JP2022134391A - Structure and manufacturing method thereof, capacitor, all-solid-state battery, and electronic device - Google Patents

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Abstract

To provide a structure that can be used at least for a capacitor, an all-solid battery, and the like, capable of retaining the mechanical strength, as well as, increasing the capacity generated per unit area.SOLUTION: A structure includes first and second pattern cells (10, 20), each of the first and second pattern cells includes a plurality of grooves (11, 21), a plurality of inner walls (12, 22) independently formed via the plurality of grooves, and outer walls (13, 23) surrounding the plurality of grooves and the plurality of inner walls when viewed from a depth direction of the grooves and connected to both ends of the plurality of inner walls, and the outer wall of the first pattern cell and the outer wall of the second pattern cell are arranged adjacent to each other, and a longitudinal direction of the groove of the first pattern cell is different from that of the second pattern cell.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本実施形態は、構造体及びその製造方法、キャパシタ、全固体電池、並びに電子機器に関する。 The present embodiment relates to a structure and its manufacturing method, a capacitor, an all-solid-state battery, and an electronic device.

近年、電子機器等の用途に適し、急速充放電及び長寿命化が可能なキャパシタ及び電池等が注目されている。電子機器が小型化及び高集積化されるにつれてキャパシタ及び電池等のサイズも小さくなっているが、電子機器の小型化及び高集積化に合わせてキャパシタ及び電池等の性能も向上させる必要がある。 BACKGROUND ART In recent years, attention has been paid to capacitors, batteries, and the like, which are suitable for use in electronic devices and the like and are capable of rapid charge/discharge and long life. As electronic devices become smaller and more highly integrated, the sizes of capacitors, batteries, etc. are also becoming smaller. However, it is necessary to improve the performance of capacitors, batteries, etc. along with the miniaturization and higher integration of electronic devices.

例えば、特許文献1には、シリコン基板にトレンチを形成し、トレンチ内のシリコン基板側壁の表面に異方性エッチングを施すことにより、トレンチ内のシリコン基板側壁の表面が凸凹になり、トレンチ側壁の表面積を増加させてコンデンサ(キャパシタ)の電荷保持能力を向上させていることが記載されている。 For example, in Patent Document 1, a trench is formed in a silicon substrate, and anisotropic etching is applied to the surface of the sidewall of the silicon substrate in the trench to make the surface of the sidewall of the silicon substrate in the trench uneven. It is stated that the surface area is increased to improve the charge retention capacity of the capacitor.

また、特許文献2には、平面視で矩形の環状に形成された凹部を有する半導体基板を用いることにより、占有面積に対する容量をより大きくしているキャパシタが記載されている。 Further, Japanese Patent Laid-Open No. 2002-200001 describes a capacitor that uses a semiconductor substrate having a concave portion that is formed in a rectangular annular shape in a plan view, thereby increasing the capacitance relative to the occupied area.

さらに、特許文献3には、トレンチの側面のうち上下方向に沿って延びる側壁の上端から下端まで複数の側壁スキャロップを形成することにより、単位面積あたりの発生容量を向上させることができるトレンチキャパシタが記載されている。 Further, Patent Document 3 discloses a trench capacitor capable of improving the generated capacitance per unit area by forming a plurality of side wall scallops from the upper end to the lower end of the side walls of the trench that extend along the vertical direction. Have been described.

特開2002-057304号公報Japanese Patent Application Laid-Open No. 2002-057304 特開2009-289787号公報JP 2009-289787 A 特開2020-136455号公報JP 2020-136455 A

単位面積あたりの発生容量を向上させるためにトレンチ構造が採用されており、当該トレンチ構造は、基材をエッチングすることにより形成される。しかしながら、ドットパターンのトレンチ構造を形成する際、小型化及び高集積化させるためにドットの径及びピッチ等を小さくするとエッチングに用いるエッチャントが隅々まで行きわたらなく、エッチング安定性が低下するおそれがある。また、ラインパターンのトレンチ構造を形成する際も同様に、小型化及び高集積化させるためにライン幅を小さくするとエッチングに用いるエッチャントが隅々まで行きわたらなく、エッチング安定性が低下し、さらにトレンチの中央付近の機械強度は低くなってしまうおそれがある。 A trench structure is employed to improve the capacitance generated per unit area, and the trench structure is formed by etching the base material. However, when forming a dot-patterned trench structure, if the diameter and pitch of the dots are reduced in order to achieve miniaturization and high integration, the etchant used for etching cannot reach every corner, and there is a risk that the etching stability will decrease. be. Similarly, when forming a trench structure of a line pattern, if the line width is reduced for miniaturization and high integration, the etchant used for etching cannot reach every corner, and the etching stability is lowered. There is a risk that the mechanical strength near the center of the will be low.

上記の問題を鑑み、本実施形態の一態様は、機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能なキャパシタ又は全固体電池等に少なくとも用いることができる構造体を提供する。また、本実施形態の他の一態様は、当該構造体を備えるキャパシタを提供する。また、本実施形態の他の一態様は、当該構造体を備える全固体電池を提供する。また、本実施形態の他の一態様は、当該構造体、当該キャパシタ、又は当該全固体電池のいずれかを備える電子機器を提供する。 In view of the above problems, one aspect of the present embodiment provides a structure that can be used at least for a capacitor, an all-solid battery, or the like that can maintain mechanical strength and increase the generated capacity per unit area. offer. Another aspect of the present embodiment provides a capacitor including the structure. Another aspect of the present embodiment provides an all-solid-state battery including the structure. Another aspect of the present embodiment provides an electronic device including any one of the structure, the capacitor, and the all-solid-state battery.

本実施形態は、複数の溝部を有するパターンセルを小さい領域で区切り、当該パターンセルを並べることにより、機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能なキャパシタ又は全固体電池等に少なくとも用いることができる構造体を得ることができる。実施形態の一態様は以下のとおりである。 In the present embodiment, pattern cells having a plurality of grooves are divided into small regions and the pattern cells are arranged to maintain mechanical strength and increase the generated capacitance per unit area. A structure that can be used at least for a solid battery or the like can be obtained. One aspect of the embodiment is as follows.

本実施形態の一態様は、第1のパターンセルと、第2のパターンセルと、を備え、前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルのそれぞれは、複数の溝部と、前記複数の溝部によって互いに独立して形成された複数の内壁部と、前記溝部の深さ方向から視て前記複数の溝部と前記複数の内壁部とを囲み、かつ、前記複数の内壁部の両端に接続された外壁部と、を有し、前記第1のパターンセルの外壁部と前記第2のパターンセルの外壁部とが互いに隣接して配置され、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向と異なる、構造体である。 One aspect of this embodiment comprises a first pattern cell and a second pattern cell, wherein each of the first pattern cell and the second pattern cell includes a plurality of grooves and a plurality of grooves. a plurality of inner wall portions formed independently of each other by groove portions; an outer wall portion of the first pattern cell and an outer wall portion of the second pattern cell are arranged adjacent to each other, and the longitudinal direction of the groove portion of the first pattern cell is , different from the longitudinal direction of the trench of the second pattern cell.

また、本実施形態の他の一態様は、上記構造体を備えるキャパシタである。 Another aspect of this embodiment is a capacitor including the structure.

また、本実施形態の他の一態様は、上記構造体を備える全固体電池である。 Another aspect of the present embodiment is an all-solid-state battery including the structure.

また、本実施形態の他の一態様は、上記構造体、上記キャパシタ、及び上記全固体電池からなる群より選択されるいずれかを備える電子機器である。 Another aspect of the present embodiment is an electronic device including one selected from the group consisting of the structure, the capacitor, and the all-solid-state battery.

また、本実施形態の他の一態様は、複数の溝部と、前記複数の溝部によって互いに独立して形成された複数の内壁部と、前記溝部の深さ方向から視て前記複数の溝部と前記複数の内壁部とを囲み、かつ、前記複数の内壁部の両端に接続された外壁部と、を有する、第1のパターンセル及び第2のパターンセルを用意し、前記第1のパターンセルの外壁部と前記第2のパターンセルの外壁部とが互いに隣接し、かつ、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向と異なるように配置する、構造体の製造方法である。 Further, another aspect of the present embodiment includes: a plurality of grooves; a plurality of inner wall portions formed independently by the plurality of grooves; a first pattern cell and a second pattern cell having outer wall portions surrounding a plurality of inner wall portions and connected to both ends of the plurality of inner wall portions; The outer wall portion and the outer wall portion of the second pattern cell are adjacent to each other, and the longitudinal direction of the groove of the first pattern cell is different from the longitudinal direction of the groove of the second pattern cell. It is a method of manufacturing a structure to arrange.

本実施形態によれば、機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能なキャパシタ又は全固体電池等に少なくとも用いることができる構造体を提供することができる。また、当該構造体を備えるキャパシタを提供することができる。また、当該構造体を備える全固体電池を提供することができる。また、当該構造体、当該キャパシタ、又は当該全固体電池のいずれかを備える電子機器を提供することができる。 According to this embodiment, it is possible to provide a structure that can be used at least for a capacitor, an all-solid battery, or the like, which is capable of maintaining mechanical strength and increasing the capacity generated per unit area. Also, a capacitor including the structure can be provided. Moreover, an all-solid-state battery including the structure can be provided. Further, an electronic device including any one of the structure, the capacitor, and the all-solid-state battery can be provided.

図1は、本実施形態に係る構造体100を説明する平面図である。FIG. 1 is a plan view illustrating a structure 100 according to this embodiment. 図2は、図1の構造体100中のパターンセル10の部分平面図である。FIG. 2 is a partial plan view of pattern cell 10 in structure 100 of FIG. 図3は、図2のパターンセル10のY-Y′線に沿う部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view along line YY' of pattern cell 10 of FIG. 図4は、図1の構造体100中のパターンセル20の部分平面図である。FIG. 4 is a partial plan view of pattern cell 20 in structure 100 of FIG. 図5は、図4のパターンセル20のX-X′線に沿う部分断面図である。FIG. 5 is a partial cross-sectional view of pattern cell 20 of FIG. 4 taken along line XX'. 図6は、本実施形態に係る構造体200を説明する平面図である。FIG. 6 is a plan view illustrating the structure 200 according to this embodiment. 図7は、本実施形態に係る構造体300を説明する平面図である。FIG. 7 is a plan view illustrating the structure 300 according to this embodiment. 図8は、本実施形態に係る構造体400を説明する平面図である。FIG. 8 is a plan view illustrating the structure 400 according to this embodiment. 図9は、本実施形態に係るキャパシタ500を説明する平面図である。FIG. 9 is a plan view illustrating the capacitor 500 according to this embodiment. 図10は、図9のA-A′線に沿う部分断面図である。10 is a partial cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 9. FIG. 図11は、本実施形態に係る全固体電池600を説明する平面図である。FIG. 11 is a plan view illustrating an all-solid-state battery 600 according to this embodiment. 図12は、図11のB-B′線に沿う部分断面図である。12 is a partial cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 11. FIG. 図13は、本実施形態に係る全固体電池600Aを説明する部分断面図である。FIG. 13 is a partial cross-sectional view illustrating an all-solid-state battery 600A according to this embodiment.

次に、図面を参照して、本実施形態について説明する。以下に説明する図面の記載において、同一又は類似の部分には同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各構成部品の厚みと平面寸法との関係等は現実のものとは異なることに留意すべきである。したがって、具体的な厚みや寸法は以下の説明を参酌して判断すべきものである。また、図面の相互間においても互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれていることは勿論である。 Next, this embodiment will be described with reference to the drawings. In the description of the drawings described below, the same or similar parts are denoted by the same or similar reference numerals. However, it should be noted that the drawings are schematic, and the relationship between the thickness of each component and the planar dimensions, etc., differs from the actual one. Therefore, specific thicknesses and dimensions should be determined with reference to the following description. In addition, it goes without saying that there are portions with different dimensional relationships and ratios between the drawings.

また、以下に示す実施形態は、技術的思想を具体化するための装置や方法を例示するものであって、各構成部品の材質、形状、構造、配置等を特定するものではない。本実施形態は、特許請求の範囲において、種々の変更を加えることができる。 Further, the embodiments shown below are examples of apparatuses and methods for embodying technical ideas, and do not specify the material, shape, structure, arrangement, etc. of each component. Various modifications can be made to this embodiment within the scope of the claims.

具体的な本実施形態の一態様は、以下の通りである。 One specific aspect of this embodiment is as follows.

<1> 第1のパターンセルと、第2のパターンセルと、を備え、前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルのそれぞれは、複数の溝部と、前記複数の溝部によって互いに独立して形成された複数の内壁部と、前記溝部の深さ方向から視て前記複数の溝部と前記複数の内壁部とを囲み、かつ、前記複数の内壁部の両端に接続された外壁部と、を有し、前記第1のパターンセルの外壁部と前記第2のパターンセルの外壁部とが互いに隣接して配置され、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向と異なる、構造体。 <1> A first pattern cell and a second pattern cell are provided, and the first pattern cell and the second pattern cell are independent from each other by a plurality of grooves and the plurality of grooves, respectively. an outer wall portion surrounding the plurality of groove portions and the plurality of inner wall portions when viewed from the depth direction of the groove portion and connected to both ends of the plurality of inner wall portions; , the outer wall portion of the first pattern cell and the outer wall portion of the second pattern cell are arranged adjacent to each other, and the longitudinal direction of the groove portion of the first pattern cell extends along the second A structure that is different from the longitudinal direction of the grooves of the pattern cell.

<2> 前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルのそれぞれは正多角形である、<1>に記載の構造体。 <2> The structure according to <1>, wherein each of the first pattern cell and the second pattern cell is a regular polygon.

<3> 前記正多角形は、正三角形、正方形、及び正六角形からなる群より選択される少なくともいずれか一つである、<2>に記載の構造体。 <3> The structure according to <2>, wherein the regular polygon is at least one selected from the group consisting of regular triangles, squares, and regular hexagons.

<4> 前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、前記基準面内において、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向から90°ずれている、<1>~<3>のいずれか一項に記載の構造体。 <4> When the surface of the second pattern cell is used as a reference plane, the longitudinal direction of the groove of the first pattern cell is the longitudinal direction of the groove of the second pattern cell in the reference plane. The structure according to any one of <1> to <3>, which is shifted by 90° from

<5> 前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、前記基準面内において、前記第1のパターンセルは、前記第2のパターンセルを回転させたパターンセルと同一である、<1>~<4>のいずれか一項に記載の構造体。 <5> When the surface of the second pattern cell is taken as a reference plane, the first pattern cell is the same as the rotated pattern cell of the second pattern cell in the reference plane. The structure according to any one of 1> to <4>.

<6> 前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルにおいて、前記複数の溝部のそれぞれの短手方向の幅は0.1~10μmであり、前記複数の溝部のそれぞれの深さは1~1000μmである、<1>~<5>のいずれか一項に記載の構造体。 <6> In the first pattern cell and the second pattern cell, each of the plurality of grooves has a lateral width of 0.1 to 10 μm, and each of the plurality of grooves has a depth of 1. The structure according to any one of <1> to <5>, which is up to 1000 μm.

<7> 前記第1のパターンセルにおいて、前記複数の溝部の短手方向の幅はそれぞれ同一であり、前記複数の溝部の深さはそれぞれ同一であり、前記第2のパターンセルにおいて、前記複数の溝部の短手方向の幅はそれぞれ同一であり、前記複数の溝部の深さはそれぞれ同一である、<6>に記載の構造体。 <7> In the first pattern cell, the plurality of trenches have the same width in the width direction, and the plurality of trenches have the same depth, and in the second pattern cell, the plurality of The structure according to <6>, wherein widths of the grooves in the widthwise direction are the same, and depths of the plurality of grooves are the same.

<8> 前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルのそれぞれの外壁部の一辺の長さは、50~500μmである、<1>~<7>のいずれか一項に記載の構造体。 <8> The structure according to any one of <1> to <7>, wherein the outer wall portions of the first pattern cell and the second pattern cell each have a side length of 50 to 500 μm. body.

<9> 前記第1のパターンセルにおける前記外壁部の一辺の長さは、前記第2のパターンセルにおける前記外壁部の一辺の長さと同一である、<8>に記載の構造体。 <9> The structure according to <8>, wherein the length of one side of the outer wall in the first pattern cell is the same as the length of one side of the outer wall in the second pattern cell.

<10> 前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルは、単結晶シリコンを含む材料からなる、<1>~<9>のいずれか一項に記載の構造体。 <10> The structure according to any one of <1> to <9>, wherein the first pattern cell and the second pattern cell are made of a material containing single crystal silicon.

<11> <1>~<9>のいずれか一項に記載の構造体を備えるキャパシタ。 <11> A capacitor comprising the structure according to any one of <1> to <9>.

<12> <1>~<10>のいずれか一項に記載の構造体を備える全固体電池。 <12> An all-solid battery comprising the structure according to any one of <1> to <10>.

<13> <1>~<10>のいずれか一項に記載の構造体、<11>に記載のキャパシタ、及び<12>に記載の全固体電池からなる群より選択されるいずれかを備える電子機器。 <13> Any one selected from the group consisting of the structure according to any one of <1> to <10>, the capacitor according to <11>, and the all-solid-state battery according to <12> Electronics.

<14> 複数の溝部と、前記複数の溝部によって互いに独立して形成された複数の内壁部と、前記溝部の深さ方向から視て前記複数の溝部と前記複数の内壁部とを囲み、かつ、前記複数の内壁部の両端に接続された外壁部と、を有する、第1のパターンセル及び第2のパターンセルを用意し、前記第1のパターンセルの外壁部と前記第2のパターンセルの外壁部とが互いに隣接し、かつ、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向と異なるように配置する、構造体の製造方法。 <14> a plurality of grooves, a plurality of inner walls independently formed by the plurality of grooves, surrounding the plurality of grooves and the plurality of inner walls when viewed from the depth direction of the grooves, and , and outer wall portions connected to both ends of the plurality of inner wall portions. are adjacent to each other, and the longitudinal direction of the trench of the first pattern cell is different from the longitudinal direction of the trench of the second pattern cell.

<15> 前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、前記基準面内において、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向が、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向から90°ずれるように配置する、<14>に記載の構造体の製造方法。 <15> When the surface of the second pattern cell is used as a reference plane, the longitudinal direction of the groove of the first pattern cell is the longitudinal direction of the groove of the second pattern cell in the reference plane. The method for manufacturing the structure according to <14>, wherein the structure is arranged so as to deviate from 90°.

<16> 前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、前記基準面内において、前記第1のパターンセルは、前記第2のパターンセルを回転させたパターンセルと同一である、<14>又は<15>に記載の構造体の製造方法。 <16> When the surface of the second pattern cell is taken as a reference plane, the first pattern cell is the same as the rotated pattern cell of the second pattern cell in the reference plane. 14> or <15>.

<構造体>
本実施形態に係る構造体について図面を用いて説明する。
<Structure>
A structure according to this embodiment will be described with reference to the drawings.

図1は、構造体100を説明する平面図である。図2は、図1の構造体100中のパターンセル10の部分平面図である。図3は、図2のパターンセル10のY-Y′線に沿う部分断面図である。図4は、図1の構造体100中のパターンセル20の部分平面図である。図5は、図4のパターンセル20のX-X′線に沿う部分断面図である。構造体100は、パターンセル10及びパターンセル20を備える。具体的には、パターンセル10及びパターンセル20が図1に示すX方向及びY方向のそれぞれに交互に配置されている。 FIG. 1 is a plan view illustrating the structure 100. FIG. FIG. 2 is a partial plan view of pattern cell 10 in structure 100 of FIG. FIG. 3 is a partial cross-sectional view along line YY' of pattern cell 10 of FIG. FIG. 4 is a partial plan view of pattern cell 20 in structure 100 of FIG. FIG. 5 is a partial cross-sectional view of pattern cell 20 of FIG. 4 taken along line XX'. The structure 100 comprises pattern cells 10 and pattern cells 20 . Specifically, pattern cells 10 and pattern cells 20 are alternately arranged in the X direction and the Y direction shown in FIG.

パターンセル10は、図2に示すように、複数の溝部11と、複数の溝部11によって互いに独立して形成された複数の内壁部12と、溝部11の深さ方向(Z方向)から視て複数の溝部11と複数の内壁部12とを囲み、かつ、複数の内壁部12の両端に接続された外壁部13と、を有する。同様に、パターンセル20は、図4に示すように、複数の溝部21と、複数の溝部21によって互いに独立して形成された複数の内壁部22と、溝部21の深さ方向(Z方向)から視て複数の溝部21と複数の内壁部22とを囲み、かつ、複数の内壁部22の両端に接続された外壁部23と、を有する。 As shown in FIG. 2, the pattern cell 10 includes a plurality of groove portions 11, a plurality of inner wall portions 12 formed independently of each other by the plurality of groove portions 11, and a depth direction (Z direction) of the groove portions 11. and outer wall portions 13 surrounding the plurality of groove portions 11 and the plurality of inner wall portions 12 and connected to both ends of the plurality of inner wall portions 12 . Similarly, the pattern cell 20, as shown in FIG. and an outer wall portion 23 surrounding the plurality of groove portions 21 and the plurality of inner wall portions 22 when viewed from above and connected to both ends of the plurality of inner wall portions 22 .

構造体100は、パターンセル10の外壁部13とパターンセル20の外壁部23とが互いに隣接して配置されている。 In the structure 100, the outer wall portion 13 of the pattern cell 10 and the outer wall portion 23 of the pattern cell 20 are arranged adjacent to each other.

本実施形態において、パターンセル10の溝部11の長手方向をX方向、パターンセル10の溝部11の短手方向をY方向、溝部11の深さ方向をZ方向とする。 In this embodiment, the longitudinal direction of the groove 11 of the pattern cell 10 is the X direction, the width direction of the groove 11 of the pattern cell 10 is the Y direction, and the depth direction of the groove 11 is the Z direction.

また、図3に示すように、パターンセル10の溝部11の短手方向の幅W11は0.1~10μmであることが好ましく、1~8μmであることがより好ましい。また、パターンセル10の溝部11の深さD10は1~1000μmであることが好ましく、10~800μmであることがより好ましい。また、複数の溝部11の短手方向の幅W11はそれぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、生産性の観点から、複数の溝部11の短手方向の幅W11はそれぞれ同一であると好ましい。さらに、複数の溝部11の深さD10は同一であってもよいし、異なっていてもよく、生産性の観点から、複数の溝部11の深さD10は同一であると好ましい。 Further, as shown in FIG. 3, the width W11 of the groove portion 11 of the pattern cell 10 in the transverse direction is preferably 0.1 to 10 μm, more preferably 1 to 8 μm. The depth D10 of the groove 11 of the pattern cell 10 is preferably 1-1000 μm, more preferably 10-800 μm. In addition, the widths W11 of the plurality of grooves 11 in the width direction may be the same or different. preferably identical. Furthermore, the depths D10 of the plurality of grooves 11 may be the same or different, and from the viewpoint of productivity, the depths D10 of the plurality of grooves 11 are preferably the same.

キャパシタ又は全固体電池等に上記のような範囲の幅W11又は深さD10である溝部11を備えるパターンセル10を含む構造体100を用いることにより、単位面積当たりの発生容量をより増加することができる。 By using the structure 100 including the pattern cell 10 having the groove portion 11 having the width W 11 or the depth D 10 in the above range for a capacitor, an all-solid-state battery, or the like, the generated capacity per unit area is further increased. be able to.

同様に、図5に示すように、パターンセル20の溝部21の短手方向の幅W21は0.1~10μmであることが好ましく、1~8μmであることがより好ましい。また、パターンセル20の溝部21の深さD20は1~1000μmであることが好ましく、10~800μmであることがより好ましい。また、複数の溝部21の短手方向の幅W21はそれぞれ同一であってもよいし、異なっていてもよく、生産性の観点から、複数の溝部21の短手方向の幅W21はそれぞれ同一であると好ましい。さらに、複数の溝部21の深さD20は同一であってもよいし、異なっていてもよく、生産性の観点から、複数の溝部21の深さD21は同一であると好ましい。 Similarly, as shown in FIG. 5, the width W 21 of the groove 21 of the pattern cell 20 in the transverse direction is preferably 0.1 to 10 μm, more preferably 1 to 8 μm. Further, the depth D20 of the groove portion 21 of the pattern cell 20 is preferably 1 to 1000 μm, more preferably 10 to 800 μm. In addition, the width W 21 of the plurality of grooves 21 in the width direction may be the same or may be different. preferably identical. Furthermore, the depths D20 of the plurality of grooves 21 may be the same or different, and from the viewpoint of productivity, the depths D21 of the plurality of grooves 21 are preferably the same.

キャパシタ又は全固体電池等に上記のような範囲の幅W21又は深さD20である溝部21を備えるパターンセル20を含む構造体100を用いることにより、単位面積当たりの発生容量をより増加することができる。 By using the structure 100 including the pattern cell 20 having the groove portion 21 having the width W 21 or the depth D 20 in the above range for a capacitor, an all-solid-state battery, or the like, the generated capacity per unit area is further increased. be able to.

また、パターンセル10の溝部11の長手方向は、パターンセル20の溝部21の長手方向と異なっている。例えば、本実施形態の構造体100では、パターンセル10の溝部11の長手方向はX方向であるのに対し、パターンセル20の溝部21の長手方向はY方向である。つまり、パターンセル20の表面を基準面としたとき、当該基準面内において、パターンセル10の溝部11の長手方向は、パターンセル20の溝部21の長手方向から90°ずれている。 Further, the longitudinal direction of the groove portion 11 of the pattern cell 10 is different from the longitudinal direction of the groove portion 21 of the pattern cell 20 . For example, in the structure 100 of the present embodiment, the longitudinal direction of the groove 11 of the pattern cell 10 is the X direction, whereas the longitudinal direction of the groove 21 of the pattern cell 20 is the Y direction. That is, when the surface of the pattern cell 20 is taken as a reference plane, the longitudinal direction of the groove portion 11 of the pattern cell 10 is deviated from the longitudinal direction of the groove portion 21 of the pattern cell 20 by 90° within the reference plane.

パターンセルの溝部の長手方向の長さが長いと溝部の中央付近の機械強度が両端部より低くなる。このため、パターンセルを小さい領域で区切り、当該パターンセルを並べることにより、機械強度を保持している。本実施形態では、例えば、図2及び図4に示すパターンセル10の外壁部13の一辺の長さT10及びパターンセル20の外壁部23の一辺の長さT20は、50~500μmである。また、パターンセル10の外壁部13の一辺の長さT10は、パターンセル20の外壁部23の一辺の長さT20と同一であってもよいし、異なっていてもよく、生産性の観点から、パターンセル10の外壁部13の一辺の長さT10はパターンセル20の外壁部23の一辺の長さT20と同一であると好ましい。 If the length of the groove of the pattern cell in the longitudinal direction is long, the mechanical strength near the center of the groove is lower than that at both ends. Therefore, the mechanical strength is maintained by dividing the pattern cells into small areas and arranging the pattern cells. In this embodiment, for example, the length T10 of one side of the outer wall portion 13 of the pattern cell 10 shown in FIGS. 2 and 4 and the length T20 of one side of the outer wall portion 23 of the pattern cell 20 are 50 to 500 μm. . In addition, the length T10 of one side of the outer wall portion 13 of the pattern cell 10 may be the same as or different from the length T20 of one side of the outer wall portion 23 of the pattern cell 20 , thereby improving productivity. From the point of view, it is preferable that the length T10 of one side of the outer wall portion 13 of the pattern cell 10 is the same as the length T20 of one side of the outer wall portion 23 of the pattern cell 20 .

上記のような溝部の長手方向がお互いに異なる2種以上の小さい領域で区切られたパターンセルが並んでいる構造体は、パターンセルの溝部の中央付近の機械強度を、長手方向が異なる他種のパターンセルで挟むことによって保持している。 In the structure in which pattern cells separated by two or more small regions with different longitudinal directions of the grooves are arranged, the mechanical strength near the center of the grooves of the pattern cells is reduced to that of other types with different longitudinal directions. It is held by being sandwiched between pattern cells.

また、パターンセル20の表面を基準面としたとき、当該基準面内において、回転させるとパターンセル10と同一になるパターンセル20を用いると生産性の観点から好ましい。 From the standpoint of productivity, it is preferable to use a pattern cell 20 that becomes the same as the pattern cell 10 when rotated within the reference plane when the surface of the pattern cell 20 is taken as a reference plane.

パターンセルの形状は、正多角形であると好ましい。正多角形にすることにより、規則的にパターンセルを配置できるため、単位面積当たりの溝部を増加させることが可能である。キャパシタ又は全固体電池等に正多角形であるパターンセルを含む構造体を用いることにより、単位面積当たりの発生容量をより増加することができる。 The shape of the pattern cells is preferably a regular polygon. Since the pattern cells can be arranged regularly by using regular polygons, it is possible to increase the number of grooves per unit area. By using a structure including regular polygonal pattern cells in a capacitor, an all-solid-state battery, or the like, it is possible to further increase the capacity generated per unit area.

上記の正多角形は、例えば、正三角形、正方形、又は正六角形等が挙げられる。 Examples of the above regular polygons include regular triangles, squares, regular hexagons, and the like.

図6に示す構造体200は、正六角形のパターンセル30が複数並んで配置されており、パターンセル30は、複数の溝部31と、複数の溝部31によって互いに独立して形成された複数の内壁部32と、溝部31の深さ方向から視て複数の溝部31と複数の内壁部32とを囲み、かつ、複数の内壁部32の両端に接続された外壁部33と、を有する。溝部31の短手方向の幅及び深さは上記のパターンセル10と同様の幅及び深さの範囲を用いることができる。 In the structure 200 shown in FIG. 6, a plurality of regular hexagonal pattern cells 30 are arranged side by side. and outer wall portions 33 surrounding the plurality of groove portions 31 and the plurality of inner wall portions 32 when viewed from the depth direction of the groove portion 31 and connected to both ends of the plurality of inner wall portions 32 . The width and depth of the groove 31 in the lateral direction can be in the same width and depth ranges as those of the pattern cell 10 described above.

パターンセル30の表面を基準面としたとき、当該基準面内において、一部のパターンセル30を60°回転させて、隣り合うパターンセル30同士のうち、一方のパターンセル30の溝部31の長手方向を他方のパターンセル30の溝部31の長手方向と異なるように配置している。また、一方のパターンセル30の外壁部33と他方のパターンセル30の外壁部33とが互いに隣接して配置されている。 When the surface of the pattern cell 30 is used as a reference plane, some of the pattern cells 30 are rotated by 60° within the reference plane, and the length of the groove 31 of one of the adjacent pattern cells 30 is measured. The direction is arranged so as to be different from the longitudinal direction of the groove portion 31 of the other pattern cell 30 . Also, the outer wall portion 33 of one pattern cell 30 and the outer wall portion 33 of the other pattern cell 30 are arranged adjacent to each other.

図7に示す構造体300は、正三角形のパターンセル40が複数並んで配置されており、パターンセル40は、複数の溝部41と、複数の溝部41によって互いに独立して形成された複数の内壁部42と、溝部41の深さ方向から視て複数の溝部41と複数の内壁部42とを囲み、かつ、複数の内壁部42の両端に接続された外壁部43と、を有する。溝部41の短手方向の幅及び深さは上記のパターンセル10と同様の幅及び深さの範囲を用いることができる。 In the structure 300 shown in FIG. 7, a plurality of equilateral triangular pattern cells 40 are arranged side by side. and outer wall portions 43 surrounding the plurality of groove portions 41 and the plurality of inner wall portions 42 when viewed from the depth direction of the groove portion 41 and connected to both ends of the plurality of inner wall portions 42 . The width and depth of the groove 41 in the lateral direction can be in the same width and depth ranges as those of the pattern cell 10 described above.

パターンセル40の表面を基準面としたとき、当該基準面内において、一部のパターンセル40を60°回転させて、隣り合うパターンセル40同士のうち、一方のパターンセル40の溝部41の長手方向を他方のパターンセル40の溝部41の長手方向と異なるように配置している。また、一方のパターンセル40の外壁部43と他方のパターンセル40の外壁部43とが互いに隣接して配置されている。 When the surface of the pattern cell 40 is used as a reference plane, some of the pattern cells 40 are rotated 60° within the reference plane, and the length of the groove 41 of one of the adjacent pattern cells 40 is measured. The direction is arranged so as to be different from the longitudinal direction of the groove portion 41 of the other pattern cell 40 . The outer wall portion 43 of one pattern cell 40 and the outer wall portion 43 of the other pattern cell 40 are arranged adjacent to each other.

単位面積当たりの発生容量の観点から、パターンセルの形状は正方形であることがより好ましい。 From the viewpoint of the generated capacity per unit area, it is more preferable that the pattern cells have a square shape.

パターンセル10、パターンセル20、パターンセル30、及びパターンセル40は、変換効率が高い、耐久性が高い、及び信頼性が高いなどの観点から、単結晶シリコンを含む材料からなることが好ましい。例えば、パターンセル10、パターンセル20、パターンセル30、及びパターンセル40は、シリコン基板を用いて形成することができる。 The pattern cell 10, the pattern cell 20, the pattern cell 30, and the pattern cell 40 are preferably made of a material containing single crystal silicon from the viewpoints of high conversion efficiency, high durability, and high reliability. For example, pattern cell 10, pattern cell 20, pattern cell 30, and pattern cell 40 can be formed using a silicon substrate.

シリコン基板は、例えば、リン、ヒ素、アンチモンなどの不純物を含み、n型の性質を示す(n型である)。また、シリコン基板は、単結晶シリコンを含む材料からなることが好ましい。 A silicon substrate contains impurities such as phosphorus, arsenic, antimony, etc., and exhibits n-type properties (is n-type). Also, the silicon substrate is preferably made of a material containing single crystal silicon.

ここで、本実施形態の構造体100の製造方法について簡単に説明する。 Here, a method for manufacturing the structure 100 of this embodiment will be briefly described.

まず、上記パターンセル10及びパターンセル20を複数用意する。 First, a plurality of pattern cells 10 and pattern cells 20 are prepared.

パターンセル10及びパターンセル20のそれぞれの溝部11及び溝部21は、例えば、マスクを用いてシリコン基板の上面をエッチングなどすることにより形成することができる。当該エッチングには、例えば、水酸化テトラメチルアンモニア(TMAH)を用いることができる。 The grooves 11 and 21 of the pattern cells 10 and 20, respectively, can be formed, for example, by etching the upper surface of the silicon substrate using a mask. For the etching, for example, tetramethylammonium hydroxide (TMAH) can be used.

次に、パターンセル10の外壁部13とパターンセル20の外壁部23とが互いに隣接し、かつ、パターンセル10の溝部11の長手方向は、パターンセル20の溝部21の長手方向と異なるように配置することにより構造体100を製造することができる。 Next, the outer wall portion 13 of the pattern cell 10 and the outer wall portion 23 of the pattern cell 20 are adjacent to each other, and the longitudinal direction of the groove portion 11 of the pattern cell 10 is different from the longitudinal direction of the groove portion 21 of the pattern cell 20. By arranging, the structure 100 can be manufactured.

また、パターンセル20の表面を基準面としたとき、当該基準面内において、パターンセル10の溝部11の長手方向は、パターンセル20の溝部21の長手方向から90°ずれるように配置しており、当該基準面内において回転させるとパターンセル10と同一になるパターンセル20を用いると生産性の観点から好ましい。 Further, when the surface of the pattern cell 20 is taken as a reference plane, the longitudinal direction of the groove 11 of the pattern cell 10 is arranged to deviate from the longitudinal direction of the groove 21 of the pattern cell 20 by 90° within the reference plane. From the viewpoint of productivity, it is preferable to use the pattern cell 20 which becomes the same as the pattern cell 10 when rotated within the reference plane.

以上の工程により、本実施形態の構造体100を製造することができる。 Through the steps described above, the structure 100 of the present embodiment can be manufactured.

本実施形態によれば、溝部の長手方向がお互いに異なる2種以上の小さい領域で区切られたパターンセルを並べることにより、パターンセルの溝部の中央付近の機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能なキャパシタ又は全固体電池等に少なくとも用いることができる構造体を得ることができる。 According to the present embodiment, by arranging pattern cells separated by two or more small regions with different longitudinal directions of the grooves, the mechanical strength of the pattern cells near the center of the grooves can be maintained and the unit area can be reduced. It is possible to obtain a structure that can be used at least for a capacitor or an all-solid-state battery that can increase the generated capacity per unit.

(その他の実施形態)
上述のように、一実施形態について記載したが、開示の一部をなす論述及び図面は例示的なものであり、限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。このように、本実施形態は、ここでは記載していない様々な実施形態等を含む。
(Other embodiments)
As noted above, although one embodiment has been described, the discussion and drawings forming part of the disclosure are to be understood as illustrative and not limiting. Various alternative embodiments, implementations and operational techniques will become apparent to those skilled in the art from this disclosure. Thus, this embodiment includes various embodiments and the like that are not described here.

本実施形態では、3種類以上のパターンセルを用いて構造体を製造してもよく、例えば、図8に示すような構造体400をキャパシタ又は全固体電池等に用いてもよい。構造体400は、複数のパターンセル10、複数のパターンセル20、及び複数のパターンセル50が並んで配置されており、パターンセル50は、複数の溝部51と、複数の溝部51によって互いに独立して形成された複数の内壁部52と、溝部51の深さ方向から視て複数の溝部51と複数の内壁部52とを囲み、かつ、複数の内壁部52の両端に接続された外壁部53と、を有する。溝部51の短手方向の幅及び深さは上記のパターンセル10と同様の幅及び深さの範囲を用いることができる。本変形例では、パターンセル50の外壁部53の一辺の長さは、パターンセル10の外壁部13の一辺の長さT10及びパターンセル20の外壁部23の一辺の長さT20の2倍である。 In this embodiment, a structure may be manufactured using three or more types of pattern cells, and for example, a structure 400 as shown in FIG. 8 may be used for a capacitor, an all-solid battery, or the like. The structure 400 has a plurality of pattern cells 10 , a plurality of pattern cells 20 , and a plurality of pattern cells 50 arranged side by side. and an outer wall portion 53 surrounding the plurality of groove portions 51 and the plurality of inner wall portions 52 when viewed from the depth direction of the groove portion 51 and connected to both ends of the plurality of inner wall portions 52. and have The width and depth of the groove 51 in the lateral direction can be in the same width and depth ranges as those of the pattern cell 10 described above. In this modification, the length of one side of the outer wall portion 53 of the pattern cell 50 is 2 of the length of one side of the outer wall portion 13 of the pattern cell 10 T10 and the length of one side of the outer wall portion 23 of the pattern cell 20 T20. Double.

<キャパシタ>
本実施形態に係るキャパシタについて図面を用いて説明する。
<Capacitor>
A capacitor according to this embodiment will be described with reference to the drawings.

図9は、キャパシタ500を説明する平面図である。図10は、図9のA-A′線に沿う部分断面図である。キャパシタ500は、パターンセル10及びパターンセル20を含むシリコン基板501と、誘電体層502と、上部電極503と、を備える。 FIG. 9 is a plan view illustrating the capacitor 500. FIG. 10 is a partial cross-sectional view taken along line AA' of FIG. 9. FIG. Capacitor 500 comprises a silicon substrate 501 containing pattern cells 10 and 20 , a dielectric layer 502 and a top electrode 503 .

シリコン基板501は、下部電極として機能する。シリコン基板501は、導電性の不純物を含むため、導電性を有する。シリコン基板501は、パターンセル10及びパターンセル20を含むため、キャパシタ500の機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能となる。 Silicon substrate 501 functions as a lower electrode. Since the silicon substrate 501 contains conductive impurities, it has conductivity. Since the silicon substrate 501 includes the pattern cells 10 and 20, it is possible to maintain the mechanical strength of the capacitor 500 and increase the generated capacitance per unit area.

誘電体層502は、一般的には金属酸化物からなる。具体的には、例えば、ジルコン酸チタン酸鉛(PZT)膜、ランタンドープジルコン酸チタン酸鉛(PLZT)膜、チタン酸ストロンチウムバリウム(BST)膜、タンタル酸ストロンチウムビスマス(SBT)膜、チタン酸ビスマスランタン(BLT:(Bi,La)Ti12)膜、ニオブ酸ストロンチウムバリウム(SBN)膜、ニオブ酸リチウム(LiNbO)膜、チタン酸バリウム(TiBaO)膜、ランタンストロンチウムカッパーオキサイド(LSCO)膜、リン酸二水素カリウム(KDP)膜、ニオブ酸タンタルカリウム(KTN)膜、マグネシウムニオブ酸チタン酸鉛(PMN-PT)系セラミクス膜、亜鉛ニオブ酸チタン酸鉛(PZN-PT)系セラミクス膜などが挙げられ、これらのうちの一種または二種以上で誘電体層502を構成することができる。 Dielectric layer 502 typically comprises a metal oxide. Specifically, for example, lead zirconate titanate (PZT) film, lanthanum-doped lead zirconate titanate (PLZT) film, strontium barium titanate (BST) film, strontium bismuth tantalate (SBT) film, bismuth titanate Lanthanum (BLT: (Bi, La) 4 Ti 3 O 12 ) film, barium strontium niobate (SBN) film, lithium niobate (LiNbO 3 ) film, barium titanate (TiBaO 3 ) film, lanthanum strontium copper oxide (LSCO ) film, potassium dihydrogen phosphate (KDP) film, potassium tantalum niobate (KTN) film, lead magnesium niobate titanate (PMN-PT) ceramics film, lead zinc niobate titanate (PZN-PT) ceramics films, etc., and the dielectric layer 502 can be composed of one or more of these.

上部電極503は、イリジウム(Ir)、白金(Pt)、ルテニウム(Ru)、ニッケル(Ni)、銅(Cu)、パラジウム(Pd)、金(Au)、銀(Ag)、タングステン(W)、モリブデン(Mo)、チタン(Ti)のうちの一種または二種以上から構成される。 The upper electrode 503 includes iridium (Ir), platinum (Pt), ruthenium (Ru), nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), gold (Au), silver (Ag), tungsten (W), It is composed of one or more of molybdenum (Mo) and titanium (Ti).

本実施形態によれば、パターンセル10及びパターンセル20を含むシリコン基板501を備えるため、機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能となるキャパシタ500を得ることができる。 According to this embodiment, since the silicon substrate 501 including the pattern cells 10 and 20 is provided, it is possible to obtain the capacitor 500 that can maintain mechanical strength and increase the generated capacitance per unit area. can be done.

<全固体電池>
本実施形態に係る全固体電池について図面を用いて説明する。
<All-solid battery>
An all-solid-state battery according to this embodiment will be described with reference to the drawings.

図11は、全固体電池600を説明する平面図である。図12は、図11のB-B′線に沿う部分断面図である。全固体電池600は、パターンセル10及びパターンセル20を含むシリコン基板601と、負極602と、固体電解質603と、正極604と、を備える。 FIG. 11 is a plan view illustrating the all-solid-state battery 600. FIG. 12 is a partial cross-sectional view taken along line BB' of FIG. 11. FIG. The all-solid battery 600 includes a silicon substrate 601 including pattern cells 10 and 20 , a negative electrode 602 , a solid electrolyte 603 and a positive electrode 604 .

負極602は、負極集電体及び負極活物質層からなり、パターンセル10の溝部11及びパターンセル20の溝部21においても形成されている。当該負極集電体は、例えば、銅(Cu)、黒鉛(C)、ニッケル(Ni)、ステンレス鋼(SUS)等の金属またはこれらを主成分とする合金等の金属系材料などを用いることができる。当該負極活物質層中の負極活物質は、例えば、カーボン、グラファイト等の炭素・黒鉛系材料、Sn系酸化物、In系酸化物、Pb系酸化物、Ag系酸化物、Sb系酸化物、Si系酸化物、LiTi12、LixV(PO(1≦x≦5)等の酸化物系材料、Li、In、Al、Si、Sn等の金属またはこれらを主成分とする合金等の金属系材料、LiAl、LiZn、LiBi、LiCd、LiSd、LiSi、Li4.4Pb、Li4.4Sn、Li0.17C(LiC)、LiFeN、Li2.6Co0.4N、Li2.6Cu0.4N等のリチウム金属化合物系材料を用いることができる。負極活物質層には、各極活物質内での電子の移動度を向上させるために、導電性を有する材料、例えば、カーボンなどを添加することができる。また、負極活物質層はバインダー又は導電助剤等を含んでいてもよい。 The negative electrode 602 is composed of a negative electrode current collector and a negative electrode active material layer, and is also formed in the groove portion 11 of the pattern cell 10 and the groove portion 21 of the pattern cell 20 . For the negative electrode current collector, for example, a metal such as copper (Cu), graphite (C), nickel (Ni), stainless steel (SUS), or a metal-based material such as an alloy containing these as main components can be used. can. The negative electrode active material in the negative electrode active material layer includes, for example, carbon, carbon-graphite materials such as graphite, Sn-based oxides, In-based oxides, Pb-based oxides, Ag-based oxides, Sb-based oxides, Si-based oxides, oxide-based materials such as Li 4 Ti 5 O 12 and LixV 2 (PO 4 ) 3 (1≦x≦5), metals such as Li, In, Al, Si, and Sn, or these as main components LiAl, LiZn, Li 3 Bi, Li 3 Cd, Li 3 Sd, Li 4 Si, Li 4.4 Pb, Li 4.4 Sn, Li 0.17 C (LiC 6 ) , Li 3 FeN 2 , Li 2.6 Co 0.4 N, Li 2.6 Cu 0.4 N, and other lithium metal compound-based materials can be used. A conductive material such as carbon can be added to the negative electrode active material layer in order to improve electron mobility in each electrode active material. Moreover, the negative electrode active material layer may contain a binder, a conductive aid, or the like.

固体電解質603は、例えば、酸化物系固体電解質又は硫化物系固体電解質を用いることができる。酸化物系固体電解質は、ペロブスカイト型のLa-Li-Ti系酸化物(La0.51Li0.34TiO2.94等)、NASICON型のLi-Al-Ti系酸化物(Li1.3Al0.3TiO1.7(PO等)、ガーネット型のLi-La-Zr系酸化物(LiLaZr12等)、ガラスの50LiSiO・50LiBO、アモルファス薄膜のLi2.9PO3.30.46(LIPON)及びLi3.6Si0.60.4、ガラスセラミックのLi1.07Al0.69Ti1.46(PO及びLi1.5Al0.5Ge1.5(POなどを用いることができ、ペロブスカイト型のLa-Li-Ti系酸化物、NASICON型のLi-Al-Ti系酸化物、及びガーネット型のLi-La-Zr系酸化物は室温(25℃)で10-4~10-3Scm-1の高い導電率を有する。酸化物系固体電解質は、大気安定性に優れる。 For the solid electrolyte 603, for example, an oxide-based solid electrolyte or a sulfide-based solid electrolyte can be used. Oxide-based solid electrolytes include perovskite-type La--Li--Ti-based oxides (La 0.51 Li 0.34 TiO 2.94 , etc.), NASICON-type Li--Al--Ti-based oxides (Li 1.3 Al 0.3 TiO 1.7 (PO 4 ) 3 , etc.), garnet-type Li—La—Zr-based oxides (Li 7 La 3 Zr 2 O 12 , etc.), glass 50Li 4 SiO 4 50Li 3 BO 3 , Li 2.9 PO 3.3 N 0.46 (LIPON) and Li 3.6 Si 0.6 P 0.4 O 4 in amorphous thin films, and Li 1.07 Al 0.69 Ti 1.46 in glass ceramics. (PO 4 ) 3 and Li 1.5 Al 0.5 Ge 1.5 (PO 4 ) 3 can be used. Li-La-Zr-based oxides and garnet-type Li-La-Zr-based oxides have a high electrical conductivity of 10 -4 to 10 -3 Scm -1 at room temperature (25°C). Oxide-based solid electrolytes are excellent in atmospheric stability.

硫化物系固体電解質は、結晶の硫化リチウム-硫化シリコン系などの二成分系やそこにさらにヨウ化リチウムやリン酸リチウムを加えた三成分系などを用いることができ、例えば、Li10GeP12、Li3.25Ge0.250.75、30LiS・26B・44LiI、63LiS・36SiS・1LiPO、57LiS・38SiS・5LiSiO、70LiS・30P、50LiS・50PGeS、Li11、及びLi3.250.95などを用いることができる。 As the sulfide-based solid electrolyte, a binary system such as a crystalline lithium sulfide-silicon sulfide system or a ternary system obtained by adding lithium iodide or lithium phosphate thereto can be used. For example, Li 10 GeP 2 S12 , Li3.25Ge0.25P0.75S4 , 30Li2S.26B2S3.44LiI , 63Li2S.36SiS2.1Li3PO4 , 57Li2S.38SiS2.5Li4 _ _ _ _ _ _ SiO 4 , 70Li 2 S.30P 2 O 5 , 50Li 2 S.50PGeS 2 , Li 7 P 3 S 11 , Li 3.25 P 0.95 S 4 and the like can be used.

正極604は、正極集電体及び正極活物質層からなる。当該正極集電体例えば、白金(Pt)、金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、鉄(Fe)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)、インジウム(In)、亜鉛(Zn)等の金属またはこれらを主成分とする合金等の金属系材料などを用いることができる。正極活物質層中の正極活物質は、例えば、LiCoO、LixV(PO(1≦x≦5)等の酸化物系の正極活物質やLiS等の硫化物系の正極活物質を用いることができる。また、正極活物質層はバインダー又は導電助剤等を含んでいてもよい。 The positive electrode 604 is composed of a positive electrode current collector and a positive electrode active material layer. The positive electrode current collector, for example, platinum (Pt), gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), aluminum (Al), iron (Fe), nickel (Ni), titanium (Ti), indium (In ), metals such as zinc (Zn), or metal-based materials such as alloys containing these as main components. The positive electrode active material in the positive electrode active material layer is, for example, an oxide-based positive electrode active material such as LiCoO 2 or LixV 2 (PO 4 ) 3 (1≦x≦5) or a sulfide-based positive electrode such as Li 2 S. Active materials can be used. Moreover, the positive electrode active material layer may contain a binder, a conductive aid, or the like.

本実施形態によれば、パターンセル10及びパターンセル20を含むシリコン基板601を備えるため、機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能となる全固体電池600を得ることができる。 According to this embodiment, since the silicon substrate 601 including the pattern cells 10 and the pattern cells 20 is provided, the all-solid-state battery 600 can maintain mechanical strength and increase the generated capacity per unit area. Obtainable.

さらに、図13に示す全固体電池600Aのパターンセル10及びパターンセル20を含むシリコン基板601が負極集電体として機能する構成としてもよい。全固体電池600Aは、パターンセル10及びパターンセル20を含むシリコン基板601と、負極活物質層602Aと、固体電解質603と、正極604と、を備える。 Furthermore, the silicon substrate 601 including the pattern cells 10 and the pattern cells 20 of the all-solid-state battery 600A shown in FIG. 13 may be configured to function as a negative electrode current collector. The all-solid-state battery 600A includes a silicon substrate 601 including pattern cells 10 and 20, a negative electrode active material layer 602A, a solid electrolyte 603, and a positive electrode 604.

シリコン基板601は、負極集電体として機能する。シリコン基板601は、導電性の不純物を含むため、導電性を有する。また、変換効率が高い、耐久性が高い、及び信頼性が高いなどの観点から、シリコン基板601は、単結晶シリコンを含む材料からなることが好ましい。負極集電体及び負極活物質層からなる負極の材料の一部としてシリコン基板601を用いると、理論容量密度が黒鉛と比べて10倍ほど高く、エネルギー密度を向上させることができる。 The silicon substrate 601 functions as a negative electrode current collector. Since the silicon substrate 601 contains conductive impurities, it has conductivity. From the viewpoints of high conversion efficiency, high durability, and high reliability, the silicon substrate 601 is preferably made of a material containing single crystal silicon. When the silicon substrate 601 is used as part of the negative electrode material composed of the negative electrode current collector and the negative electrode active material layer, the theoretical capacity density is about 10 times higher than that of graphite, and the energy density can be improved.

シリコン基板601を負極に用いる電池の充電に伴ってシリコンの体積が膨張し、電池の寿命が短くなってしまうが、シリコン基板601に炭素を含ませることでシリコン基板601がシリコンと炭素を含む複合材料からなり、複合材料は体積変化を起こしにくいため、シリコンの凝集又は電気化学的焼結が減少する。これにより、シリコンの膨張を抑え、電池の安定性を向上させることができる。 When a battery using the silicon substrate 601 as a negative electrode is charged, the volume of silicon expands and the life of the battery is shortened. Composite materials are less susceptible to volumetric changes, reducing agglomeration or electrochemical sintering of silicon. Thereby, the expansion of silicon can be suppressed and the stability of the battery can be improved.

また、シリコン基板601は、パターンセル10及びパターンセル20を含むため、全固体電池600Aの機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能となる。 In addition, since the silicon substrate 601 includes the pattern cells 10 and the pattern cells 20, it is possible to maintain the mechanical strength of the all-solid-state battery 600A and increase the capacity generated per unit area.

負極活物質層602A中の負極活物質は、例えば、カーボン、グラファイト等の炭素・黒鉛系材料、Sn系酸化物、In系酸化物、Pb系酸化物、Ag系酸化物、Sb系酸化物、Si系酸化物、LiTi12、LixV(PO(1≦x≦5)等の酸化物系材料、Li、In、Al、Si、Sn等の金属またはこれらを主成分とする合金等の金属系材料、LiAl、LiZn、LiBi、LiCd、LiSd、LiSi、Li4.4Pb、Li4.4Sn、Li0.17C(LiC)、LiFeN、Li2.6Co0.4N、Li2.6Cu0.4N等のリチウム金属化合物系材料を用いることができる。負極活物質層602Aには、各極活物質内での電子の移動度を向上させるために、導電性を有する材料、例えば、カーボンなどを添加することができる。また、負極活物質層602Aはバインダー又は導電助剤等を含んでいてもよい。 The negative electrode active material in the negative electrode active material layer 602A includes, for example, carbon, carbon-graphite materials such as graphite, Sn-based oxides, In-based oxides, Pb-based oxides, Ag-based oxides, Sb-based oxides, Si-based oxides, oxide-based materials such as Li 4 Ti 5 O 12 and LixV 2 (PO 4 ) 3 (1≦x≦5), metals such as Li, In, Al, Si, and Sn, or these as main components LiAl, LiZn, Li 3 Bi, Li 3 Cd, Li 3 Sd, Li 4 Si, Li 4.4 Pb, Li 4.4 Sn, Li 0.17 C (LiC 6 ) , Li 3 FeN 2 , Li 2.6 Co 0.4 N, Li 2.6 Cu 0.4 N, and other lithium metal compound-based materials can be used. A conductive material such as carbon can be added to the negative electrode active material layer 602A in order to improve electron mobility in each electrode active material. Further, the negative electrode active material layer 602A may contain a binder, a conductive aid, or the like.

固体電解質603及び正極604は、図12に示す全固体電池600の説明を援用することができる。 For the solid electrolyte 603 and the positive electrode 604, the description of the all-solid battery 600 shown in FIG. 12 can be used.

本実施形態によれば、パターンセル10及びパターンセル20を含むシリコン基板601を備えるため、機械強度を保持し、かつ、単位面積あたりの発生容量を増加することが可能となる全固体電池600Aを得ることができる。 According to this embodiment, since the silicon substrate 601 including the pattern cells 10 and the pattern cells 20 is provided, the all-solid-state battery 600A can maintain mechanical strength and increase the generated capacity per unit area. Obtainable.

<電子機器>
本実施形態に係る構造体、キャパシタ、又は全固体電池を電子機器に備えることもできる。例えば、スマートフォン、タブレット端末等のなどの携帯情報端末、電動工具、掃除機、電気自動車(ハイブリッド自動車)、医療機器、ロボットなどの駆動用電源、建築物の電力貯蔵用電源、家庭用蓄電池などに搭載して使用することができる。
<Electronic equipment>
An electronic device can also be equipped with the structure, capacitor, or all-solid-state battery according to this embodiment. For example, mobile information terminals such as smartphones and tablet terminals, power tools, vacuum cleaners, electric vehicles (hybrid vehicles), medical equipment, driving power sources such as robots, power storage power sources for buildings, household storage batteries, etc. Can be installed and used.

10、20、30、40、50 パターンセル
11、21、31、41、51 溝部
12、22、32、42、52 内壁部
13、23、33、43、53 外壁部
100、200、300、400 構造体
500 キャパシタ
501、601 シリコン基板
502 誘電体層
503 上部電極
600、600A 全固体電池
602 負極
602A 負極活物質層
603 固体電解質
604 正極
10, 20, 30, 40, 50 pattern cells 11, 21, 31, 41, 51 grooves 12, 22, 32, 42, 52 inner walls 13, 23, 33, 43, 53 outer walls 100, 200, 300, 400 Structure 500 Capacitors 501, 601 Silicon substrate 502 Dielectric layer 503 Upper electrodes 600, 600A All-solid battery 602 Negative electrode 602A Negative electrode active material layer 603 Solid electrolyte 604 Positive electrode

Claims (16)

第1のパターンセルと、
第2のパターンセルと、を備え、
前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルのそれぞれは、
複数の溝部と、
前記複数の溝部によって互いに独立して形成された複数の内壁部と、
前記溝部の深さ方向から視て前記複数の溝部と前記複数の内壁部とを囲み、かつ、前記複数の内壁部の両端に接続された外壁部と、を有し、
前記第1のパターンセルの外壁部と前記第2のパターンセルの外壁部とが互いに隣接して配置され、
前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向と異なる、構造体。
a first pattern cell;
a second pattern cell;
each of the first pattern cell and the second pattern cell,
a plurality of grooves;
a plurality of inner wall portions formed independently of each other by the plurality of grooves;
an outer wall portion surrounding the plurality of groove portions and the plurality of inner wall portions when viewed from the depth direction of the groove portion and connected to both ends of the plurality of inner wall portions;
an outer wall portion of the first pattern cell and an outer wall portion of the second pattern cell are arranged adjacent to each other;
A structure, wherein the longitudinal direction of the trench of the first pattern cell is different from the longitudinal direction of the trench of the second pattern cell.
前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルのそれぞれは正多角形である、請求項1に記載の構造体。 2. The structure of claim 1, wherein each of said first pattern cells and said second pattern cells is a regular polygon. 前記正多角形は、正三角形、正方形、及び正六角形からなる群より選択される少なくともいずれか一つである、請求項2に記載の構造体。 3. The structure according to claim 2, wherein said regular polygon is at least one selected from the group consisting of equilateral triangles, squares and regular hexagons. 前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、
前記基準面内において、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向から90°ずれている、請求項1~3のいずれか一項に記載の構造体。
When the surface of the second pattern cell is taken as a reference plane,
The longitudinal direction of the groove of the first pattern cell is deviated from the longitudinal direction of the groove of the second pattern cell by 90° in the reference plane. Described structure.
前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、
前記基準面内において、前記第1のパターンセルは、前記第2のパターンセルを回転させたパターンセルと同一である、請求項1~4のいずれか一項に記載の構造体。
When the surface of the second pattern cell is taken as a reference plane,
A structure according to any preceding claim, wherein in the reference plane the first pattern cell is identical to a rotated pattern cell of the second pattern cell.
前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルにおいて、
前記複数の溝部のそれぞれの短手方向の幅は0.1~10μmであり、
前記複数の溝部のそれぞれの深さは1~1000μmである、請求項1~5のいずれか一項に記載の構造体。
In the first pattern cell and the second pattern cell,
The width of each of the plurality of grooves in the lateral direction is 0.1 to 10 μm,
The structure according to any one of claims 1 to 5, wherein each of the plurality of grooves has a depth of 1 to 1000 µm.
前記第1のパターンセルにおいて、
前記複数の溝部の短手方向の幅はそれぞれ同一であり、
前記複数の溝部の深さはそれぞれ同一であり、
前記第2のパターンセルにおいて、
前記複数の溝部の短手方向の幅はそれぞれ同一であり、
前記複数の溝部の深さはそれぞれ同一である、請求項6に記載の構造体。
In the first pattern cell,
widths of the plurality of grooves in the transverse direction are the same, and
The plurality of grooves have the same depth,
In the second pattern cell,
widths of the plurality of grooves in the transverse direction are the same, and
7. The structure of claim 6, wherein each of said plurality of grooves has the same depth.
前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルのそれぞれの外壁部の一辺の長さは、50~500μmである、請求項1~7のいずれか一項に記載の構造体。 The structure according to any one of claims 1 to 7, wherein the length of one side of each outer wall portion of said first pattern cell and said second pattern cell is 50 to 500 µm. 前記第1のパターンセルにおける前記外壁部の一辺の長さは、前記第2のパターンセルにおける前記外壁部の一辺の長さと同一である、請求項8に記載の構造体。 9. The structure of claim 8, wherein the length of one side of the outer wall in the first pattern cell is the same as the length of one side of the outer wall in the second pattern cell. 前記第1のパターンセル及び前記第2のパターンセルは、単結晶シリコンを含む材料からなる、請求項1~9のいずれか一項に記載の構造体。 The structure of any one of claims 1-9, wherein the first pattern cell and the second pattern cell are of a material comprising monocrystalline silicon. 請求項1~9のいずれか一項に記載の構造体を備えるキャパシタ。 A capacitor comprising the structure according to any one of claims 1-9. 請求項1~10のいずれか一項に記載の構造体を備える全固体電池。 An all-solid-state battery comprising the structure according to any one of claims 1 to 10. 請求項1~10のいずれか一項に記載の構造体、請求項11に記載のキャパシタ、及び請求項12に記載の全固体電池からなる群より選択されるいずれかを備える電子機器。 An electronic device comprising one selected from the group consisting of the structure according to any one of claims 1 to 10, the capacitor according to claim 11, and the all-solid-state battery according to claim 12. 複数の溝部と、前記複数の溝部によって互いに独立して形成された複数の内壁部と、前記溝部の深さ方向から視て前記複数の溝部と前記複数の内壁部とを囲み、かつ、前記複数の内壁部の両端に接続された外壁部と、を有する、第1のパターンセル及び第2のパターンセルを用意し、
前記第1のパターンセルの外壁部と前記第2のパターンセルの外壁部とが互いに隣接し、かつ、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向は、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向と異なるように配置する、構造体の製造方法。
a plurality of grooves, a plurality of inner walls independently formed by the plurality of grooves, and surrounding the plurality of grooves and the plurality of inner walls when viewed from the depth direction of the grooves; providing a first pattern cell and a second pattern cell having an outer wall connected to both ends of the inner wall of
The outer wall portion of the first pattern cell and the outer wall portion of the second pattern cell are adjacent to each other, and the longitudinal direction of the groove portion of the first pattern cell is the same as the groove portion of the second pattern cell. A method of manufacturing a structure in which the
前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、
前記基準面内において、前記第1のパターンセルの前記溝部の長手方向が、前記第2のパターンセルの前記溝部の長手方向から90°ずれるように配置する、請求項14に記載の構造体の製造方法。
When the surface of the second pattern cell is taken as a reference plane,
15. The structure according to claim 14, wherein the longitudinal direction of the groove of the first pattern cell is deviated from the longitudinal direction of the groove of the second pattern cell by 90° in the reference plane. Production method.
前記第2のパターンセルの表面を基準面としたとき、
前記基準面内において、前記第1のパターンセルは、前記第2のパターンセルを回転させたパターンセルと同一である、請求項14又は15に記載の構造体の製造方法。
When the surface of the second pattern cell is taken as a reference plane,
16. The method of manufacturing a structure according to claim 14 or 15, wherein said first pattern cell is the same as a rotated pattern cell of said second pattern cell in said reference plane.
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