JP2023029270A - 空間光変調器を用いて空間光変調器にテンプレートを登録するための方法および装置 - Google Patents

Abstract

【課題】リソグラフィインプリンティングシステムにおいて、空間光変調を用いて放射線源を変調し正確な硬化を提供するために、個々のミラーのオン／オフの登録を短時間で実行する装置を提供する。【解決手段】テンプレートと接触する成形可能材料は、空間光変調器に関連付けられた予め定義された登録パターンを使用して、基準膜を形成するように照射される（６１０）。前記基準膜は、インプリントフィールドエッジに対する前記空間光変調器の要素の位置情報を生成するために検査される（６３０）。前記位置情報に基づいて、前記テンプレートのホルダに対する前記空間光変調器の前記要素の位置オフセットが決定される（６５０）。前記空間光変調器の制御パラメータは、前記位置オフセットに基づいて決定される（６６０）。【選択図】図６

Description

実施形態の開示される一態様は、ナノインプリントリソグラフィに関する。特に、本実施形態の開示される一態様は、空間光変調器にテンプレートを登録する技術に関する。

半導体製造用のナノインプリントリソグラフィがますます普及している。これは、メモリデバイス、マイクロプロセッサ、および論理回路のような集積回路デバイスのレイヤを含む種々の製造プロセスで使用されてきた。このようなシステムの１つは、空間光変調を用いて放射線源を変調し、基板上の成形可能材料に照射する。光変調は、デジタル・マイクロミラー／ミラー・デバイス（ＤＭＤ）、液晶デバイス（ＬＣＤ）、ミラーアレイなど、多くの技術によって実行できる。

デジタル・マイクロミラー／ミラー・デバイス（ＤＭＤ）は、デジタル空間変調（ＤＳＭ）を行うための高反射率マイクロミラーのアレイを含む光マイクロ電気機械システム（ＭＥＭＳ）である。リソグラフィインプリンティングシステムにおいて、正確な硬化を提供するために、特別に設計された光学系が使用される。

製造プロセスにおける１つのステップは、ＤＭＤ位置を登録することである。既存の技術は、個々のミラーをオン／オフすることによって登録を実行する。この技術の欠点は、時間がかかり、製造環境において容認できないことである。

成形可能材料は、空間光変調器（ＳＬＭ）に関連付けられた予め定義されたパターンを用いてテンプレートから基準膜を形成するために照射される。前記基準膜は、インプリントフィールドエッジに対する前記空間光変調器（ＳＬＭ）の要素の位置情報を生成するために検査される。前記位置情報に基づいて、テンプレートのテンプレートホルダに対する前記空間光変調器（ＳＬＭ）の前記要素の位置オフセットが決定される。空間光変調器（ＳＬＭ）の制御パラメータは、前記位置オフセットに基づいて決定される。

本開示のさらなる特徴は、添付の図面を参照して、以下の例示的な実施形態の説明から明らかになるのであろう。

ＤＭＤ登録のためのシステムを示す図である。 ＤＭＤ登録パターン全体を示す図である。 メサのエッジ付近の領域におけるＤＭＤ登録パターンを示す図である。 視野におけるＤＭＤ登録パターンを示す図である。 ２つのメサからの登録の調整を示す図である。 ＤＭＤ登録を行う処理を示すフローチャートである。 画像解析器を用いて画素を識別する処理を示すフローチャートである。 コントローラを示す図である。

実施形態の１つの開示された態様は、テンプレートメサに対する空間光変調器（以下、ＳＬＭとも記載する）の登録を実行する技術を含む。前記テンプレートメサと接触する成形可能材料は、前記空間光変調器に関連付けられた予め定義された登録パターンを使用して、基準膜を形成するように照射される。画像解析モードでない場合、前記基準膜は、インプリントフィールドエッジに対する前記空間光変調器の要素の位置情報を生成するために検査される。前記位置情報に基づいて、前記テンプレートのテンプレートホルダに対する前記空間光変調器の前記要素の位置オフセットが決定される。前記空間光変調器の制御パラメータは、前記位置オフセットに基づいて決定される。

図１は、インプリントリソグラフィにおけるＳＬＭ登録のためのシステムを示す図である。システム１００は、第１放射線源１１０と、光学アセンブリ１１５と、ＳＬＭ１２０と、ガイド光学アセンブリ１３０と、第２放射線源１３６と、インプリントアセンブリ１４０と、アクチュエータコントローラ１７２と、画像解析器１７４とを含む。システム１００は、上記の構成要素よりも多い、または少ない構成要素を含むことができる。例えば、第２放射源１３６は必要でなくてもよい。

第１放射源１１０は、インプリントアセンブリ１４０内の成形可能材料を硬化させるための化学エネルギーをＳＬＭ１２０およびガイド光学アセンブリ１３０を通して放射する。エネルギー源は、紫外（ＵＶ）光を供給することができる。光学アセンブリ１１５は、露光経路の端部で光エネルギーを受け取り、光学部品のシステムを通してエネルギーをＳＬＭ１２０に導き、インプリントアセンブリ１４０内の光硬化性材料又は成形可能材料に照射する。それは、光源に対して適切な変調を達成するように設計され配置されるレンズを含むことができる。光学アセンブリ１１５は、インプリントアセンブリ１４０内の基板上にパターンを投影する前に、拡大係数だけＳＬＭ１２０内のパターンを拡大することができる。

インプリントアセンブリ１４０は、ナノインプリントリソグラフィに使用される構成要素を含む。インプリントアセンブリ１４０は、テンプレートパターン１４４およびメサ１４６を有するテンプレート１４２と、形成可能材料１５２と、基板１５４と、基板チャック１５６と、基板チャックまたは基板ホルダ１５６およびパターニングされた層が形成される基板１５４を保持する基板位置決めステージ１５８と、イメージセンサ１６２とを含む。基板ホルダ１５６は、基板１５４を保持する。テンプレートホルダ（図示せず）は、テンプレート１４２を保持する。ステージ１５８は、ベース１６０の上方に配置される。インプリントアセンブリ１４０はまた、明瞭化のために図示されていない他の構成要素を含んでもよい。それらの構成要素は、基板上のインプリンティングのための制御およびセンシング機能を実行するための制御およびセンシングアセンブリと、成形可能材料の広がりの画像を提供し、インプリンティングプロセスの追跡を維持するためのフィールドカメラと、液滴を検査するための液滴検査システムとを含む。テンプレート１４２は、石英、シリコン、有機ポリマー、または他の適切な材料などの材料から作製されうる。テンプレートパターン１４４は、基板１５４上に形成されるパターンに対応する凹凸を有するフィーチャを含む。代替の実施形態では、テンプレートパターン１４２は、基板１４２上に平坦化された表面を形成するために使用されるフィーチャレスである。メサ１４６は、テンプレート１４２の前側の窪んだ面１４５によって囲まれてもよい。メサ側壁１４７は、窪んだ面１４５をパターン１４４の表面に接続する。本実施形態の１つの目的は、メサ１４６に対するＳＬＭ登録を生成することである。ここで、登録という用語は、ＳＬＭ１２０（ＳＬＭがＤＭＤである場合）内の個々のミラー（または、便宜的に「画素」とも呼ばれる）とメサ１４６上の個々の領域の位置との間の対応関係を指す。

基板１５４は、硬化後における光硬化性または成形可能材料１５２の基板１５４への接着を助けるために、薄い接着層でコーティングされてもよい。基板１５４は、基板チャック１５６によって保持されてもよく、両方ともステージ１５８によって位置決めされる。ステージ１５８は、基板および基板チャックアセンブリを移動させるようにアクチュエータ制御装置１７２によって制御されうる。光硬化性または成形性材料１５２は、テンプレートパターン１４４を半導体基板１５４に転写するために使用される。それは、レジストであってもよく、モールドおよび／またはテンプレートからパターニング表面上の形状の反転を取る成形可能材料を含んでもよい。光硬化性または成形可能材料１５２は、テンプレートパターン１４４が基板１５４上の成形可能材料１５２と接触している間に、放射線源によって提供されるエネルギーによって硬化されてもよい。一実施形態では、光硬化性または成形性材料１５２が硬化された後、製造物品（例えば、半導体デバイス）を作製するために、処理ステップにおいて基板１５４上で追加の半導体製造処理が実行されうる。一実施形態では、各フィールドが複数のデバイスを含む。処理ステップにおけるさらなる半導体製造プロセスは、パターン化された層内のテンプレートパターン１４４またはそのテンプレートパターン１４４の反転に対応するレリーフ画像を基板に転写するためのエッチング処理を含んでもよい。処理ステップにおけるさらなるプロセスは、例えば、検査、硬化、酸化、層形成、堆積、ドーピング、平坦化、エッチング、成形可能材料除去、ダイシング、ボンディング、パッケージングなどを含む、物品製造のための既知のステップおよびプロセスを含むこともできる。基板１５４は、複数の物品（デバイス）を製造するために処理されてもよい。

ＳＬＭ１２０は、放射線源１１０からの化学線の時空間分布を変調するための空間要素のアレイを含むデバイスである。また、ＳＬＭ１２０は、基板およびテンプレートの一方または両方の熱膨張を生じさせるために使用されうる熱放射源（図示せず）からの熱放射の時空間分布を変調してもよい。空間要素は、２つの隣接する空間要素の中心間の最小距離であるピッチを有する２次元アレイに配置することができる。一実施形態では、ＳＬＭ１２０は、デジタル・マイクロミラー・デバイス（ＤＭＤ）である。空間要素は画素で、ピッチは画素ピッチである。代替の実施形態では、ＳＬＭ１２０が各空間素子の透過率が調節可能である透過性液晶デバイスである。代替の実施形態では、ＳＬＭ１２０は、各空間素子の反射率が調節可能である、シリコン上の反射型液晶デバイスである。

イメージセンサ１６２は、キャリブレーション中にインプリントした結果の画像を取得する。一実施形態では、この結果が硬化プロセス後に生成される基準膜である。イメージセンサ１６２は、画像解析器１７４によって制御される。画像解析器１７４は、基準膜の画像に対して画像分析を実行するために、メモリ、信号プロセッサなどの特殊なハードウエア構成要素を含むことができる。

コントローラ１７０は、システムの制御機能を実行する計算サブシステムである。これらの制御機能は、テンプレート登録１８０、画像解析、（ステージ１５８のための）ステージ位置決め、位置合わせコントローラ１２４、および、放射線源制御などの様々な制御機能を含むが、これらに限定されない。コントローラ１７０のアーキテクチャについては、図８で説明する。

第２放射線源１３６は、追加の化学線源を提供する。第２放射線源１３６から放射される放射線は、ミラー１３２及び１３４のような適切な光学部品を含みうるガイド光学アセンブリ１３０によって導かれる。

ＳＬＭ１２０は、複数の要素または画素を含むことができる。これらの画素は、コントローラ１７０によって個々に制御される。一実施形態では、ＳＬＭ１２０はＤＭＤである。このシステムでは、画素はオンとオフとの２つの状態を有しうる。オン状態は、放射線が成形可能材料１５２に照射するように向けられる活性状態である。オフ状態では、硬化は行われない。ＳＬＭ１２０がＤＭＤによって構成される場合、ＤＭＤ内の個々のマイクロミラーは、光を２つの光路に偏向させるように制御される。１つの経路はオン状態に対応し、基板１５４に向けられる。もう１つの経路は、反射光が光吸収体またはビームダンプ１２２に向けられるオフ状態に対応する。したがって、画素の状態を変化させることは、マイクロミラーを第１角度から第２角度に移動させることである。

図２は、ＤＭＤ全体登録パターン２００を示す図である。ＤＭＤ全体登録パターン２００は、メサ１４６に対応する長方形２２０を含む。パターンには、オフ画素およびオン画素のパターンが含まれる。登録には、幾何学的に重要な線を使用することが有用である。これらには、垂直線、水平線、および対角線が含まれてもよい。オフ画素は、これらの線を指定するために使用される。長方形の周囲は、長方形２２０の上辺、下辺、左辺、および右辺上に位置する周辺である。識別目的のために、個々の画素は、横軸（ｘ座標）および縦軸（ｙ座標）に沿った座標で記録される。図２に示すように、ｘ軸に沿って０～Ｍ－１の番号が付されたＭ個の列と、ｙ軸に沿って０～Ｎ－１の番号が付されたＮ個の行とがある。

長方形２２０では、影付き領域２３０がオン画素を含む。黒線はオフ画素を含む。周辺の帯はオン画素およびオフ画素を含むパターンを含み、これらは、容易で高速な登録および識別を提供するために予め定義されている。パターンを例示するために、長方形２２５は、行ＫとＮ－１との間、および垂直中心線の周りの中央に位置する。この長方形２２５は、メサのエッジの近くにある。

図３は、メサのエッジ近傍の領域２２５における登録パターンを例示する図である。この例では、表記０はオフ画素に対応し、表記＋はオン画素に対応する。

パターンは次の１～６のプロパティを有する。

１）オフ画素は、メサ形状にならった同心状を形成する。同心状の個数は、メサ製造における製造公差を考慮するのに十分な個数以上であるべきである。

２）各辺上の１または複数の軸は、中心軸を識別するのを助けるために、オフ画素の単一の列（または行基準）を有することができる。この軸は、ＤＭＤ画素の既知の列（または行基準）を提供する。例えば、列３４０はＳＬＭアレイの中心にあり、識別のための基準線としての役割を果たすことができる。

３）中心軸の周りの画素はオフになっており、各視野画像上に固有のパターンを生成する。ｘディメンジョンまたはｙディメンジョンに沿ったパターンは固有である必要がある。固有性の基本的な特性は、繰り返しが許可されないことである。

４）視野はインプリントのエッジを検証するために、メサの外側の１画素幅／高さを捕らえるべきである。

５）ＸおよびＹの間隔は、変更された画素の１つの列または行が常に表示されるような間隔であるべきである。

６）ＸおよびＹの間隔は、（ｃｅｉｌｉｎｇ（画素サイズ／ディメンジョン）＋１）／２で計算する必要がある。例えば、視野における１つのディメンジョンが４．５ＤＭＤ画素の場合、間隔は（ｃｅｉｌｉｎｇ（４．５）＋１）／２＝３にする必要がある。したがって、そのディメンジョンにおける３つ目の画素ごとに、修正画素であるべきである。

行３２０、３２２、３２４、３２６、３２８、３３０、３３２、３３４、３３６、および３３８は、それぞれ、高速認識および登録を可能にする独特のパターンを含む。これらのパターンは互いに異なるため、登録に混乱や誤りが生じることはない。例示するために、典型的には２０倍で拡大された、視野内に見られるパターン３１０が図４に示され、説明されている。このような高倍率では、検査中にパターン３１０のような小さな部分のみが見える。したがって、パターン３１０は、２０倍のような高倍率の下での可視部分であってもよい。

図４は、視野内のＤＭＤ登録パターン３１０を示す図である。パターン３１０は、暗い陰影領域と光陰影領域とを含む。暗い陰影領域と明るい陰影領域は、それぞれオン画素とオフ画素に対応する。さらに、この例では、登録をさらに助ける基準マーク４４０があることに留意されたい。

長方形３１０内では、中心行が、中心列の左側に２つのオン画素、中央列３４０の右側に３つのオフ画素の独特の組み合わせを有する。左側の２つの画素は、両端の２つのオフ画素によってさらに限定される。右側の３つの画素は、右端のオフ画素によって限定される。その組合せを有する他のパターンは存在しない。したがって、一旦パターンが分かれば、それを迅速に認識して識別することができる。

図５は、２つのメサからの登録の調整を示す図である。図５では、２つのメサＡおよびＢにそれぞれ対応する２つの長方形５００および５０５によって示される２つのシナリオがある。

長方形５００において、メサＡ ５２０は（ｘ_Ａ、ｙ_Ａ）に中心を有し、角度θ_Ａでミラー５１０に対してわずかに右側に回転している。メザＢ ５３０は（ｘ_Ｂ、ｙ_Ｂ）に中心を有し、θ_Ｂでミラー５１０に対して左側に少し回転している。適切な登録によって、メサＡおよびＢ上の関心点の座標を特定することができる。関心点は、中心、コーナー点などであってもよい。これらの関心点の座標が得られると、誤差を調整するように変換が実行されうる。この変換は回転角度の計算を含むことがある。

図６は、ＤＭＤ登録を実行する処理６００を示すフローチャートである。フローチャートは、図８に示されるように、メモリに記憶されたプログラムを実行することによってコントローラ１７０によって実行される動作を表す。

開始時に、処理６００は、テンプレート（例えば、図１に示される成形可能材料１５２）と接触する成形可能材料に照射して、ＳＬＭに関連付けられた予め定義された登録パターンを使用して基準膜を形成する（ブロック６１０）。予め定義された登録パターンは、図３および図４に示されるものと同様のものである。その結果、予め定義されたパターンを有する硬化パターンが得られる。次に、処理６００は、画像解析を実行することが望まれるかどうかを決定する（ブロック６２０）。画像解析は、コンピュータによる検査、または自動的に検査を行うプロセスである。それが望まれる合、プロセスは、画像解析を実行することに進む（ブロック６３０）。ブロック６３０は、図７において説明される。

画像解析が望まれない場合（ブロック６２０でのＮＯへの分岐）、処理６００は、基準膜を検査して、インプリントフィールドエッジに対するＳＬＭの要素の位置情報を生成する（ブロック６４０）。検査は、手動で、または、オペレータの入力とコンピュータ処理とを組み合わせることによって半自動で行うことができる。以上説明したように、パターンが固有であり、迅速に認識することができるため、位置情報を容易に生成することができる。

次に、処理６００は、テンプレートのテンプレートホルダまたはテンプレートチャックに対するＳＬＭの要素の位置オフセットを決定する（ブロック６５０）。次に、処理６００は、位置オフセットに基づいてＳＬＭの制御パラメータを決定する（ブロック６６０）。制御パラメータは、上記で計算された変換パラメータであってもよい。例えば、対応する関心点の得られた座標に基づいて、回転角度および並進量を計算することができる。スケール係数は不変であると仮定される。これらの制御パラメータから、補正または調整を行うことができる。次に、処理６００は、システム１００を使用するインプリント処理において、上記のブロック６６０で決定された制御パラメータを使用して、別の成形可能材料に照射する（ブロック６７０）。その後、処理６００は終了する。

図７は、画像解析器を用いて画素を識別する処理６３０を示すフローチャートである。処理６３０は、基準膜の検査においてコンピュータによって実行される自動処理である。一致を発見する画像マッチングの技法を用いることができる。

開始時に、処理６３０は、画像内の修正画素の予め決定されたパターンを識別する（ブロック７１０）。修正画素は、図３および４に示されるように、オフ画素に対応する。画像は、硬化が完了した後の基準膜の画像である。このステップは、列軸または行軸を確定するためのものである。列軸は完全にオフ画素からなるので、列の中のオフ画素の数を数えるだけで、識別を迅速に行うことができる。

次に、処理６３０は、画像内の第１状態および第２状態の画素を識別する（ブロック７２０）。第１状態と第２状態はそれぞれオン状態とオフ状態である。パターンは予め定義されており、固有であるため、マッチング演算によって識別を迅速に行うことができる。次に、処理６３０は、識別されたオン画素およびオフ画素を基準パターンと比較して、登録のためのＳＬＭの個々の要素を識別する（ブロック７３０）。

次に、処理６３０は、検査のための画像がさらにあるかどうかを判定する（ブロック７４０）。検査のための画像がさらにあれば、処理６３０は、次の画像に進み（ブロック７５０）、ブロック７１０に戻る。検査のための画像がなければ、処理６３０は、非線形性解析を実行することが望ましいかどうかを決定する（ブロック７６０）。非直線性解析とは、レンズの歪みやＤＭＤまたはウエハ面の非平面性のような誤差による非直線性の解析を指す。非線形性解析を実行することが望ましければ、処理６３０は、非直線性解析を行う（ブロック７７０）。これは、誤差の統計（例えば、分散）を決定することによって実行されうる。その後、処理６３０は終了する。

図８は、図１に示すコントローラ１７０を示す図である。コントローラ１７０は、ＣＰＵ（ｃｅｎｔｒａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｕｎｉｔ）またはプロセッサ８１０、バス８２０、およびＰＣＨ（ｐｌａｔｆｏｒｍ ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ ｈｕｂ）８３０を含む。ＰＣＨ ８３０は、グラフィックディスプレイコントローラ（ＧＤＣ）８４０、メモリコントローラ８５０、入力／出力（Ｉ／Ｏ）コントローラ８６０、および大容量ストレージコントローラ８５４を含みうる。処理および制御システム１７０は、上記の構成要素よりも多いまたは少ない構成要素を含むことができる。さらに、構成要素は、別の構成要素に統合されてもよい。図８に示すように、全てのコントローラ８４０、８５０、８６０は、ＰＣＨ８３０に統合されている。統合は、部分的および／または重複することができる。例えば、ＧＤＣ８４０はＣＰＵ８１０に統合されてもよく、Ｉ／Ｏコントローラ８６０およびメモリコントローラ８５０は単一のコントローラなどに統合されてもよい。

ＣＰＵまたはプロセッサ８１０は、タスクを実行するためのプログラムまたは命令の集合を実行することができるプログラマブル装置である。それは、汎用プロセッサ、デジタル信号プロセッサ、プログラマブルプロセッサ、マイクロコントローラ、または特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）からの１つの設計のような特別に設計されたプロセッサでありうる。それは、単一のコアまたは複数のコアを含むことができる。各コアは、マルチ方法マルチスレッディングを有することができる。ＣＰＵ８１０は複数のコアにわたる複数のスレッドによる並列性をさらに利用するために、同時マルチスレッド機能を有する可能性がある。さらに、ＣＰＵ８１０は、複数のレベルで内部キャッシュを有することができる。

バス８２０は、ＣＰＵ８１０をＰＣＨ８３０を含む他のデバイスに接続する任意の適切なバスであり得る。例えば、バス８２０は、ダイレクト・メディア・インターフェース（ＤＭＩ）であってもよい。

ＰＣＨ８３０は、メモリデバイス、入力／出力デバイス、記憶デバイス、ネットワークデバイスなどのいくつかのデバイスへのインターフェースを提供するための多くの機能を含む、高度に統合されたチップセット内にある。

Ｉ／Ｏコントローラ８６０は入力デバイス（例えば、スタイラス、キーボード、およびマウス、マイクロフォン、イメージセンサ）および出力デバイス（例えば、オーディオデバイス、スピーカ、スキャナ、プリンタ）を制御する。また、ネットワークおよびワイヤレス・コントローラ（図示せず）へのインターフェースを提供するネットワーク・インタフェース・カードへのインターフェースを有する。

メモリコントローラ８５０は、ランダム・アクセス・メモリおよび／またはリード・オンリー・メモリ１０５２などのメモリ装置、およびキャッシュ・メモリおよびフラッシュ・メモリなどの他のタイプのメモリを制御する。ＲＡＭ８５２は、ＣＰＵ８１０によって実行されるとＣＰＵ８１０に上述の動作を実行させる命令またはプログラムを含む非一時的製品８５６などの大容量記憶装置からロードされた命令またはプログラムを記憶することができる。それはまた、動作において使用されるデータを記憶しうる。ＲＯＭ８５２は、電源が供給されているかどうかにかかわらず維持される命令、プログラム、定数、またはデータを含むことができる。命令またはプログラムは、テンプレート登録１８０など、上記で説明した機能に対応しうる。

ＧＤＣ８４０は表示装置を制御し、グラフィカル動作を提供する。ＣＰＵ８１０の内部に一体化してもよい。通常、コマンドを送信したり機能をアクティブ化したりするユーザとの対話を可能にするグラフィカル・ユーザ・インタフェース（ＧＵＩ）を備えている。ＧＤＣ８４０は、硬化領域の画像を表示装置に表示してもよい。

大容量記憶コントローラ８５４は、ＣＤ－ＲＯＭおよびハードディスクまたは非一時的製造品８５６などの大容量記憶デバイスを制御する。

Ｉ／Ｏコントローラ８６０は、アクチュエータコントローラインターフェース８６２および照射コントローラ８６４を含んでもよい。アクチュエータコントローラインターフェース８６２は、アクチュエータコントローラ１７２（図１に示される）に結合するように構成される。それは、スイッチング回路、駆動回路、およびマイクロメータ駆動を含んでもよい。マイクロメータ駆動装置は、ミクロン、サブミクロン、またはサブナノ解像度を有する電動アクチュエータを含んでもよい。照射コントローラ８６４は、放射線源１１０を制御するための駆動回路およびタイミング回路を含んでもよい。

追加のデバイスまたはバスインターフェースが、相互接続および／または拡張のために利用可能であり得る。例としては、ＰＣＩｅ（Ｐｅｒｉｐｈｅｒａｌ Ｃｏｍｐｏｎｅｎｔ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｅｘｐｒｅｓｓ）バス、ＵＳＢ（ユニバーサルシリアルバス）などがある。

物品としてのデバイス（半導体デバイス、磁気記憶媒体、液晶表示素子等）の製造方法について説明する。この製造方法は、上述したインプリント装置またはインプリント方法を用いて、基板（ウエハ、ガラス板、フィルム状基板等）上にパターンを形成する工程を含む。この製造方法は、パターンが形成された基板を加工する工程をさらに含む。前記処理工程は、前記パターンの残膜を除去する工程を含んでもよい。また、処理工程は、パターンをマスクとして基板をエッチングする工程等の他の公知の工程を含んでもよい。本実施形態に係る物品の製造方法は、物品の性能、品質、生産性、製造コストの少なくとも１つにおいて、従来の方法よりも優れている。

実施形態の全部又は一部は、特定の特徴、機能に応じた用途に応じて、種々の手段で実現されてもよい。これらの手段は、ハードウエア、ソフトウエア、もしくはファームウエア、又はこれらの任意の組合せを含むことができる。ハードウエア、ソフトウエア、またはファームウエア要素は、互いに結合された複数のモジュールを有することができる。ハードウエアモジュールは、機械的、電気的、光学的、電磁的、または任意の物理的接続によって別のモジュールに結合される。ソフトウエアモジュールは機能、プロシージャ、方法、サブプログラム、またはサブルーチン呼び出し、ジャンプ、リンク、パラメータ、変数、引数渡し、機能戻るによって別のモジュールに結合される。ソフトウエアモジュールは変数、パラメータ、引数、ポインタなどを受け取るため、および／または結果、更新された変数、ポインタなどを生成または渡すために、別のモジュールに結合される。ファームウエアモジュールは、上記のハードウエアとソフトウエアの結合方法の任意の組合せによって、別のモジュールに結合される。ハードウエア、ソフトウエア、またはファームウエアモジュールは、別のハードウエア、ソフトウエア、またはファームウエアモジュールのいずれかに結合することができる。モジュールは、プラットフォーム上で実行されているオペレーティング・システムと対話するためのソフトウエア・ドライバまたはインターフェースであってもよい。モジュールはまた、ハードウエアデバイスとの間でデータを構成、セットアップ、初期化、送受信するためのハードウエアドライバであってもよい。装置は、ハードウエア、ソフトウエア、およびファームウエアモジュールの任意の組合せを含みうる。

プロセッサに上記の動作を実行させる方法または命令は、光学記憶デバイスなどの非一時的記憶媒体または製造品上に記憶されうる。

本開示を例示的な実施形態を参照して説明してきたが、本開示は開示された例示的な実施形態に限定されないことを理解されたい。以下の特許請求の範囲はそのようなすべての修正ならびに等価な構造および機能を包含するように、最も広い解釈が与えられるべきである。

Claims (22)

1. プロセッサと、
   前記プロセッサによって実行される場合に、前記プロセッサに動作を実行させるための命令を格納するメモリと、を備え、
   前記動作は、
   空間光変調器に関連付けられた予め定義された登録パターンを使用して、基準膜を形成するように、テンプレートと接触する成形可能材料に照射すること、
   前記基準膜を検査して、インプリントフィールドエッジに対する前記空間光変調器の要素の位置情報を生成すること、
   前記位置情報に基づいて、前記テンプレートのホルダに対する前記空間光変調器の前記要素の位置オフセットを決定すること、および、
   前記位置オフセットに基づいて前記空間光変調器の制御パラメータを決定すること、を含む、
   ことを特徴とする装置。
2. 前記空間光変調器は、デジタル・マイクロミラー／ミラー・デバイス（ＤＭＤ）である、
   ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
3. 前記予め定義された登録パターンは、視野において見られる、
   ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
4. 前記予め定義された登録パターンは、少なくとも１つのディメンジョンにおいて固有のパターンを有する、
   ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
5. 前記予め定義された登録パターンは、視野において見られる、
   ことを特徴とする請求項４に記載の装置。
6. 前記予め定義された登録パターンは、繰り返し部分を有しない、
   ことを特徴とする請求項５に記載の装置。
7. 前記予め定義された登録パターンは、全て第１状態にある列または行のディメンジョン上の前記空間光変調器に対応する要素を含む、請求項４に記載の装置。
8. 前記動作は、画像解析モードである場合に、
   前記基準膜の画像中の修正画素の予め定義されたパターンを識別すること、および、
   第１状態と第２状態における画素を識別すること、
   を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。
9. 前記動作は、前記画像解析モードである場合に、非線形性解析を実行すること、
   を更に含むことを特徴とする請求項８に記載の装置。
10. 前記予め登録された登録パターンは、同心状の前記空間光変調器に対応する修正要素を有する、
    ことを特徴とする請求項２に記載の装置。
11. 空間光変調器に関連付けられた予め定義された登録パターンを使用して、基準膜を形成するように、テンプレートの下の成形可能材料に照射すること、
    前記基準膜を検査して、インプリントフィールドエッジに対する前記空間光変調器の要素の位置情報を生成すること、
    前記位置情報に基づいて、前記テンプレートのホルダに対する前記空間光変調器の前記要素の位置オフセットを決定すること、および、
    前記位置オフセットに基づいて前記空間光変調器の制御パラメータを決定すること、
    を含むことを特徴とする方法。
12. 前記空間光変調器は、デジタル・マイクロミラー／ミラー・デバイス（ＤＭＤ）である、
    ことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
13. 前記予め定義された登録パターンは、視野において見られる、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
14. 前記予め定義された登録パターンは、少なくとも１つのディメンジョンにおいて固有のパターンを有する、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
15. 前記予め定義された登録パターンは、視野において見られる、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
16. 前記予め定義された登録パターンは、繰り返し部分を有しない、
    ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
17. 前記予め定義された登録パターンは、全て第１状態にある列または行のディメンジョン上の前記空間光変調器に対応する要素を含む、
    ことを特徴とする請求項１４に記載の方法。
18. 画像解析モードである場合、
    前記基準膜の画像中の修正画素の予め定義されたパターンを識別すること、および、
    第１状態と第２状態の画素を識別することと、
    を更に含むことを特徴とする請求項１１に記載の方法。
19. 前記画像解析モードにある場合に、非線形性解析を実行すること、
    を更に含むことを特徴とする請求項１８に記載の方法。
20. 前記予め定義された登録パターンは、同心状に前記空間光変調器に対応する修正要素を有する、
    ことを特徴とする請求項１２に記載の方法。
21. 放射線源と、
    前記放射線源からの光を変調する複数の要素を有する空間光変調器と、
    テンプレートを保持するテンプレートホルダ、および、成形可能材料が堆積される表面を有する基板を保持する基板ホルダを含むインプリントアセンブリと、
    プロセッサと、
    前記プロセッサによって実行される場合に、前記プロセッサに動作を実行させるための命令を格納するメモリと、を備え、
    前記動作は、
    空間光変調器に関連付けられた予め定義された登録パターンを使用して、基準膜を形成するように、テンプレートの下の成形可能材料に照射すること、
    前記基準膜を検査して、インプリントフィールドエッジに対する前記空間光変調器の要素の位置情報を生成すること、
    前記位置情報に基づいて、前記テンプレートのホルダに対する前記空間光変調器の前記要素の位置オフセットを決定すること、および、
    前記位置オフセットに基づいて、前記空間光変調器の制御パラメータを決定すること、を含む、
    ことを特徴とする装置。
22. 物品を製造する方法であって、
    請求項１１に記載の方法を用いて基板上にパターンを形成すること、および、
    前記パターンが形成された前記基板を処理して前記物品を得ること、
    を含むことを特徴とする方法。

Images