JP2023551766A - ハイブリッド輸送層を有する電界発光デバイス - Google Patents
ハイブリッド輸送層を有する電界発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023551766A JP2023551766A JP2023524391A JP2023524391A JP2023551766A JP 2023551766 A JP2023551766 A JP 2023551766A JP 2023524391 A JP2023524391 A JP 2023524391A JP 2023524391 A JP2023524391 A JP 2023524391A JP 2023551766 A JP2023551766 A JP 2023551766A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- inorganic
- organic
- nanostructures
- electroluminescent device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 claims abstract description 171
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract description 158
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 32
- -1 1,3,5-triazine-2,4,6-triyl Chemical group 0.000 claims description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 26
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 26
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 24
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 claims description 20
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 13
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 claims description 12
- RDVGOMWIWCMKAM-UHFFFAOYSA-N 2,4,6-tris(3-diphenylphosphorylphenyl)-1,3,5-triazine Chemical compound C1(=CC=CC=C1)P(=O)(C1=CC=CC=C1)C=1C=C(C=CC=1)C1=NC(=NC(=N1)C1=CC(=CC=C1)P(=O)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1)C1=CC(=CC=C1)P(=O)(C1=CC=CC=C1)C1=CC=CC=C1 RDVGOMWIWCMKAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims description 10
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 8
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 claims description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M phosphonate Chemical compound [O-]P(=O)=O UEZVMMHDMIWARA-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 6
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000010405 anode material Substances 0.000 claims description 4
- YFPJFKYCVYXDJK-UHFFFAOYSA-N Diphenylphosphine oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1[P+](=O)C1=CC=CC=C1 YFPJFKYCVYXDJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 54
- 239000011257 shell material Substances 0.000 description 36
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 25
- 239000003446 ligand Substances 0.000 description 25
- 239000010408 film Substances 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 22
- GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N Indium phosphide Chemical compound [In]#P GPXJNWSHGFTCBW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 15
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 15
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 14
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 14
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 description 13
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 11
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 10
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 10
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 10
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 9
- AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N cadmium selenide Chemical compound [Cd]=[Se] AQCDIIAORKRFCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 7
- PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N (fluoren-9-ylideneamino) n-naphthalen-1-ylcarbamate Chemical compound C12=CC=CC=C2C2=CC=CC=C2C1=NOC(=O)NC1=CC=CC2=CC=CC=C12 PFNQVRZLDWYSCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 5-phenyl-2h-tetrazole Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=NNN=N1 MARUHZGHZWCEQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 6
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 6
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 6
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 description 5
- 238000002207 thermal evaporation Methods 0.000 description 5
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 5
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 4
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 4
- 239000011325 microbead Substances 0.000 description 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 4
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 4
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 4
- RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphane Chemical compound CCCCCCCCP(CCCCCCCC)CCCCCCCC RMZAYIKUYWXQPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N (2,5-dioxopyrrolidin-1-yl) 4-pyren-1-ylbutanoate Chemical compound C=1C=C(C2=C34)C=CC3=CC=CC4=CC=C2C=1CCCC(=O)ON1C(=O)CCC1=O YBNMDCCMCLUHBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000002508 contact lithography Methods 0.000 description 3
- 239000011258 core-shell material Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N diphenylphosphine Chemical compound C=1C=CC=CC=1PC1=CC=CC=C1 GPAYUJZHTULNBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 3
- RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N indium arsenide Chemical compound [In]#[As] RPQDHPTXJYYUPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002329 infrared spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 3
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 3
- 238000007764 slot die coating Methods 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N (z)-octadec-9-en-1-amine Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCN QGLWBTPVKHMVHM-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 2
- YFCSASDLEBELEU-UHFFFAOYSA-N 3,4,5,6,9,10-hexazatetracyclo[12.4.0.02,7.08,13]octadeca-1(18),2(7),3,5,8(13),9,11,14,16-nonaene-11,12,15,16,17,18-hexacarbonitrile Chemical compound N#CC1=C(C#N)C(C#N)=C2C3=C(C#N)C(C#N)=NN=C3C3=NN=NN=C3C2=C1C#N YFCSASDLEBELEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 9H-carbazole Chemical compound C1=CC=C2C3=CC=CC=C3NC2=C1 UJOBWOGCFQCDNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910017115 AlSb Inorganic materials 0.000 description 2
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical group C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N Butylmethacrylate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)=C SOGAXMICEFXMKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021589 Copper(I) bromide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005542 GaSb Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005829 GeS Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005866 GeSe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000000177 Indigofera tinctoria Nutrition 0.000 description 2
- 229910000673 Indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005642 SnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910007709 ZnTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920013822 aminosilicone Polymers 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012512 characterization method Methods 0.000 description 2
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 2
- DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N diphenylamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC1=CC=CC=C1 DMBHHRLKUKUOEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N divanadium pentaoxide Chemical compound O=[V](=O)O[V](=O)=O GNTDGMZSJNCJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 2
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 2
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940097275 indigo Drugs 0.000 description 2
- COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N indigo powder Natural products N1C2=CC=CC=C2C(=O)C1=C1C(=O)C2=CC=CC=C2N1 COHYTHOBJLSHDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000670 limiting effect Effects 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N molybdenum trioxide Chemical compound O=[Mo](=O)=O JKQOBWVOAYFWKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 description 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 description 2
