JP2023515934A - ビニングを使用して低周波サイクル中に電力を増加させるシステム及び方法 - Google Patents

Abstract

【解決手段】エッチング速度における均一性を達成する方法が、記述される。本方法は、整合部の出力から電圧信号を受信すること、及び電圧信号の各サイクルに対する電圧信号の正交点及び負交点を判断することを含む。各サイクルの負交点は、サイクルの正交点と連続する。本方法は、電圧信号の各サイクルの時間間隔を、複数のビンに分割することを更に含む。正交点と関連する複数のビンの１つ又は複数、又は負交点と関連する複数のビンの１つ又は複数に対して、本方法は、エッチング速度における均一性を達成するように、無線周波数発生器の周波数を調整することを含む。【選択図】図１Ｂ－１

Description

本実施形態は、ビニングを使用して低周波サイクル中に電力を増加させるシステム及び方法に関する。

プラズマツールは、無線周波数発生器（ＲＦＧ）、インピーダンス整合ネットワーク、及びプラズマチャンバを含む。ＲＦＧは、インピーダンス整合ネットワークを介してプラズマチャンバに提供される電力を発生する。電力が提供されているとき、プロセスガスが、プラズマチャンバ内に載置されたウエハを処理するために、プラズマチャンバに供給される。プロセスガスが供給されるとき、プラズマがプラズマチャンバ内で生成される。ウエハは、生成されたプラズマによってエッチングされる。

本開示で記述される実施形態が生じるのは、この文脈においてである。

本明細書で提供される背景の記述は、本開示の内容を概ね提示することを目的とする。この背景技術のセクションで記述される範囲内における、現時点で名前を挙げられている発明者らによる研究、並びに出願の時点で先行技術として別途みなされ得ない記述の態様は、明示的又は黙示的を問わず、本開示に対抗する先行技術として認められない。

本開示の実施形態は、ビニングを使用して低周波サイクル中に電力を増加させるシステム、装置、方法及びコンピュータプログラムを提供する。本実施形態は、様々な手段、例えば、プロセス、装置、システム、デバイス、又はコンピュータ可読媒体上の方法で、実装できると理解されるべきである。幾つかの実施形態について、以下で記述する。

低周波（ＬＦ）無線周波数（ＲＦ）発生器及び高周波（ＨＦ）ＲＦ発生器は、基板を処理するのに使用される。ＬＦ ＲＦ発生器及びＨＦ ＲＦ発生器は、プラズマチャンバ内でプラズマ及びプラズマシースを発生するのに使用されるＲＦ信号を生成する。プラズマシースの電圧は、低レベルと高レベルとを周期的に繰り返す。プラズマシースが低レベルである期間中、ＨＦ ＲＦ発生器に基づいて発生されるプラズマシースの第１電圧は、ＬＦ ＲＦ発生器に基づいて発生されるプラズマシースの第２電圧に及ぼす影響量がより大きくなる。この影響は、プラズマシースが高レベルにある期間中に第１電圧が第２電圧に及ぼす影響量よりも大きい。この影響が増大すると、基板を処理する際の均一性を制御しにくくなる。本明細書に記述されるシステム及び方法は、影響量の増大がある期間中に均一性を達成するのを容易にする。

本明細書に記述されるシステム及び方法の幾つかの利点として、エッチング速度又は基板の堆積速度等、基板の処理における均一性のレベルを達成する点が挙げられる。均一性のレベルは、インピーダンス整合回路の出力で測定される電圧の＋サイクルの一部を所定数のビンに分割することによって、達成される。例えば、サイクルの正交点とサイクルの負交点間のサイクルの一部が、所定数のビンに分割される。各ビンに対して、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数は、ＨＦ ＲＦ発生器によって送出される電力を制御するように制御される。例えば、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数は、送出電力を増加するように、増減される。所定数のビンに対して周波数を制御することにより、ＨＦ ＲＦ発生器を詳細に制御して、均一性のレベルを達成可能になる。

一実施形態では、エッチング速度における均一性を達成する方法について記述される。この方法は、整合部（ｍａｔｃｈ）の出力から電圧信号を受信すること、及び電圧信号の各サイクルに対する電圧信号の正交点及び負交点を判断することを含む。各サイクルの負交点は、サイクルの正交点と連続する。この方法は、電圧信号の各サイクルの時間間隔を、複数のビンに分割することを更に含む。正交点と関連する複数のビンの１つ又は複数、又は負交点と関連する複数のビンの１つ又は複数に対して、この方法は、エッチング速度における均一性を達成するように、無線周波数発生器の周波数を調整することを含む。

一実施形態では、エッチング速度における均一性を達成する方法について記述される。この方法は、整合部の出力から電圧信号を受信すること、及び電圧信号の各サイクルに対する電圧信号の正交点及び負交点を判断することを含む。各サイクルの負交点は、サイクルの正交点と連続する。この方法は、電圧信号の各サイクルの、正交点に近接する時間から始まり、負交点に近接する時間で終わる時間間隔を、複数のビンに分割することを更に含む。複数のビンの１つ又は複数に対して、この方法は、エッチング速度における均一性を達成するように、無線周波数発生器の周波数を調整することを含む。

一実施形態では、エッチング速度における均一性を達成するコントローラについて記述される。コントローラは、整合部の出力から電圧信号を受信するプロセッサを含む。プロセッサは、電圧信号の各サイクルに対する電圧信号の正交点及び負交点を判断する。各サイクルの負交点は、サイクルの正交点と連続する。プロセッサは、電圧信号の各サイクルの、正交点に近接する時間から始まり、負交点に近接する時間で終わる時間間隔を、複数のビンに分割する。複数のビンの１つ又は複数に対して、プロセッサは、エッチング速度における均一性を達成するように、無線周波数発生器の周波数を調整する。コントローラは、プロセッサと結合されたメモリデバイスを含む。

他の態様については、添付図をと関連して行われる以下の詳細な記述から明らかになるであろう。

実施形態は、添付図と関連して行われる以下の記述を参照することによって、最もよく理解され得る。

プラズマシースの電圧対時間を示すためのグラフの一実施形態である。

プラズマシースで図１Ａに示された電圧を達成するためにＲＦ伝送路の無線周波数（ＲＦ）ロッドへ印加される電圧を示すためのグラフの一実施形態である。

図１Ｂ－１のグラフの続きである。

図１Ａのグラフの一実施形態である。

正交点前後でのビニングを示すためのグラフの一実施形態である。

図１Ｄ－１のグラフの続きである。

複数のビンに対する高周波（ＨＦ）ＲＦ発生器の動作周波数の印加について説明するための、プラズマシステムの一実施形態である。

ＨＦ ＲＦ発生器の動作を説明するためのシステムの一実施形態の略図である。

デジタルパルス信号の論理レベル対時間をプロットするグラフの一実施形態である。

別のデジタルパルス信号の論理レベル対時間をプロットするグラフの一実施形態である。

ＨＦ ＲＦ発生器によって送出される電力を制御するために高周波範囲内で周波数を修正するためのインピーダンス整合回路（ＩＭＣ）の補助コンデンサの制御について説明するためのシステムの一実施形態の略図である。

事前に記憶された数のビンに対する高周波数値が適用されるときの、エッチング速度における均一性に関する変化を説明するためのグラフの一実施形態である。

図１のグラフの一実施形態である。

事前に記憶された数のビンに対して高周波数値を適用することによって送出電力が増加したことを説明するためのグラフの一実施形態である。

以下の実施形態では、ビニングを使用して低周波サイクル中に電力を増加させるシステム及び方法について記述する。本実施形態は、これらの特定の詳細の一部又は全てがなくても実施され得ることは明らかであろう。他の例では、本実施形態を不必要に不明瞭にしないために、周知の動作については、詳細には記述されていない。

図１Ａは、グラフ１００の一実施形態であり、プラズマシースの電圧（Ｖ）対時間ｔを示している。このプラズマシースは、下部プラズマシースであり、下部プラズマシースは、上部プラズマシースと比べて、下部電極である電力供給電極近くに形成される。上部プラズマシースは、下部プラズマシースと比べて、上部電極近くに形成される。グラフ１００では、Ｙ軸にプラズマシースの電圧、Ｘ軸に時間ｔをプロットしている。グラフ１００は、プラズマシースの電圧の第１部分のプロット１０２を含み、第１部分は、低周波（ＬＦ）ＲＦ発生器によって生成される無線周波数（ＲＦ）信号の結果、作成される。ＬＦ ＲＦ発生器の例を以下で提供する。プロット１０２は、実線を用いて示される。グラフ１００は、プラズマシースの電圧の第２部分のプロット１０４を更に含み、第２部分は、高周波（ＨＦ）ＲＦ発生器によって生成されるＲＦ信号に基づいて、作成される。ＨＦ ＲＦ発生器の例を以下で提供する。プロット１０４は、点線を用いて示される。

図１Ａに示すように、プロット１０２では、低電圧レベルＶ１と高電圧レベルＶ２とが周期的に繰り返される。低電圧レベルＶ１の例は、低電圧振幅等の低電圧ポイントであり、高電圧レベルＶ２の例は、高電圧振幅等の高電圧ポイントである。プロット１０２は、時間ｔ０から時間ｔ１までおよそ低電圧レベルＶ１であるレベルに留まり、時間ｔ１のレベルから遷移して、時間ｔ１と時間ｔ２の間で高圧レベルＶ２に達し、高圧レベルＶ２から遷移して、時間ｔ２でおよそ低電圧レベルＶ１であるレベルに達する。また、プロット１０２は、およそ時間ｔ２から時間ｔ３までおよそ低電圧レベルＶ１であるレベルにあり、時間ｔ３のレベルから遷移して、時間ｔ３と時間ｔ４の間で高電圧レベルＶ２に達し、およそ時間ｔ４でおよそ低電圧レベルＶ１であるレベルに達する。およそ低電圧レベルＶ１であるレベルの例は、低電圧レベルＶ１から、±１０％内等、所定の範囲内にあるレベルである。

時間ｔ１と時間ｔ２の間では、プロット１０２は、低電圧レベルＶ１と高電圧レベルＶ２の間で遷移しているか、高電圧レベルＶ２にあるかのどちらかであることに留意されたい。高電圧レベルＶ２のために、プラズマシースは厚くなり、プラズマシースの電圧の第２部分（プロット１０４）の、プラズマシースの電圧の第１部分（プロット１０２）に対する作用（ｅｆｆｅｃｔ）は小さくなる。電圧の第２部分が、時間ｔ１と時間ｔ２の期間中に第１部分に影響を与えるとき、プラズマシースの電圧は、最高電圧振幅等の最高電圧ポイントに到達する。最高電圧ポイントは、時間ｔ１と時間ｔ３の期間中におけるプラズマシースの全電圧振幅中で最も高い。作用が小さくなるため、概して、基板の表面全体に亘るエッチング速度における均一性レベルは、達成される。また、インピーダンス整合ネットワークの制御も、プラズマチャンバからインピーダンス整合ネットワークを介してＬＦ及びＨＦ ＲＦ発生器に向かい反射される電力を最小化するのに、時間ｔ１と時間ｔ２の間では、十分である。しかしながら、時間ｔ２と時間ｔ３の間では、およそ低電圧レベルＶ１であるレベルが維持される。時間ｔ２と時間ｔ３の間では、低電圧レベルＶ１のために、プラズマシースは薄くなり、プラズマシースの電圧の第２部分（プロット１０４）の、プラズマシースの電圧の第１部分（プロット１０２）に対する作用は大きくなる。電圧の第２部分が、時間ｔ２と時間ｔ３の期間中に第１部分に影響を与えるとき、プラズマシースの電圧は、最低電圧振幅等の最低電圧ポイントに到達する。最低電圧ポイントは、時間ｔ１と時間ｔ３の期間中におけるプラズマシースの全電圧振幅中で最も低い。作用が大きくなる結果、エッチング速度における均一性は、低下する。例えば、ＨＦ ＲＦ発生器からのＲＦ信号出力は、プラズマチャンバ内で高調波を引き起し、高調波は、定在波を引き起こす。定在波は、エッチング速度における均一性を低下させる。

図１Ｂ－１は、プラズマシースで図１Ａに示された電圧を達成するためにＲＦ伝送路の無線周波数（ＲＦ）ロッドへ印加される電圧１１２を示すためのグラフ１１０の一実施形態である。図１Ｂ－２は、グラフ１１０の続きである。グラフ１１０では、図２に関して説明されるインピーダンス整合回路（ＩＭＣ）の出力と結合されるセンサによって測定された電圧１１２をプロットしている。電圧１１２は、図１Ａで示された時間ｔに対してプロットされる。電圧１１２は、Ｙ軸にプロットされ、時間ｔは、Ｘ軸にプロットされる。電圧１１２は、サイクル１とサイクル２等、複数サイクルに亘り繰り返される電圧信号である。サイクル２は、サイクル１と連続する。一例として、グラフ１１０の電圧信号は、正弦波信号である。

電圧１１２は、直流（ＤＣ）オフセット１１４を有する又はＤＣオフセット１１４が印加される。ＤＣオフセット１１４は、本明細書に記述されるプラズマシステムのインピーダンス整合回路及びブロッキングコンデンサ（図示せず）によって印加される。

電圧１１２には、電圧１１２の各サイクルに関する正交点と電圧１１２の各サイクルに関する負交点を有する。例えば、電圧１１２は、サイクル１中に正交点１２２及びサイクル１中に負交点１２４ａを有する。正交点１２４ａは、サイクル１の始まりを示す。電圧１１２の各サイクルの正交点は、サイクルの負交点と連続している。例えば、サイクル１の正交点１２２と負交点１２４ａの間には他の交点は全く存在しない。正交点及び負交点について、以下で更に記述する。

サイクルの負交点は、サイクルの始まりで、且つサイクルのエッジにある。例えば、サイクル１は、サイクル１の開始を示す負交点１２４ａを有すると共に、サイクル１の終わりを示す別の負交点１２４ｂを有する。サイクル１の正交点１２２と連続するもう片方の負交点１２４ｂは、電圧１１２のサイクル１に属する。もう片方の負交点１２４ｂは、サイクル１のエッジにある。また、サイクル１の終わりにある負交点１２４ｂは、サイクル２にも属する。

電圧１１２の各サイクルは、以下で図２を参照して記述するプロセッサによって、セグメント又は区分又は分割された時間間隔等の複数のビン（ｂｉｎ）に分割される。例えば、サイクル１の期間の前半１１２Ａは、ビン１ｍ、２ｍ等ビンＭｍまで分割されるが、Ｍは、整数であり、ｍは、電圧１１２の各サイクルの前半を示す変数である。また、サイクル１の期間の後半１１２Ｂは、ビン１ｎ、２ｎ等ビンＮｎまで分割されるが、Ｎは、整数であり、ｎは、電圧１１２の各サイクルの後半を示す変数である。別の例として、図１Ｂ－２を参照すると、サイクル２の期間の前半は、ビン１ｍ、２ｍ等ビンＭｍまで分割される。また、サイクル２の期間の後半は、ビン１ｎ、２ｎ等ビンＮｎまで分割される。

