JP2024027431A

JP2024027431A - Plasma processing equipment and substrate support part

Info

Publication number: JP2024027431A
Application number: JP2022130214A
Authority: JP
Inventors: 優砂金
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2022-08-17
Filing date: 2022-08-17
Publication date: 2024-03-01

Abstract

【課題】異常放電を抑制するプラズマ処理装置及び基板支持部を提供する。【解決手段】プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基台支持部と、上面から下面までを貫通する第１貫通孔が形成され、前記基台支持部の上部に配置される導電性の基台と、基板支持面又はリング支持面から下面までを貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔が形成され、前記基台の上部に配置される静電チャックと、前記基台支持部内に配置され、導電性のリフターピン保持部材と、前記リフターピン保持部材に保持され、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に配置され、少なくとも一部が導電性である導電部を有するリフターピンと、を備え、前記導電部は、前記リフターピン保持部材を介して、前記基台と導通する、プラズマ処理装置。【選択図】図２The present invention provides a plasma processing apparatus and a substrate support unit that suppress abnormal discharge. A plasma processing chamber, a base support disposed in the plasma processing chamber, and a first through hole penetrating from an upper surface to a lower surface, the first through hole being disposed above the base support. an electrostatic chuck disposed on the top of the base, the electrostatic chuck having a conductive base and a second through hole penetrating from the substrate support surface or the ring support surface to the lower surface and communicating with the first through hole; , a lifter pin holding member that is disposed within the base support and is conductive; a lifter pin having a conductive part, the conductive part being electrically connected to the base via the lifter pin holding member. [Selection diagram] Figure 2

Description

本開示は、プラズマ処理装置及び基板支持部に関する。 The present disclosure relates to a plasma processing apparatus and a substrate support.

特許文献１には、被処理体が載置される載置面及び前記載置面に対する裏面を有し、前記載置面と前記裏面を貫通する通孔が形成された静電チャックと、少なくとも一部が絶縁性部材により形成され、先端が前記通孔に収容され、前記載置面に対して上下方向に移動することで前記被処理体を上下方向に搬送するリフターピンと、を有し、前記リフターピンの前記通孔に対応する先端部分、および、前記通孔の前記リフターピンと対向する壁面の少なくとも一方に導電性部材を有することを特徴とするプラズマ処理装置が開示されている。 Patent Document 1 discloses an electrostatic chuck having a mounting surface on which an object to be processed is placed and a back surface relative to the mounting surface, and in which a through hole passing through the mounting surface and the back surface is formed, and at least a lifter pin, a portion of which is formed of an insulating member, a tip of which is accommodated in the through hole, and which transports the object to be processed in the vertical direction by moving vertically with respect to the placement surface; A plasma processing apparatus is disclosed that includes a conductive member on at least one of a tip portion of the lifter pin corresponding to the through hole and a wall surface of the through hole facing the lifter pin.

特開２０１８－９３１７３号公報JP 2018-93173 Publication

一の側面では、本開示は、異常放電を抑制するプラズマ処理装置及び基板支持部を提供する。 In one aspect, the present disclosure provides a plasma processing apparatus and a substrate support unit that suppress abnormal discharge.

上記課題を解決するために、一の態様によれば、プラズマ処理チャンバと、前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基台支持部と、上面から下面までを貫通する第１貫通孔が形成され、前記基台支持部の上部に配置される導電性の基台と、基板支持面又はリング支持面から下面までを貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔が形成され、前記基台の上部に配置される静電チャックと、前記基台支持部内に配置され、導電性のリフターピン保持部材と、前記リフターピン保持部材に保持され、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に配置され、少なくとも一部が導電性である導電部を有するリフターピンと、を備え、前記導電部は、前記リフターピン保持部材を介して、前記基台と導通する、プラズマ処理装置が提供される。 In order to solve the above problems, according to one aspect, a first through hole is formed that penetrates a plasma processing chamber, a base support section disposed in the plasma processing chamber, and from an upper surface to a lower surface, A conductive base disposed on the upper part of the base support part, and a second through hole penetrating from the substrate support surface or the ring support surface to the lower surface and communicating with the first through hole are formed, and the second through hole is formed to communicate with the first through hole. an electrostatic chuck disposed on the top of the stand; an electroconductive lifter pin holding member disposed within the base support; and the first through hole and the second through hole held by the lifter pin holding member. and a lifter pin having a conductive part, at least a part of which is electrically conductive, and the conductive part is electrically connected to the base via the lifter pin holding member. .

一の側面によれば、異常放電を抑制するプラズマ処理装置及び基板支持部を提供することができる。 According to one aspect, it is possible to provide a plasma processing apparatus and a substrate support unit that suppress abnormal discharge.

プラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例。An example of a diagram for explaining a configuration example of a plasma processing apparatus. リフターピンの周囲における基板支持部の本体部の断面図の一例。An example of a cross-sectional view of the main body portion of the substrate support portion around the lifter pin. リフターピンの周囲における基板支持部の本体部の断面図の他の一例。Another example of a cross-sectional view of the main body portion of the substrate support portion around the lifter pin. リフターピンの周囲における基板支持部の本体部の断面図の更に他の一例。Still another example of a cross-sectional view of the main body portion of the substrate support portion around the lifter pin.

以下、図面を参照して本開示を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。 Hereinafter, embodiments for implementing the present disclosure will be described with reference to the drawings. In each drawing, the same components are given the same reference numerals, and redundant explanations may be omitted.

以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、容量結合型のプラズマ処理装置の構成例を説明するための図の一例である。 An example of the configuration of the plasma processing system will be described below. FIG. 1 is an example of a diagram for explaining a configuration example of a capacitively coupled plasma processing apparatus.

プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。 The plasma processing system includes a capacitively coupled plasma processing apparatus 1 and a control section 2. The capacitively coupled plasma processing apparatus 1 includes a plasma processing chamber 10, a gas supply section 20, a power supply 30, and an exhaust system 40. Further, the plasma processing apparatus 1 includes a substrate support section 11 and a gas introduction section. The gas inlet is configured to introduce at least one processing gas into the plasma processing chamber 10 . The gas introduction section includes a shower head 13. Substrate support 11 is arranged within plasma processing chamber 10 . The shower head 13 is arranged above the substrate support section 11 . In one embodiment, showerhead 13 forms at least a portion of the ceiling of plasma processing chamber 10 . The plasma processing chamber 10 has a plasma processing space 10s defined by a shower head 13, a side wall 10a of the plasma processing chamber 10, and a substrate support 11. The plasma processing chamber 10 has at least one gas supply port for supplying at least one processing gas to the plasma processing space 10s, and at least one gas exhaust port for discharging gas from the plasma processing space 10s. Plasma processing chamber 10 is grounded. The shower head 13 and the substrate support section 11 are electrically insulated from the casing of the plasma processing chamber 10.

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１３を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域１１１ａと、リングアセンブリ１１３を支持するための環状領域１１１ｂとを有する。ウェハは基板Ｗの一例である。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１３は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。従って、中央領域１１１ａは、基板Ｗを支持するための基板支持面とも呼ばれ、環状領域１１１ｂは、リングアセンブリ１１３を支持するためのリング支持面とも呼ばれる。 The substrate support part 11 includes a main body part 111 and a ring assembly 113. The main body portion 111 has a central region 111a for supporting the substrate W and an annular region 111b for supporting the ring assembly 113. A wafer is an example of a substrate W. The annular region 111b of the main body 111 surrounds the central region 111a of the main body 111 in plan view. The substrate W is placed on the central region 111a of the main body 111, and the ring assembly 113 is placed on the annular region 111b of the main body 111 so as to surround the substrate W on the central region 111a of the main body 111. Therefore, the central region 111a is also called a substrate support surface for supporting the substrate W, and the annular region 111b is also called a ring support surface for supporting the ring assembly 113.