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBWNMEQMRUMQSO-UHFFFAOYSA-N tergitol NP-9 Polymers CCCCCCCCCC1=CC=C(OCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO)C=C1 FBWNMEQMRUMQSO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N trioctylphosphine oxide Chemical compound CCCCCCCCP(=O)(CCCCCCCC)CCCCCCCC ZMBHCYHQLYEYDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N zinc;cadmium(2+);disulfide Chemical compound [S-2].[S-2].[Zn+2].[Cd+2] UQMZPFKLYHOJDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGFGZNVQMGCHHV-LURJTMIESA-N (2s)-2-amino-5-(2-aminoimidazol-1-yl)pentanoic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCCN1C=CN=C1N WGFGZNVQMGCHHV-LURJTMIESA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N (z)-1-[(z)-octadec-9-enoxy]octadec-9-ene Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCCOCCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC FFJCNSLCJOQHKM-CLFAGFIQSA-N 0.000 description 1
- FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 1-Hexadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCN FJLUATLTXUNBOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNZAKDODWSQONA-UHFFFAOYSA-N 1-dibutylphosphorylbutane Chemical compound CCCCP(=O)(CCCC)CCCC MNZAKDODWSQONA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 1-diphenylphosphoryl-2-(2-diphenylphosphorylphenoxy)benzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C(=CC=CC=1)OC=1C(=CC=CC=1)P(=O)(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 ATTVYRDSOVWELU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 1-hexadecoxyhexadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCC FDCJDKXCCYFOCV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001637 1-naphthyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C2C(*)=C([H])C([H])=C([H])C2=C1[H] 0.000 description 1
- HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 1-octadecoxyoctadecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCCCCCCCC HBXWUCXDUUJDRB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NMSBTWLFBGNKON-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexadecoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCOCCOCCO NMSBTWLFBGNKON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PITRRWWILGYENJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-(4-nonylphenoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCCCCCCC1=CC=C(OCCOCCOCCOCCOCCO)C=C1 PITRRWWILGYENJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYCQQPHGFMYQCF-UHFFFAOYSA-N 4-tert-Octylphenol monoethoxylate Chemical compound CC(C)(C)CC(C)(C)C1=CC=C(OCCO)C=C1 JYCQQPHGFMYQCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMMMWIFBVVBJOD-UHFFFAOYSA-N 6-methylheptoxycyclohexane Chemical compound CC(C)CCCCCOC1CCCCC1 KMMMWIFBVVBJOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 7553-56-2 Chemical compound [I] ZCYVEMRRCGMTRW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N Aspirin Chemical compound CC(=O)OC1=CC=CC=C1C(O)=O BSYNRYMUTXBXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015894 BeTe Inorganic materials 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021593 Copper(I) fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100136092 Drosophila melanogaster peng gene Proteins 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910005987 Ge3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004262 HgTe Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N Octadecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN REYJJPSVUYRZGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229920001167 Poly(triaryl amine) Polymers 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 229920002396 Polyurea Polymers 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013504 Triton X-100 Substances 0.000 description 1
- 229920004890 Triton X-100 Polymers 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- JIBZQUZMDMPTGC-SPNQZIMRSA-M [O-]C(CCCCCCC/C=C\CCCCCCCCC(C=CC1=CC=C2)=NC1=C2O)=O.[Li+] Chemical compound [O-]C(CCCCCCC/C=C\CCCCCCCCC(C=CC1=CC=C2)=NC1=C2O)=O.[Li+] JIBZQUZMDMPTGC-SPNQZIMRSA-M 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229920006243 acrylic copolymer Polymers 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003190 augmentative effect Effects 0.000 description 1
- 230000004323 axial length Effects 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L caesium carbonate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-]C([O-])=O FJDQFPXHSGXQBY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000010406 cathode material Substances 0.000 description 1
- 150000004770 chalcogenides Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000012733 comparative method Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N decaethylene glycol Polymers OCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCO DTPCFIHYWYONMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008380 degradant Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 235000019329 dioctyl sodium sulphosuccinate Nutrition 0.000 description 1
- YHAIUSTWZPMYGG-UHFFFAOYSA-L disodium;2,2-dioctyl-3-sulfobutanedioate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCCC(C([O-])=O)(C(C([O-])=O)S(O)(=O)=O)CCCCCCCC YHAIUSTWZPMYGG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- YVIGPQSYEAOLAD-UHFFFAOYSA-L disodium;dodecyl phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].CCCCCCCCCCCCOP([O-])([O-])=O YVIGPQSYEAOLAD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005315 distribution function Methods 0.000 description 1
- GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N dodecyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCOC(=O)C(C)=C GMSCBRSQMRDRCD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N dodecylamine Chemical compound CCCCCCCCCCCCN JRBPAEWTRLWTQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 239000008393 encapsulating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 150000002118 epoxides Chemical class 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N gallium(III) oxide Inorganic materials O=[Ga]O[Ga]=O QZQVBEXLDFYHSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013007 heat curing Methods 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000001976 improved effect Effects 0.000 description 1
- WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N indium antimonide Chemical compound [Sb]#[In] WPYVAWXEWQSOGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 229910001502 inorganic halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011630 iodine Substances 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N lead(ii) sulfide Chemical compound [Pb]=S XCAUINMIESBTBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 235000019557 luminance Nutrition 0.000 description 1
- 125000000040 m-tolyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(*)=C([H])C(=C1[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N magnesium;zinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Mg+2].[Zn+2] PNHVEGMHOXTHMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000693 micelle Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000004001 molecular interaction Effects 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002073 nanorod Substances 0.000 description 1
- 239000002071 nanotube Substances 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012454 non-polar solvent Substances 0.000 description 1
- GSGDTSDELPUTKU-UHFFFAOYSA-N nonoxybenzene Chemical compound CCCCCCCCCOC1=CC=CC=C1 GSGDTSDELPUTKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LUZHBLZCTFCXSQ-UHFFFAOYSA-N nonoxycyclohexane Chemical compound CCCCCCCCCOC1CCCCC1 LUZHBLZCTFCXSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N norbornene Chemical compound C1[C@@H]2CC[C@H]1C=C2 JFNLZVQOOSMTJK-KNVOCYPGSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N oxidophosphanium Chemical class [PH3]=O MPQXHAGKBWFSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N oxophosphane Chemical compound P=O AUONHKJOIZSQGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 150000003003 phosphines Chemical class 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 230000010399 physical interaction Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052699 polonium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920006294 polydialkylsiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 1
