JP2024010907A - Holding member - Google Patents

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a holding member that can improve the heat uniformity of a surface that holds a target object.

SOLUTION: An electrostatic chuck 1 has a ceramic member 10, a base member 20, a bonding layer 30, and an RTD 41 provided on a bottom surface 12 of the ceramic member 10. The RTD 41 is covered by a filler 42. When viewed from an X-axis or Y-axis direction, a space δ is provided between a filler 42 and a top surface 21 of the base member 20, or between the filler 42 and the bonding layer 30.

SELECTED DRAWING: Figure 2

COPYRIGHT: (C)2024,JPO&INPIT

Description

本開示は、対象物を保持する保持部材に関する。 The present disclosure relates to a holding member that holds an object.

保持部材に関する文献として、特許文献１には、半導体ウエハを保持するセラミックス部材の下面に温度検出部を配置した静電チャックが開示されている。そして、この静電チャックでは、セラミックス部材の下面の凹部内に温度検出部を収容して、凹部の内部に充填剤を充填したうえで、凹部の開口部を蓋で塞いでいる。 As a document related to a holding member, Patent Document 1 discloses an electrostatic chuck in which a temperature detection section is arranged on the lower surface of a ceramic member that holds a semiconductor wafer. In this electrostatic chuck, the temperature detection section is housed in a recess on the lower surface of the ceramic member, the inside of the recess is filled with a filler, and the opening of the recess is closed with a lid.

特開２０１７－１５７６１７号公報Japanese Patent Application Publication No. 2017-157617

特許文献１に開示される静電チャックにおいて、凹部内に充填されている充填剤の充填状況によっては、接合層と接する蓋に対して充填剤が触れている部分と触れていない部分とが存在するおそれがある。そうすると、ベース部材からの熱引き（すなわち、接合層を介してセラミックス部材からベース部材に熱が引かれること）にムラが生じて、セラミックス部材における半導体ウエハを保持する面の均熱性が低下するおそれがある。 In the electrostatic chuck disclosed in Patent Document 1, depending on the filling state of the filler filled in the recess, there are portions where the filler is in contact with the lid that is in contact with the bonding layer and portions where the filler is not. There is a risk of If this happens, there may be unevenness in the heat drawn from the base member (that is, heat drawn from the ceramic member to the base member via the bonding layer), which may reduce the thermal uniformity of the surface of the ceramic member that holds the semiconductor wafer. There is.

そこで、本開示は上記した課題を解決するためになされたものであり、対象物を保持する面の均熱性を向上させることができる保持部材を提供することを目的とする。 Therefore, the present disclosure has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present disclosure is to provide a holding member that can improve the heat uniformity of a surface that holds an object.

上記課題を解決するためになされた本開示の一形態は、対象物を保持する保持部材であって、第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備える第１の板状部材と、第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備える第２の板状部材と、前記第１の板状部材の前記第２の面と前記第２の板状部材の前記第３の面との間に配置され、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材とを接合する接合層と、前記第１の板状部材の前記第２の面に設けられる温度検出部と、を有し、前記温度検出部は、保護部により覆われ、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との配列方向と直交する方向から見たときに、前記保護部と前記第２の板状部材の前記第３の面との間、または、前記保護部と前記接合層との間には、空間が設けられていること、を特徴とする。 One form of the present disclosure made to solve the above problem is a holding member that holds an object, the holding member having a first surface and a second surface provided on the opposite side of the first surface. , a second plate member including a third surface, and a fourth surface provided on the opposite side to the third surface, and the first plate a bonding layer disposed between the second surface of the shaped member and the third surface of the second plate-shaped member, and bonding the first plate-shaped member and the second plate-shaped member; and a temperature detecting section provided on the second surface of the first plate-like member, the temperature detecting section being covered with a protective section and being connected to the first plate-like member and the second surface. When viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction with the plate-like member, there is a gap between the protective part and the third surface of the second plate-like member, or between the protective part and the bonding layer. A feature is that a space is provided in between.

この態様によれば、保護部が第２の板状部材の第３の面や接合層に触れていないので、温度検出部が配置される領域における第２の板状部材からの熱引きのムラの発生を抑制することができる。そのため、対象物を保持する面である第１の板状部材の第１の面において、想定通りの温度分布を得ることができる。したがって、対象物を保持する面における温度分布を別途調整することにより、均熱性を向上させることができる。 According to this aspect, since the protection part does not touch the third surface of the second plate-shaped member or the bonding layer, uneven heat transfer from the second plate-shaped member in the area where the temperature detection part is arranged is prevented. The occurrence of can be suppressed. Therefore, an expected temperature distribution can be obtained on the first surface of the first plate member, which is the surface that holds the object. Therefore, by separately adjusting the temperature distribution on the surface that holds the object, it is possible to improve thermal uniformity.

上記の態様においては、前記第１の板状部材は内部に配線層を備え、前記温度検出部と前記配線層とは、前記第１の板状部材の前記第２の面に設けられるリード線を介して電気的に接続しており、前記第１の板状部材の前記第２の面と、前記温度検出部における前記第１の板状部材側の面とが、接着剤または両面テープにより接着されていること、が好ましい。 In the above aspect, the first plate member includes a wiring layer therein, and the temperature detection section and the wiring layer are connected to lead wires provided on the second surface of the first plate member. The second surface of the first plate-like member and the surface of the temperature detection section on the first plate-like member side are connected to each other by adhesive or double-sided tape. Preferably, it is bonded.

