JP2023042566A

JP2023042566A - 半導体装置

Info

Publication number: JP2023042566A
Application number: JP2022130035A
Authority: JP
Inventors: 育甄許; yu zhen Xu; 雅之内田; Masayuki Uchida; 知洋井口; Tomohiro Iguchi
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2021-09-14
Filing date: 2022-08-17
Publication date: 2023-03-27

Abstract

【課題】信頼性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体部と、前記半導体部上に設けられた第１電極と、前記半導体部上において、前記第１電極の外縁を覆うように設けられた第１保護膜と、前記第１電極上に設けられ、前記第１保護膜の一部を覆う第２電極と、前記半導体部上において、前記第２電極の外縁と前記第１保護膜とを覆うように設けられた第２保護膜と、を備える。【選択図】図１

Description

実施形態は、半導体装置に関する。

電力制御用のパワーモジュールでは、半導体チップを電気抵抗の小さい銅ワイヤを用いて実装することが好ましい。しかしながら、銅ワイヤは、アルミニウムワイヤなどに比べて硬度が高く、半導体チップにボンディングダメージを与える恐れがある。

特開２００４－１２８５１３号公報

実施形態は、信頼性を向上させた半導体装置を提供する。

実施形態に係る半導体装置は、半導体部と、前記半導体部上に設けられた第１電極と、前記半導体部上において、前記第１電極の外縁を覆うように設けられた第１保護膜と、前記第１電極上に設けられ、前記第１保護膜の一部を覆う第２電極と、前記半導体部上において、前記第２電極の外縁と前記第１保護膜とを覆うように設けられた第２保護膜と、を備える。

実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式断面図である。図２に続く製造過程を示す模式断面図である。実施形態に係る半導体装置を示す模式平面図である。実施形態に係る半導体装置の実装方法を模式的に示す斜視図である。実施形態に係る半導体装置の別の実装方法を模式的に示す模式図である。実施形態に係るパワーモジュールを示す模式断面図である。実施形態の変形例に係る半導体装置を示す模式断面図である。

以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。

さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。

図１（ａ）および（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置１を示す模式図である。図１（ａ）は、図１（ｂ）中に示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。図１（ｂ）は、半導体装置１の上面を示す平面図である。半導体装置１は、例えば、ＭＯＳＦＥＴ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ショットキダイオードなどのスイッチング素子である。

図１（ａ）に示すように、半導体装置１は、半導体部１０と、第１電極２０と、第２電極３０と、第１保護膜４０と、第２保護膜５０と、を備える。半導体部１０は、例えば、シリコン、炭化シリコン、窒化ガリウムなどを含む。

第１電極２０は、半導体部１０の表面上に設けられ、半導体部１０の活性領域（図示しない）に電気的に接続される。第１電極２０は、例えば、アルミニウムを含む。第１電極２０は、例えば、ＭＯＳＦＥＴのソース電極である。また、第１電極２０は、ＩＧＢＴのエミッタ電極もしくはショットキダイオードのアノード電極である。

第２電極３０は、第１電極２０上に設けられる。第２電極３０は、第１電極２０に接し、第１電極２０に電気的に接続される。第２電極３０は、第１電極２０の材料よりも高硬度の材料を含む。第２電極３０は、例えば、銅（Ｃｕ）を含む。また、半導体部１０の表面に垂直な方向、例えば、Ｚ方向において、第２電極３０は、第１電極２０の厚さよりも厚く設けられる。これにより、第２電極３０に、例えば、銅ワイヤをボンディングした時に半導体部１０に加わる衝撃を軽減し、ボンディングダメージを防ぐことができる。

第１保護膜４０は、半導体部１０上において、第１電極２０の外縁２０ｅを覆うように設けられる。第１保護膜４０は、例えば、絶縁性の第１樹脂を含む。第１保護膜４０は、例えば、ポリイミドを含む。第１保護膜４０は、例えば、第１電極２０の外周部、および、半導体部１０と第１電極２０との接触面の外縁を覆い、外気から保護する。

