JP2022127248A - 誘導結合プラズマ励起用アンテナ、誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット及びプラズマ処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】誘導結合プラズマ励起用アンテナを用いてプラズマを励起する際、当該アンテナによる磁界の生成効率を向上させつつ、磁界強度の周方向均一性を向上させる。【解決手段】誘導結合プラズマ励起用アンテナであって、複数のコイルアセンブリと、前記複数のコイルアセンブリに接続され、中央開口部と、少なくとも１つのプレート端子とを有する導電性プレートと、を備える。【選択図】図３

Description

本開示は、誘導結合プラズマ励起用アンテナ、誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット及びプラズマ処理装置に関する。

特許文献１には、処理チャンバ内でプラズマを生成するためのアンテナが開示されている。アンテナは、中央コイルターンと外側コイルターンの２つの環状コイルターンを有する。中央コイルターンと外側コイルターンは、半径方向経路又は弧状経路に延びる複数の導体で接続される。中央コイルターンにはＲＦ源及びＲＦマッチネットワークを含むＲＦ生成システムが接続され、アンテナ接続によって中央コイルターンにＲＦ電力が供給される。外側コイルターンは、接地接続によって接地される。

特許文献２には、ＲＦプラズマ源電力をプラズマに誘導結合する誘導コイルアンテナが開示されている。誘導コイルアンテナは、共通のアンテナ中心から複数のラジアルアームによって接続された複数の巻線を有する。アンテナ中心は、インピーダンス整合回路を介してＲＦプラズマ源発電機によって駆動される。巻線の複数の外側端部は接地される。

米国特許第５９４４９０２号公報 米国特許第６４０１６５２号公報

本開示にかかる技術は、誘導結合プラズマ励起用アンテナを用いてプラズマを励起する際、当該アンテナによる磁界の生成効率を向上させつつ、磁界強度の周方向均一性を向上させる。

本開示の一態様は、誘導結合プラズマ励起用アンテナであって、複数のコイルアセンブリと、前記複数のコイルアセンブリに接続され、中央開口部と、少なくとも１つのプレート端子とを有する導電性プレートと、を備える。

本開示によれば、誘導結合プラズマ励起用アンテナを用いてプラズマを励起する際、当該アンテナによる磁界の生成効率を向上させつつ、磁界強度の周方向均一性を向上させることができる。

プラズマ処理システムの構成の概略を示す断面図である。 第１の実施形態にかかるアンテナユニットの構成の概略を示す下方から見た平面図である。 第１の実施形態にかかるアンテナユニットの構成の概略を示す断面図である。 第１の実施形態にかかるアンテナユニットの構成の概略を模式的に示す斜視図である。 第２の実施形態にかかるアンテナユニットの構成の概略を示す断面図である。 第２の実施形態にかかるアンテナユニットの構成の概略を模式的に示す斜視図である。 第２の実施形態にかかるサブアンテナの構成の概略を示す上方から見た斜視図である。 第２の実施形態にかかるサブアンテナの構成の概略を示す上方から見た斜視図である。 第２の実施形態にかかるサブアンテナの構成の概略を示す下方から見た斜視図である。 第２の実施形態の変形例にかかるサブアンテナの構成の概略を示す上方から見た斜視図である。 第２の実施形態において導電性プレートに流れる電流を示す説明図である。 第２の実施形態において導電性プレートに流れる電流を示す説明図である。 第２の実施形態において導電性プレートに流れる電流を示す説明図である。 第２の実施形態において導電性プレートに流れる電流を示す説明図である。 第２の実施形態の変形例にかかるサブアンテナの構成の概略を示す上方から見た斜視図である。 第３の実施形態にかかるアンテナユニットの構成の概略を模式的に示す斜視図である。 第４の実施形態にかかるアンテナユニットの構成の概略を模式的に示す斜視図である。

半導体デバイスの製造工程では、半導体基板に対してエッチングや成膜処理等のプラズマ処理が行われる。プラズマ処理では、処理ガスを励起させることによりプラズマを生成し、当該プラズマによって半導体基板を処理する。

プラズマ源の一つとして、例えば誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）を用いることができる。上述した特許文献１、２に開示のアンテナは、この誘導結合プラズマを励起するためのアンテナであって、複数のコイルを含む。

アンテナに接続されるＲＦ電源やインピーダンス整合回路は高価なものである。そこで従来、例えば特許文献１、２に開示されているように、ＲＦ電源やインピーダンス整合回路からのＲＦ電力の供給はアンテナ中心の１箇所とし、当該アンテナ中心から分岐線を介して複数のコイルに分岐させている。かかる場合、アンテナ中心の分岐部では、各コイルへの分岐線が近接するため、互いに誘導結合して電流配分比率の偏りが生じる。誘導結合は、例えばＲＦ電力の供給線と分岐線とが誘導結合する場合や、分岐線同士が誘導結合する場合が含まれる。そしてその結果、アンテナによって生成される磁界の強度の周方向均一性が悪化する。

また、アンテナ中心には、例えば処理ガスの通路である中央ガス注入部（ＣＧＩ：Ｃｅｎｔｅｒ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）等を挿通させるための開口部が形成される場合がある。かかる場合、アンテナ中心の開口部に磁力線が生じ、誘電起電力が発生するため、アンテナによる磁界の生成効率が低下する。

本開示にかかる技術は、誘導結合プラズマ励起用アンテナを用いてプラズマを励起する際、当該アンテナによる磁界の生成効率を向上させつつ、磁界強度の周方向均一性を向上させる。以下、本実施形態にかかるプラズマ処理装置及び誘導結合プラズマ励起用アンテナについて、図面を参照しながら説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する要素においては、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

＜プラズマ処理システムの構成＞
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、プラズマ処理システムの構成の概略を示す断面図である。本実施形態のプラズマ処理システムでは、誘導結合プラズマを用いて基板（ウェハ）Ｗにプラズマ処理を行う。なお、プラズマ処理対象の基板Ｗはウェハに限定されるものではない。

プラズマ処理システムは、誘導結合プラズマ処理装置１及び制御部２を含む。誘導結合プラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。プラズマ処理チャンバ１０は、誘電体窓１０１及び側壁１０２を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１、ガス導入部、アンテナユニット（誘導結合プラズマ励起用アンテナ）１４及び導体板１５を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。アンテナユニット１４は、後述する中央ガス注入部１３を囲むようにプラズマ処理チャンバ１０上又はその上方（すなわち誘電体窓１０１上又はその上方）に配置される。なお、アンテナユニット１４は、ＥＰＤ窓等のような他の中空部材を囲むように配置されてもよい。この場合、他の中空部材の一部又は全部は、石英のような絶縁材料で作製される。なお、絶縁材料は、石英以外のセラミック材料であってもよい。導体板１５は、アンテナユニット１４の上方に配置される。プラズマ処理チャンバ１０は、誘電体窓１０１、側壁１０２及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間からガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。

基板支持部１１は、本体部１１１及びリングアセンブリ１１２を含む。本体部１１１は、基板Ｗを支持するための中央領域（基板支持面）１１１ａと、リングアセンブリ１１２を支持するための環状領域（リング支持面）１１１ｂとを有する。本体部１１１の環状領域１１１ｂは、平面視で本体部１１１の中央領域１１１ａを囲んでいる。基板Ｗは、本体部１１１の中央領域１１１ａ上に配置され、リングアセンブリ１１２は、本体部１１１の中央領域１１１ａ上の基板Ｗを囲むように本体部１１１の環状領域１１１ｂ上に配置される。一実施形態において、本体部１１１は、基台及び静電チャックを含む。基台は、導電性部材を含む。基台の導電性部材は下部電極として機能する。静電チャックは、基台の上に配置される。静電チャックの上面は、基板支持面１１１ａを有する。リングアセンブリ１１２は、１又は複数の環状部材を含む。１又は複数の環状部材のうち少なくとも１つはエッジリングである。また、図示は省略するが、基板支持部１１は、静電チャック、リングアセンブリ１１２及び基板Ｗのうち少なくとも１つをターゲット温度に調節するように構成される温調モジュールを含んでもよい。温調モジュールは、ヒータ、伝熱媒体、流路、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。流路には、ブラインやガスのような伝熱流体が流れる。また、基板支持部１１は、基板Ｗの裏面と基板支持面１１１ａとの間に伝熱ガスを供給するように構成された伝熱ガス供給部を含んでもよい。

ガス導入部は、ガス供給部２０からの少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓ内に導入するように構成される。一実施形態において、ガス導入部は、中空部材である中央ガス注入部（ＣＧＩ：Ｃｅｎｔｅｒ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）１３を含む。一実施形態において、中央ガス注入部１３の一部又は全部は、石英のような絶縁材料で作製される。なお、絶縁材料は、石英以外のセラミック材料であってもよい。中央ガス注入部１３は、基板支持部１１の上方に配置され、誘電体窓１０１に形成された中央開口部に取り付けられる。中央ガス注入部１３は、少なくとも１つのガス供給口１３ａ、少なくとも１つのガス流路１３ｂ、及び少なくとも１つのガス導入口１３ｃを有する。ガス供給口１３ａに供給された処理ガスは、ガス流路１３ｂを通過してガス導入口１３ｃからプラズマ処理空間１０ｓ内に導入される。なお、ガス導入部は、中央ガス注入部１３に加えて又はその代わりに、側壁１０２に形成された１又は複数の開口部に取り付けられる１又は複数のサイドガス注入部（ＳＧＩ：Ｓｉｄｅ Ｇａｓ Ｉｎｊｅｃｔｏｒ）を含んでもよい。

ガス供給部２０は、少なくとも１つのガスソース２１及び少なくとも１つの流量制御器２２を含んでもよい。一実施形態において、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスを、それぞれに対応のガスソース２１からそれぞれに対応の流量制御器２２を介して中央ガス注入部１３に供給するように構成される。各流量制御器２２は、例えばマスフローコントローラ又は圧力制御式の流量制御器を含んでもよい。さらに、ガス供給部２０は、少なくとも１つの処理ガスの流量を変調又はパルス化する１又はそれ以上の流量変調デバイスを含んでもよい。

電源３０は、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ処理チャンバ１０に結合されるＲＦ電源３１を含む。ＲＦ電源３１は、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のような少なくとも１つのＲＦ信号（ＲＦ電力）を、基板支持部１１の導電性部材及びアンテナユニット１４に供給するように構成される。これにより、プラズマ処理空間１０ｓに供給された少なくとも１つの処理ガスからプラズマが形成される。従って、ＲＦ電源３１は、プラズマ処理チャンバ１０において１又はそれ以上の処理ガスからプラズマを生成するように構成されるプラズマ生成部の少なくとも一部として機能し得る。また、バイアスＲＦ信号を基板支持部１１の導電性部材に供給することにより、基板Ｗにバイアス電位が発生し、形成されたプラズマ中のイオンを基板Ｗに引き込むことができる。

一実施形態において、ＲＦ電源３１は、第１のＲＦ生成部３１ａ及び第２のＲＦ生成部３１ｂを含む。第１のＲＦ生成部３１ａは、アンテナユニット１４に結合され、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介してプラズマ生成用のソースＲＦ信号（ソースＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、ソースＲＦ信号は、１３ＭＨｚ～１５０ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第１のＲＦ生成部３１ａは、異なる周波数を有する複数のソースＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のソースＲＦ信号は、アンテナユニット１４に供給される。第２のＲＦ生成部３１ｂは、少なくとも１つのインピーダンス整合回路を介して基板支持部１１の導電性部材に結合され、バイアスＲＦ信号（バイアスＲＦ電力）を生成するように構成される。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、ソースＲＦ信号よりも低い周波数を有する。一実施形態において、バイアスＲＦ信号は、４００ｋＨｚ～１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数を有する。一実施形態において、第２のＲＦ生成部３１ｂは、異なる周波数を有する複数のバイアスＲＦ信号を生成するように構成されてもよい。生成された１又は複数のバイアスＲＦ信号は、基板支持部１１の導電性部材に供給される。また、種々の実施形態において、ソースＲＦ信号及びバイアスＲＦ信号のうち少なくとも１つがパルス化されてもよい。

