JP2022114447A - Die bonding device and method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本開示はダイボンディング装置に関し、例えば、ダイの側面を検査するダイボンダに適用可能である。 The present disclosure relates to a die bonding apparatus, and is applicable, for example, to a die bonder that inspects the sides of a die.
半導体チップ（以下、ダイという。）を配線基板やリードフレームなどの基板に搭載してパッケージを組み立てる工程の一部に、ダイシングテープに貼付されている半導体ウエハ（以下、単にウエハという）からダイを分割するダイシング工程と、分割したダイを基板上に搭載又は既にボンディングしたダイに積層するボンディングする工程とがある。ボンディングする工程に用いる半導体製造装置がダイボンダ等のダイボンディング装置である。なお、本開示においては、ダイには、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）や３Ｄ ＮＡＮＤフラッシュ等の積層ダイを含み、素子ということもある。 As part of the process of assembling a package by mounting a semiconductor chip (hereinafter referred to as "die") on a substrate such as a wiring board or lead frame, the die is removed from the semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as "wafer") attached to the dicing tape. There is a dicing process for dividing and a bonding process for mounting a divided die on a substrate or stacking it on an already bonded die. A semiconductor manufacturing apparatus used in the bonding process is a die bonding apparatus such as a die bonder. In the present disclosure, the die includes stacked dies such as MEMS (Micro Electro Mechanical System) and 3D NAND flash, and is also called an element.
ダイシング工程では、ダイシング装置のワーク台のダイシングテープ上に接着固定したウェハを切断用ブレードによってダイシングする。このダイシング工程においては、切断面であるダイの側面にクラックやチッピング等の異常が発生することがある。ダイボンダにおいてダイの側面が撮像可能な技術が特許文献１に開示されている。特許文献１では、ダイ直上方向からカメラで撮像するのが問題であるため、ダイが載置される受渡ステージの真下にカメラを設置すると共に、ダイを左斜め上方と右斜め上方から撮像するように６台のミラーを設置している。
In the dicing process, a wafer adhesively fixed on a dicing tape on a work table of a dicing machine is diced by a cutting blade. In this dicing process, abnormalities such as cracks and chipping may occur on the side surface of the die, which is the cut surface. Japanese Patent Laid-Open No. 2002-200000 discloses a technique that enables a die bonder to take an image of the side surface of a die. In
しかし、特許文献１のようにダイを斜め上方から撮像する場合、例えば、チッピング等の欠けた面は方向によっては見えないことがある。
However, when the die is imaged obliquely from above as in
本開示の課題は素子の側面の異常検査の精度を向上することが可能な技術を提供することにある。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。 An object of the present disclosure is to provide a technique capable of improving the accuracy of abnormality inspection of the side surface of an element. Other problems and novel features will become apparent from the description of the specification and the accompanying drawings.
本開示のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
すなわち、ダイボンディング装置は、その上面にミラーが設置される中間ステージと、前記中間ステージの上方であって、前記ピックアップヘッドにより前記中間ステージに載置されたダイおよび前記ミラーの反射面が視野内に位置するように設けられた撮像装置と、前記撮像装置より下方であって前記中間ステージより上方に設けられた照明装置と、前記中間ステージに載置されたダイの上面および側面を前記撮像装置により撮像するよう構成される制御部と、を備える。
A brief outline of a representative one of the present disclosure is as follows.
That is, the die bonding apparatus includes an intermediate stage on which a mirror is installed, and a die placed on the intermediate stage by the pickup head above the intermediate stage and a reflecting surface of the mirror within the field of view. an imaging device provided so as to be located in the middle stage; an illumination device provided below the imaging device and above the intermediate stage; and a controller configured to image by.
本開示によれば、素子の側面の異常検査の精度を向上することができる。 According to the present disclosure, it is possible to improve the accuracy of abnormality inspection of the side surface of the element.
以下、実施形態および変形例について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明を省略することがある。なお、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本開示の解釈を限定するものではない。 Embodiments and modifications will be described below with reference to the drawings. However, in the following description, the same components may be denoted by the same reference numerals, and repeated descriptions may be omitted. In addition, in order to make the description clearer, the drawings may schematically represent the width, thickness, shape, etc. of each part compared to the actual embodiment, but this is only an example, and the interpretation of the present disclosure It is not limited.
まず、実施形態のダイボンダの構成について図１から図３を用いて説明する。図１は実施形態におけるダイボンダの概略上面図である。図２は図１に示すダイボンダの概略側面図である。図３はダイ供給部の主要部を示す概略断面図である。 First, the configuration of the die bonder of the embodiment will be described with reference to FIGS. 1 to 3. FIG. FIG. 1 is a schematic top view of the die bonder in the embodiment. 2 is a schematic side view of the die bonder shown in FIG. 1. FIG. FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing the main part of the die supply section.
ダイボンダ１０は、大別して、ダイ供給部１と、ピックアップ部２と、中間ステージ部３と、ボンディング部４と、搬送部５と、各部の動作を監視し制御する制御部８と、を有する。Ｙ軸方向がダイボンダ１０の前後方向であり、Ｘ軸方向が左右方向である。ダイ供給部１がダイボンダ１０の手前（正面）側に配置され、ボンディング部４が奥側に配置される。
The die
ダイ供給部１は、ウェハ１１を保持するウェハ保持台１２と、ウェハ１１からダイＤを突き上げる突上げユニット１３と、を有する。図３に示すように、ウェハ保持台１２は、ウェハリング１４を保持するエキスパンドリング１５と、ウェハリング１４に保持され複数のダイＤが接着されたダイシングテープ１６を水平に位置決めする支持リング１７と、を有する。突上げユニット１３は支持リング１７の内側に配置される。制御部８は、ウェハ保持台１２を図示しない駆動手段によってＸ軸方向およびＹ軸方向に移動し、ピックアップするダイＤを突上げユニット１３の位置（ピックアップ位置）に移動させる。
The die
ウェハ保持台１２は、ダイＤの突き上げ時に、ウェハリング１４を保持しているエキスパンドリング１５を下降させる。その結果、ウェハリング１４に保持されているダイシングテープ１６が引き伸ばされダイＤの間隔が広がり、突上げユニット１３によりダイＤ下方よりダイＤを突き上げ、ダイＤのピックアップ性を向上させている。ウェハ１１とダイシングテープ１６との間にダイアタッチフィルム（ＤＡＦ）１８と呼ばれるフィルム状の接着材料を貼り付けている。ＤＡＦ１８を有するウェハ１１では、ダイシングは、ウェハ１１とＤＡＦ１８に対して行なわれる。このため、ＤＡＦ１８のバリなどの異常が発生することがある。ここで、ウェハ１１は複数のダイＤに分割されており、ダイＤが後述するダイシングテープ１６によりウェハの外形で保持されているものである。従って、剥離工程では、ウェハ１１とＤＡＦ１８をダイシングテープ１６から剥離する。
The
ピックアップ部２は、突上げユニット１３で突き上げられたダイＤを先端に吸着保持するコレット２２を有し、ダイ供給部１からダイＤをピックアップし、中間ステージ部３に載置するピックアップヘッド２１と、ウェハ１１内のピックアップ対象のダイＤを認識するウェハ認識カメラ２４と、照明装置２５と、を有する。なお、ピックアップ部２は、ピックアップヘッド２１を昇降、回転及びＸ軸またはＹ軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
The pick-
中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識するステージ認識カメラ３４と、照明装置３５と、を有する。中間ステージ３１は、ステージ認識カメラ３４の光学軸に対して所定角度傾いた反射面を持つミラーまたはプリズム（以下、単にミラーという。）３１ａが四つ設置されている。この所定角度は、側面に対して垂直に近い角度で照明光が照射されると共に、側面を垂直に近い角度で撮像が可能となる角度であり、例えば、４５度±３度である。所定角度は、４５度±１度であるのがより好ましい。ミラー３１ａは、例えば、対向する側面が直角二等辺三角形状であり、他の側面、底面および反射面を有する斜面が矩形状である三角柱で構成されている。ミラー３１ａは三角柱に限定されるものではなく、柱状であればよい。また、ミラー３１ａは全体が柱状である必要はなく、一部が柱状であればよい。すなわち、反射面は平面状である。なお、ミラー３１ａは四つに限定されるものではなく、特定の側面のみを認識する場合は、その側面の数に対応する数であってもよい。ダイＤに一辺に対向する一つのミラー３１ａは複数のミラーで構成されていてもよい。照明装置３５は、例えば、同軸照明である。ミラー３１ａの反射面にダイＤの側面像を反射させ、中間ステージ３１上方に設置してあるステージ認識カメラ３４にてダイＤの上面および四つの側面を同時に（同一露光内に）撮像し検査することが可能である。
The
ステージ認識カメラ３４は、中間ステージ３１の上方に設置される。好ましくは、ステージ認識カメラ３４は、中間ステージ３１の直上に設置される。好ましくは、ステージ認識カメラ３４は、中間ステージ３１の中心軸とステージ認識カメラ３４の光軸が一致するように垂直下方に視野角を向けて設置される。ステージ認識カメラ３４は、ダイＤおよび四つのミラー３１ａの反射面が視野内に位置するように設置される。照明装置３５は、中間ステージ３１に載置されるダイＤをステージ認識カメラ３４が撮像可能な明るさにするため、光を照射する。照射された光の反射光は、四つのミラー３１ａに入射する。この構成によって、ステージ認識カメラ３４は、ダイＤの側面から上面まで撮像することができる。
A
四つのミラー３１ａに入射した光像は、四つのミラー３１ａの上方に設置されたステージ認識カメラ３４の光軸に沿って入射する。ステージ認識カメラ３４は、ダイＤの上面および四つのミラー３１ａからそれぞれ反射された被写体像を撮像する。ステージ認識カメラ３４が撮像した画像は、制御部８に出力され、画像処理され、また、表示画面（図示しない）にも表示され得る。
The optical images incident on the four
ボンディング部４は、ピックアップヘッド２１と同様の構造を有し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、ボンディングステージＢＳに搬送されてくる基板Ｓにボンディングし、又は既に基板Ｓの上にボンディングされたダイの上に積層する形でボンディングするボンディングヘッド４１と、ボンディングヘッド４１の先端に装着されダイＤを吸着保持するコレット４２と、基板Ｓの位置認識マーク(図示せず)を撮像し、ボンディングすべきダイＤのボンディング位置を認識する基板認識カメラ４４と、照明装置４５と、を有する。なお、ボンディング部４は、ボンディングヘッド４１を昇降、回転及びＹ軸方向移動させる図示しない各駆動部を有する。
The
このような構成によって、ボンディングヘッド４１は、ステージ認識カメラ３４の撮像データに基づいてピックアップ位置・姿勢を補正し、中間ステージ３１からダイＤをピックアップし、基板認識カメラ４４の撮像データに基づいて基板ＳのパッケージエリアにダイＤをボンディングする。
With such a configuration, the
搬送部５は基板Ｓが移動する搬送レーン５２を有する。搬送レーン５２は基板ＳをＸ軸方向に搬送する。
The
このような構成によって、基板Ｓは、図示しない基板供給部から搬送レーン５２に沿ってボンディング位置（実装位置）まで移動し、ボンディング後、図示しない基板搬出部まで移動したり、基板供給部まで戻ったりする。
With such a configuration, the substrate S moves from the substrate supply section (not shown) to the bonding position (mounting position) along the
制御部８は、ダイボンダ１０の上述した各部の動作を監視し制御するプログラム（ソフトウェア）を格納するメモリと、メモリに格納されたプログラムを実行する中央処理装置（ＣＰＵ）と、を備える。
The control unit 8 includes a memory storing a program (software) for monitoring and controlling the operation of each unit described above of the
次に、実施形態におけるダイボンダを用いた半導体装置の製造方法について図４を用いて説明する。図４は図１に示すダイボンダによる半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 Next, a method for manufacturing a semiconductor device using the die bonder according to the embodiment will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a flow chart showing a method of manufacturing a semiconductor device using the die bonder shown in FIG.
