JP2023526989A - 硬化性組成物、その反応生成物、及びそれを含む電子物品 - Google Patents
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Abstract
硬化性組成物は、少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基を有する脂肪族カルボシランと、少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシランと、少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒を含み、ｍは２以上の整数であり、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である。硬化した反応生成物及びそれを含む電子物品も開示される。
Description
本開示は、概して、カルボシランを含む硬化性組成物、それらの硬化した反応生成物、及びそれらを含む電子デバイスに関する。
第５世代無線（５Ｇ）は、無線ネットワークの速度及び応答性を大幅に増加させるように操作されたセルラー技術の最新版である。５Ｇでは、無線ブロードバンド接続を介して伝送されるデータをマルチギガビット速度で伝送することができ、潜在的なピーク速度は、ある推定によれば２０ギガビット毎秒（Ｇｂｐｓ）と高い。速度の増加は、現在のセルラーネットワークよりも高い周波数の電波を使用することによって部分的に達成される。しかしながら、より高い周波数の電波は、以前のネットワークによって使用される周波数よりも短い範囲を有する。広いサービスを確保するために、５Ｇネットワークは、最大３つの低、中、及び高周波数帯域で動作する。５Ｇネットワークは、各々が異なるアンテナを必要とする最大３つの異なるタイプのセルのネットワークで構成され、各タイプは、ダウンロード速度対距離及びサービスエリアの異なるトレードオフを与える。５Ｇの携帯電話及び無線デバイスは、それらの位置の範囲内の最高速度アンテナを介してネットワークに接続する。
ローバンド５Ｇは、現在の４Ｇの携帯電話と同様の周波数範囲、６００ＭＨｚ～７００ＭＨｚを使用し、ダウンロード速度は、４Ｇよりもわずかに高い、３０メガビット毎秒（Ｍｂｉｔ／秒）～２５０メガビット毎秒（Ｍｂｉｔ／秒）である。ローバンドセルタワーは、現在の４Ｇタワーと同様の範囲及びカバレッジエリアを有する。ミッドバンド５Ｇは、２．５ＧＨｚ～３．７ＧＨｚのマイクロ波を使用し、現在１００Ｍｂｉｔ／秒～９００Ｍｂｉｔ／秒の速度を可能にし、各セルタワーは、最大数マイルの半径を提供する。ハイバンド５Ｇは、ケーブルインターネットに匹敵する、１ギガビット毎秒（Ｇｂｉｔ／秒）～３ギガビット毎秒（Ｇｂｉｔ／秒）のダウンロード速度を達成するために、ミリ波帯のボトムに近い２５ＧＨｚ～３９ＧＨｚの周波数を使用する。
今日、通信業界で使用されている多くの材料は、５Ｇ周波数で十分に機能しない。したがって、５Ｇのより高い周波数は、それらの周波数で機能することができ、高帯域波長で通信する電子デバイスの適切な機能を妨げない材料の特定及び開発を必要としている。
有利には、本開示による硬化性組成物は、インクジェットプリンタを使用した分注に好適な低粘度を有し得る。更に、硬化性組成物及びそれらの硬化した反応生成物は、例えば、携帯電話、電気通信インフラストラクチャ、及びタブレットコンピュータなどの５Ｇ電子デバイスにおける使用に適した低い誘電率及び誘電損失を有する。
一態様では、本開示は、以下の成分：
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル（すなわち、－ＣＨ＝ＣＨ２）基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、を含む、硬化性組成物を提供する。
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル（すなわち、－ＣＨ＝ＣＨ２）基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、を含む、硬化性組成物を提供する。
有利には、本開示による硬化性組成物は、インクジェットプリンタを使用した分注に好適な低粘度を有し得る。
別の態様では、本開示は、
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む成分の反応生成物を提供する。
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む成分の反応生成物を提供する。
更に別の態様では、本開示は、基材に結合された電子部品を有する基材を含む物品であって、電子部品は、本開示による反応生成物と接触している、物品を提供する。
本明細書で使用するとき、
「脂肪族」は、任意の芳香族基を含まないことを意味し、
「カルボシラン」とは、Ｓｉ、Ｃ、及びＨのみからなり、Ｓｉ－Ｓｉ結合を有さない化合物を指し、
「本質的に含まない」は、１重量パーセント未満の（例えば、１重量パーセント未満、０．１重量パーセント未満、又は更には０．０１重量パーセント未満の）ものを含有することを意味する。
「脂肪族」は、任意の芳香族基を含まないことを意味し、
「カルボシラン」とは、Ｓｉ、Ｃ、及びＨのみからなり、Ｓｉ－Ｓｉ結合を有さない化合物を指し、
「本質的に含まない」は、１重量パーセント未満の（例えば、１重量パーセント未満、０．１重量パーセント未満、又は更には０．０１重量パーセント未満の）ものを含有することを意味する。