- 229920002959 polymer blend Polymers 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 125000002924 primary amino group Chemical group [H]N([H])* 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 1
- 229950005425 sodium myristyl sulfate Drugs 0.000 description 1
- RYYKJJJTJZKILX-UHFFFAOYSA-M sodium octadecanoate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O RYYKJJJTJZKILX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UPUIQOIQVMNQAP-UHFFFAOYSA-M sodium;tetradecyl sulfate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O UPUIQOIQVMNQAP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCC[14C](O)=O TUNFSRHWOTWDNC-HKGQFRNVSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001651 triphenylamine derivatives Chemical class 0.000 description 1
- FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphane oxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1P(C=1C=CC=CC=1)(=O)C1=CC=CC=C1 FIQMHBFVRAXMOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N triton Chemical compound [3H+] GPRLSGONYQIRFK-MNYXATJNSA-N 0.000 description 1
- ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N tungsten trioxide Chemical compound O=[W](=O)=O ZNOKGRXACCSDPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002211 ultraviolet spectrum Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000004383 yellowing Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N zinc cadmium(2+) selenium(2-) Chemical compound [Zn+2].[Se-2].[Se-2].[Cd+2] NWJUKFMMXJODIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940098697 zinc laurate Drugs 0.000 description 1
- LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L zinc;(z)-octadec-9-enoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC([O-])=O LPEBYPDZMWMCLZ-CVBJKYQLSA-L 0.000 description 1
- GPYYEEJOMCKTPR-UHFFFAOYSA-L zinc;dodecanoate Chemical compound [Zn+2].CCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCC([O-])=O GPYYEEJOMCKTPR-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
- H10K50/115—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers comprising active inorganic nanostructures, e.g. luminescent quantum dots
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/15—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating characterised by the solvent used
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
- H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
- H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
- H10K2101/40—Interrelation of parameters between multiple constituent active layers or sublayers, e.g. HOMO values in adjacent layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/331—Nanoparticles used in non-emissive layers, e.g. in packaging layer
Abstract
電界発光デバイスの実施形態が説明されている。電界発光デバイスは、基板と、基板上に配置される第1の電極と、第1の電極上に配置される発光ナノ構造体を含む発光層と、発光層上に配置されるハイブリッド輸送層と、ハイブリッド輸送層上に配置される第2の電極とを含む。ハイブリッド輸送層は有機層と有機層内に配置される無機ナノ構造体とを含む。発光ナノ構造体は有機層によって無機ナノ構造体から分離される。【選択図】図1
Description
本発明は、発光ナノ構造に基づく(NSに基づく)発光層を有する電界発光デバイス(例えば、発光ダイオード(LED))に関する。
電界発光デバイスはディスプレイ(例えば、電話、タブレット、モニター、テレビ、またはデジタル広告板)及び医学的応用(例えば、光医学)にて光源として使用される。電界発光デバイスは一対の輸送層と輸送層間に差し挟まれる発光層とを有することができる。操作中、輸送層と発光層の積み重ねを横切って電圧が印加されると輸送層の一方を介して光が放射され得る。発光層にて電子と正孔が再結合して光子を放出するので電圧が印加されると光を生じることができる。電子と正孔は輸送層に配置された電極から発光層に注入することができる。発光層は発光有機フィルムまたは発光NS(例えば、発光量子ドット(QD))を含むことができる。発光有機フィルムに基づく発光層を持つ電界発光デバイスはOLEDと呼ばれ、発光NSに基づく発光層を持つ電界発光デバイスはQDLEDと呼ばれ得る。
QDLEDの難題の1つは、例えば、低い駆動電圧(約6ボルト(V)未満の電圧)で、高い輝度(明るさとも呼ばれる)(平方メートルあたり約10,000カンデラ(cd/m2)を超える輝度)の光を発するQDLEDを製造することである。QDLEDの外部量子効率(EQE)は効率ロールオフとして知られる効果で高い輝度(約10,000cd/cm2以上の輝度)では低下し(例えば10%超)、QDLEDは高い輝度では有意な効率ロールオフを有する。別の難題は容易な大量生産のために単純な加工技術で低コストにて効率ロールオフが低いQDLEDを製造することである。
本開示は、低い駆動電圧で高い輝度を持ち、且つ高い輝度で効率ロールオフが低い例示的な安価なQDLEDを提供する。本開示はまた、それを製造する例示的な安価な方法も提供する。
いくつかの実施形態によれば、電界発光デバイスは基板と、基板上に配置される第1の電極と、第1の電極上に配置される発光ナノ構造を持つ発光層と、発光層上に配置されるハイブリッド輸送層と、ハイブリッド輸送層上に配置される第2の電極とを含む。ハイブリッド輸送層は有機層と有機層内に配置される無機ナノ構造体とを含む。発光ナノ構造体は有機層によって無機ナノ構造体から分離される。
いくつかの実施形態によれば、有機層の有機材料及び無機ナノ構造体の無機材料は共通の有機溶媒に可溶性である。
いくつかの実施形態によれば、有機層の有機材料及び無機ナノ構造体の無機材料はアルコール、アセトンまたはアセトニトリルに可溶性である。
いくつかの実施形態によれば、有機層は2以上のホスホン酸オキシド官能基(P=O)を持つ有機材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、有機層は3つのホスホン酸官能基(P=O)を有する (1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリイル)トリス(ベンゼン-3,1-ジイル)トリス(ジフェニルホスフィンオキシド)、2,4,6-トリス[3-(ジフェニルホスフィニル)フェニル]-1,3,5-トリアジンを含む。
いくつかの実施形態によれば、無機ナノ構造体は金属酸化物を含む。
いくつかの実施形態によれば、無機ナノ構造体は発光ナノ構造体の直径よりも約5倍~約20倍小さい直径を含む。
いくつかの実施形態によれば、発光ナノ構造体は可視スペクトルにて発光するように構成される量子ドットを含む。
いくつかの実施形態によれば、発光ナノ構造体は発光層上に配置されるマトリックス材内に配置される。
いくつかの実施形態によれば、発光ナノ構造体は赤色光を発するように構成される量子ドットの第1の集団と、緑色光を発するように構成される量子ドットの第2の集団とを含む。
いくつかの実施形態によれば、電界発光デバイスはさらに、第1の電極と発光層との間に配置される正孔輸送層を含む。
いくつかの実施形態によれば、ディスプレイ装置はピクセルのアレイとピクセルのアレイ上に配置されるディスプレイ画面とを含む。ピクセルのアレイの各ピクセルは第1と第2の電界発光デバイスを含む。第1と第2の電界発光デバイスのそれぞれは発光ナノ構造を持つ発光層と発光層上に配置されるハイブリッド輸送層とを含む。ハイブリッド輸送層は有機層と無機ナノ構造体とを含む。第1の電界発光デバイスの発光層は第1のピーク波長を有する第1の光を発するように構成される。第2の電界発光デバイスの発光層は第1のピーク波長とは異なる第2のピーク波長を有する第2の光を発するように構成される。
いくつかの実施形態によれば、無機ナノ構造体は有機層上に配置される。
いくつかの実施形態によれば、発光ナノ構造体は有機層によって無機ナノ構造体から分離される。
いくつかの実施形態によれば、有機層は2以上のホスホン酸オキシド官能基(P=O)を持つ有機材料を含む。
いくつかの実施形態によれば、有機層は3つのホスホン酸オキシド官能基(P=O)を有する(1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリイル)トリス(ベンゼン-3,1-ジイル)トリス(ジフェニルホスフィンオキシド)、2,4,6-トリス[3-(ジフェニルホスフィニル)フェニル]-1,3,5-トリアジンを含む。
いくつかの実施形態によれば、有機層の有機材料及び無機ナノ構造体の無機材料は共通の有機溶媒に可溶性である。
いくつかの実施形態によれば、電界発光デバイスを製造する方法は、基板に陽極材料の層を提供することと、陽極材料の層上に正孔輸送層を形成することと、正孔輸送層上に量子ドットの層を形成することと、量子ドットの層上に有機層と無機ナノ構造体とを持つハイブリッド輸送層を形成することと、ハイブリッド輸送層上に陰極を形成することとを含む。
いくつかの実施形態によれば、ハイブリッド輸送層を形成することは有機溶媒にて無機ナノ構造体と有機層の有機材料との溶液を調製することを含む。
いくつかの実施形態によれば、ハイブリッド輸送層を形成することは第1の溶媒にて無機ナノ構造との第1の溶液を調製することと、第1の溶媒とは異なる第2の溶媒にて有機層の有機材料との第2の溶液を調製することとを含む。
いくつかの実施形態によれば、ハイブリッド輸送層を形成することは2以上のホスホン酸オキシド官能基(P=O)を有する有機材料との溶液を調製することを含む。
いくつかの実施形態によれば、ハイブリッド輸送層を形成することは3つのホスホン酸オキシド官能基(P=O)を有する(1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリイル)トリス(ベンゼン-3,1-ジイル)トリス(ジフェニルホスフィンオキシド)、2,4,6-トリス[3-(ジフェニルホスフィニル)フェニル]-1,3,5-トリアジンとの溶液を調製することを含む。
本発明のさらなる特徴及び利点、と同様に本発明の種々の実施形態の構造と操作は添付の図面を参照して以下に詳述されている。本発明は本明細書に記載されている特定の実施形態に限定されないことが言及される。そのような実施形態は説明目的のみのために本明細書にて提示される。追加の実施形態は本明細書に含有される教示に基づいて関連技術分野(複数可)の当業者に明らかであろう。
本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は説明と一緒に本明細書に開示されている本実施形態を説明し、さらに本実施形態の原理を説明するのに役立ち、且つ関連技術分野(複数可)の当業者が本実施形態を行い、使用するのを可能するのに役立つ。
本発明の特徴及び利点は、同様の参照文字が全体を通して対応する要素を特定する図面と併せて以下に示されている詳細な説明からさらに明らかになるであろう。図面では、同様の参照番号は特に言及されない限り、同一の、機能的に類似する及び/または構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れる図面は対応する参照番号にて最も左の数字(複数可)によって示される。特に指示されない限り、本開示の全体を通して提供されている図面は縮尺どおりの図面として解釈されるべきではない。
特定の構成及び配置が議論されてもよいが、これは説明目的のみのために行われることが理解されるべきである。関連技術分野の当業者は本発明の精神及び範囲から逸脱することなく他の構成及び配置が使用され得ることを理解するであろう。関連技術分野の当業者には、本発明が本明細書で具体的に言及されているものを超えて種々の他の応用でも採用され得ることが明らかであろう。本明細書に示され、記載されている特定の実施は例示であり、どんな方法でも出願の範囲をそれ以外で限定するようには意図されないことが理解されるべきである。
「一実施形態」、「1つの実施形態」、「例示的な実施形態」、などに対する本明細書における言及は記載される実施形態が特定の特徴、構造または特性を含んでもよいが、あらゆる実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まなくてもよいことが知られている。さらにそのような表現は必ずしも同じ実施形態を指すわけではない。さらに、特定の特徴、構造または特性が1つの実施形態と関連して記載されている場合、明白に記載されていようといまいと、他の実施形態と関連してそのような特徴、構造または特性を達成することは当業者の知識の範囲内にあることになっている。
材料の量、材料の比、材料の物性及び/または使用を示す本説明における番号はすべて、そうでなければ明白に示されるときを除いて、「約」という単語によって修飾されると理解されるべきである。
実施形態では、「ディスプレイ装置」という用語はディスプレイ画面上でのデータの可視表現を可能にする要素の配置を指す。好適なディスプレイ画面は、平坦な、湾曲したまたはそうでなければ成形した画面、フィルム、シート、または情報をユーザーに視覚的に表示するための他の構造体を含むことができる。本明細書に記載されているディスプレイ装置は、例えば、液晶ディスプレイ(LCD)、テレビ、コンピューター、モニター、携帯電話、スマートホン、携帯情報端末(PDA)、ゲーム装置、電子図書装置、デジタルカメラ、タブレット、身体装着装置、カーナビシステム、電子看板、拡張現実、仮想現実、などを包含するディスプレイシステムに含まれ得る。
本明細書で使用されるとき「約」という用語は値の±10%による所与の量変化の値を示す。例えば、「約100nm」は90nm~110nmを含むサイズの範囲を包含する。
本明細書で使用されるとき「実質的に」という用語は値の±1%~±5%による所与の量変化の値を示す。
実施形態では、「光学的に連結される」という用語は、実質的な妨害なしで光が1つの成分から別の成分まで通過することができるように成分が配置されることを意味する。
