JP2023028128A - コイル装置 - Google Patents

Abstract

【課題】特に高周波で漏れ磁束を有効に低減でき、しかも装置の小型化および製造コストの低減を図ることが可能なコイル装置を提供すること。【解決手段】磁性体を含む素子本体４と、素子本体４内に設置しているコイル部６αと、コイル部６αのリード部に接続してある端子電極８と、を有するコイル装置２である。素子本体４の外面の内の少なくとも１面４ａには、金属と樹脂とを含むシールド層１０が形成してある。【選択図】図１Ａ

Description

本発明は、たとえばインダクタなどの用途に用いられるコイル装置に関する。

インダクタなどのコイル装置は、電子機器に広く用いられている。このようなコイル装置に対して、電流を流すことで生じる磁束の一部が、製品の外部に漏れてしまうことを低減するために、特許文献１のコイル装置では、銅製のシートからなるシールドを、コイル装置の素子本体とは別に形成し、素子本体に装着することで漏れ磁束を遮断している。

しかしながら、このようにシールドを素子本体とは別に形成して取り付けると、コイル装置が大きくなってしまうと共に、コイル装置の製造コストが増大してしまうという課題がある。

特表２０１９－５１６２４６号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、特に高周波で漏れ磁束を有効に低減でき、しかも装置の小型化および製造コストの低減を図ることが可能なコイル装置を提供することである。

本発明者らは、漏れ磁束を有効に低減でき、しかも装置の小型化および製造コストの低減を図ることが可能なコイル装置について鋭意検討した結果、特定のシールド層を素子本体の表面に形成することで、シールド層を薄く形成したとしても、特に高周波で、コイル装置からの漏れ磁束を有効に低減できることを見出し、本発明を完成させるに至った。

すなわち、本発明に係るコイル装置は、
磁性体を含む素子本体と、
前記素子本体内に設置しているコイル部と、
前記コイル部のリード部に接続してある端子電極と、を有し、
前記素子本体の外面の内の少なくとも１面には、金属と樹脂とを含むシールド層が形成してある。

このシールド層は、金属と樹脂を含むペースト状の原料を塗布して乾燥、硬化させるのみで形成することが可能であり、そのシールド層の厚さを容易に制御することができる。そのため、金属製のシートのシールドを素子本体に取り付ける構造よりも、コイル装置を容易に製造することが可能になる。しかも、素子本体に金属製のシートを取り付ける構造のコイル装置に比べて、シールド層と素子本体との密着性も向上すると共に、コイル装置の小型化も図ることができる。

好ましくは、前記シールド層は、前記金属が前記樹脂よりも多く観察される金属リッチ領域を有している。好ましくは、前記金属リッチ領域の断面では、前記金属が５０％以上含まれている。さらに好ましくは、前記金属リッチ領域の断面では、前記金属が８０％以上含まれている。この金属リッチ領域が、漏れ磁束の遮断効果を高めていると考えられる。

好ましくは、前記シールド層は、前記樹脂が多く観察される樹脂リッチ領域を有し、前記樹脂リッチ領域が、前記素子本体と前記金属リッチ領域との界面に存在する。この樹脂リッチ領域は、シールド層と素子本体との密着性を向上させていると考えられる。

前記端子電極は、前記シールド層の前記金属リッチ領域と、同じ材質の領域を有していてもよい。このように構成することで、特定のノイズ周波数に対して効果的に漏れ磁束の低減を実現することができる。同じ材質の金属リッチ領域が、より広い範囲で素子本体表面を覆うことができるためだと考えられる。また、同じ原料によって端子電極とシールド層を同時に形成できるため、製造コストを低減することができる。

好ましくは、前記シールド層は、前記金属と前記樹脂を含むペーストを前記素子本体の外面に塗って形成した塗布層を有する。塗布層は、容易に形成することができ、厚さの制御も容易である。そのため、金属製のシートのシールドを有するコイル装置よりも設計変更も容易であり、製造コストを低減することができる。

好ましくは、前記シールド層には、Ａｇが含まれている。Ａｇを含むシールド層によれば、薄く形成したとしても、特に高周波で漏れ磁束を有効に低減できることが確認された。

前記ペーストは、扁平形状の金属粉体を含むことが好ましい。また、前記ペーストは、球形状の金属粉体を含んでいてもよい。また、前記塗布層は、前記ペーストを１７０℃～２３０℃で熱処理して形成してあることが好ましい。

このようなペーストによって形成されたシールド層によれば、漏れ磁束の低減効果が高まる。特に、平均粒径が、好ましくは８００ｎｍ以下、さらに好ましくは、１００～５００ｎｍの小さな金属粉体を含むことが好ましい。このような金属粉体を含むことで、ペーストに含まれる樹脂を硬化させる温度（１７０℃～２３０℃）でペースト塗布膜を熱処理した場合に、金属リッチ領域の金属含有率を向上させることができる。金属粉体の粒子が細かいために、金属自体の融点温度よりも低い温度で金属の焼結に近い現象が生じているのではないかと考えられる。

好ましくは、前記シールド層は、前記端子電極が形成されている前記素子本体の外面とは反対側の外面に形成してある。このように、反実装側面にシールド層が形成されたコイル装置は、反実装面側からの漏れ磁束を効果的に低減することができる。なお、前記シールドの表面にはメッキ層が形成してあってもよい。メッキ層は、コイル装置の端子電極の表面に形成されるメッキ層の形成と同時に形成されることができる。

前記シールド層は、前記素子本体の反実装側面に形成されている反実装側シールド層と、前記反実装側シールド層から前記素子本体の側面を通って前記素子本体の実装側面の近くまで延びるグランド導通部を有していてもよい。

このように構成することで、シールド層をグランドに接続させることができる。このため、シールド層をグランド電位と同じ電位にすることができる。その結果、シールド層による漏れ磁束の遮断効果を高めることができる。また、グランド導通部が素子本体の側面における漏れ磁束のシールドとしても機能することができる。さらに、グランド導通部をグランドと接続することで、端子電極以外の部分でも、コイル装置の接続箇所が増大し、コイル装置の実装強度を向上させることができる。

前記素子本体の実装側面には反実装側に向かって凹部が形成してあり、前記凹部には前記実装側シールド層が形成してあってもよい。このように構成することで、凹部が実装基板との間に形成する空間に、コンデンサチップなどのその他の電子部品を配置することができる。また、凹部に形成してあるシールド層が漏れ磁束を低減することで、電子部品への悪影響も防止することができる。

前記シールド層は、前記素子本体の実装側面を除く外面を覆うように形成されていてもよい。このように構成することで、より漏れ磁束を低減することができる。

前記端子電極が、前記素子本体の実装側面から、前記素子本体の側面に向けてＬ字状に形成してあってもよい。このように構成することで、基板などに実装するときにハンダフィレットを形成し易くなる。

図１Ａは、本発明の一実施形態に係るコイル装置を示す斜視図である。 図１Ｂは、本発明の他の実施形態に係るコイル装置を示す斜視図である。 図１Ｃは、本発明のさらに他の実施形態に係るコイル装置を示す斜視図である。 図１Ｄは、本発明のさらに他の実施形態に係るコイル装置を示す斜視図である。 図１Ｅは、本発明のさらに他の実施形態に係るコイル装置を示す斜視図である。 図２Ａは、図１Ａに示すコイル装置を別の角度から見た斜視図である。 図２Ｂは、図１Ｃに示すコイル装置を別の角度から見た斜視図である。 図３Ａは、図１Ａに示すコイル装置を基板に実装したときのIIIＡ－IIIＡ線に沿う断面図である。 図３Ｂは、図１Ｂに示すコイル装置を基板に実装したときのIIIＢ－IIIＢ線に沿う断面図である。 図３Ｃは、図１Ｄに示すコイル装置を基板に実装したときのIIIＣ－IIIＣ線に沿う断面図である。 図４Ａは、実施例に係るコイル装置の拡大断面写真の模式図である。 図４Ｂは、他の実施例に係るコイル装置の拡大断面写真の模式図である。 図５は、漏れ磁束の計測装置の概略図である。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。

第１実施形態
図１Ａに示すように、本発明の第１実施形態に係るコイル装置としてのインダクタ２は、略直方体（略六面体）からなる素子本体４を有する。

素子本体４は、上面４ａと、上面４ａとはＺ軸方向の反対側に位置する底面４ｂと、４つの側面４ｃ～４ｆとを有する。素子本体４の寸法は特に限定されない。たとえば、素子本体４のＸ軸方向の寸法を１.２～６.５ｍｍとすることができ、Ｙ軸方向の寸法を０.６～６.５ｍｍとすることができ、高さ（Ｚ軸）方向の寸法を、０.５～５.０ｍｍとすることができる。

図１Ａ、図２Ａおよび図３Ａに示すように、素子本体４の底面４ｂには、一対の端子電極８が形成してある。一対の端子電極８は、Ｘ軸方向で離反してあり、互いに絶縁してある。本実施形態のインダクタ２では、これらの端子電極８を、図３Ａに示す基板３０に形成してあるランド３２などに接続することで、外部回路が接続可能となっている。

すなわち、インダクタ２は、ハンダ３４や導電性接着剤などの接合部材を用いて、回路基板などの各種の基板３０の上に実装可能となっている。基板３０に実装する場合、素子本体４の底面４ｂが実装面となり、端子電極８と基板３０とが、ハンダ３４などの接合部材により接合される。

素子本体４は、その内部において、コイル部６αを有している。このコイル部６αは、導体としてのワイヤ６をコイル状に巻回することで構成してある。本実施形態の図１Ａにおいて、コイル部６αは、クロスワイズ巻きであるが、ノーマル巻きであってもよい。あるいは、ワイヤ６は、巻芯部４１ｂに直接に巻回してもよい。

コイル部６αを構成するワイヤ６は、主として銅を含む導体部と、その導体部の外周を覆う絶縁層とで構成してある。より具体的には、導体部は、無酸素銅やタフピッチ銅などの純銅、リン青銅や黄銅、丹銅、ベリリウム銅、銀－銅合金などの銅を含む合金、もしくは、銅被覆鋼線などで構成される。一方、絶縁層は、電気絶縁性を有していればよく、特に限定されない。たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ナイロン、ポリエステル、ナイロンなど、もしくは、上記の内少なくとも2種の樹脂を混合した合成樹脂が例示される。また、本実施形態において、ワイヤ６は、図１Ａおよび図３Ａに示すように丸線であり、導体部の断面形状が円形となっている。

図１Ａおよび図３Ａに示すように、本実施形態における素子本体４は、第１コア部４１と第２コア部４２とを有する。この第１コア部４１および第２コア部４２は、いずれも、磁性材料と、樹脂とを含む圧粉体で構成することができる。

各コア部４１，４２に含まれる磁性材料は、たとえばフェライト粉末または金属磁性粉末で構成することができる。フェライト粉末としては、たとえば、Ｎｉ－Ｚｎ系フェライト、Ｍｎ－Ｚｎ系フェライトなどが例示される。また、金属磁性粉末としては、特に限定されないが、たとえば、Ｆｅ－Ｎｉ合金、Ｆｅ－Ｓｉ合金、Ｆｅ－Ｃｏ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ－Ｓｉ－Ａｌ合金、Ｆｅを含むアモルファス合金、Ｆｅを含むナノ結晶合金など、その他の軟磁性合金が例示される。

なお、上記のフェライト粉末または金属磁性粉末には、適宜、副成分が添加してあってもよい。また、第１コア部４１および第２コア部４２は、たとえば同種の磁性材料で構成して、第１コア部４１の比透磁率μ１と、第２コア部４２の比透磁率μ２とを等しくしてもよい。また、第１コア部４１と第２コア部４２とを、それぞれ材質が異なる磁性材料で構成してもよい。

また、第１コア部４１または第２コア部４２を構成する磁性材料（すなわちフェライト粉末または金属磁性粉末）については、そのメディアン径（Ｄ５０）を５μｍ～５０μｍとすることができる。さらに、上記の磁性材料は、Ｄ５０が異なる複数の粒子群を混ぜ合わせて構成してもよい。たとえば、Ｄ５０が８μｍ～３０μｍの大径粉と、Ｄ５０が１μｍ～５μｍの中径粉と、Ｄ５０が０．３μｍ～０．９μｍの小径粉とを混ぜ合わせてもよい。

上記のように複数の粒子群を混ぜ合わせる場合、大径粉と中径粉と小径粉との割合は、特に制限されない。また、大径粉と中径粉と小径粉とは、全て同種の材質で構成することができ、異なる材質で構成することもできる。このように、第１コア部４１または第２コア部４２に含まれる磁性材料を、複数の粒子群で構成することで、素子本体４に含まれる磁性材料の充填率を高めることができる。その結果、インダクタ２の透磁率や渦電流損失、直流重畳特性などの諸特性が向上する。

なお、磁性材料の粒径は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）や走査透過型電子顕微鏡（ＳＴＥＭ）などで素子本体４の断面を観察し、得られた断面写真をソフトウェアにより画像解析することで測定できる。その際、磁性材料の粒径は、円相当径換算で計測することが好ましい。

また、第１コア部４１または第２コア部４２を金属磁性粉末で構成する場合、当該粉末を構成する粒子は、当該粒子間が互いに絶縁されていることが好ましい。絶縁する方法としては、たとえば、粒子表面に絶縁被膜を形成する方法が挙げられる。絶縁被膜としては、樹脂または無機材料で形成する被膜、および、熱処理により粒子表面を酸化して形成する酸化被膜が挙げられる。樹脂または無機材料で絶縁被膜を形成する場合、樹脂としては、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。無機材料としては、リン酸マグネシウム、リン酸カルシウム、リン酸亜鉛、リン酸マンガンなどのリン酸塩、ケイ酸ナトリウムなどのケイ酸塩（水ガラス）、ソーダ石灰ガラス、ホウケイ酸ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウ酸塩ガラス、硫酸塩ガラスなどが挙げられる。絶縁被膜を形成することで、粒子間の絶縁性を高めることができ、インダクタ２の耐電圧を向上させることができる。

また、第１コア部４１および第２コア部４２に含まれる樹脂としては、特に制限されないが、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、フラン樹脂、アルキド樹脂、ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂などの熱硬化性樹脂、または、アクリル樹脂、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）などの熱可塑性樹脂などを用いることができる。

図１Ａに示すように、第１コア部４１は、鍔部４１ａと、巻芯部４１ｂと、切り欠き部４１ｃとを有する。鍔部４１ａは、素子本体４の各側面４ｃ～４ｆに向かって突出しており、各側面４ｃ～４ｆに対応して４つ形成してある。この鍔部４１ａの上面には、コイル部６αが搭載されており、鍔部４１ａがコイル部６αを支持している。ここで、Ｘ軸方向に沿って突出する２つの鍔部４１ａを、それぞれ、第１鍔部４１ａｘとし、Ｙ軸方向に沿って突出する２つの鍔部４１ａを、それぞれ第２鍔部４１ａｙとする。第１鍔部４１ａｘの厚みは、第２鍔部４１ａｙの厚みよりも、薄くなっており、第１鍔部４１ａｘの下方には、リード部６ａの一部を収容するスペースが存在する。

巻芯部４１ｂは、鍔部４１ａよりもＺ軸方向の上方に位置し、鍔部４１ａと一体的に形成してある。また、巻芯部４１ｂは、Ｚ軸の上方に向かって突出する略楕円柱からなり、コイル部６αの内側に挿入されている。巻芯部４１ｂの形状は、図１および図３Ａに示す様態に限定されず、コイル部６αの巻回形状に合わせた形状とすればよい。たとえば、円柱状、角柱状とすることができる。

切り欠き部４１ｃは、各鍔部４１ａの間に位置し、Ｘ－Ｙ平面の四隅に４つ形成してある。すなわち、切り欠き部４１ｃは、素子本体４の各側面４ｃ～４ｆが互いに交差する箇所の付近に形成してある。この切り欠き部４１ｃは、コイル部６αから引き出されたリード部６ａが通過するための通路として利用される。また、切り欠き部４１ｃは、製造過程において、第２コア部４２を構成する成形材料が、第１コア部４１の表面側から裏面側に流動する際の通路としても機能する。図１において、切り欠き部４１ｃは、略正方形状に切り欠かれているが、その形状は、リード部６ａおよび上述した成形材料が通過する形状であればよく、特に制限されない。たとえば、切り欠き部４１ｃは、鍔部４１ａの表裏面を貫通する貫通孔であってもよい。

第２コア部４２は、図３Ａに示すように、第１コア部４１を覆っている。より具体的には、第２コア部は、鍔部４１ａの上方においてコイル部６αと巻芯部４１ｂとを覆うとともに、切り欠き部４１ｃおよび第１鍔部４１ａｘの下方に存在するスペースに充填してある。なお、図１Ａに示すように、第２鍔部４１ａｙの下面は、素子本体４の底面４ｂの一部を構成しており、この第２鍔部４１ａｙの下方には、第２コア部４２が充填されていない。

図１Ａに示すように、一対のリード部６ａは、それぞれ、第１鍔部４１ａｘの上方において、コイル部６αからＹ軸に沿って引き出されている。また、一対のリード部６ａは、それぞれ、素子本体４の側面４ｃの近傍で折り返されて、第１鍔部４１ａｘの下方において、側面４ｃ側から側面４ｄ側に向かって延びている。

ここで、素子本体４の底面４ｂから第１鍔部４１ａｘまでのＺ軸方向の高さｈ（図３Ａ参照）は、リード部６ａの外径よりも小さい。そのため、第１鍔部４１ａｘの下方において、リード部６ａの大半は、素子本体４（とりわけ第２コア部４２）の内部に収容してあるが、リード部６ａの外周縁の一部は、素子本体４の底面４ｂに露出している。リード部６ａは、いずれもワイヤ６で構成してあるが、底面４ｂに露出した箇所では、ワイヤ６の外周側に存在する絶縁層が除去されて、ワイヤ６の導体部が露出している。本実施形態では、図２Ａに示すように、底面４ｂにおいて、ワイヤ６の導体部が露出した箇所を、特に、取出電極部６１と称する。

本実施形態では、図２Ａに示すように、一対の取出電極部６１を、それぞれ覆うように一対の端子電極８が形成してあり、取出電極部６１と端子電極８とが電気的に接続されている。

端子電極８は、樹脂電極層を有していてもよい。また、端子電極８は、樹脂電極層とその他の電極層とを有する積層構造であってもよい。端子電極８を積層構造とする場合、樹脂電極層は、取出電極部６１と接触する部分に位置し、その他の電極層は、樹脂電極層の外側、すなわち、取出電極部６１の反対側に積層される。

その他の電極層は、単層でも複数層でもよく、その材質は特に限定されない。たとえば、その他の電極層は、Ｓｎ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｐｄなどの金属、または、これらの金属元素のうち少なくとも１種を含む合金で構成することができ、メッキやスパッタリングにより形成することができる。また、端子電極８の全体の平均厚みは、１０μｍ～６０μｍとすることが好ましく、端子電極８に含まれる樹脂電極層の平均厚みは、１０μｍ～５０μｍとすることが好ましい。

