JP2023103008A - Film deposition apparatus, film deposition method and manufacturing method of electronic device - Google Patents
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- 230000008021 deposition Effects 0.000 title claims abstract description 31
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title abstract description 28
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 203
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 28
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 9
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 258
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 100
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 14
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 11
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 8
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 5
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000005485 electric heating Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C14/042—Coating on selected surface areas, e.g. using masks using masks
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
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- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
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- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
- H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
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Abstract
Description
本発明は、成膜装置、成膜方法及び電子デバイスの製造方法に関する。 The present invention relates to a film forming apparatus, a film forming method, and an electronic device manufacturing method.
有機ＥＬディスプレイ等の製造においては、蒸発源から放出された蒸着物質が基板に付着することで基板に薄膜が形成される。特許文献１には、移動しながら基板に対して蒸着を行う蒸着源と、蒸着時にマスク及び基板を支持するマスク台と、マスク台に配置された基板への蒸着源からの蒸着材料の入射を開閉により制御するシャッタと、を有する蒸着装置が記載されている。この蒸着装置では、蒸着対象の基板を覆っていたシャッタが開かれた状態で、蒸発源が基板の下方を通過することにより基板に対する蒸着が行われる。
In the manufacture of organic EL displays and the like, a thin film is formed on a substrate by depositing a vapor deposition material emitted from an evaporation source onto the substrate.
ところで、成膜装置においては、より製造不良が発生しにくい成膜方法での成膜が望まれている。例えば、基板とマスクのアライメントに十分な時間を割けない場合、アライメントの不備による不良が発生しやすくなることがある。また例えば、基板とマスクのアライメントが行われていない状況でシャッタが開かれている場合、チャンバ内を浮遊する成膜材料が基板に付着して、膜厚の均一性低下や成膜する予定のない箇所に成膜されることに起因する不良が発生しやすくなることがある。 By the way, in a film forming apparatus, film forming by a film forming method in which manufacturing defects are less likely to occur is desired. For example, if sufficient time is not allocated to align the substrate and mask, defects due to poor alignment may be more likely to occur. In addition, for example, if the shutter is opened while the substrate and mask are not aligned, the film forming material floating in the chamber may adhere to the substrate, resulting in poor film thickness uniformity or film formation in places where film formation is not planned.
本発明は、より製造不良が発生しにくい成膜方法で成膜を行う技術を提供する。 The present invention provides a technique of forming a film by a film forming method that is less likely to cause manufacturing defects.
本発明の一側面によれば、
成膜材料を放出する成膜源を含み、移動しながら基板に成膜する成膜ユニットと、
前記成膜源から放出された前記成膜材料の前記基板への飛散を遮るシャッタと、
前記シャッタを開閉する移動手段と、を備え、
前記移動手段は、前記成膜ユニットの第１の方向への移動に連動して、前記シャッタを全閉位置から全開位置へ前記第１の方向に移動し、
前記成膜ユニットによる前記基板への成膜中に、前記シャッタにより前記基板の一部が覆われる状態を経る、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。
According to one aspect of the invention,
a deposition unit that includes a deposition source that discharges a deposition material and that deposits a film on a substrate while moving;
