JP2023007512A

JP2023007512A - Substrate processing device and substrate processing method

Info

Publication number: JP2023007512A
Application number: JP2019221177A
Authority: JP
Inventors: 英立磯川; Hidetatsu Isokawa; 健史新海; Takeshi Shinkai; 大吉成; Dai Yoshinari; 幸一橋本; Koichi Hashimoto
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2019-12-06
Filing date: 2019-12-06
Publication date: 2023-01-19

Abstract

To provide a substrate processing device and a substrate processing method capable of improving substrate cleaning efficiency.SOLUTION: A substrate processing device includes a polishing unit for polishing a substrate, a cleaning unit for cleaning the polished substrate, a transport mechanism for transporting the substrate from the polishing unit to the cleaning unit, which is a transfer robot 23 having a hand 231 for holding the substrate and configured to turn over the front surface and the back surface of the substrate by rotating the hand, and an injection mechanism 26 capable of injecting the cleaning liquid onto the substrate while the substrate is being reversed by the transport mechanism.SELECTED DRAWING: Figure 4

Description

本発明は、基板処理装置、および基板処理方法に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method.

近年、半導体デバイスの高集積化が進むにつれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭くなりつつある。半導体デバイスの製造では、シリコンウェハの上に多くの種類の材料が膜状に繰り返し形成され、積層構造が形成される。この積層構造を形成するためには、ウェハの表面を平坦にする技術が重要となっている。このようなウェハの表面を平坦化する一手段として、化学機械研磨（ＣＭＰ）を行う研磨装置（化学的機械的研磨装置ともいう）が広く用いられている。 2. Description of the Related Art In recent years, as semiconductor devices have become more highly integrated, circuit wiring has become finer and the distance between wirings has been becoming narrower. In the manufacture of semiconductor devices, many types of materials are repeatedly formed in film form on a silicon wafer to form a laminated structure. A technique for flattening the surface of the wafer is important for forming this laminated structure. As a means of flattening the surface of such wafers, a polishing apparatus (also referred to as a chemical mechanical polishing apparatus) that performs chemical mechanical polishing (CMP) is widely used.

この化学機械研磨（ＣＭＰ）装置は、一般に、研磨パッドが取り付けられた研磨テーブルと、ウェハを保持するトップリングと、研磨液を研磨パッド上に供給するノズルとを備えている。ノズルから研磨液を研磨パッド上に供給しながら、トップリングによりウェハを研磨パッドに押し付け、さらにトップリングと研磨テーブルとを相対移動させることにより、ウェハを研磨してその表面を平坦にする。 This chemical mechanical polishing (CMP) apparatus generally includes a polishing table on which a polishing pad is attached, a top ring that holds a wafer, and a nozzle that supplies polishing liquid onto the polishing pad. While the polishing liquid is being supplied onto the polishing pad from the nozzle, the wafer is pressed against the polishing pad by the top ring, and the top ring and the polishing table are moved relative to each other to polish the wafer and flatten its surface.

基板処理装置としては、このようなＣＭＰ装置に加え、研磨後のウェハを洗浄し、さらに乾燥させる機能を有するものが知られている。特許文献１に記載の基板処理装置は、高スループットを実現するために、複数の並列した洗浄ラインを有している。 As a substrate processing apparatus, in addition to such a CMP apparatus, there is known one having a function of cleaning and drying a wafer after polishing. The substrate processing apparatus described in Patent Document 1 has a plurality of parallel cleaning lines in order to achieve high throughput.

特開２０１８－６５４９号公報JP 2018-6549 A

上記したように、基板処理装置では、ＣＭＰ装置で研磨されたウェハが洗浄ユニットへ搬送され、洗浄ユニットにおいてウェハが洗浄および乾燥される。ここで、ＣＭＰ装置で使用される研磨液によっては時間が経つにつれてウェハに固着するものがあり、特にこうした場合には、ＣＭＰ装置による研磨後、ウェハの洗浄を早く行うことでウェハの洗浄効率を高めることができる。 As described above, in the substrate processing apparatus, the wafer polished by the CMP apparatus is transferred to the cleaning unit, where the wafer is cleaned and dried. Here, depending on the polishing liquid used in the CMP apparatus, there are some that adhere to the wafer over time. can be enhanced.

本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、基板の洗浄効率を向上することができる基板処理装置および基板処理方法を提案することを目的の１つとする。 SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to propose a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of improving the substrate cleaning efficiency.

本発明の一実施形態によれば、基板処理装置が提案され、前記基板処理装置は、基板を研磨するための研磨部と、研磨された基板を洗浄するための洗浄部と、基板を前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するための搬送機構であって、基板を保持するハンドを有し、前記ハンドを回転させることにより基板のおもて面と裏面とを反転できるように構成された搬送機構と、前記搬送機構によって基板が反転されている際に基板に対して洗浄液を噴射可能な噴射機構と、を備える。 According to one embodiment of the present invention, a substrate processing apparatus is proposed, the substrate processing apparatus comprising a polishing part for polishing a substrate, a cleaning part for cleaning the polished substrate, and a substrate for polishing the substrate. A transport mechanism for transporting the substrate from the cleaning unit to the cleaning unit, the transport mechanism having a hand for holding the substrate, and configured so that the front surface and the back surface of the substrate can be reversed by rotating the hand. and an injection mechanism capable of injecting the cleaning liquid onto the substrate while the substrate is being reversed by the transport mechanism.

本発明の別の一実施形態によれば、基板処理方法が提案され、前記基板処理方法は、基板を研磨する研磨ステップと、研磨された基板を、基板のおもて面と裏面との反転を伴って洗浄部へ搬送する搬送ステップと、前記搬送ステップで基板が反転されている際に基板
に対して洗浄液を噴射する噴射ステップと、前記洗浄部において基板を洗浄するステップと、を含む。 According to another embodiment of the present invention, a substrate processing method is proposed, the substrate processing method comprising: a polishing step of polishing a substrate; a transporting step of transporting the substrate to a cleaning unit with the substrate, a jetting step of jetting a cleaning liquid onto the substrate while the substrate is being reversed in the transporting step, and a step of cleaning the substrate in the cleaning unit.

図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置の全体構成を示す平面図である。FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. 図２は、第１研磨装置を模式的に示す斜視図である。FIG. 2 is a perspective view schematically showing the first polishing device. 図３は、搬送ロボット（搬送機構）を示す側面図である。FIG. 3 is a side view showing a transport robot (transport mechanism). 図４は、搬送ロボットによって反転されているウェハに対する噴射機構による洗浄液の噴射を説明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining injection of the cleaning liquid by the injection mechanism onto the wafer being turned over by the transfer robot. 図５は、本実施形態の基板処理方法の一例を示すフローチャートである。FIG. 5 is a flow chart showing an example of the substrate processing method of this embodiment.

以下、図面を参照しながら本発明の一実施形態について説明する。ただし、用いられる図面は模式図である。したがって、図示された部品の大きさ、位置および形状などは、実際の装置における大きさ、位置および形状などとは異なり得る。また、以下の説明および以下の説明で用いる図面では、同一に構成され得る部分について、同一の符号を用いるとともに、重複する説明を省略する。 An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. However, the drawings used are schematic diagrams. Therefore, the size, position, shape, etc. of the illustrated parts may differ from the size, position, shape, etc. of the actual device. In addition, in the following description and the drawings used in the following description, the same reference numerals are used for portions that can be configured in the same manner, and overlapping descriptions are omitted.

