JP2023540179A - 電磁シールドを備えた電子光学アセンブリ - Google Patents

Abstract

本明細書に開示されるのは、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームを取り囲み、セクションが、分離可能である、電子光学アセンブリである。【選択図】 図３

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本出願は、２０２０年９月７日に出願された米国特許出願第６３／０７５，２８９号、及び２０２０年１０月８日に出願された欧州特許出願第２０２００７４０．７号、及び２０２０年１２月１７日に出願された米国特許出願第６３／１２６９３２号の優先権を主張するものであり、これらの出願はそれぞれ、全体として参照により本明細書に援用される。

[0002] 本明細書で提供される実施形態は、一般に、例えば荷電粒子ビーム検査装置で使用するための電子光学アセンブリ、モジュール、及び電子光学コラムの提供について説明する。実施形態は、電子光学アセンブリを製造する方法、モジュールを交換する方法、及びターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影する方法も提供する。

[0003] 半導体集積回路（ＩＣ）チップを製造する際に、例えば、光学効果及び偶発的粒子の結果として、望ましくないパターン欠陥が、製作プロセス中に、基板（すなわち、ウェーハ）又はマスク上で不可避的に生じ、それによって歩留まりが低下する。したがって、望ましくないパターン欠陥の程度をモニタリングすることは、ＩＣチップの製造において重要なプロセスである。より一般的に、基板又は他の物体／材料の表面の検査及び／又は測定は、その製造中及び／又は製造後において重要なプロセスである。

[0004] 荷電粒子ビームを用いたパターン検査ツールは、物体を検査するために、例えば、パターン欠陥を検出するために使用されてきた。これらのツールは、一般的に、走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）などの電子顕微鏡法技術を使用する。ＳＥＭでは、比較的高いエネルギーの電子の一次電子ビームが、比較的低い着地エネルギーでターゲット上に着地するために、最終減速ステップでターゲットにされる。電子ビームは、ターゲット上にプロービングスポットとして集束される。プロービングスポットにおける材料構造と、電子ビームからの着地電子の相互作用により、二次電子、後方散乱電子、又はオージェ電子などの電子が表面から放出される。発生した二次電子は、ターゲットの材料構造から放出され得る。ターゲット表面にわたり、プロービングスポットとして一次電子ビームを走査することによって、ターゲットの表面にわたり二次電子を放出させることができる。ターゲット表面からのこれらの放出二次電子を収集することによって、パターン検査ツールは、ターゲットの表面の材料構造の特徴を表す画像を取得し得る。

[0005] 電子光学コラムの別の用途は、リソグラフィである。荷電粒子ビームは、基板表面上のレジスト層と反応する。レジストにおける所望のパターンは、荷電粒子ビームが誘導されるレジスト層上の場所を制御することによって作成することができる。

[0006] 電子光学コラムは、１つ又は複数の荷電粒子ビームの生成、照明、投影、及び／又は検出を行うための装置でもよい。荷電粒子ビームパスは、電磁界によって制御される。漂遊電磁界は、ビームを望ましくなくそらし得る。

[0007] 荷電粒子ビームパスの制御を向上させる一般的必要性がある。

[0008] 本発明の第１の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、電子光学アセンブリが提供される。

[0009] 本発明の第２の態様によれば、電子光学デバイスと、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラム内にあるときに、モジュールを通るビームパスの電磁シールドと、を含むモジュールであって、電磁シールドが、電子光学デバイスのアップビームのアップビームセクションと、電子光学デバイスのダウンビームのダウンビームセクションとを含み、アップビームセクション及びダウンビームセクションの少なくとも一方が、ビームパスに対して半径方向に延在する境界面を有する、モジュールが提供される。

[0010] 本発明の第３の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿って延在し、及びビームパスを取り囲む複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションの少なくとも２つが、分離可能であり、及び互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、電子光学アセンブリが提供される。

[0011] 本発明の第４の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリを製造する方法であって、方法が、荷電粒子ビームを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするために電磁シールドを設けることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法が提供される。

[0012] 本発明の第５の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのモジュールを交換する方法であって、方法が、電子光学コラムからモジュールを取り外すことを含み、電子光学コラムが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションの少なくとも１つが、モジュール内に含まれ、並びにモジュールのアップビーム及び／又はダウンビームのセクションのうちの他のセクションから分離可能である、方法が提供される。

[0013] 本発明の第６の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影する方法であって、方法が、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドすることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法が提供される。

[0014] 本発明の第７の態様によれば、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学アセンブリを動作させる方法であって、アセンブリが、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された複数の電磁シールドセクションと、電子光学デバイスを含み、及びアセンブリから取り外し可能であるように構成されたモジュールと、を含み、方法が、アセンブリからモジュールを取り外すことを含み、取り外すことが、ビームパスに対して、モジュール内の電磁シールドのセクションを半径方向に移動させることを含む、方法が提供される。

[0015] 本発明の第８の態様によれば、ターゲットに向けて、それぞれのビームパスに沿って、それぞれの荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学コラムと、電子光学コラムの１つ又は複数のために荷電粒子ビームを発生させるように構成された荷電粒子ソースと、電子光学コラムのうちの少なくとも１つの電子光学コラムの荷電粒子ビームパスを取り囲む電磁シールドと、を含むマルチコラム装置であって、電磁シールドが、それぞれのビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、マルチコラム装置が提供される。

[0016] 本発明の利点は、実例及び例として、本発明の特定の実施形態が記載される、添付の図面と併せた以下の説明から明らかとなるだろう。

[0017] 本開示の上記及び他の態様は、添付の図面と併せた例示的実施形態の説明からより明白となるだろう。

[0018]例示的な荷電粒子ビーム検査装置を示す概略図である。 [0019]図１の例示的な検査装置の一部である例示的なマルチビーム電子光学コラムを示す概略図である。 [0020]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0021]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0022]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0023]ある実施形態による電子光学アセンブリの一部の概略図である。 [0024]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0025]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0026]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0027]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0028]ある実施形態による電子光学アセンブリの概略図である。 [0029]ある実施形態による電子光学コラムの概略図である。 [0030]ある実施形態による電子光学コラムの概略図である。 [0031]ある実施形態による電子光学コラムの概略図である。 [0032]ある実施形態による電子光学コラムの概略図である。 [0033]ある実施形態によるマルチコラム装置の概略図である。 [0034]ある実施形態によるマルチコラム装置の概略図である。 [0035]ある実施形態によるマルチコラム装置の概略図である。 [0036]ある実施形態によるマルチコラム装置の概略図である。

[0037] これより、例示的な実施形態を詳細に参照し、その例を、添付の図面に示す。以下の説明は、添付の図面を参照し、別段の表示がない限り、異なる図面における同一の番号は、同一又は類似の要素を表す。例示的な実施形態の以下の説明に記載される実装形態は、本発明と一致するすべての実装形態を表すわけではない。代わりに、それらの実装形態は、添付の請求項において記述されるように、本発明に関連する態様と一致する装置及び方法の単なる例である。

[0038] デバイスの物理的サイズの減少、及び電子デバイスの計算能力の向上は、ＩＣチップ上のトランジスタ、キャパシタ、ダイオードなどの回路コンポーネントの実装密度を大幅に増加させることによって達成することができる。これは、さらに小さい構造の作製を可能にする分解能の向上によって可能にされてきた。半導体ＩＣ製造は、数百の個々のステップを有する、複雑で時間のかかるプロセスである。ＩＣチップを製造するプロセスの何れかのステップにおけるエラーが、最終製品の機能に悪影響を与える可能性を持つ。たった１つの欠陥が、デバイスの故障を生じさせ得る。プロセスの全体的な歩留まりを向上させることが望ましい。例えば、５０のステップを有するプロセス（ここでは、ステップが、ウェーハ上に形成される層の数を示し得る）に関して７５％の歩留まりを得るためには、個々のステップは、９９．４％を超える歩留まりを有していなければならない。個々のステップが９５％の歩留まりを有する場合、全体的なプロセス歩留まりは、７～８％と低い。

[0039] 一時間当たりに処理される基板の数と定義される高い基板（すなわち、ウェーハ）スループットを維持することも望ましい。高いプロセス歩留まり及び高い基板スループットは、欠陥の存在による影響を受け得る。これは、欠陥を調査するためにオペレータの介入が必要な場合に特に当てはまる。検査ツール（走査電子顕微鏡（「ＳＥＭ」）など）によるマイクロスケール及びナノスケール欠陥の高スループット検出及び識別は、ＩＣチップに対する高い歩留まり及び低いコストを維持するために望ましい。

[0040] ＳＥＭは、走査デバイス及び検出器装置を含む。走査デバイスは、一次電子を発生させるための電子源を含む照明装置と、一次電子の１つ又は複数の集束ビームで基板などのターゲットを走査するための投影装置と、を含む。一次電子は、ターゲットと相互作用し、二次電子及び／又は後方散乱電子などの相互作用生成物を発生させる。検出装置は、ＳＥＭがターゲットの走査エリアの画像を生成し得るように、ターゲットが走査されるときに、ターゲットからの二次電子及び／又は後方散乱電子を捕捉する。これらのＳＥＭフィーチャを具現化する電子光学ツールの設計は、単一ビームを有し得る。検査などのためのより高いスループットのために、装置の幾つかの設計は、一次電子の複数の集束ビーム、すなわち、マルチビームを使用する。マルチビームの成分ビームは、サブビーム又はビームレットと呼ばれることがある。マルチビームは、ターゲットの異なる部分を同時に走査することができる。したがって、マルチビーム検査装置は、例えばターゲットをより高速で移動させることによって、単一ビーム検査装置よりもはるかに高速でターゲットを検査することができる。

[0041] マルチビーム検査装置では、一次電子ビームの幾つかのパスが、走査デバイスの中心軸、すなわち、一次電子光軸（本明細書では、荷電粒子軸とも呼ばれる）の中点から離れて変位する。すべての電子ビームが実質的に同じ入射角でサンプル表面に達することを確実にするために、中心軸からより大きな半径方向距離を有するサブビームパスが、中心軸により近いサブビームパスよりも大きな角度を移動するように操作される必要がある。このより強力な操作は、結果として生じる像をぼやけさせ、像の焦点を外させる収差を生じさせ得る。一例は、各サブビームパスの焦点を異なる焦点面に至らせる球面収差である。具体的には、中心軸上にないサブビームパスに関して、サブビームの焦点面の変化は、中心軸からの半径方向変位と共に大きくなる。このような収差及びデフォーカス効果は、ターゲットからの二次電子が検出されたときにそれらの二次電子に関連付けられたままとなり得、例えば、ターゲット上のサブビームによって形成されるスポットの形状及びサイズが影響を受ける。したがって、このような収差は、検査中に生成される、結果として生じる画像の品質を低下させる。

[0042] 既知のマルチビーム検査装置の実装形態を以下に説明する。

[0043] 図は、概略図である。したがって、図面では、コンポーネントの相対寸法は、明瞭にするために拡大される。以下の図面の説明では、同じ又は同様の参照番号は、同じ又は同様のコンポーネント又はエンティティを指し、個々の実施形態に対する違いのみを説明する。説明及び図面は電子光学装置を対象とするが、実施形態は、本開示を特定の荷電粒子に限定するためには使用されないことが理解される。したがって、本文書全体を通して、電子及び電子に関連して言及されるアイテムへの言及は、より一般的に、荷電粒子及び荷電粒子に関連して言及されるアイテムへの言及であると見なすことができ、荷電粒子は、必ずしも電子ではない。

[0044] ここで図１を参照すると、図１は、例示的な荷電粒子ビーム検査装置１００を示す概略図である。図１の検査装置１００は、真空チャンバ１０、装填ロックチャンバ２０、電子光学コラム４０（電子ビームツールとしても知られる）、機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ）３０、及びコントローラ５０を含む。電子光学コラム４０は、真空チャンバ１０内に位置し得る。

[0045] ＥＦＥＭ３０は、第１の装填ポート３０ａ及び第２の装填ポート３０ｂを含む。ＥＦＥＭ３０は、追加の１つ又は複数の装填ポートを含んでもよい。第１の装填ポート３０ａ及び第２の装填ポート３０ｂは、例えば、検査予定の基板（例えば、半導体基板若しくは他の材料で作られた基板）又はターゲットを含む基板前面開口式一体型ポッド（ＦＯＵＰ（front opening unified pod））を受け取ることができる（以下では、基板、ウェーハ、及びサンプルは、まとめて「ターゲット」と呼ばれる）。ＥＦＥＭ３０の１つ又は複数のロボットアーム（図示せず）は、装填ロックチャンバ２０にターゲットを運ぶ。

[0046] 装填ロックチャンバ２０は、ターゲットの周囲の気体を取り除くために使用される。装填ロックチャンバ２０は、装填ロック真空ポンプシステム（図示せず）に接続されてもよく、装填ロック真空ポンプシステムは、装填ロックチャンバ２０内の気体粒子を取り除く。装填ロック真空ポンプシステムの動作により、装填ロックチャンバが大気圧を下回る第１の圧力に達することが可能になる。メインチャンバ１０は、メインチャンバ真空ポンプシステム（図示せず）に接続される。メインチャンバ真空ポンプシステムは、ターゲットの周囲の圧力が第１の圧力を下回る第２の圧力に達するように、メインチャンバ１０内の気体分子を取り除く。第２の圧力に達した後に、ターゲットは、電子光学コラム４０に運ばれ、ターゲットは、電子光学コラムによって検査され得る。電子光学コラム４０は、単一ビーム又はマルチビームの電子光学装置を含み得る。

[0047] コントローラ５０は、電子光学コラム４０に電子的に接続される。コントローラ５０は、荷電粒子ビーム検査装置１００を制御するように構成されたプロセッサ（コンピュータなど）でもよい。コントローラ５０は、様々な信号及び画像処理機能を実行するように構成された処理回路も含み得る。図１では、コントローラ５０は、メインチャンバ１０、装填ロックチャンバ２０、及びＥＦＥＭ３０を含む構造の外部のものとして示されているが、コントローラ５０は、構造の一部でもよいことが理解される。コントローラ５０は、荷電粒子ビーム検査装置のコンポーネント要素の１つの内部に位置してもよく、又はコントローラ５０は、コンポーネント要素の少なくとも２つに分散されてもよい。本開示は、電子ビーム検査ツールを収納するメインチャンバ１０の例を提供しているが、本開示の態様は、広い意味で、電子ビーム検査ツールを収納するチャンバに限定されないことに留意すべきである。むしろ、前述の原理は、第２の圧力下で動作する装置の他のツール及び他の配置にも適用できることが理解される。

[0048] ここで図２を参照すると、図２は、図１の検査装置１００の例示的なマルチビーム電子光学コラム４０の概略図である。ある代替実施形態では、検査装置１００は、単一ビーム検査装置である。電子光学コラム４０は、電子ソース３０１、ビームフォーマアレイ３７２（ガンアパーチャプレート、クーロンアパーチャアレイ、又はプリサブビーム形成アパーチャアレイとしても知られる）、集光レンズ３１０、ソース変換器（又はマイクロ光学アレイ）３２０、対物レンズ３３１、及びターゲット３０８を含み得る。ある実施形態では、集光レンズ３１０は、磁気である。ターゲット３０８は、ステージ上のサポートによって支持され得る。ステージは、モータ付きでもよい。ステージは、ターゲット３０８が偶発的電子によって走査されるように、移動する。電子ソース３０１、ビームフォーマアレイ３７２、集光レンズ３１０は、電子光学コラム４０によって含まれる照明装置のコンポーネントでもよい。より詳細に以下に記載されるソース変換器３２０（ソース変換ユニットとしても知られる）、及び対物レンズ３３１は、電子光学コラム４０によって含まれる投影装置のコンポーネントでもよい。

[0049] 電子ソース３０１、ビームフォーマアレイ３７２、集光レンズ３１０、ソース変換器３２０、及び対物レンズ３３１は、電子光学コラム４０の一次電子光軸３０４とアライメントされる。電子ソース３０１は、概ね電子光軸３０４に沿って、及び（仮想又は実在の）ソースクロスオーバー３０１Ｓを用いて一次ビーム３０２を発生させ得る。動作中に、電子ソース３０１は、電子を放出するように構成される。電子は、一次ビーム３０２を形成するために、抽出器及び／又はアノードによって抽出又は加速される。

[0050] ビームフォーマアレイ３７２は、結果として生じるクーロン効果を低減するために、一次電子ビーム３０２の周辺電子をカットする。一次電子ビーム３０２は、ビームフォーマアレイ３７２によって、指定数のサブビーム（３つのサブビーム３１１、３１２、及び３１３など）に削減され得る。この説明は、１つ、２つ、又は４つ以上などの任意の数のサブビームを有する電子光学コラム４０に適用することを意図したものであることが理解されるものとする。動作時に、ビームフォーマアレイ３７２は、クーロン効果を低減するために、周辺電子をブロックするように構成される。クーロン効果は、プローブスポット３９１、３９２、３９３のそれぞれのサイズを拡大し、したがって、検査分解能を低下させ得る。ビームフォーマアレイ３７２は、ビームに投影された電子間のクーロン相互作用に起因する収差を減少させる。ビームフォーマアレイ３７２は、ソース変換器３２０の前であっても一次サブビームを発生させるための複数の開口を含み得る。

[0051] ソース変換器３２０は、ビームフォーマアレイ３７２によって透過されたビーム（もしあればサブビームを含む）をターゲット３０８に向けて投影されるサブビームに変換するように構成される。ある実施形態では、ソース変換器は、ユニットである。代替的に、ソース変換器という用語は、サブビームからビームレットを形成するコンポーネントのグループに対する総称として単に使用され得る。

[0052] 図２に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、ターゲット３０８に向けて投影されるビームレット（又はサブビーム）の外寸を規定するように構成されたアパーチャパターン（すなわち、ある形態に配置されたアパーチャ）を有するビーム制限アパーチャアレイ３２１を含む。ある実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ３２１は、ソース変換器３２０の一部である。ある代替実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ３２１は、メインコラムのアップビームのシステムの一部である。ある実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ３２１は、ターゲット３０８に向けて投影されるビームレットの数が、ビームフォーマアレイ３７２を透過するサブビームの数よりも多いように、サブビーム３１１、３１２、３１３の１つ又は複数をビームレットに分割する。ある代替実施形態では、ビーム制限アパーチャアレイ３２１は、ビーム制限アパーチャアレイ３２１に入射するサブビームの数を維持し、この場合、サブビームの数は、ターゲット３０８に向けて投影されるビームレットの数と等しくなり得る。

[0053] 図２に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、サブビーム３１１、３１２、及び３１３をそれぞれ屈曲させるための事前屈曲偏向器３２３＿１、３２３＿２、及び３２３＿３を備えた事前屈曲偏向器アレイ３２３を含む。事前屈曲偏向器３２３＿１、３２３＿２、及び３２３＿３は、サブビーム３１１、３１２、及び３１３のパスをビーム制限アパーチャアレイ３２１上へと屈曲させ得る。

[0054] 電子光学コラム４０は、像形成偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３を備えた像形成要素アレイ３２２も含み得る。各ビームレットのパスに関連付けられたそれぞれの偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３が存在する。偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３は、ビームレットのパスを電子光軸３０４に向けて偏向させるように構成される。偏向したビームレットは、ソースクロスオーバー３０１Ｓの虚像（図示せず）を形成する。この実施形態では、これらの虚像は、対物レンズ３３１によってターゲット３０８上に投影され、ターゲット上にプローブスポット３９１、３９２、３９３を形成する。電子光学コラム４０は、各サブビームに存在し得る収差を補償するように構成された収差補償器アレイ３２４も含み得る。ある実施形態では、収差補償器アレイ３２４は、それぞれのビームレットに対して作用するように構成されたレンズを含む。レンズは、形又はレンズアレイを取り得る。アレイ状のレンズは、マルチビームの異なるビームレットに対して作用し得る。収差補償器アレイ３２４は、例えば、例えばマイクロレンズを備えた像面湾曲補償器アレイ（図示せず）を含み得る。像面湾曲補償器及びマイクロレンズは、例えば、プローブスポット３９１、３９２、及び３９３において顕著な像面湾曲収差に関して個々のサブビームを補償するように構成され得る。収差補償器アレイ３２４は、マイクロ非点収差補正装置を備えた非点収差補償器アレイ（図示せず）を含み得る。マイクロ非点収差補正装置は、例えば、そうでなければプローブスポット３９１、３９２、及び３９３に存在する非点収差を補償するためにサブビームに対して作用するように制御され得る。

[0055] ソース変換器３２０は、サブビーム３１１、３１２、及び３１３をそれぞれ屈曲させるための事前屈曲偏向器３２３＿１、３２３＿２、及び３２３＿３を備えた事前屈曲偏向器アレイ３２３をさらに含み得る。事前屈曲偏向器３２３＿１、３２３＿２、及び３２３＿３は、サブビームのパスをビーム制限アパーチャアレイ３２１上へと屈曲させることができる。ある実施形態では、事前屈曲マイクロ偏向器アレイ３２３は、サブビームのサブビームパスをビーム制限アパーチャアレイ３２１上の平面の直交に向けて屈曲させるように構成され得る。代替実施形態では、集光レンズ３１０は、サブビームのパス方向をビーム制限アパーチャアレイ３２１上に調整し得る。集光レンズ３１０は、例えば、一次電子光軸３０４に沿って実質的に平行なビームとなるように、３つのサブビーム３１１、３１２、及び３１３を集束させる（コリメートする）ことができ、したがって、３つのサブビーム３１１、３１２、及び３１３は、ソース変換器３２０に実質的に垂直に入射し、ソース変換器３２０は、ビーム制限アパーチャアレイ３２１に対応し得る。このような代替実施形態では、事前屈曲偏向器アレイ３２３は、必要ではない場合がある。

[0056] 像形成要素アレイ３２２、収差補償器アレイ３２４、及び事前屈曲偏向器アレイ３２３は、サブビーム操作デバイスの複数の層を含んでもよく、それらの一部は、形式又はアレイ状でもよい（例えば、マイクロ偏向器、マイクロレンズ、又はマイクロ非点収差補正装置）。ビームパスは、回転操作され得る。回転補正が磁気レンズによって与えられてもよい。追加的又は代替的に、回転補正は、集光レンズ構成などの既存の磁気レンズによって実現されてもよい。

[0057] 電子光学コラム４０のこの例では、ビームレットは、電子光軸３０４に向けて、像形成要素アレイ３２２の偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３によってそれぞれ偏向される。ビームレットパスは、偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３に到達する前に既に電子光軸３０４に一致し得ることが理解されるものとする。

[0058] 対物レンズ３３１は、ビームレットをターゲット３０８の表面上に集束させ、すなわち、対物レンズ３３１は、３つの虚像をターゲット表面上に投影する。３つのサブビーム３１１～３１３によってターゲット表面上に形成された３つの像は、ターゲット表面上に３つのプローブスポット３９１、３９２、及び３９３を形成する。ある実施形態では、サブビーム３１１～３１３の偏向角度は、３つのプローブスポット３９１～３９３のオフアクシス収差を低減又は制限するために、対物レンズ３３１の前側焦点を通過するように、又は対物レンズ３３１の前側焦点に近づくように調整される。ある構成では、対物レンズ３３１は、磁気である。３つのビームレットが言及されるが、これは単なる例である。任意の数のビームレットが存在し得る。

[0059] マニピュレータは、１つ又は複数の荷電粒子ビームを操作するように構成される。マニピュレータという用語は、偏向器、レンズ、及びアパーチャを包含する。事前屈曲偏向器アレイ３２３、収差補償器アレイ３２４、及び像形成要素アレイ３２２は、それらが１つ又は複数の荷電粒子サブビーム又はビームレットを操作することから、個々に、又は互いに組み合わせて、マニピュレータアレイ３４と呼ばれることがある。レンズ及び偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３は、それらが１つ又は複数の荷電粒子サブビーム又はビームレットを操作することから、マニピュレータと呼ばれることがある。

[0060] ある実施形態では、ビームセパレータ（図示せず）が設けられる。ビームセパレータは、ソース変換器３２０のダウンビームに位置し得る。ビームセパレータは、例えば、静電双極子場及び磁気双極子場を含むウィーンフィルタでもよい。ビームセパレータは、ビームパスの方向において（より詳細に以下に説明される）シールド３１の隣接するセクション３２間に位置決めされ得る。シールドの内側表面３９は、ビームセパレータの半径方向内側に位置し得る。代替的に、ビームセパレータは、シールド３１内に位置してもよい。動作時に、ビームセパレータは、静電双極子場によって、サブビームの個々の電子に対して静電力をかけるように構成され得る。ある実施形態では、静電力は、ビームセパレータの磁気双極子場によってサブビームの個々の一次電子にかけられる磁力に対して、大きさは等しいが、方向は逆である。したがって、サブビームは、少なくとも実質的にゼロの偏向角度で、ビームセパレータを少なくとも実質的に真っすぐに通過し得る。磁力の方向は、電子の動きの方向に依存し、静電力の方向は、電子の動きの方向に依存しない。したがって、二次電子及び後方散乱電子は、一般に、一次電子と比較して反対方向に移動するため、二次電子及び後方散乱電子にかかる磁力は、もはや静電力を相殺せず、その結果、ビームセパレータを通って進む二次電子及び後方散乱電子は、電子光軸３０４から離れて偏向される。

[0061] ある実施形態では、対応する二次荷電粒子ビームを検出するための検出要素を含む二次コラム（図示せず）が設けられる。検出要素への二次ビームの入射時に、要素は、対応する強度信号出力を生成し得る。出力は、画像処理システム（例えば、コントローラ５０）に向けられ得る。各検出要素は、１つ又は複数のピクセルを含み得る。検出要素の強度信号出力は、検出要素内のすべてのピクセルによって生成された信号の合計でもよい。

[0062] ある実施形態では、二次投影装置及びそれに関連した電子検出デバイス（図示せず）が設けられる。二次投影装置及びそれに関連した電子検出デバイスは、二次コラムの二次電子光軸とアライメントされ得る。ある実施形態では、ビームセパレータは、二次投影装置に向けて二次電子ビームのパスを偏向させるように配置される。続いて、二次投影装置は、二次電子ビームのパスを電子検出デバイスの複数の検出領域上に集束させる。二次投影装置及びそれに関連した電子検出デバイスは、二次電子又は後方散乱電子を用いてターゲット３０８の像を登録及び生成し得る。

[0063] ある実施形態では、検査装置１００は、単一ソースを含む。

[0064] 任意の要素又は要素の一群は、電子光学コラム内で交換可能、又は現場で交換可能であってもよい。コラム内の１つ又は複数の電子光学コンポーネント、特にアパーチャアレイ及びマニピュレータアレイなどの、サブビームに対して作用し、又はサブビームを発生させる電子光学コンポーネントは、１つ又は複数のＭＥＭＳ（microelectromechanical system）を含み得る。事前屈曲偏向器アレイ３２３は、ＭＥＭＳでもよい。ＭＥＭＳは、微細加工技術を使用して作られた小型機械及び電気機械要素である。ある実施形態では、電子光学コラム４０は、ＭＥＭＳとして形成されたアパーチャ、レンズ、及び偏向器を含む。ある実施形態では、レンズ及び偏向器３２２＿１、３２２＿２、及び３２２＿３などのマニピュレータは、ターゲット３０８に向けて投影される荷電粒子ビームレットを制御するために、受動的に、能動的に、アレイ全体として、個々に、又はアレイ内のグループで制御可能である。

[0065] ある実施形態では、電子光学コラム４０は、レンズ及び他のコンポーネント（これらの幾つかを図１及び２を参照して先述している）などの代替及び／又は追加のコンポーネントを荷電粒子パス上に含み得る。具体的には、実施形態は、ソースからの荷電粒子ビームを複数のサブビームに分割する電子光学コラム４０を含む。複数のそれぞれの対物レンズは、サブビームをサンプル上に投影し得る。幾つかの実施形態では、複数の集光レンズが、対物レンズからアップビームに設けられる。集光レンズは、各サブビームを対物レンズのアップビームにある中間焦点に集束させる。幾つかの実施形態では、コリメータが、対物レンズからアップビームに設けられる。フォーカスエラー及び／又は収差を減少させるために、補正器が設けられてもよい。幾つかの実施形態では、このような補正器は、対物レンズに組み込まれ、又は対物レンズに直接隣接して位置決めされる。集光レンズが設けられる場合は、このような補正器は、追加的又は代替的に、集光レンズに組み込まれてもよく、若しくは集光レンズに直接隣接して位置決めされてもよく、及び／又は中間焦点に位置決めされてもよく、若しくは中間焦点に直接隣接して位置決めされてもよい。サンプルによって放出された荷電粒子を検出するために、検出器が設けられる。検出器は、対物レンズに組み込まれてもよい。検出器は、使用中のサンプルに対向するように、対物レンズの底面に設けられてもよい。集光レンズ、対物レンズ、及び／又は検出器は、ＭＥＭＳ又はＣＭＯＳデバイスとして形成されてもよい。

[0066] 図３は、本発明のある実施形態による電子光学アセンブリを示す。電子光学アセンブリは、電子光学コラム４０のためのものである。電子光学コラム４０は、ターゲット３０８に向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するためのものである。ある実施形態では、ビームパスは、電子光学コラム４０の軸方向にある。軸方向は、電子光軸３０４と一致する。代替的に、ビームパスは、電子光軸３０４に対して角度が付けられてもよい。

[0067] 図３に示されるように、ある実施形態では、電子光学アセンブリは、電磁シールド３１を含む。電磁シールドは、荷電粒子ビームを取り囲むように構成される。電磁シールド３１は、電磁シールド３１の外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成される。

[0068] 電子光学コラム４０では、荷電粒子ビームのパスは、電磁界によって制御される。例えば、荷電粒子ビームパスを制御するために、内部電磁界が使用され得る（すなわち、シールド３１の内部）。したがって、内部電磁界は、電子光学アセンブリの設計及び動作において、予め決定される。外部（すなわち漂遊）電磁界は、荷電粒子ビームを意図されたパスから望ましくなくそらし得る。ここで外部とは、シールドの外部である。電磁シールド３１は、外部電磁界を減衰させるように構成される。電磁シールド３１は、荷電粒子ビームパスに対する外部電磁界の影響を低減するように構成される。

[0069] ある実施形態では、電磁シールド３１は、荷電粒子ビームを電界からシールドするように構成される。ある実施形態では、電磁シールド３１は、伝導材料を含む。例えば、電磁シールド３１は、銅、ニッケル、鉄、若しくはコバルトなどの金属、又はドープ半導体、又は金属コーティングなどの導電性材料を含み得る。そのような金属コーティングは、金属又はプラスチックなどの非金属材料上に設けられてもよい。シールド３１は、それの接地接続に対して低抵抗接続を有し得る。ビームを低オーム材料で取り囲むことによって、漂遊電界の影響を減衰させることができる。ある実施形態では、電磁シールド３１は、ＤＣ電位に接続される。ある実施形態では、ＤＣ電位は、接地電位である。代替的に、ＤＣ電位は、静電レンズを設けるために、接地とは異なる固定電位でもよい。

[0070] ある実施形態では、電磁シールド３１は、荷電粒子ビームを磁界からシールドするように構成される。ある実施形態では、電磁シールド３１は、透磁材料を含む。例えば、電磁シールド３１は、合金を含み得る。合金は、ニッケル及び／又は鉄及び／又はコバルトを含み得る。ある実施形態では、電磁シールド３１は、１つ又は複数の希土類元素を含む。ある実施形態では、電磁シールド３１は、少なくとも５，０００、１０，０００、任意選択的に少なくとも２０，０００、任意選択的に少なくとも５０，０００、及び任意選択的に少なくとも１００，０００の比透磁率を有する材料を含む。ある実施形態では、電磁シールド３１は、熱処理される。ある実施形態では、電磁シールド３１は、磁気アニールプロセスを受ける。ある実施形態では、電磁シールド３１は、水素雰囲気中で加熱される。

[0071] 図３に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１は、複数のセクション３２を含む。電磁シールド３１のセクション３２は、ビームパスに沿った異なる複数の位置に沿って延在する。図３に示される配向では、ビームパスは、上から下まで延在する。３つのセクション３２が図３に示されている。中央のセクション３２は、図示される一番上のセクション３２のダウンビームにあり、且つ図示される一番下のセクション３２のアップビームにあるビームパスの部分に沿って延在する。各セクション３２は、荷電粒子ビームを取り囲むように構成される。ビームは、マルチビームでもよい。

[0072] 図３に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１のセクション３２は、分離可能である。セクション３２が分離可能であると定めることによって、電子光学コラム４０の部分を分解すること、及び／又は電子光学コラム４０の１つ又は複数の部分を交換することがより簡単である。電子光学コラム４０の部分は、１つずつ取り外すことができる。セクション３２は、電子光学コラム４０の部分を取り外すため、及び／又は交換するために１つずつ取り外すことができる。本発明のある実施形態は、電子光学コラム４０をメンテナンスすることをより簡単にすると期待される。

[0073] 図３では（及び幾つかの他の図では）、電磁シールド３１が、ビームパスの周りで対称的に位置決めされるものとして示されている。実際には、外部漂遊磁界の起点及び方向は不明であり得る。対称電磁シールド３１は、漂遊磁界の方向にかかわらず、所定の減衰ファクタを有し得る。しかしながら、本発明にとって、電磁シールド３１がビームパスの周りで対称的に位置決めされることは必須ではない。電磁シールドは、ビームパスから中心を外れて位置決めされてもよい。場合によっては、外部磁界の方向は、（例えば、磁界のソースが分かっているため）分かっている場合がある。ある実施形態では、電磁シールド３１は、ある特定の方向における磁界の影響を別の方向よりも多く減衰させるように設計される。

[0074] 図３に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１のギャップ３３が、隣接するセクション３２間でビームパスの方向に形成されるように、セクション３２が配置される。例えば、２つのギャップ３３が３つのセクション３２間に示されている。３つの例示的セクションは、中央のセクション３２のアップビームのアップビームセクション３２’、及び中央のセクション３２のダウンビームのダウンビームセクション３２’’と呼ばれることがある。図３に示されるように、ある実施形態では、少なくとも１つのセクション３２、例えば中央のセクション３２が、セクション３２の別の１つ、例えばアップビーム及びダウンビームセクション３２’、３２’’から独立して、ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、セクション３２が配置される。図３に示される配向では、半径方向は、左右（すなわち、頁の縦の両端間にわたる）方向である。ある実施形態では、セクション３２の１つは、セクション３２の別の１つから独立して、ビームパスに対して角度の付いた方向、好ましくは垂直な方向にシフト可能である。ある実施形態では、セクション３２は、セクション３２の別の１つから独立して、ビームパスに対して垂直な方向に対して角度の付いた方向にシフト可能である。

[0075] 本発明のある実施形態は、電子光学コラム４０に沿った途中の部分を取り外すこと及び／又は交換することをより簡単にすると期待される。分解及び組み立ては、ビームパスに対して角度の付いた方向（任意選択的に垂直な方向）にセクション３２を移動させることによって行うことができる。分解及び組み立ては、ビームパスの方向にセクション３２を移動させることによって、例えばセクションを１つずつ取り外すことによっても可能であり得る。ギャップ３３は、あるセクション３２が、他のセクション３２から独立して（例えば、他のセクション３２と接触することなく、又は他のセクション３２の邪魔をすることなく）、ビームパス内に、又はビームパスの外へとシフトされることをより簡単にする。ある実施形態では、シールド３１は、ビームパスが中を通って延在するアパーチャを含む。ある実施形態では、アパーチャは、ビームパスに対して垂直な方向に少なくとも２ｍｍ、任意選択的に少なくとも５ｍｍの寸法を有する。ある実施形態では、ビームは、１～２ｍｍの領域内に寸法を有する。ビームは、シールド３１のセクション３２の交換の前後で、アパーチャに適合する。

[0076] 図３に示されるように、ある実施形態では、隣接するセクション３２は、対向表面３４を有する。あるセクションの対向表面３４は、電磁シールド３１の隣接するセクション３２の対向表面３４に対向する。対向表面３４は、ビームパスから離れる方向、好ましくはビームパスに対して半径方向に延在するように配置される。隣接するセクション３２同士の対向表面３４は、平行でもよい。図３に示される配置では、一番上及び中央のセクション３２の対向表面３４は、中央及び一番下のセクション３２の対向表面３４よりも、さらに遠くに、好ましくは半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面３４は、ビームパスの方向において、ギャップ３３の範囲を規定する。

[0077] ある実施形態では、対向表面３４は、隣接するセクション３２間のギャップ３３と少なくとも同程度の大きさの距離だけ、ビームパスから離れるように、好ましくは半径方向に延在する。図３に示されるように、一番上のセクション３２と中央のセクション３２との間のギャップ３３は、距離Ｄ１を有する。距離Ｄ１は、ビームパスの方向に測定される。ギャップ３３の両側の対向表面３４は、幅Ｗ１だけ、ビームパスから離れるように、好ましくは半径方向に延在する。幅Ｗ１は、半径方向（これは、ビームパスの方向に対して垂直でもよい）に測定される。幅Ｗ１は、セクション３２の内側表面から対向表面３４の半径方向外側エッジまで測定される。ある実施形態では、Ｗ１≧Ｄ１である。すなわち、幅Ｗ１は、距離Ｄ１以上であり得る。

[0078] 図３に示されるように、一番下及び中央のセクション３２、３２’間のギャップ３３は、ビームパスと平行な方向に距離Ｄ２を有する。ギャップ３３の両側の対向表面３４は、例えばビームパスに対して、半径方向に延在する（幅Ｗ２）。ある実施形態では、Ｗ２≧Ｄ２である。すなわち、幅Ｗ２は、距離Ｄ２以上であり得る。

[0079] 対向表面３４の半径範囲は、セクション３２が漂遊電磁界の影響を減衰させることに役立ち得る。一般に、ギャップ３３のサイズと比べて対向表面３４の半径範囲を増大させることは、漂遊電磁界の影響を低減する。ある実施形態では、対向表面３４は、隣接するセクション３２間のギャップ３３の少なくとも２倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面３４は、隣接するセクション３２間のギャップ３３の少なくとも３倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面３４は、隣接するセクション３２間のギャップ３３の少なくとも４倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。ある実施形態では、対向表面３４は、隣接するセクション３２間のギャップ３３の少なくとも５倍の大きさの距離だけ、半径方向に延在する。

[0080] 図３に示される配置では、ギャップ３３の両側の対向表面３４は、半径方向に等距離延在する。しかしながら、これは、必ずしも事実ではない。ある代替実施形態では、ギャップ３３の両側の対向表面３４は、半径方向に異なる距離延在してもよい。ある実施形態では、２つの対向表面３４の短い方の距離は、ギャップ３３のサイズと少なくとも同程度（又は２倍、又は３倍、又は４倍、又は５倍）の大きさの距離だけ半径方向に延在する。本発明のある実施形態は、ビームパスに対する漂遊電磁界の影響を低減することが期待される。ある配置では、対向表面３４は、ビームパスの周りで、及びビームパスに対して非均一距離だけ延在し得る。例えば、ビームパスに対して相反する半径方向において、対向表面は、他方の方向よりもビームからより遠くに延在し得る。

[0081] 図３に示されるように、ある実施形態では、ビームパスの方向におけるセクション３２の少なくとも一方の端部は、ビームパスに対して半径方向に延在するフランジ３５を含む。ある実施形態では、フランジ３５は、対向表面３４を含む。ある実施形態では、電磁シールドは、好ましくは半径方向にビームパスから離れて、フレア状である。フランジ３５は、電磁シールド３１の厚さを必要以上に大きくすることなく、対向表面３４の半径範囲を増大させることに役立つ。電磁シールド３１の厚さを比較的小さく保つことによって、電磁シールドの材料コストが制限される。本発明のある実施形態は、製造コストを必要以上に増加させることなく、ビームに対する漂遊電磁界の影響を低減することが期待される。

[0082] 図４は、本発明のある実施形態による、電子光学コラム４０の一部を概略的に示す。図４に示されるように、フランジが設けられることは必須ではない。図４に示される配置では、電磁シールド３１の一番上のセクション３２’は、一定でもよい外径を有する。対向表面３４は、半径方向に延在する。対向表面３４の半径範囲は、（中央のセクション３２と比べて）セクション３２の厚さを大きくすることによって提供される。対向表面３４の半径範囲は、一番上のセクション３２の厚さによって提供される。したがって、対向表面は、シールド３１の壁によって提供される。すなわち、シールドは、チューブの端部表面に一致した対向表面を有するチューブである。したがって、チューブの厚さは、少なくとも壁を提供する端部において、ビームパスから離れる方向に幅Ｗ１、Ｗ２の範囲を規定し得る。

[0083] 図４に示される中央のセクション３２は、図３に示される中央のセクション３２に似ている。図４に示される一番下のセクション３２’’は、フランジ３５を含む。一番下のセクション３２は、中央のセクション３２の壁よりも厚い壁を有する。一番下のセクション３２’’では、対向表面３４の半径範囲は、１つには（中央のセクション３２と比べて）一番下のセクション３２’’の厚さを大きくすることによって、及び１つにはフランジ３５を設けることによって提供される。

[0084] 図４に示されるように、ある実施形態では、電子光学アセンブリは、電磁シールド３１の隣接するセクション３２間に少なくとも１つの電子光学要素を含む。電子光学要素は、ビームパスに対して作用するように構成される。例えば、ある実施形態では、１つ又は複数の偏向器３６が、隣接するセクション３２間に設けられる。（偏向器は、セクションと同様に断面で示される）。ある実施形態では、１つ又は複数のレンズ３７が、隣接するセクション３２間に設けられる。（静電レンズは２つ以上のプレートを含むが、簡単にするために、これらのレンズは、概略的に示される）。他のタイプの電子光学要素が、隣接するセクション３２間に位置決めされてもよい。磁気レンズは、シールド３１の外側にコイルと、隣接するセクション３２間に位置決めされたコアとを含み得る。ある実施形態では、セクション３２間の電子光学要素は、ＭＥＭＳ要素である。例えば、偏向器３６及び／又はレンズ３７は、ＭＥＭＳでもよい。

[0085] ある実施形態では、電磁シールド３１は、マルチビームパスの周りに延在するように構成される。ある実施形態では、電磁シールド３１は、複数のセクション３２：電子光学要素のアップビームのアップビームセクション３２’と、電子光学要素のダウンビームのダウンビームセクション３２’’と、電子光学要素に関連付けられた要素セクション３２とを含む。ある実施形態では、要素セクション３２は、電子光学要素を備えたツールから取り外し可能であるように構成される。ある実施形態では、小さなギャップが、ビームパスに沿って隣り合うセクション３２間に存在する。

[0086] 図４に示される実施形態では、偏向器３６は、ギャップ３３を通るビームに対して作用する。図４に示される実施形態では、偏向器３６は、セクション３２の外側範囲の半径方向外側に位置決めされる。ある代替実施形態では、偏向器３６は、セクション３２の外側半径範囲の少なくとも部分的に内側に位置決めされてもよい。セクション３２の外側半径範囲は、ビームパスの方向と平行でもよい長さ表面に一致し得る。ある実施形態では、偏向器３６は、ギャップ３３内、例えば、ギャップ３３を規定する対向表面３４間に位置する。ビームのより近くに偏向器３６を位置決めすることにより、シールド３１による、ビームに対する偏向器３６の効果の望ましくない減衰が低減される。ある実施形態では、偏向器３６は、セクション３２の内側表面３９と一直線に並ぶ。ある実施形態では、偏向器３６は、セクション３２の内側表面３９よりもビームパスに近い。

[0087] 図４に示されるように、ある実施形態では、レンズ３７は、電磁シールド３１のセクション３２の半径方向内側エッジよりもさらに半径方向外側に延在する。レンズ３７の外周は、ギャップ３３の中に位置する。ある実施形態では、レンズ３７は、レンズアレイである。追加的又は代替的に、偏向器又はアパーチャのアレイは、隣接するセクション３２間に位置決めされてもよい。

[0088] 図５は、ある実施形態による、電子光学コラム４０の一部を示す。図５に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、モジュール４０５を含む。ある実施形態では、モジュール４０５は、電子光学アセンブリを含む。モジュール４０５は、電磁シールド３１のセクション３２を含み得る。図５に示されるように、ある実施形態では、モジュール４０５は、電子光学要素３８を含む。ある実施形態では、電子光学要素３８は、アパーチャ、偏向器、及びレンズなどの１つ又は複数のマニピュレータを含む。電子光学要素３８は、マニピュレータアレイでもよい。ある実施形態では、電子光学要素は、ＭＥＭＳ要素である。図５に示されるように、ある実施形態では、モジュール４０５内のセクション３２は、フレア状である。電子光学要素は、電子光学要素３８の両側のセクション３２の対向表面３４に対向する表面部分を含む。

[0089] 図５に示されるモジュール４０５では、電磁シールド３１の２つのセクション３２が設けられる。電子光学要素３８は、これらのセクション３２の間にある。距離Ｄ３及びＤ４のギャップが、セクション３２と表面部分、すなわち、セクション３２の対向表面に対向するビームパスの方向における電子光学要素３８の表面との間に形成される。対向する表面部分と共に、セクション３２の対向表面は、対応するギャップを規定する。表面部分ギャップと共にギャップを規定する対向表面は、半径方向にそれぞれ距離Ｗ３及びＷ４だけ延在する。ある実施形態では、Ｗ３は、少なくともＤ３と同程度の大きさである。ある実施形態では、Ｗ３は、Ｄ３の２倍（又は３倍、又は４倍、又は５倍）の大きさである。ある実施形態では、Ｗ４は、少なくともＤ４と同程度の大きさである。ある実施形態では、Ｗ４は、Ｄ４の２倍（又は３倍、又は４倍、又は５倍）の大きさである。

[0090] ある実施形態では、モジュール４０５は、コンポーネントの位置決めのための作動を可能にするステージ上にある電子光学コンポーネントを含む。ある実施形態では、モジュール４０５は、ステージを含む。ある配置では、ステージ及びモジュールは、電子光学コラム４０の一体化した部分であり得る。ある配置では、モジュール４０５は、ステージ及びステージが支持する電子光学デバイスに限定される。ある配置では、ステージは、取り外し可能である。ある代替設計では、ステージを含むモジュール４０５が、取り外し可能である。モジュール４０５に関する電子光学コラム４０の部分は、隔離可能であり、すなわち、電子光学コラム４０のこの部分は、モジュール４０５のアップビームの弁及びモジュール４０５のダウンビームの弁によって規定される。弁は、モジュール４０５に関連付けられたコラムの部分のアップビーム及びダウンビームの真空を維持しながら、モジュール４０５が電子光学コラム４０から取り外されることをそれぞれ可能にする弁のアップビーム及びダウンビームの真空から、弁間の環境を隔離するように操作され得る。ある実施形態では、モジュール４０５は、ステージを含む。ステージは、ビームパスに対して電子光学デバイスを支持するように構成される。ある実施形態では、モジュール４０５は、１つ又は複数のアクチュエータを含む。アクチュエータは、ステージに関連付けられる。アクチュエータは、ビームパスに対して電子光学デバイスを移動させるように構成される。ある実施形態では、アクチュエータは、電磁シールド３１の外部にある。ある実施形態では、電子光学デバイスに関連付けられた電磁シールド３１のセクション３２は、ステージの両側に設けられる。

[0091] 電子光学デバイスが、アクチュエータによってビームパスに対してアライメント可能である場合は、電子光学デバイスに関連付けられたセクション３２の少なくとも１つが作動可能であり得る。ある実施形態では、１つ又は複数のアクチュエータが、電子光学コラム４０のフレームに対して電磁シールド３１のセクション３２を作動させるように構成される。フレームは、モジュール４０５のステージに関連付けられ得る。ある実施形態では、セクション３２は、モジュール４０５のステージに対して作動可能である。ある実施形態では、セクション３２は、電子光学デバイスに対して固定される。シールドセクション３２の少なくとも１つは、ＭＥＭＳでもよいモジュール４０５内の電子光学デバイスと共に作動可能であり得る。

[0092] ある実施形態では、モジュール４０５は、ＭＥＭＳモジュールである。ある実施形態では、モジュール４０５は、電子光学コラム４０内で交換可能であるように構成される。ある実施形態では、モジュール４０５は、現場で交換可能であるように構成される。現場で交換可能とは、中に電子光学コラムが位置する真空を維持しながら、モジュールを取り外し、同じ又は異なるモジュールと交換することができることを意味することが意図される。モジュールに対応したコラムのセクションのみが、モジュールが取り外され、及び戻されるために、又は交換されるために通気される。

[0093] ある実施形態では、モジュール４０５は、内部電子光学シールドを含む。ビームパスに沿って電磁シールド３１を後退させる必要なしに、モジュールを取り外し、挿入し、又は交換することができる。セクション３２が軸方向に移動可能であることは必要ではない。従来の配置では、シールドは、取り外される必要がある連続チューブであるか、又は電子光学コラムの一方又は他方の端部から開始して機械的に分解される必要がある一連の近接するセクションである。

[0094] 図６は、電子光学コラム４０の一部を示す。図６に示されるように、ある実施形態では、ターゲット３０８のアップビームの電磁シールド３１の最後のセクション３２’’’は、対向表面３４を含む。対向表面３４は、ターゲット３０８に対向する。対向表面３４は、ターゲット３０８から距離Ｄ５に位置決めされる。距離Ｄ５は、ビームパスの方向にある。対向表面３４は、ビームパスから離れるように、好ましくはビームパスに対して半径方向に幅Ｗ５だけ延在する。幅Ｗ５は、ビームパスの方向に対して垂直に測定される。図６に示されるように、ある実施形態では、セクション３２は、フランジ３５を含む。代替的に、上記の通り、対向表面３４の半径範囲は、電磁シールド３１のより厚い壁を有することによって提供され得る。

[0095] ある実施形態では、Ｗ５は、少なくともＤ５と同程度の大きさである。ある実施形態では、Ｗ５は、Ｄ５の２倍（又は３倍、又は４倍、又は５倍）の大きさである。図６に示されるように、ある実施形態では、ターゲット３０８は、半径方向に少なくとも幅Ｗ５と同じ距離延在する。ターゲット３０８は、ビームに対する漂遊電磁界の影響の減衰に寄与し得る。

[0096] 図７は、ある実施形態による、電子光学コラム４０の一部を概略的に示す。図７は、電子光学コラム４０の他のコンポーネントに対する電磁シールド３１の半径位置を概略的に示す。ターゲット３０８の表面、又はターゲット３０８の外周囲を越えた場合には、ターゲットサポートの表面が、ビームパスから離れるように延在し得る。ある実施形態では、ターゲット及び／又はターゲットサポートの表面は、少なくとも最後のセクション３２の対向表面３４と同じ距離だけビームパスから離れるように延在し得る。

[0097] 図７に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、熱コンディショナ２０４を含む。熱コンディショナ２０４は、電子光学コラム４０の少なくとも一部を熱的に調節するように構成される。ある実施形態では、熱コンディショナ２０４は、複数の熱調節チャネルを含む。チャネルは、電子光学コラム４０の１つ又は複数の他の部分と熱交換するように構成された調節流体を包含し得る。ある実施形態では、熱コンディショナ２０４は、電子光学コラム内で発生した熱を除去するように構成される。代替的に、熱コンディショナ２０４は、それが熱を電子光学コラム４０に提供することができるモードを有し得る。ある実施形態では、熱コンディショナ２０４は、検査ツール１００の異なる部分に熱を運ぶように構成される。ある実施形態では、熱コンディショナは、電子光学コラム４０の一部を、それが安定した温度に維持されるように、熱的に調節するように構成される。

[0098] 図７に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１は、熱コンディショナ２０４の半径方向内側にある。電磁シールド３１は、熱コンディショナ２０４によって発生した電磁界を含む電磁界からビームをシールドするように構成される。

[0099] 図７に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、少なくとも１つのポンプ２２０を含む。ポンプ２２０は、電子光学コラム４０内の圧力を制御するように構成される。ある実施形態では、ポンプ２２０、例えばポンプ２２０のポンプユニットは、例えば中にコラム４０が位置決めされる真空を生成及び維持するために、電子光学コラム４０内の圧力を低下させるように、負圧に接続可能である。ある実施形態では、ポンプ２２０、例えばポンプ２２０の通気弁が、中に電子光学コラム４０が位置する圧力を高めるように、正圧に接続可能である。

[00100] 図７に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１は、ビームパスを基準として、ポンプ２２０の半径方向内側にある。電磁シールド３１は、ポンプ２２０によって発生した電磁界からビームをシールドするように構成される。

[00101] 図７に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、コリメータ５などの電子光学要素を含む。コリメータ５は、少なくとも部分的に荷電粒子ビームをコリメートするように構成される。コリメータ５の動作下で、ビームパスは、理想的なビームパス、すなわち、少なくとも、少なくともより小さく発散する、又は集束さえするビームパスの方向にあり得る。ある実施形態では、電子光学コラム４０は、偏向器などの電子光学要素を含む。偏向器は、荷電粒子ビームを偏向させるように構成され得る。

[00102] 図７に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１の内側表面３９は、コリメータ５などの電子光学要素の半径方向内側にある。コリメータ５は、ビーム対して作用する。コリメータ５は、それが発生させる電磁界がビームパス上のビームに影響するように位置決めされる。コリメータ５は、電磁シールド３１の２つの隣り合うセクション３２間に位置決めされる。

[00103] 図７に示される配置では、コリメータ５は、電磁シールド３１の半径方向内側表面３９の半径方向外側にある。ある代替実施形態では、コリメータ５の一部（例えば、コリメータ５の半径方向内側エッジ）は、すぐアップビーム又はダウンビームにあるセクション３２の少なくとも一方の半径方向内側表面３９と同じ半径位置にある。ビームパスに対して隣り合うセクションの内側表面３９と同じ距離に、又は内側表面３９の距離近くにコリメータ５を配置することは、電磁シールド３１が、ビームに対するコリメータ５の効果を望ましくなく減衰させる可能性を低下させることに役立つ。

[00104] 図８は、ある実施形態による、電子光学コラム４０の一部を概略的に示す。図８は、電子光学コラム４０の他のコンポーネントに対する電磁シールド３１の代替半径位置を概略的に示す。

[00105] 図８に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１は、熱コンディショナ２０４及びポンプ２２０の半径方向内側にある。電磁シールド３１は、コリメータ５などの電子光学要素の半径方向外側にある。図８に示されるように、ある実施形態では、隣り合うセクション３２間のギャップ３３は、ポンプ２２０と、電磁シールド３１内の電子光軸３０４に近い、及び電子光軸３０４さえ含む体積との間の流体接続を可能にする。図７及び図８に示されるように、ポンプ２２０が電磁シールド３１の外にあると定めることによって、電子光学特性（例えば、電圧、電流）がビームからシールドされるため、ポンプ２２０に関して、より大きな設計の自由がある。ポンプ２２０が電磁シールド３１の外にあると定めることによって、ポンプ２２０は、そのような高電子光学要件を満たすことを必要とされないことが可能であり、それによって、設計の自由が増す。ポンプ２２０が電磁シールド３１から遠ざけられると定めることによって、ポンプ２２０からコラム４０へと伝達される振動のリスクが低下し得る。そのような振動は、電子光学コラム４０の性能に悪影響を与え得る。

[00106] 電磁デバイスは、シールド３１内にあり、デバイスは、シールド３１の外からの電源を有するため、デバイスへのルーティングは、シールド３１内の電磁界の発生を最小限に抑えるように設計される。例えば、２つのルーティング接続が、（電気回路を完成するために）電磁デバイスの電極に接続されることが必要とされるため、ルーティングによって発生した電磁界が実質的に互いに相殺されるように、これらのルーティングは、互いに隣接して配置される。したがって、電磁デバイスがアレイである場合は、アレイ内の開口ごとの各電極へのルーティングは、発生した電磁界が実質的に相互に相殺されるように、ルーティングが、それの反対のルーティングと共に位置決めされるように設計される。

[00107] 図９は、ある実施形態による、電子光学コラム４０の一部を概略的に示す。図９は、電子光学コラム４０の他のコンポーネントに対する電磁シールド３１の代替半径位置を概略的に示す。

[00108] 図９に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１は、熱コンディショナ２０４の半径方向内側にある。電磁シールド３１は、ポンプ２２０及びコリメータ５などの電子光学要素の半径方向外側にある。ポンプ２２０が電磁シールド３１の半径方向内側にあると定めることによって、ビームの周りの真空を向上させることができる。

[00109] 図９に示されるように、ある実施形態では、レンズ又はレンズ３７のアレイは、隣接するセクション３２間に設けられる。他のタイプの電子光学要素が、隣接するセクション３２間に位置決めされてもよい。ある実施形態では、セクション３２間の電子光学要素は、ＭＥＭＳ要素である。例えば、偏向器３６及び／又はレンズ３７は、ＭＥＭＳでもよい。レンズ３７は、隣接するセクション３２間のギャップ３３内に位置決めされてもよい。ある配置では、隣り合うセクション３２間に複数のマニピュレータが存在してもよい。複数のマニピュレータは、レンズ、偏向器、若しくは非点収差補正装置などの同じタイプのマニピュレータの集まりを含んでもよく、及び／又はレンズ、偏向器、及び／又は補正器などの異なるタイプのマニピュレータを含んでもよい。異なるマニピュレータは、要素のアレイを含み得る。複数の補正器を含む補正器アレイが設けられてもよい。複数のコリメータを含むコリメータアレイが設けられてもよい。

[00110] 図１０は、ある実施形態による、電子光学コラム４０の一部を概略的に示す。図１０は、電子光学コラム４０の他のコンポーネントに対する電磁シールド３１の代替半径位置を概略的に示す。

[00111] 図１０に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１は、熱コンディショナ２０４、ポンプ２２０、及びコリメータ５などの電子光学要素の半径方向外側にある。この配置のバリエーションは、シールド３１の外部のポンプ２２０を有してもよい。図９に描写されるようなマニピュレータの異なる配置が、これらの配置に適用されてもよい。

[00112] 図１１は、ある実施形態による、電子光学コラム４０の一部として電子光学アセンブリを示す。図１１に示されるように、ある実施形態では、セクション３２の少なくとも２つが、電磁的に互いに係合する隣り合う端部を含む。ある配置では、隣り合うセクション３２間の電磁係合は、非接触である。隣り合うセクション３２の近接表面間にギャップが存在してもよい。セクション３２は、結合して、漂遊電磁界からビームをシールドする。セクション３２は、漂遊電磁界がシールド３１内のビームに影響を与えることができないように、電磁的に係合する。

[00113] 図１１に示されるように、ある実施形態では、隣り合う端部は、同軸上に配置されるために必要な大きさにされる。代替的に、セクション３２は、例えば電磁シールド３１が電子光学コラム４０内の特定形状の空間に収まることが必要とされる場合は、同軸でなくてもよい。シールドがビームパスの周りに対称的に配置されることは、必ずしも必要とされない。

[00114] 図１１に示されるように、ある実施形態では、隣り合う端部は、一方の端部が他方の端部内に挿入可能であるように、必要な大きさにされる。ある実施形態では、隣り合うセクション３２は、ビームパスに沿ってオーバーラップする。図１１に示されるように、オーバーラップ１１は、ビームパスの方向に、隣接するセクション３２間に形成され得る。オーバーラップは、ビームをビームパスからそらすなどの影響を外部電磁界が望ましくなく与えないことを保証する。

[00115] ある実施形態では、隣接するセクション３２の隣り合う端部は、物理的に互いに分離している。ある実施形態では、隣り合う端部は、電磁的に互いに係合する。セクション３２は、ビームパスの方向に移動可能である。セクション３２は、電子光学コラム４０の部分をメンテナンスするために、１つずつ取り外すこと、又は交換することが可能である。

[00116] ある配置では、電磁シールド３１は、異なるタイプのセクション３２、例えば、隣り合うセクション間にギャップを有するセクション、及び隣り合うセクションと同軸上に係合するセクションを含む。そのような配置では、シールド３１は、電子光学コラム４０から取り外し可能であり得るモジュール内にセクションを含んでもよい。そのような配置では、セクションは、一方の端部で、隣り合うセクションと同軸上に係合し、他方の端部で、隣り合うセクションの対向表面と対向する対向表面を有するように適合してもよい。

[00117] ある実施形態では、本文書に記載される電磁シールド３１は、ＭＥＭＳ対物レンズなどの１つ又は複数のＭＥＭＳ電子光学要素を特徴とするツールに適用することができる。

[00118] 上記の通り、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、レンズ及び他のコンポーネント（これらの幾つかを図１及び２を参照して先述している）などの代替及び／又は追加のコンポーネントを荷電粒子パス上に含み得る。具体的には、実施形態は、ソースからの荷電粒子ビームから複数のサブビームを発生させる電子光学コラム４０を含む。ある実施形態では、電磁シールド３１は、電子光学コラム４０内の所与の位置で、すべてのサブビームを取り囲むように構成される。ある代替実施形態では、各サブビームが、それぞれの取り囲む電磁シールド３１を与えられる。ある実施形態では、マルチビームのサブビームの１つのグループが、好ましくは一連のセクション３２を備えた電磁シールド３１を与えられる。ある実施形態では、マルチビームがサブビームの複数のグループから成るように、マルチビームのサブビームは、グループを割り当てられる。サブビームの複数のグループは、各グループのサブビームのパスに沿って、及びそのようなパスの周りに一連のセクションから成る設計されたシールド３１を有し得る。

[00119] ある実施形態では、電磁シールド３１は、円形断面を有する。代替的に、断面形状は、矩形、又は正方形、又は角が丸い矩形、又は角が丸い正方形でもよい。

[00120] 例えば図３～５では、内径は、すべてのセクション３２に関して同じである。代替的に、内径は、セクションによって異なってもよい。これは、電磁シールド３１の体積を減らすのに役立ち得る。

[00121] ある実施形態では、セクション３２は、ビームパスに沿って同心円状にアライメントされる。ある代替実施形態では、セクション３２の１つ又は複数は、互いに対して中心を外れてもよい。これは、ビームに対する磁気レンズ作用をもたらし得る。

[00122] ある実施形態では、別個の静電シールド及び磁気シールドが設けられる。静電シールドは、ビームを静電界からシールドするように構成される。磁気シールドは、ビームを磁界からシールドするように構成される。静電シールドは、電磁シールド３１に関して上記に記載したようなフィーチャを有し得る。磁気シールドは、電磁シールド３１に関して上記に記載したようなフィーチャを有し得る。ある実施形態では、磁気シールドは、静電シールドの半径方向外側にある。代替的に、磁気シールドは、静電シールドの半径方向内側にあり得る。さらなる配置では、磁気及び電気シールドが、１つのシールドセットに組み合わせられてもよい。

[00123] 上記の通り、ある実施形態では、対応する二次荷電粒子ビームを検出するための検出要素を含む二次コラム（図示せず）が設けられる。ある実施形態では、電磁シールドを含む電子光学アセンブリが、二次コラムの一部として設けられてもよい。例えば、二次コラムのソース及び／又は検出器は、ここで指定されるものを除き、上記の電磁シールドを備えてもよい。シールドは、ソースのアップビームに延在する必要はない。シールドは、検出器のダウンビームに延在する必要はない。ある実施形態では、ウィーンフィルタが、Ｙ字形状セクションを有するシールド３１によって収容される。Ｙ字形状セクションは、製造及び組み立てを簡単にすることができる複数のセクションを含み得る。ある実施形態では、セクションは、上記のようなフランジを有する。ある実施形態では、セクションは、現場で交換可能である。ある代替実施形態では、フランジは、セクションをフレームに、又はセクション同士をボルトで固定するために使用され得る。

[00124] 図１２は、ある実施形態による、電子光学コラム４の概略図である。図１２に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１の複数のセクション３２ａ～３２ｄが設けられる。セクション３２ａ～３２ｄは、ビームパスと平行な方向に沿った異なる位置に設けられる。異なるセクション３２ａ～３２ｄが、電子光学コラム４０の異なる部分に対応する。

[00125] 例えば、ある実施形態では、第１のセクション３２ａは、電子光学コラム４０のソース部分に対応する。電子光学コラム４０のソース部分は、ソース３０１から延在する。ソース３０１は、荷電粒子の一次ビーム３０２を発生させるように構成される。図１２に示されるように、ある実施形態では、一次ビーム３０２の断面積は、一次ビーム３０２がコリメートされるまで増大する。ある実施形態では、第１のセクション３２ａは、一次ビーム３０２がコリメートされる場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第１のセクション３２ａは、ソース３０１を半径方向に取り囲む。代替的に、第１のセクション３２ａのアップビーム端部は、ソース３０１のダウンビームにある。第１のセクション３２ａのダウンビーム端部は、一次ビーム３０２をコリメートするように構成されたコリメータのアップビームにある。

[00126] ある実施形態では、第２のセクション３２ｂが、電子光学コラム４０のコリメータ部分に対応する。電子光学コラム４０のコリメータ部分は、コリメータから延在する。ある実施形態では、コリメータは、（例えば、図２に示されるような）集光レンズ３１０を含む。ある実施形態では、集光レンズ３１０は、磁気である。図１２に示されるように、ある実施形態では、コリメートビームの断面積は、一次ビーム３０２がサブビーム３１１に分割されるまで、コリメータのダウンビームで実質的に一定のままでもよい。ある実施形態では、第２のセクション３２ｂは、一次ビーム３０２が分割される場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第２のセクション３２ｂのアップビーム端部は、コリメータのアップビームにある。第２のセクション３２ｂは、コリメータを半径方向に取り囲んでもよい。代替的に、第２のセクション３２ｂのアップビーム端部は、コリメータのダウンビームにあってもよい。第２のセクション３２ｂのダウンビーム端部は、一次ビーム３０２を分割するように構成されたビーム制限アパーチャアレイ３２１のアップビームにある。

[00127] ある実施形態では、第３のセクション３２ｃは、電子光学コラム４０のビームスプリッタ部分に対応する。電子光学コラム４０のビームスプリッタ部分は、サブビーム３１１を形成するように構成されたコンポーネント、例えばビーム制限アパーチャアレイ３２１から延在する。図１２に示されるように、ある実施形態では、６つのサブビーム３１１が、ビーム制限アパーチャアレイ３２１のダウンビームに形成され得る。当業者は、任意の複数の数のサブビーム、例えば数百又は数千のサブビームが形成され得ることを理解するだろう。サブビーム３１１の断面積は、第３のセクション３２ｃの長さ全体にわたり実質的に一定のままでもよい。ある実施形態では、第３のセクション３２ｃは、サブビーム３１１がターゲット２０８上に集束される場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第３のセクション３２ｃのアップビーム端部は、ビーム制限アパーチャアレイ３２１（又は他のビームスプリッタ）のアップビームにある。第３のセクション３２ｃは、ビーム制限アパーチャアレイ３２１を半径方向に取り囲んでもよい。代替的に、第３のセクション３２ｃのアップビーム端部は、ビーム制限アパーチャアレイ３２１のダウンビームにあってもよい。第３のセクション３２ｃのダウンビーム端部は、サブビーム３１１をターゲット２０８上に集束させるように構成された対物レンズのアップビームにある。

[00128] ある実施形態では、第４のセクション３２ｄは、電子光学コラム４０の対物レンズ部分に対応する。電子光学コラム４０の対物レンズ部分は、ターゲット２０８に入射するサブビーム３１１の特性を制御するようにサブビーム３１１を操作するように構成されたコンポーネント、例えば（図２に示されるような）対物レンズ３３１から延在する。図１２に示されるように、ある実施形態では、サブビーム３１１は、対物レンズ３３１のダウンビームに集束される。サブビーム３１１の断面積は、第４のセクション３２ｄの長さの少なくとも一部（及び任意選択的にすべて）を通って減少し得る。ある実施形態では、第４のセクション３２ｄは、サブビーム３１１がターゲット２０８上に入射する場所に至るまで、ビームパスと平行な方向に延在する。ある実施形態では、第４のセクション３２ｄのアップビーム端部が、対物レンズ３３１（又は他のマニピュレータ）のアップビームにある。第４のセクション３２ｄは、例えば半径方向に対物レンズ３３１を取り囲み得る。代替的に、第４のセクション３２ｄのアップビーム端部は、対物レンズ３３１のダウンビームにあってもよい。第４のセクション３２ｄのダウンビーム端部は、ターゲット２０８のアップビームにある。

[00129] 電子光学コラム４０の各部分では、荷電粒子ビームが、電磁シールド３１のセクション３２ａ～３２ｄによって、外部場からシールドされる。４つの対応するセクション３２ａ～３２ｄを有する４つの部分が図１２の配置に示されているが、異なる数のセクション３２が存在してもよい。例えば、ビームの長さは、電磁シールド３１の対応するセクション３２を有する、２つの部分、３つの部分、又は５つ以上の部分に分割されてもよい。ある配置では、シールドセクションは、ビーム制限アパーチャアレイから対物レンズアレイのダウンビームまで延在し得る。

[00130] 上記で説明した通り、セクション３２は、ビームパスと平行な方向にオーバーラップしていない。ある実施形態では、電子光学コラム４０は、部分の少なくとも１つを、他の部分を取り扱う必要又は移動させる必要なしに交換できるように配置される。図３及び図４に関連して上記に記載したように、ある実施形態では、セクション３２は、隣接するセクション３２間のギャップ３３に対向する端部において、フレア状である。フレア状端部を設けることによって、ギャップ３３によって生じるシールド効果の低下を低減することができる。

[00131] ある実施形態では、セクション３２ａ～３２ｄの少なくとも１つが、荷電粒子ソース３０１、集光レンズ３１０、コリメータ、ソース変換器３２０、偏向器アレイ３２３、アパーチャアレイ３２１、収差補償器アレイ３２４、像形成要素アレイ３２２、対物レンズ３３１又は対物レンズアレイ、及び検出器アレイから成る群から選択された少なくとも１つのコンポーネントを半径方向に取り囲む。ある実施形態では、コンポーネントは、ＭＥＭＳコンポーネントである。

[00132] ある実施形態では、セクション３２ａ～３２ｄの少なくとも１つは、セクション３２ａ～３２ｄの別の１つから独立して、ビームパスに対して半径方向に、それが取り囲むコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される。例えば、図１２に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、コリメータモジュール４０５ｂを含む。ある実施形態では、コリメータモジュール４０５ｂは、第２のセクション３２ｂ及びコリメータを含む。ある実施形態では、第２のセクション３２ｂ及びコリメータは、互いに対して固定された位置にある。第２のセクション３２ｂは、コリメータと一緒に現場で交換可能である。図１２に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、対物レンズモジュール４０５ｄを含む。ある実施形態では、対物レンズモジュール４０５ｄは、第４のセクション３２ｄ及び対物レンズ３３１（又は対物レンズアレイ）を含む。ある実施形態では、第４のセクション３２ｄ及び対物レンズは、互いに対して固定された位置にある。第４のセクション３２ｄは、対物レンズと一緒に現場で交換可能である。

[00133] 図１２には示されないが、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、上述のソース部分及びビームスプリッタ部分にそれぞれ対応したソースモジュール及び／又はビームスプリッタモジュールを含む。

[00134] ある実施形態では、各モジュール４０５は、現場で交換可能である。ある実施形態では、各モジュール４０５は、電子光学コラム４０から外に摺動可能であり、交換モジュールは、電子光学コラム４０内に摺動可能である。摺動は、ビームパスに対して垂直な方向、例えば図１２に示される配向において横向きでもよい。

[00135] モジュール４０５が交換可能であると定めることによって、本発明のある実施形態は、電子光学コラムをメンテナンスすることをより簡単及び／又はより安価にすると期待される。本発明のある実施形態は、電子光学コラム４０の１つ又は複数のコンポーネントを交換するために、元に戻す及びやり直す時間及び／又は努力を減らすことが期待される。

[00136] 図１２に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０は、チムニー部材５２を含む。ある実施形態では、チムニー部材５２は、電磁シールド３１のセクション３２と同じ材料を含む。チムニー部材５２は、ビームパスを保護するように構成される。例えば、チムニー部材５２は、ビームパスを電磁的にシールドし得る。図１２に示されるように、ある実施形態では、チムニー部材５２は、例えば平面又はプレートに規定される孔を含み、孔を通って制御ワイヤが延在し得る。制御ワイヤは、電子光学コラム４０の電子光学コンポーネントを制御するためのものであり得る。孔を規定するプレートの表面は、フレア状でもよい。

[00137] 図１２に示されるように、ある実施形態では、意図的なギャップ３３ｂ～３３ｄが、隣接するセクション３２ａ～３２ｄ間に設けられる。ある実施形態では、ギャップ３３ａ、３３ｅは、シールド３１の両端に設けられる。ある実施形態では、第１のギャップ３３ａは、チムニー部材５２と第１のセクション３２ａとの間に設けられる。ある実施形態では、第２のギャップ３３ｂは、第１のセクション３２ａと第２のセクション３３ｂとの間に設けられる。ある実施形態では、第３のギャップ３３ｃは、第２のセクション３２ｂと第３のセクション３３ｃとの間に設けられる。ある実施形態では、第４のギャップ３３ｄは、第３のセクション３２ｃと第４のセクション３３ｄとの間に設けられる。ある実施形態では、第５のギャップ３３ｅは、第４のセクション３２ｄとターゲット２０８との間に設けられる。本発明のある実施形態は、電子光学コラム４０の１つ又は複数のコンポーネントのより簡単な交換を実現すると期待される。本発明のある実施形態は、１つ又は複数のコンポーネントが交換されるために必要とされる部分の移動量を減少させることが期待される。ギャップ３３は、電子光学コラム４０の他のコンポーネントに対するモジュール４０５の移動を容易にし得る。

[00138] 図１２に示されるように、意図的なギャップ３３ｅは、ターゲット２０８に隣接して設けられる。本発明のある実施形態は、電磁シールド３１が望ましくなくターゲット２０８に接触する可能性を低下させると期待される。第３のセクション３２ｃと第４のセクション３２ｄとの間の第４のギャップ３３ｄの存在は、シールドセクション３２ｃ、３２ｄが公称的により短く作られることを可能にする。本発明のある実施形態は、セクション３２ｃ、３２ｄが、組み立て時に混雑することを減らすと期待される。

[00139] 図１３は、本発明のある実施形態による、電子光学コラム４０の概略図である。図１２に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。図１３に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１の４つのセクション３２ａ～３２ｄが設けられる。４つのセクション３２ａ～３２ｄは、電子光学コラム４０の異なる部分に関するものである。ソース３０１が設けられるソース部分に関する第１のセクション３２ａが設けられる。ビームがコリメータ、例えば集光レンズ３１０によってコリメートされるコリメータ部分に関する第２のセクション３２ｂが設けられる。ビームが分割されるビームスプリッタ部分に関する第３のセクション３２ｃが設けられる。例えば、図１３に示される実施形態では、電子光学コラム４０は、上側ビーム制限器２５２を含む。上側ビーム制限器２５２は、ビーム制限アパーチャのアレイを規定する。上側ビーム制限器２５２は、上側ビーム制限アパーチャアレイ又はアップビームビーム制限アパーチャアレイと呼ばれることがある。上側ビーム制限器２５２は、複数のアパーチャを有するプレート（板状体でもよい）を含んでもよい。上側ビーム制限器２５２は、ソース３０１によって放出された荷電粒子ビームからサブビームを形成する。サブビームの形成に寄与する部分以外のビームの部分は、ダウンビームのサブビームと干渉しないように、上側ビーム制限器２５２によってブロック（例えば吸収）され得る。上側ビーム制限器２５２は、サブビーム規定アパーチャアレイと呼ばれることがある。

[00140] 図１３に示されるように、ある実施形態では、制御レンズアレイ２５０がある。そのような配置は、２０２０年９月１７日に出願された欧州特許出願公開第２０１９６７１４．８号に記載されており、これは、少なくとも、この出願の図３、５、及び６に示される３つの異なる実施形態に関して示される電子光学アーキテクチャに関して参照により本明細書に援用される。制御レンズアレイ２５０は、複数の制御レンズを含む。各制御レンズは、それぞれの電位源に接続された、少なくとも２つの電極（例えば、２つ又は３つの電極）を含む。制御レンズアレイ２５０は、それぞれの電位源に接続された、２つ以上（例えば３つ）のプレート電極アレイを含んでもよい。制御レンズアレイ２５０は、対物レンズアレイ２４１に関連付けられる（例えば、これら２つのアレイは、互いの近くに位置決めされ、及び／又は機械的に互いに接続され、及び／又はユニットとして一緒に制御される）。制御レンズアレイ２５０は、対物レンズアレイ２４１のアップビームに位置決めされる。制御レンズは、サブビームをプレフォーカスさせる（例えば、サブビームが対物レンズアレイ２４１に到達する前に、サブビームにフォーカス動作を適用する）。プレフォーカスは、サブビームの発散度を減少させること、又はサブビームの収束率を増加させることができる。

[00141] サブビームがターゲット２０８への入射に備えて操作される対物レンズ部分に関する第４のセクション３２ｄが設けられる。複数の対物レンズを含む対物レンズアレイ２４１は、サブビームをサンプル２０８上に誘導するように設けられる。各対物レンズは、それぞれの電位源に接続された、少なくとも２つの電極（例えば、２つ又は３つの電極）を含む。対物レンズアレイ２４１は、それぞれの電位源に接続された、２つ以上（例えば３つ）のプレート電極アレイを含んでもよい。図１３に示されるように、ある実施形態では、対物レンズアレイ２４１は、ビーム整形制限器２４２を含み得る。ビーム整形制限器２４２は、ビーム制限アパーチャのアレイを規定する。ビーム整形制限器２４２は、下側ビーム制限器、下側ビーム制限アパーチャアレイ、又は最後のビーム制限アパーチャアレイと呼ばれることがある。ビーム整形制限器２４２は、複数のアパーチャを有するプレート（これは、板状体でもよい）を含んでもよい。ビーム整形制限器２４２は、制御レンズアレイ２５０の少なくとも１つの電極から（任意選択的にすべての電極から）ダウンビームにある。幾つかの実施形態では、ビーム整形制限器２４２は、対物レンズアレイ２４１の少なくとも１つの電極から（任意選択的にすべての電極から）ダウンビームにある。

[00142] 図１４は、本発明のある実施形態による、電子光学コラム４０の概略図である。図１２に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。図１４に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１の７つのセクション３２ａ～３２ｇが設けられる。７つのセクション３２ａ～３２ｇは、電子光学コラム４０の異なる部分に関するものである。ソース３０１が設けられるソース部分に関する第１のセクション３２ａが設けられる。集光器部分に関する第２のセクション３２ｂが設けられる。図１４に示されるように、ある実施形態では、集光レンズアレイ２３１が、ソース３０１と制御レンズアレイ２５０との間に設けられる。そのような配置は、１１月１１日に出願された欧州特許出願公開第２０２０６９８４．５号に記載されており、これは、少なくとも、この出願の図４に示されるような電子光学アーキテクチャに関して参照により本明細書に援用される。集光レンズアレイ２３１は、複数の集光レンズを含む。何十、何百、又は何千もの集光レンズが存在し得る。集光レンズは、多電極レンズを含んでもよく、欧州特許出願公開第１６０２１２１Ａ１号に基づいた構造を有してもよく、この文書は、特に電子ビームを複数のサブビームに分割するためのレンズアレイ（このアレイは、サブビームごとに１つのレンズを提供する）の開示に対して参照により本明細書に援用される。第２のセクション３２ｂは、集光レンズアレイ２３１を取り囲み得る。集光レンズアレイ２３１は、メインビームをサブビーム３１１～３１３に分割するように構成される。

[00143] 制御レンズアレイ２５０に関する第３のセクション３２ｃが設けられる。対物レンズ部分に関する第４のセクションが設けられる。例えば、第４のセクション３２ｄは、図１３に示される実施形態に類似して、対物レンズアレイ２４１を取り囲んでもよい。

[00144] 図１４に示されるように、ある実施形態では、第５のセクション３２ｅが、第２のセクション３２ｂと第３のセクション３２ｃとの間に設けられる。第５のセクション３２ｅは、偏向器２３５を取り囲んでもよい。偏向器２３５は、中間焦点に設けられる。偏向器２３５は、主光線がサンプル２０８に実質的に垂直に（すなわち、サンプルの公称面に対して実質的に９０°に）入射することを確実にするのに有効な量だけ各サブビーム３１１～３１３を屈曲させるように構成される。偏向器２３５は、コリメータとも呼ばれることがある。

[00145] 図１４に示されるように、ある実施形態では、第６のセクション３２ｆが、第３のセクション３２ｃと第４のセクション３２ｄとの間に設けられる。第６のセクション３２ｆは、走査偏向器アレイ２６０を取り囲んでもよい。走査偏向器アレイ２６０は、複数の走査偏向器を含む。走査偏向器アレイ２６０は、ＭＥＭＳ製造技術を使用して形成され得る。各走査偏向器は、サンプル２０８上でそれぞれのサブビームを走査する。したがって、走査偏向器アレイ２６０は、サブビームごとに走査偏向器を含み得る。各走査偏向器は、（例えば、Ｘ軸などの単一軸と平行な）１方向に、又は（例えば、Ｘ軸及びＹ軸などの２つの非平行軸に対する）２方向にサブビームを偏向させ得る。偏向は、サンプル２０８にわたり１つ又は２つの方向に（すなわち、１次元的に、又は２次元的に）サブビームが走査されるようなものである。

[00146] 図１４に示されるように、ある実施形態では、第７のセクション３２ｇは、第４のセクション３２ｄとターゲット２０８との間に設けられる。第７のセクション３２ｇは、検出器モジュール４０２を取り囲んでもよい。検出器モジュール４０２は、サンプル２０８から放出された荷電粒子を検出する。検出器モジュール４０２は、複数の検出器要素（例えば、捕捉電極などのセンサ要素）を含む。この実施形態では、検出器モジュール４０２は、対物レンズアレイ２４１の出力側に設けられる。出力側は、サンプル２０８に対向する側である。バリエーションによっては、隣り合うセクション及びモジュールが組み合わせられてもよい。例えば、あるセクションは、検出器モジュール４０２、対物レンズアレイ、任意選択的に制御レンズアレイ２５０、及び任意選択的に走査偏向器を含み得る対物レンズアレイアセンブリを取り囲んでもよい。

[00147] 図１２及び図１３に関連して上記に記載した実施形態と同様に、図１４に示される実施形態では、各セクション３２ａ～３２ｇは、関連付けられたコンポーネントと一緒に電子光学コラム４０の内外に移動することができる。電子光学コラム４０は、モジュール化される。意図的なギャップ３３が、セクション３２ａ～３２ｇ間に設けられる。これは、セクション３２ａ～３２ｇが電子光学コラム４０の中に、又は外に移動される際に、互いに対するセクション３２ａ～３２ｇの移動を容易にする。

[00148] 図１５は、本発明のある実施形態による、電子光学コラムの概略図である。図１３に示されるように、ある実施形態では、セクション３２の少なくとも１つは、セクション３２の位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材５１ｃ、５１ｄを備える。ある実施形態では、機械的基準部材５１ｃ、５１ｄは、セクション３２の位置がビームパスに対して垂直な方向に決定されることを可能にするように構成される。ある実施形態では、機械的基準部材５１ｃ、５１ｄは、セクション３２の位置がビームパスと平行な方向に決定されることを可能にするように構成される。第３のセクション３２ｃは、関連付けられた機械的基準部材５１ｃを備える。第４のセクション３２ｄは、関連付けられた機械的基準部材５１ｄ、５１ｅを備える。図１５には示されないが、ある実施形態では、第３のセクション３２ｃは、第２のセクション３２ｂに対する第３のセクション３２ｃの位置を決定するためのさらなる機械的基準部材を備えてもよい。各セクション３２は、１つ又は複数の機械的基準部材５１を備えてもよい。

[00149] ある実施形態では、機械的基準部材５１は、シールド３１の関連付けられたセクション３２に対して固定された位置にある。機械的基準部材５１は、シールド３１の関連付けられたセクション３２に間接的に固定されてもよい。例えば、機械的基準部材５１は、セクション３２が取り囲む電子光学コンポーネント、又はコンポーネント及びセクション３２が固定されるフレームに固定されてもよい。ある実施形態では、コンポーネント又はフレームの位置は、機械的基準部材５１によって決定され、シールド３１のセクション３２の位置は、コンポーネント又はフレームに対するそれの位置から得られる。

[00150] ある実施形態では、機械的基準部材５１ｃは、セクション３２ｄの別の１つ又はコラム４０の対応する機械的基準部材５１ｄと機械的に係合するように構成される。例えば、機械的基準部材５１ｃ、５１ｄは、互いに係合するように構成された相補表面を含んでもよい。ある実施形態では、これらの表面は、平坦である。ある代替実施形態では、表面は、例えば隣り合うセクション間の相互係合によって、ビームパスに垂直な移動を制限するように構成される。ある実施形態では、表面の一方は、相補表面の相補的形状の凹凸が適合する溝を含む。これは、互いに対するセクション３２ｃ、３２ｄの横移動を制限する。ある実施形態では、これらの表面は、ビームパスに対して垂直な２自由度の移動を制限するように構成される。例えば、表面の一方は、相補表面の半球形状が適合する凹部を含み得る。機械的基準部材の一方３２ｄは、他方の機械的基準部材５１ｃ内にドッキングし得る。

[00151] 機械的基準部材５１が互いに機械的に係合することは必須ではない。ある実施形態では、機械的基準部材５１は、距離測定で使用される放射を反射するための反射表面を含む。距離測定は、例えば、ターゲット２０８又は別のセクション３２ｃに対するセクション３２ｄの垂直位置の測定であり得る。ある実施形態では、機械的基準部材５１を使用して、干渉測定が行われる。

[00152] ある実施形態では、機械的基準部材５１は、容量測定に適した導電材料及び／又は誘電体を含む。機械的基準部材５１の位置、及びそれによってセクション３２の位置を示す容量測定が行われ得る。

[00153] ある実施形態では、セクション３２の１つ又は複数は、コラム４０内の適所に固定される。ある実施形態では、１つ又は複数の機械的固着点が、コラム４０内にセクション３２を固着するように構成される。例えば、レール、ボルト、及び／又は予圧ばねが、セクション３２の位置を制御するために設けられる。

[00154] 図１６は、複数の電子光学コラム４０を含むビーム検査装置１００の概略図である。装置１００は、マルチコラム装置と呼ばれることがある。図１６は、装置１００が３つの電子光学コラム４０ａ～４０ｃを含む実施形態を示す。ある代替実施形態では、装置１００は、２つ、又は４つ以上の電子光学コラム４０を含む。

[00155] ある実施形態では、各コラム４０ａ～４０ｃは、ソース３０１ａ～３０１ｃを含む。代替的に、２つ以上のコラム４０が、共通のソース３０１を共有してもよい。ある実施形態では、各コラム４０ａ～４０ｃは、ソース３０１ａ～３０１ｃによって発生したメインビームを有する。メインビームは、コリメートされ、次に、サブビーム３１１ａ～３１１ｃ、３１２ａ～３１２ｃ、３１３ａ～３１３ｃに分割され、これらのサブビームは、ターゲット２０８に入射する。

[00156] 図１６に示されるように、コラム４０ａ～４０ｃは、異なる部分に分けられると見なすことができる。各部分は、シールド３１の対応したセクション３２ａ～３２ｃを有する。ある実施形態では、セクション３２ａ～３２ｃの少なくとも１つが、電子光学コラム４０ａ～４０ｃのうちの２つ以上の電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む。例えば、第１のセクション３２ａは、３つのコラム４０ａ～４０ｃすべてのソース部分を取り囲む。ソース３１０ａ～３１０ｃは、それぞれのコラム４０ａ～４０ｃに対してメインビーム３０２ａ～３０２ｃを発生させるように構成される。第２のセクション３２ｂは、３つのコラム４０ａ～４０ｃすべてのコリメータ部分を取り囲む。第３のセクション３２ｃは、３つのコラム４０ａ～４０ｃすべてのビームスプリッタ部分を取り囲む。異なる部分及び対応するセクション３２の数は、２、４、５、６、７、又は８つ以上でもよく、すなわち、必要なだけ少なくても、又は多くてもよい。

[00157] 図１６に示される実施形態では、すべてのセクション３２が、すべてのコラム４０のビームパスを取り囲む。しかしながら、これは、必ずしもそうとは限らない。例えば、１つ又は複数のセクション３２が、コラム４０のうちのたった１つのコラム４０のビームパスを取り囲んでもよい。これは、例えば図１９に示される。

[00158] 図１６に示されるように、ある実施形態では、装置１００は、ソースモジュール４０５ａを含む。ソースモジュール４０５ａは、第１のセクション３２ａを含む。ある実施形態では、ソースモジュール４０５ａは、ソース３０１ａ～３０１ｃを含む。ソースモジュール４０５ａは、他のモジュール４０５ｂ、４０５ｃから独立して交換可能である。ある実施形態では、装置１００は、コリメータモジュール４０５ｂを含む。コリメータモジュール４０５ｂは、第２のセクション３２ｂを含む。ある実施形態では、コリメータモジュール４０５ｂは、メインビーム３０２ａ～３０２ｃをコリメートするように構成された１つ又は複数のコリメータを含む。コリメータモジュール４０５ｂは、他のモジュール４０５ａ、４０５ｃから独立して交換可能である。ある実施形態では、装置１００は、ビームスプリッタモジュール４０５ｃを含む。ビームスプリッタモジュール４０５ｃは、第３のセクション３２ｃを含む。ある実施形態では、ビームスプリッタモジュール４０５ｃは、メインビーム３０２ａ～３０２ｃをサブビーム３１１～３１３に分割するように構成された１つ又は複数のビームスプリッタを含む。ビームスプリッタモジュール４０５ｃは、他のモジュール４０５ａ、４０５ｂから独立して交換可能である。

[00159] 図１７は、本発明のある実施形態による、検査ビーム装置１００の概略図である。装置１００は、マルチコラム装置である。図１７は、３つのコラム４０ａ～４０ｃを示す。代替実施形態では、コラム４０の数は、２、４、又は５つ以上でもよい。

[00160] 図１７に示されるように、ある実施形態では、装置は、コラム４０の異なる部分に関するシールド３１の６つのセクション３２を含む。ソース部分に関する第１のセクション３２ａが設けられる。第１のセクション３２ａ及びソース３０１ａ～３０１ｃは、装置１００の他の部分から独立して交換可能なソースモジュールにおいて統合されてもよい。ビームスプリッタ部分に関する第３のセクション３２ｃが設けられる。第３のセクション３２ｃ及び上側ビーム制限器２５２は、装置１００の他の部分から独立して交換可能なビームスプリッタモジュールにおいて統合されてもよい。

[00161] コリメータ要素アレイ２７１が設けられるコリメータ部分に関する第５のセクション３２ｅが設けられる。各コリメータ要素は、それぞれのサブビームをコリメートする。したがって、コリメータ要素アレイ２７１及び（下記の）走査偏向器アレイ２６０を一緒に設けることは、空間の節約をもたらし得る。

[00162] 制御レンズアレイ２５０が設けられるコラム４０の制御レンズ部分に関する第８のセクション３２ｈが設けられる。第８のセクション３２ｈ及び制御レンズアレイ２５０は、装置１００の他の部分から独立して交換可能な制御レンズモジュールにおいて統合されてもよい。図１４に示される実施形態に類似して、ある実施形態では、コラム４０の走査偏向器部分に関する第６のセクション３２ｆが設けられる。ある実施形態では、第６のセクション３２ｆは、装置１００の他の部分から独立して交換可能な走査偏向器モジュールにおいて、走査偏向器アレイ２６０と組み合わせられてもよい。図１３に示される実施形態に類似して、ある実施形態では、第４のセクション３２ｄは、電子光学コラム４０の対物レンズ部分に対応する。第４のセクション３２ｄは、装置１００の他の部分から独立して交換可能な対物レンズモジュールにおいて、対物レンズアレイ２４１と組み合わせられてもよい。

[00163] 図１７は、図１３に図示され、及び図１３に関して説明される配置と静電的に等価のコラムを有する配置を示すが、コラムは、図１４に示され、及び図１４に関して説明されるような任意の適切な電子光学コラムでもよい。シールドセクションの数は、現場で交換可能な機能を必要とする異なるモジュールの数に調整されてもよい。

[00164] 図１８は、本発明のある実施形態による、検査ビーム装置１００の概略図である。装置１００は、マルチコラム装置である。図１８は、３つのコラム４０ａ～４０ｃを示す。代替実施形態では、コラム４０の数は、２、４、又は５つ以上、例えば２０又は１００以上でもよい。図１６に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。

[00165] 図１６に示される実施形態では、すべてのコラム４０のビームパスが、セクション３２によって半径方向に取り囲まれる。しかしながら、これは、必ずしもそうとは限らない。図１８に示されるように、ある実施形態では、電子光学コラム４０のうちの少なくとも１つの電子光学コラム４０のビームパスは、セクション３２の少なくとも１つの半径方向外側にある。例えば、第２のコラム４０ｂ及び第３のコラム４０ｃのビームパスは、第１のコラム４０ａのために設けられた第１のセクション３２ａの半径方向外側にある。ある実施形態では、セクション３２の少なくとも１つが、電子光学コラム４０のうちのたった１つの電子光学コラム４０のビームパスを半径方向に取り囲む。例えば、第１のコラム４０ａの第１のセクション３２ａは、第１のコラム４０ａのみのビームパスを半径方向に取り囲む。

[00166] 図１８に示されるように、ある実施形態では、電磁シールド３１の異なるセクション３２が、それぞれの異なる電子光学コラム４０のビームパスを半径方向に取り囲み、これらの異なるセクション３２は、ビームパスと平行な方向において、オーバーラップする位置にある。例えば、図１８に示されるように、ある実施形態では、第１のコラム４０ａの第２のセクション３２ｂは、第１のコラム４０ａのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第１のコラム４０ａの第３のセクション３２ｃは、第１のコラム４０ａのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第２のコラム４０ｂの第１のセクション３２ａ’は、第２のコラム４０ｂのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第２のコラム４０ｂの第２のセクション３２ｂ’は、第２のコラム４０ｂのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第２のコラム４０ｂの第３のセクション３２ｃ’は、第２のコラム４０ｂのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第３のコラム４０ｃの第１のセクション３２ａ’’は、第３のコラム４０ｃのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第３のコラム４０ｃの第２のセクション３２ｂ’’は、第３のコラム４０ｃのみのビームパスを半径方向に取り囲む。第３のコラム４０ｃの第３のセクション３２ｃ’’は、第３のコラム４０ｃのみのビームパスを半径方向に取り囲む。

[00167] 図１８に示されるように、ある実施形態では、ビームパスと平行な方向においてオーバーラップする位置にある複数のセクション３２は、セクション３２の別の１つから独立してビームパスに対して半径方向に一緒に移動可能であるように配置される。例えば、ある実施形態では、第１のセクション３２ａ、３２ａ’、３２ａ’’のすべては、一緒に移動可能である。第１のセクション３２ａ、３２ａ’、３２ａ’’は、互いに対して固定されてもよい。第１のセクション３２ａ、３２ａ’、３２ａ’’は、装置１００の他のモジュールから独立して交換可能である統合ソースモジュールにおいて統合されてもよい。

[00168] 上記に説明され、及び図１２～１７に示される実施形態に類似して、コラム４０ａ～４０ｃの異なる部分に関するセクション３２が設けられる。セクション３２は、他のセクション３２から独立して交換することができる。セクション３２は、他のモジュールから独立して交換可能なモジュールにおいて、対応するコンポーネントと組み合わせられてもよい。例えば、図１８に示されるように、ある実施形態では、第３のコラム４０ｃの第２のセクション３２ｂ’’は、他のモジュールから独立して交換可能なコリメータモジュール４０５ｂ’’において、コリメータと組み合わせられてもよい。図１８には図示されないが、ある実施形態では、各セクション３２は、装置１００の別個のモジュールに対応する。図１８に図示され、及び図１８に関して説明される実施形態のバリエーションでは、コラムの複数のグループが、例えば、マルチコラム配置にわたって列で、グリッドの各セルが複数のコラムを有し得るようにグリッドで、又はその両方で、描かれた各コラムの位置に対応し得る。コラムの各グループを取り囲むセクションは、図１７に関して説明され、及び図１７に図示されるようなフィーチャ及び機能を有し得る。

[00169] 図１９は、本発明のある実施形態による、検査ビーム装置１００の概略図である。装置１００は、マルチコラム装置である。図１９は、３つのコラム４０ａ～４０ｃを示す。代替実施形態では、コラム４０の数は、２、４、又は５つ以上、例えば２５又は１００以上でもよい。図１６～１８に関連して上記で説明したのと同じフィーチャの説明は、簡潔さのために省略する。

[00170] 図１６～１７に示される実施形態では、シールド３１の各セクション３２は、複数のコラム４０のビームパスを取り囲む。図１８に示される実施形態では、各セクション３２は、たった１つのコラム４０のビームパスを取り囲む。これらのフィーチャは、図１９に示される実施形態において統合される。図１９に示されるように、ある実施形態では、複数のコラム４０ａ～４０ｃのソース部分に関する単一の第１のセクション３２ａが設けられる。それぞれのコラム４０ａ～４０ｃのコリメータ部分に関する別個の第２のセクション３２ｂ、３２ｂ’、３２ｂ’’が設けられる。それぞれのコラム４０ａ～４０ｃのビームスプリッタ部分に関する別個の第３のセクション３２ｃ、３２ｃ’、３２ｃ’’が設けられる。

[00171] ある実施形態では、各セクションは、独立して交換することができる別個のモジュールに対応する。例えば、図１９に示されるように、ある実施形態では、第３のコラム４０ｃの第２のセクション３２ｂ’’が、他のモジュールから独立して交換可能なコリメータモジュール４０５ｂ’’において、コリメータと組み合わせられてもよい。

[00172] 図１９には示されないが、ある実施形態では、１つのコラム４０のある特定の部分に対して１つのセクション３２が設けられ得るが、別のセクション３２は、複数の他のコラム４０の同じ種類の部分のビームパスを取り囲むように設けられる。例えば、第１のセクション３２ａは、第１のコラム４０ａのみのソース部分においてビームパスを取り囲み得る。その一方で、第２のコラム４０ｂ及び第３のコラム４０ｃ両方のソース部分において、さらなるセクション３２がビームパスを取り囲んでもよい。

[00173] 上述の通り、ある実施形態では、４つ以上のコラム４０、例えば９つ、又は１００個以上が存在してもよい。ある実施形態では、第１のセクション３２ａは、第１の複数のコラム４０のソース部分のビームパスを取り囲む。その一方で、さらなるセクション３２が、第２の複数のコラム４０のソース部分のビームパスを取り囲んでもよい。もちろん、このフィーチャは、コリメータ部分などのコラム４０の他の部分に適用されてもよい。

[00174] 図１９に示され、及び図１９に関して説明される配置のバリエーションでは、単一コラムへの言及は、例えば図１８に関して説明したように、マルチコラム配置のコラムのグループを指し得る。

[00175] 本発明のある実施形態は、マルチコラムマルチビーム検査ビーム装置１００に関して利点を得ることが期待される。図１６～１９に示されるように、ある実施形態では、複数のマルチビームコラム４０が、同じターゲット２０８の異なる場所、又は異なるターゲット２０８の異なる場所を検査するように構成される。ある実施形態では、コラム４０の電子光学コンポーネント（例えば、集光レンズ、対物レンズ）は、ＭＥＭＳである。本発明のある実施形態は、個々のコラム４０のそれぞれの半径範囲を縮小及び／又は制限することが期待される。

[00176] ある実施形態では、ＭＥＭＳコンポーネントは、現場で交換可能である。本発明のある実施形態は、例えば周囲雰囲気に存在する微粒子による汚染の影響を受けやすい可能性がある脆弱なコンポーネントを含む装置１００のメンテナンスを容易にすることが期待される。

[00177] 図１６～１９は、少数の特定の部分の組み合わせを示す。現場で交換可能なアレイ及び個々に交換可能な部分の任意の他の組み合わせも、もちろん可能である。

[00178] コラム４０の部分に関する、ビームスプリッタ及びマイクロ非点収差補正装置、又は対物レンズ及び検出器、又は対物レンズ及び検出器及び高さセンサなどの複数の電子光学要素が、アレイの交換可能部分に統合されることも可能である。

[00179] 上記に示される、現場で交換可能な部分又はアレイの何れに関しても、セクション３２は、上記のようにフレア状でもよい。ある実施形態では、２つ以上のセクション３２が、交換可能モジュール内で組み合わせられてもよい。例えば、１つのセクション３２が、電子光学コンポーネントのアップビームに設けられてもよく、１つのセクションが、電子光学コンポーネントのダウンビームに設けられてもよい。セクション３２は、現場で交換可能なモジュールにおいて、コンポーネントと組み合わせられてもよい。

[00180] 電子光学コラム４０又はマルチコラム装置は、検査（若しくはメトロ検査）ツールのコンポーネント、又は電子ビームリソグラフィツールの一部でもよい。マルチビーム荷電粒子装置は、ＳＥＭだけでなく電子顕微鏡法全般、及びリソグラフィを含む、多くの異なる用途に使用することができる。

[00181] 実施形態全体を通して、電子光軸３０４が記載される。この電子光軸３０４は、ソース３０１を通り、ソース３０１から出力される荷電粒子のパスを表す。マルチビームのサブビーム及びビームレットはすべて、少なくともマニピュレータを通って電子光軸３０４と実質的に平行でもよい。電子光軸３０４は、電子光学コラム４０の機械軸と同じであっても、又は異なってもよい。

[00182] 様々な実施形態に関連して本発明を説明したが、ここに開示される本発明の明細書及び実施に鑑みて、本発明の他の実施形態が当業者には明らかとなるだろう。本明細書及び実施例は、単なる例示と見なされることが意図され、本発明の真の範囲及び精神は、以下の特許請求の範囲によって示される。

[00183] 上記の説明は、限定ではなく、理解を助けるものであることが意図される。したがって、以下に記載される請求項及び条項の範囲から逸脱することなく、説明されたように変更を加え得ることが当業者には明らかとなるだろう。

[00184] 多数の条項が提供される。

[00185] 条項１：ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、電子光学アセンブリ。

[00186] 条項２：電磁シールドにおけるギャップが、隣接するセクション間でビームパスの方向に形成されるように、セクションが配置される、条項１に記載の電子光学アセンブリ。

[00187] 条項３：隣接するセクションが、好ましくは隣接するセクション間のギャップと少なくとも同程度の大きさの距離だけ、ビームパスに対して半径方向に延在する対向表面を有する、条項２に記載の電子光学アセンブリ。

[00188] 条項４：ビームパスの方向におけるセクションの少なくとも一方の端部が、ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00189] 条項５：隣接するセクション間に少なくとも１つの電子光学要素を含み、好ましくは、電子光学要素が、複数のマニピュレータ、好ましくはマニピュレータアレイを含む、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00190] 条項６：電磁シールドが、電界から荷電粒子ビームをシールドするように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00191] 条項７：電磁シールドが、荷電粒子ビームを磁界からシールドするように構成される、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00192] 条項８：電磁シールドが、透磁材料を含む、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00193] 条項９：少なくとも１つのセクションが、セクションの別の１つから独立して、ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、セクションが配置される、先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00194] 条項１０：セクションの少なくとも２つが、互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、先行する条項の何れか一項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00195] 条項１１：隣り合う端部が、同軸上に配置されるために必要な大きさにされる、条項１０に記載の電子光学アセンブリ。

[00196] 条項１２：隣り合う端部が、一方の端部が他方の端部内に挿入可能であるように、必要な大きさにされる、条項１０又は１１に記載の電子光学コラム。

[00197] 条項１３：隣り合う端部が、物理的に分離され、及び電気測定的に係合する、条項１０～１２の何れか一項に記載の電子光学コラム。

[00198] 条項１４：セクションの少なくとも１つが、セクションの位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材を備える、先行する請求項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。

[00199] 条項１５：機械的基準部材が、セクションの別の１つ又はコラムの対応する機械的基準部材と機械的に係合するように構成される、請求項１４に記載の電子光学アセンブリ。

[00200] 条項１６：先行する条項の何れか一項に記載の電子光学アセンブリを含むモジュール。

[00201] 条項１７：電子光学デバイスと、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラム内にあるときに、モジュールを通るビームパスの電磁シールドとを含む、モジュールであって、電磁シールドが、電子光学デバイスのアップビームのアップビームセクションと、電子光学デバイスのダウンビームのダウンビームセクションとを含み、アップビームセクション及びダウンビームセクションの少なくとも一方が、ビームパスに対して半径方向に延在する境界面を有する、モジュール。

[00202] 条項１８：アップビームセクションの境界面が、コラムのアップビーム要素と共に境界面を形成する、条項１７に記載のモジュール。

[00203] 条項１９：コラムのアップビーム要素が、電磁シールドの上側ビームセクションを含み、アップビームセクションの境界面が、モジュールが電子光学コラム内に存在するときに、ギャップによって上側ビームセクションから離れるように間隔を空けて構成され、好ましくは、ギャップが、最大でも、アップビームセクションの境界面の半径範囲と同程度の大きさであり、好ましくは、アップビームセクション及びダウンビームセクションの少なくとも一方が、ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、条項１８に記載のモジュール。

[00204] 条項２０：ダウンビームセクションの境界面が、コラムのアップビーム要素と共に境界面を形成し、アップビーム境界面の境界面が、対向表面であり、好ましくは、境界面がフランジを提供する、条項１７～１９の何れか一項に記載のモジュール。

[00205] 条項２１：コラムのダウンビーム要素が、電磁シールドの下側ビームセクションを含み、ダウンビームセクションの境界面が、モジュールが電子光学コラム内に存在するときに、ギャップによって下側ビームセクションから離れるように間隔を空けて構成され、好ましくは、ギャップが、最大でも、ダウンビームセクションの境界面の半径範囲と同程度の大きさである、条項２０に記載のモジュール。

[00206] 条項２２：電子光学デバイスが、ＭＥＭＳデバイスである、条項１７～２１の何れか一項に記載のモジュール。

[00207] 条項２３：モジュールが、ＭＥＭＳモジュールである、条項１６～２２の何れか一項に記載のモジュール。

[00208] 条項２４：モジュールが、電子光学コラム内で交換可能であるように構成される、条項１６～２３の何れか一項に記載のモジュール。

[00209] 条項２５：モジュールが、現場で交換可能であるように構成される、条項２４に記載のモジュール。

[00210] 条項２６：電子光学コラム内にあるときに、コラムに対するモジュールの位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材をさらに含む、請求項１６～２５の何れか一項に記載のモジュール。

[00211] 条項２７：条項１６～２５の何れか一項に記載のモジュールを含む、電子光学コラム。

[00212] 条項２８：条項１～１５の何れか一項に記載の電子光学アセンブリを含む、電子光学コラム。

[00213] 条項２９：電磁シールドが、電子光学コラムの少なくとも一部を熱的に調節するように構成された熱コンディショナ、電子光学コラム内の圧力を低下させるように構成されたポンプ、及び荷電粒子ビームをコリメートするように構成されたコリメータ、又は荷電粒子ビームを偏向させるように構成された偏向器などの電子光学要素の１つ又は複数の半径方向内側にある、条項２７又は２８に記載の電子光学コラム。

[00214] 条項３０：熱コンディショナが、電子光学コラム内で発生した熱を除去するように構成される、条項２９に記載の電子光学アセンブリ。

[00215] 条項３１：セクションの少なくとも１つが、荷電粒子ソース、集光レンズ、コリメータ、ソース変換器、偏向器アレイ、アパーチャアレイ、収差補償器アレイ、像形成要素アレイ、対物レンズアレイ、及び検出器アレイから成る群から選択された少なくとも１つのコンポーネントを半径方向に取り囲む、請求項２７～３０の何れか一項に記載の電子光学コラム。

[00216] 条項３２：コンポーネントがＭＥＭＳコンポーネントである、請求項３１に記載の電子光学コラム。

[00217] 条項３３：セクションが、セクションの別の１つから独立してビームパスに対して半径方向に、それが取り囲むコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される、請求項３１又は３２に記載の電子光学コラム。

[00218] 条項３４：セクションが、それが取り囲むコンポーネントと一緒に現場で交換可能である、請求項３１～３３の何れか一項に記載の電子光学コラム。

[00219] 条項３５：請求項３１～３４の何れか一項に記載の電子光学コラムの２つ以上を含む、装置。

[00220] 条項３６：セクションの少なくとも１つが、電子光学コラムのうちの２つ以上の電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む、請求項３５に記載の装置。

[00221] 条項３７：電子光学コラムのうちの少なくとも１つの電子光学コラムのビームパスが、セクションの少なくとも１つの半径方向外側にある、請求項３５又は３６に記載の装置。

[00222] 条項３８：セクションの少なくとも１つが、電子光学コラムのうちのたった１つの電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む、請求項３５～３７の何れか一項に記載の装置。

[00223] 条項３９：電磁シールドの異なるセクションが、それぞれの異なる電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲み、異なるセクションが、ビームパスと平行な方向において、オーバーラップする位置にある、請求項３５～３８の何れか一項に記載の装置。

[00224] 条項４０：ビームパスと平行な方向においてオーバーラップする位置にある複数のセクションが、セクションの別の１つから独立してビームパスに対して半径方向に一緒に移動可能であるように配置される、請求項３５～３９の何れか一項に記載の装置。

[00225] 条項４１：ターゲットに向けて、それぞれのビームパスに沿って、それぞれの荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学コラムと、電子光学コラムの１つ又は複数のために荷電粒子ビームを発生させるように構成された荷電粒子ソースと、電子光学コラムのうちの少なくとも１つの電子光学コラムの荷電粒子ビームパスを取り囲む電磁シールドと、を含むマルチコラム装置であって、電磁シールドが、それぞれのビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、マルチコラム装置。

[00226] 条項４２：コラムが、ターゲットに向けて、それぞれのビームパスに沿って、荷電粒子のリスペクトマルチビームを投影するように構成されたマルチビームコラムである、請求項４１に記載のマルチコラム装置。

[00227] 条項４３：電磁シールドにおけるギャップが、隣接するセクション間でビームパスの方向に形成されるように、セクションが配置される、請求項４１又は４２に記載のマルチコラム装置。

[00228] 条項４４：隣接するセクションが、好ましくは隣接するセクション間のギャップと少なくとも同程度の大きさの距離だけ、ビームパスに対して半径方向に延在する対向表面を有する、請求項４３に記載のマルチコラム装置。

[00229] 条項４５：少なくとも１つのセクションが、セクションの別の１つから独立して、ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、セクションが配置される、請求項４１～４４の何れか一項に記載のマルチコラム装置。

[00230] 条項４６：セクションの少なくとも１つが、ビームパスと平行な方向におけるセクションの位置が決定されることを可能にするように構成された機械的基準部材を備える、請求項４１～４５の何れか一項に記載のマルチコラム装置。

[00231] 条項４７：セクションの少なくとも１つが、荷電粒子ソース、集光レンズアレイ、コリメータアレイ、ソース変換器、偏向器アレイ、アパーチャアレイ、補正器アレイ、収差補償器アレイ、像形成要素アレイ、対物レンズアレイ、及び検出器アレイから成る群から選択された少なくとも１つのコンポーネントを半径方向に取り囲む、請求項４１～４６の何れか一項に記載のマルチコラム装置。

[00232] 条項４８：セクションが、セクションの別の１つから独立してビームパスに対して半径方向に、それが取り囲むコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される、請求項４１～４７の何れか一項に記載のマルチコラム装置。

[00233] 条項４９：セクションの少なくとも１つが、電子光学コラムのうちの２つ以上の電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲む、請求項４１～４８の何れか一項に記載のマルチコラム装置。

[00234] 条項５０：ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、電子光学アセンブリが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿って延在し、及びビームパスを取り囲む複数のセクションを含み、セクションの少なくとも２つが、分離可能であり、及び互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、電子光学アセンブリ。

[00235] 条項５１：各セクションが、ビームパスの通過用に構成されたアパーチャを規定する、条項５０に記載の電子光学アセンブリ。

[00236] 条項５２：複数のセクションが、ビームパスに沿って連続して延在する、条項５０又は５１に記載の電子光学アセンブリ。

[00237] 条項５３：ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリを製造する方法であって、方法が、荷電粒子ビームを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするために電磁シールドを設けることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法。

[00238] 条項５４：電子光学アセンブリが、モジュール内に含まれる、条項５３に記載の方法。

[00239] 条項５５：ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのモジュールを交換する方法であって、方法が、電子光学コラムからモジュールを取り外すことを含み、電子光学コラムが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された電磁シールドを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションの少なくとも１つが、モジュール内に含まれ、並びにモジュールのアップビーム及び／又はダウンビームのセクションのうちの他のセクションから分離可能である、方法。

[00240] 条項５６：ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影する方法であって、方法が、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドすることを含み、電磁シールドが、ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、荷電粒子ビームパスを取り囲み、セクションが、分離可能である、方法。

[00241] 条項５７：ターゲットに向けて、それぞれの電子光学コラムのビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影することを含む、請求項５６に記載の方法。

[00242] 条項５８：セクションの少なくとも１つが、電子光学コラムのうちの２つ以上の電子光学コラムのビームパスを取り囲み、及びセクションの別の１つから独立してビームパスに対して半径方向に、それが取り囲む１つ又は複数のコンポーネントと一緒に移動可能であるように配置される、請求項５７に記載の方法。

[00243] 条項５９：電磁シールドの異なるセクションが、それぞれの異なる電子光学コラムのビームパスを半径方向に取り囲み、異なるセクションが、ビームパスと平行な方向において、オーバーラップする位置にあり、及び異なるセクションが、セクションの別の１つから独立してビームパスに対して半径方向に一緒に移動可能であるように配置される、請求項５７又は５８に記載の方法。

[00244] 条項６０：ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するように構成された電子光学アセンブリを動作させる方法であって、アセンブリが、電磁シールドの外部の電磁界から荷電粒子ビームをシールドするように構成された複数の電磁シールドセクションと、電子光学デバイスを含み、及びアセンブリから取り外し可能であるように構成されたモジュールと、を含み、方法が、アセンブリからモジュールを取り外すことを含み、取り外すことが、ビームパスに対して、モジュール内の電磁シールドのセクションを半径方向に移動させることを含む、方法。

[00245] 条項６１：モジュール内の電磁シールドのセクションを、セクションがアセンブリ内でビームパスに沿って電磁シールドの隣り合うセクションと対向するように、ビームパスに対して半径方向に移動させることを含む、アセンブリ内のモジュールを交換することをさらに含む、条項６０に記載の方法。

Claims (15)

1. ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラムのための電子光学アセンブリであって、前記電子光学アセンブリが、
   前記荷電粒子ビームパスを取り囲み、及び電磁シールドの外部の電磁界から前記荷電粒子ビームをシールドする前記電磁シールド
   を含み、
   前記電磁シールドが、前記ビームパスに沿った異なる位置に沿って延在する複数のセクションを含み、各セクションが、前記荷電粒子ビームパスを取り囲み、
   前記セクションが、分離可能であり、前記電磁シールドにおけるギャップが、少なくとも２つの隣接するセクション間で前記ビームパスの方向に形成されるように、前記セクションが配置され、前記隣接するセクションが、前記ビームパスに対して半径方向に延在する対向表面を有し、及び、前記対向表面の少なくとも１つが、前記ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、電子光学アセンブリ。
2. 前記対向表面が、前記隣接するセクション間の前記ギャップと少なくとも同程度の大きさの距離だけ、前記ビームパスに対して半径方向に延在する、請求項２に記載の電子光学アセンブリ。
3. 隣接するセクション間に少なくとも１つの電子光学要素を含む、請求項１又は２に記載の電子光学アセンブリ。
4. 前記電子光学要素が、複数のマニピュレータ、好ましくはマニピュレータアレイを含む、請求項３に記載の電子光学アセンブリ。
5. 前記電磁シールドが、電界及び／又は磁界から前記荷電粒子ビームをシールドする、請求項１～４の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
6. 前記電磁シールドが、透磁材料を含む、請求項１～５の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
7. 少なくとも１つのセクションが、前記セクションの別の１つから独立して、前記ビームパスに対して半径方向に移動可能であるように、前記セクションが配置される、請求項１～６の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
8. 前記セクションの少なくとも２つが、互いに電磁的に係合する隣り合う端部を含む、請求項１～７の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
9. 前記隣り合う端部が、同軸上に配置されるために必要な大きさにされる、請求項８に記載の電子光学アセンブリ。
10. 前記隣り合う端部が、物理的に分離され、及び電気測定的に係合する、請求項８又は９に記載の電子光学アセンブリ。
11. 前記セクションの少なくとも１つが、前記セクションの前記位置が決定されることを可能にする機械的基準部材を備える、請求項１～１０の何れか一項に記載の電子光学アセンブリ。
12. 前記機械的基準部材が、前記セクションの別の１つ又は前記コラムの対応する機械的基準部材と機械的に係合する、請求項１１に記載の電子光学アセンブリ。
13. 電子光学デバイスと、ターゲットに向けてビームパスに沿って荷電粒子ビームを投影するための電子光学コラム内にあるときに、モジュールを通る前記ビームパスの電磁シールドと、を含む、前記モジュールであって、前記電磁シールドが、前記電子光学デバイスのアップビームのアップビームセクションと、前記電子光学デバイスのダウンビームのダウンビームセクションと、を含み、前記アップビームセクション及び前記ダウンビームセクションの少なくとも一方が、前記ビームパスに対して半径方向に延在する境界面を有し、前記アップビームセクション及び前記ダウンビームセクションの前記少なくとも一方が、前記ビームパスに対して半径方向に延在するフランジを含む、モジュール。
14. 前記アップビームセクションの前記境界面が、前記コラムのアップビーム要素と共に境界面を形成し、前記アップビーム境界面の前記境界面が、対向表面である、請求項１３に記載のモジュール。
15. 前記コラムの前記アップビーム要素が、前記電磁シールドの上側ビームセクションを含み、前記アップビームセクションの前記境界面が、前記モジュールが電子光学コラム内に存在するときに、ギャップによって前記上側ビームセクションから離れるように間隔を空け、好ましくは、前記ギャップが、最大でも、前記アップビームセクションの境界面の半径範囲と同程度の大きさである、請求項１４に記載のモジュール。

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