a shutter that blocks scattering of the film-forming material discharged from the film-forming source to the substrate;
and a moving means for opening and closing the shutter,
the moving means moves the shutter in the first direction from a fully closed position to a fully open position in conjunction with movement of the film forming unit in the first direction;
During film formation on the substrate by the film formation unit, the shutter partially covers the substrate,
A film forming apparatus characterized by the following is provided.
本発明によれば、より製造不良が発生しにくい成膜方法で成膜を行うことができる。 According to the present invention, film formation can be performed by a film formation method that is less likely to cause manufacturing defects.
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。 Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In addition, the following embodiments do not limit the invention according to the scope of claims. Although multiple features are described in the embodiments, not all of these multiple features are essential to the invention, and multiple features may be combined arbitrarily. Furthermore, in the accompanying drawings, the same or similar configurations are denoted by the same reference numerals, and redundant description is omitted.
＜成膜システムの概要＞
図１は、一実施形態に係る成膜装置１が設けられる成膜システムＳＹの構成を模式的に示す平面図である。成膜システムＳＹは、搬入されてくる基板に対して成膜処理を行い、処理後の基板を搬出するシステムである。例えば、成膜システムＳＹが複数並んで設けられることで電子デバイスの製造ラインが構成される。電子デバイスとしては、例えばスマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルが挙げられる。成膜システムＳＹは、成膜装置１の他、搬入室３０と、基板搬送室３２と、搬出室３４と、マスクストック室３６と、を含む。なお、成膜装置１の構成については後述する。
<Overview of deposition system>
FIG. 1 is a plan view schematically showing the configuration of a film forming system SY provided with a
搬入室３０には、成膜装置１による成膜を行う基板６が搬入される。基板搬送室３２には、基板６を搬送する搬送ロボット３２０が設けられる。搬送ロボット３２０は、搬入室３０に搬入された基板６を成膜装置１に搬送する。また、搬送ロボット３２０は、成膜装置１において成膜処理が終了した基板６を搬出室３４に搬送する。搬送ロボット３２０により搬出室３４に搬送された基板６は、搬出室３４から成膜システムＳＹの外部に搬出される。なお、成膜システムＳＹが複数並んで設けられる場合には、上流側の成膜システムＳＹの搬出室３４が下流側の成膜システムＳＹの基板搬送室３２を兼ねていてもよい。また、マスクストック室３６には、成膜装置１での成膜に用いられるマスク７がストックされる。マスクストック室３６にストックされるマスク７は、搬送ロボット３２０により成膜装置１に搬送される。
A
成膜システムＳＹを構成する成膜装置１及び各室の内部は、真空ポンプ等の排気機構により真空状態に維持される。なお、本実施形態において「真空」とは、大気圧より低い圧力の気体で満たされた状態、換言すれば減圧状態をいう。
The interiors of the
＜成膜装置＞
図２は、成膜装置１の構成を模式的に示す正面図である。成膜装置１は、基板６に対して成膜源１４０を移動させながら成膜を行う成膜装置である。本実施形態では蒸着により基板６に成膜が行われる。成膜装置１で蒸着が行われる基板の材質としては、ガラス、樹脂、金属等を適宜選択可能であり、ガラス上にポリイミド等の樹脂層が形成されたものが好適に用いられる。成膜材料としては、有機材料、無機材料（金属、金属酸化物など）などが用いられる。成膜装置１は、例えば表示装置（フラットパネルディスプレイなど）や薄膜太陽電池、有機光電変換素子（有機薄膜撮像素子）等の電子デバイスや、光学部材等を製造する製造装置に適用可能であり、特に、有機ＥＬパネルを製造する製造装置に適用可能である。また、成膜装置１が成膜を行う基板のサイズとしては例えばＧ８Ｈサイズの基板（１１００ｍｍ×２５００ｍｍ、１２５０ｍｍ×２２００ｍｍ）が挙げられるが、成膜装置１が成膜を行う基板のサイズは適宜設定可能である。
<Deposition equipment>
FIG. 2 is a front view schematically showing the configuration of the
成膜装置１は、チャンバ１０と、成膜ステージ１２Ａ，１２Ｂと、成膜ユニット１４、シャッタ１６Ａ，１６Ｂと、移動部１８Ａ，１８Ｂと、制御部２０を含む。
The
チャンバ１０は、その内部空間１０１に成膜ユニット１４と、シャッタ１６Ａ，１６Ｂと、移動部１８Ａ，１８Ｂ、及び成膜ステージ１２Ａ，１２Ｂを収容する。チャンバ１０の内部空間１０１は、不図示の真空ポンプ等の排気機構により真空に維持可能である。例えば、チャンバ１０には、基板６の搬入及び搬出のための開口（不図示）が設けられ、この開口を介して基板搬送室３２との間で基板６の移動が行われる。
The
成膜ステージ１２Ａ，１２Ｂは、基板６に対して成膜が行われるステージである。本実施形態では、成膜ステージ１２Ａと成膜ステージ１２Ｂとが隣接して設けられている。以下の説明では、成膜ステージ１２Ａにおいて基板６Ａに対して成膜が行われ、成膜ステージ１２Ｂにおいて基板６Ｂに対して成膜が行われるものとする。
The
成膜ステージ１２Ａは、基板支持部１２０Ａと、マスク台１２２Ａと、支柱１２４Ａと、アライメント機構１２６Ａとを含む。
The
基板支持部１２０Ａは、基板６Ａを支持する。本実施形態では、基板支持部１２０Ａは、基板６Ａの短辺がＸ方向、基板６Ａの長辺がＹ方向に延びるように基板６Ａを支持する。また、基板支持部１２０Ａは、基板６Ａの縁を基板６Ａの下側から支持する。しかしながら、基板支持部１２０Ａは、基板６Ａの縁を挟持することで基板を支持してもよいし、静電チャック又は粘着チャック等によって基板６Ａを吸着することで基板６Ａを支持してもよい。例えば、基板支持部１２０Ａは、基板搬送室３２の搬送ロボット３２０から基板６Ａを受け取ることができる。また、基板支持部１２０Ａは、不図示の昇降機構により昇降可能であり、搬送ロボット３２０から受け取った基板６Ａをマスク台１２２Ａに支持されたマスク７Ａの上に重ね合わせることができる。昇降機構には、ボールねじ機構等の公知の技術を用いることができる。
