JP2023092401A - Mounting apparatus, adjustment method of illumination system and manufacturing method of semiconductor apparatus - Google Patents

Mounting apparatus, adjustment method of illumination system and manufacturing method of semiconductor apparatus Download PDF

Info

Publication number
JP2023092401A
JP2023092401A JP2021207622A JP2021207622A JP2023092401A JP 2023092401 A JP2023092401 A JP 2023092401A JP 2021207622 A JP2021207622 A JP 2021207622A JP 2021207622 A JP2021207622 A JP 2021207622A JP 2023092401 A JP2023092401 A JP 2023092401A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
image
value
illumination
predetermined
die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021207622A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
良太 梶原
ryota Kajiwara
光央 依田
Mitsuhisa Yoda
僚 大森
Ryo Omori
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fasford Technology Co Ltd
Original Assignee
Fasford Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fasford Technology Co Ltd filed Critical Fasford Technology Co Ltd
Priority to JP2021207622A priority Critical patent/JP2023092401A/en
Priority to CN202211633442.0A priority patent/CN116313891A/en
Priority to KR1020220178965A priority patent/KR20230095015A/en
Publication of JP2023092401A publication Critical patent/JP2023092401A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H01L21/67265—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection of substrates stored in a container, a magazine, a carrier, a boat or the like
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/10—Image acquisition
    • G06V10/12—Details of acquisition arrangements; Constructional details thereof
    • G06V10/14—Optical characteristics of the device performing the acquisition or on the illumination arrangements
    • G06V10/145—Illumination specially adapted for pattern recognition, e.g. using gratings
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06V—IMAGE OR VIDEO RECOGNITION OR UNDERSTANDING
    • G06V10/00—Arrangements for image or video recognition or understanding
    • G06V10/40—Extraction of image or video features
    • G06V10/44—Local feature extraction by analysis of parts of the pattern, e.g. by detecting edges, contours, loops, corners, strokes or intersections; Connectivity analysis, e.g. of connected components
    • G06V10/443—Local feature extraction by analysis of parts of the pattern, e.g. by detecting edges, contours, loops, corners, strokes or intersections; Connectivity analysis, e.g. of connected components by matching or filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/52—Mounting semiconductor bodies in containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67144—Apparatus for mounting on conductive members, e.g. leadframes or conductors on insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67259—Position monitoring, e.g. misposition detection or presence detection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67294—Apparatus for monitoring, sorting or marking using identification means, e.g. labels on substrates or labels on containers
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
    • Y02B20/40—Control techniques providing energy savings, e.g. smart controller or presence detection

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Artificial Intelligence (AREA)
  • Die Bonding (AREA)
  • Supply And Installment Of Electrical Components (AREA)

Abstract

To provide a technique capable of improving recognition accuracy of a workpiece.SOLUTION: A mounting apparatus comprises: an illumination system which emits light in a light amount based on an illumination value; an image pickup device which images a workpiece irradiated with the light by the illumination system; and a control unit which performs output control of the illumination system and image processing of the image captured by the image pickup device. The control unit is configured to set the illumination value to a prescribed value when a recognition error of the workpiece occurs, acquire an acquired image by imaging the workpiece irradiated by the illumination system by the image pickup device, acquire a pattern image that is the most similar to a template image by retrieving the acquired image, calculate the matching concordance ratio between the most similar pattern image and the template image, change the prescribed value, and obtain the illumination value having the highest matching concordance ratio.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本開示は実装装置に関し、例えばダイや基板を認識するカメラを備えるダイボンダに適用可能である。 The present disclosure relates to a mounting apparatus, and is applicable, for example, to a die bonder equipped with a camera for recognizing a die or substrate.

半導体装置の製造工程の一部に半導体チップ（以下、単にダイという。）を配線基板やリードフレーム等（以下、単に基板という。）に搭載してパッケージを組み立てる工程があり、パッケージを組み立てる工程の一部に、半導体ウエハ（以下、単にウエハという。）からダイを分割する工程（ダイシング工程）と、分割したダイを基板の上に搭載するボンド工程とがある。ボンド工程に使用される半導体製造装置がダイボンダ等の実装装置である。 As part of the manufacturing process of a semiconductor device, there is a process of mounting a semiconductor chip (hereinafter simply referred to as "die") on a wiring board, lead frame, etc. (hereinafter simply referred to as "substrate") and assembling a package. Part of the process includes a process of dividing a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer) into dies (a dicing process) and a bonding process of mounting the divided dies on a substrate. A semiconductor manufacturing apparatus used in the bonding process is a mounting apparatus such as a die bonder.

一般的に、ダイボンダでのダイや基板（以下、単にワークという。）の位置決めは、ワークに照明システム（照明装置）で光を照射し、カメラにより撮像した画像を画像処理することにより、行われている。そのため、ワークの認識精度は、照明システムの光量（照明出力）に大きく影響される。 In general, positioning of a die or a substrate (hereinafter simply referred to as a workpiece) in a die bonder is performed by irradiating the workpiece with light from a lighting system (illumination device) and processing the image captured by a camera. ing. Therefore, the workpiece recognition accuracy is greatly affected by the amount of light (illumination output) of the illumination system.

特開２０１７－１４７２５８号公報JP 2017-147258 A

本開示の課題は、ワークの認識精度を向上することが可能な技術を提供することである。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 An object of the present disclosure is to provide a technique capable of improving workpiece recognition accuracy. Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.

本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、実装装置は、照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、照明システムの出力制御および撮像装置で撮像した画像の画像処理を行う制御部と、を備える。制御部は、ワークの認識エラーが発生した場合、照明値を所定値に設定して、照明システムにより照射されたワークを撮像装置により撮像して取得画像を取得し、取得画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、最も類似するパターン画像とテンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、所定値を変更して、マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される。 A brief outline of a representative one of the present disclosure is as follows.
That is, the mounting apparatus includes a lighting system that emits a light amount based on an illumination value, an imaging device that captures an image of a work illuminated by the lighting system, output control of the lighting system, and image processing of an image captured by the imaging device. and a control unit that performs When a workpiece recognition error occurs, the control unit sets the illumination value to a predetermined value, captures the workpiece illuminated by the illumination system with the imaging device, acquires an acquired image, searches the acquired image, and obtains a template. It is configured to acquire a pattern image that is most similar to the image, calculate a matching rate between the most similar pattern image and the template image, and change a predetermined value to obtain an illumination value that maximizes the matching rate. .

本開示によれば、ワークの認識精度を向上することができる。 According to the present disclosure, workpiece recognition accuracy can be improved.

図１は実施形態におけるダイボンダの構成例を示す概略上面図である。FIG. 1 is a schematic top view showing a configuration example of a die bonder according to an embodiment. 図２は図１において矢印Ａ方向から見たときの概略構成を説明する図である。FIG. 2 is a diagram for explaining a schematic configuration when viewed from the direction of arrow A in FIG. 図３は図１に示されるダイボンダの制御系の概略構成を示すブロック図である。3 is a block diagram showing a schematic configuration of a control system of the die bonder shown in FIG. 1. FIG. 図４は図１に示されるダイボンダにおけるウエハ供給部の光学系を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing the optical system of the wafer supply section in the die bonder shown in FIG. 図５はユニークな部分（選択領域）の例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing an example of a unique portion (selection area). 図６は登録画像および類似画像の例を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing examples of registered images and similar images. 図７はレシピデータの移植を説明する概念図である。FIG. 7 is a conceptual diagram explaining the transfer of recipe data. 図８はダイの画像およびテンプレート画像を示す図である。FIG. 8 shows a die image and a template image. 図９はパターン間距離差およびパターン間角度差を説明する図である。FIG. 9 is a diagram for explaining the pattern-to-pattern distance difference and the pattern-to-pattern angle difference. 図１０は実施形態における照明値と一致度の関係を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing the relationship between the illumination value and the degree of matching in the embodiment. 図１１は実施形態における照明値の自動調整を説明するためのフローチャートである。FIG. 11 is a flowchart for explaining automatic adjustment of illumination values in the embodiment. 図１２は実施形態における照明値の自動調整を説明するためのフローチャートである。FIG. 12 is a flowchart for explaining automatic adjustment of illumination values in the embodiment. 図１３は実施形態における照明値の自動調整を説明するためのフローチャートである。FIG. 13 is a flowchart for explaining automatic adjustment of illumination values in the embodiment. 図１４は第一変形例および第二変形例における照明値と一致度の関係を示す図である。FIG. 14 is a diagram showing the relationship between the illumination value and the matching degree in the first modification and the second modification. 図１５は第三変形例における照明値と一致度の関係を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing the relationship between the illumination value and the matching degree in the third modified example.

以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。 Embodiments and modifications will be described below with reference to the drawings. However, in the following description, the same components may be denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions may be omitted. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically show the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual embodiment, but this is only an example, and the interpretation of the present invention is not intended. It is not limited.

実装装置の一例であるダイボンダの構成について図１および図２を用いて説明する。 A configuration of a die bonder, which is an example of a mounting apparatus, will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.

ダイボンダ１０は、大別して、ダイ供給部１と、ピックアップ部２、中間ステージ部３と、ボンド部４と、搬送部５、基板供給部６と、基板搬出部７と、各部の動作を監視し制御する制御部８と、を有する。Ｙ軸方向がダイボンダ１０の前後方向であり、Ｘ軸方向が左右方向である。ダイ供給部１がダイボンダ１０の手前側に配置され、ボンド部４が奥側に配置される。ここで、基板Ｓには最終的に一つのパッケージとなる、一つ又は複数の製品エリア（以下、パッケージエリアＰという。）がプリントされている。 The die bonder 10 is roughly divided into a die supply section 1, a pick-up section 2, an intermediate stage section 3, a bond section 4, a transfer section 5, a substrate supply section 6, and a substrate unloading section 7, and monitors the operation of each section. and a control unit 8 for controlling. The Y-axis direction is the front-back direction of the die bonder 10, and the X-axis direction is the left-right direction. The die supply section 1 is arranged on the front side of the die bonder 10, and the bond section 4 is arranged on the back side. Here, one or a plurality of product areas (hereinafter referred to as package areas P) are printed on the substrate S to finally form one package.

ダイ供給部１は、ウエハ１１を保持するウエハ保持台１２と、ウエハ１１からダイＤを突き上げる点線で示す突上げユニット１３と、を有する。ウエハ保持台１２は図示しない駆動手段によってＸＹ方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置に移動させる。突上げユニット１３は図示しない駆動手段によって上下方向に移動する。ウエハ１１はダイシングテープ１６上に接着されており、複数のダイＤに分割されている。ウエハ１１は図示しないウエハリングに保持されている。また、ウエハ１１とダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）と呼ばれるフィルム状の接着材料が貼り付けられている。 The die supply unit 1 has a wafer platform 12 that holds the wafer 11 and a push-up unit 13 that pushes up the die D from the wafer 11 as indicated by a dotted line. The wafer platform 12 is moved in the XY directions by driving means (not shown) to move the die D to be picked up to the position of the push-up unit 13 . The push-up unit 13 is vertically moved by a driving means (not shown). The wafer 11 is adhered on a dicing tape 16 and divided into a plurality of dies D. As shown in FIG. The wafer 11 is held by a wafer ring (not shown). A film-like adhesive material called a die attach film (DAF) is attached between the wafer 11 and the dicing tape 16 .

