JP2022515134A - High frequency multilayer filter - Google Patents
High frequency multilayer filter Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022515134A JP2022515134A JP2021535593A JP2021535593A JP2022515134A JP 2022515134 A JP2022515134 A JP 2022515134A JP 2021535593 A JP2021535593 A JP 2021535593A JP 2021535593 A JP2021535593 A JP 2021535593A JP 2022515134 A JP2022515134 A JP 2022515134A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- inductor
- high frequency
- multilayer filter
- conductive layer
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 111
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 10
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 9
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 claims description 5
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 claims description 4
- 229920001955 polyphenylene ether Polymers 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 262
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 26
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 17
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 16
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 10
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 9
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 7
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 230000008707 rearrangement Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N calcium titanate Chemical compound [Ca+2].[O-][Ti]([O-])=O AOWKSNWVBZGMTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920013636 polyphenyl ether polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 241000242532 Polycladida Species 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005094 computer simulation Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N strontium titanate Chemical compound [Sr+2].[O-][Ti]([O-])=O VEALVRVVWBQVSL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/0115—Frequency selective two-port networks comprising only inductors and capacitors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1716—Comprising foot-point elements
- H03H7/1725—Element to ground being common to different shunt paths, i.e. Y-structure
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1766—Parallel LC in series path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H7/00—Multiple-port networks comprising only passive electrical elements as network components
- H03H7/01—Frequency selective two-port networks
- H03H7/17—Structural details of sub-circuits of frequency selective networks
- H03H7/1741—Comprising typical LC combinations, irrespective of presence and location of additional resistors
- H03H7/1775—Parallel LC in shunt or branch path
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H1/00—Constructional details of impedance networks whose electrical mode of operation is not specified or applicable to more than one type of network
- H03H2001/0021—Constructional details
- H03H2001/0085—Multilayer, e.g. LTCC, HTCC, green sheets
Abstract
高周波数多層フィルタが、複数の誘電体層と、入力および出力を有する信号経路とを備えることができる。多層フィルタは、第１の誘電体層の上に重なる導電層を備えるインダクタを備えることができる。インダクタは、第１のロケーションにおいて信号経路と電気的に接続することができ、第２のロケーションにおいて信号経路またはグラウンドのうちの少なくとも一方と電気的に接続することができる。多層フィルタは、第１の電極と、第１の電極から第２の誘電体層によって離間された第２の電極とを備えるコンデンサを備えることができる。多層フィルタは、約６ＧＨｚよりも高い特性周波数を有する。A high frequency multilayer filter can include multiple dielectric layers and a signal path having inputs and outputs. The multilayer filter can include an inductor having a conductive layer overlaid on the first dielectric layer. The inductor can be electrically connected to the signal path at the first location and electrically to at least one of the signal path or ground at the second location. The multilayer filter can include a capacitor having a first electrode and a second electrode separated from the first electrode by a second dielectric layer. The multilayer filter has a characteristic frequency higher than about 6 GHz.
Description
関連出願の相互参照
本出願は、参照によりその全体が本明細書に援用される、２０１８年１２月２０日の出願日を有する米国仮特許出願第６２／７８２，４６４号の出願日の利益を主張する。
Cross-references to related applications This application is in the interest of the filing date of US Provisional Patent Application No. 62 / 782,464 with a filing date of 20 December 2018, which is incorporated herein by reference in its entirety. Insist.
電気フィルタは、多くの機能を実行し、多岐にわたる電気デバイスにおいて用いられる。高周波数無線信号通信等の高周波数信号のフィルタリングが近年ますます一般的になっている。例えば、無線接続性のためのデータ送信速度の増大に対する需要により、５Ｇスペクトル周波数を含む高周波数で動作するように構成されたものを含む高周波数コンポーネントに対する需要が駆り立てられた。現行の高周波数フィルタは、導波路またはキャビティの設計を用いる。しかしながら、そのような設計の性能特性は、調整またはカスタマイズするのが困難である。したがって、当該技術分野において、高周波数多層フィルタが求められている。 Electrical filters perform many functions and are used in a wide variety of electrical devices. Filtering of high frequency signals such as high frequency radio signal communication has become more and more common in recent years. For example, the demand for increased data transmission speeds for wireless connectivity has driven the demand for high frequency components, including those configured to operate at high frequencies, including 5G spectral frequencies. Current high frequency filters use waveguide or cavity design. However, the performance characteristics of such designs are difficult to adjust or customize. Therefore, there is a demand for high frequency multilayer filters in the art.
本開示の１つの実施形態によれば、高周波数多層フィルタは、複数の誘電体層と、入力および出力を有する信号経路とを備えることができる。多層フィルタは、第１の誘電体層の上に形成される導電層を備えるインダクタを備えることができる。インダクタは、第１のロケーションにおいて信号経路と電気的に接続することができ、第２のロケーションにおいて信号経路またはグラウンドのうちの少なくとも一方と電気的に接続することができる。多層フィルタは、第１の電極と、第１の電極から第２の誘電体層によって離間された第２の電極とを備えるコンデンサを備えることができる。多層フィルタは、約８ＧＨｚよりも高い特性周波数を有する。 According to one embodiment of the present disclosure, a high frequency multilayer filter can include a plurality of dielectric layers and a signal path having inputs and outputs. The multilayer filter can include an inductor having a conductive layer formed on the first dielectric layer. The inductor can be electrically connected to the signal path at the first location and electrically to at least one of the signal path or ground at the second location. The multilayer filter can include a capacitor having a first electrode and a second electrode separated from the first electrode by a second dielectric layer. The multilayer filter has a characteristic frequency higher than about 8 GHz.
本開示の別の実施形態によれば、高周波数多層フィルタを形成する方法は、第１の誘電体層上に導電層を備えるインダクタ、および、第１の電極と、第１の電極から第２の誘電体層によって離間されたおよび第２の電極とを備えるコンデンサを形成することを含むことができる。方法は、第１のロケーションにおいて、インダクタを信号経路と電気的に接続する第１のビアを形成すること、および、第２のロケーションにおいて、インダクタを信号経路またはグラウンドのうちの少なくとも一方と電気的に接続する第２のビアを形成することを含むことができる。方法は、第１および第２の誘電体層を積層することを含むことができる。多層フィルタは、約８ＧＨｚよりも高い特性周波数を有することができる。 According to another embodiment of the present disclosure, a method of forming a high frequency multilayer filter is an inductor having a conductive layer on a first dielectric layer, a first electrode, and a second electrode to a second electrode. It can include forming a capacitor with a second electrode separated by a dielectric layer of the above. The method is to form a first via that electrically connects the inductor to the signal path at the first location, and at the second location the inductor is electrically connected to at least one of the signal path or ground. It can include forming a second via that connects to. The method can include laminating the first and second dielectric layers. Multilayer filters can have characteristic frequencies higher than about 8 GHz.
当業者に対する、本開示の十分で実施可能な開示は、その最良の実施態様を含めて、添付の図面を参照しながら本明細書の残りの部分において、より詳細に記載される。 A fully feasible disclosure of the present disclosure to those of skill in the art, including its best embodiments, will be described in more detail in the rest of the specification with reference to the accompanying drawings.
本明細書および図面における参照符号の繰り返しの使用は、本開示の同じまたは類似の特徴または要素を表すことが意図される。
本考察は例示的な実施形態の説明にすぎず、本開示のより広い態様を限定することは意図されていないことが当業者には理解されるべきであり、このより広い態様は例示的な構造において具体化される。
The repeated use of reference numerals herein and in the drawings is intended to represent the same or similar features or elements of the present disclosure.
It should be understood by those skilled in the art that this discussion is merely an illustration of an exemplary embodiment and is not intended to limit the broader aspects of the present disclosure, which broader aspects are exemplary. It is embodied in the structure.
概して言えば、本開示は、高周波数多層フィルタを対象とする。多層フィルタは、入力および出力を有する信号経路を備えることができる。多層フィルタは、入力からの信号をフィルタリングし、出力においてフィルタリングされた出力信号を生成するように構成することができる。複数の誘電体層には、コンデンサおよび／またはインダクタを形成するように選択的に成形またはパターニングされた導電層を形成することができる。 Generally speaking, the present disclosure is directed to high frequency multilayer filters. Multilayer filters can include signal paths with inputs and outputs. Multilayer filters can be configured to filter the signal from the input and produce a filtered output signal at the output. The plurality of dielectric layers may be formed with a conductive layer selectively formed or patterned to form a capacitor and / or an inductor.
多層フィルタは、第１の誘電体層の上に形成された導電層を備えるインダクタを備えることができる。インダクタは、第１のロケーションにおいて信号経路と電気的に接続することができ、第２のロケーションにおいて信号経路またはグラウンドのうちの少なくとも一方と電気的に接続することができる。 The multilayer filter can include an inductor having a conductive layer formed on the first dielectric layer. The inductor can be electrically connected to the signal path at the first location and electrically to at least one of the signal path or ground at the second location.
多層フィルタは、第１の電極と、第１の電極から、第１の誘電体層と別個の第２の誘電体層によって離間された第２の電極とを備えるコンデンサを備えることができる。換言すれば、コンデンサは、垂直のＺ方向において、（例えば１つまたは複数の誘電体層によって、）例えば、少なくとも１０マイクロメートル（１０ミクロン）、いくつかの実施形態では少なくとも約２０マイクロメートル（２０ミクロン）、いくつかの実施形態では少なくとも約３０マイクロメートル（３０ミクロン）、いくつかの実施形態では少なくとも約４０マイクロメートル（４０ミクロン）、いくつかの実施形態では少なくとも約５０マイクロメートル（５０ミクロン）、いくつかの実施形態では少なくとも約６０マイクロメートル（６０ミクロン）、いくつかの実施形態では少なくとも約８０マイクロメートル（８０ミクロン）、およびいくつかの実施形態では少なくとも約１５０マイクロメートル（１５０ミクロン）だけ離間される。 The multilayer filter can include a capacitor having a first electrode and a second electrode separated from the first electrode by a second dielectric layer separate from the first dielectric layer. In other words, the capacitor is, for example, at least 10 micrometers (10 microns) in the vertical Z direction (eg, by one or more dielectric layers), and in some embodiments at least about 20 micrometers (20). Micron), at least about 30 micrometers (30 microns) in some embodiments, at least about 40 micrometers (40 microns) in some embodiments, and at least about 50 micrometers (50 microns) in some embodiments. , At least about 60 micrometers (60 microns) in some embodiments, at least about 80 micrometers (80 microns) in some embodiments, and at least about 150 micrometers (150 microns) in some embodiments. Be separated.
本発明者らは、インダクタと導体電極との間をそのように離間させることにより、高周波数において、干渉が低減され、優れた性能特性が生成されるということを発見した。いくつかの実施形態では、多層フィルタは、約６ＧＨｚよりも高い特性周波数を有することができる。例示的な特性周波数は、ローパス周波数、ハイパス周波数、バンドパス周波数の上限、またはバンドパス周波数の下限を含むことができる。特性周波数は、通常、－３ｄＢ遮断で定義される。 We have discovered that such spacing between the inductor and the conductor electrodes reduces interference and produces excellent performance characteristics at high frequencies. In some embodiments, the multilayer filter can have characteristic frequencies higher than about 6 GHz. The exemplary characteristic frequency can include a low pass frequency, a high pass frequency, an upper limit of the band pass frequency, or a lower limit of the band pass frequency. The characteristic frequency is usually defined by a -3 dB cutoff.
多層フィルタは１つまたは複数の誘電材料を含むことができる。いくつかの実施形態では、１つまたは複数の誘電材料は低い誘電率を有することができる。誘電率は、約１００未満、いくつかの実施形態では約７５未満、いくつかの実施形態では約５０未満、いくつかの実施形態では約２５未満、いくつかの実施形態では約１５未満、およびいくつかの実施形態では約５未満とすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、誘電率は、約１．５～１００、いくつかの実施形態では約１．５～約７５、およびいくつかの実施形態では約２～約８の範囲をとることができる。誘電率は、２５℃の動作温度および１ＭＨｚの周波数においてＩＰＣ ＴＭ－６５０ ２．５．５．３に従って決定することができる。誘電正接は、約０．００１～約０．０４、いくつかの実施形態では約０．００１５～約０．００２５の範囲をとることができる。 The multilayer filter can include one or more dielectric materials. In some embodiments, the one or more dielectric materials can have a low dielectric constant. Permittivity is less than about 100, less than about 75 in some embodiments, less than about 50 in some embodiments, less than about 25 in some embodiments, less than about 15 in some embodiments, and how many. In that embodiment, it can be less than about 5. For example, in some embodiments the permittivity ranges from about 1.5 to 100, in some embodiments from about 1.5 to about 75, and in some embodiments from about 2 to about 8. be able to. The permittivity can be determined according to IPC TM-650 2.5.5.3 at an operating temperature of 25 ° C. and a frequency of 1 MHz. The dielectric loss tangent can range from about 0.001 to about 0.04, and in some embodiments from about 0.0015 to about 0.0025.
