JP2023091495A - インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法。 - Google Patents

Abstract

【課題】インプリント技術を使って基板の上に形成される複数のパターンの均一性を向上させるために有利な技術を提供する。
【解決手段】基板の上のインプリント材と型とが接触した状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント方法は、第１光源を使って前記インプリント材に第１光を照射し、かつ、第２光源を使って前記インプリント材に第２光を照射することによって前記インプリント材を硬化させ、前記インプリント材の硬化物からなる複数のパターンを形成する硬化工程を含み、前記硬化工程を経て形成される前記複数のパターンのそれぞれの評価値の分布が目標分布を満たすように、前記硬化工程において前記第２光源によって前記インプリント材に照射される前記第２光の強度分布が調整される。
【選択図】図１

Description

本発明は、インプリント方法、インプリント装置および物品製造方法に関する。

基板の上のインプリント材に型を接触させ、該インプリント材に光を照射することによって該インプリント材を硬化させ、該インプリント材の硬化物からなるパターンを形成するインプリント方法が知られている。特許文献１には、テンプレートを使って基板の領域の上にパターンを形成する方法において、該領域の内側に加えられる内側露光量がテンプレートのメサ側壁に入射する側壁露光量より大きい露光量の空間分布で成形可能材料を露光することが記載されている。

特開２０２０－１９８４２８号公報

不均一な露光量分布でインプリント材（成形可能材料）を露光すると、硬化工程を経て形成されるパターン高さやパターン線幅が不均一になりうる。また、半導体プロセスでは、インプリント方法によってパターンを形成した後にエッチング処理を行うことがあり、不均一な露光量分布でインプリント材を露光した結果は、エッチング処理後にパターン高さやパターン線幅の不均一性をもたらすこともありうる。

本発明は、インプリント技術を使って基板の上に形成される複数のパターンの均一性を向上させるために有利な技術を提供することを目的とする。

本発明の１つの側面は、基板の上のインプリント材と型とが接触した状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント方法に係り、前記インプリント方法は、第１光源を使って前記インプリント材に第１光を照射し、かつ、第２光源を使って前記インプリント材に第２光を照射することによって前記インプリント材を硬化させ、前記インプリント材の硬化物からなる複数のパターンを形成する硬化工程を含み、前記硬化工程を経て形成される前記複数のパターンのそれぞれの評価値の分布が目標分布を満たすように、前記硬化工程において前記第２光源によって前記インプリント材に照射される前記第２光の強度分布が調整される。

本発明によれば、インプリント技術を使って基板の上に形成される複数のパターンの均一性を向上させるために有利な技術が提供される。

第１実施形態のインプリント装置の構成を模式的に示す図。 第２光源ユニットの構成を模式的に示す図。 型に設けられた遮光膜を例示する図。 第１光源ユニット１第１光源）からの第１光による基板上のインプリント材の露光量分布を例示する図。 第１光源ユニットおよび第２光源ユニットによる露光を模式的に示す図。 第１光源ユニットによる露光量とパターン高さ変化量（線幅変化量）との関係を例示する図。 インプリント処理の流れを示す図。 未硬化のインプリント材のはみ出しを模式的に示す図。 第２実施形態のインプリント装置の構成を模式的に示す図。 第２光源ユニット（第２光源）からの第２光による基板上のインプリント材の露光量分布を例示する図。 パターン領域における周辺領域の下でインプリント材が流動している様子を模式的に示す図。 パターン領域における周辺領域の下でインプリント材が流動している様子を模式的に示す図。 物品製造方法を説明するための図。

以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。なお、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。

図１には、第１実施形態のインプリント装置１００の構成が模式的に示されている。インプリント装置１００は、半導体デバイスなどの物品を製造するために使用されうる。インプリント装置１００は、基板Ｗの上のインプリント材Ｒと型Ｍとが接触した状態でインプリント材Ｒを硬化させる。これにより、基板Ｗの上にインプリント材Ｒの硬化物からなる複数のパターンが形成されうる。本明細書および図面では、方向は、ＸＹＺ座標系に従って説明される。基板Ｗは、ＸＹ平面に平行に配置されうる。ＸＹ平面は、水平面あり、Ｚ軸のマイナス方向は、鉛直方向でありうる。

インプリント材としては、光が照射されることにより硬化する硬化性組成物（未硬化状態の樹脂と呼ぶこともある）が用いられる。光の波長は、１０ｎｍ以上１ｍｍ以下の範囲から選択されうる。硬化性組成物は、少なくとも重合性化合物と光重合開始剤とを含有し、必要に応じて非重合性化合物または溶剤を更に含有してもよい。非重合性化合物は、増感剤、水素供与体、内添型離型剤、界面活性剤、酸化防止剤、ポリマー成分などの群から選択される少なくとも一種である。インプリント材は、液滴状、或いは複数の液滴が繋がってできた島状又は膜状となって基板上に配置されうる。また、インプリント材は、スピンコーターやスリットコーターによって基板上に膜状に供給されてもよい。インプリント材の粘度（２５℃における粘度）は、例えば、１ｍＰａ・ｓ以上１００ｍＰａ・ｓ以下でありうる。基板の材料としては、例えば、ガラス、セラミックス、金属、半導体（Ｓｉ、ＧａＮ、ＳｉＣ等）、樹脂等が用いられうる。必要に応じて、基板の表面に、基板とは別の材料からなる部材が設けられてもよい。基板は、例えば、シリコンウェハ、化合物半導体ウェハ、石英ガラスである。また、型Ｍは、基板Ｗのショット領域Ｓに対応するパターン領域Ｍｐを有し、パターン領域Ｍｐは、転写すべきデバイスパターンを有するデバイスパターン領域と、該デバイスパターン領域の外側に配置され、転写すべきマーク１０を含む周辺領域とを含みうる。型Ｍは、光を透過させることが可能な石英などで構成される。

インプリント装置１００は、例えば、型駆動機構６、基板駆動機構８０、第１光源ユニット１、および、第２光源ユニット４を備えうる。インプリント装置１００は、その他、アライメント光学系２、観察光学系３、および、ディスペンサ７を備えうる。

型駆動機構６は、真空吸引力または静電力等により型Ｍを保持する型チャックと、該型チャックを駆動する型駆動アクチュエータとを含みうる。型駆動機構６は、型ＭをＸ軸方向およびＹ軸方向に変形させて、インプリント材Ｒに転写されるパターンの歪みを補正する型形状補正機構３４を含んでもよい。型形状補正機構３４は、補正アクチュエータによって型Ｍの側面に対して力を印加してパターン領域Ｍｐの形状を目標形状に変形させることによってパターン領域Ｍｐの形状を補正することができる。補正アクチュエータは、例えば、ピエゾアクチュエータを含みうる。型形状補正機構３４の補正アクチュエータは、制御部１４０によって制御され、例えば、パターン領域Ｍｐの歪みをｎｍオーダまたはサブｎｍオーダで調整しうる。

基板Ｗの上のインプリント材Ｒと型Ｍとを接触させる動作、および、硬化したインプリント材Ｒと型Ｍとを分離する動作は、型ＭをＺ軸方向に移動させることで実現してもよいが、例えば、基板ＷをＺ軸方向に移動させることで実現してもよい。あるいは、これらの動作は、型Ｍおよび基板Ｗの双方が駆動されることで実現されてもよい。

基板駆動機構８０は、基板Ｗを真空吸引等によって保持する基板チャックを有する基板ステージ８１と、基板ステージ８１を駆動する基板駆動アクチュエータ８２とを含みうる。基板駆動アクチュエータ８２は、例えば、Ｘ軸方向およびＹ軸方向、ならびにＺ軸周りの回転に関して基板ステージ８１を駆動しうる。基板駆動アクチュエータ８２は、更に、Ｘ軸周りの回転、Ｙ軸周りの回転、および、Ｚ軸方向の少なくとも１つに関して基板ステージ８１を駆動してもよい。

第１光源ユニット１は、基板Ｗの上のインプリント材Ｒと型Ｍの転写領域とを接触させる接触工程の後にインプリント材Ｒを硬化させるために紫外光等の光をインプリント材Ｒに照射するように制御部１４０によって制御されうる。第１光源ユニット１は、例えば、高圧水銀ランプ、エキシマランプ、エキシマレーザ、発光ダイオードまたはレーザダイオードの少なくとも１つを第１光源９１として含みうる。

一例において、第１光源ユニット１は、第１光源９１として、高圧水銀ランプを含みうる。高圧水銀ランプは、例えば、少なくとも２つの波長においてピーク強度を有する光を発生しうる。より具体的な例を挙げれば、高圧水銀ランプは、例えば、波長３１３ｎｍの輝線と波長３６５ｎｍの輝線とを含む光を発生しうる。波長３１３ｎｍにおける光強度（ピーク強度）と波長３６５ｎｍにおける光強度（ピーク強度）とは、同等でありうる。インプリント材Ｒは、波長３１３ｎｍの光と波長３６５ｎｍの光との両方を吸収し、硬化反応を起こすように構成されることが望ましく、この場合、硬化反応に寄与する照度は、１波長の場合の約２倍となる。これにより、インプリント材Ｒの硬化に要する時間を短縮することができ、インプリント装置１００のスループットを大幅に改善することができる。また、一般的に光学設計では単波長用に設計したレンズ群に比べて、多波長のそれの場合には収差性能が劣る。しかしながら、インプリント装置１００の場合、露光光の役割は、インプリント材Ｒを硬化させることであるため、この収差が増大することによるパターンの転写性能の低下は小さい。第１光源ユニット１は、第１光源９１の他、複数の光学素子を含みうる。該複数の光学素子は、型Ｍのパターン領域の照度分布を規定しうる。

第１光源ユニット１による基板Ｗに対する光の照射領域を規定するために遮光ユニット３３が設けられうる。遮光ユニット３３は、第１光源ユニット１の構成要素として理解されてもよいし、第１光源ユニット１とは別の構成要素として理解されてもよい。遮光ユニット３３は、光源ユニット１の第１光源９１からの光を通過させる開口を規定する遮光部材と、該遮光部材を駆動するアクチュエータとを含みうる。遮光ユニット３３（遮光部材）によって規定される第１光源ユニット１による照射領域は、基板ステージ８１上に搭載された光センサ８９を使って計測されうる。光センサ８９は、第２光源ユニット４による照射領域を計測するためにも使用されうる。光センサ８９は、例えば、ピンホールを通過した光を計測する積算光量センサでもよいし、ＣＣＤまたはＣＭＯＳセンサのようなイメージセンサでもよい。

ここで、遮光ユニット３３（遮光部材）によって規定される第１光源ユニット１による照射領域について、より詳細に説明する。インプリント装置１００では、未硬化のインプリント材Ｒを基板Ｗ上に配置し、型Ｍをインプリント材Ｒに押し付けて、型Ｍのパターン領域Ｍｐのパターンにインプリント材Ｒを充填させる。この充填の際に、図８に示すように、パターン領域Ｍｐの外側に未硬化のインプリント材Ｒがはみ出した部分（以下、はみ出し部分）６１が形成されうる。インプリント材Ｒのはみ出し部分６１が露光された場合、パターン領域Ｍｐの外側に不要な硬化物が形成される。はみ出し部分６１の硬化物は、隣接するショット領域にパターンを形成する際に型Ｍと接触する可能性がある。また、はみ出し部分６１の硬化物は、後工程でのエッチング処理時に、正しくエッチング処理が行えない原因ともなりうる。したがって、インプリント装置１００では、パターン領域Ｍｐの外側に未硬化のインプリント材Ｒがはみ出すことを防ぐ必要がある。

そこで、はみ出し部分６１の硬化を防ぐために、図３に例示されるように、型Ｍのパターン領域Ｍｐの外側には、露光光を遮光する遮光膜５１が配置されうる。遮光膜５１は、露光光を透過させない材料、または、５０％以上減衰させる材料で構成される。遮光膜５１は、例えばＣｒ膜でもよい。型Ｍのパターン領域Ｍｐの外側にＣｒ遮光膜５１を設けることで、露光光を遮断することができる。しかしながら、遮光膜５１が発生させる膜応力により、パターン領域ＭｐのＩＰ（Ｉｍａｇｅ Ｐｌａｃｅｍｅｎｔ）精度が低下しうる。したがって、遮光膜５１は、ＩＰの低下を防ぐために、必要最小限の領域にのみ形成されうる。一例において、図４に示すＣｒ遮光膜５１のＸ軸方向長さは１００μｍ程度とされうるが、この寸法は必要に応じて適宜変更されうる。