ピックアップ部２は、ダイＤをピックアップするピックアップヘッド２１と、ピックアップヘッド２１をＹ方向に移動させるピックアップヘッドのＹ駆動部２３と、コレット２２を昇降、回転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部と、ウエハ１１上のダイＤの姿勢を認識するためのウエハ認識カメラ２４と、を有する。ピックアップヘッド２１は、突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２を有し、ダイ供給部１からダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する。ピックアップヘッド２１は、コレット２２を昇降、回転及びＸ方向移動させる図示しない各駆動部を有する。 The pickup unit 2 includes a pickup head 21 that picks up the die D, a Y driving unit 23 of the pickup head that moves the pickup head 21 in the Y direction, and each driving unit (not shown) that moves the collet 22 up and down, rotates, and moves in the X direction. , and a wafer recognition camera 24 for recognizing the posture of the die D on the wafer 11 . The pick-up head 21 has a collet 22 that sucks and holds the pushed-up die D at its tip. The pickup head 21 has respective drive units (not shown) that move the collet 22 up and down, rotate it, and move it in the X direction.

中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識する為のステージ認識カメラ３２と、を有する。 The intermediate stage section 3 has an intermediate stage 31 on which the die D is temporarily placed, and a stage recognition camera 32 for recognizing the die D on the intermediate stage 31 .

ボンド部４は、ボンドヘッド４１と、Ｙ駆動部４３と、基板認識カメラ４４と、を有する。ボンドヘッド４１はピックアップヘッド２１と同様にダイＤを先端に吸着保持するコレット４２を備える。Ｙ駆動部４３はボンドヘッド４１をＹ軸方向に移動させる。基板認識カメラ４４は基板ＳのパッケージエリアＰの位置認識マーク（図示せず）を撮像し、ボンディング位置を認識する。ボンド部４は、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、搬送されてくる基板ＳのパッケージエリアＰ上にダイをボンドし、又は既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンドされたダイの上に積層する形でダイをボンドする。このような構成によって、ボンドヘッド４１は、ステージ認識カメラ３２の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップする。そして、ボンドヘッド４１は、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板のパッケージエリアＰ上に、または既に基板ＳのパッケージエリアＰの上にボンドされたダイの上に積層する形で、ダイＤをボンディングする。 The bond section 4 has a bond head 41 , a Y driving section 43 and a substrate recognition camera 44 . The bond head 41 is provided with a collet 42 that attracts and holds the die D at its tip, like the pickup head 21 . The Y driving section 43 moves the bond head 41 in the Y-axis direction. The board recognition camera 44 takes an image of a position recognition mark (not shown) in the package area P of the board S to recognize the bonding position. The bonding unit 4 picks up the die D from the intermediate stage 31 and bonds the die onto the package area P of the substrate S being transported, or onto a die already bonded onto the package area P of the substrate S. Bond the dies in a stacked fashion. With such a configuration, the bond head 41 corrects the pick-up position/orientation based on the imaging data of the stage recognition camera 32 and picks up the die D from the intermediate stage 31 . Then, the bond head 41 stacks the die D on the package area P of the substrate or on the die already bonded on the package area P of the substrate S based on the imaging data of the substrate recognition camera 44 . to bond.

搬送部５は、基板Ｓを掴み搬送する基板搬送爪５１と、基板Ｓが移動する搬送レーン５２と、を有する。基板Ｓは、搬送レーン５２に設けられた基板搬送爪５１の図示しないナットを搬送レーン５２に沿って設けられた図示しないボールネジで駆動することによって移動する。このような構成によって、基板Ｓは、基板供給部６から搬送レーン５２に沿ってボンド位置まで移動し、ボンド後、基板搬出部７まで移動して、基板搬出部７に基板Ｓを渡す。 The transport unit 5 has a substrate transport claw 51 that grips and transports the substrate S, and a transport lane 52 along which the substrate S moves. The substrate S is moved by driving a nut (not shown) of the substrate conveying claw 51 provided on the conveying lane 52 by a ball screw (not shown) provided along the conveying lane 52 . With such a configuration, the substrate S moves from the substrate supply section 6 to the bonding position along the transport lane 52 , moves to the substrate unloading section 7 after bonding, and passes the substrate S to the substrate unloading section 7 .

次に、制御部８について図３を用いて説明する。 Next, the control section 8 will be described with reference to FIG.

制御系８０は制御部（制御装置）８と駆動部８６と信号部８７と光学系８８とを備える。制御部８は、大別して、主としてＣＰＵ（Central Processing Unit）で構成される制御・演算装置８１と、記憶装置８２と、入出力装置８３と、バスライン８４と、電源部８５とを有する。記憶装置８２は、処理プログラムなどを記憶しているＲＡＭ（Random Access Memory）で構成されている主記憶装置８２ａと、制御に必要な制御データや画像データ等を記憶しているＨＤＤ（Hard Disk Drive）やＳＳＤ（Solid State Drive）等で構成されている補助記憶装置８２ｂとを有する。 The control system 80 includes a control section (control device) 8 , a drive section 86 , a signal section 87 and an optical system 88 . The control section 8 is roughly divided into a control/arithmetic device 81 mainly composed of a CPU (Central Processing Unit), a storage device 82 , an input/output device 83 , a bus line 84 , and a power source section 85 . The storage device 82 includes a main storage device 82a composed of a RAM (Random Access Memory) that stores processing programs and the like, and a HDD (Hard Disk Drive) that stores control data and image data required for control. ), SSD (Solid State Drive), etc., and an auxiliary storage device 82b.

入出力装置８３は、装置状態や情報等を表示するモニタ８３ａと、オペレータの指示を入力するタッチパネル８３ｂと、モニタを操作するマウス８３ｃと、光学系８８からの画像データを取り込む画像取込装置８３ｄと、を有する。また、入出力装置８３は、ダイ供給部１のＸＹテーブル（図示せず）やボンドヘッドテーブルのＺＹ駆動軸等の駆動部８６を制御するモータ制御装置８３ｅと、種々のセンサや後述する照明装置２６などの明るさを制御するスイッチやボリューム等を含む信号部８７から信号を取り込み又は制御するＩ／Ｏ信号制御装置８３ｆとを有する。光学系８８には、ウエハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２、基板認識カメラ４４が含まれる。制御・演算装置８１はバスライン８４を介して必要なデータを取込み、演算し、ピックアップヘッド２１等の制御や、モニタ８３ａ等に情報を送る。 The input/output device 83 includes a monitor 83a for displaying device status, information, etc., a touch panel 83b for inputting operator's instructions, a mouse 83c for operating the monitor, and an image capturing device 83d for capturing image data from the optical system 88. and have The input/output device 83 includes a motor control device 83e for controlling a drive unit 86 such as an XY table (not shown) of the die supply unit 1 and ZY drive shafts of the bond head table, various sensors, and an illumination device to be described later. 26, and an I/O signal control device 83f for taking in or controlling a signal from a signal section 87 including a switch for controlling brightness, a volume, and the like. Optical system 88 includes wafer recognition camera 24 , stage recognition camera 32 , and substrate recognition camera 44 . The control/arithmetic unit 81 takes in necessary data through a bus line 84, performs arithmetic operations, controls the pickup head 21 and the like, and sends information to the monitor 83a and the like.

制御部８は画像取込装置８３ｄを介してウエハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４で撮像した画像データを記憶装置８２に保存する。保存した画像データに基づいてプログラムしたソフトウェアにより、制御・演算装置８１を用いてダイＤおよび基板ＳのパッケージエリアＰの位置決め、並びにダイＤおよび基板Ｓの表面検査を行う。制御・演算装置８１が算出したダイＤおよび基板ＳのパッケージエリアＰの位置に基づいてソフトウェアによりモータ制御装置８３ｅを介して駆動部８６を動かす。このプロセスによりウエハ上のダイの位置決めを行い、ピックアップ部２およびボンド部４の駆動部で動作させダイＤを基板ＳのパッケージエリアＰ上にボンドする。使用するウエハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４は光強度や色を数値化する。ウエハ認識カメラ２４、ステージ認識カメラ３２および基板認識カメラ４４は撮像装置ともいう。 The control unit 8 stores image data captured by the wafer recognition camera 24, the stage recognition camera 32 and the substrate recognition camera 44 in the storage device 82 via the image capture device 83d. Positioning of the package area P of the die D and the substrate S and surface inspection of the die D and the substrate S are performed using the control/arithmetic unit 81 by software programmed based on the stored image data. Based on the positions of the die D and the package area P of the substrate S calculated by the control/arithmetic unit 81, the software drives the drive unit 86 via the motor control unit 83e. By this process, the die is positioned on the wafer, and the die D is bonded onto the package area P of the substrate S by operating the pickup section 2 and the driving section of the bond section 4 . The wafer recognition camera 24, the stage recognition camera 32 and the substrate recognition camera 44 used digitize the light intensity and color. The wafer recognition camera 24, the stage recognition camera 32, and the substrate recognition camera 44 are also called imaging devices.

次に、半導体装置の製造方法の一工程であるダイボンド工程について説明する。 Next, the die bonding process, which is one process of the method of manufacturing a semiconductor device, will be described.

実施形態のダイボンド工程では、まず、ウエハが組み込まれたウエハリングを準備し、ダイボンダ１０に搬入する（Ｐ１工程）。制御部８は、ウエハリングをウエハ保持台１２に載置し、ウエハ保持台１２をダイＤのピックアップが行われる基準位置まで搬送する（Ｐ２工程）。そして、基板Ｓを準備し、ダイボンダ１０に搬入する（Ｐ３工程）。制御部８は、基板供給部６で基板Ｓを搬送レーン５２に載置する。制御部８は、基板Ｓを掴み搬送する基板搬送爪５１をボンド位置まで移動させる（Ｐ４工程）。 In the die bonding process of the embodiment, first, a wafer ring in which a wafer is assembled is prepared and loaded into the die bonder 10 (P1 process). The control unit 8 places the wafer ring on the wafer platform 12 and transports the wafer platform 12 to the reference position where the die D is picked up (P2 process). Then, the substrate S is prepared and loaded into the die bonder 10 (process P3). The control unit 8 places the substrate S on the transport lane 52 by the substrate supply unit 6 . The control unit 8 moves the substrate conveying claws 51 that grasp and convey the substrate S to the bonding position (step P4).

Ｐ２工程に続いて、制御部８は、ウエハ１１が載置されたウエハ保持台１２を所定ピッチでピッチ移動させ、水平に保持することによって、最初にピックアップされるダイＤをピックアップ位置に配置する（Ｐ５工程）。 Following the P2 step, the control unit 8 shifts the wafer platform 12 on which the wafer 11 is mounted at a predetermined pitch and horizontally holds it, thereby arranging the die D to be picked up first at the pickup position. (P5 step).

Ｐ５工程に続いて、制御部８は、ウエハ認識カメラ２４によってピックアップ対象のダイＤの主面（上面）を撮影し、取得した画像からピックアップ対象のダイＤの上述のピックアップ位置からの位置ずれ量を算出する。制御部８は、この位置ずれ量を基にウエハ１１が載置されたウエハ保持台１２を移動させ、ピックアップ対象のダイＤをピックアップ位置に正確に配置する（Ｐ６工程）。そして、制御部８は、ウエハ認識カメラ２４によってピックアップ対象のダイＤの主面（上面）を撮影し、取得した画像から、ダイＤの表面検査を行う（Ｐ７工程）。 Following the P5 step, the control unit 8 captures an image of the main surface (upper surface) of the die D to be picked up by the wafer recognition camera 24, and from the acquired image, the displacement amount of the die D to be picked up from the pickup position described above. Calculate The control unit 8 moves the wafer platform 12 on which the wafer 11 is mounted based on this positional deviation amount, and accurately places the die D to be picked up at the pickup position (step P6). Then, the control unit 8 takes an image of the main surface (upper surface) of the die D to be picked up by the wafer recognition camera 24, and inspects the surface of the die D from the acquired image (P7 process).

Ｐ４工程に続いて、制御部８は、基板認識カメラ４４によって基板Ｓを撮像して撮像画像に基づいて基板Ｓの位置決めを行う（Ｐ８工程）。そして、制御部８は、基板認識カメラ４４によって基板Ｓを撮像し、取得した画像から、基板ＳのパッケージエリアＰの表面検査を行う（Ｐ９工程）。 Following the P4 step, the control unit 8 takes an image of the substrate S with the substrate recognition camera 44 and positions the substrate S based on the captured image (P8 step). Then, the control unit 8 takes an image of the board S with the board recognition camera 44, and performs surface inspection of the package area P of the board S from the acquired image (P9 process).

Ｐ８工程に続いて、制御部８は、コレット２２を含むピックアップヘッド２１によってダイＤをダイシングテープ１６からピックアップし、中間ステージ３１に載置する（Ｐ１０工程）。以後、同様の手順に従ってダイＤが１個ずつダイシングテープ１６から剥がされる。不良品を除くすべてのダイＤのピックアップが完了すると、それらダイＤをウエハ１１の外形で保持していたダイシングテープ１６およびウエハリング等を搬出する。 Following the P8 process, the control unit 8 picks up the die D from the dicing tape 16 with the pickup head 21 including the collet 22, and places it on the intermediate stage 31 (P10 process). After that, the dies D are peeled off from the dicing tape 16 one by one according to the same procedure. When all the dies D except the defective ones have been picked up, the dicing tape 16 holding the dies D in the shape of the wafer 11, the wafer ring, and the like are unloaded.

Ｐ１０工程に続いて、制御部８は、中間ステージ３１に載置したダイの姿勢ずれの検出をステージ認識カメラ３２にて撮像して行う。制御部８は、姿勢ずれがある場合は中間ステージ３１に設けられた駆動装置（不図示）によって実装位置を有する実装面に平行な面で中間ステージ３１を駆動させて姿勢ずれを補正する（Ｐ１１工程）。そして、制御部８は、ステージ認識カメラ３２によって中間ステージ３１に載置したダイを撮像し、取得した画像から、ダイＤの表面検査を行う（Ｐ１２工程）。 Following the step P10, the control unit 8 uses the stage recognition camera 32 to capture an image of the die placed on the intermediate stage 31 to detect the positional deviation of the die. If there is a posture deviation, the control unit 8 drives the intermediate stage 31 on a plane parallel to the mounting surface having the mounting position by a driving device (not shown) provided in the intermediate stage 31 to correct the posture deviation (P11 process). Then, the control unit 8 captures an image of the die placed on the intermediate stage 31 by the stage recognition camera 32, and inspects the surface of the die D from the acquired image (P12 process).

Ｐ１２工程に続いて、制御部８は、コレット４２を含むボンドヘッド４１によって中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板ＳのパッケージエリアＰまたは既に基板ＳのパッケージエリアＰにボンドされているダイにダイボンドする（Ｐ１３工程）。 Following the P12 step, the control unit 8 picks up the die D from the intermediate stage 31 by the bond head 41 including the collet 42 and attaches it to the package area P of the substrate S or the die already bonded to the package area P of the substrate S. Die bond (process P13).

Ｐ１３工程に続いて、制御部８は、ダイＤをボンドした後、そのボンド位置が正確になされているかを基板認識カメラ４４によりダイＤおよび基板Ｓを撮像して検査する（Ｐ１４工程）。このとき、ダイの中心と、タブの中心を求め、相対位置が正しいかを検査する。そして、制御部８は、基板認識カメラ４４によってダイＤおよび基板Ｓを撮像し、取得した画像から、ダイＤおよび基板Ｓの表面検査を行う（Ｐ１５工程）。 Following the step P13, the controller 8, after bonding the die D, inspects whether the bonding position is correct by imaging the die D and the substrate S with the substrate recognition camera 44 (step P14). At this time, the center of the die and the center of the tab are obtained, and it is inspected whether the relative positions are correct. Then, the control unit 8 takes an image of the die D and the substrate S with the substrate recognition camera 44, and performs surface inspection of the die D and the substrate S from the acquired images (P15 process).

以後、同様の手順に従ってダイＤが１個ずつ基板ＳのパッケージエリアＰにボンドする。１つの基板のボンドが完了すると、基板搬送爪５１で基板Ｓを基板搬出部７まで移動して、基板搬出部７に基板Ｓを渡す（Ｐ１６工程）。そして、ダイボンダ１０から基板Ｓを搬出する（Ｐ１７工程）。 After that, the die D is bonded to the package area P of the substrate S one by one according to the same procedure. When the bonding of one substrate is completed, the substrate conveying claw 51 moves the substrate S to the substrate unloading section 7 and delivers the substrate S to the substrate unloading section 7 (step P16). Then, the substrate S is unloaded from the die bonder 10 (step P17).

上述したように、ダイＤは、ダイアタッチフィルムを介して基板Ｓ上に実装され、ダイボンダから搬出される。その後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。積層パッケージを製造する場合は、続いて、ダイＤが実装された基板Ｓがダイボンダに搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイアタッチフィルム１８を介して第２のダイＤが積層される。そして、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第２以降のダイＤは、上述した方法でダイシングテープ１６から剥離された後、ボンド位置に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓをモールド工程に搬送し、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。 As described above, the die D is mounted on the substrate S via the die attach film and unloaded from the die bonder. After that, it is electrically connected to the electrode of the substrate S through the Au wire in a wire bonding process. In the case of manufacturing a laminated package, subsequently, the substrate S with the die D mounted thereon is carried into a die bonder, and the second die D is mounted on the die D mounted on the substrate S via the die attach film 18 . Laminated. After being unloaded from the die bonder, it is electrically connected to the electrodes of the substrate S through Au wires in a wire bonding process. After the second and subsequent dies D are separated from the dicing tape 16 by the method described above, they are conveyed to the bond position and stacked on the dies D. As shown in FIG. After the above steps are repeated a predetermined number of times, the substrate S is transported to a molding step, and a plurality of dies D and Au wires are sealed with a mold resin (not shown) to complete a stacked package.

次に、ピックアップ部２の光学系について図４を用いて説明する。 Next, the optical system of the pickup section 2 will be described with reference to FIG.

ウエハ認識カメラ２４には対物レンズ２５が取り付けられ、この対物レンズ２５を通してダイＤの主面の画像を撮影する構成となっている。対物レンズ２５とダイＤとの間には、面発光照明（光源）２６１およびハーフミラー（半透過鏡）２６２を内部に備えた照明装置２６が配置されている。面発光照明２６１からの照射光は、ハーフミラー２６２によってウエハ認識カメラ２４と同じ光軸へ反射され、ダイＤに照射される。ウエハ認識カメラ２４と同じ光軸へダイＤに照射されたその光は、ダイＤで反射し、そのうちの正反射光がハーフミラー２６２を透過してウエハ認識カメラ２４に達し、ダイＤの映像を形成する。すなわち、照明装置２６は同軸落射照明（同軸照明）の機能を有する。照明装置２６は調光装置としての出力コントローラ２７に接続されている。出力コントローラ２７は制御部８からの照明値（ＬＶ）に基づいて照明装置２６の照明出力（光量）を制御する。照明装置２６および出力コントローラ２７は照明システムを構成する。 An objective lens 25 is attached to the wafer recognition camera 24 , and an image of the main surface of the die D is captured through this objective lens 25 . Between the objective lens 25 and the die D, an illumination device 26 having a surface emitting illumination (light source) 261 and a half mirror (semitransmissive mirror) 262 therein is arranged. Irradiation light from the surface emitting illumination 261 is reflected by the half mirror 262 toward the same optical axis as the wafer recognition camera 24, and the die D is irradiated with the light. The light irradiated to the die D on the same optical axis as the wafer recognition camera 24 is reflected by the die D, and the specularly reflected light thereof is transmitted through the half mirror 262 and reaches the wafer recognition camera 24 to display the image of the die D. Form. In other words, the illumination device 26 has a function of coaxial epi-illumination (coaxial illumination). The illumination device 26 is connected to an output controller 27 as a dimming device. The output controller 27 controls the illumination output (light amount) of the illumination device 26 based on the illumination value (LV) from the control section 8 . The lighting device 26 and the output controller 27 constitute a lighting system.

中間ステージ部３の光学系（ステージ認識カメラ３２およびその照明装置）およびボンド部４の光学系（基板認識カメラ４４およびその照明装置）はピックアップ部２の光学系（ウエハ認識カメラ２４および照明装置２６）と同様の構成である。 The optical system of intermediate stage section 3 (stage recognition camera 32 and its illumination device) and the optical system of bond section 4 (substrate recognition camera 44 and its illumination device) are the same as those of pickup section 2 (wafer recognition camera 24 and illumination device 26). ) has the same configuration as

次に、ダイ位置決めの方法について図５および図６を用いて説明する。 Next, a die positioning method will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG.

ダイ位置決めアルゴリズムは、主にテンプレートマッチングを用い、一般に知られている正規化相関式での演算とする。その結果をマッチング一致率（マッチングスコア）とする。テンプレートマッチングはリファレンス学習の倣い動作と連続着工用動作がある。 The die positioning algorithm mainly uses template matching and is operated by a generally known normalized correlation formula. The result is defined as a matching concordance rate (matching score). Template matching includes reference learning copying motion and continuous starting motion.

