JP2023180066A - Substrate processing device and position adjustment method - Google Patents

Abstract

To adjust a position, so as to irradiate the desired position of a substrate with laser light.SOLUTION: A substrate processing device for processing the substrate includes a substrate holding part which holds the substrate, a laser irradiation part which irradiates the substrate held by the substrate holding part with the laser light, a camera which images the substrate, a rotation mechanism which rotates the substrate holding part, a movement mechanism which moves the substrate holding part and the laser irradiation part relatively and horizontally, and a control part. The control part executes control for irradiating the substrate with the laser light, to form an annular processing part on the substrate, control for imaging the processing part by the camera, control for calculating the processing center of the imaged processing part, and control for moving the substrate holding part and the laser irradiation part relatively and horizontally to a position where the processing center aligns with the rotation center of the substrate holding part at least in the movement direction of the movement mechanism.SELECTED DRAWING: Figure 9

Description

本開示は、基板処理装置及び位置調整方法に関する。 The present disclosure relates to a substrate processing apparatus and a position adjustment method.

特許文献１には、剥離酸化膜及び半導体素子が表面上に形成された半導体基板において、半導体素子を転写先基板に転写することが開示されている。特許文献１に記載の方法は、半導体基板の裏面より光を照射して剥離酸化膜を局所的に加熱する工程と、剥離酸化膜中、及び／又は剥離酸化膜と半導体基板との界面において剥離を生じさせて、半導体素子を転写先基板に転写させる工程と、を含む。 Patent Document 1 discloses that in a semiconductor substrate on which a peeled oxide film and a semiconductor element are formed, the semiconductor element is transferred to a transfer destination substrate. The method described in Patent Document 1 includes a step of locally heating the peeled oxide film by irradiating light from the back surface of the semiconductor substrate, and a step of heating the peeled oxide film locally and/or at the interface between the peeled oxide film and the semiconductor substrate. and transferring the semiconductor element to a transfer destination substrate.

特開２００７－２２０７４９号公報Japanese Patent Application Publication No. 2007-220749

本開示にかかる技術は、基板の所望の位置にレーザ光が照射されるように位置調整を行う。 The technology according to the present disclosure performs position adjustment so that a desired position on a substrate is irradiated with laser light.

本開示の一態様は、基板を処理する基板処理装置であって、基板を保持する基板保持部と、前記基板保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射するレーザ照射部と、前記基板を撮像するカメラと、前記基板保持部を回転させる回転機構と、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、制御部と、を備え、前記制御部は、前記基板に前記レーザ光を照射し、当該基板に環状の加工部分を形成する制御と、前記加工部分を前記カメラで撮像する制御と、前記撮像された前記加工部分の加工中心を算出する制御と、少なくとも前記移動機構の移動方向において、前記加工中心と、前記基板保持部の回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる制御と、を実行する。 One aspect of the present disclosure is a substrate processing apparatus that processes a substrate, including a substrate holding section that holds a substrate, a laser irradiation section that irradiates the substrate held by the substrate holding section with a laser beam, and a substrate processing apparatus that processes a substrate. a camera that takes an image of the substrate holder, a rotation mechanism that rotates the substrate holder, a movement mechanism that relatively moves the substrate holder and the laser irradiation unit in a horizontal direction, and a control unit, the control unit , control to irradiate the substrate with the laser light to form an annular processed portion on the substrate, control to image the processed portion with the camera, and control to calculate the processing center of the imaged processed portion. and control to relatively move the substrate holding part and the laser irradiation part in a horizontal direction to a position where the processing center and the rotation center of the substrate holding part coincide at least in the moving direction of the moving mechanism; Execute.

本開示によれば、基板の所望の位置にレーザ光が照射されるように位置調整を行うことができる。 According to the present disclosure, the position can be adjusted so that a desired position on the substrate is irradiated with laser light.

ウェハ処理システムにおいて処理される重合ウェハの構成の概略を示す側面図である。FIG. 1 is a side view schematically showing the configuration of a polymerized wafer processed in a wafer processing system. ウェハ処理システムの構成の概略を模式的に示す平面図である。FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a wafer processing system. レーザ照射装置の構成の概略を示す側面図である。FIG. 2 is a side view schematically showing the configuration of a laser irradiation device. レーザ照射装置の構成の概略を示す平面図である。FIG. 2 is a plan view schematically showing the configuration of a laser irradiation device. 分離装置の動作の様子を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing how the separation device operates. レーザ吸収層にレーザ光を照射する様子を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing how a laser absorption layer is irradiated with laser light. レーザ吸収層にレーザ光を照射する様子を示す説明図である。FIG. 2 is an explanatory diagram showing how a laser absorption layer is irradiated with laser light. レーザ吸収層に加工部分を形成した様子を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing how a processed portion is formed in a laser absorption layer. 加工中心とチャック回転中心の第１の調整を行う様子を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing how the first adjustment of the machining center and the chuck rotation center is performed. 加工中心とチャック回転中心の第２の調整を行う様子を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing how the second adjustment of the machining center and the chuck rotation center is performed. 加工中心とチャック回転中心の第２の調整を行う様子を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing how the second adjustment of the machining center and the chuck rotation center is performed. 加工中心とチャック回転中心の第２の調整を行う様子を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing how the second adjustment of the machining center and the chuck rotation center is performed.

半導体デバイスの製造工程では、２枚の半導体基板（以下、「ウェハ」という。）が接合された重合ウェハにおいて、第２のウェハの表面に形成されたデバイス層を第１のウェハに転写することが行われている。このデバイス層の転写は、例えばレーザリフトオフを用いて実行される。すなわち、チャックに保持された重合ウェハの内部にレーザ照射部からレーザ光を照射することで、第１のウェハと第２のウェハの接合強度を低下させた後、第２のウェハを第１のウェハから剥離することで、デバイス層を第１のウェハに転写する。 In the manufacturing process of semiconductor devices, in a polymerized wafer in which two semiconductor substrates (hereinafter referred to as "wafers") are bonded, a device layer formed on the surface of the second wafer is transferred to the first wafer. is being carried out. This device layer transfer is performed using, for example, laser lift-off. That is, the bonding strength between the first wafer and the second wafer is reduced by irradiating the inside of the polymerized wafer held by the chuck with laser light from the laser irradiation unit, and then the second wafer is bonded to the first wafer. The device layer is transferred to the first wafer by peeling from the wafer.

レーザリフトオフでは、重合ウェハを回転させると共に、レーザ光を径方向外側から内側に移動させながら、当該レーザ光をパルス状に照射する。この際、第１のウェハと第２のウェハの剥離をウェハ面内で均一に行うためには、レーザ光を照射する間隔、すなわちパルスの間隔を一定にするのが好ましい。しかしながら、パルスの間隔を一定にしようとすると、レーザ光が径方向外側から内側に移動するにしたがって、重合ウェハの回転速度が速くなる。そして、重合ウェハの回転速度が上限に達すると、レーザ光の照射位置が径方向内側に移動するにつれ、レーザ光の照射間隔は小さくなっていき、中央領域ではレーザ光が重なる場合もあり得る。また、中央領域において重合ウェハの回転速度が速くなると、第１のウェハが剥離してしまうおそれもある。そこで、外周領域において重合ウェハを回転させながらレーザ光を照射し、中央領域において、重合ウェハの回転を停止させた状態でレーザ光を走査させる。 In laser lift-off, while rotating the polymerized wafer, the laser beam is irradiated in a pulsed manner while moving the laser beam from the outside in the radial direction to the inside. At this time, in order to uniformly separate the first wafer and the second wafer within the wafer surface, it is preferable to keep the laser beam irradiation interval, that is, the pulse interval, constant. However, if the pulse interval is kept constant, the rotation speed of the polymerized wafer increases as the laser beam moves from the outside to the inside in the radial direction. Then, when the rotational speed of the superposed wafer reaches its upper limit, as the laser beam irradiation position moves radially inward, the laser beam irradiation interval becomes smaller, and the laser beams may overlap in the central region. Furthermore, if the rotational speed of the overlapping wafers increases in the central region, there is a risk that the first wafer may peel off. Therefore, the laser beam is irradiated while rotating the overlapping wafer in the outer peripheral area, and the laser beam is scanned in the central area while the rotation of the overlapping wafer is stopped.

ここで、例えば重合ウェハの加工中心（加工位置の中心）と、チャック回転中心とがずれている場合、外周領域において適切な位置にレーザ光が照射されず、重合ウェハが存在しないところにレーザ光が照射されるおそれがある。また、加工中心とチャック回転中心がずれている場合、中央領域まで走査されず、外周領域と中央領域の境界において未加工領域が生じるおそれがある。 Here, for example, if the processing center (center of the processing position) of the polymerized wafer and the chuck rotation center are misaligned, the laser beam will not be irradiated at an appropriate position in the outer peripheral area, and the laser beam will not be irradiated at an appropriate position in the outer peripheral area. There is a risk of being irradiated. Furthermore, if the machining center and the chuck rotation center are misaligned, the central area may not be scanned and an unprocessed area may occur at the boundary between the outer peripheral area and the central area.

本開示にかかる技術は、基板の所望の位置にレーザ光が照射されるように位置調整を行う。以下、本実施形態にかかる基板処理装置としてのレーザ照射装置を備えたウェハ処理システム、及び基板処理方法としてのウェハ処理方法ついて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。 The technology according to the present disclosure performs position adjustment so that a desired position on a substrate is irradiated with laser light. Hereinafter, a wafer processing system including a laser irradiation device as a substrate processing apparatus and a wafer processing method as a substrate processing method according to the present embodiment will be described with reference to the drawings. Note that in this specification and the drawings, elements having substantially the same functional configuration are designated by the same reference numerals and redundant explanation will be omitted.