この態様によれば、第１の板状部材の第２の面と、温度検出部における第１の板状部材側の面とを、所望の厚みに調整した接着剤または両面テープで接着させることにより、第１の板状部材の第２の面と温度検出部における第１の板状部材側の面との間の距離を一定にすることができる。そのため、温度検出部が配置される領域における第１の板状部材の第２の面から温度検出部への伝熱が一定になる。したがって、第１の板状部材の第２の面の温度を温度検出部により正確に検出できる。そして、このようにして正確に検出した第１の板状部材の第２の面の温度の検出結果に基づいて、対象物を保持する面である第１の板状部材の第１の面の温度を正確に予想できるので、対象物を保持する面において、より精密に温度分布を別途調整して、均熱性を向上させることができる。 According to this aspect, the second surface of the first plate-like member and the surface of the temperature detection section on the first plate-like member side are adhered with adhesive or double-sided tape adjusted to a desired thickness. Accordingly, the distance between the second surface of the first plate-like member and the surface of the temperature detection section on the first plate-like member side can be made constant. Therefore, heat transfer from the second surface of the first plate member to the temperature detection section in the region where the temperature detection section is arranged becomes constant. Therefore, the temperature of the second surface of the first plate member can be accurately detected by the temperature detection section. Based on the thus accurately detected temperature of the second surface of the first plate member, the temperature of the first surface of the first plate member, which is the surface that holds the object, is determined. Since the temperature can be predicted accurately, it is possible to separately adjust the temperature distribution more precisely on the surface holding the object, thereby improving heat uniformity.

上記の態様においては、前記第１の板状部材は内部に配線層を備え、前記温度検出部と前記配線層とは、前記第１の板状部材の内部に設けられた導電部を介して電気的に接続し、前記導電部は、前記温度検出部における前記第１の板状部材側の面と電気的に接続し、前記第１の板状部材の前記第２の面と、前記温度検出部における前記第１の板状部材側の面とが、半田または導電性接着剤により接着されていること、が好ましい。 In the above aspect, the first plate-like member includes a wiring layer therein, and the temperature detection section and the wiring layer are connected to each other via a conductive part provided inside the first plate-like member. electrically connected, the conductive part is electrically connected to a surface of the temperature detection part on the first plate-like member side, and the conductive part is electrically connected to the second surface of the first plate-like member and the temperature It is preferable that the surface of the detection section on the first plate-like member side is bonded to the surface of the detection section using solder or a conductive adhesive.

この態様によれば、第１の板状部材の第２の面と、温度検出部における第１の板状部材側の面とを、所望の厚みに調整した半田または導電性接着剤で接着させることにより、温度検出部と第１の板状部材の内部の配線層とを確実に導電部を介して電気的に接続できる。また、第１の板状部材の第２の面と温度検出部における第１の板状部材側の面との間の距離を一定にすることができる。そのため、温度検出部が配置される領域における第１の板状部材の第２の面から温度検出部への伝熱が一定になる。したがって、第１の板状部材の第２の面の温度を温度検出部により正確に検出できる。そして、このようにして正確に検出した第１の板状部材の第２の面の温度の検出結果に基づいて、対象物を保持する面である第１の板状部材の第１の面の温度を正確に予想できるので、対象物を保持する面において、より精密に温度分布を別途調整して、均熱性を向上させることができる。 According to this aspect, the second surface of the first plate-like member and the surface of the temperature detection section on the first plate-like member side are bonded together with solder or conductive adhesive adjusted to a desired thickness. Thereby, the temperature detection section and the wiring layer inside the first plate member can be reliably electrically connected via the conductive section. Moreover, the distance between the second surface of the first plate-like member and the surface of the temperature detection section on the first plate-like member side can be made constant. Therefore, heat transfer from the second surface of the first plate member to the temperature detection section in the region where the temperature detection section is arranged becomes constant. Therefore, the temperature of the second surface of the first plate member can be accurately detected by the temperature detection section. Based on the thus accurately detected temperature of the second surface of the first plate member, the temperature of the first surface of the first plate member, which is the surface that holds the object, is determined. Since the temperature can be predicted accurately, it is possible to separately adjust the temperature distribution more precisely on the surface holding the object, thereby improving heat uniformity.

上記の態様においては、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との配列方向から見たときに、前記接合層は、前記保護部に重なる領域に形成されていないこと、が好ましい。 In the above aspect, it is preferable that the bonding layer is not formed in a region overlapping with the protective portion when viewed from the arrangement direction of the first plate-like member and the second plate-like member. preferable.

この態様によれば、保護部に対して第２の板状部材側に接合層が存在せず、保護部と第２の板状部材の第３の面とが空間を空けて対向している。そのため、より確実に、保護部が第２の板状部材の第３の面や接合層に触れないようにすることができる。したがって、より確実に、温度検出部が配置される領域における第２の板状部材からの熱引きのムラの発生を抑制することができる。 According to this aspect, there is no bonding layer on the second plate-like member side with respect to the protective part, and the protective part and the third surface of the second plate-like member face each other with a space in between. . Therefore, it is possible to more reliably prevent the protective portion from touching the third surface of the second plate member or the bonding layer. Therefore, it is possible to more reliably suppress the occurrence of uneven heat removal from the second plate member in the region where the temperature detection section is arranged.

本開示の保持部材によれば、対象物を保持する面の均熱性を向上させることができる。 According to the holding member of the present disclosure, it is possible to improve the thermal uniformity of the surface that holds the object.

本実施形態の静電チャックの概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view of an electrostatic chuck according to the present embodiment. 第１実施例において、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見たときのＲＴＤとその周辺の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the RTD and its surroundings when viewed from the X-axis direction and the Y-axis direction in the first embodiment. Ｚ軸方向から見たときに、接合層が充填剤に重なる領域に形成されていないことを示すイメージ図である。FIG. 7 is an image diagram showing that the bonding layer is not formed in a region overlapping the filler when viewed from the Z-axis direction. 第１実施例の変形例において、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見たときのＲＴＤとその周辺の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the RTD and its surroundings when viewed from the X-axis direction and the Y-axis direction in a modification of the first embodiment. 第２実施例において、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見たときのＲＴＤとその周辺の断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view of the RTD and its surroundings when viewed from the X-axis direction and the Y-axis direction in the second embodiment. 従来、充填剤が接合層に触れていたことを示す図である。It is a figure which shows that the filler conventionally touched the bonding layer. 従来、セラミックス部材の下面とＲＴＤの上面との間の距離がばらつくことを示す図である。FIG. 3 is a diagram showing that conventionally, the distance between the lower surface of a ceramic member and the upper surface of an RTD varies.

本開示の保持部材の実施形態について説明する。本実施形態では、保持部材として静電チャック１を例示して説明する。 An embodiment of the holding member of the present disclosure will be described. In this embodiment, an electrostatic chuck 1 will be described as an example of the holding member.

＜静電チャックの全体説明＞
本実施形態の静電チャック１は、半導体ウエハＷを静電引力により吸着して保持する装置であり、例えば、半導体製造装置の真空チャンバ内で半導体ウエハＷを固定するために使用される。なお、半導体ウエハＷは、本開示の「対象物」の一例である。 <Overall explanation of electrostatic chuck>
The electrostatic chuck 1 of this embodiment is a device that attracts and holds a semiconductor wafer W by electrostatic attraction, and is used, for example, to fix the semiconductor wafer W in a vacuum chamber of a semiconductor manufacturing apparatus. Note that the semiconductor wafer W is an example of the "object" of the present disclosure.

図１に示すように、静電チャック１は、セラミックス部材１０と、ベース部材２０と、セラミックス部材１０とベース部材２０とを接合する接合層３０とを有する。なお、セラミックス部材１０は本開示の「第１の板状部材」の一例であり、ベース部材２０は本開示の「第２の板状部材」の一例である。 As shown in FIG. 1, the electrostatic chuck 1 includes a ceramic member 10, a base member 20, and a bonding layer 30 that bonds the ceramic member 10 and the base member 20. Note that the ceramic member 10 is an example of the "first plate member" of the present disclosure, and the base member 20 is an example of the "second plate member" of the present disclosure.

なお、以下の説明においては、説明の便宜上、図１に示すようにＸＹＺ軸を定義する。ここで、Ｚ軸は、静電チャック１の中心軸方向（図１において上下方向）の軸であり、Ｘ軸とＹ軸は、静電チャック１の径方向の軸である。すなわち、Ｚ軸方向はセラミックス部材１０とベース部材２０との配列方向であり、Ｘ軸方向とＹ軸方向はセラミックス部材１０とベース部材２０との配列方向と直交する方向である。 In the following description, for convenience of explanation, XYZ axes are defined as shown in FIG. 1. Here, the Z axis is an axis in the central axis direction of the electrostatic chuck 1 (in the vertical direction in FIG. 1), and the X axis and the Y axis are axes in the radial direction of the electrostatic chuck 1. That is, the Z-axis direction is the direction in which the ceramic member 10 and the base member 20 are arranged, and the X-axis direction and the Y-axis direction are directions perpendicular to the direction in which the ceramic member 10 and the base member 20 are arranged.

セラミックス部材１０は、図１に示すように、板状、詳しくは、円盤状の部材であり、セラミックス（セラミックス基板）により形成されている。 As shown in FIG. 1, the ceramic member 10 is a plate-shaped, more specifically, a disc-shaped member, and is formed of ceramics (ceramic substrate).

セラミックスとしては、様々なセラミックスが用いられるが、強度や耐摩耗性、耐プラズマ性等の観点から、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ、Ａｌ_２Ｏ_３）または窒化アルミニウム（ＡｌＮ）を主成分とするセラミックスが用いられることが好ましい。なお、ここでいう主成分とは、含有割合の最も多い成分（例えば、体積含有率が９０ｖｏｌ％以上の成分）を意味する。 Various ceramics are used as ceramics, but from the viewpoint of strength, wear resistance, plasma resistance, etc., for example, ceramics whose main component is aluminum oxide (alumina, Al ₂ O ₃ ) or aluminum nitride (AlN) are preferred. is preferably used. In addition, the main component here means the component with the largest content ratio (for example, the component with a volume content of 90 vol% or more).

図１に示すように、セラミックス部材１０は、半導体ウエハＷを保持する保持面１１（上面）と、セラミックス部材１０の厚み方向（すなわち、Ｚ軸方向）について保持面１１とは反対側に設けられる下面１２とを備えている。なお、保持面１１は本開示の「第１の面」の一例であり、下面１２は本開示の「第２の面」の一例である。 As shown in FIG. 1, the ceramic member 10 is provided with a holding surface 11 (upper surface) that holds the semiconductor wafer W and a side opposite to the holding surface 11 in the thickness direction (i.e., Z-axis direction) of the ceramic member 10. A lower surface 12 is provided. Note that the holding surface 11 is an example of the "first surface" of the present disclosure, and the lower surface 12 is an example of the "second surface" of the present disclosure.

また、セラミックス部材１０の直径は、例えば１８０～４００ｍｍ程度である。セラミックス部材１０の厚さは、例えば２～６ｍｍ程度である。なお、セラミックス部材１０の熱伝導率は、１０～５０Ｗ／ｍＫ（より好ましくは、１８～３０Ｗ／ｍＫ）の範囲内が望ましい。 Further, the diameter of the ceramic member 10 is, for example, about 180 to 400 mm. The thickness of the ceramic member 10 is, for example, about 2 to 6 mm. The thermal conductivity of the ceramic member 10 is preferably within the range of 10 to 50 W/mK (more preferably 18 to 30 W/mK).

また、セラミックス部材１０は、その内部に不図示のチャック電極（吸着電極）を備えている。このチャック電極に図示しない電源から電圧が印加されることによって、チャック電極に静電引力が発生し、この静電引力によって半導体ウエハＷが保持面１１に吸着されて保持される。 Further, the ceramic member 10 includes a chuck electrode (adsorption electrode) not shown inside. By applying a voltage to this chuck electrode from a power supply (not shown), electrostatic attraction is generated in the chuck electrode, and the semiconductor wafer W is attracted to and held by the holding surface 11 by this electrostatic attraction.

また、セラミックス部材１０は、その内部にヒータ（不図示）を備えている。 Further, the ceramic member 10 includes a heater (not shown) inside thereof.

また、セラミックス部材１０は、図２などに示すように、その下面１２にて、測温抵抗体であるＲＴＤ４１を備えている。ＲＴＤ４１は、下面１２に形成される凹部１３の内部に収容されており、充填剤４２により覆われるようにして下面１２に固定されている。この充填剤４２の材料は、例えば、シリコーン系やエポキシ系、アクリル系などである。 Further, as shown in FIG. 2 and the like, the ceramic member 10 is provided with an RTD 41, which is a temperature-measuring resistor, on its lower surface 12. The RTD 41 is housed inside the recess 13 formed in the lower surface 12 and is fixed to the lower surface 12 so as to be covered with the filler 42 . The material of this filler 42 is, for example, silicone-based, epoxy-based, acrylic-based, or the like.