一実施形態において、本体部１１１は、基台１１１０、静電チャック１１１１及び基台支持部１１１２を含む。基台１１１０は、導電性部材を含む。基台１１１０の導電性部材は下部電極として機能し得る。静電チャック１１１１は、基台１１１０の上に配置される。静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａとセラミック部材１１１１ａ内に配置される静電電極１１１１ｂとを含む。セラミック部材１１１１ａは、中央領域１１１ａを有する。一実施形態において、セラミック部材１１１１ａは、環状領域１１１ｂも有する。なお、環状静電チャックや環状絶縁部材のような、静電チャック１１１１を囲む他の部材が環状領域１１１ｂを有してもよい。この場合、リングアセンブリ１１３は、環状静電チャック又は環状絶縁部材の上に配置されてもよく、静電チャック１１１１と環状絶縁部材の両方の上に配置されてもよい。また、後述するＲＦ（ＲａｄｉｏＦｒｅｑｕｅｎｃｙ）電源３１及び／又はＤＣ（ＤｉｒｅｃｔＣｕｒｒｅｎｔ）電源３２に結合される少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極がセラミック部材１１１１ａ内に配置されてもよい。この場合、少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極が下部電極として機能する。後述するバイアスＲＦ信号及び／又はＤＣ信号が少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極に供給される場合、ＲＦ／ＤＣ電極はバイアス電極とも呼ばれる。なお、基台１１１０の導電性部材と少なくとも１つのＲＦ／ＤＣ電極とが複数の下部電極として機能してもよい。また、静電電極１１１１ｂが下部電極として機能してもよい。従って、基板支持部１１は、少なくとも１つの下部電極を含む。 In one embodiment, the main body 111 includes a base 1110, an electrostatic chuck 1111, and a base support 1112. Base 1110 includes a conductive member. The conductive member of the base 1110 can function as a bottom electrode. Electrostatic chuck 1111 is placed on base 1110. Electrostatic chuck 1111 includes a ceramic member 1111a and an electrostatic electrode 1111b disposed within ceramic member 1111a. Ceramic member 1111a has a central region 111a. In one embodiment, ceramic member 1111a also has an annular region 111b. Note that another member surrounding the electrostatic chuck 1111, such as an annular electrostatic chuck or an annular insulating member, may have the annular region 111b. In this case, the ring assembly 113 may be placed on the annular electrostatic chuck or the annular insulating member, or may be placed on both the electrostatic chuck 1111 and the annular insulating member. Furthermore, at least one RF/DC electrode coupled to an RF (Radio Frequency) power source 31 and/or a DC (Direct Current) power source 32, which will be described later, may be arranged within the ceramic member 1111a. In this case, at least one RF/DC electrode functions as a bottom electrode. An RF/DC electrode is also referred to as a bias electrode if a bias RF signal and/or a DC signal, as described below, is supplied to at least one RF/DC electrode. Note that the conductive member of the base 1110 and at least one RF/DC electrode may function as a plurality of lower electrodes. Further, the electrostatic electrode 1111b may function as a lower electrode. Therefore, the substrate support 11 includes at least one lower electrode.

基台支持部１１１２は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。基台１１１０は、基台支持部１１１２の上に配置される。なお、基台１１１０は、基台支持部１１１２に対して、着脱可能に取り付けられる。 Base support 1112 is located within plasma processing chamber 10 . The base 1110 is placed on the base support 1112. Note that the base 1110 is detachably attached to the base support 1112.

リングアセンブリ１１３は、１又は複数の環状部材を含む。一実施形態において、１又は複数の環状部材は、１又は複数のエッジリングと少なくとも１つのカバーリングとを含む。エッジリングは、導電性材料又は絶縁材料で形成され、カバーリングは、絶縁材料で形成される。 Ring assembly 113 includes one or more annular members. In one embodiment, the one or more annular members include one or more edge rings and at least one cover ring. The edge ring is made of a conductive or insulating material, and the cover ring is made of an insulating material.

また、基板支持部１１は、静電チャック１１１１、リングアセンブリ１１３及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路１１１０ａ、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路１１１０ａには、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。一実施形態において、流路１１１０ａが基台１１１０内に形成され、１又は複数のヒータが静電チャック１１１１のセラミック部材１１１１ａ内に配置される。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙にガス供給路５１を介して伝熱ガス（例えばＨｅガス）を供給するように構成された伝熱ガス供給部５０を含んでもよい。また、基板支持部１１は、リングアセンブリ１１３のうち少なくとも１つの環状部材（例えばエッジリング）の裏面と環状領域１１１ｂとの間の間隙にガス供給路（図示せず）を介して伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部（図示せず）を含んでもよい。 Further, the substrate support unit 11 may include a temperature control module configured to adjust at least one of the electrostatic chuck 1111, the ring assembly 113, and the substrate W to a target temperature. The temperature control module may include a heater, a heat transfer medium, a flow path 1110a, or a combination thereof. A heat transfer fluid such as brine or gas flows through the flow path 1110a. In one embodiment, a channel 1110a is formed within the base 1110 and one or more heaters are disposed within the ceramic member 1111a of the electrostatic chuck 1111. The substrate support section 11 also includes a heat transfer gas supply section configured to supply heat transfer gas (for example, He gas) to the gap between the back surface of the substrate W and the central region 111a via the gas supply path 51. 50. Further, the substrate support section 11 supplies heat transfer gas to the gap between the back surface of at least one annular member (for example, edge ring) of the ring assembly 113 and the annular region 111b via a gas supply path (not shown). A heat transfer gas supply (not shown) configured to supply the heat transfer gas may also be included.

また、基板支持部１１は、中央領域１１１ａの基板支持面から昇降可能な例えば３本のリフターピン１５を含んでもよい。リフターピン１５は、昇降機構（図示せず）により上昇または下降する。基板支持面からリフターピン１５が上昇することにより、基板支持面に載置された基板Ｗはリフターピン１５で持ち上がる。これにより、搬送装置（図示せず）は、リフターピン１５で持ち上げられた基板Ｗを受け取る。また、搬送装置は、リフターピン１５に基板Ｗを受け渡す。また、基板支持面においてリフターピン１５が下降することにより、リフターピン１５で支持された基板Ｗを基板支持面に受け渡す。 Further, the substrate support section 11 may include, for example, three lifter pins 15 that can be raised and lowered from the substrate support surface of the central region 111a. The lifter pin 15 is raised or lowered by a lifting mechanism (not shown). As the lifter pins 15 rise from the substrate support surface, the substrate W placed on the substrate support surface is lifted by the lifter pins 15. Thereby, the transfer device (not shown) receives the substrate W lifted by the lifter pins 15. Further, the transport device delivers the substrate W to the lifter pins 15. Further, by lowering the lifter pins 15 on the substrate support surface, the substrate W supported by the lifter pins 15 is delivered to the substrate support surface.

また、基板支持部１１は、環状領域１１１ｂのリング支持面から昇降可能な例えば３本のリフターピン（図示せず）を含んでもよい。リフターピンは、昇降機構（図示せず）により上昇または下降する。リング支持面からリフターピンが上昇することにより、リング支持面に載置されたリングアセンブリ１１３のうち少なくとも１つの環状部材（例えばエッジリング）をリフターピンで持ち上げる。これにより、搬送装置（図示せず）は、リフターピンで持ち上げられた環状部材を受け取る。また、搬送装置は、リフターピンに環状部材を受け渡す。また、リング支持面においてリフターピンが下降することにより、リフターピンで支持された環状部材をリング支持面に受け渡す。 Further, the substrate support section 11 may include, for example, three lifter pins (not shown) that can be raised and lowered from the ring support surface of the annular region 111b. The lifter pin is raised or lowered by a lifting mechanism (not shown). By lifting the lifter pin from the ring support surface, the lifter pin lifts at least one annular member (for example, an edge ring) of the ring assembly 113 placed on the ring support surface. Thereby, a conveying device (not shown) receives the annular member lifted by the lifter pin. Further, the conveyance device delivers the annular member to the lifter pin. Further, by lowering the lifter pin on the ring support surface, the annular member supported by the lifter pin is transferred to the ring support surface.

シャワーヘッド１３は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。シャワーヘッド１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス拡散室１３ｂ、及び複数のガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス拡散室１３ｂを通過して複数のガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。また、シャワーヘッド１３は、少なくとも１つの上部電極を含む。なお、ガス導入部は、シャワーヘッド１３に加えて、側壁１０ａに形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：ＳｉｄｅＧａｓＩｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。 The shower head 13 is configured to introduce at least one processing gas from the gas supply section 20 into the plasma processing space 10s. The shower head 13 has at least one gas supply port 13a, at least one gas diffusion chamber 13b, and a plurality of gas introduction ports 13c. The processing gas supplied to the gas supply port 13a passes through the gas diffusion chamber 13b and is introduced into the plasma processing space 10s from the plurality of gas introduction ports 13c. The showerhead 13 also includes at least one upper electrode. In addition to the shower head 13, the gas introduction section may include one or more side gas injectors (SGI) attached to one or more openings formed in the side wall 10a.

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介してシャワーヘッド１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。 The gas supply 20 may include at least one gas source 21 and at least one flow controller 22 . In one embodiment, the gas supply 20 is configured to supply at least one process gas from a respective gas source 21 to the showerhead 13 via a respective flow controller 22 . Each flow controller 22 may include, for example, a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller. Additionally, gas supply 20 may include one or more flow modulation devices that modulate or pulse the flow rate of at least one process gas.

