド３７Ｂを支持する。多関節アーム３９Ａは、水平方向（前後方向Ｘおよび幅方向Ｙ）にハンド３７Ａを移動させ、また、多関節アーム３９Ｂは、水平方向にハンド３７Ｂを移動させる。
昇降台４１は、２つの多関節アーム３９Ａ，３９Ｂの各々の基端部を支持する。昇降台４１は、上下方向に伸縮可能に構成される。そのため、昇降台４１は、２つのハンド３７Ａ，３７Ｂおよび２つの多関節アーム３９Ａ，３９Ｂを昇降させる。昇降台４１の水平方向の位置は、移動されず固定される。これにより、例えば、昇降台４１が水平方向に移動することによる基板Ｗの搬送距離を短くできる。また、昇降台４１の移動を省略できる。
バッファ部２７は、移載ブロック５と枚葉基板搬送領域Ｒ４とにまたがって配置されている。すなわち、移載ブロック５と枚葉基板搬送領域Ｒ４との境界に設けられている。また、バッファ部２７は、移載ブロック５または枚葉基板搬送領域Ｒ４だけに設けられてもよい。そのため、バッファ部２７は、移載ブロック５と枚葉基板搬送領域Ｒ４との境界、移載ブロック５、および枚葉基板搬送領域Ｒ４のいずれかに固定して設けられていればよい。なお、センターロボットＣＲは、２組のハンド３７Ａ，３７Ｂと多関節アーム３９Ａ，３９Ｂを備えていたが、センターロボットＣＲは、１組または３組以上のハンドと多関節アームを備えていてもよい。
バッファ部２７は、複数個の載置棚を備えている。複数個の載置棚は各々、水平姿勢である。複数個の載置棚は各々、１枚の基板Ｗを載置することができる。バッファ部２７は、複数枚の基板Ｗを水平姿勢で所定間隔（フルピッチ）を空けて鉛直方向Ｚに載置する。すなわち、複数個の載置棚は、所定間隔（フルピッチ）でかつ鉛直方向Ｚに配置される。バッファ部２７は、基板ハンドリング機構ＨＴＲが搬送可能な例えば２５枚の基板Ｗが少なくとも載置できるように構成される。バッファ部２７は、例えば５０枚の基板Ｗを載置できるように構成される。必要により、バッファ部２７の載置棚の個数は、２個以上２４個以下であってもよい。
＜４－５．枚葉処理領域Ｒ５＞
枚葉処理領域Ｒ５は、バッチ処理領域Ｒ１、姿勢変換領域Ｒ３および枚葉基板搬送領域Ｒ４に隣接する。枚葉処理領域Ｒ５は、枚葉基板搬送領域Ｒ４を介して移載ブロック５の反対側に設けられる。
枚葉処理領域Ｒ５には、複数（例えば２個）の枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２が設けられる。２個の枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２は、バッチ処理領域Ｒ１が延びる前後方向Ｘと直交する幅方向Ｙに沿って配置される。各枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２は、水平姿勢の基板Ｗを１枚ずつ処理する。第１枚葉処理チャンバＳＷ１は、姿勢変換領域Ｒ３の右方Ｘに配置される。第２枚葉処理チャンバＳＷ２は、第１枚葉処理チャンバＳＷ１の右方Ｘに配置される。
また、枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２は、複数段で構成されてもよい。例えば、６個の枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２は、幅方向Ｙ（水平方向）に２個でかつ鉛直方向Ｚに３個で配置されていてもよい。なお、枚葉処理チャンバの個数は、２個又は６個に限定されない。
例えば、第１枚葉処理チャンバＳＷ１は、回転処理部４５とノズル４７とを備える。回転処理部４５は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で保持するスピンチャックと、その基板Ｗの中心を通過する鉛直軸周りにスピンチャックを回転させる電動モータとを備える。スピンチャックは、真空吸着により基板Ｗの下面を保持するものであってもよい。また、スピンチャックは、基板Ｗの外縁をつかむ３本以上のチャックピンを備えてもよい。
ノズル４７は、回転処理部４５で保持された基板Ｗに処理液を供給する。ノズル４７は、回転処理部４５から離れた待機位置と、回転処理部４５の上方の供給位置とにわたって移動される。処理液として、例えば、純水（ＤＩＷ）およびＩＰＡ（イソプロピルアルコール）が用いられる。枚葉処理チャンバＳＷ１は、例えば、基板Ｗに対して純水で洗浄処理を行った後、基板Ｗの上面にＩＰＡの液膜を形成してもよい。
枚葉処理チャンバＳＷ２は、例えば、超臨界流体による乾燥処理を行う。流体として、例えば二酸化炭素が用いられる。枚葉処理チャンバＳＷ２は、チャンバ本体（容器）４８、支持トレイ、および蓋部を備える。チャンバ本体４８は、内部に設けられた処理空間と、この処理空間に基板Ｗを入れるための開口と、供給口と、排気口とを備える。基板Ｗは、支持トレイに支持されつつ処理空間に収容される。蓋部はチャンバ本体４８の開口を塞ぐ。例えば、枚葉処理チャンバＳＷ２は各々、流体を超臨界状態にして、供給口からチャンバ本体４８内の処理空間に超臨界流体を供給する。この際、チャンバ本体４８内の処理空間は、排気口から排気される。処理空間に供給された超臨界流体により、基板Ｗに対する乾燥処理が行われる。
超臨界状態は、流体に固有の臨界温度と臨界圧力にすることで得られる。具体的には、流体が二酸化炭素の場合、臨界温度が３１℃であり、臨界圧力が７．３８ＭＰａである。超臨界流体で基板Ｗに対して乾燥処理を行うことで、基板Ｗに形成されたパターンが倒れることを抑制することができる。
＜５．制御部＞
基板処理装置１は、制御部５９と記憶部（図示しない）を備えている。制御部５９は、基板処理装置１の各構成を制御する。制御部５９は、例えば中央演算処理装置（ＣＰＵ）などの１つ以上のプロセッサを備える。記憶部は、例えば、ＲＯＭ（Read-Only Memory）、ＲＡＭ（Random-Access Memory）、およびハードディスクの少なくとも１つを備えている。記憶部は、基板処理装置１の各構成を制御するために必要なコンピュータプログラムを記憶する。
＜６．第２姿勢変換機構＞
図４（ａ）は、第２姿勢変換機構３５の平面図である。図４（ｂ）は、第２姿勢変換機構３５の正面図である。図５は、姿勢変換部の２個のチャック（水平保持部と鉛直保持部）を説明するための正面図である。
第２姿勢変換機構３５は、基板待機領域Ｒ３１と姿勢変換実行領域Ｒ３２を備える。基板待機領域Ｒ３１と姿勢変換実行領域Ｒ３２は、バッチ処理領域Ｒ１または６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６が延びる前後方向Ｘに沿って配置される。
第２姿勢変換機構３５は、リフタＬＦ９と姿勢変換部６３とを備える。基板待機領域Ｒ３１には、リフタＬＦ９が設けられる。これに対して、姿勢変換実行領域Ｒ３２には、姿勢変換部６３が設けられる。次に、リフタＬＦ９および姿勢変換部６３の詳細について説明する。
＜６－１．リフタＬＦ９＞
リフタＬＦ９は、搬送機構ＷＴＲにより搬送された複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを鉛直姿勢で保持する。リフタＬＦ９は、基板保持部６５と、鉛直方向Ｚに基板保持部６５を昇降させる昇降部６７とを備える。基板保持部６５は、本発明の基板保持部に相当する。
基板保持部６５は、所定間隔（例えばハーフピッチ）で配置された例えば５０枚の基板Ｗを下から保持する。基板保持部６５は、Ｙ方向に各々延びる例えば３本の保持部材６８を備える。３本の保持部材６８は各々、５０枚の基板Ｗを保持するために、基板Ｗの枚数と同数（５０個）の保持溝６８Ａを備える。各保持溝６８Ａの奥は、Ｖ状に形成される。昇降部６７は、基板保持部６５を昇降させる。昇降部６７は、例えば電動モータまたはエアシリンダを備える。
