JP2023037942A - flexible substrate - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、フレキシブル基板に関する。より詳細には、本発明は、従来必要とされた中間層（シード層）を削減することができ、製造効率および品質が優れ、製造コストが低く、環境負荷が小さく、工業的に有用かつ信頼性の高いフレキシブル基板に関する。 The present invention relates to flexible substrates. More specifically, the present invention can reduce the conventionally required intermediate layer (seed layer), has excellent manufacturing efficiency and quality, has a low manufacturing cost, has a small environmental load, and is industrially useful and reliable. The present invention relates to flexible substrates with high flexibility.
従来、銅張積層板（ＣＣＬ）を備えるフレキシブルプリント配線板（ＦＰＣ）を用いた電子機器（たとえば、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、スマートフォン、デジタルカメラ等）が開発されている。ＣＣＬ（たとえば、絶縁フィルムと銅箔とを直接接合した２層ＦＣＣＬ）は、絶縁フィルム上に、ドライプロセス（スパッタリング法、イオンプレーティング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等）により薄膜の下地金属層を設け、その上に電気銅めっきを行う方法（メタライジング法）等により作製され得る。メタライジング法によれば、２層ＦＣＣＬは、絶縁フィルムと金属層界面との平滑性が高く、たとえば、新通信規格（いわゆる５Ｇ（第５世代）や６Ｇ（第６世代））に用いられる高周波基板において、優れた情報処理能力を発揮し得る。 Conventionally, electronic devices (for example, LCDs (liquid crystal displays), smart phones, digital cameras, etc.) using flexible printed circuit boards (FPCs) with copper clad laminates (CCLs) have been developed. A CCL (for example, a two-layer FCCL in which an insulating film and a copper foil are directly bonded) is formed on an insulating film by a dry process (sputtering method, ion plating method, vacuum deposition method, CVD method, etc.) to form a thin underlying metal layer. on which copper electroplating is performed (metallizing method). According to the metallizing method, the two-layer FCCL has a high smoothness between the insulating film and the metal layer interface, and for example, the high frequency used in new communication standards (so-called 5G (fifth generation) and 6G (sixth generation)) The substrate can exhibit excellent information processing capability.
しかしながら、従来の２層ＦＣＣＬ（スパッタ品）は、平滑性が高いが故に絶縁体フィルムに直接、銅を積層する方法では層間密着力を確保することが困難であった。そこで、この点改善するための２層ＦＣＣＬが提案されている（たとえば特許文献１）。 However, since the conventional two-layer FCCL (sputtered product) has high smoothness, it was difficult to ensure interlayer adhesion by the method of directly laminating copper on the insulating film. Therefore, a two-layer FCCL has been proposed to improve this point (for example, Patent Document 1).
特許文献１に記載の発明は、絶縁体フィルム上に乾式めっき方によりＮｉ－Ｃｒ合金（Ｃｒの割合が１２～２２原子％で残部がＮｉ）を主として含有する下地金属層と、その上に形成された銅被膜層とから構成される２層フレキシブル積層体である。しかしながら、特許文献１に記載の発明において、Ｎｉ－Ｃｒ合金による下地金属層は、実質的にはシード層と称される金属の中間層である。そのため、特許文献１に記載の発明は、製造コストが高く、エッチング不良や環境負荷といった問題を解決できていない。
The invention described in
本発明は、このような従来の発明に鑑みてなされたものであり、従来必要とされた中間層（シード層）を削減することができ、製造効率および品質が優れ、製造コストが低く、環境負荷が小さく、工業的に有用かつ信頼性の高いフレキシブル基板を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such conventional inventions, and can reduce the intermediate layer (seed layer) that has been required in the past. An object of the present invention is to provide an industrially useful and highly reliable flexible substrate with a small load.
本発明者は、鋭意検討した結果、表面に高圧パルス処理が施され、絶縁性を有する高分子樹脂フィルムからなる基材と、基材表面に積層された銅層（銅層（Ａ）および銅層（Ｂ））とからなるフレキシブル基板が、中間層（シード層）を削減することができ、かつ、上記した種々の課題を解決し得ることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、上記課題を解決する本発明のフレキシブル基板には、以下の構成が主に含まれる。 As a result of intensive studies, the present inventors have found that the surface of the substrate is subjected to high-voltage pulse treatment and is made of a polymer resin film having insulation properties, and a copper layer laminated on the surface of the substrate (copper layer (A) and copper The inventors have found that a flexible substrate comprising the layer (B)) can reduce the number of intermediate layers (seed layers) and can solve the various problems described above, and have completed the present invention. That is, the flexible substrate of the present invention for solving the above problems mainly includes the following configurations.
（１）表面に高圧パルス処理が施された基材と、前記基材の高圧パルス処理が施された表面に積層された銅層（Ａ）と、前記銅層（Ａ）に積層された銅層（Ｂ）と、を含み、前記基材は、絶縁性を有する高分子樹脂フィルムである、フレキシブル基板。 (1) A base material having a surface subjected to high-pressure pulse treatment, a copper layer (A) laminated on the surface of the base material subjected to high-pressure pulse treatment, and copper laminated on the copper layer (A) A flexible substrate, comprising a layer (B), wherein the substrate is a polymer resin film having insulating properties.
このような構成によれば、フレキシブル基板は、表面に高圧パルス処理が施された基材に、銅層のみが積層される。すなわち、フレキシブル基板は、基材および銅層というシンプルな２層ＦＣＣＬであり、従来、充分な層間密着力を得ることが困難であった絶縁性を有する高分子樹脂フィルム（たとえばポリイミド等）からなる基材に、銅層を直接積層し得る。また、フレキシブル基板は、平滑なスパッタ面を有するため、優れた伝送特性を示す。さらに、フレキシブル基板は、従来必要とされた中間層（シード層）を削減することができるため、製造効率および品質が優れ、製造コストが低く、環境負荷が小さい。以上を総合して、フレキシブル基板は、工業的に有用かつ信頼性の高い。 According to such a configuration, the flexible substrate has only the copper layer laminated on the base material whose surface has been subjected to high-voltage pulse treatment. That is, the flexible substrate is a simple two-layer FCCL consisting of a base material and a copper layer, and is made of an insulating polymer resin film (such as polyimide), which has been difficult to obtain sufficient interlayer adhesion. A copper layer may be laminated directly to the substrate. In addition, since the flexible substrate has a smooth sputtering surface, it exhibits excellent transmission characteristics. Furthermore, flexible substrates can eliminate the conventionally required intermediate layer (seed layer), resulting in superior manufacturing efficiency and quality, lower manufacturing costs, and less environmental impact. In summary, flexible substrates are industrially useful and highly reliable.
