JP2023109671A - Wafer placement table and member for semiconductor manufacturing apparatus using the same - Google Patents
Wafer placement table and member for semiconductor manufacturing apparatus using the same Download PDFInfo
- Publication number
- JP2023109671A JP2023109671A JP2022108450A JP2022108450A JP2023109671A JP 2023109671 A JP2023109671 A JP 2023109671A JP 2022108450 A JP2022108450 A JP 2022108450A JP 2022108450 A JP2022108450 A JP 2022108450A JP 2023109671 A JP2023109671 A JP 2023109671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer mounting
- coolant channel
- mounting table
- wafer
- channel groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 10
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims abstract description 228
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 137
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 102
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 80
- 238000009434 installation Methods 0.000 claims description 43
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 40
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 40
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims description 35
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 29
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 14
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims description 13
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 32
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 27
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 13
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 8
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 8
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 6
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 6
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011156 metal matrix composite Substances 0.000 description 5
- 229910000962 AlSiC Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011153 ceramic matrix composite Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018566 Al—Si—Mg Inorganic materials 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002597 Solanum melongena Nutrition 0.000 description 1
- 244000061458 Solanum melongena Species 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 1
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N yttrium(III) oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Y+3].[Y+3] RUDFQVOCFDJEEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
Description
本発明は、ウエハ載置台及びそれを用いた半導体製造装置用部材に関する。 The present invention relates to a wafer mounting table and a semiconductor manufacturing apparatus member using the same.
従来、静電電極を埋設したセラミック基材と、内部に冷媒流路を備えた冷却基材とを、金属接合層で接合したウエハ載置台が知られている（例えば特許文献１，２）。冷却基材は、例えば次のようにして作製される。まず、金属マトリックス複合材料で形成された第１～第３基板を用意する。第１及び第３基板は、円板である。第２基板は、円板の一方の面から他方の面まで冷媒流路と同じ形状となるように打ち抜くことにより円板に打ち抜き部を設けたものである。続いて、第２基板を第１基板及び第３基板で挟み込んで積層体とする。このとき、第２基板と第１基板との間と第２基板と第３基板との間に、金属接合材を入れる。そして、この積層体を熱圧接合することにより、打ち抜き部が冷媒流路になり、第１基板と第２基板との間に金属接合層が形成され、第２基板と第３基板との間に金属接合層が形成された冷却基材を得る。 2. Description of the Related Art Conventionally, there is known a wafer mounting table in which a ceramic base material having electrostatic electrodes embedded therein and a cooling base material having coolant flow paths therein are joined with a metal bonding layer (for example, Patent Documents 1 and 2). A cooling base material is produced, for example, as follows. First, first to third substrates made of a metal matrix composite material are prepared. The first and third substrates are discs. The second substrate is formed by punching a circular plate from one surface to the other surface so as to have the same shape as the coolant channel, thereby providing a punched portion in the circular plate. Subsequently, the second substrate is sandwiched between the first substrate and the third substrate to form a laminate. At this time, a metal bonding material is placed between the second substrate and the first substrate and between the second substrate and the third substrate. Then, by thermocompression bonding this laminate, the punched portion becomes a coolant channel, a metal bonding layer is formed between the first substrate and the second substrate, and a metal bonding layer is formed between the second substrate and the third substrate. A cooling base having a metal bonding layer formed on the base is obtained.
しかしながら、上述したウエハ載置台では、冷却基材に用いる材料が多く必要になるため、その材料費が嵩み、ひいてはウエハ載置台のコストが高くなるという問題があった。 However, the above-described wafer mounting table requires a large amount of material for the cooling base material, so there is a problem that the cost of the material increases, which in turn increases the cost of the wafer mounting table.
本発明はこのような課題を解決するためになされたものであり、ウエハ載置台のコストを低く抑えることを主目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such problems, and its main object is to reduce the cost of the wafer mounting table.
［１］本発明のウエハ載置台は、
上面にウエハ載置面を有し、電極を内蔵するセラミック基材と、
前記セラミック基材の下面側に設けられた冷却基材と、
前記冷却基材の下面に開口するように前記冷却基材に設けられた冷媒流路溝と、
を備えたものである。
[1] The wafer mounting table of the present invention is
a ceramic substrate having a wafer mounting surface on its upper surface and containing an electrode;
a cooling base provided on the lower surface side of the ceramic base;
a coolant channel groove provided in the cooling base so as to open to the lower surface of the cooling base;
is provided.
このウエハ載置台は、使用時に、冷媒流路溝を取り囲むシール部材を介して冷却基材の下面がウエハ載置台とは別の設置板に取り付けられる。この場合、冷媒流路溝の開口はシール部材と設置板とによって閉鎖されて冷媒流路となる。冷却基材は、冷媒流路溝を有しているが、冷媒流路溝は、冷却基材の下面に開口している。そのため、冷媒流路を内蔵した従来の冷却基材と比べて、冷却基材に用いる材料が少なくて済む。したがって、ウエハ載置台のコストを低く抑えることができる。 When this wafer mounting table is used, the lower surface of the cooling base is attached to a separate mounting plate from the wafer mounting table via a seal member surrounding the coolant channel grooves. In this case, the opening of the coolant channel groove is closed by the sealing member and the installation plate to form the coolant channel. The cooling substrate has coolant flow channels, and the coolant flow channels are open to the lower surface of the cooling substrate. Therefore, less material is required for the cooling base material than the conventional cooling base material with built-in coolant channels. Therefore, the cost of the wafer mounting table can be kept low.
なお、本明細書では、上下、左右、前後などを用いて本発明を説明することがあるが、上下、左右、前後は、相対的な位置関係に過ぎない。そのため、ウエハ載置台の向きを変えた場合には上下が左右になったり左右が上下になったりすることがあるが、そうした場合も本発明の技術的範囲に含まれる。 In this specification, the present invention may be described using terms such as up and down, left and right, front and back, but up and down, left and right, and front and back are merely relative positional relationships. Therefore, when the orientation of the wafer table is changed, up and down may become left and right, or left and right may become up and down. Such cases are also included in the technical scope of the present invention.
［２］上述したウエハ載置台（前記［１］に記載のウエハ載置台）において、前記冷却基材は、金属とセラミックとの複合材料で形成されていてもよい。こうした複合材料は、セラミック基材を構成するセラミック材料と線熱膨張係数（ＣＴＥ）の差を小さくすることができる。そのため、セラミック基材と冷却基材との接合が熱応力によって破損するのを防止することができる。また、こうした複合材料は比較的高価なため、コストを低減する意義が大きい。 [2] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table described in [1] above), the cooling base may be made of a composite material of metal and ceramic. Such composite materials can have a small difference in coefficient of linear thermal expansion (CTE) from the ceramic material that constitutes the ceramic substrate. Therefore, it is possible to prevent the bonding between the ceramic base material and the cooling base material from being damaged due to thermal stress. In addition, since such composite materials are relatively expensive, cost reduction is of great significance.
［３］上述したウエハ載置台（前記［１］又は［２］に記載のウエハ載置台）において、前記冷却基材は、金属接合層を介して前記セラミック基材の下面に接合されていてもよい。こうすれば、冷却基材が樹脂（有機）接合層を介してセラミック基材の下面に接合されている場合に比べて、ウエハ載置面の熱を効率よく冷却基材に逃がすことができる。 [3] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table according to [1] or [2] above), the cooling base may be bonded to the lower surface of the ceramic base via a metal bonding layer. good. In this way, the heat of the wafer mounting surface can be released to the cooling base more efficiently than in the case where the cooling base is bonded to the lower surface of the ceramic base via the resin (organic) bonding layer.
［４］上述したウエハ載置台（前記［１］～［３］のいずれかに記載のウエハ載置台）において、前記冷媒流路溝のうち平面視で前記ウエハ載置面と重複する領域での最上流部と最下流部の前記冷媒流路溝の天井面から前記ウエハ載置面までの距離は、前記最上流部に比べて前記最下流部の方が短くなるようにしてもよい。ウエハ載置台の使用時、冷媒流路溝の開口をウエハ載置台とは別の部材で閉じて冷媒流路とした上でその冷媒流路に冷媒を流す。冷媒は冷媒流路の最上流部から最下流部に向かって高温のウエハから熱を奪いながら流れるため、冷媒流路を流れる冷媒の温度は最上流部に比べて最下流部の方が高くなる。一方、冷媒流路の天井面からウエハ載置面までの距離は冷媒流路の最上流部に比べて最下流部の方が短いため、冷媒流路の天井面からウエハ載置面までの熱抵抗は最上流部に比べて最下流部の方が低くなる。そのため、総合的には、ウエハ載置面のうち冷媒流路の最上流部に対向する位置と最下流部に対向する位置との温度差を小さくすることができる。したがって、ウエハの均熱性が高くなる。 [4] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table according to any one of [1] to [3] above), a region of the coolant channel groove that overlaps the wafer mounting surface in plan view The distance from the ceiling surface of the coolant channel grooves in the most upstream portion and the most downstream portion to the wafer mounting surface may be shorter in the most downstream portion than in the most upstream portion. When the wafer mounting table is used, the opening of the coolant channel groove is closed by a member separate from the wafer mounting table to form a coolant channel, and the coolant flows through the coolant channel. Since the coolant flows from the most upstream portion to the most downstream portion of the coolant channel while taking heat from the high-temperature wafer, the temperature of the coolant flowing through the coolant channel is higher at the most downstream portion than at the most upstream portion. . On the other hand, since the distance from the ceiling surface of the coolant channel to the wafer mounting surface is shorter in the most downstream part than in the most upstream part of the coolant channel, the heat from the ceiling surface of the coolant channel to the wafer mounting surface The resistance is lower at the most downstream portion than at the most upstream portion. Therefore, overall, the temperature difference between the position facing the most upstream part of the coolant channel and the position facing the most downstream part of the coolant channel on the wafer mounting surface can be reduced. Therefore, the temperature uniformity of the wafer is improved.