本開示の特徴及び利点は、詳細な説明及び付属する特許請求の範囲を考慮することで、更に理解されるであろう。
当業者は多くの他の修正形態及び実施形態を考案することができ、それらは本開示の原理の範囲及び趣旨に含まれることを理解されたい。図は、縮尺通りに描かれていないことがある。
ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する様々な脂肪族カルボシランは、当該技術分野で既知であり、及び／又は市販されている。好ましくは、これらのカルボシランは、１個～５０個の炭素原子、より好ましくは４個～１８個の炭素原子、より好ましくは６個～１２個の炭素原子を有するが、これは必要条件ではない。ｍの例示的な値は、２、３、４、５、６、８、及び１０を含むが、他の値も許容される。これらの中でも、ｍ＝２、３、又は４が典型的には好ましい。
いくつかの実施形態では、ｍ個のＳｉ－Ｈ基を有する有用な脂肪族カルボシランは、以下の式で表される。
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基（例えば、メチルエチル、ｎ－プロピル、イソプロピル、ｎ－ブチル、ｓｅｃ－ブチル、イソブチル、又はｔｅｒｔ－ブチル）を表す。
各Ｒ２は独立して、最大５０個の炭素原子を有する、アルキレン基又は二価カルボシラン基を表す。例示的なアルキレン（すなわち、二価）基としては、メチレン、エチレン、プロピレン、ブチレン、ヘキシレン、オクチレン、デシレン、ヘキサデシレン、オクタデシレン、エイコシレン、及びトリコシルエンが挙げられる。これらの中でも、エチレン、プロピレン、及びブチレンがしばしば好ましい。例示的な二価カルボシラン基としては、３，３－ジメチル－３－シラペンタン－１，５－ジイル及び２，２，４，４，－テトラメチル－２，４－ジシラペンタン－１，５－ジイルが挙げられる。他の二価カルボシラン基も許容される。
ヒドロシランは、水素化アルミニウムリチウム（ＬｉＡｌＨ４）、水素化ホウ素ナトリウム、及び水素化ジイソブチルアルミニウム（ＤＩＢＡＬ－Ｈ）などの反応性金属水素化物を使用して、対応するクロロ又はアルコキシシランの水素化還元によって合成され得るか、又はそれらは、例えば、商業的供給源から入手することができる。
ｍ個のＳｉ－Ｈ基を有する更に他の有用な脂肪族カルボシランは、例えば、ジメチルシラン、ジプロピルシラン、及びジブチルシランなどのジアルキルジヒドロシランを含み得る。
少なくとも２つのビニル基（すなわち、ｎ≧２）を有する脂肪族カルボシランは、化学分野で知られており、商業的供給業者からも入手可能である。好ましくは、これらのカルボシランは、１個～５０個の炭素原子、より好ましくは４個～１８個の炭素原子、より好ましくは６個～１２個の炭素原子を有するが、これは必要条件ではない。ｎの例示的な値は、２、３、４、５、６、８、及び１０を含むが、他の値も許容される。これらの中でも、ｎ＝２、３、又は４が典型的には好ましい。
例としては、ジメチルジビニルシラン、メチルトリビニルシラン、テトラビニルシラン、テトラアリルシラン、及び１，４－ジビニル－１，１，４，４－テトラメチル－１，４－ジシラブタンが挙げられる。
いくつかの実施形態では、少なくとも２つのビニル基を有する脂肪族カルボシランは、式
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、ｐは、０、１、又は２であり、ｑは、２、３、又は４であり、ｐ＋ｑ＝４である）によって表される。この実施形態では、Ｒ１は、前に定義されたとおりであり、Ｒ３は、共有結合又は１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基を表す。
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、ｐは、０、１、又は２であり、ｑは、２、３、又は４であり、ｐ＋ｑ＝４である）によって表される。この実施形態では、Ｒ１は、前に定義されたとおりであり、Ｒ３は、共有結合又は１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基を表す。
硬化ネットワークを形成するために、ｍ及びｎは少なくとも２でなければならないだけでなく、ｍ＋ｎの合計は少なくとも５、少なくとも６、少なくとも７、少なくとも８、又はそれ以上でなければならない。
典型的には、カルボシラン成分ａ）のカルボシラン成分ｂ）のＳｉ－Ｈ：ビニル当量比は、０．７～１．５、好ましくは０．８～１．３、及びより好ましくは０．９～１．２の範囲であるが、これは必要条件ではない。
ヒドロシリル化は、触媒ヒドロシリル化とも呼ばれ、不飽和結合に対するＳｉ－Ｈ結合の付加を表す。ヒドロシリル化反応は、典型的には白金触媒により触媒され、概して、熱を加えて硬化反応をもたらす。この反応では、Ｓｉ－Ｈが二重結合に対して付加されて、新しいＣ－Ｈ結合及びＳｉ－Ｃ結合を形成する。このプロセスは、例えば、国際公開第２０００／０６８３３６号（Ｋｏら）、及び国際公開第２００４／１１１１５１号（Ｎａｋａｍｕｒａ）、及び国際公開第２００６／００３８５３号（Ｎａｋａｍｕｒａ）に記載されている。
有用なヒドロシリル化触媒は、熱触媒及び／又は光触媒を含み得る。これらの中でも、長期間の貯蔵安定性及び取り扱いの容易さに起因して、光触媒が好ましい場合がある。例示的な熱触媒としては、Ｈ２ＰｔＣｌ６（スペイラー触媒）などの白金錯体；例えば、白金とジビニルシロキサンとの配位錯体（Ｋａｒｓｔｅｄｔの触媒）との配位錯体、及びトリス（トリフェニルホスフィン）ロジウム（Ｉ）クロリド（ウィルキンソン触媒）などの有機金属白金錯体が挙げられる。
有用な白金光触媒は、例えば、米国特許第７，１９２，７９５号（Ｂｏａｒｄｍａｎら）及びその中に引用された参考文献に開示されている。ある特定の好ましい白金光触媒は、Ｐｔ（ＩＩ）β－ジケトネート錯体（米国特許第５，１４５，８８６号（Ｏｘｍａｎら）に開示されているものなど）、（η５－シクロペンタジエニル）トリ（σ－脂肪族）白金錯体（米国特許第４，９１６，１６９号（Ｂｏａｒｄｍａｎら）、米国特許第４，５１０，０９４号（Ｄｒａｈｎａｋ）に開示されているものなど）、及びＣ７～２０－芳香族置換（η５－シクロペンタジエニル）トリ（σ－脂肪族）白金錯体（米国特許第６，１５０，５４６号（Ｂｕｔｔｓ）に開示されているものなど）からなる群から選択される。ヒドロシリル化光触媒は、例えば、既知の方法に従って、化学線、典型的には紫外線への曝露によって活性化される。
ヒドロシリル化触媒の量は、任意の有効量であり得る。いくつかの実施形態では、ヒドロシリル化触媒の量は、硬化性組成物の１００万部当たり約０．５部～約３０部の白金の量であるが、より多くの量及びより少ない量も使用され得る。
有利には、本開示による硬化性及び硬化した組成物は、典型的には、５Ｇ無線通信プロトコルに関連する周波数において低誘電率／誘電損失を有する。いくつかの実施形態では、硬化性及び／又は硬化した組成物は、１０ギガヘルツの外部交流電場の存在下で３以下の誘電率を有する。いくつかの好ましい実施形態では、タンデルタ（損失正接又は散逸率として当技術分野において知られている）は、１０ＧＨｚで０．００２未満である。
更に、本開示による硬化性及び硬化した組成物は、本質的に溶媒を含まなくてもよい。
また更に、本開示による硬化性組成物は、インクジェット印刷に好適な低粘度を有し得る。例えば、いくつかの実施形態では、両端を含めて２１℃～５０℃の温度で５０センチポアズ以下の剪断粘度（絶対粘度又は動的粘度とも呼ばれる）は、ＡＳＴＭ試験法Ｄ７８６７－１３（塗料、インク及び関連する液体材料の、温度の関数としての回転粘度の測定）に従って測定される。
多くの実施形態では、本開示による硬化性組成物を、硬化させるために組み合わされる２剤型組成物として提供することが有用である。これは、貯蔵安定性の向上を提供し得る。そのような場合、硬化性組成物は、Ａ剤及びＢ剤を含む。好ましい実施形態では、Ａ剤は成分ａ）を含み、成分ｂ）を含まず、Ｂ剤は成分ｂ）及び成分ｃ）を含み、成分ａ）を含まない。
任意選択の添加剤はまた、本開示による硬化性（及び硬化した）組成物中に存在し得る。例としては、流動助剤、低誘電性充填剤（例えば、グラスバブルズ）、及び／又は界面活性剤が挙げられ得る。
本開示による硬化性組成物及び硬化した組成物は、例えば、例えば、５Ｇ適合性機器で使用される電子部品の封入剤、シーラント、及び／又は接着剤として有用である。
基材は、例えば、プラスチック、複合材、金属、セラミック、及び／又はガラスであり得る。例示的な基材は、電子回路基板及びアンテナを含む。好適な電子部品の例としては、ディスプレイ部品（例えば、ＯＬＥＤディスプレイ及びＬＣＤ）、並びに特に、少なくとも１ギガヘルツ（１ＧＨｚ）の周波数を含む外部交流電場の存在下での、好ましくは２５ＧＨｚの周波数を含む外部交流電場の存在下での使用を意図した電子部品が挙げられる。
ここで図１を参照すると、電子物品１００は、基材に結合された電子ディスプレイ部品１２０を有する基材１１０を備える。電子ディスプレイ部品１２０は、シールを形成する本開示による反応生成物１３０によって接触される。
本開示の選択された実施形態
第１の実施形態では、本開示は、以下の成分：
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む、硬化性組成物を提供する。
第１の実施形態では、本開示は、以下の成分：
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む、硬化性組成物を提供する。
第２の実施形態では、本開示は、１０ギガヘルツの外部交流電場の存在下で、３以下の誘電率及び０．００２未満のタンデルタを有する、第１の実施形態に記載の硬化性組成物を提供する。
第３の実施形態では、本開示は、ＡＳＴＭ試験法Ｄ７８６７－１３（塗料、インク及び関連する液体材料の、温度の関数としての回転粘度の測定）に従って、両端を含めて２１℃～５０℃の温度で５０センチポアズ以下の剪断粘度を有する、第１又は第２の実施形態に記載の硬化性組成物を提供する。
第４の実施形態では、本開示は、溶媒を本質的に含まない、第１～第３の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
第５の実施形態では、本開示は、ｍが少なくとも３である、第１～第４の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
第６の実施形態では、本開示は、ｎが少なくとも３である、第１～第５の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
第７の実施形態では、本開示は、少なくとも１つのヒドロシリル化反応が、有機金属白金錯体を含む、第１～第６の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
第８の実施形態では、本開示は、少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基を有する脂肪族カルボシランが、式：
