JP2022527124A - 防眩特性および増加した耐引掻性を提供するために特定の高さ対幅比を有する表面特徴を備えたテクスチャ表面を有するガラス基板 - Google Patents
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Abstract
ガラス基板は、平均幅、平均高さ、約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を備えた第一面を有し、その第一面は3%から40%のヘイズ値を有する。このガラス基板は、可視スペクトルの電磁放射線に対して透明であり得る。このガラス基板は、61~75モル%のSiO2、7~15モル%のAl2O3、0~12モル%のB2O3、9~21モル%のNa2O、0~4モル%のK2O、0~7モル%のMgO、および0~3モル%のCaOの組成を有し得る。この第一面は、10nmから1,000nmの平均表面粗さRaを有し得る。この第一面は、200nmから50μmの平均の特徴的な最大特徴サイズを有し得る。この平均高さ対平均幅比は、0.06から約0.08であり得る。
Description
本出願は、その内容が依拠され、ここに全て引用により含まれる、2019年4月9日に出願された米国仮特許出願第62/831307号の米国法典第35編第119条の下での優先権の恩恵を主張するものである。
本発明は、広く、テクスチャが形成されていないガラス基板よりも増加した耐引掻性および防眩特性を有するテクスチャが形成されたガラス基板に関する。
ガラス基板は、保護バリアとしての機能を果たすと同時に、特定の用途に関連する電磁放射線(大抵、可視光)の波長に対して透明である。それゆえ、ガラス基板が、引っ掻き傷および破砕に抵抗することが望ましいであろう。そうでなければ、その用途の美的魅力およびガラス基板の透過率が低下してしまうであろう。したがって、ガラス基板は、時々、引っ掻き傷および破砕に抵抗する圧縮応力をガラス基板の表面層に与える、イオン交換と称される化学過程または熱強化と称される物理過程など、当該技術分野に公知の様々な過程により強化される。
その上、ガラス基板がグレア(glare)を低減させることが望ましい。グレアは、ガラス基板の1つまたは複数の表面で反射した光である。グレアは、知覚されると、人がガラス基板により保護されている電子ディスプレイを見る能力を低下させ得る。反射光を散乱させ、それによりグレアを低減させる、表面特徴を加えるためのガラス基板の表面に「テクスチャを形成すること」など、ガラス基板を改良して知覚されたグレアを低減させる様々な過程がある。主面にテクスチャを形成すると、さらに、タッチスクリーン式電子ディスプレイの一部として使用されるガラス基板の触覚経験が改善され得る。
しかしながら、グレアを低減させるために表面特徴を与えることには、主面が引っ掻き傷をより受けやすくなる傾向があるという課題がある。言い換えると、グレアを低減させる表面特徴を加えるためにガラス基板の表面を処理すると、これまで、イオン交換などの強化過程により与えられた主面の耐引掻性が低下してしまう。
本開示は、表面特徴が平均高さおよび平均幅を有し、平均高さ対平均幅比が約0.04と約0.24の間にあるようにテクスチャが形成されたガラス基板によって、その課題を解決する。その範囲内の高さ対幅比を有する表面特徴は、防眩特性(許容されるレベルのヘイズ)を提供するだけでなく、耐引掻性を増加させるまたは最適化する。
本開示の第1の態様によれば、ガラス基板は、平均幅、平均高さ、約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を備えた第一面を有し、その第一面は3%から40%のヘイズ値を有する。ある実施の形態において、このガラス基板は、可視スペクトルの電磁放射線に対して透明である。ある実施の形態において、このガラス基板は、61~75モル%のSiO2、7~15モル%のAl2O3、0~12モル%のB2O3、9~21モル%のNa2O、0~4モル%のK2O、0~7モル%のMgO、および0~3モル%のCaOの組成を有する。ある実施の形態において、この第一面は、10nmから1,000nmの平均表面粗さRaを有する。ある実施の形態において、この第一面は、200nmから50μmの平均の特徴的な最大特徴サイズを有し得る。ある実施の形態において、この平均高さ対平均幅比は、約0.06から約0.24である。ある実施の形態において、この平均高さ対平均幅比は、約0.06から約0.08である。ある実施の形態において、この平均高さ対平均幅比は、約0.065である。ある実施の形態において、この第一面は、3.5%から12.5%のヘイズ値を有する。ある実施の形態において、この第一面は、3.5%から12.5%のヘイズ値を有する。ある実施の形態において、このガラス基板は、圧縮応力下にある、この第一面と隣接した層をさらに含む。
本開示の第2の態様によれば、ガラス基板の第一面にテクスチャを形成する方法において、80から120分の期間に亘り非HFの低pHエッチング液を含む容器中に、第一面を有するガラス基板を配置する工程を有してなり、この第一面は、その後、0.1%から40%のヘイズ値を有する。ある実施の形態において、非HFの低pHエッチング液は、クエン酸である。ある実施の形態において、この方法は、ガラス基板を水中で濯ぐ工程、ガラス基板を乾燥させる工程、および15分から45分の期間に亘り室温より高い温度でNaOHを含む溶液中にガラス基板を浸漬する工程をさらに含む。ある実施の形態において、その第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている。ある実施の形態において、その第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.06から約0.08の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている。
本開示の第3の態様によれば、ガラス基板の第一面にテクスチャを形成する方法において、ガラス基板の第一面に、平均幅、平均高さ、および0.24以上の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を持たせる工程、およびその平均高さ対平均幅比を0.04と0.24の間に減少させる工程を有してなり、その第一面は、0.1%から40%のヘイズ値を有する。ある実施の形態において、ガラス基板の第一面に表面特徴を持たせる工程は、第一面をサンドブラストで磨く工程、または80から120分の期間に亘り非HFの低pHエッチング液を含む容器中にガラス基板を配置する工程を含む。ある実施の形態において、平均高さ対平均幅比を減少させる工程は、HF、NaOH、またはKOHを含む溶液中にガラス基板を浸漬する工程を含む。
追加の特徴および利点は、以下の詳細な説明に述べられており、一部には、その説明から当業者に容易に明白となるか、または以下の詳細な説明、特許請求の範囲、並びに添付図面を含む、ここに記載されたような実施の形態を実施することによって、認識されるであろう。
先の一般的な説明および以下の詳細な説明の両方とも、例示に過ぎず、請求項の性質および特徴を理解するための概要または骨子を提供することが意図されているのを理解すべきである。添付図面は、さらなる理解を与えるために含まれ、本明細書に包含され、その一部を構成する。図面は、1つ以上の実施の形態を示しており、説明とともに、様々な実施の形態の原理および作動を説明する働きをする。
ここで、その例が添付図面に示されている、現在好ましい実施の形態を詳しく参照する。できるときはいつでも、同じまたは同様の部分を称するために、図面に亘り同じ参照番号が使用される。
ここで、図1および2を参照すると、ガラス基板10が示されている。ガラス基板10は、第一面12および第二面14を有する。第一面12および第二面14は、その可視スペクトルの入射電磁放射線16(以後、「可視光16」と称する)がそこを透過するおよび/またはそこから反射するガラス基板10の主面である。第一面12および第二面14は、典型的に、図示された実施の形態におけるように、概して平面かつ平行であるが、湾曲していても、および/または平行でなくても差し支えない。ガラス基板10は透明であり、これは、ガラス基板10が、第一面12に垂直に入射する可視光16の少なくとも70%を、ガラス基板10に通し、第二面14から出るように透過させることを意味する。多くの場合、ガラス基板10は、可視光16の少なくとも85%を、時には、90%に近いまたは90%を超えた可視光16を透過させる。ガラス基板10は、第一面12と第二面14との間の、第一面12または第二面14のいずれか、もしくはその両方に垂直な直線距離として定義される厚さ18を有するシートであり得る。
ガラス基板10は、ガラス基板10がその構成部材である所望の物品に適したどの組成を有しても差し支えない。1つ以上の実施の形態において、ガラス基板10は、ホウケイ酸ガラス、アルミノケイ酸塩ガラス、ソーダ石灰ガラス、アルカリアルミノケイ酸塩ガラス、またはアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラスであり得るが、アルカリ土類酸化物を含むものなど、他の種類のガラス基板10も考えられる。1つの例示のガラス組成は、少なくとも60モル%のSiO2を含み、ここで、モル%比(Al2O3+B2O3)/Σ改質剤(すなわち、改質剤の合計)は1より大きく、その改質剤はアルカリ金属酸化物である。1つの例示のガラス組成は、SiO2、B2O3、およびNa2Oを含み、ここで、(SiO2+B2O3)≧66モル%およびNa2O≧9モル%である。例示のアルカリアルミノケイ酸塩ガラス基板は、61~75モル%のSiO2、7~15モル%のAl2O3、0~12モル%のB2O3、9~21モル%のNa2O、0~4モル%のK2O、0~7モル%のMgO、および0~3モル%のCaOの組成を有する。例示のアルカリアルミノケイ酸塩ガラス基板は、66.4モル%のSiO2、10.3モル%のAl2O3、0.60モル%のB2O3、4.0モル%のNa2O、2.10モル%のK2O、5.76モル%のMgO、0.58モル%のCaO、0.01モル%のZrO2、0.21モル%のSnO2、および0.007モル%のFe2O3の組成を有する。例示のアルカリアルミノホウケイ酸塩ガラス基板は、64モル%のSiO2、14.5モル%のAl2O3、8モル%のB2O3、11.5モル%のNa2O、および0.1モル%のSnO2の組成を有する。例示のガラス基板10は、Corning,Inc.により商標名GORILLA(登録商標)で販売されており、それらのガラス基板10は、フュージョンドローされ、イオン交換強化過程が施されている。
ここで図3Aおよび3Bを参照すると、テクスチャを与えるために(グレアを低減させるためなど)ガラス基板10が改質された後の、ガラス基板10は、第一面12上に表面特徴20を有する。図3Aは、第一面12を見下ろす拡大上面図を示す。図3Bは、図3Aの線IIIB-IIIBを通してとられた概念的断面図を示す。表面特徴20は、一般に、図示された実施の形態において、ほぼ部分球面または楕円面空所であるので、表面特徴20は、断面で見たときに、山22と谷24を与える。表面特徴20の山22の内の1つと、谷24の内の1つとの間の距離が、表面特徴20の高さ26である。表面特徴20の高さ26は、測定することができる。プロファイル(線)(線IIIB-IIIBなど)に沿ってとられた、2等分線28からの高さ変動の絶対値の算術平均は、「平均表面粗さ」と称され、「Ra」の記号で表される。Raは、2等分線28に沿った全ての表面特徴20の山22と谷24との間のその線からの変動に基づいて決定されるので、Raは、その線に沿った全ての表面特徴20の平均の山から谷までの高さ26の約半分である。Zygo Corporationにより流通されているNewView(商標)7300光学表面プロファイラなど、様々なタイプの光学プロファイラが、ガラス基板10の第一面12に関する平均表面粗さRaを測定することができる。表面特徴20の連続表面区域は、「テクスチャの形成された」第一面12を形成する。第二面14も同様に、表面特徴20でテクスチャを形成できることを理解すべきである。
表面特徴20の高さ26のように、表面特徴20の平均幅30を測定することができる。表面特徴20が細胞マトリクスのように見える、図3Aおよび3Bに示された実施の形態のタイプの形態に関して、任意の特定の表面特徴20の幅30は、ある山22と隣接する山22との間の距離(表面特徴20の直径32に近い)である。ある場合には、任意の特定の表面特徴20の幅30は、ある谷24と次の隣接する谷24との間の距離であり得る。表面特徴20の幅30は、第一面12(または第二面14での任意の表面特徴20の寸法が議論されている場合、第二面14)の平面内で測定されるので、幅30は、表面特徴20の高さ26に関係ない(それゆえ、幅30は、平均表面粗さRaに関係ない)。表面特徴20の幅30を測定するために、標準較正された光学顕微鏡またはAFMを典型的に使用できる。表面特徴20の幅30を測定する様々な方法を利用できる。平均の特徴的な最大特徴サイズ(「ALF」と略される)の方法は、テクスチャが形成された第一面12上の視野内の20個の最大繰り返し表面特徴20の平均x-y線寸法である。視野は、表面特徴20のサイズに比例し、典型的に、ほぼ30(ALF)×30(ALF)の面積を有する。例えば、ALFが約10μmである場合、ひいては、20個の最大表面特徴20が選択される視野は、約300μm×300μmである。ALFを決定するために使用される20個の最大表面特徴20の標準偏差は、一般に、平均値の約40%未満であるべきである、すなわち、主要な異常値は、「特徴的な」特徴と考えられないので、これらは無視すべきである。テクスチャが形成された第一面12が、ここでのように、細胞マトリクスの外観をとる場合、ALF決定において測定されるべき表面特徴20は、細胞マトリクス内の細胞(円形状の山22)の最大のものである。ALF方法は、より全体的な平均特徴サイズを決定する他の方法よりも好ましい。何故ならば、人の目は、最大表面特徴20を最も容易に見るものであり、したがって、ガラス基板10の視覚的な支持け(visual acceptance)を決定する上で最も重要であるからである。しかしながら、より全体的な平均表面特徴20を決定するそれらの他の方法の内の1つを利用して、表面特徴20の平均幅30を決定することができる。それゆえ、表面特徴20の高さ対幅比は、2Ra/ALFとして計算できる。
テクスチャが形成された第一面12の引っ掻き事象に対する応答を検討する場合、考えるべき引っ掻き事象には、少なくとも2つの一般タイプがある。ここで図4を参照すると、第1のタイプの引っ掻き事象は、尖っていない物体34がガラス基板10の第一面12と、第一面12に沿ってある距離36だけ比較的大きいが一定の力で接触する場合に生じる。尖っていない物体34は、第一面12と接触する先端38を有する。このタイプの引っ掻き事象が材料試験を通じて反復される場合、利用される先端38を有する尖っていない物体34は、多くの場合、「ヌープ圧子」と称される。ヌープ圧子は、「ヌープ硬度試験」と称される標準(ASTM E384)微小硬度試験で利用される。ヌープ圧子の先端38は特定の形状を有する。より詳しくは、第一面12と相互作用するヌープ圧子の先端38の形状は、角度αが172.5°であり、角度βが130°である、一点で終端するピラミッド型ダイヤモンドである。
ここで図5A~5Cを参照すると、これらの図面は、表面特徴20の幅30に対する表面特徴20の高さ26の比が、尖っていない物体34(ここでは、ヌープ圧子)の先端38がガラス基板10の第一面12を引っ掻く能力に影響することを概念的に示す。図5Aでは、ガラス基板10の第一面12にテクスチャは形成されておらず、尖っていない物体34の先端38は、妨害なく第一面12と接触している(したがって、第一面12を最も引っ掻く能力がある)。図5Bでは、ガラス基板10の第一面12にテクスチャが形成されている。しかしながら、表面特徴20の幅30に対する表面特徴20の高さ26の比が、表面特徴20にとって小さすぎて、尖っていない物体34の先端38が第一面12と相互作用する(したがって、引っ掻く)のを防げていない。図5Cでは、ガラス基板10の第一面12にテクスチャが形成されている。そして、図5Bとは対照的に、表面特徴20の幅30に対する表面特徴20の高さ26の比は、表面特徴20にとって十分に大きく、尖っていない物体34の先端38が第一面12と相互作用する(したがって、引っ掻く)のを防いでいる。言い換えると、表面特徴20の隣接する山22が尖っていない物体34と相互作用して、尖っていない物体34の先端38が隣接する山22の間の谷24と相互作用するのを防いでいる。
ここで図6A~6Cを参照すると、実験的証拠により、前の段落からの概念的推論が確認される。図6Aは、10Nの力でヌープ圧子により引っ掻かれた後の、第一面12にテクスチャが形成されていない(1nm未満の測定表面粗さRa)、ガラス基板10(フュージョンドローされ、イオン交換された「GORILLA」ガラス、コード7418)の第一面12を見下ろすように面する写真である。この写真から明らかなように、主な傷跡44の外部に著しい横亀裂40および欠け42(主な傷跡44の幅46の2倍をはるかに超える)がある。図6Bおよび6Cも、ガラス基板10(フュージョンドローされ、イオン交換された「GORILLA」ガラス、コード7418)の第一面12を見下ろすように面する写真である。しかしながら、これらの写真において、第一面12は、テクスチャ形成過程を経て、0.24(すなわち、高さ26/幅30=2*Ra/ALF=0.24)の表面特徴20の幅30に対する表面特徴20の高さ26の比が結果として生じた。図6Bの第一面12のRaは44nmであった。図6Cの第一面12のRaは55nmであった。図6Bのガラス基板10の第一面12を引っ掻いている間に尖っていない物体34(すなわち、ヌープ圧子)が印加した力は、14Nであり、図6Cのガラス基板10については22Nであった。図6Bおよび6Cのガラス基板10のテクスチャが形成された第一面12の引っ掻きは、より大きい量の力(10Nに対して14Nおよび22N)が印加されている状況でさえ、図6Aに示されたような、主な傷跡44を越える目立った横欠けまたは亀裂は生じなかった。図5Cに概念化されたように、図6Bおよび6Cのガラス基板10のテクスチャが形成された第一面12の表面特徴20の高さ対幅比(0.24)は、大きすぎて、尖っていない物体34(ヌープ圧子)の先端38が表面特徴20の谷24で第一面12と完全には相互作用できなかったと考えられる。この引っ掻き試験を行うための装置は、Bruker(以前は、CETR)、Nanovea、CSM Instrumentsなどから得ることができる。典型的に、第一面12は、引っ掻きの前または後に、残留物も膜も残さないように注意深く、表面を傷つけない布(必要に応じて、アルコールで湿らされている)または空気缶で穏やかに洗浄される。ヌープ圧子の先端38は、これもまた残留物も膜も残さないように、各引っ掻きの間に、アルコールで湿らされた、表面を傷つけない布で洗浄される。
ここに述べられた全ての試料のガラス基板10には、テクスチャが形成されていようとなかろうと、同じ二工程のイオン交換スケジュールが施された。詳しくは、第1のイオン交換工程において、ガラス基板10を、4時間に亘り380℃で、70質量%のNaNO3および30質量%のKNO3の溶融塩中に入れた。第2のイオン交換工程において、ガラス基板10を、40分間に亘り380℃で、7質量%のNaNO3および93質量%のKNO3の溶融塩中に入れた。次に、イオン交換されたガラス基板10を、12分間に亘り70℃で、高pH(10から13のpH)の洗浄剤(2%のSemiClean)中で洗浄し、次いで、脱イオン水で濯いだ。試料は0.8mm厚であった。その結果、ガラス基板10は、圧縮応力下にある、第一面12と隣接した層を有する。
再び図3Aと、さらに図7を参照すると、これらの図面は、ガラス基板10のテクスチャが形成された第一面12の細胞マトリクスの性質を示す。図3Aおよび7は、AFM画像である。Veeco Instruments Inc.は、AFM器具類、並びに表面粗さRaを計算するための機器を提供する。図3Aに示された第一面12は、0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20、41.7nmの表面粗さRa、および8.3%のヘイズを有する。図5Bに示された第一面12は、0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20、35.3nmの表面粗さRa、および7.5%のヘイズを有する。「ヘイズ」(「透過ヘイズ」とも称される)は、表面光散乱特徴であり、ASTM手順D1003にしたがう、±4.0°の角度の円錐から外側に散乱する光の割合を称する。光学的に滑らかな表面について、透過ヘイズは一般にゼロに近い。高い表示コントラストを要求する用途にとって、低ヘイズが望ましいことがあり得るのに対し、エッジ照明など、散乱を有する光学設計にとって、またはオフ状態のディスプレイの「ブラックホール」のような外観を低減させるなど、審美的理由のために、高ヘイズが有用であり得る。低ヘイズ対高ヘイズの一般参照(および性能のトレードオフの支持)は、顧客またはエンドユーザの好み、並びにそれらの最終用途および使途様式により動機付けられ得る。
図8に再現されたグラフは、先の概念的推論を確認するさらなる実験的証拠を提供する。図8に示された結果を与える試験において、尖っていない物体34(ヌープ圧子)の先端38と、図6A(テクスチャが形成されていない)および6B(テクスチャが形成された、0.24の高さ26/幅30比、40nmのRa)のガラス基板10の第一面12との間の摩擦係数を測定した。図6Aのテクスチャが形成されていないガラス基板10の摩擦係数は全て、約0.05以上であった。図6Bのテクスチャが形成されたガラス基板10の摩擦係数は全て約0.04以下であり、図6Aのテクスチャが形成されていないガラス基板10の試料について測定された摩擦係数よりも明らかに低かった。十分に高い高さ対幅比を有する表面特徴20は、尖っていない物体34(ヌープ圧子)の先端38が表面特徴20の谷24で第一面12と完全に相互作用するのを防ぎ、それゆえ、図6Aのテクスチャが形成されていない第一面12に対して摩擦係数を減少させ、それゆえ、引っ掻きの際に横亀裂および欠けを減少させると考えられる。
図9で再現されたグラフは、表面特徴20の高さ対幅比が、0.24などのより大きい比から減少するのにつれて、その比は、尖っていない物体34(ヌープ圧子)の先端38が第一面12と完全に相互作用するのをいくぶんしか防がず、引っ掻き幅は、テクスチャが形成されていない第一面12が提供するものと等しくなり始めるという見解を含む、上述した概念的推論を確認するさらなる実験的証拠を与える。図9に示されたグラフを作成する際に、ガラス基板10の5組の試料を用意した。グラフに沿って左から右に:(1)ガラス基板10の第一組の試料は、0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20および4%の測定ヘイズを有するテクスチャが形成された第一面12を有した;(2)ガラス基板10の第二組の試料は、0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20および4%の測定ヘイズを有するテクスチャが形成された第一面12を有した;(3)ガラス基板10の第三組の試料は、0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20および8%の測定ヘイズを有するテクスチャが形成された第一面12を有した;(4)ガラス基板10の第四組の試料は、0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20および8%の測定ヘイズを有するテクスチャが形成された第一面12を有した;および(5)ガラス基板10の第五組の試料は、テクスチャが形成されていなかった。全ての試料は、同じガラス基板10の組成であった。次に、各組の試料から4つの試料に、一定力および9.34mm/分の速度で、尖っていない物体34(ヌープ圧子)により引っ掻いた。各組の試料からの4つの試料の各々は、異なるレベルの力(3N、5N、7N、および9N)を与える、尖っていない物体34(ヌープ圧子)で引っ掻いたが、印加した力のレベルは、引っ掻き事象中一定であった。次に、主な傷跡44の横幅46を測定し、グラフに示した。グラフから明らかなように、0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有する第一組の試料と第三組の試料からの試料の引っ掻きにより、0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有する第二組と第四組の試料、およびテクスチャが形成されていない第一面12を有する第五組の試料よりもずっと狭い、ある範囲の主な傷跡44の横幅46が生じた。主な傷跡44の横幅46の差は、7Nおよび9Nのより高い力レベルで最も著しいが、3Nおよび5Nの力レベルでも明白である。さらに、0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有する試料は、テクスチャが形成されていない試料および0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有する試料よりも優れた結果を与えたが、0.065の高さ対幅比を持つガラス試料は、テクスチャが形成されていないガラス試料が示した範囲の傷跡44の横幅46とほぼ等しい範囲の傷跡44の横幅46を示した。言い換えると、0.24の比は最も優れた性能を示したのに対し、0.065の比を有するガラス試料は、テクスチャが形成されていないガラス試料とほぼ等しい機能を果たした。
それに加え、それらの結果は、異なる高さ対幅比を有する表面特徴20が同じヘイズ値を提供できること、および同じ高さ対幅比を有する表面特徴20が異なるヘイズ値を提供できることを証明している。いくつかの実施の形態において、第一面12は、3.0%から40%、3%から15%、3.5%から12.5%、および3.5%から8.5%を含む、0.1%から40%を含む、0.1%から100%のヘイズ値を有する。理論で束縛するものではないが、ヘイズ値は、表面特徴20の形状(谷24の曲率など)の関数のようであり、これは、高さ対幅比に完全には依存しないので、異なる高さ対幅比を有する表面特徴20が同じヘイズ値を提供することができ、同じ高さ対幅比を有する表面特徴が異なるヘイズ値を提供できると考えられる。
ここで図10を参照すると、尖っていない物体34(ヌープ圧子)が様々な組の試料の第一面12に与えた主な傷跡44の横幅46に加え、尖っていない物体34(ヌープ圧子)が与えた横力(Fx)を、各組の試料について鉛直力(Fz)の関数として測定した。一般に、0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有する試料の組は、テクスチャが形成されていない第一面12を有する試料の組または0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有する試料の組よりも、小さい横力を経験した。経験した横力(Fx)の差は、印加した鉛直力(Fz)が高いほど、より著しかった。経験した横力(Fx)の差は、ここに述べられた主な傷跡44の測定横幅46における差を説明するであろう。
しかしながら、ここで図11Aおよび11Bを参照すると、高さ対幅比が0.065から0(テクスチャが形成されていない)に向かって減少し続けるにつれて、尖っていない物体34による引っ掻き傷に対する第一面12の耐性が劣化して、テクスチャが形成されていない第一面12よりも悪くなる。図6Aのような図11Aは、第一面12にテクスチャが形成されていない、ガラス基板10の第一面12を見下ろすように面する写真である。図6B~6Cのような図11Bは、第一面12がテクスチャ形成過程を経た、ガラス基板10の第一面12を見下ろすように面する写真である。そのガラス基板10の第一面12に関する表面特徴20の結果として生じた高さ対幅比は0.02(すなわち、高さ26/幅30=3*Ra/ALF=0.02)である。両方のガラス基板10の第一面12に、ヌープ圧子の先端38での引っ掻きを施した。図11Bから明らかなように、0.02の表面特徴20の高さ対幅比を達成するためにテクスチャが形成されたガラス基板10の第一面12は、5Nの印加引っ掻き力で、著しい欠けを示した。しかしながら、図11Aから明らかなように、テクスチャが形成されていないガラス基板10の第一面12は、7Nのより大きい印加引っ掻き力で欠けに抵抗した。先に述べたように、0.065の高さ対幅比を有する表面特徴20は、テクスチャが形成されていない第一面12と実質的に等しい尖っていない物体34による引っ掻き性能を提供した。表面特徴20の高さ対幅比を0.065より上昇させると(0.24の比で証拠となるように)、尖っていない物体34の先端38は、表面特徴20の谷24で第一面12と完全には相互作用できない。その比が0.065より低く低下するにつれて(0.02の比で証拠となるように)、尖っていない物体34(ヌープ圧子)の先端38は、表面特徴の谷24で第一面12と完全に相互作用できるだけでなく、表面特徴20の山22は、テクスチャが形成されていない第一面12よりも大きい抵抗(先端38に対するより大きい摩擦係数)を提供する。ガラス基板10を欠く先端38のより大きい抵抗結果は、第一面12にテクスチャが形成されていない場合よりも、容易に動く。0.06の比は、表面特徴20の山22が、尖っていない物体34の先端38が隣接する山22の間の谷24と相互作用するのをもはや防げず、代わりに、テクスチャが形成されていない第一面12よりも容易な欠けをもたらす抵抗を先端38に提供し始める、ほぼ閾値比であると考えられる。
先に述べたように、テクスチャが形成された第一面12の引っ掻き事象に対する応答を考える場合、検討すべき引っ掻き事象には少なくとも2つの一般タイプがある-第2のタイプは、力が比較的軽いが、第一面12のより広い表面積に亘り何回も繰り返される。図12に概念化されたように、第一面12の比較的軽いが繰り返される引っ掻きは、第一面12を変える(「摩耗前」対「摩耗後」を参照のこと)。より詳しくは、「テクスチャが形成された」と特定される左の列と真ん中の列で概念化されるように、第一面12にテクスチャが形成されている場合、引っ掻き傷は、表面特徴20の山22の一部を除去する。左の列と真ん中の列を比較すると、テクスチャが形成された第一面12の表面特徴20の高さ対幅比が高いほど(真ん中の列「比較的高い高さ対幅比」)、引っ掻き事象が除去する山22の量が多くなり、それゆえ、第一面12の外観および光学的性質がより大きく変わる。それに加え、表面特徴20の高さ対幅比が高いほど(真ん中の列)、表面特徴20の谷24が、引っ掻き事象中に生じる破片を溜める能力が大きくなり、第一面12の外観および光学的性質をさらに変える。第一面12に、右の列でテクスチャが形成されていない場合(「テクスチャが形成されていない」)、引っ掻き事象は、以前には存在していなかったテクスチャを第一面12に生じ、それゆえ、第一面12の外観および光回折を著しく変え得る。したがって、軽いが繰り返される引っ掻きの際に、外観および光学的性質の最も少ない変化量を与える、テクスチャが形成された第一面12の表面特徴20の高さ対幅比がおそらくある。
ここで図13を参照すると、実験的証拠により、前の段落に述べられた概念的推論が確認される。表面特徴20の様々な高さ対幅比を有するガラス基板10のテクスチャが形成されていない第一面12とテクスチャが形成された第一面12の試料(各試料について4つ)に転動試験(tumble test)を行った。この転動試験は、ガラス基板10の第一面12上の軽いが繰り返される引っ掻きをシミュレーションする。より詳しくは、ガラス基板10の試料の各々を、家の鍵、硬貨、爪ヤスリなどを含む、通常の使用中にガラス基板10が接触しそうである他の一般的な品物とともに、タンブラーに入れ、15分間に亘り転動させた。この転動期間後、各ガラス基板10の試料を、光学顕微鏡(Keyence VHX 5000)で観察した。画像解析を行って、引っ掻き傷を示す画像の画素数を特定した。引っ掻き傷を示す画像の画素数を、解析した画素の総数で割ることによって、欠陥を有するガラス基板10の第一面12の割合を計算した。各画素は、同じ表面積を表す。試験した試料は、(1)テクスチャが形成されていない、イオン交換済みの「GORILLA」ガラス、コード7418、(2)0.24の高さ対幅比および4%のヘイズを有する、テクスチャが形成された、イオン交換済みの「GORILLA」ガラス、コード7418、(3)0.065の高さ対幅比および4%のヘイズを有する、テクスチャが形成された、イオン交換済みの「GORILLA」ガラス、コード7418、(4)0.24の高さ26対幅30比および8%のヘイズを有する、テクスチャが形成された、イオン交換済みの「GORILLA」ガラス、コード7418、(5)0.065の高さ対幅比および8%のヘイズを有する、テクスチャが形成された、イオン交換済みの「GORILLA」ガラス、コード7418、および(6)テクスチャが形成されていない、イオン交換済みの「GORILLA」ガラス、コード7518の各々の5つであった。図12から明らかなように、転動により、テクスチャが形成されていないガラス基板10よりもさらに低い、0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有するテクスチャが形成されたガラス基板10上の最小の割合の表面欠陥が生じた。転動により、テクスチャが形成されていないガラス基板10よりもさらに高い、0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有するテクスチャが形成されたガラス基板10上の最大の割合の表面欠陥が生じた。先に述べたように、それは、転動中に表面特徴20の山22が除去され、その山22が結果として生じた残留物を保持したからであろう。この試験の結果により、先に述べたことからの概念的推論-特定の範囲内の高さ対幅比を有するテクスチャが形成された表面特徴20の繰り返しの軽い引っ掻きにより、最小の光学的に目立つ欠陥が生じることが確認される。0.08より低い高さ対幅比(それゆえ、0.065の比を含む)を有する表面特徴20は、軽いが繰り返される引っ掻き(例えば、転動試験)に応答して、テクスチャが形成されていないガラス基板10と比べて、等しいかそれより低い割合の表面欠陥を生じると現在考えられている。
(i)尖っていない物体34の引っ掻きに対する耐性、および(ii)繰り返されるが軽い引っ掻きの後の光学的外観の維持に対する、テクスチャが形成されたガラス基板10に関する表面特徴20の高さ26対幅30比の影響についての先の議論を統合すると、従来技術の労力とは対照的に、グレアの低減だけでなく、テクスチャが形成されていないガラス基板10よりも、等しいかそれより優れた有益な結果も提供する範囲の高さ対幅比があることが分かる。先に述べたように、ガラス基板10の第一面12にテクスチャを形成することは、グレアを低減させるために特定の用途にとって有益であり得るが、そのようなテクスチャの形成は、これまで、ガラス基板10が引っ掻き傷をより受けやすくしてきた。しかしながら、本開示は、0.06以上(0.24を含む)の高さ対幅比を有する表面特徴20を与えるテクスチャの形成は、テクスチャが形成されていないガラス基板10と比べて、また0.06未満(0.02など)の高さ対幅比を有する、テクスチャが形成されたガラス基板10と比べて、尖っていない物体34の引っ掻きに対して等しいかそれより優れた耐性をもたらすことを明らかにする。0.06の比は見たところ、それより上だと、尖っていない物体34の引っ掻きに対する、そのような等しいかそれより優れた耐性が達成される臨界閾値比である。それに加え、本開示は、約0.08より低い(0.065など)の高さ対幅比を有する表面特徴20を与えるテクスチャの形成は、テクスチャが形成されていないガラス基板10と比べて、また0.08を超える(0.24など)高さ対幅比を有する、テクスチャが形成されたガラス基板10と比べて、軽いが繰り返される引っ掻きに対して等しいかそれより優れた耐性をもたらすことを明らかにする。その結果として、0.06から0.08の高さ対幅比を有する表面特徴20を与えるテクスチャの形成が、テクスチャが形成されていないガラス基板10と比べて、また0.06から0.08の範囲から外れた高さ対幅比を有する、テクスチャが形成されたガラス基板10と比べて、尖っていない物体34の引っ掻きおよび軽いが繰り返される引っ掻きの両方に対して等しいかそれより優れた耐性をもたらす。表面特徴20の高さ対幅比が0.06から0.08の範囲内にあれば、ガラス基板10にテクスチャを形成することがこれまで示してきた低下した引っ掻き性能と減少したグレアのトレードオフは、もはや存在しない。これにより、多くの用途においてテクスチャが形成されたガラス基板10の支持が増加するはずである。ガラス基板10の特定の用途が、減少したグレア、およびテクスチャが形成されていないガラス基板10と比べて、尖っていない物体34の引っ掻きに対する等しいかそれより優れた耐性しか必要ない場合、ひいては、0.06から0.24の拡大された範囲内の表面特徴20の高さ対幅比を利用することができる。ガラス基板10の特定の用途が、テクスチャが形成されていないガラス基板10と比べて、軽いが繰り返される引っ掻きに対する等しいかそれより優れた耐性とともに、減少したグレアしか必要ない場合、ひいては、0.08以下の拡大された範囲内の表面特徴20の高さ対幅比を利用することができる。
ここで図14および15を参照すると、(1)テクスチャが形成されていない、(2)0.02の高さ対幅比を有する表面特徴20を得るためにテクスチャが形成された、(3)0.065の高さ対幅比を有する表面特徴20を得るためにテクスチャが形成された、および(4)0.24の高さ対幅比を有する表面特徴20を得るためにテクスチャが形成された、ガラス基板10の第一面12に摩耗試験を行った。この摩耗試験は、ガラス基板10の第一面12をスチールたわしと接触させ、固定距離(40mm)に亘り定荷重(1kg)下で第一面12の上にスチールたわしを直線運動させ、その運動を固定回数-ある試験では1,000回、別の試験では2,000回繰り返すことからなった。0.065および0.24の比を有するテクスチャが形成されたガラス基板10は、8%のヘイズを示し、一方で、0.02の比を有するテクスチャが形成されたガラス基板10は、30%のヘイズを示した。図14から明らかなように、スチールたわしは、0.065の比を持つ表面特徴20を有するテクスチャが形成された第一面12上に、1,000周期後に、実質的に目に見えない研磨経路48を残し、2,000周期後に、かろうじて見える研磨経路48を残した。しかしながら、スチールたわしは、0.02および0.24の比を持つ表面特徴20を有するテクスチャが形成された第一面12上に、1,000周期と2,000周期の両方の後に、よく目に見える研磨経路48を残した。テクスチャが形成されていない第一面12について、1,000周期と2,000周期の両方の後に、研磨経路48は目に見えなかった。
スチールたわしの摩耗の効果が、図15により定量的に示されており、この図は、摩耗試験前と比べた、摩耗試験後の第一面12上の水接触角の減少を示す。図14から明らかなように、0.065の比を有するガラス基板10に関する水接触角の減少は、1,000周期後に、テクスチャが形成されていないガラス基板10と似ているが、0.02および0.24の比を持つガラス基板10に関する水接触角の減少は、ずっと高かった。2,000周期後では、0.065の比を有するガラス基板10に関する水接触角の減少は、テクスチャが形成されていないガラス基板10に近くなかったが、それでも、0.02および0.24の比を持つテクスチャが形成されたガラス基板10よりも良好であった。0.06と0.08の間の高さ対幅比(それゆえ、0.065の比を含む)を有する表面特徴20は、テクスチャが形成されていないガラス基板10と視覚的に匹敵する、テクスチャが形成された第一面12の最適な摩耗保護を生じると現在考えられている。先に述べたように、0.02および0.24の比よりも良好な摩耗性能の0.06~0.08のこの比の範囲は、最適な、軽いが繰り返される引っ掻き耐性を与える0.06~0.08の比の範囲と一致する。
酸浸出の一段階過程(0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20)または化学研磨が後に行われる酸浸出の二段階過程(0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20)のいずれかを使用して、約0.065から約0.24の高さ対幅比を持つ表面特徴20を有するテクスチャが形成されたガラス基板10を調製した。この酸浸出工程は、80から120分の期間に亘り、ガラス基板10を、非フッ化水素酸の低pHエッチング液を含む容器に配置する工程を含む。この酸浸出工程により、0.24(または約0.24)の高さ対幅比を持つ表面特徴20および0.1%から40%のヘイズ値を含む、0.1%から100%のヘイズ値を有するテクスチャが形成された第一面12をもたらす。この非HFの低pHエッチング液は、例えば、クエン酸、硫酸、または塩化水素酸であり得る。4未満、好ましくは3未満のpHを与える他の有機酸を利用しても差し支えない。
化学研磨工程は、NaOHの溶液を利用し、高さ対幅比を、0.08未満、または0.04~0.08の間、または約0.065など、所望の比まで引き下げる。酸浸出および化学研磨の時間の調整は、テクスチャが形成された第一面12に所望のヘイズレベルを与え、表面特徴20に所望の高さ対幅比を与えることができる。
具体例において、ガラス基板10にラベルをレーザスクライビング加工した。次に、ガラス基板10を蒸留水で5分間の濯ぎにより洗浄し、次いで、超音波処理を行いながら、60℃で4質量%のSemiClean洗浄液中に2分間浸漬した。次に、ガラス基板10を、5分間に亘り蒸留水で再び濯ぎ、次いで、Type I(ASTM D1193-91)水(18.2MΩ*cmの抵抗率)中で最終濯ぎを行った。次に、ガラス基板10を少なくとも1時間に亘り110℃で乾燥させた。次に、ガラス基板10を、質量および基準光学的測定について測定した。
次に、ガラス基板10を、凝縮器が取り付けられた、沸騰した、1MのFeCl3とともに20質量%のクエン酸を収容するテフロン(登録商標)容器内に入れた。この浸出層を、超音波処理を行いながら、60℃で、4質量%のSemiClean洗浄液中に10分間に亘り浸漬することによって、除去した。次に、ガラス基板10を5分間に亘り蒸留水で濯ぎ、その後、Type Iの18.2MΩ*cmの抵抗率の水で最終濯ぎを行った。次に、ガラス基板10を少なくとも1時間に亘り110℃で乾燥させた。次に、酸浸出されたガラス基板10を、質量および基準光学的測定について測定した。この酸浸出により、0.24の高さ対幅比を有する表面特徴20がもたらされた。80.95分の浸出時間で、4%のヘイズが達成された。87.31分の浸出時間で、8%のヘイズが達成された。いくつかの実施の形態において、浸出時間は80から120分である。FeCl3の添加により、pHがわずかに低下するだけでなく、副生成物(SiOx)が沈殿し、浸出時間が減少する。
次に、酸浸出されたガラス基板10を、95℃で30分間に亘り、10質量%のNaOH中に浸漬した。次に、このように化学研磨された酸浸出されたガラス基板10を脱イオン水で濯ぎ、次いで、Type Iの18.2MΩ*cmの抵抗率の水で最終濯ぎを行った。次に、ガラス基板10を少なくとも1時間に亘り110℃で乾燥させた。次に、ガラス基板10を、最終的な光学的性質について測定した。化学研磨工程により、0.065の高さ対幅比を持つ表面特徴20が得られた。92.44分の浸出時間で、4%のヘイズが達成された。105.37分の浸出時間で、8%のヘイズが達成された。いくつかの実施の形態において、酸浸出されたガラス基板10は、15分から45分の期間に亘り、NaOHを含む溶液中に浸漬される。
非HFの低pHエッチング液の代わりに、サンドブラスト技法、もしくはフッ化アンモニウム、重フッ化アンモニウム、塩化カリウム、またはフッ化ナトリウムなどの結晶化試薬を含むHFエッチング液を使用しても差し支えない。化学研磨工程に、NaOHの代わりに、HFまたはKOHなどの別の塩基を使用しても差し支えない。
請求項の精神および範囲から逸脱せずに、様々な改変および変更を行えることが当業者に明白であろう。
以下、本発明の好ましい実施形態を項分け記載する。
実施形態1
ガラス基板において、
平均幅、平均高さ、約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を備えた第一面であって、3%から40%のヘイズ値を有する第一面、
を備えたガラス基板。
ガラス基板において、
平均幅、平均高さ、約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を備えた第一面であって、3%から40%のヘイズ値を有する第一面、
を備えたガラス基板。
実施形態2
可視スペクトルの電磁放射線に対して透明である、実施形態1に記載のガラス基板。
可視スペクトルの電磁放射線に対して透明である、実施形態1に記載のガラス基板。
実施形態3
少なくとも60モル%のSiO2の組成を有し、モル%比(Al2O3+B2O3)/Σ改質剤(すなわち、改質剤の合計)が1より大きく、該改質剤はアルカリ金属酸化物である、実施形態1または2に記載のガラス基板。
少なくとも60モル%のSiO2の組成を有し、モル%比(Al2O3+B2O3)/Σ改質剤(すなわち、改質剤の合計)が1より大きく、該改質剤はアルカリ金属酸化物である、実施形態1または2に記載のガラス基板。
実施形態4
61~75モル%のSiO2、
7~15モル%のAl2O3、
0~12モル%のB2O3、
9~21モル%のNa2O、
0~4モル%のK2O、
0~7モル%のMgO、および
0~3モル%のCaO
の組成を有する、実施形態1から3のいずれか1つに記載のガラス基板。
61~75モル%のSiO2、
7~15モル%のAl2O3、
0~12モル%のB2O3、
9~21モル%のNa2O、
0~4モル%のK2O、
0~7モル%のMgO、および
0~3モル%のCaO
の組成を有する、実施形態1から3のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態5
前記第一面が、10nmから1,000nmの平均表面粗さRaを有する、実施形態1から4のいずれか1つに記載のガラス基板。
前記第一面が、10nmから1,000nmの平均表面粗さRaを有する、実施形態1から4のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態6
前記第一面が、200nmから50μmの平均の特徴的な最大特徴サイズを有する、実施形態1から5のいずれか1つに記載のガラス基板。
前記第一面が、200nmから50μmの平均の特徴的な最大特徴サイズを有する、実施形態1から5のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態7
前記平均高さ対平均幅比が、約0.06から約0.24である、実施形態1から6のいずれか1つに記載のガラス基板。
前記平均高さ対平均幅比が、約0.06から約0.24である、実施形態1から6のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態8
前記平均高さ対平均幅比が、約0.06から約0.08である、実施形態1から7のいずれか1つに記載のガラス基板。
前記平均高さ対平均幅比が、約0.06から約0.08である、実施形態1から7のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態9
前記平均高さ対平均幅比が、約0.065である、実施形態1から8のいずれか1つに記載のガラス基板。
前記平均高さ対平均幅比が、約0.065である、実施形態1から8のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態10
前記第一面が、3%から15%のヘイズ値を有する、実施形態1から9のいずれか1つに記載のガラス基板。
前記第一面が、3%から15%のヘイズ値を有する、実施形態1から9のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態11
前記第一面が、3.5%から12.5%のヘイズ値を有する、実施形態1から10のいずれか1つに記載のガラス基板。
前記第一面が、3.5%から12.5%のヘイズ値を有する、実施形態1から10のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態12
圧縮応力下にある、前記第一面と隣接した層をさらに含む、実施形態1から11のいずれか1つに記載のガラス基板。
圧縮応力下にある、前記第一面と隣接した層をさらに含む、実施形態1から11のいずれか1つに記載のガラス基板。
実施形態13
ガラス基板の第一面にテクスチャを形成する方法において、
80から120分の期間に亘り非HFの低pHエッチング液を含む容器中に、第一面を有するガラス基板を配置する工程であって、該第一面は、その後、0.1%から40%のヘイズ値を有する工程、
を有してなる方法。
ガラス基板の第一面にテクスチャを形成する方法において、
80から120分の期間に亘り非HFの低pHエッチング液を含む容器中に、第一面を有するガラス基板を配置する工程であって、該第一面は、その後、0.1%から40%のヘイズ値を有する工程、
を有してなる方法。
実施形態14
前記非HFの低pHエッチング液がクエン酸である、実施形態13に記載の方法。
前記非HFの低pHエッチング液がクエン酸である、実施形態13に記載の方法。
実施形態15
前記ガラス基板を水中で濯ぐ工程、
前記ガラス基板を乾燥させる工程、および
15分から45分の期間に亘り室温より高い温度でNaOHを含む溶液中に前記ガラス基板を浸漬する工程、
をさらに含む、実施形態13または14に記載の方法。
前記ガラス基板を水中で濯ぐ工程、
前記ガラス基板を乾燥させる工程、および
15分から45分の期間に亘り室温より高い温度でNaOHを含む溶液中に前記ガラス基板を浸漬する工程、
をさらに含む、実施形態13または14に記載の方法。
実施形態16
前記第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている、実施形態13から15のいずれか1つに記載の方法。
前記第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている、実施形態13から15のいずれか1つに記載の方法。
実施形態17
前記第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.06から約0.08の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている、実施形態13から16のいずれか1つに記載の方法。
前記第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.06から約0.08の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている、実施形態13から16のいずれか1つに記載の方法。
実施形態18
ガラス基板の第一面にテクスチャを形成する方法において、
ガラス基板の第一面に、平均幅、平均高さ、および0.24以上の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を持たせる工程、および
前記平均高さ対平均幅比を0.04と0.24の間に減少させる工程であって、前記第一面は、0.1%から40%のヘイズ値を有する工程、
を有してなる方法。
ガラス基板の第一面にテクスチャを形成する方法において、
ガラス基板の第一面に、平均幅、平均高さ、および0.24以上の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を持たせる工程、および
前記平均高さ対平均幅比を0.04と0.24の間に減少させる工程であって、前記第一面は、0.1%から40%のヘイズ値を有する工程、
を有してなる方法。
実施形態19
前記ガラス基板の第一面に表面特徴を持たせる工程が、前記第一面をサンドブラストで磨く工程、または80から120分の期間に亘り非HFの低pHエッチング液を含む容器中に前記ガラス基板を配置する工程を含む、実施形態18に記載の方法。
前記ガラス基板の第一面に表面特徴を持たせる工程が、前記第一面をサンドブラストで磨く工程、または80から120分の期間に亘り非HFの低pHエッチング液を含む容器中に前記ガラス基板を配置する工程を含む、実施形態18に記載の方法。
実施形態20
前記平均高さ対平均幅比を減少させる工程が、HF、NaOH、またはKOHを含む溶液中に前記ガラス基板を浸漬する工程を含む、実施形態19に記載の方法。
前記平均高さ対平均幅比を減少させる工程が、HF、NaOH、またはKOHを含む溶液中に前記ガラス基板を浸漬する工程を含む、実施形態19に記載の方法。
10 ガラス基板
12 第一面
14 第二面
16 可視光
18 厚さ
20 表面特徴
22 山
24 谷
26 高さ
28 2等分線
30 平均幅
32 直径
34 尖っていない物体
38 先端
40 横亀裂
42 欠け
44 傷跡
46 傷跡の横幅
12 第一面
14 第二面
16 可視光
18 厚さ
20 表面特徴
22 山
24 谷
26 高さ
28 2等分線
30 平均幅
32 直径
34 尖っていない物体
38 先端
40 横亀裂
42 欠け
44 傷跡
46 傷跡の横幅
Claims (10)
- ガラス基板(10)において、
平均幅、平均高さ、約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴を備えた第一面(12)であって、3%から40%のヘイズ値を有する第一面(12)、
を備えたガラス基板。 - 可視スペクトルの電磁放射線に対して透明である、請求項1記載のガラス基板。
- 少なくとも60モル%のSiO2の組成を有し、モル%比(Al2O3+B2O3)/Σ改質剤(すなわち、改質剤の合計)が1より大きく、該改質剤はアルカリ金属酸化物である、請求項1または2記載のガラス基板。
- 61~75モル%のSiO2、
7~15モル%のAl2O3、
0~12モル%のB2O3、
9~21モル%のNa2O、
0~4モル%のK2O、
0~7モル%のMgO、および
0~3モル%のCaO
の組成を有する、請求項1から3いずれか1項記載のガラス基板。 - 前記ガラス基板が、下記の特徴の内の少なくとも1つを有する、請求項1から4いずれか1項記載のガラス基板:
前記第一面が、10nmから1,000nmの平均表面粗さRaを有する、
前記第一面が、200nmから50μmの平均の特徴的な最大特徴サイズを有する、
前記平均高さ対平均幅比が、約0.06から約0.24である、
前記平均高さ対平均幅比が、約0.06から約0.08である、および
前記平均高さ対平均幅比が、約0.065である。 - 前記ガラス基板が、下記の特徴の内の少なくとも一方を有する、請求項1から5いずれか1項記載のガラス基板:
前記第一面が、3%から15%のヘイズ値を有する、および
前記第一面が、3.5%から12.5%のヘイズ値を有する。 - 圧縮応力下にある、前記第一面と隣接した層をさらに含む、請求項1から6いずれか1項記載のガラス基板。
- ガラス基板の第一面にテクスチャを形成する方法において、
80から120分の期間に亘り非HFの低pHエッチング液を含む容器中に、第一面を有するガラス基板を配置する工程であって、該第一面は、その後、0.1%から40%のヘイズ値を有する工程、
を有してなる方法。 - 前記ガラス基板を水中で濯ぐ工程、
前記ガラス基板を乾燥させる工程、および
15分から45分の期間に亘り室温より高い温度でNaOHを含む溶液中に前記ガラス基板を浸漬する工程、
をさらに含む、請求項8記載の方法。 - 前記第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.04から約0.24の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている、または
前記第一面に、平均幅、平均高さ、および約0.06から約0.08の平均高さ対平均幅比を有する表面特徴でテクスチャが形成されている、
請求項8または9記載の方法。
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