JP2022160014A - Touch sensor, and manufacturing method of touch sensor - Google Patents

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博 田原
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Abstract

To provide a touch sensor capable of darkening a conductive part on the backside while thinning a wire.SOLUTION: A touch sensor 1 includes a conductive portion 4 formed on a base material 3. The conductive portion 4 includes a black back layer 41, an electroless copper layer 42, and an electrolytic copper layer 43. The black back layer 41 is a dark layer and is formed on the base material 3. The electroless copper layer 42 is formed on the black back layer 41. The electrolytic copper layer 43 is formed on the electroless copper layer 42.SELECTED DRAWING: Figure 2

Description

本開示は、一般にタッチセンサ、及び、タッチセンサの製造方法に関し、より詳細には、導電部の裏面が暗色化されたタッチセンサ、及びタッチセンサの製造方法に関する。 TECHNICAL FIELD The present disclosure relates generally to touch sensors and methods of manufacturing touch sensors, and more particularly to touch sensors with conductive portions having darkened backsides and methods of manufacturing touch sensors.

特許文献１には、透明導電性支持体の製造方法が開示されている。この製造方法では、透明支持体上に第一導電性膜層が形成され、第一導電性膜層上にレジスト層が開口部を有するように形成され、レジスト層の開口部に第二導電膜層が形成される。そして、レジスト層が除去され、第一導電膜層のうち第二導電膜層が重ならない部分が除去される。このように、ＳＡＰ工法によって、透明支持体上に第一導電膜層及び第二導電膜層で構成された積層金属膜（導電部）が形成される。ＳＡＰ工法は、積層金属膜を細線化し易いという利点がある。 Patent Document 1 discloses a method for producing a transparent conductive support. In this manufacturing method, a first conductive film layer is formed on a transparent support, a resist layer is formed on the first conductive film layer so as to have an opening, and a second conductive film is formed in the opening of the resist layer. A layer is formed. Then, the resist layer is removed, and the portion of the first conductive film layer that does not overlap with the second conductive film layer is removed. Thus, a laminated metal film (conductive portion) composed of the first conductive film layer and the second conductive film layer is formed on the transparent support by the SAP method. The SAP method has the advantage of facilitating thinning of the laminated metal film.

特許第６２６１２５８号公報Japanese Patent No. 6261258

特許文献１の透明導電性支持体の製造方法では、積層金属膜を透明支持体上に形成する点は開示されているが、積層金属膜の裏面を暗色化する点については、開示も示唆もなされていない。 In the method for producing a transparent conductive support of Patent Document 1, the point of forming a laminated metal film on a transparent support is disclosed, but the point of darkening the back surface of the laminated metal film is neither disclosed nor suggested. not done.

本開示は、導電部の裏面の暗色化を図り、かつ導電部の細線化を図ることができるタッチセンサ、及びタッチセンサの製造方法を提供することを目的とする。 An object of the present disclosure is to provide a touch sensor capable of darkening the back surface of a conductive portion and thinning the conductive portion, and a method of manufacturing the touch sensor.

本開示の一態様に係るタッチセンサは、基材上に形成された導電部を備える。前記導電部は、第１導電層と、第２導電層と、第３導電層とを備える。前記第１導電層は、暗色層であり、前記基材上に形成されている。前記第２導電層は、前記第１導電層上に形成されている。前記第３導電層は、前記第２導電層上に形成されている。 A touch sensor according to one aspect of the present disclosure includes a conductive portion formed on a base. The conductive portion includes a first conductive layer, a second conductive layer, and a third conductive layer. The first conductive layer is a dark layer and is formed on the substrate. The second conductive layer is formed on the first conductive layer. The third conductive layer is formed on the second conductive layer.

本開示の一態様に係るタッチセンサの製造方法は、第１工程と、第２工程と、第３工程と、第４工程と、第５工程とを有する。前記第１工程では、暗色層である第１導電層、及び第２導電層をこの順に基材に積層する。前記第２工程では、前記第２導電層上に、開口部を有するレジストを形成する。前記第３工程では、前記開口部内の前記第２導電層上に第３導電層を形成する。前記第４工程では、前記レジストを除去する。前記第５工程では、前記第１導電層及び前記第２導電層において前記第３導電層と重ならない部分をエッチング除去する。 A touch sensor manufacturing method according to an aspect of the present disclosure includes a first step, a second step, a third step, a fourth step, and a fifth step. In the first step, the first conductive layer, which is a dark layer, and the second conductive layer are laminated in this order on the substrate. In the second step, a resist having an opening is formed on the second conductive layer. In the third step, a third conductive layer is formed on the second conductive layer within the opening. In the fourth step, the resist is removed. In the fifth step, portions of the first conductive layer and the second conductive layer that do not overlap the third conductive layer are removed by etching.

本開示は、導電部の裏面の暗色化を図り、かつ導電部の細線化を図ることができるという、利点を有する。 The present disclosure has the advantage that the back surface of the conductive portion can be darkened and the conductive portion can be thinned.

図１は、実施形態に係るタッチセンサの外観を示す概略平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view showing the appearance of the touch sensor according to the embodiment. 図２は、同上のタッチセンサの概略断面図である。FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of the same touch sensor. 図３Ａ～図３Ｃはそれぞれ、同上のタッチセンサの製造方法の要点を説明する図である。3A to 3C are diagrams for explaining the main points of the manufacturing method of the touch sensor described above. 図４Ａ～図４Ｈはそれぞれ、同上のタッチセンサの製造方法の全体プロセスを説明する図である。4A to 4H are diagrams for explaining the overall process of the manufacturing method of the same touch sensor. 図５Ａ～図５Ｄはそれぞれ、同上のタッチセンサの製造方法のフラッシュエッチング工程の特徴を説明するための図である。5A to 5D are diagrams for explaining the features of the flash etching process of the manufacturing method of the same touch sensor. 図６Ａは、参考例のフラッシュエッチング工程前のエッチング対象物の断面図であり、図６Ｂは、参考例のフラッシュエッチング工程後のエッチング対象物の断面図である。FIG. 6A is a cross-sectional view of the etching target before the flash etching process of the reference example, and FIG. 6B is a cross-sectional view of the etching target after the flash etching process of the reference example. 図７Ａは、本実施形態のフラッシュエッチング工程前のエッチング対象物の断面図であり、図７Ｂは、タイプＡのエッチング液を用いた場合の本実施形態のフラッシュエッチング工程後のエッチング対象物の断面図である。7A is a cross-sectional view of the etching target before the flash etching process of the present embodiment, and FIG. 7B is a cross-sectional view of the etching target after the flash etching process of the present embodiment when the type A etchant is used. It is a diagram. 図８Ａは、本実施形態のフラッシュエッチング工程前のエッチング対象物の断面図であり、図８Ｂは、タイプＢのエッチング液を用いた場合の本実施形態のフラッシュエッチング工程後のエッチング対象物の断面図である。8A is a cross-sectional view of the etching target before the flash etching process of the present embodiment, and FIG. 8B is a cross-sectional view of the etching target after the flash etching process of the present embodiment when the type B etchant is used. It is a diagram. 図９Ａは、参考例のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層の裏面を観察した図である。図９Ｂは、本実施形態のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層の裏面を観察した図である。FIG. 9A is an observation view of the back surface of the black back surface layer after the flash etching process of the reference example. FIG. 9B is an observation view of the back surface of the black back surface layer after the flash etching process of this embodiment. 図１０Ａは、同上のタッチセンサの導電部の裏面反射の評価実験の実験方法を説明する図である。図１０Ｂは、評価実験の評価結果を示す図である。FIG. 10A is a diagram for explaining an experimental method of an evaluation experiment of back surface reflection of the conductive portion of the touch sensor; FIG. 10B is a diagram showing evaluation results of evaluation experiments.

（実施形態）
以下の実施形態において説明する各図は、模式的な図であり、各図中の各構成要素の大きさ及び厚さそれぞれの比が、必ずしも実際の寸法比を反映しているとは限らない。 (embodiment)
Each drawing described in the following embodiments is a schematic drawing, and the ratio of the size and thickness of each component in each drawing does not necessarily reflect the actual dimensional ratio. .

本実施形態に係るタッチセンサ１は、図１に示すように、例えば静電容量式のセンサであり、操作体Ｕ１のタッチ（接触）を検知する。操作体Ｕ１は、一例として、人の指先（生体の一部）である。操作体Ｕ１は、生体の一部を覆う物（例えば手袋）を含んでもよいし、生体が保持する物（例えばペン型の操作部材）を含んでもよい。 As shown in FIG. 1, the touch sensor 1 according to this embodiment is, for example, a capacitive sensor, and detects a touch (contact) of the operating tool U1. The operating tool U1 is, for example, a fingertip (part of a living body) of a person. The operating body U1 may include an object that covers a part of the living body (for example, gloves), or an object held by the living body (for example, a pen-shaped operating member).

タッチセンサ１は、可撓性を有するフィルム状に形成された、所謂アウトセル型のフィルムセンサである。すなわち、タッチセンサ１は、電子機器における液晶パネル上に装着されて、電子機器への操作入力を受け付ける操作部として使用可能である。電子機器の一例としては、スマートフォン、タブレット端末、ノートＰＣ（パーソナルコンピュータ）、カーナビゲーションシステム、及び車載のセンターコンソール等が挙げられる。 The touch sensor 1 is a so-called out-cell type film sensor formed in a flexible film shape. That is, the touch sensor 1 is mounted on a liquid crystal panel of an electronic device and can be used as an operation unit that receives an operation input to the electronic device. Examples of electronic devices include smartphones, tablet terminals, notebook PCs (personal computers), car navigation systems, and in-vehicle center consoles.

タッチセンサ１は、その正面から見て、例えば略矩形状に形成されている。タッチセンサ１の前面領域は、操作体Ｕ１のタッチを検知可能なセンサ領域Ｒ１、センサ領域Ｒ１の周囲に配置される配線領域Ｒ２（額縁部）とを含む。センサ領域Ｒ１には、タッチセンサ１のセンサ電極が配置されている。センサ電極は、複数の第１電極（受信電極）と、複数の第２電極（送信電極）とを有する。複数の第１電極は、例えば、細長矩形状であり、上下方向に延びている。複数の第２電極は、例えば、細長矩形状であり、左右方向に延びている。複数の第２電極は、複数の第１電極の後側又は前側に配置されている。すなわち、複数の第１電極と複数の第２電極は、正面側から見て格子状に直交して並んでいる。第１電極及び第２電極はそれぞれ、メッシュ状に形成されている。すなわち、第１電極及び第２電極はそれぞれ、例えば、斜め右上方向に延びた複数の線状の導電部４と、斜め右下方向に延びた複数の線状の導電部４とが、メッシュ模様を形成するように一体的に連結されて構成されている。このメッシュ模様では、導電部４によって菱形の開口（セル）Ｒ３が縦横に複数形成されている。なお、メッシュ模様の開口Ｒ３は、菱形で限定されず、四角形であってもよい。配線領域Ｒ２には、後述のように第１電極と第２電極との間に生じる電界の変化を電気信号として、電子機器の制御部に出力する複数の配線が配置されている。 The touch sensor 1 is formed in, for example, a substantially rectangular shape when viewed from the front. A front area of the touch sensor 1 includes a sensor area R1 capable of detecting a touch of the operating tool U1 and a wiring area R2 (frame part) arranged around the sensor area R1. Sensor electrodes of the touch sensor 1 are arranged in the sensor region R1. The sensor electrodes have a plurality of first electrodes (receiving electrodes) and a plurality of second electrodes (transmitting electrodes). The plurality of first electrodes are, for example, elongated and rectangular, and extend in the vertical direction. The plurality of second electrodes are, for example, elongated and rectangular, and extend in the left-right direction. The plurality of second electrodes are arranged behind or in front of the plurality of first electrodes. That is, the plurality of first electrodes and the plurality of second electrodes are arranged orthogonally in a lattice when viewed from the front side. The first electrode and the second electrode are each formed like a mesh. That is, each of the first electrode and the second electrode includes, for example, a plurality of linear conductive portions 4 extending in an oblique upper right direction and a plurality of linear conductive portions 4 extending in an oblique lower right direction. integrally connected to form a In this mesh pattern, a plurality of rhombic openings (cells) R3 are formed vertically and horizontally by the conductive portions 4 . Note that the mesh pattern opening R3 is not limited to a rhombus, and may be a quadrangle. In the wiring region R2, a plurality of wirings are arranged for outputting a change in the electric field generated between the first electrode and the second electrode as an electric signal to the control unit of the electronic device, as will be described later.

タッチセンサ１は、例えば、操作体Ｕ１が第１電極又は第２電極に接近することによる第１電極と第２電極との間の電界の変化を検知する、相互容量式のタッチセンサである。なお、タッチセンサ１は、操作体Ｕ１が第１電極又は第２電極に接触することによる第１電極又は第２電極の容量変化を検知する、自己容量式のタッチセンサであってもよい。 The touch sensor 1 is, for example, a mutual capacitance touch sensor that detects changes in the electric field between the first electrode and the second electrode when the operating tool U1 approaches the first electrode or the second electrode. Note that the touch sensor 1 may be a self-capacitance touch sensor that detects a change in capacitance of the first electrode or the second electrode when the operating tool U1 contacts the first electrode or the second electrode.

タッチセンサ１は、図１に示すように、メッシュ模様を構成する複数の線状の導電部４を有するフィルム体２を備えている。フィルム体２は、図２に示すように、基材３と、複数の導電部４（４Ｘ，４Ｙ）とを備えている。基材３の両面の各々に複数の導電部４が設けられている。基材３の一方の主面（上面）に設けられた複数の導電部４（４Ｘ）は、上述の第１電極を構成する。基材３の他方の主面（下面）に設けられた複数の導電部４（４Ｙ）は、上述の第２電極を構成する。導電部４Ｘと導電部４Ｙは、互いに同じ構造である。図２では、導電部４Ｘ及び導電部４Ｙはそれぞれ、一例として１つずつ図示されている。 As shown in FIG. 1, the touch sensor 1 includes a film body 2 having a plurality of linear conductive portions 4 forming a mesh pattern. The film body 2, as shown in FIG. 2, includes a substrate 3 and a plurality of conductive portions 4 (4X, 4Y). A plurality of conductive portions 4 are provided on each of both surfaces of the base material 3 . A plurality of conductive portions 4 (4X) provided on one main surface (upper surface) of the base material 3 constitutes the above-described first electrode. A plurality of conductive portions 4 (4Y) provided on the other main surface (lower surface) of the base material 3 constitutes the above-described second electrode. The conductive portion 4X and the conductive portion 4Y have the same structure. In FIG. 2, one conductive portion 4X and one conductive portion 4Y are illustrated as an example.

基材３は、電気絶縁性及び可撓性を有するフィルム状の部材である。基材３は、基材本体７と樹脂層８とを有している。基材本体７は、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタラート）から形成された光透過性の高い（例えば透明な）フィルム状の基板である。基材本体７は、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）から形成されてもよい。樹脂層８は、樹脂材料から形成された層である。樹脂層８は、基材本体７の両側の各面全体を覆うように形成されている。 The base material 3 is a film-like member having electrical insulation and flexibility. The substrate 3 has a substrate body 7 and a resin layer 8 . The base body 7 is a film-like substrate with high light transmittance (for example, transparent) made of, for example, PET (polyethylene terephthalate). The base body 7 may be made of COP (cycloolefin polymer). The resin layer 8 is a layer made of a resin material. The resin layer 8 is formed so as to cover the entire surfaces on both sides of the base body 7 .

複数の導電部４は、樹脂層８の表面に設けられている。各導電部４は、図２に示すように、幅Ｄ１が例えば３μｍ程度になるように細線化されている。各導電部４は、黒色裏面層４１（暗色層である第１導電層）と、無電解銅層４２（第２導電層）と、電解銅層４３（第３導電層）とを有する。 A plurality of conductive portions 4 are provided on the surface of the resin layer 8 . As shown in FIG. 2, each conductive portion 4 is thinned so that the width D1 is, for example, about 3 μm. Each conductive portion 4 has a black back layer 41 (first conductive layer that is a dark layer), an electroless copper layer 42 (second conductive layer), and an electrolytic copper layer 43 (third conductive layer).

黒色裏面層４１は、導電部４をその裏面側（基材３側）から見たとき、導電部４が黒色に見えるようにするための部分である。黒色裏面層４１は、樹脂層８上に形成されている。黒色裏面層４１の裏面（樹脂層８との接触面）は、微細な凹凸で構成された微細凹凸面になっている。これにより、基材３側から黒色裏面層４１に入射する光を黒色裏面層４１で効果的に吸収できる。この結果、導電部４の裏面が効果的に黒色に見える（裏面黒色化）。黒色裏面層４１は、本実施形態では、無電解銅層４２に含まれる銅が無電解銅層４２の裏面から析出することで形成されている。無電解銅層４２及び電解銅層４３は、導電部４の主な導電部を構成する。なお、黒色裏面層４１も導電部として機能する。無電解銅層４２は、黒色裏面層４１上に形成されている。無電解銅層４２は、無電解銅メッキによって層状に形成されている。電解銅層４３は、無電解銅層４２の上に形成されている。電解銅層４３は、電解銅メッキによって層状に形成されている。 The black back layer 41 is a part for making the conductive part 4 look black when the conductive part 4 is viewed from the back side (the base material 3 side). A black back layer 41 is formed on the resin layer 8 . The back surface of the black back surface layer 41 (the surface in contact with the resin layer 8) is a fine uneven surface configured with fine unevenness. This allows the black back layer 41 to effectively absorb the light incident on the black back layer 41 from the substrate 3 side. As a result, the back surface of the conductive portion 4 effectively appears black (back surface blackening). In this embodiment, the black back layer 41 is formed by depositing copper contained in the electroless copper layer 42 from the back surface of the electroless copper layer 42 . The electroless copper layer 42 and the electrolytic copper layer 43 constitute the main conductive portion of the conductive portion 4 . Note that the black back layer 41 also functions as a conductive portion. An electroless copper layer 42 is formed on the black back layer 41 . The electroless copper layer 42 is formed in layers by electroless copper plating. Electrolytic copper layer 43 is formed on electroless copper layer 42 . The electrolytic copper layer 43 is formed in layers by electrolytic copper plating.

本実施形態では、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２は、同一材料（無電解銅、すなわち銅）で形成されている。これにより、後述のように、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２を同時にエッチング除去して形成可能である。更に、電解銅層４３も、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２と同じ材料（すなわち銅）で形成されている。これにより、後述のように、電解銅層４３も、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２と同時にエッチング除去で形成可能である。 In this embodiment, the black back layer 41 and the electroless copper layer 42 are made of the same material (electroless copper, that is, copper). Thereby, as described later, the black back layer 41 and the electroless copper layer 42 can be removed by etching at the same time. Further, the electrolytic copper layer 43 is also made of the same material as the black back layer 41 and the electroless copper layer 42 (that is, copper). Thereby, as will be described later, the electrolytic copper layer 43 can also be formed by etching and removing at the same time as the black back layer 41 and the electroless copper layer 42 .

また、本実施形態では、黒色裏面層４１の幅ｄ１と無電解銅層４２の幅ｄ２との差は、例えば±０．５μｍ以内であることが望ましい。これにより、黒色裏面層４１と無電解銅層４２とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。すなわち、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２は、後述のように同時にエッチング除去されて形成されるため、それらの材料が同じであると、それらの幅ｄ１，ｄ２の差は±０．５μｍ以内に収まるが、それらの材料が異なると、それらの幅ｄ１，ｄ２の差は±０．５μｍ以内に収まらなくなる。また、無電解銅層４２の幅ｄ２が黒色裏面層４１の幅ｄ１よりも＋０．５μｍ以内であるため、タッチセンサ１の裏側（基材３側）から見て無電解銅層４２を目立たなくできる。また、無電解銅層４２の幅ｄ２が黒色裏面層４１の幅ｄ１よりも－０．５μｍ以内であるため、導電部４の導電性を十分に確保できる。 Further, in this embodiment, the difference between the width d1 of the black back layer 41 and the width d2 of the electroless copper layer 42 is preferably within ±0.5 μm, for example. This can be used to determine whether or not the black back layer 41 and the electroless copper layer 42 are made of the same material. That is, since the black back surface layer 41 and the electroless copper layer 42 are formed by etching away at the same time as will be described later, if they are made of the same material, the difference between their widths d1 and d2 is ±0.5 μm. However, if the materials are different, the difference between the widths d1 and d2 will not be within ±0.5 μm. In addition, since the width d2 of the electroless copper layer 42 is within +0.5 μm from the width d1 of the black back layer 41, the electroless copper layer 42 is inconspicuous when viewed from the back side of the touch sensor 1 (substrate 3 side). can. Further, since the width d2 of the electroless copper layer 42 is within −0.5 μm from the width d1 of the black back layer 41, the conductivity of the conductive portion 4 can be sufficiently secured.

また、無電解銅層４２の幅ｄ１と電解銅層４３の幅ｄ３との差も、±０．５μｍ以内であることが望ましいが、±１．４μｍ以内であってもよい。これにより、無電解銅層４２と電解銅層４３が同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。また、導電部４の導電性を十分に確保できる。 Also, the difference between the width d1 of the electroless copper layer 42 and the width d3 of the electrolytic copper layer 43 is preferably within ±0.5 μm, but may be within ±1.4 μm. This can be used to determine whether the electroless copper layer 42 and the electrolytic copper layer 43 are made of the same material. In addition, sufficient conductivity of the conductive portion 4 can be ensured.

本実施形態のタッチセンサ１は、各導電部４（４Ｘ，４Ｙ）の裏面が黒色化されかつ細線化されている点を特徴とする。このような特徴を有するタッチセンサ１の製造方法を説明する。まず、図３Ａ～図３Ｂを参照して、タッチセンサ１の製造方法の要点を説明する。 The touch sensor 1 of the present embodiment is characterized in that the back surface of each conductive portion 4 (4X, 4Y) is blackened and thinned. A method of manufacturing the touch sensor 1 having such features will be described. First, the main points of the manufacturing method of the touch sensor 1 will be described with reference to FIGS. 3A and 3B.

まず図３Ａに示すように、基材本体７及び樹脂層８を有する基材３を準備する。そして、樹脂層８の表面全体に黒色裏面層５１及び無電解銅層５０をこの順に積層する。 First, as shown in FIG. 3A, a substrate 3 having a substrate main body 7 and a resin layer 8 is prepared. Then, the black back layer 51 and the electroless copper layer 50 are laminated in this order on the entire surface of the resin layer 8 .

より詳細には、まず、基材本体７の両側の樹脂層８の表面の全面に、無電解銅層５０を形成する。その前に、樹脂層８の表面全体に、無電解銅層５０を定着させるための定着剤（例えばパラジウム触媒）を薄く形成する。なお、定着剤は、塗布又は浸潰など種々の方法で樹脂層８の表面に形成可能である。そして、樹脂層８の表面全体に、無電解銅メッキによって、無電解銅層５０を形成する。 More specifically, first, the electroless copper layer 50 is formed on the entire surface of the resin layer 8 on both sides of the substrate body 7 . Before that, a fixing agent (for example, a palladium catalyst) for fixing the electroless copper layer 50 is thinly formed on the entire surface of the resin layer 8 . The fixing agent can be formed on the surface of the resin layer 8 by various methods such as coating or soaking. Then, an electroless copper layer 50 is formed on the entire surface of the resin layer 8 by electroless copper plating.

樹脂層８の表面全体に無電解銅層５０が形成されると、無電解銅層５０に含まれる銅が、微粒子状態で、無電解銅層５０と樹脂層８との間の境界面に析出する。この結果、その析出銅によって、無電解銅層５０と樹脂層８との間に黒色裏面層５１が形成される。この黒色裏面層５１も、無電解銅層５０と同様に、無電解銅で形成されている。黒色裏面層５１における樹脂層８との間の境界面は、微粒子状の銅による微細な凹凸を有する微細凹凸面になっている。この微小凹凸面によって可視光が吸収され易くなる。この結果、基材３側から黒色裏面層５１を見ると黒色に見える。 When the electroless copper layer 50 is formed on the entire surface of the resin layer 8, the copper contained in the electroless copper layer 50 is deposited in the state of fine particles on the interface between the electroless copper layer 50 and the resin layer 8. do. As a result, the deposited copper forms a black back layer 51 between the electroless copper layer 50 and the resin layer 8 . Like the electroless copper layer 50, the black back layer 51 is also made of electroless copper. The boundary surface between the black back surface layer 51 and the resin layer 8 is a fine uneven surface having fine unevenness due to fine particulate copper. Visible light is easily absorbed by this fine uneven surface. As a result, when viewed from the base material 3 side, the black back layer 51 looks black.

このように、この製造方法では、無電解銅層５０と黒色裏面層５１が単一材料（銅）で形成される。これにより、後述のように、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１を同時にエッチング除去が可能になる。すなわち、エッチング除去が複雑にならずに簡単にエッチング除去が可能である。 Thus, in this manufacturing method, the electroless copper layer 50 and the black back layer 51 are made of a single material (copper). This allows simultaneous etching removal of the electroless copper layer 50 and the black back layer 51, as described below. That is, etching removal can be easily performed without complicating the etching removal.

次に図３Ｂに示すように、ＳＡＰ（Semi Additive Process）工法を用いて、無電解銅層５０の表面に電解銅層５３をパターン形成する。より詳細には、まず、無電解銅層５０の表面にレジスト５２を、周知のフォトリソグラフィ技術を用いてパターン形成する。このパターン形成により、レジスト５２は、所定箇所に開口部５２ａを有する。この開口部５２ａの幅Ｄ２は、例えば６μｍである。この幅Ｄ２は、最終的に形成される導電部４の幅Ｄ１（例えば３μｍ）よりも大きい幅である（図３Ｃ参照）。そして、開口部５２ａ内の無電解銅層５０上に電解銅層５３を形成する。すなわち、無電解銅層５０の表面に電解銅層５３をパターン形成する。より詳細には、無電解銅層５０を電解メッキシード層として用いることで、電解銅メッキによって、幅Ｄ２の電解銅層５３をパターン形成する。 Next, as shown in FIG. 3B, an electrolytic copper layer 53 is patterned on the surface of the electroless copper layer 50 using a SAP (Semi Additive Process) method. More specifically, first, a resist 52 is patterned on the surface of the electroless copper layer 50 using a well-known photolithographic technique. By this pattern formation, the resist 52 has openings 52a at predetermined locations. The width D2 of this opening 52a is, for example, 6 μm. The width D2 is larger than the width D1 (for example, 3 μm) of the finally formed conductive portion 4 (see FIG. 3C). Then, an electrolytic copper layer 53 is formed on the electroless copper layer 50 in the opening 52a. That is, an electrolytic copper layer 53 is patterned on the surface of the electroless copper layer 50 . More specifically, by using the electroless copper layer 50 as an electrolytic plating seed layer, an electrolytic copper layer 53 with a width D2 is patterned by electrolytic copper plating.

ＳＡＰ工法は、レジスト５２の開口部５２ａを利用して電解銅層５３をパターン形成する工法である。レジスト５２をパターン形成するときの寸法精度は、比較的高い。このため、レジスト５２の開口部５２ａの幅Ｄ２を精度よく細く形成可能である。このため、ＳＡＰ工法を用いると、レジスト５２の開口部５２ａの高精度な寸法精度を利用して、電解銅層５３の幅Ｄ２を精度よく細く形成できる。このように、この製造方法では、ＳＡＰ工法を用いて電解銅層５３をパターン形成することで、電解銅層５３の幅Ｄ２を精度よく形成可能である。 The SAP method is a method of patterning the electrolytic copper layer 53 using the openings 52 a of the resist 52 . The dimensional accuracy when patterning the resist 52 is relatively high. Therefore, the width D2 of the opening 52a of the resist 52 can be formed narrow with high accuracy. Therefore, when the SAP method is used, the width D2 of the electrolytic copper layer 53 can be formed narrow with high accuracy by utilizing the high dimensional accuracy of the opening 52a of the resist 52. FIG. Thus, in this manufacturing method, the width D2 of the electrolytic copper layer 53 can be accurately formed by patterning the electrolytic copper layer 53 using the SAP method.

そして図３Ｃに示すように、黒色裏面層５１，無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の不要な部分を除去して導電部４に仕上げる。より詳細には、まず、レジスト５２を除去する。そして、電解銅層５３をマスクとして用いることで、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の不要な部分（電解銅層５３と重ならない部分）をエッチング除去する（フラッシュエッチング）。そして、このエッチング除去により、更に、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の幅ｄ１～ｄ３を所定の幅Ｄ１（例えば３μｍ）まで細線化する（減膜処理）。この減膜処理により、黒色裏面層４１、無電解銅層４２及び電解銅層４３が形成される。この結果、黒色裏面層４１、無電解銅層４２及び電解銅層４３によって、幅Ｄ１の導電部４が形成される。 Then, as shown in FIG. 3C, unnecessary portions of each of the black back layer 51, the electroless copper layer 50 and the electrolytic copper layer 53 are removed to finish the conductive portion 4. As shown in FIG. More specifically, first, the resist 52 is removed. Then, by using the electrolytic copper layer 53 as a mask, unnecessary portions (portions not overlapping with the electrolytic copper layer 53) of the electroless copper layer 50 and the black back layer 51 are removed by etching (flash etching). By this etching removal, the widths d1 to d3 of each of the black back surface layer 51, the electroless copper layer 50 and the electrolytic copper layer 53 are further thinned to a predetermined width D1 (for example, 3 μm) (film reduction treatment). By this film reduction treatment, a black back layer 41, an electroless copper layer 42 and an electrolytic copper layer 43 are formed. As a result, the black back layer 41, the electroless copper layer 42, and the electrolytic copper layer 43 form the conductive portion 4 having a width D1.

なお、上記の「黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の幅ｄ１～ｄ３を所定の幅Ｄ１まで細線化する」とは、厳密に各幅ｄ１～ｄ３を幅Ｄ１に一致させることに限定されず、一定範囲内で各幅ｄ１～ｄ３を幅Ｄ１に近づける場合も含む。なお、本実施形態では、減膜処理後において黒色裏面層４１の幅ｄ１と無電解銅層４２幅ｄ２との差は、例えば±０．５μｍ以内であり、減膜処理後において無電解銅層４２の幅ｄ２と電解銅層４３の幅ｄ３との差も、例えば±０．５μｍ以内である。この製造方法では、黒色裏面層４１及び無電解銅層４２は、互いに同じ材料（銅）で形成されるため、減膜処理後の各幅ｄ１，ｄ２の差は、例えば±０．５μｍ以内に収まっている。同様に、無電解銅層４２及び電解銅層４３も、互いに同じ材料（銅）で形成されるため、減膜処理後の各幅ｄ２，ｄ３の差も、例えば±０．５μｍ以内に収まっている。 The above-mentioned "thinning the widths d1 to d3 of each of the black back layer 51, the electroless copper layer 50, and the electrolytic copper layer 53 to the predetermined width D1" strictly means that each width d1 to d3 is reduced to the width D1. The widths d1 to d3 may be brought close to the width D1 within a certain range. In this embodiment, the difference between the width d1 of the black back surface layer 41 and the width d2 of the electroless copper layer 42 after the film reduction treatment is, for example, within ±0.5 μm. The difference between the width d2 of 42 and the width d3 of the electrolytic copper layer 43 is also within ±0.5 μm, for example. In this manufacturing method, since the black back layer 41 and the electroless copper layer 42 are formed of the same material (copper), the difference between the widths d1 and d2 after the film reduction treatment is within ±0.5 μm, for example. It's settled. Similarly, since the electroless copper layer 42 and the electrolytic copper layer 43 are also made of the same material (copper), the difference between the widths d2 and d3 after the film reduction treatment is within ±0.5 μm, for example. there is

なお、フラッシュエッチングによって、樹脂層８の表面に塗布された定着剤も除去される。ただし、定着剤が十分に除去できていない場合（すなわち定着剤の残渣が残っている場合）は、フラッシュエッチングの後に、定着剤除去液（例えばパラジウム除去液）を用いて、定着剤の残渣を除去してもよい。 Note that the fixing agent applied to the surface of the resin layer 8 is also removed by flash etching. However, if the fixer is not sufficiently removed (i.e., if fixer residue remains), after flash etching, use a fixer remover (for example, a palladium remover) to remove the fixer residue. may be removed.

次に図４を参照して、この製造方法の全体工程を説明する。この製造方法の全体工程は、密着層塗工工程、無電解メッキ工程、レジスト形成工程、パターニング工程、電解メッキ工程、レジスト除去工程、フラッシュエッチング工程、及び黒化処理工程を含む。 Next, referring to FIG. 4, the overall steps of this manufacturing method will be described. The overall process of this manufacturing method includes an adhesion layer coating process, an electroless plating process, a resist forming process, a patterning process, an electrolytic plating process, a resist removing process, a flash etching process, and a blackening process.

まず密着層塗工工程（図４Ａ）が行われる。密着層塗工工程では、基材本体７の両面に、基材本体７に密着する密着層として樹脂層８が形成される。樹脂層８は、単一の樹脂層で構成されてもよいし、複数（例えば２つ）の樹脂層で構成されてもよい。次に無電解メッキ工程（図４Ｂ）が行われる。無電解メッキ工程では、図３Ａで説明したように、樹脂層８の表面全体に、無電解銅メッキによって、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１が形成される。 First, the adhesion layer coating step (FIG. 4A) is performed. In the adhesion layer coating step, resin layers 8 are formed on both surfaces of the substrate body 7 as adhesion layers that adhere to the substrate body 7 . The resin layer 8 may be composed of a single resin layer, or may be composed of a plurality of (for example, two) resin layers. An electroless plating step (FIG. 4B) is then performed. In the electroless plating step, the electroless copper layer 50 and the black back layer 51 are formed on the entire surface of the resin layer 8 by electroless copper plating, as described with reference to FIG. 3A.

そして、図３Ｂで説明したように、次のレジスト形成工程（図４Ｃ）で、無電解銅層５０の表面全面にレジスト５２が形成され、次のパターニング工程（図４Ｄ）で、レジスト５２の不要な部分が除去されて、開口部５２ａを有するレジスト５２がパターン形成され、次の電解メッキ工程（図４Ｅ）で、無電解銅層５０を電解メッキシード層として使用し、開口部５２ａ内の無電解銅層５０上に電解銅層５３が形成される。 3B, the resist 52 is formed on the entire surface of the electroless copper layer 50 in the next resist formation step (FIG. 4C), and the resist 52 is not required in the next patterning step (FIG. 4D). Then, the resist 52 is patterned with openings 52a, and the electroless copper layer 50 is used as an electroplating seed layer in the next electroplating step (FIG. 4E) to remove the voids in the openings 52a. An electrolytic copper layer 53 is formed on the electrolytic copper layer 50 .

そして、レジスト除去工程（図４Ｆ）で、レジスト５２が除去される。そして、図３Ｃで説明したように、フラッシュエッチング工程（図４Ｇ）で、電解銅層５３をマスクとして使用して、無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の各々の不要な部分（電解銅層５３と重ならない部分）がエッチング除去される。そして、そのエッチング除去によって、更に、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の幅が所定の幅Ｄ１（例えば３μｍ）まで細線化される（減膜処理）。この結果、幅Ｄ１の導電部４が形成される。 Then, in the resist removing step (FIG. 4F), the resist 52 is removed. Then, as described in FIG. 3C, in the flash etching step (FIG. 4G), the electrolytic copper layer 53 is used as a mask to remove unnecessary portions (electrolytic copper layers) of each of the electroless copper layer 50 and the black back layer 51. 53) are removed by etching. By the etching removal, the width of each of the black back surface layer 51, the electroless copper layer 50 and the electrolytic copper layer 53 is further thinned to a predetermined width D1 (for example, 3 μm) (film reduction treatment). As a result, a conductive portion 4 having a width D1 is formed.

そして、黒化処理（図４Ｈ）で、導電部４の表面全体が黒色化される。より詳細には、例えば無電解メッキによって、導電部４の表面にニッケル膜（黒色膜）４４が形成される。なお、黒色膜４４の色と黒色裏面層５１（４１）の色とは、例えば同じ色（すなわち色差無し）である。なお、黒化処理は、無電解メッキ以外に、パラジウム処理液により銅の表面を微細な粗化面とする方法又は、針状の酸化銅を析出させて黒色化する方法等で行われてもよい。 Then, the entire surface of the conductive portion 4 is blackened by the blackening treatment (FIG. 4H). More specifically, a nickel film (black film) 44 is formed on the surface of the conductive portion 4 by electroless plating, for example. Note that the color of the black film 44 and the color of the black back layer 51 (41) are, for example, the same color (that is, there is no color difference). In addition to electroless plating, the blackening treatment may be performed by a method of making the copper surface finely roughened with a palladium treatment solution, or a method of depositing needle-shaped copper oxide to blacken it. good.

なお、この製造方法の各工程（密着層塗工工程、無電解メッキ工程、レジスト形成工程、パターニング工程、電解メッキ工程、レジスト除去工程、フラッシュエッチング工程、及び黒化処理工程）は、例えばロール・ツー・ロール方式で実行されてもよい。すなわち、基材本体７をロール状に巻いておく。そして、各工程毎に、ロール状の基材本体７を巻きだして当該工程を実施し、当該工程が終了すると基材本体７をロール状に巻き戻す。そして、次の工程に移行する。これを各工程で繰り返す。このように、タッチセンサ１をロール・トゥー・ロール方式で製造することで、タッチセンサ１の生産性を向上できる。 Each step of this manufacturing method (adhesion layer coating step, electroless plating step, resist formation step, patterning step, electrolytic plating step, resist removal step, flash etching step, and blackening treatment step) is performed by, for example, a roll It may be performed in a two-roll fashion. That is, the base material body 7 is wound in a roll shape. Then, for each step, the roll-shaped base body 7 is unwound and the step is performed, and when the step is completed, the base body 7 is rewound into a roll. Then, the process proceeds to the next step. This is repeated for each step. By manufacturing the touch sensor 1 by the roll-to-roll method in this way, the productivity of the touch sensor 1 can be improved.

次に、図５～図１０を参照して、フラッシュエッチング工程について詳しく説明する。 Next, the flash etching process will be described in detail with reference to FIGS. 5 to 10. FIG.

図５Ａに示すように、無電解銅層５０の表面にレジスト５２がパターン形成された状態では、レジスト５２の開口部５２ａの内側面の下端の隅角部に、残留レジスト５２ｂが残る場合がある。残留レジスト５２ｂは、開口部５２ａの内部に三角形状に突出している。残留レジスト５２ｂは、断面三角形の状態で導電部４の延びる方向に沿って形成されており、最終的に両側の残留レジスト５２ｂの間に導電部４が形成される。なお、上記の隅角部は、開口部５２ａの内側面と無電解銅層５０の表面とで形成される角部である。例えば、開口部５２ａの上面の幅Ｄ２が例えば６～７μｍとすると、開口部５２ａの下面の幅Ｄ３は、残留レジスト５２ｂの分小さくなって、例えば３～４μｍである。この幅Ｄ２は、導電部４の伸びる方向に沿って形成されており、この幅Ｄ２内に導電部４が形成される。 As shown in FIG. 5A, in the state where the resist 52 is patterned on the surface of the electroless copper layer 50, residual resist 52b may remain at the lower corners of the inner side surfaces of the openings 52a of the resist 52. . The residual resist 52b protrudes into the opening 52a in a triangular shape. The residual resist 52b is formed along the extending direction of the conductive portion 4 with a triangular cross section, and finally the conductive portion 4 is formed between the residual resists 52b on both sides. The corner portion is a corner portion formed by the inner surface of the opening 52 a and the surface of the electroless copper layer 50 . For example, if the width D2 of the upper surface of the opening 52a is 6 to 7 μm, the width D3 of the lower surface of the opening 52a is reduced by the residual resist 52b and is 3 to 4 μm, for example. This width D2 is formed along the direction in which the conductive portion 4 extends, and the conductive portion 4 is formed within this width D2.

このように、レジスト５２の開口部５２ａ内の無電解銅層５０上に電解銅層５３を形成し（電解メッキ工程、図５Ｂ参照）、レジスト５２を除去すると（レジスト除去工程、図５Ｃ参照）、図５Ｃに示すように、電解銅層５３の外側面の下部に、アンダーカット５３ａが形成される。アンダーカット５３ａは、残留レジスト５２ｂに対応して三角状に切り込まれた切込部分である。アンダーカット５３ａは、断面三角形の状態で、導電部４の延びる方向に沿って延びている。このアンダーカット５３ａが形成された状態でフラッシュエッチング工程が実行されると、使用するエッチング液の種類によっては、アンダーカット５３ａが大きくなる。このため、フラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａが大きくならないように、エッチング除去を行う必要がある。 Thus, the electrolytic copper layer 53 is formed on the electroless copper layer 50 in the openings 52a of the resist 52 (electrolytic plating step, see FIG. 5B), and the resist 52 is removed (resist removal step, see FIG. 5C). 5C, an undercut 53a is formed under the outer surface of the electrolytic copper layer 53. As shown in FIG. The undercut 53a is a triangular cut portion corresponding to the residual resist 52b. The undercut 53a has a triangular cross section and extends along the direction in which the conductive portion 4 extends. If the flash etching process is performed with the undercuts 53a formed, the undercuts 53a become larger depending on the type of etching solution used. Therefore, in the flash etching process, it is necessary to remove the undercut 53a by etching so as not to increase the size of the undercut 53a.

このため、この製造方法では、フラッシュエッチング工程では、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去を行う。なお、エアレーションとは、エッチング液内に空気（酸素）を含ませることである。例えば、エッチング液をスプレーによって噴霧状にして対象物に塗布することで、エアレーションを実行可能である。 Therefore, in this manufacturing method, in the flash etching step, etching is removed by aerating an etchant containing a divalent copper complex. Note that aeration means to include air (oxygen) in the etchant. For example, aeration can be performed by spraying the etchant into an atomized state and applying it to the object.

より詳細には、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションして使用することで、下記の式１及び式２の化学反応が起こる。なお、式１及び式２中のＣｕ(II)Ｘ２は二価銅錯体を示し、Ｃｕ(I)Ｘは一価銅錯体を示し、Ｘは錯化剤を示す。 More specifically, chemical reactions of formulas 1 and 2 below occur by using an etchant containing a divalent copper complex after aeration. In the formulas 1 and 2, Cu(II)X2 represents a divalent copper complex, Cu(I)X represents a monovalent copper complex, and X represents a complexing agent.

Ｃｕ＋Ｃｕ(II)Ｘ２ → ２Ｃｕ(I) … 式１
２Ｃｕ(I)Ｘ＋１／２Ｏ２＋２Ｘ → ２Ｃｕ(II)Ｘ２＋Ｈ２Ｏ … 式２
すなわち、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３の各々の中の銅（Ｃｕ）が、エッチング液中の二価銅錯体（Ｃｕ(II)Ｘ２）と反応して一価銅錯体（Ｃｕ(I)Ｘ）になってエッチング液に溶け出す（式１）。これにより、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３がエッチング除去される。この反応が進行してエッチング液中の二価銅錯体が無くなると、式１の反応は停止する。このため、エアレーションによってエッチング液中に酸素を供給して、エッチング液中の一価銅錯体を二価銅錯体に変化させることで、式１及び式２の反応を継続させる。 Cu+Cu(II)X 2 → 2Cu(I) Formula 1
2Cu(I)X+1/ 2O2 +2X → 2Cu(II)X2+ H2O ... Formula 2
That is, the copper (Cu) in each of the black back layer 51, the electroless copper layer 50, and the electrolytic copper layer 53 reacts with the divalent copper complex (Cu(II)X 2 ) in the etchant to form a monovalent It becomes a copper complex (Cu(I)X) and dissolves into the etching solution (Formula 1). As a result, the black back layer 51, the electroless copper layer 50 and the electrolytic copper layer 53 are removed by etching. When this reaction progresses and the divalent copper complex in the etchant disappears, the reaction of Formula 1 stops. Therefore, oxygen is supplied into the etching solution by aeration to change the monovalent copper complex in the etching solution to a divalent copper complex, thereby allowing the reactions of Formulas 1 and 2 to continue.

フラッシュエッチング工程で、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションして使用すると、エッチング液の塗布対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）において、エッチング液の流動性の高い所では、エッチング液中に酸素濃度が十分に確保されるため、エッチング除去が進行する。しかし、エッチング液の流動性の低い所では、酸素濃度が十分に確保できないため、エッチング除去が進行し難くなる。このため、図５Ｃにおいて、無電解銅層５０の表面及び電解銅層５３の側面では、エッチング液の流動性が良好であるため、エッチング除去が良好に進行する。しかし、アンダーカット５３ａ内では、エッチング液の流動性が低いため、エッチング除去が抑制される。このため、アンダーカット５３ａが大きくならないようにして、エッチング除去が可能である。この結果、図５Ｄに示すように、フラッシュエッチング工程において、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３を所定の幅Ｄ１まで細線化（減膜処理）したとき、アンダーカット５３ａが目立たないように、導電部４が形成される。 In the flash etching process, when the etching solution containing a divalent copper complex is used after being aerated, the fluidity of the etching solution decreases on the object to be coated with the etching solution (the black back layer 51, the electroless copper layer 50, and the electrolytic copper layer 53). Etching removal progresses at a high point because a sufficient oxygen concentration is ensured in the etchant. However, in areas where the etchant has low fluidity, a sufficient oxygen concentration cannot be ensured, making it difficult to remove by etching. Therefore, in FIG. 5C, the surface of the electroless copper layer 50 and the side surface of the electrolytic copper layer 53 are etched and removed favorably because the etchant has good fluidity. However, since the fluidity of the etchant is low within the undercut 53a, etching removal is suppressed. Therefore, it is possible to remove the undercut 53a by etching without increasing the size of the undercut 53a. As a result, as shown in FIG. 5D, when the black back surface layer 51, the electroless copper layer 50 and the electrolytic copper layer 53 are thinned (film reduction treatment) to a predetermined width D1 in the flash etching step, an undercut 53a is formed. A conductive portion 4 is formed so as to be inconspicuous.

また、無電解銅層５０のエッチングレートは、電解銅層５３のエッチングレートよりも速い。このため、従来型のフラッシュエッチング工程（エアレーションを用いないエッチング工法）では、減膜処理後の導電部４において、無電解銅層５０の幅が電解銅層５３の幅と比べて細くなり過ぎる場合がある。しかし、本実施形態の場合のフラッシュエッチング工程では、無電解銅層５０の幅が電解銅層５３の幅と比べて細くなり過ぎると、無電解銅層５０の部分にくびれが形成され、そのくびれでは、エッチング液の流動性が低下してエッチング除去が抑制される。このため、無電解銅層５０の幅と電解銅層５３の幅とが大凡同じ位の大きさに保たれながら、エッチング除去が進行する。この結果、図５Ｄに示すように、無電解銅層５０の幅が電解銅層５３の幅と比べて細くなり過ぎないように、導電部４が形成される。 Also, the etching rate of the electroless copper layer 50 is faster than the etching rate of the electrolytic copper layer 53 . Therefore, in the conventional flash etching process (etching method that does not use aeration), the width of the electroless copper layer 50 becomes too narrow compared to the width of the electrolytic copper layer 53 in the conductive portion 4 after the film reduction process. There is However, in the flash etching process of this embodiment, if the width of the electroless copper layer 50 becomes too narrow compared to the width of the electrolytic copper layer 53, a constriction is formed in the electroless copper layer 50, and the constriction In this case, the fluidity of the etchant is lowered and the removal by etching is suppressed. Therefore, the etching removal progresses while the width of the electroless copper layer 50 and the width of the electrolytic copper layer 53 are kept approximately the same. As a result, as shown in FIG. 5D, the conductive portion 4 is formed so that the width of the electroless copper layer 50 is not too narrow compared to the width of the electrolytic copper layer 53 .

図６Ａ～図８Ｂを参照して、本実施形態のフラッシュエッチング工程で形成された導電部４と、参考例のフラッシュエッチング工程で形成された導電部との違いを説明する。参考例のフラッシュエッチング工程では、エッチング液として硫酸過酸化水素が使用され、エアレーションは行われない。また、本実施形態のフラッシュエッチング工程で使用されるエッチング液に関しては、同類の組成の２種を用いて検討した。２種のエッチング液を、便宜上、タイプＡ及びタイプＢと呼ぶ。なお、図６Ａと図７Ａ及び図８Ａとは、異なる資料（エッチング対象物）で検討している。また、図７Ａと図８Ａとは、同様の資料（エッチング対象物）で検討している。 The difference between the conductive portion 4 formed by the flash etching process of this embodiment and the conductive portion formed by the flash etching process of the reference example will be described with reference to FIGS. 6A to 8B. In the flash etching process of the reference example, sulfuric acid hydrogen peroxide is used as an etchant, and aeration is not performed. In addition, two types of etchants with similar compositions were used in the flash etching process of the present embodiment. The two etchants are referred to as Type A and Type B for convenience. In addition, FIG. 6A, FIG. 7A, and FIG. 8A are examined with different materials (etching objects). Further, FIG. 7A and FIG. 8A are examined with the same material (etching object).

図６Ａは、フラッシュエッチング工程前のエッチング対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）の断面図を示す。図６Ｂは、図６Ａのエッチング対象物に対して、参考例のフラッシュエッチング工程を実施して形成された導電部４の断面図を示す。図６Ａにおいて、Ｄ２＝１４μｍ、Ｄ３＝１１．９μｍである。図６Ｂにおいて、ｄ３（＝Ｄ１）＝１３．４μｍ、ｄ２（≒ｄ１）＝６．５μｍである。図６Ａ及び図６Ｂから、フラッシュエッチング工程前の電解銅層５３の幅Ｄ２と、フラッシュエッチング工程後の電解銅層５３の幅ｄ３（＝Ｄ１）との差（＝Ｄ２－ｄ３）は０．６μｍであることが分かる。また、フラッシュエッチング工程前のアンダーカット５３ａの間隔Ｄ３と、フラッシュエッチング工程後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））との差（＝Ｄ３－ｄ２）は５．４μｍであることが分かる。これらから、フラッシュエッチング工程前後の電解銅層５３の幅の変化（Ｄ２とｄ３の差）に対して、フラッシュエッチング工程前後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））の変化（Ｄ３とｄ２の差）は、比較的大きいことが分かる。すなわち、参考例のフラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａがフラッシュエッチングによって大きくなることが分かる。 FIG. 6A shows a cross-sectional view of the object to be etched (black back layer 51, electroless copper layer 50 and electrolytic copper layer 53) before the flash etching process. FIG. 6B shows a cross-sectional view of the conductive portion 4 formed by performing the flash etching process of the reference example on the etching object of FIG. 6A. In FIG. 6A, D2=14 μm and D3=11.9 μm. In FIG. 6B, d3 (=D1)=13.4 μm and d2 (≈d1)=6.5 μm. 6A and 6B, the difference (=D2-d3) between the width D2 of the electrolytic copper layer 53 before the flash etching process and the width d3 (=D1) of the electrolytic copper layer 53 after the flash etching process is 0.6 μm. It turns out that Also, the difference (= D3-d2) is found to be 5.4 μm. From these, the distance of the undercut 53a before and after the flash etching process (that is, the width of the electroless copper layer 50 and the black back layer 51) is It can be seen that the change in the width d2 (≈d1)) (difference between D3 and d2) is relatively large. That is, in the flash etching process of the reference example, it can be seen that the undercut 53a becomes larger due to the flash etching.

図７Ａは、フラッシュエッチング工程前のエッチング対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）の断面図を示す。図７Ｂは、図７Ａのエッチング対象物に対して、タイプＡのエッチング液を用いて、本実施形態のフラッシュエッチング工程を実施して形成された導電部４の断面図を示す。図７Ａにおいて、Ｄ２＝１０.５μｍ、Ｄ３＝７．５μｍである。図７Ｂにおいて、ｄ３（＝Ｄ１）＝４．７μｍ、ｄ２（≒ｄ１）＝４．６μｍである。図７Ａ及び図７Ｂから、フラッシュエッチング工程前の電解銅層５３の幅Ｄ２と、フラッシュエッチング工程後の電解銅層５３の幅ｄ３（＝Ｄ１）との差（＝Ｄ２－ｄ３）は５．８μｍであることが分かる。また、フラッシュエッチング工程前のアンダーカット５３ａの間隔Ｄ３と、フラッシュエッチング工程後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））との差（＝Ｄ３－ｄ２）は２．９μｍであることが分かる。これらから、フラッシュエッチング工程前後の電解銅層５３の幅の変化（Ｄ２とｄ３の差）に対して、フラッシュエッチング工程前後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））の変化（Ｄ３とｄ２の差）は、参考例のフラッシュエッチング工程の場合と比べて小さいことがわかる。すなわち、タイプＡのエッチング液を用いた本実施形態のフラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａが十分に抑制されていることが分かる。 FIG. 7A shows a cross-sectional view of the object to be etched (black back layer 51, electroless copper layer 50 and electrolytic copper layer 53) before the flash etching process. FIG. 7B shows a cross-sectional view of the conductive portion 4 formed by performing the flash etching process of the present embodiment using the type A etchant on the etching object of FIG. 7A. In FIG. 7A, D2=10.5 μm and D3=7.5 μm. In FIG. 7B, d3 (=D1)=4.7 μm and d2 (≈d1)=4.6 μm. 7A and 7B, the difference (=D2-d3) between the width D2 of the electrolytic copper layer 53 before the flash etching process and the width d3 (=D1) of the electrolytic copper layer 53 after the flash etching process is 5.8 μm. It turns out that Also, the difference (= D3-d2) is found to be 2.9 μm. From these, the distance of the undercut 53a before and after the flash etching process (that is, the width of the electroless copper layer 50 and the black back layer 51) is It can be seen that the change in the width d2 (≈d1)) (difference between D3 and d2) is smaller than in the case of the flash etching process of the reference example. That is, it can be seen that the undercut 53a is sufficiently suppressed in the flash etching process of the present embodiment using the type A etchant.

図８Ａは、フラッシュエッチング工程前のエッチング対象物（黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３）の断面図を示す。図８Ｂは、図８Ａのエッチング対象物に対して、タイプＢのエッチング液を用いて、本実施形態のフラッシュエッチング工程を実施して形成された導電部４の断面図を示す。図８Ａにおいて、Ｄ２＝１０.５μｍ、Ｄ３＝７．５μｍである。図８Ｂにおいて、ｄ３（＝Ｄ１）＝６μｍ、ｄ２（≒ｄ１）＝４．６μｍである。図８Ａ及び図９Ｂから、フラッシュエッチング工程前の電解銅層５３の幅Ｄ２と、フラッシュエッチング工程後の電解銅層５３の幅ｄ３（＝Ｄ１）との差（＝Ｄ２－ｄ３）は４．５μｍであることが分かる。また、フラッシュエッチング工程前のアンダーカット５３ａの間隔Ｄ３と、フラッシュエッチング工程後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））との差（＝Ｄ３－ｄ２）は２．９μｍであることが分かる。これらから、フラッシュエッチング工程前後の電解銅層５３の幅の変化（Ｄ２とｄ３の差）に対して、フラッシュエッチング工程前後のアンダーカット５３ａの間隔（すなわち無電解銅層５０及び黒色裏面層５１の幅ｄ２（≒ｄ１））の変化（Ｄ３とｄ２の差）は、参考例のフラッシュエッチング工程の場合と比べて小さいことがわかる。すなわち、タイプＢのエッチング液を用いた本実施形態のフラッシュエッチング工程では、アンダーカット５３ａが十分に抑制されていることが分かる。 FIG. 8A shows a cross-sectional view of the object to be etched (black back layer 51, electroless copper layer 50 and electrolytic copper layer 53) before the flash etching process. FIG. 8B shows a cross-sectional view of the conductive portion 4 formed by performing the flash etching process of this embodiment on the etching object of FIG. 8A using the type B etchant. In FIG. 8A, D2=10.5 μm and D3=7.5 μm. In FIG. 8B, d3 (=D1)=6 μm and d2 (≈d1)=4.6 μm. 8A and 9B, the difference (=D2-d3) between the width D2 of the electrolytic copper layer 53 before the flash etching process and the width d3 (=D1) of the electrolytic copper layer 53 after the flash etching process is 4.5 μm. It turns out that Also, the difference (= D3-d2) is found to be 2.9 μm. From these, the distance of the undercut 53a before and after the flash etching process (that is, the width of the electroless copper layer 50 and the black back layer 51) is It can be seen that the change in the width d2 (≈d1)) (difference between D3 and d2) is smaller than in the case of the flash etching process of the reference example. That is, it can be seen that the undercut 53a is sufficiently suppressed in the flash etching process of the present embodiment using the type B etchant.

以上より、本実施形態のフラッシュエッチング工程では、タイプＡ及びタイプＢのどちらのエッチング液を用いても、アンダーカット５３ａが大きくならないようにして、エッチング除去が可能であることが分かる。 From the above, it can be seen that in the flash etching process of the present embodiment, it is possible to etch and remove the undercut 53a by using either type A or type B etchant without increasing the size of the undercut 53a.

次に、上記の参考例のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１の残存状態と、上記の本実施形態のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１の残存状態との違いについて説明する。参考例のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１は、黒色裏面層５１の裏面側から観察すると、図９Ａに示すように、導電部４の幅方向の中心だけに残存することが分かる。これに対し、上記の例えばタイプＡのエッチング液を用いた本実施形態のフラッシュエッチング工程後の黒色裏面層５１は、黒色裏面層５１の裏面側から観察すると、図９Ｂに示すように、導電部４の幅方向の全体（すなわち導電部４の裏面全体）に残存することが分かる。 Next, the difference between the remaining state of the black back layer 51 after the flash etching process of the reference example and the remaining state of the black back layer 51 after the flash etching process of the present embodiment will be described. When the black back layer 51 after the flash etching process of the reference example is observed from the back side of the black back layer 51, as shown in FIG. On the other hand, the black back surface layer 51 after the flash etching process of the present embodiment using the etching solution of type A, for example, is observed from the back surface side of the black back surface layer 51, as shown in FIG. 4 (that is, the entire back surface of the conductive portion 4).

次に、本実施形態の製造方法で形成された導電部４の形状的特徴を説明する。本実施形態では、ＳＡＰ工法を用いるため、フラッシュエッチング工程では、電解銅層５３の上面にレジストが無い（図５Ｃ）。このため、フラッシュエッチング工程（図５Ｄ）で、電解銅層５３の上面がエッチング除去で削られて凸状に湾曲した形（図８Ｂ）、または凹凸状の形状（図７Ｂ）になる。より詳細には、図８Ｂの場合は、電解銅層５３の上面は、幅方向において、中央部が両端部よりも突出するように湾曲する。この結果、導電部４の頂部が凸状に湾曲した形になる。または、図８Ａの場合は、電解銅層５３の上面は、上面全体に凹凸状の形状を有する。これにより、電解銅層５３の上面側（正面）から入射した光に対して、電解銅層５３の上面での正面への反射を抑制できる。この結果、タッチセンサ１の正面から見て導電部４を目立たなくできる。 Next, the shape characteristics of the conductive portion 4 formed by the manufacturing method of this embodiment will be described. In this embodiment, since the SAP method is used, there is no resist on the upper surface of the electrolytic copper layer 53 in the flash etching process (FIG. 5C). Therefore, in the flash etching step (FIG. 5D), the upper surface of the electrolytic copper layer 53 is removed by etching to form a convex curved shape (FIG. 8B) or an uneven shape (FIG. 7B). More specifically, in the case of FIG. 8B, the upper surface of the electrolytic copper layer 53 is curved in the width direction so that the central portion protrudes more than the both end portions. As a result, the top portion of the conductive portion 4 becomes convexly curved. Alternatively, in the case of FIG. 8A, the upper surface of the electrolytic copper layer 53 has an uneven shape over the entire upper surface. As a result, it is possible to suppress frontal reflection on the upper surface of the electrolytic copper layer 53 with respect to light incident from the upper surface side (front surface) of the electrolytic copper layer 53 . As a result, the conductive portion 4 can be made inconspicuous when viewed from the front of the touch sensor 1 .

次に図１０Ａ及び図１０Ｂを参照して、導電部４の裏面反射率の評価実験の結果（評価結果）を説明する。図１０Ａは、評価実験の方法を説明する図であり、図１０Ｂは、評価実験の結果（評価結果）を示す図である。この評価実験では、図１０Ａに示すように、評価対象は、基材３の片面だけに、樹脂層８、黒色裏面層５１、無電解銅層５０及び電解銅層５３が設けられている。そして、基材３側から基材３越しに光（入射光Ｃ１）を照射し、黒色裏面層５１で反射される反射光Ｃ２を測定する。そのとき、入射光Ｃ１の周波数を一定範囲（例えば３８０ｎｍ～７８０ｎｍ）内で変化させ、その反射光Ｃ２を測定する。 Next, with reference to FIG. 10A and FIG. 10B, the result (evaluation result) of the evaluation experiment of the back surface reflectance of the conductive portion 4 will be described. FIG. 10A is a diagram for explaining the evaluation experiment method, and FIG. 10B is a diagram showing the results of the evaluation experiment (evaluation results). In this evaluation experiment, as shown in FIG. 10A, a resin layer 8, a black back layer 51, an electroless copper layer 50, and an electrolytic copper layer 53 are provided on only one side of the substrate 3 to be evaluated. Then, light (incident light C1) is irradiated through the base material 3 from the side of the base material 3, and the reflected light C2 reflected by the black back layer 51 is measured. At that time, the frequency of the incident light C1 is changed within a certain range (for example, 380 nm to 780 nm), and the reflected light C2 is measured.

また、樹脂層８として、硬化特性の異なる３種類の樹脂層を用いた場合のそれぞれで評価実験を行った。３種類のうちの１つ目の樹脂層８は、紫外線硬化樹脂であり、周波数が１５０ｎｍで硬化する樹脂である（図１０ＢのグラフＧ１）。２つ目の樹脂層８は、紫外線硬化樹脂であり、周波数が３００ｎｍで硬化する樹脂である（図１０ＢのグラフＧ２）。３つ目の樹脂層８は、熱硬化樹脂である（図１０ＢのグラフＧ３）。 Also, an evaluation experiment was conducted for each of three types of resin layers having different curing characteristics as the resin layer 8 . The first resin layer 8 of the three types is an ultraviolet curable resin, and is a resin that cures at a frequency of 150 nm (graph G1 in FIG. 10B). The second resin layer 8 is an ultraviolet curable resin that is cured at a frequency of 300 nm (graph G2 in FIG. 10B). The third resin layer 8 is a thermosetting resin (graph G3 in FIG. 10B).

図１０Ｂは、評価結果を反射率と入射光Ｃ１の周波数との関係で示している。反射率は、入射光Ｃ１の光束に対する反射光Ｃ２の光束の比率である。図１０Ｂから分かるように、３種類の樹脂層８の何れの場合も、黒色裏面層５１の裏面反射率は１０％以下であることが分かる。すなわち、導電部４は裏側から見て十分に黒色（暗色）に見えることが分かる。 FIG. 10B shows the evaluation results in terms of the relationship between the reflectance and the frequency of the incident light C1. The reflectance is the ratio of the luminous flux of the reflected light C2 to the luminous flux of the incident light C1. As can be seen from FIG. 10B, the back surface reflectance of the black back surface layer 51 is 10% or less in any of the three types of resin layers 8 . That is, it can be seen that the conductive portion 4 looks sufficiently black (dark) when viewed from the back side.

なお、本実施形態では、図３～図５及び図１０において、樹脂層８の表面は、無電解銅メッキ膜（無電解銅層５０及び黒色裏面層５１）との密着向上のイメージ図として、凹凸を有するように図示されている。ただし、無電解銅メッキ膜が樹脂層８の表面に密着すれば、樹脂層８の表面の凹凸は無くてもよい。なお、無電解銅メッキ膜をエッチング除去した後の樹脂層８の表面は、光学特性として十分に透明であり、ヘイズ値が十分に小さい値（例えばヘイズ値が１．５以下、より好ましくは１以下）となることが好ましい。 In this embodiment, in FIGS. 3 to 5 and 10, the surface of the resin layer 8 is uneven as an image diagram for improving adhesion with the electroless copper plating film (the electroless copper layer 50 and the black back layer 51). is shown as having a However, if the electroless copper plating film adheres to the surface of the resin layer 8, the surface of the resin layer 8 does not have to be uneven. The surface of the resin layer 8 after the electroless copper plating film is removed by etching is sufficiently transparent as an optical property and has a sufficiently small haze value (for example, a haze value of 1.5 or less, more preferably 1 below).

（変形例）
上記の実施形態は、本開示の様々な実施形態の一つに過ぎない。上記の実施形態は、本開示の目的を達成できれば、設計等に応じて種々の変更が可能である。以下、上記実施形態の変形例を列挙する。以下に説明する変形例は、適宜組み合わせて適用可能である。以下に説明する変形例では、上記の実施形態と異なる点を中心に説明する。また、以下の変形例では、上記の実施形態と同じ部分については、同じ符号を付して説明を省略する場合がある。 (Modification)
The embodiment described above is but one of the various embodiments of the present disclosure. The above-described embodiment can be modified in various ways according to design and the like, as long as the object of the present disclosure can be achieved. Modifications of the above embodiment are listed below. Modifications described below can be applied in combination as appropriate. In the modified example described below, the points different from the above embodiment will be mainly described. In addition, in the following modified examples, the same reference numerals may be given to the same parts as in the above-described embodiment, and description thereof may be omitted.

（変形例１）
上記の実施形態では、黒色裏面層４１は、黒色に見えることを想定するが、赤味がかった黒色、青味がかった黒色、暗い赤色、又は、暗い青色でもよく、一般的には暗色であれば、どのような色でもよい。暗色の基準として、例えば黒色裏面層５１での反射率が１０％以下であるという条件を採用してもよい。 (Modification 1)
In the above embodiments, the black backing layer 41 is assumed to appear black, but may be reddish black, bluish black, dark red, or dark blue, and generally dark. can be any color. For example, a condition that the reflectance of the black back layer 51 is 10% or less may be adopted as a criterion for dark color.

（変形例２）
上記の実施形態では、３つの層（黒色裏面層４１（５１）、無電解銅層４２（５０）及び電解銅層４３（５３））は、同じ材料（銅）で形成されるが、それら３つの層は、同じ材料で形成される必要はない。３つの層の何れか２つの層だけが同じ材料で形成されてもよいし、３つの層の全部が異なる材料で形成されてもよい。この場合は、フラッシュエッチング工程では、異なる材料の層を同時でエッチング除去可能なエッチング液を用いることが望ましいが、異なる材料の層毎にエッチング液を変えてエッチング除去を行ってもよい。 (Modification 2)
In the above embodiment, the three layers (black back layer 41 (51), electroless copper layer 42 (50) and electrolytic copper layer 43 (53)) are formed of the same material (copper), but the three The two layers need not be made of the same material. Any two of the three layers may be made of the same material, or all three layers may be made of different materials. In this case, in the flash etching process, it is desirable to use an etchant capable of simultaneously etching and removing layers of different materials, but the layers of different materials may be etched with different etchants.

（変形例３）
上記の実施形態では、黒色裏面層４１、無電解銅層４２及び電解銅層４３は、銅で形成されるが、銅に限定されない。特に、黒色裏面層４１は、導電部４の裏側から見て黒色（暗色）に見えれば、どのような材料（例えばニッケル）を用いてもよい。 (Modification 3)
In the above embodiment, the black back layer 41, the electroless copper layer 42 and the electrolytic copper layer 43 are made of copper, but are not limited to copper. In particular, the black back layer 41 may be made of any material (for example, nickel) as long as it looks black (dark) when viewed from the back side of the conductive portion 4 .

（変形例４）
上記の実施形態では、電解銅層４３は、電解メッキによって形成されるが、電解メッキ以外の形成方法（例えばスパッタリング）で形成されてもよい。 (Modification 4)
In the above embodiment, the electrolytic copper layer 43 is formed by electrolytic plating, but may be formed by a forming method other than electrolytic plating (for example, sputtering).

（変形例５）
上記の実施形態では、基材３の両面に導電部４が設けられるが、基材３の片面だけに導電部４が設けられてもよい。すなわち、上記の実施形態では、１つの基材３の両面を利用して導電部４Ｘ及び導電部４Ｙが設けられるが、２つの基材３を用意し、一方の基材３の片面に導電部４Ｘを設け、他方の基材３の片面に導電部４Ｙを設け、それら２つの基材３を重ねて使用してもよい。この２枚の基材の場合でも、タッチセンサ１は、相互容量式であってもよいし、自己容量式であってもよい。 (Modification 5)
Although the conductive portions 4 are provided on both sides of the substrate 3 in the above embodiment, the conductive portions 4 may be provided on only one side of the substrate 3 . That is, in the above embodiment, the conductive portion 4X and the conductive portion 4Y are provided using both sides of one substrate 3, but two substrates 3 are prepared, and one substrate 3 has a conductive portion 4X may be provided, and the conductive portion 4Y may be provided on one side of the other base material 3, and these two base materials 3 may be used in an overlapping manner. Even in the case of these two substrates, the touch sensor 1 may be of mutual capacitance type or self-capacitance type.

（まとめ）
第１の態様のタッチセンサ（１）は、基材（３）上に形成された導電部（４）を備える。導電部（４）は、第１導電層（４１）と、第２導電層（４２）と、第３導電層（４３）とを備える。第１導電層（４１）は、暗色層であり、基材（３）上に形成されている。第２導電層（４２）は、第１導電層（４１）上に形成されている。第３導電層（４３）は、第２導電層（４２）上に形成されている。 (summary)
The touch sensor (1) of the first aspect comprises a conductive portion (4) formed on a substrate (3). The conductive part (4) comprises a first conductive layer (41), a second conductive layer (42) and a third conductive layer (43). The first conductive layer (41) is a dark layer and is formed on the substrate (3). A second conductive layer (42) is formed on the first conductive layer (41). A third conductive layer (43) is formed on the second conductive layer (42).

この構成によれば、第１導電層（４１）が暗色層であるため、基材（３）の裏面（導電部（４）の反対側の面）から見て、導電部（４）の裏面を暗色（例えば黒色）に見せることができる（裏面暗色化）。また、第２導電層（４２）を電解メッキシード層とし、第３導電層（４３）を電解メッキ層として形成することで、ＳＡＰ工法（導電部（４）の細線化に適した工法）を用いて導電部（４）を製造できる。この結果、導電部（４）の裏面の暗色化を図り、且つ導電部（４）の細線化を図ることができる。 According to this configuration, since the first conductive layer (41) is a dark layer, when viewed from the back surface of the base material (3) (the surface opposite to the conductive portion (4)), can appear dark (eg black) (backside darkening). Further, by forming the second conductive layer (42) as an electrolytic plating seed layer and forming the third conductive layer (43) as an electrolytic plating layer, the SAP method (a method suitable for thinning the conductive portion (4)) can be used. can be used to manufacture the conductive part (4). As a result, the back surface of the conductive portion (4) can be darkened and the conductive portion (4) can be thinned.

第２の態様のタッチセンサ（１）では、第１の態様において、第１導電層（４１）と第２導電層（４２）は、同一材料である。 In the touch sensor (1) of the second aspect, in the first aspect, the first conductive layer (41) and the second conductive layer (42) are the same material.

この構成によれば、同じエッチング液を用いて第１導電層（４１）と第２導電層（４２）をエッチング除去できる。これにより、ＳＡＰ工法が複雑な工程になることを回避できる。 According to this configuration, the first conductive layer (41) and the second conductive layer (42) can be removed by etching using the same etchant. This can avoid the SAP construction method from becoming a complicated process.

第３の態様のタッチセンサ（１）では、第１又は第２の態様において、第１導電層（４１）及び第２導電層（４２）は、無電解銅である。 In the touch sensor (1) of the third aspect, in the first or second aspect, the first conductive layer (41) and the second conductive layer (42) are electroless copper.

この構成によれば、無電解銅の析出特性を活かして、第１導電層（４１）及び第２導電層（４２）を形成できる。すなわち、無電解銅は、基材（３）に形成されると、基材（３）との境界に銅を析出し、その析出銅により、微細凹凸面を有する析出銅層（これも無電解銅）を形成する（析出特性）。基材（３）に形成した当初の無電解銅を第２導電層（４２）として、析出銅層を第１導電層（４１）とすることで、無電解銅によって第１導電層（４１）及び第２導電層（４２）を形成できる。この場合、析出銅層の微細凹凸面によって第１導電層（４１）の裏面暗色化が実現される。 According to this configuration, the first conductive layer (41) and the second conductive layer (42) can be formed by taking advantage of the deposition characteristics of electroless copper. That is, when electroless copper is formed on the substrate (3), copper is deposited at the boundary with the substrate (3), and the deposited copper forms a deposited copper layer having a finely uneven surface (also electroless copper) (deposition properties). The first electroless copper formed on the substrate (3) is used as the second conductive layer (42), and the deposited copper layer is used as the first conductive layer (41). and a second conductive layer (42) can be formed. In this case, the back surface of the first conductive layer (41) is darkened by the finely uneven surface of the deposited copper layer.

第４の態様のタッチセンサ（１）では、第１～第３の態様の何れか１つの態様において、第３導電層（４３）の表面は、幅方向において、中央部が両端部よりも突出するように湾曲している。 In the touch sensor (1) of the fourth aspect, in any one aspect of the first to third aspects, the surface of the third conductive layer (43) has a central portion that protrudes more than both ends in the width direction. It is curved to

この構成によれば、第３導電層（４３）の表面側（正面）から入射した光に対して、第３導電層（４３）の表面での正面への反射を抑制できる。この結果、タッチセンサ（１）の正面から見て導電部（４）を目立たなくできる。 According to this configuration, it is possible to suppress frontal reflection on the surface of the third conductive layer (43) with respect to light incident from the surface side (front) of the third conductive layer (43). As a result, the conductive part (4) can be made inconspicuous when viewed from the front of the touch sensor (1).

第５の態様のタッチセンサ（１）では、第１～第３の態様の何れか１つの態様において、第３導電層（４３）の表面は、凹凸状である。 In the touch sensor (1) of the fifth aspect, in any one of the first to third aspects, the surface of the third conductive layer (43) is uneven.

この構成によれば、第３導電層（４３）の表面側（正面）から入射した光に対して、第３導電層（４３）の表面での正面への反射を抑制できる。この結果、タッチセンサ（１）の正面から見て導電部（４）を目立たなくできる。 According to this configuration, it is possible to suppress frontal reflection on the surface of the third conductive layer (43) with respect to light incident from the surface side (front) of the third conductive layer (43). As a result, the conductive part (4) can be made inconspicuous when viewed from the front of the touch sensor (1).

第６の態様のタッチセンサ（１）では、第１～第５の態様の何れか１つの態様において、第１導電層（４１）と第２導電層（４２）との各々の幅（ｄ１，ｄ２）の差は、±０．５μｍ以内である。 In the touch sensor (1) of the sixth aspect, in any one aspect of the first to fifth aspects, the width (d1, d2) is within ±0.5 μm.

この構成によれば、第２導電層（４２）の幅（ｄ２）が第１導電層（４１）の幅（ｄ１）よりも＋０．５μｍ以内であるため、タッチセンサ（１）の裏側から見て第２導電層（４２）を目立たなくできる。また、第２導電層（４２）の幅（ｄ２）が第１導電層（４１）の幅（ｄ１）よりも－０．５μｍ以内であるため、導電部（４）の導電性を十分に確保できる。また、第１導電層（４１）と第２導電層（４２）とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。 According to this configuration, since the width (d2) of the second conductive layer (42) is within +0.5 μm from the width (d1) of the first conductive layer (41), the touch sensor (1) can be viewed from the back side. Therefore, the second conductive layer (42) can be made inconspicuous. In addition, since the width (d2) of the second conductive layer (42) is within -0.5 μm from the width (d1) of the first conductive layer (41), the conductivity of the conductive portion (4) is sufficiently secured. can. It can also be used to determine whether or not the first conductive layer (41) and the second conductive layer (42) are made of the same material.

第７の態様のタッチセンサ（１）では、第１～第６の態様の何れか１つの態様において、第２導電層（４２）と第３導電層（４３）との各々の幅（ｄ２，ｄ３）の差は、±０．５μｍ以内である。 In the touch sensor (1) of the seventh aspect, in any one aspect of the first to sixth aspects, the width (d2, d3) is within ±0.5 μm.

この構成によれば、導電部（４）の導電性を十分に確保できる。また、第２導電層（４２）と第３導電層（４３）とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。 According to this configuration, the conductivity of the conductive portion (4) can be sufficiently ensured. It can also be used to determine whether or not the second conductive layer (42) and the third conductive layer (43) are made of the same material.

第８の態様のタッチセンサ（１）では、第１～第６の態様の何れか１つの態様において、第２導電層（４２）と第３導電層（４３）との各々の幅（ｄ２，ｄ３）の差は、±１．４μｍ以内である。 In the touch sensor (1) of the eighth aspect, in any one aspect of the first to sixth aspects, the width (d2, d3) is within ±1.4 μm.

この構成によれば、導電部（４）の導電性を十分に確保できる。また、第２導電層（４２）と第３導電層（４３）とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。 According to this configuration, the conductivity of the conductive portion (4) can be sufficiently ensured. It can also be used to determine whether or not the second conductive layer (42) and the third conductive layer (43) are made of the same material.

第９の態様のタッチセンサ（１）では、第１～第８の態様の何れか１つの態様において、第１導電層（４１）、第２導電層（４２）及び第３導電層（４３）は、同一材料である。 In the touch sensor (1) of the ninth aspect, in any one aspect of the first to eighth aspects, the first conductive layer (41), the second conductive layer (42) and the third conductive layer (43) are the same material.

この構成によれば、容易に、第１～第３導電層（４３）をまとめて減膜処理できる。 According to this configuration, the first to third conductive layers (43) can be easily subjected to the film reduction treatment collectively.

第１０の態様のタッチセンサ（１）では、第１～第９の態様の何れか１つの態様において、導電部（４）は、基材（３）の両面に設けられている。 In the touch sensor (1) of the tenth aspect, in any one of the first to ninth aspects, the conductive portions (4) are provided on both sides of the base material (3).

この構成によれば、基材（３）の両面に上述の効果を有する導電部（４）を備えるタッチセンサ（１）を提供できる。 According to this configuration, it is possible to provide the touch sensor (1) including the conductive portions (4) having the above effects on both sides of the base material (3).

第１１の態様のタッチセンサ（１）の製造方法は、第１工程（無電解メッキ工程）と、第２工程（レジスト形成工程及びパターニング工程）と、第３工程（電解メッキ工程）と、第４工程（レジスト除去工程）と、第５工程（フラッシュエッチング工程）とを有する。第１工程では、暗色層である第１導電層（５１）、及び第２導電層（５０）をこの順に基材（３）に積層する。第２工程では、第２導電層（５０）上に、開口部（５２ａ）を有するレジスト（５２）を形成する。第３工程では、開口部（５２ａ）内の第２導電層（５０）上に第３導電層（５３）を形成する。第４工程では、レジスト（５２）を除去する。第５工程では、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）において第３導電層（５３）と重ならない部分をエッチング除去する。 The method for manufacturing the touch sensor (1) of the eleventh aspect comprises a first step (electroless plating step), a second step (resist forming step and patterning step), a third step (electroplating step), and a It has 4 steps (resist removal step) and a 5th step (flash etching step). In the first step, a first conductive layer (51), which is a dark layer, and a second conductive layer (50) are laminated in this order on the substrate (3). In the second step, a resist (52) having an opening (52a) is formed on the second conductive layer (50). In the third step, a third conductive layer (53) is formed on the second conductive layer (50) in the opening (52a). In the fourth step, the resist (52) is removed. In the fifth step, portions of the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) that do not overlap the third conductive layer (53) are removed by etching.

この構成によれば、ＳＡＰ工法を用いて、暗色層を有する導電部（４）を形成できる。この結果、タッチセンサ（１）の導電部（４）を、暗色層を持たせて細線化できる。また、この構成によれば、第１導電層（５１）が暗色層であるため、基材（３）の裏面（導電部（４）とは反対側の面）から見て導電部（４）の裏面を暗色（例えば黒色）に見えるようにできる（裏面暗色化）。また、第１～第４工程はＳＡＰ工法であるため、ＳＡＰ工法（導電部（４）の細線化に適した工法）を用いて導電部（４）を形成できる。この結果、裏面が暗色化され且つ細線化された導電部（４）を有するタッチセンサ（１）を製造できる。 According to this configuration, the conductive part (4) having the dark layer can be formed using the SAP method. As a result, the conductive portion (4) of the touch sensor (1) can be thinned with a dark layer. In addition, according to this configuration, since the first conductive layer (51) is a dark layer, the conductive portion (4) can be can be made to appear dark (eg black) on the back side (back side darkening). Further, since the first to fourth steps are the SAP method, the conductive portion (4) can be formed using the SAP method (a method suitable for thinning the conductive portion (4)). As a result, it is possible to manufacture a touch sensor (1) having a darkened back surface and thinned conductive portions (4).

第１２の態様のタッチセンサ（１）の製造方法では、第１１の態様において、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）を同時にエッチング除去する。 In the method for manufacturing the touch sensor (1) of the twelfth aspect, in the eleventh aspect, the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) are removed by etching at the same time.

この構成によれば、ＳＡＰ工法が複雑な工程になることを回避できる。 According to this configuration, it is possible to prevent the SAP construction method from becoming a complicated process.

第１３の態様のタッチセンサ（１）の製造方法では、第１１又は第１２の態様において、第５工程後の第１導電層（５１）と第２導電層（５０）との各々の幅（ｄ１，ｄ２）の差は、±０．５μｍ以内である。 In the method for manufacturing a touch sensor (1) of the thirteenth aspect, in the eleventh or twelfth aspect, the width ( The difference between d1 and d2) is within ±0.5 μm.

この構成によれば、第２導電層（５０）の幅（ｄ２）が第１導電層（５１）の幅（ｄ１）よりも＋０．５μｍ以内であるため、タッチセンサ（１）の裏側から見て導電部（４）を目立たなくできる。また、第２導電層（５０）の幅（ｄ２）が第１導電層（５１）の幅（ｄ１）よりも－０．５μｍ以内であるため、導電部（４）の導電性を十分に確保できる。第１導電層（５１）と第２導電層（５０）とが同じ材料で構成されているか否かの判定に利用できる。 According to this configuration, since the width (d2) of the second conductive layer (50) is within +0.5 μm from the width (d1) of the first conductive layer (51), the touch sensor (1) is viewed from the back side. Therefore, the conductive portion (4) can be made inconspicuous. In addition, since the width (d2) of the second conductive layer (50) is within −0.5 μm from the width (d1) of the first conductive layer (51), the conductivity of the conductive portion (4) is sufficiently secured. can. It can be used to determine whether or not the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) are made of the same material.

第１４の態様のタッチセンサ（１）の製造方法では、第１１～第１３の態様の何れか１つの態様において、第５工程のエッチング除去によって、第１導電層（５１）、第２導電層（５０）及び第３導電層（５３）の各々の幅を所定の幅まで細くする減膜処理を行う。 In the method for manufacturing a touch sensor (1) according to the fourteenth aspect, in any one aspect of the eleventh to thirteenth aspects, the first conductive layer (51) and the second conductive layer are removed by etching in the fifth step. (50) and the third conductive layer (53) are each thinned to a predetermined width by a film reduction process.

この構成によれば、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）のエッチング除去と、第１～第３導電層（５１，５０，５３）の減膜処理とをまとめて実行できるため、製造工程数を低減できる。 According to this configuration, the etching removal of the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) and the film reduction processing of the first to third conductive layers (51, 50, 53) can be performed collectively. Therefore, the number of manufacturing steps can be reduced.

第１５の態様のタッチセンサ（１）の製造方法では、第１１～第１４の態様の何れか１つの態様において、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）は、無電解銅で形成さている。 In the method for manufacturing the touch sensor (1) of the fifteenth aspect, in any one of the eleventh to fourteenth aspects, the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) are made of electroless copper is formed by

この構成によれば、無電解銅の析出特性を活かして、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）を形成できる。すなわち、無電解銅は、基材（３）に形成されると、基材（３）との境界に銅を析出し、その析出銅により、微細凹凸面を有する析出銅層（これも無電解銅）を形成する（析出特性）。基材（３）に形成した当初の無電解銅を第２導電層（５０）として、析出銅層を第１導電層（５１）とすることで、無電解銅によって第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）を形成できる。この場合、析出銅層の微細凹凸面によって第１導電層（５１）の裏面暗色化が実現される。 According to this configuration, the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) can be formed by taking advantage of the deposition characteristics of electroless copper. That is, when electroless copper is formed on the substrate (3), copper is deposited at the boundary with the substrate (3), and the deposited copper forms a deposited copper layer having a finely uneven surface (also electroless copper) (deposition properties). The first electroless copper formed on the substrate (3) is used as the second conductive layer (50), and the deposited copper layer is used as the first conductive layer (51). and a second conductive layer (50) can be formed. In this case, the back surface of the first conductive layer (51) is darkened by the fine uneven surface of the deposited copper layer.

第１６の態様のタッチセンサ（１）の製造方法では、第１５の態様の何れか１つの態様において、第３導電層（５３）は、電解銅で形成されている。 In the method for manufacturing the touch sensor (1) of the sixteenth aspect, in any one aspect of the fifteenth aspect, the third conductive layer (53) is made of electrolytic copper.

この構成によれば、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）のエッチング除去と同時に第１～第３導電層（５３）の減膜処理を効果的に行うことができる。 According to this configuration, the film reduction treatment of the first to third conductive layers (53) can be effectively performed simultaneously with the removal of the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) by etching.

第１７の態様のタッチセンサ（１）の製造方法では、第１６の態様において、第５工程では、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去を行う。 In the manufacturing method of the touch sensor (1) of the seventeenth aspect, in the sixteenth aspect, in the fifth step, the etchant containing the divalent copper complex is aerated to remove by etching.

この構成によれば、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）のエッチング除去が第３導電層（４３）の側面よりも進むと、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）のエッチング面（側面）でのエッチング液の流動性が、第３導電層（５３）の側面よりも低下する。エアレーションを用いることで、この流動性の低下を利用して、第１導電層（５１）及び第２導電層（５０）のエッチング除去を抑制できる。この結果、導電部（４）の幅を導電部（４）の上部と下部とでほぼ同じ幅に保って、減膜処理を行える。 According to this configuration, when the etching removal of the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50) progresses beyond the side surface of the third conductive layer (43), the first conductive layer (51) and the second conductive layer (51) are removed. The fluidity of the etchant on the etching surface (side surface) of the layer (50) is lower than on the side surface of the third conductive layer (53). By using aeration, this decrease in fluidity can be used to suppress etching removal of the first conductive layer (51) and the second conductive layer (50). As a result, the width of the conductive portion (4) can be maintained substantially the same between the upper portion and the lower portion of the conductive portion (4), and the film reduction process can be performed.

１ タッチセンサ
４ 導電部
４１，５１ 黒色裏面層（暗色層、第１導電層）
４２，５０ 無電解銅層（第２導電層）
４３，５３ 電解銅層（第３導電層）
ｄ１ 黒色裏面層の幅
ｄ２ 無電解銅層の幅
ｄ３ 電解銅層の幅 1 touch sensor 4 conductive part 41, 51 black back layer (dark layer, first conductive layer)
42, 50 electroless copper layer (second conductive layer)
43, 53 electrolytic copper layer (third conductive layer)
d1 Width of black back layer d2 Width of electroless copper layer d3 Width of electrolytic copper layer

Claims (17)

基材上に形成された導電部を備え、
前記導電部は、
前記基材上に形成された、暗色層である第１導電層と、
前記第１導電層上に形成された第２導電層と、
前記第２導電層上に形成された第３導電層と、を有する、
タッチセンサ。 comprising a conductive portion formed on the substrate;
The conductive part is
A first conductive layer, which is a dark layer, formed on the substrate;
a second conductive layer formed on the first conductive layer;
a third conductive layer formed on the second conductive layer;
touch sensor. 前記第１導電層と前記第２導電層は、同一材料である、
請求項１に記載のタッチセンサ。 The first conductive layer and the second conductive layer are the same material,
The touch sensor according to claim 1. 前記第１導電層及び前記第２導電層は、無電解銅である、
請求項１又は２に記載のタッチセンサ。 wherein the first conductive layer and the second conductive layer are electroless copper;
The touch sensor according to claim 1 or 2. 前記第３導電層の表面は、幅方向において、中央部が両端部よりも突出するように湾曲している、
請求項１～３の何れか１項に記載のタッチセンサ。 The surface of the third conductive layer is curved in the width direction so that the central portion protrudes more than both ends.
The touch sensor according to any one of claims 1 to 3. 前記第３導電層の表面は、凹凸状である、
請求項１～３の何れか１項に記載のタッチセンサ。 The surface of the third conductive layer is uneven,
The touch sensor according to any one of claims 1 to 3. 前記第１導電層と前記第２導電層との各々の幅の差は、±０．５μｍ以内である、
請求項１～５の何れか１項に記載のタッチセンサ。 The difference in width between each of the first conductive layer and the second conductive layer is within ±0.5 μm.
The touch sensor according to any one of claims 1 to 5. 前記第２導電層と前記第３導電層との各々の幅の差は、±０．５μｍ以内である、
請求項１～６の何れか１項に記載のタッチセンサ。 The difference in width between each of the second conductive layer and the third conductive layer is within ±0.5 μm.
The touch sensor according to any one of claims 1-6. 前記第２導電層と前記第３導電層との各々の幅の差は、±１．４μｍ以内である、
請求項１～６の何れか１項に記載のタッチセンサ。 The difference in width between each of the second conductive layer and the third conductive layer is within ±1.4 μm.
The touch sensor according to any one of claims 1-6. 前記第１導電層、前記第２導電層及び前記第３導電層は、同一材料である、
請求項１～８の何れか１項に記載のタッチセンサ。 The first conductive layer, the second conductive layer and the third conductive layer are the same material,
The touch sensor according to any one of claims 1-8. 前記導電部は、前記基材の両面に設けられている、
請求項１～９の何れか１項に記載のタッチセンサ。 The conductive portion is provided on both sides of the base material,
The touch sensor according to any one of claims 1-9. 暗色層である第１導電層、及び第２導電層をこの順に基材に積層する第１工程と、
前記第２導電層上に、開口部を有するレジストを形成する第２工程と、
前記開口部内の前記第２導電層上に第３導電層を形成する第３工程と、
前記レジストを除去する第４工程と、
前記第１導電層及び前記第２導電層において前記第３導電層と重ならない部分をエッチング除去する第５工程と、を有する、
タッチセンサの製造方法。 A first step of laminating a first conductive layer, which is a dark layer, and a second conductive layer in this order on a substrate;
a second step of forming a resist having an opening on the second conductive layer;
a third step of forming a third conductive layer on the second conductive layer in the opening;
a fourth step of removing the resist;
a fifth step of etching away portions of the first conductive layer and the second conductive layer that do not overlap the third conductive layer;
A method for manufacturing a touch sensor. 前記第１導電層及び前記第２導電層を同時にエッチング除去する、
請求項１１に記載のタッチセンサの製造方法。 simultaneously etching away the first conductive layer and the second conductive layer;
The method for manufacturing the touch sensor according to claim 11. 前記第５工程後の前記第１導電層と前記第２導電層との各々の幅の差は、±０．５μｍ以内である、
請求項１１又は１２に記載のタッチセンサの製造方法。 The difference in width between each of the first conductive layer and the second conductive layer after the fifth step is within ±0.5 μm.
The method for manufacturing the touch sensor according to claim 11 or 12. 前記第５工程のエッチング除去によって、前記第１導電層、前記第２導電層及び前記第３導電層の各々の幅を所定の幅まで細くする減膜処理を行う、
請求項１１～１３の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。 By the etching removal in the fifth step, a film reduction process is performed to narrow the width of each of the first conductive layer, the second conductive layer, and the third conductive layer to a predetermined width.
A method for manufacturing a touch sensor according to any one of claims 11 to 13. 前記第１導電層及び前記第２導電層は、無電解銅で形成さている、
請求項１１～１４の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。 The first conductive layer and the second conductive layer are formed of electroless copper,
A method for manufacturing a touch sensor according to any one of claims 11 to 14. 前記第３導電層は、電解銅で形成されている、
請求項１５に記載のタッチセンサの製造方法。 The third conductive layer is formed of electrolytic copper,
The method for manufacturing the touch sensor according to claim 15. 前記第５工程では、二価銅錯体を含むエッチング液をエアレーションすることで、エッチング除去を行う、
請求項１６に記載のタッチセンサの製造方法。 In the fifth step, etching is removed by aerating an etchant containing a divalent copper complex,
The method for manufacturing the touch sensor according to claim 16.
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