JP2024017044A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板に貼合したチップを前記基板から剥離する、技術を提供する。【解決手段】基板処理装置は、基板に貼合したチップを前記基板から剥離するチップ剥離部を備える。前記チップ剥離部は、前記基板を前記チップとは反対側から保持する基板保持部と、前記チップを前記基板とは反対側から保持する第１チップ保持部と、前記第１チップ保持部を移動させる第１チップ移動部と、を有する。前記第１チップ保持部は、前記チップに接触する第１感温性粘着テープを含む。前記第１感温性粘着テープは、温度に応じて粘着力を変える。【選択図】図５

Description

本開示は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。

特許文献１に記載のチップ実装システムは、チップ供給装置と、ボンディング装置と、表面処理装置と、搬出入部と、搬送部と、を備える（特許文献１の段落［０２２５］）。チップ供給装置は、複数のチップを個別に供給する。ボンディング装置は、チップ供給装置から供給されたチップを基板上に取り付ける。

特許第６３３７４００号公報

本開示の一態様は、基板に貼合したチップを基板から剥離する、技術を提供する。

本開示の一態様に係る基板処理装置は、基板に貼合したチップを前記基板から剥離するチップ剥離部を備える。前記チップ剥離部は、前記基板を前記チップとは反対側から保持する基板保持部と、前記チップを前記基板とは反対側から保持する第１チップ保持部と、前記第１チップ保持部を移動させる第１チップ移動部と、を有する。前記第１チップ保持部は、前記チップに接触する第１感温性粘着テープを含む。前記第１感温性粘着テープは、温度に応じて粘着力を変える。

本開示の一態様によれば、基板に貼合したチップを基板から剥離することができる。

図１は、一実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図２（Ａ）は基板の一例を示す断面図であり、図２（Ｂ）はチップの一例を示す断面図であり、図２（Ｃ）はチップのピックアップの一例を示す断面図であり、図２（Ｄ）はチップ付き基板の一例を示す断面図である。 図３は、一実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 図４は、チップ剥離部の一例を示す平面図である。 図５（Ａ）はチップ剥離部の動作の一例を示す側面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）に続く動作の一例を示す側面図であり、図５（Ｃ）は図５（Ｂ）に続く動作の一例を示す側面図である。 図６（Ａ）は図５（Ｃ）に続く動作の一例を示す側面図であり、図６（Ｂ）は図６（Ａ）に続く動作の一例を示す側面図であり、図６（Ｃ）は図６（Ｂ）に続く動作の一例を示す側面図である。 図７は、第１感温性粘着テープと第２感温性粘着テープのそれぞれの粘着力の温度依存性の一例を示す図である。 図８は、第１チップ保持部の第１変形例を示す図である。 図９は、第１チップ保持部の第２変形例を示す図である。 図１０は、変形例に係るチップ剥離部を示す平面図である。 図１１は、図１０に示すチップ剥離部を示す側面図である。 図１２（Ａ）は図２（Ｄ）に示すチップ付き基板の変形例を示す断面図であり、図１２（Ｂ）は図１２（Ａ）に示すチップ付き基板に対する後処理の一例を示す断面図であり、図１２（Ｃ）は図１２（Ｂ）に続いて後処理の一例を示す断面図であり、図１２（Ｄ）は図１２（Ｃ）に続いて後処理の一例を示す断面図である。

以下、本開示の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面において同一の又は対応する構成には同一の符号を付し、説明を省略することがある。本明細書において、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向は互いに垂直な方向である。Ｘ軸方向及びＹ軸方向は水平方向、Ｚ軸方向は鉛直方向である。

図１～図２を参照して、一実施形態に係る基板処理装置１について説明する。基板処理装置１は、図２（Ａ）～図２（Ｄ）に示すように、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃの異なる貼合領域に複数のチップＣＰ１を貼合することで、チップ付き基板ＣＷ１を製造する。

チップ付き基板ＣＷ１は、基板Ｗ１と、基板Ｗ１に貼合された複数のチップＣＰ１と、を含む。図示しないが、各チップＣＰ１の上には、さらに別のチップが積層されてもよい。

基板処理装置１には、図２（Ａ）に示す基板Ｗ１が搬入される。基板Ｗ１は、下地基板Ｗ１ａと、下地基板Ｗ１ａの上に形成された複数のデバイスＷ１ｂと、を有する。下地基板Ｗ１ａは、例えば、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、又はガラス基板である。デバイスＷ１ｂは、半導体素子、回路、又は端子などを含む。デバイスＷ１ｂは、主面Ｗ１ｃに形成されている。

また、基板処理装置１には、図２（Ｂ）に示す複数のチップＣＰ１が搬入される。複数のチップＣＰ１はテープＴＰ１に接着されており、テープＴＰ１の外周がフレームＦＲ１に装着されている。フレームＦＲ１の開口部に、複数のチップＣＰ１が配列されている。複数のチップＣＰ１は、例えば基板をテープＴＰ１に接着した状態で基板をダイシングすることで得られる。

チップＣＰ１は、下地基板ＣＰ１ａと、下地基板ＣＰ１ａの上に形成されたデバイスＣＰ１ｂと、を有する。下地基板ＣＰ１ａは、例えば、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、又はガラス基板である。デバイスＣＰ１ｂは、半導体素子、回路、又は端子などを含む。デバイスＣＰ１ｂは、下地基板ＣＰ１ａを基準として、テープＴＰ１とは反対側に配置される。

図２（Ｃ）に示すように、ピックアップ部５３は、複数のチップＣＰ１を個別にテープＴＰ１から剥離する。その後、チップＣＰ１は、上下反転された上で、図２（Ｄ）に示すように、基板Ｗ１に貼合される。基板Ｗ１のデバイスＷ１ｂと、チップＣＰ１のデバイスＣＰ１ｂとが電気的に接続される。これにより、チップ付き基板ＣＷ１が得られる。

なお、図１２（Ａ）に示すように、チップ付き基板ＣＷ１を構成する基板Ｗ１は、デバイスＷ１ｂを有しなくてもよい。つまり、基板Ｗ１は、電気回路を有しなくてもよい。例えば、基板Ｗ１は、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、又はガラス基板のみからなる。基板Ｗ１がデバイスＷ１ｂを有しない場合、図１２（Ｂ）に示すように、複数のチップＣＰ１を挟んで基板Ｗ１と基板Ｗ２とが接合される。次に、図１２（Ｃ）に示すように、複数のチップＣＰ１と基板Ｗ１が剥離され、最後に、図１２（Ｄ）に示すように複数のチップＣＰ１を挟んで基板Ｗ２と基板Ｗ３とが接合される。基板Ｗ３は、下地基板Ｗ３ａと、下地基板Ｗ３ａの上に形成された複数のデバイスＷ３ｂと、を有する。基板Ｗ３のデバイスＷ３ｂと、チップＣＰ１のデバイスＣＰ１ｂとが電気的に接続される。

