JP2022117405A - スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体、その製造方法及びスパッタリングターゲットの回収方法 - Google Patents

Abstract

【課題】本開示は、曲げ強度の低いターゲットを用いた場合や、ターゲットとバッキングプレートとの線膨張係数の差が大きく異なる場合であっても、ターゲットの破損や剥離が抑制でき、不純物の揮発による汚染が抑制でき、ターゲット材として使われる高価な材料の損失を抑制しながら、ターゲット材の剥離回収を容易にできるスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を提供する。【解決手段】本開示に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体は、バッキングプレート１が、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５と、押圧面６と、を有し、スパッタリングターゲット２は、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９と、を有し、ターゲット側面９が押圧面６で押圧されていることによって、スパッタリングターゲット２がバッキングプレート１に固定されている。【選択図】図２

Description

本開示は、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）、半導体等の製造工程で使用されるスパッタリング装置に設置するための好適なスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体、その製造方法及びスパッタリングターゲットの回収方法に関する。

スパッタリングターゲットをＨＤＤ、半導体等の製造工程で使用されるスパッタリング装置に設置するために、一般的には、バッキングプレートと呼ばれる部材にスパッタリングターゲットを接合したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体が用いられる。スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体において、バッキングプレートを固定することによって、バッキングプレートを介してスパッタリングターゲットがスパッタリング装置に設置されることとなる。

バッキングプレートは、スパッタリングターゲットを支持する部材であり、またプラズマに晒される事によるスパッタリングターゲットの温度の上昇を抑制するための冷却を担う部材であることから、銅系材料、アルミニウム系材料などの熱伝導の高い材料で形成される。また、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとは熱伝導のために密着性が維持されていなければならない。

スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合は、一般的にボンディングと呼ばれる、インジウムやスズなどの低融点で真空における蒸気圧の低い材料をインサート材として使用する接合方法や、導電性を有する樹脂を用いて接合する方法が行われている。

しかし、スパッタリングターゲットの温度が、インサート材として使用しているインジウムやスズなどの融点より上昇してしまうと、インジウムやスズが揮発することにより成膜した膜に不純物として混入することがあり、高純度が要求される用途においては致命的な問題となる。

ボンディングの問題を解決するために、インサート材となる低融点金属を使用せずにスパッタリングターゲットとバッキングプレートに向かい合わせの圧力を掛け、温度を上げた状態で時間を掛けて拡散接合を行う技術がある（例えば、特許文献１～３を参照。）。

特許文献１では、耐力１５～２０ｋｇｆ／ｍｍ^２の耐力１５～２０ｋｇｆ／ｍｍ^２耐力１５～２０ｋｇｆ／ｍｍ^２タンタルからなるスパッタリングターゲットに対してバッキングプレートの耐力がスパッタリングターゲットの耐力よりも同じ又は高い材料とし、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとを拡散接合した組立体とすることにより、熱膨張と収縮によって生じるスパッタリングターゲットの反りの方向を制御していることが開示されている。

特許文献２では、１０００℃以上の融点を有するターゲット材と、該ターゲット材の融点よりも低い融点を有する金属または合金から選択される１種以上のインサート材と、バッキングプレートとを固相拡散接合することで１００％接合率の高い密着性と高い接合強度が得られることが開示されている。

特許文献３では、スパッタリングターゲットの全面を埋め込むサンドイッチ構造とした後に、熱間等静水圧圧縮（ＨＩＰ）や単軸熱間圧縮（ＵＨＰ）で４００－６００℃に加熱圧縮を施して拡散接合させ、その後、スパッタリングターゲットとバッキングプレートを削り出すことでアセンブリを作製する方法が開示されている。

特開２０１５－１８３２５８号公報 特開平０６－１０８２４６号公報 特表２０１４－５１１４３６号公報

しかし、特許文献１に記載の発明のように、曲げ強度の低い材料で形成されたスパッタリングターゲットの場合、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの線膨張係数の差が大きく異なると、高温で拡散接合したのち冷却して熱収縮したときにスパッタリングターゲットが破損することがある。そのため、拡散接合を低温で行うこともあるが、拡散接合しないか十分な強度が得られない。

また、線膨張係数の差が大きく異なるスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを、加熱と加圧によって拡散接合のみ行っても、スパッタリングターゲットの使用時において、温度の上昇下降を繰り返すと接合界面に疲労が蓄積して破壊し、剥離することがある。

また、特許文献２に記載の発明では、スパッタリングターゲットの使用時において、温度がインサート材の融点まで上昇するとインサート材が溶融されてスパッタリングターゲットが剥離することもある。この様な傾向は、大型のターゲットを使用し、高純度を要求される半導体製造で発生しやすい。

また、線膨張係数の差を緩和するためにスパッタリングターゲットとバッキングプレートの中間付近の線膨張係数を持つインサート材を入れるなどの応力を緩和させる手段もあるが、ボンディングによって金属接合したときや導電性樹脂を使用して接合したときと同様に、インサート材が揮発し、不純物の混入の問題が解決されない。

また、特許文献３に記載の発明では、スパッタリングターゲットとバッキングプレートは強固な拡散接合が形成されるまで行われるため、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの線膨張係数の差が大きく、かつ、スパッタリングターゲットの材質によっては、スパッタリングターゲットの拡散接合工程において、スパッタリングターゲットの割れが発生することがある。

そこで、本開示の目的は、曲げ強度の低いスパッタリングターゲットを用いた場合や、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの線膨張係数の差が大きく異なる場合であっても、スパッタリングターゲットの破損や剥離が抑制でき、また、不純物の揮発による汚染が抑制でき、さらには、ターゲット材として使われる高価な材料の損失を抑制しながら、ターゲット材の剥離回収を容易にすることができるスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体、その製造方法及びスパッタリングターゲットの回収方法を提供することである。

本発明者らは、鋭意検討した結果、バッキングプレートの押圧面でターゲット側面を押圧して固定することにより、上記の課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体は、バッキングプレートにスパッタリングターゲットが接合されたスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体において、前記バッキングプレートは、プレート面と、プレート裏面と、プレート側面と、押圧面と、を有し、前記スパッタリングターゲットは、ターゲット面と、前記プレート面と向かい合うターゲット裏面と、ターゲット側面と、を有し、前記ターゲット側面が前記押圧面で押圧されていることによって、前記スパッタリングターゲットが前記バッキングプレートに固定されていることを特徴とする。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記押圧面の押圧は前記バッキングプレートの熱収縮によって生じていることが好ましい。ターゲット側面とバッキングプレートの押圧面とのカシメによる接合強度を向上させることに加え、スパッタリングターゲット及びバッキングプレートの厚さ方向に対してもカシメによる接合強度を向上させることができ、その結果、スパッタリングターゲットの使用時の接合強度を保ち、熱伝導を良好に保つことができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記バッキングプレートは、前記プレート面に凹部を有し、該凹部の側面が前記押圧面であることが好ましい。ターゲット側面とバッキングプレートの押圧面とのカシメによる接合強度を向上させることに加え、スパッタリングターゲット及びバッキングプレートの厚さ方向に対してもカシメによる接合強度を向上させることができ、その結果、スパッタリングターゲットの使用時の接合強度を保ち、熱伝導を良好に保つことができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記バッキングプレートは、前記プレート面に凸部を有し、該凸部の側面が前記押圧面であることが好ましい。ターゲット側面とバッキングプレートの押圧面とのカシメによる接合強度を向上させることに加え、スパッタリングターゲット及びバッキングプレートの厚さ方向に対してもカシメによる接合強度を向上させることができ、その結果、スパッタリングターゲットの使用時の接合強度を保ち、熱伝導を良好に保つことができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記バッキングプレートは、留め具を有し、該留め具の側面が前記押圧面であることが好ましい。ターゲット側面とバッキングプレートが有する留め具の押圧面とのカシメによる接合強度を向上させることに加え、スパッタリングターゲット及びバッキングプレートの厚さ方向に対してもカシメによる接合強度を向上させることができ、その結果、スパッタリングターゲットの使用時の接合強度を保ち、熱伝導を良好に保つことができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記留め具は、前記バッキングプレートの前記プレート面又は前記プレート側面に固定されていることが好ましい。留め具がバッキングプレートに取り付けられた構造であると、バッキングプレートの加工が容易となり、また、留め具を複雑な構造とすることもできる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記ターゲット側面は凹凸部分を有し、前記押圧面は凹凸部分を有し、かつ、前記ターゲット側面の凹凸部分と前記押圧面の凹凸部分とは、互いに嵌め込みあう構造となっていることが好ましい。スパッタリングターゲット及びバッキングプレートの厚さ方向に対する動きを制御することができ、その結果、スパッタリングターゲットの使用時の接合強度を保ち、熱伝導を良好に保つことができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に２．５ｍｍ以下の中間層を有し、該中間層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることが好ましい。中間層を設けることでスパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面との接合強度を向上させるとともに、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの界面に中間層を設けていることから、スパッタリングターゲットで中間層は覆われるため、中間層の材質が揮発して不純物となって基板に付着することを抑制することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に１０μｍ以下の中間層を有し、該中間層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる薄膜であることが好ましい。中間層を設けることでスパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面の接合強度を向上させるとともに、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの界面に中間層を設けていることから、スパッタリングターゲットで中間層は覆われるため、中間層の材質が揮発して不純物となって基板に付着することを抑制することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に１．０ｍｍ以下の中間層を有し、該中間層は、Ｉｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることが好ましい。中間層を設けることでスパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面の接合強度を向上させるとともに、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの界面に中間層を設けていることから、スパッタリングターゲットで中間層は覆われるため、中間層の材質が揮発して不純物となって基板に付着することを抑制することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に２層以上の中間層を有し、該中間層は、２．５ｍｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせ、１０μｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる薄膜、または、１．０ｍｍ以下のＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることが好ましい。中間層を２層以上設けることでスパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面の接合強度を向上させるとともに、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの界面に中間層を設けていることから、スパッタリングターゲットで中間層は覆われるため、中間層の材質が揮発して不純物となって基板に付着することを抑制することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットの材質がＡｌ－Ｓｃ合金、Ｒｕ、Ｒｕ合金、Ｉｒ又はＩｒ合金であることが好ましい。１０００℃以上の高融点材料でもスパッタリングターゲットの反りや割れを抑制しつつ、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合強度を向上させることができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットの材質がＬｉ系酸化物、Ｃｏ系酸化物、Ｔｉ系酸化物又はＭｇ系酸化物であることが好ましい。１０００℃以上の高融点材料でもスパッタリングターゲットの反りや割れを抑制しつつ、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合強度を向上させることができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記バッキングプレートの材質がＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ又はＦｅ合金であり、前記バッキングプレートの線膨張係数が３０．０×１０^－６／℃以下であることが好ましい。バッキングプレートの熱伝導性が良いものを用いることで、加熱時においてバッキングプレートが膨張し、バッキングプレートの押圧面内にスパッタリングターゲットを挿入することができるとともに、冷却時においてバッキングプレートが収縮し、バッキングプレートの押圧面によってターゲット側面をカシメすることにより接合体を形成することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットの曲げ強度が５００ＭＰａ以下である形態を包含する。スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合体は、曲げ強さが弱いスパッタリングターゲットにも適用できる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記バッキングプレートの押圧面は、前記ターゲット側面を挟んで向かい合わせの位置に配置された対となる面を少なくとも有し、該対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離と、前記ターゲット側面のうち前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触しているスパッタリングターゲットの接触面同士の距離との関係が（数１）～（数５）を満たすことが好ましい。
（数１）Ｄ_ＴＧ＞Ｄ_ＢＰ
（数２）Ｄ_ＢＰ＝Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×Ｃ
（数３）ΔＤ＝Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ－Ｄ_ＴＧ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＴＧ
（数４）Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×４．０≦Ｄ_ＢＰ≦Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×０．５
（数５）ＣＴＥ_ＢＰ＞ＣＴＥ_ＴＧ
ただし、Ｄ_ＢＰ、Ｄ_ＴＧ、ΔＤ、Ｃ、Ｔ、ΔＴ、ＣＴＥ_ＢＰ及びＣＴＥ_ＴＧはそれぞれ次のことを意味する。
Ｄ_ＢＰ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離（ｍｍ）
Ｄ_ＴＧ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触するスパッタリングターゲットの接触面同士の距離（ｍｍ）
Ｔ：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させる温度（℃）（ただし、Ｔ＞室温）
ΔＴ：Ｔ－室温（℃）
ＣＴＥ_ＢＰ：温度Ｔにおけるバッキングプレートの線膨張係数（１／℃）
ＣＴＥ_ＴＧ：温度Ｔにおけるスパッタリングターゲットの線膨張係数（１／℃）
Ｃ：係数（ただし、Ｃ＝０．５～４．０）
ΔＤ：室温から温度Ｔまで昇温させたときのバッキングプレートとスパッタリングターゲットの熱膨張量の差（ｍｍ）
ターゲット側面とバッキングプレートの押圧面とのカシメによってスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合するときに、スパッタリングターゲットの割れや反りを抑制することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記バッキングプレートの押圧面は、前記ターゲット側面を挟んで向かい合わせの位置に配置された対となる面を少なくとも有し、該対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離と、前記ターゲット側面のうち前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触しているスパッタリングターゲットの接触面同士の距離との関係が（数６）～（数１０）を満たすことが好ましい。
（数６）Ｄ_ＴＧ＞Ｄ_ＢＰ
（数７）Ｄ_ＢＰ＝Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×Ｃ
（数８）ΔＤ＝Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ－Ｄ_ＴＧ×ΔＴ_１×ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ
（数９）Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×４．０≦Ｄ_ＢＰ≦Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×０．５
（数１０）ＣＴＥ_ＢＰ＞ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ
ただし、Ｄ_ＢＰ、Ｄ_ＴＧ、ΔＤ、Ｃ、Ｔ、ΔＴ、Ｔ_１、ΔＴ_１、ＣＴＥ_ＢＰ及びＣＴ_１Ｅ_ＴＧはそれぞれ次のことを意味する。
Ｄ_ＢＰ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離（ｍｍ）
Ｄ_ＴＧ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触するスパッタリングターゲットの接触面同士の距離（ｍｍ）
Ｔ：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させるときのバッキングプレートの温度（℃）（ただし、Ｔ＞室温、Ｔ＞Ｔ_１）
ΔＴ：Ｔ－室温（℃）
Ｔ_１：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させるときのスパッタリングターゲットの温度（℃）（ただし、Ｔ_１≧室温、Ｔ＞Ｔ_１）
ΔＴ_１：Ｔ_１－室温（℃）
ＣＴＥ_ＢＰ：温度Ｔにおけるバッキングプレートの線膨張係数（１／℃）
ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ：温度Ｔ_１におけるスパッタリングターゲットの線膨張係数（１／℃）
Ｃ：係数（ただし、Ｃ＝０．５～４．０）
ΔＤ：室温から温度Ｔまで昇温させたときのバッキングプレートと室温から温度Ｔ_１まで昇温させたときのスパッタリングターゲットの熱膨張量の差（ｍｍ）
ターゲット側面とバッキングプレートの押圧面とのカシメによってスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合するときに、スパッタリングターゲットの割れや反りを抑制することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記スパッタリングターゲットは、前記スパッタリングターゲットの前記ターゲット面の全周囲に前記バッキングプレートの前記プレート面が露出するように該バッキングプレートに嵌め込まれていることが好ましい。ターゲット側面とバッキングプレートの押圧面とのカシメによってスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合した後でもプレート面の露出部を利用してスパッタリング装置にスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を容易に設置することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、前記ターゲット面が前記プレート面よりも突出していることが好ましい。ターゲット側面とバッキングプレートの押圧面とのカシメによってスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合するときに、スパッタリングターゲットの割れや反りを抑制することができる。また製造する際には、スパッタリングターゲット面のみ押圧して接合できる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法は、プレート面と、プレート裏面と、プレート側面と、押圧面とを有するバッキングプレートと、ターゲット面と、前記プレート面と向かい合うターゲット裏面と、ターゲット側面とを有するスパッタリングターゲットと、を準備する工程１と、前記バッキングプレートを加熱して熱膨張させる工程２と、前記ターゲット側面と前記バッキングプレートの押圧面とを向かい合わせになるように、前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートとを配置する工程３と、前記バッキングプレートを冷却して、前記ターゲット側面が、前記押圧面で押圧されたカシメ構造を形成する工程４と、を有することを特徴とする。バッキングプレートの押圧面によってターゲット側面をカシメすることによりスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を製造することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法では、前記工程１と前記工程２の間又は前記工程２と前記工程３の間に、中間層となる材料を前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートとの接触箇所に充填又はコーティングする工程５をさらに有することが好ましい。ターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面との接合強度を向上させ、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができるスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を製造することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法では、前記工程３と前記工程４の間に、前記スパッタリングターゲットのターゲット裏面と前記バッキングプレートのプレート面とを拡散させるために、前記スパッタリングターゲットを押圧する工程６をさらに有することが好ましい。スパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面を拡散させることにより、スパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面とを全体にわたって接合させ、密着性が向上して熱伝導を効率よく行わせることができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法では、少なくとも前記工程２、前記工程３及び前記工程４において、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）及びホットプレートによる加熱法のうち少なくとも１つの方法を用いて行うことが好ましい。スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの接合をより確実に行い、密着性が向上して熱伝導を効率よく行うことができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法では、前記工程６において、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）及び放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）の少なくとも１つの方法を用いて行うことが好ましい。スパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面とを拡散させることにより、スパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面とを全体にわたって接合させ、密着性が向上して熱伝導を効率よく行わせることができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法では、前記工程６において、１０Ｐａ以下の減圧雰囲気又は酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気とし、加熱温度を１００～１０００℃とし、かつ、押圧を０Ｐａ以上８０ＭＰａ以下の範囲とすることが好ましい。スパッタリングターゲットの酸素含有量を抑制することができる。

本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法では、前記工程４の後に、押圧又は加熱と押圧の工程及び冷却の工程を１組として１回行う又は２回以上繰り返し行うことが好ましい。スパッタリングターゲットの反りを抑制しつつ、スパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面との接合強度をより向上させることができ、密着性が向上して熱伝導を効率よく行うことができる。

本発明に係るスパッタリングターゲットの回収方法は、本発明に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を加熱して、前記ターゲット側面から前記押圧面を離すまで熱膨脹させる工程Ａと、前記スパッタリングターゲットを前記バッキングプレートから取り外して、前記スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体から前記スパッタリングターゲットを回収する工程Ｂと、を有することを特徴とする。

本開示は、曲げ強度の低いスパッタリングターゲットを用いた場合や、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの線膨張係数の差が大きく異なる場合であっても、スパッタリングターゲットの破損や剥離が抑制でき、また、不純物の揮発による汚染が抑制でき、さらには、ターゲット材として使われる高価な材料の損失を抑制しながら、ターゲット材の剥離回収を容易にすることができるスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体、その製造方法及びスパッタリングターゲットの回収方法を提供することができる。

本実施形態に係る円板状のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の平面概略図である。 第１例のＡ‐Ａ断面概略図である。 本実施形態に係る長方形板状のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の平面概略図である。 第２例のＡ‐Ａ断面概略図である。 第３例のＡ‐Ａ断面概略図である。 第４例のＡ‐Ａ断面概略図である。 第５例のＡ‐Ａ断面概略図である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例１である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例２である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例３である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例４である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例５である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例６である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例７である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例８である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例９である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例１０である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例１１である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例１２である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例１３である。 第５例において破線の四角で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例１４である。 第５例において破線の円で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例１である。 第５例において破線の円で囲った箇所の部分拡大図であり、変形例２である。 第６例のＡ‐Ａ断面概略図である。 第７例のＡ‐Ａ断面概略図である。 第８例のＡ‐Ａ断面概略図である。 第９例のＡ‐Ａ断面概略図である。 図２に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第一例である。 図２に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第二例である。 図４に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第一例である。 図４に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第二例である。 図５に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第一例である。 図５に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第二例である。 図６に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第一例である。 図６に基づく本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造工程を説明するための第二例である。 本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３０１の製造工程を説明するための第一例である。 本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３０１の製造工程を説明するための第二例である。 本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４０１の製造工程を説明するための第一例である。 本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４０１の製造工程を説明するための第二例である。 実施例１におけるカシメ、拡散部位を示す画像である。 実施例２におけるスパッタリングターゲット２の切り欠き部の部分拡大画像である。 実施例２におけるスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体の全体画像である。 実施例２におけるスパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体の部分拡大画像である。 実施例３におけるカシメ、拡散部位を示す画像である。 比較例１における接合結果を示す画像である。 比較例２における接合結果を示す画像である。 比較例３における接合結果を示す画像である。 比較例４における接合結果を示す画像である。

以降、本発明について実施形態を示して詳細に説明するが本発明はこれらの記載に限定して解釈されない。本発明の効果を奏する限り、実施形態は種々の変形をしてもよい。図中、各接合体において、同一名称の部位には、形状によらず、同一の符号を付した。

〈スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体〉
（形態１－１：バッキングプレートが凹部を有し、ターゲット側面の下部に切り欠きを有する形態）
図１及び図２を参照して、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を説明する。本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体１００は、バッキングプレート１にスパッタリングターゲット２が接合されたスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体において、バッキングプレート１は、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５と、押圧面６と、を有し、スパッタリングターゲット２は、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９と、を有し、ターゲット側面９が押圧面６で押圧されていることによって、スパッタリングターゲット２がバッキングプレート１に固定されている。図２で示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体１００では、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部は切り欠きを有し、ターゲット面７よりも小径のターゲット裏面８が形成されており、バッキングプレート１のプレート面３にスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８と相似形の関係を有する凹部１７が形成されている。スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の取り除き方としては、例えば、ターゲット側面９の下部において、ターゲット側面９を基準面として一定の深さの切り欠きを、ターゲット側面９の全周にわたって又は周方向の一部分において設ける。なお、本実施形態では、切り欠きにおける側面についてもターゲット側面９に含め、ターゲット側面９の下部と表現する。スパッタリングターゲット２がバッキングプレート１の凹部１７に挿入されたとき、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８はバッキングプレート１の凹部１７のプレート面３と当接する関係にあり、凹部１７の側面１６は押圧面６となってスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧し、バッキングプレート１にスパッタリングターゲット２が固定されている。

図１において、環状に網掛けをした箇所は、ターゲット側面９の下部に設けた切り欠きによって形成された平面とプレート面３との接触面の箇所を示しており、接触面は環状となっている。ただし、スパッタリングターゲット２の破損や剥離が抑制でき、不純物の揮発による汚染が抑制できるときは、不連続の接触面となっていてもよい。

なお、バッキングプレート１に設けられた凹部１７は、バッキングプレート１の凹部１７の側面１６の全周に押圧面６を設け、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧してもよく、スパッタリングターゲット２の使用時においてスパッタリングターゲット２がバッキングプレート１から剥離しなければ、バッキングプレート１の凹部１７の側面１６に部分的に押圧面６を設け、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧してもよい。

図１及び図２では、円板形状のバッキングプレート１に円板形状のスパッタリングターゲット２が接合されている形態を示したが、図３に示すように長方形のバッキングプレート１に長方形のスパッタリングターゲット２が接合されている形態であってもよい。Ｂ‐Ｂ断面は、図２に示したＡ－Ａ断面と同様の形状を有する。また、長方形の形状には正方形の形状が包含される。図３においても、環状に網掛けをした箇所は、ターゲット側面９の下部に設けた切り欠きによって形成された平面とプレート面３との接触面の箇所を示している。

（形態１－２：バッキングプレートが凹部を有し、ターゲット側面の下部に切り欠きがない形態）
図４で示す本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体２００では、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８の形状を、切り欠きを設けずにそのままにして、バッキングプレート１のプレート面３にスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８と相似形の関係を有する凹部１７を形成し、スパッタリングターゲット２がバッキングプレート１の凹部１７に挿入されたとき、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８はバッキングプレート１の凹部１７のプレート面３と当接する関係にあり、凹部１７の側面１６は押圧面６となってスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧することもできる。

なお、バッキングプレート１に設けられた凹部１７は、バッキングプレート１の凹部１７の側面１６の全周に押圧面６を設けてスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧してもよく、スパッタリングターゲット２の使用時においてスパッタリングターゲット２がバッキングプレート１から剥離しなければ、バッキングプレート１の凹部１７の側面１６の部分的に押圧面６を設けてスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧してもよい。

（形態２－１：バッキングプレートが凸部を有し、ターゲット側面の下部に切り欠きを有する形態）
図５で示す本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３００では、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部は切り欠きを有し、ターゲット面７よりも小径のターゲット裏面８が形成されており、バッキングプレート１のプレート面３にスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８の輪郭と相似形の内輪郭を有する凸部１３が形成されている。スパッタリングターゲット２がバッキングプレート１の凸部１３の内側の領域に挿入されたとき、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８はバッキングプレート１の凸部１３の内側の領域のプレート面３と当接する関係にあり、凸部１３の内側の側面は押圧面６となってスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧することもできる。

このとき、凸部１３の形成方法としては、（１）バッキングプレート１のプレート面３を切削して凸部１３を形成する方法（図５に図示。）、（２）バッキングプレート１とは別に留め具を用意し、必要に応じて前記留め具の内輪郭をスパッタリングターゲット２のターゲット側面の輪郭と相似形となるように適宜加工した後、留め具をねじ止め、拡散接合、溶接などの方法を用いてバッキングプレート１のプレート面３に接合することによって凸部１３を形成する方法（図２０に図示。）がある。

なお、バッキングプレート１に設けられた凸部１３は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９に対して全周凸部を設けてバッキングプレート１の凸部内側の押圧面６でスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧してもよく、スパッタリングターゲット２の使用時においてスパッタリングターゲット２がバッキングプレート１から剥離しなければ、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９に対して部分的に凸部１３を設けてバッキングプレート１の凸部内側の押圧面６でスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧してもよい。

（形態２－２：バッキングプレートが凸部を有し、ターゲット側面の下部に切り欠きがない形態）
図６で示す本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４００では、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部は切り欠きを設けずに、ターゲット裏面８の形状をそのままにして、バッキングプレート１のプレート面３にスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８の輪郭と相似形の内輪郭を有する凸部１３を形成し、スパッタリングターゲット２がバッキングプレート１の凸部１３の内側の領域に挿入されたとき、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８はバッキングプレート１の凸部１３の内側の領域のプレート面３と当接する関係にあり、凸部１３の内側の側面は押圧面６となってスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧することもできる。

なお、バッキングプレート１に設けられた凸部１３は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９に対して全周凸部を設けてバッキングプレート１の凸部内側の押圧面６でスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧してもよく、スパッタリングターゲット２の使用時においてスパッタリングターゲット２がバッキングプレート１から剥離しなければ、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９に対して部分的に凸部１３を設けてバッキングプレート１の凸部内側の押圧面６でスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧してもよい。

本実施形態では、例えば、図１～図６に示した形態において、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９をバッキングプレート１の押圧面６で押圧するときは、バッキングプレートの熱収縮を利用して押圧することが好ましい。室温において、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１の押圧面６の内側よりも大きくなるようにあらかじめ加工しておく。スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１の押圧面６の内側に挿入するときは、バッキングプレート１を加熱して熱膨張させることによってバッキングプレート１の押圧面６の内側をスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８より大きくする。その後、バッキングプレート１の押圧面６の内側にスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８を挿入して、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１の凹部１７の内側のプレート面３若しくは凸部１３の内側のプレート面３とを当接させた後、バッキングプレート１を冷却してバッキングプレート１の押圧面６の内側を小さくすることによって、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９をバッキングプレート１の押圧面６で押圧することができる。スパッタリングターゲット２のターゲット側面９をバッキングプレート１の押圧面６で押圧するために、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８がバッキングプレート１の凹部開口面若しくは凸部内側の開口面よりも大きいことが好ましい。

（形態３：バッキングプレートが凸部を有し、凸部の押圧面が凹凸部を有し、ターゲット側面の下部に除去部（小径部）を有し、除去部の側面が凹凸部を有する形態）
図７に示すように、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体５００では、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９は凹凸部分１８を有し、バッキングプレート１の押圧面６は凹凸部分１９を有し、かつ、ターゲット側面９の凹凸部分１８とバッキングプレート１の押圧面６の凹凸部分１９とは、互いに嵌め込みあう構造となっていることが好ましい。ターゲット側面９の凹凸部分１８は、図７に示すように、スパッタリングターゲット２がターゲット側面９に切り欠きを有するときは、切り欠きに凹凸部分１８を設けることが好ましい。スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６との押圧による接合強度を向上させることに加え、スパッタリングターゲット２及びバッキングプレート１の厚さ方向に対しても押圧による接合強度を向上させることができる。その結果、スパッタリングターゲット２の使用時の接合強度を保ち、熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の側面方向及び厚さ方向とバッキングプレート１の押圧面６の側面方向及び厚さ方向の押圧による接合強度が十分であれば、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１の凸部１３の内側のプレート面３との接合強度は意図的に弱めることもできるため、スパッタリングターゲット２の使用後において、バッキングプレート１からスパッタリングターゲット２の剥離、回収を容易に行うことができる。図７におけるスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の凹凸部分１８とバッキングプレート１の押圧面６の凹凸部分１９については、図７（Ａ）～図７（Ｎ）などに示される凹凸の形態を用いて当接させてもよい。また、凸部１３の外側の側面とスパッタリングターゲット２のターゲット側面９とは、例えば、図７及び図７（Ａ）～図７（Ｎ）に示すように段差のない連側面を形成していることが好ましいが、図７（Ｏ）又は図７（Ｐ）に示すように段差があってもよい。図７（Ｏ）は、ターゲット側面９が凸部１３の外側の側面よりも外側に突出している形態である。図７（Ｐ）は、凸部１３の外側の側面がターゲット側面９よりも外側に突出している形態である。

（形態４－１：中間層を有する形態）
図８に示すように、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体６００では、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の界面に２．５ｍｍ以下の中間層１０を有し、中間層１０は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることが好ましい。中間層１０によってスパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の線膨張係数の差を緩和することで加熱による膨張や冷却による収縮の繰り返しによるスパッタリングターゲット２の破損や反りをより抑制することができる。また、中間層１０を設けることでスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレートの凹部１７のプレート面３との接合強度を向上させるとともに、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の界面に中間層１０を設けていることから、スパッタリングターゲット２で中間層１０は覆われるため、中間層１０の材質が揮発して不純物となって基板に付着することを抑制することができる。中間層１０についてＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの元素を選択した理由は、密着性、熱伝導及び線膨張係数の観点から好適だからである。中間層１０が板材である場合、板材が２．５ｍｍより厚いとバッキングプレート１の凹部をより深く設けなければならないため、バッキングプレート１の厚みを増やさなければならないことが発生する場合がある。中間層１０が粉末層である場合、加熱によって、粉末の状態である形態、粉末が焼結した形態、又は粉末が加熱によって溶融した形態がある。なお、粉末が加熱によって溶融した形態は、中間層１０が板材である形態と類似する。中間層１０は、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１の凹部１７のプレート面３との間に設けることが好ましいが、これに加えてさらに、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６が設けられている内側の箇所との界面に設けてもよい。

（形態４－２：中間層を有する形態）
図８に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体６００では、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を設け、凹部１７のプレート面３に中間層１０を設けることついて説明したが、図９に示すスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体７００のように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３の押圧面６を形成した場合においても同様に中間層１０を設けることができる。

（形態４－３：中間層を有する形態）
図８に示した形態と同様に、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体６００では、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の界面に１０μｍ以下の中間層１０を有し、中間層１０は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる薄膜であることが好ましい。中間層１０によってスパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の線膨張係数の差を緩和することで加熱による膨張や冷却による収縮の繰り返しによるスパッタリングターゲット２の破損や反りをより抑制することができる。中間層１０の膜厚が１０μｍより厚くても中間層１０を形成する時間を要するだけであり、中間層１０としての効果は１０μｍ以下のものとあまり効果が変わらない。また、中間層１０を設けることでスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１の凹部１７のプレート面３との接合強度を向上させるとともに、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の界面に中間層１０を設けていることから、スパッタリングターゲット２で中間層１０は覆われるため、中間層１０の材質が揮発して不純物となって基板に付着することを抑制することができる。中間層１０についてＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの元素を選択した理由は、密着性、熱伝導及び線膨張係数の観点から好適だからである。薄膜は、スパッタリングによる薄膜であることが好ましく、バッキングプレート１の凹部１７のプレート面３に成膜することが好ましい。また、厚さ１０μｍ以下の箔でもよい。中間層１０は、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１の凹部１７のプレート面３との間に設けることが好ましいが、これに加えてさらに、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６が設けられている内側の箇所との界面に設けてもよい。

（形態４－４：中間層を有する形態）
図８に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体６００では、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を設け、凹部１７のプレート面３に中間層１０を設けることついて説明したが、図９に示すスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体７００のように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３の押圧面６を形成した場合においても同様に中間層１０を設けることができる。

（形態４－５：中間層を有する形態）
図８に示した形態と同様に、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体６００は、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の界面に１．０ｍｍ以下の中間層１０を有し、中間層１０は、Ｉｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることが好ましい。中間層１０によってスパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の線膨張係数の差を緩和することで加熱による膨張や冷却による収縮の繰り返しによるスパッタリングターゲット２の破損や反りをより抑制することができる。また、中間層１０を設けることでスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１の凹部１７のプレート面３との接合強度を向上させるとともに、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。また、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の界面に中間層１０を設けていることから、スパッタリングターゲット２で中間層１０は覆われるため、中間層１０の材質が揮発して不純物となって基板に付着することを抑制することができる。中間層１０についてＩｎ、Ｚｎの元素を選択した理由は、密着性、熱伝導及び線膨張係数の観点から好適だからである。中間層１０が板材である場合、板材が１．０ｍｍより厚いとバッキングプレート１の凹部をより深く設けなければならないため、バッキングプレート１の厚みを増やさなければならないことが発生する場合がある。中間層１０が粉末層である場合、加熱によって、粉末の状態である形態、粉末が焼結した形態、又は粉末が加熱によって溶融した形態がある。なお、粉末が加熱によって溶融した形態は、中間層１０が板材である形態と類似する。中間層１０は、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１のプレート面３との間に設けることが好ましいが、これに加えてさらに、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６が設けられている内側の箇所との界面に設けてもよい。

（形態４－６：中間層を有する形態）
図８に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体６００では、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を設け、凹部１７のプレート面３に中間層１０を設けることについて説明したが、図９に示すスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体７００のように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３の押圧面６を形成した場合においても同様に中間層１０を設けることができる。

