JP2023059948A - Plasma processing apparatus and plasma processing method - Google Patents

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a plasma processing apparatus capable of supplying, to a substrate, ions having energy between the energy of the ions as of when a single level DC voltage is applied to a substrate support and the energy of the ions obtained when the potential of the substrate support is at ground potential.
SOLUTION: A disclosed plasma processing apparatus applies a first DC voltage to a substrate support provided within a chamber in a first period during plasma generation in a chamber of the plasma processing apparatus, and applies a second DC voltage to the substrate support in a second period alternating with the first period during the generation of the plasma in the chamber. The second DC voltage has a level different from a level of the first DC voltage. The second DC voltage has the same polarity as the first DC voltage. The substrate support is set to a ground potential between the first period and the second period and between the second period and the first period.
SELECTED DRAWING: Figure 1
COPYRIGHT: (C)2023,JPO&INPIT

Description

本開示の例示的実施形態は、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法に関するものである。 An exemplary embodiment of the present disclosure relates to a plasma processing apparatus and a plasma processing method.

プラズマ処理装置が基板に対するプラズマ処理において用いられている。プラズマ処理装置は、チャンバ及び基板保持電極を備える。基板保持電極は、チャンバ内に設けられている。基板保持電極は、その主面上に載置された基板を保持する。このようなプラズマ処理装置の一種は、特許文献１に記載されている。 Plasma processing apparatuses are used in plasma processing of substrates. A plasma processing apparatus includes a chamber and a substrate holding electrode. A substrate holding electrode is provided within the chamber. The substrate holding electrode holds the substrate placed on its main surface. One type of such plasma processing apparatus is described in US Pat.

特許文献１に記載されたプラズマ処理装置は、高周波発生装置及びＤＣ負パルス発生装置を更に備えている。高周波発生装置は、基板保持電極に対して高周波電圧を印加する。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、高周波電圧のオンとオフが交互に切り替えられる。また、特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、高周波電圧のオンとオフのタイミングに応じてＤＣ負パルス発生装置から基板保持電極にＤＣ負パルス電圧が印加される。特許文献１に記載されたプラズマ処理装置では、ＤＣ負パルス電圧、即ち負極性のパルス状の直流電圧が基板保持電極に印加されているときに基板に供給されるイオンのエネルギーは最大となる。ＤＣ負パルス電圧が基板に印加されていないときに基板に供給されるイオンのエネルギーは最小となる。 The plasma processing apparatus described in Patent Document 1 further includes a high frequency generator and a DC negative pulse generator. A high frequency generator applies a high frequency voltage to the substrate holding electrode. In the plasma processing apparatus described in Patent Literature 1, on and off of the high frequency voltage are alternately switched. Further, in the plasma processing apparatus described in Patent Document 1, a DC negative pulse voltage is applied to the substrate holding electrode from the DC negative pulse generator according to the timing of turning on and off the high frequency voltage. In the plasma processing apparatus described in Patent Document 1, the energy of ions supplied to the substrate is maximized when a DC negative pulse voltage, that is, a negative pulse DC voltage is applied to the substrate holding electrode. The energy of the ions delivered to the substrate is minimal when no DC negative pulse voltage is applied to the substrate.

特開２００９－１８７９７５号公報JP 2009-187975 A

単一レベルの直流電圧が基板支持器に印加されるときのイオンのエネルギーと基板支持器の電位が接地電位であるならば得られるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板に供給可能とすることが求められている。 Capable of supplying ions to the substrate having an energy between the energy of the ions when a single level DC voltage is applied to the substrate support and the energy of the ions obtained if the potential of the substrate support is at ground potential. It is required that

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、電源装置と、前記電源装置から前記基板支持器への電圧の印加を制御するように構成された制御部と、を備える。前記制御部は、前記チャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、前記電源装置から前記基板支持器に第１の直流電圧を印加する第１の制御を実行し、前記チャンバ内での前記プラズマの生成中の前記第１の期間と交互の第２の期間において、前記電源装置から前記基板支持器に第２の直流電圧を印加する第２の制御を実行し、前記第１の期間の終了時点と前記第２の期間の開始時点との間の第３の期間において、前記基板支持器の電位を接地電位に設定する第３の制御を実行し、前記第２の期間の終了時点と前記第１の期間の開始時点との間の第４の期間において、前記基板支持器の電位を接地電位に設定する第４の制御を実行するように構成されている。前記第２の直流電圧は、前記第１の直流電圧のレベルと異なるレベルを有し、該第１の直流電圧の極性と同じ極性を有する。 In one exemplary embodiment, a plasma processing apparatus is provided. A plasma processing apparatus includes a chamber, a substrate support provided in the chamber, a power supply, and a controller configured to control application of voltage from the power supply to the substrate support. Prepare. The control unit performs first control to apply a first DC voltage from the power supply to the substrate support during a first period during plasma generation in the chamber, and performing a second control of applying a second DC voltage from the power supply to the substrate support in a second period alternate with the first period during generation of the plasma of During a third period between the end of the period and the start of the second period, a third control is performed to set the potential of the substrate support to the ground potential, and the second period ends. It is configured to perform fourth control for setting the potential of the substrate support to the ground potential during a fourth period between the time point and the start time point of the first period. The second DC voltage has a level different from that of the first DC voltage and has the same polarity as that of the first DC voltage.

一つの例示的実施形態によれば、単一レベルの直流電圧が基板支持器に印加されるときのイオンのエネルギーと基板支持器の電位が接地電位であるならば得られるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板に供給することが可能となる。 According to one exemplary embodiment, between the energy of the ions when a single level DC voltage is applied to the substrate support and the energy of the ions obtained if the potential of the substrate support is ground potential. can be supplied to the substrate.

一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。1 is a flow diagram of a plasma processing method according to one exemplary embodiment; 一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。1 schematically illustrates a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment; FIG. 図３の（ａ）及び図３の（ｂ）の各々は、図２に示すプラズマ処理装置の電源装置の構成を示す図である。3(a) and 3(b) are diagrams showing the configuration of the power supply device of the plasma processing apparatus shown in FIG. 図１に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。2 is an example timing chart related to the plasma processing method shown in FIG. 1; 図１に示すプラズマ処理方法に関連する別の例のタイミングチャートである。FIG. 2 is a timing chart of another example related to the plasma processing method shown in FIG. 1; FIG. 別の例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。4 is a flow diagram of a plasma processing method according to another exemplary embodiment; 別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。FIG. 2 schematically illustrates a plasma processing apparatus according to another exemplary embodiment; 図６に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。FIG. 7 is a timing chart of an example related to the plasma processing method shown in FIG. 6; FIG. 一つ以上の電位測定プローブの例を示す図である。FIG. 3 shows an example of one or more potential-measuring probes; 更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。5 is a flow diagram of a plasma processing method in accordance with yet another exemplary embodiment; 図１０に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。11 is a timing chart of an example related to the plasma processing method shown in FIG. 10;

以下、種々の例示的実施形態について説明する。 Various exemplary embodiments are described below.

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、チャンバ内に設けられた基板支持器の下部電極に第１の直流電圧を印加する工程を含む。プラズマ処理方法は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第２の期間において、下部電極に第２の直流電圧を印加する工程を更に含む。第２の期間は、第１の期間とは異なる期間である。第２の直流電圧は、第１の直流電圧のレベルと異なるレベルを有する。第２の直流電圧は、第１の直流電圧の極性と同じ極性を有する。 In one exemplary embodiment, a plasma processing method is provided. The plasma processing method includes applying a first DC voltage to a lower electrode of a substrate support provided within the chamber during a first period during plasma generation within the chamber of the plasma processing apparatus. The plasma processing method further includes applying a second DC voltage to the bottom electrode during a second period of time during plasma generation within the chamber. The second period is a period different from the first period. The second DC voltage has a level different from the level of the first DC voltage. The second DC voltage has the same polarity as the first DC voltage.

上記実施形態のプラズマ処理方法では、第１の直流電圧と第２の直流電圧は、互いに同じ極性を有する。また、第１の直流電圧と第２の直流電圧のうち一方の直流電圧の絶対値は、他方の直流電圧の絶対値よりも小さい。したがって、第１の期間と第２の期間のうち一方の直流電圧が下部電極に印加される一方の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーは、他方の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーよりも低い。また、一方の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーは、下部電極の電位が接地電位であるならば基板に供給されるエネルギーよりも高い。故に、単一レベルの直流電圧が下部電極に印加されるときに基板に供給されるイオンのエネルギーと下部電極の電位が接地電位であるならば基板に供給されるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板に供給することが可能となる。 In the plasma processing method of the above embodiment, the first DC voltage and the second DC voltage have the same polarity. Also, the absolute value of one of the first DC voltage and the second DC voltage is smaller than the absolute value of the other DC voltage. Therefore, the energy of ions supplied to the substrate during one of the first period and the second period in which one of the DC voltages is applied to the lower electrode is equal to the energy of ions supplied to the substrate during the other period. lower than Also, the energy of the ions supplied to the substrate in one period is higher than the energy supplied to the substrate if the potential of the lower electrode is the ground potential. Hence, the energy between the energy of the ions supplied to the substrate when a single level DC voltage is applied to the bottom electrode and the energy of the ions supplied to the substrate if the potential of the bottom electrode is at ground potential. can be supplied to the substrate.

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、電源装置、第１のスイッチ、及び第２のスイッチを備えていてもよい。この実施形態において、電源装置は、第１の直流電圧用の第１の出力及び第２の直流電圧用の第２の出力を有する。第１のスイッチは、第１の出力と下部電極との間で接続されている。第２のスイッチは、第２の出力と下部電極との間で接続されている。第１の期間において、第１の出力と下部電極とを互いに接続するために第１のスイッチが導通状態に設定され、第２の出力と下部電極との間の接続を切断するために第２のスイッチが非導通状態に設定される。第２の期間において、第２の出力と下部電極とを互いに接続するために第２のスイッチが導通状態に設定され、第１の出力と下部電極との間の接続を切断するために第１のスイッチが非導通状態に設定される。 In one exemplary embodiment, a plasma processing apparatus may include a power supply, a first switch, and a second switch. In this embodiment, the power supply has a first output for a first DC voltage and a second output for a second DC voltage. A first switch is connected between the first output and the bottom electrode. A second switch is connected between the second output and the bottom electrode. During a first time period, a first switch is set conductive to connect the first output and the bottom electrode together, and a second switch is set to disconnect the connection between the second output and the bottom electrode. switches are set to a non-conducting state. During a second period, the second switch is set conductive to connect the second output and the bottom electrode together, and the first switch is set to disconnect the connection between the first output and the bottom electrode. switches are set to a non-conducting state.

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法は、第３の期間において、下部電極の電位を接地電位に設定する工程を更に含む。第３の期間は、第１の期間の終了時点と第２の期間の開始時点との間の期間である。この実施形態において、プラズマ処理装置は、下部電極とグランドとの間で接続された第３のスイッチを更に備える。第１の期間及び第２の期間において、下部電極とグランドとの間の接続を切断するために第３のスイッチが非導通状態に設定される。第３の期間において、下部電極とグランドとを互いに接続するために第３のスイッチが導通状態に設定される。また、第３の期間において、第１の出力と下部電極との間の接続を切断するために第１のスイッチが非導通状態に設定され、第２の出力と下部電極との間の接続を切断するために第２のスイッチが非導通状態に設定される。 In one exemplary embodiment, the plasma processing method further includes setting the potential of the lower electrode to the ground potential during the third period. The third period is the period between the end of the first period and the start of the second period. In this embodiment, the plasma processing apparatus further comprises a third switch connected between the lower electrode and ground. During the first period and the second period, the third switch is set to a non-conducting state to break the connection between the bottom electrode and the ground. During the third period, the third switch is set to a conducting state to connect the lower electrode and the ground together. Also, during a third time period, the first switch is set to a non-conducting state to disconnect the connection between the first output and the bottom electrode, thereby disconnecting the connection between the second output and the bottom electrode. A second switch is set to a non-conducting state to disconnect.

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法は、第３の期間の終了時点と第２の期間の開始時点との間の期間において第１のスイッチ、第２のスイッチ、及び第３のスイッチを非導通状態に設定する工程を更に含んでいてもよい。 In one exemplary embodiment, the plasma processing method includes turning on the first switch, the second switch, and the third switch during a period between the end of the third period and the start of the second period. The step of setting to a non-conducting state may be further included.

一つの例示的実施形態において、第１の直流電圧を印加する工程と第２の直流電圧を印加する工程とが交互に繰り返されてもよい。一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法は、第２の期間の終了時点と次の第１の期間の開始時点との間の期間において、下部電極の電位を接地電位に設定する工程を更に含んでいてもよい。 In one exemplary embodiment, the steps of applying the first DC voltage and applying the second DC voltage may be alternately repeated. In one exemplary embodiment, the plasma processing method further comprises setting the potential of the lower electrode to the ground potential during the period between the end of the second period and the start of the next first period. may contain.

別の例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持器、電源装置、及び制御部を備える。基板支持器は、下部電極を含み、チャンバ内に設けられている。制御部は、電源装置から下部電極への電圧の印加を制御するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、電源装置から下部電極に第１の直流電圧を印加する第１の制御を実行するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第２の期間において、電源装置から下部電極に第２の直流電圧を印加する第２の制御を更に実行するように構成されている。第２の期間は、第１の期間とは異なる期間である。第２の直流電圧は、第１の直流電圧のレベルと異なるレベルを有し、第１の直流電圧の極性と同じ極性を有する。 In another exemplary embodiment, a plasma processing apparatus is provided. A plasma processing apparatus includes a chamber, a substrate support, a power supply, and a controller. A substrate support includes a bottom electrode and is provided within the chamber. The controller is configured to control application of voltage from the power supply to the lower electrode. The controller is configured to perform a first control of applying a first DC voltage from the power supply to the lower electrode during a first period during plasma generation in the chamber. The controller is configured to further perform a second control of applying a second DC voltage from the power supply to the lower electrode during a second period during plasma generation in the chamber. The second period is a period different from the first period. The second DC voltage has a level different from that of the first DC voltage and has the same polarity as that of the first DC voltage.

一つの例示的実施形態において、電源装置は、第１の直流電圧用の第１の出力及び第２の直流電圧用の第２の出力を有し得る。この実施形態において、プラズマ処理装置は、第１のスイッチ及び第２のスイッチを更に備え得る。第１のスイッチは、第１の出力と下部電極との間で接続されている。第２のスイッチは、第２の出力と下部電極との間で接続されている。制御部は、第１の制御において、第１の出力と下部電極とを互いに接続するために第１のスイッチを導通状態に設定し、第２の出力と下部電極との間の接続を切断するために第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。制御部は、第２の制御において、第２の出力と下部電極とを互いに接続するために第２のスイッチを導通状態に設定し、第１の出力と下部電極との間の接続を切断するために第１のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。 In one exemplary embodiment, the power supply may have a first output for a first DC voltage and a second output for a second DC voltage. In this embodiment, the plasma processing apparatus may further comprise a first switch and a second switch. A first switch is connected between the first output and the bottom electrode. A second switch is connected between the second output and the bottom electrode. In the first control, the control unit sets the first switch to a conducting state to connect the first output and the lower electrode to each other, and disconnects the connection between the second output and the lower electrode. is configured to set the second switch to a non-conducting state for the purpose. In the second control, the control unit sets the second switch to a conducting state to connect the second output and the lower electrode to each other, and disconnects the first output and the lower electrode. It is configured to set the first switch to a non-conducting state for the purpose.

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理装置は、下部電極とグランドとの間で接続された第３のスイッチを更に備え得る。制御部は、第１の制御及び第２の制御において、下部電極とグランドとの間の接続を切断するために第３のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。制御部は、第３の期間において、下部電極とグランドとを互いに接続するために第３のスイッチを導通状態に設定する制御を更に実行するように構成されている。第３の期間は、第１の期間の終了時点と第２の期間の開始時点との間の期間である。制御部は、第３の期間における当該制御において、第１の出力と下部電極との間の接続を切断するために第１のスイッチを非導通状態に設定し、第２の出力と下部電極との間の接続を切断するために第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。 In one exemplary embodiment, the plasma processing apparatus can further include a third switch connected between the lower electrode and ground. In the first control and the second control, the controller is configured to set the third switch to a non-conducting state to disconnect the connection between the lower electrode and the ground. The control unit is configured to further execute control for setting the third switch to a conductive state in order to connect the lower electrode and the ground to each other during the third period. The third period is the period between the end of the first period and the start of the second period. In the control during the third period, the control unit sets the first switch to a non-conducting state to disconnect the connection between the first output and the lower electrode, and the second output and the lower electrode. is configured to set the second switch to a non-conducting state to break the connection between the .

一つの例示的実施形態において、制御部は、第３の期間の終了時点と第２の期間の開始時点との間の期間において、第１のスイッチ、第２のスイッチ、及び第３のスイッチを非導通状態に設定する制御を更に実行するように構成されていてもよい。 In one exemplary embodiment, the control unit turns on the first switch, the second switch, and the third switch during a period between the end of the third period and the start of the second period. It may be configured to further execute control for setting to a non-conducting state.

一つの例示的実施形態において、制御部は、第１の制御と第２の制御を交互に繰り返すように構成されていてもよい。一つの例示的実施形態において、制御部は、第２の期間の終了時点と次の第１の期間の開始時点との間の期間において、別の制御を更に実行してもよい。制御部は、当該別の制御において、下部電極とグランドとを互いに接続するために第３のスイッチを導通状態に設定するように構成されている。制御部は、当該別の制御において、第１の出力と下部電極との間の接続を切断するために第１のスイッチを非導通状態に設定し、第２の出力と下部電極との間の接続を切断するために第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。 In one exemplary embodiment, the controller may be configured to alternate between the first control and the second control. In one exemplary embodiment, the control unit may further perform another control during the period between the end of the second period and the start of the next first period. The control unit is configured to set the third switch to a conducting state in order to connect the lower electrode and the ground to each other in the another control. In the other control, the control unit sets the first switch to a non-conducting state to disconnect the connection between the first output and the bottom electrode, and disconnects the second output from the bottom electrode. It is configured to set the second switch to a non-conducting state to break the connection.

更に別の例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、チャンバ内に設けられた基板支持器の下部電極に電源装置から直流電圧を印加する工程を含む。プラズマ処理方法は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第２の期間において下部電極をグランドに接続する工程を更に含む。第２の期間は、第１の期間とは異なる期間である。第２の期間において下部電極は電源装置から電気的に分離される。プラズマ処理方法は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第３の期間において下部電極に電源装置を接続する工程を更に含む。第３の期間は、第２の期間の後の期間であり、下部電極の電位が接地電位に到達する前に開始する。第３の期間において下部電極はグランドから電気的に分離される。第３の期間の終了時点は、下部電極の電位が定常状態になる前の時点である。第３の期間の終了時点において、下部電極は電源装置から電気的に分離される。 In yet another exemplary embodiment, a plasma processing method is provided. The plasma processing method includes the step of applying a DC voltage from a power supply to a lower electrode of a substrate support provided within the chamber during a first period during plasma generation within the chamber of the plasma processing apparatus. The plasma processing method further includes connecting the bottom electrode to ground during a second period during plasma generation within the chamber. The second period is a period different from the first period. The bottom electrode is electrically isolated from the power supply during the second period. The plasma processing method further includes connecting a power supply to the lower electrode during a third period during plasma generation within the chamber. The third period is the period after the second period and starts before the potential of the bottom electrode reaches the ground potential. The bottom electrode is electrically isolated from the ground during the third period. The end point of the third period is the point before the potential of the lower electrode reaches a steady state. At the end of the third period, the bottom electrode is electrically isolated from the power supply.

上記実施形態のプラズマ処理方法では、第２の期間では、下部電極の電位の絶対値は、第１の期間の下部電極の電位の絶対値から減少するが、ゼロには到達しない。また、第３の期間では、下部電極の電位の絶対値は、第２の期間の下部電極の電位の絶対値から増加するが、第１の期間の下部電極の電位と同じ電位には到達しない。したがって、第２の期間において基板に供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーは、第１の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーよりも低い。また、第２の期間において基板に供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーは、下部電極の電位が接地電位であるならば基板に供給されるエネルギーよりも高い。故に、単一レベルの直流電圧が下部電極に印加されるときに基板に供給されるイオンのエネルギーと下部電極の電位が接地電位であるならば基板に供給されるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板に供給することが可能となる。 In the plasma processing method of the above embodiment, the absolute value of the potential of the lower electrode in the second period decreases from the absolute value of the potential of the lower electrode in the first period, but does not reach zero. Also, in the third period, the absolute value of the potential of the lower electrode increases from the absolute value of the potential of the lower electrode in the second period, but does not reach the same potential as the potential of the lower electrode in the first period. . Therefore, the energy of ions supplied to the substrate in the second period and the energy of ions supplied to the substrate in the third period are lower than the energy of ions supplied to the substrate in the first period. Also, the energy of the ions supplied to the substrate during the second period and the energy of the ions supplied to the substrate during the third period are higher than the energy supplied to the substrate if the potential of the lower electrode is the ground potential. expensive. Hence, the energy between the energy of the ions supplied to the substrate when a single level DC voltage is applied to the bottom electrode and the energy of the ions supplied to the substrate if the potential of the bottom electrode is at ground potential. can be supplied to the substrate.

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法は、第２の期間の終了時点と第３の期間の開始時点との間の期間において、電源装置とグランドの双方から下部電極を電気的に分離する工程を更に含んでいてもよい。 In one exemplary embodiment, the plasma processing method electrically isolates the bottom electrode from both the power supply and ground for a period between the end of the second period and the start of the third period. Further steps may be included.

一つの例示的実施形態において、下部電極をグランドに接続する工程と下部電極に電源装置を接続する工程とが交互に繰り返されてもよい。この実施形態では、下部電極に電源装置を接続する工程の実行後、下部電極の電位が定常状態に達する前に、下部電極をグランドに接続する工程が再び開始される。 In one exemplary embodiment, the steps of connecting the bottom electrode to ground and connecting the power supply to the bottom electrode may be alternately repeated. In this embodiment, after performing the step of connecting the power supply to the lower electrode, the step of connecting the lower electrode to ground is initiated again before the potential of the lower electrode reaches a steady state.

更に別の例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持器、電源装置、第１のスイッチ、第２のスイッチ、及び制御部を備える。基板支持器は、下部電極を含み、チャンバ内に設けられている。第１のスイッチは、電源装置と下部電極との間で接続されている。第２のスイッチは、下部電極とグランドとの間で接続されている。制御部は、電源装置から下部電極への電圧の印加を制御するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、第１の制御を実行するように構成されている。制御部は、第１の制御において、電源装置を下部電極に接続して下部電極に電源装置から直流電圧を印加するために、第１のスイッチを導通状態に設定するように構成されている。制御部は、第１の制御において、下部電極をグランドから電気的に分離するために第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第２の期間において、第２の制御を更に実行するように構成されている。第２の期間は、第１の期間とは異なる期間である。制御部は、第２の制御において、下部電極をグランドに接続するために第２のスイッチを導通状態に設定し、下部電極を電源装置から電気的に分離するために第１のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第３の期間において第３の制御を更に実行するように構成されている。第３の期間は、第２の期間の後の期間であり、下部電極の電位が接地電位に到達する前に開始する。制御部は、第３の制御において、下部電極に電源装置を接続するために第１のスイッチを導通状態に設定し、下部電極をグランドから電気的に分離するために第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。第３の期間の終了時点は下部電極の電位が定常状態になる前の時点である。制御部は、第３の期間の終了時点において、下部電極を電源装置から電気的に分離するために第１のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。 In yet another exemplary embodiment, a plasma processing apparatus is provided. A plasma processing apparatus includes a chamber, a substrate support, a power supply, a first switch, a second switch, and a controller. A substrate support includes a bottom electrode and is provided within the chamber. A first switch is connected between the power supply and the lower electrode. A second switch is connected between the lower electrode and ground. The controller is configured to control application of voltage from the power supply to the lower electrode. The controller is configured to perform a first control during a first time period during plasma generation within the chamber. In the first control, the control unit is configured to set the first switch to a conducting state in order to connect the power supply to the lower electrode and apply a DC voltage from the power supply to the lower electrode. The controller is configured to, in the first control, set the second switch to a non-conducting state to electrically isolate the lower electrode from the ground. The controller is configured to further perform a second control during a second time period during plasma generation within the chamber. The second period is a period different from the first period. In the second control, the control unit sets the second switch to a conducting state to connect the lower electrode to the ground, and sets the first switch to a non-conducting state to electrically isolate the lower electrode from the power supply. configured to set the state. The controller is configured to further perform a third control during a third time period during plasma generation within the chamber. The third period is the period after the second period and starts before the potential of the bottom electrode reaches the ground potential. In the third control, the control unit sets the first switch to a conducting state to connect the power supply device to the lower electrode, and sets the second switch to a non-conducting state to electrically isolate the lower electrode from the ground. configured to set the state. The end point of the third period is the point before the potential of the lower electrode reaches a steady state. The controller is configured to set the first switch to a non-conducting state to electrically isolate the lower electrode from the power supply at the end of the third period.

一つの例示的実施形態において、制御部は、第２の期間の終了時点と第３の期間の開始時点との間の期間において、別の制御を更に実行するように構成されていてもよい。制御部は、当該別の制御において、下部電極を電源装置とグランドの双方から電気的に分離するために第１のスイッチ及び第２のスイッチの双方を非導通状態に設定するように構成されている。 In one exemplary embodiment, the control unit may be configured to further perform another control during the period between the end of the second period and the start of the third period. The controller is configured in the other control to set both the first switch and the second switch to a non-conducting state to electrically isolate the lower electrode from both the power supply and ground. there is

一つの例示的実施形態において、制御部は、第２の制御と第３の制御を交互に繰り返し、第３の制御の実行後、下部電極の電位が定常状態に達する前に、第２の制御の実行を再び開始するように構成されていてもよい。 In one exemplary embodiment, the control unit alternately repeats the second control and the third control, and performs the second control before the potential of the lower electrode reaches a steady state after executing the third control. may be configured to restart execution of

更に別の例示的実施形態において、プラズマ処理方法が提供される。プラズマ処理方法は、プラズマ処理装置のチャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、チャンバ内に設けられた基板支持器の下部電極に電源装置の第１の出力から第１の直流電圧を印加する工程を含む。電源装置は、第１の出力及び第２の出力を有する。第２の出力は、第１の直流電圧のレベルよりも低いレベルを有する第２の直流電圧用の出力である。プラズマ処理方法は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第２の期間において下部電極をグランドに接続する工程を更に含む。第２の期間は、第１の期間とは異なる期間である。第２の期間において下部電極は第１の出力及び第２の出力から電気的に分離される。プラズマ処理方法は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第３の期間において下部電極に第２の出力を接続する工程を更に含む。第３の期間は、第２の期間の後の期間であり、下部電極の電位が接地電位に到達する前に開始する。第３の期間において下部電極は第１の出力及びグランドから電気的に分離される。第３の期間の終了時点は、下部電極の電位が定常状態になる前の時点である。第３の期間の終了時点において、下部電極は第１の出力及び第２の出力から電気的に分離される。 In yet another exemplary embodiment, a plasma processing method is provided. The plasma processing method applies a first DC voltage from a first output of a power supply to a lower electrode of a substrate support provided within the chamber during a first period during plasma generation within a chamber of the plasma processing apparatus. is applied. The power supply has a first output and a second output. The second output is for a second DC voltage having a level lower than the level of the first DC voltage. The plasma processing method further includes connecting the bottom electrode to ground during a second period during plasma generation within the chamber. The second period is a period different from the first period. The bottom electrode is electrically isolated from the first output and the second output during the second period. The plasma processing method further includes connecting a second output to the bottom electrode during a third period during plasma generation within the chamber. The third period is the period after the second period and starts before the potential of the bottom electrode reaches the ground potential. The bottom electrode is electrically isolated from the first output and ground during the third period. The end point of the third period is the point before the potential of the lower electrode reaches a steady state. At the end of the third period, the bottom electrode is electrically isolated from the first output and the second output.

上記実施形態のプラズマ処理方法では、第２の期間では、下部電極の電位の絶対値は、第１の期間の下部電極の電位の絶対値から減少するが、ゼロには到達しない。また、第３の期間では、下部電極の電位の絶対値は、第２の期間の下部電極の電位の絶対値から増加するが、第１の期間の下部電極の電位と同じ電位には到達しない。したがって、第２の期間において基板に供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーは、第１の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーよりも低い。また、第２の期間において基板に供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間において基板に供給されるイオンのエネルギーは、下部電極の電位が接地電位であるならば基板に供給されるエネルギーよりも高い。故に、単一レベルの直流電圧が下部電極に印加されるときに基板に供給されるイオンのエネルギーと下部電極の電位が接地電位であるならば基板に供給されるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板に供給することが可能となる。 In the plasma processing method of the above embodiment, the absolute value of the potential of the lower electrode in the second period decreases from the absolute value of the potential of the lower electrode in the first period, but does not reach zero. Also, in the third period, the absolute value of the potential of the lower electrode increases from the absolute value of the potential of the lower electrode in the second period, but does not reach the same potential as the potential of the lower electrode in the first period. . Therefore, the energy of ions supplied to the substrate in the second period and the energy of ions supplied to the substrate in the third period are lower than the energy of ions supplied to the substrate in the first period. Also, the energy of the ions supplied to the substrate during the second period and the energy of the ions supplied to the substrate during the third period are higher than the energy supplied to the substrate if the potential of the lower electrode is the ground potential. expensive. Hence, the energy between the energy of the ions supplied to the substrate when a single level DC voltage is applied to the bottom electrode and the energy of the ions supplied to the substrate if the potential of the bottom electrode is at ground potential. can be supplied to the substrate.

一つの例示的実施形態において、プラズマ処理方法は、第２の期間の終了時点と第３の期間の開始時点との間の期間において、第１の出力、第２の出力、及びグランドから下部電極を電気的に分離する工程を更に含んでいてもよい。 In one exemplary embodiment, the plasma processing method comprises switching the first output, the second output, and ground to the bottom electrode for a period between the end of the second period and the beginning of the third period. may further include the step of electrically isolating the .

一つの例示的実施形態において、下部電極をグランドに接続する工程と下部電極に第２の出力を接続する工程とが交互に繰り返されてもよい。この実施形態では、下部電極に第２の出力を接続する工程の実行後、下部電極の電位が定常状態に達する前に、下部電極をグランドに接続する工程が再び開始される。 In one exemplary embodiment, the steps of connecting the bottom electrode to ground and connecting the second output to the bottom electrode may be alternately repeated. In this embodiment, after performing the step of connecting the second output to the bottom electrode, the step of connecting the bottom electrode to ground is initiated again before the potential of the bottom electrode reaches a steady state.

更に別の例示的実施形態において、プラズマ処理装置が提供される。プラズマ処理装置は、チャンバ、基板支持器、電源装置、第１のスイッチ、第２のスイッチ、第３のスイッチ、及び制御部を備える。基板支持器は、下部電極を含み、チャンバ内に設けられている。電源装置は、第１の直流電圧用の第１の出力及び第２の直流電圧用の第２の出力を有する。第２の直流電圧は、第１の直流電圧のレベルよりも低いレベルを有する。第１のスイッチは、第１の出力と下部電極との間で接続されている。第２のスイッチは、第２の出力と下部電極との間で接続されている。第３のスイッチは、下部電極とグランドとの間で接続されている。制御部は、電源装置から下部電極への電圧の印加を制御するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、第１の制御を実行するように構成されている。制御部は、第１の制御において、第１の出力を下部電極に接続して下部電極に第１の出力から第１の直流電圧を印加するために、第１スイッチを導通状態に設定するように構成されている。制御部は、第１の制御において、下部電極を第２の出力及びグランドから電気的に分離するために第２のスイッチ及び第３のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第２の期間において第２の制御を更に実行するように構成されている。第２の期間は、第１の期間とは異なる期間である。制御部は、第２の制御において、下部電極をグランドに接続するために第３のスイッチを導通状態に設定し、下部電極を第１の出力及び第２の出力から電気的に分離するために第１のスイッチ及び第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。制御部は、チャンバ内でのプラズマの生成中の第３の期間において第３の制御を更に実行するように構成されている。第３の期間は、第２の期間の後の期間であり、下部電極の電位が接地電位に到達する前に開始する。制御部は、第３の制御において、下部電極に第２の出力を接続するために第２のスイッチを導通状態に設定し、下部電極を第１の出力及びグランドから電気的に分離するために第１のスイッチ及び第３のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。第３の期間の終了時点は下部電極の電位が定常状態になる前の時点である。制御部は、第３の期間の終了時点において、下部電極を第１の出力及び第２の出力から電気的に分離するために第１のスイッチ及び第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている。 In yet another exemplary embodiment, a plasma processing apparatus is provided. A plasma processing apparatus includes a chamber, a substrate support, a power supply, a first switch, a second switch, a third switch, and a controller. A substrate support includes a bottom electrode and is provided within the chamber. The power supply has a first output for a first DC voltage and a second output for a second DC voltage. The second DC voltage has a level lower than the level of the first DC voltage. A first switch is connected between the first output and the bottom electrode. A second switch is connected between the second output and the bottom electrode. A third switch is connected between the lower electrode and ground. The controller is configured to control application of voltage from the power supply to the lower electrode. The controller is configured to perform a first control during a first time period during plasma generation within the chamber. In the first control, the controller sets the first switch to a conductive state to connect the first output to the lower electrode and apply the first DC voltage from the first output to the lower electrode. is configured to The controller is configured to, in a first control, set the second switch and the third switch to a non-conducting state to electrically isolate the bottom electrode from the second output and ground. The controller is further configured to perform a second control during a second time period during plasma generation within the chamber. The second period is a period different from the first period. In a second control, the control unit sets the third switch to a conductive state to connect the bottom electrode to ground, and to electrically isolate the bottom electrode from the first output and the second output. It is configured to set the first switch and the second switch to a non-conducting state. The controller is configured to further perform a third control during a third time period during plasma generation within the chamber. The third period is the period after the second period and starts before the potential of the bottom electrode reaches the ground potential. In a third control, the controller sets the second switch to a conducting state to connect the second output to the lower electrode, and electrically isolates the lower electrode from the first output and ground. It is configured to set the first switch and the third switch to a non-conducting state. The end point of the third period is the point before the potential of the lower electrode reaches a steady state. The controller sets the first switch and the second switch to a non-conducting state to electrically isolate the lower electrode from the first output and the second output at the end of the third period. is configured to

一つの例示的実施形態において、制御部は、第２の期間の終了時点と第３の期間の開始時点との間の期間において、第１～第３のスイッチを非導通状態に設定する制御を更に実行するように構成されていてもよい。 In one exemplary embodiment, the control unit sets the first to third switches to a non-conducting state during a period between the end of the second period and the start of the third period. It may be configured to perform further.

一つの例示的実施形態において、制御部は、第２の制御と第３の制御を交互に繰り返してもよい。制御部は、第３の制御の実行後、下部電極の電位が定常状態に達する前に、第２の制御の実行を再び開始するように構成されていてもよい。 In one exemplary embodiment, the controller may alternately repeat the second control and the third control. The controller may be configured to restart execution of the second control after execution of the third control and before the potential of the lower electrode reaches a steady state.

以下、図面を参照して種々の例示的実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。 Various exemplary embodiments are described in detail below with reference to the drawings. In addition, suppose that the same code|symbol is attached|subjected to the part which is the same or equivalent in each drawing.

図１は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。図１に示すプラズマ処理方法（以下、「方法ＭＴ１」という）は、プラズマ処理装置を用いて実行される。図２は、一つの例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。方法ＭＴ１は、図２に示すプラズマ処理装置１を用いて実行され得る。 FIG. 1 is a flow diagram of a plasma processing method according to one exemplary embodiment. The plasma processing method shown in FIG. 1 (hereinafter referred to as "method MT1") is performed using a plasma processing apparatus. FIG. 2 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to one exemplary embodiment. Method MT1 can be performed using the plasma processing apparatus 1 shown in FIG.

プラズマ処理装置１は、容量結合型のプラズマ処理装置である。プラズマ処理装置１は、チャンバ１０を備えている。チャンバ１０は、その中に内部空間１０ｓを提供している。一実施形態において、チャンバ１０は、チャンバ本体１２を含んでいる。チャンバ本体１２は、略円筒形状を有している。内部空間１０ｓは、チャンバ本体１２の中に提供されている。チャンバ本体１２は、例えばアルミニウムから構成されている。チャンバ本体１２は電気的に接地されている。チャンバ本体１２の内壁面、即ち、内部空間１０ｓを画成する壁面には、耐プラズマ性を有する膜が形成されている。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。 The plasma processing apparatus 1 is a capacitively coupled plasma processing apparatus. The plasma processing apparatus 1 has a chamber 10 . The chamber 10 provides an interior space 10s therein. In one embodiment, chamber 10 includes a chamber body 12 . The chamber body 12 has a substantially cylindrical shape. An interior space 10 s is provided within the chamber body 12 . The chamber main body 12 is made of aluminum, for example. The chamber body 12 is electrically grounded. A plasma-resistant film is formed on the inner wall surface of the chamber main body 12, that is, on the wall surface defining the internal space 10s. The membrane can be a ceramic membrane, such as a membrane formed by an anodizing process or a membrane formed from yttrium oxide.

チャンバ本体１２の側壁には通路１２ｐが形成されている。基板Ｗは、内部空間１０ｓとチャンバ１０の外部との間で搬送されるときに、通路１２ｐを通過する。この通路１２ｐの開閉のために、ゲートバルブ１２ｇがチャンバ本体１２の側壁に沿って設けられている。 A passage 12p is formed in the side wall of the chamber body 12 . The substrate W passes through the passage 12p when being transported between the interior space 10s and the outside of the chamber 10. As shown in FIG. A gate valve 12g is provided along the side wall of the chamber body 12 for opening and closing the passage 12p.

プラズマ処理装置１は、基板支持器１６を更に備えている。基板支持器１６は、チャンバ１０の中、即ち内部空間１０ｓ内に設けられている。基板支持器１６は、その上に載置される基板Ｗを支持するように構成されている。基板Ｗは、略円盤形状を有し得る。基板支持器１６は、支持体１５によって支持されている。支持体１５は、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。支持体１５は、略円筒形状を有している。支持体１５は、石英といった絶縁材料から形成されている。 The plasma processing apparatus 1 further includes a substrate supporter 16 . The substrate support 16 is provided inside the chamber 10, that is, inside the internal space 10s. The substrate support 16 is configured to support a substrate W placed thereon. The substrate W may have a generally disk shape. A substrate supporter 16 is supported by a support 15 . The support 15 extends upward from the bottom of the chamber body 12 . The support 15 has a substantially cylindrical shape. The support 15 is made of an insulating material such as quartz.

基板支持器１６は、下部電極１８を含んでいる。基板支持器１６は、静電チャック２０を更に含み得る。基板支持器１６は、電極プレート１９を更に含んでいてもよい。電極プレート１９は、アルミニウムといった導電性材料から形成されており、略円盤形状を有している。下部電極１８は、電極プレート１９上に設けられている。下部電極１８は、アルミニウムといった導電性材料から形成されており、略円盤形状を有している。下部電極１８は、電極プレート１９に電気的に接続されている。 Substrate support 16 includes a bottom electrode 18 . Substrate support 16 may further include an electrostatic chuck 20 . Substrate support 16 may further include an electrode plate 19 . The electrode plate 19 is made of a conductive material such as aluminum and has a substantially disk shape. A lower electrode 18 is provided on the electrode plate 19 . The lower electrode 18 is made of a conductive material such as aluminum and has a substantially disk shape. Lower electrode 18 is electrically connected to electrode plate 19 .

下部電極１８内には、流路１８ｆが形成されている。流路１８ｆは、熱交換媒体用の流路である。熱交換媒体としては、液状の冷媒、或いは、その気化によって下部電極１８を冷却する冷媒（例えば、フロン）が用いられる。流路１８ｆには、熱交換媒体の供給装置（例えば、チラーユニット）が接続されている。この供給装置は、チャンバ１０の外部に設けられている。流路１８ｆには、供給装置から配管２３ａを介して熱交換媒体が供給される。流路１８ｆに供給された熱交換媒体は、配管２３ｂを介して供給装置に戻される。 A channel 18 f is formed in the lower electrode 18 . 18 f of flow paths are flow paths for heat exchange media. As the heat exchange medium, a liquid coolant or a coolant (for example, Freon) that cools the lower electrode 18 by vaporization is used. A heat exchange medium supply device (for example, a chiller unit) is connected to the flow path 18f. This supply device is provided outside the chamber 10 . A heat exchange medium is supplied to the flow path 18f from a supply device through a pipe 23a. The heat exchange medium supplied to the flow path 18f is returned to the supply device through the pipe 23b.

静電チャック２０は、下部電極１８上に設けられている。基板Ｗは、内部空間１０ｓの中で処理されるときには、静電チャック２０上に載置され、静電チャック２０によって保持される。静電チャック２０は、本体及び電極を有している。静電チャック２０の本体は、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウムといった誘電体から形成されている。静電チャック２０の本体は、略円盤形状を有している。静電チャック２０は、基板載置領域及びエッジリング搭載領域を含んでいる。基板載置領域は、略円盤形状を有する領域である。基板載置領域の上面は、水平面に沿って延在している。基板載置領域の中心を含み、鉛直方向に延びる軸線ＡＸは、チャンバ１０の中心軸線と略一致する。基板Ｗは、チャンバ１０内で処理されるときには、基板載置領域の上面の上に載置される。 An electrostatic chuck 20 is provided on the lower electrode 18 . The substrate W is placed on and held by the electrostatic chuck 20 when being processed in the internal space 10s. The electrostatic chuck 20 has a main body and electrodes. The body of electrostatic chuck 20 is formed from a dielectric such as aluminum oxide or aluminum nitride. The main body of the electrostatic chuck 20 has a substantially disk shape. The electrostatic chuck 20 includes a substrate mounting area and an edge ring mounting area. The substrate placement area is an area having a substantially disk shape. The upper surface of the substrate mounting area extends along the horizontal plane. An axis AX that includes the center of the substrate mounting area and extends in the vertical direction substantially coincides with the central axis of the chamber 10 . A substrate W, when being processed in the chamber 10, rests on the upper surface of the substrate resting area.

エッジリング搭載領域は、基板載置領域を囲むように周方向に延在している。エッジリング搭載領域の上面の上にはエッジリングＥＲが搭載される。エッジリングＥＲは、環形状を有している。基板Ｗは、エッジリングＥＲによって囲まれた領域内に配置される。即ち、エッジリングＥＲは、静電チャック２０の基板載置領域上に載置された基板Ｗのエッジを囲む。エッジリングＥＲは、例えばシリコン又は炭化ケイ素から形成されている。 The edge ring mounting area extends in the circumferential direction so as to surround the substrate mounting area. An edge ring ER is mounted on the upper surface of the edge ring mounting area. The edge ring ER has an annular shape. A substrate W is placed in the area surrounded by the edge ring ER. That is, the edge ring ER surrounds the edge of the substrate W placed on the substrate placement area of the electrostatic chuck 20 . The edge ring ER is made of silicon or silicon carbide, for example.

静電チャック２０の電極は、静電チャック２０の本体内に設けられている。静電チャック２０の電極は、導体から形成された膜である。静電チャック２０の電極には、直流電源が電気的に接続されている。直流電源から静電チャック２０の電極に直流電圧が印加されると、静電チャック２０と基板Ｗとの間で静電引力が発生する。発生した静電引力により、基板Ｗは、静電チャック２０に引き付けられ、静電チャック２０によって保持される。 The electrodes of the electrostatic chuck 20 are provided inside the main body of the electrostatic chuck 20 . The electrodes of the electrostatic chuck 20 are films made of a conductor. A DC power supply is electrically connected to the electrodes of the electrostatic chuck 20 . When a DC voltage is applied to the electrodes of the electrostatic chuck 20 from a DC power supply, electrostatic attraction is generated between the electrostatic chuck 20 and the substrate W. As shown in FIG. The substrate W is attracted to and held by the electrostatic chuck 20 by the generated electrostatic attraction.

プラズマ処理装置１は、ガス供給ライン２５を更に備え得る。ガス供給ライン２５は、ガス供給機構からの伝熱ガス、例えばＨｅガスを、静電チャック２０の上面と基板Ｗの裏面（下面）との間に供給する。 The plasma processing apparatus 1 may further include gas supply lines 25 . The gas supply line 25 supplies heat transfer gas such as He gas from a gas supply mechanism between the upper surface of the electrostatic chuck 20 and the back surface (lower surface) of the substrate W. As shown in FIG.

プラズマ処理装置１は、筒状部２８及び絶縁部２９を更に備え得る。筒状部２８は、チャンバ本体１２の底部から上方に延在している。筒状部２８は、支持体１５の外周に沿って延在している。筒状部２８は、導電性材料から形成されており、略円筒形状を有している。筒状部２８は、電気的に接地されている。絶縁部２９は、筒状部２８上に設けられている。絶縁部２９は、絶縁性を有する材料から形成されている。絶縁部２９は、例えば石英といったセラミックから形成されている。絶縁部２９は、略円筒形状を有している。絶縁部２９は、電極プレート１９の外周、下部電極１８の外周、及び静電チャック２０の外周に沿って延在している。 The plasma processing apparatus 1 may further include a tubular portion 28 and an insulating portion 29 . The cylindrical portion 28 extends upward from the bottom of the chamber body 12 . The tubular portion 28 extends along the outer circumference of the support 15 . The cylindrical portion 28 is made of a conductive material and has a substantially cylindrical shape. The tubular portion 28 is electrically grounded. The insulating portion 29 is provided on the tubular portion 28 . The insulating portion 29 is made of an insulating material. The insulating portion 29 is made of ceramic such as quartz. The insulating portion 29 has a substantially cylindrical shape. The insulating portion 29 extends along the outer circumference of the electrode plate 19 , the outer circumference of the lower electrode 18 , and the outer circumference of the electrostatic chuck 20 .

プラズマ処理装置１は、上部電極３０を更に備えている。上部電極３０は、基板支持器１６の上方に設けられている。上部電極３０は、部材３２と共にチャンバ本体１２の上部開口を閉じている。部材３２は、絶縁性を有している。上部電極３０は、この部材３２を介してチャンバ本体１２の上部に支持されている。 The plasma processing apparatus 1 further includes an upper electrode 30 . The upper electrode 30 is provided above the substrate support 16 . The upper electrode 30 closes the upper opening of the chamber body 12 together with the member 32 . The member 32 has insulation. The upper electrode 30 is supported above the chamber body 12 via this member 32 .

上部電極３０は、天板３４及び支持体３６を含んでいる。天板３４の下面は、内部空間１０ｓを画成している。天板３４には、複数のガス吐出孔３４ａが形成されている。複数のガス吐出孔３４ａの各々は、天板３４を板厚方向（鉛直方向）に貫通している。この天板３４は、限定されるものではないが、例えばシリコンから形成されている。或いは、天板３４は、アルミニウム製の部材の表面に耐プラズマ性の膜を設けた構造を有し得る。この膜は、陽極酸化処理によって形成された膜又は酸化イットリウムから形成された膜といったセラミック製の膜であり得る。 Upper electrode 30 includes a top plate 34 and a support 36 . A lower surface of the top plate 34 defines an internal space 10s. The top plate 34 is formed with a plurality of gas ejection holes 34a. Each of the plurality of gas discharge holes 34a penetrates the top plate 34 in the plate thickness direction (vertical direction). The top plate 34 is made of silicon, for example, although it is not limited thereto. Alternatively, the top plate 34 may have a structure in which a plasma-resistant film is provided on the surface of an aluminum member. The membrane can be a ceramic membrane, such as a membrane formed by an anodizing process or a membrane formed from yttrium oxide.

支持体３６は、天板３４を着脱自在に支持している。支持体３６は、例えばアルミニウムといった導電性材料から形成されている。支持体３６の内部には、ガス拡散室３６ａが設けられている。ガス拡散室３６ａからは、複数のガス孔３６ｂが下方に延びている。複数のガス孔３６ｂは、複数のガス吐出孔３４ａにそれぞれ連通している。支持体３６には、ガス導入ポート３６ｃが形成されている。ガス導入ポート３６ｃは、ガス拡散室３６ａに接続している。ガス導入ポート３６ｃには、ガス供給管３８が接続されている。 The support 36 detachably supports the top plate 34 . The support 36 is made of a conductive material such as aluminum. A gas diffusion chamber 36 a is provided inside the support 36 . A plurality of gas holes 36b extend downward from the gas diffusion chamber 36a. The multiple gas holes 36b communicate with the multiple gas discharge holes 34a, respectively. The support 36 is formed with a gas introduction port 36c. The gas introduction port 36c is connected to the gas diffusion chamber 36a. A gas supply pipe 38 is connected to the gas introduction port 36c.

ガス供給管３８には、ガスソース群４０が、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３を介して接続されている。ガスソース群４０、バルブ群４１、流量制御器群４２、及びバルブ群４３は、ガス供給部を構成している。ガスソース群４０は、複数のガスソースを含んでいる。バルブ群４１及びバルブ群４３の各々は、複数のバルブ（例えば開閉バルブ）を含んでいる。流量制御器群４２は、複数の流量制御器を含んでいる。流量制御器群４２の複数の流量制御器の各々は、マスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器である。ガスソース群４０の複数のガスソースの各々は、バルブ群４１の対応のバルブ、流量制御器群４２の対応の流量制御器、及びバルブ群４３の対応のバルブを介して、ガス供給管３８に接続されている。プラズマ処理装置１は、ガスソース群４０の複数のガスソースのうち選択された一以上のガスソースからのガスを、個別に調整された流量で、内部空間１０ｓに供給することが可能である。 A gas source group 40 is connected to the gas supply pipe 38 via a valve group 41 , a flow controller group 42 , and a valve group 43 . The gas source group 40, the valve group 41, the flow controller group 42, and the valve group 43 constitute a gas supply section. Gas source group 40 includes a plurality of gas sources. Each of the valve group 41 and the valve group 43 includes a plurality of valves (eg open/close valves). The flow controller group 42 includes a plurality of flow controllers. Each of the plurality of flow controllers in the flow controller group 42 is a mass flow controller or a pressure-controlled flow controller. Each of the plurality of gas sources of the gas source group 40 is connected to the gas supply pipe 38 via a corresponding valve of the valve group 41, a corresponding flow controller of the flow controller group 42, and a corresponding valve of the valve group 43. It is connected. The plasma processing apparatus 1 is capable of supplying gas from one or more gas sources selected from the plurality of gas sources of the gas source group 40 to the internal space 10s at individually adjusted flow rates.

筒状部２８とチャンバ本体１２の側壁との間には、バッフル部材４８が設けられている。バッフル部材４８は、板状の部材であり得る。バッフル部材４８は、例えば、アルミニウム製の板材に酸化イットリウム等のセラミックを被覆することにより構成され得る。このバッフル部材４８には、複数の貫通孔が形成されている。バッフル部材４８の下方においては、排気管５２がチャンバ本体１２の底部に接続されている。この排気管５２には、排気装置５０が接続されている。排気装置５０は、自動圧力制御弁といった圧力制御器、及び、ターボ分子ポンプなどの真空ポンプを有しており、内部空間１０ｓの中の圧力を減圧することができる。 A baffle member 48 is provided between the cylindrical portion 28 and the side wall of the chamber body 12 . The baffle member 48 may be a plate-like member. The baffle member 48 can be configured by, for example, coating an aluminum plate with ceramic such as yttrium oxide. A plurality of through holes are formed in the baffle member 48 . An exhaust pipe 52 is connected to the bottom of the chamber body 12 below the baffle member 48 . An exhaust device 50 is connected to the exhaust pipe 52 . The evacuation device 50 has a pressure controller such as an automatic pressure control valve and a vacuum pump such as a turbomolecular pump, and can reduce the pressure in the internal space 10s.

プラズマ処理装置１は、高周波電源６１を更に備える。高周波電源６１は、プラズマ生成用の高周波電力ＲＦを発生する電源である。高周波電力ＲＦの周波数は、限定されるものではないが、２７～１００ＭＨｚの範囲内の周波数、例えば４０ＭＨｚ又は６０ＭＨｚである。高周波電源６１は、高周波電力ＲＦを下部電極１８に供給するために、整合器６３及び電極プレート１９を介して下部電極１８に接続されている。整合器６３は、高周波電源６１の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスを整合させるための整合回路を有している。なお、高周波電源６１は、下部電極１８に電気的に接続されていなくてもよく、整合器６３を介して上部電極３０に接続されていてもよい。 The plasma processing apparatus 1 further includes a high frequency power supply 61 . The high frequency power supply 61 is a power supply that generates high frequency power RF for plasma generation. The frequency of the high frequency power RF is, but not limited to, a frequency within the range of 27-100 MHz, such as 40 MHz or 60 MHz. A high frequency power supply 61 is connected to the lower electrode 18 via a matching box 63 and an electrode plate 19 to supply high frequency power RF to the lower electrode 18 . The matching device 63 has a matching circuit for matching the output impedance of the high frequency power supply 61 and the impedance on the load side (lower electrode 18 side). The high frequency power supply 61 may not be electrically connected to the lower electrode 18 and may be connected to the upper electrode 30 via the matching box 63 .

プラズマ処理装置１は、電源装置７０を更に備えている。電源装置７０は、第１の出力７０ａ及び第２の出力７０ｂを有する。第１の出力７０ａは、電源装置７０によって発生される第１の直流電圧用の出力である。第２の出力７０ｂは、電源装置７０によって発生される第２の直流電圧用の出力である。第２の直流電圧は、第１の直流電圧の極性と同じ極性を有する。第１の直流電圧の極性及び第２の直流電圧の極性は、例えば負極性である。第１の直流電圧の極性及び第２の直流電圧の極性は、正極性であってもよい。第２の直流電圧は、第１の直流電圧のレベルと異なるレベルを有する。一実施形態において、第２の直流電圧のレベル（絶対値）は、第１の直流電圧のレベル（絶対値）よりも低い。なお、第２の直流電圧のレベル（絶対値）は、第１の直流電圧のレベル（絶対値）よりも高くてもよい。 The plasma processing apparatus 1 further includes a power supply device 70 . The power supply 70 has a first output 70a and a second output 70b. The first output 70 a is for the first DC voltage generated by the power supply 70 . A second output 70b is for a second DC voltage generated by the power supply 70 . The second DC voltage has the same polarity as the first DC voltage. The polarity of the first DC voltage and the polarity of the second DC voltage are, for example, negative. The polarity of the first DC voltage and the polarity of the second DC voltage may be positive. The second DC voltage has a level different from the level of the first DC voltage. In one embodiment, the level (absolute value) of the second DC voltage is lower than the level (absolute value) of the first DC voltage. The level (absolute value) of the second DC voltage may be higher than the level (absolute value) of the first DC voltage.

図３の（ａ）及び図３の（ｂ）の各々は、図２に示すプラズマ処理装置の電源装置の構成を示す図である。図３の（ａ）に示すように、電源装置７０は、直流電源７１ａ及び直流電源７１ｂを有していてもよい。図３の（ａ）に示す電源装置７０では、直流電源７１ａは第１の出力７０ａに接続されており、直流電源７１ｂは第２の出力７０ｂに接続されている。 3(a) and 3(b) are diagrams showing the configuration of the power supply device of the plasma processing apparatus shown in FIG. As shown in (a) of FIG. 3, the power supply device 70 may have a DC power supply 71a and a DC power supply 71b. In the power supply device 70 shown in FIG. 3(a), the DC power supply 71a is connected to the first output 70a, and the DC power supply 71b is connected to the second output 70b.

図３の（ｂ）に示すように、電源装置７０は、直列接続された複数の直流電源７１を含んでいてもよい。図３の（ｂ）に示す電源装置７０では、第１の出力７０ａは、複数の直流電源７１の直列接続のグランド側の端部とは反対側の端部に接続されている。図３の（ｂ）に示す電源装置７０では、第２の出力７０ｂは、複数の直流電源７１の直列接続において連続する二つの直流電源の間のノードに接続されている。 As shown in (b) of FIG. 3, the power supply device 70 may include a plurality of DC power supplies 71 connected in series. In the power supply device 70 shown in FIG. 3B, the first output 70a is connected to the end opposite to the ground side end of the series connection of the plurality of DC power sources 71 . In the power supply device 70 shown in FIG. 3(b), the second output 70b is connected to a node between two successive DC power sources in a series connection of a plurality of DC power sources 71. In FIG.

図２に示すように、プラズマ処理装置１は、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３を更に備えている。第１のスイッチＳＷ１は、第１の出力７０ａと下部電極１８との間で電気的に接続されている。第２のスイッチＳＷ２は、第２の出力７０ｂと下部電極１８との間で電気的に接続されている。図２に示す例では、第１のスイッチＳＷ１と第２のスイッチＳＷ２は、共通の電気的パス７４に接続している。電気的パス７４は、高周波電源６１と下部電極１８とを互いに接続する電気的パス６４に接続している。電気的パス７４は、フィルタ７６を含んでいる。フィルタ７６は、ローパスフィルタであり、電気的パス６４から電源装置７０に向かう高周波電力を遮断するか又は低減させる。第３のスイッチＳＷ３は、グランドと下部電極１８との間で接続されている。一例において、第３のスイッチＳＷ３は、グランドと電気的パス７４との間で接続されている。 As shown in FIG. 2, the plasma processing apparatus 1 further includes a first switch SW1, a second switch SW2, and a third switch SW3. A first switch SW1 is electrically connected between the first output 70a and the lower electrode 18 . A second switch SW2 is electrically connected between the second output 70b and the lower electrode 18. As shown in FIG. In the example shown in FIG. 2, the first switch SW1 and the second switch SW2 are connected to a common electrical path 74. In the example shown in FIG. The electrical path 74 is connected to the electrical path 64 that connects the high frequency power source 61 and the lower electrode 18 to each other. Electrical path 74 includes filter 76 . Filter 76 is a low pass filter that blocks or reduces high frequency power from electrical path 64 to power supply 70 . A third switch SW3 is connected between the ground and the lower electrode 18 . In one example, third switch SW3 is connected between ground and electrical path 74 .

プラズマ処理装置１を用いたプラズマ処理の実行時には、内部空間１０ｓにガスが供給される。そして、高周波電力ＲＦが供給されることにより、内部空間１０ｓの中でガスが励起される。その結果、内部空間１０ｓの中でプラズマが生成される。生成されたプラズマからのイオン及び／又はラジカルといった化学種により、基板Ｗが処理される。 During execution of plasma processing using the plasma processing apparatus 1, gas is supplied to the internal space 10s. Then, the gas is excited in the internal space 10s by supplying the high-frequency power RF. As a result, plasma is generated in the internal space 10s. The substrate W is processed by chemical species such as ions and/or radicals from the generated plasma.

プラズマ処理装置１は、制御部ＭＣを更に備える。制御部ＭＣは、プロセッサ、記憶装置、入力装置、表示装置等を備えるコンピュータであり、プラズマ処理装置１の各部を制御する。具体的に、制御部ＭＣは、記憶装置に記憶されている制御プログラムを実行し、当該記憶装置に記憶されているレシピデータに基づいてプラズマ処理装置１の各部を制御する。制御部ＭＣによる制御により、レシピデータによって指定されたプロセスがプラズマ処理装置１において実行される。方法ＭＴ１は、制御部ＭＣによるプラズマ処理装置１の各部の制御により、プラズマ処理装置１において実行され得る。 The plasma processing apparatus 1 further includes a controller MC. The controller MC is a computer including a processor, storage device, input device, display device, etc., and controls each part of the plasma processing apparatus 1 . Specifically, the controller MC executes a control program stored in the storage device, and controls each part of the plasma processing apparatus 1 based on the recipe data stored in the storage device. A process specified by the recipe data is executed in the plasma processing apparatus 1 under the control of the controller MC. The method MT1 can be executed in the plasma processing apparatus 1 by controlling each section of the plasma processing apparatus 1 by the controller MC.

以下、図１及び図４を参照して、方法ＭＴ１について詳細に説明する。また、以下では、制御部ＭＣによる電源装置７０から下部電極１８への電圧の印加の制御についても説明する。図４は、図１に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。図４において、横軸は時間を示している。図４において、縦軸は、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３の各々の状態、下部電極１８の電位、及び高周波電力ＲＦの状態を示している。第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３の各々の状態の「ＯＮ」は、導通状態を示している。第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３の各々の状態の「ＯＦＦ」は、非導通状態を示している。高周波電力ＲＦの状態の「ＯＮ」は、高周波電力ＲＦが供給されていることを示しており、高周波電力ＲＦの状態の「ＯＦＦ」は、高周波電力の供給が停止されていることを示している。 The method MT1 will be described in detail below with reference to FIGS. 1 and 4. FIG. In addition, control of application of voltage from the power supply device 70 to the lower electrode 18 by the controller MC will also be described below. FIG. 4 is an example timing chart related to the plasma processing method shown in FIG. In FIG. 4, the horizontal axis indicates time. In FIG. 4, the vertical axis indicates the states of the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3, the potential of the lower electrode 18, and the state of the high frequency power RF. "ON" of each state of the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 indicates a conductive state. "OFF" of each state of the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 indicates a non-conducting state. "ON" in the state of the high-frequency power RF indicates that the high-frequency power RF is being supplied, and "OFF" in the state of the high-frequency power RF indicates that the supply of the high-frequency power is stopped. .

方法ＭＴ１は、基板Ｗが基板支持器１６上に載置された状態で実行される。方法ＭＴ１は、工程ＳＴＰを含む。工程ＳＴＰでは、プラズマがチャンバ１０内で生成される。工程ＳＴＰでは、ガス供給部から内部空間１０ｓにガスが供給される。工程ＳＴＰでは、排気装置５０によってチャンバ１０内の圧力が指定された圧力に設定される。工程ＳＴＰでは、チャンバ１０内でガスを励起させるために、高周波電源６１から高周波電力ＲＦが供給される。工程ＳＴＰの実行のために、ガス供給部、排気装置５０、及び高周波電源６１は、制御部ＭＣによって制御される。以下に説明する方法ＭＴ１の工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２は、工程ＳＴＰでのプラズマの生成中に実行される。 Method MT1 is performed with the substrate W resting on substrate support 16 . Method MT1 includes step STP. In step STP, plasma is generated within the chamber 10 . In step STP, gas is supplied from the gas supply unit to the internal space 10s. In step STP, the exhaust device 50 sets the pressure in the chamber 10 to a designated pressure. In step STP, high frequency power RF is supplied from the high frequency power supply 61 to excite the gas in the chamber 10 . For execution of the process STP, the gas supply section, the exhaust device 50, and the high frequency power source 61 are controlled by the control section MC. Process ST1 and process ST2 of method MT1 described below are performed during plasma generation in process STP.

工程ＳＴ１は、第１の期間Ｔ１において実行される。工程ＳＴ１では、下部電極１８に電源装置７０から第１の直流電圧が印加される。第１の期間Ｔ１は、予め定められた時間長を有し得る。第１の期間Ｔ１は、第１の出力７０ａと下部電極１８とが互いに接続された後に下部電極１８の電位が定常状態になっている期間を含む。工程ＳＴ１では、第１の出力７０ａと下部電極１８とを互いに接続するために、第１のスイッチＳＷ１が導通状態に設定される。工程ＳＴ１では、第２の出力７０ｂと下部電極１８との間の接続を切断するために第２のスイッチＳＷ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴ１では、グランドと下部電極１８との間の接続を切断するために第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。工程ＳＴ１の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷ１を導通状態に設定し、第２のスイッチＳＷ２及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御（第１の制御）を実行する。 The process ST1 is performed in the first period T1. In step ST<b>1 , a first DC voltage is applied to the lower electrode 18 from the power supply device 70 . The first time period T1 may have a predetermined length of time. The first period T1 includes a period during which the potential of the lower electrode 18 is in a steady state after the first output 70a and the lower electrode 18 are connected to each other. In step ST1, the first switch SW1 is set to a conductive state to connect the first output 70a and the lower electrode 18 to each other. In step ST1, the second switch SW2 is set to a non-conducting state to disconnect the connection between the second output 70b and the lower electrode 18. FIG. In step ST1, the third switch SW3 is set to a non-conducting state in order to cut off the connection between the ground and the lower electrode . In order to perform the step ST1, the control unit MC sets the first switch SW1 to the conducting state and sets the second switch SW2 and the third switch SW3 to the non-conducting state (first control). to run.

工程ＳＴ２は、第２の期間Ｔ２において実行される。第２の期間Ｔ２は、第１の期間Ｔ１とは異なる期間である。工程ＳＴ２では、下部電極１８に電源装置７０から第２の直流電圧が印加される。第２の期間Ｔ２は、予め定められた時間長を有し得る。第２の期間Ｔ２は、第２の出力７０ｂと下部電極１８とが互いに接続された後に下部電極１８の電位が定常状態になっている期間を含む。工程ＳＴ２では、第２の出力７０ｂと下部電極１８とを互いに接続するために、第２のスイッチＳＷ２が導通状態に設定される。工程ＳＴ２では、第１の出力７０ａと下部電極１８との間の接続を切断するために第１のスイッチＳＷ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴ２では、グランドと下部電極１８との間の接続を切断するために第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。工程ＳＴ２の実行のために、制御部ＭＣは、第２のスイッチＳＷ２を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷ１及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御（第２の制御）を実行する。 Process ST2 is performed in the second period T2. The second period T2 is a period different from the first period T1. In step ST<b>2 , a second DC voltage is applied to the lower electrode 18 from the power supply device 70 . The second time period T2 may have a predetermined length of time. The second period T2 includes a period during which the potential of the lower electrode 18 is in a steady state after the second output 70b and the lower electrode 18 are connected to each other. In step ST2, the second switch SW2 is set to a conducting state to connect the second output 70b and the lower electrode 18 to each other. In step ST2, the first switch SW1 is set to a non-conducting state in order to disconnect the connection between the first output 70a and the lower electrode 18. FIG. In step ST2, the third switch SW3 is set to a non-conducting state in order to cut off the connection between the ground and the lower electrode 18. FIG. In order to perform the step ST2, the control unit MC sets the second switch SW2 to the conducting state and sets the first switch SW1 and the third switch SW3 to the non-conducting state (second control). to run.

方法ＭＴ１は、工程ＳＴ１と工程ＳＴ２との間に工程ＳＴＧ１１を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＧ１１は、期間ＴＧ１１（第３の期間）において実行される。期間ＴＧ１１は、第１の期間Ｔ１の終了時点と第２の期間Ｔ２の開始時点との間の期間である。工程ＳＴＧ１１では、下部電極１８とグランドとを互いに接続するために、第３のスイッチＳＷ３が導通状態に設定される。工程ＳＴＧ１１では、第１の出力７０ａと下部電極１８との間の接続を切断するために第１のスイッチＳＷ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴＧ１１では、第２の出力７０ｂと下部電極１８との間の接続を切断するために第２のスイッチＳＷ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴＧ１１の実行のために、制御部ＭＣは、第３のスイッチＳＷ３を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷ１及び第２のスイッチＳＷ２を非導通状態に設定する制御（第３の制御）を実行する。 Method MT1 may further include step STG11 between step ST1 and step ST2. The step STG11 is performed during a period TG11 (third period). A period TG11 is a period between the end of the first period T1 and the start of the second period T2. In step STG11, the third switch SW3 is set to a conducting state to connect the lower electrode 18 and the ground to each other. In step STG11, the first switch SW1 is set to a non-conducting state to disconnect the connection between the first output 70a and the lower electrode 18. FIG. In step STG11, the second switch SW2 is set to a non-conducting state to disconnect the connection between the second output 70b and the lower electrode 18. FIG. In order to execute the step STG11, the control unit MC sets the third switch SW3 to the conducting state and sets the first switch SW1 and the second switch SW2 to the non-conducting state (third control). to run.

方法ＭＴ１は、工程ＳＴＧ１１と工程ＳＴ２との間に工程ＳＴＦ１１を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＦ１１は、期間ＴＦ１１において実行される。期間ＴＦ１１は、期間ＴＧ１１の終了時点と第２の期間Ｔ２の開始時点との間の期間である。工程ＳＴＦ１１では、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。即ち、工程ＳＴＦ１１では、下部電極１８の電位がフロート状態に設定される。工程ＳＴＦ１１の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御を実行する。 Method MT1 may further include step STF11 between step STG11 and step ST2. The step STF11 is performed during the period TF11. A period TF11 is a period between the end of the period TG11 and the start of the second period T2. In step STF11, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 are set to a non-conducting state. That is, in step STF11, the potential of the lower electrode 18 is set to a floating state. In order to perform step STF11, the control unit MC performs control to set the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 to a non-conducting state.

方法ＭＴ１では、工程ＳＴ１と工程ＳＴ２が交互に繰り返されてもよい。この場合において、方法ＭＴ１は、工程ＳＴ２と次の工程ＳＴ１との間に工程ＳＴＧ１２を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＧ１２は、期間ＴＧ１２において実行される。期間ＴＧ１２は、第２の期間Ｔ２の終了時点と次の第１の期間Ｔ１の開始時点との間の期間である。工程ＳＴＧ１２では、下部電極１８とグランドとを互いに接続するために、第３のスイッチＳＷ３が導通状態に設定される。工程ＳＴＧ１２では、第１の出力７０ａと下部電極１８との間の接続を切断するために第１のスイッチＳＷ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴＧ１２では、第２の出力７０ｂと下部電極１８との間の接続を切断するために第２のスイッチＳＷ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴＧ１２の実行のために、制御部ＭＣは、第３のスイッチＳＷ３を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷ１及び第２のスイッチＳＷ２を非導通状態に設定する制御を実行する。 In method MT1, step ST1 and step ST2 may be alternately repeated. In this case, the method MT1 may further include a step STG12 between step ST2 and the next step ST1. The process STG12 is performed during the period TG12. A period TG12 is a period between the end of the second period T2 and the start of the next first period T1. In step STG12, the third switch SW3 is set to a conducting state to connect the lower electrode 18 and the ground to each other. In step STG12, the first switch SW1 is set to a non-conducting state to disconnect the connection between the first output 70a and the lower electrode 18. FIG. In step STG12, the second switch SW2 is set to a non-conducting state to disconnect the connection between the second output 70b and the lower electrode 18. FIG. In order to execute step STG12, the control unit MC performs control to set the third switch SW3 to the conducting state and to set the first switch SW1 and the second switch SW2 to the non-conducting state.

方法ＭＴ１は、工程ＳＴＧ１２と次の工程ＳＴ１との間に工程ＳＴＦ１２を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＦ１２は、期間ＴＦ１２において実行される。期間ＴＦ１２は、期間ＴＧ１２の終了時点と次の第１の期間Ｔ１の開始時点との間の期間である。工程ＳＴＦ１２では、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。即ち、工程ＳＴＦ１２では、下部電極１８の電位がフロート状態に設定される。工程ＳＴＦ１２の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御を実行する。 Method MT1 may further include step STF12 between step STG12 and next step ST1. Step STF12 is performed in period TF12. A period TF12 is a period between the end of the period TG12 and the start of the next first period T1. In step STF12, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 are set to a non-conducting state. That is, in step STF12, the potential of the lower electrode 18 is set to a floating state. In order to perform step STF12, the control unit MC performs control to set the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 to a non-conducting state.

方法ＭＴ１は、工程ＳＴＪ１を更に含み得る。工程ＳＴＪ１では、停止条件が満たされるか否かが判定される。停止条件は、例えば、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２を含むシーケンスＳＱ１の実行回数が所定回数に達している場合に満たされる。工程ＳＴＪ１において停止条件が満たされていないと判定されると、シーケンスＳＱ１が工程ＳＴ１から再び実行される。一方、工程ＳＴＪ１において停止条件が満たされていると判定されると、方法ＭＴ１が終了する。 Method MT1 may further include step STJ1. In step STJ1, it is determined whether or not a stop condition is satisfied. The stop condition is satisfied, for example, when the number of executions of the sequence SQ1 including the steps ST1 and ST2 has reached a predetermined number. If it is determined in step STJ1 that the stop condition is not satisfied, the sequence SQ1 is executed again from step ST1. On the other hand, when it is determined in step STJ1 that the stop condition is satisfied, method MT1 ends.

上述したように、第１の直流電圧と第２の直流電圧は、互いに同じ極性を有する。また、第１の直流電圧と第２の直流電圧のうち一方の直流電圧の絶対値は、他方の直流電圧の絶対値よりも小さい。したがって、第１の期間Ｔ１と第２の期間Ｔ２のうち一方の直流電圧が下部電極１８に印加される一方の期間において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーは、他方の期間において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーよりも低い。また、一方の期間において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーは、下部電極１８の電位が接地電位であるならば基板Ｗに供給されるエネルギーよりも高い。故に、単一レベルの直流電圧が下部電極１８に印加されるときに基板に供給されるイオンのエネルギーと下部電極１８の電位が接地電位であるならば基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板Ｗに供給することが可能となる。 As described above, the first DC voltage and the second DC voltage have the same polarity as each other. Also, the absolute value of one of the first DC voltage and the second DC voltage is smaller than the absolute value of the other DC voltage. Therefore, the energy of the ions supplied to the substrate W during one of the first period T1 and the second period T2, in which the DC voltage is applied to the lower electrode 18, is supplied to the substrate W during the other period. lower than the energy of the ions being injected. Also, the energy of the ions supplied to the substrate W in one period is higher than the energy supplied to the substrate W if the potential of the lower electrode 18 is the ground potential. Therefore, the energy of the ions supplied to the substrate when a single level DC voltage is applied to the lower electrode 18 and the energy of the ions supplied to the substrate W if the potential of the lower electrode 18 is at ground potential. It becomes possible to supply the substrate W with ions having an energy between .

以下、図５を参照する。図５は、図１に示すプラズマ処理方法に関連する別の例のタイミングチャートである。図４に示す例では、シーケンスＳＱ１の実行中又は繰り返し中に高周波電力ＲＦは連続的に供給されている。図５に示すように、方法ＭＴ１では、高周波電力ＲＦの供給と供給停止が交互に切り替えられてもよい。図５に示す例では、高周波電力ＲＦの供給は、第１の期間Ｔ１及び第２の期間Ｔ２において、停止される。図５に示す例では、高周波電力ＲＦは、第１の期間Ｔ１及び第２の期間Ｔ２以外の期間において供給される。 Please refer to FIG. 5 below. FIG. 5 is a timing chart of another example related to the plasma processing method shown in FIG. In the example shown in FIG. 4, the high-frequency power RF is continuously supplied during execution or repetition of the sequence SQ1. As shown in FIG. 5, in method MT1, supply and stop of supply of high frequency power RF may be alternately switched. In the example shown in FIG. 5, the supply of the high frequency power RF is stopped during the first period T1 and the second period T2. In the example shown in FIG. 5, the high frequency power RF is supplied during periods other than the first period T1 and the second period T2.

以下、図６を参照して、別の実施形態に係るプラズマ処理方法について説明する。図６は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。図６に示すプラズマ処理方法（以下、「方法ＭＴ２」という）は、プラズマ処理装置を用いて実行される。図７は、別の例示的実施形態に係るプラズマ処理装置を概略的に示す図である。以下、図７に示すプラズマ処理装置１Ｂのプラズマ処理装置１に対する相違点について説明する。 A plasma processing method according to another embodiment will be described below with reference to FIG. FIG. 6 is a flow diagram of a plasma processing method according to another exemplary embodiment. The plasma processing method shown in FIG. 6 (hereinafter referred to as "method MT2") is performed using a plasma processing apparatus. FIG. 7 is a schematic diagram of a plasma processing apparatus according to another exemplary embodiment. Differences of the plasma processing apparatus 1B shown in FIG. 7 from the plasma processing apparatus 1 will be described below.

プラズマ処理装置１Ｂは、電源装置７０に代えて、電源装置７０Ｂを備えている。電源装置７０Ｂは、出力７０Ｂａを有する。電源装置７０Ｂは、直流電圧を発生する直流電源を有し、当該直流電圧を出力７０Ｂａから出力するように構成されている。電源装置７０Ｂが出力する直流電圧のレベルは単一のレベルであり得る。 The plasma processing apparatus 1B includes a power supply device 70B instead of the power supply device 70. As shown in FIG. The power supply 70B has an output 70Ba. The power supply device 70B has a DC power supply that generates a DC voltage and is configured to output the DC voltage from an output 70Ba. The level of the DC voltage output by power supply 70B may be a single level.

プラズマ処理装置１Ｂは、第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２を更に備え得る。第１のスイッチＳＷＢ１は、電源装置７０Ｂの出力７０Ｂａと下部電極１８との間で接続されている。第２のスイッチＳＷＢ２は、下部電極１８とグランドとの間で接続されている。一実施形態において、第１のスイッチＳＷＢ１は、電気的パス７４に接続している。電気的パス７４は、電気的パス６４に接続している。第２のスイッチＳＷＢ２は、グランドと電気的パス７４との間で接続されている。 The plasma processing apparatus 1B may further include a first switch SWB1 and a second switch SWB2. The first switch SWB1 is connected between the output 70Ba of the power supply device 70B and the lower electrode 18. As shown in FIG. A second switch SWB2 is connected between the lower electrode 18 and the ground. In one embodiment, the first switch SWB1 is connected to electrical path 74 . Electrical path 74 connects to electrical path 64 . A second switch SWB2 is connected between ground and electrical path 74 .

以下、図６及び図８を参照して、方法ＭＴ２について詳細に説明する。また、以下では、プラズマ処理装置１Ｂの制御部ＭＣによる電源装置７０Ｂから下部電極１８への電圧の印加の制御についても説明する。図８は、図６に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。図８において、横軸は時間を示している。図８において、縦軸は、第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２の各々の状態、下部電極１８の電位、及び基板Ｗの電位を示している。第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２の各々の状態の「ＯＮ」は、導通状態を示している。第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２の各々の状態の「ＯＦＦ」は、非導通状態を示している。 The method MT2 will be described in detail below with reference to FIGS. 6 and 8. FIG. Also, the control of the voltage application from the power supply device 70B to the lower electrode 18 by the controller MC of the plasma processing apparatus 1B will be described below. FIG. 8 is an example timing chart related to the plasma processing method shown in FIG. In FIG. 8, the horizontal axis indicates time. In FIG. 8, the vertical axis represents the states of the first switch SWB1 and the second switch SWB2, the potential of the lower electrode 18, and the potential of the substrate W. In FIG. "ON" in the state of each of the first switch SWB1 and the second switch SWB2 indicates a conducting state. "OFF" of each state of the first switch SWB1 and the second switch SWB2 indicates a non-conducting state.

方法ＭＴ２は、基板Ｗが基板支持器１６上に載置された状態で実行される。図６に示すように、方法ＭＴ２は、工程ＳＴＰで開始する。方法ＭＴ２の工程ＳＴＰは、方法ＭＴ１の工程ＳＴＰと同じ工程である。方法ＭＴ２においても、工程ＳＴＰの実行のために、ガス供給部、排気装置５０、及び高周波電源６１は、制御部ＭＣによって制御される。以下に説明する方法ＭＴ２の工程ＳＴ２１、工程ＳＴ２２、及び工程ＳＴ２３は、工程ＳＴＰでのプラズマの生成中に実行される。 Method MT2 is performed with the substrate W on the substrate support 16 . As shown in FIG. 6, method MT2 begins at step STP. The process STP of the method MT2 is the same process as the process STP of the method MT1. Also in the method MT2, the gas supply unit, the exhaust device 50, and the high-frequency power source 61 are controlled by the control unit MC in order to perform the step STP. Process ST21, process ST22, and process ST23 of method MT2 described below are performed during plasma generation in process STP.

工程ＳＴ２１は、第１の期間Ｔ２１において実行される。工程ＳＴ２１では、下部電極１８に電源装置７０Ｂから直流電圧が印加される。第１の期間Ｔ２１は、予め定められた時間長を有し得る。第１の期間Ｔ２１は、出力７０Ｂａと下部電極１８とが互いに接続された後に下部電極１８の電位が定常状態になっている期間を含む。工程ＳＴ２１では、出力７０Ｂａと下部電極１８とを互いに接続するために、第１のスイッチＳＷＢ１が導通状態に設定される。工程ＳＴ２１では、下部電極１８とグランドとの間の接続を切断するために第２のスイッチＳＷＢ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴ２１の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷＢ１を導通状態に設定し、第２のスイッチＳＷＢ２を非導通状態に設定する制御（第１の制御）を実行する。 Step ST21 is performed in the first period T21. In step ST21, a DC voltage is applied to the lower electrode 18 from the power supply device 70B. The first period T21 can have a predetermined length of time. The first period T21 includes a period during which the potential of the lower electrode 18 is in a steady state after the output 70Ba and the lower electrode 18 are connected to each other. In step ST21, the first switch SWB1 is set to a conducting state in order to connect the output 70Ba and the lower electrode 18 to each other. In step ST21, the second switch SWB2 is set to a non-conducting state to cut the connection between the lower electrode 18 and the ground. In order to execute step ST21, the control unit MC executes control (first control) for setting the first switch SWB1 to the conducting state and setting the second switch SWB2 to the non-conducting state.

工程ＳＴ２２は、第２の期間Ｔ２２において実行される。第２の期間Ｔ２２は、第１の期間Ｔ２１とは異なる期間である。工程ＳＴ２２では、下部電極１８がグランドに接続される。工程ＳＴ２２では、下部電極１８は電源装置７０Ｂから電気的に分離される。工程ＳＴ２２では、下部電極１８をグランドに接続するために第２のスイッチＳＷＢ２が導通状態に設定される。工程ＳＴ２２では、出力７０Ｂａと下部電極１８との間の接続を切断するために第１のスイッチＳＷＢ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴ２２の実行のために、制御部ＭＣは、第２のスイッチＳＷＢ２を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷＢ１を非導通状態に設定する制御（第２の制御）を実行する。第２の期間Ｔ２２は、下部電極１８の電位が接地電位に到達する前に終了する。第２の期間Ｔ２２の時間長は、予め定められていてもよい。 Step ST22 is performed in the second period T22. The second period T22 is a period different from the first period T21. In step ST22, the lower electrode 18 is grounded. In step ST22, the lower electrode 18 is electrically isolated from the power supply device 70B. In step ST22, the second switch SWB2 is set to a conducting state to connect the lower electrode 18 to the ground. At step ST22, the first switch SWB1 is set to a non-conducting state in order to cut the connection between the output 70Ba and the lower electrode 18. FIG. In order to execute step ST22, the control unit MC executes control (second control) for setting the second switch SWB2 to the conducting state and setting the first switch SWB1 to the non-conducting state. The second period T22 ends before the potential of the lower electrode 18 reaches the ground potential. The time length of the second period T22 may be determined in advance.

工程ＳＴ２３は、第３の期間Ｔ２３において実行される。第３の期間Ｔ２３は、第２の期間Ｔ２２の後の期間であり、第２の期間Ｔ２２においてグランドに接続された下部電極１８の電位が接地電位に到達する前に開始する。工程ＳＴ２３では、下部電極１８に電源装置７０Ｂが接続される。工程ＳＴ２３では、下部電極１８はグランドから電気的に分離される。工程ＳＴ２３では、出力７０Ｂａと下部電極１８とを互いに接続するために、第１のスイッチＳＷＢ１が導通状態に設定される。工程ＳＴ２３では、下部電極１８とグランドとの間の接続を切断するために第２のスイッチＳＷＢ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴ２３の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷＢ１を導通状態に設定し、第２のスイッチＳＷＢ２を非導通状態に設定する制御（第３の制御）を実行する。 Step ST23 is performed in the third period T23. The third period T23 is a period after the second period T22, and starts before the potential of the grounded lower electrode 18 reaches the ground potential in the second period T22. In step ST23, the lower electrode 18 is connected to the power supply device 70B. In step ST23, the lower electrode 18 is electrically separated from the ground. In step ST23, the first switch SWB1 is set to a conducting state in order to connect the output 70Ba and the lower electrode 18 to each other. In step ST23, the second switch SWB2 is set in a non-conducting state in order to cut off the connection between the lower electrode 18 and the ground. In order to execute step ST23, the control unit MC executes control (third control) for setting the first switch SWB1 to the conducting state and setting the second switch SWB2 to the non-conducting state.

工程ＳＴ２３の終了時点、即ち第３の期間Ｔ２３の終了時点は、下部電極１８の電位が定常状態になる前の時点である。第３の期間Ｔ２３は、予め定められた時間長を有し得る。第３の期間Ｔ２３の終了時点において、下部電極１８は、電源装置７０Ｂから電気的に分離される。即ち、第３の期間Ｔ２３の終了時点において、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷＢ１を非導通状態に設定する。 The end point of step ST23, that is, the end point of the third period T23 is the point before the potential of the lower electrode 18 reaches a steady state. The third period T23 may have a predetermined length of time. At the end of the third period T23, the lower electrode 18 is electrically separated from the power supply device 70B. That is, at the end of the third period T23, the controller MC sets the first switch SWB1 to the non-conducting state.

一実施形態において、方法ＭＴ２は、工程ＳＴＦ２１を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＦ２１は、工程ＳＴ２２と工程ＳＴ２３との間で実行される。即ち、工程ＳＴＦ２１は、第２の期間Ｔ２２の終了時点と第３の期間Ｔ２３の開始時点との間の期間ＴＦ２１において、実行される。工程ＳＴＦ２１では、下部電極１８が、電源装置７０Ｂとグランドの双方から電気的に分離される。工程ＳＴＦ２１では、第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２の双方が非導通状態に設定される。工程ＳＴＦ２１の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２の双方を非導通状態に設定する制御を実行する。 In one embodiment, method MT2 may further include step STF21. Process STF21 is executed between process ST22 and process ST23. That is, the step STF21 is performed during the period TF21 between the end of the second period T22 and the start of the third period T23. In step STF21, the lower electrode 18 is electrically isolated from both the power supply device 70B and the ground. In step STF21, both the first switch SWB1 and the second switch SWB2 are set to a non-conducting state. In order to perform step STF21, the control unit MC performs control to set both the first switch SWB1 and the second switch SWB2 to the non-conducting state.

一実施形態において、工程ＳＴ２２と工程ＳＴ２３は交互に繰り返されてもよい。即ち、工程ＳＴ２２と工程ＳＴ２３を含むシーケンスＳＱ２１が繰り返されてもよい。この場合において、方法ＭＴ２は、工程ＳＴＪ２１を更に含む。工程ＳＴＪ２１では、停止条件が満たされるか否かが判定される。停止条件は、例えば、シーケンスＳＱ２１の実行回数が所定回数に達している場合に満たされる。工程ＳＴＪ２１において停止条件が満たされていないと判定されると、シーケンスＳＱ２１が工程ＳＴ２２から再び実行される。一方、工程ＳＴＪ２１において停止条件が満たされていると判定されると、シーケンスＳＱ２１の繰り返しが終了する。 In one embodiment, step ST22 and step ST23 may be alternately repeated. That is, the sequence SQ21 including steps ST22 and ST23 may be repeated. In this case, method MT2 further includes step STJ21. In step STJ21, it is determined whether or not the stop condition is satisfied. The stop condition is met, for example, when the number of executions of the sequence SQ21 has reached a predetermined number. If it is determined in step STJ21 that the stop condition is not satisfied, the sequence SQ21 is executed again from step ST22. On the other hand, if it is determined in step STJ21 that the stop condition is satisfied, the repetition of sequence SQ21 ends.

一実施形態においては、工程ＳＴ２１とシーケンスＳＱ２１とを含むシーケンスＳＱ２２が繰り返されてもよい。シーケンスＳＱ２２は、工程ＳＴ２４を更に含んでいてもよい。工程ＳＴ２４は、工程ＳＴＪ２１の判定の後に、実行される。即ち、工程ＳＴ２４は、第３の期間Ｔ２３の後の期間Ｔ２４において実行される。 In one embodiment, a sequence SQ22 including step ST21 and sequence SQ21 may be repeated. The sequence SQ22 may further include step ST24. Process ST24 is executed after the determination of process STJ21. That is, step ST24 is performed in period T24 after third period T23.

工程ＳＴ２４では、下部電極１８がグランドに接続される。工程ＳＴ２４では、下部電極１８は電源装置７０Ｂから電気的に分離される。工程ＳＴ２４では、下部電極１８をグランドに接続するために第２のスイッチＳＷＢ２が導通状態に設定される。工程ＳＴ２４では、出力７０Ｂａと下部電極１８との間の接続を切断するために第１のスイッチＳＷＢ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴ２４の実行のために、制御部ＭＣは、第２のスイッチＳＷＢ２を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷＢ１を非導通状態に設定する制御を実行する。 In step ST24, the lower electrode 18 is grounded. In step ST24, the lower electrode 18 is electrically separated from the power supply device 70B. In step ST24, the second switch SWB2 is set to a conducting state to connect the lower electrode 18 to the ground. At step ST24, the first switch SWB1 is set to a non-conducting state in order to cut the connection between the output 70Ba and the lower electrode . In order to execute step ST24, the control unit MC performs control to set the second switch SWB2 to the conducting state and to set the first switch SWB1 to the non-conducting state.

シーケンスＳＱ２２は、工程ＳＴＦ２２を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＦ２２は、工程ＳＴ２４の後に、実行される。即ち、工程ＳＴＦ２２は、期間Ｔ２４の後の期間ＴＦ２２において実行される。工程ＳＴＦ２２では、下部電極１８が、電源装置７０Ｂとグランドの双方から電気的に分離される。工程ＳＴＦ２２では、第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２の双方が非導通状態に設定される。工程ＳＴＦ２２の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷＢ１及び第２のスイッチＳＷＢ２の双方を非導通状態に設定する制御を実行する。 Sequence SQ22 may further include step STF22. Process STF22 is executed after process ST24. That is, step STF22 is performed in period TF22 after period T24. In step STF22, the lower electrode 18 is electrically isolated from both the power supply 70B and the ground. In step STF22, both the first switch SWB1 and the second switch SWB2 are set to a non-conducting state. In order to perform step STF22, the control unit MC performs control to set both the first switch SWB1 and the second switch SWB2 to a non-conducting state.

方法ＭＴ２は、工程ＳＴＪ２２を更に含み得る。工程ＳＴＪ２２では、停止条件が満たされるか否かが判定される。停止条件は、例えば、シーケンスＳＱ２２の実行回数が所定回数に達している場合に満たされる。工程ＳＴＪ２２において停止条件が満たされていないと判定されると、シーケンスＳＱ２２が工程ＳＴ２１から再び実行される。一方、工程ＳＴＪ２２において停止条件が満たされていると判定されると、方法ＭＴ２が終了する。 Method MT2 may further include step STJ22. In step STJ22, it is determined whether or not a stop condition is satisfied. The stop condition is met, for example, when the number of executions of the sequence SQ22 reaches a predetermined number. If it is determined in step STJ22 that the stop condition is not satisfied, sequence SQ22 is executed again from step ST21. On the other hand, when it is determined in step STJ22 that the stop condition is satisfied, method MT2 ends.

第２の期間Ｔ２２では、下部電極１８の電位の絶対値は、第１の期間Ｔ２１の下部電極１８の電位の絶対値から減少するが、ゼロには到達しない。また、第３の期間Ｔ２３では、下部電極１８の電位の絶対値は、第２の期間Ｔ２２の下部電極１８の電位の絶対値から増加するが、第１の期間Ｔ２１の下部電極１８の電位と同じ電位には到達しない。したがって、第２の期間Ｔ２２において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間Ｔ２３において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーは、第１の期間Ｔ２１において基板に供給されるイオンのエネルギーよりも低い。また、第２の期間Ｔ２２において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間Ｔ２３において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーは、下部電極１８の電位が接地電位であるならば基板Ｗに供給されるエネルギーよりも高い。故に、単一レベルの直流電圧が下部電極１８に印加されるときに基板に供給されるイオンのエネルギーと下部電極１８の電位が接地電位であるならば基板に供給されるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板に供給することが可能となる。 In the second period T22, the absolute value of the potential of the lower electrode 18 decreases from the absolute value of the potential of the lower electrode 18 in the first period T21, but does not reach zero. Also, in the third period T23, the absolute value of the potential of the lower electrode 18 increases from the absolute value of the potential of the lower electrode 18 in the second period T22, but the potential of the lower electrode 18 in the first period T21 increases. not reach the same potential. Therefore, the energy of ions supplied to the substrate W in the second period T22 and the energy of ions supplied to the substrate W in the third period T23 are higher than the energy of ions supplied to the substrate in the first period T21. is also low. Also, the energy of the ions supplied to the substrate W in the second period T22 and the energy of the ions supplied to the substrate W in the third period T23 are different from each other if the potential of the lower electrode 18 is the ground potential. higher than the energy supplied. Therefore, the difference between the energy of the ions supplied to the substrate when a single level DC voltage is applied to the lower electrode 18 and the energy of the ions supplied to the substrate if the potential of the lower electrode 18 is at ground potential. can be supplied to the substrate.

以下、図８及び図９を参照する。図９は、一つ以上の電位測定プローブの例を示す図である。プラズマ処理装置１Ｂは、一つ以上の電位測定プローブを更に備えていてもよい。図９に示す例では、プラズマ処理装置１Ｂは、電位測定プローブ８１を備えている。電位測定プローブ８１は、基板Ｗの電位を測定するように構成されている。制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された電位が指定電位Ｖ２３に到達した時点で、工程ＳＴ２２を終了させてもよい。即ち、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された電位が指定電位Ｖ２３に到達した時点で、第２のスイッチＳＷＢ２を非導通状態に設定してもよい。 Reference is made to FIGS. 8 and 9 below. FIG. 9 shows an example of one or more potential-measuring probes. The plasma processing apparatus 1B may further include one or more potential measurement probes. In the example shown in FIG. 9, the plasma processing apparatus 1B is provided with a potential measuring probe 81. In the example shown in FIG. The potential measurement probe 81 is configured to measure the potential of the substrate W. As shown in FIG. The control unit MC may end the step ST22 when the potential measured by the potential measurement probe 81 reaches the designated potential V23. That is, the controller MC may set the second switch SWB2 to the non-conducting state when the potential measured by the potential measuring probe 81 reaches the specified potential V23.

また、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された電位が指定電位Ｖ２２に到達した時点で、工程ＳＴ２３を終了させてもよい。即ち、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された電位が指定電位Ｖ２２に到達した時点で、第１のスイッチＳＷＢ１を非導通状態に設定してもよい。 Further, the control unit MC may end the step ST23 when the potential measured by the potential measurement probe 81 reaches the designated potential V22. That is, the control unit MC may set the first switch SWB1 to the non-conducting state when the potential measured by the potential measuring probe 81 reaches the specified potential V22.

別の例では、プラズマ処理装置１Ｂは、一つ以上の電位測定プローブとして、電位測定プローブ８２又は電位測定プローブ８３を更に備えていてもよい。電位測定プローブ８２は、エッジリングＥＲの電位を測定するように構成されている。電位測定プローブ８３は、下部電極１８の電位を測定するように構成されている。制御部ＭＣは、電位測定プローブ８２又は電位測定プローブ８３によって測定された電位が指定電位に到達した時点で、工程ＳＴ２２を終了させてもよい。また、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８２又は電位測定プローブ８３によって測定された電位が別の指定電位に到達した時点で、工程ＳＴ２３を終了させてもよい。 In another example, the plasma processing apparatus 1B may further include a potential measuring probe 82 or a potential measuring probe 83 as one or more potential measuring probes. Potential measuring probe 82 is configured to measure the potential of edge ring ER. Potential measuring probe 83 is configured to measure the potential of lower electrode 18 . The control unit MC may end the step ST22 when the potential measured by the potential measurement probe 82 or the potential measurement probe 83 reaches a specified potential. Further, the control unit MC may end the step ST23 when the potential measured by the potential measuring probe 82 or the potential measuring probe 83 reaches another specified potential.

以下、図１０を参照して、更に別の実施形態に係るプラズマ処理方法について説明する。図１０は、更に別の例示的実施形態に係るプラズマ処理方法の流れ図である。図１０に示すプラズマ処理方法（以下、「方法ＭＴ３」という）は、プラズマ処理装置を用いて実行される。方法ＭＴ３の実行には、プラズマ処理装置１が用いられ得る。方法ＭＴ３の実行においてプラズマ処理装置１が用いられる場合に、電源装置７０の第２の出力７０ｂから出力される第２の直流電圧は、電源装置７０の第１の出力７０ａから出力される第１の直流電圧のレベル（絶対値）よりも低いレベル（絶対値）を有する。 Hereinafter, a plasma processing method according to still another embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a flow diagram of a plasma processing method according to yet another exemplary embodiment. The plasma processing method shown in FIG. 10 (hereinafter referred to as "method MT3") is performed using a plasma processing apparatus. The plasma processing apparatus 1 can be used to perform the method MT3. When the plasma processing apparatus 1 is used in performing method MT3, the second DC voltage output from the second output 70b of the power supply 70 is the first DC voltage output from the first output 70a of the power supply 70. has a level (absolute value) lower than the level (absolute value) of the DC voltage of

以下、図１０及び図１１を参照して、方法ＭＴ３について詳細に説明する。また、以下では、プラズマ処理装置１の制御部ＭＣによる電源装置７０から下部電極１８への電圧の印加の制御についても説明する。図１１は、図１０に示すプラズマ処理方法に関連する一例のタイミングチャートである。図１１において、横軸は時間を示している。図１１において、縦軸は、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３の各々の状態、下部電極１８の電位、及び基板Ｗの電位を示している。第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３の各々の状態の「ＯＮ」は、導通状態を示している。第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３の各々の状態の「ＯＦＦ」は、非導通状態を示している。 The method MT3 will be described in detail below with reference to FIGS. 10 and 11. FIG. Also, the control of the voltage application from the power supply device 70 to the lower electrode 18 by the controller MC of the plasma processing apparatus 1 will be described below. FIG. 11 is an example timing chart related to the plasma processing method shown in FIG. In FIG. 11, the horizontal axis indicates time. In FIG. 11, the vertical axis indicates the states of the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3, the potential of the lower electrode 18, and the potential of the substrate W. As shown in FIG. "ON" of each state of the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 indicates a conductive state. "OFF" of each state of the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 indicates a non-conducting state.

方法ＭＴ３は、基板Ｗが基板支持器１６上に載置された状態で実行される。図１０に示すように、方法ＭＴ３は、工程ＳＴＰで開始する。方法ＭＴ３の工程ＳＴＰは、方法ＭＴ１の工程ＳＴＰと同じ工程である。方法ＭＴ３においても、工程ＳＴＰの実行のために、ガス供給部、排気装置５０、及び高周波電源６１は、制御部ＭＣによって制御される。以下に説明する方法ＭＴ３の工程ＳＴ３１、工程ＳＴ３２、及び工程ＳＴ３３は、工程ＳＴＰでのプラズマの生成中に実行される。 Method MT3 is performed with substrate W on substrate support 16 . As shown in FIG. 10, method MT3 begins at step STP. The process STP of the method MT3 is the same process as the process STP of the method MT1. Also in the method MT3, the gas supply unit, the exhaust device 50, and the high-frequency power supply 61 are controlled by the control unit MC to perform the step STP. Process ST31, process ST32, and process ST33 of method MT3 described below are performed during plasma generation in process STP.

工程ＳＴ３１は、第１の期間Ｔ３１において実行される。工程ＳＴ３１では、下部電極１８に電源装置７０の第１の出力７０ａから第１の直流電圧が印加される。第１の期間Ｔ３１は、予め定められた時間長を有し得る。第１の期間Ｔ３１は、第１の出力７０ａと下部電極１８とが互いに接続された後に下部電極１８の電位が定常状態になっている期間を含む。工程ＳＴ３１では、第１の出力７０ａと下部電極１８とを互いに接続するために、第１のスイッチＳＷ１が導通状態に設定される。工程ＳＴ３１では、下部電極１８と第２の出力７０ｂとの間の接続を切断するために、第２のスイッチＳＷ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３１では、下部電極１８とグランドとの間の接続を切断するために第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３１の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷ１を導通状態に設定し、第２のスイッチＳＷ２及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御（第１の制御）を実行する。 The step ST31 is performed in the first period T31. In step ST31, a first DC voltage is applied to the lower electrode 18 from the first output 70a of the power supply device 70. As shown in FIG. The first period T31 can have a predetermined length of time. The first period T31 includes a period during which the potential of the lower electrode 18 is in a steady state after the first output 70a and the lower electrode 18 are connected to each other. In step ST31, the first switch SW1 is set to a conductive state to connect the first output 70a and the lower electrode 18 to each other. In step ST31, the second switch SW2 is set to a non-conducting state in order to disconnect the connection between the lower electrode 18 and the second output 70b. In step ST31, the third switch SW3 is set to a non-conducting state in order to cut off the connection between the lower electrode 18 and the ground. In order to execute the step ST31, the control unit MC sets the first switch SW1 to the conducting state and sets the second switch SW2 and the third switch SW3 to the non-conducting state (first control). to run.

工程ＳＴ３２は、第２の期間Ｔ３２において実行される。第２の期間Ｔ３２は、第１の期間Ｔ３１とは異なる期間である。工程ＳＴ３２では、下部電極１８がグランドに接続される。工程ＳＴ３２では、下部電極１８は、第１の出力７０ａ及び第２の出力７０ｂから電気的に分離される。工程ＳＴ３２では、下部電極１８をグランドに接続するために、第３のスイッチＳＷ３が導通状態に設定される。工程ＳＴ３２では、第１の出力７０ａと下部電極１８との間の接続を切断するために第１のスイッチＳＷ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３２では、第２の出力７０ｂと下部電極１８との間の接続を切断するために第２のスイッチＳＷ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３２の実行のために、制御部ＭＣは、第３のスイッチＳＷ３を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷ１及び第２のスイッチＳＷ２を非導通状態に設定する制御（第２の制御）を実行する。第２の期間Ｔ３２は、下部電極１８の電位が接地電位に到達する前に終了する。第２の期間Ｔ３２の時間長は、予め定められていてもよい。 Process ST32 is performed in the second period T32. The second period T32 is a period different from the first period T31. In step ST32, the lower electrode 18 is grounded. In step ST32, the lower electrode 18 is electrically separated from the first output 70a and the second output 70b. In step ST32, the third switch SW3 is set to a conducting state in order to connect the lower electrode 18 to the ground. In step ST32, the first switch SW1 is set to a non-conducting state in order to disconnect the connection between the first output 70a and the lower electrode 18. FIG. In step ST32, the second switch SW2 is set to a non-conducting state to disconnect the connection between the second output 70b and the lower electrode 18. FIG. In order to execute step ST32, the control unit MC sets the third switch SW3 to the conductive state and controls the first switch SW1 and the second switch SW2 to the non-conductive state (second control). to run. The second period T32 ends before the potential of the lower electrode 18 reaches the ground potential. The time length of the second period T32 may be determined in advance.

工程ＳＴ３３は、第３の期間Ｔ３３において実行される。第３の期間Ｔ３３は、第２の期間Ｔ３２の後の期間であり、第２の期間Ｔ３２においてグランドに接続された下部電極１８の電位が接地電位に到達する前に開始する。工程ＳＴ３３では、下部電極１８に第２の出力７０ｂが接続される。工程ＳＴ３３では、下部電極１８は第１の出力７０ａ及びグランドから電気的に分離される。工程ＳＴ３３では、第２の出力７０ｂと下部電極１８とを互いに接続するために、第２のスイッチＳＷ２が導通状態に設定される。工程ＳＴ３３では、下部電極１８と第１の出力７０ａとの間の接続を切断するために、第１のスイッチＳＷ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３３では、下部電極１８とグランドとの間の接続を切断するために第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３２の実行のために、制御部ＭＣは、第２のスイッチＳＷ２を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷ１及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御（第３の制御）を実行する。 Process ST33 is performed in the third period T33. The third period T33 is a period after the second period T32, and starts before the potential of the grounded lower electrode 18 reaches the ground potential in the second period T32. In step ST33, the lower electrode 18 is connected to the second output 70b. In step ST33, the lower electrode 18 is electrically isolated from the first output 70a and ground. In step ST33, the second switch SW2 is set to a conducting state to connect the second output 70b and the lower electrode 18 to each other. In step ST33, the first switch SW1 is set to a non-conducting state in order to disconnect the connection between the lower electrode 18 and the first output 70a. In step ST33, the third switch SW3 is set to a non-conducting state in order to cut off the connection between the lower electrode 18 and the ground. In order to execute the step ST32, the control unit MC sets the second switch SW2 to the conducting state and controls the first switch SW1 and the third switch SW3 to the non-conducting state (third control). to run.

工程ＳＴ３３の終了時点、即ち第３の期間Ｔ３３の終了時点は、下部電極１８の電位が定常状態になる前の時点である。第３の期間Ｔ３３は、予め定められた時間長を有し得る。第３の期間Ｔ３３の終了時点において、下部電極１８は、電源装置７０の第２の出力７０ｂから電気的に分離される。即ち、第３の期間Ｔ３３の終了時点において、制御部ＭＣは、第２のスイッチＳＷ２を非導通状態に設定する。 The end of step ST33, ie, the end of the third period T33, is the time before the potential of the lower electrode 18 reaches a steady state. The third period T33 may have a predetermined length of time. At the end of the third period T33, the bottom electrode 18 is electrically separated from the second output 70b of the power supply 70. FIG. That is, at the end of the third period T33, the controller MC sets the second switch SW2 to the non-conducting state.

一実施形態において、方法ＭＴ３は、工程ＳＴＦ３１を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＦ３１は、工程ＳＴ３２と工程ＳＴ３３との間で実行される。即ち、工程ＳＴＦ３１は、第２の期間Ｔ３２の終了時点と第３の期間Ｔ３３の開始時点との間の期間ＴＦ３１において、実行される。工程ＳＴＦ３１では、下部電極１８が、第１の出力７０ａ、第２の出力７０ｂ、及びグランドから電気的に分離される。工程ＳＴＦ３１では、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。工程ＳＴＦ３１の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御を実行する。 In one embodiment, method MT3 may further include step STF31. Process STF31 is executed between process ST32 and process ST33. That is, the step STF31 is performed during the period TF31 between the end of the second period T32 and the start of the third period T33. In step STF31, the bottom electrode 18 is electrically isolated from the first output 70a, the second output 70b and ground. In step STF31, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 are set to a non-conducting state. In order to perform step STF31, the control unit MC performs control to set the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 to a non-conducting state.

一実施形態において、工程ＳＴ３２と工程ＳＴ３３は交互に繰り返されてもよい。即ち、工程ＳＴ３２と工程ＳＴ３３を含むシーケンスＳＱ３１が繰り返されてもよい。この場合において、方法ＭＴ３は、工程ＳＴＪ３１を含む。工程ＳＴＪ３１では、停止条件が満たされるか否かが判定される。停止条件は、例えば、シーケンスＳＱ３１の実行回数が所定回数に達している場合に満たされる。工程ＳＴＪ３１において停止条件が満たされていないと判定されると、シーケンスＳＱ３１が工程ＳＴ３２から再び実行される。一方、工程ＳＴＪ３１において停止条件が満たされていると判定されると、シーケンスＳＱ３１の繰り返しが終了する。 In one embodiment, step ST32 and step ST33 may be alternately repeated. That is, the sequence SQ31 including steps ST32 and ST33 may be repeated. In this case, method MT3 includes step STJ31. In step STJ31, it is determined whether or not the stop condition is satisfied. The stop condition is met, for example, when the number of executions of the sequence SQ31 reaches a predetermined number. If it is determined in step STJ31 that the stop condition is not satisfied, the sequence SQ31 is executed again from step ST32. On the other hand, when it is determined in step STJ31 that the stop condition is satisfied, the repetition of sequence SQ31 ends.

一実施形態においては、工程ＳＴ３１とシーケンスＳＱ３１とを含むシーケンスＳＱ３２が繰り返されてもよい。シーケンスＳＱ３２は、工程ＳＴ３４を更に含んでいてもよい。工程ＳＴ３４は、工程ＳＴＪ３１の判定の後に、実行される。即ち、工程ＳＴ３４は、第３の期間Ｔ３３の後の期間Ｔ３４において実行される。 In one embodiment, a sequence SQ32 including step ST31 and sequence SQ31 may be repeated. Sequence SQ32 may further include step ST34. Process ST34 is executed after the determination of process STJ31. That is, step ST34 is performed in period T34 after third period T33.

工程ＳＴ３４では、下部電極１８がグランドに接続される。工程ＳＴ３４では、下部電極１８は第１の出力７０ａ及び第２の出力７０ｂから電気的に分離される。工程ＳＴ３４では、下部電極１８をグランドに接続するために第３のスイッチＳＷ３が導通状態に設定される。工程ＳＴ３４では、第１の出力７０ａと下部電極１８との間の接続を切断するために第１のスイッチＳＷ１が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３４では、第２の出力７０ｂと下部電極１８との間の接続を切断するために第２のスイッチＳＷ２が非導通状態に設定される。工程ＳＴ３４の実行のために、制御部ＭＣは、第３のスイッチＳＷ３を導通状態に設定し、第１のスイッチＳＷ１及び第２のスイッチＳＷ２を非導通状態に設定する制御を実行する。 In step ST34, the lower electrode 18 is grounded. In step ST34, the lower electrode 18 is electrically separated from the first output 70a and the second output 70b. In step ST34, the third switch SW3 is set to a conducting state to connect the lower electrode 18 to the ground. In step ST34, the first switch SW1 is set to a non-conducting state in order to disconnect the connection between the first output 70a and the lower electrode 18. FIG. In step ST34, the second switch SW2 is set to a non-conducting state to cut off the connection between the second output 70b and the lower electrode 18. FIG. In order to execute step ST34, the control unit MC performs control to set the third switch SW3 to the conducting state and to set the first switch SW1 and the second switch SW2 to the non-conducting state.

シーケンスＳＱ３２は、工程ＳＴＦ３２を更に含んでいてもよい。工程ＳＴＦ３２は、工程ＳＴ３４の後に、実行される。即ち、工程ＳＴＦ３２は、期間Ｔ３４の後の期間ＴＦ３２において実行される。工程ＳＴＦ３２では、下部電極１８が、第１の出力７０ａ、第２の出力７０ｂ、及びグランドから電気的に分離される。工程ＳＴＦ３２では、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３が非導通状態に設定される。工程ＳＴＦ３２の実行のために、制御部ＭＣは、第１のスイッチＳＷ１、第２のスイッチＳＷ２、及び第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定する制御を実行する。 Sequence SQ32 may further include step STF32. Process STF32 is executed after process ST34. That is, step STF32 is performed in period TF32 after period T34. In step STF32, the bottom electrode 18 is electrically isolated from the first output 70a, the second output 70b, and ground. In step STF32, the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 are set to a non-conducting state. In order to perform step STF32, the control unit MC performs control to set the first switch SW1, the second switch SW2, and the third switch SW3 to a non-conducting state.

方法ＭＴ３は、工程ＳＴＪ３２を更に含み得る。工程ＳＴＪ３２では、停止条件が満たされるか否かが判定される。停止条件は、例えば、シーケンスＳＱ３２の実行回数が所定回数に達している場合に満たされる。工程ＳＴＪ３２において停止条件が満たされていないと判定されると、シーケンスＳＱ３２が工程ＳＴ３１から再び実行される。一方、工程ＳＴＪ３２において停止条件が満たされていると判定されると、方法ＭＴ３が終了する。 Method MT3 may further include step STJ32. In step STJ32, it is determined whether or not the stop condition is satisfied. The stop condition is met, for example, when the number of executions of the sequence SQ32 has reached a predetermined number. If it is determined in step STJ32 that the stop condition is not satisfied, the sequence SQ32 is executed again from step ST31. On the other hand, when it is determined in step STJ32 that the stop condition is satisfied, method MT3 ends.

第２の期間Ｔ３２では、下部電極１８の電位の絶対値は、第１の期間Ｔ３１の下部電極１８の電位の絶対値から減少するが、ゼロには到達しない。また、第３の期間Ｔ３３では、下部電極１８の電位の絶対値は、第２の期間Ｔ３２の下部電極１８の電位の絶対値から増加するが、第１の期間Ｔ３１の下部電極１８の電位と同じ電位には到達しない。したがって、第２の期間Ｔ３２において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間Ｔ３３において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーは、第１の期間Ｔ３１において基板に供給されるイオンのエネルギーよりも低い。また、第２の期間Ｔ３２において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギー及び第３の期間Ｔ３３において基板Ｗに供給されるイオンのエネルギーは、下部電極１８の電位が接地電位であるならば基板Ｗに供給されるエネルギーよりも高い。故に、単一レベルの直流電圧が下部電極１８に印加されるときに基板に供給されるイオンのエネルギーと下部電極１８の電位が接地電位であるならば基板に供給されるイオンのエネルギーとの間のエネルギーを有するイオンを基板に供給することが可能となる。 In the second period T32, the absolute value of the potential of the lower electrode 18 decreases from the absolute value of the potential of the lower electrode 18 in the first period T31, but does not reach zero. Also, in the third period T33, the absolute value of the potential of the lower electrode 18 increases from the absolute value of the potential of the lower electrode 18 in the second period T32, but the potential of the lower electrode 18 in the first period T31 increases. not reach the same potential. Therefore, the energy of ions supplied to the substrate W in the second period T32 and the energy of ions supplied to the substrate W in the third period T33 are higher than the energy of ions supplied to the substrate in the first period T31. is also low. Also, the energy of the ions supplied to the substrate W in the second period T32 and the energy of the ions supplied to the substrate W in the third period T33 are different to the substrate W if the potential of the lower electrode 18 is the ground potential. higher than the energy supplied. Therefore, the difference between the energy of the ions supplied to the substrate when a single level DC voltage is applied to the lower electrode 18 and the energy of the ions supplied to the substrate if the potential of the lower electrode 18 is at ground potential. can be supplied to the substrate.

なお、方法ＭＴ３の実行においても、電位測定プローブ８１、電位測定プローブ８２、又は電位測定プローブ８３が用いられてもよい。制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された基板Ｗの電位が指定電位Ｖ３３に到達した時点で、工程ＳＴ３２を終了させてもよい。即ち、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された電位が指定電位Ｖ３３に到達した時点で、第３のスイッチＳＷ３を非導通状態に設定してもよい。 Note that the potential measurement probe 81, the potential measurement probe 82, or the potential measurement probe 83 may also be used in executing method MT3. The control unit MC may end the step ST32 when the potential of the substrate W measured by the potential measurement probe 81 reaches the designated potential V33. That is, the control unit MC may set the third switch SW3 to the non-conducting state when the potential measured by the potential measuring probe 81 reaches the specified potential V33.

また、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された基板Ｗの電位が指定電位Ｖ３２に到達した時点で、工程ＳＴ３３を終了させてもよい。即ち、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８１によって測定された基板Ｗの電位が指定電位Ｖ３２に到達した時点で、第２のスイッチＳＷ２を非導通状態に設定してもよい。 Further, the control unit MC may terminate the step ST33 when the potential of the substrate W measured by the potential measurement probe 81 reaches the specified potential V32. That is, the controller MC may set the second switch SW2 to the non-conducting state when the potential of the substrate W measured by the potential measuring probe 81 reaches the specified potential V32.

別の例では、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８２によって測定されたエッジリングＥＲの電位又は電位測定プローブ８３によって測定された下部電極１８の電位が指定電位に到達した時点で、工程ＳＴ３２を終了させてもよい。また、制御部ＭＣは、電位測定プローブ８２によって測定されたエッジリングＥＲの電位又は電位測定プローブ８３によって測定された下部電極１８の電位が別の指定電位に到達した時点で、工程ＳＴ３３を終了させてもよい。 In another example, the control unit MC ends the step ST32 when the potential of the edge ring ER measured by the potential measuring probe 82 or the potential of the lower electrode 18 measured by the potential measuring probe 83 reaches a specified potential. You may let Further, when the potential of the edge ring ER measured by the potential measuring probe 82 or the potential of the lower electrode 18 measured by the potential measuring probe 83 reaches another specified potential, the control unit MC terminates the step ST33. may

以上、種々の例示的実施形態について説明してきたが、上述した例示的実施形態に限定されることなく、様々な省略、置換、及び変更がなされてもよい。また、異なる実施形態における要素を組み合わせて他の実施形態を形成することが可能である。 While various exemplary embodiments have been described above, various omissions, substitutions, and modifications may be made without being limited to the exemplary embodiments described above. Also, elements from different embodiments can be combined to form other embodiments.

例えば、方法ＭＴ１、方法ＭＴ２、及び方法ＭＴ３において用いられるプラズマ処理装置は、容量結合型以外の任意のタイプのプラズマ処理装置であってもよい。そのようなプラズマ処理装置としては、誘導結合型のプラズマ処理装置、マイクロ波といった表面波を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置等が例示される。また、種々の実施形態に係るプラズマ処理方法の各々において下部電極１８に設定される電位のレベルの個数は、三つよりも多くてもよい。 For example, the plasma processing apparatus used in method MT1, method MT2, and method MT3 may be any type of plasma processing apparatus other than the capacitively coupled type. Examples of such a plasma processing apparatus include an inductively coupled plasma processing apparatus, a plasma processing apparatus that generates plasma using surface waves such as microwaves, and the like. Also, the number of potential levels set to the lower electrode 18 in each of the plasma processing methods according to various embodiments may be more than three.

以上の説明から、本開示の種々の実施形態は、説明の目的で本明細書で説明されており、本開示の範囲及び主旨から逸脱することなく種々の変更をなし得ることが、理解されるであろう。したがって、本明細書に開示した種々の実施形態は限定することを意図しておらず、真の範囲と主旨は、添付の特許請求の範囲によって示される。 From the foregoing description, it will be appreciated that various embodiments of the present disclosure have been set forth herein for purposes of illustration, and that various changes may be made without departing from the scope and spirit of the present disclosure. Will. Therefore, the various embodiments disclosed herein are not intended to be limiting, with a true scope and spirit being indicated by the following claims.

１…プラズマ処理装置、１０…チャンバ、１６…基板支持器、１８…下部電極、７０…電源装置、Ｔ１…第１の期間、Ｔ２…第２の期間。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Plasma processing apparatus, 10... Chamber, 16... Substrate supporter, 18... Lower electrode, 70... Power supply device, T1... 1st period, T2... 2nd period.

Claims (20)

チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
電源装置と、
前記電源装置から前記基板支持器への電圧の印加を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記チャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、前記電源装置から前記基板支持器に第１の直流電圧を印加する第１の制御を実行し、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中の前記第１の期間と交互の第２の期間において、前記電源装置から前記基板支持器に第２の直流電圧を印加する第２の制御を実行し、
前記第１の期間の後且つ前記第２の期間の前の第３の期間において、前記基板支持器の電位を接地電位に設定する第３の制御を実行し、
前記第２の期間の後且つ前記第１の期間の前の第４の期間において、前記基板支持器の電位を接地電位に設定する第４の制御を実行する
ように構成されており、
前記第２の直流電圧は、前記第１の直流電圧のレベルと異なるレベルを有し、該第１の直流電圧の極性と同じ極性を有する、
プラズマ処理装置。 a chamber;
a substrate support provided within the chamber;
a power supply;
a controller configured to control application of voltage from the power supply to the substrate support;
with
The control unit
performing a first control to apply a first DC voltage from the power supply to the substrate support during a first period during plasma generation in the chamber;
performing a second control of applying a second DC voltage from the power supply to the substrate support during a second period alternating with the first period during generation of the plasma in the chamber;
performing a third control of setting the potential of the substrate support to a ground potential in a third period after the first period and before the second period;
In a fourth period after the second period and before the first period, a fourth control for setting the potential of the substrate support to the ground potential is executed,
The second DC voltage has a level different from that of the first DC voltage and has the same polarity as the polarity of the first DC voltage.
Plasma processing equipment. 前記電源装置は、前記第１の直流電圧用の第１の出力及び前記第２の直流電圧用の第２の出力を有し、
該プラズマ処理装置は、
前記第１の出力と前記基板支持器との間で接続された第１のスイッチと、
前記第２の出力と前記基板支持器との間で接続された第２のスイッチと、
を更に備え、
前記制御部は、
前記第１の制御において、前記第１の出力と前記基板支持器とを互いに接続するために前記第１のスイッチを導通状態に設定し、前記第２の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第２のスイッチを非導通状態に設定し、
前記第２の制御において、前記第２の出力と前記基板支持器とを互いに接続するために前記第２のスイッチを導通状態に設定し、前記第１の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第１のスイッチを非導通状態に設定する
ように構成されている、
請求項１に記載のプラズマ処理装置。 the power supply has a first output for the first DC voltage and a second output for the second DC voltage;
The plasma processing apparatus is
a first switch connected between the first output and the substrate support;
a second switch connected between the second output and the substrate support;
further comprising
The control unit
In the first control, the first switch is set to a conductive state to connect the first output and the substrate support to each other, and the second output and the substrate support are connected to each other. setting the second switch to a non-conducting state to disconnect;
In the second control, the second switch is set to a conducting state to connect the second output and the substrate support to each other, and the first output and the substrate support are connected to each other. configured to set the first switch to a non-conducting state to disconnect.
The plasma processing apparatus according to claim 1. 前記基板支持器とグランドとの間で接続された第３のスイッチを更に備え、
前記制御部は、
前記第１の制御及び前記第２の制御において、前記基板支持器と前記グランドとの間の接続を切断するために前記第３のスイッチを非導通状態に設定し、
前記第３の制御及び前記第４の制御の各々において、前記基板支持器と前記グランドとを互いに接続するために前記第３のスイッチを導通状態に設定し、前記第１の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第１のスイッチを非導通状態に設定し、前記第２の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第２のスイッチを非導通状態に設定する
ように構成されている、
請求項２に記載のプラズマ処理装置。 further comprising a third switch connected between the substrate support and ground;
The control unit
In the first control and the second control, setting the third switch to a non-conducting state to disconnect the connection between the substrate support and the ground;
In each of the third control and the fourth control, the third switch is set to a conductive state to connect the substrate supporter and the ground to each other, and the first output and the substrate support are connected. setting the first switch to a non-conducting state to break the connection between the substrate support and setting the second switch to break the connection between the second output and the substrate support; configured to set to a non-conducting state,
The plasma processing apparatus according to claim 2. 前記制御部は、前記第３の期間の終了時点と前記第２の期間の開始時点との間の期間において、前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、及び前記第３のスイッチを非導通状態に設定する制御を更に実行するように構成されている、請求項３に記載のプラズマ処理装置。 The control unit renders the first switch, the second switch, and the third switch non-conductive during a period between the end of the third period and the start of the second period. 4. The plasma processing apparatus of claim 3, further configured to perform state setting control. プラズマ処理装置のチャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、該チャンバ内に設けられた基板支持器に第１の直流電圧を印加する工程と、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中の前記第１の期間と交互の第２の期間において、前記基板支持器に第２の直流電圧を印加する工程であり、該第２の直流電圧は、前記第１の直流電圧のレベルと異なるレベルを有し、該第１の直流電圧の極性と同じ極性を有する、該工程と、
前記第１の期間の後且つ前記第２の期間の前の第３の期間において、前記基板支持器の電位を接地電位に設定する工程と、
前記第２の期間の後且つ前記第１の期間の前の４の期間において、前記基板支持器の電位を接地電位に設定する工程と、
を含むプラズマ処理方法。 applying a first DC voltage to a substrate support provided within a chamber of a plasma processing apparatus during a first period during plasma generation;
applying a second DC voltage to the substrate support during second periods alternating with the first periods during generation of the plasma in the chamber, the second DC voltage comprising: having a level different from the level of the first DC voltage and having the same polarity as the polarity of the first DC voltage;
setting the potential of the substrate support to a ground potential during a third period after the first period and before the second period;
setting the potential of the substrate support to ground potential for four periods after the second period and before the first period;
A plasma processing method comprising: 前記プラズマ処理装置は、
前記第１の直流電圧用の第１の出力及び前記第２の直流電圧用の第２の出力を有する電源装置と、
前記第１の出力と前記基板支持器との間で接続された第１のスイッチと、
前記第２の出力と前記基板支持器との間で接続された第２のスイッチと、
を備え、
前記第１の期間において、前記第１の出力と前記基板支持器とを互いに接続するために前記第１のスイッチが導通状態に設定され、前記第２の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第２のスイッチが非導通状態に設定され、
前記第２の期間において、前記第２の出力と前記基板支持器とを互いに接続するために前記第２のスイッチが導通状態に設定され、前記第１の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第１のスイッチが非導通状態に設定される、
請求項５に記載のプラズマ処理方法。 The plasma processing apparatus is
a power supply having a first output for the first DC voltage and a second output for the second DC voltage;
a first switch connected between the first output and the substrate support;
a second switch connected between the second output and the substrate support;
with
During the first time period, the first switch is set to a conductive state to connect the first output and the substrate support together, and the second output and the substrate support are connected to each other. the second switch is set to a non-conducting state to disconnect;
During the second time period, the second switch is set to a conducting state to connect the second output and the substrate support to each other, and the switch between the first output and the substrate support is switched. the first switch is set to a non-conducting state to break the connection;
The plasma processing method according to claim 5. 前記プラズマ処理装置は、前記基板支持器とグランドとの間で接続された第３のスイッチを更に備え、
前記第１の期間及び前記第２の期間において、前記基板支持器と前記グランドとの間の接続を切断するために前記第３のスイッチが非導通状態に設定され、
前記第３の期間及び前記第４の期間において、前記基板支持器と前記グランドとを互いに接続するために前記第３のスイッチが導通状態に設定され、前記第１の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第１のスイッチが非導通状態に設定され、前記第２の出力と前記基板支持器との間の接続を切断するために前記第２のスイッチが非導通状態に設定される、
請求項６に記載のプラズマ処理方法。 the plasma processing apparatus further comprising a third switch connected between the substrate support and ground;
setting the third switch to a non-conducting state to disconnect the substrate support and the ground during the first period and the second period;
In the third period and the fourth period, the third switch is set to a conducting state to connect the substrate support and the ground to each other, and the first output and the substrate support are connected. the first switch is set in a non-conducting state to break the connection between the second output and the second switch is set in a non-conducting state to break the connection between the second output and the substrate support; set to state,
The plasma processing method according to claim 6. 前記第３の期間の終了時点と前記第２の期間の開始時点との間の期間において前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、及び前記第３のスイッチを非導通状態に設定する工程を更に含む、請求項７に記載のプラズマ処理方法。 setting the first switch, the second switch, and the third switch to a non-conducting state during a period between the end of the third period and the start of the second period; 8. The plasma processing method of claim 7, further comprising: チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
電源装置と、
前記電源装置と前記基板支持器との間で接続された第１のスイッチと、
前記基板支持器とグランドとの間で接続された第２のスイッチと、
前記電源装置から前記基板支持器への電圧の印加を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記チャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、前記電源装置を前記基板支持器に接続して該基板支持器に該電源装置から直流電圧を印加するために、前記第１のスイッチを導通状態に設定し、前記基板支持器を前記グランドから電気的に分離するために前記第２のスイッチを非導通状態に設定する第１の制御を実行し、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中の前記第１の期間とは異なる第２の期間において前記基板支持器を前記グランドに接続するために前記第２のスイッチを導通状態に設定し、前記基板支持器を前記電源装置から電気的に分離するために前記第１のスイッチを非導通状態に設定する第２の制御を実行し、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中且つ前記第２の期間の後の第３の期間であり前記基板支持器の電位が接地電位に到達する前に開始する該第３の期間において前記基板支持器に前記電源装置を接続するために前記第１のスイッチを導通状態に設定し、前記基板支持器を前記グランドから電気的に分離するために前記第２のスイッチを非導通状態に設定する第３の制御を実行する、
ように構成されており、
前記第３の期間の終了時点は前記基板支持器の電位が定常状態になる前の時点であり、前記制御部は、該第３の期間の該終了時点において、前記基板支持器を前記電源装置から電気的に分離するために前記第１のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている、
プラズマ処理装置。 a chamber;
a substrate support provided within the chamber;
a power supply;
a first switch connected between the power supply and the substrate support;
a second switch connected between the substrate support and ground;
a controller configured to control application of voltage from the power supply to the substrate support;
with
The control unit
The first switch for connecting the power supply to the substrate support and applying a DC voltage from the power supply to the substrate support during a first period during plasma generation in the chamber. is set to a conducting state and the second switch is set to a non-conducting state to electrically isolate the substrate support from the ground;
setting the second switch to a conductive state to connect the substrate support to the ground during a second time period different from the first time period during generation of the plasma in the chamber; and performing a second control of setting the first switch to a non-conducting state to electrically isolate the support from the power supply;
supporting the substrate during generation of the plasma in the chamber and for a third period after the second period and beginning before the potential of the substrate support reaches ground potential; setting the first switch in a conducting state to connect the power supply to a device and setting the second switch in a non-conducting state to electrically isolate the substrate support from the ground; to carry out the control of 3,
is configured as
The end point of the third period is a point before the potential of the substrate support reaches a steady state, and the control unit causes the substrate support to be connected to the power supply device at the end point of the third period. configured to set the first switch to a non-conducting state to electrically isolate from
Plasma processing equipment. 前記制御部は、前記第２の期間の終了時点と前記第３の期間の開始時点との間の期間において、前記基板支持器を前記電源装置と前記グランドの双方から電気的に分離するために前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチの双方を非導通状態に設定する制御を更に実行するように構成されている、請求項９に記載のプラズマ処理装置。 The control section electrically isolates the substrate support from both the power supply and the ground during a period between the end of the second period and the start of the third period. 10. The plasma processing apparatus according to claim 9, further configured to perform control for setting both said first switch and said second switch to a non-conducting state. 前記制御部は、
前記第２の制御と前記第３の制御を交互に繰り返し、
前記第３の制御の実行後、前記基板支持器の電位が定常状態に達する前に、前記第２の制御の実行を再び開始する、
ように構成されている、
請求項９又は１０に記載のプラズマ処理装置。 The control unit
Alternately repeating the second control and the third control,
After executing the third control, restarting the execution of the second control before the potential of the substrate support reaches a steady state;
configured as
The plasma processing apparatus according to claim 9 or 10. プラズマ処理装置のチャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、該チャンバ内に設けられた基板支持器に電源装置から直流電圧を印加する工程と、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中の前記第１の期間とは異なる第２の期間において前記基板支持器をグランドに接続する工程であり、該第２の期間において前記基板支持器は前記電源装置から電気的に分離される、該工程と、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中且つ前記第２の期間の後の第３の期間であり前記基板支持器の電位が接地電位に到達する前に開始する該第３の期間において前記基板支持器に前記電源装置を接続する工程であり、該第３の期間において前記基板支持器は前記グランドから電気的に分離される、該工程と、
を含み、
前記第３の期間の終了時点は前記基板支持器の電位が定常状態になる前の時点であり、該第３の期間の該終了時点において、前記基板支持器は前記電源装置から電気的に分離される、プラズマ処理方法。 applying a DC voltage from a power supply to a substrate support provided in the chamber during a first period during plasma generation in the chamber of the plasma processing apparatus;
connecting the substrate support to ground during a second time period different from the first time period during generation of the plasma in the chamber, during which the substrate support is connected to the power supply; the step of being electrically isolated from the device;
supporting the substrate during generation of the plasma in the chamber and for a third period of time after the second period of time and beginning before the potential of the substrate support reaches ground potential; connecting the power supply to a device, wherein the substrate support is electrically isolated from the ground during the third period of time;
including
The end point of the third period is a point before the potential of the substrate support reaches a steady state, and the substrate support is electrically separated from the power supply at the end point of the third period. plasma treatment method. 前記第２の期間の終了時点と前記第３の期間の開始時点との間の期間において、前記電源装置と前記グランドの双方から前記基板支持器を電気的に分離する工程を更に含む、請求項１２に記載のプラズマ処理方法。 3. The step of electrically isolating the substrate support from both the power supply and the ground during a period between the end of the second period and the start of the third period. 13. The plasma processing method according to 12. 前記基板支持器を前記グランドに接続する前記工程と前記基板支持器に前記電源装置を接続する前記工程とが交互に繰り返され、
前記基板支持器に前記電源装置を接続する前記工程の実行後、前記基板支持器の電位が定常状態に達する前に、前記基板支持器を前記グランドに接続する前記工程が再び開始される、
請求項１２又は１３に記載のプラズマ処理方法。 alternately repeating the step of connecting the substrate support to the ground and the step of connecting the power supply to the substrate support;
After performing the step of connecting the power supply to the substrate support, the step of connecting the substrate support to the ground is initiated again before the potential of the substrate support reaches a steady state.
The plasma processing method according to claim 12 or 13. チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持器と、
第１の直流電圧用の第１の出力及び該第１の直流電圧のレベルよりも低いレベルを有する第２の直流電圧用の第２の出力を有する電源装置と、
前記第１の出力と前記基板支持器との間で接続された第１のスイッチと、
前記第２の出力と前記基板支持器との間で接続された第２のスイッチと、
前記基板支持器とグランドとの間で接続された第３のスイッチと、
前記電源装置から前記基板支持器への電圧の印加を制御するように構成された制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記チャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、前記第１の出力を前記基板支持器に接続して該基板支持器に該第１の出力から第１の直流電圧を印加するために、前記第１のスイッチを導通状態に設定し、前記基板支持器を前記第２の出力及び前記グランドから電気的に分離するために前記第２のスイッチ及び前記第３のスイッチを非導通状態に設定する第１の制御を実行し、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中の前記第１の期間とは異なる第２の期間において前記基板支持器を前記グランドに接続するために前記第３のスイッチを導通状態に設定し、前記基板支持器を前記第１の出力及び前記第２の出力から電気的に分離するために前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチを非導通状態に設定する第２の制御を実行し、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中且つ前記第２の期間の後の第３の期間であり前記基板支持器の電位が接地電位に到達する前に開始する該第３の期間において前記基板支持器に前記第２の出力を接続するために前記第２のスイッチを導通状態に設定し、前記基板支持器を前記第１の出力及び前記グランドから電気的に分離するために前記第１のスイッチ及び前記第３のスイッチを非導通状態に設定する第３の制御を実行する、
ように構成されており、
前記第３の期間の終了時点は前記基板支持器の電位が定常状態になる前の時点であり、前記制御部は、該第３の期間の該終了時点において、前記基板支持器を前記第１の出力及び前記第２の出力から電気的に分離するために前記第１のスイッチ及び前記第２のスイッチを非導通状態に設定するように構成されている、
プラズマ処理装置。 a chamber;
a substrate support provided within the chamber;
a power supply having a first output for a first DC voltage and a second output for a second DC voltage having a level lower than the level of the first DC voltage;
a first switch connected between the first output and the substrate support;
a second switch connected between the second output and the substrate support;
a third switch connected between the substrate support and ground;
a controller configured to control application of voltage from the power supply to the substrate support;
with
The control unit
for connecting the first output to the substrate support for applying a first DC voltage from the first output to the substrate support during a first period during the generation of a plasma in the chamber; setting the first switch to a conducting state and setting the second switch and the third switch to a non-conducting state to electrically isolate the substrate support from the second output and the ground; Execute the first control to set to
setting the third switch to a conductive state to connect the substrate support to the ground during a second time period different from the first time period during generation of the plasma in the chamber; and performing a second control to set the first switch and the second switch to a non-conducting state to electrically isolate the support from the first output and the second output;
supporting the substrate during generation of the plasma in the chamber and for a third period of time after the second period of time and beginning before the potential of the substrate support reaches ground potential; setting the second switch in a conductive state to connect the second output to a device and the first switch to electrically isolate the substrate support from the first output and the ground; and executing a third control that sets the third switch to a non-conducting state;
is configured as
The end point of the third period is a point before the potential of the substrate support reaches a steady state, and the control unit causes the substrate support to move to the first potential at the end point of the third period. and configured to set the first switch and the second switch to a non-conducting state to electrically isolate from the output of and the second output.
Plasma processing equipment. 前記制御部は、前記第２の期間の終了時点と前記第３の期間の開始時点との間の期間において、前記基板支持器を第１の出力、前記第２の出力、及び前記グランドから電気的に分離するために前記第１のスイッチ、前記第２のスイッチ、及び前記第３のスイッチを非導通状態に設定する制御を更に実行するように構成されている、請求項１５に記載のプラズマ処理装置。 During a period between the end of the second period and the start of the third period, the controller controls the substrate support to be electrically connected to the first output, the second output, and the ground. 16. The plasma of claim 15, further configured to perform control to set the first switch, the second switch, and the third switch to a non-conducting state for spatial isolation. processing equipment. 前記制御部は、
前記第２の制御と前記第３の制御を交互に繰り返し、
前記第３の制御の実行後、前記基板支持器の電位が定常状態に達する前に、前記第２の制御の実行を再び開始する、
ように構成されている、
請求項１５又は１６に記載のプラズマ処理装置。 The control unit
Alternately repeating the second control and the third control,
After executing the third control, restarting the execution of the second control before the potential of the substrate support reaches a steady state;
configured as
17. The plasma processing apparatus according to claim 15 or 16. プラズマ処理装置のチャンバ内でのプラズマの生成中の第１の期間において、該チャンバ内に設けられた基板支持器に電源装置の第１の出力から第１の直流電圧を印加する工程であり、該電源装置は、該第１の出力及び前記第１の直流電圧のレベルよりも低いレベルを有する第２の直流電圧用の第２の出力を有する、該工程と、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中の前記第１の期間とは異なる第２の期間において前記基板支持器をグランドに接続する工程であり、該第２の期間において前記基板支持器は前記第１の出力及び前記第２の出力から電気的に分離される、該工程と、
前記チャンバ内での前記プラズマの生成中且つ前記第２の期間の後の第３の期間であり前記基板支持器の電位が接地電位に到達する前に開始する該第３の期間において前記基板支持器に前記第２の出力を接続する工程であり、該第３の期間において前記基板支持器は前記第１の出力及び前記グランドから電気的に分離される、該工程と、
を含み、
前記第３の期間の終了時点は前記基板支持器の電位が定常状態になる前の時点であり、該第３の期間の該終了時点において、前記基板支持器は前記第１の出力及び前記第２の出力から電気的に分離される、プラズマ処理方法。 applying a first DC voltage from a first output of a power supply to a substrate support provided in the chamber during a first period during plasma generation in a chamber of the plasma processing apparatus; said power supply having a second output for a second DC voltage having a level lower than the level of said first output and said first DC voltage;
connecting the substrate support to ground during a second time period different from the first time period during generation of the plasma in the chamber, during the second time period the substrate support is electrically isolated from one output and said second output;
supporting the substrate during generation of the plasma in the chamber and for a third period of time after the second period of time and beginning before the potential of the substrate support reaches ground potential; connecting the second output to a carrier, wherein the substrate support is electrically isolated from the first output and the ground during the third period of time;
including
The end point of the third period is a point before the potential of the substrate support reaches a steady state. At the end point of the third period, the substrate support outputs the first output and the first output. 2. A plasma processing method, electrically isolated from the output of . 前記第２の期間の終了時点と前記第３の期間の開始時点との間の期間において、前記第１の出力、前記第２の出力、及び前記グランドから前記基板支持器を電気的に分離する工程を更に含む、請求項１８に記載のプラズマ処理方法。 electrically isolating the substrate support from the first output, the second output and the ground for a period between the end of the second period and the start of the third period; 19. The plasma processing method of claim 18, further comprising: 前記基板支持器を前記グランドに接続する前記工程と前記基板支持器に前記第２の出力を接続する前記工程とが交互に繰り返され、
前記基板支持器に前記第２の出力を接続する前記工程の実行後、前記基板支持器の電位が定常状態に達する前に、前記基板支持器を前記グランドに接続する前記工程が再び開始される、
請求項１８又は１９に記載のプラズマ処理方法。 alternating said steps of connecting said substrate support to said ground and said steps of connecting said second output to said substrate support;
After performing the step of connecting the second output to the substrate support, and before the potential of the substrate support reaches a steady state, the step of connecting the substrate support to the ground is initiated again. ,
20. The plasma processing method according to claim 18 or 19.
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