JP2022128851A - Reflection type mask blank, reflection type mask, and method for manufacturing reflection type mask - Google Patents

Abstract

To provide a reflection type mask blank, a reflection type mask and a method for manufacturing a reflection type mask which avoid phase defects formed in a multilayer reflection layer and enable formation of a pattern without causing defects accompanied by formation of a fiducial mark.SOLUTION: A reflection type mask blank 100 with a fiducial mark has at least a multilayer reflection layer 15 and an absorption layer 13 on a substrate 16, wherein the fiducial mark has a size in plan view formed in the multilayer reflection layer of 600 nm or less, and is formed of a part 19 having light reflectance different from that of the multilayer reflection layer.SELECTED DRAWING: Figure 1

Description

本発明は、反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法に関し、特に極端紫外線（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ；以下「ＥＵＶ」と表記する。）を光源とするＥＵＶリソグラフィを用いた半導体製造装置などに利用されるフォトマスクブランク及びフォトマスク及びフォトマスクの製造方法に関する。 The present invention relates to a reflective mask blank, a reflective mask, and a method of manufacturing a reflective mask, and more particularly to a semiconductor manufacturing apparatus using EUV lithography using extreme ultraviolet rays (Extreme Ultra Violet; hereinafter referred to as "EUV") as a light source. The present invention relates to a photomask blank, a photomask, and a method for manufacturing a photomask.

近年、半導体デバイスの微細化に伴い、波長が１３．５ｎｍ近傍のＥＵＶを光源に用いたＥＵＶリソグラフィが提案されている。ＥＵＶリソグラフィは光源波長が短く光吸収性が非常に高いため、真空中で行われる必要がある。また、ＥＵＶの波長領域においては、ほとんどの物質の屈折率は１よりもわずかに小さい値であるため、ＥＵＶリソグラフィにおいては、従来から用いられてきた透過型の屈折光学系を使用することができず、反射光学系となる。従って、原版となるフォトマスク（以下、マスクとも呼ぶ。）も、従来の透過型のマスクは使用できないため、反射型のマスクとする必要がある。 In recent years, with the miniaturization of semiconductor devices, EUV lithography using EUV light having a wavelength of about 13.5 nm has been proposed. EUV lithography must be performed in a vacuum because the light source wavelength is short and the light absorption is very high. In the EUV wavelength region, most materials have a refractive index slightly less than 1. Therefore, in EUV lithography, conventional transmissive refractive optics can be used. Instead, it becomes a reflective optical system. Therefore, since a conventional transmissive mask cannot be used as a photomask (hereinafter also referred to as a mask) serving as an original, it is necessary to use a reflective mask.

波長が極端に短いＥＵＶリソグラフィでは、低熱膨張基板に多層反射層を形成する際のパーティクルの発生を極力抑えることが求められる。それは、露光光の波長が短いため、多層反射層の微小な凹凸欠陥がウェハ上に転写するパターンの品質に大きな影響を及ぼしてしまうためである。この微小な凹凸欠陥は位相欠陥と呼ばれており、高さが数ｎｍであっても、微細なＬＳＩパターンの寸法誤差に許容できない影響が出る。 In EUV lithography with extremely short wavelengths, it is required to suppress the generation of particles as much as possible when forming a multilayer reflective layer on a low thermal expansion substrate. This is because the wavelength of the exposure light is short, so that minute unevenness defects in the multilayer reflective layer have a great influence on the quality of the pattern transferred onto the wafer. This minute unevenness defect is called a phase defect, and even if the height is several nanometers, it exerts an unacceptable influence on the dimensional error of a fine LSI pattern.

このような微小な凹凸欠陥が形成される原因は、低熱膨張基板表面の凹凸や異物、あるいは、多層反射層の堆積中に落下した異物である。これらの異物の上に堆積した多層反射層は、その周辺の多層反射層と比べて局所的に位相差を生じるため、位相欠陥とも呼ばれ、転写パターンへ悪影響を及ぼす。 The cause of the formation of such minute unevenness defects is unevenness or foreign matter on the surface of the low-thermal-expansion substrate, or foreign matter dropped during deposition of the multilayer reflective layer. The multi-layer reflective layer deposited on these foreign substances locally produces a phase difference compared to the surrounding multi-layer reflective layer.

このような微小凹凸欠陥（位相欠陥）に対しては、いくつかの修正方法が提案されているが、修正可能な欠陥のタイプは限定されており、全ての微小凹凸欠陥を修正するのは困難である（例えば、特許文献１参照）。したがって、ＥＵＶマスクでは、このような位相欠陥の発生防止が最も重要であるが、一般的な透過型マスクと比べて複雑な層構成であるために、現状では無欠陥には程遠いブランク品質となっている。 Several repair methods have been proposed for such fine unevenness defects (phase defects), but the types of defects that can be repaired are limited, and it is difficult to repair all fine unevenness defects. (See Patent Document 1, for example). Therefore, it is most important to prevent the occurrence of such phase defects in EUV masks. ing.

このような問題を解決するために、ＥＵＶマスク上にパターンを形成する前に、位相欠陥の位置を検査により把握し、その位相欠陥を避けるようにパターン形成（描画）することが、提案されている。具体的にはその位相欠陥を吸収層でカバーしてしまうことで、位相欠陥が転写されることなく、吸収層の無い多層反射層からは欠陥の無い所望のパターンの反射光を得ることができる。したがって、困難な修正をすることなく、高品質の反射型マスクの作製を可能にする製造方法が検討されている。 In order to solve such a problem, it has been proposed to grasp the position of the phase defect by inspection before forming the pattern on the EUV mask, and form (write) the pattern so as to avoid the phase defect. there is Specifically, by covering the phase defect with an absorption layer, the phase defect is not transferred, and a defect-free, desired pattern of reflected light can be obtained from the multilayer reflective layer without the absorption layer. . Therefore, a manufacturing method is being studied that enables the fabrication of high-quality reflective masks without making difficult modifications.

位相欠陥の正確な位置の把握と、それらの位相欠陥を正確に避けてパターン形成するためには、ＥＵＶマスクブランク上にフィデューシャルマークと呼ばれる目印（基準マーク）を形成する必要がある。このフィデューシャルマークがブランク欠陥検査機（ＤＵＶ（Ｄｅｅｐ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ）光やＥＵＶ光を使用する。）およびマスク描画機（ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｂｅａｍ）を使用する。）の基準パターンとなる。 In order to accurately locate the phase defects and form a pattern while avoiding the phase defects, it is necessary to form marks (reference marks) called fiducial marks on the EUV mask blank. This fiducial mark serves as a reference pattern for a blank defect inspection machine (using DUV (Deep Ultra Violet) light or EUV light) and a mask drawing machine (using EB (Electron Beam)).