図４には、第１光源ユニット１（第１光源９１）からの第１光による基板Ｗ上のインプリント材Ｒの露光量分布５２が例示されている。露光量分布５２は、第１光源ユニット１からの第１光によってインプリント材Ｒに形成される光強度分布として理解されてもよい。第１光源ユニット１からの第１光による基板Ｗ上のインプリント材Ｒの露光量分布５２（光強度分布）は、パターン領域Ｍｐの外側に向かって露光量（光強度分布）が低下する光学ボケを反映した形状を有する。本明細書では、露光量分布５２（あるいは光強度分布）の左側または右側において露光量が変化する部分の距離５５を光学ボケ量と定義する。

インプリント装置１００では、第１光源ユニット１（第１光源９１）が発生する第１光は、インプリント材Ｒを硬化させるための光であるため、投影露光装置で用いられる投影光学系のように収差を抑えた光学設計は要求されない。したがって、光学ボケ量が数ｍｍオーダであっても、インプリント材Ｒを硬化させる性能には影響を与えない。しかしながら、前述したように、パターン領域Ｍｐの外側にはみ出したはみ出し部分のインプリント材Ｒを硬化させると、不具合が発生しうる。はみ出し部分のインプリント材Ｒを硬化させないためには、例えば、第１光源ユニット１が発生する第１光によるはみ出し部分の露光量を抑える必要がある。はみ出し部分のインプリント材Ｒを硬化させないためには、例えば、はみ出し部分の露光量を硬化に必要な露光量の１０％以下とする必要がある。これに従えば、遮光膜５１の位置における露光量が硬化に必要な露光量の１０％以下となるように、第１光源ユニット１からの第１光の光強度分布の裾の位置が調整されうる。このような露光量分布５２が形成されるように、光量センサ１４１を用いて遮光ユニット３３が調整されうる。

遮光膜５１により遮光された、はみ出し部分６１のインプリント材Ｒは、インプリント処理の終了後も未硬化であるため、時間の経過に伴って揮発しうる。このようにして、インプリント材Ｒのはみ出しによる問題は解決される。

アライメント光学系２は、型Ｍと基板Ｗとのアライメントのための計測を担う。アライメント光学系２は、型Ｍのマーク１０と基板Ｗのマーク１１との相対位置を光学的に検出するための光学装置である。また、アライメント光学系２は、駆動可能な複数のスコープ２ａを有しうる。複数のスコープ２ａは、型Ｍのマーク１０または基板Ｗのマーク１１の位置に応じてＸ軸方向およびＹ軸方向に駆動されうる。複数のスコープ２ａは、マークの位置に焦点を合わせるためにＺ軸方向にも駆動可能に構成されてもよい。アライメント光学系２は、その他、共通光学系２１、ならびに、光学部材３１、２２、２３を有しうる。共通光学系２１、ならびに、光学部材３１、２２、２３は、例えば、リレー光学系を構成する光学部材を含みうる。共通光学系２１、ならびに、光学部材３１、２２、２３は、例えば、基板Ｗの表面と共役な面を位置Ｃに形成する光学系を構成しうる。

基板Ｗには、多種多様の物質が多層膜状に形成され、基板Ｗのマーク１１は、その多層膜の任意の階層に形成されうる。そのため、アライメント光学系２で使用する光の波長帯域が狭く、その波長帯域が光強度を弱め合う干渉条件を満たす場合、基板Ｗのマーク１１からの信号が微弱となって、位置合わせが困難となる。そこで、アライメント光学系２で使用される光は、インプリント材Ｒが感光（硬化）しない波長で、なるべく広い帯域を網羅していることが望ましい。例えば、４００～２０００ｎｍの波長帯域が網羅されることが望ましく、少なくとも５００～８００ｎｍの波長帯域が網羅されることがより望ましい。アライメント光学系２で使用される光源としては、例えば、発光波長帯域が広いランプが好ましい。また、発光波長帯域が数十ｎｍ、数ｎｍの光源（発光ダイオード、レーザダイオード等）を、複数組み合わせることで、離散的に広帯域が網羅されてもよい。制御部１４０は、アライメント光学系２を使って取得した型Ｍと基板Ｗとの相対位置、および、形状差に基づいて、基板ステージ８１、型形状補正機構３４、第２光源ユニット４等を制御するための制御情報を発生しうる。

観察光学系３は、基板Ｗの少なくとも１つのショット領域Ｓの全体を観察可能なスコープでありうる。観察光学系３は、インプリント処理の状態を確認するために用いられうる。これには、例えば、基板Ｗ上のインプリント材Ｒに対する型Ｍの押しつけ状態、型Ｍのパターンへのインプリント材Ｒの充填状態、基板Ｗ上のインプリント材Ｒの硬化物からの型Ｍの分離状態、型Ｍと基板Ｗとの間の異物挟み込みなどが含まれうる。観察光学系３の光は、アライメント光学系２ほどの広い帯域は必要とせず、インプリント材Ｒが感光（硬化）しない波長であればよい。また、観察光に伴う熱に起因して型Ｍまたは基板Ｗが膨張し、インプリント材Ｒに転写されるパターンに位置ズレや歪みが発生することを抑えるため、観察光の光強度は、観察可能な範囲で微弱であることが望ましい。

図２には、第２光源ユニット４の構成例が示されている。第２光源ユニット４は、第１光源ユニット１とは異なる波長の光を採用しうる。また、第２光源ユニット４は、１つの波長においてのみピーク強度を有する光を生成しうる。他の観点において、第２光源ユニット４が発生する第２光の波長帯域は、第１光源ユニット１が発生する第１光の波長帯域より狭いことが好ましい。第２光源ユニット４は、例えば、波長４０５ｎｍの光を採用しうる。第２光源ユニット４は、例えば、レーザダイオードやまたは光ダイオード等の固体発光素子（あるいは、半導体発光素子）で構成された光源を第２光源１０１として含む。図４を参照して説明した第１光源ユニット１の露光量分布５２において、パターン領域Ｍｐにおける周辺部の露光量は、パターン領域Ｍｐにおける中央部よりも小さい。このように周辺部における露光量の不足は、第２光源ユニット４によって補われうる。

第２光源ユニット４は、目的とする露光量分布あるいは光強度分布を形成するために調整器１０２を含みうる。第２光源ユニット４は、例えば、パターン領域Ｍｐにおける周辺部に第２光を照射しうる。図１０には、第２光源ユニット４によって基板Ｗ上のインプリント材Ｒに照射される第２光によるインプリント材Ｒの露光量分布５６が例示されている。露光量分布５６は、第２光源ユニット４からの第２光によってインプリント材Ｒに形成される光強度分布として理解されてもよい。パターン領域Ｍｐにおける周辺部の露光量不足を補うために、第２光源ユニット４の光学ボケ量５７は、遮光膜５１の幅以下に収められうる。遮光膜５１の幅が１００μｍである場合、第２光源ユニット４の光学ボケ量は１００μｍ未満でありうる。このような構成は、ショット領域Ｓにおけるインプリント材Ｒを均一な露光量で露光するために有利である。

ショット領域Ｓにおける周辺部は、第１光源ユニット１からの第１光および第２光源ユニット４からの第２光によるインプリント材Ｒの露光量が、ショット領域Ｓにおける中央部（周辺部の内側の領域）よりも大きくてもよい。

第２光源ユニット４からの第２光によってインプリント材Ｒに形成される第２光強度分布の周辺部における光学ボケ量は、第１光源ユニット１からの第１光によってインプリント材Ｒに形成される第１光強度分布の周辺部における光学ボケ量よりも小さい。これは、例えば、第２光源ユニット４の第２光源１０１としてレーザダイオードを使用することによって実現されうる。レーザダイオードは、単波長の光を発生するので、光学設計で収差を抑えやすい（つまり、光学ボケ量を抑えやすい）。また、レーザダイオードは、高い照度を得るために有利である。

第２光源ユニット４による光学ボケ量を第１光源ユニット１による光学ボケ量よりも小さくするためには、インプリント材Ｒに照射される第２光のＮＡ（開口数）がインプリント材Ｒに照射される第１光のＮＡより小さいことが好ましい。一例において、第１光源ユニット１からインプリント材Ｒ（基板Ｗ）に到達する光のＮＡは、０．１８であり、第２光源ユニット４からインプリント材Ｒ（基板Ｗ）に到達する光のＮＡは、０．０５である。

第１光源ユニット１および第２光源ユニット４のうち第２光源ユニット４のみを使ってショット領域Ｓ上のインプリント材Ｒを硬化させることが可能である。しかしながら、１つの典型的な構成において、第１光源ユニット１の高圧水銀ランプからの第１光によるインプリント材Ｒにおける照度と比べると、第２光源ユニット４のレーザダイオードからの第２光によるインプリント材Ｒにおける照度は低い。その理由の１つとして、後述する光学部材３１、３２としてのダイクロイックミラーの透過率および反射率、光学部材３６としてのハーフミラーにより第２光源ユニット４のレーザダイオードからの第２光が減衰することを挙げることができる。また、第２光源ユニット４の構成要素である調整器１０２の紫外線耐性には上限があるため、単純に第２光源ユニット４の光出力を増加することは難しい。このような理由から、第２光源ユニット４のみでスループットを落とさずにインプリント材Ｒを硬化させることは難しい。

次に第２光源ユニット４の構成に関して説明する。レーザダイオード等の第２光源１０１から放射された光１０５は、光学素子１０３によって照明領域が調整され、調整器１０２を照明する。調整器１０２は設定された照明パターンに応じて空間変調された光１０５を反射する。調整器１０２に入射した光１０５のうち空間変調において不要な光は不図示の光減衰器（ディフューザ）へ照射され、基板Ｗへは到達しない。空間変調された光１０５は、光学素子１０４によって照明倍率が調整され、第２光として基板Ｗを照明する。前述のように、第２光源ユニット４によってインプリント材Ｒ（基板Ｗ）に照射される第２光の光学ボケ量は、第１光源ユニット１によるそれよりも小さい。第２光源ユニット４によってインプリント材Ｒ（基板Ｗ）に照射される第２光の光学ボケ量は、遮光膜５１の幅より小さくされる。

調整器１０２は、ショット領域Ｓが目標露光量（照度×時間、または、√（照度）×時間）分布で露光されるように制御部１４０によって制御される。調整器１０２は、例えば、複数の液晶素子を光透過面に配置し、複数の液晶素子に印加される電圧を個別に制御することで照度分布、照射時間を変化させることが可能な液晶装置でありうる。あるいは、調整器１０２は、複数のミラー素子を光反射面にアレイ状に配置し、各ミラー素子の面方向を個別に調整することで照度分布、照射時間を変化させることが可能なデジタル・ミラー・デバイス（デジタル・マイクロミラー・デバイス）でありうる。あるいは、調整器１０２は、ガルバノミラー、または、ＣＧＨなどの回折素子であってもよいし、他の素子であってもよい。調整器１０２は、紫外光等の光１０５の部分的な吸収によって発熱する他、調整器１０２が有する電気回路からの発熱によって温度が上昇しうる。そこで、調整器１０２の性能と寿命を確保するために、空冷または水冷等による冷却機能が設けられうる。

制御部１４０は、インプリント装置１００の複数の構成要素、例えば、型駆動機構６、基板駆動機構８０、第１光源ユニット１、第２光源ユニット４、アライメント光学系２、観察光学系３、および、ディスペンサ７を制御するように構成されうる。制御部１４０は、例えば、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｇａｔｅ Ａｒｒａｙの略。）などのＰＬＤ（Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｌｏｇｉｃ Ｄｅｖｉｃｅの略。）、又は、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ Ｓｐｅｃｉｆｉｃ Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔの略。）、又は、プログラムが組み込まれた汎用又は専用のコンピュータ、又は、これらの全部または一部の組み合わせによって構成されうる。制御部１４０は、インプリント装置１００の他の部分と一体で（共通の筐体内に）構成してもよいし、インプリント装置１００の他の部分とは別体で（別の筐体内に）構成してもよい。

図１に例示されたインプリント装置１００では、アライメント光学系２は、共通光学系２１を含み、共通光学系２１は、第１光源ユニット１、観察光学系３、第２光源ユニット４によっても共有される。１つの側面において、共通光学系２１は、第１光源ユニット１からの第１光によってインプリント材Ｒに第１光強度分布を形成し、かつ、第２光源ユニット４からの第２光によってインプリント材Ｒに第２光強度分布を形成する光学系である。光学部材３１は、アライメント光を反射し、第１光源ユニット１からの第１光と、観察光学系３の観察光と、第２光源ユニット４からの第２光とを透過させる。共通光学系２１および光学部材３１は、第１光源ユニット１からの第１光および第２光源ユニット４からの第２光に対して十分に高い透過率を有する材料（例えば、石英や蛍石）で構成されうる。

光学部材３１は、例えば、ダイクロイックミラーであり、例えば、５００～２０００ｎｍの波長帯域における反射率が高く、２００～５００ｎｍの波長帯域における透過率が高い特性を有しうる。反射率が高い波長帯域は、５００～２０００ｎｍに限らず、広い方が望ましいが、製造上の制約などで、例えば、６００～９００ｎｍ、または、５００～８００ｎｍであってもよい。同様に、透過率が高い波長帯域は、２００～５００ｎｍに限らず、広い方が望ましいが、例えば、３００～６００ｎｍ、または、３００～５００ｎｍであってもよい。

光学部材３２は、第１光源ユニット１からの第１光を反射し、観察光学系３の光および第２光源ユニット４からの第２光を透過させる。一例において、第１光源ユニット１からの第１光の波長帯域を４００ｎｍ以下、第２光源ユニット４からの第２光の波長帯域を４００ｎｍ以上かつ５００ｎｍ以下とすることができる。光学部材３２は、例えば、ダイクロイックミラーでありうる。光学部材３２は、例えば、４００ｎｍ以下（２００～４００ｎｍ、もしくは３００～４００ｎｍ）の波長帯域における反射率が高く、４００ｎｍ以上（４００～５００ｎｍ、もしくは４００～６００ｎｍ）の波長帯域における透過率が高い特性を有しうる。波長の閾値は４００ｎｍに限らず、例えば、３８０ｎｍ、または、４２０ｎｍであってもよい。

光学部材３５は、例えば、ハーフミラーであり、観察光学系３の光路の一部と第２光源ユニット４の光路の一部とを共通化する。観察光学系３が使用する光の波長と第２光源ユニット４が使用する第２光の波長とが同一、近似、または部分的に重複する場合、ダイクロイックミラーを使うことができない。観察光学系３の光路および第２光源ユニット４の光路の透過率は、必ずしも５０％：５０％のように均等に割り当てられてなくてもよい。上述したが、観察光学系３は、型Ｍのパターンへのインプリント材の充填性などをモニターできれば良いため、例えば、観察光学系３の光路は４０％透過、第２光源ユニット４の光路は６０％反射としても構わない。

ディスペンサ７は、基板Ｗ上にインプリント材Ｒを塗布あるいは配置する。ディスペンサ７は、インプリント装置１００の構成要素である必要はなく、外部装置として提供されてもよい。ディスペンサ７が外部装置として提供される場合、ディスペンサ７によってインプリント材Ｒが配置された基板Ｗがインプリント装置１００に提供される。そのようなシステム構成によれば、インプリント装置１００の内部で基板Ｗ上にインプリント材Ｒを配置する必要がなくなるので、インプリント装置１００における処理が迅速化されうる。また、インプリント装置１００の構成要素としてのディスペンサ７が不要となることから、インプリント装置１００全体としての製造コストを抑えることができる。

第１光源ユニット１の光学ボケ量が遮光膜５１の幅より大きい場合、図４の露光量分布５２に例示されるように、パターン領域Ｍｐにおける中央部と、パターン領域Ｍｐにおける周辺部とで露光量に差が生じ、特に周辺部において露光量が不足する。

図６には、目標露光量で硬化させたインプリント材Ｒと、目標露光量に満たない数種類の露光量で硬化させたインプリント材Ｒのパターン高さ（または線幅）を比較した結果が示されている。インプリント材Ｒを目標露光量で硬化させた際のパターン高さ（または線幅）がリファレンスとされている（図６中のＲｅｆ）。図６の縦軸は、露光量の差により発生したリファレンスに対するパターン高さ減少率（または線幅減少率）を表す。横軸は、第１光源ユニット１による露光量を示す。第１光源ユニット１による露光量がリファレンスより減少することで、パターン高さ（または線幅）が減少することが実験的に確認された。例えば、図６中のＣ点では、露光量がリファレンスの１０％の場合に、パターン高さがリファレンスより５％低くなる。遮光膜５１および遮光ユニット３３によってパターン領域Ｍｐの外側へのインプリント材Ｒのはみ出しを抑制した場合、ショット領域Ｓ内でパターン高さの均一性が保てないことが分かる。パターン高さの均一性が５％程度崩れると、プロセスにも依存するが、後工程でのエッチング処理が正しく行えないなどの問題が生じる可能性がある。

露光量の不足量に応じて露光時間を延長し、露光量不足を補うことは技術的に可能であるが、露光時間の延長分に応じてインプリント装置１００のスループットが減少する。また、余計な熱量が基板Ｗに与えられるので、重ね合わせ精度が低下しうる。本実施形態では、インプリント材Ｒのはみ出しを抑制しつつ、露光量不足によるインプリント材Ｒのパターン高さ変化や、線幅変化を抑制する技術が提供される。

インプリント材Ｒの硬化後のパターン高さ、あるいはパターン線幅の均一性を保証するために、本実施形態では、第２光源ユニット４からの第２光による露光量が、第１光源ユニット１からの第１光による露光量に対して加えられる。より具体的には、第２光源ユニット４からの第２光による露光量分布５４（図５）に従う露光量が、第１光源ユニット１からの第１光による露光量分布５２（図４）に従う露光量に対して加えられる。

ここで、第２光による露光量分布５４を決定する方法に関して説明する。一例として、第１光源ユニット１からの第１光による露光量を１００％から１０％まで離散的に減らし、各露光量で硬化されたインプリント材Ｒのパターン高さ（または線幅）をデータベース化する。

次に、第１光源ユニット１からの第１光による露光量１００％から１０％までの各露光量において、リファレンス（ここでは、第１光源ユニット１からの第１光による露光量１００％におけるパターン高さ（または線幅）とする。）と同等のパターン高さ（または線幅）が得られるように、第１光源ユニット１による露光量に足し合わせる第２光源ユニット４による露光量を決定する。第１光源ユニット１と第２光源ユニット４の光の波長が異なるため、両者では、インプリント材Ｒの光吸収特性および硬化反応特性が異なる。このため、第１光源ユニット１と第２光源ユニット４の波長の組み合わせに応じたデータベースが用意されうる。

制御部１４０は、光センサ８９を使って、基板Ｗ上に照射される第１光源ユニット１からの第１光による露光量分布５２を取得し、ショット領域Ｓ内における第１光源ユニット１による第１露光量分布を生成する。

次いで、制御部１４０は、第１露光量分布に基づいて、パターン高さ変化（または線幅変化）が目標範囲（例えば、±１％以内）に収まるように、上記データベースを参照して第２光源ユニット４の第２露光量分布を決定する。次いで、制御部１４０は、第２露光量分布に基づいて、第２光源ユニット４による基板Ｗに対する露光量を調整器１０２で調整する。以上の処理により、スループットを低下させることなく、また、パターン領域Ｍｐの外側にはみ出したインプリント材Ｒを硬化させることなく、インプリント材Ｒのパターン高さ（または線幅）の均一性を向上させることができる。

以上を要約すると、本実施形態のインプリント方法は、基板Ｗの上のインプリント材Ｒと型Ｍとが接触した状態でインプリント材Ｒを硬化させる。該インプリント方法は、第１光源を使ってインプリント材に第１光を照射し、かつ、第２光源を使ってインプリント材に第２光を照射することによってインプリント材Ｒを硬化させ、インプリント材Ｒの硬化物からなる複数のパターンを形成する硬化工程を含む。ここで、該硬化工程を経て形成される該複数のパターンのそれぞれの評価値の分布が目標分布を満たすように、該硬化工程において第２光源によってインプリント材Ｒに照射される第２光の強度分布が調整される。ここで、該評価位置は、例えば、パターン高さ、または、パターン線幅である。

以下、図７を参照しながらインプリント装置１００によるインプリント処理について説明する。図７に示される処理は、制御部１４０によって制御される。まず、工程Ｓ１において、不図示の基板搬送部によって基板（例えば、ウェハ）Ｗが基板ステージ８１に搬送され、基板ステージ８１のチャックによって保持される。次いで、工程Ｓ２において、基板Ｗのショット領域Ｓがディスペンサ７による塗布位置に移動するように基板ステージ８１が駆動され、ショット領域Ｓにディスペンサ７によってインプリント材Ｒが配置あるいは塗布される。次いで、工程Ｓ３において、インプリント材Ｒが配置されたショットＳが型Ｍの直下に位置するように、基板ステージ８１が駆動される。次いで、工程Ｓ４において、ショット領域Ｓ上のインプリント材Ｒと型Ｍとが接触するように、型駆動機構６および／または基板駆動機構８０が制御される。

次いで、工程Ｓ５では、型Ｍのパターン領域Ｍｐに沿ってインプリント材Ｒが流動しながらパターン領域ＭＰのパターン（凹部）にインプリント材Ｒが充填される。これを充填工程という。工程Ｓ５における充填工程の後、または、充填工程と並行して、工程Ｓ６および工程Ｓ７が実行されうる。工程Ｓ６、工程Ｓ７では、基板Ｗのマーク１０および型Ｍのマーク１１の相対位置がアライメント光学系２を使って検出され、その結果に基づいて基板Ｗのショット領域と型Ｍのパターン領域とのアライメント、および、型Ｍの形状補正がなされる。アライメントは、例えば、基板駆動機構８０によってなされうるが、基板駆動機構８０と型駆動機構６の双方によってなされてもよい。型Ｍの形状補正は、型形状補正機構３４によってなされる。型Ｍの形状補正に代えて、または、加えて、基板Ｗのショット領域の形状が補正されてもよい。ショット領域の形状の補正は、例えば、基板Ｗに熱分布を与えることによってなされうる。

次いで、工程Ｓ８では、第１光源ユニット１および第２光源ユニット４を用いてショット領域の上のインプリント材Ｒを硬化させる硬化工程が実行される。次いで、工程Ｓ９では、基板Ｗの上にインプリント材Ｒの硬化物から型Ｍが分離される。工程Ｓ４～工程Ｓ９と並行して、工程Ｓ１０では、観察光学系３を使って基板Ｗ、インプリント材Ｒ、型Ｍが観察されてもよい。

工程Ｓ５～工程Ｓ８では、パターン領域Ｍｐの外縁よりも外側の領域にインプリント材Ｒがはみ出さないように、パターン領域Ｍｐにおける周辺領域に第２光源ユニット４によって第２光を照射する。これによって、インプリント材Ｒの粘度が高められ、あるいは硬化される。この場合、第２光源ユニット４によって第２光がインプリント材Ｒに照射される時点から硬化工程が開始すると理解されてよい。

図１１には、パターン領域Ｍｐにおける周辺領域の下でインプリント材Ｒが流動している様子が模式的に示されている。パターン領域Ｍｐは、デバイスパターン領域７２と、デバイスパターン領域７２の外側の周辺領域７３とを含みうる。デバイスパターン領域７２は、複数のデバイスパターン１３を含み、周辺領域７３は、少なくとも１つのマーク１０を含みうる。

マーク１０（凹部）に対するインプリント材Ｒの充填中にマーク１０を含む領域を通して第２光源ユニット４からの第２光がインプリント材Ｒに照射されると、マーク１０に対するインプリント材Ｒの充填が妨げられうる。これにより、充填時間が増加し、あるいは充填不良が発生しうる。これらの問題を回避するために、第２光源ユニット４によってパターン領域Ｍｐにおける周辺領域７３（マーク１０を含む領域）を通してインプリント材Ｒを露光するタイミングは、インプリント材Ｒによるマーク１０の充填が完了した後とすることが好ましい。他の観点において、第２光源ユニット４によるパターン領域Ｍｐにおける周辺領域７３（マーク１０を含む領域）を通してインプリント材Ｒを露光するタイミングは、インプリント材Ｒがマーク１０を通り過ぎた後とすることが好ましい。この後、工程Ｓ６で基板Ｗ（ショット領域Ｓ）と型Ｍとのアライメントがなされるので、まだ第１光源ユニット１による露光は行わない。第２光源ユニット４による露光によって、インプリント材Ｒの一部の粘度が高くなるか、あるいは硬化するが、ショット領域Ｓの極一部であるため、工程Ｓ６工におけるアライメントに与える影響は軽微である。

また、図１２に示されるように、マーク１０とパターン領域Ｍｐの外縁との間の領域には、パターンが存在しないことが一般的であり、この場合は、マーク１０とパターン領域Ｍｐの外縁との間の領域におけるインプリント材Ｒの充填挙動を考える必要はない。したがって、第２光源ユニット４からの第２光による露光量分布５６を図１２のようにマーク１０の外側に配置してもよい。この場合、硬化工程では、第２光源ユニット４からの第２光は、パターン領域Ｍｐのうちマーク１０よりも外側の領域のみを通してインプリント材Ｒに照射される。したがって、インプリント材Ｒによるマーク１０の充填完了、もしくは、インプリント材Ｒがマーク１０を通り過ぎるタイミングを待たずに、その前から第２光源ユニット４による露光を開始することができる。第２光源ユニット４からの第２光による露光量分布５６にインプリント材Ｒが流れ込むことで、インプリント材Ｒの粘度が高まり、もしくは硬化することで、パターン領域Ｍｐの外側にインプリント材Ｒがはみ出すことを防ぐことができる。

硬化工程において、インプリント材Ｒに対する第１光源ユニット１による第１光の照射をインプリント材に対する第２光源ユニット４による第２光の照射よりも先に開始してもよい。このような制御は、第１光が照射される領域におけるインプリント材Ｒの充填が、第２光が照射される領域におけるインプリント材Ｒの充填よりも早く完了する場合に有利である。

硬化工程において、インプリント材Ｒに対して第１光を照射する期間と、インプリント材Ｒに対して第２光を照射する期間とが少なくとも部分的に重複してもよい。

以上のインプリント処理によれば、基板Ｗの上に形成される複数のパターンの均一性を向上させることができる。

図９には、第２実施形態のインプリント装置１００の構成が模式的に示されている。第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第２実施形態では、第１光源ユニット１と光学部材３２との間に、第１光源ユニット１からの第１光と第２光源ユニット４からの第２光とを合成する光学部材３６（ハーフミラー）が配置されている。第２実施形態では、第１光源ユニット１からの第１光の波長と第２光源ユニット４からの第２光の波長とが同じであってもよい。第２実施形態では、第１実施形態における部材３５は不要である。第２実施形態においても、第２光源ユニット４の光学ボケ量は、第１光源ユニット１の光学ボケ量より小さく、遮光膜５１の幅以下であることが好ましい。

第１光源ユニット１と第２光源ユニット４との光の波長を同じにすることで、第１実施形態で説明した第２光源ユニット４の露光量を決定する手順を簡略化することができる。同一波長であるため、波長の相違に応じたインプリント材Ｒの光吸収特性および硬化反応特性の相違を考慮する必要がない。したがって、波長の相違を考慮することなく、インプリント材Ｒを硬化させるために必要な露光量となるように、第１光源ユニット１による露光量分布５２を補うように第２光源ユニット４による露光量分布を決定すればよい。つまり、異なる波長の光を組み合わせた際の各露光量とパターン高さ変化（線幅変化）を紐づけるデータベースが不要となる。

インプリント装置を用いて形成した硬化物のパターンは、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、ＭＥＭＳ、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ、フラッシュメモリ、ＭＲＡＭのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、ＬＳＩ、ＣＣＤ、イメージセンサ、ＦＰＧＡのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。

硬化物のパターンは、上記物品の少なくとも一部の構成部材として、そのまま用いられるか、或いは、レジストマスクとして一時的に用いられる。基板の加工工程においてエッチング又はイオン注入等が行われた後、レジストマスクは除去される。

次に、インプリント装置によって基板にパターンを形成し、該パターンが形成された基板を処理し、該処理が行われた基板から物品を製造する物品製造方法について説明する。図１３（ａ）に示すように、絶縁体等の被加工材２ｚが表面に形成されたシリコンウエハ等の基板１ｚを用意し、続いて、インクジェット法等により、被加工材２ｚの表面にインプリント材３ｚを付与する。ここでは、複数の液滴状になったインプリント材３ｚが基板上に付与された様子を示している。

図１３（ｂ）に示すように、インプリント用の型４ｚを、その凹凸パターンが形成された側を基板上のインプリント材３ｚに向け、対向させる。図１３（ｃ）に示すように、インプリント材３ｚが付与された基板１ｚと型４ｚとを接触させ、圧力を加える。インプリント材３ｚは型４ｚと被加工材２ｚとの隙間に充填される。この状態で硬化用のエネルギーとして光を型４ｚを介して照射すると、インプリント材３ｚは硬化する。

図１３（ｄ）に示すように、インプリント材３ｚを硬化させた後、型４ｚと基板１ｚを引き離すと、基板１ｚ上にインプリント材３ｚの硬化物のパターンが形成される。この硬化物のパターンは、型の凹部が硬化物の凸部に、型の凸部が硬化物の凹部に対応した形状になっており、即ち、インプリント材３ｚに型４ｚの凹凸パターンが転写されたことになる。

図１３（ｅ）に示すように、硬化物のパターンを耐エッチングマスクとしてエッチングを行うと、被加工材２ｚの表面のうち、硬化物が無いか或いは薄く残存した部分が除去され、溝５ｚとなる。図１３（ｆ）に示すように、硬化物のパターンを除去すると、被加工材２ｚの表面に溝５ｚが形成された物品を得ることができる。ここでは硬化物のパターンを除去したが、加工後も除去せずに、例えば、半導体素子等に含まれる層間絶縁用の膜、つまり、物品の構成部材として利用してもよい。

以下、他の実施形態に係る物品製造方法について説明する。物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。さらに、該物品製造方法は、パターンを形成された基板を処理する工程、例えばエッチング工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子などの他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりにパターンを形成された基板を加工する他の処理を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。

発明は上記実施形態に制限されるものではなく、発明の精神及び範囲から離脱することなく、様々な変更及び変形が可能である。従って、発明の範囲を公にするために請求項を添付する。

１００：インプリント装置、１：第１光源ユニット、４：第２光源ユニット、Ｗ:基板、Ｍ：型、１０２：調整器

Claims (22)

1. 基板の上のインプリント材と型とが接触した状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント方法であって、
   第１光源を使って前記インプリント材に第１光を照射し、かつ、第２光源を使って前記インプリント材に第２光を照射することによって前記インプリント材を硬化させ、前記インプリント材の硬化物からなる複数のパターンを形成する硬化工程を含み、
   前記硬化工程を経て形成される前記複数のパターンのそれぞれの評価値の分布が目標分布を満たすように、前記硬化工程において前記第２光源によって前記インプリント材に照射される前記第２光の強度分布が調整される、
   ことを特徴とするインプリント方法。
2. 前記型は、前記基板のショット領域に対応するパターン領域を有し、
   前記硬化工程では、前記第１光は前記パターン領域を通して前記インプリント材に照射され、前記第２光は前記パターン領域における周辺部に照射される、
   ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
3. 前記周辺部は、前記第１光および前記第２光による前記インプリント材の露光量が、前記周辺部の内側の中央部よりも大きい、
   ことを特徴とする請求項２に記載のインプリント方法。
4. 前記硬化工程において、前記インプリント材に対する前記第２光の照射を前記インプリント材に対する前記第１光の照射よりも先に開始する、
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント方法。
5. 前記パターン領域は、デバイスパターン領域と、前記デバイスパターン領域の外側の周辺領域とを含み、前記周辺領域は、マークを含み、
   前記第２光は、前記マークを含む領域を通して前記インプリント材に照射され、
   前記硬化工程において、前記第２光は、前記マークに対して前記インプリント材が充填された後に前記マークを含む前記領域を通して前記インプリント材に照射される、
   ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
6. 前記パターン領域は、デバイスパターン領域と、前記デバイスパターン領域の外側の周辺領域とを含み、前記周辺領域は、マークを含み、
   前記硬化工程において、前記第２光は、前記パターン領域のうち前記マークよりも外側の領域のみを通して前記インプリント材に照射される、
   ことを特徴とする請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインプリント方法。
7. 前記硬化工程において、前記インプリント材に対する前記第１光の照射を前記インプリント材に対する前記第２光の照射よりも先に開始する、
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント方法。
8. 前記硬化工程において、前記インプリント材に対して前記第１光を照射する期間と、前記インプリント材に対して前記第２光を照射する期間とが少なくとも部分的に重複する、
   ことを特徴とする請求項２又は３に記載のインプリント方法。
9. 前記第１光は、第１光学ボケ量をもって前記インプリント材に照射され、前記第２光は、前記第１光学ボケ量より小さい第２ボケ量をもって前記インプリント材に照射される、
   ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか１項に記載のインプリント方法。
10. 前記第２ボケ量は、１００μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント方法。
11. 前記第１光は、少なくとも２つの波長においてピーク強度を有する光であり、前記第２光は、１つの波長においてのみピーク強度を有する光である、
    ことを特徴とする請求項２乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント方法。
12. 前記第２光の波長帯域は、前記第１光の波長帯域より狭い、
    ことを特徴とする請求項２乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント方法。
13. 前記第１光は、高圧水銀ランプによって生成され、前記第２光は、固体発光素子によって生成される、
    ことを特徴とする請求項１１又は１２に記載のインプリント方法。
14. 前記第２光のＮＡは、前記第１光のＮＡより小さい、
    ことを特徴とする請求項２乃至１３のいずれか１項に記載のインプリント方法。
15. 基板の上のインプリント材と型とが接触した状態で前記インプリント材を硬化させるインプリント装置であって、
    第１光を発生する第１光源ユニットと、
    第２光を発生する第２光源ユニットと、
    前記第１光源ユニットからの前記第１光によって前記インプリント材に第１光強度分布を形成し、かつ、前記第２光源ユニットからの前記第２光によって前記インプリント材に第２光強度分布を形成する光学系と、を備え、
    前記第２光源ユニットは、前記第２光強度分布を調整する調整器を含み、
    前記第２光強度分布の周辺部における光学ボケ量は、前記第１光強度分布の周辺部における光学ボケ量よりも小さい、
    ことを特徴とするインプリント装置。
16. 前記調整器は、前記第１光強度分布の周辺部における光学ボケによる露光量の不足が前記第２光強度分布によって補われるように前記第２光強度分布を調整する、
    ことを特徴とする請求項１５に記載のインプリント装置。
17. 前記第２光強度分布の周辺部における光学ボケ量は、１００μｍ以下である、
    ことを特徴とする請求項１５又は１６に記載のインプリント装置。
18. 前記第１光源ユニットは、少なくとも２つの波長においてピーク強度を有する光を生成し、前記第２光源ユニットは、１つの波長においてのみピーク強度を有する光を生成する、
    ことを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれか１項に記載のインプリント装置。
19. 前記第２光の波長帯域は、前記第１光の波長帯域より狭い、
    ことを特徴とする請求項１５乃至１８のいずれか１項に記載のインプリント装置。
20. 前記第１光源ユニットは、高圧水銀ランプを含み、前記第２光源ユニットは、固体発光素子を含む、
    ことを特徴とする請求項１８又は１９に記載のインプリント装置。
21. 前記第２光のＮＡは、前記第１光のＮＡより小さい、
    ことを特徴とする請求項１５乃至２０のいずれか１項に記載のインプリント装置。
22. 請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインプリント方法に従って基板の上にパターンを形成する工程と、
    前記パターンが形成された前記基板を処理して物品を得る処理工程と、
    を含むことを特徴とする物品製造方法。

Images