JP2023127000A - Production method of multilayer body, multilayer body, and production method of semiconductor package - Google Patents

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Abstract

To provide a production method of a multilayer body, with which the multilayer body having warpage and maintaining the warpage even after exposed to high temperature can easily be produced, the multilayer body having the warpage, and a production method of a semiconductor package.SOLUTION: Provided is a production method of a multilayer body having warpage. The production method has: a step for forming a multilayer body precursor which comprises two glass substrates and a thermosetting resin layer arranged between the two glass substrates; and a step for obtaining the multilayer body having the warpage and comprising the two glass substrates and a resin layer arranged between the two glass substrates by forming the resin layer by thermally curing the thermosetting resin layer while maintaining the multilayer body precursor in a deformed state.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、積層体の製造方法、積層体および半導体パッケージの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a laminate, and a method for manufacturing a laminate and a semiconductor package.

集積回路等を備えた半導体デバイスは、ボンディングワイヤ、または半田ボール等により再配線層（ＲＤＬ）と電気的に接続されて実装されており、さらに樹脂で封止されて半導体パッケージとされている。
半導体パッケージは、例えば、以下の方法で製造される。まず、ガラス基板上に再配線層を形成した後に、半導体デバイスをボンディングワイヤ、または半田ボール等により再配線層と電気的に接続する。その後、半導体デバイスを樹脂で封止する。そして、ガラス基板から、樹脂で封止された半導体デバイスが実装された再配線層を剥離することにより半導体パッケージが得られる。半導体パッケージの製造工程における熱による基板の変形を考慮して、半導体パッケージの製造に用いられるガラス基板には、特許文献１に記載されるような反りを有するガラス基板が用いられる。特許文献１には、反りが２～３００μｍであり、反りによる傾斜角度が０．０００４～０．１２°であるガラス基板が記載されている。 A semiconductor device including an integrated circuit or the like is mounted and electrically connected to a redistribution layer (RDL) using bonding wires, solder balls, or the like, and is further sealed with resin to form a semiconductor package.
A semiconductor package is manufactured, for example, by the following method. First, after forming a rewiring layer on a glass substrate, a semiconductor device is electrically connected to the rewiring layer using bonding wires, solder balls, or the like. After that, the semiconductor device is sealed with resin. Then, a semiconductor package is obtained by peeling off the rewiring layer on which the resin-sealed semiconductor device is mounted from the glass substrate. In consideration of deformation of the substrate due to heat in the manufacturing process of semiconductor packages, a glass substrate having a warp as described in Patent Document 1 is used as a glass substrate used for manufacturing semiconductor packages. Patent Document 1 describes a glass substrate having a warpage of 2 to 300 μm and an inclination angle of 0.0004 to 0.12° due to the warp.

特許第６６０１４９３号公報Patent No. 6601493

上述の特許文献１のガラス基板は、成形工程および徐冷工程を経て反りが形成されている。徐冷工程の徐冷温度を調整して、反りおよび反りによる傾斜角度を調整しているが、反り量等の調整が容易ではない。
そこで、本発明は、反りを有し、かつ、高温に晒された後も反りが維持される積層体を容易に製造できる積層体の製造方法を提供することを目的とし、また、本発明は、反りを有する積層体を提供すること、および半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。 The glass substrate of Patent Document 1 mentioned above is warped through a molding process and a slow cooling process. Although the slow cooling temperature in the slow cooling step is adjusted to adjust the warp and the angle of inclination due to the warp, it is not easy to adjust the amount of warp, etc.
Therefore, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a laminate that can easily produce a laminate that has warp and maintains the warp even after being exposed to high temperatures. It is an object of the present invention to provide a laminate having warp, and to provide a method for manufacturing a semiconductor package.

本発明者らは、鋭意検討した結果、以下の構成により上述の目的を達成できることを見出した。
本発明の態様は、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程と、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成し、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置される樹脂層とを備え、反りを有する積層体を得る工程とを有する、反りを有する積層体の製造方法を提供するものである。
２枚のガラス基板の平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
前駆体積層体を形成する工程の後に、前駆体積層体のガラス基板に対して、面取り、研削、および研磨のうち、少なくとも１つを行う工程をさらに有することが好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化の際の温度は、４００℃以下であることが好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化は、熱硬化開始温度よりも２０℃以上高い温度で行うことが好ましい。 As a result of extensive studies, the present inventors have found that the above object can be achieved by the following configuration.
Aspects of the present invention include a step of forming a precursor laminate having two glass substrates and a thermosetting resin layer disposed between the two glass substrates, and deforming the precursor laminate. In this state, the thermosetting resin layer is thermally cured to form a resin layer, and a warped laminate including two glass substrates and a resin layer disposed between the two glass substrates is formed. The present invention provides a method for producing a warped laminate, the method comprising the step of obtaining a warped laminate.
It is preferable that the difference in average coefficient of thermal expansion between the two glass substrates is 1.5 ppm/°C or less.
After the step of forming the precursor laminate, it is preferable to further include a step of performing at least one of chamfering, grinding, and polishing on the glass substrate of the precursor laminate.
The temperature during thermosetting of the thermosetting resin layer is preferably 400°C or less.
It is preferable that the thermosetting resin layer is thermally cured at a temperature that is 20° C. or more higher than the thermosetting start temperature.

本発明の態様は、第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有する積層体であって、積層体は反りを有する、積層体を提供するものである。
第１ガラス基板の外側の表面が凸となるように第１ガラス基板と樹脂層と第２ガラス基板とが湾曲しており、かつ湾曲した第１ガラス基板上に電子デバイスが配置されることが好ましい。
第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
積層体は、総厚が０．３～３．０ｍｍであることが好ましい。
積層体の反り量は、０μｍ超５００μｍ以下であることが好ましい。
２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下であることが好ましい。
本発明の態様は、第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有し、かつ反りを有する、積層体を用意する工程と、第１ガラス基板の表面に再配線層を形成する工程と、半導体デバイスを再配線層と電気的に接続する工程と、半導体デバイスを樹脂を用いて封止する工程と、樹脂で封止された半導体デバイスが実装された再配線層を第１ガラス基板から剥離する工程とを有する、半導体パッケージの製造方法を提供するものである。 An aspect of the present invention provides a laminate having a first glass substrate, a resin layer, and a second glass substrate in this order, the laminate having warpage.
The first glass substrate, the resin layer, and the second glass substrate are curved so that the outer surface of the first glass substrate is convex, and an electronic device is arranged on the curved first glass substrate. preferable.
It is preferable that the difference in average coefficient of thermal expansion between the first glass substrate and the second glass substrate is 1.5 ppm/° C. or less.
The total thickness of the laminate is preferably 0.3 to 3.0 mm.
The amount of warpage of the laminate is preferably more than 0 μm and less than 500 μm.
It is preferable that the amount of warpage after heating at 250° C. for 3 hours is more than 0 μm and less than 500 μm.
An aspect of the present invention includes a step of preparing a laminate having a first glass substrate, a resin layer, and a second glass substrate in this order and having a warp, and a rewiring layer on the surface of the first glass substrate. a step of electrically connecting the semiconductor device to the rewiring layer, a step of sealing the semiconductor device with a resin, and a step of forming the rewiring layer on which the semiconductor device sealed with the resin is mounted. The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor package, which includes a step of peeling from a first glass substrate.

本発明によれば、反りを有し、かつ、高温に晒された後も反りが維持される積層体を容易に製造できる。また、反りを有する積層体を提供できる。さらには、半導体パッケージを製造できる。 According to the present invention, it is possible to easily produce a laminate that has warp and maintains the warp even after being exposed to high temperatures. Furthermore, a warped laminate can be provided. Furthermore, semiconductor packages can be manufactured.

（ａ）～（ｄ）は本発明の実施形態の積層体の製造方法を工程順に示す模式的断面図である。(a) to (d) are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a laminate according to an embodiment of the present invention in order of steps. 本発明の実施形態の積層体の一例を模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a laminate according to an embodiment of the present invention. 本発明の実施形態の積層体の使用例の一例を模式的断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of an example of the use of a laminate according to an embodiment of the present invention. （ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態の積層体の反り量の測定方法を説明する模式的断面図である。(a) and (b) are schematic cross-sectional views illustrating a method for measuring the amount of warpage of a laminate according to an embodiment of the present invention. 例１８の反り量の測定方法を説明する模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a method for measuring the amount of warpage in Example 18. 例１９の反り量の測定方法を説明する模式図である。FIG. 7 is a schematic diagram illustrating a method for measuring the amount of warpage in Example 19.

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は、以下の実施形態は本発明を説明するための例示的なものであり、以下に示す実施形態に制限されることはない。なお、本発明の範囲を逸脱することなく、以下の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
「～」を用いて表される数値範囲は、「～」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the following embodiments are illustrative for explaining the present invention, and the present invention is not limited to the embodiments shown below. Note that various modifications and substitutions can be made to the following embodiments without departing from the scope of the present invention.
A numerical range expressed using "~" means a range that includes the numerical values written before and after "~" as lower and upper limits.