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ２は、独立して、最大５０個の炭素原子を有する、アルキレン基又は二価カルボシラン基を表す）によって表される、第１～第７の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ２は、独立して、最大５０個の炭素原子を有する、アルキレン基又は二価カルボシラン基を表す）によって表される、第１～第７の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
第９の実施形態では、本開示は、少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシランが、式：
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ３は、独立して、１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基、又は共有結合を表し、
ｐは、０～２の整数を表し、
ｑは、２～４の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である）によって表される、第１～第８の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ３は、独立して、１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基、又は共有結合を表し、
ｐは、０～２の整数を表し、
ｑは、２～４の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である）によって表される、第１～第８の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
第１０の実施形態では、本開示は、硬化性組成物が、Ａ剤及びＢ剤を含み、Ａ剤が成分ａ）を含み、かつ成分ｂ）を含まず、Ｂ剤が成分ｂ）及び成分ｃ）を含み、かつ成分ａ）を含まない、第１～第９の実施形態のいずれか１つに記載の硬化性組成物を提供する。
第１１の実施形態では、本開示は、
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む成分の反応生成物を提供する。
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む成分の反応生成物を提供する。
第１２の実施形態では、本開示は、硬化性組成物が、１０ギガヘルツの外部交流電場の存在下で、３以下の誘電率及び０．００２未満のタンデルタを有する、第１１の実施形態に記載の反応生成物を提供する。
第１３の実施形態では、本開示は、溶媒を本質的に含まない、第１１又は第１２の実施形態に記載の反応生成物を提供する。
第１４の実施形態では、本開示は、ｍが少なくとも３である、第１１～第１３の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物を提供する。
第１５の実施形態では、本開示は、ｎが少なくとも３である、第１１～第１４の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物を提供する。
第１６の実施形態では、本開示は、少なくとも１つのヒドロシリル化反応が、有機金属白金錯体を含む、第１１～第１５の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物を提供する。
第１７の実施形態では、本開示は、少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基を有する脂肪族カルボシランが、式：
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ２は、独立して、最大５０個の炭素原子を有する、アルキレン基又は二価カルボシラン基を表す）によって表される、第１１～第１６の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物を提供する。
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ２は、独立して、最大５０個の炭素原子を有する、アルキレン基又は二価カルボシラン基を表す）によって表される、第１１～第１６の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物を提供する。
第１８の実施形態では、本開示は、少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシランが、式：
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ３は、独立して、１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基、又は共有結合を表し、
ｐが、０～２の整数を表し、
ｑが、２～４の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である）によって表される、第１１～第１７の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物を提供する。
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ３は、独立して、１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基、又は共有結合を表し、
ｐが、０～２の整数を表し、
ｑが、２～４の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である）によって表される、第１１～第１７の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物を提供する。
第１９の実施形態では、本開示は、基材に結合された電子部品を有する基材を含む電子物品であって、電子部品が、第１１～第１８の実施形態のいずれか１つに記載の反応生成物と接触している、電子物品を提供する。
第２０の実施形態では、本開示は、電子部品が、少なくとも１ギガヘルツの周波数を含む外部交流電場の存在下での使用を意図している、第１９の実施形態に記載の電子物品を提供する。
第２１の実施形態では、本開示は、電子部品が、少なくとも２５ＧＨｚの周波数を含む外部交流電場の存在下での使用を意図している、第１９又は第２０の実施形態に記載の電子物品を提供する。
第２２の実施形態では、本開示は、反応生成物が、１０ギガヘルツの外部交流電場の存在下で、３以下の誘電率及び０．００２未満のタンデルタを有する、第１９～第２１の実施形態のいずれか１つに記載の電子物品を提供する。
第２３の実施形態では、本開示は、反応生成物が、電子部品のシーラントとして機能する、第１９～第２２の実施形態のいずれか１つに記載の電子物品を提供する。
第２４の実施形態では、本開示は、電子部品が、電子ディスプレイ部品を含む、第１９～第２３の実施形態のいずれか１つに記載の電子物品を提供する。
第２５の実施形態では、本開示は、電子ディスプレイ部品が、有機発光ダイオードを含む、第２４の実施形態に記載の電子物品を提供する。
第２６の実施形態では、本開示は、反応生成物が、電子部品を基材に結合するための接着剤として機能する、第１９～第２５の実施形態のいずれか１つに記載の電子物品を提供する。
本開示の目的及び利点は以下の非限定的な実施例によって更に例証されるが、これらの実施例に引用される具体的な材料及びそれらの量、並びに他の条件及び詳細は、本開示を過度に制限するものと解釈されるべきではない。
別段の記載がない限り、実施例及び本明細書のその他の箇所における全ての部、百分率、比などは、重量基準である。
以下の表１に、実施例で使用した材料を一覧で示す。
直鎖状ポリカルボシランポリマー（ＬＩＮ－ＰＣＳ－ビニル）の調製
１，１，４，４－テトラメチル－１，４－ジシラブタン（１４．８ｇ、０．１ｍｏｌ）を、トルエン（４０ｍＬ）中の１，７－オクタジエン（１２．２ｇ、０．１１ｍｏｌ）及び白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（１滴、キシレン中２．１％～２．４％のＰｔ）の溶液に滴加した。最初の発熱後、反応混合物を室温で３日間撹拌し、トルエン及び過剰のモノマーを減圧下で除去して、生成物を粘性液体として得た。
１，１，４，４－テトラメチル－１，４－ジシラブタン（１４．８ｇ、０．１ｍｏｌ）を、トルエン（４０ｍＬ）中の１，７－オクタジエン（１２．２ｇ、０．１１ｍｏｌ）及び白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（１滴、キシレン中２．１％～２．４％のＰｔ）の溶液に滴加した。最初の発熱後、反応混合物を室温で３日間撹拌し、トルエン及び過剰のモノマーを減圧下で除去して、生成物を粘性液体として得た。
超分岐ポリカルボシラン（ＨＢ－ＰＣＳ－ビニル）の調製
１，１，４，４－テトラメチル－１，４－ジシラブタン（８．８１ｇ、０．０６０２ｍｏｌ）を、トルエン（８０ｍＬ）中のテトラビニルシラン（１２．７ｇ、０．０９３ｍｏｌ、３．１モル過剰のビニル）及び白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（１滴、キシレン中２．１％～２．４％のＰｔ）の溶液に滴加した。最初の発熱後、反応混合物を室温で３日間撹拌し、トルエン及び過剰のモノマーを減圧下で除去して、生成物を粘性液体として得た。
１，１，４，４－テトラメチル－１，４－ジシラブタン（８．８１ｇ、０．０６０２ｍｏｌ）を、トルエン（８０ｍＬ）中のテトラビニルシラン（１２．７ｇ、０．０９３ｍｏｌ、３．１モル過剰のビニル）及び白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（１滴、キシレン中２．１％～２．４％のＰｔ）の溶液に滴加した。最初の発熱後、反応混合物を室温で３日間撹拌し、トルエン及び過剰のモノマーを減圧下で除去して、生成物を粘性液体として得た。
１００ｋＨｚ～１ＭＨｚでの液体の誘電分光法
誘電特性及び液体の導電率の測定は、Ｎｏｖｏｃｏｎｔｒｏｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＧｍｂＨ（Ｍｏｎｔａｂａｕｒ，Ｇｅｒｍａｎｙ）のＡｌｐｈａ－Ａ Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｂｒｏａｄｂａｎｄ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒモジュール式測定システムを用いて実行した。Ｋｅｙｓｉｇｈｔ Ｍｏｄｅｌ １６４５２Ａ液体誘電体試験装置を使用して、平行板コンデンサとして液体を収容した。Ａｌｐｈａ－Ａモジュール測定システムのＺＧ２伸張試験インターフェースを使用して、Ｎｏｖｏｃｏｎｔｒｏｌソフトウェアを通してＫｅｙｓｉｇｈｔ Ｍｏｄｅｌ １６４５２Ａ液体誘電体試験装置の自動インピーダンス測定を可能にした。誘電率は、液体を含む試験セルの静電容量の、空気を含む試験セルの静電容量に対する比から計算した。より高い粘度の液体を１６４５２Ａ試験セルで測定するために、まず液体を５０℃～５５℃に加熱し、この温度で１５分～３０分間保持した。次に、液体を注射器で液体試験セルに注入した。注入後、気泡の形成を最小限に抑え、回避するために、液体を最大３０分間沈降させた。３０分間の沈降後、試料を試験した。
誘電特性及び液体の導電率の測定は、Ｎｏｖｏｃｏｎｔｒｏｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ＧｍｂＨ（Ｍｏｎｔａｂａｕｒ，Ｇｅｒｍａｎｙ）のＡｌｐｈａ－Ａ Ｈｉｇｈ Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ Ｂｒｏａｄｂａｎｄ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒモジュール式測定システムを用いて実行した。Ｋｅｙｓｉｇｈｔ Ｍｏｄｅｌ １６４５２Ａ液体誘電体試験装置を使用して、平行板コンデンサとして液体を収容した。Ａｌｐｈａ－Ａモジュール測定システムのＺＧ２伸張試験インターフェースを使用して、Ｎｏｖｏｃｏｎｔｒｏｌソフトウェアを通してＫｅｙｓｉｇｈｔ Ｍｏｄｅｌ １６４５２Ａ液体誘電体試験装置の自動インピーダンス測定を可能にした。誘電率は、液体を含む試験セルの静電容量の、空気を含む試験セルの静電容量に対する比から計算した。より高い粘度の液体を１６４５２Ａ試験セルで測定するために、まず液体を５０℃～５５℃に加熱し、この温度で１５分～３０分間保持した。次に、液体を注射器で液体試験セルに注入した。注入後、気泡の形成を最小限に抑え、回避するために、液体を最大３０分間沈降させた。３０分間の沈降後、試料を試験した。
９．５ＧＨｚでの固体のスプリットポスト誘電体共振器測定
スプリットポスト誘電体共振器測定は、９．５ＧＨｚの周波数で、標準ＩＥＣ６１１８９－２－７２１に従って行った。各薄材料又はフィルムを２つの固定誘電体共振器間に挿入した。ポストの共振周波数及び品質係数に対する試験片の効果により、複素誘電率の直接計算（誘電率及び誘電損失）が可能になる。この９．５ＧＨｚ共振器は、方位角電界成分のみを有するＴＥ０１δモードで動作するため、電界は誘電体界面で連続したままになる。δスプリットポスト誘電体共振器は、試験体の平面内の誘電率成分を測定する。これらの誘電体共振器測定の各々において、ループ結合（臨界結合された）を使用した。この９．５ＧＨｚスプリットポスト共振器測定システムを、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ ＶＮＡ（Ｖｅｃｔｏｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｍｏｄｅｌ ＰＮＡ ８３６４Ｃ １０ＭＨｚ～５０ＧＨｚ）と組み合わせた。比較を行って、９．５ＧＨｚで各試験片の複素電気誘電率を決定した。
スプリットポスト誘電体共振器測定は、９．５ＧＨｚの周波数で、標準ＩＥＣ６１１８９－２－７２１に従って行った。各薄材料又はフィルムを２つの固定誘電体共振器間に挿入した。ポストの共振周波数及び品質係数に対する試験片の効果により、複素誘電率の直接計算（誘電率及び誘電損失）が可能になる。この９．５ＧＨｚ共振器は、方位角電界成分のみを有するＴＥ０１δモードで動作するため、電界は誘電体界面で連続したままになる。δスプリットポスト誘電体共振器は、試験体の平面内の誘電率成分を測定する。これらの誘電体共振器測定の各々において、ループ結合（臨界結合された）を使用した。この９．５ＧＨｚスプリットポスト共振器測定システムを、Ｋｅｙｓｉｇｈｔ ＶＮＡ（Ｖｅｃｔｏｒ Ｎｅｔｗｏｒｋ Ａｎａｌｙｚｅｒ Ｍｏｄｅｌ ＰＮＡ ８３６４Ｃ １０ＭＨｚ～５０ＧＨｚ）と組み合わせた。比較を行って、９．５ＧＨｚで各試験片の複素電気誘電率を決定した。
２．５ＧＨｚでの液体の円筒誘電体共振器測定
ＡＴＥ０１δモード円筒誘電体共振器を使用して、Ｊ．Ｋｒｕｐｋａ、Ｋ．Ｄｅｒｚａｋｏｗｓｋｉ、Ｍ．Ｄ．Ｊａｎｅｚｉｃ、及びＪ．Ｂａｋｅｒ－Ｊａｒｖｉｓ，”ＴＥ０１ｄｅｌｔａ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ｐｒｅｃｉｓｅ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｍｐｌｅｘ ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｌｏｓｓｙ ｌｉｑｕｉｄｓ ａｔ ｆｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓ ｂｅｌｏｗ １ ＧＨｚ”，Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ．４６９－４７０，Ｌｏｎｄｏｎ，２７ Ｊｕｎｅ－２ Ｊｕｌｙ，２００４に記載される方法を使用して、周波数２．４５ＧＨｚで誘電体の複素誘電率を測定した。