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を少なくとも１つの下部電極に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオン成分を基板Ｗに引き込むことができる。 Power source 30 includes an RF power source 31 coupled to plasma processing chamber 10 via at least one impedance matching circuit. RF power source 31 is configured to supply at least one RF signal (RF power) to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode. Thereby, plasma is formed from at least one processing gas supplied to the plasma processing space 10s. Accordingly, RF power source 31 may function as at least part of a plasma generation unit configured to generate a plasma from one or more process gases in plasma processing chamber 10 . Further, by supplying a bias RF signal to at least one lower electrode, a bias potential is generated in the substrate W, and ion components in the formed plasma can be drawn into the substrate W.

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に結合され、プラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１０ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に供給される。 In one embodiment, the RF power source 31 includes a first RF generator 31a and a second RF generator 31b. The first RF generation section 31a is coupled to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode via at least one impedance matching circuit, and generates a source RF signal (source RF power) for plasma generation. It is configured as follows. In one embodiment, the source RF signal has a frequency within the range of 10 MHz to 150 MHz. In one embodiment, the first RF generator 31a may be configured to generate multiple source RF signals having different frequencies. The generated one or more source RF signals are provided to at least one bottom electrode and/or at least one top electrode.

第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して少なくとも１つの下部電極に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。バイアスＲＦ信号の周波数は、ソースＲＦ信号の周波数と同じであっても異なっていてもよい。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号の周波数よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、１００ｋＨｚ～６０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、少なくとも１つの下部電極に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。 The second RF generating section 31b is coupled to at least one lower electrode via at least one impedance matching circuit, and is configured to generate a bias RF signal (bias RF power). The frequency of the bias RF signal may be the same or different than the frequency of the source RF signal. In one embodiment, the bias RF signal has a lower frequency than the frequency of the source RF signal. In one embodiment, the bias RF signal has a frequency within the range of 100kHz to 60MHz. In one embodiment, the second RF generator 31b may be configured to generate multiple bias RF signals having different frequencies. The generated one or more bias RF signals are provided to at least one bottom electrode. Also, in various embodiments, at least one of the source RF signal and the bias RF signal may be pulsed.

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、第１のＤＣ生成部３２ａ及び第２のＤＣ生成部３２ｂを含む。一実施形態において、第１のＤＣ生成部３２ａは、少なくとも１つの下部電極に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、少なくとも１つの下部電極に印加される。一実施形態において、第２のＤＣ生成部３２ｂは、少なくとも１つの上部電極に接続され、第２のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第２のＤＣ信号は、少なくとも１つの上部電極に印加される。 Power source 30 may also include a DC power source 32 coupled to plasma processing chamber 10 . The DC power supply 32 includes a first DC generation section 32a and a second DC generation section 32b. In one embodiment, the first DC generator 32a is connected to at least one lower electrode and configured to generate a first DC signal. The generated first bias DC signal is applied to the at least one bottom electrode. In one embodiment, the second DC generator 32b is connected to the at least one upper electrode and configured to generate a second DC signal. The generated second DC signal is applied to the at least one top electrode.

種々の実施形態において、第１及び第２のＤＣ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。この場合、電圧パルスのシーケンスが少なくとも１つの下部電極及び／又は少なくとも１つの上部電極に印加される。電圧パルスは、矩形、台形、三角形又はこれらの組み合わせのパルス波形を有してもよい。一実施形態において、ＤＣ信号から電圧パルスのシーケンスを生成するための波形生成部が第１のＤＣ生成部３２ａと少なくとも１つの下部電極との間に接続される。従って、第１のＤＣ生成部３２ａ及び波形生成部は、電圧パルス生成部を構成する。第２のＤＣ生成部３２ｂ及び波形生成部が電圧パルス生成部を構成する場合、電圧パルス生成部は、少なくとも１つの上部電極に接続される。電圧パルスは、正の極性を有してもよく、負の極性を有してもよい。また、電圧パルスのシーケンスは、１周期内に１又は複数の正極性電圧パルスと１又は複数の負極性電圧パルスとを含んでもよい。なお、第１及び第２のＤＣ生成部３２ａ，３２ｂは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第１のＤＣ生成部３２ａが第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。 In various embodiments, at least one of the first and second DC signals may be pulsed. In this case, a sequence of voltage pulses is applied to at least one lower electrode and/or at least one upper electrode. The voltage pulse may have a pulse waveform that is rectangular, trapezoidal, triangular, or a combination thereof. In one embodiment, a waveform generator for generating a sequence of voltage pulses from a DC signal is connected between the first DC generator 32a and the at least one bottom electrode. Therefore, the first DC generation section 32a and the waveform generation section constitute a voltage pulse generation section. When the second DC generation section 32b and the waveform generation section constitute a voltage pulse generation section, the voltage pulse generation section is connected to at least one upper electrode. The voltage pulse may have positive polarity or negative polarity. Furthermore, the sequence of voltage pulses may include one or more positive voltage pulses and one or more negative voltage pulses within one period. Note that the first and second DC generation units 32a and 32b may be provided in addition to the RF power source 31, or the first DC generation unit 32a may be provided in place of the second RF generation unit 31b. good.

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。 The exhaust system 40 may be connected to a gas outlet 10e provided at the bottom of the plasma processing chamber 10, for example. Evacuation system 40 may include a pressure regulating valve and a vacuum pump. The pressure within the plasma processing space 10s is adjusted by the pressure regulating valve. The vacuum pump may include a turbomolecular pump, a dry pump, or a combination thereof.

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、処理部２ａ１、記憶部２ａ２及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａにより実現される。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２からプログラムを読み出し、読み出されたプログラムを実行することにより種々の制御動作を行うように構成され得る。このプログラムは、予め記憶部２ａ２に格納されていてもよく、必要なときに、媒体を介して取得されてもよい。取得されたプログラムは、記憶部２ａ２に格納され、処理部２ａ１によって記憶部２ａ２から読み出されて実行される。媒体は、コンピュータ２ａに読み取り可能な種々の記憶媒体であってもよく、通信インターフェース２ａ３に接続されている通信回線であってもよい。処理部２ａ１は、ＣＰＵ（ＣｅｎｔｒａｌＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇＵｎｉｔ）であってもよい。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（ＲａｎｄｏｍＡｃｃｅｓｓＭｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（ＲｅａｄＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（ＨａｒｄＤｉｓｋＤｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（ＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＤｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（ＬｏｃａｌＡｒｅａＮｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。 Control unit 2 processes computer-executable instructions that cause plasma processing apparatus 1 to perform various steps described in this disclosure. The control unit 2 may be configured to control each element of the plasma processing apparatus 1 to perform the various steps described herein. In one embodiment, part or all of the control unit 2 may be included in the plasma processing apparatus 1. The control unit 2 may include a processing unit 2a1, a storage unit 2a2, and a communication interface 2a3. The control unit 2 is realized by, for example, a computer 2a. The processing unit two a1 may be configured to read a program from the storage unit two a2 and perform various control operations by executing the read program. This program may be stored in the storage unit 2a2 in advance, or may be acquired via a medium when necessary. The acquired program is stored in the storage unit 2a2, and is read out from the storage unit 2a2 and executed by the processing unit 2a1. The medium may be various storage media readable by the computer 2a, or may be a communication line connected to the communication interface 2a3. The processing unit 2a1 may be a CPU (Central Processing Unit). The storage unit 2a2 may include a RAM (Random Access Memory), a ROM (Read Only Memory), an HDD (Hard Disk Drive), an SSD (Solid State Drive), or a combination thereof. The communication interface 2a3 may communicate with the plasma processing apparatus 1 via a communication line such as a LAN (Local Area Network).

次に、基板支持部１１の本体部１１１の構造について、図２を用いてさらに説明する。図２は、リフターピン１５の周囲における基板支持部１１の本体部１１１の断面図の一例である。なお、以下の説明において、基板支持面（中央領域１１１ａ）に設けられ基板Ｗを持ち上げるリフターピン１５及びリフターピン１５の格納構造を例に説明するが、リング支持面（環状領域１１１ｂ）に設けられ環状部材を持ち上げるリフターピン及びリフターピンの格納構造に適用してもよい。 Next, the structure of the main body part 111 of the substrate support part 11 will be further explained using FIG. 2. FIG. 2 is an example of a cross-sectional view of the main body portion 111 of the substrate support portion 11 around the lifter pin 15. As shown in FIG. In the following description, the lifter pins 15 that are provided on the substrate support surface (central region 111a) to lift the substrate W and the storage structure of the lifter pins 15 will be explained as an example; The present invention may be applied to a lifter pin for lifting an annular member and a storage structure for the lifter pin.

基板支持部１１の本体部１１１は、基台１１１０、静電チャック１１１１、基台支持部１１１２、スリーブ１１１４、リフターピン保持部材１１１５、シールリング１１１６、導電性部材１１１７，１１１８、抑え部材１１１９，１１２０及びリフターピンシール部１１２１を含む。 The main body 111 of the substrate support 11 includes a base 1110, an electrostatic chuck 1111, a base support 1112, a sleeve 1114, a lifter pin holding member 1115, a seal ring 1116, conductive members 1117, 1118, and restraining members 1119, 1120. and a lifter pin seal portion 1121.

静電チャック１１１１は、基台１１１０の上部に配置される。基台１１１０の上面と静電チャック１１１１の下面とは、接着層（図示せず）を介して接着される。これにより、静電チャック１１１１は、基台１１１０に固定される。接着層は、耐プラズマ性、耐熱性を有する材料で形成されている。耐プラズマ性、耐熱性を有する材料は、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン(シリコン樹脂)、エポキシ系樹脂等が挙げられる。 Electrostatic chuck 1111 is placed on top of base 1110. The upper surface of the base 1110 and the lower surface of the electrostatic chuck 1111 are bonded to each other via an adhesive layer (not shown). Thereby, the electrostatic chuck 1111 is fixed to the base 1110. The adhesive layer is made of a material having plasma resistance and heat resistance. Examples of the material having plasma resistance and heat resistance include acrylic resin, silicone (silicon resin), and epoxy resin.

静電チャック１１１１は、静電チャック１１１１の上面（基板支持面またはリング支持面、中央領域１１１ａまたは環状領域１１１ｂ）から下面までを貫通する第２貫通孔１１１１ｃを有する。第２貫通孔１１１１ｃは、リフターピン１５が挿通される。 The electrostatic chuck 1111 has a second through hole 1111c that penetrates from the upper surface (substrate support surface or ring support surface, central region 111a or annular region 111b) to the lower surface of the electrostatic chuck 1111. The lifter pin 15 is inserted through the second through hole 1111c.

基台１１１０は、基台１１１０の上面から下面までを貫通し、静電チャック１１１１の第２貫通孔１１１１ｃと連通する第１貫通孔１１１０ｃを有する。第１貫通孔１１１０ｃは、リフターピン１５が挿通される。また、第１貫通孔１１１０ｃには、スリーブ１１１４が配置される。また、第１貫通孔１１１０ｃは、貫通部１１１０ｃ１及び掘込部１１１０ｃ２を含む。掘込部１１１０ｃ２は、基台１１１０の下面に形成される。貫通部１１１０ｃ１は、掘込部１１１０ｃ２と連通し、基台１１１０の上面から基台１１１０の下面（掘込部１１１０ｃ２の天面）までを貫通する。 The base 1110 has a first through hole 1110c that penetrates from the top surface to the bottom surface of the base 1110 and communicates with the second through hole 1111c of the electrostatic chuck 1111. The lifter pin 15 is inserted through the first through hole 1110c. Furthermore, a sleeve 1114 is arranged in the first through hole 1110c. Further, the first through hole 1110c includes a penetrating portion 1110c1 and a dug portion 1110c2. The dug portion 1110c2 is formed on the lower surface of the base 1110. The penetrating portion 1110c1 communicates with the dug portion 1110c2 and penetrates from the top surface of the base 1110 to the bottom surface of the base 1110 (the top surface of the dug portion 1110c2).

スリーブ１１１４は、貫通孔を有する筒状（例えば円筒状）の部材であり、セラミック等の絶縁部材で形成される。スリーブ１１１４は、第１貫通孔１１１０ｃに配置される。スリーブ１１１４の貫通孔には、リフターピン１５が挿通される。スリーブ１１１４の外周面と貫通部１１１０ｃ１の内周面とは、接着層（図示せず）を介して接着される。これにより、スリーブ１１１４は、基台１１１０に固定される。接着層は、耐プラズマ性、耐熱性を有する材料で形成されている。耐プラズマ性、耐熱性を有する材料は、例えば、アクリル系樹脂、シリコーン(シリコン樹脂)、エポキシ系樹脂等が挙げられる。 The sleeve 1114 is a cylindrical (for example, cylindrical) member having a through hole, and is made of an insulating member such as ceramic. The sleeve 1114 is arranged in the first through hole 1110c. The lifter pin 15 is inserted into the through hole of the sleeve 1114. The outer circumferential surface of the sleeve 1114 and the inner circumferential surface of the penetrating portion 1110c1 are bonded together via an adhesive layer (not shown). Thereby, the sleeve 1114 is fixed to the base 1110. The adhesive layer is made of a material having plasma resistance and heat resistance. Examples of the material having plasma resistance and heat resistance include acrylic resin, silicone (silicon resin), and epoxy resin.

基台支持部１１１２は、セラミック、アルミナ等の誘電体部材、または、導電性部材で形成される。ここでは、誘電体部材で形成されるものとして以下説明する。基台支持部１１１２には、掘込部１１１２ａ及び貫通孔１１１２ｂが形成されている。掘込部１１１２ａは、基台支持部１１１２の上面に形成される。貫通孔１１１２ｂは、掘込部１１１２ａと連通し、基台支持部１１１２の上面（掘込部１１１２ａの底面）から基台支持部１１１２の下面までを貫通する。 The base support portion 1112 is made of a dielectric material such as ceramic or alumina, or a conductive material. Here, the following explanation will be given assuming that it is formed of a dielectric material. The base support portion 1112 has a dug portion 1112a and a through hole 1112b formed therein. The dug portion 1112a is formed on the upper surface of the base support portion 1112. The through hole 1112b communicates with the dug portion 1112a and penetrates from the top surface of the base support portion 1112 (the bottom surface of the dug portion 1112a) to the bottom surface of the base support portion 1112.

リフターピン保持部材１１１５は、リフターピン１５が挿通する貫通孔１１１５ａを有する円筒部１１１５ｂと、フランジ１１１５ｃと、を有し、導電性部材で形成される。リフターピン保持部材１１１５は、基台１１１０の掘込部１１１０ｃ２、基台支持部１１１２の掘込部１１１２ａ及び貫通孔１１１２ｂにわたって配置される。即ち、フランジ１１１５ｃよりも下側の円筒部１１１５ｂは、貫通孔１１１２ｂに挿入される。フランジ１１１５ｃは、掘込部１１１２ａに配置される。フランジ１１１５ｃよりも上側の円筒部１１１５ｂは、掘込部１１１０ｃ２及び掘込部１１１２ａに配置される。フランジ１１１５ｃの下面と掘込部１１１２ａの底面が当接することにより、リフターピン保持部材１１１５の高さ方向の位置が合わされる。 The lifter pin holding member 1115 includes a cylindrical portion 1115b having a through hole 1115a through which the lifter pin 15 is inserted, and a flange 1115c, and is made of a conductive material. The lifter pin holding member 1115 is arranged across the dug portion 1110c2 of the base 1110, the dug portion 1112a of the base support portion 1112, and the through hole 1112b. That is, the cylindrical portion 1115b below the flange 1115c is inserted into the through hole 1112b. The flange 1115c is arranged in the recessed part 1112a. The cylindrical portion 1115b above the flange 1115c is arranged in the dug portion 1110c2 and the dug portion 1112a. By abutting the lower surface of the flange 1115c and the bottom surface of the recessed portion 1112a, the position of the lifter pin holding member 1115 in the height direction is aligned.

シールリング１１１６は、基台１１１０の底面とリフターピン保持部材１１１５のフランジ１１１５ｃの上面との間に挟持される。基台１１１０の底面とリフターピン保持部材１１１５のフランジ１１１５ｃの上面との間を大気から遮断する。 The seal ring 1116 is held between the bottom surface of the base 1110 and the top surface of the flange 1115c of the lifter pin holding member 1115. The space between the bottom surface of the base 1110 and the top surface of the flange 1115c of the lifter pin holding member 1115 is isolated from the atmosphere.

