JP2023163428A - vapor deposition mask - Google Patents

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Tetsuyuki Yamada
貢 為川
Mitsugi Igawa
昌 柳澤
Akira Yanagisawa
直哉 岩橋
Naoya Iwahashi
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Abstract

To provide a vapor deposition mask that has few damages.SOLUTION: A vapor deposition mask includes: a thin film-like mask body; a holding frame provided around the mask body; and a connection member for connecting the mask body to the holding frame. The mask body includes: a first region including a first pattern part; a second region surrounding the first region and including a second pattern part; and a third region surrounding the second region. The first region and the second region are disposed within a reference frame. The vapor deposition mask is isolated by the first region and the second pattern part of the mask body. In the vapor deposition mask, the second region comes into externally contact with an outer shape of the first region of the mask body.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明の実施形態の一つは、蒸着マスクに関する。特に、本発明の実施形態の一つは、薄膜状のマスク本体を備えた蒸着マスクに関する。 One embodiment of the present invention relates to a deposition mask. In particular, one embodiment of the present invention relates to a vapor deposition mask having a thin film mask body.

フラットパネル型表示装置の一例として、液晶表示装置や有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、絶縁体、半導体、導電体などの様々な材料を含む薄膜が基板上に積層された構造体である。これらの薄膜が適宜パターニングされ、接続されることで、表示装置としての機能が実現される。 Examples of flat panel display devices include liquid crystal display devices and organic EL (electroluminescence) display devices. These display devices are structures in which thin films containing various materials such as insulators, semiconductors, and conductors are laminated on a substrate. By appropriately patterning and connecting these thin films, a function as a display device is realized.

薄膜を形成する方法は、大別すると気相法、液相法、固相法に分類される。気相法は物理的気相法と化学的気相法に分類される。物理的気相法の代表的な例として蒸着法が知られている。蒸着法のうち最も簡便な方法が真空蒸着法である。真空蒸着法は、高真空下において材料を加熱することで、材料を昇華又は蒸発させて材料の蒸気を生成する（以下、これらを総じて気化という）。この材料を堆積させるための領域（以下、蒸着領域）において、気化していた材料が固化し、堆積することで材料の薄膜が得られる。蒸着領域に対して選択的に薄膜が形成され、それ以外の領域（以下、非蒸着領域）には材料が堆積しないようにするために、マスク（蒸着マスク）を用いて真空蒸着が行われる（特許文献１及び２参照）。 Methods for forming thin films are broadly classified into gas phase methods, liquid phase methods, and solid phase methods. Gas phase methods are classified into physical vapor phase methods and chemical vapor phase methods. A vapor deposition method is known as a typical example of a physical vapor phase method. The simplest vapor deposition method is the vacuum vapor deposition method. The vacuum evaporation method sublimates or evaporates the material by heating the material under high vacuum to generate vapor of the material (hereinafter, these are generally referred to as vaporization). In a region for depositing this material (hereinafter referred to as a vapor deposition region), the vaporized material is solidified and deposited to obtain a thin film of the material. Vacuum deposition is performed using a mask (deposition mask) so that a thin film is selectively formed in the deposition area and no material is deposited in other areas (hereinafter referred to as non-deposition areas). (See Patent Documents 1 and 2).

特開２００９－０８７８４０号公報JP2009-087840A 特開２０１３－２０９７１０号公報JP2013-209710A

蒸着マスクは、マスク本体を貫通する開口の形状に応じた蒸着パターンがマスク本体に形成されているが、蒸着パターンのない領域を大きく占める。蒸着マスクは、蒸着パターンのない領域が大きいと、蒸着時に被蒸着基板との接触面積が大きくなり、静電気などによる被蒸着基板との貼り付きが増加し、破損するという問題があった。 In a vapor deposition mask, a vapor deposition pattern is formed on the mask body in accordance with the shape of an opening passing through the mask body, but the vapor deposition pattern occupies a large area without the vapor deposition pattern. If the vapor deposition mask has a large area without a vapor deposition pattern, the contact area with the substrate to be vaporized during vapor deposition becomes large, which increases sticking to the substrate to be vaporized due to static electricity and the like, resulting in damage.

本発明は、上記問題を鑑み、被蒸着基板との接触面積が低減された蒸着マスクを提供することを課題の１つとする。また、本発明は、被蒸着基板との間に起きる静電気が抑制された蒸着マスクを提供することを課題の一つとする。さらに、本発明は、破損しにくい蒸着マスクを提供することを課題の一つとする。 In view of the above problems, one of the objects of the present invention is to provide a vapor deposition mask with a reduced contact area with a substrate to be vapor deposited. Another object of the present invention is to provide a deposition mask in which static electricity generated between the mask and the substrate to be deposited is suppressed. Furthermore, one of the objects of the present invention is to provide a vapor deposition mask that is hard to be damaged.

本発明の一実施形態に係る蒸着マスクは、薄膜状のマスク本体と、マスク本体の周囲に設けられた保持枠と、マスク本体と保持枠とを接続する接続部材と、を有し、マスク本体は、基準枠に配置される第１領域および第２領域と、第３領域とを有し、第１領域は第１パターン部を有し、第２領域は第２パターン部を有する。 A vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention includes a thin film-like mask body, a holding frame provided around the mask body, and a connecting member connecting the mask body and the holding frame. has a first region, a second region, and a third region arranged in a reference frame, the first region has a first pattern portion, and the second region has a second pattern portion.

本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクを作製する方法を示す模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態に係る蒸着マスクの模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of a vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention.

以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like. However, the present invention can be implemented in various forms without departing from the scope thereof, and should not be construed as being limited to the contents described in the embodiments exemplified below.

図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし図面に示す例は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の構成には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 In order to make the explanation clearer, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual aspect. However, the examples shown in the drawings are merely examples and do not limit the interpretation of the present invention. In this specification and each figure, the same reference numerals are given to the same components as those described above with respect to the already-existed figures, and detailed explanations may be omitted as appropriate.

本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行うことで複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。 In the present invention, when a plurality of films are formed by etching or irradiating one film with light, these films may have different functions and roles. However, these multiple films originate from films formed as the same layer in the same process, and have the same layer structure and the same material. Therefore, these multiple films are defined as existing in the same layer.

本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体が配置された態様を表現する際に、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、その構造体の直上に他の構造体が配置される場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体が配置される場合と、の両方を含むものと定義される。 In this specification and the claims, when expressing an aspect in which a structure is arranged on top of another structure, the term "on" simply refers to the structure of a structure unless otherwise specified. There are two cases: when another structure is placed directly above a structure so as to be in contact with the body, and when another structure is placed above a structure via another structure. It is defined as including both.

＜第１実施形態＞
図１を参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク１０の構成について説明する。 <First embodiment>
With reference to FIG. 1, the configuration of a vapor deposition mask 10 according to an embodiment of the present invention will be described.

１．全体構造
図１は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク１０の平面図である。蒸着マスク１０は、薄膜状のマスク本体１００、保持枠１０２、および接続部材１０４を有する。マスク本体１００は、接続部材１０４によって、保持枠１０２と接続されている。 1. Overall Structure FIG. 1 is a plan view of a deposition mask 10 according to an embodiment of the present invention. The vapor deposition mask 10 includes a thin film mask body 100, a holding frame 102, and a connecting member 104. The mask body 100 is connected to the holding frame 102 by a connecting member 104.

図１は、２つのマスク本体１００が保持枠１０２に接続された構造を示す。保持枠１０２は、２つのマスク本体１００のそれぞれの周縁部を囲む構造を有する。保持枠１０２は、蒸着マスク１０の外郭を形成する枠体部分と、枠体部分に架け渡された桟（中桟）に相当する部分を有する。なお、図１は、保持枠１０２に２つのマスク本体１００が接続される構造を示すが、蒸着マスク１０においてマスク本体１００の数に限定はなく、蒸着基板の大きさや蒸着パターンに合わせて適宜決定することができる。また、保持枠１０２の構造も、マスク本体１００の数及び配置に合わせて適宜変更することができる。 FIG. 1 shows a structure in which two mask bodies 100 are connected to a holding frame 102. The holding frame 102 has a structure that surrounds the respective peripheral edges of the two mask bodies 100. The holding frame 102 has a frame portion forming the outer shell of the vapor deposition mask 10 and a portion corresponding to a crosspiece (middle crosspiece) spanning the frame portion. Although FIG. 1 shows a structure in which two mask bodies 100 are connected to the holding frame 102, the number of mask bodies 100 in the evaporation mask 10 is not limited and may be determined as appropriate according to the size of the evaporation substrate and the evaporation pattern. can do. Further, the structure of the holding frame 102 can also be changed as appropriate depending on the number and arrangement of the mask bodies 100.

