JP2023072178A - 制御パラメータ設定方法、基板処理装置、及び記憶媒体 - Google Patents

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Abstract

【課題】互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異を低減する。【解決手段】制御パラメータ設定方法は、第１膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための複数の制御パラメータを含む制御パラメータ群である第１パラメータ群と、第２膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための制御パラメータ群である第２パラメータ群と、を取得することと、第１パラメータ群に基づいて、第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、第２パラメータ群に基づいて、第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して、処理膜の膜厚値を取得することと、第１膜形成モジュールで取得された基板の膜厚値と、第２膜形成モジュールで取得された基板の膜厚値と、の差分が小さくなるように、第１パラメータ群と第２パラメータ群とを更新することと、を含む。【選択図】図１０

Description

本開示は、制御パラメータ設定方法、基板処理装置、及び記憶媒体に関する。
特許文献１では、主パターン形成装置におけるレジスト膜厚等の測定データに基づいて、主パターン装置におけるパターン形成に係る補正量を決定すると共に、主パターン形成装置とは異なるパターン形成装置における補正量についても決定している。
特開２００３－１５８０５６号公報
本開示は、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異を低減することが可能な技術を提供する。
本開示の一態様による制御パラメータ設定方法は、基板処理装置に含まれる膜形成モジュールの制御パラメータを設定する制御パラメータ設定方法であって、第１膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための複数の制御パラメータを含む制御パラメータ群である第１パラメータ群と、第２膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための制御パラメータ群である第２パラメータ群と、を取得することと、前記第１パラメータ群に基づいて、前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関して、処理膜の膜厚値を取得することと、前記第２パラメータ群に基づいて、前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関して、処理膜の膜厚値を取得することと、前記第１膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、前記第２膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、の差分が小さくなるように、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することと、を含む。
本開示によれば、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異を低減することが可能な技術が提供される。
図１は、基板処理システムの一例を示す模式図である。 図２は、塗布現像装置の一例を示す模式図である。 図３は、液処理ユニットの一例を示す模式図である。 図４は、計測ユニットの一例を示す模式図である。 図５は、制御装置の機能構成の一例を示すブロック図である。 図６（ａ）～図６（ｃ）は、制御装置によるモジュール間パラメータ補正の概念について説明する図である。 図７は、制御装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。 図８は、制御パラメータ設定方法の一例を示すフローチャートである。 図９（ａ）及び図９（ｂ）は、制御パラメータの補正値の算出方法の一例を説明する図である。 図１０は、パラメータ感度の算出方法の一例を示すシーケンス図である。 図１１は、パラメータ補正値の算出方法の一例を示すシーケンス図である。 図１２は、オフセット量の算出方法の一例を示すシーケンス図である。 図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、パラメータ補正値を共有する方法の一例を示すシーケンス図である。 図１４は、塗布現像装置間でのパラメータ感度情報を共有する方法の一例を示す図である。 図１５は、バルブのクローズタイミングに応じた処理液の吐出圧の調整方法の一例を示すフロー図である。 図１６（ａ）及び図１６（ｂ）は、バルブのクローズタイミングに応じた処理液の吐出圧の調整方法の一例を説明する図である。 図１７（ａ）～図１７（ｃ）は、バルブのクローズタイミングに応じた処理液の吐出圧の調整方法の一例を説明する図である。
以下、種々の例示的実施形態について説明する。
一つの例示的実施形態において、制御パラメータ設定方法は、基板処理装置に含まれる膜形成モジュールの制御パラメータを設定する制御パラメータ設定方法であって、第１膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための複数の制御パラメータを含む制御パラメータ群である第１パラメータ群と、第２膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための制御パラメータ群である第２パラメータ群と、を取得することと、前記第１パラメータ群に基づいて、前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関して、処理膜の膜厚値を取得することと、前記第２パラメータ群に基づいて、前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関して、処理膜の膜厚値を取得することと、前記第１膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、前記第２膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、の差分が小さくなるように、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することと、を含む。
上記の制御パラメータ設定方法によれば、第１パラメータ群に基づいて、第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関する処理膜の膜厚値と、第２パラメータ群に基づいて、第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関する処理膜の膜厚値と、を取得される。そして、これらの差分が小さくなるように、第１パラメータ群と第２パラメータ群とが更新される。そのため、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異が低減される。
ここで、前記更新後の前記第１パラメータ群に基づいて前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、前記更新後の前記第２パラメータ群に基づいて前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して処理膜の膜厚値を取得することをさらに含む態様であってもよい。
上記のように、更新後の第１パラメータ群と第２パラメータ群とを用いて膜形成を行った後の基板について処理膜の膜厚値を取得することで、更新後の第１パラメータ群および第２パラメータ群によって膜厚値の差分が小さくされているかを検証することができる。そのため、仮に膜厚値の差分が小さくなっていない場合には、再度第１パラメータ群及び第２パラメータ群を更新する等の対応が可能となるため、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異がさらに低減される。
前記膜形成モジュールは、基板を保持して回転させる保持回転部と、前記回転する基板に処理液を供給する処理液供給部と、を含み、前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群は、少なくとも前記処理液供給部からの吐出状態を調整するパラメータを含む態様であってもよい。
膜形成モジュールが処理液供給部を含む場合、処理液供給部からの処理液の吐出状態が膜厚値に影響し得る。したがって、処理液の吐出状態を調整するパラメータを制御パラメータとして用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
前記処理液供給部は、開閉動作により、処理液の流路における処理液の通流を制御するバルブを有し、前記吐出状態を調整するパラメータは、前記バルブのクローズタイミングである態様であってもよい。
膜形成モジュールが処理液供給部を含む場合、バルブによる処理液の通流が膜厚値に影響し得る。したがって、処理液の吐出状態を調整するパラメータとして、バルブのクローズタイミングを用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
前記処理液供給部は、前記処理液の吐出圧を変更可能であって、前記第１パラメータ群または第２パラメータ群に含まれる前記バルブのクローズタイミングを更新した際に、変更後の前記クローズタイミングに基づいて、前記処理液供給部からの処理液の供給量が一定となるように前記吐出圧を更新する態様であってもよい。
バルブのクローズタイミングを変更することは処理液の供給量に影響を与えるが、処理液の供給量を変更すると、膜厚値が所定の値から大きく変化してしまう可能性がある。そこで、上記のように変更後のクローズタイミングに基づいて、処理液供給部からの処理液の供給量が一定となるように吐出圧を更新することで、処理液の供給量を変更することによる膜厚の変動を抑制することができる。
前記制御パラメータ群は、前記処理液を供給する際の前記保持回転部の回転数、または、前記供給された処理液を乾燥させる際の前記保持回転部の回転数を含む態様であってもよい。
膜形成モジュールが保持回転部を含む場合、前記処理液を供給する際の前記保持回転部の回転数、及び、処理液を乾燥させる際の保持回転部の回転数が、それぞれ膜厚値に影響し得る。したがって、処理液供給時の保持回転部の回転数、または、乾燥時の保持回転部の回転数を制御パラメータとして用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
前記膜厚値は、膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現され、前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群に含まれる前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を、前記膜厚プロファイルに含まれる各成分との関係に基づき決定することをさらに含み、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することにおいて、前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を用いて、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とに含まれる各制御パラメータを更新する態様であってもよい。
上記の構成とすることで、膜厚値を膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現することで、膜厚値に膜厚の分布に係るどのような要素が含まれているかを特定することができる。また、パラメータ群に含まれる制御パラメータがそれぞれどの程度膜厚値の変動に寄与するかを膜厚値に対する感度として算出することで、膜厚値の差分が小さくなるように制御パラメータを更新する際により精度よく更新することができる。
前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度に係る情報を、前記基板処理装置とは別の基板処理装置に対して転送することをさらに含む態様であってもよい。
このような構成とすることで、複数の制御パラメータの膜厚値に関する感度に係る情報を複数の基板処理装置で使用することが可能となるため、利便性が向上する。
前記第１膜形成モジュール又は前記第２膜形成モジュールにおける処理膜の膜厚値を取得する際の膜厚値のオフセット量を取得することをさらに含む態様であってもよい。
基板に形成された処理膜の膜厚を測定する際には、測定装置等に由来するオフセット成分が含まれ得る。そこで、オフセット量を取得する構成とすることで、オフセットを考慮した膜厚の測定結果が得られるため、この情報を利用して、より細やかな膜厚値の差分を小さくするような調整が可能となり、より正確な膜厚調整が可能となる。
