JP2023124269A - 突入電流抑制回路及び電源回路 - Google Patents

Abstract

【課題】大型部品を使用せずに突入電流を抑制できる突入電流抑制回路を得ること。
【解決手段】突入電流抑制回路５０は、商用電源１が出力する交流電圧を整流する整流器２と、整流器２から供給される直流電力を保持するコンデンサ５とを備えた回路に適用され、コンデンサ５よりも小さな容量を有するコンデンサ３と、コンデンサ３とコンデンサ５との間の電気的接続を制御する電流制御部４とを備える。コンデンサ３は、整流器２とコンデンサ５との間に介在し、整流器２によって整流された整流電圧が印加される。電流制御部４は、整流器２が導通していないときに、コンデンサ３とコンデンサ５とを電気的に接続する制御を行う。
【選択図】図１

Description

本開示は、突入電流を抑制する突入電流抑制回路及び電源回路に関する。

静電容量の大きいコンデンサを使用する機器などでは、商用電源から機器への電源投入時にコンデンサを充電する際に流れる突入電流が大きく、電流ヒューズの溶断、壁スイッチの接点の溶着といった問題が発生する。

上記の問題を解決するため、下記特許文献１には、突入電流防止抵抗によって突入電流を抑制する手法が提案されている。

特開平４－１２６７１号公報

しかしながら、突入電流防止抵抗は、同一の基板に搭載される他の部品に比べてサイズが大きい大型部品であり、当該部品による基板搭載面の占有率が高くなる。このため、突入電流防止抵抗などの大型部品を使用せずに突入電流を抑制する技術が求められている。

本開示は、上記に鑑みてなされたものであって、大型部品を使用せずに突入電流を抑制できる突入電流抑制回路を得ることを目的とする。

上述した課題を解決し、目的を達成するため、本開示に係る突入電流抑制回路は、商用電源が出力する交流電圧を整流する整流器と、整流器から供給される直流電力を保持する第１のコンデンサとを備えた回路に適用される突入電流抑制回路である。突入電流抑制回路は、第２のコンデンサと、電流制御部とを備える。第２のコンデンサは、整流器と第１のコンデンサとの間に介在し、整流器によって整流された整流電圧が印加される。電流制御部は、第２のコンデンサと第１のコンデンサとの間の電気的接続を制御する。第２のコンデンサは、第１のコンデンサよりも小さな容量を有する。電流制御部は、整流器が導通していないときに、第２のコンデンサと第１のコンデンサとを電気的に接続する制御を行う。

本開示に係る突入電流抑制回路によれば、大型部品を使用せずに突入電流を抑制できるという効果を奏する。

実施の形態１に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の構成例を示す図 実施の形態１に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の具体的な回路構成の例を示す図 実施の形態１に係る突入電流抑制制御における着意事項の説明に供するタイムチャート 実施の形態１に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の動作説明に供するタイムチャート 実施の形態２に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の具体的な回路構成の例を示す図 実施の形態２に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の動作説明に供するタイムチャート 実施の形態３に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の具体的な回路構成の例を示す図

以下に添付図面を参照し、本開示の実施の形態に係る突入電流抑制回路及び電源回路について詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は例示であって、以下の実施の形態によって、本開示の範囲が限定されるものではない。

実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の構成例を示す図である。図１において、実施の形態１に係る電源回路１００は、商用電源１に接続される。電源回路１００は、整流器２と、突入電流抑制回路５０と、第１のコンデンサであるコンデンサ５とを備える。コンデンサ５の後段には、図示を省略した負荷回路が接続される。この負荷回路は、コンデンサ５に蓄積された電荷による直流電力が供給されて動作する。

突入電流抑制回路５０は、第２のコンデンサであるコンデンサ３と、電流制御部４とを備える。コンデンサ３，５の一例は、電解コンデンサである。コンデンサ３は、コンデンサ５よりも小容量である。即ち、コンデンサ３の静電容量値は、コンデンサ５の静電容量値よりも小さい。

整流器２は、交流側が商用電源１と接続され、直流側がコンデンサ３及び電流制御部４と接続されている。コンデンサ３は、整流器２と電流制御部４との間において、電流制御部４と並列に接続されている。コンデンサ５は、コンデンサ３が電流制御部４に接続される第１の側と反対側の第２の側において、電流制御部４と並列に接続されている。

上述のように、突入電流抑制回路５０は、突入電流防止抵抗を有さない構成である。突入電流防止抵抗を有する場合、この突入電流防止抵抗には、損失を低減するために、リレー、トライアックなどの回路部品を並列に接続する構成が採用される。この構成において、リレー又はトライアックがオープン故障した場合、突入電流防止抵抗で常に電力が消費される結果、最悪の場合、発煙又は発火に至るおそれがある。このような事象を未然に防止するフェールセーフの観点から、突入電流防止抵抗には、例えば温度ヒューズ付セメント抵抗が使用される。ところが、温度ヒューズ付セメント抵抗は、炭素被膜抵抗等に比べて体積が大きくなる。例えば、内橋エステック株式会社製のＦ５Ｋシリーズの場合、そのサイズは、縦２５ｍｍ×横１３ｍｍ×高さ９ｍｍである。これに対し、家電又は民生品に搭載する永久磁石同期モータに内蔵する回路基板の大きさは、例えば直径６０ｍｍの円形形状であり、基板上の実装面積は小さく、また、高さ方向にスペースが無い場合も多い。従って、家電又は民生品の回路基板では、温度ヒューズ付セメント抵抗の基板占有率は高くなる。このため、温度ヒューズ付セメント抵抗の実装を回避できる本願の技術は、家電又は民生品の分野においては、有用である。

次に、電源回路１００の動作について説明する。整流器２は、商用電源１が出力する交流電圧を整流する。コンデンサ５は、整流器２から供給される直流電力を保持する。コンデンサ３は、整流器２とコンデンサ５との間に介在し、整流器２によって整流された整流電圧が印加される。電流制御部４は、コンデンサ３とコンデンサ５との間の電気的接続を制御する。特に、電流制御部４は、整流器２が導通していないときに、コンデンサ３とコンデンサ５とを電気的に接続する制御を行う。これらの各機能により、突入電流抑制回路５０は、整流器２とコンデンサ５との間に介在し、商用電源１による電源投入時において、コンデンサ５を充電する際に流れ得る突入電流を抑制する動作を行う。

電源回路１００の構成及び動作について補足する。図１において、商用電源１は、単相電源として記載されているが、三相電源でもよい。なお、商用電源１が出力する交流電圧の電圧値に制限はない。また、整流器２を構成する素子として、図１ではダイオードで表しているが、ダイオード以外の他の素子でもよい。また、整流器２による整流機能は、全波整流及び半波整流のどちらでもよい。

コンデンサ３の静電容量値ＣをＣ１、コンデンサ５の静電容量値ＣをＣ２とする。Ｃ１，Ｃ２との間には、Ｃ１＜Ｃ２の関係がある。なお、以下の説明では、コンデンサ３を「小容量のコンデンサ３」と呼び、コンデンサ５を「大容量のコンデンサ５」と呼ぶ場合がある。

例えば商用電源１と整流器２との間に壁スイッチがある場合、壁スイッチがＯＦＦ→ＯＮに切り替わった際、小容量のコンデンサ３には、Ｃ１×ｄＶ／ｄｔの突入電流が流れ得る。Ｖは、整流器２が出力する整流電圧である。ここで、ｄＶ／ｄｔの値は、壁スイッチがＯＦＦ→ＯＮに切り替わった際の電圧の位相により変化するが、コンデンサ３の静電容量値Ｃ１が小さい程、突入電流が小さくなることは自明である。

整流器２は、小容量のコンデンサ３に電荷をチャージした後は導通しない。即ち、商用電源１と小容量のコンデンサ３とは、電気的に接続されていない状態となる。この状態のとき、電流制御部４を通じて、小容量のコンデンサ３から大容量のコンデンサ５に電荷を移動させれば、商用電源１から直接、大容量のコンデンサ５が充電されることはなく、Ｃ２×ｄＶ／ｄｔという大きな電流が流れることもない。

具体的には、電流制御部４が整流器２の導通状態を検知し、電流制御部４に具備される制御ＩＣ（Integrated Circuit）又はマイコンの制御により、電流制御部４に具備されるスイッチング素子のＯＮ及びＯＦＦを切り替えるというような手法が考えられる。具体的な構成については、図２を参照して説明する。

図２は、実施の形態１に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の具体的な回路構成の例を示す図である。なお、図２では、同種の構成要素には、代表する構成要素のみに符号を付している。