図１は本発明の一実施形態による基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図１に示すように、本実施形態における基板処理装置１０は、平面視略矩形状のハウジングを備えており、ハウジングの内部は隔壁によってロード／アンロード部１１と研磨部１２と洗浄部１３と搬送部１４とに区画されている。これらのロード／アンロード部１１、研磨部１２、洗浄部１３、および搬送部１４は、それぞれ独立に組み立てられ、独立に排気されるものである。また、基板処理装置１０には、ロード／アンロード部１１、研磨部１２、洗浄部１３、および搬送部１４の動作を制御する制御部１５（制御盤ともいう）が設けられている。 FIG. 1 is a plan view showing the overall configuration of a substrate processing apparatus according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment includes a substantially rectangular housing in a plan view. It is divided into the transport section 14 and the transport section 14 . These loading/unloading section 11, polishing section 12, cleaning section 13, and transfer section 14 are independently assembled and independently exhausted. The substrate processing apparatus 10 is also provided with a control section 15 (also referred to as a control panel) that controls the operations of the loading/unloading section 11 , the polishing section 12 , the cleaning section 13 , and the transfer section 14 .

ロード／アンロード部１１は、多数のウェハ（基板）Ｗをストックするウェハカセットを載置する複数（図示された例では４つ）のフロントロード部１１３を備えている。これらのフロントロード部１１３は、基板処理装置１０の幅方向（長手方向と垂直な方向）に隣接して配列されている。フロントロード部１１３には、オープンカセット、ＳＭＩＦ（ＳｔａｎｄａｒｄＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇＩｎｔｅｒｆａｃｅ）ポッド、またはＦＯＵＰ（ＦｒｏｎｔＯｐｅｎｉｎｇＵｎｉｆｉｅｄＰｏｄ）を搭載することができる。ここで、ＳＭＩＦ、ＦＯＵＰは、内部にウェハカセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。 The loading/unloading section 11 includes a plurality of (four in the illustrated example) front loading sections 113 on which wafer cassettes stocking a large number of wafers (substrates) W are placed. These front load sections 113 are arranged adjacent to each other in the width direction (perpendicular to the longitudinal direction) of the substrate processing apparatus 10 . The front loading unit 113 can be loaded with an open cassette, a standard manufacturing interface (SMIF) pod, or a front opening unified pod (FOUP). Here, the SMIF and FOUP are sealed containers that contain wafer cassettes and are covered with partition walls to maintain an environment independent of the external space.

また、ロード／アンロード部１１には、フロントロード部１１３の配列方向に沿って走行機構１１２が敷設されており、この走行機構１１２上にフロントロード部１１３の配列方向に沿って移動可能な搬送ロボット１１１が設置されている。搬送ロボット１１１は走行機構１１２上を移動することによってフロントロード部１１３に搭載されたウェハカセットにアクセスできるようになっている。この搬送ロボット１１１は上下に２つのハンドを備えており、例えば、ウェハカセットにウェハＷを戻すときに上側のハンドを使用し、研磨前のウェハＷを搬送するときに下側のハンドを使用して、上下のハンドを使い分けることができるようになっている。
なお、これに変えて単一のハンドのみでウェハＷを搬送するようにしてもよい。 A traveling mechanism 112 is laid in the loading/unloading section 11 along the direction in which the front loading sections 113 are arranged. A robot 111 is installed. The transfer robot 111 can access the wafer cassette mounted on the front load section 113 by moving on the traveling mechanism 112 . The transfer robot 111 has two upper and lower hands. For example, the upper hand is used when returning the wafer W to the wafer cassette, and the lower hand is used when transferring the wafer W before polishing. It is possible to use the upper and lower hands properly.
Instead of this, the wafer W may be transported using only a single hand.

搬送部１４は、研磨前のウェハをロード／アンロード部１１から研磨部１２へと搬送する領域であり、基板処理装置１０の長手方向に沿って延びるように設けられている。搬送部１４としては、例えばボールねじを用いたモータ駆動機構またはエアシリンダが用いら
れる。 The transfer section 14 is a region for transferring wafers before polishing from the load/unload section 11 to the polishing section 12 , and is provided so as to extend along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10 . As the transport unit 14, for example, a motor drive mechanism using a ball screw or an air cylinder is used.

研磨部１２は、ウェハＷの研磨が行われる領域であり、第１研磨ユニット２０ａと、第２研磨ユニット２０ｂと、研磨部搬送機構２２と、を有している。第１研磨ユニット２０ａは、第１研磨装置２１ａと第２研磨装置２１ｂとを有し、第２研磨ユニット２０ｂは、第３研磨装置２１ｃと第４研磨装置２１ｄとを有する。研磨部搬送機構２２は、搬送部１４と第１研磨ユニット２０ａおよび第２研磨ユニット２０ｂのそれぞれに隣接するように配置されている。研磨部搬送機構２２は、基板処理装置１０の幅方向において洗浄部１３と第１研磨ユニット２０ａおよび第２研磨ユニット２０ｂとの間に配置されている。 The polishing section 12 is an area where the wafer W is polished, and has a first polishing unit 20 a , a second polishing unit 20 b , and a polishing section transport mechanism 22 . The first polishing unit 20a has a first polishing device 21a and a second polishing device 21b, and the second polishing unit 20b has a third polishing device 21c and a fourth polishing device 21d. The polishing section transport mechanism 22 is arranged adjacent to the transport section 14 and the first polishing unit 20a and the second polishing unit 20b. The polishing section transport mechanism 22 is arranged between the cleaning section 13 and the first polishing unit 20 a and the second polishing unit 20 b in the width direction of the substrate processing apparatus 10 .

第１研磨装置２１ａ、第２研磨装置２１ｂ、第３研磨装置２１ｃ、および第４研磨装置２１ｄは、基板処理装置１０の長手方向に沿って配列されている。第２研磨装置２１ｂ、第３研磨装置２１ｃ、および第４研磨装置２１ｄは、第１研磨装置２１ａと同様の構成を有しているので、以下、第１研磨装置２１ａについて説明する。 The first polishing device 21 a, the second polishing device 21 b, the third polishing device 21 c, and the fourth polishing device 21 d are arranged along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus 10 . Since the second polishing device 21b, the third polishing device 21c, and the fourth polishing device 21d have the same configuration as the first polishing device 21a, the first polishing device 21a will be described below.

図２は、第１研磨装置２１ａを模式的に示す斜視図である。第１研磨装置２１ａは、研磨面を有する研磨パッド１０２ａが取り付けられた研磨テーブル１０１ａと、ウェハＷを保持しかつウェハＷを研磨テーブル１０１ａ上の研磨パッド１０２ａに押圧しながら研磨するためのトップリング２５ａと、研磨パッド１０２ａに研磨液（スラリともいう）やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル１０４ａと、研磨パッド１０２ａの研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ（不図示）と、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合気体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ（不図示）と、を有している。 FIG. 2 is a perspective view schematically showing the first polishing device 21a. The first polishing apparatus 21a includes a polishing table 101a to which a polishing pad 102a having a polishing surface is attached, and a top ring for holding and polishing the wafer W while pressing the wafer W against the polishing pad 102a on the polishing table 101a. 25a, a polishing liquid supply nozzle 104a for supplying a polishing liquid (also referred to as slurry) or a dressing liquid (for example, pure water) to the polishing pad 102a, and a dresser for dressing the polishing surface of the polishing pad 102a. ) and an atomizer (not shown) for atomizing a mixture of liquid (eg, pure water) and gas (eg, nitrogen gas) or liquid (eg, pure water) and spraying it onto the polishing surface.

