JP2023540179A - 電磁シールドを備えた電子光学アセンブリ - Google Patents
電磁シールドを備えた電子光学アセンブリ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023540179A JP2023540179A JP2023511843A JP2023511843A JP2023540179A JP 2023540179 A JP2023540179 A JP 2023540179A JP 2023511843 A JP2023511843 A JP 2023511843A JP 2023511843 A JP2023511843 A JP 2023511843A JP 2023540179 A JP2023540179 A JP 2023540179A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electro
- section
- sections
- column
- beam path
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/26—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes
- H01J37/28—Electron or ion microscopes; Electron or ion diffraction tubes with scanning beams
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
- H01J37/165—Means associated with the vessel for preventing the generation of or for shielding unwanted radiation, e.g. X-rays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
- H01J37/3177—Multi-beam, e.g. fly's eye, comb probe
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/024—Moving components not otherwise provided for
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/02—Details
- H01J2237/026—Shields
- H01J2237/0266—Shields electromagnetic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
本明細書に開示されるのは、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームを取り囲み、セクションが、分離可能である、電子光学アセンブリである。【選択図】 図3
Description
関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、2020年9月7日に出願された米国特許出願第63/075,289号、及び2020年10月8日に出願された欧州特許出願第20200740.7号、及び2020年12月17日に出願された米国特許出願第63/126932号の優先権を主張するものであり、これらの出願はそれぞれ、全体として参照により本明細書に援用される。
[0001] 本出願は、2020年9月7日に出願された米国特許出願第63/075,289号、及び2020年10月8日に出願された欧州特許出願第20200740.7号、及び2020年12月17日に出願された米国特許出願第63/126932号の優先権を主張するものであり、これらの出願はそれぞれ、全体として参照により本明細書に援用される。
[0002] 本明細書で提供される実施形態は、一般に、例えば荷電粒子ビーム検査装置で使用するための電子光学アセンブリ、モジュール、及び電子光学コラムの提供について説明する。実施形態は、電子光学アセンブリを製造する方法、モジュールを交換する方法、及びターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影する方法も提供する。
[0003] 半導体集積回路(IC)チップを製造する際に、例えば、光学効果及び偶発的粒子の結果として、望ましくないパターン欠陥が、製作プロセス中に、基板(すなわち、ウェーハ)又はマスク上で不可避的に生じ、それによって歩留まりが低下する。したがって、望ましくないパターン欠陥の程度をモニタリングすることは、ICチップの製造において重要なプロセスである。より一般的に、基板又は他の物体/材料の表面の検査及び/又は測定は、その製造中及び/又は製造後において重要なプロセスである。
[0004] 荷電粒子ビームを用いたパターン検査ツールは、物体を検査するために、例えば、パターン欠陥を検出するために使用されてきた。これらのツールは、一般的に、走査電子顕微鏡(SEM)などの電子顕微鏡法技術を使用する。SEMでは、比較的高いエネルギーの電子の一次電子ビームが、比較的低い着地エネルギーでターゲット上に着地するために、最終減速ステップでターゲットにされる。電子ビームは、ターゲット上にプロービングスポットとして集束される。プロービングスポットにおける材料構造と、電子ビームからの着地電子の相互作用により、二次電子、後方散乱電子、又はオージェ電子などの電子が表面から放出される。発生した二次電子は、ターゲットの材料構造から放出され得る。ターゲット表面にわたり、プロービングスポットとして一次電子ビームを走査することによって、ターゲットの表面にわたり二次電子を放出させることができる。ターゲット表面からのこれらの放出二次電子を収集することによって、パターン検査ツールは、ターゲットの表面の材料構造の特徴を表す画像を取得し得る。
[0005] 電子光学コラムの別の用途は、リソグラフィである。荷電粒子ビームは、基板表面上のレジスト層と反応する。レジストにおける所望のパターンは、荷電粒子ビームが誘導されるレジスト層上の場所を制御することによって作成することができる。
[0006] 電子光学コラムは、1つ又は複数の荷電粒子ビームの生成、照明、投影、及び/又は検出を行うための装置でもよい。荷電粒子ビームパスは、電磁界によって制御される。漂遊電磁界は、ビームを望ましくなくそらし得る。
[0007] 荷電粒子ビームパスの制御を向上させる一般的必要性がある。
[0008] 本発明の第1の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、電子光学アセンブリが提供される。
[0009] 本発明の第2の態様によれば、電子光学デバイスと、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラム内にあるときに、モジュールを通るビームパスの電磁シールドと、を含むモジュールであって、電磁シールドが、電子光学デバイスのアップビームのアップビームセクションと、電子光学デバイスのダウンビームのダウンビームセクションとを含み、アップビームセクション及びダウンビームセクションの少なくとも一方が、ビームパスに対して半径方向に延在する境界面を有する、モジュールが提供される。
[0010] 本発明の第3の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿って延在し、及びビームパスを取り囲む複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションの少なくとも2つが、分離可能であり、及び互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、電子光学アセンブリが提供される。
[0011] 本発明の第4の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリを製造する方法であって、方法が、荷電粒子ビームを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするために電磁シールドを設けることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法が提供される。
[0012] 本発明の第5の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのモジュールを交換する方法であって、方法が、電子光学コラムからモジュールを取り外すことを含み、電子光学コラムが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションの少なくとも1つが、モジュール内に含まれ、並びにモジュールのアップビーム及び/又はダウンビームのセクションのうちの他のセクションから分離可能である、方法が提供される。
[0013] 本発明の第6の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影する方法であって、方法が、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドすることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法が提供される。
[0014] 本発明の第7の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学アセンブリを動作させる方法であって、アセンブリが、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された複数の電磁シールドセクションと、電子光学デバイスを含み、及びアセンブリから取り外し可能であるように構成されたモジュールと、を含み、方法が、アセンブリからモジュールを取り外すことを含み、取り外すことが、ビームパスに対して、モジュール内の電磁シールドのセクションを半径方向に移動させることを含む、方法が提供される。
[0015] 本発明の第8の態様によれば、ターゲットに向けて、それぞれのビームパスに沿って、それぞれの荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学コラムと、電子光学コラムの1つ又は複数のために荷電粒子ビームを発生させるように構成された荷電粒子ソースと、電子光学コラムのうちの少なくとも1つの電子光学コラムの荷電粒子ビームパスを取り囲む電磁シールドと、を含むマルチコラム装置であって、電磁シールドが、それぞれのビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、マルチコラム装置が提供される。
[0016] 本発明の利点は、実例及び例として、本発明の特定の実施形態が記載される、添付の図面と併せた以下の説明から明らかとなるだろう。
[0017] 本開示の上記及び他の態様は、添付の図面と併せた例示的実施形態の説明からより明白となるだろう。
[0037] これより、例示的な実施形態を詳細に参照し、その例を、添付の図面に示す。以下の説明は、添付の図面を参照し、別段の表示がない限り、異なる図面における同一の番号は、同一又は類似の要素を表す。例示的な実施形態の以下の説明に記載される実装形態は、本発明と一致するすべての実装形態を表すわけではない。代わりに、それらの実装形態は、添付の請求項において記述されるように、本発明に関連する態様と一致する装置及び方法の単なる例である。
[0038] デバイスの物理的サイズの減少、及び電子デバイスの計算能力の向上は、ICチップ上のトランジスタ、キャパシタ、ダイオードなどの回路コンポーネントの実装密度を大幅に増加させることによって達成することができる。これは、さらに小さい構造の作製を可能にする分解能の向上によって可能にされてきた。半導体IC製造は、数百の個々のステップを有する、複雑で時間のかかるプロセスである。ICチップを製造するプロセスの何れかのステップにおけるエラーが、最終製品の機能に悪影響を与える可能性を持つ。たった1つの欠陥が、デバイスの故障を生じさせ得る。プロセスの全体的な歩留まりを向上させることが望ましい。例えば、50のステップを有するプロセス(ここでは、ステップが、ウェーハ上に形成される層の数を示し得る)に関して75%の歩留まりを得るためには、個々のステップは、99.4%を超える歩留まりを有していなければならない。個々のステップが95%の歩留まりを有する場合、全体的なプロセス歩留まりは、7~8%と低い。
[0039] 一時間当たりに処理される基板の数と定義される高い基板(すなわち、ウェーハ)スループットを維持することも望ましい。高いプロセス歩留まり及び高い基板スループットは、欠陥の存在による影響を受け得る。これは、欠陥を調査するためにオペレータの介入が必要な場合に特に当てはまる。検査ツール(走査電子顕微鏡(「SEM」)など)によるマイクロスケール及びナノスケール欠陥の高スループット検出及び識別は、ICチップに対する高い歩留まり及び低いコストを維持するために望ましい。
[0040] SEMは、走査デバイス及び検出器装置を含む。走査デバイスは、一次電子を発生させるための電子源を含む照明装置と、一次電子の1つ又は複数の集束ビームで基板などのターゲットを走査するための投影装置と、を含む。一次電子は、ターゲットと相互作用し、二次電子及び/又は後方散乱電子などの相互作用生成物を発生させる。検出装置は、SEMがターゲットの走査エリアの画像を生成し得るように、ターゲットが走査されるときに、ターゲットからの二次電子及び/又は後方散乱電子を捕捉する。これらのSEMフィーチャを具現化する電子光学ツールの設計は、単一ビームを有し得る。検査などのためのより高いスループットのために、装置の幾つかの設計は、一次電子の複数の集束ビーム、すなわち、マルチビームを使用する。マルチビームの成分ビームは、サブビーム又はビームレットと呼ばれることがある。マルチビームは、ターゲットの異なる部分を同時に走査することができる。したがって、マルチビーム検査装置は、例えばターゲットをより高速で移動させることによって、単一ビーム検査装置よりもはるかに高速でターゲットを検査することができる。
[0041] マルチビーム検査装置では、一次電子ビームの幾つかのパスが、走査デバイスの中心軸、すなわち、一次電子光軸(本明細書では、荷電粒子軸とも呼ばれる)の中点から離れて変位する。すべての電子ビームが実質的に同じ入射角でサンプル表面に達することを確実にするために、中心軸からより大きな半径方向距離を有するサブビームパスが、中心軸により近いサブビームパスよりも大きな角度を移動するように操作される必要がある。このより強力な操作は、結果として生じる像をぼやけさせ、像の焦点を外させる収差を生じさせ得る。一例は、各サブビームパスの焦点を異なる焦点面に至らせる球面収差である。具体的には、中心軸上にないサブビームパスに関して、サブビームの焦点面の変化は、中心軸からの半径方向変位と共に大きくなる。このような収差及びデフォーカス効果は、ターゲットからの二次電子が検出されたときにそれらの二次電子に関連付けられたままとなり得、例えば、ターゲット上のサブビームによって形成されるスポットの形状及びサイズが影響を受ける。したがって、このような収差は、検査中に生成される、結果として生じる画像の品質を低下させる。
[0042] 既知のマルチビーム検査装置の実装形態を以下に説明する。
[0043] 図は、概略図である。したがって、図面では、コンポーネントの相対寸法は、明瞭にするために拡大される。以下の図面の説明では、同じ又は同様の参照番号は、同じ又は同様のコンポーネント又はエンティティを指し、個々の実施形態に対する違いのみを説明する。説明及び図面は電子光学装置を対象とするが、実施形態は、本開示を特定の荷電粒子に限定するためには使用されないことが理解される。したがって、本文書全体を通して、電子及び電子に関連して言及されるアイテムへの言及は、より一般的に、荷電粒子及び荷電粒子に関連して言及されるアイテムへの言及であると見なすことができ、荷電粒子は、必ずしも電子ではない。
[0044] ここで図1を参照すると、図1は、例示的な荷電粒子ビーム検査装置100を示す概略図である。図1の検査装置100は、真空チャンバ10、装填ロックチャンバ20、電子光学コラム40(電子ビームツールとしても知られる)、機器フロントエンドモジュール(EFEM)30、及びコントローラ50を含む。電子光学コラム40は、真空チャンバ10内に位置し得る。
[0045] EFEM30は、第1の装填ポート30a及び第2の装填ポート30bを含む。EFEM30は、追加の1つ又は複数の装填ポートを含んでもよい。第1の装填ポート30a及び第2の装填ポート30bは、例えば、検査予定の基板(例えば、半導体基板若しくは他の材料で作られた基板)又はターゲットを含む基板前面開口式一体型ポッド(FOUP(front opening unified pod))を受け取ることができる(以下では、基板、ウェーハ、及びサンプルは、まとめて「ターゲット」と呼ばれる)。EFEM30の1つ又は複数のロボットアーム(図示せず)は、装填ロックチャンバ20にターゲットを運ぶ。
[0046] 装填ロックチャンバ20は、ターゲットの周囲の気体を取り除くために使用される。装填ロックチャンバ20は、装填ロック真空ポンプシステム(図示せず)に接続されてもよく、装填ロック真空ポンプシステムは、装填ロックチャンバ20内の気体粒子を取り除く。装填ロック真空ポンプシステムの動作により、装填ロックチャンバが大気圧を下回る第1の圧力に達することが可能になる。メインチャンバ10は、メインチャンバ真空ポンプシステム(図示せず)に接続される。メインチャンバ真空ポンプシステムは、ターゲットの周囲の圧力が第1の圧力を下回る第2の圧力に達するように、メインチャンバ10内の気体分子を取り除く。第2の圧力に達した後に、ターゲットは、電子光学コラム40に運ばれ、ターゲットは、電子光学コラムによって検査され得る。電子光学コラム40は、単一ビーム又はマルチビームの電子光学装置を含み得る。
[0047] コントローラ50は、電子光学コラム40に電子的に接続される。コントローラ50は、荷電粒子ビーム検査装置100を制御するように構成されたプロセッサ(コンピュータなど)でもよい。コントローラ50は、様々な信号及び画像処理機能を実行するように構成された処理回路も含み得る。図1では、コントローラ50は、メインチャンバ10、装填ロックチャンバ20、及びEFEM30を含む構造の外部のものとして示されているが、コントローラ50は、構造の一部でもよいことが理解される。コントローラ50は、荷電粒子ビーム検査装置のコンポーネント要素の1つの内部に位置してもよく、又はコントローラ50は、コンポーネント要素の少なくとも2つに分散されてもよい。本開示は、電子ビーム検査ツールを収納するメインチャンバ10の例を提供しているが、本開示の態様は、広い意味で、電子ビーム検査ツールを収納するチャンバに限定されないことに留意すべきである。むしろ、前述の原理は、第2の圧力下で動作する装置の他のツール及び他の配置にも適用できることが理解される。
[0048] ここで図2を参照すると、図2は、図1の検査装置100の例示的なマルチビーム電子光学コラム40の概略図である。ある代替実施形態では、検査装置100は、単一ビーム検査装置である。電子光学コラム40は、電子ソース301、ビームフォーマアレイ372(ガンアパーチャプレート、クーロンアパーチャアレイ、又はプリサブビーム形成アパーチャアレイとしても知られる)、集光レンズ310、ソース変換器(又はマイクロ光学アレイ)320、対物レンズ331、及びターゲット308を含み得る。ある実施形態では、集光レンズ310は、磁気である。ターゲット308は、ステージ上のサポートによって支持され得る。ステージは、モータ付きでもよい。ステージは、ターゲット308が偶発的電子によって走査されるように、移動する。電子ソース301、ビームフォーマアレイ372、集光レンズ310は、電子光学コラム40によって含まれる照明装置のコンポーネントでもよい。より詳細に以下に記載されるソース変換器320(ソース変換ユニットとしても知られる)、及び対物レンズ331は、電子光学コラム40によって含まれる投影装置のコンポーネントでもよい。
[0049] 電子ソース301、ビームフォーマアレイ372、集光レンズ310、ソース変換器320、及び対物レンズ331は、電子光学コラム40の一次電子光軸304とアライメントされる。電子ソース301は、概ね電子光軸304に沿って、及び(仮想又は実在の)ソースクロスオーバー301Sを用いて一次ビーム302を発生させ得る。動作中に、電子ソース301は、電子を放出するように構成される。電子は、一次ビーム302を形成するために、抽出器及び/又はアノードによって抽出又は加速される。
[0050] ビームフォーマアレイ372は、結果として生じるクーロン効果を低減するために、一次電子ビーム302の周辺電子をカットする。一次電子ビーム302は、ビームフォーマアレイ372によって、指定数のサブビーム(3つのサブビーム311、312、及び313など)に削減され得る。この説明は、1つ、2つ、又は4つ以上などの任意の数のサブビームを有する電子光学コラム40に適用することを意図したものであることが理解されるものとする。動作時に、ビームフォーマアレイ372は、クーロン効果を低減するために、周辺電子をブロックするように構成される。クーロン効果は、プローブスポット391、392、393のそれぞれのサイズを拡大し、したがって、検査分解能を低下させ得る。ビームフォーマアレイ372は、ビームに投影された電子間のクーロン相互作用に起因する収差を減少させる。ビームフォーマアレイ372は、ソース変換器320の前であっても一次サブビームを発生させるための複数の開口を含み得る。
[0051] ソース変換器320は、ビームフォーマアレイ372によって透過されたビーム(もしあればサブビームを含む)をターゲット308に向けて投影されるサブビームに変換するように構成される。ある実施形態では、ソース変換器は、ユニットである。代替的に、ソース変換器という用語は、サブビームからビームレットを形成するコンポーネントのグループに対する総称として単に使用され得る。
[0052] 図2に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、ターゲット308に向けて投影されるビームレット(又はサブビーム)の外寸を規定するように構成されたアパーチャパターン(すなわち、ある形態に配置されたアパーチャ)を有するビーム制限アパーチャアレイ321を含む。ある実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ321は、ソース変換器320の一部である。ある代替実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ321は、メインコラムのアップビームのシステムの一部である。ある実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ321は、ターゲット308に向けて投影されるビームレットの数が、ビームフォーマアレイ372を透過するサブビームの数よりも多いように、サブビーム311、312、313の1つ又は複数をビームレットに分割する。ある代替実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ321は、ビーム制限アパーチャアレイ321に入射するサブビームの数を維持し、この場合、サブビームの数は、ターゲット308に向けて投影されるビームレットの数と等しくなり得る。
[0053] 図2に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、サブビーム311、312、及び313をそれぞれ屈曲させるための事前屈曲偏向器323_1、323_2、及び323_3を備えた事前屈曲偏向器アレイ323を含む。事前屈曲偏向器323_1、323_2、及び323_3は、サブビーム311、312、及び313のパスをビーム制限アパーチャアレイ321上へと屈曲させ得る。
[0054] 電子光学コラム40は、像形成偏向器322_1、322_2、及び322_3を備えた像形成要素アレイ322も含み得る。各ビームレットのパスに関連付けられたそれぞれの偏向器322_1、322_2、及び322_3が存在する。偏向器322_1、322_2、及び322_3は、ビームレットのパスを電子光軸304に向けて偏向させるように構成される。偏向したビームレットは、ソースクロスオーバー301Sの虚像(図示せず)を形成する。この実施形態では、これらの虚像は、対物レンズ331によってターゲット308上に投影され、ターゲット上にプローブスポット391、392、393を形成する。電子光学コラム40は、各サブビームに存在し得る収差を補償するように構成された収差補償器アレイ324も含み得る。ある実施形態では、収差補償器アレイ324は、それぞれのビームレットに対して作用するように構成されたレンズを含む。レンズは、形又はレンズアレイを取り得る。アレイ状のレンズは、マルチビームの異なるビームレットに対して作用し得る。収差補償器アレイ324は、例えば、例えばマイクロレンズを備えた像面湾曲補償器アレイ(図示せず)を含み得る。像面湾曲補償器及びマイクロレンズは、例えば、プローブスポット391、392、及び393において顕著な像面湾曲収差に関して個々のサブビームを補償するように構成され得る。収差補償器アレイ324は、マイクロ非点収差補正装置を備えた非点収差補償器アレイ(図示せず)を含み得る。マイクロ非点収差補正装置は、例えば、そうでなければプローブスポット391、392、及び393に存在する非点収差を補償するためにサブビームに対して作用するように制御され得る。
[0055] ソース変換器320は、サブビーム311、312、及び313をそれぞれ屈曲させるための事前屈曲偏向器323_1、323_2、及び323_3を備えた事前屈曲偏向器アレイ323をさらに含み得る。事前屈曲偏向器323_1、323_2、及び323_3は、サブビームのパスをビーム制限アパーチャアレイ321上へと屈曲させることができる。ある実施形態では、事前屈曲マイクロ偏向器アレイ323は、サブビームのサブビームパスをビーム制限アパーチャアレイ321上の平面の直交に向けて屈曲させるように構成され得る。代替実施形態では、集光レンズ310は、サブビームのパス方向をビーム制限アパーチャアレイ321上に調整し得る。集光レンズ310は、例えば、一次電子光軸304に沿って実質的に平行なビームとなるように、3つのサブビーム311、312、及び313を集束させる(コリメートする)ことができ、したがって、3つのサブビーム311、312、及び313は、ソース変換器320に実質的に垂直に入射し、ソース変換器320は、ビーム制限アパーチャアレイ321に対応し得る。このような代替実施形態では、事前屈曲偏向器アレイ323は、必要ではない場合がある。
[0056] 像形成要素アレイ322、収差補償器アレイ324、及び事前屈曲偏向器アレイ323は、サブビーム操作デバイスの複数の層を含んでもよく、それらの一部は、形式又はアレイ状でもよい(例えば、マイクロ偏向器、マイクロレンズ、又はマイクロ非点収差補正装置)。ビームパスは、回転操作され得る。回転補正が磁気レンズによって与えられてもよい。追加的又は代替的に、回転補正は、集光レンズ構成などの既存の磁気レンズによって実現されてもよい。
[0057] 電子光学コラム40のこの例では、ビームレットは、電子光軸304に向けて、像形成要素アレイ322の偏向器322_1、322_2、及び322_3によってそれぞれ偏向される。ビームレットパスは、偏向器322_1、322_2、及び322_3に到達する前に既に電子光軸304に一致し得ることが理解されるものとする。
[0058] 対物レンズ331は、ビームレットをターゲット308の表面上に集束させ、すなわち、対物レンズ331は、3つの虚像をターゲット表面上に投影する。3つのサブビーム311~313によってターゲット表面上に形成された3つの像は、ターゲット表面上に3つのプローブスポット391、392、及び393を形成する。ある実施形態では、サブビーム311~313の偏向角度は、3つのプローブスポット391~393のオフアクシス収差を低減又は制限するために、対物レンズ331の前側焦点を通過するように、又は対物レンズ331の前側焦点に近づくように調整される。ある構成では、対物レンズ331は、磁気である。3つのビームレットが言及されるが、これは単なる例である。任意の数のビームレットが存在し得る。
[0059] マニピュレータは、1つ又は複数の荷電粒子ビームを操作するように構成される。マニピュレータという用語は、偏向器、レンズ、及びアパーチャを包含する。事前屈曲偏向器アレイ323、収差補償器アレイ324、及び像形成要素アレイ322は、それらが1つ又は複数の荷電粒子サブビーム又はビームレットを操作することから、個々に、又は互いに組み合わせて、マニピュレータアレイ34と呼ばれることがある。レンズ及び偏向器322_1、322_2、及び322_3は、それらが1つ又は複数の荷電粒子サブビーム又はビームレットを操作することから、マニピュレータと呼ばれることがある。
[0060] ある実施形態では、ビームセパレータ(図示せず)が設けられる。ビームセパレータは、ソース変換器320のダウンビームに位置し得る。ビームセパレータは、例えば、静電双極子場及び磁気双極子場を含むウィーンフィルタでもよい。ビームセパレータは、ビームパスの方向において(より詳細に以下に説明される)シールド31の隣接するセクション32間に位置決めされ得る。シールドの内側表面39は、ビームセパレータの半径方向内側に位置し得る。代替的に、ビームセパレータは、シールド31内に位置してもよい。動作時に、ビームセパレータは、静電双極子場によって、サブビームの個々の電子に対して静電力をかけるように構成され得る。ある実施形態では、静電力は、ビームセパレータの磁気双極子場によってサブビームの個々の一次電子にかけられる磁力に対して、大きさは等しいが、方向は逆である。したがって、サブビームは、少なくとも実質的にゼロの偏向角度で、ビームセパレータを少なくとも実質的に真っすぐに通過し得る。磁力の方向は、電子の動きの方向に依存し、静電力の方向は、電子の動きの方向に依存しない。したがって、二次電子及び後方散乱電子は、一般に、一次電子と比較して反対方向に移動するため、二次電子及び後方散乱電子にかかる磁力は、もはや静電力を相殺せず、その結果、ビームセパレータを通って進む二次電子及び後方散乱電子は、電子光軸304から離れて偏向される。
[0061] ある実施形態では、対応する二次荷電粒子ビームを検出するための検出要素を含む二次コラム(図示せず)が設けられる。検出要素への二次ビームの入射時に、要素は、対応する強度信号出力を生成し得る。出力は、画像処理システム(例えば、コントローラ50)に向けられ得る。各検出要素は、1つ又は複数のピクセルを含み得る。検出要素の強度信号出力は、検出要素内のすべてのピクセルによって生成された信号の合計でもよい。
[0062] ある実施形態では、二次投影装置及びそれに関連した電子検出デバイス(図示せず)が設けられる。二次投影装置及びそれに関連した電子検出デバイスは、二次コラムの二次電子光軸とアライメントされ得る。ある実施形態では、ビームセパレータは、二次投影装置に向けて二次電子ビームのパスを偏向させるように配置される。続いて、二次投影装置は、二次電子ビームのパスを電子検出デバイスの複数の検出領域上に集束させる。二次投影装置及びそれに関連した電子検出デバイスは、二次電子又は後方散乱電子を用いてターゲット308の像を登録及び生成し得る。
[0063] ある実施形態では、検査装置100は、単一ソースを含む。
[0064] 任意の要素又は要素の一群は、電子光学コラム内で交換可能、又は現場で交換可能であってもよい。コラム内の1つ又は複数の電子光学コンポーネント、特にアパーチャアレイ及びマニピュレータアレイなどの、サブビームに対して作用し、又はサブビームを発生させる電子光学コンポーネントは、1つ又は複数のMEMS(microelectromechanical system)を含み得る。事前屈曲偏向器アレイ323は、MEMSでもよい。MEMSは、微細加工技術を使用して作られた小型機械及び電気機械要素である。ある実施形態では、電子光学コラム40は、MEMSとして形成されたアパーチャ、レンズ、及び偏向器を含む。ある実施形態では、レンズ及び偏向器322_1、322_2、及び322_3などのマニピュレータは、ターゲット308に向けて投影される荷電粒子ビームレットを制御するために、受動的に、能動的に、アレイ全体として、個々に、又はアレイ内のグループで制御可能である。
[0065] ある実施形態では、電子光学コラム40は、レンズ及び他のコンポーネント(これらの幾つかを図1及び2を参照して先述している)などの代替及び/又は追加のコンポーネントを荷電粒子パス上に含み得る。具体的には、実施形態は、ソースからの荷電粒子ビームを複数のサブビームに分割する電子光学コラム40を含む。複数のそれぞれの対物レンズは、サブビームをサンプル上に投影し得る。幾つかの実施形態では、複数の集光レンズが、対物レンズからアップビームに設けられる。集光レンズは、各サブビームを対物レンズのアップビームにある中間焦点に集束させる。幾つかの実施形態では、コリメータが、対物レンズからアップビームに設けられる。フォーカスエラー及び/又は収差を減少させるために、補正器が設けられてもよい。幾つかの実施形態では、このような補正器は、対物レンズに組み込まれ、又は対物レンズに直接隣接して位置決めされる。集光レンズが設けられる場合は、このような補正器は、追加的又は代替的に、集光レンズに組み込まれてもよく、若しくは集光レンズに直接隣接して位置決めされてもよく、及び/又は中間焦点に位置決めされてもよく、若しくは中間焦点に直接隣接して位置決めされてもよい。サンプルによって放出された荷電粒子を検出するために、検出器が設けられる。検出器は、対物レンズに組み込まれてもよい。検出器は、使用中のサンプルに対向するように、対物レンズの底面に設けられてもよい。集光レンズ、対物レンズ、及び/又は検出器は、MEMS又はCMOSデバイスとして形成されてもよい。
[0066] 図3は、本発明のある実施形態による電子光学アセンブリを示す。電子光学アセンブリは、電子光学コラム40のためのものである。電子光学コラム40は、ターゲット308に向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するためのものである。ある実施形態では、ビームパスは、電子光学コラム40の軸方向にある。軸方向は、電子光軸304と一致する。代替的に、ビームパスは、電子光軸304に対して角度が付けられてもよい。
[0067] 図3に示されるように、ある実施形態では、電子光学アセンブリは、電磁シールド31を含む。電磁シールドは、荷電粒子ビームを取り囲むように構成される。電磁シールド31は、電磁シールド31の外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成される。
[0068] 電子光学コラム40では、荷電粒子ビームのパスは、電磁界によって制御される。例えば、荷電粒子ビームパスを制御するために、内部電磁界が使用され得る(すなわち、シールド31の内部)。したがって、内部電磁界は、電子光学アセンブリの設計及び動作において、予め決定される。外部(すなわち漂遊)電磁界は、荷電粒子ビームを意図されたパスから望ましくなくそらし得る。ここで外部とは、シールドの外部である。電磁シールド31は、外部電磁界を減衰させるように構成される。電磁シールド31は、荷電粒子ビームパスに対する外部電磁界の影響を低減するように構成される。
[0069] ある実施形態では、電磁シールド31は、荷電粒子ビームを電界からシールドするように構成される。ある実施形態では、電磁シールド31は、伝導材料を含む。例えば、電磁シールド31は、銅、ニッケル、鉄、若しくはコバルトなどの金属、又はドープ半導体、又は金属コーティングなどの導電性材料を含み得る。そのような金属コーティングは、金属又はプラスチックなどの非金属材料上に設けられてもよい。シールド31は、それの接地接続に対して低抵抗接続を有し得る。ビームを低オーム材料で取り囲むことによって、漂遊電界の影響を減衰させることができる。ある実施形態では、電磁シールド31は、DC電位に接続される。ある実施形態では、DC電位は、接地電位である。代替的に、DC電位は、静電レンズを設けるために、接地とは異なる固定電位でもよい。
[0070] ある実施形態では、電磁シールド31は、荷電粒子ビームを磁界からシールドするように構成される。ある実施形態では、電磁シールド31は、透磁材料を含む。例えば、電磁シールド31は、合金を含み得る。合金は、ニッケル及び/又は鉄及び/又はコバルトを含み得る。ある実施形態では、電磁シールド31は、1つ又は複数の希土類元素を含む。ある実施形態では、電磁シールド31は、少なくとも5,000、10,000、任意選択的に少なくとも20,000、任意選択的に少なくとも50,000、及び任意選択的に少なくとも100,000の比透磁率を有する材料を含む。ある実施形態では、電磁シールド31は、熱処理される。ある実施形態では、電磁シールド31は、磁気アニールプロセスを受ける。ある実施形態では、電磁シールド31は、水素雰囲気中で加熱される。
[0071] 図3に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31は、複数のセクション32を含む。電磁シールド31のセクション32は、ビームパスに沿った異なる複数の位置に沿って延在する。図3に示される配向では、ビームパスは、上から下まで延在する。3つのセクション32が図3に示されている。中央のセクション32は、図示される一番上のセクション32のダウンビームにあり、且つ図示される一番下のセクション32のアップビームにあるビームパスの部分に沿って延在する。各セクション32は、荷電粒子ビームを取り囲むように構成される。ビームは、マルチビームでもよい。
[0072] 図3に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31のセクション32は、分離可能である。セクション32が分離可能であると定めることによって、電子光学コラム40の部分を分解すること、及び/又は電子光学コラム40の1つ又は複数の部分を交換することがより簡単である。電子光学コラム40の部分は、1つずつ取り外すことができる。セクション32は、電子光学コラム40の部分を取り外すため、及び/又は交換するために1つずつ取り外すことができる。本発明のある実施形態は、電子光学コラム40をメンテナンスすることをより簡単にすると期待される。
[0073] 図3では(及び幾つかの他の図では)、電磁シールド31が、ビームパスの周りで対称的に位置決めされるものとして示されている。実際には、外部漂遊磁界の起点及び方向は不明であり得る。対称電磁シールド31は、漂遊磁界の方向にかかわらず、所定の減衰ファクタを有し得る。しかしながら、本発明にとって、電磁シールド31がビームパスの周りで対称的に位置決めされることは必須ではない。電磁シールドは、ビームパスから中心を外れて位置決めされてもよい。場合によっては、外部磁界の方向は、(例えば、磁界のソースが分かっているため)分かっている場合がある。ある実施形態では、電磁シールド31は、ある特定の方向における磁界の影響を別の方向よりも多く減衰させるように設計される。
[0074] 図3に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31のギャップ33が、隣接するセクション32間でビームパスの方向に形成されるように、セクション32が配置される。例えば、2つのギャップ33が3つのセクション32間に示されている。3つの例示的セクションは、中央のセクション32のアップビームのアップビームセクション32’、及び中央のセクション32のダウンビームのダウンビームセクション32’’と呼ばれることがある。図3に示されるように、ある実施形態では、少なくとも1つのセクション32、例えば中央のセクション32が、セクション32の別の1つ、例えばアップビーム及びダウンビームセクション32’、32’’から独立して、ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、セクション32が配置される。図3に示される配向では、半径方向は、左右(すなわち、頁の縦の両端間にわたる)方向である。ある実施形態では、セクション32の1つは、セクション32の別の1つから独立して、ビームパスに対して角度の付いた方向、好ましくは垂直な方向にシフト可能である。ある実施形態では、セクション32は、セクション32の別の1つから独立して、ビームパスに対して垂直な方向に対して角度の付いた方向にシフト可能である。
[0075] 本発明のある実施形態は、電子光学コラム40に沿った途中の部分を取り外すこと及び/又は交換することをより簡単にすると期待される。分解及び組み立ては、ビームパスに対して角度の付いた方向(任意選択的に垂直な方向)にセクション32を移動させることによって行うことができる。分解及び組み立ては、ビームパスの方向にセクション32を移動させることによって、例えばセクションを1つずつ取り外すことによっても可能であり得る。ギャップ33は、あるセクション32が、他のセクション32から独立して(例えば、他のセクション32と接触することなく、又は他のセクション32の邪魔をすることなく)、ビームパス内に、又はビームパスの外へとシフトされることをより簡単にする。ある実施形態では、シールド31は、ビームパスが中を通って延在するアパーチャを含む。ある実施形態では、アパーチャは、ビームパスに対して垂直な方向に少なくとも2mm、任意選択的に少なくとも5mmの寸法を有する。ある実施形態では、ビームは、1~2mmの領域内に寸法を有する。ビームは、シールド31のセクション32の交換の前後で、アパーチャに適合する。
[0076] 図3に示されるように、ある実施形態では、隣接するセクション32は、対向表面34を有する。あるセクションの対向表面34は、電磁シールド31の隣接するセクション32の対向表面34に対向する。対向表面34は、ビームパスから離れる方向、好ましくはビームパスに対して半径方向に延在するように配置される。隣接するセクション32同士の対向表面34は、平行でもよい。図3に示される配置では、一番上及び中央のセクション32の対向表面34は、中央及び一番下のセクション32の対向表面34よりも、さらに遠くに、好ましくは半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面34は、ビームパスの方向において、ギャップ33の範囲を規定する。
[0077] ある実施形態では、対向表面34は、隣接するセクション32間のギャップ33と少なくとも同程度の大きさの距離だけ、ビームパスから離れるように、好ましくは半径方向に延在する。図3に示されるように、一番上のセクション32と中央のセクション32との間のギャップ33は、距離D1を有する。距離D1は、ビームパスの方向に測定される。ギャップ33の両側の対向表面34は、幅W1だけ、ビームパスから離れるように、好ましくは半径方向に延在する。幅W1は、半径方向(これは、ビームパスの方向に対して垂直でもよい)に測定される。幅W1は、セクション32の内側表面から対向表面34の半径方向外側エッジまで測定される。ある実施形態では、W1≧D1である。すなわち、幅W1は、距離D1以上であり得る。
[0078] 図3に示されるように、一番下及び中央のセクション32、32’間のギャップ33は、ビームパスと平行な方向に距離D2を有する。ギャップ33の両側の対向表面34は、例えばビームパスに対して、半径方向に延在する(幅W2)。ある実施形態では、W2≧D2である。すなわち、幅W2は、距離D2以上であり得る。
[0079] 対向表面34の半径範囲は、セクション32が漂遊電磁界の影響を減衰させることに役立ち得る。一般に、ギャップ33のサイズと比べて対向表面34の半径範囲を増大させることは、漂遊電磁界の影響を低減する。ある実施形態では、対向表面34は、隣接するセクション32間のギャップ33の少なくとも2倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面34は、隣接するセクション32間のギャップ33の少なくとも3倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面34は、隣接するセクション32間のギャップ33の少なくとも4倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面34は、隣接するセクション32間のギャップ33の少なくとも5倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。
[0080] 図3に示される配置では、ギャップ33の両側の対向表面34は、半径方向に等距離延在する。しかしながら、これは、必ずしも事実ではない。ある代替実施形態では、ギャップ33の両側の対向表面34は、半径方向に異なる距離延在してもよい。ある実施形態では、2つの対向表面34の短い方の距離は、ギャップ33のサイズと少なくとも同程度(又は2倍、又は3倍、又は4倍、又は5倍)の大きさの距離だけ半径方向に延在する。本発明のある実施形態は、ビームパスに対する漂遊電磁界の影響を低減することが期待される。ある配置では、対向表面34は、ビームパスの周りで、及びビームパスに対して非均一距離だけ延在し得る。例えば、ビームパスに対して相反する半径方向において、対向表面は、他方の方向よりもビームからより遠くに延在し得る。
[0081] 図3に示されるように、ある実施形態では、ビームパスの方向におけるセクション32の少なくとも一方の端部は、ビームパスに対して半径方向に延在するフランジ35を含む。ある実施形態では、フランジ35は、対向表面34を含む。ある実施形態では、電磁シールドは、好ましくは半径方向にビームパスから離れて、フレア状である。フランジ35は、電磁シールド31の厚さを必要以上に大きくすることなく、対向表面34の半径範囲を増大させることに役立つ。電磁シールド31の厚さを比較的小さく保つことによって、電磁シールドの材料コストが制限される。本発明のある実施形態は、製造コストを必要以上に増加させることなく、ビームに対する漂遊電磁界の影響を低減することが期待される。
[0082] 図4は、本発明のある実施形態による、電子光学コラム40の一部を概略的に示す。図4に示されるように、フランジが設けられることは必須ではない。図4に示される配置では、電磁シールド31の一番上のセクション32’は、一定でもよい外径を有する。対向表面34は、半径方向に延在する。対向表面34の半径範囲は、(中央のセクション32と比べて)セクション32の厚さを大きくすることによって提供される。対向表面34の半径範囲は、一番上のセクション32の厚さによって提供される。したがって、対向表面は、シールド31の壁によって提供される。すなわち、シールドは、チューブの端部表面に一致した対向表面を有するチューブである。したがって、チューブの厚さは、少なくとも壁を提供する端部において、ビームパスから離れる方向に幅W1、W2の範囲を規定し得る。
[0083] 図4に示される中央のセクション32は、図3に示される中央のセクション32に似ている。図4に示される一番下のセクション32’’は、フランジ35を含む。一番下のセクション32は、中央のセクション32の壁よりも厚い壁を有する。一番下のセクション32’’では、対向表面34の半径範囲は、1つには(中央のセクション32と比べて)一番下のセクション32’’の厚さを大きくすることによって、及び1つにはフランジ35を設けることによって提供される。
[0084] 図4に示されるように、ある実施形態では、電子光学アセンブリは、電磁シールド31の隣接するセクション32間に少なくとも1つの電子光学要素を含む。電子光学要素は、ビームパスに対して作用するように構成される。例えば、ある実施形態では、1つ又は複数の偏向器36が、隣接するセクション32間に設けられる。(偏向器は、セクションと同様に断面で示される)。ある実施形態では、1つ又は複数のレンズ37が、隣接するセクション32間に設けられる。(静電レンズは2つ以上のプレートを含むが、簡単にするために、これらのレンズは、概略的に示される)。他のタイプの電子光学要素が、隣接するセクション32間に位置決めされてもよい。磁気レンズは、シールド31の外側にコイルと、隣接するセクション32間に位置決めされたコアとを含み得る。ある実施形態では、セクション32間の電子光学要素は、MEMS要素である。例えば、偏向器36及び/又はレンズ37は、MEMSでもよい。
[0085] ある実施形態では、電磁シールド31は、マルチビームパスの周りに延在するように構成される。ある実施形態では、電磁シールド31は、複数のセクション32:電子光学要素のアップビームのアップビームセクション32’と、電子光学要素のダウンビームのダウンビームセクション32’’と、電子光学要素に関連付けられた要素セクション32とを含む。ある実施形態では、要素セクション32は、電子光学要素を備えたツールから取り外し可能であるように構成される。ある実施形態では、小さなギャップが、ビームパスに沿って隣り合うセクション32間に存在する。
[0086] 図4に示される実施形態では、偏向器36は、ギャップ33を通るビームに対して作用する。図4に示される実施形態では、偏向器36は、セクション32の外側範囲の半径方向外側に位置決めされる。ある代替実施形態では、偏向器36は、セクション32の外側半径範囲の少なくとも部分的に内側に位置決めされてもよい。セクション32の外側半径範囲は、ビームパスの方向と平行でもよい長さ表面に一致し得る。ある実施形態では、偏向器36は、ギャップ33内、例えば、ギャップ33を規定する対向表面34間に位置する。ビームのより近くに偏向器36を位置決めすることにより、シールド31による、ビームに対する偏向器36の効果の望ましくない減衰が低減される。ある実施形態では、偏向器36は、セクション32の内側表面39と一直線に並ぶ。ある実施形態では、偏向器36は、セクション32の内側表面39よりもビームパスに近い。
[0087] 図4に示されるように、ある実施形態では、レンズ37は、電磁シールド31のセクション32の半径方向内側エッジよりもさらに半径方向外側に延在する。レンズ37の外周は、ギャップ33の中に位置する。ある実施形態では、レンズ37は、レンズアレイである。追加的又は代替的に、偏向器又はアパーチャのアレイは、隣接するセクション32間に位置決めされてもよい。
[0088] 図5は、ある実施形態による、電子光学コラム40の一部を示す。図5に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、モジュール405を含む。ある実施形態では、モジュール405は、電子光学アセンブリを含む。モジュール405は、電磁シールド31のセクション32を含み得る。図5に示されるように、ある実施形態では、モジュール405は、電子光学要素38を含む。ある実施形態では、電子光学要素38は、アパーチャ、偏向器、及びレンズなどの1つ又は複数のマニピュレータを含む。電子光学要素38は、マニピュレータアレイでもよい。ある実施形態では、電子光学要素は、MEMS要素である。図5に示されるように、ある実施形態では、モジュール405内のセクション32は、フレア状である。電子光学要素は、電子光学要素38の両側のセクション32の対向表面34に対向する表面部分を含む。
[0089] 図5に示されるモジュール405では、電磁シールド31の2つのセクション32が設けられる。電子光学要素38は、これらのセクション32の間にある。距離D3及びD4のギャップが、セクション32と表面部分、すなわち、セクション32の対向表面に対向するビームパスの方向における電子光学要素38の表面との間に形成される。対向する表面部分と共に、セクション32の対向表面は、対応するギャップを規定する。表面部分ギャップと共にギャップを規定する対向表面は、半径方向にそれぞれ距離W3及びW4だけ延在する。ある実施形態では、W3は、少なくともD3と同程度の大きさである。ある実施形態では、W3は、D3の2倍(又は3倍、又は4倍、又は5倍)の大きさである。ある実施形態では、W4は、少なくともD4と同程度の大きさである。ある実施形態では、W4は、D4の2倍(又は3倍、又は4倍、又は5倍)の大きさである。
[0090] ある実施形態では、モジュール405は、コンポーネントの位置決めのための作動を可能にするステージ上にある電子光学コンポーネントを含む。ある実施形態では、モジュール405は、ステージを含む。ある配置では、ステージ及びモジュールは、電子光学コラム40の一体化した部分であり得る。ある配置では、モジュール405は、ステージ及びステージが支持する電子光学デバイスに限定される。ある配置では、ステージは、取り外し可能である。ある代替設計では、ステージを含むモジュール405が、取り外し可能である。モジュール405に関する電子光学コラム40の部分は、隔離可能であり、すなわち、電子光学コラム40のこの部分は、モジュール405のアップビームの弁及びモジュール405のダウンビームの弁によって規定される。弁は、モジュール405に関連付けられたコラムの部分のアップビーム及びダウンビームの真空を維持しながら、モジュール405が電子光学コラム40から取り外されることをそれぞれ可能にする弁のアップビーム及びダウンビームの真空から、弁間の環境を隔離するように操作され得る。ある実施形態では、モジュール405は、ステージを含む。ステージは、ビームパスに対して電子光学デバイスを支持するように構成される。ある実施形態では、モジュール405は、1つ又は複数のアクチュエータを含む。アクチュエータは、ステージに関連付けられる。アクチュエータは、ビームパスに対して電子光学デバイスを移動させるように構成される。ある実施形態では、アクチュエータは、電磁シールド31の外部にある。ある実施形態では、電子光学デバイスに関連付けられた電磁シールド31のセクション32は、ステージの両側に設けられる。
[0091] 電子光学デバイスが、アクチュエータによってビームパスに対してアライメント可能である場合は、電子光学デバイスに関連付けられたセクション32の少なくとも1つが作動可能であり得る。ある実施形態では、1つ又は複数のアクチュエータが、電子光学コラム40のフレームに対して電磁シールド31のセクション32を作動させるように構成される。フレームは、モジュール405のステージに関連付けられ得る。ある実施形態では、セクション32は、モジュール405のステージに対して作動可能である。ある実施形態では、セクション32は、電子光学デバイスに対して固定される。シールドセクション32の少なくとも1つは、MEMSでもよいモジュール405内の電子光学デバイスと共に作動可能であり得る。
[0092] ある実施形態では、モジュール405は、MEMSモジュールである。ある実施形態では、モジュール405は、電子光学コラム40内で交換可能であるように構成される。ある実施形態では、モジュール405は、現場で交換可能であるように構成される。現場で交換可能とは、中に電子光学コラムが位置する真空を維持しながら、モジュールを取り外し、同じ又は異なるモジュールと交換することができることを意味することが意図される。モジュールに対応したコラムのセクションのみが、モジュールが取り外され、及び戻されるために、又は交換されるために通気される。
[0093] ある実施形態では、モジュール405は、内部電子光学シールドを含む。ビームパスに沿って電磁シールド31を後退させる必要なしに、モジュールを取り外し、挿入し、又は交換することができる。セクション32が軸方向に移動可能であることは必要ではない。従来の配置では、シールドは、取り外される必要がある連続チューブであるか、又は電子光学コラムの一方又は他方の端部から開始して機械的に分解される必要がある一連の近接するセクションである。
[0094] 図6は、電子光学コラム40の一部を示す。図6に示されるように、ある実施形態では、ターゲット308のアップビームの電磁シールド31の最後のセクション32’’’は、対向表面34を含む。対向表面34は、ターゲット308に対向する。対向表面34は、ターゲット308から距離D5に位置決めされる。距離D5は、ビームパスの方向にある。対向表面34は、ビームパスから離れるように、好ましくはビームパスに対して半径方向に幅W5だけ延在する。幅W5は、ビームパスの方向に対して垂直に測定される。図6に示されるように、ある実施形態では、セクション32は、フランジ35を含む。代替的に、上記の通り、対向表面34の半径範囲は、電磁シールド31のより厚い壁を有することによって提供され得る。
[0095] ある実施形態では、W5は、少なくともD5と同程度の大きさである。ある実施形態では、W5は、D5の2倍(又は3倍、又は4倍、又は5倍)の大きさである。図6に示されるように、ある実施形態では、ターゲット308は、半径方向に少なくとも幅W5と同じ距離延在する。ターゲット308は、ビームに対する漂遊電磁界の影響の減衰に寄与し得る。
[0096] 図7は、ある実施形態による、電子光学コラム40の一部を概略的に示す。図7は、電子光学コラム40の他のコンポーネントに対する電磁シールド31の半径位置を概略的に示す。ターゲット308の表面、又はターゲット308の外周囲を越えた場合には、ターゲットサポートの表面が、ビームパスから離れるように延在し得る。ある実施形態では、ターゲット及び/又はターゲットサポートの表面は、少なくとも最後のセクション32の対向表面34と同じ距離だけビームパスから離れるように延在し得る。
[0097] 図7に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、熱コンディショナ204を含む。熱コンディショナ204は、電子光学コラム40の少なくとも一部を熱的に調節するように構成される。ある実施形態では、熱コンディショナ204は、複数の熱調節チャネルを含む。チャネルは、電子光学コラム40の1つ又は複数の他の部分と熱交換するように構成された調節流体を包含し得る。ある実施形態では、熱コンディショナ204は、電子光学コラム内で発生した熱を除去するように構成される。代替的に、熱コンディショナ204は、それが熱を電子光学コラム40に提供することができるモードを有し得る。ある実施形態では、熱コンディショナ204は、検査ツール100の異なる部分に熱を運ぶように構成される。ある実施形態では、熱コンディショナは、電子光学コラム40の一部を、それが安定した温度に維持されるように、熱的に調節するように構成される。
[0098] 図7に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31は、熱コンディショナ204の半径方向内側にある。電磁シールド31は、熱コンディショナ204によって発生した電磁界を含む電磁界からビームをシールドするように構成される。
[0099] 図7に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、少なくとも1つのポンプ220を含む。ポンプ220は、電子光学コラム40内の圧力を制御するように構成される。ある実施形態では、ポンプ220、例えばポンプ220のポンプユニットは、例えば中にコラム40が位置決めされる真空を生成及び維持するために、電子光学コラム40内の圧力を低下させるように、負圧に接続可能である。ある実施形態では、ポンプ220、例えばポンプ220の通気弁が、中に電子光学コラム40が位置する圧力を高めるように、正圧に接続可能である。
[00100] 図7に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31は、ビームパスを基準として、ポンプ220の半径方向内側にある。電磁シールド31は、ポンプ220によって発生した電磁界からビームをシールドするように構成される。
[00101] 図7に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、コリメータ5などの電子光学要素を含む。コリメータ5は、少なくとも部分的に荷電粒子ビームをコリメートするように構成される。コリメータ5の動作下で、ビームパスは、理想的なビームパス、すなわち、少なくとも、少なくともより小さく発散する、又は集束さえするビームパスの方向にあり得る。ある実施形態では、電子光学コラム40は、偏向器などの電子光学要素を含む。偏向器は、荷電粒子ビームを偏向させるように構成され得る。
[00102] 図7に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31の内側表面39は、コリメータ5などの電子光学要素の半径方向内側にある。コリメータ5は、ビーム対して作用する。コリメータ5は、それが発生させる電磁界がビームパス上のビームに影響するように位置決めされる。コリメータ5は、電磁シールド31の2つの隣り合うセクション32間に位置決めされる。
[00103] 図7に示される配置では、コリメータ5は、電磁シールド31の半径方向内側表面39の半径方向外側にある。ある代替実施形態では、コリメータ5の一部(例えば、コリメータ5の半径方向内側エッジ)は、すぐアップビーム又はダウンビームにあるセクション32の少なくとも一方の半径方向内側表面39と同じ半径位置にある。ビームパスに対して隣り合うセクションの内側表面39と同じ距離に、又は内側表面39の距離近くにコリメータ5を配置することは、電磁シールド31が、ビームに対するコリメータ5の効果を望ましくなく減衰させる可能性を低下させることに役立つ。
[00104] 図8は、ある実施形態による、電子光学コラム40の一部を概略的に示す。図8は、電子光学コラム40の他のコンポーネントに対する電磁シールド31の代替半径位置を概略的に示す。
[00105] 図8に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31は、熱コンディショナ204及びポンプ220の半径方向内側にある。電磁シールド31は、コリメータ5などの電子光学要素の半径方向外側にある。図8に示されるように、ある実施形態では、隣り合うセクション32間のギャップ33は、ポンプ220と、電磁シールド31内の電子光軸304に近い、及び電子光軸304さえ含む体積との間の流体接続を可能にする。図7及び図8に示されるように、ポンプ220が電磁シールド31の外にあると定めることによって、電子光学特性(例えば、電圧、電流)がビームからシールドされるため、ポンプ220に関して、より大きな設計の自由がある。ポンプ220が電磁シールド31の外にあると定めることによって、ポンプ220は、そのような高電子光学要件を満たすことを必要とされないことが可能であり、それによって、設計の自由が増す。ポンプ220が電磁シールド31から遠ざけられると定めることによって、ポンプ220からコラム40へと伝達される振動のリスクが低下し得る。そのような振動は、電子光学コラム40の性能に悪影響を与え得る。
[00106] 電磁デバイスは、シールド31内にあり、デバイスは、シールド31の外からの電源を有するため、デバイスへのルーティングは、シールド31内の電磁界の発生を最小限に抑えるように設計される。例えば、2つのルーティング接続が、(電気回路を完成するために)電磁デバイスの電極に接続されることが必要とされるため、ルーティングによって発生した電磁界が実質的に互いに相殺されるように、これらのルーティングは、互いに隣接して配置される。したがって、電磁デバイスがアレイである場合は、アレイ内の開口ごとの各電極へのルーティングは、発生した電磁界が実質的に相互に相殺されるように、ルーティングが、それの反対のルーティングと共に位置決めされるように設計される。
[00107] 図9は、ある実施形態による、電子光学コラム40の一部を概略的に示す。図9は、電子光学コラム40の他のコンポーネントに対する電磁シールド31の代替半径位置を概略的に示す。
[00108] 図9に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31は、熱コンディショナ204の半径方向内側にある。電磁シールド31は、ポンプ220及びコリメータ5などの電子光学要素の半径方向外側にある。ポンプ220が電磁シールド31の半径方向内側にあると定めることによって、ビームの周りの真空を向上させることができる。
[00109] 図9に示されるように、ある実施形態では、レンズ又はレンズ37のアレイは、隣接するセクション32間に設けられる。他のタイプの電子光学要素が、隣接するセクション32間に位置決めされてもよい。ある実施形態では、セクション32間の電子光学要素は、MEMS要素である。例えば、偏向器36及び/又はレンズ37は、MEMSでもよい。レンズ37は、隣接するセクション32間のギャップ33内に位置決めされてもよい。ある配置では、隣り合うセクション32間に複数のマニピュレータが存在してもよい。複数のマニピュレータは、レンズ、偏向器、若しくは非点収差補正装置などの同じタイプのマニピュレータの集まりを含んでもよく、及び/又はレンズ、偏向器、及び/又は補正器などの異なるタイプのマニピュレータを含んでもよい。異なるマニピュレータは、要素のアレイを含み得る。複数の補正器を含む補正器アレイが設けられてもよい。複数のコリメータを含むコリメータアレイが設けられてもよい。
[00110] 図10は、ある実施形態による、電子光学コラム40の一部を概略的に示す。図10は、電子光学コラム40の他のコンポーネントに対する電磁シールド31の代替半径位置を概略的に示す。
[00111] 図10に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31は、熱コンディショナ204、ポンプ220、及びコリメータ5などの電子光学要素の半径方向外側にある。この配置のバリエーションは、シールド31の外部のポンプ220を有してもよい。図9に描写されるようなマニピュレータの異なる配置が、これらの配置に適用されてもよい。
[00112] 図11は、ある実施形態による、電子光学コラム40の一部として電子光学アセンブリを示す。図11に示されるように、ある実施形態では、セクション32の少なくとも2つが、電磁的に互いに係合する隣り合う端部を含む。ある配置では、隣り合うセクション32間の電磁係合は、非接触である。隣り合うセクション32の近接表面間にギャップが存在してもよい。セクション32は、結合して、漂遊電磁界からビームをシールドする。セクション32は、漂遊電磁界がシールド31内のビームに影響を与えることができないように、電磁的に係合する。
[00113] 図11に示されるように、ある実施形態では、隣り合う端部は、同軸上に配置されるために必要な大きさにされる。代替的に、セクション32は、例えば電磁シールド31が電子光学コラム40内の特定形状の空間に収まることが必要とされる場合は、同軸でなくてもよい。シールドがビームパスの周りに対称的に配置されることは、必ずしも必要とされない。
[00114] 図11に示されるように、ある実施形態では、隣り合う端部は、一方の端部が他方の端部内に挿入可能であるように、必要な大きさにされる。ある実施形態では、隣り合うセクション32は、ビームパスに沿ってオーバーラップする。図11に示されるように、オーバーラップ11は、ビームパスの方向に、隣接するセクション32間に形成され得る。オーバーラップは、ビームをビームパスからそらすなどの影響を外部電磁界が望ましくなく与えないことを保証する。
[00115] ある実施形態では、隣接するセクション32の隣り合う端部は、物理的に互いに分離している。ある実施形態では、隣り合う端部は、電磁的に互いに係合する。セクション32は、ビームパスの方向に移動可能である。セクション32は、電子光学コラム40の部分をメンテナンスするために、1つずつ取り外すこと、又は交換することが可能である。
[00116] ある配置では、電磁シールド31は、異なるタイプのセクション32、例えば、隣り合うセクション間にギャップを有するセクション、及び隣り合うセクションと同軸上に係合するセクションを含む。そのような配置では、シールド31は、電子光学コラム40から取り外し可能であり得るモジュール内にセクションを含んでもよい。そのような配置では、セクションは、一方の端部で、隣り合うセクションと同軸上に係合し、他方の端部で、隣り合うセクションの対向表面と対向する対向表面を有するように適合してもよい。
[00117] ある実施形態では、本文書に記載される電磁シールド31は、MEMS対物レンズなどの1つ又は複数のMEMS電子光学要素を特徴とするツールに適用することができる。
[00118] 上記の通り、ある実施形態では、電子光学コラム40は、レンズ及び他のコンポーネント(これらの幾つかを図1及び2を参照して先述している)などの代替及び/又は追加のコンポーネントを荷電粒子パス上に含み得る。具体的には、実施形態は、ソースからの荷電粒子ビームから複数のサブビームを発生させる電子光学コラム40を含む。ある実施形態では、電磁シールド31は、電子光学コラム40内の所与の位置で、すべてのサブビームを取り囲むように構成される。ある代替実施形態では、各サブビームが、それぞれの取り囲む電磁シールド31を与えられる。ある実施形態では、マルチビームのサブビームの1つのグループが、好ましくは一連のセクション32を備えた電磁シールド31を与えられる。ある実施形態では、マルチビームがサブビームの複数のグループから成るように、マルチビームのサブビームは、グループを割り当てられる。サブビームの複数のグループは、各グループのサブビームのパスに沿って、及びそのようなパスの周りに一連のセクションから成る設計されたシールド31を有し得る。
[00119] ある実施形態では、電磁シールド31は、円形断面を有する。代替的に、断面形状は、矩形、又は正方形、又は角が丸い矩形、又は角が丸い正方形でもよい。
[00120] 例えば図3~5では、内径は、すべてのセクション32に関して同じである。代替的に、内径は、セクションによって異なってもよい。これは、電磁シールド31の体積を減らすのに役立ち得る。
[00121] ある実施形態では、セクション32は、ビームパスに沿って同心円状にアライメントされる。ある代替実施形態では、セクション32の1つ又は複数は、互いに対して中心を外れてもよい。これは、ビームに対する磁気レンズ作用をもたらし得る。
[00122] ある実施形態では、別個の静電シールド及び磁気シールドが設けられる。静電シールドは、ビームを静電界からシールドするように構成される。磁気シールドは、ビームを磁界からシールドするように構成される。静電シールドは、電磁シールド31に関して上記に記載したようなフィーチャを有し得る。磁気シールドは、電磁シールド31に関して上記に記載したようなフィーチャを有し得る。ある実施形態では、磁気シールドは、静電シールドの半径方向外側にある。代替的に、磁気シールドは、静電シールドの半径方向内側にあり得る。さらなる配置では、磁気及び電気シールドが、1つのシールドセットに組み合わせられてもよい。
[00123] 上記の通り、ある実施形態では、対応する二次荷電粒子ビームを検出するための検出要素を含む二次コラム(図示せず)が設けられる。ある実施形態では、電磁シールドを含む電子光学アセンブリが、二次コラムの一部として設けられてもよい。例えば、二次コラムのソース及び/又は検出器は、ここで指定されるものを除き、上記の電磁シールドを備えてもよい。シールドは、ソースのアップビームに延在する必要はない。シールドは、検出器のダウンビームに延在する必要はない。ある実施形態では、ウィーンフィルタが、Y字形状セクションを有するシールド31によって収容される。Y字形状セクションは、製造及び組み立てを簡単にすることができる複数のセクションを含み得る。ある実施形態では、セクションは、上記のようなフランジを有する。ある実施形態では、セクションは、現場で交換可能である。ある代替実施形態では、フランジは、セクションをフレームに、又はセクション同士をボルトで固定するために使用され得る。
[00124] 図12は、ある実施形態による、電子光学コラム4の概略図である。図12に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31の複数のセクション32a~32dが設けられる。セクション32a~32dは、ビームパスと平行な方向に沿った異なる位置に設けられる。異なるセクション32a~32dが、電子光学コラム40の異なる部分に対応する。
[00125] 例えば、ある実施形態では、第1のセクション32aは、電子光学コラム40のソース部分に対応する。電子光学コラム40のソース部分は、ソース301から延在する。ソース301は、荷電粒子の一次ビーム302を発生させるように構成される。図12に示されるように、ある実施形態では、一次ビーム302の断面積は、一次ビーム302がコリメートされるまで増大する。ある実施形態では、第1のセクション32aは、一次ビーム302がコリメートされる場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第1のセクション32aは、ソース301を半径方向に取り囲む。代替的に、第1のセクション32aのアップビーム端部は、ソース301のダウンビームにある。第1のセクション32aのダウンビーム端部は、一次ビーム302をコリメートするように構成されたコリメータのアップビームにある。
[00126] ある実施形態では、第2のセクション32bが、電子光学コラム40のコリメータ部分に対応する。電子光学コラム40のコリメータ部分は、コリメータから延在する。ある実施形態では、コリメータは、(例えば、図2に示されるような)集光レンズ310を含む。ある実施形態では、集光レンズ310は、磁気である。図12に示されるように、ある実施形態では、コリメートビームの断面積は、一次ビーム302がサブビーム311に分割されるまで、コリメータのダウンビームで実質的に一定のままでもよい。ある実施形態では、第2のセクション32bは、一次ビーム302が分割される場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第2のセクション32bのアップビーム端部は、コリメータのアップビームにある。第2のセクション32bは、コリメータを半径方向に取り囲んでもよい。代替的に、第2のセクション32bのアップビーム端部は、コリメータのダウンビームにあってもよい。第2のセクション32bのダウンビーム端部は、一次ビーム302を分割するように構成されたビーム制限アパーチャアレイ321のアップビームにある。
[00127] ある実施形態では、第3のセクション32cは、電子光学コラム40のビームスプリッタ部分に対応する。電子光学コラム40のビームスプリッタ部分は、サブビーム311を形成するように構成されたコンポーネント、例えばビーム制限アパーチャアレイ321から延在する。図12に示されるように、ある実施形態では、6つのサブビーム311が、ビーム制限アパーチャアレイ321のダウンビームに形成され得る。当業者は、任意の複数の数のサブビーム、例えば数百又は数千のサブビームが形成され得ることを理解するだろう。サブビーム311の断面積は、第3のセクション32cの長さ全体にわたり実質的に一定のままでもよい。ある実施形態では、第3のセクション32cは、サブビーム311がターゲット208上に集束される場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第3のセクション32cのアップビーム端部は、ビーム制限アパーチャアレイ321(又は他のビームスプリッタ)のアップビームにある。第3のセクション32cは、ビーム制限アパーチャアレイ321を半径方向に取り囲んでもよい。代替的に、第3のセクション32cのアップビーム端部は、ビーム制限アパーチャアレイ321のダウンビームにあってもよい。第3のセクション32cのダウンビーム端部は、サブビーム311をターゲット208上に集束させるように構成された対物レンズのアップビームにある。
[00128] ある実施形態では、第4のセクション32dは、電子光学コラム40の対物レンズ部分に対応する。電子光学コラム40の対物レンズ部分は、ターゲット208に入射するサブビーム311の特性を制御するようにサブビーム311を操作するように構成されたコンポーネント、例えば(図2に示されるような)対物レンズ331から延在する。図12に示されるように、ある実施形態では、サブビーム311は、対物レンズ331のダウンビームに集束される。サブビーム311の断面積は、第4のセクション32dの長さの少なくとも一部(及び任意選択的にすべて)を通って減少し得る。ある実施形態では、第4のセクション32dは、サブビーム311がターゲット208上に入射する場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第4のセクション32dのアップビーム端部が、対物レンズ331(又は他のマニピュレータ)のアップビームにある。第4のセクション32dは、例えば半径方向に対物レンズ331を取り囲み得る。代替的に、第4のセクション32dのアップビーム端部は、対物レンズ331のダウンビームにあってもよい。第4のセクション32dのダウンビーム端部は、ターゲット208のアップビームにある。
[00129] 電子光学コラム40の各部分では、荷電粒子ビームが、電磁シールド31のセクション32a~32dによって、外部場からシールドされる。4つの対応するセクション32a~32dを有する4つの部分が図12の配置に示されているが、異なる数のセクション32が存在してもよい。例えば、ビームの長さは、電磁シールド31の対応するセクション32を有する、2つの部分、3つの部分、又は5つ以上の部分に分割されてもよい。ある配置では、シールドセクションは、ビーム制限アパーチャアレイから対物レンズアレイのダウンビームまで延在し得る。
[00130] 上記で説明した通り、セクション32は、ビームパスと平行な方向にオーバーラップしていない。ある実施形態では、電子光学コラム40は、部分の少なくとも1つを、他の部分を取り扱う必要又は移動させる必要なしに交換できるように配置される。図3及び図4に関連して上記に記載したように、ある実施形態では、セクション32は、隣接するセクション32間のギャップ33に対向する端部において、フレア状である。フレア状端部を設けることによって、ギャップ33によって生じるシールド効果の低下を低減することができる。
[00131] ある実施形態では、セクション32a~32dの少なくとも1つが、荷電粒子ソース301、集光レンズ310、コリメータ、ソース変換器320、偏向器アレイ323、アパーチャアレイ321、収差補償器アレイ324、像形成要素アレイ322、対物レンズ331又は対物レンズアレイ、及び検出器アレイから成る群から選択された少なくとも1つのコンポーネントを半径方向に取り囲む。ある実施形態では、コンポーネントは、MEMSコンポーネントである。
[00132] ある実施形態では、セクション32a~32dの少なくとも1つは、セクション32a~32dの別の1つから独立して、ビームパスに対して半径方向に、それが取り囲むコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される。例えば、図12に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、コリメータモジュール405bを含む。ある実施形態では、コリメータモジュール405bは、第2のセクション32b及びコリメータを含む。ある実施形態では、第2のセクション32b及びコリメータは、互いに対して固定された位置にある。第2のセクション32bは、コリメータと一緒に現場で交換可能である。図12に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、対物レンズモジュール405dを含む。ある実施形態では、対物レンズモジュール405dは、第4のセクション32d及び対物レンズ331(又は対物レンズアレイ)を含む。ある実施形態では、第4のセクション32d及び対物レンズは、互いに対して固定された位置にある。第4のセクション32dは、対物レンズと一緒に現場で交換可能である。
[00133] 図12には示されないが、ある実施形態では、電子光学コラム40は、上述のソース部分及びビームスプリッタ部分にそれぞれ対応したソースモジュール及び/又はビームスプリッタモジュールを含む。
[00134] ある実施形態では、各モジュール405は、現場で交換可能である。ある実施形態では、各モジュール405は、電子光学コラム40から外に摺動可能であり、交換モジュールは、電子光学コラム40内に摺動可能である。摺動は、ビームパスに対して垂直な方向、例えば図12に示される配向において横向きでもよい。
[00135] モジュール405が交換可能であると定めることによって、本発明のある実施形態は、電子光学コラムをメンテナンスすることをより簡単及び/又はより安価にすると期待される。本発明のある実施形態は、電子光学コラム40の1つ又は複数のコンポーネントを交換するために、元に戻す及びやり直す時間及び/又は努力を減らすことが期待される。
[00136] 図12に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40は、チムニー部材52を含む。ある実施形態では、チムニー部材52は、電磁シールド31のセクション32と同じ材料を含む。チムニー部材52は、ビームパスを保護するように構成される。例えば、チムニー部材52は、ビームパスを電磁的にシールドし得る。図12に示されるように、ある実施形態では、チムニー部材52は、例えば平面又はプレートに規定される孔を含み、孔を通って制御ワイヤが延在し得る。制御ワイヤは、電子光学コラム40の電子光学コンポーネントを制御するためのものであり得る。孔を規定するプレートの表面は、フレア状でもよい。
[00137] 図12に示されるように、ある実施形態では、意図的なギャップ33b~33dが、隣接するセクション32a~32d間に設けられる。ある実施形態では、ギャップ33a、33eは、シールド31の両端に設けられる。ある実施形態では、第1のギャップ33aは、チムニー部材52と第1のセクション32aとの間に設けられる。ある実施形態では、第2のギャップ33bは、第1のセクション32aと第2のセクション33bとの間に設けられる。ある実施形態では、第3のギャップ33cは、第2のセクション32bと第3のセクション33cとの間に設けられる。ある実施形態では、第4のギャップ33dは、第3のセクション32cと第4のセクション33dとの間に設けられる。ある実施形態では、第5のギャップ33eは、第4のセクション32dとターゲット208との間に設けられる。本発明のある実施形態は、電子光学コラム40の1つ又は複数のコンポーネントのより簡単な交換を実現すると期待される。本発明のある実施形態は、1つ又は複数のコンポーネントが交換されるために必要とされる部分の移動量を減少させることが期待される。ギャップ33は、電子光学コラム40の他のコンポーネントに対するモジュール405の移動を容易にし得る。
[00138] 図12に示されるように、意図的なギャップ33eは、ターゲット208に隣接して設けられる。本発明のある実施形態は、電磁シールド31が望ましくなくターゲット208に接触する可能性を低下させると期待される。第3のセクション32cと第4のセクション32dとの間の第4のギャップ33dの存在は、シールドセクション32c、32dが公称的により短く作られることを可能にする。本発明のある実施形態は、セクション32c、32dが、組み立て時に混雑することを減らすと期待される。
[00139] 図13は、本発明のある実施形態による、電子光学コラム40の概略図である。図12に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。図13に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31の4つのセクション32a~32dが設けられる。4つのセクション32a~32dは、電子光学コラム40の異なる部分に関するものである。ソース301が設けられるソース部分に関する第1のセクション32aが設けられる。ビームがコリメータ、例えば集光レンズ310によってコリメートされるコリメータ部分に関する第2のセクション32bが設けられる。ビームが分割されるビームスプリッタ部分に関する第3のセクション32cが設けられる。例えば、図13に示される実施形態では、電子光学コラム40は、上側ビーム制限器252を含む。上側ビーム制限器252は、ビーム制限アパーチャのアレイを規定する。上側ビーム制限器252は、上側ビーム制限アパーチャアレイ又はアップビームビーム制限アパーチャアレイと呼ばれることがある。上側ビーム制限器252は、複数のアパーチャを有するプレート(板状体でもよい)を含んでもよい。上側ビーム制限器252は、ソース301によって放出された荷電粒子ビームからサブビームを形成する。サブビームの形成に寄与する部分以外のビームの部分は、ダウンビームのサブビームと干渉しないように、上側ビーム制限器252によってブロック(例えば吸収)され得る。上側ビーム制限器252は、サブビーム規定アパーチャアレイと呼ばれることがある。
[00140] 図13に示されるように、ある実施形態では、制御レンズアレイ250がある。そのような配置は、2020年9月17日に出願された欧州特許出願公開第20196714.8号に記載されており、これは、少なくとも、この出願の図3、5、及び6に示される3つの異なる実施形態に関して示される電子光学アーキテクチャに関して参照により本明細書に援用される。制御レンズアレイ250は、複数の制御レンズを含む。各制御レンズは、それぞれの電位源に接続された、少なくとも2つの電極(例えば、2つ又は3つの電極)を含む。制御レンズアレイ250は、それぞれの電位源に接続された、2つ以上(例えば3つ)のプレート電極アレイを含んでもよい。制御レンズアレイ250は、対物レンズアレイ241に関連付けられる(例えば、これら2つのアレイは、互いの近くに位置決めされ、及び/又は機械的に互いに接続され、及び/又はユニットとして一緒に制御される)。制御レンズアレイ250は、対物レンズアレイ241のアップビームに位置決めされる。制御レンズは、サブビームをプレフォーカスさせる(例えば、サブビームが対物レンズアレイ241に到達する前に、サブビームにフォーカス動作を適用する)。プレフォーカスは、サブビームの発散度を減少させること、又はサブビームの収束率を増加させることができる。
[00141] サブビームがターゲット208への入射に備えて操作される対物レンズ部分に関する第4のセクション32dが設けられる。複数の対物レンズを含む対物レンズアレイ241は、サブビームをサンプル208上に誘導するように設けられる。各対物レンズは、それぞれの電位源に接続された、少なくとも2つの電極(例えば、2つ又は3つの電極)を含む。対物レンズアレイ241は、それぞれの電位源に接続された、2つ以上(例えば3つ)のプレート電極アレイを含んでもよい。図13に示されるように、ある実施形態では、対物レンズアレイ241は、ビーム整形制限器242を含み得る。ビーム整形制限器242は、ビーム制限アパーチャのアレイを規定する。ビーム整形制限器242は、下側ビーム制限器、下側ビーム制限アパーチャアレイ、又は最後のビーム制限アパーチャアレイと呼ばれることがある。ビーム整形制限器242は、複数のアパーチャを有するプレート(これは、板状体でもよい)を含んでもよい。ビーム整形制限器242は、制御レンズアレイ250の少なくとも1つの電極から(任意選択的にすべての電極から)ダウンビームにある。幾つかの実施形態では、ビーム整形制限器242は、対物レンズアレイ241の少なくとも1つの電極から(任意選択的にすべての電極から)ダウンビームにある。
[00142] 図14は、本発明のある実施形態による、電子光学コラム40の概略図である。図12に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。図14に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31の7つのセクション32a~32gが設けられる。7つのセクション32a~32gは、電子光学コラム40の異なる部分に関するものである。ソース301が設けられるソース部分に関する第1のセクション32aが設けられる。集光器部分に関する第2のセクション32bが設けられる。図14に示されるように、ある実施形態では、集光レンズアレイ231が、ソース301と制御レンズアレイ250との間に設けられる。そのような配置は、11月11日に出願された欧州特許出願公開第20206984.5号に記載されており、これは、少なくとも、この出願の図4に示されるような電子光学アーキテクチャに関して参照により本明細書に援用される。集光レンズアレイ231は、複数の集光レンズを含む。何十、何百、又は何千もの集光レンズが存在し得る。集光レンズは、多電極レンズを含んでもよく、欧州特許出願公開第1602121A1号に基づいた構造を有してもよく、この文書は、特に電子ビームを複数のサブビームに分割するためのレンズアレイ(このアレイは、サブビームごとに1つのレンズを提供する)の開示に対して参照により本明細書に援用される。第2のセクション32bは、集光レンズアレイ231を取り囲み得る。集光レンズアレイ231は、メインビームをサブビーム311~313に分割するように構成される。
[00143] 制御レンズアレイ250に関する第3のセクション32cが設けられる。対物レンズ部分に関する第4のセクションが設けられる。例えば、第4のセクション32dは、図13に示される実施形態に類似して、対物レンズアレイ241を取り囲んでもよい。
[00144] 図14に示されるように、ある実施形態では、第5のセクション32eが、第2のセクション32bと第3のセクション32cとの間に設けられる。第5のセクション32eは、偏向器235を取り囲んでもよい。偏向器235は、中間焦点に設けられる。偏向器235は、主光線がサンプル208に実質的に垂直に(すなわち、サンプルの公称面に対して実質的に90°に)入射することを確実にするのに有効な量だけ各サブビーム311~313を屈曲させるように構成される。偏向器235は、コリメータとも呼ばれることがある。
[00145] 図14に示されるように、ある実施形態では、第6のセクション32fが、第3のセクション32cと第4のセクション32dとの間に設けられる。第6のセクション32fは、走査偏向器アレイ260を取り囲んでもよい。走査偏向器アレイ260は、複数の走査偏向器を含む。走査偏向器アレイ260は、MEMS製造技術を使用して形成され得る。各走査偏向器は、サンプル208上でそれぞれのサブビームを走査する。したがって、走査偏向器アレイ260は、サブビームごとに走査偏向器を含み得る。各走査偏向器は、(例えば、X軸などの単一軸と平行な)1方向に、又は(例えば、X軸及びY軸などの2つの非平行軸に対する)2方向にサブビームを偏向させ得る。偏向は、サンプル208にわたり1つ又は2つの方向に(すなわち、1次元的に、又は2次元的に)サブビームが走査されるようなものである。
[00146] 図14に示されるように、ある実施形態では、第7のセクション32gは、第4のセクション32dとターゲット208との間に設けられる。第7のセクション32gは、検出器モジュール402を取り囲んでもよい。検出器モジュール402は、サンプル208から放出された荷電粒子を検出する。検出器モジュール402は、複数の検出器要素(例えば、捕捉電極などのセンサ要素)を含む。この実施形態では、検出器モジュール402は、対物レンズアレイ241の出力側に設けられる。出力側は、サンプル208に対向する側である。バリエーションによっては、隣り合うセクション及びモジュールが組み合わせられてもよい。例えば、あるセクションは、検出器モジュール402、対物レンズアレイ、任意選択的に制御レンズアレイ250、及び任意選択的に走査偏向器を含み得る対物レンズアレイアセンブリを取り囲んでもよい。
[00147] 図12及び図13に関連して上記に記載した実施形態と同様に、図14に示される実施形態では、各セクション32a~32gは、関連付けられたコンポーネントと一緒に電子光学コラム40の内外に移動することができる。電子光学コラム40は、モジュール化される。意図的なギャップ33が、セクション32a~32g間に設けられる。これは、セクション32a~32gが電子光学コラム40の中に、又は外に移動される際に、互いに対するセクション32a~32gの移動を容易にする。
[00148] 図15は、本発明のある実施形態による、電子光学コラムの概略図である。図13に示されるように、ある実施形態では、セクション32の少なくとも1つは、セクション32の位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材51c、51dを備える。ある実施形態では、機械的基準部材51c、51dは、セクション32の位置がビームパスに対して垂直な方向に決定されることを可能にするように構成される。ある実施形態では、機械的基準部材51c、51dは、セクション32の位置がビームパスと平行な方向に決定されることを可能にするように構成される。第3のセクション32cは、関連付けられた機械的基準部材51cを備える。第4のセクション32dは、関連付けられた機械的基準部材51d、51eを備える。図15には示されないが、ある実施形態では、第3のセクション32cは、第2のセクション32bに対する第3のセクション32cの位置を決定するためのさらなる機械的基準部材を備えてもよい。各セクション32は、1つ又は複数の機械的基準部材51を備えてもよい。
[00149] ある実施形態では、機械的基準部材51は、シールド31の関連付けられたセクション32に対して固定された位置にある。機械的基準部材51は、シールド31の関連付けられたセクション32に間接的に固定されてもよい。例えば、機械的基準部材51は、セクション32が取り囲む電子光学コンポーネント、又はコンポーネント及びセクション32が固定されるフレームに固定されてもよい。ある実施形態では、コンポーネント又はフレームの位置は、機械的基準部材51によって決定され、シールド31のセクション32の位置は、コンポーネント又はフレームに対するそれの位置から得られる。
[00150] ある実施形態では、機械的基準部材51cは、セクション32dの別の1つ又はコラム40の対応する機械的基準部材51dと機械的に係合するように構成される。例えば、機械的基準部材51c、51dは、互いに係合するように構成された相補表面を含んでもよい。ある実施形態では、これらの表面は、平坦である。ある代替実施形態では、表面は、例えば隣り合うセクション間の相互係合によって、ビームパスに垂直な移動を制限するように構成される。ある実施形態では、表面の一方は、相補表面の相補的形状の凹凸が適合する溝を含む。これは、互いに対するセクション32c、32dの横移動を制限する。ある実施形態では、これらの表面は、ビームパスに対して垂直な2自由度の移動を制限するように構成される。例えば、表面の一方は、相補表面の半球形状が適合する凹部を含み得る。機械的基準部材の一方32dは、他方の機械的基準部材51c内にドッキングし得る。
[00151] 機械的基準部材51が互いに機械的に係合することは必須ではない。ある実施形態では、機械的基準部材51は、距離測定で使用される放射を反射するための反射表面を含む。距離測定は、例えば、ターゲット208又は別のセクション32cに対するセクション32dの垂直位置の測定であり得る。ある実施形態では、機械的基準部材51を使用して、干渉測定が行われる。
[00152] ある実施形態では、機械的基準部材51は、容量測定に適した導電材料及び/又は誘電体を含む。機械的基準部材51の位置、及びそれによってセクション32の位置を示す容量測定が行われ得る。
[00153] ある実施形態では、セクション32の1つ又は複数は、コラム40内の適所に固定される。ある実施形態では、1つ又は複数の機械的固着点が、コラム40内にセクション32を固着するように構成される。例えば、レール、ボルト、及び/又は予圧ばねが、セクション32の位置を制御するために設けられる。
[00154] 図16は、複数の電子光学コラム40を含むビーム検査装置100の概略図である。装置100は、マルチコラム装置と呼ばれることがある。図16は、装置100が3つの電子光学コラム40a~40cを含む実施形態を示す。ある代替実施形態では、装置100は、2つ、又は4つ以上の電子光学コラム40を含む。
[00155] ある実施形態では、各コラム40a~40cは、ソース301a~301cを含む。代替的に、2つ以上のコラム40が、共通のソース301を共有してもよい。ある実施形態では、各コラム40a~40cは、ソース301a~301cによって発生したメインビームを有する。メインビームは、コリメートされ、次に、サブビーム311a~311c、312a~312c、313a~313cに分割され、これらのサブビームは、ターゲット208に入射する。
[00156] 図16に示されるように、コラム40a~40cは、異なる部分に分けられると見なすことができる。各部分は、シールド31の対応したセクション32a~32cを有する。ある実施形態では、セクション32a~32cの少なくとも1つが、電子光学コラム40a~40cのうちの2つ以上の電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む。例えば、第1のセクション32aは、3つのコラム40a~40cすべてのソース部分を取り囲む。ソース310a~310cは、それぞれのコラム40a~40cに対してメインビーム302a~302cを発生させるように構成される。第2のセクション32bは、3つのコラム40a~40cすべてのコリメータ部分を取り囲む。第3のセクション32cは、3つのコラム40a~40cすべてのビームスプリッタ部分を取り囲む。異なる部分及び対応するセクション32の数は、2、4、5、6、7、又は8つ以上でもよく、すなわち、必要なだけ少なくても、又は多くてもよい。
[00157] 図16に示される実施形態では、すべてのセクション32が、すべてのコラム40のビームパスを取り囲む。しかしながら、これは、必ずしもそうとは限らない。例えば、1つ又は複数のセクション32が、コラム40のうちのたった1つのコラム40のビームパスを取り囲んでもよい。これは、例えば図19に示される。
[00158] 図16に示されるように、ある実施形態では、装置100は、ソースモジュール405aを含む。ソースモジュール405aは、第1のセクション32aを含む。ある実施形態では、ソースモジュール405aは、ソース301a~301cを含む。ソースモジュール405aは、他のモジュール405b、405cから独立して交換可能である。ある実施形態では、装置100は、コリメータモジュール405bを含む。コリメータモジュール405bは、第2のセクション32bを含む。ある実施形態では、コリメータモジュール405bは、メインビーム302a~302cをコリメートするように構成された1つ又は複数のコリメータを含む。コリメータモジュール405bは、他のモジュール405a、405cから独立して交換可能である。ある実施形態では、装置100は、ビームスプリッタモジュール405cを含む。ビームスプリッタモジュール405cは、第3のセクション32cを含む。ある実施形態では、ビームスプリッタモジュール405cは、メインビーム302a~302cをサブビーム311~313に分割するように構成された1つ又は複数のビームスプリッタを含む。ビームスプリッタモジュール405cは、他のモジュール405a、405bから独立して交換可能である。
[00159] 図17は、本発明のある実施形態による、検査ビーム装置100の概略図である。装置100は、マルチコラム装置である。図17は、3つのコラム40a~40cを示す。代替実施形態では、コラム40の数は、2、4、又は5つ以上でもよい。
[00160] 図17に示されるように、ある実施形態では、装置は、コラム40の異なる部分に関するシールド31の6つのセクション32を含む。ソース部分に関する第1のセクション32aが設けられる。第1のセクション32a及びソース301a~301cは、装置100の他の部分から独立して交換可能なソースモジュールにおいて統合されてもよい。ビームスプリッタ部分に関する第3のセクション32cが設けられる。第3のセクション32c及び上側ビーム制限器252は、装置100の他の部分から独立して交換可能なビームスプリッタモジュールにおいて統合されてもよい。
[00161] コリメータ要素アレイ271が設けられるコリメータ部分に関する第5のセクション32eが設けられる。各コリメータ要素は、それぞれのサブビームをコリメートする。したがって、コリメータ要素アレイ271及び(下記の)走査偏向器アレイ260を一緒に設けることは、空間の節約をもたらし得る。
[00162] 制御レンズアレイ250が設けられるコラム40の制御レンズ部分に関する第8のセクション32hが設けられる。第8のセクション32h及び制御レンズアレイ250は、装置100の他の部分から独立して交換可能な制御レンズモジュールにおいて統合されてもよい。図14に示される実施形態に類似して、ある実施形態では、コラム40の走査偏向器部分に関する第6のセクション32fが設けられる。ある実施形態では、第6のセクション32fは、装置100の他の部分から独立して交換可能な走査偏向器モジュールにおいて、走査偏向器アレイ260と組み合わせられてもよい。図13に示される実施形態に類似して、ある実施形態では、第4のセクション32dは、電子光学コラム40の対物レンズ部分に対応する。第4のセクション32dは、装置100の他の部分から独立して交換可能な対物レンズモジュールにおいて、対物レンズアレイ241と組み合わせられてもよい。
[00163] 図17は、図13に図示され、及び図13に関して説明される配置と静電的に等価のコラムを有する配置を示すが、コラムは、図14に示され、及び図14に関して説明されるような任意の適切な電子光学コラムでもよい。シールドセクションの数は、現場で交換可能な機能を必要とする異なるモジュールの数に調整されてもよい。
[00164] 図18は、本発明のある実施形態による、検査ビーム装置100の概略図である。装置100は、マルチコラム装置である。図18は、3つのコラム40a~40cを示す。代替実施形態では、コラム40の数は、2、4、又は5つ以上、例えば20又は100以上でもよい。図16に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。
[00165] 図16に示される実施形態では、すべてのコラム40のビームパスが、セクション32によって半径方向に取り囲まれる。しかしながら、これは、必ずしもそうとは限らない。図18に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム40のうちの少なくとも1つの電子光学コラム40のビームパスは、セクション32の少なくとも1つの半径方向外側にある。例えば、第2のコラム40b及び第3のコラム40cのビームパスは、第1のコラム40aのために設けられた第1のセクション32aの半径方向外側にある。ある実施形態では、セクション32の少なくとも1つが、電子光学コラム40のうちのたった1つの電子光学コラム40のビームパスを半径方向に取り囲む。例えば、第1のコラム40aの第1のセクション32aは、第1のコラム40aのみのビームパスを半径方向に取り囲む。
[00166] 図18に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド31の異なるセクション32が、それぞれの異なる電子光学コラム40のビームパスを半径方向に取り囲み、これらの異なるセクション32は、ビームパスと平行な方向において、オーバーラップする位置にある。例えば、図18に示されるように、ある実施形態では、第1のコラム40aの第2のセクション32bは、第1のコラム40aのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第1のコラム40aの第3のセクション32cは、第1のコラム40aのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第2のコラム40bの第1のセクション32a’は、第2のコラム40bのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第2のコラム40bの第2のセクション32b’は、第2のコラム40bのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第2のコラム40bの第3のセクション32c’は、第2のコラム40bのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第3のコラム40cの第1のセクション32a’’は、第3のコラム40cのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第3のコラム40cの第2のセクション32b’’は、第3のコラム40cのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第3のコラム40cの第3のセクション32c’’は、第3のコラム40cのみのビームパスを半径方向に取り囲む。
[00167] 図18に示されるように、ある実施形態では、ビームパスと平行な方向においてオーバーラップする位置にある複数のセクション32は、セクション32の別の1つから独立してビームパスに対して半径方向に一緒に移動可能であるように配置される。例えば、ある実施形態では、第1のセクション32a、32a’、32a’’のすべては、一緒に移動可能である。第1のセクション32a、32a’、32a’’は、互いに対して固定されてもよい。第1のセクション32a、32a’、32a’’は、装置100の他のモジュールから独立して交換可能である統合ソースモジュールにおいて統合されてもよい。
[00168] 上記に説明され、及び図12~17に示される実施形態に類似して、コラム40a~40cの異なる部分に関するセクション32が設けられる。セクション32は、他のセクション32から独立して交換することができる。セクション32は、他のモジュールから独立して交換可能なモジュールにおいて、対応するコンポーネントと組み合わせられてもよい。例えば、図18に示されるように、ある実施形態では、第3のコラム40cの第2のセクション32b’’は、他のモジュールから独立して交換可能なコリメータモジュール405b’’において、コリメータと組み合わせられてもよい。図18には図示されないが、ある実施形態では、各セクション32は、装置100の別個のモジュールに対応する。図18に図示され、及び図18に関して説明される実施形態のバリエーションでは、コラムの複数のグループが、例えば、マルチコラム配置にわたって列で、グリッドの各セルが複数のコラムを有し得るようにグリッドで、又はその両方で、描かれた各コラムの位置に対応し得る。コラムの各グループを取り囲むセクションは、図17に関して説明され、及び図17に図示されるようなフィーチャ及び機能を有し得る。
[00169] 図19は、本発明のある実施形態による、検査ビーム装置100の概略図である。装置100は、マルチコラム装置である。図19は、3つのコラム40a~40cを示す。代替実施形態では、コラム40の数は、2、4、又は5つ以上、例えば25又は100以上でもよい。図16~18に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。
[00170] 図16~17に示される実施形態では、シールド31の各セクション32は、複数のコラム40のビームパスを取り囲む。図18に示される実施形態では、各セクション32は、たった1つのコラム40のビームパスを取り囲む。これらのフィーチャは、図19に示される実施形態において統合される。図19に示されるように、ある実施形態では、複数のコラム40a~40cのソース部分に関する単一の第1のセクション32aが設けられる。それぞれのコラム40a~40cのコリメータ部分に関する別個の第2のセクション32b、32b’、32b’’が設けられる。それぞれのコラム40a~40cのビームスプリッタ部分に関する別個の第3のセクション32c、32c’、32c’’が設けられる。
[00171] ある実施形態では、各セクションは、独立して交換することができる別個のモジュールに対応する。例えば、図19に示されるように、ある実施形態では、第3のコラム40cの第2のセクション32b’’が、他のモジュールから独立して交換可能なコリメータモジュール405b’’において、コリメータと組み合わせられてもよい。
[00172] 図19には示されないが、ある実施形態では、1つのコラム40のある特定の部分に対して1つのセクション32が設けられ得るが、別のセクション32は、複数の他のコラム40の同じ種類の部分のビームパスを取り囲むように設けられる。例えば、第1のセクション32aは、第1のコラム40aのみのソース部分においてビームパスを取り囲み得る。その一方で、第2のコラム40b及び第3のコラム40c両方のソース部分において、さらなるセクション32がビームパスを取り囲んでもよい。
[00173] 上述の通り、ある実施形態では、4つ以上のコラム40、例えば9つ、又は100個以上が存在してもよい。ある実施形態では、第1のセクション32aは、第1の複数のコラム40のソース部分のビームパスを取り囲む。その一方で、さらなるセクション32が、第2の複数のコラム40のソース部分のビームパスを取り囲んでもよい。もちろん、このフィーチャは、コリメータ部分などのコラム40の他の部分に適用されてもよい。
[00174] 図19に示され、及び図19に関して説明される配置のバリエーションでは、単一コラムへの言及は、例えば図18に関して説明したように、マルチコラム配置のコラムのグループを指し得る。
[00175] 本発明のある実施形態は、マルチコラムマルチビーム検査ビーム装置100に関して利点を得ることが期待される。図16~19に示されるように、ある実施形態では、複数のマルチビームコラム40が、同じターゲット208の異なる場所、又は異なるターゲット208の異なる場所を検査するように構成される。ある実施形態では、コラム40の電子光学コンポーネント(例えば、集光レンズ、対物レンズ)は、MEMSである。本発明のある実施形態は、個々のコラム40のそれぞれの半径範囲を縮小及び/又は制限することが期待される。
[00176] ある実施形態では、MEMSコンポーネントは、現場で交換可能である。本発明のある実施形態は、例えば周囲雰囲気に存在する微粒子による汚染の影響を受けやすい可能性がある脆弱なコンポーネントを含む装置100のメンテナンスを容易にすることが期待される。
[00177] 図16~19は、少数の特定の部分の組み合わせを示す。現場で交換可能なアレイ及び個々に交換可能な部分の任意の他の組み合わせも、もちろん可能である。
[00178] コラム40の部分に関する、ビームスプリッタ及びマイクロ非点収差補正装置、又は対物レンズ及び検出器、又は対物レンズ及び検出器及び高さセンサなどの複数の電子光学要素が、アレイの交換可能部分に統合されることも可能である。
[00179] 上記に示される、現場で交換可能な部分又はアレイの何れに関しても、セクション32は、上記のようにフレア状でもよい。ある実施形態では、2つ以上のセクション32が、交換可能モジュール内で組み合わせられてもよい。例えば、1つのセクション32が、電子光学コンポーネントのアップビームに設けられてもよく、1つのセクションが、電子光学コンポーネントのダウンビームに設けられてもよい。セクション32は、現場で交換可能なモジュールにおいて、コンポーネントと組み合わせられてもよい。
[00180] 電子光学コラム40又はマルチコラム装置は、検査(若しくはメトロ検査)ツールのコンポーネント、又は電子ビームリソグラフィツールの一部でもよい。マルチビーム荷電粒子装置は、SEMだけでなく電子顕微鏡法全般、及びリソグラフィを含む、多くの異なる用途に使用することができる。
[00181] 実施形態全体を通して、電子光軸304が記載される。この電子光軸304は、ソース301を通り、ソース301から出力される荷電粒子のパスを表す。マルチビームのサブビーム及びビームレットはすべて、少なくともマニピュレータを通って電子光軸304と実質的に平行でもよい。電子光軸304は、電子光学コラム40の機械軸と同じであっても、又は異なってもよい。
[00182] 様々な実施形態に関連して本発明を説明したが、ここに開示される本発明の明細書及び実施に鑑みて、本発明の他の実施形態が当業者には明らかとなるだろう。本明細書及び実施例は、単なる例示と見なされることが意図され、本発明の真の範囲及び精神は、以下の特許請求の範囲によって示される。
[00183] 上記の説明は、限定ではなく、理解を助けるものであることが意図される。したがって、以下に記載される請求項及び条項の範囲から逸脱することなく、説明されたように変更を加え得ることが当業者には明らかとなるだろう。
[00184] 多数の条項が提供される。
[00185] 条項1:ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、電子光学アセンブリ。
[00186] 条項2:電磁シールドにおけるギャップが、隣接するセクション間でビームパスの方向に形成されるように、セクションが配置される、条項1に記載の電子光学アセンブリ。
[00187] 条項3:隣接するセクションが、好ましくは隣接するセクション間のギャップと少なくとも同程度の大きさの距離だけ、ビームパスに対して半径方向に延在する対向表面を有する、条項2に記載の電子光学アセンブリ。
[00188] 条項4:ビームパスの方向におけるセクションの少なくとも一方の端部が、ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00189] 条項5:隣接するセクション間に少なくとも1つの電子光学要素を含み、好ましくは、電子光学要素が、複数のマニピュレータ、好ましくはマニピュレータアレイを含む、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00190] 条項6:電磁シールドが、電界から荷電粒子ビームをシールドするように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00191] 条項7:電磁シールドが、荷電粒子ビームを磁界からシールドするように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00192] 条項8:電磁シールドが、透磁材料を含む、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00193] 条項9:少なくとも1つのセクションが、セクションの別の1つから独立して、ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、セクションが配置される、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00194] 条項10:セクションの少なくとも2つが、互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、先行する条項の何れか一項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00195] 条項11:隣り合う端部が、同軸上に配置されるために必要な大きさにされる、条項10に記載の電子光学アセンブリ。
[00196] 条項12:隣り合う端部が、一方の端部が他方の端部内に挿入可能であるように、必要な大きさにされる、条項10又は11に記載の電子光学コラム。
[00197] 条項13:隣り合う端部が、物理的に分離され、及び電気測定的に係合する、条項10~12の何れか一項に記載の電子光学コラム。
[00198] 条項14:セクションの少なくとも1つが、セクションの位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材を備える、先行する請求項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
[00199] 条項15:機械的基準部材が、セクションの別の1つ又はコラムの対応する機械的基準部材と機械的に係合するように構成される、請求項14に記載の電子光学アセンブリ。
[00200] 条項16:先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリを含むモジュール。
[00201] 条項17:電子光学デバイスと、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラム内にあるときに、モジュールを通るビームパスの電磁シールドとを含む、モジュールであって、電磁シールドが、電子光学デバイスのアップビームのアップビームセクションと、電子光学デバイスのダウンビームのダウンビームセクションとを含み、アップビームセクション及びダウンビームセクションの少なくとも一方が、ビームパスに対して半径方向に延在する境界面を有する、モジュール。
[00202] 条項18:アップビームセクションの境界面が、コラムのアップビーム要素と共に境界面を形成する、条項17に記載のモジュール。
[00203] 条項19:コラムのアップビーム要素が、電磁シールドの上側ビームセクションを含み、アップビームセクションの境界面が、モジュールが電子光学コラム内に存在するときに、ギャップによって上側ビームセクションから離れるように間隔を空けて構成され、好ましくは、ギャップが、最大でも、アップビームセクションの境界面の半径範囲と同程度の大きさであり、好ましくは、アップビームセクション及びダウンビームセクションの少なくとも一方が、ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、条項18に記載のモジュール。
[00204] 条項20:ダウンビームセクションの境界面が、コラムのアップビーム要素と共に境界面を形成し、アップビーム境界面の境界面が、対向表面であり、好ましくは、境界面がフランジを提供する、条項17~19の何れか一項に記載のモジュール。
[00205] 条項21:コラムのダウンビーム要素が、電磁シールドの下側ビームセクションを含み、ダウンビームセクションの境界面が、モジュールが電子光学コラム内に存在するときに、ギャップによって下側ビームセクションから離れるように間隔を空けて構成され、好ましくは、ギャップが、最大でも、ダウンビームセクションの境界面の半径範囲と同程度の大きさである、条項20に記載のモジュール。
[00206] 条項22:電子光学デバイスが、MEMSデバイスである、条項17~21の何れか一項に記載のモジュール。
[00207] 条項23:モジュールが、MEMSモジュールである、条項16~22の何れか一項に記載のモジュール。
[00208] 条項24:モジュールが、電子光学コラム内で交換可能であるように構成される、条項16~23の何れか一項に記載のモジュール。
[00209] 条項25:モジュールが、現場で交換可能であるように構成される、条項24に記載のモジュール。
[00210] 条項26:電子光学コラム内にあるときに、コラムに対するモジュールの位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材をさらに含む、請求項16~25の何れか一項に記載のモジュール。
[00211] 条項27:条項16~25の何れか一項に記載のモジュールを含む、電子光学コラム。
[00212] 条項28:条項1~15の何れか一項に記載の電子光学アセンブリを含む、電子光学コラム。
[00213] 条項29:電磁シールドが、電子光学コラムの少なくとも一部を熱的に調節するように構成された熱コンディショナ、電子光学コラム内の圧力を低下させるように構成されたポンプ、及び荷電粒子ビームをコリメートするように構成されたコリメータ、又は荷電粒子ビームを偏向させるように構成された偏向器などの電子光学要素の1つ又は複数の半径方向内側にある、条項27又は28に記載の電子光学コラム。
[00214] 条項30:熱コンディショナが、電子光学コラム内で発生した熱を除去するように構成される、条項29に記載の電子光学アセンブリ。
[00215] 条項31:セクションの少なくとも1つが、荷電粒子ソース、集光レンズ、コリメータ、ソース変換器、偏向器アレイ、アパーチャアレイ、収差補償器アレイ、像形成要素アレイ、対物レンズアレイ、及び検出器アレイから成る群から選択された少なくとも1つのコンポーネントを半径方向に取り囲む、請求項27~30の何れか一項に記載の電子光学コラム。
[00216] 条項32:コンポーネントがMEMSコンポーネントである、請求項31に記載の電子光学コラム。
[00217] 条項33:セクションが、セクションの別の1つから独立してビームパスに対して半径方向に、それが取り囲むコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される、請求項31又は32に記載の電子光学コラム。
[00218] 条項34:セクションが、それが取り囲むコンポーネントと一緒に現場で交換可能である、請求項31~33の何れか一項に記載の電子光学コラム。
[00219] 条項35:請求項31~34の何れか一項に記載の電子光学コラムの2つ以上を含む、装置。
[00220] 条項36:セクションの少なくとも1つが、電子光学コラムのうちの2つ以上の電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む、請求項35に記載の装置。
[00221] 条項37:電子光学コラムのうちの少なくとも1つの電子光学コラムのビームパスが、セクションの少なくとも1つの半径方向外側にある、請求項35又は36に記載の装置。
[00222] 条項38:セクションの少なくとも1つが、電子光学コラムのうちのたった1つの電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む、請求項35~37の何れか一項に記載の装置。
[00223] 条項39:電磁シールドの異なるセクションが、それぞれの異なる電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲み、異なるセクションが、ビームパスと平行な方向において、オーバーラップする位置にある、請求項35~38の何れか一項に記載の装置。
[00224] 条項40:ビームパスと平行な方向においてオーバーラップする位置にある複数のセクションが、セクションの別の1つから独立してビームパスに対して半径方向に一緒に移動可能であるように配置される、請求項35~39の何れか一項に記載の装置。
[00225] 条項41:ターゲットに向けて、それぞれのビームパスに沿って、それぞれの荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学コラムと、電子光学コラムの1つ又は複数のために荷電粒子ビームを発生させるように構成された荷電粒子ソースと、電子光学コラムのうちの少なくとも1つの電子光学コラムの荷電粒子ビームパスを取り囲む電磁シールドと、を含むマルチコラム装置であって、電磁シールドが、それぞれのビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、マルチコラム装置。
[00226] 条項42:コラムが、ターゲットに向けて、それぞれのビームパスに沿って、荷電粒子のリスペクトマルチビームを投影するように構成されたマルチビームコラムである、請求項41に記載のマルチコラム装置。
[00227] 条項43:電磁シールドにおけるギャップが、隣接するセクション間でビームパスの方向に形成されるように、セクションが配置される、請求項41又は42に記載のマルチコラム装置。
[00228] 条項44:隣接するセクションが、好ましくは隣接するセクション間のギャップと少なくとも同程度の大きさの距離だけ、ビームパスに対して半径方向に延在する対向表面を有する、請求項43に記載のマルチコラム装置。
[00229] 条項45:少なくとも1つのセクションが、セクションの別の1つから独立して、ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、セクションが配置される、請求項41~44の何れか一項に記載のマルチコラム装置。
[00230] 条項46:セクションの少なくとも1つが、ビームパスと平行な方向におけるセクションの位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材を備える、請求項41~45の何れか一項に記載のマルチコラム装置。
[00231] 条項47:セクションの少なくとも1つが、荷電粒子ソース、集光レンズアレイ、コリメータアレイ、ソース変換器、偏向器アレイ、アパーチャアレイ、補正器アレイ、収差補償器アレイ、像形成要素アレイ、対物レンズアレイ、及び検出器アレイから成る群から選択された少なくとも1つのコンポーネントを半径方向に取り囲む、請求項41~46の何れか一項に記載のマルチコラム装置。
[00232] 条項48:セクションが、セクションの別の1つから独立してビームパスに対して半径方向に、それが取り囲むコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される、請求項41~47の何れか一項に記載のマルチコラム装置。
[00233] 条項49:セクションの少なくとも1つが、電子光学コラムのうちの2つ以上の電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む、請求項41~48の何れか一項に記載のマルチコラム装置。
[00234] 条項50:ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿って延在し、及びビームパスを取り囲む複数のセクションを含み、セクションの少なくとも2つが、分離可能であり、及び互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、電子光学アセンブリ。
[00235] 条項51:各セクションが、ビームパスの通過用に構成されたアパーチャを規定する、条項50に記載の電子光学アセンブリ。
[00236] 条項52:複数のセクションが、ビームパスに沿って連続して延在する、条項50又は51に記載の電子光学アセンブリ。
[00237] 条項53:ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリを製造する方法であって、方法が、荷電粒子ビームを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするために電磁シールドを設けることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法。
[00238] 条項54:電子光学アセンブリが、モジュール内に含まれる、条項53に記載の方法。
[00239] 条項55:ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのモジュールを交換する方法であって、方法が、電子光学コラムからモジュールを取り外すことを含み、電子光学コラムが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションの少なくとも1つが、モジュール内に含まれ、並びにモジュールのアップビーム及び/又はダウンビームのセクションのうちの他のセクションから分離可能である、方法。
[00240] 条項56:ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影する方法であって、方法が、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドすることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法。
[00241] 条項57:ターゲットに向けて、それぞれの電子光学コラムのビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影することを含む、請求項56に記載の方法。
[00242] 条項58:セクションの少なくとも1つが、電子光学コラムのうちの2つ以上の電子光学コラムのビームパスを取り囲み、及びセクションの別の1つから独立してビームパスに対して半径方向に、それが取り囲む1つ又は複数のコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される、請求項57に記載の方法。
[00243] 条項59:電磁シールドの異なるセクションが、それぞれの異なる電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲み、異なるセクションが、ビームパスと平行な方向において、オーバーラップする位置にあり、及び異なるセクションが、セクションの別の1つから独立してビームパスに対して半径方向に一緒に移動可能であるように配置される、請求項57又は58に記載の方法。
[00244] 条項60:ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学アセンブリを動作させる方法であって、アセンブリが、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された複数の電磁シールドセクションと、電子光学デバイスを含み、及びアセンブリから取り外し可能であるように構成されたモジュールと、を含み、方法が、アセンブリからモジュールを取り外すことを含み、取り外すことが、ビームパスに対して、モジュール内の電磁シールドのセクションを半径方向に移動させることを含む、方法。
[00245] 条項61:モジュール内の電磁シールドのセクションを、セクションがアセンブリ内でビームパスに沿って電磁シールドの隣り合うセクションと対向するように、ビームパスに対して半径方向に移動させることを含む、アセンブリ内のモジュールを交換することをさらに含む、条項60に記載の方法。
Claims (15)
- ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、前記電子光学アセンブリが、
前記荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から前記荷電粒子ビームをシールドする前記電磁シールド
を含み、
前記電磁シールドが、前記ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、前記荷電粒子ビームパスを取り囲み、
前記セクションが、分離可能であり、前記電磁シールドにおけるギャップが、少なくとも2つの隣接するセクション間で前記ビームパスの方向に形成されるように、前記セクションが配置され、前記隣接するセクションが、前記ビームパスに対して半径方向に延在する対向表面を有し、及び、前記対向表面の少なくとも1つが、前記ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、電子光学アセンブリ。 - 前記対向表面が、前記隣接するセクション間の前記ギャップと少なくとも同程度の大きさの距離だけ、前記ビームパスに対して半径方向に延在する、請求項2に記載の電子光学アセンブリ。
- 隣接するセクション間に少なくとも1つの電子光学要素を含む、請求項1又は2に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記電子光学要素が、複数のマニピュレータ、好ましくはマニピュレータアレイを含む、請求項3に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記電磁シールドが、電界及び/又は磁界から前記荷電粒子ビームをシールドする、請求項1~4の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記電磁シールドが、透磁材料を含む、請求項1~5の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
- 少なくとも1つのセクションが、前記セクションの別の1つから独立して、前記ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、前記セクションが配置される、請求項1~6の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記セクションの少なくとも2つが、互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、請求項1~7の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記隣り合う端部が、同軸上に配置されるために必要な大きさにされる、請求項8に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記隣り合う端部が、物理的に分離され、及び電気測定的に係合する、請求項8又は9に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記セクションの少なくとも1つが、前記セクションの前記位置が決定されることを可能にする機械的基準部材を備える、請求項1~10の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
- 前記機械的基準部材が、前記セクションの別の1つ又は前記コラムの対応する機械的基準部材と機械的に係合する、請求項11に記載の電子光学アセンブリ。
- 電子光学デバイスと、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラム内にあるときに、モジュールを通る前記ビームパスの電磁シールドと、を含む、前記モジュールであって、前記電磁シールドが、前記電子光学デバイスのアップビームのアップビームセクションと、前記電子光学デバイスのダウンビームのダウンビームセクションと、を含み、前記アップビームセクション及び前記ダウンビームセクションの少なくとも一方が、前記ビームパスに対して半径方向に延在する境界面を有し、前記アップビームセクション及び前記ダウンビームセクションの前記少なくとも一方が、前記ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、モジュール。
- 前記アップビームセクションの前記境界面が、前記コラムのアップビーム要素と共に境界面を形成し、前記アップビーム境界面の前記境界面が、対向表面である、請求項13に記載のモジュール。
- 前記コラムの前記アップビーム要素が、前記電磁シールドの上側ビームセクションを含み、前記アップビームセクションの前記境界面が、前記モジュールが電子光学コラム内に存在するときに、ギャップによって前記上側ビームセクションから離れるように間隔を空け、好ましくは、前記ギャップが、最大でも、前記アップビームセクションの境界面の半径範囲と同程度の大きさである、請求項14に記載のモジュール。
Applications Claiming Priority (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US202063075289P | 2020-09-07 | 2020-09-07 | |
US63/075,289 | 2020-09-07 | ||
EP20200740.7 | 2020-10-08 | ||
EP20200740.7A EP3982391A1 (en) | 2020-10-08 | 2020-10-08 | Electron-optical assembly comprising electromagnetic shielding |
US202063126932P | 2020-12-17 | 2020-12-17 | |
US63/126,932 | 2020-12-17 | ||
PCT/EP2021/072716 WO2022048898A1 (en) | 2020-09-07 | 2021-08-16 | Electron-optical assembly comprising electromagnetic shielding |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023540179A true JP2023540179A (ja) | 2023-09-22 |
Family
ID=77466004
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2023511843A Pending JP2023540179A (ja) | 2020-09-07 | 2021-08-16 | 電磁シールドを備えた電子光学アセンブリ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230317402A1 (ja) |
EP (1) | EP4211711A1 (ja) |
JP (1) | JP2023540179A (ja) |
KR (1) | KR20230065267A (ja) |
TW (1) | TW202223961A (ja) |
WO (1) | WO2022048898A1 (ja) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001284239A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-12 | Nikon Corp | 荷電粒子線露光装置、及び半導体デバイスの製造方法 |
EP2503587A3 (en) | 2003-03-10 | 2017-08-23 | Mapper Lithography Ip B.V. | Apparatus for generating a plurality of beamlets |
JP2015023064A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置 |
US9443699B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-09-13 | Ims Nanofabrication Ag | Multi-beam tool for cutting patterns |
US9431209B2 (en) * | 2014-08-26 | 2016-08-30 | Hermes-Microvision, Inc. | Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lenses |
-
2021
- 2021-08-16 EP EP21759097.5A patent/EP4211711A1/en active Pending
- 2021-08-16 JP JP2023511843A patent/JP2023540179A/ja active Pending
- 2021-08-16 WO PCT/EP2021/072716 patent/WO2022048898A1/en active Application Filing
- 2021-08-16 KR KR1020237008104A patent/KR20230065267A/ko unknown
- 2021-08-31 TW TW110132194A patent/TW202223961A/zh unknown
-
2023
- 2023-03-07 US US18/118,701 patent/US20230317402A1/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2022048898A1 (en) | 2022-03-10 |
EP4211711A1 (en) | 2023-07-19 |
TW202223961A (zh) | 2022-06-16 |
US20230317402A1 (en) | 2023-10-05 |
KR20230065267A (ko) | 2023-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US20230326715A1 (en) | Charged particle system, method of processing a sample using a multi-beam of charged particles | |
JP2024501655A (ja) | 電子レンズ | |
JP2023541371A (ja) | 対物レンズアレイアセンブリ、電子光学系、電子光学系アレイ、集束方法、対物レンズ構成 | |
US20240029995A1 (en) | Electron-optical system and method of operating an electron-optical system | |
JP2023541365A (ja) | 荷電粒子評価ツール、検査方法 | |
JP2023548663A (ja) | 対物レンズアレイアセンブリ、電子光学系、電子光学系アレイ、集束方法 | |
JP2023540179A (ja) | 電磁シールドを備えた電子光学アセンブリ | |
EP3982391A1 (en) | Electron-optical assembly comprising electromagnetic shielding | |
CN116490952A (zh) | 包括电磁屏蔽件的电子光学组件 | |
EP4354483A1 (en) | Alignment of electron-optical elements | |
TWI846063B (zh) | 帶電粒子裝置及方法 | |
US20240038485A1 (en) | Electron-optical device | |
US20240128045A1 (en) | Charged particle assessment system and method of aligning a sample in a charged particle assessment system | |
EP4156227A1 (en) | Charged particle apparatus and method | |
EP4086933A1 (en) | Charged particle system, method of processing a sample using a multi-beam of charged particles | |
US20240145208A1 (en) | Charged particle apparatus and method | |
EP4250332A1 (en) | Charged particle apparatus and method | |
EP4345861A1 (en) | Charged particle apparatus | |
US20240136147A1 (en) | Charged particle-optical device, charged particle apparatus and method | |
EP4350733A1 (en) | Electron-optical module | |
EP4181167A1 (en) | Charged particle assessment system and method | |
TW202422617A (zh) | 帶電粒子設備及方法 | |
WO2023083545A1 (en) | Charged particle assessment system and method | |
WO2024110486A1 (en) | Electron-optical element and method of assessing an electron-optical element | |
WO2024132486A1 (en) | Charged particle device and charged particle apparatus |