図６を参照して、ＥＵＶマスクにおける従来のフィデューシャルマーク形成方法を説明する。
図６（ａ）は、多層反射層１５上に第２レジスト膜１８を塗布した反射型マスクブランクの模式断面図である。次に、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィによってフィデューシャルマークを形成するためのレジストパターンを形成し（図６（ｂ））、次いで、エッチングによって多層反射層１５を掘り込み、多層反射層除去部４を形成し（図６（ｃ））、次いで、第２レジスト膜１８を剥膜洗浄したのち（（図７（ｄ））、さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１を順次積層することで、多層反射層除去部４にフィデューシャルマーク２０が形成され、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００´が完成する（図７（ｅ））。 A conventional fiducial mark forming method for an EUV mask will be described with reference to FIG.
FIG. 6A is a schematic cross-sectional view of a reflective mask blank in which a second resist film 18 is applied on the multilayer reflective layer 15. FIG. Next, a resist pattern for forming a fiducial mark is formed by photolithography or electron beam lithography (FIG. 6(b)). is formed (FIG. 6(c)), and then the second resist film 18 is stripped and washed ((FIG. 7(d)), followed by the protective layer 14, the absorption layer 13, the low reflection layer 12 and the resist film 11 are sequentially stacked to form a fiducial mark 20 in the multi-layer reflective layer-removed portion 4, completing a reflective mask blank 100' with a fiducial mark (FIG. 7(e)).

図６、図７に示したように、従来のフィデューシャルマークの作製方法は、フォトリソグラフィもしくは電子線リソグラフィを使用し、多層反射膜をエッチングする必要があり、さらに、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２などを成膜することになるため、欠陥の発生を極力回避することが必要であるにも関わらず、さらに欠陥を増やしてしまうという問題がある。 As shown in FIGS. 6 and 7, the conventional fiducial mark fabrication method uses photolithography or electron beam lithography, and requires etching of the multilayer reflective film. 13. Since the low-reflection layer 12 and the like are formed, there is a problem that defects are further increased although it is necessary to avoid the generation of defects as much as possible.

特開２０１０－０３４１２９号公報JP 2010-034129 A

そこで、本発明は上記のような従来の形成方法の問題点を解決しようとするものであり、フィデューシャルマークの形成に伴う欠陥を発生させることなく、多層反射層に形成された位相欠陥を回避してパターン形成可能な反射型マスクブランク、反射型マスクおよび反射型マスクの製造方法を提供することを課題とする。 Therefore, the present invention is intended to solve the problems of the conventional forming method as described above, and eliminates the phase defect formed in the multilayer reflective layer without causing the defect associated with the formation of the fiducial mark. It is an object of the present invention to provide a reflective mask blank, a reflective mask, and a method for manufacturing a reflective mask, which can be patterned in a avoidable manner.

上記の課題を解決する手段として、本発明の第１の態様は、基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、を有するフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクであって、
前記フィデューシャルマークが、前記多層反射層に形成された、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層とは光の反射率が異なる部位からなることを特徴とするフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。 As a means for solving the above problems, a first aspect of the present invention is an EUV reflective mask blank with a fiducial mark having at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer on a substrate,
The fiducial mark is formed on the multilayer reflective layer, has a size of 600 nm or less in a plan view, and is composed of a portion having a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer. It is a reflective mask blank for EUV with.

また、第２の態様は、前記部位の光の反射率は、多層反射層の光の反射率よりも低いことを特徴とする第１の態様に記載のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。 In a second aspect, the EUV reflective mask with a fiducial mark according to the first aspect, wherein the light reflectance of the portion is lower than the light reflectance of the multilayer reflective layer. is blank.

また、第３の態様は、基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクであって、
前記多層反射層に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、前記多層反射層とは光の反射率が異なる部位と、
前記吸収層に、前記吸収層を除去することにより前記多層反射層が露出した回路パターンと、を備えていることを特徴とするＥＵＶ用反射型マスクである。 A third aspect is an EUV reflective mask comprising, on a substrate, at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer in this order,
a portion of the multilayer reflective layer having a size of 600 nm or less in plan view and having a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer, which can be used as a fiducial mark;
The EUV reflective mask is characterized by comprising: a circuit pattern in which the multilayer reflective layer is exposed by removing the absorbent layer.

また、第４の態様は、前記反射率が前記多層反射層の反射率より低いことを特徴とする第３の態様に記載のＥＵＶ用反射型マスクである。 A fourth aspect is the EUV reflective mask according to the third aspect, wherein the reflectance is lower than the reflectance of the multilayer reflective layer.

また、第５の態様は、第３または第４の態様に記載のＥＵＶ用反射型マスクの構成に加えて、さらに前記吸収層にアライメントマークが備えられていることを特徴とするＥＵＶ
用反射型マスクである。 A fifth aspect of the EUV mask is characterized in that, in addition to the configuration of the EUV reflective mask according to the third or fourth aspect, the absorption layer is provided with an alignment mark.
It is a reflective mask for

また、第６の態様は、基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記フィデューシャルマークを使用して、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。 In a sixth aspect, the multilayer reflective layer of a reflective mask blank having at least a multilayer reflective layer on a substrate has a size of 600 nm or less in a plan view and a light reflectance of 600 nm or less in the multilayer reflective layer. forming different fiducial marks;
determining relative positions of defects formed in the multilayer reflective layer from the fiducial marks;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
using the fiducial mark to draw a circuit pattern by adjusting the pattern formation position so that the circuit pattern avoids the defect;
is provided in this order.

また、第７の態様は、基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記吸収膜にアライメントマークを形成する工程と、
前記フィデューシャルマークと前記アライメントマークの相対位置を把握する工程と、
前記アライメントマークと前記欠陥の相対位置を求める工程と、
前記アライメントマークを用い、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法である。 In a seventh aspect, the multilayer reflective layer of a reflective mask blank having at least a multilayer reflective layer on a substrate has a size of 600 nm or less in a plan view and a light reflectance of 600 nm or less in the multilayer reflective layer. forming different fiducial marks;
determining relative positions of defects formed in the multilayer reflective layer from the fiducial marks;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
forming an alignment mark on the absorbing film;
determining relative positions of the fiducial marks and the alignment marks;
determining relative positions of the alignment mark and the defect;
using the alignment mark to draw a circuit pattern by adjusting the pattern position so that the circuit pattern avoids the defect;
is provided in this order.

本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクによれば、従来のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクにおけるドライエッチング工程や薄膜形成工程などの発塵を伴う工程を必要とせずにフィデューシャルマークを形成することが可能であることから、より低欠陥のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクを提供することが可能である。 According to the EUV reflective mask blank with a fiducial mark of the present invention, there is no need for a process accompanied by dust generation such as a dry etching process or a thin film forming process in a conventional EUV reflective mask blank with a fiducial mark. Since fiducial marks can be formed on the substrate, it is possible to provide EUV reflective mask blanks with fiducial marks with less defects.