トップリング２５ａは、トップリングシャフト１０３ａに支持されている。研磨テーブル１０１ａの上面には研磨パッド１０２ａが貼付されており、この研磨パッド１０２ａの上面はウェハＷを研磨する研磨面を構成する。なお、研磨パッド１０２ａに代えて固定砥石を用いることもできる。トップリング２５ａおよび研磨テーブル１０１ａは、図２において矢印で示すように、その軸心周りに回転するように構成されている。ウェハＷは、トップリング２５ａの下面に真空吸着により保持される。研磨時には、研磨液供給ノズル１０４ａから研磨パッド１０２ａの研磨面に研磨液が供給され、研磨対象であるウェハＷがトップリング２５ａにより研磨面に押圧されて研磨される。 The top ring 25a is supported by a top ring shaft 103a. A polishing pad 102a is attached to the upper surface of the polishing table 101a, and the upper surface of the polishing pad 102a constitutes a polishing surface for polishing the wafer W. FIG. A fixed whetstone can also be used instead of the polishing pad 102a. The top ring 25a and the polishing table 101a are configured to rotate about their axes, as indicated by arrows in FIG. The wafer W is held by vacuum suction on the lower surface of the top ring 25a. During polishing, the polishing liquid is supplied from the polishing liquid supply nozzle 104a to the polishing surface of the polishing pad 102a, and the wafer W to be polished is polished by being pressed against the polishing surface by the top ring 25a.

図１を参照して、第１研磨装置２１ａのトップリング２５ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第１基板搬送位置ＴＰ１との間を移動する。第１研磨装置２１ａへのウェハの受け渡しは第１基板搬送位置ＴＰ１にて行われる。同様に、第２～第４研磨装置２１ｂ～２１ｄのトップリングは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２～第４基板搬送位置ＴＰ２～ＴＰ４との間をそれぞれ移動し、第２～第４研磨装置２１ｂ～２１ｄへのウェハの受け渡しは第２～第４基板搬送位置ＴＰ２～ＴＰ４にて行われる。 Referring to FIG. 1, the top ring 25a of the first polishing apparatus 21a moves between the polishing position and the first substrate transfer position TP1 by swinging the top ring head. The transfer of the wafer to the first polishing device 21a is performed at the first substrate transfer position TP1. Similarly, the top rings of the second to fourth polishing apparatuses 21b to 21d move between the polishing position and the second to fourth substrate transfer positions TP2 to TP4 by swinging the top ring heads. Wafers are transferred to the fourth polishing apparatuses 21b to 21d at the second to fourth substrate transfer positions TP2 to TP4.

研磨部搬送機構２２は、第１研磨ユニット２０ａにウェハＷを搬送する第１搬送ユニット２４ａと、第２研磨ユニット２０ｂにウェハＷを搬送する第２搬送ユニット２４ｂと、を有している。また、研磨部搬送機構２２は、第１搬送ユニット２４ａと第２搬送ユニット２４ｂとの間に配置され、搬送部１４と第１搬送ユニット２４ａおよび第２搬送ユニット２４ｂとの間のウェハの受け渡しを行う搬送ロボット（搬送機構）２３を有している。図示された例では、搬送ロボット２３は、基板処理装置１０のハウジングの略中央に配置されている。 The polishing section transport mechanism 22 has a first transport unit 24a that transports the wafer W to the first polishing unit 20a and a second transport unit 24b that transports the wafer W to the second polishing unit 20b. The polishing section transport mechanism 22 is arranged between the first transport unit 24a and the second transport unit 24b, and transfers wafers between the transport section 14 and the first transport unit 24a and the second transport unit 24b. It has a transport robot (transport mechanism) 23 for carrying out. In the illustrated example, the transfer robot 23 is arranged substantially in the center of the housing of the substrate processing apparatus 10 .

図３は、搬送ロボット（搬送機構）２３を示す側面図である。図３に示すように、搬送
ロボット２３は、ウェハＷを保持するハンド２３１と、ハンド２３１を上下反転させる（つまり、ウェハＷのおもて面と裏面とを反転させる）反転機構２３４と、ウェハＷを支持する伸縮可能なアーム２３２と、アーム２３２を上下移動させるアーム上下移動機構およびアーム２３２を鉛直な軸線周りに回動させるアーム回動機構を含むロボット本体２３３と、を有している。ロボット本体２３３は、研磨部１２の天井のフレームに対して吊り下がるように取り付けられている。反転機構２３４は、モータなどの駆動機構によりハンド２３１を回転させて、ハンド２３１を上下反転させることができるように構成されている。 FIG. 3 is a side view showing the transport robot (transport mechanism) 23. As shown in FIG. As shown in FIG. 3, the transfer robot 23 includes a hand 231 that holds the wafer W, a reversing mechanism 234 that reverses the hand 231 (that is, reverses the front surface and the rear surface of the wafer W), and a wafer It has an extendable arm 232 that supports W, and a robot body 233 that includes an arm vertical movement mechanism that vertically moves the arm 232 and an arm rotation mechanism that rotates the arm 232 around a vertical axis. The robot main body 233 is attached to the ceiling frame of the polishing section 12 so as to be suspended. The reversing mechanism 234 is configured to turn the hand 231 upside down by rotating the hand 231 with a driving mechanism such as a motor.

本実施形態では、ハンド２３１は、搬送部１４に対してアクセス可能となっている。また、ハンド２３１は、研磨部１２の第１搬送ユニット２４ａおよび第２搬送ユニット２４ｂに対してもアクセス可能となっている。したがって、搬送部１４から研磨部１２に連続的に搬送されてくるウェハＷは、搬送ロボット２３により第１搬送ユニット２４ａおよび第２搬送ユニット２４ｂに振り分けられる。第１搬送ユニット２４ａは、ウェハＷを第１研磨ユニット２０ａに搬送し、第２搬送ユニット２４ｂは、ウェハＷを第２研磨ユニット２０ｂに搬送する。さらに、ハンド２３１は、洗浄部１３に対してアクセス可能となっている。これにより、第１～第４研磨装置２１ａ～２１ｄにおいて研磨されたウェハＷは、第１搬送ユニット２４ａ，２４ｂから再び搬送ロボット２３へ受け渡され、続いて搬送ロボット２３から洗浄部１３へ受け渡される。 In this embodiment, the hand 231 can access the transport section 14 . The hand 231 can also access the first transport unit 24 a and the second transport unit 24 b of the polishing section 12 . Therefore, the wafers W continuously transferred from the transfer section 14 to the polishing section 12 are distributed by the transfer robot 23 to the first transfer unit 24a and the second transfer unit 24b. The first transfer unit 24a transfers the wafer W to the first polishing unit 20a, and the second transfer unit 24b transfers the wafer W to the second polishing unit 20b. Furthermore, the hand 231 is accessible to the washing section 13 . As a result, the wafers W polished by the first to fourth polishing apparatuses 21a to 21d are transferred from the first transfer units 24a and 24b to the transfer robot 23 again, and then transferred from the transfer robot 23 to the cleaning section 13. be

また、本実施形態では、研磨部搬送機構２２は、搬送ロボット２３によって保持されているウェハＷに対して洗浄液を噴射可能に構成される噴射機構２６を有している（図１では、不図示）。噴射機構２６は、制御部１５によって制御される。一例として、噴射機構２６は、洗浄液２６２を噴射するノズル２６１と、ノズル２６１に供給される洗浄液を調整可能な洗浄液調整機構２６３と、第１洗浄液供給源２６４と、第２洗浄液供給源２６５と、を有する。ノズル２６１としては、スプレーノズルや液滴ノズルを採用することができる。なお、噴射機構２６は、ウェハＷに対して洗浄液２６２を噴射可能であればよく、ノズル２６１に代えて、または加えて、噴霧器などを有してもよい。 Further, in the present embodiment, the polishing section transfer mechanism 22 has an injection mechanism 26 configured to be capable of injecting the cleaning liquid onto the wafer W held by the transfer robot 23 (not shown in FIG. 1). ). The injection mechanism 26 is controlled by the controller 15 . As an example, the injection mechanism 26 includes a nozzle 261 for injecting the cleaning liquid 262, a cleaning liquid adjustment mechanism 263 capable of adjusting the cleaning liquid supplied to the nozzle 261, a first cleaning liquid supply source 264, a second cleaning liquid supply source 265, have A spray nozzle or a droplet nozzle can be employed as the nozzle 261 . Note that the injection mechanism 26 only needs to be able to inject the cleaning liquid 262 onto the wafer W, and may have a sprayer or the like instead of or in addition to the nozzle 261 .