なお、リフタＬＦ９（基板保持部６５）と６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は、搬送機構ＷＴＲが５０枚の基板Ｗを直線状に搬送できるように、前後方向Ｘに直線状に配置される。
＜６－２．姿勢変換部＞
姿勢変換部６３は、基板保持部６５から複数枚の基板Ｗを受け取ると共に、複数枚の基板Ｗの姿勢を鉛直から水平に変換する。姿勢変換部６３は、２個のチャック７１，７２、２本のアーム７５，７６およびアーム支持部７８を備える。アーム支持部７８は、本発明の支持部に相当する。
姿勢変換部６３は、基板待機領域Ｒ３１において２個のチャック７１，７２を用いて基板保持部６５から複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを受け取り、姿勢変換実行領域Ｒ３２内において縦回転部９４を用いて複数枚の基板Ｗの姿勢を垂直から水平に変換する。具体的に説明する。
２個のチャック７１，７２は、複数枚（例えば２５枚）の基板Ｗを保持する。第１チャック７１は、第１水平保持部７９と第１鉛直保持部８０とを備える。また、第２チャック７２は、第２水平保持部８１と第２鉛直保持部８２とを備える。２個の水平保持部７９，８１および２個の鉛直保持部８０，８２は各々、複数枚の基板Ｗが整列する方向に延びるように形成される。
２個の水平保持部７９，８１は、複数枚の基板Ｗに含まれる各基板Ｗの半径方向に対向する２個の側部を収容する。２個の水平保持部７９，８１は、複数枚の基板Ｗが水平姿勢である場合に、複数枚の基板Ｗを所定間隔（例えばハーフピッチ）で載置する。２個の鉛直保持部８０，８２は、複数枚の基板Ｗに含まれる各基板Ｗの２個の側部を収容する。２個の鉛直保持部８０，８２は、複数枚の基板Ｗが鉛直姿勢である場合に、水平保持部の下方に設けられる。また、２個の鉛直保持部８０，８２は、複数枚の基板Ｗが鉛直姿勢である場合に、複数枚の基板Ｗを鉛直姿勢で保持する。なお、２個の鉛直保持部８０，８２が保持する複数枚の基板Ｗが鉛直姿勢である場合に、２個の水平保持部７９，８１は、複数枚の基板Ｗを挟みつつ、水平方向ＸＹに配置される。同様に、基板Ｗが鉛直姿勢である場合に、２個の鉛直保持部８０，８２は、複数枚の基板Ｗを挟みつつ、水平方向ＸＹに配置される。
図５を参照する。２個の水平保持部７９，８１は、複数対（例えば５０対）の水平置きガイド溝８５，８６を備える。５０個の第１水平置きガイド溝８５は、水平保持部７９に設けられる。５０個の第２水平置きガイド溝８６は、水平保持部８１に設けられる。例えば２個の水平置きガイド溝８５Ａ，８６Ａは対向して配置される。なお、複数枚の基板Ｗが鉛直姿勢の場合、複数対の水平置きガイド溝８５，８６は各々、後述する通過溝９１，９２と同様の機能を有する。
また、２個の水平保持部７９，８１は、例えば２５対の水平置きガイド溝８５，８６を備えていてもよい。また、水平置きガイド溝８５，８６の対の数は５０対または２５対に限定されない。後述する保持溝８９，９０および通過溝９１，９２の対の数も２５対に限定されない。
２個の鉛直保持部８０，８２は、複数対（例えば２５対）の保持溝８９，９０と、複数対（２５対）の通過溝９１，９２とを備える。複数対の保持溝８９，９０は各々、１枚の基板Ｗを保持する。複数対の通過溝９１，９２は各々、１枚の基板Ｗを通過させる複数対の保持溝８９，９０および複数対の通過溝９１，９２は、１対ずつ交互に配置される。なお、２個の保持溝８９Ａ，９０Ａは対向して配置される。
２５個の保持溝８９および２５個の通過溝９１は、第１鉛直保持部８０に設けられる。２５個の保持溝８９および２５個の通過溝９１は、１個ずつ交互に配置される。２５個の保持溝９０および２５個の通過溝９２は、第２鉛直保持部８２に設けられる。２５個の保持溝９０および２５個の通過溝９２は、１個ずつ交互に配置される。各保持溝８９，９０の奥は、断面Ｖ状で形成される。そのため、各保持溝８９，９０は、１枚の基板Ｗを鉛直姿勢で保持できる。これにより、隣接する基板Ｗに倒れかかることはない。
図４（ｂ）に示すように、第１アーム７５は、第１水平保持部７９および第１鉛直保持部８０を支持する。第２アーム７６は、第２水平保持部８１および第２鉛直保持部８２を支持する。アーム支持部７８は、２個のアーム７５，７６の各々の上端部（基端部）を支持する。アーム支持部７８と２個のアーム７５，７６は、Ｃ状またはＵ状に形成される。
アーム支持部７８は、２個の水平保持部７９，８１を介して、２個の鉛直保持部８０，８２の反対側に配置される。そのため、アーム支持部７８等は、２個の水平保持部７９，８１を介して、２個の鉛直保持部８０，８２の反対側から２個の水平保持部７９，８１および２個の鉛直保持部８０，８２を支持する。
また、図５に実線と一点鎖線で示すように、２個の水平保持部７９，８１は、水平方向に開閉するように構成される。すなわち、姿勢変換部６３は、開閉部８７を備える（図４参照）。開閉部８７は、例えば電動モータまたはエアシリンダを備える。開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２で基板Ｗを保持するために２個の鉛直保持部８０，８２の間隔を狭くする保持位置ＰＰ２と、２個の鉛直保持部８０，８２の間に各基板Ｗを通過させるために２個の鉛直保持部８０，８２の間隔を広くする通過位置ＰＰ３との間で２個の鉛直保持部８０，８２を直線移動させる。
２個の鉛直保持部８０，８２が保持位置ＰＰ２にあるときは、閉じた状態である。例えば、複数枚の基板Ｗが鉛直姿勢である場合に、２個の鉛直保持部８０，８２の間隔を狭くする。２個の鉛直保持部８０，８２は、開閉部８７で保持位置ＰＰ２に移動されることにより、基板保持部６５に保持された鉛直姿勢の複数枚の基板Ｗを保持すると共に、２個の水平保持部７９，８１は、２個の鉛直保持部８０，８２で保持された複数枚の基板Ｗを収容する。また、２個の鉛直保持部８０，８２が通過位置ＰＰ３にあるときは、開いた状態である。例えば、開閉部８７は、後述する縦回転部９４が基板Ｗの姿勢を鉛直から水平に回転させた場合に、２個の鉛直保持部８０，８２を通過位置ＰＰ３に移動させる。すなわち、複数枚の基板Ｗが水平姿勢である場合に、２個の鉛直保持部８０，８２の間隔を広くする。
また、姿勢変換部６３は、横回転部９３、縦回転部９４、水平移動部９５、回転シャフト９７および鉛直アーム９８を備える。横回転部９３は、アーム支持部７８を回転可能に支持する。横回転部９３は、２個の鉛直保持部８０，８２が基板Ｗを鉛直姿勢で保持するときに、基板Ｗが整列する方向と直交する回転軸（鉛直軸）ＡＸ４周りに２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を回転させる。横回転部９３および縦回転部９４は各々、例えば電動モータを備える。
回転シャフト９７の先端部は、横回転部９３に接続される。回転シャフト９７の基端部は、縦回転部９４に回転可能に連結される。回転シャフト９７は水平方向（前後方向Ｘ）に延びる。そのため、回転シャフト９７の中心軸は、水平軸ＡＸ５である。水平軸（中心軸）ＡＸ５は、２個の鉛直保持部８０，８２で保持された鉛直姿勢の基板Ｗよりも高い位置に設けられている。縦回転部９４は、基板Ｗの姿勢を鉛直から水平に回転させるために、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を水平軸ＡＸ５周りに回転させる。縦回転部９４は、鉛直アーム９８の下端部に支持される。