なお、ＲＴＤ４１は、複数設けられている。例えば、ＲＴＤ４１は、セラミックス部材１０の下面１２にて均等に分けられた複数のゾーンのそれぞれに１個ずつ設けられている。また、ＲＴＤ４１は本開示の「温度検出部」の一例であり、充填剤４２は本開示の「保護部」の一例である。 Note that a plurality of RTDs 41 are provided. For example, one RTD 41 is provided in each of a plurality of zones equally divided on the lower surface 12 of the ceramic member 10. Further, the RTD 41 is an example of the "temperature detection section" of the present disclosure, and the filler 42 is an example of the "protection section" of the present disclosure.

ベース部材２０は、セラミックス部材１０に対し保持面１１側とは反対側に配置されている。このベース部材２０は、例えば円柱状に形成されている。また、ベース部材２０は、例えば金属（例えば、アルミニウムやアルミニウム合金等）により形成されているが、金属以外であってもよい。 The base member 20 is arranged on the side opposite to the holding surface 11 side with respect to the ceramic member 10. This base member 20 is formed, for example, in a cylindrical shape. Furthermore, although the base member 20 is formed of, for example, metal (for example, aluminum, aluminum alloy, etc.), it may be made of other than metal.

そして、ベース部材２０は、図１に示すように、上面２１と、Ｚ軸方向にて上面２１とは反対側に設けられる下面２２と、を備えている。そして、ベース部材２０の上面２１は、セラミックス部材１０の下面１２と、接合層３０を介して、熱的に接続されている。また、ベース部材２０は、冷却水が流れる冷却流路２３を備えている。なお、上面２１は本開示の「第３の面」の一例であり、下面２２は本開示の「第４の面」の一例である。 As shown in FIG. 1, the base member 20 includes an upper surface 21 and a lower surface 22 provided on the opposite side of the upper surface 21 in the Z-axis direction. The upper surface 21 of the base member 20 is thermally connected to the lower surface 12 of the ceramic member 10 via the bonding layer 30. The base member 20 also includes a cooling channel 23 through which cooling water flows. Note that the upper surface 21 is an example of the "third surface" of the present disclosure, and the lower surface 22 is an example of the "fourth surface" of the present disclosure.

ベース部材２０の直径は、例えば１８０～４００ｍｍ程度である。また、ベース部材２０の厚さ（Ｚ軸方向の寸法）は、例えば２０～５０ｍｍ程度である。なお、ベース部材２０（アルミニウムを想定）の熱伝導率は、１６０～２５０Ｗ／ｍＫ（好ましくは、２３０Ｗ／ｍＫ程度）の範囲内が望ましい。 The diameter of the base member 20 is, for example, about 180 to 400 mm. Further, the thickness (dimension in the Z-axis direction) of the base member 20 is, for example, about 20 to 50 mm. Note that the thermal conductivity of the base member 20 (assumed to be made of aluminum) is preferably within the range of 160 to 250 W/mK (preferably about 230 W/mK).

接合層３０は、セラミックス部材１０の下面１２とベース部材２０の上面２１との間に配置され、セラミックス部材１０とベース部材２０とを熱伝達可能に接合する。このようにして、セラミックス部材１０の下面１２と、ベース部材２０の上面２１とが、熱的に接続されている。 The bonding layer 30 is disposed between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 21 of the base member 20, and bonds the ceramic member 10 and the base member 20 in a heat transferable manner. In this way, the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 21 of the base member 20 are thermally connected.

この接合層３０は、熱伝導性を有するフィラーを含む樹脂（シリコーン系樹脂やアクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等）の接着材により構成されている。なお、接合層３０の厚さ（Ｚ軸方向の寸法）は、例えば０．１～１．５ｍｍ程度である。また、接合層３０の熱伝導率は、例えば１．０Ｗ／ｍＫである。なお、接合層３０（シリコーン系樹脂を想定）の熱伝導率は、０．１～２．０Ｗ／ｍＫ（好ましくは、０．５～１．５Ｗ／ｍＫ）の範囲内が望ましい。 The bonding layer 30 is made of a resin adhesive (silicone resin, acrylic resin, epoxy resin, etc.) containing a thermally conductive filler. Note that the thickness (dimension in the Z-axis direction) of the bonding layer 30 is, for example, about 0.1 to 1.5 mm. Further, the thermal conductivity of the bonding layer 30 is, for example, 1.0 W/mK. Note that the thermal conductivity of the bonding layer 30 (assumed to be silicone resin) is desirably within the range of 0.1 to 2.0 W/mK (preferably 0.5 to 1.5 W/mK).

以上のような静電チャック１においては、ベース部材２０に備わる冷却流路２３に冷却水を流すことにより、ベース部材２０が冷却され、これにより、接合層３０を介してセラミックス部材１０からベース部材２０に熱が引かれて、すなわち、ベース部材２０からの熱引きが行われて、セラミックス部材１０が冷却される。そして、セラミックス部材１０が冷却されることにより、保持面１１に保持される半導体ウエハＷを冷却したり、保持面１１の温度分布を調整できる。 In the electrostatic chuck 1 as described above, the base member 20 is cooled by flowing cooling water through the cooling channel 23 provided in the base member 20, and as a result, the base member 20 is cooled from the ceramic member 10 via the bonding layer 30. Heat is drawn to the base member 20, that is, heat is drawn from the base member 20, and the ceramic member 10 is cooled. By cooling the ceramic member 10, the semiconductor wafer W held on the holding surface 11 can be cooled and the temperature distribution on the holding surface 11 can be adjusted.