［５］上述したウエハ載置台（前記［１］～［４］のいずれかに記載のウエハ載置台）において、前記冷媒流路溝のうち平面視で前記ウエハ載置面と重複する領域での最上流部と最下流部の前記冷媒流路溝の断面積は、前記最上流部に比べて前記最下流部の方が小さくなるようにしてもよい。ウエハ載置台の使用時、冷媒流路溝の開口をウエハ載置台とは別の部材で閉じて冷媒流路とした上でその冷媒流路に冷媒を流す。冷媒は冷媒流路の最上流部から最下流部に向かって高温のウエハから熱を奪いながら流れるため、冷媒流路を流れる冷媒の温度は最上流部に比べて最下流部の方が高くなる。一方、冷媒流路の断面積は冷媒流路の最上流部に比べて最下流部の方が小さいため、圧力損失は最上流部に比べて最下流部の方が大きくなり、冷媒とウエハとの熱交換は最上流部に比べて最下流部の方が促進される。そのため、総合的には、ウエハ載置面のうち冷媒流路の最上流部に対向する位置と最下流部に対向する位置との温度差を小さくすることができる。したがって、ウエハの均熱性が高くなる。 [5] In the above-described wafer mounting table (the wafer mounting table according to any one of [1] to [4]), a region of the coolant channel groove overlapping the wafer mounting surface in plan view The cross-sectional areas of the coolant channel grooves in the most upstream portion and the most downstream portion may be smaller in the most downstream portion than in the most upstream portion. When the wafer mounting table is used, the opening of the coolant channel groove is closed by a member separate from the wafer mounting table to form a coolant channel, and the coolant flows through the coolant channel. Since the coolant flows from the most upstream portion to the most downstream portion of the coolant channel while taking heat from the high-temperature wafer, the temperature of the coolant flowing through the coolant channel is higher at the most downstream portion than at the most upstream portion. . On the other hand, since the cross-sectional area of the coolant channel is smaller at the most downstream part than at the most upstream part, pressure loss is greater at the most downstream part than at the most upstream part. heat exchange is promoted in the most downstream portion compared to the most upstream portion. Therefore, overall, the temperature difference between the position facing the most upstream part of the coolant channel and the position facing the most downstream part of the coolant channel on the wafer mounting surface can be reduced. Therefore, the temperature uniformity of the wafer is improved.
［６］上述したウエハ載置台（前記［１］～［５］のいずれかに記載のウエハ載置台）において、前記冷却基材は、前記冷却基材を上下方向に貫通する穴を有していてもよく、前記穴の周辺領域には、前記冷媒流路溝を冷媒流路として用いる際に該冷媒流路を流れる冷媒と前記ウエハ載置面に載置されるウエハとの熱交換を促進する熱交換促進部が設けられていてもよい。一般にウエハのうちこうした穴の直上周辺はホットスポットになりやすいが、ここではこうした穴の周辺領域に熱交換促進部が設けられているため、穴の周辺領域の抜熱が促進される。したがって、ウエハにホットスポットが発生するのを抑制することができる。 [6] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table according to any one of [1] to [5] above), the cooling base has a hole vertically penetrating the cooling base. The area around the hole may have a heat exchange between the coolant flowing through the coolant channel and the wafer placed on the wafer mounting surface when the coolant channel groove is used as the coolant channel. A heat exchange promoting portion may be provided. In general, hot spots are likely to occur in the areas of the wafer directly above these holes, but here, since the heat exchange promoting portions are provided in the areas around these holes, heat removal from the areas around the holes is facilitated. Therefore, it is possible to suppress the occurrence of hot spots on the wafer.
［７］上述したウエハ載置台（前記［１］～［６］のいずれかに記載のウエハ載置台）において、前記ウエハ載置台は、使用時に前記冷媒流路溝を取り囲むシール部材を介して前記冷却基材の下面が前記ウエハ載置台とは別の設置板に取り付けられるものとしてもよい。 [7] In the above-described wafer mounting table (the wafer mounting table according to any one of [1] to [6]), the wafer mounting table, when in use, is mounted on the The lower surface of the cooling base may be attached to a mounting plate different from the wafer mounting table.
［８］上述したウエハ載置台（前記［７］に記載のウエハ載置台）において、前記冷却基材は、前記冷却基材の中央部を前記設置板に締結する中央部締結部材を有していてもよい。なお、「冷却基材の中央部」とは、冷却基材の中心であってもよいし、冷却基材の直径よりも小さい円の円周であってもよい。 [8] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table described in [7] above), the cooling substrate has a central fastening member that fastens the central portion of the cooling substrate to the installation plate. may The “central portion of the cooling substrate” may be the center of the cooling substrate or the circumference of a circle smaller than the diameter of the cooling substrate.
［９］上述したウエハ載置台（前記［１］～［８］のいずれかに記載のウエハ載置台）において、前記冷媒流路溝の縦断面の形状（ウエハ載置台をウエハ載置面に垂直な方向で切断したときの切断面に現れる形状）は、前記冷媒流路溝の開口部の幅よりも前記冷媒流路溝の天井部の幅の方が広くてもよく、前記冷媒流路溝の隣合う開口部同士の間隔は、前記冷媒流路溝の隣合う天井部同士の間隔よりも広くてもよい。こうすれば、冷媒流路溝の隣合う開口部同士の間隔が広いため、開口部同士で冷媒が混ざり合うのを抑制することができる。また、冷媒流路溝の隣合う天井部同士の間隔が狭いため、冷媒による冷却面積が広くなり、冷却効率が高まる。更に、冷媒流路溝の開口部の総面積は天井部の総面積よりも狭いため、冷却基材とチャンバ側の設置板との間にかかる冷媒の圧力による力を低減することができる。 [9] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table according to any one of the above [1] to [8]), the shape of the longitudinal section of the coolant channel groove (the wafer mounting table is perpendicular to the wafer mounting surface The shape that appears on the cut surface when cut in a direction) may be such that the width of the ceiling portion of the coolant channel groove is wider than the width of the opening of the coolant channel groove, and the coolant channel groove The interval between adjacent openings may be wider than the interval between adjacent ceiling portions of the coolant channel groove. By doing so, since the gap between adjacent openings of the coolant channel groove is large, it is possible to prevent the coolant from being mixed between the openings. In addition, since the space between the adjacent ceiling portions of the coolant channel grooves is narrow, the area cooled by the coolant is widened, and the cooling efficiency is enhanced. Furthermore, since the total area of the openings of the coolant channel grooves is smaller than the total area of the ceiling, it is possible to reduce the pressure of the coolant acting between the cooling substrate and the installation plate on the chamber side.
［１０］上述したウエハ載置台（前記［９］に記載のウエハ載置台）において、前記冷媒流路溝の開口部は、シールリングによって密閉されていなくてもよい。シールリングによって密閉されていなくても、冷媒流路溝の開口部同士の間隔が比較的広いため、開口部同士で冷媒が混ざり合うのを抑制することができる。 [10] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table described in [9] above), the opening of the coolant channel groove may not be sealed with a seal ring. Even if it is not sealed by a seal ring, since the gap between the openings of the coolant channel groove is relatively wide, it is possible to suppress the mixture of the coolant between the openings.
［１１］上述したウエハ載置台（前記［９］に記載のウエハ載置台）において、前記冷媒流路溝の開口部は、シールリングによって密閉されていてもよい。こうすれば、冷媒流路溝の隣合う開口部同士で冷媒が混ざり合うのをシールリングが抑制するため、冷媒流路溝の隣合う開口部同士の間隔を比較的狭くすることができ、ひいては冷媒流路溝を密に設けることができる。それに伴い、冷媒流路溝の隣合う天井部同士の間隔を一段と狭くすることができるため、冷媒による冷却面積がより広くなり、冷却効率がより高くなる。 [11] In the wafer mounting table described above (the wafer mounting table described in [9] above), the opening of the coolant channel groove may be sealed with a seal ring. In this way, the seal ring suppresses the mixing of the coolant between the adjacent openings of the coolant channel grooves, so that the interval between the adjacent openings of the coolant channel grooves can be made relatively narrow. The coolant channel grooves can be provided densely. As a result, the space between the adjacent ceiling portions of the coolant channel grooves can be further narrowed, so that the cooling area by the coolant becomes wider and the cooling efficiency becomes higher.