本明細書で使用されるとき「ナノ構造体」という用語は約500nm未満の寸法を持つ少なくとも1つの領域または特徴的な寸法を有する構造を指す。いくつかの実施形態では、ナノ構造体は約200nm未満、約100nm未満、約50nm未満、約20nm未満、または約10nm未満の寸法を有する。通常、領域または特徴的な寸法は構造体の最小軸に沿っているであろう。そのような構造体の例には、ナノワイヤ、ナノロッド、ナノチューブ、分岐ナノ構造体、ナノテトラポッド、トリポッド、バイポッド、ナノ結晶、ナノドット、QD、ナノ粒子、などが挙げられる。ナノ構造体は、例えば、実質的に結晶体、実質的に単結晶体、多結晶体、非晶質、またはそれらの組み合わせであることができる。いくつかの実施形態では、ナノ構造体の3つの寸法のそれぞれは、約500nm未満、約200nm未満、約100nm未満、約50nm未満、約20nm未満、または約10nm未満の寸法を有する。
本明細書で使用されるとき、「QD」または「ナノ結晶」という用語は実質的に単結晶体であるナノ構造体を指す。ナノ結晶は、約500nm未満及び約1nm未満の桁まで至る寸法を持つ少なくとも1つの領域または特徴的な寸法を有する。「ナノ結晶」、「QD」、「ナノドット」及び「ドット」という用語は同様の構造を表し、本明細書では相互交換可能に使用されると当業者によって容易に理解される。本発明はまた、多結晶または非晶質のナノ結晶の使用も包含する。
ナノ構造を参照して使用されるとき、「ヘテロ構造」という用語は2つの異なる及び/または区別できる材料型を特徴とするナノ構造を指す。通常、ナノ構造の1つの領域は第1の材料型を含む一方で、ナノ構造の第2の領域は第2の材料型を含む。いくつかの実施形態では、ナノ構造体は第1の材料のコアと、第2(または第3など)の材料の少なくとも1つのシェルとを含み、その際、異なる材料型は、例えば、ナノワイヤの長軸、分岐ナノワイヤのアームの長軸、またはナノ結晶の中心の周りで放射状に分布する。シェルは、シェルと見なされる、またはヘテロ構造と見なされるナノ構造のための隣接する材料を覆うことができるが、完全で覆う必要はなく;例えば、第2の材料の小さな島で覆われた1つの材料のコアを特徴とするナノ結晶はヘテロ構造である。他の実施形態では、異なる材料型はナノ構造内の異なる位置で、例えば、ナノワイヤの主(長)軸に沿ってまたは分岐ナノワイヤのアームの長軸に沿って分布する。ヘテロ構造内の異なる領域は完全に異なる材料を含むことができ、または異なる領域は異なるドーパントまたは同じドーパントの異なる濃度を有する基材(例えば、シリコン)を含むことができる。
本明細書で使用されるとき、ナノ構造体の「直径」という用語はナノ構造体の第1の軸に垂直である断面の直径を指し、その際、第1の軸は第2及び第3の軸に関して長さで最大の差異を有する(第2及び第3の軸はその長さが互いにほぼ同等である2つの軸である)。第1の軸は必ずしもナノ構造体の最長軸ではない;例えば、ディスク型のナノ構造体については、断面はディスクの短い縦方向軸に垂直である実質的に円形の断面である。断面が円形でない場合、直径はその断面の長軸と短軸の平均である。ナノワイヤのような細長いまたはアスペクト比が高いナノ構造体については、直径はナノワイヤの最長軸に垂直の断面を横切って測定される。球状のナノ構造体については、直径は球体の中心を通って一面から他面までで測定される。
ナノ構造体に関して使用されるとき「結晶性の」または「実質的に結晶性の」という用語はナノ構造体が通常、構造体の2以上の寸法を横切る長期間の秩序化を示すという事実を指す。「長期間の秩序化」という用語は、単一の結晶のための秩序化は結晶の境界を超えて拡張することができないので特定のナノ構造体の絶対的なサイズに依存することが当業者によって理解されるであろう。この場合、「長期間の秩序化」はナノ構造体の寸法の少なくとも大半にわたる実質的な秩序を意味するであろう。場合によっては、ナノ構造体は酸化物もしくは他のコーティングを担うことができ、またはコアと少なくとも1つのシェルとで構成され得る。そのような場合、酸化物、シェル(複数可)、または他のコーティングはそのような秩序化を示すことができるが、示す必要はない(例えば、それは非晶質、多結晶性またはそれ以外であることができる)。そのような場合、「結晶性の」、「実質的に結晶性の」、「実質的に単結晶性の」、または「単結晶性の」という表現はナノ構造体の中心コア(コーティング層またはシェルを除外する)を指す。「結晶性の」または「実質的に結晶性の」という用語は本明細書で使用されるとき、構造体が実質的な長期間の秩序化(例えば、ナノ構造体またはそのコアの少なくとも1つの軸の長さの少なくとも約80%にわたる秩序)を示す限り、種々の欠陥、積層欠陥、原子置換などを含む構造体を包含することも意図される。加えて、ナノ構造体のコアと外側の間またはコアと隣接コアの間またはシェルと第2の隣接シェルの間の界面は非結晶性領域を含有することができ、または非晶質であることさえできることが理解されるであろう。このことはナノ構造体が本明細書で定義されるように結晶性であることまたは実質的に結晶性であることを妨げない。
ナノ構造体に関して使用されるとき「単結晶性の」という用語はナノ構造体が実質的に結晶性であり、単一の結晶を実質的に含むことを示す。コアと少なくとも1つのシェルとを含むナノ構造のヘテロ構造体に関して使用されるとき、「単結晶性の」はコアが実質的に結晶性であり、且つ単一の結晶を実質的に含むことを示す。
本明細書で使用されるとき、「リガンド」という用語は、例えば、ナノ構造体の表面との共有結合、イオン結合、ファンデルワールスまたは他の分子の相互作用を介してナノ構造体の1以上の面と相互作用する(弱くても強くても)ことができる分子を指す。
本明細書で使用されるとき、「量子収率」(QY)という用語は、放たれた光子の、例えば、ナノ構造体またはナノ構造体の集団によって吸収された光子に対する比率を指す。当該技術分野で知られているように、量子収率は通常、既知の量子収率値を持つよく特徴付けられた標準試料を使用する比較法によって決定される。
本明細書で使用されるとき、「一次発光ピーク波長」という用語は発光スペクトルが最高の強度を示す波長を指す。
本明細書で使用されるとき、「半値全幅」(FWHM)という用語はスペクトル幅の測定基準を指す。発光スペクトルの場合、FWHMはピーク強度値の半分での発光スペクトルの幅を指すことができる。
本明細書で使用される「Forster半径」という用語は当該技術分野でForster距離とも呼ばれる。
「ナノ構造(NS)フィルム」という用語は発光ナノ構造を有するフィルムを指すのに本明細書で使用される。
「赤色波長領域」という用語はいくつかの実施形態に従って、約620nm~約750nmに及ぶ波長を含むことができる可視スペクトルの波長領域を指すのに本明細書で使用される。
「緑色波長領域」という用語はいくつかの実施形態に従って、約495nm~約570nmに及ぶ波長を含むことができる可視スペクトルの波長領域を指すのに本明細書で使用される。
「青色波長領域」という用語はいくつかの実施形態に従って、約435nm~約495nmに及ぶ波長を含むことができる可視スペクトルの波長領域を指すのに本明細書で使用される。
本明細書で参照されている公開された特許、特許出願、ウェブサイト、会社名、及び科学文献は、それぞれが具体的に且つ個々に参照によって組み込まれるように指示されたかのような同じ程度にその全体が参照によって本明細書に組み込まれる。本明細書で引用された参考文献と本明細書の具体的な教示との間での矛盾は後者を支持して解決されるべきである。同様に、単語または語句の当該技術分野で理解されている定義と本明細書で具体的に教示されたときの単語または語句の定義との間での矛盾は後者を支持して解決されるべきである。
本明細書で使用されている専門用語及び科学用語は特に定義されない限り、本出願が関係する当該技術分野の当業者によって一般に理解される意味を有する。本明細書では、当業者に既知の種々の方法論及び材料が参照される。
ハイブリッド輸送層を持つ電界発光デバイスの例示的な実施形態
図1はいくつかの実施形態に係る下部で発光する電界発光デバイス100の断面模式図を説明している。いくつかの実施形態では、電界発光デバイス100をディスプレイ装置の光源として使用してディスプレイ装置にて画像を生成することができる。いくつかの実施形態では、電界発光デバイス100は低い駆動電圧(例えば、約6ボルト(V)未満の電圧)にて且つ可視スペクトルにおける1以上の一次発光ピーク波長(例えば、約435nm~約750nmの範囲内での一次発光ピーク波長)にて高い輝度(約10,000cd/cm2以上の輝度)の光を発するように構成することができる。
図1はいくつかの実施形態に係る下部で発光する電界発光デバイス100の断面模式図を説明している。いくつかの実施形態では、電界発光デバイス100をディスプレイ装置の光源として使用してディスプレイ装置にて画像を生成することができる。いくつかの実施形態では、電界発光デバイス100は低い駆動電圧(例えば、約6ボルト(V)未満の電圧)にて且つ可視スペクトルにおける1以上の一次発光ピーク波長(例えば、約435nm~約750nmの範囲内での一次発光ピーク波長)にて高い輝度(約10,000cd/cm2以上の輝度)の光を発するように構成することができる。
いくつかの実施形態では、電界発光デバイス100は基板102と基板上に配置されるデバイス積層103とを含むことができる。基板102はデバイス積層103を支えるように、且つ任意でデバイス積層103の制御操作のための制御回路(示さず)を支えるように構成することができる。いくつかの実施形態では、基板102は光101を実質的に吸収することなくデバイス積層103によって生成された光101が基板102を通って放射され得るように光学的に透明であることができる。デバイス積層103から放たれた光101はZ方向に向けて示す黒色の矢によって図1にて表されている。
いくつかの実施形態では、基板102は導電性材料を含むことができ、約10μm~約150μm(例えば、約10μm、約12μm、約25μm、約75μm、約100μm、約125μm、または約150μm)に及ぶZ軸に沿った垂直寸法(例えば、厚さ)を有する。いくつかの実施形態では、基板102の表面102sは光101を使用して生成される画像を表示する画面として役立つことができる。いくつかの実施形態では、基板102は電界発光デバイス100に環境保護を提供するための遮蔽層として役立つことができる。
デバイス積層103は、いくつかの実施形態に従って、基板102上に配置される陽極104、陽極104上に配置される正孔注入層(HIL)108、HIL108上に配置される正孔輸送層(HTL)110、HTL110上に配置される発光層(EML)114、EML114上に配置されるハイブリッド電子輸送層(HETL)118、HETL118上に配置される電子注入層(EIL)120、及びEIL120上に配置される陰極を含むことができる。いくつかの実施形態では、デバイス積層103はHIL108及びEIL120を含まずに陽極104上に配置されるHTL110とHETL118上に配置される陰極122とを含むことができる。
電界発光デバイス100はEML114の組成に基づいて可視スペクトル(例えば、赤色、緑色または青色)にて光101を発するように構成することができる。EML114は発光NSの1以上の層、1以上の発光有機層、またはそれらの組み合わせを含むことができる。いくつかの実施形態では、発光NSの1以上の層は、図3~4及び6に示すように、マトリックス材を含まずにHTL110上に配置される発光QD324の1以上の層を含むことができる。発光QD324のそれぞれは図15を参照して以下に記載されているようにNS1500に類似することができる。いくつかの実施形態では、EML114は図5に示すようにマトリックス材530内に配置される発光QD324を伴う1以上のQDフィルムを含むことができる。QDフィルムは図16を参照して以下に記載されているようにNSフィルム1600に類似することができる。
図3~6はいくつかの実施形態に係るデバイス積層103のEML114とHETL118のさまざまな構成を説明している。図3~6ではQD324の1つの層を示しているが、EML114はQD324の多数の層を有することができる。図3~6ではQD324は類似の寸法を有すると示されているが、QD324は互いに異なる寸法を有することができる。さらに、QD324は図3~6では横列に並び、隣接するQD324と物理的に接触して示されているが、EML114は互いに位置がずれる列に配置されたQD324を有することができ、及び/または隣接するQD324から間隔を空けた1以上のQD324を有することができる。
EML114におけるQD324のサイズ及び材料は基板102を通って放たれる光101の所望の色(例えば、赤色、緑色または青色)に基づいて選択することができる。いくつかの実施形態では、EML114におけるQD324のサイズ及び材料は、可視スペクトルの赤色波長領域(例えば、約620nm~750nmに及ぶ波長)、緑色波長領域(例えば、約495nm~570nmに及ぶ波長)または青色波長領域(例えば、約435nm~495nmに及ぶ波長)にて一次発光ピーク波長を有する光101を発するように選択することができる。いくつかの実施形態では、EML114は可視スペクトルにて赤色、緑色、青色または任意の光を放つように構成されたQD324の単一集団を有することができる。いくつかの実施形態では、EML114は、QD324の各集団がQD324の他の集団とは異なる可視スペクトルの光を放つように構成される、QD324の2以上の集団を有することができる。いくつかの実施形態では、EML114は約4nm~約20nmに及ぶ直径を有する、リン化インジウム(InP)に基づくQD324を含むことができる。
可視スペクトルにて一次発光ピーク波長を持つ光101はEML114から生成することができ、操作中デバイス積層103を横切って電圧が印加されると電界発光デバイス100から放射される。電子と正孔がEML114にて再結合し、可視波長領域にて波長に対応する光子を放出するので、光101は電圧が印加されると生成され得る。陰極122に関して陽極104が正であるように電圧が印加されると、電子及び正孔がそれぞれ陰極122及び陽極104から注入され得る。
図1及び図3~6を参照して、HETL118はEML114上に形成され、EIL120からEML114への電子の輸送を円滑にするように構成することができる。HETL118はさらに、操作中、正孔がEML114から逃れるのを阻止するように構成することができる。いくつかの実施形態では、HETL118は約20nm~約120nm(例えば、約20nm、約40nm、約50nm、約60nm、約80nm、約100nm、または約120nm)に及ぶZ軸に沿った垂直寸法(例えば、厚さ)を有することができる。いくつかの実施形態では、HETL118は図3~5に示すように、EML114上に配置される有機層328内に配置される無機NS326を含むことができる。図3~5は無機NS326が有機層328内に完全に埋め込まれることを示しているが、いくつかの実施形態によれば、無機NS326の一部は有機層328の表面328の外に部分的に広がることができる。いくつかの実施形態では、無機NS326はQD324の直径よりも約5~約20倍小さい直径を有することができる。いくつかの実施形態では、無機NS326は約2nm~約5nmに及ぶ直径を有することができる。
いくつかの実施形態では、HETL118は図6に示すように、EML114上に配置される有機層628上に配置される無機NS326を含むことができる。図6には無機NS326の1つの層が示されているが、図6のHETL118は無機NS326の任意の数の層を有することができる。図6には無機NS326が横列で並び、隣接する無機NS326と物理的に接触すると示されているが、無機NS326は互いに位置がずれる、及び/または隣接する無機NS326から間隔を空けられる列に配置することができる。さらに、無機NS326は図3~6では類似の寸法及び球形を有すると示されているが、無機NS326は互いに異なる寸法を有することができ、任意の幾何的形態を有することができる。
図3~4を参照して、有機層328の一部はQD324間のギャップ325内にて非存在であり(図3)または存在する(図4)ことができる。QD324が密に詰められると、HETL118の形成の間に有機層328の一部はQD324の1以上の層を介して拡散しなくてもよく、図3に示すようにギャップ325内に存在しなくてもよい。その一方で、QD324がゆるく詰められると、HETL118の形成の間に有機層328の一部はQD324の1以上の層を介して拡散してもよく、図4に示すように、ギャップ325の一部(または全部)を満たし、HTL110に接触する。有機層328の一部の拡散は有機層328の堆積法にも依存することができる。図6は有機層628の一部がギャップ325内に存在しないことを示しているが、いくつかの実施形態では有機層328に類似して、有機層628の一部は図6のEML114におけるQD324の詰め込みに応じて、及び/または有機層628の堆積法に応じて有機層628の一部はギャップ325内に存在することができる。
図3~6を参照して、有機層328及び628はQD324と無機NS326との間に有機界面を提供し、QD324と無機NS326を互いに間隔を空けて保ち、QD324と無機NS326の間での光学的相互作用を防ぐ。有機層328または628の非存在下でQD324と無機NS326が互いに接触するとQD324と無機NS326の間の光学的相互作用はQD324の発光特性(フォトルミネッセンス)のクエンチングを引き起こすことができる。QD324の発光特性のクエンチングはQD324と無機NS326の間の界面における無機NS326の表面欠陥の存在に起因し得る。界面の表面欠陥はQD324からの光子の生成及び/または放射を妨げることができ、その結果、QD324の発光特性に対してクエンチング効果を誘導する。したがって、QD324と無機NS326の間の界面における有機層328または628の存在はQD324の発光特性を改善する。いくつかの実施形態では、有機層328は無機NS326の表面欠陥を不働態化することができ、可視スペクトルにて無機NS326からの発光を防ぐまたは減らすことができる。
それぞれ有機層328及び無機NS326の有機材料及び無機材料は、有機材料及び無機材料が互いに化学的に反応せず、共通する極性有機溶媒、例えば、アルコール、アセトン、アセトニトリルに、またはQD324を損傷しない好適な極性有機溶媒に可溶性であるように選択される。いくつかの実施形態では、有機層328の有機材料は2以上のホスホン酸オキシド官能基(P=O)を含むことができる。例えば、有機材料は、3つのP=O官能基を有する(1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリイル)トリス(ベンゼン-3,1-diy1)トリス(ジフェニルホスフィンオキシド),2,4,6-トリス[3-(ジフェニルホスフィニル)フェニル]-1,3,5-トリアジン(POT2Tと呼ばれる)、または2つのP=O官能基を有するBis[2-(ジフェニルホスフィノ)フェニル]エーテルオキシド(DPEPOと呼ばれる)を含むことができる。いくつかの実施形態では、無機NS326の無機材料は金属酸化物半導体(例えば、酸化亜鉛(ZnO)、酸化亜鉛マグネシウム(ZnMgOなど)または金属酸化物(酸化チタンTiO2)を含むことができる。
図6を参照して、有機層328に類似して、有機層628は無機NS326の無機材料と化学的に反応しない有機材料を含むことができる。しかし、有機層328とは異なって、有機層628の有機材料は有機層628上へのNS326の堆積に使用される極性有機溶媒に不溶性である。
図1に戻って参照して、上記で議論されたように、陽極104は操作中、正に偏るとデバイス積層103に正孔を注入するように構成することができる。陽極104はいくつかの実施形態に従って、電導性であり且つ光学的に透明な材料、例えば、インジウム・スズ・酸化物(ITO)を含むことができる。いくつかの実施形態では、陽極104は約50nm~約150nm(例えば、約50nm、約80nm、約100nm、約120nm、約125nm、約140nm、または約150nm)に及ぶZ軸に沿った垂直寸法(例えば、厚さ)を有することができる。
HIL108は陽極104上に形成することができる。HIL108は陽極104からHTL110への正孔の注入を円滑にするように構成することができる。いくつかの実施形態では、HIL108は約3nm~約70nm(例えば、約3nm、約10nm、約30nm、約40nm、約50nm、約60nm、または約70nm)に及ぶZ軸に沿った垂直寸法(例えば、厚さ)を有することができる。いくつかの実施形態では、HIL108はp型またはn型の有機または無機の半導体材料、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ニッケル(NiO)、酸化モリブデン(MoO3)、酸化バナジウム(V2O5)、酸化タングステン(WO3))、ポリアニリン、ポリ(スルホン酸スチレン)(PSS)でドープしたポリチオフェン(例えば、ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)(PEDOT)、トリス[フェニル(m-トリル)アミノ]トリフェニルアミン(mTDATA)、またはヘキサアザトリフェニレン-ヘキサカルボニトリル(HAT-CN)を含むことができる。
いくつかの実施形態では、HTL110は図1に示すようにHIL108上に、またはHIL108が任意で含まれないならば陽極104上に形成することができる。HTL110はHIL108からEML114への正孔の輸送を円滑にするように構成することができる。いくつかの実施形態では、HTL110は約10nm~約30nm(例えば、約10nm、約20nm、または約30nm)に及ぶZ軸に沿った垂直寸法(例えば、厚さ)を有することができる。いくつかの実施形態では、HTL110はp型の有機または無機の半導体材料、例えば、金属酸化物(例えば、酸化ニッケル(NiO)、酸化モリブデン(MoO3)、酸化バナジウム(V2O5)、酸化タングステン(WO3))、またはポリマー(例えば、ポリ(N-ビニルカルバゾール)、ポリ(トリアリールアミン)、トリフェニルアミン誘導体、またはカルバゾール誘導体)、または有機小分子(例えば、N,N-ジ(1-ナフチル)-N,N-ジフェニル-(1,1-ビフェニル)4,4-ジアミン(NPB))を含むことができる。いくつかの実施形態では、HTL110及びHIL108は互いに類似のまたは異なる材料を含むことができる。
EIL120はHETL118上に形成することができ、陰極とのオームの法則に従うまたはほぼ従う接触を形成することによって陰極122からHETL118への電子の注入を円滑にするように構成することができる。いくつかの実施形態では、EIL120はn型の半導体材料、アルカリ金属塩(例えば、フッ化リチウム(LiF)または炭酸セシウム(Cs2CO3))、仕事関数の低い金属(例えば、カルシウム(Ca)、バリウム(Ba)、マグネシウム(Mg)、イッテルビウム(Yb)またはセシウム(Cs))、または有機化合物(例えば、ポリフルオレン、ポリエチレンイミンエトキシ化(PEIE)、またはリチウム-8-ヒドロキシキノリンオレート(Liq))を含むことができる。いくつかの実施形態では、HETL118及びEIL120は互いに類似したまたは異なる材料を含むことができる。
陰極122はEIL120上に、またはEIL120が任意で含まれなければHETL118上に直接形成することができる。陰極122は上記で議論したように、操作中、負に偏るとデバイス積層103に電子を注入するように構成することができる。いくつかの実施形態では、陰極122は約100nm~約5μm(例えば、約250nm、約280nm、約300nm、約500nm、約1μm、または約5μm)に及ぶZ軸に沿った垂直寸法(例えば、厚さ)を有することができる。陰極122は、いくつかの実施形態に従って、電導性で且つ光学的に反射性の材料、例えば、アルミニウム(Al)または銀(Ag)を含むことができる。陰極122の反射性材料は基板102に向かって光を反射するのに役立ち、且つ光が陰極122を通って放たれるのを防ぐのに役立つことができる。EML114における電子と正孔の再結合の後の光子の放出に起因して生成される光(上記で議論された)は陰極122及び基板102に向かって移動することができる。陰極122の反射性材料は電界発光デバイス100からの放射のために基板102に向かってこれらの光子を向け直すのに役立つ。
いくつかの実施形態では、デバイス103の層の順序は図2の電界発光デバイス200に示すように逆向きにしてもよい。陰極122が光学的に透明な材料を含むことができ、陽極104が光学的に反射性の材料を含むことができることを除いて、電界発光デバイス100の議論が電界発光デバイス200に適用される。
いくつかの実施形態では、電界発光デバイス100は上部発光の電界発光デバイスであることができ、光101は基板102の表面102sの代わりにデバイス103の表面103sを通って放たれ得る。電界発光デバイス100の議論は、基板102が光学的に反射性であることができ、陰極122及び陽極104が光学的に透明であることができることを除いて上部発光の電界発光デバイスに適用される。
他の要素の上またはそれにわたって存在すると本開示に記載されている要素は、特に言及されない限り、該他の要素と直接一緒にあり、または介在層を有することができる。図1~6の要素の一部は互いに関してX軸、Y軸及び/またはZ軸に沿って類似の寸法を有すると示されているが、これらの要素のそれぞれは、本発明の範囲または精神から逸脱することなく、1以上の方向にて互いに異なる寸法を有することができる。
ハイブリッド輸送層を持つ電界発光デバイスの例示的な特徴付け
図7は、(i)POT2T層にて配置されるZnMgO NSを有するハイブリッドETL(例えば、図3~5のHETL118)のフォトルミネッセンス(PL)のスペクトル732、及び(ii)ZnMgO NSの層のみを有するETLのフォトルミネッセンス(PL)のスペクトル734を説明している。ZnMgO NS層及びPOT2T層はそれぞれ、図3~5の無機NS326及び有機層328を表すことができる。PLスペクトル734と比べたPLスペクトル732の低い強度はPOT2T層の存在が約450nm~約650nmの範囲にわたってZnMgO NSからの発光を減らすことを示している。発光の減少はPOT2T層によるZnMgO NSの表面欠陥の表面安定化処理に起因することができる。
図7は、(i)POT2T層にて配置されるZnMgO NSを有するハイブリッドETL(例えば、図3~5のHETL118)のフォトルミネッセンス(PL)のスペクトル732、及び(ii)ZnMgO NSの層のみを有するETLのフォトルミネッセンス(PL)のスペクトル734を説明している。ZnMgO NS層及びPOT2T層はそれぞれ、図3~5の無機NS326及び有機層328を表すことができる。PLスペクトル734と比べたPLスペクトル732の低い強度はPOT2T層の存在が約450nm~約650nmの範囲にわたってZnMgO NSからの発光を減らすことを示している。発光の減少はPOT2T層によるZnMgO NSの表面欠陥の表面安定化処理に起因することができる。
図8は、(i)InP QDの層のPLスペクトル836、(ii)InP QDを有するEML(例えば、図3~5のEML114)とPOT2T層にて配置されたZnMgO NSを有するハイブリッドETL(例えば、図3~5のHETL118)とを持つ電界発光デバイスA(例えば、電界発光デバイス100)のPLスペクトル838、及び(iii)InP QDを有するEML(例えば、図3~5のEML114)とZnMgO NSの層のみを有するETLとを持つ電界発光デバイスBのPLスペクトル840を説明している。InP QD、ZnMgO NS及びPOT2Tの層はそれぞれ、図3~5のQD324、無機NS326及び有機層328を表すことができる。PLスペクトル840のそれと比べてPLスペクトル838の高い強度はハイブリッドETLにおけるPOT2T層の存在が電界発光デバイスBと比べて電界発光デバイスAの発光特性を改善することを示している。さらに、PLスペクトル838及び840と比べてPLスペクトル836の高い強度はETLにおけるZnMgO NSの存在に起因して電界発光デバイスA~Bの双方がある程度のPLクエンチングを呈したことを示すことができる。
図9は、(i)InP QDの層のPLスペクトル836、及び(ii)電界発光デバイスBのPLスペクトル840を説明している。図9はさらに、InP QDを伴う類似のEML(例えば、図3~5のEML114)を有するが、POT2TのZnMgOに対する異なる体積比で形成された異なるハイブリッドETL(例えば、図3~5のHETL118)を有するそれぞれ電界発光デバイスC及びDのPLスペクトル942及び944を説明している。電界発光デバイスCのハイブリッドETLは約1:1.5のPOT2TのZnMgOに対する体積比で形成され、電界発光デバイスDのハイブリッドETLは約4:1のPOT2TのZnMgOに対する体積比で形成されている。PLスペクトル942及び840と比べてPLスペクトル944の高い強度はハイブリッドETLにおける高い濃度のPOT2Tが電界発光デバイスの発光特性を改善することを示している。
図10は、(i)電界発光デバイスAについての電流密度と駆動電圧のプロット1046及び輝度と駆動電圧のプロット1048、ならびに(ii)電界発光デバイスBについての電流密度と駆動電圧のプロット1050及び輝度と駆動電圧のプロット1052を説明している。4Vを上回る駆動電圧についてはハイブリッドETLを持つ電界発光デバイスAは電界発光デバイスBよりも高い輝度を示す。
図11は、(i)電界発光デバイスAについてのEQEと輝度のプロット1154及び(ii)電界発光デバイスBについてのEQEと輝度のプロット1156を説明している。測定した輝度のあらゆる範囲にわたってハイブリッドETLを持つ電界発光デバイスAは電界発光デバイスBよりも高いEQEを示す。したがって、ハイブリッドETLの使用は電界発光デバイスAの効率ロールオフを減らす。
ハイブリッド輸送層を持つ電界発光デバイスを製造する例示的な方法
図12は、いくつかの実施形態に係る電界発光デバイス100を製造する例示的な方法1200のフローチャートである。工程はさまざまな順序で実施することができ、または特定の応用に応じて実行されえない。方法1200は完全な電界発光デバイスを作り出さなくてもよいことに留意すべきである。したがって、方法1200の前に、途中で、及び後で追加のプロセスを提供することができ、幾つかの他のプロセスが本明細書に手短にのみ記載されてもよいことが理解される。
図12は、いくつかの実施形態に係る電界発光デバイス100を製造する例示的な方法1200のフローチャートである。工程はさまざまな順序で実施することができ、または特定の応用に応じて実行されえない。方法1200は完全な電界発光デバイスを作り出さなくてもよいことに留意すべきである。したがって、方法1200の前に、途中で、及び後で追加のプロセスを提供することができ、幾つかの他のプロセスが本明細書に手短にのみ記載されてもよいことが理解される。
工程1205では、陽極の配置前の層を伴った基板が提供される。例えば、図1に示すように、陽極104を基板102の上に配置することができる。いくつかの実施形態では、基板102は光学的に透明であることができ、導電性材料を含むことができる。陽極104はいくつかの実施形態に従って、電気的に伝導性であり、且つ光学的に透明である材料、例えば、インジウム・スズ・酸化物(ITO)を含むことができる。いくつかの実施形態では、陽極104は、基板102の上に電気的に伝導性であり、且つ光学的に透明である材料を堆積し、パターン化することによって基板102の上に形成することができる。堆積は、例えば、スパッタリング、熱蒸発、または電気的に伝導性であり、且つ光学的に透明である材料を堆積するのに好適な方法によって実施することができる。パターン化は堆積中のリトグラフ法またはマスキング法によって実施することができる。
工程1210では、HILが陽極上に形成され、HIL上にHTLが形成される。例えば、図1に示すように、HIL108は陽極104上に配置され、HTL110はHIL108上に配置され得る。HIL108及びHTL110はそれぞれ、例えば、スピンコーティング、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、ノズル印刷、接触印刷、好適な溶液印刷技術、ロールツーロール加工、熱蒸発、または好適な蒸着技術によってその下層に堆積することができる。いくつかの実施形態では、HIL108はPSS(ポリ(スルホン酸スチレン)でドープしたPEDOT(ポリ(3,4-エチレンジオキシチオフェン)を含むことができ、HTL110はTFB(ポリ[(9,9-ジオクチルフルオレニル-2,7-ジイル)-co-(4,4’(N-(4-sec-ブチルフェニル)))ジフェニルアミン])を含むことができる。
工程1215では、EMLがHTL上に形成される。例えば、図1及び3~6に示すように、EML114がHTL110上に配置され得る。いくつかの実施形態では、EML114は、QD324の9mg/ml溶液を調製することと、例えば、スピンコーティング、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、ノズル印刷、接触印刷、好適な溶液印刷技術、熱蒸発、または好適な蒸着技術によって該溶液をHTL110上に堆積することとを含むことができる。いくつかの実施形態では、QD324は、約20nm~約40nmに及ぶ直径を持つリン化インジウム(InP)系QDを含むことができ、赤色または緑色の波長領域にて一次発光ピーク波長を発するように構成することができる。
いくつかの実施形態では、工程1210は任意の工程であることができ、工程1205はその後に工程1215が続くことができ、その際、EMLは陽極上に形成される。
工程1220では、HETLがEML上に形成され、EILがHETL上に形成される。例えば、図1及び3~5に示すように、HETL118はEML114上に配置され、EIL120はHETL118上に配置され得る。いくつかの実施形態では、HETL118の形成には、極性有機溶媒、例えば、アルコール、アセトン、アセトニトリル、またはQD324を損傷しない好適な極性有機溶媒にて無機NS326と有機層328の有機材料との溶液を調製することと、蒸気法または溶液法によってEML114上に該溶液を堆積することとが含まれ得る。いくつかの実施形態では、溶液はエタノール中ZnMgOナノ構造体の32mg/ml溶液及びメタノール中POT2Tの16mg/ml溶液を含むことができる。
EIL120は、例えば、スピンコーティング、インクジェット印刷、スロットダイコーティング、ノズル印刷、接触印刷、好適な溶液印刷技術、熱蒸発、または好適な蒸着技術によってHETL118上に堆積することができる。
工程1225では、陰極がEIL上に形成される。例えば、図1に示すように、陰極122はEIL120上に配置され得る。陰極122はいくつかの実施形態に従って、電気的に伝導性であり、且つ光学的に反射性である材料、例えば、アルミニウム(Al)または銀(Ag)を含むことができる。いくつかの実施形態では、陰極122は、例えば、スパッタリング、熱蒸発、好適な溶液印刷技術、または電気的に伝導性であり、且つ光学的に反射性である材料を堆積するのに好適な方法によってEIL120上に陰極材料を堆積させることによって形成することができる。
LEDディスプレイ装置の例示的な実施形態
図13はいくつかの実施形態に係るLEDディスプレイ装置1300の分解断面模式図を説明している。LEDディスプレイ装置1300はいくつかの実施形態に従って、背面プレート1358と、背面プレート1358上にて2Dアレイに配置される複数のピクセル1360と、透過型カバープレート1362とを含むことができる。図13に示すピクセルの数は説明に役立つものであって、限定ではない。装置1300は本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、任意の数のピクセルを有することができる。LEDディスプレイ装置1300は、QD系の電界発光デバイスがピクセル1360における光源として使用されるならば、QD-LEDディスプレイ装置と呼ばれることができる。
図13はいくつかの実施形態に係るLEDディスプレイ装置1300の分解断面模式図を説明している。LEDディスプレイ装置1300はいくつかの実施形態に従って、背面プレート1358と、背面プレート1358上にて2Dアレイに配置される複数のピクセル1360と、透過型カバープレート1362とを含むことができる。図13に示すピクセルの数は説明に役立つものであって、限定ではない。装置1300は本開示の精神及び範囲から逸脱することなく、任意の数のピクセルを有することができる。LEDディスプレイ装置1300は、QD系の電界発光デバイスがピクセル1360における光源として使用されるならば、QD-LEDディスプレイ装置と呼ばれることができる。
カバープレート1362は画像を生成するためのディスプレイ画面として役立つことができ、及び/またはLEDディスプレイ装置の基礎構造の環境封止を提供するように構成することができる。カバープレート1362はまた、LEDディスプレイ装置1300の他の構成成分(例えば、電極)がその上に配置され得る光学的に透明な基板あるように構成することもできる。いくつかの実施形態では、ピクセル1360は赤色、緑色及び青色のサブピクセルを有する3色性であることができる。いくつかの実施形態では、ピクセル1360は赤色、緑色または青色のサブピクセルを有する単色性であることができる。いくつかの実施形態では、LEDディスプレイ装置1300は3色性及び単色性のピクセル1360双方の組み合わせを有することができる。
LEDディスプレイ装置1300はさらに、ピクセル1360の制御回路(示さず)を含むことができる。ピクセル1360はスイッチング装置、例えば、薄膜トランジスター(TFT)によって独立して制御することができる。LEDディスプレイ装置1300は本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、種々の実施形態に従って、例えば、円筒形、台形、球形または楕円形のような、しかし、これらに限定されない幾何的形態を有することができる。背面プレート1358、ピクセル1360のアレイ及びカバープレート430は図13ではX軸に沿って類似の寸法を有すると示されているが、これら構成成分のそれぞれは種々の実施形態に従って、1以上の方向にて互いに異なる寸法を有することができる。
図14は、いくつかの実施形態に従って、LEDディスプレイ装置1300の3色性ピクセル1360の分解断面を説明している。ピクセル1360は赤色サブピクセル1360R、緑色サブピクセル1360G及び青色サブピクセル1360Bを含むことができる。赤色、緑色及び青色のサブピクセル1360R、1360G及び1360Bの配置は説明に役立つものであって、限定ではない。赤色、緑色及び青色のサブピクセル1360R、1360G及び1360Bは互いに関して任意の順に配置することができる。
赤色、緑色及び青色のサブピクセル1360R、1360G及び1360Bのそれぞれは、LEDディスプレイ装置1300のディスプレイ画面(例えば、カバープレート1362)に対して伝達されてもよい且つそれの至る所に分配されてもよいそれぞれ主要な赤色、緑色及び青色の光を提供するように構成されるそれぞれ電界発光デバイス1364R、1364G及び1364Bを含むことができる。電界発光デバイス1364R、1364G及び1364BのEML(例えば、EML114)におけるQD(例えば、QD324)の材料及びサイズが互いに異なることを除いて、電界発光デバイス1364R、1364G及び1364Bは図1~12を参照して記載されている電界発光デバイス100または200に類似することができる。電界発光デバイス1364R、1364G及び1364BのEMLにおけるQDのサイズ及び材料は、それぞれ赤色、緑色及び青色の波長領域にて一次発光ピーク波長を有する光を発するように選択することができる。
バリア層をコーティングした発光ナノ構造体の例示的な実施形態
図15は、いくつかの実施形態に係るバリア層をコーティングした発光ナノ構造体(NS)1500の断面構造を説明している。いくつかの実施形態では、NS1500の集団はEML114に含まれるQD324を表すことができる。バリア層をコーティングしたNS1500はNS1501とバリア層1506とを含む。NS1501はコア1502とシェル1504とを含む。コア1502は、光を発する半導体材料を含む。コア1502用の半導体材料の例には、リン化インジウム(InP)、セレン化カドミウム(CdSe)、硫化亜鉛(ZnS)、硫化鉛(PbS)、ヒ化インジウム(InAs)リン化インジウムガリウム(InGaP)、セレン化カドミウム亜鉛(CdZnSe)、セレン化亜鉛(ZnSe)及びテルル化カドミウム(CdTe)が挙げられる。直接バンドギャップを示す任意の他のII-VI族、III-V族、三級または四級の半導体構造を上手く使用することができる。一実施形態では、コア1502はまた、例えば、金属、ハロゲン及び合金のような1以上のドーパントを含めて幾つかの例を提供することができる。金属ドーパントの例には、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、またはそれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されない。ハロゲンドーパントの例には、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)またはヨウ素(I)を挙げることができるが、これらに限定されない。コア1502における1以上のドーパントの存在はドープされていないNSと比べてNS1501の構造的な、電気的な、及び/または光学的な安定性及びQYを改善することができる。
図15は、いくつかの実施形態に係るバリア層をコーティングした発光ナノ構造体(NS)1500の断面構造を説明している。いくつかの実施形態では、NS1500の集団はEML114に含まれるQD324を表すことができる。バリア層をコーティングしたNS1500はNS1501とバリア層1506とを含む。NS1501はコア1502とシェル1504とを含む。コア1502は、光を発する半導体材料を含む。コア1502用の半導体材料の例には、リン化インジウム(InP)、セレン化カドミウム(CdSe)、硫化亜鉛(ZnS)、硫化鉛(PbS)、ヒ化インジウム(InAs)リン化インジウムガリウム(InGaP)、セレン化カドミウム亜鉛(CdZnSe)、セレン化亜鉛(ZnSe)及びテルル化カドミウム(CdTe)が挙げられる。直接バンドギャップを示す任意の他のII-VI族、III-V族、三級または四級の半導体構造を上手く使用することができる。一実施形態では、コア1502はまた、例えば、金属、ハロゲン及び合金のような1以上のドーパントを含めて幾つかの例を提供することができる。金属ドーパントの例には、亜鉛(Zn)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、白金(Pt)、クロム(Cr)、タングステン(W)、パラジウム(Pd)、またはそれらの組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されない。ハロゲンドーパントの例には、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)またはヨウ素(I)を挙げることができるが、これらに限定されない。コア1502における1以上のドーパントの存在はドープされていないNSと比べてNS1501の構造的な、電気的な、及び/または光学的な安定性及びQYを改善することができる。
コア1502はいくつかの実施形態に従って直径20nm未満のサイズを有することができる。別の実施形態では、コア1502は直径約1nm~約10nmの間のサイズを有することができる。コア1502のサイズを目的に合わせる能力とその結果のナノメートル範囲でのNS1201のサイズは光学スペクトル全体における光子放出範囲を可能にする。一般に、大きなNSはスペクトルの赤色端に向けて光を発する一方で、小さなNSはスペクトルの青色端に向けて光を発する。この効果は、大きなNSは小さなNSよりもエネルギー準位の間隔が狭いので生じる。これによってNSはさらにエネルギーの低い、すなわち、スペクトルの赤色端にさらに近い光子を吸収できるようになる。
シェル1504はコア1502を取り囲み、コア1502の外面に配置される。シェル1504は硫化カドミウム(CdS)、硫化亜鉛カドミウム(ZnCdS)、セレン化硫化亜鉛(ZnSeS)及び硫化亜鉛(ZnS)を含むことができるが、これらに限定されない。一実施形態では、シェル1504は厚さ1504tを有し、例えば、1以上の単層を有することができる。他の実施形態では、シェル1504は約1nm~約10nmの間の厚さ1504tを有することができる。シェル1504を利用してコア1502との格子不整合を減らすのに役立たせ、NS1501のQYを改善することができる。シェル1504はコア1502上のダングリングボンドのような表面トラップ状態を不動態化し、取り除いてNS1501のQYを高めるのに役立つことができる。表面トラップ状態の存在は非放射状再結合中心を提供し、NS1501の発光効率の低下に寄与することができる。
代わりの実施形態では、NS1501は本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、シェル1504上に配置される第2のシェル、またはコア1502を取り囲む2を超えるシェルを含むことができる。一実施形態では、第2のシェルは1以上の単層の厚さであることができ、必要ではないが、通常、半導体材料でもある。本発明の精神及び範囲から逸脱することなく、他の材料を使用することができるが、第2のシェルの材料は硫化亜鉛(ZnS)であることができ、ドーパントも同様に含まれ得る。
バリア層1506はNS1501上でコーティングを形成するように構成することができる。一実施形態では、バリア層はシェル1504の外面1504a上に配置され、実質的にそれと接触する。1以上のシェルを有するNS1501の実施形態では、バリア層1506はNS1501の最外シェルの上に配置され、実質的にそれと接触することができる。例示的な実施形態では、バリア層1506は、例えば、複数のNSを有する溶液、組成物及び/またはフィルムにてNS1501と1以上のNSとの間でスペーサーとして作用するように構成することができ、その際、複数のNSはNS1501及び/またはバリア層をコーティングしたNS1501に類似することができる。そのようなNS溶液、NS組成物及び/またはNSフィルムでは、バリア層1506は隣接するNSとのNS1501の凝集を防ぐのに役立つ。隣接するNSとのNS1501の凝集はNS1501のサイズの増大につながり、その結果、NS1501を含む凝集したNS(示さず)の発光特性の低下またはクエンチングにつながることができる。さらなる実施形態では、バリア層1506は、NS1501の構造特性及び光学特性に悪影響を及ぼすことができる、例えば、水分、空気及び/または過酷な環境(例えば、NSのリトグラフ加工の間に及び/またはNS系装置の製造過程の間に使用される高温及び化学物質)からのNS1501の保護を提供する。
バリア層1506は、非晶質であり、光学的に透明であり、及び/または電気的に不活性である1以上の材料を含むことができる。好適なバリア層は、例えば、無機の酸化物、ハロゲン化合物及び窒化物のような、しかし、これらに限定されない無機材料を含む。バリア層1506の材料の例には、種々の実施形態に従ってAl、Ba、Ca、Mg、Ni、Si、Ti、またはZrの酸化物及び/または窒化物が挙げられる。バリア層1506は種々の実施形態にて約0.5nm~約15nmに及ぶ厚さ1506tを有することができる。
バリア層をコーティングしたNS1500はさらにまたは任意で、NS1501上に緩衝化したコーティングを形成するように構成される緩衝層1507を含む。一実施形態では、緩衝層1507はシェル1504上に配置され、シェル1504の外面1504a及びバリア層1506の内面1506aと実質的に接触する。緩衝層1507はNS1501上でのその後の加工、例えば、NS1501上でのバリア層1506の形成の間に使用される化学物質とNS1501の間で緩衝材として作用するように構成することができる。
緩衝層1507は、NS1501上でのその後の加工の間に使用される化学物質との反応に起因してNS1501の発光特性でのクエンチングを実質的に減らす及び/または防ぐのに役立つことができる。緩衝層1507は非晶質であり、光学的に透明であり、及び/または電気的に活性がある1以上の材料を含むことができる。緩衝層1507の1以上の材料は無機材料及び有機材料を含むことができる。緩衝層1507の無機材料の例には、種々の実施形態に従って金属の酸化物及び/または窒化物が挙げられる。金属酸化物の例にはZnO、TiO2、In2O3、Ga2O3、SnO2、Al2O3、またはMgOが挙げられる。緩衝層1507は種々の実施形態にて約1nm~約5nmに及ぶ厚さ1507tを有することができる。
図15にて説明しているように、バリア層をコーティングしたNS1500はさらにまたは任意で、いくつかの実施形態に従って複数のリガンドまたは界面活性剤1508を含む。リガンドまたは界面活性剤1508は、いくつかの実施形態に従って、バリア層をコーティングしたNS1500の外面、例えば、バリア層1506の外面またはシェル1504もしくは第2のシェルの外面に吸着または結合され得る。複数のリガンドまたは界面活性剤1508は、親水性のまたは極性の頭部1508a及び疎水性のまたは非極性の尾部1508bを含むことができる。親水性のまたは極性の頭部1508aはバリア層1506に結合することができる。リガンドまたは界面活性剤1508の存在は、その形成の間に、例えば、溶液、組成物及び/またはフィルムにて他のNSからNS1500及び/またはNS1501を分離するのに役立つことができる。その形成の間にNSが凝集できると、NS1500及び/またはNS1501のようなNSの量子効率が低下し得る。リガンドまたは界面活性剤1508を使用して、バリア層をコーティングしたNS1500に疎水性のような特定の特性を付与し、非極性溶媒における混和性を提供し、または他の化合物が結合する反応部位(例えば、逆相ミセル系)を提供することができる。
リガンド1508として使用することができる多種多様なリガンドが存在する。いくつかの実施形態では、リガンドはラウリン酸、カプロン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸及びオレイン酸から選択される脂肪酸である。いくつかの実施形態では、リガンドは、トリオクチルホスフィンオキシド(TOPO)、トリオクチルホスフィン(TOP)、ジフェニルホスフィン(DPP)、トリフェニルホスフィンオキシド、及びトリブチルホスフィンオキシドから選択される有機ホスフィンまたは有機ホスフィンオキシドである。いくつかの実施形態では、リガンドはドデシルアミン、オレイルアミン、ヘキサデシルアミン及びオクタデシルアミンから選択されるアミンである。いくつかの実施形態では、リガンドはトリオクチルホスフィン(TOP)である。いくつかの実施形態では、リガンドはオレイルアミンである。いくつかの実施形態では、リガンドはチオール、例えば、オクタンチオールである。いくつかの実施形態では、リガンドはジフェニルホスフィンである。いくつかの実施形態では、リガンドはこれら脂肪酸のいずれかの中性塩、またはこれらアミン、ホスフィン、またはホスフィンオキシドのカルコゲニド、例えば、オレイン酸亜鉛、ラウリン酸亜鉛、TOP-セレン化またはTOP-硫化である。
界面活性剤1508として使用することができる多種多様な界面活性剤が存在する。非イオン性界面活性剤はいくつかの実施形態では界面活性剤1508として使用することができる。非イオン性界面活性剤のいくつかの例には、ポリオキシエチレン(5)ノニルフェニルエーテル(商品名IGEPAL CO-520)、ポリオキシエチレン(9)ノニルフェニルエーテル(IGEPAL CO-630)、オクチルフェノキシポリ(エチレンオキシ)エタノール(IGEPAL CA-630)、ポリエチレングリコールオレイルエーテル(Brij 93)、ポリエチレングリコールヘキサデシルエーテル(Brij 52)、ポリエチレングリコールオクタデシルエーテル(Brij S10)、ポリオキシエチレン(10)イソオクチルシクロヘキシルエーテル(Triton X-100)、及びポリオキシエチレン分岐ノニルシクロヘキシルエーテル(Triton N-101)が挙げられる。
アニオン性界面活性剤はいくつかの実施形態では界面活性剤1508として使用することができる。アニオン性界面活性剤のいくつかの例には、ジオクチルスルホコハク酸ナトリウム、ステアリン酸ナトリウム、ラウリル硫酸ナトリウム、モノドデシルリン酸ナトリウム、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム、及びミリスチル硫酸ナトリウムが挙げられる。
いくつかの実施形態では、NS1501及び/またはNS1500は1以上の種々の色範囲、例えば、赤色、橙色及び/または黄色の範囲にて発光するように合成することができる。いくつかの実施形態では、NS1501及び/またはNS1500は緑色及び/または黄色の範囲にて発光するように合成することができる。いくつかの実施形態では、NS1501及び/またはNS1500は青色、藍色、紫色及び/または紫外の範囲にて発光するように合成することができる。いくつかの実施形態では、NS1501及び/またはNS1500は605nm~650nmの間、510nm~550nmの間、300nm~495nmの間の一次発光ピーク波長を有するように合成することができる。
NS1501及び/またはNS1500は高いQYを示すように合成することができる。いくつかの実施形態では、NS1501及び/またはNS1500は80%~100%の間、または85%~90%の間でQYを示すように合成することができる。
したがって、種々の実施形態によれば、NS1500はNS1501上のバリア層1506の存在がNS1501の発光特性を実質的に変えないまたはクエンチングしないように合成することができる。
ナノ構造フィルムの例示的な実施形態
図16はいくつかの実施形態に係るNSフィルム1600の断面図を説明している。いくつかの実施形態では、NSフィルム1600は図5のEML114を表すことができる。
図16はいくつかの実施形態に係るNSフィルム1600の断面図を説明している。いくつかの実施形態では、NSフィルム1600は図5のEML114を表すことができる。
NSフィルム1600はいくつかの実施形態に従って、バリア層をコーティングした複数のコア・シェルNS1500(図15)及びマトリックス材1610を含むことができる。NS1500はいくつかの実施形態に従って、マトリックス材1610に埋め込まれ得る、またはさもなければ配置され得る。本明細書で使用されるとき、「埋め込まれる」という用語はNSがマトリックス材に封入されるまたは包み込まれることを示すのに使用される。他の実施形態では、NS1500は応用専用の均一性分布関数に従って分布することができるが、一実施形態では、NS1500はマトリックス材1610全体を通して均一に分布することができることに留意すべきである。NS1500が直径で同じサイズを有することが示されるとしても、当業者はNS1500がサイズ分布を有し得ることを理解することに留意すべきである。
一実施形態では、NS1500は、青色可視波長スペクトル、緑色可視波長スペクトル、または赤色可視波長スペクトルにて放射するサイズを有するNSの均質な集団を含むことができる。他の実施形態では、NS1500は、青色可視波長スペクトルにて放射するサイズを有するNSの第1の集団、緑色可視波長スペクトルにて放射するサイズを有するNSの第2の集団、及赤色可視波長スペクトルにて放射するサイズを有するNSの第3の集団を含むことができる。
マトリックス材1610はNS1500を収納することができる任意の好適な宿主マトリックス材であることができる。好適なマトリックス材は、NS1500と、及びNSフィルム1600を装置に適用する際に使用される任意の周囲のパッキング材またはパッキング層と化学的に且つ光学的に適合性であることができる。好適なマトリックス材は一次光及び二次光の双方に対して透明である非黄変光学材料を含むことができ、それによって一次光及び二次光の双方がマトリックス材を透過するのを可能にする。一実施形態では、マトリックス材1610はNS1500のそれぞれを完全に取り囲むことができる。マトリックス材1610は柔軟なまたは成形可能なNSフィルム1600が所望である適用にて柔軟であることができる。あるいは、マトリックス材1610は強度の高い、柔軟性ではない材料を含むことができる。
マトリックス材1610はポリマー、他の半導体ナノ粒子、有機及び無機の酸化物、または他の半導体材料もしくは絶縁材料を含むことができる。マトリックス材1610での使用に好適なポリマーはそのような目的に使用することができる当業者に既知の任意のポリマーであることができる。ポリマーは実質的に半透明である、または実質的に透明であることができる。マトリックス材1610には、エポキシ、アクリレート、ノルボルネン、ポリエチレン、ポリ(ビニルブチラール):ポリ(酢酸ビニル)、ポリ尿素、ポリウレタン;アミノシリコーン(AMS)、ポリフェニルメチルシロキサン、ポリフェニルアルキルシロキサン、ポリジフェニルシロキサン、ポリジアルキルシロキサン、シルセスキオキサン、フッ素化シリコーン、及びビニル及び水素化物で置換したシリコーンを含むが、これらに限定されないシリコーン及びシリコーン誘導体;メタクリル酸メチル、メタクリル酸ブチル、及びメタクリル酸ラウリルを含むが、これらに限定されないモノマーから形成されるアクリル系ポリマー及びコポリマー;スチレン系ポリマー、例えば、ポリスチレン、アミノポリスチレン(APS)、及びポリ(アクリロニトリルエチレンスチレン)(AES);二官能性モノマー、例えば、ジビニルベンゼンと架橋されるポリマー;リガンド物質を架橋するのに好適な架橋剤、リガンドアミン(例えば、APSまたはPEIリガンドアミン)と組み合わせてエポキシを形成するエポキシド、などを挙げることができるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、マトリックス材1610は、NSフィルム1600の光変換効率を改善することができるTiO2マイクロビーズ、ZnSマイクロビーズまたはガラスマイクロビーズのような散乱マイクロビーズを含む。いくつかの実施形態ではマトリックス材1610は伝導性または半導体の材料を含むことができる。
別の実施形態では、マトリックス材1610は低い酸素及び透湿性を有し、高い光安定性及び化学安定性を示し、好ましい屈折率を示し、且つNS1500の外面に接着することができるので、NS1500を保護するための密閉性の封を提供する。別の実施形態では、マトリックス材1610はUVまたは熱硬化法によって硬化可能であり、ロールツーロール加工を円滑にすることができる。
いくつかの実施形態によれば、NSフィルム1600は、ポリマー(例えば、フォトレジスト)にてNS1500を混合し、NS・ポリマー混合物を基板上に成型し、モノマーとNS1500を混合し、それらを一緒に重合し、ゾル・ゲルにてNS1500を混合して酸化物を形成することによって、または当業者に既知の他の方法によって形成することができる。
発光ナノ構造体の例示的な実施形態
本明細書に記載されているのは、EML114のQD324を表すことができる発光ナノ構造体(NS)を有する種々の組成物である。その吸収特性、発光特性及び屈折率特性を含む発光ナノ構造の種々の特性を目的に合わせることができ、種々の応用に調整することができる。
本明細書に記載されているのは、EML114のQD324を表すことができる発光ナノ構造体(NS)を有する種々の組成物である。その吸収特性、発光特性及び屈折率特性を含む発光ナノ構造の種々の特性を目的に合わせることができ、種々の応用に調整することができる。
NSの材料特性は実質的に均質であることができ、または、いくつかの実施形態では不均一であることができる。NSの光学特性はその粒度、化学組成または表面組成によって決定することができる。約1nm~約20nmの間の範囲で発光NSのサイズを目的に合わせる能力は光学スペクトル全体にて光子放出範囲を可能にし、演色における大きな多用途性を提供することができる。粒子カプセル化は化学的劣化物質及びUV劣化物質に対してロバスト性を提供することができる。
本明細書に記載されている実施形態で使用するための発光NSは当業者に既知の任意の方法を使用して製造することができる。好適な方法及び例示的なナノ結晶は、そのそれぞれの開示が全体として参照によって本明細書に組み込まれる米国特許第7,374,807号;2004年3月10日に出願された米国特許出願番号第10/796,832号;米国特許第6,949,20号6;及び2004年6月8日に出願された米国仮特許出願第60/578,236号に開示されている。
本明細書に記載されている実施形態で使用するための発光NSは、無機材料、さらに好適には無機の伝導性または半導体の材料を含む任意の好適な材料から製造することができる。好適な半導体材料には米国特許出願第10/796,832号に開示されたものを挙げることができ、II-VI族、III-V族、IV-VI族、I-III-VI族及びIV族の半導体を含む、任意の種類の半導体を挙げることができる。好適な半導体材料には、Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(ダイヤモンドを含む)、P、BN、BP、BAs、AIN、A1P,AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AIN、A1P、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、BeS、BeSe、BeTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SuS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuF、CuCl、CuBr、Cui、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al、Ga、In)2、(S、Se、Te)3、A12CO、CuInGaS、CuInGaSe及びそのような半導体の2以上の適当な組み合わせを挙げることができるが、これらに限定されない。
いくつかの実施形態では、発光NSはp型ドーパントまたはn型ドーパントから成る群由来のドーパントを有することができる。NSはII-VIまたはIII-Vの半導体も有することができる。II-VIまたはIII-Vの半導体NSの例には、周期律表の、例えば、Zn、Cd及びHgのようなII族の元素のS、Se、Te及びPoのようなVI族の元素との任意の組み合わせ;ならびに周期律表の、例えば、B、Al、Ga、In及びTlのようなIII族の元素のN、P、As、Sb及びBiのようなV族の元素との任意の組み合わせを挙げることができる。
本明細書に記載されている発光NSはさらに、その表面に結合された、連携された、会合されたまたは連結されたリガンドも含むことができる。好適なリガンドには、そのそれぞれの開示が参照によって本明細書に組み込まれる米国特許第8,283,412号;米国特許公開番号2008/0237540;米国特許公開番号2010/0110728;米国特許第8,563,133号;米国特許第7,645,397号;米国特許第7,374,807号;米国特許第6,949,206号;米国特許第7,572,393号;及び米国特許第7,267,875号にて開示されたものを含めて当業者に既知の任意の群を挙げることができる。そのようなリガンドの使用は、ポリマーを含む種々の溶媒及びマトリックスに組み込む発光NSの能力を高めることができる。種々の溶媒及びマトリックスにおける発光NSの混和性(すなわち、分離せずに混合される能力)の増大は、NSが一緒に凝集せず、したがって光を散乱しないようにポリマー組成物全体に分散させることができる。そのようなリガンドは本明細書では「混和性増強」リガンドと記載される。
いくつかの実施形態では、マトリックス材に分配されるまたは埋め込まれる発光NSを有する組成物が提供される。好適なマトリックス材は、ポリマー材料、有機及び無機の酸化物を含む、当業者に既知の任意の材料であることができる。本明細書に記載されている組成物は層、カプセル材、コーティング、シートまたはフィルムであることができる。層、ポリマー層、マトリックス、シートまたはフィルムを参照する本明細書に記載されている実施形態では、これらの用語は相互交換可能に使用され、そのように記載されている実施形態は任意の1種類の組成物に限定されないが、本明細書に記載されているまたは当該技術分野で既知の任意のマトリックス材または層を包含することが理解されるべきである。
NS(例えば、米国特許第7,374,807号に開示されたような)をダウンコンバートすることは特定の波長の光を吸収した後に第2の波長で発光するように調整された発光ナノ構造の発光特性を利用し、それによって活性源(例えば、LED)の性能および効率の向上を提供する。
当業者に既知の任意の方法を使用して発光NSを作り出すことができる一方で、無機ナノ材料リン光体の成長制御のための溶液相コロイド法を使用することができる。その開示が全体として参照によって本明細書に組み込まれるAlivisatos,A.P.,“Semiconductor clusters,nanocrystals,and quantum dots,”Science,271:933(1996);X.Peng,M.Schlamp,A.Kadavanich,A.P.Alivisatos,“Epitaxial growth of highly luminescent CdSe/CdS Core/Shell nanocrystals with photostability and electronic accessibility,”J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997);及びC.B.Murray,D.J.Norris,M.G.Bawendi,“Synthesis and characterization of nearly monodisperse CdE (E=sulfur,selenium,tellurium) semiconductor nanocrystallites,”J.Am.Chem.Soc.115:8706(1993)を参照のこと。
いくつかの実施形態によれば、この材料の合成の相対的な完成のために、一例では可視光ダウンコンバートについてNS材料としてCdSeを使用することができる。一般的な表面化学の使用のために、カドミウム非含有NSを代わりに使うことも可能であり得る。
半導体NSでは、光誘起発光はNSのバンド端状態から生じる。発光NSに由来するバンド端発光は表面電子状態に由来する放射性及び非放射性の崩壊チャネルと競合する。X.Peng,et al.,J.Am.Chem.Soc.30:7019-7029(1997)。その結果、ダングリングボンドのような表面欠陥の存在が非放射性の再結合中心を提供し、発光効率の低下に寄与する。表面トラップ状態を不動態化し、除去する効率的で且つ恒久的な方法はNSの表面にて無機シェル材料をエピタキシャル成長させることであり得る。X.Peng,et al.,J.Am.Chem.Soc.30:701,9-7029(1997)。シェル材料は、電子準位がコア材料に関してタイプ1であるように選択することができる(例えば、電子と正孔をコアに局在化させる電圧段階を提供するさらに大きなバンドギャップを伴う)。その結果、非放射性の再結合の確率は低下し得る。
コア・シェル構造は、シェル材料を含有する有機金属前駆体を、コアNSを含有する反応混合物に加えることによって得ることができる。この場合、成長が後に続く核生成事象よりはむしろ、コアが核として作用し、シェルがその表面から成長することができる。反応の温度はコア表面へのシェル材料モノマーの添加に有利に働くように低く保たれる一方で、シェル材料のナノ結晶の独立した核生成を妨げる。反応混合物における界面活性剤はシェル材料の制御成長を指図し、溶解性を確保するために存在する。2つの材料間で格子不整合が少ない場合、均一で且つエピタキシャル成長したシェルを得ることができる。
コア・シェル発光NSを調製するための例示的な材料には、Si、Ge、Sn、Se、Te、B、C(ダイヤモンドを含む)、P、Co、Au、BN、BP、BAs、AIN、A1P、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、InN、InP、InAs、InSb、AIN、A1P、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、ZnO、ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTc、BeS、BcSe、BcTe、MgS、MgSe、GeS、GeSe、GeTe、SnS、SnSe、SnTe、PbO、PbS、PbSe、PbTe、CuP、CuCl、CuBr、Cui、Si3N4、Ge3N4、Al2O3、(Al、Ga、In)2、(S、Se、Te)3、AlCOを挙げることができるが、これらに限定されず、本発明の実践で使用するためのシェル発光NSには、(コア/シェルとして表される)、CdSe/ZnS、InP/ZnS、InP/ZnSe、PbSe/PbS、CdSe/CdS、CdTe/CdS、CdTe/ZnSと同様にその他が挙げられるが、これらに限定されない。
本明細書に記載されている実施形態で使用するための発光NSはサイズが約100nm未満であり、約1nm未満のサイズまで小さくでき、可視光を吸収することができる。本明細書で使用されるとき、可視光はヒトの眼に見える約380~約780ナノメートルの間の波長を持つ電磁放射線である。可視光は種々の色のスペクトル、赤色、橙色、黄色、緑色、青色、藍色及び紫色に分離することができる。青色光は約435nm~495nmの間の光を含むことができ、緑色光は約495nm~570nmの間の光を含むことができ、赤色光は約620nm~750nmの間の光を含むことができる。
種々の実施形態によれば、発光NSは、それらが紫外、近赤外及び/または赤外のスペクトルにある光子を吸収するようにサイズ及び組成を有することができる。紫外線スペクトルは波長で約100nm~約400nmの間の光を含むことができ、近赤外線スペクトルは波長で約750nm~約100μmの間の光を含むことができ、赤外線スペクトルは波長で約750nm~約300μmの間の光を含むことができる。
本明細書に記載されている種々の実施形態では他の好適な材料の発光NSを使用することができる一方で、いくつかの実施形態では、NSは、本明細書に記載されている実施形態で使用するためのナノ結晶の集団を形成するためにZnSe、ZnTe、ZnS、InAs、InP、CdSeまたはそれらの任意の組み合わせであることができる。上記に議論されているように、さらなる実施形態では、発光NSはコア/シェルナノ結晶、例えば、CdSe/ZnS、InP/ZnSe、CdSe/CdSまたはInP/ZnSであることができる。
好適な発光ナノ構造体、種々の溶解性を高めるリガンドの添加を含む発光ナノ構造体を調製する方法は、その開示が全体として参照によって本明細書に組み込まれる、公開されている米国特許公開番号2012/0113672に見いだすことができる。
いくつかの実施形態が本明細書で説明され、記載されている一方で、特許請求の範囲は記載され、示されている部分の具体的な形態または配置に限定されないことが理解されるべきである。本明細書では、説明に役立つ実施形態が開示されており、具体的な用語が採用されているが、それらは一般的な且つ記述的な意味でのみ使用され、限定の目的には使用されない。実施形態の修正及び変形は上記の教示に照らせば可能である。したがって、実施形態は具体的に記載された以外の方法で実施することができることを理解すべきである。
Claims (23)
- 電界発光デバイスであって、
基板と;
前記基板上に配置される第1の電極と;
前記第1の電極上に配置される、発光ナノ構造体を含む発光層と;
前記発光層上に配置されるハイブリッド輸送層と;
前記ハイブリッド輸送層上に配置される第2の電極とを含み、
前記ハイブリッド輸送層は有機層と前記有機層内に配置される無機ナノ構造体とを含み、前記発光ナノ構造体は前記有機層によって前記無機ナノ構造体から分離される、前記電界発光デバイス。 - 前記有機層の有機材料及び前記無機ナノ構造体の無機材料が共通する有機溶媒に可溶性である、請求項1に記載の電界発光デバイス。
- 前記有機層の有機材料及び前記無機ナノ構造体の無機材料がアルコール、アセトンまたはアセトニトリルに可溶性である、請求項1~2のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- 前記有機層が2以上のホスホン酸オキシド官能基(P=O)を持つ有機材料を含む、請求項1~3のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- 前記有機層が3つのホスホン酸オキシド官能基(P=O)を有する (1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリイル)トリス(ベンゼン-3,1-ジイル)トリス(ジフェニルホスフィンオキシド)、2,4,6-トリス[3-(ジフェニルホスフィニル)フェニル]-1,3,5-トリアジンを含む、請求項1~4のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- 前記無機ナノ構造体が金属酸化物を含む、請求項1~5のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- 前記無機ナノ構造体が前記発光ナノ構造体の直径よりも約5~約20倍小さい直径を含む、請求項1~6のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- 前記発光ナノ構造体が可視スペクトルにて発光するように構成される量子ドットを含む、請求項1~7のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- 前記発光ナノ構造体が前記発光層上に配置されるマトリックス材内に配置される、請求項1~8のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- 前記発光ナノ構造体が、赤色光を発するように構成される量子ドットの第1の集団と緑色光を発するように構成される量子ドットの第2の集団とを含む、請求項1~9のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- さらに、前記第1の電極と前記発光層との間に配置される正孔輸送層を含む、請求項1~10のいずれか1項に記載の電界発光デバイス。
- ディスプレイ装置であって、
ピクセルのアレイと;
前記ピクセルのアレイ上に配置されるディスプレイ画面とを含み、
前記ピクセルのアレイの各ピクセルが第1と第2の電界発光デバイスを含み、
前記第1と第2の電界発光デバイスが
発光ナノ構造体を含む発光層と
前記発光層上に配置されるハイブリッド輸送層とを含み、前記ハイブリッド輸送層が有機層と無機ナノ構造体とを含み、
前記第1の電界発光デバイスの前記発光層が第1のピーク波長を有する第1の光を発するように構成され、
前記第2の電界発光デバイスの前記発光層が前記第1のピーク波長とは異なる第2のピーク波長を有する第2の光を発するように構成される、前記ディスプレイ装置。 - 前記無機ナノ構造体が前記有機層内に配置される、請求項12に記載のディスプレイ装置。
- 前記無機ナノ構造体が前記有機層上に配置される、請求項12に記載のディスプレイ装置。
- 前記発光ナノ構造体が前記有機層によって前記無機ナノ構造体から分離される、請求項12~14のいずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記有機層が2以上のホスホン酸オキシド官能基(P=O)を持つ有機材料を含む、請求項12~15のいずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記有機層が3つのホスホン酸オキシド官能基(P=O)を有する (1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリイル)トリス(ベンゼン-3,1-ジイル)トリス(ジフェニルホスフィンオキシド)、2,4,6-トリス[3-(ジフェニルホスフィニル)フェニル]-1,3,5-トリアジンを含む、請求項12~16のいずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 前記有機層の有機材料及び前記無機ナノ構造体の無機材料が共通する有機溶媒に可溶性である、請求項12~17のいずれか1項に記載のディスプレイ装置。
- 電界発光デバイスを製造する方法であって、
基板に陽極材料の層を提供することと;
前記陽極材料の層上に正孔輸送層を形成することと;
前記正孔輸送層上に量子ドットの層を形成することと;
前記量子ドットの層上に有機層と無機ナノ構造体とを含むハイブリッド輸送層を形成することと;
前記ハイブリッド輸送層上に陰極を形成することとを含む、前記方法。 - 前記ハイブリッド輸送層を前記形成することが有機溶媒にて前記無機ナノ構造体と前記有機層の有機材料との溶液を調製することを含む、請求項19に記載の方法。
- 前記ハイブリッド輸送層を前記形成することが、
第1の溶媒にて前記無機ナノ構造体との第1の溶液を調製することと;
前記第1の溶媒とは異なる第2の溶媒にて前記有機層の有機材料との第2の溶液を調製することとを含む、請求項19に記載の方法。 - 前記ハイブリッド輸送層を前記形成することが、2以上のホスホン酸オキシド官能基(P=O)を持つ有機材料との溶液を調製することを含む、請求項19~21のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ハイブリッド輸送層を前記形成することが、3つのホスホン酸オキシド官能基(P=O)を有する (1,3,5-トリアジン-2,4,6-トリイル)トリス(ベンゼン-3,1-ジイル)トリス(ジフェニルホスフィンオキシド)、2,4,6-トリス[3-(ジフェニルホスフィニル)フェニル]-1,3,5-トリアジンとの溶液を調製することを含む、請求項19~22のいずれか1項に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063104126P | 2020-10-22 | 2020-10-22 | |
US63/104,126 | 2020-10-22 | ||
PCT/US2021/056020 WO2022087245A1 (en) | 2020-10-22 | 2021-10-21 | Electroluminescent devices with hybrid transport layers |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023551766A true JP2023551766A (ja) | 2023-12-13 |
Family
ID=78592953
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023524391A Pending JP2023551766A (ja) | 2020-10-22 | 2021-10-21 | ハイブリッド輸送層を有する電界発光デバイス |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220131102A1 (ja) |
EP (1) | EP4233100A1 (ja) |
JP (1) | JP2023551766A (ja) |
KR (1) | KR20230091109A (ja) |
CN (1) | CN116508412A (ja) |
TW (1) | TW202224209A (ja) |
WO (1) | WO2022087245A1 (ja) |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7572393B2 (en) | 2002-09-05 | 2009-08-11 | Nanosys Inc. | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
US6949206B2 (en) | 2002-09-05 | 2005-09-27 | Nanosys, Inc. | Organic species that facilitate charge transfer to or from nanostructures |
US7645397B2 (en) | 2004-01-15 | 2010-01-12 | Nanosys, Inc. | Nanocrystal doped matrixes |
JP4789809B2 (ja) | 2004-01-15 | 2011-10-12 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | ナノ結晶をドーピングしたマトリックス |
TWI406890B (zh) | 2004-06-08 | 2013-09-01 | Sandisk Corp | 奈米結構之沉積後包封:併入該包封體之組成物、裝置及系統 |
US8563133B2 (en) | 2004-06-08 | 2013-10-22 | Sandisk Corporation | Compositions and methods for modulation of nanostructure energy levels |
KR100817853B1 (ko) * | 2006-09-25 | 2008-03-31 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 점진적 농도구배 껍질 구조를 갖는 양자점 및 이의 제조방법 |
US20100110728A1 (en) | 2007-03-19 | 2010-05-06 | Nanosys, Inc. | Light-emitting diode (led) devices comprising nanocrystals |
CN101641424B (zh) | 2007-03-19 | 2013-12-04 | 纳米***公司 | 用于包封纳米晶体的方法 |
CN104387772B (zh) | 2009-05-01 | 2017-07-11 | 纳米***公司 | 用于纳米结构体分散的官能化基质 |
JP5940079B2 (ja) | 2010-11-10 | 2016-06-29 | ナノシス・インク. | ディスプレイバックライトユニット及びディスプレイバックライトユニットの形成方法 |
US10897023B2 (en) * | 2015-10-02 | 2021-01-19 | Toyota Motor Europe | All quantum dot based optoelectronic device |
US11355583B2 (en) * | 2016-07-28 | 2022-06-07 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Quantum dots and devices including the same |
US10768485B2 (en) * | 2017-07-05 | 2020-09-08 | Nanoco Technologies Ltd. | Quantum dot architectures for color filter applications |
KR102452648B1 (ko) * | 2017-12-27 | 2022-10-06 | 삼성전자주식회사 | 전계 발광 소자 및 이를 포함하는 표시 장치 |
US11233211B2 (en) * | 2018-03-14 | 2022-01-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Electroluminescent device, manufacturing method thereof, and display device comprising the same |
US11127912B2 (en) * | 2018-07-17 | 2021-09-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting device and display device including the same |
US20220199924A1 (en) * | 2019-04-17 | 2022-06-23 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electroluminescent element, display device, and method for manufacturing electroluminescent element |
WO2020213094A1 (ja) * | 2019-04-17 | 2020-10-22 | シャープ株式会社 | 電界発光素子、表示装置、及び電界発光素子の製造方法 |
KR20210129757A (ko) * | 2020-04-20 | 2021-10-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 비카드뮴 양자점, 이를 포함하는 양자점-폴리머 복합체, 및 이를 포함하는 전자 소자 |
KR20220093953A (ko) * | 2020-12-28 | 2022-07-05 | 삼성전자주식회사 | 코어쉘 양자점 및 이를 포함하는 전자 소자 |
-
2021
- 2021-10-21 KR KR1020237014488A patent/KR20230091109A/ko unknown
- 2021-10-21 TW TW110139019A patent/TW202224209A/zh unknown
- 2021-10-21 CN CN202180072329.7A patent/CN116508412A/zh active Pending
- 2021-10-21 US US17/507,416 patent/US20220131102A1/en active Pending
- 2021-10-21 WO PCT/US2021/056020 patent/WO2022087245A1/en active Application Filing
- 2021-10-21 JP JP2023524391A patent/JP2023551766A/ja active Pending
- 2021-10-21 EP EP21806105.9A patent/EP4233100A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220131102A1 (en) | 2022-04-28 |
CN116508412A (zh) | 2023-07-28 |
KR20230091109A (ko) | 2023-06-22 |
EP4233100A1 (en) | 2023-08-30 |
WO2022087245A1 (en) | 2022-04-28 |
TW202224209A (zh) | 2022-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102654434B1 (ko) | 공진 에너지 전달에 기초한 양자 도트 led 설계 | |
US10741793B2 (en) | Light emitting device including blue emitting quantum dots and method | |
US11637258B2 (en) | Display devices with different light sources | |
US11296150B2 (en) | Display devices with different light sources in pixel structures | |
US20210277307A1 (en) | Blue-emitting nanocrystals with cubic shape and group iv metal fluoride passivation | |
CN112585770A (zh) | 电致发光显示装置及其制作方法 | |
US20220131102A1 (en) | Electroluminescent devices with hybrid transport layers | |
US20220131099A1 (en) | Electroluminescent devices with organic transport layers | |
US11380863B2 (en) | Flexible electroluminescent devices | |
US20220209199A1 (en) | Flexible electroluminescent devices | |
US11985878B2 (en) | Display devices with different light sources in pixel structures |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20230914 |