JP2023544781A - 燃焼ゾーン化学物質検知システム及び関連する方法 - Google Patents
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Abstract
入力ファイバ(150)からのMIR電磁エネルギーをコリメートするピッチ反射光学素子(110)と、反射器(120)と、反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバ(152)の中へ集束させるキャッチ反射光学素子(112)と、出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出する検出器(140)とを含む燃焼ゾーン化学物質検知システム(100)が開示される。入力ファイバ(150)からのMIR電磁エネルギーを反射器(120)に向けてコリメートするピッチ反射光学素子(110)と、反射器から反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバ(152)の中へ集束させるキャッチ反射光学素子(112)と、燃焼ゾーンに隣接する構造体と接合する位置合わせハウジングとを含む燃焼ゾーン(104)を検知するための光学ヘッド(102)が開示される。燃焼ゾーンを横断するように入力ファイバから出るMIR電磁エネルギーをコリメートすることと、燃焼ゾーンからの反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させることとを含む燃焼ゾーン内のガス濃度を決定するための方法が開示される。
Description
(関連出願)
本出願は、2020年10月09日に出願された、米国仮特許出願第63/089,555号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
本出願は、2020年10月09日に出願された、米国仮特許出願第63/089,555号の優先権を主張し、参照によりその全体が本明細書に組み込まれる。
波長可変ダイオードレーザ吸収分光法(tunable diode laser absorption spectroscopy、TDLAS)が、大規模炉内の燃焼を含む燃焼を監視するために使用されてきた。TDLASシステムは、燃焼プロセスチャンバ内及び燃焼ゾーンにおけるガスの存在又は濃度を監視する。これらのシステムは、光ファイバケーブルとともに近赤外線(near infrared、NIR)及び可視光を使用して、レーザからの電磁エネルギーを燃焼ゾーンの一方の側に方向付け、そこでチャンバ内の化学種によって光が吸収され得る。残りの光は、燃焼ゾーンの他方の側の別の光ファイバケーブルの中へ集束され、検出器に方向付けられ、そこで信号が検出され、分析されて、1つ以上の種の濃度が計算され得る。
したがって、従来のTDLASシステムは、別個のピッチヘッド及びキャッチヘッドを利用し、両方とも光ファイバケーブルによってレーザ及び検出器にそれぞれ接続される。これは、TDLASシステムの電子機器、レーザ、及び検出器と高温燃焼プロセスチャンバとの間に十分な距離を維持することを可能にする。ピッチヘッド及びキャッチヘッドは、燃焼プロセスチャンバの周りの2つの場所にあり、光と燃焼種との相互作用を最大化し、それによって信号対雑音比を増加させるように、チャンバを挟んで真向かいに位置決めされ得る。
実施形態では、燃焼ゾーン化学物質検知システムは、入力ファイバからのMIR電磁エネルギーをコリメートする、燃焼ゾーンの第1の側のピッチ反射光学素子と、コリメートされたMIR電磁エネルギーを反射する、燃焼ゾーンの第2の側の反射器と、反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させる、燃焼ゾーンの第1の側のキャッチ反射光学素子と、出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出する検出器と、を含む。
実施形態では、燃焼ゾーンを検知するための光学ヘッドは、入力ファイバからのMIR電磁エネルギーを反射器に向けてコリメートするピッチ反射光学素子と、反射器から反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させるキャッチ反射光学素子と、燃焼ゾーンに隣接する構造体と接合し、燃焼ゾーンに対してピッチ反射光学素子及びキャッチ反射光学素子を保持及び位置決めする位置合わせハウジングと、を含む。
