JP2022135851A - Cell string structure, photovoltaic module and manufacturing methods therefor - Google Patents
Cell string structure, photovoltaic module and manufacturing methods therefor Download PDFInfo
- Publication number
- JP2022135851A JP2022135851A JP2021082072A JP2021082072A JP2022135851A JP 2022135851 A JP2022135851 A JP 2022135851A JP 2021082072 A JP2021082072 A JP 2021082072A JP 2021082072 A JP2021082072 A JP 2021082072A JP 2022135851 A JP2022135851 A JP 2022135851A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cell
- adhesive layer
- conductor
- string structure
- cells
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 247
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims description 382
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 162
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 93
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 90
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 76
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 33
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 23
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 23
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 21
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 15
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 15
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 14
- 210000004460 N cell Anatomy 0.000 claims description 13
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 claims description 12
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 11
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000002788 crimping Methods 0.000 claims description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims description 4
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 abstract description 6
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 29
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 11
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 10
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 6
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 5
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- 238000009281 ultraviolet germicidal irradiation Methods 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000840 ethylene tetrafluoroethylene copolymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920000098 polyolefin Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 2
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000005341 toughened glass Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920006397 acrylic thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229920006378 biaxially oriented polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000011127 biaxially oriented polypropylene Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid;ethene Chemical compound C=C.OC(=O)CC=C DQXBYHZEEUGOBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000005038 ethylene vinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000554 ionomer Polymers 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 1
- 239000005026 oriented polypropylene Substances 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229920001200 poly(ethylene-vinyl acetate) Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N tert-butyl prop-2-enoate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)C=C ISXSCDLOGDJUNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0508—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module the interconnection means having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/048—Encapsulation of modules
- H01L31/0481—Encapsulation of modules characterised by the composition of the encapsulation material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
- H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
- H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
- H01L31/0512—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module made of a particular material or composition of materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Abstract
Description
本発明は、光起電力の分野に関し、特に、セルストリング構造及び光起電力モジュール並びにそれらの製造方法に関する。 The present invention relates to the field of photovoltaics, and in particular to cell string structures and photovoltaic modules and methods for their manufacture.
エネルギー欠乏および環境悪化などの問題が顕在化するにつれて、太陽エネルギーはクリーンな再生可能エネルギー源としてますます注目を集めている。光起電力モジュールは、再生可能な太陽エネルギーを電気エネルギーに変換する装置である。 Solar energy is gaining increasing attention as a clean renewable energy source as problems such as energy scarcity and environmental degradation become apparent. A photovoltaic module is a device that converts renewable solar energy into electrical energy.
光起電力モジュールは通常、複数のセルストリング構造からなり、セルストリング構造は通常、複数のセルが直列接続されることで形成される。複数のセルを直列接続してセルストリング構造を形成するプロセスは、セルのインターコネクションプロセス（Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ ｐｒｏｃｅｓｓ）と称される。光起電力モジュールの性能の良否は、セルのインターコネクションプロセスの成熟度に関している。 A photovoltaic module typically consists of a plurality of cell string structures, which are typically formed by connecting multiple cells in series. The process of connecting multiple cells in series to form a cell string structure is called a cell interconnection process. The performance of photovoltaic modules is related to the maturity of the cell interconnection process.
しかしながら、現状のセルのインターコネクションプロセスはまだ改良しようとする箇所があり、光起電力モジュールの性能向上が要請されている。 However, the current cell interconnection process still needs improvement, and there is a demand for improved photovoltaic module performance.
本発明は、セルのインターコネクションプロセスを最適化して光起電力モジュールの性能を向上させるセルストリング構造及び光起電力モジュール並びにそれらの製造方法を提供する。 The present invention provides cell string structures and photovoltaic modules and methods of making them that optimize the cell interconnection process to improve the performance of the photovoltaic modules.
上記課題を解決するために、本発明の実施例は一種のセルストリング構造の製造方法を提供し、第１方向に沿って順に配列されかつ互いに直列接続されたＮ個のセルを含むセルストリング構造の製造方法において、各々が対応する前記セルを固定するために用いられかつ前記第１方向に沿って順に配列されたＮ個（Ｎは１より大きい正の整数）の布置エリアを有する第１粘着層を提供することと、前記布置エリアごとに、対応する前記セルが配置されることと、前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面には、隣り合う前記布置エリアに跨って隣り合う２つの前記セルを電気的に接続するための第１導線が敷設されることと、前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面に第２粘着層が設けられ、かつ前記第１導線が前記第２粘着層と前記セルとの間に位置されることと、前記第１粘着層、前記第１導線、前記セルおよび前記第２粘着層を互いに固定するように、圧着処理を行うことと、を含む。 To solve the above problems, an embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a cell string structure, which includes N cells arranged in sequence along a first direction and connected in series with each other. A first adhesive having N placement areas (N is a positive integer greater than 1) arranged in order along the first direction, each used for fixing the corresponding cell. providing a layer, arranging a corresponding cell for each placement area, and arranging two adjacent adhesive layers on a surface of the cell remote from the first adhesive layer across the adjacent placement areas; A second adhesive layer is provided on a surface of the cell remote from the first adhesive layer, and the first conductive wire is connected to the first adhesive layer. positioned between two adhesive layers and the cells; and performing a crimping process to fix the first adhesive layer, the first conductive wire, the cells and the second adhesive layer to each other. include.
また、前記第１粘着層がホットメルトを含み、前記第２粘着層がホットメルトを含み、前記圧着処理が加熱処理を含んでおり、あるいは、前記第１粘着層がＵＶ硬化型接着剤を含み、前記第２粘着層がＵＶ硬化型接着剤を含み、前記圧着処理が紫外線照射処理を含んでいる。 In addition, the first adhesive layer contains hot melt, the second adhesive layer contains hot melt, and the compression treatment contains heat treatment, or the first adhesive layer contains a UV curable adhesive. , the second adhesive layer contains a UV curable adhesive, and the compression treatment contains an ultraviolet irradiation treatment.
また、各前記セルは、受光面の向きが同じであり、前記第１導線は、順に接続されている受光導線、接続導線およびバックライト導線を含み、前記第１導線を敷設するステップは、前記受光導線を前記セルの受光面に敷設し、前記受光面が前記第１粘着層から離れるようになされることと、隣り合う前記布置エリアの前記第１粘着層の表面に前記バックライト導線が位置するように、前記接続導線を折り曲げることと、を含む。 Further, each of the cells has the same orientation of the light-receiving surface, the first conducting wire includes a light-receiving conducting wire, a connecting conducting wire and a backlight conducting wire, which are connected in order, and the step of laying the first conducting wire includes the A light-receiving lead wire is laid on the light-receiving surface of the cell so that the light-receiving surface is separated from the first adhesive layer, and the backlight lead wire is positioned on the surface of the first adhesive layer in the adjacent placement areas. bending the connecting conductor so as to do so.
また、前記受光導線は密集グリッド線であり、前記受光面は、間隔をあけて配列された複数本のサブグリッド線をさらに有し、かつ、前記サブグリッド線は、前記密集グリッド線と交差して接触しており、前記サブグリッド線の表面に前記第２粘着層を設けることをさらに含む。 The light-receiving conductors are dense grid lines, the light-receiving surface further has a plurality of sub-grid lines arranged at intervals, and the sub-grid lines intersect the dense grid lines. and further comprising providing the second adhesive layer on the surface of the sub-grid lines.
また、前記セルごとに、前記受光面に８～３２本の前記受光導線が間隔をあけて敷設されている。 In addition, 8 to 32 light-receiving conductors are laid at intervals on the light-receiving surface of each cell.
また、隣り合う前記セルの前記受光面は、向きが逆となっており、前記布置エリアに前記セルを配置する前に、前記布置エリアの前記第１粘着層の表面に、隣り合う前記布置エリアに跨って隣り合う２つの前記セルを電気的に接続するための第２導線が敷設されることを、さらに含む。 In addition, the light-receiving surfaces of the adjacent cells are oriented in opposite directions. Laying a second conductor for electrically connecting two adjacent cells across the cell.
また、前記セルストリング構造は、頭尾両端にそれぞれ位置する第１セルおよび第Ｎセルを含み、前記セルストリング構造の製造方法は、さらに、前記第１セルを配置する前に、前記第１粘着層に、前記第１粘着層と前記第１セルとの間に位置しかつ前記第１セル以外の領域まで延びる頭部導線が敷設されることと、前記第Ｎセルを配置した後、前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面に、前記第Ｎセル以外の領域まで延びる尾部導線が敷設され、かつ、前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面に、前記第２粘着層が設置されることと、少なくとも２本のバスバーを形成し、一方の前記バスバーが、前記頭部導線の前記第１セル以外まで延びる領域に接触して接続され、他方の前記バスバーが、前記尾部導線の前記第Ｎセル以外まで延びる領域に接触して接続され、かつ、前記バスバーの延伸方向が前記第１方向と異なるように設置されることと、を含む。 In addition, the cell string structure includes a first cell and an Nth cell located at both ends of the head and tail, respectively, and the method for manufacturing the cell string structure further includes, before arranging the first cell, the first adhesion a head conductive wire positioned between the first adhesive layer and the first cell and extending to a region other than the first cell; A tail conductor extending to a region other than the N-th cell is laid on a surface of the N cell remote from the first adhesive layer, and a surface of the N-th cell remote from the first adhesive layer is provided with the second adhesive layer. An adhesive layer is provided, and at least two bus bars are formed, one of the bus bars being in contact with and connected to a region of the head conductor extending beyond the first cell, and the other of the bus bars being: contacting and connecting to a region of the tail conductor extending to other than the Nth cell, and setting the bus bar in an extending direction different from the first direction.
本発明の実施例は、一種の光起電力モジュールの製造方法も提供し、前記の製造方法により製造されたセルストリング構造を提供することと、第１基板、第１封止層、前記セルストリング構造、第２封止層、および第２基板を順に積層して設け、積層構造を形成することと、前記積層構造をラミネート処理し、かつ、前記ラミネート処理において前記第１導線と前記セルとが電気的に接続されていることと、を含む。 An embodiment of the present invention also provides a method of manufacturing a photovoltaic module, providing a cell string structure manufactured by the above method, comprising: a first substrate, a first encapsulation layer, and the cell string. A structure, a second sealing layer, and a second substrate are laminated in order to form a laminated structure, and the laminated structure is laminated, and the first conductive wire and the cell are separated from each other in the lamination. and being electrically connected.
また、前記ラミネート処理に用いるプロセス温度は、前記第１導線の融点温度以上である。 Moreover, the process temperature used for the lamination process is equal to or higher than the melting point temperature of the first conductor.
また、前記第１導線は、はんだコアと、前記はんだコアを取り囲む合金層とを有するとともに、前記ラミネート処理に用いるプロセス温度は、前記合金層の融点温度よりも高い。 Further, the first conductor wire has a solder core and an alloy layer surrounding the solder core, and the process temperature used for the lamination process is higher than the melting point temperature of the alloy layer.
また、前記ラミネート処理におけるプロセス温度と前記融点温度との差は、３０℃以下である。 Also, the difference between the process temperature and the melting point temperature in the lamination process is 30° C. or less.
また、前記ラミネート処理に用いるプロセス圧力は、－５０ｋＰａ～２００ｋＰａである。 Further, the process pressure used for the lamination process is -50 kPa to 200 kPa.
また、前記融点温度は、１００℃～１６０℃である。 Further, the melting point temperature is 100.degree. C. to 160.degree.
本発明の実施例は、一種のセルストリング構造も提供し、第１方向に沿って順に配列されたＮ個（Ｎは１より大きい正の整数）の布置エリアを含む第１粘着層と、各セルが対応する前記布置エリアに設けられたＮ個のセルと、前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面に敷設され、かつ隣り合う前記布置エリアに跨って隣り合う２つの前記セルを電気的に接続するための第１導線と、前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面に設けられる第２粘着層であって、前記第１導線が前記第２粘着層と前記セルとの間に位置され、前記第１粘着層、前記第１導線、前記セル及び前記第２粘着層が互いに固定されるようになされる第２粘着層と、を備える。 Embodiments of the present invention also provide a kind of cell string structure, a first adhesive layer comprising N (N is a positive integer greater than 1) placement areas arranged in sequence along a first direction; N cells provided in the placement areas corresponding to the cells, and two cells laid on a surface apart from the first adhesive layer in the cells and adjacent to each other across the adjacent placement areas are electrically connected. and a second adhesive layer provided on a surface of the cell remote from the first adhesive layer, wherein the first conductive wire is between the second adhesive layer and the cell a second adhesive layer positioned at the second adhesive layer such that the first adhesive layer, the first conductive line, the cell and the second adhesive layer are fixed to each other.
また、前記セルストリング構造は、頭尾両端にそれぞれ位置する第１セルおよび第Ｎセルを備え、前記セルストリング構造は、さらに、前記第１粘着層と前記第１セルとの間に位置しかつ前記第１セル以外の領域まで延びる頭部導線と、前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面に位置しかつ前記第Ｎセル以外の領域まで延びる尾部導線と、かつ、前記第２粘着層が前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面にも設置され、少なくとも２本のバスバーであって、一方の前記バスバーが、前記頭部導線の前記第１セル以外まで延びる領域に接触して接続され、他方の前記バスバーが、前記尾部導線の前記第Ｎセル以外まで延びる領域に接触して接続され、かつ、前記バスバーの延伸方向が前記第１方向と異なるように設置される少なくとも２本のバスバーと、を備える、 In addition, the cell string structure includes a first cell and an Nth cell located at both ends of the head and tail, respectively, and the cell string structure is further located between the first adhesive layer and the first cell, and a head conductor extending to a region other than the first cell, a tail conductor located on a surface of the Nth cell remote from the first adhesive layer and extending to a region other than the Nth cell, and the second An adhesive layer is also provided on a surface of the Nth cell remote from the first adhesive layer, and at least two bus bars, one of the bus bars extending beyond the first cell of the head conductor. and the other bus bar is in contact with and connected to a region of the tail conductor extending to other than the N-th cell, and the extending direction of the bus bar is different from the first direction. at least two busbars that
また、前記第１方向において、Ｎ個の前記セルの総長さと前記第１粘着層の長さとの差の絶対値は、１００ｍｍ以下である、 Further, in the first direction, the absolute value of the difference between the total length of the N cells and the length of the first adhesive layer is 100 mm or less.
また、前記第１方向において、前記第２粘着層の長さと前記セルの長さとの差の絶対値は、６０ｍｍ以下である。 Also, in the first direction, the absolute value of the difference between the length of the second adhesive layer and the length of the cell is 60 mm or less.
また、前記第１粘着層は、支持層と、前記支持層と前記セルとの間に位置する接着層と、を含む。 Also, the first adhesive layer includes a support layer and an adhesive layer positioned between the support layer and the cells.
本発明の実施例は一種の光起電力モジュールも提供し、順に積層して設けられた第１基板、第１封止層、前記のセルストリング構造、第２封止層、および第２基板を含む。 Embodiments of the present invention also provide a photovoltaic module, comprising a first substrate, a first encapsulation layer, the above cell string structure, a second encapsulation layer and a second substrate, which are stacked in sequence. include.
本発明の実施例により提供される技術案は、従来技術と比較して以下の利点がある。 The technical solutions provided by the embodiments of the present invention have the following advantages compared with the prior art.
本発明の実施例は、第１導線でセルを直接電気的に接続するものであり、フレキシブル電気的接続層をプリフォームすることなくセル同士のインターコネクションをを実現することができる。また、第１粘着層と第２粘着層とは、圧着処理後に第１導線の位置を固定して第１導線とセルとを固定することができ、高温溶接プロセスによる導線とセルとの固定が不要となり、溶接プロセスによるプロセス不良のリスクを低減することができる。従って、本発明の実施例によれば、セルストリング構造の性能を向上させ、セルストリング構造の生産プロセスを簡素化し、生産コストを低減することができる。 Embodiments of the present invention provide direct electrical connection of the cells with the first conductor, allowing interconnection between cells without preforming a flexible electrical connection layer. In addition, the first adhesive layer and the second adhesive layer can fix the position of the first conductor wire and fix the first conductor wire and the cell after the crimping process, and fix the conductor wire and the cell by the high temperature welding process. It becomes unnecessary, and the risk of process failure due to the welding process can be reduced. Therefore, according to the embodiments of the present invention, the performance of the cell string structure can be improved, the production process of the cell string structure can be simplified, and the production cost can be reduced.
また、第１導線における受光導線は密集グリッド線であり、かつ、セルの受光面上に８～３２本の受光導線が間隔をあけて敷設されており、受光導線の数が多いので、電流輸送経路の低減、内部損失の降下に有利であり、セルストリング構造の性能がさらに改善され、それにより光起電力モジュールの性能が改善される。 In addition, the light-receiving conductors in the first conductor are dense grid lines, and 8 to 32 light-receiving conductors are laid on the light-receiving surface of the cell at intervals. It is advantageous for path reduction, internal loss drop, and the performance of the cell string structure is further improved, thereby improving the performance of the photovoltaic module.
また、第２粘着層はセルの受光面に設けられ、第２粘着層は単層構造であってもよいので、第２粘着層により吸収される光量を減らすことに有利であり、これにより、より多くの光がセルに吸収されることを確保し、セルの光利用効率を高め、さらにセルストリング構造および光起電力モジュールの性能をより改善する。 In addition, the second adhesive layer is provided on the light receiving surface of the cell, and the second adhesive layer may have a single layer structure, which is advantageous for reducing the amount of light absorbed by the second adhesive layer. It ensures that more light is absorbed by the cell, enhances the light utilization efficiency of the cell, and further improves the performance of the cell string structure and photovoltaic module.
また、本発明の実施例では、第１導線とセルとの電気的な接続をラミネート処理により実現するので、溶接によるインターコネクション技術を必要とせず、溶接応力や溶接高温によるセルストリング構造への悪影響を回避し、光起電力モジュールの溶接応力を低減し、光起電力モジュールの性能を改善することができる。 In addition, in the embodiment of the present invention, since the electrical connection between the first conducting wire and the cell is realized by lamination processing, an interconnection technology by welding is not required, and the adverse effect of welding stress and welding temperature on the cell string structure is eliminated. can be avoided, the welding stress of the photovoltaic module can be reduced, and the performance of the photovoltaic module can be improved.
一つ又は複数の実施例は、対応する添付の図面における図で例示的に説明されるが、これらの例示的な説明は、実施例を限定するものではなく、特に断りのない限り、添付の図面における図は縮尺に制限されない。 One or more embodiments are illustrated by way of example in the figures in corresponding accompanying drawings, and these illustrative descriptions are not intended to be limiting of the embodiments, unless otherwise noted in the accompanying drawings. The figures in the drawings are not limited to scale.
背景技術から分かるように、セルのインターコネクションプロセスはまだ改良しようとする箇所があり、光起電力モジュールの性能向上が要請されている。 As can be seen from the background art, there is still room for improvement in the cell interconnection process, and there is a need to improve the performance of photovoltaic modules.
解析したところ、その要因は以下の通りであることがわかった。即ち、従来の光起電力モジュールでは、溶接リボンで溶接することによって光起電力モジュール内部のセル同士のインターコネクションが実現されているが、このようなインターコネクションプロセスには、溶接温度が高すぎたり、溶接応力が大きくなりすぎたりするなどの問題がある。 An analysis revealed that the factors are as follows. That is, in the conventional photovoltaic module, the interconnection between the cells inside the photovoltaic module is realized by welding with a welding ribbon, but such an interconnection process requires too high a welding temperature. , and welding stress becomes too large.
光起電力モジュールへの溶接による悪影響を回避するために、現在ではＳｍａｒｔ ｗｉｒｅインターコネクション技術と呼ばれるインターコネクション技術が出ている。図１～図２を参照する。図１～図２は、一種のインターコネクション技術における各工程に対応する構成を示す図であり、図１は、フレキシブル電気的接続層の断面図である。Ｓｍａｒｔ ｗｉｒｅインターコネクション技術は、以下の通りである。 To avoid the adverse effects of welding to photovoltaic modules, there is now an interconnection technology called smart wire interconnection technology. Please refer to FIGS. 1-2. 1 and 2 are diagrams showing structures corresponding to each step in a kind of interconnection technology, and FIG. 1 is a cross-sectional view of a flexible electrical connection layer. Smart wire interconnection technology is as follows.
図１を参照して、フレキシブル電気的接続層３４をプリフォームするが、フレキシブル電気的接続層３４は、接着層３１および支持層３２からなる２層構造ポリマーペースト膜と金属ワイヤ３３とをホットプレス処理して作製されたものである。
Referring to FIG. 1, a flexible
なお、フレキシブル電気的接続層３４の製造過程において、接着層３１の製造装置への接着を防止するために、接着層３１と製造装置とを隔離するように支持層３２を用いる必要があるため、フレキシブル電気的接続層３４は２層構造とならなければならない。しかしながら、その後にフレキシブル電気的接続層３４がセルの受光面に敷設されると、２層構造はセルの光吸収率の低下を招きやすい。
In the manufacturing process of the flexible
図２を参照して、フレキシブル電気的接続層３４を独立したフレキシブル電気的接続層ユニットに断裁した後、セル３０を２つ直列繋ぎにする。後でホットプレスなどによりセルストリング構造を製作し、セルストリング構造における頭尾のフレキシブル電気的接続層３４を特殊処理することにより、金属ワイヤ３３を露出させて後続の作業でのバスバーとの接続を容易にし、電流の収集を行う。
Referring to FIG. 2, after the flexible
Ｓｍａｒｔ ｗｉｒｅインターコネクション技術は、ストリング溶接工程を取り消すものの、フレキシブル電気的接続層３４をプリフォームし、フレキシブル電気的接続層３４を断裁する必要がある。また、セルストリング構造における頭尾のフレキシブル電気的接続層３４は、特殊処理を経る必要があり、このように、プロセスの複雑さが増え、量産の潜在的なボトルネックも発生する。Ｓｍａｒｔ ｗｉｒｅインターコネクション技術は、通常の溶接方式と大きく異なるので、従来の溶接装置では、Ｓｍａｒｔ ｗｉｒｅインターコネクション技術によるセルストリング構造の製造を満足できないため、フレキシブル電気的接続層の生産設備の開発などの新たな設備の開発が必要となるが、新たな設備の開発には失敗リスクがあり、さらに生産コストの増加も招く。
Smart wire interconnection technology cancels the string welding process, but requires preforming the flexible
上記課題を解決するために、本発明の実施例は一種のセルストリング構造の製造方法を提供し、布置エリアが対応するセルを固定するために用いられる第１粘着層を提供することと、各布置エリアには、対応するセルが配置されることと、セルにおける第１粘着層から離れた表面に、隣り合う２つのセルを電気的に接続するための第１導線が敷設されることと、セルにおける第１粘着層から離れた表面に、第２粘着層が設けられることと、第１粘着層、第１導線、セルおよび第２粘着層を互いに固定するように、圧着処理を行うことと、を含む。本発明の実施例は、第１導線でセルを直接電気的に接続するものであり、フレキシブル電気的接続層をプリフォームすることなくセル同士のインターコネクションを可能とし、フレキシブル電気的接続層の生産装置を使用する必要はない。また、溶接によるインターコネクション技術が不要となるため、溶接応力および溶接高温によるセルストリング構造への悪影響を回避できる。また、第１粘着層と第２粘着層とは、圧着処理後に第１導線の位置を固定することができ、第１導線がセルの表面に固定して敷設される。従って、本発明の実施例によれば、セルストリング構造の性能を向上させ、セルストリング構造の生産プロセスを簡素化し、生産コストを低減することができる。 To solve the above problems, an embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a cell string structure, providing a first adhesive layer whose placement area is used to fix the corresponding cell; a corresponding cell is arranged in the placement area; a first conducting wire for electrically connecting two adjacent cells is laid on a surface of the cell remote from the first adhesive layer; A second adhesive layer is provided on a surface of the cell separated from the first adhesive layer, and a crimping process is performed to fix the first adhesive layer, the first conductive wire, the cell and the second adhesive layer to each other. ,including. Embodiments of the present invention provide for direct electrical connection of the cells with the first conductor, allowing interconnection between cells without preforming a flexible electrical interconnect layer, thus producing a flexible electrical interconnect layer. No need to use equipment. In addition, since welding interconnection technology is no longer required, it is possible to avoid adverse effects on the cell string structure due to welding stress and welding high temperature. In addition, the first adhesive layer and the second adhesive layer can fix the position of the first conductor wire after the pressure bonding process, and the first conductor wire is fixed and laid on the surface of the cell. Therefore, according to the embodiments of the present invention, the performance of the cell string structure can be improved, the production process of the cell string structure can be simplified, and the production cost can be reduced.
本発明の実施例の目的、技術案及び利点をより明確にするために、以下、図面を参照して本発明の各実施例について詳細に説明する。しかしながら、当業者にとっては、読者に本願をよりよく理解させるように、本発明の各実施例において多くの技術的細部が提案されているが、これらの技術的細部や、以下の各実施例に基づく種々の変更や補正がなくても、本願が保護を要求しようとする技術案を実現できることが理解できる。 In order to make the objects, technical solutions and advantages of the embodiments of the present invention clearer, each embodiment of the present invention will now be described in detail with reference to the drawings. However, for those skilled in the art, many technical details have been proposed in each of the embodiments of the present invention so that the reader may better understand the present application. It can be understood that the technical solution for which this application claims protection can be realized without various modifications and amendments based on this patent.
本発明の一実施例は、一種のセルストリング構造の製造方法を提供し、図３～図１１は、本実施例に係るセルストリングの製造方法における各工程に対応する構成を示す図であり、以下、図面を参照して具体的に説明する。 An embodiment of the present invention provides a method for manufacturing a cell string structure, and FIGS. A specific description will be given below with reference to the drawings.
図３を参照して、第１粘着層１１が提供され、第１粘着層１１は、第１方向Ｘに沿って順に配列されたＮ個の布置エリアＡを有し、各布置エリアＡは、対応するセルを固定するために用いられ、且つＮは１より大きい正の整数である。
Referring to FIG. 3, a first
第１粘着層１１は、Ｎ個のセルを布置するために用いられ、各セルは、対応する布置エリアＡに位置されている。
The first
本実施例において、第１粘着層１１はホットメルトであり、かつ、後続の圧着処理は加熱処理を含む。ホットメルトは、良好な熱接着性及び熱安定性を有するため、一定の温度条件下で、後に敷設された第１導線、頭部導線及び尾部導線とセルとを密着して一体構造とすることができる。さらに、後続のラミネート過程における、第１導線、頭部導線および尾部導線とセルとの電気的な接続効果にも優れる。
In this embodiment, the first
好ましくは、第１粘着層１１の材料は、ホットメルト性能を有するシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アクリル、アイオノマー、ポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、およびエチレン－酢酸ビニルのうちの１種または複数種であってもよい。
Preferably, the material of the first
他の実施例において、第１粘着層はＵＶ（Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）硬化型接着剤であってもよく、後続の圧着処理は紫外線照射処理を含む。紫外光の照射によって、第１粘着層が硬化するとともに、セルを第１導線、頭部導線および尾部導線に密着させることができる。 In another embodiment, the first adhesive layer may be a UV (Ultraviolet) curable adhesive, and the subsequent pressing process includes UV irradiation. The irradiation of ultraviolet light cures the first adhesive layer and allows the cell to adhere to the first conductor, the head conductor and the tail conductor.
好ましくは、第１粘着層の材料は、ＵＶ硬化性能を有するシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン、アクリル、ポリビニルブチラール、およびポリカーボネートのうちの１種または複数種であってもよい。 Preferably, the material of the first adhesive layer may be one or more of silicone resins, epoxy resins, polyurethanes, acrylics, polyvinyl butyrals, and polycarbonates with UV curable properties.
本実施例において、第１粘着層１１は、順に積層設置された接着層１１１と支持層１１２とを含む２層構造であり、接着層１１１は、支持層１１２と後続的に設けられたセルとの間に位置している。
In this embodiment, the first
具体的には、接着層１１１は、良好な延伸性および接着性を有し、接着の効果を高めることができ、接着層１１１の材料は、上述したホットメルトまたはＵＶ硬化型接着剤とすることができる。一方、支持層１１２は、良好な熱安定性を有し、後続の圧着処理において接着層１１１を保護することができ、接着の効果をより一層高めることができ、支持層１１２の材料はポリエチレンテレフタレート、ポリ塩化ビニル及びポリカーボネート、ナイロン等の材質のいずれかでもよい。
Specifically, the
第１方向Ｘに対する垂直方向において、第１粘着層１１の総厚さは、０．１ｍｍ～０．４ｍｍであり、例えば、０．１５ｍｍ、０．２ｍｍ、０．３ｍｍである。第１粘着層１１の総厚さが上記の範囲内にある場合、セルストリング構造の総厚さを小さい範囲に保つことができるとともに、第１粘着層１１が、破損の発生を回避するのに十分な機械的強度を有する。具体的には、接着層１１１の厚さは、５０μｍ～３００μｍとすることができ、例えば、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍであり、支持層１１２の厚さは、５０μｍ～３００μｍとすることができ、例えば、１００μｍ、１５０μｍ、２００μｍである。
In the direction perpendicular to the first direction X, the total thickness of the first
なお、第１粘着層１１を敷設する際には、接着層１１１はセルの一側を向く必要があり、支持層１１２はセルから離れる側を向く必要がある。
When laying the first
第１方向Ｘにおいて、第１粘着層１１の長さは、製造すべきセルストリング構造の長さの値と略等しい。第１粘着層１１の長さとセルの長さとの差が小さいと、第１粘着層１１とセルとの接触面積を大きくすることができ、接着のがっちりさを向上させることができる。さらに、第１方向Ｘにおいて、Ｎ個のセルの合計の長さと第１粘着層１１の長さとの差の絶対値は、１００ｍｍ以下である。第１方向Ｘにおいて、Ｎ個のセルの合計の長さは、第１粘着層１１の長さよりも長くてもよく、第１粘着層１１の長さと等しくてもよく、第１粘着層１１の長さよりも短くてもよいと理解できる。
In the first direction X, the length of the first
本実施例において、セルストリング構造の製造を容易にするために、敷設定盤を提供することができ、敷設定盤に第１粘着層１１が設けられ、かつ、敷設定盤と第１粘着層１１との間に離型フィルムが設けられている。セルストリング構造を形成した後、離型フィルムを除去する。離型フィルムは、第１粘着層１１が敷設定盤に貼り付くことを防止するように、敷設定盤と第１粘着層１１とを隔離することに用いられる。
In this embodiment, in order to facilitate the production of the cell string structure, a laying board can be provided, the laying board is provided with the first
具体的には、離型フィルムの使用温度が１２０～３００℃であり、離型フィルムの離型力が５Ｇ～５０Ｇであり、離型フィルムの厚さが２５μｍ～３００μｍである。離型フィルムは、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、延伸ポリプロピレン、二軸延伸ポリプロピレンフィルム、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、又はポリスチレンを基材とする片面又は両面離型フィルムであってもよい。 Specifically, the use temperature of the release film is 120 to 300° C., the release force of the release film is 5 G to 50 G, and the thickness of the release film is 25 μm to 300 μm. The release film may be a single-sided or double-sided release film based on polyethylene, polyethylene terephthalate, oriented polypropylene, biaxially oriented polypropylene film, polyvinyl chloride, polycarbonate, or polystyrene.
図４を参照して、各布置エリアＡには、対応するセル１０が配置される。
Referring to FIG. 4, in each placement area A, a corresponding
本実施例において、セル１０はＮ型電池であり、例えば全固体電極コンタクト電池、ヘテロ接合電池、あるいはパッシベーションコンタクト電池であってもよい。その他の実施例において、セルはＰ型電池であってもよい。なお、上述のセルのタイプは単なる一例に過ぎなく、本実施例はセルの具体的なタイプを制限するものではない。
In this embodiment,
本実施例において、セル１０は一体片（ｆｕｌｌ ｐｉｅｃｅ）である。他の実施例において、セルは分割片であり、分割片は２～１２分割片のいずれかであってもよい。
In this embodiment,
セル１０の表面は、光の反射率を低減させるために、少なくとも一層の電気伝導性反射防止光学透明膜層（図示せず）及び／又は絶縁反射防止光学透明膜層（図示せず）を有する。
The surface of
さらに、先ず、１番目の布置エリアＡにはセル１０が配置され、すなわちセルストリング構造は、先頭に位置する第１セル１０１を含む。
Furthermore, first, the
第１セル１０１を配置する前に、第１粘着層１１に頭部導線１２が敷設され、頭部導線１２は、第１粘着層１１と第１セル１０１との間に位置し、かつ第１セル１０１以外の領域まで延びている。
Prior to arranging the
頭部導線１２の具体的な敷設方法は、複数本の頭部導線１２の一端を治具で固定し、固定された一端を第１粘着層１１以外の領域に位置させ、ガイドレールで第１粘着層１１に複数本の頭部導線１２を平行に敷設し、ガイドレールによって頭部導線１２の末端を１つ目の布置エリアＡの末端に牽引すると、再び挟角で固定する。これにより、複数本の頭部導線１２を第１粘着層１１上に平行かつ均一に配列することができる。
A specific method for laying the
その後に、バスバーを用いて、頭部導線の第１セル１０１以外まで延びる領域に接触して接続し、セルストリング構造の電流を収集する。すなわち、頭部導線１２は、第１粘着層１１に対して延出している。プリーフォームしたフレキシブル電気的接続層を使用する場合に比べて、本実施例は、頭部に位置する第１粘着層１１および頭部導線１２を特殊処理する必要がない。本実施例において剥き出しとなった頭部導線１２は、後にそのままバスバーに接続することができ、これにより、生産プロセスを簡素化し、生産コストを低減する。
A busbar is then used to contact and connect the area of the top conductor extending beyond the
さらに、第１方向Ｘにおいて、頭部導線１２の長さとセル１０の長さとの差の絶対値は、２０ｍｍ以下である。頭部導線１２の長さはセル１０の長さに近いため、頭部導線１２とセル１０との接触面積が大きく、頭部導線１２はセル１０に生じる電流を十分に収集することができる。
Furthermore, in the first direction X, the absolute value of the difference between the length of the
頭部導線１２の形状および材料は、後に敷設される第１導線に類似するが、以下の第１導線の詳細な説明をご参照ください。
The shape and material of the
図５を参照して、セル１０における第１粘着層１１から離れた表面には、隣り合う布置エリアＡに跨って、隣り合う２つのセル１０を電気的に接続するための第１導線１３が敷設されている。
Referring to FIG. 5, on the surface of the
なお、本実施例では、各セル１０の受光面Ｆの向きが同じであり、すなわち、受光面Ｆがいずれも上向きであり、バックライト面Ｂがいずれも下向きである。
In this embodiment, the directions of the light-receiving surfaces F of the
以下、第１導線１３について詳細に説明する。
The
第１導線１３は、順次接続された受光導線１３１、接続導線１３２およびバックライト導線１３３を含み、第１導線１３を敷設するステップには、受光導線１３１をセル１０の受光面Ｆに敷設し、受光面Ｆが第１粘着層１１から離れるようになされることと、隣り合う布置エリアＡの第１粘着層１１の表面にバックライト導線１３３が位置するように、接続導線１３２を折り曲げることと、が含まれる。
The
本実施例において、受光導線１３１は密集グリッド線（ｄｅｎｓｅ ｇｒｉｄ ｌｉｎｅ）であり、すなわち、受光導線１３１はセル１０のメイングリッド線となる。スクリーン印刷によるメイングリッドの形成方法に対して、受光導線１３１がメイングリッドとする場合、電池の受光面積を大きくすることができ、直列抵抗を小さくすることもできる。他の実施例において、受光導線は、メイングリッド線とすることなく、通常の接続線のみとし、１つ前のセルのメイングリッド線と１つ後のセルのバックライト面とを接続してもよい。
In this embodiment, the
図５～図６を参照して、図６は図５の平面図であり、受光面Ｆは、間隔をあけて配列された複数本のサブグリッド線１８をさらに有し、サブグリッド線１８は、密集グリッド線と交差して接触している。
5 and 6, FIG. 6 is a plan view of FIG. 5, the light receiving surface F further has a plurality of
セル１０ごとに、受光面Ｆ上に８～３２本の受光導線１３１が間隔をあけて敷設されている。受光導線１３１の数が多いので、セル１０内部の電流輸送経路を短くでき、内部損失を低減することができる。
8 to 32 light-receiving
第１導線１３の長さとセル１０の２倍の長さとの差の絶対値は、４０ｍｍ以下である。第１導線１３の長さは２枚のセル１０の長さに近いため、第１導線１３とセル１０との接触面積が大きく、第１導線１３はセル１０に生じる電流を十分に収集することができる。
The absolute value of the difference between the length of the
図５～図７を参照して、図７は、図５及び図６の第２方向Ｙにおける断面図であり、第２方向Ｙは第１方向Ｘに対して垂直である。本実施例において、第１導線１３の断面は円形であり、第１導線１３の断面積は０．０２ｍｍ２～０．１５ｍｍ２である。他の実施例において、第１導線の断面は、正方形、三角形、台形、長方形のいずれかであってもよい。
5 to 7, FIG. 7 is a cross-sectional view in the second direction Y of FIGS. 5 and 6, the second direction Y being perpendicular to the first direction X. FIG. In this embodiment, the cross-section of the
本実施例において、第１導線１３は、はんだコアと、はんだコアを取り囲む合金層とを含む。合金層の材料は、後続のラミネート処理において第１導線１３とセル１０表面のサブグリッド線１８との間の電気的接続および物理的接続を容易にするために、低融点金属である。具体的には、合金層の融点温度は、後続のラミネート処理のプロセス温度以下である。一例では、合金層の融点温度は、１００℃～１６０℃であってもよい。合金層の材料は、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｇの一種または数種であってもよい。
In this embodiment, the
なお、他の実施例において、第１導電層は単層構造であってもよいと理解できる。 It should be appreciated that in other embodiments, the first conductive layer may be a single layer structure.
図８を参照して、セル１０における第１粘着層１１から離れた表面には、第２粘着層１４が設けられ、第１導線１３は、第２粘着層１４とセル１０との間に位置している。
Referring to FIG. 8 , a second
第２粘着層１４は、第１導線１３とセル１０とを固定するために用いられる。具体的には、セル１０の表面にはサブグリッド線１８（図６を参照）も設けられているため、第２粘着層１４は、第１導線１１の表面に加えて、サブグリッド線１８の表面にも位置している。
The second
同一のセル１０の表面における第２粘着層１４は、ベタフィルム層構造であってもよく、第２粘着層１４は、別個（分けて設ける）のフィルム層構造であってもよく、各フィルム層構造が対応する第１導線１３を覆うように保たれている。別個のフィルム層構造は、第２粘着層１４がセル１０の受光面を遮る面積を小さくすることに有利であり、セル１０の光吸収能力のさらなる向上に有利である。
The second
本実施例において、第２粘着層１４はホットメルトであり、後続の圧着処理は加熱処理を含む。他の実施例において、第２粘着層はＵＶ硬化型接着剤であり、後続の圧着処理は紫外線照射処理を含む。第２粘着層１４の材料は、第１粘着層１１の材料と同様であり、第２粘着層１４の具体的な材料については、前記した第１粘着層１１に関する記載をご参照ください。ここでは再び贅言しない。
In this embodiment, the second
本実施例において、第２粘着層１４は単層構造であり、すなわち、第２粘着層１４は接着層である。２層構造に比べて、単層構造は、セル１０の光吸収率を増大させるように光透過率を向上させることができる。また、単層構造はより薄いので、セルストリング構造の厚さおよび重量を低減することができる。他の実施例において、第２粘着層は２層構造であってもよい。
In this embodiment, the second
第２粘着層１４の材料属性は、第１粘着層１１の材料属性と同じ、すなわち、いずれもホットメルト、または、いずれもＵＶ硬化型接着剤であってもよい。このように、後続の同一の圧着処理において、第１粘着層１１と第２粘着層１４の材料特性を同時に変化させることができ、第１粘着層１１と第２粘着層１４が粘着特性を有するようになる。
The material attributes of the second
第１方向Ｘに対する垂直方向において、第２粘着層１４の厚さは、０．１ｍｍ～０．４ｍｍであり、例えば、０．２ｍｍ、０．２５ｍｍ、０．３ｍｍである。第２粘着層１４の総厚さが前記の範囲内にある場合、セルストリング構造の重量および厚さを比較的小さい範囲に保つことができるとともに、比較的大きい接着力を提供することができる。
In the direction perpendicular to the first direction X, the thickness of the second
第１方向Ｘにおいて、第２粘着層１４の長さとセル１０の長さとの差の絶対値は、６０ｍｍ以下である。第２粘着層１４の長さとセル１０の長さとの差が小さいと、第２粘着層１４とセル１０との接触面積を大きくすることができ、接着のがっちりさを向上させることができる。
In the first direction X, the absolute value of the difference between the length of the second
第１粘着層１１、第１導線１３、頭部導線１２、セル１０及び第２粘着層１４を互いに固定するように、圧着処理を行う。具体的には、第１粘着層１１と第２粘着層１４との表面に一定の圧力を加え、温度や紫外線照射処理等の特定の条件により、上記構造を密着して、一体構造とする。
The first
本実施例において、第１粘着層１１及び第２粘着層１４の材料がホットメルトであるため、これに応じて、圧着処理は加熱処理を含むべきである。他の実施例において、第１粘着層および第２粘着層の材料がＵＶ硬化型接着剤であれば、これに応じて、圧着処理は紫外線照射処理を含むべきである。あるいは、第１粘着層と第２粘着層の材料は、ホットメルトとＵＶ硬化型接着剤との複合材料であってもよく、これに応じて、圧着処理は加熱処理と紫外線照射処理とを含むべきである。
In this embodiment, the material of the first
図９を参照して、第１導線１３が尾部の布置エリアＡに敷設されるまで、前述のセル１０の配置、第１導線１３の敷設、第２粘着層１４の設置、及び圧着処理の手順を繰り返す。
Referring to FIG. 9, until the
図１０を参照して、尾部の布置エリアＡに第Ｎセル１０２が配置され、すなわち、セルストリング構造には、尾端にある第Ｎセル１０２がさらに含まれる。
Referring to FIG. 10, the
第Ｎセル１０２を配置した後、第Ｎセル１０２における第１粘着層１１から離れた表面に、第Ｎセル１０２以外の領域まで延びる尾部導線１５が敷設される。複数の尾部導線１５は、第Ｎセル１０２の上面に平行に並べられている。
After placing the
さらに、第Ｎセル１０２における第１粘着層１１から離れた表面に、第２粘着層１４が設けられる。第２粘着層１４の詳細な説明については、前述の対応する説明を参照できるが、ここでは再び贅言しない。
Furthermore, the second
圧着処理を行い、一定の圧力の条件下で、温度や紫外線照射処理などの特定の条件により、第Ｎセル１０２、第１粘着層１１、第１導線１３、尾部導線１５、及び第２粘着層１４を互いに固定する。
A pressure bonding process is performed, and under certain pressure conditions, depending on specific conditions such as temperature and ultraviolet irradiation treatment, the
つまり、本実施例では、１枚のセル１０を敷設した毎にラミネート処理を１回行い、ラミネート処理の回数はセル１０の数量と同じであるので、頭部導線１２、尾部導線１５及び第１導線１３と、セル１０の位置とが相対的に固定でき、後のセル１０の敷設により前のセル１０と前記導線との相対位置を変えることはない。
That is, in the present embodiment, the lamination process is performed once each time one
他の実施例において、全てのセルの敷設が完了した後に、１回のラミネート処理を行ってもよい。あるいは、２枚の隣接するセルを敷設した後に、１回のラミネート処理を行い、ラミネート処理の回数は、セルの数量の２分の１に等しい。 In another embodiment, one lamination process may be performed after all cells have been laid. Alternatively, one lamination process is performed after laying two adjacent cells, and the number of lamination processes is equal to one-half the number of cells.
その後に、バスバーを用いて、尾部導線１５の第Ｎセル１０２以外まで延びる領域に接触して接続し、セルストリング構造の電流を収集する。なお、尾部導線１５は、第２粘着層１４に対して延出しているので、プリーフォームしたフレキシブル電気的接続層を使用する場合に比べて、本実施例は、尾部に位置する第２粘着層１４および尾部導線１５を特殊処理する必要がなく、剥き出しとなった尾部導線１５は、後にそのままバスバーに接続することができ、これにより、生産プロセスを簡素化し、生産コストを低減する。
A busbar is then used to contact and connect the region of the
図１１を参照して、少なくとも２本のバスバー１９を形成しており、一方のバスバー１９は、頭部導線１２（図１０を参照）の第１セル１０１以外まで延びる領域に接触して接続され、他方のバスバー１９は、尾部導線１５（図１０を参照）の第Ｎセル１０２以外まで延びる領域に接触して接続され、バスバー１９の延伸方向は第１方向Ｘと異なっている。
Referring to FIG. 11, at least two
すなわち、一方のバスバー１９は、全ての頭部導線１２に接続され、他方のバスバー１９は、全ての尾部導線１５に接続されており、これにより、セルストリング構造全体の内部の電流を収集することを実現する。
That is, one
本実施例において、頭部導線１２および尾部導線１５とバスバー１９との接続は、ラミネート方式によって実現される。他の実施例において、頭部導線および尾部導線とバスバーとの接続を溶接によって実現してもよい。
In this embodiment, the connection between the
上述したように、本実施例では、セル１０が第１配線１３、頭部導線１２および尾部導線１５によって直接電気的に接続されることになり、フレキシブル電気的接続層をプリーフォームすることを必要とせず、セル１０同士のインターコネクションを実現することができるので、デバイスの開発難易度を著しく低下させることができ、従来のストリング溶接機に改良を行い、第１粘着層１１の搬送機構と第２粘着層１４の敷設機構を増設するだけでよい。また、セルストリング構造の頭部の第１粘着層１１および尾部の第２粘着層１４に対して特殊処理を行う必要がなく、頭部導線１２および尾部導線１５をセル１０以外の領域に延出させるだけで、頭部導線１２および尾部導線１５を露出させることができる。また、本実施例では、第１導線１３とセル１０との電気的接続を溶接により実現する必要がないため、溶接高温や溶接応力によるセル１０への悪影響を回避できる。また、１枚のセル１０を敷設したごとに、１回のラミネート処理が行われるので、第１導線１３とセル１０との位置は相対的に固定できる。したがって、本発明の実施例は、セルストリング構造の生産プロセスを簡素化し、生産コストを低減し、セルストリング構造の性能を向上することができる。
As mentioned above, in this embodiment the
本発明の他の実施例は、一種のセルストリング構造の製造方法を提供し、本実施例は前の実施例とほぼ同じであるが、主な相違点は、本実施例において隣り合うセルの受光面の向きが逆となり、これにより第１導線および第２粘着層の敷設方式が第１実施例と異なっていることにある。図１２～図１３は、本実施例に係る製造方法における各工程に対応する構成を示す図である。以下、図面を参照して具体的に説明する。 Another embodiment of the present invention provides a kind of cell string structure manufacturing method, this embodiment is almost the same as the previous embodiment, but the main difference is that the adjacent cells in this embodiment The direction of the light-receiving surface is reversed, so that the laying method of the first conductive wire and the second adhesive layer is different from that of the first embodiment. 12 and 13 are diagrams showing the configuration corresponding to each step in the manufacturing method according to this embodiment. A specific description will be given below with reference to the drawings.
図１２を参照して、第１粘着層２１が提供され、第１粘着層２１は、第１方向Ｘに沿って順に配列されたＮ個の布置エリアＡを有し、各布置エリアＡは、対応するセル２０を固定するために用いられ、且つＮは１より大きい正の整数である。
Referring to FIG. 12, a first
本実施例において、第１粘着層２１は２層構造であり、接着層２１１と支持層２１２とを含む。他の実施例において、第１粘着層は単層構造であってもよい。
In this embodiment, the first
第１粘着層２１およびセル２０の具体的な説明は、前の実施例をご参照ください。ここでは再び贅言しない。
For a specific description of the first
各布置エリアＡには、対応するセル２０が配置される。具体的には、本実施例では、全てのセル２０が一度に敷設されており、隣り合うセル２０の受光面Ｆの向きが逆となる。すなわち、隣り合うセル２０に対して、一方のセル２０の受光面Ｆが上向きとなり、他方のセル２０のバックライト面Ｂが上向きとなる。
In each placement area A, a corresponding
さらに、布置エリアＡにセル２０を配置する前に、布置エリアＡの第１粘着層２１の表面に第２導線２２を敷設し、かつ、第２導線２２が、隣り合う布置エリアＡに跨って、隣り合う２つのセル２０を電気的に接続するために用いられる。
Furthermore, before arranging the
本実施例において、第２導線２２は、セルストリング構造の全てのセル２０にも電気的に接続されている。
In this embodiment, the
本実施例において、頭部位置にある第２導線２２がセル２０以外の領域まで延びており、後に、セル２０以外の領域まで延びる第２導線２２がバスバーに電気的に接続されて、セルストリング構造内部の電流が収集される。他の実施例において、尾部位置にある第２導線はセル以外の領域まで延び、バスバーに電気的に接続されていてもよい。
In this embodiment, the
セル２０以外の領域まで延びる第２導線２２は、第１粘着層２１によって露出されているため、第１粘着層２１に対して特殊処理を実施して第２導線２２を露出させる必要がなく、生産プロセスを簡素化できることが理解できる。
Since the second
図１３を参照して、セル２０における第１粘着層２１から離れた表面には、第１導線２３が敷設され、第１導線２３は、隣り合う布置エリアＡ（図１２を参照）に跨って、隣り合う２つのセル２０を電気的に接続するために用いられる。
Referring to FIG. 13, a
本実施例において、第１導線２３は、全てのセル２０にも電気的に接続されている。
In this embodiment, the
本実施例において、尾部位置にある第１導線２３がセル２０以外の領域まで延びており、後に、セル２０以外の領域まで延びる第１導線２３がバスバーに電気的に接続されて、セルストリング構造内部の電流が収集される。他の実施例において、頭部位置にある第１導線はセル以外の領域まで延び、バスバーに電気的に接続されていてもよい。
In this embodiment, the
さらに、セル２０における第１粘着層２１から離れた表面には、第２粘着層２４が設けられ、第１導線２３は、第２粘着層２４とセル２０との間に位置している。
Furthermore, a second
第１粘着層２１、第１導線２３、第２導線２２、セル２０及び第２粘着層２４を互いに固定するように、圧着処理を行う。圧着処理は、圧力、及び温度や紫外線照射などの特定の条件により、上記の構造を密着して、一体構造とすることができる。
The first
本実施例では、隣り合うセル２０の受光面の向きが異なるため、第１導線２３を折り曲げる必要がなく、１本の第１導線２３は全てのセル２０を接続することができ、１本の第２導線２２も全てのセル２０を接続することができ、さらに頭部導線と尾部導線とを設ける必要もない。また、全てのセル２０が敷設された後にラミネート処理を行うので、ラミネートの回数を減らし、生産効率を向上させることができる。したがって、本実施例は、生産プロセスを簡素化し、生産コストを低減することができる。
In this embodiment, since the directions of the light-receiving surfaces of the
本発明の別の実施例は、さらに、前記実施例に提供される製造方法によって製造され得るセルストリング構造を提供し、図１０～図１１は、本実施例に提供されるセルストリング構造を示す図である。 Another embodiment of the present invention further provides a cell string structure that can be manufactured by the manufacturing method provided in the above embodiment, and FIGS. 10-11 show the cell string structure provided in this embodiment. It is a diagram.
図１０～図１１を参照して、セルストリング構造は、第１方向Ｘに沿って順に配列されたＮ個の布置エリアＡ（Ｎは１より大きい正の整数）を含む第１粘着層１１と、各々が対応する布置エリアＡに設けられたＮ個のセル１０と、セル１０における第１粘着層１１から離れた表面に敷設され、かつ隣り合う布置エリアＡに跨って隣り合う２つのセル１０を電気的に接続するための第１導線１３と、セル１０における第１粘着層１１から離れた表面に設けられた第２粘着層１４と、を含み、かつ、第１導線１３が第２粘着層１４とセル１０との間に位置し、第１粘着層１１、第１導線１３、セル１０及び第２粘着層１４が互いに固定されている。
10 to 11, the cell string structure includes a first
以下、図面を参照して具体的に説明する。 A specific description will be given below with reference to the drawings.
図１０を参照して、本実施例では、セルストリング構造におけるセル１０の受光面Ｆは、向きが同じであり、すなわち、受光面Ｆがいずれも上向きであり、バックライト面Ｂがいずれも下向きである。セルストリング構造は、さらに、頭尾両端にそれぞれ位置された第１セル１０１および第Ｎセル１０２を含む。なお、セル１０の詳細な説明については、前述した実施例の説明をご参照ください。ここでは再び贅言しない。
Referring to FIG. 10, in this embodiment, the directions of the light receiving surfaces F of the
第１導線１３は、隣り合う２つのセル１０を電気的に接続するためのものである。具体的には、第１導線１３は、順次接続された受光導線、接続導線およびバックライト導線を含む。受光導線は、一方のセル１０の受光面Ｆに位置し、バックライト導線は、他方のセル１０のバックライト面Ｂに位置し、接続導線は、隣接するセル１０の間に位置する。
The
セルストリング構造は、さらに、第１粘着層１１と第１セル１０１との間に位置し、かつ第１セル１０１以外の領域まで延びる頭部導線１２を備える。第１セル１０１以外の領域まで延びる頭部導線１２は、第１粘着層１１によって露出されている。
The cell string structure further includes a
セルストリング構造は、さらに、第Ｎセル１０２における第１粘着層１１から離れた表面に位置し、かつ第Ｎセル１０２以外の領域まで延びる尾部導線１５を備え、かつ第２粘着層１４が、第Ｎセル１０２における第１粘着層１１から離れた表面にも位置する。第Ｎセル１０２以外の領域まで延びる尾部導線１５は、第２粘着層１４によって露出されている。
The cell string structure further comprises a
図１０および図１１を参照して、セルストリング構造は、少なくとも２本のバスバー１９をさらに備え、一方のバスバー１９は、頭部導線１２の第１セル１０１以外まで延びる領域に接触して接続され、他方のバスバー１９は、尾部導線１５の第Ｎセル以外まで延びる領域に接触して接続され、バスバー１９の延伸方向は第１方向Ｘと異なっている。
10 and 11, the cell string structure further includes at least two
第１導線１３、頭部導線１２及び尾部導線１５についての具体的な説明は、前述した実施例をご参照ください。ここでは再び贅言しない。
For a detailed description of the
続いて図１０を参照して、第１粘着層１１は、セルストリング構造の全てのセル１０を固定することに用いられる。第１方向Ｘにおいて、第１粘着層１１の長さは、製造しようとするセルストリング構造の長さの値とほぼ等しくなる。第１粘着層１１の長さとセル１０の長さとの差が小さいと、第１粘着層１１とセル１０との接触面積を大きくすることができ、接着のがっちりさを向上させることができる。さらに、第１方向Ｘにおいて、Ｎ個のセル１０の合計の長さと第１粘着層１１の長さとの差の絶対値は、１００ｍｍ以下である。
Subsequently, referring to FIG. 10, the first
第１粘着層１１は、第１導線１３及び頭部導線１２をセル１０の表面に固定して、上記導線が均一に配列されることを確保するためにも用いられ、これにより、上記導線がセル１０に生じる電流を十分に収集することができる。
The first
第１粘着層１１は、支持層１１２と、支持層１１２とセル１０との間に位置する接着層１１１とを含む。支持層１１２及び接着層１１１についての具体的な説明は、前述した実施例をご参照ください。
The first
各第２粘着層１４は、一つのセル１０に対応して、第１導線１３及び尾部導線１５をセル１０の表面に固定するために用いられる。
Each second
第１方向Ｘにおいて、第２粘着層１４の長さとセル１０の長さとの差の絶対値は、６０ｍｍ以下である。第２粘着層１４の長さとセル１０の長さとの差が小さいと、第２粘着層１４とセル１０との接触面積を大きくすることができ、これにより、接着のがっちりさを向上させることができる。
In the first direction X, the absolute value of the difference between the length of the second
本実施例において、第２粘着層１４は単層構造であり、２層構造に比べて、単層構造は光透過性がより優れ、セル１０の光吸収率を大きくすることができる。
In this embodiment, the second
本実施例において、セル１０ごとに、第２粘着層１４がベタフィルム層構造である。つまり、第２粘着層１４は、第１導線に対応するセル１０の表面だけでなく、隣り合う第１導線１３間のセル１０の表面も覆っているので、被覆面積を大きくすることができ、接着のがっちりさを向上させて、第１導線１３の変位を回避することができる。
In this embodiment, for each
他の実施例において、セルごとに、第１導線の本数が複数本であり、第２粘着層が互いに独立したフィルム層構造であり、かつ各フィルム層構造の位置が相応の第１導線の位置に対応する。つまり、第２粘着層は、第１導線に対応するセルの表面のみを被覆し、隣り合う第１導線間のセルの表面を被覆しない。被覆面積の減少は、セルの光吸収率を増大させることができる。 In another embodiment, each cell has a plurality of first conductor lines, the second adhesive layer is a film layer structure independent of each other, and the position of each film layer structure is corresponding to the position of the first conductor line. corresponds to That is, the second adhesive layer covers only the surfaces of the cells corresponding to the first conductors and does not cover the surfaces of the cells between the adjacent first conductors. A reduction in area coverage can increase the light absorption of the cell.
また、上記から分かるように、頭部導線１２と尾部導線１５は、それぞれ第１粘着層１１と第２粘着層１４によって露出されているため、頭部導線１２および尾部導線１５とバスバー１９（図１１参照）とを接続する前に、第１粘着層１１と第２粘着層１４に対して特殊処理を行う必要がなく、露出された頭部導線１２および尾部導線１５は、バスバー１９に直接繋がっていてもよい。
Moreover, as can be seen from the above, the
その他の実施例では、図１３を参照して、セルストリング構造における隣り合うセル２０の受光面Ｆの向きが異なっており、すなわち、隣り合うセル２０における、一方のセル２０の受光面Ｆが上向きとなり、他方のセル２０のバックライト面Ｂが下向きとなっている。そして、第１導線２３は、全てのセル２０の同一側に位置し、全てのセル２０を電気的に接続しており、第２導線２２も、全てのセル２０の同じ側に位置し、全てのセル２０を電気的に接続している。第２粘着層２４は、全てのセル２０を覆っている。
In another embodiment, referring to FIG. 13, the directions of the light-receiving surfaces F of
以上のように、本実施例では、セルストリング構造における頭部の第１粘着層１１および尾部の第２粘着層１４に対して特殊処理を行う必要がなく、頭部導線１２および尾部導線１５をセル１０以外の領域に延出させるだけで、頭部導線１２および尾部導線１５を露出させることができる。また、本実施例では、第１導線１３とセル１０との電気的接続を溶接により実現する必要がないので、溶接高温や溶接応力によるセル１０への悪影響を回避することができる。
As described above, in this embodiment, there is no need to perform special treatment on the first
本発明の別の実施例は、一種の光起電力モジュールの製造方法を提供する。図１４は、本発明の実施例に係る製造方法に対応する構成を示す図である。以下、図面を参照して具体的に説明する。 Another embodiment of the present invention provides a method of manufacturing a photovoltaic module. FIG. 14 is a diagram showing the configuration corresponding to the manufacturing method according to the embodiment of the present invention. A specific description will be given below with reference to the drawings.
図１４を参照して、セルストリング構造１が提供され、セルストリング構造１は、前記実施例により提供されるセルストリング構造１である。セルストリング構造１は、セル１０、頭部導線１２、第１導線１３、尾部導線１５、第１粘着層１１、および第２粘着層１４を備えており、そのうち、第１粘着層１１は、接着層１１１と支持層１１２とを含む２層構造であり、第２粘着層１４は単層構造である。
Referring to FIG. 14, a
続いて図１４を参照して、第１基板１７１、第１封止層１６１、セルストリング構造１、第２封止層１６２、および第２基板１７２を順に積層して設け、積層構造を形成する。
Subsequently, referring to FIG. 14, a
セルストリング構造１は、１つまたは複数個であってもよく、セルストリング構造１が複数個である場合、バスバーを用いて複数個のセルストリング構造１を電気的および物理的に接続する。具体的には、溶接またはホットプレスによってバスバーとセルストリング構造１とを接続することができる。複数個のセルストリング構造１は、平行に配列されてもよい。
There may be one or more
バスバーは、低抵抗率材質からなり、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕの一種又は複数種であってもよく、その断面は円形、正方形、三角形、台形、長方形のいずれかであってもよく、その表面に厚さ５～１００μｍの合金材を一層コーティングしてもよく、合金材料はＳｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｇの一種又は複数種であってもよい。 The busbar is made of a low-resistivity material and may be one or more of Ag, Cu, Ti, Sn, Ni, Al, and Au, and has a circular, square, triangular, trapezoidal, or rectangular cross section. The surface may be coated with a single layer of alloy material having a thickness of 5 to 100 μm, and the alloy material is one or more of Sn, Pb, Bi, In, Zn, Cu, Sb, and Ag. good too.
第１基板１７１は、高い光透過率または高い反射率を有するフレキシブルまたはリジッドな材質であり、片面または両面にフッ素含有バックシート、強化ガラスおよびエチレン－テトラフルオロエチレン共重合体などの材質であってもよい。
The
第２基板１７２は、高い光透過率を有するフレキシブルまたはリジッドな材質であり、ポリエチレンテレフタレート、強化ガラス又はエチレン－テトラフルオロエチレン共重合体などの材質であってもよい。
The
第１封止層１６１の材料は、ポリエチレン－ポリ酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン又はポリビニルブチラール等の材料の１種又は複数種である。
The material of the
第２封止層１６２の材料は、ポリエチレン－ポリ酢酸ビニル共重合体、ポリオレフィン又はポリビニルブチラール等の材料の１種又は複数種である。 The material of the second sealing layer 162 is one or more of materials such as polyethylene-polyvinyl acetate copolymer, polyolefin or polyvinyl butyral.
積層構造に対してラミネート処理を行い、かつ、ラミネート処理において第１導線１３とセル１０との間が電気的に接続されている。頭部導線１２および尾部導線１５も、ラミネート処理においてセル１０と電気的に接続されている。高温溶接によるインターコネクションプロセスをキャンセルするので、溶接応力を低減し、さらにプロセスリスクを低減することができる。
A lamination process is performed on the laminated structure, and the
以下、ラミネート処理について具体的に説明する。 The lamination process will be specifically described below.
ラミネート処理に用いるプロセス温度は、第１導線１３の融点温度以上であり、このように、ラミネート処理において第１導線１３が溶融することにより、第１導線１３とセル１０との間が電気的に接続される。さらに、本実施例では、第１導線１３は、はんだコアと、はんだコアを取り囲む合金層とを含み、ラミネート処理に用いるプロセス温度は、合金層の融点温度以上である。プロセス温度が合金層の融点温度よりも高い場合には、合金層が溶融し、かつ、圧力の作用により、溶融した合金層とセル１０とが電気的に接続される。
The process temperature used for the lamination process is equal to or higher than the melting point temperature of the
合金層は低融点金属であり、その融点温度は１００℃～１６０℃であり、例えば１２０℃、１３０℃または１５０℃である。合金層の材料は、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ａｇの一種または数種であってもよい。 The alloy layer is a low melting point metal and has a melting point temperature of 100°C to 160°C, for example 120°C, 130°C or 150°C. The material of the alloy layer may be one or more of Sn, Pb, Bi, In, Zn, Cu, Sb and Ag.
ラミネート処理におけるプロセス温度と融点温度との差は、３０℃以下である。本実施例において、融点温度とは、合金層の融点温度である。プロセス温度が上記の範囲にあると、合金層を十分に溶解することができ、合金層とセル１０とを電気的に接続する効果を高めることができる。また、過高温度においてセルストリング構造１が割れる虞を低減することもできる。
The difference between the process temperature and the melting point temperature in the lamination process is 30°C or less. In this embodiment, the melting point temperature is the melting point temperature of the alloy layer. When the process temperature is within the above range, the alloy layer can be sufficiently melted, and the effect of electrically connecting the alloy layer and the
はんだコアの材料は、低抵抗金属であり、例えばＡｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ａｌ、Ａｕとすることができる。なお、他の実施例において、第１導線は、はんだコア１層の構造のみを有してもよく、融点温度とは、はんだコアの融点温度であり、すなわち、ラミネート処理におけるプロセス温度が、はんだコアの融点温度以上である。 The material of the solder core is a low resistance metal and can be Ag, Cu, Ti, Sn, Ni, Al, Au, for example. It should be noted that in another embodiment, the first conductor may only have a structure of one layer of solder core, and the melting point temperature is the melting point temperature of the solder core, that is, the process temperature in the lamination process is above the melting temperature of the core.
ラミネート処理に用いるプロセス圧力は、－５０ｋＰａ～２００ｋＰａである。プロセス圧が上記の範囲内にあると、第１導線１３とセル１０との接続強度を大きくすることができるとともに、過大な圧力がセルストリング構造１に損傷を与えることも回避できる。好ましくは、プロセス圧力は、－２０ｋＰａ～１５０ｋＰａである。
The process pressure used for lamination is -50 kPa to 200 kPa. When the process pressure is within the above range, it is possible to increase the connection strength between the
以上により、本実施例では、ラミネート処理を採用して第１導線１３とセル１０との電気的接続を実現し、溶接高温や溶接応力によるセルストリング構造１への悪影響を回避することができる。
As described above, in the present embodiment, the lamination process is employed to achieve electrical connection between the
また、本発明の別の実施例は、一種の光起電力モジュールを提供し、本実施例に提供される光起電力モジュールは、前の実施例に提供される光起電力モジュールの製造方法を用いて製造することができる。図１４は、本実施例に係る光起電力モジュールの構成を示す図である。 In addition, another embodiment of the present invention provides a photovoltaic module, the photovoltaic module provided in this embodiment comprises the method for manufacturing the photovoltaic module provided in the previous embodiment. can be manufactured using FIG. 14 is a diagram showing the configuration of a photovoltaic module according to this example.
図１４を参照して、光起電力モジュールは、順に積層して設けられた第１基板１７１、第１封止層１６１、前述した実施例に係るセルストリング構造１、第２封止層１６２、および第２基板１７２を備える。
Referring to FIG. 14, the photovoltaic module includes a
光起電力モジュールに関する具体的な説明は、前の実施例をご参照ください。ここでは再び贅言しない。 For a specific description of the photovoltaic module, please refer to the previous example. I won't exaggerate here again.
当業者であれば、前記各実施形態は、本発明を実現する具体的な実施例であり、実用上では、本発明の精神と範囲を逸脱することなく、形態及び細部において様々な変更を実施できることが理解できる。いずれの当業者は、本発明の精神と範囲を逸脱しない限り、それぞれ変更及び修正を加えることが可能であるため、本発明の保護範囲は請求の範囲に限定された範囲を基準にすべきである。 Those skilled in the art will appreciate that the foregoing embodiments are specific examples for implementing the present invention, and in practice various changes can be made in form and detail without departing from the spirit and scope of the present invention. I understand what you can do. Since any person skilled in the art can make changes and modifications without departing from the spirit and scope of the present invention, the scope of protection of the present invention should be based on the scope defined in the claims. be.
Claims (19)
各々が対応する前記セルを固定するために用いられかつ前記第１方向に沿って順に配列されたＮ個（Ｎは１より大きい正の整数）の布置エリアを有する第１粘着層を提供することと、
前記布置エリアごとに、対応する前記セルが配置されることと、
前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面には、隣り合う前記布置エリアに跨って、隣り合う２つの前記セルを電気的に接続するための第１導線が敷設されることと、
前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面に第２粘着層が設けられ、かつ前記第１導線が前記第２粘着層と前記セルとの間に位置されることと、
前記第１粘着層、前記第１導線、前記セルおよび前記第２粘着層を互いに固定するように、圧着処理を行うことと、
を含むことを特徴とするセルストリング構造の製造方法。 In a method for manufacturing a cell string structure including N cells arranged in order along a first direction and connected in series with each other,
providing a first adhesive layer having N (N is a positive integer greater than 1) placement areas arranged in order along the first direction, each used for fixing the corresponding said cell; When,
arranging the corresponding cells for each of the placement areas;
a first conductive wire for electrically connecting two adjacent cells is laid across the adjacent placement areas on a surface of the cell remote from the first adhesive layer;
A second adhesive layer is provided on a surface of the cell remote from the first adhesive layer, and the first conductive wire is positioned between the second adhesive layer and the cell;
performing a crimping process so as to fix the first adhesive layer, the first conductive wire, the cell and the second adhesive layer to each other;
A method of manufacturing a cell string structure, comprising:
あるいは、前記第１粘着層がＵＶ硬化型接着剤を含み、前記第２粘着層がＵＶ硬化型接着剤を含み、前記圧着処理が紫外線照射処理を含んでいる、
ことを特徴とする請求項１に記載のセルストリング構造の製造方法。 The first adhesive layer contains hot melt, the second adhesive layer contains hot melt, and the pressure bonding process includes heat treatment,
Alternatively, the first adhesive layer contains a UV curable adhesive, the second adhesive layer contains a UV curable adhesive, and the compression treatment includes ultraviolet irradiation treatment.
2. The method of manufacturing a cell string structure according to claim 1, wherein:
前記第１導線を敷設するステップは、
前記受光導線を前記セルの受光面に敷設し、前記受光面が前記第１粘着層から離れるようになされることと、
隣り合う前記布置エリアの前記第１粘着層の表面に前記バックライト導線が位置するように、前記接続導線を折り曲げることと、を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のセルストリング構造の製造方法。 each of the cells has the same orientation of the light-receiving surface, and the first conducting wire includes a light-receiving conducting wire, a connecting conducting wire and a backlight conducting wire, which are connected in order;
The step of laying the first conductor comprises:
Laying the light-receiving lead wire on the light-receiving surface of the cell so that the light-receiving surface is separated from the first adhesive layer;
bending the connecting wires so that the backlight wires are positioned on the surfaces of the first adhesive layers of the adjacent placement areas;
2. The method of manufacturing a cell string structure according to claim 1, wherein:
前記サブグリッド線の表面に前記第２粘着層を設けることをさらに含む、
ことを特徴とする請求項３に記載のセルストリング構造の製造方法。 The light-receiving conductors are dense grid lines, the light-receiving surface further has a plurality of sub-grid lines arranged at intervals, and the sub-grid lines intersect and contact the dense grid lines. and
further comprising providing the second adhesive layer on the surface of the sub-grid lines;
4. The method of manufacturing a cell string structure according to claim 3, wherein:
ことを特徴とする請求項３に記載のセルストリング構造の製造方法。 8 to 32 light-receiving conductors are laid at intervals on the light-receiving surface for each of the cells,
4. The method of manufacturing a cell string structure according to claim 3, wherein:
前記布置エリアに前記セルを配置する前に、前記布置エリアの前記第１粘着層の表面に、隣り合う前記布置エリアに跨って隣り合う２つの前記セルを電気的に接続するための第２導線が敷設されることを、さらに含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のセルストリング構造の製造方法。 The light-receiving surfaces of the adjacent cells are oriented in opposite directions,
Before arranging the cells in the placement area, a second conductive wire for electrically connecting two adjacent cells across the adjacent placement areas is provided on the surface of the first adhesive layer in the placement area. further comprising:
2. The method of manufacturing a cell string structure according to claim 1, wherein:
前記セルストリング構造の製造方法は、さらに、
前記第１セルを配置する前に、前記第１粘着層に、前記第１粘着層と前記第１セルとの間に位置しかつ前記第１セル以外の領域まで延びる頭部導線が敷設されることと、
前記第Ｎセルを配置した後、前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面に、前記第Ｎセル以外の領域まで延びる尾部導線が敷設され、かつ、前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面に、前記第２粘着層が設置されることと、
少なくとも２本のバスバーを形成し、一方の前記バスバーが、前記頭部導線の前記第１セル以外まで延びる領域に接触して接続され、他方の前記バスバーが、前記尾部導線の前記第Ｎセル以外まで延びる領域に接触して接続され、かつ、前記バスバーの延伸方向が前記第１方向と異なるように設置されることと、を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載のセルストリング構造の製造方法。 The cell string structure includes a first cell and an Nth cell located at both ends of the head and tail,
The method for manufacturing the cell string structure further comprises:
Prior to arranging the first cell, a head conductor located between the first adhesive layer and the first cell and extending to a region other than the first cell is laid on the first adhesive layer. and
After arranging the N-th cell, a tail conductor extending to a region other than the N-th cell is laid on a surface of the N-th cell remote from the first adhesive layer, and the first adhesive layer of the N-th cell placing the second adhesive layer on a surface away from the adhesive layer;
At least two busbars are formed, one said busbar contacting and connecting to a region of said head conductor extending other than said first cell, and the other said busbar connecting said tail conductor other than said Nth cell. and being connected in contact with a region extending to the bus bar, and being installed such that the extending direction of the bus bar is different from the first direction,
2. The method of manufacturing a cell string structure according to claim 1, wherein:
第１基板、第１封止層、前記セルストリング構造、第２封止層、および第２基板を順に積層して設け、積層構造を形成することと、
前記積層構造をラミネート処理し、かつ、前記ラミネート処理において前記第１導線と前記セルとが電気的に接続されていることと、
を含むことを特徴とする光起電力モジュールの製造方法。 Providing a cell string structure manufactured by the manufacturing method according to any one of claims 1 to 7;
Laminating a first substrate, a first sealing layer, the cell string structure, a second sealing layer, and a second substrate in order to form a stacked structure;
laminating the laminated structure, and electrically connecting the first conducting wire and the cell in the laminating process;
A method of manufacturing a photovoltaic module, comprising:
ことを特徴とする請求項８に記載の光起電力モジュールの製造方法。 The process temperature used for the lamination process is equal to or higher than the melting point temperature of the first conductor,
The method for manufacturing a photovoltaic module according to claim 8, characterized in that:
ことを特徴とする請求項９に記載の光起電力モジュールの製造方法。 The first conductor wire has a solder core and an alloy layer surrounding the solder core, and the process temperature used for the lamination process is higher than the melting point temperature of the alloy layer.
The method for manufacturing a photovoltaic module according to claim 9, characterized in that:
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の光起電力モジュールの製造方法。 The difference between the process temperature and the melting point temperature in the lamination process is 30° C. or less.
The method of manufacturing a photovoltaic module according to claim 9 or 10, characterized in that:
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の光起電力モジュールの製造方法。 The process pressure used for the lamination process is -50 kPa to 200 kPa.
The method of manufacturing a photovoltaic module according to claim 9 or 10, characterized in that:
ことを特徴とする請求項９または１０に記載の光起電力モジュールの製造方法。 The melting point temperature is 100° C. to 160° C.
The method of manufacturing a photovoltaic module according to claim 9 or 10, characterized in that:
各セルが対応する前記布置エリアに設けられたＮ個のセルと、
前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面に敷設され、かつ隣り合う前記布置エリアに跨って隣り合う２つの前記セルを電気的に接続するための第１導線と、
前記セルにおける前記第１粘着層から離れた表面に設けられる第２粘着層であって、前記第１導線が前記第２粘着層と前記セルとの間に位置され、前記第１粘着層、前記第１導線、前記セル及び前記第２粘着層が互いに固定されるようになされる第２粘着層と、を備える、
ことを特徴とするセルストリング構造。 a first adhesive layer including N (N is a positive integer greater than 1) placement areas arranged in order along a first direction;
N cells provided in the placement area to which each cell corresponds;
a first conductor laid on a surface of the cell remote from the first adhesive layer and for electrically connecting two adjacent cells across the adjacent placement areas;
A second adhesive layer provided on a surface of the cell remote from the first adhesive layer, wherein the first conductive wire is positioned between the second adhesive layer and the cell, the first adhesive layer, the a second adhesive layer adapted to secure the first conductor, the cell and the second adhesive layer to each other;
A cell string structure characterized by:
前記セルストリング構造は、さらに、
前記第１粘着層と前記第１セルとの間に位置しかつ前記第１セル以外の領域まで延びる頭部導線と、
前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面に位置しかつ前記第Ｎセル以外の領域まで延びる尾部導線と、かつ、前記第２粘着層が前記第Ｎセルにおける前記第１粘着層から離れた表面にも設置され、
少なくとも２本のバスバーであって、一方の前記バスバーが、前記頭部導線の前記第１セル以外まで延びる領域に接触して接続され、他方の前記バスバーが、前記尾部導線の前記第Ｎセル以外まで延びる領域に接触して接続され、かつ、前記バスバーの延伸方向が前記第１方向と異なるように設置される少なくとも２本のバスバーと、を備える、
ことを特徴とする請求項１４に記載のセルストリング構造。 The cell string structure comprises a first cell and an Nth cell located at both ends of the head and tail,
The cell string structure further comprises:
a head conductor positioned between the first adhesive layer and the first cell and extending to a region other than the first cell;
a tail conductor located on a surface remote from the first adhesive layer in the Nth cell and extending to a region other than the Nth cell, and wherein the second adhesive layer extends from the first adhesive layer in the Nth cell It is also installed on a distant surface,
At least two bus bars, one said bus bar being in contact with and connected to a region of said head conductor extending other than said first cell, and the other said bus bar connecting said tail conductor other than said Nth cell. and at least two bus bars connected in contact with a region extending to the first direction, and installed such that the extending direction of the bus bars is different from the first direction.
15. The cell string structure of claim 14, wherein:
ことを特徴とする請求項１４に記載のセルストリング構造。 In the first direction, the absolute value of the difference between the total length of the N cells and the length of the first adhesive layer is 100 mm or less.
15. The cell string structure of claim 14, wherein:
ことを特徴とする請求項１４に記載のセルストリング構造。 In the first direction, the absolute value of the difference between the length of the second adhesive layer and the length of the cell is 60 mm or less.
15. The cell string structure of claim 14, wherein:
前記第２粘着層は、単層構造である、
ことを特徴とする請求項１４に記載のセルストリング構造。 The first adhesive layer includes a support layer and an adhesive layer positioned between the support layer and the cells,
The second adhesive layer has a single layer structure,
15. The cell string structure of claim 14, wherein:
It comprises a first substrate, a first sealing layer, the cell string structure according to any one of claims 14 to 18, a second sealing layer, and a second substrate, which are laminated in order. and photovoltaic modules.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110246919.9 | 2021-03-05 | ||
| CN202110246919.9A CN113037210A (en) | 2021-03-05 | 2021-03-05 | Battery string structure, photovoltaic module and manufacturing method of photovoltaic module |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP6941252B1 JP6941252B1 (en) | 2021-09-29 |
| JP2022135851A true JP2022135851A (en) | 2022-09-15 |
Family
ID=75936800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2021082072A Active JP6941252B1 (en) | 2021-03-05 | 2021-05-14 | Cell string structure and photovoltaic modules and their manufacturing methods |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US11362226B1 (en) |
| EP (2) | EP4053921B1 (en) |
| JP (1) | JP6941252B1 (en) |
| CN (2) | CN116960207A (en) |
| PL (1) | PL4053921T3 (en) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB202119068D0 (en) * | 2021-12-29 | 2022-02-09 | Rec Solar Pte Ltd | A unitary film for an electrode assembly of a solar cell |
| CN114744079A (en) * | 2022-04-21 | 2022-07-12 | 通威太阳能（合肥）有限公司 | Photovoltaic module manufacturing method and photovoltaic module |
| CN115241310A (en) * | 2022-07-21 | 2022-10-25 | 常州时创能源股份有限公司 | Method for reinforcing electrical connection of battery pieces in photovoltaic module |
| CN115117206B (en) * | 2022-08-30 | 2022-12-16 | 苏州小牛自动化设备有限公司 | Manufacturing method of photovoltaic module, battery string and photovoltaic module |
| CN115295685B (en) * | 2022-10-09 | 2022-12-16 | 苏州小牛自动化设备有限公司 | Method for fixedly connecting battery strings, pressing tool assembly and curing device |
| CN117438505B (en) * | 2023-11-24 | 2024-03-22 | 浙江求是半导体设备有限公司 | Preparation method and arrangement method of photovoltaic cell and preparation equipment thereof |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011132295A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Method for pasting adhesive film and method for producing solar cell module |
| JP2011166075A (en) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for manufacturing solar cell module, and roll-shaped solar cell module |
| JP2012243761A (en) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Delsolar Co Ltd | Electrode tape, solar cell module and manufacturing method therefor |
| US20130112239A1 (en) * | 2011-04-14 | 2013-05-09 | Cool Earh Solar | Solar energy receiver |
| JP2016058606A (en) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 三菱化学株式会社 | Solar cell module |
| WO2016204192A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社カネカ | Crystalline silicon solar cell module and manufacturing method for same |
| WO2018142544A1 (en) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 三菱電機株式会社 | Solar cell module and method for manufacturing solar cell module |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4019924A (en) * | 1975-11-14 | 1977-04-26 | Mobil Tyco Solar Energy Corporation | Solar cell mounting and interconnecting assembly |
| US5391235A (en) * | 1992-03-31 | 1995-02-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Solar cell module and method of manufacturing the same |
| DE10239845C1 (en) | 2002-08-29 | 2003-12-24 | Day4 Energy Inc | Electrode for photovoltaic cells, photovoltaic cell and photovoltaic module |
| DE102004013833B4 (en) * | 2003-03-17 | 2010-12-02 | Kyocera Corp. | Method for producing a solar cell module |
| EP1560272B1 (en) * | 2004-01-29 | 2016-04-27 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell module |
| JP4986462B2 (en) | 2006-01-27 | 2012-07-25 | シャープ株式会社 | SOLAR CELL STRING, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND SOLAR CELL MODULE USING THE SOLAR CELL STRING |
| US20070235077A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | Solar Cell Module and Manufacturing Process Thereof |
| CN101997059B (en) * | 2006-10-10 | 2012-09-26 | 日立化成工业株式会社 | Connection structure and method of manufacturing same |
| KR101101464B1 (en) * | 2007-05-09 | 2012-01-03 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | Conductor connection member, connection structure, and solar cell module |
| CN101669258B (en) * | 2007-05-09 | 2016-04-13 | 日立化成株式会社 | The method of attachment of electric conductor, conductor connection member, syndeton and solar module |
| JP2009158858A (en) * | 2007-12-27 | 2009-07-16 | Sanyo Electric Co Ltd | Solar cell module, and its manufacturing method |
| US20120012153A1 (en) * | 2009-03-11 | 2012-01-19 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Connection sheet for solar battery cell electrode, process for manufacturing solar cell module, and solar cell module |
| JP5436901B2 (en) * | 2009-03-23 | 2014-03-05 | 三洋電機株式会社 | Manufacturing method of solar cell module |
| JP5159725B2 (en) * | 2009-08-27 | 2013-03-13 | 三洋電機株式会社 | Solar cell string and solar cell module using the same |
| WO2012037191A2 (en) * | 2010-09-17 | 2012-03-22 | Dow Global Technologies Llc | Improved photovoltaic cell assembly and method |
| KR20120044540A (en) * | 2010-10-28 | 2012-05-08 | 엘지전자 주식회사 | Solar cell panel and manufacturing method thereof |
| JP5415396B2 (en) * | 2010-12-22 | 2014-02-12 | デクセリアルズ株式会社 | Solar cell module manufacturing method and solar cell module |
| WO2014208312A1 (en) * | 2013-06-28 | 2014-12-31 | 三洋電機株式会社 | Solar battery cell module and method of manufacturing same |
| JP2015065303A (en) * | 2013-09-25 | 2015-04-09 | 三洋電機株式会社 | Solar cell module and method of manufacturing the same |
| CN105590980B (en) * | 2016-02-18 | 2017-03-22 | 协鑫集成科技股份有限公司 | Solar cell module and production method thereof |
| EP3389099B1 (en) | 2017-04-14 | 2020-04-01 | Meyer Burger (Switzerland) AG | Photovoltaic module, photovoltaic encapsulant and method of producing a photovoltaic module |
| SE541365C2 (en) * | 2017-10-16 | 2019-08-20 | Jb Ecotech Ab | Tape for Interconnecting Single Solar Cells into Solar Cell Modules |
| CN210692545U (en) * | 2019-07-30 | 2020-06-05 | 苏州迈展自动化科技有限公司 | Photovoltaic module without main grid |
| CN210897315U (en) * | 2019-12-26 | 2020-06-30 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | Battery string and photovoltaic module with same |
| CN112201720B (en) * | 2020-09-30 | 2023-06-13 | 浙江晶科能源有限公司 | Solar cell module preparation method and solar cell module |
-
2021
- 2021-03-05 CN CN202310904207.0A patent/CN116960207A/en active Pending
- 2021-03-05 CN CN202110246919.9A patent/CN113037210A/en active Pending
- 2021-05-14 PL PL21173963.6T patent/PL4053921T3/en unknown
- 2021-05-14 JP JP2021082072A patent/JP6941252B1/en active Active
- 2021-05-14 EP EP21173963.6A patent/EP4053921B1/en active Active
- 2021-05-14 EP EP23203858.8A patent/EP4283685A3/en active Pending
- 2021-05-17 US US17/322,885 patent/US11362226B1/en active Active
-
2022
- 2022-04-19 US US17/724,439 patent/US20220285572A1/en active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011132295A (en) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Sanyo Electric Co Ltd | Method for pasting adhesive film and method for producing solar cell module |
| JP2011166075A (en) * | 2010-02-15 | 2011-08-25 | Hitachi Ltd | Method and apparatus for manufacturing solar cell module, and roll-shaped solar cell module |
| US20130112239A1 (en) * | 2011-04-14 | 2013-05-09 | Cool Earh Solar | Solar energy receiver |
| JP2012243761A (en) * | 2011-05-17 | 2012-12-10 | Delsolar Co Ltd | Electrode tape, solar cell module and manufacturing method therefor |
| JP2016058606A (en) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 三菱化学株式会社 | Solar cell module |
| WO2016204192A1 (en) * | 2015-06-17 | 2016-12-22 | 株式会社カネカ | Crystalline silicon solar cell module and manufacturing method for same |
| WO2018142544A1 (en) * | 2017-02-02 | 2018-08-09 | 三菱電機株式会社 | Solar cell module and method for manufacturing solar cell module |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN116960207A (en) | 2023-10-27 |
| EP4283685A2 (en) | 2023-11-29 |
| EP4053921B1 (en) | 2023-12-20 |
| EP4283685A3 (en) | 2024-02-14 |
| PL4053921T3 (en) | 2024-04-02 |
| JP6941252B1 (en) | 2021-09-29 |
| EP4053921A1 (en) | 2022-09-07 |
| US11362226B1 (en) | 2022-06-14 |
| US20220285572A1 (en) | 2022-09-08 |
| CN113037210A (en) | 2021-06-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6941252B1 (en) | Cell string structure and photovoltaic modules and their manufacturing methods | |
| KR101014393B1 (en) | Electrode for photovoltaic cells, photovoltaic cell and photovoltaic module | |
| JP3352252B2 (en) | Solar cell element group, solar cell module and method of manufacturing the same | |
| JP5375450B2 (en) | Solar cell and solar cell module | |
| KR101985053B1 (en) | Photovoltaic modules comprising light directing mediums and methods of making the same | |
| JP6280692B2 (en) | SOLAR CELL MODULE AND CRYSTAL SOLAR CELL MODULE MANUFACTURING METHOD | |
| CN111095786A (en) | Encapsulation of solar roof tiles | |
| JPWO2011001883A1 (en) | Wiring sheet, solar cell with wiring sheet, solar cell module, and wiring sheet roll | |
| US20210159845A1 (en) | Cascaded solar cell string | |
| WO2012015031A1 (en) | Solar cell module | |
| KR101441264B1 (en) | Solar cell module, method for producing solar cell module, solar cell, and method for connecting tab wire | |
| US20190379321A1 (en) | Solar roof tile connectors | |
| JP6448792B2 (en) | Solar cell module and method for manufacturing solar cell module | |
| JP5191406B2 (en) | Manufacturing method of solar cell module | |
| WO2024012161A1 (en) | Main gate-free ibc battery module unit and manufacturing method thereof, battery module, and battery module string | |
| JPWO2010150735A1 (en) | WIRING SHEET, SOLAR CELL WITH WIRING SHEET, WIRING SHEET ROLL, SOLAR CELL MODULE, AND WIRING SHEET MANUFACTURING METHOD | |
| CN111403498A (en) | Double-sided solar cell interconnection structure | |
| JP4461607B2 (en) | Method for pulling out power leads of solar cell module | |
| JP2006041349A (en) | Photovoltaic element and its manufacturing method | |
| WO2020031574A1 (en) | Solar cell module | |
| US20190267938A1 (en) | System and method for coupling junction box to solar roof tiles | |
| CN111403497A (en) | Solar cell interconnection structure | |
| JP2018186307A (en) | Solar battery module and method of manufacturing the same | |
| CN111727485A (en) | Wiring, and solar cell module using same | |
| KR102233683B1 (en) | Shingled solar cell panel with wire and manufacturing method thereof |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210528 |
|
| A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210528 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210712 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210823 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210902 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210903 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6941252 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |