JP2023163428A - vapor deposition mask - Google Patents
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- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 title claims abstract description 80
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 60
- 239000010408 film Substances 0.000 description 46
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 40
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 23
- 238000000034 method Methods 0.000 description 22
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 12
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 12
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 10
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 8
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 cobalt (Co) Chemical class 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000011364 vaporized material Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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Abstract
Description
本発明の実施形態の一つは、蒸着マスクに関する。特に、本発明の実施形態の一つは、薄膜状のマスク本体を備えた蒸着マスクに関する。 One embodiment of the present invention relates to a deposition mask. In particular, one embodiment of the present invention relates to a vapor deposition mask having a thin film mask body.
フラットパネル型表示装置の一例として、液晶表示装置や有機EL(Electroluminescence)表示装置が挙げられる。これらの表示装置は、絶縁体、半導体、導電体などの様々な材料を含む薄膜が基板上に積層された構造体である。これらの薄膜が適宜パターニングされ、接続されることで、表示装置としての機能が実現される。 Examples of flat panel display devices include liquid crystal display devices and organic EL (electroluminescence) display devices. These display devices are structures in which thin films containing various materials such as insulators, semiconductors, and conductors are laminated on a substrate. By appropriately patterning and connecting these thin films, a function as a display device is realized.
薄膜を形成する方法は、大別すると気相法、液相法、固相法に分類される。気相法は物理的気相法と化学的気相法に分類される。物理的気相法の代表的な例として蒸着法が知られている。蒸着法のうち最も簡便な方法が真空蒸着法である。真空蒸着法は、高真空下において材料を加熱することで、材料を昇華又は蒸発させて材料の蒸気を生成する(以下、これらを総じて気化という)。この材料を堆積させるための領域(以下、蒸着領域)において、気化していた材料が固化し、堆積することで材料の薄膜が得られる。蒸着領域に対して選択的に薄膜が形成され、それ以外の領域(以下、非蒸着領域)には材料が堆積しないようにするために、マスク(蒸着マスク)を用いて真空蒸着が行われる(特許文献1及び2参照)。 Methods for forming thin films are broadly classified into gas phase methods, liquid phase methods, and solid phase methods. Gas phase methods are classified into physical vapor phase methods and chemical vapor phase methods. A vapor deposition method is known as a typical example of a physical vapor phase method. The simplest vapor deposition method is the vacuum vapor deposition method. The vacuum evaporation method sublimates or evaporates the material by heating the material under high vacuum to generate vapor of the material (hereinafter, these are generally referred to as vaporization). In a region for depositing this material (hereinafter referred to as a vapor deposition region), the vaporized material is solidified and deposited to obtain a thin film of the material. Vacuum deposition is performed using a mask (deposition mask) so that a thin film is selectively formed in the deposition area and no material is deposited in other areas (hereinafter referred to as non-deposition areas). (See Patent Documents 1 and 2).
蒸着マスクは、マスク本体を貫通する開口の形状に応じた蒸着パターンがマスク本体に形成されているが、蒸着パターンのない領域を大きく占める。蒸着マスクは、蒸着パターンのない領域が大きいと、蒸着時に被蒸着基板との接触面積が大きくなり、静電気などによる被蒸着基板との貼り付きが増加し、破損するという問題があった。 In a vapor deposition mask, a vapor deposition pattern is formed on the mask body in accordance with the shape of an opening passing through the mask body, but the vapor deposition pattern occupies a large area without the vapor deposition pattern. If the vapor deposition mask has a large area without a vapor deposition pattern, the contact area with the substrate to be vaporized during vapor deposition becomes large, which increases sticking to the substrate to be vaporized due to static electricity and the like, resulting in damage.
本発明は、上記問題を鑑み、被蒸着基板との接触面積が低減された蒸着マスクを提供することを課題の1つとする。また、本発明は、被蒸着基板との間に起きる静電気が抑制された蒸着マスクを提供することを課題の一つとする。さらに、本発明は、破損しにくい蒸着マスクを提供することを課題の一つとする。 In view of the above problems, one of the objects of the present invention is to provide a vapor deposition mask with a reduced contact area with a substrate to be vapor deposited. Another object of the present invention is to provide a deposition mask in which static electricity generated between the mask and the substrate to be deposited is suppressed. Furthermore, one of the objects of the present invention is to provide a vapor deposition mask that is hard to be damaged.
本発明の一実施形態に係る蒸着マスクは、薄膜状のマスク本体と、マスク本体の周囲に設けられた保持枠と、マスク本体と保持枠とを接続する接続部材と、を有し、マスク本体は、基準枠に配置される第1領域および第2領域と、第3領域とを有し、第1領域は第1パターン部を有し、第2領域は第2パターン部を有する。 A vapor deposition mask according to an embodiment of the present invention includes a thin film-like mask body, a holding frame provided around the mask body, and a connecting member connecting the mask body and the holding frame. has a first region, a second region, and a third region arranged in a reference frame, the first region has a first pattern portion, and the second region has a second pattern portion.
以下、本発明の各実施形態について、図面等を参照しつつ説明する。但し、本発明は、その要旨を逸脱しない範囲において様々な態様で実施することができ、以下に例示する実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。 Hereinafter, each embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings and the like. However, the present invention can be implemented in various forms without departing from the scope thereof, and should not be construed as being limited to the contents described in the embodiments exemplified below.
図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合がある。しかし図面に示す例は、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の構成には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。 In order to make the explanation clearer, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual aspect. However, the examples shown in the drawings are merely examples and do not limit the interpretation of the present invention. In this specification and each figure, the same reference numerals are given to the same components as those described above with respect to the already-existed figures, and detailed explanations may be omitted as appropriate.
本発明において、ある一つの膜に対してエッチングや光照射を行うことで複数の膜を形成した場合、これら複数の膜は異なる機能、役割を有することがある。しかしながら、これら複数の膜は同一の工程で同一層として形成された膜に由来し、同一の層構造、同一の材料を有する。したがって、これら複数の膜は同一層に存在しているものと定義する。 In the present invention, when a plurality of films are formed by etching or irradiating one film with light, these films may have different functions and roles. However, these multiple films originate from films formed as the same layer in the same process, and have the same layer structure and the same material. Therefore, these multiple films are defined as existing in the same layer.
本明細書および特許請求の範囲において、ある構造体の上に他の構造体が配置された態様を表現する際に、単に「上に」と表記する場合、特に断りの無い限りは、ある構造体に接するように、その構造体の直上に他の構造体が配置される場合と、ある構造体の上方に、さらに別の構造体を介して他の構造体が配置される場合と、の両方を含むものと定義される。 In this specification and the claims, when expressing an aspect in which a structure is arranged on top of another structure, the term "on" simply refers to the structure of a structure unless otherwise specified. There are two cases: when another structure is placed directly above a structure so as to be in contact with the body, and when another structure is placed above a structure via another structure. It is defined as including both.
<第1実施形態>
図1を参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の構成について説明する。
<First embodiment>
With reference to FIG. 1, the configuration of a
1.全体構造
図1は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の平面図である。蒸着マスク10は、薄膜状のマスク本体100、保持枠102、および接続部材104を有する。マスク本体100は、接続部材104によって、保持枠102と接続されている。
1. Overall Structure FIG. 1 is a plan view of a
図1は、2つのマスク本体100が保持枠102に接続された構造を示す。保持枠102は、2つのマスク本体100のそれぞれの周縁部を囲む構造を有する。保持枠102は、蒸着マスク10の外郭を形成する枠体部分と、枠体部分に架け渡された桟(中桟)に相当する部分を有する。なお、図1は、保持枠102に2つのマスク本体100が接続される構造を示すが、蒸着マスク10においてマスク本体100の数に限定はなく、蒸着基板の大きさや蒸着パターンに合わせて適宜決定することができる。また、保持枠102の構造も、マスク本体100の数及び配置に合わせて適宜変更することができる。
FIG. 1 shows a structure in which two
マスク本体100は、第1領域106、第2領域108、第3領域110に区分することができる。第1領域106は、マスク本体100の内側(中央側)に位置する領域である。第2領域108は、第1領域106の外側に位置する領域である。第3領域110は、第2領域108の外側に位置する領域である。したがって、図1に示されるように、第1領域106は第2領域108に囲まれ、第2領域108は第3領域110に囲まれる位置関係を有する。
The
第1領域106は、第1パターン部114を有し、第1パターン部114は、複数の第1開口パターン116pを有する。第1開口パターン116pは、マスク本体100を貫通する。蒸着時には、蒸着対象の被蒸着基板における蒸着領域と第1パターン部114または第1領域106が重なるように、蒸着マスク10と被蒸着基板が位置合わせされる。蒸着材料の蒸気が第1パターン部114の第1開口パターン116pを通過し、被蒸着基板の蒸着領域に蒸着材料が堆積する。
The
被蒸着基板が表示装置の基板である場合、表示装置の画素の配列と対応して第1パターン部114に第1開口パターン116pが配列される。表示装置の画素の配列が、x方向及びy方向にマトリクス状に配列されるとき、第1開口パターン116pの配列も同様にマトリクス状に配列される。
When the substrate to be deposited is a substrate of a display device,
第1領域106の形状は、例えば、図1に示すように、円形の形状を有する。また、上述したように、第1領域106は、第2領域108が外接される。第2領域108は、第1領域106を挟むように、第2領域108-1と第2領域108-2に分けられていてもよい。第2領域108-1と第2領域-2とは、区別可能な2つの領域であってもよく、第1領域106を両側から挟むように配置されていてもよい。
The
図1では、第1領域106が円形である例を示したが、円形に限らず矩形などでもよい。ただし、第1領域106の形状が円形である場合、第1領域106の形状が矩形の場合に比べ、非蒸着領域である第2領域108の面積が、基準枠112において、より大きな割合で占有することがあるため、蒸着マスク10は、被蒸着基板との貼り付きを低減する効果をより示すことがある。
Although FIG. 1 shows an example in which the
上述したように、保持枠102は、外側に位置する枠部と内側に位置する桟部とを含む。桟部は、枠部に剛性を与え、枠部が反ることを防止することができる。桟部は、複数の部材が組み合わされて構成されていてもよい。例えば、桟部の1つの部材は、枠部の一方の辺から対向する他方の辺に向かって延伸している。また、桟部の部材は、縦方向(蒸着マスク10の短辺方向)および横方向(蒸着マスク10の長辺方向)に設けられることが好ましい。すなわち、桟部は、縦方向に延伸する部材と横方向に延伸する部材とが交差している井桁構造であることが好ましい。ただし、桟部の構成は、これに限られない。桟部の部材は、縦方向または横方向にのみ設けられていてもよい。また、枠部の幅および桟部(または桟部の部材)の幅は、蒸着マスク10の大きさに合わせて適宜決定することができる。なお、第1領域106のような蒸着パターンの領域をできる限り広くするためには、桟部の幅が枠部の幅よりも小さいことが好ましい。
As described above, the holding
図1に示すように、接続部材104は、マスク本体100と保持枠102の開口部の間隙に設けられ、マスク本体100の側面および保持枠102の開口部の側面に接する。すなわち、平面視において、マスク本体100と保持枠102とは重畳していない。なお、後述する断面視において、マスク本体100と保持枠102とが重畳していてもよい。
As shown in FIG. 1, the
接続部材104は、マスク本体100と保持枠102とを接続すればよいため、接続部材104は、保持枠102の開口部の側面の全面に設けられなくてもよい。接続部材104は、保持枠102の開口部の側面の少なくとも一部に設けられていればよい。一方、マスク本体100の厚さは、保持枠102の厚さに比べて非常に小さい。例えば、マスク本体100の厚さは1μm以上10μm以下であり、保持枠102の厚さは10μm以上2000μm以下である。そのため、マスク本体100と保持枠102との接着強度を大きくするため、接続部材104は、マスク本体100の側面の全面に設けられていることが好ましい。
Since the connecting
2.部分構造
図2は、図1に示す枠118を拡大した平面図を示す。図2は、枠118の平面図を示し、具体的には、2つの基準枠112と基準枠112を囲む第3領域110の平面図を示す。
2. Partial Structure FIG. 2 shows an enlarged plan view of the
図2に示すように、基準枠112内には、第1領域106と第2領域108が配置される。また、基準枠112には、1つの第1領域106が配置される。上述したように、第1領域106は、第1パターン部114が設けられ、第1パターン部114は複数の第1開口パターン116pが設けられる。基準枠112は、後述する被蒸着基板における切り出し枠に相当する。また、基準枠112には、第1領域106と第2領域108を配置する基準となる枠を示しているため、被蒸着基板を蒸着するための開口パターンを有しない。
As shown in FIG. 2, within the
第1領域106を囲む第2領域108は、第2パターン部120を有する。第2領域108には、複数の第2パターン部120が設けられていてもよい。複数の第2パターン部120は、互いに離隔するように配置されていることが好ましい。また、第2パターン部120は、第1領域106または第1パターン部114と離隔するように配置されていることが好ましい。図2は、第2パターン部120が矩形である例を示すが、第2パターン部120の形状に限定はなく、円形などの形状であってもよい。
A
第2パターン部120は、複数の第2開口パターン116dを有する。第2パターン部120の第2開口パターン116dは、マスク本体100を貫通する。このように、第1領域106の他の領域にマスク本体を貫通する第2開口パターン116dを有することで、蒸着時に被蒸着基板と蒸着マスク10の接触面積を低減することができる。
The
また、第2パターン部120の第2開口パターン116dは、第1パターン部114の第1開口パターン116pと同じ形状を有していてもよい。さらに、第2パターン部120の第2開口パターン116dは、第1パターン部114の第1開口パターン116pと同じ大きさとしてもよく、または第1パターン部114の第1開口パターン116pより小さくすることもできる。第2パターン部120の第2開口パターン116dを第1パターン部114の第1開口パターン116pと同じ大きさ、または第1パターン部114の第1開口パターン116pより小さくすることで、蒸着マスク10と被蒸着基板の高い位置合わせ精度を維持することができる。ここで、第1開口パターン116pまたは116dの大きさとは、第1開口パターン116pまたは116dの面積を示す。
Further, the
第2パターン部120の面積は、第1パターン部114の面積より小さく、第1パターン部114の面積の5%以上40%以下である。また、第2パターン部120の面積は、第1パターン部114の面積の10%以上40%以下であると好ましい。このとき、第2パターン部120の面積は、第2パターン部120が複数ある場合、複数の第2パターン部120を合わせた面積である。このように、蒸着マスク10は、第2パターン部120の面積を第1パターン部114の面積の10%以上とすることで、第1パターン部114の面積の5%以上の場合と比べより被蒸着基板との貼り付きが低減される。また、蒸着マスク10は、第2パターン部120の面積を第1パターン部114の面積の40%以下とすることで、蒸着マスク10自体の強度を維持することができる。
The area of the
第2パターン部120は、上述したように被蒸着基板の非蒸着領域に相当する第2領域108に配置され、第1パターン部114は、被蒸着基板の蒸着領域に相当する第1領域106に配置される。したがって、第2パターン部120が有する第2開口パターン116dは、第1パターン部114のダミー開口パターン116dと呼ぶことができる。
As described above, the
次に、第3領域110は、開口パターンを有しない。第3領域110は、被蒸着基板における非蒸着領域に相当する。被蒸着基板の第3領域110に相当する領域には、例えば、マスク本体に複数の基準枠112が設けられる場合、複数の基準枠112間に配置される第3領域110上で切り離すため、蒸着物の堆積がないことが好ましい。
Next, the
3.変形例
3-1.変形例1
図3を参照して、第2パターン部120の変形例を説明する。図2に示す第2パターン部120と異なる点は、第2領域108における第2パターン部120の配置と形状である。なお、図2に示す第2パターン部120と同一、または類似する構成については、説明を割愛することがある。
3. Modification 3-1. Modification example 1
A modification of the
図3は、図1に示す枠118を拡大した平面図を示す。第2パターン部120は、第2領域108の少なくとも一端(外縁)またはその近傍に配置することができる。複数の第2パターン部120が第2領域108に設けられる場合は、第2領域108の四隅またはその近傍に配置することができる。さらに、複数の第2パターン部120は、第2領域108-1および第2領域108-2にそれぞれ配置することができ、第1領域106を挟んで配置することができる。第2パターン部120が第1領域106を挟むように設ける、または、同領域内でも離隔して設けることで、第2開口パターン116dが基準枠112内に分布し、蒸着マスク10と被蒸着基板との貼り付きを抑制することができる。
FIG. 3 shows an enlarged plan view of the
第2パターン部120は、第2領域108の内側または基準枠112に沿って配置され、基準枠112と部分的に接することができる。したがって、第2パターン部120は、第2領域108の外形と重なるように配置することができる。
The
3-2.変形例2
図4を参照して、第2パターン部120の変形例を説明する。図3に示す第2パターン部120と異なる点は、第2パターン部120の配置および形状である。なお、図3に示す第2パターン部120と同一、または類似する構成については、説明を割愛することがある。
3-2. Modification example 2
A modification of the
図4は、図1に示す枠118を拡大した平面図を示す。第2パターン部120は、第2領域108-1および第2領域108-2の少なくとも一つの領域に配置される。第2パターン部120は、第2領域108の四隅のいずれかに配置またはその近傍に配置することができる。また、第2パターン部120は、図3で示す複数の第2パターン部120のうち、例えば、第2領域108-1に設けられる複数の第2パターン部120が互いに結合されるような形状とすることができる。
FIG. 4 shows an enlarged plan view of the
さらに、第2パターン部120が第2領域108に複数設けられる場合、第1領域106を挟んで配置することができる。
Furthermore, when a plurality of
3-3.変形例3
図5を参照して、第2パターン部の変形例を説明する。図2~4に示す第2パターン部120と異なる点は、第2パターン部120の配置および形状である。なお、図2~4に示す第2パターン部120と同一、または類似する構成については、説明を割愛することがある。
3-3. Modification example 3
A modification of the second pattern portion will be described with reference to FIG. 5. The difference from the
第2パターン部120は、第1領域106を囲む第4領域122に配置される。第4領域122は、第1領域106と離隔し、第4領域122と第1領域106との間に第5領域124を設けられる。第5領域124は、第1領域106を囲むように配置される。基準枠112に配置される第1領域106と第2領域108が外接しているため、第1領域106を囲む第4領域122および第5領域124は、部分的に基準枠112の外側に配置される。したがって、第5領域124を囲む第4領域122は、第2領域108または第3領域110に囲まれる。
The
第4領域122は、第2パターン部120が配置される。第2パターン部120には第2開口パターン116dが設けられる。したがって、第4領域122は第2開口パターン116dを含むことができる。第5領域124は、第1領域106と第4領域122との間に配置されるため、開口を有しない。このように第5領域124が開口を有しないことにより、第4領域122が第1領域106を囲むように配置されても、第1領域106に相当するマスク本体100の部分が抜け落ちることなく、マスク本体100の強度を保つことができる。
In the
さらに、第2パターン部120は、第4領域122および第2領域108に同時に設けることができる。ただし、第2パターン部120を複数の領域に設ける場合、第2パターン部120の面積は、上述した複数の領域に設けられた第2パターン部120の総面積とする。
Furthermore, the
以上説明したように、蒸着マスク10は、薄膜状のマスク本体に、被蒸着基板の蒸着領域に相当する第1領域106、第1領域106を囲む第2領域108、および第2領域108を囲む第3領域110を設け、第1領域106および第2領域108に開口を有することで、被蒸着基板との接触面積が低減された蒸着マスクを提供することができる。また、被蒸着基板との接触面積の低減によって、被蒸着基板との間に生じ得る摩擦帯電を防ぎ静電気の発生を抑制することのできる蒸着マスク10を提供することができる。さらに、被蒸着基板との接触面積の低減によって、被蒸着基板との貼り付きが低減した蒸着マスク10を提供することができる。また、被蒸着基板との貼り付きが低減することによって、蒸着工程における破損率が低減する蒸着マスク10を提供することができる。
As described above, the
4.製造方法
<第2実施形態>
図6~図15を参照して、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の製造方法について説明する。
4. Manufacturing method <Second embodiment>
A method for manufacturing a
図6~図15は、本発明の一実施形態に係る蒸着マスク10の製造方法を示す断面図である。また、図15に示す断面図は、図1に示すA1-A2線に沿って切断した蒸着マスク10の断面図である。
6 to 15 are cross-sectional views illustrating a method of manufacturing a
図6(A)は、第1支持基板130の第1面に、第1レジストマスク132を形成する段階を示す。第1支持基板130は金属製であり、ガラス、石英、セラミクス、プラスチックなどの絶縁物、又は、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、チタン(Ti)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、コバルト(Co)、クロム(Cr)、モリブデン(Mo)、マンガン(Mn)などの金属、若しくはこれらの合金で形成される。合金としては、例えば鉄(Fe)とクロム(Cr)を含む合金、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、およびマンガン(Mn)の合金でもよく、合金には炭素(C)が含まれていてもよい。例えば、第1支持基板130は、例えば、鉄(Fe)を主成分とし、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)を含有するステンレス鋼で形成されていてもよい。
FIG. 6A shows a step of forming a first resist
第1レジストマスク132は、感光性の樹脂材料を用い、フォトリソグラフィによって形成する。感光性の樹脂材料としては、塗布型のフォトレジスト、又はドライフィルムレジスト(DFR)を用いることができる。第1レジストマスク132は、図1において示す蒸着マスク10において、複数のマスク本体100が配置されるとき、それら(複数のマスク本体100の全部)を囲む枠状の形態を有する。
The first resist
図6(B)は、剥離層134を形成する段階を示す。剥離層134は、第1レジストマスク132が形成された第1支持基板130の第1面において、枠状の第1レジストマスク132から露出した領域に形成される。剥離層134は、例えば、マスク本体100を形成する金属材料と同じ金属材料で形成される。剥離層134は、例えば、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、チタン(Ti)、クロム(Cr)などの0価の金属材料で形成される。このような金属材料で形成される剥離層134は、めっき法によって作製することができる。例えば、剥離層134は、第1支持基板130上にニッケルめっきによって作製される。めっき法によって剥離層134を形成する際には、第1支持基板130を洗浄し、第1面に離型剤が塗布されていてもよい。
FIG. 6(B) shows the step of forming the
図6(C)は、第1レジストマスク132を除去する段階を示す。第1レジストマスク132は、剥離液により除去される。第1レジストマスク132が除去された領域には開口部136が形成される。別言すれば、第1レジストマスク132が第1支持基板130上から除去されることにより、剥離層134は開口部136を挟んで内側領域138と外側領域140に分離される。剥離層134は、20μm以上200μm以下、例えば、40μm以上150μm以下の厚さで形成される。剥離層134は、第1支持基板130上に、めっき法、スパッタリング法、または化学気相堆積(CVD)法を利用して形成される。第1支持基板130上に形成される剥離層134は、膜厚の均一性が外周部において低下する場合がある。このような場合においても、第1レジストマスク132を第1支持基板130上に設けておくことで、剥離層134を内側の領域と、外側の領域に分離することができる。
FIG. 6C shows the step of removing the first resist
図7(A)は、剥離層134の上に接着層142を設ける段階を示す。接着層142は、未露光の状態で所定の接着力又は粘着力を有するレジストフィルムを用いることが好ましい。このようなレジストフィルムとしては、例えば、ドライフィルムレジストを用いることができる。接着層142は、剥離層134の内側領域138の全面を覆い、端部が剥離層134の外側に広がる大きさを有していることが好ましい。接着層142の端部は、剥離層134の外側領域140まで広がっていてもよい。フィルム状の部材として供給される剥離層134がこのような大きさを有することで、剥離層134の内側領域を確実に覆うことができる。
FIG. 7(A) shows a step in which an
図7(B)に示すように、接着層142の外周部を未露光とし、内側領域138を露光する処理を行ってもよい。具体的には、接着層142において、剥離層134の端部と重なる領域を含む外周部144を未露光領域として、外周部144より内側の領域が露光領域となるように露光して、露光面を硬化させる処理を行ってもよい。外側領域140(露光処理される領域)は、少なくとも一部が剥離層134と重なっていることが好ましい。接着層142の選択的な露光は、フォトマスクを用いて行うことができる。接着層142として用いられる感光性のドライフィルムレジストがポジ型である場合、透光部141を囲むように遮光部145が形成された第1フォトマスク126が用いられる。
As shown in FIG. 7B, a process may be performed in which the outer peripheral portion of the
図8(A)は、第2支持基板146の第1面に接着層142を密接させて、剥離層134を第1支持基板130ごと張り合わせる段階を示す。図8(A)に示すように、第2支持基板146と接着層142を密接させ、第2支持基板146を接着層142に固定させつ。この貼り合わせ後、これらにベーク処理を行ってもよく、この場合のベーク処理の条件としては、60℃、1時間が一例として挙げられる。
FIG. 8(A) shows a step in which the
図8(B)は、剥離層134を第1支持基板130から剥離する段階を示す。剥離層134は、第1支持基板130との界面に物理的な力を作用させることで、第1支持基板130から剥離することができる。例えば、鋭利な先端を有する治具を、第1支持基板130と剥離層134との界面に押し当てて剥離のきっかけとなる部分を形成し、その後、第1支持基板130を引き剥がすように外力を加えることで、剥離層134を第1支持基板130から剥離することができる。
FIG. 8B shows the step of peeling off the
さらに、剥離層134を第1支持基板130から剥離後、第2支持基板146に残存した剥離層134の薬液処理を行ってもよい。具体的には、フォトレジストの現像液で処理(現像)すればよく、薬液には現像液だけでなく、アルカリ性溶液を用いて処理を行ってもよい。または、第2支持基板146に残存した剥離層134に露光処理を行ってもよい。
Furthermore, after peeling the
図9(A)は、剥離層134が設けられた第2支持基板146上に、第2レジストマスク152を形成する段階を示す。第2レジストマスク152は所定のパターンで形成される。すなわち、複数の第1開口パターン116pおよび第2開口パターン116d、または後述するダミーパターン部154を形成する領域に選択的に形成される。例えば、ネガ型のフォトレジストを剥離層134上に塗布し、複数の第1開口パターン116pおよび第2開口パターン116d、さらにダミーパターン部154を形成する領域が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。また、ポジ型のフォトレジストを剥離層134上に塗布し、非開口部が選択的に露光されるよう、フォトマスクを介して露光を行う。その後、現像を行うことで、パターニングされた第2レジストマスク152を得ることができる。
FIG. 9A shows a step of forming a second resist
図9(B)は、めっき法を利用し、第2レジストマスク152によって被覆されていない領域にめっきパターンを形成し、マスク本体100を形成する段階を示す。めっきパターンの形成は、一段階で行ってもよく、数段階に分けて行ってもよい。複数の段階で行う場合、異なる段階で異なる金属が形成されるよう、めっきを行ってもよい。また、めっきは、めっきパターンの上面が第2レジストマスク152の上面よりも低くなるように行ってもよく、高くなるように行ってもよい。後者の場合、表面を研磨することでめっきパターン上面の平坦化を行ってもよい。この後、図11(C)に示すように、第2レジストマスク152を剥離液によるエッチング、及び/又はアッシングによって除去することで、剥離層134上に複数の第1パターン部114によって蒸着パターンが形成されるマスク本体100を作製することができる。また、第2パターン部120についても、第1パターン部114と同様にマスク本体100に形成される。
FIG. 9B shows a step of forming the
なお、図9(B)及び図9(C)に示すように、マスク本体100を形成するとき、マスク本体100から離隔するダミーパターン部154が形成される。ダミーパターン部154は、平面視において複数のマスク本体100を囲むように構成される。ダミーパターン部154とマスク本体100は同時に形成されるため、これらは互いに同一の組成と厚さを有することができる。
Note that, as shown in FIGS. 9(B) and 9(C), when forming the mask
図10(A)は、マスク本体100の第1パターン部114を保護するための保護フィルム156の一態様を示す。保護フィルム156としては、ドライフィルムレジストを用いることができる。保護フィルム156は、例えば、光硬化性樹脂膜158が、剥離膜160と保護膜162とによって挟まれた構造を有する。光硬化性樹脂膜158には、ネガ型の光硬化性樹脂が含まれる。すなわち、光によって硬化する高分子またはオリゴマーが含まれる。光硬化性樹脂膜158の厚さは任意に選択することができ、例えば、20μm以上500μm以下、50μm以上200μm以下、又は50μm以上120μm以下の範囲から選択することができる。保護膜162は高分子材料を含む。高分子材料としては、例えばポリオレフィン、ポリイミド、ポリエステル、ポリスチレン、またはフッ素含有ポリオレフィンなどから選択することができる。
FIG. 10(A) shows one embodiment of a
図10(B)は、保護フィルム156がマスク本体100の上に配置された状態を示す。保護フィルム156は、剥離膜160を剥離した後、光硬化性樹脂膜158がマスク本体100と保護膜162によって挟まれるように配置される。保護フィルム156は、少なくとも全ての第1パターン部114を覆うように設けられる。
FIG. 10(B) shows a state in which the
次に、光硬化性樹脂膜158に対して露光を行う。具体的には、図11に示すように、遮光部145と透光部141を有する第2フォトマスク164を、透光部141が第1パターン部114と重なるように配置し、第2フォトマスク164を介して露光を行う。これにより、露光された部分の現像液に対する溶解性が低下する。
Next, the
図12(A)は、光硬化性樹脂膜158に対して露光を行った後、保護膜162を剥離して現像を行い、第1パターン部114の上に第3レジストマスク168が形成された状態を示す。剥離層134の上に複数の第1パターン部114が形成される場合には、図示されるように、それぞれの第1パターン部114ごとに第3レジストマスク168が設けられる。なお、ダミーパターン部154の上には後の工程で保持枠102が形成されるため、第3レジストマスク168は設けられていない。
FIG. 12(A) shows that after exposing the
図12(B)は、ダミーパターン部154の上に保持枠102を配置する段階を示す。保持枠102は、複数の第1パターン部114が形成されるとき、それぞれの蒸着パターンの間に配置される。保持枠102は、外郭のパターンが幅広であり、外郭のパターンの内側に形成されるパターン(第1パターン部114の間に形成されるパターン)が幅狭の形態を有していてもよい。
FIG. 12B shows a stage in which the holding
図13は、真空圧着法を用い、保持枠102とダミーパターン部154とを圧着する段階を示す。図13に示すように、第2支持基板146、接着層142、剥離層134、第1パターン部114、マスク本体100、ダミーパターン部154、および保持枠102を覆うように、保持枠102の上方にフィルム166を配置する。続いて、第2支持基板146とフィルム166との間の空気を排気(真空排気)し、フィルム166の下方側の圧力を下げる。フィルム166の上方側と下方側との圧力差により、フィルム166は第2支持基板146側に引き付けられる。フィルム166の下方側の圧力をさらに下げると、フィルム166が保持枠102を押圧する。フィルム166からの押圧を受けて、保持枠102は、ダミーパターン部154とより強く接着する。
FIG. 13 shows a step of press-bonding the holding
フィルム166の下方側の真空度は、大気圧を0kPaとしたゲージ圧において、-50kPa以下であり、好ましくは-70kPa以下であり、さらに好ましくは-90kPaである。
The degree of vacuum on the lower side of the
真空圧着後は、フィルム166を除去する。
After the vacuum pressure bonding, the
図14(A)は、めっき法を用い、接続部材104を形成する段階を示す。接続部材104は、マスク本体100の表面のうち保持枠102と第3レジストマスク168に覆われていない部分から主に成長する。その結果、図14(A)に示すように、マスク本体100の上面、および保持枠102の側面に接する接続部材104が形成される。この接続部材104により、マスク本体100と保持枠102が固定される。
FIG. 14(A) shows a step of forming the connecting
接続部材104は、その厚さが第3レジストマスク168の厚さと同じになるように形成してもよい。あるいは接続部材104は、厚さが第3レジストマスク168の厚さよりも小さくなるように形成してもよく、図14(A)に示すように、大きくなるように形成してもよい。
The
第3レジストマスク168を、剥離液を用いて剥離することで、図14(B)に示すように、第2支持基板146上に蒸着マスク10を形成することができる。その後、剥離層134を第2支持基板146から剥離し、さらに剥離層134をマスク本体100から剥離することで、図15に示す蒸着マスク10を得ることができる。
By peeling off the third resist
以上に説明したように、蒸着マスク10は製造される。
As explained above, the
上述した各実施形態の態様によりもたらされる作用効果とは異なる他の作用効果であっても、本明細書の記載から明らかなもの、又は、当業者において容易に予測し得るものについては、当然に本発明によりもたらされるものと解される。 Even if there are other effects that are different from those brought about by the aspects of each embodiment described above, those that are obvious from the description of this specification or that can be easily predicted by a person skilled in the art will naturally be included. It is understood that this is brought about by the present invention.
10:蒸着マスク、100:マスク本体、102:保持枠、104:接続部材、106:第1領域、108:第2領域、108-1:第2領域、108-2:第2領域、110:第3領域、112:基準枠、114:第1パターン部、116p:第1開口パターン、116d:第2開口パターン、118:枠、120:第2パターン部、122:第4領域、124:第5領域、126:第1フォトマスク、130:第1支持基板、132:第1レジストマスク、134:剥離層、136:開口部、138:内側領域、140:外側領域、140:ダミーパターン、141:透光部、142:接着層、144:外周部、145:遮光部、146:第2支持基板、148:内側部、150:露光領域、152:第2レジストマスク、154:ダミーパターン部、156:保護フィルム、158:光硬化性樹脂膜、160:剥離膜、162:保護膜、164:第2フォトマスク、166:フィルム、168:第3レジストマスク 10: Vapor deposition mask, 100: Mask body, 102: Holding frame, 104: Connection member, 106: First region, 108: Second region, 108-1: Second region, 108-2: Second region, 110: Third area, 112: Reference frame, 114: First pattern section, 116p: First opening pattern, 116d: Second opening pattern, 118: Frame, 120: Second pattern section, 122: Fourth area, 124: First 5 regions, 126: first photomask, 130: first support substrate, 132: first resist mask, 134: peeling layer, 136: opening, 138: inner region, 140: outer region, 140: dummy pattern, 141 : Transparent part, 142: Adhesive layer, 144: Outer peripheral part, 145: Light shielding part, 146: Second support substrate, 148: Inner part, 150: Exposure area, 152: Second resist mask, 154: Dummy pattern part, 156: Protective film, 158: Photocurable resin film, 160: Peeling film, 162: Protective film, 164: Second photomask, 166: Film, 168: Third resist mask
Claims (16)
前記マスク本体の周囲に設けられた保持枠と、
前記マスク本体と前記保持枠とを接続する接続部材と、を有し、
前記マスク本体は、基準枠に配置される第1領域および第2領域と、前記基準枠を囲む第3領域とを有し、
前記第1領域は第1パターン部を有し、
前記第2領域は第2パターン部を有する、蒸着マスク。 A thin film mask body,
a holding frame provided around the mask main body;
a connecting member connecting the mask main body and the holding frame,
The mask main body has a first region and a second region arranged in a reference frame, and a third region surrounding the reference frame,
The first region has a first pattern portion,
A vapor deposition mask, wherein the second region has a second pattern portion.
前記第2パターン部は、第2開口パターンを有し、
前記第1開口パターンと前記第2開口パターンは、同じ大きさである、請求項1に記載の蒸着マスク。 The first pattern section has a first opening pattern,
The second pattern portion has a second opening pattern,
The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the first opening pattern and the second opening pattern have the same size.
前記複数の第2パターン部は互いに離隔する、請求項1に記載の蒸着マスク。 The second region has a plurality of second pattern parts,
The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the plurality of second pattern parts are spaced apart from each other.
前記第4領域は第3パターン部を有する、請求項4に記載の蒸着マスク。 The mask body has a fourth region surrounding the first region,
The vapor deposition mask according to claim 4, wherein the fourth region has a third pattern portion.
前記第5領域は、開口を有しない、請求項10に記載の蒸着マスク。 The mask body has a fifth region between the first region and the fourth region,
The vapor deposition mask according to claim 10, wherein the fifth region has no opening.
前記第1開口パターンと前記第3開口パターンは、同じ大きさである、請求項10に記載の蒸着マスク。 The third pattern section has a third opening pattern,
The vapor deposition mask according to claim 10, wherein the first opening pattern and the third opening pattern have the same size.
前記第3領域は、前記複数の基準枠を囲む、請求項1に記載の蒸着マスク。 The mask body has a plurality of reference frames,
The vapor deposition mask according to claim 1, wherein the third region surrounds the plurality of reference frames.
The vapor deposition mask according to claim 15, comprising a plurality of said mask bodies.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022074345A JP2023163428A (en) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | vapor deposition mask |
KR1020230048661A KR20230153265A (en) | 2022-04-28 | 2023-04-13 | Deposition mask |
CN202310406122.XA CN116970900A (en) | 2022-04-28 | 2023-04-17 | Vapor deposition mask |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022074345A JP2023163428A (en) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | vapor deposition mask |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023163428A true JP2023163428A (en) | 2023-11-10 |
Family
ID=88477324
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022074345A Pending JP2023163428A (en) | 2022-04-28 | 2022-04-28 | vapor deposition mask |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023163428A (en) |
KR (1) | KR20230153265A (en) |
CN (1) | CN116970900A (en) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009087840A (en) | 2007-10-02 | 2009-04-23 | Seiko Epson Corp | Vapor deposition mask and manufacturing method of vapor deposition mask, organic el element, electronic equipment |
JP5958804B2 (en) | 2012-03-30 | 2016-08-02 | 株式会社ブイ・テクノロジー | Vapor deposition mask, vapor deposition mask manufacturing method, and organic EL display device manufacturing method |
-
2022
- 2022-04-28 JP JP2022074345A patent/JP2023163428A/en active Pending
-
2023
- 2023-04-13 KR KR1020230048661A patent/KR20230153265A/en unknown
- 2023-04-17 CN CN202310406122.XA patent/CN116970900A/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN116970900A (en) | 2023-10-31 |
KR20230153265A (en) | 2023-11-06 |
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