JP2023146066A - 加工方法 - Google Patents

Abstract

【課題】凹部の内側面の過度なエッチングを抑制することができる加工方法を提供すること。【解決手段】加工方法は、表面に複数の分割予定ラインが設定されるとともに分割予定ライン上に複数の凹部が形成されることで分割予定ラインに対応した領域に肉厚部と肉薄部とを有した被加工物の加工方法であって、表面の背面の裏面に保護膜を積層するとともに分割予定ラインに対応する領域に沿って保護膜を分断する溝を形成することでプラズマダイシング用のマスクを形成するマスク形成ステップ１００１と、被加工物の表面側を保持ユニットで保持してマスクが形成された裏面側を露出させる保持ステップ１００２と、保持ステップ１００２を実施した後、マスク２７を介して裏面側から被加工物にプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップ１００３と、を備える。【選択図】図３

Description

本発明は、第１面に凹部が形成された被加工物の加工方法に関する。

ウェーハ毎のチップの取り数を増やすため、プラズマエッチングを利用したウェーハのダイシングが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０２０－６８３４２号公報

一方、たとえばＭＥＭＳウェーハのように表面に凹凸が形成された被加工物がある。このような凹凸が形成された被加工物をプラズマダイシングする場合、凹部の側面をマスク材で覆うことが難しく、凹部の内側面が過度にエッチングされてしまうという問題がある。

本発明の目的は、凹部の内側面の過度なエッチングを抑制することができる加工方法を提供することである。

上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、第１面に複数の分割予定ラインが設定されるとともに該分割予定ライン上に複数の凹部が形成されることで該分割予定ラインに対応した領域に肉厚部と肉薄部とを有した被加工物の加工方法であって、該第１面の背面の第２面に保護膜を積層するとともに該分割予定ラインに対応する領域に沿って該保護膜を分断する溝を形成することでプラズマダイシング用のマスクを形成するマスク形成ステップと、被加工物の該第１面側を保持ユニットで保持して該マスクが形成された該第２面側を露出させる保持ステップと、該保持ステップを実施した後、該マスクを介して該第２面側から被加工物にプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップと、を備えたことを特徴とする。

前記加工方法において、該マスク形成ステップでは、該肉薄部における溝幅を該肉厚部における溝幅よりも狭く形成しても良い。

前記加工方法において、該肉薄部における溝幅と、該肉厚部における溝幅とは、該プラズマエッチングステップにおいて該肉薄部と該肉厚部とが略同時に分断される幅に設定されても良い。

本発明は、凹部の内側面の過度なエッチングを抑制することができるという効果を奏する。

図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。 図２は、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。 図３は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。 図４は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、被加工物を保護膜塗布装置で保護膜を形成する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。 図５は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて第２面である裏面に保護膜が形成された被加工物を模式的に示す断面図である。 図６は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、被加工物の裏面上の保護膜の一部を除去する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。 図７は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、裏面上にマスクが形成された後の被加工物の要部の平面図である。 図８は、図７に示されたマスクが形成される際に、裏面の第１分割予定ライン上に細溝が形成された後の被加工物の要部の平面図である。 図９は、図７に示されたマスクが形成される際に、裏面の第１分割予定ライン上に太溝が形成された後の被加工物の要部の平面図である。 図１０は、図３に示された加工方法の保持ステップ及びプラズマエッチングステップを実施するプラズマエッチング装置の構成例を模式的に示す断面図である。 図１１は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉薄部のエッチング途中の被加工物の断面図である。 図１２は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉厚部のエッチング途中の被加工物の断面図である。 図１３は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉薄部を分断された被加工物の断面図である。 図１４は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉厚部を分断された被加工物の断面図である。

本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。

〔実施形態１〕
本発明の実施形態１に係る加工方法を図面に基づいて説明する。図１は、実施形態１に係る加工方法の加工対象の被加工物の一例を示す斜視図である。図２は、図１中のＩＩ－ＩＩ線に沿う断面図である。図３は、実施形態１に係る加工方法の流れを示すフローチャートである。

実施形態１に係る加工方法は、図１に示す被加工物１の加工方法である。実施形態１では、被加工物１は、シリコン、サファイア、又はガリウムヒ素などを基板２とする円板状のＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ウェーハである。しかしながら、本発明では、被加工物１は、ＭＥＭＳウェーハに限定されない。