本発明のＥＵＶ用反射型マスクによれば、多層反射層中に形成されている位相欠陥を確実に回避して回路パターンを形成したＥＵＶ用反射型マスクを提供することができる。 According to the EUV reflective mask of the present invention, it is possible to provide an EUV reflective mask in which a circuit pattern is formed while reliably avoiding a phase defect formed in a multilayer reflective layer.

本発明のＥＵＶ用反射型マスクの製造方法によれば、本発明のＥＵＶ用反射型マスクを提供可能とすることができる。 According to the manufacturing method of the EUV reflective mask of the present invention, it is possible to provide the EUV reflective mask of the present invention.

本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクを例示する断面説明図。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an EUV reflective mask blank with a fiducial mark according to the present invention; 本発明の第１の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the EUV reflective mask according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第１の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。FIG. 4 is a cross-sectional view illustrating the method for manufacturing the EUV reflective mask according to the first embodiment of the present invention; 本発明の第２の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。FIG. 5 is a cross-sectional explanatory view illustrating a method for manufacturing an EUV reflective mask according to a second embodiment of the present invention; 本発明の第２の実施形態にかかるＥＵＶ用反射型マスクの製造方法を例示する断面説明図。FIG. 5 is a cross-sectional explanatory view illustrating a method for manufacturing an EUV reflective mask according to a second embodiment of the present invention; 従来のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクの製造方法を説明する断面説明図。FIG. 4 is a cross-sectional explanatory view for explaining a method for manufacturing a conventional reflective mask blank with fiducial marks. 従来のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクの製造方法を説明する断面説明図。FIG. 4 is a cross-sectional explanatory view for explaining a method for manufacturing a conventional reflective mask blank with fiducial marks.

反射型マスクブランクについて図１を参照して説明する。図１は、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００の一例の模式断面図である。このような反射型マスクの元となる反射型マスクブランクは、低熱膨張基板１６上に、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２、レジスト膜１１が順次積層された反射型マスクブランクである。また、低熱膨張基板１６の裏面には、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な裏面導電膜１７が成膜されている。反射型マスクブランクから反射型マスクへ加工する際には、ＥＢリソグラフィとエッチング技術とにより吸収層を部分的に除去することにより、吸収部と反射部とからなる回路パターンを形成する。このように作製された反射型マスクによって反射された光像が反射光学系を経て半導体基板上に転写される。 A reflective mask blank will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic cross-sectional view of an example of a reflective mask blank 100 with fiducial marks. A reflective mask blank, which is the basis of such a reflective mask, is a reflective mask in which a multilayer reflective layer 15, a protective layer 14, an absorbing layer 13, a low reflective layer 12, and a resist film 11 are sequentially laminated on a low thermal expansion substrate 16. is a mold mask blank. Also, on the back surface of the low thermal expansion substrate 16, a back surface conductive film 17 necessary for electrostatic chucking to the mask stage of the exposing machine is formed. When processing a reflective mask blank into a reflective mask, the absorption layer is partially removed by EB lithography and etching techniques to form a circuit pattern consisting of an absorption portion and a reflection portion. A light image reflected by the reflective mask manufactured in this manner is transferred onto the semiconductor substrate through the reflective optical system.

また、ＥＵＶマスクに用いられる多層反射層は、Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ所定の膜厚で交互に成膜されており、トータルで４０～５０ぺア（Ｓｉ層とＭｏ層で１ペアであるため、８０層から１００層程度に相当する。）から成る。ＳｉやＭｏは、ＥＵＶ光に対する吸収（消衰係数）が小さく、且つＳｉとＭｏのＥＵＶ光における屈折率差が大きい。従って、ＳｉとＭｏは互いの界面での反射率を高く出来るという利点から多用される。この多層構造により、ＥＵＶ光は例えば４０ペアからなる多層反射そうであれば４０回反射が可能である。各界面で反射したＥＵＶ光は、それぞれ位相が揃っており、その合算が多層反射層からのＥＵＶ反射率となり、ＥＵＶブランクメーカー各社から販売されているＥＵＶマスクブランクでは、概ね６２～６５％程度、あるいはそれ以上であり、理論値の約７０％に迫るレベルに達している。 In addition, the multilayer reflective layer used in the EUV mask is alternately deposited with a predetermined film thickness of Si (silicon) and Mo (molybdenum). Since it is one pair, it corresponds to about 80 to 100 layers.). Si and Mo have a small absorption (extinction coefficient) for EUV light, and a large difference in refractive index between Si and Mo for EUV light. Therefore, Si and Mo are often used because of the advantage that they can increase the reflectance at their interfaces. Due to this multi-layer structure, EUV light can be reflected 40 times, for example, 40 pairs of multi-layer reflections. The EUV light reflected at each interface has the same phase, and the sum is the EUV reflectance from the multilayer reflective layer. Or even more, reaching a level approaching about 70% of the theoretical value.

ＥＵＶマスクの反射率は、半導体チップ製造のスループット（生産能力）に直接効いてくるため、出来るだけ高いことが望まれるが、現在知られている材料とその組み合わせは、上述したＳｉとＭｏの多層反射層が最良とされている。反射率を生み出す本質的な能力は、ＳｉとＭｏの界面であり、界面がきっちりと形成されていることが重要である。そのため、ＳｉとＭｏを同一真空チャンバー内で、真空を破らずに交互に成膜する方法が使用されている。成膜法としては主としてスパッタリング法が使用されている。 Since the reflectance of the EUV mask directly affects the throughput (production capacity) of semiconductor chip manufacturing, it is desirable that it be as high as possible. A reflective layer is considered the best. The essential ability to produce reflectance is the interface between Si and Mo, and it is important that the interface is well formed. Therefore, a method is used in which Si and Mo are alternately deposited in the same vacuum chamber without breaking the vacuum. A sputtering method is mainly used as a film forming method.

＜フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク＞
次に、本発明の実施形態のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクについて図１を用いて説明する。 <Reflective mask blank with fiducial mark>
Next, a reflective mask blank with fiducial marks according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

本発明の実施形態のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００は、基板１６上に、少なくとも、多層反射層１５と、吸収層１３と、を有するフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型マスクブランクである。 A reflective mask blank 100 with fiducial marks according to an embodiment of the present invention is an EUV reflective mask blank with fiducial marks having at least a multilayer reflective layer 15 and an absorbing layer 13 on a substrate 16. be.

フィデューシャルマークとは、位相欠陥の正確な位置の把握と、それらの位相欠陥を正確に避けてパターン形成するために、ＥＵＶマスクなどの反射型マスクブランク上に形成される目印（基準マーク）である。このフィデューシャルマークがブランク欠陥検査機およびマスク描画機の基準パターンとなる。 A fiducial mark is a mark (reference mark) formed on a reflective mask blank such as an EUV mask in order to grasp the exact position of phase defects and form a pattern while avoiding those phase defects. is. This fiducial mark serves as a reference pattern for the blank defect inspection machine and the mask writer.