（形態４－７：中間層を有する形態）
図１０に示すように、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体８００は、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の界面に２層の中間層１０を有し、中間層１０ａは、２．５ｍｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせ、１０μｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる薄膜、または、１．０ｍｍ以下のＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせのいずれかからなり、中間層１０ｂは、２．５ｍｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせ、１０μｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる薄膜、または、１．０ｍｍ以下のＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせのいずれかからなることが好ましい。中間層１０によってスパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の線膨張係数の差を緩和することで加熱による膨張や冷却による収縮の繰り返しによるスパッタリングターゲット２の破損や反りをより抑制することができる。バッキングプレート１との界面に設置された中間層１０ａをＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金、Ｉｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる各種形態の材料で形成する理由は、密着性、熱伝導及び線膨張係数の観点から好適だからである。また、スパッタリングターゲット２との界面に設置された中間層１０ｂをＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金、Ｉｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる各種形態の材料で形成する理由は、密着性、熱伝導及び線膨張係数の観点から好適だからである。なお、図１０では中間層が２層の形態を示したが、上記で説明した中間層の効果が得られていれば、中間層が３層以上の形態でもよい。

（形態４－８：中間層を有する形態）
図１０に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体８００では、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を設け、凹部１７のプレート面３に中間層１０ａ、１０ｂを設けることについて説明したが、図１１に示すスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体９００のように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３の押圧面６を形成した場合においても同様に中間層１０ａ、１０ｂを設けることができる。

（スパッタリングターゲットの材質）
本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体は、スパッタリングターゲット２の材質がＡｌ－Ｓｃ合金、Ｒｕ、Ｒｕ合金、Ｉｒ又はＩｒ合金を用いることができる。また、Ｌｉ系酸化物、Ｃｏ系酸化物、Ｔｉ系酸化物又はＭｇ系酸化物なども用いることもできる。１０００℃以上の高融点材料でもスパッタリングターゲットの反りや割れを抑制しつつ、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの接合強度を向上させることができる。

本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体は、バッキングプレート１の材質がＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ又はＦｅ合金であり、線膨張係数が３０．０×１０^－６／℃以下であることが好ましい。線膨脹係数は、好ましくは２８．５×１０^－６／℃以下であり、さらに好ましくは２７．３×１０^－６／℃以下である。線膨張係数が３０．０×１０^－６／℃より大きいと、バッキングプレート１の加熱による膨張や冷却による収縮が繰り返し発生することによってスパッタリングターゲットの割れや反りが発生してしまうため、線膨張係数が３０．０×１０^－６／℃以下であることが好ましい。また、バッキングプレートの熱伝導性が良いものを用いることで、加熱時においてバッキングプレートが膨張し、バッキングプレートの押圧面内にスパッタリングターゲットを挿入することができるとともに、冷却時においてバッキングプレートが収縮し、バッキングプレートの押圧面によってターゲット側面９をカシメすることにより接合体を形成することができる。線膨張係数の下限は、６．０×１０^－６／℃以上であることが好ましい。

［スパッタリングターゲットの曲げ強度］
本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体は、スパッタリングターゲット２の曲げ強度が５００ＭＰａ以下であるものにも適用することができる。本実施形態は、曲げ強さが弱いスパッタリングターゲットにも適用できる。なお、曲げ強度は、例えば、ＪＩＳ Ｒ １６０１：２００８の規格に基づいて測定される。

［線膨脹係数を含む関係式］（ΔＴが共通）
本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、バッキングプレート１の押圧面６は、ターゲット側面９を挟んで向かい合わせの位置に配置された対となる面を少なくとも有し、該対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離と、前記ターゲット側面のうち前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触しているスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離との関係が（数１）～（数５）を満たすことが好ましい。
（数１）Ｄ_ＴＧ＞Ｄ_ＢＰ
（数２）Ｄ_ＢＰ＝Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×Ｃ
（数３）ΔＤ＝Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ－Ｄ_ＴＧ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＴＧ
（数４）Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×４．０≦Ｄ_ＢＰ≦Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×０．５
（数５）ＣＴＥ_ＢＰ＞ＣＴＥ_ＴＧ
ただし、Ｄ_ＢＰ、Ｄ_ＴＧ、ΔＤ、Ｃ、Ｔ、ΔＴ、ＣＴＥ_ＢＰ及びＣＴＥ_ＴＧはそれぞれ次のことを意味する。
Ｄ_ＢＰ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離（ｍｍ）
Ｄ_ＴＧ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触するスパッタリングターゲットの接触面同士の距離（ｍｍ）
Ｔ：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させる温度（℃）（ただし、Ｔ＞室温）
ΔＴ：Ｔ－室温（℃）
ＣＴＥ_ＢＰ：温度Ｔにおけるバッキングプレートの線膨張係数（１／℃）
ＣＴＥ_ＴＧ：温度Ｔにおけるスパッタリングターゲットの線膨張係数（１／℃）
Ｃ：係数（ただし、Ｃ＝０．５～４．０）
ΔＤ：室温から温度Ｔまで昇温させたときのバッキングプレートとスパッタリングターゲットの熱膨張量の差（ｍｍ）
ここで、バッキングプレート１の平面の形状が長方形であるとき、スパッタリングターゲット２の長辺とバッキングプレート１の長辺を対応させ、スパッタリングターゲット２の短辺とバッキングプレート１の短辺とを対応させる。（数１）に示されるごとく、室温では、スパッタリングターゲット２の接触面同士の距離の方がバッキングプレート１の押圧面同士の距離よりも大きく、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の押圧面６の内側に入れることはできない。ここで、室温は２５℃とする。ここで、（１）の形態として、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２の両方を温度Ｔまで昇温させる形態を考える。バッキングプレート１を室温からバッキングプレートを熱膨張させる温度Ｔまで昇温させると、バッキングプレート１の押圧面同士の距離は、（Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ）で求められる長さの熱膨張をする。また、スパッタリングターゲット２を室温から温度Ｔまで昇温させると、スパッタリングターゲット２の接触面同士の距離は、（Ｄ_ＴＧ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＴＧ）で求められる長さの熱膨張をする。したがって、線膨脹係数について（数５）の関係が成立するとき、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２の両方を温度Ｔまで昇温させると、ΔＤの長さ分だけ、バッキングプレート１の押圧面６がスパッタリングターゲット２の接触面よりも熱膨張する。この熱膨張によって、バッキングプレート１の押圧面同士の距離がスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離と同じ又は大きくなれば、バッキングプレート１の押圧面６の内側にスパッタリングターゲット２を嵌め込むことが可能となる。そして、室温まで降温させると、（数１）に示される関係によって、スパッタリングターゲット２の接触面をバッキングプレート１の押圧面６で押圧することになる。前記の（１）の形態において、スパッタリングターゲット２の接触面をバッキングプレート１の押圧面６で押圧することを可能にするには、バッキングプレート１の熱膨脹によって、バッキングプレート１の押圧面同士の距離がスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離を逆転しなければならない。そこで、室温におけるバッキングプレート１の押圧面同士の距離を、室温におけるスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離と比較して、どれだけ小さく設定することができるかの関係を示したのが（数２）及び（数４）である。（数２）及び（数４）においてＣは係数であるが、Ｃが０．５～４．０の範囲内であるとき、スパッタリングターゲット２の接触面をバッキングプレート１の押圧面６で押圧してスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合するときに、スパッタリングターゲットの割れや反りを抑制することができる。

本実施形態では、上記で説明した（１）バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２の両方を温度Ｔまで昇温させる形態のみならず、（２）バッキングプレート１を温度Ｔまで昇温させ、スパッタリングターゲット２を温度Ｔよりも低い温度Ｔ_１までしか昇温させない形態、及び（３）バッキングプレート１を温度Ｔまで昇温させ、スパッタリングターゲット２を昇温させない形態を包含する。

［線膨脹係数を含む関係式］（ΔＴ（ＢＰ）とΔＴ_１（ＴＧ）で異なる）
本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、バッキングプレート１の押圧面６は、ターゲット側面９を挟んで向かい合わせの位置に配置された対となる面を少なくとも有し、該対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離と、前記ターゲット側面のうち前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触しているスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離との関係が（数６）～（数１０）を満たすことが好ましい。
（数６）Ｄ_ＴＧ＞Ｄ_ＢＰ
（数７）Ｄ_ＢＰ＝Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×Ｃ
（数８）ΔＤ＝Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ－Ｄ_ＴＧ×ΔＴ_１×ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ
（数９）Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×４．０≦Ｄ_ＢＰ≦Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×０．５
（数１０）ＣＴＥ_ＢＰ＞ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ
ただし、Ｄ_ＢＰ、Ｄ_ＴＧ、ΔＤ、Ｃ、Ｔ、ΔＴ、Ｔ_１、ΔＴ_１、ＣＴＥ_ＢＰ及びＣＴ_１Ｅ_ＴＧはそれぞれ次のことを意味する。
Ｄ_ＢＰ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離（ｍｍ）
Ｄ_ＴＧ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触するスパッタリングターゲットの接触面同士の距離（ｍｍ）
Ｔ：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させるときのバッキングプレートの温度（℃）（ただし、Ｔ＞室温、Ｔ＞Ｔ_１）
ΔＴ：Ｔ－室温（℃）
Ｔ_１：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させるときのスパッタリングターゲットの温度（℃）（ただし、Ｔ_１≧室温、Ｔ＞Ｔ_１）
ΔＴ_１：Ｔ_１－室温（℃）
ＣＴＥ_ＢＰ：温度Ｔにおけるバッキングプレートの線膨張係数（１／℃）
ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ：温度Ｔ_１におけるスパッタリングターゲットの線膨張係数（１／℃）
Ｃ：係数（ただし、Ｃ＝０．５～４．０）
ΔＤ：室温から温度Ｔまで昇温させたときのバッキングプレートと室温から温度Ｔ_１まで昇温させたときのスパッタリングターゲットの熱膨張量の差（ｍｍ）
ここで、（３）の形態について、同様に検討すると、バッキングプレート１を室温からバッキングプレートを熱膨張させる温度Ｔまで昇温させると、バッキングプレート１の押圧面同士の距離は、（Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ）で求められる長さの熱膨張をする。また、スパッタリングターゲット２は室温のままであるから、スパッタリングターゲット２の接触面同士の距離は、熱膨張しない。そうすると、バッキングプレート１のみを温度Ｔまで昇温することによって熱膨脹させると、バッキングプレート１の押圧面同士の距離は（Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ）で求められる長さ分だけ熱膨張し、バッキングプレート１の押圧面同士の距離がスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離よりも熱膨張することによってバッキングプレート１の押圧面６の内側にスパッタリングターゲット２を嵌め込むことが可能となる。そして、室温まで降温させると、（数６）に示される関係によって、スパッタリングターゲット２の接触面をバッキングプレート１の押圧面６で押圧することになる。前記の（３）の形態において、スパッタリングターゲット２の接触面をバッキングプレート１の押圧面６で押圧することを可能にするには、バッキングプレート１の熱膨脹によって、バッキングプレート１の押圧面同士の距離がスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離を逆転しなければならない。そこで、室温におけるバッキングプレート１の押圧面同士の距離を、室温におけるスパッタリングターゲット２の接触面同士の距離と比較して、どれだけ小さく設定することができるかの関係を示したのが（数７）及び（数９）である。（数７）及び（数９）においてＣは係数であるが、Ｃが０．５～４．０の範囲内であるとき、スパッタリングターゲット２の接触面をバッキングプレート１の押圧面６で押圧してスパッタリングターゲットとバッキングプレートとを接合するときに、スパッタリングターゲットの割れや反りを抑制することができる。

（２）の形態は、（１）の形態と（３）の形態の中間の形態であるから、同様にスパッタリングターゲット２の接触面をバッキングプレート１の押圧面６で押圧することになる。

本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、スパッタリング装置に前記スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を容易に設置できるようにするために、スパッタリングターゲット２が、前記スパッタリングターゲットのターゲット面の全周囲にバッキングプレート１のプレート面が露出するように該バッキングプレートに嵌め込まれている形態を包含する。この形態は、例えば図１又は図３に図示されている。

本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体では、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を製造する際に、スパッタリングターゲット面のみ押圧して接合できるようにするために、前記スパッタリングターゲットのターゲット面が前記バッキングプレートのプレート面よりも突出している形態を包含する。この形態は、例えば図１２～図２３に図示されている。

〈スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法〉
［製造方法の第１例］
（工程１）
次に図１２を参照しながら、図２に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体１００の製造方法の第一例について説明する。まず、図１２（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１２（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を形成する。凹部１７は底面１５と側面１６を有し、凹部１７の底面１５はスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８と当接するためのプレート面３であり、凹部１７の側面１６はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧するための押圧面６となる。また、スパッタリングターゲット２の下部で、バッキングプレート１の凹部１７に充填する部分のターゲット側面９を取り除き、切り欠きを形成する。スパッタリングターゲット２の取り除かれた箇所のターゲット側面９の下部の大きさ、すなわち、ターゲット裏面８の大きさは、バッキングプレート１の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設ける。これにより、スパッタリングターゲット２の切り欠きを含む下部を凹部１７に嵌め込もうとしても、嵌め込むことができない。

（工程２）
次に図１２（Ｃ）に示すように、バッキングプレート１を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさより少し小さめに設けているが、バッキングプレート１を加熱していくと、バッキングプレート１が膨張する。そしてさらにバッキングプレート１を加熱して膨張させたときに、バッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２において、加熱によってバッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなると、図１２（Ｄ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凹部１７に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部とバッキングプレート１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１２（Ｅ）に示すように、バッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９の下部が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１が収縮し、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部がバッキングプレート１の押圧面６によって押圧され、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。工程２において、バッキングプレート１を加熱するが、スパッタリングターゲット２は一緒に加熱していない。なお、バッキングプレート１から熱伝導を受けてスパッタリングターゲット２が昇温することはあり得る。そして、工程４において、バッキングプレート１の冷却にともなってスパッタリングターゲット２が降温することはあり得る。バッキングプレート１の加熱は例えばホットプレートを用いることで行われる。

［製造方法の第２例］
（工程１）
次に図１３を参照しながら、図２に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体１００の製造方法の第二例について説明する。バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２とを両方加熱する方式である。加熱は、例えば、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）又は放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）などによって行うことができる。まず、図１３（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１３（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を形成する。凹部１７は底面１５と側面１６を有し、凹部１７の底面１５はスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８と当接するためのプレート面３であり、凹部１７の側面１６はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧するための押圧面６となる。また、スパッタリングターゲット２の下部で、バッキングプレート１の凹部１７に充填する部分のターゲット側面９を取り除き、切り欠きを形成する。スパッタリングターゲット２の取り除かれた箇所のターゲット側面９の下部の大きさ、すなわち、ターゲット裏面８の大きさは、バッキングプレート１の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設ける。これにより、スパッタリングターゲット２の切り欠きを含む下部を凹部１７に嵌め込もうとしても、嵌め込むことができない。

次に、図１３（Ｃ）に示すように、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１のプレート面３の凹部１７上に設置する。このとき、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさは、バッキングプレート１の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設けているため、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部は、バッキングプレート１の凹部１７に充填されていない。

（工程２）
次に図１３（Ｄ）に示すように、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱する。このとき、最初はバッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさより少し小さめに設けているが、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱していくと、バッキングプレート１の方がスパッタリングターゲット２より膨張する。そしてさらにバッキングプレート１及びスパッタリングターゲット２を加熱して膨張させたときに、バッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図１３（Ｅ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凹部１７に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部とバッキングプレート１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１３（Ｆ）に示すように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９の下部が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１がスパッタリングターゲット２よりも冷却時の収縮が大きくなり、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部がバッキングプレート１の押圧面６によって締め付けられ、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。

［製造方法の第３例］
（工程１）
次に図１４を参照しながら、図４に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体２００の製造方法の第一例について説明する。まず、図１４（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１４（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を形成する。凹部１７は底面１５と側面１６を有し、凹部１７の底面１５はスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８と当接するためのプレート面３であり、凹部１７の側面１６はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧するための押圧面６となる。このとき、バッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し小さめに設ける。これにより、スパッタリングターゲット２を凹部１７に嵌め込もうとしても、嵌め込むことができない。

（工程２）
次に図１４（Ｃ）に示すように、バッキングプレート１を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔より少し小さめに設けているが、バッキングプレート１を加熱していくと、バッキングプレート１が膨張する。そしてさらにバッキングプレート１を加熱して膨張させたときに、バッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２において、加熱によってバッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなると、図１４（Ｄ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凹部１７に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１４（Ｅ）に示すように、バッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１が収縮し、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９がバッキングプレート１の押圧面６によって押圧され、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。工程２において、バッキングプレート１を加熱するが、スパッタリングターゲット２は一緒に加熱していない。なお、バッキングプレート１から熱伝導を受けてスパッタリングターゲット２が昇温することはあり得る。そして、工程４において、バッキングプレート１の冷却にともなってスパッタリングターゲット２が降温することはあり得る。バッキングプレート１の加熱は例えばホットプレートを用いることで行われる。

［製造方法の第４例］
（工程１）
次に図１５を参照しながら、図４に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体２００の製造方法の第二例について説明する。バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２とを両方加熱する方式である。加熱は、例えば、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）又は放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）などによって行うことができる。まず、図１５（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１５（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凹部１７を形成する。凹部１７は底面１５と側面１６を有し、凹部１７の底面１５はスパッタリングターゲット２のターゲット裏面８と当接するためのプレート面３であり、凹部１７の側面１６はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧するための押圧面６となる。このとき、バッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔の大きさよりも少し小さめに設ける。

次に、図１５（Ｃ）に示すように、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１のプレート面３の凹部１７上に設置する。このとき、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔は、バッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設けているため、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９は、バッキングプレート１の凹部１７に充填されていない。

（工程２）
次に図１５（Ｄ）に示すように、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱する。このとき、最初はバッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔より少し小さめに設けているが、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱していくと、バッキングプレート１の方がスパッタリングターゲット２より膨張する。そしてさらにバッキングプレート１及びスパッタリングターゲット２を加熱して膨張させたときに、バッキングプレート１の凹部１７の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図１５（Ｅ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凹部１７に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１５（Ｆ）に示すように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１がスパッタリングターゲット２よりも冷却時の収縮が大きくなり、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９がバッキングプレート１の凹部１７の押圧面６によって締め付けられ、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。

［製造方法の第５例］
（工程１）
次に図１６を参照しながら、図５に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３００の製造方法の第一例について説明する。まず、図１６（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１６（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３を形成する。また、スパッタリングターゲット２の下部で、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填する部分のターゲット側面９を取り除き、切り欠きを形成する。スパッタリングターゲット２の取り除かれた箇所のターゲット側面９の下部の大きさ、すなわち、ターゲット裏面８の大きさは、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設ける。ここで、凸部１３以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、凸部１３の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧するための押圧面６となる。

（工程２）
次に図１６（Ｃ）に示すように、バッキングプレート１を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさより少し小さめに設けているが、バッキングプレート１を加熱していくと、バッキングプレート１が膨張する。そしてさらにバッキングプレート１を加熱して膨張させたときに、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなる

（工程３）
工程２において、加熱によってバッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなると、図１６（Ｄ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部とバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１６（Ｅ）に示すように、バッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９の下部が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１が収縮し、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部がバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６によって押圧され、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。工程２において、バッキングプレート１を加熱するが、スパッタリングターゲット２は一緒に加熱していない。なお、バッキングプレート１から熱伝導を受けてスパッタリングターゲット２が昇温することはあり得る。そして、工程４において、バッキングプレート１の冷却にともなってスパッタリングターゲット２が降温することはあり得る。バッキングプレート１の加熱は例えばホットプレートを用いることで行われる。

［製造方法の第６例］
（工程１）
次に図１７を参照しながら、図５に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３００の製造方法の第二例について説明する。バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２とを両方加熱する方式である。加熱は、例えば、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）又は放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）などによって行うことができる。まず、図１７（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１７（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３を形成する。また、スパッタリングターゲット２の下部で、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填する部分のターゲット側面９を取り除き、切り欠きを形成する。スパッタリングターゲット２の取り除かれた箇所のターゲット側面９の下部の大きさ、すなわち、ターゲット裏面８の大きさは、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設ける。ここで、凸部１３以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、凸部１３の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧するための押圧面６となる。

次に図１７（Ｃ）に示すように、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１のプレート面３の凸部１３上に設置する。このとき、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさは、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設けているため、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部は、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填されていない。

（工程２）
次に図１７（Ｄ）に示すように、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱する。このとき、最初はバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさより少し小さめに設けているが、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱していくと、バッキングプレート１の方がスパッタリングターゲット２より膨張する。そしてさらにバッキングプレート１及びスパッタリングターゲット２を加熱して膨張させたときに、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図１７（Ｅ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部とバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１７（Ｆ）に示すように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９の下部が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１がスパッタリングターゲット２よりも冷却時の収縮が大きくなり、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部がバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６によって締め付けられ、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。

［製造方法の第７例］
（工程１）
次に図１８を参照しながら、図６に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４００の製造方法の第一例について説明する。まず、図１８（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１８（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３を形成する。また、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し小さめに設ける。ここで、凸部１３以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、凸部１３の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧するための押圧面６となる。

（工程２）
次に図１８（Ｃ）に示すように、バッキングプレート１を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔より少し小さめに設けているが、バッキングプレート１を加熱していくと、バッキングプレート１が膨張する。そしてさらにバッキングプレート１を加熱して膨張させたときにバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２において、加熱によってバッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなると、図１８（Ｄ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１８（Ｅ）に示すように、バッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１が収縮し、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９がバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６によって押圧され、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。工程２において、バッキングプレート１を加熱するが、スパッタリングターゲット２は一緒に加熱していない。なお、バッキングプレート１から熱伝導を受けてスパッタリングターゲット２が昇温することはあり得る。そして、工程４において、バッキングプレート１の冷却にともなってスパッタリングターゲット２が降温することはあり得る。バッキングプレート１の加熱は例えばホットプレートを用いることで行われる。

［製造方法の第８例］
（工程１）
次に図１９を参照しながら、図６に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４００の製造方法の第二例について説明する。バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２とを両方加熱する方式である。加熱は、例えば、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）又は放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）などによって行うことができる。まず、図１９（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、を準備する。ここで、図１９（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に凸部１３を形成する。また、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し小さめに設ける。ここで、凸部１３以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、凸部１３の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧するための押圧面６となる。

次に図１９（Ｃ）に示すように、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１のプレート面３の凸部１３上に設置する。このとき、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔は、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設けているため、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９は、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填されていない。

（工程２）
次に図１９（Ｄ）に示すように、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱する。このとき、最初はバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔より少し小さめに設けているが、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱していくと、バッキングプレート１の方がスパッタリングターゲット２より膨張する。そしてさらにバッキングプレート１及びスパッタリングターゲット２を加熱して膨張させたときに、バッキングプレート１の凸部１３の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図１９（Ｅ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６間に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図１９（Ｆ）に示すように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１がスパッタリングターゲット２よりも冷却時の収縮が大きくなり、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９がバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６によって締め付けられ、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。

［製造方法の第９例］
（工程１）
次に図２０を参照しながら、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３０１の製造方法の第一例について説明する。スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３０１は、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３００の凸部１３がバッキングプレート１から削り出して形成したのに対して、凸部１３と同じ役割を有する留め具１１をバッキングプレート１に固定した点で相違する。まず、図２０（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、留め具１１を準備する。次に、図２０（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する。また、スパッタリングターゲット２の下部で、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填する部分のターゲット側面９を取り除き、切り欠きを形成する。スパッタリングターゲット２の取り除かれた箇所のターゲット側面９の下部の大きさ、すなわち、ターゲット裏面８の大きさは、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設ける。ここで、留め具１１以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、留め具１１の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧するための押圧面６となる。また、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する手段としては、ねじ止め又は接合の方法が例示できる。接合の方法としてはさらに拡散接合又は溶接などの方法が例示できる。

（工程２）
次に図２０（Ｃ）に示すように、バッキングプレート１を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさより少し小さめに設けているが、バッキングプレート１を加熱していくと、バッキングプレート１が膨張する。そしてさらにバッキングプレート１を加熱して膨張させたときにバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図２０（Ｄ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部とバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図２０（Ｅ）に示すように、バッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９の下部が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１が収縮し、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部がバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６によって押圧され、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。工程２において、バッキングプレート１を加熱するが、スパッタリングターゲット２は一緒に加熱していない。なお、バッキングプレート１から熱伝導を受けてスパッタリングターゲット２が昇温することはあり得る。そして、工程４において、バッキングプレート１の冷却にともなってスパッタリングターゲット２が降温することはあり得る。バッキングプレート１の加熱は例えばホットプレートを用いることで行われる。

［製造方法の第１０例］
（工程１）
次に図２１を参照しながら、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３０１の製造方法の第二例について説明する。バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２とを両方加熱する方式である。加熱は、例えば、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）又は放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）などによって行うことができる。まず、図２１（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、留め具１１を準備する。次に、図２１（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する。また、スパッタリングターゲット２の下部で、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填する部分のターゲット側面９を取り除き、切り欠きを形成する。スパッタリングターゲット２の取り除かれた箇所のターゲット側面９の下部の大きさ、すなわち、ターゲット裏面８の大きさは、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設ける。ここで、留め具１１以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、留め具１１の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧するための押圧面６となる。また、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する手段としては、ねじ止め又は接合の方法が例示できる。接合の方法としてはさらに拡散接合又は溶接などの方法が例示できる。

次に図２１（Ｃ）に示すように、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１のプレート面３の留め具１１上に設置する。このとき、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさは、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設けているため、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部は、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填されていない。

（工程２）
次に図２１（Ｄ）に示すように、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさより少し小さめに設けているが、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱していくと、バッキングプレート１の方がスパッタリングターゲット２より膨張する。そしてさらにバッキングプレート１及びスパッタリングターゲット２を加熱して膨張させたときにバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部の大きさよりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図２１（Ｅ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部とバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図２１（Ｆ）に示すように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９の下部が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１がスパッタリングターゲット２よりも冷却時の収縮が大きくなり、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部がバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６によって締め付けられ、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。

［製造方法の第１１例］
（工程１）
次に図２２を参照しながら、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４０１の製造方法の第一例について説明する。スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４０１は、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４００の凸部１３がバッキングプレート１から削り出して形成したのに対して、凸部１３と同じ役割を有する留め具１１をバッキングプレート１に固定した点で相違する。まず、図２２（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、留め具１１を準備する。次に、図２２（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する。このとき、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し小さめに設ける。ここで、留め具１１以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、留め具１１の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧するための押圧面６となる。また、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する手段としては、ねじ止め又は接合の方法が例示できる。接合の方法としてはさらに拡散接合又は溶接などの方法が例示できる。

（工程２）
次に図２２（Ｃ）に示すように、バッキングプレート１を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔より少し小さめに設けているが、バッキングプレート１を加熱していくと、バッキングプレート１が膨張する。そしてさらにバッキングプレート１を加熱して膨張させたときにバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図２２（Ｄ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填することができる。その結果、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図２２（Ｅ）に示すように、バッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１が収縮し、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９がバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６によって押圧され、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。工程２において、バッキングプレート１を加熱するが、スパッタリングターゲット２は一緒に加熱していない。なお、バッキングプレート１から熱伝導を受けてスパッタリングターゲット２が昇温することはあり得る。そして、工程４において、バッキングプレート１の冷却にともなってスパッタリングターゲット２が降温することはあり得る。バッキングプレート１の加熱は例えばホットプレートを用いることで行われる。

［製造方法の第１２例］
（工程１）
次に図２３を参照しながら、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４０１の製造方法の第二例について説明する。バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２とを両方加熱する方式である。加熱は、例えば、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）又は放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）などによって行うことができる。まず、図２３（Ａ）に示すように、プレート面３と、プレート裏面４と、プレート側面５とを有するバッキングプレート１と、ターゲット面７と、プレート面３と向かい合うターゲット裏面８と、ターゲット側面９とを有するスパッタリングターゲット２と、留め具１１を準備する。次に、図２３（Ｂ）に示すように、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する。このとき、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し小さめに設ける。ここで、留め具１１以外の箇所でターゲット裏面８と当接する箇所もプレート面３となり、留め具１１の側面はスパッタリングターゲット２のターゲット側面９を押圧するための押圧面６となる。また、バッキングプレート１のプレート面３に留め具１１を固定する手段としては、ねじ止め又は接合の方法が例示できる。接合の方法としてはさらに拡散接合又は溶接などの方法が例示できる。

次に図２３（Ｃ）に示すように、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８をバッキングプレート１のプレート面３の留め具１１上に設置する。このとき、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔は、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔より少し大きめに設けているため、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９は、バッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填されていない。

（工程２）
次に図２３（Ｄ）に示すように、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱して熱膨張させる。このとき、最初はバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔は、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔より少し小さめに設けているが、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２を加熱していくと、バッキングプレート１の方がスパッタリングターゲット２より膨張する。そしてさらにバッキングプレート１及びスパッタリングターゲット２を加熱して膨張させたときにバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも少し大きくなる。

（工程３）
工程２を経て、図２３（Ｅ）に示すように、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６間に充填することができ、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６とを向かい合わせになるように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１とを配置することができる。

（工程４）
次に図２３（Ｆ）に示すように、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１を冷却して、ターゲット側面９が、押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成する。工程４の冷却によってバッキングプレート１がスパッタリングターゲット２よりも冷却時の収縮が大きくなり、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９がバッキングプレート１の留め具１１の押圧面６によって締め付けられ、冷却時の収縮によるカシメによって接合することができる。

（工程５）
本実施形態では、工程１と工程２、又は、工程２と工程３の間に、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１のプレート面３の界面に中間層１０となる材料を充填又はコーティングする工程５をさらに有していてもよい。具体的には、図１２、１４、１６、１８、２０、２２の各図において、（Ｃ）または（Ｃ）の前後で行うことが好ましく、換言すると（Ｂ）と（Ｃ）の間、（Ｃ）を行っている間または（Ｃ）と（Ｄ）の間で中間層を形成することが好ましく（各図において不図示）、図８～図１１に示した中間層を有するスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を製造することができる。なお、図１０、１１では中間層が２層の形態を示したが、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の密着性の確保などの中間層の効果が得られていれば、中間層が３層以上の形態でもよい。

また、バッキングプレート１とスパッタリングターゲット２とを両方加熱する方式でも、工程１と工程２、又は、工程２と工程３の間に、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１のプレート面３の界面に中間層１０となる材料を充填又はコーティングする工程５をさらに有していてもよい。具体的には、図１３、１５、１７、１９、２１、２３の各図において、（Ｂ）と（Ｃ）の間で中間層を形成することが好ましく（各図において不図示）、図８～図１１に示した中間層を有するスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を製造することができる。なお、図１０、１１では中間層が２層の形態を示したが、スパッタリングターゲット２とバッキングプレート１の密着性の確保などの中間層の効果が得られていれば、中間層が３層以上の形態でもよい。

（工程６）
本実施形態において、工程３と工程４の間に、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１のプレート面３とを拡散させるために、スパッタリングターゲット２を押圧する工程６をさらに有することが好ましい。押圧によって、面と面とが密着するとスパッタリングターゲット２とバッキングプレート１との拡散、又は、スパッタリングターゲット２と中間層１０との拡散及び中間層１０とバッキングプレート１との拡散をさせることができ、密着性が向上して熱伝導を良好に保つことができる。さらに、スパッタリングターゲット２を押圧することによって収縮時のスパッタリングターゲットの反りの防止にも役立つ。

（工程２、工程３及び工程４における加熱方法）
本実施形態では、少なくとも工程２、工程３及び工程４において、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）及びホットプレートによる加熱法のうち少なくとも１つの方法を用いて行うことが好ましい。加熱と冷却を行うことができる装置であれば適用することができ、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）及びホットプレートによる加熱法のうち少なくとも１つの方法を用いて行う。冷却には自然放冷が含まれる。

（工程６における加熱方法）
本実施形態では、工程６において、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）及び放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）の少なくとも１つの方法を用いて行うことが好ましい。加熱と押圧を同時に行うことができる装置であれば適用することができ、ホットプレス焼結法（ＨＰ），熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）のいずれかを用いて行うことができる。

（工程６における雰囲気）
また、本実施形態では、工程６において、１０Ｐａ以下の減圧雰囲気又は酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気とし、加熱温度を１００～１０００℃とし、かつ、押圧を０Ｐａ以上８０ＭＰａ以下の範囲とすることが好ましい。スパッタリングターゲットの酸素含有量を抑制することができる。

ホットプレート方式で、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を製造した後、さらに、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）などで再度加熱と押圧を行ってもよい。

図２に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体１００は、図１２、１３に示すようにバッキングプレート１を熱膨脹させて、スパッタリングターゲット２を嵌め込んだ後で冷却することによって製造できる。また、図４に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体２００は、図１４、１５に示すようにバッキングプレート１を熱膨脹させて、スパッタリングターゲット２を嵌め込んだ後で冷却することによって製造できる。また、図５に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体３００は、図１６、１７に示すようにバッキングプレート１を熱膨脹させて、スパッタリングターゲット２を嵌め込んだ後で冷却することによって製造できる。また、図６に示したスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体４００は、図１８、１９に示すようにバッキングプレート１を熱膨脹させて、スパッタリングターゲット２を嵌め込んだ後で冷却することによって製造できる。

また、本実施形態では、工程４の後に、押圧又は加熱と押圧の工程及び冷却の工程を１組として１回行う又は２回以上繰り返し行うことが好ましい。押圧又は加熱と押圧の工程及び冷却の工程を１組として１回行う又は２回以上繰り返し行うことで、スパッタリングターゲットのターゲット裏面とバッキングプレートのプレート面との接合強度をより向上させることや、密着性をより向上させて熱伝導をより効率よく行うことができる。

（スパッタリングターゲットの回収方法）
本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体がスパッタリング装置に装着され、使用された場合であって、スパッタリングターゲットが消耗した場合について説明する。本実施形態に係るスパッタリングターゲットの回収方法は、本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を加熱して、バッキングプレート１の押圧面６同士の間隔がスパッタリングターゲット２のターゲット側面９同士の間隔よりも大きくなるまで熱膨脹させる工程Ａと、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１から取り外して、スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体からスパッタリングターゲットを回収する工程Ｂと、を有する。スパッタリングターゲット２を取り外す形態には、スパッタリングターゲット２をそのまま取り外す形態と、スパッタリングターゲット２に衝撃を加えて取り外す形態が含まれる。

(変形例１)
本実施形態に係るスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体において、スパッタリングターゲットを設置する箇所でスパッタリングターゲットのターゲット裏面より少し小さいバッキングプレートのプレート面を一段高く形成した後、一段高く形成したバッキングプレートの側面に留め具を固定してバッキングプレートの押圧面を形成し、バッキングプレートの加熱による膨張と冷却による収縮を利用してバッキングプレートの押圧面内にスパッタリングターゲットを固定してもよい。

(変形例２)
凸部１３を設けた形態において、凸部１３の一部を留め具１１に置き換えてもよい。すなわち、バッキングプレート１が、凸部１３と留め具１１の両方を有していてもよい。

以下、実施例を示しながら本発明についてさらに詳細に説明するが、本発明は実施例に限定して解釈されない。

（実施例１）
図８に相当する接合体を作製する。まず、曲げ強度が１３８ＭＰａであるΦ５０×７ｔ（単位：ｍｍ）のＡｌ－３０原子％Ｓｃスパッタリングターゲット２と、Φ７０×８ｔ（単位：ｍｍ）のＡｌ合金であるＡ６０６１のバッキングプレート１を準備した。線膨張係数は、Ａｌ－３０原子％Ｓｃが１３．５×１０^－６／℃、Ａ６０６１が２３．６×１０^－６／℃である。次に、バッキングプレート１のスパッタリングターゲット２の設置箇所に、スパッタリングターゲット２の直径より０．１ｍｍ小さく、深さ２ｍｍの凹部１７を旋盤にて加工した。次に、バッキングプレート１の凹部１７の底面１５に、０．１ｍｍ厚のＮｉ板材を中間層１０の材料として充填した。次に、バッキングプレート１の凹部１７の上にＡｌ－３０原子％Ｓｃスパッタリングターゲット２を設置した。このときスパッタリングターゲット２は凹部１７にははまらず、Ｎｉ板材の上方（凹部１７の底面１５から２ｍｍの隙間を開けて）にある。次に、放電プラズマ焼結機を用いて１０Ｐａ以下の減圧雰囲気下で２５０℃に昇温後、スパッタリングターゲット２を、凹部１７の開口面が熱膨脹によって広がったバッキングプレート１の凹部１７に充填した。その後、１０ＭＰａでスパッタリングターゲット２を押圧しながら、４００℃まで昇温し、１時間保持して拡散接合を行った。その後、冷却してターゲット側面９が押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成した。その結果を図２４に示す。図２４に示すように、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９とバッキングプレート１の押圧面６はカシメにより固着し、ターゲット裏面８も隙間無くＮｉが充填されて、熱伝導が良く拡散接合が行われ、そのとき、スパッタリングターゲット２の割れは発生しなかった。

（実施例２）
図７、特に図７（Ｆ）に相当する接合体において中間層を設けた接合体を作製する。まず、熔解法にて作製したΦ１５６×６ｔ（単位：ｍｍ）のルテニウムスパッタリングターゲット２と、上段がΦ１５６×７ｔで下段がΦ２４０×１３７ｔ（単位：ｍｍ）の凸形状を有する黄銅のバッキングプレート１を準備した。線膨張係数は、ルテニウムが６．７５×１０^－６／℃、黄銅が２１．２×１０^－６／℃である。次に、スパッタリングターゲット２の側面の下部を、スパッタリングターゲット２の外周から内側に８ｍｍ及びターゲット裏面８から高さ３ｍｍを研削加工により取り除き、切り欠き部を形成した。その後、スパッタリングターゲット２の側面の下部を、ターゲット裏面８から切り欠き部の平面に向けてスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の凹凸部分１８を切削加工により形成した。切削加工後のスパッタリングターゲット２の切り欠き部の画像を図２５（Ａ）に示した。次に、バッキングプレート１の凸形状箇所において、Φ１３９．６ｍｍ、深さ３ｍｍの切削加工を行い、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部を押圧するための凸部１３を形成した。さらに、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の凹凸部分１８と符合する位置でバッキングプレート１の凸部１３の押圧面６に凹凸部分１９を形成した。次に、バッキングプレート１の凸部１３の内側のプレート面３に０．２ｍｍ厚のＡｌの板材を充填した。次に、Ａｌの板材を充填したバッキングプレート１をホットプレートで２３０℃に昇温後、バッキングプレート１の押圧面６をスパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部より膨張させた後、スパッタリングターゲット２のターゲット側面９の下部をバッキングプレート１の凸部１３の内側に充填した。その後、自然冷却での熱収縮によりカシメを行い、スパッタリングターゲット-バッキングプレート接合体を得た。接合後、放電プラズマ焼結機を用いて１０Ｐａ以下の減圧雰囲気で、１０ＭＰａでスパッタリングターゲット２のターゲット面７からバッキングプレート１のプレート面３に向けて加圧しながら４００℃まで昇温し、１時間保持にて拡散接合を行った後、冷却した。スパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体の全体画像を図２５（Ｂ）に示した。スパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体の部分拡大画像を図２５（Ｃ）に示した。スパッタリングターゲット－バッキングプレート接合体は、前記ターゲット側面９の凹凸部分１８と前記押圧面６の凹凸部分１９とは、互いに嵌め込みあう構造を有するとともに、バッキングプレート１の押圧面６でスパッタリングターゲット２の外周側面９の下部を押圧することでカシメにより固着し、かつ、スパッタリングターゲット２のターゲット裏面８とバッキングプレート１のプレート面３はＡｌ板を介して密着するとともに、スパッタリングターゲット２の割れは発生しなかった。

（実施例３）
図４に相当する接合体において、ターゲット側面に凹凸部分を設け、押圧面に凹凸部分を設け、さらに中間層を設けた接合体を作製する。まず、熔解法にて作製したΦ１５６×９ｔ（単位：ｍｍ）のルテニウムスパッタリングターゲット２と、Φ２４０×２０ｔ（単位：ｍｍ）の黄銅のバッキングプレート１を準備した。線膨張係数は、ルテニウムが６．７５×１０^－６／℃、黄銅が２１．２×１０^－６／℃である。次に、ターゲット側面９に、側面方向に沿って環状の０．５ｍｍの環状凹部を旋盤で形成した。これによって、ターゲット側面９に、環状凹部の底面を基準として凸となる環状凸部が形成される。次に、バッキングプレート１のスパッタリングターゲット２の設置箇所に、スパッタリングターゲット２の直径より０．４ｍｍ小さく、深さ４ｍｍの凹部１７を旋盤にて加工する。さらにスパッタリングターゲット２の環状凸部と符合する位置のバッキングプレート１の凹部１７の側面１６に０．５ｍｍの環状凹部を形成した。次に、バッキングプレート１の凹部１７の底面１５に０．１ｍｍ厚のＮｉの板材及び微量のＩｎ粉末を充填した。この微量のＩｎ粉末は、Ｎｉの板材周りの隙間に充填される。次に、バッキングプレート１の凹部１７の上にスパッタリングターゲット２を設置した。次に、放電プラズマ焼結機を用いて１０Ｐａ以下の減圧雰囲気で２５０℃に昇温後、スパッタリングターゲット２をバッキングプレート１の凹部１７に充填する。充填後、１０ＭＰａでスパッタリングターゲット２を押圧しながら、さらに４００℃まで昇温し、１時間保持にて拡散接合を行った後、冷却してターゲット側面９が押圧面６で押圧されたカシメ構造を形成した。その結果を図２６に示す。接合体は、ターゲット側面９の凹凸部分１８と凹部１７の側面１６の凹凸部分１９とが互いに嵌め込みあう構造を有している。図２６に示すようにターゲット側面９とバッキングプレートの凹部１７の側面１６とはカシメにより固着し、ターゲット裏面８も隙間無くＮｉ、Ｉｎが充填されて、熱伝導が良く拡散接合が行われながら、スパッタリングターゲット２の割れは発生しなかった。

（比較例１）
曲げ強度が１３８ＭＰａであるΦ７０×７ｔ（単位：ｍｍ）のＡｌ－３０原子％Ｓｃスパッタリングターゲットと、Φ８０×８ｔ（単位：ｍｍ）のＡｌ合金であるＡ６０６１のバッキングプレートを準備した。線膨張係数は、Ａｌ－３０原子％Ｓｃが１３．５×１０^－６／℃、Ａ６０６１が２３．６×１０^－６／℃である。次に、バッキングプレート上にＡｌ－３０原子％Ｓｃスパッタリングターゲットを設置した。次に、放電プラズマ焼結機を用いて、真空雰囲気で５００℃に昇温後、１０ＭＰａでスパッタリングターゲットを押圧しながら１時間保持にて拡散接合を行った。その結果を図２７に示す。接合体は、バッキングプレートに凹部１７が形成されておらず、カシメ構造を有していない。図２７に示すように、スパッタリングターゲットとバッキングプレートは接合されているが、線膨張係数の差が大きいため、バッキングプレートの冷却時にスパッタリングターゲットが圧縮の応力を受けて割れてしまった。

（比較例２）
曲げ強度が１３８ＭＰａであるΦ７０×７ｔ（単位：ｍｍ）のＡｌ－３０原子％Ｓｃスパッタリングターゲットと、Φ８０×８ｔ（単位：ｍｍ）のＡｌ合金であるアルミ青銅のバッキングプレートを準備した。線膨張係数は、Ａｌ－３０原子％Ｓｃが１３．５×１０^－６／℃、アルミ青銅が１６．５×１０^－６／℃である。次に、バッキングプレート上にＡｌ－３０原子％Ｓｃスパッタリングターゲットを設置した。次に、放電プラズマ焼結機を用いて、真空雰囲気で５００℃に昇温後、１０ＭＰａでスパッタリングターゲットを押圧しながら１時間保持にて拡散接合を行った。その結果を図２８に示す。接合体は、バッキングプレートに凹部１７が形成されておらず、カシメ構造を有していない。図２８に示すように、比較例１よりもスパッタリングターゲットの線膨張係数とバッキングプレートの線膨張係数を近づけてみたが、スパッタリングターゲットとバッキングプレートとの線膨張係数の差があるため、スパッタリングターゲットが圧縮の応力を受けて割れるとともに、バッキングプレートへの接合が不十分であるためバッキングプレートからスパッタリングターゲットが剥離した。

（比較例３）
焼結法にてΦ１９４×１０ｔ（単位：ｍｍ）のルテニウムスパッタリングターゲットと、Φ２４０×２０ｔ（単位：ｍｍ）の無酸素銅のバッキングプレートを準備した。線膨張係数は、ルテニウムが６．７５×１０^－６／℃、無酸素銅が１６．２×１０^－６／℃である。次に、バッキングプレート上にルテニウムスパッタリングターゲットを設置した。次に、放電プラズマ焼結機を用いて、真空雰囲気で７００℃に昇温後、１０ＭＰａでスパッタリングターゲットを押圧しながら１時間保持にて拡散接合を行った。その結果を図２９に示す。接合体は、バッキングプレートに凹部１７が形成されておらず、カシメ構造を有していない。図２９に示すように、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの線膨張係数の差があるため、スパッタリングターゲットが圧縮の応力を受けて割れてしまった。

（比較例４）
焼結法にてΦ１８０×５ｔ（単位：ｍｍ）のルテニウムスパッタリングターゲットと、バッキングプレートとして用いる無酸素銅で作製したＣＡＮと呼ばれる１５ｍｍ厚の容器にΦ１８０．１ｍｍ、深さ１０ｍｍの凹部を形成したものを準備した。線膨張係数は、ルテニウムが６．７５×１０^－６／℃、無酸素銅が１６．２×１０^－６／℃である。次に、ＣＡＮにスパッタリングターゲットを内包した後、その上から無酸素銅で作製したΦ１８０×５ｔの蓋をスパッタリングターゲットの上に乗せ、ＣＡＮ内を真空にして封止した。次に、ＨＩＰ装置を用いて、５００℃に昇温後、１００ＭＰａでＣＡＮを加圧して拡散接合を行った。このとき容器が全面から加圧され、容器とターゲットが拡散接合された。拡散接合後に、旋盤を用いてスパッタリングターゲットとバッキングプレートを削り出した。その結果を図３０に示す。図３０に示すように、拡散接合は出来ていたが、スパッタリングターゲットとバッキングプレートの線膨張係数の差があるため、スパッタリングターゲットが圧縮の応力を受けて中央部から細かな割れが外周に向けて放射状に発生して割れてしまった。

５０，１００，２００，３００，３０１，４００，４０１，５００，６００，７００，８００，９００ スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体
１ バッキングプレート
２ スパッタリングターゲット
３ バッキングプレートのプレート面
４ バッキングプレートのプレート裏面
５ バッキングプレートのプレート側面
６ バッキングプレートの押圧面
７ スパッタリングターゲットのターゲット面
８ スパッタリングターゲットのターゲット裏面
９ スパッタリングターゲットのターゲット側面
１０ 中間層
１０ａ バッキングプレートとの界面に設置された中間層
１０ｂ スパッタリングターゲットとの界面に設置された中間層
１１ 留め具
１３ バッキングプレートのプレート面に設けた凸部
１５ バッキングプレートの凹部の底面
１６ バッキングプレートの凹部の側面
１７ バッキングプレートの凹部
１８ スパッタリングターゲットのターゲット側面の凹凸部分
１９ バッキングプレートの押圧面の凹凸部分

Claims (27)

1. バッキングプレートにスパッタリングターゲットが接合されたスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体において、
   前記バッキングプレートは、プレート面と、プレート裏面と、プレート側面と、押圧面と、を有し、
   前記スパッタリングターゲットは、ターゲット面と、前記プレート面と向かい合うターゲット裏面と、ターゲット側面と、を有し、
   前記ターゲット側面が前記押圧面で押圧されていることによって、前記スパッタリングターゲットが前記バッキングプレートに固定されていることを特徴とするスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
2. 前記押圧面の押圧は前記バッキングプレートの熱収縮によって生じていることを特徴とする請求項１に記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
3. 前記バッキングプレートは、前記プレート面に凹部を有し、該凹部の側面が前記押圧面であることを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
4. 前記バッキングプレートは、前記プレート面に凸部を有し、該凸部の側面が前記押圧面であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
5. 前記バッキングプレートは、留め具を有し、該留め具の側面が前記押圧面であることを特徴とする請求項１～４のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
6. 前記留め具は、前記バッキングプレートの前記プレート面又は前記プレート側面に固定されていることを特徴とする請求項５に記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
7. 前記ターゲット側面は凹凸部分を有し、
   前記押圧面は凹凸部分を有し、かつ、
   前記ターゲット側面の凹凸部分と前記押圧面の凹凸部分とは、互いに嵌め込みあう構造となっていることを特徴とする請求項１～６のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
8. 前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に２．５ｍｍ以下の中間層を有し、該中間層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることを特徴とする請求項１～７のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
9. 前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に１０μｍ以下の中間層を有し、該中間層は、Ｎｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる薄膜であることを特徴とする請求項１～７のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
10. 前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に１．０ｍｍ以下の中間層を有し、該中間層は、Ｉｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることを特徴とする請求項１～７のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
11. 前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートの界面に２層以上の中間層を有し、該中間層は、
    ２．５ｍｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせ、
    １０μｍ以下のＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種の金属又はＮｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕの少なくともいずれか一種を含む合金からなる薄膜、または、
    １．０ｍｍ以下のＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種の金属又はＩｎ、Ｚｎの少なくともいずれか一種を含む合金からなる板材、粉末、又は該板材と該粉末の組み合わせからなることを特徴とする請求項１～７のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
12. 前記スパッタリングターゲットの材質がＡｌ－Ｓｃ合金、Ｒｕ、Ｒｕ合金、Ｉｒ又はＩｒ合金であることを特徴とする請求項１～１１のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
13. 前記スパッタリングターゲットの材質がＬｉ系酸化物、Ｃｏ系酸化物、Ｔｉ系酸化物又はＭｇ系酸化物であることを特徴とする請求項１～１１のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
14. 前記バッキングプレートの材質がＡｌ、Ａｌ合金、Ｃｕ、Ｃｕ合金、Ｆｅ又はＦｅ合金であり、前記バッキングプレートの線膨張係数が３０．０×１０^－６／℃以下であることを特徴とする請求項１～１３のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
15. 前記スパッタリングターゲットの曲げ強度が５００ＭＰａ以下であることを特徴とする請求項１～１４のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
16. 前記バッキングプレートの押圧面は、前記ターゲット側面を挟んで向かい合わせの位置に配置された対となる面を少なくとも有し、
    該対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離と、前記ターゲット側面のうち前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触しているスパッタリングターゲットの接触面同士の距離との関係が（数１）～（数５）を満たすことを特徴とする請求項１～１５のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
    （数１）Ｄ_ＴＧ＞Ｄ_ＢＰ
    （数２）Ｄ_ＢＰ＝Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×Ｃ
    （数３）ΔＤ＝Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ－Ｄ_ＴＧ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＴＧ
    （数４）Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×４．０≦Ｄ_ＢＰ≦Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×０．５
    （数５）ＣＴＥ_ＢＰ＞ＣＴＥ_ＴＧ
    ただし、Ｄ_ＢＰ、Ｄ_ＴＧ、ΔＤ、Ｃ、Ｔ、ΔＴ、ＣＴＥ_ＢＰ及びＣＴＥ_ＴＧはそれぞれ次のことを意味する。
    Ｄ_ＢＰ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離（ｍｍ）
    Ｄ_ＴＧ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触するスパッタリングターゲットの接触面同士の距離（ｍｍ）
    Ｔ：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させる温度（℃）（ただし、Ｔ＞室温）
    ΔＴ：Ｔ－室温（℃）
    ＣＴＥ_ＢＰ：温度Ｔにおけるバッキングプレートの線膨張係数（１／℃）
    ＣＴＥ_ＴＧ：温度Ｔにおけるスパッタリングターゲットの線膨張係数（１／℃）
    Ｃ：係数（ただし、Ｃ＝０．５～４．０）
    ΔＤ：室温から温度Ｔまで昇温させたときのバッキングプレートとスパッタリングターゲットの熱膨張量の差（ｍｍ）
17. 前記バッキングプレートの押圧面は、前記ターゲット側面を挟んで向かい合わせの位置に配置された対となる面を少なくとも有し、
    該対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離と、前記ターゲット側面のうち前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触しているスパッタリングターゲットの接触面同士の距離との関係が（数６）～（数１０）を満たすことを特徴とする請求項１～１５のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
    （数６）Ｄ_ＴＧ＞Ｄ_ＢＰ
    （数７）Ｄ_ＢＰ＝Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×Ｃ
    （数８）ΔＤ＝Ｄ_ＢＰ×ΔＴ×ＣＴＥ_ＢＰ－Ｄ_ＴＧ×ΔＴ_１×ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ
    （数９）Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×４．０≦Ｄ_ＢＰ≦Ｄ_ＴＧ－ΔＤ×０．５
    （数１０）ＣＴＥ_ＢＰ＞ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ
    ただし、Ｄ_ＢＰ、Ｄ_ＴＧ、ΔＤ、Ｃ、Ｔ、ΔＴ、Ｔ_１、ΔＴ_１、ＣＴＥ_ＢＰ及びＣＴ_１Ｅ_ＴＧはそれぞれ次のことを意味する。
    Ｄ_ＢＰ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面同士の距離（ｍｍ）
    Ｄ_ＴＧ：室温における、前記対となるバッキングプレートの押圧面と接触するスパッタリングターゲットの接触面同士の距離（ｍｍ）
    Ｔ：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させるときのバッキングプレートの温度（℃）（ただし、Ｔ＞室温、Ｔ＞Ｔ_１）
    ΔＴ：Ｔ－室温（℃）
    Ｔ_１：バッキングプレートを熱膨張させてスパッタリングターゲットを嵌合させるときのスパッタリングターゲットの温度（℃）（ただし、Ｔ_１≧室温、Ｔ＞Ｔ_１）
    ΔＴ_１：Ｔ_１－室温（℃）
    ＣＴＥ_ＢＰ：温度Ｔにおけるバッキングプレートの線膨張係数（１／℃）
    ＣＴ_１Ｅ_ＴＧ：温度Ｔ_１におけるスパッタリングターゲットの線膨張係数（１／℃）
    Ｃ：係数（ただし、Ｃ＝０．５～４．０）
    ΔＤ：室温から温度Ｔまで昇温させたときのバッキングプレートと室温から温度Ｔ_１まで昇温させたときのスパッタリングターゲットの熱膨張量の差（ｍｍ）
18. 前記スパッタリングターゲットは、前記スパッタリングターゲットの前記ターゲット面の全周囲に前記バッキングプレートの前記プレート面が露出するように該バッキングプレートに嵌め込まれていることを特徴とする請求項１～１７のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
19. 前記ターゲット面が前記プレート面よりも突出していることを特徴とする請求項１～１８のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体。
20. プレート面と、プレート裏面と、プレート側面と、押圧面とを有するバッキングプレートと、ターゲット面と、前記プレート面と向かい合うターゲット裏面と、ターゲット側面とを有するスパッタリングターゲットと、を準備する工程１と、
    前記バッキングプレートを加熱して熱膨張させる工程２と、
    前記ターゲット側面と前記バッキングプレートの押圧面とを向かい合わせになるように、前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートとを配置する工程３と、
    前記バッキングプレートを冷却して、前記ターゲット側面が、前記押圧面で押圧されたカシメ構造を形成する工程４と、
    を有することを特徴とするスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法。
21. 前記工程１と前記工程２の間又は前記工程２と前記工程３の間に、中間層となる材料を前記スパッタリングターゲットと前記バッキングプレートとの接触箇所に充填又はコーティングする工程５をさらに有することを特徴とする請求項２０に記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法。
22. 前記工程３と前記工程４の間に、前記スパッタリングターゲットのターゲット裏面と前記バッキングプレートのプレート面とを拡散させるために、前記スパッタリングターゲットを押圧する工程６をさらに有することを特徴とする請求項２０又は２１に記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法。
23. 少なくとも前記工程２、前記工程３及び前記工程４において、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）、放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）及びホットプレートによる加熱法のうち少なくとも１つの方法を用いて行うことを特徴とする請求項２０～２２のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法。
24. 前記工程６において、ホットプレス焼結法（ＨＰ）、熱間等方加圧焼結法（ＨＩＰ）及び放電プラズマ焼結法（ＳＰＳ）の少なくとも１つの方法を用いて行うことを特徴とする請求項２２に記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法。
25. 前記工程６において、１０Ｐａ以下の減圧雰囲気又は酸素濃度１０００ｐｐｍ以下の雰囲気とし、加熱温度を１００～１０００℃とし、かつ、押圧を０Ｐａ以上８０ＭＰａ以下の範囲とすることを特徴とする請求項２２又は２４に記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法。
26. 前記工程４の後に、押圧又は加熱と押圧の工程及び冷却の工程を１組として１回行う又は２回以上繰り返し行うことを特徴とする請求項２０～２５のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体の製造方法。
27. 請求項１～１９のいずれか一つに記載のスパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体を加熱して、前記ターゲット側面から前記押圧面を離すまで熱膨脹させる工程Ａと、
    前記スパッタリングターゲットを前記バッキングプレートから取り外して、前記スパッタリングターゲット‐バッキングプレート接合体から前記スパッタリングターゲットを回収する工程Ｂと、を有することを特徴とするスパッタリングターゲットの回収方法。
    
    

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