被加工物１は、図１に示すように、第１面である表面３に複数の分割予定ライン４（破線で示す）が設定されるとともに、分割予定ライン４上に複数の凹部７が形成されている。なお、実施形態１では、分割予定ライン４は、互いに平行な第１分割予定ライン５と、互いに平行でかつ第１分割予定ライン５と交差（実施形態１では、直交）する第２分割予定ライン６とを備える。なお、図１には、分割予定ライン５，６を破線で示すが、実際の被加工物１には破線が形成されておれず、分割予定ライン５，６を示す破線は、仮想的な線である。また、実施形態１では、被加工物１は、第１分割予定ライン５上に複数の凹部７が形成されている。

凹部７は、表面３から凹に形成され、第１分割予定ライン５に沿って間隔をあけて配置されている。実施形態１では、凹部７は、分割予定ライン５，６同士の交差点を除いて、第１分割予定ライン５上に形成され、第２分割予定ライン６上には形成されていない。なお、実施形態１では、被加工物１は、互いに交差する分割予定ライン５，６により仕切られた領域が切削加工に分割されるデバイスよりも小型であり、例えば、１ｍｍ×１ｍｍ程度の大きさであり、プラズマエッチング（プラズマダイシングともいう）により個々に分割されるのに好適なものである。なお、図１及び図２では、分割予定ライン５，６同士の間隔を誇張して大きく記載している。

被加工物１は、図２に示すように、表面３の第１分割予定ライン５上に複数の凹部７が形成されることによって、第１分割予定ライン５に対応した領域に肉厚部８と肉薄部９とを有することとなる。なお、第１分割予定ライン５に対応した領域とは、基板２の第１分割予定ライン５と厚み方向に重なる領域である。即ち、本発明でいう対応する領域とは、基板２の厚み方向に重なる領域を示している。肉薄部９は、凹部７の底に形成され、肉厚部８は、凹部７の周囲に形成される。肉厚部８の厚みは、肉薄部９の厚みよりも厚い。

実施形態１に係る加工方法は、被加工物１を分割予定ライン５，６に沿って個々のチップ１３に分割する方法である。加工方法は、図３に示すように、マスク形成ステップ１００１と、保持ステップ１００２と、プラズマエッチングステップ１００３とを備える。

（マスク形成ステップ）
図４は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、被加工物を保護膜塗布装置で保護膜を形成する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。図５は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて第２面である裏面に保護膜が形成された被加工物を模式的に示す断面図である。図６は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、被加工物の裏面上の保護膜の一部を除去する状態を模式的に一部断面で示す側面図である。図７は、図３に示された加工方法のマスク形成ステップにおいて、裏面上にマスクが形成された後の被加工物の要部の平面図である。図８は、図７に示されたマスクが形成される際に、裏面の第１分割予定ライン上に細溝が形成された後の被加工物の要部の平面図である。図９は、図７に示されたマスクが形成される際に、裏面の第１分割予定ライン上に太溝が形成された後の被加工物の要部の平面図である。

マスク形成ステップ１００１は、第１面である表面３の背面の第２面である裏面１０に保護膜２６を積層するとともに分割予定ライン５，６に対応する領域に沿って保護膜２６を分断する溝２８，２９を形成することでプラズマダイシング用のマスク２７を形成するステップである。マスク形成ステップ１００１では、被加工物１の表面３に被加工物１よりも大径な円板状のテープ１１の中央部を貼着し、テープ１１の外縁部に環状フレーム１２を貼着する。なお、環状フレーム１２は、内径が被加工物１よりも大径な円環状に形成されている。

マスク形成ステップ１００１では、図４に示す保護膜被覆装置２０が、スピンナテーブル２１の保持面２２に被加工物１の表面３側がテープ１１を介して載置され、保持面２２に被加工物１の表面３側をテープ１１を介して吸引保持し、環状フレーム１２をスピンナテーブル２１の周囲に設けられたクランプ部２３で挟持する。マスク形成ステップ１００１では、保護膜被覆装置２０が、図４に示すように、スピンナテーブル２１を軸心回りに回転させながら、被加工物１の上方の塗布ノズル２４から被加工物１の裏面１０側に液状の水溶性樹脂２５を塗布する。

水溶性樹脂２５は、ポリビニルアルコール（polyvinyl alcohol：ＰＶＡ）又はポリビニルピロリドン（polyvinyl pyrrolidone：ＰＶＰ）等の水溶性の液状の樹脂等を含む。被加工物１の裏面１０に塗布された水溶性樹脂２５は、スピンナテーブル２１の回転により生じる遠心力により被加工物１の外縁側に拡げられて、被加工物１の裏面１０全体を被覆する。マスク形成ステップ１００１では、保護膜被覆装置２０が、被加工物１裏面１０側に水溶性樹脂２５を塗布した後、水溶性樹脂２５を乾燥又は加熱硬化させて、被加工物１の裏面１０全体を、図５に示すように、保護膜２６で被覆する。