（２）前記高分子樹脂フィルムは、ポリイミドフィルムである、（１）記載のフレキシブル基板。 (2) The flexible substrate according to (1), wherein the polymer resin film is a polyimide film.
このような構成によれば、フレキシブル基板は、コストをより削減されやすく、かつ、環境負荷を軽減しやすい。 With such a configuration, the flexible substrate is more likely to reduce costs and reduce the environmental load.
（３）前記基材と前記銅層（Ａ）との剥離強度は、１．０Ｎ／ｍｍ以下である、（１）または（２）記載のフレキシブル基板。 (3) The flexible substrate according to (1) or (2), wherein the peel strength between the base material and the copper layer (A) is 1.0 N/mm or less.
このような構成によれば、フレキシブル基板は、従来必要とされた中間層が無くとも、優れた密着性を示す。 With such a configuration, the flexible substrate exhibits excellent adhesion without the intermediate layer that has been required in the past.
（４）ＸＰＳ分析データにおいて、銅ピークが下がり始めた時点から銅ピークが１ａｔｍ％以下になる時点までを「データ区間」と称する場合において、前記データ区間における窒素量と酸素量とのａｔｍ％の総和は、５０ａｔｍ％以下である、（１）～（３）のいずれかに記載のフレキシブル基板。 (4) In XPS analysis data, when the time point from when the copper peak begins to fall to when the copper peak becomes 1 atm% or less is referred to as a "data section", the atm% of the nitrogen content and the oxygen content in the data section The flexible substrate according to any one of (1) to (3), wherein the total sum is 50 atm % or less.
このような構成によれば、フレキシブル基板は、より好適な層間密着力が得られる。 According to such a configuration, the flexible substrate can obtain more suitable interlayer adhesion.
（５）前記基材に施された高圧パルス処理に要した時間を時間Ｔ１（秒）とする場合において、前記基材と前記銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ１と、高圧パルス処理をＴ１／１０（秒）行った場合の前記基材と前記銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ２とは、以下の式（Ｉ）を満たす、（１）～（４）のいずれかに記載のフレキシブル基板。
０．６×Ｐ１≦Ｐ２≦１．４×Ｐ１ ・・・ 式（Ｉ）
(5) When the time required for the high-pressure pulse treatment applied to the base material is T1 (seconds), the peel strength P1 between the base material and the copper layer (A) and the high-pressure pulse treatment are T1 /10 (seconds), the peel strength P2 between the base material and the copper layer (A) satisfies the following formula (I): The flexible according to any one of (1) to (4) substrate.
0.6×P1≦P2≦1.4×P1 Formula (I)
このような構成によれば、フレキシブル基板は、基材に対して行うプラズマ処理に要する時間を１／１０に短縮した場合であっても、層間密着力が維持されやすい。 According to such a configuration, the flexible substrate easily maintains interlayer adhesion even when the time required for the plasma treatment performed on the base material is shortened to 1/10.
本発明によれば、従来必要とされた中間層（シード層）を削減することができ、製造効率および品質が優れ、製造コストが低く、環境負荷が小さく、優れた伝送特性を有し、工業的に有用かつ信頼性の高いフレキシブル基板を提供することができる。 According to the present invention, the conventionally required intermediate layer (seed layer) can be reduced, and the manufacturing efficiency and quality are excellent, the manufacturing cost is low, the environmental load is small, and the transmission characteristics are excellent. It is possible to provide a flexible substrate that is practically useful and highly reliable.
＜フレキシブル基板＞
本発明の一実施形態のフレキシブル基板は、表面に高圧パルス処理が施された基材と、基材の高圧パルス処理が施された表面に積層された銅層（Ａ）と、銅層（Ａ）に積層された銅層（Ｂ）とを含む。基材は、絶縁性を有する高分子樹脂フィルムである。以下、それぞれの構成について説明する。
<Flexible substrate>
A flexible substrate according to one embodiment of the present invention includes a base material having a surface subjected to high-pressure pulse treatment, a copper layer (A) laminated on the surface of the base material subjected to high-pressure pulse treatment, and a copper layer (A ) and a copper layer (B) laminated to the The substrate is a polymeric resin film having insulating properties. Each configuration will be described below.
（基材）
基材は、表面に高圧パルス処理が施された基材であり、絶縁性を有する高分子樹脂フィルムである。
(Base material)
The base material is a base material whose surface is subjected to a high-voltage pulse treatment, and is a polymer resin film having insulating properties.
基材を構成する絶縁性を有する高分子樹脂は特に限定されない。一例を挙げると、高分子樹脂フィルムは、ポリエチレンテレフタレート、二軸延伸ポリプロピレン、無延伸ポリプロピレン、ポリアミド、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリアクリルニトリル、ポリイミド等である。これらの中でも、高分子樹脂フィルムは、コストをより削減しやすく、かつ、環境負荷を軽減しやすい点から、ポリイミドであることが好ましい。 There are no particular restrictions on the insulating polymeric resin that constitutes the base material. Examples of polymeric resin films include polyethylene terephthalate, biaxially oriented polypropylene, non-oriented polypropylene, polyamide, polystyrene, polyvinyl chloride, polycarbonate, polyacrylonitrile, and polyimide. Among these, it is preferable that the polymer resin film is polyimide because it is easy to reduce the cost and to reduce the environmental load.
