JP2024027443A - 画像形成装置、及びプロセスカートリッジ - Google Patents

Abstract

【課題】電子写真感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうる。【解決手段】表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、帯電装置と、静電荷像形成装置と、トナー粒子と外添剤とを含む静電荷像現像用トナーを含む静電荷像現像剤によりトナー画像として現像する現像装置と、転写装置と、電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、電子写真感光体における感光層が、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、クリーニングブレードと残留トナー粒子との接点における接線と、残留トナー粒子と電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下である。JPEG2024027443000045.jpg44109【選択図】なし

Description

本発明は、画像形成装置、及びプロセスカートリッジに関する。

特許文献１には、電子写真方式の画像形成装置に配備され、感光体表面のトナーの除去に使用されるクリーニングユニットにおいて、クリーニングブレードが、くさび状部分と、該くさび状部分の背面側に接合したベース部分とを有する短冊状弾性体からなるブレード本体を備え、前記くさび状部分の反発弾性率がベース部分の反発弾性率よりも低く、前記くさび状部分のくさび先端が、感光体表面に接触するブレード当接辺となっていることを特徴とするクリーニングユニットが開示されている。

特開２００８－２３３１２０号公報

本開示は、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に接触し、電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、感光層が結着樹脂としてポリカーボネート樹脂のみを含むか、クリーニングブレードと残留トナー粒子との接点における接線と、残留トナー粒子と電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°未満又は５０°超である場合に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置を提供することを課題とする。

前記課題を解決するための具体的手段には、下記の態様が含まれる。

＜１＞ 表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、トナー粒子と外添剤とを含むトナーを有する現像剤を収容し、前記現像剤により前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、
前記電子写真感光体における前記感光層が、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、
前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下である、画像形成装置。

式（Ａ）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。
式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ（Ｒｂ^１）（Ｒｂ^２）－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

＜２＞ 前記角度θが４０°以上５０°以下である、＜１＞に記載の画像形成装置。
＜３＞ 前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下である、＜１＞又は＜２＞に記載の画像形成装置。
＜４＞ 前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下である、＜１＞～＜３＞のいずれか１つに記載の画像形成装置。
＜５＞ 前記角度θが４０°以上５０°以下であり、且つ、前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下である、＜１＞～＜４＞のいずれか１つに記載の画像形成装置。
＜６＞ 前記角度θが４０°以上５０°以下であり、且つ、前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下である、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の画像形成装置。

＜７＞ 前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜１＞～＜６＞のいずれか１つに記載の画像形成装置。

式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。

＜８＞ 前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、＜５＞に記載の画像形成装置。

式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

＜９＞ 表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、
を備え、
前記電子写真感光体における前記感光層が、上記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び上記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、
前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下であり、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

＜１＞、＜７＞、又は＜８＞に係る発明によれば、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に接触し、電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、感光層が結着樹脂としてポリカーボネート樹脂のみを含むか、上記角度θが３５°未満又は５０°超である場合に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
＜２＞、＜５＞、又は＜６＞に係る発明によれば、上記角度θが４０°未満である場合に比べ、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
＜３＞に係る発明によれば、クリーニングブレードの、電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ超である場合に比べ、クリーニングブレードの摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
＜４＞に係る発明によれば、クリーニングブレードの、電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ未満又は２３ＭＰａ超である場合に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、クリーニングブレードの摩耗を抑制し、更に、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
＜９＞に係る発明によれば、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に接触し、電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、感光層が結着樹脂としてポリカーボネート樹脂のみを含むか、上記角度θが３５°未満又は５０°超である場合に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうるプロセスカートリッジが提供される。

本実施形態における角度θの測定方法を説明するための模式図である。 本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。 電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。 電子写真感光体の層構成の一例を示す部分断面図である。 図２に示すクリーニング装置２２におけるクリーニングブレード２２Ａの設置態様を示す概略構成図である。

以下に、本開示の実施形態について説明する。これらの説明及び実施例は実施形態を例示するものであり、実施形態の範囲を制限するものではない。

本開示において「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。

本開示中に段階的に記載されている数値範囲において、一つの数値範囲で記載された上限値又は下限値は、他の段階的な記載の数値範囲の上限値又は下限値に置き換えてもよい。また、本開示中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。

本開示において「工程」との語は、独立した工程だけでなく、他の工程と明確に区別できない場合であってもその工程の目的が達成されれば、本用語に含まれる。

本開示において実施形態を、図面を参照して説明する場合、当該実施形態の構成は図面に示された構成に限定されない。また、各図における部材の大きさは概念的なものであり、部材間の大きさの相対的な関係はこれに限定されない。

本開示において各成分は該当する物質を複数種含んでいてもよい。本開示において組成物中の各成分の量について言及する場合、組成物中に各成分に該当する物質が複数種存在する場合には、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の物質の合計量を意味する。

本開示において各成分に該当する粒子は複数種含んでいてもよい。組成物中に各成分に該当する粒子が複数種存在する場合、各成分の粒子径は、特に断らない限り、組成物中に存在する当該複数種の粒子の混合物についての値を意味する。

本開示において「（メタ）アクリル」との表記は「アクリル」及び「メタクリル」のいずれでもよいことを意味する。

本開示においてアルキル基は、特に断らない限り、直鎖状、分岐状及び環状のいずれも含む。

＜画像形成装置＞
本実施形態に係る画像形成装置は、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、トナー粒子と外添剤とを含むトナーを有する現像剤を収容し、前記現像剤により前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、前記電子写真感光体における前記感光層が、後述の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び後述の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下である。
以下、電子写真感光体を、単に、「感光体」ともいい、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を、単に「ポリエステル樹脂（１）」ともいう。

高温高湿（例えば、３０℃８５％ＲＨ）環境下では、トナー粒子の表面が柔らかくなることから、外添剤がトナー粒子へと埋没やすく、外添剤のトナー粒子からの遊離量が減少しやすい。この状況では、感光体の表面に残留する残留トナーを清掃する際、クリーニングブレードと感光体との接触部への外添剤の供給量が減少し、外添剤による潤滑性不足が生じ、クリーニングブレードと感光体との接触部の摩擦が大きくなる。この摩擦の影響で、クリーニングブレードの先端の挙動が不安定となり、外添剤を除去する力不足によって、感光体の表面に外添剤が付着してしまう現象、すなわち、外添剤フィルミングが生じてしまうことがある。

また、上述のポリエステル樹脂（１）を、感光体の表面を構成する感光層に用いることで、フッ素樹脂粒子を用いずとも、感光体の耐摩耗性が得られるとの知見を得ている。一方で、ポリエステル樹脂（１）を含む感光層の表面は、フッ素樹脂粒子を含まないことから、摩擦係数が大きいという性質を有している。そのため、かかる感光層を有する感光体の表面を清掃するにあたっては、クリーニングブレードの先端挙動がより不安定となり、外添剤フィルミングが発生しやすくなる傾向にあった。
なお、感光体の表面とクリーニングブレードとの接触条件（例えば、押し付け力ＮＦ、接触角度ＷＡ等)を調整し、クリーニングブレードの先端挙動の安定化を図る方法もあるが、この方法を採用すると、感光体の摩耗が生じることがあった。

本発明者らは、表面を構成する感光層にポリエステル樹脂（１）を含む感光体と、感光体の表面に接触し、感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備えた画像形成装置について検討を行い、以下に示す条件を満たすことで、感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを抑制し得ることを見いだした。
即ち、表面を構成する感光層にポリエステル樹脂（１）を含む感光体の表面を、クリーニングブレードを接触させて清掃する際に、クリーニングブレードと残留トナー粒子との接点における接線と、残留トナー粒子と感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θを特定の範囲、すなわち、３５°以上５０°以下とすることで、感光体の摩耗を抑制しつつも、外添剤フィルミングを抑制することができることを見いだした。

〔角度θ〕
本実施形態に係る画像形成装置における「角度θ」について説明する。
角度θは、上述のように、３５°以上５０°以下であり、外添剤フィルミングをより抑制する観点から、４０°以上５０°以下であることが好ましい。

角度θは、以下のようにして測定する。
まず、計測対象である画像形成装置を用い、高温高湿環境（３０℃８５％）下で、Ａ４用紙に画像密度１％の画像を１２５００枚出力する。出力後に、感光体とクリーニングブレードとの接触部に滞留する外添剤の滞留物、所謂、外添ダムが崩れないように感光体とクリーニングブレードとを画像形成装置から取り外す。取り出した、感光体とクリーニングブレードとを側面から視た模式図が図１である。図１において、クリーニングブレード２２Ａと外添ダムＤ中の残留トナー粒子Ｔとの接点Ａにおける接線Ｌ_Ａと、残留トナー粒子Ｔと感光体１２の表面との接点Ｂにおける接線Ｌ_Ｂと、のなす角度θを、キーエンス社製レーザ顕微鏡ＶＫ－９５００にて計測する。なお、感光体１２の表面に、潤滑剤による皮膜が形成されている場合、接点Ｂは、残留トナー粒子Ｔと感光体１２の表面上の潤滑剤の皮膜の表面との接点とする。また、クリーニングブレード２２Ａと外添ダムＤ中の残留トナー粒子Ｔとの接点Ａとしては、感光体１２の表面（又は潤滑剤の皮膜の表面）からの垂直距離で５μｍ程度である接点を選択することが望ましい。

角度θは、クリーニングブレードの物性、及び、感光体の表面とクリーニングブレードとの接触条件にて調整することができる。
角度θを調整するためのクリーニングブレードの物性としては、例えば、感光体の表面への接触部における表面自由エネルギー、感光体の表面への接触部における１００％モジュラス、感光体の表面への接触部における反発弾性率等が挙げられる。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の構成を詳しく説明する。

本実施形態に係る画像形成装置は、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、トナー粒子と外添剤とを含むトナーを有する現像剤を収容し、前記現像剤により前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備える。
なお、記録媒体の表面に転写されたトナー画像を定着する定着装置等を更に備えていてもよい。

ここで、本実施形態に係る画像形成装置は、感光体の表面に形成されたトナー画像を直接記録媒体に転写する直接転写方式の装置；感光体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写し、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する中間転写方式の装置；トナー画像の転写後、帯電前に感光体の表面に除電光を照射して除電する除電装置を備える装置等の周知の画像形成装置が適用される。
中間転写方式の装置の場合、転写装置は、例えば、表面にトナー画像が転写される中間転写体と、感光体の表面に形成されたトナー画像を中間転写体の表面に一次転写する一次転写装置と、中間転写体の表面に転写されたトナー画像を記録媒体の表面に二次転写する二次転写装置と、を有する構成が適用される。

本実施形態に係る画像形成装置において、感光体を少なくとも含む部分が画像形成装置用のユニットを構成し、画像形成装置に対して脱着されるカートリッジ構造（プロセスカートリッジ）であってもよい。
ここで、本実施形態に係るプロセスカートリッジは、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、前記電子写真感光体における前記感光層が、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下であるプロセスカートリッジである。
なお、本実施形態に係るプロセスカートリッジは、電子写真感光体及び清掃装置を備える上記構成に限られず、その他、必要に応じて、例えば、帯電装置、静電荷像形成装置、現像装置、及び転写装置等のその他手段から選択される少なくとも一つと、を備える構成であってもよい。

以下、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示すが、これに限定されるわけではない。なお、図に示す主要部を説明し、その他はその説明を省略する。

図２は、本実施形態に係る画像形成装置の一例を示す概略構成図である。
本実施形態に係る画像形成装置１０には、図２に示すように、感光体１２を備える。感光体１２は、円柱状とされ、モータ等の駆動部２７にギア等の駆動力伝搬部材（不図示）を介して連結されており、当該駆動部２７により、黒点で示す回転軸の周りに回転駆動される。図２に示す例では、感光体１２は、矢印Ａ方向に回転駆動される。

感光体１２の周辺には、例えば、帯電装置１５、静電荷像形成装置１６、現像装置１８、転写装置３１、清掃装置２２、及び除電装置２４が、感光体１２の回転方向に沿って順に配設されている。そして、画像形成装置１０には、定着部材２６Ａと、定着部材２６Ａに接触して配置される加圧部材２６Ｂと、を有する定着装置２６も配設されている。また、画像形成装置１０は、各装置（各部）の動作を制御する制御装置３６を有している。なお、感光体１２、帯電装置１５、静電荷像形成装置１６、現像装置１８、転写装置３１、クリーニング装置２２を含むユニットが画像形成ユニットに該当する。

画像形成装置１０において、少なくとも感光体１２と清掃装置２２とは、プロセスカートリッジとして備えてもよい。

〔電子写真感光体（感光体）〕
本実施形態に係る画像形成装置における感光体は、表面を構成する感光層を有する。つまり、感光層は、電子写真感光体の最表面に配置された層であって、電子写真感光体の表面を構成する。
また、表面を構成する感光層は、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び後述の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含む。
電子写真感光体における感光層は、電荷発生層及び電荷輸送層を有する積層型感光層であってもよいし、単層型感光層であってもよい。
つまり、表面を構成し、且つ、ポリエステル樹脂（１）を含む感光層は、積層型感光層における電荷輸送層であるか、又は、単層型感光層である。

電子写真感光体は、感光層（すなわち、積層型感光層又は単層型感光層）の他に、導電性基体を有する。また、電子写真感光体は、導電性基体、感光層の他、必要に応じて、他の層（例えば、下引層、中間層）を更に備えていてもよい。

図３は、感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図３に示す感光体１０Ａは、積層型感光層を有する。感光体１０Ａは、導電性基体１上に下引層２、電荷発生層３及び電荷輸送層４がこの順に積層された構造を有し、電荷発生層３及び電荷輸送層４が感光層５（いわゆる、機能分離型感光層）を構成している。感光体１０Ａは、下引層２と電荷発生層３との間に中間層（図示せず）を有してもよい。