ＡＴＥ０１δモード円筒誘電体共振器を使用して、Ｊ．Ｋｒｕｐｋａ、Ｋ．Ｄｅｒｚａｋｏｗｓｋｉ、Ｍ．Ｄ．Ｊａｎｅｚｉｃ、及びＪ．Ｂａｋｅｒ－Ｊａｒｖｉｓ，”ＴＥ０１ｄｅｌｔａ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅ ｆｏｒ ｐｒｅｃｉｓｅ ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ ｏｆ ｔｈｅ ｃｏｍｐｌｅｘ ｐｅｒｍｉｔｔｉｖｉｔｙ ｏｆ ｌｏｓｓｙ ｌｉｑｕｉｄｓ ａｔ ｆｒｅｑｕｅｎｃｉｅｓ ｂｅｌｏｗ １ ＧＨｚ”，Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｐｒｅｃｉｓｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ Ｍｅａｓｕｒｅｍｅｎｔｓ Ｄｉｇｅｓｔ，ｐｐ．４６９－４７０，Ｌｏｎｄｏｎ，２７ Ｊｕｎｅ－２ Ｊｕｌｙ，２００４に記載される方法を使用して、周波数２．４５ＧＨｚで誘電体の複素誘電率を測定した。
配合成分の誘電率
線状ポリカルボシラン及び超分岐ポリカルボシラン流体の誘電率を、１００ｋＨｚ、１ＭＨｚ、及び２．５ＧＨｚの周波数で２０℃にて測定し、シリコーン流体、ＳＦｉｌｍ及び市販のＰＴＦＥ ５Ｇ材料と比較した。結果を以下の表２に報告する。
線状ポリカルボシラン及び超分岐ポリカルボシラン流体の誘電率を、１００ｋＨｚ、１ＭＨｚ、及び２．５ＧＨｚの周波数で２０℃にて測定し、シリコーン流体、ＳＦｉｌｍ及び市販のＰＴＦＥ ５Ｇ材料と比較した。結果を以下の表２に報告する。
配合成分の剪断粘度
レオロジー測定を、凹型同心円筒形状（２５ｍｍの直径／３２ｍｍの長さのボブ；カップ ｗ／２７ｍｍの直径）を使用して、ＡＲＥＳ Ｇ２歪み制御レオメータ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｎｅｗ Ｃａｓｔｌｅ，ＤＥ，ＵＳＡ）上で、ＡＳＴＭ試験法Ｄ７８６７－１３（塗料、インク及び関連する液体材料の、温度の関数としての回転粘度の測定）に従って実施した。測定値を、窒素雰囲気下で２５℃及び５０℃で収集した。センチポアズ（ｃｐｓ）での剪断粘度の測定値は、１０秒－１の剪断速度で得た。
レオロジー測定を、凹型同心円筒形状（２５ｍｍの直径／３２ｍｍの長さのボブ；カップ ｗ／２７ｍｍの直径）を使用して、ＡＲＥＳ Ｇ２歪み制御レオメータ（ＴＡ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ，Ｎｅｗ Ｃａｓｔｌｅ，ＤＥ，ＵＳＡ）上で、ＡＳＴＭ試験法Ｄ７８６７－１３（塗料、インク及び関連する液体材料の、温度の関数としての回転粘度の測定）に従って実施した。測定値を、窒素雰囲気下で２５℃及び５０℃で収集した。センチポアズ（ｃｐｓ）での剪断粘度の測定値は、１０秒－１の剪断速度で得た。
調製例ＰＥ１～ＰＥ６
１００％固形分／無溶剤配合物（表３に報告）を、様々な条件下で白金触媒ヒドロシリル化によってＵＶ硬化させて、硬質ポリカルボシランコーティングを得た。配合物は、ＳｉＨ官能性を有するシラン成分（ＴＭＤＳＢ）及びビニル官能基を有する成分（ＴＶＳ又はＨＢ－ＰＣＳ－ビニル）を有していた。ＨＢ－ＰＣＳ－ビニルは、８．１６ｍｍｏｌ／ｇの末端ビニル含有量、Ｍｎ＝３１００ｇ／モル、Ｍｗ＝７１００ｇ／モル、多分散度２．３、及びＴｇ＝－６８℃を有する超分岐ポリカルボシランであった。ＳｉＨ基は、ビニル基に対してモル過剰であった（０．１倍～４倍）。
１００％固形分／無溶剤配合物（表３に報告）を、様々な条件下で白金触媒ヒドロシリル化によってＵＶ硬化させて、硬質ポリカルボシランコーティングを得た。配合物は、ＳｉＨ官能性を有するシラン成分（ＴＭＤＳＢ）及びビニル官能基を有する成分（ＴＶＳ又はＨＢ－ＰＣＳ－ビニル）を有していた。ＨＢ－ＰＣＳ－ビニルは、８．１６ｍｍｏｌ／ｇの末端ビニル含有量、Ｍｎ＝３１００ｇ／モル、Ｍｗ＝７１００ｇ／モル、多分散度２．３、及びＴｇ＝－６８℃を有する超分岐ポリカルボシランであった。ＳｉＨ基は、ビニル基に対してモル過剰であった（０．１倍～４倍）。
実施例Ｅ１～Ｅ６
ＰＥ１～ＰＥ３を、０．３重量％の白金（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｐｔ ａｃａｃ）を使用して室温で硬化させた。試料を、ピペットを介してガラス顕微鏡スライド上に０．２５ｍＬの配合物を堆積させることによって調製し、Ｃｌｅａｒｓｔｏｎｅ ＣＦ１０００ ＵＶ ＬＥＤシステム（３９５ｎｍ、３１９ｍＷ／ｃｍ２に対応する１００％強度）を使用して、試料の表面から１ｃｍの距離で１分間硬化させた。硬化後のコーティングの厚さを、デジタルマイクロメータを介して１４０ミクロン～１５０ミクロンの範囲にあるように測定した。ＰＥ４～ＰＥ６を、０．２重量％のＰｔ ａｃａｃを使用して、３９５ｎｍ／１００％の強度で５分間硬化させた。
ＰＥ１～ＰＥ３を、０．３重量％の白金（ＩＩ）アセチルアセトネート（Ｐｔ ａｃａｃ）を使用して室温で硬化させた。試料を、ピペットを介してガラス顕微鏡スライド上に０．２５ｍＬの配合物を堆積させることによって調製し、Ｃｌｅａｒｓｔｏｎｅ ＣＦ１０００ ＵＶ ＬＥＤシステム（３９５ｎｍ、３１９ｍＷ／ｃｍ２に対応する１００％強度）を使用して、試料の表面から１ｃｍの距離で１分間硬化させた。硬化後のコーティングの厚さを、デジタルマイクロメータを介して１４０ミクロン～１５０ミクロンの範囲にあるように測定した。ＰＥ４～ＰＥ６を、０．２重量％のＰｔ ａｃａｃを使用して、３９５ｎｍ／１００％の強度で５分間硬化させた。
実施例Ｅ７～Ｅ１２
ＰＥ１～ＰＥ６を、０．３重量％で白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（Ｋａｒｓｔｅｄｔの触媒）を添加することによって硬化させた。
ＰＥ１～ＰＥ６を、０．３重量％で白金ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体（Ｋａｒｓｔｅｄｔの触媒）を添加することによって硬化させた。
配合物成分の粘度
配合物が潜在的にインクジェット印刷可能であったことを実証するために、配合物の粘度を測定した（表４）。
配合物が潜在的にインクジェット印刷可能であったことを実証するために、配合物の粘度を測定した（表４）。
前述の記載は、当業者が、特許請求の範囲に記載の開示を実践することを可能にするためのものであり、本開示の範囲を限定するものと解釈すべきではなく、本開示の範囲は特許請求の範囲及びその全ての等価物によって定義される。
Claims (19)
- 以下の成分：
ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む、硬化性組成物。 - １０ギガヘルツの外部交流電場の存在下で、３以下の誘電率及び０．００２未満のタンデルタを有する、請求項１に記載の硬化性組成物。
- ＡＳＴＭ試験法Ｄ７８６７－１３（塗料、インク及び関連する液体材料の、温度の関数としての回転粘度の測定）に従って、両端を含めて２１℃～５０℃の温度で５０センチポアズ以下の剪断粘度を有する、請求項１に記載の硬化性組成物。
- ｍが少なくとも３である、請求項１に記載の硬化性組成物。
- ｎが少なくとも３である、請求項１に記載の硬化性組成物。
- 前記少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒が、有機金属白金錯体を含む、請求項１に記載の硬化性組成物。
- 前記少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基を有する脂肪族カルボシランが、式：
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ２は、独立して、最大５０個の炭素原子を有する、アルキレン基又は二価カルボシラン基を表す）
によって表される、請求項１に記載の硬化性組成物。 - 前記少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシランが、式：
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ３は、独立して、１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基、又は共有結合を表し、
ｐは０～２の整数を表し、
ｑは２～４の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である）
によって表される、請求項１に記載の硬化性組成物。 - Ａ剤及びＢ剤を含み、Ａ剤が前記成分ａ）を含み、かつ前記成分ｂ）を含まず、Ｂ剤が前記成分ｂ）及び前記成分ｃ）を含み、かつ前記成分ａ）を含まない、請求項１に記載の硬化性組成物。
- ａ）少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基（式中、ｍは２以上の整数である）を有する脂肪族カルボシランと、
ｂ）少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシラン（式中、ｎは２以上の整数であり、ｍ＋ｎは少なくとも５である）と、
ｃ）少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒と、
を含む成分の反応生成物。 - １０ギガヘルツの外部交流電場の存在下で、３以下の誘電率及び０．００２未満のタンデルタを有する、請求項１０に記載の反応生成物。
- ｍが少なくとも３である、請求項１０に記載の反応生成物。
- ｎが少なくとも３である、請求項１０に記載の反応生成物。
- 前記少なくとも１つのヒドロシリル化反応触媒が、有機金属白金錯体を含む、請求項１０に記載の反応生成物。
- 前記少なくとも１つの、ｍ個のＳｉ－Ｈ基を有する脂肪族カルボシランが、式：
ＨＳｉ（Ｒ１）２Ｒ２Ｓｉ（Ｒ１）２Ｈ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ２は、独立して、最大５０個の炭素原子を有する、アルキレン基又は二価カルボシラン基を表す）
によって表される、請求項１０に記載の反応生成物。 - 前記少なくとも１つの、ｎ個のビニル基を有する脂肪族カルボシランが、式：
Ｓｉ（Ｒ１）ｐ（Ｒ３ＣＨ＝ＣＨ２）ｑ
（式中、
各Ｒ１は、独立して、１個～４個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
各Ｒ３は、独立して、１個～８個の炭素原子を有するアルキレン基、又は共有結合を表し、
ｐは０～２の整数を表し、
ｑは２～４の整数を表し、ｐ＋ｑ＝４である）
によって表される、請求項１０に記載の反応生成物。 - 基材に結合された電子部品を有する基材を含む電子物品であって、前記電子部品が、請求項１０に記載の反応生成物と接触している、電子物品。
- 前記反応生成物が、１０ギガヘルツの外部交流電場の存在下で、３以下の誘電率及び０．００２未満のタンデルタを有する、請求項１７に記載の電子物品。
- 前記電子部品が、電子ディスプレイ部品を含む、請求項１７に記載の電子物品。
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