複数種類の膜形成処理に対して、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することをさらに含み、同一の膜形成モジュールについて得られた、前記複数種類の膜形成処理に係る更新後の制御パラメータを組み合わせた膜形成処理の実行を指示することをさらに含む態様であってもよい。
上記の構成とすることで、同一種類の膜形成処理を同一の膜形成モジュールで行う際に、改めて制御パラメータを更新するための処理を行うことなく、更新後の制御パラメータを用いた処理を行うことができる。したがって、膜形成に係る利便性が向上する。
一つの例示的実施形態において、基板処理装置は、基板に対して膜形成処理を行う第１膜形成モジュール及び第２膜形成モジュールを制御する制御部を含み、前記制御部は、第１膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための複数の制御パラメータを含む制御パラメータ群である第１パラメータ群と、第２膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための制御パラメータ群である第２パラメータ群と、を取得するパラメータ取得部と、前記第１パラメータ群に基づいて、前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、前記第２パラメータ群に基づいて、前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して、処理膜の膜厚値を取得する膜厚情報取得部と、前記第１膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、前記第２膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、の差分が小さくなるように、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新するパラメータ更新部と、を含む。
上記の基板処理装置によれば、第１パラメータ群に基づいて、第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関する処理膜の膜厚値と、第２パラメータ群に基づいて、第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関する処理膜の膜厚値と、を取得し、これらの差分が小さくなるように、第１パラメータ群と第２パラメータ群とが更新される。そのため、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異が低減される。
前記膜厚情報取得部は、前記更新後の前記第１パラメータ群に基づいて前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、前記更新後の前記第２パラメータ群に基づいて前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して処理膜の膜厚値を取得する態様であってもよい。
上記のように、更新後の第１パラメータ群と第２パラメータ群とを用いて膜形成を行った後の基板について処理膜の膜厚値を取得することで、更新後の第１パラメータ群および第２パラメータ群によって膜厚値の差分が小さくされているかを検証することができる。そのため、仮に膜厚値の差分が小さくなっていない場合には、再度第１パラメータ群及び第２パラメータ群を更新する等の対応が可能となるため、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異がさらに低減される。
前記膜形成モジュールは、基板を保持して回転させる保持回転部と、前記回転する基板に処理液を供給する処理液供給部と、を含み、前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群は、少なくとも前記処理液供給部からの吐出状態を調整するパラメータを含む態様であってもよい。
膜形成モジュールが処理液供給部を含む場合、処理液供給部からの処理液の吐出状態が膜厚値に影響し得る。したがって、処理液の吐出状態を調整するパラメータを制御パラメータとして用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
前記処理液供給部は、開閉動作により、処理液の流路における処理液の通流を制御するバルブを有し、前記吐出状態を調整するパラメータは、前記バルブのクローズタイミングである態様であってもよい。
膜形成モジュールが処理液供給部を含む場合、バルブによる処理液の通流が膜厚値に影響し得る。したがって、処理液の吐出状態を調整するパラメータとして、バルブのクローズタイミングを用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
前記処理液供給部は、前記処理液の吐出圧を変更可能であって、前記第１パラメータ群または第２パラメータ群に含まれる前記バルブのクローズタイミングを更新した際に、変更後の前記クローズタイミングに基づいて、前記処理液供給部からの処理液の供給量が一定となるように前記吐出圧を更新する態様であってもよい。
バルブのクローズタイミングを変更することは処理液の供給量に影響を与えるが、処理液の供給量を変更すると、膜厚値が所定の値から大きく変化してしまう可能性がある。そこで、上記のように変更後のクローズタイミングに基づいて、処理液供給部からの処理液の供給量が一定となるように吐出圧を更新することで、処理液の供給量を変更することによる膜厚の変動を抑制することができる。
前記制御パラメータ群は、前記処理液を供給する際の保持回転部の回転数、または、前記供給された処理液を乾燥させる際の前記保持回転部の回転数を含む態様であってもよい。
膜形成モジュールが保持回転部を含む場合、処理液を供給する際の保持回転部の回転数、及び、処理液を乾燥させる際の保持回転部の回転数が、それぞれ膜厚値に影響し得る。したがって、処理液供給時の保持回転部の回転数、または、乾燥時の保持回転部の回転数を制御パラメータとして用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
前記膜厚値は、膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現され、前記制御部は、前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群に含まれる前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を、前記膜厚プロファイルに含まれる各成分との関係に基づき決定するパラメータ感度算出部をさらに含み、前記パラメータ更新部は、前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を用いて、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とに含まれる各制御パラメータを更新する態様であってもよい。
上記の構成とすることで、膜厚値を膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現することで、膜厚値に膜厚の分布に係るどのような要素が含まれているかを特定することができる。また、パラメータ群に含まれる制御パラメータがそれぞれどの程度膜厚値の変動に寄与するかを膜厚値に対する感度として算出することで、膜厚値の差分が小さくなるように制御パラメータを更新する際により精度よく更新することができる。
前記制御部は、前記第１膜形成モジュール又は前記第２膜形成モジュールにおける処理膜の膜厚値を取得する際の膜厚値のオフセット量を取得するオフセット量取得部をさらに含む態様であってもよい。
基板に形成された処理膜の膜厚を測定する際には、測定装置等に由来するオフセット成分が含まれ得る。そこで、オフセット量を取得する構成とすることで、オフセットを考慮した膜厚の測定結果が得られるため、この情報を利用して、より細やかな膜厚値の差分を小さくするような調整が可能となり、より正確な膜厚調整が可能となる。
前記制御部は、前記パラメータ更新部において、複数種類の膜形成処理に対して、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新し、同一の膜形成モジュールについて得られた、前記複数種類の膜形成処理に係る更新後の制御パラメータを組み合わせた膜形成処理の実行を指示する指示部をさらに含む態様であってもよい。
上記の構成とすることで、同一種類の膜形成処理を同一の膜形成モジュールで行う際に、改めて制御パラメータを更新するための処理を行うことなく、更新後の制御パラメータを用いた処理を行うことができる。したがって、膜形成に係る利便性が向上する。
一つの例示的実施形態において、上記の制御パラメータ設定方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体が提供される。上記の記憶媒体は、上記の制御パラメータ設定方法と同様の効果を奏する。
以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［基板処理システム］
図１に示される基板処理システム１（基板処理装置）は、ワークＷに対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象のワークＷは、例えば基板、あるいは所定の処理が施されることで膜又は回路等が形成された状態の基板である。当該基板は、一例として、シリコンウェハである。ワークＷ（基板）は、円形であってもよい。ワークＷは、ガラス基板、マスク基板、又はＦＰＤ（Flat Panel Display）などであってもよい。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。
図１及び図２に示されるように、基板処理システム１は、塗布現像装置２と、露光装置３と、制御装置１００（制御部）とを備える。露光装置３は、ワークＷ（基板）に形成されたレジスト膜（感光性被膜）を露光する装置である。具体的には、露光装置３は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。
塗布現像装置２は、露光装置３による露光処理前に、ワークＷの表面にレジスト（薬液）を塗布してレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。塗布現像装置２は、キャリアブロック４と、処理ブロック５と、インタフェースブロック６と、を備える。
キャリアブロック４は、塗布現像装置２内へのワークＷの導入及び塗布現像装置２内からのワークＷの導出を行う。例えばキャリアブロック４は、ワークＷ用の複数のキャリアＣを支持可能であり、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ１を内蔵している。キャリアＣは、例えば円形の複数枚のワークＷを収容する。搬送装置Ａ１は、キャリアＣからワークＷを取り出して処理ブロック５に渡し、処理ブロック５からワークＷを受け取ってキャリアＣ内に戻す。処理ブロック５は、処理モジュール１１，１２，１３，１４を有する。
処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１１は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりワークＷの表面上に下層膜を形成する。下層膜としては、例えばＳＯＣ（Spin On Carbon）膜が挙げられる。液処理ユニットＵ１は、下層膜形成用の処理液をワークＷ上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、下層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１２は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により下層膜上にレジスト膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、レジスト膜形成用の処理液を下層膜上に塗布することで、下層膜上に（ワークＷの表面上に）当該処理液の膜を形成する。熱処理ユニットＵ２は、レジスト膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２によりレジスト膜上に上層膜を形成する。液処理ユニットＵ１は、上層膜形成用の処理液をレジスト膜上に塗布する。熱処理ユニットＵ２は、上層膜の形成に伴う各種熱処理を行う。
処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１と、熱処理ユニットＵ２と、これらのユニットにワークＷを搬送する搬送装置Ａ３とを内蔵している。処理モジュール１４は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により、露光処理が施されたレジスト膜の現像処理及び現像処理に伴う熱処理を行う。液処理ユニットＵ１は、露光済みのワークＷの表面上に現像液を塗布した後、これをリンス液により洗い流すことで、レジスト膜の現像処理を行う。熱処理ユニットＵ２は、現像処理に伴う各種熱処理を行う。熱処理の具体例としては、現像前の加熱処理（ＰＥＢ：Post Exposure Bake）、及び現像後の加熱処理（ＰＢ：Post Bake）等が挙げられる。
処理ブロック５内におけるキャリアブロック４側には棚ユニットＵ１０が設けられている。棚ユニットＵ１０は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。棚ユニットＵ１０の近傍には昇降アームを含む搬送装置Ａ７が設けられている。搬送装置Ａ７は、棚ユニットＵ１０のセル同士の間でワークＷを昇降させる。なお、棚ユニットＵ１０内には、後述の計測部として機能する計測ユニットＵ３が設けられる。計測ユニットＵ３は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により形成された膜（下層膜、レジスト膜、上層膜等）の膜厚に係る情報を取得する。この点については後述する。
処理ブロック５内におけるインタフェースブロック６側には棚ユニットＵ１１が設けられている。棚ユニットＵ１１は、上下方向に並ぶ複数のセルに区画されている。
インタフェースブロック６は、露光装置３との間でワークＷの受け渡しを行う。例えばインタフェースブロック６は、受け渡しアームを含む搬送装置Ａ８を内蔵しており、露光装置３に接続される。搬送装置Ａ８は、棚ユニットＵ１１に配置されたワークＷを露光装置３に渡す。搬送装置Ａ８は、露光装置３からワークＷを受け取って棚ユニットＵ１１に戻す。
制御装置１００は、例えば以下の手順で塗布・現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。まず制御装置１００は、キャリアＣ内のワークＷを棚ユニットＵ１０に搬送するように搬送装置Ａ１を制御し、このワークＷを処理モジュール１１用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１１内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの表面上に下層膜を形成するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、下層膜が形成されたワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１２用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。なお、下層膜を形成した後に、棚ユニットＵ１０の計測ユニットＵ３にワークＷを搬送し、ワークＷに形成された下層膜の膜厚を評価してもよい。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１２内の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷの下層膜上にレジスト膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷを処理モジュール１３用のセルに配置するように搬送装置Ａ７を制御する。レジスト膜を形成した後に、棚ユニットＵ１０の計測ユニットＵ３にワークＷを搬送し、ワークＷに形成されたレジスト膜の膜厚を評価してもよい。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１０のワークＷを処理モジュール１３内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。また、制御装置１００は、このワークＷのレジスト膜上に上層膜を形成するように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１１に搬送するように搬送装置Ａ３を制御する。上層膜を形成した後に、棚ユニットＵ１０の計測ユニットＵ３にワークＷを搬送し、ワークＷに形成された上層膜の膜厚を評価してもよい。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを露光装置３に送り出すように搬送装置Ａ８を制御する。その後制御装置１００は、露光処理が施されたワークＷを露光装置３から受け入れて、棚ユニットＵ１１における処理モジュール１４用のセルに配置するように搬送装置Ａ８を制御する。
次に制御装置１００は、棚ユニットＵ１１のワークＷを処理モジュール１４内の各ユニットに搬送するように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷのレジスト膜の現像処理を行うように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２を制御する。その後制御装置１００は、ワークＷを棚ユニットＵ１０に戻すように搬送装置Ａ３を制御し、このワークＷをキャリアＣ内に戻すように搬送装置Ａ７及び搬送装置Ａ１を制御する。以上で１枚のワークＷについての塗布現像処理が完了する。制御装置１００は、後続の複数のワークＷのそれぞれについても、上述と同様に塗布現像処理を実行するように塗布現像装置２を制御する。
なお、基板処理装置の具体的な構成は、以上に例示した基板処理システム１の構成に限られない。基板処理装置は、処理液を基板に供給して液処理を行う液処理ユニット、及びこれを制御可能な制御装置を備えていればどのようなものであってもよい。
（液処理ユニット）
続いて、図３を参照して、処理モジュール１２の液処理ユニットＵ１の一例について説明する。液処理ユニットＵ１（液処理部）は、ワークＷの表面Ｗａに処理液を供給した後に、表面Ｗａ上に処理液が供給された状態のワークＷを、表面Ｗａ上に処理液の膜が形成されるように回転させる。図３では、ワークＷ上に処理膜ＡＦが形成された状態を示している。図３に示されるように、液処理ユニットＵ１は、回転保持部３０と、処理液供給部４０とを有する。
回転保持部３０は、ワークＷを保持して回転させる。回転保持部３０は、例えば、保持部３２と、シャフト３４と、回転駆動部３６とを有する。保持部３２（支持部）は、ワークＷを支持する。保持部３２は、例えば、表面Ｗａを上にして水平に配置されたワークＷの中心部を支持し、当該ワークＷを真空吸着等により保持する。保持部３２の上面（ワークＷを支持する面）は、上方から見て円形に形成されていてもよく、ワークＷの半径の１／６倍～１／２倍程度の半径を有していてもよい。保持部３２の下方には、シャフト３４を介して回転駆動部３６が接続されている。
回転駆動部３６は、例えば電動モータ等の動力源を含むアクチュエータであり、鉛直な軸線Ａｘまわりに保持部３２を回転させる。回転駆動部３６により保持部３２が回転することで、保持部３２に保持（支持）されているワークＷが回転する。保持部３２は、ワークＷの中心が軸線Ａｘに略一致するようにワークＷを保持してもよい。
処理液供給部４０は、ワークＷの表面Ｗａに処理液を供給する。処理液は、レジスト膜を形成するための溶液（レジスト）である。処理液供給部４０は、例えば、ノズル４２と、供給源４４と、ポンプ４５と、開閉バルブ４６と、ノズル駆動部４８とを有する。ノズル４２は、保持部３２に保持されたワークＷの表面Ｗａに処理液を吐出する。例えば、ノズル４２は、ワークＷの上方（ワークＷの中心の鉛直上方）に配置され、処理液を下方に吐出する。供給源４４は、処理液をノズル４２に供給する。なお、供給源４４とノズル４２との間には、処理液の供給量を調整するためのポンプ４５が設けられていてもよい。ポンプ４５によって流路内の処理液が加圧され、処理液がノズル４２から吐出され得る。
開閉バルブ４６は、ノズル４２と供給源４４との間の供給路に設けられる。開閉バルブ４６は、当該供給路の開閉状態を切り替える。ノズル駆動部４８は、ワークＷの上方の吐出位置と、当該吐出位置から離れた退避位置との間でノズル４２を移動させる。吐出位置は、例えばワークＷの回転中心の鉛直上方の位置（軸線Ａｘ上の位置）である。待機位置は、例えば、ワークＷの周縁よりも外側の位置に設定される。
（計測部）
次に、図４を参照しながら、計測ユニットＵ３について説明する。計測ユニットＵ３は、上述のように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２により形成された膜の膜厚に係る情報を取得する。
図４に示すように、計測ユニットＵ３は、膜厚計測に係る計測を行う計測部として機能する。具体的には、計測ユニットＵ３は、分光測定部６０と、筐体７０と、保持部７１と、リニア駆動部７２と、を含む。保持部７１は、ワークＷを水平に保持する。また、保持部３１はワークＷを載置する部分が筐体７０に対して回転可能とされていてもよい。このときの回転軸は、保持部３１に保持されたワークＷの中心部としてもよい。この場合、保持部３１の上方を回転させることで、ワークＷを回転させることができる。また、リニア駆動部７２は、例えば電動モータなどを動力源とし、水平な直線状の経路に沿って保持部７１を移動させる。
分光測定部６０は、ワークＷからの光を入射して分光し、分光スペクトルを取得する機能を有する。分光測定部６０は、ワークＷからの光を入射する入射部６１と、入射部６１に入射した光を導波する導波部６２と、導波部６２により導波された光を分光して分光スペクトルを取得する分光器６３と、光源６４と、を有する。入射部６１は、保持部７１に保持されたワークＷがリニア駆動部７２による駆動に伴って移動する際に、ワークＷの中央部からの光を入射可能な構成とされる。すなわち、リニア駆動部７２の駆動によって移動する保持部７１の中心の移動経路に対応する位置に設けられる。そして、保持部７１の移動によってワークＷが移動した際に、ワークＷの径方向に沿ってワークＷの表面に対して入射部６１が相対的に移動するように、入射部６１が取り付けられる。これにより、分光測定部６０は、ワークＷの中心部を含むワークＷの径方向に沿った各位置での分光スペクトルを取得することができる。導波部６２は、例えば光ファイバ等によって構成される。分光器６３は、入射した光を分光して各波長に対応する強度情報を含む分光スペクトルを取得する。光源６４は、下方に照明光を照射する。これにより、ワークＷでの反射光が入射部６１、導波部６２を経て分光器６３に入射する。
分光器６３で取得する分光スペクトルの波長範囲としては、例えば、可視光（３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）の波長範囲とすることができる。したがって、可視光を出射する光源を光源６４として用いて、光源６４からの光に対するワークＷ表面での反射光を分光器６３で分光することで、可視光の波長範囲の分光スペクトルデータ（分光データ）を得ることができる。なお、分光器６３で取得する分光スペクトルの波長範囲は、可視光の範囲に限定されず、例えば、赤外線や紫外線を含む波長範囲としてもよい。取得する分光スペクトルデータの波長範囲に応じて、分光器６３及び光源６４として適切なものを選択することができる。
計測ユニットＵ３では、リニア駆動部７２が保持部７１を移動させる。これにより、ワークＷが入射部６１の下を通過する。この通過過程において、ワークＷ表面の各部からの反射光が入射部６１に入射し、導波部６２を経て分光器６３に入射する。分光器６３において入射した光を分光し、分光スペクトルデータを取得する。ワークＷ表面に形成される膜の膜厚が変化すると、例えば、膜厚に応じて分光スペクトルが変化する。すなわち、ワークＷ表面の分光スペクトルデータを取得することは、ワークＷの表面に形成された膜の膜厚に係る情報を取得することに相当する。計測ユニットＵ３では、分光測定を行うことで、ワークＷの表面に係る膜厚の情報を得ることができる。
上述のように、リニア駆動部７２によって保持部７１を移動させると、ワークＷの中心部を含むワークＷの径方向に沿った各位置での分光スペクトルを取得することができる。分光スペクトルは、保持部７１を移動させながら所定の間隔で複数回取得される。そのため、例えば、ワークＷの径方向に沿った複数点における分光スペクトルデータが取得される。ここで、保持部７１を回転させることで、リニア駆動部７２による保持部７１の移動方向に対してワークＷを回転させることができる。ワークＷを回転させた状態で、再度ワークＷの中心部を含むワークＷの径方向に沿った各位置での分光スペクトルを取得する。この動作を繰り返すことで、ワークＷの表面全体に分散された各位置における分光スペクトルを取得することができる。つまり、ワークＷの表面における分光スペクトルを広範囲に取得することができる。なお、保持部７１を回転させることに代えて、保持部７１に対してワークＷを回転させた状態で配置する動作を繰り返すことで、ワークＷの表面において全体的に分散された複数地点における分光スペクトルを取得する構成としてもよい。
分光器６３で取得された分光スペクトルデータは、制御装置１００に対して送られる。制御装置１００において、分光スペクトルデータに基づいてワークＷ表面の膜の膜厚を推定することができ、推定結果が制御装置１００において検査結果として保持されることになる。分光スペクトルデータからワークＷ表面の膜の膜厚を推定する方法としては、例えば、事前にワークＷ表面の膜の膜厚と分光スペクトルデータとの関係を推定するためのモデルを作成しておく方法が挙げられる。この場合、膜厚を推定する対象となるワークＷから得られた分光スペクトルデータに対して上記のモデルを適用することで、膜厚を推定することができる。ただし、ワークＷの表面の膜の膜厚を推定する方法は上記に限定されない。
なお、基板処理システム１では、膜厚の推定結果に基づいて、処理膜ＡＦの形成に係る条件の調整が行われ得る。具体的には、基板処理システム１の制御装置１００において、膜厚の推定結果と目標とする膜厚との調整を行うための処理条件の調整が行われる。処理条件の調整方法の詳細についても後述する。
