JP2022164407A - 金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物 - Google Patents

金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物 Download PDF

Info

Publication number
JP2022164407A
JP2022164407A JP2021069877A JP2021069877A JP2022164407A JP 2022164407 A JP2022164407 A JP 2022164407A JP 2021069877 A JP2021069877 A JP 2021069877A JP 2021069877 A JP2021069877 A JP 2021069877A JP 2022164407 A JP2022164407 A JP 2022164407A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
carbon atoms
group
particles
represented
compound
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021069877A
Other languages
English (en)
Inventor
日淳 廖
Yuehchun Liao
道仁 高橋
Michihito Takahashi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Original Assignee
Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd filed Critical Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority to JP2021069877A priority Critical patent/JP2022164407A/ja
Priority to PCT/JP2022/013105 priority patent/WO2022220023A1/ja
Priority to CN202280028143.6A priority patent/CN117203215A/zh
Priority to KR1020237036572A priority patent/KR20230159598A/ko
Priority to TW111113169A priority patent/TW202306960A/zh
Publication of JP2022164407A publication Critical patent/JP2022164407A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C07F7/1804—Compounds having Si-O-C linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00—Compounds of titanium
    • C01G23/04—Oxides; Hydroxides
    • C01G23/047—Titanium dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F19/00—Metal compounds according to more than one of main groups C07F1/00 - C07F17/00
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/02—Silicon compounds
    • C07F7/08—Compounds having one or more C—Si linkages
    • C07F7/18—Compounds having one or more C—Si linkages as well as one or more C—O—Si linkages
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic System
    • C07F7/28—Titanium compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F9/00—Compounds containing elements of Groups 5 or 15 of the Periodic System
    • C07F9/02—Phosphorus compounds
    • C07F9/28—Phosphorus compounds with one or more P—C bonds
    • C07F9/30—Phosphinic acids R2P(=O)(OH); Thiophosphinic acids, i.e. R2P(=X)(XH) (X = S, Se)
    • C07F9/32—Esters thereof

Abstract

【課題】分散性及び屈折率に優れる粒子を与えるキャッピング剤として用いられる化合物、該化合物で表面が被覆された粒子、その製造方法、及び該粒子を含む分散組成物を提供する。【解決手段】本発明に係る化合物は、式（１）で表される構造を有する。式中、Ｒ１は炭素原子数１～３０の有機基、Ｒ２はＯＲ３で表される基又は式（２）で表される基、Ｒ３は炭素原子数１～３０の有機基、ｎ１及びｎ２は０以上の整数、ｎ１＋２×ｎ２はＬの種類により決まる価数、Ｌはアルミニウム、ガリウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、バナジウム、又はタンタル、＊は結合手、Ｒ４及びＲ５は酸素原子を有していてもよい炭素原子数１～３０の有機基を表す。本発明に係る粒子は、式（１）で表される構造を表面に有する。TIFF2022164407000027.tif27143【選択図】なし