（ステップＳ１１：ウェハ・基板搬入工程）
ウェハ１１から分割されたダイＤが貼付されたダイシングテープ１６を保持したウェハリングを格納したウェハカセット（不図示）をダイボンダ１０に搬入する。制御部８はウェハリングが格納されたウェハカセットからウェハリングをダイ供給部１に供給する。また、基板Ｓを準備し、ダイボンダ１０の基板供給部に搬入する。
(Step S11: Wafer/substrate loading step)
A wafer cassette (not shown) storing a wafer ring holding a dicing
（ステップＳ１２：ピックアップ工程）
制御部８は、突上げユニット１３によりウェハ１１上のピックアップ対象のダイＤを下から突き上げ、ウェハ１１の裏面に貼りつけられているダイシングテープ１６からダイＤを剥離する。これに並行して、制御部８は、ピックアップヘッド２１をピックアップ対象のダイＤの直上まで下降し、ダイシングテープ１６から剥離されたダイＤをピックアップヘッド２１のコレット２２により真空吸着する。そして、制御部８は、ピックアップヘッド２１を上昇動作、平行移動動作、及び下降動作を行って中間ステージ３１の所定箇所にダイＤを載置する。この時、制御部８は、中間ステージ３１の図示しない吸着穴によってダイＤを吸着して、ピックアップヘッド２１から離脱させる。このようにして、ダイシングテープ１６から剥離されたダイＤは、コレット２２に吸着、保持されて、中間ステージ３１に搬送されて載置される。
(Step S12: Pick-up process)
The control unit 8 pushes up the die D to be picked up on the
制御部８は、ステージ認識カメラ３４により中間ステージ３１の上のダイＤの上面および四つの側面を撮像し、ダイＤの位置決めを行うと共に、異物または傷（クラックまたはチッピングを含む）の異常の検査を行う。制御部８は、画像処理によって、ダイボンダのダイ位置基準点からの中間ステージ３１上のダイＤのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を算出する。なお、ダイ位置基準点は、予め、中間ステージ３１の所定の位置を装置の初期設定として保持している。そして、制御部８は、画像処理によって、ダイＤの上面および四つの側面の異常の検査を行う。
The control unit 8 images the upper surface and four side surfaces of the die D on the
そして、ダイＤを中間ステージ３１に搬送したピックアップヘッド２１をダイ供給部１に戻す。上記した手順に従って、次のダイＤがダイシングテープ１６から剥離され、以後同様の手順に従ってダイシングテープ１６から１個ずつダイＤが剥離される。
Then, the
（ステップＳ１３：ボンディング工程）
上述したように、制御部８は、基板供給部から基板Ｓをボンディング部４に搬送する。そして、制御部８は、ボンディングステージＢＳ上に載置された基板Ｓを基板認識カメラ４４により撮像する。制御部８は、画像処理によって、ダイボンダの基板位置基準点からの基板Ｓのずれ量（Ｘ、Ｙ、θ方向）を算出している。なお、基板位置基準点は、予め、基板チェック部の所定の位置を装置の初期設定として保持している。
(Step S13: bonding step)
As described above, the control section 8 transports the substrate S from the substrate supply section to the
制御部８は、ステップＳ１２において算出したダイＤのずれ量からボンディングヘッド４１の吸着位置を補正してダイＤをコレット４２により吸着する。中間ステージ３１からダイＤを吸着したボンディングヘッド４１を上昇、平行移動、及び下降を行ってボンディングステージＢＳ上の基板Ｓの所定箇所にダイＤをボンディングする。ここで、基板Ｓの所定箇所は、基板Ｓのパッケージとなるエリア、または、すでに素子が載置してあり、それに加える形で素子をボンディングする際の領域、または、積層ボンディングする素子のボンディング領域である。制御部８は、ステップＳ１２において検査したダイＤが不良の場合、ボンディングヘッド４１によりダイＤを捨て置き領域へ搬送する。
The controller 8 corrects the suction position of the
（ステップＳ１４：基板搬出工程）
上述したように、制御部８はダイＤがボンディングされた基板Ｓを基板搬出部に搬送する。ダイボンダ１０の基板搬出部から基板Ｓを搬出する。
(Step S14: substrate unloading step)
As described above, the control unit 8 transports the substrate S with the die D bonded thereon to the substrate unloading unit. The substrate S is unloaded from the substrate unloading portion of the
上述したように、ダイＤは、基板Ｓ上に実装され、ダイボンダから搬出される。その後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。例えば、積層ボンディングする場合は、続いて、ダイＤが実装された基板Ｓがダイボンダに搬入されて基板Ｓ上に実装されたダイＤの上にダイＤが積層され、ダイボンダから搬出された後、ワイヤボンディング工程でＡｕワイヤを介して基板Ｓの電極と電気的に接続される。第二段目より上のダイＤは、前述した方法でダイシングテープ１６から剥離された後、ダイボンディング部に搬送されてダイＤの上に積層される。上記工程が所定回数繰り返された後、基板Ｓをモールド工程に搬送し、複数個のダイＤとＡｕワイヤとをモールド樹脂（図示せず）で封止することによって、積層パッケージが完成する。
As described above, the die D is mounted on the substrate S and unloaded from the die bonder. After that, it is electrically connected to the electrode of the substrate S through the Au wire in a wire bonding process. For example, in the case of lamination bonding, subsequently, the substrate S on which the die D is mounted is carried into the die bonder, the die D is laminated on the die D mounted on the substrate S, and after the die D is carried out from the die bonder, It is electrically connected to the electrode of the substrate S through the Au wire in a wire bonding process. The die D above the second stage is peeled off from the dicing
実施形態によれば、一つまたは複数の下記の効果を有する。 Embodiments have one or more of the following advantages.
（１）中間ステージの上にカメラの光軸に対して所定角度傾いた反射面を持つミラー（またはプリズム）を設置する。ボンディング前に中間ステージに素子を仮載置し、その反射面に素子の側面像を反射させ、中間ステージ上方に設置してあるカメラにて側面を撮像して検査する。これにより、ダイシングテープに貼付されている素子のダイシング後の側面の状態をダイボンディング装置に搬入後に検査することが可能となり、ボンディング前に不良を選別することが可能である。 (1) A mirror (or prism) having a reflecting surface inclined at a predetermined angle with respect to the optical axis of the camera is installed on the intermediate stage. Before bonding, the element is temporarily placed on an intermediate stage, the side image of the element is reflected on the reflecting surface, and the side surface is imaged by a camera installed above the intermediate stage for inspection. As a result, it is possible to inspect the state of the side surface of the element attached to the dicing tape after dicing after it is carried into the die bonding apparatus, and it is possible to sort out defects before bonding.
（２）中間ステージの上にカメラの光軸に対して略４５度傾いた反射面を持つミラー（またはプリズム）を設置すると共に、カメラの下方に同軸照明を設置する。これにより、ミラーに反射後の照明が被写体側面に対して略垂直に照射されるので、側面に対して略垂直照明および略垂直撮像が可能になり、例えば、チッピング部の欠けた面の方向に関係なく、チッピング部を黒く映すことが可能になる。これにより、斜めからの観察では欠けた面は方向によっては見えなくなるという問題を減少することができる。また、特にダイ下面エッジ部における傷、ダイ側面のＤＡＦのバリまたは異物等も撮像できる。 (2) A mirror (or prism) having a reflecting surface inclined at approximately 45 degrees with respect to the optical axis of the camera is installed on the intermediate stage, and a coaxial illumination is installed below the camera. As a result, the illumination after being reflected by the mirror is irradiated substantially perpendicularly to the side surface of the subject. Regardless, it is possible to project the chipping portion black. This can reduce the problem that the chipped surface cannot be seen depending on the direction when observed from an oblique direction. In addition, it is possible to pick up images of flaws on the edge of the lower surface of the die, burrs of the DAF on the side surface of the die, foreign matter, and the like.
（３）検査してＮＧの場合は捨て置き領域へ搬送する。これにより、素子の自動不良選別が可能になる。基板に既に載置されている素子の上、または、基板に既に載置されている素子と異なる領域にダイをボンディングする場合、不良素子のボンディングを避けることが可能であり、同一パッケージ内のそれ以前に載置した素子も不良の扱いになることを避けることが可能である。 (3) If it is NG after inspection, it is transported to the disposal area. This enables automatic defect sorting of devices. When bonding a die on top of devices already on the substrate or in a different area than devices already on the substrate, it is possible to avoid bonding bad devices and avoid bonding those in the same package. It is possible to avoid treating previously placed elements as defective.
（４）中間ステージ上の素子の上面および複数の側面を同一露光内に撮像して検査する。これにより、タクトタイムが遅くなることを防ぐことが可能である。素子の側面を１台のカメラで順次撮像すると、露光時間、転送時間は検査面数の積算値になってしまい、たとえ撮像間で部材の移動、回転などがなかったとしても相応の所持時間がかかり、タクトタイムを遅くしてしまう。これを回避することが可能である。 (4) Imaging and inspecting the top surface and multiple side surfaces of the element on the intermediate stage in the same exposure. This makes it possible to prevent the takt time from being delayed. If the side surfaces of the element are sequentially imaged with a single camera, the exposure time and transfer time will be the cumulative value of the number of inspection surfaces. It takes a long time and slows down the takt time. It is possible to avoid this.
＜変形例＞
以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。
<Modification>
Some representative modifications of the embodiment are illustrated below. In the description of the modifications below, the same reference numerals as in the above-described embodiment may be used for portions having the same configurations and functions as those described in the above-described embodiment. For the description of this part, the description in the above-described embodiment can be used as appropriate within a technically consistent range. Also, part of the above-described embodiments and all or part of multiple modifications can be appropriately applied in combination within a technically consistent range.
（第一変形例）
まず、第一変形例におけるダイボンダをより明確にするため側面撮像の問題点について図５および図６を用いて説明する。図５は素子のダイシングにおける問題点について説明する図であり、図５（ａ）は通常のダイシング方法により切断されたダイの断面図であり、図５（ｂ）はステップカット方式によるダイシング方法により切断されたダイの断面図であり、図５（ｃ）は積層されたウェハをステップカット方式によるダイシング方法により切断されたダイの断面図である。図６はダイの側面撮像における問題点を説明する図である。図６においては、ステージ認識カメラ３４はそれを構成するイメージセンサ３４ａおよびレンズ３４ｂを用いて示されている。
(first modification)
First, in order to clarify the die bonder in the first modified example, the problem of side imaging will be described with reference to FIGS. 5 and 6. FIG. FIGS. 5A and 5B are diagrams for explaining problems in element dicing, FIG. 5A is a cross-sectional view of a die cut by a normal dicing method, and FIG. FIG. 5(c) is a cross-sectional view of a die cut by dicing a stacked wafer by a step-cut method. FIG. 6 is a diagram for explaining problems in side imaging of a die. In FIG. 6, the
図５（ａ）に示すような一度に切断する通常のダイシング方法では、ダイシングテープ１６とウェハ（ダイＤ）の接着部の付近でクラックやチッピングが発生しやすくなる。図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すようなステップカット方式よるダイシング方法では、ダイシングテープ１６とウェハ（ダイＤ）の接着部の付近でクラックやチッピングは図５（ａ）に示すダイシング方法よりは減少する。しかし、図５（ｂ）および図５（ｃ）に示す破線円で示す段差部分がブレードの接触等により欠けることがある。これにより、クラックやチッピングが発生する。ここで、ステップカット方式とは、段階的に、切断用ブレードの厚さを薄くしながら切り込み深さを増加させるダイシング方法である。上述したように、通常のダイシング方法もそうであるがステップカット方式のダイシング方法は最下層のカットを行う際にクラックやチッピングを発生させることがある。この場合クラックやチッピングはダイの下層部分に発生する。
In the normal dicing method of cutting at one time as shown in FIG. 5A, cracks and chipping are likely to occur near the bonding portion between the dicing
図６に示すように、中間ステージ３１においてダイＤが載置される面と同一平面内にミラー３１ａを設置する場合は、ダイＤの側面における最下部層Ａは集光不足により撮像ができない。そのため、例えば、ダイシング工程において切断されたダイＤの最下層を検査できない場合がある。
As shown in FIG. 6, when the
次に、第一変形例におけるダイボンダの中間ステージについて図７を用いて説明する。図７は第一変形例におけるダイボンダの中間ステージの断面図である。 Next, the intermediate stage of the die bonder in the first modified example will be explained using FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view of an intermediate stage of the die bonder in the first modified example.