マスク本体１００は、第１領域１０６、第２領域１０８、第３領域１１０に区分することができる。第１領域１０６は、マスク本体１００の内側（中央側）に位置する領域である。第２領域１０８は、第１領域１０６の外側に位置する領域である。第３領域１１０は、第２領域１０８の外側に位置する領域である。したがって、図１に示されるように、第１領域１０６は第２領域１０８に囲まれ、第２領域１０８は第３領域１１０に囲まれる位置関係を有する。 The mask body 100 can be divided into a first region 106, a second region 108, and a third region 110. The first region 106 is a region located inside (center side) of the mask body 100. The second area 108 is an area located outside the first area 106. The third area 110 is an area located outside the second area 108. Therefore, as shown in FIG. 1, the first region 106 is surrounded by the second region 108, and the second region 108 is surrounded by the third region 110.

第１領域１０６は、第１パターン部１１４を有し、第１パターン部１１４は、複数の第１開口パターン１１６ｐを有する。第１開口パターン１１６ｐは、マスク本体１００を貫通する。蒸着時には、蒸着対象の被蒸着基板における蒸着領域と第１パターン部１１４または第１領域１０６が重なるように、蒸着マスク１０と被蒸着基板が位置合わせされる。蒸着材料の蒸気が第１パターン部１１４の第１開口パターン１１６ｐを通過し、被蒸着基板の蒸着領域に蒸着材料が堆積する。 The first region 106 has a first pattern section 114, and the first pattern section 114 has a plurality of first opening patterns 116p. The first opening pattern 116p penetrates the mask body 100. At the time of vapor deposition, the vapor deposition mask 10 and the vapor deposition target substrate are aligned so that the vapor deposition region on the vapor deposition target substrate and the first pattern portion 114 or the first region 106 overlap. The vapor of the evaporation material passes through the first opening pattern 116p of the first pattern section 114, and the evaporation material is deposited on the evaporation region of the substrate to be evaporated.

被蒸着基板が表示装置の基板である場合、表示装置の画素の配列と対応して第１パターン部１１４に第１開口パターン１１６ｐが配列される。表示装置の画素の配列が、ｘ方向及びｙ方向にマトリクス状に配列されるとき、第１開口パターン１１６ｐの配列も同様にマトリクス状に配列される。 When the substrate to be deposited is a substrate of a display device, first opening patterns 116p are arranged in the first pattern portion 114 corresponding to the arrangement of pixels of the display device. When the pixels of the display device are arranged in a matrix in the x and y directions, the first aperture patterns 116p are also arranged in a matrix.

第１領域１０６の形状は、例えば、図１に示すように、円形の形状を有する。また、上述したように、第１領域１０６は、第２領域１０８が外接される。第２領域１０８は、第１領域１０６を挟むように、第２領域１０８－１と第２領域１０８－２に分けられていてもよい。第２領域１０８－１と第２領域－２とは、区別可能な２つの領域であってもよく、第１領域１０６を両側から挟むように配置されていてもよい。 The first region 106 has a circular shape, for example, as shown in FIG. 1 . Further, as described above, the first region 106 is circumscribed by the second region 108. The second region 108 may be divided into a second region 108-1 and a second region 108-2 with the first region 106 in between. The second region 108-1 and the second region-2 may be two distinguishable regions, and may be arranged so as to sandwich the first region 106 from both sides.

図１では、第１領域１０６が円形である例を示したが、円形に限らず矩形などでもよい。ただし、第１領域１０６の形状が円形である場合、第１領域１０６の形状が矩形の場合に比べ、非蒸着領域である第２領域１０８の面積が、基準枠１１２において、より大きな割合で占有することがあるため、蒸着マスク１０は、被蒸着基板との貼り付きを低減する効果をより示すことがある。 Although FIG. 1 shows an example in which the first area 106 is circular, the first area 106 is not limited to a circular shape and may be rectangular. However, when the first region 106 has a circular shape, the area of the second region 108 which is a non-evaporated region occupies a larger proportion of the reference frame 112 than when the first region 106 has a rectangular shape. Therefore, the evaporation mask 10 may be more effective in reducing adhesion to the substrate to be evaporated.

上述したように、保持枠１０２は、外側に位置する枠部と内側に位置する桟部とを含む。桟部は、枠部に剛性を与え、枠部が反ることを防止することができる。桟部は、複数の部材が組み合わされて構成されていてもよい。例えば、桟部の１つの部材は、枠部の一方の辺から対向する他方の辺に向かって延伸している。また、桟部の部材は、縦方向（蒸着マスク１０の短辺方向）および横方向（蒸着マスク１０の長辺方向）に設けられることが好ましい。すなわち、桟部は、縦方向に延伸する部材と横方向に延伸する部材とが交差している井桁構造であることが好ましい。ただし、桟部の構成は、これに限られない。桟部の部材は、縦方向または横方向にのみ設けられていてもよい。また、枠部の幅および桟部（または桟部の部材）の幅は、蒸着マスク１０の大きさに合わせて適宜決定することができる。なお、第１領域１０６のような蒸着パターンの領域をできる限り広くするためには、桟部の幅が枠部の幅よりも小さいことが好ましい。 As described above, the holding frame 102 includes an outer frame portion and an inner crosspiece portion. The crosspiece provides rigidity to the frame and can prevent the frame from warping. The crosspiece may be configured by combining a plurality of members. For example, one member of the crosspiece extends from one side of the frame toward the other opposing side. Moreover, it is preferable that the members of the crosspiece are provided in the vertical direction (the short side direction of the vapor deposition mask 10) and the horizontal direction (the long side direction of the vapor deposition mask 10). That is, it is preferable that the crosspiece has a parallel cross structure in which a member extending in the vertical direction and a member extending in the horizontal direction intersect. However, the structure of the crosspiece is not limited to this. The members of the crosspiece may be provided only in the vertical direction or in the horizontal direction. Further, the width of the frame portion and the width of the crosspiece (or the member of the crosspiece) can be appropriately determined according to the size of the vapor deposition mask 10. Note that in order to make the region of the vapor deposition pattern, such as the first region 106, as wide as possible, it is preferable that the width of the crosspiece is smaller than the width of the frame.

図１に示すように、接続部材１０４は、マスク本体１００と保持枠１０２の開口部の間隙に設けられ、マスク本体１００の側面および保持枠１０２の開口部の側面に接する。すなわち、平面視において、マスク本体１００と保持枠１０２とは重畳していない。なお、後述する断面視において、マスク本体１００と保持枠１０２とが重畳していてもよい。 As shown in FIG. 1, the connection member 104 is provided in the gap between the opening of the mask body 100 and the holding frame 102, and contacts the side surface of the mask body 100 and the side surface of the opening of the holding frame 102. That is, in plan view, the mask main body 100 and the holding frame 102 do not overlap. In addition, in a cross-sectional view described later, the mask main body 100 and the holding frame 102 may overlap.

