JP2022540399A - Drive control circuit and home appliance - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 19
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 45
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 17
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 150000004706 metal oxides Chemical group 0.000 claims description 9
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 7
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 4
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims 4
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 16
- 238000005070 sampling Methods 0.000 abstract description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 14
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 7
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 4
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 4
- 208000032365 Electromagnetic interference Diseases 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000835 electrochemical detection Methods 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/08—Circuits specially adapted for the generation of control voltages for semiconductor devices incorporated in static converters
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/42—Circuits or arrangements for compensating for or adjusting power factor in converters or inverters
- H02M1/4208—Arrangements for improving power factor of AC input
- H02M1/4225—Arrangements for improving power factor of AC input using a non-isolated boost converter
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- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/42—Circuits or arrangements for compensating for or adjusting power factor in converters or inverters
- H02M1/4208—Arrangements for improving power factor of AC input
- H02M1/4233—Arrangements for improving power factor of AC input using a bridge converter comprising active switches
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/44—Circuits or arrangements for compensating for electromagnetic interference in converters or inverters
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M5/00—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases
- H02M5/40—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc
- H02M5/42—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters
- H02M5/44—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac
- H02M5/453—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal
- H02M5/458—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only
- H02M5/4585—Conversion of ac power input into ac power output, e.g. for change of voltage, for change of frequency, for change of number of phases with intermediate conversion into dc by static converters using discharge tubes or semiconductor devices to convert the intermediate dc into ac using devices of a triode or transistor type requiring continuous application of a control signal using semiconductor devices only having a rectifier with controlled elements
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/6871—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors the output circuit comprising more than one controlled field-effect transistor
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- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02M—APPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
- H02M1/00—Details of apparatus for conversion
- H02M1/0048—Circuits or arrangements for reducing losses
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B70/00—Technologies for an efficient end-user side electric power management and consumption
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Abstract
本願は、駆動制御回路及び家電機器を提供し、該駆動制御回路は、給電信号に対して変換処理を行うように構成されるハーフブリッジ回路を含み、ハーフブリッジ回路は、具体的に、制御端を有するように構成されるスイッチングトランジスタと、スイッチングトランジスタにより生成された電磁干渉信号を除去し、ハーフブリッジ回路のオン回路に接続されるように構成されるフィルタモジュールとを含む。本願の技術的手段によれば、高周波スイッチングの過程にスイッチングトランジスタにより生成された電磁干渉信号を低減させ、回路サンプリング信号の正確性及び制御過程の信頼性を向上させるのに役立つ。
【選択図】図２
The present application provides a drive control circuit and a home appliance, the drive control circuit including a half-bridge circuit configured to perform conversion processing on a power supply signal, the half-bridge circuit specifically comprising a control terminal and a filter module configured to filter out electromagnetic interference signals generated by the switching transistor and configured to be connected to the on-circuit of the half-bridge circuit. The technical measures of the present application help reduce the electromagnetic interference signal generated by the switching transistor during the high-frequency switching process, and improve the accuracy of the circuit sampling signal and the reliability of the control process.
[Selection drawing] Fig. 2
Description
本願は、２０１９年７月５日に中国特許庁に提出された、出願番号が２０１９１０６０５４３８．５であり、発明の名称が「駆動制御回路及び家電機器」である中国特許出願の優先権を主張し、その内容の全てを援用することにより本願に取り入れる。 This application claims priority from a Chinese patent application entitled "Drive Control Circuit and Home Appliance" with application number 201910605438.5 filed with the Chinese Patent Office on July 5, 2019. , incorporated herein by reference in its entirety.
本願は、駆動制御の分野に関し、具体的には、駆動制御回路及び家電機器に関する。 The present application relates to the field of drive control, and in particular to drive control circuits and home appliances.
現在、インバータエアコンの市場では、負荷の運転のエネルギー効率を向上させるために、整流器、インダクタ、ＰＦＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｆａｃｔｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ、力率補正）モジュール、電解コンデンサ及びインバータによってモータ（負荷）の駆動制御回路を構成するのが一般的である。 Currently, in the inverter air conditioner market, in order to improve the energy efficiency of load operation, a motor (load) drive control circuit is controlled by a rectifier, an inductor, a PFC (Power Factor Correction) module, an electrolytic capacitor, and an inverter. It is common to configure
関連技術では、Ｂｏｏｓｔ型ＰＦＣの消費電力及び整流器の消費電力を低減させるために、Ｂｏｏｓｔ型ＰＦＣと整流器の代わりにトーテムポール型ＰＦＣモジュールを用いる。しかしながら、回路のエネルギー効率を一層向上させるために、トーテムポール型ＰＦＣモジュールの少なくとも１つのハーフブリッジ回路を設けて高周波動作を保持させるのが一般的である。これにより、駆動制御回路にはＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｍａｇｎｅｔｉｃ Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ、電磁干渉が過度に高くなる問題が生じ、駆動制御回路の信頼性に深刻な影響を及ぼす。 In the related art, in order to reduce the power consumption of the Boost PFC and the power consumption of the rectifier, a totem pole PFC module is used instead of the Boost PFC and rectifier. However, in order to further improve the energy efficiency of the circuit, it is common to provide at least one half-bridge circuit of the totem pole PFC module to sustain high frequency operation. As a result, the drive control circuit suffers from excessive EMI (Electro-Magnetic Interference), which seriously affects the reliability of the drive control circuit.
なお、本明細書全体にわたる背景技術に対するいかなる議論も、必ずしも該背景技術が当業者に知られている従来技術であることを示すものではなく、本明細書全体にわたる従来技術に対するいかなる議論も、必ずしも該従来技術が該技術分野において広く知られていると見なされるか、又は、該技術分野の通常の知識を構成するものであると見なされることを示すものではない。 It should be noted that any discussion of background art throughout this specification does not necessarily indicate that the background art is prior art known to those skilled in the art, and any discussion of background art throughout this specification does not necessarily imply that It is not intended to imply that such prior art is considered to be widely known in the art or constitutes common knowledge in the art.
本願は、従来技術又は関連技術に存在する技術的課題の少なくとも１つを解決することを目的とする。 The present application aims to solve at least one technical problem existing in the prior art or related art.
そのため、本願の１つの目的は、駆動制御回路を提供する。 Therefore, one object of the present application is to provide a drive control circuit.
本願のもう１つの目的は、家電機器を提供する。 Another object of the present application is to provide a consumer electronic device.
本願の第１の態様の技術的手段は、給電信号に対して変換処理を行うように構成されるハーフブリッジ回路を含み、前記ハーフブリッジ回路は、具体的に、制御端を有するように構成されるスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタにより生成された電磁干渉信号を除去し、前記ハーフブリッジ回路のオン回路に接続されるように構成されるフィルタモジュールとを含む駆動制御回路を提供する。 The technical means of the first aspect of the present application includes a half-bridge circuit configured to perform conversion processing on a power supply signal, the half-bridge circuit specifically configured to have a control end. and a filter module configured to filter out electromagnetic interference signals generated by said switching transistor and to be connected to the ON circuit of said half-bridge circuit.
当該技術的手段において、ハーフブリッジ回路にスイッチングトランジスタが設けられるので、スイッチングトランジスタが指定されたパルス駆動信号に従って動作する時、高いｄｉ／ｄｔ及びｄｖ／ｄｔが生成し、駆動制御回路において、それぞれサージ回路及びスパイク電圧として具体化されるが、スイッチングトランジスタの駆動パルス信号は、通常、矩形波である。また、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ －Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）のソースとドレインの波形も矩形波に似ており、矩形波の周期の逆数は、波形の基本周波数を決定し、高周波のパルス駆動信号の立ち上がり時間及び立ち下がり時間の逆数は、周波数成分の周波数値を決定する。通常、周波数値はＭＨｚオーダーにあり、高調波周波数はさらに高く、これらは、駆動制御回路におけるサンプリング信号、駆動信号、及び運転信頼性に深刻な干渉を引き起こす。 In the technical means, the switching transistors are provided in the half-bridge circuit, so that when the switching transistors operate according to the specified pulse drive signal, high di/dt and dv/dt are generated, and surges are generated in the drive control circuit, respectively. Although embodied as circuits and spike voltages, the drive pulse signals for switching transistors are typically square waves. The source and drain waveforms of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) are also similar to a square wave, and the reciprocal of the period of the square wave determines the fundamental frequency of the waveform. , the reciprocal of the rise time and fall time of the high frequency pulse drive signal determine the frequency value of the frequency component. The frequency values are usually in the order of MHz, and the harmonic frequencies are even higher, which cause serious interference with the sampling signal, the drive signal and the operational reliability in the drive control circuit.