導電性部材（第２の導電性部材）１１１７は、基台１１１０とリフターピン保持部材１１１５との間に挟持される。具体的には、リフターピン保持部材１１１５の円筒部１１１５ｂが基台１１１０の掘込部１１１０ｃ２に配置され、基台１１１０の掘込部１１１０ｃ２の天面とリフターピン保持部材１１１５の円筒部１１１５ｂの上面との間に導電性部材１１１７が挟持される。導電性部材１１１７は、基台１１１０とリフターピン保持部材１１１５とを導通する。 A conductive member (second conductive member) 1117 is held between the base 1110 and the lifter pin holding member 1115. Specifically, the cylindrical portion 1115b of the lifter pin holding member 1115 is arranged in the recessed portion 1110c2 of the base 1110, and the top surface of the recessed portion 1110c2 of the base 1110 and the upper surface of the cylindrical portion 1115b of the lifter pin holding member 1115 are arranged. A conductive member 1117 is sandwiched between. The conductive member 1117 provides electrical continuity between the base 1110 and the lifter pin holding member 1115.

導電性部材１１１７は、例えばスプリング状の金属を環状に配置した環状部材で形成される。また、導電性部材１１１７は、例えば帯状の金属をらせん状に巻いたスパイラルチューブ構造を有していてもよい。また、導電性部材１１１７は、例えば、金属の板バネ構造を有していてもよい。 The conductive member 1117 is formed of, for example, an annular member in which spring-shaped metal is arranged in an annular manner. Further, the conductive member 1117 may have, for example, a spiral tube structure in which a band-shaped metal is spirally wound. Further, the conductive member 1117 may have, for example, a metal plate spring structure.

リフターピン保持部材１１１５の貫通孔１１１５ａには、スリーブ１１１４の下方、導電性部材１１１８、抑え部材１１１９，１１２０及びリフターピンシール部１１２１が配置される。 In the through hole 1115a of the lifter pin holding member 1115, a conductive member 1118, restraining members 1119 and 1120, and a lifter pin seal portion 1121 are arranged below the sleeve 1114.

導電性部材（第１の導電性部材）１１１８は、リフターピン保持部材１１１５とリフターピン１５との間に挟持される。具体的には、リフターピン保持部材１１１５の貫通孔１１１５ａの内周面とリフターピン１５の外周面との間に導電性部材１１１８が挟持される。導電性部材１１１８は、リフターピン保持部材１１１５とリフターピン１５とを導通する。 A conductive member (first conductive member) 1118 is held between the lifter pin holding member 1115 and the lifter pin 15. Specifically, the conductive member 1118 is sandwiched between the inner peripheral surface of the through hole 1115a of the lifter pin holding member 1115 and the outer peripheral surface of the lifter pin 15. The conductive member 1118 connects the lifter pin holding member 1115 and the lifter pin 15 to each other.

導電性部材１１１８は、例えばスプリング状の金属を環状に配置した環状部材で形成される。また、導電性部材１１１８は、例えば帯状の金属をらせん状に巻いたスパイラルチューブ構造を有していてもよい。また、導電性部材１１１８は、例えば、金属の板バネ構造を有していてもよい。 The conductive member 1118 is formed of, for example, an annular member in which spring-shaped metal is arranged in an annular manner. Further, the conductive member 1118 may have, for example, a spiral tube structure in which a band-shaped metal is spirally wound. Furthermore, the conductive member 1118 may have, for example, a metal leaf spring structure.

抑え部材１１１９，１１２０は、例えば樹脂等で形成される円環形状の部材である。
抑え部材１１１９は、スリーブ１１１４と導電性部材１１１８との間に配置される。抑え部材１１２０は、導電性部材１１１８とリフターピンシール部１１２１との間に配置される。抑え部材１１１９，１１２０は、導電性部材１１１８の上下方向の位置を規定する。 The restraining members 1119 and 1120 are annular members made of resin or the like, for example.
A restraining member 1119 is arranged between the sleeve 1114 and the conductive member 1118. The suppressing member 1120 is arranged between the conductive member 1118 and the lifter pin seal portion 1121. The restraining members 1119 and 1120 define the vertical position of the conductive member 1118.

リフターピンシール部１１２１は、リフターピン保持部材１１１５の貫通孔１１１５ａの内周面とリフターピン１５の外周面との間を大気から遮断する。 The lifter pin seal portion 1121 isolates the space between the inner peripheral surface of the through hole 1115a of the lifter pin holding member 1115 and the outer peripheral surface of the lifter pin 15 from the atmosphere.

リフターピン１５は、第１ピン部材１５１と、第２ピン部材１５２と、を有する。第１ピン部材１５１と第２ピン部材１５２は、同軸に連結される。 The lifter pin 15 includes a first pin member 151 and a second pin member 152. The first pin member 151 and the second pin member 152 are coaxially connected.

第１ピン部材１５１は、アルミニウム等の導電性部材で形成される導電部１５１ａを有する。導電部１５１ａの表面には、絶縁膜（誘電体膜）１５１ｂが形成される。絶縁膜１５１ｂは、アルミナ、セラミック等の溶射膜、導電部１５１ａの表面を酸化処理した酸化膜が用いられる。また、絶縁膜１５１ｂの膜厚は、必要な耐電圧で決定する。また、第１ピン部材１５１は、導電部１５１ａと導通する導電接続部１５１ｃを有する。導電接続部１５１ｃは、例えば第１ピン部材１５１の下方の外周面に形成される。 The first pin member 151 has a conductive portion 151a made of a conductive member such as aluminum. An insulating film (dielectric film) 151b is formed on the surface of the conductive part 151a. As the insulating film 151b, a sprayed film of alumina, ceramic, or the like, or an oxide film obtained by oxidizing the surface of the conductive portion 151a is used. Further, the thickness of the insulating film 151b is determined based on the required withstand voltage. Further, the first pin member 151 has a conductive connection portion 151c that is electrically connected to the conductive portion 151a. The conductive connection portion 151c is formed, for example, on the lower outer peripheral surface of the first pin member 151.

第２ピン部材１５２は、サファイア等の誘電体部材で形成される。 The second pin member 152 is made of a dielectric material such as sapphire.

ここで、図２は、基板Ｗにプラズマ処理を施す際にリフターピン１５が配置される待機位置（ホーム位置ともいう。）を示す。リフターピン１５が待機位置に配置される状態において、リフターピン１５の導電接続部１５１ｃと導電性部材１１１８が接触する。これにより、第１ピン部材１５１（導電部１５１ａ）と、導電性部材１１１８とが導通する。 Here, FIG. 2 shows a standby position (also referred to as a home position) where the lifter pins 15 are placed when performing plasma processing on the substrate W. When the lifter pin 15 is in the standby position, the conductive connection portion 151c of the lifter pin 15 and the conductive member 1118 are in contact with each other. Thereby, the first pin member 151 (conductive portion 151a) and the conductive member 1118 are electrically connected.

また、リフターピン１５が待機位置に配置された状態において、第１ピン部材１５１と第２ピン部材１５２との接続位置は、リフターピン保持部材１１１５の内部に配置される。また、リフターピン１５が待機位置に配置された状態において、第１ピン部材１５１と第２ピン部材１５２との接続位置は、基台支持部１１１２の内部に配置される。即ち、基台支持部１１１２及びリフターピン保持部材１１１５の下方から突出するリフターピン１５は、第２ピン部材１５２となっている。図２の例では、「待機位置」は、リフターピン１５の先端が静電チャック１１１１の上面と略同じ高さにある位置である。ただし、「待機位置」は、リフターピン１５の先端が静電チャック１１１１の上面よりも下方にあってもよい。 Furthermore, when the lifter pin 15 is placed in the standby position, the connection position between the first pin member 151 and the second pin member 152 is placed inside the lifter pin holding member 1115. Furthermore, in a state where the lifter pin 15 is placed in the standby position, the connection position between the first pin member 151 and the second pin member 152 is placed inside the base support portion 1112. That is, the lifter pin 15 protruding from below the base support portion 1112 and the lifter pin holding member 1115 serves as the second pin member 152 . In the example of FIG. 2, the "standby position" is a position where the tip of the lifter pin 15 is at approximately the same height as the top surface of the electrostatic chuck 1111. However, in the "standby position", the tip of the lifter pin 15 may be located below the top surface of the electrostatic chuck 1111.

次に、基板Ｗにプラズマ処理を施す際について、さらに説明する。 Next, the process of subjecting the substrate W to plasma processing will be further described.

伝熱ガス供給部５０からガス供給路５１を介して、基板支持部１１に支持された基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙に伝熱ガス（例えばＨｅガス）が供給される。また、図２に示すリフターピン１５を格納する格納空間（第１貫通孔１１１０ｃ、第２貫通孔１１１１ｃ）は、上方が基板Ｗの裏面と中央領域１１１ａとの間の間隙と連通しており、下方はシールリング１１１６及びリフターピンシール部１１２１によって大気から遮断される。これにより、リフターピン１５の格納空間にもＨｅガスが充填される。 Heat transfer gas (for example, He gas) is supplied from the heat transfer gas supply section 50 to the gap between the back surface of the substrate W supported by the substrate support section 11 and the central region 111a through the gas supply path 51. Further, the storage space (first through hole 1110c, second through hole 1111c) that stores the lifter pin 15 shown in FIG. The lower part is shielded from the atmosphere by a seal ring 1116 and a lifter pin seal portion 1121. As a result, the storage space of the lifter pin 15 is also filled with He gas.

また、電源３０から基台１１１０にソースＲＦ信号を供給することにより、プラズマ処理空間１０ｓにプラズマを生成して、基板Ｗにプラズマ処理を施す。ここで、ソースＲＦ信号をハイパワーとすることにより、リフターピン１５を格納する格納空間内の電位差が大きくなり、格納空間内のＨｅガスを起因として、異常放電が生じるおそれがある。 Further, by supplying a source RF signal from the power source 30 to the base 1110, plasma is generated in the plasma processing space 10s, and the substrate W is subjected to plasma processing. Here, by setting the source RF signal to high power, the potential difference in the storage space in which the lifter pin 15 is stored increases, and there is a possibility that abnormal discharge may occur due to the He gas in the storage space.

なお、格納空間内のＨｅガスを真空引きすることにより、放電耐圧を確保して、ソースＲＦ信号をハイパワーとしても異常放電の発生を抑制することができる。但し、格納空間内のＨｅガスを真空引きすることにより、Ｈｅガスが局所的になくなり基板Ｗと基板支持部１１との伝熱の均一性が低下する。 Note that by evacuating the He gas in the storage space, the discharge withstand voltage can be ensured, and the occurrence of abnormal discharge can be suppressed even when the source RF signal is set to high power. However, by evacuating the He gas in the storage space, the He gas locally disappears, and the uniformity of heat transfer between the substrate W and the substrate support part 11 deteriorates.

これに対し、図２に示す基板支持部１１の構造によれば、リフターピン１５が待機位置に配置された状態において、リフターピン１５の導電部１５１ａとリフターピン保持部材１１１５とが、導電接続部１５１ｃ及び導電性部材１１１８を介して導通する。また、リフターピン保持部材１１１５と基台１１１０とが、導電性部材１１１７を介して導通する。即ち、基板Ｗにプラズマ処理を施す際、リフターピン１５の導電部１５１ａと基台１１１０とは導通し、電位が略等しくなる。 On the other hand, according to the structure of the board support part 11 shown in FIG. 151c and conductive member 1118. Further, the lifter pin holding member 1115 and the base 1110 are electrically connected via the conductive member 1117. That is, when plasma processing is performed on the substrate W, the conductive portion 151a of the lifter pin 15 and the base 1110 are electrically connected and have substantially equal potentials.

これにより、リフターピン１５の格納空間内において電位差が小さくなることにより、リフターピン１５の格納空間内にＨｅガスが充填された状態であっても、異常放電の発生を抑制することができる。また、リフターピン１５の格納空間内をＨｅガスが充填された状態とすることにより、基板Ｗと基板支持部１１との間でＨｅガスが局所的になくなることを抑制し、基板Ｗと基板支持部１１との伝熱の均一性を確保することができる。 As a result, the potential difference in the storage space of the lifter pins 15 becomes small, so that even if the storage space of the lifter pins 15 is filled with He gas, occurrence of abnormal discharge can be suppressed. Furthermore, by filling the storage space of the lifter pins 15 with He gas, local disappearance of He gas between the substrate W and the substrate support part 11 is suppressed, and the substrate W and the substrate support are suppressed. Uniformity of heat transfer with the portion 11 can be ensured.

また、リフターピン１５の導電部１５１ａの表面に絶縁膜１５１ｂを形成することにより、リフターピン１５の導電部１５１ａと基板Ｗとの電位差に対して、放電耐圧を確保することができる。また、リフターピン１５の先端部において、誘電体のキャップ（図示せず）を配置してもよい。これにより、リフターピン１５の導電部１５１ａと基板Ｗとの電位差に対して、更に放電耐圧を確保することができる。 Furthermore, by forming the insulating film 151b on the surface of the conductive part 151a of the lifter pin 15, discharge withstand voltage can be ensured against the potential difference between the conductive part 151a of the lifter pin 15 and the substrate W. Further, a dielectric cap (not shown) may be placed at the tip of the lifter pin 15. Thereby, discharge withstand voltage can be further ensured against the potential difference between the conductive portion 151a of the lifter pin 15 and the substrate W.

また、第１ピン部材１５１の下方に配置される第２ピン部材１５２が絶縁部材で形成されることにより、基台支持部１１１２よりも下側に突出するリフターピン１５（第２ピン部材１５２）にＲＦ信号、ＤＣ信号が供給されることを防止することができる。 In addition, since the second pin member 152 disposed below the first pin member 151 is formed of an insulating material, the lifter pin 15 (second pin member 152) protrudes below the base support portion 1112. It is possible to prevent RF signals and DC signals from being supplied to.

また、基台１１１０の第１貫通孔１１１０ｃの内周面に絶縁部材で形成されるスリーブ１１１４を配置し、基台１１１０の絶縁耐圧を上げることで、リフターピン１５の格納空間内において異常放電の発生を抑制することができる。 In addition, by arranging a sleeve 1114 made of an insulating material on the inner peripheral surface of the first through hole 1110c of the base 1110 and increasing the dielectric strength of the base 1110, abnormal discharge can be prevented in the storage space of the lifter pin 15. The occurrence can be suppressed.

次に、基板支持部１１の本体部１１１の他の構造について、図３を用いてさらに説明する。図３は、リフターピン１５の周囲における基板支持部１１の本体部１１１の断面図の他の一例である。 Next, another structure of the main body part 111 of the substrate support part 11 will be further explained using FIG. 3. FIG. 3 is another example of a cross-sectional view of the main body portion 111 of the substrate support portion 11 around the lifter pin 15. As shown in FIG.

静電チャック１１１１は、セラミック部材１１１１ａ内に、静電電極１１１１ｂと、バイアス用電極１１１１ｄと、を有する。また、バイアス用電極１１１１ｄと基台１１１０とは導通する。即ち、ＲＦ電源３１の第２のＲＦ生成部３１ｂ（図１参照）は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してバイアス用電極１１１１ｄ及び基台１１１０に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。生成されたバイアスＲＦ信号は、バイアス用電極１１１１ｄ及び基台１１１０に印加される。ＤＣ電源３２の第１のＤＣ生成部３２ａ（図１参照）は、バイアス用電極１１１１ｄ及び基台１１１０に接続され、第１のＤＣ信号を生成するように構成される。生成された第１のバイアスＤＣ信号は、バイアス用電極１１１１ｄ及び基台１１１０に印加される。その他の構成は同様であり、重複する説明を省略する。 The electrostatic chuck 1111 includes an electrostatic electrode 1111b and a bias electrode 1111d within a ceramic member 1111a. Further, the bias electrode 1111d and the base 1110 are electrically connected. That is, the second RF generating section 31b (see FIG. 1) of the RF power source 31 is coupled to the bias electrode 1111d and the base 1110 via at least one impedance matching circuit, and generates a bias RF signal (bias RF power). configured to generate. The generated bias RF signal is applied to the bias electrode 1111d and the base 1110. The first DC generation section 32a (see FIG. 1) of the DC power supply 32 is connected to the bias electrode 1111d and the base 1110, and is configured to generate a first DC signal. The generated first bias DC signal is applied to the bias electrode 1111d and the base 1110. The other configurations are the same, and redundant explanation will be omitted.

図３に示す基板支持部１１の本体部１１１において、バイアス用電極１１１１ｄ、基台１１１０、リフターピン１５の導電部１５１ａが導通し、電位が略等しくなる。 In the main body part 111 of the substrate support part 11 shown in FIG. 3, the bias electrode 1111d, the base 1110, and the conductive part 151a of the lifter pin 15 are electrically connected, and the potentials become approximately equal.

また、リフターピン１５の導電部１５１ａの表面に絶縁膜１５１ｂを形成することにより、リフターピン１５の導電部１５１ａと基板Ｗとの電位差に対して、耐圧を確保することができる。また、リフターピン１５の先端部において、誘電体のキャップ（図示せず）を配置してもよい。これにより、リフターピン１５の導電部１５１ａと基板Ｗとの電位差に対して、更に耐圧を確保することができる。 Further, by forming the insulating film 151b on the surface of the conductive part 151a of the lifter pin 15, a withstand voltage can be ensured against the potential difference between the conductive part 151a of the lifter pin 15 and the substrate W. Further, a dielectric cap (not shown) may be placed at the tip of the lifter pin 15. Thereby, withstand voltage can be further ensured against the potential difference between the conductive portion 151a of the lifter pin 15 and the substrate W.

なお、図２及び図３の構成において、基台支持部１１１２は誘電体材料で形成される場合を例に説明したが、これに限られるものではない。 Note that in the configurations of FIGS. 2 and 3, the case where the base support portion 1112 is formed of a dielectric material has been described as an example, but the present invention is not limited to this.

図４は、リフターピン１５の周囲における基板支持部１１の本体部１１１の断面図の更に他の一例である。図４に示す構成において、基台支持部１１１２が導電性材料で形成されている。また、基台１１１０と基台支持部１１１２とが導通する。また、基台支持部１１１２とリフターピン保持部材１１１５との間に挟持され、基台支持部１１１２とリフターピン保持部材１１１５とを導通する導電性部材（第３の導電性部材）１１２２を有している。これにより、基台１１１０から、基台支持部１１１２、リフターピン保持部材１１１５、導電性部材１１１８を介して、第１ピン部材１５１の導電部１５１ａに導通する。この構成において、導電性部材（第２の導電性部材）１１１７を省略してもよい。その他の構成は同様であり、重複する説明を省略する。また、図３と同様に、静電チャック１１１１にバイアス用電極１１１１ｄが設けられ、バイアス用電極１１１１ｄと基台１１１０とが導通する構成であってもよい。 FIG. 4 is still another example of a cross-sectional view of the main body portion 111 of the substrate support portion 11 around the lifter pin 15. As shown in FIG. In the configuration shown in FIG. 4, the base support portion 1112 is made of a conductive material. Further, the base 1110 and the base support portion 1112 are electrically connected. It also includes a conductive member (third conductive member) 1122 that is sandwiched between the base support part 1112 and the lifter pin holding member 1115 and provides electrical continuity between the base support part 1112 and the lifter pin holding member 1115. ing. Thereby, conduction is established from the base 1110 to the conductive portion 151a of the first pin member 151 via the base support portion 1112, the lifter pin holding member 1115, and the conductive member 1118. In this configuration, the conductive member (second conductive member) 1117 may be omitted. The other configurations are the same, and redundant explanation will be omitted. Further, as in FIG. 3, the electrostatic chuck 1111 may be provided with a bias electrode 1111d, and the bias electrode 1111d and the base 1110 may be electrically connected.

以上に開示された実施形態は、例えば、以下の態様を含む。
（付記１）
プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基台支持部と、
上面から下面までを貫通する第１貫通孔が形成され、前記基台支持部の上部に配置される導電性の基台と、
基板支持面又はリング支持面から下面までを貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔が形成され、前記基台の上部に配置される静電チャックと、
前記基台支持部内に配置され、導電性のリフターピン保持部材と、
前記リフターピン保持部材に保持され、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に配置され、少なくとも一部が導電性である導電部を有するリフターピンと、を備え、
前記導電部は、前記リフターピン保持部材を介して、前記基台と導通する、
プラズマ処理装置。
（付記２）
前記リフターピン保持部材と前記リフターピンとの間に配置される第１の導電性部材と、
前記基台と前記リフターピン保持部材との間に配置される第２の導電性部材と、を更に備える、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
（付記３）
前記リフターピンは、
前記導電部を有する第１ピン部材と、
前記第１ピン部材の下に配置される絶縁性の第２ピン部材と、を有する、
付記２に記載のプラズマ処理装置。
（付記４）
前記第１ピン部材は、
前記導電部と、
前記導電部の表面に設けられた絶縁膜と、
前記導電部と導通する導電接続部と、を有する、
付記３に記載のプラズマ処理装置。
（付記５）
前記リフターピンが待機位置に配置された際、前記第１の導電性部材は、前記導電接続部と前記リフターピン保持部材とを導通する、
付記４に記載のプラズマ処理装置。
（付記６）
前記絶縁膜は、溶射膜または酸化膜である、
付記４または付記５に記載のプラズマ処理装置。
（付記７）
前記第１の導電性部材は、スプリング状の環状部材である、
付記２乃至付記６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記８）
前記第２の導電性部材は、スプリング状の環状部材である、
付記２乃至付記７のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記９）
ＲＦ信号及び／又はＤＣ信号を生成する電源を更に備え、
前記電源は、前記基台に前記ＲＦ信号及び／又は前記ＤＣ信号を供給する、
付記１乃至付記８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１０）
ＲＦ信号及び／又はＤＣ信号を生成する電源を更に備え、
前記静電チャックは、バイアス用電極を有し、
前記バイアス用電極と前記基台は導通し、
前記電源は、前記バイアス用電極に前記ＲＦ信号及び／又は前記ＤＣ信号を供給する、
付記１乃至付記８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
（付記１１）
前記リフターピン保持部材と前記リフターピンとの間に配置される第１の導電性部材と、
前記基台支持部と前記リフターピン保持部材との間に配置される第３の導電性部材と、を更に備え、
前記基台支持部は導電性であって、前記基台支持部と前記基台が導通する、
付記１に記載のプラズマ処理装置。
（付記１２）
基台支持部と、
上面から下面までを貫通する第１貫通孔が形成され、前記基台支持部の上部に配置される導電性の基台と、
基板支持面又はリング支持面から下面までを貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔が形成され、前記基台の上部に配置される静電チャックと、
前記基台支持部内に配置され、導電性のリフターピン保持部材と、
前記リフターピン保持部材に保持され、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に配置され、少なくとも一部が導電性である導電部を有するリフターピンと、を備え、
前記導電部は、前記リフターピン保持部材を介して、前記基台と導通する、
基板支持部。 The embodiments disclosed above include, for example, the following aspects.
(Additional note 1)
a plasma processing chamber;
a base support disposed within the plasma processing chamber;
a conductive base having a first through hole penetrating from the upper surface to the lower surface and disposed above the base support;
an electrostatic chuck disposed above the base, in which a second through hole is formed that penetrates from the substrate support surface or the ring support surface to the lower surface and communicates with the first through hole;
a conductive lifter pin holding member disposed within the base support;
a lifter pin held by the lifter pin holding member, disposed in the first through hole and the second through hole, and having a conductive part at least partially conductive;
The conductive part is electrically connected to the base via the lifter pin holding member.
Plasma processing equipment.
(Additional note 2)
a first conductive member disposed between the lifter pin holding member and the lifter pin;
further comprising a second conductive member disposed between the base and the lifter pin holding member;
The plasma processing apparatus according to Supplementary Note 1.
(Additional note 3)
The lifter pin is
a first pin member having the conductive portion;
an insulating second pin member disposed below the first pin member,
The plasma processing apparatus according to appendix 2.
(Additional note 4)
The first pin member is
the conductive part;
an insulating film provided on the surface of the conductive part;
a conductive connection part that is electrically connected to the conductive part;
The plasma processing apparatus according to appendix 3.
(Appendix 5)
When the lifter pin is placed in a standby position, the first conductive member conducts the conductive connection portion and the lifter pin holding member;
The plasma processing apparatus according to appendix 4.
(Appendix 6)
The insulating film is a sprayed film or an oxide film,
The plasma processing apparatus according to appendix 4 or appendix 5.
(Appendix 7)
the first conductive member is a spring-shaped annular member;
The plasma processing apparatus according to any one of Supplementary Notes 2 to 6.
(Appendix 8)
the second conductive member is a spring-shaped annular member;
The plasma processing apparatus according to any one of Supplementary Notes 2 to 7.
(Appendix 9)
further comprising a power source that generates an RF signal and/or a DC signal,
the power source supplies the RF signal and/or the DC signal to the base;
The plasma processing apparatus according to any one of Supplementary notes 1 to 8.
(Appendix 10)
further comprising a power source that generates an RF signal and/or a DC signal,
The electrostatic chuck has a bias electrode,
The bias electrode and the base are electrically connected,
the power source supplies the RF signal and/or the DC signal to the bias electrode;
The plasma processing apparatus according to any one of Supplementary notes 1 to 8.
(Appendix 11)
a first conductive member disposed between the lifter pin holding member and the lifter pin;
further comprising a third conductive member disposed between the base support part and the lifter pin holding member,
The base support part is electrically conductive, and the base support part and the base are electrically connected.
The plasma processing apparatus according to Supplementary Note 1.
(Appendix 12)
a base support part;
a conductive base having a first through hole penetrating from the upper surface to the lower surface and disposed above the base support;
an electrostatic chuck disposed above the base, in which a second through hole is formed that penetrates from the substrate support surface or the ring support surface to the lower surface and communicates with the first through hole;
a conductive lifter pin holding member disposed within the base support;
a lifter pin held by the lifter pin holding member, disposed in the first through hole and the second through hole, and having a conductive part at least partially conductive;
The conductive part is electrically connected to the base via the lifter pin holding member.
Board support part.