［１２］本発明の半導体製造装置用部材は、前記［１］～［１１］のいずれかに記載のウエハ載置台と、前記冷媒流路溝を取り囲むシール部材を介して前記冷却基材の下面が設置される設置板と、前記ウエハ載置台の外周部を前記設置板に締結する外周部締結部材と、を備えたものである。この半導体製造装置用部材では、冷媒流路溝を取り囲むシール部材を介して冷却基材の下面を設置板に取り付けることで、冷媒流路溝の開口が閉鎖されて冷媒流路が形成される。こうした半導体製造装置用部材において、冷却基材の中央部を設置板に締結する中央部締結部材を有している場合、ウエハ載置台は外周部だけでなく中央部も設置板に固定されるため、使用に伴ってウエハ載置台が反るのを防止することができる。その結果、長期にわたってシール部材によるシール性を維持することができる。また、シール部材は冷却基材の下側にある（冷媒流路溝がシール部材の上側にある）ため、セラミック基材が高温になったとしてもその熱の影響を受けにくい。そのため、シール部材として耐熱性の高いものを用いる必要がない。 [12] A member for a semiconductor manufacturing apparatus according to the present invention includes a wafer mounting table according to any one of [1] to [11], and a lower surface of the cooling base via a seal member surrounding the coolant channel groove. and an outer peripheral fastening member for fastening the outer peripheral portion of the wafer mounting table to the installation plate. In this member for a semiconductor manufacturing apparatus, the lower surface of the cooling base is attached to the installation plate via a seal member surrounding the coolant flow channel, thereby closing the opening of the coolant flow channel and forming the coolant flow channel. In such a member for a semiconductor manufacturing apparatus, if a central fastening member for fastening the central portion of the cooling base to the mounting plate is provided, the wafer mounting table is fixed to the mounting plate not only at the outer peripheral portion but also at the central portion. , it is possible to prevent the wafer mounting table from warping during use. As a result, the sealing performance of the sealing member can be maintained for a long period of time. In addition, since the seal member is located below the cooling base material (the coolant channel groove is located above the seal member), even if the temperature of the ceramic base material becomes high, it is not easily affected by the heat. Therefore, it is not necessary to use a highly heat-resistant sealing member.
［１３］上述した半導体製造装置用部材（前記［１２］に記載の半導体製造装置用部材）において、前記冷却基材と前記設置板との４０～４００℃のＣＴＥ差の絶対値が１．５×１０-6／Ｋ以上であってもよい。冷却基材の下面と設置板の上面とをシール部材を挟んで組み付けるため、冷却基材と設置板とのＣＴＥの違いによる影響がシール部材によって吸収される。そのため、設置板と冷却基材との４０～４００℃のＣＴＥ差の絶対値が１．５×１０-6／Ｋ以上の場合でもクラックを防止できる。 [13] In the above-mentioned member for semiconductor manufacturing equipment (the member for semiconductor manufacturing equipment according to [12] above), the absolute value of the CTE difference between the cooling base and the installation plate at 40 to 400°C is 1.5. It may be more than ×10 -6 /K. Since the lower surface of the cooling substrate and the upper surface of the mounting plate are assembled with the sealing member interposed therebetween, the effect of the difference in CTE between the cooling substrate and the mounting plate is absorbed by the sealing member. Therefore, cracks can be prevented even when the absolute value of the CTE difference between the mounting plate and the cooling substrate at 40 to 400° C. is 1.5×10 −6 /K or more.
本発明の好適な実施形態を、図面を参照しながら以下に説明する。図１はチャンバ９４に設置されたウエハ載置台１０の縦断面図（ウエハ載置台１０の中心軸を含む面で切断したときの断面図）、図２はウエハ載置台１０の平面図、図３はシール部材１６ａ～１６ｄが配置された冷却基材３０の底面図である。
Preferred embodiments of the invention are described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a longitudinal sectional view of the wafer mounting table 10 installed in the chamber 94 (a sectional view taken along a plane including the central axis of the wafer mounting table 10), FIG. 2 is a plan view of the wafer mounting table 10, and FIG. is a bottom view of the cooling
ウエハ載置台１０は、ウエハＷにプラズマを利用してＣＶＤやエッチングなどを行うために用いられるものであり、半導体プロセス用のチャンバ９４の内部に設けられた設置板９６に固定されている。ウエハ載置台１０は、セラミック基材２０と、冷却基材３０と、金属接合層４０とを備えている。
The wafer mounting table 10 is used to perform CVD, etching, etc. on the wafer W using plasma, and is fixed to a mounting
セラミック基材２０は、円形のウエハ載置面２２ａを有する中央部２２の外周に、環状のフォーカスリング載置面２４ａを有する外周部２４を備えている。以下、フォーカスリングは「ＦＲ」と略すことがある。ウエハ載置面２２ａには、ウエハＷが載置され、ＦＲ載置面２４ａには、フォーカスリング７８が載置される。セラミック基材２０は、アルミナ、窒化アルミニウムなどに代表されるセラミック材料で形成されている。ＦＲ載置面２４ａは、ウエハ載置面２２ａに対して一段低くなっている。
The
セラミック基材２０の中央部２２は、ウエハ載置面２２ａに近い側に、ウエハ吸着用電極２６を内蔵している。ウエハ吸着用電極２６は、例えばＷ、Ｍｏ、ＷＣ、ＭｏＣなどを含有する材料によって形成されている。ウエハ吸着用電極２６は、円板状又はメッシュ状の単極型の静電吸着用電極である。セラミック基材２０のうちウエハ吸着用電極２６よりも上側の層は誘電体層として機能する。ウエハ吸着用電極２６には、ウエハ吸着用直流電源５２が給電端子５４を介して接続されている。給電端子５４は、ウエハ載置台１０のうちウエハ吸着用電極２６の下面と冷却基材３０の下面との間に設けられた端子穴５１に挿通されている。給電端子５４は、端子穴５１のうち冷却基材３０及び金属接合層４０を上下方向に貫通する貫通穴に配置された絶縁管５５を通過して、セラミック基材２０の下面からウエハ吸着用電極２６に至るように設けられている。ウエハ吸着用直流電源５２とウエハ吸着用電極２６との間には、ローパスフィルタ（ＬＰＦ）５３が設けられている。
The