本実施形態では、ノズル２６１は、研磨部１２の図示しないフレームに対して固定される。ただし、ノズル２６１は、図示しない移動機構によって移動可能に構成されてもよい。ここで、ノズル２６１は、洗浄液を噴射する対象（ウェハＷまたは搬送ロボット２３のハンド２３１）よりも上方に配置されるとよい。これにより、ウェハＷまたは搬送ロボット２３のハンド２３１からの飛散物によってノズル２６１の洗浄口が汚染されてしまうことを抑制できる。また、一例として、ノズル２６１は、洗浄液の噴射中心方向が、鉛直方向および水平方向に対して傾斜するように構成される。さらに、一例として、ノズル２６１は、洗浄液を噴射する対象から水平方向に離れて配置される。これにより、ノズル２６１から意図せず洗浄液などが滴下したときに、滴下物がウェハＷに当たることを防止できる。また、一例として、ノズル２６１は、ノズル２６１の先端が搬送ロボット２３のロボット本体２３３（特に、図３および図４中の符号２３３の引き出し線が引き出されている面）に向き合うように配置されるとよい。また、一例として、ノズル２６１は、ノズル２６１の先端がハンド２３１の根本へ向くように配置されるとよい。これらにより、噴射機構２６から噴射される噴射液によって、反転機構２３４やアーム２３２を好適に洗浄することができる。また、ノズル２６１は、洗浄液２６２をコーン状（円錐状）または扇状に噴射するように構成されるとよい。この場合、一例として、噴射機構２６は、コーン状または扇状に噴射されてウェハＷに作用する洗浄液の範囲（直径）がウェハＷの直径と等しい又はウェハＷの直径よりやや大きくなるように構成される。これにより、ノズル２６１から洗浄液２６２を広範囲に噴射することができ、対象に均一に洗浄液２６２を作用させることができる。 In this embodiment, the nozzle 261 is fixed to a frame (not shown) of the polishing section 12 . However, the nozzle 261 may be configured to be movable by a moving mechanism (not shown). Here, it is preferable that the nozzle 261 is arranged above the target (the wafer W or the hand 231 of the transfer robot 23) to which the cleaning liquid is to be sprayed. As a result, it is possible to prevent the cleaning port of the nozzle 261 from being contaminated by the wafer W or the debris from the hand 231 of the transfer robot 23 . Further, as an example, the nozzle 261 is configured such that the direction of the injection center of the cleaning liquid is inclined with respect to the vertical direction and the horizontal direction. Furthermore, as an example, the nozzle 261 is arranged horizontally apart from the object to which the cleaning liquid is to be sprayed. As a result, when the cleaning liquid or the like drops unintentionally from the nozzle 261 , it is possible to prevent the drops from hitting the wafer W. FIG. Further, as an example, the nozzle 261 is arranged so that the tip of the nozzle 261 faces the robot main body 233 of the transfer robot 23 (in particular, the surface from which the lead line 233 in FIGS. 3 and 4 is drawn). Good. Also, as an example, the nozzle 261 may be arranged so that the tip of the nozzle 261 faces the base of the hand 231 . As a result, the reversing mechanism 234 and the arm 232 can be washed favorably with the injection liquid that is injected from the injection mechanism 26 . Further, the nozzle 261 may be configured to spray the cleaning liquid 262 in a cone shape (conical shape) or fan shape. In this case, as an example, the injection mechanism 26 is configured so that the range (diameter) of the cleaning liquid that is injected in a cone or fan shape and acts on the wafer W is equal to or slightly larger than the diameter of the wafer W. be. As a result, the cleaning liquid 262 can be sprayed over a wide range from the nozzle 261, and the cleaning liquid 262 can be uniformly applied to the object.

本実施形態では、ノズル２６１には、洗浄液調整機構２６３を介して第１洗浄液供給源２６４と第２洗浄液供給源２６５とが接続されている。第１洗浄液供給源２６４と第２洗浄液供給源２６５とには、異なる洗浄液が貯められている。一例として、第１洗浄液供給源２６４には第１洗浄液として純水が貯められ、第２洗浄液供給源２６５には第２洗浄液としてリンスが貯められる。第１洗浄液と第２洗浄液との少なくとも一方は、洗浄部１３において使用される洗浄液と同一であってもよい。また、第１洗浄液と第２洗浄液との少なくとも一方は、洗浄部１３において使用される洗浄液とは異なっていてもよい。なお、ノズル２６１には、２つの洗浄液供給源が接続されるものに限定されず、１つ又は３つ以上の洗浄液供給源が接続されてもよい。噴射機構２６から噴射される洗浄液（例えば第１洗浄液および第２洗浄液）は、ウェハＷの除去対象残渣に基づいて選択される。一例として、ノズル２６１には、純水が貯められる洗浄液供給源のみが接続されてもよい。洗浄液調整機構２６３は、予め定められたレシピに従って第１洗浄液供給源２６４と第２洗浄液供給源２６５とからの洗浄液をノズル２６１に供給する。また、制御部１５は、設定部１５ｃを通じた設定に従って第１洗浄液供給源２６４と第２洗浄液供給源２６５とからの洗浄液をノズル２６１に供給してもよい。洗浄液調整機構２６３は、ノズル２６１に供給する洗浄液を、第１洗浄液供給源２６４からの第１洗浄液と、第２洗浄液供給源２６５からの第２洗浄液と、で切り替えて供給してもよい。また、洗浄液調整機構２６３は、第１洗浄液と第２洗浄液との混合割合を調整して洗浄液をノズル２６１に供給してもよい。 In this embodiment, the nozzle 261 is connected to a first cleaning liquid supply source 264 and a second cleaning liquid supply source 265 via a cleaning liquid adjustment mechanism 263 . Different cleaning liquids are stored in the first cleaning liquid supply source 264 and the second cleaning liquid supply source 265 . As an example, the first cleaning liquid supply source 264 stores pure water as the first cleaning liquid, and the second cleaning liquid supply source 265 stores rinse as the second cleaning liquid. At least one of the first cleaning liquid and the second cleaning liquid may be the same as the cleaning liquid used in the cleaning section 13 . At least one of the first cleaning liquid and the second cleaning liquid may be different from the cleaning liquid used in the cleaning section 13 . The nozzle 261 is not limited to two cleaning liquid supply sources, and may be connected to one or three or more cleaning liquid supply sources. The cleaning liquid (for example, the first cleaning liquid and the second cleaning liquid) ejected from the ejection mechanism 26 is selected based on the residue on the wafer W to be removed. As an example, the nozzle 261 may be connected only to a cleaning liquid supply source in which pure water is stored. The cleaning liquid adjustment mechanism 263 supplies the cleaning liquid from the first cleaning liquid supply source 264 and the second cleaning liquid supply source 265 to the nozzle 261 according to a predetermined recipe. Further, the control section 15 may supply the cleaning liquid from the first cleaning liquid supply source 264 and the second cleaning liquid supply source 265 to the nozzle 261 according to the setting through the setting section 15c. The cleaning liquid adjustment mechanism 263 may switch the cleaning liquid to be supplied to the nozzle 261 between the first cleaning liquid from the first cleaning liquid supply source 264 and the second cleaning liquid from the second cleaning liquid supply source 265 . Also, the cleaning liquid adjustment mechanism 263 may adjust the mixing ratio of the first cleaning liquid and the second cleaning liquid to supply the cleaning liquid to the nozzle 261 .