図１に示すように、基板処理装置１は、搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースブロック４と、第２処理ステーション５と、制御部９と、を備える。搬入出ステーション２と、第１処理ステーション３と、インターフェースブロック４と、第２処理ステーション５とは、この順番で、Ｘ軸負方向側からＸ軸正方向側に並ぶ。

搬入出ステーション２は、載置台２０を備える。載置台２０には、カセットＣ１～Ｃ４が載置される。カセットＣ１は、図２（Ａ）に示す基板Ｗ１を収容する。カセットＣ２は、図２（Ｄ）に示すチップ付き基板ＣＷ１を収容する。カセットＣ３は、図２（Ｂ）に示すフレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を収容する。カセットＣ４は、図示しない使用済みのフレームＦＲ１を収容する。使用済みのフレームＦＲ１とは、複数のチップＣＰ１をテープＴＰ１から剥離した後に残るフレームＦＲ１のことである。使用済みのフレームＦＲ１には、チップＣＰ１が残っていてもよい。

搬入出ステーション２は、搬送領域２１と、第３基板搬送アーム２２と、第３フレーム搬送アーム２３と、を備える。搬送領域２１は、載置台２０に隣接する。第３基板搬送アーム２２は、搬送領域２１にて基板Ｗ１を保持して搬送する。第３フレーム搬送アーム２３は、搬送領域２１にてフレームＦＲ１を保持して搬送する。第３基板搬送アーム２２と第３フレーム搬送アーム２３は、それぞれ、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。

搬入出ステーション２は、第３基板搬送アーム２２と第３フレーム搬送アーム２３を移動または回転させる図示しない駆動部を有する。第３基板搬送アーム２２と第３フレーム搬送アーム２３は、同じＹ軸スライダに搭載され同時にＹ軸方向に移動させられてもよいし、異なるＹ軸スライダに搭載され独立にＹ軸方向に移動させられてもよい。第３基板搬送アーム２２と第３フレーム搬送アーム２３は、同じＹ軸スライダに搭載される場合、Ｚ軸方向に積層される。第３基板搬送アーム２２と第３フレーム搬送アーム２３が異なるＹ軸スライダに搭載される場合、複数のＹ軸スライダはＺ軸方向にずらして配置される。

第３基板搬送アーム２２は、チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１をカセットＣ１から取り出し、基板載置部２４に搬送する。また、第３基板搬送アーム２２は、基板載置部２４からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、カセットＣ２に収納する。チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を搬送する第３基板搬送アーム２２と、チップ付き基板ＣＷ１を搬送する第３基板搬送アーム２２とは、別々に設けられてもよい。

第３フレーム搬送アーム２３は、フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１をカセットＣ３から取り出し、フレーム載置部２５に搬送する。また、第３フレーム搬送アーム２３は、フレーム載置部２５から使用済みのフレームＦＲ１を取り出し、カセットＣ４に収納する。フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を搬送する第３フレーム搬送アーム２３と、使用済みのフレームＦＲ１を搬送する第３フレーム搬送アーム２３とは、別々に設けられてもよい。

搬入出ステーション２は、基板載置部２４と、フレーム載置部２５と、を備える。基板載置部２４とフレーム載置部２５は、搬入出ステーション２の搬送領域２１と、第１処理ステーション３の搬送領域３０との間に配置され、両方の搬送領域２１、３０に隣接する。基板載置部２４とフレーム載置部２５とは、搬入出ステーション２のフットプリントを小さくすべく、鉛直方向に積層されてもよい。

基板載置部２４には、チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１が載置される。基板載置部２４には、チップ付き基板ＣＷ１が載置されてもよい。チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１が載置される基板載置部２４と、チップ付き基板ＣＷ１が載置される基板載置部２４とは、別々に設けられてもよく、それぞれ複数設けられてもよい。

フレーム載置部２５には、フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１が載置される。フレーム載置部２５には、使用済みのフレームＦＲ１が載置されてもよい。フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１が載置されるフレーム載置部２５と、使用済みのフレームＦＲ１が載置されるフレーム載置部２５とは、別々に設けられてもよく、それぞれ複数設けられてもよい。

第１処理ステーション３は、搬送領域３０と、第１基板搬送アーム３１と、第１フレーム搬送アーム３２と、を備える。搬送領域３０は、Ｘ軸方向に延びている。第１基板搬送アーム３１は、搬送領域３０にて基板Ｗ１を保持して搬送する。第１フレーム搬送アーム３２は、搬送領域３０にてフレームＦＲ１を保持して搬送する。第１基板搬送アーム３１と第１フレーム搬送アーム３２は、それぞれ、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。

第１処理ステーション３は、第１基板搬送アーム３１と第１フレーム搬送アーム３２を移動または回転させる図示しない駆動部を有する。第１基板搬送アーム３１と第１フレーム搬送アーム３２は、同じＸ軸スライダに搭載され同時にＸ軸方向に移動させられてもよいし、異なるＸ軸スライダに搭載され独立にＸ軸方向に移動させられてもよい。第１基板搬送アーム３１と第１フレーム搬送アーム３２は、同じＸ軸スライダに搭載される場合、Ｚ軸方向に積層される。第１基板搬送アーム３１と第１フレーム搬送アーム３２が異なるＸ軸スライダに搭載される場合、複数のＸ軸スライダはＺ軸方向にずらして配置される。

第１基板搬送アーム３１は、チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を基板載置部２４から取り出し、表面改質部３４と基板洗浄部３５を経由して、インターフェースブロック４の第１バッファ部４１に搬送する。また、第１基板搬送アーム３１は、第１バッファ部４１からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、検査部３６などを経由して、搬入出ステーション２の基板載置部２４に載置する。チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を搬送する第１基板搬送アーム３１と、チップ付き基板ＣＷ１を搬送する第１基板搬送アーム３１とは、別々に設けられてもよい。