サイクル１の各ビンは、同じ期間又は時間間隔を有する。例えば、サイクル１のビン１ｍは、サイクル０の終わりの時間ｔＮｎからサイクル１の時間ｔ１ｍまで及び、サイクル１のビン２ｍは、サイクル１の時間ｔ１ｍからサイクル１の時間ｔ２ｍまで及び、サイクル１のビンＭｍは、時間ｔ（Ｍ－１）ｍからサイクル１の時間ｔＭｍに及ぶ。サイクル１は、電圧１１２のサイクル０と連続する。サイクル０の時間Ｎｎとサイクル１の時間ｔ１ｍとの時間間隔は、サイクル１の時間ｔ１ｍとサイクル１の時間ｔ２ｍとの時間間隔と等しく、サイクル１の時間ｔ（Ｍ－１）ｍとサイクル１の時間ｔＭｍとの時間間隔と等しい。同様に、サイクル１のビン１ｎは、サイクル１の時間ｔＭｍからサイクル１の時間ｔ１ｎまで及び、サイクル１のビン２ｎは、サイクル１の時間ｔ１ｎからサイクル１の時間ｔ２ｎに及び、ビンＮｎは、サイクル１の時間ｔ（Ｎ－１）ｎから、サイクルの終わりで、且つサイクル２の始まりの時間である、時間ｔＮｎに及ぶ。サイクル１の時間ｔＭｍとサイクル１の時間ｔ１ｎとの時間間隔は、サイクル１の時間ｔ１ｎとサイクル１の時間ｔ２ｎとの時間間隔と等しく、サイクル１の時間ｔ（Ｎ－１）ｎと、サイクル１の終わりで、且つサイクル２の始まりの時間である、時間ｔＮｎとの時間間隔と等しい。

同様に、電圧１１２のサイクル２等の残りの各サイクルの各ビンは、同じ期間又は時間間隔を有する。例えば、サイクル２のビン１ｍは、サイクル２の時間ｔＮｎからサイクル２の時間ｔ１ｍまで及び、サイクル２のビン２ｍは、サイクル２の時間ｔ１ｍからサイクル２の時間ｔ２ｍに及び、サイクル２のビンＭｍは、サイクル２の時間ｔ（Ｍ－１）ｍからサイクル２の時間ｔＭｍに及ぶ。同じように、サイクル２のビン１ｎは、サイクル２の時間ｔＭｍからサイクル２の時間ｔ１ｎまで及び、サイクル２のビン２ｎは、サイクル２の時間ｔ１ｎからサイクル２の時間ｔ２ｎに及び、ビンＭｍは、サイクル２の時間ｔ（Ｎ－１）ｎから、サイクル２の終わりで、且つ電圧１１２のサイクル３の始まりの時間である、時間ｔＮｎに及ぶ。サイクル３は、電圧１１２のサイクル２と連続する。

図１Ａ、図１Ｂ－１及び図１Ｂ－２のプロット１０２及び電圧１１２によって示すように、電圧１１２が高い、例えば、大幅に負である、時間ｔ１と時間ｔ２の間の期間中、プラズマシースの電圧は、上昇する。また、電圧１１２が低い、例えば、正電位が小さい又は大幅に負ではない、時間ｔ２と時間ｔ３の間の期間中、プラズマシースの電圧は、低下する。一例として、多量の電圧１１２は、少量の電圧１１２と比べて、より負である。説明すると、多量の電圧１１２は、少量の電圧１１２の振幅より大きな負の振幅を有する。更に詳しく説明すると、多量の電圧１１２は、正電位を有さず、少量の電圧１１２は、正電位を有する。低電圧１１２は、低電圧と関連する相対的に正の電力量を示す、Ｐ_正に対応する。時間ｔ２と時間ｔ３の間の期間中の相対的に正の電力量は、時間ｔ１と時間ｔ２との間の電圧１１２に基づく電力量と比べて、より正である。時間ｔ１と時間ｔ２との間の電力量は、時間ｔ２と時間ｔ３との間の電力量と比べて、相対的に負である。時間ｔ１と時間ｔ２との間の相対的に負の電力量は、Ｐ_負として示される。

また、時間ｔ１と時間ｔ２との間の電圧１１２は、電圧１１２の高電圧デューティサイクル（ＨＶＤＣ）に相当し、時間ｔ２と時間ｔ３との間の電圧１１２は、電圧１１２の低電圧デューティサイクル（ＬＶＤＣ）に相当する。高電圧は、低電圧と比べて、より負である。

図１Ａ、図１Ｂ－１、及び図１Ｂ－２のプロット１０２及び電圧１１２によって更に示すように、電圧１１２の各サイクルの後半は、プラズマシースの電圧が、サイクルの前半中のプラズマシースの電圧と比べて低い期間と一致し、電圧１１２の各サイクルの前半は、プラズマシースの電圧が、サイクルの後半中のプラズマシースの電圧と比べて高い期間と一致する。例えば、後半１１２Ｂは、プラズマシースの電圧が、前半１１２Ａ中のプラズマシースの電圧と比べて低い時間ｔ２と時間ｔ３との間の期間と一致し、前半１１２Ａは、プラズマシースの電圧が、後半１１２Ｂ中のプラズマシースの電圧と比べて高い時間ｔ１と時間ｔ２との間の期間と一致する。更に詳しく説明すると、プロット１０２の時間ｔ１と時間ｔ２との間の期間は、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａが発生する期間内に含まれ、プロット１０２の時間ｔ２と時間ｔ３との間の期間の大部分は、電圧１１２のサイクル１の後半１１２Ｂが発生する期間内に含まれる。

サイクル１の前半１１２Ａの各ビン中、プロセッサは、ＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量を制御するように、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断する。例えば、サイクル１のビン１ｍの時間間隔中、プロセッサは、所定の均一性レベルを達成するようにＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量が増減又は維持される、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断する。送出される電力量は、電圧１１２のサイクル０等、前のサイクルのビン１ｍ中にＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出された電力量と比べて、増減する又は維持される。別の例として、サイクル１のビン２ｍの時間間隔中、プロセッサは、所定の均一性レベルを達成するようにＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量が増減又は維持される、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断する。送出される電力量は、電圧１１２のサイクル０等、前のサイクルのビン２ｍ中にＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量と比べて、増減する又は維持される。

電圧１１２のサイクル２中、プロセッサは、電圧１１２のサイクル１の前半中に事前に判断された動作周波数を印加する。例えば、プロセッサは、サイクル１のビン１ｍ中に事前に判断された周波数を達成するように、サイクル２のビン１ｍ中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を増減する。別の例として、プロセッサは、サイクル１のビン２ｍ中に事前に判断された周波数を達成するように、サイクル２のビン２ｍ中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を増減する。

同じように、サイクル１の後半１１２Ｂの各ビン中、プロセッサは、ＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量を制御するように、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断する。例えば、サイクル１のビン１ｎの時間間隔中、プロセッサは、ＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量が増減する又は同じままになる、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断する。送出される電力量は、電圧１１２のサイクル０等、前のサイクルのビン１ｎ中にＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量と比べて、増減する又は維持される。別の例として、サイクル１のビン２ｎの時間間隔中、プロセッサは、ＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量が増減する又は同じ状態のままとなる、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断する。送出される電力量は、電圧１１２のサイクル０等、前のサイクルのビン２ｎ中にＨＦ ＲＦ発生器の出力で送出される電力量と比べて、増減する又は維持される。

電圧１１２のサイクル２中、プロセッサは、電圧１１２のサイクル１の後半１１２Ｂ中に事前に判断された動作周波数を印加する。例えば、プロセッサは、サイクル１のビン１ｎ中に事前に判断された周波数を達成するように、サイクル２のビン１ｎ中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を増減する。別の例として、プロセッサは、サイクル１のビン２ｎ中に事前に判断された周波数を達成するように、サイクル２のビン２ｎ中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を増減する。

サイクル２の前半と比べて、サイクル２の後半中に動作周波数を制御する方が有益であることに留意されたい。これは、時間ｔ２と時間ｔ３との間のプラズマシースの低電圧が、エッチング速度における均一性の低下を齎すためである。サイクル２の後半中に動作周波数を制御することによって、ＨＦ ＲＦ発生器の出力での送出電力は、増加し、均一性が高まる。

一実施形態では、サイクル１の期間の前半１１２Ａは、サイクル１の期間の後半１１２Ｂとは異なる数のビンに分割される。例えば、サイクル１の期間の前半１１２Ａは、１０のビンに分割され、サイクル１の期間の後半１１２Ｂは、１５のビンに分割される。

一実施形態では、プロセッサは、電圧１１２のサイクル１の後、サイクル２や３等各サイクルの後半中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御するが、電圧１１２のサイクルの前半中にはＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御しない。例えば、プロセッサは、サイクル２の後半に動作周波数を制御するが、サイクル２の前半には周波数を制御しない。説明すると、プロセッサが所定の均一性レベルを無視する場合には、プロセッサは、動作周波数を制御しない。更に詳しく説明すると、プロセッサは、動作周波数を調整しながらも、所定の均一性レベルを目標としない。別の説明として、プロセッサは、動作周波数を制御しないために、動作周波数を修正しない。

一実施形態では、プロセッサは、電圧１１２の各サイクルの前半中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御するが、サイクルの後半中にはＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御しない。例えば、プロセッサは、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａ中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御するが、電圧１１２のサイクル１の後半１１２Ｂ中にはＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御しない。別の例として、プロセッサは、電圧１１２のサイクル２の前半１１２Ａ中にＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御するが、電圧１１２のサイクル２の後半１１２Ｂ中にはＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御しない。

一実施形態では、プロセッサは、電圧１１２の複数サイクル中に電圧１１２のビンに対するＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断し、電圧１１２の後続のサイクル中に動作周波数を印加する。後続のサイクルは、電圧１１２の複数サイクルと連続する。例えば、プロセッサは、電圧１１２のサイクル１及び２等の複数サイクルのビン１ｎ中に、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断し、電圧１１２のサイクル３のビン１ｎ中に同じ動作周波数を達成するように、ＨＦ ＲＦ発生器を制御する。サイクル３は、サイクル２と連続する。

一実施形態では、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数は、電圧１１２の第１組のサイクル後に、同じビンに対して変化し、この動作周波数の変化は、均一性のレベルを達成することに基づいて算出されることに留意されたい。一旦周波数が変化すると、プロセッサは、第２組のサイクルの同じビンに対して、周波数を変えずに維持する。第１組のサイクルは、第２組のサイクルに先行する。

一実施形態では、プロセッサは、電圧１１２のサイクル中にビンに対して判断されたＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を、電圧１１２の複数の連続するサイクル中に同じビンへ印加する。例えば、プロセッサは、電圧１１２のサイクル１中にビン１ｎに対して判断されたＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を、電圧１１２のサイクル２及び３中にビン１ｎへ印加する。

一実施形態では、プロセッサは、電圧１１２のサイクル中にビンに対するＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断して、その後この判断された動作周波数を、同じサイクル中にビンへ印加する。例えば、動作周波数は、サイクル１のビン１ｎの一部分中に判断され、サイクル１のビン１ｎの残存部分中に印加される。

一実施形態では、ＤＣオフセット１１４は、電圧１１２へ印加されず、電圧１１２は、時間ｔがプロットされるＸ軸に関して振動する。例えば、ＤＣオフセット１１４の電圧は、ゼロである。

図１Ｂ－１に示された電圧１１２は、正弦波形又はエンベロープであるが、一実施形態では、電圧１１２は別の形、例えば、鋸歯形、又はパルス形、又は任意形状を有する。

図１Ｃは、グラフ１００の一実施形態である。

図１Ｄ－１は、電圧１１２のサイクルの正交点１２２前後でのビニングを示すためのグラフ１２０の一実施形態である。図１Ｄ－２は、グラフ１２０の続きである。正交点は、ＤＣオフセット１１４の片側でより大きな負電位から、ＤＣオフセット１１４の反対側でより小さな負電位になる電圧１１２の交点である。一例として、正交点は、電圧１１２の値が、ＤＣオフセット１１４の電位と一致し、電圧１１２が、より大きな負電位からより小さな負電位に遷移する時点である。正交点１２２は、電圧１１２の各サイクル中に時間ｔＭｍ又はおよそ時間ｔＭｍで生じる。およそ時間ｔＭｍである時間の例は、時間ｔＭｍから、±１０％等、事前の設定範囲内にある時間である。グラフ１２０では、電圧１１２対時間ｔをプロットしている。電圧１１２は、グラフ１２０のＹ軸にプロットされ、時間ｔは、グラフ１２０のＸ軸にプロットされる。

負交点１２４ａ又は１２４ｂ等の負交点は、ＤＣオフセット１１４の片側でより小さな負電位から、ＤＣオフセット１１４の反対側でより大きな負電位になる電圧１１２の交点である。一例として、負交点は、電圧１１２の値が、ＤＣオフセット１１４の電位と一致し、電圧１１２が、より小さな負電位からより大きな負電位に遷移する時点である。負交点１２４ａ又は１２４ｂ等の負交点は、電圧１１２の各サイクル中に時間ｔＮｎ又はおよそ時間ｔＮｎで生じる。およそ時間ｔＮｎである時間の例は、時間ｔＮｎから、±１０％等、事前の設定範囲内にある時間である。

電圧１１２は、電圧１１２の各サイクルのビン１ｎが、サイクルの正交点１２２の前後に及ぶように、且つサイクルのビン１ｍが、サイクルの負交点１２４ａ又は１２４ｂ等の負交点の前後に及ぶように、ビン１ｍから１ｎがＸ軸に沿ってオフセットされる以外は、上記と同じように、ビン１ｍから１ｎに分割される。例えば、ビン１ｍから１ｎは、図１Ｂ－１に示されたビン１ｍから１ｎと比べて、左にずれている。ビン１ｍは、サイクル０等、前サイクルの時間ｔＲｒに始まり、サイクル１等、現サイクルの時間ｔ１ｑで終わるが、Ｒは、整数であり、ｒは、電圧１１２の各サイクルの後半を示す変数である。現サイクルの時間ｔＮｎは、前サイクルの時間ｔＲｒと現サイクルの時間ｔ１ｑの間にある。前サイクルは、現サイクルに先行する。また、ビン１ｎは、現サイクルの時間ｔＱｑで始まり、現サイクルの時間ｔ１ｒで終わるが、Ｑは、整数であり、ｑは、電圧１１２の各サイクルの前半を示す変数である。現サイクルの時間ｔＭｍは、現サイクルの時間ｔＱｑと現サイクルの時間ｔ１ｒの間にある。

グラフ１２０では、電圧１１２対時間ｔをプロットしている。電圧１１２の各サイクルを、ビン１ｍがサイクルの負交点で始まり、ビンＮｎがサイクルの正交点で終わるように、ビン１ｍからＮｎまで分割する等、ビニングする（図１Ｂ－１）代わりに、プロセッサは、ビン１ｎが、正交点１２２前で第１所定間隔に、且つ正交点１２２後で第２所定時間間隔に及び、ビン１ｍが、負交点１２４ａ前で第３所定時間間隔に、且つ負交点１２４ａ後で第４所定時間間隔に及ぶように、電圧１１２のサイクルを、ビン１ｍからＮｎまで分割する。