The
マスク台１２２Ａは、マスク７Ａを支持する。マスク台１２２Ａには、不図示の開口が設けられ、この開口を介してマスク７Ａと重ね合わされた基板６Ａの成膜面に対して成膜材料が飛散する。また、マスク台１２２Ａは、支柱１２４Ａによってチャンバ１０に支持される。
The mask table 122A supports the
アライメント機構１２６Ａは、基板６Ａとマスク７Ａとのアライメントを行う。アライメント機構１２６Ａは、基板支持部１２０Ａとマスク台１２２Ａの水平方向の相対位置を調整することで、基板支持部１２０Ａに支持された基板６Ａとマスク台１２２Ａに支持されたマスク７Ａとのアライメントを行う。基板６Ａとマスク７Ａのアライメントについては公知の技術を用いることができるため、詳細な説明は省略する。一例として、アライメント機構１２６Ａは、不図示のカメラにより基板６Ａ及びマスク７Ａに形成されたアライメント用のマークを検知する。そして、アライメント機構１２６Ａは、基板６Ａに形成されたマークにより算出される基板６Ａの位置と、マスク７Ａに形成されたマークにより算出されるマスク７Ａの位置の関係が所定の条件を満たすように、基板６Ａ及びマスク７Ａの位置関係を調整する。
The
アライメント機構１２６Ａによるアライメントが終了すると、基板支持部１２０Ａは支持している基板６Ａをマスク７Ａの上に重ね合わせる。基板６Ａ及びマスク７Ａが重ね合わせられた状態で、成膜ユニット１４による基板６Ａへの成膜が行われる。
After the alignment by the
成膜ステージ１２Ｂについては、成膜ステージ１２Ａと同様の構成を有し得る。すなわち、成膜ステージ１２Ｂは、基板支持部１２０Ｂ、マスク台１２２Ｂ、支柱１２４Ｂ及びアライメント機構１２６Ｂを有し、これらは基板支持部１２０Ａ、マスク台１２２Ａ、支柱１２４Ａ及びアライメント機構１２６Ａにそれぞれ対応する。
The
図３を併せて参照する。図３は、成膜ユニット１４の構成及び成膜源１４０の成膜材料の放出範囲を説明するための図である。なお、成膜材料の放出範囲については後述する。
Also refer to FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the
成膜ユニット１４は、移動しながら成膜材料を放出して基板６に成膜を行う。本実施形態では、成膜ユニット１４は、成膜源１４０と、移動部１４２とを含む。
The
成膜源１４０は、成膜材料を放出する。本実施形態では、成膜源１４０は、成膜材料を収容する複数の収容部１４０１ａ～１４０１ｃと、複数の収容部１４０１ａ～１４０１ｃにそれぞれ設けられ、蒸発した成膜材料を放出するための複数の放出部１４０２ａ～１４０２ｃと、成膜材料の放出範囲を画定する画定部１４０３と、を含む。
A
収容部１４０１ａ～１４０１ｃに収容された成膜材料は、不図示のヒータにより加熱されて蒸発し、放出部１４０２ａ～１４０２ｃからチャンバ１０の内部空間１０１へと放出される。本実施形態では、複数の収容部１４０１ａ～１４０１ｃは、成膜ユニット１４の移動方向（Ｘ方向）に並んで設けられている。例えば、複数の収容部１４０１ａ～１４０１ｃは、互いに異なる成膜材料を収容してもよい。これにより、基板６に対して複数の成膜材料を蒸着させる共蒸着を行うことができる。なお、収容部１４０１ａ～１４０１ｃに収容された成膜材料を加熱するヒータとしては、例えば電熱線を用いたシーズヒータを用いることができる。また、本実施形態では三つの収容部１４０１ａ～１４０１ｃがＸ方向に並ぶが、収容部の数は適宜変更可能である。例えば、収容部の数は、一つ又は二つであってもよいし、四つ以上であってもよい。
The film forming materials accommodated in the
放出部１４０２ａ～１４０２ｃは、収容部１４０１ａ～１４０１ｃ内で蒸発した成膜材料が通過可能な筒状の部材である。放出部１４０２ａ～１４０２ｃは、収容部１４０１ａ～１４０１ｃの上面に形成された開口等であってもよい。本実施形態では、収容部１４０１ａは、成膜ユニット１４の移動方向に交差する方向（Ｙ方向）に複数並んで設けられる。収容部１４０１ｂ，１４０１ｃも同様である。
The
画定部１４０３は、放出部１４０２ａ～１４０２ｃから放出される成膜材料の放出範囲を画定する。画定部１４０３は、Ｘ方向正側から負側に向かって並ぶ複数の板状部材１４０３ａ～１４０３ｄを含む。板状部材１４０３ａは、放出部１４０２ａよりもＸ方向正側に設けられる。板状部材１４０３ｂは、Ｘ方向において放出部１４０２ａと１４０２ｂとの間に設けられる。板状部材１４０３ｃは、Ｘ方向において放出部１４０２ｂと１４０２ｃとの間に設けられる。板状部材１４０３ｄは、放出部１４０２ｃよりもＸ方向負側に設けられる。
The defining
移動部１４２は、成膜源１４０を移動する。本実施形態では、移動部１４２は、成膜源１４０を複数の成膜ステージ１２Ａ，１２Ｂが並ぶ方向（Ｘ方向）に往復移動する。移動部１４２には公知の技術を用いることができる。本実施形態では、移動部１４２は、成膜源１４０が載置される移動体１４２１と、移動体１４２１に回転可能に支持された転動体１４２２と、不図示の駆動部とを含むリニアガイドである。すなわち、移動体１４２１は、ボールねじ機構等の不図示の駆動部により駆動されると、転動体１４２２を介してチャンバ１０の床に設けられたレール１０２に沿って移動する。このような構成により、成膜源１４０の移動機構が１軸で成り立つため、チャンバ１０内の機構を簡素化することができる。
The moving
シャッタ１６Ａは、成膜源１４０から放出された成膜材料の基板６Ａへの飛散を遮る。詳細には、シャッタ１６Ａは、成膜ステージ１２Ａの下方に配置され、そのさらに下方に位置する成膜源１４０から放出された成膜材料の、成膜ステージ１２Ａにある基板６Ａへの飛散を遮る。より詳細には、シャッタ１６Ａは、成膜ステージ１２Ａの下方であって、鉛直方向（Ｚ方向）で成膜源１４０の放出部１４０２よりも成膜ステージ１２Ａの基板６Ａの成膜面に近い位置に設けられる。また、シャッタ１６Ａは、移動部１８Ａにより開閉可能に構成されている。シャッタ１６Ｂについては、シャッタ１６Ａと同様の構成を有するため説明を省略する。ただし、詳しくは後述するが、シャッタ１６Ｂは、開閉時の移動の向きがシャッタ１６Ａとは逆向きとなる。
The
移動部１８Ａは、シャッタ１６Ａを移動して開閉する。ここでは、移動部１８Ａは、シャッタ１６Ａを、全閉位置ＰＡ１と全開位置ＰＡ２との間でスライドさせることができる（図４参照）。本実施形態では、全閉位置ＰＡ１は、平面視で基板６Ａの全体がシャッタ１６Ａの外縁に囲まれた領域内に収まるようなシャッタ１６Ａの位置である。また、全開位置ＰＡ２は、平面視が基板６Ａいずれの部分もシャッタ１６Ａの外縁に囲まれた領域内に収まらないようなシャッタ１６Ａの位置である。
The moving
移動部１８Ａとしては構成には公知の技術を用いることができるが、例えば、ラックアンドピニオン機構や電動シリンダのように、モータ等の駆動源の回転運動を並進運動に変換する機構を用いることができる。一例として、図２には、モータ１８１Ａにより回転するピニオン１８２Ａが、シャッタ１６Ａに設けられたラック（不図示）と噛み合うことにより、シャッタ１６Ａがガイド１８３Ａ沿って移動する構成が示されている。移動部１８Ｂは、移動部１８Ａと同様に、モータ１８１Ｂ、ピニオン１８２Ｂ、ラック（不図示）及びガイド１８３Ｂを含む。
A well-known technique can be used for the configuration of the moving