図２において、図１に示す整流器２は、整流器２１として示されている。整流器２１は、単相全波整流の構成であり、ブリッジ接続される４個のダイオード２１２と、整流器２１に流れる電流を検出するための２個のシャント抵抗２１１とを備えている。シャント抵抗２１１は、突入電流抑制回路５０の構成要素であってもよい。シャント抵抗２１１の抵抗値は、シャント抵抗２１１での電圧降下の影響を防ぐため、１Ω未満であることが望ましい。

また、図２において、図１に示す電流制御部４の構成要素は、コンデンサ３、信号増幅器２２、制御ＩＣ２３、及びＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）２４である。ＭＯＳＦＥＴ２４は、スイッチング素子の例示である。また、制御ＩＣ２３に代えて、マイコンが用いられてもよい。なお、本稿では、ＭＯＳＦＥＴ２４に対応するスイッチング素子を「第１のスイッチング素子」と記載することがある。

なお、信号増幅器２２及び制御ＩＣ２３を駆動するための駆動電圧は、例えば小容量のコンデンサ３の電力を使用して、ＤＣ－ＤＣ（Direct Current-Direct Current）コンバータ又はレギュレータによって生成する構成とすることができる。

また、ＭＯＳＦＥＴ２４は、ＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮ状態にするゲート信号が制御ＩＣ２３から出力されていない場合にＯＦＦとなるもの、即ちノーマリオフのものを使用する。ノーマリオフとする理由は、商用電源１の投入直後のように、小容量のコンデンサ３が充電されるまでは、制御ＩＣ２３によるＭＯＳＦＥＴ２４の導通制御ができないためである。

整流器２１に電流が流れるとき、シャント抵抗２１１の両端には電流に応じた電圧が発生する。例えば、シャント抵抗２１１の抵抗値が１０ｍΩ、電流値が１Ａの場合、シャント抵抗２１１の両端には、１０ｍΩ×１Ａ＝１０ｍＶの電圧が発生する。シャント抵抗２１１に発生した電圧は、信号増幅器２２により増幅され、増幅された信号が電流検知機能を備えた制御ＩＣ２３に入力される。

制御ＩＣ２３に入力される信号が規定値を超えた場合、制御ＩＣ２３は、ダイオード２１２が導通していると判定する。制御ＩＣ２３は、入力される２つの信号に基づいて、４つのダイオード２１２が全て導通していないと判定した場合に、ＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮするゲート信号をＭＯＳＦＥＴ２４に出力する。

なお、実施の形態１に係る突入電流抑制制御においては、幾つかの着意事項がある。以下、その着意事項について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、実施の形態１に係る突入電流抑制制御における着意事項の説明に供するタイムチャートである。図４は、実施の形態１に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の動作説明に供するタイムチャートである。

図３及び図４の横軸は時間を表している。また、図３において、（ａ）には商用電源１の電圧、即ち整流器２１に印加される電圧の瞬時値波形が示され、（ｂ）には整流器２１の電流、即ち整流器２１に流れる電流の瞬時値波形が示されている。また、図４において、（ａ）、（ｂ）の波形は、図３の（ａ）、（ｂ）の波形と同じである。また、図４において、（ｃ）にはＭＯＳＦＥＴ２４の動作状態が示され、（ｄ）には小容量のコンデンサ３の電圧が示され、（ｅ）には大容量のコンデンサ５の電圧が示されている。

図３において、時刻ｔ１では、整流器２１の電流がゼロになっている。このため、電流制御部４は、この時刻ｔ１のタイミングにおいてダイオード２１２が全て導通していないと判定し、この時刻ｔ１の直後の時刻ｔ２にＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮする制御を行うこととする。一方、この制御において、商用電源１の電圧瞬時値の絶対値が、大容量のコンデンサ５の両端の電圧値よりも大きい場合、ＭＯＳＦＥＴ２４が瞬時的に動作するので、大容量のコンデンサ５に過大な電流が流れてしまう可能性がある。そこで、この種の過大電流、即ち商用電源１の電圧位相に影響される過大電流を抑制するため、実施の形態１では、図４に示す突入電流抑制制御を行う。

図４に示すように、電流制御部４は、整流器２１におけるダイオード２１２が全て導通していないと判定した時刻ｔ１から、第１の規定時間が経過した時刻ｔ３においてＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮする制御を行う。このようにすれば、電源投入時において流れる突入電流は、小容量のコンデンサ３に流れる電流のみとなる。これにより、Ｃ×ｄＶ／ｄｔが小さくなり、大容量のコンデンサ５のみを使用した場合に比べ、突入電流が抑制される。

また、ＭＯＳＦＥＴ２４のＯＮ時において、商用電源１の電圧瞬時値の絶対値が大容量のコンデンサ５の両端の電圧値よりも小さくなっているので、商用電源１から大容量のコンデンサ５に直接電流が流れることは無い。これにより、ＭＯＳＦＥＴ２４のＯＮ時において、大容量のコンデンサ５に流れ得る過大な電流を抑制することができる。

また、電流制御部４は、ＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮする制御を行った後、第２の規定時間の経過後にＭＯＳＦＥＴ２４をＯＦＦする制御を行う。この制御により、図４の（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）に示されるように、整流器２１が導通していないときのみ、小容量のコンデンサ３から大容量のコンデンサ５に電荷を逐次移動させることができる。これにより、コンデンサ５を充電する際に流れ得る突入電流を抑制しながら、大容量のコンデンサ５の充電を行うことができる。

なお、図４の例では、時刻ｔ３の位置が商用電源１の電圧瞬時値がゼロになる位置として示されているが、この例に限定されない。ダイオード２１２が全て導通していないと判定した時刻ｔ１から第１の規定時間が経過した後であればよく、ＭＯＳＦＥＴ２４のＯＮ時において、大容量のコンデンサ５に過大な電流が流れるのを抑制することができる。

また、図４の例では、時刻ｔ１から第１の規定時間が経過した時刻ｔ３においてＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮにする制御を行っているが、整流器２１の電流の絶対値が最大値となる時刻ｔ０から第２の規定時間が経過した時刻ｔ３においてＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮにする制御を行うようにしてもよい。整流器２１の電流の絶対値が最大値であるか否かの判定は、信号増幅器２２の出力信号に基づいて実施することができる。このような制御でも、ＭＯＳＦＥＴ２４のＯＮ時において、大容量のコンデンサ５に過大な電流が流れるのを抑制することができる。

また、図１では、電源回路１００に適用される突入電流抑制回路５０を例示したが、この例に限定されない。突入電流抑制回路５０による突入電流抑制制御の機能を利用できる回路であればよく、電源回路１００以外の回路への適用も可能である。

以上説明したように、実施の形態１に係る突入電流抑制回路は、商用電源が出力する交流電圧を整流する整流器と、整流器から供給される直流電力を保持する第１のコンデンサとを備えた回路に適用される突入電流抑制回路である。実施の形態１に係る突入電流抑制回路は、第２のコンデンサと、電流制御部とを備える。第２のコンデンサは、整流器と第１のコンデンサとの間に介在し、整流器によって整流された整流電圧が印加される。電流制御部は、第２のコンデンサと第１のコンデンサとの間の電気的接続を制御する。第２のコンデンサは、第１のコンデンサよりも小さな容量を有する。電流制御部は、整流器が導通していないときに、第２のコンデンサと第１のコンデンサとを電気的に接続する制御を行う。このように構成された突入電流抑制回路、及びこの突入電流抑制回路を備えた電源回路によれば、第２のコンデンサ及び電流制御部によって、第１のコンデンサを充電する際に流れ得る突入電流を抑制することができる。従って、突入電流防止抵抗などの大型部品を使用せずに突入電流を抑制することができる。

上記の構成において、電流制御部は、第２のコンデンサと第１のコンデンサとの間の電気的な接続を開閉する第１のスイッチング素子を備えた構成とすることができる。電流制御部は、整流器が導通していないことを検知してから規定時間の経過後に第１のスイッチング素子をＯＮに制御する。これにより、上述した突入電流抑制を確実に実施することができる。

実施の形態２．
図４に示す実施の形態１に係る突入電流抑制制御では、商用電源１の電圧位相に影響される過大電流を抑制するため、第１の規定時間及び第２の規定時間を適切に設定する必要があった。これに対し、実施の形態２では、商用電源１の電圧位相に影響されない構成及び制御手法を提案する。

図５は、実施の形態２に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の具体的な回路構成の例を示す図である。図５において、実施の形態２に係る電源回路では、図２に示す実施の形態１に係る電源回路の構成において、整流器２１とコンデンサ３との間にＭＯＳＦＥＴ２５が追加されている。ＭＯＳＦＥＴ２５は、スイッチング素子の例示である。ＭＯＳＦＥＴ２５のＯＮ動作及びＯＦＦ動作は、制御ＩＣ２３によって制御される。その他の構成については、図２と同一又は同等であり、同一又は同等の構成部には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。なお、本稿では、ＭＯＳＦＥＴ２５に対応するスイッチング素子を「第２のスイッチング素子」と記載することがある。

次に、実施の形態２に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の動作について説明する。図６は、実施の形態２に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の動作説明に供するタイムチャートである。

図６において、（ａ）～（ｅ）の動作波形の項目は図４と同一である。一方、図６では、（ｆ）として、ＭＯＳＦＥＴ２５の動作状態が示されている。

図６において、電流制御部４は、整流器２１におけるダイオード２１２が全て導通していないと判定した時刻ｔ１から、第３の規定時間が経過した時刻ｔ６においてＭＯＳＦＥＴ２５をＯＦＦする制御を行い、その後第４の規定時間が経過した時刻ｔ４においてＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮする制御を行う。時刻ｔ４は、時刻ｔ６よりも後の時刻である。また、電流制御部４は、ＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮする制御を行った後、第５の規定時間が経過した時刻ｔ５においてＭＯＳＦＥＴ２４をＯＦＦする制御を行い、その後第６の規定時間が経過した時刻ｔ７においてＭＯＳＦＥＴ２５をＯＮする制御を行う。時刻ｔ７は、時刻ｔ５よりも後の時刻である。この制御により、図６の（ｄ）、（ｅ）に示されるように、小容量のコンデンサ３から大容量のコンデンサ５に電荷を逐次移動させることができる。これにより、コンデンサ５に流れ得る過電流を抑制しながら、コンデンサ５の充電を行うことができる。

また、図６の制御において、ＭＯＳＦＥＴ２５がＯＦＦしている期間は、ＭＯＳＦＥＴ２４がＯＮの状態であっても、商用電源１から大容量のコンデンサ５に直接電流が流れることは無い。このため、ＭＯＳＦＥＴ２５がＯＦＦしている期間において、ＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮ及びＯＦＦする制御を行えば、商用電源１の電圧位相を考慮する必要が無くなる。従って、実施の形態２の制御手法は、実施の形態１の制御手法に比べて、ＭＯＳＦＥＴ２４をＯＮ及びＯＦＦするタイミングの制約が少なくなるという効果が得られる。

以上説明したように、実施の形態２に係る突入電流抑制回路において、電流制御部は、整流器と第２のコンデンサとの間の電気的な接続を開閉する第２のスイッチング素子を備える。電流制御部は、整流器が導通していないことを検知した場合には、第２のスイッチング素子をＯＦＦに制御した後に第１のスイッチング素子をＯＮに制御し、その後、第１のスイッチング素子をＯＦＦに制御した後に第２のスイッチング素子をＯＮに制御する。このように構成された突入電流抑制回路、及びこの突入電流抑制回路を備えた電源回路によれば、実施の形態１の効果に加え、第１のスイッチング素子をＯＮ及びＯＦＦするタイミングの制約を少なくできるという効果を得ることができる。

実施の形態３．
図２に示す実施の形態１に係る電源回路、及び図５に示す実施の形態２に係る電源回路の構成において、大容量のコンデンサ５の後段に接続される負荷回路の負荷が高い場合、大容量のコンデンサ５の電圧低下によって、負荷回路の動作が影響を受けることが想定される。大容量のコンデンサ５の電圧が低下するのは、大容量のコンデンサ５にチャージされる電荷量よりも負荷回路で消費される電荷量が上回る場合である。実施の形態３では、負荷回路の負荷が高い場合であっても、大容量のコンデンサ５の電圧低下を抑制できる構成及び制御手法を提案する。

図７は、実施の形態３に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の具体的な回路構成の例を示す図である。図７において、実施の形態３に係る電源回路では、図２に示す実施の形態１に係る電源回路の構成において、ＭＯＳＦＥＴ２４の両端に並列に接続されるリレー６が追加されている。その他の構成については、図２と同一又は同等であり、同一又は同等の構成部には同一の符号を付して、重複する説明は省略する。なお、リレー６はバイパス部品であり、トライアックなどの半導体素子で構成されていてもよい。

次に、実施の形態３に係る突入電流抑制回路を含む電源回路の動作について説明する。制御ＩＣ２３は、大容量のコンデンサ５の両端の電圧が規定値を超えた場合、リレー６の接点を閉じる制御を行う。なお、大容量のコンデンサ５の両端の電圧が規定値を超えた後は、突入電流を抑制する必要が無くなるため、リレー６で短絡しても問題無いことは言うまでも無い。

一般的に、コンデンサ５に蓄積された電荷を利用する負荷回路では、大容量のコンデンサ５の電圧を検出する検出器が設けられているので、当該検出器の情報を利用することで、本制御を行うことができる。この制御により、商用電源１から大容量のコンデンサ５に直接電流が流れ経路が確保され、負荷回路の負荷が高い場合でも、負荷回路への電荷の供給が充分に間に合い、大容量のコンデンサ５の電圧低下を抑制することができる。

なお、図７に示す実施の形態３に係る電源回路では、ＭＯＳＦＥＴ２４の両端にリレー６を並列に接続する構成を図２に示す実施の形態１に係る電源回路に適用したが、図５に示す実施の形態２に係る電源回路に適用することも可能であることは言うまでも無い。

以上説明したように、実施の形態３に係る突入電流抑制回路において、電流制御部は、第１のスイッチング素子に流れる電流をバイパスさせるバイパス部品を備える。電流制御部は、第２のコンデンサと第１のコンデンサとの間に流れ得る突入電流を抑制した後にバイパス部品を導通させる制御を行う。このように構成された突入電流抑制回路、及びこの突入電流抑制回路を備えた電源回路によれば、実施の形態１及び実施の形態２の効果に加え、第１のコンデンサに蓄積された電荷を利用する負荷回路の負荷が高負荷になった場合でも、第１のコンデンサの電圧低下を抑制できるという効果を得ることができる。

以上の実施の形態に示した構成は、一例を示すものであり、別の公知の技術と組み合わせることも可能であるし、実施の形態同士を組み合わせることも可能であるし、要旨を逸脱しない範囲で、構成の一部を省略、変更することも可能である。

１ 商用電源、２，２１ 整流器、３，５ コンデンサ、４ 電流制御部、６ リレー、２２ 信号増幅器、２３ 制御ＩＣ、２４，２５ ＭＯＳＦＥＴ、５０ 突入電流抑制回路、１００ 電源回路、２１１ シャント抵抗、２１２ ダイオード。

Claims (5)

1. 商用電源が出力する交流電圧を整流する整流器と、前記整流器から供給される直流電力を保持する第１のコンデンサとを備えた回路に適用される突入電流抑制回路であって、
   前記整流器と前記第１のコンデンサとの間に介在し、前記整流器によって整流された整流電圧が印加され、前記第１のコンデンサよりも小さな容量を有する第２のコンデンサと、
   前記第２のコンデンサと前記第１のコンデンサとの間の電気的接続を制御する電流制御部と、
   を備え、
   前記電流制御部は、前記整流器が導通していないときに、前記第２のコンデンサと前記第１のコンデンサとを電気的に接続する制御を行う
   ことを特徴とする突入電流抑制回路。
2. 前記電流制御部は、前記第２のコンデンサと前記第１のコンデンサとの間の電気的な接続を開閉する第１のスイッチング素子を備え、
   前記整流器が導通していないことを検知してから規定時間の経過後に前記第１のスイッチング素子をオンに制御する
   ことを特徴とする請求項１に記載の突入電流抑制回路。
3. 前記電流制御部は、前記整流器と前記第２のコンデンサとの間の電気的な接続を開閉する第２のスイッチング素子を備え、
   前記整流器が導通していないことを検知した場合には、前記第２のスイッチング素子をオフに制御した後に前記第１のスイッチング素子をオンに制御し、その後、前記第１のスイッチング素子をオフに制御した後に前記第２のスイッチング素子をオンに制御する
   ことを特徴とする請求項２に記載の突入電流抑制回路。
4. 前記電流制御部は、前記第１のスイッチング素子に流れる電流をバイパスさせるバイパス部品を備え、
   前記第２のコンデンサと前記第１のコンデンサとの間に流れ得る突入電流を抑制した後に前記バイパス部品を導通させる制御を行う
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載の突入電流抑制回路。
5. 請求項１から４の何れか１項に記載の突入電流抑制回路と、前記整流器と、前記第１のコンデンサとを備えたことを特徴とする電源回路。

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