JP2023504598A - Method of manufacturing substrate support for lithographic apparatus, substrate table, lithographic apparatus, device manufacturing method, method of use - Google Patents

Method of manufacturing substrate support for lithographic apparatus, substrate table, lithographic apparatus, device manufacturing method, method of use Download PDF

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Abstract

本開示は、基板テーブル、及び、基板テーブルのための基板サポートを製造する方法に関する。一配置において、ベース部材を介して複数のホールが形成される。バール形成部材は、ベース部材に接合される。複数のバール構造はバール形成部材内に形成される。各バール構造は、使用中、支持される基板に接する遠位表面を備える。各バール構造は、ベース部材を介して形成される少なくとも１つのホールに対する開口を備える。【選択図】 図３The present disclosure relates to a substrate table and a method of manufacturing a substrate support for a substrate table. In one arrangement, a plurality of holes are formed through the base member. A burl forming member is joined to the base member. A plurality of burl structures are formed within the burl forming member. Each burl structure has a distal surface that, in use, contacts the supported substrate. Each burl structure has an opening to at least one hole formed through the base member. [Selection diagram] Fig. 3

Description

関連出願の相互参照
[0001] 本願は、２０１９年１２月９日出願の欧州出願第１９２１４４６０．８号及び２０２０年７月３日出願の欧州出願第２０１８３９９８．２号の優先権を主張し、その両方の全体が参照により本明細書に組み込まれる。 Cross-reference to related applications
[0001] This application claims priority to European Application No. 19214460.8 filed on December 9, 2019 and European Application No. 20183998.2 filed on July 3, 2020, both of which are incorporated by reference in their entirety. incorporated herein by.

[0002] 本発明は、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法、基板サポートを有する基板テーブル、基板テーブルを有するリソグラフィ装置、リソグラフィ装置を使用するデバイス製造方法、及び、基板テーブルを使用する方法に関する。 [0002] The present invention relates to a method of manufacturing a substrate support for a lithographic apparatus, a substrate table comprising the substrate support, a lithographic apparatus comprising the substrate table, a method of manufacturing a device using the lithographic apparatus and a method of using the substrate table. Regarding.

[0003] リソグラフィ装置は、基板に所望のパターンを適用するように構築された機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造において使用可能である。リソグラフィ装置は、例えばパターニングデバイス（例えばマスク）のパターン（「設計レイアウト」又は「設計」と称されることも多い）を、基板（例えばウェーハ）上に提供された放射感応性材料（レジスト）層に投影し得る。 [0003] A lithographic apparatus is a machine constructed to apply a desired pattern onto a substrate. A lithographic apparatus can be used, for example, in the manufacture of integrated circuits (ICs). A lithographic apparatus maps, for example, a pattern (often referred to as a "design layout" or "design") in a patterning device (e.g. mask) onto a layer of radiation-sensitive material (resist) provided on a substrate (e.g. a wafer). can be projected onto

[0004] 半導体製造プロセスが進み続けるにつれ、回路素子の寸法は継続的に縮小されてきたが、その一方で、デバイス毎のトランジスタなどの機能素子の量は、「ムーアの法則」と通称される傾向に従って、数十年にわたり着実に増加している。ムーアの法則に対応するために、半導体産業はますます小さなフィーチャを作り出すことを可能にする技術を追求している。基板上にパターンを投影するために、リソグラフィ装置は電磁放射を用い得る。この放射の波長が、基板上にパターン形成されるフィーチャの最小サイズを決定する。現在使用されている典型的な波長は、３６５ｎｍ（ｉ線）、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ及び１３．５ｎｍである。 [0004] As the semiconductor manufacturing process continues to advance, the dimensions of circuit elements have continued to shrink, while the amount of functional elements, such as transistors, per device is commonly referred to as "Moore's Law." Following the trend, it has steadily increased over the decades. To keep up with Moore's Law, the semiconductor industry is pursuing technologies that enable the creation of smaller and smaller features. A lithographic apparatus can use electromagnetic radiation to project a pattern onto a substrate. The wavelength of this radiation determines the minimum feature size that can be patterned on the substrate. Typical wavelengths currently in use are 365 nm (i-line), 248 nm, 193 nm and 13.5 nm.

[0005] リソグラフィ装置は、放射の投影ビームを提供するための照明システム、及び、パターニングデバイスを支持するための支持構造を含み得る。パターニングデバイスは、投影ビームの断面にパターンを付与するように働き得る。装置は、パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影するための投影システムも含み得る。 [0005] A lithographic apparatus may include an illumination system for providing a projection beam of radiation, and a support structure for supporting a patterning device. The patterning device may serve to impart a pattern to a cross-section of the projection beam. The apparatus may also include a projection system for projecting the patterned beam onto the target portion of the substrate.

[0006] リソグラフィ装置において、露光すべき基板（製品基板と呼ばれる場合がある）は、基板テーブル（時には、ウェーハテーブル又は基板ホルダとも呼ばれる）上に保持され得る。基板テーブルは、投影システムに関して移動可能であり得る。基板テーブルの基板対向表面には、複数の突起（バールと呼ばれる）が提供され得る。バールの遠位表面は平坦面に一致し得、基板を支持し得る。バールは、基板テーブル上又は基板上の汚染物質粒子がバール間に落ちる可能性が高いため、基板の変形を生じさせないこと、基板テーブルの表面を平坦にするよりもバール端部が面に一致するようにバールを機械加工する方が容易であること、及び、バールの特性は例えば基板テーブルへの基板のクランプを制御するように調整可能であること、といういくつかの利点を、提供することができる。 [0006] In a lithographic apparatus, a substrate to be exposed (sometimes called a product substrate) may be held on a substrate table (sometimes also called a wafer table or substrate holder). The substrate table may be movable with respect to the projection system. The substrate facing surface of the substrate table may be provided with a plurality of protrusions (called burls). A distal surface of the burls may conform to the flat surface and support the substrate. The burls should not cause deformation of the substrate, as contaminant particles on the substrate table or substrate are more likely to fall between the burls, and the burls edges should conform to the plane rather than flatten the surface of the substrate table. and that the properties of the burls can be adjusted, e.g. to control the clamping of the substrate to the substrate table. can.

[0007] 製品基板は、バールと基板との間の摩擦力に起因して歪み得る。これらの相互作用は、潤滑効果を提供するためにバールを介して流体を駆動させることによって減少させることができる。多数のバールを介して均一及び確実に流体を駆動させることは困難であることが証明されている。 [0007] A product substrate can distort due to frictional forces between the burls and the substrate. These interactions can be reduced by driving the fluid through the burls to provide a lubricating effect. Driving fluid uniformly and reliably through a large number of burls has proven difficult.

[0008] 本発明の目的は、基板サポートの製造及び／又は性能を向上させることである。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to improve the manufacture and/or performance of substrate supports.

[0009] 本発明の一態様に従い、リソグラフィプロセス中に基板を支持するように構成された、基板サポートを備える基板テーブルが提供され、基板サポートは、基板サポートのベース部材を介して延在する複数のホールと、複数のバール構造とを備え、各バール構造は、使用中に基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備え、各バール構造は、ベース部材内のホールの少なくとも２つに対する開口を備え、基板テーブルは、バール構造のうちの１つ以上の各々において、すべての開口を介して外側への流体の流れを提供するように構成される。 [0009] According to an aspect of the invention, there is provided a substrate table comprising a substrate support configured to support a substrate during a lithographic process, the substrate support comprising a plurality of substrate supports extending through a base member of the substrate support. and a plurality of burl structures, each burl structure having a distal surface configured to contact a substrate supported by the substrate support in use, each burl structure including a hole in the base member. and the substrate table is configured to provide outward fluid flow through all the openings in each of the one or more of the burls.

[0010] 更なる態様に従い、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法が提供され、方法は、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、ベース部材内にホールが形成された後、バール形成部材をベース部材に接合すること、及び、バール形成部材がベース部材に接合された後、バール形成部材内に複数のバール構造を形成し、それによって基板サポートを形成することを含み、バール構造は、各バール構造が使用中に基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造がベース部材を介して形成されたホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、形成される。 [0010] According to a further aspect, there is provided a method of manufacturing a substrate support for a lithographic apparatus, the method comprising: forming a plurality of holes through a base member; after the holes are formed in the base member; bonding the burl-forming member to the base member; and forming a plurality of burl structures within the burl-forming member after the burl-forming member is bonded to the base member, thereby forming the substrate support; The structure is such that each burl structure comprises a distal surface configured in use to contact a substrate supported by the substrate support, and each burl structure has one of the holes formed through the base member. It is formed with an opening for at least one.

[0011] 更なる態様に従い、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法が提供され、方法は、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、ベース部材内にホールが形成された後、バール形成部材をベース部材に接合すること、及び、バール形成部材内に複数のバール構造を形成することを含み、バール構造は、各バール構造が使用中に基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造がベース部材を介して形成されたホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、形成される。 [0011] According to a further aspect, there is provided a method of manufacturing a substrate support for a lithographic apparatus, the method comprising: forming a plurality of holes through a base member; after the holes are formed in the base member; joining a burl-forming member to a base member; and forming a plurality of burl structures within the burl-forming member, each burl structure being in contact with a substrate supported by a substrate support during use. and each burl structure with an opening to at least one of the holes formed through the base member.

[0012] 更なる態様に従い、リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法が提供され、方法は、ベース部材を介して複数のホールを形成すること、及び、複数のホールのうちの各々の少なくとも一部がベース部材内に形成された後、複数のバール構造をベース部材内に形成することを含み、バール構造は、各バール構造が使用中に支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造がベース部材を介して形成されたホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、形成される。 [0012] According to a further aspect, there is provided a method of manufacturing a substrate support for a lithographic apparatus, the method comprising forming a plurality of holes through a base member; forming a plurality of burl structures within the base member after the portion is formed within the base member, each burl structure being configured to contact a substrate supported during use; and each burl structure is formed with an opening to at least one of the holes formed through the base member.

[0013] 本発明の更なる実施形態、特徴、及び利点を、添付の図面を参照しながら下記で詳細に説明する。 [0013] Further embodiments, features and advantages of the present invention are described in detail below with reference to the accompanying drawings.

[0014] 対応する参照符号が対応する部分を示す添付の概略図を参照しながら以下に本発明の実施形態について説明するが、これは単に例示としてのものに過ぎない。 [0014] Embodiments of the invention are described below with reference to the accompanying schematic drawings in which corresponding reference numerals indicate corresponding parts, by way of example only.

リソグラフィ装置の概要を概略的に示す図である。1 schematically depicts an overview of a lithographic apparatus; FIG. バール構造を伴う基板サポートを有する基板テーブルを概略的に示す図である。Fig. 2 schematically shows a substrate table having a substrate support with a burl structure; 基板サポートのバール構造を概略的に示す断面斜視図である。FIG. 4 is a cross-sectional perspective view schematically showing a burl structure of a substrate support; サブバールを伴うバール構造を備える基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。FIG. 4A is a schematic cross-sectional side view showing a portion of a substrate support comprising a burl structure with sub-burls; 図４のバール構造を示す概略頂面図である。Figure 5 is a schematic top view of the burl structure of Figure 4; サブバールを通過するホールを有するサブバールを伴うバール構造を備える基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。FIG. 4A is a schematic cross-sectional side view of a portion of a substrate support comprising a burl structure with sub-burls having holes passing through the sub-burls; 図６のバール構造を示す概略頂面図である。Figure 7 is a schematic top view of the burl structure of Figure 6; バール構造のアップストリームに多孔質層を有する基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。FIG. 4A is a schematic cross-sectional side view showing a portion of a substrate support having a porous layer upstream of the burl structure; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ベース部材をバール形成部材に接合するステップを含む、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support including joining a base member to a burl forming member; ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support in which hole and burl structures are formed in the same base member; ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support in which hole and burl structures are formed in the same base member; ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support in which hole and burl structures are formed in the same base member; ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support in which hole and burl structures are formed in the same base member; ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support in which hole and burl structures are formed in the same base member; ホール及びバール構造が同じベース部材内に形成される、基板サポートを製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Figures 4A and 4B schematically illustrate steps in a method of manufacturing a substrate support in which hole and burl structures are formed in the same base member; バール構造を備える更なる例示の基板サポートの一部を示す、概略側断面図である。FIG. 12A is a schematic cross-sectional side view showing a portion of a further exemplary substrate support comprising a burl structure; 基板サポートの層状構造の拡大部分を示す差し込み図を伴う、基板テーブルの一部内に形成される凹所内に基板サポートがどのように取り付け可能であるかを示す、概略側断面図である。Fig. 3 is a schematic cross-sectional side view showing how the substrate support can be mounted within a recess formed in a portion of the substrate table, with an inset showing a magnified portion of the layered structure of the substrate support; 基板サポートのベース部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Fig. 4 schematically shows steps in a method of manufacturing a base member of a substrate support; 基板サポートのベース部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Fig. 4 schematically shows steps in a method of manufacturing a base member of a substrate support; 基板サポートのベース部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Fig. 4 schematically shows steps in a method of manufacturing a base member of a substrate support; 基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Fig. 3 schematically shows steps in a method of manufacturing a burl forming member of a substrate support; 基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Fig. 3 schematically shows steps in a method of manufacturing a burl forming member of a substrate support; 基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Fig. 3 schematically shows steps in a method of manufacturing a burl forming member of a substrate support; 基板サポートのバール形成部材を製造する方法におけるステップを概略的に示す図である。Fig. 3 schematically shows steps in a method of manufacturing a burl forming member of a substrate support;

[0015] 図に示される特徴は必ずしも一定の縮尺ではなく、示されるサイズ及び／又は配置は限定的ではない。図面は、本発明にとって不可欠ではない可能性のある任意選択の特徴を含むことを理解されよう。 [0015] Features shown in the figures are not necessarily to scale, and the sizes and/or arrangements shown are not limiting. It will be appreciated that the drawings contain optional features that may not be essential to the invention.