Description

本発明は、金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物に関する。
光学部材の形成に、高屈折率材料が用いられている。高屈折率材料として、例えば、酸化ジルコニウム等の金属酸化物粒子を有機成分に分散させた組成物が用いられている。金属酸化物粒子の分散性を向上させるための方法として、金属酸化物粒子の表面をキャッピング剤でキャップする方法が知られている。キャッピング剤としては、例えば、ｎ－プロピルトリメトキシシラン等のオルガノシランが公知である（特許文献１参照）。
特許第６６９８５９１号公報
近年、光学部材に求められる性能が向上していることに伴い、高屈折率材料に求められる屈折率も向上している。
本発明は、このような従来の実情に鑑みてなされたものであり、分散性及び屈折率に優れる粒子を与えるキャッピング剤として用いられる化合物、該化合物で表面が被覆された粒子、その製造方法、及び該粒子を含む分散組成物を提供することを目的とする。
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を重ねた。その結果、所定の金属含有シリルオキシ化合物により上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成するに至った。具体的には、本発明は以下のものを提供する。
本発明の第一の態様は、下記式（１）で表される構造を有する化合物である。
Figure 2022164407000001
 （式中、
Ｒ１は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
Ｒ２は、ＯＲ３で表される基、又は下記式（２）で表される基を表し、
Ｒ３は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、但し、ｎ１＋２×ｎ２は、Ｌの種類により決まる価数であり、
Ｌは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、バナジウム、又はタンタルを表し、
＊は結合手を表す。）
Figure 2022164407000002
 （式中、Ｒ４及びＲ５は、酸素原子を有していてもよい炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
本発明の第二の態様は、上記式（１）で表される構造を表面に有する粒子である。
本発明の第三の態様は、上記粒子を含む、分散組成物である。
本発明の第四の態様は、上記式（１）で表される構造を表面に有する粒子の製造方法であって、
前記製造方法は、
水酸基を表面に有する粒子を、下記式（３０）で表される化合物と反応させて、上記式（１）で表される構造を表面に有する粒子を得る粒子被覆工程
を有し、又は、
前記製造方法は、
水酸基を表面に有する粒子を、下記式（４）で表される化合物と反応させて、下記式（５）で表される構造を表面に有する粒子を得る第一の反応工程と、
第一の反応工程で得た粒子を、下記式（６）で表される化合物と反応させて、上記式（１）で表される構造を表面に有する粒子を得る第二の反応工程と、
を有する
製造方法。
Figure 2022164407000003
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、及びＬは、前記の通りであり、Ｒ６０及びＲ７０は、炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
Figure 2022164407000004
 （式中、Ｒ１、Ｒ６０、及びＲ７０は、前記の通りであり、Ｒ８は、炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
Figure 2022164407000005
 （式中、Ｒ１及びＲ８は、前記の通りである。）
Ｒ９Ｏ－Ｌ（Ｒ２）ｎ１（Ｏ）ｎ２ （６）
（式中、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、及びＬは、前記の通りであり、Ｒ９は、炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
本発明によれば、分散性及び屈折率に優れる粒子を与えるキャッピング剤として用いられる化合物、該化合物で表面が被覆された粒子、その製造方法、及び該粒子を含む分散組成物を提供することができる。
＜式（１）で表される構造を有する化合物＞
本発明に係る化合物は、上記式（１）で表される構造を有する。上記化合物は、分散性及び屈折率に優れる粒子を与えるキャッピング剤として用いることができる。
上記式（１）中、Ｒ１が表す炭素原子数１～３０の有機基としては、特に限定されず、例えば、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基が挙げられ、中でも、得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数１～３０のアルキル基又は炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基が好ましい。
Ｒ１が表す炭素原子数１～３０のアルキル基としては、特に限定されず、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基、ｎ－ヘプチル基、ｎ－オクチル基、ｎ－デシル基、ｎ－ドデシル基、ｎ－オクタデシル基、ｎ－イコシル基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数６～２４のアルキル基が好ましく、炭素原子数８～２０のアルキル基がより好ましい。
Ｒ１が表す炭素原子数３～３０のシクロアルキル基としては、特に限定されず、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロデシル基、シクロドデシル基、シクロオクタデシル基、シクロイコシル基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数６～２４のシクロアルキル基が好ましく、炭素原子数８～２０のシクロアルキル基がより好ましい。
Ｒ１が表す炭素原子数２～３０のアルケニル基としては、特に限定されず、例えば、ビニル基、アリル基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数６～２４のアルケニル基が好ましく、炭素原子数８～２０のアルケニル基がより好ましい。
Ｒ１が表す炭素原子数６～３０のアリール基としては、特に限定されず、例えば、フェニル基、ナフチル基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数８～２４のアリール基が好ましく、炭素原子数１０～２０のアリール基がより好ましい。
Ｒ１が表す炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基としては、特に限定されず、例えば、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数６～２４のアルコキシアルキル基が好ましく、炭素原子数８～２０のアルコキシアルキル基がより好ましい。
上記式（１）中、ｎ１が２以上の整数を表す場合、複数個存在するＲ２は、互いに同一でも異なっていてもよい。
上記式（１）中、Ｒ２としては、例えば、ＯＲ３で表され、Ｒ３が前記炭素原子数１～３０のアルキル基、前記炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、前記炭素原子数２～３０のアルケニル基、前記炭素原子数６～３０のアリール基、又は前記炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基である基が挙げられるとともに、炭素原子数５～３０のアルキルアセトアセテート基、２，４－ペンタンジオナト基（即ち、アセチルアセトナト基）、２，２，６，６－テトラメチル－３，５－ヘプタンジオナト基も挙げられる。
Ｒ２が表す前記炭素原子数５～３０のアルキルアセトアセテート基としては、特に限定されず、例えば、メチルアセトアセテート基、エチルアセトアセテート基等が挙げられ、合成容易性及び安定性等の点で、エチルアセトアセテート基が好ましい。
Ｒ２は、得られる粒子の分散性等の点で、上記式（２）で表される基であることが好ましい。
上記式（１）中、Ｌは、得られる粒子の屈折率等の点で、イットリウム、チタン、ジルコニウム、又はハフニウムが好ましく、チタン又はジルコニウムがより好ましい。
上記式（２）中、Ｒ４又はＲ５が表す炭素原子数１～３０の有機基としては、特に限定されず、例えば、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基が挙げられ、得られる粒子の分散性等の点で炭素原子数１～３０のアルキル基又は炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基が好ましい。Ｒ４又はＲ５が酸素原子を有する場合、式（２）中のＰ（＝Ｏ）におけるＰに当該酸素原子が直接結合していることが好ましく、つまり、当該酸素原子を介して炭素原子数１～３０の有機基が前記Ｐに結合していることが好ましく、前述の有機基は、炭素原子数１～３０のアルキル基又は炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基であることが好ましい。式（２）中、Ｒ４及びＲ５がともにＰ（＝Ｏ）におけるＰに直接結合する酸素原子を有していてもよいし、Ｒ４及びＲ５の一方のみが当該酸素原子を有していてもよい。
Ｒ４又はＲ５が表す炭素原子数１～３０のアルキル基としては、特に限定されず、例えば、Ｒ１について具体的に例示した基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数４～１８のアルキル基が好ましく、炭素原子数６～１２のアルキル基がより好ましい。
Ｒ４又はＲ５が表す炭素原子数３～３０のシクロアルキル基としては、特に限定されず、例えば、Ｒ１について具体的に例示した基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数４～１８のシクロアルキル基が好ましく、炭素原子数６～１２のシクロアルキル基がより好ましい。
Ｒ４又はＲ５が表す炭素原子数２～３０のアルケニル基としては、特に限定されず、例えば、Ｒ１について具体的に例示した基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数４～１８のアルケニル基が好ましく、炭素原子数６～１２のアルケニル基がより好ましい。
Ｒ４又はＲ５が表す炭素原子数６～３０のアリール基としては、特に限定されず、例えば、Ｒ１について具体的に例示した基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数６～１８のアリール基が好ましく、炭素原子数６～１２のアリール基がより好ましい。
Ｒ４又はＲ５が表す炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基としては、特に限定されず、例えば、Ｒ１について具体的に例示した基等が挙げられ、上記化合物の合成容易性及び得られる粒子の分散性等の点で、炭素原子数４～１８のアルコキシアルキル基が好ましく、炭素原子数６～１２のアルコキシアルキル基がより好ましい。
上記式（１）で表される構造を有する化合物は、合成容易性及びキャッピング剤としての反応性等の点で、上記式（３）で表されることが好ましく、上記式（３０）で表されることがより好ましい。
上記式（３）中、Ｒ６又はＲ７が表す炭素原子数１～３０の有機基としては、特に限定されず、例えば、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基が挙げられ、それぞれ、Ｒ１について具体的に例示した基が挙げられるが、中でも、炭素原子数１～３０のアルキル基が好ましい。
Ｒ６又はＲ７が表す炭素原子数１～３０のアルキル基としては、特に限定されず、例えば、Ｒ１について具体的に例示した基等が挙げられ、キャッピング剤としての反応性等の点で、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基等の炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましい。
上記式（３０）中、Ｒ６０又はＲ７０が表す炭素原子数１～３０の有機基は、上記式（３）中、Ｒ６又はＲ７が表す炭素原子数１～３０の有機基について説明したのと同様である。
上記式（３）で表される化合物としては、例えば、下記の化合物が挙げられる。
Figure 2022164407000006
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、Ｌ、Ｒ６０、及びＲ７０は、前記の通りである。）
上記式（１）で表される構造を有する化合物の具体例は、以下の通りであるが、これらに限定されるものではない。
Figure 2022164407000007
（式中、Ｒは炭素原子数１～３のアルキレン基を表し、Ｒ’は炭素原子数１～３のアルキル基を表し、ｎは０以上の数、例えば、０以上１０以下の数、好ましくは０以上５以下の数を表す。）
上記式（１）で表される構造を有する化合物は、任意の有機合成反応を用いて製造することができ、例えば、下記スキーム１に従って、製造することができる。
［スキーム１］
Figure 2022164407000008
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、Ｌ、Ｒ８、Ｒ９、及び＊は、前記の通りである。）
スキーム１では、上記式（５）で表される構造を有する化合物と上記式（６）で表される化合物とを、触媒の非存在下又は存在下、水中又は混合溶剤（水と有機溶剤との混合物をいう。以下、同じ）中において、加水分解縮合させて、上記式（１）で表される構造を有する化合物を得る。
触媒は、酸触媒でもアルカリ触媒でもよい。酸触媒としては、例えば、無機酸、脂肪族スルホン酸、芳香族スルホン酸、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられ、具体的には、フッ酸、塩酸、臭化水素酸、硫酸、硝酸、過塩素酸、リン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、シュウ酸、マロン酸、マレイン酸、フマル酸、安息香酸等が挙げられる。アルカリ触媒としては、例えば、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、エチルメチルアミン、トリメチルアミン、トリエチルアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン、シクロヘキシルアミン、ジシクロヘキシルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、ジメチルモノエタノールアミン、モノメチルジエタノールアミン、トリエタノールアミン、ジアザビシクロオクタン、ジアザビシクロシクロノネン、ジアザビシクロウンデセン、ヘキサメチレンテトラミン、アニリン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアニリン、ピリジン、Ｎ，Ｎ－ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジエチルエタノールアミン、Ｎ－（β－アミノエチル）エタノールアミン、Ｎ－メチルエタノールアミン、Ｎ－メチルジエタノールアミン、Ｎ－エチルエタノールアミン、Ｎ－ｎ－ブチルエタノールアミン、Ｎ－ｎ－ブチルジエタノールアミン、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルエタノールアミン、Ｎ－ｔｅｒｔ－ブチルジエタノールアミン、Ｎ，Ｎ－ジメチルアミノピリジン、ピロール、ピペラジン、ピロリジン、ピペリジン、ピコリン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、コリンハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラブチルアンモニウムハイドロオキサイド、アンモニア、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化バリウム、水酸化カルシウム等が挙げられる。
触媒の使用量は、上記式（６）で表される化合物１モルに対して、好ましくは１０－６モル～１０モル、より好ましくは１０－５モル～５モル、更に好ましくは１０－４モル～１モルである。
水の使用量は、上記式（６）で表される化合物におけるＯＲ９で表される基１モル当たり好ましくは０．０１～１００モル、より好ましくは０．０５～５０モル、更に好ましくは０．１～３０モルであり、特に好ましくは、０．５～５モルである。
有機溶剤としては、例えば、メタノール、エタノール、１－プロパノール、２－プロパノール、１－ブタノール、２－ブタノール、２－メチル－１－プロパノール、アセトン、アセトニトリル、テトラヒドロフラン、トルエン、ヘキサン、酢酸エチル、シクロヘキサノン、メチルアミルケトン、ブタンジオールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ブタンジオールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ピルビン酸エチル、酢酸ブチル、３－メトキシプロピオン酸メチル、３－エトキシプロピオン酸エチル、酢酸ｔｅｒｔ－ブチル、プロピオン酸ｔ－ブチル、プロピレングリコールモノｔ－ブチルエーテルアセテート、γ－ブチロラクトン、アセチルアセトン、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、アセト酢酸プロピル、アセト酢酸ブチル、メチルピバロイルアセテート、メチルイソブチロイルアセテート、カプロイル酢酸メチル、ラウロイル酢酸メチル、１，２－エタンジオール、１，２－プロパンジオール、１，２－ブタンジオール、１，２－ペンタンジオール、２，３－ブタンジオール、２，３－ペンタンジオール、グリセリン、ジエチレングリコール、ヘキシレングリコール等及びこれらの２種以上の混合物等が好ましい。
有機溶剤の使用量は、上記式（６）で表される化合物１モルに対して０～１，０００ｍｌが好ましく、特に０～５００ｍｌが好ましい。
反応温度は、好ましくは０～１００℃、より好ましくは５～８０℃であり、反応時間は、好ましくは１０分～３時間、より好ましくは２０～１時間である。
中でも、上記式（３）で表される化合物は、例えば、下記スキーム２に従って、製造することができる。
［スキーム２］
Figure 2022164407000009
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、Ｌ、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ６０、Ｒ７０、Ｒ８、及びＲ９は、前記の通りである。）
スキーム２では、上記式（４）で表される化合物と上記式（６）で表される化合物とを、スキーム１と同様にして、加水分解縮合させて、上記式（３）で表される化合物を得る。
上記式（５）中、Ｒ８が表す炭素原子数１～３０の有機基は、上記式（３）中、Ｒ６又はＲ７が表す炭素原子数１～３０の有機基について説明したのと同様である。
上記式（６）中、Ｒ９が表す炭素原子数１～３０の有機基としては、特に限定されず、例えば、炭素原子数１～３０のアルキル基、炭素原子数３～３０のシクロアルキル基、炭素原子数２～３０のアルケニル基、炭素原子数６～３０のアリール基、炭素原子数２～３０のアルコキシアルキル基が挙げられ、それぞれ、Ｒ１について具体的に例示した基が挙げられるが、中でも、炭素原子数１～３０のアルキル基が好ましい。
Ｒ９が表す炭素原子数１～３０のアルキル基としては、特に限定されず、例えば、Ｒ６又はＲ７について具体的に例示した基等が挙げられ、合成容易性及びＯＲ８で表される基との反応性等の点で、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｔｅｒｔ－ブチル基、ｎ－ペンチル基、イソペンチル基、ｓｅｃ－ペンチル基、ｔｅｒｔ－ペンチル基、ｎ－ヘキシル基、イソヘキシル基、ｓｅｃ－ヘキシル基、ｔｅｒｔ－ヘキシル基等の炭素原子数１以上６以下のアルキル基が好ましい。
＜式（１）で表される構造を表面に有する粒子＞
本発明に係る粒子は、上記式（１）で表される構造を有する。上記粒子は、分散性及び屈折率に優れるため、高屈折率材料に好適に用いることができる。
上記式（１）で表される構造を表面に有する粒子は、例えば、上記式（１）で表される構造を表面に有しない粒子の表面に、上記式（１）で表される構造が導入された形態を有する。上記式（１）で表される構造を表面に有しない粒子としては、特に限定されず、例えば、水酸基を表面に有する粒子が挙げられる。水酸基を表面に有する粒子としては、特に限定されず、例えば、酸化チタン粒子、酸化ジルコニウム粒子、酸化ハフニウム等の金属酸化物粒子；Ｓｉ粒子等の、屈折率が高いその他の粒子が挙げられる。
本発明に係る粒子の粒径は、特に限定されず、分散性等の点で、好ましくは１～２０ｎｍであり、より好ましくは２～１５ｎｍであり、更により好ましくは４～１０ｎｍである。なお、本明細書において、粒子の粒径とは、粒子をＴＥＭで観察することにより測定された粒径をいう。
本発明に係る粒子を含む分散組成物について当該粒子の平均径を測定する場合は、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ Ｓ等の動的光散乱（ＤＬＳ）装置により当該平均径を測定することができる。例えば、本発明に係る粒子を５質量％以下の濃度でＰＧＭＥＡ等の分散媒中に分散させた場合には、単分散性であり、当該平均径の範囲が２０ｎｍ以下となる。
本発明に係る分散組成物は、例えば、本発明に係る粒子と公知の有機溶媒又は公知の液状モノマー等との組み合わせを有し、当該組み合わせにおいて、本発明に係る粒子の分散性を維持する。
上記式（１）で表される構造は、少なくとも一方の結合手を通じて、粒子と結合する。上記式（１）で表される構造と粒子との結合の形態としては、特に限定されず、例えば、下記形態（Ｆ１ａ）及び（Ｆ１ｂ）が挙げられる。下記形態（Ｆ１ａ）において、上記式（１）で表される構造は、両方の結合手を通じて、粒子と結合する。これに対し、下記形態（Ｆ１ｂ）において、上記式（１）で表される構造は、一方の結合手を通じて、粒子と結合する。
Figure 2022164407000010
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、Ｌは、前記の通りであり、ｐは、粒子を表す。）
［式（１）で表される構造を表面に有する粒子の製造方法］
式（１）で表される構造を表面に有する粒子は、例えば、上述の通り、粒子被覆工程を有する製造方法（以下、「製造方法１」ともいう。）、又は、第一の反応工程と第二の反応工程とを有する製造方法（以下、「製造方法２」ともいう。）により製造することができる。
粒子被覆工程、第一の反応工程、及び第二の反応工程は、例えば、触媒の非存在下又は存在下、水中又は混合溶剤中において行うことができる。触媒の例、有機溶剤の例、反応温度、及び反応時間は、スキーム１において記載したのと同様である。
製造方法１は、例えば、下記スキーム３又は４に従って、実施することができる。
［スキーム３］
Figure 2022164407000011
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、Ｌ、Ｒ６、Ｒ７、及びｐは、前記の通りである。）
スキーム３では、水酸基を表面に有する粒子と上記式（３）で表される化合物とを、触媒の非存在下又は存在下、水中又は混合溶剤中において、加水分解縮合させて、上記式（１）で表される構造を上記形態（Ｆ１ａ）として表面に有する粒子を得る。触媒の例、有機溶剤の例、反応温度、及び反応時間は、スキーム１において記載したのと同様である。
触媒の使用量は、上記式（３）で表される化合物１モルに対して、好ましくは１０－６モル～１０モル、より好ましくは１０－５モル～５モル、更に好ましくは１０－４モル～１モルである。
水の使用量は、上記式（３）で表される化合物におけるＯＲ６で表される基及びＯＲ７で表される基の合計１モル当たり好ましくは０．０１～１００モル、より好ましくは０．０５～５０モル、更に好ましくは０．１～３０モルであり、特に好ましくは１～５モルである。
有機溶剤の使用量は、上記式（３）で表される化合物１モルに対して０～１，０００ｍｌが好ましく、特に０～５００ｍｌが好ましい。
［スキーム４］
Figure 2022164407000012
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、Ｌ、Ｒ６、Ｒ７、及びｐは、前記の通りである。）
スキーム４では、水酸基を表面に有する粒子と上記式（３）で表される化合物とを、触媒の非存在下又は存在下、水中又は混合溶剤中において、加水分解縮合させて、上記式（１）で表される構造を上記形態（Ｆ１ｂ）として表面に有する粒子を得る。触媒の例、触媒の使用量、有機溶剤の例、有機溶剤の使用量、反応温度、及び反応時間は、スキーム３において記載したのと同様である。
なお、スキーム４において、Ｒ６は、Ｌ（Ｒ２）ｎ１（Ｏ）ｎ２で表される基であることが好ましい。
水の使用量は、上記式（３）で表される化合物におけるＯＲ７で表される基１モル当たり好ましくは０．０１～１００モル、より好ましくは０．０５～５０モル、更に好ましくは０．１～３０モルである。
製造方法２は、例えば、下記スキーム５に従って、実施することができる。
［スキーム５］
Figure 2022164407000013
 （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、Ｌ、Ｒ６０、Ｒ７０、Ｒ８、Ｒ９、及びｐは、前記の通りである。）
スキーム５では、水酸基を表面に有する粒子と上記式（４）で表される化合物とを、触媒の非存在下又は存在下、水中又は混合溶剤中において、加水分解縮合させて、上記式（５）で表される構造を上記形態（Ｆ５ａ）として表面に有する粒子を得（第一の反応工程）、当該粒子と上記式（６）で表される化合物とを、触媒の非存在下又は存在下、水中又は混合溶剤中において、加水分解縮合させて、上記式（１）で表される構造を上記形態（Ｆ１ａ）として表面に有する粒子を得る（第二の反応工程）。触媒の例及び有機溶剤の例は、スキーム１において記載したのと同様である。
触媒の使用量は、第一の反応工程の場合は上記式（４）で表される化合物１モルに対して、又は、第二の反応工程の場合は上記式（６）で表される化合物１モルに対して、好ましくは１０－６モル～１０モル、より好ましくは１０－５モル～５モル、更に好ましくは１０－４モル～１モルである。
水の使用量は、第一の反応工程の場合は上記式（４）で表される化合物におけるＯＲ６０で表される基及びＯＲ７０で表される基の合計１モル当たり、又は、第二の反応工程の場合は上記式（６）で表される化合物におけるＯＲ９で表される基１モル当たり、好ましくは０．０１～１００モル、より好ましくは０．０５～５０モル、更に好ましくは０．１～３０モルであり、特に好ましくは１～５モルである。
有機溶剤の使用量は、第一の反応工程の場合は上記式（４）で表される化合物１モルに対して、又は、第二の反応工程の場合は上記式（６）で表される化合物１モルに対して、０～１，０００ｍｌが好ましく、特に０～５００ｍｌが好ましい。
第一の反応工程及び第二の反応工程の各々において、反応温度は、好ましくは０～１００℃、より好ましくは５～８０℃であり、反応時間は、好ましくは１０分～３時間、より好ましくは２０～１時間である。
以下、本発明を実施例により更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［式（１）で表される構造を有する化合物の調製］
下記４－Ａで表される化合物（以下、「化合物４－Ａ」ともいう。）と下記６－Ａで表される化合物（以下、「化合物６－Ａ」ともいう。）とを、６０分間、室温で加水分解縮合させた。化合物４－Ａと化合物６－Ａとのモル比は、１：１であった。加水分解縮合後の反応混合物をゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）に供したところ、化合物４－Ａ又は化合物６－Ａを単独で上記条件下に置いた後にＧＰＣに供した場合には観察されなかった新規ピークが出現した。この新規ピークについて、ポリスチレン換算の数平均分子量を算出したところ、１３００であった。上述の結果及び１Ｈ－ＮＭＲ測定の結果から、上記新規ピークに該当する生成物として、下記３－Ａで表される化合物が得られたことが確認された。なお、上記新規ピークは肩を有しており、その肩に基づき算出されるポリスチレン換算の数平均分子量から、下記３－Ｂで表される化合物が生成していることも確認された。また、生成物を１３Ｃ－ＮＭＲ測定に供した結果においては、原料を同様の測定に供した際にはピークが現れなかった領域である５～７ｐｐｍにかけて、生成物中の（ＣＨ３Ｏ）１、（ＣＨ３Ｏ）２、又はＳｉＣＨ２と考えられるピークが確認された。
Figure 2022164407000014
［被覆粒子の調製と評価］
（酸化チタン粒子の調製）
国際公開第２０２０／１０６８６０号の実施例８を参照して、酸化チタン粒子を回収した。酸化チタン粒子をＴＥＭで観察したところ、形状は球形であり、粒径は７ｎｍであった。表１において、上記酸化チタン粒子を「ＴｉＯ２」と表記する。
（被覆粒子の調製）
２０ｃｃバイアル中で、表１に示す割合で、上記酸化チタン粒子と化合物４－Ａとを混合した後、１１０℃で３０分間、撹拌した。その後、上記バイアル中に、更に、化合物６－Ａを添加し、１１０℃で２０分間、撹拌して、被覆粒子を得た。なお、比較例１では、この段階で、ゲル化してしまい、続く評価を行えなかった。また、上記反応は、ＰＧＭＥＡ中で行った。また、被覆粒子の洗浄条件を以下のように場合分けした。
１．ＰＧＭＥＡを含む反応系中にｎ－ヘプタンを添加して、被覆粒子を沈殿させた後、遠心分離した。（表１中の洗浄条件の行において、１と示す。）
２．次いで、遠心分離した被覆粒子を採取後、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で分散し、ヘプタンを添加して、被覆粒子を沈殿させた後、遠心分離した。（表１中の洗浄条件の行において、２と示す。）
３．再度、遠心分離した被覆粒子を採取後、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）で分散し、ヘプタンを添加して、被覆粒子を沈殿させた後、遠心分離した。（表１中の洗浄条件の行において、３と示す。）
（被覆粒子の評価）
・分散性
濾別した被覆粒子について、洗浄液：ｎ－ヘプタンによる洗浄、濾別後に２５℃での乾燥、分散媒：ＰＧＭＥＡへの再分散、及び濾過を試みた。
被覆粒子の分散性を下記の基準で評価した。結果を表１に示す。
＋（良好）：洗浄、乾燥、再分散、及び濾過の全てが可能であった。
－（不良）：被覆粒子はゲル化しており、洗浄、乾燥、再分散、及び濾過の少なくとも１つが不可能であり、以降の測定はできなかった。
・ＸＰＳ
調製した被覆粒子について、Ｘ線光電子分光分析（ＸＰＳ分析）を行い、当該被覆粒子に含まれるリンとケイ素とのモル比を算出し、更に、それに基づき、当該被覆粒子において、化合物６－Ａに由来する部分と化合物４－Ａに由来する部分とのモル比を算出した。結果を表１に示す。
・被覆率
濾別した被覆粒子を分散媒：ＰＧＭＥＡに再分散させ、５０質量％の分散液を調製した。この分散液について、熱重量分析（ＴＧＡ）を行い、該分散液中の固形分に占める化合物６－Ａに由来する部分及び化合物４－Ａに由来する部分の合計の割合を算出し、被覆粒子の被覆率（質量％）とした。結果を表１に示す。
・屈折率
被覆粒子中で酸化チタン粒子を被覆している部分（即ち、化合物６－Ａに由来する部分と化合物４－Ａに由来する部分との合計）において、チタンの含有量が多いほど、被覆粒子の屈折率がより向上しやすい。チタンは化合物６－Ａに由来する部分に含まれているので、化合物６－Ａに由来する部分の量が多いほど、被覆粒子の屈折率がより向上しやすくなると合理的に理解することができる。そこで、被覆粒子の屈折率を、ＸＰＳによる化合物６－Ａ由来部分と化合物４－Ａ由来部分とのモル比（以下、「化合物６－Ａ／化合物４－Ａ」ともいう。）を用いて、下記の基準で評価した。結果を表１に示す。
＋＋（極めて良好）：化合物６－Ａ／化合物４－Ａが０．５以上であった。
＋（良好）：化合物６－Ａ／化合物４－Ａが０超０．５未満であった。
－（不良）：化合物６－Ａ／化合物４－Ａが０であった。又は、被覆粒子の分散性が不良であった。
・分散組成物における粒子径
実施例１～５各々の被覆粒子を５質量％以下の濃度でＰＧＭＥＡ等の分散媒中に分散させて分散組成物を得、Ｍａｌｖｅｒｎ Ｚｅｔａｓｉｚｅｒ Ｎａｎｏ Ｓ（動的光散乱（ＤＬＳ）装置）により、該分散組成物における上記被覆粒子の平均径を測定した。その結果、平均径は、実施例１～５のいずれについても２０ｎｍ以下であった。
Figure 2022164407000015
表１から分かる通り、実施例で得られた粒子は、分散性及び屈折率に優れているのに対し、比較例で得られた粒子は、分散性又は屈折率に劣ることが確認された。

Claims (6)

  1. 下記式（１）で表される構造を有する化合物。
    Figure 2022164407000016
     （式中、
    Ｒ１は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
    Ｒ２は、ＯＲ３で表される基、又は下記式（２）で表される基を表し、
    Ｒ３は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
    ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、但し、ｎ１＋２×ｎ２は、Ｌの種類により決まる価数であり、
    Ｌは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、バナジウム、又はタンタルを表し、
    ＊は結合手を表す。）
    Figure 2022164407000017
     （式中、Ｒ４及びＲ５は、酸素原子を有していてもよい炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
  2. 前記化合物は下記式（３）で表される請求項１に記載の化合物。
    Figure 2022164407000018
     （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、及びＬは、前記の通りであり、Ｒ６及びＲ７は、それぞれ独立に、炭素原子数１～３０の有機基又はＬ（Ｒ２）ｎ１（Ｏ）ｎ２で表される基を表す。）
  3. 前記化合物は下記式（３０）で表される請求項１又は２に記載の化合物。
    Figure 2022164407000019
     （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、及びＬは、前記の通りであり、Ｒ６０及びＲ７０は、炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
  4. 下記式（１）で表される構造を表面に有する粒子。
    Figure 2022164407000020
     （式中、
    Ｒ１は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
    Ｒ２は、ＯＲ３で表される基、又は下記式（２）で表される基を表し、
    Ｒ３は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
    ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、但し、ｎ１＋２×ｎ２は、Ｌの種類により決まる価数であり、
    Ｌは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、バナジウム、又はタンタルを表し、
    ＊は結合手を表す。）
    Figure 2022164407000021
     （式中、Ｒ４及びＲ５は、酸素原子を有していてもよい炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
  5. 請求項４に記載の粒子を含む、分散組成物。
  6. 下記式（１）で表される構造を表面に有する粒子の製造方法であって、
    前記製造方法は、
    水酸基を表面に有する粒子を、下記式（３０）で表される化合物と反応させて、下記式（１）で表される構造を表面に有する粒子を得る粒子被覆工程
    を有し、又は、
    前記製造方法は、
    水酸基を表面に有する粒子を、下記式（４）で表される化合物と反応させて、下記式（５）で表される構造を表面に有する粒子を得る第一の反応工程と、
    第一の反応工程で得た粒子を、下記式（６）で表される化合物と反応させて、下記式（１）で表される構造を表面に有する粒子を得る第二の反応工程と、
    を有する
    製造方法。
    Figure 2022164407000022
     （式中、
    Ｒ１は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
    Ｒ２は、ＯＲ３で表される基、又は下記式（２）で表される基を表し、
    Ｒ３は、炭素原子数１～３０の有機基を表し、
    ｎ１及びｎ２は、それぞれ独立に、０以上の整数を表し、但し、ｎ１＋２×ｎ２は、Ｌの種類により決まる価数であり、
    Ｌは、アルミニウム、ガリウム、イットリウム、チタン、ジルコニウム、ハフニウム、ビスマス、スズ、バナジウム、又はタンタルを表し、
    ＊は結合手を表す。）
    Figure 2022164407000023
     （式中、Ｒ４及びＲ５は、酸素原子を有していてもよい炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
    Figure 2022164407000024
     （式中、Ｒ１、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、及びＬは、前記の通りであり、Ｒ６０及びＲ７０は、炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
    Figure 2022164407000025
     （式中、Ｒ１、Ｒ６０、及びＲ７０は、前記の通りであり、Ｒ８は、炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
    Figure 2022164407000026
     （式中、Ｒ１及びＲ８は、前記の通りである。）
    Ｒ９Ｏ－Ｌ（Ｒ２）ｎ１（Ｏ）ｎ２ （６）
    （式中、Ｒ２、ｎ１、ｎ２、及びＬは、前記の通りであり、Ｒ９は、炭素原子数１～３０の有機基を表す。）
JP2021069877A 2021-04-16 2021-04-16 金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物 Pending JP2022164407A (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021069877A JP2022164407A (ja) 2021-04-16 2021-04-16 金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物
PCT/JP2022/013105 WO2022220023A1 (ja) 2021-04-16 2022-03-22 金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物
CN202280028143.6A CN117203215A (zh) 2021-04-16 2022-03-22 含金属的甲硅烷氧基化合物、含金属的甲硅烷氧基被覆粒子、其制造方法、及分散组合物
KR1020237036572A KR20230159598A (ko) 2021-04-16 2022-03-22 금속 함유 실릴옥시 화합물, 금속 함유 실릴옥시기 피복 입자, 그 제조 방법, 및 분산 조성물
TW111113169A TW202306960A (zh) 2021-04-16 2022-04-07 含金屬之矽烷氧化合物、含金屬之矽烷氧基被覆粒子、其製造方法、及分散組合物

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021069877A JP2022164407A (ja) 2021-04-16 2021-04-16 金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2022164407A true JP2022164407A (ja) 2022-10-27

Family

ID=83640340

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021069877A Pending JP2022164407A (ja) 2021-04-16 2021-04-16 金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JP2022164407A (ja)
KR (1) KR20230159598A (ja)
CN (1) CN117203215A (ja)
TW (1) TW202306960A (ja)
WO (1) WO2022220023A1 (ja)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5640191B2 (ja) * 2008-08-22 2014-12-17 国立大学法人東北大学 無機骨格を有する高分子修飾ハイブリッドナノ粒子及びその合成方法
JP6178725B2 (ja) 2010-04-23 2017-08-09 ピクセリジェント・テクノロジーズ，エルエルシー ナノ結晶の合成、キャップ形成および分散
WO2015069384A2 (en) * 2013-09-23 2015-05-14 Pixelligent Technologies Llc High refractive index silicone nanocomposites
WO2016090368A1 (en) * 2014-12-05 2016-06-09 Velox Flow, Llc Multifunctional superhydrophobic particles for chemical adhesion and blooming
JP7466275B2 (ja) * 2018-06-04 2024-04-12 Hoya株式会社 光学フィルターおよび撮像装置
JP2022507818A (ja) * 2018-11-20 2022-01-18 ピクセリジェント・テクノロジーズ，エルエルシー ＴｉＯ２ナノ結晶の合成、キャップ、および分散

Also Published As

Publication number Publication date
CN117203215A (zh) 2023-12-08
WO2022220023A1 (ja) 2022-10-20
KR20230159598A (ko) 2023-11-21
TW202306960A (zh) 2023-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP2239301B1 (en) Siloxane resin compositions
US20130280912A1 (en) Silicon compound, silicon-containing compound, composition for forming resist underlayer film containing the same and patterning process
US8809482B2 (en) Silsesquioxane resins
CN110095941A (zh) 感光性树脂组合物和半导体元件的制造方法
US8124230B2 (en) Non-aggregating nanoparticles and the use thereof
US20050269563A1 (en) Fullerodendrimer-comprising film
JP2011504522A (ja) 反射防止コーティング用カルボシランポリマー組成物
KR20150097783A (ko) 금속 산화물 나노 입자와 실세스퀴옥산 중합체의 복합체 및 그의 제조 방법, 및 그 복합체를 사용하여 제조한 복합 재료
JP6116912B2 (ja) 有枝鎖シロキサンおよび合成のための方法
KR20210084595A (ko) 수지 조성물, 감광성 수지 조성물, 경화막, 경화막의 제조 방법, 패턴 경화막 및 패턴 경화막의 제작 방법
TW202020024A (zh) 樹脂組成物、其硬化膜、固體攝像元件、有機電致發光元件、顯示裝置
JP4281305B2 (ja) ３層レジスト中間層用樹脂組成物
JP2022164407A (ja) 金属含有シリルオキシ化合物、金属含有シリルオキシ基被覆粒子、その製造方法、及び分散組成物
JP2022131494A (ja) 金属酸化物膜形成性組成物、これを用いた金属酸化物膜の製造方法、第三級アルキルオキシカルボニル基変性ビスナフトールフルオレン化合物、及びその製造方法
JPWO2020009068A1 (ja) 球状ポリメチルシルセスキオキサン粒子
JPWO2019208762A1 (ja) レジスト下層膜形成用組成物、リソグラフィー用下層膜、及びパターン形成方法
JP2008088415A (ja) アシロキシ基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法
KR20210132677A (ko) 기능성 하이드로젠 실세스퀴옥세인 수지 및 그의 이용
WO2022131278A1 (ja) 光学部材用の塗布液、重合体、硬化膜、感光性塗布液、パターン硬化膜、光学部材、固体撮像素子、表示装置、ポリシロキサン化合物、塗布液に用いる安定化剤、硬化膜の製造方法、パターン硬化膜の製造方法、及び重合体の製造方法
JP5158589B2 (ja) シリコーン共重合体
JP4026391B2 (ja) 感光性組成物
JP4058631B2 (ja) ケイ素系アルカリ可溶性樹脂
JP4400241B2 (ja) ケイ素系アルカリ可溶性樹脂
JP6617062B2 (ja) ポリシラン及びその中間体並びにこれらの製造方法
JPWO2022131278A5 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20240116