JP2022165932A - 発光ダイオードコンポーネント及び発光ダイオード回路 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2021年4月20日付けで出願された米国仮特許出願第63/177,345号及び2022年3月30日付けで出願された台湾特許出願第111112306号の優先権を主張し、これらは、引用することによりその全体が本明細書の一部をなす。
Claims (20)
- 基体と、
複数のP-Nダイオード構造であって、互いに直列に結合され、互いに横方向に隣接して配置され、且つ前記基体上に集積される、複数のP-Nダイオード構造と、
を有する、発光ダイオードコンポーネントであって、
前記複数のP-Nダイオード構造は、複数のp型ドーピング層と複数のn型ドーピング層とを有し、前記複数のp型ドーピング層及び前記複数のn型ドーピング層は、対応して前記基体上に配置され、
前記複数のP-Nダイオード構造のうちの第1のP-Nダイオード構造は、前記複数のp型ドーピング層のうちの1つのp型ドーピング層を含み、前記複数のP-Nダイオード構造のうちの第2のP-Nダイオード構造は、前記複数のp型ドーピング層のうちの1つのn型ドーピング層を含み、前記第1のP-Nダイオード構造の前記p型ドーピング層は、前記第2のP-Nダイオード構造の前記n型ドーピング層に電気的に結合され、前記第2のP-Nダイオードは、前記第1のP-Nダイオードに隣接する、発光ダイオードコンポーネント。 - 前記複数のP-Nダイオード構造における対応するp型ドーピング層に電気的に結合される、複数の第1の電極パッドと、
前記複数のP-Nダイオード構造における対応するn型ドーピング層に電気的に結合される、複数の第2の電極パッドと、
を更に有する、請求項1に記載の発光ダイオードコンポーネント。 - 前記複数の第2の電極パッドのm番目の第2の電極パッドは、前記複数の第1の電極パッドの(m+1)番目の第1の電極パッドに電気的に結合され、ここでmは1よりも大きな整数である、請求項2に記載の発光ダイオードコンポーネント。
- 前記複数の第2の電極パッドの前記m番目の第2の電極パッドは、相互接続構造を通して、前記複数の第1の電極パッドの前記(m+1)番目の第1の電極パッドに電気的に結合された、請求項3に記載の発光ダイオードコンポーネント。
- 前記複数の第1の電極パッドのうちの隣接する2つの第1の電極パッドは、互いから約3μm~300μmだけ離隔され、前記複数の第2の電極パッドのうちの隣接する2つの第2の電極パッドは、互いから約3μm~300μmだけ離隔される、請求項2に記載の発光ダイオードコンポーネント。
- 前記複数の第1の電極パッド及び前記複数の第2の電極パッドは、全て独立した電極として露出している、請求項2に記載の発光ダイオードコンポーネント。
- 前記複数の第1の電極パッドのそれぞれは、複数のトランジスタのうちの1つに電気的に結合される、請求項2に記載の発光ダイオードコンポーネント。
- 前記複数の第1の電極パッドの1つは、前記複数のトランジスタの対応する1つから基準電圧を受けるよう構成される、請求項7に記載の発光ダイオードコンポーネント。
- 前記複数の第1の電極パッドのm番目の第1の電極パッドが、前記複数のトランジスタのうちの対応する1つから基準電圧を受けたことに応答して、前記複数のP-Nダイオード構造の、m番目のP-Nダイオード構造からn番目のP-Nダイオード構造までが導通し、発光するよう構成され、
m及びnは1よりも大きい整数であり、mはn以下である、請求項7に記載の発光ダイオードコンポーネント。 - 前記複数のp型ドーピング層は、前記複数のn型ドーピング層と前記基体との間に配置され、前記複数のP-Nダイオード構造のうちの隣接する2つのP-Nダイオード構造のうちの一方の前記p型ドーピング層は、相互接続構造を通して、前記複数のP-Nダイオード構造のうちの前記隣接する2つのP-Nダイオード構造のうちの他方の前記n型ドーピング層に電気的に結合される、請求項2に記載の発光ダイオードコンポーネント。
- 表示装置における発光ダイオード回路であって、
複数のトランジスタであって、該複数のトランジスタの第1の端子が、互いに電気的に結合され、第1の基準電圧を受けるよう構成される、複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタと第2の基準電圧との間に電気的に結合される、発光ダイオードコンポーネントであって、複数のP-Nダイオードを有し、前記複数のP-Nダイオードは、互いに直列に結合され、且つ単一のチップ上に集積される、発光ダイオードコンポーネントと、
を有し、
前記複数のトランジスタは、前記発光ダイオードコンポーネントを駆動して発光させるよう構成され、前記複数のトランジスタのうちのそれぞれの第2の端子は、前記複数のP-Nダイオードのうちの対応する1つの陽極に電気的に結合される、発光ダイオード回路。 - 前記複数のトランジスタのm番目のトランジスタのゲート端子が、ゲート駆動信号を受信したことに応答して、前記m番目のトランジスタが、前記複数のP-Nダイオードのm番目のP-Nダイオードに前記第1の基準電圧を伝達して、前記複数のP-Nダイオードの前記m番目のP-Nダイオードからn番目のP-Nダイオードまでを駆動して発光させるよう構成され、ここでm及びnは1よりも大きい整数であり、mはn以下である、請求項11に記載の発光ダイオード回路。
- 前記複数のP-Nダイオードのm番目のP-Nダイオードに欠陥が生じたことに応答して、前記複数のトランジスタの(m+1)番目のトランジスタのゲート端子が、ゲート駆動信号を受信するよう構成され、前記(m+1)番目のトランジスタが、前記複数のP-Nダイオードの(m+1)番目のP-Nダイオードに前記第1の基準電圧を伝達するよう構成される、請求項11に記載の発光ダイオード回路。
- 前記複数のトランジスタは、複数の異なるゲート駆動信号に応答して順次にオンにされ、前記複数のP-Nダイオードのうち少なくとも1つを駆動して発光させるよう構成される、請求項11に記載の発光ダイオード回路。
- 前記発光ダイオードコンポーネントは、複数の電極パッドを有し、前記複数の電極パッドのそれぞれは、前記複数のP-Nダイオードのうちの対応する1つの陰極又は陽極と、前記複数のトランジスタの対応する1つとの間に電気的に結合され、前記複数の電極パッドは、独立した電極として露出している、請求項11に記載の発光ダイオード回路。
- 前記発光ダイオードコンポーネントは、少なくとも1つの相互接続構造を更に有し、前記複数の電極パッドのうち少なくとも2つは、前記少なくとも1つの相互接続構造を通して直列に結合される、請求項15に記載の発光ダイオード回路。
- 前記発光ダイオードコンポーネントは、基体を更に有し、前記発光ダイオードコンポーネントの前記複数のP-Nダイオードは、前記基体上に集積される、請求項11に記載の発光ダイオード回路。
- 前記複数のP-Nダイオードは、複数のp型ドーピング層と複数のn型ドーピング層とを有し、前記複数のp型ドーピング層及び前記複数のn型ドーピング層は、対応して前記基体上に配置される、請求項17に記載の発光ダイオード回路。
- 前記複数のP-Nダイオードのうちの第1のP-Nダイオードの前記p型ドーピング層は、前記複数のP-Nダイオードのうちの第2のP-Nダイオードの前記n型ドーピング層に電気的に結合され、前記第2のP-Nダイオードは、前記第1のP-Nダイオードに隣接する、請求項18に記載の発光ダイオード回路。
- 前記発光ダイオードコンポーネントは、
前記複数のP-Nダイオードにおける対応するp型ドーピング層に電気的に結合される、複数の第1の電極パッドと、
前記複数のP-Nダイオードにおける対応するn型ドーピング層に電気的に結合される、複数の第2の電極パッドと、
を更に有する、請求項18に記載の発光ダイオード回路。
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