このフィデューシャルマークは、図１における周囲と異なる反射率の箇所１９であり、フィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００を平面視で観察した場合に観察することができる基準マークである。本発明のフィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射
型マスクブランクにおいては、このフィデューシャルマーク１９は、多層反射層１５の内部に形成されており、反射型マスクブランク１００を平面視した場合の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層１５とは光の反射率が異なることにより、観察可能な部位となっている。 This fiducial mark is a portion 19 having a reflectance different from that of the surroundings in FIG. 1, and is a reference mark that can be observed when the reflective mask blank 100 with the fiducial mark is observed in a plan view. In the EUV reflective mask blank with a fiducial mark of the present invention, the fiducial mark 19 is formed inside the multilayer reflective layer 15 and has a size of is 600 nm or less, and the reflectance of the light is different from that of the multilayer reflective layer 15, so that it is an observable portion.

フィデューシャルマーク１９の平面視した場合の大きさが６００ｎｍを超えると、マークとしては大型化しすぎて描画パターンを圧迫しかねないため好ましくない。 If the size of the fiducial mark 19 in a plan view exceeds 600 nm, the size of the mark becomes too large, which may put pressure on the drawing pattern, which is not preferable.

周囲と異なる反射率の箇所１９における光の反射率は、多層反射層１５の反射率より低い値であっても良い。 The reflectance of light at the location 19 having a reflectance different from that of the surroundings may be lower than the reflectance of the multilayer reflective layer 15 .

本発明のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク１００においては、基板１６の一方の面に、多層反射層１５と、保護層１４と、吸収層１３と、低反射層１２と、をこの順に備えた層構成としても良い。さらに低反射層１２の上にレジスト膜１１が備えらえた構成であっても良い。 In the fiducial mark-attached reflective mask blank 100 of the present invention, a multilayer reflective layer 15, a protective layer 14, an absorbing layer 13, and a low-reflecting layer 12 are provided in this order on one surface of a substrate 16. A layered structure may also be used. Furthermore, a configuration in which a resist film 11 is provided on the low reflection layer 12 may be used.

また、基板１６のもう一方の面に、裏面導電膜１７が形成された構成としても良い。裏面導電膜１７は、露光機のマスクステージに静電チャックするために必要な構成要素である。 Further, a configuration in which a back conductive film 17 is formed on the other surface of the substrate 16 may be employed. The back conductive film 17 is a component necessary for electrostatic chucking to the mask stage of the exposure machine.

（基板）
基板１６の材料には、＜±５ｐｐｂ／Ｋレベルの低い熱膨張係数が求められるほか、波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光を、反射型マスクに対して６°の入射角で入射するように露光装置の光学系が設計されている。そのため、マスク表面の凹凸に関しては、マスク全面における最高低差（Ｐ－Ｖ：Ｐｅａｋ ｔｏ Ｖａｌｌｅｙ）で＜３６ｎｍの平坦度が要求されている。このような厳しい仕様を満たすことができる材料として、酸化チタンをドープした石英ガラスを使用した基板が入手可能となっている。 (substrate)
The material of the substrate 16 is required to have a low coefficient of thermal expansion of <±5 ppb/K level. optical system is designed. Therefore, regarding the unevenness of the mask surface, a flatness of <36 nm in terms of the difference in peak to valley (PV) over the entire surface of the mask is required. Substrates using fused silica doped with titanium oxide are available as materials capable of meeting these stringent specifications.

（多層反射層）
多層反射層１５は、ＥＵＶ光を反射する層である。Ｓｉ（シリコン）とＭｏ（モリブデン）をそれぞれ約４．２ｎｍと約２．８ｎｍの膜厚で交互に成膜された多層膜となっており、トータルで４０～５０ペア（Ｓｉ層とＭｏ層で１ペアであるため、８０層から１００層程度に相当する。）から成る多層反射層が使用されている。ＥＵＶ反射率（ＥＵＶ光の波長における光反射率）は、概ね６２～６５％程度のものが入手可能となっている。 (multilayer reflective layer)
The multilayer reflective layer 15 is a layer that reflects EUV light. It is a multilayer film in which Si (silicon) and Mo (molybdenum) are alternately deposited to a thickness of about 4.2 nm and about 2.8 nm, respectively. Since it is one pair, it corresponds to about 80 to 100 layers.) is used. EUV reflectance (optical reflectance at the wavelength of EUV light) of approximately 62 to 65% is available.

（保護層）
保護層１４は、ＥＵＶ光の照射による多層反射層１５の劣化を抑制するために設けられる層である。保護層１４の材料としては、特に限定する必要は無いが、例えば、Ｒｕ（ルテニウム）やＲｕの化合物が使用可能である。膜厚を２～４ｎｍ程度とすることが好ましい。 (protective layer)
The protective layer 14 is a layer provided to suppress deterioration of the multilayer reflective layer 15 due to irradiation of EUV light. The material of the protective layer 14 is not particularly limited, but Ru (ruthenium) or a Ru compound can be used, for example. It is preferable to set the film thickness to about 2 to 4 nm.

（吸収層）
吸収層１３は、ＥＵＶ光を吸収することで、反射させない層である。多層反射層１５の高い反射率の領域と、吸収層１３の低い反射率の領域と、のコントラストにより、ＥＵＶ光をパターン反射させることにより、パターン形成を可能とするものである。
吸収層１３の材料としては、ＥＵＶ光の吸収率が高く、ＥＵＶ反射率が低い材料であり、またＥＵＶ光によって劣化し難い材料であれば特に限定する必要は無い。例えば、Ｔａ（タンタル）およびＴａの化合物が使用される。例えば、ＴａＮ、ＴａＢＮ、ＴａＳｉ、ＴａＧｅＮなどをあげることができる。また、吸収層１３のＥＵＶ反射率としては、＜０．５％程度であることが求められている。 (absorbent layer)
The absorption layer 13 is a layer that does not reflect EUV light by absorbing it. The contrast between the high reflectance region of the multilayer reflective layer 15 and the low reflectance region of the absorption layer 13 enables pattern formation by pattern-reflecting the EUV light.
The material of the absorption layer 13 is not particularly limited as long as the material has a high EUV light absorption rate and a low EUV reflectance and is not easily degraded by the EUV light. For example, Ta (tantalum) and Ta compounds are used. Examples include TaN, TaBN, TaSi and TaGeN. Further, the EUV reflectance of the absorption layer 13 is required to be <0.5%.