シャッタ１６Ｂ及び移動部１８Ｂについては、シャッタ１６Ａ及び移動部１８Ａと同様の構成を有するため説明を省略する。ただし、詳しくは後述するが、シャッタ１６Ｂは、開閉時の移動の向きがシャッタ１６Ａとは逆向きとなる。
Since the
制御部２０は、成膜装置１の各構成要素の動作を制御する。例えば、制御部２０は、ＣＰＵに代表されるプロセッサ、ＲＡＭ、ＲＯＭ等のメモリ及び各種インタフェースを含んで構成され得る。例えば、制御部２０は、ＲＯＭに記憶されたプログラムをＲＡＭに読み出して実行することで、成膜装置１による各種の処理を実現する。例えば、制御部２０は、成膜システムＳＹを統括的に制御するホストコンピュータから受け付けた指示に基づいて、成膜処理等の各種の処理を実行する。なお、例えば成膜システムＳＹを統括的に制御するホストコンピュータ等が、成膜装置１の各構成要素の動作を直接制御する態様も採用可能である。
The
＜蒸発源の成膜範囲＞
図３を参照して、成膜源１４０の成膜材料の放出範囲について説明する。図３には、成膜ユニット１４の移動方向（Ｘ方向）における、成膜源１４０の成膜材料の放出範囲Ｒ１が示されている。本実施形態では、成膜源１４０の放出部１４０２ａ～１４０２ｃ及び画定部１４０３の板状部材１４０３ａ，１４０３ｄの位置関係により、放出範囲Ｒ１が決まる。
<Deposition range of evaporation source>
With reference to FIG. 3, the release range of the film forming material from the
具体的には、放出部１４０２ａの先端部及び板状部材１４０３ａの上端部を通過する仮想直線ＶＬ１と、放出部１４０２ｃの先端部及び板状部材１４０３ｄの上端部を通過する仮想直線ＶＬ２の間の範囲が、放出範囲Ｒ１となる。なお、このように幾何学的に画定される放出範囲Ｒ１外に飛散する成膜材料も存在し得るが、ここでは幾何学的に画定された範囲を放出範囲Ｒ１とする。
Specifically, the range between an imaginary straight line VL1 passing through the tip of the
＜動作例＞
図４及び図５は、成膜装置１の成膜処理における動作説明図である。本実施形態では、成膜ユニット１４は、成膜ステージ１２Ａ及び成膜ステージ１２Ｂの下方をＸ方向に往復移動しながら基板に成膜を行う。また、成膜ユニット１４は、各基板の下方をＸ方向に一往復することで、各基板に対する成膜を行う。換言すれば、成膜ユニット１４は、各基板に対して、Ｘ方向正側に移動しながらの成膜を一回、Ｘ方向負側に移動しながらの成膜を一回の計二回、移動しながらの成膜を行う。以下、各基板に対する一回目の成膜を往方向の成膜と、二回目の成膜を復方向の成膜と、それぞれ表記する場合がある。なお、本実施形態では、後述するように基板６Ａに対する往方向の成膜と、基板６Ｂに対する往方向の成膜とは、成膜ユニット１４の移動する方向が逆となっている。復方向についても同様である。
<Operation example>
4 and 5 are operation explanatory diagrams of the film forming process of the
図４及び図５では、成膜ユニット１４がＸ方向負側の端部の位置ＰＯＳ１から正側端部の位置ＰＯＳ２に移動し、そこで折り返して再度位置ＰＯＳ２まで移動する。そして、その間に、成膜ユニット１４は、一枚目の基板６Ｂに対する復方向の成膜、基板６Ａに対する往方向の成膜、基板６Ａに対する復方向の成膜、二枚目の基板６Ｂに対する往方向の成膜を順次行う。すなわち、図４の状態ＳＴ１は、すでに一枚目の基板６Ｂに対しては往方向の成膜が行われた後の状態である。
In FIGS. 4 and 5, the
状態ＳＴ１は、成膜ユニット１４がＸ方向負側の端部の位置ＰＯＳ１に位置している状態である。このとき、成膜ステージ１２Ｂに対応するシャッタ１６Ｂは、全開位置ＰＢ２に位置しており、成膜ステージ１２Ａに対応するシャッタ１６Ａは、全閉位置ＰＡ１に位置している。また、成膜ステージ１２Ａでは、既に成膜を終えた基板と、次に成膜を行う基板との入れ替え動作や、新たに搬入された基板のアライメント動作等が行われ得る。
The state ST1 is a state in which the
状態ＳＴ２は、成膜ユニット１４がＸ方向正側に移動しながら、成膜ステージ１２Ｂの一枚目の基板６Ｂに対して復方向の成膜を行っている状態である。このとき、移動部１８Ｂは、シャッタ１６Ｂを、成膜ユニット１４の進行方向の後ろ側において、成膜源１４０の放出範囲Ｒ１と干渉しないように、Ｘ方向正側に移動する。また、シャッタ１６Ａは、全閉位置ＰＡ１に位置したままである。
State ST2 is a state in which the
状態ＳＴ３は、成膜ユニット１４がＸ方向正側に移動しながら、成膜ステージ１２Ａの基板６Ａに対して往方向の成膜を行っている状態である。状態ＳＴ３では、シャッタ１６Ａが基板６Ａの一部を覆った状態で、基板６Ａのシャッタ１６Ａに覆われていない部分に対して成膜ユニット１４による成膜が行われている。このとき、移動部１８Ａは、シャッタ１６Ａを、全閉位置ＰＡ１から全開位置ＰＡ２に向かってＸ方向正側に移動している。本実施形態では、移動部１８Ａは、成膜ステージ１２Ａとシャッタ１６ＡのＸ方向の相対的な位置関係を維持した状態で、シャッタ１６Ａを移動する。換言すれば、移動部１８Ａは、シャッタ１６Ａを全閉位置ＰＡ１から全開位置ＰＡ２まで移動させる間に、少なくとも一部の区間において、シャッタ１６Ａを成膜ユニット１４と同じ速度で移動する。
State ST3 is a state in which film formation is performed in the forward direction on the
ここで、移動部１８Ａがシャッタ１６Ａを移動し始めるタイミングは、放出範囲Ｒ１とシャッタ１６ＡのＸ方向の位置関係により決まり得る。例えば、放出範囲Ｒ１が成膜ステージ１２Ａに差し掛かることに応じて、移動部１８Ａがシャッタ１６Ａを移動し始めてもよい。より具体的には、シャッタ１６Ａの高さにおいて、全閉位置ＰＡ１にあるシャッタ１６Ａの成膜ステージ１２Ｂ側（Ｘ方向負側）の端部と放出範囲Ｒ１とが所定の距離となったときに、移動部１８Ａがシャッタ１６Ａを移動し始めてもよい。ここでの所定の距離は、例えば０ｍｍから２００ｍｍまでの間の値であってもよい。また例えば、所定の距離は、基板６ＢのＸ方向の長さのｎ分の１の値であってもよい（例えばｎは４以上）。
Here, the timing at which the moving
なお、シャッタ１６Ａの移動中におけるシャッタ１６Ａと成膜ユニット１４との相対的な位置関係は、シャッタ１６Ａ及び成膜ユニット１４が上記の所定の距離だけＸ方向に離れた関係であってもよい。或いは、シャッタ１６Ａが成膜ユニット１４と同じ速度に達するまでの時間を考慮して、シャッタ１６Ａ及び成膜ユニット１４が上記の所定の距離よりも短い距離だけＸ方向に離れた位置関係であってもよい。
The relative positional relationship between the
なお、状態ＳＴ２から状態ＳＴ３に移行する途中においては、基板６Ｂへの成膜が完了してから基板６Ａへの成膜が開始されてもよいし、基板６Ｂへの成膜が完了する前に、基板６Ａの成膜が開始されてもよい。例えば、基板６ＢのＸ方向正側の端部への成膜と、基板６ＡのＸ方向負側の端部への成膜が同時に行われてもよい。別の側面から見ると、シャッタ１６Ａ及びシャッタ１６Ｂが同時にＸ方向正側に移動する期間があってもよい。
During the transition from state ST2 to state ST3, the film formation on the