実施形態では、燃焼ゾーン内のガス濃度を決定するための方法は、燃焼ゾーンを横断するように入力ファイバから出るMIR電磁エネルギーをコリメートすることと、燃焼ゾーンからの反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させることと、を含む。
燃焼プロセスチャンバ内の効率を監視するために光学技術を使用することは、他の理由の中でも、侵襲的監視プローブが監視対象のプロセスに影響を及ぼす場合があるので、有利である。波長可変ダイオードレーザ吸収分光法(TDLAS)は、燃焼環境において見られるガスの様々な吸収特徴を使用して、様々な燃焼プロセスを監視するために使用されてきた。水蒸気、二酸化炭素、及び一酸化炭素は、それらの比較的強い吸収特徴のために、頻繁な標的であり、各々、電磁スペクトルの近赤外(NIR)及び可視領域において既知の吸収特徴を有する。場合によっては、TDLASシステムで使用される光の帯域幅を拡大することが望ましく、それは、いくつかの分子は、赤外線のより長い波長部分、特に中赤外線(mid infrared、MIR)内で強い吸収特徴を有するからである。例えば、一酸化炭素は、λ=2302ナノメートル(nm)付近に吸収特徴を有し、これは、NIR及び可視における任意のCO吸収特徴よりもはるかに強い吸収を示す。
しかしながら、TDLASシステムを赤外線で動作させることは、実際には困難であり、それは、従来の光ファイバで使用される材料は、より長い波長で減衰した透過を示すことが多く、これは、赤外線測定の利用可能な信号対雑音比を制限するからである。このため、従来のTDLASは、λ=1560nmにおけるCO吸収特徴を使用し、これは、より弱い吸収断面積に起因してCOの検出限界を制限する。
TDLASシステムをMIR電磁エネルギーで動作させる際の別の課題は、光ファイバケーブルの中へ及び光ファイバケーブルから光を集束させるために使用されるレンズが、より長い波長では色収差を示すことである。従来のレンズは、レンズ材料の屈折率を使用して、レンズの表面で光を屈折させ、方向転換させる。しかしながら、屈折率は変化する波長とともに変化するので、NIR及び可視電磁エネルギーだけでなくMIR電磁エネルギーも集束させるレンズベースの光学系を設計することは困難である。
本実施形態は、上述の課題を改善し、可視波長、NIR波長、及びMIR波長でのTDLASシステムの使用を可能にし、それによって検出感度及びシステム機能を高める。
MIR電磁エネルギーを使用して測定を実行するのに十分な光強度を維持するために、本実施形態は、燃焼プロセスチャンバに搭載されている単一の光学ヘッド(図1、図2、図3、図4)を有するTDLASシステムを説明する。第2の光学ヘッドの必要性を除去することによって、必要とされる光ファイバケーブルの長さが劇的に低減される一方で、燃焼プロセスチャンバとTDLASを動作させるために必要とされる電気システムとの間に十分な距離が維持される。従来の2光学ヘッド構成では、ピッチヘッド及びキャッチヘッドの両方をシステムの電気的構成要素に接続するために追加の光ファイバケーブルが必要である。大きなプロセスチャンバ、例えば、15メートルに等しい直径を有するチャンバでは、光ファイバケーブルは、他の光学ヘッドをレーザ、検出器、及び関連する電子機器に接続するためにチャンバの周囲の半分を移動しなければならず、約20メートルの追加の光ファイバケーブルがシステムに追加される。光ファイバケーブル内でのMIR光の低透過率を所与とすると、2ヘッドの従来技術の解決策でMIR測定を実行するのに十分な光強度がない。
本明細書に記載される光学ヘッドと組み合わせて、反射器が燃焼プロセスチャンバの内側に搭載されて、電磁エネルギーを光学ヘッドから燃焼プロセスチャンバを横切って単一の光学ヘッドに戻すように方向転換する。実施形態では、再帰反射器(例えば、コーナーキューブ鏡)が反射器として使用されて、入射光を出力光ファイバへの入力のために光学ヘッドに向かって直接戻すように方向付け、出力光ファイバにおいて、関連する検出器及び分析電子機器によって分析され得る。
光の広い帯域幅に対応するために、本明細書に記載される燃焼ゾーン化学物質検知システムは、使用される周波数の範囲にわたって無視できる波長依存性を示す鏡を利用する。したがって、実施形態では、軸外放物面鏡を使用して、光学ヘッドの入力光ファイバケーブルを出る光をコリメートし、同じ光学ヘッドにおける第2の軸外放物面鏡を使用して、光を出力光ファイバケーブルの中へ集束させる。
図1は、ピッチ反射光学素子110と、反射器120と、キャッチ反射光学素子112と、検出器140とを有する燃焼ゾーン化学物質検知システム100を示す。ピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112は、燃焼ゾーン104の第1の側106上にあり、反射器120は、燃焼ゾーン104の第2の側108上にある。ピッチ反射光学素子110は、入力ファイバ150からのMIR電磁エネルギーをコリメートして、燃焼ゾーン104を横断するコリメートされた電磁エネルギー116を形成する。電磁エネルギーは、図示のように燃焼ゾーン104を直接横切って位置決めされ得る反射器120によって反射される。反射器120は、本明細書の範囲から逸脱することなく、燃焼ゾーン104の周りの他の位置にあってもよい。キャッチ反射光学素子112は、反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバ152の中へ集束させ、そこで検出器140に伝達される。実施形態では、ピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112は両方とも、燃焼ゾーン104に対してピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112を保持及び位置決めする光学ヘッド102に搭載されている。実施形態では、コリメートされた電磁エネルギー116は、燃焼ゾーン104内にある燃焼源114によって生成されたガス種118と相互作用し、コリメートされた電磁エネルギー116の一部が吸収され、検出器140によって測定されるパワーの低減につながる。この吸収を使用して、燃焼ゾーン104内に存在するガス種118の濃度を計算することができる。図1は、軸インジケータ198X、198Y、及び198Zを含み、これらは、図1に示される燃焼ゾーン化学物質検知システム100に関連するX軸、Y軸、及びZ軸を有するデカルト座標系を示す。
実施形態では、ピッチ反射光学素子110は、MIR電磁エネルギーに加えて、近赤外線(NIR)及び可視電磁エネルギーを更にコリメートする。MIRにおけるように、NIR及び可視電磁エネルギーは、反射器120によって反射され、次いで、キャッチ反射光学素子112によって出力ファイバ152の中へ集束され、その後、検出器140によって検出される。この実施形態では、燃焼ゾーン化学物質検知システム100は、MIR、NIR、及び可視光とともに使用することができ、それによって、検出され得る分子の範囲を拡大し、検出感度を増加させる。例えば、燃焼ゾーン化学物質検知システム100は、COによって強く吸収されるλ=2302nmの電磁エネルギーを使用して、また、O2によって強く吸収されるλ=760nmの電磁エネルギーで動作させることができる。
実施形態では、入力ファイバ150及び出力ファイバ152は、28メートル未満の組み合わされた長さを有する。より長い波長、例えば、λ=2302nmの電磁エネルギーは、より短い波長、例えば、λ=760nmの光よりも多く吸収される。燃焼ゾーン化学物質検知システム100で使用される光ファイバケーブルの全長を短くすることは、燃焼ゾーン104及び検出器140に到達するMIR電磁エネルギーの総量を増加させ、それによって、燃焼ゾーン化学物質検知システム100の感度を増加させる。
実施形態では、反射器120は、コリメートされた電磁エネルギー116を反射して、燃焼ゾーン104の第1の側106に向けて戻し、光学ヘッド102に戻す再帰反射器である。再帰反射器を使用することにより、燃焼ゾーン化学物質検知システム100に必要な位置合わせ要件が低減され、これは、設置の複雑さ、並びに潜在的な保守/再設置コスト及び動作中の潜在的な故障の原因を有益に減少させる。
実施形態では、ピッチ反射光学素子110は、MIR、NIR、及び可視を含む広帯域範囲の電磁エネルギーをコリメートする単一の反射鏡のみを有する。実施形態では、ピッチ反射光学素子110は、入力ファイバ150の出口と位置合わせされた焦点を有する軸外放物面鏡である。燃焼ゾーン化学物質検知システム100は、ピッチ反射光学素子110に対して入力ファイバ150の出口を位置決めするための入力ファイバマウント170を含むことができる。
実施形態では、キャッチ反射光学素子112は、MIR、NIR、及び可視を含む広帯域範囲の電磁エネルギーを収集及び集束する単一の反射鏡のみを有する。実施形態では、キャッチ反射光学素子112は、出力ファイバ152の入口と位置合わせされた焦点を有する軸外放物面鏡である。燃焼ゾーン化学物質検知システム100は、キャッチ反射光学素子112に対して出力ファイバ152の入口を位置決めするための出力ファイバマウント172を含むことができる。ピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112の一方又は両方は各々、本明細書の範囲から逸脱することなく、2つ以上の光学要素を有してもよい。
実施形態では、入力ファイバ150はシングルモード光ファイバであり、出力ファイバ152はマルチモード光ファイバであるが、本明細書の範囲から逸脱することなく、入力ファイバ150がマルチモードファイバであってもよく、出力ファイバ152がシングルモードファイバであってもよい。
実施形態では、燃焼ゾーン化学物質検知システム100は、入力ファイバ150の中へ方向付けられ、コリメートされた電磁エネルギー116として燃焼ゾーン104を通って伝搬するMIR電磁エネルギーを生成するレーザ154を含む。システムは、検出器140及びレーザ154に通信可能に結合するプロセッサ160を更に含み得る。プロセッサ160は、機械可読命令を記憶するメモリ162に通信可能に結合され、機械可読命令は、プロセッサ160によって実行されると、検出器140によって測定されたパワーに少なくとも基づいて、燃焼ゾーン104内のガス種118の濃度を決定する。
レーザ154又は複数のレーザ154は、2つ以上の波長で電磁エネルギーを生成することができ、各波長は、標的ガス種の既知の吸収特徴に関連しており、燃焼ゾーン化学物質検知システム100が、燃焼ゾーン104内に存在する2つ以上のガス種118の濃度を計算することができるようにする。例えば、レーザ154は、COによって強く吸収されるλ=2302nmの電磁エネルギーを生成し、O2によって強く吸収されるλ=760nmの電磁エネルギーを生成することができる。それによって、プロセッサ160は、各波長で生成された電磁エネルギーについて検出器140によって測定されたパワーに基づいて、CO及びO2の両方の濃度を計算することができる。燃焼ゾーン化学物質検知システム100は、本明細書の範囲から逸脱することなく、他の波長の電磁エネルギーを使用して動作することもでき、CO及びO2に加えて、又はその代わりに他の化学種の濃度を計算することもできる。
燃焼ゾーン化学物質検知システム100は、燃焼ゾーン104を光学ヘッド102から分離する窓174を含み得る。窓174は、MIR、NIR、及び可視のうちの1つ以上を含む電磁エネルギーの範囲に対して透過性である材料で形成されてもよい。
図2は、燃焼ゾーン204を検知するように示される図1の光学ヘッド102を示す。光学ヘッド102は、ピッチ反射光学素子110と、キャッチ反射光学素子112と、位置合わせハウジング230とを含む。ピッチ反射光学素子110は、入力ファイバ150からのMIR電磁エネルギーを反射器220に向けてコリメートする。キャッチ反射光学素子112は、反射器220から反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバ152の中へ集束させる。位置合わせハウジング230は、燃焼ゾーン204に隣接する構造体234と接合する。構造体234は、燃焼プロセスチャンバ、炉、又は燃焼プロセスに関連する他の構造であってもよく、図2に示されるように燃焼ゾーン204を包囲しなくてもよい。位置合わせハウジング230は、燃焼ゾーン204に対して、ピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112を保持及び位置決めする。図2は、X軸、Y軸、及びZ軸を有するデカルト座標系を示す軸インジケータ198X、198Y、及び198Zとともに光学ヘッド102の側面図を示す。ピッチ反射光学素子110によってコリメートされた電磁エネルギーは、Z軸に平行に伝搬する。
実施形態では、位置合わせハウジング230は、機械的開口236を形成し、この機械的開口236を通して、(a)ピッチ反射光学素子110が燃焼ゾーン204の中へMIR電磁エネルギーをコリメートし、(b)キャッチ反射光学素子112が燃焼ゾーン204からのMIR電磁エネルギーを捕捉する。
実施形態では、光学ヘッド102は、ピッチ反射光学素子110に対して入力ファイバ150を位置決めする入力ファイバマウント170と、キャッチ反射光学素子112に対して出力ファイバ152を位置決めする出力ファイバマウント172とを含む。入力ファイバマウント170及び出力ファイバマウント172は両方とも、位置合わせハウジング230に固定される。実施形態では、出力ファイバ152は、出力ファイバ152からのMIR電磁エネルギーを検出する検出器140に接続される。
実施形態では、ピッチ反射光学素子110は、MIR電磁エネルギーに加えて、NIR及び可視電磁エネルギーをコリメートする。光学ヘッド102によるMIR、NIR、及び可視電磁エネルギーの使用は、燃焼ゾーン204内に存在する、広範囲の波長の電磁エネルギーを吸収するガス種、例えば、燃焼ゾーン104内のガス種118の検出を可能にする。実施形態では、光学ヘッド102によって使用されるMIR電磁エネルギーは、2250~2350nmの波長を有し、これは、2302nmで電磁エネルギーを強く吸収するCOガスを監視するのに有用である。
実施形態では、位置合わせハウジングは、ピッチ反射光学素子110によって反射されたMIR電磁エネルギーが、キャッチ反射光学素子112によって集束される直前のMIR電磁エネルギーに対して逆平行であるように、ピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112を位置決めする。これは、光学ヘッド102の設置の複雑さを減少させ、潜在的な保守/再設置コストを低減し、動作中の潜在的な故障の原因を低減するので、有益である。
燃焼ゾーン204及び反射器220は、それぞれ図1の燃焼ゾーン104及び反射器120の例であり、各要素の説明は、2つの図に適用される。
図3は、実施形態では、ピッチ反射光学素子110によってコリメートされた電磁エネルギーに平行である、198Zとして示されるZ軸に沿って見た光学ヘッド102を示す。光学ヘッド102は、燃焼ゾーン化学物質検知システム100における使用に適合している。光学ヘッド102は、キャッチ反射光学素子112、並びに入力ファイバ150、入力ファイバマウント170、出力ファイバ152、及び出力ファイバマウント172を含む。ピッチ反射光学素子110、入力ファイバマウント170、キャッチ反射光学素子112、及び出力ファイバマウント172は、位置合わせハウジング230に取り付けられている。
図3に示されるように、ピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112は、Z軸に沿って見たときに重なり合うことができ、キャッチ反射光学素子112は、ピッチ反射光学素子110よりも大きい。実際には、ピッチ反射光学素子110によってコリメートされた電磁エネルギーは、わずかに発散する(完全にはコリメートされていない)場合があり、電磁エネルギーがキャッチ反射光学素子112に反射されると、電磁エネルギーは拡大する。その結果、より多くの光を収集するためには、より大きな光学素子が適切である。ピッチ反射光学素子110及びキャッチ反射光学素子112の相対的なサイズ及び位置は、本明細書の範囲から逸脱することなく変更することができる。
図4A及び図4Bは、実施形態における光学ヘッド102の機械的実施態様を示しており、合わせて見ることが最良ある。図4Aは、Y軸に沿って見た光学ヘッド102を示し、ピッチ反射光学素子110、キャッチ反射光学素子112、出力ファイバマウント172、及び機械的開口236を示し、これらは全て位置合わせハウジング230に搭載されている。出力ファイバマウント172は、キャッチ反射光学素子112に対して出力ファイバ152を位置決めする。ピッチ反射光学素子110によってコリメートされた電磁エネルギー及びキャッチ反射光学素子112に向かって反射された電磁エネルギーは、図4Aに真横向きで示されている機械的開口236を通って進む。説明を明確にするために、入力ファイバ150は図示されておらず、入力ファイバマウント170は図4Aに示されていない。
図4Bは、Z軸に沿って見た光学ヘッド102を示し、ピッチ反射光学素子110、キャッチ反射光学素子112、入力ファイバマウント170、及び機械的開口236を示し、これらは全て位置合わせハウジング230に搭載されている。入力ファイバマウント170は、ピッチ反射光学素子110に対して入力ファイバ150を位置決めする。ピッチ反射光学素子110によってコリメートされた電磁エネルギー及びキャッチ反射光学素子112に向かって反射された電磁エネルギーは、図4Bに正面向きに示されている機械的開口236を通って進む。説明を明確にするために、出力ファイバ152は図4Bに示されていない。
図5は、燃焼ゾーン内のガス濃度を決定するための方法500を示すフローチャートである。方法500は、燃焼ゾーン化学物質検知システム100とともに使用されてもよく、あるいは、光学ヘッド102を採用してもよい。方法500は、ブロック510及び520を含む。実施形態では、方法500はまた、512、530、540、及び550のうちの1つ以上を含む。
方法500のブロック510において、入力ファイバを出るMIR電磁エネルギーは、コリメートされ、燃焼ゾーンを横切るように方向付けられる。ブロック510の一例では、MIR電磁エネルギーは、入力ファイバ150を出た後にピッチ反射光学素子110によってコリメートされ、次いで燃焼ゾーン104を横断する。
方法500のブロック520において、燃焼ゾーンからの反射されたMIR電磁エネルギーは、出力ファイバの中へ集束される。ブロック520の一例では、燃焼ゾーン104からのMIR電磁エネルギーは、キャッチ反射光学素子112によって出力ファイバ152の中へ集束される。
特定の実施形態では、方法500は、図5のフローチャートの1つ以上の追加のブロックを含む。ブロック512において、電磁エネルギーは、反射器及び再帰反射器のうちの1つで反射される。ブロック512の一例では、電磁エネルギーは、再帰反射器の形態の反射器120によって反射される。
方法500のブロック530において、出力ファイバからのMIR電磁エネルギーが検出器で検出される。ブロック530の一例では、出力ファイバ152を出るMIR電磁エネルギーが検出器140によって検出される。
方法500のブロック540において、入力ファイバを出るNIR及び可視電磁エネルギーが、コリメートされ、燃焼ゾーンを横切るように方向付けられる。ブロック540の一例では、NIR及び可視電磁エネルギーは、入力ファイバ150を出た後にピッチ反射光学素子110によってコリメートされ、次いで燃焼ゾーン104を横断する。
方法500のブロック550において、燃焼ゾーンからの反射されたNIR及び可視電磁エネルギーは、出力ファイバの中へ集束される。ブロック550の一例では、燃焼ゾーン104からのNIR及び可視電磁エネルギーは、キャッチ反射光学素子112によって出力ファイバ152の中へ集束される。
上記の方法及びシステムでの変更は、本実施形態の範囲を逸脱せずに行うことができる。したがって、上記の説明に含まれ、又は添付図面に示された主題は、例示的なものとして解釈されるべきであり、かつ限定的な意味で解釈されるべきではないことを留意されたい。以下の特許請求の範囲は、本明細書に記載された全ての一般的かつ特定の特徴、並びに本発明の方法及びシステムの範囲の全ての陳述をカバーすることを意図し、それは、言葉として、それらの間にあると言ってもよい。
特徴の組み合わせ
特徴の組み合わせ
(A1)第1の態様において、燃焼ゾーン化学物質検知システムは、入力ファイバからのMIR電磁エネルギーをコリメートする、燃焼ゾーンの第1の側のピッチ反射光学素子と、コリメートされたMIR電磁エネルギーを反射する、燃焼ゾーンの第2の側の反射器と、反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させる、燃焼ゾーンの第1の側のキャッチ反射光学素子と、出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出する検出器と、を含む。
(A2)A1の実施形態では、ピッチ反射光学素子は、NIR及び可視電磁エネルギーを更にコリメートする。
(A3)A1又はA2のいずれかの実施形態では、入力ファイバ及び出力ファイバを更に含み、入力ファイバ及び出力ファイバの組み合わされた長さは、28メートル未満である。
(A4)A3の実施形態では、出力ファイバはマルチモード光ファイバである。
(A5)A1~A4のいずれかの実施形態では、反射器は、再帰反射器である。
(A6)A1~A5のいずれかの実施形態では、ピッチ反射光学素子は、軸外放物面鏡を含み、キャッチ反射光学素子は、軸外放物面鏡を含む。
(A7)A1~A6のいずれかの実施形態では、入力ファイバの中へ伝達されるMIR電磁エネルギーを生成するレーザと、検出器に通信可能に結合されたプロセッサと、プロセッサに通信可能に結合され、プロセッサによって実行されると、検出器によって測定されたパワーに少なくとも基づいて燃焼ゾーン内のガス種の濃度を計算する機械可読命令を記憶するメモリと、を更に含む。
(B1)第2の態様では、燃焼ゾーンを検知するための光学ヘッドは、入力ファイバからのMIR電磁エネルギーを反射器に向けてコリメートするピッチ反射光学素子と、反射器から反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させるキャッチ反射光学素子と、燃焼ゾーンに隣接する構造体と接合し、燃焼ゾーンに対してピッチ反射光学素子及びキャッチ反射光学素子を保持及び位置決めする位置合わせハウジングと、を含む。
(B2)B1の実施形態では、位置合わせハウジングは、機械的開口を形成し、機械的開口を通して、a)ピッチ反射光学素子が燃焼ゾーンの中へMIR電磁エネルギーをコリメートし、(b)キャッチ反射光学素子が燃焼ゾーンからのMIR電磁エネルギーを捕捉する。
(B3)B1又はB2のいずれかの実施形態では、ピッチ反射光学素子に対して入力ファイバを位置決めする入力ファイバマウントと、キャッチ反射光学素子に対して出力ファイバを位置決めする出力ファイバマウントと、を更に含む。
(B4)B1~B3のいずれかの実施形態では、位置合わせハウジングは、ピッチ反射光学素子によって反射されたMIR電磁エネルギーが、キャッチ反射光学素子によって集束される前のMIR電磁エネルギーに対して逆平行であるように、ピッチ反射光学素子及びキャッチ反射光学素子を位置決めする。
(B5)B1~B4のいずれかの実施形態では、MIR電磁エネルギーは、2250~2350ナノメートルの波長を有する。
(B6)B1~B5のいずれかの実施形態では、出力ファイバは、出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出する検出器に接続されている。
(B7)B1~B6のいずれかの実施形態では、ピッチ反射光学素子は、NIR及び可視電磁エネルギーを更にコリメートする。
(B8)B1~B7のいずれかの実施形態では、ピッチ反射光学素子は、軸外放物面鏡を含み、キャッチ反射光学素子は、軸外放物面鏡を含む。
(C1)第3の態様では、燃焼ゾーン内のガス濃度を決定するための方法は、燃焼ゾーンを横断するように入力ファイバから出るMIR電磁エネルギーをコリメートすることと、燃焼ゾーンからの反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させることと、を含む。
(C2)C1の実施形態では、出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出することを更に含む。
(C3)C1又はC2のいずれかの実施形態では、燃焼ゾーンを横断するように入力ファイバから出るNIR及び可視電磁エネルギーをコリメートすることと、燃焼ゾーンからのNIR及び可視の反射された電磁エネルギーを出力ファイバの中へ集束させることと、を更に含む。
(C4)C1~C3のいずれかの実施形態では、反射器及び再帰反射器のうちの1つを用いて電磁エネルギーを反射することを更に含む。
(C5)C1~C4のいずれかの実施形態では、コリメートするステップは、軸外放物面反射器を用いて電磁エネルギーを反射することを含み、集束させるステップは、軸外放物面反射器を用いて電磁エネルギーを集束させることを含む。
Claims (20)
- 燃焼ゾーン化学物質検知システムであって、
入力ファイバからのMIR電磁エネルギーをコリメートする、前記燃焼ゾーンの第1の側のピッチ反射光学素子と、
コリメートされたMIR電磁エネルギーを反射する、前記燃焼ゾーンの第2の側の反射器と、
反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバに集束させる、前記燃焼ゾーンの前記第1の側のキャッチ反射光学素子と、
前記出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出するための検出器と、を備える、燃焼ゾーン化学物質検知システム。 - 前記ピッチ反射光学素子が、NIR及び可視電磁エネルギーを更にコリメートする、請求項1に記載の燃焼ゾーン化学物質検知システム。
- 入力ファイバと、出力ファイバとを更に備え、前記入力ファイバ及び前記出力ファイバの組み合わせた長さが、28メートル未満である、請求項1に記載の燃焼ゾーン化学物質検知システム。
- 前記出力ファイバが、マルチモード光ファイバである、請求項3に記載の燃焼ゾーン化学物質検知システム。
- 前記反射器が、再帰反射器である、請求項1に記載の燃焼ゾーン化学物質検知システム。
- 前記ピッチ反射光学素子が、軸外放物面鏡を備え、前記キャッチ反射光学素子が、軸外放物面鏡を備える、請求項1に記載の燃焼ゾーン化学物質検知システム。
- 入力ファイバに伝達されるMIR電磁エネルギーを発生させるレーザと、
前記検出器に通信可能に結合されたプロセッサと、
前記プロセッサに通信可能に結合され、機械可読命令を記憶するメモリであって、前記機械可読命令が、前記プロセッサによって実行されると、前記検出器によって測定されたパワーに少なくとも基づいて、前記燃焼ゾーン内のガス種の濃度を計算する、メモリと、を更に備える、請求項1に記載の燃焼ゾーン化学物質検知システム。 - 燃焼ゾーンを検知するための光学ヘッドであって、
反射器に向かって、入力ファイバからのMIR電磁エネルギーをコリメートするピッチ反射光学素子と、
前記反射器から反射されたMIR電磁エネルギーを出力ファイバに集束させるキャッチ反射光学素子と、
前記燃焼ゾーンに隣接する構造体と接合し、前記燃焼ゾーンに対して前記ピッチ反射光学素子及びキャッチ反射光学素子を保持して位置決めする、位置合わせハウジングと、を備える、光学ヘッド。 - 前記位置合わせハウジングが、機械的開口を形成し、前記機械的開口を通して、a)前記ピッチ反射光学素子が前記燃焼ゾーンにMIR電磁エネルギーをコリメートし、(b)前記キャッチ反射光学素子が前記燃焼ゾーンからのMIR電磁エネルギーを捕捉する、請求項8に記載の光学ヘッド。
- 前記位置合わせハウジングが、
前記ピッチ反射光学素子に対して前記入力ファイバを位置決めする入力ファイバマウントと、
前記キャッチ反射光学素子に対して前記出力ファイバを位置決めする出力ファイバマウントと、を更に備える、請求項8に記載の光学ヘッド。 - 前記位置合わせハウジングが、前記ピッチ反射光学素子によって反射されたMIR電磁エネルギーが前記キャッチ反射光学素子によって集束される前のMIR電磁エネルギーに逆平行であるように、前記ピッチ反射光学素子及びキャッチ反射光学素子を位置決めする、請求項8に記載の光学ヘッド。
- 前記MIR電磁エネルギーが、2250~2350ナノメートルの波長を有する、請求項8に記載の光学ヘッド。
- 前記出力ファイバが、前記出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出する検出器に接続されている、請求項8に記載の光学ヘッド。
- 前記ピッチ反射光学素子が、NIR及び可視電磁エネルギーを更にコリメートする、請求項8に記載の光学ヘッド。
- 前記ピッチ反射光学素子が、軸外放物面鏡を備え、前記キャッチ反射光学素子が、軸外放物面鏡を備える、請求項8に記載の光学ヘッド。
- 燃焼ゾーン内のガス濃度を決定するための方法であって、燃焼ゾーンを横断するように入力ファイバから出るMIR電磁エネルギーをコリメートすることと、
反射されたMIR電磁エネルギーを前記燃焼ゾーンから出力ファイバに集束させることと、を含む、方法。 - 前記出力ファイバからのMIR電磁エネルギーを検出することを更に含む、請求項16に記載の方法。
- 前記燃焼ゾーンを横断するように前記入力ファイバから出るNIR及び可視電磁エネルギーをコリメートすることと、
前記燃焼ゾーンからのNIR及び可視反射電磁エネルギーを前記出力ファイバに集束させることと、を更に含む、請求項16に記載の方法。 - 反射器及び再帰反射器のうちの1つを用いて電磁エネルギーを反射することを更に含む、請求項16に記載の方法。
- 前記コリメートするステップが、軸外放物面反射器を用いて電磁エネルギーを反射することを含み、
前記集束させるステップが、軸外放物面反射器を用いて電磁エネルギーを集束させることを含む、請求項16に記載の方法。
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