図７に示すように、中間ステージ３１にダイＤが載置される台座３１ｂを設ける。台座３１ｂのダイＤが載置される載置面３１ｃはミラー３１ａを設置する面（中間ステージ３１の上面）３１ｄよりも高い。なお、載置面３１ｃを中間ステージ３１の上面３１ｄと同じ高さにしてミラー３１ａを設置する面を中間ステージ３１の上面３１ｄよりも低くしてもよい。
As shown in FIG. 7, the
これにより、ダイＤの最下層部分を正しく撮像することが可能となる。よって、ステップカット最下層カット時に形成されるクラックを検出することが可能になる。また、ダイＤの下面に貼付されたＤＡＦの巻き上げを検出することが可能になる。また、ミラー３１ａに降着した異物がミラー３１ａの傾斜面の上を滑り落ちる場合、撮像に影響のない領域に落ちるため、異物の影響を受けにくくなる。さらに、ダイＤのエッジ面のみにフォーカスしてクラック等を検出することも容易となる。また、載置面３１ｃはダイＤよりも一回り小さく形成するのが好ましい。この場合、ダイＤが載置面３１ｃに吸着されている状態においてダイＤの外周端部が撓んで変形しない大きさである。これにより、ダイＤの下端部の撮像が容易になる。また、載置するダイのサイズが変わった場合の対応も可能となる。
Thereby, it is possible to correctly image the lowermost layer portion of the die D. FIG. Therefore, it is possible to detect cracks formed during step-cut bottom layer cutting. In addition, it becomes possible to detect the winding up of the DAF attached to the lower surface of the die D. In addition, when a foreign object that has landed on the
（第二変形例）
まず、第二変形例におけるダイボンダをより明確にするためミラーを設置する中間ステージの問題点について図８を用いて説明する。図８はミラーを設置する中間ステージ問題点を説明する図である。図８（ａ）はダイサイズが大きい場合の中間ステージの上面図および断面図である。図８（ｂ）はダイサイズが小さい場合の中間ステージの上面図および断面図である。
(Second modification)
First, in order to clarify the die bonder in the second modified example, the problem of the intermediate stage on which the mirror is installed will be described with reference to FIG. FIG. 8 is a diagram for explaining the problem of the intermediate stage where the mirror is installed. FIG. 8A is a top view and cross-sectional view of an intermediate stage when the die size is large. FIG. 8(b) is a top view and a sectional view of the intermediate stage when the die size is small.
多品種対応を行おうとすると１種類のミラー付き中間ステージではダイサイズが変わるとミラー３１ａとダイＤの側面との距離が変わってしまう。例えば、図８（ａ）に示す場合のダイＤの長さをＬ１、ミラー３１ａとダイＤの側面との距離をｄ１とし、図８（ｂ）に示す場合のダイＤの長さをＬ２、ミラー３１ａとダイＤの側面との距離をｄ２とすると、Ｌ１＞Ｌ２であるので、ｄ１＜ｄ２となる。このため、レンズ―被写体間距離（ＷＤ）が変わってしまい焦点ずれが発生する。すなわち、ダイサイズに対してミラーの位置が最適化されていないと、素子の側面ごとでＷＤが異なってしまい、焦点にずれが生じる。
When trying to deal with a wide variety of products, the distance between the
次に、第二変形例におけるダイボンダの中間ステージについて図９を用いて説明する。図９は第二変形例におけるダイボンダの中間ステージを説明する図である。図９（ａ）は第二変形例におけるダイボンダの中間ステージのベースの上面図および断面図である。図９（ｂ）はダイサイズが大きい場合の中間ステージの上面図および断面図である。図９（ｃ）はダイサイズが小さい場合の中間ステージの上面図および断面図である。 Next, the intermediate stage of the die bonder in the second modified example will be explained using FIG. FIG. 9 is a diagram for explaining the intermediate stage of the die bonder in the second modified example. FIG. 9(a) is a top view and a sectional view of the base of the intermediate stage of the die bonder in the second modified example. FIG. 9B is a top view and a sectional view of the intermediate stage when the die size is large. FIG. 9(c) is a top view and a sectional view of the intermediate stage when the die size is small.
中間ステージ３１は、ベース部３１ｅと、ベース部３１ｅに脱着交換可能なステージ部３１ｇと、を備える。図９（ａ）に示すように、ベース部３１ｅは凹部３１ｆを有し、凹部３１ｆにステージ部３１ｇが位置決めして嵌合される。ステージ部３１ｇはダイサイズに合わせた位置に設置されたミラー３１ａを備えている。図９（ｂ）および図９（ｃ）に示すように、ステージ部３１ｇはダイサイズに合わせて複数用意される。
The
これにより、事前に準備したステージ部３１ｇを交換することにより、ＷＤを一定にするためのダイサイズに合わせたミラー配置が可能になる。すなわち、品種交換時にミラー配置調整が不要になる。また、ダイＤの表層の位置決めおよび検査とダイＤの側面検査とを被写界深度内において必ず同一撮像にて行うことが可能となる。
Accordingly, by exchanging the
また、ステージ部３１ｇのステージ面にミラー３１ａを固定することによりダイＤをステージ面に置くだけでミラー３１ａの反射面とダイＤとの角度が固定され、チルト調整が不要になる。例えば、ピックアップヘッドまたはボンディングヘッドによりダイＤを吸着して撮像する場合、コレット交換後ごとにチルト調整が必要になり、コレット自動交換等が困難になる。また、ステージ部３１ｇのような固定ステージのほうが水平安定性がよい。
Further, by fixing the
（第三変形例）
第三変形例における画像処理を明確にするため側面画像の問題点および第三変形例における画像処理について図１０を用いて説明する。図１０は第三変形例における画像処理を説明する図である。図１０（ａ）はＭＥＭＳの側面の画像模式図である。図１０（ｂ）は図１０（ａ）に示すＭＥＭＳに異物付着を想定した画像模式図である。図１０（ｃ）は図１０（ｂ）に示す画像を２値化した画像模式図である。図１０（ｄ）は図１０（ｂ）に示す画像に方位性を有する空間フィルタを適用した画像模式図である。図１０（ｅ）は図１０（ｄ）を２値化した画像模式図である。
(Third modification)
In order to clarify the image processing in the third modified example, the problem of the side image and the image processing in the third modified example will be described with reference to FIG. FIG. 10 is a diagram for explaining image processing in the third modified example. FIG. 10(a) is a schematic image diagram of the side surface of the MEMS. FIG. 10(b) is an image schematic diagram assuming foreign matter adhered to the MEMS shown in FIG. 10(a). FIG. 10(c) is an image schematic diagram obtained by binarizing the image shown in FIG. 10(b). FIG. 10(d) is an image schematic diagram obtained by applying a spatial filter having an orientation to the image shown in FIG. 10(b). FIG. 10(e) is an image schematic diagram obtained by binarizing FIG. 10(d).
図１０（ａ）に示すＭＥＭＳは、二枚のウェハがバンプ接合、ＤＡＦまたはエポキシ等の接着部ＢＰにより接合され、ダイシングにより切断されて形成される。図１０（ａ）に示すＭＥＭＳはダイＤ１とダイＤ２とが接着部ＢＰを介して積層されて形成されている。図１０（ａ）に示すように、例えばステップカット方式によりダイシングされたＭＥＭＳの側面には横方向に延伸する層模様（縞模様）がある。 The MEMS shown in FIG. 10(a) is formed by bonding two wafers by bump bonding, DAF, epoxy or other bonding portion BP, and cutting by dicing. The MEMS shown in FIG. 10(a) is formed by laminating a die D1 and a die D2 via a bonding portion BP. As shown in FIG. 10A, for example, the side surface of the MEMS diced by the step cut method has a laterally extending layer pattern (stripe pattern).
図１０（ａ）に示すＭＥＭＳの側面に図１０（ｂ）の破線円内に示すような異物や傷等の異常があるエラー領域を想定する場合、この画像を２値化すると、図１０（ｃ）に示す画像になり、異常を縞模様から分離することが難しい。すなわち、ダイシングされた素子や積層構造を持つ素子の側面の異常を検査したいとき、側面に縞模様があるため、単純な二値化処理や差分抽出処理ではエラー領域のみを分離することが難しい。なお、二値化処理とは、グレー画像をある閾値を基準として０（黒）と１（白）に変換することをいう。その目的は、対象物と背景を分離することであり、これにより、対象物だけに注目して、様々な解析を行うことが可能となる。 When assuming an error area with an abnormality such as a foreign matter or a scratch as shown in the dashed circle in FIG. 10B on the side surface of the MEMS shown in FIG. c), where it is difficult to separate anomalies from streaks. That is, when inspecting the side surfaces of a diced element or an element with a laminated structure, it is difficult to separate only the error region by simple binarization or difference extraction processing because the side surfaces have striped patterns. Note that the binarization process means converting a gray image into 0 (black) and 1 (white) based on a certain threshold. Its purpose is to separate the object from the background, which allows various analyzes to be performed by focusing only on the object.
そこで、第三変形例では、図１０（ｄ）に示すように、縞模様に直交するエッジを検出する輪郭抽出フィルタを用いて横方向のエッジ（縦方向の輪郭）を検出する。ここで、輪郭抽出フィルタはPrewitt、Sobel、１次微分、２次微分などの一般的なエッジ抽出フィルタであり、かつ方位性を持つものを指す。図１０（ｄ）に示す画像を二値化処理して図１０（ｅ）に示す画像を得る。これにより、層模様があっても、画像からエラー領域を分離でき、エラー領域の有無を判定できる。これにより、ダイシングされたダイや積層ダイのような縞模様を持つダイの側面の異物や傷を安定して抽出できる。 Therefore, in the third modification, as shown in FIG. 10D, horizontal edges (vertical contours) are detected using a contour extraction filter that detects edges perpendicular to the striped pattern. Here, the contour extracting filter is a general edge extracting filter such as Prewitt, Sobel, primary differential, secondary differential, etc., and has orientation. The image shown in FIG. 10(d) is binarized to obtain the image shown in FIG. 10(e). As a result, even if there is a layer pattern, the error area can be separated from the image, and the presence or absence of the error area can be determined. As a result, it is possible to stably extract foreign matter and scratches on the side surface of a die having a striped pattern such as a diced die or a laminated die.
（第四変形例）
第四変形例における画像処理を明確にするためミラーを備える中間ステージの問題点および第四変形例における検査方法について図１１を用いて説明する。図１１は第四変形例における検査方法を説明する図である。図１１（ａ）は撮像装置、照明装置および中間ステージを示す図である。図１１（ｂ）は図１１（ａ）に示す中間ステージの撮像画像の模式図である。
(Fourth modification)
In order to clarify the image processing in the fourth modification, the problem of the intermediate stage having a mirror and the inspection method in the fourth modification will be described with reference to FIG. FIG. 11 is a diagram for explaining the inspection method in the fourth modified example. FIG. 11(a) is a diagram showing an imaging device, an illumination device, and an intermediate stage. FIG. 11(b) is a schematic diagram of a captured image of the intermediate stage shown in FIG. 11(a).
図１１（ａ）に示すように、ミラー３１ａの反射面に異物が付着したり、傷がついたりする異常Ｆがあることがある。この場合、ダイの側面に異常がないときであっても、異常があるという誤検出のポテンシャルとなる。
As shown in FIG. 11(a), there may be an abnormality F such as a foreign substance adhering to the reflecting surface of the
そこで、ダイが中間ステージ３１に載置されていないときに、対向するミラーを通過する同軸照明の透過光によりミラー３１ａの反射面の上の傷や異物（以下、異常という。）の有無を確認する。以下、第四変形例について詳細に説明する。
Therefore, when the die is not mounted on the
まず、照明装置３５について説明する。図１１（ａ）に示すように、照明装置３５はステージ認識カメラ３４と中間ステージ３１との間に配置されている。照明装置３５は、面発光照明（光源）３５ａ、ハーフミラー（半透過鏡）３５ｂを鏡筒３５ｃの内部に備えている。面発光照明３５ａからの照射光は、ハーフミラー３５ｂによってステージ認識カメラ３４と同じ光軸で反射され、中間ステージ３１の撮像対象物に照射される。ステージ認識カメラ３４と同じ光軸で撮像対象物に照射されたその散乱光は、撮像対象物で反射し、そのうちの正反射光がハーフミラー３５ｂを透過してステージ認識カメラ３４に達し、撮像対象物の映像を形成する。すなわち、照明装置３５は同軸落射照明（同軸照明）の機能を有する。
First, the
図１１（ａ）に示すように、中間ステージ３１に設置したミラー３１ａに上方の照明装置３５から照射された光は中間ステージ３１の上を通過し、相対するもう一方のミラー３１ａで反射した後、ステージ認識カメラ３４に向かう。この時、ミラー３１ａの反射面に異常Ｆがあった場合、ステージ認識カメラ３４から見て同軸照明は背面透過光の性質を持つため、図１１（ｂ）に示すように、異常Ｆのエラー領域は黒く浮かび上がり、実像ＦＲおよび鏡像ＦＶが映る。これを検出することでミラー３１ａの反射面の異常Ｆを確認できる。
As shown in FIG. 11(a), the light emitted from the
以下、黒く浮かび上がった画像が異常であるかどうかの確認処理について図１２および図１３を用いて説明する。図１２は一つのミラーに異物が付着した場合の中間ステージの撮像画像の模式図である。図１３は第四変形例における画像処理を説明する図であり、図１３（ａ）は図１２に示す画像の一部を示す画像である。図１３（ｂ）は図１３（ａ）に示す画像を二値化処理した画像である。図１３（ｃ）は図１３（ａ）に示す画像を反転処理した画像である。図１３（ｄ）は図１３（ａ）に示す画像を平滑化処理した画像である。図１３（ｅ）は図１３（ｄ）に示す画像と図１３（ｃ）に示す画像との比較処理を説明する図である。 12 and 13, the processing for confirming whether or not an image that appears black is abnormal will be described below. FIG. 12 is a schematic diagram of a captured image of the intermediate stage when a foreign substance adheres to one mirror. 13A and 13B are diagrams for explaining image processing in the fourth modification, and FIG. 13A is an image showing a part of the image shown in FIG. FIG. 13(b) is an image obtained by binarizing the image shown in FIG. 13(a). FIG. 13(c) is an image obtained by reversing the image shown in FIG. 13(a). FIG. 13(d) is an image obtained by smoothing the image shown in FIG. 13(a). FIG. 13(e) is a diagram for explaining comparison processing between the image shown in FIG. 13(d) and the image shown in FIG. 13(c).
まず、制御部８は、中間ステージ３１にダイを載置していないときに、ステージ認識カメラ３４により相対するミラー３１ａを撮像し、図１２および図１３（ａ）に示す画像を取得する。ここで、図１２および図１３においては、上下方向側に配置されるミラーには異常Ｆがなく、左右方向側に配置されるミラーの一つに異常Ｆがある場合を示している。
First, when no die is placed on the
次に、制御部８は、図１３（ａ）に示す画像を図１３（ｂ）に示すように二値化処理した後、ブロブ解析などによって判定しミラー３１ａの反射面上の異常Ｆの検出を行う。ここで、ブロブ解析は、二値化処理を終えた画像を分析する手法の一つである。ブロブ（Blob）とは、塊のことであり、塊の数、形状、大きさ、面積、位置などに応じ、様々な分析が可能となる。 Next, after the image shown in FIG. 13A is binarized as shown in FIG. I do. Here, blob analysis is one of techniques for analyzing an image that has undergone binarization processing. A blob is a mass, and various analyzes are possible depending on the number, shape, size, area, position, etc. of the mass.
次に、制御部８は、図１３（ｂ）に示す二値化処理された画像において、異常Ｆを検出したミラーに相対するミラーの対応する場所に異常Ｆがないかをブロブ解析などによって判定して確認する。 Next, in the binarized image shown in FIG. 13B, the control unit 8 determines by blob analysis or the like whether there is an abnormality F at a location corresponding to the mirror in which the abnormality F is detected. to confirm.
次に、制御部８は、図１３（ａ）に示す画像を左右反転処理して図１３（ｃ）に示す画像を取得する。ここで、図１３（ａ）において上下方向側に配置されたミラーに異常Ｆがある場合は上下反転処理が行われる。すなわち、制御部８は、対で検出した側のみのエリアを選択して相対するミラーの画像を反転する。 Next, the control unit 8 obtains the image shown in FIG. 13(c) by horizontally reversing the image shown in FIG. 13(a). Here, when there is an abnormality F in the mirror arranged in the vertical direction in FIG. 13A, vertical inversion processing is performed. That is, the control unit 8 selects only the area on the detected side of the pair and inverts the images of the opposing mirrors.
次に、制御部８は、図１３（ａ）に示す画像と図１３（ｃ）に示す画像（反転像）を比較し、鏡像ＦＶであるかどうかの判定処理を行う。比較は形状比較処理（差分処理またはパターンマッチング処理）により行う。図１３（ｃ）に示すように、実線枠内をパターン登録しておく。差分処理では登録した画像と差分を行いオフセット画像の明度を確認する。パターンマッチング処理では、パターンマッチングでスコアを比較する。図１３（ｅ）に示す破線枠内はパターンマッチングを行うときのサーチエリアである。 Next, the control unit 8 compares the image shown in FIG. 13A and the image (reversed image) shown in FIG. The comparison is performed by shape comparison processing (difference processing or pattern matching processing). As shown in FIG. 13(c), patterns are registered within the solid line frame. In difference processing, difference is performed with the registered image to confirm the brightness of the offset image. In the pattern matching process, scores are compared by pattern matching. The inside of the dashed frame shown in FIG. 13(e) is the search area for pattern matching.
ここで、相対する二つのミラー３１ａの間の距離が長い場合は、異常Ｆの実像ＦＲと鏡像ＦＶでＷＤが異なるため、焦点に違いが生じ、場合によってはいずれかがより焦点ずれの状態となる。この場合、制御部８は、実像ＦＲに平滑化フィルタまたは鏡像ＦＶにエッジ強調フィルタを施す平滑処理を行い、図１３（ｄ）に示す画像を取得する。そして、制御部８は、図１３（ｃ）に示す画像（反転画像）と図１３（ｄ）に示す画像（平滑処理された画像）とを比較する。
Here, when the distance between the two opposing
上述した処理においては、検出した対の異常においてサイズが小さいほうを実像ＦＲ、大きいほうを鏡像ＦＶと推定している。ここで、図１３（ａ）、図１３（ｂ）、図１３（ｄ）および図１３（ｅ）における左側のミラー上の異常ＦＡを実像ＦＲと、右側のミラー上の異常ＦＢを鏡像ＦＶと推定している。ただし焦点ボケの鏡像ＦＶは二値化処理後に大きくなるとは限らないので、この処理を図１３（ｂ）に示す処理において検出した異常ＦＡ，ＦＢの両方で行い、いずれかの処理で一致となれば鏡像とみなせる。 In the above-described process, the smaller size of the detected pair of abnormalities is assumed to be the real image FR, and the larger size is assumed to be the mirror image FV. Here, in FIGS. 13(a), 13(b), 13(d) and 13(e), the abnormality FA on the left mirror is the real image FR, and the abnormality FB on the right mirror is the mirror image FV. I'm guessing. However, since the mirror image FV of the out-of-focus blur does not necessarily increase after the binarization process, this process is performed for both abnormalities FA and FB detected in the process shown in FIG. can be regarded as a mirror image.
制御部８は、一方のミラー上の異常が鏡像であることが分かれば、他方の異常のあるミラーのクリーニングまたは交換を促したり、異常のある領域を検査領域から除外したりする。 If the control unit 8 finds that the abnormality on one mirror is a mirror image, it prompts the other mirror with the abnormality to be cleaned or replaced, or excludes the area with the abnormality from the inspection area.
着工時のダイ毎の検査の前または後でミラーの検査をしてもよく、周期的に行ってもよく、起動時や連続運転開始時にチェックしてもよい。ミラー３１ａの反射面の傷、異物であることを確認できる。素子の側面検査を行う際の虚報を低減することが可能となる。
The mirrors may be inspected before or after the inspection of each die at the start of production, may be performed periodically, or may be checked at start-up or at the start of continuous operation. It can be confirmed that the reflection surface of the
（第五変形例）
第五変形例におけるダイボンダの中間ステージについて図１４を用いて説明する。図１４は第五変形例におけるダイボンダの中間ステージを説明する図であり、図１４（ａ）は断面図であり、図１４（ｂ）は上面図である。
(Fifth Modification)
An intermediate stage of the die bonder in the fifth modified example will be described with reference to FIG. 14A and 14B are views for explaining an intermediate stage of the die bonder in the fifth modification, FIG. 14A being a sectional view and FIG. 14B being a top view.
実施形態では、ダイＤの検査する側面に対向するようミラー３１ａを中間ステージ３１に設ける例を説明したが、中間ステージ３１にミラーを一つのみ設けて、検査する側面に対応させてダイＤが載置される中間ステージ３１の載置面を回転させてもよい。
In the embodiment, an example in which the
第五変形例の中間ステージ３１は、一つのミラー３１ａと、ミラー３１ａが設置される固定部３１ｈと、載置されたダイＤを回転する回転ステージ部３１ｉと、を備える。制御部８は、回転ステージ部３１ｉにより検査する側面をミラー３１ａに対向するようダイＤを回転させて撮像を行って検査を行う。検査する側面の数は一つから四つの何れであってもよい。ミラー３１ａは相対する位置に二つ設置するようにしてもよい。
The
（第六変形例）
第六変形例における中間ステージおよび照明装置について説明する。これに先立ち、まず、第六変形例をより明確にするため側面撮像の問題点について図１５から図１９を用いて説明する。
(Sixth modification)
The intermediate stage and illumination device in the sixth modification will be described. Prior to this, first, in order to clarify the sixth modified example, the problem of side imaging will be described with reference to FIGS. 15 to 19. FIG.
図１５および図１６は同軸照明を用いたダイの側面撮像における問題点を説明する図である。図１５はステージ認識カメラ、同軸照明および中間ステージを示す模式図である。図１６（ａ）は図１５に示す同軸照明を用いたダイの側面画像を示す図であり、図１６（ｂ）は図１６（ａ）に示す側面画像を２値化した図である。 15 and 16 are diagrams for explaining problems in side imaging of a die using coaxial illumination. FIG. 15 is a schematic diagram showing a stage recognition camera, coaxial illumination and an intermediate stage. FIG. 16(a) is a diagram showing a side image of the die using the coaxial illumination shown in FIG. 15, and FIG. 16(b) is a binarized diagram of the side image shown in FIG. 16(a).
図１５に示すように、照明装置３５はステージ認識カメラ３４と中間ステージ３１との間に配置されている。照明装置３５は、面発光照明（光源）３５ａ、ハーフミラー（半透過鏡）３５ｂを備える同軸落射照明（同軸照明）である。面発光照明３５ａからの照射光は、ハーフミラー３６ｂによってステージ認識カメラ３４と同じ光軸で反射され、中間ステージ３１の撮像対象物に照射される。ステージ認識カメラ３４と同じ光軸で撮像対象物に照射されたその散乱光は、撮像対象物で反射し、そのうちの正反射光がハーフミラー３５ｂを透過してステージ認識カメラ３４に達し、撮像対象物の映像を形成する。
As shown in FIG. 15, the
中間ステージ３１の上にステージ認識カメラ３４の光軸に対して略４５度傾いた反射面を持つミラー３１ａを設置すると、同軸照明光ＣＩＬがミラー３１ａにおいて反射し、反射後の照明光がダイＤの側面に対して略垂直に照射される。そして、ダイＤの側面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。すなわち、ダイＤの側面に対して略垂直照明および略垂直撮像が可能になり、例えば、チッピング部ＣＨの欠けた面の方向に関係なく、チッピング部ＣＨを黒く映すことが可能になる。
When a
照明装置３５ではチッピング部ＣＨを黒く浮かび上がらせる明視野検査は可能であるが、ダイシングの研磨痕との区別がつきにくい。図１６（ａ）に示すように、チッピング部ＣＨが黒く浮かび上がるが、研磨痕ＰＭもまだら模様になるため、図１６（ｂ）に示すように、濃淡閾値による単純２値化では十分に判別できない場合がある。
The
他方、斜光照明でチッピング部ＣＨを白く写す暗視野で可視化は可能である。これは明視野よりコントラストを大きくすることができ、チッピング部ＣＨをダイシングの研磨痕と区別をつけやすくなる。しかし、チッピング部ＣＨを明るく可視化しようとすると欠けた面の照明照射角度に明るさが依存してしまい、欠けた面の方向によっては全く見えない場合もある。 On the other hand, it is possible to visualize the chipping portion CH in a dark field in which the chipping portion CH appears white under oblique illumination. This makes it possible to make the contrast larger than in the bright field, and makes it easier to distinguish the chipping portion CH from the dicing polishing marks. However, when attempting to visualize the chipped portion CH brightly, the brightness depends on the illumination irradiation angle of the chipped surface, and depending on the direction of the chipped surface, it may not be visible at all.
図１７から図１９は斜光照明を用いたダイの側面撮像における問題点を説明する図である。図１７は斜光照明および中間ステージを示す模式図であり、図１７（ａ）はダイの側面上部にチッピング部がある場合を示す図であり、図１７（ｂ）はダイの側面下部にチッピング部がある場合を示す図である。図１８（ａ）は図１５に示す同軸照明を用いたダイの側面画像を示す図であり、図１８（ｂ）は斜光照明を用いたダイの側面画像を示す図である。図１８（ａ）および図１８（ｂ）はダイの側面上部および下部にチッピング部がある場合の画像である。図１９はダイの下方からの斜光照明を説明する図である。 17 to 19 are diagrams for explaining problems in side imaging of a die using oblique illumination. 17A and 17B are schematic diagrams showing oblique illumination and an intermediate stage, FIG. 17A is a diagram showing a case where the die has a chipping part on the upper side of the die, and FIG. It is a figure which shows the case where there exists. FIG. 18(a) is a diagram showing a side image of the die using coaxial illumination shown in FIG. 15, and FIG. 18(b) is a diagram showing a side image of the die using oblique illumination. FIGS. 18(a) and 18(b) are images when there are chippings on the upper and lower sides of the die. FIG. 19 is a diagram for explaining oblique illumination from below the die.
図１７（ａ）に示すように、斜光照明装置をダイＤの上方に配置し、チッピング部ＣＨがダイＤの側面上部にある場合はチッピング部ＣＨの欠けた面が上向きのため斜光照明光ＯＩＬが照射される。そして、チッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。
As shown in FIG. 17A, when the oblique illumination device is arranged above the die D and the chipping portion CH is on the upper side surface of the die D, the oblique illumination light OIL is is irradiated. The light reflected by the chipped surface of the chipping portion CH is reflected by the
しかし、図１７（ｂ）に示すように、斜光照明装置をダイＤの上方に配置し、チッピング部ＣＨがダイＤの側面下部にある場合はチッピング部ＣＨの欠けた面が下向きのため斜光照明光ＯＩＬが照射されず反射されない。よって、チッピングがほとんど光らないので可視化できない。 However, as shown in FIG. 17(b), when the oblique illumination device is arranged above the die D and the chipping portion CH is below the side surface of the die D, the oblique illumination is not possible because the missing surface of the chipping portion CH faces downward. Light OIL is not emitted and is not reflected. Therefore, the chipping is hardly visible and cannot be visualized.
よって、チッピング部ＣＨがダイＤ側面上部および下部にある場合、図１８（ａ）に示すように、同軸照明装置を用いるときは、ダイＤ側面上部および下部の両方のチッピング部ＣＨを見ることができる。しかし、図１８（ｂ）に示すように、斜光照明装置を用いるときは、ダイＤ側面上部のチッピング部ＣＨを見ることができるが、下部のチッピング部ＣＨを見ることができない。 Therefore, when the chipping portions CH are present on the upper and lower side surfaces of the die D, as shown in FIG. can. However, as shown in FIG. 18(b), when an oblique light illumination device is used, the chipping portion CH on the upper side of the die D can be seen, but the chipping portion CH on the lower side cannot be seen.
そこで、図１９に示すように、照明装置３７をダイＤの下方に配置し、斜光照明を照射するようにする。チッピング部ＣＨがダイＤの側面下部にある場合はチッピング部ＣＨの欠けた面が下向きのため斜光照明光ＯＩＬが照射される。そして、チッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。しかし、ダイＤの下方には中間ステージ３１のステージ部３１ｊがあるため、照明装置３７の配置が難しい。
Therefore, as shown in FIG. 19, an illumination device 37 is arranged below the die D to emit oblique illumination. When the chipping portion CH is located at the lower portion of the side surface of the die D, the oblique illumination light OIL is applied because the missing surface of the chipping portion CH faces downward. The light reflected by the chipped surface of the chipping portion CH is reflected by the
第六変形例におけるダイボンダの構成について図２０を用いて説明する。図２０は第六変形例におけるダイボンダの概略側面図である。第六変形例におけるダイボンダは実施形態におけるダイボンダの中間ステージ部３の構成が異なるが、他の構成は同様である。実施形態と異なる点を中心に以下説明する。
The configuration of the die bonder in the sixth modification will be explained using FIG. FIG. 20 is a schematic side view of a die bonder in a sixth modification. The die bonder in the sixth modification differs from the die bonder in the embodiment in the configuration of the
第六変形例における中間ステージ部３は、ダイＤを一時的に載置する中間ステージ３１と、中間ステージ３１上のダイＤを認識するステージ認識カメラ３４と、照明装置３６と、を有する。中間ステージ３１はダイＤが載置される台座３１ｂを有する。また、中間ステージ３１は、ステージ認識カメラ３４の光学軸に対して所定角度傾いた反射面を持つミラー３１ａが四つ設置されている。ミラー３１ａは、実施形態と同様の構成であり、詳細な説明は省略する。照明装置３６は、例えば、斜光照明である。ミラー３１ａの反射面にダイＤの側面像を反射させ、中間ステージ３１上方に設置してあるステージ認識カメラ３４にてダイＤの上面および四つの側面を同時に（同一露光内に）撮像し検査することが可能である。斜光照明の場合は暗視野検査になるので、実施形態と同様な同軸照明で構成される照明装置をさらに設けてもよい。この構成により、明視野による位置決めや表面検査（上面および側面）のための撮像が可能となる。この場合は、ステージ認識カメラ３４による斜光照明を用いた撮像と同軸照明を用いた撮像は同一露光内で行ってもよい。
The
ステージ認識カメラ３４は、中間ステージ３１の上方に設置される。好ましくは、ステージ認識カメラ３４は、中間ステージ３１の直上に設置される。好ましくは、ステージ認識カメラ３４は、中間ステージ３１の中心軸とステージ認識カメラ３４の光軸が一致するように垂直下方に視野角を向けて設置される。ステージ認識カメラ３４は、ダイＤおよび四つのミラー３１ａの反射面が視野内に位置するように設置される。照明装置３６は、中間ステージ３１に載置されるダイＤをステージ認識カメラ３４が撮像可能な明るさにするため、光を照射する。照射された光の反射光は、四つのミラー３１ａに入射する。この構成によって、ステージ認識カメラ３４は、ダイＤの側面から上面まで撮像することができる。
A
四つのミラー３１ａに入射した光像は、四つのミラー３１ａの上方に設置されたステージ認識カメラ３４の光軸に沿って入射する。ステージ認識カメラ３４は、ダイＤの上面および四つのミラー３１ａからそれぞれ反射された被写体像を撮像する。ステージ認識カメラ３４が撮像した画像は、制御部８に出力され、画像処理され、また、表示画面（図示しない）にも表示され得る。
The optical images incident on the four
次に、中間ステージ３１について図２１を用いて説明する。図２１は図１に示すダイボンダのステージ認識カメラ、照明装置および中間ステージを示す模式図である。
Next, the
上述したように、中間ステージ３１は四つのミラー３１ａと台座３１ｂとを備える。図２１に示すように、ミラー３１ａおよび台座３１ｂが設けられるステージ部３１ｊは照明部３１ｋにより構成されている。なお、図２１においては、中間ステージの一部が示され、例えば、ミラー３１ａは一つのみ示されている。台座３１ｂは上面視において矩形状である。台座３１ｂは上面視において四角形状および八角形状等の多角形状、円形状、楕円形状であってもよい。台座３１ｂのダイＤが載置される載置面３１ｃはミラー３１ａを設置するステージ部３１ｊの上面（ステージ面）３１ｄよりも高くなるよう構成されている。
As described above, the
第一の照明装置としての照明部３１ｋはステージ面３１ｄ側に拡散発光する照明発光面を有する。これにより、ダイＤの側面下部にあるチッピング部ＣＨに照明部３１ｋからの拡散光ＤＩＬを斜光照明光として照射することができる。また、ダイＤの側面上部にあるチッピング部ＣＨに斜光照明光ＯＩＬが照射される。これにより、ダイＤの側面下部および上部にあるチッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。
The
これにより、ダイＤの最下層部分を正しく撮像することが可能となる。よって、ステップカット最下層カット時に形成されるチッピングを検出することが可能になる。また、載置面３１ｃはダイＤよりも小さく形成するのが好ましい。この場合、ダイＤが載置面３１ｃに吸着されている状態においてダイＤの外周端部が撓んで変形しない大きさである。これにより、ダイＤの下端部の撮像が容易になる。また、載置するダイのサイズが変わった場合の対応も可能となる。
Thereby, it is possible to correctly image the lowermost layer portion of the die D. FIG. Therefore, it is possible to detect chipping formed during step-cut bottom layer cutting. Moreover, it is preferable to form the mounting
また、第二の照明装置としての斜光照明である照明装置３６をダイＤの上方に配置しているので、チッピング部ＣＨがダイＤの側面上部にある場合はチッピング部ＣＨの欠けた面が上向きのため斜光照明光ＯＩＬが照射される。そして、チッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。
In addition, since the
中間ステージ３１の上方の照明装置３６による斜光照明および背面照明としての照明部３１ｋによる斜光照明により、チッピングの方向や位置に影響されないチッピング検査機能を実現できる。この照明装置３６および照明部３１ｋは四つのミラー３１ａすべてに対して配置される。例えば、照明装置３６は四つの斜光バー照明で構成される。
The oblique illumination by the
第六変形例によれば、一つまたは複数の下記の効果を有する。 According to the sixth variant, it has one or more of the following effects.
（１）中間ステージの上にカメラの光軸に対して略４５度傾いた反射面を持つミラー（またはプリズム）を設置すると共に、素子の下方から斜光照明光を照射する。これにより、素子側面の下部のチッピング部を明るく映すことが可能になり、チッピングが可視化される。 (1) A mirror (or prism) having a reflecting surface inclined at approximately 45 degrees with respect to the optical axis of the camera is installed on the intermediate stage, and oblique illumination light is applied from below the element. As a result, the chipping portion on the lower side of the element can be brightly imaged, and the chipping can be visualized.
（２）中間ステージを照明一体型ステージとすることにより、発光面と被写体を近接化できるため、チッピング位置から見ると光の入射角の幅を大きくとれる。これにより、斜光照明であってもドーム照明に近い状態になり、不規則に発生するチッピング角度に対し、角度変化に強い照明になる。また、画像処理アルゴリズムをシンプルにすることができる。 (2) Since the light-emitting surface and the subject can be brought closer to each other by making the intermediate stage a stage integrated with illumination, a wide range of incident angles of light can be secured when viewed from the chipping position. As a result, even oblique illumination is close to dome illumination, and the illumination is resistant to angle changes with respect to chipping angles that occur irregularly. Also, the image processing algorithm can be simplified.
（３）中間ステージの上にカメラの光軸に対して略４５度傾いた反射面を持つミラー（またはプリズム）を設置すると共に、素子の上方から斜光照明光を照射する。これにより、素子側面の上部のチッピング部を明るく映すことが可能になり、チッピングが可視化される。 (3) A mirror (or prism) having a reflecting surface inclined at approximately 45 degrees with respect to the optical axis of the camera is placed on the intermediate stage, and oblique illumination light is applied from above the element. As a result, the chipping portion on the upper side of the device side surface can be brightly imaged, and the chipping can be visualized.
（４）ボンディング前に中間ステージに素子を仮載置し、その反射面に素子の側面像を反射させ、中間ステージ上方に設置してあるカメラにて側面を撮像して検査する。これにより、ダイシングテープに貼付されている素子のダイシング後の側面の状態をダイボンディング装置に搬入後に検査することが可能となり、ボンディング前に不良を選別することが可能である。 (4) Before bonding, the element is temporarily placed on an intermediate stage, the side image of the element is reflected on the reflecting surface, and the side surface is imaged by a camera installed above the intermediate stage for inspection. As a result, it is possible to inspect the state of the side surface of the element attached to the dicing tape after dicing after it is carried into the die bonding apparatus, and it is possible to sort out defects before bonding.
（第七変形例）
第七変形例における中間ステージについて図２２を用いて説明する。図２２は第一変形例における中間ステージ、ステージ認識カメラおよび照明装置を示す模式図である。
(Seventh modification)
An intermediate stage in the seventh modified example will be described with reference to FIG. FIG. 22 is a schematic diagram showing an intermediate stage, a stage recognition camera, and an illumination device in the first modified example.
第六変形例では、中間ステージ３１のステージ部３１ｊを照明部３１ｋにより構成する例を説明したが、第七変形例では第一の照明装置としての照明部３１ｋは中間ステージ３１のステージ部３１ｊのうち、少なくともミラー３１ａと台座３１ｂとの間に形成されている。これにより、ダイＤの側面下部にあるチッピング部ＣＨを照明部３１ｋからの拡散光ＤＩＬを斜光照明光として照射することができる。チッピング部ＣＨの欠けた面が下向きのため斜光照明光ＯＩＬが照射される。そして、チッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。照明の発光領域を必要最低限に絞ることにより、ダイの吸着機構等、照明以外の中間ステージ３１の機構が設けやすくなる。
In the sixth modified example, an example in which the
（第八変形例）
第八変形例における中間ステージについて図２３を用いて説明する。図２３は第八変形例における中間ステージ、ステージ認識カメラおよび照明装置を示す模式図である。
(Eighth modification)
An intermediate stage in the eighth modification will be described with reference to FIG. FIG. 23 is a schematic diagram showing an intermediate stage, a stage recognition camera, and an illumination device in the eighth modification.
第七変形例では、照明部３１ｋをミラー３１ａと台座３１ｂとの間に形成する例を説明したが、照明部３１ｋを第一の照明装置としての導光板３１ｌで構成してもよい。導光板３１ｌは側面から入れた光を拡散させ、表面に均一の光を出す薄く光るパネルである。これにより、ダイＤの側面下部にあるチッピング部ＣＨに導光板３１ｌからの拡散光ＤＩＬを斜光照明光として照射することができる。チッピング部ＣＨの欠けた面が下向きのため斜光照明光ＯＩＬが照射される。そして、チッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。導光板３１ｌを使用することで、背面に蛍光灯やＬＥＤを入れる必要はなくなり、照明部を薄くすることができる。
In the seventh modified example, the
（第九変形例）
第九変形例における中間ステージについて図２４を用いて説明する。図２４は第九変形例における中間ステージ、ステージ認識カメラおよび照明装置を示す模式図である。
(Ninth Modification)
An intermediate stage in the ninth modification will be described with reference to FIG. FIG. 24 is a schematic diagram showing an intermediate stage, a stage recognition camera, and an illumination device in the ninth modification.
ミラー３１ａと台座３１ｂとの間が狭小（例えば、０．５ｍｍ以下）であり、照明の発光機構を設置することが難しい場合、背面照明にあたる部分に拡散反射する部材３１ｍを設置し、そこに、照明装置３８から平行光ＰＬを照射することで背面照明の代わりとしてもよい。拡散反射する部材３１ｍは、例えば、拡散反射シートである。これにより、ダイＤの側面下部にあるチッピング部ＣＨに部材３１ｍからの拡散光ＤＩＬを斜光照明光として照射することができる。チッピング部ＣＨの欠けた面が下向きのため拡散光ＤＩＬが照射される。そして、チッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。照明装置３８および部材３１ｍは第一の照明装置を構成する。また、拡散反射シートに照射する平行光を照射する照明の角度は、任意に変更できるようにしても良い。これによりダイＤの側面下部にあるチッピング部ＣＨに照射する光の方向をチッピング部ＣＨの形状や、その他の側面との相対的位置関係に応じて最適化することが可能となり、チッピングとのコントラストを増加させ検出感度を上げることができる。
If the space between the
（第十変形例）
第十変形例における中間ステージについて図２５を用いて説明する。図２５は第十変形例における中間ステージ、ステージ認識カメラおよび照明装置を示す模式図である。
(Tenth Modification)
An intermediate stage in the tenth modification will be described with reference to FIG. FIG. 25 is a schematic diagram showing an intermediate stage, a stage recognition camera, and an illumination device in the tenth modification.
第九変形例では、拡散反射する部材３１ｍに平行光ＰＬを照射する例を説明したが、蛍光拡散シート３１ｎに照明装置３９から紫外光ＵＶＬを照射するにしてもよい。この場合、蛍光拡散シート３１ｎは紫外光ＵＶＬが照射することにより可視光の拡散光ＤＩＬを形成する。これにより、ダイＤの側面下部にあるチッピング部ＣＨに蛍光拡散シート３１ｎからの拡散光ＤＩＬを斜光照明光として照射することができる。チッピング部ＣＨの欠けた面が下向きのため拡散光ＤＩＬが照射される。そして、チッピング部ＣＨの欠けた面で反射した光がミラー３１ａで反射され、その反射光ＲＬはステージ認識カメラ３４に達する。よって、チッピングが可視化される。また、第十変形例に示すような可視光の平行光ＰＬを使用しないので、平行光ＰＬに起因する迷光の発生なく検査への影響をなくすることが可能である。照明装置３９および蛍光拡散シート３１ｎは第一の照明装置を構成する。
In the ninth modification, an example in which the
（第十一変形例）
第十一変形例における中間ステージについて図２６を用いて説明する。図２６は第十一変形例における中間ステージ、ステージ認識カメラおよび照明装置を示す模式図である。
(Eleventh modification)
An intermediate stage in the eleventh modification will be described with reference to FIG. FIG. 26 is a schematic diagram showing an intermediate stage, a stage recognition camera, and an illumination device in the eleventh modification.
第十一変形例では、照明装置として、第六変形例における上方の斜光照明および下方の斜光照明に加えて同軸照明を用いる。第三の照明装置としての同軸照明である照明装置３５にＲＧＢ（赤緑青）のいずれかの単色光を用い、斜光照明としての照明装置３６および照明部３１ｋに照明装置３５において用いていない色の単色光を用いる。そして、ステージ認識カメラ３４を２色用２受光素子カメラで構成する。ステージ認識カメラ３４は受光素子３４ａ，３４ｂおよびハーフミラー３４ｃを備える。例えば、受光素子３４ａは照明装置３５が使用する色の光を受光し、受光素子３４ｂは照明装置３６および照明部３１ｋが使用する色の光を受光する。照明装置３６および照明部３１ｋと、照明装置３５と、を同時点灯して、ステージ認識カメラ３４によりダイＤを撮影する。これにより、ダイＤの上面用照明と側面用照明において異なる設定が可能になる。これにより、ダイＤの位置決めのためのダイ上面の同軸照明の明視野による撮像と、ダイＤの検査のためのダイ側面の斜光照明の暗視野による撮像が並行して行うことが可能となる。
In the eleventh modified example, coaxial lighting is used as the lighting device in addition to the upper oblique lighting and the lower oblique lighting in the sixth modified example. Any one of RGB (red, green, and blue) light is used for the
（第十二変形例）
第十一変形例においては同軸照明と斜光照明との照射光の波長を異ならせたが、同軸照明と斜光照明との偏光角を異ならせてもよい。第十二変形例では、同軸照明としての照明装置３５に偏光フィルタを設け、斜光照明としての照明装置３６および照明部３１ｋに照明装置３５のそれと直交方向の偏光をなすフィルタを設ける。そして、ステージ認識カメラ３４を互いに直交する偏光フィルタを持つ２受光素子カメラで構成する。これにより、ダイＤの上面用照明と側面用照明において異なる設定が可能になる。照明装置３６および照明部３１ｋと、照明装置３５と、を同時点灯して、ステージ認識カメラ３４によりダイＤを撮影する。これにより、ダイＤの位置決めのためのダイ上面の同軸照明の明視野による撮像と、ダイＤの検査のためのダイ側面の斜光照明の暗視野による撮像が並行して行うことが可能となる。
(Twelfth Modification)
In the eleventh modification, the wavelengths of the illumination light are different between the coaxial illumination and the oblique illumination, but the polarization angles of the coaxial illumination and the oblique illumination may be different. In the twelfth modification, the
（第十三変形例）
暗視野形成において台座３１ｂにおける反射の影響を抑えるために、少なくとも台座３１ｂの側面等を黒色塗装し反射防止膜を形成してもよい。または、台座３１ｂの側面を傾けて、側面視（断面視）において台形状または逆台形状にしてもよい。または、台座３１ｂの側面がミラー３１ａに正対しないよう側面の向きを変えて上面視においてひし形状または円形状等にしてもよい。
(Thirteenth Modification)
In order to suppress the influence of reflection on the
（第十四変形例）
中間ステージ３１のステージ部３１ｊの少なくとも台座３１ｂとミラー３１ａとの間をガラスなどの可視光に対して透明な透過性のあるものにし、図１９に示すように、その下方に照明装置を配置して下方から斜光照明を照射するようにしてもよい。この場合、照明装置３７およびステージ部３１ｊは第一の照明装置を構成し、ステージ部３１ｊの上面は照射面を構成する。またさらに、下方から照射する照明の角度は、任意に変更できるようにしても良い。これによりダイＤの側面下部にあるチッピング部ＣＨに照射する光の方向をチッピング部ＣＨの形状や、その他の側面との相対的位置関係に応じて最適化することが可能となり、チッピングとのコントラストを増加させ検出感度を上げることができる。
(14th modification)
The space between at least the
（第十五変形例）
台座３１ｂとミラー３１ａの間隔を調整するようにしてもよい。これにより、光の入射角幅を調整することができ、チッピングとステップカット面および研磨面とを識別することができる。
(Fifteenth Modification)
You may make it adjust the space|interval of the
（第十六変形例）
第十六変形例におけるダイボンダをより明確にするためダイの側面撮像の他の問題点について図２７および図２８を用いて説明する。図２７は第十六変形例における、ステージ認識カメラ、同軸照明および中間ステージを示す模式図である。図２８はダイの側面撮像の他の問題点を説明する図である。図２８（ａ）は載置されたダイに回転ずれがある場合の中間ステージを上方かから見た平面図である。図２８（ｂ）は載置されたダイに位置ずれがある場合の中間ステージを上方かから見た平面図である。
(Sixteenth Modification)
In order to clarify the die bonder in the sixteenth modified example, another problem of side imaging of the die will be described with reference to FIGS. 27 and 28. FIG. FIG. 27 is a schematic diagram showing a stage recognition camera, coaxial lighting, and an intermediate stage in the sixteenth modification. FIG. 28 is a diagram for explaining another problem of side imaging of a die. FIG. 28(a) is a plan view of the intermediate stage viewed from above when the mounted die has rotational deviation. FIG. 28(b) is a plan view of the intermediate stage viewed from above when the mounted die is misaligned.
図２７に示すように、第十六変形例におけるにおけるダイの側面検査は、ステージ認識カメラ３４と中間ステージ３１との間に同軸照明としての照明装置３５が配置され、中間ステージ３１上に仰角４５度を傾けたミラー３１ａが設置され、中間ステージ３１上の台座３１ｂにダイＤが載置されて行われる。図２７に示す構成は、図１５に示す構成と同様である。図２７に示す構成では、ダイＤの上面撮影用の照明とダイＤの側面検査用の照明を共有できるため、構造をシンプルにすることができる。図２７に示す構成は、明視野によりダイＤの上面および側面の表面検査を行う。
As shown in FIG. 27, in the die side inspection in the sixteenth modification, an
ダイＤの側面の検査はダイＤがウェハ１１からピックアップされた後で、かつ、ボンディングステージＢＳにおいてダイＤが基板Ｓにボンディングされる手前（上述したピックアップ工程（ステップＳ１２））で実施される。ダイＤはピックアップヘッド２１により中間ステージ３１上に載置（プレース）される。中間ステージ３１にプレースされたダイＤはボンディングヘッド４１によりピックアップされる。
The side surface of the die D is inspected after the die D is picked up from the
ウェハ１１からダイＤがピックアップされる前に、ウェハ認識カメラ２４によってピックアップ対象のダイＤの主面（上面）が撮影され、取得された画像からピックアップ対象のダイＤの位置決めが行われる。位置決めにおいては、ダイＤのピックアップ位置からの位置ずれ量（Ｘ、Ｙ方向）およびダイＤの水平面内における回転ずれ量（θ方向）が算出される。この位置ずれ量を基にウェハ１１が載置されたウェハ保持台１２が移動させられ、ピックアップ対象のダイＤがピックアップ位置に正確に配置される。
Before the die D is picked up from the
そして、ウェハ１１からピックアップされるダイＤはピックアップ前に回転ずれ量がピックアップヘッド２１の回転機構によって補正されて中間ステージ３１に載置される。しかし、プレース時の衝撃などの何らかの理由で、プレース精度が悪いと、ダイＤが中間ステージ３１にプレースされる際にミラー３１ａの方向に対してある程度の回転ずれや位置ずれを生じる場合がある。回転ずれおよび位置ずれを総称して姿勢ずれという。
Then, the die D picked up from the
ダイＤに回転ずれが生ずると、ダイＤの側面は入光する光に対して鉛直を維持できなくなる。これにより、ミラー３１ａにおいて反射した撮影用の光はダイ側面に対し垂直にあたらないようになり、ダイＤの側面に照射された光の反射光がステージ認識カメラ３４に返ってこなくなる。このため、図２８（ａ）に示すように、ダイＤの側面が暗くなって撮影されてしまい、安定した明視野検査ができなくなる。
When the die D is out of rotation, the sides of the die D cannot be maintained perpendicular to the incident light. As a result, the photographing light reflected by the
また、ダイＤに位置ずれが大きく生ずると、図２８（ｂ）に示すように、ダイＤの側面とダイＤの側面に対向するミラー３１ａとの距離（ｄ１、ｄ２）が異なり、対面する二つの側面間でＷＤが大きくずれてしまい、何れか一方または両方の面が焦点の合う範囲から外れ得る。 Further, when the position of the die D is greatly displaced, as shown in FIG. There is a large WD shift between the two sides, and either or both sides can be out of focus.
本変形例におけるダイの側面検査について図２９を用いて説明する。図２９はダイの側面検査の手順を示すフローチャートである。図２９には載置されたダイに回転ずれがある場合と回転ずれを補正した場合の中間ステージを上方かから見た平面図も併せて示されている。 The die side surface inspection in this modified example will be described with reference to FIG. 29 . FIG. 29 is a flow chart showing the procedure for inspecting the side surface of the die. FIG. 29 also shows plan views of the intermediate stage viewed from above in the case where the mounted die has a rotational deviation and in the case where the rotational deviation is corrected.
本変形例では、実施形態におけるピックアップ工程（ステップＳ１２）と同様に、制御部８はピックアップヘッド２１によりダイＤをピックアップし、中間ステージ３１に載置する（ステップＳ２１）。すなわち、制御部８はピックアップする前に回転ずれ量をピックアップヘッド２１の回転機構によりコレット２２を回転させて、ダイＤをウェハ１１からピックアップする。そして、制御部８はピックアップヘッド２１によりダイＤをハンドリングしながら回転機構によりコレット２２の回転を元に戻して回転ずれの補正後、中間ステージ３１にプレースする。
In this modification, similarly to the pickup step (step S12) in the embodiment, the control unit 8 picks up the die D with the
続いて、制御部８は中間ステージ３１に載置されたダイＤの上面をステージ認識カメラ３４で撮像することによりダイの位置決めを行う（ステップＳ２２）。一度プレースされたダイＤの上面は光が正常に（鉛直に）あたるため、回転ずれを生じても暗くなることはない。制御部８はこのダイＤの表面をあらかじめパターン登録いておいたモデルによりパターンマッチングなどで位置決めを行って、回転ずれ量や位置ずれ量を算出する。
Subsequently, the control unit 8 positions the die by imaging the upper surface of the die D placed on the
続いて、制御部８は算出した回転ずれ量が閾値以上であるかどうかを判定する（ステップＳ２３）。閾値は例えば１度程度である。回転ずれ量が閾値以上であれば回転ずれを補正しないと十分な明るさを持つ側面像を取得できない。ステップＳ２３において、位置ずれ量についても判定してもよい。 Subsequently, the control unit 8 determines whether or not the calculated rotation deviation amount is equal to or greater than the threshold (step S23). The threshold is, for example, about 1 degree. If the amount of rotational deviation is greater than or equal to the threshold, a side image with sufficient brightness cannot be obtained without correcting the rotational deviation. In step S23, the positional deviation amount may also be determined.
回転ずれ量が閾値以上の場合（閾値以上回転している場合）は、制御部８はピックアップヘッド２１によりダイＤを中間ステージ３１からピックアップし、中間ステージ３１に再びプレースをする（ステップＳ２４）。すなわち、制御部８はピックアップする前に回転ずれ量をピックアップヘッド２１の回転機構によりコレット２２を回転させて、ダイＤを中間ステージ３１から再ピックアップする。そして、制御部８はピックアップヘッド２１によりダイＤをハンドリングしながら回転機構によりコレット２２の回転を元に戻して回転ずれの補正後、中間ステージ３１に再びプレースする。
If the amount of rotational deviation is equal to or greater than the threshold (rotation equal to or greater than the threshold), the control unit 8 picks up the die D from the
なお、ピックアップヘッド２１によるピックアップとプレースに代えて、ボンディングヘッド４１によるピックアップとプレースによって再搬送処理を行うようにしてもよい。また、ピックアップヘッド２１またはボンディングヘッド４１により中間ステージ３１にダイＤを再プレースする際、位置ずれ量も補正するようにしてもよい。
Instead of picking up and placing by the
制御部８は、ステップＳ２２と同様に、再度ダイの位置決めを行う（ステップＳ２５）。制御部８は、ステップＳ２３と同様に、回転ずれがないかどうかを判定する（ステップＳ２６）。回転ずれ量が閾値未満の場合（回転ずれが無ければ）、制御部８は側面検査を行う（ステップＳ２８）。なお、位置ずれがないかどうかを判定してもよい。ここで、ステップＳ２４～Ｓ２６の処理を再搬送処理または再アライメント処理という。 The control unit 8 positions the die again (step S25) in the same manner as in step S22. As in step S23, the control unit 8 determines whether or not there is rotational deviation (step S26). If the amount of rotational deviation is less than the threshold value (if there is no rotational deviation), the controller 8 performs a side inspection (step S28). It should be noted that it may be determined whether there is any positional deviation. Here, the processing of steps S24 to S26 is referred to as re-conveyance processing or re-alignment processing.
なお、回転機構等の駆動部を有する中間ステージを使用する場合、ステップ２４に代えて、台座３１ｂを回転または移動することによりダイＤの姿勢ずれを補正するようにしてもよい。
When using an intermediate stage having a driving part such as a rotating mechanism, instead of
本変形例によれば、一つまたは複数の下記の効果を有する。 This modification has one or more of the following effects.
（１）ダイの搬送精度が悪く姿勢ずれが生じた場合、そのバラツキ端部が閾値を超えたとき、再搬送処理が入るので、側面検査時のアライメント精度を向上できる。 (1) If the die transport accuracy is poor and attitude deviation occurs, when the edge of the variation exceeds the threshold value, the re-transport process is started, so the alignment accuracy during the side inspection can be improved.
（２）回転ずれを補正することにより、側面検査において、安定した明るさの明視野画像を得ることができる。側面の検査エリアはダイ位置決め結果から補正する。側面明度（明るさ）が安定化するので、傷や異物を２値化処理によって検出する際に、閾値をより厳しく設定できる（正常値レンジが狭くなるためその狭い範囲で設定可）。これにより、検査感度を向上できる。また、検査精度、検査の安定性を確保できる。 (2) By correcting the rotational deviation, a bright field image with stable brightness can be obtained in the lateral inspection. The side test area is corrected from the die positioning results. Since the lateral lightness (brightness) is stabilized, the threshold can be set more strictly when detecting flaws or foreign matter by binarization processing (since the normal value range is narrowed, it can be set within that narrow range). Thereby, inspection sensitivity can be improved. In addition, inspection accuracy and stability of inspection can be ensured.
（３）位置ずれを補正することにより、側面検査において、安定した焦点の合う側面画像を得ることができる。焦点距離が安定するので、検査精度、検査の安定性が向上できる。 (3) By correcting the positional deviation, a stable and in-focus side image can be obtained in the side inspection. Since the focal length is stabilized, inspection accuracy and inspection stability can be improved.
（４）検査精度、検査の安定性を確保できるので、中間ステージへのプレース精度の影響による側面検査の虚報が発生することを防げる。 (4) Since the inspection accuracy and inspection stability can be ensured, it is possible to prevent the generation of false information in the lateral inspection due to the influence of the placement accuracy on the intermediate stage.
（５）検査精度、検査の安定性を確保できるので、ダイボンダが組み立てる製品の歩留まりを向上させることができる。 (5) Since inspection accuracy and inspection stability can be ensured, the yield of products assembled by the die bonder can be improved.
（第十七変形例）
第十七変形例におけるダイの側面検査について図３０を用いて説明する。図３０は第十七変形例におけるダイ表面検査装置の構成を示す側面図である。
(17th Modification)
The die side surface inspection in the seventeenth modification will be described with reference to FIG. FIG. 30 is a side view showing the configuration of a die surface inspection apparatus in the seventeenth modification.
ダイの側面検査はダイＤがウェハ１１からピックアップされた後で、かつ、ボンディングステージＢＳにおいてダイＤが基板Ｓにボンディングされる手前であればよく、中間ステージ３１において行われなくてもよい。ピックアップヘッド２１またはボンディングヘッド４１によってダイＤをハンドリングしながら下向きのミラー３１ａと上向きのアンダビジョンカメラ６４と照明装置３５を用いてダイＤの側面検査を行うようにしてもよい。
The die side inspection may be performed after the die D is picked up from the
本変形例におけるミラー３１ａは実施形態におけるミラー３１ａと同様の構造であり、上下反転して設けられる。本変形例における照明装置３５は実施形態における照明装置３５と同様の構成であり、上下反転して設けられる。アンダビジョンカメラ６４はステージ認識カメラ３４と同様の構成である。
The
ピックアップヘッド２１またはボンディングヘッド４１によりダイＤの側面をミラー３１ａに対向するように設置する場合、姿勢ずれが起こり得る。よって、アンダビジョンカメラ６４および照明装置３５によりダイＤの位置決めを行い、姿勢ずれがある場合、ピックアップヘッド２１またはボンディングヘッド４１により回転ずれ量または位置ずれ量を補正する再搬送処理を行うようにしてもよい。
When the
（第十八変形例）
第十八変形例におけるダイの側面検査について図３１を用いて説明する。図３１は第十八変形例におけるダイ表面検査装置の構成を示す側面図である。
(18th modification)
The die side surface inspection in the eighteenth modification will be described with reference to FIG. FIG. 31 is a side view showing the configuration of a die surface inspection apparatus in the eighteenth modification.
４５度の仰角を持つ側面検査用ミラー３１ａをハーフミラー６１ａに置き換え、面発光照明６５をハーフミラー６１ａの外側（背面側）に設置し、面発光照明６５の発光面面積をハーフミラー６１ａの外面の最大領域以上にする。これにより、面発光照明３５ａより面発光照明６５の光がダイＤの側面に対する光の入射角レンジを広く取ることができる。結果としてダイＤの回転ずれの補正が必要となる回転ずれ量の閾値を大きくすることができるため、安定した明度での検査が可能になる。また、ダイＤの位置ずれの補正が必要となる位置ずれ量の閾値を大きくすることができるため、安定した被写界深度での検査が可能になる。
The
以上、本開示者らによってなされた開示を実施形態および変形例に基づき具体的に説明したが、本開示は、上記実施形態および変形例に限定されるものではなく、種々変更可能であることはいうまでもない。 As described above, the disclosure made by the present inventors has been specifically described based on the embodiments and modifications, but the present disclosure is not limited to the above embodiments and modifications, and can be variously modified. Needless to say.
例えば、実施形態では、ダイ供給部からダイをピックアップヘッドによりピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドによりピックアップして基板にボンディングするダイボンダについて説明したが、ピックアップヘッドがなく、ダイ供給部のダイをボンディングヘッドによりピックアップして中間ステージに載置し、中間ステージに載置されたダイをボンディングヘッドによりピックアップして基板にボンディングするようにしてもよい。 For example, in the embodiments, a die bonder that picks up a die from a die supply unit with a pickup head, places it on an intermediate stage, picks up the die placed on the intermediate stage with a bonding head, and bonds it to a substrate has been described. Without the pickup head, the die from the die supply section may be picked up by the bonding head and placed on the intermediate stage, and the die placed on the intermediate stage may be picked up by the bonding head and bonded to the substrate.
また、実施形態ではウェハの裏面にＤＡＦが貼付されているが、ＤＡＦはなくてもよい。 Moreover, although the DAF is attached to the back surface of the wafer in the embodiment, the DAF may be omitted.
また、実施形態ではダイの表面を上にしてボンディングされるが、ダイをピックアップ後ダイの表裏を反転させて、ダイの裏面を上にしてボンディングしてもよい。この装置はフリップチップボンダという。 Also, in the embodiment, the die is bonded with the front surface facing up, but after picking up the die, the front and back of the die may be reversed and bonded with the back surface of the die facing up. This device is called a flip chip bonder.
また、実施形態では、ダイ供給部のウェハからダイをピックアップする例を説明したが、トレイからダイをピッアップしてもよい。 Also, in the embodiment, an example of picking up dies from a wafer in a die supply unit has been described, but dies may be picked up from a tray.
また、第二変形例では、ベース部３１ｅに凹部３１ｆを有する例を説明したが、ベース部３１ｅは凸部を有し、ステージ部３１ｇは凹部を有し、ベース部３１ｅの凸部にステージ部３１ｇの凹部が位置決めして嵌合されるようにしてもよい。また、ベース部３１ｅは穴を有し、ステージ部３１ｇはピンを有し、ベース部３１ｅにステージ部３１ｇが位置決めして嵌合されるようにしてもよい。ベース部３１ｅはピンを有し、ステージ部３１ｇは穴を有し、ベース部３１ｅにステージ部３１ｇが位置決めして嵌合されるようにしてもよい。
In addition, in the second modification, an example in which the
また、第六変形例から第十六変形例、第十八変形例では、中間ステージ３１に台座３１ｂが設けられる例を説明したが、台座３１ｂはなくてもよい。
Further, in the sixth to sixteenth and eighteenth modifications, examples in which the
８・・・制御部
１０・・・ダイボンダ（ダイボンディング装置）
２１・・・ピックアップヘッド
３１・・・中間ステージ
３１ａ・・・ミラー
３４・・・ステージ認識カメラ（撮像装置）
３５，３６・・・照明装置
Ｄ・・・ダイ
Ｓ・・・基板
8...
21
35, 36... Lighting device D... Die S... Substrate
Claims (35)
前記中間ステージの上方であって、前記中間ステージに載置されるダイおよび前記ミラーの反射面が視野内に位置するように設けられた撮像装置と、
前記撮像装置より下方であって前記中間ステージより上方に設けられた照明装置と、
前記中間ステージに載置されるダイの上面および側面を前記撮像装置により撮像するよう構成される制御部と、
を備えるダイボンディング装置。 an intermediate stage on which a mirror is installed;
an imaging device provided above the intermediate stage so that a die mounted on the intermediate stage and a reflecting surface of the mirror are positioned within a field of view;
a lighting device provided below the imaging device and above the intermediate stage;
a control unit configured to image the top and side surfaces of the die placed on the intermediate stage with the imaging device;
A die bonding device comprising:
前記ミラーは、前記反射面が前記撮像装置の光学軸に対し４２度以上かつ４８度以下傾くように設置され、
前記照明装置は、前記光学軸に沿って光が照射される同軸照明であるダイボンディング装置。 The die bonding apparatus of claim 1,
the mirror is installed so that the reflecting surface is inclined at an angle of 42 degrees or more and 48 degrees or less with respect to the optical axis of the imaging device;
The lighting device is a die bonding device that is a coaxial lighting device that emits light along the optical axis.
前記ミラーは対向するように少なくとも一対備え、
前記制御部は、前記ダイの少なくとも一対の側面を同一露光内において撮像するよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 2,
At least one pair of the mirrors are provided so as to face each other,
The die bonding apparatus, wherein the controller is configured to image at least one pair of side surfaces of the die within the same exposure.
前記制御部は、前記撮像装置により撮像したダイの画像に基づいて位置決めおよび検査を行うよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 3,
The die bonding apparatus, wherein the control unit is configured to perform positioning and inspection based on an image of the die captured by the imaging device.
さらに、ボンディングヘッドを備え、
前記制御部は、前記ダイが不良品であると判断した場合は、前記ボンディングヘッドにより前記ダイを廃棄するよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 4,
In addition, it has a bonding head,
The die bonding apparatus, wherein the control unit discards the die by the bonding head when the die is determined to be defective.
前記ダイが載置される前記中間ステージの載置面は前記ミラーの反射面の下端よりも高く位置するダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 3,
A die bonding apparatus in which the mounting surface of the intermediate stage on which the die is mounted is positioned higher than the lower end of the reflecting surface of the mirror.
前記載置面は前記ダイよりも一回り小さく形成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 6,
A die bonding apparatus in which the mounting surface is formed one size smaller than the die.
前記中間ステージは、前記ミラーが設置されたステージ部とベース部とを備え、
前記ステージ部はダイサイズに合わせられた位置に前記ミラーが設置され、前記ステージ部は前記ベース部に位置決めして着脱可能であるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 3,
The intermediate stage comprises a stage section on which the mirror is installed and a base section,
A die bonding apparatus according to claim 1, wherein the stage section has the mirror installed at a position that matches the size of the die, and the stage section is detachable while being positioned on the base section.
前記制御部は、
前記ダイが前記中間ステージに載置されていない状態において、前記撮像装置により前記ミラーを撮像し、
互いに向かい合った対をなすミラーの画像において対で写る像をミラー上の異常と判別処理するよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 3,
The control unit
imaging the mirror with the imaging device in a state in which the die is not mounted on the intermediate stage;
A die bonding apparatus configured to discriminate a paired image of an image of a pair of mirrors facing each other as an abnormality on the mirror.
前記制御部は、
前記対で写る像のいずれかの像が焦点ずれを起こした際に、平滑化フィルタまたはエッジ抽出フィルタにより焦点ずれを補正する補正処理を行い、
前記対で写る像の位置を反転する反転処理を行い、
前記補正処理により得られた画像および前記反転処理により得られた画像に対して形状判定処理を行って前記対で写る像が同じものであるかどうかの判別処理するよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 9,
The control unit
When any one of the images in the pair is out of focus, a smoothing filter or an edge extraction filter is used to correct the out of focus,
Performing a reversal process for reversing the positions of the images reflected in the pair,
A die bonding apparatus configured to perform shape determination processing on the image obtained by the correction processing and the image obtained by the inversion processing to determine whether or not the paired images are the same.
前記制御部は、前記ミラー上の異常の前記判別処理を電源起動時または着工開始時または着工中に周期的に行うよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 9,
The die bonding apparatus, wherein the control unit is configured to periodically perform the discriminating process of the abnormality on the mirror when the power is turned on, when the work is started, or during the work is started.
前記制御部は、異常を検出する際に方位性をもつエッジ抽出フィルタを用いて画像からそれらの領域を分離して判別処理を行うよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 3,
The control unit is configured to separate those regions from the image using an edge extraction filter having orientation when detecting an abnormality and perform discrimination processing.
前記ミラーは一つであり、
前記ダイが載置される前記中間ステージの載置面は回転可能に構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus of claim 2,
said mirror is one,
A die bonding apparatus in which a mounting surface of the intermediate stage on which the die is mounted is rotatable.
さらに、ピックアップヘッドを備え、
前記制御部は、前記ピックアップヘッドにより前記中間ステージに載置されるダイの上面および側面を同一露光内において前記撮像装置により撮像するよう構成されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to any one of claims 1 to 13,
In addition, equipped with a pickup head,
The die bonding apparatus, wherein the control unit is configured to image the upper surface and the side surface of the die placed on the intermediate stage by the pickup head with the imaging device within the same exposure.
前記中間ステージは、さらに、前記ダイが載置される台座と、前記ダイよりも下方に設けられる第一の照明装置の照射面と、を有し、
前記台座の載置面は前記ミラーの反射面の下端よりも高く位置し、
前記第一の照明装置は前記ダイに対して下方からの斜光照明として機能するダイボンディング装置。 The die bonding apparatus of claim 1,
The intermediate stage further includes a pedestal on which the die is mounted, and an irradiation surface of a first illumination device provided below the die,
the mounting surface of the pedestal is positioned higher than the lower end of the reflecting surface of the mirror;
The first lighting device is a die bonding device that functions as an oblique lighting device for the die from below.
前記第一の照明装置は前記中間ステージのステージ部を構成し、前記ステージ部の上面側に発光する照明発光面を有するダイボンディング装置。 16. The die bonding apparatus of claim 15,
The first illumination device constitutes the stage portion of the intermediate stage, and has an illumination light emitting surface that emits light on the upper surface side of the stage portion.
前記ステージ部の上面側に発光する前記照明発光面は拡散発光する照明発光面であるダイボンディング装置。 17. The die bonding apparatus of claim 16,
The die bonding apparatus according to claim 1, wherein the illumination light-emitting surface that emits light on the upper surface side of the stage portion is an illumination light-emitting surface that emits diffuse light.
第一の照明装置は、前記中間ステージのステージ部における前記台座と前記ミラーとの間の前記ステージ部の上面に設けられる拡散反射する部材と、前記部材に可視光の平行光を照射する照明装置と、を備えるダイボンディング装置。 17. The die bonding apparatus of claim 16,
A first illumination device includes a diffusely reflecting member provided on the upper surface of the stage portion between the pedestal and the mirror in the stage portion of the intermediate stage, and an illumination device that irradiates the member with parallel visible light. and a die bonding apparatus.
前記部材に可視光の平行光を照射する角度は任意に変更可能なダイボンディング装置。 19. The die bonding apparatus of claim 18,
A die bonding apparatus capable of arbitrarily changing the angle at which the member is irradiated with parallel light of visible light.
第一の照明装置は、前記中間ステージのステージ部における前記台座と前記ミラーとの間の前記ステージ部の上面に設けられる蛍光拡散シートと、前記蛍光拡散シートに紫外光を照射する照明装置と、を備えるダイボンディング装置。 17. The die bonding apparatus of claim 16,
A first illumination device includes a fluorescence diffusion sheet provided on the upper surface of the stage portion between the pedestal and the mirror in the stage portion of the intermediate stage, and an illumination device for irradiating the fluorescence diffusion sheet with ultraviolet light; A die bonding device comprising:
前記第一の照明装置は前記中間ステージのステージ部における前記台座と前記ミラーとの間に設けられ、前記ステージ部の上面側に拡散発光する照明発光面を有するダイボンディング装置。 18. The die bonding apparatus of claim 16 or 17,
The first lighting device is provided between the pedestal and the mirror in the stage section of the intermediate stage, and has an illumination light emitting surface that emits diffuse light on the upper surface side of the stage section.
第一の照明装置は導光板で構成されるダイボンディング装置。 18. The die bonding apparatus of claim 16 or 17,
A first lighting device is a die bonding device composed of a light guide plate.
第一の照明装置は導光板で構成されるダイボンディング装置。 22. The die bonding apparatus of claim 21, wherein
A first lighting device is a die bonding device composed of a light guide plate.
さらに、前記中間ステージより上方に設けられた第二の照明装置を備え、
前記第二の照明装置は前記ダイに対して上方からの斜光照明として機能するダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to any one of claims 15 to 20,
Furthermore, a second lighting device provided above the intermediate stage,
The second lighting device is a die bonding device that functions as an oblique lighting device for the die from above.
さらに、前記中間ステージより上方に設けられた第三の照明装置を備え
るダイボンディング装置。 25. The die bonding apparatus of claim 24, wherein
The die bonding apparatus further includes a third illumination device provided above the intermediate stage.
前記第三の照明装置は前記ダイに対して上方からの同軸照明として機能し、
前記第一の照明装置からの斜光照明光の色および前記第二の照明装置の照明光の色と、前記第三の照明装置の照明光の色と、が異なるダイボンディング装置。 26. The die bonding apparatus of claim 25, wherein
the third lighting device functions as coaxial lighting from above for the die;
A die bonding apparatus in which the color of the oblique illumination light from the first illumination device and the color of the illumination light from the second illumination device are different from the color of the illumination light from the third illumination device.
前記第三の照明装置は前記ダイに対して上方からの同軸照明として機能し、
前記第一の照明装置からの斜光照明の偏光方向および前記第二の照明装置の照明光の偏光方向と、前記第三の照明装置の照明光の偏光方向と、が異なるダイボンディング装置。 26. The die bonding apparatus of claim 25, wherein
the third lighting device functions as coaxial lighting from above for the die;
A die bonding apparatus in which the polarization direction of the oblique illumination from the first illumination device and the polarization direction of the illumination light from the second illumination device are different from the polarization direction of the illumination light from the third illumination device.
前記載置面は前記ダイよりも一回り小さく形成され、
前記台座は反射防止膜が形成される、または、前記台座は側面視において台形状または逆台形状である、または、前記台座は上面視において円形状である、または、前記台座は上面視において矩形状であり各辺は前記ミラーとは正対していないダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to any one of claims 15 to 20,
The mounting surface is formed one size smaller than the die,
The pedestal has an antireflection film, or has a trapezoidal or inverted trapezoidal shape when viewed from the side, or has a circular shape when viewed from the top, or has a rectangular shape when viewed from the top. A die bonding apparatus having a shape and each side does not face the mirror.
前記ミラーは、前記反射面が前記撮像装置の光学軸に対し４２度以上かつ４８度以下傾くように設置されるダイボンディング装置。 In the die bonding apparatus according to any one of claims 15 to 20,
A die bonding apparatus in which the mirror is installed such that the reflecting surface is inclined at an angle of 42 degrees or more and 48 degrees or less with respect to the optical axis of the imaging device.
前記撮像装置により前記中間ステージに載置されたダイの上面および側面を撮像する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。 A pickup head that picks up a die, an intermediate stage having a mirror mounted on the top surface of the intermediate stage, and a field of view that includes the die placed on the intermediate stage by the pickup head and the reflecting surface of the mirror above the intermediate stage. an imaging device provided so as to be positioned inside, a lighting device provided below the imaging device and above the intermediate stage, and picking up the die placed on the intermediate stage and placing it on the substrate a loading step of loading the wafer into a die bonding apparatus comprising a bonding head to be placed;
imaging the top and side surfaces of the die mounted on the intermediate stage with the imaging device;
A method of manufacturing a semiconductor device having
さらに、前記撮像装置により撮像したダイの画像に基づいて位置決めおよび検査を行う工程を有する半導体装置の製造方法。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 30,
The method of manufacturing a semiconductor device further includes the step of performing positioning and inspection based on the image of the die imaged by the imaging device.
さらに、前記ダイが不良品であると判断した場合は、前記ボンディングヘッドにより前記ダイを廃棄する工程を有する半導体装置の製造方法。 32. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 31,
The method of manufacturing a semiconductor device further comprises a step of discarding the die by the bonding head when the die is determined to be defective.
前記中間ステージは、さらに、前記ダイが載置される台座と、前記ダイよりも下方に設けられる第一の照明装置の照射面と、を有し、前記台座の載置面は前記ミラーの反射面の下端よりも高く位置し、前記第一の照明装置は前記ダイに対して下方からの斜光照明として機能する半導体装置の製造方法。 In the method of manufacturing a semiconductor device according to claim 30,
The intermediate stage further has a pedestal on which the die is mounted, and an irradiation surface of the first illumination device provided below the die, and the mounting surface of the pedestal reflects the reflection of the mirror. A method of manufacturing a semiconductor device, wherein the first lighting device is located higher than the lower end of the surface and functions as oblique lighting for the die from below.
さらに、前記撮像装置により撮像したダイの画像に基づいて検査を行う工程を有する半導体装置の製造方法。 34. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 33,
The method of manufacturing a semiconductor device further includes a step of performing an inspection based on the image of the die imaged by the imaging device.
さらに、前記ダイが不良品であると判断した場合は、前記ボンディングヘッドにより前記ダイを廃棄する工程を有する半導体装置の製造方法。 35. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 34,
The method of manufacturing a semiconductor device further comprises a step of discarding the die by the bonding head when the die is determined to be defective.
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