JP2023098079A - Substrate processing device and substrate processing method - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 224
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 361
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 40
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 24
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 270
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 71
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 32
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 29
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 11
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 9
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 7
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 7
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 6
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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Abstract
Description
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.
従来、半導体装置及び液晶表示装置のような基板を含む装置の製造工程では、基板を処理する基板処理装置が用いられている。基板は、例えば、半導体ウエハ又は液晶表示装置用ガラス基板である。 2. Description of the Related Art Conventionally, a substrate processing apparatus for processing a substrate is used in a manufacturing process of a device including a substrate such as a semiconductor device and a liquid crystal display device. The substrate is, for example, a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device.
特許文献1には、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が開示されている。特許文献1に記載の基板処理装置は、スピンチャックと、処理液供給装置とを備える。スピンチャックは、基板を回転させる。処理液供給装置は、スピンチャックに保持されている基板に処理液を供給する。処理液供給装置は、ノズルと、供給配管と、バルブとを含む。ノズルは、基板に向けて処理液を吐出する。供給配管は、ノズルに処理液を供給する。バルブは、供給配管に設けられる。処理液は、ノズルから吐出されることで、基板に供給される。バルブは、弁体と弁座とを有する。弁体が弁座に接触することによりバルブが閉じられ、弁体が弁座から離れることによりバルブが開かれる。
Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 2002-200002 discloses a single-wafer type substrate processing apparatus that processes substrates one by one. A substrate processing apparatus disclosed in
しかしながら、特許文献1に記載の基板処理装置では、バルブが閉じられた後、バルブとノズルとの間に処理液が残っていることがあった。この場合、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、バルブとノズルとの間に存在する処理液がノズルから垂れ落ちることがあった。
However, in the substrate processing apparatus disclosed in
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、ノズルから処理液が垂れ落ちることを抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。 SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of suppressing dripping of a processing liquid from a nozzle when the substrate processing apparatus is not processing a substrate. I will provide a.
本発明の第1の局面による基板処理装置は、ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する。基板処理装置は、送液配管と、供給配管と、戻り配管と、分岐部と、第1バルブと、第2バルブとを備える。前記送液配管は、前記処理液を案内する。前記供給配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する。前記戻り配管は、前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する。前記分岐部は、前記送液配管、前記供給配管及び前記戻り配管の分岐点である。前記第1バルブは、前記送液配管に設けられ、前記送液配管から前記分岐部に供給される処理液の流量を調整可能である。前記第2バルブは、前記戻り配管に設けられる。前記第1バルブを開状態にし、前記第2バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する吐出状態になる。前記第2バルブを閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる処理液戻し状態になる。 The substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention processes the substrate by supplying the processing liquid to the substrate from the nozzle. The substrate processing apparatus includes a liquid sending pipe, a supply pipe, a return pipe, a branch, a first valve, and a second valve. The liquid-sending pipe guides the processing liquid. The supply pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe to the nozzle. The return pipe guides the processing liquid guided by the liquid-sending pipe along a path different from that of the supply pipe. The branching portion is a branching point of the liquid feeding pipe, the supply pipe, and the return pipe. The first valve is provided in the liquid-sending pipe, and is capable of adjusting the flow rate of the processing liquid supplied from the liquid-sending pipe to the branch portion. The second valve is provided on the return line. By opening the first valve and closing the second valve, the processing liquid is circulated from the liquid supply pipe to the supply pipe, and a discharge state is achieved in which the processing liquid is discharged from the nozzle. . By opening the second valve from the closed state, a processing liquid return state is established in which the processing liquid is circulated from the supply pipe to the return pipe.
本発明の第1の局面による基板処理装置において、前記第1バルブは、閉状態において前記送液配管の処理液流路を完全に閉じないバルブであってもよい。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the first valve may be a valve that does not completely close the processing liquid flow path of the liquid feeding pipe in a closed state.
本発明の第1の局面による基板処理装置において、前記処理液が通過する流路は、前記分岐部に対して前記送液配管側に位置する第1流路と、前記分岐部に対して前記供給配管側に位置する第2流路と、前記分岐部に対して前記戻り配管側に位置する第3流路とを有してもよい。第1角度は、第2角度よりも大きくてもよい。前記第2角度は、前記分岐部から前記第1流路へ向かう第1方向と、前記分岐部から前記第2流路へ向かう第2方向とがなす角度であってもよい。前記第1角度は、前記第1方向と、前記分岐部から前記第3流路へ向かう第3方向とがなす角度であってもよい。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the flow path through which the processing liquid passes is a first flow path located on the side of the liquid sending pipe with respect to the branch portion, and There may be a second flow path positioned on the supply pipe side and a third flow path positioned on the return pipe side with respect to the branch. The first angle may be greater than the second angle. The second angle may be an angle formed by a first direction from the branch portion toward the first flow channel and a second direction from the branch portion toward the second flow channel. The first angle may be an angle formed by the first direction and a third direction from the branch portion toward the third flow path.
本発明の第1の局面による基板処理装置において、前記第1流路及び前記第3流路は、前記分岐部から略水平方向に延びてもよい。前記第2流路は、前記分岐部から上方に延びてもよい。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the first channel and the third channel may extend substantially horizontally from the branching portion. The second channel may extend upward from the branch.
本発明の第1の局面による基板処理装置は、前記戻り配管から供給される前記処理液を収容する収容タンクをさらに備えてもよい。前記ノズルの先端は、前記戻り配管の排出口よりも高い位置に配置されてもよい。 The substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention may further include a storage tank that stores the processing liquid supplied from the return pipe. The tip of the nozzle may be positioned higher than the outlet of the return pipe.
本発明の第1の局面による基板処理装置において、前記送液配管及び前記供給配管には、前記第1バルブ以外のバルブは設けられていなくてもよい。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the liquid feeding pipe and the supply pipe may not be provided with valves other than the first valve.
本発明の第1の局面による基板処理装置は、前記第1バルブ及び前記第2バルブを制御する制御部をさらに備えてもよい。前記制御部は、前記第1バルブの開度を少なくとも第1の開度及び第2の開度に切り替え可能であってもよい。前記第2の開度は、前記第1の開度よりも小さくてもよい。前記制御部は、前記第1バルブの開度を前記第1の開度にし、前記第2バルブを閉状態にすることによって、前記吐出状態にしてもよい。また、前記制御部は、前記第1バルブの開度を前記第2の開度にし、前記第2バルブを開状態にすることによって、前記処理液戻し状態にしてもよい。 The substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention may further include a controller that controls the first valve and the second valve. The controller may be capable of switching the degree of opening of the first valve between at least a first degree of opening and a second degree of opening. The second degree of opening may be smaller than the first degree of opening. The controller may set the opening degree of the first valve to the first opening degree and close the second valve to bring the ejection state into the state. Further, the control unit may set the opening degree of the first valve to the second opening degree and open the second valve to bring the processing liquid into the returning state.
本発明の第1の局面による基板処理装置において、前記制御部は、前記第1バルブの開度を少なくとも前記第1の開度、前記第2の開度及び第3の開度に切り替え可能であってもよい。前記第3の開度は、前記第2の開度よりも小さくてもよい。前記制御部は、前記第1バルブの開度を前記第2の開度から前記第3の開度にし、前記第2バルブを前記開状態に保持することによって、前記吐出状態よりも少ない量の前記処理液を前記送液配管から前記戻り配管に流通させる吐出停止状態にしてもよい。 In the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the controller can switch the opening degree of the first valve to at least the first opening degree, the second opening degree, and the third opening degree. There may be. The third degree of opening may be smaller than the second degree of opening. The controller changes the degree of opening of the first valve from the second degree of opening to the third degree of opening, and maintains the second valve in the open state, thereby reducing the amount of liquid that is smaller than that in the discharge state. A discharge stop state may be established in which the treatment liquid is circulated from the liquid supply pipe to the return pipe.
本発明の第1の局面による基板処理装置は、前記ノズルを処理位置と退避位置との間で移動させる移動機構をさらに備えてもよい。前記処理位置は、前記基板の上方の位置であってもよい。前記退避位置は、前記基板の上方から離隔した位置であってもよい。前記制御部は、前記移動機構を制御してもよい。前記制御部は、前記第1バルブの開度を前記第1の開度、前記第2の開度、前記第3の開度及び第4の開度に切り替え可能であってもよい。前記第4の開度は、前記第1の開度よりも小さく、前記第2の開度よりも大きくてもよい。前記制御部は、前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第1バルブの開度を前記第3の開度から前記第4の開度にし、前記第2バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する予備吐出状態にしてもよい。前記制御部は、前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第1バルブの開度を前記第4の開度から前記第2の開度にし、前記第2バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる予備吐出処理液戻し状態にしてもよい。前記制御部は、前記予備吐出処理液戻し状態で前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記処理位置に移動させ、且つ、前記第1バルブの開度を前記第2の開度から前記第1の開度にし、前記第2バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記吐出状態にしてもよい。 The substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention may further include a moving mechanism that moves the nozzle between the processing position and the retracted position. The processing position may be a position above the substrate. The retracted position may be a position separated from above the substrate. The controller may control the moving mechanism. The control unit may switch the opening degree of the first valve between the first opening degree, the second opening degree, the third opening degree, and the fourth opening degree. The fourth degree of opening may be smaller than the first degree of opening and larger than the second degree of opening. The controller changes the opening degree of the first valve from the third opening degree to the fourth opening degree in a state in which the nozzle is arranged at the retracted position, and changes the second valve from the open state to the A preliminary discharge state in which the processing liquid is circulated from the liquid supply pipe to the supply pipe to discharge the processing liquid from the nozzle may be achieved by closing the nozzle. The controller changes the degree of opening of the first valve from the fourth degree of opening to the second degree of opening in a state where the nozzle is arranged at the retracted position, and changes the degree of opening of the second valve from the closed state to the By opening the supply pipe, the processing liquid may be returned to the predischarged state in which the processing liquid flows from the supply pipe to the return pipe. The control unit moves the nozzle from the retracted position to the processing position before the processing liquid in the supply pipe runs out in the preliminary ejection processing liquid returning state, and the opening degree of the first valve is increased. is changed from the second opening degree to the first opening degree, and the second valve is changed from the open state to the closed state to bring the discharge state into the discharge state.
