JP2023093727A

JP2023093727A - Light-emitting device

Info

Publication number: JP2023093727A
Application number: JP2023074611A
Authority: JP
Inventors: 秀隆大峡; Hidetaka Ohazama; 健太島崎; Kenta SHIMAZAKI; 昌紀駒田; Masanori Komada; 賢一奥山; Kenichi Okuyama
Original assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Electronic Corp
Current assignee: Tohoku Pioneer Corp; Pioneer Corp
Priority date: 2019-12-02
Filing date: 2023-04-28
Publication date: 2023-07-04
Anticipated expiration: 2034-02-26
Also published as: JP2021166202A; JP7493080B2; JP2020038846A

Abstract

To reduce connection resistance between a terminal of a light-emitting device and a conductive member.SOLUTION: A light-emitting device 10 includes a substrate 100, a light-emitting element 102, and a terminal 302 (first terminal). The terminal 302 includes a first layer 324 and a second layer 326. The second layer 326 is formed on the first layer 324. The width of the second layer 326 is narrower than that of the first layer 324. Therefore, a part of the first layer 324 protrudes from the second layer 326. The light-emitting device 10 is, for example, a display, but may be a lighting device.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、発光装置に関する。 The present invention relates to light emitting devices.

近年は、発光装置の光源に有機ＥＬ素子が用いられるようになっている。有機ＥＬ素子は、有機層を２つの電極で挟んだ構成を有している。そして、これら２つの電極は、配線を介して端子に接続している。 In recent years, organic EL elements have been used as light sources for light emitting devices. An organic EL element has a structure in which an organic layer is sandwiched between two electrodes. These two electrodes are connected to terminals via wiring.

特許文献１には、配線の一部に透明導電膜と金属膜の積層構造を用いることが記載されている。特許文献１において、配線の金属層には、クロム、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、モリブデン、チタン、タングステン、タンタルなどの単層又はこれらの金属の２層～３層の積層膜が用いられている。 Patent Document 1 describes that a laminated structure of a transparent conductive film and a metal film is used for part of the wiring. In Patent Document 1, a single layer of chromium, aluminum, aluminum alloy, silver, silver alloy, molybdenum, titanium, tungsten, tantalum, or the like, or a laminated film of two or three layers of these metals is used for the metal layer of the wiring. It is

特開２００３－１６３０８０号公報JP-A-2003-163080

発光装置の端子は、リード端子やボンディングワイヤなどの導電部材を介して、制御回路に接続している。ここで、発光装置の消費電力を低下させたり寿命を延ばすためには、発光装置の端子と導電部材の接続抵抗を低くする必要がある。 Terminals of the light emitting device are connected to a control circuit via conductive members such as lead terminals and bonding wires. Here, in order to reduce the power consumption of the light-emitting device and extend the life of the light-emitting device, it is necessary to reduce the connection resistance between the terminals of the light-emitting device and the conductive member.

本発明が解決しようとする課題としては、発光装置の端子と導電部材の接続抵抗を低くすることが一例として挙げられる。 One example of the problem to be solved by the present invention is to reduce the connection resistance between the terminal of the light emitting device and the conductive member.

本発明の一例は、基板と、
前記基板に形成された発光素子と、
前記基板に形成され、前記発光素子に電気的に接続する第１端子と、
を備え、
前記第１端子は、第１層と、前記第１層の上に形成された第２層を備え、
前記第２層の幅は、前記第１層の幅よりも狭い発光装置である。 An example of the invention includes a substrate,
a light emitting element formed on the substrate;
a first terminal formed on the substrate and electrically connected to the light emitting element;
with
the first terminal comprises a first layer and a second layer formed on the first layer;
In the light emitting device, the width of the second layer is narrower than the width of the first layer.

実施形態に係る発光装置の構成を示す平面図である。It is a top view which shows the structure of the light-emitting device which concerns on embodiment. 発光素子の構成を示すための断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the configuration of a light emitting element; 端子の構成を説明するためのＡ－Ａ断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA for explaining the configuration of a terminal; 実施例１に係る発光装置の平面図である。1 is a plan view of a light emitting device according to Example 1. FIG. 図４から封止部材、隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。It is the figure which removed the sealing member, the partition, the 2nd electrode, the organic layer, and the insulating layer from FIG. 図４のＢ－Ｂ断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 4; 図４のＣ－Ｃ断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line CC of FIG. 4; 図４のＤ－Ｄ断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG. 4; 図４のＥ－Ｅ断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. 4; 実施例２に係る発光装置の構成を示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing the configuration of a light emitting device according to Example 2; 図１０から封止部材、隔壁、第２電極、有機層、及び絶縁層を取り除いた図である。FIG. 11 is a diagram from which the sealing member, the partition, the second electrode, the organic layer, and the insulating layer are removed from FIG. 10; 図１０のＧ－Ｇ断面図である。FIG. 11 is a cross-sectional view taken along line GG of FIG. 10; 実施例３に係る発光装置の構成を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing the configuration of a light emitting device according to Example 3; 図１２のＥ－Ｅ断面図である。FIG. 13 is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. 12;

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。 BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. In addition, in all the drawings, the same constituent elements are denoted by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted as appropriate.

図１は、実施形態に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図２は、発光素子１０２の構成を示すための断面図である。図３は、端子３０２の構成を説明するためのＡ－Ａ断面図である。実施形態に係る発光装置１０は、基板１００、発光素子１０２、及び端子３０２（第１端子）を備えている。端子３０２は、第１層３２４と、第２層３２６とを備えている。第２層３２６は、第１層３２４の上に形成されている。また、第２層３２６の幅は、第１層３２４の幅よりも狭い。このため、第１層３２４の一部は第２層３２６からはみ出ている。発光装置１０は、例えばディスプレイであるが、照明装置であってもよい。以下、詳細に説明する。 FIG. 1 is a plan view showing the configuration of a light emitting device 10 according to an embodiment. FIG. 2 is a cross-sectional view showing the configuration of the light emitting element 102. As shown in FIG. FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line AA for explaining the configuration of the terminal 302. As shown in FIG. The light emitting device 10 according to the embodiment includes a substrate 100, a light emitting element 102, and terminals 302 (first terminals). Terminal 302 comprises a first layer 324 and a second layer 326 . A second layer 326 is formed over the first layer 324 . Also, the width of the second layer 326 is narrower than the width of the first layer 324 . Therefore, part of the first layer 324 protrudes from the second layer 326 . The light emitting device 10 is, for example, a display, but may also be a lighting device. A detailed description will be given below.

基板１００は、例えばガラス基板や樹脂基板などの透明基板である。基板１００は、可撓性を有していてもよい。この場合、基板１００の厚さは、例えば１０μｍ以上１０００μｍ以下である。この場合においても、基板１００は無機材料及び有機材料のいずれで形成されていてもよい。基板１００は、例えば矩形などの多角形である。 The substrate 100 is, for example, a transparent substrate such as a glass substrate or a resin substrate. The substrate 100 may have flexibility. In this case, the thickness of the substrate 100 is, for example, 10 μm or more and 1000 μm or less. Also in this case, the substrate 100 may be made of either an inorganic material or an organic material. The substrate 100 is polygonal, for example rectangular.

発光素子１０２は、例えば有機ＥＬ素子であり、図２に示すように、第１電極１１０及び第２電極１５０の間に有機層１４０を挟んだ構成を有している。有機層１４０は、正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層をこの順に積層した構成を有している。第１電極１１０が陽極の場合は、正孔輸送層が第１電極１１０の上に形成される。また、第１電極１１０が陰極の場合は、電子輸送層が第１電極１１０の上に形成される。なお、正孔輸送層と発光層の間に正孔注入層が設けられていても良いし、電子輸送層と発光層の間に電子注入層が設けられていても良い。有機層１４０の各層は、塗布法によって形成されても蒸着法によって形成されてもよく、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。なお、有機層１４０は蒸着材料を用いて蒸着法で形成してもよく、また、塗布材料を用いて、インクジェット法、印刷法、スプレー法で形成してもよい。 The light-emitting element 102 is, for example, an organic EL element, and has a structure in which an organic layer 140 is sandwiched between a first electrode 110 and a second electrode 150, as shown in FIG. The organic layer 140 has a structure in which a hole-transporting layer, a light-emitting layer, and an electron-transporting layer are laminated in this order. If the first electrode 110 is the anode, a hole transport layer is formed over the first electrode 110 . Also, when the first electrode 110 is a cathode, an electron transport layer is formed on the first electrode 110 . A hole injection layer may be provided between the hole transport layer and the light emitting layer, or an electron injection layer may be provided between the electron transport layer and the light emitting layer. Each layer of the organic layer 140 may be formed by a coating method or by a vapor deposition method, or may be partially formed by a coating method and the rest by a vapor deposition method. Note that the organic layer 140 may be formed by a vapor deposition method using a vapor deposition material, or may be formed by an inkjet method, a printing method, or a spray method using a coating material.

第１電極１１０及び第２電極１５０のうち少なくとも一方は透光性の電極になっている。また、残りの電極は、例えばＡｌやＡｇなどの金属によって形成されている。透光性の電極の材料は、例えば、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）やＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）等の無機材料、またはポリチオフェン誘導体などの導電性高分子、又は銀もしくは炭素からなるナノワイヤを利用した網目状電極である。本図に示す例では、ボトムエミッション型の発光素子１０２であって、第１電極１１０は透光性の電極になっており、第２電極１５０は、Ａｌなど光を反射する電極になっている。また、トップエミッション型の発光素子１０２であって、基板１００の上に第１電極１１０、有機層１４０、及び第２電極１５０をこの順に積層した構成を有している場合、第１電極１１０はＡｌなど光を反射する電極になっており、第２電極１５０は透光性の電極になっている。また、両方の電極（第１電極１１０、第２電極１５０）を透光性の電極として、透光型の発光装置としても良い（デュアルエミッション型）。 At least one of the first electrode 110 and the second electrode 150 is a translucent electrode. The remaining electrodes are made of metal such as Al or Ag. The material of the translucent electrode is, for example, an inorganic material such as ITO (Indium Tin Oxide) or IZO (Indium Zinc Oxide), a conductive polymer such as a polythiophene derivative, or a network using nanowires made of silver or carbon. electrodes. In the example shown in this figure, the light emitting element 102 is of a bottom emission type, the first electrode 110 is a translucent electrode, and the second electrode 150 is an electrode such as Al that reflects light. . Further, when the top-emission light-emitting element 102 has a structure in which the first electrode 110, the organic layer 140, and the second electrode 150 are stacked in this order on the substrate 100, the first electrode 110 is It is an electrode such as Al that reflects light, and the second electrode 150 is a translucent electrode. Alternatively, both electrodes (the first electrode 110 and the second electrode 150) may be translucent electrodes to form a translucent light emitting device (dual emission type).

基板１００の上には、発光素子１０２を区画するために、絶縁層１２０が形成されている。絶縁層１２０は開口１２２を有しており、発光素子１０２は開口１２２の中に形成されている。絶縁層１２０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。絶縁層１２０としては、例えば、ポジ型の感光性樹脂が用いられる。なお、絶縁層１２０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂であっても良い。 An insulating layer 120 is formed on the substrate 100 to partition the light emitting elements 102 . The insulating layer 120 has an opening 122 and the light emitting element 102 is formed in the opening 122 . The insulating layer 120 is, for example, a photosensitive resin such as polyimide resin, and is formed into a desired pattern by exposure and development. As the insulating layer 120, for example, a positive photosensitive resin is used. Note that the insulating layer 120 may be made of a resin other than the polyimide resin, such as an epoxy resin or an acrylic resin.

発光装置１０がディスプレイの場合、絶縁層１２０には複数の開口１２２が形成されており、これら複数の開口１２２を用いて複数の発光素子１０２が形成されている。また発光装置１０が照明装置の場合、絶縁層１２０には一つの開口１２２が形成されている場合もあれば、複数の開口１２２が形成されている場合もある。後者の場合、これら複数の開口１２２を用いて複数の発光素子１０２が形成されている。 When the light-emitting device 10 is a display, a plurality of openings 122 are formed in the insulating layer 120, and a plurality of light-emitting elements 102 are formed using these plurality of openings 122. FIG. When the light emitting device 10 is a lighting device, the insulating layer 120 may have one opening 122 or may have a plurality of openings 122 . In the latter case, multiple light emitting elements 102 are formed using these multiple openings 122 .

端子３０２と発光素子１０２は、配線３００を介して互いに接続している。配線３００は、導電層によって形成されている。本図に示す例では、配線３００は透明導電層３１０によって形成されている。透明導電層３１０は、例えば発光素子１０２が有する２つの電極のうち基板１００側に位置する電極と同様の材料（例えば透光性の導電材料）によって形成されている。 The terminal 302 and the light emitting element 102 are connected to each other via the wiring 300 . The wiring 300 is formed of a conductive layer. In the example shown in this figure, the wiring 300 is formed of a transparent conductive layer 310 . The transparent conductive layer 310 is made of, for example, the same material as the electrode located on the substrate 100 side of the two electrodes of the light emitting element 102 (for example, a translucent conductive material).

そして図３に示すように、端子３０２は、透明導電層３１０の上に導電層３２０を積層した構成を有している。導電層３２０は、第３層３２２、第１層３２４、及び第２層３２６をこの順に積層した多層構造になっている。第１層３２４は、例えばＡｌ又はＡｌ合金で形成されており、第２層３２６及び第３層３２２は、Ｍｏ又はＭｏ合金で形成されている。第１層３２４がＡｌＮｄ合金で形成されている場合、第２層３２６及び第３層３２２は、ＭｏＮｂ合金で形成されている。第２層３２６の幅は第１層３２４の幅よりも狭い。このため、第１層３２４の縁は第２層３２６で覆われていない。 Then, as shown in FIG. 3, the terminal 302 has a configuration in which a conductive layer 320 is laminated on the transparent conductive layer 310 . The conductive layer 320 has a multilayer structure in which a third layer 322, a first layer 324, and a second layer 326 are laminated in this order. The first layer 324 is made of Al or Al alloy, for example, and the second layer 326 and the third layer 322 are made of Mo or Mo alloy. When the first layer 324 is made of AlNd alloy, the second layer 326 and third layer 322 are made of MoNb alloy. The width of the second layer 326 is narrower than the width of the first layer 324 . Therefore, the edges of the first layer 324 are not covered with the second layer 326 .

また、第２層３２６は第３層３２２よりも薄い。第３層３２２の厚さは、例えば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下であり、第２層３２６の厚さは、例えば５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。そして、第１層３２４の側面は、上に行くにつれて第１層３２４の幅が細くなる方向に傾斜している。第１層３２４の厚さは、例えば１００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下である。 Also, the second layer 326 is thinner than the third layer 322 . The thickness of the third layer 322 is, for example, 40 nm or more and 60 nm or less, and the thickness of the second layer 326 is, for example, 5 nm or more and 20 nm or less. The side surfaces of the first layer 324 are inclined in a direction in which the width of the first layer 324 becomes narrower as it goes upward. The thickness of the first layer 324 is, for example, 100 nm or more and 1000 nm or less.

ここで、発光素子１０２の配線３００は、透明導電層３１０としてＩＴＯ、導電層３２０としてアルミニウムを利用する場合が多い。特に、導電層３２０は、ＭｏＮｂ／ＡｌＮｄ／ＭｏＮｂの積層構造を採用している場合が多い。この理由は、以下の通りである。 Here, the wiring 300 of the light emitting element 102 often uses ITO as the transparent conductive layer 310 and aluminum as the conductive layer 320 . In particular, the conductive layer 320 often employs a laminated structure of MoNb/AlNd/MoNb. The reason for this is as follows.

まず、アルミニウムとＩＴＯとを直接接触させた場合、電気化学的効果により、ＩＴＯの化学的耐性が弱まる。また、アルミニウムとＩＴＯとの電気的な接触は粗悪であり、これらの間の接触抵抗は経時劣化してしまう。これらの問題を避けるため、アルミニウムとＩＴＯとの間にモリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）など異種金属を介在させ、直接の接触を絶つことが好ましい。特に、Ｍｏは、アルミニウムとＩＴＯとの反応を遮断し、両者との接触抵抗も低い。 First, direct contact between aluminum and ITO weakens the chemical resistance of ITO due to electrochemical effects. Also, the electrical contact between aluminum and ITO is poor, and the contact resistance between them deteriorates over time. In order to avoid these problems, it is preferable to interpose a dissimilar metal such as molybdenum (Mo) or chromium (Cr) between aluminum and ITO to break direct contact. In particular, Mo blocks the reaction between aluminum and ITO, and the contact resistance between them is low.

更に、アルミニウムやアルミニウムにネオジウム（Ｎｄ）を含有したＡｌＮｄ合金には酸化しやすいものが多い。導電層３２０を形成する材料が酸化された場合、その酸化物中の酸素がアルミニウムやＡｌＮｄ合金に拡散するおそれが生じる。この現象を抑制するために、特定の数量のニオブ（Ｎｂ）を含有したＭｏＮｂ合金層を導電層３２０の表面に保護膜として形成する。この保護層（ＭｏＮｂ）およびＡｌＮｄ合金の導電層３２０は燐酸、酢酸、及び硝酸の混合水溶液よりなるエッチング液で一括エッチングすることも可能である。有機ＥＬ素子を用いた一般的な発光装置において、絶縁層１２０の材料であるポリイミド膜をスピンコーティングし、フォトリソ工程でパターニングを行った後、３２０℃程度の温度で熱処理することにより、絶縁層１２０を作成する。この熱処理により、導電層３２０のＡｌＮｄ合金の抵抗を低くすることができる。この理由は、熱処理の熱でＮｄがＡｌの粒界に移動するためと考えられる。 Furthermore, many of aluminum and AlNd alloys containing neodymium (Nd) in aluminum are easily oxidized. When the material forming the conductive layer 320 is oxidized, oxygen in the oxide may diffuse into aluminum or AlNd alloy. In order to suppress this phenomenon, a MoNb alloy layer containing a specific amount of niobium (Nb) is formed on the surface of the conductive layer 320 as a protective film. The protective layer (MoNb) and the AlNd alloy conductive layer 320 can be etched together with an etchant consisting of a mixed aqueous solution of phosphoric acid, acetic acid, and nitric acid. In a general light-emitting device using an organic EL element, a polyimide film, which is the material of the insulating layer 120, is spin-coated, patterned by a photolithography process, and then heat-treated at a temperature of about 320° C. to form the insulating layer 120. to create This heat treatment can lower the resistance of the AlNd alloy of the conductive layer 320 . The reason for this is thought to be that the heat of the heat treatment causes Nd to migrate to the grain boundaries of Al.

次に、発光装置１０の製造方法について説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０となる導電層を形成する。次いで、この導電層をエッチング（例えばドライエッチング又はウェットエッチング）などを利用し、選択的に除去する。これにより、基板１００上には、第１電極１１０及び配線３００の透明導電層３１０が形成される。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 will be described. First, a conductive layer to be the first electrode 110 is formed on the substrate 100 . Then, the conductive layer is selectively removed using etching (for example, dry etching or wet etching). Accordingly, the transparent conductive layer 310 of the first electrode 110 and the wiring 300 is formed on the substrate 100 .

次いで、基板１００上及び透明導電層３１０上に、導電層３２０の第３層３２２となる導電層、第１層３２４となる導電層、及び第２層３２６となる導電層をこの順に形成する。これらの各層は、例えばスパッタリング法や蒸着法を用いて形成される。次いで、これらの導電層の上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてエッチング（例えばウェットエッチング）を行う。これにより、透明導電層３１０上には導電層３２０が形成される。 Next, a conductive layer to be the third layer 322 of the conductive layer 320, a conductive layer to be the first layer 324, and a conductive layer to be the second layer 326 are formed in this order over the substrate 100 and the transparent conductive layer 310. FIG. Each of these layers is formed using, for example, a sputtering method or a vapor deposition method. Next, a resist pattern is formed on these conductive layers, and etching (for example, wet etching) is performed using this resist pattern as a mask. Accordingly, a conductive layer 320 is formed on the transparent conductive layer 310 .

ここで、第１層３２４は第２層３２６よりもエッチングされやすい。このため、第２層３２６を厚く形成した場合、第２層３２６のうちレジストパターンで覆われていない領域が除去される前に、第１層３２４が側面からエッチングされていく。このため、第１層３２４の側面は第２層３２６の側面よりも配線３００の内側に位置してしまう。これに対して本実施形態では、第２層３２６の厚さは２０ｎｍ以下である。このため、第１層３２４の側面が第２層３２６の側面よりも配線３００の内側に位置することを抑制できる。例えば、透明導電層３１０の幅の設計値を１５．０μｍ、ＭｏＮｂ合金層の第２層３２６の厚さを５～２０ｎｍの範囲とした場合、側面からのエッチングにより、ＡｌＮｄ合金の第１層３２４の幅１４．４μｍ、第２層３２６は１４．０μｍとなる。この結果、第１層３２４の側面は、上に行くにつれて第１層３２４の幅が狭くなる方向に傾斜する。そして、第２層３２６の幅は、第１層３２４の幅よりも片側が０．２μｍづつ狭くなる。なお、端子３０２の先端においても、第２層３２６の縁は、第１層３２４の縁よりも端子３０２の内側に位置している。 Here, the first layer 324 is easier to etch than the second layer 326 . Therefore, when the second layer 326 is formed thick, the first layer 324 is etched from the side surface before the area of the second layer 326 not covered with the resist pattern is removed. Therefore, the side surface of the first layer 324 is positioned inside the wiring 300 with respect to the side surface of the second layer 326 . In contrast, in this embodiment, the thickness of the second layer 326 is 20 nm or less. Therefore, it is possible to prevent the side surface of the first layer 324 from being located inside the wiring 300 with respect to the side surface of the second layer 326 . For example, when the design value of the width of the transparent conductive layer 310 is 15.0 μm and the thickness of the second layer 326 of the MoNb alloy layer is in the range of 5 to 20 nm, the first layer 324 of the AlNd alloy is etched from the side surface. is 14.4 μm, and the width of the second layer 326 is 14.0 μm. As a result, the side surfaces of the first layer 324 are inclined in a direction in which the width of the first layer 324 narrows upward. The width of the second layer 326 is narrower than the width of the first layer 324 by 0.2 μm on one side. Also at the tip of the terminal 302 , the edge of the second layer 326 is located inside the terminal 302 with respect to the edge of the first layer 324 .

なお、第２層３２６の厚さが５ｎｍ未満の場合、このエッチングにおいて第２層３２６の全てが除去される可能性が出てくる。この場合、第１層３２４もエッチングによって除去される可能性が高くなる。 If the thickness of the second layer 326 is less than 5 nm, there is a possibility that the entire second layer 326 will be removed in this etching. In this case, there is a high possibility that the first layer 324 will also be removed by etching.

次いで、基板１００上、第１電極１１０上、及び配線３００に絶縁層を形成し、この絶縁層を、薬液（例えば現像液）を利用して選択的に除去する。これにより、絶縁層１２０及び開口１２２が形成される。絶縁層１２０が絶縁層で形成されている場合、絶縁層１２０及び開口１２２は、露光処理及び現像処理によって形成される。絶縁層１２０がポリイミドで形成されている場合、絶縁層１２０には、さらに加熱処理が行われる。これにより、絶縁層１２０のイミド化が進む。 Next, an insulating layer is formed on the substrate 100, the first electrode 110, and the wiring 300, and the insulating layer is selectively removed using a chemical solution (eg, developer). Thereby, an insulating layer 120 and an opening 122 are formed. When the insulating layer 120 is formed of an insulating layer, the insulating layer 120 and the opening 122 are formed by exposure processing and development processing. When the insulating layer 120 is made of polyimide, the insulating layer 120 is further subjected to heat treatment. Thereby, imidization of the insulating layer 120 progresses.

次いで、開口１２２内に有機層１４０を形成する。有機層１４０は、全ての層を塗布法によって形成されてもよいし、全ての層を蒸着法によって形成されてもよいし、一部を塗布法、残りを蒸着法で形成しても良い。有機層１４０を構成する少なくとも一つの層（例えば正孔輸送層）は、例えばスプレー塗布、ディスペンサー塗布、インクジェット、又は印刷などの塗布法を用いて形成されてもよい。なお、有機層１４０の残りの層は、例えば蒸着法を用いて形成されるが、これらの層も塗布法を用いて形成されてもよい。 An organic layer 140 is then formed within the opening 122 . All layers of the organic layer 140 may be formed by coating, all layers may be formed by vapor deposition, or some may be formed by coating and the rest by vapor deposition. At least one layer (for example, a hole transport layer) that constitutes the organic layer 140 may be formed using a coating method such as spray coating, dispenser coating, inkjet, or printing. Note that the remaining layers of the organic layer 140 are formed using, for example, a vapor deposition method, but these layers may also be formed using a coating method.

次いで、有機層１４０上に第２電極１５０を、例えば蒸着法やスパッタリング法を用いて形成する。 Next, the second electrode 150 is formed on the organic layer 140 using, for example, vapor deposition or sputtering.

以上、本実施形態によれば、端子３０２は、第１層３２４及び第２層３２６を有している。そして、第２層３２６の幅は第１層３２４の幅よりも狭い。従って、第２層３２６から第１層３２４が食み出している。その結果、端子３０２に接続する導通部材（例えばリード端子やボンディングワイヤ）は、第１層３２４及び第２層３２６の双方に接触することができる。従って、導通部材が第２層３２６のみと接触する場合と比較して、導通部材と端子３０２の接続部には金属間化合物が形成されやすい。従って端子３０２と導通部材の接続を強固にして、これらの間の接続抵抗を低くすることができる。 As described above, according to this embodiment, the terminal 302 has the first layer 324 and the second layer 326 . And the width of the second layer 326 is narrower than the width of the first layer 324 . Therefore, the first layer 324 protrudes from the second layer 326 . As a result, a conductive member (eg, a lead terminal or bonding wire) that connects to terminal 302 can contact both first layer 324 and second layer 326 . Therefore, an intermetallic compound is likely to be formed at the connecting portion between the conducting member and the terminal 302 as compared with the case where the conducting member contacts only the second layer 326 . Therefore, the connection between the terminal 302 and the conductive member can be strengthened, and the connection resistance between them can be reduced.

また、第２層３２６の厚さは２０ｎｍ以下である。従って、容易に第２層３２６の幅を第１層３２４の幅よりも狭くすることができる。 Also, the thickness of the second layer 326 is 20 nm or less. Therefore, the width of the second layer 326 can be easily made narrower than the width of the first layer 324 .

（実施例１）
図４は、実施例１に係る発光装置１０の平面図である。図５は、図４から封止部材２００、隔壁１７０、第２電極１５０、有機層１４０、及び絶縁層１２０を取り除いた図である。図６は図４のＢ－Ｂ断面図であり、図７は図４のＣ－Ｃ断面図であり、図８は図４のＤ－Ｄ断面図である。図９は図４のＥ－Ｅ断面図である。なお、図４のＦ－Ｆ断面図も、図９と同様である。本図に示す発光装置１０は、例えばディスプレイとして用いられる。 (Example 1)
FIG. 4 is a plan view of the light emitting device 10 according to Example 1. FIG. FIG. 5 is a diagram in which the sealing member 200, the partition wall 170, the second electrode 150, the organic layer 140, and the insulating layer 120 are removed from FIG. 6 is a sectional view taken along line BB in FIG. 4, FIG. 7 is a sectional view taken along line CC in FIG. 4, and FIG. 8 is a sectional view taken along line DD in FIG. FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line EE of FIG. Note that the cross-sectional view taken along line FF of FIG. 4 is the same as that of FIG. The light-emitting device 10 shown in this figure is used, for example, as a display.

発光装置１０は、基板１００、第１電極１１０、発光素子１０２、絶縁層１２０、複数の開口１２２、複数の開口１２４、複数の引出配線１３０、複数の第１端子１３６、有機層１４０、第２電極１５０、複数の引出配線１６０、複数の第２端子１６６、及び複数の隔壁１７０を有している。第１端子１３６及び第２端子１６６は、実施形態における端子３０２に対応しており、引出配線１３０，１６０は、実施形態における配線３００に対応している。 The light emitting device 10 includes a substrate 100, a first electrode 110, a light emitting element 102, an insulating layer 120, a plurality of openings 122, a plurality of openings 124, a plurality of lead wires 130, a plurality of first terminals 136, an organic layer 140, a second It has an electrode 150 , a plurality of lead wires 160 , a plurality of second terminals 166 , and a plurality of partition walls 170 . A first terminal 136 and a second terminal 166 correspond to the terminal 302 in the embodiment, and lead wirings 130 and 160 correspond to the wiring 300 in the embodiment.

第１電極１１０は、基板１００の第１面側に形成され、第１方向（図４におけるＹ方向）にライン状に延在している。第１電極１１０は実施形態に示した透光性の電極である。第１電極１１０は、光が透過する程度に薄い金属薄膜であっても良い。そして第１電極１１０の端部は、引出配線１３０に接続している。 The first electrode 110 is formed on the first surface side of the substrate 100 and extends linearly in the first direction (the Y direction in FIG. 4). The first electrode 110 is the translucent electrode shown in the embodiment. The first electrode 110 may be a metal thin film thin enough to transmit light. An end portion of the first electrode 110 is connected to the lead wiring 130 .

引出配線１３０は、第１電極１１０を第１端子１３６に接続する配線である。本図に示す例では、引出配線１３０の一端側は第１電極１１０に接続しており、引出配線１３０の他端側は第１端子１３６となっている。引出配線１３０は、実施形態における配線３００の一例であり、透明導電層３１０の上に導電層３２０を積層した構成を有している。透明導電層３１０は第１電極１１０と一体になっている。 The lead wiring 130 is wiring that connects the first electrode 110 to the first terminal 136 . In the example shown in this figure, one end side of the lead wire 130 is connected to the first electrode 110 , and the other end side of the lead wire 130 is the first terminal 136 . The lead wiring 130 is an example of the wiring 300 in the embodiment, and has a configuration in which a conductive layer 320 is laminated on a transparent conductive layer 310 . The transparent conductive layer 310 is integrated with the first electrode 110 .

絶縁層１２０は、図４、及び図６～図８に示すように、複数の第１電極１１０上及びその間の領域に形成されている。絶縁層１２０には、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成されている。複数の第２電極１５０は、詳細を後述するように、第１電極１１０と交差する方向（例えば直交する方向：図４におけるＸ方向）に互いに平行に延在している。そして、複数の第２電極１５０の間には、詳細を後述する隔壁１７０が延在している。開口１２２は、平面視で第１電極１１０と第２電極１５０の交点に位置している。複数の開口１２２は、所定の間隔を空けて設けられている。そして、複数の開口１２２は、第１電極１１０が延在する方向（図４におけるＹ方向）に並んでいる。また、複数の開口１２２は、第２電極１５０の延在方向（図４におけるＸ方向）にも並んでいる。このため、複数の開口１２２はマトリクスを構成するように配置されていることになる。 The insulating layer 120 is formed on and between the plurality of first electrodes 110, as shown in FIGS. 4 and 6-8. A plurality of openings 122 and a plurality of openings 124 are formed in the insulating layer 120 . The plurality of second electrodes 150 extend parallel to each other in a direction intersecting with the first electrodes 110 (for example, a direction perpendicular to them: the X direction in FIG. 4), as will be described later in detail. Between the plurality of second electrodes 150, partition walls 170, the details of which will be described later, extend. The opening 122 is located at the intersection of the first electrode 110 and the second electrode 150 in plan view. A plurality of openings 122 are provided at predetermined intervals. The plurality of openings 122 are arranged in the direction in which the first electrode 110 extends (the Y direction in FIG. 4). The plurality of openings 122 are also arranged in the extending direction of the second electrode 150 (the X direction in FIG. 4). Therefore, the plurality of openings 122 are arranged to form a matrix.

開口１２４は、平面視で複数の第２電極１５０のそれぞれの一端側に位置している。また開口１２４は、開口１２２が構成するマトリクスの一辺に沿って配置されている。そしてこの一辺に沿う方向（例えば図４におけるＹ方向、すなわち第１電極１１０に沿う方向）で見た場合、開口１２４は、所定の間隔で配置されている。開口１２４からは、引出配線１６０の一部分が露出している。そして、引出配線１６０は、開口１２４を介して第２電極１５０に接続している。言い換えると、複数の引出配線１６０は、互いに異なる発光素子１０２に接続している。 The opening 124 is positioned on one end side of each of the plurality of second electrodes 150 in plan view. The openings 124 are arranged along one side of the matrix formed by the openings 122 . When viewed in the direction along this side (for example, the Y direction in FIG. 4, that is, the direction along the first electrode 110), the openings 124 are arranged at predetermined intervals. A portion of the lead wiring 160 is exposed from the opening 124 . The lead wiring 160 is connected to the second electrode 150 through the opening 124 . In other words, the plurality of lead wirings 160 are connected to different light emitting elements 102 .

引出配線１６０は、第２電極１５０を第２端子１６６に接続する配線である。引出配線１６０の一端側は開口１２４の下に位置しており、引出配線１６０の他端側は、絶縁層１２０の外部に引き出されている。そして本図に示す例では、引出配線１６０の他端側が第２端子１６６となっている。引出配線１６０は実施形態における配線３００の一例であり、第２端子１６６は、実施形態の端子３０２の一例である。引出配線１６０は、透明導電層３１０の上に導電層３２０を積層した構成を有している。この透明導電層３１０も第１電極１１０と同様の材料によって形成されている。また、この導電層３２０も実施形態における導電層３２０と同様の構成を有している。 The lead wiring 160 is wiring that connects the second electrode 150 to the second terminal 166 . One end side of the lead wiring 160 is located under the opening 124 , and the other end side of the lead wiring 160 is drawn to the outside of the insulating layer 120 . In the example shown in this figure, the second terminal 166 is on the other end side of the lead wiring 160 . The lead wire 160 is an example of the wire 300 in the embodiment, and the second terminal 166 is an example of the terminal 302 in the embodiment. The lead wiring 160 has a configuration in which a conductive layer 320 is laminated on a transparent conductive layer 310 . This transparent conductive layer 310 is also made of the same material as the first electrode 110 . Moreover, this conductive layer 320 also has the same configuration as the conductive layer 320 in the embodiment.

なお、本図に示す例において、引出配線１３０において、導電層３２０の第２層３２６の縁は、平面視において複数の凹凸を有している。言い換えると、平面視において、引出配線１３０の第２層３２６の縁は、引出配線１６０の第２層３２６の縁と比較して大きな凹凸を有している。これは、詳細を後述するように、導電層３２０をウェットエッチングで形成するときに、引出配線１３０は第１電極１１０に接続しているため、電気化学的な条件に差が生じるため、と考えられる。 In the example shown in this figure, the edge of the second layer 326 of the conductive layer 320 in the lead wire 130 has a plurality of irregularities in plan view. In other words, in plan view, the edge of the second layer 326 of the lead wire 130 has greater unevenness than the edge of the second layer 326 of the lead wire 160 . As will be described in detail later, it is considered that the lead wiring 130 is connected to the first electrode 110 when the conductive layer 320 is formed by wet etching, which causes a difference in electrochemical conditions. be done.

また、引出配線１３０の第２層３２６の表面粗さＲａは、引出配線１６０の第２層３２６の表面粗さＲａよりも大きい。例えば４μｍ×４μｍにおいて、引出配線１３０の第２層３２６の表面粗さＲａは、６．３ｎｍ以上７．０ｎｍ以下であり、引出配線１６０の第２層３２６の表面粗さＲａは５．２ｎｍ以上５．８ｎｍ以下である。このため、第２端子１６６よりも第１端子１３６のほうがボンディングワイヤなどの導通部材と接続しやすい。 Also, the surface roughness Ra of the second layer 326 of the lead wire 130 is greater than the surface roughness Ra of the second layer 326 of the lead wire 160 . For example, in 4 μm×4 μm, the surface roughness Ra of the second layer 326 of the lead wire 130 is 6.3 nm or more and 7.0 nm or less, and the surface roughness Ra of the second layer 326 of the lead wire 160 is 5.2 nm or more. 5.8 nm or less. Therefore, the first terminal 136 is easier to connect to a conducting member such as a bonding wire than the second terminal 166 is.

開口１２２と重なる領域には、有機層１４０が形成されている。有機層１４０の正孔輸送層は第１電極１１０に接しており、有機層１４０の電子輸送層は第２電極１５０に接している。このようにして、有機層１４０は第１電極１１０と第２電極１５０の間で挟持されている。 An organic layer 140 is formed in a region overlapping with the opening 122 . A hole transport layer of the organic layer 140 is in contact with the first electrode 110 and an electron transport layer of the organic layer 140 is in contact with the second electrode 150 . Thus, organic layer 140 is sandwiched between first electrode 110 and second electrode 150 .

なお、図６及び図７に示す例では、有機層１４０を構成する各層は、いずれも開口１２２の外側まではみ出している場合を示している。そして図４に示すように、有機層１４０を構成する各層は、隔壁１７０が延在する方向において、隣り合う開口１２２の間にも連続して形成されていてもよいし、連続して形成していなくてもよい。ただし、図８に示すように、有機層１４０は、開口１２４には形成されていない。 Note that the examples shown in FIGS. 6 and 7 show the case where each layer forming the organic layer 140 protrudes to the outside of the opening 122 . As shown in FIG. 4, each layer constituting the organic layer 140 may be formed continuously between adjacent openings 122 in the direction in which the partition wall 170 extends, or may be formed continuously. It doesn't have to be. However, the organic layer 140 is not formed in the opening 124 as shown in FIG.

上記したように、有機層１４０は、第１電極１１０及び第２電極１５０に挟持されている。第２電極１５０は、図４、図６～図８に示すように、有機層１４０より上に形成され、第１方向と交わる第２方向（図４におけるＸ方向）に延在している。第２電極１５０は、有機層１４０に電気的に接続している。例えば第２電極１５０は、有機層１４０上に形成されていても良いし、有機層１４０の上に形成された導電層の上に形成されていても良い。発光装置１０は、互いに平行な複数の第２電極１５０を有している。一つの第２電極１５０は、複数の開口１２２上を通過する方向に形成されている。 As described above, the organic layer 140 is sandwiched between the first electrode 110 and the second electrode 150 . As shown in FIGS. 4 and 6 to 8, the second electrode 150 is formed above the organic layer 140 and extends in a second direction (X direction in FIG. 4) crossing the first direction. A second electrode 150 is electrically connected to the organic layer 140 . For example, the second electrode 150 may be formed on the organic layer 140 or may be formed on a conductive layer formed on the organic layer 140 . The light emitting device 10 has a plurality of second electrodes 150 parallel to each other. One second electrode 150 is formed in a direction passing over the plurality of openings 122 .

隣り合う第２電極１５０の間には、隔壁１７０が形成されている。隔壁１７０は、第２電極１５０と平行すなわち第２方向に延在している。隔壁１７０の下地は、例えば絶縁層１２０である。隔壁１７０は、例えばポリイミド系樹脂などの感光性の樹脂であり、露光及び現像されることによって、所望のパターンに形成されている。隔壁１７０は、例えばネガ型の感光性樹脂を用いて形成される。なお、隔壁１７０はポリイミド系樹脂以外の樹脂、例えばエポキシ系樹脂やアクリル系樹脂、二酸化珪素等の無機材料で構成されていても良い。 A partition wall 170 is formed between the adjacent second electrodes 150 . The partition 170 extends parallel to the second electrode 150, that is, in the second direction. The base of the partition 170 is, for example, the insulating layer 120 . The partition wall 170 is made of photosensitive resin such as polyimide resin, and is formed into a desired pattern by exposure and development. The partition 170 is formed using, for example, a negative photosensitive resin. The partition wall 170 may be made of resin other than polyimide resin, such as epoxy resin, acrylic resin, or inorganic material such as silicon dioxide.

隔壁１７０は、断面が台形の上下を逆にした形状（逆台形）になっている。すなわち隔壁１７０の上面の幅は、隔壁１７０の下面の幅よりも大きい。このため、隔壁１７０を第２電極１５０より前に形成しておくと、蒸着法やスパッタリング法を用いて、第２電極１５０を基板１００の一面側に形成することで、複数の第２電極１５０を一括で形成することができる。 The partition wall 170 has a trapezoid cross section turned upside down (inverted trapezoid). That is, the width of the upper surface of the partition 170 is greater than the width of the lower surface of the partition 170 . Therefore, if the barrier ribs 170 are formed before the second electrodes 150 are formed, the second electrodes 150 can be formed on one surface side of the substrate 100 using a vapor deposition method or a sputtering method. can be formed all at once.

また、隔壁１７０は、有機層１４０を分断する機能も有している。 The partition 170 also has a function of dividing the organic layer 140 .

また、発光装置１０は封止部材２００を備えている。封止部材２００は、複数の発光素子１０２を封止しており、基板１００と同様の多角形の金属箔又は金属板（例えばＡｌ箔又はＡｌ板）の縁部の全周を押し下げた形状を有している。そして、縁部は接着材２０２（又は粘着剤）で基板１００に固定されている。ただし、封止部材２００はガラスで形成されていてもよい。 The light emitting device 10 also includes a sealing member 200 . The sealing member 200 seals the plurality of light emitting elements 102, and has a shape in which the entire periphery of a polygonal metal foil or metal plate (for example, Al foil or Al plate) similar to the substrate 100 is pressed down. have. The edges are fixed to the substrate 100 with an adhesive 202 (or adhesive). However, the sealing member 200 may be made of glass.

次に、本実施例における発光装置１０の製造方法を説明する。まず、基板１００上に第１電極１１０、引出配線１３０，１６０の透明導電層３１０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。 Next, a method for manufacturing the light emitting device 10 in this embodiment will be described. First, the transparent conductive layer 310 of the first electrode 110 and the lead wires 130 and 160 is formed on the substrate 100 . These formation methods are the same as those of the embodiment.

次いで透明導電層３１０上を含む基板１００の上に、導電層３２０となる導電層を形成する。次いで、この導電層のうち導電層３２０となる領域をレジストパターンで覆う。次いで、このレジストパターンをマスクとしてウェットエッチングを行う。これにより、導電層３２０が形成される。この工程において、引出配線１３０の導電層３２０は第１電極１１０に接続している。このため、引出配線１３０において、導電層３２０の第２層３２６には、第１電極１１０を一方の電極とした電池化学反応が生じ、これによって引出配線１３０の第２層３２６の縁には凹凸が形成される。また、引出配線１３０の第２層３２６の表面は、引出配線１６０の第２層３２６の表面よりも粗くなる。 Next, a conductive layer to be the conductive layer 320 is formed over the substrate 100 including the transparent conductive layer 310 . Next, a region of this conductive layer that will become the conductive layer 320 is covered with a resist pattern. Then, wet etching is performed using this resist pattern as a mask. Thereby, the conductive layer 320 is formed. In this step, the conductive layer 320 of the lead wire 130 is connected to the first electrode 110 . Therefore, in the lead wire 130, the second layer 326 of the conductive layer 320 undergoes a battery chemical reaction with the first electrode 110 as one of the electrodes. is formed. Also, the surface of the second layer 326 of the lead wire 130 is rougher than the surface of the second layer 326 of the lead wire 160 .

次いで、絶縁層１２０を形成する。絶縁層１２０の形成方法は、実施形態と同様である。この工程において、複数の開口１２２及び複数の開口１２４が形成される。次いで、絶縁層１２０上に隔壁１７０を形成し、さらに有機層１４０及び第２電極１５０を形成する。これらの形成方法は、実施形態と同様である。 An insulating layer 120 is then formed. A method for forming the insulating layer 120 is the same as that of the embodiment. In this process, a plurality of openings 122 and a plurality of openings 124 are formed. Next, a barrier rib 170 is formed on the insulating layer 120, and an organic layer 140 and a second electrode 150 are formed. These formation methods are the same as those of the embodiment.

本実施例によっても、第１端子１３６の導電層３２０及び第２端子１６６の導電層３２０は、実施形態における導電層３２０と同様の構成を有している。その結果、第１端子１３６及び第２端子１６６に接続する導通部材（例えばリード端子やボンディングワイヤ）は、導電層３２０の第１層３２４及び第２層３２６の双方に接触することができる。従って、第１端子１３６及び第２端子１６６は導通部材に接続しやすくなる。 Also according to this example, the conductive layer 320 of the first terminal 136 and the conductive layer 320 of the second terminal 166 have the same configuration as the conductive layer 320 in the embodiment. As a result, conductive members (eg, lead terminals and bonding wires) that connect the first terminal 136 and the second terminal 166 can contact both the first layer 324 and the second layer 326 of the conductive layer 320 . Therefore, the first terminal 136 and the second terminal 166 can be easily connected to the conductive member.

また、第１端子１３６の第２層３２６の縁は、第２端子１６６の第２層３２６の縁と比較して大きな凹凸を有している。このため、第１端子１３６は、第２端子１６６よりも導通部材に接続しやすくなる。 In addition, the edge of the second layer 326 of the first terminal 136 has large unevenness compared to the edge of the second layer 326 of the second terminal 166 . Therefore, the first terminal 136 is easier to connect to the conducting member than the second terminal 166 is.

（実施例２）
図１０は、実施例２に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１１は、図１０から封止部材２００、隔壁１７０、第２電極１５０、有機層１４０、及び絶縁層１２０を取り除いた図である。図１２は、図１０のＧ－Ｇ断面図である。なお、図１０のＨ－Ｈ断面図も、図１２と同様である。本実施例に係る発光装置１０は、以下の点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。 (Example 2)
FIG. 10 is a plan view showing the configuration of a light emitting device 10 according to Example 2. FIG. FIG. 11 is a diagram with the sealing member 200, the partition wall 170, the second electrode 150, the organic layer 140, and the insulating layer 120 removed from FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line GG of FIG. 10. FIG. Note that the HH cross-sectional view of FIG. 10 is the same as that of FIG. The light-emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light-emitting device 10 according to Example 1, except for the following points.

まず、引出配線１３０のうち絶縁層１２０の縁１２６と重なる部分には、導電層３２０が形成されていない。同様に、引出配線１６０のうち縁１２６と重なる部分には、導電層３２０が形成されていない。引出配線１３０，１６０のうち導電層３２０が形成されていない部分の長さは、例えば１０μｍ以上５００μｍ以下である。絶縁層１２０の縁１２６から絶縁層１２０の下に位置する導電層３２０の縁までの距離は、例えば５μｍ以上２５０μｍ以下である。また、絶縁層１２０の縁１２６から絶縁層１２０の外に位置する導電層３２０の縁までの距離は、例えば５μｍ以上２５０μｍ以下である。このような領域は、例えば導電層３２０を形成するときのレジストパターンの形状を変更することにより、実現できる。 First, the conductive layer 320 is not formed in the portion of the lead wire 130 that overlaps the edge 126 of the insulating layer 120 . Similarly, the conductive layer 320 is not formed on a portion of the lead wire 160 that overlaps the edge 126 . The length of the portion of the lead wires 130 and 160 where the conductive layer 320 is not formed is, for example, 10 μm or more and 500 μm or less. The distance from the edge 126 of the insulating layer 120 to the edge of the conductive layer 320 located under the insulating layer 120 is, for example, 5 μm or more and 250 μm or less. Also, the distance from the edge 126 of the insulating layer 120 to the edge of the conductive layer 320 located outside the insulating layer 120 is, for example, 5 μm or more and 250 μm or less. Such a region can be realized by changing the shape of the resist pattern when forming the conductive layer 320, for example.

そして、本実施例では、引出配線１３０，１６０の一部は透明導電層３１０のみで形成されている。このため、ウェットエッチングにより導電層３２０を形成するときに、引出配線１６０の導電層３２０においても、透明導電層３１０のうち導電層３２０で覆われていない部分を電極とした電池化学反応が生じる。このため、引出配線１６０の第２層３２６の縁にも凹凸が形成される。 In this embodiment, part of the lead wires 130 and 160 is formed only of the transparent conductive layer 310 . Therefore, when the conductive layer 320 is formed by wet etching, a battery chemical reaction occurs in the conductive layer 320 of the lead wire 160 as well, using the portion of the transparent conductive layer 310 that is not covered with the conductive layer 320 as an electrode. Therefore, unevenness is also formed on the edge of the second layer 326 of the lead wire 160 .

本実施例によっても、第１端子１３６の導電層３２０及び第２端子１６６の導電層３２０は、実施形態における導電層３２０と同様の構成を有している。このため、第１端子１３６及び第２端子１６６はボンディングワイヤ４００などの導通部材に接続しやすくなる。また、第２端子１６６の第２層３２６の縁も凹凸を有している。従って、第２端子１６６も導通部材に接続しやすくなる。 Also according to this example, the conductive layer 320 of the first terminal 136 and the conductive layer 320 of the second terminal 166 have the same configuration as the conductive layer 320 in the embodiment. Therefore, the first terminal 136 and the second terminal 166 can be easily connected to a conducting member such as the bonding wire 400 . The edge of the second layer 326 of the second terminal 166 also has unevenness. Therefore, the second terminal 166 can also be easily connected to the conductive member.

（実施例３）
図１３は、実施例３に係る発光装置１０の構成を示す平面図である。図１４は、図１２のＥ－Ｅ断面図である。図１３は、実施例１の図４に対応しており、図１４は実施例１の図９に対応している。本実施例に係る発光装置１０は、封止部材２００の代わりに封止膜２１０（被覆膜）を備えている点を除いて、実施例１に係る発光装置１０と同様の構成である。 (Example 3)
FIG. 13 is a plan view showing the configuration of the light emitting device 10 according to Example 3. FIG. 14 is a cross-sectional view taken along the line EE of FIG. 12. FIG. 13 corresponds to FIG. 4 of the first embodiment, and FIG. 14 corresponds to FIG. 9 of the first embodiment. The light-emitting device 10 according to this example has the same configuration as the light-emitting device 10 according to Example 1, except that a sealing film 210 (coating film) is provided instead of the sealing member 200 .

封止膜２１０は、例えば酸化アルミニウム膜であり、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）法を用いて形成されている。封止膜２１０の膜厚は、例えば１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。封止膜２１０は、絶縁層１２０、発光素子１０２、引出配線１６０、及び引出配線１３０を被覆している。なお、封止膜２１０は、ＡＬＤ法以外の成膜法、例えばＣＶＤ法を用いて形成されても良い。封止膜２１０は、段差被覆性が高い。このため、封止膜２１０は、基板１００の上及び配線３００の端面も連続して被覆している。 The sealing film 210 is, for example, an aluminum oxide film, and is formed using, for example, an ALD (Atomic Layer Deposition) method. The film thickness of the sealing film 210 is, for example, 10 nm or more and 200 nm or less. The sealing film 210 covers the insulating layer 120 , the light emitting element 102 , the lead wiring 160 and the lead wiring 130 . Note that the sealing film 210 may be formed using a film formation method other than the ALD method, such as the CVD method. The sealing film 210 has high step coverage. Therefore, the sealing film 210 continuously covers the substrate 100 and the end surfaces of the wirings 300 .

なお、封止膜２１０は、発光装置１０の第１端子１３６及び第２端子１６６を覆っていない。そして第１端子１３６及び第２端子１６６には、導電部材の一端、例えばボンディングワイヤ４００の一端が接続している。導電部材の他端、例えばボンディングワイヤ４００の他端は、回路基板に接続している。この回路基板には、発光装置１０の制御回路が形成されている。 Note that the sealing film 210 does not cover the first terminal 136 and the second terminal 166 of the light emitting device 10 . One end of a conductive member, for example, one end of a bonding wire 400 is connected to the first terminal 136 and the second terminal 166 . The other end of the conductive member, eg, the other end of the bonding wire 400, is connected to the circuit board. A control circuit for the light emitting device 10 is formed on this circuit board.

ボンディングワイヤ４００のうち第１端子１３６（又は第２端子１６６）に接続している側の端部の幅は、第２層３２６の幅よりも広くなっている。このため、ボンディングワイヤ４００の端部は、第２層３２６のみではなく第１層３２４にも接続している。このため、第１端子１３６及び第２端子１６６はボンディングワイヤ４００に接続しやすい。また、ＡＣＦ（異方性導電膜）を利用する場合でも、導電粒子が第２層３２６を突き破るため、第１層３２４と物理的に接触することができるため、これまでの発光装置よりも低抵抗な端子構造になる。 The width of the end of the bonding wire 400 connected to the first terminal 136 (or the second terminal 166) is wider than the width of the second layer 326. As shown in FIG. Therefore, the ends of the bonding wires 400 are connected not only to the second layer 326 but also to the first layer 324 . Therefore, the first terminal 136 and the second terminal 166 can be easily connected to the bonding wire 400 . Moreover, even when ACF (Anisotropic Conductive Film) is used, since the conductive particles break through the second layer 326 and can come into physical contact with the first layer 324, the cost is lower than that of conventional light-emitting devices. It becomes a resistive terminal structure.

以上、図面を参照して実施形態及び実施例について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。 Although the embodiments and examples have been described above with reference to the drawings, these are examples of the present invention, and various configurations other than those described above can be adopted.

１０発光装置
１００基板
１０２発光素子
１１０第１電極
１３０引出配線
１３６第１端子
１４０有機層
１５０第２電極
１６０引出配線
１６６第２端子
３００配線
３０２端子
３１０透明導電層
３２０導電層
３２４第１層
３２６第２層
４００ボンディングワイヤ 10 Light emitting device 100 Substrate 102 Light emitting element 110 First electrode 130 Lead wire 136 First terminal 140 Organic layer 150 Second electrode 160 Lead wire 166 Second terminal 300 Wiring 302 Terminal 310 Transparent conductive layer 320 Conductive layer 324 First layer 326 2 layers 400 bonding wire

Claims

基板と、
前記基板に位置する発光素子と、
前記基板に位置し、前記発光素子に電気的に接続する第１端子と、
を備え、
前記第１端子は、透明導電層及び前記透明導電層の上に位置する導電層を備え、
前記導電層は、第１層及び前記第１層の上に位置する第２層を備え、
前記第２層の幅は、前記第１層の幅よりも狭い発光装置。 a substrate;
a light emitting element positioned on the substrate;
a first terminal located on the substrate and electrically connected to the light emitting device;
with
the first terminal comprises a transparent conductive layer and a conductive layer overlying the transparent conductive layer;
the conductive layer comprises a first layer and a second layer overlying the first layer;
The light-emitting device, wherein the width of the second layer is narrower than the width of the first layer.

請求項１に記載の発光装置において、
前記発光素子は、透光性を有する第１電極、前記第１電極の上に位置する有機層、及び前記有機層上に位置する第２電極を備え、
前記第１端子は前記第１電極に電気的に接続している発光装置。 The light emitting device according to claim 1,
The light emitting element comprises a translucent first electrode, an organic layer positioned on the first electrode, and a second electrode positioned on the organic layer,
The light emitting device, wherein the first terminal is electrically connected to the first electrode.

請求項２に記載の発光装置において、
前記第２電極に電気的に接続している第２端子を備え、
前記第２端子は、前記透明導電層及び前記透明導電層の上に位置する前記導電層を備え、
前記導電層は、前記第１層及び前記第１層の上に位置する前記第２層を備え、
前記第１端子の表面粗さは、前記第２端子の表面粗さよりも粗い発光装置。 The light emitting device according to claim 2,
a second terminal electrically connected to the second electrode;
the second terminal comprises the transparent conductive layer and the conductive layer overlying the transparent conductive layer;
the conductive layer comprises the first layer and the second layer overlying the first layer;
The light emitting device, wherein the surface roughness of the first terminal is rougher than the surface roughness of the second terminal.

請求項１～３のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第１層の側面は、前記第２層に近づくにつれて前記第１層の幅が狭くなる方向に傾斜している発光装置。 In the light emitting device according to any one of claims 1 to 3,
The side surface of the first layer is a light-emitting device in which the width of the first layer is slanted toward the second layer.

請求項１～４のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第１層はアルミニウム又はアルミニウム合金からなり、
前記第２層はモリブデン又はモリブデン合金からなる発光装置。 In the light emitting device according to any one of claims 1 to 4,
The first layer is made of aluminum or an aluminum alloy,
The light emitting device, wherein the second layer is made of molybdenum or a molybdenum alloy.

請求項１～５のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第２層の厚さは２０ｎｍ以下である発光装置。 In the light emitting device according to any one of claims 1 to 5,
The light-emitting device, wherein the second layer has a thickness of 20 nm or less.

請求項１～６のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記第２層の厚さは５ｎｍ以上である発光装置。 In the light emitting device according to any one of claims 1 to 6,
The light-emitting device, wherein the second layer has a thickness of 5 nm or more.

請求項１～７のいずれか一項に記載の発光装置において、
前記導電層は、第３層をさらに備え、
前記第３層、前記第１層、及び前記第２層は前記透明導電層に近い側からこの順に積層しており、
前記第２層の厚さは前記第３層の厚さよりも薄い発光装置。 In the light emitting device according to any one of claims 1 to 7,
The conductive layer further comprises a third layer,
The third layer, the first layer, and the second layer are laminated in this order from the side closer to the transparent conductive layer,
The light emitting device, wherein the thickness of the second layer is thinner than the thickness of the third layer.

請求項８に記載の発光装置において、
前記第３層はモリブデン又はモリブデン合金からなる発光装置。 The light emitting device according to claim 8,
The light emitting device, wherein the third layer is made of molybdenum or a molybdenum alloy.