本実施形態にかかる後述のウェハ処理システム１では、図１に示すように第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２とが接合された基板としての重合ウェハＴに対して処理を行う。以下、第１のウェハＷ１において、第２のウェハＷ２に接合される側の面を表面Ｗ１ａといい、表面Ｗ１ａと反対側の面を裏面Ｗ１ｂという。同様に、第２のウェハＷ２において、第１のウェハＷ１に接合される側の面を表面Ｗ２ａといい、表面Ｗ２ａと反対側の面を裏面Ｗ２ｂという。 In a wafer processing system 1 according to the present embodiment, which will be described later, as shown in FIG. 1, a superposed wafer T as a substrate in which a first wafer W1 and a second wafer W2 are bonded is processed. Hereinafter, in the first wafer W1, the surface to be joined to the second wafer W2 will be referred to as the front surface W1a, and the surface opposite to the front surface W1a will be referred to as the back surface W1b. Similarly, in the second wafer W2, the surface to be bonded to the first wafer W1 is referred to as a front surface W2a, and the surface opposite to the front surface W2a is referred to as a back surface W2b.

第１のウェハＷ１は、例えばシリコン基板等の半導体ウェハである。一実施形態において、第１のウェハＷ１は略円板形状を有する。第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａには、デバイス層Ｄ１と表面膜Ｆ１が表面Ｗ１ａ側からこの順で積層されている。デバイス層Ｄ１は、複数のデバイスを含む。表面膜Ｆ１としては、例えば酸化膜（ＴＨＯＸ膜、ＳｉＯ_２膜、ＴＥＯＳ膜）、ＳｉＣ膜、ＳｉＣＮ膜又は接着剤などが挙げられる。 The first wafer W1 is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon substrate. In one embodiment, the first wafer W1 has a substantially disk shape. On the front surface W1a of the first wafer W1, a device layer D1 and a surface film F1 are laminated in this order from the front surface W1a side. Device layer D1 includes multiple devices. Examples of the surface film F1 include an oxide film (THOX film, SiO ₂ film, TEOS film), SiC film, SiCN film, adhesive, and the like.

第２のウェハＷ２は、例えばシリコン基板等の半導体ウェハである。一実施形態において、第２のウェハＷ２は略円板形状を有する。第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａには、レーザ吸収層Ｐ、デバイス層Ｄ２及び表面膜Ｆ２が表面Ｗ２ａ側からこの順で積層されている。レーザ吸収層Ｐは、後述するようにレーザ照射部１１０から照射されたレーザ光を吸収する。レーザ吸収層Ｐには、例えば酸化膜（ＳｉＯ_２膜）が用いられるが、レーザ光を吸収するものであれば特に限定されない。デバイス層Ｄ２と表面膜Ｆ２はそれぞれ、第１のウェハＷ１のデバイス層Ｄ１、表面膜Ｆ１と同様である。そして、第１のウェハＷ１の表面膜Ｆ１と第２のウェハＷ２の表面膜Ｆ２が接合される。なお、レーザ吸収層Ｐの位置は、上記実施形態に限定されず、例えばデバイス層Ｄ２と表面膜Ｆ２の間に形成されていてもよい。 The second wafer W2 is, for example, a semiconductor wafer such as a silicon substrate. In one embodiment, the second wafer W2 has a substantially disk shape. On the front surface W2a of the second wafer W2, a laser absorption layer P, a device layer D2, and a surface film F2 are laminated in this order from the front surface W2a side. The laser absorption layer P absorbs laser light irradiated from the laser irradiation section 110 as described later. For example, an oxide film (SiO ₂ film) is used for the laser absorption layer P, but it is not particularly limited as long as it absorbs laser light. The device layer D2 and the surface film F2 are similar to the device layer D1 and the surface film F1 of the first wafer W1, respectively. Then, the surface film F1 of the first wafer W1 and the surface film F2 of the second wafer W2 are bonded. In addition, the position of the laser absorption layer P is not limited to the said embodiment, For example, it may be formed between the device layer D2 and the surface film F2.

図２に示すようにウェハ処理システム１は、搬入出ブロック１０、搬送ブロック２０、及び処理ブロック３０を一体に接続した構成を有している。搬入出ブロック１０と処理ブロック３０は、搬送ブロック２０の周囲に設けられている。具体的に搬入出ブロック１０は、搬送ブロック２０のＹ軸負方向側に配置されている。処理ブロック３０の後述するレーザ照射装置３１及び後述する分離装置３２は搬送ブロック２０のＸ軸負方向側に配置され、後述する第１の洗浄装置３３及び後述する第２の洗浄装置３４は搬送ブロック２０のＸ軸正方向側に配置されている。 As shown in FIG. 2, the wafer processing system 1 has a configuration in which a loading/unloading block 10, a transport block 20, and a processing block 30 are integrally connected. The loading/unloading block 10 and the processing block 30 are provided around the transport block 20. Specifically, the carry-in/out block 10 is arranged on the Y-axis negative direction side of the conveyance block 20. A laser irradiation device 31 (described later) and a separation device 32 (described later) of the processing block 30 are arranged on the X-axis negative direction side of the transport block 20, and a first cleaning device 33 (described later) and a second cleaning device 34 (described later) are located on the transport block 20. 20 in the positive direction of the X-axis.

搬入出ブロック１０は、例えば外部との間で複数の重合ウェハＴ、複数の第１のウェハＷ１、複数の第２のウェハＷ２をそれぞれ収容可能なカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２がそれぞれ搬入出される。搬入出ブロック１０には、カセット載置台１１が設けられている。図示の例では、カセット載置台１１には、複数、例えば３つのカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２をＸ軸方向に一列に載置可能になっている。なお、カセット載置台１１に載置されるカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２の個数は、本実施形態に限定されず、任意に決定することができる。 For example, cassettes Ct, Cw1, and Cw2 each capable of accommodating a plurality of stacked wafers T, a plurality of first wafers W1, and a plurality of second wafers W2 are carried in and out of the carry-in/out block 10, respectively. The loading/unloading block 10 is provided with a cassette mounting table 11 . In the illustrated example, a plurality of cassettes, for example, three cassettes Ct, Cw1, and Cw2, can be placed on the cassette mounting table 11 in a line in the X-axis direction. Note that the number of cassettes Ct, Cw1, and Cw2 placed on the cassette mounting table 11 is not limited to this embodiment, and can be arbitrarily determined.

搬送ブロック２０には、Ｘ軸方向に延伸する搬送路２１上を移動可能に構成されたウェハ搬送装置２２が設けられている。ウェハ搬送装置２２は、重合ウェハＴ、第１のウェハＷ１又は第２のウェハＷ２を保持して搬送する、例えば２つの搬送アーム２３、２３を有している。各搬送アーム２３は、水平方向、鉛直方向、水平軸回り及び鉛直軸回りに移動可能に構成されている。なお、搬送アーム２３の構成は本実施形態に限定されず、任意の構成を取り得る。そして、ウェハ搬送装置２２は、カセット載置台１１のカセットＣｔ、Ｃｗ１、Ｃｗ２、レーザ照射装置３１、分離装置３２、第１の洗浄装置３３及び第２の洗浄装置３４に対して、重合ウェハＴ、第１のウェハＷ１、第２のウェハＷ２を搬送可能に構成されている。 The transport block 20 is provided with a wafer transport device 22 configured to be movable on a transport path 21 extending in the X-axis direction. The wafer transport device 22 has, for example, two transport arms 23, 23 that hold and transport the stacked wafer T, the first wafer W1, or the second wafer W2. Each transport arm 23 is configured to be movable in the horizontal direction, vertical direction, around the horizontal axis, and around the vertical axis. Note that the configuration of the transport arm 23 is not limited to this embodiment, and may have any configuration. Then, the wafer transport device 22 transfers the polymerized wafers T, It is configured to be able to transport the first wafer W1 and the second wafer W2.

処理ブロック３０は、レーザ照射装置３１、分離装置３２、第１の洗浄装置３３及び第２の洗浄装置３４を有している。一例において、レーザ照射装置３１と分離装置３２は、搬送ブロック２０のＸ軸負方向側において積層して配置される。また、第１の洗浄装置３３と第２の洗浄装置３４は、搬送ブロック２０のＸ軸正方向側において積層して配置される。なお、レーザ照射装置３１、分離装置３２、第１の洗浄装置３３及び第２の洗浄装置３４の数や配置はこれに限定されるものではない。 The processing block 30 includes a laser irradiation device 31, a separation device 32, a first cleaning device 33, and a second cleaning device 34. In one example, the laser irradiation device 31 and the separation device 32 are stacked and arranged on the X-axis negative direction side of the transport block 20. Further, the first cleaning device 33 and the second cleaning device 34 are stacked and arranged on the X-axis positive direction side of the transport block 20. Note that the number and arrangement of the laser irradiation device 31, the separation device 32, the first cleaning device 33, and the second cleaning device 34 are not limited to these.

レーザ照射装置３１は、重合ウェハＴの内部、より具体的には第２のウェハＷ２のレーザ吸収層Ｐにレーザ光を照射して第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの界面における接合強度を低下させる。この重合ウェハＴの内部において接合強度の低下した界面（本実施形態においては第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの界面）を、本開示の技術においては「分離面」という場合がある。なお、レーザ照射装置３１は、重合ウェハＴをレーザ処理するウェハ処理装置として機能するとともに、重合ウェハＴの処理位置を調整する位置調整装置としても機能する。 The laser irradiation device 31 irradiates the inside of the polymerized wafer T, more specifically, the laser absorption layer P of the second wafer W2, with a laser beam to increase the bonding strength at the interface between the second wafer W2 and the laser absorption layer P. lower. The interface (in this embodiment, the interface between the second wafer W2 and the laser absorption layer P) where the bonding strength is reduced inside the polymerized wafer T may be referred to as a "separation surface" in the technology of the present disclosure. Note that the laser irradiation device 31 functions as a wafer processing device that performs laser processing on the stacked wafers T, and also functions as a position adjustment device that adjusts the processing position of the stacked wafers T.

図３及び図４に示すようにレーザ照射装置３１の内部には受渡位置Ａ１と処理位置Ａ２が設定されている。受渡位置Ａ１は、搬送アーム２３から後述のチャック１００に重合ウェハＴの受け渡しができる位置であって、且つ、後述のカメラ１２０により重合ウェハＴ（レーザ吸収層Ｐ）に形成されたレーザ光の加工部分を撮像できる位置である。処理位置Ａ２は、後述のレーザ照射部１１０から重合ウェハＴ（レーザ吸収層Ｐ）にレーザ光を照射できる位置である。 As shown in FIGS. 3 and 4, a delivery position A1 and a processing position A2 are set inside the laser irradiation device 31. The delivery position A1 is a position where the overlapping wafer T can be delivered from the transport arm 23 to the chuck 100 described below, and is also a position where the overlapping wafer T can be processed by the laser beam formed on the overlapping wafer T (laser absorption layer P) by the later-described camera 120. This is the position where the part can be imaged. The processing position A2 is a position where the polymerized wafer T (laser absorption layer P) can be irradiated with laser light from a laser irradiation unit 110, which will be described later.