分光測定部６０は、計測ユニットＵ３として上述のように独立して設けられてもよいが、上述の液処理ユニットＵ１または熱処理ユニットＵ２に設けられていてもよい。また、別のユニットに設けられていて、いずれのユニットにおいて処理が行われたワークＷを搬送することで、特定のユニットでの処理が行われた後のワークＷにおける膜厚を推定する構成としてもよい。
（制御装置）
制御装置１００は、塗布現像装置２を部分的又は全体的に制御することで、ワークＷの処理を塗布現像装置２に実行させる。図５に示されるように、制御装置１００は、例えば、機能上の構成（以下、「機能モジュール」という。）として、基板処理制御部１０１、処理情報記憶部１０２、膜厚算出部１０３、調整設定値取得部１０４（パラメータ取得部）、膜厚情報取得部１０５、パラメータ感度算出部１０６、モジュール補正値算出部１０７（パラメータ更新部）、及び補正情報記憶部１０８を有する。これらの機能モジュールが実行する処理は、制御装置１００が実行する処理に相当する。このうち、調整設定値取得部１０４、膜厚情報取得部１０５、パラメータ感度算出部１０６、モジュール補正値算出部１０７、及び補正情報記憶部１０８は、モジュール間での膜厚を調整するモジュール間調整部１１０としての機能を有する。
制御装置１００は、ワークＷの処理を塗布現像装置２において実行させる際に、互いに異なるモジュールで行われる処理が行われる結果発生する膜厚分布の差を小さくするために、各モジュールにおいて処理を行う際の設定値を調整する機能を有する。上記のモジュール間調整部１１０は、このモジュール間での処理の差を小さくするための機能モジュールである。
制御装置１００で想定しているモジュールとは、例えば、液処理ユニットＵ１、熱処理ユニットＵ２等のように、ワークＷに対して特定の処理を行うユニットに対応する。図５では、一例として、ワークＷに対して処理膜としてのレジスト膜を形成する際の、３つの液処理ユニットＵ１に対応する３つのＣＯＴ１～ＣＯＴ３と、３つの熱処理ユニットＵ２に対応する３つのＰＡＢ１～ＰＡＢ３と、を示している。これらは全て１つの塗布現像装置２に含まれていて、ワークＷは、１つの液処理ユニットＵ１（ＣＯＴ）と２つの熱処理ユニットＵ２（ＰＡＢ）とを経ることによって、表面にレジスト膜が形成されるとする。つまり、図５に示す例では、ワークＷはＣＯＴ１～ＣＯＴ３のいずれかと、ＰＡＢ１～ＰＡＢ３のいずれかと、を経由する。ただし、ＣＯＴとＰＡＢとの組み合わせは、固定されていない。そのため、例えば、ＣＯＴ１で処理されたワークＷがＰＡＢ１において処理されるとは限らない。
各モジュールで処理が行われたワークＷは、当該ワークＷに対する処理が行われたＣＯＴまたはＰＡＢにおける処理の特性を受けた状態でレジスト膜が形成される。そのため、膜に対する処理が行われたモジュールが異なることによって、成膜されたレジスト膜の膜厚分布にも差が生じ得る。逆にどのモジュールを通過するかによらず、膜厚分布を一様にしようとすると、各モジュールにおけるワークＷに対する処理が膜厚に影響しないように、各モジュールにおいて膜厚の分布に影響を与えるパラメータを補正する対応が考えられる。
上記の目的を解決するため、制御装置１００では、モジュール間調整部１１０では、各モジュール（処理ユニット）で用いられるパラメータがどの程度膜厚分布に影響を与えるかを評価する。さらに、制御装置１００では、その膜厚分布が一様となるように、各モジュールでのパラメータを調整する。
次に、制御装置１００の各部について説明する。
基板処理制御部１０１は、ワークＷに対して所定の処理を施すように液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２（膜形成処理を行うモジュール）を制御する。基板処理制御部１０１は、処理情報記憶部１０２が記憶する処理情報に定められる各種条件に従って、ワークＷに対する液処理及び熱処理を実行するように、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２の各部を制御する。
処理情報記憶部１０２は、ワークＷに対する液処理及び熱処理に関する処理情報を記憶する。処理情報には、液処理及び熱処理を実行する際の各種条件が設定されている。例えば、液処理に関しては、各種条件の設定値として、処理液の吐出を開始及び停止のイミング（時刻）、処理液を吐出する際のワークＷの回転速度（回転数）等が予め定められている。さらに、例えば、各種条件の設定値として、処理液供給後に表面Ｗａ上に処理膜を形成する際のワークＷの回転速度、処理膜を形成する際のワークＷの回転時間、開閉バルブ４６の開閉時間等も予め定められている。
なお、処理情報記憶部１０２は、後述のモジュール間でのパラメータの補正を行う際に使用する「パラメータ感度取得用レシピ」と、「調整用レシピ」と、を記憶している。これらのレシピとは、塗布現像装置２においてワークＷに対して成膜する際の各ユニットでの処理条件をまとめたものである。「パラメータ感度取得用レシピ」は、モジュール間調整部１１０において、まず１つのモジュールを用いて、特定のパラメータが膜厚にどの程度影響を与えるかを示すパラメータ感度を算出する際に使用するレシピである。また、「調整用レシピ」は、パラメータ感度を算出した後に、各モジュールについてどの程度パラメータを調整するかを特定する際に使用するレシピである。これらのレシピの使用方法等については後述する。
膜厚算出部１０３は、計測部による計測結果に基づいて処理膜の膜厚を推定する機能を有する。具体的には、分光測定部６０によって取得された分光スペクトルデータが制御装置１００へ送られると、膜厚算出部１０３では、事前に作成し保持されたワークＷ表面の膜の膜厚と分光スペクトルデータとの関係を推定するためのモデルに基づいて、膜厚の推定を行う。これにより、膜厚算出部１０３では、分光スペクトルデータに基づいて、処理膜の膜厚を推定することができる。
なお、膜厚算出部１０３による算出方法は一例であり、計測部の構成に応じて適宜変更されてもよい。
次に、モジュール間調整部１１０の各部について説明する。まず、図６を参照しながら、モジュール間補正の概念を説明する。図６（ａ）では、互いに異なるモジュールを経て成膜された処理膜ＡＦの膜厚分布を模式的に示している。ここでは、一例として３つの互いに異なるモジュールで処理されたワークＷの処理膜ＡＦの膜厚分布ＦＤ１～ＦＤ３と、目標となる膜厚ＦＤ０との関係を示している。このとき、膜厚分布ＦＤ１～ＦＤ３の傾向が互いに異なっている。そのため、各ワークＷの膜厚の平均値が目標値ＦＤ０となるように、各モジュールの制御パラメータを、各位置の膜厚を均等に変動させることで（上下方向に）補正しただけでは、膜厚分布が互いに異なる状態継続される。すなわち、各モジュールで成膜された処理膜ＡＦの膜厚分布（プロファイル）が同じ傾向ではないので、膜厚の平均値の差分が小さくなったとしても膜厚分布としてはワークＷ毎に大きく異なる状態となる。
そこで、モジュール間調整部１１０では、図６（ｂ）に示すように、モジュールに由来する膜厚分布の差をまず抑制する。すなわち、膜厚分布ＦＤ１～ＦＤ３が同一の傾向となるように、制御パラメータを調整する。その状態で、膜厚の平均値が目標値Ｐ０となるようにさらに制御パラメータを調整する。このような手法を採ることで、図６（ｃ）に示すように、膜厚分布ＦＤ１～ＦＤ３が一様となりながら、その平均値も一定となるように膜厚を調整する。このように、モジュール間調整部１１０では、膜厚分布と制御パラメータとの関係を特定したうえで、各制御パラメータを調整することで、モジュール間の膜厚分布のばらつきを抑制する。
調整設定値取得部１０４は、ユーザ等から指示された、ワークＷにおける処理膜ＡＦの成膜に係る条件を取得する。成膜に係る条件とは、処理情報記憶部１０２において保持される情報と同種の情報である。具体的には、例えば、液処理に関しては、処理液の吐出を開始及び停止のタイミング（時刻）、処理液を吐出する際のワークＷの回転速度（回転数）等が予め定められている。さらに、例えば、処理液供給後に表面Ｗａ上に処理膜を形成する際のワークＷの回転速度、処理膜を形成する際のワークＷの回転時間、バルブ４６の開閉時間等も予め定められている。これらの情報は、例えば、ユーザ等によって指定される情報であり、所定の膜厚の処理膜ＡＦをワークＷの表面に形成することを想定した場合に、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２においてワークＷに対する処理を行う際の条件である。
膜厚情報取得部１０５は、モジュール間の補正の操作を行う対象となるモジュールを用いて成膜されたワークＷに係る膜厚情報を取得する機能を有する。膜厚情報取得部１０５は、「パラメータ感度取得用レシピ」及び「調整用レシピ」に沿ってワークＷに対する基板処理を行った際の膜厚算出結果を取得する。取得された膜厚算出結果は、後述のパラメータ感度算出部１０６及びモジュール補正値算出部１０７において使用される。
パラメータ感度算出部１０６は、パラメータ感度取得用レシピに基づいてワークＷに対する基板処理を行った結果得られた膜厚算出結果から、基板処理を行うモジュールにおける各制御パラメータと膜厚分布との関係を示すパラメータ感度を算出する。
パラメータ感度は、上述のように基板処理を行うモジュールにおける各制御パラメータと膜厚との関係を示す情報である。１つのモジュールを動作させる際に膜厚に影響し得る制御パラメータは多数存在するが、どの制御パラメータがどの程度膜厚分布に影響を与えているか把握していないと、制御パラメータを変更することで膜厚分布を所定の状態に制御することは困難である。そこで、上記のパラメータ感度を予め取得することで、処理ユニットに含まれる制御パラメータが、膜厚分布の制御にどの程度影響するかを、制御パラメータ毎に特定する。
制御パラメータと膜厚分布との関係を把握するためには、液処理ユニットＵ１における１つのモジュールにおいて、液処理の条件となる制御パラメータを想定される範囲に変化させた場合に、膜厚がどのように変化するかを把握するための実験データが必要となる。そこで、まず制御パラメータ毎の感度を算出するために必要な実験条件の洗い出しを行う。具体的には、公知の実験計画法等を用いて、適切な実験条件を選定して、実験条件表を準備してもよい。制御パラメータの種類、数値範囲等に基づいて、互いに異なる条件設定が施された複数の処理条件を含むパラメータ感度取得用レシピが作成される。
次に、準備した実験条件表に基づいて、複数の処理条件でワークＷに対する処理を行った後に成膜された処理膜ＡＦの膜厚の測定（推定）を行う。このときの膜厚の算出方法（推定）方法としては、上記で説明した方法と同様に分光スペクトルの計測結果に基づいた推定方法を用いることができる。この結果、処理膜ＡＦの膜厚分布に係る情報が得られる。このようにして得られた実験計画表と、膜厚分布の測定結果（実験結果）と、から、処理膜の膜厚分布に各パラメータがどの程度寄与するかを特定することができる。
膜厚分布の測定結果から、膜厚分布を示す特徴量が得られる。一例としては、膜厚分布を示す特徴量としてゼルニケ（Ｚｅｒｎｉｋｅ）多項式を用いた近似を行い、各成分に係る係数を特徴量とすることができる。
ゼルニケ多項式は、半径が１の単位円上の複素関数であり（実用的には実数関数として使用されている）、極座標の引数（ｒ、θ）を有する。ゼルニケ多項式は、光学分野では主としてレンズの収差成分を解析するために使用されており、波面収差をゼルニケ多項式を用いて分解することで、各々独立した波面、例えば山型、鞍型等の形状に基づく収差成分を知ることができる。
本実施の形態においては、ワークＷ面内の膜厚の面内分布を上下にうねる波面として捉える。この状態で、ゼルニケ多項式を用いて、ワークＷ面内における膜厚分布Ｚを、凸状或いは凹状に湾曲する湾曲成分等を含む、円環状の複数種類の面内傾向成分Ｚｉに分解することができる。各面内傾向成分Ｚｉの大きさは、ゼルニケ係数により表すことができる。
各面内傾向成分Ｚｉを表すゼルニケ係数は、具体的に極座標の引数（ｒ、θ）を用いて以下の式により表せられる。
Ｚ１（１）
Ｚ２（ｒ・ｃｏｓθ）
Ｚ３（ｒ・ｓｉｎθ）
Ｚ４（２ｒ２－１）
Ｚ５（ｒ２・ｃｏｓ２θ）
Ｚ６（ｒ２・ｓｉｎ２θ）
Ｚ７（（３ｒ３－２ｒ）・ｃｏｓθ）
Ｚ８（（３ｒ３－２ｒ）・ｓｉｎθ）
Ｚ９（６ｒ４－６ｒ２＋１）
…
Ｚ１６（２０ｒ６－３０ｒ４＋１２ｒ２＋１）
…
これらのゼルニケ係数のうち、例えば、同心円状の湾曲成分に係る係数Ｚ１，Ｚ４，Ｚ９を用いて、ワークＷ表面における膜厚の分布を表現する。すなわち、膜厚の変動を各係数Ｚ１，Ｚ４，Ｚ９を用いたゼルニケ多項式として近似する。このとき係数Ｚ１，Ｚ４，Ｚ９に対する重み付け係数が特徴量となり得る。
ゼルニケ多項式として近似された膜厚分布の測定結果から得られる特徴量と、処理ユニットにおける制御パラメータとの関係を、上記の情報から算出する。すなわち、制御パラメータ毎に、この制御パラメータを特定量だけ変動させた場合に、ゼルニケ多項式に含まれる重み付け係数がどの程度変化し、その結果、膜厚の分布がどの程度変化するかを把握する。この結果が、パラメータ感度となり得る。ゼルニケ多項式と制御パラメータとの対応関係を算出するための計算は、公知の手法を用いることができる。例えば、実験表に基づいて行った複数の実験結果から得られた膜厚推定結果から得られる結果行列と、実験条件表に基づいて作成される条件行列とを組み合わせた計算を行う。この計算によれば、各制御パラメータがゼルニケ係数のそれぞれにどの程度寄与するかを特定する行列が得られる。この行列から、各制御パラメータと膜厚分布との関係性が得られる。