[0016] 本文献では、「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外線（例えば、波長が４３６ｎｍ、４０５ｎｍ、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、１２６ｎｍ、又は１３．５ｎｍの波長）を含む、すべてのタイプの電磁放射を包含するために使用される。 [0016] In this document, the terms "radiation" and "beam" refer to all radiation, including ultraviolet radiation (e.g., wavelengths of 436 nm, 405 nm, 365 nm, 248 nm, 193 nm, 157 nm, 126 nm, or 13.5 nm). Used to contain types of electromagnetic radiation.

[0017] 「レチクル」、「マスク」、又は「パターニングデバイス」という用語は、本文で用いる場合、基板のターゲット部分に生成されるパターンに対応して、入来する放射ビームにパターン付き断面を与えるため使用できる汎用パターニングデバイスを指すものとして広義に解釈され得る。また、この文脈において「ライトバルブ」という用語も使用できる。古典的なマスク（透過型又は反射型マスク、バイナリマスク、位相シフトマスク、ハイブリッドマスク等）以外に、他のそのようなパターニングデバイスの例は、プログラマブルミラーアレイ及びプログラマブルＬＣＤアレイを含む。 [0017] The terms "reticle," "mask," or "patterning device," as used herein, correspond to a pattern to be produced on a target portion of a substrate to impart a patterned cross-section to an incoming radiation beam. can be broadly interpreted to refer to a general purpose patterning device that can be used for The term "light valve" can also be used in this context. Besides classical masks (transmissive or reflective masks, binary masks, phase shift masks, hybrid masks, etc.), other examples of such patterning devices include programmable mirror arrays and programmable LCD arrays.

[0018] 図１は、リソグラフィ装置ＬＡを概略的に示す。リソグラフィ装置は、放射ビームＢ（例えば、ＥＵＶ放射又はＤＵＶ放射）を調節するように構成された照明システム（イルミネータとも呼ばれる）ＩＬと、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するように構築され、特定のパラメータに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに連結されたマスクサポート（例えばマスクテーブル）ＭＴと、基板（例えばレジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、特定のパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構築された第２のポジショナＰＷに連結された基板テーブルＷＴと、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に投影するように構成された投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳと、を含む。 [0018] Figure 1 schematically depicts a lithographic apparatus LA. The lithographic apparatus is constructed to support an illumination system (also called illuminator) IL configured to condition a radiation beam B (e.g. EUV radiation or DUV radiation), and a patterning device (e.g. mask) MA. configured to hold a mask support (e.g. mask table) MT coupled to a first positioner PM configured to accurately position the patterning device MA according to the parameters of , a substrate table WT coupled to a second positioner PW constructed to accurately position the substrate according to particular parameters, and a pattern imparted to the radiation beam B by the patterning device MA onto a target portion C of the substrate W ( a projection system (eg, a refractive projection lens system) PS configured to project onto, for example, one or more dies.

[0019] 動作中、照明システムＩＬは、例えばビームデリバリシステムＢＤを介して放射源ＳＯから放射ビームを受ける。照明システムＩＬは、放射を誘導し、整形し、及び／又は制御するための、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、及び／又はその他のタイプの光学コンポーネント、又はそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学コンポーネントを含むことができる。イルミネータＩＬを使用して放射ビームＢを調節し、パターニングデバイスＭＡの平面において、その断面にわたって所望の空間及び角度強度分布が得られるようにしてもよい。 [0019] In operation, the illumination system IL receives a beam of radiation from the source SO, for example via the beam delivery system BD. The illumination system IL may comprise refractive, reflective, magnetic, electromagnetic, electrostatic and/or other types of optical components or their components for directing, shaping and/or controlling radiation. Various types of optical components can be included in any combination. The illuminator IL may be used to condition the beam of radiation B to obtain desired spatial and angular intensity distributions in the plane of the patterning device MA and across its cross-section.

[0020] 本明細書で用いられる「投影システム」ＰＳという用語は、使用する露光放射、及び／又は液浸液の使用や真空の使用のような他のファクタに合わせて適宜、屈折光学システム、反射光学システム、反射屈折光学システム、アナモルフィック光学システム、磁気光学システム、電磁気光学システム、及び／又は静電気光学システム、又はそれらの任意の組み合わせを含む様々なタイプの投影システムを包含するものとして広義に解釈するべきである。本明細書で「投影レンズ」という用語が使用される場合、これは更に一般的な「投影システム」ＰＳという用語と同義と見なすことができる。 [0020] The term "projection system" PS as used herein refers to a refractive optical system, a refractive optical system, PS as appropriate to the exposure radiation used and/or other factors such as the use of immersion liquid and the use of a vacuum. broadly defined to encompass various types of projection systems including reflective optical systems, catadioptric optical systems, anamorphic optical systems, magneto-optical systems, electromagnetic-optical systems, and/or electrostatic optical systems, or any combination thereof should be interpreted as Any use of the term "projection lens" herein may be considered synonymous with the more general term "projection system" PS.

[0021] リソグラフィ装置は、投影システムＰＳと基板Ｗとの間の液浸空間を充填するように、基板Ｗの少なくとも一部を例えば水のような比較的高い屈折率を有する液浸液で覆うことができるタイプでもよい。これは液浸リソグラフィとも呼ばれる。液浸技法に関する更なる情報は、参照により本願に含まれる米国特許６，９５２，２５３号に与えられている。 [0021] The lithographic apparatus covers at least part of the substrate W with an immersion liquid having a relatively high refractive index, such as water, so as to fill the immersion space between the projection system PS and the substrate W. It may be the type that can This is also called immersion lithography. Further information regarding immersion techniques is provided in US Pat. No. 6,952,253, which is incorporated herein by reference.

[0022] リソグラフィ装置は、２つ以上の基板テーブルＷＴを有するタイプである場合がある（「デュアルステージ」という名前も付いている）。このような「マルチステージ」機械においては、基板テーブルＷＴを並行して使用するか、及び／又は、一方の基板テーブルＷＴ上の基板Ｗにパターンを露光するためこの基板を用いている間に、他方の基板テーブルＷＴ上に配置された基板Ｗに対して基板Ｗの以降の露光の準備ステップを実行することができる。 [0022] The lithographic apparatus may be of a type having more than one substrate table WT (also called "dual stage"). In such a "multi-stage" machine, while using the substrate tables WT in parallel and/or using the substrate W on one of the substrate tables WT to expose a pattern onto it, A substrate W positioned on the other substrate table WT may be subjected to preparation steps for its subsequent exposure.

[0023] 基板テーブルＷＴに加えて、リソグラフィ装置は測定ステージ（図１に図示しない）を含むことができる。測定ステージは、センサ及び／又は洗浄デバイスを保持するように配置されている。センサは、投影システムＰＳの特性又は放射ビームＢの特性を測定するよう配置できる。測定ステージは複数のセンサを保持することができる。洗浄デバイスは、例えば投影システムＰＳの一部又は液浸液を提供するシステムの一部のような、リソグラフィ装置の一部を洗浄するよう配置できる。基板テーブルＷＴが投影システムＰＳから離れている場合、測定ステージは投影システムＰＳの下方で移動することができる。 [0023] In addition to the substrate table WT, the lithographic apparatus may include a measurement stage (not shown in Figure 1). A measurement stage is arranged to hold the sensor and/or the cleaning device. The sensors can be arranged to measure properties of the projection system PS or properties of the radiation beam B. FIG. The measurement stage can hold multiple sensors. The cleaning device may be arranged to clean parts of the lithographic apparatus, for example parts of the projection system PS or parts of the system providing immersion liquid. When the substrate table WT is remote from the projection system PS, the measurement stage can move under the projection system PS.

[0024] 動作中、放射ビームＢは、マスクサポートＭＴ上に保持されている、パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射し、パターニングデバイスＭＡ上に存在するパターン（設計レイアウト）によってパターンが付与される。マスクＭＡを横断した放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳはビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる。第２のポジショナＰＷ及び位置測定システムＰＭＳを用いて、例えば、放射ビームＢの経路内の集束し位置合わせした位置に様々なターゲット部分Ｃを位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。同様に、第１のポジショナＰＭと、場合によっては別の位置センサ（図１には明示的に図示されていない）を用いて、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。パターニングデバイスＭＡ及び基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いて位置合わせすることができる。図示されている基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は専用のターゲット部分を占有するが、それらをターゲット部分間の空間に位置付けることも可能である。基板アライメントマークＰ１、Ｐ２は、これらがターゲット部分Ｃ間に位置付けられている場合、スクライブラインアライメントマークとして知られている。 [0024] In operation, the beam of radiation B is incident on the patterning device (eg mask) MA, which is held on the mask support MT, and is patterned according to the pattern (design layout) present on patterning device MA. . Having traversed the mask MA, the beam of radiation B passes through the projection system PS, which focuses the beam onto a target portion C of the substrate W. FIG. Using the second positioner PW and the position measuring system PMS to accurately move the substrate table WT, for example to position the various target portions C at focused and aligned positions within the path of the radiation beam B; can be done. Similarly, the first positioner PM and possibly another position sensor (not explicitly shown in FIG. 1) are used to accurately position the patterning device MA with respect to the path of the radiation beam B. be able to. Patterning device MA and substrate W may be aligned using mask alignment marks M1, M2 and substrate alignment marks P1, P2. Although the substrate alignment marks P1, P2 as illustrated occupy dedicated target portions, they could be located in spaces between target portions. When substrate alignment marks P1, P2 are located between target portions C, they are known as scribe-lane alignment marks.

[0025] 本明細書において、デカルト座標系が用いられる。デカルト座標系は３つの軸、すなわちｘ軸、ｙ軸、及びｚ軸を有する。３つの軸の各々は他の２つの軸に対して直交している。ｘ軸を中心とした回転をＲｘ回転と称する。ｙ軸を中心とした回転をＲｙ回転と称する。ｚ軸を中心とした回転をＲｚ回転と称する。ｘ軸及びｙ軸は水平面を画定し、ｚ軸は垂直方向を画定する。デカルト座標系は本発明を限定せず、単に明確さのため使用される。代わりに、本発明を明瞭にするために円筒座標系などの別の座標系が使用され得る。デカルト座標系の配向は、例えばｚ軸が水平面に沿った成分を有するように、異なるものとしてもよい。 [0025] A Cartesian coordinate system is used herein. A Cartesian coordinate system has three axes: the x-axis, the y-axis, and the z-axis. Each of the three axes is orthogonal to the other two axes. A rotation about the x-axis is called an Rx rotation. Rotation about the y-axis is called Ry rotation. Rotation about the z-axis is called Rz rotation. The x- and y-axes define the horizontal plane and the z-axis defines the vertical direction. The Cartesian coordinate system does not limit the invention and is used merely for clarity. Alternatively, another coordinate system, such as a cylindrical coordinate system, may be used to clarify the invention. The orientation of the Cartesian coordinate system may be different, for example the z-axis has a component along the horizontal plane.

[0026] リソグラフィ装置において、投影システムによって投影されるパターンの空間像の最良焦点の面内で露光されるべき基板の上部表面を、かなりの精度で位置決めすることが必要である。これを達成するために、基板を基板テーブル上で保持することができる。基板を支持する基板テーブルの表面には、その遠位端が名目上の支持面内で同一平面上にあることが可能な複数のバールが提供可能である。バールは多数であるが、支持面に対して平行な断面域内では小さいため、それらの遠位端の総断面域は基板の表面域の数パーセント、例えば５％未満である。基板テーブルと基板との間の空間内のガス圧は、基板を基板テーブルにクランプする力を生み出すために基板の上の圧力と比べて低減され得る。代替又は追加として、基板を基板テーブルにクランプするために静電気クランプ力が使用され得る。 [0026] In a lithographic apparatus, it is necessary to position with great precision the top surface of the substrate to be exposed in the plane of best focus of the aerial image of the pattern projected by the projection system. To accomplish this, the substrate can be held on a substrate table. The surface of the substrate table that supports the substrate can be provided with a plurality of burls whose distal ends can be co-planar within the nominal support plane. The burls are numerous, but small in cross-sectional area parallel to the support surface, so that the total cross-sectional area of their distal ends is a few percent, eg, less than 5%, of the surface area of the substrate. The gas pressure in the space between the substrate table and the substrate can be reduced compared to the pressure above the substrate to create a force that clamps the substrate to the substrate table. Alternatively or additionally, an electrostatic clamping force can be used to clamp the substrate to the substrate table.

