JP2023072644A - 異物除去方法、異物除去装置、及び物品の製造方法 - Google Patents
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- Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
インプリント装置は、基板上に供給された硬化性組成物(インプリント材)を型と接触させ、硬化性組成物に硬化用のエネルギーを与えることにより、型の凹凸パターンが転写された硬化物のパターンを形成する装置である。例えば、インプリント装置は、基板上に硬化性組成物を供給し、凹凸のパターンが形成された型を基板上の硬化性組成物に接触させた状態で当該硬化性組成物を硬化させる。そして、型と基板との間隔を広げて、硬化した硬化性組成物から型を剥離(離型)することで、基板上の硬化性組成物に型のパターンを転写することができる。このような一連の処理を、インプリント処理と呼び、基板における複数のショット領域の各々について行われる。つまり、1枚の基板における複数のショット領域の各々に対してインプリント処理を行う場合には、該1枚の基板におけるショット領域の数だけインプリント処理が繰り返し行われることとなる。
第1の実施形態では、インプリント装置1でインプリント処理を行う前に異物除去処理を行う例を用いて説明を行った。本実施形態では、基板上の凹凸を平坦化する平坦化処理装置で平坦化処理を行う前に異物除去処理を行う例を用いて説明を行う。本実施形態では、第1の実施形態と同様な部分については説明を省略し、異なる部分を中心に説明を行う。
本実施形態は、図2のS204の硬化性組成物の硬化性組成物の位置決定時に、異物上に硬化性組成物の液滴が滴下されるように調整する方法について説明する。本実施形態では第1及び第2の実施形態と異なる部分を中心に説明を行い、同じ部分については説明を省略する。
本実施形態では、第1の実施形態~第3の実施形態の記載の異物除去方法とは異なる異物除去方法について説明する。本実施形態では、他の実施形態と同様な部分については説明を省略し、異なる部分を中心に説明を行う。第1の実施形態~第3の実施形態では、異物の大きさ等の情報に応じた硬化性組成物を供給する例を用いて説明を行ったが、本実施形態では異物の大きさを予め取得しなくともよい例を説明する。
第1乃至第4の実施形態を用いて説明した異物除去方法を用いて異物を除去した基板に種々のパターニングや、平坦化処理等の基板処理を行って製造される基板は、各種物品の少なくとも一部に恒久的に、或いは各種物品を製造する際に一時的に、用いられる。物品とは、電気回路素子、光学素子、MEMS、記録素子、センサ、或いは、型等である。電気回路素子としては、DRAM、SRAM、フラッシュメモリ、MRAMのような、揮発性或いは不揮発性の半導体メモリや、LSI、CCD、イメージセンサ、FPGAのような半導体素子等が挙げられる。型としては、インプリント用のモールド等が挙げられる。
5 供給部
7 制御部
8 型
9 硬化部
10 基板
14 硬化性組成物
53 異物
Claims (13)
- 基板上の異物を除去する異物除去方法であって、
前記基板上に硬化性組成物を供給する供給工程と、
前記基板上の硬化性組成物に、部材を接触させる接触工程と、
前記硬化性組成物と前記部材とが接触した状態で前記硬化性組成物を硬化させる硬化工程と
前記基板から前記部材を分離することで、前記基板上から前記硬化性組成物と異物を除去する除去工程と、を有し、
硬化した前記硬化性組成物が前記部材に積層されるように、前記供給工程、前記接触工程、前記硬化工程、前記除去工程を含む異物処理工程を、同一の前記部材を用いて複数回繰り返し行うことを特徴とする異物除去方法。 - 前記基板上の異物の位置および大きさを取得する取得工程と、
前記取得工程で取得した情報に基づき、前記基板上に供給する硬化性組成物の量を決定する決定工程と、をさらに有し、
前記供給工程は、前記決定工程で決定された前記硬化性組成物の量を、前記基板上に供給することを特徴とする請求項1に記載の異物除去方法。 - 前記接触工程は、前記硬化性組成物に、密着性が向上する表面処理層を介して前記部材を接触させることを特徴とする請求項1に記載の異物除去方法。
- 前記部材の前記硬化性組成物と接触する面に、前記表面処理層として前記硬化性組成物との密着性が向上する密着層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の異物除去方法。
- 前記基板上に供給された硬化性組成物の前記部材と接触する面に、前記表面処理層として密着性が向上する密着層が形成されていることを特徴とする請求項3に記載の異物除去方法。
- 前記取得工程で取得された情報に基づき、前記接触工程で用いる前記部材を決定する部材決定工程をさらに有することを特徴とする請求項2に記載の異物除去方法。
- 前記硬化工程における前記硬化性組成物の硬化条件は、前記硬化性組成物の量に応じて定まることを特徴とする請求項2に記載の異物除去方法。
- 前記供給工程は、前記硬化性組成物の複数の液滴を前記基板上に配置することにより行われることを特徴とする請求項2に記載の異物除去方法。
- 前記供給工程で、前記異物の位置に応じて、前記複数の液滴の配置を決定し、前記基板上に前記硬化性組成物を供給することを特徴とする請求項7に記載の異物除去方法。
- 前記接触工程は、前記取得工程で取得した情報に基づき、前記部材の接触条件を決定し、接触させることを特徴とする請求項2に記載の異物除去方法。
- 前記部材の前記硬化性組成物に接触する面には、前記硬化性組成物との密着性が向上する処理が行なわれていることを特徴とする請求項3に記載の異物除去方法。
- 請求項1乃至11のいずれか1項に記載の異物除去方法により異物が除去された基板を用意する工程と、
前記用意された基板上にインプリント処理または平坦化処理を行う基板処理工程と、
前記基板処理工程で処理された基板を加工する工程と、を含み、
加工された前記基板から物品を製造することを特徴とする物品の製造方法。 - 基板上の異物を除去する異物除去装置であって、
基板を保持する基板保持部と、
部材を保持する部材保持部と、
前記硬化性組成物を硬化させる硬化部と、
前記基板上に供給された硬化性組成物に前記部材を接触させ、さらに、前記硬化性組成物と前記部材とが接触した状態で前記硬化性組成物を硬化させた後、前記基板と前記部材とを分離することで、前記基板上から前記硬化性組成物と異物を除去する除去処理工程を、同一の前記部材を用いて複数回繰り返し行い、硬化した前記硬化性組成物が前記部材に積層されるように制御する制御部と、
を有することを特徴とする異物除去装置。
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