なお、実施形態１では、マスク形成ステップ１００１では、水溶性樹脂２５を被加工物１の裏面１０に塗布して、保護膜２６を形成したが、本発明では、保護部材として被加工物１の裏面１０を非水溶性のレジスト膜で被覆しても良く、被加工物１の裏面１０を非水溶性の樹脂で被覆しても良い。こうして、本発明では、保護膜２６は、プラズマエッチングステップ１００３のプラズマ化した第１ガス及び第２ガスに対して耐性を有していれば良い。

マスク形成ステップ１００１では、図６に示すレーザー加工装置３０が、被加工物１の表面３をテープ１１を介してチャックテーブル３１の保持面３２に吸引保持する。マスク形成ステップ１００１では、レーザー加工装置３０が、図示しないＩＲ（赤外線）カメラで被加工物１の表面３を撮像し、被加工物１とレーザー光線照射ユニット３４との位置合わせを行なうアライメントを遂行する。

マスク形成ステップ１００１では、レーザー加工装置３０が、図６に示すように、チャックテーブル３１とレーザー光線照射ユニット３４とを分割予定ライン５，６に沿って相対的に移動させながら保護膜２６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３５を各分割予定ライン５，６に向かって照射して、分割予定ライン５，６上の保護膜２６を除去して、分割予定ライン５，６に沿って保護膜２６を分断する溝２８，２９を形成して、溝２８，２９の底から被加工物１の裏面１０を露出させる。マスク形成ステップ１００１では、レーザー加工装置３０は、被加工物１の全ての分割予定ライン５，６にレーザー光線３５を照射して、分割予定ライン５，６に沿って保護膜２６を分断する溝２８，２９を形成して、プラズマダイシング用の図７に示すマスク２７を形成する。

実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、マスク２７の肉薄部９における溝２８（以下、細溝と記す）の溝幅２８１を肉厚部８における溝２９（以下、太溝と記す）の溝幅２９１よりも狭く形成する。即ち、実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、各分割予定ライン５，６に沿って形成される溝２８，２９のうち肉厚部８に対応する領域に細溝２８の溝幅２８１よりも溝幅２９１が広い太溝２９を形成し、肉薄部９に対応する領域に太溝２９の溝幅２９１よりも溝幅２８１が狭い細溝２８を形成する。

また、実施形態１では、肉薄部９における細溝２８の溝幅２８１と、肉厚部８における太溝２９の溝幅２９１とは、プラズマエッチングステップ１００３においてプラズマエッチングにより肉薄部９と肉厚部８とが略同時に分断される幅に設定されるのが望ましい。なお、略同時とは、肉薄部９と肉厚部８とが同時に分断、又はプラズマエッチングステップ１００３の後に分割されたチップ１３の大きさの差が所定の許容範囲内に収まる程度に肉薄部９と肉厚部８とが分断されるタイミングにずれが生じることをいう。

このように、実施形態１では、凹部７以外に対応する領域である肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１と、凹部７に対応する領域である肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１とを異なる幅に設定する。また、実施形態１では、肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１の方が、肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１よりも広く設定する。なお、実施形態１において、各溝２８，２９の溝幅２８１，２９１をどのようにするかは、事前に同質材の被加工物１でマスク２７の溝２８，２９の溝幅２８１，２９１を変えてプラズマエッチングを施し、その結果をもとに決定するのが望ましい。

その結果、実施形態１では、プラズマエッチングによって肉厚部８と肉薄部９とが略同時に分断されるマスク２７の溝２８，２９の溝幅２８１，２９１に設定する。

なお、実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、保護膜２６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３５を照射して、分割予定ライン５，６に沿って溝２８，２９を形成する際には、第１分割予定ライン５に沿って細溝２８を形成する加工条件のレーザー光線３５を照射して、図８に示すように、第１分割予定ライン５の全長に亘って細溝２８を形成する。その後、実施形態１において、第１分割予定ライン５の肉厚部８に対応する領域に太溝２９を形成する加工条件のレーザー光線３５を照射して、図９に示すように、第１分割予定ライン５の肉厚部８に対応する領域に太溝２９を形成し、第１分割予定ライン５の肉薄部９に対応する領域に細溝２８を形成する。

また、実施形態１において、マスク形成ステップ１００１では、保護膜２６に対して吸収性を有する波長のレーザー光線３５を照射して、分割予定ライン５，６に沿って溝２８，２９を形成する際には、第２分割予定ライン６に沿って太溝２９を形成する加工条件のレーザー光線３５を照射して、第２分割予定ライン６の全長に亘って太溝２９を形成する。

また、本発明では、マスク形成ステップ１００１において、第１分割予定ライン５に沿って細溝２８を形成した後、肉厚部８に対応する領域ではレーザー光線３５の照射がＯＮ、肉薄部９に対応する領域ではレーザー光線３５の照射がＯＦＦになるように制御しつつ細溝２８が形成された第１分割予定ライン５に沿ってレーザー光線３５を照射して肉厚部８に対応する領域に太溝２９を形成し、肉薄部９に対応する領域に細溝２８を形成しても良い。

次に、保持ステップ１００２及びプラズマエッチングステップ１００３を実施するプラズマエッチング装置５０を図面に基づいて説明する。図１０は、図３に示された加工方法の保持ステップ及びプラズマエッチングステップを実施するプラズマエッチング装置の構成例を模式的に示す断面図である。

プラズマエッチング装置５０は、図１０に示すように、直方体状のチャンバー５１と、保持ユニット５２と、上部電極５３と、制御ユニット５５とを備える。

チャンバー５１は、内側にプラズマエッチングが実施される処理空間５１１が形成されている。チャンバー５１は、一つの側壁５１２に、被加工物１を搬入及び搬出するための開口５１３と、開口５１３を開閉する開閉扉５１４が設けられている。開閉扉５１４は、エアシリンダ等で構成される開閉機構５１５によって昇降することで、開口５１３を開閉する。

また、チャンバー５１は、底壁５１６にチャンバー５１の内部と外部とを連通させる排気口５１７が形成されている。排気口５１７は、真空ポンプ等の排気機構５１０が接続されている。

保持ユニット５２と上部電極５３とは、チャンバー５１の処理空間５１１に、互いに対向して配置されている。保持ユニット５２の上面は、テープ１１を介して被加工物１を保持する保持面５２４である。また、保持ユニット５２は、導電性の材料により構成され、下部電極としても機能する。

保持ユニット５２は、円盤状の保持部５２１と、保持部５２１の下面の中央部から下方に突出する円柱状の支持部５２０とを含む。支持部５２０は、チャンバー５１の底壁５１６に形成された開口５２２に挿入されている。開口５２２内において、底壁５１６と支持部５２０との間には環状の絶縁部材５２３が配置されており、チャンバー５１と保持ユニット５２とは電気的に絶縁されている。また、保持ユニット５２は、チャンバー５１の外部で高周波電源５６と接続されている。

保持ユニット５２の保持部５２１には、図示しない高周波電源に接続された電極５２６が設けられている。保持ユニット５２は、電極５２６に高周波電源から電力が印加されて、保持面５２４と被加工物１との間に誘電分極現象を発生させ、電荷の分極による静電吸着力によって被加工物１を保持面５２４上に吸着保持する。

また、保持ユニット５２の保持部５２１の内部及び支持部５２０の内部には、保持ユニット５２を冷却するための冷却流体が流れる冷却流路５２７が形成されている。冷却流路５２７の両端は、冷媒循環機構５２８に接続されている。冷媒循環機構５２８を作動させると、水等の冷却流体が、冷却流路５２７内を循環して流れ、保持ユニット５２が冷却される。

上部電極５３は、導電性の材料でなり、円盤状のガス噴出部５３１と、ガス噴出部５３１の上面の中央部から上方に突出する円柱状の支持部５３０とを含む。支持部５３０は、チャンバー５１の上壁５１８に形成された開口５３２に挿入されている。開口５３２内において、上壁５１８と支持部５３０との間には環状の絶縁部材５３３が配置されており、チャンバー５１と上部電極５３とは電気的に絶縁されている。

上部電極５３は、チャンバー５１の外部で高周波電源５７と接続されている。また、支持部５３０の上端部には、昇降機構５３４の支持アームが取り付けられている。上部電極５３は、昇降機構５３４により昇降する。

ガス噴出部５３１の下面側には、複数の噴出口５３５が設けられている。噴出口５３５は、ガス噴出部５３１及び支持部５３０に形成された流路５３６を介して、第１ガス供給源５８及び第２ガス供給源５９に接続されている。第１ガス供給源５８は、第１ガスを流路５３６を通して噴出口５３５からチャンバー５１内に供給する。実施形態１では、第１ガス供給源５８は、被加工物１の基板２がシリコンにより構成される場合、第１ガスとして、フッ素系ガスをチャンバー５１内に供給する。第２ガス供給源５９は、第２ガスを流路５３６を通して噴出口５３５からチャンバー５１内に供給する。実施形態１では、第２ガス供給源５９は、第２ガスとして、酸素系ガスをチャンバー５１内に供給する。

制御ユニット５５は、プラズマエッチング装置５０の各構成要素を制御して、プラズマエッチング装置５０に被加工物１に対するプラズマエッチングを実施させるものである。なお、制御ユニット５５は、ＣＰＵ（central processing unit）のようなマイクロプロセッサを有する演算処理装置と、ＲＯＭ（read only memory）又はＲＡＭ（random access memory）のようなメモリを有する記憶装置と、入出力インターフェース装置とを有するコンピュータである。制御ユニット５５の演算処理装置は、記憶装置に記憶されているコンピュータプログラムに従って演算処理を実施して、プラズマエッチング装置５０を制御するための制御信号を、入出力インターフェース装置を介してプラズマエッチング装置５０の各構成要素に出力する。

また、制御ユニット５５は、各種の情報や画像などを表示する液晶表示装置などにより構成される表示ユニットと、オペレータが加工内容情報などを登録する際に用いる入力ユニットとが接続されている。入力ユニットは、表示ユニットに設けられたタッチパネルと、キーボード等の外部入力装置とのうち少なくとも一つにより構成される。

（保持ステップ）
保持ステップ１００２は、被加工物１の表面３側を保持ユニット５２で保持して、マスク２７が形成された裏面１０側を露出させるである。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０が、昇降機構５３４により上部電極５３を上昇させ、昇降機構によりフレーム挟持プレート５４２を上昇させた状態で、開閉機構５１５により開閉扉５１４を下降させて開口５１３を開放する。

保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、図示しない搬送ユニットによりマスク形成ステップ１００１でマスク２７が裏面１０に形成された被加工物１が処理空間５１１内に搬入され、テープ１１を介して被加工物１が保持ユニット５２の保持面５２４に載置される。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、高周波電源から電力を電極５２６に印加して、保持面５２４にテープ１１を介して被加工物１の表面３を吸着保持する。

保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、開閉機構５１５により開閉扉５１４を上昇させて開口５１３を閉じ、排気機構５１０を作動させてチャンバー５１内を減圧し、処理空間５１１を真空状態（低圧状態）とし、冷媒循環機構５２８を作動させて、水等の冷却流体を冷却流路５２７内で循環し、保持ユニット５２の異常昇温を抑制する。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、昇降機構５３４により上部電極５３を下降させ、上部電極５３の下面と、下部電極を構成する保持ユニット５２に保持された被加工物１との間の距離をプラズマエッチングに適した所定の電極間距離に位置付ける。

（プラズマエッチングステップ）
図１１は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉薄部のエッチング途中の被加工物の断面図である。図１２は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉厚部のエッチング途中の被加工物の断面図である。図１３は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉薄部を分断された被加工物の断面図である。図１４は、図３に示された加工方法のプラズマエッチングステップにおいて肉厚部を分断された被加工物の断面図である。

プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、第１ガス供給源５８から第１ガスを所定の流量で供給してガス噴出部５３１の複数の噴出口５３５から保持ユニット５２上に保持された被加工物１に向けて噴出する。保持ステップ１００２では、プラズマエッチング装置５０は、第１ガス供給源５８から第１ガスを供給した状態で、高周波電源５７から上部電極５３にプラズマを作り維持する高周波電力を印加し、高周波電源５６から下部電極である保持ユニット５２にイオンを引き込むための高周波電力を印加する。

プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、保持ユニット５２と上部電極５３との間の空間の第１ガスがプラズマ化され、このプラズマ化された第１ガスが被加工物１側に引き込まれて、被加工物１のマスク２７の溝２８，２９から露出した分割予定ライン５，６の裏面１０をエッチング（所謂プラズマエッチング）して、図１１及び図１２に示すように、分割予定ライン５，６の裏面１０にエッチング溝１４を形成し、エッチング溝１４を被加工物１の表面３に向かって進行させる。

なお、実施形態１では、基板２がシリコンで構成される場合、第１ガスとして、ＳＦ_６、Ｃ_４Ｆ_８又はＣＦ_４等のフッ素系ガスを用いるが、第１ガスは、これらに限定されない。また、単一のガスでエッチングする他、例えばＳＦ_６とＣ_４Ｆ_８とを交互に用いてもよい。

プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、被加工物１の基板２の厚さに応じて、被加工物１の基板２をプラズマエッチングする所定時間が予め設定されている。プラズマエッチングステップ１００３では、プラズマエッチング装置５０は、所定時間、第１ガスを供給しながら保持ユニット５２及び上部電極５３に高周波電力を印加して、図１３及び図１４に示すように、マスク２７から露出した分割予定ライン５，６上の基板２を完全に除去して、被加工物１を溝２８，２９に沿って分断して、個々のチップ１３に分割する。なお、実施形態１では、溝２８，２９の溝幅２８１，２９１が前述したように形成されているので、被加工物１は、肉厚部８と肉薄部９とが略同時に分断される。

以上説明した実施形態１に係る加工方法は、被加工物１を凹部の形成されていない第２面側からプラズマダイシングを施す。その結果、実施形態１に係る加工方法は、被加工物１の凹部７の内側面の過度なエッチングを抑制することができるという効果を奏する。

また、凹部７が形成された肉薄部９と肉厚部８とではエッチングで分断に要する時間が異なる。肉薄部９が分断された後に肉厚部８が分断されるまでの間に肉薄部９の特に下面側（表面３側）で更にエッチングが進行し、肉薄部９に形成されたエッチング溝１４の内面のエッチングが進行してしまい、形成されるチップ１３の側面の表面３側が欠けた異形状となってしまう。

そこで、実施形態１に係る加工方法は、プラズマダイシング用のマスク２７の溝２８，２９の溝幅２８１，２９１を肉薄部９と肉厚部８とで異なる幅にし、肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１を肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１よりも狭くしている。このため、実施形態１に係る加工方法は、プラズマした第１ガスが広い溝幅２９１の太溝２９の方が狭い溝幅２８１の細溝２８よりも多く進入するため、肉薄部９の細溝２８の溝幅２８１を肉厚部８の太溝２９の溝幅２９１よりも狭く設定し肉薄部９と肉厚部８との略同時に分断するようにしている。その結果、実施形態１に係る加工方法は、凹部７が形成されて被加工物１に肉厚部８と肉薄部９とが形成されていても、チップ１３が異形状となることを抑制することができるという効果を奏する。

なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。例えば、本発明では、保持ステップ１００２及びプラズマエッチングステップ１００３において、下部電力である保持ユニット５２及び上部電極５３に高周波電力を印加して処理空間５１１内で第１ガスをプラズマ化するものではなく、プラズマ化にした第１ガスをチャンバー５１内の処理空間５１１に導入するリモートプラズマ方式のプラズマエッチング装置を用いても良い。また、本発明では、被加工物１は、第１分割予定ライン５上に加え、第２分割予定ライン６上に凹部７を備えても良い。

１ 被加工物
３ 表面（第１面）
４ 分割予定ライン
５ 第１分割予定ライン
６ 第２分割予定ライン
７ 凹部
８ 肉厚部
９ 肉薄部
１０ 裏面（第２面）
２６ 保護膜
２７ マスク
２８ 細溝（溝）
２９ 太溝（溝）
２８１ 溝幅
２９１ 溝幅
１００１ マスク形成ステップ
１００２ 保持ステップ
１００３ プラズマエッチングステップ

Claims (3)

1. 第１面に複数の分割予定ラインが設定されるとともに該分割予定ライン上に複数の凹部が形成されることで該分割予定ラインに対応した領域に肉厚部と肉薄部とを有した被加工物の加工方法であって、
   該第１面の背面の第２面に保護膜を積層するとともに該分割予定ラインに対応する領域に沿って該保護膜を分断する溝を形成することでプラズマダイシング用のマスクを形成するマスク形成ステップと、
   被加工物の該第１面側を保持ユニットで保持して該マスクが形成された該第２面側を露出させる保持ステップと、
   該保持ステップを実施した後、該マスクを介して該第２面側から被加工物にプラズマエッチングを施すプラズマエッチングステップと、を備えた加工方法。
2. 該マスク形成ステップでは、該肉薄部における溝幅を該肉厚部における溝幅よりも狭く形成する、請求項１に記載の加工方法。
3. 該肉薄部における溝幅と、該肉厚部における溝幅とは、該プラズマエッチングステップにおいて該肉薄部と該肉厚部とが略同時に分断される幅に設定される、請求項２に記載の加工方法。

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