[0027] 基板が基板テーブル上にロードされるとき、一般に基板は基板テーブル上に完全に平坦にランディングしない。これは、基板のローディング中、基板の一点がバールのうちの少なくとも１つに接触した後、基板の残りの部分が基板テーブルに接触する傾向があることを意味する。ローディング中の基板と基板テーブルとの間の摩擦力は、基板が基板テーブル全体にわたって接触する際、基板内に面内変形を引き起こし得る。同様の影響がアンローディング中にも発生し得る。面内変形はオーバーレイエラーを増加させる可能性がある。 [0027] When a substrate is loaded onto the substrate table, it generally does not land perfectly flat on the substrate table. This means that during substrate loading, after one point of the substrate contacts at least one of the burls, the remainder of the substrate tends to contact the substrate table. Frictional forces between the substrate during loading and the substrate table can cause in-plane deformations in the substrate as it contacts across the substrate table. A similar effect can occur during unloading. In-plane deformation can increase overlay error.

[0028] 潤滑効果を提供するためにバールを介して流体（例えば、ガス及び液体のいずれか又は両方）を駆動させることによって、バールと基板との間の摩擦力を減少させることが可能である。異なるバール間の流れ抵抗における望ましくない変動が、バールを介する流量に対応する変動を生じさせることになるため、こうした潤滑流体流れを均一に提供することは困難である。流れ抵抗が小さいと流量は大きくなり、またその逆も真である。 [0028] By driving a fluid (eg, gas and/or liquid) through the burls to provide a lubricating effect, it is possible to reduce the frictional force between the burls and the substrate. . It is difficult to provide such a lubricating fluid flow uniformly, as undesirable variations in flow resistance between different burls will cause corresponding variations in the flow rate through the burls. The lower the flow resistance, the higher the flow rate and vice versa.

[0029] 上記の問題を低減させる１つの手法は、各バール内の流れ抵抗を制御されたやり方で増加させるために、各バール内に流れ制限部を提供することである。バールの流れ抵抗が増加することで、任意のバールを介した過剰な流れ又は過剰な全体流れ無しに、各バールからの十分な流れを確実に保証することができる。 [0029] One approach to reducing the above problem is to provide a flow restriction within each burl to increase the flow resistance within each burl in a controlled manner. The increased flow resistance of the burls can ensure adequate flow from each burl without excessive flow through any of the burls or excessive overall flow.

[0030] 下記で説明する実施形態は、こうした流れ制限部を備えるバール（以下、バール構造と呼ぶ）を有する基板サポートを製造する、効率的及び／又は信頼できる方法を提供する。 [0030] The embodiments described below provide an efficient and/or reliable method of manufacturing a substrate support having burls with such flow restrictions (hereinafter referred to as burl structures).

[0031] 図２は、基板テーブルＷＴの上部表面に取り付けられる基板サポート２を示す。サポートテーブルＷＴは、リソグラフィ装置ＬＡによって実行されるリソグラフィプロセスにおける基板Ｗの露光中、基板Ｗとリソグラフィ装置ＬＡの投影システムＰＳとの間に相対運動を提供する。リソグラフィ装置ＬＡは、半導体デバイスなどのデバイスを製造する方法で使用され得る。基板テーブルＷＴ及び／又はリソグラフィ装置ＬＡは、図１を参照しながら上記で説明したやり方のうちのいずれかで動作するように、構成及び／又は配置され得る。 [0031] Figure 2 shows a substrate support 2 attached to the top surface of the substrate table WT. The support table WT provides relative motion between the substrate W and the projection system PS of the lithographic apparatus LA during exposure of the substrate W in a lithographic process performed by the lithographic apparatus LA. A lithographic apparatus LA may be used in a method of manufacturing a device, such as a semiconductor device. Substrate table WT and/or lithographic apparatus LA may be constructed and/or arranged to operate in any of the ways described above with reference to FIG.

[0032] 基板サポート２は複数のバール構造６を備える。図３は、例示のバール構造６をより詳細に示す。各バール構造６は遠位表面１１を備える。使用中、遠位表面１１は、基板サポート２によって支持される基板Ｗと接する。平面基板の場合、バール構造６の遠位表面１１は同一平面上にあり得る。 [0032] The substrate support 2 comprises a plurality of burl structures 6; FIG. 3 shows an exemplary burl structure 6 in more detail. Each burl structure 6 comprises a distal surface 11 . In use, distal surface 11 contacts substrate W supported by substrate support 2 . For planar substrates, the distal surface 11 of the burl structure 6 may be coplanar.

[0033] 示された実施形態において、バール凹所１４は、各バール構造６内の遠位表面１１から凹状面１３へと延在する。図３の例では、バール凹所１４は実質的に円筒である。バール凹所１４の円筒対称性の軸は、使用中、バール構造６によって支持される基板Ｗに対して垂直である。バール凹所１４は、前述の潤滑効果を提供するために、使用中に流体（例えば、液体及び／又はガス）が流れる際に介することが可能なチャネルを画定する。いくつかの実施形態において、図３で例示するように、１つ以上のバール構造６の各々は、使用中、支持される基板Ｗの面に平行な方向に、バール凹所１４を囲む壁を備える。壁の遠位部分は、使用中、支持される基板Ｗと接する遠位表面１１のすべて又は一部を形成する。壁は、バール凹所１４から見て外側を向く半径方向外側表面８を有する。図示された実施形態において、半径方向外側表面８はテーパ状である。半径方向外側表面８をテーパ状にすることで、半径方向外側表面８がテーパ状でない代替構成に比べて、壁を強化し得る。壁は、バール凹所１４の内側を向いた半径方向内側表面１０を有する。バール構造６の間の表面９は実質的に平坦であり得、使用中、基板サポート２によって支持される基板Ｗ方向を向く。半径方向外側表面８がテーパ状であるとき、半径方向外側表面８は、（９０度ではなく）斜角で表面９と交わり得る。 [0033] In the illustrated embodiment, the burl recesses 14 extend from the distal surface 11 in each burl structure 6 to the concave surface 13. As shown in FIG. In the example of Figure 3, the burl recess 14 is substantially cylindrical. The axis of cylindrical symmetry of the burl recesses 14 is perpendicular to the substrate W supported by the burl structure 6 in use. Burl recesses 14 define channels through which fluids (eg, liquids and/or gases) may flow during use to provide the aforementioned lubricating effect. In some embodiments, as illustrated in FIG. 3, each of the one or more burl structures 6, in use, extends the walls surrounding the burl recesses 14 in a direction parallel to the plane of the substrate W to be supported. Prepare. The distal portion of the wall forms all or part of the distal surface 11 that contacts the supported substrate W during use. The wall has a radially outer surface 8 facing away from the burl recess 14 . In the illustrated embodiment, the radially outer surface 8 is tapered. Tapering the radially outer surface 8 may strengthen the wall compared to alternative configurations in which the radially outer surface 8 is not tapered. The wall has a radially inner surface 10 facing the inside of the burl recess 14 . The surface 9 between the burl structures 6 may be substantially flat and faces the substrate W supported by the substrate support 2 in use. When radially outer surface 8 is tapered, radially outer surface 8 may meet surface 9 at an oblique angle (instead of 90 degrees).

[0034] 基板テーブルＷＴは、バール構造６を介して流体（例えば、液体及び／又はガス）の外向き流れを提供するように構成される。流体の外向き流れは、バール凹所１４から出て、基板テーブルＷＴによって支持される基板Ｗ方向（図２及び図３の配向では上方）へ渡る。流体の外向き流れは、バール構造６と基板Ｗとの間の摩擦力を減少させるために、例えば、基板テーブルＷＴ上への基板Ｗのローディング及び／又はアンローディング中、並びに／あるいは、少なくとも簡潔に、基板Ｗが基板テーブルＷＴ上に完全にロードされる間に、提供され得る。流体の外向き流れは、例えば、ダクト系統、弁、ポンプ、フィルタ、センサ、及び／又は他の適切なコンポーネントの任意の組み合わせを含む、流体流れを制御可能に誘導するための装置の任意の組み合わせと共に、流体源４（例えば、ガス源又は液体源）を使用して提供され得る。 [0034] The substrate table WT is configured to provide an outward flow of fluids (eg liquids and/or gases) through the burl structure 6 . The outward flow of fluid exits the burl recess 14 and travels towards the substrate W supported by the substrate table WT (upwards in the orientation of FIGS. 2 and 3). The outward flow of fluid may be used to reduce frictional forces between the burl structure 6 and the substrate W, for example during loading and/or unloading of the substrate W onto the substrate table WT and/or at least briefly. , while the substrate W is fully loaded onto the substrate table WT. Outward flow of fluid may be controlled by any combination of devices for controllably directing fluid flow, including, for example, any combination of ductwork, valves, pumps, filters, sensors, and/or other suitable components. can be provided using a fluid source 4 (eg, gas source or liquid source).

[0035] 基板サポート２はベース部材２０を備える。ベース部材２０は、例えば、シリコンウェーハの一部を備え得る。ベース部材２０は、ベース部材２０を介して延在する複数のホール１２を備える。図３の例では、ホール１２はベース部材２０を介して縦方向に延在する。各ホール１２は、図示された例では、円筒対称性の縦軸を伴い、実質的に円筒状である。いくつかの実施形態において、ホール１２は、非円形断面を伴うか又は深さに応じてサイズが変化する断面を伴う形状などの、他の配向及び／又は形状を有し得る。１つ以上のホール１２は、例えば、テーパ状であり得る。ベース部材２０の頂面における各ホール１２の開口は、上方を向いている。ベース部材２０の底面における各ホール１２の開口は、下方を向いている。各ホール１２はチャネルと呼ばれることがある。一実施形態において、各ホール１２は細長い（例えば、各ホール１２の長さはホール１２の直径よりも大きい）。一実施形態において、各ホール１２は０．００１から０．２ｍｍの範囲内、任意選択として０．００１から約０．０５ｍｍの範囲内の、直径を有する。一実施形態において、各ホール１２は、０．００５から１ｍｍの範囲内、任意選択として０．００５から約０．２ｍｍの範囲内の、長さを有する。 [0035] The substrate support 2 comprises a base member 20. As shown in FIG. Base member 20 may, for example, comprise a portion of a silicon wafer. Base member 20 includes a plurality of holes 12 extending through base member 20 . In the example of FIG. 3, hole 12 extends longitudinally through base member 20 . Each hole 12 is substantially cylindrical, in the illustrated example, with a longitudinal axis of cylindrical symmetry. In some embodiments, holes 12 may have other orientations and/or shapes, such as shapes with non-circular cross-sections or cross-sections that vary in size with depth. One or more holes 12 may be tapered, for example. The opening of each hole 12 in the top surface of the base member 20 faces upward. The opening of each hole 12 in the bottom surface of the base member 20 faces downward. Each hole 12 is sometimes called a channel. In one embodiment, each hole 12 is elongated (eg, the length of each hole 12 is greater than the diameter of hole 12). In one embodiment, each hole 12 has a diameter within the range of 0.001 to 0.2 mm, optionally within the range of 0.001 to about 0.05 mm. In one embodiment, each hole 12 has a length within the range of 0.005 to 1 mm, optionally within the range of 0.005 to about 0.2 mm.

[0036] 各バール構造６は、ホール１２のうちの少なくとも１つに対する開口を備える。バール構造６が凹状面１３を有さない実施形態では、開口は、基板Ｗと接する遠位表面１１内に提供され得る。バール構造６が凹状面１３を備える図３から図２２に示されるような実施形態では、各凹状面１３はホール１２のうちの少なくとも１つに対する開口を備え得る。各凹状面１３は、凹状面１３が無い場合に比べて流体の流れを部分的にブロックする。したがって、各バール構造６内の凹状面１３及びホール１２の組み合わせは、流れ制限器として働く。流れ制限部の量は、ホール１２の断面積及び数に依存する。 Each burl structure 6 comprises an opening to at least one of the holes 12 . In embodiments in which the burl structure 6 does not have a concave surface 13, an opening may be provided in the distal surface 11 in contact with the substrate W. In embodiments such as those shown in FIGS. 3-22 in which the burl structure 6 comprises concave surfaces 13 , each concave surface 13 may comprise an opening to at least one of the holes 12 . Each concave surface 13 partially blocks fluid flow compared to the absence of concave surfaces 13 . The combination of concave surface 13 and hole 12 in each burl structure 6 thus acts as a flow restrictor. The amount of flow restriction depends on the cross-sectional area and number of holes 12 .

[0037] いくつかの実施形態において、各々がベース部材２０内のホール１２のうちの少なくとも２つに対する開口を備える、バール構造６が提供される。バール構造６が凹状面１３を備える場合、各凹状面１３は、ベース部材２０内のホール１２のうちの少なくとも２つに対する開口を備え得る。バール構造６及び／又は凹状面１３の各々に複数のホール１２を提供することで、流れ制限機能のロバスト性を向上させる。汚染は、単一ホールよりも複数ホールに干渉する可能性の方が低い。一実施形態において、基板テーブルＷＴは、１つ以上のバール構造６及び／又は凹状面１３の各々におけるすべての開口を介して、流体の外向き流れを提供するように構成される。 [0037] In some embodiments, burl structures 6 are provided, each comprising an opening to at least two of the holes 12 in the base member 20. As shown in FIG. If the burl structure 6 comprises concave surfaces 13 , each concave surface 13 may comprise openings to at least two of the holes 12 in the base member 20 . Providing multiple holes 12 in each of the burl structures 6 and/or concave surfaces 13 increases the robustness of the flow restriction function. Contamination is less likely to interfere with multiple holes than single holes. In one embodiment, the substrate table WT is configured to provide an outward flow of fluid through all openings in each of the one or more burl structures 6 and/or the concave surface 13 .

[0038] いくつかの実施形態では、図３に例示されるように、ベース部材２０は、ベース部材２０内に複数のベース凹所１５を更に備える。図３は、ベース部材２０の下側に１つのこうしたベース凹所１５を示す。各ベース凹所１５は、ベース部材２０の反対側のバール構造６の異なるそれぞれ１つと位置合わせされる（例えば、各ベース凹所１５は異なるバール構造６と位置合わせされることになる）。位置合わせは、流体の外向き流れが、それぞれのバール構造６のベース凹所１５及びバール凹所１４を介した（例えば、流体源４からの）流体の流れを、ベース部材２０内のホール１２を介して駆動させることによって、提供されるようになる。基板サポート２が（例えば、図２に示されるように）基板テーブルＷＴに取り付けられるとき、ベース凹所１５は、基板テーブルＷＴ内にバール構造６から更なるダクト系統へと導くチャネルを形成することができる。 [0038] In some embodiments, the base member 20 further comprises a plurality of base recesses 15 within the base member 20, as illustrated in FIG. FIG. 3 shows one such base recess 15 on the underside of base member 20 . Each base recess 15 is aligned with a different respective one of the burl structures 6 on opposite sides of the base member 20 (eg, each base recess 15 will be aligned with a different burl structure 6). Alignment is such that the outward flow of fluid (eg, from fluid source 4 ) through base recess 15 and burl recess 14 of each burl structure 6 is aligned with hole 12 in base member 20 . It will be provided by driving through When the substrate support 2 is mounted on the substrate table WT (eg as shown in Figure 2) the base recess 15 forms a channel in the substrate table WT leading from the burl structure 6 to a further ducting system. can be done.

[0039] いくつかの実施形態では、１つ以上のバール構造６の各々について、ベース部材２０の面から垂直に見たとき、バール凹所１４内の凹状面１３内へと開口している各ホール１２の断面積は、バール構造６と位置合わせされたそれぞれのベース凹所１５の断面積よりも小さく、バール凹所１４の断面積よりも小さい。したがってホール１２は、各バール構造６が、間に制限構造が提供されない（すなわち、凹状面１３がホール１２を備えない）バール凹所１４に直接接続されたベース凹所１５を備える、概念的なケースに比べて、各バール構造６を介する流れを制限するための働きをする。 [0039] In some embodiments, for each of the one or more burl structures 6, each opening into the concave surface 13 within the burl recess 14 when viewed perpendicularly from the plane of the base member 20. The cross-sectional area of the hole 12 is smaller than the cross-sectional area of the respective base recess 15 aligned with the burl structure 6 and smaller than the cross-sectional area of the burl recess 14 . Holes 12 are thus conceptually in that each burl structure 6 comprises a base recess 15 directly connected to a burl recess 14 between which no limiting structure is provided (i.e. concave surface 13 does not comprise hole 12). It serves to restrict the flow through each burl structure 6 compared to the case.

[0040] 図４から図７は、１つ以上のバール構造６の各々が、バール構造６のバール凹所１４内に１つ以上のサブバール３２を備える、実施形態を示す。各サブバール３２は遠位先端１１Ｂを有する。遠位先端１１Ｂは、使用中、基板サポート２によって支持される基板Ｗと接触する、バール構造６の遠位表面の一部を形成する。遠位先端１１Ｂによって提供される遠位表面の一部は、バール構造６の遠位表面のすべてよりは少ない。このタイプの実施形態では、１つ以上のバール構造６の各々は、使用中、支持される基板Ｗの面に対して平行な方向に（例えば、図に示される配向においてすべての水平方向に）、バール凹所１４を囲む壁を備え得る。壁の遠位部分１１Ａは、使用中、支持される基板Ｗと接触する、遠位表面の一部を形成する。サブバール３２の各々の遠位先端１１Ｂは、使用中、支持される基板Ｗの面に対して平行なすべての方向で、壁の遠位部分１１Ａから間隔を置いて配置される。示された例では、上から見た場合、単一のサブバール３２がバール凹所１４の中央に提供される。他の実施形態では、サブバール３２は他のロケーションに提供され得る。他の実施形態では、複数のサブバール３２が、各々が遠位先端１１Ｂを有する１つ以上のバール構造６の各々に提供され得、使用中、支持される基板Ｗの面に対して平行なすべての方向で、それぞれの壁の遠位部分１１Ａから間隔を置いて配置される。 [0040] FIGS. 4 to 7 show embodiments in which the one or more burl structures 6 each comprise one or more sub-burls 32 within the burl recesses 14 of the burl structure 6. FIG. Each sub-bar 32 has a distal tip 11B. The distal tip 11B forms part of the distal surface of the burl structure 6 that contacts the substrate W supported by the substrate support 2 in use. The portion of the distal surface provided by distal tip 11B is less than all of the distal surface of burl structure 6 . In this type of embodiment, each of the one or more burl structures 6 is aligned in a direction parallel to the plane of the substrate W to be supported (e.g. in all horizontal directions in the orientation shown in the figure) during use. , with walls surrounding the burl recess 14 . The distal portion 11A of the wall forms part of the distal surface that contacts the supported substrate W during use. The distal tip 11B of each of the sub-bars 32 is, in use, spaced from the distal portion 11A of the wall in all directions parallel to the plane of the substrate W being supported. In the example shown, a single sub-burl 32 is provided in the center of the burl recess 14 when viewed from above. In other embodiments, subbars 32 may be provided at other locations. In other embodiments, a plurality of sub-burls 32 may be provided on each of the one or more burl structures 6 each having a distal tip 11B, all parallel to the plane of the supported substrate W during use. spaced from the distal portion 11A of the respective wall in the direction of .

[0041] 前述のようなサブバール３２の提供は、バール構造６の機械的ロバスト性を向上させることができる。バール構造６のロバスト性を向上させることは、全体のロバスト性を損なうことなく、壁の遠位部分１１Ａの幅などのバール構造６の他の特性を調節する自由を向上させる。サブバール３２の提供は、（例えば、壁の遠位部分１１Ａと、壁内のサブバール３２の遠位先端１１Ｂとの間の）個々のバールの異なる部分において、異なるトポグラフィクス又はラフネスを有するための機会も提供する。この手法は、個々のバール構造６の異なる部分において、異なるトップコーティングを提供するための機会も提供する。例えば、機械的な滑り接触が存在し得る基板Ｗのランディング又はリストオフ中に、バール構造６のロバスト性を向上させるために、遠位先端１１Ｂは、相対的に低い（例えば、壁の遠位部分１１Ａの表面エネルギーよりも低い）表面エネルギーを有する、相対的に粗い（例えば、壁の遠位部分１１Ａよりも粗い）、及び／又は、相対的に低い摩擦（例えば、壁の遠位部分１１Ａよりも低い摩擦）を提供する、表面を有するように構成され得る。 [0041] The provision of sub-burls 32 as described above may improve the mechanical robustness of the burl structure 6. Improving the robustness of the burl structure 6 increases the freedom to adjust other properties of the burl structure 6, such as the width of the distal portion 11A of the wall, without compromising overall robustness. The provision of the sub-bars 32 provides an opportunity to have different topography or roughness at different portions of the individual burls (e.g., between the distal portion 11A of the wall and the distal tip 11B of the sub-bars 32 within the wall). also provide. This approach also provides the opportunity to provide different top coatings on different portions of the individual burl structures 6 . For example, to improve the robustness of the burl structure 6 during landing or wrist-off of the substrate W, where mechanical sliding contact may exist, the distal tip 11B is relatively low (e.g., distal to the wall). relatively rough (e.g. rougher than wall distal portion 11A) and/or relatively low friction (e.g. wall distal portion 11A) having a surface energy lower than that of portion 11A); It can be configured to have a surface that provides a lower friction than the

[0042] 図４及び図５に示されるタイプの実施形態において、各バール構造６に対応するベース部材２０の部分を通過するすべてのホール１２は、バール構造６の凹状面１３内に開口を有する。ホール１２は、いずれのサブバール３２も通過しない。図６及び図７に例示されるような、他の実施形態において、ベース部材２０を介して形成される少なくとも１つのホール１２は、少なくとも１つのサブバール３２を通過する。示される例では、図示されたバール構造６内に単一のサブバール３２が提供され、ホール１２の１つが、サブバール３２の円筒対称性の軸に沿ってバール構造６のサブバール３２を通過する。サブバール３２を通過するようにホール１２を配置することによって、サブバール３２と支持される基板Ｗとの間の摩擦力を低下させることができる。サブバール３２を通過するホール１２は、サブバール３２内のホール１２の開口近くの表面を、（例えば、サブバール３２を介して流体を駆動させることによって）定期的に清掃及び／又は再調整することも可能である。 [0042] In embodiments of the type shown in FIGS. 4 and 5, all holes 12 passing through the portion of the base member 20 corresponding to each burl structure 6 open into the concave surface 13 of the burl structure 6. . Hole 12 does not pass through any subbars 32 . In other embodiments, such as illustrated in FIGS. 6 and 7, at least one hole 12 formed through base member 20 passes through at least one sub-bar 32 . In the example shown, a single sub-burl 32 is provided within the burl structure 6 shown and one of the holes 12 passes through the sub-burl 32 of the burl structure 6 along the axis of cylindrical symmetry of the sub-burl 32 . By arranging the holes 12 to pass through the sub-bars 32, the frictional force between the sub-bars 32 and the supported substrate W can be reduced. The holes 12 passing through the sub-bars 32 may also periodically clean and/or recondition the surfaces near the openings of the holes 12 in the sub-bars 32 (eg, by driving fluid through the sub-bars 32). is.

[0043] いくつかの実施形態において、１つ以上のバール構造６のアップストリームに、フィルタリング機能を提供することが望ましい場合がある。フィルタリングは、例えば、事前に定義されたサイズよりも大きい汚染物質粒子が、バール構造６及び／又はバール構造６のダウンストリームの任意の領域（例えば、基板サポート２と基板Ｗとの間）に到達することを防止するように、構成され得る。いくつかの実施形態において、少なくとも１つのバール構造６の各々における開口のアップストリーム、例えば、少なくとも１つのバール構造６の凹状面１３を通過するホール１２のアップストリームに、多孔質層３６が提供される。多孔質層３６は、ベース部材２０内に、又は、図８に示されるように、ベース部材２０に取り付けられた分離部材４０内に、形成され得る。いくつかの実施形態において、ホール１２及びバール構造６は、ベース部材２０内に形成される。代替として、基板サポート２は、ベース部材２０に接合するバール形成部材３０を更に備え得る。バール形成部材３０は、例えばシリコンウェーハの一部を備え得る。図９から図１６を参照しながら下記で更に説明する、バール形成部材３０を有する実施形態において、バール構造６はバール形成部材３０内に独占的に形成され得る。図９から図１６を参照しながら下記で説明するように、異なる部材内にホール１２及びバール構造６を形成することで、製造の際の利点が提供される。 [0043] In some embodiments, it may be desirable to provide filtering functionality upstream of one or more burl structures 6. Filtering may, for example, prevent contaminant particles larger than a predefined size from reaching the burl structure 6 and/or any region downstream of the burl structure 6 (e.g., between the substrate support 2 and the substrate W). can be configured to prevent In some embodiments, a porous layer 36 is provided upstream of the openings in each of the at least one burl structure 6, e.g. upstream of the holes 12 passing through the concave surface 13 of the at least one burl structure 6. be. The porous layer 36 may be formed within the base member 20 or within a separate member 40 attached to the base member 20 as shown in FIG. In some embodiments, hole 12 and burl structure 6 are formed in base member 20 . Alternatively, substrate support 2 may further comprise a burl forming member 30 that joins base member 20 . The burl forming member 30 may comprise a portion of a silicon wafer, for example. In embodiments having a burl forming member 30, which are further described below with reference to FIGS. 9-16, the burl structure 6 may be formed exclusively within the burl forming member 30. FIG. Forming the hole 12 and the burl structure 6 in different members provides manufacturing advantages, as will be explained below with reference to FIGS. 9-16.

[0044] 一実施形態において、図８に例示されるように、多孔質層３６は、シリコンウェーハの一部などの固体部材（示される例における分離部材４０）内に形成される複数のホールを備える。一実施形態において、多孔質層３６のホールの各々のサイズ、及び／又は、多孔質層３６内のホールの平均サイズは、ベース部材２０内に形成されるホール１２の各々よりも小さい。一実施形態において、多孔質層３６内の単位面積当たりのホールの数は、各バール構造６の凹状面１３内の単位面積当たりのホール１２の数よりも多い。多孔質層３６内のホールは、例えばディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリングを含む、適切なサイズのホールを形成するために任意の既知の技法を使用して形成され得る。したがって、多孔質層３６内のホールは、バール構造６の凹状面１３を介する１つ以上のホール１２の円筒対称性の軸と位置合わせされた円筒対称性の軸を伴い、実質的に円筒状であり得る。 [0044] In one embodiment, as illustrated in Figure 8, the porous layer 36 comprises a plurality of holes formed in a solid member (separating member 40 in the example shown) such as a portion of a silicon wafer. Prepare. In one embodiment, the size of each of the holes in porous layer 36 and/or the average size of the holes in porous layer 36 is smaller than each of holes 12 formed in base member 20 . In one embodiment, the number of holes per unit area in the porous layer 36 is greater than the number of holes 12 per unit area in the concave surface 13 of each burl structure 6 . Holes in porous layer 36 may be formed using any known technique for forming appropriately sized holes, including, for example, deep reactive ion etching or focused ion beam milling. The holes in the porous layer 36 are therefore substantially cylindrical, with their axes of cylindrical symmetry aligned with the axes of cylindrical symmetry of the one or more holes 12 through the concave surface 13 of the burl structure 6 . can be

[0045] 図９から図１６は、リソグラフィ装置ＬＡのための基板サポート２を製造するための例示の方法におけるステップを示す。基板サポート２は、図２から図８を参照しながら上記で説明した適合形のいずれかを取り得る。 [0045] Figures 9 to 16 show steps in an exemplary method for manufacturing a substrate support 2 for a lithographic apparatus LA. The substrate support 2 may take any of the conforming forms described above with reference to Figures 2-8.

[0046] 一実施形態では、方法の初期ステップにおいてベース部材２０が提供される。図９の配置を提供するために、任意選択として、ハードマスク層１６がベース部材２０上に提供される。 [0046] In one embodiment, a base member 20 is provided in an initial step of the method. Optionally, a hardmask layer 16 is provided on base member 20 to provide the arrangement of FIG.

[0047] 一実施形態では、後続のステップにおいて、ハードマスク層１６内にパターンを形成するために図９の配置が処理される。その後、ベース部材２０内にホール１２を形成するために、例えばディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリングなどの除去プロセスが適用され、それによって図１０の配置を形成する。ホール１２は、パターン付きハードマスク層１６によって画定されたパターン内に形成される。この段階で、ホール１２は（図示されるように）ブラインドであり得るか、又は、ベース部材２０を貫通し得る。 [0047] In one embodiment, in a subsequent step, the arrangement of FIG. A removal process, such as deep reactive ion etching or focused ion beam milling, for example, is then applied to form holes 12 in base member 20, thereby forming the arrangement of FIG. Holes 12 are formed in a pattern defined by patterned hardmask layer 16 . At this stage, holes 12 may be blind (as shown) or may extend through base member 20 .

[0048] 一実施形態では、後続のステップにおいて、ベース部材２０は裏返しにされ、ベース部材２０内に複数のベース凹所１５が形成され、それによって図１１に示される配置を形成する。図１１は、ベース凹所１５のうちの１つを示す。各ベース凹所１５の形状及び深さは、特に限定されない。いくつかの実施形態において、各ベース凹所１５は、ベース部材２０の面に対して垂直な円筒対称性の軸を伴い、実質的に円筒状である。図示された実施形態では、各ベース凹所１５は、次にホール１２がベース部材２０を貫通することを保証するのに十分な深さである。 [0048] In one embodiment, in a subsequent step, the base member 20 is turned inside out to form a plurality of base recesses 15 within the base member 20, thereby forming the arrangement shown in FIG. FIG. 11 shows one of the base recesses 15 . The shape and depth of each base recess 15 are not particularly limited. In some embodiments, each base recess 15 is substantially cylindrical with the axis of cylindrical symmetry perpendicular to the plane of base member 20 . In the illustrated embodiment, each base recess 15 is deep enough to ensure that the holes 12 in turn pass through the base member 20 .

[0049] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１２に示されるように、コーティング２４が印加される。コーティング２４は、ベース凹所１５の内部表面を覆う。コーティング２４は、ホール１２の各々の内部表面も覆う。コーティング２４は、バール構造６が位置すべき場所の反対側のベース部材２０の側面から印加される（バール構造６の形成は、下記で説明する）。コーティング２４は、使用中、ホール１２のいずれかを汚染物質が目詰まりさせるリスクを減少させるように構成され得る。いくつかの実施形態において、コーティング２４は疎水性であり、且つ／又は、帯電防止特性を有する。バール構造６が存在する前にコーティング２４を提供することで、コーティング２４の材料によってバール構造６の起こり得る汚染が回避される。 [0049] In one embodiment, in a subsequent step, a coating 24 is applied, as shown in FIG. A coating 24 covers the inner surface of the base recess 15 . Coating 24 also covers the interior surface of each of holes 12 . The coating 24 is applied from the side of the base member 20 opposite where the burl structure 6 is to be located (the formation of the burl structure 6 is described below). Coating 24 may be configured to reduce the risk of contaminants clogging any of holes 12 during use. In some embodiments, coating 24 is hydrophobic and/or has antistatic properties. Providing the coating 24 before the burl structure 6 is present avoids possible contamination of the burl structure 6 by the material of the coating 24 .

[0050] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１３に示されるように、ベース凹所１５の外側の領域内のハードマスク層１６及びコーティング２４を除去するために、図１２の配置の上部及び下部表面が処理される。 [0050] In one embodiment, in a subsequent step, as shown in FIG. 13, the upper portion of the arrangement of FIG. and lower surfaces are treated.

[0051] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１４に示されるように、バール形成部材３０がベース部材２０に接合される。この実施形態では、ホール１２がベース部材２０内に形成された後に、バール形成部材３０がベース部材２０に接合される。したがってホール１２を形成するプロセスは、バール形成層３０に対する汚染に寄与できない。ベース部材２０に提供された任意のコーティング２４は、バール形成部材３０がベース部材２０に接合される前にも提供され、それによって、コーティング２４の材料との相互汚染も回避される。 [0051] In an embodiment, in a subsequent step, the burl forming member 30 is joined to the base member 20, as shown in FIG. In this embodiment, the burl forming member 30 is joined to the base member 20 after the hole 12 is formed in the base member 20 . The process of forming the holes 12 therefore cannot contribute to contamination to the burl forming layer 30 . Any coating 24 provided on the base member 20 is also provided before the burl forming member 30 is joined to the base member 20, thereby also avoiding cross-contamination with the material of the coating 24.

[0052] バール形成部材３０は、シリコンウェーハを望ましい厚みまで薄くすることによって形成され得る。一実施形態において、バール形成部材３０は、１つ以上の追加の層（図示せず）を介してベース部材２０に接合され、それによって３つ以上の層を有する多層構造を提供する。１つ以上の追加の層は、追加の望ましい機能を提供し得る。例えば、１つ以上の追加の層は、基板サポート２の残りの部分及び／又は基板サポート２に下から接続された要素から、基板サポート２の上部を電気的に絶縁するために、電気絶縁層を備え得る。いくつかの実施形態において、バール構造６は、バール形成部材３０を介して電気的に接地可能である。代替又は追加として、バール形成部材３０及びベース部材２０のいずれか又は両方の各々は、複数の層から形成され得る。 [0052] The burl forming member 30 may be formed by thinning a silicon wafer to a desired thickness. In one embodiment, burl forming member 30 is joined to base member 20 via one or more additional layers (not shown), thereby providing a multi-layer structure having three or more layers. One or more additional layers may provide additional desired functionality. For example, one or more additional layers may be electrically insulating layers to electrically insulate the top of the substrate support 2 from the rest of the substrate support 2 and/or elements connected to the substrate support 2 from below. can be provided. In some embodiments, the burl structure 6 is electrically groundable via the burl forming member 30 . Alternatively or additionally, either or both of the burl forming member 30 and the base member 20 may each be formed from multiple layers.

[0053] いくつかの実施形態において、図１４に示されるように、バール形成部材３０上にバールコーティング２６が提供される。バールコーティング２６は、使用中、基板Ｗに接触するのに適するように構成される。バールコーティング２６は、例えば、バールコーティング２６がない場合よりも低い摩擦接触を提供するように構成され得る。バールコーティング２６は、ベース部材２０をバール形成部材３０に接合する前に、バール形成部材３０上に提供される。バールコーティング２６の材料によってベース部材２０内の任意のホール１２を目詰まりさせるリスクが、それによって減少又は回避される。 [0053] In some embodiments, a burl coating 26 is provided on the burl forming member 30, as shown in FIG. The burl coating 26 is adapted to contact the substrate W during use. The burl coating 26 may be configured, for example, to provide a lower frictional contact than without the burl coating 26 . A burl coating 26 is provided on the burl forming member 30 prior to joining the base member 20 to the burl forming member 30 . The risk of clogging any holes 12 in the base member 20 with the material of the burl coating 26 is thereby reduced or avoided.

[0054] いくつかの実施形態において、バール形成部材３０内に複数のバール構造６が形成される。ベース部材２０ではなく別々のバール形成部材３０内にバール構造６を形成することで、バール構造６の高さを正確に制御することが容易になる。バール構造６の高さは、高精度で制御可能な、バール形成部材３０の厚みによって画定可能である。バール形成部材３０が存在せずにベース部材２０内にホール１２を形成することは、ホール１２の形成に用いられるプロセス（例えば、ディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリング）と、バール構造６の形成に用いられるプロセスと間の相互汚染も防止する。 [0054] In some embodiments, a plurality of burl structures 6 are formed within the burl forming member 30. As shown in FIG. Forming the burl structure 6 in a separate burl-forming member 30 rather than the base member 20 facilitates precise control of the height of the burl structure 6 . The height of the burl structure 6 can be defined by the thickness of the burl forming member 30, which can be controlled with high precision. Forming the holes 12 in the base member 20 in the absence of the burl-forming member 30 is a combination of the process (e.g., deep reactive ion etching or focused ion beam milling) used to form the holes 12 and the burl structure 6 . It also prevents cross-contamination between the processes used for formation.

[0055] 一実施形態において、バール構造６は、バール形成部材３０がベース部材２０に接合された後に形成される。バール構造６及びベース部材２０の組み合わせは、基板サポート２を提供する。こうした基板サポート２の例が、図１６に示される。バール構造６は、各バール構造６が、使用中、基板サポート２によって支持される基板Ｗに接触する遠位表面１１を備えるような様式で形成される。図示される例では、遠位表面１１はバールコーティング２６の表面である。一実施形態において、遠位表面１１はバール形成部材３０の表面（バールコーティング２６は提供されていない）であり得る。各バール構造６は、ベース部材２０を介して形成されるホール１２の少なくとも１つに対する開口を備える。いくつかの実施形態において、図示されるように、各バール構造６はバール凹所１４を備える。バール凹所１４は、バール構造６内の遠位表面１１から凹状面１３へと延在する。このタイプの実施形態では、凹状面１３はベース部材２０を介して形成される少なくとも１つのホール１２に対する開口を備える。 [0055] In one embodiment, the burl structure 6 is formed after the burl forming member 30 is joined to the base member 20. As shown in FIG. The combination of burl structure 6 and base member 20 provides substrate support 2 . An example of such a substrate support 2 is shown in FIG. The burl structures 6 are formed in such a way that each burl structure 6 comprises a distal surface 11 that contacts the substrate W supported by the substrate support 2 in use. In the illustrated example, the distal surface 11 is the surface of the burl coating 26 . In one embodiment, distal surface 11 may be the surface of burl forming member 30 (no burl coating 26 provided). Each burl structure 6 comprises an opening to at least one of the holes 12 formed through the base member 20 . In some embodiments, each burl structure 6 comprises a burl recess 14, as shown. A burl recess 14 extends from the distal surface 11 in the burl structure 6 to the concave surface 13 . In this type of embodiment, concave surface 13 provides an opening to at least one hole 12 formed through base member 20 .

[0056] 一実施形態において、図１６の基板サポート２は、図１４の配置から始まり、図１５の配置を提供するために第１にバール構造６の外側から材料を除去することによって形成される。材料は、例えばレーザアブレーション又はエッチングを使用して除去され得る。後続のステップにおいて、材料は、凹状面１３を形成するためにバール構造６内部から除去され、それによって図１６の基板サポート２を提供する。材料は、例えばレーザアブレーション又はエッチングを使用して除去され得る。このタイプの実施形態において、バール構造６は、バール構造６の内側から材料を除去する前に、バール構造６の外側から材料を除去することによってこのように形成される。この手法は、バール構造６の外側から材料を除去する（例えば、かなりの量のデブリを発生させる可能性のある、レーザアブレーションを使用して実行され得る）ときに、バール構造６の内側を保護する必要がないため、有利である。他の実施形態において、材料は、図１５の配置から図１６の配置を直接形成するために（すなわち、図１５の配置につながる中間ステップなしに）、バール構造６の内側及び外側から同時に除去され得る。更に他の実施形態において、バール構造６は、バール構造６の外側から材料を除去する前に、バール構造６の内側から材料を除去することによって形成される。 [0056] In one embodiment, the substrate support 2 of Figure 16 is formed by first removing material from outside the burl structure 6, starting from the arrangement of Figure 14, to provide the arrangement of Figure 15. . Material can be removed using, for example, laser ablation or etching. In a subsequent step, material is removed from inside the burl structure 6 to form the concave surface 13, thereby providing the substrate support 2 of FIG. Material can be removed using, for example, laser ablation or etching. In this type of embodiment, the burl structure 6 is thus formed by removing material from the outside of the burl structure 6 before removing material from the inside of the burl structure 6 . This approach protects the inside of the burl structure 6 when removing material from the outside of the burl structure 6 (which can be performed, for example, using laser ablation, which can generate a significant amount of debris). This is advantageous because it does not need to be In another embodiment, material is simultaneously removed from the inside and outside of the burl structure 6 to form the arrangement of FIG. 16 directly from the arrangement of FIG. 15 (i.e. without intermediate steps leading to the arrangement of FIG. 15). obtain. In yet another embodiment, the burl structure 6 is formed by removing material from the inside of the burl structure 6 before removing material from the outside of the burl structure 6 .

[0057] いくつかの実施形態において、バール構造６の内側の材料を除去することは、バール形成部材３０の下部のベース部材２０の少なくとも上部表面まで下方に、材料を除去することを含む。このタイプの実施形態において、凹状面１３は各々、（図１６に示されるように）ベース部材２０の表面を備える。 [0057] In some embodiments, removing material inside the burl structure 6 includes removing material below the burl forming member 30 and down to at least the upper surface of the base member 20. As shown in FIG. In this type of embodiment, concave surfaces 13 each comprise a surface of base member 20 (as shown in FIG. 16).

[0058] 図９から図１６を参照しながら上記で説明した例示の方法において、基板サポート２は、ベース部材２０をバール形成部材３０に接合することによって製造される。ホール１２はベース部材２０内に形成され、バール構造６はバール形成部材３０内に形成される。図１７から図２２は、ホール１２及びバール構造６の両方がベース部材２０内に形成される、代替の手法を示す。 [0058] In the exemplary method described above with reference to FIGS. Hole 12 is formed in base member 20 and burl structure 6 is formed in burl forming member 30 . 17-22 show an alternative approach in which both the hole 12 and the burl structure 6 are formed within the base member 20. FIG.

[0059] 初期のステップでは、図１７に示されるように、ベース部材２０が提供される。図示された例では、ベース部材２０上にバールコーティング２６が提供される。バールコーティング２６は、図１４から図１６においてバールコーティング２６について上述したやり方のいずれかにおいて構成され得る。 [0059] In an initial step, as shown in Figure 17, a base member 20 is provided. In the illustrated example, a burl coating 26 is provided on base member 20 . The burl coating 26 may be configured in any of the manners described above for the burl coating 26 in FIGS. 14-16.

[0060] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１８に示される配置を提供するために、ベース部材２０及びバールコーティング２６を介するホール１２を形成するために、除去プロセスが使用される。除去プロセスは、例えば、ディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリングを含み得る。この段階でホール１２は（図示されるように）ブラインドであり得るか、又はベース部材２０を貫通し得る。 [0060] In one embodiment, in a subsequent step, a removal process is used to form holes 12 through base member 20 and burl coating 26 to provide the arrangement shown in FIG. Removal processes may include, for example, deep reactive ion etching or focused ion beam milling. At this stage the holes 12 may be blind (as shown) or may extend through the base member 20 .

[0061] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図１８の配置は裏返しにされ、複数のベース凹所１５を形成するために除去プロセスが適用され、それによって図１９の配置を提供する。このようにして、本実施形態では、バール構造６の前にベース凹所１５が形成される（下記で説明するように形成される）。バール構造６の前にベース凹所１５を形成することは、ベース凹所１５の形成中、繊細なバール構造６上の構造を支持しなければならないことを回避するため、望ましい。製造プロセスはこのように単純化され、且つ／又は、バール構造６に対する損傷のリスクが低減又は回避される。各ベース凹所１５の形状及び深さは、特に制限されない。いくつかの実施形態において、各ベース凹所１５は、ベース部材２０の面に対して垂直な円筒対称性の軸を伴い、実質的に円筒状である。図示された実施形態では、各ベース凹所１５は、次にホール１２がベース部材２０を貫通することを保証するのに十分な深さである。 [0061] In an embodiment, in a subsequent step, the arrangement of Figure 18 is turned inside out and a removal process is applied to form a plurality of base recesses 15, thereby providing the arrangement of Figure 19 . Thus, in this embodiment a base recess 15 is formed in front of the burl structure 6 (formed as described below). Forming the base recess 15 before the burl structure 6 is desirable to avoid having to support delicate structures on the burl structure 6 during formation of the base recess 15 . The manufacturing process is thus simplified and/or the risk of damage to the burl structure 6 is reduced or avoided. The shape and depth of each base recess 15 are not particularly limited. In some embodiments, each base recess 15 is substantially cylindrical with the axis of cylindrical symmetry perpendicular to the plane of base member 20 . In the illustrated embodiment, each base recess 15 is deep enough to ensure that the holes 12 in turn pass through the base member 20 .

[0062] 一実施形態では、後続のステップにおいて、図２０に示されるように、コーティング２４が印加される。コーティング２４はベース凹所１５の内部表面を覆う。コーティング２４は、ホール１２の各々の内部表面も覆う。いくつかの実施形態において、コーティング２４は疎水性であり、且つ／又は、帯電防止特性を有する。 [0062] In one embodiment, in a subsequent step, a coating 24 is applied, as shown in FIG. A coating 24 covers the inner surface of the base recess 15 . Coating 24 also covers the interior surface of each of holes 12 . In some embodiments, coating 24 is hydrophobic and/or has antistatic properties.

[0063] 一実施形態では、図２２に示されるように、図２０の配置から始まり、図２１の配置を提供するために第１にバール構造６の外側から材料を除去することによって、基板サポート２が形成される。後続のステップにおいて、材料は、凹状面１３を形成するためにバール構造６内側から除去され、それによって図２２の基板サポート２を提供する。このタイプの実施形態において、バール構造６は、バール構造６の内側から材料を除去する前に、バール構造６の外側から材料を除去することによってこのように形成される。この手法に関連付けられる利点は、上記で考察している。他の実施形態において、材料は、図２０の配置から図２２の配置を直接形成するために（すなわち、図２１の配置につながる中間ステップなしに）、バール構造６の内側及び外側から同時に除去され得る。更に他の実施形態において、バール構造６は、バール構造６の外側から材料を除去する前に、バール構造６の内側から材料を除去することによって形成される。 [0063] In one embodiment, as shown in Figure 22, starting with the arrangement of Figure 20, the substrate support is first removed from the outside of the burl structure 6 to provide the arrangement of Figure 21 . 2 is formed. In a subsequent step, material is removed from inside the burl structure 6 to form the concave surface 13, thereby providing the substrate support 2 of FIG. In this type of embodiment, the burl structure 6 is thus formed by removing material from the outside of the burl structure 6 before removing material from the inside of the burl structure 6 . The advantages associated with this approach are discussed above. In another embodiment, material is simultaneously removed from the inside and outside of the burl structure 6 to form the arrangement of FIG. 22 directly from the arrangement of FIG. 20 (i.e. without intermediate steps leading to the arrangement of FIG. 21). obtain. In yet another embodiment, the burl structure 6 is formed by removing material from the inside of the burl structure 6 before removing material from the outside of the burl structure 6 .

[0064] 前述のタイプの実施形態において、ベース部材２０を介する各ホール１２の少なくとも一部が（例えば、図１８に示されるように少なくともブラインドホールを形成するために）形成され、任意選択として、バール構造６の前に各ホール１２のすべてが形成される。初期段階において、ホール１２のすべて又は少なくとも一部を形成することで、既存の構造を保護するか、又は除去プロセス（例えば、ディープリアクティブイオンエッチング又は集束イオンビームミリング）中に考慮する必要のある範囲を削減することによって、例えば、除去プロセス中にベース部材２０を保持するため、及び／又は、その他の方法で機械的損傷及び／又は汚染から既存の構造を保護するための、特別な配置を必要とすることによって、製造を容易にする。 [0064] In embodiments of the type described above, at least a portion of each hole 12 through the base member 20 is formed (eg, to form at least a blind hole as shown in Figure 18) and optionally: All of the holes 12 are formed in front of the burl structure 6 . Forming all or at least part of the hole 12 in the initial stage protects the existing structure or needs to be considered during the removal process (e.g. deep reactive ion etching or focused ion beam milling). The reduced extent allows special arrangements, for example, to hold the base member 20 during the removal process and/or otherwise protect the existing structure from mechanical damage and/or contamination. The requirement facilitates manufacturing.

[0065] 他の実施形態において、図１７から図２２を参照しながら上述した順番は変動され得る。例えばいくつかの実施形態において、図１９に示されるような複数のベース凹所１５の形成は、図２０から図２２を参照しながら説明した１つ以上のステップの後に（例えば、バール構造６の外側及び内側からの材料の除去の後に）実行される。代替又は追加として、図２１及び図２２を参照しながら説明したような、バール構造６を形成するために使用される材料除去プロセスの順序は、逆であって良い。こうした実施形態において、材料がバール構造６の外側から除去される前に、凹状面１３を形成するために、（ベース凹所１５が前又は後に形成される状態で）材料がバール構造６の内側からこのように除去される。代替又は追加として、いくつかの実施形態において、ホール１２は、図１９から図２２を参照しながら上述した１つ以上のステップの後で（例えば、複数のベース凹所１５の形成後、バール構造６の外側からの材料の除去後、及び／又は、凹状面１３を形成するためのバール構造６の内側からの材料の除去後）、ベース部材２０を介して形成される。例えば、一実施形態では、凹状面１３を形成するためのバール構造６の内側からの材料の除去は、ホール１２がベース部材２０を介して形成される前に実行され、バール構造６の外側からの材料の除去は、ホール１２がベース部材２０を介して形成された後に実行される。この例の第１の変形形態では、ベース凹所１５は、ホール１２がベース部材２０を介して形成された後、及び、バール構造６の外側からの材料の除去の前に、形成される。この例の第２の変形形態では、ベース凹所１５は、バール構造６の外側からの材料の除去後に形成される。 [0065] In other embodiments, the order described above with reference to Figures 17-22 may be varied. For example, in some embodiments, formation of a plurality of base recesses 15 as shown in FIG. 19 may be performed after one or more of the steps described with reference to FIGS. after removal of material from the outside and inside). Alternatively or additionally, the order of the material removal processes used to form the burl structure 6 as described with reference to Figures 21 and 22 may be reversed. In such an embodiment, before material is removed from the outside of the burl structure 6, material is removed from the inside of the burl structure 6 (with the base recess 15 formed before or after) to form the concave surface 13. is thus removed from Alternatively or additionally, in some embodiments, holes 12 are formed after one or more of the steps described above with reference to FIGS. 6 and/or after removal of material from the inside of the burl structure 6 to form the concave surface 13) through the base member 20. As shown in FIG. For example, in one embodiment, the removal of material from the inside of the burl structure 6 to form the concave surface 13 is performed before the holes 12 are formed through the base member 20, and the removal of material from the outside of the burl structure 6 to form the concave surface 13 is performed. material removal is performed after the hole 12 is formed through the base member 20 . In a first variant of this example, the base recess 15 is formed after the hole 12 is formed through the base member 20 and before removal of material from outside the burl structure 6 . In a second variant of this example, the base recess 15 is formed after removal of material from the outside of the burl structure 6 .

[0066] 図２３は、基板テーブルＷＴ上に取り付けられた更なる例示の基板サポート２の一部を示す。この例では、基板サポート２は、ベース部材２０とベース部材２０に接合されたバール形成部材３０とを備える。バール形成部材３０は、複数のバール構造６を備える。ベース部材２０は、ベース部材２０を介して延在する複数のホール１２を備える。バール構造６及びホール１２は、前述の基板サポート２に関して説明した任意の形を取り得る。 [0066] Figure 23 shows part of a further exemplary substrate support 2 mounted on the substrate table WT. In this example, the substrate support 2 comprises a base member 20 and a burl forming member 30 joined to the base member 20 . The burl-forming member 30 comprises a plurality of burl structures 6 . Base member 20 includes a plurality of holes 12 extending through base member 20 . Burl structures 6 and holes 12 may take any of the shapes described with respect to substrate support 2 above.

[0067] 各バール構造６は、ベース部材２０内の少なくとも１つのホール１２に対する開口４１を備える。図示された例では、開口４１とベース部材２０内のホール１２との間の流路内に、細長い中間通路４２及び中間チャンバ４３が提供される。したがって開口４１は、中間通路４２及び中間チャンバ４３によって、ホール１２へ流体的に接続される。下記で述べるように、例えば、細長い中間通路４２が十分にテーパ状である場合、中間チャンバ４３は省くことができる。図３から図２２の例において、開口は、ベース部材２０内のホール１２の各々に、直接接続される。 Each burl structure 6 comprises an opening 41 to at least one hole 12 in base member 20 . In the illustrated example, an elongate intermediate passageway 42 and an intermediate chamber 43 are provided in the flow path between opening 41 and hole 12 in base member 20 . Opening 41 is thus fluidly connected to hole 12 by intermediate passage 42 and intermediate chamber 43 . As discussed below, intermediate chamber 43 can be omitted, for example, if elongated intermediate passage 42 is sufficiently tapered. In the examples of FIGS. 3-22, the openings are directly connected to each of the holes 12 in the base member 20. In the example of FIGS.

[0068] ベース部材２０内のホール１２を介する流れに関する流れ抵抗は、中間通路４２及び中間チャンバ４３を介する流れに関する流れ抵抗よりも大きい。したがって、ホール１２を提供するベース部材２０の一部は、流れ制限器として働く。流れ制限部の量は、ホール１２の断面積及び数に依存する。図２３に示される要素の相対的寸法は、実装コンテキストの細部に依存して変動可能である。実装の一クラスにおいて、中間通路４２の直径は、ベース部材２０の各ホール１２の直径の、およそ１０～１００倍であり得る。ベース部材２０及びバール形成部材３０の組み合わせの全体高さ（４５と標示）は、例えばおよそ０．５から１．５ｍｍであり得る。 The flow resistance for flow through holes 12 in base member 20 is greater than the flow resistance for flow through intermediate passages 42 and intermediate chambers 43 . Accordingly, the portion of base member 20 that provides hole 12 acts as a flow restrictor. The amount of flow restriction depends on the cross-sectional area and number of holes 12 . The relative dimensions of the elements shown in FIG. 23 can vary depending on the details of the implementation context. In one class of implementations, the diameter of intermediate passage 42 may be approximately 10 to 100 times the diameter of each hole 12 in base member 20 . The overall height of the combined base member 20 and burl forming member 30 (labeled 45) may be, for example, approximately 0.5 to 1.5 mm.