いくつかの実施形態では、１つまたは複数の誘電材料は、有機誘電材料を含むことができる。例示的な有機誘電体は、ＰｏｌｙｃｌａｄのＬＤ６２１およびＰａｒｋ／Ｎｅｌｃｏ ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎのＮ６０００シリーズ等のポリフェニルエーテル（ＰＰＥ）をベースとする材料、Ｒｏｇｅｒｓ ＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎまたはＷ．Ｌ．Ｇｏｒｅ＆Ａｓｓｏｃｉａｔｅｓ，Ｉｎｃ．の液晶ポリマー（ＬＣＰ）等のＬＣＰ、Ｒｏｇｅｒｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの４００シリーズ等の炭化水素複合体、ならびにＰａｒｋ／Ｎｅｌｃｏ Ｃｏｒｐ．のＮ４０００シリーズ等のエポキシ系積層体を含む。例えば、例は、エポキシ系Ｎ４０００－１３、ＬＣＰに積層された臭素を用いない材料、高Ｋ材料を有する有機層、未充填高Ｋ有機層、Ｒｏｇｅｒｓ４３５０、Ｒｏｇｅｒｓ４００３材料、ならびに、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンスルフィド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、およびグラフト樹脂等の他の熱可塑性材料、または類似の低誘電率で低損失の有機材料を含む。 In some embodiments, the dielectric material may include organic dielectric materials. Exemplary organic dielectrics are Polyphenyl ether (PPE) -based materials such as Polyclad's LD621 and Park / Nelco Corporation's N6000 series, Rogers Corporation or W.M. L. Gore & Associates, Inc. LCPs such as Liquid Crystal Polymers (LCPs), hydrocarbon complexes such as the Rogers Corporation 400 Series, and Park / Nelco Corp. Includes epoxy-based laminates such as the N4000 series. For example, examples include epoxy-based N4000-13, bromine-free material laminated on LCP, organic layer with high K material, unfilled high K organic layer, Rogers4350, Rogers4003 material, and polyphenylene sulfide resin, polyethylene terephthalate. Includes other thermoplastic materials such as resins, polybutylene terephthalate resins, polyethylene sulfide resins, polyether ketone resins, polytetrafluoroethylene resins, and graft resins, or similar low dielectric constant, low loss organic materials.
いくつかの実施形態では、誘電材料は、セラミック充填エポキシとすることができる。例えば、誘電材料は、ポリマー（例えば、エポキシ）等の有機化合物を含むことができ、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、酸化亜鉛、低火度ガラス付きのアルミナ、または他の適当なセラミックもしくはガラス接着材料等のセラミック誘電材料の粒子を含有することができる。 In some embodiments, the dielectric material can be a ceramic filled epoxy. For example, the dielectric material can include organic compounds such as polymers (eg, epoxy), barium titanate, calcium titanate, zinc oxide, alumina with low flame glass, or other suitable ceramic or glass adhesive. It can contain particles of a ceramic dielectric material such as a material.
しかしながら、Ｎ６０００、エポキシ系Ｎ４０００－１３、ＬＣＰに積層された臭素を用いない材料、高Ｋ材料を有する有機層、未充填高Ｋ有機層、（Ｒｏｇｅｒｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎの）Ｒｏｇｅｒｓ４３５０、Ｒｏｇｅｒｓ４００３材料、ならびに、炭化水素、テフロン、ＦＲ４、エポキシ、ポリアミド、ポリイミド、およびアクリレート、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンスルフィド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ＢＴ樹脂化合物（例えば、Ｓｐｅｅｄｂｏａｒｄ Ｃ）、熱硬化性樹脂（例えば、Ｈｉｔａｃｈｉ ＭＣＬ－ＬＸ－６７Ｆ）、およびグラフト樹脂等の他の熱可撓性材料、または類似の低誘電率で低損失の有機材料を含む他の材料が利用されてもよい。 However, N6000, epoxy-based N4000-13, bromine-free material laminated on LCP, organic layer with high K material, unfilled high K organic layer, Rogers 4350 (Rogers Corporation), Rogers 4003 material, and hydrocarbons. , Teflon, FR4, epoxy, polyamide, polyimide, and acrylate, polyphenylene sulfide resin, polyethylene terephthalate resin, polybutylene terephthalate resin, polyethylene sulfide resin, polyether ketone resin, polytetrafluoroethylene resin, BT resin compound (for example, Speedboard C). ), Thermocurable resins (eg, Hitachi MCL-LX-67F), and other thermally flexible materials such as graft resins, or other materials including similar low dielectric constant, low loss organic materials are utilized. You may.
加えて、いくつかの実施形態では、限定ではないが、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、酸化亜鉛、低火度ガラス付きのアルミナ等の、セラミック、半導体もしくは絶縁材料、または他の適切なセラミックまたはガラス接着材料を含む非有機誘電材料を用いることができる。代替的に、誘電材料は、回路基板材料して一般的なエポキシ（セラミック混合有りまたはなし、グラスファイバー有りまたはなし）等の有機化合物、または誘電体として普及している他のプラスチック等の有機化合物であってもよい。これらの場合、導体は、通例、パターンを提供するように化学的にエッチングされた銅箔である。また更なる実施形態において、誘電材料は、ＮＰＯ（ＣＯＧ）、Ｘ７Ｒ、Ｘ５Ｒ Ｘ７Ｓ、Ｚ５Ｕ、Ｙ５Ｖおよびチタン酸ストロンチウムのうちの１つ等の比較的高誘電率（Ｋ）を有する材料を含むことができる。そのような例において、誘電材料は、１００を超える、例えば、約１００～約４０００の範囲内の、いくつかの実施形態では、約１０００～約３０００の範囲内の誘電率を有することができる。 In addition, in some embodiments, ceramics, semiconductors or insulating materials, or other suitable ceramics, such as, but not limited to, barium titanate, calcium titanate, zinc oxide, alumina with low flame glass, or Non-organic dielectric materials including glass adhesive materials can be used. Alternatively, the dielectric material is an organic compound such as epoxy (with or without ceramic mixture, with or without glass fiber) that is commonly used as a circuit board material, or an organic compound such as other plastics that are widely used as dielectrics. May be. In these cases, the conductor is usually a copper foil chemically etched to provide a pattern. In a further embodiment, the dielectric material may include a material having a relatively high dielectric constant (K), such as one of NPO (COG), X7R, X5R X7S, Z5U, Y5V and strontium titanate. can. In such an example, the dielectric material can have a dielectric constant of more than 100, eg, in the range of about 100 to about 4000, and in some embodiments, in the range of about 1000 to about 3000.
いくつかの実施形態では、高周波数多層フィルタは、入力および出力を有する信号経路を備えることができる。信号経路は、誘電体層のうちの１つまたは複数の上に形成された１つまたは複数の導電層を備えることができる。本明細書において用いられるとき、誘電体層の「上に形成された」導電層は、誘電体層の上に直接形成された導電層を指すことができる。しかしながら、１つまたは複数の薄い中間層またはコーティングが導電層および／または誘電体層間に位置してもよい。 In some embodiments, the high frequency multilayer filter can comprise a signal path having inputs and outputs. The signal path may include one or more conductive layers formed on one or more of the dielectric layers. As used herein, a conductive layer "formed on" a dielectric layer can refer to a conductive layer formed directly on top of the dielectric layer. However, one or more thin intermediate layers or coatings may be located between the conductive layers and / or the dielectric layers.
導電層は、多岐にわたる導電性材料を含むことができる。例えば、導電層は、銅、ニッケル、金、銀、または他の金属もしくは合金を含むことができる。
導電層は、多岐にわたる適切な技法を用いて形成することができる。サブトラクティブ、セミアディティブ、またはフルアディティブプロセスを、導電性材料のパネルまたはパターン電気めっきと共に用い、その後プリントおよびエッチングステップを行って、パターニングされた導電層を定義することができる。フォトリソグラフィ、めっき（例えば、電解めっき）、スパッタリング、真空蒸着、プリント、または他の技法を用いて、導電層を形成することができる。例えば、導電性材料の薄い層（例えば、箔）を、誘電体層の表面に接着（例えば、積層）することができる。導電性材料の薄い層を、マスクおよびフォトリソグラフィを用いて選択的にエッチングして、誘電材料の表面上の導電性材料の所望のパターンを生成することができる。
The conductive layer can include a wide variety of conductive materials. For example, the conductive layer can include copper, nickel, gold, silver, or other metals or alloys.
The conductive layer can be formed using a wide variety of suitable techniques. Subtractive, semi-additive, or full-additive processes can be used with panels or pattern electroplating of conductive materials, followed by printing and etching steps to define patterned conductive layers. Photolithography, plating (eg, electrolytic plating), sputtering, vacuum deposition, printing, or other techniques can be used to form the conductive layer. For example, a thin layer of conductive material (eg, foil) can be adhered (eg, laminated) to the surface of the dielectric layer. A thin layer of conductive material can be selectively etched using masks and photolithography to produce the desired pattern of conductive material on the surface of the dielectric material.
いくつかの実施形態では、高周波数多層フィルタは、誘電体層のうちの１つまたは複数に形成された１つまたは複数のビアを備えることができる。例えば、ビアは、１つの誘電体層上の導電層を、別の誘電体層上の導電層に電気的に接続することができる。ビアは、銅、ニッケル、金、銀、または他の金属もしくは合金等の多岐にわたる導電性材料を含むことができる。ビアは、貫通孔をドリル加工（例えば、機械的ドリル加工、レーザードリル加工）し、例えば、無電気めっきまたは銅シードを用いて貫通孔に導電性材料をめっきすることによって形成することができる。ビアを導電性材料で充填し、導電性材料の堅柱が形成されるようにすることができる。代替的に、貫通孔の内面は、ビアが中空となるようにめっきすることができる。 In some embodiments, the high frequency multilayer filter can include one or more vias formed in one or more of the dielectric layers. For example, vias can electrically connect a conductive layer on one dielectric layer to a conductive layer on another dielectric layer. Vias can include a wide variety of conductive materials such as copper, nickel, gold, silver, or other metals or alloys. Vias can be formed by drilling through holes (eg, mechanical drilling, laser drilling) and, for example, plating through holes with a conductive material using non-electroplating or copper seeds. Vias can be filled with a conductive material to form rigid columns of the conductive material. Alternatively, the inner surface of the through hole can be plated so that the vias are hollow.
用いられる特定の構成にかかわらず、本発明者らは、要素の配置および材料の選択に対する選択的制御を通じて、約８ＧＨｚよりも高い特性周波数を有する多層フィルタを達成することができることを発見した。高周波数多層フィルタは、多層周波数が高周波数（例えば、約８ＧＨｚよりも高い）において優れた性能特性を提供するように、コンデンサに非常に低い容量を提供し、かつ／またはインダクタに非常に低いインダクタンスを提供するように構成することができる。理論にとらわれることなく、フィルタ内の要素に適した容量および／またはインダクタンスの大きさは、通常、周波数の増大と共に減少する。本発明者らは、そのような低いインダクタンスおよび容量要素を、構成要素の選択的配置、寸法（例えば誘電体層の厚み）の選択、および／または材料（例えば誘電材料）の選択を通じて達成することができることを発見した。加えて、寄生インダクタンスは、結果として薄い垂直構造（例えばビア）をもたらす薄い誘電体層を用いて、満足のいくレベルまで低減させることができる。 Regardless of the particular configuration used, we have found that through selective control over element placement and material selection, multi-layer filters with characteristic frequencies above about 8 GHz can be achieved. High frequency multi-layer filters provide very low capacitance to capacitors and / or very low inductance to inductors so that multi-layer frequencies provide excellent performance characteristics at high frequencies (eg, higher than about 8 GHz). Can be configured to provide. Without being bound by theory, the magnitude of capacitance and / or inductance suitable for the elements in the filter usually decreases with increasing frequency. We achieve such low inductance and capacitive elements through selective placement of components, selection of dimensions (eg, thickness of the dielectric layer), and / or selection of materials (eg, dielectric materials). I found that I could do it. In addition, parasitic inductance can be reduced to satisfactory levels with a thin dielectric layer resulting in a thin vertical structure (eg vias).
特性周波数の例は、ローパス周波数、ハイパス周波数、バンドパス周波数の上限、またはバンドパス周波数の下限を含む。いくつかの実施形態では、フィルタは、約６ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約８ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約１０ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約１５ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約２０ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約２５ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約３０ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約３５ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約４０ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約４５ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約５０ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約６０ＧＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約７０ＧＨｚよりも高い、およびいくつかの実施形態では約８０ＧＨｚよりも高い特性周波数を有することができる。 Examples of characteristic frequencies include low pass frequency, high pass frequency, upper limit of band pass frequency, or lower limit of band pass frequency. In some embodiments, the filter is higher than about 6 GHz, in some embodiments higher than about 8 GHz, in some embodiments higher than about 10 GHz, in some embodiments higher than about 15 GHz. High, higher than about 20 GHz in some embodiments, higher than about 25 GHz in some embodiments, higher than about 30 GHz in some embodiments, higher than about 35 GHz in some embodiments, Higher than about 40 GHz in some embodiments, higher than about 45 GHz in some embodiments, higher than about 50 GHz in some embodiments, higher than about 60 GHz in some embodiments, some In certain embodiments, it can have a characteristic frequency higher than about 70 GHz, and in some embodiments it can have a characteristic frequency higher than about 80 GHz.
高周波数多層フィルタはインダクタを備えることができる。インダクタは、複数の誘電体層のうちの１つの上に形成された導電層を備えることができる。インダクタは、第１のロケーションにおいて信号経路と電気的に接続することができ、第２のロケーションにおいて信号経路またはグラウンドのうちの少なくとも一方と電気的に接続することができる。例えば、インダクタは、信号経路の一部分を形成することができるか、または信号経路とグラウンドとの間に接続することができる。 The high frequency multilayer filter can include an inductor. The inductor can include a conductive layer formed on one of a plurality of dielectric layers. The inductor can be electrically connected to the signal path at the first location and electrically to at least one of the signal path or ground at the second location. For example, the inductor can form part of the signal path or can be connected between the signal path and ground.
いくつかの実施形態では、インダクタは、少なくとも１つの角部を含むことができる。角部は、約１５°よりも大きい、いくつかの実施形態では約３０°よりも大きい、いくつかの実施形態では約４５°よりも大きい、およびいくつかの実施形態では約６０°よりも大きい角度（例えば、約９０°）を有することができる。インダクタは、１つ～９つ以上の角部を有することができ、いくつかの実施形態では、インダクタは６つ未満の角部を有することができ、いくつかの実施形態では４つ未満の角部を有することができ、いくつかの実施形態では３つ未満の角部を有することができ、いくつかの実施形態では２つ未満の角部を有することができる。いくつかの実施形態では、インダクタは、角部を有していなくてもよい。いくつかの実施形態では、インダクタは、全円または部分円の「ループ」を定義することができる。例えば、インダクタは、半円未満の「ループ」を定義することができる。 In some embodiments, the inductor can include at least one corner. The corners are greater than about 15 °, greater than about 30 ° in some embodiments, greater than about 45 ° in some embodiments, and greater than about 60 ° in some embodiments. It can have an angle (eg, about 90 °). The inductor can have 1 to 9 or more corners, in some embodiments the inductor can have less than 6 corners, and in some embodiments less than 4 corners. It can have portions, in some embodiments it can have less than three corners, and in some embodiments it can have less than two corners. In some embodiments, the inductor may not have corners. In some embodiments, the inductor can define a "loop" of full or partial circles. For example, inductors can define "loops" that are less than a semicircle.
インダクタは、第１の方向に細長く、第１の幅を有する、第１の細長いセクションと、第２の方向に細長く、第２の幅を有する、第２の細長いセクションとを備えることができる。第１の幅は、第２の幅と概ね等しくすることができる。第１の方向は、第２の方向から約１５°よりも大きく、いくつかの実施形態では約３０°よりも大きく、いくつかの実施形態では約４５°よりも大きく、およびいくつかの実施形態では約６０°よりも大きく（例えば、約９０°）することができる。換言すれば、「角部」は、第１の細長いセクションと第２の細長いセクションとの間の１５°よりも大きい変化として定義することができる。 The inductor can include a first elongated section that is elongated in the first direction and has a first width, and a second elongated section that is elongated in the second direction and has a second width. The first width can be approximately equal to the second width. The first direction is greater than about 15 ° from the second direction, greater than about 30 ° in some embodiments, greater than about 45 ° in some embodiments, and some embodiments. Can be greater than about 60 ° (eg, about 90 °). In other words, the "corner" can be defined as a change greater than 15 ° between the first elongated section and the second elongated section.
いくつかの実施形態では、インダクタは、第１のロケーションと第２のロケーションとの間の有効長を有することができる。有効長は、第１のロケーションと第２のロケーションとの間の導電層に沿った長さとして定義することができる。例えば、有効長は、第１のロケーションと第２のロケーションとの間に接続された（例えば、Ｘ－Ｙ平面における）インダクタの様々な直線部分の長さの和に等しくすることができる。インダクタの有効長は、約５ｍｍ未満、いくつかの実施形態では約３ｍｍ未満、いくつかの実施形態では約２ｍｍ未満、いくつかの実施形態では約１ｍｍ未満、いくつかの実施形態では約８００マイクロメートル（８００ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約５００マイクロメートル（５００ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約３００マイクロメートル（３００ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約２００マイクロメートル（２００ミクロン）未満、およびいくつかの実施形態では約１００マイクロメートル（１００ミクロン）未満とすることができる。 In some embodiments, the inductor can have an effective length between the first location and the second location. The effective length can be defined as the length along the conductive layer between the first location and the second location. For example, the effective length can be equal to the sum of the lengths of the various linear portions of the inductor connected between the first location and the second location (eg, in the XY plane). The effective length of the inductor is less than about 5 mm, less than about 3 mm in some embodiments, less than about 2 mm in some embodiments, less than about 1 mm in some embodiments, and about 800 micrometers in some embodiments. Less than (800 microns), less than about 500 micrometers (500 microns) in some embodiments, less than about 300 micrometers (300 microns) in some embodiments, about 200 micrometers (200) in some embodiments. It can be less than (micron), and in some embodiments less than about 100 micrometer (100 micron).
いくつかの実施形態では、インダクタの導電層は、約１０００マイクロメートル（１０００ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約５００マイクロメートル（５００ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約３００マイクロメートル（３００ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約２００マイクロメートル（２００ミクロン）未満、およびいくつかの実施形態では約１００マイクロメートル（１００ミクロン）未満の幅を有することができる。 In some embodiments, the conductive layer of the inductor is less than about 1000 micrometers (1000 microns), in some embodiments less than about 500 micrometers (500 microns), and in some embodiments about 300 micrometers (. It can have a width of less than 300 microns), less than about 200 micrometers (200 microns) in some embodiments, and less than about 100 micrometers (100 microns) in some embodiments.
いくつかの実施形態では、インダクタの導電層の長さ対幅の比は、約０．５～約６０、いくつかの実施形態では約０．８～約５０、およびいくつかの実施形態では約１～約３０の範囲をとることができる。 In some embodiments, the length-to-width ratio of the conductive layer of the inductor is about 0.5 to about 60, in some embodiments about 0.8 to about 50, and in some embodiments about. It can range from 1 to about 30.
いくつかの実施形態では、誘電体層のうちの少なくともいくつかは、約１８０マイクロメートル（１８０ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約１２０マイクロメートル（１２０ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約１００マイクロメートル（１００ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約８０マイクロメートル（８０ミクロン）未満、いくつかの実施形態では６０マイクロメートル（６０ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約５０マイクロメートル（５０ミクロン）、いくつかの実施形態では約４０マイクロメートル（４０ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約３０マイクロメートル（３０ミクロン）未満、およびいくつかの実施形態では約２０マイクロメートル（２０ミクロン）未満の厚みを有することができる。例えば、約１８０マイクロメートル（１８０ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約１００マイクロメートル（１００ミクロン）未満、およびいくつかの実施形態では約８０マイクロメートル（８０ミクロン）未満の厚みを有するインダクタの導電層を誘電体層の上に形成することができる。 In some embodiments, at least some of the dielectric layers are less than about 180 micrometers (180 microns), in some embodiments less than about 120 micrometers (120 microns), in some embodiments. Less than about 100 micrometers (100 microns), less than about 80 micrometers (80 microns) in some embodiments, less than 60 micrometers (60 microns) in some embodiments, about 50 microns in some embodiments. Meters (50 microns), less than about 40 micrometers (40 microns) in some embodiments, less than about 30 micrometers (30 microns) in some embodiments, and about 20 micrometers (in some embodiments). It can have a thickness of less than 20 microns). For example, an inductor having a thickness of less than about 180 micrometers (180 microns), in some embodiments less than about 100 micrometers (100 microns), and in some embodiments less than about 80 micrometers (80 microns). The conductive layer can be formed on the dielectric layer.
誘電体層に１つまたは複数のビアを形成することができる。ビアは、異なる複数の導電層を電気的に接続することができる。例えば、ビアは誘電体層に形成することができ、この誘電体層上にインダクタの導電層が形成される。そのようなビアは、インダクタを、信号経路の一部分またはグラウンド（例えば、グラウンドプレーン）等のフィルタの別の部分と接続することができる。いくつかの実施形態では、Ｚ方向におけるそのようなビアの長さは、そのようなビアが形成される誘電体層の厚みと等しくすることができる。例えば、そのようなビアは、約１８０マイクロメートル（１８０ミクロン）未満、いくつかの実施形態では約１００マイクロメートル（１００ミクロン）未満、およびいくつかの実施形態では約８０マイクロメートル（８０ミクロン）未満の長さを有することができる。 One or more vias can be formed on the dielectric layer. Vias can electrically connect a plurality of different conductive layers. For example, vias can be formed on a dielectric layer, on which a conductive layer of the inductor is formed. Such vias can connect the inductor to one part of the signal path or another part of the filter such as ground (eg, ground plane). In some embodiments, the length of such vias in the Z direction can be equal to the thickness of the dielectric layer on which such vias are formed. For example, such vias are less than about 180 micrometers (180 microns), less than about 100 micrometers (100 microns) in some embodiments, and less than about 80 micrometers (80 microns) in some embodiments. Can have a length of.
いくつかの実施形態では、一連のビアおよび中間層は、インダクタを、グラウンドプレーンまたは信号経路の一部分等の別の導電層と接続するように垂直方向に配列することができる。一連のビアおよび中間層のＺ方向における垂直総長は、約１０ミクロン～約５００マイクロメートル（５００ミクロン）、いくつかの実施形態では約３０マイクロメートル（３０ミクロン）～約３００マイクロメートル（３００ミクロン）、いくつかの実施形態では約４０マイクロメートル（４０ミクロン）～約２００マイクロメートル（２００ミクロン）、およびいくつかの実施形態では約６０マイクロメートル（６０ミクロン）～約１５０マイクロメートル（５０ミクロン）の範囲をとることができる。 In some embodiments, the series of vias and intermediate layers can be arranged vertically so that the inductor is connected to another conductive layer, such as a ground plane or part of a signal path. The vertical total length of a series of vias and intermediate layers in the Z direction is from about 10 microns to about 500 micrometers (500 microns), and in some embodiments from about 30 micrometers (30 microns) to about 300 micrometers (300 microns). , In some embodiments from about 40 micrometers (40 microns) to about 200 micrometers (200 microns), and in some embodiments from about 60 micrometers (60 microns) to about 150 micrometers (50 microns). Can take a range.
ビアは、多岐にわたる適切な幅を有することができる。例えば、いくつかの実施形態では、ビアの幅は、約２０マイクロメートル（２０ミクロン）～約２００マイクロメートル（２００ミクロン）、いくつかの実施形態では約４０マイクロメートル（４０ミクロン）～約１８０マイクロメートル（１８０ミクロン）、いくつかの実施形態では約６０マイクロメートル（６０ミクロン）～約１４０マイクロメートル（４０ミクロン）、およびいくつかの実施形態では約８０マイクロメートル（８０ミクロン）～約１２０マイクロメートル（１２０ミクロン）の範囲をとることができる。 Vias can have a wide variety of suitable widths. For example, in some embodiments, the width of the via is from about 20 micrometers (20 microns) to about 200 micrometers (200 microns), and in some embodiments from about 40 micrometers (40 microns) to about 180 microns. Meters (180 microns), in some embodiments from about 60 micrometers (60 microns) to about 140 micrometers (40 microns), and in some embodiments from about 80 micrometers (80 microns) to about 120 micrometers. It can take a range of (120 microns).
いくつかの実施形態では、フィルタは、小容量性エリア（例えば、電極間の重複エリア）を有するコンデンサを含むことができる。例えば、いくつかの実施形態では、コンデンサの容量性エリアは、約０．０５平方ミリメートル（ｍｍ２）未満、いくつかの実施形態では約０．０４ｍｍ２未満、いくつかの実施形態では約０．０３ｍｍ２未満、いくつかの実施形態では約０．０２ｍｍ２未満、およびいくつかの実施形態では約０．０１５ｍｍ２未満とすることができる。 In some embodiments, the filter can include capacitors with small capacitive areas (eg, overlapping areas between electrodes). For example, in some embodiments, the capacitive area of the capacitor is less than about 0.05 mm2 (mm 2 ), in some embodiments less than about 0.04 mm 2 , and in some embodiments about 0. It can be less than 03 mm 2 , in some embodiments less than about 0.02 mm 2 , and in some embodiments less than about 0.015 mm 2 .
フィルタは、コンデンサの電極間に第１の誘電材料の第１の層を含むことができる。第１の誘電材料は、セラミック充填エポキシとすることができる。第１の誘電材料は、フィルタの別の層の第２の誘電材料と別個にすることができる。例えば、電極間の第１の誘電材料は、セラミック充填エポキシを含むことができる。第１の誘電材料は、約５～約９、いくつかの実施形態では約６～約８の範囲をとる誘電率を有することができる。第２の誘電材料は、例えば上記で説明した有機誘電材料を含むことができる。第２の誘電材料は、約１～約５、いくつかの実施形態では約２～約４の範囲をとる誘電率を有することができる。 The filter can include a first layer of first dielectric material between the electrodes of the capacitor. The first dielectric material can be a ceramic filled epoxy. The first dielectric material can be separate from the second dielectric material in another layer of the filter. For example, the first dielectric material between the electrodes can include a ceramic filled epoxy. The first dielectric material can have a dielectric constant ranging from about 5 to about 9, and in some embodiments from about 6 to about 8. The second dielectric material can include, for example, the organic dielectric material described above. The second dielectric material can have a dielectric constant ranging from about 1 to about 5, and in some embodiments from about 2 to about 4.
フィルタは、フィルタのパスバンド周波数範囲内の周波数についての低い挿入損失等の優れた性能特性を呈することができる。例えば、パスバンド周波数範囲内の周波数についての平均挿入損失は、－１５ｄＢよりも大きく、いくつかの実施形態では－１０ｄＢよりも大きく、いくつかの実施形態では－５ｄＢよりも大きく、いくつかの実施形態では－２．５ｄＢ以上よりも大きくすることができる。 The filter can exhibit excellent performance characteristics such as low insertion loss for frequencies within the passband frequency range of the filter. For example, the average insertion loss for frequencies within the passband frequency range is greater than -15 dB, in some embodiments greater than -10 dB, in some embodiments greater than -5 dB, and in some embodiments. In the form, it can be larger than -2.5 dB or more.
加えて、フィルタは、パスバンド周波数範囲外の優れた周波数拒絶を呈することができる。いくつかの実施形態では、パスバンド周波数範囲外の周波数についての挿入損失は、約－１５ｄＢ未満、いくつかの実施形態では約－２５ｄＢ未満、いくつかの実施形態では約－３５ｄＢ未満、およびいくつかの実施形態では約－４０ｄＢ未満とすることができる。 In addition, the filter can exhibit excellent frequency rejection outside the passband frequency range. In some embodiments, the insertion loss for frequencies outside the passband frequency range is less than about -15 dB, in some embodiments less than about -25 dB, in some embodiments less than about -35 dB, and some. In the embodiment of, it can be less than about -40 dB.
加えて、フィルタは、パスバンド周波数範囲からパスバンド外の周波数への急なロールオフを呈することができる。例えば、パスバンド周波数範囲のすぐ外側の周波数について、挿入損失は、約０．１ｄＢ／ＭＨｚ、いくつかの実施形態では、約０．２ｄＢ／ＭＨｚよりも高い、いくつかの実施形態では約０．３ｄＢ／ＭＨｚも高い、およびいくつかの実施形態では約０．４ｄＢ／ＭＨｚよりも高い比率で減少することができる。 In addition, the filter can exhibit a sharp roll-off from the passband frequency range to frequencies outside the passband. For example, for frequencies just outside the passband frequency range, the insertion loss is about 0.1 dB / MHz, in some embodiments higher than about 0.2 dB / MHz, in some embodiments about 0. It is also as high as 3 dB / MHz, and in some embodiments can be reduced at a rate higher than about 0.4 dB / MHz.
フィルタは、広範にわたる温度にわたって一定した性能特性（例えば、挿入損失、リターン損失等）を呈することもできる。いくつかの実施形態では、フィルタの挿入損失は、大きな温度範囲にわたって５ｄＢ以下未満で変動することができる。例えば、フィルタは、約２５℃で、第１の周波数において第１の挿入損失を呈することができる。フィルタは、第２の温度で、概ね第１の周波数において第２の挿入損失を呈することができる。第１の温度と第２の温度との間の温度差は、約７０℃以上、いくつかの実施形態では約６０℃以上、いくつかの実施形態では約５０℃以上、いくつかの実施形態では約３０℃以上、およびいくつかの実施形態では約２０℃以上とすることができる。例として、第１の温度は２５℃とすることができ、第２の温度は８５℃とすることができる。別の例として、第１の温度は２５℃とすることができ、第２の温度は－５５℃とすることができる。第２の挿入損失と第１の挿入損失との差は、約５ｄＢ以下、いくつかの実施形態では約２ｄＢ以下、いくつかの実施形態では約１ｄＢ以下、いくつかの実施形態では、約０．７５ｄＢ以下、いくつかの実施形態では約０．５ｄＢ以下、およびいくつかの実施形態では、約０．２ｄＢ以下とすることができる。 Filters can also exhibit constant performance characteristics (eg, insertion loss, return loss, etc.) over a wide range of temperatures. In some embodiments, the insertion loss of the filter can vary below 5 dB over a large temperature range. For example, the filter can exhibit a first insertion loss at a first frequency at about 25 ° C. The filter can exhibit a second insertion loss at approximately the first frequency at the second temperature. The temperature difference between the first temperature and the second temperature is about 70 ° C. or higher, about 60 ° C. or higher in some embodiments, about 50 ° C. or higher in some embodiments, and in some embodiments. It can be about 30 ° C. or higher, and in some embodiments about 20 ° C. or higher. As an example, the first temperature can be 25 ° C and the second temperature can be 85 ° C. As another example, the first temperature can be 25 ° C and the second temperature can be −55 ° C. The difference between the second insertion loss and the first insertion loss is about 5 dB or less, about 2 dB or less in some embodiments, about 1 dB or less in some embodiments, and about 0. It can be 75 dB or less, about 0.5 dB or less in some embodiments, and about 0.2 dB or less in some embodiments.
いくつかの実施形態では、フィルタは、約０．５ｍｍ～約３０ｍｍ、いくつかの実施形態では約１ｍｍ～約１５ｍｍ、およびいくつかの実施形態では約２ｍｍ～約８ｍｍの範囲をとる全体長さを有することができる。 In some embodiments, the filter has an overall length ranging from about 0.5 mm to about 30 mm, in some embodiments from about 1 mm to about 15 mm, and in some embodiments from about 2 mm to about 8 mm. Can have.
いくつかの実施形態では、フィルタは、約０．２ｍｍ～約２０ｍｍ、いくつかの実施形態では約０．５ｍｍ～約１５ｍｍ、いくつかの実施形態では約１ｍｍ～約１０ｍｍ、およびいくつかの実施形態では約２ｍｍ～約８ｍｍの範囲をとる全体幅を有することができる。 In some embodiments, the filter is from about 0.2 mm to about 20 mm, in some embodiments from about 0.5 mm to about 15 mm, in some embodiments from about 1 mm to about 10 mm, and in some embodiments. Can have an overall width in the range of about 2 mm to about 8 mm.
フィルタは、通常、低プロファイルまたは薄型にすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、フィルタは、約１００マイクロメートル（１００ミクロン）～約２ｍｍ、いくつかの実施形態では約１５０マイクロメートル（１５０ミクロン）～約１ｍｍ、およびいくつかの実施形態では約２００マイクロメートル（２００ミクロン）～約３００マイクロメートル（３００ミクロン）の範囲をとる全体厚みを有することができる。
Ｉ．高周波数多層フィルタ
図１は、本開示の態様による高周波数多層フィルタ１００の簡略化された概略図である。フィルタ１００は、１つまたは複数のインダクタ１０２、１０４、１０６と、１つまたは複数のコンデンサ１０８、１１０、１１２とを備えることができる。入力電圧（図１においてＶｉによって表される）を、フィルタ１００に入力することができ、出力電圧（図１においてＶｏによって表される）をフィルタ１００によって出力することができる。バンドパスフィルタ１００は、パスバンド周波数範囲内の周波数が実質的に影響を受けずにフィルタ１００を透過することを可能にしながら、低周波数および高周波数を大幅に低減することができる。上記で説明した簡単なフィルタ１００は、バンドパスフィルタの簡単な例にすぎず、本開示の態様を、より複雑なバンドパスフィルタに適用することができることを理解されたい。加えて、本開示の態様は、例えば、ローパスフィルタまたはハイパスフィルタを含む他のタイプのフィルタに適用されてもよい。
The filter can usually be low profile or thin. For example, in some embodiments, the filter is from about 100 micrometers (100 microns) to about 2 mm, in some embodiments from about 150 micrometers (150 microns) to about 1 mm, and in some embodiments about. It can have an overall thickness ranging from 200 micrometers (200 microns) to about 300 micrometers (300 microns).
I. High Frequency Multilayer Filter FIG. 1 is a simplified schematic diagram of the high
図２は、本開示の態様によるバンドパスフィルタ２００の例示的な実施形態の概略図である。フィルタ２００の入力２０２と出力２０４との間に信号経路２０１を定義することができる。フィルタ２００の入力２０２とグラウンド２０６との間で入力電圧（図１においてＶｉによって表される）をフィルタ２００に入力することができる。出力２０４とグラウンド２０６との間で出力電圧（図１においてＶｏによって表される）をフィルタ２００によって出力することができる。
FIG. 2 is a schematic diagram of an exemplary embodiment of the
フィルタ２００は、互いに並列に電気的に接続された第１のインダクタ２０８および第１のコンデンサ２１０を備えることができる。第１のインダクタ２０８および第１のコンデンサ２１０は、信号経路２０１とグラウンド２０６との間に電気的に接続することができる。フィルタ２００は、互いに並列に電気的に接続された第２のインダクタ２１２および第２のコンデンサ２１４を備えることができる。第２のインダクタ２１２および第２のコンデンサ２１４は、信号経路２０１と直列に接続することができる（例えば、信号経路２０１の一部分を形成することができる）。フィルタ２００は、互いに並列に電気的に接続された第３のインダクタ２１０および第３のコンデンサ２１４を備えることができる。第３のインダクタ２１０および第３のコンデンサ２１４は、信号経路２０１とグラウンド２０６との間に電気的に接続することができる。第３のインダクタ２１０および第３のコンデンサ２１４は、信号経路２０１と直列に接続することができる（例えば、信号経路２０１の一部分を形成することができる）。フィルタ２００は、互いに並列に電気的に接続された第４のインダクタ２２０および第４のコンデンサ２２２を備えることができる。第４のインダクタ２２０および第４のコンデンサ２２２は、信号経路２０１とグラウンド２０６との間に電気的に接続することができる。
The
インダクタ２０８、２１２、２１６、２２０のインダクタンス値、およびコンデンサ２１０、２１４、２１８、２２２の容量値を選択して、バンドパスフィルタ２００の所望のバンドパス周波数範囲を生成することができる。バンドパスフィルタ２００は、パスバンド周波数範囲内の周波数が実質的に影響を受けずにフィルタ２００を透過することを可能にしながら、パスバンド周波数範囲外の周波数を大幅に低減することができる。
The inductance values of the
図３Ａおよび図３Ｂは、本開示の態様による例示的なバンドパスフィルタ３００の斜視図である。図３Ｃは、図３Ａおよび図３Ｂのフィルタ３００の側面図である。図３Ａ～図３Ｃを参照すると、バンドパスフィルタ３００は、複数の誘電体層（明確にするために透明）を備えることができる。図３Ｃを参照すると、第１の誘電体層３０４、第２の誘電体層３０６、および第３の誘電体層３０８を積層して、一体構造を形成することができる。フィルタ３００は、プリント回路基板等の実装表面３０２に実装することができる。導電層３０３、３０５、３０７、３０９は、誘電体層３０４、３０６、３０８上に形成することができる。導電層３０３は、第１の誘電体層３０４の底面上に形成することができる。導電層３０５、３０７は、第２の誘電体層３０６のそれぞれ上面上および底面上に形成することができる。グラウンドは、フィルタ３００の底面（導電層３０３の底面）に沿って露出および／または終端するグラウンドプレーン３１２を含むことができる。実装表面は、グラウンドプレーン３１２と接続するための１つまたは複数の端子３１０を含むことができる。
3A and 3B are perspective views of an
図４Ａ～図４Ｅは、フィルタ３００の一連の連続平面図であり、各連続図において更なる層が示される。より詳細には、図４Ａは、実装表面３０２および第１の導電層３０３を示す。図４Ｂは、第１の誘電体層３０４の底面上に形成されたグラウンドプレーン３１２を示す。図４Ｃは、第１の誘電体層３０４の上面上に形成された導電層３０５を更に示す。図４Ｄは、第２の誘電体層３０６上に形成された導電層３０７を更に示す。図４Ｅは、第３の層３０８上に形成された導電層３０９を示す。誘電体層３０４、３０６、３０８は、様々なパターニングされた導電層３０３、３０５、３０７、３０９の相対的再配置を示すために透明である。
4A-4E are a series of continuous floor plans of the
バンドパスフィルタ３００は、入力３１８および出力３２０を有する信号経路３１６を備えることができる。信号経路３１６は、入力３１８および出力３２０を電気的に接続することができる。より詳細には、信号経路３１６は、複数の誘電体層、ならびに／または複数の誘電体層３０４、３０６、３０８内およびこれらの誘電体層上に形成され、入力３１８と出力３２０との間に電気的に接続されたビアを備えることができる。信号経路３１６は、入力３１８を、第１の層３０４と第２の層３０６との間に配設された中間導電層３２４と電気的に接続する１つまたは複数のビア３２２を備えることができる。信号経路３１６は、中間層３２４を第２の誘電体層３０６上に形成された導電層３２８と電気的に接続する１つまたは複数のビア３２６を備えることができる。
The
第１のコンデンサは、第２の層３６０の上面上に形成された信号経路３１６の一部分３３６と、誘電材料の第２の層３０６の下面上に形成された導電層３３０との間に形成することができる。第２の層３０６は、他の層３０４、４０８のうちの１つまたは複数と異なる誘電率を有することができる。例えば、第２の層３０６の誘電材料は、２５℃の動作温度および１ＭＨｚの周波数において、ＩＰＣ ＴＭ－６５０ ２．５．５．３に従って約５～約８の範囲をとる誘電率を有する。他の層３０４、３０８のうちの１つまたは複数は、２５℃の動作温度および１ＭＨｚの周波数において、ＩＰＣ ＴＭ－６５０ ２．５．５．３に従って約１～約４の範囲をとる誘電率を有することができる。
The first capacitor is formed between a
導電層３３０は、グラウンドプレーン３１２と電気的に接続することができる。フィルタ３００の第１のコンデンサは、図２の回路図２００の第１のコンデンサ２１０と対応することができる。導電層３３０は、信号経路３１６の一部分３３６と容量結合することができる。導電層３３０は、Ｚ方向における信号経路３１６の一部分３３６から離間させることができる。導電層３３０は、１つまたは複数のビア３３４によってグラウンドプレーン３１２と電気的に接続することができる。
The
第１のコンデンサは、第１のコンデンサの電極の相対的ずれに対し影響を受けにくくすることができる。これは「自己整合」として説明することができる。図４Ｄに最も良好に見られるように、信号経路３１６の一部分３３６は、通常、第１のコンデンサの導電層３３０よりも（例えば、Ｘ方向およびＹ方向において）寸法を小さくすることができる。加えて、信号経路３１６の一部分３３６は、Ｘ－Ｙ平面において、信号経路３１６の他の要素および他の部分との接続を定義することができる。そのような接続は、Ｘ方向またはＹ方向における僅かなずれにより、第１のコンデンサの容量性エリアが変化しないようにサイズ設定することができる。より詳細には、導電層３３０と信号経路３１６の一部分３３６との間の（例えば、Ｘ－Ｙ平面における）有効重複エリアのサイズは、第２および第３の層３０４、３０６のＸ方向またはＹ方向における僅かなずれの影響を受けにくくすることができる。
The first capacitor can be less susceptible to the relative displacement of the electrodes of the first capacitor. This can be described as "self-alignment". As best seen in FIG. 4D, the
例えば、信号経路３１６の一部分３３６は、一部分３３６の反対側のコネクタ部分３３８の（例えばＹ方向における）幅と等しい（例えばＹ方向における）幅を有する（例えばＸ方向に延びる）タブ３３７を含むことができる。同様に、等しい幅を有することができる接続部３４０が、（例えばＹ方向における）一部分３３６の反対側から延びることができる。結果として、Ｙ方向における相対的ずれにより、導電層３３０と信号経路３１６の一部分３３６との間の重複エリアを変化させないことができる。
For example, a
フィルタ３００は、信号経路３１６およびグラウンドプレーン３１２と電気的に接続された第１のインダクタ３４２を含むことができる。フィルタ３００の第１のインダクタ３４２は、図２の回路図２００の第１のインダクタ２０８と対応することができる。第１のインダクタ３４２は、コネクタ部分３３８によって、第１のコンデンサを形成する信号経路３１６の一部分３３６と接続することができる。第１のインダクタ３４２は、１つまたは複数のビア３４４（図３Ｂに最も良好に見られる）によってグラウンドプレーン３１２と電気的に接続することができる。
The
フィルタ３００の信号経路３１６は第２のインダクタ３４６を含むことができ、第２のインダクタ３４６は、図２の回路図２００の第２のインダクタ２１２と対応することができる。第２のインダクタ３４６は、第３の層３０８（図３Ｃに最も良好に見られる）上に形成することができる。第２のインダクタ３４６は、第１のロケーション３４９および第２のロケーション３５１の各々において、信号経路３１６と電気的に接続することができる。換言すれば、第２のインダクタ３４６は、入力３１８と出力３２０との間で信号経路３１６の一部分を形成することができる。
The
１つまたは複数のビア３４８は、第１のロケーション３４９において第２のインダクタ３４６を第２の層３０６（図３Ｂ、図４Ｄおよび図４Ｅに最も良好に見られる）の信号経路３１６の一部分３５４と接続することができる。１つまたは複数のビア３４８が、第２のロケーション３５１において第１の誘導性素子３４６を第２の層３０６の上面の信号経路３１６の一部分３６９の各々、および第２の層３０６の底面の導電層３５２（以下で説明する、信号経路３１６の一部分３５４と共に第２のコンデンサを形成する）と接続することができる。図３Ａおよび図４Ｅにおいて最も良好に見られるように、インダクタ３４６は４つの角部を有することができる。したがって、第１のインダクタ３４６は、半円を超える「ループ」を形成することができる。
One or
第２のコンデンサは、導電層３５２と、信号経路３１６の一部分３５４との間に形成することができる。第２のコンデンサは、図２の回路図２００の第２のコンデンサ２１４と対応することができる。第２のコンデンサは自己整合コンデンサとすることができる。図４Ｄに最も良好に示すように、信号経路３１６の部分３５４は、導電層３５２と信号経路３１６の一部分との間の容量性エリア（例えば、Ｘ－Ｙ平面における重複エリア）のサイズが、第２の層３０４と第３の層３０６との間の小さなずれの影響を受けにくいように成形することができる。
The second capacitor can be formed between the
フィルタ３００の第３のインダクタ３５６は、図２の回路図２００の第３のインダクタ２１６と対応することができる。第３のインダクタ３５６は、第１のロケーション３５７における１つまたは複数のビア３６０によって、第２のインダクタ３４６と接続された信号経路３１６の一部分３６９と接続することができる。第３のインダクタ３５６は、第２のロケーション３５９における１つまたは複数のビア３６０によって、出力３２０と接続された信号経路３１６の一部分３６１と接続することができる。信号経路３１６の一部分３６１は、１つまたは複数のビア３６６および／または中間層３６８によって、出力３２０と電気的に接続することができる。換言すれば、第３のインダクタ３５６は、第２のインダクタ３４６と出力３２０との間で信号経路３１６の一部分を形成することができる。
The
第３のインダクタ３５６は線幅増加部分３６４を備えることができる。線幅増加部分３６４は、例えば図５Ｃを参照して以下で説明する第３のインダクタ３５６を形成する導電材料の一部分を含むことができる。線幅増加部分３６４は、第３のインダクタ３５６が、線幅増加部分３６４において第３のインダクタ３５６の他の部分よりも大きい幅を有するように、第３のインダクタの少なくとも一部分にわたって延びることができる。
The
第３のコンデンサは、第３のインダクタ３５６と並列に形成することができる。第３の
コンデンサは、図２の回路図２００の第３のコンデンサ２１４と対応することができる。フィルタ３００の第３のコンデンサは、信号経路３１６の一部分３６９（図４Ｄに最も良好に示される）と容量結合された導電層３６７を備えることができる。第３のコンデンサは、容量性エリアのサイズが、第２および第３の誘電体層３０４、３０６間の相対的ずれの影響を受けにくいように、自己整合コンデンサとすることができる。
The third capacitor can be formed in parallel with the
第４のインダクタ３７０は、ビア３７４によって、第１のロケーション３７１において信号経路３１６と、第２のロケーション３７３においてグラウンドプレーン３１２と電気的に接続することができる。ビア３７４は、中間層３７６によって接続することができる。フィルタ３００の第４のインダクタ３７０は、図２の回路図２００の第４のインダクタ２２０と対応することができる。フィルタ３００の第４のインダクタ３７０は、出力３２０と電気的に接続された信号経路３１６の一部分３６１において、信号経路３１６と接続することができる。第４のインダクタ３７０は、３つの角部３７２を有することができ、概ね四分円のループを形成することができる。
The
第４のコンデンサは、出力３２０と接続された信号経路３１６の一部分３６１と容量性結合された導電層３８０を含むことができる。第４のコンデンサの導電層３８０は、ビア３８２によって、グラウンドプレーン３１２と電気的に接続することができる。第４のコンデンサは、図２の回路図２００の第４のコンデンサ２２２と対応することができる。第４のコンデンサは、例えば第１のコンデンサを参照して上記で説明したように自己整合することができる。
The fourth capacitor may include a
図５Ａ～図５Ｄは、それぞれ、第１のインダクタ３４２、第２のインダクタ３４６、第３のインダクタ３５６、および第４のインダクタ３７０の拡大斜視図である。図５Ａを参照すると、第１のインダクタ３４２は、コネクタ部分３３８と接続するかまたはコネクタ部分３３８を含むことができ、それによって、第１のインダクタ３４２は、１つまたは複数のビア３４４および中間導電層３２４の垂直接続によって、第１のロケーション５００において信号経路３１６の部分３３６と接続され、第２のロケーション５０２においてグラウンドプレーン３１２と接続される。第１のインダクタ３４２の有効長５０４は、第１のロケーション５００と第２のロケーション５０２との間に定義することができる。有効長５０４は、第１のインダクタ３４２の所望のインダクタンス値を生成するように選択することができる。
5A-5D are enlarged perspective views of the
１つまたは複数のビア３２２、３２６および中間導電層３２４によって、第１のインダクタ３４２とグラウンドプレーン３１２との間に垂直接続が形成される。垂直方向の総長５０６は、第２の誘電体層３０４と、第２の誘電体層３０４の上に形成された導電層３０５と、第３の誘電体層３０６（図３Ｃ）の厚みの和に等しくすることができる。
One or
コネクタ部分３３８は、Ｙ方向における幅５０８を有することができる。第１のインダクタ３４２は、Ｙ方向における幅５１０を有することができる。第１のインダクタ３４２のインダクタンスは、コネクタ部分３３８の幅５０８、第１のインダクタ３４２の幅５１０、および／または第１のインダクタ３４２の有効長５０４に依拠することができる。
The
図５Ｂを参照すると、第２のインダクタ３４６は、第２のインダクタ３４６の導電層に沿って、第１のロケーション３４９と第２のロケーション３５１との間に有効長を有することができる。第２のインダクタ３４６は、それぞれの長さを有する複数の細長いセクションを含むことができる。有効長は、Ｘ－Ｙ平面における第２のインダクタ３４６に沿った長さの和として定義することができる。例えば、第１の長さ５２０は、Ｘ方向において、第１のロケーション３４９と、角部３４７のうちの第１の角部５２２との間に定義することができ、第２の長さ５２４は、Ｙ方向において、第１の角部５２２と第２の角部５２６との間に定義することができ、第３の長さ５２８は、Ｘ方向において、第２の角部５２６と第３の角部５３０との間に定義することができ、第４の長さ５３２は、Ｙ方向において、第３の角部５３０と第４の角部５３４との間に定義することができ、第５の長さ５３６は、Ｘ方向において、第４の角部５３４と第２のロケーション３５１との間に定義することができる。有効長は、第１の長さ５２０、第２の長さ５２４、第３の長さ５２８、第４の長さ５３２、および第５の長さ５３６の和として定義することができる。第２のインダクタ３４６は、第２のインダクタ３４６の有効長に沿った幅５３８を有することができる。換言すれば、インダクタは、各細長いセクション（例えば、第１の長さ５２０、第２の長さ５２４、第３の長さ５２８、および／または第４の長さ５３２）に沿った概ね均一な幅５３８を有することができる。各角部５２２、５２６、５３０、５３４は、Ｘ－Ｙ平面における第２のインダクタ３４６の導電層の方向における、約１５°よりも大きい（例えば、約９０°の）変化として定義することができる。
Referring to FIG. 5B, the
図５Ｃを参照すると、第３のインダクタ３５６は、第３のインダクタ３５６の導電層に沿って、第３のインダクタ３５６の第１のロケーション３５７と第３のインダクタ３５６の第２のロケーション３５９との間に有効長を有することができる。有効長は、Ｘ－Ｙ平面における第３のインダクタ３５６に沿った長さの和として定義することができる。例えば、第１の長さ５５０は、Ｙ方向において、第１のロケーション３５７と第１の角部５５２との間に定義することができ、第２の長さ５５４は、Ｘ方向において、第１の角部５５２と第２の角部５５６との間に定義することができ、第３の長さ５５６は、Ｙ方向において、第２の角部５５６と第２のロケーション３５９との間に定義することができる。有効長は、第１の長さ５５０、第２の長さ５５２、および第３の長さ５５６の和として定義することができる。
Referring to FIG. 5C, the
第３のインダクタ３５６は、線幅増加部分３６４において第１の幅５３０を有することができる。第３のインダクタ３５６は、第３のインダクタ３５６の他の部分に沿って第２の幅５３２を有することができる。
The
図５Ｄを参照すると、第４のインダクタ３７０は、同様に、Ｘ－Ｙ平面において、第４のインダクタ３７０の長さの和に等しい有効長を有することができる。例えば、第４のインダクタ３７０は、第４のインダクタ３７０の導電層に沿って、第１のロケーション３７１と第２のロケーション３７３との間に有効長を有することができる。有効長は、Ｘ－Ｙ平面における第４のインダクタ３７０に沿った長さの和として定義することができる。例えば、第１の長さ５８０は、Ｘ方向において、第１のロケーション３７１と第１の角部５８２との間に定義することができ、第２の長さ５８４は、Ｙ方向において、第１の角部５８２と第２の角部５８６との間に定義することができ、第３の長さ５８８は、Ｘ方向において、第２の角部５８６と第３の角部５９０との間に定義することができ、第４の長さ５９２は、Ｙ方向において、第３の角部５９０と第２のロケーション３５１との間に定義することができる。有効長は、第１の長さ５８０、第２の長さ５８４、第３の長さ５８８、および第４の長さ５９２の和として定義することができる。第４のインダクタ３７０は、第４のインダクタ３７０の有効長に沿った幅５９４を有することができる。
ＩＩ．更なる例示的な実施形態
図６Ａは、本開示の態様による多層フィルタ６００の別の実施形態の斜視図を示す。図６Ｂは、図６Ａの多層フィルタ６００の別の斜視図を示す。フィルタ６００は、通常、図３～図５Ｄを参照して上記で説明したフィルタ３００と類似した方式で構成することができる。フィルタ６００は、入力６０２と、出力６０４と、入力６０２および出力６０４を接続する信号経路６０６とを備えることができる。フィルタ６００は、１つまたは複数のグラウンド電極６１０と電気的に接続されたグラウンドプレーン６０８も備えることができる。
Referring to FIG. 5D, the
II. A further exemplary embodiment FIG. 6A shows a perspective view of another embodiment of the
フィルタ６００は、グラウンドプレーン６０８と電気的に接続された第１のインダクタ６１２を備えることができる。第１のインダクタ６１２は、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第１のインダクタ２０８と対応することができる。フィルタ６００は、グラウンドプレーン６０８と電気的に結合された第１のコンデンサ６１４を備えることができる。第１のコンデンサ６１４は、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第１のコンデンサ２１０と対応することができる。フィルタ６００は、互いに並列に接続された第２のインダクタ６１６および第２のコンデンサ６１８を備えることができる。第２のインダクタ６１６および第２のコンデンサ６１８は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第２のインダクタ２１２および第２のコンデンサ２１４と対応することができる。第２のインダクタ６１６および第２のコンデンサ６１８は、入力６０２と出力６０４との間で信号経路６０６の一部分を形成することができる。フィルタ６００は、互いに並列に接続され、入力６０２と出力６０４との間で信号経路６０６の一部分を形成することができる第３のインダクタ６２０および第３のコンデンサ６２２を備えることができる。第３のインダクタ６２０および第３のコンデンサ６２２は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第３のインダクタ２１６および第３のコンデンサ２１８と対応することができる。最後に、フィルタ６００は、互いに並列に接続され、信号経路６０６とグラウンドプレーン６０８との間で接続された第４のインダクタ６２４および第４のコンデンサ６２６を備えることができる。第４のインダクタ６２４および第４のコンデンサ６２６は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第４のインダクタ２２０および第４のコンデンサ２２２と対応することができる。
The
インダクタ６１２、６１６、６２０、６２４およびコンデンサ６１４、６１８、６２２、６２６は、図３～図５Ｄを参照して上記で説明したのと類似した方式でビア６２７によって接続することができる。インダクタ６１２、６１６、６２０、６２４の各々は、それぞれの第１のロケーションにおいて信号経路６０６と接続し、それぞれの第２のロケーションにおいて信号経路６０６またはグラウンドプレーン６０８と接続することができる。インダクタ６１２、６１６、６２０、６２４の各々は、第１のロケーションと第２のロケーションとの間で（例えばＸ－Ｙ平面における）それぞれの有効長を有することができる。加えて、インダクタ６１２、６１６、６２０、６２４の各々が、それぞれの有効長に沿ったそれぞれの幅を有することができる。
図６Ｃは、図６Ａおよび図６Ｂのフィルタ６００の側面図である。バンドパスフィルタ６００は、複数の誘電体層（明確にするために図６Ａおよび図６Ｂにおいて透明である）を備えることができる。図６Ｃを参照すると、第１の層６３２、第２の層６３６、および第３の層６４０を積層して、一体構造を形成することができる。誘電体層６３２、６３６、６４０の上に導電層６３０、６３４、６３８、６４２を形成することができる。第１の誘電体層６３２の底面に導電層６３０を形成することができる。第２の誘電体層６３６のそれぞれ上面および底面に導電層６３４、６３８を形成することができる。第３の誘電体層６４０の上面上に導電層６４２を形成することができる。
6C is a side view of the
図７Ａ～図７Ｄは、図６Ａ～図６Ｃのフィルタ６００の一連の連続平面図であり、各連続図において更なる層が示される。より詳細には、図７Ａは、プリント回路基板等の実装表面６２８を示す。第１の導電層６３０は、第１の層６３２の底面および上面に形成することができるグラウンドプレーン６０８を含むことができる。図７Ｂは、第１の誘電体層６３２上に形成された第２の導電層６３４を更に示す。第２の導電層６３４は、第１のコンデンサ６１４、第２のコンデンサ６１８、第３のコンデンサ６２２および第４のコンデンサ６２６を備えることができる。図７Ｃは、第２の誘電体層６３６上に形成された第３の導電層６３８を更に示す。第３の導電層６３８は、信号経路６０６の一部分および第１のインダクタ６１２を備えることができる。図７Ｄは、第４の誘電体層６４０上に形成された第４の導電層６４２を示す。第４の導電層６４２は、第２のインダクタ６１６、第３のインダクタ６２２、および第４のインダクタ６２４を備えることができる。誘電体層６３２、６３６、６４０は、様々なパターニングされた導電層６３０、６３４、６３８、６４２の相対的再配置を示すために透明である。
7A-7D are a series of continuous floor plans of the
図８Ａは、本開示の態様による多層フィルタ８００の別の実施形態の斜視図を示す。フィルタ８００は、通常、図３～図５Ｄを参照して上記で説明したフィルタ３００と類似した方式で構成することができる。フィルタ８００は、入力８０２と、出力８０４と、入力８０２および出力８０４を接続する信号経路８０６とを備えることができる。フィルタ８００は、１つまたは複数のグラウンド電極８１０と電気的に接続されたグラウンドプレーン８０８も含むことができる。
FIG. 8A shows a perspective view of another embodiment of the
フィルタ８００は、グラウンドプレーン８０８と電気的に接続された第１のインダクタ８１２を備えることができる。第１のインダクタ８１２は、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第１のインダクタ２０８と対応することができる。フィルタ８００は、グラウンドプレーン８０８と電気的に接続された第１のコンデンサ８１４を備えることができる。第１のコンデンサ８１４は、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第１のインダクタコンデンサ２１０と対応することができる。フィルタ８００は、互いに並列に接続された第２のインダクタ８１６および第２のコンデンサ８１８を備えることができる。第２のインダクタ８１６および第２のコンデンサ８１８は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第２のインダクタ２１２および第２のコンデンサ２１４と対応することができる。第２のインダクタ８１６および第２のコンデンサ８１８は、入力８０２と出力８０４との間で信号経路８０６の一部分を形成することができる。フィルタ８００は、互いに並列に接続され、入力８０２と出力８０４との間で信号経路８０６の一部分を形成することができる、第３のインダクタ８２０および第３のコンデンサ８２２を備えることができる。第３のインダクタ８２０および第３のコンデンサ８２２は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第３のインダクタ２１６および第３のコンデンサ２１８と対応することができる。最後に、フィルタ８００は、互いに並列に接続され、信号経路８０６とグラウンドプレーン８０８との間で接続された第４のインダクタ８２４および第４のコンデンサ８２６を備えることができる。第４のインダクタ８２４および第４のコンデンサ８２６は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第４のインダクタ２２０および第４のコンデンサ２２２と対応することができる。
The
インダクタ８１２、８１６、８２０、８２４およびコンデンサ８１４、８１８、８２２、８２６は、図３～図５Ｄを参照して上記で説明したのと同様の方式でビア８２７によって接続することができる。インダクタ８１２、８１８、８２０、８２４の各々は、それぞれの第１のロケーションにおいて信号経路８０６と接続し、それぞれの第２のロケーションにおいて信号経路８０６またはグラウンドプレーン８０８と接続することができる。インダクタ８１２、８１８、８２０、８２４の各々は、第１のロケーションと第２のロケーションとの間で（例えばＸ－Ｙ平面における）それぞれの有効長を有することができる。加えて、インダクタ８１２、８１８、８２０、８２４の各々は、そのそれぞれの有効長に沿ってそれぞれの幅を有することができる。
図８Ｂは、図８Ａのフィルタ８００の側面図である。バンドパスフィルタ８００は、複数の誘電体層（明確にするために図８Ａにおいて透明である）を備えることができる。図８Ｂを参照すると、第１の層８３２、第２の層８３６および第３の層８４０を積層して、一体構造を形成することができる。誘電体層８３２、８３６、８４０上に導電層８３０、８３４、８３８、８４２を形成することができる。第１の誘電体層８３２の底面に導電層８３０を形成することができる。それぞれ、第２の誘電体層８３６の上面および底面に導電層８３４、８３８を形成することができる。第３の誘電体層８４０の上面上に導電層８４２を形成することができる。
FIG. 8B is a side view of the
図９Ａ～図９Ｄは、図８Ａおよび図８Ｂのフィルタ６００の一連の連続平面図であり、各連続図において更なる誘電体層が示される。より詳細には、図９Ａは、プリント回路基板等の実装表面８２８を示す。第１の導電層８３０は、第１の層８３２の底面および上面に形成することができるグラウンドプレーン８０８を含むことができる。図９Ｂは、第１の誘電体層８３２上に形成された第２の導電層８３４を更に示す。第２の導電層８３４は、第１のコンデンサ８１４、第２のコンデンサ８１８、第３のコンデンサ８２２および第４のコンデンサ８２６を含むことができる。図９Ｃは、第２の誘電体層８３６上に形成された第３の導電層８３８を更に示す。第３の導電層８３８は、信号経路８０６の一部分と、第１のインダクタ８１２とを含むことができる。図９Ｄは、第４の誘電体層８４０上に形成された第４の導電層８４２を示す。第４の導電層８４２は、第２のインダクタ８１６、第３のインダクタ８２２および第４のインダクタ８２４を含むことができる。誘電体層８３２、８３６、８４０は、様々なパターニングされた導電層８３０、８３４、８３８、８４２の相対的再配置を示すために透明である。
9A-9D are a series of continuous floor plans of the
図１０Ａは、本開示の態様による多層フィルタ１０００の別の実施形態の斜視図を示す。図１０Ｂは、図１０Ａの多層フィルタ１０００の別の斜視図を示す。フィルタ１０００は、通常、図３～図５Ｄを参照して上記で説明したフィルタ３００と類似の方式で構成することができる。フィルタ１０００は、入力１００２と、出力１００４と、入力１００２および出力１００４を接続する信号経路１００６とを含むことができる。フィルタ１０００は、１つまたは複数のグラウンド電極１０１０と電気的に接続されたグラウンドプレーン１００８も含むことができる。
FIG. 10A shows a perspective view of another embodiment of the
フィルタ１０００は、グラウンドプレーン１００８と電気的に接続された第１のインダクタ１０１２を備えることができる。第１のインダクタ１０１２は、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第１のインダクタ２０８と対応することができる。フィルタ１０００は、グラウンドプレーン１００８と電気的に結合された第１のコンデンサ１０１４を含むことができる。第１のコンデンサ１０１４は、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第１のインダクタコンデンサ２１０と対応することができる。フィルタ１０００は、互いに並列に接続された第２のインダクタ１０１６および第２のコンデンサ１０１８を含むことができる。第２のインダクタ１０１６および第２のコンデンサ１０１８は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第２のインダクタ２１２および第２のコンデンサ２１４と対応することができる。第２のインダクタ１０１６および第２のコンデンサ１０１８は、入力１００２と出力１００４との間で信号経路１００６の一部分を形成することができる。フィルタ１０００は、互いに並列に接続され、入力１００２と出力１００４との間で信号経路１００６の一部分を形成することができる第３のインダクタ１０２０および第３のコンデンサ１０２２を備えることができる。第３のインダクタ１０２０および第３のコンデンサ１０２２は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第３のインダクタ２１６および第３のコンデンサ２１８と対応することができる。最後に、フィルタ１０００は、互いに並列に接続され、信号経路１００６とグラウンドプレーン１００８との間で接続された第４のインダクタ１０２４および第４のコンデンサ１０２６を備えることができる。第４のインダクタ１０２４および第４のコンデンサ１０２６は、それぞれ、図２を参照して上記で説明した回路図２００の第４のインダクタ２２０および第４のコンデンサ２２２と対応することができる。
The
インダクタ１０１２、１０１６、１０２０、１０２４およびコンデンサ１０１４、１０１８、１０２２、１０２６は、図３～図５Ｄを参照して上記で説明したのと類似した方式でビア１０２７によって接続することができる。インダクタ１０１２、１０１１０、１０２０、１０２４の各々は、それぞれの第１のロケーションにおいて信号経路１００６と接続し、それぞれの第２のロケーションにおいて信号経路１００６またはグラウンドプレーン１００８と接続することができる。インダクタ１０１２、１０１１０、１０２０、１０２４の各々は、第１のロケーションと第２のロケーションとの間で（例えばＸ－Ｙ平面における）それぞれの有効長を有することができる。加えて、インダクタ１０１２、１０１１０、１０２０、１０２４の各々が、それぞれの有効長に沿ったそれぞれの幅を有することができる。
図１０Ｂは、図１０Ａおよび図１０Ｂのフィルタ１０００の側面図である。バンドパスフィルタ１０００は、複数の誘電体層（明確にするために図１０Ａにおいて透明である）を備えることができる。図１０Ｂを参照すると、第１の層１０３２、第２の層１０３６、第３の層１０４０を積層して、一体構造を形成することができる。誘電体層１０３２、１０３６、１０４０の上に導電層１０３０、１０３４、１０３８、１０４２を形成することができる。第１の誘電体層１０３２の底面に導電層１０３０を形成することができる。第２の誘電体層１０３６のそれぞれ上面および底面に導電層１０３４、１０３８を形成することができる。第３の誘電体層１０４０の上面上に導電層１０４２を形成することができる。
10B is a side view of the
図１１Ａ～図１１Ｄは、図１０Ａおよび図１０Ｂのフィルタ６００の一連の連続平面図であり、各連続図において更なる誘電体層が示される。より詳細には、図１１Ａは、プリント回路基板等の実装表面１０２８を示す。第１の導電層１０３０は、第１の層１０３０の底面および上面に形成することができるグラウンドプレーン１００８を含むことができる。図１１Ｂは、第１の誘電体層１０３２上に形成された第２の導電層１０３４を更に示す。第２の導電層１０３４は、第１のコンデンサ１０１４、第２のコンデンサ１０１８、第３のコンデンサ１０２２および第４のコンデンサ１０２６を備えることができる。図１１Ｃは、第２の誘電体層１０３６上に形成された第３の導電層１０３８を更に示す。第３の導電層１０３８は、信号経路１００６の一部分および第１のインダクタ１０１２を備えることができる。図１１Ｄは、第４の誘電体層１０４０上に形成された第４の導電層１０４２を示す。第４の導電層１０４２は、第２のインダクタ１０１６、第３のインダクタ１０２２、および第４のインダクタ１０２４を備えることができる。誘電体層１０３２、１０３６、１０４０は、様々なパターニングされた導電層１０３０、１０３４、１０３８、１０４２の相対的再配置を示すために透明である。
ＩＩＩ．高周波数フィルタを形成する方法
図１９を参照すると、本開示のいくつかの態様によれば、例えば上記で説明した高周波数多層フィルタを形成する方法１９００が、（１９０２）において、複数の誘電体層を設けることを含むことができる。例えば、図３Ａ～図１１Ｄを参照して上記で説明した第１、第２および第３の誘電体層と対応する誘電体層を設けることができる。
11A-11D are a series of continuous floor plans of the
III. Method of Forming a High Frequency Filter With reference to FIG. 19, according to some aspects of the present disclosure, for example, the
（１９０４）において、方法１９００は、複数の誘電体層のうちの少なくともいくつかの上に複数の導電層を形成し、入力および出力を有する信号経路を形成することを含むことができる。例えば、方法１９００は、第１の誘電体層上に導電層を備えるインダクタ、および、第１の電極と、第１の電極から、第１の誘電体層と異なる第２の誘電体層によって離間された第２の電極とを備えるコンデンサを形成することを含むことができる。
In (1904),
（１９０６）において、方法１９００は、第１のロケーションにおいて、インダクタを信号経路と電気的に接続する第１のビアを形成することと、第２のロケーションにおいて、インダクタを信号経路またはグラウンドプレーンのうちの少なくとも一方と電気的に接続する第２のビアを形成することとを含むことができる。多層フィルタは、約８ＧＨｚよりも高い特性周波数を有することができる。
In (1906),
第１または第２の誘電体層は、第２の誘電体層に（例えば、上面および／または底面上に）積層されるかまたは他の形で付着した導電材料（例えば、金属膜）の１つまたは複数の薄い層を含むことができる。第２の誘電体層は、導電材料の薄い層がすでに付着した状態で、または代替的には複数の導電層を形成した状態で得ることができる。いくつかの実施形態では、方法１９００は、導電材料の薄い層を第２の誘電体層の表面に付着させることを含むことができる。導電材料の薄い層はマスクおよびフォトリソグラフィを用いて選択的にエッチングし、誘電材料の表面に導電材料の所望のパターンを生成することができる。代替的に、導電層は、適切な堆積技法を用いて誘電体層のうちの１つまたは複数の上に形成されてもよい。
The first or second dielectric layer is one of a conductive material (eg, a metal film) laminated or otherwise adhered to the second dielectric layer (eg, on top and / or bottom). It can contain one or more thin layers. The second dielectric layer can be obtained in a state where a thin layer of the conductive material is already attached, or in an alternative state where a plurality of conductive layers are formed. In some embodiments,
いくつかの実施形態では、様々な誘電体層を積み重ね、互いに連続して付着または積層させることができる。例えば、第３の誘電体層は、第２の誘電体層の上面に導電層が形成された後、第２の誘電体層の上面に付着させることができる。次に、第１の誘電体層は、導電層が第２の誘電体の底面に形成された後に第２の誘電体層に付着させることができる。必要に応じて、このプロセス中、様々な誘電体層にビアを形成することができる。 In some embodiments, various dielectric layers can be stacked and continuously adhered or laminated to each other. For example, the third dielectric layer can be attached to the upper surface of the second dielectric layer after the conductive layer is formed on the upper surface of the second dielectric layer. Next, the first dielectric layer can be attached to the second dielectric layer after the conductive layer is formed on the bottom surface of the second dielectric. If desired, vias can be formed on the various dielectric layers during this process.
ＩＶ．用途
本明細書において説明したフィルタの様々な実施形態は、任意の適切なタイプの電気コンポーネントにおいて用途を見出すことができる。フィルタは、高周波数無線信号を受信、送信、または他の形で用いるデバイスにおいて特定の用途を見出すことができる。例示的な用途は、スマートフォン、信号中継器（例えば、スモールセル）、中継局およびレーダを含む。
実施例
本開示の態様に従って、コンピュータモデリングを用いて、多層高周波数フィルタをシミュレートした。加えて、フィルタが構築され、試験された。以下の寸法は単に例として与えられ、本開示の範囲を限定しないことを理解されたい。
IV. Applications Various embodiments of the filters described herein can be found in any suitable type of electrical component. Filters can find specific applications in devices that receive, transmit, or otherwise use high frequency radio signals. Exemplary applications include smartphones, signal repeaters (eg, small cells), relay stations and radar.
Examples A multi-layer high frequency filter was simulated using computer modeling according to aspects of the present disclosure. In addition, filters have been constructed and tested. It should be understood that the dimensions below are given by way of example only and do not limit the scope of this disclosure.
様々な多層フィルタ（上記で説明した多層フィルタ３００、６００、８００、１０００を含む）は、以下のパスバンド周波数範囲、ならびに以下のミクロン単位のそれぞれの有効インダクタ長（「Ｌ」）および幅（「Ｗ」）を有するように構成することができる。
The various multi-layer filters, including the
フィルタ３００の第３のインダクタ３５６は、図５Ｃを参照して上記で説明した線幅調整部（ｌｉｎｅ ｗｉｄｔｈ ｅｄｉｔｉｏｎ）３６４を含むことができる。線幅調整部３６４において、第３のインダクタ３５６の幅５３０は約１５２ミクロンとすることができる。
The
様々な多層フィルタ（上記で説明した多層フィルタ３００、６００、８００、１０００を含む）は、以下のパスバンド周波数範囲、および以下の平方ミリメートル（ｍｍ２）単位のそれぞれの容量性エリアを有するように構成することができる。
Various multi-layer filters, including the
誘電体層の厚みは、通常、約１８０マイクロメートル（「ミクロン」）未満とすることができる。例えば、いくつかの実施形態では、第２の層３０４、６３２、８３２、１０３２は、約６０マイクロメートル（６０ミクロン）の厚みとすることができる。第３の層３０４、６３６、８３６、１０３６は、約２０マイクロメートル（２０ミクロン）の厚みとすることができる。第４の層３０８、６４０、８４０、１０４０は、約６０マイクロメートル（６０ミクロン）の厚みとすることができる。
The thickness of the dielectric layer can typically be less than about 180 micrometers (“microns”). For example, in some embodiments, the
いくつかの実施形態では、フィルタの全体長さは、４．３ｍｍとすることができる。全体幅は約４ｍｍとすることができる。全体厚は約２３０マイクロメートル（２３０ミクロン）とすることができる。 In some embodiments, the total length of the filter can be 4.3 mm. The overall width can be about 4 mm. The total thickness can be about 230 micrometers (230 microns).
図１２～図１７は、様々なフィルタのための試験結果およびシミュレーションデータを表す。図１２を参照すると、本開示の態様による多層フィルタが構築され試験された。測定された挿入損失（Ｓ２１）値および測定されたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～４５ＧＨｚでプロットされている。シミュレートされた挿入損失（Ｓ２１）値およびシミュレートされたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～３５ＧＨｚでプロットされている。測定パスバンドは、約１３．２ＧＨｚ～約１５．８ＧＨｚである。 12-17 represent test results and simulation data for various filters. With reference to FIG. 12, a multilayer filter according to the embodiment of the present disclosure was constructed and tested. The measured insertion loss (S 21 ) and return loss (S 11 ) values are plotted from 0 GHz to 45 GHz. The simulated insertion loss (S 21 ) and simulated return loss (S 11 ) values are plotted from 0 GHz to 35 GHz. The measurement passband is from about 13.2 GHz to about 15.8 GHz.
図１３を参照すると、本開示の態様による多層フィルタが構築され、試験された。測定された挿入損失（Ｓ２１）値および測定されたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～４５ＧＨｚでプロットされている。シミュレートされた挿入損失（Ｓ２１）値およびシミュレートされたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～３５ＧＨｚでプロットされている。パスバンドは約１６．１ＧＨｚ～約１８．２ＧＨｚである。 With reference to FIG. 13, a multilayer filter according to the aspects of the present disclosure was constructed and tested. The measured insertion loss (S 21 ) and return loss (S 11 ) values are plotted from 0 GHz to 45 GHz. The simulated insertion loss (S 21 ) and simulated return loss (S 11 ) values are plotted from 0 GHz to 35 GHz. The passband is from about 16.1 GHz to about 18.2 GHz.
図１４を参照すると、図３Ａ～図４Ｅを参照して上記で説明した多層フィルタ３００のシミュレートおよび構築の双方が行われ、物理的に試験された。測定された挿入損失（Ｓ２１）値および測定されたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～４５ＧＨｚでプロットされている。シミュレートされた挿入損失（Ｓ２１）値およびシミュレートされたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～３５ＧＨｚでプロットされている。パスバンドは約１７．０ＧＨｚ～約２１．２ＧＨｚである。
With reference to FIG. 14, both simulation and construction of the
図１５を参照すると、図６Ａ～図７Ｄを参照して上記で説明した多層フィルタ６００がシミュレートされた。シミュレートされた挿入損失（Ｓ２１）値およびシミュレートされたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～５０ＧＨｚでプロットされている。パスバンドは約２４．６ＧＨｚ～約２７．８ＧＨｚである。
Referring to FIG. 15, the
図１６を参照すると、図８Ａ～図９Ｄを参照して上記で説明した多層フィルタ８００がシミュレートされた。シミュレートされた挿入損失（Ｓ２１）値およびシミュレートされたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～５５ＧＨｚでプロットされている。パスバンドは約３４．６ＧＨｚ～約３７．４ＧＨｚである。
With reference to FIG. 16, the
図１７を参照すると、図１０Ａ～図１１Ｄを参照して上記で説明した多層フィルタ１０００がシミュレートされた。シミュレートされた挿入損失（Ｓ２１）値およびシミュレートされたリターン損失（Ｓ１１）値が０ＧＨｚ～７０ＧＨｚでプロットされている。パスバンドは約４２．９ＧＨｚ～約４６．６ＧＨｚである。
試験方法
図１８を参照すると、本開示の態様によれば、試験アセンブリ１８００を用いて、高周波数多層フィルタ１８０２の挿入損失およびリターン損失等の性能特性を試験することができる。フィルタ１８０２は、試験基板１８０４に実装することができる。入力線１８０６および出力線１８０８は、各々試験基板１８０４に接続された。試験基板１８０４は、入力線１８０６をフィルタ１８０２の入力と電気的に接続し、出力線１８０８をフィルタ１８０２の出力と電気的に接続するマイクロストリップ線１８１０を含むことができる。入力信号が、ソース信号発生器（例えば、１８０６ Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４００シリーズのソース測定ユニット（ＳＭＵ）、例えば、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ ２４１０－Ｃ ＳＭＵ）を用いて入力線に適用され、フィルタ１８０２の結果としての出力が、（例えば、ソース信号発生器を用いて）出力線１８１０８において測定された。これは、フィルタの様々な構成について繰り返された。
With reference to FIG. 17, the
Test Method With reference to FIG. 18, according to aspects of the present disclosure, the
当業者であれば、本開示の趣旨および範囲から逸脱することなく、本開示のこれらのおよび他の変更および変形を行うことができる。加えて、様々な実施形態の態様は、全体的および部分的の双方で入れ替えることができることを理解されたい。更に、当業者であれば、上記の説明が例示の目的にすぎず、添付の特許請求の範囲において更に記載される本開示を限定することを意図しないことを理解するであろう。 One of ordinary skill in the art may make these and other modifications and variations of this disclosure without departing from the spirit and scope of this disclosure. In addition, it should be understood that the various embodiments can be interchanged both in whole and in part. Further, one of ordinary skill in the art will appreciate that the above description is for illustrative purposes only and is not intended to limit the disclosure further described in the appended claims.
Claims (26)
複数の誘電体層と、
入力および出力を有する信号経路と、
第１の誘電体層の上に形成される導電層を備えるインダクタであって、前記インダクタは、第１のロケーションにおいて前記信号経路と電気的に接続され、第２のロケーションにおいて前記信号経路またはグラウンドのうちの少なくとも一方と電気的に接続される、インダクタと、
第１の電極と、前記第１の電極から第２の誘電体層によって離間されたおよび第２の電極とを備えるコンデンサと、
を備え、
前記多層フィルタは、約８ＧＨｚよりも高い特性周波数を有する、高周波数多層フィルタ。 High frequency multi-layer filter
With multiple dielectric layers,
Signal paths with inputs and outputs, and
An inductor comprising a conductive layer formed on top of a first dielectric layer, wherein the inductor is electrically connected to the signal path at the first location and the signal path or ground at the second location. With an inductor that is electrically connected to at least one of
A capacitor comprising a first electrode and a second electrode separated from the first electrode by a second dielectric layer.
Equipped with
The multilayer filter is a high frequency multilayer filter having a characteristic frequency higher than about 8 GHz.
前記インダクタの前記導電層が上に形成される前記誘電体層に形成されたビアであって、前記ビアは前記インダクタおよび前記更なる導電層に電気的に接続される、ビアと、
を更に備える、請求項１２に記載の高周波数多層フィルタ。 An additional conductive layer formed on another of the plurality of dielectric layers,
A via formed on the dielectric layer on which the conductive layer of the inductor is formed, wherein the via is electrically connected to the inductor and the further conductive layer.
12. The high frequency multilayer filter according to claim 12.
第１の誘電体層上に導電層を備えるインダクタを形成するステップと、
第１の電極と、前記第１の電極から第２の誘電体層によって離間されたおよび第２の電極とを備えるコンデンサを形成するステップと、
第１のロケーションにおいて、前記インダクタを信号経路と電気的に接続する第１のビアを形成するステップと、
第２のロケーションにおいて、前記インダクタを前記信号経路またはグラウンドプレーンのうちの少なくとも一方と電気的に接続する第２のビアを形成するステップと、
を含み、
前記多層フィルタは、約８ＧＨｚよりも高い特性周波数を有する、方法。 A method of forming a high frequency multilayer filter,
The step of forming an inductor having a conductive layer on the first dielectric layer,
A step of forming a capacitor comprising a first electrode and a second electrode separated from the first electrode by a second dielectric layer.
In the first location, the step of forming a first via that electrically connects the inductor to the signal path,
At the second location, the step of forming a second via that electrically connects the inductor to at least one of the signal path or the ground plane.
Including
The method, wherein the multilayer filter has a characteristic frequency higher than about 8 GHz.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2024021201A JP2024056900A (en) | 2018-12-20 | 2024-02-15 | High Frequency Multilayer Filters |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201862782464P | 2018-12-20 | 2018-12-20 | |
| US62/782,464 | 2018-12-20 | ||
| PCT/US2019/067083 WO2020132011A1 (en) | 2018-12-20 | 2019-12-18 | High frequency multilayer filter |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024021201A Division JP2024056900A (en) | 2018-12-20 | 2024-02-15 | High Frequency Multilayer Filters |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2022515134A true JP2022515134A (en) | 2022-02-17 |
Family
ID=71098093
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021535593A Pending JP2022515134A (en) | 2018-12-20 | 2019-12-18 | High frequency multilayer filter |
| JP2024021201A Pending JP2024056900A (en) | 2018-12-20 | 2024-02-15 | High Frequency Multilayer Filters |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2024021201A Pending JP2024056900A (en) | 2018-12-20 | 2024-02-15 | High Frequency Multilayer Filters |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11114993B2 (en) |
| JP (2) | JP2022515134A (en) |
| CN (1) | CN113228504A (en) |
| DE (1) | DE112019006358T5 (en) |
| TW (1) | TWI799671B (en) |
| WO (1) | WO2020132011A1 (en) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7355827B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-10-03 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | Multilayer electronic device with capacitors with precisely controlled capacitive areas |
| CN113196561B (en) | 2018-12-20 | 2022-08-23 | 京瓷Avx元器件公司 | Multi-layer filter including echo signal reducing protrusions |
| WO2020132179A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer filter including a capacitor connected with at least two vias |
| WO2020132187A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer electronic device including a high precision inductor |
| TWI776290B (en) * | 2020-11-27 | 2022-09-01 | 財團法人工業技術研究院 | Capacitor and filter and redistribution layer structure including the same |
| CN112953455B (en) * | 2021-02-22 | 2023-11-07 | 安徽安努奇科技有限公司 | filter structure |
| CN113381715A (en) * | 2021-06-21 | 2021-09-10 | 安徽安努奇科技有限公司 | 3D filter circuit and 3D filter |
| CN117294269B (en) * | 2023-11-27 | 2024-03-26 | 华南理工大学 | Integrated capacitive band-pass filter |
Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136644A (en) * | 1991-11-11 | 1993-06-01 | Tdk Corp | Lc resonator |
| JPH05311010A (en) * | 1992-05-07 | 1993-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | High-permittivity composite substrate |
| JP2002203720A (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Tdk Corp | Composite electronic part containing inductor and its manufacturing method |
| JP2002217667A (en) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Laminated lc filter |
| JP2006121445A (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Layered filter |
| JP2008042433A (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Toko Inc | Multilayer high-pass filter |
| JP2008527808A (en) * | 2005-01-04 | 2008-07-24 | Ｔｄｋ株式会社 | Multiplexer using bandpass filter structure |
| JP2009177766A (en) * | 2007-06-22 | 2009-08-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | Filter circuit and filter circuit device, and multilayered circuit board, and circuit module each including the filter circuit |
| JP2010011030A (en) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Kyocera Corp | Band-pass filter, radio communication module using the same, and radio communication apparatus |
| JP2010114899A (en) * | 2004-02-23 | 2010-05-20 | Georgia Tech Research Corp | Liquid crystalline polymer and multilayer polymer-based passive signal processing components for radio frequency/wireless multi-band applications |
| JP2010147320A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Alps Electric Co Ltd | High frequency circuit module |
| JP2010239250A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | Band pass filter |
| WO2016136295A1 (en) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社村田製作所 | Electronic component |
| WO2016152206A1 (en) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 株式会社村田製作所 | Diplexer |
Family Cites Families (67)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE69320521T2 (en) | 1992-04-16 | 1999-02-25 | Murata Manufacturing Co | Low pass high frequency filter |
| JP4121550B2 (en) | 1998-07-01 | 2008-07-23 | 日本ポリプロ株式会社 | Hot melt adhesive composition |
| JP3395754B2 (en) | 2000-02-24 | 2003-04-14 | 株式会社村田製作所 | Dual-mode bandpass filter |
| JP2001345661A (en) * | 2000-05-31 | 2001-12-14 | Kyocera Corp | High frequency circuit board |
| JP3567885B2 (en) | 2000-11-29 | 2004-09-22 | 株式会社村田製作所 | Laminated LC filter |
| DE10064445A1 (en) | 2000-12-22 | 2002-07-11 | Epcos Ag | Electrical multilayer component and arrangement with the component |
| JP2003068571A (en) | 2001-08-27 | 2003-03-07 | Nec Corp | Variable capacitor, variable inductor, and high frequency circuit module provided therewith |
| US7239219B2 (en) | 2001-12-03 | 2007-07-03 | Microfabrica Inc. | Miniature RF and microwave components and methods for fabricating such components |
| JP2003198308A (en) | 2001-12-25 | 2003-07-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Stacked lc filter |
| US6734755B2 (en) | 2002-05-16 | 2004-05-11 | Corning Incorporated | Broadband uniplanar coplanar transition |
| US6900708B2 (en) | 2002-06-26 | 2005-05-31 | Georgia Tech Research Corporation | Integrated passive devices fabricated utilizing multi-layer, organic laminates |
| AU2003280468A1 (en) | 2002-06-27 | 2004-01-19 | Memgen Corporation | Miniature rf and microwave components and methods for fabricating such components |
| JP2004304761A (en) | 2003-03-18 | 2004-10-28 | Murata Mfg Co Ltd | Chip-like resonant component |
| DE10335331A1 (en) | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Epcos Ag | Electrical component with overlapping electrodes especially for a thin film bulk acoustic wave resonator, has overlapping surfaces that are invariable on relative displacement |
| JP3866231B2 (en) | 2003-09-04 | 2007-01-10 | Ｔｄｋ株式会社 | Multilayer bandpass filter |
| JP2005109951A (en) | 2003-09-30 | 2005-04-21 | Sony Corp | Resonator and dielectric filter |
| US6970057B2 (en) | 2004-04-02 | 2005-11-29 | Chi Mei Communication Systems, Inc. | Lowpass filter formed in a multi-layer ceramic |
| CN101061762A (en) | 2004-11-19 | 2007-10-24 | 松下电器产业株式会社 | Multilayer substrate with built-in capacitor, method for manufacturing same, and cold cathode tube lighting device |
| JP4539422B2 (en) | 2005-04-27 | 2010-09-08 | 株式会社村田製作所 | Chip-type multistage filter device |
| JP4523478B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-08-11 | 京セラ株式会社 | Band-pass filter, high-frequency module, and wireless communication device using the same |
| JP4246716B2 (en) | 2005-05-02 | 2009-04-02 | Ｔｄｋ株式会社 | Multilayer filter |
| WO2006134916A1 (en) | 2005-06-13 | 2006-12-21 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Multilayer filter |
| US7312676B2 (en) | 2005-07-01 | 2007-12-25 | Tdk Corporation | Multilayer band pass filter |
| JP4441886B2 (en) | 2006-03-31 | 2010-03-31 | Ｔｄｋ株式会社 | High frequency module |
| JP2008004768A (en) | 2006-06-22 | 2008-01-10 | Tdk Corp | Manufacturing method of multilayer electronic component |
| JP2008099060A (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Taiyo Yuden Co Ltd | Laminated dielectric band pass filter |
| DE102007020783A1 (en) | 2007-05-03 | 2008-11-06 | Epcos Ag | Electrical multilayer component |
| TW200908430A (en) | 2007-05-18 | 2009-02-16 | Murata Manufacturing Co | Stacked bandpass filter |
| US20090027141A1 (en) | 2007-06-22 | 2009-01-29 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Filter circuit, filter circuit device, multilayered circuit board, and circuit module each including the filter circuit |
| WO2009052621A1 (en) | 2007-10-22 | 2009-04-30 | D-Wave Systems Inc. | Systems, methods, and apparatus for electrical filters and input/output systems |
| DE112008002922B4 (en) | 2007-11-05 | 2018-04-26 | Murata Mfg. Co., Ltd. | Chip type filter component |
| EP2068393A1 (en) | 2007-12-07 | 2009-06-10 | Panasonic Corporation | Laminated RF device with vertical resonators |
| JP4995231B2 (en) | 2008-05-30 | 2012-08-08 | キヤノン株式会社 | Optical filter |
| CN102119485B (en) | 2008-08-11 | 2014-03-26 | 日立金属株式会社 | Band-pass filter, high-frequency part, and communication device |
| US8446705B2 (en) | 2008-08-18 | 2013-05-21 | Avx Corporation | Ultra broadband capacitor |
| JP2010074825A (en) | 2008-08-20 | 2010-04-02 | Panasonic Corp | Multi-layered device and electronic equipment using the same |
| TWI394189B (en) | 2009-06-04 | 2013-04-21 | Ind Tech Res Inst | Capacitor substrate structure |
| JP5035319B2 (en) | 2009-10-23 | 2012-09-26 | Ｔｄｋ株式会社 | Multilayer capacitor |
| US9142342B2 (en) | 2010-05-17 | 2015-09-22 | Ronald Lambert Haner | Compact-area capacitive plates for use with spiral inductors having more than one turn |
| TWI442622B (en) | 2010-11-11 | 2014-06-21 | Murata Manufacturing Co | Laminated bandpass filter |
| CN102354777A (en) | 2011-07-18 | 2012-02-15 | 西安瓷芯电子科技有限责任公司 | LTCC (Low Temperature Co-fired Ceramic) lowpass filter |
| EP2618421A1 (en) | 2012-01-19 | 2013-07-24 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Surface Mount Microwave System |
| WO2014050239A1 (en) | 2012-09-28 | 2014-04-03 | 株式会社村田製作所 | Impedance conversion circuit and antenna device |
| KR20140071724A (en) | 2012-12-04 | 2014-06-12 | 삼성전기주식회사 | Multi-layered ceramic electronic component |
| KR20140081360A (en) | 2012-12-21 | 2014-07-01 | 삼성전기주식회사 | Multi-layered ceramic capacitor, manufacturing method of the same and circuit board for mounting the same |
| US20150296617A1 (en) | 2014-04-09 | 2015-10-15 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Interposer frame with polymer matrix and methods of fabrication |
| US10014843B2 (en) | 2013-08-08 | 2018-07-03 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Multilayer electronic structures with embedded filters |
| US9349788B2 (en) | 2013-08-08 | 2016-05-24 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co. Ltd. | Thin film capacitors embedded in polymer dielectric |
| US9240392B2 (en) | 2014-04-09 | 2016-01-19 | Zhuhai Advanced Chip Carriers & Electronic Substrate Solutions Technologies Co., Ltd. | Method for fabricating embedded chips |
| KR102273027B1 (en) | 2014-06-09 | 2021-07-05 | 삼성전자주식회사 | Method and apparatus for generating image data using a region of interest which is determined by position information |
| KR101640907B1 (en) | 2015-03-17 | 2016-07-20 | 주식회사 모다이노칩 | Laminated chip device |
| JP6578719B2 (en) * | 2015-04-14 | 2019-09-25 | Tdk株式会社 | Multilayer composite electronic components including coils and capacitors |
| KR20170004238A (en) | 2015-07-01 | 2017-01-11 | 주식회사 이엠따블유 | Wide-band module and communication device including the same |
| JP6380315B2 (en) * | 2015-09-26 | 2018-08-29 | 株式会社村田製作所 | Multilayer LC filter |
| JP6504021B2 (en) | 2015-11-04 | 2019-04-24 | 株式会社村田製作所 | Electronic parts |
| US10063211B2 (en) | 2016-02-03 | 2018-08-28 | Qualcomm Incorporated | Compact bypass and decoupling structure for millimeter-wave circuits |
| JP6547707B2 (en) * | 2016-07-29 | 2019-07-24 | 株式会社村田製作所 | Layered filter |
| JP2018067612A (en) | 2016-10-19 | 2018-04-26 | Tdk株式会社 | Differential transmission circuit |
| US10389329B2 (en) | 2017-02-03 | 2019-08-20 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Multilayer electronic component and multilayer LC filter |
| US10283566B2 (en) | 2017-06-01 | 2019-05-07 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device with through-stack contact via structures and method of making thereof |
| JP6791107B2 (en) | 2017-12-08 | 2020-11-25 | 株式会社村田製作所 | Stacked band pass filter |
| JP2019205122A (en) | 2018-05-25 | 2019-11-28 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | Semiconductor device |
| JP7355827B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-10-03 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | Multilayer electronic device with capacitors with precisely controlled capacitive areas |
| WO2020132187A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer electronic device including a high precision inductor |
| WO2020132179A1 (en) | 2018-12-20 | 2020-06-25 | Avx Corporation | Multilayer filter including a capacitor connected with at least two vias |
| CN113196561B (en) | 2018-12-20 | 2022-08-23 | 京瓷Avx元器件公司 | Multi-layer filter including echo signal reducing protrusions |
| JP7268161B2 (en) | 2018-12-20 | 2023-05-02 | キョーセラ・エイブイエックス・コンポーネンツ・コーポレーション | Multilayer filter with low inductance via assembly |
-
2019
- 2019-12-18 JP JP2021535593A patent/JP2022515134A/en active Pending
- 2019-12-18 CN CN201980085138.7A patent/CN113228504A/en active Pending
- 2019-12-18 DE DE112019006358.8T patent/DE112019006358T5/en active Pending
- 2019-12-18 US US16/718,250 patent/US11114993B2/en active Active
- 2019-12-18 WO PCT/US2019/067083 patent/WO2020132011A1/en active Application Filing
- 2019-12-20 TW TW108147095A patent/TWI799671B/en active
-
2021
- 2021-08-30 US US17/460,729 patent/US11838002B2/en active Active
-
2024
- 2024-02-15 JP JP2024021201A patent/JP2024056900A/en active Pending
Patent Citations (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH05136644A (en) * | 1991-11-11 | 1993-06-01 | Tdk Corp | Lc resonator |
| JPH05311010A (en) * | 1992-05-07 | 1993-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | High-permittivity composite substrate |
| JP2002203720A (en) * | 2000-12-28 | 2002-07-19 | Tdk Corp | Composite electronic part containing inductor and its manufacturing method |
| JP2002217667A (en) * | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Sumitomo Metal Electronics Devices Inc | Laminated lc filter |
| JP2010114899A (en) * | 2004-02-23 | 2010-05-20 | Georgia Tech Research Corp | Liquid crystalline polymer and multilayer polymer-based passive signal processing components for radio frequency/wireless multi-band applications |
| JP2006121445A (en) * | 2004-10-21 | 2006-05-11 | Ngk Spark Plug Co Ltd | Layered filter |
| JP2008527808A (en) * | 2005-01-04 | 2008-07-24 | Ｔｄｋ株式会社 | Multiplexer using bandpass filter structure |
| JP2008042433A (en) * | 2006-08-04 | 2008-02-21 | Toko Inc | Multilayer high-pass filter |
| JP2009177766A (en) * | 2007-06-22 | 2009-08-06 | Taiyo Yuden Co Ltd | Filter circuit and filter circuit device, and multilayered circuit board, and circuit module each including the filter circuit |
| JP2010011030A (en) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Kyocera Corp | Band-pass filter, radio communication module using the same, and radio communication apparatus |
| JP2010147320A (en) * | 2008-12-19 | 2010-07-01 | Alps Electric Co Ltd | High frequency circuit module |
| JP2010239250A (en) * | 2009-03-30 | 2010-10-21 | Kyocera Corp | Band pass filter |
| WO2016136295A1 (en) * | 2015-02-23 | 2016-09-01 | 株式会社村田製作所 | Electronic component |
| WO2016152206A1 (en) * | 2015-03-25 | 2016-09-29 | 株式会社村田製作所 | Diplexer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2024056900A (en) | 2024-04-23 |
| TW202042502A (en) | 2020-11-16 |
| WO2020132011A1 (en) | 2020-06-25 |
| US11838002B2 (en) | 2023-12-05 |
| DE112019006358T5 (en) | 2021-10-28 |
| TWI799671B (en) | 2023-04-21 |
| US20200204141A1 (en) | 2020-06-25 |
| CN113228504A (en) | 2021-08-06 |
| US11114993B2 (en) | 2021-09-07 |
| US20210391842A1 (en) | 2021-12-16 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2022515134A (en) | High frequency multilayer filter | |
| JP7268161B2 (en) | Multilayer filter with low inductance via assembly | |
| JP7288055B2 (en) | Multilayer filter comprising a capacitor connected with at least two vias | |
| JP7288056B2 (en) | Multilayer electronic devices containing precision inductors | |
| JP7355827B2 (en) | Multilayer electronic device with capacitors with precisely controlled capacitive areas | |
| JP2022513526A (en) | Multilayer filter with protrusions to reduce return signal |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A524 | Written submission of copy of amendment under article 19 pct |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A525 Effective date: 20210813 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210813 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20220908 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220927 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20221223 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20230417 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20230714 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20231017 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20240215 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20240221 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20240329 |