JP2022131394A - プリント回路基板および光送受信機 - Google Patents

Abstract

【課題】不要電磁波の低減を目的とする。【解決手段】プリント回路基板１０は、内部誘電体層２８の下方にある導体板３０と、内部誘電体層２８を貫通し、導体板３０に接合し、導体板３０の上面の点Ｐに中心がそれぞれ位置するビア３２と、内部誘電体層２８の上方で、ビア３２に接合し、点Ｐの最も近い４つの点Ｐを頂点とするいずれの四角形Ｑからも外側に拡がる接地導体２４と、内部誘電体層２８の上方で、四角形Ｑの内側にあって、凸状外縁３６を除いた部分が接合部３８となって、接地導体２４およびビア３２と電気的に接続されている電磁共振板３４と、電磁共振板３４の上方にある上誘電体層１８と、上誘電体層１８の上方にあって、電磁共振板３４と重なる一対のストリップ導体１４から構成される差動伝送線路１２と、を有する。導体板３０およびビア３２は、電磁界閉じ込め構造を構成する。【選択図】図１

Description

本発明は、プリント回路基板および光送受信機に関する。

光送受信機は、集積回路（ＩＣ）を内蔵している。ＩＣ内部の差動増幅回路では、トランジスタの非線形性に起因してスイッチングノイズが発生する。そのため、出力信号のコモンモード成分の周波数スペクトルは、変調レート（あるいは変調速度、シンボルレート）に対応する周波数で、大きなピークを示す。コモンモード成分の一部は放射損失として空間に伝搬する。例えば、１００Ｇｂｉｔ／ｓの光送受信機は、変調レートが２５．７８Ｇｂｉｔ／ｓの電気的なシリアルデータ信号を用いており、その変調レートに対応する周波数２５．７８ＧＨｚの不要電磁波が出ている。不要電磁波の対策として、共振体が設けられる（特許文献１、２及び３）。

国際公開第２０１１／００４４５３号 特開２０１２－２２７８８７号公報 米国特許出願公開第２０１１／０２９８５６３号明細書

従来の共振体は、所望の共振周波数を得るには、比較的大きな面積を必要としており、高密度配置の要求に応えられていない。

本発明は、不要電磁波の低減を目的とする。

本発明に係るプリント回路基板は、内部誘電体層と、前記内部誘電体層の下方にある導体板と、前記内部誘電体層を貫通し、前記導体板に接合し、前記導体板の上面の複数の点に中心がそれぞれ位置する複数のビアと、前記内部誘電体層の上方で、前記複数のビアに接合し、前記複数の点の最も近い４つの点を頂点とするいずれの四角形からも外側に拡がる接地導体と、前記内部誘電体層の上方で、前記四角形の内側にあって、凸状外縁を除いた部分が接合部となって、前記接地導体および前記複数のビアと電気的に接続されている電磁共振板と、前記電磁共振板の上方にある上誘電体層と、前記上誘電体層の上方にあって、前記電磁共振板と重なる一対のストリップ導体から構成される差動伝送線路と、を有し、前記導体板および前記複数のビアは、電磁界閉じ込め構造を構成し、前記電磁共振板は、前記差動伝送線路を伝搬する不要電磁波に共振可能になっている。

本発明によれば、電磁共振板の共振によって、不要電磁波の伝搬を阻害することができる。また、導体板および複数のビアによって電磁界閉じ込め構造が構成されるので、共振エネルギーの外部への漏洩を十分に抑えることができる。

本発明に係る光送受信機は、上記プリント回路基板と、前記プリント回路基板に電気的に接続された光サブアセンブリと、を有する。

第１の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。 図１に示すプリント回路基板のII－II線断面図である。 接地導体およびフローティング導体の平面図である。 電磁共振板の平面図である。 第１の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。 第１の実施形態の変形例に係るプリント回路基板の部分平面図である。 第１の実施形態の変形例に係る差動伝送線路の特性図である。 光送受信機の斜視図である。 ネットワーク装置およびその一部を構成する光送受信機の断面図である。 第２の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。 第２の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。 第２の実施形態の差動伝送線路の他の特性図である。 第２の実施形態の変形例に係るプリント回路基板の部分平面図である。 第３の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。 第３の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。 第４の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。 第４の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。 第５の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。 第５の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。 第６の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。 図２０に示すプリント回路基板のXXI－XXI線断面図である。 第７の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。 図２２に示すプリント回路基板のXXIII－XXIII線断面図である。 接地導体および電磁共振板の平面図である。 第７の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。

以下に、図面を参照して、本発明の実施形態を具体的かつ詳細に説明する。全図において同一の符号を付した部材は同一又は同等の機能を有するものであり、その繰り返しの説明を省略する。なお、図形の大きさは倍率に必ずしも一致するものではない。

［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。図２は、図１に示すプリント回路基板のII－II線断面図である。

［差動伝送線路］
プリント回路基板１０は、差動伝送線路１２を有する。差動伝送線路１２は、デジタル変調信号の信号線路であり、一対のストリップ導体１４から構成される。一対のストリップ導体１４は、線対称の位置関係にある。一対のストリップ導体１４の幅は０．０９ｍｍとし、両者の間隙は０．２３ｍｍとする。一対のストリップ導体１４は、相互に平行な直線部を有する。

不要電磁波が差動伝送線路１２から放射される。不要電磁波の周波数は、差動伝送線路１２を伝わるデジタル変調信号の変調レートに対応する周波数（例えば２５．７８ＧＨｚ）である。

差動伝送線路１２を覆う保護膜１６を配置してもよい。保護膜１６は、ソルダレジストと呼ばれるハンダ付着防止用の誘電体膜であり、厚さは４０ｕｍ程度とする。

［上誘電体層］
プリント回路基板１０は、上誘電体層１８を有する。差動伝送線路１２は、上誘電体層１８の上方にある。上誘電体層１８は、上層２０および下層２２を含む。上誘電体層１８の材料は、ガラスエポキシ樹脂であってもよいし、液晶ポリマ（ＬＣＰ；Liquid Crystal Polymer)やフッ素樹脂（ＰＴＦＥ；polytetrafluoroethylene）であってもよい。

［接地導体］
プリント回路基板１０は、接地導体２４を有する。接地導体２４は、基準電位（例えばグラウンド）に接続される。接地導体２４は、上層２０および下層２２の間に介在する。つまり、差動伝送線路１２と接地導体２４の間に、上誘電体層１８（上層２０）が介在する。接地導体２４は、一対のストリップ導体１４を下方で広く覆う形状になっている。これにより、マイクロストリップラインが構成される。差動モードにおける特性インピーダンスは１００Ωに設定される。

図３は、接地導体２４およびフローティング導体の平面図である。接地導体２４は、複数の点Ｐの最も近い４つの点Ｐを頂点とするいずれの四角形Ｑからも外側に拡がる。４つの点Ｐの距離は、縦１．３ｍｍ、横１．２ｍｍとする。接地導体２４は、四角形Ｑの内側に開口２６を有する。開口２６は、縦１．３ｍｍ、横１．２ｍｍの大きさで、四角形Ｑの内角部が内側に丸くなった形状になっている。

［内部誘電体層］
プリント回路基板１０は、内部誘電体層２８を有する（図２）。内部誘電体層２８は、上誘電体層１８と同じ材料から形成してもよい。接地導体２４は、内部誘電体層２８の上方にある。

［導体板］
プリント回路基板１０は、導体板３０を有する。導体板３０は内部誘電体層２８の下方にある。導体板３０の平面形状は、縦１．６ｍｍ、横１．５ｍｍの矩形である。

［ビア］
プリント回路基板１０は、複数のビア３２を有する。ビア３２は、レーザービアである。ビア３２は、直径０．１ｍｍの円柱形状とする。複数のビア３２のそれぞれは、上ビア３２Ｕおよび下ビア３２Ｄから構成されている。複数のビア３２のそれぞれ（上ビア３２Ｕ）は、上誘電体層１８の下層２２を貫通して、接地導体２４に接合する。

複数のビア３２のそれぞれ（下ビア３２Ｄ）は、内部誘電体層２８を貫通して、導体板３０に接合する。複数のビア３２は、導体板３０の上面の複数の点Ｐに中心がそれぞれ位置する。複数のビア３２は、４つの点Ｐに中心がそれぞれ位置する、右一対のビア３２Ｒおよび左一対のビア３２Ｌを含む。右一対のビア３２Ｒおよび左一対のビア３２Ｌは、線対称の位置関係にある。複数の点Ｐの間隔は、１．３ｍｍ又は１．２ｍｍである。つまり、ビア３２の中心間距離は、１．３ｍｍ又は１．２ｍｍである。

上誘電体層１８および内部誘電体層２８は、比誘電率εｒが３．５であり、真空中に対する波長短縮率（１／√εｒ）は０．５３５である。したがって、上誘電体層１８および内部誘電体層２８の中では、周波数２５．７８ＧＨｚの不要電磁波の一波長λｇは、６．２２ｍｍと算出される。ビア３２の（最大の）中心間距離である１．３ｍｍ又は１．２ｍｍは、不要電磁波の波長の１／２（０．５λｇ）未満である。導体板３０および複数のビア３２は、電磁界閉じ込め構造を構成する。

［電磁共振板］
プリント回路基板１０は、電磁共振板３４を有する（図２）。電磁共振板３４は、内部誘電体層２８の上方にある。電磁共振板３４は、上誘電体層１８の下層２２および内部誘電体層２８の間に介在する。上誘電体層１８は、電磁共振板３４の上方にある。

電磁共振板３４は、接地導体２４および複数のビア３２のいくつかと電気的に接続されている。電磁共振板３４は、凸状外縁３６を除いた部分が接合部３８となっている。電磁共振板３４の凸状外縁３６は、接地導体２４に重ならない。

図４は、電磁共振板３４の平面図である。電磁共振板３４（凸状外縁３６）は、接地導体２４の開口２６（図３）を囲む四角形Ｑの内側にある。差動伝送線路１２は、電磁共振板３４と重なる。電磁共振板３４は、一対のストリップ導体１４の対称軸Ａに対して、線対称の形状である。図１に示す導体板３０は、電磁共振板３４の全体と重なる。

電磁共振板３４は、縦１．２ｍｍ、横１．１ｍｍの矩形Ｒ１の全辺に内接する本体４０と、一対のランド部４２を組み合わせた平面形状になっている。一対のランド部４２は、矩形Ｒ１の、一辺に沿って隣り合う一対の角に位置する。矩形Ｒ１の他の一対の角の隣に中心（点Ｐ）が位置するように、一対の孤立ランド４４がある。なお、本体４０の平面形状は、一対の孤立ランド４４を避ける凹部４６を有している。

複数のビア３２は、電磁共振板３４に接合する第１ペアのビア３２Ａを含む。第１ペアのビア３２Ａがそれぞれ一対のランド部４２に接合されている。複数のビア３２は、電磁共振板３４に接合しない第２ペアのビア３２Ｂを含む。第２ペアのビア３２Ｂがそれぞれ一対の孤立ランド４４に接合されている。ランド部４２又は孤立ランド４４の直径は、ビア３２の位置ずれに対応できるサイズを選び、例えば０．３ｍｍとする。

電磁共振板３４は、差動伝送線路１２を伝搬する不要電磁波に共振可能になっている。言い換えると、電磁共振板３４は、共振によって、コモンモード信号成分の伝導伝搬を阻害できるように設計されている。一般的にはプリント回路基板１０の層構成、誘電体の比誘電率などに応じて設計すればよい。

さらに、ビア３２および導体板３０によって電磁界閉じ込め構造が構成されるので、共振エネルギーの外部への漏洩を十分に抑えることができ、共振特性を良好にすることができる。

［フローティング導体］
プリント回路基板１０は、フローティング導体４８を有する（図３）。フローティング導体４８は、上誘電体層１８の上層２０および下層２２の間に介在する（図２）。フローティング導体４８は、接地導体２４と同層にある。フローティング導体４８は、接地導体２４の開口２６の内側にある。フローティング導体４８は、接地導体２４とは非接触である。接地導体２４の開口２６とフローティング導体４８との間隙は、０．１ｍｍとする。

フローティング導体４８は、伝送経路の途中で、差動伝送線路１２に重複する。フローティング導体４８は、一対のストリップ導体１４と重なる領域を有する。一対のストリップ導体１４の直線部は、少なくともフローティング導体４８の上方にある。フローティング導体４８は、一対のストリップ導体１４の対称軸Ａに対して、線対称の形状である。

フローティング導体４８の形状は、一対のストリップ導体１４に沿った縦が１．１ｍｍ、横が１．０ｍｍの矩形Ｒ２の全辺に線接触する形状である。接地導体２４の開口２６が、四角形Ｑの内角部に凸部４５を有する形状であるため、フローティング導体４８は、凸部４５との接触を避けるように凹部４７を有する。

フローティング導体４８は、他の導体に接続されず、電気的に独立している。電磁共振板３４は、フローティング導体４８の全体と重なる。フローティング導体４８は、不要電磁波に共振可能である。

［導体形成プロセス］
一対のストリップ導体１４の形成には、厚さ３７ｕｍの第一層銅箔を用いる。接地導体２４およびフローティング導体４８の形成には、厚さ３２ｕｍの第二層銅箔を用いる。電磁共振板３４および孤立ランド４４の形成には、厚さ３２ｕｍの第三層銅箔を用いる。導体板３０の形成には、厚さ３２ｕｍの第四層銅箔を用いる。これらはパターンニングにより加工形成する。第一層銅箔および第二層銅箔の距離と第二層銅箔および第三層銅箔の距離は７５ｕｍに設定し、第三層銅箔と第四層銅箔との距離は３００ｕｍに設定する。

［特性］
図５は、第１の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。具体的には、差動伝送線路１２における差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）、およびコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）の周波数依存性が示されている。特性は、三次元電磁界解析ツールを用いて算出した。解析において、差動伝送線路１２の長さを１４ｍｍに設定した。

差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）の劣化はほとんどなく、周波数範囲０～３５ＧＨｚにおいて－２５ｄＢ以下の値と非常に良好な値を保っている。これは、フローティング導体４８が接地導体２４と同層にあり、フローティング導体４８の形状および電磁共振板３４の形状が、一対のストリップ導体１４の対称軸Ａに対して線対称の形状であることによる効果である。

差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）も良好な特性を示す。一方、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）においては、周波数２６ＧＨｚを中心とした減衰領域が生じており、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分（不要電磁波）の伝導伝搬を２０ｄＢ以上阻害している。この減衰特性は、電磁界閉じ込め構造と、電磁共振板３４による共振の効果である。

本実施形態によれば、差動信号成分の伝導伝搬を劣化することなく、差動伝送線路１２へのコモンモード信号成分の伝導伝搬のみを選択的に阻害することができ、高密度配置が可能である。また、製造プロセスに追加する工程が無いため、コストの増加を伴わない。つまり、不要電磁波の低減と低コスト化を両立することができる。

［変形例］
図６は、第１の実施形態の変形例に係るプリント回路基板の部分平面図である。複数の導体板３０がそれぞれ複数の電磁共振板３４に重なる。複数の差動伝送線路１２のそれぞれは、複数の電磁共振板３４の対応する１つと重なる。二対の差動伝送線路１２の中心間距離（Lane Pitch）は、１．８ｍｍとしている。隣同士の導体板３０の、最も近いビア３２の中心間距離は０．６ｍｍと近づく。

接地導体２４は、複数の開口２６を有する。複数の開口２６は、それぞれ、複数の四角形Ｑに重なる。複数のビア３２の中心にある複数の点Ｐは、複数の四角形Ｑの頂点である。複数のフローティング導体４８が、それぞれ、複数の四角形Ｑの内側に位置する。

図７は、第１の実施形態の変形例に係る差動伝送線路の特性図である。コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）において、周波数２６ＧＨｚを中心とした減衰領域が生じており、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分（不要電磁波）の伝導伝搬を２０ｄＢ以上阻害している。

図７に示した特性は、第１の実施形態（図５）の特性とほとんど同一であり、良好な共振特性を保つことができている。これは、電磁界閉じ込め構造によって、共振エネルギーの外部への漏洩を十分に抑えた効果による。

このように、複数の差動伝送線路１２を近接配置しても、差動伝送線路１２間のクロストーク特性が劣化することなく、差動伝送線路１２へのコモンモード信号成分の伝導伝搬のみを選択的に阻害することが可能である。

［光送受信機］
図８は、光送受信機の斜視図である。図９は、ネットワーク装置およびその一部を構成する光送受信機の断面図である。ネットワーク装置１００は、フロントパネル１０４、光送受信機１０２およびコネクタ１０６を含む。

光送受信機１０２は、ＱＳＦＰ２８ ＭＳＡ規格に準拠している。光送受信機１０２は、上部ケース１０８、下部ケース１１０、ラッチ１１２、カードエッジコネクタ１１４を含む。上部ケース１０８および下部ケース１１０の材料には、亜鉛またはアルミニウムなどの金属を用いる。上部ケース１０８と下部ケース１１０は、カードエッジコネクタ１１４を通すスロット開口以外で、隙間がないように密着して電磁的なシールドを構成する。

カードエッジコネクタ１１４は、プリント回路基板１０の端部に設けられ、コネクタ１０６との接続用の接点端子列が設けられている。カードエッジコネクタ１１４は、上部ケース１０８と下部ケース１１０の後方のスロット開口から外部に露出しており、活線挿抜の機能を担う。

光送受信機１０２は、プリント回路基板１０に電気的に接続された光サブアセンブリ１１６を有する。光サブアセンブリ１１６は、光受信サブアセンブリ（ＲＯＳＡ）であり、図示しない光受信サブアセンブリ（ＴＯＳＡ）も光サブアセンブリである。光送受信機１０２は、プリント回路基板１０を有する。光サブアセンブリ１１６とプリント回路基板１０は、フレキシブルプリント基板（ＦＰＣ）１２０で接続されている。

複数の集積回路チップがプリント回路基板１０に搭載されている。図９に示す集積回路チップ１１８は、受信側のクロック・データ・リカバリ機能を備え、４チャネルの差動デジタル変調信号を、変調レート２６．５６Ｇｂａｕｄで出力するようになっている。変調方式はＮＲＺ（non-return-to-zero）である。出力信号は、プリント回路基板１０上に配置した４対の差動伝送線路１２（図１）、カードエッジコネクタ１１４、コネクタ１０６を介してネットワーク装置１００内部のプリント回路基板に伝導伝搬する。

集積回路チップ１１８の出力スペクトルを測定すると、変調レートに対応する周波数２５．７８ＧＨｚに、本来は不要なクロックノイズ成分が、単一のピークとして観測される。４対の差動伝送線路１２の各々に第１の実施形態の構造を適用したことにより、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を、光送受信機１０２の上部ケース１０８、下部ケース１１０の内部において阻害することが可能となる。これにより、上部ケース１０８、下部ケース１１０で電磁的なシールドができないカードエッジコネクタ１１４、コネクタ１０６、プリント回路基板１０におけるコモンモード信号成分起因の不要輻射を抑圧することができる。このメカニズムにより、１００Ｇｂｉｔ／ｓ級の光送受信機１０２においてネットワーク装置１００内部への不要輻射、およびネットワーク装置１００の冷却送風用の通気孔などを介したネットワーク装置１００外部への不要輻射を抑圧することができる。

なお、集積回路チップ１１８は、光サブアセンブリ１１６の内部に実装すれば、プリント回路基板１０に搭載スペースが要らないため、複数対の差動伝送線路１２の間隔を広くすることができ、配置の自由度が向上する。

光送受信機１０２は、例えばＱＳＦＰ５６－ＤＤ ＭＳＡ規格に準拠した４００Ｇｂｉｔ／ｓ級の光送受信機１０２としてもよい。その場合、集積回路チップ１１８としては、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）が用いられ、光受信用出力として、８チャネルの差動デジタル変調信号を、変調レート２６．５６Ｇｂａｕｄで出力する。変調方式にはＰＡＭ４（４値のパルス振幅変調）が用いられる。

８対の差動伝送線路１２には、第１の実施形態の構造を各々適用する。ＤＳＰの出力信号を観測すると、変調レートに対応する周波数２６．５６ＧＨｚに、スイッチングノイズ成分の単一ピークが観測される。８対の差動伝送線路１２の各々に第１の実施形態の構造を配置したことにより、周波数２６．５６ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を、光送受信機１０２の上部ケース１０８、下部ケース１１０の内部において阻害することが可能となる。これにより、電磁的なシールドができないカードエッジコネクタ１１４、コネクタ１０６、プリント回路基板１０におけるコモンモード信号成分起因の不要輻射を抑圧することができる。このメカニズムにより、４００Ｇｂｉｔ／ｓ級の光送受信機１０２においてもネットワーク装置１００内部への不要輻射、およびネットワーク装置１００の冷却送風用の通気孔などを介したネットワーク装置１００外部への不要輻射を低減することができる。

なお、コモンモード信号成分の伝導伝搬を阻害する構造は、第１の実施形態に限るものではなく、後述の実施形態を適用してもよい。

［第２の実施形態］
図１０は、第２の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。隣接する二対の差動伝送線路２１２の中心間距離（Lane Pitch）は、１．２ｍｍである。他の寸法には、第１の実施形態で説明した内容を適用可能である。

複数のビア２３２の中心がそれぞれ位置する複数の点Ｐは、複数の四角形Ｑの頂点である。接地導体２２４は、複数の四角形Ｑにそれぞれ重なる複数の開口２２６を含む。複数のフローティング導体２４８が、それぞれ、複数の四角形Ｑの内側に位置する。

複数の四角形Ｑの隣同士は、頂点となる４つの点Ｐの１つの点ＰＸを共有する。共有される１つの点ＰＸにあるビア２３２は、隣同士の電磁共振板２３４に接合している。複数の差動伝送線路２１２のそれぞれは、複数の電磁共振板２３４の対応する１つと重なる。複数の電磁共振板２３４は、複数の四角形Ｑの内側にそれぞれある。

図１１は、第２の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。具体的には、差動伝送線路２１２における差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）、およびコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）の周波数依存性が示されている。

コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）において、周波数２６ＧＨｚを中心とした減衰領域が生じており、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を２０ｄＢ以上阻害することができている。

図１１に示す特性は、図５に示す特性とほとんど同一であり、良好な共振特性が示されている。これは、電磁界閉じ込め構造によって、共振エネルギーの外部への漏洩を十分に抑えた効果による。

図１２は、第２の実施形態の差動伝送線路の他の特性図である。具体的には、差動モードでのフォワードクロストーク特性およびバックワードクロストーク特性の周波数依存性が示されている。

本実施形態では、複数の差動伝送線路２１２および複数の電磁共振板２３４を近接配置しているにもかかわらず、図１２に示すように、フォワードクロストーク特性の劣化は発生せず、周波数範囲０～２５．７８ＧＨｚにおいて、－４０ｄＢ以下の値という非常に良好な値が示されている。

本実施形態によれば、複数の差動伝送線路２１２を近接配置し、かつ、差動伝送線路２１２が延びる方向に最小寸法で複数の電磁界閉じ込め構造を配置することができる。また、差動伝送線路２１２間のクロストーク特性を劣化することなく、コモンモード信号成分の伝導伝搬のみを選択的に阻害することができる。

［第２の実施形態の変形例］
図１３は、第２の実施形態の変形例に係るプリント回路基板の部分平面図である。複数の四角形Ｑは、千鳥状に並んでいる。あるいは、複数の電磁界閉じ込め構造が、千鳥状に配列されている。４個の電磁界閉じ込め構造の配置に必要な幅は５．１ｍｍである。その他の詳細は、第２の実施形態で説明した通りである。

ＱＳＦＰ２８に準じた光送受信機においては、基板幅が１６ｍｍ程度の小型のプリント回路基板に、送信用に四対の差動伝送線路２１２を配置し、受信用に四対の差動伝送線路２１２をそれぞれ配置する必要がある。４個の電磁界閉じ込め構造の配置に必要な幅は５．１ｍｍであり、１６ｍｍの半分以下と十分に小さく、その必要性に適合し、好適である。特に、ＱＳＦＰ２８に準拠した光送受信機において、実装面積を少なくできる点で好適である。

［第３の実施形態］
図１４は、第３の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。複数の点Ｐは、複数の四角形Ｑの頂点である。複数の四角形Ｑの隣同士は、頂点となる４つの点Ｐの一対の点ＰＸを共有する。複数のビア３３２は、一対の点ＰＸに中心が位置する一対のビア３３２を含む。１つの開口３２６が、複数の四角形Ｑに連続的に重なる。

複数のフローティング導体３４８は、複数の四角形Ｑの内側にそれぞれが位置する。複数の電磁共振板３３４が、複数の四角形Ｑにそれぞれ重なる。差動伝送線路３１２は、複数の電磁共振板３３４と重なる。差動伝送線路３１２は、一対の点ＰＸに中心が位置する一対のビア３３２の間に位置する。

本実施形態では、差動伝送線路３１２が延びる方向に、一対の電磁共振板３３４が接近して配置されている。一対の電磁共振板３３４は、伝送線路が延びる方向に、相互に１．３ｍｍずれている。一対の電磁共振板３３４を６個のビア３３２が囲む。

図１４で、上段の２個のビア３３２は一方の電磁共振板３３４に接合し、中段の２個のビア３３２は他方の電磁共振板３３４に接合し、下段の２個のビア３３２はいずれの電磁共振板３３４とも接合しない。

図１５は、第３の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。具体的には、差動伝送線路３１２における差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）、およびコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）の周波数依存性が示されている。

２つの電磁共振板３３４が接近しているので、これらの相互作用により、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）において、複数の谷（減衰領域）が生じてしまうが、周波数２５．７８ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を２０ｄＢ以上阻害することができる。さらに、コモンモード信号成分の伝導伝搬を１０ｄＢ以上阻害できる周波数範囲は、２４ＧＨｚから３０ＧＨｚまで６ＧＨｚの幅があり、広帯域に渡って減衰効果を得ることができる。

［第４の実施形態］
図１６は、第４の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。複数の点Ｐは、複数の四角形Ｑの頂点である。複数の四角形Ｑの隣同士は、頂点となる４つの点Ｐの一対の点ＰＸ（あるいは四角形Ｑの一辺）を共有する。複数のビア４３２は、一対の点ＰＸに中心が位置する一対のビア４３２を含む。１つの開口４２６が、複数の四角形Ｑに連続的に重なる。１つのフローティング導体４４８が、複数の四角形Ｑの内側に連続的に位置する。

電磁共振板４３４を６個のビア４３２が囲む。図１６で、上段の２個のビア４３２は電磁共振板４３４に接合せず、中段の２個のビア４３２は電磁共振板４３４に接合し、下段の２個のビア４３２は電磁共振板４３４に接合しない。電磁共振板４３４は、一対の点ＰＸに中心が位置する一対のビア４３２に接合している。電磁共振板４３４の凸状外縁４３６が、一対のビア４３２から相互に反対方向のそれぞれに突出するようになっている。差動伝送線路４１２は、一対の点ＰＸに中心が位置する一対のビア４３２の間に位置する。

図１７は、第４の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。具体的には、差動伝送線路４１２における差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）、およびコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）の周波数依存性が示されている。

電磁共振板４３４の凸状外縁４３６が相互に反対方向それぞれに突出する。これらの相互作用により、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）において、複数の谷（減衰領域）が生じてしまうが、周波数２４ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を３０ｄＢ以上阻害することができる。さらに、コモンモード信号成分の伝導伝搬を１０ｄＢ以上阻害できる周波数範囲は、２２ＧＨｚから２９ＧＨｚまで７ＧＨｚの幅があり、広帯域に渡って減衰効果を得ることができる。

［第５の実施形態］
図１８は、第５の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。本実施形態は、差動伝送線路５１２が延びる方向において、あるいは、電磁共振板５３４が接合される一対のビア５３２の位置において、図１に示す構造と相違する。電磁共振板５３４は、一対のストリップ導体５１４に対して、非対称の形状である。

複数のビア５３２は、電磁共振板５３４に接合する第１ペアのビア５３２Ａを含む。複数のビア５３２は、電磁共振板５３４に接合しない第２ペアのビア５３２Ｂを含む。第１の実施形態（図１）では、差動伝送線路１２は、第１ペアのビア３２Ａの間にあり、第２ペアのビア３２Ｂの間にある。これに対して、第５の実施形態（図１８）では、差動伝送線路５１２は、第１ペアのビア５３２Ａと第２ペアのビア５３２Ｂの間にある。

４つのビア５３２は、４つの点Ｐに中心がそれぞれ位置する、右一対のビア５３２Ｒおよび左一対のビア５３２Ｌを含む。第１の実施形態（図１）では、差動伝送線路１２は、右一対のビア３２Ｒと左一対のビア３２Ｌの間にある。これに対して、第５の実施形態（図１８）では、差動伝送線路５１２は、右一対のビア５３２Ｒの間にあり、左一対のビア５３２Ｌの間にある。

図１９は、第５の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。具体的には、差動伝送線路５１２における差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）、およびコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）の周波数依存性が示されている。

差動伝送線路５１２の形状を左右非対称にした影響で、差動モード－コモンモード変換特性（Ｓｃｄ２１、Ｓｄｃ２１）の増大（劣化）が生じているものの、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）が示すように、周波数２５ＧＨｚにおいてコモンモード信号成分の伝導伝搬を２０ｄＢ程度阻害する効果が得られている。

［第６の実施形態］
図２０は、第６の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。図２１は、図２０に示すプリント回路基板のXXI－XXI線断面図である。

複数のビア６３２のそれぞれは、径の異なる下ビア６３２Ｄおよび上ビア６３２Ｕが重なって構成されている。下ビア６３２Ｄは、ドリルビアである。下ビア６３２Ｄはドリルによって、内部誘電体層６２８に垂直な円柱状の穴を穿ち、その穴の側面に銅メッキを施すことにより形成する。その直径は、例えば０．２ｍｍとする。円柱状の穴の上下には、孤立ランド６４４と電磁共振板６３４のランド部６４２を直径０．４５ｍｍで設ける。上ビア６３２Ｕは、レーザービアである。

主要な寸法は、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）における減衰領域が所望の周波数となるように、適用する各層の厚さなどに応じて選択すればよい。寸法の算出には、三次元電磁界解析ツールを用いるのが好適である。例えば、上ビア６３２Ｕおよび下ビア６３２Ｄの中心間距離は、縦手方向で１．４ｍｍ、横方向で１．２ｍｍとする。他の寸法は、第１の実施形態に準ずるものとする。本実施形態によれば、レーザービアの形成に必要な比較的高価なビルドアップ工程を、少なくとも１層分少なくすることができ、コストが削減される。

［第７の実施形態］
図２２は、第７の実施形態に係るプリント回路基板の部分平面図である。図２３は、図２２に示すプリント回路基板のXXIII－XXIII線断面図である。

複数のビア７３２のそれぞれは、径の異なる下ビア７３２Ｄおよび上ビア７３２Ｕが重なって構成されている。詳細は、第６の実施形態で説明した通りである。電磁共振板７３４および接地導体７２４は、いずれも内部誘電体層７２８および上誘電体層７１８の間に介在している。

図２４は、接地導体および電磁共振板の平面図である。電磁共振板７３４および接地導体７２４は、部分的に一体化し、スリット７５０によって部分的に分離されている。スリット７５０は、電磁共振板７３４の凸状外縁７３６に沿っており、例えばＵ字状になっている。一対の上ビア７３２Ｕが、スリット７５０の両端に隣接している（図２２）。電磁共振板７３４の凸状外縁７３６を除いた部分（接合部７３８）が接地導体７２４に一体化している。

図２５は、第７の実施形態に係る差動伝送線路の特性図である。具体的には、差動伝送線路７１２における差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）、差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）、およびコモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）の周波数依存性が示されている。

差動モード反射特性（Ｓｄｄ１１、Ｓｄｄ２２）の劣化はほとんどなく、周波数範囲０～３５ＧＨｚにおいて、－２０ｄＢ以下という非常に良好な値を保っている。これは、電磁共振板７３４の形状が、一対のストリップ導体７１４の対称軸Ａに対して線対称の形状であることによる効果である。差動モード通過特性（Ｓｄｄ２１）も良好な特性を示す。また、コモンモード通過特性（Ｓｃｃ２１）においては、周波数２６．８ＧＨｚを中心とした減衰領域が生じており、周波数２６．５６ＧＨｚのコモンモード信号成分の伝導伝搬を３０ｄＢ以上阻害することができている。なお、周波数２６．５６ＧＨｚは、例えば４００Ｇｂｉｔ／ｓ級の光送受信機１０２における変調レート２６．５６Ｇｂａｕｄに対応する。

さらに、コモンモード信号成分の伝導伝搬を１０ｄＢ以上阻害できる周波数範囲は、２４．１ＧＨｚから３０ＧＨｚまで５．９ＧＨｚの幅があり、広帯域に渡って減衰効果を得ることができる。この減衰特性は、電磁界閉じ込め構造と、電磁共振板７３４による共振の効果である。

本実施形態によれば、差動信号成分の伝導伝搬を劣化することなく、差動伝送線路７１２へのコモンモード信号成分の伝導伝搬のみを選択的に阻害することができる。また、プリント回路基板を製造する上で新たに追加する工程が無いため、コストの増加を伴わないという利点がある。

本実施形態によれば、第１の実施形態に比べて、さらに良好コモンモード阻害特性を得ることができる。またレーザービアの形成に必要な比較的高価なビルドアップ工程を、少なくとも１層分少なくすることができ、プリント回路基板をより安価に提供することができる。

［実施形態の概要］
（１）内部誘電体層２８と、内部誘電体層２８の下方にある導体板３０と、内部誘電体層２８を貫通し、導体板３０に接合し、導体板３０の上面の複数の点Ｐに中心がそれぞれ位置する複数のビア３２と、内部誘電体層２８の上方で、複数のビア３２に接合し、複数の点Ｐの最も近い４つの点Ｐを頂点とするいずれの四角形Ｑからも外側に拡がる接地導体２４と、内部誘電体層２８の上方で、四角形Ｑの内側にあって、凸状外縁３６を除いた部分が接合部３８となって、接地導体２４および複数のビア３２と電気的に接続されている電磁共振板３４と、電磁共振板３４の上方にある上誘電体層１８と、上誘電体層１８の上方にあって、電磁共振板３４と重なる一対のストリップ導体１４から構成される差動伝送線路１２と、を有し、導体板３０および複数のビア３２は、電磁界閉じ込め構造を構成し、電磁共振板３４は、差動伝送線路１２を伝搬する不要電磁波に共振可能になっていることを特徴とするプリント回路基板１０。

（２）（１）に記載されたプリント回路基板１０であって、導体板３０は、電磁共振板３４の全体と重なることを特徴とするプリント回路基板１０。

（３）（１）又は（２）に記載されたプリント回路基板１０であって、電磁共振板３４の凸状外縁３６は、接地導体２４に重ならないことを特徴とするプリント回路基板１０。

（４）（１）から（３）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板１０であって、複数のビア３２は、４つの点Ｐに中心がそれぞれ位置する、右一対のビア３２Ｒおよび左一対のビア３２Ｌを含み、右一対のビア３２Ｒおよび左一対のビア３２Ｌは、線対称の位置関係にあることを特徴とするプリント回路基板１０。

（５）（１）から（４）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板１０であって、一対のストリップ導体１４は、線対称の位置関係にあり、電磁共振板３４は、一対のストリップ導体１４の対称軸Ａに対して、線対称の形状であることを特徴とするプリント回路基板１０。

（６）（１）から（５）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板１０であって、上誘電体層１８は、上層２０および下層２２を含み、接地導体２４は、上層２０および下層２２の間に介在し、複数のビア３２のそれぞれは、下層２２をさらに貫通して、接地導体２４に接合し、電磁共振板３４は、下層２２および内部誘電体層２８の間に介在し、複数のビア３２は、電磁共振板３４に接合する第１ペアのビア３２Ａと、電磁共振板３４に接合しない第２ペアのビア３２Ｂを含むことを特徴とするプリント回路基板１０。

（７）（６）に記載されたプリント回路基板１０であって、接地導体２４は、開口２６を有し、上層２０および下層２２の間に介在し、開口２６の内側にあって、接地導体２４とは非接触で、不要電磁波に共振可能なフローティング導体４８をさらに有することを特徴とするプリント回路基板１０。

（８）（７）に記載されたプリント回路基板１０であって、電磁共振板３４は、フローティング導体４８の全体と重なることを特徴とするプリント回路基板１０。

（９）（７）又は（８）に記載されたプリント回路基板であって、複数の点Ｐは、複数の四角形Ｑの頂点であることを特徴とするプリント回路基板。

（１０）（９）に記載されたプリント回路基板であって、開口２６は、複数の四角形Ｑにそれぞれ重なる複数の開口２６を含み、フローティング導体４８は、複数の四角形Ｑの内側にそれぞれが位置する複数のフローティング導体４８を含むことを特徴とするプリント回路基板。

（１１）（９）に記載されたプリント回路基板であって、開口３２６は、複数の四角形Ｑに連続的に重なる１つの開口３２６であり、フローティング導体３４８は、複数の四角形Ｑの内側にそれぞれが位置する複数のフローティング導体３４８を含むことを特徴とするプリント回路基板。

（１２）（９）に記載されたプリント回路基板であって、開口４２６は、複数の四角形Ｑに連続的に重なる１つの開口４２６であり、フローティング導体４４８は、複数の四角形Ｑの内側に連続的に位置する１つのフローティング導体４４８であることを特徴とするプリント回路基板。

（１３）（９）又は（１０）に記載されたプリント回路基板であって、電磁共振板３４は、複数の電磁共振板３４を含み、差動伝送線路１２は、複数の差動伝送線路１２を含み、複数の差動伝送線路１２のそれぞれは、複数の電磁共振板３４の対応する１つと重なることを特徴とするプリント回路基板。

（１４）（１３）に記載されたプリント回路基板であって、導体板３０は、複数の電磁共振板３４にそれぞれ重なる複数の導体板３０を含むことを特徴とするプリント回路基板。

（１５）（１３）に記載されたプリント回路基板であって、複数の四角形Ｑの隣同士は、頂点となる４つの点Ｐの１つを共有し、複数の電磁共振板２３４は、複数の四角形Ｑの内側にそれぞれあることを特徴とするプリント回路基板。

（１６）（１５）に記載されたプリント回路基板であって、複数の四角形Ｑは、千鳥状に並んでいることを特徴とするプリント回路基板。

（１７）（９）、（１１）及び（１）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板であって、複数の四角形Ｑの隣同士は、頂点となる４つの点Ｐの一対の点ＰＸを共有し、複数のビア３３２は、一対の点ＰＸに中心が位置する一対のビア３３２を含むことを特徴とするプリント回路基板。

（１８）（１７）に記載されたプリント回路基板であって、電磁共振板３３４は、複数の四角形Ｑにそれぞれ重なる複数の電磁共振板３３４を含み、差動伝送線路３１２は、複数の電磁共振板３３４と重なることを特徴とするプリント回路基板。

（１９）（１７）に記載されたプリント回路基板であって、電磁共振板４３４は、一対のビア４３２に接合し、凸状外縁４３６が、一対のビア４３２から相互に反対方向のそれぞれに突出するようになっていることを特徴とするプリント回路基板。

（２０）（１７）から（１９）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板であって、差動伝送線路３１２は、一対のビア３３２の間に位置することを特徴とするプリント回路基板。

（２１）（１）から（５）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板であって、電磁共振板７３４および接地導体７２４は、いずれも内部誘電体層７２８および上誘電体層７１８の間に介在し、部分的に一体化し、スリット７５０によって部分的に分離されていることを特徴とするプリント回路基板。

（２２）（１）から（２１）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板であって、複数のビア６３２のそれぞれは、径の異なる下ビア６３２Ｄおよび上ビア６３２Ｕが重なって構成されていることを特徴とするプリント回路基板。

（２３）（１）から（２２）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板１０であって、複数の点Ｐの間隔は、電磁共振板３４が共振可能な不要電磁波の波長の１／２未満であることを特徴とするプリント回路基板１０。

（２４）（１）から（２３）のいずれか１つに記載されたプリント回路基板１０と、プリント回路基板１０に電気的に接続された光サブアセンブリ１１６と、を有することを特徴とする光送受信機１０２。

本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。

１０ プリント回路基板、１２ 差動伝送線路、１４ ストリップ導体、１６ 保護膜、１８ 上誘電体層、２０ 上層、２２ 下層、２４ 接地導体、２６ 開口、２８ 内部誘電体層、３０ 導体板、３２ ビア、３２Ａ 第１ペアビア、３２Ｂ 第２ペアビア、３２Ｄ 下ビア、３２Ｌ 左ビア、３２Ｒ 右ビア、３２Ｕ 上ビア、３４ 電磁共振板、３６ 凸状外縁、３８ 接合部、４０ 本体、４２ ランド部、４４ 孤立ランド、４５ 凸部、４６ 凹部、４７ 凹部、４８ フローティング導体、１００ ネットワーク装置、１０２ 光送受信機、１０４ フロントパネル、１０６ コネクタ、１０８ 上部ケース、１１０ 下部ケース、１１２ ラッチ、１１４ カードエッジコネクタ、１１６ 光サブアセンブリ、１１８ 集積回路チップ、１２０ フレキシブルプリント基板、２１２ 差動伝送線路、２２４ 接地導体、２２６ 開口、２３２ ビア、２３４ 電磁共振板、２４８ フローティング導体、３１２ 差動伝送線路、３２６ 開口、３３２ ビア、３３４ 電磁共振板、３４８ フローティング導体、４１２ 差動伝送線路、４２６ 開口、４３２ ビア、４３２ 個ビア、４３４ 電磁共振板、４３６ 凸状外縁、４４８ フローティング導体、５１２ 差動伝送線路、５１４ ストリップ導体、５３２ ビア、５３２Ａ 第１ペアビア、５３２Ｂ 第２ペアビア、５３２Ｌ 左ビア、５３２Ｒ 右ビア、５３４ 電磁共振板、６２８ 内部誘電体層、６３２ ビア、６３２Ｄ 下ビア、６３２Ｕ 上ビア、６３４ 電磁共振板、６４２ ランド部、６４４ 孤立ランド、７１２ 差動伝送線路、７１４ ストリップ導体、７１８ 上誘電体層、７２４ 接地導体、７２８ 内部誘電体層、７３２ ビア、７３２Ｄ 下ビア、７３２Ｕ 上ビア、７３４ 電磁共振板、７３６ 凸状外縁、７３８ 接合部、７５０ スリット、Ａ 対称軸、Ｐ 点、ＰＸ 点、Ｑ 四角形、Ｒ１ 矩形、Ｒ２ 矩形。

Claims (24)

1. 内部誘電体層と、
   前記内部誘電体層の下方にある導体板と、
   前記内部誘電体層を貫通し、前記導体板に接合し、前記導体板の上面の複数の点に中心がそれぞれ位置する複数のビアと、
   前記内部誘電体層の上方で、前記複数のビアに接合し、前記複数の点の最も近い４つの点を頂点とするいずれの四角形からも外側に拡がる接地導体と、
   前記内部誘電体層の上方で、前記四角形の内側にあって、凸状外縁を除いた部分が接合部となって、前記接地導体および前記複数のビアと電気的に接続されている電磁共振板と、
   前記電磁共振板の上方にある上誘電体層と、
   前記上誘電体層の上方にあって、前記電磁共振板と重なる一対のストリップ導体から構成される差動伝送線路と、
   を有し、
   前記導体板および前記複数のビアは、電磁界閉じ込め構造を構成し、
   前記電磁共振板は、前記差動伝送線路を伝搬する不要電磁波に共振可能になっていることを特徴とするプリント回路基板。
2. 請求項１に記載されたプリント回路基板であって、
   前記導体板は、前記電磁共振板の全体と重なることを特徴とするプリント回路基板。
3. 請求項１又は２に記載されたプリント回路基板であって、
   前記電磁共振板の前記凸状外縁は、前記接地導体に重ならないことを特徴とするプリント回路基板。
4. 請求項１から３のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
   前記複数のビアは、前記４つの点に前記中心がそれぞれ位置する、右一対のビアおよび左一対のビアを含み、
   前記右一対のビアおよび前記左一対のビアは、線対称の位置関係にあることを特徴とするプリント回路基板。
5. 請求項１から４のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
   前記一対のストリップ導体は、線対称の位置関係にあり、
   前記電磁共振板は、前記一対のストリップ導体の対称軸に対して、線対称の形状であることを特徴とするプリント回路基板。
6. 請求項１から５のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
   前記上誘電体層は、上層および下層を含み、
   前記接地導体は、前記上層および前記下層の間に介在し、
   前記複数のビアのそれぞれは、前記下層をさらに貫通して、前記接地導体に接合し、
   前記電磁共振板は、前記下層および前記内部誘電体層の間に介在し、
   前記複数のビアは、前記電磁共振板に接合する第１ペアのビアと、前記電磁共振板に接合しない第２ペアのビアを含むことを特徴とするプリント回路基板。
7. 請求項６に記載されたプリント回路基板であって、
   前記接地導体は、開口を有し、
   前記上層および前記下層の間に介在し、前記開口の内側にあって、前記接地導体とは非接触で、前記不要電磁波に共振可能なフローティング導体をさらに有することを特徴とするプリント回路基板。
8. 請求項７に記載されたプリント回路基板であって、
   前記電磁共振板は、前記フローティング導体の全体と重なることを特徴とするプリント回路基板。
9. 請求項７又は８に記載されたプリント回路基板であって、
   前記複数の点は、複数の四角形の頂点であることを特徴とするプリント回路基板。
10. 請求項９に記載されたプリント回路基板であって、
    前記開口は、前記複数の四角形にそれぞれ重なる複数の開口を含み、
    前記フローティング導体は、前記複数の四角形の内側にそれぞれが位置する複数のフローティング導体を含むことを特徴とするプリント回路基板。
11. 請求項９に記載されたプリント回路基板であって、
    前記開口は、前記複数の四角形に連続的に重なる１つの開口であり、
    前記フローティング導体は、前記複数の四角形の内側にそれぞれが位置する複数のフローティング導体を含むことを特徴とするプリント回路基板。
12. 請求項９に記載されたプリント回路基板であって、
    前記開口は、前記複数の四角形に連続的に重なる１つの開口であり、
    前記フローティング導体は、前記複数の四角形の内側に連続的に位置する１つのフローティング導体であることを特徴とするプリント回路基板。
13. 請求項９又は１０に記載されたプリント回路基板であって、
    前記電磁共振板は、複数の電磁共振板を含み、
    前記差動伝送線路は、複数の差動伝送線路を含み、
    前記複数の差動伝送線路のそれぞれは、前記複数の電磁共振板の対応する１つと重なることを特徴とするプリント回路基板。
14. 請求項１３に記載されたプリント回路基板であって、
    前記導体板は、前記複数の電磁共振板にそれぞれ重なる複数の導電板を含むことを特徴とするプリント回路基板。
15. 請求項１３に記載されたプリント回路基板であって、
    前記複数の四角形の隣同士は、前記頂点となる前記４つの点の１つを共有し、
    前記複数の電磁共振板は、前記複数の四角形の内側にそれぞれあることを特徴とするプリント回路基板。
16. 請求項１５に記載されたプリント回路基板であって、
    前記複数の四角形は、千鳥状に並んでいることを特徴とするプリント回路基板。
17. 請求項９、１１及び１２のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
    前記複数の四角形の隣同士は、前記頂点となる前記４つの点の一対の点を共有し、
    前記複数のビアは、前記一対の点に前記中心が位置する一対のビアを含むことを特徴とするプリント回路基板。
18. 請求項１７に記載されたプリント回路基板であって、
    前記電磁共振板は、前記複数の四角形にそれぞれ重なる複数の電磁共振板を含み、
    前記差動伝送線路は、前記複数の電磁共振板と重なることを特徴とするプリント回路基板。
19. 請求項１７に記載されたプリント回路基板であって、
    前記電磁共振板は、前記一対のビアに接合し、前記凸状外縁が、前記一対のビアから相互に反対方向のそれぞれに突出するようになっていることを特徴とするプリント回路基板。
20. 請求項１７から１９のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
    前記差動伝送線路は、前記一対のビアの間に位置することを特徴とするプリント回路基板。
21. 請求項１から５のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
    前記電磁共振板および前記接地導体は、いずれも前記内部誘電体層および前記上誘電体層の間に介在し、部分的に一体化し、スリットによって部分的に分離されていることを特徴とするプリント回路基板。
22. 請求項１から２１のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
    前記複数のビアのそれぞれは、径の異なる下ビアおよび上ビアが重なって構成されていることを特徴とするプリント回路基板。
23. 請求項１から２２のいずれか１項に記載されたプリント回路基板であって、
    前記複数の点の間隔は、前記電磁共振板が共振可能な前記不要電磁波の波長の１／２未満であることを特徴とするプリント回路基板。
24. 請求項１から２３のいずれか１項に記載されたプリント回路基板と、
    前記プリント回路基板に電気的に接続された光サブアセンブリと、
    を有することを特徴とする光送受信機。
    
    

Images