基材の厚みは特に限定されない。一例を挙げると、基材の厚みは、５μｍ以上であることが好ましく、８μｍ以上であることがより好ましい。また、基材の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、３０μｍ以下であることがより好ましい。基材の厚みが上記範囲内であることにより、基材は、加工時のフィルム搬送が容易であり、フィルムの折れ等が生じにくく、連続加工性が優れる。また、得られるフレキシブル基板は、適度な剛性や強度を示し得る。 The thickness of the substrate is not particularly limited. For example, the thickness of the substrate is preferably 5 μm or more, more preferably 8 μm or more. Also, the thickness of the substrate is preferably 200 μm or less, more preferably 30 μm or less. When the thickness of the base material is within the above range, the base material can be easily transported during processing, and the film is less likely to be bent and has excellent continuous workability. Moreover, the flexible substrate obtained can exhibit appropriate rigidity and strength.
本実施形態の基材は、表面に高圧パルスによるプラズマ処理（高圧パルス法）が施されている。これにより、基材は、表面がクリーニングされる、基材からガスが抜ける（脱ガス）、表面に微細な凹凸を形成される、表面が改質される等の効果が得られる。 The surface of the substrate of the present embodiment is subjected to plasma treatment using high-pressure pulses (high-pressure pulse method). As a result, the surface of the base material is cleaned, gas is released from the base material (degassing), fine unevenness is formed on the surface, and the surface is modified.
高圧パルス法は、スパッタリング法の低温成膜が可能な特長を維持しつつ、高密度プラズマによりイオン化率を向上し，高い密着性や付き回り性を実現する成膜法である。高圧パルス法は、直流電源装置によりコンデンサーに充電を行い、溜めた電荷を一気に電極となるターゲット材に流し、瞬間的に「大電力」をかけることで，高密度のプラズマを形成し，ターゲット材のイオン化率を向上させる。電力は、非常に短く、かつ、極度に強力なパルスで供給される。パルスは、比較的低いデューティサイクル（負荷サイクル、すなわちパルス間が比較的長い周期）で供給される。その結果、時間平均パワー（電力）は、一般的なＤＣスパッタリング法と同じ範囲の値となる。高圧パルス用の電源は、平均電力が従来のプラズマ処理に用いる場合とほぼ同等でありながら、従来のプラズマ処理の場合に比べて１０～１０，０００倍の瞬時電力を出力可能である。
The high-pressure pulse method is a film-forming method that achieves high adhesion and throwing power by improving the ionization rate with high-density plasma while maintaining the low-temperature film-forming feature of the sputtering method. In the high-voltage pulse method, a capacitor is charged by a DC power supply, and the accumulated electric charge is sent all at once to the target material, which becomes an electrode. improve the ionization rate of Power is supplied in very short and extremely powerful pulses. The pulses are delivered with a relatively low duty cycle (duty cycle, ie, relatively long period between pulses). As a result, the time-averaged power (electric power) falls within the same range as typical DC sputtering methods. The high-voltage pulse power source can output
パルスは、所定のパルス時間（Ｔｏｎ）のみ負の高電圧を発生させた方形波である。また、本実施形態では、このような方形波を、所定のパルス繰り返し時間（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）ごとに発生させ得る。これにより、本実施形態では、パルス繰り返し時間（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）に対するパルス時間（Ｔｏｎ）の割合（Ｔｏｎ／Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）を小さくすることができ、高密度のプラズマを形成し、ターゲット材のイオン化率を向上させ得る。 A pulse is a square wave that generates a negative high voltage only for a predetermined pulse time (Ton). Moreover, in this embodiment, such a square wave can be generated for each predetermined pulse repetition time (Ton+Toff). As a result, in the present embodiment, the ratio (Ton/Ton+Toff) of the pulse time (Ton) to the pulse repetition time (Ton+Toff) can be reduced, forming high-density plasma and improving the ionization rate of the target material. obtain.
また、高圧パルス法によって最大電力密度を上げることにより、スパッタされた粒子および電離したガスは、より高いエネルギー状態で基板に付着および衝突する。また、より効率的に基板に含まれる脱ガス（主に水分）を除去することができ、密着特性の低下を防ぎやすい。さらに、より効果的に、基板表面の微細凹凸を形成したり、表面改質を行うことができる。その結果、後述する銅層（Ａ）との化学的結合が促進され、密着性が向上し得る。 Also, by increasing the maximum power density with the high pressure pulse method, the sputtered particles and ionized gas will adhere and collide with the substrate in a higher energy state. In addition, degassing (mainly moisture) contained in the substrate can be removed more efficiently, and deterioration of adhesion properties can be easily prevented. Furthermore, it is possible to more effectively form fine irregularities on the surface of the substrate and to modify the surface. As a result, chemical bonding with the copper layer (A), which will be described later, is promoted, and adhesion can be improved.
プラズマ処理時の最大電力密度は、パルス時間（Ｔｏｎ）とその繰り返し回数（周波数）により調整し得る。そのため、高圧パルス法によれば、基材の種類に応じて、密着特性をどの程度向上させるか調整しやすい。 The maximum power density during plasma processing can be adjusted by the pulse time (Ton) and the number of repetitions (frequency). Therefore, according to the high-pressure pulse method, it is easy to adjust how much the adhesion property is improved according to the type of substrate.
また、高圧パルス法は、デューティー比（パルス繰り返し時間（Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）に対するパルス時間（Ｔｏｎ）の割合（Ｔｏｎ／Ｔｏｎ＋Ｔｏｆｆ）が低い。そのために、同じ平均電力であっても、他のプラズマ処理方法と比較して、成膜中の熱負荷を小さくすることができる。その結果、基材は、脆弱層が形成されにくく、密着力が低下しにくい。高圧パルス法は、ガラス温度が低い基材（たとえばＣＯＰ、ＰＰＳ等）であっても、ポリイミド（ＰＩ）フィルムと同様に良好な密着特性を得ることが可能である。 In addition, the high-voltage pulse method has a low duty ratio (ratio of pulse time (Ton) to pulse repetition time (Ton+Toff) (Ton/Ton+Toff). Therefore, even with the same average power, comparison with other plasma processing methods Therefore, the heat load during film formation can be reduced.As a result, the substrate is less likely to form a fragile layer and the adhesive strength is less likely to decrease.The high-pressure pulse method is suitable for substrates with a low glass temperature (for example, COP, PPS, etc.), it is possible to obtain good adhesion properties like polyimide (PI) films.
なお、基材の前処理は、一般に、ＲＦ（高周波）プラズマやＤＣ（直流）プラズマを用いる方法がある。しかしながら、ＲＦ（高周波）やＤＣ（直流）プラズマを用いる方法により前処理を行った場合、基材に対する銅層の密着性が劣る。本実施形態では、このような従来のＲＦ（高周波）やＤＣ（直流）プラズマを用いる方法ではなく、高圧パルス法を用いたプラズマ処理を行うことにより、基材と銅層（Ａ）との密着を可能としている。 In addition, the pretreatment of the substrate generally includes a method using RF (radio frequency) plasma or DC (direct current) plasma. However, when pretreatment is performed by a method using RF (radio frequency) or DC (direct current) plasma, the adhesion of the copper layer to the substrate is poor. In this embodiment, instead of the conventional method using RF (radio frequency) or DC (direct current) plasma, plasma treatment using a high-pressure pulse method is performed to achieve adhesion between the base material and the copper layer (A). is possible.
また、高圧パルス法によれば、パルスのＤｕｔｙ比を適切に調整することにより、スパッタされた粒子が効率的にイオン化される。そのため、膜質が向上し得る。 Moreover, according to the high voltage pulse method, the sputtered particles are efficiently ionized by appropriately adjusting the duty ratio of the pulse. Therefore, film quality can be improved.
（銅層（Ａ））
銅層（Ａ）は、基材の高圧パルス処理が施された表面に積層された層である。銅層（Ａ）は、基材（たとえばＰＩ）に積層される銅をターゲットとして用いたスパッタリングにより製膜し得る。
(Copper layer (A))
The copper layer (A) is a layer laminated on the high pressure pulsed surface of the substrate. The copper layer (A) can be formed by sputtering using copper as a target to be laminated on a substrate (for example, PI).
高圧パルス処理を行う際に用いる気体は、アルゴンガス、酸素ガス、または、窒素ガスのうち、少なくともいずれか一種を含むことが好ましく、酸素フリーのアルゴンガスであることが好ましい。これにより、得られるフレキシブル基板は、基材と銅層（Ａ）とも密着性がより優れる。なお、銅層（Ａ）中に含まれる酸素は、スパッタされる基材由来のものとなり得る。 The gas used for high-pressure pulse treatment preferably contains at least one of argon gas, oxygen gas, and nitrogen gas, and is preferably oxygen-free argon gas. As a result, the obtained flexible substrate has more excellent adhesion between the substrate and the copper layer (A). Oxygen contained in the copper layer (A) may be derived from the base material to be sputtered.
公知のスパッタリング法を用い、スパッタリング時の出力（電流、電圧）、および、通電の間隔（Ｄｕｔｙ比）等の条件を調整することにより、基材と銅層（Ａ）との密着性を調整し得る。また、基材と銅層（Ａ）とが接する界面付近の窒素量と酸素量とを、所定値内に抑制することできる。 Adhesion between the base material and the copper layer (A) is adjusted by adjusting conditions such as the output (current, voltage) during sputtering and the interval between energization (duty ratio) using a known sputtering method. obtain. In addition, the nitrogen content and oxygen content in the vicinity of the interface between the substrate and the copper layer (A) can be suppressed within predetermined values.
スパッタリング時の出力（電流、電圧）は、特に制限されない。一例を挙げると、スパッタリング時の出力は、１０ｋＷ以上であることが好ましく、５０ｋＷ以上であることがより好ましい。また、スパッタリング時の出力は、１０００ｋＷ以下であることが好ましく、８００ｋＷ以下であることがより好ましく、７００ｋＷ以下であることがさらに好ましい。スパッタリング時の出力が上記範囲内であることにより、フレキシブル基板は、基材と銅層（Ａ）は好適な層間密着力が得られる。 The output (current, voltage) during sputtering is not particularly limited. For example, the output during sputtering is preferably 10 kW or more, more preferably 50 kW or more. The output during sputtering is preferably 1000 kW or less, more preferably 800 kW or less, and even more preferably 700 kW or less. When the output during sputtering is within the above range, the flexible substrate can obtain a suitable interlayer adhesion between the substrate and the copper layer (A).
また、通電の間隔（Ｄｕｔｙ比）は特に限定されない。一例を挙げると、通電の間隔は、１．１％以上であることが好ましく、１．３％以上であることがより好ましく、１．５％以上であることがさらに好ましい。また、通電の間隔は、５０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることがさらに好ましい。通電の間隔が上記範囲内であることにより、フレキシブル基板は、高圧パルス法を最適化することで、基材と銅層（Ａ）の層間密着力が向上する。 In addition, the energization interval (duty ratio) is not particularly limited. For example, the energization interval is preferably 1.1% or more, more preferably 1.3% or more, and even more preferably 1.5% or more. Also, the energization interval is preferably 50% or less, more preferably 30% or less, and even more preferably 20% or less. By optimizing the high-voltage pulse method by optimizing the high-voltage pulse method by setting the energization interval within the above range, the interlayer adhesion between the substrate and the copper layer (A) is improved.
このように、基材に高圧パルス処理を行った上で銅層（Ａ）を直接設けることにより、本実施形態のフレキシブル基板は、従来、銅層を直接積層できなかった基材（たとえばＰＩ等）に対しても、銅層を直接積層し得る。 In this way, by directly providing the copper layer (A) after subjecting the base material to high-pressure pulse treatment, the flexible substrate of the present embodiment can be obtained from a base material (for example, PI ), the copper layer can also be deposited directly.
銅層（Ａ）の厚みは特に限定されない。一例を挙げると、銅層（Ａ）の厚みは、後述する銅層（Ｂ）を設けるための工程（たとえば電解銅めっき等）を行うために必要な導電性が得られる膜厚であれば良い。具体的には、銅層（Ａ）の厚みは、５０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましい。また、銅層（Ａ）の厚みは、５００ｎｍ以下であることが好ましく、４００ｎｍ以下であることがより好ましい。銅層（Ａ）の厚みが上記範囲内であることにより、フレキシブル基板は、銅層（Ｂ）を形成する際の工程（たとえば電解銅めっき等）を行う際に、充分な導電性が得られやすい。また、フレキシブル基板は、製造時のハンドリング性が優れ、生産しやすい。 The thickness of the copper layer (A) is not particularly limited. As an example, the thickness of the copper layer (A) may be any thickness as long as the conductivity required for performing the step (for example, electrolytic copper plating, etc.) for providing the copper layer (B) described later is obtained. . Specifically, the thickness of the copper layer (A) is preferably 50 nm or more, more preferably 100 nm or more. Moreover, the thickness of the copper layer (A) is preferably 500 nm or less, more preferably 400 nm or less. When the thickness of the copper layer (A) is within the above range, the flexible substrate can obtain sufficient conductivity when performing a step (for example, electrolytic copper plating, etc.) for forming the copper layer (B). Cheap. In addition, flexible substrates are excellent in handleability during manufacturing and are easy to produce.
基材と銅層（Ａ）との剥離強度は、０．５Ｎ／ｍｍ以上、１．０Ｎ／ｍｍ以下であることが好ましい。剥離強度が上記範囲内であることにより、フレキシブル基板は、従来必要とされた中間層が無くとも、フレキシブル基板で必要とされる優れた密着性を示しやすい。なお、本実施形態において、剥離強度は、ピール強度試験機（オートグラフ引っ張り試験機、ＡＧＳ－１００Ｇ、（株）島津製作所製）を使用し、を１８０°剥離にて、速度５０ｍｍ／分で引っ張って測定し得る。 The peel strength between the substrate and the copper layer (A) is preferably 0.5 N/mm or more and 1.0 N/mm or less. When the peel strength is within the above range, the flexible substrate tends to exhibit the excellent adhesion required for flexible substrates without the intermediate layer that has been conventionally required. In this embodiment, the peel strength is measured using a peel strength tester (autograph tensile tester, AGS-100G, manufactured by Shimadzu Corporation) at a rate of 50 mm/min at 180° peeling. can be measured by
（銅層（Ｂ））
銅層（Ｂ）は、銅層（Ａ）に積層された層である。
(Copper layer (B))
The copper layer (B) is a layer laminated on the copper layer (A).
銅層（Ｂ）を積層する方法は特に限定されない。一例を挙げると、銅層（Ｂ）は、めっき、スパッタ、または、蒸着のいずれかの方法により、積層され得る。これらの中でも、銅層（Ｂ）の積層方法は、めっきであることが好ましい。銅層（Ｂ）がこれらの方法により積層されることにより、フレキシブル基板は、銅層（Ａ）の表面に銅層（Ｂ）を積層しやすく、好適な厚みを有する一体的な銅層が得られやすい。 A method for laminating the copper layer (B) is not particularly limited. For example, the copper layer (B) can be laminated by plating, sputtering, or vapor deposition. Among these, the method of laminating the copper layer (B) is preferably plating. By laminating the copper layer (B) by these methods, the flexible substrate can easily laminate the copper layer (B) on the surface of the copper layer (A), and an integral copper layer having a suitable thickness can be obtained. easy to get
めっきの方法は特に限定されない。一例を挙げると、めっきの方法は、湿式めっきや電解めっき等である。 The plating method is not particularly limited. Examples of plating methods include wet plating and electrolytic plating.
銅層（Ｂ）の厚みは特に限定されない。一例を挙げると、銅層（Ｂ）の厚みは、１μｍ以上であることが好ましい。また、銅層（Ｂ）の厚みは、３０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以下であることがより好ましい。銅層（Ｂ）の厚みが上記範囲内であることにより、フレキシブル基板は、公知の化学エッチング等の手法で回路加工を行う場合にも、微細な回路加工を行いやすい。 The thickness of the copper layer (B) is not particularly limited. For example, the thickness of the copper layer (B) is preferably 1 μm or more. Moreover, the thickness of the copper layer (B) is preferably 30 μm or less, more preferably 5 μm or less. When the thickness of the copper layer (B) is within the above range, the flexible substrate can be easily subjected to fine circuit processing even when circuit processing is performed by a known method such as chemical etching.
以上、本実施形態のフレキシブル基板は、基材と銅層（銅層（Ａ）および銅層（Ｂ））とからなる２層フレキシブル基板である。このように、本実施形態のフレキシブル基板は、実質的に基材と銅層とからなる２層であり、従来必要とされた中間層（シード層）が削減されている。そのため、フレキシブル基板は、製造効率および品質が優れ、製造コストが低く、環境負荷が小さい。また、銅層（Ａ）が、高圧パルス処理された基材に直接形成されているため、フレキシブル基板は、優れた伝送特性を有し、工業的に有用かつ信頼性が高い。 As described above, the flexible substrate of the present embodiment is a two-layer flexible substrate including a base material and copper layers (copper layer (A) and copper layer (B)). As described above, the flexible substrate of the present embodiment is substantially composed of two layers consisting of the base material and the copper layer, and the intermediate layer (seed layer) conventionally required is eliminated. Therefore, flexible substrates have excellent manufacturing efficiency and quality, low manufacturing costs, and low environmental impact. In addition, since the copper layer (A) is directly formed on the base material that has been subjected to high-voltage pulse treatment, the flexible substrate has excellent transmission characteristics and is industrially useful and highly reliable.
また、本実施形態のフレキシブル基板は、ＸＰＳ分析データにおいて、銅ピークが下がり始めた時点から銅ピークが１ａｔｍ％以下になる時点までを「データ区間」と称する場合において、データ区間における窒素量と酸素量とのａｔｍ％の総和が、５０ａｔｍ％以下であることが好ましく、４５ａｔｍ％以下であることがより好ましい。データ区間における窒素量と酸素量とのａｔｍ％の総和が上記範囲内であることにより、フレキシブル基板は、より好適な層間密着力が得られる。なお、本実施形態において、ＸＰＳ分析は、フレキシブル基板（基材／銅層（Ａ））に対して、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）（ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ２、アルバック・ファイ（株）製）により、銅層（Ａ）の表面から基材フィルム表面内部まで（Ａｒ）イオンでエッチング（３０秒間／１回）しながら深さ方向に分析を行うことにより実施し得る。この際、以下の条件でエッチングを３０回行う。
（Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）深さ方向分析の測定条件）
・装置：Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）：ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅII、アルバック・ファイ（株）
・Ｘ線ビーム径（測定範囲）：φ１００μｍ
エッチング条件（ニッケル合金層側から基材深さ方向へスパッタリング条件）
・Ａｒイオン銃加速電圧：４ｋＶ
・エッチング範囲：３ｍｍ×３ｍｍ平方内部
・エッチング時間：３０秒／１回
In addition, in the XPS analysis data, the flexible substrate of the present embodiment has a nitrogen content and an oxygen The sum of the amount and atm% is preferably 50 atm% or less, more preferably 45 atm% or less. When the sum of atm % of the nitrogen content and the oxygen content in the data section is within the above range, the flexible substrate can obtain more suitable interlayer adhesion. In this embodiment, the XPS analysis is performed on the flexible substrate (base material/copper layer (A)) using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS) (PHI5000VersaProbe2, manufactured by ULVAC-Phi, Inc.). It can be carried out by performing analysis in the depth direction while etching with (Ar) ions from the surface of the layer (A) to the inside of the substrate film surface (30 seconds/once). At this time, etching is performed 30 times under the following conditions.
(Measurement conditions for X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) depth direction analysis)
・Apparatus: X-ray photoelectron spectrometer (XPS): PHI5000VersaProbe II, ULVAC-Phi, Inc.
・X-ray beam diameter (measurement range): φ100 μm
Etching conditions (sputtering conditions from the nickel alloy layer side to the substrate depth direction)
・Ar ion gun acceleration voltage: 4 kV
・Etching area: 3 mm x 3 mm square inside ・Etching time: 30 seconds/once
得られたＸＰＳ分析のグラフより、一定のデータ区間における酸素量の総和（ａｔｍ％）、および、窒素量の総和（ａｔｍ％）、さらにそれらの総和（ａｔｍ％）を測定し得る。なお、グラフの見方等の詳細は、実施例において後述する。 From the XPS analysis graph obtained, the total amount of oxygen (atm%), the total amount of nitrogen (atm%), and the total amount (atm%) of them in a certain data interval can be measured. In addition, details such as how to read the graph will be described later in Examples.
また、本実施形態のフレキシブル基板は、基材に施された高圧パルス処理に要した時間を時間Ｔ１（秒）とする場合において、基材と銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ１と、高圧パルス処理をＴ１／１０（秒）行った場合の基材と銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ２とが、以下の式（Ｉ）を満たすことが好ましい。
０．６×Ｐ１≦Ｐ２≦１．４×Ｐ１ ・・・ 式（Ｉ）
Further, in the flexible substrate of the present embodiment, when the time required for the high-pressure pulse treatment applied to the base material is T1 (seconds), the peel strength P1 between the base material and the copper layer (A) The peel strength P2 between the base material and the copper layer (A) when the pulse treatment is performed for T1/10 (seconds) preferably satisfies the following formula (I).
0.6×P1≦P2≦1.4×P1 Formula (I)
このような式（Ｉ）を満たすことにより、フレキシブル基板は、基材に対して行うプラズマ処理に要する時間を１／１０に短縮した場合であっても、層間密着力が維持されやすい。その結果、フレキシブル基板は、製造に要する時間を短縮することができ、製造効率が高い。また、フレキシブル基板は、処理時間が短くてもよいことから、基材に対する熱ダメージを抑え得る。 By satisfying the formula (I), the flexible substrate easily maintains interlayer adhesion even when the time required for the plasma treatment of the substrate is shortened to 1/10. As a result, the flexible substrate can shorten the time required for manufacturing, and has high manufacturing efficiency. Moreover, since the flexible substrate can be processed for a short time, it is possible to suppress thermal damage to the base material.
以下、実施例により本発明をより具体的に説明する。本発明は、これら実施例に何ら限定されない。 EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples. The present invention is by no means limited to these examples.
用いた原料を以下に示す。なお、以下の実施例では、高圧パルス処理および銅層の成膜には、ロールツーロールスパッタリング装置を用いた。 The raw materials used are shown below. In the following examples, a roll-to-roll sputtering apparatus was used for the high-pressure pulse treatment and the film formation of the copper layer.
＜基材＞
第１基材：登録商標「ユーピレックス」、タイプＳＧＳ、超耐熱・接着向上ポリイミドフィルム、厚み２５μｍ、宇部興産（株）製
第２基材：登録商標「カプトン」、タイプＥＮ、超耐熱・超耐寒性ポリイミドフィルム、厚み２５μｍ、東レ・デュポン（株）製
<Base material>
1st substrate: Registered trademark “Upilex”, type SGS, super heat-resistant/adhesive polyimide film,
まず、前処理として、ＲＦ（高周波）、ＤＣ（直流）、高圧パルス、のいずれかを用い、以下の条件にてプラズマ処理を行った。その際に用いる雰囲気としてアルゴン、酸素、窒素のいずれかを用いた。 First, as a pretreatment, plasma treatment was performed under the following conditions using any one of RF (radio frequency), DC (direct current), and high voltage pulse. At that time, any one of argon, oxygen, and nitrogen was used as the atmosphere.
＜プラズマ処理の条件＞
・ＲＦ（高周波）プラズマ
高周波（１３．５６ＭＨｚ）プラズマ処理は、真空装置内の圧力を１×１０-3Ｐａ以下にした後、雰囲気ガスを所定量導入し、基材の表面にプラズマを照射した。
・ＤＣ（直流）プラズマ
ＤＣ（直流）プラズマ処理は、真空装置内の圧力を１×１０-3Ｐａ以下にした後、雰囲気ガスを所定量導入し、基材の表面にプラズマを照射した。
・高圧パルスプラズマ
高圧パルスプラズマは、真空装置内の圧力を１×１０-3Ｐａ以下にした後、雰囲気ガスを所定量導入し、Ｄｕｔｙ比を１０．８％とし基材の表面にプラズマを照射した。
<Conditions of plasma treatment>
・RF (High Frequency) Plasma In the high frequency (13.56 MHz) plasma treatment, after the pressure in the vacuum apparatus was set to 1×10 −3 Pa or less, a predetermined amount of atmosphere gas was introduced, and the surface of the substrate was irradiated with plasma. .
DC (Direct Current) Plasma In the DC (direct current) plasma treatment, after the pressure in the vacuum apparatus was set to 1×10 −3 Pa or less, a predetermined amount of atmosphere gas was introduced and the surface of the substrate was irradiated with plasma.
・High-pressure pulse plasma After setting the pressure in the vacuum apparatus to 1 × 10 -3 Pa or less, the high-pressure pulse plasma introduces a predetermined amount of atmospheric gas, sets the duty ratio to 10.8%, and irradiates the surface of the substrate with plasma. bottom.
このプラズマ処理を終えた基材に対し、第１基材および第２基材それぞれに対して新たに２種類のスパッタリング処理を施した。１つはＤＣ電源を用いたものであり、もう１つは高圧パルス電源を用いたものである。それぞれ雰囲気ガスにはアルゴンガスを用い、第１基材および第２基材上に、それぞれ厚さ１２０ｎｍの銅層（Ａ）を成膜した。 Two types of sputtering treatments were newly applied to each of the first and second substrates after the plasma treatment. One uses a DC power supply and the other uses a high voltage pulse power supply. Using argon gas as the atmosphere gas, a copper layer (A) having a thickness of 120 nm was formed on each of the first substrate and the second substrate.
得られたそれぞれのサンプルに対して、電解めっきを行った。電解めっきは、めっき液として硫酸銅溶液を用い、銅層（Ａ）の表面に厚さ２０μｍの銅層（Ｂ）の銅めっき被膜を成膜した。これにより、フレキシブル基板を作製した。 Electroplating was performed on each of the obtained samples. In the electroplating, a copper sulfate solution was used as a plating solution, and a copper plating film of the copper layer (B) having a thickness of 20 μm was formed on the surface of the copper layer (A). Thus, a flexible substrate was produced.
＜実施例１＞
実施例１は、表１に記載のとおり、アルゴンガス雰囲気下で、高圧パルス処理を行った基材（第１基材および第２基材）に対し、高圧パルス成膜を行って銅層（Ａ）を設け、次いで、めっきにより銅層（Ｂ）を設けたフレキシブル基板である。
<Example 1>
In Example 1, as shown in Table 1, a copper layer ( A) is provided, and then a copper layer (B) is provided by plating.
＜実施例２～３、比較例１～３＞
表１に記載の条件に変更した以外は、実施例１と同様の方法により、それぞれのフレキシブル基板を作製した。
<Examples 2-3, Comparative Examples 1-3>
Each flexible substrate was produced in the same manner as in Example 1 except that the conditions shown in Table 1 were changed.
得られたそれぞれのフレキシブル基板を用いて、以下の方法により、銅層（Ａ）および銅層（Ｂ）のピール強度を測定した。結果を表１に示す。なお、表１において、「×」は測定不能であったことを示す。 The peel strength of the copper layer (A) and the copper layer (B) was measured by the following method using each of the obtained flexible substrates. Table 1 shows the results. In addition, in Table 1, "x" indicates that the measurement was impossible.
＜銅層（Ａ）および銅層（Ｂ）のピール強度＞
５ｍｍ幅にそれぞれのフレキシブル基板を短冊状に切断し、ピール強度試験機（オートグラフ引っ張り試験機、ＡＧＳ－１００Ｇ、（株）島津製作所製）を使用して、基材とめっきを含む金属側との剥離力（ピール強度）を１８０°剥離にて、速度５０ｍｍ／分で引っ張り測定した。
<Peel strength of copper layer (A) and copper layer (B)>
Each flexible substrate is cut into strips with a width of 5 mm, and a peel strength tester (Autograph tensile tester, AGS-100G, manufactured by Shimadzu Corporation) is used to test the metal side including the base material and plating. The peel strength (peel strength) was measured by pulling at 180° peeling at a speed of 50 mm/min.
表１に示されるように、本発明のフレキシブル基板は、高圧パルス処理を行った基材を用いたことにより、基材に直接、銅層を形成することができた。 As shown in Table 1, the flexible substrate of the present invention was able to form a copper layer directly on the substrate by using the substrate subjected to the high-pressure pulse treatment.
次に、実施例１～３のフレキシブル基板について、基材に高圧パルスによる前処理を行った際に要した時間をＴ１（秒）とする場合において、得られたフレキシブル基板の基材と銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ１（Ｎ／ｍｍ）を、上記方法にて算出した。一方、前処理の時間を１／１０として（Ｔ１／１０（秒））、得られたフレキシブル基板の基材と銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ２（Ｎ／ｍｍ）を算出した。Ｐ１に対するＰ２の割合（Ｐ２／Ｐ１）を算出した。結果を表２に示す。 Next, regarding the flexible substrates of Examples 1 to 3, when T1 (seconds) was required when the substrate was pretreated with a high voltage pulse, the substrate and the copper layer of the obtained flexible substrate The peel strength P1 (N/mm) with (A) was calculated by the above method. On the other hand, the pretreatment time was set to 1/10 (T1/10 (sec)), and the peel strength P2 (N/mm) between the base material and the copper layer (A) of the obtained flexible substrate was calculated. The ratio of P2 to P1 (P2/P1) was calculated. Table 2 shows the results.
表２に示されるように、本発明の実施例１～３のフレキシブル基板は、前処理に要した時間を１／１０に減らした場合であっても、それぞれの基材に対する密着性（ピール強度）があまり変化しなかった。これにより、本発明のフレキシブル基板は、製造に要する時間を短縮することができ、製造効率が高いことが示された。また、フレキシブル基板は、処理時間が短くてもよいことから、基材に対する熱ダメージを抑え得ることがわかった。 As shown in Table 2, the flexible substrates of Examples 1 to 3 of the present invention had adhesiveness (peel strength ) did not change significantly. As a result, it was shown that the flexible substrate of the present invention can shorten the time required for manufacturing, and has high manufacturing efficiency. In addition, it has been found that the flexible substrate can suppress thermal damage to the base material because the processing time can be shortened.
さらに、得られたそれぞれのフレキシブル基板を用いて、以下の方法により、ＸＰＳ分析を行った。結果を図１～図６に示す。図１～図６は、それぞれ、実施例１～３、比較例１～３のフレキシブル基板のＸＰＳ分析結果を示すグラフである。 Furthermore, XPS analysis was performed by the following method using each obtained flexible substrate. The results are shown in FIGS. 1-6. 1 to 6 are graphs showing the XPS analysis results of the flexible substrates of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, respectively.
＜ＸＰＳ分析の条件＞
ＸＰＳ分析は、フレキシブル基板（基材／銅層（Ａ））に対して、Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）（ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅ２、アルバック・ファイ（株）製）により、銅層（Ａ）の表面から基材フィルム表面内部まで（Ａｒ）イオンでエッチング（３０秒間／１回）しながら深さ方向に分析を行った。以下の条件でエッチングを３０回行った。
（Ｘ線光電子分光法（ＸＰＳ）深さ方向分析の測定条件）
・装置：Ｘ線光電子分光分析装置（ＸＰＳ）：ＰＨＩ５０００ＶｅｒｓａＰｒｏｂｅII、アルバック・ファイ（株）製
・Ｘ線ビーム径（測定範囲）：φ１００μｍ
エッチング条件（ニッケル合金層側から基材深さ方向へスパッタリング条件）
・Ａｒイオン銃加速電圧：４ｋＶ
・エッチング範囲：３ｍｍ×３ｍｍ平方内部
・エッチング時間：３０秒／１回
<Conditions for XPS analysis>
XPS analysis is performed on a flexible substrate (base material/copper layer (A)) using an X-ray photoelectron spectrometer (XPS) (PHI5000VersaProbe2, manufactured by ULVAC-Phi Co., Ltd.) from the surface of the copper layer (A). Analysis was performed in the depth direction while etching with (Ar) ions to the inside of the substrate film surface (30 seconds/once). Etching was performed 30 times under the following conditions.
(Measurement conditions for X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) depth direction analysis)
・Apparatus: X-ray photoelectron spectrometer (XPS): PHI5000VersaProbe II, manufactured by ULVAC-PHI, Inc. ・X-ray beam diameter (measurement range): φ100 μm
Etching conditions (sputtering conditions from the nickel alloy layer side to the substrate depth direction)
・Ar ion gun acceleration voltage: 4 kV
・Etching area: 3 mm x 3 mm square inside ・Etching time: 30 seconds/once
また、実施例１～３、比較例１～３のフレキシブル基板に対して、一定のデータ区間における酸素量の総和（ａｔｍ％）、および、窒素量の総和（ａｔｍ％）、さらにそれらの総和（ａｔｍ％）を測定した。結果を表３に示す。 Further, with respect to the flexible substrates of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, the total amount of oxygen (atm%) and the total amount of nitrogen (atm%) in a certain data interval, and their total ( atm%) was measured. Table 3 shows the results.
＜ＸＰＳ分析データのグラフの見方＞
フレキシブル基板の銅側表層よりＸＰＳでのスパッタを行い、銅が無くなって基材側（炭素）が充分得られるまで分析した。横軸がＸＰＳでスパッタした積算回数であり、縦軸がスパッタした際に検出された各原子濃度(atm%)を表す。積算回数０を銅の表層、積算回数が増えると基材側に近づくため銅が減少し、やがて基材の炭素が検出され始め、銅と炭素との原子濃度が逆転し、その後、完全に銅がなくなり、炭素が１００％に近づくと、基材内部をスパッタしていることを意味している。銅と基材の炭素がクロスする前後の積算回数約５～１０回の間が、基材／銅層の界面とみられる。
<How to read the XPS analysis data graph>
XPS sputtering was performed from the copper-side surface layer of the flexible substrate, and analysis was performed until the copper disappeared and the base-material side (carbon) was sufficiently obtained. The horizontal axis represents the cumulative number of times of XPS sputtering, and the vertical axis represents the atomic concentration (atm%) detected during sputtering. When the cumulative number of times is 0, it is the surface layer of copper, and as the cumulative number of times increases, the amount of copper decreases because it approaches the substrate side, and eventually carbon in the substrate begins to be detected, and the atomic concentrations of copper and carbon are reversed, and then completely copper. disappears and the carbon approaches 100%, it means that the inside of the substrate is sputtered. The interface between the substrate and the copper layer is considered to be about 5 to 10 accumulated times before and after the copper and the carbon of the substrate cross each other.
図１～図６および表３に示されるように、高圧パルス処理を施した基材を用いた本発明の実施例１～３のフレキシブル基板は、優れた層間密着力を示した。 As shown in FIGS. 1 to 6 and Table 3, the flexible substrates of Examples 1 to 3 of the present invention using substrates subjected to high pressure pulse treatment exhibited excellent interlayer adhesion.
Claims (5)
前記基材の高圧パルス処理が施された表面に積層された銅層（Ａ）と、
前記銅層（Ａ）に積層された銅層（Ｂ）と、を含み、
前記基材は、絶縁性を有する高分子樹脂フィルムである、フレキシブル基板。 a substrate having a surface subjected to high-pressure pulse treatment;
A copper layer (A) laminated on the surface of the base material subjected to high pressure pulse treatment;
and a copper layer (B) laminated on the copper layer (A),
The flexible substrate, wherein the base material is a polymer resin film having insulating properties.
前記データ区間における窒素量と酸素量とのａｔｍ％の総和は、５０ａｔｍ％以下である、請求項１～３のいずれか１項に記載のフレキシブル基板。 In the XPS analysis data, when the "data section" is referred to as the time from when the copper peak begins to fall to the time when the copper peak becomes 1 atm% or less,
The flexible substrate according to any one of claims 1 to 3, wherein the sum of atm% of the nitrogen content and the oxygen content in the data section is 50atm% or less.
前記基材と前記銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ１と、高圧パルス処理をＴ１／１０（秒）行った場合の前記基材と前記銅層（Ａ）との剥離強度Ｐ２とは、以下の式（Ｉ）を満たす、請求項１～４のいずれか１項に記載のフレキシブル基板。
０．６×Ｐ１≦Ｐ２≦１．４×Ｐ１ ・・・ 式（Ｉ） When the time required for the high-pressure pulse treatment applied to the base material is set to time T1 (seconds),
The peel strength P1 between the base material and the copper layer (A) and the peel strength P2 between the base material and the copper layer (A) when high pressure pulse treatment is performed for T1/10 (seconds) are as follows. The flexible substrate according to any one of claims 1 to 4, which satisfies the formula (I) of
0.6×P1≦P2≦1.4×P1 Formula (I)
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