レーザ照射装置３１は、重合ウェハＴを上面で保持する、基板保持部としてのチャック１００を有している。チャック１００は上面に重合ウェハＴの保持面を備え、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂの全面、又は裏面Ｗ１ｂの径方向内側の一部を吸着保持する。チャック１００は、一例として静電チャック（ＥＳＣ：Ｅｌｅｃｔｒｏｓｔａｔｉｃ Ｃｈｕｃｋ）や真空チャック（Ｖａｃｕｕｍ Ｃｈｕｃｋ）である。チャック１００には、重合ウェハＴを下方から支持し昇降させるための昇降ピン（図示せず）が設けられている。昇降ピンは、チャック１００を貫通して形成された貫通孔（図示せず）を挿通し、昇降可能に構成されている。 The laser irradiation device 31 has a chuck 100 as a substrate holder that holds the superposed wafer T on its upper surface. The chuck 100 has a holding surface for the stacked wafer T on its upper surface, and holds the entire back surface W1b of the first wafer W1 by suction or a part of the radially inner side of the back surface W1b. The chuck 100 is, for example, an electrostatic chuck (ESC) or a vacuum chuck. The chuck 100 is provided with a lifting pin (not shown) for supporting the stacked wafer T from below and lifting it up and down. The elevating pin is inserted into a through hole (not shown) formed through the chuck 100 and is configured to be movable up and down.

チャック１００は、エアベアリング１０１を介して、スライダテーブル１０２に支持されている。スライダテーブル１０２の下面側には、回転機構１０３が設けられている。回転機構１０３は、駆動源として例えばモータを内蔵している。チャック１００は、回転機構１０３によってエアベアリング１０１を介して、θ軸（鉛直軸）回りに回転可能に構成されている。スライダテーブル１０２は、その下面側に設けられた移動機構１０４によって、基台１０５に設けられＹ軸方向に延伸するレール１０６に沿って、上記した受渡位置Ａ１と処理位置Ａ２の間で移動可能に構成されている。なお、移動機構１０４の駆動源は特に限定されるものではないが、例えばリニアモータが用いられる。また、チャック１００をＸ軸方向に移動させる移動機構１０７が設けられていてもよい。移動機構１０７の構成は任意であるが、例えばエアベアリング１０１に設けられ、ネジ等を用いてチャック１００を機械的に移動させるものであってもよい。 The chuck 100 is supported by a slider table 102 via an air bearing 101. A rotation mechanism 103 is provided on the lower surface side of the slider table 102. The rotation mechanism 103 has a built-in motor as a drive source, for example. The chuck 100 is configured to be rotatable around the θ axis (vertical axis) by a rotation mechanism 103 via an air bearing 101. The slider table 102 is movable between the above-mentioned delivery position A1 and processing position A2 by a moving mechanism 104 provided on the lower surface side of the slider table 102 along a rail 106 provided on the base 105 and extending in the Y-axis direction. It is configured. Note that the driving source for the moving mechanism 104 is not particularly limited, but a linear motor may be used, for example. Furthermore, a moving mechanism 107 that moves the chuck 100 in the X-axis direction may be provided. Although the configuration of the moving mechanism 107 is arbitrary, it may be provided, for example, on the air bearing 101 and move the chuck 100 mechanically using a screw or the like.

処理位置Ａ２におけるチャック１００の上方には、レーザ照射部１１０が設けられている。レーザ照射部１１０は、レーザヘッド１１１、光学系１１２、及びレンズ１１３を有している。レーザ照射部１１０は、レーザ光を走査（スキャン）させることができる。以下の説明において、レーザ光Ｌを走査させるとは、レーザ照射部１１０のレンズ１１３から照射されるレーザ光Ｌを、レーザ吸収層Ｐに対して移動させることをいう。 A laser irradiation unit 110 is provided above the chuck 100 at the processing position A2. The laser irradiation unit 110 includes a laser head 111, an optical system 112, and a lens 113. The laser irradiation unit 110 can scan a laser beam. In the following description, scanning the laser beam L means moving the laser beam L irradiated from the lens 113 of the laser irradiation unit 110 with respect to the laser absorption layer P.

レーザヘッド１１１は、レーザ光をパルス状に発振するレーザ発振器（図示せず）を有している。このレーザ光は、いわゆるパルスレーザである。また、本実施形態ではレーザ光はＣＯ_２レーザ光であり、ＣＯ_２レーザ光の波長は例えば８．９μｍ～１１μｍである。なお、レーザヘッド１１１は、レーザ発振器の他の機器、例えば増幅器などを有していてもよい。 The laser head 111 includes a laser oscillator (not shown) that oscillates laser light in a pulsed manner. This laser light is a so-called pulsed laser. Further, in this embodiment, the laser beam is a CO ₂ laser beam, and the wavelength of the CO ₂ laser beam is, for example, 8.9 μm to 11 μm. Note that the laser head 111 may include equipment other than the laser oscillator, such as an amplifier.

光学系１１２は、レーザ光の強度や位置を制御する光学素子（図示せず）と、レーザ光を減衰させて出力を調整するアッテネータ（図示せず）と、レーザ光を走査させるレーザ走査部（図示せず）を有している。レーザ走査部には、例えばロータリーウェッジスキャナやガルバノスキャナが用いられる。また、光学系１１２は、レーザ光の分岐を制御可能に構成されてもよい。 The optical system 112 includes an optical element (not shown) that controls the intensity and position of the laser beam, an attenuator (not shown) that attenuates the laser beam and adjusts the output, and a laser scanning section (not shown) that scans the laser beam. (not shown). For example, a rotary wedge scanner or a galvano scanner is used as the laser scanning unit. Further, the optical system 112 may be configured to be able to control branching of laser light.

レンズ１１３は、チャック１００に保持された重合ウェハＴにレーザ光を照射する。レーザ照射部１１０から発せられたレーザ光は第２のウェハＷ２を透過し、レーザ吸収層Ｐに照射される。レンズ１１３は、移動機構（図示せず）によって水平方向に移動可能に構成されていてもよいし、昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に昇降可能に構成されていてもよい。 The lens 113 irradiates the polymerized wafer T held by the chuck 100 with laser light. The laser light emitted from the laser irradiation section 110 passes through the second wafer W2 and is irradiated onto the laser absorption layer P. The lens 113 may be configured to be movable in the horizontal direction by a moving mechanism (not shown), or may be configured to be vertically movable by a lifting mechanism (not shown).

また、受渡位置Ａ１におけるチャック１００の上方には、カメラ１２０が設けられている。カメラ１２０は、マクロカメラやマイクロカメラ等から選択される１つ以上のカメラを有している。なお、カメラ１２０は、移動機構（図示せず）によって水平方向に移動可能に構成されていてもよいし、昇降機構（図示せず）によって鉛直方向に昇降可能に構成されていてもよい。 Further, a camera 120 is provided above the chuck 100 at the delivery position A1. The camera 120 includes one or more cameras selected from macro cameras, micro cameras, and the like. Note that the camera 120 may be configured to be movable in the horizontal direction by a moving mechanism (not shown), or may be configured to be vertically movable by a lifting mechanism (not shown).

カメラ１２０は、チャック１００に保持された重合ウェハＴにおいて、レーザ光が照射された加工部分を撮像する。カメラ１２０は、例えば同軸レンズを備え、赤外光（ＩＲ）を照射し、さらに対象物からの反射光を受光する。カメラ１２０で撮像された画像データは、後述する制御装置４０に出力される。 The camera 120 images the processed portion of the polymerized wafer T held by the chuck 100 that is irradiated with the laser beam. The camera 120 includes, for example, a coaxial lens, emits infrared light (IR), and receives reflected light from an object. Image data captured by the camera 120 is output to a control device 40, which will be described later.

なお、後述するようにウェハ処理システム１は制御装置４０を有しているが、かかる制御装置４０は、レーザ照射装置３１に設けられ当該レーザ照射装置３１を制御する制御部としても機能する。 Note that, as described later, the wafer processing system 1 includes a control device 40, and the control device 40 also functions as a control section that is provided in the laser irradiation device 31 and controls the laser irradiation device 31.

分離装置３２は、レーザ照射装置３１で接合強度が低下された、分離面としての第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの界面を基点として第１のウェハＷ１から第２のウェハＷ２を剥離する。 The separation device 32 separates the second wafer W2 from the first wafer W1 based on the interface between the second wafer W2 and the laser absorption layer P, which serves as a separation surface and whose bonding strength has been reduced by the laser irradiation device 31. .

一例において分離装置３２は、図５に示すように、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを下方から吸着保持する吸着チャック２００と、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂを上方から吸着保持する吸着パッド２１０とを有する。そして分離装置３２では、図５に示すように吸着チャック２００が第１のウェハＷ１を吸着保持し、吸着パッド２１０が第２のウェハＷ２を吸着保持した状態で、当該吸着パッド２１０を上昇させて、レーザ吸収層Ｐから第２のウェハＷ２を剥離する。 In one example, as shown in FIG. 5, the separation device 32 includes a suction chuck 200 that suction-holds the back surface W1b of the first wafer W1 from below, and a suction pad 210 that suction-holds the back surface W2b of the second wafer W2 from above. and has. Then, in the separation device 32, as shown in FIG. 5, the suction chuck 200 suction-holds the first wafer W1, and the suction pad 210 suction-holds the second wafer W2, and the suction pad 210 is raised. , the second wafer W2 is peeled off from the laser absorption layer P.

なお、分離装置３２の構成はこれに限定されるものではなく、第１のウェハＷ１から第２のウェハＷ２を剥離できれば、任意の構成をとることができる。 Note that the configuration of the separation device 32 is not limited to this, and can take any configuration as long as it can separate the second wafer W2 from the first wafer W1.

第１の洗浄装置３３は、分離装置３２での剥離により分離された第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａ側を洗浄する。例えば第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａ側のレーザ吸収層Ｐにブラシを当接させて、当該レーザ吸収層Ｐを洗浄する。なお、第１のウェハＷ１の洗浄には、加圧された洗浄液を用いてもよい。また、第１の洗浄装置３３は、第１のウェハＷ１の表面Ｗ１ａ側と共に、裏面Ｗ１ｂを洗浄する構成を有していてもよい。 The first cleaning device 33 cleans the front surface W1a side of the first wafer W1 separated by peeling in the separation device 32. For example, a brush is brought into contact with the laser absorption layer P on the front surface W1a side of the first wafer W1 to clean the laser absorption layer P. Note that a pressurized cleaning liquid may be used to clean the first wafer W1. Further, the first cleaning device 33 may be configured to clean the front surface W1a side of the first wafer W1 as well as the back surface W1b.

第２の洗浄装置３４は、分離装置３２での剥離により分離された第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａ側を洗浄する。例えば第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａにブラシを当接させて、当該表面Ｗ２ａを洗浄する。なお、第２のウェハＷ２の洗浄には、加圧された洗浄液を用いてもよい。また、第２の洗浄装置３４は、第２のウェハＷ２の表面Ｗ２ａ側と共に、裏面Ｗ２ｂを洗浄する構成を有していてもよい。 The second cleaning device 34 cleans the front surface W2a side of the second wafer W2 separated by peeling in the separation device 32. For example, a brush is brought into contact with the front surface W2a of the second wafer W2 to clean the front surface W2a. Note that a pressurized cleaning liquid may be used to clean the second wafer W2. Further, the second cleaning device 34 may have a configuration that cleans the front surface W2a side of the second wafer W2 as well as the back surface W2b.

なお、本実施形態においては、上記したように第１のウェハＷ１を洗浄する第１の洗浄装置３３と第２のウェハＷ２を洗浄する第２の洗浄装置３４をそれぞれ独立して配置したが、第１のウェハＷ１の洗浄と第２のウェハＷ２の洗浄は、同一の洗浄装置を用いて行われてもよい。この場合、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２の洗浄は同時に行われてもよいし、又は独立して行われてもよい。 Note that in this embodiment, as described above, the first cleaning device 33 for cleaning the first wafer W1 and the second cleaning device 34 for cleaning the second wafer W2 are arranged independently. The cleaning of the first wafer W1 and the cleaning of the second wafer W2 may be performed using the same cleaning apparatus. In this case, the first wafer W1 and the second wafer W2 may be cleaned simultaneously or independently.

また、本実施形態においては、分離装置３２を用いて第１のウェハＷ１から第２のウェハＷ２を剥離したが、レーザ照射装置３１の内部においてかかる剥離を行ってもよい。例えばレーザ照射装置３１の受渡位置Ａ１に、昇降可能の搬送パッド（図示せず）を設ける。そして、チャック１００が第１のウェハＷ１を吸着保持した状態で、搬送パッドで第２のウェハＷ２を吸着保持し、更に搬送パッドを上昇させることで、第１のウェハＷ１から第２のウェハＷ２を剥離する。 Further, in this embodiment, the second wafer W2 is separated from the first wafer W1 using the separation device 32, but such separation may be performed inside the laser irradiation device 31. For example, a transfer pad (not shown) that can be raised and lowered is provided at the delivery position A1 of the laser irradiation device 31. Then, while the chuck 100 suction-holds the first wafer W1, the transport pad suction-holds the second wafer W2, and further raises the transport pad to move the first wafer W1 to the second wafer W2. Peel off.

以上のウェハ処理システム１には、図２に示すように、制御部としての制御装置４０が設けられている。制御装置４０は、例えばコンピュータであり、プログラム格納部（図示せず）を有している。プログラム格納部には、ウェハ処理システム１における重合ウェハＴの処理を制御するプログラムが格納されている。また、プログラム格納部には、上述の各種処理装置や搬送装置などの駆動系の動作を制御して、ウェハ処理システム１における後述のウェハ処理を実現させるためのプログラムも格納されている。なお、上記プログラムは、コンピュータに読み取り可能な記憶媒体Ｈに記録されていたものであって、当該記憶媒体Ｈから制御装置４０にインストールされたものであってもよい。また、上記記憶媒体Ｈは、一時的なものであっても非一時的なものであってもよい。 As shown in FIG. 2, the above wafer processing system 1 is provided with a control device 40 as a control section. The control device 40 is, for example, a computer, and has a program storage section (not shown). The program storage unit stores a program for controlling the processing of the stacked wafers T in the wafer processing system 1. The program storage unit also stores programs for controlling the operations of drive systems such as the various processing devices and transport devices described above to realize wafer processing in the wafer processing system 1, which will be described later. Note that the above program may be one that has been recorded on a computer-readable storage medium H, and may have been installed in the control device 40 from the storage medium H. Further, the storage medium H may be temporary or non-temporary.

次に、以上のように構成されたウェハ処理システム１を用いて行われるウェハ処理について説明する。なお、本実施形態では、ウェハ処理システム１の外部の接合装置（図示せず）において、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２が接合され、予め重合ウェハＴが形成されている。 Next, wafer processing performed using the wafer processing system 1 configured as above will be described. Note that in this embodiment, the first wafer W1 and the second wafer W2 are bonded in a bonding device (not shown) outside the wafer processing system 1 to form a superposed wafer T in advance.

先ず、複数の重合ウェハＴを収納したカセットＣｔが、搬入出ブロック１０のカセット載置台１１に載置される。 First, a cassette Ct containing a plurality of stacked wafers T is placed on the cassette mounting table 11 of the loading/unloading block 10 .

次に、ウェハ搬送装置２２によりカセットＣｔ内の重合ウェハＴが取り出され、レーザ照射装置３１に搬送される。レーザ照射装置３１において重合ウェハＴは、搬送アーム２３から受渡位置Ａ１に配置されたチャック１００に受け渡され、チャック１００に吸着保持される。続いて、移動機構１０４によってチャック１００を処理位置Ａ２に移動させる。 Next, the superposed wafer T in the cassette Ct is taken out by the wafer transport device 22 and transported to the laser irradiation device 31. In the laser irradiation device 31, the stacked wafer T is transferred from the transfer arm 23 to the chuck 100 disposed at the transfer position A1, and is held by the chuck 100 by suction. Subsequently, the moving mechanism 104 moves the chuck 100 to the processing position A2.

次に、図６に示すようにレーザ照射部１１０からレーザ吸収層Ｐ、より詳細にはレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の界面にレーザ光Ｌ（ＣＯ_２レーザ光）をパルス状に照射する。この際、レーザ光Ｌは、第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂ側から当該第２のウェハＷ２を透過し、レーザ吸収層Ｐにおいて吸収される。そして、このレーザ光Ｌによって、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の接合強度を低下させる。なお、実施形態において「接合強度が低下」とは、少なくともレーザ光Ｌの照射前と比較して接合強度が低下している状態のことを言い、レーザ吸収層Ｐの改質や、レーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の剥離を含むものとする。 Next, as shown in FIG. 6, laser light L (CO ₂ laser light) is irradiated from the laser irradiation unit 110 to the laser absorption layer P, more specifically, to the interface between the laser absorption layer P and the second wafer W2 in a pulsed manner. do. At this time, the laser light L passes through the second wafer W2 from the back surface W2b side of the second wafer W2, and is absorbed in the laser absorption layer P. This laser light L reduces the bonding strength between the laser absorption layer P and the second wafer W2. In the embodiment, "the bonding strength is reduced" refers to a state in which the bonding strength is reduced at least compared to before irradiation with the laser beam L, and the term "bonding strength reduced" refers to a state in which the bonding strength is reduced at least compared to before irradiation with the laser light L, and the modification of the laser absorption layer P or the laser absorption layer This includes peeling off P and the second wafer W2.

ここで、本実施形態では、重合ウェハＴを回転させると共に、レーザ光Ｌを径方向外側から内側に移動させながら、当該レーザ光Ｌをパルス状に照射する。この際、第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの剥離をウェハ面内で均一に行うため、レーザ光Ｌを照射する間隔を一定にしようとすると、レーザ光Ｌが径方向外側から内側に移動するにしたがって、重合ウェハＴの回転速度が速くなる。かかる場合、レーザ吸収層Ｐの中央領域ではレーザ光Ｌが重なる場合があり、また中央領域において重合ウェハＴの回転速度が速くなると、回転中に第２のウェハＷ２が処理途中で剥離してしまうおそれもある。 Here, in this embodiment, while rotating the overlapping wafer T, the laser beam L is irradiated in a pulsed manner while moving the laser beam L from the outside in the radial direction to the inside. At this time, in order to uniformly peel off the second wafer W2 and the laser absorption layer P within the wafer plane, if the interval at which the laser beam L is irradiated is made constant, the laser beam L moves from the outside in the radial direction to the inside. Accordingly, the rotation speed of the polymerized wafer T increases. In such a case, the laser beams L may overlap in the central region of the laser absorption layer P, and if the rotation speed of the polymerized wafer T increases in the central region, the second wafer W2 will peel off during the process during rotation. There is also a risk.

そこで、図７に示すように外周領域Ｒ１において、重合ウェハＴを回転させながらレーザ光Ｌを照射し、中央領域Ｒ２において、重合ウェハＴの回転を停止させた状態でレーザ光Ｌを走査させる。 Therefore, as shown in FIG. 7, the laser beam L is irradiated in the outer peripheral region R1 while rotating the overlapping wafer T, and the laser beam L is scanned in the central region R2 while the rotation of the overlapping wafer T is stopped.

なお、レーザ光Ｌを走査させるチャック１００の中央領域Ｒ２は、チャック１００における保持中心としてのチャック回転中心を基準として所望の径長を有する円形状領域で、レーザ照射装置３１におけるウェハ処理に先立って予め設定されている。中央領域Ｒ２の径長は、例えばレーザ照射部１１０のレンズ１１３に対するチャック１００の相対的な回転速度が上限に達する径方向位置であり、換言すれば、レーザ光Ｌが重ならない限界の位置である。中央領域Ｒ２の径長は、一例として１０ｍｍ程度である。また、レーザ光Ｌの照射に際してチャック１００を回転させる外周領域Ｒ１は、中央領域Ｒ２よりも径方向外側の領域に設定されている。 The central region R2 of the chuck 100 on which the laser beam L is scanned is a circular region having a desired diameter with respect to the chuck rotation center as a holding center in the chuck 100, and is a circular region R2 that is scanned by the laser beam L. It is set in advance. The radial length of the central region R2 is, for example, the radial position where the relative rotational speed of the chuck 100 with respect to the lens 113 of the laser irradiation unit 110 reaches its upper limit, in other words, it is the limit position where the laser beams L do not overlap. . The diameter length of the central region R2 is, for example, about 10 mm. Further, an outer circumferential region R1 in which the chuck 100 is rotated during irradiation with the laser beam L is set to a region radially outer than the central region R2.

レーザ吸収層Ｐへのレーザ光Ｌの照射に際しては、先ず、カメラ１２０で外周領域Ｒ１を撮像する。カメラ１２０で撮像された画像データは、制御装置４０に出力される。制御装置４０では、画像データに基づいて、外周領域Ｒ１におけるレーザ光Ｌの照射開始位置を決定する。 When irradiating the laser absorption layer P with the laser light L, first, the outer peripheral region R1 is imaged with the camera 120. Image data captured by camera 120 is output to control device 40 . The control device 40 determines the irradiation start position of the laser beam L in the outer peripheral region R1 based on the image data.

次に、外周領域Ｒ１において、回転機構１０３によってチャック１００（重合ウェハＴ）を回転させると共に、移動機構１０４によってチャック１００をＹ負軸方向に移動させながら、レーザ光Ｌをパルス状に照射する。この際、レーザ光Ｌは走査させずに固定する。そうすると、外周領域Ｒ１において、径方向外側から内側に向けて、レーザ光Ｌが螺旋状に照射される。 Next, in the outer circumferential region R1, the chuck 100 (polymerized wafer T) is rotated by the rotating mechanism 103, and the chuck 100 is moved in the Y negative axis direction by the moving mechanism 104, while the laser beam L is irradiated in a pulsed manner. At this time, the laser beam L is fixed without scanning. Then, in the outer circumferential region R1, the laser light L is irradiated in a spiral shape from the outside in the radial direction toward the inside.

次に、中央領域Ｒ２において、チャック１００の回転を停止する。そして、レーザ照射部１１０からレーザ光Ｌをパルス状に照射する。また、中央領域Ｒ２においてこのレーザ光Ｌを走査させる。この際、レーザ光ＬのＸ軸方向の走査照射と、チャック１００（重合ウェハＴ）のＹ軸方向への移動を交互に繰り返し行う。あるいは、レーザ光ＬのＸ軸方向の走査照射と、チャック１００のＹ軸負方向移動を同期させてもよい。 Next, the rotation of the chuck 100 is stopped in the central region R2. Then, the laser beam L is irradiated from the laser irradiation unit 110 in a pulsed manner. Further, the laser beam L is scanned in the central region R2. At this time, scanning irradiation of the laser beam L in the X-axis direction and movement of the chuck 100 (polymerized wafer T) in the Y-axis direction are alternately repeated. Alternatively, scanning irradiation of the laser beam L in the X-axis direction and movement of the chuck 100 in the Y-axis negative direction may be synchronized.

そして、図８に示すように外周領域Ｒ１には螺旋状の加工部分（図８中の破線）が形成され、中央領域Ｒ２には円形状の加工部分（図８中の塗りつぶし部分）が形成される。なお、ウェハ処理のスループットを向上させるため、上記した光学系１１２によりレーザ光Ｌを分岐させ、レーザ吸収層Ｐの複数点に同時にレーザ光Ｌを照射してもよい。 As shown in FIG. 8, a spiral processed portion (dashed line in FIG. 8) is formed in the outer peripheral region R1, and a circular processed portion (filled portion in FIG. 8) is formed in the central region R2. Ru. Note that in order to improve the throughput of wafer processing, the laser beam L may be branched by the optical system 112 described above, and multiple points on the laser absorption layer P may be irradiated with the laser beam L at the same time.

外周領域Ｒ１及び中央領域Ｒ２にレーザ光Ｌが照射され、第２のウェハＷ２とレーザ吸収層Ｐの全面で接合強度が低下されると、次に、移動機構１０４によってチャック１００（重合ウェハＴ）を受渡位置Ａ１に移動させる。 When the outer peripheral region R1 and the central region R2 are irradiated with the laser beam L and the bonding strength is reduced over the entire surface of the second wafer W2 and the laser absorption layer P, the chuck 100 (polymerized wafer T) is then moved by the moving mechanism 104. is moved to the delivery position A1.

次に、チャック１００上の重合ウェハＴはウェハ搬送装置２２の搬送アーム２３に受け渡され、分離装置３２に搬送される。分離装置３２では、図５（ａ）に示したように吸着チャック２００で第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂを吸着保持し、更に吸着パッド２１０で第２のウェハＷ２の裏面Ｗ２ｂを吸着保持する。その後、図５（ｂ）に示したように吸着パッド２１０が第２のウェハＷ２を吸着保持した状態で、当該吸着パッド２１０を上昇させて、レーザ吸収層Ｐから第２のウェハＷ２を剥離する。この際、上述したようにレーザ光Ｌの照射によってレーザ吸収層Ｐと第２のウェハＷ２の界面では接合強度が低下しているので、大きな荷重をかけることなく、レーザ吸収層Ｐから第２のウェハＷ２を剥離することができる。 Next, the stacked wafers T on the chuck 100 are transferred to the transfer arm 23 of the wafer transfer device 22 and transferred to the separation device 32. In the separation device 32, as shown in FIG. 5(a), a suction chuck 200 suction-holds the back surface W1b of the first wafer W1, and a suction pad 210 suction-holds the back surface W2b of the second wafer W2. Thereafter, as shown in FIG. 5(b), with the suction pad 210 holding the second wafer W2 by suction, the suction pad 210 is raised to separate the second wafer W2 from the laser absorption layer P. . At this time, since the bonding strength at the interface between the laser absorption layer P and the second wafer W2 is reduced by the irradiation with the laser beam L as described above, the bonding strength is reduced from the laser absorption layer P to the second wafer W2 without applying a large load. The wafer W2 can be separated.

剥離された第２のウェハＷ２は、吸着パッド２１０からウェハ搬送装置２２の搬送アーム２３に受け渡され、第２の洗浄装置３４に搬送される。この際、分離装置３２から搬出される第２のウェハＷ２は、例えば反転装置（図示せず）や吸着パッド２１０の動作により表裏面が反転されて、剥離面である表面Ｗ２ａが上側を向いた状態とされた後、第２の洗浄装置３４に搬送されてもよい。 The separated second wafer W2 is transferred from the suction pad 210 to the transfer arm 23 of the wafer transfer device 22, and then transferred to the second cleaning device 34. At this time, the second wafer W2 carried out from the separation device 32 is turned over, for example, by the operation of a reversing device (not shown) or the suction pad 210, so that the surface W2a, which is the peeling surface, faces upward. After being brought into this state, it may be transported to the second cleaning device 34.

第２の洗浄装置３４では、剥離面である表面Ｗ２ａが洗浄される。なお、第１の洗浄装置３３では表面Ｗ２ａと共に裏面Ｗ２ｂが洗浄されてもよい。また、表面Ｗ２ａと裏面Ｗ２ｂをそれぞれ洗浄する洗浄部を別々に設けてもよい。その後、第２の洗浄装置３４による洗浄が施された第２のウェハＷ２は、ウェハ搬送装置２２によりカセット載置台１１のカセットＣｗ２に搬送される。 In the second cleaning device 34, the surface W2a, which is the peeling surface, is cleaned. Note that the first cleaning device 33 may clean the back surface W2b as well as the front surface W2a. Further, separate cleaning sections may be provided to clean the front surface W2a and the back surface W2b, respectively. Thereafter, the second wafer W2 that has been cleaned by the second cleaning device 34 is transferred to the cassette Cw2 of the cassette mounting table 11 by the wafer transfer device 22.

一方、吸着チャック２００に保持されている第１のウェハＷ１については、搬送アーム２３に受け渡され、第１の洗浄装置３３に搬送される。第１の洗浄装置３３では、剥離面である表面Ｗ１ａ側、具体的にはレーザ吸収層Ｐの表面が洗浄される。なお、第１の洗浄装置３３では、レーザ吸収層Ｐの表面と共に、第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂが洗浄されてもよい。また、レーザ吸収層Ｐの表面と第１のウェハＷ１の裏面Ｗ１ｂをそれぞれ洗浄する洗浄部を別々に設けてもよい。その後、第１の洗浄装置３３による洗浄が施された第１のウェハＷ１は、ウェハ搬送装置２２によりカセット載置台１１のカセットＣｗ１に搬送される。 On the other hand, the first wafer W1 held by the suction chuck 200 is transferred to the transfer arm 23 and transferred to the first cleaning device 33. In the first cleaning device 33, the surface W1a side which is the peeling surface, specifically, the surface of the laser absorption layer P is cleaned. Note that in the first cleaning device 33, the back surface W1b of the first wafer W1 may be cleaned together with the front surface of the laser absorption layer P. Furthermore, separate cleaning sections may be provided to clean the front surface of the laser absorption layer P and the back surface W1b of the first wafer W1, respectively. Thereafter, the first wafer W1 that has been cleaned by the first cleaning device 33 is transferred to the cassette Cw1 of the cassette mounting table 11 by the wafer transfer device 22.

こうして、ウェハ処理システム１における一連のウェハ処理が終了する。 In this way, a series of wafer processing in the wafer processing system 1 is completed.

ここで、レーザ照射装置３１において外周領域Ｒ１にレーザ光Ｌを照射する際、図８に示した螺旋状の加工部分（図８中の破線）の加工中心と、チャック１００のチャック回転中心（回転中心）とがずれている場合、第１のウェハＷ１が存在しないところにレーザ光Ｌが照射される場合がある。 Here, when irradiating the outer peripheral region R1 with the laser beam L in the laser irradiation device 31, the processing center of the spiral processing portion (broken line in FIG. 8) shown in FIG. 8 and the chuck rotation center (rotation (center), the laser beam L may be irradiated to a location where the first wafer W1 does not exist.