また、電源３０は、プラズマ処理チャンバ１０に結合されるＤＣ電源３２を含んでもよい。ＤＣ電源３２は、バイアスＤＣ生成部３２ａを含む。一実施形態において、バイアスＤＣ生成部３２ａは、基板支持部１１の導電性部材に接続され、バイアスＤＣ信号を生成するように構成される。生成されたバイアスＤＣ信号は、基板支持部１１の導電性部材に印加される。一実施形態において、バイアスＤＣ信号が、静電チャック内の電極のような他の電極に印加されてもよい。種々の実施形態において、バイアスＤＣ信号は、パルス化されてもよい。なお、バイアスＤＣ生成部３２ａは、ＲＦ電源３１に加えて設けられてもよく、第２のＲＦ生成部３１ｂに代えて設けられてもよい。

排気システム４０は、例えばプラズマ処理チャンバ１０の底部に設けられたガス排出口１０ｅに接続され得る。排気システム４０は、圧力調整弁及び真空ポンプを含んでもよい。圧力調整弁によって、プラズマ処理空間１０ｓ内の圧力が調整される。真空ポンプは、ターボ分子ポンプ、ドライポンプ又はこれらの組み合わせを含んでもよい。

制御部２は、本開示において述べられる種々の工程をプラズマ処理装置１に実行させるコンピュータ実行可能な命令を処理する。制御部２は、ここで述べられる種々の工程を実行するようにプラズマ処理装置１の各要素を制御するように構成され得る。一実施形態において、制御部２の一部又は全てがプラズマ処理装置１に含まれてもよい。制御部２は、例えばコンピュータ２ａを含んでもよい。コンピュータ２ａは、例えば、処理部（ＣＰＵ：Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）２ａ１、記憶部２ａ２、及び通信インターフェース２ａ３を含んでもよい。処理部２ａ１は、記憶部２ａ２に格納されたプログラムに基づいて種々の制御動作を行うように構成され得る。記憶部２ａ２は、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ Ｄｉｓｋ Ｄｒｉｖｅ）、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｄｒｉｖｅ）、又はこれらの組み合わせを含んでもよい。通信インターフェース２ａ３は、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の通信回線を介してプラズマ処理装置１との間で通信してもよい。

＜第１の実施形態＞
次に、第１の実施形態にかかるアンテナユニット１４の構成例について説明する。図２は、アンテナユニット１４の構成の概略を示す下方から見た平面図である。図３は、アンテナユニット１４の構成の概略を示す断面図である。図４は、アンテナユニット１４の構成の概略を模式的に示す斜視図である。

アンテナユニット１４は、少なくとも１つのアンテナを含む。本実施形態においては、アンテナユニット１４は、複数のコイルアセンブリ２００、内側導電性プレート２１０、外側導電性プレート２２０及び導電性円筒（導電性中空部材）２３０を有するアンテナを含む。

なお、図示の例では、４つのコイルアセンブリ２００が示されているが、コイルアセンブリ２００の数は特に限定されるものではない。複数のコイルアセンブリ２００は、誘電体窓１０１の上方に配置される。また、複数のコイルアセンブリ２００は、内側導電性プレート２１０の中心に対して軸対称に配置される。

各コイルアセンブリ２００は、コイルセグメント２０１と鉛直コイルセグメント２０２、２０３を有する。コイルセグメント２０１は、水平方向に延伸するか、又は、水平方向に対して斜めに延伸し、コイルアセンブリ２００の底部に配置される。なお、コイルセグメント２０１は、プラズマ処理空間１０ｓに対向する方向に延伸するプラズマ対向セグメントとも呼ばれる。一の鉛直コイルセグメント２０２は、コイルセグメント２０１から上方に延伸し、コイル端子２００ａを介して内側導電性プレート２１０の下面に接続される。なお、一の鉛直コイルセグメント２０２は、内側導電性プレート２１０の上面に接続されてもよい。他の鉛直コイルセグメント２０３は、コイルセグメント２０１から上方に延伸し、コイル端子２００ｂを介して外側導電性プレート２２０の下面に接続される。なお、他の鉛直コイルセグメント２０３は、外側導電性プレート２２０の上面に接続されてもよい。すなわち、コイルアセンブリ２００は、内側導電性プレート２１０と外側導電性プレート２２０を接続する。

内側導電性プレート２１０は、複数のコイルアセンブリ２００の上方、すなわちプラズマが生成されるプラズマ処理空間１０ｓから離れて配置され、且つ、導体板１５に近接して配置される。また、内側導電性プレート２１０は、略円筒状の中央ガス注入部１３を囲むように中央ガス注入部１３の周囲に配置される。内側導電性プレート２１０は平面視において略円形状を有し、中央開口部２１１が形成される。なお、内側導電性プレート２１０の形状は特に限定されるものではなく、例えば矩形状であってもよい。中央開口部２１１の内側には中央ガス注入部１３が挿通する。内側導電性プレート２１０の上面には中央プレート端子２１０ａが設けられる。なお、中央プレート端子２１０ａは、内側導電性プレート２１０の下面に設けられてもよい。中央プレート端子２１０ａは、電源３０の第１のＲＦ生成部３１ａに接続され、すなわちＲＦ電位に接続される。なお、中央プレート端子２１０ａは、ＲＦ電位に直接接続されてもよいし、コンデンサやコイル等の電気素子を介してＲＦ電位に接続されてもよい。すなわち、中央プレート端子２１０ａは、ＲＦ電位に直接的に又は間接的に接続される。

外側導電性プレート２２０は、内側導電性プレート２１０を囲むように内側導電性プレート２１０の周囲に配置される。外側導電性プレート２２０は平面視において環状形状を有する。外側導電性プレート２２０の上面には外側プレート端子２２０ａが設けられる。なお、外側プレート端子２２０ａは、外側導電性プレート２２０の下面に設けられてもよい。外側プレート端子２２０ａは、コンデンサ２２１を介してグランドに接続され、すなわちグランド電位に接続される。コンデンサ２２１は、可変容量コンデンサであってもよい。なお、外側プレート端子２２０ａは、グランド電位に直接接続されてもよいし、コイル等の他の電気素子を介してグランド電位に接続されてもよい。すなわち、外側プレート端子２２０ａは、グランド電位に直接的に又は間接的に接続される。なお、外側プレート端子２２０ａとコンデンサ２２１はそれぞれ、複数設けられていてもよい。また、コンデンサ２２１は本第１の実施形態に限定されず、固定の容量を有するコンデンサであってもよいし、可変容量コンデンサ及び／又は固定容量コンデンサを含む複数のコンデンサを含んでもよい。なお、外側プレート端子２２０ａは、他のアンテナセグメントに接続されてもよい。

導電性円筒２３０は、中央開口部２１１の内側において中央ガス注入部１３を囲むように中央ガス注入部１３の周囲に配置される。導電性円筒２３０は、中央開口部２１１から誘電体窓１０１上又はその上方まで下方に延伸する。導電性円筒２３０は、内側導電性プレート２１０に接続されてもよいし、内側導電性プレート２１０と接続されない、すなわち内側導電性プレート２１０から離れていてもよい。また、導電性円筒２３０は、中央ガス注入部１３の一部であってもよい。

［アンテナの作用］
以上のように構成されたアンテナユニット１４では、電源３０の第１のＲＦ生成部３１ａから供給されたＲＦ電力が、中央プレート端子２１０ａを介して内側導電性プレート２１０に供給される。これにより、電流が内側導電性プレート２１０から複数のコイルアセンブリ２００に分岐して流れる。この電流によって、鉛直軸方向に磁界が発生し、発生した磁界により、プラズマ処理チャンバ１０内に誘導電界が発生する。プラズマ処理チャンバ１０内に発生した誘導電界により、中央ガス注入部１３からプラズマ処理チャンバ１０内に供給された処理ガスがプラズマ化する。そして、プラズマに含まれるイオンや活性種によって、中央領域１１１ａ上の基板Ｗに対して、エッチングや成膜処理等のプラズマ処理が施される。

［アンテナの効果１］
ここで従来、上述したようにアンテナ中心から分岐線を介して複数のコイルに分岐させる場合、磁力線がコイルの間を自由に通過するため、誘電起電力が発生し、アンテナによる磁界の生成効率が低下する。この点、本第１の実施形態のアンテナユニット１４によれば、板状の内側導電性プレート２１０が磁力線を通過させないため、余分な磁力線の回り込みを抑制することができる。すなわち、内側導電性プレート２１０をコイルとして機能させないようにできる。したがって、磁界の生成効率を向上させることができる。

内側導電性プレート２１０は、導体板１５に近接して配置される。例えば、内側導電性プレート２１０と導体板１５との間の距離は、中央開口部２１１の直径より小さい。このため、磁力線の回り込みをさらに抑制することができる。

中央開口部２１１において内側導電性プレート２１０の内端部と中央ガス注入部１３との隙間は、磁力線の回り込みを抑制する観点から小さい方が好ましく、本第１の実施形態では２０ｍｍ以内である。この２０ｍｍは、通常必要とされるコイルの耐圧、例えば２０ｋＶを確保するために必要な距離である。
また、内側導電性プレート２１０と外側導電性プレート２２０の隙間も、磁力線の回り込みを抑制する観点から小さい方が好ましい。

中央開口部２１１には導電性円筒２３０が設けられているので、中央開口部２１１の隙間を小さくすることができ、磁力線の回り込みをさらに抑制することができる。

［アンテナの効果２］
ここで従来、上述したようにアンテナ中心から分岐線を介して複数のコイルに分岐させる場合、アンテナ中心の分岐部では分岐線が近接するため、互いに誘導結合して電流配分比率の偏りが生じ、その結果、アンテナによって生成される磁界の強度の周方向均一性が悪化する。この点、本第１の実施形態のアンテナユニット１４によれば、電流の分岐部が板状の内側導電性プレート２１０であるため、上記のような誘導結合が生じず、各コイルアセンブリ２００への電流配分比率に偏りが生じない。したがって、磁界強度の周方向均一性を向上させることができる

複数のコイルアセンブリ２００は、内側導電性プレート２１０の中心に対して軸対称に配置される。かかる場合、コイルアセンブリ２００への電流配分比率の偏りをさらに抑制することができる。

＜第２の実施形態＞
次に、第２の実施形態にかかるアンテナユニット１４の構成例について説明する。図５は、アンテナユニット１４の構成の概略を示す断面図である。図６は、アンテナユニット１４の構成の概略を模式的に示す斜視図である。

アンテナユニット１４は、少なくとも１つのアンテナを含む。一実施形態において、アンテナユニット１４は、メインアンテナとサブアンテナ３１０とを含む。メインアンテナは、少なくとも１つのメインコイルを含む。図５、６の例では、メインアンテナは、１つのメインコイル３００を含む。メインコイル３００とサブアンテナ３１０はそれぞれ、誘電体窓１０１の上方に配置される。なお、サブアンテナ３１０は、誘電体窓１０１から離れていることに限定されない。例えばサブアンテナ３１０は、誘電体窓１０１の上面に接していてもよい。

サブアンテナ３１０は、略円筒状の中央ガス注入部１３を囲むように中央ガス注入部１３の周囲に設けられ、且つ、メインコイル３００の径方向内側に設けられる。すなわち、サブアンテナ３１０は、中央ガス注入部１３とメインコイル３００との間に配置される。メインコイル３００は、中央ガス注入部１３及びメインコイル３００を囲むように中央ガス注入部１３及びメインコイル３００の周囲に設けられる。メインコイル３００の外形とサブアンテナ３１０の外形はそれぞれ、平面視において略円形に形成される。そして、メインコイル３００とサブアンテナ３１０は、それぞれの外形が同心円となるように配置される。

メインコイル３００は、２周以上、略円形の渦巻き状に形成され、メインコイル３００の外形の中心軸が鉛直軸に一致するように配置される。また、メインコイル３００は、水平方向に延伸する、又は、水平方向に対して斜めに延伸する平面コイルである。

メインコイル３００を構成する線路の両端は開放されている。また、メインコイル３００を構成する線路の中点又は当該中点の近傍には、給電端子３００ａが設けられる。給電端子３００ａは、電源３０の第１のＲＦ生成部３１ａが接続され、すなわちＲＦ電位に接続される。また、メインコイル３００を構成する線路の中点の近傍には、接地端子３００ｂが設けられる。接地端子３００ｂはグランドに接続され、すなわちグランド電位に接続される。メインコイル３００は、第１のＲＦ生成部３１ａから供給されたＲＦ電力の波長λに対し、λ／２で共振するように構成されている。メインコイル３００を構成する線路に発生する電圧は、線路の中点付近で最小となり、線路の両端で最大となるように分布する。また、メインコイル３００を構成する線路に発生する電流は、線路の中点付近で最大となり、線路の両端で最小となるように分布する。メインコイル３００にＲＦ電力を供給する第１のＲＦ生成部３１ａは、周波数および電力の変更が可能である。

図７及び図８はそれぞれ、サブアンテナ３１０の構成の概略を示す上方から見た斜視図である。図９は、サブアンテナ３１０の構成の概略を示す下方から見た斜視図である。

サブアンテナ３１０は、第１のコイルアセンブリ３２０、第２のコイルアセンブリ３３０、接続部材３４０～３４３、導電性プレート３５０及び導電性円筒３６０を有する。

第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０はそれぞれ、螺旋構造を有する。第１のコイルアセンブリ３２０は、１以上のターンを有し、第２のコイルアセンブリ３３０は、１以上のターンを有する。第１のコイルアセンブリ３２０の各ターンと第２のコイルアセンブリ３３０の各ターンは、側面視において鉛直方向に交互に配置されている。第１のコイルアセンブリ３２０の外形の中心軸と第２のコイルアセンブリ３３０の外形の中心軸はそれぞれ鉛直軸に一致し、第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０は同軸上に配置されている。第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０はそれぞれ、平面視において略円形に形成されている。また、第１のコイルアセンブリ３２０の各ターンの径は同じであり、第２のコイルアセンブリ３３０の各ターンの径は同じである。このようにサブアンテナ３１０は、略円筒形の２重螺旋構造を有している。

なお、図示の例においては第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０のターン数（巻き数）は１．５ターンであるが、これに限定されず、１以上の任意のターン数に設定できる。例えば、第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０のターン数は、２ターン以上であってもよい。

第１のコイルアセンブリ３２０は、第１のコイルセグメント３２１と第１の螺旋状コイルセグメント３２２を有する。第１のコイルセグメント３２１は、水平方向に延伸するか、又は、水平方向に対して斜めに延伸し、第１のコイルアセンブリ３２０の底部に配置される。第１の螺旋状コイルセグメント３２２は、第１のコイルセグメント３２１から鉛直方向に螺旋状に設けられる。第１のコイルアセンブリ３２０の上端部（第１の螺旋状コイルセグメント３２２の端部）には第１の上側コイル端子３２０ａが設けられ、第１のコイルアセンブリ３２０の下端部（第１のコイルセグメント３２１の端部）には第１の下側コイル端子３２０ｂが設けられる。

第２のコイルアセンブリ３３０は、第２のコイルセグメント３３１と第２の螺旋状コイルセグメント３３２を有する。第２のコイルセグメント３３１は、水平方向に延伸するか、又は、水平方向に対して斜めに延伸し、第２のコイルアセンブリ３３０の底部に配置される。第２の螺旋状コイルセグメント３３２は、第２のコイルセグメント３３１から鉛直方向に螺旋状に設けられる。第２のコイルアセンブリ３３０の上端部（第２の螺旋状コイルセグメント３３２の端部）には第２の上側コイル端子３３０ａが設けられ、第１のコイルアセンブリ３２０の下端部（第１のコイルセグメント３２１の端部）には第２の下側コイル端子３３０ｂが設けられる。

第１の上側コイル端子３２０ａと第２の上側コイル端子３３０ａはサブアンテナ３１０の中心に対して対称位置、すなわち隣接する上側コイル端子の中心角が約１８０度の位置に配置されている。また、第１の上側コイル端子３２０ａと第２の上側コイル端子３３０ａは、後述するプレート端子３５０ａに対しても軸対称に配置される。すなわち、第１の上側コイル端子３２０ａとプレート端子３５０ａの距離と、第２の上側コイル端子３３０ａとプレート端子３５０ａの距離は同じである。第１の下側コイル端子３２０ｂと第２の下側コイル端子３３０ｂもサブアンテナ３１０の中心に対して対称位置、すなわち隣接する下側コイル端子の中心角が約１８０度の位置に配置されている。

第１の上側コイル端子３２０ａは、接続部材３４０を介して導電性プレート３５０の下面に接続される。第２の上側コイル端子３３０ａも、接続部材３４１を介して導電性プレート３５０の下面に接続される。なお、第１の上側コイル端子３２０ａ及び第２の上側コイル端子３３０ａは、導電性プレート３５０の上面に接続されてもよい。

第１の下側コイル端子３２０ｂは、接続部材３４２を介してグランドに接続され、すなわちグランド電位に接続される。第２の下側コイル端子３３０ｂは、接続部材３４３を介してグランドに接続され、すなわちグランド電位に接続される。このようにサブアンテナ３１０は電源３０に接続されておらず、したがって、当該サブアンテナ３１０にはＲＦ電力が直接供給されない。

なお、平面視における第１の上側コイル端子３２０ａ及び第２の上側コイル端子３３０ａと、第１の下側コイル端子３２０ｂ及び第２の下側コイル端子３３０ｂとの配置は特に限定されない。但し、第１の上側コイル端子３２０ａ及び第２の上側コイル端子３３０ａと、第１の下側コイル端子３２０ｂ及び第２の下側コイル端子３３０ｂとの間では電圧差が大きいため、実用上は、ある程度の間隔を維持するのが好ましい。