接続部材１０４は、マスク本体１００と保持枠１０２とを接続すればよいため、接続部材１０４は、保持枠１０２の開口部の側面の全面に設けられなくてもよい。接続部材１０４は、保持枠１０２の開口部の側面の少なくとも一部に設けられていればよい。一方、マスク本体１００の厚さは、保持枠１０２の厚さに比べて非常に小さい。例えば、マスク本体１００の厚さは１μｍ以上１０μｍ以下であり、保持枠１０２の厚さは１０μｍ以上２０００μｍ以下である。そのため、マスク本体１００と保持枠１０２との接着強度を大きくするため、接続部材１０４は、マスク本体１００の側面の全面に設けられていることが好ましい。 Since the connecting member 104 only needs to connect the mask main body 100 and the holding frame 102, the connecting member 104 does not need to be provided on the entire side surface of the opening of the holding frame 102. The connecting member 104 may be provided on at least a portion of the side surface of the opening of the holding frame 102. On the other hand, the thickness of the mask body 100 is much smaller than the thickness of the holding frame 102. For example, the thickness of the mask body 100 is 1 μm or more and 10 μm or less, and the thickness of the holding frame 102 is 10 μm or more and 2000 μm or less. Therefore, in order to increase the adhesive strength between the mask body 100 and the holding frame 102, the connecting member 104 is preferably provided on the entire side surface of the mask body 100.

２．部分構造
図２は、図１に示す枠１１８を拡大した平面図を示す。図２は、枠１１８の平面図を示し、具体的には、２つの基準枠１１２と基準枠１１２を囲む第３領域１１０の平面図を示す。 2. Partial Structure FIG. 2 shows an enlarged plan view of the frame 118 shown in FIG. FIG. 2 shows a plan view of the frame 118, and specifically shows a plan view of the two reference frames 112 and the third region 110 surrounding the reference frames 112.

図２に示すように、基準枠１１２内には、第１領域１０６と第２領域１０８が配置される。また、基準枠１１２には、１つの第１領域１０６が配置される。上述したように、第１領域１０６は、第１パターン部１１４が設けられ、第１パターン部１１４は複数の第１開口パターン１１６ｐが設けられる。基準枠１１２は、後述する被蒸着基板における切り出し枠に相当する。また、基準枠１１２には、第１領域１０６と第２領域１０８を配置する基準となる枠を示しているため、被蒸着基板を蒸着するための開口パターンを有しない。 As shown in FIG. 2, within the reference frame 112, a first region 106 and a second region 108 are arranged. Further, one first region 106 is arranged in the reference frame 112. As described above, the first region 106 is provided with the first pattern section 114, and the first pattern section 114 is provided with a plurality of first opening patterns 116p. The reference frame 112 corresponds to a cutout frame on a substrate to be deposited, which will be described later. Further, since the reference frame 112 is a frame that serves as a reference for arranging the first region 106 and the second region 108, it does not have an opening pattern for vapor-depositing the substrate to be vapor-deposited.

第１領域１０６を囲む第２領域１０８は、第２パターン部１２０を有する。第２領域１０８には、複数の第２パターン部１２０が設けられていてもよい。複数の第２パターン部１２０は、互いに離隔するように配置されていることが好ましい。また、第２パターン部１２０は、第１領域１０６または第１パターン部１１４と離隔するように配置されていることが好ましい。図２は、第２パターン部１２０が矩形である例を示すが、第２パターン部１２０の形状に限定はなく、円形などの形状であってもよい。 A second region 108 surrounding the first region 106 has a second pattern portion 120 . A plurality of second pattern parts 120 may be provided in the second region 108. It is preferable that the plurality of second pattern parts 120 are arranged so as to be spaced apart from each other. Further, it is preferable that the second pattern section 120 is spaced apart from the first region 106 or the first pattern section 114. Although FIG. 2 shows an example in which the second pattern portion 120 is rectangular, the shape of the second pattern portion 120 is not limited, and may be a circular shape or the like.

第２パターン部１２０は、複数の第２開口パターン１１６ｄを有する。第２パターン部１２０の第２開口パターン１１６ｄは、マスク本体１００を貫通する。このように、第１領域１０６の他の領域にマスク本体を貫通する第２開口パターン１１６ｄを有することで、蒸着時に被蒸着基板と蒸着マスク１０の接触面積を低減することができる。 The second pattern section 120 has a plurality of second opening patterns 116d. The second opening pattern 116d of the second pattern section 120 penetrates the mask body 100. In this way, by providing the second opening pattern 116d that penetrates the mask body in the other region of the first region 106, the contact area between the deposition target substrate and the deposition mask 10 during deposition can be reduced.

また、第２パターン部１２０の第２開口パターン１１６ｄは、第１パターン部１１４の第１開口パターン１１６ｐと同じ形状を有していてもよい。さらに、第２パターン部１２０の第２開口パターン１１６ｄは、第１パターン部１１４の第１開口パターン１１６ｐと同じ大きさとしてもよく、または第１パターン部１１４の第１開口パターン１１６ｐより小さくすることもできる。第２パターン部１２０の第２開口パターン１１６ｄを第１パターン部１１４の第１開口パターン１１６ｐと同じ大きさ、または第１パターン部１１４の第１開口パターン１１６ｐより小さくすることで、蒸着マスク１０と被蒸着基板の高い位置合わせ精度を維持することができる。ここで、第１開口パターン１１６ｐまたは１１６ｄの大きさとは、第１開口パターン１１６ｐまたは１１６ｄの面積を示す。 Further, the second opening pattern 116d of the second pattern section 120 may have the same shape as the first opening pattern 116p of the first pattern section 114. Further, the second opening pattern 116d of the second pattern section 120 may have the same size as the first opening pattern 116p of the first pattern section 114, or may be smaller than the first opening pattern 116p of the first pattern section 114. You can also do it. By making the second opening pattern 116d of the second pattern section 120 the same size as the first opening pattern 116p of the first pattern section 114 or smaller than the first opening pattern 116p of the first pattern section 114, the vapor deposition mask 10 and High alignment accuracy of the deposition target substrate can be maintained. Here, the size of the first opening pattern 116p or 116d indicates the area of the first opening pattern 116p or 116d.

第２パターン部１２０の面積は、第１パターン部１１４の面積より小さく、第１パターン部１１４の面積の５％以上４０％以下である。また、第２パターン部１２０の面積は、第１パターン部１１４の面積の１０％以上４０％以下であると好ましい。このとき、第２パターン部１２０の面積は、第２パターン部１２０が複数ある場合、複数の第２パターン部１２０を合わせた面積である。このように、蒸着マスク１０は、第２パターン部１２０の面積を第１パターン部１１４の面積の１０％以上とすることで、第１パターン部１１４の面積の５％以上の場合と比べより被蒸着基板との貼り付きが低減される。また、蒸着マスク１０は、第２パターン部１２０の面積を第１パターン部１１４の面積の４０％以下とすることで、蒸着マスク１０自体の強度を維持することができる。 The area of the second pattern section 120 is smaller than the area of the first pattern section 114, and is 5% or more and 40% or less of the area of the first pattern section 114. Further, the area of the second pattern section 120 is preferably 10% or more and 40% or less of the area of the first pattern section 114. At this time, if there are a plurality of second pattern sections 120, the area of the second pattern section 120 is the combined area of the plurality of second pattern sections 120. In this way, the vapor deposition mask 10 has a larger area than the case where the area of the second pattern part 120 is 10% or more of the area of the first pattern part 114, compared to a case where the area of the second pattern part 120 is 5% or more of the area of the first pattern part 114. Sticking to the deposition substrate is reduced. Furthermore, the strength of the vapor deposition mask 10 itself can be maintained by making the area of the second pattern section 120 40% or less of the area of the first pattern section 114.

第２パターン部１２０は、上述したように被蒸着基板の非蒸着領域に相当する第２領域１０８に配置され、第１パターン部１１４は、被蒸着基板の蒸着領域に相当する第１領域１０６に配置される。したがって、第２パターン部１２０が有する第２開口パターン１１６ｄは、第１パターン部１１４のダミー開口パターン１１６ｄと呼ぶことができる。 As described above, the second pattern section 120 is arranged in the second region 108 corresponding to the non-evaporation region of the deposition target substrate, and the first pattern section 114 is arranged in the first region 106 corresponding to the deposition region of the deposition target substrate. Placed. Therefore, the second opening pattern 116d of the second pattern section 120 can be called the dummy opening pattern 116d of the first pattern section 114.

次に、第３領域１１０は、開口パターンを有しない。第３領域１１０は、被蒸着基板における非蒸着領域に相当する。被蒸着基板の第３領域１１０に相当する領域には、例えば、マスク本体に複数の基準枠１１２が設けられる場合、複数の基準枠１１２間に配置される第３領域１１０上で切り離すため、蒸着物の堆積がないことが好ましい。 Next, the third region 110 does not have an opening pattern. The third region 110 corresponds to a non-evaporation region on the substrate to be deposited. For example, in a region corresponding to the third region 110 of the substrate to be vapor-deposited, when a plurality of reference frames 112 are provided on the mask body, the vapor deposition is performed in order to separate on the third region 110 arranged between the plurality of reference frames 112. Preferably, there is no buildup of material.

３．変形例
３－１．変形例１
図３を参照して、第２パターン部１２０の変形例を説明する。図２に示す第２パターン部１２０と異なる点は、第２領域１０８における第２パターン部１２０の配置と形状である。なお、図２に示す第２パターン部１２０と同一、または類似する構成については、説明を割愛することがある。 3. Modification 3-1. Modification example 1
A modification of the second pattern section 120 will be described with reference to FIG. 3. The difference from the second pattern section 120 shown in FIG. 2 is the arrangement and shape of the second pattern section 120 in the second region 108. Note that descriptions of structures that are the same as or similar to the second pattern section 120 shown in FIG. 2 may be omitted.

図３は、図１に示す枠１１８を拡大した平面図を示す。第２パターン部１２０は、第２領域１０８の少なくとも一端（外縁）またはその近傍に配置することができる。複数の第２パターン部１２０が第２領域１０８に設けられる場合は、第２領域１０８の四隅またはその近傍に配置することができる。さらに、複数の第２パターン部１２０は、第２領域１０８－１および第２領域１０８－２にそれぞれ配置することができ、第１領域１０６を挟んで配置することができる。第２パターン部１２０が第１領域１０６を挟むように設ける、または、同領域内でも離隔して設けることで、第２開口パターン１１６ｄが基準枠１１２内に分布し、蒸着マスク１０と被蒸着基板との貼り付きを抑制することができる。 FIG. 3 shows an enlarged plan view of the frame 118 shown in FIG. The second pattern section 120 can be arranged at at least one end (outer edge) of the second region 108 or in the vicinity thereof. When a plurality of second pattern parts 120 are provided in the second region 108, they can be arranged at or near the four corners of the second region 108. Furthermore, the plurality of second pattern parts 120 can be arranged in the second region 108-1 and the second region 108-2, respectively, and can be arranged with the first region 106 in between. By providing the second pattern section 120 so as to sandwich the first region 106, or by providing the second pattern section 120 at a distance within the same region, the second opening pattern 116d is distributed within the reference frame 112, and the second opening pattern 116d is distributed between the evaporation mask 10 and the substrate to be evaporated. It is possible to suppress sticking to the surface.

第２パターン部１２０は、第２領域１０８の内側または基準枠１１２に沿って配置され、基準枠１１２と部分的に接することができる。したがって、第２パターン部１２０は、第２領域１０８の外形と重なるように配置することができる。 The second pattern section 120 is disposed inside the second region 108 or along the reference frame 112 and can partially contact the reference frame 112. Therefore, the second pattern section 120 can be arranged so as to overlap the outer shape of the second region 108.

３－２．変形例２
図４を参照して、第２パターン部１２０の変形例を説明する。図３に示す第２パターン部１２０と異なる点は、第２パターン部１２０の配置および形状である。なお、図３に示す第２パターン部１２０と同一、または類似する構成については、説明を割愛することがある。 3-2. Modification example 2
A modification of the second pattern section 120 will be described with reference to FIG. 4. The difference from the second pattern section 120 shown in FIG. 3 is the arrangement and shape of the second pattern section 120. Note that descriptions of structures that are the same as or similar to the second pattern section 120 shown in FIG. 3 may be omitted.

図４は、図１に示す枠１１８を拡大した平面図を示す。第２パターン部１２０は、第２領域１０８－１および第２領域１０８－２の少なくとも一つの領域に配置される。第２パターン部１２０は、第２領域１０８の四隅のいずれかに配置またはその近傍に配置することができる。また、第２パターン部１２０は、図３で示す複数の第２パターン部１２０のうち、例えば、第２領域１０８－１に設けられる複数の第２パターン部１２０が互いに結合されるような形状とすることができる。 FIG. 4 shows an enlarged plan view of the frame 118 shown in FIG. The second pattern section 120 is arranged in at least one of the second region 108-1 and the second region 108-2. The second pattern portion 120 can be placed at or near any of the four corners of the second region 108. Further, the second pattern section 120 has a shape such that, for example, a plurality of second pattern sections 120 provided in the second region 108-1 among the plurality of second pattern sections 120 shown in FIG. can do.

さらに、第２パターン部１２０が第２領域１０８に複数設けられる場合、第１領域１０６を挟んで配置することができる。 Furthermore, when a plurality of second pattern parts 120 are provided in the second region 108, they can be arranged with the first region 106 interposed therebetween.

３－３．変形例３
図５を参照して、第２パターン部の変形例を説明する。図２～４に示す第２パターン部１２０と異なる点は、第２パターン部１２０の配置および形状である。なお、図２～４に示す第２パターン部１２０と同一、または類似する構成については、説明を割愛することがある。 3-3. Modification example 3
A modification of the second pattern portion will be described with reference to FIG. 5. The difference from the second pattern section 120 shown in FIGS. 2 to 4 is the arrangement and shape of the second pattern section 120. Note that explanations may be omitted for configurations that are the same as or similar to the second pattern section 120 shown in FIGS. 2 to 4.

第２パターン部１２０は、第１領域１０６を囲む第４領域１２２に配置される。第４領域１２２は、第１領域１０６と離隔し、第４領域１２２と第１領域１０６との間に第５領域１２４を設けられる。第５領域１２４は、第１領域１０６を囲むように配置される。基準枠１１２に配置される第１領域１０６と第２領域１０８が外接しているため、第１領域１０６を囲む第４領域１２２および第５領域１２４は、部分的に基準枠１１２の外側に配置される。したがって、第５領域１２４を囲む第４領域１２２は、第２領域１０８または第３領域１１０に囲まれる。 The second pattern section 120 is arranged in a fourth region 122 surrounding the first region 106 . The fourth region 122 is separated from the first region 106, and a fifth region 124 is provided between the fourth region 122 and the first region 106. The fifth region 124 is arranged to surround the first region 106. Since the first region 106 and the second region 108 arranged in the reference frame 112 are circumscribed, the fourth region 122 and the fifth region 124 surrounding the first region 106 are partially arranged outside the reference frame 112. be done. Therefore, the fourth region 122 surrounding the fifth region 124 is surrounded by the second region 108 or the third region 110.

第４領域１２２は、第２パターン部１２０が配置される。第２パターン部１２０には第２開口パターン１１６ｄが設けられる。したがって、第４領域１２２は第２開口パターン１１６ｄを含むことができる。第５領域１２４は、第１領域１０６と第４領域１２２との間に配置されるため、開口を有しない。このように第５領域１２４が開口を有しないことにより、第４領域１２２が第１領域１０６を囲むように配置されても、第１領域１０６に相当するマスク本体１００の部分が抜け落ちることなく、マスク本体１００の強度を保つことができる。 In the fourth region 122, the second pattern section 120 is arranged. The second pattern portion 120 is provided with a second opening pattern 116d. Accordingly, the fourth region 122 may include the second opening pattern 116d. The fifth region 124 is disposed between the first region 106 and the fourth region 122, and therefore does not have an opening. Since the fifth region 124 does not have an opening in this way, even if the fourth region 122 is arranged to surround the first region 106, the portion of the mask body 100 corresponding to the first region 106 will not fall off. The strength of the mask body 100 can be maintained.

さらに、第２パターン部１２０は、第４領域１２２および第２領域１０８に同時に設けることができる。ただし、第２パターン部１２０を複数の領域に設ける場合、第２パターン部１２０の面積は、上述した複数の領域に設けられた第２パターン部１２０の総面積とする。 Furthermore, the second pattern portion 120 can be provided in the fourth region 122 and the second region 108 at the same time. However, when the second pattern section 120 is provided in a plurality of regions, the area of the second pattern section 120 is the total area of the second pattern section 120 provided in the plurality of regions described above.

以上説明したように、蒸着マスク１０は、薄膜状のマスク本体に、被蒸着基板の蒸着領域に相当する第１領域１０６、第１領域１０６を囲む第２領域１０８、および第２領域１０８を囲む第３領域１１０を設け、第１領域１０６および第２領域１０８に開口を有することで、被蒸着基板との接触面積が低減された蒸着マスクを提供することができる。また、被蒸着基板との接触面積の低減によって、被蒸着基板との間に生じ得る摩擦帯電を防ぎ静電気の発生を抑制することのできる蒸着マスク１０を提供することができる。さらに、被蒸着基板との接触面積の低減によって、被蒸着基板との貼り付きが低減した蒸着マスク１０を提供することができる。また、被蒸着基板との貼り付きが低減することによって、蒸着工程における破損率が低減する蒸着マスク１０を提供することができる。 As described above, the vapor deposition mask 10 includes a thin film mask main body, a first region 106 corresponding to the vapor deposition region of the substrate to be vapor deposited, a second region 108 surrounding the first region 106, and a second region 108 surrounding the second region 108. By providing the third region 110 and having openings in the first region 106 and the second region 108, it is possible to provide a deposition mask with a reduced contact area with the substrate to be deposited. Furthermore, by reducing the contact area with the deposition target substrate, it is possible to provide the deposition mask 10 that can prevent frictional charging that may occur between the mask and the deposition target substrate and suppress the generation of static electricity. Furthermore, by reducing the contact area with the deposition target substrate, it is possible to provide the deposition mask 10 with reduced adhesion to the deposition target substrate. Moreover, by reducing adhesion to the substrate to be vapor-deposited, it is possible to provide the vapor deposition mask 10 in which the breakage rate in the vapor deposition process is reduced.

４．製造方法
＜第２実施形態＞
図６～図１５を参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク１０の製造方法について説明する。 4. Manufacturing method <Second embodiment>
A method for manufacturing a vapor deposition mask 10 according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 6 to 15.

図６～図１５は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク１０の製造方法を示す断面図である。また、図１５に示す断面図は、図１に示すＡ１－Ａ２線に沿って切断した蒸着マスク１０の断面図である。 6 to 15 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a vapor deposition mask 10 according to an embodiment of the present invention. Further, the cross-sectional view shown in FIG. 15 is a cross-sectional view of the vapor deposition mask 10 taken along the line A1-A2 shown in FIG.

図６（Ａ）は、第１支持基板１３０の第１面に、第１レジストマスク１３２を形成する段階を示す。第１支持基板１３０は金属製であり、ガラス、石英、セラミクス、プラスチックなどの絶縁物、又は、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、マンガン（Ｍｎ）などの金属、若しくはこれらの合金で形成される。合金としては、例えば鉄（Ｆｅ）とクロム（Ｃｒ）を含む合金、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）、およびマンガン（Ｍｎ）の合金でもよく、合金には炭素（Ｃ）が含まれていてもよい。例えば、第１支持基板１３０は、例えば、鉄（Ｆｅ）を主成分とし、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）を含有するステンレス鋼で形成されていてもよい。 FIG. 6A shows a step of forming a first resist mask 132 on the first surface of the first support substrate 130. The first support substrate 130 is made of metal, and is made of an insulating material such as glass, quartz, ceramics, plastic, or copper (Cu), aluminum (Al), titanium (Ti), iron (Fe), nickel (Ni), etc. It is formed from metals such as cobalt (Co), chromium (Cr), molybdenum (Mo), and manganese (Mn), or alloys thereof. The alloy may be, for example, an alloy containing iron (Fe) and chromium (Cr), or an alloy of iron (Fe), nickel (Ni), and manganese (Mn), and the alloy may contain carbon (C). Good too. For example, the first support substrate 130 may be made of stainless steel containing iron (Fe) as a main component and chromium (Cr) and nickel (Ni).

第１レジストマスク１３２は、感光性の樹脂材料を用い、フォトリソグラフィによって形成する。感光性の樹脂材料としては、塗布型のフォトレジスト、又はドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を用いることができる。第１レジストマスク１３２は、図１において示す蒸着マスク１０において、複数のマスク本体１００が配置されるとき、それら（複数のマスク本体１００の全部）を囲む枠状の形態を有する。 The first resist mask 132 is formed by photolithography using a photosensitive resin material. As the photosensitive resin material, a coating type photoresist or a dry film resist (DFR) can be used. The first resist mask 132 has a frame-like form that surrounds (all of the plurality of mask bodies 100) when the plurality of mask bodies 100 are arranged in the vapor deposition mask 10 shown in FIG. 1.

図６（Ｂ）は、剥離層１３４を形成する段階を示す。剥離層１３４は、第１レジストマスク１３２が形成された第１支持基板１３０の第１面において、枠状の第１レジストマスク１３２から露出した領域に形成される。剥離層１３４は、例えば、マスク本体１００を形成する金属材料と同じ金属材料で形成される。剥離層１３４は、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）などの０価の金属材料で形成される。このような金属材料で形成される剥離層１３４は、めっき法によって作製することができる。例えば、剥離層１３４は、第１支持基板１３０上にニッケルめっきによって作製される。めっき法によって剥離層１３４を形成する際には、第１支持基板１３０を洗浄し、第１面に離型剤が塗布されていてもよい。 FIG. 6(B) shows the step of forming the release layer 134. The peeling layer 134 is formed in a region exposed from the frame-shaped first resist mask 132 on the first surface of the first support substrate 130 on which the first resist mask 132 is formed. The peeling layer 134 is made of, for example, the same metal material that forms the mask body 100. The peeling layer 134 is formed of, for example, a zero-valent metal material such as nickel (Ni), copper (Cu), titanium (Ti), or chromium (Cr). The peeling layer 134 made of such a metal material can be manufactured by a plating method. For example, the release layer 134 is formed on the first support substrate 130 by nickel plating. When forming the release layer 134 by a plating method, the first support substrate 130 may be cleaned and a release agent may be applied to the first surface.

図６（Ｃ）は、第１レジストマスク１３２を除去する段階を示す。第１レジストマスク１３２は、剥離液により除去される。第１レジストマスク１３２が除去された領域には開口部１３６が形成される。別言すれば、第１レジストマスク１３２が第１支持基板１３０上から除去されることにより、剥離層１３４は開口部１３６を挟んで内側領域１３８と外側領域１４０に分離される。剥離層１３４は、２０μｍ以上２００μｍ以下、例えば、４０μｍ以上１５０μｍ以下の厚さで形成される。剥離層１３４は、第１支持基板１３０上に、めっき法、スパッタリング法、または化学気相堆積（ＣＶＤ）法を利用して形成される。第１支持基板１３０上に形成される剥離層１３４は、膜厚の均一性が外周部において低下する場合がある。このような場合においても、第１レジストマスク１３２を第１支持基板１３０上に設けておくことで、剥離層１３４を内側の領域と、外側の領域に分離することができる。 FIG. 6C shows the step of removing the first resist mask 132. The first resist mask 132 is removed using a stripping solution. An opening 136 is formed in the region where the first resist mask 132 has been removed. In other words, by removing the first resist mask 132 from above the first support substrate 130, the peeling layer 134 is separated into an inner region 138 and an outer region 140 with the opening 136 in between. The peeling layer 134 is formed with a thickness of 20 μm or more and 200 μm or less, for example, 40 μm or more and 150 μm or less. The release layer 134 is formed on the first support substrate 130 using a plating method, a sputtering method, or a chemical vapor deposition (CVD) method. The release layer 134 formed on the first support substrate 130 may have reduced uniformity in film thickness at the outer periphery. Even in such a case, by providing the first resist mask 132 on the first support substrate 130, the peeling layer 134 can be separated into an inner region and an outer region.

図７（Ａ）は、剥離層１３４の上に接着層１４２を設ける段階を示す。接着層１４２は、未露光の状態で所定の接着力又は粘着力を有するレジストフィルムを用いることが好ましい。このようなレジストフィルムとしては、例えば、ドライフィルムレジストを用いることができる。接着層１４２は、剥離層１３４の内側領域１３８の全面を覆い、端部が剥離層１３４の外側に広がる大きさを有していることが好ましい。接着層１４２の端部は、剥離層１３４の外側領域１４０まで広がっていてもよい。フィルム状の部材として供給される剥離層１３４がこのような大きさを有することで、剥離層１３４の内側領域を確実に覆うことができる。 FIG. 7(A) shows a step in which an adhesive layer 142 is provided on the release layer 134. As the adhesive layer 142, it is preferable to use a resist film that has a predetermined adhesive force or adhesive force in an unexposed state. As such a resist film, for example, a dry film resist can be used. The adhesive layer 142 preferably has a size that covers the entire inner region 138 of the release layer 134 and has an end portion extending outside the release layer 134 . The ends of the adhesive layer 142 may extend to an outer region 140 of the release layer 134. When the release layer 134 supplied as a film-like member has such a size, the inner region of the release layer 134 can be reliably covered.

図７（Ｂ）に示すように、接着層１４２の外周部を未露光とし、内側領域１３８を露光する処理を行ってもよい。具体的には、接着層１４２において、剥離層１３４の端部と重なる領域を含む外周部１４４を未露光領域として、外周部１４４より内側の領域が露光領域となるように露光して、露光面を硬化させる処理を行ってもよい。外側領域１４０（露光処理される領域）は、少なくとも一部が剥離層１３４と重なっていることが好ましい。接着層１４２の選択的な露光は、フォトマスクを用いて行うことができる。接着層１４２として用いられる感光性のドライフィルムレジストがポジ型である場合、透光部１４１を囲むように遮光部１４５が形成された第１フォトマスク１２６が用いられる。 As shown in FIG. 7B, a process may be performed in which the outer peripheral portion of the adhesive layer 142 is left unexposed and the inner region 138 is exposed. Specifically, in the adhesive layer 142, the exposed surface is exposed so that the outer peripheral part 144 including the area overlapping with the end of the release layer 134 is an unexposed area, and the area inside the outer peripheral part 144 is an exposed area. A treatment for curing may be performed. It is preferable that at least a portion of the outer region 140 (the region to be exposed to light) overlaps the release layer 134 . Selective exposure of the adhesive layer 142 can be performed using a photomask. When the photosensitive dry film resist used as the adhesive layer 142 is positive type, the first photomask 126 in which the light shielding part 145 is formed so as to surround the light transmitting part 141 is used.

図８（Ａ）は、第２支持基板１４６の第１面に接着層１４２を密接させて、剥離層１３４を第１支持基板１３０ごと張り合わせる段階を示す。図８（Ａ）に示すように、第２支持基板１４６と接着層１４２を密接させ、第２支持基板１４６を接着層１４２に固定させつ。この貼り合わせ後、これらにベーク処理を行ってもよく、この場合のベーク処理の条件としては、６０℃、１時間が一例として挙げられる。 FIG. 8(A) shows a step in which the adhesive layer 142 is brought into close contact with the first surface of the second support substrate 146 and the peeling layer 134 is attached together with the first support substrate 130. As shown in FIG. 8A, the second support substrate 146 and the adhesive layer 142 are brought into close contact with each other, and the second support substrate 146 is fixed to the adhesive layer 142. After this bonding, these may be subjected to a baking process, and an example of the conditions for the baking process in this case is 60° C. for 1 hour.

図８（Ｂ）は、剥離層１３４を第１支持基板１３０から剥離する段階を示す。剥離層１３４は、第１支持基板１３０との界面に物理的な力を作用させることで、第１支持基板１３０から剥離することができる。例えば、鋭利な先端を有する治具を、第１支持基板１３０と剥離層１３４との界面に押し当てて剥離のきっかけとなる部分を形成し、その後、第１支持基板１３０を引き剥がすように外力を加えることで、剥離層１３４を第１支持基板１３０から剥離することができる。 FIG. 8B shows the step of peeling off the release layer 134 from the first support substrate 130. The peeling layer 134 can be peeled off from the first supporting substrate 130 by applying physical force to the interface with the first supporting substrate 130 . For example, a jig with a sharp tip is pressed against the interface between the first support substrate 130 and the peeling layer 134 to form a part that triggers peeling, and then an external force is applied to peel off the first support substrate 130. By adding , the peeling layer 134 can be peeled off from the first support substrate 130 .

さらに、剥離層１３４を第１支持基板１３０から剥離後、第２支持基板１４６に残存した剥離層１３４の薬液処理を行ってもよい。具体的には、フォトレジストの現像液で処理（現像）すればよく、薬液には現像液だけでなく、アルカリ性溶液を用いて処理を行ってもよい。または、第２支持基板１４６に残存した剥離層１３４に露光処理を行ってもよい。 Furthermore, after peeling the peeling layer 134 from the first support substrate 130, the peeling layer 134 remaining on the second support substrate 146 may be treated with a chemical solution. Specifically, processing (development) may be performed using a photoresist developer, and not only the developer but also an alkaline solution may be used for the chemical solution. Alternatively, the peeling layer 134 remaining on the second support substrate 146 may be exposed to light.

図９（Ａ）は、剥離層１３４が設けられた第２支持基板１４６上に、第２レジストマスク１５２を形成する段階を示す。第２レジストマスク１５２は所定のパターンで形成される。すなわち、複数の第１開口パターン１１６ｐおよび第２開口パターン１１６ｄ、または後述するダミーパターン部１５４を形成する領域に選択的に形成される。例えば、ネガ型のフォトレジストを剥離層１３４上に塗布し、複数の第１開口パターン１１６ｐおよび第２開口パターン１１６ｄ、さらにダミーパターン部１５４を形成する領域が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。また、ポジ型のフォトレジストを剥離層１３４上に塗布し、非開口部が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。その後、現像を行うことで、パターニングされた第２レジストマスク１５２を得ることができる。 FIG. 9A shows a step of forming a second resist mask 152 on the second support substrate 146 provided with the release layer 134. The second resist mask 152 is formed in a predetermined pattern. That is, it is selectively formed in a region where a plurality of first opening patterns 116p and second opening patterns 116d or a dummy pattern section 154 to be described later is to be formed. For example, a negative photoresist is applied on the release layer 134, and a photomask is applied so that the plurality of first opening patterns 116p and second opening patterns 116d, as well as the region where the dummy pattern section 154 is to be formed, are selectively exposed. Exposure is carried out through Further, a positive photoresist is applied onto the peeling layer 134, and exposure is performed through a photomask so that non-opening portions are selectively exposed. Thereafter, by performing development, a patterned second resist mask 152 can be obtained.

図９（Ｂ）は、めっき法を利用し、第２レジストマスク１５２によって被覆されていない領域にめっきパターンを形成し、マスク本体１００を形成する段階を示す。めっきパターンの形成は、一段階で行ってもよく、数段階に分けて行ってもよい。複数の段階で行う場合、異なる段階で異なる金属が形成されるよう、めっきを行ってもよい。また、めっきは、めっきパターンの上面が第２レジストマスク１５２の上面よりも低くなるように行ってもよく、高くなるように行ってもよい。後者の場合、表面を研磨することでめっきパターン上面の平坦化を行ってもよい。この後、図１１（Ｃ）に示すように、第２レジストマスク１５２を剥離液によるエッチング、及び／又はアッシングによって除去することで、剥離層１３４上に複数の第１パターン部１１４によって蒸着パターンが形成されるマスク本体１００を作製することができる。また、第２パターン部１２０についても、第１パターン部１１４と同様にマスク本体１００に形成される。 FIG. 9B shows a step of forming the mask body 100 by forming a plating pattern in the area not covered by the second resist mask 152 using a plating method. The plating pattern may be formed in one step or in several steps. When performed in multiple stages, plating may be performed such that different metals are formed in different stages. Further, plating may be performed so that the top surface of the plating pattern is lower than or higher than the top surface of the second resist mask 152. In the latter case, the top surface of the plating pattern may be flattened by polishing the surface. After that, as shown in FIG. 11C, the second resist mask 152 is removed by etching with a stripping solution and/or ashing, so that the vapor deposition pattern is formed on the stripping layer 134 by the plurality of first pattern parts 114. A mask body 100 can be manufactured. Further, the second pattern portion 120 is also formed on the mask body 100 similarly to the first pattern portion 114.

なお、図９（Ｂ）及び図９（Ｃ）に示すように、マスク本体１００を形成するとき、マスク本体１００から離隔するダミーパターン部１５４が形成される。ダミーパターン部１５４は、平面視において複数のマスク本体１００を囲むように構成される。ダミーパターン部１５４とマスク本体１００は同時に形成されるため、これらは互いに同一の組成と厚さを有することができる。 Note that, as shown in FIGS. 9(B) and 9(C), when forming the mask main body 100, a dummy pattern portion 154 that is spaced apart from the mask main body 100 is formed. The dummy pattern section 154 is configured to surround the plurality of mask bodies 100 in plan view. Since the dummy pattern part 154 and the mask body 100 are formed at the same time, they can have the same composition and thickness.

図１０（Ａ）は、マスク本体１００の第１パターン部１１４を保護するための保護フィルム１５６の一態様を示す。保護フィルム１５６としては、ドライフィルムレジストを用いることができる。保護フィルム１５６は、例えば、光硬化性樹脂膜１５８が、剥離膜１６０と保護膜１６２とによって挟まれた構造を有する。光硬化性樹脂膜１５８には、ネガ型の光硬化性樹脂が含まれる。すなわち、光によって硬化する高分子またはオリゴマーが含まれる。光硬化性樹脂膜１５８の厚さは任意に選択することができ、例えば、２０μｍ以上５００μｍ以下、５０μｍ以上２００μｍ以下、又は５０μｍ以上１２０μｍ以下の範囲から選択することができる。保護膜１６２は高分子材料を含む。高分子材料としては、例えばポリオレフィン、ポリイミド、ポリエステル、ポリスチレン、またはフッ素含有ポリオレフィンなどから選択することができる。 FIG. 10(A) shows one embodiment of a protective film 156 for protecting the first pattern portion 114 of the mask body 100. As the protective film 156, a dry film resist can be used. The protective film 156 has, for example, a structure in which a photocurable resin film 158 is sandwiched between a peeling film 160 and a protective film 162. The photocurable resin film 158 includes a negative photocurable resin. That is, it includes polymers or oligomers that are cured by light. The thickness of the photocurable resin film 158 can be arbitrarily selected, and can be selected, for example, from the range of 20 μm or more and 500 μm or less, 50 μm or more and 200 μm or less, or 50 μm or more and 120 μm or less. Protective film 162 includes a polymer material. The polymeric material can be selected from, for example, polyolefin, polyimide, polyester, polystyrene, or fluorine-containing polyolefin.

図１０（Ｂ）は、保護フィルム１５６がマスク本体１００の上に配置された状態を示す。保護フィルム１５６は、剥離膜１６０を剥離した後、光硬化性樹脂膜１５８がマスク本体１００と保護膜１６２によって挟まれるように配置される。保護フィルム１５６は、少なくとも全ての第１パターン部１１４を覆うように設けられる。 FIG. 10(B) shows a state in which the protective film 156 is placed on the mask body 100. The protective film 156 is disposed such that the photocurable resin film 158 is sandwiched between the mask body 100 and the protective film 162 after the release film 160 is peeled off. The protective film 156 is provided to cover at least all the first pattern parts 114.

次に、光硬化性樹脂膜１５８に対して露光を行う。具体的には、図１１に示すように、遮光部１４５と透光部１４１を有する第２フォトマスク１６４を、透光部１４１が第１パターン部１１４と重なるように配置し、第２フォトマスク１６４を介して露光を行う。これにより、露光された部分の現像液に対する溶解性が低下する。 Next, the photocurable resin film 158 is exposed to light. Specifically, as shown in FIG. 11, a second photomask 164 having a light-shielding part 145 and a light-transmitting part 141 is arranged so that the light-transmitting part 141 overlaps with the first pattern part 114, and the second photomask Exposure is performed via 164. This reduces the solubility of the exposed portion in the developer.

図１２（Ａ）は、光硬化性樹脂膜１５８に対して露光を行った後、保護膜１６２を剥離して現像を行い、第１パターン部１１４の上に第３レジストマスク１６８が形成された状態を示す。剥離層１３４の上に複数の第１パターン部１１４が形成される場合には、図示されるように、それぞれの第１パターン部１１４ごとに第３レジストマスク１６８が設けられる。なお、ダミーパターン部１５４の上には後の工程で保持枠１０２が形成されるため、第３レジストマスク１６８は設けられていない。 FIG. 12(A) shows that after exposing the photocurable resin film 158, the protective film 162 is peeled off and development is performed to form a third resist mask 168 on the first pattern portion 114. Indicates the condition. When a plurality of first pattern parts 114 are formed on the peeling layer 134, a third resist mask 168 is provided for each first pattern part 114, as illustrated. Note that since the holding frame 102 will be formed on the dummy pattern portion 154 in a later step, the third resist mask 168 is not provided.

図１２（Ｂ）は、ダミーパターン部１５４の上に保持枠１０２を配置する段階を示す。保持枠１０２は、複数の第１パターン部１１４が形成されるとき、それぞれの蒸着パターンの間に配置される。保持枠１０２は、外郭のパターンが幅広であり、外郭のパターンの内側に形成されるパターン（第１パターン部１１４の間に形成されるパターン）が幅狭の形態を有していてもよい。 FIG. 12B shows a stage in which the holding frame 102 is placed on the dummy pattern section 154. When the plurality of first pattern parts 114 are formed, the holding frame 102 is arranged between the respective vapor deposition patterns. The holding frame 102 may have a wide outer pattern and a narrow pattern formed inside the outer pattern (a pattern formed between the first pattern parts 114).

図１３は、真空圧着法を用い、保持枠１０２とダミーパターン部１５４とを圧着する段階を示す。図１３に示すように、第２支持基板１４６、接着層１４２、剥離層１３４、第１パターン部１１４、マスク本体１００、ダミーパターン部１５４、および保持枠１０２を覆うように、保持枠１０２の上方にフィルム１６６を配置する。続いて、第２支持基板１４６とフィルム１６６との間の空気を排気（真空排気）し、フィルム１６６の下方側の圧力を下げる。フィルム１６６の上方側と下方側との圧力差により、フィルム１６６は第２支持基板１４６側に引き付けられる。フィルム１６６の下方側の圧力をさらに下げると、フィルム１６６が保持枠１０２を押圧する。フィルム１６６からの押圧を受けて、保持枠１０２は、ダミーパターン部１５４とより強く接着する。 FIG. 13 shows a step of press-bonding the holding frame 102 and the dummy pattern portion 154 using a vacuum press-bonding method. As shown in FIG. 13, the upper part of the holding frame 102 is placed so as to cover the second support substrate 146, the adhesive layer 142, the peeling layer 134, the first pattern part 114, the mask body 100, the dummy pattern part 154, and the holding frame 102. A film 166 is placed at. Subsequently, the air between the second support substrate 146 and the film 166 is evacuated (evacuated) to lower the pressure below the film 166. Due to the pressure difference between the upper side and the lower side of the film 166, the film 166 is attracted to the second support substrate 146 side. When the pressure on the lower side of the film 166 is further reduced, the film 166 presses against the holding frame 102. Under pressure from the film 166, the holding frame 102 is more strongly adhered to the dummy pattern portion 154.

フィルム１６６の下方側の真空度は、大気圧を０ｋＰａとしたゲージ圧において、－５０ｋＰａ以下であり、好ましくは－７０ｋＰａ以下であり、さらに好ましくは－９０ｋＰａである。 The degree of vacuum on the lower side of the film 166 is -50 kPa or less, preferably -70 kPa or less, and more preferably -90 kPa in gauge pressure with atmospheric pressure being 0 kPa.

真空圧着後は、フィルム１６６を除去する。 After the vacuum pressure bonding, the film 166 is removed.

図１４（Ａ）は、めっき法を用い、接続部材１０４を形成する段階を示す。接続部材１０４は、マスク本体１００の表面のうち保持枠１０２と第３レジストマスク１６８に覆われていない部分から主に成長する。その結果、図１４（Ａ）に示すように、マスク本体１００の上面、および保持枠１０２の側面に接する接続部材１０４が形成される。この接続部材１０４により、マスク本体１００と保持枠１０２が固定される。 FIG. 14(A) shows a step of forming the connecting member 104 using a plating method. The connecting member 104 mainly grows from a portion of the surface of the mask body 100 that is not covered by the holding frame 102 and the third resist mask 168. As a result, as shown in FIG. 14(A), a connecting member 104 that contacts the upper surface of the mask body 100 and the side surface of the holding frame 102 is formed. This connecting member 104 fixes the mask main body 100 and the holding frame 102.

接続部材１０４は、その厚さが第３レジストマスク１６８の厚さと同じになるように形成してもよい。あるいは接続部材１０４は、厚さが第３レジストマスク１６８の厚さよりも小さくなるように形成してもよく、図１４（Ａ）に示すように、大きくなるように形成してもよい。 The connection member 104 may be formed to have the same thickness as the third resist mask 168. Alternatively, the connecting member 104 may be formed to have a thickness smaller than that of the third resist mask 168, or may be formed to have a larger thickness as shown in FIG. 14(A).

第３レジストマスク１６８を、剥離液を用いて剥離することで、図１４（Ｂ）に示すように、第２支持基板１４６上に蒸着マスク１０を形成することができる。その後、剥離層１３４を第２支持基板１４６から剥離し、さらに剥離層１３４をマスク本体１００から剥離することで、図１５に示す蒸着マスク１０を得ることができる。 By peeling off the third resist mask 168 using a stripping liquid, the vapor deposition mask 10 can be formed on the second support substrate 146, as shown in FIG. 14(B). Thereafter, the peeling layer 134 is peeled off from the second support substrate 146, and the peeling layer 134 is further peeled off from the mask body 100, thereby obtaining the vapor deposition mask 10 shown in FIG. 15.

以上に説明したように、蒸着マスク１０は製造される。 As explained above, the vapor deposition mask 10 is manufactured.

上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 Even if there are other effects that are different from those brought about by the aspects of each embodiment described above, those that are obvious from the description of this specification or that can be easily predicted by a person skilled in the art will naturally be included. It is understood that this is brought about by the present invention.

１０：蒸着マスク、１００：マスク本体、１０２：保持枠、１０４：接続部材、１０６：第１領域、１０８：第２領域、１０８－１：第２領域、１０８－２：第２領域、１１０：第３領域、１１２：基準枠、１１４：第１パターン部、１１６ｐ：第１開口パターン、１１６ｄ：第２開口パターン、１１８：枠、１２０：第２パターン部、１２２：第４領域、１２４：第５領域、１２６：第１フォトマスク、１３０：第１支持基板、１３２：第１レジストマスク、１３４：剥離層、１３６：開口部、１３８：内側領域、１４０：外側領域、１４０：ダミーパターン、１４１：透光部、１４２：接着層、１４４：外周部、１４５：遮光部、１４６：第２支持基板、１４８：内側部、１５０：露光領域、１５２：第２レジストマスク、１５４：ダミーパターン部、１５６：保護フィルム、１５８：光硬化性樹脂膜、１６０：剥離膜、１６２：保護膜、１６４：第２フォトマスク、１６６：フィルム、１６８：第３レジストマスク 10: Vapor deposition mask, 100: Mask body, 102: Holding frame, 104: Connection member, 106: First region, 108: Second region, 108-1: Second region, 108-2: Second region, 110: Third area, 112: Reference frame, 114: First pattern section, 116p: First opening pattern, 116d: Second opening pattern, 118: Frame, 120: Second pattern section, 122: Fourth area, 124: First 5 regions, 126: first photomask, 130: first support substrate, 132: first resist mask, 134: peeling layer, 136: opening, 138: inner region, 140: outer region, 140: dummy pattern, 141 : Transparent part, 142: Adhesive layer, 144: Outer peripheral part, 145: Light shielding part, 146: Second support substrate, 148: Inner part, 150: Exposure area, 152: Second resist mask, 154: Dummy pattern part, 156: Protective film, 158: Photocurable resin film, 160: Peeling film, 162: Protective film, 164: Second photomask, 166: Film, 168: Third resist mask

Claims (16)

薄膜状のマスク本体と、
前記マスク本体の周囲に設けられた保持枠と、
前記マスク本体と前記保持枠とを接続する接続部材と、を有し、
前記マスク本体は、基準枠に配置される第１領域および第２領域と、前記基準枠を囲む第３領域とを有し、
前記第１領域は第１パターン部を有し、
前記第２領域は第２パターン部を有する、蒸着マスク。 A thin film mask body,
a holding frame provided around the mask main body;
a connecting member connecting the mask main body and the holding frame,
The mask main body has a first region and a second region arranged in a reference frame, and a third region surrounding the reference frame,
The first region has a first pattern portion,
A vapor deposition mask, wherein the second region has a second pattern portion. 前記第１領域と前記第２パターン部は離隔する、請求項１に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the first region and the second pattern portion are separated from each other. 前記第２領域は、前記第１領域の外形に外接する、請求項１に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the second region circumscribes the outer shape of the first region. 前記第１パターン部は、第１開口パターンを有し、
前記第２パターン部は、第２開口パターンを有し、
前記第１開口パターンと前記第２開口パターンは、同じ大きさである、請求項１に記載の蒸着マスク。 The first pattern section has a first opening pattern,
The second pattern portion has a second opening pattern,
The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the first opening pattern and the second opening pattern have the same size. 前記第２領域は、複数の前記第２パターン部を有し、
前記複数の第２パターン部は互いに離隔する、請求項１に記載の蒸着マスク。 The second region has a plurality of second pattern parts,
The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the plurality of second pattern parts are spaced apart from each other. 前記第２パターン部は、前記第２領域の内側に沿って配置される、請求項１に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the second pattern section is arranged along the inside of the second region. 前記第２領域は、複数の前記第２パターン部を有する、請求項６に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 6, wherein the second region has a plurality of the second pattern parts. 前記複数の第２パターン部は、互いに離隔する、請求項７に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 7, wherein the plurality of second pattern parts are spaced apart from each other. 前記複数の第２パターン部のうち少なくとも二つは結合されている、請求項８に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 8, wherein at least two of the plurality of second pattern parts are combined. 前記マスク本体は、前記第１領域を囲む第４領域を有し、
前記第４領域は第３パターン部を有する、請求項４に記載の蒸着マスク。 The mask body has a fourth region surrounding the first region,
The vapor deposition mask according to claim 4, wherein the fourth region has a third pattern portion. 前記マスク本体は、前記第１領域と前記第４領域との間に第５領域を有し、
前記第５領域は、開口を有しない、請求項１０に記載の蒸着マスク。 The mask body has a fifth region between the first region and the fourth region,
The vapor deposition mask according to claim 10, wherein the fifth region has no opening. 前記第３パターン部は、第３開口パターンを有し、
前記第１開口パターンと前記第３開口パターンは、同じ大きさである、請求項１０に記載の蒸着マスク。 The third pattern section has a third opening pattern,
The vapor deposition mask according to claim 10, wherein the first opening pattern and the third opening pattern have the same size. 前記第２パターン部の面積は、前記第１パターン部の面積の５％以上４０％以下である、請求項１に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the area of the second pattern part is 5% or more and 40% or less of the area of the first pattern part. 前記第２パターン部の面積は、前記第１パターン部の面積の１０％以上４０％以下である、請求項１３に記載の蒸着マスク。 The vapor deposition mask according to claim 13, wherein the area of the second pattern section is 10% or more and 40% or less of the area of the first pattern section. 前記マスク本体は、複数の基準枠を有し、
前記第３領域は、前記複数の基準枠を囲む、請求項１に記載の蒸着マスク。 The mask body has a plurality of reference frames,
The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the third region surrounds the plurality of reference frames. 前記マスク本体を複数有する、請求項１５に記載の蒸着マスク。
The vapor deposition mask according to claim 15, comprising a plurality of said mask bodies.
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