水平移動部９５は、２個のチャック７１，７２、アーム支持部７８、開閉部８７、横回転部９３および縦回転部９４を水平方向に移動させる。また、水平移動部９５は、基板保持部６５が配置された基板待機領域Ｒ３１と、複数枚の基板Ｗを鉛直姿勢から水平姿勢に変換するための姿勢変換実行領域Ｒ３２とに亘って、アーム支持部７８および縦回転部９４を水平方向に移動させる。
水平移動部９５は、２個の鉛直保持部８０，８２で保持された鉛直姿勢の各基板Ｗよりも高い位置に設けられる。これにより、２個のチャック７１，７２が吊り下げられた状態になる。そのため、基板Ｗに付着した液滴が落下して移動部および回転部を汚染することを防止する。これにより、液滴の汚染により移動部および回転部が故障することを防止する。
水平移動部９５は、Ｘ方向移動部１０１とＹ方向移動部１０２とを備える。Ｘ方向移動部１０１は、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を前後方向Ｘに沿って移動させる。Ｙ方向移動部１０２は、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を幅方向Ｙに沿って移動させる。２個の移動部１０１，１０２は各々、電動モータを有するリニアアクチュエータを備える。図４（ａ）において、鉛直アーム９８の上端部は、Ｙ方向移動部１０２に移動可能に接続される。Ｙ方向移動部１０２は、鉛直アーム９８を幅方向Ｙに沿って移動させる。なお、水平移動部は、本発明の移動部に相当する。
＜６．動作説明＞
次に、図６、図７のフローチャートを参照しつつ、基板処理装置１の動作について説明する。図１を参照する。図示しない外部搬送ロボットは、２個のキャリアＣをロードポート９に順番に搬送する。
〔ステップＳ０１〕キャリアからの基板搬送
ストッカーブロック３のキャリア搬送機構１１は、ロードポート９から棚１３Ａに第１のキャリアＣを搬送する。移載ブロック５の基板ハンドリング機構ＨＴＲは、棚１３Ａに載置された第１のキャリアＣから水平姿勢の２５枚の基板Ｗ１を取り出して、姿勢変換部２３に搬送する。その後、キャリア搬送機構１１は、空の第１のキャリアＣを棚１３Ｂに搬送する。その後、キャリア搬送機構１１は、ロードポート９から棚１３Ａに第２のキャリアＣを搬送する。基板ハンドリング機構ＨＴＲは、棚１３Ａに載置された第２のキャリアＣから水平姿勢の２５枚の基板Ｗ２を取り出して、姿勢変換部２３に搬送する。
〔ステップＳ０２〕鉛直姿勢への姿勢変換
姿勢変換部２３には、２個のキャリアＣの５０枚の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）が搬送される。姿勢変換部２３とプッシャ機構２５は、図３（ａ）～図３（ｆ）に示すように、５０枚の基板Ｗをフェース・ツー・フェース方式でかつハーフピッチ（５ｍｍ）に整列させると共に、５０枚の基板Ｗの姿勢を水平姿勢から鉛直姿勢に変換する。プッシャ機構２５は、移載ブロック５内に定められた基板受け渡し位置ＰＰに鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗを搬送する。
〔ステップＳ０３〕薬液処理（バッチ処理）
搬送機構ＷＴＲは、基板受け渡し位置ＰＰでプッシャ機構２５から鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗを受け取り、４つの薬液処理槽ＢＴ１～ＢＴ４の４つのリフタＬＦ１～ＬＦ４のいずれかに５０枚の基板Ｗを搬送する。なお、搬送機構ＷＴＲが姿勢変換領域Ｒ３を通過する際に、搬送機構ＷＴＲは、第２姿勢変換機構３５と干渉しないように、例えば、第２姿勢変換機構３５の上方を通過する。
例えば、搬送機構ＷＴＲは、薬液処理槽ＢＴ１のリフタＬＦ１に５０枚の基板Ｗを搬送する。リフタＬＦ１は、薬液処理槽ＢＴ１の上方の位置で５０枚の基板Ｗを受け取る。リフタＬＦ１は、薬液処理槽ＢＴ１内の処理液としての燐酸に５０枚の基板Ｗを浸漬させる。これにより、エッチング処理が５０枚の基板Ｗに対して行われる。エッチング処理の後、リフタＬＦ１は、５０枚の基板Ｗを薬液処理槽ＢＴ１の燐酸から引き上げる。なお、５０枚の基板Ｗが他の薬液処理槽ＢＴ２～ＢＴ４のリフタＬＦ２～ＬＦ４の各々に搬送された場合も薬液処理槽ＢＴ１と同様の処理が行われる。
〔ステップＳ０４〕純水洗浄処理（バッチ処理）
搬送機構ＷＴＲは、例えばリフタＬＦ１（またはリフタＬＦ２）から鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗを受け取り、水洗処理槽ＢＴ５のリフタＬＦ５に５０枚の基板Ｗを搬送する。リフタＬＦ５は、水洗処理槽ＢＴ５の上方の位置で５０枚の基板Ｗを受け取る。リフタＬＦ５は、水洗処理槽ＢＴ５内の純水に５０枚の基板Ｗを浸漬させる。これにより、５０枚の基板Ｗは洗浄処理が行われる。
なお、搬送機構ＷＴＲがリフタＬＦ３，ＬＦ４の一方から鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗを受け取る場合、搬送機構ＷＴＲは、水洗処理槽ＢＴ６のリフタＬＦ６に５０枚の基板Ｗを搬送する。リフタＬＦ６は、水洗処理槽ＢＴ６の上方の位置で５０枚の基板Ｗを受け取る。リフタＬＦ６は、水洗処理槽ＢＴ６内の純水に５０枚の基板Ｗを浸漬させる。
〔ステップＳ０５〕水平姿勢への姿勢変換
第２姿勢変換機構３５は、洗浄処理が行われた基板Ｗの姿勢を鉛直から水平に変換する。ここで、次のような問題がある。すなわち、ハーフピッチ（５ｍｍ間隔）で配置された５０枚の基板Ｗの姿勢を一括して変換すると、センターロボットＣＲの各ハンド３７Ａ，３７Ｂが５０枚の基板Ｗのうちの隣接する２枚の基板Ｗの隙間に良好に侵入できない場合がある。
また、フェース・ツー・フェース方式で基板Ｗが整列される場合、水平姿勢に変換された基板Ｗは、デバイス面が上向きの基板Ｗもあれば、デバイス面が下向きの基板Ｗもある。例えば、センターロボットＣＲの各ハンド３７Ａ，３７Ｂが基板Ｗのデバイス面と接触することは好ましくない。また、デバイス面の向きが異なる基板Ｗが各枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２に搬送されるのは、好ましくない。
そこで、本実施例では、隣接する２枚の基板Ｗの間隔を広げると共に、５０枚の基板Ｗのデバイス面の向きを互いに一致させている。図７のフローチャート、図１、図８（ａ）～図１１（ｃ）を参照しながら、具体的に説明する。
なお、図８（ａ）～図８（ｃ）、図１０（ａ）～図１０（ｃ）は、第２姿勢変換機構３５の正面図である。図９（ａ）～図９（ｃ）、図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、第２姿勢変換機構３５の平面図である。例えば図９（ａ）は、図８（ａ）に対応する。また、図１１（ｂ）は、図１０（ｂ）に対応する。
〔ステップＳ１１〕リフタＬＦ９への基板の搬送
図１を参照する。搬送機構ＷＴＲは、リフタＬＦ５，ＬＦ６の一方から第２姿勢変換機構３５のリフタＬＦ９の基板保持部６５に５０枚の基板Ｗを搬送する。リフタＬＦ９の基板保持部６５は、ハーフピッチでかつ、フェース・ツー・フェース方式で配置された鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗを保持する。また、５０枚の基板Ｗは、幅方向Ｙに沿って整列する。
〔ステップＳ１２〕基板待機領域への姿勢変換部の移動