そして、本実施形態では、セラミックス部材１０の下面１２の温度をＲＴＤ４１により検出し、その検出結果に基づいて、セラミックス部材１０の保持面１１の温度を予想し、セラミックス部材１０の保持面１１において、温度分布を調整して、均熱性を維持している。 In this embodiment, the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10 is detected by the RTD 41, the temperature of the holding surface 11 of the ceramic member 10 is predicted based on the detection result, and the temperature of the holding surface 11 of the ceramic member 10 is predicted. Temperature distribution is adjusted to maintain uniformity of heat.

＜ＲＴＤとその周辺について＞
ＲＴＤ４１は、充填剤４２に覆われるようにしてセラミックス部材１０の下面１２に固定されている。従来、図６に示すように充填剤４２が接合層３０に触れている場合に、充填剤４２の部位によって接合層３０に触れていたり触れていなかったりすることで、ＲＴＤ４１が配置される領域におけるベース部材２０からの熱引きにムラが生じていた。そのため、セラミックス部材１０の保持面１１において想定通りの温度分布を得ることができず、保持面１１の均熱性が低下するおそれがあった。 <About RTD and its surroundings>
The RTD 41 is fixed to the lower surface 12 of the ceramic member 10 so as to be covered with a filler 42 . Conventionally, when the filler 42 is in contact with the bonding layer 30 as shown in FIG. 6, depending on the part of the filler 42, it is touching or not touching the bonding layer 30, so that the area where the RTD 41 is arranged is There was unevenness in heat removal from the base member 20. Therefore, an expected temperature distribution could not be obtained on the holding surface 11 of the ceramic member 10, and there was a possibility that the thermal uniformity of the holding surface 11 would deteriorate.

また、ＲＴＤ４１を充填剤４２によりセラミックス部材１０の下面１２に固定するときに、従来、図７に示すようにセラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との間の距離は特に管理されていなかった。そのため、セラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との間の距離について、図６と図７に示すように複数のＲＴＤ４１においてバラツキが生じたり、１つのＲＴＤ４１においてその部位によってバラツキが生じたりしていた。 Furthermore, when fixing the RTD 41 to the lower surface 12 of the ceramic member 10 with the filler 42, conventionally, as shown in FIG. 7, the distance between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 has not been particularly controlled. Ta. Therefore, the distance between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 may vary among a plurality of RTDs 41 as shown in FIGS. 6 and 7, or may vary depending on the location within one RTD 41. was.

そして、このようにセラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１との間の距離が一定ではなかったので、ヒータなどを備えるセラミックス部材１０の下面１２からＲＴＤ４１への伝熱にムラが生じていた。そのため、ＲＴＤ４１によりセラミックス部材１０の下面１２の正確な温度を測定できず、セラミックス部材１０の下面１２の温度の信頼性が低かった。したがって、セラミックス部材１０の保持面１１の正確な温度が予測できないので、セラミックス部材１０の保持面１１において想定通りの温度分布を得ることができず、保持面１１の均熱性が低下していた。 Since the distance between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the RTD 41 was not constant in this way, heat transfer from the lower surface 12 of the ceramic member 10 including the heater etc. to the RTD 41 was uneven. Therefore, the RTD 41 could not accurately measure the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10, and the reliability of the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10 was low. Therefore, since the accurate temperature of the holding surface 11 of the ceramic member 10 cannot be predicted, an expected temperature distribution cannot be obtained on the holding surface 11 of the ceramic member 10, and the thermal uniformity of the holding surface 11 has deteriorated.

そこで、本実施形態では、以下の実施例のようにして、セラミックス部材１０の保持面１１の均熱性を向上させるようにする。 Therefore, in this embodiment, the heat uniformity of the holding surface 11 of the ceramic member 10 is improved as shown in the following example.

（第1実施例）
まず、第１実施例について説明する。本実施例では、図２に示すように、セラミックス部材１０は、その内部に配線層４３を備えている。この配線層４３は、例えば不図示の端子部などに接続する。そして、ＲＴＤ４１と配線層４３とは、セラミックス部材１０の下面１２に設けられるリード線４４および電極パッド４５と、セラミックス部材１０の内部に設けられるビア４６とを介して、電気的に接続している。 (1st example)
First, a first example will be described. In this embodiment, as shown in FIG. 2, the ceramic member 10 includes a wiring layer 43 therein. This wiring layer 43 is connected to, for example, a terminal portion (not shown). The RTD 41 and the wiring layer 43 are electrically connected via lead wires 44 and electrode pads 45 provided on the lower surface 12 of the ceramic member 10 and vias 46 provided inside the ceramic member 10. .

そして、本実施例では、図２に示すように、充填剤４２とリード線４４とが設けられる範囲における接合層３０がカットされている。そして、これにより、図３に示すように、静電チャック１をＺ軸方向から見たときに、接合層３０は、充填剤４２に重ならない領域には形成されているが、充填剤４２に重なる領域には形成されていない。 In this embodiment, as shown in FIG. 2, the bonding layer 30 is cut in the area where the filler 42 and the lead wire 44 are provided. As a result, as shown in FIG. 3, when the electrostatic chuck 1 is viewed from the Z-axis direction, the bonding layer 30 is formed in a region that does not overlap with the filler 42, but it overlaps with the filler 42. They are not formed in overlapping areas.

なお、図２に示すように、接合層３０のカットされた部分の端部３０ａは、セラミックス部材１０の凹部１３の側面１３ａと面一でなくてもよい。例えば、接合層３０のカットされた部分の端部３０ａの位置は、セラミックス部材１０の凹部１３の側面１３ａの位置よりも、図２の左側に移動した位置としてもよい。ただし、接合層３０のカットされた部分の端部３０ａの位置がセラミックス部材１０の凹部１３の側面１３ａの位置よりも図２の左側に移動させる距離は、接合層３０をカットすることによってベース部材２０からの熱引きの能力に影響を及ぼさないような大きさ（例えば、０．０５ｍｍ～１．００ｍｍ）とする。 Note that, as shown in FIG. 2, the end portion 30a of the cut portion of the bonding layer 30 does not have to be flush with the side surface 13a of the recess 13 of the ceramic member 10. For example, the position of the end 30a of the cut portion of the bonding layer 30 may be moved to the left in FIG. 2 from the position of the side surface 13a of the recess 13 of the ceramic member 10. However, by cutting the bonding layer 30, the distance by which the position of the end 30a of the cut portion of the bonding layer 30 is moved to the left side in FIG. The size should be such that it does not affect the ability to remove heat from 20 mm (for example, 0.05 mm to 1.00 mm).