また、中央領域Ｒ２にレーザ光Ｌを照射する際、図８に示す円形状の加工部分（図８中の塗りつぶし部分）の加工中心と、チャック１００のチャック回転中心とがずれている場合、当該中央領域Ｒ２まで走査されない。そうすると、外周領域Ｒ１と中央領域Ｒ２の境界においてレーザ光Ｌが照射されない未加工領域が生じる場合がある。 Furthermore, when irradiating the central region R2 with the laser beam L, if the processing center of the circular processing portion shown in FIG. The central region R2 is not scanned. In this case, there may be an unprocessed area that is not irradiated with the laser beam L at the boundary between the outer peripheral area R1 and the central area R2.

そこで、製品化される重合ウェハＴに対して上述した一連のウェハ処理を行う前において、例えばレーザ照射装置３１の立ち上げ時において、加工中心とチャック回転中心を一致させるように調整する。かかる加工中心とチャック回転中心の調整は、基板としてのダミーウェハＷｄを用いてもよいし、重合ウェハＴを用いてもよい。以下、ダミーウェハＷｄを用いる場合を例に説明する。 Therefore, before performing the above-described series of wafer processing on the polymerized wafer T to be manufactured, for example, when starting up the laser irradiation device 31, the processing center and the chuck rotation center are adjusted to match. For such adjustment of the processing center and the chuck rotation center, a dummy wafer Wd or a superposed wafer T may be used as the substrate. Hereinafter, a case where a dummy wafer Wd is used will be described as an example.

加工中心とチャック回転中心の調整には、２つの調整方法がある。 There are two adjustment methods for adjusting the processing center and the chuck rotation center.

第１の調整方法について説明する。先ず、ダミーウェハＷｄを吸着保持したチャック１００を処理位置Ａ２に配置する。続いて、回転機構１０３によってチャック１００を回転させながら、ダミーウェハＷｄの外周領域Ｒ１に対して、レーザ光Ｌを円環状にパルス状に照射する。この際、レーザ光Ｌは走査させずに固定する。そして、図９に示すようにダミーウェハＷｄに円環状の１周の外周加工部分Ｑ１（図９中の破線）を形成する。 The first adjustment method will be explained. First, the chuck 100 holding the dummy wafer Wd by suction is placed at the processing position A2. Subsequently, while the chuck 100 is rotated by the rotating mechanism 103, the outer peripheral region R1 of the dummy wafer Wd is irradiated with laser light L in an annular pulse shape. At this time, the laser beam L is fixed without scanning. Then, as shown in FIG. 9, a circular ring-shaped outer circumferential processing portion Q1 (broken line in FIG. 9) is formed on the dummy wafer Wd.

次に、チャック１００を受渡位置Ａ１に移動させる。続いて、チャック１００を回転させながら、カメラ１２０を用いて外周加工部分Ｑ１を撮像する。カメラ１２０で撮像された画像データは、制御装置４０に出力される。 Next, the chuck 100 is moved to the delivery position A1. Subsequently, while rotating the chuck 100, the camera 120 is used to take an image of the outer circumference processed portion Q1. Image data captured by camera 120 is output to control device 40 .

制御装置４０では、画像データに基づいて、外周加工部分Ｑ１の中心である外周加工中心Ｃｑ１の位置を算出する。 The control device 40 calculates the position of the outer circumference processing center Cq1, which is the center of the outer circumference processing portion Q1, based on the image data.

また制御装置４０では、外周加工中心Ｃｑ１と、チャック１００のチャック回転中心Ｃｃとが一致するように、チャック１００を水平方向に移動させる。具体的には、外周加工中心Ｃｑ１とチャック回転中心Ｃｃとの距離Ｌ１を算出し、この距離Ｌ１に基づいてチャック１００の水平方向（Ｙ軸方向とＸ軸方向）の移動距離を算出する。チャック１００のＹ軸方向の移動は、移動機構１０４によって行われる。チャック１００のＸ軸方向の移動方法は、任意であるが、例えば移動機構１０７を用いて機械的に行ってもよい。また、移動機構１０４がチャック１００をＸ軸方向にも移動可能に構成されている場合、当該移動機構１０４によってチャック１００をＸ軸方向に移動させてもよい。あるいは、レーザ照射部１１０のレンズ１１３をＸ軸方向に移動させてもよい。 Further, the control device 40 moves the chuck 100 in the horizontal direction so that the outer circumferential processing center Cq1 and the chuck rotation center Cc of the chuck 100 coincide. Specifically, the distance L1 between the outer circumferential processing center Cq1 and the chuck rotation center Cc is calculated, and the moving distance of the chuck 100 in the horizontal direction (Y-axis direction and X-axis direction) is calculated based on this distance L1. Movement of the chuck 100 in the Y-axis direction is performed by a movement mechanism 104. Although the method of moving the chuck 100 in the X-axis direction is arbitrary, it may be moved mechanically using the moving mechanism 107, for example. Further, if the moving mechanism 104 is configured to be able to move the chuck 100 also in the X-axis direction, the moving mechanism 104 may move the chuck 100 in the X-axis direction. Alternatively, the lens 113 of the laser irradiation unit 110 may be moved in the X-axis direction.

こうして外周加工中心Ｃｑ１とチャック回転中心Ｃｃが一致し、円環状の外周加工部分Ｑ１をチャック１００と同心円（図９中の実線）に形成することができる。その結果、レーザ照射部１１０からのレーザ光Ｌの照射位置とチャック１００の位置との相対的な位置関係を調整することができる。 In this way, the outer periphery processing center Cq1 and the chuck rotation center Cc coincide, and the annular outer periphery processing portion Q1 can be formed concentrically with the chuck 100 (solid line in FIG. 9). As a result, the relative positional relationship between the irradiation position of the laser beam L from the laser irradiation unit 110 and the position of the chuck 100 can be adjusted.

第２の調整方法について説明する。先ず、ダミーウェハＷｄを吸着保持したチャック１００を処理位置Ａ２に配置する。続いて、ダミーウェハＷｄの中央領域Ｒ２に対して、チャック１００の回転を停止させた状態で、レーザ光Ｌを走査させて、当該レーザ光Ｌを円環状にパルス状に照射する。そして、図１０に示すようにダミーウェハＷｄに円環状の１周の中央加工部分Ｑ２（図１０中の破線）を形成する。 The second adjustment method will be explained. First, the chuck 100 holding the dummy wafer Wd by suction is placed at the processing position A2. Subsequently, the central region R2 of the dummy wafer Wd is scanned with the laser light L while the rotation of the chuck 100 is stopped, and the laser light L is irradiated in an annular pulse shape. Then, as shown in FIG. 10, a circular ring-shaped central processing portion Q2 (broken line in FIG. 10) is formed on the dummy wafer Wd.

次に、チャック１００を受渡位置Ａ１に移動させる。続いて、チャック１００を回転させながら、カメラ１２０を用いて中央加工部分Ｑ２を撮像する。カメラ１２０で撮像された画像データは、制御装置４０に出力される。 Next, the chuck 100 is moved to the delivery position A1. Subsequently, while rotating the chuck 100, the camera 120 is used to take an image of the central processing portion Q2. Image data captured by camera 120 is output to control device 40 .

制御装置４０では、画像データに基づいて、中央加工部分Ｑ２の中心である中央加工中心Ｃｑ２の位置を算出する。 The control device 40 calculates the position of the central processing center Cq2, which is the center of the central processing portion Q2, based on the image data.

また制御装置４０では、中央加工中心Ｃｑ２と、チャック１００のチャック回転中心Ｃｃとが一致するように、チャック１００を水平方向に移動させる。具体的には、中央加工中心Ｃｑ２とチャック回転中心Ｃｃとの距離Ｌ２を算出し、この距離Ｌ２に基づいてチャック１００の水平方向（Ｙ軸方向とＸ軸方向）の移動距離を算出する。チャック１００のＹ軸方向の移動は、移動機構１０４によって行われる。チャック１００のＸ軸方向の移動方法は、任意であるが、例えばネジ等を用いて機械的に行ってもよい。また、移動機構１０４がチャック１００をＸ軸方向にも移動可能に構成されている場合、当該移動機構１０４によってチャック１００をＸ軸方向に移動させてもよい。 Further, the control device 40 moves the chuck 100 in the horizontal direction so that the central processing center Cq2 and the chuck rotation center Cc of the chuck 100 coincide. Specifically, the distance L2 between the central processing center Cq2 and the chuck rotation center Cc is calculated, and the moving distance of the chuck 100 in the horizontal direction (Y-axis direction and X-axis direction) is calculated based on this distance L2. Movement of the chuck 100 in the Y-axis direction is performed by a movement mechanism 104. Although the method of moving the chuck 100 in the X-axis direction is arbitrary, it may be moved mechanically using a screw or the like, for example. Further, if the moving mechanism 104 is configured to be able to move the chuck 100 also in the X-axis direction, the moving mechanism 104 may move the chuck 100 in the X-axis direction.

こうして中央加工中心Ｃｑ２とチャック回転中心Ｃｃが一致し、円環状の中央加工部分Ｑ２をチャック１００と同心円（図１０中の実線）に形成することができる。その結果、レーザ照射部１１０からのレーザ光Ｌの照射位置とチャック１００の位置との相対的な位置関係を調整することができる。特に、本実施形態のように光学系１１２がロータリーウェッジスキャナ等を有する場合、当該光学系１１２の動作中心を考慮した調整を実行することができる。 In this way, the central machining center Cq2 and the chuck rotation center Cc coincide, and the annular central machining portion Q2 can be formed concentrically with the chuck 100 (solid line in FIG. 10). As a result, the relative positional relationship between the irradiation position of the laser beam L from the laser irradiation unit 110 and the position of the chuck 100 can be adjusted. Particularly, when the optical system 112 includes a rotary wedge scanner or the like as in this embodiment, adjustment can be performed in consideration of the center of operation of the optical system 112.

