JP2023037040A - Transparent unpowered cooling device - Google Patents

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未央 岡本
Mio Okamoto
保宏 桑名
Yasuhiro Kuwana
健輔 藤井
Kensuke Fujii
浩太郎 梶川
Kotaro Kajikawa
真奈 當麻
Mana Toma
隆之 岡本
Takayuki Okamoto
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Tokyo Institute of Technology NUC
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    • E04B1/74—Heat, sound or noise insulation, absorption, or reflection; Other building methods affording favourable thermal or acoustical conditions, e.g. accumulating of heat within walls
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    • G02B5/20—Filters
    • G02B5/26—Reflecting filters

Abstract

To provide a transparent unpowered cooling device allowing efficient radiation cooling.SOLUTION: A transparent unpowered cooling device having an infrared reflective layer, a first heat emitting layer, and a second heat emitting layer in this order, wherein the transparent unpowered cooling device has an average visible light transmittance of 80% or more, and haze of 10% or less, the first thermal radiation layer contains a material different from that of the second thermal radiation layer, and has an absorption peak of 50% or more in a wavelength region of 8 μm to 13 μm, the second thermal radiation layer has an absorption peak of 50% or more in the wavelength range of 7 μm to 10 μm, and the infrared reflective layer has an average reflection of 80% or more in the wavelength range of 7 μm to 13 μm.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、透明無電源冷却デバイスに関する。 The present invention relates to transparent unpowered cooling devices.

建物および車両の窓などにおいて、エネルギー利用の効率化および省エネルギーのため、冷却効率を高める技術が望まれている。また、そのような要望を満たすデバイスとして、熱放射を利用した無電源冷却デバイス（以下、「放射冷却体」とも言う）が注目されている。 For the windows of buildings and vehicles, there is a demand for a technique for improving the cooling efficiency in order to improve the efficiency of energy use and save energy. As a device that satisfies such a demand, a powerless cooling device using heat radiation (hereinafter also referred to as a "radiation cooler") has attracted attention.

一般に、放射冷却体は、熱放射層を有する。熱放射層は、放射冷却体自身の温度に起因する熱を赤外線として外部に放射する。特に、放出する赤外線の波長が、「大気の窓」と呼ばれる、大気の吸収率の小さい赤外線領域である場合には、大気による吸収、再放射が小さいため、総量として熱放射層から大気へ熱を発散させることができる。その結果、放射冷却体の温度を低下させることができる。また、赤外領域の光を吸収することで、放射冷却体の内側に赤外領域の光が入射することを抑制する結果、放射冷却体の内側の温度上昇を抑制することもできる。 Generally, a radiative cooler has a thermal radiation layer. The thermal radiation layer radiates the heat resulting from the temperature of the radiative cooling body itself to the outside as infrared rays. In particular, when the wavelength of the emitted infrared rays is in the infrared region where the absorption rate of the atmosphere is low, which is called the "atmospheric window," the absorption and re-emission by the atmosphere are small. can be emitted. As a result, the temperature of the radiation cooler can be lowered. In addition, by absorbing light in the infrared region, it is possible to suppress the incidence of light in the infrared region inside the radiative cooling body, and as a result, it is possible to suppress the temperature rise inside the radiative cooling body.

例えば、特許文献１には、透明基体の一方の表面に樹脂マトリクスにマイクロシリカ球が分散された熱放射層、保護層、および低反射層を設け、透明基体の他方の表面に金属反射層を設けることにより構成された、冷却放射体が記載されている。また、この放射冷却体から熱を放射させることにより、放射冷却体の温度を周囲よりも低下させ得ることが記載されている。 For example, in Patent Document 1, a thermal emission layer in which microsilica spheres are dispersed in a resin matrix, a protective layer, and a low-reflection layer are provided on one surface of a transparent substrate, and a metal reflection layer is provided on the other surface of the transparent substrate. A cooling radiator is described which is constructed by providing. It is also described that the temperature of the radiative cooler can be lowered below the ambient temperature by radiating heat from the radiative cooler.

米国特許出願公開第２０１９／００８６１６４号明細書U.S. Patent Application Publication No. 2019/0086164 特開２０１８－２０３６１０号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2018-203610

しかしながら、従来の放射冷却体では、放射冷却機能は十分であるとは言い難い。このため、より効率的に放射冷却を行うことが可能な放射冷却体に対しては、今もなお高い要望がある。 However, it is difficult to say that the conventional radiative cooling body has a sufficient radiative cooling function. For this reason, there is still a high demand for a radiative cooler capable of performing radiative cooling more efficiently.

本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、より効率的な放射冷却が可能となる透明無電源冷却デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such a background, and an object of the present invention is to provide a transparent powerless cooling device that enables more efficient radiative cooling.

本発明では、
赤外線反射層と、第１の熱放射層と、第２の熱放射層とをこの順に有する透明無電源冷却デバイスであって、
当該透明無電源冷却デバイスは、平均可視光透過率が８０％以上であり、ヘイズが１０％以下であり、
前記第１の熱放射層は、前記第２の熱放射層とは別の材料を含み、波長８μｍ～１３μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有し、
前記第２の熱放射層は、波長７μｍ～１０μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有し、
前記赤外線反射層は、波長７μｍ～１３μｍの範囲において、８０％以上の平均反射率を有する、透明無電源冷却デバイスが提供される。 In the present invention,
A transparent powerless cooling device having an infrared reflective layer, a first heat emitting layer, and a second heat emitting layer in this order,
The transparent unpowered cooling device has an average visible light transmittance of 80% or more and a haze of 10% or less,
The first thermal radiation layer contains a material different from that of the second thermal radiation layer, and has an absorption peak of 50% or more in a wavelength range of 8 μm to 13 μm,
The second thermal emission layer has an absorption peak of 50% or more in a wavelength range of 7 μm to 10 μm,
A transparent unpowered cooling device is provided, wherein the infrared reflective layer has an average reflectance of 80% or more in a wavelength range of 7 μm to 13 μm.

本発明では、より効率的な放射冷却が可能となる透明無電源冷却デバイスを提供することができる。 The present invention can provide a transparent powerless cooling device that enables more efficient radiative cooling.

本発明の一実施形態による放射冷却体の構成を概略的に示した断面図である。1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a radiative cooling body according to an embodiment of the present invention; FIG. 本発明の別の実施形態による放射冷却体の構成を概略的に示した断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a radiative cooling body according to another embodiment of the present invention; 本発明のさらに別の実施形態による放射冷却体の構成を概略的に示した断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a radiative cooling body according to still another embodiment of the present invention; 本発明の一実施形態による放射冷却体の製造方法のフローを模式的に示した図である。1 is a diagram schematically showing the flow of a method for manufacturing a radiative cooling body according to an embodiment of the present invention; FIG. 冷却性能の評価に使用した装置の断面を概略的に示した図である。It is the figure which showed roughly the cross section of the apparatus used for evaluation of cooling performance.

以下、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

本発明の一実施形態では、赤外線反射層と、第１の熱放射層と、第２の熱放射層とをこの順に有する透明無電源冷却デバイス（放射冷却体）であって、
当該放射冷却体は、平均可視光透過率が８０％以上であり、ヘイズが１０％以下であり、
前記第１の熱放射層は、前記第２の熱放射層とは別の材料を含み、波長８μｍ～１３μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有し、
前記第２の熱放射層は、波長７μｍ～１０μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有し、
前記赤外線反射層は、波長７μｍ～１３μｍの範囲において、８０％以上の平均反射率を有する、放射冷却体が提供される。 In one embodiment of the present invention, a transparent unpowered cooling device (radiative cooler) having an infrared reflective layer, a first heat emitting layer and a second heat emitting layer in that order,
The radiative cooling body has an average visible light transmittance of 80% or more and a haze of 10% or less,
The first thermal radiation layer contains a material different from that of the second thermal radiation layer, and has an absorption peak of 50% or more in a wavelength range of 8 μm to 13 μm,
The second thermal emission layer has an absorption peak of 50% or more in a wavelength range of 7 μm to 10 μm,
A radiative cooling body is provided in which the infrared reflective layer has an average reflectance of 80% or more in a wavelength range of 7 μm to 13 μm.

このような放射冷却体では、第１の熱放射層および第２の熱放射層において吸収した熱を、それぞれの層により、外部に放射することができる。 In such a radiation cooling body, the heat absorbed in the first heat radiation layer and the second heat radiation layer can be radiated to the outside by each layer.

従って、本発明の一実施形態では、従来に比べて放射冷却体による冷却効果をより高めることが可能となる。 Therefore, in one embodiment of the present invention, it is possible to further enhance the cooling effect of the radiative cooler compared to the conventional art.

なお、本願において、放射冷却体の「平均可視透過率」とは、３８０ｎｍ～７８０ｎｍの波長範囲における透過率を荷重平均した値を意味する。「平均可視透過率」は、ＪＩＳ Ｒ ３１０６に準拠して測定される。光源には、Ｄ６５光源が用いられる。 In the present application, the “average visible transmittance” of the radiative cooling body means a weighted average value of the transmittance in the wavelength range of 380 nm to 780 nm. "Average visible transmittance" is measured according to JIS R 3106. A D65 light source is used as the light source.

（本発明の一実施形態による放射冷却体）
次に、図面を参照して、本発明の一実施形態について説明する。 (Radiative Cooler According to an Embodiment of the Invention)
An embodiment of the present invention will now be described with reference to the drawings.

図１は、本発明の一実施形態による放射冷却体（以下、「第１の放射冷却体」と称する）の構成を概略的に示した断面図である。 FIG. 1 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a radiative cooler (hereinafter referred to as "first radiative cooler") according to one embodiment of the present invention.

図１に示すように、第１の放射冷却体１００は、赤外線反射層１２０と、第１の熱放射層１３０と、第２の熱放射層１４０とをこの順に有する。 As shown in FIG. 1, the first radiative cooling body 100 has an infrared reflective layer 120, a first thermal radiation layer 130, and a second thermal radiation layer 140 in this order.

第１の放射冷却体１００は、第２の熱放射層１４０の側が外側１０２となり、赤外線反射層１２０の側が内側１０４となるように使用される。 The first radiative cooling body 100 is used so that the second thermal radiation layer 140 side is the outside 102 and the infrared reflecting layer 120 side is the inside 104 .

なお、放射冷却体の「外側（１０２）」とは、対象となる赤外線が主として発散される側を意味し、放射冷却体の「内側（１０４）」とは、「外側（１０２）」の反対側を意味する。 The “outside (102)” of the radiative cooling body means the side from which the target infrared rays are mainly emitted, and the “inner side (104)” of the radiative cooling body is the opposite of the “outside (102)”. means side.

第１の熱放射層１３０および第２の熱放射層１４０は、放射冷却体１００自身の温度に起因する熱を赤外線として放射する役割を有する。キルヒホッフの法則によって、第１の熱放射層１３０および第２の熱放射層１４０の、熱をある波長の赤外線として放射する機能は、第１の熱放射層１３０および第２の熱放射層１４０の、上記波長における赤外線吸収率に比例もしくは等価となる。 The first thermal radiation layer 130 and the second thermal radiation layer 140 have the role of radiating heat resulting from the temperature of the radiative cooling body 100 itself as infrared rays. According to Kirchhoff's law, the function of the first heat emitting layer 130 and the second heat emitting layer 140 to emit heat as an infrared ray of a certain wavelength is the function of the first heat emitting layer 130 and the second heat emitting layer 140 , is proportional to or equivalent to the infrared absorptance at the above wavelengths.

具体的には、第１の熱放射層１３０は、波長８μｍ～１３μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有する。第２の熱放射層１４０は、波長７μｍ～１０μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有する。 Specifically, the first thermal emission layer 130 has an absorption peak of 50% or more in the wavelength range of 8 μm to 13 μm. The second thermal emission layer 140 has an absorption peak of 50% or more in the wavelength range of 7 μm to 10 μm.

赤外線反射層１２０は、赤外線を反射する効果を有する。具体的には、赤外線反射層１２０は、波長７μｍ～１３μｍの範囲において、８０％以上の平均反射率を有する。 The infrared reflecting layer 120 has an effect of reflecting infrared rays. Specifically, the infrared reflective layer 120 has an average reflectance of 80% or more in the wavelength range of 7 μm to 13 μm.

さらに、第１の放射冷却体１００は、平均可視光透過率が８０％以上であり、ヘイズが１０％以下であるという特徴を有する。従って、第１の放射冷却体１００は、窓ガラスのような透明部材の表面に設置した際に、窓ガラスを介した像の視認性が遮られることを有意に抑制することができる。 Furthermore, the first radiative cooling body 100 is characterized by an average visible light transmittance of 80% or more and a haze of 10% or less. Therefore, when the first radiative cooling body 100 is installed on the surface of a transparent member such as a windowpane, it is possible to significantly suppress obstruction of the visibility of an image through the windowpane.

前述のように、第１の放射冷却体１００は、外側１０２が外界側となるような態様で使用される。 As described above, the first radiative cooler 100 is used in such a manner that the outer side 102 faces the outside world.

外界から第１の放射冷却体１００に赤外線が照射されると、該赤外線は、第２の熱放射層１４０、さらには第１の熱放射層１３０に向かって伝播される。ただし、第２の熱放射層１４０および第１の熱放射層１３０は、入射赤外線を吸収する機能を有する。このため、これらの層により吸収されなかった一部の赤外線のみが、第１の放射冷却体１００のさらに内部に進行する。 When the first radiative cooling body 100 is irradiated with infrared rays from the outside, the infrared rays propagate toward the second thermal emission layer 140 and further toward the first thermal emission layer 130 . However, the second heat emitting layer 140 and the first heat emitting layer 130 have the function of absorbing incident infrared rays. Therefore, only a portion of the infrared rays that have not been absorbed by these layers proceeds further inside the first radiative cooling body 100 .

また、第１の放射冷却体１００の内部に進行した赤外線は、その後、赤外線反射層１２０によって、再度第１の熱放射層１３０および第２の熱放射層１４０に向かって反射される。従って、第１の熱放射層１３０および第２の熱放射層１４０は、そのような反射された赤外線をも吸収することができる。 In addition, the infrared rays traveling inside the first radiative cooling body 100 are then reflected again by the infrared reflecting layer 120 toward the first heat emitting layer 130 and the second heat emitting layer 140 . Therefore, the first heat emitting layer 130 and the second heat emitting layer 140 can also absorb such reflected infrared radiation.

また、第１の熱放射層１３０および第２の熱放射層１４０は、吸収された熱を外側１０２または放射冷却体内部に向かって放射するが、前述のように放射冷却体内部に向かって放射された赤外線は赤外線反射層１２０によって反射される。このような多重プロセスを経た結果として、赤外線は主に外側１０２に放射されることとなる。 Also, the first heat emitting layer 130 and the second heat emitting layer 140 radiate the absorbed heat toward the outside 102 or the inside of the radiative cooler, but as described above, the heat radiated toward the inside of the radiative cooler. The emitted infrared rays are reflected by the infrared reflective layer 120 . As a result of such multiple processes, the infrared rays are radiated mainly to the outside 102 .

この過程に加えて、第１の熱放射層１３０および第２の熱放射層１４０は、自身の温度に起因する熱を赤外線として放出する。この放出機能は、キルヒホッフの法則により、各波長において、赤外線吸収率と比例または等価である。放出された赤外線は、前述の多重プロセスを経て、主に外側１０２へ放出される。 In addition to this process, the first heat emitting layer 130 and the second heat emitting layer 140 emit heat due to their own temperature as infrared rays. This emission function is proportional or equivalent to the infrared absorption rate at each wavelength according to Kirchhoff's law. The emitted infrared rays are mainly emitted to the outside 102 through the multiple processes described above.

これらの過程のうち一つまたは複数を経て、放射冷却体１００は、放射冷却体１００自身または内側１０４の熱を外側１０２へ放出する機能を持つ。 Through one or more of these processes, the radiative cooler 100 has the function of releasing the heat of the radiative cooler 100 itself or the inside 104 to the outside 102 .

外側１０２へ放出された赤外線を、外側１０２の媒質（もっぱら大気）が吸収した場合には、上記のキルヒホッフの法則により、放射冷却体１００側へ再放射される。しかし、大気にはいわゆる「大気の窓」とよばれる、赤外線吸収率の小さい波長範囲がある。すなわち、熱を「大気の窓」の波長範囲の赤外線として放射すれば、大気の再放射が小さいため、効果的に熱を外側へ放出することができる。本態様によれば、より多くの熱を「大気の窓」の波長範囲の赤外線として放射することができる。 When the infrared rays emitted to the outside 102 are absorbed by the medium of the outside 102 (mainly the atmosphere), they are re-radiated to the radiative cooler 100 side according to Kirchhoff's law. However, the atmosphere has a wavelength range with low infrared absorption, the so-called "atmospheric window". That is, if heat is radiated as infrared rays in the wavelength range of the "atmospheric window," the heat can be effectively released to the outside because re-radiation from the atmosphere is small. According to this aspect, more heat can be radiated as infrared radiation in the "atmospheric window" wavelength range.

その結果、第１の放射冷却体１００では、従来に比べて、内側１０４における冷却効果をより高めることができる。 As a result, in the first radiative cooling body 100, the cooling effect on the inner side 104 can be further enhanced as compared with the conventional one.

ここで、本発明の一実施形態による放射冷却体では、第１の熱放射層の、７～１３μｍの波長範囲での吸収率を表すスペクトル（「Ａ１（λ）」と称する）の最大値の点を、第１の熱放射層の吸収ピーク（「Ｐ１」）と称する。同様に、第２の熱放射層の、７～１３μｍの波長範囲での吸収率を表すスペクトル（「Ａ２（λ）」と称する）の最大値の点を第２の熱放射層の吸収ピーク（「Ｐ２」）と称する。Ａ１（λ）とＡ２（λ）との重なりの程度をＳｂで表わす。例えば、第１の放射冷却体１００の場合、７～１３μｍの波長領域での、Ａ１（λ）とＡ２（λ）の積の積分を波長範囲で規格化した値がＳｂとなる。 Here, in the radiative cooling body according to one embodiment of the present invention, the maximum value of the spectrum (referred to as “A 1 (λ)”) representing the absorptance in the wavelength range of 7 to 13 μm of the first thermal radiation layer point is referred to as the absorption peak (“P 1 ”) of the first thermal emission layer. Similarly, the point of the maximum value of the spectrum representing the absorptivity in the wavelength range of 7 to 13 μm (referred to as “A 2 (λ)”) of the second thermal emission layer is the absorption peak of the second thermal emission layer. (“P 2 ”). The degree of overlap between A 1 (λ) and A 2 (λ) is denoted by S b . For example, in the case of the first radiative cooler 100, S b is the integral of the product of A 1 (λ) and A 2 (λ) in the wavelength range of 7 to 13 μm, normalized by the wavelength range.

このスペクトルの重なりＳｂは、０．１５以上であることが好ましく、０．２０以上がより好ましく、０．３０以上がさらに好ましい。スペクトルの重なりＳｂが０．１５以上の場合、第１の熱放射層３３０と第２の熱放射層３４０との間に、熱放射による熱の授受が十分にあり、より効率的に熱を表面側に伝えることができる。 The spectral overlap Sb is preferably 0.15 or more, more preferably 0.20 or more, and even more preferably 0.30 or more. When the spectral overlap Sb is 0.15 or more, there is sufficient heat transfer by thermal radiation between the first thermal radiation layer 330 and the second thermal radiation layer 340, and heat is transferred more efficiently. It can be transmitted to the surface side.

また、この場合、第１の熱放射層３３０および第２の熱放射層３４０により、より効果的に赤外線を吸収することができる。 Also, in this case, the first heat emitting layer 330 and the second heat emitting layer 340 can more effectively absorb infrared rays.

また、Ｐ１の波長とＰ２の波長は異なっていることが好ましい。この場合、放射冷却体としてより広範囲の赤外線を吸収することができる。 Also, the wavelength of P1 and the wavelength of P2 are preferably different. In this case, a wider range of infrared rays can be absorbed as a radiative cooler.

さらに、Ｐ１の波長よりもＰ２の波長が小さいことが好ましい。この場合、７μｍ～１３μｍの範囲の中でも比較的エネルギーの大きい短波長側の光を表面側で吸収することができ、効率的に熱放射ができると推定される。 Furthermore, it is preferable that the wavelength of P2 is smaller than the wavelength of P1 . In this case, it is presumed that light with relatively large energy on the short wavelength side within the range of 7 μm to 13 μm can be absorbed on the surface side, and thermal radiation can be efficiently performed.

Ｐ１の波長は、８．５μｍ以上であることが好ましく、９μｍ以上であることがさらに好ましい。また、１２μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。このようにすることで、Ｐ２の波長との差異により、より広い波長範囲で効率的に熱放射ができる。 The wavelength of P1 is preferably 8.5 μm or longer, more preferably 9 μm or longer. Also, it is preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less. By doing so, thermal radiation can be efficiently performed in a wider wavelength range due to the difference from the wavelength of P2 .

Ｐ２の波長は、７．５μｍ以上であることが好ましく、８μｍ以上であることがさらに好ましい。また、１１μｍ以下が好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましく、９μｍ以下が特に好ましい。このようにすることで、Ｐ１の波長との差異により、より広い波長範囲で効率的に熱放射ができる。 The wavelength of P2 is preferably 7.5 μm or more, more preferably 8 μm or more. Also, it is preferably 11 μm or less, more preferably 10 μm or less, and particularly preferably 9 μm or less. By doing so, thermal radiation can be efficiently performed in a wider wavelength range due to the difference from the wavelength of P1 .

（本発明の別の実施形態による放射冷却体）
次に、図２を参照して、本発明の別の実施形態について説明する。 (Radiative Cooler According to Another Embodiment of the Invention)
Another embodiment of the invention will now be described with reference to FIG.

図２は、本発明の別の実施形態による放射冷却体（以下、「第２の放射冷却体」と称する）２００の構成を概略的に示した断面図である。 FIG. 2 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a radiative cooler (hereinafter referred to as "second radiative cooler") 200 according to another embodiment of the present invention.

図２に示すように、第２の放射冷却体２００は、前述の第１の放射冷却体１００と同様の構成を有する。ただし、第２の放射冷却体２００は、さらに、透明基体２５０を有する点で、前述の第１の放射冷却体１００とは異なっている。 As shown in FIG. 2, the second radiative cooler 200 has the same configuration as the first radiative cooler 100 described above. However, the second radiative cooler 200 differs from the first radiative cooler 100 in that it further has a transparent substrate 250 .

すなわち、第２の放射冷却体２００は、透明基体２５０の上に、赤外線反射層２２０、第１の熱放射層２３０、および第２の熱放射層２４０を有する。なお、透明基体２５０は、相互に対向する第１の表面２５２および第２の表面２５４を有し、赤外線反射層２２０、第１の熱放射層２３０、および第２の熱放射層２４０は、透明基体２５０の第１の表面２５２の側に設置される。 That is, the second radiative cooling body 200 has an infrared reflecting layer 220 , a first heat emitting layer 230 and a second heat emitting layer 240 on a transparent substrate 250 . The transparent substrate 250 has a first surface 252 and a second surface 254 facing each other, and the infrared reflecting layer 220, the first heat emitting layer 230, and the second heat emitting layer 240 are transparent. It is installed on the first surface 252 side of the substrate 250 .

第２の放射冷却体２００が窓ガラスなどに適用される場合、または第２の放射冷却体２００自体が窓ガラスとして利用される場合、第２の放射冷却体２００は、第２の熱放射層２４０の側が外側２０２となり、透明基体２５０の第２の表面２５４の側が内側２０４となるようにして、使用される。 When the second radiative cooling body 200 is applied to a windowpane or the like, or when the second radiative cooling body 200 itself is used as a windowpane, the second radiative cooling body 200 serves as a second thermal radiation layer. The 240 side is used as the outside 202 and the second surface 254 side of the transparent substrate 250 is used as the inside 204 .

このような構成を有する第２の放射冷却体２００においても、前述の第１の放射冷却体１００と同様の効果を得ることができる。すなわち、第２の放射冷却体２００では、第１の熱放射層２３０および第２の熱放射層２４０により、熱が外側２０２に向かって効果的に放射される。従って、第２の放射冷却体２００では、従来に比べて、内側２０４における冷却効果をより高めることができる。 The second radiative cooling body 200 having such a configuration can also obtain the same effect as the first radiative cooling body 100 described above. That is, in the second radiative cooling body 200 , heat is effectively radiated toward the outside 202 by the first heat radiation layer 230 and the second heat radiation layer 240 . Therefore, in the second radiative cooling body 200, the cooling effect on the inner side 204 can be further enhanced compared to the conventional art.

（本発明のさらに別の実施形態による放射冷却体）
次に、図３を参照して、本発明の別の実施形態について説明する。 (Radiative Cooler According to Yet Another Embodiment of the Present Invention)
Another embodiment of the invention will now be described with reference to FIG.

図３は、本発明のさらに別の実施形態による放射冷却体（以下、「第３の放射冷却体」と称する）３００の構成を概略的に示した断面図である。 FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing the configuration of a radiative cooler (hereinafter referred to as "third radiative cooler") 300 according to still another embodiment of the present invention.

図３に示すように、第３の放射冷却体３００は、前述の第１の放射冷却体１００と同様の構成を有する。ただし、第３の放射冷却体３００は、さらに、透明基体３５０を有する点で、前述の第１の放射冷却体１００とは異なっている。 As shown in FIG. 3, the third radiative cooler 300 has the same configuration as the first radiative cooler 100 described above. However, the third radiative cooler 300 differs from the first radiative cooler 100 in that it further has a transparent substrate 350 .

具体的には、第３の放射冷却体３００は、第１の表面３５２および第２の表面３５４を有する透明基体３５０を有する。また、第３の放射冷却体３００は、透明基体３５０の第１の表面３５２の側に、第１の熱放射層３３０および第２の熱放射層３４０を有し、透明基体３５０の第２の表面３５４の側に、赤外線反射層３２０を有する。 Specifically, the third radiative cooling body 300 has a transparent substrate 350 having a first surface 352 and a second surface 354 . Also, the third radiation cooling body 300 has a first heat radiation layer 330 and a second heat radiation layer 340 on the side of the first surface 352 of the transparent substrate 350, It has an infrared reflective layer 320 on the surface 354 side.

第３の放射冷却体３００が窓ガラスなどに適用される場合、または第３の放射冷却体３００自体が窓ガラスとして利用される場合、第３の放射冷却体３００は、第２の熱放射層３４０の側が外側３０２となり、赤外線反射層３２０の側が内側３０４となるようにして、使用される。 When the third radiative cooling body 300 is applied to a windowpane or the like, or when the third radiative cooling body 300 itself is used as a windowpane, the third radiative cooling body 300 is a second thermal radiation layer. It is used with the 340 side being the outside 302 and the infrared reflective layer 320 side being the inside 304 .

このような構成を有する第３の放射冷却体３００においても、前述の第１の放射冷却体１００と同様の効果を得ることができる。すなわち、第３の放射冷却体３００では、第１の熱放射層３３０および第２の熱放射層３４０により、熱が外側３０２に向かって効果的に放射される。従って、第３の放射冷却体３００では、従来に比べて、内側３０４における冷却効果をより高めることができる。 With the third radiative cooler 300 having such a configuration, the same effects as those of the first radiative cooler 100 can be obtained. That is, in the third radiative cooling body 300 , heat is effectively radiated toward the outside 302 by the first heat radiation layer 330 and the second heat radiation layer 340 . Therefore, in the third radiative cooling body 300, the cooling effect on the inner side 304 can be enhanced more than in the conventional case.

（放射冷却体を構成する各部材の詳細）
次に、本発明の一実施形態による放射冷却体を構成する各部材について、より詳しく説明する。 (Details of each member that constitutes the radiative cooling body)
Next, each member constituting the radiative cooling body according to one embodiment of the present invention will be described in more detail.

なお、ここでは、明確化のため、図３に示した第３の放射冷却体３００を例に、その構成部材について説明する。従って、各部材を表す際には、図３において使用された参照符号を使用する。ただし、以下に示す記載の少なくとも一部が、図１に示した第１の放射冷却体１００、および図２に示した第２の放射冷却体２００にも適用可能であることは、当業者には明らかである。 Here, for the sake of clarity, the constituent members will be described by taking the third radiative cooling body 300 shown in FIG. 3 as an example. Accordingly, the reference numerals used in FIG. 3 will be used when representing each member. However, it will be appreciated by those skilled in the art that at least part of the description presented below is also applicable to the first radiative cooling body 100 shown in FIG. 1 and the second radiative cooling body 200 shown in FIG. is clear.

（透明基体３５０）
透明基体３５０を構成する材料は、透明である限り、特に限られない。 (Transparent substrate 350)
A material constituting the transparent substrate 350 is not particularly limited as long as it is transparent.

透明基体３５０は、例えば、プラスチックまたはガラスで構成されてもよい。ガラスは、着色されていても、されていなくてもよい。 The transparent substrate 350 may be composed of plastic or glass, for example. The glass may or may not be tinted.

透明基体３５０がガラスの場合、ガラスは、例えば、アルミノシリケートガラス、ソーダライムガラス、ホウ珪酸ガラス、またはアルミノホウ珪酸ガラス等であってもよい。 When the transparent substrate 350 is glass, the glass may be, for example, aluminosilicate glass, soda lime glass, borosilicate glass, aluminoborosilicate glass, or the like.

ガラス基板の厚さは、特に制限はないが、例えば、０．５ｍｍ以上または１ｍｍ以上であってもよい。ガラス基板の厚さは、３０ｍｍ以下、２０ｍｍ以下、または１０ｍｍ以下であってもよい。 The thickness of the glass substrate is not particularly limited, but may be, for example, 0.5 mm or more or 1 mm or more. The thickness of the glass substrate may be 30 mm or less, 20 mm or less, or 10 mm or less.

透明基体３５０がアルミノシリケートガラスの場合、化学強化処理により強度を向上させてもよい。この場合、透明基体３５０の厚さは、通常５ｍｍ以下が好ましく、３ｍｍ以下がより好ましい。 If the transparent substrate 350 is made of aluminosilicate glass, the strength may be improved by chemical strengthening treatment. In this case, the thickness of the transparent substrate 350 is preferably 5 mm or less, more preferably 3 mm or less.

透明基体がソーダライムガラスの場合、物理強化処理により強度を向上させてもよい。 When the transparent substrate is soda-lime glass, the strength may be improved by physical strengthening treatment.

透明基体３５０がフィルムの場合、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を用いることができる。樹脂としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース系樹脂、アクリル樹脂、ＡＳ（アクリロニトリル－スチレン）樹脂、ＡＢＳ（アクリロニトリル－ブタジエン－スチレン）樹脂、フッ素系樹脂、熱可塑性エラストマー、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリ乳酸系樹脂、環状ポリオレフィン樹脂、およびポリフェニレンサルファイド樹脂等が挙げられる。これらの樹脂は、１種単独で用いられても、２種以上が併用されてもよい。 If the transparent substrate 350 is a film, a thermoplastic resin or a thermosetting resin can be used. Examples of resins include polyvinyl chloride resin, polyethylene resin, polypropylene resin, polystyrene resin, polyvinyl acetate resin, polyester resin, polyurethane resin, cellulose resin, acrylic resin, AS (acrylonitrile-styrene) resin, ABS (acrylonitrile- butadiene-styrene) resin, fluorine resin, thermoplastic elastomer, polyamide resin, polyimide resin, polyacetal resin, polycarbonate resin, modified polyphenylene ether resin, polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polylactic acid resin, cyclic polyolefin resin, and polyphenylene sulfide resin and the like. These resins may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be used together.

フィルムの厚さは特に制限されないが、２０～３００μｍが好ましく、４０～１５０μｍがより好ましい。 Although the thickness of the film is not particularly limited, it is preferably 20-300 μm, more preferably 40-150 μm.

透明基体３５０としてフィルムを用いる場合、透明基体３５０の一方または両方の主面上にハードコート層（図示なし）を設置してもよい。 When a film is used as the transparent substrate 350 , a hard coat layer (not shown) may be provided on one or both main surfaces of the transparent substrate 350 .

（第１の熱放射層３３０）
第１の熱放射層３３０の材料は、波長８μｍ～１３μｍの領域に、５０%以上の吸収ピークを有する限り、特に限られない。吸収ピークは、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましい。 (First thermal radiation layer 330)
The material of the first thermal emission layer 330 is not particularly limited as long as it has an absorption peak of 50% or more in the wavelength range of 8 μm to 13 μm. The absorption peak is preferably 70% or more, more preferably 80% or more.

第１の熱放射層３３０は、例えば、シリカ微粒子を含む樹脂で構成されてもよい。シリカ微粒子を含む樹脂で構成された第１の熱放射層３３０は、しばしば、波長約８～１３μｍの位置に５０％以上の吸収ピークを有するように調整することができる。また、粒径分布に応じて、吸収ピークの位置、強度および幅を調整することができる。 The first thermal emission layer 330 may be made of, for example, a resin containing silica fine particles. The first heat emitting layer 330, which is made of a resin containing fine silica particles, can often be adjusted to have an absorption peak of 50% or more at a wavelength of about 8-13 μm. Also, the position, intensity and width of the absorption peak can be adjusted according to the particle size distribution.

なお、第１の熱放射層３３０に含まれるシリカ微粒子は、平均粒径が３μｍ～５０μｍの範囲であり、１０μｍ～４０μｍの範囲であることが好ましく、１５μｍ～３０μｍの範囲にあることがより好ましい。この範囲にすることにより、吸収ピークの大きさを維持しながら、吸収ピークが波長約８～１３μｍの範囲に吸収帯を有するように調整できる。 The silica fine particles contained in the first thermal emission layer 330 have an average particle diameter in the range of 3 μm to 50 μm, preferably in the range of 10 μm to 40 μm, and more preferably in the range of 15 μm to 30 μm. . This range allows adjustment so that the absorption peak has an absorption band in the wavelength range of about 8 to 13 μm while maintaining the magnitude of the absorption peak.

第１の熱放射層３３０に含まれるシリカ微粒子の含有量は、例えば、２０％～７５％の範囲である。ここで含有量とは、シリカ微粒子以外の樹脂（後述する樹脂マトリクス）とシリカ微粒子の体積比率である。シリカ粒子のみ場合には、顕微鏡での観察で得られる、粒子の被覆率を意味する。 The content of silica fine particles contained in the first thermal radiation layer 330 is, for example, in the range of 20% to 75%. Here, the content is the volume ratio of resin other than silica fine particles (resin matrix described later) and silica fine particles. In the case of only silica particles, it means the particle coverage obtained by microscopic observation.

また、シリカ微粒子を分散させる樹脂マトリクスとしては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ＰＭＭＡおよびフッ素樹脂などが使用できる。 As the resin matrix for dispersing the silica fine particles, for example, polyethylene, polypropylene, PMMA, fluororesin and the like can be used.

第１の熱放射層３３０の厚さは、例えば、５μｍ～１００μｍの範囲であり、１０μｍ～７０μｍの範囲であることが好ましい。 The thickness of the first heat emitting layer 330 is, for example, in the range of 5 μm to 100 μm, preferably in the range of 10 μm to 70 μm.

なお、第１の熱放射層３３０は、後述する第２の熱放射層３４０とは異なる材料を含む。 Note that the first heat emitting layer 330 includes a material different from that of the second heat emitting layer 340, which will be described later.

（第２の熱放射層３４０）
第２の熱放射層３４０の材料は、波長７μｍ～１０μｍの領域に、５０%以上の吸収ピークを有する限り、特に限られない。吸収ピークは、７０％以上が好ましく、８０％以上がより好ましい。なお、第２の熱放射層３４０は、第１の熱放射層３３０とは異なる材料で構成される。 (Second thermal radiation layer 340)
The material of the second thermal emission layer 340 is not particularly limited as long as it has an absorption peak of 50% or more in the wavelength range of 7 μm to 10 μm. The absorption peak is preferably 70% or more, more preferably 80% or more. Note that the second heat emitting layer 340 is made of a material different from that of the first heat emitting layer 330 .

第２の熱放射層３４０は、含フッ素化合物を含む樹脂で構成されることが好ましい。この場合、第２の熱放射層３４０は、環境に対する保護層としても機能するため、第３の放射冷却体３００の耐候性を高めることが可能となる。また、含フッ素化合物を含む樹脂の場合、Ｃ－Ｆ結合に起因する吸収ピークを使用することにより、波長７μｍ～１０μｍの領域において、容易に吸収ピークを調整することができる。含フッ素化合物として、２種以上の化合物を混合してもよい。 The second heat emitting layer 340 is preferably made of a resin containing a fluorine-containing compound. In this case, the second thermal radiation layer 340 also functions as a protective layer against the environment, so the weather resistance of the third radiation cooling body 300 can be enhanced. In addition, in the case of a resin containing a fluorine-containing compound, the absorption peak due to the C—F bond can be used to easily adjust the absorption peak in the wavelength range of 7 μm to 10 μm. As the fluorine-containing compound, two or more compounds may be mixed.

第２の熱放射層３４０を形成する材料は、予めフィルムを製造して積層してもよく、第１の熱放射層３３０にコーティングしてもよい。コーティングはウェットコーティングでもドライコーティングでもよく、コーティングした後に加熱および／または加湿して硬化または固化してもよい。 The material forming the second heat emitting layer 340 may be pre-manufactured and laminated as a film, or may be coated on the first heat emitting layer 330 . The coating may be wet or dry, and may be cured or solidified by heating and/or moistening after coating.

含フッ素化合物としては、例えば、以下の（Ａ１）～（Ａ６）が挙げられる：
含フッ素化合物（Ａ１）：フルオロオレフィンに由来する単位（以下、「フルオロオレフィン単位」とも記す。）を有する含フッ素重合体、
含フッ素化合物（Ａ２）：芳香環を有する含フッ素重合体、
含フッ素化合物（Ａ３）：フルオロポリエーテル鎖と反応性シリル基とが連結基を介して結合する含フッ素化合物、
含フッ素化合物（Ａ４）：主鎖に脂肪族環を有する含フッ素重合体、
含フッ素化合物（Ａ５）：フッ素ゴム、および
含フッ素化合物（Ａ６）：側鎖にフルオロアルキル基を有する含フッ素重合体。 Examples of fluorine-containing compounds include the following (A1) to (A6):
fluorine-containing compound (A1): a fluorine-containing polymer having a unit derived from a fluoroolefin (hereinafter also referred to as a "fluoroolefin unit");
fluorine-containing compound (A2): a fluorine-containing polymer having an aromatic ring,
fluorine-containing compound (A3): a fluorine-containing compound in which a fluoropolyether chain and a reactive silyl group are bonded via a linking group;
fluorine-containing compound (A4): a fluorine-containing polymer having an aliphatic ring in its main chain,
Fluorine-containing compound (A5): fluorine-containing rubber, and fluorine-containing compound (A6): a fluorine-containing polymer having a fluoroalkyl group in a side chain.

以下、各含フッ素化合物について説明する。 Each fluorine-containing compound is described below.

≪含フッ素化合物（Ａ１）≫
含フッ素化合物（Ａ１）としては、フルオロオレフィン単位を含む共重合体が挙げられる。該共重合体としては、例えば、フルオロオレフィン単位とビニルアルコール単位とを有する含フッ素重合体（Ａ１１）、フルオロオレフィン単位とビニルエーテル単位とを有する含フッ素重合体（Ａ１２）、フルオロオレフィン単位と陽イオン交換基を有する単位とを有する含フッ素重合体（Ａ１３）、カルボン酸アルキルエステル基（例えばＣＯＯＣＨ３基）を有する硬化性含フッ素重合体（Ａ１４）が挙げられる。 <<Fluorine-containing compound (A1)>>
Examples of the fluorine-containing compound (A1) include copolymers containing fluoroolefin units. Examples of the copolymer include a fluoropolymer (A11) having a fluoroolefin unit and a vinyl alcohol unit, a fluoropolymer (A12) having a fluoroolefin unit and a vinyl ether unit, a fluoroolefin unit and a cation a fluoropolymer (A13) having a unit having an exchange group, and a curable fluoropolymer (A14) having a carboxylic acid alkyl ester group (eg, COOCH 3 group).

含フッ素重合体（Ａ１２）の市販品としては、例えば、ルミフロン（登録商標、ＡＧＣ社製）が挙げられる。含フッ素重合体（Ａ１３）の市販品としては、例えば、フレミオン（登録商標、ＡＧＣ社製）が挙げられる。含フッ素重合体（Ａ１４）としては、例えば国際公開第２０１５／０９８７７３号記載の重合体が挙げられる。 Commercially available products of the fluoropolymer (A12) include, for example, Lumiflon (registered trademark, manufactured by AGC). Commercially available products of the fluoropolymer (A13) include, for example, Flemion (registered trademark, manufactured by AGC). Examples of the fluoropolymer (A14) include polymers described in International Publication No. 2015/098773.

含フッ素化合物（Ａ１）としては、含フッ素重合体（Ａ１１）～（Ａ１４）以外の含フッ素重合体（Ａ１５）を用いてもよい。含フッ素重合体（Ａ１５）としては、例えば、ＰＦＡ、ＦＥＰ、ＥＰＡ、ＥＴＦＥ、ＰＶＤＦ、ＰＶＦ、ＰＣＴＦＥ、ＥＣＴＦＥが挙げられる。
≪含フッ素化合物（Ａ２）≫
含フッ素化合物（Ａ２）としては、架橋性官能基および芳香環を有する含フッ素重合体（Ａ２１）が好ましい。架橋性官能基を有する含フッ素重合体（Ａ２１）は、外部エネルギーにより架橋性官能基がラジカル反応することで、重合、架橋、鎖延長等の反応を起こす。 架橋性官能基としては、ビニル基、エチニル基が特に好ましい。 As the fluorine-containing compound (A1), a fluorine-containing polymer (A15) other than the fluorine-containing polymers (A11) to (A14) may be used. Examples of the fluoropolymer (A15) include PFA, FEP, EPA, ETFE, PVDF, PVF, PCTFE and ECTFE.
<<Fluorine-containing compound (A2)>>
The fluorine-containing compound (A2) is preferably a fluorine-containing polymer (A21) having a crosslinkable functional group and an aromatic ring. The fluorine-containing polymer (A21) having a crosslinkable functional group undergoes a radical reaction of the crosslinkable functional group by external energy, thereby causing reactions such as polymerization, crosslinking, and chain extension. A vinyl group and an ethynyl group are particularly preferable as the crosslinkable functional group.

含フッ素化合物（Ａ２）の具体例としては、例えば、含フッ素芳香族化合物（ペルフルオロ（１，３，５－トリフェニルベンゼン）、ペルフルオロビフェニル等）と、フェノール系化合物（１，３，５－トリヒドロキシベンゼン、１，１，１－トリス（４－ヒドロキシフェニル）エタン等）と、架橋性官能基含有芳香族化合物（ペンタフルオロスチレン、アセトキシスチレン、クロルメチルスチレン、ペンタフルオロフェニルアセチレン等）とを、脱ハロゲン化水素剤（炭酸カリウム等）の存在下で反応させて得られる重合体が挙げられる。
≪含フッ素化合物（Ａ３）≫
含フッ素化合物（Ａ３）の市販品としては、例えば、ＫＹ－１００シリーズ（信越化学工業社製。ＫＹ－１７８、ＫＹ－１８５、ＫＹ－１９５、ＫＹ－１９００等）、Ａｆｌｕｉｄ（登録商標）Ｓ５５０（ＡＧＣ社製）、オプツール（登録商標）ＤＳＸ、ＡＥＳ、ＵＦ５０３、ＵＤ５０９（ダイキン工業社製）が挙げられる。 Specific examples of the fluorine-containing compound (A2) include fluorine-containing aromatic compounds (perfluoro(1,3,5-triphenylbenzene), perfluorobiphenyl, etc.) and phenolic compounds (1,3,5-triphenylbenzene). hydroxybenzene, 1,1,1-tris(4-hydroxyphenyl)ethane, etc.) and a crosslinkable functional group-containing aromatic compound (pentafluorostyrene, acetoxystyrene, chloromethylstyrene, pentafluorophenylacetylene, etc.), Polymers obtained by reaction in the presence of a dehydrohalogenating agent (such as potassium carbonate) can be mentioned.
<<Fluorine-containing compound (A3)>>
Commercial products of the fluorine-containing compound (A3) include, for example, KY-100 series (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. KY-178, KY-185, KY-195, KY-1900, etc.), Afluid (registered trademark) S550 ( AGC), OPTOOL (registered trademark) DSX, AES, UF503, and UD509 (manufactured by Daikin Industries, Ltd.).

≪含フッ素化合物（Ａ４）≫
含フッ素化合物（Ａ４）としては、例えば、環状含フッ素単量体に由来する単位を有する重合体、 ジエン系含フッ素単量体の環化重合により形成される単位を有する重合体が挙げられる。 <<Fluorine-containing compound (A4)>>
Examples of the fluorine-containing compound (A4) include polymers having units derived from cyclic fluorine-containing monomers and polymers having units formed by cyclic polymerization of diene-based fluorine-containing monomers.

含フッ素化合物（Ａ４）の市販品としては、例えば、サイトップ（登録商標、ＡＧＣ社製）、テフロン（登録商標）ＡＦ（ＤｕＰｏｎｔ社製）、Ｈｙｆｌｏｎ（登録商標）ＡＤ（Ｓｏｌｖａｙ社製）が挙げられる。 Examples of commercially available fluorine-containing compounds (A4) include Cytop (registered trademark, manufactured by AGC), Teflon (registered trademark) AF (manufactured by DuPont), and Hyflon (registered trademark) AD (manufactured by Solvay). be done.

≪含フッ素化合物（Ａ５）≫
フッ素ゴムとしては、例えば、ビニリデンフルオリド（ＶＤＦ）を主成分とするビニリデンフルオリド系フッ素ゴム、プロピレン－テトラフルオロエチレン系フッ素ゴム、テトラフルオロエチレン－ペルフルオロアルキルビニルエーテル系フッ素ゴム等が挙げられる。 <<Fluorine-containing compound (A5)>>
Examples of fluororubbers include vinylidene fluoride-based fluororubbers containing vinylidene fluoride (VDF) as a main component, propylene-tetrafluoroethylene-based fluororubbers, and tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether-based fluororubbers.

ビニリデンフルオリド系フッ素ゴムとしては、例えば、ＶＤＦ－ヘキサフルオロプロピレン（ＨＦＰ）系、ＶＤＦ－ペンタフルオロプロピレン（ＰＦＰ）系、ＶＤＦ－クロロトリフルオロエチレン（ＣＴＦＥ）系等の２成分系；ＶＤＦ－ＨＦＰ－テトラフルオロエチレン（ＴＦＥ）系、ＶＤＦ－ＰＦＰ－ＴＦＥ系、ＶＤＦ－ペルフルオロメチルビニルエーテル（ＰＦＭＶＥ）－ＴＦＥ系等の３成分系等が挙げられる。 Examples of vinylidene fluoride-based fluororubbers include two-component systems such as VDF-hexafluoropropylene (HFP), VDF-pentafluoropropylene (PFP), and VDF-chlorotrifluoroethylene (CTFE); VDF-HFP -tetrafluoroethylene (TFE) system, VDF-PFP-TFE system, VDF-perfluoromethyl vinyl ether (PFMVE)-TFE system, and the like.

プロピレン（ＰＰ）－テトラフルオロエチレン系フッ素ゴムとしては、例えば、ＰＰ－ＴＦＥ系等の２成分系、ＰＰ－ＨＦＰ－ＴＦＥ等の３成分系等が挙げられる。
テトラフルオロエチレン－ペルフルオロアルキルビニルエーテル系フッ素ゴムとしては、例えば、ＴＦＥ－ＨＦＰ等の２成分系、ＴＦＥ－ＨＦＰ－ＶＤＦ等の３成分系等が挙げられる。 Examples of the propylene (PP)-tetrafluoroethylene-based fluororubber include two-component systems such as PP-TFE and three-component systems such as PP-HFP-TFE.
Examples of the tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether type fluororubber include two-component systems such as TFE-HFP and three-component systems such as TFE-HFP-VDF.

≪含フッ素化合物（Ａ６）≫
側鎖にフルオロアルキル基を有する含フッ素重合体は、側鎖にフルオロアルキル基を有する単量体単位とそれ以外の単量体単位とを含む共重合体が挙げられる。側鎖にフルオロアルキル基を有する単量体としては、Ｃ６ＦＭＡ、Ｃ６ＦＡ、Ｃ４ＦＭＡ、Ｃ４ＦＡ等が挙げられる。含フッ素化合物（Ａ６）としては、国際公開第２０１６／１２５７９５号記載の重合体が挙げられる。含フッ素化合物（Ａ６）の市販品としては、例えば、ＡｓａｈｉＧｕａｒｄ Ｅ－ＳＥＲＩＥＳ（登録商標、ＡＧＣ社製）等が挙げられる。 <<Fluorine-containing compound (A6)>>
Examples of the fluorine-containing polymer having a fluoroalkyl group in its side chain include copolymers containing a monomer unit having a fluoroalkyl group in its side chain and other monomer units. Monomers having a fluoroalkyl group in the side chain include C6FMA, C6FA, C4FMA, C4FA and the like. Examples of the fluorine-containing compound (A6) include polymers described in International Publication No. 2016/125795. Examples of commercial products of the fluorine-containing compound (A6) include AsahiGuard E-SERIES (registered trademark, manufactured by AGC).

第２の熱放射層３４０は、その性能を損なわない範囲で含フッ素化合物以外の化合物を含んでいてもよい。含フッ素化合物以外の化合物としては、有機化合物でも無機化合物でもよく、例えば、顔料、染料、紫外線カット剤、赤外線カット剤、を含んでいてもよい。含フッ素化合物以外の化合物を含む場合、第２の熱放射層３４０中の含フッ素化合物の含有量は６０質量％以上が好ましく、７０質量％以上がより好ましく、８０質量％以上が特に好ましい。
第２の熱放射層３４０の厚さは、例えば、１ｎｍ～２００μｍの範囲であり、５μｍ～１５０μｍの範囲であることが好ましい。 The second thermal emission layer 340 may contain compounds other than the fluorine-containing compound within a range that does not impair its performance. The compound other than the fluorine-containing compound may be either an organic compound or an inorganic compound, and may contain, for example, a pigment, a dye, an ultraviolet cut agent, or an infrared cut agent. When a compound other than a fluorine-containing compound is contained, the content of the fluorine-containing compound in the second thermal radiation layer 340 is preferably 60% by mass or more, more preferably 70% by mass or more, and particularly preferably 80% by mass or more.
The thickness of the second heat emitting layer 340 is, for example, in the range of 1 nm to 200 μm, preferably in the range of 5 μm to 150 μm.

また、後述するように、第１の熱放射層３３０と第２の熱放射層３４０を層分離により形成する場合、第１の熱放射層３３０の厚さと第２の熱放射層３４０の厚さの和は、１０μｍ～３００μｍの範囲であることが好ましく、２０μｍ～１５０μｍであることがより好ましい。また、第２の熱放射層３４０の厚さは、０．０５μｍ～２μｍの範囲が好ましい。 Further, as will be described later, when the first heat emitting layer 330 and the second heat emitting layer 340 are formed by layer separation, the thickness of the first heat emitting layer 330 and the thickness of the second heat emitting layer 340 is preferably in the range of 10 μm to 300 μm, more preferably in the range of 20 μm to 150 μm. Also, the thickness of the second thermal emission layer 340 is preferably in the range of 0.05 μm to 2 μm.

第２の熱放射層３４０は、実質的にシリカ微粒子を含有しないほうが好ましい。従来技術（例えば特許文献１に記載の技術）のように、シリカ微粒子層だけで放射冷却を行う場合、シリカ微粒子層が厚くなる傾向がある。このため、高熱放射と低ヘイズとの両立は難しい。 It is preferable that the second thermal emission layer 340 does not substantially contain silica fine particles. When radiation cooling is performed only with a silica fine particle layer as in the conventional technology (for example, the technology described in Patent Document 1), the silica fine particle layer tends to be thick. Therefore, it is difficult to achieve both high heat radiation and low haze.

一方、本発明の一態様では、実質的にシリカ微粒子を含有しない第２の熱放射層３４０を用いることにより、低ヘイズと高熱放射を高度に両立することが可能となる。 On the other hand, in one aspect of the present invention, by using the second thermal radiation layer 340 that does not substantially contain silica fine particles, it is possible to achieve both low haze and high thermal radiation to a high degree.

第１の熱放射層および第２の熱放射層は、それぞれにおいて、１μｍから７μｍまでの範囲の少なくとも一部で、吸収率は５０％未満となることが好ましく、３０％未満となることがより好ましく、１０％未満となることがさらに好ましい。また、吸収率が５０％未満の領域は、１μｍ～７μｍの波長範囲の１／３以上の範囲を占めることが好ましく、１／５以上の範囲を占めることがより好ましい。さらに、４μｍ～６μｍの波長範囲では、５０％未満の吸収率であることが好ましく、４０％未満の吸収率であることがより好ましい。 Each of the first heat emitting layer and the second heat emitting layer preferably has an absorptivity of less than 50%, more preferably less than 30%, in at least part of the range from 1 μm to 7 μm. Preferably, it is more preferably less than 10%. Moreover, the region where the absorptivity is less than 50% preferably occupies ⅓ or more of the wavelength range of 1 μm to 7 μm, and more preferably occupies ⅕ or more. Furthermore, in the wavelength range of 4 μm to 6 μm, the absorption is preferably less than 50%, more preferably less than 40%.

このようにすることで、大気からの熱放射を吸収することを抑制でき、結果として熱放射層の温度上昇を抑制できる。 By doing so, it is possible to suppress the absorption of thermal radiation from the atmosphere, and as a result, it is possible to suppress the temperature rise of the thermal radiation layer.

（赤外線反射層３２０）
赤外線反射層３２０は、波長７μｍ～１３μｍの範囲において、８０％以上の平均反射率を有する限り、その構成は特に限られない。 (Infrared reflecting layer 320)
The configuration of the infrared reflective layer 320 is not particularly limited as long as it has an average reflectance of 80% or more in the wavelength range of 7 μm to 13 μm.

赤外線反射層３２０は、例えば、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）または銀を含んでもよい。 Infrared reflective layer 320 may include, for example, ITO (indium tin oxide) or silver.

赤外線反射層３２０がＩＴＯを含む場合、赤外線反射層３２０は単層であってもよい。 When the infrared reflective layer 320 contains ITO, the infrared reflective layer 320 may be a single layer.

また、赤外線反射層３２０が銀を含む場合、赤外線反射層３２０は単層または複数の層で構成されてもよい。例えば、赤外線反射層３２０は、銀層が上下の酸化亜鉛層で挟まれた、３層構造を有してもよい。 Also, when the infrared reflective layer 320 contains silver, the infrared reflective layer 320 may be composed of a single layer or multiple layers. For example, infrared reflective layer 320 may have a three-layer structure in which a silver layer is sandwiched between zinc oxide layers above and below.

赤外線反射層３２０の厚さ（複層の場合、合計厚さ）は、例えば、０．０５μｍ～２μｍの範囲であり、０．１μｍ～０．５μｍの範囲であることが好ましい。 The thickness of the infrared reflective layer 320 (in the case of multiple layers, the total thickness) is, for example, in the range of 0.05 μm to 2 μm, preferably in the range of 0.1 μm to 0.5 μm.

（第３の放射冷却体３００）
第３の放射冷却体３００は、外側３０２（第２の熱放射層３４０の側）から内側３０４（赤外線反射層３２０）に向かって測定した際に、８０％以上の可視光平均透過率を有する。 (Third radiative cooling body 300)
The third radiative cooling body 300 has an average visible light transmittance of 80% or more when measured from the outside 302 (second heat emitting layer 340 side) toward the inside 304 (infrared reflecting layer 320). .

また、第３の放射冷却体３００は、外側３０２（第２の熱放射層３４０の側）から内側３０４（赤外線反射層３２０）に向かって測定した際に、１０％以下のヘイズを有する。ヘイズは、５％以下であることが好ましく、２％以下がより好ましい。 In addition, the third radiative cooling body 300 has a haze of 10% or less when measured from the outside 302 (second heat emitting layer 340 side) toward the inside 304 (infrared reflecting layer 320). The haze is preferably 5% or less, more preferably 2% or less.

（放射冷却体の製造方法）
次に、前述のような特徴を有する本発明の一実施形態による放射冷却体の製造方法の一例について説明する。 (Manufacturing method of radiation cooling body)
Next, an example of a method of manufacturing a radiative cooling body according to an embodiment of the present invention having the features described above will be described.

なお、ここでは、図３に示した第３の放射冷却体３００を例に、その製造方法について説明する。従って、各構成部材を表す際には、図３に示した参照符号を使用する。ただし、以下に示す製造方法の少なくとも一部が、図１に示した第１の放射冷却体１００、および図２に示した第２の放射冷却体２００の製造方法にも適用可能であることは、当業者には明らかである。 Here, the method of manufacturing the third radiative cooling body 300 shown in FIG. 3 will be described as an example. Therefore, the reference numerals shown in FIG. 3 are used to represent each component. However, it should be noted that at least part of the manufacturing method described below is also applicable to the method of manufacturing the first radiative cooling body 100 shown in FIG. 1 and the second radiative cooling body 200 shown in FIG. , will be clear to those skilled in the art.

図４には、本発明の一実施形態による放射冷却体の製造方法（以下、「第１の製造方法」と称する）のフローを模式的に示す。図４に示すように、第１の製造方法は、
透明基体の一方の表面に、赤外線反射層を設置する工程（工程Ｓ１１０）と、
透明基体の反対の表面に、第１の熱放射層を設置する工程（工程Ｓ１２０）と、
第１の熱放射層の上に、第２の熱放射層を設置する工程（工程Ｓ１３０）と、
を有する。以下、各工程について説明する。 FIG. 4 schematically shows the flow of a method for manufacturing a radiative cooling body according to an embodiment of the present invention (hereinafter referred to as "first manufacturing method"). As shown in FIG. 4, the first manufacturing method includes:
A step of providing an infrared reflective layer on one surface of the transparent substrate (step S110);
depositing a first thermal emissive layer on the opposite surface of the transparent substrate (step S120);
placing a second thermal emission layer on the first thermal emission layer (step S130);
have Each step will be described below.

（工程Ｓ１１０）
まず、透明基体３５０が準備される。透明基体３５０は、例えば、ガラスであってもよい。 (Step S110)
First, a transparent substrate 350 is prepared. Transparent substrate 350 may be, for example, glass.

次に、透明基体３５０の一方の表面（第２の表面３５４）に、赤外線反射層３２０が設置される。 Next, an infrared reflective layer 320 is placed on one surface (second surface 354) of the transparent substrate 350. As shown in FIG.

赤外線反射層３２０の設置方法は、特に限られず、例えば、蒸着法、物理的気相成膜法（ＰＶＤ）、および化学的気相成膜法（ＣＶＤ）、湿式法などの一般的な成膜方法が利用されてもよい。 The method for installing the infrared reflective layer 320 is not particularly limited. A method may be used.

なお、赤外線反射層３２０の設置後に、ベーキング処理が実施されてもよい。 A baking process may be performed after the infrared reflective layer 320 is provided.

ベーキング処理は、例えば、赤外線反射層３２０を１００℃～４００℃の温度に加熱することにより実施される。ベーキング時間は、材質および温度によっても変化するが、例えば、３０分～２時間の範囲である。 The baking process is performed, for example, by heating the infrared reflective layer 320 to a temperature of 100.degree. C. to 400.degree. The baking time varies depending on the material and temperature, but is in the range of 30 minutes to 2 hours, for example.

（工程Ｓ１２０）
次に、透明基体３５０の反対の表面（第１の表面３５２）に、第１の熱放射層３３０が設置される。 (Step S120)
Next, on the opposite surface (first surface 352) of the transparent substrate 350, the first heat emitting layer 330 is applied.

前述のように、第１の熱放射層３３０は、シリカ微粒子を含む樹脂で構成されてもよい。 As described above, the first heat emitting layer 330 may be made of resin containing silica particles.

第１の熱放射層３３０の設置方法は、特に限られず、例えば、スピンコーティング法、バーコード法、キャスト法、またはディップ法などの一般的な塗工方法が利用されてもよい。 The method of installing the first heat emitting layer 330 is not particularly limited, and for example, a general coating method such as spin coating, barcode method, casting method, or dipping method may be used.

なお、例えば、第１の熱放射層３３０をシリカ微粒子を含む樹脂で構成する場合、シリカ微粒子および樹脂を分散または溶解させた塗工液（以下、「第１の塗工液」と称する）を調製し、第１の塗工液を透明基体３５０上に塗工して、塗工膜（以下、「第１の塗工膜」と称する）を形成してもよい。 For example, when the first thermal radiation layer 330 is made of resin containing silica fine particles, a coating liquid (hereinafter referred to as "first coating liquid") in which silica fine particles and resin are dispersed or dissolved is used. A first coating liquid may be prepared and coated on the transparent substrate 350 to form a coating film (hereinafter referred to as “first coating film”).

第１の塗工液は、樹脂として、ポリエチレン、ポリメタクリレート、および／またはフルオロエチレンビニルエーテルを含み、溶媒として、テトラヒドロフラン、キシレン、ハイドロフルオロカーボン、および／または水を含んでもよい。 The first coating liquid may contain polyethylene, polymethacrylate, and/or fluoroethylene vinyl ether as the resin, and tetrahydrofuran, xylene, hydrofluorocarbon, and/or water as the solvent.

第１の塗工液に含まれるシリカ微粒子の量は、例えば、５ｖｏｌ％～５０ｖｏｌ％の範囲である。 The amount of silica fine particles contained in the first coating liquid is, for example, in the range of 5 vol % to 50 vol %.

次に、第１の塗工液は、十分に乾燥される。 Next, the first coating liquid is sufficiently dried.

その後、第１の塗工膜のベーキング処理（以下、「第１のベーキング処理」と称する）が実施されてもよい。 After that, baking treatment of the first coating film (hereinafter referred to as “first baking treatment”) may be performed.

第１のベーキング処理は、例えば、第１の塗工膜を４０℃～３００℃の温度に加熱することにより実施される。ベーキング時間は、材質および温度によっても変化するが、例えば、１分～３時間の範囲であり、５分～１時間の範囲であることが好ましい。 The first baking treatment is performed by heating the first coating film to a temperature of 40° C. to 300° C., for example. The baking time varies depending on the material and temperature, but is, for example, in the range of 1 minute to 3 hours, preferably in the range of 5 minutes to 1 hour.

なお、工程Ｓ１３０の後にベーキング処理を実施する場合、この段階での第１のベーキング処理は、省略されてもよい。 Note that when the baking process is performed after step S130, the first baking process at this stage may be omitted.

（工程Ｓ１３０）
次に、第１の熱放射層３３０の上に、第２の熱放射層３４０が設置される。 (Step S130)
A second heat emitting layer 340 is then placed over the first heat emitting layer 330 .

前述のように、第２の熱放射層３４０は、フッ素を含む樹脂で構成されることが好ましい。 As described above, the second heat emitting layer 340 is preferably made of resin containing fluorine.

第２の熱放射層３４０の設置方法は、特に限られず、例えば、スピンコーティング法、バーコード法、キャスト法、またはディップ法などの一般的な塗工方法が利用されてもよい。 The method of installing the second heat emitting layer 340 is not particularly limited, and for example, a general coating method such as spin coating, barcode method, cast method, or dip method may be used.

なお、例えば、第２の熱放射層３４０を、フッ素を含む樹脂で構成する場合、フッ素樹脂を分散または溶解させた塗工液（以下、「第２の塗工液」と称する）を調製し、第２の塗工液を第１の熱放射層３３０上に塗工して、塗工膜（以下、「第２の塗工膜」と称する）を形成してもよい。 For example, when the second thermal emission layer 340 is made of a fluorine-containing resin, a coating liquid (hereinafter referred to as "second coating liquid") in which the fluorine resin is dispersed or dissolved is prepared. , the second coating liquid may be applied onto the first thermal emission layer 330 to form a coating film (hereinafter referred to as a "second coating film").

第２の塗工液に含まれる溶媒は、特に限られない。溶媒として、例えば、ＴＨＦ、キシレン、フッ素系溶剤（例えばＡＫ－２２５、ＡＳ－３００、および／またはＡＣ－２０００、いずれもＡＧＣ株式会社製）等が使用されてもよい。 The solvent contained in the second coating liquid is not particularly limited. Examples of solvents that can be used include THF, xylene, fluorine-based solvents (eg, AK-225, AS-300, and/or AC-2000, all manufactured by AGC Corporation).

第２の塗工液に含まれるフッ素樹脂の濃度は、例えば、０．１質量％～６０質量％の範囲である。 The concentration of the fluororesin contained in the second coating liquid is, for example, in the range of 0.1% by mass to 60% by mass.

その後、第２の塗工膜のベーキング処理（以下、「第２のベーキング処理」と称する）が実施されてもよい。 After that, baking treatment of the second coating film (hereinafter referred to as “second baking treatment”) may be performed.

第２のベーキング処理は、例えば、第２の塗工膜を４０℃～２００℃の温度に加熱することにより実施される。ベーキング時間は、材質および温度によっても変化するが、例えば、１分～３時間の範囲であり、５分～１時間の範囲であることが好ましい。 The second baking treatment is performed, for example, by heating the second coating film to a temperature of 40.degree. C. to 200.degree. The baking time varies depending on the material and temperature, but is, for example, in the range of 1 minute to 3 hours, preferably in the range of 5 minutes to 1 hour.

以上の工程により、前述の図３に示したような第３の放射冷却体３００を製造することができる。 Through the above steps, the third radiative cooling body 300 as shown in FIG. 3 can be manufactured.

なお、以上の製造方法は、単なる一例であって、第３の放射冷却体３００は、別の製造方法により、製造されてもよい。 The above manufacturing method is merely an example, and the third radiative cooling body 300 may be manufactured by another manufacturing method.

例えば、第１の製造方法では、工程Ｓ１１０において、透明基体３５０の第２の表面３５４に赤外線反射層３２０が設置されてから、工程Ｓ１２０において、透明基体３５０の第１の表面３５２に第１の熱放射層３３０および第２の熱放射層３４０が設置される。 For example, in the first manufacturing method, in step S110, after the infrared reflective layer 320 is provided on the second surface 354 of the transparent substrate 350, in step S120, the first surface 352 of the transparent substrate 350 is coated with the first A heat emitting layer 330 and a second heat emitting layer 340 are provided.

しかしながら、これとは逆に、透明基体３５０の第１の表面３５２に第１の熱放射層３３０および第２の熱放射層３４０が設置されてから、透明基体３５０の第２の表面３５４に赤外線反射層３２０が設置されてもよい。 Conversely, however, after the first heat emitting layer 330 and the second heat emitting layer 340 are placed on the first surface 352 of the transparent substrate 350 , the infrared rays are applied to the second surface 354 of the transparent substrate 350 . A reflective layer 320 may be provided.

また、工程Ｓ１２０と工程Ｓ１３０は、同時に行ってもよい。 Moreover, step S120 and step S130 may be performed at the same time.

この方法として、例えば、第２の熱放射層に使用するフッ素樹脂用の原料粉と、第１の熱放射層に用いるシリカ微粒子の原料粉とを予め混合しておく方法が挙げられる。混合原料粉は、溶融状態で基体に塗布され、その後十分な時間高温に保持した後に冷却される。 As this method, for example, there is a method in which raw material powder for the fluororesin used for the second heat emitting layer and raw material powder for silica fine particles used for the first heat emitting layer are mixed in advance. The mixed raw material powder is applied to the substrate in a molten state, and then cooled after being held at a high temperature for a sufficient time.

フッ素樹脂は、表面エネルギーが低いため、フッ素樹脂用の原料粉は、シリカ微粒子の原料粉と相分離する。従って、最表層は、実質的にシリカ微粒子の存在しないフッ素樹脂層となり、第１および第２の熱放射層を効率的に形成することができる。またこの場合、第１の熱放射層は、フッ素樹脂マトリックス中にシリカ微粒子が分散された層となる。 Since the fluororesin has a low surface energy, the raw material powder for the fluororesin undergoes phase separation from the raw material powder for the silica fine particles. Therefore, the outermost layer becomes a fluororesin layer substantially free of silica fine particles, and the first and second thermal emission layers can be efficiently formed. In this case, the first thermal emission layer is a layer in which silica fine particles are dispersed in a fluororesin matrix.

また、工程Ｓ１２０および工程Ｓ１３０において、第２の熱放射層に第１の熱放射層を形成しておいてもよい。その後、これを、粘着剤等を用いて、工程Ｓ１１０で得られた赤外反射層付き基体と接着してもよい。この場合、既存の熱線反射ガラス等に、後から第１の熱放射層および第２の熱放射層を設置することが可能となる。 Further, in steps S120 and S130, the first heat emitting layer may be formed on the second heat emitting layer. Thereafter, this may be adhered to the substrate with the infrared reflective layer obtained in step S110 using an adhesive or the like. In this case, the first heat emitting layer and the second heat emitting layer can be installed later on the existing heat reflective glass or the like.

この他にも、各種変更が可能である。 In addition to this, various modifications are possible.

以下、本発明の実施例について説明する。ただし、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。 Examples of the present invention will be described below. However, the present invention is not limited to the following examples.

以下の記載において、例１～例４は、実施例であり、例１１および例１２は、比較例である。 In the following description, Examples 1-4 are examples, and Examples 11 and 12 are comparative examples.

（例１）
以下の方法で、前述の図２に示したような構成の放射冷却体を作製した。 (Example 1)
A radiative cooling body having a configuration as shown in FIG. 2 was produced by the following method.

透明基体として、厚さ２ｍｍのガラス基板（ＡＳガラス）を準備した。 A glass substrate (AS glass) having a thickness of 2 mm was prepared as a transparent substrate.

まず、このガラス基板の一方の表面（第２の表面）に赤外線反射層を成膜した。 First, an infrared reflective layer was formed on one surface (second surface) of this glass substrate.

次に、このガラス基板のもう一方の表面（第１の表面）に、第１の熱放射層、および第２の熱放射層を順次成膜した。 Next, a first thermal emission layer and a second thermal emission layer were sequentially formed on the other surface (first surface) of the glass substrate.

赤外線反射層は、酸化亜鉛層（目標厚さ３０ｎｍ）、銀層（目標厚さ１０ｎｍ）、および酸化亜鉛層（目標厚さ３０ｎｍ）をこの順に形成した複合層とし、スパッタリング法により形成した。 The infrared reflective layer was a composite layer in which a zinc oxide layer (target thickness of 30 nm), a silver layer (target thickness of 10 nm), and a zinc oxide layer (target thickness of 30 nm) were formed in this order, and was formed by a sputtering method.

（第１の熱放射層の形成）
第１の熱放射層は、以下のように形成した。 (Formation of first thermal emission layer)
The first heat emitting layer was formed as follows.

まず、第１の熱放射層用の第１の塗工液を調製した。 First, a first coating liquid for the first heat emitting layer was prepared.

第１の塗工液は、シリカ微粒子、樹脂、および溶媒を含む。樹脂には、ポリエチレンを使用した。シリカ微粒子の平均粒径は２０μｍとし、シリカ微粒子の含有量（被覆率）は、４０％とした。 The first coating liquid contains silica fine particles, a resin, and a solvent. Polyethylene was used as the resin. The average particle diameter of the silica fine particles was set to 20 μm, and the content (coverage) of the silica fine particles was set to 40%.

次に、第１の塗工液を用いて、スピンコーティング法により、第１の塗工膜を形成した。また、第１の塗工膜の乾燥処理後、第１のベーキング処理を行い、第１の熱放射層を形成した。第１のベーキング処理は、大気下、３００℃で２時間実施した。 Next, a first coating film was formed by a spin coating method using the first coating liquid. After the drying treatment of the first coating film, the first baking treatment was performed to form the first thermal radiation layer. A first baking treatment was performed at 300° C. for 2 hours in the atmosphere.

第１の熱放射層の厚さは、約５０μｍであった。 The thickness of the first heat emitting layer was about 50 μm.

（第２の熱放射層の形成）
第２の熱放射層は、以下のように形成した。 (Formation of second thermal emission layer)
The second heat emitting layer was formed as follows.

まず、第２の熱放射層用の第２の塗工液を調製した。 First, a second coating liquid for the second heat emitting layer was prepared.

第２の塗工液は、フッ素樹脂および溶媒を含む。フッ素樹脂には、ルミフロンＬＦ－７１０Ｆを使用した。フッ素樹脂の含有量は、２０ｗｔ％とし、溶媒にはＴＨＦを使用した。 The second coating liquid contains a fluororesin and a solvent. Lumiflon LF-710F was used as the fluororesin. The content of the fluororesin was 20 wt %, and THF was used as the solvent.

次に、第２の塗工液を用いて、バーコーターにより、第１の熱放射層の上に、第２の塗工膜を形成した。また、第２の塗工膜の乾燥処理後、第２のベーキング処理を行い、第２の熱放射層を形成した。第２のベーキング処理は、大気下、６０℃で３０分実施した。 Next, using the second coating liquid, a second coating film was formed on the first thermal radiation layer by a bar coater. After drying the second coating film, a second baking treatment was performed to form a second thermal emission layer. A second baking process was performed at 60° C. for 30 minutes in the atmosphere.

第２の熱放射層の厚さは、１００μｍである。 The thickness of the second heat emitting layer is 100 μm.

これにより、例１に係る放射冷却体（以下、「サンプル１」と称する）が作製された。 Thus, a radiative cooling body according to Example 1 (hereinafter referred to as "Sample 1") was produced.

（例２）
第１の熱放射層に使用するシリカ微粒子の平均粒径を１０μｍとした以外は、例１と同様の方法で、放射冷却体（以下、「サンプル２」と称する）を作製した。 (Example 2)
A radiative cooling body (hereinafter referred to as "Sample 2") was produced in the same manner as in Example 1, except that the average particle diameter of the silica particles used in the first thermal radiation layer was 10 µm.

（例３）
第２の熱放射層に使用するフッ素樹脂の厚みを１０μｍとした以外は、例１と同様の方法で、放射冷却体（以下、「サンプル３」と称する）を作製した。 (Example 3)
A radiative cooler (hereinafter referred to as "Sample 3") was produced in the same manner as in Example 1, except that the thickness of the fluororesin used for the second thermal radiation layer was 10 µm.

（例４）
例１と同様の方法により、放射冷却体を作製した。ただし、この例４では、赤外線反射層は、第１の熱放射層とガラス基板の間に配置した。すなわち、ガラス基板の第１の表面上に、赤外線反射層、第１の熱放射層、および第２の熱放射層を順次成膜した。 (Example 4)
A radiative cooling body was produced in the same manner as in Example 1. However, in this example 4, the infrared reflecting layer was arranged between the first heat emitting layer and the glass substrate. That is, an infrared reflective layer, a first thermal emission layer, and a second thermal emission layer were sequentially formed on the first surface of the glass substrate.

各層の形成条件は、例１と同様である。 The formation conditions for each layer are the same as in Example 1.

これにより、例４に係る放射冷却体（「サンプル４」と称する）作製された。 Thus, a radiative cooling body (referred to as "Sample 4") according to Example 4 was produced.

（例１１）
例１と同様の方法により、放射冷却体（以下、「サンプル１１」と称する）を作製した。ただし、この例１１では、第２の熱放射層は、設置しなかった。すなわち、ガラス基板の第１の表面に第１の熱放射層のみを形成し、ガラス基板の第２の表面に赤外線反射層を形成して、放射冷却体を作製した。また、例１１では、第１の熱放射層に使用するシリカ微粒子の平均粒径を５μｍとした。 (Example 11)
A radiative cooling body (hereinafter referred to as "Sample 11") was produced in the same manner as in Example 1. However, in this Example 11, no second heat emitting layer was provided. That is, a radiative cooling body was manufactured by forming only the first thermal emission layer on the first surface of the glass substrate and forming the infrared reflective layer on the second surface of the glass substrate. Further, in Example 11, the average particle size of the silica fine particles used in the first thermal emission layer was set to 5 μm.

（例１２）
例１と同様の方法により、放射冷却体（以下、「サンプル１２」と称する）を作製した。ただし、この例１２では、第２の熱放射層は、設置しなかった。すなわち、ガラス基板の第１の表面に第１の熱放射層のみを形成し、ガラス基板の第２の表面に赤外線反射層を形成して、放射冷却体を作製した。また、例１２では、第１の熱放射層の厚さを１００μｍとした。 (Example 12)
A radiative cooling body (hereinafter referred to as "Sample 12") was produced in the same manner as in Example 1. However, in this example 12, no second heat emitting layer was provided. That is, a radiative cooling body was manufactured by forming only the first thermal emission layer on the first surface of the glass substrate and forming the infrared reflective layer on the second surface of the glass substrate. Further, in Example 12, the thickness of the first thermal emission layer was set to 100 μm.

以下の表１には、各サンプルの作製条件をまとめて示した。 Table 1 below summarizes the manufacturing conditions for each sample.

Figure 2023037040000002
（評価）
各サンプルを用いて、以下の評価を行った。
Figure 2023037040000002
(evaluation)
The following evaluations were performed using each sample.

（光学特性の評価）
可視光透過率は、分光光度計（島津製作所社製、Ｓｏｌｉｄ－Ｓｐｅｃ）を用いて測定した。各サンプルを積分球に密着させた状態で測定を行った。ＪＩＳ Ｒ ３１０６に基づいて、平均可視光透過率を算出した。 (Evaluation of optical properties)
The visible light transmittance was measured using a spectrophotometer (Solid-Spec manufactured by Shimadzu Corporation). Measurement was performed with each sample in close contact with the integrating sphere. Based on JIS R 3106, the average visible light transmittance was calculated.

ヘイズは、ヘイズメーター（スガ試験機製、ヘーズメーター）を用いて測定した。 Haze was measured using a haze meter (manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd., haze meter).

赤外反射率および赤外透過率は、赤外線分光（ＦＴ－ＩＲ）装置（日本分光社製、装置名ＦＴ－ＩＲ／４６００）を用いて測定した。平均反射率は、７μｍ～１３μｍの波長において、０．４８ｃｍ－１の間隔で測定した値を用いた。 The infrared reflectance and infrared transmittance were measured using an infrared spectroscopic (FT-IR) device (manufactured by JASCO Corporation, device name FT-IR/4600). For the average reflectance, values measured at intervals of 0.48 cm −1 at wavelengths of 7 μm to 13 μm were used.

（吸収ピークの算出）
赤外吸収スペクトルは、各波長において、（１００－赤外反射率－赤外透過率）の値を計算することにより得た。 (Calculation of absorption peak)
The infrared absorption spectrum was obtained by calculating the value of (100-infrared reflectance-infrared transmittance) at each wavelength.

第１の熱放射層と第２の熱放射層のそれぞれの赤外吸収ピークを算出するため、シリコン基板上に、各例と同じ条件で各層を作成した。これらの試料を用いて、赤外反射率および赤外透過率を測定した。シリコン基板の厚さは、０．６２５ｍｍであった。 In order to calculate the infrared absorption peak of each of the first thermal emission layer and the second thermal emission layer, each layer was formed on a silicon substrate under the same conditions as in each example. These samples were used to measure infrared reflectance and infrared transmittance. The thickness of the silicon substrate was 0.625 mm.

なお、測定される赤外反射率および赤外透過率には、シリコン基板の吸収の影響も含まれる。そこで、この影響を排除するため、予めシリコン基板単体で吸収スペクトルを測定し、この値を、測定された赤外反射率および赤外透過率から減算することにより、各層の吸収スペクトルを算定した。 The measured infrared reflectance and infrared transmittance include the influence of absorption of the silicon substrate. Therefore, in order to eliminate this effect, the absorption spectrum of the silicon substrate alone was measured in advance, and the absorption spectrum of each layer was calculated by subtracting this value from the measured infrared reflectance and infrared transmittance.

（スペクトルの重なりの評価）
以下の方法により、スペクトルの重なりＳｂを算出した。 (Evaluation of spectral overlap)
The spectral overlap Sb was calculated by the following method.

上記（吸収ピークの算出）に記載の方法で得られた第1の熱放射層の赤外吸収スペクトルを１００で割り、パーセント表示から比率表示に直した値をＡ１（λ）とする。また、同様に、第２の熱放射層の赤外吸収スペクトルを１００で割り、パーセント表示から比率表示に直した値をＡ２（λ）とする。 The infrared absorption spectrum of the first thermal radiation layer obtained by the method described above (calculation of absorption peak) is divided by 100, and the value converted from percentage display to ratio display is defined as A 1 (λ). Similarly, the infrared absorption spectrum of the second thermal emission layer is divided by 100, and the value obtained by converting the percentage notation to the ratio notation is A 2 (λ).

Ａ１（λ）およびＡ２（λ）から、以下の式により、スペクトルの重なりＳｂを算出した： From A 1 (λ) and A 2 (λ), the spectral overlap S b was calculated by the following formula:

Figure 2023037040000003
スペクトルの重なりＳｂは、０～１の範囲の値をとり、１に近いほど吸収スペクトルの重なりが大きいことを表す。
Figure 2023037040000003
 The spectral overlap S b takes a value in the range of 0 to 1, and the closer to 1, the greater the overlap of the absorption spectra.

（冷却性能の評価）
以下の方法で、各サンプルの冷却性能の評価を実施した。 (Evaluation of cooling performance)
The cooling performance of each sample was evaluated by the following method.

図５には測定に使用した装置の概略的な断面を示す。 FIG. 5 shows a schematic cross-section of the device used for the measurement.

図５に示すように、この装置５０１は、内部空間５１１を定める密閉容器５１０と、内部空間５１１を上部内部空間５２５ａおよび下部内部空間５２５ｂに分断するように設けられたシャッター５２０とを有する。 As shown in FIG. 5, this device 501 has a sealed container 510 defining an interior space 511 and a shutter 520 provided to divide the interior space 511 into an upper interior space 525a and a lower interior space 525b.

シャッター５２０は、図５の矢印に示す左右方向に移動が可能である。シャッター５２０を左方向に移動させた際には、上部内部空間５２５ａと下部内部空間５２５ｂとの間の連通が可能となり、逆にシャッター５２０を右方向に移動させた際には、上部内部空間５２５ａと下部内部空間５２５ｂとの間の連通を遮断できる。 The shutter 520 can move in the left-right direction indicated by the arrows in FIG. When the shutter 520 is moved leftward, communication between the upper internal space 525a and the lower internal space 525b becomes possible. Conversely, when the shutter 520 is moved rightward, the upper internal space 525a is opened. and the lower internal space 525b.

なお、密閉容器５１０の内周面には、アルミニウム箔５１５が設置されている。 An aluminum foil 515 is provided on the inner peripheral surface of the sealed container 510 .

上部内部空間５２５ａには、測定試料５６０、および温度測定用の２本の熱電対（図５には示されていない）が配置される。測定試料５６０は、各サンプルの第２の熱放射層の側が下向きとなるようにして、上部内部空間５２５ａ内に配置される。 A measurement sample 560 and two thermocouples for temperature measurement (not shown in FIG. 5) are arranged in the upper internal space 525a. The measurement samples 560 are placed in the upper interior space 525a with the second thermal emissive layer side of each sample facing downward.

熱電対の一つは、測定試料５６０の測定用であり、測定試料５６０の上面に接触するように配置される。また、熱電対の他方は、上部内部空間５２５ａの周囲温度測定用であり、測定試料５６０から十分に離間して配置される。 One of the thermocouples is for measuring the measurement sample 560 and is arranged to contact the upper surface of the measurement sample 560 . The other thermocouple is for measuring the ambient temperature of the upper internal space 525 a and is sufficiently spaced from the measurement sample 560 .

下部内部空間５２５ｂには、デュワー容器５４０が配置される。デュワー容器５４０内部には、所定の高さまで、液体窒素５４５が充填される。 A dewar vessel 540 is disposed in the lower internal space 525b. The inside of the dewar container 540 is filled with liquid nitrogen 545 up to a predetermined height.

なお、デュワー容器５４０は、高さ位置が制御可能な台５５０の上に載置されている。従って、台５５０を用いてデュワー容器５４０の高さ位置を制御することにより、測定試料５６０と液体窒素５４５の液面との間の距離ｈを調整することができる。 The dewar vessel 540 is placed on a platform 550 whose height position is controllable. Therefore, by controlling the height position of the Dewar container 540 using the table 550, the distance h between the measurement sample 560 and the liquid surface of the liquid nitrogen 545 can be adjusted.

このような装置５０１を用いて、測定試料５６０の冷却性能を評価する際には、シャッター５２０を閉じた状態で、測定試料５６０が所定の位置に設置される。 When evaluating the cooling performance of the measurement sample 560 using such an apparatus 501, the measurement sample 560 is placed at a predetermined position with the shutter 520 closed.

測定試料５６０は、該測定試料５６０と上部内部空間５２５ａの間の温度が等しくなるまで保持される。なお、両者の間の温度が等しくなった際の温度を、「環境温度Ｔａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ」と称する。 The measurement sample 560 is held until the temperature between the measurement sample 560 and the upper internal space 525a becomes equal. In addition, the temperature when both the temperatures become equal is referred to as "environmental temperature T atmosphere ".

次に、測定試料５６０と上部内部空間５２５ａの間の温度が等しくなったことを確認してから、シャッター５２０が左にスライドされる。シャッター５２０は、上部内部空間５２５ａと下部内部空間５２５ｂとの間が完全に連通されるまで、すなわちシャッター５２０が内部空間５１１から完全に排除されるまで移動される。 Next, after confirming that the temperature between the measurement sample 560 and the upper internal space 525a has become equal, the shutter 520 is slid to the left. The shutter 520 is moved until there is complete communication between the upper internal space 525a and the lower internal space 525b, ie until the shutter 520 is completely excluded from the internal space 511. FIG.

これにより、測定試料５６０の熱が下部内部空間５２５ｂの方に放射される。いったん放射された熱は、液体窒素やそれにより冷却されたデュワー表面のガラスによって吸収されるため、測定試料５６０の方に再度戻ることが抑制される。その結果、測定試料５６０が放射冷却される。 As a result, the heat of the measurement sample 560 is radiated toward the lower internal space 525b. The heat once radiated is absorbed by the liquid nitrogen and the glass on the surface of the dewar cooled by the liquid nitrogen, so that it is suppressed from returning to the measurement sample 560 again. As a result, the measurement sample 560 is radiatively cooled.

測定試料５６０の温度が一定になったタイミングで、測定試料５６０の温度（以下、サンプル温度「Ｔｓａｍｐｌｅ」と称する）を測定する。 At the timing when the temperature of the measurement sample 560 becomes constant, the temperature of the measurement sample 560 (hereinafter referred to as sample temperature “T sample ”) is measured.

得られた結果から、式（Ｔａｔｍｏｓｐｈｅｒｅ－Ｔｓａｍｐｌｅ）を用いて、冷却性能を評価した。 From the obtained results, the cooling performance was evaluated using the formula (T atmosphere - T sample ).

（耐候性評価）
各サンプルを用いて、耐候性試験を実施した。 (Weather resistance evaluation)
A weather resistance test was performed using each sample.

耐候性試験は、以下のように実施した。 A weather resistance test was carried out as follows.

まず、各サンプルをサンシャインウェザーメーター（スガ試験機株式会社製、ＳＸ７５）に入れ、第２の熱放射層の側から、強度１５０Ｗ／ｍ２の紫外線を照射した。試験環境は、６０℃、６０％ＲＨとし、保持時間は、５００時間とした。その後、サンプルを高温高湿機（エスペック社製小型環境試験機）に入れ、９０℃、９５％ＲＨの環境下で５００時間保持した。 First, each sample was placed in a Sunshine Weather Meter (SX75, manufactured by Suga Test Instruments Co., Ltd.), and irradiated with ultraviolet light having an intensity of 150 W/m 2 from the second thermal radiation layer side. The test environment was 60° C., 60% RH, and the holding time was 500 hours. After that, the sample was placed in a high-temperature and high-humidity machine (small environmental tester manufactured by Espec Co., Ltd.) and held for 500 hours under an environment of 90° C. and 95% RH.

各サンプルにおいて、耐候性試験の前後における状態変化を目視で観察した。サンプルに変化が生じていない場合を○とし、変化が生じた場合を×とした。 In each sample, the state change before and after the weather resistance test was visually observed. A case where no change occurred in the sample was evaluated as ◯, and a case where a change occurred was evaluated as x.

以下の表２には、各サンプルにおける評価結果をまとめて示す。 Table 2 below summarizes the evaluation results for each sample.

Figure 2023037040000004
評価の結果、サンプル１～サンプル４では、サンプル１１およびサンプル１２に比べて、良好な冷却性能を示すことが確認された。
Figure 2023037040000004
As a result of the evaluation, it was confirmed that Samples 1 to 4 exhibited better cooling performance than Samples 11 and 12.

また、サンプル１～サンプル４では、サンプル１１およびサンプル１２に比べて、良好な耐候性が得られることがわかった。 It was also found that Samples 1 to 4 had better weather resistance than Samples 11 and 12.

さらに、サンプル１２は、ヘイズが比較的高いことがわかった。これに対して、サンプル１～サンプル４は、ヘイズを低く抑えられることがわかった。 Additionally, sample 12 was found to have relatively high haze. On the other hand, samples 1 to 4 were found to be able to keep the haze low.

なお、サンプル１およびサンプル４は、サンプル２およびサンプル３と比較して、より良好な冷却性能が得られることがわかった。 It was found that Sample 1 and Sample 4 provided better cooling performance than Sample 2 and Sample 3.

表２から、サンプル２およびサンプル３における第１の熱放射層の吸収ピークと第２熱放射層の吸収ピークの重なりは、それぞれ、０．３１および０．２５となっている。一方、サンプル１およびサンプル４では、重なりは、いずれも０．３４となっている。従って、サンプル１およびサンプル４において、より良好な冷却性能が得られたのは、第１の熱放射層と第２熱放射層との間に、熱放射による熱の授受が十分にあったため、より効率的に表面からの熱放射が起こったと考えられる。 From Table 2, the overlap of the absorption peak of the first thermal emission layer and the absorption peak of the second thermal emission layer in Samples 2 and 3 is 0.31 and 0.25, respectively. On the other hand, in samples 1 and 4, the overlap is 0.34. Therefore, in Samples 1 and 4, better cooling performance was obtained because there was sufficient transfer of heat by thermal radiation between the first thermal radiation layer and the second thermal radiation layer. It is thought that heat radiation from the surface occurred more efficiently.

また、赤外線透過率、反射率測定の結果、例１で用いた第１の熱放射層および第２の熱放射層の吸収スペクトルは、３．８μｍ～６．５μｍの範囲で吸収率が４０％未満であることを確認した。 In addition, as a result of infrared transmittance and reflectance measurement, the absorption spectrum of the first thermal emission layer and the second thermal emission layer used in Example 1 has an absorption rate of 40% in the range of 3.8 μm to 6.5 μm. confirmed to be less than

１００ 第１の放射冷却体
１０２ 外側
１０４ 内側
１２０ 赤外線反射層
１３０ 第１の熱放射層
１４０ 第２の熱放射層
２００ 第２の放射冷却体
２０２ 外側
２０４ 内側
２２０ 赤外線反射層
２３０ 第１の熱放射層
２４０ 第２の熱放射層
２５０ 透明基体
２５２ 第１の表面
２５４ 第２の表面
３００ 第３の放射冷却体
３０２ 外側
３０４ 内側
３２０ 赤外線反射層
３３０ 第１の熱放射層
３４０ 第２の熱放射層
３５０ 透明基体
３５２ 第１の表面
３５４ 第２の表面
５０１ 装置
５１０ 密閉容器
５１１ 内部空間
５１５ アルミニウム箔
５２０ シャッター
５２５ａ 上部内部空間
５２５ｂ 下部内部空間
５４０ デュワー容器
５４５ 液体窒素
５５０ 台
５６０ 測定試料 100 first radiative cooling body 102 outside 104 inside 120 infrared reflecting layer 130 first heat emitting layer 140 second heat emitting layer 200 second radiative cooling body 202 outside 204 inside 220 infrared reflecting layer 230 first heat emitting Layer 240 Second heat emitting layer 250 Transparent substrate 252 First surface 254 Second surface 300 Third radiative cooler 302 Outside 304 Inside 320 Infrared reflecting layer 330 First heat emitting layer 340 Second heat emitting layer 350 Transparent substrate 352 First surface 354 Second surface 501 Apparatus 510 Sealed container 511 Internal space 515 Aluminum foil 520 Shutter 525a Upper internal space 525b Lower internal space 540 Dewar container 545 Liquid nitrogen 550 Base 560 Measurement sample

Claims (10)

赤外線反射層と、第１の熱放射層と、第２の熱放射層とをこの順に有する透明無電源冷却デバイスであって、
当該透明無電源冷却デバイスは、平均可視光透過率が８０％以上であり、ヘイズが１０％以下であり、
前記第１の熱放射層は、前記第２の熱放射層とは別の材料を含み、波長８μｍ～１３μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有し、
前記第２の熱放射層は、波長７μｍ～１０μｍの領域に、５０％以上の吸収ピークを有し、
前記赤外線反射層は、波長７μｍ～１３μｍの範囲において、８０％以上の平均反射率を有する、透明無電源冷却デバイス。 A transparent powerless cooling device having an infrared reflective layer, a first heat emitting layer, and a second heat emitting layer in this order,
The transparent unpowered cooling device has an average visible light transmittance of 80% or more and a haze of 10% or less,
The first thermal radiation layer contains a material different from that of the second thermal radiation layer, and has an absorption peak of 50% or more in a wavelength range of 8 μm to 13 μm,
The second thermal emission layer has an absorption peak of 50% or more in a wavelength range of 7 μm to 10 μm,
The transparent non-powered cooling device, wherein the infrared reflective layer has an average reflectance of 80% or more in a wavelength range of 7 μm to 13 μm. さらに、透明基体を有する、請求項１に記載の透明無電源冷却デバイス。 The transparent unpowered cooling device of Claim 1, further comprising a transparent substrate. 前記透明基体は、前記第１の熱放射層と前記赤外線反射層との間に配置される、請求項２に記載の透明無電源冷却デバイス。 3. The transparent unpowered cooling device of claim 2, wherein the transparent substrate is disposed between the first heat emitting layer and the infrared reflective layer. 前記透明基体は、前記赤外線反射層の前記第１の熱放射層とは反対の側に配置される、請求項２に記載の透明無電源冷却デバイス。 3. The transparent unpowered cooling device of claim 2, wherein the transparent substrate is disposed on a side of the infrared reflective layer opposite the first heat emitting layer. 前記透明基体は、ガラスで構成される、請求項２乃至４のいずれか一項に記載の透明無電源冷却デバイス。 5. The transparent unpowered cooling device according to any one of claims 2 to 4, wherein the transparent substrate is composed of glass. 前記第１の熱放射層は、前記第２の熱放射層と隣接しており、
波長７μｍ～１３μｍにおいて、前記第１の熱放射層の吸収ピークと、前記第２の熱放射層の吸収ピークの重なりＳｂは、０．１５以上である、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の透明無電源冷却デバイス。 the first thermal emission layer is adjacent to the second thermal emission layer;
6. The overlap Sb of the absorption peak of the first thermal emission layer and the absorption peak of the second thermal emission layer at a wavelength of 7 μm to 13 μm is 0.15 or more. A transparent powerless cooling device according to any one of the preceding claims. 前記第２の熱放射層は、フッ素樹脂で構成される、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の透明無電源冷却デバイス。 7. The transparent unpowered cooling device according to any one of claims 1 to 6, wherein said second thermal radiation layer is composed of fluororesin. 前記第１の熱放射層は、シリカ微粒子を含む樹脂で構成される、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の透明無電源冷却デバイス。 8. The transparent unpowered cooling device according to any one of claims 1 to 7, wherein said first thermal radiation layer is made of a resin containing silica fine particles. 前記第１の熱放射層および前記第２の熱放射層は、それぞれにおいて、１μｍ～７μｍの波長範囲の少なくとも１／３の領域で、吸収率が５０％未満である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の透明無電源冷却デバイス。 Each of the first heat emitting layer and the second heat emitting layer has an absorptivity of less than 50% in at least one-third of the wavelength range of 1 μm to 7 μm. A transparent powerless cooling device according to any one of the preceding claims. 前記赤外線反射層は、ＩＴＯおよび銀から選ばれる１種類以上を含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の透明無電源冷却デバイス。 10. The transparent unpowered cooling device according to any one of claims 1 to 9, wherein said infrared reflective layer comprises one or more selected from ITO and silver.
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