図８（ａ）、図９（ａ）を参照する。鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗが基板保持部６５で保持されたときに、姿勢変換部６３の水平移動部９５（主にＸ方向移動部１０１）は、姿勢変換実行領域Ｒ３２から基板待機領域Ｒ３１の基板保持部６５の上方に、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を移動させる。また、水平移動部９５のＹ方向移動部１０２は、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を第１基板保持位置に移動させる。なお、第１基板保持位置は、２５対の保持溝８９，９０が第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を保持することができる位置である。
また、姿勢変換部６３の開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を互いに離れる方向に水平移動して開いた状態にする（図５の通過位置ＰＰ３参照）。
〔ステップＳ１３〕姿勢変換部による第１基板群の受け取り
２個の鉛直保持部８０，８２は、開閉部８７で保持位置ＰＰ２に移動されることにより、基板保持部６５に保持された鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗのうちの１枚置きに整列された第１の分割基板群（２５枚の基板Ｗ１）を２５対の保持溝８９，９０で保持すると共に、２個の水平保持部７９，８１は、第１の分割基板群（２５枚の基板Ｗ１）を収容する。具体的に説明する。
基板保持部６５は、５０枚の基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）を鉛直姿勢で保持した状態である。リフタＬＦ９の昇降部６７は、基板Ｗを引き渡せる上位置まで基板保持部６５を上昇させる。この際、５０枚の基板Ｗは、２個の鉛直保持部８０，８２の間を通過すると共に、２個の水平保持部７９，８１の５０対の水平置きガイド溝８５，８６にそれぞれ収まる。
その後、開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を互いに近付ける方向に水平移動して閉じた状態にする（図５の保持位置ＰＰ２参照）。これにより、基板保持部６５が鉛直姿勢で保持する５０枚の基板Ｗは、図５の下側の２個の枠に示すように、１対ずつ交互に配置された２５対の保持溝８９，９０および２５対の通過溝９１，９２によって収容される。
その後、リフタＬＦ９の昇降部６７は、下側の待機位置まで基板保持部６５を下降させる。これにより、第１基板群の２５枚の基板Ｗ１は、姿勢変換部６３に引き渡される一方、第２基板群の２５枚の基板Ｗ２は、基板保持部６５に残される。すなわち、姿勢変換部６３は、基板保持部６５から５０枚の基板Ｗのうちの１枚置きに整列された第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を２５対の保持溝８９，９０で保持して抜き取る。なお、第１基板群の複数枚の基板Ｗ１は、本発明の第１の分割基板群に相当する。また、第２基板群の複数枚の基板Ｗ２は、第２の分割基板群と呼ばれる。
なお、１枚置きに抜き取った２５枚の基板Ｗ１は、フルピッチで整列される。また、基板保持部６５に残された２５枚の基板Ｗ２もまた、フルピッチで配置される。基板保持部６５に残された２５枚の基板Ｗ２は、待機状態になる。
〔ステップＳ１４〕姿勢変換実行領域への移動
図８（ｂ）、図９（ｂ）を参照する。水平移動部９５（Ｘ方向移動部１０１およびＹ方向移動部１０２）は、２個の鉛直保持部８０，８２で２５枚の基板Ｗ１を保持した状態で、基板待機領域Ｒ３１の基板保持部６５の上方から姿勢変換実行領域Ｒ３２の所定の位置に、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を移動させる。すなわち、姿勢変換部６３は、姿勢変換実行領域Ｒ３２に鉛直姿勢の第１基板群の２５枚の基板Ｗ１を搬送する。
〔ステップＳ１５〕姿勢変換部による第１基板群の水平姿勢変換
図８（ｃ）、図９（ｃ）を参照する。その後、姿勢変換実行領域Ｒ３２において、姿勢変換部６３は、抜き取った２５枚の基板Ｗ１の姿勢を水平姿勢に変換する。具体的には、姿勢変換部６３の縦回転部９４は、２個の鉛直保持部８０，８２がセンターロボットＣＲ（図１参照）に向くように、基板Ｗ１、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８を水平軸ＡＸ５周りに９０度回転させる。
この状態では、センターロボットＣＲが姿勢変換部６３から基板Ｗ１を取り出せない。そのため、姿勢変換部６３の開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を互いに離れる方向に水平移動して開いた状態にする。すなわち、開閉部８７は、水平姿勢に変換された２５枚の基板Ｗが２個の水平保持部７９，８１に載置されるとき、２個の鉛直保持部８０，８２を通過位置ＰＰ３に移動させる。これにより、２個の鉛直保持部８０，８２の間を基板Ｗ１が通過できるようになる。また、２５枚の基板Ｗ１は、２５個の水平置きガイド溝８５，８６にそれぞれ載置される。２５枚の基板Ｗ１は、フルピッチで整列されるので、センターロボットＣＲが基板Ｗを容易に取り出すことができる。
その後、センターロボットＣＲは、２個のハンド３７Ａ，３７Ｂを用いて、通過位置ＰＰ３に移動された２個の鉛直保持部８０，８２の間を通過させながら、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ１から１枚ずつ基板Ｗ１を取り出し、取り出した基板Ｗ１を枚葉処理チャンバＳＷ１に搬送する。
〔ステップＳ１６〕基板待機領域への姿勢変換部の移動
図１０（ａ）、図１１（ａ）を参照する。姿勢変換部６３から２５枚の基板Ｗ１の全てを搬送した後、水平移動部９５（主にＸ方向移動部１０１）は、姿勢変換実行領域Ｒ３２から基板待機領域Ｒ３１の基板保持部６５の上方に、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を移動させる。また、水平移動部９５のＹ方向移動部１０２は、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を第２基板保持位置に移動させる。なお、第２基板保持位置は、２５対の保持溝８９，９０が第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を保持することができる位置である。
また、姿勢変換部６３の開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を互いに離れる方向に水平移動して開いた状態にする（図５の通過位置ＰＰ３参照）。
〔ステップＳ１７〕姿勢変換部による第２基板群の受け取り
基板保持部６５は、第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を鉛直姿勢で保持した状態である。リフタＬＦ９の昇降部６７は、基板Ｗ２を引き渡せる上位置まで基板保持部６５を上昇させる。この際、２５枚の基板Ｗ２は、２個の鉛直保持部８０，８２の間を通過すると共に、５０対の水平置きガイド溝８５，８６のうちの２５対の水平置きガイド溝８５，８６にそれぞれ収まる。
その後、開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を互いに近付ける方向に水平移動して閉じた状態にする（図５の保持位置ＰＰ２参照）。これにより、基板保持部６５が鉛直姿勢で保持する２５枚の基板Ｗ２は、２５対の保持溝８９，９０によって収容される。
その後、リフタＬＦ９の昇降部６７は、下側の待機位置まで基板保持部６５を下降させる。これにより、第２基板群の２５枚の基板Ｗ２は、姿勢変換部６３に引き渡される。すなわち、姿勢変換部６３は、基板保持部６５から第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を２５対の保持溝８９，９０で保持して受け取る。
〔ステップＳ１８〕姿勢変換実行領域への移動
図１０（ｂ）、図１１（ｂ）を参照する。水平移動部９５（Ｘ方向移動部１０１およびＹ方向移動部１０２）は、２個の鉛直保持部８０，８２で２５枚の基板Ｗ２を保持した状態で、基板待機領域Ｒ３１の基板保持部６５の上方から姿勢変換実行領域Ｒ３２の所定の位置に、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を移動させる。すなわち、姿勢変換部６３は、姿勢変換実行領域Ｒ３２に鉛直姿勢の２５枚の基板Ｗ２を搬送する。
〔ステップＳ１９〕横回転部による第２基板群の１８０度の回転
また、姿勢変換実行領域Ｒ３２において、姿勢変換部６３の横回転部９３は、鉛直姿勢の基板Ｗ２およびアーム支持部７８等を回転軸ＡＸ４周りに１８０度回転させる。これにより、矢印ＡＲが示すデバイス面の向きは、左方Ｙから右方Ｙに１８０度回転される。そのため、水平姿勢変換した際に、各基板Ｗ２のデバイス面の向きを上向きにすることができる。
〔ステップＳ２０〕姿勢変換部による第２基板群の水平姿勢変換
図１０（ｃ）、図１１（ｃ）を参照する。その後、姿勢変換部６３は、保持する２５枚の基板Ｗ２の姿勢を水平姿勢に変換する。具体的には、姿勢変換部６３の縦回転部９４は、２個の鉛直保持部８０，８２がセンターロボットＣＲ（図１参照）に向くように、基板Ｗ２、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８を水平軸ＡＸ５周りに９０度回転させる。
その後、姿勢変換部６３の開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を互いに離れる方向に水平移動して開いた状態にする（図５の通過位置ＰＰ３参照）。これにより、２個の鉛直保持部８０，８２の間を基板Ｗ２が通過できるようになる。また、２５枚の基板Ｗ２は、２５個の水平置きガイド溝８５，８６にそれぞれ載置される。
その後、センターロボットＣＲは、２個のハンド３７Ａ，３７Ｂを用いて通過位置ＰＰ３に移動された２個の鉛直保持部８０，８２の間を通過させながら、水平姿勢の２５枚の基板Ｗ２から１枚ずつ基板Ｗ２を取り出し、取り出した基板Ｗ２を枚葉処理チャンバＳＷ１に搬送する。
〔ステップＳ０６〕第１の枚葉式処理
図６のフローチャートの説明に戻る。例えば、センターロボットＣＲは、姿勢変換部６３から第１枚葉処理チャンバＳＷ１に基板Ｗ（Ｗ１，Ｗ２）を１枚ずつ搬送する。第１枚葉処理チャンバＳＷ１は、例えば、回転処理部４５によりデバイス面が上向きの基板Ｗを回転させつつ、ノズル４７からデバイス面に純水を供給する。その後、第１枚葉処理チャンバＳＷ１は、基板Ｗのデバイス面（上面）に対してノズル４７からＩＰＡを供給して、基板Ｗの純水をＩＰＡで置換する。
〔ステップＳ０７〕第２の枚葉式処理（乾燥処理）
その後、センターロボットＣＲは、第１枚葉処理チャンバＳＷ１からＩＰＡで濡れている基板Ｗを取り出し、第２枚葉処理チャンバＳＷ２にその基板Ｗを搬送する。第２枚葉処理チャンバＳＷ２は、超臨界状態の二酸化炭素（超臨界流体）により、基板Ｗに対して乾燥処理を行う。超臨界流体を用いた乾燥処理により、基板Ｗのパターン面（デバイス面）のパターン倒壊が抑制される。
〔ステップＳ０８〕バッファ部からキャリアへの基板搬送
センターロボットＣＲは、第２枚葉処理チャンバＳＷ２からバッファ部２７の載置棚のいずれか１つに乾燥処理後の基板Ｗを搬送する。バッファ部２７に１ロット分（２５枚）の基板Ｗ１が搬送されると、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッファ部２７から棚１３Ａに載置された空の第１のキャリアＣ内に、２５枚の基板Ｗ１を一括搬送する。その後、ストッカーブロック３内のキャリア搬送機構１１は、第１のキャリアＣをロードポート９に搬送する。
また、バッファ部２７に１ロット分の基板Ｗ２が載置されると、基板ハンドリング機構ＨＴＲは、バッファ部２７から棚１３Ａに載置された空の第２のキャリアＣ内に、２５枚の基板Ｗ２を一括搬送する。その後、ストッカーブロック３内のキャリア搬送機構１１は、第２のキャリアＣをロードポート９に搬送する。図示しない外部搬送ロボットは、２個のキャリアＣを順番に次の目的地に搬送する。
本実施例によれば、第２姿勢変換機構３５は、基板保持部６５と姿勢変換部６３とを備える。姿勢変換部６３の水平移動部９５は、２個の水平保持部７９，８１と２個の鉛直保持部８０，８２とを支持するアーム支持部７８を移動させることができる。また、姿勢変換部６３の縦回転部９４は、アーム支持部７８を水平軸ＡＸ５周りに回転させる。そのため、姿勢変換部６３は、自ら移動して受け取った基板Ｗの姿勢を変換することができる。
また、縦回転部９４は、基板Ｗを鉛直姿勢から水平姿勢に変換させるために、２個の鉛直保持部８０，８２がセンターロボットＣＲに向くように、アーム支持部７８を水平軸ＡＸ５周りに回転させる。その後、開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を通過位置ＰＰ３に移動させている。これにより、センターロボットＣＲは、２個の鉛直保持部８０，８２側から基板Ｗを搬送することができる。
また、姿勢変換部６３は、複数枚の基板Ｗが整列する方向（例えば幅方向Ｙ）と直交し、かつ、水平軸ＡＸ５に直交する方向に延びる回転軸ＡＸ４周りにアーム支持部７８を回転させる横回転部９３を備える。水平移動部９５は、アーム支持部７８、横回転部９３および縦回転部９４等を水平方向に移動させる。姿勢変換部６３が基板保持部６５から基板Ｗを受け取った後の任意のタイミングで、基板Ｗの裏表の向きを変えることができる。
また、２個の鉛直保持部８０，８２は、１枚の基板Ｗを各々保持する複数対の保持溝８９，９０と、１枚の基板Ｗを各々通過させる複数対の通過溝９１，９２とを備える。複数対の保持溝８９，９０および複数対の通過溝９１，９２は、１対ずつ交互に配置される。２個の鉛直保持部８０，８２は、開閉部８７で保持位置ＰＰ２に移動されることにより、基板保持部６５に保持された鉛直姿勢の５０枚の基板Ｗのうちの１枚置きに整列された第１の分割基板群（２５枚の基板Ｗ１）を２５対の保持溝８９，９０で保持すると共に、２個の水平保持部７９，８１は、第１の分割基板群（２５枚の基板Ｗ１）を収容する。２個の鉛直保持部８０，８２は、５０枚の基板Ｗのうちの１枚置きに整列された第１の分割基板群（２５枚の基板Ｗ１）を保持するので、隣接する２枚の基板Ｗの間隔を広げることができる。そのため、センターロボットＣＲが姿勢変換部６３から基板Ｗを容易に取り出すことができる。
また、水平移動部９５は、２個の鉛直保持部８０，８２で保持された鉛直姿勢の２５枚の基板Ｗ１（Ｗ２）よりも高い位置に設けられる。濡れた基板Ｗ１（Ｗ２）から液滴が落下することにより、水平移動部９５を含む姿勢変換部６３の駆動部分が汚染させることを防止できる。例えば、駆動部分が汚染によって故障することを防止できる。
また、水平軸ＡＸ５は、２個の鉛直保持部８０，８２で保持された鉛直姿勢の２５枚の基板Ｗ１（Ｗ２）よりも高い位置に設けられ、アーム支持部７８は、２個の水平保持部７９，８１を介して、２個の鉛直保持部８０，８２の反対側から、２個の水平保持部７９，８１と２個の鉛直保持部８０，８２とを支持する。これにより、縦回転部９４がアーム支持部７８を水平軸ＡＸ５周りに回転させた際に、２個の鉛直保持部８０，８２等で保持された基板ＷをセンターロボットＣＲに近付けることができる。
また、姿勢変換領域Ｒ３（第２姿勢変換機構３５を含む）は、移載ブロック５とバッチ処理領域Ｒ１との間に設けられる。また、枚葉基板搬送領域Ｒ４は、移載ブロック５および姿勢変換領域Ｒ３に隣接する。更に、枚葉処理領域Ｒ５（複数個の枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２を含む）は、枚葉基板搬送領域Ｒ４に隣接する。また、枚葉基板搬送領域Ｒ４に設けられたセンターロボットＣＲの昇降台４１の水平方向ＸＹの位置が固定されている。そのため、センターロボットＣＲの周囲に、移載ブロック５、第２姿勢変換機構３５および複数個の枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２を配置することができる。これにより、例えばセンターロボットＣＲによる基板Ｗの搬送距離を短くできるので、基板Ｗを効率的に搬送することができる。また、搬送機構ＷＴＲは、移載ブロック５内の基板受け渡し位置ＰＰ、６個のバッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６および第２姿勢変換機構３５の間で複数枚の基板Ｗを一括して搬送することができる。これらの結果、スループットを良好にすることができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例２を説明する。なお、実施例１と重複する説明は省略する。図１２（ａ）は、実施例２に係る第２姿勢変換機構３５を示す平面図である。図１２（ｂ）は、図１２（ａ）の正面図である。
実施例１では、第２姿勢変換機構３５は、リフタＬＦ９と、横回転部９３を有する姿勢変換部６３とを備えていた。この点、実施例２の第２姿勢変換機構３５は、プッシャ機構１０５と、横回転部９３を有しない姿勢変換部６３とを備える。
プッシャ機構１０５は、搬送機構ＷＴＲにより搬送された複数枚（例えば５０枚）の基板Ｗを鉛直姿勢で保持する。プッシャ機構１０５は、プッシャ１０７と昇降回転部１０９を備える。なお、プッシャ１０７は、本発明の基板保持部に相当する。昇降回転部１０９は、本発明の第２横回転部に相当する。
プッシャ１０７は、所定間隔（例えばハーフピッチ）で配置された例えば５０枚の基板Ｗを下から保持する。プッシャ１０７は、５０枚の基板Ｗを保持するために、基板Ｗの枚数と同数（５０個）の保持溝（図示しない）を備える。プッシャ１０７の各保持溝の奥は、Ｖ状に形成される。昇降回転部１０９は、プッシャ１０７を昇降させ、また、プッシャ１０７を鉛直軸ＡＸ６周りに回転させる。昇降回転部１０９は、例えば、１又は２以上の電動モータを備える。
図１２（ｂ）に示すように、実施例２の姿勢変換部６３は、図４（ｂ）に示される横回転部９３を備えない。そのため、回転シャフト９７の先端部は、アーム支持部７８に固定される。
次に、図７のフローチャートを参照しつつ、実施例２の第２姿勢変換機構３５の動作について説明する。第２姿勢変換機構３５の動作は、基本的には、図７のフローチャートのように動作される。しかし、実施例２の第２姿勢変換機構３５は、横回転部９３を備えないので、図７に示されるステップＳ１９は行われない。その代わりに、プッシャ機構１０５は、第２基板群の２５枚の基板Ｗ２を鉛直軸ＡＸ６周りに回転させる。
図７のステップＳ１３において、姿勢変換部６３は、基板保持部６５から５０枚の基板Ｗのうちの１枚置きに整列された２５枚の基板Ｗ１を２個の鉛直保持部８０，８２（２５対の保持溝８９，９０）で保持して抜き取る。
その後、プッシャ機構１０５の昇降回転部１０９は、プッシャ１０７で保持された２５枚の基板Ｗ２を鉛直軸ＡＸ６周りに１８０度（degree）回転させる。これにより、第２基板群の基板Ｗ２の姿勢が変換された際に、第１基板群の基板Ｗ１と同様に、デバイス面を上向きにすることができる。また、鉛直軸ＡＸ６は、平面視で、プッシャ１０７で保持された５０枚の基板Ｗの中央に設定される。そのため、１８０度の回転により、基板Ｗ２の位置が基板Ｗの整列方向においてハーフピッチずれる。そのため、２５対の保持溝８９，９０で第１基板群の基板Ｗ１を保持することができる第１基板保持位置と同じ位置において、２個の鉛直保持部８０，８２は、第２基板群の基板Ｗ１を保持することができる。なお、水平移動部９５が２個の鉛直保持部８０，８２等を第１基板保持位置および第２基板保持位置の各々に移動させてもよい。
その後、図７のステップＳ１７において、姿勢変換部６３は、１８０度の回転が行われた２５枚の基板Ｗ２を保持して搬送する。なお、実施例２では、図７のステップＳ１９は行われない。
本実施例によれば、プッシャ機構１０５の昇降回転部１０９は、プッシャ１０７を鉛直軸ＡＸ６周りに回転させる。そのため、姿勢変換部６３は、実施例１の横回転部９３を備えなくてもよく、プッシャ１０７側で基板Ｗの表裏の向きを変えることができるので、姿勢変換部６３の構成をシンプルにすることができる。
次に、図面を参照して本発明の実施例３を説明する。なお、実施例１，２と重複する説明は省略する。図１３（ａ）は、実施例３に係る第２姿勢変換機構３５のリフタＬＦ９を示す縦断面図である。図１３（ｂ）は、実施例３に係る第２姿勢変換機構３５の姿勢変換部６３を示す側面図である。
図１３（ａ）を参照する。実施例３の第２姿勢変換機構３５のリフタＬＦ９は、基板保持部６５を下降させたときに、基板保持部６５で保持された基板Ｗを液体に浸漬させるために、液体を貯留する待機槽１１２と、液体として例えば純水（ＤＩＷ）を待機槽１１２に供給する２本の噴出管１１４とを備えている。噴出管１１４は、前後方向Ｘまたは幅方向Ｙに直線状に延びるように形成される。噴出管１１４は、噴出管１１４が延びる方向に複数個の噴出口１１４Ａ（保持部用ノズル）を備える。複数個の噴出口１１４Ａは各々、純水を噴出する。待機槽１１２は、噴出管１１４により噴出された純水を貯留する。
例えば、図８（ｃ）に示すように、姿勢変換部６３が基板Ｗ１に対して姿勢変換等を行っているときに、待機中の基板Ｗ２を待機槽１１２内の純水に浸漬させることで、基板Ｗ２の乾燥を防止することができる。
なお、待機槽１１２は、純水を貯留させなくてもよい。この場合、噴出管１１４の噴出口１１４Ａは、基板保持部６５で保持された基板Ｗに対してシャワー状またはミスト状に純水を供給してもよい。また、噴出口１１４Ａ（噴出管１１４）は、図１３（ａ）の破線で示すように、基板Ｗよりも高い位置に配置されてもよい。基板Ｗに対してシャワー状またはミスト状に純水を供給する場合、待機槽１１２は、設けられてもよいし、設けられていなくてもよい。
次に、図１３（ｂ）を参照する。第２姿勢変換機構３５は、ノズル１１６を備える。姿勢変換部６３の鉛直保持部８０，８２で保持された基板Ｗに液体として例えば純水（ＤＩＷ）をシャワー状またはミスト状に供給する。ノズル１１６は、基板Ｗよりも高い位置に設けられる。また、ノズル１１６は、姿勢変換部６３と干渉しないように、移動できるように構成されていてもよい。
例えば、縦回転部９４は、鉛直保持部８０，８２で保持された基板Ｗの姿勢を鉛直姿勢および斜め姿勢の一方にする。この状態において、ノズル１１６は、鉛直保持部８０，８２で保持された基板Ｗに対して、シャワー状またはミスト状の純水を供給する。なお、斜め姿勢は、基板のデバイス面が上向きになる姿勢である。
例えば、センターロボットＣＲが基板Ｗの搬送を中断したときに、姿勢変換部６３で保持された基板Ｗの乾燥を防止することができる。また、供給時に、基板Ｗの姿勢が水平姿勢であると、シャワー状またはミスト状の純水がデバイス面の全面に届きにくい。しかし、基板Ｗの姿勢が鉛直姿勢および、デバイス面が上向きの斜め姿勢の一方にされることで、シャワー状またはミスト状の純水がデバイス面の全面に届きやすくなる。
なお、基板処理装置１は、図１３（ａ）に示す構成と、図１３（ｂ）に示す構成とを両方採用してもよい。また、基板処理装置１は、図１３（ａ）に示す構成と、図１３（ｂ）に示す構成との一方のみを採用してもよい。また、ノズル１１６は、本発明の姿勢変換部用ノズルに相当する。
枚葉処理チャンバＳＷ２による乾燥処理の前に、基板Ｗが乾燥すると、基板Ｗのパターン倒れが発生する。しかし、本実施例によれば、プッシャ１０７で保持された基板Ｗの乾燥を防止できる。また、姿勢変換部６３の２個の鉛直保持部８０，８２で保持された基板Ｗの乾燥を防止できる。
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
（１）上述した各実施例では、例えば図１において、第２姿勢変換機構３５の基板待機領域Ｒ３１はバッチ処理領域Ｒ１に隣接し、姿勢変換実行領域Ｒ３２は移載ブロック５に隣接した。すなわち、第２姿勢変換機構３５の基板待機領域Ｒ３１および姿勢変換実行領域Ｒ３２は、前後方向Ｘに配置された。この点、図１４に示すように、基板待機領域Ｒ３１および姿勢変換実行領域Ｒ３２は、幅方向Ｙに配置されていてもよい。
この場合、姿勢変換実行領域Ｒ３２は、枚葉基板搬送領域Ｒ４の左方Ｙに配置される。基板待機領域Ｒ３１は、姿勢変換実行領域Ｒ３２の左方Ｙに配置される。
（２）上述した各実施例および各変形例では、各バッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は、ハーフピッチでかつフェース・ツー・フェース方式で配置された５０枚の基板Ｗを処理した。この点、各バッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は、全ての基板Ｗのデバイス面が同じ方向を向くフェース・ツー・バック方式で配置された基板Ｗを処理してもよい。各バッチ処理槽ＢＴ１～ＢＴ６は、フルピッチで配置された１個のキャリアＣ分の２５枚の基板Ｗを処理してもよい。なお、図１１（ｂ）において５０枚の基板Ｗがフェース・ツー・バック方式で配置される場合、Ｙ方向移動部１０２は、２個のチャック７１，７２を基板Ｗが整列する前後方向Ｘに移動させる。すなわち、Ｙ方向移動部１０２は、第１基板保持位置と第２基板保持位置との間で２個のチャック７１，７２を移動させる。これにより、姿勢変換部６３は、２５枚の基板Ｗ１または２５枚の基板Ｗ２を抜き出すことができる。
（３）上述した各実施例および各変形例では、枚葉処理チャンバＳＷ２は、超臨界流体を用いて基板Ｗの乾燥処理を行った。この点、枚葉処理チャンバＳＷ２は、枚葉処理チャンバＳＷ１と同様に、回転処理部４５とノズル４７とを備えてもよい。この場合、枚葉処理チャンバＳＷ１，ＳＷ２は各々、例えば、純水およびＩＰＡをこの順番で基板Ｗに供給した後、基板Ｗの乾燥処理（スピン乾燥）を行う。
（４）上述した各実施例および各変形例では、例えばステップＳ１３において、姿勢変換部６３が基板保持部６５から基板Ｗを受け取る際に、相対昇降部としての昇降部６７が基板保持部６５を昇降させていた。この点、姿勢変換部６３が昇降部を備えて、２個のチャック７１，７２およびアーム支持部７８等を昇降させることで、基板保持部６５から基板Ｗを受け取ってもよい。なお、姿勢変換部６３が基板保持部６５から基板Ｗを受け取る際に、姿勢変換部６３の昇降部と昇降部６７とを共に昇降させてもよい。
（５）上述した各実施例および各変形例では、開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を水平方向に直線状に移動させた。この点、開閉部８７は、２個の鉛直保持部８０，８２を揺動させてもよい。
１ … 基板処理装置
５ … 移載ブロック
７ … 処理ブロック
１３Ａ … 棚
ＢＴ１～ＢＴ６ … バッチ処理槽
ＷＴＲ … 搬送機構
３５ … 第２姿勢変換機構
ＣＲ … センターロボット
５９ … 制御部
ＬＦ９ … リフタ
６３ … 姿勢変換部
６５ … 基板保持部
７８ … アーム支持部
７９，８１ … 水平保持部
８０，８２ … 鉛直保持部
８７ … 開閉部
９３ … 横回転部
９４ … 縦回転部
９５ … 水平移動部
ＡＸ５ … 水平軸
１０７ … プッシャ
１０９ … 昇降回転部
１１２ … 待機槽
１１６ … ノズル

Claims (8)

  1. 複数枚の基板を一括して処理するバッチ処理と、基板を１枚ずつ処理する枚葉処理とを連続して行う基板処理装置であって、
    複数枚の基板を一括して処理するバッチ処理槽と、
    前記バッチ処理槽に対して鉛直姿勢の前記複数枚の基板を一括して搬送するバッチ基板搬送機構と、
    基板を１枚ずつ処理する枚葉処理チャンバと、
    前記枚葉処理チャンバに対して水平姿勢の基板を１枚ずつ搬送する水平基板搬送機構と、
    バッチ処理された前記複数枚の基板を垂直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換機構と、を備え、
    前記姿勢変換機構は、
    前記バッチ基板搬送機構で搬送され、かつ所定間隔で配置された鉛直姿勢の前記複数枚の基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部から前記複数枚の基板を受け取ると共に、前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換する姿勢変換部と、を備え、
    前記姿勢変換部は、
    前記複数枚の基板に含まれる各基板の半径方向に対向する２個の側部を収容する２個の水平保持部であって、前記複数枚の基板が水平姿勢である場合に、前記複数枚の基板を所定間隔で載置する前記２個の水平保持部と、
    前記複数枚の基板に含まれる各基板の２個の側部を収容する２個の鉛直保持部であって、前記複数枚の基板が鉛直姿勢である場合に、前記水平保持部の下方に設けられると共に前記複数枚の基板を鉛直姿勢で保持する前記２個の鉛直保持部と、
    前記２個の鉛直保持部を用いて前記複数枚の基板を保持するために前記２個の鉛直保持部の間隔を狭くする保持位置と、前記２個の鉛直保持部の間に各基板を通過させるために前記２個の鉛直保持部の間隔を広くする通過位置との間で前記２個の鉛直保持部を移動させる開閉部と、
    前記２個の水平保持部と前記２個の鉛直保持部とを支持する支持部と、
    前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換させるために、前記２個の鉛直保持部が前記水平基板搬送機構に向くように、前記支持部を水平軸周りに回転させる縦回転部と、
    前記基板保持部が配置された基板待機領域と、前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換するための姿勢変換実行領域とに亘って、前記支持部および前記縦回転部を移動させる移動部と、を備え、
    前記移動部は、鉛直姿勢の前記複数枚の基板が前記基板保持部で保持されたときに、前記支持部および前記縦回転部を前記基板待機領域に移動させ、
    前記２個の鉛直保持部は、前記開閉部で前記保持位置に移動されることにより、前記基板保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板を保持すると共に、前記２個の水平保持部は、前記２個の鉛直保持部で保持された前記複数枚の基板を収容し、
    前記移動部は、前記２個の鉛直保持部で前記複数枚の基板を保持した状態で、前記支持部および前記縦回転部を前記姿勢変換実行領域に移動させ、
    前記縦回転部は、前記支持部を前記水平軸周りに回転させることにより、前記複数枚の基板を鉛直姿勢から水平姿勢に変換し、
    前記開閉部は、前記複数枚の基板が水平姿勢に変換されたとき、前記２個の鉛直保持部を前記通過位置に移動させ、
    前記水平基板搬送機構は、前記通過位置に移動された前記２個の鉛直保持部の間を通過させながら、水平姿勢の前記複数枚の基板から１枚ずつ基板を取り出し、取り出した基板を前記枚葉処理チャンバに搬送することを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記姿勢変換部は、前記複数枚の基板が整列する方向と直交し、かつ前記水平軸に直交する方向に延びる回転軸周りに前記支持部を回転させる横回転部を更に備え、
    前記移動部は、前記支持部、前記横回転部および前記縦回転部を移動させることを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記姿勢変換機構は、前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させる第２横回転部を備えることを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
    前記２個の鉛直保持部は、１枚の基板を各々保持する複数対の保持溝と、１枚の基板を各々通過させる複数対の通過溝とを備え、
    前記複数対の保持溝および前記複数対の通過溝は、１対ずつ交互に配置され、
    前記２個の鉛直保持部は、前記開閉部で前記保持位置に移動されることにより、前記基板保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板のうちの１枚置きに整列された第１の分割基板群を前記複数対の保持溝で保持すると共に、前記２個の水平保持部は、前記第１の分割基板群を収容することを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
    前記姿勢変換機構は、前記基板保持部で保持された前記複数枚の基板を液体に浸漬させるために、前記液体を貯留する待機槽を更に備えることを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
    前記姿勢変換機構は、前記姿勢変換部の前記２個の鉛直保持部で保持された前記複数枚の基板に対してシャワー状またはミスト状に液体を供給する姿勢変換部用ノズルを更に備えていることを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
    前記移動部は、前記２個の鉛直保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板よりも高い位置に設けられることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項１または２に記載の基板処理装置において、
    前記水平軸は、前記２個の鉛直保持部で保持された鉛直姿勢の前記複数枚の基板よりも高い位置に設けられ、
    前記支持部は、前記２個の水平保持部を介して、前記２個の鉛直保持部の反対側から、前記２個の水平保持部と前記２個の鉛直保持部とを支持することを特徴とする基板処理装置。
JP2022151707A 2022-09-22 2022-09-22 基板処理装置 Pending JP2024046368A (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022151707A JP2024046368A (ja) 2022-09-22 2022-09-22 基板処理装置
KR1020230076732A KR20240041209A (ko) 2022-09-22 2023-06-15 기판 처리 장치
CN202311058540.0A CN117747475A (zh) 2022-09-22 2023-08-22 基板处理装置
US18/469,707 US20240105482A1 (en) 2022-09-22 2023-09-19 Substrate treating apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2022151707A JP2024046368A (ja) 2022-09-22 2022-09-22 基板処理装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2024046368A true JP2024046368A (ja) 2024-04-03

Family

ID=90251440

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2022151707A Pending JP2024046368A (ja) 2022-09-22 2022-09-22 基板処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20240105482A1 (ja)
JP (1) JP2024046368A (ja)
KR (1) KR20240041209A (ja)
CN (1) CN117747475A (ja)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240041209A (ko) 2024-03-29
CN117747475A (zh) 2024-03-22
US20240105482A1 (en) 2024-03-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102279006B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP7175191B2 (ja) 基板処理装置および基板搬送方法
TWI729653B (zh) 基板處理裝置及基板搬送方法
JP7288497B2 (ja) 基板把持装置とこれを含む液処理装置、及び基板処理設備
JP2024046368A (ja) 基板処理装置
WO2024062683A1 (ja) 基板処理装置
WO2024062762A1 (ja) 基板処理装置
JP2024046370A (ja) 基板処理装置
JP2024046369A (ja) 基板処理装置
JP2024047292A (ja) 基板処理装置
TW202418453A (zh) 基板處理裝置
US20240066715A1 (en) Substrate treating apparatus
KR20230175105A (ko) 기판 처리 장치
CN117438336A (zh) 基板处理装置
TW202410254A (zh) 基板處理裝置
KR20240040611A (ko) 기판 처리 장치
JP2024046372A (ja) 基板処理装置
TW202418397A (zh) 基板處理裝置
KR20240001738A (ko) 버퍼 챔버, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP2001259543A (ja) 基板洗浄システム