なお、上記実施形態に挙げた構成等に、その他の要素との組み合わせ等、ここで示した構成に本発明が限定されるものではない。これらの点に関しては、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で変更することが可能であり、その応用形態に応じて適切に定めることができる。 Note that the present invention is not limited to the configurations shown here, such as combinations of other elements with the configurations listed in the above embodiments. These points can be modified without departing from the spirit of the present invention, and can be appropriately determined depending on the application thereof.

Ｗ基板
１プラズマ処理装置
１０プラズマ処理チャンバ
１０ａ側壁
１０ｓプラズマ処理空間
１１基板支持部
１１１本体部
１１１ａ中央領域
１１１ｂ環状領域
１１３リングアセンブリ
１１１０基台
１１１０ａ流路
１１１０ｃ第１貫通孔
１１１０ｃ１貫通部
１１１０ｃ２掘込部
１１１１静電チャック
１１１１ａセラミック部材
１１１１ｂ静電電極
１１１１ｃ第２貫通孔
１１１２基台支持部
１１１２ａ掘込部
１１１２ｂ貫通孔
１１１４スリーブ
１１１５リフターピン保持部材
１１１５ａ貫通孔
１１１５ｂ円筒部
１１１５ｃフランジ
１１１６シールリング
１１１７，１１１８導電性部材
１１１７導電性部材
１１１８導電性部材
１１１９，１１２０抑え部材
１１１９抑え部材
１１２０抑え部材
１１２１リフターピンシール部
１５リフターピン
１５１第１ピン部材
１５１ａ導電部
１５１ｂ絶縁膜
１５１ｃ導電接続部
１５２第２ピン部材
５０伝熱ガス供給部
５１ガス供給路 W Substrate 1 Plasma processing apparatus 10 Plasma processing chamber 10a Side wall 10s Plasma processing space 11 Substrate support section 111 Main body section 111a Central region 111b Annular region 113 Ring assembly 1110 Base 1110a Channel 1110c First through hole 1110c1 Penetrating section 1110c2 Excavation section 1111 Electrostatic chuck 1111a Ceramic member 1111b Electrostatic electrode 1111c Second through hole 1112 Base support portion 1112a Digged portion 1112b Through hole 1114 Sleeve 1115 Lifter pin holding member 1115a Through hole 1115b Cylindrical portion 1115c Flange 1116 Seal ring 1117, 1118 Conductive sexual member 1117 conductive member 1118 conductive member 1119, 1120 restraining member 1119 restraining member 1120 restraining member 1121 lifter pin seal portion 15 lifter pin 151 first pin member 151a conductive portion 151b insulating film 151c conductive connection portion 152 second pin member 50 Heat transfer gas supply section 51 Gas supply path

Claims

プラズマ処理チャンバと、
前記プラズマ処理チャンバ内に配置される基台支持部と、
上面から下面までを貫通する第１貫通孔が形成され、前記基台支持部の上部に配置される導電性の基台と、
基板支持面又はリング支持面から下面までを貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔が形成され、前記基台の上部に配置される静電チャックと、
前記基台支持部内に配置され、導電性のリフターピン保持部材と、
前記リフターピン保持部材に保持され、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に配置され、少なくとも一部が導電性である導電部を有するリフターピンと、を備え、
前記導電部は、前記リフターピン保持部材を介して、前記基台と導通する、
プラズマ処理装置。 a plasma processing chamber;
a base support disposed within the plasma processing chamber;
a conductive base having a first through hole penetrating from the upper surface to the lower surface and disposed above the base support;
an electrostatic chuck disposed above the base, in which a second through hole is formed that penetrates from the substrate support surface or the ring support surface to the lower surface and communicates with the first through hole;
a conductive lifter pin holding member disposed within the base support;
a lifter pin held by the lifter pin holding member, disposed in the first through hole and the second through hole, and having a conductive part at least partially conductive;
The conductive part is electrically connected to the base via the lifter pin holding member.
Plasma processing equipment.

前記リフターピン保持部材と前記リフターピンとの間に配置される第１の導電性部材と、
前記基台と前記リフターピン保持部材との間に配置される第２の導電性部材と、を更に備える、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 a first conductive member disposed between the lifter pin holding member and the lifter pin;
further comprising a second conductive member disposed between the base and the lifter pin holding member;
The plasma processing apparatus according to claim 1.

前記リフターピンは、
前記導電部を有する第１ピン部材と、
前記第１ピン部材の下に配置される絶縁性の第２ピン部材と、を有する、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。 The lifter pin is
a first pin member having the conductive portion;
an insulating second pin member disposed below the first pin member,
The plasma processing apparatus according to claim 2.

前記第１ピン部材は、
前記導電部と、
前記導電部の表面に設けられた絶縁膜と、
前記導電部と導通する導電接続部と、を有する、
請求項３に記載のプラズマ処理装置。 The first pin member is
the conductive part;
an insulating film provided on the surface of the conductive part;
a conductive connection part that is electrically connected to the conductive part;
The plasma processing apparatus according to claim 3.

前記リフターピンが待機位置に配置された際、前記第１の導電性部材は、前記導電接続部と前記リフターピン保持部材とを導通する、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。 When the lifter pin is placed in a standby position, the first conductive member conducts the conductive connection portion and the lifter pin holding member;
The plasma processing apparatus according to claim 4.

前記絶縁膜は、溶射膜または酸化膜である、
請求項４に記載のプラズマ処理装置。 The insulating film is a sprayed film or an oxide film,
The plasma processing apparatus according to claim 4.

前記第１の導電性部材は、スプリング状の環状部材である、
請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 the first conductive member is a spring-shaped annular member;
The plasma processing apparatus according to any one of claims 2 to 6.

前記第２の導電性部材は、スプリング状の環状部材である、
請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 the second conductive member is a spring-shaped annular member;
The plasma processing apparatus according to any one of claims 2 to 6.

ＲＦ信号及び／又はＤＣ信号を生成する電源を更に備え、
前記電源は、前記基台に前記ＲＦ信号及び／又は前記ＤＣ信号を供給する、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 further comprising a power source that generates an RF signal and/or a DC signal,
the power source supplies the RF signal and/or the DC signal to the base;
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.

ＲＦ信号及び／又はＤＣ信号を生成する電源を更に備え、
前記静電チャックは、バイアス用電極を有し、
前記バイアス用電極と前記基台は導通し、
前記電源は、前記バイアス用電極に前記ＲＦ信号及び／又は前記ＤＣ信号を供給する、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。 further comprising a power source that generates an RF signal and/or a DC signal,
The electrostatic chuck has a bias electrode,
The bias electrode and the base are electrically connected,
the power source supplies the RF signal and/or the DC signal to the bias electrode;
The plasma processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.

前記リフターピン保持部材と前記リフターピンとの間に配置される第１の導電性部材と、
前記基台支持部と前記リフターピン保持部材との間に配置される第３の導電性部材と、を更に備え、
前記基台支持部は導電性であって、前記基台支持部と前記基台が導通する、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 a first conductive member disposed between the lifter pin holding member and the lifter pin;
further comprising a third conductive member disposed between the base support part and the lifter pin holding member,
The base support part is electrically conductive, and the base support part and the base are electrically connected.
The plasma processing apparatus according to claim 1.

基台支持部と、
上面から下面までを貫通する第１貫通孔が形成され、前記基台支持部の上部に配置される導電性の基台と、
基板支持面又はリング支持面から下面までを貫通して前記第１貫通孔と連通する第２貫通孔が形成され、前記基台の上部に配置される静電チャックと、
前記基台支持部内に配置され、導電性のリフターピン保持部材と、
前記リフターピン保持部材に保持され、前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔に配置され、少なくとも一部が導電性である導電部を有するリフターピンと、を備え、
前記導電部は、前記リフターピン保持部材を介して、前記基台と導通する、
基板支持部。 a base support part;
a conductive base having a first through hole penetrating from the upper surface to the lower surface and disposed above the base support;
an electrostatic chuck disposed above the base, in which a second through hole is formed that penetrates from the substrate support surface or the ring support surface to the lower surface and communicates with the first through hole;
a conductive lifter pin holding member disposed within the base support;
a lifter pin held by the lifter pin holding member, disposed in the first through hole and the second through hole, and having a conductive part at least partially conductive;
The conductive part is electrically connected to the base via the lifter pin holding member.
Board support part.