導電性プレート３５０は、第１のコイルアセンブリ３２０及び第２のコイルアセンブリ３３０の上方、すなわちプラズマが生成されるプラズマ処理空間１０ｓから離れて配置され、且つ、導体板１５に近接して配置される。また、導電性プレート３５０は、略円筒状の中央ガス注入部１３を囲むように中央ガス注入部１３の周囲に配置される。導電性プレート３５０は平面視において略円形状を有し、中央開口部３５１が形成される。なお、導電性プレート３５０の形状は特に限定されるものではなく、例えば矩形状であってもよい。中央開口部３５１の内側には中央ガス注入部１３が挿通する。導電性プレート３５０の上面にはプレート端子３５０ａが設けられる。なお、プレート端子３５０ａは、導電性プレート３５０の下面に設けられてもよい。プレート端子３５０ａは、コンデンサ３５２を介してグランドに接続され、すなわちグランド電位に接続される。なお、プレート端子３５０ａは、グランド電位に直接接続されてもよいし、コイル等の他の電気素子を介してグランド電位に接続されてもよい。すなわち、プレート端子３５０ａは、グランド電位に直接的に又は間接的に接続される。コンデンサ３５２は、可変容量コンデンサを含む。なお、コンデンサ３５２は本第２の実施形態に限定されず、固定の容量を有するコンデンサであってもよいし、可変容量コンデンサ及び／又は固定容量コンデンサを含む複数のコンデンサを含んでもよい。なお、上記の実施形態では、プレート端子３５０ａ及び下側コイル端子３２０ｂ、３３０ｂは、コンデンサ３５２を介してグランド電位に接続されている。一方で、プレート端子３５０ａ及び下側コイル端子３２０ｂ、３３０ｂは、他の導電性プレートを介してグランド電位に接続されてもよい。この場合においても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

導電性円筒３６０は、上記第１の実施形態の導電性円筒２３０と同様の構成を有する。すなわち、導電性円筒３６０は、中央開口部３５１の内側において中央ガス注入部１３を囲むように中央ガス注入部１３の周囲に配置される。導電性円筒３６０は、中央開口部３５１から誘電体窓１０１上又はその上方まで下方に延伸する。導電性円筒３６０は、導電性プレート３５０に接続して設けられてもよいし、導電性プレート３５０と接続されずに独立して設けられてもよい。

サブアンテナ３１０はメインコイル３００と誘導結合し、サブアンテナ３１０には、メインコイル３００に流れる電流によって発生した磁界を打ち消す向きの電流が流れる。コンデンサ３５２の容量を制御することによって、メインコイル３００に流れる電流に対してサブアンテナ３１０に流れる電流の向きや大きさを制御することができる。

［アンテナの作用］
以上のように構成されたアンテナユニット１４では、メインコイル３００に流れる電流と、サブアンテナ３１０に流れる電流とによって、鉛直軸方向に磁界が発生し、発生した磁界により、プラズマ処理チャンバ１０内に誘導電界が発生する。プラズマ処理チャンバ１０内に発生した誘導電界により、中央ガス注入部１３からプラズマ処理チャンバ１０内に供給された処理ガスがプラズマ化する。そして、プラズマに含まれるイオンや活性種によって、中央領域１１１ａ上の基板Ｗに対して、エッチングや成膜処理等のプラズマ処理が施される。

［アンテナの効果］
ここで、比較例において、サブアンテナ３１０の構成において導電性プレート３５０が設けられず、接続部材３４０、３４１が連結され、コンデンサ３５２を介してグランドに接続される場合、従来のアンテナと同様の課題が生じる。すなわち、比較例においては、第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０への電流配分比率の偏りが生じ、その結果、磁界強度の周方向均一性が悪化する。この点、本第２の実施形態のアンテナユニット１４によれば、電流の分岐部が板状の導電性プレート３５０であるため、上記のような誘導結合が生じず、各第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０への電流配分比率に偏りが生じない。したがって、磁界強度の周方向均一性を向上させることができる。

また、比較例においては、磁力線が第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０の間を自由に通過するため、誘電起電力が発生し、磁界の生成効率が低下する。この点、本第２の実施形態のアンテナユニット１４によれば、板状の導電性プレート３５０が磁力線を通過させないため、余分な磁力線の回り込みを抑制することができる。その結果、磁界の生成効率を向上させることができる。なお、第２の実施形態では、比較例より磁界の生成効率を向上させることができるものの、導電性プレート３５０の中央開口部３５１が形成されているため、その磁界の生成効率の向上効果は小さい場合がある。この点、後述の変形例のように導電性プレート３５０にスリット３７０を設けることで、磁界の生成効率の向上効果を大きくすることができる。

＜第２の実施形態の変形例＞
図１０に示すように、本第２の実施形態のサブアンテナ３１０において、導電性プレート３５０には、中央開口部２１１から導電性プレート３５０の外端部（外周縁部）まで径方向に延伸するスリット３７０が形成されてもよい。スリット３７０は導電性プレート３５０を分離するように形成され、後述するようにスリット３７０によって導電性プレート３５０における電流が変化する。

本発明者らが鋭意検討したところ、このようにスリット３７０を形成すると、スリット３７０を形成しない場合に比べて、磁界強度の周方向均一性が若干低くなるものの、磁界の生成効率を向上させることができることが分かった。また、導電性プレート３５０におけるスリット３７０の位置によって、磁界強度の周方向均一性と磁界の生成効率に変動があることが分かった。

図１１Ａ～図１１Ｄを用いて、このような磁界強度の周方向均一性と磁界の生成効率の変動について説明する。図１１Ａ～図１１Ｄは、導電性プレート３５０におけるスリット３７０の有無及び位置に応じた電流を示す説明図である。なお、以下では、磁界強度の周方向均一性は偏りＢとして説明する。偏りＢは、１周（３６０度）の磁界分布において、磁界の平均値に対する、最大値と最小値の差分の割合を示す。また、磁界の生成効率は効率Ｅとして説明する。効率Ｅは、サブアンテナ３１０がプラズマ中に生成する磁界の単位長さ辺りの強さを示す。

［パターン１］
パターン１は、図１１Ａに示すように導電性プレート３５０にスリット３７０が形成されないパターンである。パターン１では、第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０に流れる電流Ｐに対して、導電性プレート３５０に誘導電流Ｑ１が流れる。かかる場合、偏りＢ１は小さく抑えることができる。しかしながら、電流Ｐに対して誘導電流Ｑ１が打ち消すように流れるので、効率Ｅ１が小さくなる。

［パターン２］
パターン２は、図１１Ｂに示すように平面視において、スリット３７０が第１の上側コイル端子３２０ａと第２の上側コイル端子３３０ａの間に形成され、且つ、プレート端子３５０ａの反対側に形成されるパターンである。かかる場合、スリット３７０が形成されていることにより、誘導電流Ｑ２は導電性プレート３５０を周回せず、パターン１の誘導電流Ｑ１に比べて小さくなる。このため、パターン１の効率Ｅ１より、パターン２の効率Ｅ２は大きくなる。但し、パターン２の偏りＢ２は、パターン１の偏りＢ１より大きくなる。

［パターン３］
パターン３は、図１１Ｃに示すように平面視において、スリット３７０がプレート端子３５０ａの近傍に形成されるパターンである。かかる場合、すべての誘導電流Ｑ３が電流Ｐと同じ向きになるため、効率Ｅ３は大きくなる。但し、パターン３の偏りＢ３は、パターン２の偏りＢ２よりさらに大きくなる。

［パターン４］
パターン４は、図１１Ｄに示すように平面視において、スリット３７０がプレート端子３５０ａと第１の上側コイル端子３２０ａの間に形成されるパターンである。かかる場合、すべての誘導電流Ｑ４が電流Ｐと反対向きになるため、効率Ｅ４は小さくなる。しかし、パターン４の偏りＢ４は小さく抑えることができる。

以上の結果をまとめると、偏りＢについては、Ｂ１＜Ｂ４＜Ｂ２＜Ｂ３となる。一方、効率Ｅについては、Ｅ３＞Ｅ２＞Ｅ４＞Ｅ１となる。スリット３７０の有無と位置は、これら偏りＢと効率Ｅが仕様に合致するように適宜設計される。

なお、本第２の実施形態で導電性プレート３５０に形成したスリット３７０は、第１の実施形態の内側導電性プレート２１０に形成してもよい。内側導電性プレート２１０にスリットを形成した場合でも、上記と同様の効果を享受することができる。

＜第２の実施形態の変形例＞
以上の第２の実施形態では、第１の下側コイル端子３２０ｂと第２の下側コイル端子３３０ｂはそれぞれグランドに接続されていたが、図１２に示すようにこれら第１の下側コイル端子３２０ｂと第２の下側コイル端子３３０ｂは、コンデンサ３８０を介して接続されていてもよい。コンデンサ３８０は、可変容量コンデンサを含む。

また、第１の下側コイル端子３２０ｂと第２の下側コイル端子３３０ｂはそれぞれ、フローティング状態であってもよい。

また、第１の下側コイル端子３２０ｂと第２の下側コイル端子３３０ｂはそれぞれ、ＲＦ電位に接続されてもよい。かかる場合、第１のコイルアセンブリ３２０と第２のコイルアセンブリ３３０をそれぞれ、単体で使用することも可能となる。

＜第２の実施形態の変形例＞
以上の第２の実施形態では、サブアンテナ３１０はメインコイル３００の径方向内側に配置されていたが、径方向外側に配置されていてもよい。また、サブアンテナ３１０は、メインコイル３００の径方向内側と径方向外側の双方に配置されていてもよい。すなわち、アンテナアセンブリは、メインコイル３００の径方向内側に配置される第１のサブアンテナと径方向外側に配置される第１のサブアンテナとを有してもよい。さらに、サブアンテナ３１０は、メインコイル３００の下方及び／又は上方に配置されていてもよい。

＜第３の実施形態＞
次に、第３の実施形態にかかるアンテナユニット１４の構成例について説明する。図１３は、アンテナユニット１４の構成の概略を模式的に示す斜視図である。

アンテナユニット１４は、コイルアセンブリ４００、導電性プレート４１０及び導電性円筒（図示せず）を有する。導電性円筒は、上記第１の実施形態の導電性円筒２３０と同様の構成を有する。

コイルアセンブリ４００は、複数設けられている。なお、図示の例では、コイルアセンブリ４００は４つ設けられているが、コイルアセンブリ４００の数は特に限定されるものではない。複数のコイルアセンブリ４００は、誘電体窓１０１の上方に配置される。

各コイルアセンブリ４００は、第１のコイルセグメント４０１、鉛直コイルセグメント４０２及び第２のコイルセグメント４０３を有する。第１のコイルセグメント４０１は、水平方向に延伸するか、又は、水平方向に対して斜めに延伸し、コイル端子４００ａを介して導電性プレート４１０の側面に接続される。鉛直コイルセグメント４０２は、第１のコイルセグメント４０１から鉛直下方に延伸する。第２のコイルセグメント４０３は、鉛直コイルセグメント４０２から水平方向に延伸するか、又は、該水平方向に対して斜めに略円形に延伸し、コイルアセンブリ４００の底部に配置される。第２のコイルセグメント４０３の端部には、コイル端子４００ｂが設けられる。コイル端子４００ｂの接続先は任意であるが、例えばグランド電位に接続される。

複数のコイルアセンブリ４００は、導電性プレート４１０の中心に対して軸対称に配置される。すなわち、複数のコイル端子４００ａは、導電性プレート４１０の中央開口部４１１を中心に周方向に等間隔で配置される。同様に複数のコイル端子４００ｂも、中央開口部４１１を中心に周方向に等間隔で配置される。

導電性プレート４１０は、第１の実施形態の内側導電性プレート２１０と同様の構成を有する。導電性プレート４１０には、中央ガス注入部１３が挿通する中央開口部４１１が形成される。導電性プレート４１０の側面にはプレート端子４１０ａが設けられる。プレート端子４１０ａは、電源３０の第１のＲＦ生成部３１ａに接続され、すなわちＲＦ電位に接続される。

本第３の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を享受することができる。

＜第４の実施形態＞
次に、第４の実施形態にかかるアンテナユニット１４の構成例について説明する。図１４は、アンテナユニット１４の構成の概略を模式的に示す斜視図である。

アンテナユニット１４は、コイルアセンブリ５００、導電性プレート５１０及び導電性円筒（図示せず）を有する。導電性円筒は、上記第１の実施形態の導電性円筒２３０と同様の構成を有する。

コイルアセンブリ５００は、複数設けられている。なお、図示の例では、コイルアセンブリ５００は４つ設けられているが、コイルアセンブリ５００の数は特に限定されるものではない。複数のコイルアセンブリ５００は、誘電体窓１０１の上方に配置される。

各コイルアセンブリ５００は、導電性プレート５１０と同一平面において水平方向に延伸するか、又は、水平方向に対して斜めに延伸し、２周以上、略円形の渦巻き状に形成される。コイルアセンブリ５００の一端部に設けられたコイル端子５００ａは、導電性プレート５１０の側面に接続される。コイルアセンブリ５００の他端部に設けられたコイル端子５００ｂの接続先は任意であるが、例えばグランド電位に接続される。