再び図１を参照する。洗浄部１３は、研磨後のウェハを洗浄する領域であり、基板を仮置きする仮置き台としてのウェハステーション３３ａと、研磨後の基板を洗浄する４つの洗浄モジュール３１１ａ～３１４ａ（以下、１次～４次洗浄モジュールと呼ぶことがある）と、ウェハステーション３３ａと洗浄モジュール３１１ａ～３１４ａとの間でウェハを搬送する搬送ユニット３２ａと、を備えている。ウェハステーション３３ａと複数の洗浄モジュール３１１ａ～３１４ａとは、基板処理装置１０の長手方向に沿って直列に配置されている。 Refer to FIG. 1 again. The cleaning unit 13 is an area for cleaning wafers after polishing, and includes a wafer station 33a as a temporary placement table for temporarily placing substrates, and four cleaning modules 311a to 314a (hereinafter, primary modules) for cleaning substrates after polishing. and a transfer unit 32a for transferring wafers between the wafer station 33a and the cleaning modules 311a to 314a. The wafer station 33a and the plurality of cleaning modules 311a to 314a are arranged in series along the longitudinal direction of the substrate processing apparatus .

１次洗浄モジュール３１１ａおよび２次洗浄モジュール３１２ａの洗浄機としては、例えば、上下に配置されたロール状のスポンジを回転させてウェハの表面および裏面に押し付けてウェハの表面および裏面を洗浄するロールタイプの洗浄機を用いることができる。また、３次洗浄モジュール３１３ａの洗浄機としては、例えば、半球状のスポンジを回転させながらウェハに押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄機を用いることができる。４次洗浄モジュール３１４ａの洗浄機としては、例えば、ウェハの裏面はリンス洗浄することができ、ウェハ表面の洗浄は半球状のスポンジを回転させながら押し付けて洗浄するペンシルタイプの洗浄機を用いることができる。この４次洗浄モジュール３１４ａの洗浄機は、チャックしたウェハを高速回転させるステージを備えており、ウェハを高速回転させることで洗浄後のウェハを乾燥させる機能（スピンドライ機能）を有している。なお、各洗浄モジュール３１１ａ～３１４ａの洗浄機において、上述したロールタイプの洗浄機やペンシルタイプの洗浄機に加えて、洗浄液に超音波を当てて洗浄するメガソニックタイプの洗浄機を付加的に設けてもよい。 The cleaning machine of the primary cleaning module 311a and the secondary cleaning module 312a is, for example, a roll type that cleans the front and back surfaces of the wafer by rotating roll-shaped sponges arranged above and below and pressing them against the front and back surfaces of the wafer. washing machine can be used. As the cleaning machine of the tertiary cleaning module 313a, for example, a pencil-type cleaning machine that cleans the wafer by pressing a hemispherical sponge while rotating it can be used. As the cleaning machine of the quaternary cleaning module 314a, for example, a pencil-type cleaning machine can be used that can rinse the back surface of the wafer and clean the front surface of the wafer by pressing a hemispherical sponge while rotating it. can. The cleaning machine of the quaternary cleaning module 314a has a stage for rotating the chucked wafer at high speed, and has a function (spin dry function) for drying the wafer after cleaning by rotating the wafer at high speed. In each cleaning module 311a to 314a, in addition to the roll-type cleaning machine and pencil-type cleaning machine described above, a megasonic-type cleaning machine that cleans by applying ultrasonic waves to the cleaning liquid is additionally provided. may

制御部１５は、基板処理装置１０の各構成要素を制御するために設けられている。制御部１５は、ＣＰＵ、メモリなどを備え、ソフトウェアを用いて所定の機能を実現するマイクロコンピュータとして構成されてもよいし、専用の演算処理を行うハードウェア回路として構成されてもよい。本実施形態の制御部１５は、演算部１５ａと、メモリ１５ｂと、設定部１５ｃと、を備えている。設定部１５ｃは、ユーザーインターフェースとして機能し、外部操作により、各種設定値（設定情報）を設定するのに使用される。具体的には、設定部１５ｃは不図示の操作ボタンやタッチパネル等を備え、設定部１５ｃにおいて設定された各種設定値は、メモリ１５ｂに記憶される。 A control unit 15 is provided to control each component of the substrate processing apparatus 10 . The control unit 15 includes a CPU, a memory, and the like, and may be configured as a microcomputer that implements predetermined functions using software, or may be configured as a hardware circuit that performs dedicated arithmetic processing. The control unit 15 of this embodiment includes a calculation unit 15a, a memory 15b, and a setting unit 15c. The setting unit 15c functions as a user interface and is used to set various setting values (setting information) by external operation. Specifically, the setting unit 15c includes operation buttons, a touch panel, and the like (not shown), and various setting values set in the setting unit 15c are stored in the memory 15b.

続いて、基板処理装置１０の動作について説明する。基板処理装置１０では、まず、フロントロード部１１３のウェハカセットから研磨前のウェハＷが、ロード／アンロード部１１の搬送ロボット１１１により取り出されて搬送部１４へ受け渡される。続いて、ウェハＷは、搬送部１４から搬送ロボット２３へ受け渡され、搬送ロボット２３の反転機構２３４により、ウェハＷはハンド２３１と一緒に上下反転される。これにより、ウェハＷの処理面が下方に向けられる。次に、搬送ロボット２３から第１搬送ユニット２４ａまたは第２搬送ユニット２４ｂへ受け渡され、第１搬送ユニット２４ａまたは第２搬送ユニット２４ｂから第１～第４研磨装置２１ａ～２１ｄへとウェハＷが搬入される。そして、第１～第４研磨装置２１ａ～２１ｄにおいてウェハＷは、トップリングに吸着保持され、研磨パッド１０２ａと当接することにより研磨される。 Next, operations of the substrate processing apparatus 10 will be described. In the substrate processing apparatus 10 , first, an unpolished wafer W is taken out from the wafer cassette of the front load section 113 by the transfer robot 111 of the load/unload section 11 and transferred to the transfer section 14 . Subsequently, the wafer W is transferred from the transfer section 14 to the transfer robot 23 , and the wafer W is turned upside down together with the hand 231 by the reversing mechanism 234 of the transfer robot 23 . Thereby, the processing surface of the wafer W is directed downward. Next, the wafer W is transferred from the transfer robot 23 to the first transfer unit 24a or the second transfer unit 24b, and transferred from the first transfer unit 24a or the second transfer unit 24b to the first to fourth polishing devices 21a to 21d. be brought in. Then, in the first to fourth polishing apparatuses 21a to 21d, the wafer W is held by suction on the top ring and polished by coming into contact with the polishing pad 102a.

ウェハＷの研磨が終了した後、研磨したウェハＷは、第１研磨装置２１ａ～２１ｄから第１搬送ユニット２４ａまたは第２搬送ユニット２４ｂを通じて搬送ロボット２３へ受け渡される。続いて、搬送ロボット２３の反転機構２３４により、ウェハＷはハンド２３１と一緒に上下反転される。これにより、ウェハＷの処理面が上方に向けられる。 After finishing the polishing of the wafer W, the polished wafer W is transferred from the first polishing devices 21a to 21d to the transfer robot 23 through the first transfer unit 24a or the second transfer unit 24b. Subsequently, the wafer W is turned upside down together with the hand 231 by the turnover mechanism 234 of the transfer robot 23 . Thereby, the processing surface of the wafer W is directed upward.

本実施形態では、研磨されたウェハＷが搬送ロボット２３によって反転される際に、噴射機構２６によってウェハＷに洗浄液が噴射される。ウェハＷを反転させながら研磨液を吹きかけることにより、ウェハＷの全面に洗浄液を作用させることができる。このときには、制御部１５は、噴射機構２６によって洗浄液が噴射されているときに、ウェハＷが鉛直方向に沿う位置（鉛直位置）で、つまりウェハＷの板面が水平方向に向く位置で、第１時間（例えば数秒）にわたって停止させてもよい（図４参照）。こうすれば、ウェハＷの板面に洗浄液を掛け流すことができ、ウェハＷから異物を効率的に除去し得る。さらに、制御部１５は、噴射機構２６による洗浄液の噴射が終了した後に、ウェハＷを鉛直位置で第２時間（例えば数秒）にわたって停止させるとよい。これにより、ウェハＷの板面から余分な洗浄液および異物を除去することができる。 In the present embodiment, the cleaning liquid is jetted onto the wafer W by the jetting mechanism 26 when the polished wafer W is reversed by the transfer robot 23 . By spraying the polishing liquid while turning the wafer W over, the entire surface of the wafer W can be made to act on the cleaning liquid. At this time, when the cleaning liquid is being sprayed by the spraying mechanism 26, the control unit 15 controls the position where the wafer W is along the vertical direction (vertical position), that is, the position where the plate surface of the wafer W faces the horizontal direction. It may be stopped for an hour (eg several seconds) (see Figure 4). In this way, the cleaning liquid can be poured over the plate surface of the wafer W, and foreign matter can be removed from the wafer W efficiently. Further, the control unit 15 preferably stops the wafer W at the vertical position for a second time (for example, several seconds) after the injection of the cleaning liquid by the injection mechanism 26 is finished. As a result, excess cleaning liquid and foreign matter can be removed from the plate surface of the wafer W. FIG.

また、噴射機構２６から洗浄液を噴射するときには、制御部１５は、ウェハＷを複数回にわたって反転させてもよい。ウェハＷの反転回数は、予め定められた回数（例えば２回など）としてもよいし、設定部１５ｃを通じて設定可能としてもよい。さらに、制御部１５は、反転機構２３４によってウェハＷを反転させる速度を調整してもよい。たとえば、制御部１５は、研磨部１２による処理前のウェハＷを反転させるときには第１反転速度でウェハＷが反転するように反転機構２３４を制御し、研磨部１２による処理後のウェハＷを反転させるときには第１速度より遅い第２反転速度でウェハＷが反転するように反転機構２３４を制御してもよい。これにより、研磨前のウェハＷについては迅速に反転させて基板処理装置１０における処理を速くすることができるとともに、研磨後のウェハＷについては比較的ゆっくりと反転させて洗浄液をウェハＷに作用させることができる。また、ウェハＷの反転速度は、予め定められた速度としてもよいし、設定部１５ｃを通じて設定可能としてもよい。 Further, when the cleaning liquid is ejected from the ejection mechanism 26, the controller 15 may reverse the wafer W multiple times. The number of inversions of the wafer W may be a predetermined number (for example, two times), or may be settable through the setting section 15c. Furthermore, the controller 15 may adjust the speed at which the wafer W is reversed by the reverse mechanism 234 . For example, when the wafer W before being processed by the polishing section 12 is reversed, the control section 15 controls the reversing mechanism 234 so that the wafer W is reversed at the first reversing speed, and the wafer W after being processed by the polishing section 12 is reversed. The reversing mechanism 234 may be controlled so that the wafer W is reversed at a second reversing speed slower than the first speed. As a result, the wafer W before polishing can be rapidly turned over to speed up the processing in the substrate processing apparatus 10, and the wafer W after polishing can be turned over relatively slowly to allow the cleaning liquid to act on the wafer W. be able to. Moreover, the reversing speed of the wafer W may be a predetermined speed, or may be settable through the setting unit 15c.

このように、本実施形態の基板処理装置１０では、ウェハＷを洗浄部１３で洗浄する前に、ウェハＷを搬送ロボット２３で反転させている際にウェハＷに洗浄液を作用させて、ウェハＷをプレ洗浄することができる。また、トップリング２５ａにウェハＷを取り付けるためにウェハＷを反転させる搬送ロボット２３の反転機構２３４を利用することにより、プレ洗浄のために新たにウェハＷを移動させる機構を設けることなく好適にウェハＷに洗浄液を作用させることができる。 As described above, in the substrate processing apparatus 10 of the present embodiment, before the wafer W is cleaned by the cleaning unit 13, the cleaning liquid is applied to the wafer W while the wafer W is being reversed by the transfer robot 23, so that the wafer W is cleaned. can be pre-washed. In addition, by using the reversing mechanism 234 of the transfer robot 23 for reversing the wafer W in order to attach the wafer W to the top ring 25a, the wafer can be suitably cleaned without providing a new mechanism for moving the wafer W for pre-cleaning. A washing liquid can be applied to W.

そして、ウェハＷは、搬送ロボット２３から洗浄部１３へ受け渡され、洗浄部１３において洗浄および乾燥が行われる。洗浄部１３における洗浄および乾燥処理が終了した後、ウェハＷは、洗浄部１３からロード／アンロード部１１へ取り出され、基板処理装置１０
における基板処理が終了する。ウェハＷが搬送ロボット２３から洗浄部１３へ受け渡された後には、噴射機構２６によって搬送ロボット２３のハンド２３１に洗浄液を噴射してもよい。こうすれば、噴射機構２６によって、搬送ロボット２３のハンド２３１の洗浄を行うこともできる。このときには、反転機構２３４によってハンド２３１を反転させながら噴射機構２６から洗浄液を噴射してもよい。 Then, the wafer W is transferred from the transfer robot 23 to the cleaning section 13 where it is cleaned and dried. After the cleaning and drying processes in the cleaning unit 13 are completed, the wafer W is taken out from the cleaning unit 13 to the loading/unloading unit 11 and transferred to the substrate processing apparatus 10.
substrate processing is completed. After the wafer W is transferred from the transfer robot 23 to the cleaning unit 13 , the cleaning liquid may be sprayed onto the hand 231 of the transfer robot 23 by the injection mechanism 26 . In this way, the hand 231 of the transfer robot 23 can also be cleaned by the jet mechanism 26 . At this time, the washing liquid may be ejected from the ejection mechanism 26 while the hand 231 is being inverted by the reversing mechanism 234 .

重複した説明となるが、上記した基板処理装置１０は、図５に示す基板処理方法を実行している。つまり、ウェハＷは研磨部１２において研磨され（ステップＳ１２）、研磨されたウェハＷは、搬送ロボット（搬送機構）２３で反転および搬送される（ステップＳ１４）。また、研磨されたウェハＷが搬送ロボット２３によって反転されている際に、噴射機構２６から洗浄液がウェハＷに噴射される（ステップＳ１６）。これにより、ウェハＷをプレ洗浄することができる。そして、搬送ロボット２３によってウェハＷが洗浄部１３へ受け渡され、洗浄部１３においてウェハＷの洗浄が行われる（ステップＳ１８）。このときには、ステップＳ１６において予めウェハＷに洗浄液が噴射されてウェハＷがプレ洗浄されているので、洗浄部１３における洗浄時間を短くすることができる。こうした基板処理方法によれば、ウェハＷの洗浄効率を向上することができる。 Although the description is repeated, the substrate processing apparatus 10 described above executes the substrate processing method shown in FIG. That is, the wafer W is polished in the polishing unit 12 (step S12), and the polished wafer W is reversed and transferred by the transfer robot (transfer mechanism) 23 (step S14). Further, while the polished wafer W is being reversed by the transport robot 23, the cleaning liquid is jetted onto the wafer W from the jetting mechanism 26 (step S16). Thereby, the wafer W can be pre-cleaned. Then, the transfer robot 23 transfers the wafer W to the cleaning unit 13, and the wafer W is cleaned in the cleaning unit 13 (step S18). At this time, since the wafer W is pre-cleaned by spraying the cleaning liquid onto the wafer W in step S16, the cleaning time in the cleaning section 13 can be shortened. According to such a substrate processing method, the cleaning efficiency of the wafer W can be improved.