従って、スイッチングトランジスタに生成した電磁干渉信号については、前記ハーフブリッジ回路のオン回路に接続されるフィルタモジュールを設置し、フィルタモジュールは、主にハーフブリッジ回路出力信号に含まれる電磁干渉信号を吸收するために用いられる。これにより、駆動制御回路への電磁干渉信号の干渉を低減させ、特に、駆動制御回路におけるサンプリング信号、駆動信号、及び運転の信頼性を向上させるのに役立つ。 Therefore, for the electromagnetic interference signal generated in the switching transistor, a filter module connected to the ON circuit of the half-bridge circuit is installed, and the filter module mainly absorbs the electromagnetic interference signal contained in the half-bridge circuit output signal. used for This serves to reduce the interference of electromagnetic interference signals to the drive control circuit and, in particular, to improve the reliability of the sampling signal, the drive signal and the operation in the drive control circuit.
また、電磁干渉信号を低減することは、スイッチングトランジスタ自体にとって非常に意味があることを強調する価値がある。スイッチングトランジスタが指定されたパルス駆動信号に従って動作する過程で、電磁干渉信号により、スイッチングトランジスタが早く導通したり、遅れて導通したり、破壊されたりする可能性がある。これに対して、本願の技術的手段は、電磁干渉信号を除去することにより、スイッチングトランジスタの運転の信頼性をさらに向上することができ、同時に、スイッチングトランジスタの故障率を低減することにも役立つ。 It is also worth emphasizing that reducing electromagnetic interference signals is of great significance for the switching transistor itself. In the process of the switching transistor operating according to the specified pulse drive signal, the electromagnetic interference signal may cause the switching transistor to turn on early, turn on late, or break down. In contrast, the technical means of the present application can further improve the operational reliability of the switching transistor by removing the electromagnetic interference signal, and at the same time help reduce the failure rate of the switching transistor. .
パルス駆動信号は、オン時間、デューティ比、及びスイッチング周波数等を含むが、これに限定されない。 The pulse drive signal includes, but is not limited to, on-time, duty ratio, switching frequency, and the like.
選択的に、通常、フィルタモジュールにコンデンサ素子を設置することにより、電磁干渉信号を吸收する。 Optionally, electromagnetic interference signals are absorbed, usually by installing a capacitor element in the filter module.
また、本願の上記の実施例に係る駆動制御回路によれば、以下の付加的な技術的特徴をさらに有してもよい。 Further, the drive control circuit according to the above embodiments of the present application may further have the following additional technical features.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、並列に接続された２つの前記ハーフブリッジ回路を含むブリッジ型モジュールをさらに含み、前記ブリッジ型モジュールの入力端は交流信号を入力され、前記ブリッジ型モジュールの出力端は脈動直流信号を出力し、前記ブリッジ型モジュールの入力端は直流信号を入力され、前記ブリッジ型モジュールの出力端は交流信号を出力し、前記フィルタモジュールの静電容量値と前記スイッチングトランジスタのスイッチング周波数とは、負の相関関係にある。 Any of the above technical means optionally further includes a bridge-type module including two half-bridge circuits connected in parallel, an input end of the bridge-type module receiving an AC signal, and the bridge-type The output end of the module outputs a pulsating DC signal, the input end of the bridge type module receives a DC signal, the output end of the bridge type module outputs an AC signal, the capacitance value of the filter module and the There is a negative correlation with the switching frequency of the switching transistor.
当該技術的手段において、スイッチングトランジスタのオン及びカットオフにより、給電信号の変換処理を実現し、通常は、入力された交流信号を直流信号に変換し、又は入力された直流信号を交流信号に変換する。負荷運転段階では、スイッチングトランジスタの動作が継続的なものであるため、大量のスパイク信号及び電磁干渉信号が生成する可能性がある。そして、スイッチング周波数が大きいほど、電磁干渉信号が大きくなり、電気信号が次のレベルの回路モジュールに伝送することに影響を与える。従って、フィルタモジュールの静電容量値とスイッチング周波数とは、負の相関関係にあるように設置することにより、電磁干渉信号への除去効果を向上させる。 In this technical means, the conversion process of the power supply signal is realized by turning on and off the switching transistor, usually converting the input AC signal to the DC signal, or converting the input DC signal to the AC signal. do. During the load operation phase, the continuous operation of the switching transistors can generate large amounts of spikes and electromagnetic interference signals. And the higher the switching frequency, the greater the electromagnetic interference signal, which affects the transmission of the electrical signal to the next-level circuit module. Therefore, by setting the capacitance value and the switching frequency of the filter module so as to have a negative correlation, the effect of removing the electromagnetic interference signal is improved.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、並列に接続された２つの前記ハーフブリッジ回路を含む力率補正モジュールをさらに含み、前記力率補正モジュールの４つのブリッジアームのスイッチングトランジスタを、順に第１のスイッチングトランジスタ、第２のスイッチングトランジスタ、第３のスイッチングトランジスタ、及び第４のスイッチングトランジスタとしたとき、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第２のスイッチングトランジスタの間の共通端が交流信号の第１の入力線に接続され、前記第３のスイッチングトランジスタと前記第４のスイッチングトランジスタの間の共通端が前記交流信号の第２の入力線に接続され、且つ、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第４のスイッチングトランジスタの間の共通端が脈動直流信号に対応する高電圧バスに接続され、前記第２のスイッチングトランジスタと前記第３のスイッチングトランジスタの間の共通端が前記脈動直流信号に対応する低電圧バスに接続される。 Any of the above technical means, optionally further comprising a power factor correction module comprising two said half bridge circuits connected in parallel, wherein the switching transistors of the four bridge arms of said power factor correction module are sequentially When the first switching transistor, the second switching transistor, the third switching transistor, and the fourth switching transistor are used, the common terminal between the first switching transistor and the second switching transistor is an AC signal. connected to a first input line, a common terminal between the third switching transistor and the fourth switching transistor being connected to the second input line for the AC signal, and the first switching transistor A common terminal between the fourth switching transistor is connected to a high voltage bus corresponding to a pulsating DC signal, and a common terminal between the second switching transistor and the third switching transistor corresponds to the pulsating DC signal. connected to a low voltage bus that
当該技術的手段において、力率補正モジュールは並列に接続された２つのハーフブリッジ回路を含むように設置することにより、４つのブリッジアームはいずれもスイッチングトランジスタが設けられ、即ち、トーテムポール型ＰＦＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｆａｃｔｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ、力率補正）モジュールを構成する。選択的に、ハーフブリッジ回路における上方スイッチングトランジスタは、ＮＰＮ型三極真空管であり、下方スイッチングトランジスタは、ＰＮＰ型三極真空管であり、且つ上方スイッチングトランジスタ及び下方スイッチングトランジスタは、エミッタを接続し、エミッタも上記のトーテムポール型ＰＦＣモジュールの１つの出力端である。 In the technical means, the power factor correction module is installed to include two half-bridge circuits connected in parallel, so that the four bridge arms are all provided with switching transistors, namely a totem-pole PFC ( Configure the Power Factor Correction module. Alternatively, the upper switching transistor in the half-bridge circuit is an NPN triode, the lower switching transistor is a PNP triode, and the upper switching transistor and the lower switching transistor connect the emitter and the emitter. is also one output end of the above totem pole type PFC module.
選択的に、トーテムポール型ＰＦＣモジュールにおけるスイッチングトランジスタを、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）に設置することができ、スイッチングトランジスタは、ＳｉＣ型パワー管又はＧａＮ型パワー管であってもよいので、スイッチングトランジスタのスイッチング周波数をさらに向上することができる。これにより負荷運転効率をさらに向上することができるが、電磁干渉信号がより強くなるため、フィルタモジュールを追加して電磁干渉信号を低減させる必要がある。 Alternatively, the switching transistor in the totem -pole PFC module can be placed in a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor), and the switching transistor is a SiC power tube. Alternatively, it may be a GaN power tube, so that the switching frequency of the switching transistor can be further improved. This can further improve the load operation efficiency, but the electromagnetic interference signal will be stronger, so it is necessary to add a filter module to reduce the electromagnetic interference signal.
選択的に、上記のトーテムポール型ＰＦＣのスイッチングトランジスタのソース（エミッタ）及びドレイン（コレクタ）の間には、逆方向の還流ダイオードが集積される。 Optionally, a reverse freewheeling diode is integrated between the source (emitter) and drain (collector) of the switching transistor of the totem-pole PFC.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記フィルタモジュールの第１の端は、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第４のスイッチングトランジスタの間の共通端に接続され、前記フィルタモジュールの第２の端は、前記第２のスイッチングトランジスタと前記第３のスイッチングトランジスタの間の共通端に接続され、前記フィルタモジュールは、前記力率補正モジュールの出力端のフィルタアセンブリとして動作するように構成され、前記フィルタモジュールは、前記変換処理後の交流信号をフィルタ処理する。 In any of the above technical means, optionally, the first terminal of the filter module is connected to a common terminal between the first switching transistor and the fourth switching transistor, and the first terminal of the filter module is connected to a common terminal between the first switching transistor and the fourth switching transistor. A second end is connected to a common end between the second switching transistor and the third switching transistor, and the filter module is configured to operate as a filter assembly at the output end of the power factor correction module. , the filter module filters the transformed AC signal;
当該技術的手段において、フィルタモジュールの第１の端を、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第４のスイッチングトランジスタの間の共通端に接続させ、前記フィルタモジュールの第２の端を、前記第２のスイッチングトランジスタと前記第３のスイッチングトランジスタの間の共通端に接続させる。これにより、フィルタモジュールにより、ＰＦＣモジュール出力の信号をフィルタ処理することができ、後段の回路運転への電磁干渉信号の影響を低減させることができる。 In the technical means, the first end of the filter module is connected to the common end between the first switching transistor and the fourth switching transistor, and the second end of the filter module is connected to the second switching transistor. and the common terminal between the switching transistor and the third switching transistor. As a result, the filter module can filter the signal output from the PFC module, and can reduce the influence of the electromagnetic interference signal on the operation of the subsequent circuit.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、並列に接続された少なくとも２つの前記ハーフブリッジ回路を含み、前記フィルタモジュールは前記変換処理後の交流信号をフィルタ処理するインバータをさらに含む。 In any of the above technical means, optionally comprising at least two half-bridge circuits connected in parallel, wherein the filter module further comprises an inverter for filtering the converted AC signal.
当該技術的手段において、インバータは並列に接続された２つのハーフブリッジ回路を含むことにより、単相負荷の運転を駆動することができ、インバータは、並列に接続された３つのハーフブリッジ回路を含み、三相負荷の運転を駆動することができる。 In the technical means, the inverter includes two half-bridge circuits connected in parallel to drive a single-phase load, and the inverter includes three half-bridge circuits connected in parallel. , can drive three-phase load operation.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記フィルタモジュールは、１つのコンデンサ素子、又は複数の直列及び／又は並列に接続されたコンデンサ素子を含み、前記コンデンサ素子はＸコンデンサ又はフィルムコンデンサである。 In any of the above technical means, optionally, the filter module includes one capacitor element or a plurality of series and/or parallel connected capacitor elements, and the capacitor elements are X capacitors or film capacitors. be.
当該技術的手段において、Ｘコンデンサは、中性線及び相線に跨って接続され、中性線及び相線の間のノイズ、即ち差動モード干渉、又はローバスノーマルモードノイズと称されるものを消去し、Ｘコンデンサは、５０Ｈｚの主電源を通過させることのみを許し、後段の回路への差動モード干渉を効果的に低減させることができる。 In this technical means, the X capacitor is connected across the neutral line and the phase line, and the noise between the neutral line and the phase line, ie differential mode interference, or low bus normal mode noise , and the X-capacitor only allows the 50 Hz mains to pass, effectively reducing differential mode interference to downstream circuitry.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記フィルタモジュールの静電容量値の範囲は、０．０１ｕＦ～１０ｕＦである。 Optionally, in any of the above technical means, the capacitance value range of the filter module is 0.01uF-10uF.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記スイッチングトランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり、前記金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのゲートは、コントローラのコマンド出力端に接続され、前記金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのソースとドレインの間には、逆方向の還流ダイオードが接続され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベースは、コントローラのコマンド出力端に接続され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのエミッタとコレクタの間には、逆方向の還流ダイオードが接続される。 In any of the above technical means, optionally, the switching transistor is a metal oxide semiconductor field effect transistor or an insulated gate bipolar transistor, and the gate of the metal oxide semiconductor field effect transistor is a command output terminal of a controller. a reverse freewheeling diode is connected between the source and drain of said metal oxide semiconductor field effect transistor; the base of said insulated gate bipolar transistor is connected to the command output of a controller; A reverse freewheeling diode is connected between the emitter and collector of the gate bipolar transistor.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記ハーフブリッジ回路の出力端に設けられ、前記脈動直流信号を入力されて交流信号に変換するように構成される電解コンデンサと、前記電解コンデンサの出力端に接続され、前記交流信号を制御して負荷に給電するように構成されるインバータとをさらに含み、前記電解コンデンサの静電容量値の範囲は、１０ｕＦ～２００００ｕＦである。 In any of the above technical means, optionally, an electrolytic capacitor provided at the output end of the half-bridge circuit and configured to receive the pulsating DC signal and convert it to an AC signal; an inverter connected to the output terminal and configured to control the AC signal to supply power to a load, wherein the electrolytic capacitor has a capacitance value ranging from 10uF to 20000uF.
当該技術的手段において、ハーフブリッジ回路の出力端に電解コンデンサを設置する。一方では、電解コンデンサにより負荷運転の電量を提供することができ、他方では、電解コンデンサも駆動制御回路に含まれるサージ信号を吸收することができ、フィルタモジュール及び電解コンデンサを結び付けて、インバータへ流す電磁干渉信号及びノイズをさらに低減させることができ、負荷運転の信頼性を向上させるのに役立つ。 In this technical solution, an electrolytic capacitor is installed at the output end of the half-bridge circuit. On the one hand, the electrolytic capacitor can provide the power of the load operation, and on the other hand, the electrolytic capacitor can also absorb the surge signal contained in the drive control circuit, and the filter module and the electrolytic capacitor are combined to flow to the inverter. Electromagnetic interference signals and noise can be further reduced, which helps improve the reliability of load operation.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、交流信号に対応する第１の入力線に接続され、力率補正モジュールの入力信号をエネルギー蓄積するように構成されるインダクタをさらに含む。 Any of the above technical means optionally further comprising an inductor connected to the first input line corresponding to the AC signal and configured to store energy of the input signal of the power factor correction module.
当該技術的手段において、インダクタを交流信号に対応する第１の入力線に接続するように設置することにより、インダクタ、ＰＦＣモジュール、及び電解コンデンサは、連係作動し、即ち、負荷が運転する前に、電解コンデンサをプリチャージすることにより、チャージ電圧は、負荷の起動電圧以上である時、電解コンデンサに蓄えられた電量は、負荷を駆動して運転させ、通電過程での負荷への給電信号の衝撃を低減させる。 In this technical solution, by installing the inductor to connect to the first input line corresponding to the AC signal, the inductor, the PFC module and the electrolytic capacitor work together, i.e. before the load runs , by pre-charging the electrolytic capacitor, when the charging voltage is higher than the starting voltage of the load, the electricity stored in the electrolytic capacitor will drive the load to run, and the power supply signal to the load during the energization process. Reduce impact.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、交流信号に対応する第２の入力線に接続され、交流信号による負荷への給電量を検出するように構成される電量検出モジュールをさらに含み、前記給電量は前記スイッチングトランジスタのスイッチング周波数を調整するために用いられる。 In any of the above technical means, optionally further comprising a power detection module connected to the second input line corresponding to the AC signal and configured to detect the amount of power supplied to the load by the AC signal, The amount of power supplied is used to adjust the switching frequency of the switching transistor.
当該技術的手段において、電量検出モジュールを交流信号に対応する第２の入力線に接続するように設置することにより、給電信号を検出し、検出結果に従ってスイッチング周波数を調整し、例えば、給電信号における電流には多くのスパイク信号が含まれると検出された時、スパイク信号がハーフブリッジ回路により増幅及び重畳されることを回避させるために、スイッチング周波数を低減することにより、電磁干渉信号及びスパイク信号を低減させる。 In this technical means, the power detection module is installed to connect to the second input line corresponding to the AC signal to detect the power supply signal, and adjust the switching frequency according to the detection result, for example, in the power supply signal When it is detected that the current contains many spike signals, the electromagnetic interference signal and the spike signal are suppressed by reducing the switching frequency in order to avoid the spike signal being amplified and superimposed by the half-bridge circuit. Reduce.
本願の第２の態様の技術的手段において、負荷と、本願の第１の態様のいずれかの技術的手段に記載の、給電信号を制御して前記負荷に給電するように構成される駆動制御回路とを含む家電機器を提供する。 In the technical means of the second aspect of the present application, a load and a drive control configured to control a power supply signal to supply power to the load according to any one of the technical means of the first aspect of the present application. A consumer electronic device including a circuit is provided.
当該技術的手段において、家電機器は、上記技術的手段に記載の駆動制御回路を含むため、該家電機器は、上記技術的手段に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここでは説明を繰り返さない。 In the technical means, the home appliance includes the drive control circuit described in the above technical means, so that the home appliance has all the beneficial effects of the drive control circuit described in the above technical means, and here I won't repeat the explanation.
上記技術的手段において、選択的に、前記家電機器は、エアコン、冷蔵庫、ファン、レンジフード、掃除機、及びコンピュータ本体の少なくとも１つを含む。 In the above technical means, optionally, the home appliance includes at least one of an air conditioner, a refrigerator, a fan, a range hood, a vacuum cleaner, and a computer main body.
本願の付加的な態様及び利点は、次の説明で明らかになり、あるいは本願を実施することで把握される。 Additional aspects and advantages of the present application will become apparent from the ensuing description or may be learned by practicing the application.
本願の付加的な態様及び利点は下記の説明に示され、一部は下記の説明により明瞭になるか、本願を実施することで理解される。 Additional aspects and advantages of the present application will be set forth in the description below, and in part will be apparent from the description, or may be learned by practice of the application.
本願の上記目的、特徴及び利点をより明確に理解できるようにするために、以下は図面及び具体的な実施形態を参照し、本願をより詳細に説明する。なお、矛盾がない場合、本願の実施例及び実施例の特徴は、互いに組み合わせることができる。 In order to enable the above objects, features and advantages of the present application to be understood more clearly, the present application will now be described in more detail with reference to the drawings and specific embodiments. It should be noted that, where consistent, the embodiments and features of the embodiments of the present application may be combined with each other.
本願を十分に理解するために以下の説明において多くの具体的な詳細を説明するが、本願はまたここで説明した以外の他の形態を採用して実施することができ、従って、本願の範囲は以下に開示される具体的な実施例に限定されるものではない。 Although numerous specific details are set forth in the following description in order to provide a thorough understanding of the present application, the present application may also be practiced in other forms than those described herein and, thus, the scope of the present application. is not limited to the specific examples disclosed below.
以下、図１～図４を参照しながら、本願の実施例に係る駆動制御回路及び家電機器を具体的に説明する。 A drive control circuit and a home appliance according to embodiments of the present application will be specifically described below with reference to FIGS. 1 to 4. FIG.
図１及び図２に示すように、本願の１実施例の駆動制御回路によれば、給電信号ＡＣに対して変換処理を行うように構成されるハーフブリッジ回路を含み、前記ハーフブリッジ回路は、具体的に、制御端を有するように構成されるスイッチングトランジスタと、前記スイッチングトランジスタにより生成された電磁干渉信号を除去し、前記ハーフブリッジ回路のオン回路に接続されるように構成されるフィルタモジュールＣとを含む。 As shown in FIGS. 1 and 2, according to the drive control circuit of one embodiment of the present application, it includes a half-bridge circuit configured to perform conversion processing on the power supply signal AC, the half-bridge circuit: Specifically, a switching transistor configured to have a control end, and a filter module C configured to remove an electromagnetic interference signal generated by the switching transistor and to be connected to the ON circuit of the half-bridge circuit. including.
当該技術的手段において、ハーフブリッジ回路にスイッチングトランジスタが設けられるので、スイッチングトランジスタが指定されたパルス駆動信号に従って動作する時、高いｄｉ／ｄｔ及びｄｖ／ｄｔが生成し、駆動制御回路において、それぞれサージ回路及びスパイク電圧として具体化されるが、スイッチングトランジスタの駆動パルス信号は、通常、矩形波である。また、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）のソースとドレインの波形も矩形波に似ており、矩形波の周期の逆数は、波形の基本周波数を決定し、高周波のパルス駆動信号の立ち上がり時間及び立ち下がり時間の逆数は、周波数成分の周波数値を決定する。通常、周波数値はＭＨｚオーダーにあり、高調波周波数はさらに高く、これらは、駆動制御回路におけるサンプリング信号、駆動信号、及び運転信頼性に深刻な干渉を引き起こす。 In the technical means, the switching transistors are provided in the half-bridge circuit, so that when the switching transistors operate according to the specified pulse drive signal, high di/dt and dv/dt are generated, and surges are generated in the drive control circuit, respectively. Although embodied as circuits and spike voltages, the drive pulse signals for switching transistors are typically square waves. The source and drain waveforms of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) are also similar to a square wave, and the reciprocal of the period of the square wave determines the fundamental frequency of the waveform. , the reciprocal of the rise time and fall time of the high frequency pulse drive signal determine the frequency value of the frequency component. The frequency values are usually in the order of MHz, and the harmonic frequencies are even higher, which cause serious interference with the sampling signal, the drive signal and the operational reliability in the drive control circuit.
従って、スイッチングトランジスタで生成した電磁干渉信号については、前記ハーフブリッジ回路のオン回路に接続されるフィルタモジュールＣを設置し、フィルタモジュールＣは、主にハーフブリッジ回路出力信号に含まれる電磁干渉信号を吸收するために用いられる。これにより、駆動制御回路への電磁干渉信号の干渉を低減させ、特に、駆動制御回路におけるサンプリング信号、駆動信号、及び運転の信頼性を向上させるのに役立つ。 Therefore, for the electromagnetic interference signal generated by the switching transistor, a filter module C connected to the ON circuit of the half-bridge circuit is installed, and the filter module C mainly filters out the electromagnetic interference signal contained in the half-bridge circuit output signal. Used for absorption. This serves to reduce the interference of electromagnetic interference signals to the drive control circuit and, in particular, to improve the reliability of the sampling signal, the drive signal and the operation in the drive control circuit.
また、電磁干渉信号を低減することは、スイッチングトランジスタ自体にとって非常に意味があることを強調する価値がある。スイッチングトランジスタが指定されたパルス駆動信号に従って動作する過程で、電磁干渉信号により、スイッチングトランジスタが早くオンしたり、遅れて導通したり、破壊されたりする可能性がある。これに対して、本願の技術的手段は、電磁干渉信号を除去することにより、スイッチングトランジスタの運転の信頼性をさらに向上することができ、同時に、スイッチングトランジスタの故障率を低減することにも役立つ。 It is also worth emphasizing that reducing electromagnetic interference signals is of great significance for the switching transistor itself. In the process of the switching transistor operating according to the specified pulse drive signal, the electromagnetic interference signal may cause the switching transistor to turn on early, turn on late, or be destroyed. In contrast, the technical means of the present application can further improve the operational reliability of the switching transistor by removing the electromagnetic interference signal, and at the same time help reduce the failure rate of the switching transistor. .
パルス駆動信号は、オン時間、デューティ比、及びスイッチング周波数等を含むが、これに限定されない。 The pulse drive signal includes, but is not limited to, on-time, duty ratio, switching frequency, and the like.
選択的に、通常、フィルタモジュールＣにコンデンサ素子を設置することにより、電磁干渉信号を吸收する。 Optionally, capacitor elements are usually installed in the filter module C to absorb electromagnetic interference signals.
また、本願の上記実施例に係る駆動制御回路によれば、以下の付加的な技術的特徴をさらに有してもよい。 Further, the drive control circuit according to the above embodiment of the present application may further have the following additional technical features.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、並列に接続された２つの前記ハーフブリッジ回路を含むブリッジ型モジュールをさらに含み、前記ブリッジ型モジュールの入力端は交流信号を入力され、前記ブリッジ型モジュールの出力端は脈動直流信号を出力し、前記ブリッジ型モジュールの入力端は直流信号を入力され、前記ブリッジ型モジュールの出力端は交流信号を出力し、前記フィルタモジュールＣの静電容量値と前記スイッチングトランジスタのスイッチング周波数とは、負の相関関係にある。 Any of the above technical means optionally further includes a bridge-type module including two half-bridge circuits connected in parallel, an input end of the bridge-type module receiving an AC signal, and the bridge-type The output end of the module outputs a pulsating DC signal, the input end of the bridge type module receives a DC signal, the output end of the bridge type module outputs an AC signal, the capacitance value of the filter module C and There is a negative correlation with the switching frequency of the switching transistor.
当該技術的手段において、スイッチングトランジスタのオン及びカットオフにより、給電信号ＡＣの変換処理を実現し、通常、入力された交流信号を直流信号に変換し、又は入力された直流信号を交流信号に変換する。負荷運転段階では、スイッチングトランジスタがの動作が継続的なものであるため、大量のスパイク信号及び電磁干渉信号が生成する可能性がある。そして、スイッチング周波数が大きいほど、電磁干渉信号が大きくなり、電気信号が次のレベルの回路モジュールに伝送することに影響を与える。従って、フィルタモジュールＣの静電容量値とスイッチング周波数とは、負の相関関係にあるように設置することにより、電磁干渉信号への除去効果を向上させる。 In this technical means, the switching transistor is turned on and cut off to realize the conversion process of the power supply signal AC, usually converting an input AC signal to a DC signal, or converting an input DC signal to an AC signal. do. During the load operation phase, the continuous operation of the switching transistors can generate a large amount of spikes and electromagnetic interference signals. And the higher the switching frequency, the greater the electromagnetic interference signal, which affects the transmission of the electrical signal to the next-level circuit module. Therefore, by setting the capacitance value and the switching frequency of the filter module C so as to have a negative correlation, the effect of removing the electromagnetic interference signal is improved.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、並列に接続された２つの前記ハーフブリッジ回路を含む力率補正モジュールをさらに含み、前記力率補正モジュールの４つのブリッジアームのスイッチングトランジスタは、第１のスイッチングトランジスタＱ１、第２のスイッチングトランジスタＱ２、第３のスイッチングトランジスタＱ３、及び第４のスイッチングトランジスタＱ４としたとき、前記第１のスイッチングトランジスタＱ１と前記第２のスイッチングトランジスタＱ２の間の共通端が交流信号の第１の入力線に接続され、前記第３のスイッチングトランジスタＱ３と前記第４のスイッチングトランジスタＱ４の間の共通端が前記交流信号の第２の入力線に接続され、且つ、前記第１のスイッチングトランジスタＱ１と前記第４のスイッチングトランジスタＱ４の間の共通端が脈動直流信号に対応する高電圧バスに接続され、前記第２のスイッチングトランジスタＱ２と前記第３のスイッチングトランジスタＱ３の間の共通端が前記脈動直流信号に対応する低電圧バスに接続される。 Any of the above technical means, optionally further comprising a power factor correction module comprising two said half bridge circuits connected in parallel, wherein the switching transistors of the four bridge arms of said power factor correction module are: Assuming one switching transistor Q 1 , a second switching transistor Q 2 , a third switching transistor Q 3 , and a fourth switching transistor Q 4 , the first switching transistor Q 1 and the second switching transistor Q 4 A common terminal between Q2 is connected to a first input line of the AC signal, and a common terminal between the third switching transistor Q3 and the fourth switching transistor Q4 is connected to the second input line of the AC signal. the second switching transistor connected to an input line and having a common terminal between the first switching transistor Q1 and the fourth switching transistor Q4 connected to a high voltage bus corresponding to a pulsating DC signal; A common terminal between Q2 and said third switching transistor Q3 is connected to a low voltage bus corresponding to said pulsating DC signal.
当該技術的手段において、力率補正モジュールは並列に接続された２つのハーフブリッジ回路を含むように設置することにより、４つのブリッジアームはいずれもスイッチングトランジスタが設けられ、即ち、トーテムポール型ＰＦＣ（Ｐｏｗｅｒ Ｆａｃｔｏｒ Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ、力率補正）モジュールを構成する。選択的に、ハーフブリッジ回路における上方スイッチングトランジスタは、ＮＰＮ型三極真空管であり、下方スイッチングトランジスタは、ＰＮＰ型三極真空管であり、且つ上方スイッチングトランジスタ及び下方スイッチングトランジスタは、エミッタを接続し、エミッタも上記のトーテムポール型ＰＦＣモジュールの１つの出力端である。 In the technical means, the power factor correction module is installed to include two half-bridge circuits connected in parallel, so that the four bridge arms are all provided with switching transistors, namely a totem-pole PFC ( Configure the Power Factor Correction module. Alternatively, the upper switching transistor in the half-bridge circuit is an NPN triode, the lower switching transistor is a PNP triode, and the upper switching transistor and the lower switching transistor connect the emitter and the emitter. is also one output end of the above totem pole type PFC module.
選択的に、トーテムポール型ＰＦＣモジュールにおけるスイッチングトランジスタを、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ－Ｏｘｉｄｅ－Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ）に設置することができ、スイッチングトランジスタは、ＳｉＣ型パワー管又はＧａＮ型パワー管であってもよいので、スイッチングトランジスタのスイッチング周波数をさらに向上することができる。これにより負荷運転能効をさらに向上することができるが、電磁干渉信号がより強くなるため、フィルタモジュールＣを追加して電磁干渉信号を低減させる必要がある。 Alternatively, the switching transistor in the totem -pole PFC module can be placed in a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor), and the switching transistor is a SiC power tube. Alternatively, it may be a GaN power tube, so that the switching frequency of the switching transistor can be further improved. This can further improve the load operation efficiency, but the electromagnetic interference signal will be stronger, so it is necessary to add a filter module C to reduce the electromagnetic interference signal.
選択的に、上記のトーテムポール型ＰＦＣのスイッチングトランジスタのソース（エミッタ）及びドレイン（コレクタ）の間には、逆方向の還流ダイオードが集積される。例えば、第１のスイッチングトランジスタＱ１のソースとドレインの間には、第１の逆方向の還流ダイオードＤ１が接続され、第２のスイッチングトランジスタＱ２のソースとドレインの間には、第２の逆方向の還流ダイオードＤ２が接続され、第３のスイッチングトランジスタＱ３のソースとドレインの間には、第３の逆方向の還流ダイオードＤ３が接続され、第４のスイッチングトランジスタＱ４のソースとドレインの間には、第４の逆方向の還流ダイオードＤ４が接続される。 Optionally, a reverse freewheeling diode is integrated between the source (emitter) and drain (collector) of the switching transistor of the totem-pole PFC. For example, a first reverse freewheeling diode D1 is connected between the source and drain of the first switching transistor Q1, and a second freewheeling diode D1 is connected between the source and drain of the second switching transistor Q2. A third reverse freewheeling diode D2 is connected between the source and drain of the third switching transistor Q3, and a third reverse freewheeling diode D3 is connected between the source and drain of the fourth switching transistor Q4. A fourth reverse freewheeling diode D4 is connected between the source and the drain.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記フィルタモジュールＣの第１の端は、前記第１のスイッチングトランジスタＱ１と前記第４のスイッチングトランジスタＱ４の間の共通端に接続され、前記フィルタモジュールＣの第２の端は、前記第２のスイッチングトランジスタＱ２と前記第３のスイッチングトランジスタＱ３の間の共通端に接続され、前記フィルタモジュールＣは、前記力率補正モジュールの出力端のフィルタアセンブリとして動作するように構成され、前記フィルタモジュールＣは、前記変換処理後の交流信号をフィルタ処理する。 In any of the above technical means, optionally, a first end of the filter module C is connected to a common end between the first switching transistor Q1 and the fourth switching transistor Q4; A second end of said filter module C is connected to a common end between said second switching transistor Q2 and said third switching transistor Q3, said filter module C being connected to the output of said power factor correction module. Configured to operate as an end filter assembly, the filter module C filters the converted AC signal.
当該技術的手段において、フィルタモジュールＣの第１の端を、前記第１のスイッチングトランジスタＱ１と前記第４のスイッチングトランジスタＱ４の間の共通端に接続させ、前記フィルタモジュールＣの第２の端を、前記第２のスイッチングトランジスタＱ２と前記第３のスイッチングトランジスタＱ３の間の共通端に接続させる。これにより、フィルタモジュールＣは、ＰＦＣモジュール出力の信号をフィルタ処理することができ、後段の回路運転への電磁干渉信号の影響を低減させることができる。 In the technical means, the first end of the filter module C is connected to the common end between the first switching transistor Q1 and the fourth switching transistor Q4; A terminal is connected to a common terminal between the second switching transistor Q2 and the third switching transistor Q3. Thereby, the filter module C can filter the signal of the PFC module output, and can reduce the influence of the electromagnetic interference signal on the operation of the subsequent circuit.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、並列に接続された少なくとも２つの前記ハーフブリッジ回路を含み、前記フィルタモジュールＣは前記変換処理後の交流信号をフィルタ処理するインバータをさらに含む。 In any of the above technical means, optionally including at least two of said half-bridge circuits connected in parallel, said filter module C further includes an inverter for filtering said converted AC signal.
当該技術的手段において、インバータは並列に接続された２つのハーフブリッジ回路を含むことにより、単相負荷の運転を駆動することができ、インバータは、並列に接続された３つのハーフブリッジ回路を含み、三相負荷の運転を駆動することができる。 In the technical means, the inverter includes two half-bridge circuits connected in parallel to drive a single-phase load, and the inverter includes three half-bridge circuits connected in parallel. , can drive three-phase load operation.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記フィルタモジュールＣは、１つのコンデンサ素子、又は複数の直列及び／又は並列に接続されたコンデンサ素子を含み、前記コンデンサ素子はＸコンデンサ又はフィルムコンデンサである。 In any of the above technical means, optionally, the filter module C includes one capacitor element or a plurality of series and/or parallel connected capacitor elements, and the capacitor elements are X capacitors or film capacitors. is.
当該技術的手段において、Ｘコンデンサは、中性線及び相線に跨って接続され、中性線及び相線の間のノイズ、即ち差動モード干渉、又はローバスノーマルモード常状態ノイズと称されるものを消去し、Ｘコンデンサは、５０Ｈｚの主電源を通過させることのみを許し、後段の回路への差動モード干渉を効果的に低減させることができる。 In the technical means, the X capacitor is connected across the neutral line and the phase line, and the noise between the neutral line and the phase line is called differential mode interference, or low-bus normal mode normal state noise. , the X-capacitor only allows the 50 Hz mains to pass through, effectively reducing differential mode interference to downstream circuitry.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記フィルタモジュールＣの静電容量値の範囲は、０．０１ｕＦ～１０ｕＦである。 In any of the above technical means, optionally, the capacitance value range of the filter module C is 0.01uF-10uF.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記スイッチングトランジスタは、金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ又は絶縁ゲートバイポーラトランジスタであり、前記金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのゲートは、コントローラのコマンド出力端に接続され、前記金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのソースとドレインの間には、逆方向の還流ダイオードに接続され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベースは、コントローラのコマンド出力端に接続され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのエミッタとコレクタの間には、逆方向の還流ダイオードに接続される。 In any of the above technical means, optionally, the switching transistor is a metal oxide semiconductor field effect transistor or an insulated gate bipolar transistor, and the gate of the metal oxide semiconductor field effect transistor is a command output terminal of a controller. a reverse freewheeling diode between the source and drain of said metal oxide semiconductor field effect transistor; the base of said insulated gate bipolar transistor is connected to the command output of a controller; A reverse freewheeling diode is connected between the emitter and collector of the gate bipolar transistor.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、前記ハーフブリッジ回路の出力端に設けられ、前記脈動直流信号を入力されて交流信号に変換するように構成される電解コンデンサＥと、前記電解コンデンサの出力端に接続され、前記交流信号を制御して負荷に給電するように構成されるインバータとをさらに含み、前記電解コンデンサの静電容量値の範囲は、１０ｕＦ～２００００ｕＦである。 In any one of the above technical means, optionally, an electrolytic capacitor E provided at the output end of the half bridge circuit and configured to receive the pulsating DC signal and convert it into an AC signal; and the electrolytic capacitor. and configured to control the AC signal to power a load, wherein the electrolytic capacitor has a capacitance value ranging from 10uF to 20000uF.
当該技術的手段において、ハーフブリッジ回路の出力端に電解コンデンサＥを設置する。一方では、電解コンデンサＥは負荷運転の電量を提供することができ、他方では、電解コンデンサＥも駆動制御回路に含まれるサージ信号を吸收することができ、フィルタモジュールＣ及び電解コンデンサＥを結び付けて、インバータへ流す電磁干渉信号及びノイズをさらに低減させることができ、負荷運転の信頼性を向上させるのに役立つ。 In this technical solution, an electrolytic capacitor E is installed at the output end of the half-bridge circuit. On the one hand, the electrolytic capacitor E can provide the power of the load operation, and on the other hand, the electrolytic capacitor E can also absorb the surge signal contained in the drive control circuit, and the filter module C and the electrolytic capacitor E are combined to , the electromagnetic interference signal and noise flowing to the inverter can be further reduced, which helps improve the reliability of load operation.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、交流信号に対応する第１の入力線に接続され、力率補正モジュールの入力信号をエネルギー蓄積するように構成されるインダクタＬをさらに含む。 Any of the above technical means optionally further includes an inductor L connected to the first input line corresponding to the AC signal and configured to store energy of the input signal of the power factor correction module.
図２に示すように、当該技術的手段において、インダクタＬを交流信号に対応する第１の入力線に接続するように設置することにより、インダクタＬ、ＰＦＣモジュール、及び電解コンデンサＥは、連係作動し、即ち、負荷が運転する前に、電解コンデンサＥをプリチャージすることにより、チャージ電圧は、負荷の起動電圧以上である時、電解コンデンサＥに蓄えられた電量は、負荷を駆動して運転させ、上電過程に負荷への給電信号ＡＣの衝撃を低減させる。 As shown in FIG. 2, in the technical means, the inductor L, the PFC module and the electrolytic capacitor E are connected to the first input line corresponding to the AC signal, so that the inductor L, the PFC module and the electrolytic capacitor E can work together. That is, by pre-charging the electrolytic capacitor E before the load runs, when the charge voltage is greater than or equal to the starting voltage of the load, the charge stored in the electrolytic capacitor E can drive the load to run. to reduce the impact of the power supply signal AC on the load during the charging process.
上記いずれかの技術的手段において、選択的に、交流信号に対応する第２の入力線に接続され、交流信号による負荷への給電量を検出し、前記給電量は前記スイッチングトランジスタのスイッチング周波数を調整するように構成される電量検出モジュールＳをさらに含む。 In any of the above technical means, optionally connected to a second input line corresponding to an AC signal to detect the amount of power supplied to the load by the AC signal, the amount of power supplied determines the switching frequency of the switching transistor. It further includes a coulometric detection module S configured to regulate.
当該技術的手段において、電量検出モジュールＳを交流信号に対応する第２の入力線に接続するように設置することにより、給電信号ＡＣを検出し、検出結果に従ってスイッチング周波数を調整し、例えば、給電信号ＡＣにおける電流には多くのスパイク信号が含まれると検出された時、スパイク信号がハーフブリッジ回路により増幅及び重畳されることを回避させるために、スイッチング周波数を低減することにより、電磁干渉信号及びスパイク信号を低減させる。 In the technical means, the power detection module S is installed to connect to the second input line corresponding to the AC signal to detect the power supply signal AC, and adjust the switching frequency according to the detection result, such as power supply When it is detected that the current in the signal AC contains many spike signals, the electromagnetic interference signal and the Reduce spike signals.
本願の実施例の家電機器によれば、負荷と、上記何れかの技術的手段に記載の、給電信号ＡＣを制御して前記負荷に給電するように構成される駆動制御回路とを含む。 A home appliance according to an embodiment of the present application includes a load and a drive control circuit configured to control a power supply signal AC to supply power to the load according to any one of the technical means described above.
当該技術的手段において、家電機器は、上記技術的手段に記載の駆動制御回路を含むため、該家電機器は、上記技術的手段に記載の駆動制御回路の全ての有益な効果を有し、ここでは説明を繰り返さない。 In the technical means, the home appliance includes the drive control circuit described in the above technical means, so that the home appliance has all the beneficial effects of the drive control circuit described in the above technical means, and here I won't repeat the explanation.
上記技術的手段において、選択的に、前記家電機器は、エアコン、冷蔵庫、ファン、レンジフード、掃除機、及びコンピュータ本体の少なくとも１つを含む。 In the above technical means, optionally, the home appliance includes at least one of an air conditioner, a refrigerator, a fan, a range hood, a vacuum cleaner, and a computer main body.
選択的に、第１のスイッチングトランジスタＱ１、第２のスイッチングトランジスタＱ２、第３のスイッチングトランジスタＱ３、及び第４のスイッチングトランジスタＱ４は、１つのコントローラによって制御され、また、電量検出モジュールＳも検出信号をコントローラに送信し、コントローラは、ＭＣＵ（Ｍｉｃｒｏ－ｐｒｏｇｒａｍｍｅｄ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｕｎｉｔ、マイクロプログラムコントローラ）、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ、中央処理装置）、ＤＳＰ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ、デジタル信号処理装置）、及び組み込みデバイスのうちの１つであってもよいが、これに限定されない。 Optionally, the first switching transistor Q1 , the second switching transistor Q2, the third switching transistor Q3 and the fourth switching transistor Q4 are controlled by one controller, and the coulometric detection module S also sends a detection signal to the controller, and the controller includes MCU (Micro-programmed Control Unit, microprogram controller), CPU (Central Processing Unit, central processing unit), DSP (Digital Signal Processor, digital signal processor), and It may be, but is not limited to, one of the embedded devices.
上記駆動制御回路の外乱パワーと外乱電圧の試験図は、図３から図６に示すように、図３から図６には、準ピーク基準線、平均値基準線、準ピーク実測線、および平均値実測線の概略図を示す。 Test diagrams of the disturbance power and disturbance voltage of the drive control circuit are shown in FIGS. 3 to 6. In FIGS. 1 shows a schematic diagram of a value measurement line; FIG.
図３に示すように、駆動制御回路にはフィルタモジュールＣが設けられる時の外乱パワーは、例えば、４０ｋＨｚ～１００ｋＨｚ範囲内では、外乱パワーが、５０（単位ｄＢ×ｐＷ）よりはるかに低い。 As shown in FIG. 3, the disturbance power when the drive control circuit is provided with the filter module C is much lower than 50 (unit: dB×pW) within the range of 40 kHz to 100 kHz, for example.
図４に示すように、駆動制御回路にはフィルタモジュールＣが設けられない時の外乱パワーは、例えば、４０ｋＨｚ～１００ｋＨｚ範囲内では、外乱パワーが、５０（単位ｄＢ×ｐＷ）に近い。 As shown in FIG. 4, the disturbance power when the filter module C is not provided in the drive control circuit is, for example, close to 50 (dB×pW) within the range of 40 kHz to 100 kHz.
図３と図４を比較すると、駆動回路にはフィルタモジュールＣが設けられた後、外乱パワーの密度が、顕著に下降することが分かる。 Comparing FIG. 3 and FIG. 4, it can be seen that the density of the disturbance power drops significantly after the filter module C is installed in the driving circuit.
図５に示すように、駆動制御回路にはフィルタモジュールＣが設けられた時の外乱電圧である。 As shown in FIG. 5, this is the disturbance voltage when the filter module C is provided in the drive control circuit.
図６に示すように、駆動制御回路にはフィルタモジュールＣが設けられない時の外乱電圧である。 As shown in FIG. 6, this is the disturbance voltage when the filter module C is not provided in the drive control circuit.
図５と図６を比較すると、駆動回路にはフィルタモジュールＣが設けられた後、外乱電圧の振幅値は、顕著に下降することが分かる。 Comparing FIG. 5 and FIG. 6, it can be seen that the amplitude value of the disturbance voltage drops significantly after the filter module C is installed in the driving circuit.
従来技術に存在する技術的問題については、本願は、駆動制御回路および家電機器を提供する。本願の技術的手段によれば、スイッチングトランジスタに生成した電磁干渉信号については、前記ハーフブリッジ回路のオン回路に接続されるフィルタモジュールを設置し、フィルタモジュールは、主にハーフブリッジ回路出力信号に含まれる電磁干渉信号を吸收するために用いられる。これにより、駆動制御回路への電磁干渉信号の干渉を低減させ、特に、駆動制御回路におけるサンプリング信号、駆動信号、及び運転の信頼性を向上させるのに役立つ。 For technical problems existing in the prior art, the present application provides a drive control circuit and a home appliance. According to the technical means of the present application, for the electromagnetic interference signal generated in the switching transistor, a filter module connected to the on-circuit of the half-bridge circuit is installed, and the filter module is mainly included in the half-bridge circuit output signal. used to absorb electromagnetic interference signals. This serves to reduce the interference of electromagnetic interference signals to the drive control circuit and, in particular, to improve the reliability of the sampling signal, the drive signal and the operation in the drive control circuit.
当業者は、本願の実施例が、方法、システム、またはコンピュータプログラム製品として提供され得ることを理解すべきである。したがって、本願は、完全なハードウェアの実施例、完全なソフトウェアの実施例、またはソフトウェアとハードウェアを組み合わせた実施例の形態を採用することができる。さらに、本願は、コンピュータで使用可能なプログラムコードを含む１つまたは複数のコンピュータ使用可能な記憶媒体（ディスクストレージ、ＣＤ－ＲＯＭ、光ストレージなどを含むがこれらに限定されない）に実装されたコンピュータプログラム製品の形式を採用することができる。 Those skilled in the art should understand that the embodiments of the present application may be provided as a method, system, or computer program product. Accordingly, this application may take the form of an entirely hardware embodiment, an entirely software embodiment, or an embodiment combining software and hardware. Further, the present application relates to a computer program embodied on one or more computer-usable storage media (including but not limited to disk storage, CD-ROM, optical storage, etc.) containing computer-usable program code. Product form can be adopted.
本願の実施例に係る方法、機器（システム）、及びコンピュータプログラム製品のフローチャート及び／又はブロック図を参照して、本願が説明される。なお、コンピュータプログラムコマンドによってフローチャート及び／又はブロック図の各プロセス及び／又はブロック、及びフローチャート及び／又はブロック図のプロセス及び／又はブロックの組み合わせを実現できる。それらのコンピュータプログラムコマンドを汎用コンピュータ、専用コンピュータ、組み込みプロセッサ又は他のプログラマブルなデータ処理機器のコントローラに提供して機械を作ることで、コンピュータ又は他のプログラマブルなデータ処理機器のコントローラが実行するコマンドによって、フローチャートの１つのプロセスもしくは複数のプロセス及び／又はブロック図の１つのブロックもしくは複数のブロックにおいて指定された機能を実現する装置が生成する。 The present application is described with reference to flowchart illustrations and/or block diagrams of methods, apparatus (systems) and computer program products according to example embodiments of the application. It should be noted that each process and/or block of the flowchart illustrations and/or block diagrams, and combinations of the processes and/or blocks of the flowchart illustrations and/or block diagrams, can be implemented by computer program commands. by providing those computer program commands to a general purpose computer, special purpose computer, embedded processor or controller of other programmable data processing equipment to create a machine, by commands executed by the controller of the computer or other programmable data processing equipment , a device that implements the functionality specified in one or more of the flowchart process(es) and/or one or more block(s) of the block diagram(s).
それらのコンピュータプログラムコマンドはコンピュータ又は他のプログラマブルなデータ処理機器が特定の方式で動作するようガイドするコンピュータ可読メモリに記憶されてもよく、これにより該コンピュータ可読メモリに記憶されているコマンドによって、コマンド装置を含む製品が生成し、該コマンド装置はフローチャートの１つのプロセスもしくは複数のプロセス及び／又はブロック図の１つのブロックもしくは複数のブロックにおいて指定された機能を実現する。 These computer program commands may be stored in a computer readable memory that guide a computer or other programmable data processing apparatus to operate in a particular manner, whereby the commands stored in the computer readable memory cause command An article of manufacture containing the device is produced and the command device implements the functions specified in the process or processes of the flowcharts and/or the block or blocks of the block diagrams.
それらのコンピュータプログラムコマンドはコンピュータ又は他のプログラマブルなデータ処理機器にロードされてもよく、これによりコンピュータ又は他のプログラマブルデバイスにおいて一連の動作ステップが実行されてコンピュータによって実現される処理が生成され、これによりコンピュータ又は他のプログラマブルデバイスにおいて実行されるコマンドによって、フローチャートの１つのプロセスもしくは複数のプロセス及び／又はブロック図の１つのブロックもしくは複数のブロックにおいて指定された機能を実現するステップが提供される。 These computer program commands may be loaded into a computer or other programmable data processing apparatus, which causes a series of operational steps to be performed in the computer or other programmable device to produce a computer-implemented process, which Commands executed by on a computer or other programmable device to implement the functions specified in the process or processes of the flowcharts and/or the block or blocks of the block diagrams are provided.
なお、特許請求の範囲において、括弧付けで記載した記号は、いずれも請求項を限定するものではない。用語「含む」は、請求項に記載されている部品又はステップを除外するものではない。部品の前に出現する用語「一」又は「１つ」は、該部品が複数存在する場合を除外するものではない。本願は、複数の異なる部品を含むハードウェア又は適切にプログラムされたコンピュータによって実現することができる。複数の装置が列挙された請求項において、それらの装置のうちのいくつかは同一のハードウェアによって具現化されてもよい。「第１」、「第２」、「第３」などの用語は順番を示すために使用するものではない。それらの用語は名称の一部として理解されてよい。 In the claims, any symbols in parentheses do not limit the claims. The term "comprising" does not exclude any parts or steps listed in a claim. The term "one" or "one" appearing before an item does not exclude the presence of a plurality of such items. The present application can be implemented by hardware comprising a plurality of different components or by a suitably programmed computer. In a claim enumerating several devices, several of these devices may be embodied by one and the same item of hardware. The terms "first", "second", "third" etc. are not used to indicate order. Those terms may be understood as part of the name.
本願の好ましい実施例を説明しているが、当業者が進歩性の原理を知れば、それらの実施例に変更及び修正を行うことができる。従って、特許請求の範囲は好ましい実施例及び本願の範囲に属する全ての変更及び修正を含むと解釈されたいものである。 Although preferred embodiments of the present application have been described, variations and modifications may be made to those embodiments by those skilled in the art once they become aware of the principles of inventive step. Therefore, it is intended that the appended claims be interpreted as covering the preferred embodiment and all such changes and modifications that fall within the scope of this application.
以上は、本願の好ましい実施例に過ぎず、本願を限定するためのものではなく、当業者であれば、本願において様々な変更や変形が行われてもよい。本願の趣旨及び原則を逸脱しない範囲で行われる任意な修正、均等な置換、改良などは、いずれも本願の保護範囲に含まれるものとする。 The above are only preferred embodiments of the present application and are not intended to limit the present application, and various changes and modifications may be made in the present application by those skilled in the art. Any modification, equivalent replacement, improvement, etc. made without departing from the spirit and principle of the present application shall fall within the protection scope of the present application.
Claims (13)
前記ハーフブリッジ回路は、
制御端を有するように構成されるスイッチングトランジスタと、
前記スイッチングトランジスタにより生成された電磁干渉信号を除去し、前記ハーフブリッジ回路のオン回路に接続されるように構成されるフィルタモジュールとを含む、駆動制御回路。 including a half-bridge circuit configured to perform conversion processing on the power supply signal;
The half-bridge circuit is
a switching transistor configured to have a control end;
a filter module configured to filter out electromagnetic interference signals generated by the switching transistors and to be connected to the ON circuit of the half-bridge circuit.
前記ブリッジ型モジュールの入力端は交流信号を入力され、前記ブリッジ型モジュールの出力端は脈動直流信号を出力し、
前記ブリッジ型モジュールの入力端は直流信号を入力され、前記ブリッジ型モジュールの出力端は交流信号を出力し、
前記フィルタモジュールの静電容量値と前記スイッチングトランジスタのスイッチング周波数とは、負の相関関係にある、請求項１に記載の駆動制御回路。 further comprising a bridge-type module comprising two said half-bridge circuits connected in parallel;
an input end of the bridge-type module receives an AC signal, an output end of the bridge-type module outputs a pulsating DC signal;
an input end of the bridge-type module receives a DC signal and an output end of the bridge-type module outputs an AC signal;
2. The drive control circuit according to claim 1, wherein the capacitance value of said filter module and the switching frequency of said switching transistor are negatively correlated.
前記力率補正モジュールの４つのブリッジアームのスイッチングトランジスタを、順に第１のスイッチングトランジスタ、第２のスイッチングトランジスタ、第３のスイッチングトランジスタ、及び第４のスイッチングトランジスタとしたとき、前記第１のスイッチングトランジスタと前記第２のスイッチングトランジスタの間の共通端が交流信号の第１の入力線に接続され、前記第３のスイッチングトランジスタと前記第４のスイッチングトランジスタの間の共通端が前記交流信号の第２の入力線に接続され、且つ、
前記第１のスイッチングトランジスタと前記第４のスイッチングトランジスタの間の共通端が脈動直流信号に対応する高電圧バスに接続され、前記第２のスイッチングトランジスタと前記第３のスイッチングトランジスタの間の共通端が前記脈動直流信号に対応する低電圧バスに接続される、請求項１に記載の駆動制御回路。 further comprising a power factor correction module comprising two said half-bridge circuits connected in parallel;
When the switching transistors of the four bridge arms of the power factor correction module are sequentially the first switching transistor, the second switching transistor, the third switching transistor and the fourth switching transistor, the first switching transistor and the second switching transistor is connected to a first input line of the AC signal, and a common terminal between the third switching transistor and the fourth switching transistor is the second input line of the AC signal. connected to the input line of the
A common terminal between the first switching transistor and the fourth switching transistor is connected to a high voltage bus corresponding to a pulsating DC signal, and a common terminal between the second switching transistor and the third switching transistor. is connected to a low voltage bus corresponding to said pulsating DC signal.
前記フィルタモジュールは、前記力率補正モジュールの出力端のフィルタアセンブリとして動作するように構成され、前記フィルタモジュールは、前記変換処理後の交流信号をフィルタ処理する、請求項３に記載の駆動制御回路。 A first end of the filter module is connected to a common end between the first switching transistor and the fourth switching transistor, and a second end of the filter module is connected to the second switching transistor and the switching transistor. connected to a common terminal between the third switching transistors;
4. The drive control circuit of claim 3, wherein the filter module is configured to operate as a filter assembly at the output of the power factor correction module, the filter module filtering the converted AC signal. .
前記金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのゲートは、コントローラのコマンド出力端に接続され、前記金属酸化膜半導体電界効果トランジスタのソースとドレインの間には、逆方向の還流ダイオードが接続され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのベースは、コントローラのコマンド出力端に接続され、前記絶縁ゲートバイポーラトランジスタのエミッタとコレクタの間には、逆方向の還流ダイオードが接続される、請求項１～５の何れか一項に記載の駆動制御回路。 the switching transistor is a metal oxide semiconductor field effect transistor or an insulated gate bipolar transistor;
a gate of the metal oxide semiconductor field effect transistor is connected to a command output terminal of a controller; a reverse freewheeling diode is connected between the source and the drain of the metal oxide semiconductor field effect transistor; 6. The method according to any one of claims 1 to 5, wherein the base of the bipolar transistor is connected to the command output terminal of the controller, and a reverse freewheeling diode is connected between the emitter and the collector of the insulated gate bipolar transistor. A drive control circuit as described.
前記電解コンデンサの出力端に接続され、前記交流信号を制御して負荷に給電するように構成されるインバータとをさらに含み、
前記電解コンデンサの静電容量値の範囲は、１０ｕＦ～２００００ｕＦである、請求項１～５の何れか一項に記載の駆動制御回路。 an electrolytic capacitor provided at the output end of the half-bridge circuit and configured to receive the pulsating DC signal and convert it to an AC signal;
an inverter connected to the output end of the electrolytic capacitor and configured to control the AC signal to supply power to a load;
6. The drive control circuit according to claim 1, wherein said electrolytic capacitor has a capacitance value ranging from 10 uF to 20000 uF.
請求項１～１１の何れか一項に記載の、給電信号を制御して前記負荷に給電するように構成される駆動制御回路とを含む、家電機器。 a load;
and a drive control circuit configured to control a power supply signal according to any one of claims 1 to 11 to power the load.
13. The home appliance of claim 12, wherein the home appliance includes at least one of an air conditioner, refrigerator, fan, range hood, vacuum cleaner, and computer main body.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201910605438.5 | 2019-07-05 | ||
| CN201910605438.5A CN110233565A (en) | 2019-07-05 | 2019-07-05 | Drive control circuit and household appliance |
| PCT/CN2019/112952 WO2021003885A1 (en) | 2019-07-05 | 2019-10-24 | Drive control circuit and home appliance |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022540399A true JP2022540399A (en) | 2022-09-15 |
Family
ID=67858057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2022500132A Pending JP2022540399A (en) | 2019-07-05 | 2019-10-24 | Drive control circuit and home appliance |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2022540399A (en) |
| CN (1) | CN110233565A (en) |
| WO (1) | WO2021003885A1 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN110233565A (en) * | 2019-07-05 | 2019-09-13 | 广东美的制冷设备有限公司 | Drive control circuit and household appliance |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010088283A (en) * | 2008-09-05 | 2010-04-15 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Snubber circuit |
| JP2012129309A (en) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Denso Corp | Switching module |
| JP2014030286A (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Panasonic Corp | Power converter and welding device |
| JP2017042040A (en) * | 2016-10-14 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | Power conversion device |
| JP2018007328A (en) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 日立ジョンソンコントロールズ空調株式会社 | Electric power conversion device and air conditioner including the same |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001086771A (en) * | 1999-09-13 | 2001-03-30 | Kokusan Denki Co Ltd | Power supply having power converting circuit |
| CN103855914B (en) * | 2012-12-03 | 2017-04-05 | 台达电子工业股份有限公司 | Power-supply system and power model therein and the method for making power model |
| CN205027804U (en) * | 2015-08-05 | 2016-02-10 | 艾默生网络能源***北美公司 | Current detection circuit and power supply circuit of totem -pote circuit |
| US9768705B1 (en) * | 2016-10-07 | 2017-09-19 | TSi Power Corp. | Multibridge power converter for AC mains |
| CN109768719B (en) * | 2019-01-21 | 2020-08-28 | 广东美的制冷设备有限公司 | Drive control circuit board and air conditioner |
| CN210053343U (en) * | 2019-07-05 | 2020-02-11 | 广东美的制冷设备有限公司 | Drive control circuit and household electrical appliance |
| CN110233565A (en) * | 2019-07-05 | 2019-09-13 | 广东美的制冷设备有限公司 | Drive control circuit and household appliance |
-
2019
- 2019-07-05 CN CN201910605438.5A patent/CN110233565A/en active Pending
- 2019-10-24 JP JP2022500132A patent/JP2022540399A/en active Pending
- 2019-10-24 WO PCT/CN2019/112952 patent/WO2021003885A1/en active Application Filing
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010088283A (en) * | 2008-09-05 | 2010-04-15 | Fuji Electric Systems Co Ltd | Snubber circuit |
| JP2012129309A (en) * | 2010-12-14 | 2012-07-05 | Denso Corp | Switching module |
| JP2014030286A (en) * | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Panasonic Corp | Power converter and welding device |
| JP2018007328A (en) * | 2016-06-28 | 2018-01-11 | 日立ジョンソンコントロールズ空調株式会社 | Electric power conversion device and air conditioner including the same |
| JP2017042040A (en) * | 2016-10-14 | 2017-02-23 | 富士電機株式会社 | Power conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2021003885A1 (en) | 2021-01-14 |
| CN110233565A (en) | 2019-09-13 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
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| A02 | Decision of refusal |
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