なお、各制御パラメータと膜厚分布との関係性は、ワークＷに対する処理の条件によって変更されるので、対象のワークＷの種類、ワークＷに対して塗布する処理膜ＡＦの種類、処理膜ＡＦの目標膜厚等の条件が変わる毎に準備され得る。
上記の説明では、ゼルニケ多項式を用いた近似を行って特徴量を算出する例について説明したが、ゼルニケ多項式とは異なる数式を用いて近似を行ってもよい。
モジュール補正値算出部１０７は、パラメータ感度算出部１０６によって算出された制御パラメータと膜厚分布との関係を利用して、互いに異なるモジュールで処理を行った場合でも同様の膜厚であって、さらに同様の膜厚分布となるように、各モジュールにおける制御パラメータを補正する機能を有する。パラメータ感度算出部１０６による上記の処理によって、モジュール（処理ユニット）における各制御パラメータと膜厚分布との関係が把握されている。これに対して、補正対象のモジュールで処理されたワークＷにおける膜厚分布を得ることで、補正対象のモジュールで得られたワークＷにおける処理膜ＡＦの膜厚分布が他のモジュールで作成されたワークＷにおける処理膜ＡＦの膜厚分布とどの程度異なっているかを把握することができる。また、把握した差分に基づいて、膜厚分布を揃えるための制御パラメータの補正量を算出することができる。具体的には、補正対象となる同一種類のモジュールにおける処理を行った後のワークＷの膜厚分布を全て取得し、それらが、特定の膜厚分布に収束するという前提で、各モジュールにおける膜厚分布と特定の膜厚分布との差分を特定する。そして、この差分を解消するための制御パラメータの調整量を特定するという手順が採られる。この点については後述する。
補正情報記憶部１０８は、モジュール補正値算出部１０７によって算出された各モジュールにおける制御パラメータの補正値を保持する機能を有する。保持される制御パラメータの補正値は、基板処理制御部１０１が各モジュールに対して膜の形成に係る処理を指示する際に使用される。
上記の制御装置１００は、一つ又は複数の制御用コンピュータにより構成される。例えば制御装置１００は、図７に示される回路１２０を有する。回路１２０は、一つ又は複数のプロセッサ１２１と、メモリ１２２と、ストレージ１２３と、入出力ポート１２４とを有する。ストレージ１２３は、例えばハードディスク等、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体を有する。記憶媒体は、後述の基板処理方法及び膜厚推定方法を制御装置１００に実行させるためのプログラムを記憶している。記憶媒体は、不揮発性の半導体メモリ、磁気ディスク及び光ディスク等の取り出し可能な媒体であってもよい。
メモリ１２２は、ストレージ１２３の記憶媒体からロードしたプログラム及びプロセッサ１２１による演算結果を一時的に記憶する。プロセッサ１２１は、メモリ１２２と協働して上記プログラムを実行することで、上述した各機能モジュールを構成する。入出力ポート１２４は、プロセッサ１２１からの指令に従って、塗布現像装置２の各部との間で電気信号の入出力を行う。
制御装置１００が複数の制御用コンピュータで構成される場合、各機能モジュールがそれぞれ、個別の制御用コンピュータによって実現されていてもよい。制御装置１００は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２による液処理を実行するための機能モジュールを含む制御用コンピュータと、処理膜ＡＦの厚さを推定する機能モジュール（膜厚算出部１０３）と、制御パラメータの補正を行うための機能モジュール（モジュール間調整部１１０）とを含む制御用コンピュータとで構成されてもよい。あるいは、これらの各機能モジュールがそれぞれ、２つ以上の制御用コンピュータの組み合わせによって実現されていてもよい。これらの場合、複数の制御用コンピュータは、互いに通信可能に接続された状態で、後述する基板処理方法及び膜厚推定方法を連携して実行してもよい。なお、制御装置１００のハードウェア構成は、必ずしもプログラムにより各機能モジュールを構成するものに限られない。例えば制御装置１００の各機能モジュールは、専用の論理回路又はこれを集積したＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）により構成されていてもよい。
［基板処理装置の制御方法］
続いて、基板処理方法の一例として、制御装置１００が実行する基板処理に係る動作と、制御パラメータの補正による処理膜ＡＦの厚さの推定に係る処理（制御パラメータ設定方法）の一例を説明する。制御装置１００では、上述のように１つのモジュールを用いてパラメータ感度を算出した上で、このパラメータ感度を用いて、他のモジュールの制御パラメータの補正を行う。
なお、本実施形態で説明する処理は、液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２のように、１つのワークＷに対して互いに異なる処理を行う２種類のユニットにおける制御パラメータの補正にも適用できる。ただし、以下の説明では、基本的に簡単のために１種類のモジュールにおける制御パラメータの補正を行う場合について説明し、必要に応じて２種類のモジュールに対して適用する場合について説明する。
図８は、制御装置１００が実行する上述の処理の一例を示すフローチャートである。制御装置１００は、まず、ステップＳ０１を実行する。ステップＳ０１では、例えば、調整設定値取得部１０４が、ワークＷの処理に係る調整設定値を取得する。調整設定値は、例えば、塗布現像装置２のユーザによって指定される。また、調整設定値は、制御パラメータ毎の設定値が含まれていて、この設定値が補正前の初期値となる。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０２を実行する。ステップＳ０２では、例えば基板処理制御部１０１が、処理モジュールを制御することで、「パラメータ感度取得用レシピ」に基づいてワークＷに対する基板処理を行う。このときに使用するモジュールは予め定められていて（ここでは第１モジュールとしている）、１つのモジュールで制御パラメータの設定を変えながら繰り返し処理膜の形成に係る処理を行う。そして、形成された処理膜の膜厚分布を測定する。膜厚算出部１０３が計測部（分光測定部６０）による計測結果に基づいて膜厚を算出し、その結果を膜厚情報取得部１０５が取得する。さらに、パラメータ感度算出部１０６において、膜厚分布に基づいて制御パラメータと膜厚分布との関係に係るパラメータ感度を算出する。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０３を実行する。ステップＳ０３では、例えば基板処理制御部１０１が、処理モジュールを制御することで、「調整用レシピ」に基づいてワークＷに対する基板処理を行う。このときは、制御パラメータの補正の対象となる全てのモジュールで、調整設定値、すなわち制御パラメータの初期値とした状態で、それぞれ処理膜の形成に係る処理を行う。そして、形成された処理膜の膜厚分布を測定する。膜厚算出部１０３が分光測定部６０による計測結果に基づいて膜厚分布を算出し、その結果を膜厚情報取得部１０５が取得する。
なお、１種類のモジュールに関する制御パラメータの補正を行う場合には、当該モジュールを変更しながら、他の条件は同じとした状態で基板の処理を行うことで、モジュール間の特性の差が膜厚分布に反映されたデータが得られる。また、１つのワークＷに対して互いに異なる処理を行う２種類のモジュールにおける制御パラメータの補正を行う場合には、例えば、１種類目のユニットは固定した状態で、２種類目のモジュールを変更しながら基板の処理を行う。このように処理を行うことで、２種類目のモジュールについて、モジュール間の特性の差が膜厚分布に反映されたデータが得られる。また、２種類目のユニットは固定した状態で、１種類目のモジュールを変更しながら基板の処理を行うことで、１種類目のモジュールについて、モジュール間の特性の差が膜厚分布に反映されたデータが得られる。このように、制御パラメータの補正を行うモジュールの設定によって、レシピの構成は変更され得る。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０４を実行する。ステップＳ０４では、例えばモジュール補正値算出部１０７が、ステップＳ０３で得られた膜厚分布と、制御パラメータの初期値と、予め得られていたパラメータ感度とを用いて、各モジュールにおいて形成された処理膜の膜厚の差分を小さくするための補正値（制御パラメータの最適値）を算出する。算出された補正値は、補正情報記憶部１０８にいて保持されてもよい。
パラメータの補正値の算出は、例えば、膜厚分布の偏りを補正するための補正値を数量化Ｉ類問題として取り扱い、この問題を解くことによって解を得る手法を用いることができる。この方法について、図９を参照しながら説明する。
図９（ａ）では、液処理ユニットＵ１（ＣＯＴ）が８モジュールあるとする。具体的には、ＣＯＴ１１－１～４の４モジュールと、ＣＯＴ１２－１～４の４モジュールと、あるとする。ここで、この８つのモジュールは２つのパラメータの影響を受けているとする。すなわち、ＣＯＴ１１－１～４と、ＣＯＴ１２－１～４とは異なる層（装置内の設置場所）に設けられているため、動作レシピに相違があるとする。さらに、８つのモジュールは４つのポンプによって処理液が供給されているとする。具体的にはＣＯＴ１１－１，２はポンプ１１－１２で動作し、ＣＯＴ１１－３，４はポンプ１３－１４で動作し、ＣＯＴ１２－１，２はポンプ１２－１２で動作し、ＣＯＴ１２－３，４はポンプ１２－３４で動作するとする。このとき、例えば、ＣＯＴ１１－１，２は同一の制御パラメータで制御されることになるが、ＣＯＴ１１－３，４とは異なるポンプで制御される。したがって、例えば、ＣＯＴ１１－１～４における膜厚分布を均一にしようとすると、ポンプの動作に係るパラメータを調整することが考えられる。さらに、ＣＯＴ１１群とＣＯＴ１２群との間で膜厚分布を均一に使用とすると、ＣＯＴ１１の動作レシピとＣＯＴ１２の動作レシピとの間で調整を行うことが必要となる。
このような状態を数量化Ｉ類問題として記述したのが図９（ｂ）である。ここでは、各モジュールにおける膜厚分布ＦＴは、全てのモジュールの総平均＋各モジュール由来の変動成分［ＣＯＴ１１－１～ＣＯＴ１２－４］と、誤差との和で記述できるとする。総平均とは、各モジュールにおける膜厚分布をゼルニケ多項式で近似したときのＺ１，Ｚ４，Ｚ９などの係数を平均化したものとすることができる。
また、各モジュール由来の成分［ＣＯＴ１１－１～ＣＯＴ１２－４］は、それぞれ層由来の変動成分［１１層成分、１２成分］と、関係するポンプに由来する変動成分［Ｐｕｍｐ１１１成分、Ｐｕｍｐ１１３成分、Ｐｕｍｐ１２１成分、Ｐｕｍｐ１３１成分］との和、として分解することができる。さらに、数量化Ｉ類問題としての設定として、各モジュール由来の変動成分［ＣＯＴ１１－１～ＣＯＴ１２－４］は、総和がゼロになるとする。すなわち、分解後の１１層成分または１２層成分との和がゼロになり、さらに、Ｐｕｍｐ１１１成分とＰｕｍｐ１１３成分との和がゼロになり、Ｐｕｍｐ１２１成分とＰｕｍｐ１２３成分との和がゼロになるとする。なお、ここではゼルニケ多項式の各成分が上記の関係を満たすと設定する。
上記の関係式を全て満たすように、各成分［１１層成分、１２成分］及び［Ｐｕｍｐ１１１成分、Ｐｕｍｐ１１３成分、Ｐｕｍｐ１２１成分、または、Ｐｕｍｐ１３１成分］をそれぞれ算出することで、各モジュールにおいて各成分が膜厚分布にどの程度影響を与えているかを示す寄与量を求めることができる。また、各成分の寄与量を求めることによって、例えば逆行列等を算出することによって補正値も算出することができる。
このように、パラメータの補正値の算出は、膜厚分布の偏りを補正するための補正値を数量化Ｉ類問題として設定しこれを解くことによって得ることができる。つまり、膜厚分布に係る補正値の算出を数量化Ｉ類問題として設定することによって公知の手法を用いて解を得ることができる。
図８に戻り、制御装置１００は、ステップＳ０５を実行する。ステップＳ０５では、例えば基板処理制御部１０１が、処理モジュールを制御することで、補正値を用いて変更された制御パラメータを用いて、各モジュールで処理を行う。そして、その結果形成された処理膜ＡＦの膜厚を分光測定部６０で計測し、その膜厚値（膜厚分布）を取得する。膜厚分布の取得の方法はこれまでと同様である。
次に、制御装置１００は、ステップＳ０６を実行する。ステップＳ０６では、モジュール補正値算出部１０７が、ステップＳ０５で得られた膜厚分布を参照し、膜厚分布が目標としていた範囲内に入っているかを確認する。ここでは、モジュール間の膜厚分布のばらつきが所定の範囲内であるかという観点で判定をしてもよいし、特定のモジュールにおける膜厚分布の分散が所定の範囲内であるかという観点で判定をしてもよい。また、予め定められていれば、ワークＷにおける処理膜ＡＦの膜厚に関して、目標とする面内傾向プロファイルからの差分の分散を使って、目標とするプロファイルに近いかどうかを判定してもよい。この判定を行った結果、膜厚分布が目標としていた範囲内に入っている場合（Ｓ０６－ＹＥＳ）は、処理を終了する。一方、膜厚分布が目標としていた範囲内に入っていない場合（Ｓ０６－ＮＯ）は、ステップＳ０５で得られた膜厚分布と、この膜厚分布を取得した際の制御パラメータを用いて、再度補正値を算出し（ステップＳ０７）、膜厚分布が目標としていた範囲に入るまで、ステップＳ０５，Ｓ０６（及び必要に応じてステップＳ０７）を繰り返す。