図４は、感光体の層構成の一例を概略的に示す部分断面図である。図４に示す感光体１０Ｂは、単層型感光層を有する。感光体１０Ｂは、導電性基体１上に下引層２及び単層型感光層５がこの順に積層された構造を有する。感光体１０Ｂは、下引層２と単層型感光層５との間に中間層（図示せず）を有してもよい。

［ポリエステル樹脂（１）］
ポリエステル樹脂（１）は、結着樹脂として、表面を構成する感光層に含まれる。具体的に言えば、感光層が積層型感光層である場合、表面を構成する電荷輸送層がポリエステル樹脂（１）を含む。また、感光層が単層型感光層である場合、単層型感光層がポリエステル樹脂（１）を含む。
ポリエステル樹脂（１）は、少なくとも、式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有する。ポリエステル樹脂（１）は、ジカルボン酸単位（Ａ）以外のその他のジカルボン酸単位を含んでいてもよい。ポリエステル樹脂（１）は、ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位を含んでいてもよい。

ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ）で表される構成単位である。

式（Ａ）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。

Ａｒ^Ａ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ａ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ａ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ａｒ^Ａ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ａ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ａ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ｌ^Ａが２価の連結基のとき、２価の連結基としては、例えば、酸素原子、硫黄原子、－Ｃ(Ｒａ^１)(Ｒａ^２)－が挙げられる。ここで、Ｒａ^１及びＲａ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒａ^１とＲａ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒａ^１及びＲａ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

ジカルボン酸単位（Ａ）は、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^１０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、
０であることが更に好ましい。

式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^２０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ^２０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^３０１は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。
ｎ^３０２は０、１又は２であることが好ましく、０又は１であることがより好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
ｎ^４０１は０以上４以下の整数であることが好ましく、０、１又は２であることがより
好ましく、０であることが更に好ましい。

式（Ａ１）のＲａ^１０１、式（Ａ２）のＲａ^２０１及びＲａ^２０２、式（Ａ３）のＲａ^３０１及びＲａ^３０２並びに式（Ａ４）のＲａ^４０１の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒａ^１０１、Ｒａ^２０１、Ｒａ^２０２、Ｒａ^３０１、Ｒａ^３０２及びＲａ^４０１を「Ｒａ」と総称して説明する。

Ｒａに係る炭素数１以上１０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上６以下が好ましく、１以上４以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上１０以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基等が挙げられる。
炭素数３以上１０以下の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、及びこれら単環のアルキル基が連結した多環（例えば、二環、三環、スピロ環）のアルキル基が挙げられる。

Ｒａに係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
炭素数６以上１２以下のアリール基としては、フェニル基、ビフェニル基、１－ナフチル基、２－ナフチル基等が挙げられる。

Ｒａに係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ１）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ１－１）～（Ａ１－９）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ１）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ２）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ２－１）～（Ａ２－３）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ２）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ３）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ３－１）～（Ａ３－２）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ３）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジカルボン酸単位（Ａ４）の具体例としてジカルボン酸単位（Ａ４－１）～（Ａ４－３）を示す。ジカルボン酸単位（Ａ４）は、これに限定されるわけではない。

ジカルボン酸単位（Ａ）としては、上記具体例の（Ａ１－１）、（Ａ１－７）、（Ａ２－３）、（Ａ３－２）及び（Ａ４－３）が好ましく、（Ａ２－３）が最も好ましい。

ポリエステル樹脂（１）に占めるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、１５質量％以上６０質量％以下が好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合が１５質量％以上であると、感光層の耐摩耗性が良好である。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、２０質量％以上がより好ましく、２５質量％以上が更に好ましい。
ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合が６０質量％以下であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）の合計質量割合は、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂（１）に含まれるジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ジカルボン酸単位（Ａ１）～（Ａ４）以外のその他のジカルボン酸単位（Ａ）としては、例えば、脂肪族ジカルボン酸（例えば、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、イタコン酸、グルタコン酸、コハク酸、アルケニルコハク酸、アジピン酸、セバシン酸）単位、脂環式ジカルボン酸（例えば、シクロヘキサンジカルボン酸）単位、これらの低級（例えば炭素数１以上５以下）アルキルエステル単位、及び後述する式（Ａ５）～式（Ａ８）で表される芳香族ジカルボン酸単位が挙げられる。ポリエステル樹脂（１）に含まれるこれらジカルボン酸単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂（１）に含まれるジカルボン酸単位（Ａ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ）で表される構成単位である。

式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ(Ｒｂ^１)(Ｒｂ^２)－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。

Ａｒ^Ｂ１の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ｂ１の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ｂ１の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ａｒ^Ｂ２の芳香環は、単環及び多環のいずれでもよい。芳香環としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環が挙げられ、ベンゼン環及びナフタレン環が好ましい。

Ａｒ^Ｂ２の芳香環上の水素原子は、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、ハロゲン原子等で置換されていてもよい。Ａｒ^Ｂ２の芳香環が置換されているときの置換基としては、炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基及び炭素数１以上６以下のアルコキシ基が好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数１以上２０以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上１８以下が好ましく、１以上１４以下がより好ましく、１以上１０以下が更に好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
Ｒｂ^１及びＲｂ^２に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが好ましい。

ジオール単位（Ｂ）は、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）及び下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことがより更に好ましく、
下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）及び下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）からなる群から選択される少なくとも１種を含むことが最も好ましい。

式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０１に係る炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ^１０１の具体例として、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、イソヘプチル基、ｓｅｃ－ヘプチル基、ｔｅｒｔ－ヘプチル基、イソオクチル基、ｓｅｃ－オクチル基、ｔｅｒｔ－オクチル基、イソノニル基、ｓｅｃ－ノニル基、ｔｅｒｔ－ノニル基、イソデシル基、ｓｅｃ－デシル基、ｔｅｒｔ－デシル基、イソドデシル基、ｓｅｃ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－ドデシル基、ｔｅｒｔ－テトラデシル基、ｔｅｒｔ－ペンタデシル基等が挙げられる。

式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０２に係る炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基の炭素数は、４以上１６以下が好ましく、４以上１２以下がより好ましく、４以上８以下が更に好ましい。Ｒｂ^１０２の具体例として、ｎ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－ノニル基、ｎ－デシル基、ｎ－ウンデシル基、ｎ－ドデシル基、トリデシル基、ｎ－テトラデシル基、ｎ－ペンタデシル基、ｎ－ヘプタデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－ノナデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられる。

式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１０４に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。Ｒｂ^１０４の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。

式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ａｒ^１０５に係る炭素数６以上１２以下のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。
Ａｒ^１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。Ａｒ^１０５に係る炭素数７以上２０以下のアラルキル基中のアリール基は、単環及び多環のいずれでもよい。アリール基の炭素数は、６以上１０以下が好ましく、６がより好ましい。炭素数７以上２０以下のアラルキル基としては、ベンジル基、フェニルエチル基、フェニルプロピル基、４－フェニルブチル基、フェニルペンチル基、フェニルヘキシル基、フェニルヘプチル基、フェニルオクチル基、フェニルノニル基、ナフチルメチル基、ナフチルエチル基、アントラチルメチル基、フェニル－シクロペンチルメチル基等が挙げられる。

式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係る炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。当該基の具体例として、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基が挙げられる。
Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係る炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上４以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。当該基の具体例として、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基等が挙げられる。
Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。

式（Ｂ１）のＲｂ^２０１、式（Ｂ２）のＲｂ^２０２、式（Ｂ４）のＲｂ^２０４及び式（Ｂ５）のＲｂ^２０５の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^２０１、Ｒｂ^２０２、Ｒｂ^２０４及びＲｂ^２０５を「Ｒｂ^２００」と総称して説明する。

Ｒｂ^２００に係る炭素数１以上３以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１又は２が好ましく、１がより好ましい。
炭素数１以上３以下のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、イソプロピル基、シクロプロピル基が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^４０１、式（Ｂ２）のＲｂ^４０２、式（Ｂ３）のＲｂ^４０３、式（Ｂ４）のＲｂ^４０４、式（Ｂ５）のＲｂ^４０５、式（Ｂ６）のＲｂ^４０６、式（Ｂ７）のＲｂ^４０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^４０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^４０７及びＲｂ^４０８を「Ｒｂ^４００」と総称して説明する。

Ｒｂ^４００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^４００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^４００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^５０１、式（Ｂ２）のＲｂ^５０２、式（Ｂ３）のＲｂ^５０３、式（Ｂ４）のＲｂ^５０４、式（Ｂ５）のＲｂ^５０５、式（Ｂ６）のＲｂ^５０６、式（Ｂ７）のＲｂ^５０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^５０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^５０７及びＲｂ^５０８を「Ｒｂ^５００」と総称して説明する。

Ｒｂ^５００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^５００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^５００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^８０１、式（Ｂ２）のＲｂ^８０２、式（Ｂ３）のＲｂ^８０３、式（Ｂ４）のＲｂ^８０４、式（Ｂ５）のＲｂ^８０５、式（Ｂ６）のＲｂ^８０６、式（Ｂ７）のＲｂ^８０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^８０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^８０１、Ｒｂ^８０２、Ｒｂ^８０３、Ｒｂ^８０４、Ｒｂ^８０５、Ｒｂ^８０６、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^８０８を「Ｒｂ^８００」と総称して説明する。

Ｒｂ^８００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^８００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^８００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

式（Ｂ１）のＲｂ^９０１、式（Ｂ２）のＲｂ^９０２、式（Ｂ３）のＲｂ^９０３、式（Ｂ４）のＲｂ^９０４、式（Ｂ５）のＲｂ^９０５、式（Ｂ６）のＲｂ^９０６、式（Ｂ７）のＲｂ^９０７及び式（Ｂ８）のＲｂ^９０８の具体的形態及び好ましい形態は同様であるので、以下、Ｒｂ^９０１、Ｒｂ^９０２、Ｒｂ^９０３、Ｒｂ^９０４、Ｒｂ^９０５、Ｒｂ^９０６、Ｒｂ^９０７及びＲｂ^９０８を「Ｒｂ^９００」と総称して説明する。

Ｒｂ^９００に係る炭素数１以上４以下のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。アルキル基の炭素数は、１以上３以下が好ましく、１又は２がより好ましく、１が更に好ましい。
炭素数１以上４以下の直鎖アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ－プロピル基、ｎ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の分岐アルキル基としては、イソプロピル基、イソブチル基、ｓｅｃ－ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基が挙げられる。
炭素数３又は４の環状アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基が挙げられる。

Ｒｂ^９００に係る炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基は、直鎖状、分岐状及び環状のいずれでもよい。炭素数１以上６以下のアルコキシ基中のアルキル基の炭素数は、１以上４以下が好ましく、１以上３以下がより好ましく、１又は２が更に好ましい。
炭素数１以上６以下の直鎖アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、ｎ－プロポキシ基、ｎ－ブトキシ基、ｎ－ペンチルオキシ基、ｎ－ヘキシルオキシ基が挙げられる。
炭素数３以上６以下の分岐アルコキシ基としては、イソプロポキシ基、イソブトキシ基、ｓｅｃ－ブトキシ基、ｔｅｒｔ－ブトキシ基、イソペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｔｅｒｔ－ペンチルオキシ基、イソヘキシルオキシ基、ｓｅｃ－ヘキシルオキシ基、ｔｅｒｔ－ヘキシルオキシ基等が挙げられる。
炭素数３以上６以下の環状アルコキシ基としては、シクロプロポキシ基、シクロブトキシ基、シクロペンチルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基等が挙げられる。

Ｒｂ^９００に係るハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられる。

以下に、ジオール単位（Ｂ１）の具体例としてジオール単位（Ｂ１－１）～（Ｂ１－６）を示す。ジオール単位（Ｂ１）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ２）の具体例としてジオール単位（Ｂ２－１）～（Ｂ２－１１）を示す。ジオール単位（Ｂ２）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ３）の具体例としてジオール単位（Ｂ３－１）～（Ｂ３－４）を示す。ジオール単位（Ｂ３）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ４）の具体例としてジオール単位（Ｂ４－１）～（Ｂ４－７）を示す。ジオール単位（Ｂ４）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ５）の具体例としてジオール単位（Ｂ５－１）～（Ｂ５－６）を示す。ジオール単位（Ｂ５）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ６）の具体例としてジオール単位（Ｂ６－１）～（Ｂ６－４）を示す。ジオール単位（Ｂ６）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ７）の具体例としてジオール単位（Ｂ７－１）～（Ｂ７－３）を示す。ジオール単位（Ｂ７）は、これに限定されるわけではない。

以下に、ジオール単位（Ｂ８）の具体例としてジオール単位（Ｂ８－１）～（Ｂ８－３）を示す。ジオール単位（Ｂ８）は、これに限定されるわけではない。

ポリエステル樹脂（１）に含まれるジオール単位（Ｂ）は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂（１）に占めるジオール単位（Ｂ）の質量割合は、２５質量％以上８０質量％以下が好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が２５質量％以上であると、感光層の剥がれを抑制できる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上が更に好ましい。
ジオール単位（Ｂ）の質量割合が８０質量％以下であると、感光層を形成するための塗布液に対する溶解性を維持して耐摩耗性の向上が可能となる。この観点から、ジオール単位（Ｂ）の質量割合は、７５質量％以下がより好ましく、７０質量％以下が更に好ましい。

ジオール単位（Ｂ）以外のその他のジオール単位としては、例えば、脂肪族ジオール（例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、プロピレングリコール、ブタンジオール、ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール）単位、脂環式ジオール（例えば、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、水添ビスフェノールＡ）単位が挙げられる。ポリエステル樹脂（１）に含まれるこれらジオール単位は、１種でもよく、２種以上でもよい。