[0069] いくつかの実施形態において、基板サポート２は、図２４に示されるように、基板テーブルＷＴ内に形成される（例えば、約０．５ｍｍから１ｍｍの深さを有する）凹所５０内の下にある基板テーブルＷＴにフィットし得る。したがって基板サポート２は、基板テーブルＷＴの全体高さを変えることなく、既存の基板テーブルＷＴに容易にレトロフィットし得る。 [0069] In some embodiments, the substrate support 2 is positioned within a recess 50 (eg having a depth of about 0.5 mm to 1 mm) formed in the substrate table WT, as shown in Figure 24. can fit on the substrate table WT under the . The substrate support 2 can therefore be easily retrofitted to existing substrate tables WT without changing the overall height of the substrate table WT.

[0070] 図２５から図２７は、図２３及び図２４を参照しながら上記で述べたタイプのベース部材２０を製造するための例示のプロセスにおける段階を示す。プロセスは、バール構造６ごとに複数のホール１２が提供される場合、及び、バール構造６ごとに単一のホール１２が提供される場合の、両方に適用可能である。プロセスは、流れ制限ホール１２を提供するために正確な層厚みを達成するため、ウェーハ製造工場製造プロセスに対処するため、及び／又は、ＳｉＳｉＣから形成される基板テーブルＷＴに合致する良好な熱膨張率を提供するために、シリコンオンインシュレータ（ＳＯＩ）基板を使用し得る。 [0070] Figures 25-27 illustrate stages in an exemplary process for manufacturing a base member 20 of the type described above with reference to Figures 23 and 24 . The process is applicable both when multiple holes 12 are provided per burl structure 6 and when a single hole 12 is provided per burl structure 6 . The process can be used to achieve accurate layer thicknesses to provide flow restricting holes 12, to accommodate wafer fab manufacturing processes, and/or good thermal expansion matching substrate table WT made from SiSiC. A silicon-on-insulator (SOI) substrate may be used to provide the efficiency.

[0071] 第１のステップでは、図２５に示されるように、（例えば、直径３００ｍｍの）ＳＯＩ基板が提供される。層２０ＡはＳＯＩ基板のハンドルＳｉ基板層である。層２０Ｂは、ＳＯＩ基板の埋設されたＳｉＯ２層である。層２０Ｃは、Ｓｉから形成されるＳＯＩ基板のデバイス層である。 [0071] In a first step, as shown in Figure 25, an SOI substrate (eg of 300 mm diameter) is provided. Layer 20A is the handle Si substrate layer of the SOI substrate. Layer 20B is the buried SiO 2 layer of the SOI substrate. Layer 20C is the device layer of the SOI substrate made of Si.

[0072] 第２のステップでは、図２６に示されるように、ベース凹所１５はベース部材２０内に形成される。ベース凹所１５は、図３から図２４を参照しながら上述した任意の形を取り得る。ベース凹所１５は、選択的エッチングによって形成され得る。代替又は追加として、ベース凹所１５はレーザ処理を使用して形成され得る。レーザ処理は選択的エッチングよりも本質的にクリーンではなく、ホール１２が形成される層の厚みを維持するために配慮が必要であり得る。ＳｉとＳｉＯ２との間の閾値フルエンスにおける差は、選択的エッチングで使用される場合があるため、（例えば、レーザ処理がＳｉＯ２に達したときに自動的に停止するように、Ｓｉについての閾値フルエンスより高いが、ＳｉＯ２についての閾値フルエンスよりも低いように、レーザ処理フルエンスについて配置することによって）ＳｉＯ２を固有の処理停止として使用するには十分ではないことがある。しかしながら、ＳｉＯ２は、（例えば、ＳｉＯ２が可視となったときに停止するように処理を配置することによって）視覚処理停止として使用され得る。 [0072] In a second step, the base recess 15 is formed in the base member 20, as shown in FIG. The base recess 15 may take any of the shapes described above with reference to Figures 3-24. Base recess 15 may be formed by selective etching. Alternatively or additionally, the base recess 15 can be formed using laser processing. Laser processing is inherently less clean than selective etching, and care may be required to maintain the thickness of the layer in which hole 12 is formed. Because the difference in threshold fluence between Si and SiO2 may be used in selective etching (e.g., for Si so that the laser process automatically stops when it reaches SiO2 ) By positioning the laser process fluence to be higher than the threshold fluence, but lower than the threshold fluence for SiO2 ), it may not be sufficient to use SiO2 as an intrinsic process stop. However, SiO2 can be used as a visual processing stop (eg, by arranging the processing to stop when SiO2 becomes visible).

[0073] 第３のステップでは、図２７に示されるように、ホール１２が形成される。図示される例では、単一のホール１２のみが形成されるが、この手法は複数のホール１２を形成するためにも使用され得る。１つ以上のホール１２は、ディープリアクティブイオンエッチング（ＤＲＩＥ）又はレーザマイクロドリリングを使用して形成され得る。ほとんどの均一でクリーンな結果はＤＲＩＥを使用して取得され得るが、この手法は相対的に複雑で費用がかかる。レーザマイクロドリリングは、費用の少ない代替を提供する。 [0073] In a third step, holes 12 are formed, as shown in FIG. Although only a single hole 12 is formed in the illustrated example, this technique can also be used to form multiple holes 12 . One or more holes 12 may be formed using deep reactive ion etching (DRIE) or laser microdrilling. Most uniform and clean results can be obtained using DRIE, but this approach is relatively complex and expensive. Laser microdrilling offers a less expensive alternative.

[0074] 図２８から図３１は、バール形成部材３０を製造するための例示のプロセスにおける段階を示す。プロセスは、ＳｉＣ基板を使用して、適切な機械的ロバスト性を提供すること、及び、ＳｉＳｉＣから形成される基板テーブルＷＴ及び（例えば、ＳＯＩ基板から形成される）ベース部材２０の熱膨張率を合致させることが可能である。図に示されるプロセスは、基板テーブルＷＴの他の態様を製造するために使用される技法に適合する、レーザ処理に依拠する。 [0074] FIGS. 28-31 show stages in an exemplary process for manufacturing a burl forming member 30. FIG. The process uses a SiC substrate to provide adequate mechanical robustness and a coefficient of thermal expansion of the substrate table WT formed from SiSiC and the base member 20 (e.g. formed from an SOI substrate). It is possible to match The illustrated process relies on laser processing, which is compatible with techniques used to manufacture other aspects of the substrate table WT.

[0075] 第１のステップでは、図２８に示されるように、（例えば、直径３００ｍｍの）ＳｉＣが提供される。 [0075] In a first step, as shown in Figure 28, SiC (eg, 300 mm diameter) is provided.

[0076] 第２のステップでは、図２９に示されるように、レーザ構造化を使用してバール構造６の外側の材料が除去される。 [0076] In a second step, laser structuring is used to remove material outside the burl structure 6, as shown in Figure 29 .

[0077] 第３のステップでは、図３０に示されるように、レーザドリリングを使用して細長い中間通路４２が形成される。レーザドリリングは、有利なテーパリングを提供する、底部側から実行される。テーパリングは、中間通路４２とホール１２などのベース部材２０内の対応する構造との間で、適切な位置合わせを達成することをより容易にする。テーパリングは、例えば中間チャンバ４３が不要であることを意味し得る。 [0077] In a third step, an elongate intermediate passage 42 is formed using laser drilling, as shown in FIG. Laser drilling is performed from the bottom side, which provides beneficial tapering. Tapering makes it easier to achieve proper alignment between intermediate passage 42 and corresponding structures in base member 20 , such as hole 12 . Tapering may mean, for example, that no intermediate chamber 43 is required.

[0078] 第４のステップでは、図３１に示されるように、レーザアブレーションを使用してバール凹所１４が形成される。粗面化プロセスは、使用中、基板サポート２と基板Ｗとの間の光学的接着を防止するためにも適用され得る。様々な技法を使用して、例えば、イオンビームフィギュアリング（ＩＢＦ）、レーザ処理、機械的研磨粗化、化学的研磨粗化、固有のラフネスを伴うコーティングの実行、及び、片面研磨済みＳｉＣ基板のみの開始のうちの１つ以上を含む、粗面化を達成し得る。 [0078] In a fourth step, a burl recess 14 is formed using laser ablation, as shown in FIG. A roughening process may also be applied to prevent optical adhesion between the substrate support 2 and the substrate W during use. Using various techniques, e.g. ion beam figuring (IBF), laser treatment, mechanical polish roughening, chemical polish roughening, coating execution with inherent roughness, and single side polished SiC substrate only Roughening can be achieved including one or more of the initiation of

[0079] バール形成部材３０を形成するために、他の処理技法が使用され得る。これらは、放電加工（ＥＤＭ）、ミリング、研削、及びエッチングのうちの、１つ以上を含み得る。例えば、第３のステップにおける中間通路４２を形成するために、レーザドリリングの代わりにエッチングが使用され得る。バール凹所１４は、第４のステップにおけるレーザアブレーションの代わりに、ＥＤＭ又はエッチングによって形成され得る。 [0079] Other processing techniques may be used to form the burl forming member 30. As shown in FIG. These may include one or more of electrical discharge machining (EDM), milling, grinding, and etching. For example, etching can be used instead of laser drilling to form intermediate passages 42 in the third step. Burl recesses 14 may be formed by EDM or etching instead of laser ablation in the fourth step.

[0080] 一実施形態において、バール形成部材３０は、（例えば、図２７に示されるように）ホール１２を提供するためにベース部材２０が処理された後、ベース部材２０に取り付けられる。複数のバール構造６を形成するなど、図３１に示される配置を提供するために、バール形成部材３０がベース部材２０に取り付けられる前又は後に、バール形成部材３０上で実行される１つ以上の処理ステップが実行され得る。 [0080] In one embodiment, the burl forming member 30 is attached to the base member 20 after the base member 20 has been treated to provide the holes 12 (eg, as shown in Figure 27). 31, such as to form a plurality of burl structures 6, performed on the burl forming member 30 before or after the burl forming member 30 is attached to the base member 20. Processing steps may be performed.

[0081] 本文ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に特に言及しているが、本明細書で説明するリソグラフィ装置には他の用途もあることを理解されたい。例えば、これは、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用ガイダンス及び検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造である。こうした代替的な用途に照らして、本明細書で「ウェーハ」又は「ダイ」という用語を使用している場合、それぞれ「基板」又は「ターゲット部分」という、より一般的な用語と同義と見なしてよいことが当業者には認識される。本明細書に述べている基板は、露光前又は露光後に、例えばトラック（通常はレジストの層を基板に塗布し、露光したレジストを現像するツール）、メトロロジツール及び／又はインスペクションツールで処理することができる。適宜、本明細書の開示は、以上及びその他の基板プロセスツールに適用することができる。更に基板は、例えば多層ＩＣを生成するために、複数回処理することができ、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に複数の処理済み層を含む基板も指すことができる。 [0081] Although the text makes particular reference to the use of the lithographic apparatus in the manufacture of ICs, it should be understood that the lithographic apparatus described herein have other applications as well. For example, this is the manufacture of integrated optical systems, guidance and detection patterns for magnetic domain memories, flat panel displays, liquid crystal displays (LCDs), thin film magnetic heads, and the like. In light of these alternative uses, any use of the terms "wafer" or "die" herein may be considered synonymous with the more general terms "substrate" or "target portion", respectively. A good thing is recognized by those skilled in the art. Substrates as described herein may be processed before or after exposure, for example in a track (usually a tool that applies a layer of resist to the substrate and develops the exposed resist), a metrology tool and/or an inspection tool. be able to. Where appropriate, the disclosure herein can be applied to these and other substrate processing tools. Further, a substrate can be processed multiple times, for example to produce a multi-layer IC, and thus the term substrate as used herein can also refer to a substrate that already contains multiple processed layers.

[0082] 以上では光リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用に特に言及しているが、本発明は他の用途に使用できることを理解されたい。 [0082] Although the above refers specifically to the use of embodiments of the invention in connection with optical lithography, it should be understood that the invention can be used in other applications.

[0083] 本発明の特定の実施形態を上記で説明してきたが、本発明は説明した以外に実践され得ることを理解されよう。 [0083] While specific embodiments of the invention have been described above, it will be appreciated that the invention may be practiced otherwise than as described.

[0084] 上記の説明は例示的なものであり、限定的なものではないことを意図している。したがって当業者であれば、下記に示す特許請求の範囲を逸脱することなく、本発明に対する改変が可能であることを理解されよう。 [0084] The descriptions above are intended to be illustrative, not limiting. Accordingly, those skilled in the art will appreciate that modifications can be made to the present invention without departing from the scope of the claims set forth below.

Claims (15)

リソグラフィプロセス中に基板を支持するように構成された、基板テーブルであって、
基板サポートを備え、前記基板サポートは、
前記基板サポートのベース部材を介して延在する複数のホールと、複数のバール構造とを備え、
各バール構造は、使用中に前記基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備え、各バール構造は、前記ベース部材内のホールの少なくとも２つに対する開口を備え、
前記基板テーブルは、前記バール構造のうちの１つ以上の各々において、すべての前記開口を介して外側への流体の流れを提供するように構成される、
基板テーブル。 A substrate table configured to support a substrate during a lithography process, comprising:
a substrate support, said substrate support comprising:
comprising a plurality of holes extending through a base member of the substrate support and a plurality of burl structures;
each burl structure comprising a distal surface configured in use to contact a substrate supported by the substrate support, each burl structure comprising openings to at least two of the holes in the base member;
the substrate table is configured to provide outward fluid flow through all the openings in each of one or more of the burl structures;
board table. 各バール構造は、前記バール構造内で前記遠位表面から凹状面へと延在するバール凹所を備え、前記凹状面は、前記ベース部材内の少なくとも２つの前記ホールに対する前記開を備える、請求項１に記載の基板テーブル。 Each burl structure comprises a burl recess extending from said distal surface to a concave surface within said burl structure, said concave surface comprising said openings to at least two said holes in said base member. Item 2. The substrate table of Item 1. １つ以上の前記バール構造の各々は、使用中、支持される基板の面に平行な方向に、前記バール凹所を囲む壁を備え、前記壁の遠位部分は、使用中、前記支持される基板と接する前記遠位表面のすべて又は一部を形成し、及び／又は、前記ベース部材は前記ベース部材内に複数のベース凹所を更に備え、各ベース凹所は、前記ベース部材の反対側の前記バール構造の異なるそれぞれ１つと位置合わせされ、前記位置合わせは、流体の外向き流れが、前記それぞれのバール構造の前記ベース凹所及び前記バール凹所を介した流体の流れを、前記ベース部材内の前記ホールを介して駆動させることによって、提供されるようになり、及び／又は、１つ以上の前記バール構造の各々が、前記バール構造の前記バール凹所内に１つ以上のサブバールを備え、各サブバールは、使用中、前記基板サポートによって支持される前記基板と接触する、前記バール構造の前記遠位表面の一部を形成する、遠位先端を有し、前記一部は、前記バール構造の前記遠位表面のすべてより少なく、及び／又は、少なくとも１つの前記バール構造の各々内の前記開口のアップストリームに多孔質層を更に備え、及び／又は、前記バール構造は前記ベース部材に接合されたバール形成部材内に形成される、請求項２に記載の基板テーブル。 Each of said one or more burl structures comprises, in use, a wall surrounding said burl recess in a direction parallel to the surface of the substrate to be supported, a distal portion of said wall extending in use from said supported substrate. and/or the base member further comprises a plurality of base recesses within the base member, each base recess opposite the base member. a different one of said burl structures on said side, said alignment being such that outward flow of fluid discriminates fluid flow through said base recess and said burl recess of said respective burl structure; and/or each of said one or more burl structures is provided with one or more sub-burls within said burl recesses of said burl structure. each sub-burl having a distal tip forming a portion of the distal surface of the burl structure that, in use, contacts the substrate supported by the substrate support, said portion comprising: less than all of the distal surfaces of the burl structures and/or further comprising a porous layer upstream of the openings in each of at least one of the burl structures; 3. A substrate table according to claim 2, formed in a burl forming member joined to the member. １つ以上の前記バール構造の各々について、前記ベース部材の面から垂直に見たとき、前記バール凹所内の前記凹状面内へと開口している各ホールの断面積は、前記バール構造と位置合わせされた前記それぞれのベース凹所の断面積よりも小さく、前記バール凹所の断面積よりも小さく、
１つ以上の前記バール構造の各々は、使用中、支持される基板の面に平行な方向に、前記バール凹所を囲む壁を備え、前記壁の遠位部分は、使用中、前記支持される基板と接する前記遠位表面の一部を形成し、
前記サブバールの各々の前記遠位先端は、使用中、前記支持される基板の前記面に並行なすべての方向で、前記壁の前記遠位部分から間隔を置いて配置される、
請求項３に記載の基板テーブル。 For each of said one or more burl structures, the cross-sectional area of each hole opening into said concave surface within said burl recess when viewed perpendicularly from the plane of said base member is said burl structure and position less than the cross-sectional area of the respective base recesses combined and less than the cross-sectional area of the burl recesses;
Each of said one or more burl structures comprises, in use, a wall surrounding said burl recess in a direction parallel to the surface of the substrate to be supported, a distal portion of said wall extending in use from said supported substrate. forming a portion of the distal surface in contact with a substrate that
the distal tip of each of the sub-bars being in use spaced from the distal portion of the wall in all directions parallel to the surface of the supported substrate;
4. A substrate table according to claim 3. 前記ベース部材を介して形成される少なくとも１つの前記ホールは、少なくとも１つの前記サブバールを通過する、請求項４に記載の基板テーブル。 5. The substrate table of claim 4, wherein at least one said hole formed through said base member passes through at least one said subbar. サポートテーブルは、リソグラフィ装置によって実行されるリソグラフィプロセスにおける基板の露光中、前記基板と前記リソグラフィ装置の投影システムとの間に相対運動を提供するように構成される、請求項１から５のいずれかに記載の前記基板テーブルを備えるリソグラフィ装置。 6. Any of claims 1-5, wherein the support table is configured to provide relative motion between the substrate and a projection system of the lithographic apparatus during exposure of the substrate in a lithographic process performed by the lithographic apparatus. A lithographic apparatus comprising the substrate table according to . リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法であって、
ベース部材を介して複数のホールを形成すること、
前記ベース部材内に前記ホールが形成された後、バール形成部材を前記ベース部材に接合すること、及び、
前記バール形成部材内に複数のバール構造を形成すること、
を含み、
前記バール構造は、
各バール構造が使用中に前記基板サポートによって支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造が前記ベース部材を介して形成された前記ホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、
形成される、方法。 A method of manufacturing a substrate support for a lithographic apparatus, comprising:
forming a plurality of holes through the base member;
joining a burl forming member to the base member after the hole is formed in the base member; and
forming a plurality of burl structures within the burl-forming member;
including
The burl structure is
of said holes formed through said base member, each burl structure comprising a distal surface configured in use to contact a substrate supported by said substrate support; with openings to at least one
Formed, way. 前記バール形成部材が前記ベース部材に接合された後、前記バール形成部材内に前記複数のバール構造が形成され、それによって前記基板サポートを形成し、及び／又は、
各バール構造は、前記バール構造内で前記遠位表面から凹状面へと延在するバール凹所を備え、前記凹状面は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも１つの前記ホールに対する前記開口を備え、
前記凹状面は前記ベース部材の表面を備える、
請求項７に記載の方法。 forming the plurality of burl structures within the burl-forming member after the burl-forming member is joined to the base member, thereby forming the substrate support; and/or
Each burl structure comprises a burl recess extending within said burl structure from said distal surface to a concave surface, said concave surface being said opening to said at least one hole formed through said base member. with
the concave surface comprises a surface of the base member;
8. The method of claim 7. リソグラフィ装置のための基板サポートを製造する方法であって、
ベース部材を介して複数のホールを形成すること、及び、
前記複数のホールの各々の少なくとも一部が前記ベース部材内に形成された後、
前記ベース部材内に複数のバール構造を形成すること、
を含み、
前記バール構造は、
各バール構造が使用中に支持される基板と接するように構成された遠位表面を備えるように、及び、各バール構造が前記ベース部材を介して形成された前記ホールのうちの少なくとも１つに対する開口を備えるように、
形成される、方法。 A method of manufacturing a substrate support for a lithographic apparatus, comprising:
forming a plurality of holes through the base member; and
after at least a portion of each of the plurality of holes is formed in the base member;
forming a plurality of burl structures within the base member;
including
The burl structure is
each burl structure having a distal surface configured to contact a substrate supported in use; and each burl structure to at least one of said holes formed through said base member. so as to have an opening,
Formed, way. 各バール構造は、前記バール構造内で前記遠位表面から凹状面へと延在するバール凹所を備え、前記凹状面は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも１つの前記ホールに対する前記開口を備える、請求項８又は９に記載の方法。 Each burl structure comprises a burl recess extending within said burl structure from said distal surface to a concave surface, said concave surface being said opening to said at least one hole formed through said base member. 10. A method according to claim 8 or 9, comprising １つ以上の前記バール構造の各々は、使用中、支持される基板の面に平行な方向に、前記バール凹所を囲む壁を備え、前記壁の遠位部分は、使用中、前記支持される基板と接する前記遠位表面のすべて又は一部を形成し、及び／又は、前記ベース部材内に複数のベース凹所を形成することを更に含み、各ベース凹所は、前記ベース部材の反対側の前記バール構造の異なるそれぞれ１つと位置合わせするように位置決めされ、前記位置合わせは、前記ベース部材を介して形成される１つ以上の前記ホールを介して、前記それぞれのバール構造の前記ベース凹所及び前記バール凹所を通過する流体の流れが、使用中、提供されるようになる、請求項１０に記載の方法。 Each of said one or more burl structures comprises, in use, a wall surrounding said burl recess in a direction parallel to the surface of the substrate to be supported, a distal portion of said wall extending in use from said supported substrate. and/or forming a plurality of base recesses within the base member, each base recess opposite the base member. positioned to align with a different respective one of said burl structures on a side, said alignment being via said one or more said holes formed through said base member, said base of said respective burl structure; 11. The method of claim 10, wherein fluid flow through the recess and the burl recess is provided during use. １つ以上の前記バール構造の各々について、前記ベース部材の面から垂直に見たとき、前記バール凹所内の前記凹状面内へと開口している各ホールの断面積は、前記バール構造と位置合わせされた前記それぞれのベース凹所の断面積よりも小さく、前記バール凹所の断面積よりも小さい、請求項１１に記載の方法。 For each of said one or more burl structures, the cross-sectional area of each hole opening into said concave surface within said burl recess when viewed perpendicularly from the plane of said base member is said burl structure and position 12. The method of claim 11, wherein the combined cross-sectional area is less than the cross-sectional area of the respective base recesses and less than the cross-sectional area of the burl recesses. 前記バール構造は、前記凹状面を形成するために前記バール構造の内側から材料を除去する前に、前記バール構造の外側から材料を除去することによって形成され、及び／又は、１つ以上の前記バール構造の各々の前記凹状面は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも２つの前記ホールに対する開口を備え、及び／又は、１つ以上の前記バール構造の各々が、前記バール構造の前記バール凹所内に１つ以上のサブバールを備え、各サブバールは、使用中、前記基板サポートによって支持される前記基板と接触する、前記バール構造の前記遠位表面の一部を形成する、遠位先端を有し、前記一部は、前記バール構造の前記遠位表面のすべてより少なく、及び／又は、前記ベース部材を介して形成される前記ホールの前記内側表面にコーティングを印加することを更に含み、及び／又は、前記基板サポートを基板テーブルに取り付けることを含み、前記基板テーブルは、リソグラフィプロセスにおける前記基板の露光中、前記基板とリソグラフィ装置の投影システムとの間に相対運動を提供するように構成される、請求項１０から１２のいずれかに記載の方法。 The burl structure is formed by removing material from the outside of the burl structure prior to removing material from the inside of the burl structure to form the concave surface, and/or one or more of the The concave surface of each of the burl structures comprises openings to at least two of the holes formed through the base member, and/or one or more of the burl structures each comprises the burls of the burl structure. one or more sub-burls within the recesses, each sub-burl having a distal tip forming part of the distal surface of the burl structure that, in use, contacts the substrate supported by the substrate support. said portion further comprising applying a coating to less than all of said distal surfaces of said burl structure and/or said inner surface of said hole formed through said base member; and/or mounting the substrate support to a substrate table, the substrate table being configured to provide relative motion between the substrate and a projection system of a lithographic apparatus during exposure of the substrate in a lithographic process. 13. A method according to any of claims 10-12, wherein 請求項１１に依存するとき、前記サブバールの各々の前記遠位先端は、使用中、前記支持される基板の前記面に並行なすべての方向で、前記壁の前記遠位部分から間隔を置いて配置され、及び／又は、前記ベース部材を介して形成される少なくとも１つの前記ホールは、少なくとも１つの前記サブバールを通過する、請求項１３に記載の方法。 When depending on claim 11, the distal tip of each of the sub-bars is in use spaced from the distal portion of the wall in all directions parallel to the plane of the supported substrate. 14. A method according to claim 13, wherein at least one said hole arranged and/or formed through said base member passes through at least one said sub-bar. 前記コーティングは、前記バール構造が位置すべき場所の反対側の前記ベース部材の側面から印加される請求項１４に記載の方法。 15. The method of claim 14, wherein said coating is applied from the side of said base member opposite where said burl structure is to be located.
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US20090086187A1 (en) * 2007-08-09 2009-04-02 Asml Netherlands Lithographic Apparatus and Device Manufacturing Method
JP5470601B2 (en) * 2009-03-02 2014-04-16 新光電気工業株式会社 Electrostatic chuck
EP3317726B1 (en) * 2015-07-02 2022-03-02 ASML Netherlands B.V. A substrate holder, a lithographic apparatus and method of manufacturing devices
CN113485074A (en) * 2016-07-01 2021-10-08 Asml荷兰有限公司 Object stage for a table system
US11270906B2 (en) * 2017-10-27 2022-03-08 Asml Holding N.V. Burls with altered surface topography for holding an object in lithography applications

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