次に、図１０及び図１１を参照しながら、ユーザと、制御装置１００と、塗布現像装置２（特に処理モジュール及び計測部）との間での指示等のやり取りについて説明する。図１０及び図１１は、図８に示すフロー図の各ステップを実行するためのユーザとの間で授受する情報等を示している。
図１０は、図８におけるステップＳ０１，Ｓ０２に対応する段階での処理の手順を示すフロー図である。
まず、ユーザは、制御装置１００に対して、パラメータ感度取得を指示する（ステップＳ１１）。これに対して、制御装置１００はユーザに対して問い合わせることによって（ステップＳ１２）、調整設定値を取得する（ステップＳ１３）。制御装置１００は、この調整設定値に基づいて、処理情報記憶部１０２において記憶されているレシピの中から、調整設定値に対応したパラメータ感度取得用レシピを選択する（ステップＳ１４）。
パラメータ感度取得用レシピに基づいて必要なワーク数が決まるので、制御装置１００はユーザに対してワークの準備を指示し（ステップＳ１５）、ユーザはワークを準備した上で、測定を開始するように指示する（ステップＳ１６）。ユーザの指示に基づいて、制御装置１００は、パラメータ感度取得用レシピに基づいた基板処理と、基板処理後のワークＷに関する膜厚分布の測定を指示・制御する（ステップＳ１７）。これに基づいて、塗布現像装置２では、指定されたモジュールにおいてワークＷに対する基板処理を行い、さらに計測部（計測ユニットＵ３の分光測定部６０）によって処理後の膜厚を測定する（ステップＳ１８）。測定結果は塗布現像装置２の分光測定部６０から制御装置１００へ送られ（ステップＳ１９）、制御装置１００において、測定結果から膜厚分布を算出し、さらにこの膜厚分布から、制御パラメータの感度（パラメータ感度）を算出する（ステップＳ２０）。一連の処理が終わると、制御装置１００からユーザに対して処理の完了を通知する完了レポートが送信され（ステップＳ２１）、ユーザはパラメータ感度の取得に関する処理が終わったことを把握できる。なお、完了レポートの送信と同時に算出されたパラメータ感度に係る情報を通知する構成としてもよい。
図１１は、図８におけるステップＳ０３～ステップＳ０７に対応する段階での処理の手順を説明する図である。
まず、ユーザは、制御装置１００に対して、モジュール間調整を指示する（ステップＳ３１）。これに対して、制御装置１００は、処理情報記憶部１０２において記憶されているレシピの中から、モジュール間の調整を行うための調整用レシピを準備する（ステップＳ３２）。また、調整用レシピに沿って処理を行う際の調整設定値の初期値を設定する（ステップＳ３３）。これには、図１０におけるパラメータ感度取得に係る処理で取得した（ステップＳ１３）情報を用いることとしてもよい。
次に、制御装置１００は、調整用レシピに基づいた基板処理と、基板処理後のワークＷに関する膜厚分布の測定を指示・制御する（ステップＳ３４）。これに基づいて、塗布現像装置２では、各モジュールにおいてワークＷに対する基板処理を行い、さらに分光測定部６０によって処理後の膜厚を測定する（ステップＳ３５）。測定結果は塗布現像装置２の分光測定部６０から制御装置１００へ送られ（ステップＳ３６）、制御装置１００において、測定結果から膜厚分布を算出される。ここで、算出された膜厚分布が目標範囲内であるか否か判断し（ステップＳ３７）、目標範囲内では無い場合（Ｓ３７－ＮＯ）には、パラメータの最適化を行い（ステップＳ３８）、再び塗布現像装置２における基板処理（Ｓ３４）から繰り返す。一方、算出された膜厚分布が目標範囲内である場合に（Ｓ３７－ＹＥＳ）には、制御装置１００からユーザに対して処理の完了を通知する完了レポートが送信され（ステップＳ３９）、ユーザはパラメータ感度の取得に関する処理が終わったことを把握できる。なお、完了レポートの送信と同時に算出されたパラメータの補正値に係る情報を通知する構成としてもよい。
［変形例］
上記実施形態では、膜厚分布の差分が小さくなるようにモジュール間の調整を行う場合について説明した。ここで、上記の一連の処理に加えて、制御装置１００を含む塗布現像装置２が実行することが可能な変形例について説明する。
（オフセット量の算出）
上記のように、膜厚の算出を行う際には、計測部による測定が必須である。ただし、計測部として機能する計測ユニットＵ３の分光測定部６０による膜厚推定結果が、実際のワークＷの膜厚に対応していない場合には、推定結果を利用した制御パラメータの補正等についてもその結果が不正確となる可能性がある。そのため、計測部による計測を利用した膜厚の推定を行う際には、事前にオフセット調整を行うことが求められる。
そこで、上記で説明した、パラメータ感度を利用した制御パラメータの補正を行う前に、計測ユニットＵ３の分光測定部６０による計測によって得られた計測結果自体のオフセット調整を行うこととしてもよい。
図１２には、オフセット調整を行う際の手順の一例を示している。基本的な流れは、図１０及び図１１で示した例と類似している。
まず、事前準備として、制御装置１００は、膜厚が既知である、すなわち検収データが得られているワークＷを準備しておく（ステップＳ５１）。このワークＷの膜厚は、例えば、他の膜厚測定装置等を利用して測定されたものとすることができる。
ユーザは、制御装置１００に対して、計測部のオフセット取得を指示する（ステップＳ５２）。これに対して、制御装置１００は、処理情報記憶部１０２において記憶されているレシピの中から、オフセット調整に対応したレシピを準備する（ステップＳ５３）。なお、このレシピは、上記の膜厚が既知のワークＷについて、計測ユニットＵ３の分光測定部６０で膜厚を測定するように塗布現像装置２を制御するレシピである。
レシピが準備されると、制御装置１００は、上記の膜厚が既知のワークＷを計測ユニットＵ３へ搬送し、このワークＷに関する膜厚分布を測定するように、指示・制御する（ステップＳ５４）。これに基づいて、塗布現像装置２では、指定された分光測定部６０においてワークＷの膜厚を測定する（ステップＳ５５）。測定結果は塗布現像装置２の分光測定部６０から制御装置１００へ送られ（ステップＳ５６）、制御装置１００において、測定結果から膜厚分布を算出する。算出された膜厚分布と、検収データとを比較することで、分光測定部６０におけるオフセット量を算出することができる（ステップＳ５７）。このオフセット量を制御装置１００の処理情報記憶部１０２において保持する（ステップＳ５８）ことにより、次回以降の分光測定部６０による計測の際には、オフセット量を用いた補正を行うことで、膜厚の推定結果をより精度よく算出することができる。なお、一連の処理が終わると、制御装置１００からユーザに対して処理の完了を通知する完了レポートが送信される（ステップＳ５９）。
このように、制御装置１００による制御によって、制御パラメータの補正の前にオフセット量の算出を行う構成とした場合、塗布現像装置２を立ち上げる際などに行われるオフセット量の算出処理をより簡単に行うことができる。
（補正グループを用いたパラメータ管理）
次に、制御パラメータの補正値を、他の製造手順（レシピ）でも利用するための手法について説明する。上記実施形態では、特定の調整設定値で処理膜ＡＦを形成する際に、モジュール間の制御パラメータの補正値を算出する手法について説明した。ここで、同じ調整設定値を用いた別の製品を製造する手順が存在する場合には、上記の手法で算出された制御パラメータの補正値を適用することで、製品を製造する手順においても膜厚分布のばらつきを抑制することができると考えられる。そこで、制御パラメータの補正値をレシピ間で共有する場合の手法について説明する。
図１３（ａ）は、補正値が反映されたパラメータ反映値を共有する場合の状況について説明する図である。ここでは、「膜１」を製造する際のモジュール間での膜厚分布のばらつきを小さくするパラメータの最適値が、上記の手法を用いて「ｐａｒａ１」「ｐａｒａ２」であると求められたとする。同様に、「膜２」を製造する際のモジュール間での膜厚分布のばらつきを小さくするパラメータの最適値が、上記の手法を用いて「ｐａｒａ３」「ｐａｒａ４」であると求められたとする。一方、ある製品の製造手順として、膜１を形成した後に膜２を形成する手順が規定されていたとする。この場合、膜１，２それぞれについて、モジュール間での膜厚分布のばらつきを小さくするパラメータがすでに求められている。そこで、これらのパラメータ「ｐａｒａ１～４」を用いることで、膜１，２のそれぞれについてモジュール間での膜厚分布のばらつきを小さくしながら膜を形成することができると推測される。このように、ある条件で膜１を成膜する際のパラメータ最適値は、同じ条件で膜１を成膜する他の処理手順でのパラメータ最適値としても利用することが可能であるといえる。
そこで、図１３（ｂ）に示すように、特定条件の膜（例えば、膜１、膜２等）を成膜する手順を、同一の「グループ」として取り扱い、同一グループに属する手順については、予め定められた膜１を形成する際のパラメータ最適値を適用することとする。このような構成とすることで、製品の製造手順が変わるごとに、改めて制御パラメータの補正値（最適値）を算出することを防ぐことができる。
特定の製品の製造手順が、どのグループに属しているかを判断し、対応付けを行う手法として、例えば、タグ付けを用いることが考えられる。例えば、図１３（ｂ）に示す「製品製造手順」には「膜１」「膜２」というタグを付与することで、「製品製造手順」が「膜１」及び「膜２」を使用することが特定されている。また、このタグが付与されていることで、製品製造手順を実行する際には、「膜１」に係る制御パラメータの最適値と、「膜２」に係る制御パラメータの最適値と、を制御装置１００が自動的に認識できる構成としてもよい。このように、ある製品の製造手順を、別途算出された制御パラメータの最適値（補正値）と対応付けが可能な構成とすることで、一度算出した制御パラメータの最適値（補正値）を有効活用することができる。
（塗布現像装置間での情報の受け渡し）
上記実施形態では、１台の塗布現像装置２においてモジュール間の膜厚分布の差を小さくするための手法について説明した。ただし、上記で説明した手順で使われる各種情報のうち、パラメータ感度に係る情報は、他の塗布現像装置２との間で共有することが可能であると考えられる。
モジュール間の膜厚分布の差を小さくするための手法は、各モジュールの特性を考慮した補正が必要になるため、各モジュールで実際に調整用レシピを用いた基板処理及び膜厚測定を行うことが求められる。一方、同一の処理（例えば同一の処理膜の塗布）を行う同一のモジュール同士では、当該モジュールの動作に関係する各種パラメータの感度は、装置またはモジュールによらず同一であると考えることができる。したがって、調整設定値と、その調整設定値における処理モジュールでのパラメータ感度の情報は、塗布現像装置２間で共有してもよい。
塗布現像装置２間でのデータの授受には、種々の情報を用いることができる。図１４ではその一例として、サーバＳＶを介した情報の送受信を行う構成を示している。すなわち、一方の塗布現像装置２において取得されたパラメータ感度に係る情報と当該パラメータ感度の測定を行った際の調整設定値とがサーバＳＶに対して送信され、サーバＳＶにおいて保持されているとする。このとき、別の塗布現像装置２が、例えば調整設定値を元にサーバＳＶを検索することで、対応するパラメータ感度に係る情報を取得し、これを利用することが可能となる。サーバＳＶは、複数の塗布現像装置２と常時接続される場所に設けられるものであってもよいし、例えばクラウド等のように多くの塗布現像装置２が接続可能な場所に設けられていてもよい。このように、パラメータ感度に係る情報を塗布現像装置２間で共有することで、パラメータ感度に係る測定を省略しながら、モジュール間での膜厚分布の差を小さくするための補正値を算出することが可能となる。
（液処理ユニットにおけるバルブクローズタイミングと吐出量との調整）
次に、液処理ユニットＵ１における制御パラメータの１つとして、処理液供給部４０における開閉バルブ４６のクローズタイミングを用いる場合について説明する。開閉バルブ４６のクローズタイミングを調整することで、ワークＷ表面での膜厚の分布が変化することが確認されている。そこで、開閉バルブ４６のクローズタイミングを上記の液処理ユニットＵ１における制御パラメータの１つとして用いる場合がある。なお、クローズタイミングとは、処理液供給部４０からの処理液をワークＷに供給している状態から、開閉バルブ４６を閉状態に切り替えるタイミングである。開閉バルブ４６を閉状態に切り替えることで、ノズル４２からの処理液の供給が停止される。このクローズタイミングを、液処理ユニットＵ１の他の制御パラメータと共に調整することで、ワークＷの表面の膜厚分布を調整することが可能となる。
一方、制御パラメータとして開閉バルブ４６のクローズタイミングを採用した場合、クローズタイミングを変更するということは、ワークＷに対する処理液の供給量が変更され得るということを意味する。これは、ワークＷにおける処理膜ＡＦ全体の膜厚に影響を与える可能性がある。そこで、処理液の供給量を変更しない条件でクローズタイミングを変更する場合には、変更後のクローズタイミングで開閉バルブ４６を閉じた際にワークＷに対して所定量の処理液が供給されるように、処理液供給部４０からの処理液の供給量を調整する必要がある。具体的には、ポンプ４５による加圧量を調整することによって、ノズル４２から吐出する処理液の吐出圧を調整することで、処理液の吐出量を調整する必要がある。また、パラメータ感度を取得する場合には、クローズタイミングによって変化し得る処理液の吐出量を調整した上で、パラメータ感度を算出することが必要となる。
以下、変形例として、この開閉バルブ４６のクローズタイミングの変更に対応させて、処理液供給部４０からの処理液の吐出量を調整する方法について説明する。なお、この吐出量の調整に係る処理は、制御装置１００のモジュール補正値算出部１０７において行ってもよい。具体的には、モジュール補正値算出部１０７において、開閉バルブ４６のクローズタイミングの補正値を算出する際に、それに対応させて吐出量が変更されないように、処理液供給部４０からの処理液の吐出圧（すなわち、ポンプ４５の加圧量）を規定してもよい。
図１５は、この処理液の吐出量を調整するための具体的な手順について示した図である。まず、制御装置１００はステップＳ７１を実行する。ステップＳ７１では、制御装置１００は、開閉バルブ４６のクローズタイミングと、処理液供給部４０からの処理液の吐出量との関係を取得する。ユーザから調整設定値を取得した段階では、処理液供給部４０におけるポンプ４５の加圧量は予め規定されている。そのためステップＳ７１では、図１６（ａ）に示すように、クローズタイミングと処理液吐出量との関係に係る情報を取得する。この場合、クローズタイミングと処理液吐出量とは比例関係になると想定されるので、ワークＷに対する処理液の供給量の目標値Ｌを実現するためのクローズタイミングＸ０が決定され得る。
次に、制御装置１００はステップＳ７２を実行する。ステップＳ７２では、制御装置１００は、クローズタイミングの最適値を算出する。最適値の算出は、上述の実施形態で示したように、パラメータ感度を算出した後に、モジュール毎の制御パラメータの補正値を算出する手順によって行われる。制御パラメータの一種としてクローズタイミングを用いることで、特定のモジュールにおけるクローズタイミングの補正値が算出され、この補正値を反映させることで、最適値が得られる。
次に、制御装置１００はステップＳ７３を実行する。ステップＳ７３では、制御装置１００は、クローズタイミングが最適値の状態で処理液供給部４０を動作させた場合に、処理液の供給量が設定量となるように、ポンプ４５による加圧量を変更する。ポンプ４５の加圧量は、初期設定では、クローズタイミングを補正しない条件で所定量の処理液がワークＷに対して供給されるように設定されていた。これに対して、クローズタイミングを調整することで、ワークＷへの処理液の供給時間が変更されるため、加圧量を調整することで単位時間あたりの処理液の供給量を調整することが求められる。
具体的には、図１６（ａ）に示すように、クローズタイミングの最適値Ｘ１が初期値のクローズタイミングＸ０よりもΔｘだけ移動したとする。この場合、処理液の吐出時間が延びた分だけ処理液の吐出量が増加し、実際にはΔＬだけ増加するとする。この関係は、図１６（ｂ）に示す処理液の吐出圧と処理液の吐出量との関係を用いて説明すると、クローズタイミングをＸ０として設定した場合には、吐出圧と処理液吐出量とは検量線ＣＸ０に示す関係となる。このとき、吐出圧を初期値Ｄ０とした場合、目標値Ｌに対応する処理液がワークＷに供給される。
一方、クローズタイミングをＸ１として設定した場合には、処理液供給量がΔＬだけ増加することになるため、吐出圧と処理液吐出量とを示す検量線は、検量線ＣＸ０から、この吐出圧Ｄ０と増加後の処理液供給量とを示す点Ｃ０を通る検量線ＣＸ１へ変更され得る。この検量線ＣＸ１を特定すると、この検量線ＣＸ１上で目標値Ｌに対応する処理液を供給するための吐出圧Ｄ１を特定することができる。したがって、目標値Ｌに対応する処理液を供給するための吐出圧Ｄ１を特定するためには、この検量線ＣＸ０と点Ｃ０との関係から、検量線ＣＸ１を特定する必要がある。そこで、以下では検量線ＣＸ１の設定方法を４つ説明する。
まず、第１の方法として、検量線ＣＸ０をそのまま平行移動させる方法が挙げられる。図１６（ｂ）は、この平行移動の例を示している。検量線ＣＸ１は、検量線ＣＸ０と同じ傾きであって、そのまま点Ｃ０を通るように平行移動させたものである。このように検量線ＣＸ１を設定した上で、検量線ＣＸ１と目標値Ｌとの交点から、クローズタイミングの最適値に対応した吐出圧Ｄ１を求めることができる。
第２～第４の方法は、いずれもクローズタイミングが変わることで検量線の傾きが変化することを想定した方法である。まず、第２の方法として、検量線ＣＸ０の条件と吐出量０となる際の吐出圧が同じであるということを前提として傾きを調整する方法が挙げられる。図１７（ａ）は、この例を示している。検量線ＣＸ１は、検量線ＣＸ０が吐出量０となる点と、上述のクローズタイミングを変更した際の点Ｃ０とを通過するように設定される。このように検量線ＣＸ１を設定した上で、検量線ＣＸ１と目標値Ｌとの交点から、クローズタイミングの最適値に対応した吐出圧Ｄ１を求める。
第３の方法は、クローズタイミングの変更によって吐出量が変わるため、この吐出量比を利用して検量線の傾きを調整する方法である。図１７（ｂ）は、この例を示している。検量線ＣＸ１は、検量線ＣＸ０の傾きをＳとした場合に、Ｓに対して（クローズタイミング変更後の吐出量／クローズタイミング変更前の吐出量）を乗算する方法である。（クローズタイミング変更後の吐出量／クローズタイミング変更前の吐出量）は、（Ｌ＋ΔＬ）／Ｌから求められるので、Ｓ×（Ｌ＋ΔＬ）／Ｌが検量線ＣＸ１の傾きとなる。このように検量線ＣＸ１を設定した上で、検量線ＣＸ１と目標値Ｌとの交点から、クローズタイミングの最適値に対応した吐出圧Ｄ１を求める。
第４の方法は、クローズタイミングの変更によって吐出時間が変わるため、この吐出時間を利用して検量線の傾きを調整する方法である。図１７（ｃ）は、この例を示している。検量線ＣＸ１は、検量線ＣＸ０の傾きをＳとした場合に、Ｓに対して（クローズタイミング変更後の吐出時間／クローズタイミング変更前の吐出時間）を乗算する方法である。クローズタイミングが初期値Ｘ０の際の処理液の吐出時間をＴ０とすると、（クローズタイミング変更後の吐出時間／クローズタイミング変更前の吐出時間）は、（Ｔ０＋（Ｘ１－Ｘ０））／Ｔ０と求めることができる。したがって、Ｓ×（Ｔ０＋（Ｘ１－Ｘ０））／Ｔ０が検量線ＣＸ１の傾きとなる。このように検量線ＣＸ１を設定した上で、検量線ＣＸ１と目標値Ｌとの交点から、クローズタイミングの最適値に対応した吐出圧Ｄ１を求める。
このように、クローズタイミングの最適値に対応した吐出圧Ｄ１を算出するための検量線ＣＸ１の設定方法は種々変更することができる。このうちのどの手法を採用するかは、例えば、処理液供給部４０の特性等を考慮して決定してもよい。どの方法を採用した場合でも、検量線の調整の精度は十分高いため、どの方法を採用しても処理液の吐出量の調整を精度よく行うことができる。ただし、上記の４つの方法のうちの第４の方法は、処理液の実際の吐出量のばらつきの影響を低減した状態で検量線を求めることができるため、処理液の吐出量をより精度よく正確に補正することが可能となり得る。
なお、上記の処理液供給部４０からの処理液の吐出量を調整する方法では、検量線ＣＸ０を予め準備しておくことを前提としていたが、これに限定されない。すなわち、検量線ＣＸ０を用いない調整方法を採用することもできる。
例えば、制御装置１００は、実験的に求めた処理液吐出量が０以上になる最少吐出圧を記憶しておくと共に、実際に処理液供給部４０を動作させたときの吐出圧と処理液吐出量の組み合わせを１つ取得しておく。この２つの組み合わせの数値を用いると、検量線ＣＸ０に近似した特性直線を得ることができ、検量線ＣＸ０に代えて利用することができる。なお、各モジュールで共通のポンプを使用する場合、そのポンプと各モジュールのノズルとの間の相対的な高さや配管長さがそれぞれ異なるため、モジュール毎に最少吐出圧を記憶しておくことで、モジュールの特性により合致した特性直線を得ることができる。
処理液供給部４０を動作させたときの１つの組み合わせ値は、処理液をインストール時（装置内への処理液導入時）に取得していれば、吐出量の調整作業のための実吐出時にフィードフォーワード的に適用できる。また、吐出量の調整作業のための実吐出時に組み合わせ値を取得して、次の実吐出時にフィードバック的に圧力を設定するようにしてもよい。
上述の第１～第４の方法の際に使用する検量線ＣＸ０を実際に求めようとすると、例えば処理液の吐出量を電子天秤で測定する等といった煩雑な作業が必要となる。これに対して、上記の特性直線を用いる手法を採用すると、検量線ＣＸ０を求めるための作業を行う必要がなくなるため、より簡便に処理液の吐出量の調整を行うことができる。
［作用］
上記の塗布現像装置２および制御パラメータ設定方法によれば、第１パラメータ群に基づいて、第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関する処理膜の膜厚値と、第２パラメータ群に基づいて、第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板に関する処理膜の膜厚値と、を取得し、これらの差分が小さくなるように、第１パラメータ群と第２パラメータ群とが更新される。そのため、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異が低減される。
従来から、同一種類の膜形成モジュールで処理される基板に形成される処理膜の膜厚を調整するために、各モジュールにおける制御パラメータを補正することについて検討されていた。しかしながら、各モジュールで実際に膜処理を行った後の基板の膜厚値を測定し、その結果の差分が小さくなるように、第１パラメータ群と第２パラメータ群とを更新することについは行われていなかった。上記の構成では、各モジュールでの測定結果をふまえて、その膜厚値が小さくなるように調整が行われることから、制御パラメータの調整をより細かく行うことで、より膜厚値の差分を小さくすることが可能となる。
また、更新後の第１パラメータ群と第２パラメータ群とを用いて膜形成を行った後の基板について処理膜の膜厚値を取得することで、更新後の第１パラメータ群および第２パラメータ群によって膜厚値の差分が小さくされているかを検証することができる。そのため、仮に膜厚値の差分が小さくなっていない場合には、上記で示した様に、再度第１パラメータ群及び第２パラメータ群を更新する等の対応が可能となる。したがって、互いに異なるモジュールにおいて基板に対して形成される膜厚の差異がさらに低減される。
膜形成モジュールが処理液供給部４０を含む場合、処理液供給部４０からの処理液の吐出状態が膜厚値に影響し得る。したがって、上記のように、処理液の吐出状態を調整するパラメータを制御パラメータとして用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
さらに、処理液供給部４０が開閉バルブ４６を有する場合、バルブによる処理液の通流が膜厚値に影響し得る。したがって、処理液の吐出状態を調整するパラメータとして、バルブのクローズタイミングを用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。
ただし、上記のように開閉バルブ４６のクローズタイミングを変更することは、処理液の供給量に影響を与えるが、処理液の供給量を変更すると、膜厚値が所定の値から大きく変化してしまう可能性がある。そこで、変更後のクローズタイミングに基づいて、処理液供給部からの処理液の供給量が一定となるように吐出圧を更新することで、処理液の供給量を変更することによる膜厚の変動を抑制することができる。
また、膜形成モジュールが基板を保持して回転させる保持回転部を含む場合、処理液を供給する際の保持回転部の回転数（吐出時回転数）、及び、処理液を乾燥させる際の保持回転部の回転数（乾燥時回転数）がそれぞれ膜厚値に影響し得る。具体的には、吐出時回転数は、処理液をワークＷの面内に広げる際の回転数であり、処理液の吐出速度とのバランスで膜厚分布が変化し得る。一方、乾燥時回転数は、乾燥させるときの回転数であり、大きいと乾燥せずワークＷの周縁（エッジ）から振り切られる処理液の量が増えて全体的に処理膜が薄くなる傾向があり、小さいと逆に厚くなる傾向がある。このように、これらの回転数はいずれも処理膜の膜厚に影響し得る。したがって、処理液供給時の保持回転部の回転数（吐出時回転数）、または、乾燥時の保持回転部の回転数（乾燥時回転数）を制御パラメータとして用いることで、膜厚値の差分を小さくするように調整が可能となる。なお、処理液供給時及び乾燥時の保持回転部の回転数の両方を用いてもよい。
膜厚値は、膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現されていてもよい。また、複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を、前記膜厚プロファイルに含まれる各成分との関係に基づき決定するしてもよい。さらに、制御パラメータの更新を行う際に、複数の制御パラメータの膜厚値に関する感度を用いてもよい。このように、膜厚値を膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現することで、膜厚値に膜厚の分布に係るどのような要素が含まれているかを特定することができる。また、パラメータ群に含まれる制御パラメータがそれぞれどの程度膜厚値の変動に寄与するかを膜厚値に対する感度として算出することで、膜厚値の差分が小さくなるように制御パラメータを更新する際により精度よく更新することができる。
複数の制御パラメータの膜厚値に関する感度に係る情報を、基板処理装置とは別の基板処理装置に対して転送してもよい。この場合、複数の制御パラメータの膜厚値に関する感度に係る情報を複数の基板処理装置で使用することが可能となるため、利便性が向上する。
また、処理膜の膜厚値を取得する際に膜厚値のオフセット量を取得することをさらに含んでもよい。上述のように、膜厚を計測する計測部（分光測定部６０）には、装置構成等に由来するオフセット成分が含まれ得る。そこで、オフセット量を取得する構成とすることで、オフセットを考慮した膜厚の測定結果が得られるため、この情報を利用して、より細やかな膜厚値の差分を小さくするような調整が可能となる。
また、複数種類の膜形成処理に対して、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することをさらに含み、同一の膜形成モジュールについて得られた、前記複数種類の膜形成処理に係る更新後の制御パラメータを組み合わせた膜形成処理の実行を指示する構成であってもよい。この場合、同一種類の膜形成処理を同一の膜形成モジュールで行う際に、改めて制御パラメータを更新するための処理を行うことなく、更新後の制御パラメータを用いた処理を行うことができる。したがって、膜形成に係る利便性が向上する。
［変形例］
以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。
例えば、ワークＷにおける処理膜ＡＦの膜厚の測定方法は、上記実施形態で説明した手法に限られない。上記実施形態ではレーザ光を照射することによって膜厚を測定しているが、ワークＷに形成された処理膜ＡＦの膜厚の測定値（推定値）が得られていれば、上記実施形態で説明した膜厚の分析方法は適用することができる。したがって、公知の膜厚の測定手法等を用いて、ワークＷ上の複数の測定点における膜厚の情報を取得すればよく、その方法は特に限定されない。なお、上記実施形態で説明した膜厚の測定方法を用いる場合においても、各部の配置・構成等は適宜変更し得る。
また、上述の例では、レジスト膜を形成するための処理液（レジスト）の処理膜ＡＦの厚さが推定されている。これに対して、上記実施形態で説明した膜厚に係る分析方法は、レジスト膜以外の膜（例えば、下層膜又は上層膜）を形成するための処理液の塗布膜の厚さを推定してもよい。また、レジスト膜を現像するための現像液についても適用することとしてもよい。
また、対象とする膜の種類等に応じて対応する膜形成モジュールの構成は変更され得る。また、対象とする膜が同じであっても、制御パラメータの調整の対象となる膜形成モジュールは変更され得る。上記実施形態で説明した構成は、対象となる膜形成モジュールの種類によらず適用可能である。また、上記実施形態で説明した構成は、上述の液処理ユニットＵ１及び熱処理ユニットＵ２のように、膜形成モジュールの種類が複数存在する場合でも適用可能である。
以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。
１…基板処理システム（基板処理装置）、２…塗布現像装置、３…露光装置、３０…回転保持部、３２…保持部、３４…シャフト、３６…回転駆動部、４０…処理液供給部、４２…ノズル、４４…供給源、４５…ポンプ、４６…開閉バルブ、４８…ノズル駆動部、６０…分光測定部（計測部）、１００…制御装置（制御部）、１０１…基板処理制御部、１０２…処理情報記憶部、１０３…膜厚算出部、１０４…調整設定値取得部、１０５…膜厚情報取得部、１０６…パラメータ感度算出部、１０７…モジュール補正値算出部、１０８…補正情報記憶部、１１０…モジュール間調整部。

Claims (20)

  1. 基板処理装置に含まれる膜形成モジュールの制御パラメータを設定する制御パラメータ設定方法であって、
    第１膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための複数の制御パラメータを含む制御パラメータ群である第１パラメータ群と、第２膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための制御パラメータ群である第２パラメータ群と、を取得することと、
    前記第１パラメータ群に基づいて、前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、前記第２パラメータ群に基づいて、前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して、処理膜の膜厚値を取得することと、
    前記第１膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、前記第２膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、の差分が小さくなるように、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することと、
    を含む、制御パラメータ設定方法。
  2. 前記更新後の前記第１パラメータ群に基づいて前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、前記更新後の前記第２パラメータ群に基づいて前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して処理膜の膜厚値を取得することをさらに含む、請求項１に記載の制御パラメータ設定方法。
  3. 前記膜形成モジュールは、基板を保持して回転させる保持回転部と、前記回転する基板に処理液を供給する処理液供給部と、を含み、
    前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群は、少なくとも前記処理液供給部からの吐出状態を調整するパラメータを含む、請求項１または２に記載の制御パラメータ設定方法。
  4. 前記処理液供給部は、開閉動作により、処理液の流路における処理液の通流を制御するバルブを有し、
    前記吐出状態を調整するパラメータは、前記バルブのクローズタイミングである、請求項３に記載の制御パラメータ設定方法。
  5. 前記処理液供給部は、前記処理液の吐出圧を変更可能であって、
    前記第１パラメータ群または第２パラメータ群に含まれる前記バルブのクローズタイミングを更新した際に、変更後の前記クローズタイミングに基づいて、前記処理液供給部からの処理液の供給量が一定となるように前記吐出圧を更新する、請求項４に記載の制御パラメータ設定方法。
  6. 前記制御パラメータ群は、前記処理液を供給する際の前記保持回転部の回転数、または、前記供給された処理液を乾燥させる際の前記保持回転部の回転数を含む、請求項３～５のいずれか一項に記載の制御パラメータ設定方法。
  7. 前記膜厚値は、膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現され、
    前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群に含まれる前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を、前記膜厚プロファイルに含まれる各成分との関係に基づき決定することをさらに含み、
    前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することにおいて、前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を用いて、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とに含まれる各制御パラメータを更新する、請求項１～６のいずれか一項に記載の制御パラメータ設定方法。
  8. 前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度に係る情報を、前記基板処理装置とは別の基板処理装置に対して転送することをさらに含む、請求項７に記載の制御パラメータ設定方法。
  9. 前記第１膜形成モジュール又は前記第２膜形成モジュールにおける処理膜の膜厚値を取得する際の膜厚値のオフセット量を取得することをさらに含む、請求項１～８のいずれか一項に記載のパラメータ設定方法。
  10. 複数種類の膜形成処理に対して、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新することをさらに含み、
    同一の膜形成モジュールについて得られた、前記複数種類の膜形成処理に係る更新後の制御パラメータを組み合わせた膜形成処理の実行を指示することをさらに含む、請求項１～９のいずれか一項に記載のパラメータ設定方法。
  11. 基板に対して膜形成処理を行う第１膜形成モジュール及び第２膜形成モジュールを制御する制御部を含み、
    前記制御部は、
    第１膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための複数の制御パラメータを含む制御パラメータ群である第１パラメータ群と、第２膜形成モジュールでの膜形成処理を制御するための制御パラメータ群である第２パラメータ群と、を取得するパラメータ取得部と、
    前記第１パラメータ群に基づいて、前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、前記第２パラメータ群に基づいて、前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して、処理膜の膜厚値を取得する膜厚情報取得部と、
    前記第１膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、前記第２膜形成モジュールで取得された前記基板の膜厚値と、の差分が小さくなるように、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新するパラメータ更新部と、
    を含む、基板処理装置。
  12. 前記膜厚情報取得部は、前記更新後の前記第１パラメータ群に基づいて前記第１膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、前記更新後の前記第２パラメータ群に基づいて前記第２膜形成モジュールによる膜形成を行った後の基板と、に関して処理膜の膜厚値を取得する、請求項１１に記載の基板処理装置。
  13. 前記膜形成モジュールは、基板を保持して回転させる保持回転部と、前記回転する基板に処理液を供給する処理液供給部と、を含み、
    前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群は、少なくとも前記処理液供給部からの吐出状態を調整するパラメータを含む、請求項１１または１２に記載の基板処理装置。
  14. 前記処理液供給部は、開閉動作により、処理液の流路における処理液の通流を制御するバルブを有し、
    前記吐出状態を調整するパラメータは、前記バルブのクローズタイミングである、請求項１３に記載の基板処理装置。
  15. 前記処理液供給部は、前記処理液の吐出圧を変更可能であって、
    前記第１パラメータ群または第２パラメータ群に含まれる前記バルブのクローズタイミングを更新した際に、変更後の前記クローズタイミングに基づいて、前記処理液供給部からの処理液の供給量が一定となるように前記吐出圧を更新する、請求項１４に記載の基板処理装置。
  16. 前記制御パラメータ群は、前記処理液を供給する際の前記保持回転部の回転数、または、前記供給された処理液を乾燥させる際の前記保持回転部の回転数を含む、請求項１３～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  17. 前記膜厚値は、膜厚の分布の形状に係る複数の成分からなる膜厚プロファイルとして表現され、
    前記制御部は、
    前記第１パラメータ群及び第２パラメータ群に含まれる前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を、前記膜厚プロファイルに含まれる各成分との関係に基づき決定するパラメータ感度算出部をさらに含み、
    前記パラメータ更新部は、前記複数の制御パラメータの前記膜厚値に関する感度を用いて、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とに含まれる各制御パラメータを更新する、請求項１１～１５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  18. 前記制御部は、
    前記第１膜形成モジュール又は前記第２膜形成モジュールにおける処理膜の膜厚値を取得する際の膜厚値のオフセット量を取得するオフセット量取得部をさらに含む、請求項１１～１７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  19. 前記制御部は、
    前記パラメータ更新部において、複数種類の膜形成処理に対して、前記第１パラメータ群と前記第２パラメータ群とを更新し、
    同一の膜形成モジュールについて得られた、前記複数種類の膜形成処理に係る更新後の制御パラメータを組み合わせた膜形成処理の実行を指示する指示部をさらに含む、請求項１１～１８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  20. 請求項１～１０のいずれか一項に記載の制御パラメータ設定方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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