図１Ａに示すように、本実施形態では、素子本体４の上面４ａには、シールド層１０が形成してある。シールド層１０は、素子本体４の上面４ａの全体に亘って形成してある反実装側シールド層１０ａを有する。反実装側シールド層１０ａは、Ｚ軸方向から見た平面視で、少なくともコイル部６αを覆うように形成されている。この反実装側シールド層１０ａは、必ずしも、上面４ａの全体に亘って形成されていなくてもよいが、上面４ａを広い範囲で覆うことが好ましい。

反実装側シールド層１０ａから成るシールド層１０は、その横断面写真の模式図である図４Ａおよび図４Ｂに示すように、金属リッチ領域としての金属リッチ層１２と、樹脂リッチ領域としての樹脂リッチ層１４とを有する。金属リッチ層１２の表面には、メッキ層１５が形成してあってもよい。

メッキ層１５は、たとえば中間層１６と、最外層１８とを有していてもよい。このメッキ層１５は、端子電極８の表面に形成されるメッキ層と同時に形成されることが好ましく、メッキ層の最外層１８は、たとえばハンダとの濡れ性に優れた錫または錫合金などを含むことが好ましい。また、中間層は、ニッケルまたはニッケル合金などを含み、単層でも複数の積層膜でもよい。

本実施形態では、素子本体４の第２コア部４２の表面と、金属リッチ層１２との界面に、樹脂リッチ層１４が観察される。コイル装置のＳＥＭによる断面写真の模式図を図４Ａおよび図４Ｂに示す。ＳＥＭによる断面写真では、樹脂成分および空間部分が黒色部分で観察され、金属成分が白色で観察され、磁性体粒子が灰色で観察される。断面写真の模式図である図４Ａおよび図４Ｂにおいて、ＳＥＭによって、白色で観察される金属の断面を斜線または白色で表し、灰色で観察される第２コア部の磁性体粒子の断面を斜めにクロスする破線で表し、素体本体４において黒色で観察される断面は樹脂を表している。なお、ＳＥＭによって黒色で観察されるシールド層の外側の空間を斜めにクロスする格子状の網掛けで表している。また、素子本体４およびシールド層１０の内部においての黒色部分には、樹脂成分以外に、一部に隙間空間も含まれるが、樹脂リッチ層１４における黒色部分は、隙間空間ではなく、樹脂成分であることが、その他の試験方法（たとえば密着試験など）で確認されている。

金属リッチ層１２は、磁性体粒子４２ａを含む素子本体４の表面において、メッキ層１５を除いて、金属成分を示す白い部分が、樹脂を示す黒色部分よりも面積割合が多い領域が観察される層として定義できる。また、樹脂リッチ層１４は、金属リッチ層１２と素子本体４の表面との界面で、樹脂を示す黒色部分が金属成分を示す白い部分に対して多い領域が層状に観察される層として定義できる。

金属リッチ層１２における金属の割合は、断面における面積割合で、好ましくは５０％以上、さらに好ましくは８０％以上、特に好ましくは９０％以上である。また、樹脂リッチ層１４では、金属の割合が、断面における面積割合で、好ましくは５０％以下、さらに好ましくは２０％以下、特に好ましくは３％以下である。

なお、上記において各成分が占める面積は、断面をＳＥＭもしくはＳＴＥＭで観察し、得られる断面画像を画像解析することで測定できる。ＳＥＭを用いる場合は、反射電子像で観測することが好ましく、ＳＴＥＭを用いる場合は、ＨＡＡＤＦ像で観測することが好ましい。上記の観察像では、コントラストが暗い部分（黒色に近い部分）が樹脂成分であり、コントラストが明るい部分（泊色に近い部分）が金属成分である。

樹脂リッチ層１４は、金属リッチ層１２と素子本体４の表面との界面で、多少の厚みのバラツキはあるが、連続して形成されることが好ましい。ただし、樹脂リッチ層１４は、長手方向に沿って不連続な部分が存在してもよい。

不連続な部分とは、金属リッチ層１２の金属成分（白色部分の粒子または塊）と、素子本体４の内部に含まれる１μｍ以上の粒径の磁性体粒子（灰色部分の粒子）との距離が０．１μｍ以下に狭まった部分として定義される。０．１μｍ以下の粒径で観察される独立している粒子は、白色か灰色かに限らず、樹脂リッチ層１４に含めて定義することができる。

樹脂リッチ層１４の厚みは、好ましくは０．５～５μｍ、さらに好ましくは１～３μｍである。また、金属リッチ層１２の厚みは、好ましくは１～５０μｍ、さらに好ましくは３～１５μｍである。

金属リッチ層１２における金属は、好ましくはとしてＡｇが含まれ、その他、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎ、Ａｕ、Ｐｄなどが含まれてもよい。また、樹脂リッチ層１４における樹脂成分は、好ましくは、エポキシ樹脂やフェノール樹脂などの熱硬化性樹脂などが例示される。

次に、本実施形態のインダクタ２の製造方法について説明する。

まず、第１コア部４１を、加熱加圧成形などのプレス法や、射出成形法によって作製する。第１コア部４１の作製においては、磁性材料の原料粉と、バインダ、溶媒などを混練して顆粒とし、その顆粒を成形用の原料として用いる。磁性材料を複数の粒子群で構成する場合には、粒度分布が異なる磁性粉末を準備して、所定の比率で混合すればよい。

次に、得られた第１コア部４１に、コイル部６αを搭載する。コイル部６αは、予めワイヤ６を所定の形状に巻回した空芯コイルであってもよく、この空芯コイルに、第１コア部４１の巻芯部４１ｂを挿入する。もしくは、第１コア部４１の巻芯部４１ｂにワイヤ６を直接巻回して、コイル部６αを形成してもよい。第１コア部４１とコイル部６αを組み合わせた後、図１Ａに示すように、コイル部６αから一対のリード部６ａを引き出して、第１鍔部４１ａｘの下方に配置する。

次に、第２コア部４２を、インサート射出成形により作製する。第２コア部４２の作製においては、まず、コイル部６αを搭載した第１コア部４１を、成形用金型の内部に設置する。

第２コア部４２を構成する原料としては、成形時に流動性がある材料が用いられる。具体的には、磁性材料の原料粉と、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などのバインダとを混錬した複合材料を用いる。この複合材料には、適宜、溶媒、分散剤などが添加してあってもよい。インサート射出成形においては、上記の複合材料をスラリー化した状態で、成形用金型内に導入する。その際、導入されたスラリーは、第１コア部４１の切り欠き部４１ｃを通過して、第１鍔部４１ａｘの下方にも充填される。また、射出成形時においては、使用するバインダの材質に応じて、適宜熱が加えられる。こうして、第１コア部４１と、第２コア部４２と、コイル部６αとが一体化された素子本体４が得られる。

次に、素子本体４の底面４ｂの一部、すなわち、図３Ａにおいて一対の端子電極８を形成する箇所に、レーザを照射して電極予定部を形成する。このレーザ照射によって、底面４ｂに露出しているリード部６ａの絶縁層が除去され、取出電極部６１が形成される。また、レーザ照射によって、底面４ｂの最表面では、コア部４２（４１も同様）に含まれる樹脂が除去される。つまり、電極予定部では、コア部４２（４１も同様）に含まれる磁性材料が露出するとともに、取出電極部６１が露出する。これにより、素子本体４の底面４ｂに、端子電極８が密着されやすくなる。

次に、樹脂電極用ペーストを、印刷法などの手法によって電極予定部に塗布する。この際に使用する樹脂電極用ペーストには、樹脂成分となるバインダと、導体粉末となる金属原料粉末が含まれている。より具体的に、金属原料粉末は、粒径がマイクロメートルオーダのマイクロ粒子と、粒径がナノメートルオーダのナノ粒子とを含むことが好ましい。

なお、同時に、端子電極８を形成するための樹脂電極用ペーストと同じペーストを用いて、図１Ａに示すシールド層１０を形成するための塗布膜を、素子本体４の上面に形成する。塗布膜の厚みは、端子電極８の樹脂電極層の厚みと同程度でもよいが、好ましくは、図４Ａまたは図４Ｂに示す加熱処理後の金属リッチ領域１２の厚みが、前述した好ましい範囲となるように決定される。塗布に際しては、厚みを調整するために、複数回の塗布を繰り返してもよく、塗布と乾燥とを繰り返してもよい。

端子電極８が形成される電極予定部と、シールド層１０が形成されるシールド予定部に、樹脂電極用ペーストを塗布した後、素子本体４を所定の条件で加熱処理し、ペースト中のバインダ（樹脂成分）を硬化させる。加熱処理の条件は、たとえば処理温度（保持温度）を１７０℃～２３０℃とし、保持時間を６０ｍｉｎ～９０ｍｉｎとすることが好ましい。

なお、端子電極８となる樹脂電極層の形成後、樹脂電極層の外面には、適宜、メッキ膜やスパッタ膜を形成してもよい。たとえば、樹脂電極層の外面に、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｓｎなどのメッキ膜を形成しておくことで、半田に対する濡れ性が向上する。メッキ膜の形成に際して、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、シールド層１０の表面には、メッキ層１５が同時に形成される。

以上のような製造方法によって、素子本体４の底面（実装側面）４ｂに一対の端子電極８が形成され、上面（反実装側面）４ａにシールド層１０が形成されたインダクタ２が得られる。
（第１実施形態のまとめ）

さらに本実施形態では、素子本体４の外面の内の少なくとも１面である上面４ａには、金属と樹脂とを含むシールド層１０が形成してある。このシールド層１０は、金属と樹脂を含むペースト状の原料を塗布して乾燥、硬化させるのみで形成することが可能であり、そのシールド層１０の厚さを容易に制御することができる。そのため、金属製のシートのシールドを素子本体に取り付ける構造よりも、コイル装置２を容易に製造することが可能になる。しかも、素子本体４に金属製のシートを取り付ける構造のコイル装置に比べて、シールド層１０と素子本体４との密着性も向上すると共に、コイル装置２の小型化も図ることができる。

また、シールド層１０は、図４Ａおよび図４Ｂに示すように、金属が樹脂よりも多く観察される金属リッチ層１２を有している。図４Ａに示す金属リッチ層１２の断面では、金属が５０％以上含まれている。さらに図４Ｂに示す金属リッチ層１２の断面では、金属が８０％以上含まれている。この金属リッチ層１２が、漏れ磁束の遮断効果を高めていると考えられる。

シールド層１０は、さらに樹脂リッチ層１４を有し、樹脂リッチ層１４が、素子本体４と金属リッチ層１２との界面に存在する。この樹脂リッチ層１４は、シールド層１０と素子本体４との密着性を向上させていると考えられる。

また、端子電極８は、シールド層１０の金属リッチ層１２と、同じ材質の樹脂電極層を有している。このように構成することで、特定のノイズ周波数に対して効果的に漏れ磁束の低減を実現することができる。同じ材質の金属リッチ層１２が、より広い範囲で素子本体４の表面を覆うことができるためと考えられる。また、同じ原料によって端子電極８とシールド層１０を同時に形成できるため、製造コストを低減することができる。

シールド層１０は、金属と樹脂を含むペーストを素子本体の外面に塗って形成した塗布層を有する。塗布層は、容易に形成することができ、厚さの制御も容易である。そのため、金属製のシートのシールドを有するコイル装置よりも設計変更も容易であり、製造コストを低減することができる。

好ましくは、前記シールド層には、Ａｇが含まれている。Ａｇを含むシールド層によれば、薄く形成したとしても、特に高周波で漏れ磁束を有効に低減できることが確認された。

前記ペーストは、扁平形状の金属粉体を含むことが好ましい。また、前記ペーストは、略球形状の金属粉体を含んでいてもよい。また、前記塗布層は、前記ペーストを１７０℃～２３０℃で熱処理して形成してあることが好ましい。

このようなペーストによって形成されたシールド層によれば、漏れ磁束の低減効果が高まる。特に、平均粒径が、好ましくは８００ｎｍ未満、さらに好ましくは、１００～５００ｎｍの小さな金属粉体を含むことが好ましい。このような金属粉体を含むことで、ペーストに含まれる樹脂を硬化させる温度（１７０℃～２３０℃）でペースト塗布膜を熱処理した場合に、金属リッチ層の金属含有率を向上させることができる。金属粉体がナノ粒子を含むために、金属自体の融点温度よりも低い温度で金属の焼結に近い現象が生じているのではないかと考えられる。

本実施形態では、シールド層１０は、端子電極８が形成されている素子本体４の底面４ｂとは反対側の上面４aに形成してある。このように、反実装側面である上面４ａにシールド層１０が形成されたコイル装置２は、反実装面側からの漏れ磁束を効果的に低減することができる。

第２実施形態
図１Ｂおよび図３Ｂに示すように、本実施形態のコイル装置２ａは、下述する以外は、第１実施形態のコイル装置２と同様であり、共通する説明は、省略する。

本実施形態のコイル装置２ａでは、シールド層１０は、素子本体４の上面４ａに形成されている反実装側シールド層１０ａと、反実装側シールド層１０ａから素子本体４の側面４ｃ，４ｄをそれぞれ通って素子本体４の底面４ｂまで延びるグランド導通部１０ｂ，１０ｄを有する。各グランド導通部１０ｂは、素子本体４の各側面４ｃ，４ｄのＸ軸方向の略中央部で、一対の端子電極８，８を短絡させない程度のＸ軸に沿う幅で、Ｚ軸方向に沿って形成してあり、図３Ｂに示す接地用端子電極８ａに接続してある。

接地用端子電極８ａは、基板３０に形成してある接地用ランド３２ａにハンダ３４などの接続部材で接続される。接地用端子電極８ａは、端子電極８と同様にして形成される。また、各グランド導通部１０ｂは、反実装側シールド層１０ａと同様にして形成される。

本実施形態のコイル装置２ａでは、シールド層１０を基板３０の接地用ランド（グランド）３２ａに接続させることができる。このため、シールド層１０をグランド電位と同じ電位にすることができる。その結果、シールド層１０による漏れ磁束の遮断効果を高めることができる。また、グランド導通部１０ｂが素子本体４の側面４ｃ，４ｄにおける漏れ磁束のシールドとしても機能することができる。さらに、グランド導通部１０ｂをグランドと接続することで、コイル部６αへの電力供給を行う端子電極８，８以外の部分でも、コイル装置２ａの接続箇所が増大し、コイル装置２ａの基板３０への実装強度を向上させることができる。

第３実施形態
図１Ｃおよび図２Ｂに示すように、本実施形態のコイル装置２ｂは、下述する以外は、上述した実施形態のコイル装置２または２ａと同様であり、重複する説明は省略する。

本実施形態のコイル装置２ｂでは、シールド層１０は、素子本体４の上面４ａに形成されている反実装側シールド層１０ａと、反実装側シールド層１０ａから素子本体４の４つの側面をそれぞれ通って素子本体４の底面４ｂまで、あるいは底面４ｂ近くまで延びる側面シールド層１０ｃを有する。

側面シールド層１０ｃは、反実装側シールド層１０ａと同様にして、シールド層１０ａと連続するように形成される。側面シールド層１０ｃのＺ軸方向の下端は、端子電極８とは絶縁されるように形成される。あるいは、端子電極８は、側面シールド層１０ｃのＺ軸方向の下端に対して絶縁が確保される範囲の面積で、素子本体４の底面４ｂに形成される。

このように本実施形態のシールド層１０は、素子本体の実装側面である底面４ｂを除く外面を覆うように形成されていてもよい。このように構成することで、平面（Ｘ軸およびＹ軸を含む平面）方向への漏れ磁束も低減することができる。

第４実施形態
図１Ｄおよび図３Ｃに示すように、本実施形態のコイル装置２ｃは、下述する以外は、上述した実施形態のコイル装置２または２ａ～２ｂと同様であり、重複する説明は省略する。

本実施形態のコイル装置２ｃでは、素子本体４の底面４ｂにはＺ軸の上方向に向かって凹む凹部２０が、Ｘ軸に沿って所定間隔で配置してある脚部２２，２２の間に形成してある。素子本体４の脚部２２の底面４ｂに端子電極８が各々形成してある。

素子本体４の凹部２０の天井面には実装側シールド層１０ｄが形成してある。実装側シールド層１０ｄは、反実装側シールド層１０ａと同様にして形成してあり、図示するように分離して形成してあってもよいが、素子本体４の側面４ｃ，４ｄに形成される部分側面シールド層（図示省略）により連続して形成してあってもよい。

本実施形態のコイル装置２ｃでは、図３Ｃに示すように、凹部２０が実装用の基板３０との間に形成する空間に、コンデンサチップなどのその他の電子部品３６を配置することができる。また、凹部２０に形成してあるシールド層１０ｄが漏れ磁束を低減することで、電子部品３６への悪影響も防止することができる。

第５実施形態
図１Ｅに示すように、本実施形態のコイル装置２ｄは、下述する以外は、上述した実施形態のコイル装置２または２ａ～２ｃと同様であり、重複する説明は省略する。

本実施形態のコイル装置２ｄでは、各端子電極８が、素子本体４の底面４ｂから各側面４ｅ，４ｆに向けてＬ字状に形成してある。シールド層１０の反実装側シールド層１０ａは、各端子電極８との絶縁を確保するために、素子本体４の上面４ａの全体ではなく、各端子電極８からＸ軸方向に所定間隔で離れるように磁用面４ａに形成してある。

本実施形態のコイル装置２ｄでは、図３Ａに示す基板３０などに実装するときに、素子本体４の側面４ｅ，４ｆに形成してある端子電極８にハンダフィレットなどを形成し易くなる。

その他の実施形態
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、上述した実施形態では、コイル部６αは、丸線のワイヤ６で構成してあるが、ワイヤ６の種類は、これに限定されず、導体部の断面形状が略長方形である平角線であってもよい。もしくは、四角線や、細線を撚り合わせたリッツ線であってもよい。さらに、コイル部６αは、導電性の板材を積層して構成してもよい。

また、上述した実施形態では、端子電極８およびシールド層１０を形成するためのペーストとして、マイクロ粒子とナノ粒子の双方を含む金属原料粉末を用いているが、いずれか一方のみでもよく、あるいは、マイクロ粒子に替えて、マイクロ粒子よりも比表面積が大きい金属粒子を用いてもよい。

さらに、上述した実施形態では、端子電極８の樹脂電極層と、シールド層１０を構成する塗布膜とは、同じペーストを熱処理させて形成してあるが、これらは異なっていてもよい。たとえば、端子電極８は、ワイヤ６のリード部６ａとの導通が可能な電極層であれば何でもよく、特に限定されない。

また、シールド層１０を構成する金属リッチ層１２は、好ましくは図４Ｂに示すように、金属成分の粒子または塊が層状を形成するように連続して接続してあることが好ましい。図４Ｂに示すような金属リッチ層１２を形成するためのペーストとしては、以下に示す金属原料粉末を、下記の含有割合で含むペーストであることが好ましい。

すなわち、好ましい金属原料粉末は、粒径がマイクロメートルオーダのマイクロ粒子と、粒径がナノメートルオーダのナノ粒子とを含む。マイクロ粒子は、平均粒径が１μｍ～１０μｍであることが好ましく、３μｍ～５μｍであることがより好ましい。一方、ナノ粒子は、平均粒径が、好ましくは８００ｎｍ未満、より好ましくは１００ｎｍ～５００ｎｍである。

また、マイクロ粒子およびナノ粒子共に、Ａｇを主成分とすることが好ましい。ペーストに、Ａｇ以外の金属元素も含まれる場合、その金属元素の存在形態は特に限定されない。たとえば、Ａｇ以外の金属元素は、マイクロ粒子およびナノ粒子以外の粒子として存在していてもよいし、マイクロ粒子に固溶していてもよい。

また、上述した実施形態では、磁性粉体を含む樹脂から成る素子本体４の表面にシールド層１０を塗布法により形成してあるが、シールド層１０は、樹脂を含まない磁性粉体の焼結体から成る素子本体の表面に形成してあってもよい。

たとえば、素子本体４を構成する第１コア部４１は、フェライト粉末または金属磁性粉末の焼結体とすることもできる。また、素子本体４自体を、ＦＴ型、ＥＴ型、ＥＩ型、ＵＵ型、ＥＥ型、ＥＥＲ型、ＵＩ型、ドラム型、ポット型、カップ型の圧粉体コアもしくは焼結体コアとし、そのコアにコイルを巻回してインダクタ素子を構成してもよい。この場合、リード部は、素子本体の内部に埋設してある必要はなく、コアの外周に沿って引き出され、端子電極８の外面に接続してあってもよい。

また、本発明に係るコイル装置は、インダクタに限定されず、トランス、チョークコイル、コモンモードフィルタなどの電子部品であってもよい。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

実施例１
実施例１では、図１Ａに示すインダクタ試料を作製した。具体的には、実施形態で述べた方法により素子本体４を作成し、素子本体４の上面４ａにシールド層１０を形成した。

シールド層１０の形成は、実施形態に示すペーストを用い、実施形態で述べた条件で加熱処理を施した。

得られたインダクタ試料（コイル装置２）を、図５に示すように、試験用の基板３０に接続し、漏れ磁束測定装置５０の分析装置５２により、コイル装置２の試料の漏れ磁束を測定した。

具体的には、コイル装置２の試料の上で、所定間隔（たとえば１ｍｍ）で基板３０と平行に、測定平面５６を仮定し、測定平面に沿ってプロープ５４を移動させて、コイル装置２の試料の漏れ磁束を測定した。コイル装置２の漏れ磁束の試験は、４００ｋＨｚの条件１と、２ＭＨｚの条件２との二つの条件で行い、コイル装置２に対して垂直方向（Ｚ軸）の漏れ磁束と、水平方向（Ｘ－Ｙ軸）の漏れ磁束を測定した。結果を表１に示す。

また、実施例１で得られたコイル装置のシールド層１０を含む断面をＳＥＭによる撮影を行った結果、得られた断面写真の模式図を図４Ａに示す。金属リッチ層１０の平均厚みは１５μｍであり、樹脂層１４の平均厚みは２μｍであった。また、ニッケルメッキからなる中間層１６と錫メッキからなる最外層１８も観察された。また、断面写真から測定された金属リッチ層１０における金属含有率を表１に示す。

実施例２
実施例２では、以下に示す以外は、実施例１と同様にして、コイル装置２のインダクタ試料を作製し、実施例１と同様な測定を行った。結果を表１に示す。また、シールド層１０を含む断面写真の模式図を図４Ｂに示す。

実施例２では、シール層１０の形成時には、ペーストに含まれる金属粉体の平均粒径が実施例１よりも小さい金属粉体を含むペーストを用い、実施形態で述べた条件で加熱処理を施した。

比較例1
比較例１では、シールド層１０を形成しなかった以外は、実施例１と同様にして、コイル装置２のインダクタ試料を作製し、実施例１と同様な測定を行った。結果を表１に示す。

評価
表１に示すように、比較例１に比較し、実施例１、好ましくは実施例２では、シールド層の厚みが比較的に薄くても、特に高周波で漏れ磁束を有効に低減できルことが確認できた。また、実施例１および２では、シールド層１０の形成を端子電極の形成と同時に形成することができることから、コイル装置の小型化および製造コストの低減を図ることが可能であることも確認できた。

なお、ピーリングによる試験により、シールド層１０は、端子電極８と同様に、素子本体４の表面に対する密着性にも優れていることが確認できた。すなわち、図４Ａおよび図４Ｂに示す素子本体４の表面と金属リッチ層１２との界面の黒い部分は、隙間ではないことが確認され、樹脂で満たされている樹脂リッチ層１４であることが確認できる。

２，２ａ，２ｂ，２ｃ， … インダクタ
４ … 素子本体
４ａ … 上面（反実装側面）
４ｂ … 底面（実装側面）
４ｃ～４ｆ … 側面
４１ … 第１コア部
４１ａ … 鍔部
４１ｂ … 巻芯部
４１ｃ … 切り欠き部
４２ … 第２コア部
４２ａ… 磁性体粒子
６α … コイル部
６ … ワイヤ
６ａ … リード部
６１ … 取出電極部
８ … 端子電極
８ａ… 接地用端子電極
１０… シールド層
１０ａ… 反実装側シールド層
１０ｂ… グランド導通部
１０ｃ… 側面シールド層
１０ｄ… 実装側シールド層
１２… 金属リッチ層（領域）
１４… 樹脂リッチ層（領域）
１５… メッキ層
１６… 中間層
１８… 最外層
２０… 凹部
２２… 脚部
３０… 基板
３２… ランド
３２ａ… 接地用ランド
３４… ハンダ
３６… その他の電子部品
５０… 漏れ磁束測定装置
５２… 分析装置
５４… プロープ
５６… 測定平面

コイル部６αを構成するワイヤ６は、主として銅を含む導体部と、その導体部の外周を覆う絶縁層とで構成してある。より具体的には、導体部は、無酸素銅やタフピッチ銅などの純銅、リン青銅や黄銅、丹銅、ベリリウム銅、銀－銅合金などの銅を含む合金、もしくは、銅被覆鋼線などで構成される。一方、絶縁層は、電気絶縁性を有していればよく、特に限定されない。たとえば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエステル、ナイロンなど、もしくは、上記の内少なくとも2種の樹脂を混合した合成樹脂が例示される。また、本実施形態において、ワイヤ６は、図１Ａおよび図３Ａに示すように丸線であり、導体部の断面形状が円形となっている。

巻芯部４１ｂは、鍔部４１ａよりもＺ軸方向の上方に位置し、鍔部４１ａと一体的に形成してある。また、巻芯部４１ｂは、Ｚ軸の上方に向かって突出する略楕円柱からなり、コイル部６αの内側に挿入されている。巻芯部４１ｂの形状は、図１Ａおよび図３Ａに示す様態に限定されず、コイル部６αの巻回形状に合わせた形状とすればよい。たとえば、円柱状、角柱状とすることができる。

切り欠き部４１ｃは、各鍔部４１ａの間に位置し、Ｘ－Ｙ平面の四隅に４つ形成してある。すなわち、切り欠き部４１ｃは、素子本体４の各側面４ｃ～４ｆが互いに交差する箇所の付近に形成してある。この切り欠き部４１ｃは、コイル部６αから引き出されたリード部６ａが通過するための通路として利用される。また、切り欠き部４１ｃは、製造過程において、第２コア部４２を構成する成形材料が、第１コア部４１の表面側から裏面側に流動する際の通路としても機能する。図１Ａにおいて、切り欠き部４１ｃは、略正方形状に切り欠かれているが、その形状は、リード部６ａおよび上述した成形材料が通過する形状であればよく、特に制限されない。たとえば、切り欠き部４１ｃは、鍔部４１ａの表裏面を貫通する貫通孔であってもよい。

なお、上記において各成分が占める面積は、断面をＳＥＭもしくはＳＴＥＭで観察し、得られる断面画像を画像解析することで測定できる。ＳＥＭを用いる場合は、反射電子像で観測することが好ましく、ＳＴＥＭを用いる場合は、ＨＡＡＤＦ像で観測することが好ましい。上記の観察像では、コントラストが暗い部分（黒色に近い部分）が樹脂成分であり、コントラストが明るい部分（白色に近い部分）が金属成分である。

本実施形態のコイル装置２ａでは、シールド層１０は、素子本体４の上面４ａに形成されている反実装側シールド層１０ａと、反実装側シールド層１０ａから素子本体４の側面４ｃ，４ｄをそれぞれ通って素子本体４の底面４ｂまで延びるグランド導通部１０ｂを有する。各グランド導通部１０ｂは、素子本体４の各側面４ｃ，４ｄのＸ軸方向の略中央部で、一対の端子電極８，８を短絡させない程度のＸ軸に沿う幅で、Ｚ軸方向に沿って形成してあり、図３Ｂに示す接地用端子電極８ａに接続してある。

本実施形態のコイル装置２ｄでは、各端子電極８が、素子本体４の底面４ｂから各側面４ｅ，４ｆに向けてＬ字状に形成してある。シールド層１０の反実装側シールド層１０ａは、各端子電極８との絶縁を確保するために、素子本体４の上面４ａの全体ではなく、各端子電極８からＸ軸方向に所定間隔で離れるように上面４ａに形成してある。

また、シールド層１０を構成する金属リッチ層１２は、好ましくは図４Ｂに示すように、金属成分の粒子または塊が層状を形成するように連続して接続してあることが好ましい。図４Ｂに示すような金属リッチ層１２を形成するためのペーストとしては、以下に示す金属原料粉末を、所定の含有割合で含むペーストであることが好ましい。

Claims (17)

1. 磁性体を含む素子本体と、
   前記素子本体内に設置しているコイル部と、
   前記コイル部のリード部に接続してある端子電極と、を有し、
   前記素子本体の外面の内の少なくとも１面には、金属と樹脂とを含むシールド層が形成してあるコイル装置。
2. 前記シールド層は、前記金属が前記樹脂よりも多く観察される金属リッチ領域を有する請求項１に記載のコイル装置。
3. 前記金属リッチ領域の断面では、前記金属が５０％以上含まれている請求項２に記載のコイル装置。
4. 前記金属リッチ領域の断面では、前記金属が８０％以上含まれている請求項３に記載のコイル装置。
5. 前記シールド層は、前記樹脂が多く観察される樹脂リッチ領域を有し、前記樹脂リッチ領域が、前記素子本体と前記金属リッチ領域との界面に存在している請求項２～４のいずれかに記載のコイル装置。
6. 前記端子電極は、前記シールド層の前記金属リッチ領域と、同じ材質の領域を有する請求項２～５のいずれかに記載のコイル装置。
7. 前記シールド層には、Ａｇが含まれている請求項１～６のいずれかに記載のコイル装置。
8. 前記シールド層は、前記金属と前記樹脂を含むペーストを前記素子本体の外面に塗布して形成された塗布層を有する請求項１～７のいずれかに記載のコイル装置。
9. 前記塗布層は、前記ペーストを１７０℃～２３０℃で熱処理して形成してある請求項８に記載のコイル装置。
10. 前記ペーストは、略球形状の金属粉体を含む請求項８または９に記載のコイル装置。
11. 前記ペーストは、扁平形状の金属粉体を含む請求項８～１０のいずれかに記載のコイル装置。
12. 前記シールド層は、前記端子電極が形成されている前記素子本体の外面とは反対側の外面に形成してある請求項１～１１のいずれかに記載のコイル装置
13. 前記シールド層の表面にはメッキ層が形成してある請求項１～１２のいずれかに記載のコイル装置。
14. 前記シールド層は、前記素子本体の反実装側面に形成されている反実装側シールド層と、前記反実装側シールド層から前記素子本体の側面を通って前記素子本体の実装側面の近くまで延びるグランド導通部を有する請求項１～１３のいずれかに記載のコイル装置。
15. 前記素子本体の実装側面には反実装側に向かって凹部が形成してあり、前記凹部には前記実装側シールド層が形成してある請求項１～１４のいずれかに記載のコイル装置。
16. 前記シールド層は、前記素子本体の実装側面を除く外面を覆うように形成されている請求項１～１５のいずれかに記載のコイル装置。
17. 前記端子電極が、前記素子本体の実装側面から、前記素子本体の側面に向けてＬ字状に形成してある請求項１～１６のいずれかに記載のコイル装置。

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