このようにして、接合層３０をカットすることにより、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見たときに、充填剤４２とベース部材２０の上面２１との間に空間δを設けている。これにより、充填剤４２がベース部材２０や接合層３０に触れていないので、ＲＴＤ４１が配置される領域におけるベース部材２０からの熱引きのムラの発生を抑制することができる。そのため、セラミックス部材１０の保持面１１において想定通りの温度分布を得ることができる。したがって、保持面１１における温度分布を別途調整することにより、均熱性を向上させることができる。なお、空間δにおける充填剤４２の下端とベース部材２０の上面２１との間の距離は、例えば、０．１ｍｍ以上、かつ５．０ｍｍ以下である。 By cutting the bonding layer 30 in this manner, a space δ is provided between the filler 42 and the upper surface 21 of the base member 20 when viewed from the X-axis direction or the Y-axis direction. Thereby, since the filler 42 does not touch the base member 20 or the bonding layer 30, it is possible to suppress the occurrence of uneven heat removal from the base member 20 in the region where the RTD 41 is arranged. Therefore, an expected temperature distribution can be obtained on the holding surface 11 of the ceramic member 10. Therefore, by separately adjusting the temperature distribution on the holding surface 11, thermal uniformity can be improved. Note that the distance between the lower end of the filler 42 and the upper surface 21 of the base member 20 in the space δ is, for example, 0.1 mm or more and 5.0 mm or less.

また、セラミックス部材１０の下面１２と、ＲＴＤ４１におけるセラミックス部材１０側の上面４７とが、接着部４８により接着されている。この接着部４８は、接着剤、または、両面テープ（充填剤４２との組み合わせでもよい）により形成されており、その厚みが全体に亘って一定になるように調整されている。例えば、接着部４８の厚みは、０．０１ｍｍ～１．０ｍｍである。また、接着剤の材料は、例えば、シリコーン系やエポキシ系、アクリル系などである。さらに、両面テープの材質は、例えば、シリコーン系やアクリル系などである。 Furthermore, the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 on the side of the ceramic member 10 are bonded together by an adhesive portion 48 . The adhesive portion 48 is formed of adhesive or double-sided tape (which may be combined with the filler 42), and is adjusted to have a constant thickness throughout. For example, the thickness of the adhesive portion 48 is 0.01 mm to 1.0 mm. Further, the adhesive material is, for example, silicone-based, epoxy-based, acrylic-based, or the like. Furthermore, the material of the double-sided tape is, for example, silicone-based or acrylic-based.

これにより、セラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との距離を、接着部４８の全体に亘って一定にすることができる。そのため、ＲＴＤ４１が配置される領域におけるセラミックス部材１０の下面１２からＲＴＤ４１への伝熱が一定になるので、ＲＴＤ４１の測定温度の信頼性が向上する。 Thereby, the distance between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 can be made constant over the entire adhesive portion 48. Therefore, the heat transfer from the lower surface 12 of the ceramic member 10 to the RTD 41 in the region where the RTD 41 is arranged becomes constant, so that the reliability of the measured temperature of the RTD 41 is improved.

また、特に、接着部４８を両面テープにより形成すれば、両面テープの厚みを調整することで容易にセラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との距離を接着部４８の全体に亘って一定にすることができる。 In particular, if the adhesive part 48 is formed with double-sided tape, the distance between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 can be easily kept constant over the entire adhesive part 48 by adjusting the thickness of the double-sided tape. It can be done.

なお、変形例として、図４に示すように、充填剤４２とリード線４４の範囲における接合層３０をカットしないで、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見たときに、充填剤４２と接合層３０との間に空間δを設けてもよい。また、その他の変形として、接合層３０は、充填剤４２が設けられる範囲のみカットされていてもよい。 In addition, as a modification example, as shown in FIG. 4, without cutting the bonding layer 30 in the range of the filler 42 and the lead wire 44, the filler 42 and the bonding layer 30 are not cut when viewed from the X-axis direction or the Y-axis direction. A space δ may be provided between the 30 and 30. In addition, as another modification, the bonding layer 30 may be cut only in the area where the filler 42 is provided.

本実施例では、Ｘ軸方向やＹ軸方向から見たときに、充填剤４２とベース部材２０の上面２１との間、または、充填剤４２と接合層３０との間には、空間δが設けられている。 In this embodiment, when viewed from the X-axis direction or the Y-axis direction, there is a space δ between the filler 42 and the upper surface 21 of the base member 20 or between the filler 42 and the bonding layer 30. It is provided.

このようにして、充填剤４２がベース部材２０の上面２１や接合層３０に触れていないので、ＲＴＤ４１が配置される領域におけるベース部材２０からの熱引きのムラの発生を抑制することができる。そのため、セラミックス部材１０の保持面１１において、想定通りの温度分布を得ることができる。したがって、保持面１１における温度分布を別途調整することにより、均熱性を向上させることができる。 In this way, since the filler 42 does not touch the upper surface 21 of the base member 20 or the bonding layer 30, it is possible to suppress the occurrence of uneven heat removal from the base member 20 in the region where the RTD 41 is arranged. Therefore, an expected temperature distribution can be obtained on the holding surface 11 of the ceramic member 10. Therefore, by separately adjusting the temperature distribution on the holding surface 11, thermal uniformity can be improved.

また、セラミックス部材１０の下面１２と、ＲＴＤ４１の上面４７とが、接着剤または両面テープ（すなわち、接着部４８）により接着されている。 Further, the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 are bonded together with an adhesive or double-sided tape (namely, the adhesive portion 48).

これにより、セラミックス部材１０の下面１２と、ＲＴＤ４１の上面４７とを、所望の厚みに調整した接着剤または両面テープで接着させることにより、セラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との間の距離を一定にすることができる。すなわち、セラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との間の距離について、複数のＲＴＤ４１においてバラツキが生じ難くなり、また、１つのＲＴＤ４１においてその部位によってバラツキが生じ難くなる。そのため、ＲＴＤ４１が配置される領域におけるセラミックス部材１０の下面１２からＲＴＤ４１への伝熱が一定になる。したがって、セラミックス部材１０の下面１２の温度をＲＴＤ４１により正確に検出できる。そして、このようにして正確に検出したセラミックス部材１０の下面１２の温度の検出結果に基づいて、セラミックス部材１０の保持面１１の温度を正確に予想できるので、保持面１１において、より精密に温度分布を別途調整して、均熱性を向上させることができる。 Thereby, by bonding the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 with an adhesive or double-sided tape adjusted to a desired thickness, the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 are bonded together. The distance can be kept constant. That is, the distance between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 is less likely to vary among the plurality of RTDs 41, and also less likely to vary depending on the location in one RTD 41. Therefore, heat transfer from the lower surface 12 of the ceramic member 10 to the RTD 41 in the region where the RTD 41 is arranged becomes constant. Therefore, the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10 can be accurately detected by the RTD 41. Since the temperature of the holding surface 11 of the ceramic member 10 can be accurately predicted based on the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10 accurately detected in this way, the temperature of the holding surface 11 can be more precisely determined. The distribution can be adjusted separately to improve thermal uniformity.

また、充填剤４２とリード線４４が設けられる範囲における接合層３０をカットしており、図３に示すように、Ｚ軸方向から見たときに、接合層３０は、充填剤４２に重なる領域に形成されていない。 Furthermore, the bonding layer 30 is cut in the area where the filler 42 and the lead wire 44 are provided, and as shown in FIG. is not formed.

このようにして、充填剤４２に対してベース部材２０側に接合層３０が存在せず、充填剤４２とベース部材２０の上面２１とが空間δを空けて対向している。そのため、より確実に、充填剤４２がベース部材２０の上面２１や接合層３０に触れないようにすることができる。したがって、より確実に、ＲＴＤ４１が配置される領域におけるベース部材２０からの熱引きのムラの発生を抑制することができる。 In this way, the bonding layer 30 does not exist on the side of the base member 20 with respect to the filler 42, and the filler 42 and the upper surface 21 of the base member 20 face each other with a space δ in between. Therefore, it is possible to more reliably prevent the filler 42 from touching the upper surface 21 of the base member 20 or the bonding layer 30. Therefore, it is possible to more reliably suppress the occurrence of uneven heat removal from the base member 20 in the region where the RTD 41 is arranged.

（第２実施例）
次に、第２実施例について説明するが、第１実施例と異なる点を説明する。 (Second example)
Next, a second embodiment will be described, and differences from the first embodiment will be explained.

本実施例では、図５に示すように、リード線４４が設けられておらず、ＲＴＤ４１と配線層４３とは、ビア４９を介して電気的に接続している。このビア４９は、セラミックス部材１０の内部に設けられ、ＲＴＤ４１の上面４７と配線層４３とに接続している。なお、ビア４９は、本開示の「導電部」の一例である。 In this embodiment, as shown in FIG. 5, lead wires 44 are not provided, and RTD 41 and wiring layer 43 are electrically connected through vias 49. The via 49 is provided inside the ceramic member 10 and is connected to the upper surface 47 of the RTD 41 and the wiring layer 43. Note that the via 49 is an example of a "conductive part" in the present disclosure.

そして、セラミックス部材１０の下面１２と、ＲＴＤ４１の上面４７とが、導電性接着部５１により接着されている。この導電性接着部５１は、半田または導電性接着剤により形成されている。これにより、ＲＴＤ４１の上面４７とビア４９とは、半田または導電性接着剤を介して電気的に接続している。なお、例えば、導電性接着部５１の厚みは、０．０１ｍｍ～１．０ｍｍである。また、導電性接着剤は、例えば、銀やニッケル、金などの導電性フィラーを含んだエポキシ系やシリコーン系、アクリル系樹脂接着剤である。 The lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 are bonded together by a conductive adhesive portion 51. This conductive adhesive portion 51 is formed of solder or conductive adhesive. Thereby, the upper surface 47 of the RTD 41 and the via 49 are electrically connected via solder or conductive adhesive. Note that, for example, the thickness of the conductive adhesive portion 51 is 0.01 mm to 1.0 mm. Further, the conductive adhesive is, for example, an epoxy, silicone, or acrylic resin adhesive containing a conductive filler such as silver, nickel, or gold.

本実施例によれば、セラミックス部材１０の下面１２と、ＲＴＤ４１の上面４７とが、半田または導電性接着剤により接着されている。 According to this embodiment, the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 are bonded together using solder or a conductive adhesive.

このようにして、セラミックス部材１０の下面１２と、ＲＴＤ４１の上面４７とを、所望の厚みに調整した半田または導電性接着剤で接着させることにより、ＲＴＤ４１とセラミックス部材１０の内部の配線層４３とを確実にビア４９を介して電気的に接続できる。 In this way, by bonding the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 with solder or conductive adhesive adjusted to a desired thickness, the wiring layer 43 inside the RTD 41 and the ceramic member 10 can be bonded together. can be reliably electrically connected via the via 49.