本発明の第2の局面による基板処理方法は、ノズルから基板に処理液を供給することで前記基板を処理する基板処理方法である。本発明の第2の局面による基板処理方法は、送液配管に設けられた第1バルブを開状態にし、前記送液配管に接続される戻り配管に設けられた第2バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管及び前記戻り配管と前記ノズルとに接続される供給配管に、前記送液配管から前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程と、前記第2バルブを前記閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程とを含む。 A substrate processing method according to a second aspect of the present invention is a substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate from a nozzle. A substrate processing method according to a second aspect of the present invention opens a first valve provided in a liquid sending pipe, and closes a second valve provided in a return pipe connected to the liquid sending pipe. Thus, the processing liquid is circulated from the liquid feeding pipe to the supply pipe connected to the liquid feeding pipe, the return pipe, and the nozzle, and the processing liquid is discharged from the nozzle to process the substrate. and circulating the processing liquid from the supply line to the return line by opening the second valve from the closed state.
本発明の第2の局面による基板処理方法において、前記第1バルブの開度を第1の開度にし、前記第2バルブを閉状態にすることによって、前記ノズルから前記処理液を吐出する工程を実行し、前記第1バルブの開度を前記第1の開度よりも小さい第2の開度にし、前記第2バルブを開状態にすることによって、前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程を実行してもよい。 In the substrate processing method according to the second aspect of the present invention, the step of setting the degree of opening of the first valve to the first degree of opening and closing the second valve to discharge the processing liquid from the nozzle. and setting the degree of opening of the first valve to a second degree of opening smaller than the first degree of opening, and opening the second valve to allow the processing liquid to flow through the return pipe. steps may be performed.
本発明の第2の局面による基板処理方法は、前記第1バルブの開度を前記第2の開度から、前記第2の開度よりも小さい第3の開度にし、前記第2バルブを前記開状態に保持することによって、前記ノズルから前記処理液を吐出する工程よりも少ない量の前記処理液を前記送液配管から前記戻り配管に流通させる工程をさらに含んでもよい。 In the substrate processing method according to the second aspect of the present invention, the degree of opening of the first valve is changed from the second degree of opening to a third degree of opening smaller than the second degree of opening, and the second valve is The method may further include a step of allowing a smaller amount of the processing liquid to flow from the liquid feeding pipe to the return pipe than the step of discharging the processing liquid from the nozzle by maintaining the open state.
本発明の第2の局面による基板処理方法は、前記ノズルを前記基板の上方から離隔した退避位置に配置した状態で、前記第1バルブの開度を前記第3の開度から、前記第1の開度よりも小さく前記第2の開度よりも大きい第4の開度にし、前記第2バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する工程と、前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第1バルブの開度を前記第4の開度から前記第2の開度にし、前記第2バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程と、前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記基板の上方の処理位置に移動させ、且つ、前記第1バルブの開度を前記第2の開度から前記第1の開度にし、前記第2バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程とをさらに含んでもよい。 In a substrate processing method according to a second aspect of the present invention, the opening degree of the first valve is changed from the third opening degree to the first to a fourth degree of opening smaller than the degree of opening of the second valve, and to switch the second valve from the open state to the closed state, thereby transferring the processing from the liquid supply pipe to the supply pipe. discharging the processing liquid from the nozzle by circulating the liquid; and reducing the opening degree of the first valve from the fourth opening degree to the second opening degree while the nozzle is arranged at the retracted position. a step of circulating the processing liquid from the supply pipe to the return pipe by changing the second valve from the closed state to the open state; and before the processing liquid in the supply pipe runs out, moving the nozzle from the retracted position to a processing position above the substrate, changing the degree of opening of the first valve from the second degree of opening to the first degree of opening, and opening the second valve. and processing the substrate by ejecting the processing liquid from the nozzle by switching from the closed state to the closed state.
本発明によれば、基板処理装置が基板の処理を行っていない状態で、ノズルから処理液が垂れ落ちることを抑制できる基板処理装置及び基板処理方法を提供できる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the substrate processing apparatus and substrate processing method which can suppress the dripping of a process liquid from a nozzle in the state which a substrate processing apparatus does not process a board|substrate can be provided.
本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。 An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof will not be repeated.
(第1実施形態)
図1を参照して、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置100について説明する。図1は、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置100の構成を模式的に示す平面図である。
(First embodiment)
A
図1に示すように、基板処理装置100は、基板Wを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
As shown in FIG. 1, the
基板Wは、例えば、シリコンウエハ、樹脂基板、又は、ガラス・石英基板である。本実施形態では、基板Wとして、略円板状の半導体基板が例示されている。しかし、基板Wの形状は特に限定されない。基板Wは、例えば、矩形状に形成されていてもよい。 The substrate W is, for example, a silicon wafer, a resin substrate, or a glass/quartz substrate. In this embodiment, as the substrate W, a substantially disk-shaped semiconductor substrate is exemplified. However, the shape of the substrate W is not particularly limited. The substrate W may be formed, for example, in a rectangular shape.
基板処理装置100は、複数のロードポートLPと、複数の処理ユニット1と、記憶部2と、制御部3とを備える。
A
ロードポートLPは、基板Wを収容した基板収容器Cを保持する。処理ユニット1は、ロードポートLPから搬送された基板Wを処理流体で処理する。処理流体は、例えば、処理液、又は処理ガスを示す。
The load port LP holds a substrate container C containing substrates W therein. The
記憶部2は、ROM(Read Only Memory)、及びRAM(Random Access Memory)のような主記憶装置(例えば、半導体メモリー)を含み、補助記憶装置(例えば、ハードディスクドライブ)をさらに含んでもよい。主記憶装置、及び/又は,補助記憶装置は、制御部3によって実行される種々のコンピュータープログラムを記憶する。
The
制御部3は、CPU(Central Processing Unit)及びMPU(Micro Processing Unit)のようなプロセッサーを含む。制御部3は、基板処理装置100の各要素を制御する。
The control unit 3 includes processors such as a CPU (Central Processing Unit) and an MPU (Micro Processing Unit). The control unit 3 controls each element of the
基板処理装置100は、搬送ロボットをさらに備える。搬送ロボットは、ロードポートLPと処理ユニット1との間で基板Wを搬送する。搬送ロボットは、インデクサロボットIRと、センターロボットCRとを含む。インデクサロボットIRは、ロードポートLPとセンターロボットCRとの間で基板Wを搬送する。センターロボットCRは、インデクサロボットIRと処理ユニット1との間で基板Wを搬送する。インデクサロボットIR、及びセンターロボットCRの各々は、基板Wを支持するハンドを含む。
The
基板処理装置100は、複数の流体ボックス4と、薬液キャビネット5とをさらに備える。複数の流体ボックス4と、処理ユニット1とは、基板処理装置100の筐体100aの内部に配置されている。薬液キャビネット5は、基板処理装置100の筐体100aの外部に配置されている。薬液キャビネット5は、基板処理装置100の側方に配置されていてもよい。また、薬液キャビネット5は、基板処理装置100が設置されるクリーンルームの下(地下)に配置されていてもよい。
The
複数の処理ユニット1は、上下に積層されたタワーTWを構成する。タワーTWは複数設けられる。複数のタワーTWは、平面視においてセンターロボットCRを取り囲むように配置される。
A plurality of
本実施形態では、タワーTWには、3つの処理ユニット1が積層される。また、タワーTWは4つ設けられる。なお、タワーTWを構成する処理ユニット1の個数は特に限定されない。また、タワーTWの個数も特に限定されない。
In this embodiment, three
複数の流体ボックス4は、それぞれ、複数のタワーTWと対応する。薬液キャビネット5内の薬液は、流体ボックス4を介して、流体ボックス4と対応するタワーTWに供給される。その結果、タワーTWに含まれる全ての処理ユニット1に対して薬液が供給される。
A plurality of
図2を参照して、処理ユニット1について説明する。図2は、処理ユニット1の構成を模式的に示す側面図である。
The
図2に示すように、処理ユニット1は、チャンバー6と、スピンチャック10と、カップ14とを含む。
As shown in FIG. 2 , processing
チャンバー6は、隔壁8と、シャッター9と、FFU7(ファン・フィルタ・ユニット)とを含む。隔壁8は、中空の形状を有する。隔壁8には搬送口が設けられる。シャッター9は、搬送口を開閉する。FFU7は、クリーンエアーのダウンフローをチャンバー6内に形成する。クリーンエアーは、フィルターによってろ過された空気である。
センターロボットCRは、搬送口を通じてチャンバー6に基板Wを搬入し、搬送口を通じてチャンバー6から基板Wを搬出する。
The center robot CR loads the substrate W into the
スピンチャック10は、チャンバー6内に配置される。スピンチャック10は、基板Wを水平に保持しつつ、回転軸線A1回りに回転させる。回転軸線A1は、基板Wの中央部を通る鉛直な仮想軸である。
A
スピンチャック10は、複数のチャックピン11と、スピンベース12と、スピンモータ13と、カップ14と、昇降ユニット15とを含む。
The
スピンベース12は、円板状の部材である。複数のチャックピン11は、スピンベース12上で基板Wを水平な姿勢で保持する。スピンモータ13は、複数のチャックピン11を回転させることにより、回転軸線A1回りに基板Wを回転させる。
The
本実施形態のスピンチャック10は、複数のチャックピン11を基板Wの外周面に接触させる挟持式のチャックである。しかし、本発明はこれに限定されない。スピンチャック10は、バキューム式のチャックでもよい。バキューム式のチャックは、非デバイス形成面である基板Wの裏面(下面)をスピンベース12の上面に吸着させることにより、基板Wを水平に保持する。
The
カップ14は、基板Wから排出された処理液を受け止める。カップ14は、傾斜部14aと、案内部14bと、液受部14cとを含む。傾斜部14aは、回転軸線A1に向かって斜め上に延びる筒状の部材である。傾斜部14aは、基板W及びスピンベース12よりも大きい内径を有する円環状の上端を含む。傾斜部14aの上端は、カップ14の上端に相当する。カップ14の上端は、平面視で基板W及びスピンベース12を取り囲んでいる。案内部14bは、傾斜部14aの下端部(外端部)から下方に延びる円筒状の部材である。液受部14cは、案内部14bの下部に位置し、上向きに開いた環状の溝を形成する。
The
昇降ユニット15は、上昇位置と、下降位置との間でカップ14を昇降させる。カップ14が上昇位置に位置するとき、カップ14の上端が、スピンチャック10よりも上方に位置する。カップ14が下降位置に位置するとき、カップ14の上端が、スピンチャック10よりも下方に位置する。
The elevating
基板Wに処理液が供給されるとき、カップ14は上昇位置に位置する。基板Wから外方に飛散した処理液は、傾斜部14aによって受け止められた後、案内部14bを介して液受部14c内に集められる。
When the processing liquid is supplied to the substrate W, the
処理ユニット1は、リンス液ノズル16と、リンス液配管17と、リンス液バルブ18とをさらに含む。リンス液ノズル16は、スピンチャック10に保持されている基板Wに向けてリンス液を吐出する。リンス液ノズル16は、リンス液配管17に接続されている。リンス液配管17には、リンス液バルブ18が介装されている。
The
リンス液バルブ18が開かれると、リンス液配管17からリンス液ノズル16にリンス液が供給される。そして、リンス液がリンス液ノズル16から吐出される。リンス液は、例えば、純水(脱イオン水:Deionized Water)である。リンス液は、純水に限定されず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、及び/又は、希釈濃度の塩酸水であってもよい。希釈濃度は、例えば、10ppm以上、100ppm以下の濃度である。
When the rinse
処理ユニット1は、薬液ノズル21と、ノズル移動ユニット22とをさらに含む。薬液ノズル21は、スピンチャック10に保持されている基板Wに向けて薬液を吐出する。ノズル移動ユニット22は、処理位置と退避位置との間で薬液ノズル21を移動させる。処理位置は、薬液ノズル21が基板Wに向けて薬液を吐出する位置を示す。また、処理位置は、基板Wの上方の位置である。退避位置は、薬液ノズル21が基板Wから離間した位置を示す。また、退避位置は、基板Wの上方から離隔した位置である。ノズル移動ユニット22は、例えば、揺動軸線A2回りに薬液ノズル21を旋回させることで薬液ノズル21を移動させる。揺動軸線A2は、カップ14の周辺に位置する鉛直な仮想軸である。なお、薬液ノズル21は、本発明の「ノズル」の一例である。また、ノズル移動ユニット22は、本発明の「移動機構」の一例である。
基板処理装置100は、薬液供給装置30をさらに備える。薬液供給装置30は、処理ユニット1の薬液ノズル21に薬液を供給する。薬液ノズル21に供給される薬液は、例えば、イソプロピルアルコール(isopropyl alcohol:IPA)を含む。薬液は、本発明の「処理液」の一例である。
The
図3を参照して、基板処理装置100によって実行される基板Wに対する処理の一例について説明する。図3は、基板処理装置100によって実行される基板Wに対する処理の一例を示すフロー図である。
With reference to FIG. 3, an example of the processing of the substrate W performed by the
図3に示すように、ステップS1において、制御部3は、基板Wをチャンバー6内に搬送する搬送処理を行う。以下では、搬送処理の手順について説明する。
As shown in FIG. 3 , in step S<b>1 , the control unit 3 performs a transfer process for transferring the substrate W into the
まず、薬液ノズル21が基板Wの上方から退避している状態で、センターロボットCRが基板Wをハンドで支持しつつ、ハンドをチャンバー6内に進入させる。そして、センターロボットCRは、ハンドで支持されている基板Wをスピンチャック10上に置く。その結果、基板Wがスピンチャック10上に搬送される。
First, while the
基板Wがスピンチャック10上に搬送されると、チャックピン11が基板Wを把持する。そして、スピンモータ13がチャックピン11を回転させる。その結果、基板Wが回転する。基板Wが回転すると、処理がステップS2に移行する。
When the substrate W is transferred onto the
ステップS2において、制御部3は、基板Wに対して薬液を供給する薬液供給処理を行う。以下では、薬液供給処理の手順について説明する。 In step S<b>2 , the control unit 3 performs chemical liquid supply processing for supplying the chemical liquid to the substrate W. FIG. The procedure of the chemical solution supply process will be described below.
まず、ノズル移動ユニット22が、薬液ノズル21を処理位置に移動させる。そして、昇降ユニット15が、カップ14を上昇位置まで上昇させる。そして、薬液供給装置30が薬液ノズル21への薬液の供給を開始する。その結果、薬液ノズル21が基板Wに向けて薬液を吐出する。
First, the
薬液ノズル21から吐出された薬液は、基板Wの上面に着液した後、回転中の基板Wの上面に沿いつつ、基板Wの外方に向かって流れる。その結果、薬液の液膜が、基板Wの上面全域を覆うように形成される。なお、薬液ノズル21が薬液を吐出しているときに、ノズル移動ユニット22は、薬液ノズル21を静止させてもよいし、基板Wの上方で走査させてもよい。
The chemical solution discharged from the
薬液ノズル21への薬液の供給が開始されてから所定時間が経過すると、薬液ノズル21への薬液の供給が停止される。そして、ノズル移動ユニット22が薬液ノズル21を退避位置に移動させる。薬液ノズル21が退避位置に到達すると、処理がステップS3に移行する。
After a predetermined time has elapsed since the supply of the chemical solution to the
ステップS3において、制御部3は、基板Wに対してリンス液の一例である純水を供給するリンス液供給処理を行う。以下では、リンス液供給処理の手順について説明する。 In step S<b>3 , the control unit 3 performs a rinse liquid supply process of supplying pure water, which is an example of a rinse liquid, to the substrate W. FIG. The procedure of the rinse liquid supply process will be described below.
まず、リンス液バルブ18が開かれて、リンス液ノズル16が純水の吐出を開始する。基板Wの上面に着液した純水は、回転中の基板Wの上面に沿いつつ、基板Wの外方に向かって流れる。基板W上の薬液は、リンス液ノズル16から吐出された純水によって洗い流される。その結果、純水の液膜が基板Wの上面全域に形成される。
First, the rinse
リンス液バルブ18が開かれてから所定時間が経過すると、リンス液バルブ18が閉じられて、基板Wへの純水の吐出が停止される。基板Wへの純水の吐出が停止されると、処理がステップS4に移行する。
After a predetermined period of time has passed since the rinse
ステップS4において、制御部3は、基板Wの回転によって基板Wを乾燥させる乾燥処理を行う。以下では、乾燥処理の手順について説明する。 In step S4, the controller 3 performs a drying process of drying the substrate W by rotating the substrate W. FIG. The procedure of the drying process will be described below.
まず、スピンモータ13が基板Wを、薬液供給処理時の基板Wの回転速度、及びリンス液供給処理時の基板Wの回転速度よりも大きい回転速度(例えば、数千rpm)で高速回転させる。その結果、基板Wから液体が除去されるので、基板Wが乾燥する。
First, the
基板Wの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、スピンモータ13が基板Wの回転を停止させる。基板Wの回転が停止すると、処理がステップS5に移行する。
The
ステップS5において、制御部3は、基板Wをチャンバー6から搬出する搬出処理を行う。以下では、搬出処理の手順について説明する。
In step S<b>5 , the control unit 3 performs unloading processing for unloading the substrate W from the
まず、昇降ユニット15が、カップ14を下位置まで下降させる。そして、センターロボットCRが、ハンドをチャンバー6内に進入させる。そして、複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除する。
First, the lifting
複数のチャックピン11が基板Wの把持を解除した後、センターロボットCRは、スピンチャック10上の基板Wをハンドで支持する。そして、センターロボットCRは、ハンドで基板Wを支持しつつ、ハンドをチャンバー6の内部から退避させる。その結果、処理済みの基板Wがチャンバー6から搬出される。
After the multiple chuck pins 11 release the grip of the substrate W, the center robot CR supports the substrate W on the
処理済みの基板Wがチャンバー6から搬出されると、ステップS5に示す搬出処理が終了する。
When the processed substrate W is unloaded from the
ステップS1からステップS5に示す処理が繰り返されることで、基板処理装置100に搬送された複数の基板Wが一枚ずつ処理される。
A plurality of substrates W transported to the
次に、図4を参照して、薬液供給装置30について説明する。図4は、薬液供給装置30の構成を示す模式図である。
Next, the chemical
薬液供給装置30は、複数設けられる。複数の薬液供給装置30は、それぞれ、複数のタワーTW(図1参照)と対応する。薬液供給装置30は、対応するタワーTWを構成する全ての処理ユニット1に対して薬液を供給する。
A plurality of chemical
本実施形態では、1つのタワーTWは、3つの処理ユニット1で構成される。従って、1つの薬液供給装置30が、3つの処理ユニット1に薬液を供給する。
In this embodiment, one tower TW is composed of three
図4に示すように、薬液供給装置30は、供給タンク31と、循環配管32と、循環ポンプ33と、循環フィルター34と、循環ヒータ35とを含む。
As shown in FIG. 4 , the chemical
供給タンク31は、薬液を貯留する。循環配管32は、管状の部材である。循環配管32内には、薬液が循環する循環路が形成される。循環配管32は、上流側端部32aと、下流側端部32bとを有する。循環配管32は、供給タンク31に連通する。具体的には、循環配管32の上流側端部32aと、下流側端部32bとが供給タンク31に連通する。
The
循環ポンプ33は、供給タンク31内の薬液を循環配管32に送る。循環ポンプ33が作動すると、供給タンク31内の薬液が循環配管32の上流側端部32aに送られる。上流側端部32aに送られた薬液は、循環配管32内を搬送されて、下流側端部32bから供給タンク31に排出される。循環ポンプ33が作動し続けることで、上流側端部32aから下流側端部32bに向かって、循環配管32内に薬液が流れ続ける。その結果、薬液が循環配管32を循環する。
The circulation pump 33 sends the chemical solution in the
循環フィルター34は、循環配管32を循環する薬液から、パーティクルのような異物を除去する。循環ヒータ35は、薬液を加熱することで、薬液の温度を調整する。循環ヒータ35は、薬液の温度を、例えば、室温よりも高い一定の温度(例えば、60℃)に保持する。循環配管32を循環する薬液の温度は、循環ヒータ35により一定の温度に保持される。
The
循環ポンプ33、循環フィルター34、及び循環ヒータ35は、循環配管32に設置される。
A circulation pump 33 , a
供給タンク31、循環ポンプ33、循環フィルター34、及び循環ヒータ35は、薬液キャビネット5内に設置される。
A
循環ポンプ33に代えて、加圧装置を設けてもよい。加圧装置は、供給タンク31内の気圧を上昇させることにより、供給タンク31内の薬液を循環配管32に送り出す。
A pressure device may be provided instead of the circulation pump 33 . The pressurizing device sends out the chemical liquid in the
薬液供給装置30は、複数の供給機構40をさらに備える。本実施形態では、3つの供給機構40が設けられる。
The chemical
複数の供給機構40の各々は、循環配管32に連通する。複数の供給機構40の各々には、循環配管32を循環する薬液が供給される。
Each of the
複数の供給機構40は、複数の処理ユニット1と対応する。供給機構40は、対応する処理ユニット1に薬液を供給する。処理ユニット1に供給された薬液は、薬液ノズル21から吐出される。
A plurality of
薬液供給装置30は、回収タンク51と、回収配管52と、回収ポンプ53と、回収フィルター54とをさらに有する。なお、回収タンク51は、本発明の「収容タンク」の一例である。
The
回収タンク51は、複数の供給機構40の各々と連通する。回収タンク51は、薬液ノズル21から吐出されること無く複数の供給機構40の各々を通過した薬液を収容する。回収タンク51の上面には、貫通孔51aが形成されている。これにより、供給機構40から回収タンク51に薬液と気体とが混ざった状態で回収された場合であっても、貫通孔51aから気体を外部に排出できる。つまり、回収タンク51は、気体と液体とを分離する気液分離装置として機能する。よって、気体の混ざった薬液が回収タンク51から供給タンク31に供給されることを抑制できる。
The
回収配管52は、管状の部材である。回収配管52は、回収タンク51内の薬液を供給タンク31へ案内する。回収配管52は、上流側端部52aと、下流側端部52bとを含む。上流側端部52aは、回収タンク51に連通する。下流側端部52bは、供給タンク31に連通する。
The
回収ポンプ53は、回収配管52に設置される。回収ポンプ53は、回収配管52を通じて、回収タンク51内の薬液を供給タンク31へ圧送する。回収フィルター54は、回収配管52に設置される。回収フィルター54は、回収配管52を流れる薬液から異物を除去する。
A
次に、図5を参照して、供給機構40について説明する。図5は、供給機構40周辺の構成を示す模式図である。
Next, the
図5に示すように、供給機構40は、送液配管41と、分岐部42と、供給配管43と、戻り配管44とを有する。送液配管41、供給配管43、及び戻り配管44は、分岐部42を介して互いに連通する。
As shown in FIG. 5 , the
送液配管41は、管状の部材である。送液配管41は、循環配管32を循環する薬液を循環配管32の外部に案内する。送液配管41は、上流側端部41aと、下流側端部41bとを含む。上流側端部41aは、循環配管32に連通する。
The liquid-sending
供給配管43は、管状の部材である。供給配管43は、送液配管41により案内された薬液を薬液ノズル21に案内する。供給配管43は、上流側端部43aと、下流側端部43bとを含む。上流側端部43aは、分岐部42を介して送液配管41の下流側端部41bと連通する。下流側端部43bは、薬液ノズル21に連通する。
The
戻り配管44は、管状の部材である。戻り配管44は、送液配管41によって案内された処理液を供給配管43とは異なる経路に沿って案内する。本実施形態では、戻り配管44は、薬液を回収タンク51に案内する。戻り配管44は、上流側端部44aと、下流側端部44bとを含む。上流側端部44aは、分岐部42を介して送液配管41の下流側端部41b、及び供給配管43の上流側端部43aの各々と連通する。下流側端部44bは、回収タンク51に連通する。
The
供給機構40は、流量計45と、介装部材46と、第1バルブ47と、第2バルブ48とをさらに有する。
The
流量計45は、送液配管41を流れる薬液の流量を検出する。流量計45は、送液配管41に設置される。薬液の流量は、詳細には、送液配管41内の所定位置を流れる単位時間当たりの薬液の量を示す。
The
介装部材46は、分岐部42に配置される。介装部材46は、中空の部材である。介装部材46は、例えば、エジェクタである。介装部材46は、送液配管41と、供給配管43と、戻り配管44との間に介装される。送液配管41、供給配管43、及び戻り配管44は、介装部材46を介して互いに連通される。
The interposed
第1バルブ47は、送液配管41に設置される。本実施形態では、第1バルブ47は、送液配管41から分岐部42に供給される薬液の流量を調整可能である。つまり、第1バルブ47は、開度を調整可能である。開度は、第1バルブ47が開いている程度を示す。第1バルブ47の開度が小さくなる程、第1バルブ47が開いている程度が小さくなる。
The
第1バルブ47は、モータのような駆動源を含み、駆動源の動力により開度を変更する。図1に示す制御部3は、駆動源を操作することで、第1バルブ47の開度を制御する。第1バルブ47は、例えば、モーターニードルバルブである。なお、第1バルブ47は、例えば、ダイヤフラムバルブ等の、モーターニードルバルブ以外のバルブであってもよい。
The
第2バルブ48は、戻り配管44に設置される。本実施形態では、第2バルブ48は、戻り配管44を開閉する。第2バルブ48は、開度を調整できない。つまり、第2バルブ48は、戻り配管44内の薬液の通過と通過停止とを切り替える。
A
次に、図4及び図5を参照して、薬液供給装置30内の薬液の流れについて説明する。
Next, the flow of the chemical solution in the chemical
図4及び図5に示すように、循環配管32を循環する薬液は、循環配管32から送液配管41に流入すると、送液配管41により分岐部42へ案内される。分岐部42から供給配管43へ供給された薬液は、薬液ノズル21から吐出される。分岐部42から戻り配管44へ供給された薬液は、戻り配管44から回収タンク51へ排出される。回収タンク51へ排出された薬液は、回収配管52を通じて供給タンク31に供給される。供給タンク31に供給された薬液は、循環配管32を循環する。
As shown in FIGS. 4 and 5 , when the chemical liquid circulating in the
次に、図6を参照して、介装部材46について説明する。図6は、介装部材46の切断端面図である。
Next, the interposing
図6に示すように、介装部材46は、第1部材46aと、第2部材46bと、第3部材46cとを有する。第1部材46a、第2部材46b、及び第3部材46cは、中空の部材であり、互いに連通する。第1部材46a、第2部材46b、及び第3部材46cが互いに連通する空所が、分岐部42を構成する。
As shown in FIG. 6, the interposed
第1部材46a、及び第3部材46cは、分岐部42から互いに反対方向に突出する。第2部材46bは、分岐部42から、第1部材46a、及び第3部材46cの各々に対して垂直な方向に突出する。なお、図5及び図6では、第1部材46a及び第3部材46cは上下方向(X方向に沿った方向)に延びるように配置されているが、第1部材46a及び第3部材46cは上下方向以外の方向(例えば、略水平方向)に延びるように配置されてもよい。
The
第1部材46aは、第1開口部4Aを有する。第1開口部4Aは、第1部材46aの内部と外部とを連通する。第1開口部4Aには、送液配管41の下流側端部41bが連結される。
The
第2部材46bは、第2開口部4Bを有する。第2開口部4Bは、第2部材46bの内部と外部とを連通する。第2開口部4Bには、供給配管43の上流側端部43aが連結される。
The
第3部材46cは、第3開口部4Cを有する。第3開口部4Cは、第3部材46cの内部と外部とを連通する。第3開口部4Cには、戻り配管44の上流側端部44aが連結される。
The
送液配管41を流れる薬液は、第1開口部4Aを介して介装部材46の内部に供給される。介装部材46の内部の薬液は、第2開口部4Bを介して供給配管43に供給される。介装部材46の内部の薬液は、第3開口部4Cを介して戻り配管44に供給される。
The chemical liquid flowing through the liquid-sending
薬液の流路は、分岐部42と、第1流路R1と、第2流路R2と、第3流路R3とを有する。分岐部42は、送液配管41、供給配管43、及び戻り配管44の分岐点である。第1流路R1は、分岐部42に対して送液配管41側に位置する薬液の流路を示す。第1流路R1は、分岐部42と送液配管41の上流側端部41a(図5参照)との間に位置する。第2流路R2は、分岐部42に対して供給配管43側に位置する薬液の流路を示す。第2流路R2は、分岐部42と供給配管43の下流側端部43bとの間に位置する。第3流路R3は、分岐部42に対して戻り配管44側に位置する薬液の流路を示す。第3流路R3は、分岐部42と戻り配管44の下流側端部44bとの間に位置する。
The chemical liquid flow path has a
供給機構40は、絞り部46dをさらに有する。絞り部46dは、第1流路R1に配置される。絞り部46dは、第1流路R1の流路面積を絞るオリフィスとして機能する。流路面積は、薬液が流れる方向に対して垂直な薬液の流路の断面積である。
The
本実施形態では、絞り部46dは、介装部材46の第1部材46aに形成される。絞り部46dは、分岐部42と対向する。絞り部46dは分岐部42に向けて薬液を噴出する。本実施形態では、絞り部46dは、分岐部42の近傍に位置する。従って、薬液は、絞り部46dから噴出した直後に、分岐部42に流れ込む。
In this embodiment, the narrowed
図6は、第1方向Q1と、第2方向Q2と、第3方向Q3とを示す。第1方向Q1は、分岐部42から第1流路R1へ向かう方向を示す。第2方向Q2は、分岐部42から第2流路R2へ向かう方向を示す。第3方向Q3は、分岐部42から第3流路R3へ向かう方向を示す。
FIG. 6 shows a first direction Q1, a second direction Q2 and a third direction Q3. A first direction Q1 indicates a direction from the
図6は、第1角度θ1と、第2角度θ2とをさらに示す。第1角度θ1は、第1方向Q1と第3方向Q3とがなす角度を示す。第1角度θ1は、詳細には、第1方向Q1と第3方向Q3とがなす角度のうち、最も小さい角度を示す。第2角度θ2は、第1方向Q1と第2方向Q2とがなす角度を示す。第2角度θ2は、詳細には、第1方向Q1と第2方向Q2とがなす角度のうち、最も小さい角度を示す。 FIG. 6 further shows the first angle θ1 and the second angle θ2. A first angle θ1 indicates an angle formed by the first direction Q1 and the third direction Q3. Specifically, the first angle θ1 indicates the smallest angle among the angles formed by the first direction Q1 and the third direction Q3. A second angle θ2 indicates an angle formed by the first direction Q1 and the second direction Q2. Specifically, the second angle θ2 indicates the smallest angle among the angles formed by the first direction Q1 and the second direction Q2.
第1角度θ1は、第2角度θ2よりも大きい(第1角度θ1>第2角度θ2)。すなわち、第3流路R3の方が第2流路R2よりも第1流路R1に対して屈曲していない。従って、第1流路R1から分岐部42に流れる薬液は、主に第3流路R3へ案内される。言い換えれば、絞り部46dは、第3流路R3に向けて薬液を噴出する。
The first angle θ1 is greater than the second angle θ2 (first angle θ1>second angle θ2). That is, the third flow path R3 is less curved with respect to the first flow path R1 than the second flow path R2. Therefore, the chemical liquid flowing from the first flow path R1 to the
本実施形態では、第1角度θ1は約180度であり、第2角度θ2は約90度である。 In this embodiment, the first angle θ1 is about 180 degrees and the second angle θ2 is about 90 degrees.
図7を参照して、薬液の圧力について説明する。図7は、薬液の圧力を示す模式図である。 The pressure of the chemical will be described with reference to FIG. FIG. 7 is a schematic diagram showing the pressure of the chemical solution.
図7は、第1圧力P1と、第2圧力P2と、第3圧力P3とを示す。第1圧力P1は、第1流路R1のうち絞り部46dよりも上流の領域に位置する薬液の圧力を示す。第2圧力P2は、分岐部42に位置する薬液の圧力を示す。第3圧力P3は、第2流路R2に位置する薬液の圧力を示す。
FIG. 7 shows a first pressure P1, a second pressure P2 and a third pressure P3. The first pressure P1 indicates the pressure of the chemical solution located upstream of the narrowed
図7は、第1移動方向X1と、第1移動速度V1とをさらに示す。第1移動方向X1は、第1流路R1内において絞り部46dの上流を流れている薬液の移動方向を示す。第1移動速度V1は、第1流路R1内において絞り部46dの上流を流れている薬液の移動速度を示す。
FIG. 7 further shows the first movement direction X1 and the first movement speed V1. The first moving direction X1 indicates the moving direction of the chemical liquid flowing upstream of the narrowed
図7は、第2移動方向X2と、第2移動速度V2とをさらに示す。第2移動方向X2は、薬液が第1流路R1から分岐部42に流れ込むときの薬液の移動方向を示す。第2移動方向X2は、図6に示す第1方向Q1の反対方向である。第2移動速度V2は、薬液が第1流路R1から分岐部42に流れ込むときの薬液の移動速度を示す。
FIG. 7 further shows a second movement direction X2 and a second movement speed V2. The second movement direction X2 indicates the movement direction of the chemical liquid when it flows from the first flow path R1 into the
本実施形態では、絞り部46dから噴出した薬液は、第1流路R1から分岐部42に流れ込む際、第2移動方向X2に向かいつつ第2移動速度V2で移動している。
In the present embodiment, when the chemical liquid ejected from the narrowed
図7に示すように、絞り部46dの流路面積は、絞り部46dの上流の流路面積よりも小さい。従って、ベルヌーイの定理により、絞り部46dでは、絞り部46dの上流に比べて、薬液の移動速度が増加すると共に、薬液の圧力が減少する。その結果、絞り部46dで加速されると共に減圧された薬液が、絞り部46dから噴出する。
As shown in FIG. 7, the channel area of the
絞り部46dで加速されると共に減圧された薬液が絞り部46dから噴出するので、第2移動速度V2が第1移動速度V1よりも大きくなる(第2移動速度V2>第1移動速度V1)。また、第2圧力P2が第1圧力P1よりも小さくなる(第2圧力P2<第1圧力P1)。
Since the chemical liquid, which is accelerated and decompressed by the narrowed
図5に示す第1バルブ47の開度が変更されることで、第1圧力P1が変更される。第1バルブ47の開度が小さくなる程、第1流路R1のうち第1バルブ47が位置する場所の流路面積が小さくなる。その結果、第1バルブ47を通過する単位時間当たりの薬液の流量が少なくなるので、第1圧力P1が小さくなる。また、第1圧力P1が小さくなるにつれて、第2圧力P2が小さくなる。
The first pressure P1 is changed by changing the opening degree of the
また、図5に示す第2バルブ48が開状態又は閉状態に変更されることで、第2圧力P2が変更される。第2バルブ48が閉状態になると、第3流路R3を通過する薬液の流量がゼロになるので、第2圧力P2が大きくなる。その一方、第2バルブ48が開状態になると、第3流路R3を通過する薬液の流量が多くなるので、第2圧力P2が小さくなる。
Further, the second pressure P2 is changed by changing the
なお、第1バルブ47の開度の調整、及び、第2バルブ48の開閉状態の切り替えは、図1に示す制御部3により行われる。
The adjustment of the degree of opening of the
図7は、第1径D1と、第2径D2と、第3径D3と、第4径D4と、第5径D5とを示す。第1径D1は、第1流路R1のうち絞り部46dの上流に位置する部分の径を示す。第2径D2は、絞り部46dの径を示す。第3径D3は、第1流路R1のうち絞り部46dの下流に位置する部分の径を示す。第4径D4は、第3流路R3の上流部の径を示す。第3流路R3の上流部は、第3流路R3のうち分岐部42の近傍を示す。第5径D5は、第2流路R2の上流部の径を示す。第2流路R2の上流部は、第2流路R2のうち分岐部42の近傍を示す。
FIG. 7 shows a first diameter D1, a second diameter D2, a third diameter D3, a fourth diameter D4 and a fifth diameter D5. The first diameter D1 indicates the diameter of the portion of the first flow path R1 located upstream of the narrowed
第1径D1は、第2径D2よりも大きい(第1径D1>第2径D2)。第3径D3は、第2径D2よりも大きい(第3径D3>第2径D2)。第4径D4は、第3径D3以上の大きさを有する(第4径D4≧第3径D3)。第4径D4は、第5径D5以上の大きさを有する(第4径D4≧第5径D5)。なお、第4径D4と第5径D5との大小関係は特に限定されない。第4径D4が第5径D5よりも小さくてもよい。 The first diameter D1 is larger than the second diameter D2 (first diameter D1>second diameter D2). The third diameter D3 is larger than the second diameter D2 (third diameter D3>second diameter D2). The fourth diameter D4 is greater than or equal to the third diameter D3 (fourth diameter D4≧third diameter D3). The fourth diameter D4 is greater than or equal to the fifth diameter D5 (fourth diameter D4≧fifth diameter D5). Note that the size relationship between the fourth diameter D4 and the fifth diameter D5 is not particularly limited. The fourth diameter D4 may be smaller than the fifth diameter D5.
次に、図7から図9を参照して、第1バルブ47の開度と、第2バルブ48の開閉状態と、薬液ノズル21からの薬液の吐出量との関係について説明する。図8は、第2バルブ48が閉状態になっている状態を示す模式図である。図9は、第2バルブ48が開状態になっている状態を示す模式図である。
Next, the relationship between the degree of opening of the
図7及び図8に示すように、制御部3が、第2バルブ48(図5参照)を閉状態にすることによって、第1流路R1から分岐部42に供給された薬液は、第2流路R2に流れる。本実施形態では、第1流路R1から分岐部42に供給された薬液の全てが、第2流路R2に流れる。また、制御部3が、第1バルブ47の開度を調整することによって、第1流路R1から分岐部42に供給される薬液の流量が調整される。これにより、薬液ノズル21から吐出される薬液の吐出量が調整される。
As shown in FIGS. 7 and 8, the control unit 3 closes the second valve 48 (see FIG. 5) so that the chemical liquid supplied from the first flow path R1 to the branching
その一方、図7及び図9に示すように、制御部3が、第2バルブ48(図5参照)を開状態にした状態で、第1バルブ47の開度を調整することによって、第2圧力P2と第3圧力P3との圧力差を調整することが可能である。
On the other hand, as shown in FIGS. 7 and 9, the control unit 3 adjusts the degree of opening of the
例えば、第2圧力P2を第3圧力P3よりも小さくすることで、第2圧力P2と第3圧力P3との圧力差により(第2圧力P2<第3圧力P3)、引込力F1が発生する。引込力F1は、第2流路R2内の薬液を分岐部42に引き込む力を示す。第1バルブ47の開度が大きくなる程、引込力F1が大きくなる。
For example, by making the second pressure P2 smaller than the third pressure P3, the pressure difference between the second pressure P2 and the third pressure P3 (the second pressure P2<the third pressure P3) causes the drawing force F1 to occur. . The drawing force F1 indicates the force that draws the chemical solution in the second flow path R2 into the branching
引込力F1が発生することで、サックバックが生じる。サックバックは、第2流路R2内の薬液の全部又は一部が引込力F1により分岐部42に引き込まれることを示す。その結果、薬液ノズル21から薬液が吐出されることが停止される。
Suckback occurs due to the generation of the pulling force F1. Suck back indicates that all or part of the chemical liquid in the second flow path R2 is drawn into the
サックバックにより第2流路R2から分岐部42に流れた薬液は、絞り部46dから噴出される薬液の流れXに巻き込まれることで、第3流路R3に供給される(アスピレート効果)。そして、第3流路R3に供給された薬液は、回収タンク51に供給される。
The chemical liquid that has flowed from the second flow path R2 to the
なお、例えば、第1バルブ47の開度を所定の値に保持することによって、薬液の滞留端部位置Zを一定の位置に保持することも可能である。この場合、第1バルブ47の開度が大きい程、滞留端部位置Zが高い位置で保持される。滞留端部位置Zが高くなる程、滞留端部位置Zが分岐部42に近づく。滞留端部位置Zが低くなる程、滞留端部位置Zが薬液ノズル21に近づく。
For example, by maintaining the opening degree of the
本実施形態では、図5に示すように、薬液ノズル21の先端は、戻り配管44の下流側端部44bの排出口44cよりも高い位置に配置される。従って、第2バルブ48を閉状態から開状態にすることによって、サイフォンの原理によりサックバックが生じる。つまり、第2流路R2内の薬液が分岐部42に引き込まれ、薬液ノズル21から薬液が吐出されることが停止される。
In this embodiment, as shown in FIG. 5, the tip of the
本実施形態では、薬液ノズル21の先端が戻り配管44の排出口44cよりも高い位置に配置されるため、第2バルブ48を閉状態から開状態にすることによって、第1バルブ47の開度にかかわらず、第2流路R2内の薬液が分岐部42に引き込まれる。また、第1バルブ47の開度が大きい程、第2流路R2内の薬液が分岐部42に引き込まれる速度が大きくなる。
In this embodiment, the tip of the
本実施形態では、第1バルブ47は、閉状態において送液配管41の処理液流路(第1流路R1の一部)を完全に閉じないバルブである。つまり、第1バルブ47の開度が最小開度の場合、第1バルブ47が閉じられず、開いている。この場合、第1バルブ47は、僅かに開いている。従って、薬液ノズル21から薬液を吐出しない期間は、第2バルブ48を開状態にすることによって、第1流路R1から分岐部42に供給される薬液を第3流路R3に流す。
In this embodiment, the
以上、図5から図9を参照して説明したように、第1バルブ47を開状態にし、第2バルブ48を閉状態にすることによって、送液配管41から供給配管43に薬液を流通させて薬液ノズル21から薬液を吐出する吐出状態になる。その一方、第2バルブ48を閉状態から開状態にすることによって、供給配管43から戻り配管44に薬液を流通させる処理液戻し状態になる。従って、第2バルブ48を閉状態から開状態にすることによって、基板処理装置100が基板Wの処理を行っていない状態で、薬液ノズル21から薬液が垂れ落ちることを抑制できる。
As described above with reference to FIGS. 5 to 9, by opening the
また、上記のように、第1バルブ47は、閉状態において送液配管41の処理液流路(第1流路R1の一部)を完全に閉じないバルブである。従って、第1バルブ47を閉状態において送液配管41の流路を完全に閉じるように構成する場合とは異なり、第1バルブ47の開閉動作に起因して第1バルブ47でパーティクルが生じることを、抑制できる。具体的には、例えば、第1バルブの弁体と弁座とを接触させることにより第1バルブを閉状態にする構成の場合、弁体と弁座とが互いに接触と離隔とを繰り返すことによって、パーティクルが生じる。本実施形態では、第1バルブ47は完全に閉じないバルブであるため、第1バルブ47の開閉動作に起因して第1バルブ47でパーティクルが生じることを抑制できる。このように、第1バルブ47でパーティクルが生じることを抑制できるので、薬液ノズル21からパーティクルが吐出されることを抑制できる。よって、基板Wが汚染されることを抑制できる。
Further, as described above, the
また、本実施形態では、薬液ノズル21の上流側には、閉状態において流路を完全に閉じるバルブは設けられていない。本実施形態では、少なくとも薬液ノズル21から循環フィルター34までの流路には、閉状態において流路を完全に閉じるバルブは設けられていない。また、本実施形態では、送液配管41及び供給配管43には、第1バルブ47以外のバルブは設けられていない。従って、薬液ノズル21からパーティクルが吐出されることをより抑制できるので、基板Wが汚染されることをより抑制できる。
Further, in the present embodiment, a valve that completely closes the flow path in the closed state is not provided on the upstream side of the chemical
次に、図10及び図11を参照して、基板Wに対して薬液を供給する薬液供給処理(ステップS2)における基板処理装置100の動作について詳細に説明する。図10は、基板Wに対して薬液を供給する薬液供給処理(ステップS2)における基板処理装置100の動作の一例を示すフロー図である。図11は、基板Wに対して薬液を供給する薬液供給処理(ステップS2)における第1バルブ47の開度、第2バルブ48の開度、及び、薬液ノズル21を流通する薬液の流量のタイミングチャートを示す図である。
Next, the operation of the
図10及び図11に示すように、ステップS21において、基板処理装置100は、吐出停止状態になっている。吐出停止状態は、薬液ノズル21から薬液が吐出されない状態である。吐出停止状態において、薬液ノズル21は、退避位置に配置されている。また、吐出停止状態において、制御部3は、第1バルブ47を閉状態(後述する第3の開度)にし、第2バルブ48を開状態にしている。なお、本実施形態では、第1バルブ47は完全に閉じていない。
As shown in FIGS. 10 and 11, in step S21, the
次に、ステップS22において、制御部3は、薬液ノズル21を退避位置から処理位置に移動させる。
Next, in step S22, the controller 3 moves the chemical
次に、ステップS23において、制御部3は、第1バルブ47の開度を第1の開度にし、第2バルブ48を閉状態にする。第1の開度は、基板Wに処理液を供給する際の第1バルブ47の開度である。第1の開度は、処理液の種類、及び、基板Wの被処理膜などの基板Wに対する処理条件によって適宜設定される。
Next, in step S23, the controller 3 sets the degree of opening of the
第1バルブ47の開度が第1の開度にされ、第2バルブ48が閉状態にされることによって、薬液ノズル21から基板Wに処理液が供給される。言い換えると、吐出状態になる。所定の処理時間が経過すると、ステップS24に進む。
The processing liquid is supplied from the chemical
次に、ステップS24において、制御部3は、第2バルブ48を開状態にし、第1バルブ47の開度を第1の開度から第2の開度にする。これにより、上述したように、引込力F1が発生し、サックバックが生じる。言い換えると、処理液戻し状態になる。以下、サックバックを処理液戻しと記載することがある。
Next, in step S24, the controller 3 opens the
本実施形態では、第2の開度は、第1の開度よりも小さい。第2の開度は、特に限定されるものではないが、ステップS24では第1バルブ47を通過する薬液は薬液ノズル21から吐出されないため、第2の開度は小さい方が好ましい。また、第2の開度を例えば第1の開度と同じにしてもよいが、第2の開度が大きい状態で第2バルブ48を閉状態から開状態に急激に変化させると、急激なサックバックによって供給配管43内に気泡が生じる可能性がある。この点からも、第2の開度を第1の開度よりも小さくすることが好ましい。なお、上述したように、第2の開度を調整して引込力F1を調整することによって、薬液の滞留端部位置Zを供給配管43の所定位置に保持することも可能である。
In this embodiment, the second degree of opening is smaller than the first degree of opening. Although the second degree of opening is not particularly limited, the second degree of opening is preferably small because the liquid medicine passing through the
ただし、上述したように、本実施形態では、薬液ノズル21の先端は、戻り配管44の下流側端部44bの排出口44cよりも高い位置に配置されるため、ステップS24では薬液ノズル21及び供給配管43の薬液は、分岐部42及び戻り配管44を介して回収タンク51に回収される。また、薬液ノズル21の先端が戻り配管44の排出口44cよりも高い位置に配置される場合、第1バルブ47を閉状態にしてもサックバックが生じる。
However, as described above, in the present embodiment, the tip of the
次に、ステップS25において、制御部3は、第2バルブ48を開状態にしたまま、第1バルブ47の開度を第2の開度から第3の開度にする。第3の開度は、第2の開度よりも小さい。第3の開度は、第1バルブ47を閉状態にする開度である。なお、本実施形態では、第3の開度は、送液配管41を完全には閉じない開度である。
Next, in step S25, the controller 3 changes the opening degree of the
また、制御部3は、ステップS24又はステップS25において、薬液ノズル21を吐出位置から退避位置に移動させる。これにより、吐出停止状態になる。なお、薬液ノズル21を吐出位置から退避位置に移動させるタイミングは、ステップS24のサックバックが生じた後であれば、特に限定されない。
Further, in step S24 or step S25, the control unit 3 moves the
以上、図10及び図11を参照して説明したように、本実施形態の基板処理方法は、第1バルブ47を開状態にし、第2バルブ48を閉状態にすることによって、送液配管41から供給配管43に薬液を流通させて薬液ノズル21から薬液を吐出する工程(ステップS23)を含む。また、基板処理方法は、第2バルブ48を閉状態から開状態にすることによって、供給配管43から戻り配管44に薬液を流通させる工程(ステップS24)を含む。従って、第2バルブ48を閉状態から開状態にすることによって、基板処理装置100が基板Wの処理を行っていない状態で、薬液ノズル21から薬液が垂れ落ちることを抑制できる。
As described above with reference to FIGS. 10 and 11, the substrate processing method of the present embodiment opens the
また、上記のように、第2バルブ48を閉状態から開状態にし、第1バルブ47の開度を第1の開度から第2の開度にすることによって、戻り配管44に薬液を流通させる工程(ステップS24)を実行する。従って、サックバックを適切に行うことができる。例えば、急激なサックバックによって供給配管43内に気泡が生じることを抑制できる。
In addition, as described above, by opening the
また、上記のように、本実施形態の基板処理方法は、第1バルブ47の開度を第2の開度から第3の開度にし、第2バルブ48を開状態に保持することによって、薬液を吐出する工程(ステップS23)よりも少ない量の薬液を送液配管41から戻り配管44に流通させる工程(ステップS25)を含む。従って、基板Wに薬液を吐出しない状態において、送液配管41から戻り配管44を介して回収タンク51に薬液が流通することを抑制できる。
Further, as described above, in the substrate processing method of the present embodiment, by changing the opening degree of the
また、本実施形態では、薬液を吐出する工程(ステップS23)を除き、第2バルブ48は開状態に保持される。従って、第1バルブ47が故障等によって閉状態に保持できなくなった場合であっても、第1バルブ47を通過した薬液を、第2バルブ48及び戻り配管44を介して回収タンク51に回収できる。
Further, in the present embodiment, the
(第2実施形態)
次に、図12及び図13を参照して、本発明の第2実施形態に係る基板処理装置100の薬液供給処理(ステップS2)における動作について説明する。第2実施形態では、図10及び図11に示した薬液供給処理とは異なり、基板Wに薬液を吐出する工程(ステップS23)の前に、供給配管43及び薬液ノズル21の汚染を低減する例について説明する。図12は、第2実施形態の基板処理装置100の薬液供給処理(ステップS2)における動作の一例を示すフロー図である。図13は、第2実施形態の基板処理装置100の薬液供給処理(ステップS2)における第1バルブ47の開度、第2バルブ48の開度、薬液ノズル21を流通する薬液の流量、及び、薬液ノズル21の位置のタイミングチャートを示す図である。
(Second embodiment)
Next, the operation of the
図12及び図13に示すように、第1実施形態と同様、ステップS21において、基板処理装置100は、吐出停止状態になっている。吐出停止状態は、薬液ノズル21から薬液が吐出されない状態である。吐出停止状態において、薬液ノズル21は、退避位置に配置されている。また、吐出停止状態において、制御部3は、第1バルブ47を閉状態(第3の開度)にし、第2バルブ48を開状態にしている。なお、本実施形態では、第1バルブ47は完全に閉じていない。
As shown in FIGS. 12 and 13, the
次に、ステップS211において、制御部3は、供給配管43及び薬液ノズル21に薬液を供給し、薬液ノズル21から薬液を吐出(予備吐出)させる。これにより、供給配管43及び薬液ノズル21の内部を薬液で満たすことができるので、供給配管43及び薬液ノズル21の内部を清浄化できる。具体的には、上述の処理液戻しによって、供給配管43及び薬液ノズル21の内部には、チャンバー6内の気体が流入している。このため、供給配管43及び薬液ノズル21の内部が流入した気体によって汚染されている可能性がある。本実施形態では、供給配管43及び薬液ノズル21に薬液を流通させることによって、供給配管43及び薬液ノズル21の内部を清浄化できる。よって、後の薬液吐出工程(ステップS23)において、汚染された薬液が基板Wに吐出されることを抑制できる。
Next, in step S<b>211 , the control unit 3 supplies the chemical liquid to the
ステップS211では、制御部3は、第1バルブ47の開度を第3の開度から第4の開度にし、第2バルブ48を開状態から閉状態にする。これにより、薬液ノズル21から基板Wに薬液が供給される。言い換えると、予備吐出状態になる。第4の開度は、第1の開度よりも小さく、第2の開度よりも大きい。第4の開度を第1の開度よりも小さくすることによって、予備吐出により薬液の消費を抑えることができる。なお、第4の開度を、例えば、第1の開度と同じにしてもよいし、第1の開度より大きくしてもよい。
In step S211, the controller 3 changes the opening degree of the
次に、ステップS212において、制御部3は、第2バルブ48を開状態にし、第1バルブ47の開度を第4の開度から第2の開度にする。これにより、引込力F1が発生し、サックバックが生じる。言い換えると、予備吐出処理液戻し状態になる。なお、ステップS212における第1バルブ47の開度を、ステップS24における第1バルブ47の開度よりも小さくしてもよい。言い換えると、ステップS212における第1バルブ47の開度を、第2の開度よりも小さい第5の開度にしてもよい。この場合、薬液ノズル21及び供給配管43の内部の薬液が分岐部42に戻る速度は、遅くなる。
Next, in step S212, the controller 3 opens the
次に、ステップS22において、制御部3は、薬液ノズル21を退避位置から処理位置に移動させる。本実施形態では、制御部3は、予備吐出処理液戻し状態で供給配管43の内部の薬液が無くなる前に、薬液ノズル21を退避位置から処理位置に移動させる。
Next, in step S22, the controller 3 moves the chemical
次に、ステップS23において、制御部3は、第1バルブ47の開度を第1の開度にし、第2バルブ48を閉状態にする。本実施形態では、制御部3は、予備吐出処理液戻し状態で供給配管43の内部の薬液が無くなる前に、第1バルブ47の開度を第2の開度から第1の開度にし、第2バルブ48を開状態から閉状態にすることによって、吐出状態にする。
Next, in step S23, the controller 3 sets the degree of opening of the
なお、本実施形態のステップS24及びステップS25は、第1実施形態のステップS24及びステップS25と同様であるため、その説明を省略する。 Note that steps S24 and S25 of the present embodiment are the same as steps S24 and S25 of the first embodiment, so description thereof will be omitted.
以上、図12及び図13を参照して説明したように、本実施形態の基板処理方法は、供給配管43の内部の薬液が無くなる前に、薬液ノズル21を退避位置から処理位置に移動させ、且つ、第1バルブ47の開度を第2の開度から第1の開度にし、第2バルブ48を開状態から閉状態にすることによって、薬液ノズル21から薬液を吐出して基板Wを処理する工程(ステップS22及びステップS23)を含む。従って、予備吐出を行ってから、薬液ノズル21を処理位置に移動させて薬液ノズル21から薬液を吐出するまでの間に、供給配管43及び薬液ノズル21の内部全体に気体が流入することを抑制できる。よって、供給配管43及び薬液ノズル21の内部が気体で汚染されることを抑制できる。
As described above with reference to FIGS. 12 and 13, the substrate processing method of the present embodiment moves the chemical
第2実施形態のその他の構成、基板処理方法、及び効果は、第1実施形態と同様である。 Other configurations, substrate processing methods, and effects of the second embodiment are the same as those of the first embodiment.
(第1変形例)
次に、図14を参照して、本発明の第1変形例による基板処理装置100について説明する。図14は、本発明の第1変形例による基板処理装置100の介装部材46周辺の構造を示す図である。第1変形例では、第1流路R1及び第3流路R3が分岐部42から略水平方向に延びる例について説明する。
(First modification)
Next, referring to FIG. 14, a
図14に示すように、第1変形例では、介装部材46の第1部材46a及び第3部材46cは、略水平方向に延びるように配置される。第2部材46bは、上方向に延びるように配置される。言い換えると、第1流路R1及び第3流路R3は、分岐部42から略水平方向に延びる。また、第2流路R2は、分岐部42から上方に延びる。従って、吐出停止状態において、介装部材46内の薬液が供給配管43に流れ出ることを抑制できるので、薬液ノズル21から薬液が垂れ落ちることをより抑制できる。なお、第1流路R1及び第3流路R3が略水平方向に延びる場合に、第2流路R2が下方に延びてもよい。
As shown in FIG. 14, in the first modified example, the
(第2変形例)
次に、図15を参照して、本発明の第2変形例による基板処理装置100について説明する。図15は、本発明の第2変形例による基板処理装置100の供給機構40周辺の構造を示す図である。第2変形例では、送液配管41、供給配管43及び戻り配管44の分岐点である分岐部42に、介装部材46が設けられていない例について説明する。
(Second modification)
Next, a
図15に示すように、第2変形例では、送液配管41、供給配管43及び戻り配管44の分岐点である分岐部42に、介装部材46が設けられていない。具体的には、分岐部42周辺には、第1流路R1の流路面積を絞る絞り部46dが設けられていない。絞り部46dを設けない場合であっても、上述したように、供給配管43から戻り配管44に薬液を流通させることができる。
As shown in FIG. 15, in the second modified example, the
さらに、この第2実施例では、供給機構40は、介装部材146を備える。なお、分岐部42に介装部材46が設けられていない構成において、介装部材146が設けられていなくてもよい。
Furthermore, in this second embodiment, the
介装部材146は、第1部材46aと、第2部材46bと、第3部材46cとを有する。介装部材146は、介装部材46と同様に構成されているとともに介装部材46と同様の機能を有するため、介装部材146の詳細な説明を省略する。
The interposed
介装部材146の第2部材46bには、戻り配管44が接続される。第1部材46aには、空気又は窒素ガスなどが流入される。第3部材46cは、配管を介して回収タンク51に接続される。第1部材46aに対する空気又は窒素ガスの流入量を調整することによって、絞り部46d(図示せず)を通過した後の内圧を調整することが可能である。よって、第2部材46b内の薬液を第3部材46cに向けて吸引することができるので、戻り配管44を通過する薬液の流量を調整できる。その結果、薬液ノズル21及び供給配管43から分岐部42に薬液を戻す速度を調整できる。
The
以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。 The embodiments of the present invention have been described above with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be embodied in various aspects without departing from the spirit of the present invention. Also, the plurality of constituent elements disclosed in the above embodiments can be modified as appropriate. For example, some of all the components shown in one embodiment may be added to the components of another embodiment, or some configurations of all the components shown in one embodiment may be added. Elements may be deleted from the embodiment.
また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。 In addition, the drawings schematically show each component mainly for easy understanding of the invention, and the thickness, length, number, spacing, etc. It may be different from the actual one due to the convenience of Further, the configuration of each component shown in the above embodiment is an example and is not particularly limited, and it goes without saying that various modifications are possible within a range that does not substantially deviate from the effects of the present invention. .
上記の実施形態では、第1バルブ47は、閉状態において送液配管41の流路を完全に閉じないバルブである例について示したが、本発明はこれに限らない。第1バルブ47は、閉状態において送液配管41の流路を完全に閉じるバルブであってもよい。ただし、この場合、弁体と弁座との接触面積が比較的小さい、例えばモーターニードルバルブを用いることが好ましい。
In the embodiment described above, the
また、上記の実施形態では、薬液ノズル21の先端を、戻り配管44の下流側端部44bの排出口44cよりも高い位置に配置する例について説明したが、本発明はこれに限らない。薬液ノズル21の先端を、戻り配管44の下流側端部44bの排出口44cと同じ位置、又は排出口44cよりも低い位置に配置してもよい。この場合、サイフォンの原理によるサックバックは生じない。
Further, in the above-described embodiment, the tip of the chemical
また、薬液ノズル21の先端を、戻り配管44の下流側端部44bの排出口44cと同じ高さ、又は排出口44cよりも低い位置に配置した場合、第1バルブ47の開度を調整することによって、滞留端部位置Zを、薬液ノズル21の先端から供給配管43の上流側端部43aまでの所定位置に留めることも可能である。
Further, when the tip of the
また、上記の実施形態では、第1バルブ47が開度を調整可能である例について説明したが、本発明はこれに限らず、第1バルブ47は、開度を調整できなくてもよい。つまり、第1バルブ47は、開状態又は閉状態の2つの状態に変更可能であってもよい。
Also, in the above embodiment, an example in which the opening degree of the
また、例えば、第2実施形態では、薬液吐出工程(ステップS23)において、汚染された薬液が基板Wに吐出されることを抑制するために、予備吐出を行って供給配管43及び薬液ノズル21の内部を清浄化する例について説明したが、本発明はこれに限らない。例えば、薬液ノズル21の近傍に分岐部42を配置し、供給配管43を短くしてもよい。この場合、供給配管43の内部の汚染量を抑制できるので、汚染された薬液によって基板Wが汚染されることを抑制できる。
Further, for example, in the second embodiment, in order to suppress the contaminated chemical liquid from being discharged onto the substrate W in the chemical liquid discharge step (step S23), preliminary discharge is performed to prevent the
また、上記の実施形態では、処理液として薬液を用いる例について説明したが、本発明はこれに限らない。処理液としてリンス液を用いてもよい。 Further, in the above embodiment, an example of using a chemical liquid as a processing liquid has been described, but the present invention is not limited to this. A rinse liquid may be used as the treatment liquid.
本発明は、基板処理装置及び基板処理方法の分野に利用可能である。 INDUSTRIAL APPLICABILITY The present invention can be used in the fields of substrate processing apparatuses and substrate processing methods.
3 :制御部
21 :薬液ノズル(ノズル)
22 :ノズル移動ユニット(移動機構)
41 :送液配管
42 :分岐部
43 :供給配管
44 :戻り配管
44c :排出口
47 :第1バルブ
48 :第2バルブ
51 :回収タンク(収容タンク)
100 :基板処理装置
Q1 :第1方向
Q2 :第2方向
Q3 :第3方向
R1 :第1流路
R2 :第2流路
R3 :第3流路
W :基板
θ1 :第1角度
θ2 :第2角度
3: Control unit 21: Chemical liquid nozzle (nozzle)
22: Nozzle moving unit (moving mechanism)
41 : Liquid sending pipe 42 : Branch portion 43 : Supply pipe 44 :
100: substrate processing apparatus Q1: first direction Q2: second direction Q3: third direction R1: first flow path R2: second flow path R3: third flow path W: substrate θ1: first angle θ2: second angle
Claims (13)
前記処理液を案内する送液配管と、
前記送液配管によって案内された前記処理液を前記ノズルに案内する供給配管と、
前記送液配管によって案内された前記処理液を前記供給配管とは異なる経路に沿って案内する戻り配管と、
前記送液配管、前記供給配管及び前記戻り配管の分岐点である分岐部と、
前記送液配管に設けられ、前記送液配管から前記分岐部に供給される処理液の流量を調整可能な第1バルブと、
前記戻り配管に設けられる第2バルブと
を備え、
前記第1バルブを開状態にし、前記第2バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する吐出状態になり、
前記第2バルブを閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる処理液戻し状態になる、基板処理装置。 A substrate processing apparatus for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate from a nozzle,
a liquid feeding pipe that guides the processing liquid;
a supply pipe that guides the processing liquid guided by the liquid supply pipe to the nozzle;
a return pipe that guides the processing liquid guided by the liquid supply pipe along a path different from that of the supply pipe;
a branching portion that is a branching point of the liquid feeding pipe, the supply pipe, and the return pipe;
a first valve provided in the liquid-sending pipe and capable of adjusting the flow rate of the treatment liquid supplied from the liquid-sending pipe to the branch;
a second valve provided in the return pipe,
By opening the first valve and closing the second valve, the processing liquid is circulated from the liquid feeding pipe to the supply pipe, and the processing liquid is discharged from the nozzle. ,
A substrate processing apparatus in which a processing liquid return state in which the processing liquid flows from the supply pipe to the return pipe is established by opening the second valve from a closed state.
前記分岐部に対して前記送液配管側に位置する第1流路と、
前記分岐部に対して前記供給配管側に位置する第2流路と、
前記分岐部に対して前記戻り配管側に位置する第3流路と
を有し、
第1角度は、第2角度よりも大きく、
前記第2角度は、前記分岐部から前記第1流路へ向かう第1方向と、前記分岐部から前記第2流路へ向かう第2方向とがなす角度であり、
前記第1角度は、前記第1方向と、前記分岐部から前記第3流路へ向かう第3方向とがなす角度である、請求項1又は請求項2に記載の基板処理装置。 The flow path through which the treatment liquid passes is
a first flow path located on the side of the liquid sending pipe with respect to the branch;
a second flow path positioned on the supply pipe side with respect to the branch;
a third flow path located on the return pipe side with respect to the branch,
the first angle is greater than the second angle,
The second angle is an angle formed by a first direction from the branch portion toward the first flow channel and a second direction from the branch portion toward the second flow channel,
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said first angle is an angle formed by said first direction and a third direction from said branch portion toward said third channel.
前記第2流路は、前記分岐部から上方に延びる、請求項3に記載の基板処理装置。 the first flow path and the third flow path extend substantially horizontally from the branched portion;
4. The substrate processing apparatus according to claim 3, wherein said second flow path extends upward from said branch portion.
前記ノズルの先端は、前記戻り配管の排出口よりも高い位置に配置される、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載の基板処理装置。 further comprising a storage tank that stores the processing liquid supplied from the return pipe;
5. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein a tip of said nozzle is arranged at a position higher than an outlet of said return pipe.
前記制御部は、前記第1バルブの開度を少なくとも第1の開度及び第2の開度に切り替え可能であり、
前記第2の開度は、前記第1の開度よりも小さく、
前記制御部は、
前記第1バルブの開度を前記第1の開度にし、前記第2バルブを閉状態にすることによって、前記吐出状態にし、
前記第1バルブの開度を前記第2の開度にし、前記第2バルブを開状態にすることによって、前記処理液戻し状態にする、請求項1から請求項6のいずれか1項に記載の基板処理装置。 further comprising a control unit that controls the first valve and the second valve,
The control unit is capable of switching the degree of opening of the first valve to at least a first degree of opening and a second degree of opening,
the second degree of opening is smaller than the first degree of opening;
The control unit
setting the opening of the first valve to the first opening and closing the second valve to set the discharge state;
7. The processing liquid returning state is achieved by setting the opening degree of the first valve to the second opening degree and opening the second valve. substrate processing equipment.
前記第3の開度は、前記第2の開度よりも小さく、
前記制御部は、前記第1バルブの開度を前記第2の開度から前記第3の開度にし、前記第2バルブを前記開状態に保持することによって、前記吐出状態よりも少ない量の前記処理液を前記送液配管から前記戻り配管に流通させる吐出停止状態にする、請求項7に記載の基板処理装置。 The control unit is capable of switching the degree of opening of the first valve to at least the first degree of opening, the second degree of opening, and the third degree of opening,
the third degree of opening is smaller than the second degree of opening;
The controller changes the degree of opening of the first valve from the second degree of opening to the third degree of opening, and maintains the second valve in the open state, thereby reducing the amount of liquid that is smaller than that in the discharge state. 8. The substrate processing apparatus according to claim 7, wherein a discharge stop state is established in which the processing liquid is circulated from the liquid supply pipe to the return pipe.
前記処理位置は、前記基板の上方の位置であり、
前記退避位置は、前記基板の上方から離隔した位置であり、
前記制御部は、
前記移動機構を制御し、
前記第1バルブの開度を前記第1の開度、前記第2の開度、前記第3の開度及び第4の開度に切り替え可能であり、
前記第4の開度は、前記第1の開度よりも小さく、前記第2の開度よりも大きく、
前記制御部は、
前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第1バルブの開度を前記第3の開度から前記第4の開度にし、前記第2バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記送液配管から前記供給配管に前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出する予備吐出状態にし、
前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第1バルブの開度を前記第4の開度から前記第2の開度にし、前記第2バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる予備吐出処理液戻し状態にし、
前記予備吐出処理液戻し状態で前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記処理位置に移動させ、且つ、前記第1バルブの開度を前記第2の開度から前記第1の開度にし、前記第2バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記吐出状態にする、請求項8に記載の基板処理装置。 further comprising a moving mechanism for moving the nozzle between a processing position and a retracted position;
the processing position is a position above the substrate;
The retracted position is a position separated from above the substrate,
The control unit
controlling the movement mechanism;
the degree of opening of the first valve can be switched between the first degree of opening, the second degree of opening, the third degree of opening, and the fourth degree of opening;
the fourth degree of opening is smaller than the first degree of opening and greater than the second degree of opening;
The control unit
changing the opening degree of the first valve from the third opening degree to the fourth opening degree and changing the second valve from the open state to the closed state while the nozzle is arranged at the retracted position; setting a preliminary discharge state in which the processing liquid is circulated from the liquid supply pipe to the supply pipe to discharge the processing liquid from the nozzle;
changing the degree of opening of the first valve from the fourth degree of opening to the second degree of opening, and changing the state of the second valve from the closed state to the open state while the nozzle is arranged at the retracted position; bringing the processing liquid back to a predischarge processing liquid return state in which the processing liquid is circulated from the supply pipe to the return pipe;
The nozzle is moved from the retracted position to the processing position and the opening degree of the first valve is set to the second value before the processing liquid in the supply pipe runs out in the preliminary discharge processing liquid returning state. 9. The substrate processing apparatus according to claim 8, wherein the ejection state is achieved by changing the opening degree from the opening degree to the first opening degree and changing the second valve from the open state to the closed state.
送液配管に設けられた第1バルブを開状態にし、前記送液配管に接続される戻り配管に設けられた第2バルブを閉状態にすることによって、前記送液配管及び前記戻り配管と前記ノズルとに接続される供給配管に、前記送液配管から前記処理液を流通させて前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程と、
前記第2バルブを前記閉状態から開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程と
を含む、基板処理方法。 A substrate processing method for processing a substrate by supplying a processing liquid to the substrate from a nozzle,
By opening a first valve provided in the liquid-sending pipe and closing a second valve provided in a return pipe connected to the liquid-sending pipe, the liquid-sending pipe and the return pipe and the a step of circulating the processing liquid from the liquid supply pipe to a supply pipe connected to a nozzle and discharging the processing liquid from the nozzle to process the substrate;
circulating the processing liquid from the supply pipe to the return pipe by opening the second valve from the closed state.
前記第1バルブの開度を前記第1の開度よりも小さい第2の開度にし、前記第2バルブを開状態にすることによって、前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程を実行する、請求項10に記載の基板処理方法。 performing a step of discharging the treatment liquid from the nozzle by setting the opening degree of the first valve to the first opening degree and closing the second valve;
setting the opening degree of the first valve to a second opening degree smaller than the first opening degree, and opening the second valve to allow the processing liquid to flow through the return pipe; 11. The substrate processing method according to claim 10.
前記ノズルを前記退避位置に配置した状態で、前記第1バルブの開度を前記第4の開度から前記第2の開度にし、前記第2バルブを前記閉状態から前記開状態にすることによって、前記供給配管から前記戻り配管に前記処理液を流通させる工程と、
前記供給配管の内部の前記処理液が無くなる前に、前記ノズルを前記退避位置から前記基板の上方の処理位置に移動させ、且つ、前記第1バルブの開度を前記第2の開度から前記第1の開度にし、前記第2バルブを前記開状態から前記閉状態にすることによって、前記ノズルから前記処理液を吐出して前記基板を処理する工程と
をさらに含む、請求項12に記載の基板処理方法。 The opening of the first valve is changed from the third opening to less than the first opening and less than the second opening while the nozzle is located at a retracted position spaced from above the substrate. is set to a fourth degree of opening, and the second valve is changed from the open state to the closed state, so that the processing liquid is circulated from the liquid supply pipe to the supply pipe, and the processing liquid is discharged from the nozzle. and
changing the degree of opening of the first valve from the fourth degree of opening to the second degree of opening, and changing the state of the second valve from the closed state to the open state while the nozzle is arranged at the retracted position; circulating the treatment liquid from the supply pipe to the return pipe by
Before the processing liquid in the supply pipe runs out, the nozzle is moved from the retracted position to the processing position above the substrate, and the opening of the first valve is changed from the second opening to the above. 13. The process of claim 12, further comprising discharging the processing liquid from the nozzle to process the substrate by setting the opening to a first degree and changing the second valve from the open state to the closed state. substrate processing method.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021214591A JP2023098079A (en) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | Substrate processing device and substrate processing method |
PCT/JP2022/046002 WO2023127493A1 (en) | 2021-12-28 | 2022-12-14 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
TW111149861A TW202335073A (en) | 2021-12-28 | 2022-12-26 | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021214591A JP2023098079A (en) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | Substrate processing device and substrate processing method |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023098079A true JP2023098079A (en) | 2023-07-10 |
Family
ID=86998720
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021214591A Pending JP2023098079A (en) | 2021-12-28 | 2021-12-28 | Substrate processing device and substrate processing method |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2023098079A (en) |
TW (1) | TW202335073A (en) |
WO (1) | WO2023127493A1 (en) |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5977058B2 (en) * | 2012-03-28 | 2016-08-24 | 株式会社Screenホールディングス | Treatment liquid supply apparatus and treatment liquid supply method |
JP6359925B2 (en) * | 2014-09-18 | 2018-07-18 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing equipment |
JP6975018B2 (en) * | 2017-02-22 | 2021-12-01 | 株式会社Screenホールディングス | Board processing equipment |
JP7132054B2 (en) * | 2018-09-21 | 2022-09-06 | 株式会社Screenホールディングス | SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD |
-
2021
- 2021-12-28 JP JP2021214591A patent/JP2023098079A/en active Pending
-
2022
- 2022-12-14 WO PCT/JP2022/046002 patent/WO2023127493A1/en unknown
- 2022-12-26 TW TW111149861A patent/TW202335073A/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW202335073A (en) | 2023-09-01 |
WO2023127493A1 (en) | 2023-07-06 |
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