上記した基板処理装置１０では、ウェハＷが搬送部１４およびロード／アンロード部１１などで搬送されるときには、処理面が基板処理装置１０に接触して汚染または損傷しないように、ウェハＷの処理面は上向きとされる。また、ウェハＷが研磨部１２で研磨されるときには、研磨液が研磨パッド１０２ａ上に好適に作用するように、ウェハＷは、搬送ロボット２３によって反転されて処理面が下向きとされる。そして、研磨部１２での研磨が終了すると、処理面が汚染または損傷されないように、ウェハＷは搬送ロボット２３によって再び反転されて処理面が上向きとされて洗浄部１３へと搬送される。こうした基板処理装置１０では、研磨部１２での研磨によってウェハＷに残った研磨液または研磨残留物が、搬送ロボット２３によるウェハＷの回転によってウェハＷ全面に広がってしまうおそれがある。また、研磨液または研磨残留物が搬送ロボット２３に付着したり、搬送ロボット２３に付着した研磨液または研磨残留物が次回以降のウェハＷを汚染させるおそれがある。研磨部１２で使用される研磨液は一般に粘性が強く、また時間が経って乾燥すると、研磨液が固まって除去しにくくなってしまう。これに対して、本実施形態による基板処理装置１０では、研磨されたウェハＷが搬送ロボット２３によって反転されている際に、ウェハＷに対して洗浄液を噴射可能な噴射機構２６が設けられている。これにより、ウェハＷおよび搬送ロボット２３に早いタイミングで洗浄液を作用させることができ、ウェハＷおよび搬送ロボット２３に付着した研磨液または研磨残留物を好適に除去することができる。しかも、搬送ロボット２３によるウェハＷの回転を伴ってウェハＷに洗浄液を作用させることができるため、ウェハＷの全面に均一に洗浄液を作用させてウェハＷを洗浄することができる。 In the substrate processing apparatus 10 described above, when the wafer W is transported by the transport unit 14 and the loading/unloading unit 11, the wafer W is processed so that the processing surface is not contaminated or damaged by coming into contact with the substrate processing apparatus 10. The face is facing upwards. Further, when the wafer W is polished in the polishing section 12, the wafer W is turned over by the transfer robot 23 so that the surface to be processed faces downward so that the polishing liquid preferably acts on the polishing pad 102a. When the polishing in the polishing section 12 is completed, the wafer W is turned over again by the transfer robot 23 and transferred to the cleaning section 13 with the processing surface facing upward so that the processing surface is not contaminated or damaged. In such a substrate processing apparatus 10 , polishing liquid or polishing residue remaining on the wafer W due to polishing in the polishing section 12 may spread over the entire surface of the wafer W due to the rotation of the wafer W by the transfer robot 23 . Further, there is a possibility that the polishing liquid or the polishing residue may adhere to the transfer robot 23, or the polishing liquid or the polishing residue adhering to the transfer robot 23 may contaminate the wafer W from the next wafer W onward. The polishing liquid used in the polishing section 12 is generally highly viscous, and when dried over time, the polishing liquid hardens and becomes difficult to remove. In contrast, the substrate processing apparatus 10 according to the present embodiment is provided with an injection mechanism 26 capable of injecting the cleaning liquid onto the wafer W while the polished wafer W is being reversed by the transfer robot 23 . . As a result, the cleaning liquid can act on the wafer W and the transfer robot 23 at an early timing, and the polishing liquid or polishing residue adhering to the wafer W and the transfer robot 23 can be preferably removed. Moreover, since the cleaning liquid can be applied to the wafer W as the wafer W is rotated by the transfer robot 23, the cleaning liquid can be uniformly applied to the entire surface of the wafer W and the wafer W can be cleaned.

以上説明した本実施形態は、以下の形態としても記載することができる。
［形態１］形態１によれば、基板処理装置が提案され、前記基板処理装置は、基板を研磨するための研磨部と、研磨された基板を洗浄するための洗浄部と、基板を前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するための搬送機構であって、基板のおもて面と裏面とを反転できるように構成された搬送機構と、研磨された基板が前記搬送機構によって反転されている際に基板に対して洗浄液を噴射可能な噴射機構と、を備える。形態１によれば、洗浄部によって基板を洗浄する前に基板に洗浄液をさせることができ、基板の洗浄効率を向上することができる。 The present embodiment described above can also be described as the following modes.
[Mode 1] According to mode 1, a substrate processing apparatus is proposed, wherein the substrate processing apparatus includes a polishing section for polishing a substrate, a cleaning section for cleaning the polished substrate, and a polishing section for polishing the substrate. a transport mechanism for transporting the substrate from the cleaning unit to the cleaning unit, the transport mechanism being configured to be able to turn over the front surface and the back surface of the substrate, and the polished substrate being turned over by the transport mechanism. and an injection mechanism capable of injecting the cleaning liquid onto the substrate when the substrate is cleaned. According to the first aspect, the cleaning liquid can be applied to the substrate before the substrate is cleaned by the cleaning unit, and the cleaning efficiency of the substrate can be improved.

［形態２］形態２によれば、形態１において、前記搬送機構は、前記噴射機構によって前記洗浄液が噴射されているときに、または前記噴射機構によって前記洗浄液が噴射された後に、基板を鉛直位置で停止させる。形態２によれば、基板から余分な洗浄液および異物
を好適に除去することができる。 [Mode 2] According to Mode 2, in Mode 1, the transport mechanism moves the substrate to the vertical position while the cleaning liquid is being jetted by the jetting mechanism or after the cleaning liquid is jetted by the jetting mechanism. to stop. According to form 2, excess cleaning liquid and foreign matter can be preferably removed from the substrate.

［形態３］形態３によれば、形態１または２において、前記噴射機構は、鉛直方向および水平方向に対して前記洗浄液の噴射中心方向が傾斜するように構成される。 [Mode 3] According to Mode 3, in Mode 1 or 2, the injection mechanism is configured such that the injection center direction of the cleaning liquid is inclined with respect to the vertical direction and the horizontal direction.

［形態４］形態４によれば、形態１から３において、前記噴射機構は、前記洗浄液をコーン状に噴射する。 [Mode 4] According to Mode 4, in Modes 1 to 3, the injection mechanism jets the cleaning liquid in a cone shape.

［形態５］形態５によれば、形態１から４において、前記噴射機構は、前記搬送機構によって搬送されている基板から水平方向において離れて配置される。形態５によれば、噴射機構からの滴下物が基板に当たることを抑制できる。 [Mode 5] According to Mode 5, in Modes 1 to 4, the injection mechanism is arranged horizontally away from the substrate being transported by the transport mechanism. According to the fifth aspect, it is possible to prevent the droplets from the injection mechanism from hitting the substrate.

［形態６］形態６によれば、形態１から５において、前記基板処理装置は、当該基板処理装置の構成要素を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記搬送機構による基板の反転速度と、前記搬送機構による基板の反転回数と、の少なくとも一方を変更することができるように構成される。形態６によれば、状況に応じて搬送機構による基板の反転態様を設定することができる。 [Mode 6] According to Mode 6, in Modes 1 to 5, the substrate processing apparatus includes a control section for controlling the constituent elements of the substrate processing apparatus, and the control section controls the speed at which the substrate is reversed by the transport mechanism. and the number of times the substrate is reversed by the transport mechanism can be changed. According to the sixth aspect, it is possible to set the manner in which the substrate is reversed by the transport mechanism depending on the situation.

［形態７］形態７によれば、形態１から６において、前記基板処理装置は、当該基板処理装置の構成要素を制御する制御部を備え、前記制御部は、前記噴射機構による前記洗浄液の噴射流量と、前記洗浄液の成分と、の少なくとも一方を変更することができるように構成される。形態７によれば、状況に応じて噴射機構から噴射される洗浄液を設定することができる。 [Mode 7] According to Mode 7, in Modes 1 to 6, the substrate processing apparatus includes a control section for controlling components of the substrate processing apparatus; At least one of the flow rate and the composition of the cleaning liquid is configured to be variable. According to the seventh aspect, it is possible to set the cleaning liquid to be ejected from the ejection mechanism according to the situation.