つまり、正交点１２２と負交点１２４ａは、ビンのエッジ（即ち、始まり又は終わりのどちらか）で生じないが、代わりにビンの中央部分で生じる。例えば、プロセッサは、サイクル１の負交点１２４ａの周りで時間間隔を分割して、サイクル１のビン１ｍを生成する。説明すると、サイクル１のビン１ｍは、負交点１２４ａが生じるサイクル１の時間ｔＮｎ前の第３所定時間間隔から、時間ｔＮｎ後の第４所定時間間隔まで及ぶ。時間ｔＲｒは、時間ｔＮｎの前の第３所定時間間隔にあり、電圧１１２のサイクル０内に入り、時間ｔ１ｑは、時間ｔＮｎの後の第４所定間隔にあり、電圧１１２のサイクル１内に入る。一説明では、第３所定時間間隔は、第４所定時間間隔と等しい。別の説明として、第３所定時間間隔は、第４所定時間間隔より大きい又は小さい。更に別の説明として、第１所定時間間隔、第２所定時間間隔、第３所定時間間隔、及び第４所定時間間隔のそれぞれは、等しい。プロセッサは、ビン１ｍに対するＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断し、その判断された動作周波数を、電圧１１２のサイクル２のビン１ｍ中に達成するように、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御する。

別の例として、正交点１２２と負交点１２４ａを両端として使用して、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａを、事前に設定された数のビン１ｍからＭｍに分割する代わりに、プロセッサは、電圧１１２のサイクル０の一部、サイクル１の前半１１２Ａ、及びサイクル１の後半１１２Ｂの一部を、事前に設定された数のビン１ｍから１ｎに分割する。説明すると、サイクル１の前半１１２Ａの終わりである時間ｔＭｍでビンＭｍを終わりにする代わりに、ビン１ｎは、時間ｔＭｍ前の第１所定間隔で始まり、時間ｔＭｍ後の第２所定間隔で終わる。この説明では、第１所定時間間隔は、第２所定時間間隔と等しい。別の説明として、第１所定時間間隔は、第２所定時間間隔より大きい又は小さい。ビン１ｎは、時間ｔＱｑで始まり、時間ｔ１ｒで終わる。時間ｔ１ｒは、サイクル１内にあり、時間ｔＱｑは、サイクル１内にある。また、時間ｔＱｑは、サイクル１の時間ｔ（Ｍ－１）ｍ（図１Ｂ－１）後に生じ、時間ｔ１ｒは、サイクル１の時間ｔ１ｎ（図１Ｂ－１）前に生じる。時間ｔＱｑは、時間ｔ（Ｍ－１）ｍ（図１Ｂ－１）後に生じ、時間ｔ１ｒは、時間ｔ１ｎの前に生じるため、正交点１２２は、ビンの開始又は終わりの代わりに、ビンの期間中に生じる。

これにより、プロセッサは、正交点１２２が生じる時間間隔中に、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を制御可能になる。例えば、サイクル１のビン１ｎに対するＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数を判断すると、プロセッサは、電圧１１２のサイクル２のビン１ｎ中に、その動作周波数を印加する。サイクル２のビン１ｎは、サイクル２の時間ｔＱｑからサイクル２の時間ｔ１ｒまで及ぶ。電圧１１２のサイクル２のビン１ｎ中に、正交点１２２は生じ、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数は、正交点１１２で、プロセッサ２１４によって制御される。

別の例として、ビン１ｎがサイクル１の正交点１２２で始まり、ビンＮｎがサイクル２の負交点１２４ｂで終わるように、電圧１１２のサイクル１の後半１１２Ｂを、事前に設定された数のビン１ｎからＮｎに分割する代わりに、プロセッサは、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａの一部、サイクル１の後半１１２Ｂ、及びサイクル２の前半１１２Ａの一部を、事前に設定された数のビン１ｎからＮｎに分割する。説明すると、ビン１ｎは、時間ｔＭｍ前の第１所定間隔で始まり、時間ｔＭｍ後の第２所定間隔で終わる。

同じように、プロセッサは、サイクル２の負交点１２４ｂの周りで時間間隔を分割して、サイクル２のビン１ｍを生成する。一例として、サイクル２のビン１ｍは、負交点１２４ｂが生じるサイクル１の時間ｔＮｎ前の第３所定時間間隔から、時間ｔＮｎ後の第４所定時間間隔まで及ぶ。

図２は、複数のビンに対するＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数の印加について説明するための、プラズマシステム２００の一実施形態である。プラズマシステム２００は、ＬＦ ＲＦ発生器、ＨＦ ＲＦ発生器、インピーダンス整合回路（ＩＭＣ）２０２、ホストコンピュータ２１２、プラズマチャンバ２２０、電圧センサ２０４、制御システム２２２、及び電力センサ２２４を含む。ＬＦ ＲＦ発生器は、低周波数範囲、例えば、キロヘルツ（ｋＨｚ）周波数範囲で動作する無線周波数発生器である。例えば、ＬＦ ＲＦ発生器は、３３０ｋＨｚ～４４０ｋＨｚの周波数同調範囲を有する４００ｋＨｚのＲＦ発生器である。別の例として、ＬＦ ＲＦ発生器は、５０ｋＨｚ～１５０ｋＨｚの周波数同調範囲を有する１００ｋＨｚのＲＦ発生器である。ＨＦ ＲＦ発生器は、高周波数範囲、例えば、メガヘルツ（ＭＨｚ）周波数範囲で動作する無線周波数発生器である。一例として、ＨＦ ＲＦ発生器は、５４ＭＨｚ～６３ＭＨｚの周波数同調範囲を有する６０ＭＨｚのＲＦ発生器である。別の例として、ＨＦ ＲＦ発生器は、２０ＭＨｚ～３０ＭＨｚの範囲の周波数で、又は１２ＭＨｚ～１４ＭＨｚの範囲の周波数で、又は１ＭＨｚ～３ＭＨｚの範囲の周波数で動作する。

ＩＭＣ２０２の例として、コンデンサ及びインダクタ等の電気部品のネットワークが挙げられる。例えば、ＩＭＣ２０２は、複数のインダクタ及び複数のコンデンサを含み、インダクタとコンデンサは、互いに結合される。コンデンサの例としては、固定コンデンサや可変コンデンサが挙げられ、インダクタの例としては、固定インダクタや可変インダクタが挙げられる。ＩＭＣ２０２は、第１分岐回路と第２分岐回路を含む２つの分岐回路を有する。

ホストコンピュータ２１２は、プロセッサ２１４及びメモリデバイス２１６を含む。プロセッサ２１４は、メモリデバイス２１６に結合される。例として、プロセッサは、コントローラ、又は特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）、又はプログラマブル論理デバイス（ＰＬＤ）、又は中央処理装置（ＣＰＵ）、又はマイクロコントローラ、又はマイクロプロセッサであり、これらの用語は、本明細書において互換的に使用される。本明細書で使用されるメモリデバイスの例としては、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、読み取り専用メモリ（ＲＯＭ）、及びそれらの組み合わせが挙げられる。

制御システム２２２の例として、駆動システムとモータシステムの組み合わせが挙げられる。駆動システムは、１個又は複数のトランジスタ等の１個又は複数の駆動装置を含み、モータシステムは、１個又は複数の電動モータ等の１個又は複数のモータを含む。駆動システムは、モータシステムと結合され、モータシステムは、１本若しくは複数のロッド又は複数のロッドと１個若しくは複数のギヤの組み合わせ等の１つ又は複数の接続部を介してＩＭＣ２０２と結合される。例えば、電動モータは、２本のロッドとギヤを介してＩＭＣ２０２のコンデンサのプレートと結合され、ギヤは、２本のロッド間に結合される。

プロセッサ２１４は、転送ケーブル２３６Ａを介してＬＦ ＲＦ発生器と結合され、別の転送ケーブル２３６Ｂを介してＨＦ ＲＦ発生器と結合される。一例として、プロセッサ２１４は、転送ケーブル２３６Ａを介してＬＦ ＲＦ発生器のデジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）に接続され、転送ケーブル２３６Ｂを介してＨＦ ＲＦ発生器のＤＳＰに接続される。転送ケーブルの例として、シリアル転送ケーブル、パラレル転送ケーブル、及びユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）ケーブルが挙げられる。

また、プロセッサ２１４は、転送ケーブル２３６Ｃを介して、電圧センサ２０４と結合され、転送ケーブル２３６Ｄを介して電力センサ２２４と結合される。また、プロセッサ２１４は、制御システム２２２の駆動システムとも結合される。

プラズマチャンバ１０６は、容量結合プラズマ（ＣＣＰ）チャンバであり、チャック２２６及び上部電極２２８を含む。上部電極２２８は、チャック２２６の上面と対向する下面を有する。チャック２２６の例は、静電チャック（ＥＳＣ）である。チャック２２６は、アルミニウム又はアルミニウム合金等の金属製の下部電極を含む。上部電極２２８は、接地電位に結合され、シリコン製である。

ＬＦ ＲＦ発生器の出力２３０Ａは、ＲＦケーブル２３４Ａを介してＩＭＣ２０２の入力２３２Ａと結合される。入力２３２Ａは、ＩＭＣ２０２の第１分岐回路と結合される。また、ＨＦ ＲＦ発生器の出力２３０Ｂは、別のＲＦケーブル２３４Ｂを介してＩＭＣ２０２の別の入力２３２Ｂと結合される。入力２３２Ｂは、ＩＭＣ２０２の第２分岐回路と結合される。ＩＭＣ２０２の第１分岐回路と第２分岐回路は、接続点で互いに結合され、接続点は、ＩＭＣ２０２の出力２０６と結合される。一例として、出力２０６は、ＩＭＣ２０２のハウジング又は筺体（ｅｎｃｌｏｓｕｒｅ）の出力ポートであり、ＲＦ伝送路２１０は、出力ポートから整合部の外に延出する。ＩＭＣ２０２の出力２０６は、ＲＦ伝送路２１０及びプラズマチャンバ２２０の入力２０８を介して、チャック２２６の下部電極と結合される。入力２０８は、ＲＦ伝送路２１０上のポイントである。説明すると、入力２０８は、プラズマチャンバ２２０のハウジング又は筐体のポートであり、ＲＦ伝送路は、このポートからハウジングに又は筐体に延入する。ＲＦ伝送路２１０の例として、ＲＦロッド及びＲＦシリンダが挙げられる。ＲＦロッドは、プラズマチャンバ内に位置するＲＦシリンダと結合される。ＲＦロッドは、ＲＦ伝送路２１０のＲＦトンネル及びＲＦ伝送路２１０のＲＦシースによって囲まれる。ＲＦシースは、ＲＦトンネルを囲み、ＲＦトンネルは、ＲＦシースからＲＦロッドを絶縁するために絶縁体材料を含む。

電力センサ２２４は、ＨＦ ＲＦ発生器の出力２３０Ｂと結合され、電圧センサ２０４は、ＩＭＣ２０２の出力２０６と結合される。例えば、電力センサ２２４は、ＨＦ ＲＦ発生器のＨＦ電源の出力２３０Ｂと結合され、電圧センサ２０４は、ＩＭＣ２０２の第１分岐回路と第２分岐回路の接続点と結合される。電力センサ２２４は、出力２３０Ｂで供給される電力と、出力２３０Ｂへと反射される電力との差である送出電力を測定する。出力２３０Ｂへと反射される電力は、プラズマチャンバ２２０から、ＩＭＣ２０２のＲＦシース及びハウジング、ＲＦケーブル２３４ＢのＲＦシース、及び出力２３０Ｂを介して、ＨＦ ＲＦ発生器へと反射される。

プロセッサ２１４は、周波数及び電力等パラメータのセットポイントを、転送ケーブル２３６Ａを介して、ＬＦ ＲＦ発生器に提供すると共に、パラメータのセットポイントを、転送ケーブル２３６Ｂを介して、ＨＦ ＲＦ発生器に提供する。パラメータのセットポイントを受信すると、ＬＦ ＲＦ発生器は、ＲＦ信号２１８Ａを生成し、ＲＦ信号２１８Ａを、出力２３０Ａ、ＲＦケーブル２３４Ａ、及び入力２３２Ａを介して、第１分岐回路に送信する。同様に、パラメータのセットポイントを受信すると、ＨＦ ＲＦ発生器は、ＲＦ信号２１８Ｂを生成し、ＲＦ信号２１８Ｂを、出力２３０Ｂ、ＲＦケーブル２３４Ｂ、及び入力２３２Ｂを介して、第２分岐回路に送信する。

ＩＭＣ２０２の第１分岐回路は、出力２０６と結合された負荷のインピーダンスを、入力２３２Ａと結合されたソースのインピーダンスと整合させて、第１修正ＲＦ信号をＩＭＣ２０２の接続部で出力する。出力２０６と結合される負荷の例としては、ＲＦ伝送路２１０やプラズマチャンバ２２０が挙げられる。入力２３２Ａと結合されるソースの例としては、ＲＦケーブル２３４ＡやＬＦ ＲＦ発生器が挙げられる。同様に、ＩＭＣ２０２の第２分岐回路は、出力２０６と結合された負荷のインピーダンスを、入力２３２Ｂと結合されたソースのインピーダンスと整合させて、第２修正ＲＦ信号をＩＭＣ２０２の接続部で出力する。入力２３２Ｂと結合されるソースの例としては、ＲＦケーブル２３４ＢやＨＦ ＲＦ発生器が挙げられる。第１修正ＲＦ信号と第２修正ＲＦ信号は、ＩＭＣ２０２の接続部で、加算される等、合成されて、修正ＲＦ信号２３８を接続部で出力する。

修正ＲＦ信号２３８は、接続点から出力２０６に提供され、ＲＦ伝送路２１０を介して、チャック２２６の下部電極に更に提供される。修正ＲＦ信号２３８の電力をチャック２２６の下部電極に供給することに加えて、酸素含有ガスやフッ素含有ガス等の１又は複数種類のプロセスガスが、プラズマチャンバ２２０に供給されると、チャック２２６の上面に載置された基板Ｓを処理するために、プラズマがプラズマチャンバ２２０内で衝突又は維持される。基板Ｓの例として、半導体ウエハや基板スタックが挙げられる。

修正ＲＦ信号２３８が下部電極に供給されている間、電圧センサ２０４は、出力２０６で電圧１１２（図１Ｂ－１及び図１Ｄ－１）を測定して、電圧１１２の測定値を生成し、この測定値を、転送ケーブル２３６Ｃを介してプロセッサ２１４に提供する。加えて、電圧センサ２０４は、測定が行われた時間を、転送ケーブル２３６Ｃを介して、プロセッサ２１４に提供する。電圧１１２の測定値及び測定が行われた時間を受信すると、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの正及び負交点を識別し、電圧１１２をビン１ｍからＮｍに分割する。例えば、プロセッサ２１４は、電圧１１２が、ＤＣオフセット１１４（図１Ｂ－１）の値や全くＤＣオフセットが無いゼロの値等の、所定値にある時間を、測定値から判断又は識別する。プロセッサ２１４は、測定値から、電圧１１２が所定値にある前の時間と比べて、電圧１１２が所定値にある後の時間に、電圧１１２の値が増加していることを更に判断する。説明すると、プロセッサ２１４は、時間ｔＭｍと時間ｔ１ｎとの間の時間間隔（図１Ｂ－１）における電圧１１２の値が、時間ｔ（Ｍ－１）ｍと時間ｔＭｍとの間の時間間隔（図１Ｂ－１）における電圧１１２の値より大きいことを判断する。別の説明として、プロセッサ２１４は、時間ｔＭｍと時間ｔ１ｒとの間の時間間隔（図１Ｄ－１）における電圧１１２の値が、時間ｔＱｑと時間ｔＭｍとの間の時間間隔（図１Ｄ－１）における電圧１１２の値より大きいことを判断する。電圧１１２が所定値にある前の時間と比べて、電圧１１２が所定値にある後の時間に、電圧１１２の値が増加していると判断すると、プロセッサ２１４は、所定値が生じた時間が正交点であると判断する。

別の実施例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２が、ＤＣオフセット１１４（図１Ｂ－１）の値や全くＤＣオフセットが無いゼロの値等の、所定値にある時間を、測定値から判断又は識別する。プロセッサ２１４は、測定値から、電圧１１２が所定値にある前の時間と比べて、電圧１１２が所定値にある後の時間に、電圧１１２の値が減少していることを更に判断する。説明すると、プロセッサ２１４は、時間ｔＮｎと時間ｔ１ｍとの間の時間間隔（図１Ｂ－１）における電圧１１２の値が、時間ｔ（Ｎ－１）ｎと時間ｔＮｎとの間の時間間隔（図１Ｂ－１）における電圧１１２の値より小さいことを判断する。

別の説明として、プロセッサ２１４は、時間ｔＮｎと時間ｔ１ｑとの間の時間間隔（図１Ｄ－１）における電圧１１２の値が、時間ｔＲｒと時間ｔＮｎとの間の時間間隔（図１Ｄ－１）における電圧１１２の値より小さいことを判断する。電圧１１２が所定値にある前の時間と比べて、電圧１１２が所定値にある後の時間に、電圧１１２の値が減少していると判断すると、プロセッサ２１４は、所定値が生じた時間が負交点であると判断する。

別の実施例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの後半１１２Ｂの時間間隔（図１Ｂ－１及び図１Ｄ－１）を、ビン１ｎからＮｎに分割する。説明すると、プロセッサ２１４は、時間ｔＭｍから時間ｔＮｎまでの時間間隔を、ビン１ｎが正交点１２２で始まり、ビンＮｎが負交点１２４ｂで終わるように、ビン１ｎからＮｎ（図１Ｂ－１参照）に分割する。別の説明として、プロセッサ２１４は、時間ｔＱｑ（図１Ｄ－１）から時間ｔＲｒまでの時間間隔を、ビン１ｎからＮｎに分割するが、Ｒは整数である。時間ｔＱｑは、サイクル１の正交点１２２の時間ｔＭｍに近接し、時間ｔＲｒは、サイクル２の負交点１２４ｂの時間ｔＮｎ（図１Ｄ－１）に近接する。例えば、時間ｔＱｑは、サイクル１の正交点１２２の時間ｔＭｍからの所定範囲内にあり、時間ｔＲｒは、サイクル２の負交点１２４ｂの時間ｔＮｎからの所定範囲内にある。電圧１１２の各交点と関連する所定範囲は、メモリデバイス２１６に記憶される。この例では、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの前半１１２Ａの時間間隔（図１Ｂ－１及び図１Ｄ－１）を、ビン１ｍからＭｍに分割しない。

また別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの前半１１２Ａの時間間隔をビン１ｍからＭｍに分割する。この例では、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの後半１１２Ｂの時間間隔を、ビン１ｎからＮｎに分割しない。説明すると、プロセッサ２１４は、時間ｔＮｎから時間ｔＭｍまでの時間間隔を、ビン１ｍが負交点１２４ａで始まり、ビンＭｍが正交点１２２で終わるように、ビン１ｍからＭｍ（図１Ｂ－１）に分割する。別の説明として、プロセッサ２１４は、時間ｔＲｒ（図１Ｄ－１）から時間ｔＱｑまでの時間間隔を、ビン１ｍからＭｍに分割する。時間ｔＲｒは、サイクル１の負交点１２４ａの時間ｔＮｎに近接し、時間ｔＱｑは、サイクル１の正交点１２２の時間ｔＭｍ（図１Ｄ－１）に近接する。例えば、時間ｔＲｒは、サイクル１の負交点１２４ａの時間ｔＮｎからの所定範囲内にあり、時間ｔＱｑは、サイクル１の正交点１２２の時間ｔＭｍからの所定範囲内にある。この例では、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの後半１１２Ｂの時間間隔（図１Ｂ－１及び図１Ｄ－１）を、ビン１ｎからＮｎに分割しない。

また別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの時間間隔をビン１ｍからＮｎに分割する。説明すると、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１の負交点１２４ａ（図１Ｄ－１）を、測定値から識別し、電圧１１２のサイクル１又はサイクル２の連続する負交点１２４ｂ（図１Ｄ－１）を、測定値から識別する。プロセッサ２１４は、２つの連続する負交点１２４ａと１２４ｂとの間の測定値を取得するのに、電圧センサ２０４によって、かかった期間を判断する。プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＮｎを生成するように、その期間を所定数の時間間隔に分割する。電圧１１２の各サイクルに対する電圧１１２の測定値を取得する期間は、電圧センサ２０４から転送ケーブル２３６Ｃを介して、測定値と共にプロセッサ２１４に送信される。所定数の時間間隔は、メモリデバイス２１６に記憶され、マウス、キーボード、若しくはキーパッド等の入力デバイス、ディスプレイデバイス、ディスプレイ画面、又はそれらの組み合わせを含むユーザインタフェースを介して、ユーザからの入力として受信される。入力デバイスは、プロセッサ２１４と結合される。別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクルの時間間隔の一部を、事前に記憶された数のビンに分割する。事前に記憶された数のビンの例を、以下で提供する。

また、プロセッサ２１４は、転送ケーブル２３６Ｄを介して、電力センサ２２４から送出電力の測定値、及び測定値が電力センサ２２４によって生成された時間を受信する。送出電力の測定値が、電力センサ２２４によって、電圧１１２の各サイクルに対して取得された時間は、電力センサ２２４から転送ケーブル２３６Ｄを介して測定値と共に、プロセッサ２１４に送信される。送出電力の測定値を生成するために、出力２３０Ｂでの送出電力は、電力センサ２２４によって測定される。プロセッサ２１４は、送出電力の測定値を、ビン１ｍからＮｎと関連付ける。例えば、プロセッサ２１４は、第１組の測定値又は送出電力の第１測定値が、ビン１ｎの期間と対応していること、及び第２組の測定値又は送出電力の第２測定値が、ビン２ｎの期間と対応していることを判断する。送出電力の測定値は、送出電力の１つの値を含み、送出電力の測定値の組は、送出電力の複数の値を含む。ビン中に送出電力に関する複数の値を受信すると、プロセッサ２１４は、それらの値の平均又は中央値を算出して、そのビンに対する送出電力の単一の測定値を判断する。

ビン１ｍからＮｎのうち事前に記憶された数のビンそれぞれに対して、プロセッサ２１４は、均一性の、値又は連続する値の範囲等、所定レベルＵＮＦＭを達成するために、ＨＦ ＲＦ発生器の動作周波数の量である、周波数レベルを判断する。例えば、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン１ｍ中にセットポイント値からレベルＨＦ１ｍに上げることで、送出電力をビン１ｍに対する測定値等の測定レベルからビン１ｍに対するレベルＰＲ１ｍに増加させるであろうと判断して、レベルＵＮＦＭを更に達成する。ビン１ｍに対する送出電力の測定レベルは、上記方法で、電力センサ２２４から受信される。プロセッサ２１４は、周波数レベルＨＦ１ｍを達成するように、電圧１１２のサイクル１のビン１ｍ中にＨＦ ＲＦ発生器を制御すると共に、電力センサ２２４から電力レベルＰＲ１ｍの測定値を受信して、周波数レベルをセットポイント値からレベルＨＦ１ｍに上げることで、送出電力を測定レベルからレベルＰＲ１ｍに増加させるであろうと判断する。送出電力は、レベルＰＲ１ｍに増加して、均一性のレベルＵＮＦＭを達成する又は超える。レベルＰＲ１ｍとレベルＵＮＦＭとの間の対応関係は、メモリデバイス２１６の表２４０に記憶される。プロセッサ２１４は、判断された周波数レベルを、表２４０のビンＨＦ１ｍに対応するものとして記憶する。

別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン１ｍ中にセットポイント値からレベルＨＦ１ｍに上げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン１ｍに対する測定レベルからビン１ｍに対するレベルＰＲ１ｍに減少させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、上げる代わりに、ビン１ｍ中にセットポイント値からレベルＨＦ１ｍに下げることで、送出電力をビン１ｍに対する測定レベルからビン１ｍに対するレベルＰＲ１ｍに増加させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルをビン１ｍ中にセットポイント値からレベルＨＦ１ｍに下げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン１ｍに対する測定レベルからビン１ｍに対するレベルＰＲ１ｍに減少させるであろうと判断する。

同様に、別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン１ｍのＨＦ１ｍからレベルＨＦ２ｍに上げることで、送出電力をビン２ｍに対する測定レベルからビン２ｍに対するレベルＰＲ２ｍに増加させるであろうと判断して、レベルＵＮＦＭを更に達成する。ビン２ｍに対する送出電力の測定レベルは、上記方法で、電力センサ２２４から受信される。プロセッサ２１４は、周波数レベルＨＦ２ｍを達成するように、電圧１１２のサイクル１のビン２ｍ中にＨＦ ＲＦ発生器を制御すると共に、電力センサ２２４から電力レベルＰＲ２ｍの測定値を受信して、周波数レベルをレベルＨＦ２ｍに上げることで、送出電力を測定レベルからレベルＰＲ２ｍに増加させるであろうと判断する。送出電力は、レベルＰＲ２ｍに増加して、均一性のレベルＵＮＦＭを達成する。レベルＰＲ２ｍとレベルＵＮＦＭとの間の対応関係は、メモリデバイス２１６の表２４０に記憶される。プロセッサ２１４は、判断された周波数レベルＨＦ２ｍを、表２４０のビン２ｍに対応するものとして記憶する。

別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン２ｍ中にレベルＨＦ１ｍからレベルＨＦ２ｍに上げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン２ｍに対する測定レベルからビン２ｍに対するレベルＰＲ２ｍに減少させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、上げる代わりに、ビン２ｍ中にレベルＨＦ２ｍに下げることで、送出電力をビン２ｍに対する測定レベルからビン２ｍに対するレベルＰＲ２ｍに増加させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン２ｍ中にレベルＨＦ２ｍに下げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン２ｍに対する測定レベルからビン２ｍに対するレベルＰＲ２ｍに減少させるであろうと判断する。

別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビンＭｍ中にレベルＨＦＭｍに上げることで、送出電力をビンＭｍに対する測定レベルからビンＭｍに対するレベルＰＲＭｍに増加させるであろうと判断して、レベルＵＮＦＭを更に達成する。周波数レベルは、ビン（Ｍ－１）ｍに対する周波数レベルＨＦ（Ｍ－１）ｍからレベルＨＦＭｍに上げられる。ビンＭｍに対する送出電力の測定レベルは、上記方法で電力センサ２２４から受信される。プロセッサ２１４は、周波数レベルＨＦＭｍを達成するように、電圧１１２のサイクル１のビンＭｍ中にＨＦ ＲＦ発生器を制御すると共に、電力センサ２２４から電力レベルＰＲＭｍの測定値を受信して、周波数レベルをレベルＨＦＭｍに上げることで、送出電力を測定レベルからレベルＰＲＭｍに増加させるであろうと判断する。送出電力は、レベルＰＲＭｍに増加して、均一性のレベルＵＮＦＭを達成する。レベルＰＲＭｍとレベルＵＮＦＭとの間の対応関係は、表２４０に記憶される。プロセッサ２１４は、判断された周波数レベルＨＦＭｍを、表２４０のビンＭｍに対応するものとして記憶する。

別の実施例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビンＭｍ中に周波数レベルＨＦ（Ｍ－１）ｍからレベルＨＦＭｍに上げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビンＭｍに対する測定レベルからビンＭｍに対するレベルＰＲＭｍに減少させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、上げる代わりに、ビンＭｍ中にレベルＨＦＭｍに下げることで、送出電力をビンＭｍに対する測定レベルからビンＭｍに対するレベルＰＲＭｍに増加させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビンＭｍ中にレベルＨＦＭｍに下げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビンＭｍに対する測定レベルからビンＭｍに対するレベルＰＲＭｍに減少させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン１ｎ中にレベルＨＦＭｍからレベルＨＦ１ｎに上げることで、送出電力をビン１ｎに対する測定レベルからビン１ｎに対するレベルＰＲ１ｎに増加させるであろうと判断して、レベルＵＮＦＭを更に達成する。ビン１ｎに対する送出電力の測定レベルは、上記方法で電力センサ２２４から受信される。プロセッサ２１４は、周波数レベルＨＦ１ｎを達成するように、電圧１１２のサイクル１のビン１ｎ中にＨＦ ＲＦ発生器を制御すると共に、電力センサ２２４から電力レベルＰＲ１ｎの測定値を受信して、周波数レベルをレベルＨＦ１ｎに上げることで、送出電力を測定レベルからレベルＰＲ１ｎに増加させるであろうと判断する。送出電力は、レベルＰＲ１ｎに増加して、均一性のレベルＵＮＦＭを達成する。レベルＰＲ１ｎとレベルＵＮＦＭとの間の対応関係は、メモリデバイス２１６の表２４２に記憶される。プロセッサ２１４は、判断された周波数レベルＨＦ１ｎを、表２４２のビン１ｎに対応するものとして記憶する。

別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン１ｎ中に周波数レベルＨＦＭｍからレベルＨＦ１ｎに上げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン１ｎに対する測定レベルからビン１ｎに対するレベルＰＲ１ｎに減少させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、上げる代わりに、ビン１ｎ中にレベルＨＦ１ｎに下げることで、送出電力をビン１ｎに対する測定レベルからビン１ｎに対するレベルＰＲ１ｎに増加させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン１ｎ中にレベルＨＦ１ｎに下げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン１ｎに対する測定レベルからビン１ｎに対するレベルＰＲ１ｎに減少させるであろうと判断する。

同様に、別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン２ｎ中にレベルＨＦ１ｎからレベルＨＦ２ｎに上げることで、送出電力をビン２ｎに対する測定レベルからビン２ｎに対するレベルＰＲ２ｎに増加させるであろうと判断して、レベルＵＮＦＭを更に達成する。ビン２ｎに対する送出電力の測定レベルは、上記方法で、電力センサ２２４から受信される。プロセッサ２１４は、周波数レベルＨＦ２ｎを達成するように、電圧１１２のサイクル１のビン２ｎ中にＨＦ ＲＦ発生器を制御すると共に、電力センサ２２４から電力レベルＰＲ２ｎの測定値を受信して、周波数レベルをレベルＨＦ２ｎに上げることで、送出電力を測定レベルからレベルＰＲ２ｎに増加させるであろうと判断する。送出電力は、レベルＰＲ２ｎに増加して、均一性のレベルＵＮＦＭを達成する。レベルＰＲ２ｎとレベルＵＮＦＭとの間の対応関係は、メモリデバイス２１６の表２４２に記憶される。プロセッサ２１４は、判断された周波数レベルＨＦ２ｎを、表２４０のビン２ｎに対応するものとして記憶する。

別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン２ｎ中に周波数レベルＨＦ１ｎからレベルＨＦ２ｎに上げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン２ｎに対する測定レベルからビン２ｎに対するレベルＰＲ２ｎに減少させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、上げる代わりに、ビン２ｎ中にレベルＨＦ２ｎに下げることで、送出電力をビン２ｎに対する測定レベルからビン２ｎに対するレベルＰＲ２ｎに増加させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビン２ｎ中にレベルＨＦ２ｎに下げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビン２ｎに対する測定レベルからビン２ｎに対するレベルＰＲ２ｎに減少させるであろうと判断する。

別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビンＮｎ中にレベルＨＦＮｎに上げることで、送出電力をビンＮｎに対する測定レベルからビンＮｎに対するレベルＰＲＮｎに増加させるであろうと判断する。レベルＵＮＦＭを更に達成するために、周波数レベルは、ビン（Ｎ－１）ｎに対する周波数レベルＨＦ（Ｎ－１）ｎからビンＮｎに対するレベルＨＦＮｎに上げられる。ビンＮｎに対する送出電力の測定レベルは、上記方法で電力センサ２２４から受信される。プロセッサ２１４は、周波数レベルＨＦＮｎを達成するように、電圧１１２のサイクル１のビンＮｎ中にＨＦ ＲＦ発生器を制御すると共に、電力センサ２２４から電力レベルＰＲＮｎの測定値を受信して、周波数レベルをレベルＨＦＮｎに上げることで、送出電力を測定レベルからレベルＰＲＮｎに増加させるであろうと判断する。送出電力は、レベルＰＲＮｎに増加して、均一性のレベルＵＮＦＭを達成する。レベルＰＲＮｎとレベルＵＮＦＭとの間の対応関係は、表２４０に記憶される。プロセッサ２１４は、判断された周波数レベルＨＦＮｎを、表２４０のビンＮｎに対応するものとして記憶する。

別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビンＮｎ中に周波数レベルＨＦ（Ｎ－１）ｎからレベルＨＦＮｎに上げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビンＮｎに対する測定レベルからビンＮｎに対するレベルＰＲＮｎに減少させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、上げる代わりに、ビンＮｎ中にレベルＨＦＮｎに下げることで、送出電力をビンＮｎに対する測定レベルからビンＮｎに対するレベルＰＲＮｎに増加させるであろうと判断する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、ビンＮｎ中にレベルＨＦＮｎに下げることで、送出電力を、増加させる代わりに、ビンＮｎに対する測定レベルからビンＮｎに対するレベルＰＲＮｎに減少させるであろうと判断する。

一実施形態では、均一性レベルは、均一性の所定値に達したとき、又は均一性の所定値から事前の設定範囲内の値に達したときに、達成される。事前の設定範囲の例は、所定値から±５％の範囲である。事前の設定範囲及び均一性の所定値は、メモリデバイス２１６に記憶される。

均一性の例として、基板の表面に亘るエッチング速度の均一性、又は基板の表面に亘る堆積速度の均一性が挙げられる。一例として、均一性レベルは、基板の表面に亘るエッチング速度の平均又は中央値等の統計値である。別の例として、均一性レベルは、基板の表面に亘る全エッチング速度の中の最大値又は最小値である。

ビン１ｍからＮｎのうち事前に記憶される数のビンの例として、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａに対するビン数１ｍからＭｍが挙げられる。

ビン１ｍからＮｎのうち事前に記憶される数のビンの別の例として、電圧１１２のサイクル１の後半１１２Ｂに対するビン数１ｎからＮｎが挙げられる。

事前に記憶される数のビンの更に別の例として、電圧１１２のサイクルのビン１ｍからＮｎの、全て等、１つ又は複数が挙げられる。

ビン１ｍからＮｎのうち事前に記憶される数のビンの更に別の例として、電圧１１２のサイクル１の第１四半分又はサイクル１の第２四半分又はサイクル１の第３四半分又はサイクル１の第４四半分に対するビン数１ｎからＮｎが挙げられる。サイクル１の第２四半分は、サイクル１の第１四半分と連続する。同様に、サイクル１の第３四半分は、サイクル１の第２四半分と連続し、サイクル１の第４四半分は、サイクル１の第３四半分と連続する。

事前に記憶される数のビンの別の例として、正交点１２２と関連する所定数のビンが挙げられる。説明すると、正交点１２２と関連する所定数のビンは、正交点１２２の時間ｔＭｍを含むビン１ｎ（図１Ｂ－１及び図１Ｄ－１）又はビンＭｍ（図１Ｂ－１）を含む。

別の説明として、正交点１２２と関連する所定数のビンは、ビン１ｎ又はビンＭｍ（図１Ｂ－１）、及びビン１ｎ又はビンＭｍと隣接する事前に設定された数の更なるビンを含む。事前に設定された数の更なるビンは、メモリデバイス２１６に記憶される。一例として、ビン２ｎ及びＭｍは、ビン１ｎ（図１Ｂ－１）と隣接し、ビン（Ｍ－１）ｍと１ｎは、ビンＭｍ（図１Ｂ－１）と隣接する。

また、別の例として、ビン２ｎ、ビン３ｎ（図１Ｂ－１）、ビン（Ｍ－１）ｍ及びＭｍは、ビン１ｎ（図１Ｂ－１）と隣接し、ビン（Ｍ－２）ｍ（図１Ｂ－１）、ビン（Ｍ－１）ｍ、及びビン１ｎと２ｎ（図１Ｂ－１）は、ビンＭｍと隣接する。１つ又は複数のビンは、そうした１つ又は複数のビンと更なるビンとの間に他のビンが全く存在しないとき、更なるビンと隣接する。

更に別の例として、電圧１１２のサイクル１の第２四半分内及びサイクル１の第３四半分内にあるビンは、正交点１２２と関連する所定数のビンの例である。

更に別の説明として、正交点１２２と関連する所定数のビンは、ビン１ｎ（図１Ｄ－１）及びビン１ｎと隣接する事前に設定された数の更なるビンを含む。ビン２ｎとＭｍは、ビン１ｎ（図１Ｄ－１）と隣接する。また、ビン２ｎと３ｎ（図１Ｄ－１）、及びビン（Ｍ－１）ｍとＭｍは、ビン１ｎ（図１Ｄ－１）に隣接する。

一実施形態では、１サイクルの正交点１２２と関連する所定数のビンは、サイクルの半分に対するビン数より少ないことに留意されたい。例えば、サイクル１の正交点１２２と関連する所定数のビンは、サイクル１の前半１１２Ａ又は後半１１２Ｂのビン数より少ない。

事前に記憶される数のビンの別の例として、負交点１２４ａと関連する所定数のビンが挙げられる。説明すると、負交点１２４ａと関連する所定数のビンは、負交点１２４ａの時間ｔＮｎを含むビンＮｎ又はビン１ｍ（図１Ｂ－１及び図１Ｄ－１）を含む。

別の説明として、負交点１２４ａと関連する所定数のビンは、ビンＮｎ又はビン１ｍ（図１Ｂ－１）及びビンＮｎ又はビン１ｍと隣接する事前に設定された数の更なるビンを含む。一例として、ビン（Ｎ－１）ｎと１ｍは、ビンＮｎ（図１Ｂ－１）と隣接し、ビン２ｍとＮｎは、ビン１ｍ（図１Ｂ－１）と隣接する。

また、別の例として、ビン（Ｎ－１）ｎ、ビン（Ｎ－２）ｎ（図１Ｂ－１）、及びビン１ｍと２ｍは、ビンＮｎ（図１Ｂ－１）と隣接し、ビン（Ｎ－１）ｎとＮｎ、及びビン２ｍと３ｍ（図１Ｂ－１）は、ビン１ｍと隣接する。

更に別の例として、電圧１１２のサイクル０の第４四半分内にあり、サイクル１の第１四半分内にあるビンは、負交点１２４ａと関連する所定数のビンの例である。

更に別の説明として、負交点１２４ａと関連する所定数のビンは、ビン１ｍ（図１Ｄ－１）及びビン１ｍと隣接する事前に設定された数の更なるビンを含む。ビン２ｍとＮｎは、ビン１ｍと隣接する（図１Ｄ－１）。また、ビン２ｍと３ｍ（図１Ｄ－１）、及びビン（Ｎ－１）ｎとＮｎは、ビン１ｍと隣接する（図１Ｄ－１）。

一実施形態では、サイクルの負交点１２４ａ又は１２４ｂ等の負交点と関連する所定数のビンは、サイクルの半分に対するビン数より少ないことに留意されたい。例えば、サイクル１の負交点１２４ａと関連する所定数のビンは、サイクル０の後半又はサイクル１の前半１１２Ａのビン数より少ない。

一実施形態では、電圧１１２のサイクル１の事前に記憶された数のビンに対する送出電力の測定値を取得した後に、プロセッサ２１４は、サイクル１の事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的電力値が達成されるか否かを判断する。事前に記憶された数のビンに対する送出電力の統計的電力値の例として、事前に記憶された数のビンに対する送出電力の複数の値の平均値又は中央値が挙げられる。所定の統計的電力値が達成されないと判断すると、プロセッサ２１４は、事前に記憶された数のビンの１つ又は複数に対する周波数レベルの１つ又は複数を修正する。プロセッサ２１４は、周波数レベルの１つ又は複数を、サイクル１の事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的電力値が達成されるまで、修正し続ける。

例えば、電力センサ２２４から電圧１１２のサイクル１のビン１ｍからＭｍに対する送出電力の測定値を取得した後に、プロセッサ２１４は、サイクル１のビン１ｍからＭｍに対する送出電力の所定の統計的電力値が、ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルによって達成されるか否かを判断する。例えば、プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＭｍに対する送出電力の測定値を取得し、サイクル１のビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力レベルを判断するために、これら測定値の平均値を算出する。プロセッサ２１４は、サイクル１のビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｍからＭｍに対するメモリデバイス２１６内に記憶された所定の平均送出電力レベルより大きいか否かを、更に判断する。前半１１２Ａに対する所定の平均送出電力レベルは、ユーザから、入力デバイスを含むユーザインタフェースを介して、プロセッサ２１４によって受信される。ビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｍからＭｍに対する所定の平均送出電力レベルより大きいと判断すると、プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルの１つ又は複数を修正しない。他方、ビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｍからＭｍに対する所定の平均送出電力レベルより大きくないと判断すると、プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させる。プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｍからＭｍに対する所定の平均送出電力レベルより大きくなるまで、ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させ続ける。ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルは、周波数レベルＨＦ１ｍからＨＦＭｍに修正される。

一実施形態では、電圧１１２のサイクル１のビン１ｍからＭｍ中に、ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させる代わりに、プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｍからＭｍに対する所定の平均送出電力レベルより大きくなるまで、電圧１１２の複数の連続するサイクルのビン１ｍからＭｍ中に、ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させる。

別の例として、電力センサ２２４から電圧１１２のサイクル１のビン１ｎからＮｎに対する送出電力の測定値を取得した後に、プロセッサ２１４は、サイクル１のビン１ｎからＮｎに対する送出電力の所定の統計的電力値が、ビン１ｎからＮｎに対する周波数レベルによって達成されるか否かを判断する。例えば、プロセッサ２１４は、ビン１ｎからＮｎに対する送出電力の測定値を取得し、サイクル１のビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力レベルを判断するために、これら測定値の平均値を算出する。プロセッサ２１４は、サイクル１のビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｎからＮｎに対するメモリデバイス２１６内に記憶された所定の平均送出電力レベルより大きいか否かを、更に判断する。後半１１２Ｂに対する所定の平均送出電力レベルは、ユーザから、入力デバイスを含むユーザインタフェースを介して、プロセッサ２１４によって受信される。ビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｎからＮｎに対する所定の平均送出電力レベルより大きいと判断すると、プロセッサ２１４は、ビン１ｎからＮｎに対する周波数レベルの１つ又は複数を修正しない。他方、ビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｎからＮｎに対する所定の平均送出電力レベルより大きくないと判断すると、プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＭｍに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させる。プロセッサ２１４は、ビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｎからＮｎに対する所定の平均送出電力レベルより大きくなるまで、ビン１ｎからＮｎに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させ続ける。ビン１ｎからＮｎに対する周波数レベルは、周波数レベルＨＦ１ｎからＨＦＮｎに修正される。

一実施形態では、電圧１１２のサイクル１のビン１ｎからＮｎ中に、ビン１ｎからＮｎに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させる代わりに、プロセッサ２１４は、ビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力レベルが、ビン１ｎからＮｎに対する所定の平均送出電力レベルより大きくなるまで、電圧１１２の複数の連続するサイクルのビン１ｎからＮｎ中に、ビン１ｎからＮｎに対する周波数レベルの１つ又は複数を変化させる。

一実施形態では、電圧１１２のサイクル１の事前に記憶された数のビンに対する送出電力の測定値を取得した後に、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１全体に対する送出電力の所定の統計的電力値が達成されるか否かを判断する。電圧のサイクルに対する送出電力の統計的電力値の例として、サイクルのビン全てに対する送出電力の複数の値の平均値又は中央値が挙げられる。所定の統計的電力値が達成されないと判断すると、プロセッサ２１４は、事前に記憶された数のビンの１つ又は複数に対する周波数レベルの１つ又は複数を修正する。プロセッサ２１４は、サイクル１に対する送出電力の所定の統計的電力値が達成されるまで、周波数レベルの１つ又は複数を修正し続ける。ビン１ｍからＮｎに対する周波数レベルは、周波数レベルＨＦ１ｍからＨＦＮｎに修正される。

本明細書で使用されるように、事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的電力値は、均一性レベルＵＮＦＭに対応する。例えば、所定の統計的電力値が、事前に記憶された数のビンに対して達成されると、均一性レベルＵＮＦＭは達成される。

一実施形態では、送出電力の所定の統計的電力値の代わりに、送出電力の所定比率が使用される。送出電力の比率の例としては、ビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力とビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力との比率が挙げられる。

送出電力の比率の別の例としては、ビン１ｍからＭｍに対する平均送出電力とビン１ｎからＮｎに対する平均送出電力との比率が挙げられる。例えば、プロセッサ２１４は、所定の送出電力の比率が、サイクル１中にビン１ｍからＮｎの周波数レベルから達成されるか否かを判断する。所定の送出電力の比率が達成されないと判断すると、プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＮｎの周波数レベルの１つ又は複数を修正する。プロセッサ２１４は、所定の送出電力の比率が達成されるまで、ビン１ｍからＮｎの周波数レベルの１つ又は複数を修正し続ける。所定の送出電力の比率は、均一性レベルＵＮＦＭに対応する。例えば、所定の送出電力の比率がサイクル１に対して達成されると、均一性レベルＵＮＦＭは、達成される。

プロセッサ２１４は、ビン１ｍからＭｍそれぞれと、周波数値ＨＦ１ｍからＨＦＭｍのうち対応するもの、電力レベルＰＲ１ｍからＰＲＭｍのうち対応するもの、事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的電力値、及び均一性レベルＵＮＦＭとの間の対応関係を含む表２４０を生成し、メモリデバイス２１６に表２４０を記憶する。同様に、プロセッサ２１４は、ビン１ｎからＮｎそれぞれと、周波数値ＨＦ１ｎからＨＦＮｎのうち対応するもの、電力レベルＰＲ１ｎからＰＲＮｎのうち対応するもの、事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的電力値、及び均一性レベルＵＮＦＭとの間の対応関係を含む表２４２を生成し、メモリデバイス２１６に表２４２を記憶する。

プロセッサ２１４は、電圧１１２の１つ又は複数の後続のサイクル中、表２４０及び２４２内の高周波レベルを適用する。例えば、高周波レベルが、電圧１１２のサイクル１中に判断されるとき、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル２中に、表２４０及び２４２内の高周波レベルを適用する。

別の例として、高周波レベルが、電圧１１２のサイクル１中に判断されるとき、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル２及び３中に、表２４０及び２４２内の高周波レベルを適用する。

また別の例として、高周波レベルが、電圧１１２のサイクル１及び２中に判断されるとき、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル３中に、表２４０及び２４２の高周波レベルを適用する。

別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１のビン１ｎ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｎを適用する。高周波レベルＨＦ１ｎは、電圧１１２のサイクル２の、ビン１ｎの開始時間からビン１ｎの終了時間まで等、ビン１ｎ中に適用される。ビン１ｎの開始時間の例としては、時間ｔＭｍ（図１Ｄ－１）又は時間ｔＱｑ（図１Ｄ－１）が挙げられる。ビン１ｎの終了時間の例としては、時間ｔ１ｎ（図１Ｄ－１）又は時間ｔ１ｒ（図１Ｄ－１）が挙げられる。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１のビンＮｎ中に判断される高周波レベルＨＦＮｎを適用する。高周波レベルＨＦＮｎは、電圧１１２のサイクル２の、ビンＮｎの開始時間からビンＮｎの終了時間まで等、ビンＮｎ中に適用される。ビンＮｎの開始時間の例としては、時間ｔ（Ｎ－１）ｎ（図１Ｂ－１）又は時間ｔ（Ｒ－１）ｒ（図１Ｄ－１）が挙げられる。ビンＮｎの終了時間の例としては、時間ｔＮｎ（図１Ｂ－１）又は時間ｔＲｒ（図１Ｄ－１）が挙げられる。

別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１のビン１ｍ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｍを適用し、高周波レベルＨＦ１ｍは、電圧１１２のサイクル２のビン１ｍ中に、適用される。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１のビンＭｍ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｍを適用し、高周波レベルＨＦ１ｍは、電圧１１２のサイクル２のビンＭｍ中に、適用される。

別の例として、電圧１１２のサイクル２のビン１ｎの期間中、プロセッサ２１４は、周波数値ＨＦ１ｎを有するデータ信号を、転送ケーブル２３６Ｂを介して、ＨＦ ＲＦ発生器に送信する。サイクル２のビン１ｎの期間中に周波数値ＨＦ１ｎを有するデータ信号を受信すると、ＨＦ ＲＦ発生器は、高周波レベルＨＦ１ｎを有するＲＦ信号２１８Ｂを生成する。

同様に、電圧１１２のサイクル２のビンＮｎの期間中、プロセッサ２１４は、周波数値ＨＦＮｎを有するデータ信号を、転送ケーブル２３６Ｂを介して、ＨＦ ＲＦ発生器に送信する。サイクル２のビンＮｎの期間中に周波数値ＨＦＮｎを有するデータ信号を受信すると、ＨＦ ＲＦ発生器は、高周波レベルＨＦＮｎを有するＲＦ信号２１８Ｂを生成する。

更に別の例として、電圧１１２のサイクル２のビン１ｍの期間中、プロセッサ２１４は、周波数値ＨＦ１ｍを有するデータ信号を、転送ケーブル２３６Ｂを介して、ＨＦ ＲＦ発生器に送信する。サイクル２のビン１ｍの期間中に周波数値ＨＦ１ｍを有するデータ信号を受信すると、ＨＦ ＲＦ発生器は、高周波レベルＨＦ１ｍを有するＲＦ信号２１８Ｂを生成する。

同様に、電圧１１２のサイクル２のビンＭｍの期間中、プロセッサ２１４は、周波数値ＨＦＭｍを有するデータ信号を、転送ケーブル２３６Ｂを介して、ＨＦ ＲＦ発生器に送信する。サイクル２のビンＭｍの期間中に周波数値ＨＦＭｍを有するデータ信号を受信すると、ＨＦ ＲＦ発生器は、高周波レベルＨＦＭｍを有するＲＦ信号２１８Ｂを生成する。

プロセッサ２１４は、クロック発生器によって生成されたクロック信号に基づいて、及び電圧センサ２０４から受信した電圧１１２の値に基づいて、電圧１１２のあるサイクルから別のサイクルへの変化を判断することに留意されたい。例えば、プロセッサ２１４は、電圧１１２の値が、第１期間と連続する第２期間中に繰り返すことを判断する。電圧１１２の値が、繰り返し始めることを判断すると、プロセッサ１１４は、サイクル１からサイクル２へ等の、サイクルに関する変化が生じたと判断する。別の例として、プロセッサ２１４は、前サイクルから連続するサイクルへの変化が生じたと判断するのに、連続する正交点又は連続する負交点等、ある種類の交点が、電圧１１２の前サイクル中に上記種類の交点が生じた後に連続して生じたことを判断する。

第１及び第２期間は、プロセッサ２１４と結合されるクロック発生器によって生成されるクロック信号の一部である。クロック発生器は、第１及び第２期間を含むクロック信号をプロセッサ２１４に提供する。一実施形態では、クロック発生器は、プロセッサ２１４の一部である。一実施形態では、プロセッサ２１４は、インターネット等のコンピュータネットワークからクロック信号を取得する。

一実施形態では、プロセッサ２１４は、電圧１１２の１つ又は複数の後続のサイクル中に、表２４０及び２４２内の高周波レベルの全てではなく、幾つかを適用する。例えば、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１の後半１１２Ｂ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｎからＨＦＮｎを、電圧１１２のサイクル２のビン１ｎからＮｎに適用するが、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｍからＨＦＭｍを、電圧１１２のサイクル２のビン１ｍからＭｍに適用しない。

別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｍからＨＦＭｎを、電圧１１２のサイクル２のビン１ｍからＭｍに適用するが、電圧１１２のサイクル１の後半１１２Ｂ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｎからＨＦＮｎを、電圧１１２のサイクル１のビン１ｎからＭｎに適用しない。

また別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル２の事前に記憶された数のビン中に、事前に記憶された数のビンに対する高周波レベルを適用する。

更に別の例として、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクル１の第３四半分中に判断される高周波レベルＨＦ１ｎからＨＦ（Ｎ／２）ｎを、電圧１１２のサイクル２のビン１ｎから（Ｎ／２）ｎに適用するが、電圧１１２のサイクル１の前半１１２Ａ中に判断される高周波レベルＨＦ１ｍからＨＦＭｍを、サイクル２のビン１ｍからＭｍに適用せず、電圧１１２のサイクル１の第４四半分中に判断される高周波レベルＨＦ（（Ｎ／２）＋１）ｎからＨＦＮｎを、電圧１１２のサイクル２のビン１ｎから（（Ｎ／２）＋１）ｎに適用しない。

一実施形態では、高周波レベル等の周波数レベルは、１つ又は複数の周波数値を含む。例えば、周波数レベルは、単一の周波数値を含む。別の例として、周波数レベルは、複数の周波数値を含み、一周波数レベルの周波数値は、別の周波数レベルの周波数値を除外する、別の周波数レベルの周波数値と異なる、又は同じではない、又は一致しない。

一実施形態では、電力センサ２２４の代わりに、電圧センサ（図示せず）が使用される。電圧センサが電力センサ２２４の代わりに使用される場合、プロセッサ２１４は、電圧センサから電圧の測定値を受信し、測定値に基づいて電力を算出する。

図３Ａは、ＨＦ ＲＦ発生器の動作を説明するためのシステム３００の一実施形態の略図である。システム３００は、ホストコンピュータ２１２及びＨＦ ＲＦ発生器を含む。ＨＦ ＲＦ発生器は、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ）及び電力コントローラＰＷＲを含む。一例として、コントローラは、プロセッサ及びレジスタ等のメモリデバイスを含む。プロセッサは、レジスタと結合される。

ＨＦ ＲＦ発生器は、ビン１ｎからＮｎに対する自動周波数同調器（ＡＦＴ）を更に含む。本明細書で使用するＡＦＴの例として、プロセッサ及びメモリデバイスを含むコントローラが挙げられる。ＡＦＴのメモリデバイスの例は、レジスタである。ＨＦ ＲＦ発生器は、ビン１ｍに対する自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎ１ｍ、ビン２ｍに対する自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎ２ｍ等、ビンＭｍに対する自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎＭｍまでを含む。ＨＦ ＲＦ発生器は、ビン１ｎに対する自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎ１ｎ、ビン２ｎに対する自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎ２ｎ等、ビンＮｎに対する自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎＮｎまでを含む。

ＨＦ ＲＦ発生器は、ＲＦ発振器であるＨＦ電源（ＰＳ）を含む。ＲＦ発振器は、正弦波等の周期的に発振する電子信号を生成する電子発振器である。

ＨＦ ＲＦ発生器のＤＳＰは、電力コントローラＰＷＲと結合され、ＨＦ ＲＦ発生器の自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎ１ｍから自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎＮｎと結合される。電力コントローラＰＷＲ及び自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎ１ｍから自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎＮｎは、ＨＦ ＲＦ発生器のＨＦ電源と結合される。ＨＦ電源は、ＲＦケーブル２３４Ｂと結合される。ＤＳＰは、転送ケーブル２３６Ｂを介してプロセッサ２１４と結合される。

プロセッサ２１４は、表２４０及び２４２（図２）から高周波レベルＨＦ１ｍからＨＦＮｎにアクセスし、高周波レベルＨＦ１ｍからＨＦＮｎを、転送ケーブル２３６Ｂを介して、ＤＳＰに送信する。また、プロセッサ２１４は、電圧１１２の各サイクル中にビン１ｍからＭｍに従いパルス化されるデジタルパルス信号を生成し、デジタルパルス信号を転送ケーブル２３６Ｂを介してＤＳＰに送信する。デジタルパルス信号の例は、図３Ｂで示されるデジタルパルス信号３１０である。図３Ｂは、デジタルパルス信号３１０の論理レベル対時間ｔをプロットするグラフ３１２の一実施形態である。

デジタルパルス信号３１０は、図１Ｂ－１に示されたビン１ｍからＮｎそれぞれに対する論理レベルを有する。例えば、デジタルパルス信号３１０は、図１Ｂ－１のビン（Ｎ－１）ｎに対する論理レベルＬ（Ｎ－１）ｎを有し、図１Ｂ－１のビンＮｎに対する別の論理レベルＬＮを有し、図１Ｂ－１のビン１ｍに対する別の論理レベルＬ１ｍを有し、図１Ｂ－１のビン２ｍに対する別の論理レベルＬ２ｍを有する等、図１Ｂ－１のビンＭｍに対する論理レベルＬＭまで有する。論理レベルＬ（Ｎ－１）ｎは、時間ｔ（Ｎ－２）ｎと時間ｔ（Ｎ－１）ｎの間の期間中に生じる。

同様に、論理レベルＬＮｎは、時間ｔ（Ｎ－１）ｎと時間ｔＮｎの間の期間中に生じ、論理レベルＬ１ｍは、時間ｔＮｎと時間ｔ１ｍの間の期間中に生じ、論理レベルＬ２ｍは、時間ｔ１ｍと時間ｔ２ｍの間の期間中に生じ、論理レベルＬ３ｍは、時間ｔ２ｍと時間ｔ３ｍの間の期間中に生じ、論理レベルＬＭｍは、時間ｔ（Ｍ－１）ｍと時間ｔＭｍの間の期間中に生じる。論理レベルＬ１ｍからＬＮｎは、電圧１１２の各サイクル中繰り返す。電圧１１２のサイクル中の各論理レベルは、水平レベルであり、サイクル中、別の論理レベルと異なる値を有する。

デジタルパルス信号の別の例は、図３Ｃに示されるデジタルパルス信号３２０である。図３Ｃは、デジタルパルス信号３２０の論理レベル対時間ｔをプロットするグラフ３２２の一実施形態である。

デジタルパルス信号３２２は、図１Ｄ－１に示されたビン１ｍからＮｎそれぞれに対する論理レベルを有する。例えば、デジタルパルス信号３２２は、図１Ｄ－１のビン（Ｎ－１）ｎに対する論理レベルＬ（Ｎ－１）ｎを有し、図１Ｄ－１のビンＮｎに対する論理レベルＬＮを有し、図１Ｄ－１のビン１ｍに対する論理レベルＬ１ｍを有し、図１Ｄ－１のビン２ｍに対する論理レベルＬ２ｍを有する等、図１Ｄ－１のビンＭｍに対する論理レベルＬＭまで有する。論理レベルＬ（Ｎ－１）ｎは、時間ｔ（Ｒ－１）ｒと時間ｔＲｒの間の期間中に生じる。

同様に、論理レベルＬＮｎは、時間ｔＲｒと時間ｔ１ｑの間の期間中に生じ、論理レベルＬ１ｍは、時間ｔ１ｑと時間ｔ２ｑの間の期間中に生じ、論理レベルＬ２ｍは、時間ｔ２ｑと時間ｔ３ｑの間の期間中に生じ、論理レベルＬ３ｍは、時間ｔ３ｑと時間ｔ４ｑの間の期間中に生じ、論理レベルＬＭｍは、時間ｔ（Ｑ－１）ｑと時間ｔＱｑの間の期間中に生じる。論理レベルＬ１ｍからＬＮｎは、電圧１１２の各サイクル中繰り返す。

図３Ａに戻って参照すると、プロセッサ２１４はまた、電圧１１２のサイクルを識別する情報を、転送ケーブル２３６Ｂを介して、ＤＳＰに送信する。例えば、プロセッサ２１４は、電圧１１２のサイクルがサイクル０、又はサイクル１、又はサイクル２であるかを識別する情報を送信する。更に、プロセッサ２１４は、事前に記憶された数のビンに対する周波数値ＨＦ１ｍからＨＦＮｎの１つ又は複数を適用する電圧１１２のサイクル数を示す命令を送信する。

ＤＳＰは、高周波レベルＨＦ１ｍからＨＦＮｎを受信し、高周波レベルＨＦ１ｍからＨＦＮｎそれぞれを、自動周波数同調器ＡＦＴｂｉｎ１ｍからＡＦＴｂｉｎＮｎのうち対応するものに送信する。ＤＳＰは、電圧１１２のサイクルを識別する情報、事前に記憶された数のビンに対する周波数値ＨＦ１ｍからＨＦＮｎの１つ又は複数を適用するサイクル数を示す命令、及びプロセッサ２１４からのデジタルパルス信号を受信する。

ＤＳＰは、周波数レベルＨＦ１ｍからＨＦＮｎを、記憶するために対応する自動周波数同調器ＡＦＴ１ｍからＡＦＴＮｎに送信する。例えば、ＤＳＰは、周波数レベルＨＦ１ｍを、自動周波数同調器ＡＦＴ１ｎのメモリデバイスに記憶するために、自動周波数同調器ＡＦＴ１ｍに送信し、周波数レベルＨＦＭｍを、自動周波数同調器ＡＦＴＭｍのメモリデバイスに記憶するために、自動周波数同調器ＡＦＴＭｍに送信し、周波数レベルＨＦＴＮｎを、自動周波数同調器ＡＦＴＮｎのメモリデバイスに記憶するために、自動周波数同調器ＡＦＴＮｎに送信する。

デジタルパルス信号及び電圧１１２のサイクルに関する情報を受信すると、ＤＳＰは、デジタルパルス信号の論理レベルを判断し、電圧のサイクルを識別する。例えば、ＤＳＰは、論理レベルＬＮと、ＤＳＰのメモリデバイス内の、これもＬＮである事前に記憶された論理レベルとの間で一致があるか否かを判断する。一致があれば、ＤＳＰは、デジタルパルス信号の論理レベルがＬＮであると判断する。別の例として、ＤＳＰは、論理レベルＬＭと、ＤＳＰのメモリデバイス内の、これもＬＭである事前に記憶された論理レベルとの間で一致があるか否かを判断する。一致があれば、ＤＳＰは、デジタルパルス信号の論理レベルがＬＭであると判断する。

論理レベルを判断し、電圧１１２のサイクルを識別すると、ＤＳＰは、制御信号を、プロセッサ２１４からの命令で受信されたサイクル数に対する論理レベルの期間中、ＨＦ ＲＦ発生器の対応するＡＦＴに送信する。例えば、ＤＳＰは、制御信号を、サイクル２のビン１ｍ中に自動周波数同調器ＡＦＴ１ｍに送信し、別の制御信号を、サイクル２のビンＭｍ中に自動周波数同調器ＡＦＴＭｍに送信する。同様に、ＤＳＰは、制御信号を、サイクル２のビン１ｎ中に自動周波数同調器ＡＦＴ１ｎに送信し、制御信号を、サイクル２のビンＮｎ中に自動周波数同調器ＡＦＴＮｎに送信する。

自動周波数同調器ＡＦＴ１ｍからＡＦＴＮｎそれぞれは、ビン１ｍからＮｎのうち対応するビン中に、高周波数値ＨＦ１ｍからＨＦＮｎのうち対応する値を、ＨＦ電源に提供する。例えば、ＤＳＰからの制御信号に応答して、自動周波数同調器ＡＦＴ１ｍは、高周波レベルＨＦ１ｍを、サイクル２のビン１ｍ中に、ＨＦ電源に提供し、自動周波数同調器ＡＦＴＭｍは、高周波レベルＨＦＭｍを、サイクル２のビンＭｍ中にＨＦ電源に提供する。また、ＤＳＰからの制御信号に応答して、自動周波数同調器ＡＦＴ１ｎは、高周波レベルＨＦ１ｎを、サイクル２のビン１ｎ中に、ＨＦ電源に提供し、自動周波数同調器ＡＦＴＮｎは、高周波レベルＨＦＮｎを、サイクル２のビンＮｎ中に、ＨＦ電源に提供する。

ＨＦ電源は、周波数１ｍからＮｎのそれぞれを有するＲＦ信号２１８Ｂを、ビン１ｍからＮｎのうち対応するビンの期間中、生成する。例えば、サイクル２のビン１ｍ中に、高周波レベルＨＦ１ｍを受信すると、ＨＦ電源は、電圧１１２のサイクル２のビン１ｍ中にＲＦ信号２１８Ｂの一部を生成し、そのＲＦ信号２１８Ｂの一部は、高周波レベルＨＦ１ｍを有する。

同様に、サイクル２のビンＭｍ中に、高周波レベルＨＦＭｍを受信すると、ＨＦ電源は、電圧１１２のサイクル２のビンＭｍ中にＲＦ信号２１８Ｂの一部を生成し、そのＲＦ信号２１８Ｂの一部は、高周波レベルＨＦＭｍを有する。

また、サイクル２のビン１ｎ中に、高周波レベルＨＦ１ｎを受信すると、ＨＦ電源は、電圧１１２のサイクル２のビン１ｎ中にＲＦ信号２１８Ｂの一部を生成し、そのＲＦ信号２１８Ｂの一部は、高周波レベルＨＦ１ｎを有する。

同様に、サイクル２のビンＮｎ中に、高周波レベルＨＦＮｎを受信すると、ＨＦ電源は、電圧１１２のサイクル２のビンＮｎ中にＲＦ信号２１８Ｂの一部を生成し、そのＲＦ信号２１８Ｂの一部は、高周波レベルＨＦＮｎを有する。

また、ＤＳＰは、１つ又は複数の電力レベルを、プロセッサ２１４から、転送ケーブル２３６Ｂを介して受信し、１つ又は複数の電力レベルを、電力コントローラＰＷＲに送信する。電力コントローラＰＷＲは、１つ又は複数の電力レベルをＨＦ電源に提供する。１つ又は複数の電力レベルを受信すると、ＨＦ電源は、１つ又は複数の電力レベルを有するＲＦ信号２１８Ｂを生成する。

一実施形態では、自動周波数同調器ＡＦＴ１ｍからＡＦＴＮｎの１つ又は複数は、単一の自動周波数同調器に統合される。一実施形態では、自動周波数同調器ＡＦＴ１ｍからＡＦＴＮｎの１つ又は複数は、ＤＳＰの部分である。

図４は、ＨＦ ＲＦ発生器によって送出される電力を制御するために高周波範囲内で周波数を修正するためのインピーダンス整合回路（ＩＭＣ）の補助コンデンサＣ３の制御について説明するためのシステム４００の一実施形態の略図である。システム４００は、ＬＦ ＲＦ発生器、ＨＦ ＲＦ発生器、電力センサ２２４、プロセッサ２１４、ＩＭＣ、モータ１、モータ２、モータ３、駆動システム１、駆動システム２、駆動システム３、及び電圧分割器４０２を含む。ＬＦ ＲＦ発生器は、ＲＦ発振器であるＬＦ電源（ＰＳ）を含む。ＬＦ電源は、ＲＦケーブル２３４Ａ（図２）と結合される。

各モータ１、２、及び３の例として、固定子と回転子を含む電動モータが挙げられる。本明細書に記述される各駆動システムの例として、１個又は複数のトランジスタが挙げられる。

ＩＭＣは、主回路と補助整合回路を含む。主整合回路は、分岐回路４０６Ａと分岐回路４０６Ｂを含む。分岐回路４０６Ａは、コンデンサＣ１を含む１個又は複数の電気部品を含み、分岐回路４０６Ｂは、コンデンサＣ２を含む１個又は複数の電気部品を含む。各コンデンサＣ１及びＣ２は、直列コンデンサである。分岐回路４０６Ａは、第１分岐回路の例であり、分岐回路４０６Ｂは、第２分岐回路の例である。また、補助整合回路は、コンデンサＣ３を含む１個または複数の電気部品を含む。各コンデンサＣ１からＣ３は、可変コンデンサである。

各モータは、１本若しくは複数のロッド又は複数のロッドと１つ若しくは複数のギヤの組み合わせ等の対応する接続部によって、ＩＭＣの対応するコンデンサに接続される。例えば、モータ１は、接続部４０４Ａを介してコンデンサＣ１のプレートに接続され、モータ２は、接続部４０４Ｂを介してコンデンサＣ２のプレートに接続され、モータ４は、接続部４０４Ｃを介してコンデンサＣ３のプレートに接続される。

電圧分割器４０２は、電圧センサ２０４（図２）の例である。電圧分割器４０２は、抵抗器Ｒ１及び抵抗器Ｒ２を含み、２つの抵抗器Ｒ１とＲ２は、互いに直列に結合される。

電圧１１２をビンに分割する前に、プロセッサ２１４は、コンデンサＣ１及びＣ２の容量の値を設定する。例えば、プロセッサ２１４は、コンデンサＣ１の所定容量に基づいて、制御信号を駆動システム１に送信する。駆動システム１は、制御信号を受信すると、電流信号を生成し、この電流信号をモータ１に送信する。モータ１は、コンデンサＣ１の容量を、所定容量に変化させるように動作する。モータ１は、所定容量を達成するために、コンデンサＣ１のプレートを、コンデンサＣ１の対面するプレートに対して移動するように動作する。

同様に、別の例として、プロセッサ２１４は、コンデンサＣ２の所定容量に基づいて、制御信号を駆動システム２に送信する。駆動システム２は、制御信号を受信すると、電流信号を生成し、その電流信号をモータ２に送信する。モータ２は、コンデンサＣ２の容量を所定容量に変化させるように動作する。モータ２は、所定容量を達成するために、コンデンサＣ２のプレートを、コンデンサＣ２の対面するプレートに対して移動するように動作する。

コンデンサＣ１及びＣ２の所定容量が設定されると、プロセッサ２１４は、電圧１１２をビンに分割して、ビンに対する周波数値を判断して、ＨＦ ＲＦ発生器の出力２３０Ｂにおける送出電力を更に制御する。

また、プロセッサ２１４は、補助整合回路のコンデンサＣ３を制御して、ＨＦ ＲＦ発生器の出力２３０Ｂにおける送出電力を制御する。例えば、プロセッサ２１４は、電力センサ２２４から転送ケーブル２３６Ｄを介して、出力２３０Ｂにおける送出電力の測定値を受信する。プロセッサ２１４は、上記と同じ方法で測定値から事前に記憶された数のビンに対する送出電力の統計的な電力値を判断し、その統計的な電力値を、所定の統計的な電力値と比較して、事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的な電力値が達成されないことを判断する。達成されないと判断すると、プロセッサ２１４は、制御信号を駆動システム３に送信する。駆動システム３は、制御信号を受信すると、電流信号を生成し、その電流信号をモータ３に送信する。モータ３は、コンデンサＣ１の容量を変化させるように動作する。モータ３は、その容量を達成するために、コンデンサＣ３のプレートを、コンデンサＣ３の対面するプレートに対して移動するように動作する。プロセッサ２１４は、事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的な電力値が達成されるまで、そうした方法でコンデンサＣ３を制御し続ける。

コンデンサＣ３の容量は、表２４０及び２４２内の高周波数値で動作するようにＨＦ ＲＦ発生器を制御するのと同時に制御されることに留意されたい。事前に記憶された数のビンに対する送出電力の所定の統計的な電力値を達成するようにコンデンサＣ３を制御することで、ＩＭＣの出力２０６における電圧の生成が容易になる。電圧が出力２０６において生成されることで、ＨＦ ＲＦ発生器からＩＭＣを介してプラズマチャンバ２２０に、事前に記憶された数のビンに対して周波数レベルＨＦ１ｍからＨＦＮｎの１つ又は複数を適用して、均一性レベルＵＮＦＭを達成することが容易になる。

一実施形態では、コンデンサＣ３の容量は、表２４０及び２４２内の高周波数値で動作するようにＨＦ ＲＦ発生器を制御する前に、制御される。一実施形態では、コンデンサＣ３の容量は、表２４０及び２４２内の高周波数値で動作するようにＨＦ ＲＦ発生器を制御した後に、制御される。

図５は、事前に記憶された数のビンに対する高周波数値が適用されるときの、エッチング速度における均一性に関する変化を示すためのグラフ５００の一実施形態である。グラフ５００では、Ｙ軸に沿って、オングストローム（Å）毎分（ｍｉｎ）で測定されたエッチング速度をプロットし、Ｘ軸に沿って基板Ｓの半径Ｒをプロットしている。グラフ５００は、異なる均一性に対する複数のプロット５０２、５０４、５０６、及び５０８を含む。プロット５０８は、プロット５０６で示された均一性より高いレベルの均一性を示す。同様に、プロット５０６は、プロット５０４で示された均一性より高いレベルの均一性を示し、プロット５０４は、プロット５０２で示された均一性より高いレベルの均一性を示す。

事前に記憶された数のビン中にＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを制御することによって、基板Ｓに亘るエッチング速度に関する均一性は、プロット５０２で示された均一性からプロット５０８で示された均一性に変えられる。例えば、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルを、電圧１１２のサイクル２以降中に値ＨＦ１ｍからＨＦＮｎの範囲に制御することによって、エッチング速度に関する均一性は、プロット５０２で示された均一性からプロット５０８で示された均一性に高まる。

一実施形態では、ＨＦ ＲＦ発生器の周波数レベルは、プロット５０８で示された均一性からプロット５０２、５０４、及び５０６の何れかで示された均一性に低下させるように、事前に記憶された数のビン中に制御される。

図６Ａは、グラフ１００の一実施形態である。

図６Ｂは、表２４０及び２４２の高周波数値を適用することによって送出電力が増加したことを示すための、グラフ６００の一実施形態である。グラフ６００では、Ｙ軸に電圧を、Ｘ軸に時間ｔをプロットしている。ＨＦ ＲＦ発生器の出力２３０Ｂ（図２）で結合された方向性結合器によって測定された順方向電力の電圧エンベロープが、プロット６０２Ａ及び６０２Ｂによって示されており、出力２３０Ｂで結合された方向性結合器によって測定された反射電力の電圧エンベロープが、プロット６０４Ａ及び６０４Ｂによって示されている。プロット６０２Ａ及び６０２Ｂは、ＨＦ ＲＦ発生器の出力における供給電力を示す電圧エンベロープのものであり、プロット６０４Ａ及び６０４Ｂは、ＨＦ ＲＦ発生器の出力における反射電力を示す電圧エンベロープのものである。図６Ａ及び図６Ｂに示すように、時間ｔ２の後と時間ｔ４の後に反射電力の増加が見られる。反射電力は、電圧１１２の各サイクル中にＬＦ ＲＦ発生器の電圧１１２が低下する結果、増加する。事前に記憶された数のビンに対して高周波数値を達成するようにＨＦ ＲＦ発生器を制御することによって、出力２３０Ｂにおける反射電力は、減少し、出力２３０Ｂにおける送出電力は、増加する。

本明細書に記述される実施形態は、ハンドヘルドハードウェアユニット、マイクロプロセッサシステム、マイクロプロセッサベース又はプログラム可能な家電、ミニコンピュータ、メインフレームコンピュータ等を含む様々なコンピュータシステム構成で実施されてもよい。また、実施形態は、ネットワークを介してリンクされる遠隔処理ハードウェアユニットによってタスクが実行される分散型コンピューティング環境でも実施できる。

幾つかの実施形態では、コントローラは、システムの一部であり、上記例の一部としてもよい。かかるシステムは、１つ又は複数の処理ツール、１つ又は複数のチャンバ、１つ又は複数の処理用プラットフォーム、及び／又は特定の処理構成要素（ウエハ台座、ガス流システム等）を含む半導体処理装置を含む。これらのシステムは、半導体ウエハ又は基板の処理前、処理中、及び処理後にシステムの動作を制御するための電子機器と一体化されている。電子機器は、「コントローラ」と呼ばれ、コントローラは、１つ又は複数のシステムの様々な構成要素又は副部品を制御してもよい。コントローラは、処理要件及び／又はシステムの種類に応じて、プロセスガスの送出、温度設定（例えば、加熱及び／又は冷却）、圧力設定、真空設定、電力設定、ＲＦ発生器設定、ＲＦ整合回路設定、周波数設定、流量設定、流体送出設定、位置及び動作設定、システムに結合された若しくはシステムと連動するツール及び他の搬送ツール及び／又はロードロックへのウエハの搬入及び搬出を含む、本明細書で開示された処理のいずれかを制御するようプログラムされる。