第１保護膜４０は、第１電極２０の外縁２０ｅを覆う第１部分４０ａと、半導体部１０の表面に接する第２部分４０ｂと、を含む。第１部分４０ａおよび第２部分４０ｂは、一体に設けられる。また、第１部分４０ａは、第１電極２０と第２電極３０との間に延在するように設けられる。

第２保護膜５０は、半導体部１０上において、第２電極３０の外縁３０ｅおよび第１保護膜４０を覆うように設けられる。第２保護膜５０は、例えば、絶縁性の第２樹脂を含む。第２保護膜５０の第２樹脂は、第１保護膜４０の第１樹脂と同じ成分を含んでも良い。第２保護膜５０は、例えば、ポリイミドを含む。また、第２樹脂は、第１樹脂とは異なる樹脂であっても良い。

第２保護膜５０は、例えば、第１部分５０ａと、第２部分５０ｂと、第３部分５０ｃと、を含む。第１部分５０ａは、第２電極３０の表面に接し、第２電極３０の外縁３０ｅから内側に第２電極３０の表面に沿って延在する。第１部分５０ａは、例えば、第１電極２０と第２電極３０との間に第１保護膜４０の第１部分が延在する部分の上方を超えて内側に延び、第１電極２０と第２電極３０とが接する部分を覆うように設けられる。第２部分５０ｂは、半導体部１０の表面に接するように設けられる。第３部分５０ｃは、第１部分５０ａと第２部分５０ｂとの間において、第１保護膜４０を覆うように設けられる。第２保護膜５０の第１部分５０ａ、第２部分５０ｂおよび第３部分５０ｃは、一体に設けられる。

第２保護膜５０は、半導体部１０と第１電極２０との間の接触面を２重に保護する。さらに、第２保護膜５０は、第３電極３０の外縁３０ｅを起点とした第３電極３０の第１保護膜４０からの剥離を防ぐ。

例えば、第１保護膜４０が樹脂を含むため、第１保護膜４０と第２電極３０との間の密着は、それほど強固ではない。半導体装置１の動作時には、線熱膨張係数の違いに起因して、第１保護膜４０と第２電極３０との間に応力が生じる。このため、第２保護膜５０を設けない場合には、第１保護膜４０と第２電極３０との間の密着性が低下し、第２電極３０が外縁から捲りあがる恐れがある。さらに、半導体装置１の動作時における温度上昇および温度低下の繰り返しにより、第１電極２０と第２電極３０との界面の分離に至る場合がある。このような不具合は、半導体装置１の信頼性を低下させる。

実施形態に係る半導体装置１では、第２保護膜５０を設けることにより、第２電極３０の外縁における第１保護膜４０からの剥離を防ぐことが可能となる。また、第１保護膜４０および第２保護膜５０に防湿性の高い樹脂を用いることにより、半導体装置１の信頼性をさらに向上させることができる。第２保護膜５０には、例えば、第１保護膜４０よりも防湿性の高い樹脂を用いることが好ましい。

図１（ｂ）には、第２電極３０と、第１保護膜４０と、を示している。また、図１（ｂ）中には、第１電極２０の外縁２０ｅおよび第１保護膜４０の内縁４０ｅ（図１（ａ）参照）をそれぞれ破線で示している。なお、図１（ｂ）では、第２保護膜５０を省略している。

図１（ｂ）に示すように、半導体部１０の表面に平行な平面視において、第２電極３０は、第１電極２０の内側に設けられる。すなわち、第２電極３０の外縁３０ｅは、第１電極２０の外縁２０ｅの内側に位置する。例えば、第１電極２０のＸ方向の幅は、第２電極３０のＸ方向の幅よりも広い。また、第１電極２０のＹ方向の幅は、第２電極３０のＹ方向の幅よりも広い。

図１（ｂ）に示すように、第１保護膜４０は、第１電極２０の外縁２０ｅに沿って、第１電極２０を囲むように設けられる。また、第１保護膜４０は、第２電極３０の外縁に沿って、第２電極３０を囲むように設けられる。

このように、第２電極３０を第１電極２０よりも内側に設けることにより、半導体部１０の表面から第１保護膜４０の表面を介して、第２電極３０の外縁３０ｅに至る沿面距離を長くすることができる。これにより、半導体装置１の耐圧を向上させることができる。また、第１保護膜４０および第２電極３０の外縁３０ｅを覆う第２保護膜５０を設けることにより、半導体装置１の耐圧をさらに向上させることができる。

次に、図２（ａ）～図３（ｃ）を参照して、半導体装置１の製造方法を説明する。図２（ａ）～図３（ｃ）は、実施形態に係る半導体装置１の製造過程を示す模式断面図である。

図２（ａ）に示すように、第１電極２０および第１保護膜４０が表面上に設けられたウェーハ１００を準備する。第１保護膜４０は、ウェーハ１００上において、第１電極２０の外縁を覆うように設けられる。

第１電極２０の直下には、半導体装置１の活性領域（図示しない）が設けられる。また、半導体装置１がＭＯＳＦＥＴの場合、ウェーハ１００の裏面側には、ドレイン電極（図示しない）が設けられる。半導体装置１がＩＧＢＴもしくはショットキダイオードの場合、ウェーハ１００の裏面側には、コレクタ電極もしくはカソード電極（図示しない）が設けられる。

例えば、図２（ａ）に示す状態においてウェーハ１００を切断し、複数の半導体装置１を個片化することができる。その場合、半導体装置１の表面には、第１電極２０、例えば、アルミニウム電極が露出される。半導体装置１の実装時には、例えば、アルミニウムワイヤが第１電極２０上にボンディングされる。

図２（ｂ）に示すように、実施形態では、ウェーハ１００の表面上に、金属層３３が設けられる。金属層３３は、第１電極２０および第１保護膜４０を覆うように設けられる。金属層３３は、例えば、ニッケルを含む。

図２（ｃ）に示すように、金属層３３上にレジストマスク１０３を形成する。レジストマスク１０３は、第１電極２０の上方に位置する開口１０３ｐを有する。また、レジストマスク１０３は、第１保護膜４０を部分的に覆い、隣り合う第１保護膜４０の間のウェーハ１００の表面を覆う。

図３（ａ）に示すように、レジストマスク１０３の開口１０３ｐの内部に、第２電極３０を形成する。第２電極３０は、例えば、金属層３３を介した電界メッキ法を用いて形成される。第２電極３０は、例えば、銅（Ｃｕ）を含む。第２電極３０は、第１保護膜４０上に張り出すように設けられる。

図３（ｂ）に示すように、レジストマスク１０３および金属層３３の一部を除去し、ウェーハ１００の表面および第１保護膜４０の一部を露出させる。レジストマスク１０３および金属層３３は、例えば、ウェットエッチングにより除去される。レジストマスク１０３の除去後、金属層３３の露出された部分が除去される。

図３（ｃ）に示すように、ウェーハ１００の表面上に第２保護膜５０を形成する。第２保護膜５０は、第１保護膜４０および第２電極３０の外縁を覆うように形成される。第２保護膜５０は、例えば、ウェーハ１００の表面側に形成された膜状の樹脂を選択的に除去することにより形成される。続いて、ウェーハ１００を、例えば、ダイサーを用いて切断し、半導体装置１を個片化する。

図４（ａ）および（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置１を示す模式平面図である。図４（ａ）および（ｂ）は、半導体部１０の表面側を例示する平面図である。この例では、半導体装置１は、例えば、ゲート電極を有するＭＯＳＦＥＴもしくはＩＧＢＴである。

図４（ａ）に示すように、半導体部１０の表面側は、第２保護膜５０に覆われ、第２電極３０（図１参照）および制御パッド６０の一部が露出される。制御パッド６０は、ゲート電極（図示しない）に電気的に接続される。

第２保護膜５０は、第２電極３０のの金属ワイヤをボンディングするボンディング領域３０ＢＡを露出させるように設けられる。また、第２保護膜５０は、制御パッド６０のボンディング領域６０ＢＡを露出させるように設けられる。このように露出されるボンディング領域３０ＢＡおよび６０ＢＡは、金属ワイヤをボンディングするための面積を有すればよく、第２保護膜５０は、第２電極３０および制御パッド６０をできるだけ広く覆うことが好ましい。

図４（ｂ）に示す例では、第２保護膜５０は、第２電極３０の４つのボンディング領域３０ＢＡを露出させるように設けられる。この例では、ボンディング領域３０ＢＡの面積をより小さくすることができ、第２保護膜５０は、より広い面積を覆うように設けられる。

このように、第２保護膜５０は、第２電極３０の第１保護膜４０からの剥離を効果的に抑制すると共に、外気からの水分等の侵入を防ぎ、また、半導体装置１の耐圧を向上させるように設けられる。

図５（ａ）および（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置１の実装方法を模式的に示す斜視図である。図５（ａ）および（ｂ）は、第２電極３０および制御パッド６０にボンディングされた金属ワイヤ７０および金属ワイヤ８０を表している。

図５（ａ）に示すように、複数の金属ワイヤ７０が、第２電極３０上にボンディングされる。金属ワイヤ７０のそれぞれは、例えば、ルーピングを設けることにより、第２電極３０に２か所接続されるようにボンディングされる。金属ワイヤ７０は、第２電極３０のボンディング領域３０ＢＡ上に接続される。この例では、１つのボンディング領域３０ＢＡに、１つの金属ワイヤ７０が接続され、その接続位置は２か所ある。

金属ワイヤ８０は、制御パッド６０のボンディング領域６０ＢＡ（図４参照）上にボンディングされる。金属ワイヤ８０は、例えば、銅ワイヤである。また、金属ワイヤ８０は、例えば、アルミニウムワイヤであっても良い。

図５（ｂ）に示す例では、１つの金属ワイヤ７０は、２つのボンディング領域３０ＢＡに接続される。各ボンディング領域３０ＢＡにおけるボンディング位置は１か所である。

図６（ａ）および（ｂ）は、実施形態に係る半導体装置１の別の実装方法を示す模式図である。図６（ａ）は、半導体部１０の表面側を例示する平面図である。図６（ｂ）は、第２電極３０上にボンディングされた金属コネクタ７５を示す斜視図である。図６（ｃ）は、ボンディング構造を示す断面図である。

図６（ａ）に示すように、第２保護膜５０は、第２電極３０の１つのボンディング領域３０ＢＡと、制御パッド６０のボンディング領域６０ＢＡを露出させるように設けられる。

図６（ｂ）に示すように、ボンディング領域３０ＢＡにおいて、例えば、板状の金属コネクタ７５が第２電極３０に接続される。金属コネクタ７５は、例えば、銅を含む金属板である。ボンディング領域３０ＢＡは、金属コネクタ７５の接続面のサイズに適合する面積を有するように設けられる。このような金属コネクタ７５は、電流容量が大きく、電気抵抗値が小さい。すなわち、大電流を流す用途に適する。金属コネクタ７５は、この例に限定される訳ではなく、例えば、ブロック状の金属材であってもよい。また、金属コネクタ７５の長手方向に直交する断面における縦横比は、例えば、１．５～６．０であが、これに限定される訳でもない。一方、制御パッド６０のボンディング領域６０ＢＡには、例えば、金属ワイヤ８０（図５参照）が接続される。

図６（ｃ）に示すように、金属コネクタ７５は、接続部材７７を介して、第２電極３０に接続される。接続部材７７は、例えば、はんだ材である。また、接続部材７７は、銀や銅などを含む焼結材であってもよい。

図７は、実施形態に係るパワーモジュール２を示す模式断面図である。パワーモジュール２は、例えば、半導体装置１を内蔵した電力変換器である。

半導体装置１は、例えば、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板１１０の表面上にマウントされ、ケース１２０の内部に配置される。ＤＢＣ基板１１０は、マウントパッド１１３および制御配線１１５を含む。マウントパッド１１３および制御配線１１５は、例えば、銅箔である。

半導体装置１は、裏面側をマウントパッド１１３に向けてマウントされる。半導体装置１の裏面側の電極は、例えば、導電性のダイマウント材１３を介してマウントパッド１１３に電気的に接続される。

ＤＢＣ基板１１０は、例えば、はんだ材１１７を介してベース板１３０上にマウントされる。はんだ材１１７は、ＤＢＣ基板１１０の裏面とベース板１３０を接続する。ベース板１３０は、例えば、金属板である。半導体装置１の動作中に生じる熱は、ＤＢＣ基板１１０およびベース板１３０を介して外部に放散される。

ケース１２０は、ベース板１３０およびＤＢＣ基板１１０上にマウントされた半導体装置１を囲むように設けられる。ケース１２０の底部は、ベース板１３０に接する。

ケース１２０は、接続端子１２３および１２５を有する。ケース１２０の内部に配置された半導体装置１は、接続端子１２３および１２５を介して、外部回路に電気的に接続される。接続端子１２３は、例えば、金属ワイヤ７０を介して半導体装置１の第２電極３０に電気的に接続される。接続端子１２５は、例えば、金属ワイヤ９０を介して、ＤＢＣ基板１１０のマウントパッド１１３に電気的に接続される。すなわち、接続端子１２５は、金属ワイヤ９０およびマウントパッド１１３を介して、半導体装置１の裏面側の電極に電気的に接続される。

さらに、半導体装置１の制御パッド６０（図４参照）は、例えば、金属ワイヤ８０を介して、ＤＢＣ基板１１０の制御配線１１５に電気的に接続される。制御配線１１５は、ケース１２０に設けられた信号端子（図示しない）に電気的に接続される。

ＤＢＣ基板１１０上にマウントされた半導体装置１は、ケース１２０およびベース板１３０により囲まれた空間に充填される、例えば、ゲル状の絶縁部材１４０に浸漬される。さらに、ケース１２０およびベース板１３０により囲まれた空間は、ケース１２０の上端に接続された蓋１５０により密閉される。

パワーモジュール２では、接続端子１２３と接続端子１２５との間に大電流が流れる。このため、金属ワイヤ７０および９０として、例えば、銅ワイヤを用いることにより、半導体装置１と接続端子１２３との間およびマウントパッド１１３と接続端子１２５との間の電気的接続の信頼性を向上させる。また、金属ワイヤ７０に代えて、板状もしくはブロック状の金属コネクタ７５を用いてもよい。

図８（ａ）および（ｂ）は、実施形態の変形例に係る半導体装置３を示す模式図である。図８（ａ）は、図８（ｂ）中に示すＢ－Ｂ線に沿った断面図である。図８（ｂ）は、半導体部１０の表面側を示す平面図である。

図８（ａ）に示すように、半導体装置３は、半導体部１０と、第１電極２０と、第２電極３０と、第１保護膜４０と、第２保護膜５０と、を備える。第１電極２０は、半導体部１０の表面上に設けられる。第２電極３０は、第１電極２０上に設けられる。

第１保護膜４０は、半導体部１０上において、第１電極２０の外縁２０ｅを覆うように設けられる。第１保護膜４０は、第１電極２０の外縁２０ｅを覆う第１部分４０ａと、半導体部１０の表面に接する第２部分４０ｂと、を含む。第１部分４０ａおよび第２部分４０ｂは一体に設けられる。

第２保護膜５０は、半導体部１０上において、第２電極３０の外縁３０ｅおよび第１保護膜４０を覆うように設けられる。第２保護膜５０は、例えば、第１部分５０ａと、第２部分５０ｂと、第３部分５０ｃと、を含む。第１部分５０ａは、第２電極３０の表面に接し、第２電極３０の外縁３０ｅから内側に第２電極３０の表面に沿って延在する。第２部分５０ｂは、半導体部１０の表面に接するように設けられる。第３部分５０ｃは、第１部分５０ａと第２部分５０ｂとの間において、第１保護膜４０を覆う。第２保護膜５０の第１部分５０ａ、第２部分５０ｂおよび第３部分５０ｃは一体に設けられる。第２保護膜５０は、半導体部１０と第１電極２０との間の接触面を２重に保護する。

この例では、第２電極３０は、第１電極２０上において、その外縁３０ｅが第１保護膜４０から離間するように設けられる。第２保護膜５０は、第１保護膜４０と第２電極３０との間に露出される第１電極２０の表面を覆う。

図８（ｂ）には、第１電極２０と、第２電極３０と、第１保護膜４０と、を示している。また、図８（ｂ）中には、第１電極２０の外縁２０ｅを破線で示している。さらに、図８（ｂ）では、第２保護膜５０を省略している。

図８（ｂ）に示すように、半導体部１０の表面に平行な平面視において、第２電極３０は、第１電極２０の内側に設けられる。すなわち、第２電極３０の外縁３０ｅは、第１電極２０の外縁２０ｅの内側に位置する。例えば、第１電極２０のＸ方向の幅は、第２電極３０のＸ方向の幅よりも広い。また、第１電極２０のＹ方向の幅は、第２電極３０のＹ方向の幅よりも広い。

図８（ｂ）に示すように、第１保護膜４０は、第１電極２０の外縁２０ｅに沿って、第１電極２０を囲むように設けられる。また、第１保護膜４０は、第２電極３０の外縁３０ｅから離間し、第２電極３０を囲むように設けられる。第２電極３０と第１保護膜４０との間には、第１電極２０の表面が露出される。

半導体装置３では、半導体部１０の表面から第１保護膜４０の表面を介して第２電極３０の外縁３０ｅに至る沿面距離がより長くなり、耐圧を向上させることができる。さらに、第２保護膜５０により第１保護膜４０、第１電極２０の露出された表面、および、第２電極３０の外縁３０ｅを覆うことにより、さらに耐圧を向上させることができる。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１…半導体装置、２…パワーモジュール、１０…半導体部、１３…ダイマウント材、２０…第１電極、２０ｅ、３０ｅ…外縁、３０…第２電極、３０ＢＡ、６０ＢＡ…ボンディング領域、３３…金属層、４０…第１保護膜、５０…第２保護膜、４０ａ、５０ａ…第１部分、４０ｂ、５０ｂ…第２部分、５０ｃ…第３部分、６０…制御パッド、７０、８０、９０…金属ワイヤ、７５…金属コネクタ、１００…ウェーハ、１０３…レジストマスク、１０３ｐ…開口、１１０…ＤＢＣ基板、１１３…マウントパッド、１１５…制御配線、１１７…はんだ材、１２０…ケース、１２３、１２５…接続端子、１３０…ベース板、１４０…絶縁部材、１５０…蓋

Claims

半導体部と、
前記半導体部上に設けられた第１電極と、
前記半導体部上において、前記第１電極の外縁を覆うように設けられた第１保護膜と、
前記第１電極上に設けられ、前記第１保護膜の一部を覆う第２電極と、
前記半導体部上において、前記第２電極の外縁と前記第１保護膜とを覆うように設けられた第２保護膜と、
を備えた半導体装置。
前記第２電極の硬度は、前記第１電極の硬度よりも高い請求項１記載の半導体装置。
前記第１電極は、アルミニウムを含み、
前記第２電極は、銅を含む請求項２記載の半導体装置。
前記第２保護膜は、前記第２電極の表面に沿って、前記第２電極の外縁から内側に延在し、前記第２電極が前記第１電極に接する部分を覆う請求項１～３のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第１保護膜は、第１樹脂を含み、
前記第２保護膜は、第２樹脂を含む請求項１～４のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第２樹脂は、前記第１樹脂と同じ成分を含む請求項５記載の半導体装置。
前記第２電極に電気的に接続される端子をさらに含み、
前記第２電極と前記端子は、複数の金属ワイヤにより接続される請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体装置。
前記第２電極に電気的に接続される端子をさらに含み、
前記第２電極と前記端子は、板状の金属コネクタにより接続される請求項１乃至６のいずれか１つに記載の半導体装置。