本発明の積層体の製造方法の特徴としては、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成し、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、２枚のガラス基板の間に樹脂層を形成する。これにより、２枚のガラス基板の間に樹脂層が配置された、反りを有する積層体を得る。前駆体積層体を変形させた状態で、樹脂層を形成するため、熱硬化性樹脂を硬化させる程度の温度で、反りを有する積層体を形成できる。このため、温度を高くする必要がなく、積層体を容易に製造できる。さらには、反りを有する積層体は、樹脂層が熱硬化しており、高温に晒された後も反りが維持される。しかも、積層体では、ガラス基板の種類を問わず、ガラス基板の選択範囲が広い。以下、積層体の製造方法について説明する。 The method for producing a laminate of the present invention is characterized by forming a precursor laminate having two glass substrates and a thermosetting resin layer disposed between the two glass substrates, With the body deformed, the thermosetting resin layer is thermally cured to form a resin layer between the two glass substrates. As a result, a warped laminate in which a resin layer is disposed between two glass substrates is obtained. Since the resin layer is formed while the precursor laminate is deformed, a warped laminate can be formed at a temperature that is sufficient to cure the thermosetting resin. Therefore, there is no need to raise the temperature, and the laminate can be easily manufactured. Furthermore, in the warped laminate, the resin layer is thermoset, and the warp is maintained even after exposure to high temperatures. Moreover, in the case of a laminate, there is a wide range of glass substrates to choose from regardless of the type of glass substrate. The method for manufacturing the laminate will be described below.

＜積層体の製造方法＞
［積層体の製造方法の一例］
図１（ａ）～（ｄ）は本発明の実施形態の積層体の製造方法を工程順に示す模式的断面図であり、図２は本発明の実施形態の積層体の一例を模式的断面図である。製造される積層体３０（図２参照）は、反りを有し、２枚のガラス基板の間に樹脂層が配置されており、第１ガラス基板１４（図１（ｂ）参照）と、第２ガラス基板１０（図１（ｂ）参照）とを有する。第１ガラス基板１４（図１（ｂ）参照）と、第２ガラス基板１０（図１（ｂ）参照）とは、いずれも円板である。
まず、図１（ａ）に示すように、第２ガラス基板１０の一方の面（表面１０ａ）に熱硬化性樹脂層１２を形成する。図１（ａ）では熱硬化性樹脂層１２は未硬化状態である。
次に、図１（ｂ）に示すように、熱硬化性樹脂層１２の第２ガラス基板１０の反対側の表面１２ａに、第１ガラス基板１４を配置する。これにより、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層１２とを有する前駆体積層体１６が形成される。
次に、図１（ｃ）に示すように、前駆体積層体１６の周縁１６ｃを面取りする。さらに第１ガラス基板１４の表面１４ａおよび第２ガラス基板１０の表面１０ａに研削および研磨を行う。これにより、前駆体積層体１６の厚み、およびＴＴＶ（Total Thickness Variation）を調整する。なお、面取り、研削および研磨を実施することが好ましいが、必ずしも実施する必要はない。面取り、研削および研磨のうち、少なくとも面取りを実施することが望ましい。 <Method for manufacturing laminate>
[An example of a method for manufacturing a laminate]
FIGS. 1(a) to 1(d) are schematic cross-sectional views showing a method for manufacturing a laminate according to an embodiment of the present invention in order of steps, and FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an example of a laminate according to an embodiment of the present invention. It is. The manufactured laminate 30 (see FIG. 2) has a warp, a resin layer is arranged between two glass substrates, and the first glass substrate 14 (see FIG. 1(b)) and the first glass substrate 14 (see FIG. 2 glass substrates 10 (see FIG. 1(b)). Both the first glass substrate 14 (see FIG. 1(b)) and the second glass substrate 10 (see FIG. 1(b)) are disks.
First, as shown in FIG. 1(a), a thermosetting resin layer 12 is formed on one surface (surface 10a) of the second glass substrate 10. In FIG. 1(a), the thermosetting resin layer 12 is in an uncured state.
Next, as shown in FIG. 1(b), the first glass substrate 14 is placed on the surface 12a of the thermosetting resin layer 12 on the opposite side to the second glass substrate 10. This forms a precursor laminate 16 having two glass substrates and a thermosetting resin layer 12 disposed between the two glass substrates.
Next, as shown in FIG. 1(c), the peripheral edge 16c of the precursor laminate 16 is chamfered. Further, the surface 14a of the first glass substrate 14 and the surface 10a of the second glass substrate 10 are ground and polished. Thereby, the thickness of the precursor laminate 16 and TTV (Total Thickness Variation) are adjusted. Note that although chamfering, grinding, and polishing are preferably carried out, they are not necessarily carried out. Among chamfering, grinding, and polishing, it is desirable to perform at least chamfering.

次に、図１（ｄ）に示すように、前駆体積層体１６を、室温（２５℃）で型２０に取り付ける。型２０は、上型２２と下型２４とを有する。上型２２と下型２４とは、例えば、カーボンで構成される。上型２２は、形状が凹面状の凹部２２ａを有する。下型２４は形状が凸面状の凸部２４ａを有する。型２０は、上型２２の凹部２２ａと、下型２４の凸部２４ａとが対向して配置される。凹部２２ａと凸部２４ａとに挟まれる空間により型２０の内壁形状が構成される。上型２２の凹部２２ａにより第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように変形し、下型２４の凸部２４ａにより第２ガラス基板１０の表面１０ａが凹となるように変形する。
上型２２に第１ガラス基板１４が表面１４ａ側を向けて配置され、下型２４に第２ガラス基板１０が表面１０ａ側を向けて配置される。上型２２と下型２４とをボルト２６とナット２７とを用いて締めることにより上型２２の凹部２２ａの形状に合わせて第１ガラス基板１４を変形させ、下型２４の凸部２４ａの形状に合わせて第２ガラス基板１０を変形させる。これにより、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように第１ガラス基板１４が変形する。
次に、前駆体積層体１６を加熱し、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１３（図２参照）を形成する。前駆体積層体１６の加熱は、例えば、窒素雰囲気で、温度２５℃から２５０℃まで１０℃／分の速度で昇温した後、２５０℃で３０分間保持した後、２５０℃から１５０℃まで－１０℃／分の速度で冷却する。 Next, as shown in FIG. 1(d), the precursor laminate 16 is attached to a mold 20 at room temperature (25° C.). The mold 20 has an upper mold 22 and a lower mold 24. The upper mold 22 and the lower mold 24 are made of carbon, for example. The upper die 22 has a concave recess 22a. The lower mold 24 has a convex portion 24a having a convex shape. In the mold 20, the concave portion 22a of the upper mold 22 and the convex portion 24a of the lower mold 24 are arranged to face each other. The shape of the inner wall of the mold 20 is formed by the space sandwiched between the recess 22a and the projection 24a. The outer surface 14a of the first glass substrate 14 is deformed into a convex shape by the concave portion 22a of the upper mold 22, and the surface 10a of the second glass substrate 10 is deformed into a concave shape by the convex portion 24a of the lower mold 24. .
The first glass substrate 14 is arranged on the upper mold 22 with the surface 14a side facing, and the second glass substrate 10 is arranged on the lower mold 24 with the surface 10a side facing. By tightening the upper mold 22 and the lower mold 24 using bolts 26 and nuts 27, the first glass substrate 14 is deformed to match the shape of the recess 22a of the upper mold 22, and the shape of the protrusion 24a of the lower mold 24 is changed. The second glass substrate 10 is deformed accordingly. As a result, the first glass substrate 14 is deformed so that the outer surface 14a of the first glass substrate 14 becomes convex.
Next, the precursor laminate 16 is heated to thermally cure the thermosetting resin layer 12 to form the resin layer 13 (see FIG. 2). The precursor laminate 16 is heated, for example, in a nitrogen atmosphere by raising the temperature from 25°C to 250°C at a rate of 10°C/min, holding it at 250°C for 30 minutes, and then heating it from 250°C to 150°C. Cool at a rate of 10°C/min.

型２０の冷却後、ボルト２６からナット２７を外して型２０から前駆体積層体１６を取り出す。これにより、図２に示すように第１ガラス基板１４と、樹脂層１３と、第２ガラス基板１０とをこの順に有し、かつ反りを有する積層体３０を得る。積層体３０は高温に晒された後も反りが維持される。図２に示す積層体３０は、外形が円形である。
なお、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とを、それぞれ円板としたが、形状は特に限定されるものではなく、例えば、矩形でもよい。また、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とは、積層して変形させて積層体３０とするため、相似形であることが好ましい。
また、積層体３０を製造する際に、円板のガラス基板を用いることなく、例えば、矩形の第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０を用い、前駆体積層体を形成した後、円形に切断して、面取り、研削、研磨を実施して、外形が円形の前駆体積層体としてもよい。 After cooling the mold 20, the nuts 27 are removed from the bolts 26 and the precursor laminate 16 is taken out from the mold 20. Thereby, as shown in FIG. 2, a laminate 30 having the first glass substrate 14, the resin layer 13, and the second glass substrate 10 in this order and having warpage is obtained. The laminate 30 maintains its warpage even after being exposed to high temperatures. The laminate 30 shown in FIG. 2 has a circular outer shape.
In addition, although the first glass substrate 14 and the second glass substrate 10 are each made into a disk, the shape is not particularly limited, and may be rectangular, for example. Moreover, since the first glass substrate 14 and the second glass substrate 10 are laminated and deformed to form the laminate 30, it is preferable that they have similar shapes.
In addition, when manufacturing the laminate 30, for example, the first glass substrate 14 and the second glass substrate 10 are rectangular, and the precursor laminate is formed without using a circular glass substrate. A precursor laminate having a circular outer shape may be obtained by cutting, chamfering, grinding, and polishing.

＜積層体＞
図２に示す積層体３０は、上述のように外形が円形である。積層体３０は、例えば、第２ガラス基板１０の表面１０ａを平面Ｂに接して、平面Ｂ上に配置した場合、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸になるように第１ガラス基板１４と樹脂層１３と第２ガラス基板１０とが湾曲している。上述のように第２ガラス基板１０の表面１０ａを平面Ｂに接して平面Ｂ上に配置した場合における、第１ガラス基板１４が沿った状態での外径が積層体３０の直径Ｄとなる。直径Ｄは、特に限定されるものではないが、半導体ウエハと同程度の大きさとすることができ、例えば、８インチ、または１２インチである。
図３は本発明の実施形態の積層体の使用例の一例を模式的断面図である。なお、図３において、図２に示す積層体３０と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
積層体３０は、上述のように第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａが凸となるように第１ガラス基板１４と樹脂層１３と第２ガラス基板１０とが湾曲している。なお、第１ガラス基板１４の外側の表面１４ａとは、第１ガラス基板１４の樹脂層１３の反対側の面のことである。 <Laminated body>
The laminate 30 shown in FIG. 2 has a circular outer shape as described above. For example, when the laminate 30 is arranged on the plane B with the surface 10a of the second glass substrate 10 in contact with the plane B, the first glass substrate 14 is arranged so that the outer surface 14a of the first glass substrate 14 is convex. 14, the resin layer 13, and the second glass substrate 10 are curved. When the surface 10a of the second glass substrate 10 is placed on the plane B in contact with the plane B as described above, the outer diameter along which the first glass substrate 14 is aligned is the diameter D of the laminate 30. The diameter D is not particularly limited, but may be as large as a semiconductor wafer, for example, 8 inches or 12 inches.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view of an example of the use of the laminate according to the embodiment of the present invention. Note that in FIG. 3, the same components as those of the laminate 30 shown in FIG. 2 are denoted by the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.
In the laminate 30, the first glass substrate 14, the resin layer 13, and the second glass substrate 10 are curved so that the outer surface 14a of the first glass substrate 14 is convex as described above. Note that the outer surface 14a of the first glass substrate 14 is the surface of the first glass substrate 14 opposite to the resin layer 13.

また、積層体３０の総厚ｈ（図２）は、搬送工程のハンドリング、および再配線層４２を剥離することから、好ましくは０．３～３．０ｍｍ、より好ましくは０．５～２．０ｍｍである。積層体３０の総厚ｈは、分光レーザー変位計を用いて測定する。
また、積層体３０の反り量は、好ましくは０μｍ超５００μｍ以下、より好ましくは５０～３００μｍである。積層体３０の反り量が０μｍ超であると、電子デバイスのパッケージング工程での反り矯正効果が十分であり、反り量が５００μｍ以下であると、電子デバイスのパッケージング工程での基板の保持（チャッキング）がしやすくなる。
積層体３０は、２５０℃で３時間加熱した後の反り量は、好ましくは０μｍ超５００μｍ以下、より好ましくは５０～３００μｍである。２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下であれば、積層体３０に高温に晒された後も反りが維持され、半導体パッケージの製造に繰り返して利用することができる。
なお、２５０℃で３時間加熱した後とは、窒素雰囲気において２５０℃で３時間加熱した後、積層体が室温（２５℃）になった状態のことである。 Further, the total thickness h (FIG. 2) of the laminate 30 is preferably 0.3 to 3.0 mm, more preferably 0.5 to 2.0 mm, for handling during the transportation process and peeling off the rewiring layer 42. It is 0mm. The total thickness h of the laminate 30 is measured using a spectroscopic laser displacement meter.
Further, the amount of warpage of the laminate 30 is preferably more than 0 μm and 500 μm or less, more preferably 50 to 300 μm. When the amount of warpage of the laminate 30 is more than 0 μm, the warpage correction effect during the packaging process of electronic devices is sufficient, and when the amount of warpage is 500 μm or less, the holding of the substrate during the packaging process of electronic devices ( chucking) becomes easier.
The amount of warpage of the laminate 30 after being heated at 250° C. for 3 hours is preferably more than 0 μm and 500 μm or less, more preferably 50 to 300 μm. If the amount of warpage after heating at 250° C. for 3 hours is more than 0 μm and less than 500 μm, the warp will be maintained even after the laminate 30 is exposed to high temperatures, and it can be repeatedly used for manufacturing semiconductor packages.
Note that "after heating at 250°C for 3 hours" refers to a state in which the laminate reaches room temperature (25°C) after heating at 250°C for 3 hours in a nitrogen atmosphere.

（半導体パッケージおよびその製造方法）
図３に示すように、湾曲した第１ガラス基板１４の表面１４ａに、半導体パッケージ４０が設けられる。半導体パッケージ４０は、例えば、再配線層４２上に電子デバイス４４が実装されている。湾曲した第１ガラス基板１４上に電子デバイス４４が配置される。第１ガラス基板１４の樹脂層１３の反対側の面、すなわち、第１ガラス基板１４の表面１４ａが電子デバイス４４の形成される面である。再配線層４２と電子デバイス４４とはボンディングワイヤ、または半田ボール等により電気的に接続されている。電子デバイス４４は樹脂４６により封止されている。再配線層４２は第１ガラス基板１４の表面１４ａに形成されている。再配線層４２を第１ガラス基板１４の表面１４ａから剥離することにより、半導体パッケージ４０が取り出される。
電子デバイス４４は、集積回路等を有する半導体デバイス等であり、具体的には、例えば、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、およびＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等である。
樹脂４６は、電子デバイス４４を封止する封止樹脂であり、半導体パッケージに用いられるものが適宜利用可能である。樹脂４６としては、例えば、エポキシ樹脂等の公知の熱硬化性樹脂に、シリカの微粒子を混ぜたものが用いられる。 (Semiconductor package and its manufacturing method)
As shown in FIG. 3, a semiconductor package 40 is provided on the curved surface 14a of the first glass substrate 14. In the semiconductor package 40, for example, an electronic device 44 is mounted on a rewiring layer 42. An electronic device 44 is placed on the curved first glass substrate 14 . The surface of the first glass substrate 14 opposite to the resin layer 13, that is, the surface 14a of the first glass substrate 14 is the surface on which the electronic device 44 is formed. The rewiring layer 42 and the electronic device 44 are electrically connected by bonding wires, solder balls, or the like. Electronic device 44 is sealed with resin 46 . The rewiring layer 42 is formed on the surface 14a of the first glass substrate 14. By peeling off the rewiring layer 42 from the surface 14a of the first glass substrate 14, the semiconductor package 40 is taken out.
The electronic device 44 is a semiconductor device having an integrated circuit or the like, and specifically includes, for example, MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) and ASIC (Application Specific Integrated Circuit).
The resin 46 is a sealing resin that seals the electronic device 44, and resins used for semiconductor packages can be used as appropriate. As the resin 46, for example, a mixture of known thermosetting resin such as epoxy resin and fine particles of silica is used.

（積層体の反り量）
図４（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態の積層体の反り量の測定方法を説明する模式的断面図である。
積層体３０の反り量は、図４（ａ）に示すように、積層体３０を、第２ガラス基板１０の表面１０ａを精密定盤５０の表面５０ａに向けて配置して測定する。反り量の測定には、レーザー変位計５２が用いられる。レーザー変位計５２からレーザー光Ｌを第１ガラス基板１４の表面１４ａに照射して、精密定盤５０の表面５０ａからレーザー光Ｌを照射した第１ガラス基板１４の表面１４ａ迄の高さを測定する。例えば、精密定盤５０の表面５０ａに平行な一方向に沿って、３ｍｍ間隔でレーザー光Ｌを照射して、各照射位置における高さを測定する。これにより、第１ガラス基板１４の面内の最大高さｈｃと、端部の高さｈｉとを得る。
積層体３０の厚さ方向において、第１ガラス基板１４の面内の最大高さｈｃから第１ガラス基板１４の端部の高さｈｉを引いた値（ｈｃ－ｈｉ）を、反り量として算出する。
図４（ａ）に示すように、積層体３０が凸形状になっている場合、すなわち、第２ガラス基板１０の表面１０ａの端部が精密定盤５０の表面５０ａに接し、中央が精密定盤５０の表面５０ａに接していない状態における積層体３０の反り量はプラスである。一方、図４（ｂ）に示すように、積層体３０が凹形状になっている場合、すなわち、第２ガラス基板１０の表面１０ａの端部が精密定盤５０の表面５０ａに接しておらず、中央が精密定盤５０の表面５０ａに接している状態における積層体の反り量は、面内の最小高さｈｍと端部の高さｈｉとの差分である。この場合、反り量はマイナスである。 (Amount of warpage of laminate)
FIGS. 4A and 4B are schematic cross-sectional views illustrating a method for measuring the amount of warpage of a laminate according to an embodiment of the present invention.
The amount of warpage of the laminate 30 is measured by arranging the laminate 30 with the surface 10a of the second glass substrate 10 facing the surface 50a of the precision surface plate 50, as shown in FIG. 4(a). A laser displacement meter 52 is used to measure the amount of warpage. A laser beam L is irradiated from the laser displacement meter 52 onto the surface 14a of the first glass substrate 14, and the height from the surface 50a of the precision surface plate 50 to the surface 14a of the first glass substrate 14 irradiated with the laser beam L is measured. do. For example, the laser beam L is irradiated at intervals of 3 mm along one direction parallel to the surface 50a of the precision surface plate 50, and the height at each irradiation position is measured. Thereby, the in-plane maximum height hc of the first glass substrate 14 and the height hi of the end portion are obtained.
In the thickness direction of the laminate 30, the value (hc-hi) obtained by subtracting the height hi of the end of the first glass substrate 14 from the in-plane maximum height hc of the first glass substrate 14 is calculated as the amount of warpage. do.
As shown in FIG. 4(a), when the laminate 30 has a convex shape, that is, the end of the surface 10a of the second glass substrate 10 is in contact with the surface 50a of the precision surface plate 50, and the center is The amount of warpage of the laminate 30 in a state where it is not in contact with the surface 50a of the board 50 is positive. On the other hand, as shown in FIG. 4(b), when the laminate 30 has a concave shape, that is, the end of the surface 10a of the second glass substrate 10 is not in contact with the surface 50a of the precision surface plate 50. The amount of warpage of the laminate when the center is in contact with the surface 50a of the precision surface plate 50 is the difference between the in-plane minimum height hm and the end height hi. In this case, the amount of warpage is negative.

［積層基板の製造方法］
積層基板の製造方法では、上述のように、２枚のガラス基板と、２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程（前駆体積層体形成工程）と、前駆体積層体を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成する工程（成形工程）とを、少なくとも有する。以下、上述の各工程について説明する。 [Manufacturing method of laminated board]
As described above, the method for manufacturing a laminated substrate includes the step of forming a precursor laminate having two glass substrates and a thermosetting resin layer disposed between the two glass substrates (precursor lamination). body forming step) and a step (molding step) of thermally curing the thermosetting resin layer in a state where the precursor laminate is deformed to form the resin layer. Each of the above steps will be explained below.

（前駆体積層体形成工程）
＜熱硬化性樹脂層形成工程＞
熱硬化性樹脂層形成工程は、熱硬化性樹脂層として、例えば、熱硬化性シリコーンの層を第２ガラス基板１０の表面１０ａに形成する。
熱硬化性樹脂層（熱硬化性シリコーンの層）の形成方法は、特に限定されるものではなく、スプレーコート法、ダイコート法、スピンコート法、ディップコート法、ロールコート法、バーコート法、スクリーン印刷法、およびグラビアコート法が用いられる。 (Precursor laminate formation process)
<Thermosetting resin layer formation process>
In the thermosetting resin layer forming step, a layer of thermosetting silicone, for example, is formed on the surface 10a of the second glass substrate 10 as the thermosetting resin layer.
The method of forming the thermosetting resin layer (thermosetting silicone layer) is not particularly limited, and includes spray coating, die coating, spin coating, dip coating, roll coating, bar coating, and screen coating. Printing methods and gravure coating methods are used.

＜積層工程＞
積層工程は、熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を積層する工程である。第１ガラス基板１４を熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａ上に積層する方法の具体例としては、常圧環境下で熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を重ねる方法が挙げられる。必要に応じて、熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を重ねた後、ロールまたはプレスを用いて熱硬化性樹脂層に第１ガラス基板１４を圧着させてもよい。ロールまたはプレスによる圧着により、熱硬化性樹脂層１２と第１ガラス基板１４との間に混入している気泡が比較的容易に除去されるので好ましい。
真空ラミネート法または真空プレス法により圧着すると、気泡の混入が抑制され、かつ、良好な密着が実現でき、好ましい。真空下で圧着することにより、微小な気泡が残存した場合でも、加熱処理により気泡が成長しにくいという利点もある。
熱硬化性樹脂層１２の表面１２ａに第１ガラス基板１４を積層する際には、熱硬化性樹脂層に接触する第１ガラス基板１４の面を十分に洗浄し、クリーン度の高い環境で積層することが好ましい。 <Lamination process>
The lamination process is a process of laminating the first glass substrate 14 on the surface 12a of the thermosetting resin layer 12. As a specific example of the method of laminating the first glass substrate 14 on the surface 12a of the thermosetting resin layer 12, there is a method of laminating the first glass substrate 14 on the surface 12a of the thermosetting resin layer 12 under normal pressure environment. Can be mentioned. If necessary, after the first glass substrate 14 is stacked on the surface 12a of the thermosetting resin layer 12, the first glass substrate 14 may be pressed onto the thermosetting resin layer using a roll or a press. Pressure bonding using a roll or press is preferable because air bubbles mixed between the thermosetting resin layer 12 and the first glass substrate 14 can be removed relatively easily.
Pressure bonding by a vacuum lamination method or a vacuum press method is preferable because inclusion of air bubbles can be suppressed and good adhesion can be achieved. Pressure bonding under vacuum also has the advantage that even if minute bubbles remain, they are less likely to grow due to heat treatment.
When laminating the first glass substrate 14 on the surface 12a of the thermosetting resin layer 12, the surface of the first glass substrate 14 that comes into contact with the thermosetting resin layer is thoroughly cleaned, and the lamination is performed in a highly clean environment. It is preferable to do so.

＜面取り工程＞
面取り工程は、前駆体積層体１６の周縁１６ｃの面取りを行う工程である。面取り方法は、特に限定されるものではなく、ガラス基板用の面取り機を用いる方法等、公知の方法を利用できる。
また、面取りの後、前駆体積層体１６の表面、裏面等を、研削機等を用いて研削を、研磨機を用いて研磨を実施してもよい。
面取り等を実施することにより、前駆体積層体１６を型に設置する際に、型に傷がつくことを防止できる。
また、前駆体積層体１６の表面、裏面等を、研削、研磨することにより、前駆体積層体１６の厚み、およびＴＴＶ（Total Thickness Variation）を調整できる。 <Chamfering process>
The chamfering process is a process of chamfering the peripheral edge 16c of the precursor laminate 16. The chamfering method is not particularly limited, and known methods such as a method using a chamfering machine for glass substrates can be used.
Further, after chamfering, the front surface, back surface, etc. of the precursor laminate 16 may be ground using a grinder or the like, or polished using a polishing machine.
By chamfering or the like, it is possible to prevent the mold from being damaged when the precursor laminate 16 is placed in the mold.
Further, by grinding or polishing the front surface, back surface, etc. of the precursor laminate 16, the thickness and TTV (Total Thickness Variation) of the precursor laminate 16 can be adjusted.

（成形工程）
成形工程は、前駆体積層体１６を変形させた状態で、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１を形成する工程である。上述のように、型２０（図１（ｄ）参照）に前駆体積層体１６を取り付け、上型２２の凹部２２ａの形状に合わせて第１ガラス基板１４を変形させ、下型２４の凸部２４ａの形状に合わせて第２ガラス基板１０を変形させる。この状態で、前駆体積層体１６を加熱し、熱硬化性樹脂層１２の熱硬化を行い、樹脂層１３（図２参照）を形成する。
熱硬化性樹脂層１２が、熱硬化性シリコーンで構成されている場合、熱処理により硬化されて樹脂層１３としてシリコーン樹脂層が形成される。
熱硬化性シリコーンとしては、例えば、縮合反応型シリコーンおよび付加反応型シリコーンが用いられる。シリコーン樹脂層については後に説明する。
熱硬化処理の条件は、例えば、熱硬化させる温度条件は、５０～４００℃が好ましく、１００～３００℃がより好ましい。加熱時間は、１０～３００分が好ましく、２０～１２０分がより好ましい。
熱硬化性樹脂層の熱硬化の際の温度は、好ましくは４００℃以下、より好ましくは３００℃以下である。これにより、成形時の温度が高温になることが抑制される。
また、熱硬化性樹脂層の熱硬化は、熱硬化開始温度よりも好ましくは２０℃以上、より好ましくは５０℃以上高い温度で行う。上述の温度で熱硬化性樹脂層を熱硬化させることにより、確実に熱硬化させることができ、樹脂層が得られる。
なお、硬化開始温度の定義については、熱硬化性樹脂を昇温速度１０℃／分の条件で示差走査熱量測定（ＤＳＣ）を行い、ＤＳＣ曲線のベースラインとピークの変曲点における接線との交点を硬化開始温度とする。 (molding process)
The molding process is a process of thermally curing the thermosetting resin layer 12 while the precursor laminate 16 is deformed to form the resin layer 1. As described above, the precursor laminate 16 is attached to the mold 20 (see FIG. 1(d)), the first glass substrate 14 is deformed to match the shape of the recess 22a of the upper mold 22, and the protrusion of the lower mold 24 is The second glass substrate 10 is deformed to match the shape of 24a. In this state, the precursor laminate 16 is heated to thermally cure the thermosetting resin layer 12, thereby forming the resin layer 13 (see FIG. 2).
When the thermosetting resin layer 12 is made of thermosetting silicone, it is cured by heat treatment to form a silicone resin layer as the resin layer 13 .
As the thermosetting silicone, for example, condensation reaction silicone and addition reaction silicone are used. The silicone resin layer will be explained later.
For example, the temperature conditions for thermosetting are preferably 50 to 400°C, more preferably 100 to 300°C. The heating time is preferably 10 to 300 minutes, more preferably 20 to 120 minutes.
The temperature during thermosetting of the thermosetting resin layer is preferably 400°C or lower, more preferably 300°C or lower. This prevents the temperature during molding from becoming high.
Further, the thermosetting resin layer is thermally cured at a temperature that is preferably 20° C. or more, more preferably 50° C. or more higher than the thermosetting start temperature. By thermosetting the thermosetting resin layer at the above-mentioned temperature, thermosetting can be ensured and a resin layer can be obtained.
To define the curing start temperature, perform differential scanning calorimetry (DSC) on the thermosetting resin at a heating rate of 10°C/min, and calculate the difference between the baseline of the DSC curve and the tangent at the inflection point of the peak. Let the intersection point be the curing start temperature.

以下、積層体について説明する。
＜第１ガラス基板、第２ガラス基板＞
第１ガラス基板、および第２ガラス基板を構成するガラスは、特に限定されるものではない。ガラスの種類としては、無アルカリホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、ソーダライムガラス、高シリカガラス、その他の酸化ケイ素を主な成分とする酸化物系ガラスが好ましい。酸化物系ガラスとしては、酸化物換算による酸化ケイ素の含有量が４０～９０質量％のガラスが好ましい。
ガラス板として、より具体的には、無アルカリホウケイ酸ガラスからなるガラス板（ＡＧＣ株式会社製商品名「ＡＮ１００」）が挙げられる。また、ＡＧＣ株式会社製商品名「ＦＬ９００」、「ＦＬ９６０」を用いることもできる。
ガラス板の製造方法としては、通常、ガラス原料を溶融し、溶融ガラスを板状に成形する方法が挙げられる。このような成形方法は、一般的なものであってよく、例えば、フロート法、フュージョン法、およびスロットダウンドロー法が挙げられる。 The laminate will be explained below.
<First glass substrate, second glass substrate>
The glasses constituting the first glass substrate and the second glass substrate are not particularly limited. As the type of glass, alkali-free borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, and other oxide glasses containing silicon oxide as a main component are preferred. As the oxide glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90% by mass in terms of oxide is preferable.
More specifically, the glass plate includes a glass plate made of alkali-free borosilicate glass (trade name "AN100" manufactured by AGC Corporation). Moreover, the product names "FL900" and "FL960" manufactured by AGC Corporation can also be used.
As a method for manufacturing a glass plate, there is usually a method in which glass raw materials are melted and the molten glass is formed into a plate shape. Such a molding method may be a common method, and includes, for example, a float method, a fusion method, and a slot down-draw method.

上述のように、第１ガラス基板、および第２ガラス基板を構成するガラスは、特に限定されるものではないが、第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数の差は、１．５ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、平均熱膨張係数の差の下限値は０ｐｐｍ／℃である。なお、第１ガラス基板と第２ガラス基板とが同じガラス基板である場合、平均熱膨張係数の差を０ｐｐｍ／℃とする。
平均熱膨張係数の差が小さいことにより、成形工程またはデバイス作製工程での加熱によって、ガラス基板に割れが発生することが抑制される。
一方、平均熱膨張係数の差が３ｐｐｍ／℃以上と大きすぎると、成形工程またはデバイス作製工程での加熱によって、第１ガラス基板または第２ガラス基板に割れが発生する可能がある。
第１ガラス基板と第２ガラス基板との平均熱膨張係数は、 ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて測定した、温度３０～２２０℃の平均熱膨張係数である。
なお、第１ガラス基板の厚みおよび第２ガラス基板の厚みは、それぞれ０．１～１．８ｍｍが好ましく、積層体の作製工程および成形工程、またはデバイス作製工程での加熱による割れ等の発生の観点から、０．１５～１．０ｍｍがより好ましい。なお、上記の第１ガラス基板の厚みおよび第２ガラス基板の厚みの好適範囲は、積層体作製前の厚みと、積層体における厚みとの両方の好適範囲を示す。
第１ガラス基板および第２ガラス基板の厚みは、分光レーザー変位計を用いて測定できる。 As mentioned above, the glasses constituting the first glass substrate and the second glass substrate are not particularly limited, but the difference in average coefficient of thermal expansion between the first glass substrate and the second glass substrate is 1 It is preferably .5 ppm/°C or less, and the lower limit of the difference in average thermal expansion coefficient is 0 ppm/°C. Note that when the first glass substrate and the second glass substrate are the same glass substrate, the difference in average coefficient of thermal expansion is set to 0 ppm/°C.
The small difference in average coefficient of thermal expansion suppresses the occurrence of cracks in the glass substrate due to heating during the molding process or device manufacturing process.
On the other hand, if the difference in average coefficient of thermal expansion is too large, such as 3 ppm/°C or more, cracks may occur in the first glass substrate or the second glass substrate due to heating during the molding process or device manufacturing process.
The average coefficient of thermal expansion of the first glass substrate and the second glass substrate is measured using a differential thermal dilatometer (TMA) according to the method specified in JIS R3102 (1995) at a temperature of 30 to 220°C. It is the average coefficient of thermal expansion.
Note that the thickness of the first glass substrate and the thickness of the second glass substrate are preferably 0.1 to 1.8 mm, respectively, to prevent cracks from occurring due to heating during the laminate manufacturing process and molding process, or the device manufacturing process. From this point of view, 0.15 to 1.0 mm is more preferable. The preferable ranges for the thickness of the first glass substrate and the second glass substrate described above indicate the preferable ranges for both the thickness before the laminate is manufactured and the thickness in the laminate.
The thickness of the first glass substrate and the second glass substrate can be measured using a spectroscopic laser displacement meter.

＜樹脂層＞
樹脂層１３は、第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０とを積層し、かつ変形した状態を保持するものである。第１ガラス基板と第２ガラス基板とが変形した状態で、熱硬化性樹脂層１２が硬化して樹脂層１３を得ている。これにより、樹脂層１３が第１ガラス基板１４と第２ガラス基板１０との変形した状態を保持する。
樹脂層１３の厚みは、１００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。一方、樹脂層１３の厚みは、１μｍ超が好ましく、４μｍ以上がより好ましい。上述の厚みは、５点以上の任意の位置における樹脂層１３の厚みを接触式膜厚測定装置で測定し、それらを算術平均したものである。 <Resin layer>
The resin layer 13 laminates the first glass substrate 14 and the second glass substrate 10 and maintains a deformed state. With the first glass substrate and the second glass substrate deformed, the thermosetting resin layer 12 is cured to obtain the resin layer 13. Thereby, the resin layer 13 maintains the deformed state of the first glass substrate 14 and the second glass substrate 10.
The thickness of the resin layer 13 is preferably 100 μm or less, more preferably 50 μm or less, and even more preferably 30 μm or less. On the other hand, the thickness of the resin layer 13 is preferably more than 1 μm, more preferably 4 μm or more. The above-mentioned thickness is obtained by measuring the thickness of the resin layer 13 at five or more arbitrary positions using a contact type film thickness measuring device, and calculating the arithmetic average of the thicknesses.

＜シリコーン樹脂層＞
樹脂層１３は、熱硬化性樹脂層１２が熱硬化性シリコーンで構成されていれば、シリコーン樹脂層である。シリコーン樹脂層は、樹脂層１３を構成する層の一例である。シリコーン樹脂層は、主に、シリコーン樹脂からなるものである。シリコーン樹脂の構造は特に制限されない。シリコーン樹脂は、通常、硬化処理によってシリコーン樹脂となり得る硬化性シリコーンを硬化（架橋硬化）して得られる。
硬化性シリコーンの具体例としては、縮合反応型シリコーン、および付加反応型シリコーンが挙げられる。硬化性シリコーンの重量平均分子量は、５，０００～６０，０００が好ましく、５，０００～３０，０００がより好ましい。 <Silicone resin layer>
The resin layer 13 is a silicone resin layer if the thermosetting resin layer 12 is made of thermosetting silicone. The silicone resin layer is an example of a layer that constitutes the resin layer 13. The silicone resin layer is mainly made of silicone resin. The structure of the silicone resin is not particularly limited. Silicone resins are usually obtained by curing (crosslinking and curing) curable silicone that can be turned into silicone resin by curing treatment.
Specific examples of curable silicones include condensation reaction silicones and addition reaction silicones. The weight average molecular weight of the curable silicone is preferably 5,000 to 60,000, more preferably 5,000 to 30,000.

シリコーン樹脂層は、シリコーン樹脂となる硬化性シリコーンを含む硬化性組成物を塗布して、熱硬化性樹脂層を形成し、熱処理により形成する。
硬化性組成物は、硬化性シリコーンの他に、溶媒、白金触媒（硬化性シリコーンとして付加反応型シリコーンを用いる場合）、レベリング剤、および金属化合物等を含んでいてもよい。金属化合物に含まれる金属元素の具体例としては、３ｄ遷移金属、４ｄ遷移金属、ランタノイド系金属、ビスマス、アルミニウム、およびスズが挙げられる。金属化合物の含有量は、適宜調整される。
樹脂層１３としては、アクリル系樹脂、ノボラック系樹脂、ナフトキサン系樹脂、炭化水素系樹脂、ポリイミド系樹脂、エラストマー等を含むものが挙げられる。樹脂層１３は、例えば、炭化水素系樹脂、アクリル－スチレン系樹脂、マレイミド系樹脂、エラストマー等、またはこれらを組み合わせた樹脂で構成することもできる。 The silicone resin layer is formed by applying a curable composition containing curable silicone to be a silicone resin to form a thermosetting resin layer, and then performing heat treatment.
The curable composition may contain, in addition to the curable silicone, a solvent, a platinum catalyst (if an addition reaction silicone is used as the curable silicone), a leveling agent, a metal compound, and the like. Specific examples of metal elements contained in the metal compound include 3d transition metals, 4d transition metals, lanthanoid metals, bismuth, aluminum, and tin. The content of the metal compound is adjusted as appropriate.
Examples of the resin layer 13 include those containing acrylic resin, novolak resin, naphthoxane resin, hydrocarbon resin, polyimide resin, elastomer, and the like. The resin layer 13 may be made of, for example, a hydrocarbon resin, an acrylic-styrene resin, a maleimide resin, an elastomer, or a combination of these resins.

以下に、実施例等により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの例によって制限されるものではない。後述する例１～１７は実施例であり、例１８、１９は比較例である。例１～１８は、いずれも外形が円形の積層体とした。例１９は外形が円形のガラス基板単板とした。 EXAMPLES The present invention will be specifically explained below with reference to Examples, but the present invention is not limited to these Examples. Examples 1 to 17 described below are examples, and Examples 18 and 19 are comparative examples. In Examples 1 to 18, the laminates each had a circular outer shape. In Example 19, a single glass substrate having a circular outer shape was used.

＜評価＞
《耐熱試験》
円形の積層体をイナートガスオーブンに入れ、窒素雰囲気において２５０℃で３時間加熱した。オーブンから取り出した円形の積層体が室温（２５℃）になったことを確認した後、反り量を測定した。反り量の測定方法は後に説明する。 <Evaluation>
《Heat resistance test》
The circular laminate was placed in an inert gas oven and heated at 250° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere. After confirming that the circular laminate was removed from the oven and reached room temperature (25° C.), the amount of warpage was measured. The method for measuring the amount of warpage will be explained later.

＜硬化性シリコーンおよび硬化性組成物の調製＞
《硬化性シリコーンの調製》
オルガノハイドロジェンシロキサンとアルケニル基含有シロキサンとを混合することにより、硬化性シリコーンを得た。硬化性シリコーンの組成は、Ｍ単位、Ｄ単位、Ｔ単位のモル比が９：５９：３２、有機基のメチル基とフェニル基とのモル比が４４：５６、全アルケニル基と全ケイ素原子に結合した水素原子とのモル比（水素原子／アルケニル基）が０．７、平均ＯＸ基数が０．１であった。平均ＯＸ基数は、Ｓｉ原子１個に平均で何個のＯＸ基（Ｘは水素原子または炭化水素基）が結合しているかを表した数値である。 <Preparation of curable silicone and curable composition>
《Preparation of curable silicone》
A curable silicone was obtained by mixing an organohydrogensiloxane and an alkenyl group-containing siloxane. The composition of the curable silicone is such that the molar ratio of M units, D units, and T units is 9:59:32, the molar ratio of organic methyl groups to phenyl groups is 44:56, and the total alkenyl group to all silicon atoms is The molar ratio (hydrogen atom/alkenyl group) to bonded hydrogen atoms was 0.7, and the average number of OX groups was 0.1. The average number of OX groups is a numerical value representing how many OX groups (X is a hydrogen atom or a hydrocarbon group) are bonded to one Si atom on average.

《硬化性組成物１の調製》
ジエチレングリコールジエチルエーテル（「ハイソルブＥＤＥ」、東邦化学工業株式会社製）（１９８６ｇ）と硬化性シリコーン（２９９７ｇ）を混合した溶液に、硬化性シリコーンに対する白金元素の含有量が１２０ｐｐｍとなるようにPlatinum(0)-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane（ＣＡＳ Ｎｏ. ６８４７８－９２－２）を加えて、混合物Ａを得た。混合物Ａにメチルフェニル変性シリコーン（「ＡＰ １０００」、旭化成ワッカーシリコーン株式会社製）（４．５ｇ）を混合し、得られた混合液を、孔径０．４５μｍのフィルタを用いてろ過することにより、硬化性組成物を得た。 <<Preparation of curable composition 1>>
Platinum(0) was added to a solution of diethylene glycol diethyl ether ("Hisolve EDE", manufactured by Toho Chemical Industry Co., Ltd.) (1986 g) and curable silicone (2997 g) so that the content of platinum element relative to the curable silicone was 120 ppm. )-1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (CAS No. 68478-92-2) was added to obtain mixture A. By mixing methylphenyl-modified silicone ("AP 1000", manufactured by Asahi Kasei Wacker Silicone Co., Ltd.) (4.5 g) with mixture A, and filtering the resulting mixed solution using a filter with a pore size of 0.45 μm, A curable composition was obtained.

以下、例１～１９について説明する。
＜例１～１７＞
《ガラス基板の準備》
第１ガラス基板、および第２ガラス基板として表１に記載のガラス基板を準備した。第１ガラス基板のサイズは４５０ｍｍ×４５０ｍｍ、第２ガラス基板のサイズは５００ｍｍ×５００ｍｍとした。ガラス基板は、水系ガラス洗浄剤（「ＰＫ－ＬＣＧ２１３」、株式会社パーカーコーポレーション製）を用いて洗浄し、その後、純水で洗浄した。 Examples 1 to 19 will be explained below.
<Examples 1 to 17>
《Preparation of glass substrate》
Glass substrates listed in Table 1 were prepared as a first glass substrate and a second glass substrate. The size of the first glass substrate was 450 mm x 450 mm, and the size of the second glass substrate was 500 mm x 500 mm. The glass substrate was cleaned using a water-based glass cleaning agent ("PK-LCG213", manufactured by Parker Corporation), and then cleaned with pure water.

《ガラス基板の物性の測定方法》
（平均熱膨張係数）
ＪＩＳ Ｒ３１０２（１９９５年）に規定されている方法に従い、示差熱膨張計（ＴＭＡ）を用いて３０～２２０℃の平均熱膨張係数を測定した。
（厚さ）
ガラス基板の板厚を分光レーザー変位計（株式会社キーエンス製）により測定した。 《Method for measuring physical properties of glass substrate》
(Average coefficient of thermal expansion)
The average coefficient of thermal expansion from 30 to 220° C. was measured using a differential thermal dilatometer (TMA) according to the method specified in JIS R3102 (1995).
(thickness)
The thickness of the glass substrate was measured using a spectroscopic laser displacement meter (manufactured by Keyence Corporation).

《前駆体積層体の作製》
調製した硬化性組成物を、ダイコーターを用いて第２ガラス基板に塗布し、ホットプレートを用いて１２０℃で３分間加熱することにより、厚さ１０μｍのシリコーン樹脂層を形成した。続いて、第２ガラス基板上のシリコーン樹脂層面と第１ガラス基板とを貼合装置を用いて貼り合わせ、前駆体積層体を作製した。ガラスカッターを用いて前駆体積層体の両面にスクライブ線を形成した後、前駆体積層体の端部に応力を与えて割断し、直径３００ｍｍの円形の前駆体積層体を得た。次に円形の前駆体積層体の端部をガラス用砥石で面取りした。その後、円形の前駆体積層体の片面または両面を研削、研磨加工し、所望の板厚にした。 《Preparation of precursor laminate》
The prepared curable composition was applied to the second glass substrate using a die coater and heated at 120° C. for 3 minutes using a hot plate to form a silicone resin layer with a thickness of 10 μm. Subsequently, the silicone resin layer surface on the second glass substrate and the first glass substrate were bonded together using a bonding device to produce a precursor laminate. After forming scribe lines on both sides of the precursor laminate using a glass cutter, the ends of the precursor laminate were cut by applying stress to obtain a circular precursor laminate with a diameter of 300 mm. Next, the edges of the circular precursor laminate were chamfered with a glass grindstone. Thereafter, one or both sides of the circular precursor laminate was ground and polished to a desired thickness.

《積層体の成形》
成形方法について図１（ｄ）を用いて説明する。円形の前駆体積層体を室温でカーボン型（型２０（図１（ｄ）参照））に取り付け、カーボン型のボルトとナットを締めることで円形の前駆体積層体をカーボン型の内壁形状（凹部２２ａの形状と凸部２４ａの形状（図１（ｄ）参照））に変形させた。続いて、カーボン型に取り付けた円形の前駆体積層体をイナートガスオーブンに入れ、窒素雰囲気で加熱した。２５℃から２５０℃まで１０℃／分の速度で昇温した後、２５０℃で３０分間保持、２５０℃から１５０℃まで－１０℃／分の速度で冷却した。１５０℃まで冷却した時点でイナートガスオーブンに大気を導入し、カーボン型に取り付けた円形の前駆体積層体をオーブンから取り出した。室温（２５℃）になったことを確認した後、カーボン型から円形の前駆体積層体を取り出し、外形が円形の積層体を得て、積層体の総厚および円形の積層体の反り量を測定した。 《Molding of laminate》
The molding method will be explained using FIG. 1(d). Attach the circular precursor laminate to a carbon mold (mold 20 (see Figure 1(d))) at room temperature, and tighten the bolts and nuts of the carbon mold to form the circular precursor laminate into the shape of the inner wall of the carbon mold (recessed part). 22a and the convex portion 24a (see FIG. 1(d)). Subsequently, the circular precursor laminate attached to the carbon mold was placed in an inert gas oven and heated in a nitrogen atmosphere. The temperature was raised from 25°C to 250°C at a rate of 10°C/min, held at 250°C for 30 minutes, and cooled from 250°C to 150°C at a rate of -10°C/min. At the time of cooling to 150° C., air was introduced into the inert gas oven, and the circular precursor laminate attached to the carbon mold was taken out from the oven. After confirming that the temperature has reached room temperature (25°C), take out the circular precursor laminate from the carbon mold, obtain a laminate with a circular outer shape, and measure the total thickness of the laminate and the amount of warpage of the circular laminate. It was measured.

＜例１８＞
例１と同じ手順で洗浄した第１ガラス基板１４（図５参照）の片面にスパッタリング装置を用いて窒化ケイ素膜１９（ＳｉＮ膜）を成膜し、外形が円形の積層体を得た。窒化ケイ素膜１９（図５参照）の厚みは２００ｎｍとした。窒化ケイ素膜１９の成膜後、積層体の総厚および積層体の反り量を測定した。続いて、例１と同様の耐熱試験を実施し、耐熱試験後の反り量を測定した。
＜例１９＞
第１ガラス基板を作製する際、溶融ガラスを板状に成形、徐冷する工程において、ガラスリボン進行方向に直交するガラスリボン幅方向のガラスリボン中央部の温度とガラスリボン端部の温度を調整することにより、反りを有する第１ガラス基板６０（図６参照）を作製した。第１ガラス基板６０（図６参照）が室温まで冷却されたことを確認した後、反り量を測定した。続いて、例１と同様の耐熱試験を実施し、耐熱試験後の反り量を測定した。なお、例１９では、第１ガラス基板６０（図６参照）の板厚を、下記表１に示す総厚とした。 <Example 18>
A silicon nitride film 19 (SiN film) was formed on one side of the first glass substrate 14 (see FIG. 5), which had been cleaned in the same manner as in Example 1, using a sputtering device to obtain a laminate having a circular outer shape. The thickness of the silicon nitride film 19 (see FIG. 5) was 200 nm. After forming the silicon nitride film 19, the total thickness of the laminate and the amount of warpage of the laminate were measured. Subsequently, a heat resistance test similar to that in Example 1 was conducted, and the amount of warpage after the heat resistance test was measured.
<Example 19>
When producing the first glass substrate, in the step of forming molten glass into a plate shape and slowly cooling it, the temperature at the center of the glass ribbon and the temperature at the ends of the glass ribbon in the width direction of the glass ribbon orthogonal to the direction of travel of the glass ribbon are adjusted. By doing so, a first glass substrate 60 (see FIG. 6) having a warp was produced. After confirming that the first glass substrate 60 (see FIG. 6) was cooled to room temperature, the amount of warpage was measured. Subsequently, a heat resistance test similar to that in Example 1 was conducted, and the amount of warpage after the heat resistance test was measured. In Example 19, the thickness of the first glass substrate 60 (see FIG. 6) was the total thickness shown in Table 1 below.

＜反り量の測定について＞
積層体の反り量を測定する方法について、図４（ａ）および（ｂ）を用いて説明する。図４（ａ）および（ｂ）は積層体の反りの様子を模式的に示している。
精密定盤５０の表面５０ａ上に第１ガラス基板１４を上側、第２ガラス基板１０を下側にして積層体３０を配置した。第１ガラス基板１４の表面１４ａの厚さ方向の高さを非接触のレーザー変位計５２によって、精密定盤５０の表面５０ａの平行な方向に沿って、３ｍｍ間隔で測定した。積層体３０の厚さ方向において、第１ガラス基板１４の面内の最大高さから第１ガラス基板１４の端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
図４（ａ）に示すように、積層体３０が凸形状になっている場合における積層体３０の反り量をプラスとし、図４（ｂ）に示すように、積層体３０が凹形状になっている場合における積層体３０の反り量をマイナスとした。 <About measuring the amount of warpage>
A method for measuring the amount of warpage of a laminate will be explained using FIGS. 4(a) and 4(b). FIGS. 4(a) and 4(b) schematically show how the laminate is warped.
The laminate 30 was placed on the surface 50a of the precision surface plate 50 with the first glass substrate 14 on the upper side and the second glass substrate 10 on the lower side. The height in the thickness direction of the surface 14a of the first glass substrate 14 was measured at 3 mm intervals along a direction parallel to the surface 50a of the precision surface plate 50 using a non-contact laser displacement meter 52. The amount of warpage was calculated as the value obtained by subtracting the height of the end portion of the first glass substrate 14 from the in-plane maximum height of the first glass substrate 14 in the thickness direction of the laminate 30.
As shown in FIG. 4(a), when the laminate 30 has a convex shape, the amount of warpage of the laminate 30 is assumed to be positive, and as shown in FIG. 4(b), when the laminate 30 has a concave shape, The amount of warpage of the laminate 30 in the case where the laminate 30 was bent was defined as a negative value.

例１８においては、図５に示す通り、精密定盤５０の表面５０ａ上に窒化ケイ素膜１９の非成膜面を上側、成膜面側を下側にして窒化ケイ素膜１９付き第１ガラス基板１４を配置した。レーザー変位計５２によって、非成膜面側の厚さ方向の高さを測定し、基板の面内の最大高さから端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
例１９においては、図６に示す通り、積層体と同様に、精密定盤５０の表面５０ａ上に第１ガラス基板６０を配置し、レーザー変位計５２によって、第１ガラス基板６０の面内の最大高さから端部の高さを引いた値として、反り量を算出した。
なお、図５および図６において、図４（ａ）および（ｂ）に示す構成物と同一構成物には同一符号を付して、その詳細な説明は省略する。
また、積層体の総厚は分光レーザー変位計（株式会社キーエンス製）により測定した。 In Example 18, as shown in FIG. 5, the first glass substrate with the silicon nitride film 19 is placed on the surface 50a of the precision surface plate 50 with the non-film-formed surface of the silicon nitride film 19 facing upward and the film-forming surface facing downward. 14 were placed. The height in the thickness direction of the non-film-formed surface side was measured by the laser displacement meter 52, and the amount of warpage was calculated as the value obtained by subtracting the height of the end from the maximum in-plane height of the substrate.
In Example 19, as shown in FIG. 6, the first glass substrate 60 is placed on the surface 50a of the precision surface plate 50, and the in-plane measurement of the first glass substrate 60 is performed using the laser displacement meter 52, as in the case of the laminate. The amount of warpage was calculated as the value obtained by subtracting the height of the end from the maximum height.
In FIGS. 5 and 6, the same components as those shown in FIGS. 4A and 4B are denoted by the same reference numerals, and detailed explanation thereof will be omitted.
Further, the total thickness of the laminate was measured using a spectroscopic laser displacement meter (manufactured by Keyence Corporation).

＜評価結果のまとめ＞
上述の表１に示すように、所定の要件を満たす例１～１７では、耐熱試験前後で反り量の変化が小さく耐熱性が優れていた。
例１８は窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）ＳｉＮ膜により反ったガラス基板を作製できるが、耐熱試験での加熱によってＳｉＮ膜の応力が緩和し、反り量が小さくなった。このことから、例１８では半導体プロセス中の反りを抑制することができない。
例１９は耐熱試験前後での反り量の変化がなく問題がないが、高温で成形しているため、成形精度高く反りを有するガラス基板を作ることが容易ではない。単位時間当たりの製造量等の生産効率、および製造コスト的に不利である。 <Summary of evaluation results>
As shown in Table 1 above, Examples 1 to 17 that met the predetermined requirements had excellent heat resistance with little change in the amount of warpage before and after the heat resistance test.
In Example 18, a silicon nitride film (SiN film) could produce a warped glass substrate using the SiN film, but the stress of the SiN film was relaxed by heating in the heat resistance test, and the amount of warp was reduced. For this reason, in Example 18, warping during the semiconductor process cannot be suppressed.
In Example 19, there was no change in the amount of warpage before and after the heat resistance test, so there was no problem, but since the molding was performed at a high temperature, it was not easy to produce a glass substrate with high molding accuracy and having warp. It is disadvantageous in terms of production efficiency such as production volume per unit time and production cost.

１０ 第２ガラス基板
１０ａ、１２ａ、１４ａ、５０ａ 表面
１２ 熱硬化性樹脂層
１３ 樹脂層
１４ 第１ガラス基板
１６ 前駆体積層体
１６ｃ 周縁
１９ 窒化ケイ素膜
２０ 型
２２ 上型
２２ａ 凹部
２４ 下型
２４ａ 凸部
２６ ボルト
２７ ナット
３０ 積層体
４０ 半導体パッケージ
４２ 再配線層
４４ 電子デバイス
５０ 精密定盤
５２ レーザー変位計
６０ 第１ガラス基板
Ｂ 平面
Ｄ 直径
Ｌ レーザー光
ｈ 総厚
ｈｃ 面内の最大高さ
ｈｉ 端部の高さ
ｈｍ 面内の最小高さ 10 Second glass substrate 10a, 12a, 14a, 50a Surface 12 Thermosetting resin layer 13 Resin layer 14 First glass substrate 16 Precursor laminate 16c Periphery 19 Silicon nitride film 20 Mold 22 Upper mold 22a Concave portion 24 Lower mold 24a Convex Part 26 Bolt 27 Nut 30 Laminated body 40 Semiconductor package 42 Rewiring layer 44 Electronic device 50 Precision surface plate 52 Laser displacement meter 60 First glass substrate B Plane D Diameter L Laser light h Total thickness hc Maximum height in plane hi Edge Height of part hm Minimum height in plane

Claims (12)

２枚のガラス基板と、前記２枚のガラス基板の間に配置された熱硬化性樹脂層とを有する前駆体積層体を形成する工程と、
前記前駆体積層体を変形させた状態で、前記熱硬化性樹脂層の熱硬化を行い、樹脂層を形成し、前記２枚のガラス基板と、前記２枚のガラス基板の間に配置される樹脂層とを備え、反りを有する積層体を得る工程とを有する、反りを有する積層体の製造方法。 forming a precursor laminate having two glass substrates and a thermosetting resin layer disposed between the two glass substrates;
While the precursor laminate is deformed, the thermosetting resin layer is thermally cured to form a resin layer, which is disposed between the two glass substrates. a resin layer, and obtaining a warped laminate. 前記２枚のガラス基板の平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下である、請求項１に記載の積層体の製造方法。 The method for manufacturing a laminate according to claim 1, wherein the difference in average coefficient of thermal expansion between the two glass substrates is 1.5 ppm/°C or less. 前記前駆体積層体を形成する工程の後に、前記前駆体積層体のガラス基板に対して、面取り、研削、および研磨のうち、少なくとも１つを行う工程をさらに有する、請求項１または２に記載の積層体の製造方法。 3. The method according to claim 1, further comprising the step of performing at least one of chamfering, grinding, and polishing on the glass substrate of the precursor laminate after the step of forming the precursor laminate. A method for manufacturing a laminate. 前記熱硬化性樹脂層の前記熱硬化の際の温度は、４００℃以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。 The method for producing a laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the temperature during the thermosetting of the thermosetting resin layer is 400°C or less. 前記熱硬化性樹脂層の前記熱硬化は、熱硬化開始温度よりも２０℃以上高い温度で行う、請求項１～３のいずれか１項に記載の積層体の製造方法。 The method for producing a laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the thermosetting of the thermosetting resin layer is performed at a temperature 20° C. or more higher than a thermosetting start temperature. 第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有する積層体であって、
前記積層体は反りを有する、積層体。 A laminate including a first glass substrate, a resin layer, and a second glass substrate in this order,
The laminate has warp. 前記第１ガラス基板の外側の表面が凸となるように前記第１ガラス基板と前記樹脂層と前記第２ガラス基板とが湾曲しており、かつ湾曲した前記第１ガラス基板上に電子デバイスが配置される、請求項６に記載の積層体。 The first glass substrate, the resin layer, and the second glass substrate are curved so that the outer surface of the first glass substrate is convex, and an electronic device is placed on the curved first glass substrate. The laminate according to claim 6, wherein the laminate is arranged. 前記第１ガラス基板と前記第２ガラス基板との平均熱膨張係数の差が１．５ｐｐｍ／℃以下である、請求項６または７に記載の積層体。 The laminate according to claim 6 or 7, wherein the difference in average coefficient of thermal expansion between the first glass substrate and the second glass substrate is 1.5 ppm/°C or less. 前記積層体は、総厚が０．３～３．０ｍｍである、請求項６～８のいずれか１項に記載の積層体。 The laminate according to any one of claims 6 to 8, wherein the laminate has a total thickness of 0.3 to 3.0 mm. 前記積層体の反り量は、０μｍ超５００μｍ以下である、請求項６～９のいずれか１項に記載の積層体。 The laminate according to any one of claims 6 to 9, wherein the amount of warpage of the laminate is more than 0 μm and 500 μm or less. ２５０℃で３時間加熱した後の反り量が０μｍ超５００μｍ以下である、請求項６～１０のいずれか１項に記載の積層体。 The laminate according to any one of claims 6 to 10, wherein the amount of warpage after heating at 250° C. for 3 hours is more than 0 μm and 500 μm or less. 第１ガラス基板と、樹脂層と、第２ガラス基板とをこの順に有し、かつ反りを有する、積層体を用意する工程と、
前記第１ガラス基板の表面に再配線層を形成する工程と、
半導体デバイスを前記再配線層と電気的に接続する工程と、
前記半導体デバイスを樹脂を用いて封止する工程と、
前記樹脂で封止された前記半導体デバイスが実装された前記再配線層を前記第１ガラス基板から剥離する工程とを有する、半導体パッケージの製造方法。 A step of preparing a laminate having a first glass substrate, a resin layer, and a second glass substrate in this order and having a warp;
forming a rewiring layer on the surface of the first glass substrate;
electrically connecting a semiconductor device to the rewiring layer;
a step of sealing the semiconductor device using a resin;
A method for manufacturing a semiconductor package, comprising the step of peeling off the rewiring layer on which the semiconductor device sealed with the resin is mounted from the first glass substrate.
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