［形態８］形態８によれば、形態１から７において、前記搬送機構は、研磨される前の基板を反転するときには第１反転速度で基板を反転させ、研磨された基板を反転するときには前記第１反転速度よりも遅い第２反転速度で基板を反転させる。形態８によれば、研磨される前の基板については搬送機構において迅速に反転させて基板処理装置における処理速度を向上させることができる。また、研磨された基板については搬送機構において比較的ゆっくりと反転させて洗浄液を基板に作用させることができる。 [Embodiment 8] According to Embodiment 8, in Embodiments 1 to 7, the transport mechanism reverses the substrate at the first reversing speed when reversing the substrate before being polished, and reverses the polished substrate at the first reversing speed. The substrate is flipped at a second flipping speed that is slower than the first flipping speed. According to the eighth aspect, the substrate before being polished can be quickly reversed in the transport mechanism to improve the processing speed in the substrate processing apparatus. In addition, the polished substrate can be reversed relatively slowly in the transport mechanism to allow the cleaning liquid to act on the substrate.

［形態９］形態９によれば、基板処理方法が提案され、前記基板処理方法は、基板を研磨する研磨ステップと、研磨された基板を、基板のおもて面と裏面との反転を伴って洗浄部へ搬送する搬送ステップと、前記搬送ステップで基板が反転されている際に基板に対して洗浄液を噴射する噴射ステップと、前記洗浄部において基板を洗浄するステップと、を含む。形態９によれば、形態１と同様の効果を奏することができる。 [Mode 9] According to the ninth mode, a substrate processing method is proposed, and the substrate processing method includes a polishing step of polishing a substrate, and reversing the polished substrate between the front surface and the back surface of the substrate. a transporting step of transporting the substrate to a cleaning unit by using the substrate, a jetting step of jetting a cleaning liquid onto the substrate while the substrate is being reversed in the transporting step, and a step of cleaning the substrate in the cleaning unit. According to form 9, the same effect as form 1 can be obtained.

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。 Although some embodiments of the present invention have been described above, the above-described embodiments of the present invention are intended to facilitate understanding of the present invention, and do not limit the present invention. The present invention may be modified and improved without departing from its spirit, and the present invention includes equivalents thereof. In addition, any combination or omission of each component described in the claims and the specification is possible within the range that at least part of the above problems can be solved or at least part of the effect is achieved. is.

１０…基板処理装置
１１…ロード／アンロード部
１２…研磨部
１３…洗浄部
１４…搬送部
１５…制御部
２２…研磨部搬送機構
２３…搬送ロボット
２６…噴射機構
２３１…ハンド
２３２…アーム
２３３…ロボット本体
２３４…反転機構
２６１…ノズル
２６２…洗浄液
２６３…洗浄液調整機構
２６４…第１洗浄液供給源
２６５…第２洗浄液供給源
Ｗ…ウェハ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10... Substrate processing apparatus 11... Loading/unloading part 12... Polishing part 13... Cleaning part 14... Transport part 15... Control part 22... Polishing part transport mechanism 23... Transport robot 26... Injection mechanism 231... Hand 232... Arm 233... Robot body 234 Reversing mechanism 261 Nozzle 262 Cleaning liquid 263 Cleaning liquid adjustment mechanism 264 First cleaning liquid supply source 265 Second cleaning liquid supply source W Wafer

Claims

基板を研磨するための研磨部と、
研磨された基板を洗浄するための洗浄部と、
基板を前記研磨部から前記洗浄部へ搬送するための搬送機構であって、基板を保持するハンドを有し、前記ハンドを回転させることにより基板のおもて面と裏面とを反転できるように構成された搬送機構と、
研磨された基板が前記搬送機構によって反転されている際に基板に対して洗浄液を噴射可能な噴射機構と、
を備える基板処理装置。 a polishing unit for polishing the substrate;
a cleaning unit for cleaning the polished substrate;
A transport mechanism for transporting a substrate from the polishing unit to the cleaning unit, having a hand for holding the substrate, and rotating the hand so that the front surface and the back surface of the substrate can be reversed. a configured transport mechanism;
an injection mechanism capable of injecting a cleaning liquid onto the substrate while the polished substrate is being reversed by the transport mechanism;
A substrate processing apparatus comprising:

前記搬送機構は、前記噴射機構によって前記洗浄液が噴射されているときに、または前記噴射機構によって前記洗浄液が噴射された後に、基板を鉛直位置で停止させる、請求項１に記載の基板処理装置。 2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the transport mechanism stops the substrate at a vertical position while the cleaning liquid is being jetted by the jetting mechanism or after the cleaning liquid is jetted by the jetting mechanism.

前記噴射機構は、鉛直方向および水平方向に対して前記洗浄液の噴射中心方向が傾斜するように構成される、請求項１または２に記載の基板処理装置。 3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein said injection mechanism is configured such that an injection center direction of said cleaning liquid is inclined with respect to a vertical direction and a horizontal direction.

前記噴射機構は、前記洗浄液をコーン状に噴射する、
請求項１から３の何れか１項に記載の基板処理装置。 The injection mechanism injects the cleaning liquid in a cone shape.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3.

前記噴射機構は、前記搬送機構によって搬送されている基板から水平方向において離れて配置される、請求項１から４の何れか１項に記載の基板処理装置。 5. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 4, wherein said injection mechanism is arranged horizontally away from a substrate being transported by said transport mechanism.

前記基板処理装置は、当該基板処理装置の構成要素を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記搬送機構による基板の反転速度と、前記搬送機構による基板の反転回数と、の少なくとも一方を変更することができるように構成される、
請求項１から５の何れか１項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus includes a control unit that controls components of the substrate processing apparatus,
The control unit is configured to be able to change at least one of a speed at which the substrate is reversed by the transport mechanism and the number of times the substrate is reversed by the transport mechanism.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 5.

前記基板処理装置は、当該基板処理装置の構成要素を制御する制御部を備え、
前記制御部は、前記噴射機構による前記洗浄液の噴射流量と、前記洗浄液の成分と、の少なくとも一方を変更することができるように構成される、
請求項１から６の何れか１項に記載の基板処理装置。 The substrate processing apparatus includes a control unit that controls components of the substrate processing apparatus,
The control unit is configured to be able to change at least one of a flow rate of the cleaning liquid injected by the injection mechanism and a component of the cleaning liquid.
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 6.

前記搬送機構は、研磨される前の基板を反転するときには第１反転速度で基板を反転させ、研磨された基板を反転するときには前記第１反転速度よりも遅い第２反転速度で基板を反転させる、請求項１から７の何れか１項に記載の基板処理装置。 The transport mechanism reverses the substrate at a first reversing speed when reversing the substrate before being polished, and reverses the substrate at a second reversing speed slower than the first reversing speed when reversing the polished substrate. The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 7.

基板を研磨する研磨ステップと、
研磨された基板を、基板のおもて面と裏面との反転を伴って洗浄部へ搬送する搬送ステップと、
前記搬送ステップで基板が反転されている際に基板に対して洗浄液を噴射する噴射ステップと、
前記洗浄部において基板を洗浄するステップと、
を含む基板処理方法。 a polishing step of polishing the substrate;
a transporting step of transporting the polished substrate to a cleaning unit while reversing the front surface and the back surface of the substrate;
a jetting step of jetting the cleaning liquid onto the substrate while the substrate is being reversed in the transporting step;
cleaning the substrate in the cleaning unit;
A substrate processing method comprising: