JP2023150690A

JP2023150690A - Resin composition for semiconductor manufacturing process

Info

Publication number: JP2023150690A
Application number: JP2022059914A
Authority: JP
Inventors: 和也岡田; Kazuya Okada
Original assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Current assignee: Mitsubishi Chemical Corp
Priority date: 2022-03-31
Filing date: 2022-03-31
Publication date: 2023-10-16

Abstract

To provide a new resin film which enables formation of a film for a semiconductor manufacturing process that is excellent in UV transmittance.SOLUTION: A resin composition for a semiconductor manufacturing process contains (A) polyaryletherketone and (B) a resin other than (A) the polyaryletherketone, and has a UV transmittance of 25% or more at the wavelength of 400 nm.SELECTED DRAWING: None

Description

本発明は、半導体を製造する工程で用いることができる組成物、及び、フィルムに関する。 The present invention relates to a composition and a film that can be used in the process of manufacturing semiconductors.

半導体デバイスの製造方法は、ウエハの厚さを調整する為の研削ステップと、個々のダイを得る為に分割ラインに沿ってウエハを切断する切断ステップとを有するのが一般的である。
研削ステップは、デバイス領域が形成されるウエハ表面、すなわち素子形成面の反対側、すなわちウエハの裏面から行われる。
この際、例えば、割れ、変形および／または破片、ウエハの研削水またはウエハの切断水による汚染から、ウエハに形成されるデバイスを保護するため、処理前にウエハ表面に保護フィルムを貼り付けることが行われている。 A method of manufacturing a semiconductor device generally includes a grinding step to adjust the thickness of the wafer and a cutting step to cut the wafer along parting lines to obtain individual dies.
The grinding step is performed from the front side of the wafer on which device regions are formed, ie, the side opposite to the element forming side, ie, the back side of the wafer.
In this case, a protective film may be applied to the wafer surface before processing, for example to protect the devices formed on the wafer from cracking, deformation and/or debris, contamination by wafer grinding water or wafer cutting water. It is being done.

また、半導体パッケージを製造するために封止層を形成する封止成形の間、リードフレームの半導体素子とは反対側の裏面への封止材の回り込みを防ぐために、リードフレームの裏面に保護フィルムを貼り付けることによって仮保護することもある。 In addition, during encapsulation molding to form an encapsulation layer for manufacturing semiconductor packages, a protective film is placed on the back side of the lead frame to prevent the encapsulant from getting around to the back side of the lead frame opposite to the semiconductor element. Temporary protection may be provided by pasting .

仮保護した状態の保護フィルムを半導体に特定の波長のＵＶを照射することで、粘着剤からガスを発生させ、保護フィルムの剥離性を向上させる方法がある。 There is a method in which gas is generated from the adhesive by irradiating the temporarily protected protective film onto the semiconductor with UV rays of a specific wavelength, thereby improving the removability of the protective film.

このように、半導体製造工程では、ウエハ乃至デバイスなどを保護するために、テープやフィルムが使用されている。本発明では、このようなテープやフィルムをまとめて「半導体製造工程用フィルム」と称する。 As described above, tapes and films are used in semiconductor manufacturing processes to protect wafers, devices, and the like. In the present invention, such tapes and films are collectively referred to as "films for semiconductor manufacturing processes."

この種の半導体製造工程用フィルムに関しては、例えば特許文献１において、被着体上にフリップチップ接続される半導体素子の裏面に配設されるフリップチップ型半導体裏面用フィルムであって、接着剤層と、この接着剤層上に積層された保護層とを備え、前記保護層は、ポリイミド、ポリフェニルスルホン、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトン及びポリエーテルエーテルケトンからなる群より選択される少なくとも１種である耐熱性樹脂から形成されるものが開示されている。 Regarding this type of film for semiconductor manufacturing processes, for example, Patent Document 1 discloses a film for the back side of a flip-chip type semiconductor that is disposed on the back side of a semiconductor element that is flip-chip connected to an adherend, and includes an adhesive layer. and a protective layer laminated on the adhesive layer, the protective layer comprising at least one selected from the group consisting of polyimide, polyphenylsulfone, polysulfone, polyetherimide, polyetherketone, and polyetheretherketone. One made of one kind of heat-resistant resin is disclosed.

この種の半導体製造工程用フィルムに関して、例えば特許文献１には、半導体ウエハに貼り付けて積層体を作製する粘着テープに関し、特殊ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド又はポリイミドからなる基材と粘着剤層を有する粘着テープが開示されている。 Regarding this type of film for semiconductor manufacturing processes, for example, Patent Document 1 describes an adhesive tape that is attached to a semiconductor wafer to produce a laminate, and describes a base material made of special polyester, polyether ether ketone, polyamide, or polyimide, and an adhesive. An adhesive tape having layers is disclosed.

また、特許文献２には、ポリエーテルエーテルケトンと膨潤性マイカからなる、高温高湿下で優れた寸法安定性を示すフィルム及び基板用材料が提示されている。 Furthermore, Patent Document 2 proposes a film and substrate material that is made of polyetheretherketone and swellable mica and exhibits excellent dimensional stability under high temperature and high humidity conditions.

特開２０１８－２０７０１１号公報Japanese Patent Application Publication No. 2018-207011 特開２００４－３２３７９７号公報Japanese Patent Application Publication No. 2004-323797

当該半導体製造工程用フィルムが、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）からなる場合、線膨張係数が大きいため、昇温及び降温が繰り返されると、例えば、半導体ウエハとガラス基材とを当該フィルムを介して貼り合わせてウエハを研磨する場合において、ガラスから当該フィルムが剥離したり、寸法安定性が悪かったりするなどの問題を生じることがあった。また、寸法安定性改良のためにマイカ等の充填材を配合すると、靭性が低下するため、保護テープ剥離時に破断しやすくなるといった課題があった。 When the film for the semiconductor manufacturing process is made of polyetheretherketone (PEEK), it has a large coefficient of linear expansion, so if the temperature is repeatedly raised and lowered, for example, the semiconductor wafer and the glass substrate may be connected through the film. When bonding and polishing a wafer, problems such as peeling of the film from the glass or poor dimensional stability may occur. Furthermore, when a filler such as mica is added to improve dimensional stability, the toughness decreases, resulting in a problem in that the protective tape is more likely to break when removed.

そこで本発明は、半導体製造工程用樹脂フィルムに関し、ＵＶ透過性に優れた半導体製造工程用フィルムを形成することができる、新たな樹脂フィルムを提供せんとするものである。 Therefore, the present invention relates to a resin film for semiconductor manufacturing processes, and aims to provide a new resin film that can form a film for semiconductor manufacturing processes with excellent UV transparency.

本発明は、ポリアリールエーテルケトンと、ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂を含み、波長４００ｎｍのＵＶ透過率が２５％以上である、半導体製造工程用樹脂組成物、及び該樹脂組成物を用いた半導体製造工程用樹脂フィルムである。すなわち、本発明は、以下の［１］～［１９］を提供する。 The present invention relates to a resin composition for semiconductor manufacturing processes, which contains polyaryletherketone and a resin other than polyaryletherketone, and has a UV transmittance of 25% or more at a wavelength of 400 nm, and a semiconductor using the resin composition. This is a resin film for manufacturing processes. That is, the present invention provides the following [1] to [19].

［１］（Ａ）ポリアリールエーテルケトン、及び（Ｂ）該（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂を含み、波長４００ｎｍのＵＶ透過率が２５％以上である、半導体製造工程用樹脂組成物。
［２］さらに（Ｃ）充填材を含む、上記［１］に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［３］前記（Ａ）ポリアリールエーテルケトンと（Ｂ）該（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂の含有質量比が９０：１０～１０：９０である、上記［１］又は［２］に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［４］前記（Ａ）と（Ｂ）の合計質量１００質量部に対して、（Ｃ）充填材の含有量が１～５０質量部である、上記［２］又は［３］に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［５］前記（Ｂ）（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂は１８０℃以上のガラス転移温度を有する、上記［１］～［４］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［６］前記（Ｂ）（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂は、非晶性樹脂である、上記［１］～［５］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［７］前記非晶性樹脂は、ポリエーテルスルホンである、上記［６］に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［８］前記非晶性樹脂は、ポリフェニルスルホンである、上記［６］に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［９］前記非晶性樹脂は、ポリスルホンである、上記［６］に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１０］前記ポリアリールエーテルケトンは、ポリエーテルエーテルケトンである、上記［１］～［９］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１１］前記充填材は、鱗片状充填材、板状充填材、薄片状充填材又はこれらの２種類以上の混合物を主成分充填材とするものである、上記［２］～［１０］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１２］前記充填材は、平均アスペクト比が１０以上である、上記［２］～［１１］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１３］前記充填材は、平均最大径が３０μｍ以下である、上記［２］～［１２］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１４］前記充填材は、平均厚さが１μｍ以下である、上記［２］～［１３］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１５］前記充填材は、マイカを主成分充填材とするものである、上記［２］～［１４］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１６］線膨張係数が９０ｐｐｍ／℃以下である、上記［１］～［１５］のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。
［１７］上記［１］～［１６］のいずれか１項に記載の樹脂組成物からなる、半導体製造工程用フィルム。
［１８］相対結晶化度が６０％以上である、上記［１７］に記載の半導体製造工程用フィルム。
［１９］ウエハ研磨用である、上記［１７］又は［１８］に記載の半導体製造工程用フィルム。 [1] A resin composition for a semiconductor manufacturing process, which contains (A) polyaryletherketone and (B) a resin other than the (A) polyaryletherketone, and has a UV transmittance of 25% or more at a wavelength of 400 nm.
[2] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to [1] above, further comprising (C) a filler.
[3] In the above [1] or [2], the content ratio of the (A) polyaryletherketone and (B) resin other than the (A) polyaryletherketone is 90:10 to 10:90. The resin composition for the semiconductor manufacturing process described above.
[4] The semiconductor according to [2] or [3] above, wherein the content of the filler (C) is 1 to 50 parts by mass relative to 100 parts by mass of the total mass of (A) and (B). Resin composition for manufacturing process.
[5] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of [1] to [4] above, wherein the resin other than the polyaryletherketone (B) and (A) has a glass transition temperature of 180°C or higher. thing.
[6] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of [1] to [5] above, wherein the resin other than the polyaryletherketone (B) and (A) is an amorphous resin.
[7] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to [6] above, wherein the amorphous resin is polyether sulfone.
[8] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to [6] above, wherein the amorphous resin is polyphenylsulfone.
[9] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to [6] above, wherein the amorphous resin is polysulfone.
[10] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of [1] to [9] above, wherein the polyaryletherketone is polyetheretherketone.
[11] The filler according to [2] to [10] above, wherein the filler has a scale-like filler, a plate-like filler, a flaky filler, or a mixture of two or more thereof as a main component filler. The resin composition for semiconductor manufacturing process according to any one of the items.
[12] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of [2] to [11] above, wherein the filler has an average aspect ratio of 10 or more.
[13] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of [2] to [12] above, wherein the filler has an average maximum diameter of 30 μm or less.
[14] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of [2] to [13] above, wherein the filler has an average thickness of 1 μm or less.
[15] The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of [2] to [14] above, wherein the filler has mica as a main component filler.
[16] The resin composition for semiconductor manufacturing processes according to any one of [1] to [15] above, which has a linear expansion coefficient of 90 ppm/°C or less.
[17] A film for semiconductor manufacturing processes, comprising the resin composition according to any one of [1] to [16] above.
[18] The film for semiconductor manufacturing process according to [17] above, which has a relative crystallinity of 60% or more.
[19] The film for semiconductor manufacturing process according to [17] or [18] above, which is used for wafer polishing.

本発明が提案する半導体製造工程用樹脂組成物によれば、耐熱性を維持しつつＵＶ透過率の高いフィルムを形成できるため、例えば製造工程後に該フィルムに接する接着剤にＵＶ照射することで、粘着剤からガスを発生させ、剥離性を向上することができる。 According to the resin composition for the semiconductor manufacturing process proposed by the present invention, it is possible to form a film with high UV transmittance while maintaining heat resistance. For example, by UV irradiating the adhesive in contact with the film after the manufacturing process, Gas can be generated from the adhesive to improve removability.

次に、本発明の実施形態の一例について説明する。但し、本発明は、次に説明する実施形態に限定されるものではない。 Next, an example of an embodiment of the present invention will be described. However, the present invention is not limited to the embodiment described below.

［半導体製造工程用樹脂組成物］
本発明の半導体製造工程用樹脂組成物（以下、「本樹脂組成物」と記載することがある。）は、（Ａ）ポリアリールエーテルケトン、及び（Ｂ）該（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂を含み、波長４００ｎｍのＵＶ透過率が２５％以上の半導体製造工程用樹脂組成物である。このような半導体製造工程用樹脂組成物は、ＵＶ透過性、線膨張係数、耐熱性、靭性などがバランスよく良好となり、例えば、半導体製造工程時の保護フィルムとして好適に使用できる。 [Resin composition for semiconductor manufacturing process]
The resin composition for semiconductor manufacturing processes of the present invention (hereinafter sometimes referred to as "the present resin composition") comprises (A) polyaryletherketone, and (B) other than the (A) polyaryletherketone. This is a resin composition for a semiconductor manufacturing process, which contains a resin of 400 nm and has a UV transmittance of 25% or more at a wavelength of 400 nm. Such a resin composition for semiconductor manufacturing processes has well-balanced UV transparency, coefficient of linear expansion, heat resistance, toughness, etc., and can be suitably used, for example, as a protective film during semiconductor manufacturing processes.

（ＵＶ透過率）
本樹脂組成物は４００ｎｍにおけるＵＶ透過率が２５％以上であり、好ましくは３０％以上、より好ましくは３５％以上、さらに好ましくは４０％以上である。ＵＶ透過率が２５％以上であるので、半導体製造工程後に本樹脂組成物からなるフィルムに接する接着剤に対して、このフィルムを貫通させてＵＶを照射することができ、粘着剤からガスを発生させて剥離性を向上させることができる。
また、本樹脂組成物は４５０ｎｍにおけるＵＶ透過率が３５％以上であることが好ましく、より好ましくは４０％以上、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは５０％以上である。４５０ｎｍにおけるＵＶ透過率が３５％以上であるので、半導体製造工程後に本樹脂組成物からなるフィルムに接する接着剤に対して、このフィルムを貫通させてＵＶを照射することができ、粘着剤からガスを発生させて剥離性を向上させることができる。
ここで、本樹脂組成物のＵＶ透過率とは、本樹脂組成物からなる厚さ５０μｍのフィルムについて得られるＵＶ透過率をいう。 (UV transmittance)
The UV transmittance of the present resin composition at 400 nm is 25% or more, preferably 30% or more, more preferably 35% or more, and even more preferably 40% or more. Since the UV transmittance is 25% or more, UV can be irradiated through the adhesive that comes into contact with the film made of this resin composition after the semiconductor manufacturing process, and gas is generated from the adhesive. It is possible to improve the releasability.
Further, the UV transmittance of the present resin composition at 450 nm is preferably 35% or more, more preferably 40% or more, still more preferably 45% or more, particularly preferably 50% or more. Since the UV transmittance at 450 nm is 35% or more, UV can be irradiated to the adhesive that is in contact with the film made of this resin composition after the semiconductor manufacturing process by penetrating this film, and gas can be removed from the adhesive. can be generated to improve releasability.
Here, the UV transmittance of the present resin composition refers to the UV transmittance obtained for a 50 μm thick film made of the present resin composition.

＜（Ａ）ポリアリールエーテルケトン＞
本発明に用いる（Ａ）ポリアリールエーテルケトンは、１つ以上のアリール基、１つ以上のエーテル基及び１つ以上のケトン基を含むモノマー単位を含有する単独重合体又は共重合体である。
例えば、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルケトンエーテルケトンケトン（ＰＥＫＥＫＫ）、ポリエーテルエーテルケトンケトン（ＰＥＥＫＫ）、ポリエーテルジフェニルエーテルケトン（ＰＥＤＥＫ）等や、これらの共重合体（例えば、ＰＥＥＫ－ＰＥＤＥＫ共重合体）を挙げることができる。中でも、耐熱性、機械特性、耐薬品性等に優れる点で、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が特に好ましい。 <(A) Polyaryletherketone>
The polyaryletherketone (A) used in the present invention is a homopolymer or copolymer containing monomer units containing one or more aryl groups, one or more ether groups, and one or more ketone groups.
For example, polyetheretherketone (PEEK), polyetherketoneketone (PEKK), polyetherketone (PEK), polyetherketoneetherketoneketone (PEKEKK), polyetheretherketoneketone (PEEKK), polyetherdiphenyl etherketone (PEDEK) ), and copolymers thereof (for example, PEEK-PEDEK copolymers). Among these, polyether ether ketone (PEEK) is particularly preferred because it has excellent heat resistance, mechanical properties, chemical resistance, and the like.

（結晶融解温度）
ポリアリールエーテルケトンの結晶融解温度（Ｔｍ）は、耐熱性の観点から、３２０℃以上であるのが好ましく、中でも３２５℃以上、その中でも３３０℃以上であるのがさらに好ましく、３３５℃以上であることが特に好ましい。他方、製膜性及び加工性の観点から、３６０℃以下であるのが好ましく、中でも３５５℃以下、その中でも３５０℃以下であるのがさらに好ましく、３４５℃以下であるのが特に好ましい。 (crystal melting temperature)
From the viewpoint of heat resistance, the crystal melting temperature (Tm) of the polyaryletherketone is preferably 320°C or higher, particularly 325°C or higher, more preferably 330°C or higher, and 335°C or higher. It is particularly preferable. On the other hand, from the viewpoint of film formability and processability, the temperature is preferably 360°C or lower, particularly 355°C or lower, more preferably 350°C or lower, and particularly preferably 345°C or lower.

＜（Ｂ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂＞
本発明に用いる（Ｂ）成分は、ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂であり、ポリアリールエーテルケトンと混合することによって、波長４００ｎｍのＵＶ透過率を２５％以上にする樹脂である。本樹脂組成物のＵＶ透過性を向上させる観点から、（Ｂ）成分は非晶性樹脂であることが好ましい。
また本樹脂組成物の耐熱性を向上させる観点から、この非晶性樹脂はガラス転移温度が１８０℃以上であることが好ましい。
非晶性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、耐熱性の観点から、１８５℃以上であるのが好ましく、１９０℃以上であることがより好ましく、その中でも２００℃以上であるのがさらに好ましく、２１０℃以上であるのが特に好ましい。他方、製膜性及び加工性の観点から、２７０℃以下であるのが好ましく、中でも２６０℃以下、その中でも２５０℃以下であるのがさらに好ましく、２４０℃以下であるのが特に好ましい。
本発明に用いる、（Ｂ）成分、すなわち（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂としては、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリスルホン（ＰＳＵ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、非晶性ポリアミド等が挙げられる。中でも、機械特性、ＵＶ透過性、ＰＥＥＫへの分散性等に優れる点で、ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、及びポリスルホン（ＰＳＵ）が好ましい。 <(B) Resin other than polyaryletherketone>
Component (B) used in the present invention is a resin other than polyaryletherketone, and is a resin that, when mixed with polyaryletherketone, has a UV transmittance of 25% or more at a wavelength of 400 nm. From the viewpoint of improving the UV transmittance of the present resin composition, the component (B) is preferably an amorphous resin.
Further, from the viewpoint of improving the heat resistance of the resin composition, it is preferable that the amorphous resin has a glass transition temperature of 180° C. or higher.
From the viewpoint of heat resistance, the glass transition temperature (Tg) of the amorphous resin is preferably 185°C or higher, more preferably 190°C or higher, and even more preferably 200°C or higher. Particularly preferred is a temperature of 210°C or higher. On the other hand, from the viewpoint of film formability and processability, the temperature is preferably 270°C or lower, especially 260°C or lower, more preferably 250°C or lower, and particularly preferably 240°C or lower.
Component (B) used in the present invention, that is, resin other than (A) polyaryletherketone, includes polyphenylsulfone (PPSU), polyethersulfone (PES), polysulfone (PSU), polyarylate (PAR), Examples include crystalline polyamide. Among these, polyphenylsulfone (PPSU), polyethersulfone (PES), and polysulfone (PSU) are preferred because they have excellent mechanical properties, UV transparency, dispersibility in PEEK, and the like.

（（Ａ）成分と（Ｂ）成分の割合）
本発明の半導体製造工程用樹脂組成物において、（Ａ）ポリアリールエーテルケトンと（Ｂ）該（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂の割合が、質量比９０：１０～１０：９０であることが好ましい。（Ａ）成分と（Ｂ）成分の樹脂の質量比割合における（Ａ）成分の上限について、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝８０：２０が好ましく、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝７０：３０がより好ましく、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝６０：４０が特に好ましい。一方、（Ａ）成分と（Ｂ）成分の樹脂の質量比割合における（Ａ）成分の下限については、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝２０：８０が好ましく、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝３０：７０がより好ましく、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝４０：６０がより好ましく、（Ａ）成分：（Ｂ）成分＝５０：５０が特に好ましい。
上記範囲内であると、ＵＶ透過性、線膨張係数、耐熱性などの各種性能をバランスよく良好にしやすくなる。 (Ratio of component (A) and component (B))
In the resin composition for semiconductor manufacturing processes of the present invention, the ratio of (A) polyaryletherketone to (B) resin other than the (A) polyaryletherketone is in a mass ratio of 90:10 to 10:90. is preferred. Regarding the upper limit of the (A) component in the mass ratio of the resins of the (A) component and the (B) component, it is preferable that the (A) component: (B) component = 80:20, and the (A) component: (B) component = 70:30 is more preferable, and component (A):component (B)=60:40 is particularly preferable. On the other hand, regarding the lower limit of the (A) component in the mass ratio of the resins of the (A) component and the (B) component, it is preferable that the (A) component: (B) component = 20:80, and the (A) component: (B) component. ) component = 30:70 is more preferred, (A) component: (B) component = 40:60 is more preferred, (A) component: (B) component = 50:50 is particularly preferred.
Within the above range, various performances such as UV transmittance, coefficient of linear expansion, and heat resistance can be easily achieved in a well-balanced manner.

＜ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）＞
本発明における（Ａ）成分である、ポリアリールエーテルケトンとしては、上述のようにポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）が最も好ましい。以下、ＰＥＥＫについて詳細に説明する。
前記ポリエーテルエーテルケトンは、少なくとも２つのエーテル基とケトン基とを構造単位として有する樹脂であればよい。中でも、熱安定性、溶融成形性、剛性、耐薬品性、耐衝撃性、耐久性に優れることから、好ましくは下記構造式（１）で表される繰り返し単位を有するものである。 <Polyetheretherketone (PEEK)>
As the polyaryletherketone which is component (A) in the present invention, polyetheretherketone (PEEK) is most preferable as described above. PEEK will be explained in detail below.
The polyetheretherketone may be any resin as long as it has at least two ether groups and a ketone group as structural units. Among these, those having a repeating unit represented by the following structural formula (1) are preferred because they are excellent in thermal stability, melt moldability, rigidity, chemical resistance, impact resistance, and durability.

（構造式（１））
(Structural formula (1))

前記構造式（１）において、Ａｒ^１～Ａｒ^３のアリーレン基は互いに異なるものであってもよいが、同一であることが好ましい。前記Ａｒ^１～Ａｒ^３のアリーレン基としては、例えばフェニレン基、ビフェニレン基等を挙げることができる。中でもフェニレン基が好ましく、ｐ－フェニレン基であることがより好ましい。 In the structural formula (1), the arylene groups Ar ¹ to Ar ³ may be different from each other, but are preferably the same. Examples of the arylene group Ar ¹ to Ar ³ include a phenylene group and a biphenylene group. Among them, a phenylene group is preferred, and a p-phenylene group is more preferred.

前記Ａｒ^１～Ａｒ^３のアリーレン基が有していてもよい置換基としては、例えばメチル基、エチル基等の炭素原子数１～２０のアルキル基や、メトキシ基、エトキシ基等の炭素原子数１～２０のアルコキシ基等を挙げることができる。なお、Ａｒ^１～Ａｒ^３が置換基を有する場合、その置換基の数には特に制限はない。 Examples of the substituents that the Ar ¹ to Ar ³ arylene groups may have include alkyl groups having 1 to 20 carbon atoms such as methyl and ethyl groups, and carbon atoms such as methoxy and ethoxy groups. Examples include 1 to 20 alkoxy groups. Note that when Ar ¹ to Ar ³ have a substituent, the number of the substituents is not particularly limited.

なかでも、下記構造式（２）で表される繰り返し単位を有するポリエーテルエーテルケトンが、熱安定性、溶融成形性、剛性、耐薬品性、耐衝撃性、耐久性の観点から好ましい。 Among these, polyetheretherketone having a repeating unit represented by the following structural formula (2) is preferred from the viewpoints of thermal stability, melt moldability, rigidity, chemical resistance, impact resistance, and durability.

（構造式（２））
(Structural formula (2))

（分子量分布）
前記ポリエーテルエーテルケトンの分子量分布は３．３以上であることが好ましく、３．５以上であることがより好ましく、３．６以上であることがさらに好ましく、３．８以上であることが特に好ましく、４以上であることが最も好ましい。分子量分布が前記下限値以上であれば、低分子量成分を充分な量含むため、結晶化度や結晶化速度を高めることができ、ひいては、耐熱性や剛性、生産性の向上に繋がりやすい傾向となる。
一方、ポリエーテルエーテルケトンの分子量分布は８以下であることが好ましく、７以下であることがより好ましく、６．５以下であることがさらに好ましく、６以下であることが特に好ましく、５．５以下であることが最も好ましい。ポリエーテルエーテルケトンの分子量分布の上限が前記数値以下であれば、高分子量成分と低分子量成分の割合が多すぎないため、結晶化度と流動性、機械特性のバランスに優れる傾向がある。なお、前記分子量分布とは、質量平均分子量を数平均分子量で除したものである。 (molecular weight distribution)
The molecular weight distribution of the polyetheretherketone is preferably 3.3 or more, more preferably 3.5 or more, even more preferably 3.6 or more, particularly 3.8 or more. It is preferably 4 or more, and most preferably 4 or more. If the molecular weight distribution is above the lower limit, it will contain a sufficient amount of low molecular weight components, which will increase the crystallinity and crystallization rate, which will tend to lead to improvements in heat resistance, rigidity, and productivity. Become.
On the other hand, the molecular weight distribution of polyetheretherketone is preferably 8 or less, more preferably 7 or less, even more preferably 6.5 or less, particularly preferably 6 or less, and 5.5 or less. The following is most preferable. If the upper limit of the molecular weight distribution of polyether ether ketone is below the above-mentioned value, the ratio of high molecular weight components to low molecular weight components will not be too high, and the balance between crystallinity, fluidity, and mechanical properties will tend to be excellent. Note that the molecular weight distribution is the mass average molecular weight divided by the number average molecular weight.

（質量平均分子量）
ポリエーテルエーテルケトンの質量平均分子量は、１５００００以下であることが好ましく、１３００００以下であることがより好ましく、１２００００以下であることがさらに好ましく、１１００００以下であることが特に好ましい。ポリエーテルエーテルケトンの質量平均分子量が前記数値以下であれば、結晶化度や結晶化速度、溶融成形時の流動性に優れる傾向となる。
一方、該質量平均分子量は、１００００以上であることが好ましく、３００００以上であることがより好ましく、４００００以上であることがさらに好ましく、５００００以上であることが特に好ましく、６００００以上であることが最も好ましい。質量平均分子量が前記数値以上であれば、耐久性、耐衝撃性等の機械特性に優れる傾向となる。 (mass average molecular weight)
The mass average molecular weight of the polyetheretherketone is preferably 150,000 or less, more preferably 130,000 or less, even more preferably 120,000 or less, and particularly preferably 110,000 or less. If the mass average molecular weight of the polyetheretherketone is below the above-mentioned value, it tends to be excellent in crystallinity, crystallization rate, and fluidity during melt molding.
On the other hand, the mass average molecular weight is preferably 10,000 or more, more preferably 30,000 or more, even more preferably 40,000 or more, particularly preferably 50,000 or more, and most preferably 60,000 or more. preferable. If the mass average molecular weight is greater than or equal to the above value, mechanical properties such as durability and impact resistance will tend to be excellent.

本発明における質量平均分子量と数平均分子量は、ゲル浸透クロマトグラフィーを用いて測定することにより得られる。 The mass average molecular weight and number average molecular weight in the present invention are obtained by measuring using gel permeation chromatography.

（結晶融解熱量）
ポリエーテルエーテルケトンの結晶融解熱量は、３２Ｊ／ｇ以上であることが好ましく、３４Ｊ／ｇ以上であることがより好ましく、３６Ｊ／ｇ以上であることがさらに好ましく、３８Ｊ／ｇ以上であることが特に好ましく、４０Ｊ／ｇ以上であることが最も好ましい。ポリエーテルエーテルケトンの結晶融解熱量が前記下限値以上であれば、本樹脂組成物から得られるフィルム等は充分な結晶化度を有し、ひいては耐熱性と剛性に優れる傾向となる。
一方、ポリエーテルエーテルケトンの結晶融解熱量は６０Ｊ／ｇ以下であることが好ましく、５８Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、５６Ｊ／ｇ以下であることがさらに好ましく、５４Ｊ／ｇ以下であることが特に好ましい。ポリエーテルエーテルケトンの結晶融解熱量が前記上限値以下であれば、結晶化度が高すぎないため、本樹脂を成形する際の溶融成形性に優れる傾向となり、得られるフィルムは耐久性、耐衝撃性に優れる傾向となる。 (Crystal fusion heat)
The heat of crystal fusion of polyetheretherketone is preferably 32 J/g or more, more preferably 34 J/g or more, even more preferably 36 J/g or more, and even more preferably 38 J/g or more. It is particularly preferable, and most preferably 40 J/g or more. When the heat of crystal fusion of the polyetheretherketone is equal to or higher than the lower limit, the film obtained from the resin composition has a sufficient degree of crystallinity, and thus tends to have excellent heat resistance and rigidity.
On the other hand, the heat of crystal fusion of polyetheretherketone is preferably 60 J/g or less, more preferably 58 J/g or less, even more preferably 56 J/g or less, and 54 J/g or less. is particularly preferred. If the heat of crystal fusion of polyetheretherketone is below the above upper limit, the degree of crystallinity is not too high, so it tends to have excellent melt moldability when molding this resin, and the resulting film has good durability and impact resistance. It tends to be superior in sex.

なお、本発明における結晶融解熱量は、ＪＩＳＫ７１２２：２０１２に準じて、示差走査熱量計（例えば、パーキンエルマー社製Ｐｙｒｉｓ１ＤＳＣ）を用いて、温度範囲２３～４００℃まで速度１０℃／分で昇温した後、速度１０℃／分で２３℃まで降温し、再度４００℃まで速度１０℃／分で昇温した際に検出されるＤＳＣ曲線の融解ピークの面積から求めることができる。 The heat of crystal fusion in the present invention is determined by increasing the heat of crystal fusion at a rate of 10°C/min to a temperature range of 23 to 400°C using a differential scanning calorimeter (for example, PerkinElmer Pyris1 DSC) in accordance with JIS K7122:2012. After heating, the temperature can be lowered to 23°C at a rate of 10°C/min, and the temperature can be determined from the area of the melting peak in the DSC curve detected when the temperature is raised again to 400°C at a rate of 10°C/min.

（結晶化温度）
ポリエーテルエーテルケトンの降温過程における結晶化温度（Ｔｃ）は２８０℃以上であることが好ましく、２８５℃以上であることがより好ましく、２８７℃以上であることがさらに好ましく、２９０℃以上であることが特に好ましく、２９２℃以上であることが最も好ましい。ポリエーテルエーテルケトンの降温過程における結晶化温度が前記温度以上であれば、結晶化速度が大きく、本樹脂組成物から得られるフィルムを成形する際の生産性に優れる傾向となる。具体的には、例えばフィルムを作製する場合であれば、キャストロールの温度（冷却温度）をガラス転移温度以上、結晶融解温度以下の温度に設定することで、キャストロールに樹脂が接触している間に結晶化が促進され結晶化フィルムが得られる。そして、降温過程における結晶化温度が前記温度以上であれば、結晶化速度が大きく、キャストロールで結晶化を終えることができるため弾性率が高くなり、結果としてロールへの貼り付きが抑えられ、フィルムの外観が良くなる傾向となる。 (crystallization temperature)
The crystallization temperature (Tc) of the polyether ether ketone in the cooling process is preferably 280°C or higher, more preferably 285°C or higher, even more preferably 287°C or higher, and 290°C or higher. is particularly preferred, and most preferably 292°C or higher. If the crystallization temperature of the polyetheretherketone during the cooling process is equal to or higher than the above temperature, the crystallization rate will be high and the productivity will tend to be excellent when molding a film obtained from the present resin composition. Specifically, for example, when producing a film, the temperature of the cast roll (cooling temperature) is set to a temperature above the glass transition temperature and below the crystal melting temperature, so that the resin is in contact with the cast roll. During this time, crystallization is promoted and a crystallized film is obtained. If the crystallization temperature in the cooling process is above the above temperature, the crystallization rate is high and the crystallization can be completed with the cast roll, resulting in a high elastic modulus, and as a result, sticking to the roll is suppressed. The appearance of the film tends to improve.

一方、降温過程における結晶化温度は３２０℃以下であることが好ましく、３１５℃以下であることがより好ましく、３１２℃以下であることがさらに好ましく、３１０℃以下であることが特に好ましい。ポリエーテルエーテルケトンの降温過程における結晶化温度が前記温度以下であれば、結晶化が速すぎないため、フィルム等の整形品を作製する際の冷却ムラが少なくなり、均一に結晶化した、加熱寸法安定にも優れる高品質な成形品が得られやすくなる。 On the other hand, the crystallization temperature in the cooling process is preferably 320°C or lower, more preferably 315°C or lower, even more preferably 312°C or lower, and particularly preferably 310°C or lower. If the crystallization temperature of polyetheretherketone during the cooling process is below the above temperature, crystallization will not be too fast, which will reduce uneven cooling when producing shaped products such as films, resulting in uniform crystallization and heating. It becomes easier to obtain high-quality molded products with excellent dimensional stability.

なお、本発明では、降温過程における結晶化温度は、ＪＩＳＫ７１２１：２０１２に準じて、示差走査熱量計（例えば、パーキンエルマー社製Ｐｙｒｉｓ１ＤＳＣ）を用いて、温度範囲２３～４００℃まで速度１０℃／分で昇温した後、速度１０℃／分で２３℃まで降温し、再度４００℃まで速度１０℃／分で昇温した際に検出されるＤＳＣ曲線の結晶化ピークのピークトップ温度から求めることができる。 In the present invention, the crystallization temperature in the cooling process is determined at a rate of 10°C in the temperature range of 23 to 400°C using a differential scanning calorimeter (for example, Pyris1 DSC manufactured by PerkinElmer) in accordance with JIS K7121:2012. It is determined from the peak top temperature of the crystallization peak in the DSC curve detected when the temperature is raised at a rate of 10°C/min, then lowered to 23°C at a rate of 10°C/min, and then raised again to 400°C at a rate of 10°C/min. be able to.

なお、本発明におけるガラス転移温度は、ＪＩＳＫ７１２１：２０１２に準じて、示差走査熱量計（例えば、パーキンエルマー社製Ｐｙｒｉｓ１ＤＳＣ）を用いて、温度範囲２３～３８０℃まで速度１０℃／分で昇温した後、速度１０℃／分で２３℃まで降温し、再度３８０℃まで速度１０℃／分で昇温した際に検出されるＤＳＣ曲線から求めることができる。 The glass transition temperature in the present invention is determined by increasing the temperature at a rate of 10°C/min to a temperature range of 23 to 380°C using a differential scanning calorimeter (for example, PerkinElmer Pyris1 DSC) in accordance with JIS K7121:2012. After heating, the temperature can be lowered to 23°C at a rate of 10°C/min, and the temperature can be determined from a DSC curve detected when the temperature is raised again to 380°C at a rate of 10°C/min.

次に、本発明における（Ｂ）成分である、（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂としては、上述のようにポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、及びポリスルホン（ＰＳＵ）が特に好ましい。以下、ＰＰＳＵ、ＰＥＳ及びＰＳＵについて詳細に説明する。 Next, as the resin other than (A) polyaryletherketone, which is the (B) component in the present invention, polyphenylsulfone (PPSU), polyethersulfone (PES), and polysulfone (PSU) are used as described above. Particularly preferred. Hereinafter, PPSU, PES, and PSU will be explained in detail.

＜ＰＰＳＵ＞
ＰＰＳＵ（ポリフェニルスルホン）は、下記式（ａ－１）で示される繰り返し単位を有する。 <PPSU>
PPSU (polyphenylsulfone) has a repeating unit represented by the following formula (a-1).

ポリフェニルスルホンの繰り返し単位（ａ－１）の合計数（重合度）は、１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。一方、５００以下であることが好ましく、３００以下であることがより好ましく、１００以下であることが更に好ましく、８０以下であることが特に好ましい。ポリフェニルスルホンの繰り返し単位（ａ－１）の合計数（重合度）がかかる範囲であれば、本発明の樹脂フィルムは耐熱性や耐衝撃性に優れる上、溶融時の粘度が高すぎないため溶融成形性に優れたものとなりやすい。 The total number (degree of polymerization) of repeating units (a-1) of polyphenylsulfone is preferably 10 or more, more preferably 20 or more. On the other hand, it is preferably 500 or less, more preferably 300 or less, even more preferably 100 or less, and particularly preferably 80 or less. If the total number (degree of polymerization) of repeating units (a-1) of polyphenylsulfone is within this range, the resin film of the present invention has excellent heat resistance and impact resistance, and the viscosity when melted is not too high. It tends to have excellent melt moldability.

なお、ポリフェニルスルホンは、繰り返し単位（ａ－１）以外の繰り返し単位を含むものであってもよいが、ポリフェニルスルホンを用いることによる本発明の効果をより確実に得る観点から、ポリフェニルスルホン中の繰り返し単位（ａ－１）以外の繰り返し単位は、全繰り返し単位中に４０モル％以下、更には３０モル％以下、特に０～２０モル％であることが好ましい。 Note that polyphenylsulfone may contain repeating units other than the repeating unit (a-1), but from the viewpoint of more reliably obtaining the effects of the present invention by using polyphenylsulfone, polyphenylsulfone The content of repeating units other than repeating unit (a-1) in the total repeating units is preferably 40 mol% or less, more preferably 30 mol% or less, particularly 0 to 20 mol%.

（ガラス転移温度（Ｔｇ））
ポリフェニルスルホンのガラス転移温度は、１８０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることが更に好ましく、２１０℃以上であることが特に好ましい。
一方、ガラス転移温度は、３００℃以下であることが好ましく、２８０℃以下であることがより好ましく、２６０℃以下であることが更に好ましく、２５０℃以下であることが特に好ましく、２４０℃以下であることがとりわけ好ましい。
ポリフェニルスルホンのガラス転移温度がかかる範囲であれば、本発明の樹脂フィルムは耐熱性に優れる上、溶融時の粘度が高すぎないため溶融成形性に優れたものとなりやすい。 (Glass transition temperature (Tg))
The glass transition temperature of polyphenylsulfone is preferably 180°C or higher, more preferably 190°C or higher, even more preferably 200°C or higher, and particularly preferably 210°C or higher.
On the other hand, the glass transition temperature is preferably 300°C or lower, more preferably 280°C or lower, even more preferably 260°C or lower, particularly preferably 250°C or lower, and 240°C or lower. It is particularly preferred that there be.
If the glass transition temperature of polyphenylsulfone is within this range, the resin film of the present invention will not only have excellent heat resistance, but also will tend to have excellent melt moldability since the viscosity at the time of melting is not too high.

（結晶融解熱量）
ポリフェニルスルホンの結晶融解熱量は、１０Ｊ／ｇ以下であることが好ましく、５Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、更に好ましくは０Ｊ／ｇ、すなわち、実質的に非晶性であることが更に好ましい。結晶融解熱量が１０Ｊ／ｇ以下であれば、本発明の樹脂フィルムの結晶化が抑えられるため、結晶化による成形収縮や透明性の悪化を抑制しやすい傾向となる。 (Crystal fusion heat)
The heat of crystal fusion of polyphenylsulfone is preferably 10 J/g or less, more preferably 5 J/g or less, even more preferably 0 J/g, that is, it is further preferable that it is substantially amorphous. preferable. When the heat of crystal fusion is 10 J/g or less, crystallization of the resin film of the present invention is suppressed, and therefore molding shrinkage and deterioration of transparency due to crystallization tend to be suppressed.

なお、本発明におけるガラス転移温度は、ＪＩＳＫ７１２１：２０１２に準じて、示差走査熱量計（例えば、パーキンエルマー社製Ｐｙｒｉｓ１ＤＳＣ）を用いて、温度範囲２３～３８０℃まで速度１０℃／分で昇温した後、速度１０℃／分で２３℃まで降温し、再度３８０℃まで速度１０℃／分で昇温した際に検出されるＤＳＣ曲線から求めることができる。
また、結晶融解熱量は、ＪＩＳＫ７１２２：２０１２に準じて、示差走査熱量計を用いて、温度範囲０～３８０℃、加熱速度１０℃／分で昇温させた際に検出されたＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｃａｎｎｉｎｇｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）曲線から求められる。以下においても同様である。 The glass transition temperature in the present invention is determined by increasing the temperature at a rate of 10°C/min to a temperature range of 23 to 380°C using a differential scanning calorimeter (for example, PerkinElmer Pyris1 DSC) in accordance with JIS K7121:2012. After heating, the temperature can be lowered to 23°C at a rate of 10°C/min, and the temperature can be determined from a DSC curve detected when the temperature is raised again to 380°C at a rate of 10°C/min.
In addition, the heat of crystal fusion is determined by DSC (Differential scanning calorimetry) detected when the temperature is raised at a heating rate of 10°C/min in a temperature range of 0 to 380°C using a differential scanning calorimeter in accordance with JIS K7122:2012. calorimetry) curve. The same applies to the following.

例えば、ポリフェニルスルホンとして好ましく用いられるポリビフェニルエーテルスルホンは、公知の製法により製造することができる（例えば、米国特許第４００８２０３号明細書、米国特許第４１０８８３７号明細書、米国特許第４１７５１７５号明細書等参照）。さらに、ポリビフェニルエーテルスルホンとしては、市販品を用いることもできる。ポリビフェニルエーテルスルホンの市販品の例としては、例えば、ソルベイ社製「レーデル」シリーズ、ＢＡＳＦ社製「ＵｌｔｒａｓｏｎＰ」シリーズ、山東浩然特塑股▲分▼有限公司社製「Ｐ」シリーズ、ＵＪＵ社製「ＰＡＲＹＬＳ」シリーズ等が挙げられる。 For example, polybiphenyl ether sulfone, which is preferably used as polyphenylsulfone, can be produced by a known manufacturing method (for example, U.S. Pat. No. 4,008,203, U.S. Pat. No. 4,108,837, U.S. Pat. No. 4,175,175). etc.). Furthermore, commercially available products can also be used as the polybiphenyl ether sulfone. Examples of commercially available polybiphenyl ether sulfones include the "Radel" series manufactured by Solvay, the "Ultrason P" series manufactured by BASF, the "P" series manufactured by Shandong Haoran Special Plastic Co., Ltd., and the "P" series manufactured by UJU. Examples include the "PARYLS" series manufactured by Manufacturer.

ポリフェニルスルホンは、１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。 One type of polyphenylsulfone may be used alone, or two or more types may be used in combination.

＜ＰＥＳ＞
ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）は、下記式（ａ－２）で示される繰り返し単位を有する。 <PES>
PES (polyether sulfone) has a repeating unit represented by the following formula (a-2).

ポリエーテルスルホンの繰り返し単位（ａ－２）の合計数（重合度）は、１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。一方、５００以下であることが好ましく、３００以下であることがより好ましく、１００以下であることが更に好ましく、８０以下であることが特に好ましい。ポリエーテルスルホンの繰り返し単位（ａ－２）の合計数（重合度）がかかる範囲であれば、本発明の樹脂フィルムは耐熱性や耐衝撃性に優れる上、溶融時の粘度が高すぎないため溶融成形性に優れたものとなりやすい。 The total number of repeating units (a-2) (degree of polymerization) of the polyether sulfone is preferably 10 or more, more preferably 20 or more. On the other hand, it is preferably 500 or less, more preferably 300 or less, even more preferably 100 or less, and particularly preferably 80 or less. If the total number (degree of polymerization) of repeating units (a-2) of polyether sulfone is within this range, the resin film of the present invention has excellent heat resistance and impact resistance, and the viscosity when melted is not too high. It tends to have excellent melt moldability.

なお、ポリエーテルスルホンは、繰り返し単位（ａ－２）以外の繰り返し単位を含むものであってもよいが、ポリエーテルスルホンを用いることによる本発明の効果をより確実に得る観点から、ポリエーテルスルホン中の繰り返し単位（ａ－２）以外の繰り返し単位は、全繰り返し単位中に４０モル％以下、更には３０モル％以下、特に０～２０モル％であることが好ましい。 Note that polyether sulfone may contain repeating units other than repeating unit (a-2), but from the viewpoint of more reliably obtaining the effects of the present invention by using polyether sulfone, polyether sulfone The content of repeating units other than repeating unit (a-2) in the total repeating units is preferably 40 mol% or less, more preferably 30 mol% or less, particularly 0 to 20 mol%.

（ガラス転移温度（Ｔｇ））
ポリエーテルスルホンのガラス転移温度は、１８０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることが更に好ましく、２１０℃以上であることが特に好ましい。
一方、ガラス転移温度は、３００℃以下であることが好ましく、２８０℃以下であることがより好ましく、２６０℃以下であることが更に好ましく、２５０℃以下であることが特に好ましく、２４０℃以下であることがとりわけ好ましい。
ポリエーテルスルホンのガラス転移温度がかかる範囲であれば、本発明の樹脂フィルムは耐熱性に優れる上、溶融時の粘度が高すぎないため溶融成形性に優れたものとなりやすい。 (Glass transition temperature (Tg))
The glass transition temperature of polyether sulfone is preferably 180°C or higher, more preferably 190°C or higher, even more preferably 200°C or higher, and particularly preferably 210°C or higher.
On the other hand, the glass transition temperature is preferably 300°C or lower, more preferably 280°C or lower, even more preferably 260°C or lower, particularly preferably 250°C or lower, and 240°C or lower. It is particularly preferred that there be.
If the glass transition temperature of polyether sulfone is within this range, the resin film of the present invention will not only have excellent heat resistance, but also will tend to have excellent melt moldability since the viscosity at the time of melting is not too high.

（結晶融解熱量）
ポリエーテルスルホンの結晶融解熱量は、１０Ｊ／ｇ以下であることが好ましく、５Ｊ／ｇ以下であることがより好ましく、更に好ましくは０Ｊ／ｇ、すなわち、実質的に非晶性であることが更に好ましい。結晶融解熱量が１０Ｊ／ｇ以下であれば、本発明の樹脂フィルムの結晶化が抑えられるため、結晶化による成形収縮や透明性の悪化を抑制しやすい傾向となる。 (Crystal fusion heat)
The heat of crystal fusion of the polyether sulfone is preferably 10 J/g or less, more preferably 5 J/g or less, even more preferably 0 J/g, that is, it is further preferable that it is substantially amorphous. preferable. When the heat of crystal fusion is 10 J/g or less, crystallization of the resin film of the present invention is suppressed, and therefore molding shrinkage and deterioration of transparency due to crystallization tend to be suppressed.

なお、本発明におけるガラス転移温度は、ＪＩＳＫ７１２１：２０１２に準じて、示差走査熱量計（例えば、パーキンエルマー社製Ｐｙｒｉｓ１ＤＳＣ）を用いて、温度範囲２３～３８０℃まで速度１０℃／分で昇温した後、速度１０℃／分で２３℃まで降温し、再度３８０℃まで速度１０℃／分で昇温した際に検出されるＤＳＣ曲線から求めることができる。また、結晶融解熱量は、ＪＩＳＫ７１２２：２０１２に準じて、示差走査熱量計を用いて、温度範囲０～３８０℃、加熱速度１０℃／分で昇温させた際に検出されるＤＳＣ（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌｓｃａｎｎｉｎｇｃａｌｏｒｉｍｅｔｒｙ）曲線から求められる。以下においても同様である。 The glass transition temperature in the present invention is determined by increasing the temperature at a rate of 10°C/min to a temperature range of 23 to 380°C using a differential scanning calorimeter (for example, PerkinElmer Pyris1 DSC) in accordance with JIS K7121:2012. After heating, the temperature can be lowered to 23°C at a rate of 10°C/min, and the temperature can be determined from a DSC curve detected when the temperature is raised again to 380°C at a rate of 10°C/min. In addition, the heat of crystal fusion is determined by DSC (Differential scanning calorimetry), which is detected when the temperature is raised at a heating rate of 10°C/min in a temperature range of 0 to 380°C using a differential scanning calorimeter in accordance with JIS K7122:2012. calorimetry) curve. The same applies to the following.

＜ＰＳＵ＞
ＰＳＵ（ポリスルホン）は、下記式（ａ－３）で示される繰り返し単位を有する。 <PSU>
PSU (polysulfone) has a repeating unit represented by the following formula (a-3).

ポリスルホンの繰り返し単位（ａ－３）の合計数（重合度）は、１０以上であることが好ましく、２０以上であることがより好ましい。一方、５００以下であることが好ましく、３００以下であることがより好ましく、１００以下であることが更に好ましく、８０以下であることが特に好ましい。ポリスルホンの繰り返し単位（ａ－３）の合計数（重合度）がかかる範囲であれば、本発明の樹脂フィルムは耐熱性や耐衝撃性に優れる上、溶融時の粘度が高すぎないため溶融成形性に優れたものとなりやすい。 The total number (degree of polymerization) of repeating units (a-3) of polysulfone is preferably 10 or more, more preferably 20 or more. On the other hand, it is preferably 500 or less, more preferably 300 or less, even more preferably 100 or less, and particularly preferably 80 or less. If the total number (degree of polymerization) of polysulfone repeating units (a-3) is within this range, the resin film of the present invention has excellent heat resistance and impact resistance, and the viscosity when melted is not too high, so it can be melt-molded. It tends to be of good quality.

なお、ポリスルホンは、繰り返し単位（ａ－３）以外の繰り返し単位を含むものであってもよいが、ポリスルホンを用いることによる本発明の効果をより確実に得る観点から、ポリフェニルスルホン中の繰り返し単位（ａ－３）以外の繰り返し単位は、全繰り返し単位中に４０モル％以下、更には３０モル％以下、特に０～２０モル％であることが好ましい。 Note that polysulfone may contain repeating units other than repeating unit (a-3), but from the viewpoint of more reliably obtaining the effects of the present invention by using polysulfone, repeating units in polyphenylsulfone The content of repeating units other than (a-3) is preferably 40 mol% or less, more preferably 30 mol% or less, particularly 0 to 20 mol% in all repeating units.

（ガラス転移温度（Ｔｇ））
ポリスルホンのガラス転移温度は、１８０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることが更に好ましく、２１０℃以上であることが特に好ましい。
一方、ガラス転移温度は、３００℃以下であることが好ましく、２８０℃以下であることがより好ましく、２６０℃以下であることが更に好ましく、２５０℃以下であることが特に好ましく、２４０℃以下であることがとりわけ好ましい。
ポリスルホンのガラス転移温度がかかる範囲であれば、本発明の樹脂フィルムは耐熱性に優れる上、溶融時の粘度が高すぎないため溶融成形性に優れたものとなりやすい。 (Glass transition temperature (Tg))
The glass transition temperature of polysulfone is preferably 180°C or higher, more preferably 190°C or higher, even more preferably 200°C or higher, and particularly preferably 210°C or higher.
On the other hand, the glass transition temperature is preferably 300°C or lower, more preferably 280°C or lower, even more preferably 260°C or lower, particularly preferably 250°C or lower, and 240°C or lower. It is particularly preferred that there be.
If the glass transition temperature of polysulfone is within this range, the resin film of the present invention will not only have excellent heat resistance, but also will tend to have excellent melt moldability because the viscosity at the time of melting is not too high.

＜充填材＞
本発明の半導体製造工程用樹脂組成物は、上記（Ａ）成分、（Ｂ）成分に加えて、（Ｃ）充填材を添加することが好ましい。（Ｃ）充填材の添加によって、線膨張係数を小さくすることができる。
充填材としては、特に限定はなく、有機充填材であっても無機充填材であってもよい。
前記充填材の例としては、クレー、ガラス、アルミナ、シリカ、窒化アルミニウム、窒化珪素などの無機充填材、ガラス繊維やアラミド繊維、炭素繊維、チタン酸カリウム繊維などの繊維、鱗片状、板状又は薄片状のもの、好ましくは無機の鱗片状、板状又は薄片状の粉体、例えば、（合成）マイカ、天然マイカ、ベーマイト、タルク、セリサイト、イライト、カオリナイト、モンモリロナイト、バーミキュライト、スメクタイト、板状アルミナ、鱗片状チタン酸塩（例えば、鱗片状チタン酸マグネシウムカリウム、鱗片状チタン酸リチウムカリウム等）などを挙げることができる。 <Filling material>
In addition to the above-mentioned (A) component and (B) component, it is preferable that the resin composition for semiconductor manufacturing processes of the present invention contains a (C) filler. (C) The coefficient of linear expansion can be reduced by adding a filler.
The filler is not particularly limited and may be an organic filler or an inorganic filler.
Examples of the filler include inorganic fillers such as clay, glass, alumina, silica, aluminum nitride, and silicon nitride; fibers such as glass fiber, aramid fiber, carbon fiber, and potassium titanate fiber; Flaky materials, preferably inorganic flaky, plate-like or flaky powders, such as (synthetic) mica, natural mica, boehmite, talc, sericite, illite, kaolinite, montmorillonite, vermiculite, smectite, plate Examples include flaky alumina, flaky titanate (eg, flaky magnesium potassium titanate, flaky lithium potassium titanate, etc.).

中でも、機械的強度、耐熱性、製膜性に優れ、線膨張係数が低い点から、マイカが主成分充填材であるのが好ましい。
この際、主成分充填材とは、充填材を構成する種類の中で含有量が最も多い種類の充填材の意味であり、好ましくは、充填材の５０質量％以上、より好ましくは６０質量％以上、さらに好ましくは７０質量％以上、よりさらに好ましくは８０質量％以上、特に好ましくは９０質量％以上、最も好ましくは９５質量％以上（１００質量％を含む）を占める種類のものである。他の主成分充填材についても同様である。 Among these, mica is preferably used as the main filler because it has excellent mechanical strength, heat resistance, and film formability, and has a low coefficient of linear expansion.
In this case, the main component filler means the type of filler that has the highest content among the types that constitute the filler, and is preferably 50% by mass or more, more preferably 60% by mass of the filler. The above-mentioned types preferably account for 70% by mass or more, even more preferably 80% by mass or more, particularly preferably 90% by mass or more, and most preferably 95% by mass or more (including 100% by mass). The same applies to other main component fillers.

前記充填材は、異方性が少なくて、フィルム等の成形品の寸法変化をより抑えることができ、フィルムの製膜性、特に薄膜フィルムの製膜性に優れる観点から、鱗片状充填材、板状充填材、薄片状充填材又はこれらの２種類以上の混合物を主成分充填材とするものが好ましい。 The filler has less anisotropy, can further suppress dimensional changes in molded products such as films, and has excellent film formability, particularly thin film formability, from the viewpoint of scaly fillers, Preferably, the main filler is a plate-like filler, a flaky filler, or a mixture of two or more thereof.

よって、主成分充填材としては、例えば、鱗片状または薄片状のマイカ、板状または薄片状の二酸化チタン、チタン酸カリウム、チタン酸リチウム、ベーマイト、γ－アルミナ及びα－アルミナ等が好ましく用いられ、中でも鱗片状または薄片状のマイカが特に好ましい。 Therefore, as the main component filler, for example, scaly or flaky mica, plate-like or flaky titanium dioxide, potassium titanate, lithium titanate, boehmite, γ-alumina, α-alumina, etc. are preferably used. Among these, flaky or flaky mica is particularly preferred.

（平均アスペクト比）
本発明のフィルムの寸法変化をより抑えることができる観点から、充填材の平均アスペクト比（最大径／厚さの平均値）は１０以上であるのが好ましく、中でも２０上、その中でも２５以上であるのがさらに好ましく、３０以上であるのが特に好ましい。他方、異方性の観点から、１００以下であるのが好ましく、中でも８０以下、その中でも６０以下であるのがさらに好ましく、５０以下であるのが特に好ましい。
なお、充填材の平均アスペクト比とは、複数の充填材粒子のアスペクト比の平均を意味し、具体的には、後述する各充填材粒子の最大径と厚さの測定結果から算出することができる。 (average aspect ratio)
From the viewpoint of being able to further suppress dimensional changes in the film of the present invention, the average aspect ratio (average value of maximum diameter/thickness) of the filler is preferably 10 or more, especially 20 or more, and especially 25 or more. It is more preferable that the number is 30 or more, and it is particularly preferable that the number is 30 or more. On the other hand, from the viewpoint of anisotropy, it is preferably 100 or less, especially 80 or less, more preferably 60 or less, and particularly preferably 50 or less.
In addition, the average aspect ratio of a filler means the average of the aspect ratios of multiple filler particles, and specifically, it can be calculated from the measurement results of the maximum diameter and thickness of each filler particle, which will be described later. can.

（平均最大径）
充填材の平均最大径は、製膜性、機械物性の観点から、３０μｍ以下であるのが好ましく、中でも２０μｍ以下、その中でも１５μｍ以下であるのがさらに好ましく、１０μｍ以下であるのが特に好ましい。他方、線膨張係数等の寸法安定性の観点から、１μｍ以上であるのが好ましく、その中でも１．５μｍ以上、その中でも２μｍ以上であるのがさらに好ましく、３μｍ以上であるのがとりわけ好ましく、３．５μｍ以上であるのが特に好ましい。
なお、充填材の平均最大径とは、走査型電子顕微鏡等の電子顕微鏡を用いて各充填材粒子を観察した際に、最も長さが長く観察される部分の平均長さをいう。具体的には、本樹脂フィルムの流れ方向に垂直な断面に対して観察を行い、充填材粒子を長さの長いものから３０個選択し、最も長さが長く観察される部分の長さを測定して平均化することで求めることができる。 (Average maximum diameter)
The average maximum diameter of the filler is preferably 30 μm or less, especially 20 μm or less, more preferably 15 μm or less, particularly preferably 10 μm or less, from the viewpoint of film formability and mechanical properties. On the other hand, from the viewpoint of dimensional stability such as linear expansion coefficient, it is preferably 1 μm or more, particularly 1.5 μm or more, more preferably 2 μm or more, particularly preferably 3 μm or more, and 3 μm or more. It is particularly preferable that the thickness is .5 μm or more.
Note that the average maximum diameter of the filler refers to the average length of the longest observed portion when each filler particle is observed using an electron microscope such as a scanning electron microscope. Specifically, a cross section of the resin film perpendicular to the flow direction was observed, 30 filler particles were selected from the longest ones, and the length of the longest observed part was determined. It can be determined by measuring and averaging.

（平均厚さ）
充填材の平均厚さは、製膜性の観点から、１μｍ以下であるのが好ましく、中でも０．８μｍ以下、その中でも０．６μｍ以下であるのがさらに好ましく、０．４μｍ以下であるのが特に好ましい。他方、充填材の強度の観点から、０．０１μｍ以上であるのが好ましく、その中でも０．０３μｍ以上、その中でも０．０６μｍ以上であるのがさらに好ましく、０．０８μｍ以上であるのがとりわけ好ましく、０．１μｍ以上であるのが特に好ましい。
なお、充填材の平均厚さとは、走査型電子顕微鏡等の電子顕微鏡を用いて各充填材粒子を観察した際に、最も長さが短く観察される部分の平均長さをいう。具体的には、本樹脂組成物から得られるフィルムの流れ方向に垂直な断面に対して観察を行い、充填材粒子を任意に３０個選択し、最も長さが短く観察される部分の長さを測定して平均化することで求めることができる。 (average thickness)
From the viewpoint of film formability, the average thickness of the filler is preferably 1 μm or less, especially 0.8 μm or less, more preferably 0.6 μm or less, and 0.4 μm or less. Particularly preferred. On the other hand, from the viewpoint of the strength of the filler, it is preferably 0.01 μm or more, more preferably 0.03 μm or more, even more preferably 0.06 μm or more, and particularly preferably 0.08 μm or more. , 0.1 μm or more is particularly preferred.
Note that the average thickness of the filler refers to the average length of the part that is observed to be the shortest when each filler particle is observed using an electron microscope such as a scanning electron microscope. Specifically, a cross section perpendicular to the flow direction of the film obtained from the present resin composition was observed, 30 filler particles were arbitrarily selected, and the length of the part observed to be the shortest was determined. It can be determined by measuring and averaging.

（表面処理）
充填材は、カップリング剤等の表面処理剤で表面処理してもよい。
カップリング剤等の表面処理剤で表面処理することにより、さらに機械的強度、耐熱性を高めることができ、樹脂の劣化を低減して成形性を向上させることができる。
カップリング剤等の表面処理剤としては特に限定されず、シラン系、チタネート系、アルミナート系等一般的なカップリング剤を用いることができる。
表面処理方法としては、乾式、湿式表面処理方法が使用でき、特に湿式表面処理方法が望ましい。 (surface treatment)
The filler may be surface treated with a surface treatment agent such as a coupling agent.
By surface treating with a surface treating agent such as a coupling agent, mechanical strength and heat resistance can be further increased, and deterioration of the resin can be reduced and moldability can be improved.
The surface treatment agent such as a coupling agent is not particularly limited, and common coupling agents such as silane, titanate, and aluminate can be used.
As the surface treatment method, a dry surface treatment method or a wet surface treatment method can be used, and a wet surface treatment method is particularly desirable.

（充填材の含有量）
本樹脂組成物において、前記（Ｃ）充填材の含有量は、線膨張係数の低減の観点から、前記（Ａ）ポリアリールエーテルケトンと、（Ｂ）該（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂の合計質量１００質量部に対して、１質量部以上であるのが好ましく、中でも５質量部以上、その中でも１０質量部以上であるのがより好ましく、１２質量部以上であることがさらに好ましく、１５質量部以上であることが特に好ましい。
他方、靭性、製膜性の観点から、前記充填材の含有量は、５０質量部以下であるのが好ましく、４０質量部以下であるのがより好ましく、３５質量部以下であるのがさらに好ましく、３０質量部以下であるのがよりさらに好ましく、２５質量部以下であるのがさらに好ましく、２３質量部以下であるのが特に好ましい。 (Content of filler)
In the present resin composition, the content of the filler (C) is determined from the viewpoint of reducing the coefficient of linear expansion of the (A) polyaryletherketone and (B) the resin other than the (A) polyaryletherketone. It is preferably 1 part by mass or more, especially 5 parts by mass or more, more preferably 10 parts by mass or more, even more preferably 12 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total mass of It is particularly preferred that the amount is 15 parts by mass or more.
On the other hand, from the viewpoint of toughness and film formability, the content of the filler is preferably 50 parts by mass or less, more preferably 40 parts by mass or less, and even more preferably 35 parts by mass or less. , more preferably 30 parts by mass or less, even more preferably 25 parts by mass or less, particularly preferably 23 parts by mass or less.

＜他の材料＞
本樹脂組成物は、前記樹脂と前記充填材以外の他の材料を含有することも可能である。
当該他の材料としては、例えば熱安定剤、滑剤、離型剤、顔料、染料、紫外線吸収剤、難燃剤、潤滑剤、前記充填材以外の充填剤、補強剤等の一般的な樹脂添加剤などを挙げることができる。このうちの１種または２種以上を含有することができる。 <Other materials>
The present resin composition can also contain materials other than the resin and the filler.
Examples of such other materials include heat stabilizers, lubricants, mold release agents, pigments, dyes, ultraviolet absorbers, flame retardants, lubricants, fillers other than the above fillers, and general resin additives such as reinforcing agents. etc. can be mentioned. It can contain one or more of these.

＜半導体工程用フィルムの製造方法＞
本発明の半導体製造工程用フィルムは、上記の本樹脂組成物からなるフィルムである。この半導体製造工程用フィルムは、ＵＶ透過性、線膨張係数、耐熱性、靭性などがバランスよく良好となり、例えば、半導体製造工程時の保護フィルムとして好適に使用できる。
本発明の半導体製造工程用フィルム（以下「本フィルム」と記載することがある。）は、公知の製造方法により製造することができる。
本フィルムの製造方法の具体例としては、樹脂、充填材と、必要に応じて添加されるその他の成分とを一括でドライブレンドした後、二軸混練機等で溶融混練する方法を例示することができる。
溶融混練において、充填材はドライブレンドせず、押出機の途中にサイドフィーダーから供給することも可能である。
また、樹脂と充填材とを含むマスターバッチを予め製造し、当該マスターバッチと残りの樹脂及び必要に応じて添加されるその他の成分とをドライブレンドし、二軸押出機等で溶融混練する方法も好ましい。但し、かかる製造方法に限定するものではない。
混練には、単軸スクリュー押出機、コニーダー、多軸スクリュー押出機等を使用することもできる。これにより、例えばペレット形状の樹脂組成物を得ることができる。 <Method for manufacturing film for semiconductor process>
The film for semiconductor manufacturing processes of the present invention is a film made of the resin composition described above. This film for semiconductor manufacturing processes has well-balanced UV transparency, coefficient of linear expansion, heat resistance, toughness, etc., and can be suitably used, for example, as a protective film during semiconductor manufacturing processes.
The film for semiconductor manufacturing processes of the present invention (hereinafter sometimes referred to as "this film") can be manufactured by a known manufacturing method.
A specific example of the method for producing this film is a method in which the resin, filler, and other components added as necessary are dry blended all at once, and then melt-kneaded using a twin-screw kneader or the like. I can do it.
In melt-kneading, the filler may be fed from a side feeder in the middle of the extruder without dry blending.
Alternatively, a method of manufacturing a masterbatch containing a resin and a filler in advance, dry blending the masterbatch with the remaining resin and other components added as necessary, and melt-kneading the mixture using a twin-screw extruder or the like. is also preferable. However, it is not limited to this manufacturing method.
For kneading, a single screw extruder, co-kneader, multi-screw extruder, etc. can also be used. Thereby, for example, a pellet-shaped resin composition can be obtained.

本フィルムは、一般の成形法、例えば、押出成形、カレンダー成形、溶液流延法等の流延成形、インフレーション成形等によって成形することができる。中でも、押出成形法、特にＴダイ法が好ましい。 The present film can be formed by a general forming method, for example, extrusion molding, calendar molding, casting molding such as solution casting method, inflation molding, or the like. Among these, extrusion molding method, especially T-die method is preferred.

本フィルムは、無延伸または延伸フィルムのいずれでもよい。
無延伸フィルムとは、フィルムの配向を制御する目的で積極的に延伸しないフィルムを意味し、Ｔダイ法等の押出成形等において、溶融樹脂の引き落とし時やキャストロールにより引き取る際に配向したフィルムや、延伸ロールでの延伸倍率が２倍未満であるフィルムも含むものとする。 This film may be either an unstretched film or a stretched film.
Unstretched film refers to a film that is not actively stretched for the purpose of controlling the orientation of the film. It also includes films whose stretching ratio on stretching rolls is less than 2 times.

本フィルムは、前述の（Ａ）成分および（Ｂ）成分を含む本樹脂組成物を溶融、好ましくは溶融混練した後、押出成形し、冷却することにより製造することができる。
押出成形機としては、例えば、単軸押出成形機や二軸押出成形機等が挙げられ、投入された本樹脂組成物を溶融混練するように機能する。 The present film can be produced by melting, preferably melt-kneading, the present resin composition containing the aforementioned components (A) and (B), followed by extrusion molding and cooling.
Examples of the extrusion molding machine include a single-screw extrusion molding machine and a twin-screw extrusion molding machine, which function to melt and knead the charged resin composition.

溶融温度は、樹脂の種類や混合比率、添加剤の有無や種類に応じて適宜調整するのが好ましい。生産性等の観点から、３２０℃以上であることが好ましく、３４０℃以上であることがより好ましく、３５０℃以上であることがさらに好ましく、３６０℃以上であることが特に好ましい。
溶融温度を前記温度以上とすることで、ペレット等の原料の結晶が充分に融解しフィルムに残りにくくなるため、耐折回数、パンクチャー衝撃強度等の耐久性が向上しやすくなる。
一方、溶融温度は４５０℃以下であることが好ましく、４３０℃以下であることがより好ましく、４１０℃以下であることがさらに好ましく、３９０℃以下であることが特に好ましい。溶融温度を前記温度以下とすることで、溶融成形時に樹脂が分解しにくく分子量が維持されやすいため、フィルムの耐熱性、引張弾性率が向上する傾向となる。 It is preferable to adjust the melting temperature as appropriate depending on the type and mixing ratio of the resin, and the presence or absence and type of additives. From the viewpoint of productivity etc., the temperature is preferably 320°C or higher, more preferably 340°C or higher, even more preferably 350°C or higher, and particularly preferably 360°C or higher.
By setting the melting temperature to the above temperature or higher, the crystals of the raw material such as pellets are sufficiently melted and are less likely to remain on the film, so that durability such as the number of folds and puncture impact strength can be easily improved.
On the other hand, the melting temperature is preferably 450°C or lower, more preferably 430°C or lower, even more preferably 410°C or lower, and particularly preferably 390°C or lower. By setting the melting temperature to the above temperature or lower, the resin is difficult to decompose during melt molding and the molecular weight is easily maintained, which tends to improve the heat resistance and tensile modulus of the film.

その後、溶融混練された本樹脂組成物は、Ｔダイによって押出され製膜される。
Ｔダイは、帯形のフィルムを連続的に下方に押出すよう機能する。
このＴダイの押出時の温度は、通常は樹脂の融点以上熱分解温度未満の範囲であり、具体的には、２８０℃以上であることが好ましく、３００℃以上であることがより好ましく、３２０℃以上であることがさらに好ましく、３４０℃以上であることが特に好ましく、３５０℃以上であることが最も好ましい。
一方、Ｔダイの押出時の温度は４５０℃以下であることが好ましく、４３０℃以下であることがより好ましく、４１０℃以下であることがさらに好ましく、３９０℃以下であることが特に好ましい。 Thereafter, the melt-kneaded resin composition is extruded through a T-die to form a film.
The T-die functions to continuously extrude the strip-shaped film downward.
The temperature during extrusion of this T-die is usually in the range of not less than the melting point of the resin and less than the thermal decomposition temperature, specifically preferably not less than 280°C, more preferably not less than 300°C, and more preferably not less than 320°C. The temperature is more preferably 340°C or higher, particularly preferably 340°C or higher, and most preferably 350°C or higher.
On the other hand, the temperature during extrusion of the T-die is preferably 450°C or lower, more preferably 430°C or lower, even more preferably 410°C or lower, and particularly preferably 390°C or lower.

前記Ｔダイによりフィルムとして押出された本樹脂組成物は、圧着ロール、キャストロール等のロール等の冷却機に接触させることにより冷却される。
圧着ロールは、Ｔダイの下方に回転可能に軸支され、キャストロールを摺接可能に狭持する。また、キャストロールは、例えば、圧着ロールよりも拡径の金属ロールからなり、Ｔダイの下方に回転可能に軸支されて押し出されたフィルムを圧着ロールとの間に狭持し、圧着ロールと共にフィルムを冷却しながらその厚さを所定の範囲内に制御するように機能する。 The resin composition extruded as a film by the T-die is cooled by contacting with a cooler such as a pressure roll, a cast roll, or the like.
The pressure roll is rotatably supported below the T-die, and slidably supports the cast roll. Further, the cast roll is, for example, made of a metal roll with a larger diameter than the pressure roll, and is rotatably supported below the T-die to sandwich the extruded film between the pressure roll and the pressure roll. It functions to control the thickness within a predetermined range while cooling the film.

冷却温度（例えば、キャストロールの温度）は、所望の相対結晶化度になるように冷却温度を適宜選択すればよいが、樹脂のガラス転移温度から３０～１５０℃高い温度であることが好ましく、３５～１４０℃高い温度であることがより好ましく、４０～１３５℃高い温度であることが特に好ましい。冷却温度を前記範囲とすることで、フィルムの冷却速度を遅くすることができ、相対結晶化度を高くできる傾向がある。例えば、樹脂成分としてポリエーテルエーテルケトンを含む場合、冷却温度は１８０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることがさらに好ましく、２１０℃以上であることが特に好ましい。一方、冷却温度は３００℃以下であることが好ましく、２８０℃以下であることがより好ましく、２６０℃以下であることがさらに好ましく、２５０℃以下であることが特に好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。 The cooling temperature (for example, the temperature of the cast roll) may be appropriately selected so as to achieve the desired relative crystallinity, but it is preferably a temperature 30 to 150 ° C higher than the glass transition temperature of the resin. A temperature higher by 35 to 140°C is more preferred, and a temperature higher by 40 to 135°C is particularly preferred. By setting the cooling temperature within the above range, the cooling rate of the film can be slowed down, and the relative crystallinity tends to be increased. For example, when polyetheretherketone is included as a resin component, the cooling temperature is preferably 180°C or higher, more preferably 190°C or higher, even more preferably 200°C or higher, and even more preferably 210°C or higher. This is particularly preferred. On the other hand, the cooling temperature is preferably 300°C or lower, more preferably 280°C or lower, even more preferably 260°C or lower, particularly preferably 250°C or lower, and 240°C or lower. is most preferred.

一般的に高分子材料の結晶化速度は、結晶の核形成速度と成長速度のバランスから、ガラス転移温度と結晶融解温度との間の温度域で最大化すると考えられる。相対結晶化度が高いフィルムを作製する場合に、冷却温度（キャストロール等の温度）の下限と上限がかかる範囲であれば、結晶化速度が最大となり、生産性に優れた結晶化フィルムが得られやすい。 Generally, the crystallization rate of polymeric materials is considered to be maximized in the temperature range between the glass transition temperature and the crystal melting temperature, due to the balance between the crystal nucleation rate and crystal growth rate. When producing a film with a high relative crystallinity, if the lower and upper limits of the cooling temperature (temperature of the cast roll, etc.) are within the range, the crystallization rate will be maximized and a crystallized film with excellent productivity can be obtained. It's easy to get caught.

なお、用いる樹脂が複数種の結晶性樹脂の混合物であり、ガラス転移温度が複数存在する場合は、最も高い温度を樹脂のガラス転移温度とみなし、冷却温度を調整すればよい。 In addition, when the resin used is a mixture of multiple types of crystalline resins and multiple glass transition temperatures exist, the highest temperature may be regarded as the glass transition temperature of the resin, and the cooling temperature may be adjusted.

前記キャストロールの下流には、相対結晶化度を調整するために、フィルムを再加熱するための加熱ロール、フローティングドライヤー等のオーブン、赤外線ヒーター等を備えていてもよい。 Downstream of the cast roll, a heating roll for reheating the film, an oven such as a floating dryer, an infrared heater, etc. may be provided in order to adjust the relative crystallinity.

また、フィルムが延伸フィルムである場合は、キャストロールの下流に、通常、一軸延伸装置、逐次二軸延伸装置、同時二軸延伸装置等の延伸装置を備える。 Further, when the film is a stretched film, a stretching device such as a uniaxial stretching device, a sequential biaxial stretching device, a simultaneous biaxial stretching device, etc. is usually provided downstream of the cast roll.

＜本フィルムの特性＞
本樹脂フィルムは、次のような特性を有する。 <Characteristics of this film>
This resin film has the following characteristics.

（ＵＶ透過率）
本フィルムは例えば厚さ１０～５００μｍの範囲で、４００ｎｍにおけるＵＶ透過率を２５％以上とすることができ、好ましくは３０％以上、より好ましくは３５％以上、さらに好ましくは４０％以上とすることができる。ＵＶ透過率を２５％以上とすることで、半導体製造工程後に該フィルムに接する接着剤に、本樹脂フィルムを通してＵＶを照射することができ、粘着剤からガスを発生させ、剥離性を向上させることができる。
また、４００～４２０ｎｍ程度の短波長の可視光領域であると、さらに透過率が上がることから、短波長の可視光で硬化する接着剤を用いる場合にも、効果的である。
本フィルムは例えば厚さ１０～５００μｍの範囲で、４５０ｎｍにおけるＵＶ透過率を３５％以上とすることができ、好ましくは４０％以上、より好ましくは４５％以上、さらに好ましくは５０％以上とすることができる。ＵＶ透過率を３５％以上とすることで、半導体製造工程後に該フィルムに接する接着剤に、本樹脂フィルムを通してＵＶを照射することができ、粘着剤からガスを発生させ、剥離性を向上させやすくなる。 (UV transmittance)
For example, the film has a thickness in the range of 10 to 500 μm, and can have a UV transmittance of 25% or more at 400 nm, preferably 30% or more, more preferably 35% or more, and still more preferably 40% or more. I can do it. By setting the UV transmittance to 25% or more, UV can be irradiated through the resin film to the adhesive in contact with the film after the semiconductor manufacturing process, and gas is generated from the adhesive to improve releasability. I can do it.
Further, since the transmittance is further increased in the short wavelength visible light region of about 400 to 420 nm, it is also effective when using an adhesive that cures with short wavelength visible light.
For example, the film has a thickness in the range of 10 to 500 μm, and can have a UV transmittance of 35% or more at 450 nm, preferably 40% or more, more preferably 45% or more, and still more preferably 50% or more. I can do it. By setting the UV transmittance to 35% or more, it is possible to irradiate UV through this resin film to the adhesive that comes in contact with the film after the semiconductor manufacturing process, and this makes it easier to generate gas from the adhesive and improve releasability. Become.

（線膨張係数）
本樹脂フィルムは、例えば厚さ１０～５００μｍの範囲で、線膨張係数を９０ｐｐｍ／℃以下とすることができ、好ましくは８０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは７０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは６０ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは５５ｐｐｍ／℃以下、さらに好ましくは５０ｐｐｍ／℃以下、とりわけ好ましくは４５ｐｐｍ／℃以下、特に好ましくは４０ｐｐｍ／℃以下とすることができる。
なお、当該線膨張係数は、フィルムの樹脂流れ方向（ＭＤ）に直交する方向（ＴＤ）について測定した線膨張係数であり、後述する実施例における方法で測定することができる。
線膨張係数は、例えば、原料として用いる樹脂、充填材の種類を鑑み、組成物中の充填材の含有割合を適宜選択することにより、所望の範囲に調整することができる。 (linear expansion coefficient)
The present resin film can have a linear expansion coefficient of 90 ppm/°C or less, preferably 80 ppm/°C or less, preferably 70 ppm/°C or less, preferably 60 ppm/°C or less, with a thickness in the range of 10 to 500 μm, for example. It can be more preferably 55 ppm/°C or less, further preferably 50 ppm/°C or less, particularly preferably 45 ppm/°C or less, particularly preferably 40 ppm/°C or less.
Note that the linear expansion coefficient is a linear expansion coefficient measured in a direction (TD) perpendicular to the resin flow direction (MD) of the film, and can be measured by a method in Examples described below.
The coefficient of linear expansion can be adjusted to a desired range by, for example, considering the resin used as a raw material and the type of filler and appropriately selecting the content ratio of the filler in the composition.

（引張破断伸度）
本樹脂フィルムは、例えば厚さ１０～５００μｍの未延伸フィルムとしたときに、その引張破断伸度を１％以上、好ましくは３％以上、より好ましくは５％以上、さらに好ましくは７％以上、特に好ましくは１０％以上、とりわけ好ましくは１３％以上とすることができる。他方、フィルム加工性の観点から、好ましくは３００％以下、より好ましくは２８０％以下、さらに好ましくは２５０％以下とすることができる。本樹脂フィルムは靭性にも優れているため、半導体製造工程での使用時に柔らかくて剥がし易く、またハンドリング性にも優れる傾向となる。
フィルムの引張破断伸度は、フィルムの樹脂流れ方向（ＭＤ）に直交する方向（ＴＤ）ついて測定した値であり、後述する実施例における方法で測定することができる。 (Tensile elongation at break)
The resin film has a tensile elongation at break of 1% or more, preferably 3% or more, more preferably 5% or more, even more preferably 7% or more, when made into an unstretched film with a thickness of 10 to 500 μm, for example. It is particularly preferably 10% or more, particularly preferably 13% or more. On the other hand, from the viewpoint of film processability, it is preferably 300% or less, more preferably 280% or less, and still more preferably 250% or less. Since this resin film also has excellent toughness, it tends to be soft and easy to peel when used in semiconductor manufacturing processes, and also has excellent handling properties.
The tensile elongation at break of the film is a value measured in the direction (TD) perpendicular to the resin flow direction (MD) of the film, and can be measured by the method described in Examples below.

（本フィルムの厚さ）
本フィルムの厚さは、ハンドリング性の観点から、５μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ以上であることがより好ましく、中でも３０μｍ以上、その中でも５０μｍ以上、その中でも７０μｍ以上であるのがさらに好ましい。他方、生産性の観点から、５００μｍ以下であることが好ましく、その中でも４００μｍ以下、その中でも３００μｍ以下、その中でも２００μｍ以下、その中でも１５０μｍ以下であるのがさらに好ましい。 (Thickness of this film)
The thickness of the present film is preferably 5 μm or more, more preferably 10 μm or more, especially 30 μm or more, especially 50 μm or more, and even more preferably 70 μm or more, from the viewpoint of handling properties. On the other hand, from the viewpoint of productivity, the thickness is preferably 500 μm or less, more preferably 400 μm or less, 300 μm or less, 200 μm or less, and even more preferably 150 μm or less.

（相対結晶化度）
本フィルムは、その相対結晶化度を６０％以上とすることができ、中でも７０％以上、その中でも８０％以上、さらにその中でも８５％以上、その中でも９０％以上とすることができる。また、上限は、通常１００％である。本フィルムの相対結晶化度が、前記数値範囲であれば、熱による収縮等の寸法変化を抑制することができ、また、耐熱性や剛性により優れたものとすることができる。
フィルムの相対結晶化度は、後述する実施例における方法で測定することができる。 (Relative crystallinity)
The film can have a relative crystallinity of 60% or more, particularly 70% or more, 80% or more, 85% or more, and 90% or more. Further, the upper limit is usually 100%. When the relative crystallinity of the film is within the above numerical range, dimensional changes such as shrinkage due to heat can be suppressed, and the film can have better heat resistance and rigidity.
The relative crystallinity of the film can be measured by the method described in Examples below.

本フィルムの相対結晶化度を前記範囲とするには、例えば、原料として用いる樹脂の選定、フィルムを押し出す際の条件等を適宜調整すればよい。中でも、以下の（１）～（４）の方法を採用することが好ましい。これらの方法は、組み合わせて用いてもよい。中でも、生産性及びエネルギー消費の少ない（１）の方法が好ましい。 In order to make the relative crystallinity of the film within the above range, for example, the selection of the resin used as a raw material, the conditions for extruding the film, etc. may be adjusted as appropriate. Among these, it is preferable to adopt the following methods (1) to (4). These methods may be used in combination. Among these, method (1) is preferred because of its low productivity and low energy consumption.

（１）溶融樹脂を冷却しフィルム形状とする際の冷却条件を調整する方法
後に詳述する本フィルムの製造方法で具体的に説明するように、冷却は例えば、冷却機としてキャストロールを用い、押し出された溶融樹脂をキャストロールに接触させることにより行うことができるが、具体的には、以下の方法を採用することが好ましい。 (1) Method of adjusting the cooling conditions when cooling the molten resin to form a film shape As will be specifically explained in the manufacturing method of this film described in detail later, cooling is performed by using, for example, a cast roll as a cooling machine, This can be carried out by bringing the extruded molten resin into contact with a cast roll, but specifically, it is preferable to employ the following method.

冷却温度を原料樹脂のガラス転移温度より３０～１５０℃高い温度とする方法が挙げられる。冷却温度は樹脂のガラス転移温度より３５～１４０℃高い温度であることがより好ましく、４０～１３５℃高い温度であることが特に好ましい。冷却温度を前記範囲とすることで、フィルムの冷却速度を遅くすることができ、相対結晶化度を高くすることができる傾向がある。
特に、樹脂としてポリエーテルエーテルケトンを主成分として含む場合、冷却温度は１８０℃以上であることが好ましく、１９０℃以上であることがより好ましく、２００℃以上であることがさらに好ましく、２１０℃以上であることが特に好ましい。
一方、冷却温度は３００℃以下であることが好ましく、２８０℃以下であることがより好ましく、２６０℃以下であることがさらに好ましく、２５０℃以下であることが特に好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。 A method of setting the cooling temperature to a temperature 30 to 150° C. higher than the glass transition temperature of the raw resin may be mentioned. The cooling temperature is more preferably 35 to 140°C higher than the glass transition temperature of the resin, particularly preferably 40 to 135°C higher. By setting the cooling temperature within the above range, the cooling rate of the film can be slowed down, and the relative crystallinity tends to be increased.
In particular, when the resin contains polyetheretherketone as a main component, the cooling temperature is preferably 180°C or higher, more preferably 190°C or higher, even more preferably 200°C or higher, and even more preferably 210°C or higher. It is particularly preferable that
On the other hand, the cooling temperature is preferably 300°C or lower, more preferably 280°C or lower, even more preferably 260°C or lower, particularly preferably 250°C or lower, and 240°C or lower. is most preferred.

（２）加熱ロールを用いフィルムを再加熱する方法
具体的には、縦延伸機等のキャストロールとは別のロールで加熱する方法が挙げられる。加熱する際の温度は、前記（１）の冷却温度と同様の範囲が好ましい。 (2) Method of reheating the film using a heating roll Specifically, a method of heating the film using a roll other than a cast roll such as a longitudinal stretching machine can be mentioned. The heating temperature is preferably in the same range as the cooling temperature in (1) above.

（３）オーブンでフィルムを再加熱する方法
具体的には、フローティングドライヤー、テンター、バンドドライヤー等の乾燥装置にフィルムを通し、熱風で加熱する方法が挙げられる。
加熱する際の温度は、前記（１）の冷却温度と同様の範囲が好ましい。 (3) Method of reheating the film in an oven Specifically, a method of passing the film through a drying device such as a floating dryer, a tenter, or a band dryer and heating it with hot air can be mentioned.
The heating temperature is preferably in the same range as the cooling temperature in (1) above.

（４）赤外線でフィルムを再加熱する方法
具体的には、セラミックヒーター等の遠赤外線ヒーターをロール間に設置しロールtoロールでフィルムを加熱してもよいし、遠赤外線乾燥機にフィルムを通し加熱してもよい。加熱する際の温度は、前記（１）の冷却温度と同様の範囲が好ましい。 (4) Method of reheating the film with infrared rays Specifically, a far infrared heater such as a ceramic heater may be installed between rolls and the film may be heated roll to roll, or the film may be passed through a far infrared dryer. May be heated. The heating temperature is preferably in the same range as the cooling temperature in (1) above.

なお、前記（２）～（４）の処理は、フィルム製造ライン中にそのための設備を設けフィルム製造の際に同時に行ってもよいし、一度ロール状にフィルムを巻き取った後、このフィルムロールについて製造ライン外のこれら設備によって行ってもよい。 The above-mentioned processes (2) to (4) may be performed at the same time during film production by providing equipment for this in the film production line, or after the film has been wound into a roll, this film roll may be may also be carried out by these facilities outside the production line.

（本フィルムの用途）
本フィルムは、例えば研磨工程、ダイシング工程、耐熱工程など、様々な半導体の製造工程で用いることができる。このような半導体製造の各工程で用いる半導体製造工程用フィルムの保護フィルムとして用いることができる。
中でも、本フィルムは、ウエハ研磨用、例えばバックグラインディング工程において、ウエハ表面（回路形成面）の保護フィルムとして好適に用いることができる。 (Applications of this film)
This film can be used in various semiconductor manufacturing processes, such as a polishing process, a dicing process, and a heat-resistant process. It can be used as a protective film for semiconductor manufacturing process films used in each process of semiconductor manufacturing.
Among these, this film can be suitably used as a protective film for the wafer surface (circuit formation surface) in wafer polishing, for example, in a back grinding process.

本フィルムを、半導体製造工程に用いる場合には、本フィルムの片面又は両面に接着層を積層して用いることが好ましいい。 When this film is used in a semiconductor manufacturing process, it is preferable to laminate an adhesive layer on one or both sides of the film.

この際、前記接着層を構成する粘着剤又は接着剤（以下、「粘着剤等」と称する。）としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、アリル系、シリコーン系又はフッ素系の粘着剤を挙げることができる。中でも、耐熱性、粘着力の調整容易性などの点から、アクリル系粘着剤等が好ましい。 At this time, examples of the pressure-sensitive adhesive or adhesive (hereinafter referred to as "adhesive etc.") constituting the adhesive layer include acrylic, epoxy, allyl, silicone, or fluorine-based adhesives. be able to. Among these, acrylic adhesives and the like are preferred in terms of heat resistance, ease of adjusting adhesive strength, and the like.

前記粘着剤等は、硬化型粘着剤等であっても、非硬化型粘着剤等であってもよい。但し、熱処理前に硬化させることによって熱処理時の高温による接着昂進を抑えて糊残りなく半導体チップをピックアップしやすい点から、硬化型粘着剤等であることが好ましい。 The adhesive or the like may be a curable adhesive or a non-curable adhesive. However, it is preferable to use a curable adhesive or the like, since by curing the adhesive before heat treatment, the adhesion can be suppressed due to the high temperature during heat treatment, making it easier to pick up the semiconductor chip without leaving any adhesive residue.

前記硬化型粘着剤等としては、光照射により架橋、硬化する光硬化型粘着剤等や、加熱により架橋、硬化する熱硬化型粘着剤等を挙げることができる。本発明の樹脂フィルムは、ＵＶの透過性能に優れるため、特に光硬化型粘着剤を適用することが好ましい。
前記光硬化型粘着剤等としては、例えば、重合性ポリマーを主成分として、光重合開始剤を含有する光硬化型粘着剤等を挙げることができる。 Examples of the curable adhesive include photocurable adhesives that are crosslinked and cured by light irradiation, thermosetting adhesives that are crosslinked and cured by heating, and the like. Since the resin film of the present invention has excellent UV transmission performance, it is particularly preferable to use a photocurable adhesive.
Examples of the photocurable adhesive include photocurable adhesives containing a polymerizable polymer as a main component and a photopolymerization initiator.

前記接着層の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は１００μｍである。上記接着層の厚さがこの範囲内にあると、充分な粘着力で半導体ウエハに貼着でき、処理中の半導体ウエハを保護することができる。また、変形応力を適切な範囲に調節しやすくなる。前記接着層の厚さのより好ましい下限は１０μｍ、より好ましい上限は７０μｍであり、さらに好ましい下限は２０μｍであり、さらに好ましい上限は５０μｍである。 The thickness of the adhesive layer is not particularly limited, but a preferable lower limit is 5 μm and a preferable upper limit is 100 μm. When the thickness of the adhesive layer is within this range, it can be adhered to a semiconductor wafer with sufficient adhesive force and can protect the semiconductor wafer during processing. Moreover, it becomes easier to adjust the deformation stress to an appropriate range. A more preferable lower limit of the thickness of the adhesive layer is 10 μm, a more preferable upper limit is 70 μm, an even more preferable lower limit is 20 μm, and an even more preferable upper limit is 50 μm.

接着層の形成手段は任意である。粘着剤等の組成物を本フィルム上に塗布する方法や、セパレータ上に形成した接着層を転写（移着）する方法等により、例えばフィルム状及びスポット状の接着層を形成することができる。 The means for forming the adhesive layer is arbitrary. For example, a film-like or spot-like adhesive layer can be formed by applying a composition such as an adhesive onto the film, or by transferring (transferring) an adhesive layer formed on a separator.

＜語句の説明など＞
本発明においては、「フィルム」と称する場合でも「シート」を含むものとし、「シート」と称する場合でも「フィルム」を含むものとする。 <Explanation of words, etc.>
In the present invention, even the term "film" includes a "sheet," and even the term "sheet" includes a "film."

本発明において、「Ｘ～Ｙ」（Ｘ，Ｙは任意の数字）と記載した場合、特にことわらない限り「Ｘ以上Ｙ以下」の意と共に、「好ましくはＸより大きい」或いは「好ましくはＹより小さい」の意も包含するものである。
また、「Ｘ以上」（Ｘは任意の数字）と記載した場合、特にことわらない限り「好ましくはＸより大きい」の意を包含し、「Ｙ以下」（Ｙは任意の数字）と記載した場合、特にことわらない限り「好ましくはＹより小さい」の意も包含するものである。 In the present invention, when "X to Y" (X and Y are arbitrary numbers) means "more than or equal to It also includes the meaning of "less than".
In addition, when it is written as "more than or equal to X" (X is any number), it includes the meaning of "preferably greater than X" unless otherwise specified, and it is written as "less than or equal to Y" (where Y is any number). In this case, unless otherwise specified, it also includes the meaning of "preferably smaller than Y".

次に、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。但し、本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。 Next, the present invention will be explained in more detail with reference to Examples. However, the present invention is not limited to the examples described below.

＜評価方法＞
以下において、種々の物性等の測定及び評価は次のようにして行った。 <Evaluation method>
In the following, measurements and evaluations of various physical properties were performed as follows.

（充填材の平均最大径、平均厚さ、平均アスペクト比）
任意に３０個の充填材粒子を選び、各充填材粒子を電界放出形走査電子顕微鏡（サーモフィッシャーサイエンティフィック社製ＮＯＶＡＮａｎｏＳＥＭ、倍率５０００～５０００００倍）により観察し、各充填材粒子の最大径、厚さを測定し、下記式からアスペクト比を求めた。また、これらの３０個の平均値としての平均最大径、平均厚さ及び平均アスペクト比を求めた。
アスペクト比＝最大径／厚さ (Average maximum diameter, average thickness, average aspect ratio of filler)
Thirty filler particles were arbitrarily selected and each filler particle was observed using a field emission scanning electron microscope (NOVA NanoSEM manufactured by Thermo Fisher Scientific, magnification 5,000 to 500,000 times), and the maximum diameter of each filler particle, The thickness was measured, and the aspect ratio was determined from the following formula. Furthermore, the average maximum diameter, average thickness, and average aspect ratio were determined as the average values of these 30 pieces.
Aspect ratio = maximum diameter / thickness

（ＵＶ透過率）
実施例・比較例で得られたフィルム（サンプル）について、分光光度計装置（日立ハイテクサイエンス社製分光光度計Ｕ－３９００Ｈ）を用いて、ＪＩＳＫ７３７５に準拠して、２００～８００ｎｍの全光線透過率を測定し、それぞれの波長における透過率を得た。 (UV transmittance)
The films (samples) obtained in the Examples and Comparative Examples were analyzed using a spectrophotometer device (Spectrophotometer U-3900H, manufactured by Hitachi High-Tech Science Co., Ltd.) in accordance with JIS K 7375. The transmittance was measured and the transmittance at each wavelength was obtained.

（線膨張係数）
実施例・比較例で得られたフィルム（サンプル）について、熱機械的分析装置（メトラー・トレド社製ＴＭＡ／ＳＤＴＡ８４１）を用いて、ＪＩＳＫ７１９７：２０１２に準拠して、試験片幅６ｍｍ、測定チャック間距離が１０ｍｍ、引張モードの条件で、４０～３００℃まで速度５℃／分で昇温し、２４０℃で１時間保持後、速度５℃／分で４０℃まで降温し、再度３００℃まで速度５℃／分で昇温した際に得られた４０～３００℃における測定結果の数値を線膨張係数（ｐｐｍ／℃）とした。実施例・比較例における測定は、フィルムの樹脂流れ方向と直交する方向（ＴＤ）について行った。 (linear expansion coefficient)
The films (samples) obtained in the Examples and Comparative Examples were analyzed using a thermomechanical analyzer (TMA/SDTA841 manufactured by Mettler Toledo) in accordance with JIS K7197:2012, with a test piece width of 6 mm and a measuring chuck. Under the conditions of tension mode with a distance of 10 mm, the temperature was raised from 40 to 300°C at a rate of 5°C/min, held at 240°C for 1 hour, then lowered to 40°C at a rate of 5°C/min, and then returned to 300°C. The numerical value of the measurement result at 40 to 300°C obtained when the temperature was raised at a rate of 5°C/min was taken as the linear expansion coefficient (ppm/°C). The measurements in Examples and Comparative Examples were performed in the direction (TD) perpendicular to the resin flow direction of the film.

（引張破断伸度）
実施例及び比較例で得られたフィルム（サンプル）について、ＪＩＳＫ７１２７：１９９９に準拠して、引張速度２００ｍｍ／ｍｉｎで、雰囲気温度２３℃におけるフィルムの引張破断伸度（％）を測定した。５回の測定値の平均値を表１に示した。
なお、測定はフィルムの樹脂流れ方向に直交する方向（ＴＤ）について行った。 (Tensile elongation at break)
For the films (samples) obtained in Examples and Comparative Examples, the tensile elongation at break (%) of the films at an ambient temperature of 23° C. was measured at a tensile speed of 200 mm/min in accordance with JIS K7127:1999. Table 1 shows the average value of the five measurements.
Note that the measurement was performed in the direction (TD) perpendicular to the resin flow direction of the film.

（相対結晶化度）
実施例・比較例で得られたフィルム（サンプル）について、示差走査熱量計Ｐｙｒｉｓ１ＤＳＣ（パーキンエルマー社製）を用いて、温度範囲２３～４００℃まで速度１０℃／分で昇温した際に検出されるＤＳＣ曲線から、結晶融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ）、再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）を求め、下記式を用いて、相対結晶化度を算出した。
相対結晶化度（％）＝｛１－（ΔＨｃ／ΔＨｍ）｝×１００
ΔＨｃ：フィルムの１０℃／分の昇温条件下での再結晶化ピークの熱量（Ｊ／ｇ）
ΔＨｍ：フィルムの１０℃／分の昇温条件下での結晶融解ピークの熱量（Ｊ／ｇ） (Relative crystallinity)
The films (samples) obtained in Examples and Comparative Examples were detected when the temperature was raised at a rate of 10°C/min to a temperature range of 23 to 400°C using a differential scanning calorimeter Pyris1 DSC (manufactured by PerkinElmer). The heat value of the crystal melting peak (J/g) and the heat value of the recrystallization peak (J/g) were determined from the DSC curve obtained, and the relative crystallinity degree was calculated using the following formula.
Relative crystallinity (%) = {1-(ΔHc/ΔHm)}×100
ΔHc: Heat amount (J/g) of recrystallization peak of film under temperature increase condition of 10°C/min
ΔHm: Heat amount of crystal melting peak under film heating condition of 10°C/min (J/g)

（ガラス転移温度・結晶融解温度）
各原料、及び得られたフィルムについて、ＪＩＳＫ７１２１：２０１２に準拠して、示差走査熱量計Ｐｙｒｉｓ１ＤＳＣ（パーキンエルマー社製）を用いて、温度範囲２３～４００℃まで速度１０℃／分で昇温した後、速度１０℃／分で２３℃まで降温し、再度４００℃まで速度１０℃／分で昇温した際に検出されるＤＳＣ曲線からガラス転移温度（Ｔｇ）と結晶融解温度（Ｔｍ）を求めた。
なお、結晶融解温度（Ｔｍ）は検出される吸熱ピークのピークトップの温度とした。 (Glass transition temperature/crystal melting temperature)
Each raw material and the obtained film were heated at a rate of 10°C/min to a temperature range of 23 to 400°C using a differential scanning calorimeter Pyris1 DSC (manufactured by PerkinElmer) in accordance with JIS K7121:2012. After that, the temperature was lowered to 23°C at a rate of 10°C/min, and the glass transition temperature (Tg) and crystal melting temperature (Tm) were determined from the DSC curve detected when the temperature was raised again to 400°C at a rate of 10°C/min. I asked for it.
The crystal melting temperature (Tm) was defined as the temperature at the top of the detected endothermic peak.

[原料]
実施例及び比較例では次の原料を使用した。 [material]
The following raw materials were used in the Examples and Comparative Examples.

ａ－１－１：ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ、分子量分布５．１、質量平均分子量８７０００、結晶融解温度３４０℃、結晶融解熱量４１Ｊ／ｇ、結晶化温度２９５℃）を７０質量％、下記のマイカを３０質量％の割合で含むマスターバッチ
ａ－１－２：ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ、分子量分布４．０、質量平均分子量１０００００、結晶融解温度３３９℃、結晶融解熱量４０Ｊ／ｇ、結晶化温度２９５℃）
ｂ－１：ポリフェニルスルホン（ＰＰＳＵ、ガラス転移温度２２０℃、結晶融解熱量０Ｊ／ｇの非晶性樹脂、ポリフェニルスルホンの繰り返し単位が７８）
ｂ－２：ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ、ガラス転移温度２２５℃、結晶融解熱量０Ｊ／ｇの非晶性樹脂、ポリエーテルスルホンの繰り返し単位が４５）
ｂ－３：ポリスルホン（ＰＳＵ、ＳＯＬＶＡＹ社製「ＵｄｅｌＰ１７００」、ガラス転移温度１９０℃の非晶性樹脂） a-1-1: 70% by mass of polyether ether ketone (PEEK, molecular weight distribution 5.1, mass average molecular weight 87000, crystal melting temperature 340 ° C., heat of crystal fusion 41 J / g, crystallization temperature 295 ° C.), the following Masterbatch containing mica at a ratio of 30% by mass a-1-2: Polyetheretherketone (PEEK, molecular weight distribution 4.0, mass average molecular weight 100000, crystal melting temperature 339°C, crystal fusion heat amount 40 J / g, crystallization temperature 295℃)
b-1: Polyphenylsulfone (PPSU, amorphous resin with a glass transition temperature of 220°C and a heat of crystal fusion of 0 J/g, the repeating unit of polyphenylsulfone is 78)
b-2: Polyether sulfone (PES, amorphous resin with a glass transition temperature of 225°C and a heat of crystal fusion of 0 J/g, with 45 repeating units of polyether sulfone)
b-3: Polysulfone (PSU, “Udel P1700” manufactured by SOLVAY, amorphous resin with a glass transition temperature of 190°C)

マイカ：平均最大径４．０μｍ、平均厚さ０．１３μｍ、平均アスペクト比３３ Mica: average maximum diameter 4.0 μm, average thickness 0.13 μm, average aspect ratio 33

［実施例１～３］
表１の割合となるように、前記原料をドライブレンドした後、Φ４０ｍｍ単軸押出機を用いて３８０℃で混練し、Ｔダイより押出し、次いで２１０℃のキャスティングロールにて冷却し、厚さ５０μｍの結晶化フィルム（サンプル）を製造した。
得られたフィルム（サンプル）を用いて、ＵＶ透過率、線膨張係数、引張破断伸度、相対結晶化度、結晶融解温度、ガラス転移温度の測定を行った。 [Examples 1 to 3]
After dry blending the raw materials in the proportions shown in Table 1, they were kneaded at 380°C using a Φ40mm single-screw extruder, extruded through a T-die, and then cooled with a casting roll at 210°C to a thickness of 50μm. A crystallized film (sample) was produced.
Using the obtained film (sample), UV transmittance, coefficient of linear expansion, tensile elongation at break, relative crystallinity, crystal melting temperature, and glass transition temperature were measured.

［比較例１および２］
上記原料を、Φ４０ｍｍ単軸押出機を用いて３８０℃で混練し、Ｔダイより押出し、次いで２１０℃のキャスティングロールにて冷却し、厚さ５０μｍのフィルム（サンプル）を製造した。
得られたフィルム（サンプル）を用いて、ＵＶ透過率、線膨張係数、引張破断伸度、相対結晶化度、結晶融解温度、ガラス転移温度の測定を行った。 [Comparative Examples 1 and 2]
The above raw materials were kneaded at 380° C. using a Φ40 mm single-screw extruder, extruded through a T-die, and then cooled with a casting roll at 210° C. to produce a 50 μm thick film (sample).
Using the obtained film (sample), UV transmittance, coefficient of linear expansion, tensile elongation at break, relative crystallinity, crystal melting temperature, and glass transition temperature were measured.

＜考察＞
上記実施例及び比較例の結果から、（Ａ）ポリアリールエーテルケトンと（Ｂ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂に関し、それぞれ選択し、適当な割合で混合することにより、該樹脂フィルムの４００ｎｍにおけるＵＶ透過率を２５％以上とすることができることがわかった。さらに、これらの樹脂に加えて、適切な充填材を適切な含有割合で混合することにより、該フィルムの線膨張係数を９０×１０^－６／℃以下とすることができることが分かった。
このようなフィルムであれば、フィルム特性を維持しつつＵＶ透過率が高く、且つ、線膨張係数も十分に小さいことから、半導体製造工程用フィルム、特にウエハ研磨用の保護フィルムとして有用に利用することができる。 <Consideration>
From the results of the above Examples and Comparative Examples, by selecting resins other than (A) polyaryletherketone and (B) polyaryletherketone and mixing them in appropriate proportions, the UV at 400 nm of the resin film It has been found that the transmittance can be increased to 25% or more. Furthermore, it has been found that by mixing an appropriate filler in an appropriate content ratio in addition to these resins, the linear expansion coefficient of the film can be made 90×10 ⁻⁶ /° C. or less.
Such a film has high UV transmittance while maintaining its film properties, and has a sufficiently small coefficient of linear expansion, so it can be usefully used as a film for semiconductor manufacturing processes, especially as a protective film for wafer polishing. be able to.

Claims

（Ａ）ポリアリールエーテルケトン、及び（Ｂ）該（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂を含み、波長４００ｎｍのＵＶ透過率が２５％以上である、半導体製造工程用樹脂組成物。 A resin composition for a semiconductor manufacturing process, which contains (A) polyaryletherketone and (B) a resin other than the (A) polyaryletherketone, and has a UV transmittance of 25% or more at a wavelength of 400 nm.

さらに（Ｃ）充填材を含む、請求項１に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to claim 1, further comprising (C) a filler.

前記（Ａ）ポリアリールエーテルケトンと（Ｂ）該（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂の含有質量比が９０：１０～１０：９０である、請求項１又は２に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 3. The semiconductor manufacturing process according to claim 1, wherein the content ratio of the (A) polyaryletherketone and (B) resin other than the (A) polyaryletherketone is 90:10 to 10:90. Resin composition.

前記（Ａ）と（Ｂ）の合計質量１００質量部に対して、（Ｃ）充填材の含有量が１～５０質量部である、請求項２又は３に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for semiconductor manufacturing processes according to claim 2 or 3, wherein the content of the filler (C) is 1 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total mass of (A) and (B). .

前記（Ｂ）（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂は１８０℃以上のガラス転移温度を有する、請求項１～４のいずれか１項に記載の半導体工程用樹脂組成物。 The resin composition for a semiconductor process according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin other than the polyaryletherketone (B) and (A) has a glass transition temperature of 180°C or higher.

前記（Ｂ）（Ａ）ポリアリールエーテルケトン以外の樹脂は、非晶性樹脂である、請求項１～５のいずれか１項に記載の半導体工程用樹脂組成物。 The resin composition for a semiconductor process according to any one of claims 1 to 5, wherein the resin other than the polyaryletherketone (B) and (A) is an amorphous resin.

前記非晶性樹脂は、ポリエーテルスルホンである、請求項６に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 7. The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to claim 6, wherein the amorphous resin is polyether sulfone.

前記非晶性樹脂は、ポリフェニルスルホンである、請求項６に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 7. The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to claim 6, wherein the amorphous resin is polyphenylsulfone.

前記非晶性樹脂は、ポリスルホンである、請求項６に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for semiconductor manufacturing processes according to claim 6, wherein the amorphous resin is polysulfone.

前記ポリアリールエーテルケトンは、ポリエーテルエーテルケトンである、請求項１～９のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of claims 1 to 9, wherein the polyaryletherketone is a polyetheretherketone.

前記充填材は、鱗片状充填材、板状充填材、薄片状充填材又はこれらの２種類以上の混合物を主成分充填材とするものである、請求項２～１０のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The filler according to any one of claims 2 to 10, wherein the filler has a scaly filler, a plate-like filler, a flaky filler, or a mixture of two or more thereof as a main component filler. Resin composition for semiconductor manufacturing process.

前記充填材は、平均アスペクト比が１０以上である、請求項２～１１のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for semiconductor manufacturing processes according to any one of claims 2 to 11, wherein the filler has an average aspect ratio of 10 or more.

前記充填材は、平均最大径が３０μｍ以下である、請求項２～１２のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for semiconductor manufacturing processes according to any one of claims 2 to 12, wherein the filler has an average maximum diameter of 30 μm or less.

前記充填材は、平均厚さが１μｍ以下である、請求項２～１３のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組組成物。 The resin set composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of claims 2 to 13, wherein the filler has an average thickness of 1 μm or less.

前記充填材は、マイカを主成分充填材とするものである、請求項２～１４のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for a semiconductor manufacturing process according to any one of claims 2 to 14, wherein the filler has mica as a main component filler.

線膨張係数が９０ｐｐｍ／℃以下である、請求項１～１５のいずれか１項に記載の半導体製造工程用樹脂組成物。 The resin composition for semiconductor manufacturing processes according to any one of claims 1 to 15, which has a linear expansion coefficient of 90 ppm/°C or less.

請求項１～１６のいずれか１項に記載の樹脂組成物からなる、半導体製造工程用フィルム。 A film for semiconductor manufacturing processes, comprising the resin composition according to any one of claims 1 to 16.

相対結晶化度が６０％以上である、請求項１７に記載の半導体製造工程用フィルム。 The film for semiconductor manufacturing processes according to claim 17, having a relative crystallinity of 60% or more.

ウエハ研磨用である、請求項１７又は１８に記載の半導体製造工程用フィルム。 The film for semiconductor manufacturing process according to claim 17 or 18, which is used for wafer polishing.