第１フレーム搬送アーム３２は、フレーム載置部２５からフレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を取り出し、チップ洗浄部３３を経由して、インターフェースブロック４の第２バッファ部４２に搬送する。また、第１フレーム搬送アーム３２は、第２バッファ部４２から使用済みのフレームＦＲ１を取り出し、搬入出ステーション２のフレーム載置部２５に載置する。フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を搬送する第１フレーム搬送アーム３２と、使用済みのフレームＦＲ１を搬送する第１フレーム搬送アーム３２とは、別々に設けられてもよい。

第１処理ステーション３は、チップ洗浄部３３と、表面改質部３４と、基板洗浄部３５と、検査部３６と、チップ剥離部３７と、アニール部３８と、を備える。チップ洗浄部３３と、表面改質部３４と、基板洗浄部３５と、検査部３６と、チップ剥離部３７と、アニール部３８とは、搬送領域３０に隣接しており、搬送領域３０のＹ軸正方向側またはＹ軸負方向側に配置される。

チップ洗浄部３３は、複数のチップＣＰ１がテープＴＰ１に接着され且つテープＴＰ１の外周がフレームＦＲ１に装着された状態で、複数のチップＣＰ１を洗浄する。チップＣＰ１を洗浄した後で、チップＣＰ１を基板Ｗ１に貼合することで、異物の噛み込みを抑制できる。

表面改質部３４は、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃをプラズマ処理する。表面改質部３４では、例えば減圧下において処理ガスである酸素ガスが励起されてプラズマ化され、イオン化される。酸素イオンが基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃに照射されることにより、主面Ｗ１ｃが改質される。処理ガスは、酸素ガスには限定されず、例えば窒素ガスなどでもよい。

基板洗浄部３５は、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃを洗浄する。例えば、基板洗浄部３５は、スピンチャックに保持されている基板Ｗ１を回転させながら、基板Ｗ１の上に純水（例えば脱イオン水）を供給する。純水は、遠心力によって主面Ｗ１ｃ全体に広がり、主面Ｗ１ｃを洗浄する。純水は、予め改質された主面Ｗ１ｃにＯＨ基を付与する。ＯＨ基同士の水素結合を利用して、基板Ｗ１とチップＣＰ１を貼合できる。

検査部３６は、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃの異なる貼合領域に貼合された複数のチップＣＰ１のそれぞれの貼合状態が良好か不良かを検査する。検査項目は、気泡などの異物の有無と、位置ずれの有無と、の少なくとも１つを含む。例えば気泡が基板Ｗ１とチップＣＰ１の界面に有ると、チップ付き基板ＣＷ１が真空処理される際に、気泡が破裂する。気泡の破裂によって、貼合状態が良好なチップＣＰ１まで問題が生じたり、真空チャンバーが汚染されたりする。あるいは、気泡または粒子が基板Ｗ１とチップＣＰ１の界面に有ると、チップＣＰ１の高さが高くなり、研削または研磨時にチッピングが生じ、その衝撃で貼合状態が良好なチップＣＰ１まで問題が生じる。

チップ剥離部３７は、検査部３６による検査で貼合状態が不良であったチップＣＰ１を、基板Ｗ１から剥離する。貼合状態が不良であったチップＣＰ１を基板Ｗ１から剥離することで、気泡または粒子が基板Ｗ１とチップＣＰ１の界面にある場合に生じる問題を解決でき、チップ付き基板ＣＷ１の品質を向上できる。基板Ｗ１から剥離したチップＣＰ１は、再利用されてもよいし、廃棄されてもよい。チップ剥離部３７の詳細は後述する。

アニール部３８は、チップ付き基板ＣＷ１を加熱処理する。加熱処理前に、チップＣＰ１と基板Ｗ１は、ＯＨ基同士の水素結合によって結合されている。加熱処理によって、脱水縮合反応が生じ、共有結合が生じ、チップＣＰ１と基板Ｗ１の接合強度が向上する。なお、チップ剥離部３７によるチップＣＰ１の剥離は、アニール部３８によるチップ付き基板ＣＷ１の加熱処理前に行われる。

インターフェースブロック４は、第１処理ステーション３の搬送領域３０に隣接する。インターフェースブロック４は、第１バッファ部４１と、第２バッファ部４２と、第２基板搬送アーム４３と、第２フレーム搬送アーム４４と、を備える。第１バッファ部４１と第２バッファ部４２は、第１処理ステーション３の搬送領域３０に隣接している。第１バッファ部４１と第２バッファ部４２は、インターフェースブロック４のフットプリントを小さくすべく、鉛直方向に積層されてもよい。

第１バッファ部４１は、チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を保管する。第１バッファ部４１は、チップ付き基板ＣＷ１を保管してもよい。チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を保管する第１バッファ部４１と、チップ付き基板ＣＷ１を保管する第１バッファ部４１とは、別々に設けられてもよく、それぞれ複数設けられてもよい。

第２バッファ部４２は、フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を保管する。第２バッファ部４２は、使用済みのフレームＦＲ１を保管してもよい。フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を保管する第２バッファ部４２と、使用済みのフレームＦＲ１を保管する第２バッファ部４２とは、別々に設けられてもよく、それぞれ複数設けられてもよい。

第２基板搬送アーム４３は、チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を第１バッファ部４１から取り出し、第２処理ステーション５の基板保持部５１に搬送する。第２基板搬送アーム４３は、チップ付き基板ＣＷ１を基板保持部５１から第１バッファ部４１に搬送してもよい。第２基板搬送アーム４３は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を搬送する第２基板搬送アーム４３と、チップ付き基板ＣＷ１を搬送する第２基板搬送アーム４３とは、別々に設けられてもよい。

第２フレーム搬送アーム４４は、フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を第２バッファ部４２から取り出し、第２処理ステーション５のチップ保持部５２に搬送する。第２フレーム搬送アーム４４は、使用済みのフレームＦＲ１をチップ保持部５２から第２バッファ部４２に搬送してもよい。第２フレーム搬送アーム４４は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）及び鉛直方向の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を保管する第２フレーム搬送アーム４４と、使用済みのフレームＦＲ１を搬送する第２フレーム搬送アーム４４とは、別々に設けられてもよい。

インターフェースブロック４は、第２基板搬送アーム４３と第２フレーム搬送アーム４４を移動または回転させる図示しない駆動部を有する。第２基板搬送アーム４３と第２フレーム搬送アーム４４は、所定方向に同時に移動させられてもよいし、所定方向に独立に移動させられてもよい。第２基板搬送アーム４３と第２フレーム搬送アーム４４は、図１及び図２ではＺ軸方向に積層されていないが、Ｚ軸方向に積層されてもよい。

インターフェースブロック４は、前処理（例えば表面改質と洗浄）を実施済みの基板Ｗ１と、前処理（例えば洗浄）を実施済みの複数のチップＣＰ１とを保管する。これにより、第２処理ステーション５の稼働率を向上でき、チップ付き基板ＣＷ１の生産効率を向上できる。

なお、インターフェースブロック４は無くてもよく、第１処理ステーション３と第２処理ステーション５とが隣接していてもよい。この場合、第１処理ステーション３の第１基板搬送アーム３１が、チップＣＰ１を貼合する前の基板Ｗ１を第２処理ステーション５の基板保持部５１に搬送し、チップ付き基板ＣＷ１を基板保持部５１から受け取る。また、この場合、第１処理ステーション３の第１フレーム搬送アーム３２が、フレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を第２処理ステーション５のチップ保持部５２に搬送し、使用済みのフレームＦＲ１をチップ保持部５２から受け取る。

第２処理ステーション５は、インターフェースブロック４を基準として第１処理ステーション３の搬送領域３０とは反対側に配置される。第２処理ステーション５は、基板保持部５１と、チップ保持部５２と、ピックアップ部５３と、マウント部５４と、を備える。基板保持部５１は、基板Ｗ１を保持する。チップ保持部５２は、複数のチップＣＰ１がテープＴＰ１を介してフレームＦＲ１に装着された状態で、複数のチップＣＰ１を保持する。基板保持部５１とチップ保持部５２は、それぞれ、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）の移動と、鉛直軸を中心とする回転とが可能である。ピックアップ部５３は、チップ保持部５２で保持されているチップＣＰ１をテープＴＰ１から剥離する。マウント部５４は、ピックアップ部５３でテープＴＰ１から剥離したチップＣＰ１を基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃに実装する。

インターフェースブロック４と、第２処理ステーション５とで、チップ貼合部６が構成される。チップ貼合部６は、第１処理ステーション３の搬送領域３０に隣接している。なお、既述の通り、インターフェースブロック４は無くてもよく、第２処理ステーション５のみでチップ貼合部６が構成されてもよい。

制御部９は、例えばコンピュータであり、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）などの演算部９１と、メモリなどの記憶部９２と、を備える。記憶部９２には、基板処理装置１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部９は、記憶部９２に記憶されたプログラムを演算部９１に実行させることにより、基板処理装置１の動作を制御する。

次に、図３を参照して、一実施形態に係る基板処理方法について説明する。図３の処理は、制御部９による制御下で実施される。

先ず、搬入出ステーション２の第３基板搬送アーム２２が、カセットＣ１から基板Ｗ１を取り出し、基板載置部２４に搬送する。次に、第１処理ステーション３の第１基板搬送アーム３１が、基板載置部２４から基板Ｗ１を取り出し、表面改質部３４に搬送する。次に、表面改質部３４が、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃをプラズマ処理する（ステップＳ１０１）。その後、第１基板搬送アーム３１が、表面改質部３４から基板Ｗ１を取り出し、基板洗浄部３５に搬送する。次に、基板洗浄部３５が、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃを洗浄する（ステップＳ１０２）。その後、第１基板搬送アーム３１が、基板洗浄部３５から基板Ｗ１を取り出し、インターフェースブロック４の第１バッファ部４１に搬送する。次に、第２基板搬送アーム４３が、第１バッファ部４１から基板Ｗ１を取り出し、第２処理ステーション５の基板保持部５１に搬送する。

上記の処理と並行して、下記の処理が行われる。先ず、搬入出ステーション２の第３フレーム搬送アーム２３が、カセットＣ３からフレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を取り出し、フレーム載置部２５に搬送する。次に、第１処理ステーション３の第１フレーム搬送アーム３２が、フレーム載置部２５からフレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を取り出し、チップ洗浄部３３に搬送する。次に、チップ洗浄部３３が、複数のチップＣＰ１を洗浄する（ステップＳ１０３）。その後、第１フレーム搬送アーム３２が、チップ洗浄部３３からフレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を取り出し、インターフェースブロック４の第２バッファ部４２に搬送する。次に、第２フレーム搬送アーム４４が、第２バッファ部４２からフレームＦＲ１と共に複数のチップＣＰ１を取り出し、第２処理ステーション５のチップ保持部５２に搬送する。

次に、チップ貼合部６が、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃの異なる貼合領域に、複数のチップＣＰ１を貼合する（ステップＳ１０４）。これにより、チップ付き基板ＣＷ１が得られる。その後、第２基板搬送アーム４３が、基板保持部５１からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、第１バッファ部４１に搬送する。次に、第１処理ステーション３の第１基板搬送アーム３１が、第１バッファ部４１からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、検査部３６に搬送する。

次に、検査部３６が、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃの異なる貼合領域に貼合された複数のチップＣＰ１のそれぞれの貼合状態が良好か不良かを検査する（ステップＳ１０５）。検査部３６は、検査結果を制御部９に送信する。制御部９は、不良の有無をチェックする（ステップＳ１０６）。制御部９は、検査部３６による検査結果に応じて、チップ付き基板ＣＷ１の搬送先を、アニール部３８とチップ剥離部３７とに振り分ける制御を行う。

チップＣＰ１の貼合状態に不良が有る場合（ステップＳ１０６、ＮＯ）、チップ付き基板ＣＷ１の搬送先は、チップ剥離部３７になる。第１基板搬送アーム３１が、検査部３６からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、チップ剥離部３７に搬送する。次に、チップ剥離部３７が、貼合状態が不良であったチップＣＰ１を、基板Ｗ１から剥離する（ステップＳ１０７）。その後、第１基板搬送アーム３１が、チップ剥離部３７からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、アニール部３８に搬送する。その後、ステップＳ１０８以降の処理が行われる。

なお、第１基板搬送アーム３１は、チップ剥離部３７からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、チップ貼合部６に搬送してもよい。チップ貼合部６は、チップＣＰ１を剥離した貼合領域に、チップＣＰ１を再度貼合する。その後、ステップＳ１０５以降の処理が再度行われてもよい。

一方、全てのチップＣＰ１の貼合状態に不良が無い場合（ステップＳ１０６、ＹＥＳ）、チップ付き基板ＣＷ１の搬送先は、アニール部３８になる。第１基板搬送アーム３１が、検査部３６からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、アニール部３８に搬送する。次に、アニール部３８が、チップ付き基板ＣＷ１を加熱処理する（ステップＳ１０８）。加熱処理によって、チップＣＰ１と基板Ｗ１の接合強度が向上する。

その後、第１基板搬送アーム３１が、アニール部３８からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、搬入出ステーション２の基板載置部２４に載置する。最後に、搬入出ステーション２の第３基板搬送アーム２２が、基板載置部２４からチップ付き基板ＣＷ１を取り出し、カセットＣ２に収納する。チップ付き基板ＣＷ１は、カセットＣ２に収納された状態で、基板処理装置１から搬出される。

なお、ステップＳ１０４の後、第１処理ステーション３の第１フレーム搬送アーム３２が、チップ貼合部６から使用済みのフレームＦＲ１を取り出し、搬入出ステーション２のフレーム載置部２５に載置する。次に、搬入出ステーション２の第３フレーム搬送アーム２３が、フレーム載置部２５から使用済みのフレームＦＲ１を取り出し、カセットＣ４に収納する。

次に、図４～図７を参照して、チップ剥離部３７の一例について説明する。チップ剥離部３７は、基板Ｗ１に貼合したチップＣＰ１を基板Ｗ１から剥離する。チップ剥離部３７は、例えば、図４に示すように、基板保持部１１０と、第１チップ保持部１２０と、第１チップ移動部１３０と、回収部１４０と、を有する。

基板保持部１１０は、基板Ｗ１をチップＣＰ１とは反対側から保持する。基板保持部１１０は、例えば静電チャックと複数本のリフトピンを含む。静電チャックは、基板Ｗ１を静電吸着する。複数本のリフトピンは、静電チャックの上面から上方に突出すること及び静電チャックの上面よりも下方に引っ込むことで、静電チャックと第１基板搬送アーム３１との間で基板Ｗ１を受け渡す。基板保持部１１０は、静電チャックの代わりに、真空チャックを有してもよい。

基板保持部１１０は、水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）の移動が可能である。基板保持部１１０は、鉛直軸を中心とする回転が可能であってもよい。基板保持部１１０の移動または回転によって、基板Ｗ１の位置を変更できる。基板保持部１１０は、鉛直方向の移動が可能であってもよい。

第１チップ保持部１２０は、チップＣＰ１を基板Ｗ１とは反対側から保持する。第１チップ移動部１３０は、第１チップ保持部１２０を移動させる。第１チップ移動部１３０は、第１チップ保持部１２０を水平方向（Ｘ軸方向及びＹ軸方向の両方向）と鉛直方向（Ｚ軸方向）とに移動させる。第１チップ移動部１３０は、例えば、Ｘ軸方向駆動部１３１とＹ軸方向駆動部１３２とＺ軸方向駆動部１３３とを有する。

第１チップ移動部１３０は、第１チップ保持部１２０を移動させることで、チップＣＰ１を基板Ｗ１から回収部１４０に移し替える。回収部１４０は、基板Ｗ１から剥離したチップＣＰ１を回収する。回収したチップＣＰ１は、再利用されてもよいし、廃棄されてもよい。回収したチップＣＰ１を再利用する場合、チップＣＰ１は回収部１４０からチップキャリア１６０（図１０参照）に更に移し替えられる。なお、チップＣＰ１は、回収部１４０を経由することなく、基板Ｗ１からチップキャリア１６０に移し替えることも可能である。

図５に示すように、第１チップ保持部１２０は、チップＣＰ１に接触する第１感温性粘着テープ１２１を含む。第１感温性粘着テープ１２１は、図７の実線Ｌ１又は破線Ｌ２で示すように温度に応じて粘着力を変える。粘着力は、温度に応じて可逆的に変化する。

チップＣＰ１を基板Ｗ１から剥離する時には、第１感温性粘着テープ１２１の粘着力は、チップＣＰ１と基板Ｗ１の結合力よりも大きい。一方、チップＣＰ１を回収部１４０に渡す時には、第１感温性粘着テープ１２１の粘着力は、第１チップ保持部１２０からチップＣＰ１を分離可能な程度に小さい。

チップＣＰ１を基板Ｗ１から剥離する時と、チップＣＰ１を回収部１４０に渡す時とで、第１感温性粘着テープ１２１の温度が異なる。その温度差は、特に限定されないが、例えば６０℃～１００℃である。温度差が６０℃以上であれば、粘着力の変化が十分に大きい。温度差が１００℃以下であれば、電気の使用量が少なくて済む。

第１感温性粘着テープ１２１の温度を調節することで、第１チップ保持部１２０に対してチップＣＰ１を固定することも、第１チップ保持部１２０からチップＣＰ１を分離することも可能である。よって、チップＣＰ１を基板Ｗ１から回収部１４０に移し替えることができる。

図６に示すように、回収部１４０は、チップＣＰ１に接触する第２感温性粘着テープ１４１を含む。第２感温性粘着テープ１４１は、第１感温性粘着テープ１２１とは反対側からチップＣＰ１に接触する。第１感温性粘着テープ１２１と第２感温性粘着テープ１４１は、一方が加熱によって粘着力を低下するテープであり、他方が加熱によって粘着力を増加するテープである。

例えば、第１感温性粘着テープ１２１が図７の実線Ｌ１で示すように加熱によって粘着力を低下するテープであって、且つ第２感温性粘着テープ１４１が図７の破線Ｌ２で示すように加熱によって粘着力を増加するテープである。加熱によって第２感温性粘着テープ１４１の粘着力が第１感温性粘着テープ１２１の粘着力よりも大きくなる。その後、冷却によって第２感温性粘着テープ１４１の粘着力が第１感温性粘着テープ１２１の粘着力よりも小さくなる。

チップＣＰ１を回収部１４０に渡す時には、第１感温性粘着テープ１２１と第２感温性粘着テープ１４１が加熱され、第２感温性粘着テープ１４１の粘着力が第１感温性粘着テープ１２１の粘着力よりも大きくなる。また、第１感温性粘着テープ１２１の粘着力は、チップＣＰ１を分離可能な程度に小さくなる。それゆえ、第１チップ保持部１２０が回収部１４０にチップＣＰ１を渡すことができる。

その後、第１感温性粘着テープ１２１と第２感温性粘着テープ１４１が冷却される。冷却方法は、自然冷却であるが、強制冷却であってもよい。冷却によって、第１感温性粘着テープ１２１の粘着力は、再びチップＣＰ１と基板Ｗ１の結合力よりも大きくなる。また、冷却によって、第２感温性粘着テープ１４１の粘着力は、チップＣＰ１を分離可能な程度に小さくなる。チップＣＰ１を回収部１４０から取り外すことが容易である。

なお、第１感温性粘着テープ１２１と第２感温性粘着テープ１４１は、逆の感温性を有してもよい。つまり、第１感温性粘着テープ１２１が加熱によって粘着力を増加するテープであって、且つ第２感温性粘着テープ１４１が加熱によって粘着力を低下するテープであってもよい。

チップＣＰ１を回収部１４０に渡す時に、第２感温性粘着テープ１４１の粘着力が第１感温性粘着テープ１２１の粘着力よりも大きくなればよい。また、チップＣＰ１を回収部１４０から取り外す時に、第２感温性粘着テープ１４１の粘着力がチップＣＰ１を分離可能な程度に小さくなればよい。

但し、第２感温性粘着テープ１４１の代わりに、感温性を有しない通常の粘着テープを用いることも可能である。チップＣＰ１を回収部１４０に渡す時に、通常の粘着テープの粘着力が第１感温性粘着テープ１２１の粘着力よりも大きければよい。その後、チップＣＰ１を回収部１４０から取り外す時には、通常の粘着テープの粘着力に逆らってチップＣＰ１を引き剥がせばよい。

回収部１４０は、第１感温性粘着テープ１２１の温度を調節する温調部１４２を含む。回収部１４０が第２感温性粘着テープ１４１を含む場合、温調部１４２は第１感温性粘着テープ１２１の温度だけではなく、第２感温性粘着テープ１４１の温度をも調節する。温調部１４２は、ヒータとクーラーの少なくとも一方を有する。温調部１４２は、ヒータとクーラーを兼用する装置、例えばペルチェ素子を有してもよい。

回収部１４０は、基板Ｗ１から剥離したチップＣＰ１を保管するステージ１４３を有する。ステージ１４３の上面には、第２感温性粘着テープ１４１（又は通常の粘着テープ）が取り付けられる。ステージ１４３の内部には、温調部１４２が設けられる。なお、温調部１４２は、ステージ１４３の外部に設けられてもよい。温調部１４２として、温風を出すヒートガンが用いられてもよい。

なお、回収部１４０は、真空吸着力又は静電吸着力を利用して、チップＣＰ１を第１チップ保持部１２０から受け取ることも可能である。つまり、ステージ１４３が、真空吸着チャック又は静電吸着チャックであってもよい。真空吸着力又は静電吸着力を利用する場合、テープの粘着力を併用してもよいし、併用しなくてもよい。

第１チップ保持部１２０は、第１感温性粘着テープ１２１が取り付けられるテープ取付部１２２と、基板Ｗ１を押さえる基板押さえ部１２３と、基板押さえ部１２３に対してテープ取付部１２２を昇降させる昇降部１２４と、を含む。基板Ｗ１からチップＣＰ１を剥がす際に、チップＣＰ１の周囲を押さえることができる。

テープ取付部１２２は、例えば板状である。テープ取付部１２２の下面は、チップＣＰ１の上面と同程度以上の大きさを有する。テープ取付部１２２の下面に、第１感温性粘着テープ１２１が取り付けられる。

基板押さえ部１２３は、例えば、下方に向けて開放した箱状であって、矩形の天板１２３ａと４枚の側壁１２３ｂとを有する。基板押さえ部１２３は、その内部に、テープ取付部１２２を収容可能である。なお、側壁１２３ｂの数は２つでもよく、天板１２３ａの一対の辺に側壁１２３ｂが設けられてもよい。基板Ｗ１からチップＣＰ１を剥がす際に、チップＣＰ１の周囲を押さえることができればよい。

昇降部１２４は、例えば空気圧シリンダ又は電動シリンダを含む。昇降部１２４は、天板１２３ａの上に固定されるシリンダチューブ１２４ａと、シリンダチューブ１２４ａの内部で昇降するピストン１２４ｂと、ピストン１２４ｂと共に昇降するピストンロッド１２４ｃとを有する。ピストンロッド１２４ｃは、シリンダチューブ１２４ａから下方に突出し、さらに天板１２３ａから下方に突出する。ピストンロッド１２４ｃの下端には、テープ取付部１２２が設けられる。テープ取付部１２２は、ピストンロッド１２４ｃと共に昇降する。

第１チップ保持部１２０は、第１感温性粘着テープ１２１をチップＣＰ１に押し付ける弾性変形部１２５を含む。弾性変形部１２５は、例えばバネを含む。バネの種類は、特に限定されないが、例えばコイルバネである。バネは、例えば、テープ取付部１２２と天板１２３ａとの間に配置され、テープ取付部１２２の上昇に伴い弾性変形する。弾性変形部１２５は、その弾性復元力で第１感温性粘着テープ１２１をチップＣＰ１に押し付ける。

なお、弾性変形部１２５は、無くてもよい。昇降部１２４の駆動力で第１感温性粘着テープ１２１をチップＣＰ１に押し付けることが可能である。

次に、図５及び図６を再度参照して、チップ剥離部３７の動作の一例について説明する。先ず、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、第１チップ移動部１３０が第１チップ保持部１２０（例えば第１チップ保持部１２０の基板押さえ部１２３）を移動させる。このとき、不図示のカメラで剥離対象のチップＣＰ１の位置を確認しながら、第１チップ保持部１２０の位置を調節してもよい。

図５（Ａ）に示すように、テープ取付部１２２が基板押さえ部１２３よりも下方に突出している。それゆえ、第１感温性粘着テープ１２１がチップＣＰ１に当接した後に、図５（Ｂ）に示すように、基板押さえ部１２３が基板Ｗ１に当接する。その間、昇降部１２４はテープ取付部１２２を昇降自在に支持しており、テープ取付部１２２が天板１２３ａに向けて上昇し、弾性変形部１２５が弾性変形する。弾性変形部１２５は、その弾性復元力によって第１感温性粘着テープ１２１をチップＣＰ１に押し付ける。

次に、図５（Ｃ）に示すように、昇降部１２４が基板押さえ部１２３に対してテープ取付部１２２を上昇させ、テープ取付部１２２を基板Ｗ１から離隔させる。この時、第１感温性粘着テープ１２１の温度は、第１感温性粘着テープ１２１の粘着力がチップＣＰ１と基板Ｗ１の結合力よりも大きくなる温度である。それゆえ、チップＣＰ１は、基板Ｗ１から剥離される。チップＣＰ１は、基板Ｗ１と再び接触しないように十分に基板Ｗ１から離隔される。チップＣＰ１を基板Ｗ１から剥離する時、第１感温性粘着テープ１２１の温度はチップ剥離部３７の内部の温度（例えば基板保持部１１０の温度）と同じであってよく、例えば室温であってよい。この場合、チップＣＰ１を基板Ｗ１から剥離する時に、テープ取付部１２２を温調する必要が無い。

次に、図６（Ａ）に示すように、第１チップ移動部１３０が第１チップ保持部１２０を回収部１４０に向けて移動させる。基板押さえ部１２３が回収部１４０に当接し、弾性変形部１２５がその弾性復元力でチップＣＰ１を回収部１４０に押し付ける。その状態で、温調部１４２が第１感温性粘着テープ１２１と第２感温性粘着テープ１４１を加熱する。その結果、第２感温性粘着テープ１４１の粘着力が第１感温性粘着テープ１２１の粘着力よりも大きくなる。また、第１感温性粘着テープ１２１の粘着力は、チップＣＰ１を分離可能な程度に小さくなる。

次に、図６（Ｂ）に示すように、昇降部１２４が基板押さえ部１２３に対してテープ取付部１２２を上昇させ、テープ取付部１２２を回収部１４０のステージ１４３から離隔させる。チップＣＰ１は回収部１４０に固定されており、第１感温性粘着テープ１２１がチップＣＰ１から剥がれる。第１感温性粘着テープ１２１は、チップＣＰ１と再び接触しないように十分にチップＣＰ１から離隔される。

次に、図６（Ｃ）に示すように、第１チップ移動部１３０が第１チップ保持部１２０を回収部１４０から基板Ｗ１に向けて移動させる。その後、図５（Ａ）、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）、図６（Ａ）、図６（Ｂ）、図６（Ｃ）に示す動作が繰り返し行われる。

次に、図８を参照して、第１チップ保持部１２０の第１変形例について説明する。以下、主に相違点について説明する。本変形例の第１チップ保持部１２０は、第１感温性粘着テープ１２１の温度を調節する温調部１２６を含む。これにより、第１チップ保持部１２０が回収部１４０から離れている時にも、第１感温性粘着テープ１２１の温度を調節することができる。

第１チップ保持部１２０はテープ取付部１２２を含み、テープ取付部１２２が温調部１２６を含んでもよい。温調部１２６を第１感温性粘着テープ１２１の近くに配置でき、第１感温性粘着テープ１２１の温度を短時間で所望の温度に調節しやすい。温調部１２６は、例えばセラミックヒータなどを含む。

第１チップ保持部１２０の温調部１２６と回収部１４０の温調部１４２とは組み合わせて用いられてもよいし、いずれか一方のみが用いられてもよい。

次に、図９を参照して、第１チップ保持部１２０の第２変形例について説明する。以下、主に相違点について説明する。本変形例の第１チップ保持部１２０は、押しピン１２７を含む。押しピン１２７は、テープ取付部１２２と第１感温性粘着テープ１２１の両方を貫通する貫通孔に挿通される。押しピン１２７を押し下げ、押しピン１２７を第１感温性粘着テープ１２１の下面から下方に突出させることで、第１感温性粘着テープ１２１からチップＣＰ１を剥離できる。

第１チップ保持部１２０は、第２弾性変形部１２８を有する。第２弾性変形部１２８は、例えばバネを含む。バネの種類は、特に限定されないが、例えばコイルバネである。バネは、例えば、押しピン１２７の上端部に設けたフランジと、テープ取付部１２２との間に配置され、押しピン１２７の押し下げに伴って弾性変形する。押しピン１２７の押し下げ後に、第２弾性変形部１２８は、その弾性復元力で押しピン１２７を元の位置に戻す。

次に、図１０及び図１１を参照して、変形例に係るチップ剥離部３７について説明する。以下、主に相違点について説明する。本変形例のチップ剥離部３７は、回収部１４０の代わりに、キャリア保持部１５０を有する。キャリア保持部１５０は、チップキャリア１６０を保持する。チップキャリア１６０は、基板Ｗ１から剥離したチップＣＰ１の搬送に使用する。

チップキャリア１６０は、テープＴＰ２と、テープＴＰ２の外周を保持するフレームＦＲ２と、を有する。テープＴＰ２は、感温性を有しない通常の粘着テープである。チップＣＰ１は、フレームＦＲ２の開口部においてテープＴＰ２に貼合される。第１フレーム搬送アーム３２は、チップキャリア１６０と共にチップＣＰ１をチップ貼合部６に搬送する。チップ貼合部６は、チップキャリア１６０で搬送したチップＣＰ１を、基板Ｗ１の主面Ｗ１ｃに再度貼合する。

なお、チップキャリア１６０の構成は、特に限定されない。チップキャリア１６０は、静電吸着キャリアなどで構成されてもよい。静電吸着キャリアは、基板Ｗ１と同程度の直径を有する絶縁性基板と、複数のチップＣＰ１をチップＣＰ１ごとに独立に静電吸着する複数の電極と、を有する。この場合、第１基板搬送アーム３１がチップキャリア１６０と共にチップＣＰ１をチップ貼合部６に搬送する。

上方から見たときに、キャリア保持部１５０は、基板保持部１１０と重なる第１位置と、基板保持部１１０を基準として搬送領域３０とは反対側の第２位置との間で移動可能である。図１０において、キャリア保持部１５０は第２位置にある。キャリア保持部１５０が第２位置にある時に、基板保持部１１０と第１基板搬送アーム３１がチップ付き基板ＣＷ１を受け渡す。また、キャリア保持部１５０が第２位置にある時に、第１チップ移動部１３０がチップＣＰ１を基板Ｗ１からチップキャリア１６０に移し替える。

キャリア保持部１５０が第１位置にある時に、キャリア保持部１５０と第１フレーム搬送アーム３２がチップキャリア１６０を受け渡す。キャリア保持部１５０は、第１位置にある時に、基板保持部１１０の上方を塞いでしまう。そこで、上記の通り、キャリア保持部１５０が第２位置にある時に、チップ付き基板ＣＷ１の受け渡しと、基板Ｗ１からチップキャリア１６０へのチップＣＰ１の移し替えが行われる。