複数のコイルアセンブリ５００は、導電性プレート５１０の中心に対して軸対称に配置される。すなわち、複数のコイル端子５００ａは、導電性プレート５１０の中央開口部５１１を中心に周方向に等間隔で配置される。同様に複数のコイル端子５００ｂも、中央開口部５１１を中心に周方向に等間隔で配置される。

導電性プレート５１０は、第１の実施形態の内側導電性プレート２１０と同様の構成を有する。導電性プレート５１０には、中央ガス注入部１３が挿通する中央開口部５１１が形成される。導電性プレート５１０の上面にはプレート端子５１０ａが設けられる。なお、プレート端子５１０ａは、導電性プレート５１０の上面に設けられてもよい。プレート端子５１０ａは、電源３０の第１のＲＦ生成部３１ａに接続され、すなわちＲＦ電位に接続される。

本第４の実施形態においても、上記第１の実施形態と同様の効果を享受することができる。

今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。

１４ アンテナユニット
２００ コイルアセンブリ
２１０ 内側導電性プレート
２１０ａ 中央プレート端子
２１１ 中央開口部

Claims (24)

1. 誘導結合プラズマ励起用アンテナであって、
   複数のコイルアセンブリと、
   前記複数のコイルアセンブリに接続され、中央開口部と、少なくとも１つのプレート端子とを有する導電性プレートと、を備える、誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
2. 前記プレート端子は、グランド電位又はＲＦ電位に直接的に又は間接的に接続される、請求項１に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
3. 前記中央開口部又はその近傍から下方に延伸する導電性円筒をさらに備える、請求項１又は２に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
4. 前記複数のコイルアセンブリの各々は、水平方向に延伸する、又は、水平方向に対して斜めに延伸するコイルセグメントを有し、
   前記導電性プレートは、前記少なくとも１つのプレート端子を有する上面と、前記複数のコイルアセンブリに接続される下面とを有する、請求項１～３のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
5. 前記コイルセグメントは、前記コイルアセンブリの底部に配置される、請求項４に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
6. 前記導電性プレートの周囲に配置され、少なくとも１つの他のプレート端子を有する他の導電性プレートをさらに備え、
   前記複数のコイルアセンブリは、前記導電性プレートと前記他の導電性プレートを接続する、請求項１～５のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
7. 前記複数のコイルアセンブリは、
   水平方向に延伸する、又は、水平方向に対して斜めに延伸する第１のコイルセグメントと、第１のコイル端子とを有する第１のコイルアセンブリと、
   水平方向に延伸する、又は、水平方向に対して斜めに延伸する第２のコイルセグメントと、第２のコイル端子とを有する第２のコイルアセンブリと、を含む、請求項１～５のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
8. 前記導電性プレートは、前記導電性プレートの外周縁部から前記中央開口部まで延伸するスリットを有する、請求項７に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
9. 前記スリットは、平面視において、前記第１のコイル端子と前記第２のコイル端子の間に形成される、請求項８に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
10. 前記スリットは、平面視において、前記第１のコイル端子と前記第２のコイル端子に対して前記プレート端子の反対側に形成される、請求項８又は９に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
11. 前記スリットは、平面視において、前記プレート端子の近傍に形成される、請求項８又は９に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
12. 前記スリットは、平面視において、前記プレート端子と前記第１のコイル端子の間に形成される、請求項８又は９に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
13. 前記複数のコイルアセンブリは、それぞれに対応する複数のコイル端子を有し、各コイル端子は、グランド電位又はＲＦ電位に直接的に又は間接的に接続される、請求項１～３のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
14. 前記複数のコイル端子は、前記中央開口部を中心に周方向に等間隔で配置される、請求項１３に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナ。
15. 誘導結合プラズマ励起用アンテナユニットであって、
    ＲＦ電位に接続される給電端子を有するメインアンテナと、
    前記メインアンテナの内側又は外側に配置されるサブアンテナと、を備え、
    前記サブアンテナは、
    複数のコイルアセンブリと、
    前記複数のコイルアセンブリに接続され、中央開口部と、少なくとも１つのプレート端子とを有する導電性プレートと、を備える、誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット。
16. 前記複数のコイルアセンブリは、
    水平方向に延伸する、又は、水平方向に対して斜めに延伸する第１のコイルセグメントと、第１のコイル端子とを有する第１のコイルアセンブリと、
    水平方向に延伸する、又は、水平方向に対して斜めに延伸する第２のコイルセグメントと、第２のコイル端子とを有する第２のコイルアセンブリと、を含む、請求項１５に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット。
17. 前記第１のコイルセグメントは、前記第１のコイルアセンブリの底部に配置され、
    前記第２のコイルセグメントは、前記第２のコイルアセンブリの底部に配置される、請求項１６に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット。
18. 前記導電性プレートは、前記導電性プレートの外周縁部から前記中央開口部まで延伸するスリットを有する、請求項１５～１７のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット。
19. 前記複数のコイルアセンブリの各々は、グランド電位に接続される他のコイル端子を有し、
    前記少なくとも１つのプレート端子は、グランド電位に接続される、請求項１５～１８のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット。
20. 前記複数のコイルアセンブリの各々は、前記プレート端子に直接的に又は間接的に接続される他のコイル端子を有する、請求項１５～１８のいずれか一項に記載の誘導結合プラズマ励起用アンテナユニット。
21. プラズマ処理チャンバと、
    前記プラズマ処理チャンバに取り付けられる中空部材と、
    前記中空部材を囲むように前記プラズマ処理チャンバ上又は当該プラズマ処理チャンバの上方に配置されるにアンテナと、を備え、
    前記アンテナは、
    複数のコイルアセンブリと、
    前記複数のコイルアセンブリに接続され、中央開口部と、少なくとも１つのプレート端子とを有する導電性プレートと、を備える、プラズマ処理装置。
22. 前記アンテナの上方に配置される導体板をさらに備える、請求項２１に記載のプラズマ処理装置。
23. 前記中空部材の一部又は全部は、絶縁材料で作製される、請求項２１又は２２に記載のプラズマ処理装置。
24. 前記アンテナと前記中空部材との間に配置される導電性中空部材を備える、請求項２１～２３のうちいずれか一項に記載のプラズマ処理装置。

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