以上の第１の調整と第２の調整は、いずれか一方を行って加工中心とチャック回転中心を調整してもよいし、あるいは両方を行って加工中心とチャック回転中心を調整してもよい。例えば、第１の調整を行って外周加工中心Ｃｑ１とチャック回転中心Ｃｃの位置調整を行った後、第２の調整を行って中央加工中心Ｃｑ２とチャック回転中心Ｃｃの調整を行う、２段階の調整を行ってもよい。かかる場合、より精緻にレーザ照射部１１０とチャック１００の位置との相対的な位置関係を補正することができる。 Either the first adjustment or the second adjustment described above may be performed to adjust the machining center and the chuck rotation center, or both may be performed to adjust the machining center and the chuck rotation center. . For example, after performing a first adjustment to adjust the positions of the outer machining center Cq1 and the chuck rotation center Cc, a second adjustment is performed to adjust the central machining center Cq2 and the chuck rotation center Cc. Adjustments may be made. In this case, the relative positional relationship between the laser irradiation unit 110 and the chuck 100 can be corrected more precisely.

本実施形態によれば、加工中心とチャック回転中心を一致させるように位置調整することができる。したがって、未加工領域の形成を抑制することができ、第１のウェハＷ１と第２のウェハＷ２との剥離不良を抑制することができる。また、外周領域Ｒ１のレーザ光Ｌと中央領域Ｒ２のレーザ光Ｌが重なるのを防いで、デバイスが損傷を被るのを抑制することができる。 According to this embodiment, the position can be adjusted so that the processing center and the chuck rotation center coincide. Therefore, formation of an unprocessed area can be suppressed, and defective peeling between the first wafer W1 and the second wafer W2 can be suppressed. Moreover, it is possible to prevent the laser beam L in the outer peripheral region R1 from overlapping with the laser beam L in the central region R2, thereby suppressing damage to the device.

なお、第１の調整と第２の調整では、カメラ１２０が適切に位置調整された状態で行われる。すなわち、カメラ１２０の撮像中心と、レーザ照射部１１０からのレーザ光Ｌによる加工中心と、チャック１００のチャック回転中心とが、Ｙ軸方向に同軸上に位置するように、カメラ１２０の位置が予め調整されている。 Note that the first adjustment and the second adjustment are performed with the camera 120 properly adjusted in position. That is, the position of the camera 120 is set in advance so that the imaging center of the camera 120, the processing center by the laser beam L from the laser irradiation unit 110, and the chuck rotation center of the chuck 100 are located coaxially in the Y-axis direction. It has been adjusted.

以上の実施形態では、加工中心とチャック回転中心を調整する際、チャック１００を水平方向に移動させたが、レーザ照射部１１０のレンズ１１３を水平方向に移動させてもよし、チャック１００とレンズ１１３の両方を水平方向に移動させてもよい。チャック１００とレンズ１１３を相対的に水平方向に移動させることで、加工中心とチャック回転中心を調整することができる。 In the above embodiment, when adjusting the processing center and the chuck rotation center, the chuck 100 was moved in the horizontal direction, but the lens 113 of the laser irradiation unit 110 may be moved in the horizontal direction, or the chuck 100 and the lens 113 may be moved in the horizontal direction. Both may be moved horizontally. By relatively moving the chuck 100 and the lens 113 in the horizontal direction, the processing center and the chuck rotation center can be adjusted.

以上の実施形態では、加工中心とチャック回転中心を調整する際、円環状の外周加工部分Ｑ１又は円環状の中央加工部分Ｑ２の少なくともいずれかを形成したが、加工部分Ｑ１、Ｑ２の形状は円環状に限定されない。例えば矩形環状の加工部分Ｑ１、Ｑ２を形成して、当該矩形環状の加工中心Ｃｑ１、Ｃｑ２の位置を算出し、加工中心とチャック回転中心を調整してもよい。かかる場合、レーザ照射部１１０の光学系１１２は、ガルバノスキャナを有していてもよい。 In the above embodiment, when adjusting the machining center and the chuck rotation center, at least either the annular outer peripheral machining part Q1 or the annular central machining part Q2 is formed, but the shape of the machining parts Q1 and Q2 is circular. Not limited to circular shapes. For example, rectangular annular machining portions Q1 and Q2 may be formed, the positions of machining centers Cq1 and Cq2 of the rectangular annular shapes may be calculated, and the machining centers and the chuck rotation center may be adjusted. In such a case, the optical system 112 of the laser irradiation unit 110 may include a galvano scanner.

以上の実施形態では、加工中心とチャック回転中心の第２の調整において、環状の中央加工部分Ｑ２を形成したが、中央加工部分Ｑ２は加工領域の全域を塗りつぶすように形成されてもよい。かかる場合、レーザ照射部１１０の光学系１１２は、ガルバノスキャナを有していてもよい。 In the above embodiment, the annular central processing portion Q2 is formed in the second adjustment of the processing center and the chuck rotation center, but the central processing portion Q2 may be formed so as to fill the entire processing area. In such a case, the optical system 112 of the laser irradiation unit 110 may include a galvano scanner.

図１１に示すように円形の加工領域の全域を塗りつぶすようにレーザ光Ｌを照射し、円形の中央加工部分Ｑ２を形成する。例えばガルバノスキャナを用いてステップとリピートで異なる長さの直線のレーザ光Ｌを照射して、円形の中央加工部分Ｑ２を形成する。そして、円形の中央加工部分Ｑ２の中央加工中心Ｃｑ２とチャック回転中心Ｃｃとが一致するように、チャック１００を水平方向に移動させる。 As shown in FIG. 11, the laser beam L is irradiated to fill the entire circular processing area to form a circular central processing area Q2. For example, a galvano scanner is used to irradiate linear laser beams L of different lengths in steps and repeats to form a circular central processing portion Q2. Then, the chuck 100 is moved in the horizontal direction so that the central processing center Cq2 of the circular central processing portion Q2 and the chuck rotation center Cc coincide with each other.

また、図１２に示すように矩形の加工領域の全域を塗りつぶすようにレーザ光Ｌを照射し、矩形の中央加工部分Ｑ２を形成する。例えばガルバノスキャナを用いてステップとリピートで同じ長さの直線のレーザ光Ｌを照射して、矩形の中央加工部分Ｑ２を形成する。そして、矩形の中央加工部分Ｑ２の中央加工中心Ｃｑ２とチャック回転中心Ｃｃとが一致するように、チャック１００を水平方向に移動させる。 Further, as shown in FIG. 12, the laser beam L is irradiated to fill the entire rectangular processing area, thereby forming a rectangular central processing area Q2. For example, a galvano scanner is used to irradiate a straight laser beam L of the same length in steps and repeats to form a rectangular central processing portion Q2. Then, the chuck 100 is moved in the horizontal direction so that the central machining center Cq2 of the rectangular central machining portion Q2 and the chuck rotation center Cc coincide with each other.

以上の実施形態では、図８に示したように外周領域Ｒ１に対してレーザ光Ｌを螺旋状に照射したが、外周領域Ｒ１の全面で同心円状にレーザ光Ｌを照射してもよい。 In the above embodiment, the outer circumferential region R1 is irradiated with the laser light L in a spiral manner as shown in FIG. 8, but the laser light L may be irradiated concentrically over the entire surface of the outer circumferential region R1.

以上の実施形態では、レーザ吸収層Ｐから第２のウェハＷ２を剥離するレーザリフトオフを行う際に、本開示のレーザ処理における位置調整方法を適用したが、適用対象のウェハ処理はこれに限定されない。 In the above embodiment, the position adjustment method in laser processing of the present disclosure is applied when performing laser lift-off to separate the second wafer W2 from the laser absorption layer P, but the wafer processing to which it is applied is not limited to this. .

半導体デバイスの製造工程においては、表面に複数の電子回路等のデバイスが形成されたウェハのシリコン基板の内部に、面方向に沿ってレーザ光を照射して改質層を形成し、当該改質層を基点にウェハを分離することで、ウェハを薄化することが行われている。このレーザ光には、ＹＡＧレーザ光が用いられる。このように改質層を形成する際にも、本開示のレーザ処理における位置調整方法を適用することができる。また更に、本開示のレーザ処理における位置調整方法は、ウェハの表面の改質やウェハの表面の平坦化の技術においても適用することができる。 In the manufacturing process of semiconductor devices, a modified layer is formed by irradiating the inside of a silicon substrate of a wafer with multiple devices such as electronic circuits formed on the surface along the surface direction, and the modified layer is Wafers are thinned by separating them based on their layers. A YAG laser beam is used for this laser beam. Even when forming a modified layer in this way, the position adjustment method in laser processing of the present disclosure can be applied. Furthermore, the position adjustment method in laser processing of the present disclosure can also be applied to techniques for modifying the surface of a wafer and flattening the surface of the wafer.

また、ウェハを薄化する際には、ウェハの周縁部を除去する、いわゆるエッジトリムが行われる。エッジトリムでは、周縁部にレーザ光を照射して改質することで、当該周縁部を除去しやすくする。この周縁部を改質する際にも、本開示のレーザ処理における位置調整方法を適用することができる。 Furthermore, when thinning a wafer, so-called edge trim is performed to remove the peripheral edge of the wafer. In edge trim, the peripheral edge is modified by irradiating it with a laser beam, thereby making it easier to remove the peripheral edge. Even when modifying this peripheral portion, the position adjustment method in laser processing of the present disclosure can be applied.

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。 The embodiments disclosed this time should be considered to be illustrative in all respects and not restrictive. The embodiments described above may be omitted, replaced, or modified in various forms without departing from the scope and spirit of the appended claims.

３１ レーザ照射装置
４０ 制御装置
１００ チャック
１０４ 移動機構
１１０ レーザ照射部
１２０ カメラ
Ｌ レーザ光
Ｔ 重合ウェハ
Ｗｄ ダミーウェハ 31 Laser irradiation device 40 Control device 100 Chuck 104 Movement mechanism 110 Laser irradiation unit 120 Camera L Laser light T Polymerized wafer Wd Dummy wafer

Claims (13)

基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射するレーザ照射部と、
前記基板を撮像するカメラと、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板に前記レーザ光を照射し、当該基板に環状の加工部分を形成する制御と、
前記加工部分を前記カメラで撮像する制御と、
前記撮像された前記加工部分の加工中心を算出する制御と、
少なくとも前記移動機構の移動方向において、前記加工中心と、前記基板保持部の回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる制御と、を実行する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus that processes a substrate,
a substrate holding part that holds the substrate;
a laser irradiation unit that irradiates the substrate held by the substrate holding unit with laser light;
a camera that images the board;
a rotation mechanism that rotates the substrate holder;
a moving mechanism that relatively moves the substrate holding section and the laser irradiation section in a horizontal direction;
comprising a control unit;
The control unit includes:
controlling the substrate to be irradiated with the laser beam to form an annular processed portion on the substrate;
controlling to image the processed part with the camera;
Control for calculating a processing center of the imaged processing portion;
controlling to relatively move the substrate holding part and the laser irradiation part in a horizontal direction to a position where the processing center and the rotation center of the substrate holding part coincide at least in the moving direction of the moving mechanism; substrate processing equipment. 前記制御部は、
前記基板の外周領域において、環状に前記レーザ光を照射し、環状の外周加工部分を形成する制御と、
前記外周加工部分を前記カメラで撮像する制御と、
前記撮像された前記外周加工部分の外周加工中心を算出する制御と、
少なくとも前記移動機構の移動方向において、前記外周加工中心と前記回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる制御と、を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。 The control unit includes:
controlling to irradiate the laser beam in an annular manner in an outer peripheral area of the substrate to form an annular outer peripheral processed portion;
Control to image the outer circumference processed portion with the camera;
Control for calculating an outer circumference processing center of the imaged outer circumference processing portion;
2. Control for relatively moving the substrate holding section and the laser irradiation section in a horizontal direction to a position where the outer peripheral processing center and the rotation center coincide at least in the moving direction of the moving mechanism. 1. The substrate processing apparatus according to 1. 前記制御部は、
前記基板の中央領域において、前記基板の回転を停止時した状態で前記レーザ光を走査させて、当該基板に環状に前記レーザ光を照射し、環状の中央加工部分を形成する制御と、
前記中央加工部分を前記カメラで撮像する制御と、
前記撮像された前記中央加工部分の中央加工中心を算出する制御と、
少なくとも前記移動機構の移動方向において、前記中央加工中心と前記回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる制御と、を実行する、請求項１又は２に記載の基板処理装置。 The control unit includes:
Controlling a central region of the substrate to scan the laser beam while the rotation of the substrate is stopped to irradiate the substrate with the laser beam in an annular manner to form an annular central processing portion;
Control to image the central processing portion with the camera;
Control for calculating a center processing center of the imaged center processing portion;
2. Control for relatively moving the substrate holding section and the laser irradiation section in a horizontal direction to a position where the central processing center and the rotation center coincide at least in the moving direction of the moving mechanism. 3. The substrate processing apparatus according to 1 or 2. 前記制御部は、前記加工中心と前記回転中心の距離を算出し、前記基板保持部と前記レーザ照射部の相対的な移動距離を算出する制御を実行する、請求項１に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the control unit executes control to calculate a distance between the processing center and the rotation center, and calculate a relative movement distance between the substrate holding unit and the laser irradiation unit. . 前記制御部は、前記移動機構の移動方向の直交方向において、前記加工中心と前記回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる制御を行う、請求項１に記載の基板処理装置。 The control unit controls the substrate holding unit and the laser irradiation unit to move relatively in a horizontal direction to a position where the processing center and the rotation center coincide in a direction orthogonal to the moving direction of the moving mechanism. , The substrate processing apparatus according to claim 1. 基板を処理する基板処理装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射するレーザ照射部と、
前記基板を撮像するカメラと、
前記基板保持部を回転させる回転機構と、
前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる移動機構と、
制御部と、を備え、
前記制御部は、
前記基板の加工領域に前記レーザ光を照射し、当該基板の加工領域に加工部分を形成する制御と、
前記加工部分を前記カメラで撮像する制御と、
前記撮像された前記加工部分の加工中心を算出する制御と、
少なくとも前記移動機構の移動方向において、前記加工中心と、前記基板保持部の回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる制御と、を実行する、基板処理装置。 A substrate processing apparatus that processes a substrate,
a substrate holding part that holds the substrate;
a laser irradiation unit that irradiates the substrate held by the substrate holding unit with laser light;
a camera that images the board;
a rotation mechanism that rotates the substrate holder;
a moving mechanism that relatively moves the substrate holding section and the laser irradiation section in a horizontal direction;
comprising a control unit;
The control unit includes:
controlling to irradiate the processing area of the substrate with the laser light to form a processing part in the processing area of the substrate;
controlling to image the processed part with the camera;
Control for calculating a processing center of the imaged processing portion;
controlling to relatively move the substrate holding part and the laser irradiation part in a horizontal direction to a position where the processing center and the rotation center of the substrate holding part coincide at least in the moving direction of the moving mechanism; substrate processing equipment. 前記制御部は、
前記基板の中央領域において、前記基板の回転を停止時した状態で前記レーザ光を走査させて、当該基板の加工領域に前記レーザ光を照射し、中央加工部分を形成する制御と、
前記中央加工部分を前記カメラで撮像する制御と、
前記撮像された前記中央加工部分の中央加工中心を算出する制御と、
少なくとも前記移動機構の移動方向において、前記中央加工中心と前記回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させる制御と、を実行する、請求項６に記載の基板処理装置。 The control unit includes:
Controlling a central region of the substrate to scan the laser beam while the rotation of the substrate is stopped to irradiate the processing area of the substrate with the laser beam to form a central processing portion;
Control to image the central processing portion with the camera;
Control for calculating a center processing center of the imaged center processing portion;
2. Control for relatively moving the substrate holding section and the laser irradiation section in a horizontal direction to a position where the central processing center and the rotation center coincide at least in the moving direction of the moving mechanism. 6. The substrate processing apparatus according to 6. 基板の処理位置を調整する位置調整方法であって、
基板保持部で基板を保持することと、
レーザ照射部から前記基板保持部に保持された前記基板にレーザ光を照射し、当該基板に環状の加工部分を形成することと、
前記加工部分を撮像することと、
前記撮像された前記加工部分の加工中心を算出することと、
前記加工中心と、前記基板保持部の回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させることと、を含む、位置調整方法。 A position adjustment method for adjusting a processing position of a substrate, the method comprising:
holding the substrate with the substrate holding section;
irradiating the substrate held by the substrate holding unit with laser light from a laser irradiation unit to form an annular processed portion on the substrate;
Imaging the processed part;
Calculating a processing center of the imaged processing portion;
A position adjustment method comprising: moving the substrate holding part and the laser irradiation part relatively in a horizontal direction to a position where the processing center and the rotation center of the substrate holding part coincide. 前記基板の外周領域において、環状に前記レーザ光を照射し、環状の外周加工部分を形成することと、
前記外周加工部分を撮像することと、
前記撮像された前記外周加工部分の外周加工中心を算出することと、
前記外周加工中心と前記回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させることと、を含む、請求項８に記載の位置調整方法。 irradiating the laser beam in an annular manner in an outer peripheral region of the substrate to form an annular outer peripheral processed portion;
Imaging the outer circumference processed portion;
Calculating the outer circumference processing center of the imaged outer circumference processing portion;
9. The position adjustment method according to claim 8, comprising moving the substrate holding section and the laser irradiation section relatively in a horizontal direction to a position where the outer peripheral processing center and the rotation center coincide. 前記基板の中央領域において、前記基板の回転を停止時した状態で前記レーザ光を走査させて、当該基板に環状に前記レーザ光を照射し、環状の中央加工部分を形成することと、
前記中央加工部分を撮像することと、
前記撮像された前記中央加工部分の中央加工中心を算出することとと、
前記中央加工中心と前記回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させることと、を含む、請求項８又は９に記載の位置調整方法。 scanning the laser beam in a central region of the substrate while the rotation of the substrate is stopped to irradiate the substrate with the laser beam in an annular manner to form an annular central processing portion;
Imaging the central processing portion;
Calculating a center processing center of the imaged center processing portion;
10. The position adjustment method according to claim 8, comprising relatively moving the substrate holding section and the laser irradiation section in a horizontal direction to a position where the central processing center and the rotation center coincide. 前記加工中心と前記回転中心の距離を算出し、前記基板保持部と前記レーザ照射部の相対的な移動距離を算出することを含む、請求項８に記載の位置調整方法。 9. The position adjustment method according to claim 8, comprising calculating a distance between the processing center and the rotation center, and calculating a relative moving distance between the substrate holding section and the laser irradiation section. 基板の処理位置を調整する位置調整方法であって、
基板保持部で基板を保持することと、
レーザ照射部から前記基板保持部に保持された前記基板の加工領域にレーザ光を照射し、当該基板の加工領域に加工部分を形成することと、
前記加工部分を撮像することと、
前記撮像された前記加工部分の加工中心を算出することと、
前記加工中心と、前記基板保持部の回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させることと、を含む、位置調整方法。 A position adjustment method for adjusting a processing position of a substrate, the method comprising:
holding the substrate with the substrate holding section;
irradiating a processing area of the substrate held by the substrate holding unit with a laser beam from a laser irradiation unit to form a processed part in the processing area of the substrate;
Imaging the processed part;
Calculating a processing center of the imaged processing portion;
A position adjustment method comprising: moving the substrate holding part and the laser irradiation part relatively in a horizontal direction to a position where the processing center and the rotation center of the substrate holding part coincide. 前記基板の中央領域において、前記基板の回転を停止時した状態で前記レーザ光を走査させて、当該基板の加工領域に前記レーザ光を照射し、中央加工部分を形成することと、
前記中央加工部分を撮像することと、
前記撮像された前記中央加工部分の中央加工中心を算出することとと、
前記中央加工中心と前記回転中心が一致する位置に、前記基板保持部と前記レーザ照射部を相対的に水平方向に移動させることと、を含む、請求項１２に記載の位置調整方法。 scanning the laser beam in a central region of the substrate while the rotation of the substrate is stopped to irradiate the processing area of the substrate with the laser beam to form a central processing portion;
Imaging the central processing portion;
Calculating a center processing center of the imaged center processing portion;
13. The position adjustment method according to claim 12, comprising moving the substrate holding section and the laser irradiation section relatively in a horizontal direction to a position where the central processing center and the rotation center coincide.

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