ポリエステル樹脂（１）の末端は、製造の際に使用する末端封止剤又は分子量調節剤などで封止又は修飾されていてもよい。末端封止剤又は分子量調節剤としては、例えば、一価フェノール、一価酸クロライド、一価アルコール、一価カルボン酸が挙げられる。
一価フェノールとしては、例えば、フェノール、ｏ－クレゾール、ｍ－クレゾール、ｐ－クレゾール、ｏ－エチルフェノール、ｍ－エチルフェノール、ｐ－エチルフェノール、ｏ－プロピルフェノール、ｍ－プロピルフェノール、ｐ－プロピルフェノール、ｏ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｍ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチルフェノール、ペンチルフェノール、ヘキシルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，６－ジメチルフェノール誘導体、２－メチルフェノール誘導体、ｏ－フェニルフェノール、ｍ－フェニルフェノール、ｐ－フェニルフェノール、ｏ－メトキシフェノール、ｍ－メトキシフェノール、ｐ－メトキシフェノール、２，３，５－トリメチルフェノール、２，３，６－トリメチルフェノール、２，３－キシレノール、２，４－キシレノール、２，５－キシレノール、２，６－キシレノール、３，４－キシレノール、３，５－キシレノール、２－フェニル－２－（４－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（２－ヒドロキシフェニル）プロパン、２－フェニル－２－（３－ヒドロキシフェニル）プロパンが挙げられる。
一価酸クロライドとしては、例えば、ベンゾイルクロライド、安息香酸クロライド、メタンスルホニルクロライド、フェニルクロロホルメート、酢酸クロリド、酪酸クロリド、オクチル酸クロリド、塩化ベンゾイル、ベンゼンスルフォニルクロリド、ベンゼンスルフィニルクロリド、スルフィニルクロリド、ベンゼンホスホニルクロリド、これらの置換体等の一官能性酸ハロゲン化物が挙げられる。
一価アルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、イソプロパノール、ｎ－ブタノール、２－ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、ドデシルアルコール、ステアリルアルコール、ベンジルアルコール、フェネチルアルコールが挙げられる。
一価カルボン酸としては、例えば、酢酸、プロピオン酸、オクタン酸、シクロヘキサンカルボン酸、安息香酸、トルイル酸、フェニル酢酸、ｐ－ｔｅｒｔ－ブチル安息香酸、ｐ－メトキシフェニル酢酸が挙げられる。

ポリエステル樹脂（１）の重量平均分子量は、３万以上３０万以下が好ましく、４万以上２５万以下がより好ましく、５万以上２０万以下が更に好ましい。
ポリエステル樹脂（１）の分子量は、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）によって測定したポリスチレン換算の分子量である。ＧＰＣは溶離液としてテトラヒドロフランを使用する。

ポリエステル樹脂（１）の製造方法としては、界面重合法、溶液重合法、溶融重合法などが挙げられる。

ポリエステル樹脂（１）を含む電荷輸送層、及び、ポリエステル樹脂（１）を含む単層型感光層の詳細については、後述する。

［導電性基体］
導電性基体としては、例えば、金属（アルミニウム、銅、亜鉛、クロム、ニッケル、モリブデン、バナジウム、インジウム、金、白金等）又は合金（ステンレス鋼等）を含む金属板、金属ドラム、及び金属ベルト等が挙げられる。また、導電性基体としては、例えば、導電性化合物（例えば導電性ポリマー、酸化インジウム等）、金属（例えばアルミニウム、パラジウム、金等）又は合金を塗布、蒸着又はラミネートした紙、樹脂フィルム、ベルト等も挙げられる。ここで、「導電性」とは体積抵抗率が１×１０^１３Ωｃｍ未満であることをいう。

導電性基体の表面は、電子写真感光体がレーザプリンタに使用される場合、レーザ光を照射する際に生じる干渉縞を抑制する目的で、中心線平均粗さＲａで０．０４μｍ以上０．５μｍ以下に粗面化されていることが好ましい。非干渉光を光源に用いる場合、干渉縞防止の粗面化は、特に必要ないが、導電性基体の表面の凹凸による欠陥の発生を抑制するため、より長寿命化に適する。

粗面化の方法としては、例えば、研磨剤を水に懸濁させて導電性基体に吹き付けることによって行う湿式ホーニング、回転する砥石に導電性基体を圧接し、連続的に研削加工を行うセンタレス研削、陽極酸化処理等が挙げられる。

粗面化の方法としては、導電性基体の表面を粗面化することなく、導電性又は半導電性粉体を樹脂中に分散させて、導電性基体の表面上に層を形成し、その層中に分散させる粒子により粗面化する方法も挙げられる。

陽極酸化による粗面化処理は、金属製（例えばアルミニウム製）の導電性基体を陽極とし電解質溶液中で陽極酸化することにより導電性基体の表面に酸化膜を形成するものである。電解質溶液としては、例えば、硫酸溶液、シュウ酸溶液等が挙げられる。しかし、陽極酸化により形成された多孔質陽極酸化膜は、そのままの状態では化学的に活性であり、汚染され易く、環境による抵抗変動も大きい。そこで、多孔質陽極酸化膜に対して、酸化膜の微細孔を加圧水蒸気又は沸騰水中（ニッケル等の金属塩を加えてもよい）で水和反応による体積膨張でふさぎ、より安定な水和酸化物に変える封孔処理を行うことが好ましい。

陽極酸化膜の膜厚は、例えば、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。この膜厚が上記範囲内にあると、注入に対するバリア性が発揮される傾向があり、また繰り返し使用による残留電位の上昇が抑えられる傾向にある。

導電性基体には、酸性処理液による処理又はベーマイト処理を施してもよい。
酸性処理液による処理は、例えば、以下のようにして実施される。先ず、リン酸、クロム酸及びフッ酸を含む酸性処理液を調製する。酸性処理液におけるリン酸、クロム酸及びフッ酸の配合割合は、例えば、リン酸が１０質量％以上１１質量％以下の範囲、クロム酸が３質量％以上５質量％以下の範囲、フッ酸が０．５質量％以上２質量％以下の範囲であって、これらの酸全体の濃度は１３．５質量％以上１８質量％以下の範囲がよい。処理温度は例えば４２℃以上４８℃以下が好ましい。被膜の膜厚は、０．３μｍ以上１５μｍ以下が好ましい。

ベーマイト処理は、例えば９０℃以上１００℃以下の純水中に５分から６０分間浸漬すること、又は９０℃以上１２０℃以下の加熱水蒸気に５分から６０分間接触させて行う。被膜の膜厚は、０．１μｍ以上５μｍ以下が好ましい。これをさらにアジピン酸、硼酸、硼酸塩、燐酸塩、フタル酸塩、マレイン酸塩、安息香酸塩、酒石酸塩、クエン酸塩等の被膜溶解性の低い電解質溶液を用いて陽極酸化処理してもよい。

［下引層］
下引層は、例えば、無機粒子と結着樹脂とを含む層である。

無機粒子としては、例えば、粉体抵抗（体積抵抗率）１×１０^２Ωｃｍ以上１×１０^１１Ωｃｍ以下の無機粒子が挙げられる。
これらの中でも、上記抵抗値を有する無機粒子としては、例えば、酸化錫粒子、酸化チタン粒子、酸化亜鉛粒子、酸化ジルコニウム粒子等の金属酸化物粒子がよく、特に、酸化亜鉛粒子が好ましい。

無機粒子のＢＥＴ法による比表面積は、例えば、１０ｍ^２／ｇ以上がよい。
無機粒子の体積平均粒径は、例えば、５０ｎｍ以上２０００ｎｍ以下（好ましくは６０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下）がよい。

無機粒子の含有量は、例えば、結着樹脂に対して、１０質量％以上８０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは４０質量％以上８０質量％以下である。

無機粒子は、表面処理が施されていてもよい。無機粒子は、表面処理の異なるもの、又は、粒子径の異なるものを２種以上混合して用いてもよい。

表面処理剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、界面活性剤等が挙げられる。特に、シランカップリング剤が好ましく、アミノ基を有するシランカップリング剤がより好ましい。

アミノ基を有するシランカップリング剤としては、例えば、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

シランカップリング剤は、２種以上混合して使用してもよい。例えば、アミノ基を有するシランカップリング剤と他のシランカップリング剤とを併用してもよい。この他のシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。

表面処理剤による表面処理方法は、公知の方法であればいかなる方法でもよく、乾式法又は湿式法のいずれでもよい。

表面処理剤の処理量は、例えば、無機粒子に対して０．５質量％以上１０質量％以下が好ましい。

ここで、下引層は、無機粒子と共に電子受容性化合物（アクセプター化合物）を含有することが、電気特性の長期安定性、キャリアブロック性が高まる観点からよい。

電子受容性化合物としては、例えば、クロラニル、ブロモアニル等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン、２，４，５，７－テトラニトロ－９－フルオレノン等のフルオレノン化合物；２－（４－ビフェニル）－５－（４－ｔ－ブチルフェニル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ナフチル）－１，３，４－オキサジアゾール、２，５－ビス（４－ジエチルアミノフェニル）－１，３，４オキサジアゾール等のオキサジアゾール系化合物；キサントン系化合物；チオフェン化合物；３，３’，５，５’テトラ－ｔ－ブチルジフェノキノン等のジフェノキノン化合物；等の電子輸送性物質等が挙げられる。
特に、電子受容性化合物としては、アントラキノン構造を有する化合物が好ましい。アントラキノン構造を有する化合物としては、例えば、ヒドロキシアントラキノン化合物、アミノアントラキノン化合物、アミノヒドロキシアントラキノン化合物等が好ましく、具体的には、例えば、アントラキノン、アリザリン、キニザリン、アントラルフィン、プルプリン等が好ましい。

電子受容性化合物は、下引層中に無機粒子と共に分散して含まれていてもよいし、無機粒子の表面に付着した状態で含まれていてもよい。

電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着させる方法としては、例えば、乾式法、又は、湿式法が挙げられる。

乾式法は、例えば、無機粒子をせん断力の大きなミキサ等で攪拌しながら、直接又は有機溶媒に溶解させた電子受容性化合物を滴下、乾燥空気や窒素ガスとともに噴霧させて、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。電子受容性化合物の滴下又は噴霧するときは、溶剤の沸点以下の温度で行うことがよい。電子受容性化合物を滴下又は噴霧した後、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に制限されない。

湿式法は、例えば、攪拌、超音波、サンドミル、アトライター、ボールミル等により、無機粒子を溶剤中に分散しつつ、電子受容性化合物を添加し、攪拌又は分散した後、溶剤除去して、電子受容性化合物を無機粒子の表面に付着する方法である。溶剤除去方法は、例えば、ろ過又は蒸留により留去される。溶剤除去後には、更に１００℃以上で焼き付けを行ってもよい。焼き付けは電子写真特性が得られる温度、時間であれば特に限定されない。湿式法においては、電子受容性化合物を添加する前に無機粒子の含有水分を除去してもよく、その例として溶剤中で攪拌加熱しながら除去する方法、溶剤と共沸させて除去する方法が挙げられる。

電子受容性化合物の付着は、表面処理剤による表面処理を無機粒子に施す前又は後に行ってよく、電子受容性化合物の付着と表面処理剤による表面処理と同時に行ってもよい。

電子受容性化合物の含有量は、例えば、無機粒子に対して０．０１質量％以上２０質量％以下がよく、好ましくは０．０１質量％以上１０質量％以下である。

下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の公知の高分子化合物；ジルコニウムキレート化合物；チタニウムキレート化合物；アルミニウムキレート化合物；チタニウムアルコキシド化合物；有機チタニウム化合物；シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。
下引層に用いる結着樹脂としては、例えば、電荷輸送性基を有する電荷輸送性樹脂、導電性樹脂（例えばポリアニリン等）等も挙げられる。

これらの中でも、下引層に用いる結着樹脂としては、上層の塗布溶剤に不溶な樹脂が好適であり、特に、尿素樹脂、フェノール樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂；ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエーテル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリビニルアルコール樹脂及びポリビニルアセタール樹脂からなる群から選択される少なくとも１種の樹脂と硬化剤との反応により得られる樹脂が好適である。
これら結着樹脂を２種以上組み合わせて使用する場合には、その混合割合は、必要に応じて設定される。

下引層には、電気特性向上、環境安定性向上、画質向上のために種々の添加剤を含んでいてもよい。
添加剤としては、多環縮合系、アゾ系等の電子輸送性顔料、ジルコニウムキレート化合物、チタニウムキレート化合物、アルミニウムキレート化合物、チタニウムアルコキシド化合物、有機チタニウム化合物、シランカップリング剤等の公知の材料が挙げられる。シランカップリング剤は前述のように無機粒子の表面処理に用いられるが、添加剤として更に下引層に添加してもよい。

添加剤としてのシランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、３－メタクリルオキシプロピル－トリス（２－メトキシエトキシ）シラン、２－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、３－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３－アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ，Ｎ－ビス（２－ヒドロキシエチル）－３－アミノプロピルトリエトキシシラン、３－クロロプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。

ジルコニウムキレート化合物としては、例えば、ジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセト酢酸エチル、ジルコニウムトリエタノールアミン、アセチルアセトネートジルコニウムブトキシド、アセト酢酸エチルジルコニウムブトキシド、ジルコニウムアセテート、ジルコニウムオキサレート、ジルコニウムラクテート、ジルコニウムホスホネート、オクタン酸ジルコニウム、ナフテン酸ジルコニウム、ラウリン酸ジルコニウム、ステアリン酸ジルコニウム、イソステアリン酸ジルコニウム、メタクリレートジルコニウムブトキシド、ステアレートジルコニウムブトキシド、イソステアレートジルコニウムブトキシド等が挙げられる。

チタニウムキレート化合物としては、例えば、テトライソプロピルチタネート、テトラノルマルブチルチタネート、ブチルチタネートダイマー、テトラ（２－エチルヘキシル）チタネート、チタンアセチルアセトネート、ポリチタンアセチルアセトネート、チタンオクチレングリコレート、チタンラクテートアンモニウム塩、チタンラクテート、チタンラクテートエチルエステル、チタントリエタノールアミネート、ポリヒドロキシチタンステアレート等が挙げられる。

アルミニウムキレート化合物としては、例えば、アルミニウムイソプロピレート、モノブトキシアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムブチレート、ジエチルアセトアセテートアルミニウムジイソプロピレート、アルミニウムトリス（エチルアセトアセテート）等が挙げられる。

これらの添加剤は、単独で、又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

下引層は、ビッカース硬度が３５以上であることがよい。
下引層の表面粗さ（十点平均粗さ）は、モアレ像抑制のために、使用される露光用レーザ波長λの１／（４ｎ）（ｎは上層の屈折率）から１／２までに調整されていることがよい。
表面粗さ調整のために下引層中に樹脂粒子等を添加してもよい。樹脂粒子としてはシリコーン樹脂粒子、架橋型ポリメタクリル酸メチル樹脂粒子等が挙げられる。また、表面粗さ調整のために下引層の表面を研磨してもよい。研磨方法としては、バフ研磨、サンドブラスト処理、湿式ホーニング、研削処理等が挙げられる。

下引層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた下引層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。

下引層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、公知の有機溶剤、例えば、アルコール系溶剤、芳香族炭化水素溶剤、ハロゲン化炭化水素溶剤、ケトン系溶剤、ケトンアルコール系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤等が挙げられる。
これらの溶剤として具体的には、例えば、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｉｓｏ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等の通常の有機溶剤が挙げられる。

下引層形成用塗布液を調製するときの無機粒子の分散方法としては、例えば、ロールミル、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、コロイドミル、ペイントシェーカー等の公知の方法が挙げられる。

下引層形成用塗布液を導電性基体上に塗布する方法としては、例えば、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

下引層の厚さは、例えば、好ましくは１５μｍ以上、より好ましくは２０μｍ以上５０μｍ以下の範囲内に設定される。

［中間層］
下引層と感光層との間に中間層をさらに設けてもよい。
中間層は、例えば、樹脂を含む層である。中間層に用いる樹脂としては、例えば、アセタール樹脂（例えばポリビニルブチラール等）、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、カゼイン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、ゼラチン、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン－アルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、メラミン樹脂等の高分子化合物が挙げられる。
中間層は、有機金属化合物を含む層であってもよい。中間層に用いる有機金属化合物としては、ジルコニウム、チタニウム、アルミニウム、マンガン、ケイ素等の金属原子を含有する有機金属化合物等が挙げられる。
これらの中間層に用いる化合物は、単独で又は複数の化合物の混合物若しくは重縮合物として用いてもよい。

これらの中でも、中間層は、ジルコニウム原子又はケイ素原子を含有する有機金属化合物を含む層であることが好ましい。

中間層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた中間層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。
中間層を形成する塗布方法としては、浸漬塗布法、突き上げ塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、ブレード塗布法、ナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が用いられる。

中間層の厚さは、例えば、好ましくは０．１μｍ以上３μｍ以下の範囲に設定される。中間層を下引層として使用してもよい。

［電荷発生層］
電荷発生層は、例えば、電荷発生材料と結着樹脂とを含む層である。また、電荷発生層は、電荷発生材料の蒸着層であってもよい。電荷発生材料の蒸着層は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）イメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合に好適である。

電荷発生材料としては、ビスアゾ、トリスアゾ等のアゾ顔料；ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；ペリレン顔料；ピロロピロール顔料；フタロシアニン顔料；酸化亜鉛；三方晶系セレン等が挙げられる。

これらの中でも、近赤外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、金属フタロシアニン顔料、又は無金属フタロシアニン顔料を用いることが好ましい。具体的には、例えば、ヒドロキシガリウムフタロシアニン；クロロガリウムフタロシアニン；ジクロロスズフタロシアニン；チタニルフタロシアニンがより好ましい。

一方、近紫外域のレーザ露光に対応させるためには、電荷発生材料としては、ジブロモアントアントロン等の縮環芳香族顔料；チオインジゴ系顔料；ポルフィラジン化合物；酸化亜鉛；三方晶系セレン；ビスアゾ顔料等が好ましい。

４５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下に発光の中心波長があるＬＥＤ，有機ＥＬイメージアレー等の非干渉性光源を用いる場合にも、上記電荷発生材料を用いてもよいが、解像度の観点より、感光層を２０μｍ以下の薄膜で用いるときには、感光層中の電界強度が高くなり、基体からの電荷注入による帯電低下、いわゆる黒点と呼ばれる画像欠陥を生じやすくなる。これは、三方晶系セレン、フタロシアニン顔料等のｐ－型半導体で暗電流を生じやすい電荷発生材料を用いたときに顕著となる。

これに対し、電荷発生材料として、縮環芳香族顔料、ペリレン顔料、アゾ顔料等のｎ－型半導体を用いた場合、暗電流を生じ難く、薄膜にしても黒点と呼ばれる画像欠陥を抑制し得る。
ｎ－型の判定は、通常使用されるタイムオブフライト法を用い、流れる光電流の極性によって判定され、正孔よりも電子をキャリアとして流しやすいものをｎ－型とする。

電荷発生層に用いる結着樹脂としては、広範な絶縁性樹脂から選択され、また、結着樹脂としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセン、ポリビニルピレン、ポリシラン等の有機光導電性ポリマーから選択してもよい。
結着樹脂としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ポリアリレート樹脂（ビスフェノール類と芳香族２価カルボン酸の重縮合体等）、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノキシ樹脂、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、ポリビニルピリジン樹脂、セルロース樹脂、ウレタン樹脂、エポキシ樹脂、カゼイン、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂等が挙げられる。ここで、「絶縁性」とは、体積抵抗率が１×１０^１３Ωｃｍ以上であることをいう。
これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上を混合して用いられる。

電荷発生材料と結着樹脂の配合比は、質量比で１０：１から１：１０までの範囲内であることが好ましい。

電荷発生層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。

電荷発生層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷発生層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥し、必要に応じて加熱することで行う。電荷発生層の形成は、電荷発生材料の蒸着により行ってもよい。電荷発生層の蒸着による形成は、特に、電荷発生材料として縮環芳香族顔料、ペリレン顔料を利用する場合に好適である。

電荷発生層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、メタノール、エタノール、ｎ－プロパノール、ｎ－ブタノール、ベンジルアルコール、メチルセルソルブ、エチルセルソルブ、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、酢酸メチル、酢酸ｎ－ブチル、ジオキサン、テトラヒドロフラン、メチレンクロライド、クロロホルム、クロロベンゼン、トルエン等が挙げられる。これら溶剤は、１種を単独で又は２種以上を混合して用いる。

電荷発生層形成用塗布液中に粒子（例えば電荷発生材料）を分散させる方法としては、例えば、ボールミル、振動ボールミル、アトライター、サンドミル、横型サンドミル等のメディア分散機や、攪拌、超音波分散機、ロールミル、高圧ホモジナイザー等のメディアレス分散機が利用される。高圧ホモジナイザーとしては、例えば、高圧状態で分散液を液－液衝突や液－壁衝突させて分散する衝突方式や、高圧状態で微細な流路を貫通させて分散する貫通方式等が挙げられる。
この分散の際、電荷発生層形成用塗布液中の電荷発生材料の平均粒径を０．５μｍ以下、好ましくは０．３μｍ以下、更に好ましくは０．１５μｍ以下にすることが有効である。

電荷発生層形成用塗布液を下引層上（又は中間層上）に塗布する方法としては、例えばブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷発生層の厚さは、例えば、好ましくは０．１μｍ以上５．０μｍ以下、より好ましくは０．２μｍ以上２．０μｍ以下の範囲内に設定される。

［電荷輸送層］
電荷輸送層は、例えば、電荷輸送材料と結着樹脂とを含む層である。そして、結着樹脂の少なくとも一部として、上述のポリエステル樹脂（１）を含む。電荷輸送層は、高分子電荷輸送材料を含む層であってもよい。

電荷輸送材料としては、ｐ－ベンゾキノン、クロラニル、ブロマニル、アントラキノン等のキノン系化合物；テトラシアノキノジメタン系化合物；２，４，７－トリニトロフルオレノン等のフルオレノン化合物；キサントン系化合物；ベンゾフェノン系化合物；シアノビニル系化合物；エチレン系化合物等の電子輸送性化合物が挙げられる。電荷輸送材料としては、トリアリールアミン系化合物、ベンジジン系化合物、アリールアルカン系化合物、アリール置換エチレン系化合物、スチルベン系化合物、アントラセン系化合物、ヒドラゾン系化合物等の正孔輸送性化合物も挙げられる。これらの電荷輸送材料は１種を単独で又は２種以上で用いられるが、これらに限定されるものではない。

電荷輸送材料としては、電荷移動度の観点から、下記構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び下記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体が好ましい。

構造式（ａ－１）中、Ａｒ^Ｔ１、Ａｒ^Ｔ２、及びＡｒ^Ｔ３は、各々独立に置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ_６Ｈ_４－Ｃ（Ｒ^Ｔ４）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ５）（Ｒ^Ｔ６）、又は－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）を示す。Ｒ^Ｔ４、Ｒ^Ｔ５、Ｒ^Ｔ６、Ｒ^Ｔ７、及びＲ^Ｔ８は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

構造式（ａ－２）中、Ｒ^Ｔ９１及びＲ^Ｔ９２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、又は炭素数１以上５以下のアルコキシ基を示す。Ｒ^Ｔ１０１、Ｒ^Ｔ１０２、Ｒ^Ｔ１１１及びＲ^Ｔ１１２は各々独立に、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基、炭素数１以上２以下のアルキル基で置換されたアミノ基、置換若しくは無置換のアリール基、－Ｃ（Ｒ^Ｔ１２）＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１３）（Ｒ^Ｔ１４）、又は－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）を示し、Ｒ^Ｔ１２、Ｒ^Ｔ１３、Ｒ^Ｔ１４、Ｒ^Ｔ１５及びＲ^Ｔ１６は各々独立に水素原子、置換若しくは無置換のアルキル基、又は置換若しくは無置換のアリール基を表す。Ｔｍ１、Ｔｍ２、Ｔｎ１及びＴｎ２は各々独立に０以上２以下の整数を示す。
上記各基の置換基としては、ハロゲン原子、炭素数１以上５以下のアルキル基、炭素数１以上５以下のアルコキシ基が挙げられる。また、上記各基の置換基としては、炭素数１以上３以下のアルキル基で置換された置換アミノ基も挙げられる。

ここで、構造式（ａ－１）で示されるトリアリールアミン誘導体、及び前記構造式（ａ－２）で示されるベンジジン誘導体のうち、特に、「－Ｃ_６Ｈ_４－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ７）（Ｒ^Ｔ８）」を有するトリアリールアミン誘導体、及び「－ＣＨ＝ＣＨ－ＣＨ＝Ｃ（Ｒ^Ｔ１５）（Ｒ^Ｔ１６）」を有するベンジジン誘導体が、電荷移動度の観点で好ましい。

高分子電荷輸送材料としては、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等の電荷輸送性を有する公知のものが用いられる。特に、ポリエステル系の高分子電荷輸送材は特に好ましい。高分子電荷輸送材料は、単独で使用してよいが、結着樹脂と併用してもよい。

電荷輸送材料又は高分子電荷輸送材料としては、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、エナミン化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、ジアミン化合物、オキサジアゾール化合物、カルバゾール化合物、有機ポリシラン化合物、ピラゾリン化合物、インドール化合物、オキサゾール化合物、イソオキサゾール化合物、チアゾール化合物、チアジアゾール化合物、イミダゾール化合物、ピラゾール化合物、トリアゾール化合物及びこれらの物質から誘導される基を有する樹脂も挙げられる。具体的には、特開２０２１－１１７３７７号公報の段落００７８～００８０、特開２０１９－０３５９００号公報の段落００４６～００４８、特開２０１９－０１２１４１号公報の段落００５２～００５３、特開２０２１－０７１５６５号公報の段落０１２２～０１３４、特開２０２１－０１５２２３号公報の段落０１０１～０１１０及び特開２０１３－０９７３００号公報の段落０１１６それぞれに記載の化合物が挙げられる。

電荷輸送層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して２８質量％以上５５質量％以下がよい。

電荷輸送層は結着樹脂として少なくともポリエステル樹脂（１）を含む。電荷輸送層に含まれる結着樹脂の全量に占めるポリエステル樹脂（１）の割合は、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。

電荷輸送層は、ポリエステル樹脂（１）以外のその他の結着樹脂を含んでいてもよい。その他の結着樹脂としては、ポリエステル樹脂（１）以外のポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、メタクリル樹脂、アクリル樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂、スチレン－ブタジエン共重合体、塩化ビニリデン－アクリロニトリル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル－酢酸ビニル－無水マレイン酸共重合体、シリコーン樹脂、シリコーンアルキッド樹脂、フェノール－ホルムアルデヒド樹脂、スチレン－アルキッド樹脂、ポリ－Ｎ－ビニルカルバゾール、ポリシラン等が挙げられる。これらの結着樹脂は１種を単独で又は２種以上で用いる。

電荷輸送層には、その他、公知の添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、酸化防止剤、レベリング剤、消泡剤、フィラー、粘度調整剤などが挙げられる。

電荷輸送層の形成は、特に制限はなく、公知の形成方法が利用されるが、例えば、上記成分を溶剤に加えた電荷輸送層形成用塗布液の塗膜を形成し、当該塗膜を乾燥、必要に応じて加熱することで行う。

電荷輸送層形成用塗布液を調製するための溶剤としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロベンゼン等の芳香族炭化水素類；アセトン、２－ブタノン等のケトン類；塩化メチレン、クロロホルム、塩化エチレン等のハロゲン化脂肪族炭化水素類；テトラヒドロフラン、エチルエーテル等の環状又は直鎖状のエーテル類等の通常の有機溶剤が挙げられる。これら溶剤は、単独で又は２種以上混合して用いる。

電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層の上に塗布する際の塗布方法としては、ブレード塗布法、ワイヤーバー塗布法、スプレー塗布法、浸漬塗布法、ビード塗布法、エアーナイフ塗布法、カーテン塗布法等の通常の方法が挙げられる。

電荷輸送層の平均厚は、２７μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、３１μｍ以上４８μｍ以下がより好ましく、３５μｍ以上４６μｍ以下が更に好ましい。

［単層型感光層］
単層型感光層（電荷発生／電荷輸送層）は、電荷発生材料と、電荷輸送材料と、結着樹脂と、必要に応じてその他の添加剤と、を含む層である。そして、結着樹脂の少なくとも一部として、上述のポリエステル樹脂（１）を含む。単層型感光層に含まれるこれら材料は、電荷発生層及び電荷輸送層で説明した材料と同様である。

単層型感光層は結着樹脂として少なくともポリエステル樹脂（１）を含む。単層型感光層に含まれる結着樹脂の全量に占めるポリエステル樹脂（１）の割合は、５０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上が更に好ましく、９５質量％以上が特に好ましく、１００質量％が最も好ましい。

単層型感光層中、電荷発生材料の含有量は、全固形分に対して０．１質量％以上１０質量％以下がよく、好ましくは０．８質量％以上５質量％以下である。

単層型感光層に含まれる電荷輸送材料の含有量は、全固形分に対して４０質量％以上６０質量％以下がよい。

単層型感光層の形成方法は、電荷発生層や電荷輸送層の形成方法と同様である。

単層型感光層の平均厚は、２７μｍ以上５０μｍ以下が好ましく、３１μｍ以上４８μｍ以下がより好ましく、３５μｍ以上４６μｍ以下が更に好ましい。

［帯電装置］
帯電装置１５は、感光体１２の表面を帯電する。帯電装置１５は、例えば、感光体１２表面に接触または非接触で設けられ、感光体１２の表面を帯電する帯電部材１４、及び帯電部材１４に帯電電圧を印加する電源２８（帯電部材用の電圧印加部の一例）を備えている。電源２８は、帯電部材１４に電気的に接続されている。

帯電装置１５の帯電部材１４としては、例えば、導電性の帯電ロール、帯電ブラシ、帯電フィルム、帯電ゴムブレード、帯電チューブ等を用いた接触方式の帯電器が挙げられる。また、帯電部材１４としては、例えば、非接触方式のローラ帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器又はコロトロン帯電器等のそれ自体公知の帯電器等も挙げられる。

［静電荷像形成装置］
静電荷像形成装置１６は、帯電された感光体１２の表面に静電荷像を形成する。具体的には、例えば、静電荷像形成装置１６は、帯電部材１４により帯電された感光体１２の表面に、形成する対象となる画像の画像情報に基づいて変調された光Ｌを照射して、感光体１２上に画像情報の画像に応じた静電荷像を形成する。

静電荷像形成装置１６としては、例えば、半導体レーザ光、ＬＥＤ光、液晶シャッタ光等の光を像様に露光する光源を持つ光学系機器等が挙げられる。

［現像装置］
現像装置１８は、例えば、静電荷像形成装置１６による光Ｌの照射位置より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。現像装置１８内には、現像剤を収容する収容部が設けられている。この収容部には、トナー粒子と外添剤とを含むトナーを有する現像剤が収容されている。トナーは、例えば、現像装置１８内で帯電された状態で収容されている。

現像装置１８は、例えば、トナー粒子と外添剤とを含むトナーを含む現像剤により、感光体１２の表面に形成された静電荷像を現像する現像部材１８Ａと、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する電源３２と、を備えている。この現像部材１８Ａは、例えば、電源３２に電気的に接続されている。

現像装置１８の現像部材１８Ａとしては、現像剤の種類に応じて選択されるが、例えば、磁石が内蔵された現像スリーブを有する現像ロールが挙げられる。

現像装置１８（電源３２を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、現像部材１８Ａに現像電圧を印加する。現像電圧を印加された現像部材１８Ａは、現像電圧に応じた現像電位に帯電される。そして、現像電位に帯電された現像部材１８Ａは、例えば、現像装置１８内に収容された現像剤を表面に保持して、現像剤に含まれるトナーを現像装置１８内から感光体１２表面へと供給する。トナーが供給された感光体１２表面では、形成された静電荷像がトナー画像として現像される。

［転写装置］
転写装置３１は、例えば、現像部材１８Ａの配設位置より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。転写装置３１は、例えば、感光体１２の表面に形成されたトナー画像を記録媒体３０Ａへ転写する転写部材２０と、転写部材２０に転写電圧を印加する電源３０と、を備えている。転写部材２０は、例えば、円柱状とされており、感光体１２との間で記録媒体３０Ａを挟んで搬送する。転写部材２０は、例えば、電源３０に電気的に接続されている。

転写部材２０としては、例えば、ベルト、ローラ、フィルム、ゴムクリーニングブレード等を用いた接触型転写帯電器、コロナ放電を利用したスコロトロン転写帯電器又はコロトロン転写帯電器等のそれ自体公知の非接触型転写帯電器が挙げられる。

転写装置３１（電源３０を含む）は、例えば、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、転写部材２０に転写電圧を印加する。転写電圧を印加された転写部材２０は、転写電圧に応じた転写電位に帯電される。

転写部材２０の電源３０から転写部材２０に、感光体１２上に形成されたトナー画像を構成するトナーとは逆極性の転写電圧が印加されると、例えば、感光体１２と転写部材２０との向かい合う領域（図２中、転写領域３２Ａ参照）には、感光体１２上のトナー画像を構成する各トナーを静電力により感光体１２から転写部材２０側へと移動させる電界強度の転写電界が形成される。

記録媒体３０Ａは、例えば、図示を省略する収容部に収容されており、この収容部から図示を省略する複数の搬送部材によって搬送経路３４に沿って搬送され、感光体１２と転写部材２０との向かい合う領域である転写領域３２Ａに到る。図２中に示す例では、矢印Ｂ方向に搬送される。転写領域３２Ａに到った記録媒体３０Ａは、例えば、転写部材２０に転写電圧が印加されることにより該領域に形成された転写電界によって、感光体１２上のトナー画像が転写される。すなわち、例えば、感光体１２表面から記録媒体３０Ａへのトナーの移動により、記録媒体３０Ａ上にトナー画像が転写される。そして、感光体１２上のトナー画像は、転写電界により記録媒体３０Ａ上に転写される。

［清掃装置］
清掃装置２２は、感光体１２の表面に接触し、感光体１２の表面を清掃するクリーニングブレード２２Ａを有する。

クリーニング装置２２は、転写領域３２Ａより感光体１２の回転方向下流側に設けられている。クリーニング装置２２は、トナー画像を記録媒体３０Ａに転写した後に、感光体１２に付着した残留トナー粒子をクリーニング（清掃）する。クリーニング装置２２では、残留トナー粒子以外にも、紙粉等の付着物をクリーニングする。

クリーニング装置２２は、クリーニングブレード２２Ａを有し、クリーニングブレード２２Ａの先端を感光体１２の回転方向と対向する方向に向けて接触させて感光体１２の表面の付着物（残留トナー粒子を含む）を除去するものである。

ここで、図５を参照して、クリーニング装置２２について説明する。
図５は、図２に示すクリーニング装置２２におけるクリーニングブレード２２Ａの設置態様を示す概略構成図である。
図５に示すように、クリーニングブレード２２Ａの先端は、感光体１２の回転方向（矢印方向）と対向する方向を向いており、この状態で感光体１２の表面に接触している。

感光体１２に表面に対しクリーニングブレード２２Ａを接触する際、以下の条件を満たすことが好ましい。以下の条件を満たすことで、角度θを３５°以上５０°以下に調整しやすくなる。
感光体１２に対するクリーニングブレード２２Ａの接触角度ＷＡ（Ｗｏｒｋｉｎｇ Ａｎｇｌｅ）、すなわち、クリーニングブレード２２Ａの先端と感光体１２との接触部における接線（図５中の一点鎖線）とクリーニングブレード２２Ａの非変形部とでなす角の角度θは１０°以上１２．５°以下であることが好ましく、１０．５°以上１２°以下であることがより好ましい。
また、感光体１２に対するクリーニングブレード２２Ａの押し付け力ＮＦ（Ｎｏｒｍａｌ Ｆｏｒｃｅ）が、２．０ｇｆ／ｍｍ以上３．０ｇｆ／ｍｍ以下であることが好ましく、２．６ｇｆ／ｍｍ以上３．０ｇｆ／ｍｍ以下であることがより好ましい。
また、感光体１２に対するクリーニングブレード２２Ａの食い込み量が、１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることが好ましく、１．２ｍｍ以上１．５ｍｍ以下であることがより好ましい。

クリーニングブレード２２Ａは、感光体１２と接触する面とは反対の面側に支持部材（図５中では不図示）が接合しており、この支持部材により支持されている。この支持部材により、クリーニングブレード２２Ａが、感光体１２に対し上記押し付け圧にて押し付けられる。支持部材としては、アルミニウム、ステンレス等の金属材料が挙げられる。なお、支持部材とクリーニングブレード２２Ａとの間には、両者の接着を接合するための接着剤等による接着層を有していてもよい。
クリーニング装置は、クリーニングブレード２２Ａとこれを支持する支持部材以外にも公知の部材を含んでいてもよい。

－好ましい物性－
以下、クリーニングブレードの好ましい物性について説明する。
クリーニングブレードは、角度θを上述の範囲に調整しやすい観点、及び、クリーニングブレードの摩耗を抑制する観点から、感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下であることが好ましい。なお、感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーの下限としては、例えば、３９ｍＮ／ｍ以上が挙げられ、３９．５ｍＮ／ｍ以上が好ましい。

クリーニングブレードは、感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１５ＭＰａ以上２４ＭＰａ以下であることがよく、角度θを上述の範囲に調整しやすい観点、及び、クリーニングブレードの摩耗を抑制する観点から、１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下であることが好ましい。

クリーニングブレードは、感光体の表面への接触部における反発弾性率が１６％以上２８％以下であることがよく、角度θを上述の範囲に調整しやすい観点、及び、クリーニングブレードの摩耗を抑制する観点から、１６％以上２４％以下であることが好ましい。

ここで、表面自由エネルギーは、接触角計ＣＡＭ－２００（ＫＳＶ社製）を用い、Ｚｉｓｍａｎ法を用いた装置内蔵のプログラム計算にて算出する。
また、２３℃における１００％モジュラスは、ＪＩＳ Ｋ ６２５１（２０１０年）に準拠して、２３℃環境下にて、ダンベル状３号形試験片を用い、引張速度５００ｍｍ／ｍｉｎで計測し、１００％歪み時の応力より求める。なお、測定装置は、東洋精機（株）製、ストログラフＡＥエラストマを用いる。
また、反発弾性率は、ＪＩＳ Ｋ ６２５５（１９９６年）に準じて、２３℃環境下にてリュプケ式反発弾性試験機を用いて求める。

クリーニングブレードは、例えば、上述の物性を有する感光体への接触部を有していれば、単層構成であってもよく、二層構成であってもよく、三層以上の構成であってもよく、その他の構成であってもよい。
単層構成のクリーニングブレードとしては、例えば、感光体との接触部を含めて全体が単一の材料から構成されたクリーニングブレード（すなわち、接触部材からなるクリーニングブレード）が挙げられる。
二層構成のクリーニングブレードとしては、例えば、感光体との接触部を含み腹面側全面に渡って形成され且つ接触部材からなる第一層と、該第一層よりも背面側に形成され且つ接触部材とは異なる材料からなる背面層としての第二層と、が設けられたクリーニングブレードが挙げられる。
三層以上の構成のクリーニングブレードとしては、例えば前記二層構成のクリーニングブレードにおける第一層と第二層との間に他の層を有するクリーニングブレードが挙げられる。
クリーニングブレードは、例えば、剛性板状支持材に接着されて用いられる。

（接触部材の組成）
クリーニングブレードを構成する接触部材の組成は、特に限定されるものではなく、上述の好ましい物性を有する組成であることが好ましい。
接触部材としては、例えば、ポリウレタンゴムを含有する部材が挙げられる。

－ポリウレタンゴム－
ポリウレタンゴムは、ポリオール成分と、ポリイソシアネート成分と、を少なくとも重合したポリウレタンゴムである。ポリウレタンゴムは、必要に応じて、ポリオール成分以外にポリイソシアネートのイソシアネート基と反応し得る官能基を有する樹脂を重合したポリウレタンゴムであってもよい。

ポリウレタンゴムは、ハードセグメントとソフトセグメントとを有していることが好ましい。「ハードセグメント」及び「ソフトセグメント」とは、ポリウレタンゴム材料中で、前者を構成する材料の方が、後者を構成する材料よりも相対的に硬い材料からなり、後者を構成する材料の方が前者を構成する材料よりも相対的に柔らかい材料からなるセグメントを意味する。
なお、ハードセグメントを構成する材料（ハードセグメント材料）としては、ポリオール成分のうち低分子ポリオール成分、ポリイソシアネートのイソシアネート基と反応し得る官能基を有する樹脂等が挙げられる。一方、ソフトセグメントを構成する材料（ソフトセグメント材料）としては、ポリオール成分のうち高分子ポリオール成分が挙げられる。

ここで、ハードセグメントの凝集体の平均粒子径は、１μｍ以上１０μｍ以下が好ましく、１μｍ以上５μｍ以下がより好ましい。
ハードセグメントの凝集体の平均粒子径を１μｍ以上とすることで、接触部材の表面の摩擦抵抗が低減され易くなる。そのため、ブレード挙動が安定化され、局所的な摩耗が抑制され易くなる。
一方、ハードセグメントの凝集体の平均粒子径を１０μｍ以下とすることで、欠けの発生が抑制され易くなる。

ハードセグメントの凝集体の平均粒子径は、次の通り測定される。偏光顕微鏡（オリンパス製ＢＸ５１－Ｐ）を用い、倍率×２０にて画像を撮影し、画像処理を施して画像を２値化し、クリーニングブレード１本につき５点（１点につき５個の凝集体の粒子径を測定）、クリーニングブレード２０本について、凝集体の粒子径（円相当径）を測定し、計５００個から平均粒子径を算出する。
なお、画像の２値化は、画像処理ソフトＯＬＹＭＰＵＳ Ｓｔｒｅａｍ ｅｓｓｅｎｔｉａｌｓ（オリンパス社製）を用い、結晶部及びハードセグメントの凝集体を黒、非晶部（ソフトセグメントに相当）を白になるよう色相／彩度／輝度の閾値を調整する。

・ポリオール成分
ポリオール成分は、高分子ポリオールと低分子ポリオールとが含まれる。

高分子ポリオール成分は、数平均分子量が５００以上（好ましくは５００以上５０００以下）のポリオールである。高分子ポリオール成分としては、低分子ポリオールと二塩基酸との脱水縮合で得られるポリエステルポリオール、低分子ポリオールとアルキルカーボネートの反応により得られるポリカーボネートポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリエーテルポリオール等の周知のポリオールが挙げられる。なお、高分子ポリオールの市販品としては、例えば、（株）ダイセル製のプラクセル２０５やプラクセル２４０などが挙げられる。

ここで、数平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定された値である。以下、同様である。

これら高分子ポリオールは、単独で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。

高分子ポリオール成分の重合比は、ポリウレタンゴムの全重合成分に対して、３０モル％以上５０モル％以下がよく、好ましくは４０モル％以上５０モル％以下である。

低分子ポリオール成分は、分子量（数平均分子量）５００未満のポリオールである。低分子ポリオールは、鎖長延長剤、及び架橋剤として機能する材料である。

低分子ポリオール成分としては、１，３－プロパンジオール、１，４－ブタンジオール、１，５－ペンタンジオール、１，６－ヘキサンジオール、１，７－ヘプタンジオール、１，８－オクタンジオール、１，９－ノナンジオール、１，１０－デカンジオール、１，１１－ウンデカンジオール、１，１２－ドデカンジオール、１，１３－トリデカンジオール、１，１４－テトラデカンジオール、１，１８－オクタデカンジオール、１，２０－エイコサンジオールが挙げられる。その中でも、低分子ポリオール成分として１，４－ブタンジオールが好ましく適用される。

低分子ポリオール成分として、鎖長延長剤及び架橋剤として周知なジオール（２官能）、トリオール（３官能）、又はテトラオール（４官能）等も挙げられる。
これらのポリオールは、単独で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。

低分子ポリオール成分の重合比は、ポリウレタンゴムの全重合成分に対して、５０モル％を超え７５モル％以下がよく、好ましくは５２モル％以上７５モル％、より好ましくは５５モル％以上７５モル％以下、さらに好ましくは５５モル％以上６０モル％以下である。

また、低分子ポリオール成分として、１，４－ブタンジオールを、全ポリオール成分（高分子ポリオール＋低分子ポリオール）に対して、５０モル％超え７５モル％以下（好ましくは５２モル％以上７５モル％、より好ましくは５５モル％以上７５モル％以下、さらに好ましくは５５モル％以上６０モル％以下）で含むことが好ましい。
１，４－ブタンジオールの割合を５０モル％超えとすることで、局所的な摩耗を抑制し易くなる。一方、１，４－ブタンジオールの割合を７５モル％以下とすることで、欠けの発生が抑制され易くなる。
なお、１，４－ブタンジオールの全低分子ポリオール成分に対する割合は、８０モル％以上であり、好ましくは９０モル％以上であり、より好ましくは１００モル％である。つまり、全低分子ポリオール成分として、１，４－ブタンジオールを使用することが最も好ましい。

・ポリイソシアネート成分
ポリイソシアネート成分としては、例えば、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、２，６－トルエンジイソシアネート（ＴＤＩ）、１，６－ヘキサンジイソシアネート（ＨＤＩ）、１，５－ナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、及び３，３－ジメチルビフェニル－４，４’－ジイソシアネート（ＴＯＤＩ）などが挙げられる。

ポリイソシアネート成分としては、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、１，５－ナフタレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、ヘキサメチレンジイソシアネート（ＨＤＩ）がより望ましい。

これらポリイソシアネート成分は、単独で使用してもよいし、２種以上併用してもよい。

ポリイソシアネート成分の重合比は、ポリウレタンゴムの全重合成分に対して、５モル％以上２５モル％以下がよく、好ましくは１０モル％以上２０モル％以下である。

・イソシアネート基に対して反応し得る官能基を有する樹脂
イソシアネート基に対して反応し得る官能基を有する樹脂（以下「官能基含有樹脂」と称する）は、柔軟性のある樹脂であることが望ましく、柔軟性の点から直鎖構造を有する脂肪族系の樹脂であることがより望ましい。官能基含有樹脂の具体例としては、２つ以上のヒドロキシル基を含むアクリル樹脂や、２つ以上のヒドロキシル基を含むポリブタジエン樹脂、２つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂等が挙げられる。

２つ以上のヒドロキシル基を含むアクリル樹脂の市販品としては、例えば、綜研化学社製のアクトフロー（グレード：ＵＭＢ－２００５Ｂ、ＵＭＢ－２００５Ｐ、ＵＭＢ－２００５、ＵＭＥ－２００５等）が挙げられる。

２つ以上のヒドロキシル基を含むポリブタジエン樹脂の市販品としては、例えば、出光興産（株）製、Ｒ－４５ＨＴ等が挙げられる。

２つ以上のエポキシ基を有するエポキシ樹脂としては、従来の一般的なエポキシ樹脂のごとく硬くて脆い性質を有するものではなく、従来のエポキシ樹脂よりも柔軟強靭性であるものが望ましい。上記エポキシ樹脂としては、例えば、分子構造の面では、その主鎖構造中に、主鎖の可動性を高くし得る構造（柔軟性骨格）を有するものが好適であり、柔軟性骨格としては、アルキレン骨格や、シクロアルカン骨格、ポリオキシアルキレン骨格等が挙げられ、特にポリオキシアルキレン骨格が好適である。
また、物性面では、従来のエポキシ樹脂と比べて、分子量に比して粘度が低いエポキシ樹脂が好適である。具体的には、重量平均分子量が９００±１００の範囲内であり、２５℃における粘度が１５０００±５０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることが望ましく、１５０００±３０００ｍＰａ・ｓの範囲内であることがより望ましい。この特性を有するエポキシ樹脂の市販品としては、例えば、ＤＩＣ製、ＥＰＬＩＣＯＮ ＥＸＡ－４８５０－１５０等が挙げられる。

官能基含有樹脂の重合比は、本実施形態に係るクリーニングブレードの効果を損なわない範囲とすることがよい。

・ポリウレタンゴムの製造方法、及び接触部材の成形方法
ポリウレタンゴムの製造は、プレポリマー法やワンショット法など、ポリウレタンの一般的な製造方法が用いられる。プレポリマー法は耐摩耗性及び欠け性に優れるポリウレタンが得られるため本実施形態には好適であるが、製法により制限されるものではない。
なお、接触部材の成形（又は、単層構造のクリーニングブレード）は、ポリウレタンゴムのプレポリマー等を含むクリーニングブレード形成用の組成物を、例えば、遠心成形や押し出し成形等を利用して、シート状に形成し、必要に応じて、切断加工等を施すことにより作製される。

ここで、ポリウレタンゴムの製造に使用する触媒としては、第三級アミン等のアミン系化合物、第四級アンモニウム塩、有機錫化合物等の有機金属化合物等が挙げられる。
上記第三級アミンとしては、例えば、トリエチルアミン等のトリアルキルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラメチル－１，３－ブタンジアミン等のテトラアルキルジアミン、ジメチルエタノールアミン等のアミノアルコール、エトキシル化アミン、エトキシル化ジアミン、ビス（ジエチルエタノールアミン）アジペート等のエステルアミン、トリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）、Ｎ，Ｎ－ジメチルシクロヘキシルアミン等のシクロヘキシルアミン誘導体、Ｎ－メチルモルホリン、Ｎ－（２－ヒドロキシプロピル）－ジメチルモルホリン等のモルホリン誘導体、Ｎ，Ｎ’－ジエチル－２－メチルピペラジン、Ｎ，Ｎ’－ビス－（２－ヒドロキシプロピル）－２－メチルピペラジン等のピペラジン誘導体等が挙げられる。

第四級アンモニウム塩としては、例えば、２－ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウム・オクチル酸塩、１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン－５（ＤＢＮ）・オクチル酸塩、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７（ＤＢＵ）－オクチル酸塩、ＤＢＵ－オレイン酸塩、ＤＢＵ－ｐ－トルエンスルホン酸塩、ＤＢＵ－蟻酸塩、２－ヒドロキシプロピルトリメチルアンモニウム・蟻酸塩等が挙げられる。

有機錫化合物としては、例えば、ジブチル錫ジラウレート、ジブチル錫ジ（２－エチルヘキソエート）等のジアルキル錫化合物や、２－エチルカプロン酸第１錫、オレイン酸第１錫等が挙げられる。

これら触媒の中でも、耐加水分解性の点では第三級アンモニウム塩のトリエチレンジアミン（ＴＥＤＡ）が用いられ、加工性の点で第四級アンモニウム塩が好適に用いられる。第四級アンモニウム塩の中でも、高反応活性である１，５－ジアザビシクロ［４．３．０］ノネン－５（ＤＢＮ）・オクチル酸塩、１，８－ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデセン－７（ＤＢＵ）－オクチル酸塩、ＤＢＵ－蟻酸塩が好適に用いられる。

触媒の含有量は、接触部材を構成するポリウレタンゴム全体の０．０００５質量％以上０．０３質量％以下の範囲が好ましく、特に好ましくは０．００１質量％以上０．０１質量％以下である。
これらは単独で若しくは２種以上併せて用いられる。

（イソシアネートによる含浸処理）
接触部材は、イソシアネートによる含浸処理が施されることが好ましい。
イソシアネートによる含浸処理は、イソシアネートを含む処理液に、処理対象である接触部材を浸漬すればよい。処理液中のイソシアネートは、例えば、接触部材の処理液が含浸した領域で硬化する。この含浸処理による処理部（つまり、接触部材の処理液が含浸した領域）は、硬度が高くなり、耐摩耗性が高まる。なお、処理液中のイソシアネートは、接触部材（具体的には接触部材が有する官能基）と反応することもあり、この場合、含浸処理による処理部（つまり、接触部材の処理液が含浸した領域）は、更に硬度が高くなり、耐摩耗性がより高まる。

含浸処理に用いられる処理液は、少なくとも、イソシアネートと有機溶剤とを含有する。
処理液に用いられるイソシアネートとしては、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、パラフェニレンジイソシアネート（ＰＰＤＩ）、ナフチレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、３，３’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジイルジイソシアナート（ＴＯＤＩ）等のイソシアネート、並びに、これらの多量体、変性体等を挙げることができる。

また、処理液として、イソシアネートとポリオールと有機溶剤との混合溶液、又はイソシアネートとポリオールとを反応させることにより得られる、イソシアネート基を末端に有するイソシアネート基含有化合物、即ち、イソシアネート基含有プレポリマーと有機溶剤との混合溶液を用いることが好ましい。
更に、処理液としては、２官能イソシアネートと３官能ポリオールと有機溶剤との混合溶液、又は、２官能イソシアネートと３官能ポリオールとを反応させることにより得られるイソシアネート基含有プレポリマーと有機溶剤との混合溶液がより好ましい。

ここで、２官能イソシアネートと３官能ポリオールと有機溶剤との混合溶液を用いた場合、２官能イソシアネートと３官能ポリオールとが反応してイソシアネート基を末端に有するイソシアネート基含有プレポリマーが形成され、接触部材へと処理液が含浸する際、これが硬化すると共に接触部材と反応することになる。
このように、２官能イソシアネートと３官能ポリオールとが反応してイソシアネート基含有プレポリマーとなる、又は、イソシアネート基含有プレポリマーを含有する処理液を用いることにより、形成された処理部は、薄くても高硬度となり、耐摩耗性が高まる。
なお、処理液の組成は、接触部材への濡れ性、浸漬程度、処理液の有効期間を考慮して、適宜、選定される。

２官能イソシアネートとしては、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、パラフェニレンジイソシアネート（ＰＰＤＩ）、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、４，４’－ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート（Ｈ－ＭＤＩ）、トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート（ＴＭＨＤＩ）、トリレンジイソシアネート（ＴＤＩ）、カルボジイミド変性ＭＤＩ、ポリメチレンポリフェニルポリイソシアネート（ＰＭＤＩ）、３，３’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジイルジイソシアナート（ＴＯＤＩ）、ナフチレンジイソシアネート（ＮＤＩ）、キシレンジイソシアネート（ＸＤＩ）、リジンジイソシアネートメチルエステル（ＬＤＩ）、ジメチルジイソシアネート、これらの多量体、変性体等が挙げられる。
２官能イソシアネートの中でも、分子量が２００以上３００以下のものを用いることが好ましい。上記の中では、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ）、３，３’－ジメチルビフェニル－４，４’－ジイルジイソシアナート（ＴＯＤＩ）が挙げられる。

３官能ポリオールとしては、グリセリン、１，２，４－ブタントリオール、トリメチロールエタン（ＴＭＥ）、トリメチロールプロパン（ＴＭＰ）、１，２，６－ヘキサントリオール等の３官能脂肪族ポリオール、３官能脂肪族ポリオールに、エチレンオキシド、ブチレンオキシド等を付加したポリエーテルトリオール、３官能脂肪族ポリオールにラクトン等を付加したポリエステルトリオール等が挙げられる。
３官能ポリオールの中でも、分子量が１５０以下のものを用いることが好ましい。上記の中では、トリメチロールプロパン（ＴＭＰ）が挙げられる。分子量が１５０以下の３官能ポリオールを用いることにより、イソシアネートとの反応が速く、処理部の高硬度化が図られる。また、処理液に３官能ポリオールを含有することにより、３官能の水酸基がイソシアネート基と反応し、３次元構造を持つ高架橋密度の処理部が得られる。

処理液に用いられる有機溶剤は、イソシアネートの他、必要に応じて用いられるポリオールを溶解するものであれば特に限定されないが、イソシアネートと反応し得る活性水素を持たないものが好適に用いられる。例えば、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、アセトン、酢酸エチル、酢酸ブチル、トルエン、キシレン等が挙げられる。有機溶剤は、低沸点である程、溶解性が高く、含浸後の乾燥を速くすることができ、均一に処理することができる。なお、有機溶剤は、接触部材の膨潤程度により適宜選択され、好ましくは、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、アセトン、酢酸エチルが用いられる。

（接触部材の物性）
接触部材の物性は、上述の感光体への接触部の好ましい物性を有することが好ましい。
すなわち、接触部材は、表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下であることが好ましく、４０ｍＮ／ｍ以上４２．５ｍＮ／ｍ以下がより好ましい。
また、接触部材は、２３℃における１００％モジュラスが１５ＭＰａ以上２４ＭＰａ以下であることがよく、１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下であることが好ましい。
更に、接触部材は、反発弾性率が１６％以上２８％以下であることがよく、１６％以上２４％以下であることが好ましい。

接触部材における表面自由エネルギー、１００％モジュラス、及び反発弾性率の値を制御する方法は特に限定されるものではなく、例えば、接触部材がポリウレタンゴムを含む場合、ポリウレタンゴムの各重合成分の種類及び量、並びに、製造条件の選択により上記範囲内に調整する方法が挙げられる。

なお、接触部材の重量平均分子量は、１０００以上４０００以下がよく、好ましくは１５００以上３５００以下である。
上記重量平均分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（ＧＰＣ）法で測定された値である。

（非接触部材の組成）
クリーニングブレードが、接触部材と該接触部材以外の領域（以下「非接触部材」ともいう）とがそれぞれ異なる材料にて構成されている場合における、非接触部材の組成について説明する。

非接触部材は、接触部材を支持する機能を有していれば、特に限定されずに公知の如何なる材料をも用い得る。具体的には、非接触部材に用いられる材料としては、例えば、ポリウレタンゴム、シリコンゴム、フッ素ゴム、プロロプレンゴム、ブタジエンゴム等が挙げられる。これらの中で、ポリウレタンゴムがよい。ポリウレタンゴムとしては、エステル系ポリウレタン、エーテル系ポリウレタンが挙げられ、特にエステル系ポリウレタンが望ましい。

（クリーニングブレードの製造）
単層構成であるクリーニングブレードは、例えば、前述の接触部材の成形方法によって製造される。
二層構成であるクリーニングブレード、三層以上の構成であるクリーニングブレードは、例えば、接触部材としての第一層及び非接触部材としての第二層（３層以上の層構成である場合には複数の層）を、相互に貼り合わせることにより作製される。上記貼り合わせる方法としては、両面テープ、各種接着剤等が好適に用いられる。また、成型時に時間差を置いて各層の材料を金型に流し込み、接着層を設けずに材料間で結合させることによって複数の層を接着してもよい。

［除電装置］
除電装置２４は、例えば、クリーニング装置２２より感光体１２の回転方向下流側に設けられている。除電装置２４は、トナー画像を転写した後、感光体１２の表面を露光して除電する。具体的には、例えば、除電装置２４は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、感光体１２の全表面（具体的には例えば画像形成領域の全面）を露光して除電する。

除電装置２４としては、例えば、白色光を照射するタングステンランプ、赤色光を照射する発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光源を有する装置が挙げられる。

［定着装置］
定着装置２６は、例えば、転写領域３２Ａより記録媒体３０Ａの搬送経路３４の搬送方向下流側に設けられている。定着装置２６は、定着部材２６Ａと、定着部材２６Ａに接触して配置される加圧部材２６Ｂと、を有し、定着部材２６Ａと加圧部材２６Ｂとの接触部で記録媒体３０Ａ上に転写されたトナー画像を定着する。具体的には、例えば、定着装置２６は、画像形成装置１０に設けられた制御装置３６に電気的に接続されており、制御装置３６により駆動制御されて、記録媒体３０Ａ上に転写されたトナー画像を熱及び圧力によって記録媒体３０Ａに定着する。

定着装置２６としては、それ自体公知の定着器、例えば熱ローラ定着器、オーブン定着器等が挙げられる。
具体的には、例えば、定着装置２６は、定着部材２６Ａとして、定着ロール又は定着ベルトと、加圧部材２６Ｂとして、加圧ロール又は加圧ベルトとを備える周知の定着装置が適用される。

ここで、搬送経路３４に沿って搬送されて感光体１２と転写部材２０との向かい合う領域（転写領域３２Ａ）を通過することによりトナー画像を転写された記録媒体３０Ａは、例えば、図示を省略する搬送部材によってさらに搬送経路３４に沿って定着装置２６の設置位置に到り、記録媒体３０Ａ上のトナー画像の定着が行われる。

トナー画像の定着によって画像形成された記録媒体３０Ａは、図示を省略する複数の搬送部材によって画像形成装置１０の外部へと排出される。なお、感光体１２は、除電装置２４による除電後、再度、帯電装置１５によって帯電電位に帯電される。

［画像形成装置の動作］
本実施形態に係る画像形成装置１０の動作の一例について説明する。なお、画像形成装置１０の各種動作は、制御装置３６において実行する制御プログラムにより行われる。

画像形成装置１０の画像形成動作について説明する。
まず、感光体１２の表面が帯電装置１５により帯電される。静電荷像形成装置１６は、帯電された感光体１２の表面を画像情報に基づいて露光する。これにより、感光体１２上に画像情報に応じた静電荷像が形成される。現像装置１８では、トナーを含む現像剤により、感光体１２の表面に形成された静電荷像が現像される。これにより、感光体１２の表面に、トナー画像が形成される。
転写装置３１では、感光体１２の表面に形成されたトナー画像が記録媒体３０Ａへ転写される。記録媒体３０Ａに転写されたトナー画像は、定着装置２６により定着される。
一方、トナー画像を転写した後の感光体１２の表面が、クリーニング装置２２におけるクリーニングブレード２２Ａによりクリーニング（清掃）される、その後除電装置２４により除電される。

本実施形態で説明した画像形成装置の構成は一例であり、本実施形態の主旨を逸脱しない範囲内においてその構成を変更してもよいことは言うまでもない。

以下、実施例により発明の実施形態を詳細に説明するが、発明の実施形態は、これら実施例に何ら限定されるものではない。以下の説明において、特に断りのない限り、「部」及び「％」は質量基準である。

以下の説明において、合成、処理、製造などは、特に断りのない限り、室温（２５℃±３℃）で行った。

＜ポリエステル樹脂（１）の用意＞
ポリステル樹脂（１－１）～（１－９）を用意した。表２及び表３にポリエステル樹脂を構成する単位及び組成を示す。
表２及び表３には、ジカルボン酸単位及びジオール単位の「構成単位：組成比」（例えば、Ａ２－３：５０）を示した。組成比は、ジカルボン酸単位とジオール単位それぞれのｍｏｌ％である。
表２及び表３に記載のＡ２－３等は、既述のジカルボン酸単位（Ａ）の具体例である。
表２及び表３に記載のＢ１－４等は、既述のジオール単位（Ｂ）の具体例である。
表２に記載の（Ａ５）、（Ａ６）、（Ａ７）、及び（Ａ８）は、それぞれ、以下に示す、下記の式（Ａ５）で表されるジカルボン酸単位（Ａ５）、下記の式（Ａ６）で表されるジカルボン酸単位（Ａ６）、下記の式（Ａ７）で表されるジカルボン酸単位（Ａ７）、及び下記の式（Ａ８）で表されるジカルボン酸単位（Ａ８）である。

＜クリーニングブレードの作製＞
以下のようにして、クリーニングブレード（Ｂ１）～（Ｂ１０）作製した。

－クリーニングブレードＢ１の作製－
１，１０－デカンジオール（第１のポリオール成分）と１，４－ブタンジオール（第２のポリオール成分）を６５／３５のモル比で混合し、アジピン酸と脱水縮合させてポリエステルポリオールを得た。これを７５℃で１５時間減圧乾燥した後、プレポリマー中のＮＣＯのモル％が７モル％になるようにポリエステルポリオール１００部に対して４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ、東ソー（株）製「ミリオネートＭＴ」）を５９．４部加え、窒素雰囲気下７５℃で３時間反応することでプレポリマーを得た。
次に、このプレポリマーを１００℃に昇温し、減圧下で１時間脱泡した。その後、プレポリマー１００部に対して、１，４－ブタンジオールとトリメチロールプロパンとの混合物（質量比＝６０／４０）を７．１４部加え、３分間泡を巻き込まないように混合し、クリーニングブレード形成用組成物Ｂ１を調製した。次いで、１４０℃に金型を調整した遠心成形機に上記クリーニングブレード形成用組成 物Ｂ１を流し込み、１時間硬化反応させた。次いで、１１０℃で２４時間熟成加熱し、冷却した後切断して、長さ８ｍｍ、厚さ１．９ｍｍのクリーニングブレードＢ１を得た。

・イソシアネートによる含浸処理
得られたクリーニングブレードＢ１を、４，４’－ジフェニルメタンジイソシアネート（ＭＤＩ、東ソー（株）製「ミリオネートＭＴ」、融点：３８℃）浴（８０℃）に1分間浸漬した。クリーニングブレードをＭＤＩ浴から引き上げた後、その後、室温環境で乾燥１分行った。最後に、クリーニングブレード表面を少量のトルエンを含むスポンジで仕上げ拭きを行い、更に1分乾燥した。

－クリーニングブレードＢ２乃至Ｂ１０の作製－
クリーニングブレードＢ１の作製で用いたイソシアネートの量［部数］を表１に示す値に変え、また、イソシアネートによる含浸処理の有無を表１に示すように変えた以外は、クリーニングブレードＢ１の作製と同様にして、クリーニングブレードＢ２乃至Ｂ１０を作製した。

＜積層型感光層を備えた感光体の製造＞
［感光体（Ｐ１）］
－下引層の形成－
導電性基体として、外径３０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム製円筒管を用意した。
酸化亜鉛（平均粒径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ^２／ｇ、テイカ社製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ－６０３、信越化学工業社製、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）１．３部を添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤によって表面処理した酸化亜鉛を得た。
表面処理した酸化亜鉛１１０部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、アリザリン０．６部をテトラヒドロフラン５０部に溶解した溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧濾過にて固形分を濾別し、６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。
アリザリン付与酸化亜鉛６０部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、商品名：スミジュール３１７５、住化コベストロウレタン社製）１３．５部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５部とをメチルエチルケトン６８部に溶解した溶液１００部と、メチルエチルケトン５部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４部とを添加し、下引層形成用塗布液
を得た。下引層形成用塗布液を浸漬塗布法にて導電性基体の外周面に塗布し、１７０℃で４０分間の乾燥硬化を行い、平均厚２４μｍの下引層を形成した。

－電荷発生層の形成－
電荷発生物質としてヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．５°，９．９°，１２．５°，１６．３°，１８．６°，２５．１°及び２８．３°の位置に回折ピークを有する。）１５部、結着樹脂として塩化ビニル・酢酸ビニル共重合体樹脂（商品名：ＶＭＣＨ、日本ユニカー社製）１０部、及びｎ－酢酸ブチル２００部からなる混合物を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散した。分散液にｎ－酢酸ブチル１７５部、メチルエチルケトン１８０部を添加し、攪拌して電荷発生層形成用塗布液を得た。電荷発生層形成用塗布液を下引層上に浸漬塗布し、室温（２５℃±３℃）で乾燥して、平均厚０．１８μｍの電荷発生層を形成した。

－電荷輸送層の形成－
結着樹脂としてポリエステル樹脂（１－１）６０部と、電荷輸送材料としてＣＴＭ－１を４０部とを、テトラヒドロフラン２７０部及びトルエン３０部に溶解し、電荷輸送層形成用塗布液を得た。電荷輸送層形成用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、１４５℃で３０分間の乾燥を行い、平均厚２４μｍの電荷輸送層を形成した。

［感光体（Ｐ２）～（Ｐ１５）］
電荷輸送層の形成において、ポリエステル樹脂（１）の種類を表２及び表３に記載のように代えた以外は感光体（Ｐ１）の作製と同様にして、それぞれの感光体を作製した。

［感光体（ＣＰ１）］
電荷輸送層の形成において、ポリエステル樹脂（１）の代わりに、下記構造のポリカーボネート樹脂（ＰＣ－１：重量平均分子量４５０００）を用いた以外は感光体（Ｐ１）の作製と同様にして、感光体を作製した。

＜単層型感光層を備えた感光体の製造＞
［実施例（Ｐ１５）］
－下引層の形成－
導電性基体として、外径３０ｍｍ、長さ２５０ｍｍ、肉厚１ｍｍのアルミニウム製円筒管を用意した。
酸化亜鉛（平均粒径７０ｎｍ、比表面積１５ｍ^２／ｇ、テイカ社製）１００部をトルエン５００部と攪拌混合し、シランカップリング剤（商品名：ＫＢＭ６０３、信越化学工業社製、Ｎ－２－（アミノエチル）－３－アミノプロピルトリメトキシシラン）１．３部を
添加し、２時間攪拌した。その後トルエンを減圧留去し、１２０℃で３時間焼き付けを行い、シランカップリング剤によって表面処理した酸化亜鉛を得た。
表面処理した酸化亜鉛１１０部をテトラヒドロフラン５００部と攪拌混合し、アリザリン０．６部をテトラヒドロフラン５０部に溶解した溶液を添加し、５０℃にて５時間攪拌した。その後、減圧濾過にて固形分を濾別し、６０℃で減圧乾燥を行い、アリザリン付与酸化亜鉛を得た。
アリザリン付与酸化亜鉛６０部と硬化剤（ブロック化イソシアネート、商品名：スミジュール３１７５、住友バイエルンウレタン社製）１３．５部とブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＭ－１、積水化学工業社製）１５部とをメチルエチルケトン６８部に溶解した溶液１００部と、メチルエチルケトン５部とを混合し、１ｍｍφのガラスビーズを用いてサンドミルにて２時間の分散を行い、分散液を得た。分散液に、触媒としてジオクチルスズジラウレート０．００５部と、シリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１４５、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ社製）４部とを添加し、下引層形成用塗布液を得た。下引層形成用塗布液を浸漬塗布法にて導電性基体の外周面に塗布し、１７０℃で４０分間の乾燥硬化を行い、平均厚２４μｍ以下の下引層を形成した。

－単層型感光層の形成－
結着樹脂としてポリエステル樹脂（ＰＥ１）４５．７５部と、電荷発生材料としてＶ型ヒドロキシガリウムフタロシアニン（Ｃｕｋα特性Ｘ線を用いたＸ線回折スペクトルのブラッグ角度（２θ±０．２°）が少なくとも７．３゜、１６．０゜、２４．９゜、２８．０゜の位置に回折ピークを有する。）１．２５部と、電子輸送材料であるＥＴＭ－１を９部と、電荷輸送材料であるＣＴＭ－１を４４部と、溶剤としてテトラヒドロフラン１７５部及びトルエン７５部とを混合し、直径１ｍｍのガラスビーズを用いてサンドミルにて４時間分散処理を行い、感光層形成用塗布液を得た。感光層形成用塗布液を、下引層上に浸漬塗布し、温度１１０℃且つ４０分間の乾燥硬化を行い、平均厚３０μｍ以下の単層型感光層を形成した。

＜評価＞
上述のようにして得られたクリーニングブレード及び感光体を、富士フイルムビジネスイノベーション（株）製ＡｐｅｏｓＰｏｒｔ Ｃ－７７７０に、表２及び表３に記載の組み合わせで取り付け、実施例１～２２、比較例１～５の画像形成装置を得た。

［外添剤フィルミング］
高温高湿環境（３０℃８５％）下で、上記画像形成装置を用いて、Ａ４用紙に画像密度１％の画像を１２５００枚出力した。出力後の感光体表面を、キーエンス社製レーザ顕微鏡ＶＫ－９５００にて観察し、外添剤フィルミングについて以下の基準にそって評価した。結果を表２及び表３に示す。
－基準－
Ａ：未発生
Ｂ：若干外添剤フィルミングが発生。実使用上、十分に許容できるレベル。
Ｃ：フィルミング発生。実使用上、許容できるレベル。
Ｄ：フィルミング発生。実使用上、許容できないレベル。
Ｅ：フィルミング多発。実使用上、許容できないレベル。

［感光体の摩耗］
高温高湿環境（３０℃８５％）下で、上記画像形成装置を用いて、Ａ４用紙に画像密度１％の画像を１２５００枚出力した。この出力による感光体の摩耗量を、渦電流膜厚測定器にて上記画像出力前後の、感光層の膜厚を測定し、その差分を摩耗量として算出し、下記基準で評価した。結果を表２及び表３に示す。
－基準－
Ａ：感光体摩耗量＜０．６μｍ
Ｂ：０．６μｍ≦感光体摩耗量≦０．８μｍ
Ｃ：０．８μｍ＜感光体摩耗量≦１．２μｍ
Ｄ：１．２μｍ≦感光体摩耗量≦１．６μｍ
Ｅ：１．６μｍ＜感光体摩耗量

［クリーニングブレードの摩耗］
高温高湿環境（３０℃８５％）下で、上記画像形成装置を用いて、Ａ４用紙に画像密度１％の画像を１２５００枚出力した。この出力によるクリーニングブレード先端の摩耗量を、キーエンス社製レーザ顕微鏡ＶＫ－９５００にて断面プロファイルを観察し、摩耗部の断面積を計測し、下記基準で評価した。結果を表２及び表３に示す。
－基準－
Ａ：ブレード摩耗量＜１．７μｍ^２
Ｂ：１．７μｍ^２≦ブレード摩耗量≦２．０μｍ^２
Ｃ：２．０μｍ^２＜ブレード摩耗量≦２．３μｍ^２
Ｄ：２．３μｍ^２＜ブレード摩耗量≦３．０μｍ^２
Ｅ：３．０μｍ^２＜ブレード摩耗量

以上のように、実施例の画像形成装置は、比較例の画像形成装置に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうることが分かる。

以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
（（（１））） 表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、トナー粒子と外添剤とを含むトナーを有する現像剤を収容し、前記現像剤により前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、
前記電子写真感光体における前記感光層が、前記した式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び前記した式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、
前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下である、画像形成装置。

（（（２））） 前記角度θが４０°以上５０°以下である、（（（１）））に記載の画像形成装置。
（（（３））） 前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下である、（（（１）））又は（（（２）））に記載の画像形成装置。
（（（４））） 前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下である、（（（１）））～（（（３）））のいずれか１つに記載の画像形成装置。
（（（５））） 前記角度θが４０°以上５０°以下であり、且つ、前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下である、（（（１）））～（（（４）））のいずれか１つに記載の画像形成装置。
（（（６））） 前記角度θが４０°以上５０°以下であり、且つ、前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下である、（（（１）））～（（（５）））のいずれか１つに記載の画像形成装置。
（（（７））） 前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、前記した式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、前記した式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、前記した式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び前記した式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（１）））～（（（６）））のいずれか１つに記載の画像形成装置。
（（（８））） 前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、前記した式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、前記した式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、前記した式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、前記した式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、前記した式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、前記した式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、前記した式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び前記した式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、（（（５）））に記載の画像形成装置。

（（（９））） 表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、
前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、
を備え、
前記電子写真感光体における前記感光層が、前記した式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び前記した式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、
前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下であり、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。

（（（１）））、（（（７）））、又は（（（８）））に係る発明によれば、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に接触し、電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、感光層が結着樹脂としてポリカーボネート樹脂のみを含むか、上記角度θが３５°未満又は５０°超である場合に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
（（（２）））、（（（５）））、又は（（（６）））に係る発明によれば、上記角度θが４０°未満である場合に比べ、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
（（（３）））に係る発明によれば、クリーニングブレードの、電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ超である場合に比べ、クリーニングブレードの摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
（（（４）））に係る発明によれば、クリーニングブレードの、電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ未満又は２３ＭＰａ超である場合に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、クリーニングブレードの摩耗を抑制し、更に、外添剤フィルミングを低減しうる画像形成装置が提供される。
（（（９）））に係る発明によれば、表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、電子写真感光体の表面に接触し、電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、感光層が結着樹脂としてポリカーボネート樹脂のみを含むか、上記角度θが３５°未満又は５０°超である場合に比べ、電子写真感光体の摩耗を抑制し、且つ、外添剤フィルミングを低減しうるプロセスカートリッジが提供される。

１ 導電性基体、２ 下引層、３ 電荷発生層、４ 電荷輸送層、５ 感光層、１２Ａ 感光体、１２Ｂ 感光体

１０ 画像形成装置、１２ 感光体、１４ 帯電部材、１５ 帯電装置、１６ 静電荷像形成装置、１８ 現像装置、２０ 転写部材、２２ 清掃装置、２２Ａ クリーニングブレード、２４ 除電装置、２６ 定着装置、３０Ａ 記録媒体、３１ 転写装置、３６ 制御装置

Claims (9)

1. 表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、前記電子写真感光体の表面を帯電する帯電装置と、帯電した前記電子写真感光体の表面に静電荷像を形成する静電荷像形成装置と、トナー粒子と外添剤とを含むトナーを有する現像剤を収容し、前記現像剤により前記電子写真感光体の表面に形成された静電荷像をトナー画像として現像する現像装置と、前記電子写真感光体の表面に形成された前記トナー画像を記録媒体の表面に転写する転写装置と、前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、を備え、
   前記電子写真感光体における前記感光層が、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、
   前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下である、画像形成装置。
   
   式（Ａ）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。
   式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ（Ｒｂ^１）（Ｒｂ^２）－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。
2. 前記角度θが４０°以上５０°以下である、請求項１に記載の画像形成装置。
3. 前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下である、請求項１に記載の画像形成装置。
4. 前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下である、請求項１に記載の画像形成装置。
5. 前記角度θが４０°以上５０°以下であり、且つ、前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における表面自由エネルギーが４２．５ｍＮ／ｍ以下である、請求項１に記載の画像形成装置。
6. 前記角度θが４０°以上５０°以下であり、且つ、前記クリーニングブレードの、前記電子写真感光体の表面への接触部における２３℃における１００％モジュラスが１７ＭＰａ以上２３ＭＰａ以下である、請求項１に記載の画像形成装置。
7. 前記式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）が、下記の式（Ａ１）で表されるジカルボン酸単位（Ａ１）、下記の式（Ａ２）で表されるジカルボン酸単位（Ａ２）、下記の式（Ａ３）で表されるジカルボン酸単位（Ａ３）及び下記の式（Ａ４）で表されるジカルボン酸単位（Ａ４）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項１に記載の画像形成装置。
   
   式（Ａ１）において、ｎ^１０１は０以上４以下の整数であり、ｎ^１０１個のＲａ^１０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ２）において、ｎ^２０１及びｎ^２０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^２０１個のＲａ^２０１及びｎ^２０２個のＲａ^２０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ３）において、ｎ^３０１及びｎ^３０２はそれぞれ独立に０以上４以下の整数であり、ｎ^３０１個のＲａ^３０１及びｎ^３０２個のＲａ^３０２はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
   式（Ａ４）において、ｎ^４０１は０以上６以下の整数であり、ｎ^４０１個のＲａ^４０１はそれぞれ独立に炭素数１以上１０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数１以上６以下のアルコキシ基である。
8. 前記式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）が、下記の式（Ｂ１）で表されるジオール単位（Ｂ１）、下記の式（Ｂ２）で表されるジオール単位（Ｂ２）、下記の式（Ｂ３）で表されるジオール単位（Ｂ３）、下記の式（Ｂ４）で表されるジオール単位（Ｂ４）、下記の式（Ｂ５）で表されるジオール単位（Ｂ５）、下記の式（Ｂ６）で表されるジオール単位（Ｂ６）、下記の式（Ｂ７）で表されるジオール単位（Ｂ７）及び下記の式（Ｂ８）で表されるジオール単位（Ｂ８）からなる群から選択される少なくとも１種を含む、請求項５に記載の画像形成装置。
   
   
   式（Ｂ１）において、Ｒｂ^１０１は炭素数４以上２０以下の分岐アルキル基であり、Ｒｂ^２０１は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０１、Ｒｂ^５０１、Ｒｂ^８０１及びＲｂ^９０１はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ２）において、Ｒｂ^１０２は炭素数４以上２０以下の直鎖アルキル基であり、Ｒｂ^２０２は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０２、Ｒｂ^５０２、Ｒｂ^８０２及びＲｂ^９０２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ３）において、Ｒｂ^１１３及びＲｂ^２１３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｄは７以上１５以下の整数であり、Ｒｂ^４０３、Ｒｂ^５０３、Ｒｂ^８０３及びＲｂ^９０３はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ４）において、Ｒｂ^１０４及びＲｂ^２０４はそれぞれ独立に水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０４、Ｒｂ^５０４、Ｒｂ^８０４及びＲｂ^９０４はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ５）において、Ａｒ^１０５は炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^２０５は水素原子又は炭素数１以上３以下のアルキル基であり、Ｒｂ^４０５、Ｒｂ^５０５、Ｒｂ^８０５及びＲｂ^９０５はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ６）において、Ｒｂ^１１６及びＲｂ^２１６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上３以下の直鎖アルキル基、炭素数１以上４以下のアルコキシ基又はハロゲン原子であり、ｅは４以上６以下の整数であり、Ｒｂ^４０６、Ｒｂ^５０６、Ｒｂ^８０６及びＲｂ^９０６はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ７）において、Ｒｂ^４０７、Ｒｂ^５０７、Ｒｂ^８０７及びＲｂ^９０７はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
   式（Ｂ８）において、Ｒｂ^４０８、Ｒｂ^５０８、Ｒｂ^８０８及びＲｂ^９０８はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上４以下のアルキル基、炭素数１以上６以下のアルコキシ基又はハロゲン原子である。
9. 表面を構成する感光層を有する電子写真感光体と、
   前記電子写真感光体の表面に接触し、前記電子写真感光体の表面の残留トナー粒子を少なくとも清掃するクリーニングブレードを有する清掃装置と、
   を備え、
   前記電子写真感光体における前記感光層が、下記の式（Ａ）で表されるジカルボン酸単位（Ａ）及び下記の式（Ｂ）で表されるジオール単位（Ｂ）を有するポリエステル樹脂（１）を含み、
   前記クリーニングブレードと前記残留トナー粒子との接点における接線と、前記残留トナー粒子と前記電子写真感光体の表面との接点における接線と、のなす角度θが３５°以上５０°以下であり、画像形成装置に着脱するプロセスカートリッジ。
   
   式（Ａ）において、Ａｒ^Ａ１及びＡｒ^Ａ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ａは単結合又は２価の連結基であり、ｎ^Ａ１は０、１又は２である。
   式（Ｂ）において、Ａｒ^Ｂ１及びＡｒ^Ｂ２はそれぞれ独立に置換基を有していてもよい芳香環であり、Ｌ^Ｂは単結合、酸素原子、硫黄原子又は－Ｃ（Ｒｂ^１）（Ｒｂ^２）－であり、ｎ^Ｂ１は０、１又は２である。Ｒｂ^１及びＲｂ^２はそれぞれ独立に水素原子、炭素数１以上２０以下のアルキル基、炭素数６以上１２以下のアリール基又は炭素数７以上２０以下のアラルキル基であり、Ｒｂ^１とＲｂ^２とが結合し環状アルキル基を形成していてもよい。