また、セラミックス部材１０の下面１２と、ＲＴＤ４１の上面４７とを、所望の厚みに調整した半田または導電性接着剤で接着させることにより、セラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との間の距離を一定にすることができる。すなわち、セラミックス部材１０の下面１２とＲＴＤ４１の上面４７との間の距離について、複数のＲＴＤ４１においてバラツキが生じ難くなり、また、１つのＲＴＤ４１においてその部位によってバラツキが生じ難くなる。そのため、ＲＴＤ４１が配置される領域におけるセラミックス部材１０の下面１２からＲＴＤ４１への伝熱が一定になる。したがって、セラミックス部材１０の下面１２の温度をＲＴＤ４１により正確に検出できる。そして、このようにして正確に検出したセラミックス部材１０の下面１２の温度の検出結果に基づいて、セラミックス部材１０の保持面１１の温度を正確に予想できるので、保持面１１において、より精密に温度分布を別途調整して、均熱性を向上させることができる。 Furthermore, by bonding the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 with solder or conductive adhesive adjusted to a desired thickness, the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 can be bonded together. The distance can be kept constant. That is, the distance between the lower surface 12 of the ceramic member 10 and the upper surface 47 of the RTD 41 is less likely to vary among the plurality of RTDs 41, and also less likely to vary depending on the location in one RTD 41. Therefore, heat transfer from the lower surface 12 of the ceramic member 10 to the RTD 41 in the region where the RTD 41 is arranged becomes constant. Therefore, the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10 can be accurately detected by the RTD 41. Since the temperature of the holding surface 11 of the ceramic member 10 can be accurately predicted based on the temperature of the lower surface 12 of the ceramic member 10 accurately detected in this way, the temperature of the holding surface 11 can be more precisely determined. The distribution can be adjusted separately to improve thermal uniformity.

また、リード線４４を無くすことができるので部品点数を減らせる。さらに、リード線４４を取り付ける部分が不要なので構成を簡単にでき、セラミックス部材１０の保持面１１にて温度特異点を減らすことができる。 Furthermore, since the lead wire 44 can be eliminated, the number of parts can be reduced. Furthermore, since there is no need for a part to attach the lead wire 44, the structure can be simplified, and temperature singularities on the holding surface 11 of the ceramic member 10 can be reduced.

なお、単なる例示にすぎず、本開示を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。 Note that this is merely an example, and does not limit the present disclosure in any way, and it goes without saying that various improvements and modifications can be made without departing from the spirit of the disclosure.

例えば、上記した実施の形態は、セラミックス部材１０の下面１２に設ける温度検出部として、ＲＴＤ４１以外に、サーミスタや熱電対にも適用できる。 For example, the embodiment described above can be applied to a thermistor or a thermocouple in addition to the RTD 41 as the temperature detection section provided on the lower surface 12 of the ceramic member 10.

１ 静電チャック
１０ セラミックス部材
１１ 保持面
１２ 下面
２０ ベース部材
３０ 接合層
４１ ＲＴＤ
４２ 充填剤
４３ 配線層
４４ リード線
４７ 上面
４８ 接着部
４９ ビア
５１ 導電性接着部
Ｗ 半導体ウエハ
δ 隙間 1 Electrostatic chuck 10 Ceramic member 11 Holding surface 12 Lower surface 20 Base member 30 Bonding layer 41 RTD
42 Filler 43 Wiring layer 44 Lead wire 47 Upper surface 48 Adhesive part 49 Via 51 Conductive adhesive part W Semiconductor wafer δ Gap

Claims (4)

対象物を保持する保持部材であって、
第１の面と、前記第１の面とは反対側に設けられる第２の面と、を備える第１の板状部材と、
第３の面と、前記第３の面とは反対側に設けられる第４の面と、を備える第２の板状部材と、
前記第１の板状部材の前記第２の面と前記第２の板状部材の前記第３の面との間に配置され、前記第１の板状部材と前記第２の板状部材とを接合する接合層と、
前記第１の板状部材の前記第２の面に設けられる温度検出部と、を有し、
前記温度検出部は、保護部により覆われ、
前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との配列方向と直交する方向から見たときに、
前記保護部と前記第２の板状部材の前記第３の面との間、または、前記保護部と前記接合層との間には、空間が設けられていること、
を特徴とする保持部材。 A holding member that holds an object,
a first plate-like member comprising a first surface and a second surface provided on the opposite side of the first surface;
a second plate-like member comprising a third surface and a fourth surface provided on the opposite side of the third surface;
disposed between the second surface of the first plate-like member and the third surface of the second plate-like member, the first plate-like member and the second plate-like member a bonding layer that bonds the
a temperature detection section provided on the second surface of the first plate-like member,
The temperature detection section is covered with a protection section,
When viewed from a direction perpendicular to the arrangement direction of the first plate member and the second plate member,
A space is provided between the protective portion and the third surface of the second plate-like member, or between the protective portion and the bonding layer;
A holding member characterized by: 請求項１の保持部材において、
前記第１の板状部材は内部に配線層を備え、
前記温度検出部と前記配線層とは、前記第１の板状部材の前記第２の面に設けられるリード線を介して電気的に接続しており、
前記第１の板状部材の前記第２の面と、前記温度検出部における前記第１の板状部材側の面とが、接着剤または両面テープにより接着されていること、
を特徴とする保持部材。 The holding member according to claim 1,
The first plate member includes a wiring layer therein,
The temperature detection section and the wiring layer are electrically connected via a lead wire provided on the second surface of the first plate member,
the second surface of the first plate-like member and the surface of the temperature detection section on the first plate-like member side are adhered with adhesive or double-sided tape;
A holding member characterized by: 請求項１の保持部材において、
前記第１の板状部材は内部に配線層を備え、
前記温度検出部と前記配線層とは、前記第１の板状部材の内部に設けられた導電部を介して電気的に接続し、
前記導電部は、前記温度検出部における前記第１の板状部材側の面と電気的に接続し、
前記第１の板状部材の前記第２の面と、前記温度検出部における前記第１の板状部材側の面とが、半田または導電性接着剤により接着されていること、
を特徴とする保持部材。 The holding member according to claim 1,
The first plate member includes a wiring layer therein,
The temperature detection section and the wiring layer are electrically connected via a conductive section provided inside the first plate member,
The conductive part is electrically connected to a surface of the temperature detection part on the first plate member side,
the second surface of the first plate-like member and the surface of the temperature detection section on the first plate-like member side are bonded by solder or a conductive adhesive;
A holding member characterized by: 請求項１乃至３のいずれか１つの保持部材において、
前記第１の板状部材と前記第２の板状部材との配列方向から見たときに、
前記接合層は、前記保護部に重なる領域に形成されていないこと、
を特徴とする保持部材。 The holding member according to any one of claims 1 to 3,
When viewed from the arrangement direction of the first plate member and the second plate member,
the bonding layer is not formed in a region overlapping the protective portion;
A holding member characterized by:

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