広義には、多様な実施形態において、コントローラは、命令を受信する、命令を発行する、動作を制御する、洗浄動作を可能にする、エンドポイント測定を可能にすること等を行う、様々な集積回路、論理、メモリ、及び／又はソフトウェアを有する電子機器と定義される。集積回路は、ファームウェアの形でプログラム命令を記憶するチップ、デジタル信号プロセッサ（ＤＳＰ：ｄｉｇｉｔａｌ ｓｉｇｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）、ＡＳＩＣとして定義されるチップ、ＰＬＤ、及び／又は１個又は複数のマイクロプロセッサ、又はプログラム命令（例えば、ソフトウェア）を実行するマイクロコントローラを含む。プログラム命令は、様々な個々の設定（又はプログラムファイル）の形で、コントローラに通信され、半導体ウエハ上での又は半導体ウエハのための、又はシステムに対する特定のプロセスを実行するためのパラメータ、係数、変数等 を定義する命令である。プログラム命令は、幾つかの実施形態において、ウエハの１層又は複数の層、材料、金属、酸化物、シリコン、二酸化シリコン、表面、回路、及び／又はダイの作製中に１つ又は複数の処理ステップを達成するためにプロセスエンジニアによって定義されるレシピの一部である。

コントローラは、幾つかの実施形態では、コンピュータの一部である、又はコンピュータに結合されており、かかるコンピュータは、システムと一体化されるか、システムに結合されるか、その他の方法でシステムとネットワーク接続されるか、又はそれらの組み合わせでシステムに結合される。例えば、コントローラは、「クラウド」内に存在する、又はファブホストコンピュータシステムの全部若しくは一部であり、これにより、ウエハ処理のリモートアクセスを可能にできる。コンピュータは、システムへのリモートアクセスを可能にして作製動作の現在の進捗状況を監視する、過去の作製動作の履歴を調べる、又は複数の作製動作からの傾向若しくは性能測定基準を調べて、現在の処理のパラメータを変更する、現在の処理に続く処理ステップを設定する、又は新たなプロセスを開始する。

幾つかの実施形態では、リモートコンピュータ（例えば、サーバ）は、ネットワークを介して、システムにプロセスレシピを提供し、ネットワークは、ローカルネットワーク又はインターネットを含む。リモートコンピュータは、パラメータ及び／又は設定の入力又はプログラミングを可能にするユーザインタフェースを含み、かかるパラメータ及び／又は設定は、その後、リモートコンピュータからシステムに通信される。幾つかの実施例では、コントローラは、データの形で命令を受信し、命令は、１つ又は複数の動作中に実行される各処理ステップのためのパラメータ、係数、及び／又は変数を指定する。パラメータ、係数、及び／又は変数は、実行されるプロセスの種類、及びコントローラが連動又は制御するよう構成されるツールの種類に特有のものであると理解されるべきである。従って、上記のように、コントローラは、互いにネットワーク接続され、本明細書に記述されるプロセス及び制御等の、共通の目的に向けて協働する１つ又は複数の別個のコントローラを含むこと等によって分散されてもよい。かかる目的のための分散型コントローラの例として、遠隔に（プラットフォームレベルで、又はリモートコンピュータの一部として等）位置し、共同してチャンバにおけるプロセスを制御する１つ又は複数の集積回路と通信するチャンバにある１つ又は複数の集積回路が挙げられる。

限定はしないが、様々な実施形態において、本方法が適用される例示のシステムは、プラズマエッチングチャンバ又はモジュール、堆積チャンバ又はモジュール、スピンリンスチャンバ又はモジュール、金属めっきチャンバ又はモジュール、クリーンチャンバ又はモジュール、ベベルエッジエッチングチャンバ又はモジュール、物理気相堆積（ＰＶＤ）チャンバ又はモジュール、化学気相堆積（ＣＶＤ）チャンバ又はモジュール、原子層堆積（ＡＬＤ）チャンバ又はモジュール、原子層エッチング（ＡＬＥ）チャンバ又はモジュール、イオン注入チャンバ又はモジュール、トラックチャンバ又はモジュール、並びに、半導体ウエハの作製及び／又は製造に関連するか使用される任意の他の半導体処理システムを含む。

幾つかの実施形態では、上記動作は、数種類のプラズマチャンバ、例えば、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ ｃｏｕｐｌｅｄ ｐｌａｓｍａ）リアクタを含むプラズマチャンバ、トランス結合プラズマチャンバ、導体ツール、誘電体ツール、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ）リアクタを含むプラズマチャンバ等に適用されることに更に留意されたい。例えば、１つ又は複数のＲＦ発生器は、ＩＣＰリアクタ内でインダクタに結合される。インダクタの形状の例としては、ソレノイド、ドーム型コイル、フラット型コイル等が挙げられる。

上述のように、ツールによって実行される１つ又は複数のプロセス工程に応じて、ホストコンピュータは、他のツール回路若しくはモジュール、他のツール部品、クラスタツール、他のツールインタフェース、隣接するツール、近接するツール、工場全体に設置されたツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、又は、半導体製造工場においてツール位置及び／若しくはロードポートに対してウエハの容器を搬入出する材料搬送で用いられるツール、のうちの１つ又は複数と通信する。

上記の実施形態を念頭に置いて、実施形態の幾つかは、コンピュータシステムに記憶されたデータを伴う様々なコンピュータ実装動作を用いると理解されるべきである。これらの動作は、物理量を物理的に操作する動作である。実施形態の一部を構成する本明細書に記述されるあらゆる動作は、有用な機械動作である。

また、実施形態の幾つかは、これらの動作を実行するためのハードウェアユニット又は装置に関する。装置は、専用コンピュータ用に特別に構築されている。専用コンピュータとして定義されるとき、コンピュータは、その専用の目的のために動作可能でありつつ、専用の目的の一部ではない他の処理、プログラム実行、又はルーチンを実施する。

幾つかの実施形態では、動作は、コンピュータメモリ、キャッシュに記憶されるかコンピュータネットワークを介して取得される１つ若しくは複数のコンピュータプログラムによって、選択的にアクティブ化又は構成されるコンピュータによって処理されてもよい。コンピュータネットワークを介してデータが取得される場合、そのデータは、コンピュータネットワーク上の他のコンピュータ、例えば、計算資源のクラウドによって処理されてもよい。

また、１つ又は複数の実施形態は、非一時的コンピュータ可読媒体上のコンピュータ可読コードとして作製することもできる。非一時的コンピュータ可読媒体は、データを記憶する任意のデータストレージハードウェアユニット、例えば、メモリデバイス等であり、データはその後コンピュータシステムによって読み取られる。非一時的コンピュータ可読媒体の例として、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、ＲＯＭ、ＲＡＭ、コンパクトディスクＲＯＭ（ＣＤ－ＲＯＭ）、ＣＤレコーダブル（ＣＤ－Ｒ）、ＣＤリライタブル（ＣＤ－ＲＷ）、磁気テープ、並びに他の光学及び非光学データストレージハードウェアユニットが挙げられる。幾つかの実施形態では、非一時的コンピュータ可読媒体は、コンピュータ可読コードが分散方式で記憶及び実行されるように、ネットワーク結合コンピュータシステム上に分散されたコンピュータ可読有形媒体を含む。

上記の方法動作は特定の順序で説明されたが、様々な実施形態では、各動作の間に他のハウスキーピング動作が実行されるか、各方法動作がわずかに異なる時間に発生するように調整されるか、各方法動作を様々な間隔で発生可能にするシステムに分散されるか、上記の順序とは異なる順序で実行されると理解されるべきである。

一実施形態では、上記の任意の実施形態からの１つ又は複数の特徴は、同じく上記の他の任意の実施形態の１つ又は複数の特徴と、本開示で説明される様々な実施形態で説明される範囲から逸脱することなく、組み合わされることに更に留意されたい。

また、一実施形態では、上述した任意の実施例からの１つ又は複数の特徴は、同じく上述した他の任意の実施例の１つ又は複数の特徴と、本開示で記述される様々な実施形態で記述される範囲から逸脱することなく、組み合わされることに留意されたい。

また、一実施形態では、上述した任意の実施例からの１つ又は複数の特徴は、同じく上述した任意の実施形態の１つ又は複数の特徴と、本開示で記述される様々な実施形態で記述される範囲から逸脱することなく、組み合わされることに留意されたい。

前述の実施形態については、理解を明確にするために幾分詳細に説明したが、特定の変更や修正を、付記したクレームの範囲内で実施できることは、明らかであろう。従って、本実施形態は、制限ではなく、例示と見なされ、且つ本実施形態は、本明細書で述べた詳細に限定されないものとする。

Claims (22)

1. エッチング速度における均一性を達成する方法であって、
   整合部の出力から電圧信号を受信すること、
   前記電圧信号の各サイクルに対する前記電圧信号の正交点及び負交点を判断することであって、各サイクルの前記負交点は、前記サイクルの前記正交点と連続していること、
   前記電圧信号の各サイクルの時間間隔を複数のビンに分割すること、
   前記正交点と関連する前記複数のビンの１つ又は複数に対して、及び前記負交点と関連する前記複数のビンの１つ又は複数に対して、前記エッチング速度における前記均一性を達成するように、無線周波数発生器の周波数を調整すること
   を含む方法。
2. 請求項１に記載の方法であって、前記正交点を判断することは、
   前記電圧信号が所定値にあるポイントを判断すること、及び
   前記電圧信号が前記所定値にある前の時間と比べて、前記電圧信号が前記所定値にある後の時間に、前記電圧信号の値が増加するのを判断すること
   を含む方法。
3. 請求項１に記載の方法であって、前記負交点を判断することは、
   前記電圧信号が所定値にあるポイントを判断すること、及び
   前記電圧信号が前記所定値にある前の時間と比べて、前記電圧信号が前記所定値にある後の時間に、前記電圧信号の値が減少するのを判断すること
   を含む方法。
4. 請求項１に記載の方法であって、前記正交点と関連する前記複数のビンの１つ又は複数は、所定数のビンを含み、前記所定数のビンの１つは、前記正交点を含む、方法。
5. 請求項１に記載の方法であって、前記負交点と関連する前記複数のビンの１つ又は複数は、所定数のビンを含み、前記所定数のビンの１つは、前記負交点を含む、方法。
6. エッチング速度における均一性を達成する方法であって、
   整合部の出力から電圧信号を受信すること、
   前記電圧信号の各サイクルに対する前記電圧信号の正交点及び負交点を判断することであって、各サイクルの前記負交点は、前記サイクルの前記正交点と連続していること、
   前記電圧信号の各サイクルの、前記正交点に近接する時間から始まり、前記負交点に近接する時間で終わる時間間隔を、複数のビンに分割すること、
   前記複数のビンの１つ又は複数に対して、前記エッチング速度における前記均一性を達成するように、第１無線周波数発生器の周波数を調整すること
   を含む方法。
7. 請求項６に記載の方法であって、前記正交点を判断することは、
   前記電圧信号が所定値にあるポイントを判断すること、及び
   前記電圧信号が前記所定値にある前の時間と比べて、前記電圧信号が前記所定値にある後の時間に、前記電圧信号の値が増加するのを判断すること
   を含む方法。
8. 請求項６に記載の方法であって、前記負交点を判断することは、
   前記電圧信号が所定値にあるポイントを判断すること、及び
   前記電圧信号が前記所定値にある前の時間と比べて、前記電圧信号が前記所定値にある後の時間に、前記電圧信号の値が減少するのを判断すること
   を含む方法。
9. 請求項６に記載の方法であって、前記正交点に近接する時間は、前記正交点が生じる時間であり、前記負交点に近接する時間は、前記負交点が生じる時間である、方法。
10. 請求項６に記載の方法であって、前記正交点に近接する時間は、前記正交点が生じる時間以前の第１所定範囲内にある時間であり、前記負交点に近接する時間は、前記負交点が生じる時間以降の第２所定範囲内にある時間である、方法。
11. 請求項６に記載の方法であって、前記複数のビンそれぞれは、等しい期間のものである、方法。
12. 請求項６に記載の方法であって、前記電圧信号は、前記整合部の前記出力と結合される電圧センサから受信され、前記整合部の前記出力は、無線周波数伝送路を介してプラズマチャンバの入力と結合される、方法。
13. 請求項６に記載の方法であって、各サイクルは、前半部分及び後半部分を含み、前記前半部分は、プラズマシースの電圧が最高点に達する期間と一致し、前記後半部分は、前記プラズマシースの前記電圧が最低点に達する期間と一致する、方法。
14. 請求項６に記載の方法であって、前記複数のビンは、第１ビンと第２ビンを含み、前記第１無線周波数発生器は、第２無線周波数発生器と比べて、高い動作周波数を有し、前記サイクルは、前記第２無線周波数発生器の動作に相当し、前記周波数を調整することは、
    前記第１ビン中に前記周波数の第１値を、第２値を達成するように変化させること、及び
    前記第２ビン中に前記周波数の前記第２値を、第３値を達成するように変化させること
    を含む、方法。
15. 請求項１４に記載の方法であって、前記電圧信号の前記サイクルは、第１サイクル及び第２サイクルを含み、前記第１値は、前記第２サイクルの前記第１ビン中に前記第２値を達成するように変化させられ、前記第２値は、前記第２サイクルの前記第２ビン中に前記第３値を達成するように変化させられる、方法。
16. 請求項１４に記載の方法であって、
    送出電力の第１測定値を受信することであって、前記第１測定値は、前記第１ビンと関連し、前記第１測定値は、前記第１無線周波数発生器の出力と結合されたセンサから受信されること、
    前記送出電力の第２測定値を受信することであって、前記第２測定値は、前記第２ビンと関連すること、を更に含み、
    前記周波数の前記第１値を変化させることは、前記第１測定値を減少させるように、前記周波数の前記第１値を増減することを含み、
    前記周波数の前記第２値を変化させることは、前記第２測定値を減少させるように、前記周波数の前記第２値を増減することを含む、方法。
17. 請求項１６に記載の方法であって、前記第１及び第２測定値の前記減少は、前記エッチング速度における前記均一性を達成するのを容易にする、方法。
18. エッチング速度における均一性を達成するコントローラであって、
    プロセッサであって、
    整合部の出力から電圧信号を受信し、
    前記電圧信号の各サイクルに対する前記電圧信号の正交点及び負交点を判断し、各サイクルの前記負交点は、前記サイクルの前記正交点と連続し、
    前記電圧信号の各サイクルの、前記正交点に近接する時間から始まり、前記負交点に近接する時間で終わる時間間隔を複数のビンに分割し、
    前記複数のビンの１つ又は複数に対して、前記エッチング速度における前記均一性を達成するように、無線周波数発生器の周波数を調整するように
    構成されるプロセッサ、及び
    前記プロセッサと結合されるメモリデバイス
    を含む、コントローラ。
19. 請求項１８に記載のコントローラであって、前記負交点を判断するために、前記プロセッサは、
    前記電圧信号が所定値であるポイントを判断し、
    前記電圧信号が前記所定値にある前の時間と比べて、前記電圧信号が前記所定値にある後の時間に、前記電圧信号の値が増加するのを判断するように構成される、コントローラ。
20. 請求項１８に記載のコントローラであって、前記負交点を判断するために、前記プロセッサは、
    前記電圧信号が所定値であるポイントを判断し、
    前記電圧信号が前記所定値にある前の時間と比べて、前記電圧信号が前記所定値にある後の時間に、前記電圧信号の値が減少するのを判断するように構成される、コントローラ。
21. 請求項１８に記載のコントローラであって、前記正交点に近接する時間は、前記正交点が生じる時間であり、前記負交点に近接する時間は、前記負交点が生じる時間である、コントローラ。
22. 請求項１８に記載のコントローラであって、前記正交点に近接する時間は、前記正交点が生じる時間以前の第１所定範囲内にある時間であり、前記負交点に近接する時間は、前記負交点が生じる時間以降の第２所定範囲内にある時間である、コントローラ。

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