（低反射層）
低反射層１２は、吸収層１３の上に設けられ、パターン検査に使用するＤＵＶ（深紫外）光に対する低反射層である。低反射層１２の材料としては、ＥＵＶ反射率が吸収層１３より低く、ＥＵＶ光の照射により劣化し難い材料であれば特に限定する必要は無い。例えば、厚さ５ｎｍ～１２ｎｍ程度の吸収層１３のＴａ系材料の酸化窒化層が形成される。 (low reflection layer)
The low-reflection layer 12 is provided on the absorption layer 13 and is a low-reflection layer for DUV (deep ultraviolet) light used for pattern inspection. The material of the low-reflection layer 12 is not particularly limited as long as it has a lower EUV reflectance than the absorption layer 13 and is less likely to deteriorate due to irradiation with EUV light. For example, an oxynitride layer of a Ta-based material is formed as the absorption layer 13 with a thickness of about 5 nm to 12 nm.

（レジスト膜）
レジスト膜１１は、フォトマスクのエッチングマスクとして使用する感光性レジストや電子ビームレジストであれば使用可能であり、特に限定する必要は無い。 (resist film)
The resist film 11 may be a photosensitive resist used as an etching mask for a photomask or an electron beam resist, and is not particularly limited.

＜反射型マスクの製造方法＞
次に、本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法について図２～図５を用いて説明する。 <Method for manufacturing reflective mask>
Next, a method for manufacturing a reflective mask according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 to 5. FIG.

＜反射型マスクの製造方法にかかる第１の実施形態＞
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第１の実施形態について、図２～図３を用いて説明する。 <First Embodiment of Method for Manufacturing Reflective Mask>
A first embodiment of a method for manufacturing a reflective mask according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 2 and 3. FIG.

本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法は、基板１６上に少なくとも多層反射層１５を有する反射型マスクブランク１０－１の前記多層反射層１５中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層１５とは異なるフィデューシャルマーク１９を形成する工程と、前記多層反射層１５中に形成されている欠陥１の前記フィデューシャルマーク１９からの相対位置を把握する工程と、前記多層反射層１５上に少なくとも吸収層１３を成膜する工程と、前記フィデューシャルマーク１９を使用して、回路パターン３が前記欠陥１を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターン３を描画する工程と、をこの順に備えている。なお、図２～図３では基板１６の多層反射層１５が形成されている面とは反対側の面に、裏面導電膜１７が形成されている例を示している。裏面導電膜１７は静電チャックを行う場合に必要となるため、通常は形成されている。 In the method of manufacturing a reflective mask according to an embodiment of the present invention, a reflective mask blank 10-1 having at least a multilayer reflective layer 15 on a substrate 16 has a multi-layer reflective layer 15 with a size of 600 nm or less in plan view. , a step of forming a fiducial mark 19 having a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer 15, and determining the relative position of the defect 1 formed in the multilayer reflective layer 15 from the fiducial mark 19. and forming at least an absorbing layer 13 on the multilayer reflective layer 15, and using the fiducial marks 19 to adjust the pattern formation position such that the circuit pattern 3 avoids the defect 1. and drawing the circuit pattern 3 in this order. 2 and 3 show an example in which the back conductive film 17 is formed on the surface of the substrate 16 opposite to the surface on which the multilayer reflective layer 15 is formed. The back conductive film 17 is usually formed because it is necessary for electrostatic chucking.

（ステップ１：反射型マスクブランク１０－１（図２（ａ）参照）の多層反射層１５中に光の反射率が周囲の多層反射層１５の反射率とは異なる部位（フィデューシャルマーク）１９（図２（ｂ）参照）を形成する工程）
反射型マスクブランク１０－１の裏面からフェムト秒レーザーを、所定の位置に照射することによって、照射された部分のみの多層反射層１５でミキシング（原子が混ざり合う状況）を起こし、多層反射層１５の多層構造が乱されることで、周囲とは異なる反射率の箇所１９（図２（ｂ）参照）であるフィデューシャルマーク１９を形成する。フェムト秒レーザーを照射する装置としては、例えば、Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社製のＲｅｇＣ（Ｒｅｇｉｓｔｒａｔｉｏｎ Ｃｏｎｔｒｏｌ）（Ｃａｒｌ Ｚｅｉｓｓ社の登録商標）を使用することができる。 (Step 1: A portion (fiducial mark) in the multilayer reflective layer 15 of the reflective mask blank 10-1 (see FIG. 2(a)) where the reflectance of light differs from that of the surrounding multilayer reflective layer 15 19 (see FIG. 2(b)))
By irradiating a predetermined position with a femtosecond laser from the back surface of the reflective mask blank 10-1, mixing (a situation in which atoms are mixed) occurs in the multilayer reflective layer 15 only in the irradiated portion, and the multilayer reflective layer 15 is disturbed, a fiducial mark 19, which is a portion 19 (see FIG. 2(b)) having a reflectance different from that of the surroundings, is formed. As an apparatus for irradiating femtosecond laser, for example, RegC (Registration Control) manufactured by Carl Zeiss (registered trademark of Carl Zeiss) can be used.

（ステップ２：多層反射層１５中の欠陥１のフィデューシャルマーク１９からの相対的な位置（座標）を計測し、把握する工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置などの、微小な測定対象物の座標を計測可能な装置を使用し、前記のフィデューシャルマーク(光の反射率が周囲の多層反射層とは異なる部位)１９をアライメントマークとして欠陥検査を実施し、多層反射層１５中の欠陥１を検出し、その座標を計測し、記録することにより、反射型マスクブランク１０－１における欠陥１の座標をすべて把握する（図２（ｃ）参照）。 (Step 2: Step of measuring and grasping the relative position (coordinates) of the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 from the fiducial mark 19)
Next, using a device capable of measuring the coordinates of a minute object to be measured, such as a photomask inspection device manufactured by KLA Tencor, the above-mentioned fiducial mark (light reflectance is different from the surrounding multilayer reflective layer A defect inspection is performed using the different portion) 19 as an alignment mark, the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 is detected, and the coordinates thereof are measured and recorded to obtain the coordinates of the defect 1 in the reflective mask blank 10-1. Grasp everything (see FIG. 2(c)).

（ステップ３：多層反射層１５上に吸収層１３を成膜する工程）
次に、スパッタリング法により、最初に多層反射層１５上に、多層反射層１５を保護する保護層（キャッピング層とも言う。）を形成する。保護層の材料としては、例えばＲｕ（ルテニウム）を使用することができる。次に、スパッタリング法により、ＥＵＶ光の吸収層１３を形成する。吸収層１３の材料としては、例えばＴａ（タンタル）を使用することができる。図３（ｄ）においては、保護層を省略して示している。また、吸収層１３の上に、低反射層が形成されるが、図３（ｄ）においては低反射層も省略して示している。 (Step 3: Process of forming absorption layer 13 on multilayer reflective layer 15)
Next, a protective layer (also referred to as a capping layer) for protecting the multilayer reflective layer 15 is first formed on the multilayer reflective layer 15 by a sputtering method. Ru (ruthenium), for example, can be used as the material of the protective layer. Next, the EUV light absorbing layer 13 is formed by a sputtering method. Ta (tantalum), for example, can be used as the material of the absorption layer 13 . In FIG. 3D, the protective layer is omitted. A low-reflection layer is formed on the absorption layer 13, but the low-reflection layer is also omitted in FIG. 3(d).

（ステップ４：フィデューシャルマーク１９を使用して、回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターン３を描画する工程）
次に、まず吸収層１３の上に第２レジスト膜１８を形成する。第２レジスト膜１８の形成は、フォトマスクの製造工程で使用されているスピンコータなどの膜厚の均一性が良好な塗布装置を用いて感光性レジスト塗液を塗布し、乾燥することによって得ることができる。電子ビーム描画装置を使用して回路パターンを描画する場合には電子ビームレジスト塗液を使用すればよい。 (Step 4: Using the fiducial mark 19, the step of drawing the circuit pattern 3 by adjusting the pattern formation position so that the circuit pattern 3 avoids the defect 1)
Next, first, a second resist film 18 is formed on the absorption layer 13 . The formation of the second resist film 18 is obtained by applying a photosensitive resist coating liquid using a coating device such as a spin coater used in the manufacturing process of photomasks, which has good film thickness uniformity, and drying it. can be done. When drawing a circuit pattern using an electron beam drawing apparatus, an electron beam resist coating solution may be used.

このようにして形成した第２レジスト膜１８に対して、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビームマスク描画装置のような描画装置を用いて回路パターン３を描画し、現像することにより、第２レジスト膜１８をパターン化する。この際、フィデューシャルマーク１９に対する多層反射層１５中の欠陥１の座標がすべてわかっているため、多層反射層１５中の欠陥１が、平面視で吸収層１３に隠れるように、パターン形成位置をずらして回路パターン３を描画することができる。 The circuit pattern 3 is drawn on the second resist film 18 formed in this manner using, for example, a drawing device such as an electron beam mask drawing device manufactured by NuFlare Technology, Inc., and developed to form the second resist film 18 . The resist film 18 is patterned. At this time, since the coordinates of the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 with respect to the fiducial mark 19 are all known, the pattern formation position is set so that the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 is hidden by the absorption layer 13 in plan view. can be shifted to draw the circuit pattern 3 .

次に、パターン化された第２レジスト膜１８をエッチングマスクとして吸収層１３の不
要部をエッチング除去する（図３（ｅ）参照）。
エッチング除去には、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社製ＣＥＮＴＵＲＡ
（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標） ＴＥＴＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社商標）などのフォトマスク用のドライエッチング装置を使用することができる。またはＦＥＩ社製 ＮＢ(収束イオンビーム)装置などを使用しても良い。 Next, using the patterned second resist film 18 as an etching mask, unnecessary portions of the absorption layer 13 are removed by etching (see FIG. 3(e)).
For etching removal, for example, CENTURA manufactured by Applied Material
(Applied Material, Inc. registered trademark) A dry etching apparatus for photomasks such as TETRA (Applied Material, Inc. trademark) can be used. Alternatively, an NB (focused ion beam) device manufactured by FEI may be used.

次に、パターン化された第２レジスト膜１８を、レジスト膜の剥離液や酸素系プラズマを用いたアッシング処理を行うことにより除去することにより、回路パターン３が形成される（図３（ｆ）参照）。 Next, the circuit pattern 3 is formed by removing the patterned second resist film 18 by performing an ashing treatment using a resist film stripping solution or oxygen-based plasma (FIG. 3(f) reference).

以上により、本発明のＥＵＶ用反射型マスク２００－１を作製することができる。 As described above, the EUV reflective mask 200-1 of the present invention can be manufactured.

＜反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態＞
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態について、図４～図５を用いて説明する。
本発明の実施形態の反射型マスクの製造方法にかかる第２の実施形態は、ステップ１：基板１６上に少なくとも多層反射層１５を有する反射型マスクブランク１０－１の多層反射層１５中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が多層反射層１５とは異なるフィデューシャルマーク１９を形成する工程から、ステップ３：多層反射層１５上に少なくとも吸収層１３を成膜する工程までは第１の実施形態における工程、までは第１の実施形態と同様であるが、ステップ４以降の工程が、次のような工程となっている。すなわち、吸収層１３にアライメントマーク２を形成する工程と、フィデューシャルマーク１９とアライメントマーク２の相対位置を把握する工程と、アライメントマーク２と欠陥１の相対位置を求める工程と、アライメントマーク２を用い、回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン位置を調整して回路パターン３を描画する工程と、をこの順に備えている。なお、図４～図５では基板１６の多層反射層１５が形成されている面とは反対側の面に、裏面導電膜１７が形成されている例を示している。裏面導電膜１７は静電チャックを行う場合に必要となるため、通常は形成されている。 <Second Embodiment of Method for Manufacturing Reflective Mask>
A second embodiment of the method for manufacturing a reflective mask according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 4 and 5. FIG.
In the second embodiment of the reflective mask manufacturing method of the present invention, Step 1: In the multilayer reflective layer 15 of the reflective mask blank 10-1 having at least the multilayer reflective layer 15 on the substrate 16, Step 3: forming at least the absorption layer 13 on the multilayer reflective layer 15 from the step of forming the fiducial mark 19 having a size of 600 nm or less in plan view and having a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer 15; The steps up to the steps in the first embodiment are the same as in the first embodiment, but the steps after step 4 are as follows. That is, a step of forming the alignment mark 2 on the absorption layer 13, a step of grasping the relative position of the fiducial mark 19 and the alignment mark 2, a step of finding the relative position of the alignment mark 2 and the defect 1, and and a step of drawing the circuit pattern 3 by adjusting the pattern position so that the circuit pattern 3 avoids the defect 1 by using . 4 and 5 show an example in which the back conductive film 17 is formed on the surface of the substrate 16 opposite to the surface on which the multilayer reflective layer 15 is formed. The back conductive film 17 is usually formed because it is necessary for electrostatic chucking.

以下に、ステップ４以降について説明する。
（ステップ４：吸収層にアライメントマークを形成する工程）
フォトリソグラフィ法を用いて、吸収層１３（または、低反射層と吸収層１３）の一部をエッチング除去することによりアライメントマーク２を形成する（図４（ａ）参照）。具体的には、まず感光性レジスト層を吸収層１３の上に塗布・乾燥した後、アライメントマークを露光し、現像することにより感光性レジスト層のパターンを形成する。 Step 4 and subsequent steps will be described below.
(Step 4: Process of forming alignment marks on the absorption layer)
Alignment marks 2 are formed by etching away part of the absorption layer 13 (or the low reflection layer and the absorption layer 13) using photolithography (see FIG. 4A). Specifically, first, a photosensitive resist layer is coated on the absorption layer 13 and dried, and then the alignment marks are exposed and developed to form a pattern of the photosensitive resist layer.

次に、その感光性レジスト層のパターンをエッチングマスクとして吸収層１３（または、低反射層と吸収層１３）をドライエッチングした後、感光性レジスト層のパターンを除去することにより、アライメントマーク２を形成する。ドライエッチング工程には、例えば、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社製ＣＥＮＴＵＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標） ＴＥＴＲＡ（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌ社登録商標になる予定）などのフォトマスク用のドライエッチング装置を使用することができる。またはＦＥＩ社製 ＮＢ(収束イオンビーム)装置などを使用して、アライメントマーク２を形成することができる。 Next, using the pattern of the photosensitive resist layer as an etching mask, the absorption layer 13 (or the low-reflection layer and the absorption layer 13) is dry-etched, and then the pattern of the photosensitive resist layer is removed to form the alignment mark 2. Form. For the dry etching process, for example, a dry etching apparatus for photomasks such as CENTURA (registered trademark of Applied Material) TETRA (scheduled to be a registered trademark of Applied Material) manufactured by Applied Material can be used. Alternatively, the alignment mark 2 can be formed using an NB (Focused Ion Beam) device manufactured by FEI.

（ステップ５：フィデューシャルマーク１９とアライメントマーク２の相対位置を把握する検査工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置を使用し、ＳＴＥＰ１で作製した多層反射層１５中の周囲と異なる反射率の箇所（フィデューシャルマーク）１９と、ステップ４で作製した吸収層１３のアライメントマーク２を両方検出し、２つの相対座標を把握する（図４（ｂ）参照）。 (Step 5: inspection process for grasping the relative positions of the fiducial mark 19 and the alignment mark 2)
Next, using a photomask inspection system manufactured by KLA Tencor, a portion (fiducial mark) 19 having a reflectance different from that of the surroundings in the multilayer reflective layer 15 produced in STEP 1 and the absorbing layer 13 produced in step 4. are detected, and two relative coordinates are grasped (see FIG. 4(b)).

（ステップ６：アライメントマーク２と欠陥１の相対位置を把握する工程）
次に、ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製のフォトマスク検査装置を使用し、ステップ４で作製した吸収層１３のアライメントマーク２と多層反射層１５中の欠陥１の両方を検出し、２つの相対座標を把握する（図４（ｃ）参照）。その上で、ステップ５とステップ６より、ステップ１で作製した多層反射層１５中の周囲と異なる反射率の箇所（フィデューシャルマーク）１９と多層反射層１５中の欠陥１の相対座標を把握する。 (Step 6: Step of grasping the relative positions of the alignment mark 2 and the defect 1)
Next, using a photomask inspection system manufactured by KLA Tencor, both the alignment mark 2 of the absorbing layer 13 produced in step 4 and the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 are detected, and the two relative coordinates are grasped. (See FIG. 4(c)). Then, from step 5 and step 6, the relative coordinates of the location (fiducial mark) 19 having a reflectance different from that of the surroundings in the multilayer reflective layer 15 manufactured in step 1 and the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 are grasped. do.

（ステップ７：回路パターン３が欠陥１を避けるようにパターン位置を調整して回路パターン３を形成する工程）
次に、まずアライメントマーク２が形成された吸収層１３の上に第２レジスト膜１８を形成する。第２レジスト膜１８の形成は、フォトマスクの製造工程で使用されているスピンコータなどの膜厚の均一性が良好な塗布装置を用いて感光性レジスト塗液を塗布し、乾燥することによって得ることができる。電子ビーム描画装置を使用して回路パターンを描画する場合には電子ビームレジスト塗液を使用すればよい。 (Step 7: The process of forming the circuit pattern 3 by adjusting the pattern position so that the circuit pattern 3 avoids the defect 1)
Next, first, a second resist film 18 is formed on the absorption layer 13 on which the alignment marks 2 are formed. The formation of the second resist film 18 is obtained by applying a photosensitive resist coating liquid using a coating device such as a spin coater used in the manufacturing process of photomasks, which has good film thickness uniformity, and drying it. can be done. When drawing a circuit pattern using an electron beam drawing apparatus, an electron beam resist coating solution may be used.

このようにして形成した第２レジスト膜１８に対して、例えば、ニューフレアテクノロジー社製の電子ビームマスク描画装置のような描画装置を用いて回路パターン３を描画し、現像することにより、第２レジスト膜１８をパターン化する。 The circuit pattern 3 is drawn on the second resist film 18 formed in this manner using, for example, a drawing device such as an electron beam mask drawing device manufactured by NuFlare Technology, Inc., and developed to form the second resist film 18 . The resist film 18 is patterned.

次に、パターン化された第２レジスト膜１８をエッチングマスクとして吸収層１３の不要部をエッチング除去する（図５（ｄ）参照）。 Next, using the patterned second resist film 18 as an etching mask, unnecessary portions of the absorption layer 13 are removed by etching (see FIG. 5D).

次に、パターン化された第２レジスト膜１８を、レジスト膜の剥離液や酸素系プラズマを用いたアッシング処理を行うことにより除去することにより、回路パターン３が形成される（図５（ｅ）参照）。 Next, the circuit pattern 3 is formed by removing the patterned second resist film 18 by performing an ashing process using a resist film removing solution or oxygen-based plasma (FIG. 5E). reference).

多層反射層１５中の欠陥１の座標が正確にわかっているため、多層反射層１５中の欠陥１が、平面視で吸収層１３に隠れるように、パターン形成位置をずらして回路パターン３を描画する。 Since the coordinates of the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 are accurately known, the circuit pattern 3 is drawn by shifting the pattern formation position so that the defect 1 in the multilayer reflective layer 15 is hidden by the absorption layer 13 in plan view. do.

以上により、本発明の実施形態のＥＵＶ用反射型マスク２００－２を作製することができる。 As described above, the EUV reflective mask 200-2 of the embodiment of the present invention can be manufactured.

＜反射型マスク＞
次に、本発明の実施形態のＥＵＶ用反射型マスクについて、図３（ｆ）および図５（ｅ）を用いて説明する。 <Reflective mask>
Next, an EUV reflective mask according to an embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3(f) and 5(e).

＜本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第１の実施形態＞
図３（ｆ）に例示したように、本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第１の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－１は、基板１６上に、少なくとも、多層反射層１５と、吸収層１３と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクである。基板１６上の一方の面に、多層反射層１５と、保護層１４と、吸収層１３と、低反射層１２と、をこの順に備えた層構成であっても良い。さらに、基板１６上のもう一方の面に、静電チャックを可能とする裏面導電膜１７が備えられていても良い。 <First embodiment of the EUV reflective mask of the present invention>
As illustrated in FIG. 3( f ), the EUV reflective mask 200 - 1 in the first embodiment of the EUV reflective mask of the present invention has at least a multilayer reflective layer 15 on a substrate 16 , and an absorption layer 13 in this order. A layer structure may be employed in which a multilayer reflective layer 15, a protective layer 14, an absorbing layer 13, and a low reflective layer 12 are provided in this order on one surface of the substrate 16. FIG. Furthermore, the other surface of the substrate 16 may be provided with a back conductive film 17 that enables electrostatic chucking.

多層反射層１５には、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、多層反射層１５とは光の反射率が異なる部位１９を備えていることが特徴である。 The multilayer reflective layer 15 is characterized by having a portion 19 that has a size of 600 nm or less in a plan view and has a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer 15 and that can be used as a fiducial mark. .

＜本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第２の実施形態＞
図５（ｅ）に例示したように、本発明のＥＵＶ用反射型マスクにかかる第２の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－２は、第１の実施形態におけるＥＵＶ用反射型マスク２００－１の吸収層１３に、回路パターン３に加えて、アライメントマーク２を備えている。 <Second embodiment of the EUV reflective mask of the present invention>
As illustrated in FIG. 5E, the EUV reflective mask 200-2 in the second embodiment of the EUV reflective mask of the present invention is the same as the EUV reflective mask 200- in the first embodiment. In addition to the circuit pattern 3, the absorption layer 13 of 1 is provided with the alignment mark 2. - 特許庁

１・・・（多層反射層の）欠陥
２・・・アライメントマーク
３・・・回路パターン
４・・・多層反射層除去部
１０、１０－１・・・ＥＵＶ用反射型マスクブランク
１１・・・レジスト膜
１２・・・低反射層
１３・・・吸収層
１４・・・保護層（またはキャッピング層）
１５・・・多層反射層
１６・・・低熱膨張基板
１７・・・裏面導電膜
１８・・・第２レジスト膜
１９・・・多層反射層と異なる反射率の箇所（またはフィデューシャルマーク）
２０・・・フィデューシャルマーク
１００、１００´・・・フィデューシャルマーク付きＥＵＶ用反射型フォトマスクブラン
ク
２００－１、２００－２・・・ＥＵＶ用反射型フォトマスク Reference Signs List 1 Defect (of multilayer reflective layer) 2 Alignment mark 3 Circuit pattern 4 Multilayer reflective layer removed portion 10, 10-1 EUV reflective mask blank 11 Resist film 12... Low reflection layer 13... Absorption layer 14... Protective layer (or capping layer)
Reference Signs List 15 Multilayer reflective layer 16 Low thermal expansion substrate 17 Rear conductive film 18 Second resist film 19 Reflectance location (or fiducial mark) different from multilayer reflective layer
20 Fiducial marks 100, 100′ EUV reflective photomask blanks with fiducial marks 200-1, 200-2 EUV reflective photomasks

Claims (7)

基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、を有するフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランクであって、
前記フィデューシャルマークが、前記多層反射層に形成された、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、多層反射層とは光の反射率が異なる部位からなることを特徴とするフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク。 A reflective mask blank with fiducial marks having at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer on a substrate, comprising:
The fiducial mark is formed on the multilayer reflective layer, has a size of 600 nm or less in a plan view, and is composed of a portion having a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer. reflective mask blank. 前記部位の光の反射率は、多層反射層の光の反射率よりも低いことを特徴とする請求項1に記載のフィデューシャルマーク付き反射型マスクブランク。 2. The reflective mask blank with fiducial marks according to claim 1, wherein the light reflectance of the portion is lower than the light reflectance of the multilayer reflective layer. 基板上に、少なくとも、多層反射層と、吸収層と、をこの順に備えたＥＵＶ用反射型マスクであって、
前記多層反射層に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下であり、フィデューシャルマークとして使用可能な、前記多層反射層とは光の反射率が異なる部位と、
前記吸収層に、前記吸収層を除去することにより前記多層反射層が露出した回路パターンと、を備えていることを特徴とする反射型マスク。 An EUV reflective mask comprising, on a substrate, at least a multilayer reflective layer and an absorbing layer in this order,
a portion of the multilayer reflective layer having a size of 600 nm or less in plan view and having a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer, which can be used as a fiducial mark;
A reflective mask, comprising: a circuit pattern in which the multilayer reflective layer is exposed by removing the absorbing layer. 前記反射率が前記多層反射層の反射率より低いことを特徴とする請求項３に記載の反射型マスク。 4. A reflective mask according to claim 3, wherein said reflectance is lower than the reflectance of said multilayer reflective layer. 請求項３または４に記載の反射型マスクの構成に加えて、さらに前記吸収層にアライメントマークが備えられていることを特徴とする反射型マスク。 5. A reflective mask, further comprising an alignment mark on said absorbing layer, in addition to the structure of the reflective mask according to claim 3 or 4. 基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記フィデューシャルマークを使用して、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン形成位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法。 A fiducial mark having a size of 600 nm or less in plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer is formed in the multilayer reflective layer of a reflective mask blank having at least the multilayer reflective layer on a substrate. process and
determining relative positions of defects formed in the multilayer reflective layer from the fiducial marks;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
using the fiducial mark to draw a circuit pattern by adjusting the pattern formation position so that the circuit pattern avoids the defect;
A method of manufacturing a reflective mask, comprising: 基板上に少なくとも多層反射層を有する反射型マスクブランクの前記多層反射層中に、平面視の大きさが６００ｎｍ以下で、光の反射率が前記多層反射層とは異なるフィデューシャルマークを形成する工程と、
前記多層反射層中に形成されている欠陥の前記フィデューシャルマークからの相対位置を把握する工程と、
前記多層反射層上に少なくとも吸収層を成膜する工程と、
前記吸収膜にアライメントマークを形成する工程と、
前記フィデューシャルマークと前記アライメントマークの相対位置を把握する工程と、
前記アライメントマークと前記欠陥の相対位置を求める工程と、
前記アライメントマークを用い、回路パターンが前記欠陥を避けるようにパターン位置を調整して回路パターンを描画する工程と、
をこの順に備えていることを特徴とする反射型マスクの製造方法。 A fiducial mark having a size of 600 nm or less in plan view and a light reflectance different from that of the multilayer reflective layer is formed in the multilayer reflective layer of a reflective mask blank having at least the multilayer reflective layer on a substrate. process and
determining relative positions of defects formed in the multilayer reflective layer from the fiducial marks;
depositing at least an absorbing layer on the multilayer reflective layer;
forming an alignment mark on the absorbing film;
determining relative positions of the fiducial marks and the alignment marks;
determining relative positions of the alignment mark and the defect;
using the alignment mark to draw a circuit pattern by adjusting the pattern position so that the circuit pattern avoids the defect;
A method of manufacturing a reflective mask, comprising:

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