本実施形態では、移動部１８Ａは、成膜ユニット１４のＸ方向正側への移動に連動して、シャッタ１６Ａを全閉位置ＰＡ１から全開位置ＰＡ２まで移動する。そして、成膜ユニット１４による基板６Ａへの成膜中に、シャッタ１６Ａにより基板６Ａの一部が覆われる状態を経ている。すなわち、シャッタ１６Ａが全開位置ＰＡ２に位置してから基板６Ａへの成膜が開始されるのではなく、シャッタ１６Ａの開動作と並行して成膜ユニット１４による基板６Ａの成膜も行われる。したがって、基板６Ａへの成膜が開始される前にシャッタ１６Ａが開いて基板６Ａが露出する時間を低減することができる。これにより、シャッタ１６Ａが閉じた状態での基板６Ａのアライメント時間をより長く確保することができる。また、放出範囲Ｒ１外に飛散した成膜材料が意図せず基板６Ａに付着することを抑制することができる。よって、アライメントの不備による不良や、意図しない成膜材料の付着による不良等の発生を抑制することができる。
In this embodiment, the moving
なお、アライメントに関しては、シャッタ１６Ａが開いた状態で行うことも考えられる。しかしながら、シャッタ１６Ａが開いた状態でアライメントを行うと、不必要にマスク７Ａの裏側に成膜材料が回り込んでしまう恐れがある。また、マスクがアライメントされていない基板に成膜材料が付着してしまったり、アライメント機構１２６Ａの機構部分や基板支持部１２０Ａに成膜材料が付着してしまったりする恐れがある。このような事象も、アライメント不良や成膜不良につながってしまうことがある。本実施形態では、シャッタ１６Ａが閉じた状態でのアライメント時間をより長く確保することで、より適切な状態でのアライメント時間を確保することができる。ここで、基板の入れ替えはシャッタ１６Aが閉じた状態で開始されることが望ましい。
It is also conceivable that the alignment is performed while the
また、本実施形態では、移動部１８Ａはシャッタ１６Ａと成膜ユニット１４との相対的な位置関係を維持した状態でシャッタ１６Ａを移動するので、放出範囲Ｒ１とシャッタ１６Ａとの間の距離を維持することができる。すなわち、成膜ユニット１４の成膜中に放出範囲Ｒ１にシャッタ１６Ａが干渉してしまったり、放出範囲Ｒ１とシャッタ１６Ａとの距離が開きすぎてしまったりすることを抑制することができる。
Further, in this embodiment, since the moving
さて、一枚目の基板６Ｂに対する成膜が終了したため、成膜ステージ１２Ｂにおいては、状態ＳＴ３～状態ＳＴ５の間で基板の入れ替え及び新たに搬入された基板のアライメントが行われる。すなわち、一枚目の基板６Ｂが成膜ステージ１２Ｂから搬出された後、二枚目の基板６Ｂが成膜ステージ１２Ｂに搬入される。そして、アライメント機構１２６Ｂにより、基板６Ｂとマスク７Ｂとのアライメントが行われる。
Since the film formation on the
状態ＳＴ４は、成膜ユニット１４がＸ方向正側の端部の位置ＰＯＳ２に到達した状態である。すなわち、状態ＳＴ４は、基板６Ａに対する往方向の成膜が終了した状態である。シャッタ１６Ａは、全開位置ＰＡ２に位置している。また、シャッタ１６Ｂは、全閉位置ＰＢ１に位置している。成膜ステージ１２Ｂでは、基板６Ｂの入れ替え及びアライメント動作が行われ得る。
State ST4 is a state in which the
状態ＳＴ５は、成膜ユニット１４がＸ方向負側に移動しながら、成膜ステージ１２Ａの基板６Ａに対して復方向の成膜を行っている状態である。このとき、移動部１８Ａは、シャッタ１６Ａを、全開位置ＰＡ２から全閉位置ＰＡ１に向かってＸ方向負側に移動している。また、移動部１８Ａは、シャッタ１６Ａを、成膜ユニット１４の進行方向の後ろ側において、成膜源１４０の放出範囲Ｒ１と干渉しないように、Ｘ方向負側に移動する。また、シャッタ１６Ｂは、全閉位置ＰＢ１に位置したままである。また、成膜ステージ１２Ｂにおける基板６Ｂの入れ替え及びアライメント動作は、成膜ユニット１４の放出範囲Ｒ１が成膜ステージ１２Ｂに到達するまでに完了する。言い換えれば、成膜ステージ１２Ｂにおける基板６Ｂの入れ替え及びアライメント動作は、移動部１８Ｂが基板６Ｂの成膜のためにシャッタ１６Ｂを全閉位置ＰＢ１から全開位置ＰＢ２へと移動し始める前に完了する。
State ST5 is a state in which the
このように、本実施形態では、アライメント機構１２６Ｂによる二枚目の基板６Ｂとマスク７Ｂとのアライメントは、成膜ユニット１４による基板６Ａへの成膜中に開始され、移動部１８Ｂがシャッタ１６Ｂを全閉位置ＰＢ１からＸ方向負側に移動し始めるまでに完了する。よって、基板６Ａへの成膜時間を基板６Ｂのアライメント時間に割くことができるので、効率的に成膜処理を行うことができる。
As described above, in the present embodiment, the alignment of the
状態ＳＴ６は、成膜ユニット１４がＸ方向負側に移動しながら、成膜ステージ１２Ｂの二枚目の基板６Ｂに対して往方向の成膜を行っている状態である。このとき、移動部１８Ｂは、シャッタ１６Ｂを、全閉位置ＰＢ１から全開位置ＰＢ２に向かってＸ方向負側に移動している。また、シャッタ１６Ａは、全閉位置ＰＡ１に位置している。そして、基板６Ａに対する成膜が終了したため、成膜ステージ１２Ａにおいては、基板の入れ替え及び新たに搬入された基板のアライメントが開始される。
State ST6 is a state in which the
このように、本実施形態では、基板６Ａだけでなく、基板６Ｂに対する成膜においても、成膜ユニット１４による成膜中に、シャッタ１６Ｂにより基板６Ｂの一部が覆われる状態を経ている。したがって、チャンバ１０内に複数の成膜ステージ１２Ａ，１２Ｂが設けられる場合において、成膜処理における不良の発生を抑制することができる。
As described above, in the present embodiment, not only the
また、状態ＳＴ４～状態ＳＴ６について別の側面から見ると、成膜ユニット１４が位置ＰＯＳ２から位置ＰＯＳ１へと移動する間に、まず移動部１８Ａがシャッタ１６Ａを全開位置ＰＡ２から全閉位置ＰＡ１へと移動し始める。その後、放出範囲Ｒ１が成膜ステージ１２Ｂに差し掛かることに応じて移動部１８Ｂがシャッタ１６Ｂを全閉位置ＰＢ１から全開位置ＰＢ２へと移動し始める。このように、成膜ユニット１４の一方向への移動に対して複数のシャッタ１６Ａ，１６Ｂが連動して移動する。
Looking at the states ST4 to ST6 from another side, while the
移動部１８Ｂがシャッタ１６Ｂを移動し始めるタイミングの具体例としては、シャッタ１６Ｂの高さにおいて、全閉位置ＰＢ１にあるシャッタ１６Ｂの成膜ステージ１２Ａ側（Ｘ方向正側）の端部と放出範囲Ｒ１とが所定の距離であるタイミングが挙げられる。ここでの所定の距離は、例えば０ｍｍから２００ｍｍまでの間の値であってもよい。また例えば、所定の距離は、基板６ＢのＸ方向の長さのｎ分の１の値であってもよい（例えばｎは４以上）。
A specific example of the timing at which the moving
状態ＳＴ６の後は、再び状態ＳＴ１に戻る。そして、二枚目の基板６Ｂに対する復方向の成膜、二枚目の基板６Ａに対する往方向の成膜といったように、基板に対する成膜が順次行われていく。
After state ST6, the process returns to state ST1. Then, film formation on the substrates is sequentially performed such as film formation in the return direction for the
以上説明したように、本実施形態によれば、移動部１８Ａが成膜ユニット１４の移動に連動してシャッタ１６Ａを全閉位置ＰＡ１から全開位置ＰＡ２に移動し、成膜ユニット１４による基板６Ａへの成膜中に、シャッタ１６Ａにより基板６Ａの一部が覆われる状態を経る。よって、基板６Ａへの成膜が開始される前にシャッタ１６Ａが開いて基板６Ａが露出する時間を低減することができ、より製造不良が発生しにくい成膜方法で成膜を行うことができる。
As described above, according to the present embodiment, the moving
なお、本実施形態では、チャンバ１０に二つの成膜ステージ１２Ａ，１２Ｂが設けられているが、チャンバ１０に成膜ステージが一つである構成も採用可能である。このような場合でも、シャッタが全開位置に移動してから成膜ユニットが基板に対して成膜を開始する場合と比べて、基板が露出する時間を低減することができる。よって、基板に成膜材料が意図せずに付着することを抑制することができる。また、シャッタが全開位置に移動してから成膜ユニットが基板に対して成膜を開始する場合と比べて、シャッタ開閉の待ち時間が短くなるので成膜材料の利用効率も向上する。
In this embodiment, the
なお、本実施形態では、成膜ユニット１４が各基板の下方を一往復することで基板に対する成膜を行うが、往方向の成膜のみ、或いは一往復半以上の成膜も採用可能である。また、例えば二往復の場合は、一往復目の往方向及び二往復目の復方向の成膜においてのみ、移動部１８Ａが成膜ユニット１４の移動に連動してシャッタ１６Ａを移動してもよい。或いは、一往復目の復方向及び二往復目の往方向の成膜においても、移動部１８Ａが成膜ユニット１４の移動に連動してシャッタ１６Ａを移動してもよい。
In the present embodiment, the
＜電子デバイスの製造方法＞
次に、電子デバイスの製造方法の一例を説明する。以下、電子デバイスの例として有機ＥＬ表示装置の構成及び製造方法を例示する。この例の場合、図１に例示した成膜システムＳＹが製造ライン上に複数設けられる。
<Method for manufacturing electronic device>
Next, an example of a method for manufacturing an electronic device will be described. The configuration and manufacturing method of an organic EL display device will be exemplified below as an example of an electronic device. In this example, a plurality of film forming systems SY illustrated in FIG. 1 are provided on the manufacturing line.
まず、製造する有機ＥＬ表示装置について説明する。図６（Ａ）は有機ＥＬ表示装置５０の全体図、図６（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図である。
First, the organic EL display device to be manufactured will be described. FIG. 6A is an overall view of the organic
図６（Ａ）に示すように、有機ＥＬ表示装置５０の表示領域５１には、発光素子を複数備える画素５２がマトリクス状に複数配置されている。詳細は後で説明するが、発光素子のそれぞれは、一対の電極に挟まれた有機層を備えた構造を有している。
As shown in FIG. 6A, in a
なお、ここでいう画素とは、表示領域５１において所望の色の表示を可能とする最小単位を指している。カラー有機ＥＬ表示装置の場合、互いに異なる発光を示す第１発光素子５２Ｒ、第２発光素子５２Ｇ、第３発光素子５２Ｂの複数の副画素の組み合わせにより画素５２が構成されている。画素５２は、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子の３種類の副画素の組み合わせで構成されることが多いが、これに限定はされない。画素５２は少なくとも１種類の副画素を含めばよく、２種類以上の副画素を含むことが好ましく、３種類以上の副画素を含むことがより好ましい。画素５２を構成する副画素としては、例えば、赤色（Ｒ）発光素子と緑色（Ｇ）発光素子と青色（Ｂ）発光素子と黄色（Ｙ）発光素子の４種類の副画素の組み合わせでもよい。
The term "pixel" as used herein refers to a minimum unit capable of displaying a desired color in the
図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＡ－Ｂ線における部分断面模式図である。画素５２は、基板５３上に、第１の電極（陽極）５４と、正孔輸送層５５と、赤色層５６Ｒ・緑色層５６Ｇ・青色層５６Ｂのいずれかと、電子輸送層５７と、第２の電極（陰極）５８と、を備える有機ＥＬ素子で構成される複数の副画素を有している。これらのうち、正孔輸送層５５、赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂ、電子輸送層５７が有機層に当たる。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂは、それぞれ赤色、緑色、青色を発する発光素子（有機ＥＬ素子と記述する場合もある）に対応するパターンに形成されている。
FIG. 6B is a schematic partial cross-sectional view taken along the line AB of FIG. 6A. The
また、第１の電極５４は、発光素子ごとに分離して形成されている。正孔輸送層５５と電子輸送層５７と第２の電極５８は、複数の発光素子５２Ｒ、５２Ｇ、５２Ｂにわたって共通で形成されていてもよいし、発光素子ごとに形成されていてもよい。すなわち、図６（Ｂ）に示すように正孔輸送層５５が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成された上に赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂが副画素領域ごとに分離して形成され、さらにその上に電子輸送層５７と第２の電極５８が複数の副画素領域にわたって共通の層として形成されていてもよい。
Also, the
なお、近接した第１の電極５４の間でのショートを防ぐために、第１の電極５４間に絶縁層５９が設けられている。さらに、有機ＥＬ層は水分や酸素によって劣化するため、水分や酸素から有機ＥＬ素子を保護するための保護層６０が設けられている。
In addition, an insulating
図６（Ｂ）では正孔輸送層５５や電子輸送層５７が一つの層で示されているが、有機ＥＬ表示素子の構造によって、正孔ブロック層や電子ブロック層を有する複数の層で形成されてもよい。また、第１の電極５４と正孔輸送層５５との間には第１の電極５４から正孔輸送層５５への正孔の注入が円滑に行われるようにすることのできるエネルギーバンド構造を有する正孔注入層を形成してもよい。同様に、第２の電極５８と電子輸送層５７の間にも電子注入層を形成してもよい。
Although the hole-transporting layer 55 and the electron-transporting
赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂのそれぞれは、単一の発光層で形成されていてもよいし、複数の層を積層することで形成されていてもよい。例えば、赤色層５６Ｒを２層で構成し、上側の層を赤色の発光層で形成し、下側の層を正孔輸送層又は電子ブロック層で形成してもよい。あるいは、下側の層を赤色の発光層で形成し、上側の層を電子輸送層又は正孔ブロック層で形成してもよい。このように発光層の下側又は上側に層を設けることで、発光層における発光位置を調整し、光路長を調整することによって、発光素子の色純度を向上させる効果がある。
Each of the
なお、ここでは赤色層５６Ｒの例を示したが、緑色層５６Ｇや青色層５６Ｂでも同様の構造を採用してもよい。また、積層数は２層以上としてもよい。さらに、発光層と電子ブロック層のように異なる材料の層が積層されてもよいし、例えば発光層を２層以上積層するなど、同じ材料の層が積層されてもよい。
Although an example of the
次に、有機ＥＬ表示装置の製造方法の例について具体的に説明する。ここでは、赤色層５６Ｒが下側層５６Ｒ１と上側層５６Ｒ２の２層からなり、緑色層５６Ｇと青色層５６Ｂは単一の発光層からなる場合を想定する。
Next, an example of a method for manufacturing an organic EL display device will be specifically described. Here, it is assumed that the
まず、有機ＥＬ表示装置を駆動するための回路（不図示）及び第１の電極５４が形成された基板５３を準備する。なお、基板５３の材質は特に限定はされず、ガラス、プラスチック、金属などで構成することができる。本実施形態においては、基板５３として、ガラス基板上にポリイミドのフィルムが積層された基板を用いる。
First, a
第１の電極５４が形成された基板５３の上にアクリル又はポリイミド等の樹脂層をバーコートやスピンコートでコートし、樹脂層をリソグラフィ法により、第１の電極５４が形成された部分に開口が形成されるようにパターニングし絶縁層５９を形成する。この開口部が、発光素子が実際に発光する発光領域に相当する。なお、本実施形態では、絶縁層５９の形成までは大型基板に対して処理が行われ、絶縁層５９の形成後に、基板５３を分割する分割工程が実行される。
A resin layer such as acrylic or polyimide is coated by bar coating or spin coating on the
絶縁層５９がパターニングされた基板５３を第１の成膜装置１に搬入し、正孔輸送層５５を、表示領域の第１の電極５４の上に共通する層として成膜する。正孔輸送層５５は、最終的に１つ１つの有機ＥＬ表示装置のパネル部分となる表示領域５１ごとに開口が形成されたマスクを用いて成膜される。
The
次に、正孔輸送層５５までが形成された基板５３を第２の成膜装置１に搬入する。基板５３とマスクとのアライメントを行い、基板をマスクの上に載置し、正孔輸送層５５の上の、基板５３の赤色を発する素子を配置する部分（赤色の副画素を形成する領域）に、赤色層５６Ｒを成膜する。ここで、第２の成膜室で用いるマスクは、有機ＥＬ表示装置の副画素となる基板５３上における複数の領域のうち、赤色の副画素となる複数の領域にのみ開口が形成された高精細マスクである。これにより、赤色発光層を含む赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの赤色の副画素となる領域のみに成膜される。換言すれば、赤色層５６Ｒは、基板５３上の複数の副画素となる領域のうちの青色の副画素となる領域や緑色の副画素となる領域には成膜されずに、赤色の副画素となる領域に選択的に成膜される。
Next, the
赤色層５６Ｒの成膜と同様に、第３の成膜装置１において緑色層５６Ｇを成膜し、さらに第４の成膜装置１において青色層５６Ｂを成膜する。赤色層５６Ｒ、緑色層５６Ｇ、青色層５６Ｂの成膜が完了した後、第５の成膜装置１において表示領域５１の全体に電子輸送層５７を成膜する。電子輸送層５７は、３色の層５６Ｒ、５６Ｇ、５６Ｂに共通の層として形成される。
Similarly to the deposition of the
電子輸送層５７までが形成された基板を第６の成膜装置１に移動し、第２の電極５８を成膜する。本実施形態では、第１の成膜装置１～第６の成膜装置１では真空蒸着によって各層の成膜を行う。しかし、本発明はこれに限定はされず、例えば第６の成膜装置１における第２の電極５８の成膜はスパッタによって成膜するようにしてもよい。その後、第２の電極５８までが形成された基板を封止装置に移動してプラズマＣＶＤによって保護層６０を成膜して（封止工程）、有機ＥＬ表示装置５０が完成する。なお、ここでは保護層６０をＣＶＤ法によって形成するものとしたが、これに限定はされず、ＡＬＤ法やインクジェット法によって形成してもよい。
The substrate on which the
１：成膜装置、１０：蒸発源ユニット、１２：蒸発源、１００：基板、１０１：マスク 1: film forming apparatus, 10: evaporation source unit, 12: evaporation source, 100: substrate, 101: mask
Claims (10)
前記成膜源から放出された前記成膜材料の前記基板への飛散を遮るシャッタと、
前記シャッタを開閉する移動手段と、を備え、
前記移動手段は、前記成膜ユニットの前記移動方向の第１の側への移動に連動して、前記シャッタを全閉位置から全開位置へ前記第１の側に移動し、
前記成膜ユニットによる前記基板への成膜中に、前記シャッタにより前記基板の一部が覆われる状態を経る、
ことを特徴とする成膜装置。 a film forming unit that includes a film forming source that discharges a film forming material and that forms a film on a substrate while reciprocating in the movement direction;
a shutter that blocks scattering of the film-forming material discharged from the film-forming source to the substrate;
and a moving means for opening and closing the shutter,
the moving means moves the shutter from a fully closed position to a fully open position to the first side in conjunction with movement of the film forming unit to the first side in the moving direction;
During film formation on the substrate by the film formation unit, the shutter partially covers the substrate,
A film forming apparatus characterized by:
前記移動手段は、前記シャッタと前記成膜ユニットとの相対的な位置関係を維持した状態で、前記シャッタを前記全閉位置から前記全開位置まで移動する、
ことを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1,
The moving means moves the shutter from the fully closed position to the fully open position while maintaining a relative positional relationship between the shutter and the film forming unit.
A film forming apparatus characterized by:
第１のアライメント機構により第１のマスクとアライメントされた前記基板としての第１の基板に対して成膜が行われる第１の成膜ステージと、
前記第１の側の逆側である第２の側に前記第１の成膜ステージと並んで設けられ、第２のアライメント機構により第２のマスクとアライメントされた前記基板としての第２の基板に対して成膜が行われる第２の成膜ステージと、をさらに備え、
前記シャッタは、前記成膜材料の前記第１の基板への飛散を遮る第１のシャッタであり、
前記移動手段は、前記第１のシャッタを前記全閉位置としての第１の全閉位置と前記全開位置としての第１の全開位置との間で開閉する第１の移動手段であり、
前記成膜装置はさらに、
前記成膜源から放出された前記成膜材料の前記第２の基板への飛散を遮る第２のシャッタと、
前記第２のシャッタを第２の全閉位置と第２の全開位置との間で開閉する第２の移動手段と、を備える、
ことを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to any one of claims 1 and 2,
a first film formation stage for forming a film on a first substrate as the substrate aligned with the first mask by a first alignment mechanism;
A second film formation stage is provided in parallel with the first film formation stage on a second side opposite to the first side, and film formation is performed on the second substrate as the substrate aligned with the second mask by a second alignment mechanism;
the shutter is a first shutter that blocks scattering of the deposition material onto the first substrate;
the moving means is a first moving means for opening and closing the first shutter between a first fully closed position as the fully closed position and a first fully open position as the fully open position;
The film forming apparatus further includes
a second shutter that blocks scattering of the film-forming material discharged from the film-forming source to the second substrate;
a second moving means for opening and closing the second shutter between a second fully closed position and a second fully open position;
A film forming apparatus characterized by:
前記第２の移動手段は、前記成膜ユニットの前記第２の側への移動に連動して、前記第２のシャッタを前記第２の全閉位置から前記第２の全開位置へ前記第２の側に移動し、
前記成膜ユニットによる前記第２の基板への成膜中に、前記第２のシャッタにより前記第２の基板の一部が覆われる状態を経る、
ことを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 3,
the second moving means moves the second shutter from the second fully closed position to the second fully open position to the second side in conjunction with the movement of the film forming unit to the second side;
Through a state in which a part of the second substrate is covered by the second shutter during film formation on the second substrate by the film formation unit;
A film forming apparatus characterized by:
前記成膜ユニットは、前記第１の側に移動しながら前記第１の基板に成膜した後に、前記第２の側に移動しながら前記第１の基板、前記第２の基板の順に成膜し、
前記第１の移動手段は、前記成膜ユニットの前記第２の側の移動に連動して、前記第１のシャッタを前記第１の全開位置から前記第２の全開位置へ前記第２の側に移動し、
前記第２の移動手段は、前記第２の側に移動している前記成膜ユニットの前記成膜源からの前記成膜材料の放出範囲が前記第２の成膜ステージに差し掛かることに応じて、前記第２のシャッタを前記第２の全閉位置から前記第２の全開位置へ前記第２の側に移動する、
ことを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 4,
The film forming unit forms a film on the first substrate while moving to the first side, and then forms a film on the first substrate and then the second substrate while moving to the second side, and
the first moving means moves the first shutter to the second side from the first fully open position to the second fully open position in conjunction with movement of the second side of the film forming unit;
The second moving means moves the second shutter from the second fully closed position to the second fully open position to the second side in response to the release range of the film forming material from the film forming source of the film forming unit moving to the second side reaching the second film forming stage.
A film forming apparatus characterized by:
前記第２の移動手段は、前記シャッタの高さにおいて、前記全閉位置にある前記第２のシャッタの前記第１の成膜ステージ側の端部と前記成膜源からの前記成膜材料の放出範囲とに所定の距離がある状態で、前記第２のシャッタを前記第２の側へ移動し始める、
ことを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 4,
The second moving means starts moving the second shutter to the second side in a state where there is a predetermined distance between the first film forming stage side end of the second shutter in the fully closed position and the release range of the film forming material from the film forming source at the height of the shutter;
A film forming apparatus characterized by:
前記第２のアライメント機構による前記第２の基板と前記第２のマスクとのアライメントは、前記成膜ユニットによる前記第１の基板への成膜中に開始され、前記第２の移動手段が前記第２のシャッタを前記第２の全閉位置から前記第２の側へ移動し始めるまでに完了する、
ことを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 3,
Alignment of the second substrate and the second mask by the second alignment mechanism is initiated during film deposition on the first substrate by the film deposition unit and completed by the time the second moving means begins to move the second shutter from the second fully closed position to the second side;
A film forming apparatus characterized by:
前記成膜ユニットは、前記第１の側へと移動しながら前記基板に成膜した後に、前記第１の側の逆側である第２の側へと移動しながら前記基板に成膜を行い、
前記移動手段は、前記成膜ユニットの前記第２の側への移動に連動して、前記シャッタを前記全開位置から前記全閉位置へ前記第２の側に移動し、
前記成膜ユニットの前記第２の側へ移動しながらの前記基板への成膜中に、前記シャッタにより前記基板の一部が覆われる状態を経る、
ことを特徴とする成膜装置。 The film forming apparatus according to claim 1,
The film forming unit forms a film on the substrate while moving to the first side, and then forms a film on the substrate while moving to a second side opposite to the first side,
the moving means moves the shutter from the fully open position to the fully closed position to the second side in conjunction with the movement of the film forming unit to the second side;
During film deposition on the substrate while moving to the second side of the film deposition unit, a portion of the substrate is covered by the shutter.
A film forming apparatus characterized by:
前記成膜源から放出された前記成膜材料の前記基板への飛散を遮るシャッタを、前記成膜ユニットの前記第１の側への移動に連動して、全閉位置から全開位置へ前記第１の側に移動することと、を含み、
前記成膜ユニットによる前記基板への成膜中に、前記シャッタにより前記基板の一部が覆われる状態を経る、
ことを特徴とする成膜方法。 forming a film on a substrate while moving to a first side in the movement direction by a film formation unit that includes a film formation source that discharges a film formation material and reciprocates in the movement direction;
moving a shutter that blocks scattering of the deposition material discharged from the deposition source to the substrate from a fully closed position to a fully opened position to the first side in conjunction with movement of the deposition unit to the first side;
During film formation on the substrate by the film formation unit, the shutter partially covers the substrate,
A film forming method characterized by:
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022003816A JP2023103008A (en) | 2022-01-13 | 2022-01-13 | Film deposition apparatus, film deposition method and manufacturing method of electronic device |
| CN202211682348.4A CN116426871A (en) | 2022-01-13 | 2022-12-27 | Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing electronic device |
| KR1020230000627A KR20230109556A (en) | 2022-01-13 | 2023-01-03 | Film forming apparatus, film forming method and manufacturinh method of electronic device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022003816A JP2023103008A (en) | 2022-01-13 | 2022-01-13 | Film deposition apparatus, film deposition method and manufacturing method of electronic device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2023103008A true JP2023103008A (en) | 2023-07-26 |
Family
ID=87087896
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022003816A Pending JP2023103008A (en) | 2022-01-13 | 2022-01-13 | Film deposition apparatus, film deposition method and manufacturing method of electronic device |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2023103008A (en) |
| KR (1) | KR20230109556A (en) |
| CN (1) | CN116426871A (en) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6537324B2 (en) | 2015-04-03 | 2019-07-03 | キヤノントッキ株式会社 | Vapor deposition apparatus and vapor deposition method |
-
2022
- 2022-01-13 JP JP2022003816A patent/JP2023103008A/en active Pending
- 2022-12-27 CN CN202211682348.4A patent/CN116426871A/en active Pending
-
2023
- 2023-01-03 KR KR1020230000627A patent/KR20230109556A/en unknown
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| Publication number | Publication date |
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| KR20230109556A (en) | 2023-07-20 |
| CN116426871A (en) | 2023-07-14 |
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