冷却基材３０は、円板部材である。冷却基材３０の材料としては、金属とセラミックとの複合材料などが好ましい。こうした複合材料としては、金属マトリックス複合材料（メタル・マトリックス・コンポジット、ＭＭＣ）やセラミックマトリックス複合材料（セラミック・マトリックス・コンポジット、ＣＭＣ）などが挙げられる。こうした複合材料の具体例としては、Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料やＳｉＣ多孔質体にＡｌ及び／又はＳｉを含浸させた材料、Ａｌ2Ｏ3とＴｉＣとの複合材料などが挙げられる。Ｓｉ，ＳｉＣ及びＴｉを含む材料をＳｉＳｉＣＴｉといい、ＳｉＣ多孔質体にＡｌを含浸させた材料をＡｌＳｉＣといい、ＳｉＣ多孔質体にＳｉを含浸させた材料をＳｉＳｉＣという。セラミック基材２０がアルミナ基材の場合、冷却基材３０に用いる複合材料としてはＣＴＥがアルミナに近いＡｌＳｉＣやＳｉＳｉＣＴｉなどが好ましい。冷却基材３０は、冷媒流路溝３２を有している。冷媒流路溝３２は、中央付近に設けられた入口３２ａから外周側に設けられた出口３２ｂまで一筆書きの要領で渦巻状に形成され、冷却基材３０の下面に開口するように冷却基材３０に設けられている。冷媒流路溝３２は、チャンバ９４の設置板９６の上面によって開口が塞がれることにより、冷媒流路８２を形成する。そのため、冷媒流路溝３２は、冷媒流路８２の側壁及び天井面を構成するものである。冷媒流路溝３２を流れる冷媒は、液体が好ましく、電気絶縁性であることが好ましい。電気絶縁性の液体としては、例えばフッ素系不活性液体などが挙げられる。冷却基材３０のうち冷媒流路溝３２よりも上側の厚みは、５ｍｍ以下であることが好ましく、３ｍｍ以下であることがより好ましい。また、冷媒流路溝３２の上側の角部（側壁と天井面とが交叉する角部）はＲ面になっていることが好ましく、Ｒ面の曲率半径は、例えば０．５～２ｍｍが好ましい。冷却基材３０は、ＲＦ電源６２に給電端子６４を介して接続されている。冷却基材３０とＲＦ電源６２との間には、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）６３が配置されている。冷却基材３０は、ウエハ載置台１０の外周部を設置板９６にクランプするのに用いられるフランジ部３４を有する。設置板９６は、単層構造であり、アルミナなどの絶縁材料によって構成されている。
The
金属接合層４０は、セラミック基材２０の下面と冷却基材３０の上面とを接合する。金属接合層４０は、例えば、はんだや金属ロウ材で形成された層であってもよい。金属接合層４０は、例えばＴＣＢ（Ｔｈｅｒｍａｌ ｃｏｍｐｒｅｓｓｉｏｎ ｂｏｎｄｉｎｇ）により形成される。ＴＣＢとは、接合対象の２つの部材の間に金属接合材を挟み込み、金属接合材の固相線温度以下の温度に加熱した状態で２つの部材を加圧接合する公知の方法をいう。
The
セラミック基材２０の外周部２４の側面、金属接合層４０の外周、冷却基材３０のフランジ部３４の上面及び側面は、絶縁膜４２で被覆されている。絶縁膜４２としては、例えばアルミナやイットリアなどの溶射膜が挙げられる。
The side surface of the outer
こうしたウエハ載置台１０は、チャンバ９４の内部に設けられた設置板９６にクランプ部材７０を用いて取り付けられる。クランプ部材７０は、断面が略逆Ｌ字状の環状部材であり、内周段差面７０ａを有する。ウエハ載置台１０と設置板９６とは、クランプ部材７０によって一体化されている。ウエハ載置台１０の冷却基材３０のフランジ部３４にクランプ部材７０の内周段差面７０ａが載置された状態で、クランプ部材７０の上面からボルト７２が差し込まれて設置板９６の上面に設けられたネジ穴９７に螺合されている。ボルト７２は、クランプ部材７０の円周方向に沿って等間隔に設けられた複数箇所（例えば８箇所とか１２箇所）に取り付けられる。クランプ部材７０やボルト７２は、絶縁材料で作製されていてもよいし、導電材料（金属など）で作製されていてもよい。冷却基材３０の下面と設置板９６の上面との間の所定位置には、シール部材１６ａ～１６ｄが配置されている。こうしたシール部材１６ａ～１６ｄは、ボルト７２をネジ穴９７に螺合することにより上下方向に押し潰されてシール性を発揮する。なお、クランプ部材７０とボルト７２と設置板９６のネジ穴９７が外周部締結部材に相当する。
Such a wafer mounting table 10 is attached to an
シール部材１６ａは、冷却基材３０の直径よりもやや小さい直径を有するＯリングである。シール部材１６ｂは、シール部材１６ａの直径よりもやや小さい直径を有するＯリングであり、ウエハ載置台１０の使用時に冷媒流路溝３２を取り囲む。シール部材１６ｃは、冷却基材３０の下面のうち冷媒流路溝３２の設けられていない箇所において給電端子６４を取り囲むように配置されている。シール部材１６ｄは、冷却基材３０の下面のうち冷媒流路溝３２の設けられていない箇所において給電端子５４を取り囲むように配置されている。シール部材１６ａ～１６ｄとしては、Ｏリングやパッキンなどを用いることができる。シール部材１６ａ～１６ｄは、絶縁材料製（例えばＰＴＦＥなどの樹脂製）としてもよいし、導電材料製（例えば金属製）としてもよい。
The sealing
設置板９６のうち冷媒流路溝３２の入口３２ａに対向する位置には冷媒供給口９６ａが上下方向に貫通するように設けられ、出口３２ｂに対向する位置には冷媒排出口９６ｂが上下方向に貫通するように設けられている。冷媒供給口９６ａ及び冷媒排出口９６ｂには、図示しない冷媒給排装置が接続されている。冷媒流路８２は、冷媒流路溝３２の開口が設置板９６に塞がれることにより形成される。本実施形態では、冷却基材３０の下面と設置板９６の上面とシール部材１６ｂとで囲まれた僅かな隙間（シール部材１６ｃ，１６ｄの内側を除く）も、冷媒流路８２の一部をなす。冷媒給排装置から冷媒供給口９６ａに冷媒が供給されると、冷媒は冷媒流路８２の入口８２ａ（冷媒流路溝３２の入口３２ａ）から冷媒流路８２（冷媒流路溝３２）を通過して出口８２ｂ（冷媒流路溝の出口３２ｂ）に至り、そこから冷媒排出口９６ｂを経て冷媒給排装置に戻る。冷媒給排装置は、戻ってきた冷媒を温度調整したあと再び冷媒供給口９６ａにその冷媒を供給する。
A
次に、ウエハ載置台１０の製造例を図４を用いて説明する。図４はウエハ載置台１０の製造工程図である。まず、セラミック基材２０の元となる円板状のセラミック焼結体１２０を、セラミック粉末の成形体をホットプレス焼成することにより作製する（図４Ａ）。セラミック焼結体１２０は、ウエハ吸着用電極２６を内蔵している。次に、セラミック焼結体１２０の下面からウエハ吸着用電極２６までの間に端子穴上部１５１ａを形成する（図４Ｂ）。そして、端子穴上部１５１ａに給電端子５４を挿入して給電端子５４とウエハ吸着用電極２６とを接合する（図４Ｃ）。
Next, an example of manufacturing the wafer mounting table 10 will be described with reference to FIG. 4A to 4D are manufacturing process diagrams of the wafer mounting table 10. FIG. First, a disk-shaped ceramic
これと並行して、円板部材１３０を作製する（図４Ｄ）。セラミック焼結体１２０がアルミナ製の場合、円板部材１３０はＳｉＳｉＣＴｉ製かＡｌＳｉＣ製であることが好ましい。アルミナのＣＴＥとＳｉＳｉＣＴｉやＡｌＳｉＣのＣＴＥとは、概ね同じにすることができるからである。
In parallel with this, a
ＳｉＳｉＣＴｉ製の円板部材は、例えば以下のように作製することができる。まず、炭化珪素と金属Ｓｉと金属Ｔｉとを混合して粉体混合物を作製する。次に、得られた粉体混合物を一軸加圧成形により円板状の成形体を作製し、その成形体を不活性雰囲気下でホットプレス焼結させることにより、ＳｉＳｉＣＴｉ製の円板部材を得る。 A disk member made of SiSiCTi can be produced, for example, as follows. First, silicon carbide, metal Si, and metal Ti are mixed to prepare a powder mixture. Next, the obtained powder mixture is uniaxially pressed to form a disk-shaped molded body, and the molded body is hot-press sintered in an inert atmosphere to obtain a disk member made of SiSiCTi. .
次に、円板部材１３０に上下方向に貫通する端子穴下部１５１ｃをあけると共に、円板部材１３０の下面に冷媒流路溝３２をマシニング加工により形成することにより、冷却基材３０を得る（図４Ｅ）。
Next, a terminal hole
次に、冷却基材３０の上面に金属接合材１４０を配置する（図４Ｆ）。金属接合材１４０には、端子穴上部１５１ａ及び端子穴下部１５１ｃに対向する位置に端子穴中間部１５１ｂを設けておく。そして、セラミック焼結体１２０の給電端子５４を端子穴中間部１５１ｂ及び端子穴下部１５１ｃに挿入しながら、セラミック焼結体１２０を冷却基材３０の上面に配置された金属接合材１４０の上に載せる。これにより、冷却基材３０と金属接合材１４０とセラミック焼結体１２０とを下からこの順に積層した積層体を得る。この積層体を加熱しながら加圧することにより（ＴＣＢ）、接合体１１０を得る（図４Ｇ）。接合体１１０は、冷却基材３０の上面に、金属接合層４０を介してセラミック焼結体１２０が接合されたものである。端子穴５１は、端子穴上部１５１ａと端子穴中間部１５１ｂと端子穴下部１５１ｃとが連なった穴である。
Next, a
ＴＣＢは、例えば以下のように行われる。金属接合材の固相線温度以下（例えば、固相線温度から２０℃引いた温度以上固相線温度以下）の温度で積層体を加圧して接合し、その後室温に戻す。これにより、金属接合材は金属接合層になる。このときの金属接合材としては、Ａｌ－Ｍｇ系接合材やＡｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を使用することができる。例えば、Ａｌ－Ｓｉ－Ｍｇ系接合材を用いてＴＣＢを行う場合、真空雰囲気下で加熱した状態で積層体を加圧する。金属接合材は、厚みが１００μｍ前後のものを用いるのが好ましい。 TCB is performed, for example, as follows. The laminate is pressurized and bonded at a temperature below the solidus temperature of the metal bonding material (for example, the temperature obtained by subtracting 20° C. from the solidus temperature and below the solidus temperature), and then returned to room temperature. As a result, the metal bonding material becomes a metal bonding layer. As the metal bonding material at this time, an Al--Mg system bonding material or an Al--Si--Mg system bonding material can be used. For example, when TCB is performed using an Al-Si-Mg-based bonding material, the laminated body is pressed while being heated in a vacuum atmosphere. It is preferable to use a metal bonding material having a thickness of about 100 μm.
続いて、セラミック焼結体１２０の外周を切削して段差を形成することにより、中央部２２と外周部２４とを備えたセラミック基材２０とする。また、端子穴５１のうちセラミック基材２０の下面から冷却基材３０の下面まで、給電端子５４を挿通する絶縁管５５を配置する。更に、セラミック基材２０の外周部２４の側面、金属接合層４０の周囲、冷却基材３０の上面（露出している面）及び側面を、セラミック粉末を用いて溶射することにより絶縁膜４２を形成する（図４Ｈ）。これにより、ウエハ載置台１０を得る。
Subsequently, by cutting the outer periphery of the ceramic
次に、ウエハ載置台１０の使用例について図１を用いて説明する。チャンバ９４の設置板９６には、上述したようにウエハ載置台１０がクランプ部材７０によって固定されている。チャンバ９４の天井面には、プロセスガスを多数のガス噴射孔からチャンバ９４の内部へ放出するシャワーヘッド９５が配置されている。
Next, a usage example of the wafer mounting table 10 will be described with reference to FIG. The wafer mounting table 10 is fixed to the
ウエハ載置台１０のＦＲ載置面２４ａには、フォーカスリング７８が載置され、ウエハ載置面２２ａには、円盤状のウエハＷが載置される。フォーカスリング７８は、ウエハＷと干渉しないように上端部の内周に沿って段差を備えている。この状態で、ウエハ吸着用電極２６にウエハ吸着用直流電源５２の直流電圧を印加してウエハＷをウエハ載置面２２ａに吸着させる。そして、チャンバ９４の内部を所定の真空雰囲気（又は減圧雰囲気）になるように設定し、シャワーヘッド９５からプロセスガスを供給しながら、冷却基材３０にＲＦ電源６２からのＲＦ電圧を印加する。すると、ウエハＷとシャワーヘッド９５との間でプラズマが発生する。そして、そのプラズマを利用してウエハＷにＣＶＤ成膜を施したりエッチングを施したりする。
A
以上詳説した実施形態では、ウエハ載置台１０の使用時に、冷媒流路溝３２を取り囲むシール部材１６ｂを介して冷却基材３０の下面がウエハ載置台１０とは別の設置板９６に取り付けられる。冷却基材３０は、冷媒流路溝３２を有しているが、冷媒流路溝３２は、冷却基材３０の下面に開口している。そのため、冷媒流路を内蔵した従来の冷却基材と比べて、下面を塞ぐ円板が不要となるので冷却基材３０に用いる材料が少なくて済む。したがって、ウエハ載置台１０のコストを低く抑えることができる。
In the embodiment described in detail above, when the wafer mounting table 10 is used, the lower surface of the cooling
また、冷却基材３０の下面と設置板９６の上面とをＯリングなどのシール部材１６ａ～ｄを挟んで組み付けるため、冷却基材３０と設置板９６とのＣＴＥの違いによる影響がシール部材１６ａ～ｄによって吸収される。その結果、冷却基材３０のクラックを防止することができる。また、設置板９６と冷却基材３０の４０～４００℃のＣＴＥ差の絶対値が１．５×１０-6／Ｋ以上の場合でもクラックを防止できる。このため、冷却基材３０にＭＭＣを用い、設置板９６にアルミニウムを用いた場合でもＣＴＥ差を吸収することができる。
In addition, since the lower surface of the cooling
また、冷却基材３０は金属とセラミックとの複合材料で形成されていることが好ましい。こうした複合材料は、セラミック基材２０を構成するセラミック材料とのＣＴＥ差を小さくすることができる。そのため、セラミック基材２０と冷却基材３０との接合が熱応力によって破損するのを防止することができる。また、こうした複合材料は比較的高価なため、コストを低減する意義が大きい。
Moreover, the
更に、冷却基材３０は、金属接合層４０を介してセラミック基材２０の下面に接合されている。そのため、冷却基材３０が樹脂（有機）接合層を介してセラミック基材２０の下面に接合されている場合に比べて、ウエハ載置面２２ａの熱を効率よく冷却基材３０に逃がすことができる。
Furthermore, the
更にまた、シール部材１６ａ～ｄは冷却基材３０の下側にある（冷媒流路溝３２がシール部材１６ａ～ｄの上側にある）ため、セラミック基材２０が高温になったとしてもその熱の影響を受けにくい。そのため、シール部材１６ａ～ｄとして耐熱性の高いものを用いる必要がない。
Furthermore, since the
なお、本発明は上述した実施形態に何ら限定されることはなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の態様で実施し得ることはいうまでもない。 It goes without saying that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be implemented in various forms as long as they fall within the technical scope of the present invention.
上述した実施形態では、シール部材１６ｂを、渦巻状の冷媒流路溝３２の全体を取り囲むリング形状としたが、特にこれに限定されない。例えば、シール部材１６ｂの代わりに、図５及び図６に示すシール部材１６ｅを採用してもよい。図５及び図６では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。シール部材１６ｅは、冷却基材３０の下面に設けられた渦巻状の冷媒流路溝３２の縁に沿って形成されたものである（並走シール部材）。シール部材１６ｅを用いた場合、冷却基材３０の下面と設置板９６の上面との隙間を介した冷媒の流通が抑制される。シール部材１６ｅは、冷却基材３０の下面と設置板９６の上面との間で押し潰されてシール性を発揮する。この場合、シール部材１６ｅの反力は垂直方向に発生するため、ボルト７２で固定する力を大きくする必要がある。一方、シール部材１６ｅを図７に示すように配置してもよい。図７では、設置板９６の上面に冷媒流路溝３２に沿って突起９９が設けられている。突起９９の幅は、冷媒流路溝３２の幅よりも狭く、突起９９の側面と冷媒流路溝３２の壁面との間にシール部材１６ｅが配置されている。シール部材１６ｅは、突起９９の側面と冷媒流路溝３２の壁面によって横方向に押し潰されてシール性を発揮する。この場合、シール部材１６ｅの反力は横方向に発生するため、突起９９の側面や冷媒流路溝３２の壁面がその反力を受ける。したがって、ボルト７２で固定する力は小さくて済む。なお、上述した実施形態でも、冷却基材３０の下面と設置板９６の上面との隙間は僅かであり、この隙間を介した冷媒の流通は僅かなため、隙間を介した冷媒の流通による均熱性への影響はほとんどない。また、シール部材１６ｅに比べてシール部材１６ｂの方が配置しやすい。
In the above-described embodiment, the
上述した実施形態において、図８及び図９に示すように、冷却基材３０は中央部締結部材（ボルト７９及びナット８０）を備えていてもよい。図８及び図９では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。冷却基材３０には、冷却基材３０の直径よりも小さい円３０ａの円周に沿って等間隔に複数個（図９では６個）のナット８０（例えば六角ナット）が配置されている。ナット８０は、冷却基材３０の上面に設けられた収納穴３５（例えば六角穴）に回転が規制された状態で収納されている。冷却基材３０には、収納穴３５から冷却基材３０の下面に至る挿通穴３６が設けられている。ボルト７９は、設置板９６を貫通する段付き穴９８に配置されている。段付き穴９８の下部はボルト７９の頭部７９ａを収納する太径部９８ａとなっており、上部はボルト７９の足部７９ｂを挿通する細径部９８ｂとなっている。ボルト７９の頭部７９ａは、太径部９８ａと細径部９８ｂとの間の段差に係止している。ボルト７９の足部７９ｂは、段付き穴９８の細径部９８ｂを挿通し、更に冷却基材３０の挿通穴３６を挿通してナット８０に螺合されている。セラミック基材２０の下面と冷却基材３０の上面との隙間を通過する足部７９ｂの周囲には、シール部材１６ｆが配置されている。ボルト７９をナット８０と螺合することにより、冷却基材３０の中央部（収納穴３５が設けられた部分）は設置板９６に押しつけられた状態になる。また、冷却基材３０の外周部は上述したようにクランプ部材７０によって設置板９６に押しつけられた状態になる。つまり、冷却基材３０の中央部締結部材（ボルト７９とナット８０）及び外周部締結部材（クランプ部材７０とボルト７２とボルト穴９７）によって、シール部材１６ａ～ｄが上下から押圧されるようにウエハ載置台１０の外周部と中央部とが設置板９６に固定される。そのため、ウエハ載置台１０の使用に伴ってウエハ載置台１０が反るのを防止することができる。その結果、長期にわたってシール部材１６ａ～ｄ，ｆのシール性を維持することができる。
In the above-described embodiments, the cooling
なお、図９では、ボルト７９及びナット８０は、円３０ａに沿って等間隔に複数個設けたが、これに加えて、円３０ａよりも直径の小さな円に沿って等間隔に複数個設けてもよい。また、図８の中央部締結部材（ボルト７９及びナット８０）に代えて、図１０に示す中央部締結部材（ボルト８４及びナット８６）を採用してもよい。図１０では、ボルト８４の頭部を、収納穴３５に回転が規制された状態で収納し、ボルト８４の足部を、挿通穴３６に挿通して冷却基材３０の下面から下方へ突出させ、更に細径部９８ｂを経て太径部９８ａに達するようにする。ボルト８４の足部は、段付き穴９８の太径部９８ａに収納されたナット８６と螺合される。
In FIG. 9, a plurality of
上述した実施形態において、入口３２ａと出口３２ｂを備えた冷媒流路溝３２は、図１１に示すように、平面視でウエハ載置面２２ａと重複する領域で最上流部３２Ｕと最下流部３２Ｌとを定めたとき、冷媒流路溝３２の天井面からウエハ載置面２２ａまでの距離ｄは、最上流部３２Ｕに比べて最下流部３２Ｌの方が短くなるようにしてもよい。なお、冷媒流路溝３２の幅は、全体を通して一定にしてもよい。冷媒は冷媒流路８２の最上流部８２Ｕから最下流部８２Ｌに向かって高温のウエハから熱を奪いながら流れるため、冷媒流路８２を流れる冷媒の温度は最上流部８２Ｕに比べて最下流部８２Ｌの方が高くなる。一方、冷媒流路８２の天井面からウエハ載置面２２ａまでの距離ｄは冷媒流路８２の最上流部８２Ｕに比べて最下流部８２Ｌの方が短いため、冷媒流路８２の天井面からウエハ載置面２２ａまでの熱抵抗は最上流部８２Ｕに比べて最下流部８２Ｌの方が低くなる。そのため、総合的には、ウエハ載置面２２ａのうち冷媒流路８２の最上流部８２Ｕに対向する位置と最下流部８２Ｌに対向する位置との温度差を小さくすることができる。したがって、ウエハの均熱性が高くなる。この距離ｄは、最上流部３２Ｕから最下流部３２Ｌに向かって徐々に短くなっていることが好ましい。最下流部３２Ｌでの距離ｄは、最上流部３２Ｕでの距離ｄの５０～９０％であることが好ましい。
In the above-described embodiment, the
上述した実施形態において、入口３２ａと出口３２ｂを備えた冷媒流路溝３２は、図１２に示すように、平面視でウエハ載置面２２ａと重複する領域で最上流部３２Ｕと最下流部３２Ｌとを定めたとき、冷媒流路溝３２の断面積は、最上流部３２Ｕに比べて最下流部３２Ｌの方が小さくなるようにしてもよい。ここでは、冷媒流路溝３２の高さや冷媒流路溝３２の天井面からウエハ載置面２２ａまでの距離は、全体を通して一定であり、冷媒流路溝３２の幅ｗを変化させることにより冷媒流路溝３２の断面積を変化させた。冷媒は冷媒流路８２の最上流部８２Ｕから最下流部８２Ｌに向かって高温のウエハから熱を奪いながら流れるため、冷媒流路８２を流れる冷媒の温度は最上流部８２Ｕに比べて最下流部８２Ｌの方が高くなる。一方、冷媒流路８２の断面積は冷媒流路８２の最上流部８２Ｕに比べて最下流部８２Ｌの方が小さいため、圧力損失は最上流部８２Ｕに比べて最下流部８２Ｌの方が大きくなり、冷媒とウエハとの熱交換は最上流部８２Ｕに比べて最下流部８２Ｌの方が促進される。そのため、総合的には、ウエハ載置面２２ａのうち冷媒流路８２の最上流部８２Ｕに対向する位置と最下流部８２Ｌに対向する位置との温度差を小さくすることができる。したがって、ウエハの均熱性が高くなる。冷媒流路溝３２の断面積は、冷媒流路溝３２の最上流部３２Ｕから最下流部３２Ｌに徐々に向かって小さくなっていることが好ましい。最下流部３２Ｌでの断面積は、最上流部３２Ｕでの断面積の６０～９０％であることが好ましい。冷媒流路溝３２の断面積は、冷媒流路溝３２の内壁に設けられる凸状突起（例えばフィン）の数、凸状突起の厚さ及び凸状突起の長さの少なくとも１つによって調整されていてもよい。凸状突起は、連続的に設けられていてもよいし、断続的に設けられていてもよい。また、凸状突起は、設置板９６のうち冷媒流路溝３２と対向する位置に設けてもよい。
In the above-described embodiment, the
上述した実施形態では、ウエハ載置台１０の外周部締結部材として、クランプ部材７０、ボルト７２及びネジ穴９７を用いたが、特にこれに限定されない。例えば、図１３に示すように、冷却基材３０のフランジ部３４にボルト挿通穴３９を設け、そのボルト挿通穴３９にボルト７２を通して設置板９６のネジ穴９７に螺合することにより、ウエハ載置台１０の外周部を設置板９６に取り付けてもよい。ボルト７２は、ボルト挿通穴３９にあそびをもって挿通されていることが好ましい。なお、図１３において、上からボルト締結する代わりに、下からボルト締結してもよい。
In the above-described embodiment, the
上述した実施形態において、冷却基材３０を貫通する端子穴５１の周辺領域には、冷媒流路溝３２を冷媒流路８２として用いる際にその冷媒流路８２を流れる冷媒とウエハ載置面２２ａに載置されるウエハＷとの熱交換を促進する熱交換促進部が設けられていてもよい。一般にウエハＷのうちこうした端子穴５１の直上周辺はホットスポットになりやすいが、ここではこうした端子穴５１の周辺領域に熱交換促進部が設けられているため、端子穴５１の周辺領域の抜熱が促進される。したがって、ウエハＷにホットスポットが発生するのを抑制することができる。こうした熱交換促進部では、端子穴５１の周辺領域を外れた領域に比べて、冷媒流路溝３２が細くなっていてもよい。例えば、図３に示す一点鎖線の枠内の冷媒流路溝３２の幅を細くしてもよい。冷媒流路８２が細くなっている部分を流れる冷媒は、冷媒流路８２が細くなっていない部分を流れる場合に比べて流速が速くなる。そのため、端子穴５１の周辺領域の抜熱が促進される。冷媒流路溝３２が細くなっている部分の流路断面積は、細くなっていない部分の流路断面積の６０～９０％であることが好ましい。あるいは、熱交換促進部では、冷媒流路溝３２の内面に凸状突起（例えばフィン）が設けられていてもよい。例えば、図３に示す一点鎖線の枠内の冷媒流路溝３２にフィンを設けてもよい。冷媒流路８２にフィンが設けられている部分を流れる冷媒は、フィンが設けられていない部分を流れる場合に比べて乱流になりやすい。そのため、端子穴５１の周辺領域の抜熱が促進される。冷媒流路溝３２にフィンが設けられている部分の流路断面積は、フィンが設けられていない部分の流路断面積の６０～９０％であることが好ましい。あるいは、熱交換促進部では、端子穴５１の周辺領域を外れた領域に比べて、ウエハ載置面２２ａから冷媒流路溝３２の天井面までの距離が短くなっていてもよい。例えば、図３に示す一点鎖線の枠内の冷媒流路溝３２の天井面とウエハ載置面２２ａとの距離を、他の領域に比べて短くしてもよい。ウエハ載置面２２ａから冷媒流路溝３２の天井面までの距離が短い部分を流れる冷媒は、ウエハ載置面２２ａから冷媒流路溝３２の天井面までの距離が短くなっていない部分を流れる場合に比べて冷媒とウエハＷとの間の熱抵抗が小さくなる。そのため、端子穴５１の周辺領域の抜熱が促進される。熱交換促進部におけるウエハ載置面２２ａから冷媒流路溝３２の天井面までの距離は、熱交換促進部以外のウエハ載置面２２ａから冷媒流路溝３２の天井面までの距離の５０～９０％であることが好ましい。なお、冷却基材３０のうち後述するガス供給穴やリフトピン穴の周辺領域に、熱交換促進部を設けてもよい。
In the above-described embodiment, when the
上述した実施形態では、チャンバ９４の設置板９６を単層で構成したが、設置板９６を複数の層で構成してもよい。その場合、複数の層は、少なくとも１つの層が絶縁材料で構成されていればよい。例えば、複数の層のすべてが絶縁材料で構成されていてもよいし、複数の層のうち一部の層（例えば最表層）は絶縁材料で構成され、残りの層は導電材料で構成されていてもよい。
In the above-described embodiment, the
上述した実施形態では、冷却基材３０を構成する材料として金属とセラミックとの複合材料を例示したが、特にこれに限定されない。例えば、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料で冷却基材３０を構成してもよい。但し、セラミック基材２０とのＣＴＥ差を小さくすることを考慮すると、金属とセラミックとの複合材料が好ましい。
In the above-described embodiment, the composite material of metal and ceramic was exemplified as the material forming the
上述した実施形態では、セラミック基材２０の中央部２２にウエハ吸着用電極２６を内蔵したが、これに代えて又は加えて、プラズマ発生用のＲＦ電極を内蔵してもよい。この場合、冷却基材３０ではなくＲＦ電極に高周波電源を接続する。また、セラミック基材２０の外周部２４にフォーカスリング（ＦＲ）吸着用電極を内蔵してもよい。この場合、ＦＲ吸着用電極に直流電源を接続する。また、セラミック基材２０は、ヒータ電極（抵抗発熱体）を内蔵してもよい。この場合、ヒータ電極にヒータ電源を接続する。セラミック基材２０は、電極を１層内蔵していてもよいし、２層以上内蔵していてもよい。
In the above-described embodiment, the
上述した実施形態のウエハ載置台１０において、冷却基材３０の下面からウエハ載置面２２ａに至るようにウエハ載置台１０を貫通する穴を設けてもよい。こうした穴としては、ウエハＷの裏面に熱伝導ガス（例えばＨｅガス）を供給するためのガス供給穴や、ウエハ載置面２２ａに対してウエハＷを上下させるリフトピンを挿通するためのリフトピン穴などが挙げられる。熱伝導ガスは、ウエハ載置面２２ａに設けられた図示しない多数の小突起（ウエハＷを支持する）とウエハＷとによって形成される空間に供給される。リフトピン穴は、ウエハＷを例えば３本のリフトピンで支持する場合には３箇所に設けられる。こうした貫通穴を設ける場合、セラミック基材２０の下面と冷却基材３０の上面との間の空間において、絶縁管５５の周囲と同様、こうした貫通穴の周囲にも、シール部材を配置する。
In the wafer mounting table 10 of the embodiment described above, a hole may be provided through the wafer mounting table 10 so as to extend from the lower surface of the
上述した実施形態では、最外周にシール部材１６ａを設けたが、シール部材１６ａを省略してもよい。
In the embodiment described above, the
上述した実施形態では、冷媒流路溝３２は入口３２ａから出口３２ｂまで渦巻状に設けられているものとしたが、冷媒流路溝３２の形状は特に限定されない。例えば、冷媒流路溝３２を平面視でジグザグ形状に設けてもよい。
In the embodiment described above, the
上述した実施形態では、図４Ａのセラミック焼結体１２０はセラミック粉末の成形体をホットプレス焼成することにより作製したが、そのときの成形体は、テープ成形体を複数枚積層して作製してもよいし、モールドキャスト法によって作製してもよいし、セラミック粉末を押し固めることによって作製してもよい。
In the above-described embodiment, the ceramic
上述した実施形態において、設置板９６の上面のうちシール部材１６ａ～１６ｄを配置する位置にシール部材１６ａ～１６ｄを嵌め込む溝を設けてもよい。また、これに代えて又は加えて、冷却基材３０の下面のうちシール部材１６ａ～１６ｄを配置する位置にシール部材１６ａ～１６ｄを嵌め込む溝を設けてもよい。
In the above-described embodiment, grooves for fitting the
上述した実施形態では、冷媒流路溝３２の縦断面の形状（ウエハ載置台１０をウエハ載置面２２ａに垂直な面で切断したときの切断面に現れる形状）を長方形としたが、特にこれに限定されない。例えば、図１４に示すように、冷媒流路溝４３２の縦断面の形状を、冷媒流路溝４３２の開口部４３２ｐの幅ｗ１よりも冷媒流路溝４３２の天井部４３２ｑの幅ｗ２の方が広くなるようにしてもよい（ｗ２＞ｗ１）。図１４では、上述した実施形態と同じ構成要素については同じ符号を付した。冷媒流路溝４３２は、チャンバ９４の設置板９６の上面によって開口部４３２ｐが塞がれることにより、冷媒流路４８２を形成する。冷媒流路溝４３２の入口４３２ａ及び出口４３２ｂ（冷媒流路４８２の入口４８２ａ及び出口４８２ｂ）は、それぞれ設置板９６に設けられた冷媒供給口９６ａ及び冷媒排出口９６ｂに接続される。ここでは、冷媒流路溝４３２の隣合う開口部４３２ｐ同士の間隔ｄ１は、冷媒流路溝４３２の隣合う天井部４３２ｑ同士の間隔ｄ２よりも広い（ｄ１＞ｄ２）。図１４では、冷媒流路溝４３２の隣合う開口部４３２ｐ同士の間隔ｄ１が広いため、開口部４３２ｐ同士の間の隙間Ｇを通じて冷媒が混ざり合うのを抑制することができる。また、冷媒流路溝４３２の隣合う天井部４３２ｑ同士の間隔ｄ２が狭いため、冷媒によるウエハＷの冷却面積が広くなり、冷却効率が高まる。更に、冷媒流路溝４３２の開口部４３２ｐの総面積は天井部４３２ｑの総面積よりも狭いため、冷却基材３０とチャンバ９４側の設置板９６との間にかかる冷媒の圧力による力を低減することができる。その結果、ウエハ載置台自体の反りを抑制することができる。更にまた、冷媒流路溝４３２の開口部４３２ｐ同士の間隔ｄ１が比較的広いため、開口部４３２ｐをシールリングなどで密閉しなくても、開口部４３２ｐ同士の間の隙間Ｇを通じて冷媒が混ざり合うのを抑制することができる。こうした冷媒流路溝４３２は、縦断面の形状が冷媒流路溝４３２と同じ砥石を用いて形成することができる。その場合、冷媒流路溝４３２の入口４３２ａ及び出口４３２ｂは丸穴（円柱形状の穴）となる。
In the above-described embodiment, the shape of the vertical cross section of the coolant channel groove 32 (the shape appearing on the cut surface when the wafer mounting table 10 is cut along a plane perpendicular to the
冷媒流路溝４３２の開口部４３２ｐは、図１５に示すようにシールリング４８３で密閉されていてもよい。図１５では、図１４と同じ構成要素については同じ符号を付した。シールリング４８３は、平面視で冷媒流路溝４３２と同じ形状に現れる。こうすれば、冷媒流路溝４３２の隣合う開口部４３２ｐ同士の間の隙間Ｇで冷媒が混ざり合うのをシールリング４８３が防止するため、冷媒流路溝４３２の隣合う開口部４３２ｐ同士の間隔ｄ１を図１４に比べて狭くすることができ、ひいては冷媒流路溝４３２を密に設けることができる。それに伴い、冷媒流路溝４３２の隣合う天井部４３２ｑ同士の間隔ｄ２を一段と狭くすることができるため、冷媒によるウエハＷの冷却面積がより広くなり、冷却効率がより高くなる。
The
なお、図１５では、シールリング４８３の縦断面の形状を円形としたが、特にこれに限定されるものではない。例えば図１６に示すシールリング５８３のように、縦断面の形状を、台形（又は長方形）の左右の辺を内側に凹ませた形状とし、シールリング５８３の凹みよりも上側の部分を冷媒流路溝４３２の中で壁面に密着するように配置し、シールリング５８３の凹みよりも下側の部分を冷媒流路溝４３２の外（冷却基材３０と設置板９６との隙間）に配置してもよい。こうすれば、冷却基材３０が設置板９６に向かって押圧されたとしても、シールリング５８３が冷媒流路溝４３２に押し込まれるのを防止することができる。
In addition, in FIG. 15, the shape of the longitudinal section of the
ところで、冷却基材に用いる材料を少なくする構造としては、図１７１４に示すように、セラミック基材２０の下面に冷媒流路溝のない板状の冷却基材２３０を金属接合層４０を介して接合し、その冷却基材２３０の下面に、上向きに開口している冷媒流路溝３３２を有する板状部材３３０をシール部材２１６ｂを介して取り付ける構造も考えられる。この場合、冷却基材２３０が高価な材料で形成されていたとしても、板状部材３３０を安価な材料で形成すれば、ウエハ載置台のコストを低く抑えることができる。しかし、図１７１４の構造では、冷媒流路溝３３２の上部開口を冷却基材２３０で塞ぐことにより形成される冷媒流路３８２は、天井面でセラミック基材２０と熱交換が行われるものの、側面ではセラミック基材２０と十分な熱交換が行われない。これに対して、上述した実施形態では、冷媒流路８２の天井面と側面でセラミック基材２０と十分な熱交換が行われるため、ウエハＷの熱引きを効率よく行うことができる。
By the way, as a structure for reducing the material used for the cooling base material, as shown in FIG. A structure in which a plate-
１０ ウエハ載置台、１６ａ～ｆ シール部材、２０ セラミック基材、２２ 中央部、２２ａ ウエハ載置面、２４ 外周部、２４ａ フォーカスリング載置面、２６ ウエハ吸着用電極、３０ 冷却基材、３０ａ 円、３２ 冷媒流路溝、３２ａ 入口、３２ｂ 出口、３２Ｌ 最下流部、３２Ｕ 最上流部、３４ フランジ部、３５ 収納穴、３６ 挿通穴、３９ ボルト挿通穴、４０ 金属接合層、４２ 絶縁膜、５１ 端子穴、５２ ウエハ吸着用直流電源、５４ 給電端子、５５ 絶縁管、６２ ＲＦ電源、６４ 給電端子、７０ クランプ部材、７０ａ 内周段差面、７２ ボルト、７８ フォーカスリング、８０ ナット、７９ ボルト、７９ａ 頭部、７９ｂ 足部、８２ 冷媒流路、８２ａ 入口、８２ｂ 出口、８２Ｌ 最下流部、８２Ｕ 最上流部、８４ ボルト、８６ ナット、９４ チャンバ、９５ シャワーヘッド、９６ 設置板、９６ａ 冷媒供給口、９６ｂ 冷媒排出口、９７ ネジ穴、９８ 段付き穴、９８ａ 太径部、９８ｂ 細径部、９９ 突起、１１０ 接合体、１２０ セラミック焼結体、１３０ 円板部材、１４０ 金属接合材、１５１ａ 端子穴上部、１５１ｂ 端子穴中間部、１５１ｃ 端子穴下部、２１６ｂ シール部材、２３０ 冷却基材、３３０ 板状部材、３３２ 冷媒流路溝、３８２ 冷媒流路、４３２ 冷媒流路溝、４３２ａ 入口、４３２ｂ 出口、４３２ｐ 開口部、４３２ｑ 天井部、４８２ 冷媒流路、４８２ａ 入口、４８２ｂ 出口、４８３，５８３ シールリング。 10 wafer mounting table, 16a to f seal member, 20 ceramic substrate, 22 central portion, 22a wafer mounting surface, 24 outer peripheral portion, 24a focus ring mounting surface, 26 wafer adsorption electrode, 30 cooling substrate, 30a circle , 32 coolant channel groove 32a inlet 32b outlet 32L most downstream portion 32U most upstream portion 34 flange portion 35 storage hole 36 insertion hole 39 bolt insertion hole 40 metal bonding layer 42 insulating film 51 Terminal hole 52 DC power supply for wafer adsorption 54 Power supply terminal 55 Insulating tube 62 RF power supply 64 Power supply terminal 70 Clamp member 70a Inner peripheral step surface 72 Bolt 78 Focus ring 80 Nut 79 Bolt 79a Head 79b Foot 82 Refrigerant channel 82a Inlet 82b Outlet 82L Most downstream part 82U Most upstream part 84 Bolt 86 Nut 94 Chamber 95 Shower head 96 Installation plate 96a Refrigerant supply port 96b coolant outlet, 97 screw hole, 98 stepped hole, 98a large diameter portion, 98b small diameter portion, 99 projection, 110 joined body, 120 ceramic sintered body, 130 disc member, 140 metal joining material, 151a terminal hole Upper part 151b Terminal hole intermediate part 151c Terminal hole lower part 216b Sealing member 230 Cooling base material 330 Plate member 332 Coolant channel groove 382 Coolant channel 432 Coolant channel groove 432a Inlet 432b Outlet 432p opening, 432q ceiling, 482 refrigerant channel, 482a inlet, 482b outlet, 483, 583 seal ring.
Claims (13)
前記セラミック基材の下面側に設けられた冷却基材と、
前記冷却基材の下面に開口するように前記冷却基材に設けられた冷媒流路溝と、
を備えたウエハ載置台。 a ceramic substrate having a wafer mounting surface on its upper surface and containing an electrode;
a cooling base provided on the lower surface side of the ceramic base;
a coolant channel groove provided in the cooling base so as to open to the lower surface of the cooling base;
A wafer mounting table.
請求項１に記載のウエハ載置台。 The cooling base material is formed of a composite material of metal and ceramic,
The wafer mounting table according to claim 1.
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 The cooling base is bonded to the lower surface of the ceramic base via a metal bonding layer,
The wafer mounting table according to claim 1 or 2.
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 The distance from the ceiling surface of the coolant channel grooves at the most upstream portion and the most downstream portion in the region overlapping the wafer mounting surface in plan view to the wafer mounting surface is the most downstream portion is shorter than the upstream portion;
The wafer mounting table according to claim 1 or 2.
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 The cross-sectional area of the most upstream portion and the most downstream portion of the coolant flow channel grooves in a region overlapping the wafer mounting surface in plan view is larger than that of the most downstream portion. is smaller than
The wafer mounting table according to claim 1 or 2.
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 The cooling substrate has a hole penetrating through the cooling substrate in the vertical direction. A heat exchange promoting part is provided for promoting heat exchange with the wafer mounted on the wafer mounting surface,
The wafer mounting table according to claim 1 or 2.
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 When the wafer mounting table is in use, the lower surface of the cooling base is attached to a separate mounting plate from the wafer mounting table via a seal member surrounding the coolant channel groove.
The wafer mounting table according to claim 1 or 2.
請求項７に記載のウエハ載置台。 The cooling substrate has a central fastening member that fastens the central portion of the cooling substrate to the installation plate,
The wafer mounting table according to claim 7.
請求項１又は２に記載のウエハ載置台。 The shape of the longitudinal section of the coolant channel groove is such that the width of the ceiling portion of the coolant channel groove is wider than the width of the opening of the coolant channel groove, and the adjacent openings of the coolant channel groove is wider than the interval between adjacent ceiling portions of the coolant channel groove,
The wafer mounting table according to claim 1 or 2.
請求項９に記載のウエハ載置台。 the opening of the coolant channel groove is not sealed by a seal ring,
The wafer mounting table according to claim 9.
請求項９に記載のウエハ載置台。 the opening of the coolant channel groove is sealed by a seal ring;
The wafer mounting table according to claim 9.
前記冷媒流路溝を取り囲むシール部材を介して前記冷却基材の下面が設置される設置板と、
前記ウエハ載置台の外周部を前記設置板に締結する外周部締結部材と、
を備えた半導体製造装置用部材。 A wafer mounting table according to claim 1 or 2;
an installation plate on which the lower surface of the cooling base is installed via a seal member surrounding the coolant channel groove;
an outer peripheral fastening member for fastening the outer peripheral portion of the wafer mounting table to the installation plate;
A member for semiconductor manufacturing equipment.
請求項１２に記載の半導体製造装置用部材。 The absolute value of the difference in coefficient of linear thermal expansion at 40 to 400° C. between the cooling base material and the installation plate is 1.5×10 −6 /K or more.
The member for semiconductor manufacturing equipment according to claim 12 .
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17/929,043 US20230238258A1 (en) | 2022-01-27 | 2022-09-01 | Wafer placement table, and member for semiconductor manufacturing apparatus, using the same |
| CN202211088070.8A CN116564779A (en) | 2022-01-27 | 2022-09-07 | Wafer stage and component for semiconductor manufacturing device using the same |
| KR1020220117057A KR20230115867A (en) | 2022-01-27 | 2022-09-16 | Wafer placement table, and member for semiconductor manufacturing apparatus, using the same |
| TW111135018A TW202331923A (en) | 2022-01-27 | 2022-09-16 | Wafer placement table and member for semiconductor manufacturing device having the wafer placement table |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022011102 | 2022-01-27 | ||
| JP2022011102 | 2022-01-27 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023109671A true JP2023109671A (en) | 2023-08-08 |
Family
ID=87522485
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022108450A Pending JP2023109671A (en) | 2022-01-27 | 2022-07-05 | Wafer placement table and member for semiconductor manufacturing apparatus using the same |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023109671A (en) |
-
2022
- 2022-07-05 JP JP2022108450A patent/JP2023109671A/en active Pending
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2023109671A (en) | Wafer placement table and member for semiconductor manufacturing apparatus using the same | |
| US20230238258A1 (en) | Wafer placement table, and member for semiconductor manufacturing apparatus, using the same | |
| TWI841078B (en) | Wafer placement table | |
| CN116564779A (en) | Wafer stage and component for semiconductor manufacturing device using the same | |
| WO2024079880A1 (en) | Wafer stage | |
| JP7364822B1 (en) | Wafer mounting table | |
| JP2023079422A (en) | Wafer table | |
| WO2024047858A1 (en) | Wafer placement table | |
| WO2024047857A1 (en) | Wafer placement table | |
| WO2024004039A1 (en) | Wafer placement table | |
| TWI814572B (en) | Wafer placement table | |
| TWI836924B (en) | Wafer placement table | |
| WO2023166866A1 (en) | Wafer placement stage | |
| KR20230053499A (en) | Wafer placement table | |
| TWI811075B (en) | Wafer placement table | |
| TWI833589B (en) | Wafer placement table | |
| WO2024100876A1 (en) | Wafer stage | |
| WO2024004040A1 (en) | Wafer placement stage | |
| JP2023073194A (en) | Wafer mount table | |
| TW202412166A (en) | Wafer placement table | |
| TW202403950A (en) | Wafer placement table | |
| JP2023161172A (en) | Wafer mounting table | |
| TW202410283A (en) | Wafer placement table | |
| TW202316483A (en) | Wafer placement table | |
| TW202410282A (en) | Wafer placement table |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20240417 |