まず、倣い動作について図５および図６を用いて説明する。制御部８はリファレンスサンプルをピックアップ位置に搬送する。制御部８はウエハ認識カメラ２４でリファレンスサンプルの画像ＰＣｒを取得する。例えば、ダイボンダの操作者がヒューマンインタフェース（タッチパネル８３ｂやマウス８３ｃ）により画像内から、図５に示すようなユニークな部分ＵＡを少なくとも一つ選択する。ユニークな部分ＵＡを複数選択するの好ましい。制御部８は選択されたユニークな部分（選択領域）ＵＡとリファレンスサンプルとの位置関係（座標）を記憶装置８２に少なくとも一つ保存する。制御部８は図５に示す選択領域ＵＡの画像を図６に示すテンプレート画像ＰＴとして記憶装置８２に保存する。複数のテンプレート画像ＰＴを保存するのが好ましい。基準となるワーク画像とその座標を記憶装置に保存する。 First, the scanning operation will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. The control unit 8 transports the reference sample to the pick-up position. The control unit 8 acquires a reference sample image PCr with the wafer recognition camera 24 . For example, the operator of the die bonder selects at least one unique portion UA as shown in FIG. 5 from within the image through a human interface (touch panel 83b or mouse 83c). It is preferable to select multiple unique partial UAs. The control unit 8 stores at least one positional relationship (coordinates) between the selected unique portion (selection area) UA and the reference sample in the storage device 82 . The control unit 8 stores the image of the selection area UA shown in FIG. 5 in the storage device 82 as the template image PT shown in FIG. Preferably, multiple template images PT are saved. A reference workpiece image and its coordinates are stored in a storage device.

次に、連続動作について図６を用いて説明する。制御部８は生産用に部材としての製品用ウエハをピックアップ位置に搬送する。制御部８はウエハ認識カメラ２４で製品用ウエハを撮像して製品用ダイの画像ＰＣｎを取得する。図６に示すように、制御部８は倣い動作で保存していたテンプレート画像ＰＴと製品用ダイの取得画像ＰＣｎとを比較し、最も類似した部分の画像ＰＴｎを検索し、検索した画像ＰＴｎの座標を算出する。その座標とリファレンスサンプルで測定した座標とを比較し、製品用ダイの位置（画像ＰＴｎとテンプレート画像ＰＴとのオフセット）を算出する。 Next, continuous operation will be described with reference to FIG. The control unit 8 transports product wafers as members for production to a pick-up position. The control unit 8 captures an image of the product wafer with the wafer recognition camera 24 and obtains an image PCn of the product die. As shown in FIG. 6, the control unit 8 compares the template image PT saved in the copying operation with the acquired image PCn of the product die, searches for the image PTn of the most similar portion, and extracts the image PTn of the searched image PTn. Calculate the coordinates. The coordinates are compared with the coordinates measured on the reference sample to calculate the position of the product die (the offset between the image PTn and the template image PT).

ところで、製造ラインにおいては、同じ機種の製造装置を複数台設置し、１台の装置で製品の種類毎に予め条件出しを行い、それに基づいてレシピデータを作成し、他の装置へレシピデータを移植することで、同条件で処理する方法が行われている。これにより、生産立ち上げに要する時間を最小限に抑えつつ、複数台の装置において同条件での処理が可能となる。 By the way, in a production line, a plurality of manufacturing apparatuses of the same model are installed, and conditions are determined in advance for each type of product by one apparatus, recipe data is created based on the conditions, and the recipe data is sent to other apparatuses. By transplanting, a method of processing under the same conditions is performed. As a result, it is possible to perform processing under the same conditions in a plurality of devices while minimizing the time required to start up production.

次に、製造ラインにおいて１台の装置（第一装置）で予め条件出しを行い、作成したレシピデータを他の装置（第二装置）へ移植する方法について図７を用いて説明する。 Next, a method of setting conditions in advance in one device (first device) in the production line and transferring the created recipe data to another device (second device) will be described with reference to FIG.

第一装置としての第一のダイボンダ１０＿１、第二装置としての第二のダイボンダ１０＿２はダイボンダ１０と同様の構成である。ダイボンダ１０＿１，１０＿２には、ウエハ認識カメラ２４と照明装置２６が搭載されている。 A first die bonder 10_1 as a first device and a second die bonder 10_2 as a second device have the same configuration as the die bonder 10 . A wafer recognition camera 24 and an illumination device 26 are mounted on the die bonders 10_1 and 10_2.

上記で説明したダイの位置決めなどで用いる画像、画像に関するパラメータ、座標、照明値（ＬＶ）などは各製品を着工するうえでのレシピのデータの一群として製品の種類毎に保持される。その群データをレシピデータ（ＲＣＰ）と呼ぶ。 The images used for positioning the die described above, parameters related to the images, coordinates, illumination values (LV), etc. are held for each type of product as a group of recipe data for starting processing of each product. The group data is called recipe data (RCP).

レシピデータ（ＲＣＰ）を装置間で移植する方法としては、ＵＳＢメモリやＣＤ－ＲＯＭなどの外部記憶媒体２８を利用する方法、装置間を有線ＬＡＮまたは無線ＬＡＮ等の通信手段で接続する方法、第一のダイボンダ１０＿１と第二のダイボンダ１０＿２とをホストコンピュータを介して有線ＬＡＮまたは無線ＬＡＮ等で接続する方法などがある。 Methods of transferring recipe data (RCP) between devices include a method of using an external storage medium 28 such as a USB memory or a CD-ROM, a method of connecting devices with a communication means such as wired LAN or wireless LAN, There is a method of connecting the first die bonder 10_1 and the second die bonder 10_2 via a host computer with a wired LAN or a wireless LAN.

第一のダイボンダ１０＿１において制御部８がレシピデータ（ＲＣＰ）を作成し、作成されたレシピデータ（ＲＣＰ）が第二のダイボンダ１０＿２に移植されるとする。移植されるレシピデータ（ＲＣＰ）には、上述した倣い動作により求めたテンプレートマッチングに用いられるテンプレート画像ＰＴや座標データ、照明値（ＬＶ）などが含まれる。 Assume that the controller 8 creates recipe data (RCP) in the first die bonder 10_1, and the created recipe data (RCP) is transferred to the second die bonder 10_2. The recipe data (RCP) to be transferred includes the template image PT, coordinate data, illumination value (LV), and the like used for template matching obtained by the above-described copying operation.

第二のダイボンダ１０＿２の制御部８は、第一のダイボンダ１０＿１から受け取ったレシピデータ（ＲＣＰ）の照明値（ＬＶ）をもとに照明装置２６等により照明し、第二のダイボンダ１０＿２のウエハ認識カメラ２４等により移植されたレシピデータ（ＲＣＰ）が適用される製品を撮像する。このとき、レシピデータ（ＲＣＰ）の照明値（ＬＶ）が最適な照明値でない場合、第二のダイボンダ１０＿２では第一のダイボンダ１０＿１と同様の画像を得ることができない場合がある。また、レシピデータ（ＲＣＰ）の照明値（ＬＶ）が最適な照明値（ＬＶ）であっても、第一のダイボンダ１０＿１と第二のダイボンダ１０＿２の照明システム、カメラおよびレンズの機差により第二のダイボンダ１０＿２では第一のダイボンダ１０＿１と同様の画像を得ることができない場合がある。例えば、図７に示す左右のダイＤの画像の濃淡のように、照明システムの機差による照明出力の影響により、製品の映り方が異なってしまい認識エラーが発生する（鮮明な画像でないために正確な認識ができない）場合がある。 The control unit 8 of the second die bonder 10_2 illuminates with the illumination device 26 or the like based on the illumination value (LV) of the recipe data (RCP) received from the first die bonder 10_1, and wafer recognition of the second die bonder 10_2 is performed. The product to which the transplanted recipe data (RCP) is applied is imaged by the camera 24 or the like. At this time, if the illumination value (LV) of the recipe data (RCP) is not the optimum illumination value, the second die bonder 10_2 may not be able to obtain the same image as the first die bonder 10_1. Also, even if the illumination value (LV) of the recipe data (RCP) is the optimum illumination value (LV), the second The second die bonder 10_2 may not be able to obtain the same image as the first die bonder 10_1. For example, like the shades of the images of the left and right dies D shown in FIG. Accurate recognition may not be possible).

つまり、移植されたレシピデータを用いて第二のダイボンダ１０＿２の制御部８でテンプレートマッチング処理を行うと、同様の製品であってもこれらの機差が要因でマッチング一致率が低下し、生産工程における不測の変化に対する耐久性（ロバスト性）を低下させ、ダイの位置決めなどの画像アルゴリズムを正常に処理できない場合が発生し得る。マッチング一致率が所定値を下回る場合に認識エラーとする。この所定値は、例えば、７０～８０％である。 In other words, when template matching processing is performed by the control unit 8 of the second die bonder 10_2 using the transferred recipe data, even for similar products, the matching rate decreases due to these machine differences, and the production process This reduces the robustness to unexpected changes in , and may cause image algorithms such as die positioning to fail to process normally. A recognition error occurs when the matching rate falls below a predetermined value. This predetermined value is, for example, 70-80%.

また、第一のダイボンダ１０＿１の制御部８はレシピデータ（ＲＣＰ）の照明値（ＬＶ）をもとに照明装置２６等により照明し、ウエハ認識カメラ２４等により同じ製品の撮像を繰り返し実施する。繰り返し回数が多くなると、第一のダイボンダ１０＿１の照明装置２６等の経時的な劣化により第一のダイボンダ１０＿１では以前と同様の画像を得ることができない場合がある。例えば、照明出力の変化により、製品の映り方が異なってしまい認識エラーが発生する。つまり、レシピデータ（ＲＣＰ）を用いて第一のダイボンダ１０＿１でテンプレートマッチング処理を行うと、同様の製品であってもこの照明出力等の変化が要因でマッチング一致率が低下し認識エラーが発生し得る。 In addition, the control unit 8 of the first die bonder 10_1 illuminates with the illumination device 26 or the like based on the illumination value (LV) of the recipe data (RCP), and repeatedly images the same product with the wafer recognition camera 24 or the like. When the number of repetitions increases, the first die bonder 10_1 may not be able to obtain the same image as before due to deterioration over time of the illumination device 26 and the like of the first die bonder 10_1. For example, a change in lighting output causes a different appearance of the product, resulting in a recognition error. In other words, when the template matching process is performed by the first die bonder 10_1 using the recipe data (RCP), even for similar products, the matching rate decreases due to changes in the illumination output and the like, and recognition errors occur. obtain.

このような照明システム（照明装置）を含む光学系の問題に対応するため、最適な照明値を求める方法の概要について図８および図９を用いて説明する。 In order to deal with the problem of an optical system including such an illumination system (illumination device), an outline of a method for obtaining an optimum illumination value will be described with reference to FIGS. 8 and 9. FIG.

レシピデータ（ＲＣＰ）が移植先された第二のダイボンダ１０＿２または経時的な変化を起こした第一のダイボンダ１０＿１（以下、調整対象装置という。）において、制御部８が上述した連続動作を行った場合に、ダイの認識エラーが発生したとき、以下のような処理を行う。また、以下の処理を行った第二のダイボンダ１０＿２の照明装置２６等が経時的な変化を起こし、ダイの認識エラーが発生した場合も、以下の処理を行う。認識エラーが発生しない場合（認識エラーが発生する前）に行ってもよい。 In the second die bonder 10_2 to which the recipe data (RCP) has been transplanted or the first die bonder 10_1 (hereinafter referred to as the device to be adjusted) in which the recipe data (RCP) has changed over time, the controller 8 performs the continuous operation described above. In this case, when a die recognition error occurs, the following processing is performed. Also, when the lighting device 26 or the like of the second die bonder 10_2 that has performed the following processing changes over time and a die recognition error occurs, the following processing is performed. It may be performed when no recognition error occurs (before a recognition error occurs).

図８に示すように、レシピデータ（ＲＣＰ）に含まれるテンプレート画像ＰＴの二つの画像をテンプレート画像Ａ１，Ａ２という。また、調整対象装置におけるウエハ認識カメラ２４により撮像した製品画像を取得画像Ｂという。取得画像Ｂのうちテンプレート画像Ａ１，Ａ２にそれぞれ最も類似した二つの画像をパターン画像Ｃ１，Ｃ２という。パターン画像Ｃ１，Ｃ２を総称してパターン画像Ｃという。 As shown in FIG. 8, two images of the template image PT included in the recipe data (RCP) are called template images A1 and A2. Also, the product image captured by the wafer recognition camera 24 in the device to be adjusted is referred to as an acquired image B. As shown in FIG. Two images among the obtained images B that are most similar to the template images A1 and A2 are called pattern images C1 and C2. Pattern images C1 and C2 are collectively referred to as pattern image C. As shown in FIG.

パターン画像Ｃとテンプレート画像ＰＴのマッチング一致率（以下、一致度（ＭＲ）という。）には、例えば、第一パターン画像Ｃ１と第一テンプレート画像Ａ１の一致度（ＭＲ１）と、第二のパターン画像Ｃ２と第二のテンプレート画像Ａ２の一致度（ＭＲ２）と、の平均値を用いる。 The matching rate (hereinafter referred to as the matching rate (MR)) between the pattern image C and the template image PT includes, for example, the matching rate (MR1) between the first pattern image C1 and the first template image A1 and the second pattern image The average value of the degree of matching (MR2) between the image C2 and the second template image A2 is used.

調整対象装置の制御部８は照明値（ＬＶ）を変更しながらダイを認識して、一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）をサーチする。一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）が複数ある場合は、パターン間距離差（ＰＤ）が小さいほうを採用する。ここで、パターン間距離差（ＰＤ）は、図９に示すように、第一のテンプレート画像Ａ１と第二のテンプレート画像Ａ２との間の距離（ｄＡ）と、第一のパターン画像Ｃ１と第二のパターン画像Ｃ２との間の距離（ｄＣ）と、の差である。一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）が複数あり、パターン間距離差（ＰＤ）も同一の場合、パターン間角度差（ＰＡ）が小さいほうを採用する。ここで、パターン間角度差（ＰＡ）は、図９に示すように、第一のテンプレート画像Ａ１と第二のテンプレート画像Ａ２とを結ぶ直線の角度（θＡ）と、第一のパターン画像Ｃ１と第二のパターン画像Ｃ２とを結ぶ直線の角度（θＣ）と、の差である。 The control unit 8 of the device to be adjusted recognizes the die while changing the illumination value (LV), and searches for the illumination value (LVm) with the highest degree of matching. If there are a plurality of illumination values (LVm) with the highest degree of matching, the one with the smaller inter-pattern distance difference (PD) is adopted. Here, as shown in FIG. 9, the inter-pattern distance difference (PD) is the distance (dA) between the first template image A1 and the second template image A2 and the distance (dA) between the first pattern image C1 and the second template image A2. The difference is the distance (dC) between the two pattern images C2. If there are a plurality of illumination values (LVm) with the highest degree of matching and the pattern-to-pattern distance difference (PD) is the same, the one with the smaller pattern-to-pattern angle difference (PA) is adopted. Here, as shown in FIG. 9, the pattern-to-pattern angle difference (PA) is the angle (θA) of the straight line connecting the first template image A1 and the second template image A2, and the first pattern image C1. It is the difference between the angle (θC) of the straight line connecting the second pattern image C2.

そして、制御部８は取得した一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）を最適な照明値とし、その最適な照明値をレシピデータの照明値（ＬＶ）とする。 Then, the control unit 8 sets the acquired illumination value (LVm) with the highest degree of matching as the optimum illumination value, and sets the optimum illumination value as the illumination value (LV) of the recipe data.

照明値を自動調整する方法の詳細について図１０から図１３を用いて説明する。 Details of the method for automatically adjusting the illumination value will be described with reference to FIGS. 10 to 13. FIG.

制御部８は、図１０に示すように、照明値（ＬＶ）を所定範囲（ＳＲ）において所定値としてのチェック間隔（ＣＩ）ずつ増やしながら認識をしてパターン画像Ｃとテンプレート画像ＰＴの一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）をサーチする。ここで、所定範囲（ＳＲ）は、照明最小値（ＬＶｍｉｎ）から照明最大値（ＬＶｍａｘ）までである。照明値（ＬＶ）は、例えば、０～２５５の２５６諧調である（ＬＶｍｉｎ＝０、ＬＶｍａｘ＝２５５）。また、ＣＩ＝１である。一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）における一致度をＭＲｍという。なお、制御部８は照明値（ＬＶ）を照明最大値（ＬＶｍａｘ）から照明最小値（ＬＶｍｉｎ）まで所定値ずつ減らしながら認識をしてパターン画像Ｃとテンプレート画像ＰＴの一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）をサーチするようにしてもよい。また、所定範囲（ＳＲ）は照明最小値（ＬＶｍｉｎ）と照明最大値（ＬＶｍａｘ）との間ではなく、照明最小値（ＬＶｍｉｎ）よりの大きな照明値と照明最大値（ＬＶｍａｘ）よりも小さな照明値との間であってもよい。 As shown in FIG. 10, the control unit 8 recognizes the illumination value (LV) in a predetermined range (SR) while increasing the check interval (CI) as a predetermined value by increments, and recognizes the degree of matching between the pattern image C and the template image PT. Search for the illumination value (LVm) that gives the highest . Here, the predetermined range (SR) is from the illumination minimum value (LVmin) to the illumination maximum value (LVmax). The illumination value (LV) is, for example, 256 gradations from 0 to 255 (LVmin=0, LVmax=255). Also, CI=1. The degree of matching at the illumination value (LVm) at which the degree of matching is highest is called MRm. Note that the control unit 8 performs recognition while decreasing the illumination value (LV) from the maximum illumination value (LVmax) to the minimum illumination value (LVmin) by a predetermined value, and recognizes the illumination value that maximizes the degree of matching between the pattern image C and the template image PT. A value (LVm) may be searched. Further, the predetermined range (SR) is not between the minimum illumination value (LVmin) and the maximum illumination value (LVmax), but the illumination value greater than the minimum illumination value (LVmin) and the illumination value smaller than the maximum illumination value (LVmax). may be between

制御部８は、図１１に示すように、ダイ認識における照明値の自動調整を開始する（ＳＴＡＲＴ）。まず、制御部８は照明値（ＬＶ）をチェック照明値（ＣＬＶ）に変更する（ステップＳ２１）。チェック照明値（ＣＬＶ）は現在チェックしている照明値（ＬＶ）を格納するための変数である。ここで、チェック照明値（ＣＬＶ）の初期値は０である。 As shown in FIG. 11, the controller 8 starts automatic adjustment of illumination values in die recognition (START). First, the control unit 8 changes the illumination value (LV) to the check illumination value (CLV) (step S21). A check lighting value (CLV) is a variable for storing the lighting value (LV) currently being checked. Here, the initial value of the check illumination value (CLV) is zero.

続いて、制御部８はウエハ認識カメラ２４の撮像条件をプリセット（設定）する（ステップＳ２２）。 Subsequently, the control unit 8 presets (sets) imaging conditions for the wafer recognition camera 24 (step S22).

続いて、制御部８はウエハ認識カメラ２４によりダイを撮像して、撮像された画像（取得画像Ｂ）を取り込む（ステップＳ２３）。 Subsequently, the control unit 8 captures an image of the die with the wafer recognition camera 24 and captures the captured image (acquired image B) (step S23).

続いて、制御部８は取得画像Ｂからダイを認識する（ステップＳ２４）。すなわち、制御部８はテンプレート画像ＰＴと最も類似するパターン画像Ｃを検索し、そのパターン画像Ｃとテンプレート画像ＰＴとの一致度（ＭＲ）を算出する。制御部８は、さらに、パターン間距離差（ＰＤ）およびパターン間角度差（ＰＡ）を算出する。ここで、パターン間距離差（ＰＤ）を合理性距離の測定値（ＲＤ）といい、パターン間角度差（ＰＡ）を合理性角度の測定値（ＲＡ）ともいう。本ステップにおいては一致度（ＭＲ）が低くても認識エラーが発生しないようにしている。 Subsequently, the control unit 8 recognizes the die from the obtained image B (step S24). That is, the control unit 8 searches for a pattern image C that is most similar to the template image PT, and calculates the matching degree (MR) between the pattern image C and the template image PT. The control unit 8 further calculates the pattern-to-pattern distance difference (PD) and the pattern-to-pattern angle difference (PA). Here, the pattern-to-pattern distance difference (PD) is also referred to as a rationality distance measurement value (RD), and the pattern-to-pattern angle difference (PA) is also referred to as a rationality angle measurement value (RA). In this step, even if the degree of matching (MR) is low, no recognition error occurs.

続いて、制御部８はダイの認識結果を取得する（ステップＳ２５）。すなわち、制御部８は一致度（ＭＲ）、パターン間距離差（ＰＤ）およびパターン間角度差（ＰＡ）を記憶装置８２に格納する。そして、図１２に示すステップＳ２６に移動する。 Subsequently, the control unit 8 acquires the die recognition result (step S25). That is, the control unit 8 stores the degree of matching (MR), the pattern-to-pattern distance difference (PD), and the pattern-to-pattern angle difference (PA) in the storage device 82 . Then, the process moves to step S26 shown in FIG.

図１２に示すように、制御部８はダイの認識結果に問題がないかどうかを判定する（ステップＳ２６）。ここで、認識結果が問題ないことを認識結果ＯＫという。すなわち、制御部８は一致度（ＭＲ）が所定値（ＭＲｔ）以上であるかどうかを判定する。 As shown in FIG. 12, the control unit 8 determines whether there is any problem in the die recognition result (step S26). Here, the recognition result OK means that there is no problem in the recognition result. That is, the control unit 8 determines whether or not the matching degree (MR) is equal to or greater than a predetermined value (MRt).

ステップＳ２６における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８は一致度（ＭＲ）がハイスコア構造体（ＨＳ）に格納されている一致度（ＭＲｈ）より高いかどうか判定する（ステップＳ２７）。ここで、ハイスコア構造体（ＨＳ）は最も一致度が高くなる照明値（ＬＶｍ）のデータを格納するための構造体であり、構造体の中身は、照明値（ＬＶｈ）、一致度（ＭＲｈ）、合理性距離の測定値（ＲＤｈ）、合理性角度の測定値（ＲＡｈ）である。一致度（ＭＲｈ）の初期値は０である。 If the determination condition in step S26 is satisfied (YES), the control unit 8 determines whether the degree of matching (MR) is higher than the degree of matching (MRh) stored in the high score structure (HS) (step S27). Here, the high score structure (HS) is a structure for storing data of the illumination value (LVm) with the highest degree of matching, and the contents of the structure are the illumination value (LVh), the degree of matching (MRh ), the measured rationality distance (RDh), and the measured rationality angle (RAh). The initial value of the matching degree (MRh) is 0.

ステップＳ２７における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８はハイスコア構造体（ＨＳ）にデータを格納する（ステップＳ２８）。制御部８は、ステップＳ２４において算出したＭＲ、ＲＤ、ＲＡをＭＲｈ、ＲＤｈ、ＲＡｈに格納する。制御部８は、ステップＳ２１において設定されたＬＶをＬＶｈに格納する。そして、制御部８は図１３に示すステップＳ３５に移動する。 If the determination condition in step S27 is satisfied (YES), the control section 8 stores the data in the high score structure (HS) (step S28). The control unit 8 stores MR, RD, and RA calculated in step S24 in MRh, RDh, and RAh. The control unit 8 stores the LV set in step S21 in LVh. Then, the controller 8 moves to step S35 shown in FIG.

ステップＳ２７における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、制御部８は一致度（ＭＲ）がハイスコア構造体（ＨＳ）に格納されている一致度（ＭＲｈ）と同じかどうか判定する（ステップＳ２９）。 If the determination condition in step S27 is not satisfied (NO), the control unit 8 determines whether the degree of matching (MR) is the same as the degree of matching (MRh) stored in the high score structure (HS) (step S29). .

ステップＳ２９における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８はステップＳ２４において算出した合理性距離の測定値（ＭＤ）がハイスコア構造体（ＨＳ）に格納されている合理性距離の測定値（ＭＤｈ）より小さいかどうか判定する（ステップＳ３０）。 If the determination condition in step S29 is satisfied (YES), the control unit 8 controls the rationality distance measurement value (MD) calculated in step S24 to be stored in the high score structure (HS) (the rationality distance measurement value (HS)). MDh) is determined (step S30).

ステップＳ３０における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８はハイスコア構造体にデータを格納する（ステップＳ３１）。制御部８は、ステップＳ２４において算出したＭＲ、ＲＤ、ＲＡをＭＲｈ、ＲＤｈ、ＲＡｈに格納する。そして、制御部８は図１７に示すステップＳ３５に移動する。 If the determination condition in step S30 is satisfied (YES), the control unit 8 stores data in the high score structure (step S31). The control unit 8 stores MR, RD, and RA calculated in step S24 in MRh, RDh, and RAh. Then, the controller 8 moves to step S35 shown in FIG.

ステップＳ３０における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、制御部８はステップＳ２４において算出した合理性距離の測定値（ＭＤ）がハイスコア構造体（ＨＳ）に格納されている合理性距離の測定値（ＭＤｈ）と同じかどうか判定する（ステップＳ３２）。 If the determination condition in step S30 is not satisfied (NO), the control unit 8 determines whether the rationality distance measured value (MD) calculated in step S24 is stored in the high score structure (HS). It is determined whether it is the same as (MDh) (step S32).

ステップＳ３２における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８はステップＳ２４において算出した合理性角度の測定値（ＭＡ）がハイスコア構造体（ＨＳ）に格納されている合理性角度の測定値（ＭＡｈ）以下かどうか判定する（ステップＳ３３）。 If the determination condition in step S32 is satisfied (YES), the control unit 8 causes the measured rationality angle (MA) calculated in step S24 to be stored in the high score structure (HS) (measured rationality angle). MAh) Determine whether it is less than or equal to (step S33).

ステップＳ３３における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８はハイスコア構造体にデータを格納する（ステップＳ３４）。制御部８は、ステップＳ２４において算出したＭＲ、ＲＤ、ＲＡをＭＲｈ、ＲＤｈ、ＲＡｈに格納する。そして、制御部８は図１７に示すステップＳ３５に移動する。 If the determination condition in step S33 is satisfied (YES), the control unit 8 stores the data in the high score structure (step S34). The control unit 8 stores MR, RD, and RA calculated in step S24 in MRh, RDh, and RAh. Then, the controller 8 moves to step S35 shown in FIG.

ステップＳ２６における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、ステップＳ２９における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、ステップＳ３２における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、およびステップＳ３３における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、制御部８は図１３に示すステップＳ３５に移動する。 If the determination condition in step S26 is not satisfied (NO), if the determination condition in step S29 is not satisfied (NO), if the determination condition in step S32 is not satisfied (NO), and if the determination condition in step S33 is not satisfied ( NO), the controller 8 moves to step S35 shown in FIG.

図１３に示すように、制御部８はチェック照明値（ＣＬＶ）≧照明最大値（ＬＶｍａｘ）であるかどうかを判定する（ステップＳ３５）。ここで、ＬＶｍａｘ＝２５５である。 As shown in FIG. 13, the controller 8 determines whether or not the check illumination value (CLV)≧the maximum illumination value (LVmax) (step S35). where LVmax=255.

ステップＳ３５における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、制御部８はチェック照明値（ＣＬＶ）にチェック間隔（ＣＩ）を加算する（ＣＬＶ←ＣＬＶ＋ＣＩ）（ステップＳ３６）。 If the determination condition in step S35 is not satisfied (NO), the control unit 8 adds the check interval (CI) to the check illumination value (CLV) (CLV←CLV+CI) (step S36).

続いて、制御部８はチェック照明値（ＣＬＶ）＞照明最大値（ＬＶｍａｘ）であるかどうかを判定する（ステップＳ３７）。 Subsequently, the control unit 8 determines whether or not the check illumination value (CLV)>the illumination maximum value (LVmax) (step S37).

ステップＳ３７における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８はチェック照明値（ＣＬＶ）を照明最大値（ＬＶｍａｘ）にする（ステップＳ３８）。そして、制御部８は図１５に示すステップＳ２１に戻る。 If the determination condition in step S37 is satisfied (YES), the control section 8 sets the check illumination value (CLV) to the illumination maximum value (LVmax) (step S38). Then, the controller 8 returns to step S21 shown in FIG.

ステップＳ３７における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、制御部８は図１５に示すステップＳ２１に戻る。 If the determination condition in step S37 is not satisfied (NO), the control section 8 returns to step S21 shown in FIG.

ステップＳ３５における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８は認識結果ＯＫが一つ以上有るかどうかの判定（ＪＤＧ）を行う（ステップＳ３９）。 If the determination condition in step S35 is satisfied (YES), the control unit 8 determines whether or not there are one or more OK recognition results (JDG) (step S39).

ステップＳ３９における判定条件を満たす場合（ＹＥＳ）、制御部８は自動調整結果の成功（自動調整結果ＯＫ）とする（ステップＳ４０）。制御部８は自動調整結果ＯＫをモニタ８３ａに表示してもよい。そして、ダイ認識における照明値の自動調整を終了する（ＥＮＤ）。 If the determination condition in step S39 is satisfied (YES), the control unit 8 determines that the automatic adjustment result is successful (automatic adjustment result OK) (step S40). The control unit 8 may display the automatic adjustment result OK on the monitor 83a. Then, automatic adjustment of illumination values in die recognition ends (END).

ステップＳ３９における判定条件を満たさない場合（ＮＯ）、制御部８は自動調整結果の失敗（自動調整結果ＮＧ）として（ステップＳ４１）。制御部８は自動調整結果ＮＧをモニタ８３ａに表示してもよい。そして、ダイ認識における照明値の自動調整を終了する（ＥＮＤ）。 If the determination condition in step S39 is not satisfied (NO), the control unit 8 determines that the automatic adjustment result has failed (automatic adjustment result NG) (step S41). The control unit 8 may display the automatic adjustment result NG on the monitor 83a. Then, automatic adjustment of illumination values in die recognition ends (END).

実施形態によれば、下記の一つまたは複数の効果が得られる。 Embodiments provide one or more of the following effects.

（１）照明値が原因で認識エラーが発生する場合でも、照明値を制御部により自動で調整することができ、手動によるダイ認識を再度行うことによる調整が不要となる。ワーク上に設けた照度測定機（光量測定機）を用いた発光強度の測定やワーク上に設けた反射治具の反射光をカメラで撮像することによる照明出力調整が不要となる。これにより、生産装置（ダイボンダ等）の停止時間が短縮されるので、生産装置における生産性が向上する。 (1) Even if a recognition error occurs due to illumination values, the illumination values can be automatically adjusted by the control unit, eliminating the need for manual die recognition adjustments. There is no need to measure the luminous intensity using an illuminance measuring device (light amount measuring device) provided on the work or to adjust the illumination output by capturing the reflected light from the reflecting jig provided on the work with a camera. As a result, the stop time of the production equipment (die bonder, etc.) is shortened, thereby improving the productivity of the production equipment.

（２）実物の部材（ワーク）および装置（照明システム、カメラおよびレンズ等）を使用して一致度が高くなる照明値をサーチするので、その部材および装置における最適な照明値を決めることができる。これにより、最適な明るさで生産を行えるので、生産装置の品質および信頼性が向上する。 (2) Searching for illumination values that give a high degree of matching using actual members (workpieces) and devices (illumination systems, cameras, lenses, etc.), so that the optimum illumination values for the members and devices can be determined. . As a result, production can be performed with optimum brightness, thereby improving the quality and reliability of production equipment.

（３）手動による調整が不要となるので、オペレータによる違いがなくなり、人的要因のばらつき排除できるので最適な照明値を設定できる。 (3) Since there is no need for manual adjustment, there is no difference between operators, and since variations due to human factors can be eliminated, an optimum illumination value can be set.

（４）照明値のレシピを自己自動生成できるので、別生産装置で作成したレシピデータの照明値が各生産装置の最適照明値に変更できる。 (4) Since recipes for illumination values can be automatically generated, the illumination values of recipe data created by another production apparatus can be changed to the optimum illumination values for each production apparatus.

（５）照明値のレシピを自己自動生成できるので、生産装置間ばらつきを低減できる。 (5) Since recipes for illumination values can be automatically generated, variations between production apparatuses can be reduced.

＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。 <Modification>
Some representative modifications of the embodiment are illustrated below. In the description of the modifications below, the same reference numerals as in the above-described embodiment may be used for portions having the same configurations and functions as those described in the above-described embodiment. For the description of this part, the description in the above-described embodiment can be used as appropriate within a technically consistent range. Also, part of the above-described embodiments and all or part of multiple modifications can be appropriately applied in combination within a technically consistent range.

（第一変形例）
第一変形例における照明値を自動調整する方法について図１４を用いて説明する。図１４に示す黒丸「●」はサーチ箇所を示している。 (first modification)
A method of automatically adjusting the illumination value in the first modified example will be described with reference to FIG. 14 . The black circles “●” shown in FIG. 14 indicate search locations.

実施形態では、制御部８が照明値（ＬＶ）を所定範囲（ＳＲ）において１ずつ増やしながら認識をしてテンプレート画像ＰＴとパターン画像Ｃの一致度が最も高くなる照明値（ＬＶｍ）をサーチする例を説明した。第一変形例における制御部８は、図１４の上側のグラフに示すように、照明値（ＬＶ）を所定範囲（ＳＲ）において所定間隔としてのチェック間隔（ＣＩ）空けながら照明最小値（ＬＶｍｉｎ）から照明最大値（ＬＶｍａｘ）までサーチするよう構成される。言い換えると、照明値（ＬＶ）を照明最小値（ＬＶｍｉｎ）から照明最大値（ＬＶｍａｘ）まで所定値としてのチェック間隔（ＣＩ）ずつ増やしながらサーチするよう構成される。チェック間隔（ＣＩ）は設定可能である。第一変形例は実施形態に比べてサーチ速度が速い。なお、照明値（ＬＶ）を所定間隔空けながら照明最大値（ＬＶｍａｘ）から照明最小値（ＬＶｍｉｎ）までサーチするようにしてもよい。また、照明最小値（ＬＶｍｉｎ）と照明最大値（ＬＶｍａｘ）との間ではなく、照明最小値（ＬＶｍｉｎ）よりの大きな照明値と照明最大値（ＬＶｍａｘ）よりも小さな照明値との間をサーチするようにしてもよい。 In the embodiment, the control unit 8 recognizes while incrementing the illumination value (LV) by 1 within a predetermined range (SR), and searches for the illumination value (LVm) at which the degree of matching between the template image PT and the pattern image C is the highest. I explained an example. As shown in the upper graph of FIG. 14, the control unit 8 in the first modified example sets the illumination value (LV) to the minimum illumination value (LVmin) while leaving a check interval (CI) as a predetermined interval in the predetermined range (SR). to the illumination maximum value (LVmax). In other words, the illumination value (LV) is configured to search while increasing the check interval (CI) as a predetermined value from the illumination minimum value (LVmin) to the illumination maximum value (LVmax). The check interval (CI) is configurable. The search speed of the first modified example is faster than that of the embodiment. Alternatively, the search may be performed from the maximum illumination value (LVmax) to the minimum illumination value (LVmin) while the illumination value (LV) is spaced at predetermined intervals. Also, instead of searching between the minimum illumination value (LVmin) and the maximum illumination value (LVmax), the search is performed between an illumination value larger than the minimum illumination value (LVmin) and an illumination value smaller than the maximum illumination value (LVmax). You may do so.

（第二変形例）
第二変形例における照明値を自動調整する方法について図１４を用いて説明する。 (Second modification)
A method of automatically adjusting the illumination value in the second modified example will be described with reference to FIG. 14 .

第二変形例における制御部８は、図１４の上側のグラフに示すように、第一変形例と同様に照明値（ＬＶ）を所定間隔としてのチェック間隔（ＣＩ）空けながら照明最小値（ＬＶｍｉｎ）から照明最大値（ＬＶｍａｘ）までサーチする。そして、一致度が最も高い照明値（ＬＶｍ）を得る。その後、制御部８は、図１４の上側のグラフに示す一致度が最も高い照明値（ＬＶｍ）の前後、すなわち、ＬＶｍを含む所定範囲（ＬＶｓ～ＬＶｅ）において、図１４の下側のグラフに示すように、照明値（ＬＶ）を１ずつ増やしながらサーチする。ここで、ＬＶｓ＝ＬＶｍ－ＣＩ、ＬＶｅ＝ＬＶｍ＋ＣＩであり、ＬＶｍおよびＣＩは図１４の上側のグラフに示されるものである。制御部８は、照明値（ＬＶ）の初期値をＬＶｓとし、照明値最大値（ＬＶｍａｘ）をＬＶｅとして、図１１から図１３に示すフローチャートにより実行する。第二変形例は実施形態に比べてサーチ速度が速く、実施形態と同程度の精度を得ることができる。なお、所定範囲（ＬＶｓ～ＬＶｅ）において照明値（ＬＶ）を１ずつ減らしながらサーチするようにしてもよい。 As shown in the upper graph of FIG. 14, the control unit 8 in the second modification sets the illumination value (LV) to the minimum illumination value (LVmin ) to the illumination maximum value (LVmax). Then, the illumination value (LVm) with the highest degree of matching is obtained. After that, the control unit 8 controls the illumination value (LVm) with the highest degree of matching shown in the upper graph of FIG. As shown, the search is performed while incrementing the illumination value (LV) by one. where LVs=LVm-CI, LVe=LVm+CI, and LVm and CI are those shown in the upper graph of FIG. The control unit 8 sets the initial value of the illumination value (LV) to LVs and the maximum value of the illumination value (LVmax) to LVe, and executes the flowcharts shown in FIGS. 11 to 13 . The second modified example has a faster search speed than the embodiment, and can obtain the same degree of accuracy as the embodiment. Alternatively, the search may be performed while decreasing the illumination value (LV) by one within a predetermined range (LVs to LVe).

（第三変形例）
第三変形例における照明値を自動調整する方法について図１５を用いて説明する。図１５に示す黒丸「●は」サーチ箇所を示している。 (Third modification)
A method of automatically adjusting the illumination value in the third modified example will be described with reference to FIG. The black circles “●” shown in FIG. 15 indicate search locations.

第三変形例における制御部８は、図１５の上側のグラフに示すように、現在登録されている一致度が最も高い照明値（ＬＶｒ）を得る。ここで、現在登録されている一致度が最も高い照明値（ＬＶｒ）は、例えば、移植されたレシピデータＲＣＰに含まれる照明値、または、認識エラーが発生する前に設定されていた照明値である。その後、制御部８は、第二変形例と同様に、図１５の上側のグラフに示す一致度が最も高い照明値（ＬＶｒ）の前後、すなわち、ＬＶｒを含む所定範囲（ＬＶｓ～ＬＶｅ）において、図１５の下側のグラフに示すように、照明値（ＬＶ）を１ずつ増やしながらサーチする。ここで、ＬＶｓ＝ＬＶｒ－ＳＩ、ＬＶｅ＝ＬＶｒ＋ＳＩであり、ＳＩは図１４に示すＣＩと同様の範囲であってもよいし、図１４に示すＣＩよりも大きな範囲であってもよい。第三変形例は実施形態に比べてサーチ速度が速く、実施形態と同程度の精度を得ることができる。なお、所定範囲（ＬＶｓ～ＬＶｅ）において照明値（ＬＶ）を１ずつ減らしながらサーチするようにしてもよい。 The control unit 8 in the third modification obtains the currently registered lighting value (LVr) with the highest degree of matching, as shown in the upper graph of FIG. 15 . Here, the currently registered illumination value (LVr) with the highest degree of matching is, for example, the illumination value included in the transplanted recipe data RCP, or the illumination value set before the recognition error occurred. be. After that, similarly to the second modification, the control unit 8 controls the illumination value (LVr) with the highest degree of matching shown in the upper graph of FIG. As shown in the lower graph of FIG. 15, the search is performed while increasing the illumination value (LV) by one. Here, LVs=LVr−SI and LVe=LVr+SI, and SI may be in the same range as CI shown in FIG. 14 or may be in a larger range than CI shown in FIG. The third modified example has a higher search speed than the embodiment, and can obtain the same degree of accuracy as the embodiment. Alternatively, the search may be performed while decreasing the illumination value (LV) by one within a predetermined range (LVs to LVe).

以上、本開示者らによってなされた発明を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 The present disclosure has been specifically described based on the embodiments and modifications, but the present disclosure is not limited to the above embodiments and modifications, and can be modified in various ways. Needless to say.

例えば、実施形態では二つのテンプレート画像Ａ１，Ａ２および二つのパターン画像Ｃ１，Ｃ２を用いる例を説明したが、テンプレート画像およびパターン画像はそれぞれ一つであってもよいし、三つ以上であってもよい。 For example, in the embodiment, two template images A1 and A2 and two pattern images C1 and C2 are used. good too.

また、実施形態ではダイ供給部におけるダイの認識を例にして説明したが、中間ステージ部におけるダイの認識、ボンド前の基板の認識、ボンド後のダイおよび基板の認識、アンダビジョンカメラによるダイまたはコレットの認識等についても適用できる。なお、ボンド後のダイおよび基板の認識における照明値はダイを対象にして最適値を求める。 Further, in the embodiments, the die recognition in the die supply section was explained as an example, but the die recognition in the intermediate stage section, the substrate recognition before bonding, the die and substrate recognition after bonding, the die or the substrate by the under vision camera, etc. It can also be applied to recognition of collets and the like. For the illumination value for recognizing the die and substrate after bonding, the optimum value is obtained for the die.

また、実施形態では同軸照明を例にして説明したが、斜光リング照明または斜光バー照明、若しくは同軸照明とそれらの組み合わせた照明装置であってもよい。 In addition, although coaxial lighting has been described as an example in the embodiments, it is also possible to use oblique ring lighting, oblique bar lighting, or a combination of these with coaxial lighting.

また、実施形態ではダイ位置認識の後にダイ外観検査認識を行っているが、ダイ外観検査認識の後にダイ位置認識を行ってもよい。 Further, in the embodiment, the die visual inspection recognition is performed after the die position recognition, but the die position recognition may be performed after the die visual inspection recognition.

また、実施形態ではウエハの裏面にＤＡＦが貼付されているが、ＤＡＦはなくてもよい。 Moreover, although the DAF is attached to the back surface of the wafer in the embodiment, the DAF may be omitted.

また、実施形態ではピックアップヘッドおよびボンディングヘッドをそれぞれ１つ備えているが、それぞれ２つ以上であってもよい。また、実施形態では中間ステージを備えているが、中間ステージがなくてもよい。この場合、ピックアップヘッドとボンディングヘッドは兼用してもよい。 Also, although one pickup head and one bonding head are provided in the embodiment, two or more of each may be provided. Also, although the embodiment includes an intermediate stage, the intermediate stage may be omitted. In this case, the pickup head and the bonding head may be used together.

また、実施形態ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この場合、中間ステージは設けなくてもよい。この装置はフリップチップボンダという。 In addition, in the embodiment, the die is bonded with its surface facing up, but after picking up the die, the die may be turned over and bonded with the back surface of the die facing up. In this case, no intermediate stage may be provided. This device is called a flip chip bonder.

また、実施形態では半導体製造装置について説明したが、電子部品をプリント基板に実装する実装装置にも適用できる。 Moreover, although the semiconductor manufacturing apparatus has been described in the embodiments, the present invention can also be applied to a mounting apparatus that mounts electronic components on a printed circuit board.

８・・・制御部
２４・・・ウエハ認識カメラ（撮像装置）
Ｃ・・・パターン画像
Ｄ・・・ダイ（ワーク）
ＰＴ・・・テンプレート画像 8... Control unit 24... Wafer recognition camera (imaging device)
C... Pattern image D... Die (work)
PT・・・Template image

Claims (12)

照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、
前記照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、
前記照明値による前記照明システムの出力制御および前記撮像装置で撮像した画像の画像処理を行うよう構成される制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記照明値を第一の所定値に設定して、前記照明システムにより光が照射されたワークを前記撮像装置により撮像して画像を取得し、
取得した前記画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、
前記最も類似するパターン画像と前記テンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、
前記第一の所定値を所定範囲内において変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 a lighting system that emits an amount of light based on the lighting value;
an imaging device that captures an image of a work irradiated with light from the illumination system;
a control unit configured to perform output control of the illumination system according to the illumination value and image processing of an image captured by the imaging device;
with
The control unit
setting the illumination value to a first predetermined value, capturing an image of the workpiece illuminated by the light from the illumination system with the imaging device, and obtaining an image;
searching the obtained images to obtain a pattern image that is most similar to the template image;
calculating a matching rate between the most similar pattern image and the template image;
A mounting apparatus configured to change the first predetermined value within a predetermined range to obtain an illumination value that maximizes the matching rate. 請求項１の実装装置において、
前記テンプレート画像は第一のテンプレート画像と第二のテンプレート画像を有し、
前記パターン画像は第一のパターン画像と第二のパターン画像を有し、
前記マッチング一致率は、前記第一のテンプレート画像と前記第一のパターン画像とのマッチング率と、前記第二のテンプレート画像と前記第二のパターン画像とのマッチング率と、の平均値である実装装置。 In the mounting apparatus of claim 1,
the template image has a first template image and a second template image;
the pattern image has a first pattern image and a second pattern image;
The matching rate is an average value of a matching rate between the first template image and the first pattern image and a matching rate between the second template image and the second pattern image. Device. 請求項２の実装装置において、
前記制御部は、
前記第一のテンプレート画像と前記第二のテンプレート画像との距離である第一距離と、前記第一のパターン画像と前記第二のパターン画像との距離である第二距離と、の差であるパターン間距離差を算出し、
前記マッチング一致率が最も高くなる照明値が複数ある場合は、前記パターン間距離差が小さいほうの照明値を採用するよう構成される実装装置。 In the mounting apparatus according to claim 2,
The control unit
A difference between a first distance, which is the distance between the first template image and the second template image, and a second distance, which is the distance between the first pattern image and the second pattern image Calculate the distance difference between patterns,
A mounting apparatus configured to adopt an illumination value with a smaller inter-pattern distance difference when there are a plurality of illumination values with which the matching rate is the highest. 請求項３の実装装置において、
前記制御部は、
前記第一のテンプレート画像と前記第二のテンプレート画像とを結ぶ直線の角度である第一角度と、前記第一のパターン画像と前記第二のパターン画像とを結ぶ直線の角度である第二角度と、の差であるパターン間角度差を算出し、
前記パターン間距離差が同一の場合、前記パターン間角度差が小さいほうの照明値を採用するよう構成される実装装置。 In the mounting apparatus according to claim 3,
The control unit
A first angle that is the angle of a straight line connecting the first template image and the second template image, and a second angle that is the angle of a straight line connecting the first pattern image and the second pattern image. and the angle difference between patterns, which is the difference between
A mounting apparatus configured to adopt an illumination value with a smaller inter-pattern angle difference when the inter-pattern distance differences are the same. 請求項４の実装装置において、
前記制御部は、前記第一の所定値を第二の所定値ずつ増加、または、前記第二の所定値ずつ減少させて、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 In the mounting apparatus according to claim 4,
The controller is configured to increase the first predetermined value by a second predetermined value or decrease by the second predetermined value to obtain an illumination value that maximizes the matching rate. Device. 請求項５の実装装置において、
前記所定範囲は前記照明値の最小値から最大値であり、前記第二の所定値は１である実装装置。 In the mounting apparatus according to claim 5,
The mounting apparatus, wherein the predetermined range is from the minimum value to the maximum value of the illumination value, and the second predetermined value is one. 請求項５の実装装置において、
前記所定範囲は前記照明値の最小値から最大値であり、前記第二の所定値は２以上である実装装置。 In the mounting apparatus according to claim 5,
The mounting apparatus, wherein the predetermined range is from the minimum value to the maximum value of the illumination value, and the second predetermined value is 2 or more. 請求項７の実装装置において、
前記第一の所定値を前記第二の所定値ずつ増加、または、前記第二の所定値ずつ減少させて、求めた前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を所定照明値とし、
前記所定照明値から前記第二の所定値を減じた照明値と、前記所定照明値に前記第二の所定値を加えた照明値と、の間を第二の所定範囲内とし、
前記制御部は、前記第一の所定値を、前記第二の所定範囲内を１ずつ増加、または、１ずつ減少させて、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 In the mounting apparatus according to claim 7,
increasing the first predetermined value by the second predetermined value or decreasing the second predetermined value by the second predetermined value, and determining the illumination value at which the matching rate is the highest as the predetermined illumination value;
setting an illumination value obtained by subtracting the second predetermined value from the predetermined illumination value and an illumination value obtained by adding the second predetermined value to the predetermined illumination value within a second predetermined range;
The controller is configured to increase or decrease the first predetermined value by one within the second predetermined range by one to obtain an illumination value that maximizes the matching rate. Device. 請求項４の実装装置において、
移植されたレシピに含まれている、または、生産時に使用されていた照明値を所定照明値とし、
前記制御部は、前記第一の所定値を、前記所定照明値を含む第二の所定範囲内を１ずつ増加、または、１ずつ減少させて、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求めるよう構成される実装装置。 In the mounting apparatus according to claim 4,
the lighting values included in the ported recipe or used during production as predetermined lighting values;
The control unit increases the first predetermined value by 1 or decreases it by 1 within a second predetermined range including the predetermined illumination value, and obtains an illumination value that maximizes the matching rate. A mounting device configured as: 請求項１の実装装置において、
前記制御部は、
前記テンプレート画像と、前記テンプレート画像の座標データと、を含むレシピデータを有し、
前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を最適照明値として前記レシピデータに保持することが可能なよう構成される実装装置。 In the mounting apparatus of claim 1,
The control unit
recipe data including the template image and coordinate data of the template image;
A mounting apparatus configured to be able to hold, in the recipe data, an illumination value with which the matching rate is the highest as an optimum illumination value. 照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、前記照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、を備える装置における照明システムの調整方法であって、
前記ワークを搬入工程と、
前記ワークを前記撮像装置により認識する認識工程と、
を含み、
前記認識工程は、
照明値を所定値に設定して、前記照明システムにより光が照射されたワークを前記撮像装置により撮像して画像を取得し、
取得した前記画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、
前記最も類似するパターン画像と前記テンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、
前記所定値を変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求める照明システムの調整方法。 A method for adjusting an illumination system in an apparatus comprising: an illumination system that emits an amount of light based on an illumination value; and an imaging device that captures an image of a work illuminated by the illumination system,
a step of loading the workpiece;
a recognition step of recognizing the work by the imaging device;
including
The recognition step includes
setting an illumination value to a predetermined value, capturing an image of the workpiece illuminated by the light from the illumination system with the imaging device, and obtaining an image;
searching the obtained images to obtain a pattern image that is most similar to the template image;
calculating a matching rate between the most similar pattern image and the template image;
A method for adjusting an illumination system, wherein the predetermined value is changed to obtain an illumination value that maximizes the matching rate. 照明値に基づいた光量を発光する照明システムと、前記照明システムにより光が照射されたワークを撮像する撮像装置と、を備える半導体製造装置にワークを搬入する搬入工程と、
前記ワークを前記撮像装置により認識する認識工程と、
を含み、
前記認識工程は、
照明値を所定値に設定して、前記照明システムにより光が照射されたワークを前記撮像装置により撮像して画像を取得し、
取得した前記画像を検索してテンプレート画像と最も類似するパターン画像を取得し、
前記最も類似するパターン画像と前記テンプレート画像とのマッチング一致率を算出し、
前記所定値を変更して、前記マッチング一致率が最も高くなる照明値を求める半導体装置の製造方法。 a carrying-in step of carrying a workpiece into a semiconductor manufacturing apparatus comprising an illumination system that emits a light amount based on an illumination value, and an imaging device that captures an image of the workpiece illuminated by the illumination system;
a recognition step of recognizing the work by the imaging device;
including
The recognition step includes
setting an illumination value to a predetermined value, capturing an image of the workpiece illuminated by the light from the illumination system with the imaging device, and obtaining an image;
searching the obtained images to obtain a pattern image that is most similar to the template image;
calculating a matching rate between the most similar pattern image and the template image;
A method of manufacturing a semiconductor device, wherein an illumination value that maximizes the matching rate is obtained by changing the predetermined value.
JP2021207622A 2021-12-21 2021-12-21 Mounting apparatus, adjustment method of illumination system and manufacturing method of semiconductor apparatus Pending JP2023092401A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021207622A JP2023092401A (en) 2021-12-21 2021-12-21 Mounting apparatus, adjustment method of illumination system and manufacturing method of semiconductor apparatus
CN202211633442.0A CN116313891A (en) 2021-12-21 2022-12-19 Mounting apparatus, method of adjusting illumination system, and method of manufacturing semiconductor device
KR1020220178965A KR20230095015A (en) 2021-12-21 2022-12-20 Mounting device, method of adjusting lighting system, and method of manufacturing semiconductor device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021207622A JP2023092401A (en) 2021-12-21 2021-12-21 Mounting apparatus, adjustment method of illumination system and manufacturing method of semiconductor apparatus

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2023092401A true JP2023092401A (en) 2023-07-03

Family

ID=86831199

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021207622A Pending JP2023092401A (en) 2021-12-21 2021-12-21 Mounting apparatus, adjustment method of illumination system and manufacturing method of semiconductor apparatus

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2023092401A (en)
KR (1) KR20230095015A (en)
CN (1) CN116313891A (en)

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6669523B2 (en) 2016-02-15 2020-03-18 ファスフォードテクノロジ株式会社 Die bonder and method of manufacturing semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN116313891A (en) 2023-06-23
KR20230095015A (en) 2023-06-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102215915B1 (en) Die bonding apparatus and manufacturing method of semiconductor device
TWI624887B (en) Semiconductor manufacturing device and method for manufacturing semiconductor device
CN108573901B (en) Bare chip bonding apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JPH04233245A (en) System and method for inspection and alignment at semiconductor chip and conductor lead frame
KR102219591B1 (en) Apparatus for manufacturing semiconductor and method of manufacturing semiconductor device
CN108364880B (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
JP7225337B2 (en) Semiconductor manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing method
JP7029900B2 (en) Manufacturing method of die bonding equipment and semiconductor equipment
CN109524320B (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
KR102641333B1 (en) Die bonding apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP2023092401A (en) Mounting apparatus, adjustment method of illumination system and manufacturing method of semiconductor apparatus
KR102516586B1 (en) Die bonding apparatus and manufacturing method of semiconductor device
JP2018152375A (en) Die-bonding device and method of manufacturing semiconductor device
KR102304880B1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing semiconductor device
TWI823297B (en) Die bonding device and method for manufacturing semiconductor device
JP2023100562A (en) Semiconductor manufacturing device, inspection device, and method for manufacturing semiconductor
JPH07193398A (en) Automatic assembly/mounting device and its method
JP2012174846A (en) Pickup device and pickup method for semiconductor chip