但し、キャリア保持部１５０は、基板保持部１１０の上方に積層されてもよい。キャリア保持部１５０が常に基板保持部１１０の上方を塞いでしまうが、キャリア保持部１５０と干渉しないように、チップ付き基板ＣＷ１の受け渡しと、基板Ｗ１からチップキャリア１６０へのチップＣＰ１の移し替えを行うことが可能である。

なお、上記の通り、チップＣＰ１は、基板Ｗ１から回収部１４０に移し替えられた後、回収部１４０からチップキャリア１６０に移し替えられてもよい。この場合、基板Ｗ１から回収部１４０までチップＣＰ１を保持する第１チップ保持部１２０と、回収部１４０からチップキャリア１６０までチップＣＰ１を保持する不図示の第２チップ保持部とが別々に設けられてもよい。

この場合、チップ剥離部３７は、第２チップ保持部を第１チップ保持部１２０とは独立に移動させる第２チップ移動部を有する。第１チップ保持部１２０と第２チップ保持部とを独立に移動することで、チップＣＰ１を効率良く移動できる。第２チップ保持部は、第１チップ保持部１２０と同様に感温性粘着テープを有してもよいが、感温性粘着テープを有しなくてもよく、真空吸着パッド又は静電吸着パッドを有してもよい。第２チップ移動部は、第１チップ移動部１３０と同様に構成される。

以上、本開示に係る基板処理装置、及び基板処理方法の実施形態等について説明したが、本開示は上記実施形態等に限定されない。特許請求の範囲に記載された範疇内において、各種の変更、修正、置換、付加、削除、及び組み合わせが可能である。それらについても当然に本開示の技術的範囲に属する。

１ 基板処理装置
３７ チップ剥離部
１１０ 基板保持部
１２０ 第１チップ保持部
１２１ 第１感温性粘着テープ
１３０ 第１チップ移動部
ＣＰ１ チップ
Ｗ１ 基板

Claims (18)

1. 基板に貼合したチップを前記基板から剥離するチップ剥離部を備え、
   前記チップ剥離部は、前記基板を前記チップとは反対側から保持する基板保持部と、前記チップを前記基板とは反対側から保持する第１チップ保持部と、前記第１チップ保持部を移動させる第１チップ移動部と、を有し、
   前記第１チップ保持部は、前記チップに接触する第１感温性粘着テープを含み、
   前記第１感温性粘着テープは、温度に応じて粘着力を変える、基板処理装置。
2. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープの温度を調節する温調部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープが取り付けられるテープ取付部を含み、
   前記テープ取付部が、前記温調部を含む、請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記チップ剥離部は、前記基板から剥離した前記チップを回収する回収部を有し、
   前記回収部は、前記第１感温性粘着テープの温度を調節する温調部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記チップ剥離部は、前記基板から剥離した前記チップを回収する回収部を有し、
   前記回収部は、前記チップに接触する第２感温性粘着テープを含み、
   前記第１感温性粘着テープと前記第２感温性粘着テープは、一方が加熱によって粘着力を低下するテープであり、他方が加熱によって粘着力を増加するテープである、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
6. 前記チップ剥離部は、前記基板から剥離した前記チップを回収する回収部を有し、
   前記チップ剥離部は、前記基板から剥離した前記チップの搬送に使用するチップキャリアを支持するキャリア保持部と、前記回収部から前記チップキャリアまで前記チップを保持する第２チップ保持部と、前記第２チップ保持部を前記第１チップ保持部とは独立に移動する第２チップ移動部と、を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
7. 前記チップ剥離部は、前記基板から剥離した前記チップを搬送するチップキャリアを支持するキャリア保持部を有し、
   前記第１チップ移動部は、前記第１チップ保持部で保持した前記チップを、前記基板から前記チップキャリアに移し替える、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
8. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープが取り付けられるテープ取付部と、前記基板を押さえる基板押さえ部と、前記基板押さえ部に対して前記テープ取付部を昇降させる昇降部と、を含む、請求項１～４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
9. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープを前記チップに押し付ける弾性変形部を含む、請求項８に記載の基板処理装置。
10. 基板に貼合したチップを前記基板から剥離することを有する、基板処理方法であって、
    前記基板を前記チップとは反対側から基板保持部で保持することと、
    前記チップを前記基板とは反対側から第１チップ保持部で保持することと、
    前記第１チップ保持部を移動させることと、
    を有し、
    前記第１チップ保持部は、前記チップに接触する第１感温性粘着テープを含み、
    前記第１感温性粘着テープは、温度に応じて粘着力を変える、基板処理方法。
11. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープの温度を調節する温調部を含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
12. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープが取り付けられるテープ取付部を含み、
    前記テープ取付部が、前記温調部を含む、請求項１１に記載の基板処理方法。
13. 前記基板から剥離した前記チップを回収部に搬送することを有し、
    前記回収部は、前記第１感温性粘着テープの温度を調節する温調部を含む、請求項１０に記載の基板処理方法。
14. 前記基板から剥離した前記チップを回収部に搬送することを有し、
    前記回収部は、前記チップに接触する第２感温性粘着テープを含み、
    前記第１感温性粘着テープと前記第２感温性粘着テープは、一方が加熱によって粘着力を低下するテープであり、他方が加熱によって粘着力を増加するテープである、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
15. 前記基板から剥離した前記チップの搬送に使用するチップキャリアをキャリア保持部で支持することと、
    前記第１チップ保持部で保持した前記チップを、前記基板から回収部に移し替えることと、
    前記第１チップ保持部とは独立に移動させられる第２チップ保持部で保持した前記チップを、前記回収部から前記チップキャリアに移し替えることと、
    を有する、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
16. 前記基板から剥離した前記チップの搬送に使用するチップキャリアをキャリア保持部で支持することと、
    前記第１チップ保持部で保持した前記チップを、前記基板から前記チップキャリアに移動させることと、
    を有する、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
17. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープが取り付けられるテープ取付部と、前記基板を押さえる基板押さえ部と、前記基板押さえ部に対して前記テープ取付部を昇降させる昇降部と、を含む、請求項１０～１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
18. 前記第１チップ保持部は、前記第１感温性粘着テープを前記チップに押し付ける弾性変形部を含む、請求項１７に記載の基板処理方法。

Images